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‫الجـمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬

République Algérienne démocratique et populaire

‫وزارة التعليم الــعــالي و البحــث العــلمــي‬


Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique

‫جــامعة سعد دحلب البليدة‬


Université SAAD DAHLAB de BLIDA

‫كلية التكنولوجيا‬
Faculté de Technologie

‫قسم اإللكترونيـك‬
Département d’Électronique

Mémoire de Master
Filière Électronique
Spécialité Instrumentation

présenté par

Mme CHERRATI Nabila

Optimisation des pertes de commutation


d’un hacheur survolteur (BOOST)

Proposé par : Mr AKHRIB & Mr SAHNOUNE CHAOUCHE

Année Universitaire 2019-2020


SOMMAIRE

SOMMAIRE

INTRODUCTION GENERALE ……………………………………………..………………1

CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

1- INTRODUCTION……………………………………………………..………………….......3
2- LES DIFFÉRENTS TYPES DES CONVERTISSEURS ………………………..…………...4
2-1 LES CONVERTISSEURS AC-DC : Les redresseurs .…………...……….………....……...4
2-1-1 Introduction ..……...………………..…………………………………......…….………4
2-1-2 Montages redresseurs …………...………………….…………………………….....…..5
2-2 LES CONVERTISSEURS DC-AC : Les onduleurs …..........………...………..………........5
2-3 LES CONVERTISSEURS AC-AC : Les gradateurs ….…….………………...…..........…..5
2-4 LES CONVERTISSEURS DC-DC ……...………………………...……..……………...... 6
2-4-1 Les alimentations à découpage ………...…………………………................................6
2-4-1-1 Avantages de l'alimentation à découpage …...……..…………….............................7
2-4-2 Les Hacheurs ...................................................................................................................7
2-4-2-1 Hacheur dévolteur ou série (Buck) ……….…………………….………….………8
2-4-2-1-1 Structure………………………………………………………………………..8
2-4-2-1-2 Fonctionnement….………………………...…………………………………..8
2-4-2-2 Hacheur survolteur ou parallèle (Boost)……………………………………………...9
2-4-2-2-1 Structure………………………………………………………………………..9
2-4-2-2-2 Fonctionnement….………………………...…………………………………10
2-4-2-3 Hacheur à accumulation inductive (Buck &Boost) …………....……………….…..11
2-4-2-3-1 Structure………………………………………………………………………11
3- DOMAINE D’APPLICATION DES CONVERTISSEURS ……………………………….12
4- LES INTERRUPTEURS EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE …………..…………..12
4-1 Diode …………………………..……………………..……………………….………...…12
4-2 Transistor de puissance ……………………………………………………………...…….13
4-2-1 Remarques…………………………………………………………………..……..…..13
4-3 Thyristor …………………………………………….…………………….……………….15
SOMMAIRE

4-3-1 Remarques...………………………………..…………………………………..……..16
4-4 GTO ………………………………………………………...………………………….…..16
4-4-1 Remarques...…………………………………….……………………………..……..17
5- CRITERE DE CHOIX DES INTERRUPTEURS ELECTRONIQUES …………………....17
6- CONCLUSION ………………………………………...…………………….……….………17

CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

1- INTRODUCTION……………………………………………………………………………19
2- LA COMMUTATION ……………………………………………………………………….19
3- TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE ……………………………………………….20
3-1 Définition ………………………………………………………………………………....20
3-2 Symbole et constitution …………………………………………………………………...21
3-3- Caractéristiques d’un MOSFET …………………………………………………………21
3-3-1 Caractéristiques statiques ……………………………………………………………21
3-4 Avantages et inconvénients d’un MOSFET …………………………………….……..22
3-4-1 Avantages ………………………………………………………………………….…22
3-4-2 Inconvénients …………………………………………………………………….…22
4- MOSFET EN REGIME DE COMMUTATION …………………………………………….22
4-1 Règles de fonctionnement MOSFET canal N ou canal P ……………………………...23
4-2 Principes de fonctionnement ……………………………………………………………..24
4-3 Analyse de la commutation sur charge inductive ………………………………………..25
4-3-1 Commutation a la fermeture…………………………………………………………27
4-3-2 Commutation a l’ouverture………………………………………………………….28
5- PERTES DE PUISSANCE DANS LES MOSFETS………………………………………….30
5-1 Présentation de la problématique liée aux pertes ………………………………….…..30
5-1-1 Les pertes par conduction ………………………………………………………….30
5-1-2 Les pertes par commutation …………………………..…………………………..31
6- CIRCUITS D’AIDE A LA COMMUTATION ……………………………………………32
6-1 Définition ……………………………………………………………………………...32
6-2 Circuit d’aide à la commutation à la fermeture ……………………………………….32
6-3 Circuit d’aide à la commutation à l’ouverture ………………………………………...34
7- SCHEMA FINAL ET BILAN ………………………………………………………….36
8- COCLUSION …………………………………………………………………………...37
SOMMAIRE

CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES


D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

1- INTRODUCTION…………………………………………………………………….…38
2- ORCAD PSPICE……………………………………………………………………..….38
3- PROCEDURE …………………………………………………………………..……….39
4- ETAPES DE SIMULATION ……………………………………………….…............40
4-1 Etape1: CONVERTISSEUR SANS CALC ……………………….………..…..……..40
4-1-1 Résultats de Simulation ……….……………...………………………………...…40
4-1-2 Mesure des pertes de puissance………………..…………………………..…….. 42
4-2 Etape 2: CONVERTISSEUR AVEC CALC ……………………..……………………43
4-2-1 Résultats de Simulation ……………………….…………………..………………....44
4-2-2 Mesure des pertes de puissance ……………………………………………………....45
5- REALISATION DE CIRCUIT IMPRIME DE CONVERTISSEUR BOOST AVEC ET SANS
CALC ……………………………………………………….………………………….... 47
6- RESULTATS ET DISCUSION ……..…………………………………………….……….51
7- MINIMISATION DE VOLUME DE PCB PAR L’UTULISATION DE LA TECHNOLOGIE
SMT …... …………………………………………………………………….……...……...53
7-1 Historique …………………………………………………………………………..…...53
7-2 Abréviations ………………………………………………………….………………….54
7-3 Avantage ………………………………………………………..……………………….54
8- OPTIMISATION SMT DE NOTRE CIRCUIT BOOST ……………………………….....55
9- COCLUSION ……………………………………………………………………………....56
CONCLUSION GENERALE …………………………………….……..................57

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
ANNEXE
Remerciements

Merci à ceux qui ont


contribué à la
réalisation de ce
travail.
:‫ملخص‬

.‫تكون الخسائر من خالل محول الطاقة الكهربائية في الغالب في أشباه الموصالت التي توفر التبديل‬

‫ واحدة‬،‫) عن طريق المحاكاة وكذلك تحقيق بطاقتين‬BOOST( ‫من أجل تحسين محول ثابت؛ من المخطط دراسة مجموعة المحوالت‬

.‫لتقليل خسارة الطاقة‬ ‫ من أجل إثبات تأثير دوائر للمساعدة في‬،‫ واألخرى بدون هذه الدائرة‬،‫مع دائرة مساعدة التبديل‬

:‫كلمات المفاتيح‬

.CALC ‫التحسين باستخدام‬


;‫المحوالت ; فقدان الطاقة‬
Résumé : Les pertes d’énergie électrique à travers un convertisseur statique sont essentiellement au niveau
des semi-conducteurs lors de la commutation.
Dans l’objectif d’optimiser les pertes dans un convertisseur statique ; on prévoie d’étudier un montage
hacheur survolteur (BOOST) par la simulation et par la réalisation de deux cartes électroniques ; l’une avec
un circuit d’aide à la commutation, et l’autre sans ce circuit, afin de comparer ces derniers en terme de
pertes d’énergie.

Mots clés : commutation dans un hacheur ; perte d’énergie ; optimisation avec un CALC.

Abstract: The losses in an electrical energy converter are mainly caused by the switching of the

semiconductors.

to optimize the switching losses in a static converter; we have simulated and realized two chopper circuits

with and without a CALC in order to compare the results in terms of switching power losses.

Keywords: switching in a chopper; energy loss; optimization with a CALC.


Listes des acronymes et abréviations

AC courant alternatif
DC courant continu
Ve tension d’entrée
Vs tension de sortis
V volt
R résistance
L inductance
C capacité
D diode
S interrupteur
Vi tension initiale
Vo tension de sortis
Vd tension aux bornes de la diode
MOSFET Metal Oxyde Semi-conductor Field Effect Transistor
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
K interrupteur
I intensité de courant
T la periode
α le rapport cyclique
t le temps
V Lmoy tension moyenne aux bornes de l’inductance
F la fréquence
A,K anode,cathode
D Drain
S source
G grille
V GS tension entre grille et source
GTO gate turn-off
Kva kilo volt ampère
RDS résistance entre drain et source
V GSth tension entre grille et source seuil
V GSM tension entre grille et source de saturation
Ώ ohm
W watt
LISTE DE FIGURES

LISTE DE FIGURES

CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Figure 1.1: Classification des convertisseurs ………………………………………………….3


Figure 1.2: Conversion AC-DC ……………………………………………………………….4
Figure 1.3: Conversion DC-AC………………………………………………………………..5
Figure 1.4: Conversion AC-AC ……………………………………………………………….6
Figure 1.5: Conversion DC-DC………………………………………………………………..7
Figure 1.6: Schémas d’un hacheur série (Buck) ……………………………………………...8
Figure 1.7: Les deux configurations d'un convertisseur Buck suivant l'état de l'interrupteur S.9
Figure 1.8: Schémas d’un hacheur parallèle (Boost) ……………………………………...….9
Figure 1.9: Chronogrammes de courant et de tension aux bornes de la bobine ……………..10
Figure 1.10: Chronogrammes des divers courants….. ………………………………………11
Figure 1.11: Schéma d’un hacheur à accumulation inductive (Buck &Boost) ………………11
Figure 1.12: Les caractéristiques v−i d’une diode ..……………………………….…………...13
Figure 1.13: Les symboles utilisés pour représenter les différents types des transistors ..…………13
Figure 1.14: Le symbole représentatif du thyristor. …………………………………………..…15
Figure 1.15: Le symbole représentatif du GTO ……………………………………………...16

CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Figure 2.1: Symbole d’un MOSFET………………………………………………………….21


Figure 2.2 : Caractéristiques statiques d’un MOSFET……………………………………….21
Figure 2.3 : Coupe schématique d'un MOSFET ……………………………………...……...23
Figure 2.4 : symbole d’un MOSFET………………………. …………………………….…..24
Figure 2.5 : Montage de base utilisant un MOSFET à canal N ……………...………………25
Figure 2.6 : Caractéristique statique simplifiée de RDSon ……………….…………………...25
Figure 2.7 : (a) Coupe d'une cellule de MOSFET de puissance, (b) son circuit équivalent …26
Figure 2.8 : Commutation à la fermeture sur charge inductive en conduction continue ….....28
Figure 2.9 : Commutation à l’ouverture sur charge inductive en conduction continue ……..29
LISTE DE FIGURES

Figure 2.10 : Chronogrammes de tension et de courant associés au transistor ……………...30


Figure 2.11 : Schéma de principe du circuit d’aide à la commutation à la fermeture ………...32

Figure 2.12 : Chronogramme du circuit d’aide à la commutation à la fermeture …………....33


Figure 2.13 : Circuit d’aide à l’ouverture ……………………………………………………34
Figure 2.14 : Commutation à l’ouverture avec circuit d’aide ………………….……….……35
Figure 2.15 : La charge, son interrupteur et les CALC à la fermeture et à l'ouverture ………36

CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION D’UN


CONVERTISSEUR BOOST

Figure 3.1: Schéma d’un convertisseur boost avec un MOSFET …………………………....39


Figure 3.2: Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=30kHz ………………...40
Figure 3.3: Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=50kHz ………………...41
Figure 3.4: Schéma d’un convertisseur boost avec un MOSFET ……………………………42
Figure 3.5: Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par MOSFET
à la fréquence de commutation f=50kHz ………………...…...…….………………….…….42
Figure 3.6: Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=30kHz ……………...……….…………..……………... 43
Figure 3.7: Schéma d’un convertisseur BOOST à MOSFET avec CALC.…..………………44
Figure 3.8: Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=30kHz ………………...44
Figure 3.9: Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=50kHz ………………...45
Figure 3.10: Schéma d’un convertisseur boost à MOSFET avec CALC ……………………45
Figure 3.11: Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=50kHz .…………...……….…………..….……………46
Figure 3.12: Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=30kHz .…………...……….…………..……………….47
Figure 3.13: Schéma des connexions de convertisseur boost avec CALC………….…...…..48
Figure 3.14: Circuit imprimé, qu’on a réalisé, de convertisseur boost ……………………....48
Figure 3.15: Carte électronique de notre convertisseur boost sans CALC …………………..49
Figure 3.16: Carte électronique de notre convertisseur boost avec CALC …………………..49
Figure 3.17 : Photos montrant différents tests sur nos convertisseurs boost avec et

sans CALC ……………………………50


LISTE DES TABLEAUX

LISTE DES TABLEAUX

CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION D’UN


CONVERTISSEUR BOOST

Tableau 3.1 : Comparaison des résultats pratique du circuit avec et sans CALC …………....50
Tableau 3.2 : Tableau des termes décrivent les composants, la technique et les machines utilisées
dans la fabrication SMT ……………………………………………………………………….53
INTRODUCTION GENERALE

L’électronique de puissance est la branche qui a pour objectif l’étude de la conversion statique
d’énergie électrique entre deux systèmes (source et actionneur) ; notamment les structures, les
composants, les commandes et les interactions avec l’environnement…..
Cette énergie est disponible soit sous une forme alternative (réseau de distribution électrique,
alternateur….), soit sous une forme continue (batterie, génératrice..) ,il est donc nécessaire
d’assurer, d’une part, une fonction de conversion de l’énergie électrique en rendant compatible
les différentes caractéristiques( tension, courant, fréquence)des deux systèmes et d’autre part,
une fonction de contrôle de cet échange d’énergie. C’est le rôle des convertisseurs statiques.
L’électronique de puissance permet :
 Une utilisation plus souple et plus adaptée de l’énergie électrique ;
 Une amélioration de la gestion de l’énergie électrique ;
 Une discrétion par une réduction des masses et des volumes.

Elle est présente dans tous les grands secteurs technologiques (transport, production,
santé…) surtout avec la diminution de la taille, du poids et du coût des convertisseurs en grande
partie grâce aux progrès faits dans le domaine des interrupteurs électroniques.

C'est l’électronique de commutation : elle tire parti du fait qu'un interrupteur parfait
fermé (résistance nulle, tension aux bornes nulle) ou ouvert (résistance infinie, courant
traversant nul) ne dissipe aucune énergie, donc ne présente aucune perte. Lorsqu'il est
associé à des éléments de filtrage passifs et purement réactifs (c'est-à-dire sans aucune
résistance interne), il permet théoriquement de modifier la tension / le courant sans
perte, donc de réaliser une conversion de tension ou de courant en conservant
l'énergie. Ce but est atteint en découpant la tension / le courant à très haute fréquence
(par rapport à la fréquence d'entrée ou de sortie du convertisseur) et en lissant le
résultat obtenu pour en extraire la valeur moyenne. En pratique, on doit s'attendre à
des pertes de l'ordre de 2 à 10 % dues à l'imperfection des éléments physiques qui le
constituent.

Page 11
INTRODUCTION GENERALE

La montée en fréquence des convertisseurs statiques entraîne une augmentation des


pertes par commutation dans les interrupteurs. Ces pertes peuvent être réduites, par
l’ajout de circuit d’aide à la commutation sans modifier le principe de fonctionnement
du convertisseur.

Dans notre travail, nous nous sommes intéressés à la possibilité de minimiser les
pertes d’énergie dues à la commutation dans les convertisseurs survolteurs BOOST
par les deux voies : simulation et réalisation pratique.

Dans le premier chapitre, nous présenterons les différents types de convertisseur


statique et quelques notions sur les interrupteurs en électronique de puissance.

Le second chapitre sera consacré à la présentation du concept de commutation,


MOSFET en régime de commutation, pertes de puissance dans les MOSFET, et
comme il est impératif d’utiliser les circuits d’aide à la commutation dans notre travail
nous détaillerons les deux circuits CALC en fermeture et en ouverture.

Le troisième chapitre est le noyau de notre travaille et on abordera l’interprétation


pratique des résultats de simulation par le logiciel PSPICE du convertisseur BOOST.
La réalisation pratique sera faite sur deux cartes électronique (PCB) avec et sans
circuit d’aide à la commutation CALC, ensuite en va réaliser le circuit convertisseur
BOOST avec CALC en utilisant la technologie de montage SMT afin de monter
l’étendue du développement technologique.

Enfin, une conclusion reprendra les choix et les résultats de notre étude.

Page 12
CHAPITRE 1

ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES


CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

1- INTRODUCTION
Un convertisseur statique est une interface entre la source d’énergie électrique et la charge.
Sa vocation première est d’assurer une adaptation entre la source et le récepteur.

Exemple :
 Une alimentation stabilisée est un convertisseur qui transforme la tension alternative
sinusoïdale du réseau Sonelgaz en tension continue (famille des redresseurs).
 Un onduleur de secours transforme la tension continue des batteries e n tension alternative
pour alimenter, par exemple, du matériel informatique (famille des onduleurs).

Les convertisseurs statiques utilisent des semi-conducteurs (transistors, thyristors, diodes…)


travaillant en commutation, c’est-à-dire en interrupteur (ouvert- fermé) et des éléments réactifs
(inductances, condensateurs) pour assurer un rendement de conversion proche de 100 %.

La figure ci-dessous indique les différentes familles de conversions.

Figure 1.1: Classification des convertisseurs.

La notion de Réversibilité est très importante. Un convertisseur statique est dit réversible
lorsqu’il permet un transit de l’énergie dans les deux sens.

Page 3
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Les principaux indicateurs des performances d'un convertisseur sont:


 Un rendement aussi élevé que possible.
 Un volume le plus réduit possible.
 Un poids le plus faible possible.
 Un coût le plus bas possible.
 Une grande fiabilité.

2- LES DIFFÉRENTS TYPES DES CONVERTISSEURS

2-1 LES CONVERTISSEURS AC-DC : Les redresseurs

2-1-1 Introduction

Les montages redresseurs, souvent appelés simplement redresseurs, sont les


convertisseurs statiques qui assurent directement la conversion alternatif-continu.
Alimentés par une source de tension alternative monophasée ou polyphasée, ils
permettent d'alimenter en courant continu un récepteur. On utilise un redresseur
chaque fois que l’on a besoin de continu alors que l'énergie électrique est disponible
en alternatif. Comme c'est sous cette seconde forme que l'énergie électrique est
presque toujours générée et distribuée, les redresseurs ont un très vaste domaine
d'applications. Les redresseurs à diodes, ou redresseurs non contrôlés, ne permettent
pas de faire varier le rapport entre la ou les tensions alternatives d'entrée et la tension
continue de sortie. De plus, ils sont irréversibles, c'est-à-dire que la puissance ne peut
aller que du côté alternatif vers le côté continu.
Les redresseurs à thyristors, ou redresseurs contrôlés, permettent, pour une tension
alternative d'entrée fixée, de faire varier la tension continue de sortie.

Figure 1.2: Conversion AC-DC.

Page 4
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

2-1-2Montages redresseurs

Pour convertir de l’alternatif en continu, il existe plusieurs méthodes ; les


redresseurs les plus simples se contentent de supprimer les tensions négatives (ou
positives), alors que d’autres les transforment en tensions de signe contraire. On
distingue ainsi :
 Les redresseurs simple alternance qui annulent les tensions
négatives(ou positives).
 Les redresseurs double alternance qui transforment les tensions
négatives en tensions positives (ou inversement).

2-2 LES CONVERTISSEURS DC-AC : Les onduleurs

Les onduleurs permettent d’obtenir une tension alternative à partir d’une tension
continue fixe. On peut régler la fréquence de la tension alternative et sa valeur
efficace.

Figure 1.3: Conversion DC-AC.

Les onduleurs sont utilisés pour la production d’une tension alternative à une
fréquence fixe ou variable, l’alimentation de certains équipements indépendants de la
présence du réseau (notion de continuité de service ou alimentation sans interruption).

2-3 LES CONVERTISSEURS AC-AC : Les gradateurs

Les gradateurs permettent d’obtenir une tension alternative de valeur efficace


contrôlable à partir d’une tension alternative de valeur efficace et de fréquence fixe.
La fréquence d’un gradateur n’est pas réglable.

Page 5
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Figure 1.4:Conversion AC-AC

Les gradateurs sont utilisés en électrothermie (alimente les fours à induction), en


éclairage, le démarrage progressif de moteurs asynchrones.

2-4 LES CONVERTISSEURS DC-DC

Les convertisseurs continu-continu ont pour fonction de fournir une tension continue
variable à partir d'une tension continue fixe. La tension continue de départ peut être un
réseau alternatif redressé et filtré, une batterie d'accumulateurs, une alimentation
stabilisée...On distingue deux types de convertisseurs continu-continu. Ceux qui sont
non isolés, que l'on appellera hacheurs, et ceux qui comportent un transformateur
assurant l'isolation galvanique, que l'on appelle alimentations à découpage (cas des
alimentations de PC...).

2-4-1Les alimentations à découpage

Une alimentation à découpage est une alimentation électrique dont la


régulation est assurée par des composants électroniques de puissance utilisés
en commutation (généralement des transistors). Ce mode de fonctionnement diffère de
celui des alimentations linéaires dans lesquelles les composants électroniques sont
utilisés en mode linéaire. Une alimentation à découpage de type (forward) est une
alimentation qui transmet instantanément la puissance, alors que celle de type
(flyback) stocke cette énergie sous forme d'énergie magnétique dans une inductance
(bobine) et libère ensuite cette énergie dans un circuit dit secondaire.
Les alimentations à découpage se sont fortement développées depuis les années 1980
pour pallier les inconvénients des alimentations linéaires : poids élevé et faible
rendement. Elles sont utilisées désormais dans tous les appareils électroniques « grand
public ».[1]

Page 6
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

2-4-1-1Avantages de l'alimentation à découpage

 rendement élevé (100% théorique, 70 à 90% typiques).


 dissipation de chaleur réduite composants de petite taille (transfo, condensateurs).
 coût réduit (moins de matière première).
 nombreux contrôleurs et régulateurs intégrés pour découpage.
 plages d'alimentations étendues (85 à 264V, 110 à 400V par exemple).[2]

2-4-2Les Hacheurs

Les hacheurs sont les convertisseurs statiques qui permettent le transfert de


l’énergie électrique d’une source continue vers une autre source continue. (Ils sont
l’équivalents des transformateurs en alternatif). Lorsque l’entrée et la sortie sont de
natures dynamiques différentes, on peut les relier directement (on parle alors de
hacheur à liaison directe). Lorsqu’elles sont de même nature dynamique, il faut faire
appel à un élément de stockage momentané (on parle dans ce cas de hacheur à
accumulation). Enfin dans le cas où l’isolation galvanique de la sortie avec l’entrée est
une nécessité, on réalise des hacheurs dits « isolés ». Suivant le degré de réversibilité
que l’on désire, la structure du montage diffère.
Enfin, suivant la puissance nominale du système, la technologie des composants ne
sera pas la même. [2]

Figure 1.5: Conversion DC-DC.

Page 7
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

2-4-2-1Hacheur dévolteur ou série (Buck)

Son nom est lié au fait que la tension moyenne de sortie est inférieure à celle
de l'entrée.

2-4-2-1-1 Structure

Figure 1.6:Schémas d’un hacheur série (Buck)

2-4-2-1-2 Fonctionnement

La pièce essentielle est l'inductance, qui passe alternativement de charge (réduisant la tension, fournit
par le générateur, disponible pour le circuit en aval) à source (fournissant une tension alors que le
générateur est mis hors circuit). Le fonctionnement peut être divisé en deux phases suivant l'état de
l'interrupteur S :

 On ferme l'interrupteur S. Le courant fourni par le générateur, initialement nul, augmente linéairement
et traverse l'inductance . L'inductance s'oppose à cette augmentation du courant, produisant une tension
opposée, et elle stocke l'énergie reçue sous forme magnétique. la tension aux bornes de l'inductance
vaut VL=Vi-Vo. La diode étant polarisée en inverse avec la tension Vi du générateur, aucun courant ne
la traverse.
 L'interrupteur est ouvert. Le générateur est mis hors circuit, plus aucun courant ne le traverse. La diode
devient passante afin d'assurer la continuité du courant dans l'inductance. Le courant traversant
l'inductance décroît. L'inductance s'oppose à cette réduction du courant, produisant une tension qui la
met en situation de source pour le circuit aval, en utilisant l'énergie magnétique stockée à la phase

précédente. La tension aux bornes de l'inductance vaut VL= VO .


Un circuit de commande de l'interrupteur le fait alterner à un rythme adéquat pour obtenir la tens ion
désirée.

Page 8
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Figure1.7 : Les deux configurations d'un convertisseur Buck suivant l'état de


l'interrupteur S

2-4-2-2 Hacheur survolteur ou parallèle (Boost)

Dans ce hacheur, la tension moyenne de sortie est supérieure à la tension


d'entrée, d'où son nom. Cette structure demande un interrupteur commandé à
l'amorçage et au blocage (bipolaire, MOS, IGBT...) et une diode (amorçage et blocage
spontanés).[6]

2-4-2-2-1 Structure

Figure 1.8:Schémas d’un hacheur parallèle (Boost).

Page 9
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

2-4-2-2-2 Fonctionnement

Le montage possède deux régimes de fonctionnement :


Phase 0< t< αT : Dans un premier temps l’interrupteur électronique k est en
état de conduction et l’inductance L emmagasine de l’énergie
électromagnétique. Pendant ce temps la tension est maintenue constante dans la
charge grâce au condensateur.
dil
V = 0 et VL= E1 = 𝐿 dt
dil 𝐄𝟏 𝐄𝟏
= =› il(t) = t+imin ………………………(1)
dt L L
𝐄𝟏
A t= αT : il(αT) = αT +imin ………………………(2)
L

 Phase αT < t< T : l’interrupteur est ouvert, l’inductance se décharge à


travers la diode D. De ce fait :
VL ˂ 0 ; E1 + VL = VS
dil dil 𝐕𝐋 (𝐕𝐒 –𝐄𝟏) (𝐄𝟏−𝐕𝐒)
VL= – 𝐿 dt =˃ = - =- =
dt L L L
1
il(t)= (E1 - VS) (t-αT) +imax…………………………. (3)
𝐿
1
Avec : (E1 - VS) ˂ 0 et imax= il(αT)
𝐿
1
A t= T : il(T) = (E1 - VS) (T-αT) +i(αT) = imin …………. (4)
𝐿
(2) dans (4) on obtient :
1 𝐄𝟏 𝐕𝐒
(E1 - VS) (T-αT) + αT +imin = imin Le rapport de conversion
𝐄𝟏
𝐿 L
1 𝐸1 est toujours positif donc La
(E1 - VS) (T-αT) + . 𝛼𝑇 = 0
𝐿 𝐿 tension de sortie est toujours
Ce qui donne : 1 supérieure à la tension
VS = E1
1−α
d’entrée.

Page 10
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Figure 1.10:Chronogrammes des divers courants.

2-4-2-3Hacheur à accumulation inductive (Buck &Boost)

Nous retrouvons encore les mêmes éléments.


2-4-2-3-1 Structure .

Figure 1.11:Schéma d’un hacheur à accumulation inductive (Buck &Boost)

Page 11
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

3- DOMAINES D’APPLICATIONS DES CONVERTISSEURS

 Applications domestiques (alimentation des appareils électriques,


électroménagers…)
 Applications industrielles (alimentation de Pompes, chariots électriques
, compresseurs)
 Télécommunication (émetteurs de radiodiffusion, onduleurs de secours
et alimentation de secours (AC et DC)).[3]

4- LES INTERRUPTEURS EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Le principe des convertisseurs consiste à faire commuter des courants entre


mailles adjacentes, ce qui nécessite l'emploi de composants permettant de réaliser la
fonction interruption.

• Idéalement, l'interrupteur fermé aura une tension pratiquement nulle à ses


bornes alors que le courant sera fixé par le reste du dispositif. En revanche,
l'interrupteur ouvert aura une tension imposée par l'extérieur à ses bornes, mais ne sera
traversé par aucun courant.
• On distinguera les actions (blocage ou amorçage) commandées (grâce à un
signal électrique extérieur) des actions spontanées (suite à l'annulation ou au
changement de signe d'une tension ou d'un courant par exemple).
L’électronique de puissance utilise des semi-conducteurs fonctionnant en
«interrupteurs».
Un « interrupteur » peut être formé par un seul semi-conducteur ou par un
groupement en série ou en parallèle de plusieurs semi-conducteurs.

4-1Diode

La diode est un composant à deux électrodes, l’anode A et la cathode K, sans


électrode de commande. Son fonctionnement, lui, est totalement imposé par le circuit
dans lequel elle est insérée.

Page 12
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Figure 1.12:Les caractéristiques v−i d’une diode.

4-2 Transistor de puissance

Un transistor est un interrupteur commandé comportant trois bornes, deux


bornes entre lesquelles il remplit la fonction interrupteur et une borne auxiliaire qui
forme avec une borne d’accès de commande.
Dans le transistor bipolaire classique (figure 13a) et l’IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) (figure 13c), l’accès de puissance est formé par le collecteur C et
l’émetteur E, l’accès de commande par la base B et l’émetteur ou par la grille G et
l’émetteur.
Dans le transistor MOSFET (Metal Oxyde Semi-Conductor, Field Effect Transistor),
(figure 13b), le circuit de puissance est relié au drain D et à la source S, le circuit de
commande est branché entre la grille G et la source.

Figure 1.13: Les symboles utilisés pour représenter les différents types des transistors.

Page 13
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

Le transistor bipolaire utilise une commande en courant. Si on injecte dans le circuit


base-émetteur un courant de commande iB suffisant, le transistor se comporte comme
un interrupteur fermé . Si on impose à iB une valeur nulle l’interrupteur est ouvert .
Les transistors MOSFET et IGBT ont une commande en tension. Le circuit entre grille
et source ou entre grille et émetteur se comporte comme une capacité qu’il faut
charger ou décharger. Une tension VGS ou VGE négative ou nulle maintient le blocage
du transistor. En donnant à VGS ou VGE une valeur positive suffisante, le transistor
devient passant.. Ce passage entraîne des pertes par commutation significatives au
niveau du composant.

4-2-1 Remarques

 Le transistor bipolaire, qui a beaucoup contribué au développement des


convertisseurs de moyenne puissance est maintenant supplanté par l’IGBT.

 Le transistor MOSFET offre de meilleures performances en termes de vitesse de


commutation. Il est malheureusement limité en puissance car on ne peut réaliser un
composant apte à tenir une tension élevée à l’état bloqué tout en présentant une
faible chute de tension à l’état passant. Un MOSFET fort courant doit être une
composante basse tension et inversement.

Page 14
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

4-3 Thyristor

Un thyristor comporte trois bornes : l’anode A et la cathode K, entre


lesquelles il joue le rôle d’interrupteur, et la gâchette G qui forme avec la cathode
l’accès de commande.

Figure 1.14:Le symbole représentatif du thyristor.

En l’absence de signal de commande (c’est-à-dire à courant iG nul), le composant,


bloqué lorsque la tension v est négative (branche OD), le reste si v devient positive
(branche OB).
Lorsque la tension v est positive, on peut passer de OB à OA en envoyant un courant
de commande iG positif. La fermeture de l’interrupteur s’effectue donc par injection
d’un courant de commande comme pour le transistor. Mais, dès que le courant i
dépasse une certaine valeur appelée «courant d’accrochage»,le composant se
verrouille à l’état passant et on peut supprimer la commande sans entraîner un retour
sur la branche OB.
Le retour à l’état bloquant ne peut s’opérer que de manière spontanée par passage de la
branche OA à la branche OD. Le point de fonctionnement doit ensuite se maintenir
sur cette branche pendant un temps suffisant, appelé temps de désamorçage, pour que
le thyristor reste bloqué quand la tension v redevient positive.

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CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

4-3-1Remarques

 Si on applique un courant de commande à la gâchette alors que la


tension v à ses bornes est négative, le thyristor reste bloqué. Dès que la tension v cesse
d’être négative, le thyristor s’amorce comme une diode. Ce mode de fonctionnement
est à éviter car la présence d’un courant de gâchette, alors que v est négatif, augmente
le courant de fuite et donc les pertes.
 Certains thyristors prévus pour fonctionner avec une diode en
parallèle inverse sont asymétriques. Ils ne peuvent supporter une tension inverse.

4-4 GTO

Le thyristor GTO (GateTurn-Off), souvent appelé simplement GTO, est un


semi-conducteur dont la fermeture et l’ouverture peuvent être commandée par la
gâchette. L’amorçage commandé du GTO (passage de OB à OA) est similaire à celui
du thyristor classique. Toutefois, après amorçage, il est nécessaire de maintenir le
courant de gâchette à une valeur légèrement positive pour assurer une bonne
répartition du courant au sein du composant. Le blocage spontané par passage de la
branche OA à la branche OD s’opère comme pour le thyristor classique si ce n’est
qu’à partir du passage par le point O, il faut annuler le courant de gâchette, sinon on
aurait un net accroissement du courant de fuite.

Figure1.15:Le symbole représentatif du GTO.

Page 16
CHAPITRE 1 : ETUDE DES CONVERTISSEURS STATIQUES

4-4-1 Remarque

 Certains GTO sont asymétriques et ne peuvent supporter une tension négative à


l’état bloqué. Leur comportement est alors similaire à celui d’un transistor de
puissance.
 Tant en raison de leur faible vitesse de commutation qu’en raison de la complexité
de leur circuit de commande, les GTO ne s’emploient qu’en très forte puissance
lorsque les calibres en tension et en courant dépassent ceux qu’on peut atteindre
avec des transistors de puissance.

5- CRITERE DU CHOIX DES INTERRUPTEURS ELECTRONIQUES

La conception des convertisseurs, pour les plus fortes puissances commutées,


utilise des composants bipolaires comme le thyristor GTO (GateTurn-off
Thyristor),ou l’ETO (Emitter TurnOff thyristor) évolution du thyristor. Par contre,
dans le domaine des plus hautes fréquences, des composants unipolaires, tels que les
transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconducto rField Effect Transistor) sont
nécessaires. Pour les applications à des fréquences médianes, les composants mixtes,
tels que l'IGBT (Integrated Gate Bipolar Transistor) ou l'IEGT (Injection Enhanced
Gate Transistor).[3]

6- CONCLUSION

Dans ce chapitre nous avons présenté des généralités sur les convertisseurs
statiques ainsi que les différents types des convertisseurs.
Nous nous sommes concentrés surtout sur les convertisseurs DC-DC et en
particulier le convertisseur BOOST.
Enfin, nous avons présenté les différents interrupteurs exploités en
électronique de puissance.

Page 17
CHAPITRE 2

ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS


CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

1- INTRODUCTION

Les composants à grille isolée (MOSFETs) sont aujourd’hui omniprésents


dans les structures de conversion d’énergie. Utilisés sur une large gamme de fréquence
de fonctionnement (du kilohertz à quelques mégahertz), ces interrupteurs sont amenés
à commuter des puissances de plus en plus élevées (plusieurs dizaines voire centaines
de kVA). Les applications concernées vont de la domotique (appareils
électroménagers, électronique Hifi grand public, climatisation, informatique) à
l’industrie (robotique, transport automobile, aéronautique et aérospatiale). Les qualités
exigées de ces composants relèvent bien évidemment des performances électriques
(puissance commutable, fréquence d’utilisation, faibles pertes en conduction et en
commutation), mais aussi de leur intégrabilité et de leur fiabilité. Le composant doit
faire le maximum de choses tout en occupant le minimum de place, et doit présenter
un taux de défaillance tendant vers zéro. La filière technologique des MOSFETs est
aujourd’hui pleinement maîtrisée, et permet la réalisation des densités de motifs
élémentaires impressionnantes sur des surfaces de silicium de plus en plus restreintes.
La volonté d’intégration relative à ces composants n’a jamais été aussi forte
qu’aujourd’hui chez les industriels, motivés par l’abaissement des coûts, la diminution
des volumes et la course à la miniaturisation.[4]
Dans ce chapitre on va se concentrer sur l’étude des pertes d’énergie dans les
MOSFETs en régime de commutation (blocage/saturation).

2- LA COMMUTATION

L’interrupteur possède deux états stables, il faut bien entendu passer de l’un à
l’autre. La commutation est un terme générique qui englobe les différents mécanismes
de passage, au sein d’un convertisseur. Elle concerne directement les interrupteurs et
pas les convertisseurs, comme nous le verrons dans la suite.

Page 19
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

3- TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE

Le transistor MOSFET de puissance est apparu sur le marché des composants


discrets en 1976. Depuis, son utilisation dans le domaine de l'électronique de
puissance a fortement progressé. Ce dispositif présente des qualités, face à son
concurrent bipolaire, qui sont principalement:
 une facilité de commande par la grille isolée.
 Grande vitesse de commutation.

De plus, il nécessite une très faible puissance pour rester à l'état passant. Son
inconvénient majeur réside dans sa chute de tension relativement élevée en régime de
conduction. Cet inconvénient est d'autant plus marqué que le dispositif est prévu pour
soutenir une tension élevée à l'état bloqué. C'est pourquoi de nombreuses technologies
ont été développées afin d'améliorer la résistance du transistor MOSFET à l'état
passant.[5]

3-1 Définition

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)


agit comme un interrupteur permettant de commuter entre un état passant et un état
bloqué. Ce composant utilisé pour des applications de puissance doit être
suffisamment robuste pour supporter de fortes tensions et conduire de forts courants.
Le MOSFET est un transistor dit unipolaire car la conduction du courant se fait par un
seul type de porteurs de charge, soit par les électrons (transistors NMOS) soit par les
trous (transistors PMOS). La mobilité des électrons étant supérieure à celle des trous,
pour les semi-conducteurs de puissances on utilise préférentiellement des NMOS.

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

3-2Symbole et constitution

Il existe deux types de transistors MOSFET à enrichissement :


 Les transistors MOSFET à enrichissement canal N.
 Les transistors MOSFET à enrichissement canal P.

Figure 2.1: Symbole d’un MOSFET.

3-3 Caractéristiques d’un MOSFET

3-3-1 Caractéristiques statiques

Le transistor MOS se comporte comme une résistance (RDS) commandée en tension (VGS)
VG S RDS

Figure 2.2 : Caractéristique statique d’un MOSFET.

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Transistor passant:VGSth < VGS< VGSM


Transistor bloqué:VGS<VGSth

3-4 Avantages et inconvénients d’un MOSFET

3-4-1Avantages

 Facile à fabriquer car peu d'opérations.


 Petite surface de silicium.
 Le circuit de commande très simple.
 Le MOSFET supporte très bien la mise en parallèle sans dispositif particulier grâce à
son coefficient de température positif. Il s'autorégule, si la température augmente, ID
diminue et donc la température décroît, etc…

3-4-2 Inconvénients

 Très sensible à la contamination lors de la fabrication.


 Très sensible aux Décharges Electrostatiques (ESD), ne jamais laisser la grille en
l'air.
 MOSFET, pas très rapide.
 RDSon très grande de dizaine de mΏ se qui engendre en pertes de conduction.
 VDS important en état passant.

4- MOSFET EN REGIME DE COMMUTATION

En régime de commutation, le transistor MOSFET se comporte comme un


interrupteur (entre D et S) commandé par la tension VGS. La valeur de la tension VGS
qui détermine si un transistor conduit ou est bloqué, est appelée tension de seuil. Elle
est notée VT ou VGSth dans les documentations techniques. La tension de seuil dépend
du transistor utilisé (il faut consulter sa documentation technique).
Une coupe schématique de ce dernier est donnée ci-dessous.

Page 22
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Figure 2.4 : Coupe schématique d'un MOSFET.

4-1Règles de fonctionnement MOSFET canal N ou canal P

● Si │VGS│<│VT │=> Le transistor est bloqué, il se comporte comme un interrupteur

ouvert

● Si │VGS│>│VT │=>Le transistor conduit, il se comporte comme un interrupteur


fermé :

Page 23
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Son symbole sont portés sur la figure suivante :

Figure 2.4 : symbole d’un MOS.

4-2 Principes de fonctionnement

La plaquette de silicium est dopée P au tirage, c'est le substrat. La source et le


drain sont diffusés avec des impuretés N. La grille est en aluminium, elle est déposée
sur l'oxyde (SiO2) entre drain et source. La face arrière de la plaquette est, elle aussi,
métallisée, elle doit être reliée au pôle négatif de l'alimentation tout comme la source.
Pour les composants discrets, les constructeurs effectuent en interne la liaison face
arrière source. Dans les circuits intégrés, on utilise le substrat, sur une entrée
différentielle par exemple, pour équilibrer les MOS grâce à un potentiel variable.

Soit le montage suivant :

Page 24
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Figure 2.5 : Montage de base utilisant un MOSFET à canal N.

Si VGS est nulle ou négative, aucun courant ne circule entre drain et source, car toutes
les jonctions PN sont polarisées en inverse.
En appliquant une tension VGS positive, on crée un champ électrique à la surface du
substrat situé entre drain et source qui repousse les trous ou lacunes (positifs) du
substrat et attire les électrons (porteurs minoritaires). Si VGS est supérieure à une
tension de seuil VT ou Vth (threshold voltage), Il y a une inversion de polarité qui
créée une zone mince ou canal dopé N qui met en relation, à travers une résistance
RDSon , le drain et la source. Un courant ID prend naissance, il augmente jusqu'à IDsat
dépendant de VGS pour une tension VDsat . La résistance RDSon est fonction de
l'épaisseur du canal, ou dit autrement RDSon dépend de la tension Vgs.

La caractéristique statique (valable pour de faible variation) de cette résistance de


canal peut être représentée de façon simplifiée par le schéma suivant :

Figure 2.6 Le symbole représentatif du thyristor. : Caractéristique statique simplifiée de RDSon .

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

4-3 Analyse de la commutation sur charge inductive

La majorité des charges que l’on rencontre en électronique de puissance sont


inductives et fonctionnent en conduction continue (le courant dans la charge ne
s’annule pas au cours de la période). Il est donc important de bien comprendre
comment s’effectuent les commutations dans ce cas. Nous allons pour cela étudier le
cas du hacheur simple. On montre facilement que la plupart des circuits plus
complexes peuvent, du point de vue de la commutation de l’interrupteur, se ramener
au cas du hacheur. La figure 2.7 montre le schéma de ce circuit et les principales
formes d’ondes des courants y circulant.
La période de découpage T est prise faible devant la constante de temps L/R de la
charge de manière à fonctionner en conduction continue avec une ondulation de
courant relativement petite. L'interrupteur est périodiquement rendu conducteur
pendant un temps αT, puis bloqué le reste de la période T.
Le paramètre α= temps de conduction / période est appelé rapport cyclique .

(a) (b)
Figure 2.7 :(a) Principales formes d’ondes des courants, (b) Schéma de principe d’un
hacheur simple.

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Lorsque l’interrupteur est fermé l’équation du circuit s’écrit:

E = L di/dt + Ri (0 <t < αT)……………………….(2.1)

En négligeant la chute de tension dans l'interrupteur. La diode D est alors bloquée


(ouverte).
Lorsque l'interrupteur est ouvert, le courant continue à circuler à travers la charge par
l’intermédiaire de la diode D dite diode . En négligeant la chute de tension dans la
diode, l’équation du circuit est :

-L di/dt + Ri=0 (αT <t <T) ……………………….. (2.2)

Le courant dans la charge est donc continu et légèrement ondulé. Examinons


successivement les instants de commutation (t=0 et t=αT).

4-4-1 Commutation a la fermeture

A l’instant t0 on commande la fermeture de l'interrupteur. Juste avant cet


instant, le circuit se trouvait en phase de roue libre et le courant circulait à travers la
diode D. Pendant la durée de la commutation (très faible devant la période T, elle
même petite devant la constante de temps L/R de la charge) on peut considérer que le
courant dans la charge est constant, c'est à dire que la charge se comporte comme un
générateur de courant. En appliquant la loi des nœuds on peut écrire:
I charge = I transistor + I diode = constante pendant la commutation
A partir de l’instant t0 le courant s’établit dans l'interrupteur avec une vitesse dIk/dt qui
ne dépend que des caractéristiques de celui-ci. Au fur et à mesure que le courant croît
dans l'interrupteur, il décroît d’une quantité égale dans la diode (figure 2.8). A l’instant
t1 tout le courant de la charge traverse l'interrupteur et la diode se bloque.

Page 27
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Figure 2.8 : Commutation à la fermeture sur charge inductive en conduction continue.

Pendant toute la phase ton = t1 - t0 la diode D est conductrice et la tension à ses bornes
est par conséquent très faible, l'interrupteur supporte donc l’intégralité de la tension E
de la source d’alimentation. Ceci donne lieu à des pertes systématiques.

4-4-2 Commutation a l’ouverture

L'interrupteur est supposé conducteur, il est intégralement traversé par le


courant circulant dans la charge. A l’instant t1 , on commande son ouverture (figure
2.9). Le courant commence à décroître, puis s’annule après un temps tf (fall time).
Pendant la durée de la commutation (de 100 à 1000 fois plus faible que la période T)
on peut considérer que la charge se comporte comme un générateur de courant
constant. En appliquant la loi des nœuds on peut écrire:
I charge = I transistor + I diode = constante pendant la commutation
A l’instant t1 , le courant dans l'interrupteur commence à décroître et par conséquent un
courant complémentaire s’établit dans la diode D. A l’instant t2 =t1 + tf, le courant

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

s’annule dans l'interrupteur et tout le courant circulant dans la charge passe par la
diode D. Dès que la diode D devient conductrice (t > t1 ).
L'interrupteur voit donc à ses bornes la tension de la source d’alimentation pendant
toute la durée de la commutation. Il en résulte des pertes à chaque cycle:

Figure 2.9 : Commutation à l’ouverture sur charge inductive en conduction continue.

Nous voyons donc que le fonctionnement de ce transistor est limité par des
considérations thermiques dues en majeure partie aux pertes de commutation. La
réduction des pertes de commutation est donc un problème fondamental. Il existe deux
voies pour y parvenir:
 Diminuer les temps de commutation par une commande optimale de l'interrupteur.
 Utiliser des circuits d’aide à la commutation (CALC) ou des structures de
convertisseur imposant des conditions moins sévères pour les interrupteurs.
On notera que ces considérations sont valables quel que soit la nature du composant
utilisé comme interrupteur (MOSFET, transistor bipolaire, GTO, IGBT,...).

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

5- PERTE DE PUISSANCE DANS LES MOSFETS

5-1 Présentation de la problématique liée aux pertes

L'électronique de conversion d'énergie est basée sur l'utilisation de


composants semi-conducteurs jouant le rôle d'interrupteurs. Ces derniers, lors de leur
utilisation, présentent des pertes thermiques correspondant aux diverses phases de leur
fonctionnement. On distingue trois types de pertes, chacune correspondant à un état de
l'interrupteur :
 Les pertes par conduction, associées à l'état passant du composant.
 Les pertes par fuites, liées à l'état bloqué de l'interrupteur.
 Les pertes dynamiques, ou pertes en commutation, associées aux changements
d'état de l'interrupteur, c'est-à-dire lors du passage de l'état passant à l'état bloqué et
vice versa.
Le calcul des pertes dans un semi-conducteur doit être effectué en fonction du type
d'interrupteur et du circuit dans lequel il est inséré. En électronique de puissance, les
transistors à effet de champ (MOSFET) sont utilisés comme des interrupteurs de base,
tandis que les diodes sont principalement utilisées pour assurer la roue libre,
fournissant ainsi un chemin de retour pour le courant de transistor MOSFET qui est
unidirectionnels. Les pertes dans les interrupteurs semi-conducteurs représentent une
partie considérable des pertes totales d'un convertisseur d’électronique de puissance.
Une partie des pertes dans les semi-conducteurs est calculée à partir des valeurs
fournies par les "datasheet" ensuite une adaptation est faite par rapport à leur niveau
d'utilisation surtout pour les calibres de tension et de courant.

5-1-1Les pertes par conduction

Les pertes par conduction dans les transistors sont généralement calculées en
utilisant une simple résistance équivalente de l'état du transistor dans la zone
"Ohmique", cette résistance (RDSon ) est obtenue à partir de la fiche technique du
transistor et est multipliée par le carré du courant efficace.

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CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

5-1-2 Les pertes par commutation

Les pertes par commutation des transistors dépendent fortement du type de


convertisseur et de la stratégie de sa commande. Dans les convertisseurs à
commutation , Les pertes d'énergie, pendant une période de fonctionnement, sont
calculées en utilisant le temps de montée et le temps de descente de la tension et du
courant du transistor. L'énergie dissipée pendant la mise au blocage et la mise en
conduction est directement utilisée pour calculer les pertes dues aux commutations.

ton toff
Figure 2.10 : Chronogrammes de tension et de courant associés au transistor.

Soit Pc les pertes dues aux commutations ON et OFF. Si on considère que les triangles
de la figure 2.10 sont isocèles on obtient :

ton. VDS.IDS toff .VDS. IDS


PC = + …………………………. (2.5)
2 2

(Donc Pc= constante)


Généralement quand on considère qu'un montage fonctionne en commutation, c'est
qu'il est soumis à un signal d'entrée périodique. Par conséquent, on s'intéresse à la
puissance moyenne sur une période.

Page 31
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Pc
Pc = =f.Pc…………………………………………………….(2.6)
T

Donc les pertes moyennes en commutation sont proportionnelles à la fréquence du


signal d'entrée. La fréquence peut être limitée par les temps de commutation, mais un
interrupteur rapide peu aussi voir sa fréquence d'utilisation restreinte pour des fortes
voire moyennes puissances à cause des pertes par commutation.

6- CIRCUITS D’AIDE A LA COMMUTATION

6-1 Définition :

Les circuits d’aide à la commutation sont des circuits passifs capables de stocker
momentanément de l’énergie. Ils ont pour but de diminuer les pertes de commutation
de l’interrupteur .

6-2 Circuit d’aide à la commutation à la fermeture


Le principe du réseau consiste à insérer en série avec l'interrupteur un élément
capable de supporter la tension d’alimentation pendant la durée de la commutation de
manière à ce que l'interrupteur puisse commuter sous une tension pratiquement nulle.
Pour ce faire, on utilise une inductance en série entre la charge et l'interrupteur.

Figure 2.11: Schéma de principe du circuit d’aide à la commutation à la fermeture.

Page 32
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Le circuit étant supposé fonctionner en roue libre (tout le courant de la charge traverse
la diode), on met en conduction l'interrupteur à l’instant t0 . Le potentiel du point B
tombe donc très rapidement à zéro, alors que le point A reste au potentiel de
l’alimentation puisque la diode est conductrice. La différence de potentiel entre les
points A et B est donc égale à la tension d’alimentation. Il s’établit alors dans
l’inductance L1 un courant régi par l’équation:

VAB= L1.di/dt……………………………………..(2.7)

C’est-à-dire, qu’un courant croissant linéairement à partir de zéro s’établit à travers


l’inductance L1 et l'interrupteur. La charge étant un générateur de courant, le courant
dans la diode décroît d’une quantité égale. A l’instant tl, tout le courant de la charge
traverse l’inductance L1 et l'interrupteur, la diode D se bloque. L’inductance de la
bobine du réseau d’aide à la commutation étant très faible devant celle de la charge, le
potentiel du point A tombe à une valeur très voisine de celle du point B, c’est-à-dire,
pratiquement à zéro. Les formes d’ondes de la figure 2.12 montrent que dans ces
conditions, la commutation de l'interrupteur s’effectue pratiquement sans pertes.

Figure 2.12 : Chronogrammes du circuit d’aide à la commutation à la fermeture.

Page 33
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Cependant l’inductance L1 qui est traversée par le courant de la charge I L emmagasine


une énergie E=0,5L1 IL2 qu’il va falloir aiguiller lors de l’ouverture du circuit sous
peine de surtension destructrice pour l'interrupteur. C’est le rôle de la diode D 1 et de la
résistance R1 . On notera que la constante de temps L1 /R1 du réseau d’aide à la
commutation doit être faible devant la période de découpage. Le bilan énergétique de
l’opération consiste donc en une transformation de l’énergie qui serait perdue en
commutation dans l'interrupteur E=0,5VIton en une énergie électromagnétique E =
0,5L1 IL2 qui sera dissipée dans la résistance R1 .

6-3Circuit d’aide à la commutation à l’ouverture

Le principe de ces circuits consiste à connecter en parallèle avec l'interrupteur


un élément capable d’absorber temporairement le courant de la charge de manière à ce
que la tension ne soit réappliquée qu’avec un certain retard par rapport à la chute du
courant dans l'interrupteur. On utilise pour cela un condensateur connecté en parallèle
avec l'interrupteur.

Figure 2.13 : Circuit d’aide à l’ouverture.

L'interrupteur étant conducteur, on commande son blocage à l’instant t1 et le courant


commence à décroître. Vis-à-vis du temps de commutation, la charge peut être
considérée comme un générateur de courant. Nous pouvons donc écrire
I charge = I transistor + I condensateur + I diode
Lorsque le courant décroît dans l'interrupteur, il croît donc de la même quantité dans le
condensateur. (Il ne peut s’établir de courant dans la diode que lorsque le

Page 34
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

potentiel du point A est remonté à celui de l’alimentation, ce qui suppose que le


condensateur soit totalement chargé).

Figure 2.14 : Commutation à l’ouverture avec réseau d’aide.

Après un temps tf, le courant s’annule dans l'interrupteur et si le condensateur n’est


pas totalement chargé, tout le courant de la charge traverse ce dernier. Lorsque le
condensateur atteint sa charge maximale, la diode entre en conduction. Le courant
croît donc dans la diode et décroît dans le condensateur jusqu’à ce que tout le courant
de la charge traverse la diode. La tension aux bornes du condensateur, qui est égale à
la tension Vk aux bornes de l’interrupteur, s’écrit:

V0 = (1/C) ∫idt ………………………….(2.8)


Si l’on suppose que le courant décroît linéairement dans l'interrupteur pendant le
temps d’ouverture tf, la tension Vk entre les instants t1 et t2 est un arc de parabole. La
tension croît ensuite linéairement entre t2 et t3 . A l’instant t3 le condensateur est
totalement chargé, le potentiel du point A est voisin de celui de l’alimentation et la
diode D entre en conduction.

Page 35
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

Pour que ce réseau fonctionne correctement, il est nécessaire de le compléter par une diode
D2 et une résistance R2 . De ce fait, le fonctionnement du circuit n’est pas modifié et le
courant de décharge du condensateur pendant la phase de conduction de l'interrupteur est
limitée. On devra s’assurer que le temps de conduction αT de l'interrupteur reste toujours
suffisamment long pour assurer la décharge du condensateur.

SCHEMA FINAL ET BILAN


Le schéma final est alors :

Figure 2.15 :La charge, son interrupteur et les CALC à la fermeture et à l'ouverture.

Ce type de CALC convient pour tous les interrupteurs (MOSFET, bipolaire, Triacs,
SCR, IGBT, GTO, ...). Ils sont indispensables pour les charges inductives et fortement
conseillés pour les charges résistives.

Page 36
CHAPITRE 2 : ETUDE DES PERTES DANS LES MOSFETS

7- CONCLUSION

Dans ce 2éme chapitre, nous nous sommes concentré sur le MOSFET ; élément de base dans notre étude.
Nous avons expliqué le principe de fonctionnement, avantages et inconvénients, puis le
comportement du MOSFET en régime de commutation.

Nous avons finalisé par la présentation des circuits d’aide à la commutation, sur lesquels nous allons diriger
notre travail.

Page 37
CHAPITRE 3

REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES


D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST
CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

1- INTRODUCTION

Dans les convertisseurs d’énergie électrique, les plus gros consommateurs


d'énergie ; sous forme de perte joule, ce sont les semi-conducteurs et les circuits
magnétique (transformateur, bobines). Les pertes causées par les semi-conducteurs
représentent une partie considérable des pertes totales d'un convertisseur d’énergie
électrique. Dans le but de minimiser l’énergie dissipée par les Semi-conducteurs on
prévoie la réalisation de deux cartes électroniques d’un convertisseur DC-DC (hacheur
élévateur-BOOST), l’une avec un circuit d’aide à la commutation, et l’autre sans ce
circuit, afin d’étudier l’influence des circuits d’aide à la commutation sur les pertes
d’énergie.

2- ORCAD PSPICE

C'est un logiciel de simulation de circuit électronique, SPICE est un simulateur et


vérificateur de circuits analogiques ou mixtes. PSpice est un acronyme de Personnel
Simulation Program (Programme de simulation personnelle avec accentuation des
circuits intégrés).
OrCAD EE exécute généralement des simulations pour les circuits définis dans
OrCAD Capture, et peut éventuellement s’intégrer avec MATLAB/Simulink, en
utilisant l’interface Simulink vers PSpice (SLPS). OrCAD Designer fournissent une
solution complète de simulation et de vérification de circuits avec entrée schématique,
analogique, signaux mixtes et moteurs d’analyse.
PSpice était une version modifiée du SPICE développé académiquement, et a été
commercialisé par MicroSim en 1984. MicroSim a été acheté par OrCAD une
décennie plus tard en 1998.
OrCAD PSpice Designer est disponible en deux options : PSpice Designer et PSpice
Designer Plus. OrCAD PSpice Designer Intégrer OrCAD Capture et OrCAD PSpice.
Une option de mise à niveau de PSpice Designer Plus fournit le moteur de simulation
PSpice Analyse Avancé pour la simulation fonctionnelle et l’amélioration du
rendement et de la fiabilité de la conception.[6]

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

3- PROCEDURE

Figure 3.1: Schéma d’un convertisseur BOOST avec un MOSFET.

La figure 3.1 représente le schéma électrique de notre convertisseur DC-DC


implémenté sous OrCAD capture et simulé par PSPICE. Les valeurs des déférents
composants sont :
V1 : source de tension continu 12Volts.
C1 : condensateur de 2200µF utilisé comme pompe.
R1 : résistance de 0.22Ω utilisée comme résistance fusible.
L1 : inductance 187µH c’est l’élément clé de notre convertisseur DC-DC.
D1 : diode rapide MUR 460.
C3 : condensateur de filtrage de 4.7µF.
R7 : résistance de charge de 155Ω.
V2 : générateur des signaux carré programmable.
R2 : résistance polarisation de 15Ω suggéré par le fabricant.
R3 : résistance de polarisation de 20kΩ suggéré par le fabricant.
R4 : résistance de 0.22Ω utilisé pour visualiser la forme du courant Is sur un oscilloscope.
M1 : interrupteur de type MOSFET « IRF640 », “N-channel.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

4- ETAPES DE SIMULATION
4-1 Etape 1 : Convertisseur sans CALC
4-1-1 Résultats de la simulation
Le schéma de la figure 3.1 est saisie sous OrCAD-Capture avec les valeurs indiqué ci-
dessus ; deux sondes de tension sont placées à l’entrée et à la sortie de notre
convertisseur DC-DC BOOST, pour tracer les formes d’onde des tensions fournie par
le générateur et aux bornes de la charge. Le résultat de la simulation à la fréquence de
commutation f=30kHz est donnée par la figure suivante :

Figure 3.2 : Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=30kHz).

Nous relevons les valeurs des tensions de la source et la charge respectivement12V et


26V.
On change la fréquence de commutation à f=50kHz. Le résultat de la simulation est le
suivant :

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Figure 3.3 : Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=50kHz).

De la courbe, nous déduisons les valeurs des tensions de la source et la charge respectivement :
12V et 33V.
En comparons les valeurs de la tension aux bornes de la charge aux différentes valeurs
de la fréquence de commutation on trouve que la valeur de la tension augmente avec la
fréquence. Donc la valeur de tension est proportionnelle à la fréquence de
commutation. Ainsi la valeur de cette tension dépend principalement du rapport
cyclique de la tension de commande (la valeur PW dans le simulateur).

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

4-1-2Mesure des pertes de puissance

Figure 3.4 : Schéma d’un convertisseur BOOST avec un MOSFET.

Trois sondes sont placées comme indiqué sur le schéma de la figure 3.4 pour tracer la
forme d’onde de la tension, le courant et la puissance dissipée par le MOSFET pour
une fréquence de commutation 50kHz.
Le résultat de la simulation est la suivante :

Figure 3.5 : Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=50 kHz.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

De la courbe nous déduisons les valeurs de la tension VDS, le pic de courant du drain et
le pic de la puissance dissipée par le MOSFET à l’ouverture respectivement : 35V,
1.11A et 39W, et à la fermeture : 35V, 1.42A et 50 W.
Une autre simulation pour une fréquence de découpage égale à 30 kHz nous donne le
résultat suivant :

Figure 3.6 : Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par le
MOSFET à la fréquence de commutation f=30 kHz.
De la courbe nous déduisons les valeurs de la tension VDS, le pic de courant du drain et le
pic de la puissance dissipée par le MOSFET 26V, 0.93A et 24W.

4-2 Etape 2 : Convertisseur avec CALC

Nous ajoutons au circuit un CALC (Circuit d’Aide à La Commutation) contenant les


composants suivants :
L4 une inductance égale à 1µH.
R13 une résistance égale à 10Ω.
R14une résistance égale à 10Ω.
C6 un condensateur égale à 1nF.
D7, D8 Diode rapide MUR110.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Figure 3.7 : Schéma d’un convertisseur BOOST à MOSFET avec CALC.

4-2-1 Résultats de la simulation

On place deux sondes de tension pour tracer la forme d’onde des tensions aux bornes de la
source et la charge. Le résultat de la simulation à la fréquence de commutation f=30 kHz est
donné par la figure suivante :

Figure 3.8 : Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=30kHz).

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Nous déduisons les valeurs des tensions de la source et la charge respectivement 12V et
26V.
On change la fréquence de commutation à f=50kHz. Le résultat de la simulation et la
suivante :

Figure 3.9 : Forme d’onde de la tension de la source et la charge (f=50 kHz).

Nous notons les valeurs des tensions de la source et de la charge respectivement 12V
et 34V.

4-2-2Mesure des pertes de puissance

Figure 3.10 : Schéma d’un convertisseur BOOST à MOSFET avec CALC.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Trois sondes sont placées comme indiqué sur le schéma de la figure 3.10 pour tracer la
forme d’onde de la tension, le courant et la puissance dissipée par le MOSFET pour
une fréquence de commutation 50 kHz.
Le résultat de la simulation est:

Figure 3.11 : Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=50 kHz.

De la courbe nous déduisons les valeurs de la tension VDS, le pic de courant du drain et
le pic de la puissance dissipée par le MOSFET à l’ouverture ainsi qu’à la fermeture
respectivement : 34V, 0.57A et 10W.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Une autre simulation pour une fréquence de découpage égale à 30 kHz donne le résultat suivant :

Figure 3.12 : Forme d’onde de tension VDS, courant du drain et la puissance dissipée par
MOSFET à la fréquence de commutation f=30 kHz.

De la courbe nous déduisons les valeurs de la tension VDS, le pic de courant du drain et le pic de
la puissance dissipée par le MOSFET 26V, 0.86A et 15W.

5- REALISATION DE CIRCUIT IMPRIME DE CONVERTISSEUR BOOST


AVEC ET SANS CALC

La réalisation d’un circuit imprimé peut se décomposer en différentes étapes:


 La saisie du schéma sous OrCad Capture, (15 % temps de réalisation).
 La recherche et la saisie des empreintes (Footprints), (15 % temps de réalisation).
 La mesure des dimensions de la carte.
 Le placement des composants sous Orcad Layout, (30 % temps de réalisation).
 Le routage des pistes en respect des contraintes, (15 % temps de réalisation).
 Vérifications avant impression du typon pour réalisation.
 Soudure des composants sur la carte, (15 % temps de réalisation).
 Essais de fonctionnement de la carte (Recette). (10 % temps de réalisation).

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Figure 3.13 : Schéma des connexions de convertisseur boost sans et avec CALC .

Figure 3.14 : Circuit imprimé, qu’on a développé, du convertisseur boost.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Finalement on implante les composants électroniques sur les deux cartes pour avoir:

Figure 3.15 : Carte électroniques de notre convertisseur boost sans CALC.

Figure 3.16 : Carte électroniques de notre convertisseur boost avec CALC

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Figure 3.17 : Photos montrant différents tests sur nos convertisseurs boost avec et sans CALC

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

6- RESULTATS ET INTERPRETATIONS

Pour obtenir des résultats expérimentalement des deux convertisseurs avec et sans
circuit d’aide a la commutation CALC, on fixe la tension aux bornes de la charge et on
fait varié la valeur de la résistance de la charge (tension sortie VS=30V).
On calcul les valeurs des puissances d’entrée, de sortie, de perte et le rendement
comme suit :

Puissance d’entrée P E= VE*IE (Watt)


𝑉𝑆2
Puissance de sortie P S= (Watt)
𝑅𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒

Pertes de puissance P P=P E-P S (Watt)


𝑃𝑆
Rendement de puissance R= *100 (%)
𝑝𝐸

Les résultats de calcul sont organisés dans le tableau suivant :


VE(Volt) IE(Ampaire) PE(Watt) PS (Watt) PP(Watt) R%
Rcharge =620Ω
Sans CALC 9.3 0.22 2.046 1.452 0.504 75.36
Avec CALC 11.9 0.17 2.023 1.452 0.571 71.77
Rcharge =310Ω
Sans CALC 11.4 0.34 3.876 2.903 0.973 74.89
Avec CALC 15.4 0.25 3.85 2.903 0.947 75.40
Rcharge =206.66Ω
Sans CALC 11.7 0.48 5.616 4.355 1.261 77.54
Avec CALC 12 0.46 5.52 4.355 1.165 78.89
Rcharge =155Ω
Sans CALC 11.9 0.63 7.497 5.806 1.691 77.44
Avec CALC 11.9 0.62 7.378 5.806 1.572 78.69

Tableau 3.1 : Comparaison des résultats pratique de circuit avec et sans CALC.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

Le but de nos tests est d’étudier les performances des circuits d’aide à la commutation ; pour
cela on compare les pertes en puissance entre les deux circuits avec et sans CALC pour la même
valeur de la charge.
D’après le tableau précédant ; on remarque que lorsque la valeur de la résistance augmente, les
pertes en puissance diminues soit avec ou sans CALC.
De plus les CALC sont plus performants pour les puissances aux alentours de quelques dizaines
se watts.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

7- MINIMISATION DE VOLUME DE PCB PAR L’UTILISATION DE


LA TECHNOLOGIE SMT

La technologie de montage en surface (SMT Surface-Mount Technology) est une


méthode de production de circuits électroniques dans laquelle les composants sont
montés ou placés directement sur la surface de circuits imprimés (PCB). Un dispositif
électronique ainsi fabriqué est appelé un dispositif à montage en surface (SMD
Surface-Mount Device). Dans l'industrie, il a largement remplacé la méthode de
construction à technologie de trou traversant THT (Through-Hole Technology)
consistant à insérer des composants avec des fils dans les trous de circuit imprimé. Les
deux technologies peuvent être utilisées sur la même carte, la technologie à trou
traversant THT étant utilisée pour les composants ne convenant pas au montage en
surface, tels que les grands transformateurs et les semi-conducteurs de puissance à
dissipation de chaleur.

Un composant SMT est généralement plus petit que son homologue à trou traversant
THT, car il possède soit des dérivations plus petites, soit aucune. Il peut comporter des
broches ou des fils de styles différents, des contacts plats, une matrice de billes de
soudure (BGA) ou des terminaisons sur le corps du composant.[7]

7-1 Historique

Le montage en surface SMT s'appelait à l'origine "montage en plan". La technologie


de montage en surface SMT a été développée dans les années 1960 et est devenue
largement utilisée au milieu des années 1980. À la fin des années 90, la grande
majorité des assemblages de circuits imprimés électroniques de haute technologie
étaient dominés par des dispositifs montés en surface. Une grande partie du travail de
pionnier dans cette technologie a été réalisée par IBM. L'approche de conception
présentée pour la première fois par IBM en 1960 dans un ordinateur de petite taille .
[7]

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

7-2 Abréviations

Différents termes décrivent les composants, la technique et les machines utilisées dans la
fabrication SMT. Ces termes sont répertoriés dans le tableau suivant:

Termes Définition EN Définition FR


SM
Surface-mount devices (active, passive Dispositifs montés en surface (composants
SMD and electromechanical components) actifs, passifs et électromécaniques)
Surface-mount technology Technologie de montage en surface
SMT (assembling and mounting technology) (technologie d'assemblage et de montage)
Surface-mount assembly (module Assemblage en surface (module assemblé
SMA assembled with SMT) avec SMT)
Surface-mount components Composants montés en surface
SMC (components for SMT) (composants pour SMT)

Surface-mount packages (SMD case Forfaits montés en surface (formes de cas


SMP forms) SMD)
Surface-mount equipment (SMT Equipement de montage en surface
SME assembling machines) (machines d'assemblage SMT)

Tableau 3.2 : Tableau des termes décrivent les composants, la technique et les machines
utilisées dans la fabrication SMT. [7]

7-3 Avantages

Les principaux avantages de la technologie SMT par rapport à l'ancienne technique du


trou traversant THT sont les suivants:

 Composants plus petits.

 Densité de composants beaucoup plus élevée (composants par unité de surface).

 Dans la technologie SMT, le volume du produit électronique est réduit de 40% à


60% et le poids est réduit de 60%. 80% par rapport à la technologie THT.

 Les composants peuvent être placés des deux côtés du circuit imprimé.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

 Densité de connexions plus élevée car les trous ne bloquent pas l'espace de routage
sur les couches intérieures, ni sur les couches arrière.

 Meilleure performance mécanique dans des conditions de choc et de vibration (en


partie due à une masse inférieure et en partie à une mise en porte-à-faux moindre)

 Résistance et inductance plus faibles à la connexion; Par conséquent, moins


d’effets de signaux RF indésirables et une performance haute fréquence meilleure
et plus prévisible.

 Moins de trous doivent être percés. (Le forage de PCB prend du temps et coûte
cher.)

 Réduction des coûts initiaux et de la durée d'installation pour la production en


série, à l'aide d'équipements automatisés.

 Assemblage automatisé plus simple et plus rapide. Certaines machines de


placement sont capables de placer plus de 136 000 composants par heure.

 De nombreuses pièces SMT coûtent moins cher que des pièces traversant THT
équivalentes.

 Un package de montage en surface est préféré lorsqu'un package à profil bas est
requis ou que l'espace disponible pour monter le package est limité. [7]

8- OPTIMISATION SMT DE NOTRE CIRCUIT BOOST

Pour suivre l’étendu technologique dans le domaine pratique actuellement utilisé dans
tout le monde, on a destiné nos idées pour minimiser le volume, le poids et le coût de
notre circuit BOOST avec circuit d’aide a la commutation en utilisant la nouvelle
technologie SMT.

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CHAPITRE 3 : REALISATION ET OPTIMISATION EN PERTES D’ENERGIE D’UN CONVERTISSEUR BOOST

9- CONCLUSION

Dans ce chapitre, nous avons pu étudier un convertisseur boost par la simulation sur Orcad
ainsi que par la réalisation. Et dans l’objectif d’optimiser ce type de convertisseur statique
nous avons ajouté au montage un CALC afin de diminuer les pertes joules engendré par le
MOSFET .
Les tests effectués démontrent l’efficacité des montages avec CALC surtout dans les intervalles
de puissance aux tours de quelques dizaines de Watts.
La comparaison des résultats obtenue par la voie pratique à celles obtenue par la voie de
simulation nous montre la robustesse et la précision du logiciel OrCAD.

Utiliser la technologie SMT est notre autre façon d’optimiser le convertisseur BOOST sur le plan
pratique.

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CONCLUSION GENERALE

CONCLUSION GENERALE

L’évaluation des pertes de puissance par commutation est une étape essentielle lors de la
conception des convertisseurs statiques. Il est donc particulièrement important de les diminuer en
choisissant une méthode adaptée.
Les circuits d’aide à la commutation CALC est une solution proposé pour résoudre le problème
des pertes d’énergie dans les convertisseurs DC-DC car ils minimisent les pertes d’énergie de
commutation sous forme de perte joule.
Le travail présenté dans ce mémoire vise principalement à démontrer l’efficacité des circuits
d’aide à la commutation CALC à minimiser les pertes de l’énergie dans les convertisseurs DC -
DC. Nous avons choisi comme élément d’étude un convertisseur survolteur BOOST.

Les résultats de la simulation ainsi que les résultats pratiques montrent qu’on utilisant les circuits
d’aide à la commutation « CALC », les pertes d’énergie causées par la commutation des
interrupteurs électroniques diminuent considérablement.

Le rendement et le volume, le poids et le cout des hacheurs survolteurs « BOOST » sont


améliorés en utilisant la technologie de montage SMT.

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ANNEXE
Annexes
Bibliographie

[1] Https://fe.wikipedia.org/wiki/Alimentation à découpage.


[2] Https://www.astuces-pratiques.fr.
[3] KACHENOURA RAHMA : « Etudes des pertes dans les convertisseurs statiques »,
thèse de doctorat 2015.
[4] GUILLAUME VERNEAU : « Optimisation géométrique de MOSFET de puissance
en vue d’intégrer l’alimentation de l’étage de commande », thèse de doctorat 2009.
[5] MAHDI AKHBARI : « Modèle de cellule de commande de commutation pour les
études de pertes », thèse de doctorat 2012.
[6] ORCADE https://www.orcad.com/resources/library/intro-ee pspice-designer.
[7]Https://en.wikipedia.org/wiki/Surface-mount_technology.

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