Chapitre III :

Modélisation et
simulation du système
photovoltaïque
III.1. Introduction :
La modélisation est une étape fondamentale qui permet d’introduire un certain
nombre de modèles puis d’évaluer la caractéristique de chaque élément de
l’installation ainsi que les paramètres constituants. Dans un système énergétique
photovoltaïque, on espère toujours travailler au voisinage du point de puissance
maximale MPP.
Cette simulation digitale sert afin de comprendre le comportement opérationnel
de ces composants et les interactions entre eux. Depuis la simulation de la
performance d’un système, on peut tracer toutes les étapes de la conversion d’énergie
et identifier en détail les pertes à travers le système.
Ce chapitre, à pour but l’étude modélisation et la simulation d’un système
photovoltaïque adapté a un hacheur survolteur « boost » avec une commande MPPT
numérique « perturbation et observation ».
Toutes les opérations de simulation sont faites par le logiciel MATLAB.

III.2. L’outil Matlab / Simulink :

MATLAB fait également partie d'un ensemble d'outils intégrés dédiés au
Traitement du Signal. En complément du noyau de calcul Matlab, l'environnement
comprend des modules optionnels qui sont parfaitement intégrés à l'ensemble :
 Une vaste gamme de bibliothèques de fonctions spécialisées (Toolboxes).
 Simulink, un environnement puissant de modélisation basée sur les schémas-
blocs et de simulation des systèmes dynamiques linéaires et non linéaires.
 Des bibliothèques de blocs Simulions spécialisés (Blocksets).
 D'autres modules dont un Compilateur, un générateur de code C, un
accélérateur.
 Un ensemble d'outils intégrés dédiés au Traitement du Signal : le DSP
Workshop.

SIMULINK est une plate-forme de simulation multi-domaine et de modélisation

des systèmes dynamiques. Il fournit un environnement graphique et un ensemble de
bibliothèques contenant des blocs de modélisation qui permettent le design précis, la
simulation, l'implémentation et le contrôle de systèmes de communications et de
traitement du signal.

III.3. Le générateur photovoltaïque « GPV » :

Le système photovoltaïque est contrôlé par la commande MPPT, il est présenté à
la Figure :

22
 Figure III.1 : Système photovoltaïque

III.3.1. Modélisation du système photovoltaïque :

La modélisation d'une cellule photovoltaïque (PV) consiste à créer un modèle
mathématique qui décrit le comportement électrique de la cellule en fonction de divers
paramètres tels que l'intensité lumineuse, la température et les caractéristiques du matériau
utilisé. Cela permet de prédire son rendement énergétique dans différentes conditions et
d'optimiser sa conception.

Une cellule photovoltaïque a un comportement équivalent à une source de courant

shuntée par une diode. Le modèle est complété par une résistance série R s due à la
contribution des résistances de base et du front de la jonction et des contacts face avant et
arrière et une résistance parallèle ou shunt R p qui provient des contacts métalliques et des
résistances de fuite sur la périphérie de la cellule.

Figure III.2: Schéma équivalant d'une cellule photovoltaïque

L’équation caractéristique est déduite d’une manière directe à partir de la loi de

Kirchhoff : I =I ph−I d−I sh
I :Courant généré par la cellule PV I ph : Photo-courant crée par la cellule
I d :Le courant circulant dans la diode
I sh : Le courant circulant dans la résistance R sh

Le photo-courant est proportionnel à l’éclairement et dépend aussi de la

température. Son expression est la suivante :

[
I ph= Icc+ Ki
( Top−Tref )∗G
G0 ]
I cc : Courant en court-circuit
K i :Le coefficient de la température de court-circuit
 G0 : L’éclairement pour les sciences et technologies de consommation STC
Top : La température de fonctionnement de la cellule
Tref : La température référence de la cellule

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Figure III.3 : Schéma de simulation du photo-courant

Le courant de saturation I s, dépend de la température. Son expression est sous la

forme :

I s=I sc ( )
Top 3
Tref
∗ exp
[ (
q∗Eg
∗(
1
−
A∗K Tref Top
1
) )]
I sc :Le courant de court-circuit de la cellule T ref :La température référence de la cellule

E g :L’énergie de seuil ≈ 1 ,12 eV

Figure III.4 : Schéma de simulation du courant de saturation

Le courant de court-circuit de la cellule I sc , son expression est sous la forme :

I sc =I scr /[exp
q∗Voc
NsAK T ref( −1] )
 Figure III.5 : Schéma de simulation du courant de court-circuit

Le courant de jonction I d est donné par :

I d=I s∗(exp
( )
Vd
V th
−1)

I s : Courant de saturation V th : La tension thermique

Top : La température de fonctionnement de la cellule A : La facture d’idéalité de la diode = 1.6
K : Constante de Boltzmann (1,381*10−23 J/K) q : Charge électrique élémentaire (1,6*10−19 C)

A∗K∗Top
Donc : V th =
q

V d + R s∗I
Shunt courant : I sh=
R sh
I sh :Le courant circulant dans la résistance R sh v d :La tension aux bornes de la diode
R sh :La résistance parallèle

Donc le courant total généré par le PV : I =I ph−I d−I sh

Si on remplace I ph , I d et I sh par expression, l’équation totale devient :

[
I = Icc+ Ki
( Top−Tref )∗G
G0 ]
−I s∗(exp
Vd
V th
−1)−
( )
V d + R s∗I
R sh

I pv =N p∗I ph−N p∗I 0∗[exp

( q∗V pv + I pv ¿ Rs
N s AKT )−1]
 Figure III.6 : Schéma de simulation du courant Ipv

III.3.2. Caractérisation du module PV :

Nous avons choisi un module de cellule de puissance nominale de 150W. vous trouvez
dans la table ci-dessous les caractéristiques de la cellule :

Grandeurs Valeurs
Puissance nominale 37.08 W
Tension au MPP 16.56 V
Courant au MPP 2.25 A
Courant du court-circuit 2.55 A
Tension du circuit-ouvert 21.24 V
Nombre de cellules en série Ns 36
Nombre de cellules en parallèle Np 1

Tableau III.1 : Les caractéristiques électriques de ce module photovoltaïque

L’équation générale est la suivante :

[
I = Icc+ Ki
( Top−Tref )∗G
G0 ]
−I s∗(exp
Vd
V th ( )
−1)−
V d + R s∗I
R sh

III.3.3. Simulation du module PV :

Pour réaliser cette modélisation, nous avons utilisé MATLAB comme outil de tests et de
simulation.

26
 Figure III.7 : Schéma de simulation du PV

III.3.4. Résultats de simulation :

Figure III.8 : Graphe I-V / Graphe de Puissance

III.4. Simulation des hacheurs :

III.4.1. Hacheur série (Buck) :

III.4.1.1. Modèle mathématique équivalent :

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 Pour savoir le comportement réel nous devons faire la représentation du circuit
équivalent par les deux états du commutateur et de tirer par suite le modèle
mathématique reliant les variables d’entrée/sortie. La figure (fig.II.5) montre le
schéma du circuit équivalent d’un convertisseur dévolteur avec le commutateur fermé,
tandis que la figure représente le convertisseur dévolteur avec le commutateur ouvert
pendant (1-α)T e

Figure III.9 : Schéma électrique d'un hacheur Buck fermé

Lorsqu’on applique la loi de Kirchhoff sur le circuit ci-dessus on aura les équations
suivantes :

Figure III.10 : Schéma électrique d'un hacheur Buck ouvert

Les équations suivantes sont déduites de la figure :

III.4.1.2. Simulation :

28
 Figure III.11 : Schéma de simulation d’un hacheur série

III.4.2. Hacheur parallèle (Boost) :

III.4.2.1. Modèle mathématique équivalent :

Afin de pouvoir synthétiser les fonctions du hacheur survolteur à l’état
d’équilibre, il est nécessaire de présenter les schémas équivalents du circuit à chaque
position de l’interrupteur K. celui de la figure, présente le circuit équivalent du boost
lorsque K est fermé c-à-d entre [0, αT e ].

Figure III.12 : Schéma électrique d'un hacheur boost fermé

Comme pour le circuit Buck, l’application des lois de Kirchhoff sur les circuits
équivalents des deux phases de fonctionnement donne :

À l’état ouvert de l’interrupteur K, le circuit équivalent au fonctionnement du Boost

est le suivant :

29
 Figure III.13 : Schéma électrique d'un hacheur boost ouvert

Les équations sont :

III.4.2.2. Simulation :

Figure III.14 : Schéma de simulation d'un hacheur boost

III.4.3. Hacheur Série-parallèle (Buck-boost) :

III.4.3.1. Modèle mathématique équivalent :
Lorsque l’interrupteur K est fermé le circuit équivalent est montré sur la figure :

Figure III.14 : Schéma électrique d'un hacheur Buck- boost fermé

30
En appliquant la loi de Kirchhoff à ce circuit on obtiendra les équations suivantes

Lorsque l’interrupteur K est ouvert le circuit équivalent apparait à la figure :

Figure III.15 : Schéma électrique d'un hacheur Buck- boost ouvert

Le modèle d’équation dans cette configuration est comme suit :

III.4.3.2. Simulation :

Figure III.16 : Schéma de simulation d'un hacheur Buck-boost

III.5. Les onduleurs :

III.5.1. Commande plein onde :
III.5.1.1. Commande plein onde avec RL :

31
 Figure III.17 : Schéma de simulation d'une Commande plein onde (R)

Résultats :
Ub: Series RLC Branch
100
50

-50
-100
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06

Ib: Series RLC Branch

1

-1
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06

III.5.1.2. Commande plein onde avec RL :

Figure III.18 : Schéma de simulation d'une Commande plein onde (RL)

32
Résultats :

III.5.2. Commande décalée :

III.5.2.1. Commande décalée avec RL :

Figure III.19 : Schéma de simulation d'une Commande décalée (RL)

Résultats :

33
 III.5.2.2. Commande décalée avec R :

Figure III.20 : Schéma de simulation d'une Commande décalée (R)

Résultats :

III.6. Simulation globale de système PV en fonctionnement

autonome :
Dans cette simulation on a utilisé un générateur PV de type BP SX 150 un hacheur
Buck-boost caractérisé par : C1=2500µF, L=130µH, C2=150µF avec une commande MPPT
de type perturbation et observation et un onduleur triphasé commandé par la commande MLI
et une charge RL Rch =10 Ω , Lch =0.01 H .

III.6.1. Schéma de simulation :

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 Figure III.21 : Schéma de simulation d'un système PV en fonctionnement autonome

III.6.2. Résultat de simulation :

Figure III.22 : La tension d'entrée de l'onduleur / La tension compose Vab

 Figure III.23 : La puissance d'entrée de l'onduleur / Le courant d'entrée de l'onduleur

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Figure III.24 : Le courant de sortie de l'onduleur / La tension simple Va

 D'après la figure (Figure III.23.1, III.22), on remarque que les valeurs de

tension, courant et puissance d'entrée de l'onduleur sont supérieure à celles de
PV.
 D'après la figure (Figure III.23.2) on remarque que le courant de sortie de
l'onduleur prend la forme sinusoïdale à cause de la charge inductive.
  D'après la figure (Figure III.24), on remarque la valeur max de la tension
composé est égale à celle de la tension continue de l’entrer ainsi que la forme
de la tension simple et la tension composé est découpé.

III.7. Conclusion :
Dans ce chapitre on a étudié quelques types convertisseurs DC-DC,
utilisés dans les systèmes photovoltaïques. Comme le hacheur dévolteur,
le hacheur survolteur et le hacheur mixte (dévolteur-survolteur) la
commande MPPT ainsi que les convertisseurs DC-AC et la commande
MLI.
D’après les résultats obtenus de la simulation, on remarque que le
convertisseur DC-DC et la commande MPPT effectuent correctement
leurs rôles d'atteindre la puissance maximale de générateur PV. Le
hacheur Buck-boost peut augmenter la tension de sortie si le rapport
cyclique est supérieur à 0.5. La commande MLI a le but d’obtenir l’allure
sinusoïdale ou niveau de la sortie de l'onduleur.

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