Chapitre 5 Jonction PN

Contact entre deux matériaux

Il existe diverses catégories de contacts entres deux matériaux

• Homo-jonction : c’est le contact entre deux parties différentes d’un même

semi-conducteur
• Hétérojonction : c’est l’association entre deux semi-conducteurs de nature
différente.
• Jonction Métal-SC : par exemple les diodes Schottky ou les contactes
ohmiques.
• Structure MIS (Métal Isolant Semi-conducteur). Lorsque l’isolant est de type
oxyde la structure est dite MOS (capacité et transistor)

Jonction abrupte à l'équilibre thermodynamique

Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-
conducteur type P issus d'un même cristal. La différence des densités de donneurs et
d'accepteurs ND -NA passe « brusquement» d'une valeur négative pour la région P à
une valeur positive pour la région N. La loi de variation de cette différence est donnée
par deux constantes pour une jonction dite abrupte.

Figure 1 : Variation de la différence de densités de donneurs et d'accepteurs pour une jonction abrupte

Il existe d'autres types de jonctions comme les jonctions exponentielles, linéaires,

etc.... Cependant l'étude d'une jonction abrupte étant plus simple et de plus aisément
généralisable à une jonction quelconque, nous n’étudierons que ce seul modèle.

Figure 2 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction PN de semi-conducteurs
en silicium (Si). Le dopage N est obtenue par de l'arsenic (As) et le dopage P par du Bohr (B).
La figure 2 permet de mieux comprendre l'effet du rapprochement des deux semi-
conducteurs sur le bilan électronique de la jonction. Nous observons ainsi qu'à
proximité de la jonction les électrons de conduction excédentaires côté N passent côté
P pour se recombiner avec des trous. Ainsi, une charge d'espace statique négative se
crée coté P et une charge d'espace statique positive se crée coté N. Le lieu ou réside
cette charge d'espace est appelé zone de charge d'espace ou zone de déplétion (zone
désertée par recombinaison des porteurs libres). En raison de la présence, dans cette
zone, d'un champ électrique intense, la densité de porteurs libres dans cette région est
négligeable à l'équilibre thermodynamique. En outre les frontières entre la zone
dépeuplée et les zones neutres de la jonction sont très abruptes.
Après la mise en contact des deux semi-conducteurs de dopage différent, une barrière
de potentiel pour les trous et les électrons est constituée. En effet, la double couche de
charges négatives coté P et positives coté N, crée un champ électrique dirigé de N vers
P qui empêche la diffusion et maintient la séparation des trous coté P et des électrons
coté N.

Ainsi le courant dû aux électrons (ou trous) libres qui traversent la jonction est nul
(diffusion et conduction) :
Pour un modèle à une dimension

+ =0 ⟺ + µ =0

=−
µ

Avec la relation d'Einstein :

Et on intégre le long de la zone de déplétion :

 =− ⟺ =−

ln − ln = − =

ln = ln !
=
#
"

D’où :
"
= ln !

à cause de la double couche, le potentiel électrostatique varie brusquement dans la

zone de la jonction et la d.d.p. Vd, appelée tension de diffusion, atteint des valeurs non
négligeables (ex : 0,7V pour le silicium et 0,3V pour lr germanium).
Calcul du champ électrique dans la zone de déplétion :
La relation de Poisson liant les grandeurs charges d'espace ρ [C.cm-3] , champ
électrique E et potentiel électrostatique V est (dans le cas à une dimension):
! − −$
= =
! %& %'
Où %& %' est la permittivité du milieu (10-10 F/m pour le silicium).
Dans la zone de déplétion : On a la densité de charge dans la région P (accepteurs
chargés négativement) ρp= - qNA en C.cm-3 et dans la région N (donneurs chargés
positivement) ρn= +qND en C.cm-3
Vu la neutralité électrique, la charge totale est nulle :
qND A xn - qNA A xp = 0 ( A est l’aire de la jonction) donc ND xn =NA xp
 Figure 3 : Jonction PN à l'équilibre thermodynamique. a) Charge d'espace, b) Champ électrique, c)
Potentiel électrostatique.

Calcul de la largeur de la zone de déplétion :

Le potentiel de diffusion se calcul à partir de E(x)

= ( ) − *− +, =− ( )
&
( − )
"
=− − * + +, −
%& %' & %& %'
" 1 1
=− - !
− !0 −
- !
− !0
%& %' 2 +
%& %' 2
+

" 1 1
= - +!0 + - !0
%& %' 2 %& %' 2
1
= | 2 |* + + ,
2

Avec la neutralité électrique, la largeur de la zone de déplétion W :

2%& %' 1 1
3= + + =4 - + 0
"
Ou

2%& %' 1
=4 .4
"
.
6 " +
Et

2%& %' 1
+ =4 .4 .
" 6 " +

Quelques ordres de grandeurs :

1- Soit jonction PN en silicium ; à T= 300 K ; ni = 1,4 1010 cm-3 ; NA= 1018 cm-3 ;
ND = 1016 cm-3
La jonction est dissymétrique :
+
". + = . → = = 10 !
"
La zone de déplétion s’étend du côté le moins dopé.
Le potentiel de diffusion est :
" 10:; . 10:<
= ln = 0,026. ln = 0,82
! 1,96 10!&
Comme :
1
%& = BC : %' = 12 → %& %' = 1,06 10 :& BC :
36@10A
La largeur de la zone :

2%& %' 1 2.1,06 10 :&

3=4 - 0 =4 0,82 = 0,33DC
1,6 10 :A . 10!!
= 0,33DC
0,33 DC
= = 3,3 C
+
100

2- Soit jonction PN en silicium ; à T= 300 K ; ni = 1,4 1010 cm-3 ; NA= 1017 cm-3 ;
ND = 1019 cm-3
La jonction est dissymétrique :
+
". + = . → = = 10!
"
La zone de déplétion s’étend du côté le moins dopé.

Le potentiel de diffusion est :

" 10:A . 10:E
= ln = 0,026. ln = 0,94
! 1,96 10!&
Comme :
1
%& = BC :
%' = 12 → %& %' = 1,06 10 :&
BC :
36@10A

La largeur de la zone :

2%& %' 1 2.1,06 10 :&

3=4 - 0 =4 0,94 = 0,112DC
" 1,6 10 :A . 10!G
= 0,11DC
+
0,112 DC
= = 1,12 C
100

Diagramme d'énergie de la jonction

Le potentiel (chimique) d'un semi-conducteur étant donné par l'énergie de Fermi,
la tension de diffusion est proportionnelle à la différence des niveaux de Fermi des
semi-conducteurs non joints:
Pour la jonction et à l'équilibre thermodynamique, le niveau de Fermi coté dopé P et
coté dopé N est identique. Le diagramme d'énergie de la jonction PN comporte donc
une courbure des bandes de conduction et de valence. Cette courbure fait apparaître
une différence d'énergie potentielle électrostatique de qVd.

Figure 4 : Diagramme d'énergie d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique.

Jonction abrupte alimentée en courant

Densité de courant
Afin de décrire le comportement d'un semi-conducteur hors équilibre
thermodynamique (soumis à une tension extérieure), nous devons étudier les courants
résultants du déplacement des porteurs de charges que sont les électrons et les trous.
Ce déplacement de charges se fait sous l'action d'une force dont l'origine peut être un
champ électrique ou un gradient de concentration de porteurs de charges. Dans le
premier cas, le courant est appelé courant de conduction, dans le second il est appelé
courant de diffusion. Par ailleurs, nous ne caractériserons pas directement le courant
mais la densité de courant J, proportionnelle à ce dernier. La densité de courant se
définie comme étant la quantité de charges qui traversent une unité de surface par
unité de temps.
Lorsque les trous et les électrons baignent dans le champ électrique créé par la mise
sous tension de la jonction, ils se déplacent et génèrent ainsi le courant de
conduction :
Où n et p sont les densités de porteurs, q=1,602.10-19C la charge d'un électron, E le
champ électrique de la jonction polarisée et µn et µp les mobilités respectivement des
électrons et des trous.
D'autre part, lorsque les électrons ou les trous ne sont pas distribués uniformément
dans le semi-conducteur, leur mouvement s'effectue dans un sens qui tend à
uniformiser leur distribution spatiale. Le flux de porteurs et donc le courant de
diffusion est proportionnel à leur gradient de concentration :

Où Dn et Dp sont les constantes de diffusion des deux types de porteurs.

La mobilité des électrons étant plus élevée que celle des trous, la relation d'Einstein
montre que, pour un même gradient de concentration, le courant de diffusion des
électrons est plus grand que celui des trous.
Relation d'Einstein :

Il est évident que le courant total est constant dans toute la jonction. Aussi, pour
l'évaluer, choisissons une région permettant de simplifier les calculs. Cette région
correspond aux parties neutres N et P. En effet, loin de la zone de déplétion le champ
électrique en régime de faible injection est négligeable, ceci provenant de la
conduction non nulle des semi-conducteurs. Le courant total est la seule somme des
courants de diffusion des trous et des électrons. De plus, dans les zones neutres (hors
zone de déplétion) la répartition spatiale des densités de porteurs majoritaires, c'est à
dire les électrons coté N et les trous coté P, est constante. Or les courants de diffusion
sont proportionnels au gradient de concentrations des porteurs, ainsi le courant total
est généré par les porteurs minoritaires, c'est à dire les électrons coté P et les trous coté
N. L'expression de la densité de courant total est donc:

Où xp (resp. xn) délimite la frontière de la zone de déplétion coté P (resp. N).

 Figure 5 : Polarisation d'une jonction PN

Afin d'exprimer J en fonction de la tension extérieure V, nous devons évaluer les

densités de porteurs minoritaires np (=n(xp)) et pn (=p(xn)) dans les zones neutres. Pour
ce faire, nous allons écrire les équations dites de continuité donnant l'évolution du
nombre de porteurs au cours du temps.

Figure 6 : Elément de volume de semi-conducteur

Considérons un volume de semi-conducteur élémentaire de section unitaire et de

longueur dx. La variation de porteurs par unité de temps dans cet élément de volume
est la somme algébrique du nombre de porteurs qui entrent et qui sortent (traduit par

l'apport de porteurs extérieurs ), de ceux qui se créent et de ceux qui se

recombinent (traduit par les durées de vie et ). Ainsi, nous obtenons pour les
trous et les électrons les équations de continuité suivantes :
Où np0 = n(xp) (resp. pn0 = p(xn)) est la densité d'électrons (resp. de trous) coté P (resp.
N) pour la jonction non alimentée et , les durée de vie respectives des porteurs
dans les régions neutres.
Les équations de continuité à l'état stationnaire sont alors :

Où sont les longueurs de diffusions des porteurs.

En notant les densités porteurs majoritaires nn0 (=ND) et pp0 (=NA), l'expression de la
tension de diffusion nous permet de lier les densités de porteurs majoritaires aux
porteurs minoritaires pour la jonction à l'équilibre :

Lorsque la jonction est alimentée la d.d.p. électrostatique devient Vd –V. Par analogie
avec la jonction à l'équilibre, les densités de porteurs majoritaires et minoritaires sont
liées par :

Où V est la tension de polarisation de la diode si l'on néglige les pertes ohmiques dans
les semi-conducteurs dopés P et N
Dans le cadre de l'injection faible, les densités de porteurs majoritaires sont quasi
constants entre l'état à l'équilibre et hors équilibre, on obtient alors pour variation de
porteurs minoritaires :

Nous pouvons à présent résoudre les équations de continuité écrites à l'état

stationnaire. Ces équations différentielles nécessites de connaître des conditions aux
limites. Or les densités de porteurs minoritaires loin de la jonction n'ont pas été
modifiées par l'alimentation de la diode, ce qui se traduit par :
et . Les variations de densité de porteurs minoritaires sont alors
exprimées en fonction de la position x dans la jonction hors zone de déplétion par :

En évaluant les densités de courants de diffusion aux limites de la zone de déplétion à

l'aide des relations précédentes, on obtient la densité de courant totale :

avec

Polarisation continue inverse

En polarisation continue inverse (V<0), quelque soit la tension faible appliquée aux
borne de la jonction le courant total est constant et vaut -Js. Ce courant est fort
naturellement appelé courant de saturation. Cependant, pour de forte polarisation
inverse le courant total peut brusquement et fortement augmenter. On dit alors que l'on
a atteint la tension de claquage de la jonction, notée Vc. En effet, lorsque l'on
augmente la tension de polarisation inverse, on augmente de ce fait le champ
électrique à l'intérieur de la jonction. Or, il existe une valeur limite à ce champ
électrique. En effet, lorsque le champ électrique augmente, la force
électrique qui s'exerce sur les électrons liés au réseau cristallin s'accroît et
devient supérieure à la force de liaison des électrons de valence sur les noyaux. Ces
électrons sont ainsi libérés, le cristal devient alors conducteur et la tension de
polarisation inverse, et par conséquent le champ électrique, n'augmente plus. Ceci
signifie que le champ électrique maximum que l'on peut établir dans un cristal semi-
conducteur est celui qui provoque l'excitation directe d'un électron de la bande de
valence à la bande de conduction, c'est à dire l'ionisation du matériau.
Le phénomène de claquage peut être due à deux processus distincts. Le premier est
appelé effet tunnel ou effet Zener. Le champ électrique élevé (~106V/cm pour le
silicium) génère des paires électron-trou. Les électrons associés à ces paires sont émis
à travers la zone de déplétion, de la bande de valence vers la bande de conduction,
sans modification d'énergie, d'où le terme d'effet tunnel. Dans la pratique, cet effet
n'est observable que dans les jonctions PN fortement dopées, pour lesquelles la zone
de charge d'espace est très étroite diminuant ainsi la longueur du «tunnel».
Lorsque la largeur de la zone de charge d'espace n'est pas particulièrement
faible, , un phénomène appelé effet d'avalanche entraîne le claquage de la
jonction avant l'effet Zener. Pour des champs électriques de l'ordre de 105V/cm, c'est à
dire pour une valeur environ dix fois inférieure au seuil d'effet Zener, l'accélération
acquise par quelques porteurs, essentiellement d'origine thermique, est suffisante pour
permettre de générer des paires électron-trou par choc avec les atomes du cristal. Ces
paires électron-trou sont à leur tour accélérées, et peuvent crées d'autre paires. Il en
résulte un processus en chaîne rappelant un phénomène d'avalanche. Ce processus est
donné par la figure EC7. Il se décrit comme suit : la phase (1) correspond à la création
thermique d'une paire électron-trou ; dans la phase (2) l'électron est accéléré par le
champ électrique et se trouve de ce fait de plus en plus haut dans la bande de
conduction, on dit qu'il devient un porteur chaud ; la phase (3) correspond au moment
ou son énergie cinétique est suffisante pour créée par choc une autre paire électron-
trou, à l'issus de ce choc, appelé impact d'ionisation, l'électron ayant perdu de l'énergie
se trouve dans le bas de la bande de conduction et une deuxième paire d'électron-trou
est créée. Si la largeur de la zone de charge d'espace est suffisante le processus peut se
poursuivre. Notons que le phénomène décrit ici pour l'électron existe aussi pour le
trou.

Figure 7 : Bandes d'énergie à la tension de claquage.

Polarisation continue directe

En polarisation continue directe (V>0) et dans le cadre de l'injection faible, le courant total traversant la
jonction est une fonction exponentielle de la tension de polarisation V. Cependant, lorsque la polarisation directe
devient importante, la barrière de potentielle constituée par la zone de déplétion devient faible et ainsi la
résistance propre de la jonction devient négligeable devant la résistance ohmique R des deux semi-conducteurs N
et P. On ne peut plus écrire que la tension d'alimentation que l'on notera Va est égale à la tension de polarisation

seule mais à ou V est la tension de polarisation nécessaire pour réduire la barrière de potentiel à une
valeur de l'ordre de kT/q et est la chute de tension due à la résistance ohmique des régions N et
P. .J

Caractéristique courant-tension
Nous pouvons à présent tracer la courbe courant-tension pour une jonction PN en
tenant compte des particularités des polarisations inverse et directe données dans les
paragraphes précédents. Cette courbe montre l'existence d'une quasi tension d'offset
Voff dans le cas ou la résistance ohmique des semi-conducteurs est faible.

Figure 8 : Courbe caractéristique de la jonction PN

Polarisation alternative directe, capacité de diffusion

En polarisation alternative directe la jonction PN est soumise à une tension de polarisation V composée d'une
tension constante sens direct (V0>0) et d'une tension alternative de faible amplitude V et de fréquence f. On
négligera la résistance ohmique des semi-conducteurs (régime de faible injection). Cette tension alternative va
générée une densité de courant total J composée elle aussi d'une partie constante J0 et d'une faible composante
alternative J (complexe).

Et

Où est la pulsation de modulation.

Pour des fréquences de modulation relativement basses telles que où ou représente la

durée de vie des porteurs, l'admittance complexe , s'écrit :

Pour , avec
Où gd est conductance de diffusion, Cd est la capacité de diffusion.

Cette relation montre que l'amplitude de la composante alternative du courant varie exponentiellement avec la
partie continue de la tension de polarisation. De plus, il existe un déphasage entre la tension de polarisation et la
réponse en courant, traduit par la capacité de diffusion. Cette capacité trouve son origine dans la mobilité élevée
des porteurs. En effet, il faut savoir que les porteurs, électrons et trous, ont une masse non nulle, par ailleurs
dépendante du cristal (pour GaAs ; masse effective de l'électrons : me=0.06.10-30kg). Sous l'action de la
polarisation, de par leur mobilité élevée, ils ont la possibilité d'acquérir une vitesse relativement importante. Ainsi,
lorsque cette polarisation est inversée rapidement les porteurs par un phénomène d'inertie ne répondent pas
immédiatement à l'action de cette nouvelle polarisation. Par conséquent, le courant total généré par le
déplacement de ces porteurs est déphasé par rapport à la tension de polarisation.

Pour des fréquences de modulation élevées telles que , l'admittance complexe devient :

Pour ; avec

Ainsi, la conductance et la capacité de diffusion deviennent tout deux dépendant de la fréquence de modulation
et le courant est en retard de 45° sur la tension.