~1~

Intitulé : Electronique de puissance (Industrielle)

1. Objectif Général du cours

Amener les étudiants à connaître les principaux montages de

l´électronique de puissance (convertisseurs) et les composants
permettant de les réaliser ainsi qu’à connaître les domaines
d’application des dits montages.

2. Objectifs Spécifiques

 Le premier objectif spécifique de ce cours est de familiariser les

étudiants avec les composants électroniques de puissance ;
 Connaître leur importance, leur utilisation ; leur rôle et leur
domaine d’application ;
 Ensuite, permettre à l’étudiant de connaître les caractéristiques et
les fonctions des composants principaux utilisés dans les
montages d´électronique de puissance.
 Préparer l’étudiant à maîtriser la structure de différents montages
d’électronique de puissance et leur fonctionnement en vue d’être
prêt à assumer les responsabilités dans la modélisation, dans la
conception, dans la maintenance et dans l’entretien de ces
montages.
3. Stratégies Pédagogiques

 30 heures d’enseignements théoriques obligatoires dans la salle

de cours.
 10 heures de travaux pratiques dirigés dans la salle de cours.
 5 heures de travaux pratiques dirigés (réalisation) à l´atelier
électronique.

4. Contenu du Cours

Chapitre 1.Introduction à l’Electronique de puissance

I.1 Qu´est-ce que l´électronique de puissance ?

I.2 Spécificité de l´électronique de puissance

Chapitre 2. Les Composants d’Électronique de Puissance

Chapitre 3. Les Semi-conducteurs

 ~2~
Chapitre 4. Notions sur les montages d’Electronique de
puissance(Convertisseurs)

4.1 Introduction

4.2 Les relais statiques

4.3 Les gradateurs

4.4 Les redresseurs

4.5 Les cycloconvertisseurs

4.6 Les hacheurs (Alimentations à découpage)

4.7 Les onduleurs

 ~3~
Chapitre 1. Introduction à l’Électronique de Puissance

1.1 Qu’est-ce que l’Électronique de Puissance ?

1.1.1 Définition
L'électronique de puissance doit son nom au fait que les montages
qu'elle concerne peuvent commander des dispositifs jusqu'à plusieurs
centaines de MW. Toutefois, il existe de nombreuses applications de
quelques Watts ou de quelques dizaines de Watts qui sont du ressort de
cette discipline.
On parlera d'électronique de puissance dans tous les cas où l'on
contrôle un flux d'énergie électrique par des composants
électroniques.
Cette notion de contrôle est à prendre au sens large ; elle s'applique
aussi bien au courant qu'à la tension et elle permet d'en imposer
l'amplitude, le sens, la fréquence, la modulation ou la phase.
1.2 Spécificité de l'électronique de puissance
1.2.1. Par rapport à l’électronique de signal
La plupart des disciplines de l'électronique sont liées à la transmission
et à la transformation d'informations analogiques (continues) ou
digitales (numériques) : on parle souvent d'électronique de signal.
L'électronique de puissance s'en distingue :
 par le niveau de puissance, le plus souvent, comme l'indique sa
définition ;
 par l'utilisation de composants spécifiques dont la technologie et
le comportement diffèrent sensiblement des composants de
signal, comme le montre le Tableau 1.1.

Tableau 1.1. Principales différences entre composants électroniques de

signal et de puissance.
 par les montages ; chaque discipline de l'électronique remplit ses
propres fonctions à l'aide de montages spécifiques. En
électronique de puissance, il y a souvent conversion d'énergie
électrique d'une forme à une autre, d'où le terme fréquemment
 ~4~
employé de convertisseur. Le tableau 1.2 donne un aperçu des
différents convertisseurs et de leurs fonctions. On trouvera des
exemples d'applications dans la suite du chapitre.

Type de Grandeurs réglées Convertisseur

conversion
AC - DC Fréquence, amplitude Redresseur

DC – AC Fréquence, amplitude, Onduleur

phase
DC – DC Amplitude Hacheur,
alimentation à
découpage
AC – AC Amplitude Relais statique
Gradateur
AC - AC Fréquence, amplitude Cycloconvertisseur

Tableau 1.2. Principaux montages d’électronique de puissance et leurs

fonctions.
Notons également que la plupart de ces convertisseurs utilisent les
semi-conducteurs comme des interrupteurs pour y limiter la
dissipation de puissance. Le tableau 1.3 représente le sens de la
conversion de l’énergie
 ~5~
1.2.2. Par rapport aux composants électromécaniques
Nombre de composants électromécaniques destinés à régler la tension
ou la vitesse (autotransformateurs motorisés, coupleurs hydrauliques,
boîtes de vitesse, groupes Ward-Leonard, rhéostats, relais, etc.) sont
aujourd’hui remplacés par des convertisseurs électroniques.
Les raisons en sont les suivantes :
 un gain en vitesse et en fréquence, lié à l’absence d’inertie ;
 une augmentation de la précision ;
 une interface plus facile vers les systèmes électroniques de
régulation ;
 une durée de vie élevée due à l’absence d’usure et d’arcs
électriques ;
 une diminution de l’entretien ;
 de nouvelles fonctionnalités, comme la variation de vitesse par
moteurs à courant alternatif ;
 une fiabilité accrue ;
 une augmentation du rendement ;
 un gain en poids et en volume
L’avantage de l’électronique de puissance se justifie surtout par la
précision, la rapidité du contrôle et les fonctionnalités accrues qu’elle
procure.
1.3. Les Composants
1.3.1. Bref aperçu des composants principaux
Le tableau1.4 reprend les composants de puissance les plus courants et
leurs propriétés macroscopiques principales.

Interrupteur Symbole Nom Allumage Extinction

Diode
Thyristor
GTO
IGCT
Triac

BJT
MOSFET

IGBT

Tableau 1.4. Composants de puissance et leurs propriétés

macroscopiques

- la colonne “interrupteur” donne un symbole indiquant si l’interrupteur

est mono(→) ou bidirectionnel (←→) en courant, la présence ou non
d’une électrode de commande et l’action de celle-ci (↓=mise en
conduction, ↑=coupure),
 ~6~
- la colonne “symbole” donne le symbole usuel utilisé pour les schémas,
ainsi que la définition du sens positif des tensions et courants
principaux et du courant ou de la tension de commande
- les colonnes “allumage” et “extinction” définissent les conditions pour
que l’interrupteur devienne respectivement passant et bloquant

On remarquera que :
- seule la diode ne possède pas d’électrode de commande: son allumage
se produit pour une tension anode-cathode positive supérieure à un
seuil V*; l’extinction est provoquée par une polarisation inverse,

- le thyristor est assimilable à une diode munie d’une électrode de

commande appelée gâchette; la mise en conduction demande à la fois
une polarisation positive et l’application d’un courant de commande (le
plus souvent une impulsion) dans le circuit

gâchette-cathode; pour éteindre le thyristor, il ne peut pas y avoir de

courant de gâchette, mais la gâchette est sans action; il faut d’abord
annuler le courant d’anode, puis appliquer une tension anode-cathode
négative pendant un temps suffisant,

- le GTO (Gate Turn Off) et l’IGCT (Integrated Gate Commutated Turn-

Off) sont des thyristors dans lesquelles la gâchette est à double action
(allumage et extinction); le courant de gâchette à l’allumage est modeste
(quelques ampères), mais à l’extinction il est considérable (30% du
courant d’anode pour le GTO et 100% pour l’IGCT)
- le TRIAC (TRIode Alternative Current) est le seul composant pouvant
véhiculer le courant dans les deux sens; c’est en fait l’équivalent de 2
thyristors montés tête-bêche avec une seule gâchette d’allumage, et
pouvant s’allumer pour n’importe quelle polarité de la tension anode-
cathode,
- le transistor bipolaire ou BJT (Bipolar Junction Transistor) est
commandé par son courant de base à l’allumage et à l’extinction; les
bipolaires de puissance ont un gain modeste (environ 10) et donc une
puissance de commande non négligeable,
- les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect
Transistor) et l’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont les seuls
commandés par une tension appliquée sur l’électrode de commande
(appelée grille); la puissance de commande est négligeable.
1.3.2. Propriétés et limites des composants de puissance
La connaissance des propriétés et des limites des composants est
essentielle puisqu'ils sont à la base de tous les équipements. Dans la
plupart des cas, les semi-conducteurs travaillent comme des
interrupteurs. On s'intéressera donc :
 à la tension maximale qu'ils peuvent supporter à l'état bloqué
 au courant maximum qu'ils peuvent supporter à l'état passant
 ~7~

 à leur tension résiduelle à l'état passant, responsable d'une

dissipation thermique parfois pénalisante pour le volume et le
rendement
 à leur comportement en commutation c'est-à-dire lors du passage
de l'état passant à l'état bloqué et inversement ; le temps de
commutation et la forme des courants et des tensions
déterminent la fréquence de fonctionnement ainsi que les pertes
et donc le rendement
 à la puissance maximale qu'ils peuvent dissiper.
 ~8~
Chapitre 2. Les Composants d’Électronique de Puissance

2.1. Introduction

L´objectif principal de ce chapitre est d´apprendre aux étudiants, la

constitution, le fonctionnement ainsi que les applications
fondamentales des composants dits « Electroniques ».

2.2 LES RESISTANCES

2.2.1. Définition et symbole
a. Définition
Une résistance peut être définie en deux volets :

1° Sur le plan technologique

Une résistance est un composant fabriqué expressément pour qu’il
réagisse dans un circuit électrique en s’opposant au passage du
courant électrique.

2° Sur le plan physique

Une résistance est la propriété que possède tout corps à s’opposer plus
ou moins au passage du courant électrique.
b. Symbole
R
Ou
R

Fig 2.1 Symboles de la résistance

2.2.2. Caractéristiques et marquage des résistances

2.2.2.1. Caractéristiques des résistances
Toutes les résistances en général, possèdent les caractéristiques
suivantes :

a. La valeur nominale
C’est la valeur pour laquelle la résistance a été fabriquée. La valeur
nominale est toujours indiquée sur le corps de la résistance à l’aide
d’un code de marquage (en clair ou en code de couleur). En d’autres
termes, c’est la valeur théorique indiquée sur l’élément avec le code des
couleurs ou en chiffres (Ω,KΩ, ou MΩ).Exemples : 6R8, 4K7, 1M
 ~9~
b. La tolérance
C’est la valeur relative exprimée généralement en pourcentage de la
valeur nominale et qui détermine la précision exigée sur la valeur
nominale. Ou c’est l’écart admissible de la résistance réelle par rapport
à la valeur nominale en [%] (+/-).

c. La puissance nominale
C’est la puissance admissible que peut dissiper la résistance d’une
façon permanente en air calme sans être détériorée ; à la pression
atmosphérique normale et pour une température ambiante qui doit
rester inférieure à 40C

d. La tension nominale
Elle représente la tension maximale que la résistance peut supporter à
ses bornes sans qu’elle puisse s’échauffer exagérément. Celle-ci est
intimement liée à la puissance nominale de la résistance.
e. Le coefficient de température
On appelle coefficient de température, la variation relative de la
résistance due à une variation absolue de la température ambiante de
1C.

f. Le facteur bruit
Les résistances produisent à leurs bornes une tension parasite. Cette
tension est due à l’agitation thermique des molécules en fonction de la
température absolue exprimée en degré Kelvin (0K= -273C).
g. La stabilité
On dit qu’une résistance est stable, lorsqu’après un long usage (plus de
cinq ans), sa valeur reste de celle qu’on avait à l’origine.
2.2.2.2. Marquage des résistances

Le système de marquage des composants électroniques tend à ses

multiplier. Pour les composants électroniques passifs, le code de
marquage est standard pour tous les fabricants. Mais pour les
composants électroniques actifs, chaque fabricant veut créer son propre
code de marquage.
On distingue deux types de marquages pour les éléments passifs :

- Marquage direct.
- Code des couleurs.
 ~ 10 ~
A. Marquage Direct

La méthode consiste à inscrire les valeurs sur les composants. Pour

indiquer leurs valeurs, on se contente de les graver sur le métal. Il
existe deux types de marquage direct :

A1.Le marquage (code) en clair direct.

Exemple : 10KΩ  5%

A2 Le marquage (Code) en semi-clair :

Il est constitué d’un nombre donnant la valeur ohmique, suivi d’une

lettre majuscule donnant la tolérance, tel qu’illustrer dans ce tableau.

Tableau 2.1 : Lettres codes donnant la valeur de la tolérance.

LETTRE TOLERANCE
B 0,1%
C 0,2%
D  0,5%
E  1%
G  2%
J  5%
K  10%
M  20%

Exemple : 10KJ = 10K±5%

A.3 Remarques générales sur les marquages normalisés des

Composants passifs

- Certains fabricants des composants utilisent un code de désignation

des éléments de la série E12 qui tend de plus en plus à se
généraliser ; le code comporte trois chiffres suivis d'une lettre
majuscule. Les deux premiers chiffres donnent les deux premiers
digits de la valeur du composant, le troisième chiffre donne l'exposant
de la base 10 du multiplicateur:

Exemples :

102 K = 10.102 10%

275 J = 27.105 5%

102 K = 10.102 10%

275 J = 27.105 5%
 ~ 11 ~
- Suivant les spécifications NFC 93011, l’expression des unités se fait à
l’aide des lettres suivantes :

R ou E pour les unités

K pour les milliers

M pour les millions d'ohms.

Exemples

33K = 33K
10 = 10R
47 M = 47 M

- Dans les écritures, la lettre symbolisant les unités, occupe la

position de la virgule virtuelle.
- Exemple :

4,7 Ω = 4E7

- L’expression des composants codés en deux chiffres (E12 et E24) se

fait selon le mode ci-après :
1K = 1K0
1,5 M = 1M5
0,1 = E10

B. CODE DES COULEURS

Le code est basé sur les couleurs normalisées. Elles sont définies par
les recommandations NFC 93011 ou CEI 62. Il s’agit de dix couleurs
issues de la diffraction de la lumière blanche auxquelles on a ajouté
la couleur dorée et argentée. Les couleurs forment ainsi un code
fonctionnel c’est-à-dire la valeur de la bande colorée dépend de sa
position. Il y a des positions réservées à la valeur numérique et des
positions réservées aux informations supplémentaires :
(Multiplicateur, tolérance, catégorie climatique, tension de
fonctionnement etc ...).

L’interprétation des couleurs ne présente en soit aucune difficulté, il

importe cependant de faire bien attention au sens de lecture des
bandes colorées afin de leur donner la valeur fonctionnelle correcte.

Notons également que les séries E12 et E24 comportent deux chiffres
significatifs ; elles sont marquées soit en clair soit en code de couleur
à quatre bandes.
 ~ 12 ~
Les séries E48, E96 et E192 nécessitent trois chiffres significatifs,
elles sont marquées soit en clair, soit en code de couleur de cinq
bandes. E192 est exclusivement codé en clair.

Tableau 2.2 : Code de couleur à 4 et à 5 bandes

Couleur 1er 2eme 3eme Multiplicateur Tolérance

Digit

argent 10-2 + 10 %

or 10-1 +5%

Noir 0 0 100

Marron 1 1 1 101 +1%

Rouge 2 2 2 102 +2%

Orange 3 3 3 103

Jaune 4 4 4 104

Vert 5 5 5 105  0,50%

Bleu 6 6 6 106  0,25%

Violet 7 7 7  0,10%

Gris 8 8 8  0,05%

Blanc 9 9 9 Sans couleur

= + 20%

B2.- Comment identifier la première bande

La grande difficulté qu’éprouvent les débutants dans l’emploi des codes

de couleur est la reconnaissance du sens correct de lecture des bandes
colorées.

La technique est simple : Il faut d’abord localiser sur la résistance le

côté où est situé l'anneau qui correspond à la tolérance (couleur or ou
argent par exemple). Cet anneau est généralement un peu décalé des
autres, ou est un peu plus large, c’est la dernière bande. Une fois cette
bande localisée, on place la résistance de telle sorte que cet anneau se
trouve sur le côté droit, et on commence à lire à partir de la gauche.

Exemple 1 - Résistance à quatre anneaux de couleur

 ~ 13 ~
1.- La première bande est toujours plus près d’une extrémité

2.-L’anneau de tolérance est plus espacé par rapport aux autres

anneaux

3.- Le dernier anneau est soit or soit argent pour la série E12

4.- Le dernier anneau est soit marron, soit rouge pour les séries E24 et
E48

Exemple 2 - Résistance à cinq anneaux de couleur

1.- La première bande est toujours plus près d’une extrémité

2.- L’anneau de tolérance est plus espacé par rapport aux autres
anneaux

N.B : Le marquage réalisé par quatre ou cinq anneaux de couleurs ; les

deux ou trois premiers anneaux indiquent les deux ou trois premiers
chiffres significatifs ; l’anneau suivant est appelé « Multiplicateur »,
détermine le nombre des zéros qu’il faut ajouter (ou la puissance de
10). On obtient ainsi la valeur de la résistance en ohm (Ω).

Le dernier anneau, généralement un peu plus large, indique la

tolérance.

 En d’autres termes, pour indiquer la valeur d’une résistance à

quatre couleurs, la première couleur donne le chiffre des dizaines, la
deuxième donne le chiffre des unités, la troisième représente le
chiffre multiplicateur et la quatrième renseigne sur la tolérance,
c’est-à dire la précision de la valeur réelle de l’élément.

 Pour les résistances à cinq couleurs, la première couleur donne le

chiffre des centaines, la deuxième donne le chiffre des dizaines, la
troisième couleur donne le chiffre des unités et la quatrième
représente le chiffre multiplicateur. C’est la cinquième couleur qui
va donner la tolérance du composant.
 Il existe aussi :

1º) Les résistances à trois couleurs qui ont le même principe que les
résistances à quatre couleurs. L’absence de cette quatrième couleur,
signifie que la tolérance est de  20 %.
 ~ 14 ~
2º) Les résistances à six couleurs qui ont le même principe que les
résistances à cinq couleurs, mais la sixième couleur indique le
coefficient de température.

Exemples

I. Déterminer les couleurs des résistances ci-après.

a) 832 K  5% b) 2R7  10%

R) a) Gris, Orange, Rouge, Orange, Or;

b) Rouge, Violet, or, Argent.

II. Déterminer la valeur des résistances ci-après données par les

couleurs suivantes.
a) Blanc, Bleu, Orange, Noir, Argent
b) Brun, Noir, Rouge, Or
R) a) 963.10 10% =963  10%

b) 10.102 5% =1 K 5%

III. Déterminer la vraie valeur des résistances, donner par le

marquage en clair.
R) a) 275 RJ = 275 5%
b) 33 KK = 33 K 10%

c) 4 M7M = 4, 7 M 20%

2.3 Les Semi-conducteurs de Puissance

Les semi-conducteurs de puissance actuels peuvent être classés en
trois catégories :
1. Diodes. États fermé ou ouvert contrôlés par le circuit de puissance.
2. Thyristors. Fermé par un signal de commande, mais doit être ouvert
par le circuit de puissance.
3. Interrupteurs commandables à l'ouverture et à la fermeture.
Ouverts et fermés par un signal de commande.
La catégorie des interrupteurs commandables inclut de nombreux types
de composants :
 Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors -
BJT) ;
 Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semi-conducteur
(MOSFET) ;
 Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors
GTO Thyristors) ;
 Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated GateBipolar
Transistors - IGBT) ;
 ~ 15 ~

 Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled Thyristors - MCT).

Ces semi-conducteurs (nombreux et variés) présentent des
caractéristiques particulières parmi lesquelles nous avons brièvement :

 Diodes: If = 3000A; Vrsm= 5000 V; Vf = 1 à 1,25 V; Trec= 5 µs

(recouvrement)
 Thyristors normaux: 2000 A; 4000 V; 1,5 V; 200 µs
 Thyristors rapides: 1500 A; 2000 V; 1,5 V; 50 µs
 Thyristors à désamorçage commandé GTO (Gate Turn Off): 200 A;
1200 V avec tendance vers les 1000 A et 4000 V
 Transistors bipolaires: 50 A; 1000 V ou 500 A; 200 V
 Transistors MOS: commutent en quelques 10 ns

2.3.1 La Diode de Puissance

Le redressement a toujours été une conversion de la plus grande

importance en électronique et en électrotechnique (puisque la
distribution de l’énergie électrique se fait en alternatif et que de
nombreux appareils et équipements demandent des tensions
continues).
Réalisé initialement à l’aide de tubes, il est depuis plusieurs dizaines
d’années exclusivement l’apanage de diodes semi-conductrices à l’état
solide.
Le rôle des diodes ne se borne pas au redressement ; on les retrouvera
dans plusieurs autres applications:
 dans les hacheurs, comme roue libre ; elles permettent au
courant de circuler lorsque les interrupteurs en série avec une
charge inductive sont bloqués ;
 dans les onduleurs, en antiparallèle sur les interrupteurs, pour
assurer la circulation d’énergie réactive et le freinage récupératif ;
 dans les circuits auxiliaires, comme l’aide à la commutation, pour
créer des chemins dont l’impédance est dissymétrique en fonction
du sens du courant.
 dans la protection des autres composants où la diode est associée
en série avec les composants passifs comme la résistance et la
capacité pour former des circuits RDC de protection contre les
dv/dt.
2.3.1.1 Principe de la diode
Sous le point de vue de l’électronique de puissance, la diode est un
interrupteur non commandable. Reprenant le principe de la jonction PN
de la diode « signal », celle-ci utilise une jonction PIN (I comme
+ – +
Intrinsèque) constituée d’un empilement P /N /N (Figure 2.1). La zone
–
intermédiaire N assure une bonne tenue en tension.
 ~ 16 ~

Figure 2.1. Structure diode PIN et Symbole d’une diode de puissance et

notations
2.3.1.2. Fonctionnement de la diode réelle
1. Caractéristique statique tension-courant
Repérée en convention récepteur (figure 2.1), la diode présente une
caractéristique tension-courant dissymétrique.

En polarisation directe la tension vD est positive et présente les

imperfections suivantes :
 Tension de seuil VD0 (de 0,8 à 2 V) ;
 Résistance dynamique rD0 (de 10 à 100 mΩ).

En inverse, le courant est quasi nul puis croît brutalement lors du

claquage qui est un phénomène destructif (appelé phénomène
d’avalanche) pour le composant (VRM de 200 à 1000 V couramment).

Figure 2.2. Caractéristique statique tension-courant de la diode.

Il faut cependant noter que la caractéristique i-v de la diode peut être
idéalisée (figure 2.3). Cette caractéristique idéalisée peut être utilisée
pour analyser le principe de fonctionnement de base des convertisseurs.
Par contre, il est évident que cette idéalisation ne doit pas être utilisée
 ~ 17 ~
dans le cas d'une conception prenant en compte les problèmes de
dissipation thermique ou de chute de tension.

Figure 2.3. Caractéristique i-v idéalisée d’une diode

A ces caractéristiques propres du composant, le constructeur indique
les grandeurs à ne pas dépasser en fonctionnement :

 Le courant direct moyen IF0 (F pour Forward) ;

 Le courant direct efficace IFeff.
4. L’association des diodes

a) En série

Figure 2.4. Mise en série des diodes

La caractéristique de la diode équivalente s’obtient graphiquement en
considérant que la tension aux bornes de l’ensemble est la somme des
tensions aux bornes des diodes concernées.
Utilisation : La mise en série des diodes est nécessaire quand une
tension inverse maximale (TIC) appliquée à une diode est supérieure à
ce qu’elle peut normalement supporter. La TIC totale (figure 2.5) sera la
TIC d’une diode multipliée par le nombre total des diodes mises en
série.

Figure 2.5. TIC et R des diodes en série

 ~ 18 ~

Les résistances peuvent avoir des valeurs de 5 kΩ à 50 kΩ et la TIC

totale = (TIC d’une diode) x (nombre de diodes).
b) En parallèle
On peut utiliser une construction analogue en considérant cette fois
qu’il y a additivité des courants dans les diodes concernées.

Figure 2.6. Mise en parallèle des diodes

Les résistances doivent être faibles est identiques. Itotal = (I par diode) x
(nombre de diodes)
Utilisation : quand le courant consommé par la charge est supérieur à
celui que peut supporter une diode.
2.3.1.3. Autres types des diodes
Il faut noter qu’en dehors de la diode classique, il existe d’autres types
de diodes selon les besoins nécessités par les applications. On peut
citer :
1. Diode Schottky.
Cette diode est utilisée lorsqu'une faible chute de tension en direct
(typiquement 0,3V) est nécessaire dans les circuits à très faible tension
de sortie. Ces diodes sont limitées au niveau de leur tension de blocage
en inverse à 50-100 V.

La diode de Schottky présente plusieurs caractéristiques intéressantes :

 la tension de seuil est sensiblement plus faible que pour les
diodes PN. Elle dépend du métal utilisé (chrome, molybdène,
platine, tungstène) et varie de 0,1 à 0,3 V à 125º C.
 la dépendance de la chute de tension directe avec le courant est
plus sensible que pour les diodes p-n.
 globalement, le bilan est favorable : la tension de seuil à l’état
passant VF est nettement plus favorable que pour les diodes p-n,
puisqu’elle varie de 0,3 V à 0,8 V au courant nominal.
 la diode de Schottky repose sur une conduction de porteurs
majoritaires, les électrons, et ne présente donc pas
d’accumulation de charges ; le recouvrement inverse est très
limité, car il n’est dû qu’à la capacité propre de la jonction, et
largement indépendant du di/dt appliqué.
 ~ 19 ~

 la tenue en tension inverse est malheureusement faible,

puisqu’elle ne dépasse guère 100 V.
L’avantage essentiel : La diode Schottky est plus rapide. Ces diodes
s’emploient dans les redresseurs rapides, petits signaux et dans les
composants logiques rapides.
Enfin, dans les applications en basse tension, la diode de Schottky n’est
pas pénalisée par sa tenue réduite en tension inverse.

2. Diode Zener

Les diodes Zener sont des diodes au silicium généralement utilisées

pour la régulation de tension, la suppression des pointes de tension.
Dans le sens direct, elles fonctionnent exactement comme des diodes au
silicium de redressement, avec un seuil de tension proche de 0,6 à 0,8
volts. En bref une diode Zener contrôle l’avalanche en inverse.

3. Diode varicap (Contrôle de la capacité inverse)

Quand la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de

potentiel est renforcée. La zone de charge d’espace apparaît comme un
isolant entre les deux parties semi-conductrices : La jonction se
comporte comme un condensateur dont la capacité est fonction de
la tension inverse.
2.3.2 Le DIAC
Le DIAC (Diode for Alternative Current) est un système équivalent à
deux diodes à quatre couches montées tête-bêche.

Fig 2.8. Symbole et caractéristique i(U) du diac.

Un DIAC reste bloqué tant que la tension entre ses bornes reste
inférieure à sa tension seuil (de retournement). Selon la polarité des
tensions appliquées au DIAC, l’une des deux diodes entre en conduction
 ~ 20 ~
quand le seuil est dépassé. Pour désamorcer un DIAC conducteur, il
faut annuler la tension appliquée.
Utilisations du DIAC
Le DIAC est surtout employé pour fournir des impulsions tantôt
positives, tantôt négatives.
Etant donné le montage ci-dessous, l'ensemble à courant alternatif,
DIAC est alimenté par une tension alternative V> 50 V.

Figure 2.9. Exemple d’utilisation du DIAC. Impulsions du courant

produites par un DIAC.
Lorsque la tension Uc est inférieure à la tension VBR {tension
d'avalanche), le diac présente une résistance infinie. Dès que Uc = VBR;
cette résistance devient très faible ; (équivalente à celle d'un
interrupteur fermé), ce qui a deux conséquences :
 le courant ne passe plus par le condensateur, mais par le DIAC ;
 le condensateur se décharge à travers le DIAC ; on obtient ainsi
une impulsion du courant à chaque alternance.
Exemple de commande du triac par le diac :

Figure 2.10. Circuit d’amorçage du triac par le DIAC

Aspect physique du DIAC

Le boîtier d’un DIAC ressemble à celui d’une diode mais le trait repère
est situé au milieu. Plus rarement, c’est un boîtier plastique genre
transistor mais avec deux pattes seulement, ne pas tenir compte de
l’orientation du méplat de ce boîtier puisqu’un DIAC n’a pas de polarité.
 ~ 21 ~

2.3.3 Le Thyristor

1. Bref historique
Le thyristor est un élément à semi-conducteur qui a été développé par
la société General Electric aux Etats-Unis vers 1957 et a été lancé sur le
marché au début des années 1960.
Le mot “thyristor” vient de la contraction de thyratron (nom d’un
dispositif à tube qu’il remplace) et transistor. La dénomination anglaise
est “thyristor” ou "Silicon Controlled
Rectifier" (SCR).
2. Structure des thyristors
Un thyristor est un dispositif à quatre couches PNPN et à troisième
borne, la gâchette (figure 1.12). Un thyristor 2 000 V, 300 A est
typiquement une tranche de silicium de diamètre de 30 mm et
d'épaisseur de 0,7 mm.

Figure 2.11. Thyristor. a) Structure. b) Symbole

La figure 2.12 représente la caractéristique d'un thyristor PNPN à

gâchette non reliée.

Figure 2.12. Caractéristique de thyristor sans courant de gâchette

Un tel thyristor est constitué de trois diodes en série de sens tels qu'ils
empêchent toute conduction. La caractéristique inverse (cathode
positive) ressemble à celle d'une diode. La caractéristique directe (anode
 ~ 22 ~
positive) montre que seul le courant de fuite circule jusqu'à l’obtention
de la tension d'avalanche de la jonction médiane de commande.

Figure 2.13. Caractéristique de thyristor avec courant de gâchette

La caractéristique idéalisée du thyristor est donnée par la figure 2.14.

Figure 2.14. Caractéristique idéalisée du thyristor

L'injection d'un courant positif de la borne de gâchette vers la cathode
négative met un thyristor déjà polarisé en direct (anode positive) à l'état
passant (figure 2.14).
3. Protection des thyristors
3.1. Contre les surintensités
La protection peut être assurée soit par un fusible rapide, soit par un
système limiteur électronique.

Figure 2.15. Moyens de protection des thyristors contre les

surintensités
 ~ 23 ~
3.2. Contre les amorçages trop rapides di/dt
Une inductance montée en série avec le thyristor limite le di/dt (figure
2.16).

3.3. Contre les blocages trop rapides dv/dt

On emploie soit un condensateur, soit un ensemble condensateur avec
une résistance pour limiter le courant (figure 2.17).

Figure 2.17. Moyens de protection contre les dv/dt

3.4. Contre les surtensions

On met en parallèle avec le thyristor soit un semi-conducteur (GEMOV

– métal oxyde varistor), soit un ensemble de 2 diodes tête-bêche
(thyristor) (figure 2.18).

Figure 2.18. Protection contre les surtensions

Application des Thyristors

Le thyristor est l’interrupteur des courants intenses sous des tensions
élevées : ≈ 5000 V, 3000 A, aux fréquences jusqu’à quelques centaines
de hertz.

Pour accroître les performances des interrupteurs à thyristors, on peut

grouper plusieurs thyristors en série et/ou en parallèle.
2.3.4. Thyristor GTO (Gate Turn Off)
a) Présentation :
- C’est un thyristor que l’on peut éteindre par action sur la
gâchette. Une impulsion négative sur la gâchette assure le
blocage du thyristor.
- On peut aller jusqu’à 4500 V – 2500 A.
- La vitesse de commutation est nettement plus grande que celle
des thyristors classiques (simples).
- La variation de tension en fonctionnement est plus importante (2
à 3 V), d’où les pertes en conduction sont plus importantes aussi.
- On pense surtout à son utilisation dans des gammes de
fréquences différentes et à fréquences élevées.
 ~ 24 ~

b) Definition
Le thyristor GTO (Gate Turn Off).C’est un composant semblable au
thyristor sauf qu’il peut être bloqué par inversion du courant de
gâchette.
Ce sont des thyristors appelés aussi thyristor à blocage. Une impulsion
négative sur la gâchette assure le blocage des thyristors. Il existe des
thyristors GTO jusqu'à 400 A sous 2500 V.
c) Symbole
A
A
ou encore
ou
K

G
G
K
K
d) Avantage essentiel du GTO

Le GTO ne nécessite pas de circuit de blocage, mais pour le blocage, il

faut un courant inverse.
𝑰𝑨
𝑰=
𝟐

e) Utilisation du TGO

Le GTO est utilisé pour les fortes puissances (> 100 kW) :
- traction électrique ;
- variation de vitesse des moteurs à courant continu (hacheurs) ;
- alimentation sans coupure (onduleurs) ;
- systèmes d’allumage automobile ;
- modulateurs radar
- Dans les montages où la commutation forcée est nécessaire ;
- Dans les montages où la rapidité de commutation est importante
(exemple : onduleur PMW- pulse width modulation-onduleur à
largeur d’impulsion)
- Les caractéristiques des GTO dispersées, ce qui ne permet pas
leur mise en parallèle ou en série ; ce qui limite leur utilisation.
2.3.5. TRIAC (TRIode Alternative Current)
C’est en 1964 qu’est apparu sur le marché un dispositif assurant la
mise en conduction et le blocage des deux alternances d’une tension
alternative par une seule électrode (la gâchette). Ce composant à trois
électrodes a été appelé TRIAC (Triode Alternative Current).
 ~ 25 ~
C’est un composant constitué de deux thyristors montés en tête-bêche,
mais il ne comporte qu’une seule gâchette.

Le triac est un dispositif à cinq couches (figure 2.20) et à chaîne PNPN

dans chaque sens entre les bornes T1 et T2 (T1 et T2 correspondent à 2
anodes). C’est donc un dispositif bidirectionnel comme son symbole
l’indique clairement.

Figure 2.19. Triac. a) Structure. b) Schéma équivalent. c) Equivalent à

thyristors

Fonctionnement
Pas de courant de gâchette → aucun courant ne circule entre A1 et A2 :
le triac est bloqué. Une impulsion de courant de gâchette IG met en
conduction Th1 ou Th2 par l’intermédiaire de l’élément auxiliaire Γ
suivant la polarité de la tension VA2A1.
Si on prend A1 comme référence des potentiels :
- Th1 conduit lorsque VA2A1<0 ;
- Th2 conduit lorsque VA2A1>0.
2.3.6. Les Transistors

Inventé en 1948 par les Américains John Bardeen, Walter Houser

Brattain et William Shockley, le transistor, (mot anglais de « Transfer
Resistor », résistance de transfert) est un dispositif à semi-conducteur,
qui peut amplifier des courants électriques, engendrer des oscillations
électriques et assurer les fonctions de modulation, de détection et de
commutateur.

Le transistor remplit donc deux fonctions vitales en électronique: celles

d'amplificateur (c'est un générateur de fort courant en sortie
 ~ 26 ~
commandé par un faible courant en entrée) et de commutateur (à la
manière d'un interrupteur marche/arrêt).
1. Le Transistor bipolaire de puissance
a) . Présentation
Le transistor bipolaire est le plus ancien des composants commandés
utilisés dans les convertisseurs de puissance. Le terme ‘bipolaire’
explique que dans ce type de transistor on fait appel à la fois à des
porteurs de charge négatifs (électrons) et positifs (trous) pour assurer
son fonctionnement. Le transistor bipolaire est aujourd’hui remplacé
par le transistor MOSFET ou le transistor IGBT, qui font partie des
transistors spéciaux.
b). Structure du transistor bipolaire (BJT)
Le transistor bipolaire (ainsi nommé pour le différencier du transistor à
effet de champ) est formé de deux jonctions PN en série, tête-bêche,
comme sur la figure 2.22 ci-dessous. L'ordre peut être NPN (en haut) ou
PNP (en bas). Les deux jonctions sont réalisées sur un même
monocristal intégré dans un boîtier muni de 3 connexions reliées à
chacune des 3 zones P, N et P ou N, P et N.

Figure 2.20. Structure et Symbole d’un transistor

2. Transistors à effet de champ (MOS) et IGBT

Ce sont les derniers nés des composants de puissance. Ils sont

fabriqués selon la technologie MOS, ou à grille isolée (en anglais IGBT:
Insulated Gate Bipolar Transistors) et ils peuvent être à enrichissement
canal N ou P.
La vitesse de commutation est 10 fois supérieure à celle des transistors
classiques.
La commande de ces transistors s’effectue en tension par amplificateur
de puissance push-pull.
 ~ 27 ~
Leur champ d’application est assez vaste :

 Alimentation à découpage
 Commande des moteurs
 Génération d’impulsions, etc.

2.1. Transistor MOS

a) Symbole

Figure 2.21. Symbole d’un transistor MOS

Il possède 3 électrodes nommées : Grille, Drain et Source.

Contrairement au transistor bipolaire qui se commande en courant, le

MOS se commande en tension. Le courant dans la grille est nul en
fonctionnement statique.

c) Fonctionnement en commutation

 Etat bloqué (point A) : la tension VGS est inférieure à VGS0, le

courant est quasiment nul. Le transistor est équivalent à un
interrupteur ouvert.

Figure 2.22

 Etat passant (B) : la tension VGS est suffisamment grande pour

saturer le transistor. Le courant consommé par la grille est
toujours nul. La tension VDS est proportionnelle au courant ID. Le
transistor est équivalent à un interrupteur fermé en série avec
une résistance. Cette résistance nommée RDSON peut varier de
quelques mΩ à plusieurs Ω, selon les transistors.

Figure 2.23
 ~ 28 ~
2.2. Transistor IGBT (Integrated Gate Bipolar Transistor)

a) Symbole:

Figure 2.24

- C’est un transistor bipolaire commandé par un transistor MOS.

- On retrouve une commande en tension entre Grille et Emetteur et
aussi les caractéristiques de sortie d’un transistor bipolaire.
- Schéma équivalent : Bien que ce soit un transistor NPN qui
apparaît sur le symbole, c’est un transistor PNP qui existe dans la
structure interne.
- La présence de la diode en inverse entre Drain et Source du MOS
fait que l’IGBT ne supporte pas une tension inverse collecteur-
émetteur importante.
 ~ 29 ~
Chapitre 3 LES SEMI-CONDUCTEURS

3.1 Introduction

Les semi-conducteurs sont des matériaux solides utilisés pour la

fabrication des composants électroniques. Le matériau semi-conducteur
le plus utilisé est le silicium (Si). Autres matériaux semi-conducteurs :
germanium (Ge) ; arséniure de gallium (As Ga), Phosphure d’indium
(InP), etc.

Ils se situent donc entre les conducteurs et les isolants.

Composants à semi-conducteurs : diodes à jonction, transistors

bipolaires, transistors à effet de champ (JFET et MOSFET), composants
de puissance (thyristors, triacs, IGBT, etc.), circuits intégrés.

3.2 Propriétés des semi-conducteurs

3.2.1. Semi-conducteurs purs

Les semi-conducteurs purs sont régulièrement disposés dans l’espace,

ils forment un cristal. Dans le cas du silicium, chaque atome possède
quatre électrons périphériques qu’il met en commun avec les quatre
atomes voisins.

Liaisons entre atomes assurant la rigidité du cristal.

3.2.2. Semi-conducteurs dopés

Dans un cristal de semi-conducteurs pur, on ajoute des impuretés

(atomes étrangers) possédant cinq électrons périphériques, ex :
arsenic, phosphore, antimoine. C’est le dopage.

Parmi ces cinq électrons périphériques, quatre forment des liaisons avec
des atomes de silicium, le cinquième devient un électron libre. Les
atomes d’impuretés sont appelés donneurs (d’électrons). Ils deviennent
des ions positifs fixes par rapport au cristal
 ~ 30 ~

Si
4 liaisons
Electron libre

Si Impureté Si

Si

Le nombre d’électrons libres augmente dans le cristal Ë concentration

d’électrons libres > concentration de trous. Les électrons sont
majoritaires et les trous sont minoritaires, le semi-conducteur est de
type N.

De même, si on ajoute à un cristal de semi-conducteur pur des atomes

d’impuretés possédant trois électrons périphériques, il manque un
électron pour assurer une liaison Ë création d’un trou qui peut accepter
un électron : les impuretés sont des accepteurs (d’électrons). Par
exemple : bore, gallium, aluminium, indium.

Ils deviennent des ions négatifs fixes par rapport au cristal. Le

nombre de trous augmente : concentration de trous > concentration
d’électrons libres. Les trous sont majoritaires et les électrons
minoritaires. Le semi-conducteur est de type P.

3.4 La jonction PN

3.4.1. Propriétés de la jonction PN

Soit un cristal de semi-conducteur de type N d’un côté d’une frontière et

de type P de l’autre côté. La surface de séparation entre les deux régions
est appelée jonction PN.
 ~ 31 ~
Jonction PN à l’état initial :

Atomes accepteurs Jonction PN Atomes donneurs ionisés

ionisés fixes fixes
Trous majoritaires +
- - - + + Electrons majoritaires

- +
- - + +
Electrons minoritaires Trous minoritaires
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
P - N

Autour de la jonction PN, les électrons libres qui ont une concentration
très élevée dans la région N diffusent vers la région P où ils ont une
concentration très faible.

De ce phénomène de diffusion, il résulte la création, autour de la

jonction PN, d’une zone dans laquelle il n’y a plus de porteur de charges
mobiles. Il ne reste plus que les ions fixes, positifs du côté N, négatifs
du côté P.

Cette zone est appelée Zone de transition ou zone de déplétion ou

Charge d’espace

Zone de transition

- - - + + +
ED
- +
- - + +

- - - + + +

- - - + + +
- - - + + +
-
P N
Les ions fixes de la zone de charge d’espace créent un champ électrique
ED appelé champ de diffusion, dirigé de la région N vers la région P (des
charges positives vers les charges négatives, comme dans un
condensateur).
 ~ 32 ~
3.4.2. Potentiel dans la jonction PN

Zone de transition

ED
N
P

Le champ ED entraîne l’existence de potentiel, VD appelée tension de

diffusion, entre les frontières de la zone de transition. Cette barrière de
potentiel existe en l’absence de générateur externe (built-in voltage).

Pour le silicium, VD 0,7 V.

3.4.3. Courants dans une jonction PN

3.4.3.1. Courant de diffusion

Trous Zone de transition Electron majoritaires

majoritaires

P N

Les électrons libres de la région N qui abordent la zone de transition

sont soumis à une force F  e E D due au champ de diffusion qui règne

dans cette zone. Deux cas se présentent :

- La majorité d’entre eux, dont l’énergie E est inférieure à eVD, ne

peuvent pas vaincre cette force  ¨ ils sont repoussés vers la zone
N.
 ~ 33 ~

- Certains d’entre eux peuvent acquérir une énergie E eVD sous

l’effet de la température ambiante (agitation thermique)  ils
peuvent traverser la zone de transition et passer dans la région P.
Les trous de la région P ont un comportement semblable : la
majorité d’entre eux reste dans la région P tandis que certains peuvent
passer dans la région N.

La jonction PN est donc traversée par un double déplacement

d’ensemble de porteurs majoritaires :

Électrons majoritaires
ID
P N

Trous majoritaires

Il en résulte un courant ID appelé courant de diffusion, dirigé de p ver

N : c’est un courant de majoritaires.

3.4.3.2. Courant de saturation

Les porteurs minoritaires d’une région qui abordent la zone de

transition sont accélérés par le champ –ED vers l’autre région :

Electrons Zone de transition Trous minoritaires

minoritaires

P N
La jonction est alors traversée par un double déplacement de porteurs
minoritaires :
 ~ 34 ~

Électrons minoritaires
IS
P N

Trous minoritaires

Il en résulte un courant IS appelé courant de saturation dirigé de N

vers P ; c’est un courant de minoritaires.

Le courant de saturation IS ne dépend que du nombre de minoritaires

 il augmente avec température ; il est très faible (1 µA).

Relation entre le courant de saturation IS et le courant de diffusion ID :

le courant à l’extérieur du cristal est nul (circuit ouvert) IS=ID :

ID
IF=ID-IS=0
P N
IS

3.4.4. Jonction PN polarisée

3.4.4.1. Polarisation en sens direct

V
+ -
Axe de transition

ID

Courant direct
N
P
IF=ID-IS IS

Le générateur de tension augmente le potentiel de la région P vers la

région N.
 ~ 35 ~
Le courant de diffusion ID augmente et devient très supérieur au
courant de saturation IS. On montre que la relation entre

ID et IS est :

𝑒𝑉
𝐼𝐷= 𝐼𝑆 (𝑇)𝑒𝑥𝑝 ( )
𝑘𝑇
Avec :
e= 1,6.10 -19 C;

k=1,38.10-23 J/°K (constante de Boltzmann)

T : température absolue (en °K).

Le courant direct IF=ID-IS devient :

𝑒𝑉
𝐼𝐹= 𝐼𝑆 (𝑇) [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] ≈ 𝐼𝐷
𝑘𝑇

Il augmente avec la tension V, la jonction PN conduit en sens direct.

3.4.4.2. Polarisation en sens inverse

- V +

zone de transition

ID
Courant inverse

N IR=IS-ID
P
IS

Le générateur entraine une diminution du potentiel dans la jonction

PN. Les majoritaires ne peuvent plus franchir la zone de transition car il
leur faut une énergie trop importante. La jonction PN ne conduit pas
en sen inverse car IS est très faible (1µ A).
 ~ 36 ~
On en déduit la caractéristique courant/tension de la jonction PN :

I
Courant de diffusion

(Majoritaires)

-IS V
Courant de saturation

(Minoritaires)

3.5 Claquage d’une jonction PN

Lorsque la jonction est polarisée en inverse et que la tension atteint une

valeur <-VRM (tension inverse maximale), le courant augmente
rapidement : c’est le claquage. Il y a trois types de claquage :

3.5.1. Claquage par effet thermique

C’est une dissipation de chaleur importante destruction de la jonction

par surcharge en puissance.

3.5.2. Claquage par avalanche

C’est lorsque le champ électrique dans la jonction dépasse 5.105 V/cm

et que celle-ci est faiblement dopée, les atomes du cristal sont ionisés
par choc d’électrons.

3.5.3. Claquage par effet de champ (effet Zener)

C’est lorsque le champ électrique dans la jonction dépasse 106V/cm

dans une jonction fortement dopée, les électrons de liaisons sont
arrachés et provoquent l’avalanche
 ~ 37 ~
CHAPITRE 4.NOTIONS SUR LES MONTAGES D´ELECTRONIQUE DE
PUISSANCE (Convertisseurs des courants).

4.1 Introduction
Les montages fondamentaux de l'électronique de puissance seront
présentés dans ce chapitre dans leurs grands principes. Le cours et les
travaux pratiques s’efforceront de mettre en évidence, pour chaque
montage ce qui suit:
 les applications actuelles et futures
 les semi-conducteurs les plus appropriés ainsi que les contraintes
particulières que ce montage leur fait subir
 les performances que l'on peut en attendre
 les principes de l'électronique de commande et de protection en
soulignant le rôle fondamental de l'électronique digitale, des
microprocesseurs et des circuits intégrés spécialisés
 la liaison avec l'électronique de régulation
 les difficultés de la conception et de la mise en œuvre de chaque
montage.
Enfin on examinera brièvement les entraînements industriels les plus
courants, en courant continu comme en courant alternatif.
4.2. Les relais statiques
4.2.1. Notion de relais
a) Définition
Un relais statique (SSR : Solid state relay) permet d’ouvrir ou de fermer
un circuit électrique de manière comparable à un relais
électromécanique (EMR : Electromechanical relay).
La figure 4.1 montre le montage le plus simple : un interrupteur
commandé électriquement dans un circuit à courant alternatif
alimentant une charge donnée.

Figure 4.1. Exemple d’un relais statique dans un circuit AC.

Cette fonction est encore remplie par des relais (contacts mécaniques
mus par un électro-aimant dans la bobine duquel on injecte le courant
de commande).

La variante à semi-conducteur porte dès lors le nom de relais statique

pour souligner l’absence de pièces en mouvement.
 ~ 38 ~
Puisqu’on est en alternatif, on doit recourir à un interrupteur
bidirectionnel en courant, c’est à dire un Triac (ou deux thyristors tête-
bêche si la puissance excède la limite du Triac).
4.2.2. Comparaison entre les relais statiques et les relais
électromécaniques
Les relais statiques présentent plusieurs avantages intéressants par
rapport aux relais électromagnétiques :
- l’absence d’usure; les contacts des relais électromécaniques s’abîment
suite aux arcs qui s’amorcent lors des coupures (plusieurs millions
d’opérations sont toutefois possibles avec de relais de bonne qualité)
- l’absence d’inertie (pas de pièces en mouvement) et la commutation
rapide donnent la possibilité d’une synchronisation précise des instants
d’allumage par rapport à des événements extérieurs. La synchronisation
par rapport au réseau est particulièrement intéressante en monophasé :
On notera que les relais électromagnétiques continuent à être très
employés parce qu’ils sont peu coûteux et offrent toujours plusieurs
fonctionnalités que n’ont pas les relais statiques:

Figure 4.2. Commande du relais statique

4.2.3 Constitution – Interrupteur électronique AC
Un relais statique est typiquement constitué (Figure 2.3) d’un circuit de
commande, d’une isolation galvanique (phototriac, phototransistor,
etc.), et d’un interrupteur électronique bidirectionnel (thyristors tête-
bêche, TRIAC) pour une utilisation en courant alternatif (AC), ou
unidirectionnel (BJT, MOSFET) pour une utilisation en courant continu
(DC).
Dans ce chapitre, on ne s’intéresse qu’aux relais statiques du type AC,
pour simplifier, on considère les composants parfaits, et en particulier
les thyristors et TRIAC (voir Thyristors).
Un interrupteur électronique AC (Figure 2.4) est réalisé par deux
thyristors montés tête-bêche ou bien par un TRIAC. L’application d’un
courant de gâchette peut permettre de rendre conducteur un thyristor
ou un TRIAC, tandis que l’annulation du courant d’anode permet un
blocage naturel. La tension d’alimentation est de la forme uE = UE Max
sin (ωt).
 ~ 39 ~

Figure 4.3. Constitution typique d’un relais statique

Figure 4.4 Interrupteur électronique AC

4.2.4. Fonctionnement du relais statique

La figure 4.2 ci-dessus illustre les oscillogrammes d’un relais statique
sur charge résistive. Le courant de commande iG injecté dans la
gâchette du Triac provoque l’allumage de celui-ci (remarquer le gradient
important de tension et de courant dû à un allumage non synchronisé
avec le réseau). Puisque le Triac s’éteint lorsque son courant d’anode
passe par 0,
- le courant iG doit être maintenu pendant toute la durée de conduction
désirée
- l’extinction ne se produit pas instantanément lorsque l’on coupe le
courant iG, la conduction se maintient jusqu’à ce que le courant
s’annule naturellement, vu son caractère alternatif (ce phénomène est
appelé commutation naturelle).
Si la charge est résistive (figure 4.2) l’annulation du courant, et donc
l’extinction, coïncident avec l’annulation de la tension. Si la charge est
inductive (figure 4.5), l’annulation du courant, et donc l’extinction, sont
retardées par rapport au passage par 0 de la tension.

Figure 4.5. Commande d’un relais statique sur une charge inductive
Il existe deux modes de fonctionnement pour des relais statiques AC :
– la commutation asynchrone ou instantanée pour laquelle la fermeture
de l’interrupteur électronique s’effectue « instantanément »,
 ~ 40 ~
– la commutation synchrone ou au zéro de tension pour laquelle la
fermeture de l’interrupteur électronique s’effectue au passage à zéro de
la tension.
Dans les deux cas, l’ouverture de l’interrupteur électronique s’effectue à
la première annulation du courant d’anode qui suit la suppression du
signal de commande.
4.3. Les gradateurs
4.3.1. Fonction des gradateurs
Les gradateurs sont destinés à moduler la valeur de la tension
alternative efficace appliquée à une charge comme une lampe, une
résistance de chauffage ou un moteur électrique (série universel ou
asynchrone). Il existe deux types de gradateurs: les gradateurs
fonctionnant par ondes entières et les gradateurs à commande de
phase.
4.3.2. Les gradateurs en ondes entières
La figure 4.6 illustre le fonctionnement du gradateur par ondes entières.
C’est un cas particulier de l’interrupteur statique avec :
- une synchronisation de la commande au passage par 0 de la tension
du réseau
- des impulsions de commandes de période NT et de largeur nT (où T est
la période du réseau, n et N des nombres entiers, n ≤ N).

Figure 4.6. Fonctionnement d’un gradateur à ondes entières

4.3.3 Les gradateurs à commande de phase
Dans le gradateur à commande de phase, on utilise des impulsions de
commande iG dont la durée est sensiblement inférieure à la demi-
période du réseau et dont la position est synchronisée par rapport aux
 ~ 41 ~
passages par 0 de la tension du réseau, avec un angle de phase réglable
(figure 4.7)

Figure 4.7. Commande d’un gradateur à commande de phase

4.4. Les redresseurs
4.4.1. Généralités
Les redresseurs sont des montages particulièrement utilisés, vu que la
distribution de l’énergie électrique est en courant alternatif et qu’un
grand nombre d’applications nécessitent des tensions continues.
Le rôle classique d’un redresseur est donc la conversion alternatif →
continu. En réalité le redresseur fourni simplement une tension de
moyenne non nulle obtenue en juxtaposant des morceaux de périodes
de la tension alternative.
Les fluctuations autour de cette moyenne sont généralement
intolérables pour le fonctionnement des montages en aval et doivent
être filtrées pour obtenir une tension continue utilisable. On
distinguera deux types de redresseurs:
 les redresseurs à diodes délivrant une tension moyenne fixe
 les redresseurs à thyristors ou redresseurs commandés délivrant
une tension moyenne réglable.
4.4.2. Redresseurs à diodes (non commandés)
Les redresseurs sont du type simple alternance ou double alternance.
En général, le lissage du courant par inductance est utilisé pour les
« fortes » puissances, et le lissage de la tension par condensateur pour
les « faibles » puissances. Dans cette catégorie, on distingue :
 ~ 42 ~
4.4.2.1 Redressement monophasé simple alternance
A). Charge résistive
La diode est bloquée lorsque iS est négatif, et conductrice lorsque iS est
positif : le courant iS est redressé.

Figure 4.8. Redressement monophasé

Figure 4.9. Redresseur monophasé à diode simple alternance

A1. Lissage de la tension de sortie

Figure 4.10. Simple alternance – lissage de la tension uS

A2. Lissage du courant de sortie

Figure 4.11. Simple alternance – Lissage du courant iS

Pour que le courant iS puisse être ininterrompu, il faut placer une diode
de roue libre DRL en parallèle sur la charge. Celle-ci permet le
prolongement du courant iS (absence de discontinuité de courant dans
 ~ 43 ~
une inductance) lorsque la tension uE devient négative et, en
conséquence, permet le blocage de la diode de redressement D. Pendant
la conduction de DRL, l’inductance fournit à la résistance de l’énergie
précédemment emmagasinée sous forme électromagnétique.
4.4.2.2 Redressement monophasé double alternance
A) Charge résistive
a) Montage à point milieu
Le point milieu du secondaire du transformateur permet de disposer de
deux tensions en opposition de phase. Pour une tension d’entrée uE1 =
UE Max sin (ωt) = −uE2.

Figure 4.12Redressement monophasé double alternance à point milieu

b) Montage en pont de «Graëtz »
Les quatre diodes doivent avoir les mêmes caractéristiques.

Figure 4.13 Redressement monophasé double alternance en pont

Figure 4.14. Redresseur monophasé à diodes double alternance

 ~ 44 ~
c) Lissage de la tension de sortie (Figure 4.18)

Figure 4.15. Double alternance – Lissage de la tension uS

Où C est la capacité de lissage en farads (F), R la résistance de charge
en ohms (Ω) et f = 1/T la fréquence du signal d’entrée en hertz (Hz).

d) Lissage du courant de sortie

Figure 4.16. Double alternance - Lissage du courant iS

Où L est l’inductance de lissage en henrys (H), R la résistance de charge

en ohms (Ω), f = 1/T la fréquence du signal d’entrée en hertz (Hz) et βle
taux d’ondulation du courant iS.
4.4.2.3. Redressement triphasé simple alternance
1º). Charge résistive
Le montage redresse les courants entre les phases et le neutre.

Figure 4.17. Redressement triphasé simple alternance

4.4.2.4 Redressement triphasé double alternance en pont
1º) Charge résistive
Le montage redresse les courants entre les phases. Pour les tensions
d’entrées composées u12, u23 et u31 (voir Régime sinusoïdal permanent
triphasé).
 ~ 45 ~

Figure 4.18. Redressement triphasé double alternance en pont

4.4.3. REDRESSEMENT COMMANDÉ

Le redresseur commandé permet d’obtenir, à partir d’une source
alternative, un courant unidirectionnel aux valeurs moyenne et efficace
réglables. Deux régimes de fonctionnement peuvent se présenter :

 La conduction ininterrompue et la conduction interrompue du

courant dans la charge. Dans certaines conditions, un redresseur
commandé peut envoyer de l’énergie d’une source continue à la
source alternative : on parle alors d’onduleur assisté ou non
autonome. Le redressement commandé est utilisé pour la
variation de vitesse des moteurs à courant continu.
4.4.3.1. Redressement monophasé simple alternance
Le montage fonctionne en redresseur de courant. La tension d’entrée
s’écrit :
u E  U E Max sin θ avec θ   t et  T  2 .

Figure 4.19. Redressement simple alternance avec ou sans diode de

roue libre
4.4.3.2 Redresseur sans diode de roue libre
a) Charge résistive avec L = 0, sans DRL.
L’impulsion de commande est appliquée sur la gâchette du thyristor T.
La portion d’arc de sinusoïde variant avec l’angle d’amorçage α du
thyristor, il en résulte un courant dans la charge de valeurs moyenne et
efficace réglables.
b) Charge inductive sans DRL.
La présence de l’inductance a pour effet de retarder le courant iS par
rapport à la tension uS. Or le thyristor reste conducteur tant que le
 ~ 46 ~
courant le traversant est positif. C’est pourquoi la tension uS devient
négative de π ± 2kπ à ψ ± 2kπ. Ensuite, lorsque le courant dans le
thyristor s’annule, celui-ci se bloque et la tension de sortie s’annule à
son tour.
4.4.3.3. Redresseur avec diode de roue libre
On place une diode de roue libre DRL en parallèle sur la charge pour que
le courant iS puisse être ininterrompu.
Cette diode prolonge le courant iS (absence de discontinuité de courant
dans une inductance) lorsque la tension uE devient négative et,
conséquemment, permet le blocage du thyristor. Pendant la conduction
de DRL, l’inductance fournit à la résistance de l’énergie précédemment
emmagasinée sous forme électromagnétique. Aucune énergie n’est
renvoyée à la source uE. La conduction du courant dans la charge est
ininterrompue.
4.4.3.4. Redressement monophasé double alternance
Il existe trois types de redresseurs monophasés double alternance : le
pont de Graëtz tout thyristors, dit symétrique ; le pont de Graëtz mixte
composé de deux thyristors et de deux diodes ; le montage à point
milieu (non décrit ici) composé de deux thyristors et nécessitant un
transformateur à point milieu.
1º) Pont tout thyristors avec ou sans diode de roue libre
Le montage sans diode de roue libre fonctionne en redresseur de
courant, ou en onduleur assisté sous certaines conditions. La tension
d’entrée s’écrit :

u E  U E Max sin θ avec θ   t et  T  2 .

Figure 4.20. Redressement monophasé double alternance

Pont tout thyristors avec ou sans diode de roue libre
4.5. Les cycloconvertisseurs
Le cycloconvertisseur (figure 4.21) réalise un changement de fréquence
par conversion directe. Il s’agit d’une extension du principe du
redresseur commandé: si l’on fait varier le déphasage α de manière
périodique autour de 90º, on obtient une tension de sortie dont la
moyenne devient alternative.
 ~ 47 ~

Figure 4.21. Principe de fonctionnement d’un cycloconvertisseur

Le cycloconvertisseur est utilisé pour faire varier la vitesse de moteurs à

courant alternatif par action sur la fréquence satiriques. La figure 4.33
montre la commande d’un moteur synchrone par un cycloconvertisseur
à 36 thyristors (formé de 3 ponts à 12 thyristors montés en étoile).
Un tel montage à basse fréquence, alimentant à un moteur à grand
nombre de paires de pôle, permet de créer un “moteur-couple” tournant
très lentement (pour un broyeur, un laminoir, par exemple).

Figure 4.22. Commande d’un moteur synchrone par cycloconvertisseur

4.6. Les hacheurs (Alimentations à découpage)
1º) Définition
Les hacheurs sont des convertisseurs continu-continu. Leur but est de
fournir une alimentation continue à tension réglable ou fixe au départ
d’une source de tension continue fixe. Suivant le montage, on pourra
obtenir une tension de sortie plus ou moins élevée que la tension
d’entrée.
2º) Rôle
Un hacheur permet de régler le transfert d’énergie d’une source
continue vers la charge avec un rendement élevé. Selon la structure, il
peut être abaisseur ou élévateur de tension et, dans certaines
 ~ 48 ~
conditions, renvoyer de l’énergie à l’alimentation. Il est utilisé dans les
alimentations et pour le pilotage des moteurs.

– Pour simplifier, on considère les composants parfaits ; et en

particulier l’interrupteur électronique unidirectionnel en courant
commandable à l’ouverture et à la fermeture.

Celui-ci peut être réalisé avec un transistor bipolaire, un MOSFET, un

thyristor, un GTO, etc. (symbole générique Figure 4.23).

Figure 4.23. Interrupteur électronique unidirectionnelle

4.6.1. Le hacheur abaisseur

4.6.1.1. Principe simplifié
La figure 4.24 montre le principe du hacheur abaisseur simple. La
tension continue d’entrée est appliquée à la charge à travers un
interrupteur à semi-conducteur commandable à la mise en conduction
et à l’ouverture. L’interrupteur est allumé cycliquement avec une
période T pendant un temps variable δT (0<δ<1).

Figure 4.24. Principe d’un convertisseur DC – DC (Hacheur)

Plusieurs types de charge sont présentés à la figure 4.25.

Figure 4.25. Types de charges alimentées par un hacheur

 ~ 49 ~

On remarquera qu’il faut éviter de connecter directement une charge

capacitive à la sortie du hacheur; en effet la mise en conduction de
l’interrupteur connecterait la source de tension sur le condensateur et il
en résulterait une surintensité intolérable. D’autre part un filtre passe-
bas de type RC présente l’inconvénient d’être dissipatif et nuirait donc
au rendement.
4.6.1.2. Adjonction d’une diode
Le hacheur est inapplicable tel quel car l’ouverture des interrupteurs à
semi-conducteurs s’accompagne de gradients de courant pouvant
atteindre plusieurs kA/µs, et donc de surtensions dues à l’inductance
des câbles entre le hacheur et la charge (figure 4.26).

Figure 4.26. Simulation d’une surtension dans les fils reliant un

hacheur et une charge
A titre illustratif, pour une tension V = 12 volts, un courant de 10 A et
un temps toff de 50 ns et une inductance de fils de 5 µH, la surtension
générée dans les fils est :
di
V fils,off  L  1000V
dt
Ces surtensions sont telles que le semi-conducteur entrera en
avalanche et sera probablement détruit par l’échauffement qui en
résulte. On va donc rajouter une diode dite de “roue libre” (figure
4.27).

Figure 4.27. Introduction d’une diode de roue libre

Les deux phases de fonctionnement du montage sont alors:
- la conduction du transistor: le courant circule entre la source et la
charge en passant par l’interrupteur; la diode est polarisée en inverse et
donc coupée; la tension sur la charge vaut la tension d’alimentation.
- la roue libre: l’interrupteur est commandé à l’extinction; l’énergie
emmagasinée dans l’inductance de charge continue à faire circuler le
 ~ 50 ~
courant dans la charge à travers la diode de roue libre; la mise en
conduction de la diode de roue libre donne une tension nulle sur la
charge et limite la tension sur l’interrupteur à la valeur de la tension
d’alimentation.
Si l’énergie présente dans l’inductance est entièrement dissipée dans la
charge avant le réallumage de l’interrupteur, on parle de
fonctionnement lacunaire.

4.6.1.3. Le hacheur complet – équations

La figure 4.28 représente les principales formes d’ondes d’un hacheur
abaisseur dont la charge résistive est précédée d’un filtre L-C avec les
simplifications suivantes:

 le condensateur possède une valeur suffisante pour que l’on

puisse négliger les fluctuations de la tension sur la charge vis-à-
vis de sa valeur moyenne
 l’inductance possède une valeur suffisante pour que les
fluctuations de courant soient inférieures au courant de charge
moyen

Figure 4.28. Formes d’onde d’un hacheur abaisseur

4.6.2. Hacheur série ou Dévolteur

4.6.2.1 Principe (Figure 4.29)

Un hacheur série permet de régler le transfert d’énergie d’une source de

tension continue (ou alimentation capacitive) vers une source de
 ~ 51 ~
courant continu (ou charge inductive) en liaison directe (forward), c’est-
à-dire sans élément intermédiaire d’accumulation. L’interrupteur
électronique H, placé en série avec la source de tension, est
périodiquement fermé pendant une durée αT et ouvert pendant (1 − α)
T, où T est la période.

Figure 4.29 Principe du hacheur série.

4.6.2.2 Hacheur série avec lissage du courant (Figure 4.30)

Figure 4.30. Hacheur série avec lissage du courant

En pratique, on ajoute une inductance de lissage du courant, lorsque la

charge ne se comporte pas comme une source de courant continu. La
tension continue UE de l’alimentation et la tension continue E de la
charge (f.c.é.m. d’un moteur par exemple) sont telles que : 0  E <UE.

4.6.3. Hacheur parallèle ou survolteur

4.6.3.1 Principe (Figure 4.31)

Un hacheur parallèle permet de régler le transfert d’énergie d’une

source de courant continu (ou alimentation inductive) vers une source
de tension continue (ou charge capacitive) en liaison directe (forward),
c’est-à-dire sans élément intermédiaire d’accumulation.

Figure 4.31. Principe du hacheur parallèle

 ~ 52 ~
La tension continue de sortie est supérieure à la tension moyenne
d’entrée : le hacheur parallèle est élévateur de tension, d’où le nom de
hacheur survolteur. Par contre, le courant moyen de sortie est inférieur
au courant continu d’entrée.

4.6.3.2 Hacheur parallèle avec lissage de la tension

(Figure 2.32)

En pratique, on ajoute une capacité de lissage de la tension, lorsque la

charge ne se comporte pas comme une source de tension continue. Le
courant continu IE de l’alimentation et le courant continu I de la charge
sont tels que : 0  I <IE.

Figure 4.32. Hacheur parallèle avec lissage de la tension

4.6.4. Hacheur à accumulation inductive (figure 4.33)

Ce hacheur permet de régler le transfert d’énergie d’une source de

tension continue (ou alimentation capacitive) vers une autre source de
tension (ou charge capacitive), via une inductance d’accumulation. Pour
simplifier, on considère la tension uS = E constante.

Figure 4.33. Hacheur à accumulation inductive

4.6.5. Les Alimentations à Découpage

1º) Définition
Les alimentations à découpage sont un cas particulier des hacheurs.
Leur tension de sortie est généralement fixe et elles présentent une
isolation galvanique entre l’entrée et la sortie.
 ~ 53 ~
2º) Rôle

Les alimentations à découpage, ou convertisseurs tension continue /

tension continue, sont utilisées chaque fois que l’on recherche un
rendement élevé, un encombrement réduit ou un faible poids. Par
contre, elles sont plus bruyantes que les alimentations linéaires,
l’ondulation en sortie est plus grande et le temps de réponse plus long.

Une alimentation à découpage permet d’obtenir une tension de sortie

plus petite, plus grande, et/ou de signe opposé à la tension d’entrée.

4.6.6. Convertisseurs sans isolation galvanique

4.6.6.1. Convertisseur abaisseur de tension (Figure 4.34)

La structure du convertisseur abaisseur de tension (step-down, buck

converter) est celle d’un hacheur série avec lissage du courant et de la
tension par un circuit LC.

Le convertisseur est à transfert direct (forward) d’énergie : l’énergie est

transmise de l’alimentation à la charge sans élément intermédiaire
d’accumulation. La tension d’alimentation UE est continue, et on
suppose le courant dans la charge IS continu en régime permanent
établi.

Figure 4.34 Convertisseur abaisseur de tension

a) Conduction ininterrompue du courant iL

• Fonctionnement

On considère ici que la tension uS est continue et égale à USMoy et, en

conséquence, que l’énergie stockée dans le condensateur ne varie pas,
ce qui suppose une valeur suffisante de C.

4.6.6.2 Convertisseur élévateur de tension (Figure 4.35)

La structure du convertisseur élévateur de tension (step-up, boost

converter) est celle d’un hacheur parallèle avec lissage de la tension de
sortie par un condensateur. Le convertisseur est à transfert direct
d’énergie. La tension d’alimentation U0 est continue, et on suppose le
 ~ 54 ~
courant dans la charge IS continu en régime permanent établi. On ne
considère ici que le cas de la conduction ininterrompue du courant iL.

Figure 4.35. Convertisseur élévateur de tension

4.6.6.3 Convertisseur inverseur de tension (Figure 4.36)

Figure 4.36. Convertisseur inverseur de tension

La structure du convertisseur inverseur de tension (invert, buck-boost

converter, flyback) est celle d’un hacheur à accumulation inductive
d’énergie avec lissage de la tension par un condensateur. La tension
d’alimentation UE est continue, et on suppose le courant dans la charge
IS continu en régime permanent établi. On ne considère ici que le cas
de la conduction ininterrompue du courant iL.

4.6.7. Convertisseurs avec isolation galvanique

L’isolation galvanique de la charge par rapport à l’alimentation s’obtient

grâce à un transformateur qui, en plus, va permettre de fabriquer de
multiples tensions, et aussi servir d’élément d’accumulation inductive
d’énergie pour le flyback.

4.6.7.1 Convertisseur flyback isolé (Figure 4.37)

C’est un convertisseur à accumulation inductive d’énergie (ou à

récupération d’énergie).

Le transfert d’énergie de l’alimentation à la charge s’effectue par un

stockage intermédiaire sous forme inductive dans le transformateur. La
 ~ 55 ~
tension d’alimentation UE est continue, et on suppose le courant dans
la charge IS continu en régime permanent établi.

Figure 4.37. Convertisseur isolé flyback

a) Schéma équivalent du transformateur (Figure 4.38)

On suppose le transformateur, linéaire, sans fuite ni perte (voir étude

des Transformateurs). On a :

Figure 4.38. Schéma équivalent du T.S.F.P. (m > 0)

4.6.7.2 Convertisseur forward isolé (Figure 4.39)

C’est un convertisseur à transfert direct d’énergie de l’alimentation à la

charge. La tension d’alimentation UA est continue, et on suppose le
courant dans la charge IS continu en régime permanent établi.

Figure 4.39 Convertisseur isolé forward

Figure 4.40. Schéma équivalent du T.S.F.P. (m2> 0 et m3> 0)

 ~ 56 ~
4.7. Les onduleurs
1º) Définition
Un onduleur autonome est un convertisseur statique continu-alternatif
; il permet d’alimenter une charge en alternatif à partir d’une source
continue. Dans certaines conditions, un redresseur commandé peut
envoyer de l’énergie d’une source continue à une source alternative :
c’est le fonctionnement dit en onduleur non autonome ou assisté (voir
Redressement commandé).
2º) Rôle
Les onduleurs réalisent une conversion du continu vers l’alternatif.
Nous nous intéresserons ici à une famille d’onduleurs destinés à
alimenter des charges à fréquence variable, comme les moteurs à
courant alternatif à vitesse variable.
4.7.1 Principe de base en monophasé
Le principe de base consiste à connecter, alternativement dans un sens
puis dans l’autre, une source continue (de tension ou de courant) à une
charge de manière à lui imposer une alimentation (en tension ou
courant) alternative. Les structures possibles sont : un pont
d’interrupteurs électroniques, un demi-pont d’interrupteurs
électroniques nécessitant deux sources d’alimentation, ou une
structure utilisant un transformateur à point milieu équivalente à deux
charges.

Figure 4.41 Principe d’un onduleur autonome en pont

Figure 4.42 Onduleur de tension et de courant

 ~ 57 ~

Figure 4.43. Principe d’un onduleur autonome en demi-pont

Figure 4.44 Principe d’un onduleur autonome avec transformateur à

point milieu

4.7.2 Principe d’un onduleur de tension en pont

Un onduleur monophasé de tension en pont (Figure 4.48) nécessite des
interrupteurs électroniques bidirectionnels (diode en antiparallèle sur
interrupteur unidirectionnel) car le courant iS est décalé par rapport à
la tension uS.
On utilise le symbole d’un interrupteur unidirectionnel en courant
commandable à l’ouverture et à la fermeture (voir Hacheurs).

Figure 4.45 Principe d’un onduleur autonome en pont

4.7.3. Principe de la conversion continu-alternatif
La figure 4.46 nous montre comment réaliser la conversion continu-
alternatif en connectant une charge de type R-L entre le point milieu
d’une source de tension continue et le point milieu d’une branche
formée de deux interrupteurs et de deux diodes antiparallèles.
 ~ 58 ~

Figure 4.46 Onduleur. Demi-pont + une source continue à point milieu

Les 4 possibilités de fonctionnement sont:

1) courant de charge positif et interrupteur supérieur allumé; la

demi-source supérieure est appliquée à la charge qui voit donc
une tension positive; la pente du courant est positive.
2) courant de charge positif et interrupteur supérieur éteint; le
courant circule par la diode D2 et la demi-source inférieure; la tension
sur la charge est négative et donc la pente du courant est négative
3) courant de charge négatif et interrupteur inférieur allumé; la
demi-source inférieure est appliquée à la charge qui voit dont une
tension négative; la pente du courant est négative
4) courant de charge négatif et interrupteur inférieur éteint; le
courant circule par la diode D1 et la demi-source supérieure; la
tension sur la charge est négative et donc la pente du courant est
négative
 ~ 59 ~
EXERCICES

I .Partant de la figure ci-dessous, on donne V =10 V, VD = 6 V et R = 10

KΩ, Calculez le courant I du montage.

VD
I
V R
VR

Solution

𝑉 − 𝑉𝐷
V = VD + VR 𝐼= 𝑅
10 − 6
Or VR = RI = = 4.10−4 A
104 ก
V = VD + RI I = 0.0004 A ou 0,4 mA

II. Dans le circuit ci-dessous les diodes sont supposées parfaites.

i
D1 D2
u R

D4 D3

a. On considère une tension moyenne redressée Uc = u égale à 25 V.

Quel doit être la valeur efficace de la tension sinusoïdale « e » ?
b. La résistance R vaut 10 KΩ, déterminé :
1. L’intensité moyenne du courant dans la résistance R
2. L’intensité maximale du courant qui traverse une diode
3. L’intensité moyenne du courant dans une diode
4. La tension efface aux bornes de la charge
5. L’intensité efficace du courant dans une diode
c. On remplace R par une batterie d’accumulateur de f.é.m E’ = 13
V et de résistance interne R’.
1. Quelle est la valeur de R’ si l’intensité maximale du courant qui
traverse la batterie est 4,8 A ?
2. L’intensité moyenne du courant qui traverse la batterie vaut 2,5A. La
capacité Q de la batterie est de 50 Ah. Quelle est le temps nécessaire
à la charge de la batterie ?
 ~ 60 ~

Solution

a. Veff= ? Vmoy = 0,9 Veff

𝑉𝑚𝑜𝑦 25
Veff = = = 27,7 𝑉 ≈ 28 𝑉
0,9 0,9
𝑉𝑚𝑜𝑦 25
b. 1. 𝑖 = 𝐼𝑟𝑚𝑜𝑦 = = = 2,5 𝑚𝐴
𝑅 10
2. 𝑖𝑚𝑎𝑥 = ? Vmax = √2 Veff = 1,41 X 28 = 39,48 V
𝑉𝑚𝑎𝑥 39,48
imax= 𝑅
= 10
= 3,948 𝑚𝐴
𝐼𝑟𝑚𝑜𝑦 2,5
3. id = ? 𝑖𝐷𝑚𝑜𝑦 = = = 1,25𝑚 𝐴
2 2
𝑉𝑚𝑜𝑦 25
4. Veff ?Veff= = = 27,7 𝑉 ≈ 28 𝑉
0,9 0,9
𝑉𝑚𝑎𝑥 39,48
Veff= = = 28 𝑉
√2 1,41
𝑉𝑒𝑓𝑓 28
5. Ieff= = = 2,8 𝑚𝐴
𝑅 10
Id = ?

Intensité efficace du courant dans une diode est donnée par :

𝐼𝑒𝑓𝑓
𝐼𝑑 =
√2
2,8
𝐼𝑑 = = 1,98 𝑚𝐴
1,41
C) 1. R’ = ?

𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝐸 ′ 39,48 − 13 26,48

𝑅′ = = =
𝐼 4,8 4,8

R’ = 5,5 Ω

2. Temps de charge
𝑄 50
𝑡 = = = 20 ℎ
𝐼𝑚𝑜𝑦 2,5

III .Dans un montage de la figure ci-dessous, « e » est une tension

sinusoïdale de la valeur efficace 230 V et de fréquence 60 Hz ; E’
est la force contre électromotrice (F.c.é.m.) d’un récepteur. E’=120
V ; B est une bobine de filtrage que l’on suppose parfaite et dont
l’inductance est suffisamment grande pour que l’intensité « i » soit
constante et égale à Imoy = 3,5 A.
Les diodes sont parfaites, Déterminer :
a. La valeur moyenne de la tension u ?
b. La valeur de la résistance R
c. La puissance dissipée
1. Dans le récepteur
 ~ 61 ~
2. Dans la résistance R

d. L’intensité moyenne du courant dans une diode

e. L’intensité efficace du courant dans une diode
f. La tension inverse maximale aux bornes d’une diode.

B
E’

e ~ u R

Solution

a. Valeur moyenne ou u

𝑉𝑚𝑎𝑥 2.230.1,41
𝑢 = 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 2 = = 206,56 𝑉
𝜋 3,14

Avec Vmax=√2.Veff

b. Détermination de la résistance R

𝑈𝑚𝑜𝑦 = 𝐸 ′ + 𝑅𝐼𝑚𝑜𝑦

𝑈𝑚𝑜𝑦 − 𝐸 ′ 206,56 − 120 86,56

𝑅 = = = = 24,73 Ω ≈ 25 Ω
𝐼𝑚𝑜𝑦 3,5 3,5

c. Puissances dissipées

c1. Puissance dissipée par le récepteur

𝑃 = 𝐸 ′ . 𝐼𝑚𝑜𝑦
= 120.3,5
= 420 W
 ~ 62 ~
c2. Puissance dissipée dans la résistance R

𝑃𝑅 = 𝑅𝐼 2
𝑃𝑅 = 25. (3,5)2
𝑃𝑅 = 25.12,25
𝑃𝑅 = 306,25 𝑊

IV. Une diode Zener a une tension entre ses bornes de 25 V et un

courant de 2000 mA. Déterminer la puissance dissipée.

Solution

𝑈𝑧 = 25 𝑉 P=?
𝐼𝑧 = 2000 𝑚𝐴 ≈ 2 𝐴
𝑃 = 𝑉𝑧 . 𝐼𝑧
= 25.2
𝑃 = 50 𝑤

VII. La charge d’un montage redresseur mixte de la figure ci-dessous

comporte un électromoteur de f.é.m E = 40 V, une résistance R de
10 Ω et une inductance L qui assure la conduction interrompue. Le
𝜋
retard à l’amorçage des thyristors est ∝ = 4 . L’alimentation est
réalisée sous une tension de 110 V/50 Hz.

D1 D1 E

Uc
R
T1 T1 L

a. Calculer la tension moyenne uc aux bornes de la charge ;

b. En déduire
b1. L’intensité moyenne ic du courant dans la charge
 ~ 63 ~
b2. L’intensité moyenne du courant dans une diode ou dans un
thyristor

Solution

𝑉
a. 𝑈𝑐 = (1 + 𝑐𝑜𝑠 ∝)
𝜋

110
= (1 + 𝐶𝑜𝑠 45°)
3,14

110
= (1 + 0,707)
3,14

= 35,03 (1,707)

= 59,79 𝑉 ≈ 60 𝑉
𝑈𝑐 − 𝐸 60 −40 20
b. 𝑖𝑐 = = = = 2𝐴
𝑅 10 10

𝑖𝑐 2
c. 𝑖𝑑 = = =1𝐴
2 2

VIII. Dans le montage de la figure 1 ci-dessous, le thyristor est

supposé parfait et la résistance de la bobine est négligeable. Les
tensions u(t) et 𝑢𝑅 (t) sont données à la figure 2 ci-dessous.

ic
u
u
L Rî
u 150V
uc 100V
R

𝑇 𝑇 3𝑇 t
0
T
6 2 2

a. Avec une résistance R de 10 Ω, quelle est la valeur maximale de

l’intensité ?
b. La valeur moyenne de la tension uc étant 15 V, quelle est la
valeur moyenne de l’intensité du courant ic.
 ~ 64 ~
Solution

a. La valeur maximale de l’intensité. Elle est obtenue par la lecture

du graphique de la figure 2
Rî = 100 V
100 100
D’où î = 𝑅 = 10 = 10 𝐴
b. Intensité moyenne ic du courant
𝑢𝑐 15
𝑢= = = 1,5 𝐴
𝑅 10

IX. Un thyristor est placé en série avec un résistor R. La tension source

𝜋
est sinusoïdale 𝑢 = 24 √2 sin 100 2 𝑡
L’impulsion de commande est émise à l’instant t = 4 ms

a. Calculez l’angle de retard

b. Quelle est la valeur de Umax ?

Solution

∝ = 𝑤 .𝑡 𝑢 = 𝑢 sin 𝑤𝑡

𝜋
𝑢 = 24 √2 sin 100 .𝑡
2
𝜋 180 𝑟𝑑
a. 𝑤 = 100 2 = 100 . = 9000
2 𝑠
∝ = 9000 . 0,004
∝ = 36°

b. 𝑈𝑚𝑎𝑥 = 𝑈𝑒𝑓𝑓 √2
= 24√2
= 24.1,41
= 33,84 𝑉

X. Un thyristor en série avec un résistor de résistance R = 10Ω

a. La source de tension u est continue U = 45 V, quelle est
l’intensité du courant dans le thyristor pendant l’action sur S ?
 ~ 65 ~
b. La tension u est sinusoïdale de valeur efficace u = 30 V, quelle
est l’intensité maximale dans le thyristor durant l’action
maintenue sur s ?

S
u Commande R

Solution

a. R = 10 Ω I =? U = R.I
𝑈 45
U = 45 V 𝐼= = 10 = 4,5 𝐴
𝑅

𝑈𝑚𝑎𝑥
b. 𝑈𝑒𝑓𝑓 = 30 𝑉 Imax=? 𝐼𝑚𝑎𝑥 = 𝑅
𝑅 = 10 Ω 𝑈𝑚𝑎𝑥 = 𝑈𝑒𝑓𝑓 . √2
= 30. 1,41
= 42,3 𝑉
42,3
𝐼𝑚𝑎𝑥 = = 4,23 𝐴
10
 ~ 66 ~
BIBLIOGRAPHIE

[1] Dr. J.Y HAGGEGE, Technologie générale, Support de cours,

Institut Supérieur des Ecoles Technologiques de Rades, Maroc
2003

[2] René Besson, Technologie des composants électroniques, éd. Radio

189, Rue Saint Jacques 75005 paris 1990.

[3] YABA MOKE, Technologie des composants et semi-conducteurs,

Notes de cours, ISIPA/KIN 2008-2009.

[4] MIDAGU NDEZE, Initiation à l’Atelier Electronique, Notes de cours,

ISTA/KIN 1999-2000.

[5] LUKWESA KAYINDU, Travaux d’Atelier Electronique. Cahier A,

ISTA/KIN 2006-2007.

[6] F. MAKENDA MAKALA, Etude et réalisation d’une balise

clignotante à commutation automatique pour zone dangereuses,
TFE, ISTA/KIN 2004-2005.

[7] DIAYELE WATEKIDILA, Electronique industrielle, Notes de cours,

ISTA/KIN.2009-2010

[8] Prof. Dr.Ir NDAYE NKANKA, Electronique de puissance, Notes de

cours 3è Mécanique d’Aviation, ISTA/KIN 2009-2010.