ZEKRI - Salah Eddine

Dédicace
Je remercie Allah de m’avoir donné le courage,

la force et la volonté pour réaliser ce travail.
Je dédie ce mémoire :
A ma très chère mère, à qui je témoigne ma profonde
affection et mon grand respect pour ses sacrifices,
sa compréhension et ses encouragements.
A mon très cher père, qui m’a toujours aidé afin
d’atteindre ce niveau.
A mes très cher frères et sœurs pour ses encouragements.
A toute la famille ZEKRI
A qui m’encourage et toujours et dans mon cœur
A tous mes amis chacun avec son nom
A toute les amis d'études surtout ceux d'électrotechnique
Promotion 2015.
Zekri Salah Eddine.
Remerciement
Un grand remerciement à mon bon dieu, le tout puissant qui m’a
fourni la volonté et la réalisation de ce travail.
Je remercié premièrement mon directeur de recherche Madame

‘GUERGAZI Aicha’, pour sa confiance et son aide généreux
tout au long de l’année. Ses encouragements et son soutien nous
ont permis de mener à bien ce travail.
Je suis censées à remercier vivement madame ‘DERRADJI

BELLOUM Karima’ et madame ‘BOUMARAF Rabia’ pour
son soutient afin de réaliser ce modeste travail.
Je tiens aussi à remercient beaucoup mes parents pour leurs

sacrifices, n’ont jamais cessé de m’encourager et m’ont toujours
soutenu dans les moments plus difficiles.
Je remercié toute la famille dont les conseils, les remarques, et les

encouragements nous ont été très significatifs.
A tous merci
‫الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬
République Algérienne Démocratique et Populaire
‫وزارة التعليم العالي و البحث العلمي‬
Ministère de l’enseignement Supérieur et de la Recherche scientifique
Université Mohamed Khider Biskra

Faculté des Sciences et de la Technologie
Département de Génie Electrique
Filière : Electrotechnique.
Option : machine électrique.
Réf:…………
Mémoire de Fin d'Etudes

En vue de l’obtention du diplôme:
MASTER
SIMULATION ET REALISATION D’UN

HACHEUR ALTERNATIF
MONOPHASE COMMANDE EN PWM.
Présenté par :
ZEKRI Salah Eddine
Soutenu le : 03 Juin 2015
Devant le jury compose de :

BOUMARAF Rabia MCB Président
GUERGAZI Aicha MCB Encadreur
DERRADJI BELLOUM Karima MCA Examinateur
Année universitaire : 2014 / 2015

Ministère de l’enseignement Supérieur et de la recherche scientifique

Filière : Electrotechnique
Option : Machine électrique
Mémoire de Fin d'Etudes

En vue de l’obtention du diplôme:
MASTER
SIMULATION ET REALISATION D’UN HACHEUR

ALTERNATIF MONOPHASE COMMANDE EN PWM.
Présenté par : Avis favorable de l’encadreur :
ZEKRI Salah Eddine. Md. GUEGAZI Aicha signature
Avis favorable du Président du Jury

Md. BOUMARAF Rabia Signature
Cachet et signature
Ministère de l’enseignement Supérieur et de la Recherche scientifique

Filière : Electrotechnique
Option : Machine électrique
SIMULATION ET REALISATION D’UN HACHEUR ALTERNATIF

MONOPHASE COMMANDE EN PWM.
Proposé et dirigé : Md. GUERGAZI Aicha.
Résumé
Ce travail consiste à simuler et à réaliser pratiquement un hacheur monophasé AC-AC commandé par
PWM. Nous avons suivie un cahier de charge qui consiste à fournir une onde PWM d’une fréquence variant
entre 1.2 kHz, 5.5 kHz et un semi conducteur type MOSFET.
Pour ce faire, nous avons subdivisé cette étude en plusieurs chapitres sur lesquels sont détaillées les
étapes nécessaires à la conception de cette réalisation.
Le logiciel PROTEUS est un outil de simulation utilisé dans ce travail, pour le développement des
modèles analysés dans l'étude en simulation, afin d'examiner les performances de la loi de commande élaborée.
Enfin, une conclusion résume l’ensemble des travaux présentes et des perspectives pour de futurs
travaux sont proposes.
Mots Clés :
Hacheur Alternatif, Commutateurs de puissance, MOSFET, PWM.
: ‫ملخص‬
‫ نقد اتبعنا جدًل أعًال نهحصٌل عهى يٌجت‬PWM‫يتناًب ٌتحكى فٍو ب‬-‫ىرا انعًم ٌحتٌي عهى يحاكاث ً انجاش تطبٍقً نًحٌل يتناًب‬
‫ كٍهٌىستص ً نصف ناقم نٌع‬5.5 ً 2.1 ‫ بتٌاتس بٍن‬PWM
‫إلنجاش ىرا قسًنا انعًم انى عدة فصٌل ً فٍيى قًنا بتٌضٍح انخطٌاث األساسٍت إلنجاش ىرا انعًم‬
‫ ىٌ ًسٍهت يحاكاة يستخديت فً ىرا انعًم ين اجم تطٌٌس اننًاذج انًحههت فً ىره اندزاست بانًحاكاة بيدف يناقشت تحسٍناث‬PROTEUS ‫بسنايج‬
‫نظاو تحكى يتطٌز‬
. ‫ًفً االخٍس خاتًت تهخص يجًٌع االعًال انًٌضحت ً االحتًاالث نًستقبم االعًال انًقتسحت‬
Liste des symboles utilises
VS(t) : la tension de source (V).

Vm : la valeur maximale de la tension de source (V).
iS(t) : le courant de la source (A).
iL(t) : le courant de la charge ( k1 fermé, k2 ouvert) (A).
i'L (t) : le courant de la charge ( k2 fermé, k1 ouvert) (A).
VL(t) : la tension de la charge (V).
FP : le facteur de puissance du hacheur alternatif.
P : la puissance fournie à la charge (W).
S : la puissance apparente (VA).
IL : la valeur efficace du courant de charge (A).
IS : la valeur efficace du courant de source (A).
VS : la valeur efficace de la tension de source (V).
P0 : la puissance obtenue à pleine charge (KW).
IL0 : la valeur efficace du courant de charge à pleine charge (A).
FP* : le facteur de puissance du gradateur à thyristors.
THD : le taux de distorsion harmonique global de la tension de sortie.
FH : le facteur d'harmoniques.
FDT : le facteur de distorsion à la source.
FD : le facteur de déplacement à la source.
Φ : angle de déphasage de la composante fondamentale du courant de source par rapport à la
tension d'alimentation (rad).
Cox : capacité de l'oxyde mince (grille) (F/m2).
 Ciss : capacité d'entrée du MOSFET (F).
: mobilité des porteurs (m2/VS).
ID0 : coefficient de courant en faible inversion (A).
: coefficient en faible inversion.
US0 : Tension de seuil du MOSFET (V).
UT : constante : kT/q.
W : largeur du canal (m).
L : longueur du canal (m).
I
: "gain" du transistor (A/V2).
ID : courant de drain (A).
IDM : courant de drain Max (A).
UGS : tension grille-source (V).
UDS : tension drain-source (V).
UG : potentiel de grille (par rapport au substrat) (V).
UD : potentiel de drain (par rapport au substrat) (V).
US : potentiel de source (par rapport au substrat) (V).
IR : courant de repos (A).
VE : tension d’Early (V).
gds : conductance différentielle drain-source (S).
gm : conductance de transfert (S).
VP : tension de la porteuse triangulaire (V).
fP : fréquence de la porteuse triangulaire(Hz).
Vréf : tension de référence (V).
fréf : fréquence de référence (Hz).
VPulse : tension de pulse (V).
II
SOMMAIRE
Liste des symboles utilises……………………………………………………………… I
Liste des figures…………………………………………………………………………
III
INTRODUCTION GENERALE …………………………………...………………...... 1
CHAPITRE-I- les hacheurs alternatifs
I.1 introduction………………………..……………………...…………........ 3
I.2 Convertisseurs AC/AC à commutation naturelle ……………………... 4

4
I.2.1 Structure de Conversion Monophasée…………………………………………
5
I.2.2 Techniques de Commande du Gradateur Monophasé…………………………
5
I.2.2.1. Gradateur à Commande par Train d’Ondes (ON-OFF)…………………….
5
I.2.2.1.1. Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur………………………….
5
I.2.2.1.2. Avantages…………………………………………………………………
6
I.2.2.1.3. Caractéristiques du Fonctionnement……………………………………..
7
I.2.2.2. Gradateur à Commande par Angle de Phase……………………………….
9
I.2.2.2.1. Caractéristiques du Fonctionnement……………………………………..
11
I.2.3. Quelques Structures du Gradateur Monophasé………………………………
11
I.2.3.1. Gradateur à Commande Unidirectionnelle………………………………….
11
I.2.3.2. Gradateur à Commande Bidirectionnelle à Cathode Commune……………
12
I.2.3.3. Gradateur à Commande Bidirectionnelle en Pont………………………….
12
I.2.4. Quelques Structures du Gradateur Triphasé…………………………………
I.3. Convertisseurs AC/AC à commutation dure……………………………………… 13
I.3.1Structure de Conversion Monophasée ………………………………………. 13
I.3.2. Avantages de la Structure du Hacheur AC………………………………….. 16
I.4. Choix des Interrupteurs de Puissances ……………………………………………. 17
I.4.1. Le triac……………………………………………………………………… 17
I.4.2. Le thyristor…………………………………………………………………. 17
I.4.3. Le thyristor GTO…………………………………………………………… 17
I.4.4. Le MOSFET……………………………………………………………….. 18
I.4.5. Le transistor bipolaire BJT et le transistor bipolaire à grille isolée IGBT…… 18
I.5. MOS……………………………………………………………………………… 19
I.5.1. Description et fonctionnement…………………………………………….. 20
I.5.1.1. Description de MOSFET de faible puissance……………………………. 20
I.5.1.2. Caractéristique électriques en régime statique…………………………….. 21
I.5.2 Les commutateurs…………………………………………………………….. 22
I.5.2.1 commutations du MOSFET………………………………………………… 22
I.6. Quelques Structures du Hacheur AC Monophasé…………………………………. 24
I.6.1. Structures du hacheur AC monophasé à trois niveaux ……………………… 24
I.6.2 Structure du hacheur AC monophasé à deux niveaux ………………………... 25
I.7. Quelques Structures du Hacheur AC Triphasé………………………………........... 25
I.7.1. Groupement en Etoile de Trois Hacheurs Monophasés……………………… 26
I.7.2. Groupement en Triangle de Trois Hacheurs Monophasés…………………… 26
I.7.3. Hacheur AC Triphasé avec Charge en Etoile………………………………… 27
I.7.4. Conclusion……………………………………………………………………. 28
CHAPITRE-II Techniques et simulation de commande pour le
hacheur alternatif monophasé
II.1 INTRODUCTION………………………………………………………………..... 29
II.2. Stratégie de commande PWM implicite…………………………………………... 29
II.3. Stratégie de commande PWM Explicites…………………………………………. 32
II.3.1. Technique MLI Symétrique SPWM………………………………………… 32
II.3.2. Technique MLI asymétrique APWM……………………………………….. 32
II.4. Simulation de la commande PWM pour un hacheur alternatif monophasé…… 33
II.4.1. Aperçu sur le logiciel « Proteus »…………………………………………... 33
II.4.2. Simulation de la commande naturelle………………………………………. 33
II.4.3. Simulation de la commande conventionnelle………………………………. 35
II.4.3.1. Simulation de la modulation type M………………………………………. 36
II.4.3.2. Simulation de la modulation type W……………………………………… 37
II.5 Conclusion…………………………………………………………………………. 37
II.5.1 Les données de la machine étudiée ………………………………………….. 27
II.5.2 Procédure de construction du modèle par FLUX2D…………………………. 29
II.6CONCLUSION……………………………………………………………………... 34
CHAPITRE -III- Etude et Réalisation pratique
III.1 INTRODUCTION ………………………………………………………………... 38
III.2 Description du prototype………………………………………………………….. 38
III.3. Schémas et méthodologie suivie…………………………………………………. 39
III.3.1 Circuits d’alimentation ± 15v……………………………………………….. 39
III.3.1.1. Fonctionnement du montage……………………………………………… 39
III.3.1.2. Choix des différents éléments…………………………………………….. 40
III.3.2 Circuit de commande MLI………………………………………………………. 40
III.3.2.1. Oscillateur « Trigger de Schmidt »……………………………………….. 41
III.3.2.2.Génération de deux créneaux complémentaire avec temps morts………… 42
III.3.2.2.1. Schéma de principe……………………………………………………... 43
III.3.2.2.2 les différents composants d’étages……………………………………... 43
III.3.3. Isolation par photo-coupleur………………………………………………... 44
III.3.4 Driver de MOSFET…………………………………………………………. 45
III.3.5. MOSFET ………………………………………………………………….. 46
III.3.5.1 Choix de la structure des interrupteurs…………………………………… 47
III.3.6 : Protection du circuit de puissance……………………………………….. 48
III.3.6.1 Protection contre les surtensions et les surintensités…………………….. 48
III.3.6.1.1. Protection par circuit RC………………………………………………. 48
III.3.6.1.2 Protection par diode Zener………………………………………………. 49
III.3.6.1.3 Protection par Fusibles…………………………………………………. 49
III.3.6.1.4 Protection contre les masses flottantes…………………………………. 50
III.3.6.1.5. Protection contre l'échauffement………………………………………. 50
III.4 Résultats de réalisations………………………………………………………… 51
III.5 COCLUSION……………………………………………………………………... 52
CONCLUSION GENERALE………………………………………………………........ 53
BIBLIOGRAPHIE……………………………………………………………………………...... 54
ANNEXE A………………………………………………………………………………………. 56
ANNEXE B……………………………………………………………………………………….. 59
Liste des figures
CHAPITRE I : Les hacheurs alternatifs 3

Figure(I.1) Structure du gradateur classique monophasé débitant
sur une charge inductive…………………………………….. 4
Figure(I.2) Formes d’ondes des tensions et du courant du gradateur
monophasé à commande par train d’ondes (charge résistive)….. 5
Figure(I.3) . Formes d’ondes de Vs(t), Vch(t) et ich(t)……………………... 8

Figure(I.4) Gradateur à commande unidirectionnelle……………………… 11
Figure(I.5) Gradateur à commande bidirectionnelle à cathode
commune pour Th1 et Th2……………………………………. 11
Figure(I.6) Gradateur à commande bidirectionnelle en pont ………………. 12
Figure(I.7) Gradateur triphasé tout thyristors ……………………………… 12
Figure(I.8) Groupement en triangle de trois gradateurs monophasés………. 12
Figure(I.9) Gradateur triphasé mixte……………………………………… 13
Figure(I.10) Structure du hacheur AC monophasé débitant sur une charge
inductive……………………………………………………….. 14
Figure(I.11) Schéma équivalent du mode 1 : BS fermé et BP ouvert………. 15
Figure(I.12) Schéma équivalent du mode 2 : BS fermé et BP ouvert……….. 15
Figure(I.13) Différentes topologies d’un interrupteur bidirectionnel………... 18
Figure(I.14) (a) représentation symbolique, (b) structure interne du
MOSFET………………………………………………………. 20
Figure(I.15) Courbe caractéristique statique de MOSFET…………………. 22

Figure(I.16) Schéma d’un hacheur série…………………………………… 22
Figure(I.18) Structure d’un hacheur AC monophasé à quatre
interrupteurs……………………………………………………. 25
Figure(I.19) Structure d’un hacheur AC monophasé à deux interrupteurs ….. 25

Figure(I.20) Structure d’un hacheur AC monophasé à quatre interrupteurs
et à deux niveaux……………………………………………… 25
Figure(I.21) Groupement en étoile de trois hacheurs monophasés…………... 26

Figure(I.22) Groupement en triangle de trois hacheurs monophasés………… 26
Figure(I.23) Hacheur AC triphasé avec charge en étoile……………………. 27
Figure(I.24) Hacheur AC triphasé avec charge en étoile à quatre
III
Liste des figures
interrupteurs …………………………………………………. 28
CHAPITRE II : Techniques et simulation de commande pour le hacheur

alternatif monophasé 29
Figure(II.1) Technique de commande par modulation naturelle……………. 30

Figure(II.2) Technique de commande par modulation conventionnelle…….. 31
Figure(II.3) Schéma de simulation du hacheur alternatif monophasé au
PROTEUS…………………………………………………….. 34
Figure(II.4) Schéma de Simulation de la commande PWM naturelle………. 34
Figure(II.5) Résultats de simulation de la commande PWM naturelle…….. 35
Figure(II.6) Montage d’une alimentation continu ± 15V…………………… 36
Figure(II.7) Résultat de simulation de la commande PWM conventionnelle
type M…………………………………………………………. 36
Figure(II.8) Résultat de simulation de la commande PWM conventionnelle
type W………………………………………………………… 37
CHAPITRE III : Etude et Réalisation pratique 38
Figure(III.1) Schéma de principe hacheur alternatif monophasé…………….. 38
Figure(III.2.a) Schéma d’alimentation ±15v………………………………….. 39
Figure(III.2.b) Tension continu ±15 V pratique proposée…………………….. 40
Figure(III.3) Montage oscillateur…………………………………………… 41
Figure(III.4) Signal carrée issue de la carte (PWM)………………………… 41
Figure(III.5) Principe de la génération des temps morts……………………… 42
Figure(III.6) Schéma électrique du circuit……………………………………. 43
Figure(III.7) Forme des signaux de commande……………………………… 44
Figure(III.8) Montage d’Optocoupleur………………………………………. 45
Figure(III.9) Montage de DRIVER 2013…………………………………….. 46
Figure(III.10) Forme des signaux de circuit de commande optocoupleur et le

DRIVER……………………………………………………….. 46
IV
Liste des figures
Figure(III.11) Dimensionnement des composants……………………………. 47
Figure(III.12) Structure des interrupteurs……………………………………. 47
Figure(III.13) protection par circuit RC……………………………………….. 48
Figure(III.14) Disposition de la diode Zener…………………………………... 49
Figure(III.15) Graphe de fonctionnement d'un fusible……………………….. 50
Figure(III.16) Alimentation flottante par secondaire d'un transformateur…….. 50
Figure(III.17) Schéma thermique équivalent pour un élément redresseur

avec refroidissement……………………………………………. 51
V
INTRODUCTION
GENERALE
Introduction générale
Ces dernières années, le domaine de l’électronique de puissance s’est développé

considérablement et offre un potentiel énorme pour la conversion d’énergie électrique.
La recherche dans ce domaine considère plusieurs aspects, notamment les topologies
des convertisseurs, les structures et les performances des interrupteurs de puissance et
ainsi que les techniques de commande [1].
L'introduction de la commutation dure permet de considérer la réduction des
harmoniques du coté de la charge à partir des degrés de liberté (tension, courant, fréquence)
disponible dans la commande du convertisseur [2]. Pour la réduction des harmoniques,
comparé au hacheur le gradateur alternatif présente un ensemble d'inconvénients,
consommation de la puissance réactive et génération des courants d'harmoniques basses
fréquences [3].
De même, les développements effectués dans le domaine de la micro informatique ont
permis la synthèse d'algorithme de contrôles convertisseurs- machines plus performants et
plus robustes. Pour les applications nécessitant des hautes tensions et fortes puissances, un
nouveau type de convertisseur AC-AC est utilisé c'est le hacheur alternatif.
L’idée qui nous a conduit à nous intéresser au hacheur AC est d’une part, la
relative supériorité de ses performances par rapport au convertisseur AC-AC de type
gradateur à commutation naturelle par le réseau d’alimentation, due en autres à la
minimisation des harmoniques et à l’amélioration du facteur de puissance à la source, et
d’autre part à l’absence de travaux sur ce thème aussi bien dans le domaine académique que
dans les applications industrielles.
Le travail que nous avons réalisé au sein du laboratoire de département de génie
électrique de la faculté des Sciences et de la technologie de l’université Mohamed Khider
Biskra s’articule autour de trois chapitres.
Afin de signaler les avantages du hacheur AC par rapport au gradateur classique,
nous avons choisi de présenter de manière séquentielle, dans le première chapitre,
une étude théorique détaillée sur les convertisseurs AC-AC directs à commutation
naturelle de type gradateur et à commutation dure de type hacheur AC.
Le deuxième chapitre comporte les stratégies de commande PWM, techniques de
commande PWM implicite et techniques de commande PWM explicite, ainsi que la
simulation.
1
Le troisième chapitre est consacré à la partie pratique de notre projet, il comporte les
différents étages nécessaires à réaliser le hacheur alternatif monophasé et sa commande ainsi
que les résultats de la réalisation ce convertisseur. Les résultats expérimentaux sont présentés
et analysés.
La conclusion générale viendra synthétiser les résultants obtenus tirer les principaux
enseignements et établir une liste de travaux à effectuer dans le futur.
2
CHAPITRE I LES HACHEURS ALTERNATIFS
I.1 Introduction
Les hacheurs sont des convertisseurs statiques permettant d’obtenir d’un courant, dont
la tension et la polarité sont données. Contrairement à d’autres convertisseurs, les hacheurs
ont la particularité de travailler pratiquement sans pertes et avec un rendement élevé
puisqu’ils utilisent des composants électroniques fonctionnant en commutation périodique.
La commutation d’un courant est son transfert d’une voie à une autre [4]. En pratique, la
difficulté d’une commutation est liée à la disparition du courant dans la voie à ouvrir surtout,
évidement, si cette voie est inductive. Aussi, c’est par rapport aux commutations (à
l’ouverture) que l’on classe les convertisseurs.
On distingue deux types de commutations [5] :
 La commutation naturelle : La commutation est naturelle, quand l’extinction du courant
dans la voie à ouvrir ne nécessite pas l’action spécifique sur le semi-conducteur fermant cette
voie.
L’ouverture se passe naturellement :
- Soit parce que le courant s’éteint de lui-même ;
- Soit parce que la phase de fonctionnement suivante provoque automatiquement cette
extinction.
 La commutation forcée : La commutation est forcée, quand le courant dans un semi-
conducteur à fermeture commandée ne s’éteint ni de lui même, ni du fait du blocage du semi-
conducteur suivant. L’extinction nécessite une action spécifique :
- Soit une action sur son électrode de commande, s’il s’agit d’un composant à fermeture et
ouverture commandées (BJT, MOSFET, IGBT, thyristor GTO…etc) ;
- Soit l’addition d’un circuit auxiliaire de commutation, si le composant ne peut être
commandé qu’à la fermeture (thyristor classique). Ce circuit auxiliaire est aussi appelé circuit
d’extinction ou circuit de soufflage.
Dans ce contexte, nous présentons dans ce chapitre deux types de convertisseurs

réalisant la conversion AC/AC directe. Le premier type est à commutation naturelle, on
l’appelle un gradateur classique réalisé à partir de thyristors. Tandis que le second est à
commutation forcée (dure), appelé hacheur AC. Cette étude nous permettra d’une part de
mieux comprendre et assimiler l’intérêt des convertisseurs AC/AC de type hacheur AC par
rapport aux structures en gradateur à extinction naturelle, et nous permettra de passer à la
suite, avec une bonne connaissance sur le hacheur AC.
3
I.2. Convertisseurs AC/AC à commutation naturelle

Les convertisseurs AC/AC à commutation naturelle sont largement utilisés pour
l’obtention d’une tension AC de valeur efficace réglable et de fréquence fixe à partir d’une
source de tension AC de fréquence et de valeur efficace fixes. Ils ont été largement employés
dans les applications relatives au contrôle de puissance AC, telles que le contrôle de la
luminosité, le chauffage industriel, la commande de vitesse et de démarrage des moteurs à
induction.
Malgré les avantages tels que la simplicité et la possibilité de contrôle de puissances
AC importantes, que présentent de tels convertisseurs, ceux-ci possèdent plusieurs limitations
dues aux caractéristiques inhérentes à leur commande.
Dans ce paragraphe, nous nous limiterons aux convertisseurs à commutation naturelle

assurant directement la conversion AC/AC, c'est-à-dire sans stockage de l’énergie entre le
côté entrée et le côté sortie. Leur objectif est le réglage continu de la valeur efficace du
courant qu’une source de tension débite dans un récepteur.
I.2.1. Structure de Conversion Monophasée
La structure monophasée est constituée par deux thyristors Th1 et Th2 connectés en parallèle
inverse, placés entre la source de tension et le récepteur (figure I.1). Nous considérons que le
récepteur du convertisseur possède un caractère passif de type résistif- inductif, ce qui nous
permettra d’utiliser comme schéma équivalent une résistance en série avec une bobine.
Figure I.1. Structure du gradateur classique monophasé débitant

sur une charge inductive
4
I.2.2. Techniques de Commande du Gradateur Monophasé

Pour le transfert de l’énergie, deux types de commande sont habituellement utilisés
pour la topologie de la figure I.1. Ces deux types de commande sont :
1. La commande par train d’ondes (ON-OFF) : Dans cette technique, des cycles
complets de conduction de la source sont suivis de cycles complets d’extinction.
2. La commande par angle de phase : Dans cette technique, les thyristors connectent le
récepteur à la source AC pendant une portion de chaque cycle de la tension d’entrée.
I.2.2.1. Gradateur à Commande par Train d’Ondes (ON-OFF)
Le convertisseur connecte la source AC au récepteur pendant un nombre entier de
cycles ρ pour qu’elle soit ensuite déconnectée à l’aide d’un système inhibition des
impulsions des gâchettes des thyristors pendant ρ’cycles. La période de fonctionnement est
donc égale à 2π*(ρ+ρ’)/ω. pour la première période de fonctionnement, les thyristors sont
amorcés à zéro degré (0°), c'est-à-dire : Th est débloqué pour θ=0, 2π, …( ρ -1)*2π et
Th2 pour θ= π, 3π, …(2ρ -1)*π [6].
Les formes d’ondes des tensions d’entrée et de sortie du convertisseur, ainsi que la forme
d’onde du courant de sortie et les impulsions de commande des thyristors Th1et Th2.
Figure I.2. Formes d’ondes des tensions et du courant du gradateur monophasé à

commande par train d’ondes (charge résistive).
I.2.2.1.1. Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur

- Chauffage
- Utilisés sur des systèmes présentant une inertie thermique importante
I.2.2.1.2. Avantages
 La tension aux bornes de la charge est alternative sinusoïdale, donc le courant absorbé
sera aussi alternatif sinusoïdal. La présence d’harmonique de courant sera donc nulle.
5
 On a une relation linéaire entre la puissance moyenne dans la charge et le signal de

commande.
I.2.2.1.3. Caractéristiques du Fonctionnement
Pour une période de fonctionnement [2π.(ρ+ρ’)/ω] constante et pour une tension
d’entrée sinusoïdale vs=Vsmsin(ωt), si la source AC est connectée à la charge pour ρ cycles et
est déconnectée pour ρ’ cycles. La valeur efficace de la tension de sortie (de la charge) peut
être exprimée comme :
[ ∫ ]
√ √ (I.1)
Où k /(' ) est appelé rapport cyclique.

En désignant par Is0, la valeur efficace du courant lorsque le gradateur fonctionne à pleine
onde. Donc, la valeur efficace Ich du courant du récepteur est exprimée par :
Ich=IS0 k (I.2)
Quand on fait varier ρ avec (ρ+ρ’) constant, la valeur efficace Ich du courant du récepteur
varie de 0, pour ρ=0, à son maximum Vs/Rch, pour ρ’=0.
Les différentes puissances et facteur de puissance :
A. La puissance apparente fournie au récepteur est donnée par :
(I.3)
B. La puissance active fournie au récepteur est donnée par :
(I.4)
C. La puissance réactive Qch est nulle puisque le fondamental du courant est en phase avec la
tension. Donc, la dégradation du facteur de puissance n’est due qu’à la présence des
harmoniques.
D. La puissance déformante :
√ (I.5)
E. Le facteur de puissance à la source est donné par l’expression suivante :
√ (I.6)
6
Si Pch0 est la puissance active maximale fournie au récepteur, cela entraîne
(I.7)
Le paramètre k caractérise aussi le réglage de la puissance de sortie.
Enfin, on peut conclure que la commande par train d’ondes peut assurer le contrôle de
la puissance AC par action sur le rapport cyclique k. On peut noter que la commande par train
d’ondes du gradateur entraine toujours le fonctionnement avec un facteur de déplacement
d’entrée unitaire (pas de consommation de l’énergie réactive) et une consommation plus
importante de la puissance déformante qui dépend du rapport cyclique k.
I.2.2.2. Gradateur à Commande par Angle de Phase

Pour régler le courant dans le récepteur, on retarde l’amorçage des thyristors. Pour que
la valeur moyenne du courant soit nulle, il faut que les signaux de commande soient envoyés
successivement sur Th1, puis sur Th2, toutes les demi-périodes.
 Si l’impulsion de commande du thyristor Th1 est envoyée après un retard angulaire α par
rapport à l’annulation par valeur croissante de la tension de source, celle du thyristor Th 2 est
alors envoyée après un retard (π+α).
 Si l’on peut par la commande, choisir l’instant d’enclenchement d’un thyristor, l’instant de
son extinction ne dépend que des caractéristiques du récepteur.
 Si on considère que la source d’alimentation est parfaite et les thyristors sont aussi
supposés parfaits. Pour un récepteur de type inductif (charge R-L), d’après la figure I.1, si on
ferme le thyristor Th1 à θ=α, le courant ich est alors régi par l’équation différentielle
suivante :
(I.8)
La solution de cette équation différentielle nous donne :
*  + (I.9)
Avec :
√ , ( )
Selon l’angle d’amorçage des thyristors α et l’angle naturel de la charge φch , il existe trois cas
possibles pour le fonctionnement du gradateur [7].
7
- Cas 1 : Lorsque α=φch , chaque thyristor conduit une demi-période, le gradateur fonctionne à
pleine onde.
- Cas 2 : Lorsque α >φch, le courant qui traverse le premier thyristor devient nul avant la mise
en marche du deuxième thyristor. Dans ce cas, en faisant varie α de π à φch, on règle Vch de 0 à
VS.
- Cas 3 : Lorsque α<φch, dans ce cas, deux modes de fonctionnement sont possibles suivant le
type de commande choisie, soit :
a) Une commande au moyen des impulsions uniques de courte durée :
Pour ce type de commande, si on suppose que Th1 est le premier thyristor qui reçoit
l’impulsion de commande sur sa gâchette et devient conducteur à l’instant α. Donc, à l’instant
π+α le courant qui le traverse n’est pas encore nul. Dans ce cas Th2 rate l’amorçage et seul le
thyristor Th1 peut être amorcé et le montage fonctionne d’une manière anormale. Ce montage
ne joue pas le rôle d’un gradateur et il fonctionne en redresseur mono-alternance. Donc, ce
mode ne présente aucun intérêt.
b) Une commande au moyen des impulsions de larges durées ou de train d’impulsions :
Dans ce mode, les signaux d’amorçage sont encore appliqués au thyristor Th2 à
l’instant de blocage du thyristor Th1 (iTh1=0). Dans ce cas, on aura un fonctionnement à pleine
onde.
Le réglage de courant dans le récepteur n’est donc possible que pour α>φch. Pour cette
condition, on représente sur la figure I.3 les formes d’ondes des tensions de source et de
charge et du courant de charge d’un gradateur monophasé débitant sur une charge inductive
Figure I.3. Formes d’ondes de Vs(t), Vch(t) et ich(t).
8
I.2.2.2.1. Caractéristiques du Fonctionnement

La valeur efficace de la tension de sortie peut s’exprimer comme :
* ∫ + √ ( ) ( I.10)
Avec θf est l’angle d’extinction du courant de charge ich.
La valeur efficace du courant de charge peut être trouvée à partir de l’équation (I.9) :
* ∫ +
√
[ ∫ (  ) ] (I.11)
Le cas de charge résistive est très important. Il correspond à des applications usuelles
comme le réglage de puissance des installations de chauffage, la régulation de température
des fours ou le réglage des dispositifs d’éclairage. Dans ce cas, les expressions précédentes
des valeurs efficaces se simplifient beaucoup :
* ∫ + √ ( ) (I.12)
√ ( ) (I.13)
Lorsque le gradateur fonctionne à pleine onde, il délivre une puissance maximale Pch0,
donc la relation qui montre le réglage en puissance est la suivante :
(I.14)
( ⁄ )
La croissance de α provoque la diminution de la puissance absorbée par la charge.
Cette diminution de la puissance s’accompagnée de deux inconvénients perturbant la source

d’alimentation [8,9].
1. La consommation de l’énergie réactive ;
2. L’injection sur la source des courants harmoniques.
9
On peut évaluer l’importance de ces deux types de perturbations en calculant le facteur

de puissance Fps à la source. Ce facteur de puissance est le rapport entre la puissance active
absorbée et la puissance apparente.
Puisque l’impédance de la source est supposée nulle et donc la tension de la source est
sinusoïdale, quelque soit la forme d’onde du courant débité, la puissance absorbée qui est
égale à la valeur moyenne de la puissance instantanée, n’est portée que par le fondamental.
Donc, le facteur de puissance peut être exprimé comme suit :
(I.15)
φs1 désigne le déphasage entre le fondamental du courant de source et la tension de source, et

cosφs1 est le facteur de déplacement
Le premier terme de (I.15) représente le facteur de distorsion, donné par :
(I.16)
En remplaçant (I.16) en (I.15), on obtient :
(I.17)
On voit bien que la diminution du facteur de puissance est due à la présence des
harmoniques basses fréquences, par l’intermédiaire du facteur de distorsion Fds et à la
consommation de l’énergie réactive, par l’intermédiaire du facteur de déplacement cosφs1
A titre de conclusion concernant la commande par angle de phase du gradateur, on

peut conclure que ce type de commande entraine deux inconvénients perturbant le réseau
électrique et dégradant son facteur de puissance :
 Le montage du gradateur ne peut pas fonctionner avec un facteur de déplacement
unitaire, dont ce facteur de déplacement diminue quand la puissance décroit
(consommation de l’énergie réactive) ;
 L’injection sur le réseau des courants harmonique
I.2.3. Quelques Structures du Gradateur Monophasé

Il existe d’autres types de structures de puissance du gradateur monophasé [3] :
10
I.2.3.1. Gradateur à Commande Unidirectionnelle

Cette structure est illustrée sur la figure I.4. La commande est unidirectionnelle car
seules les alternances positives sont commandées. Dans cette structure, la diode réduit les
intervalles de commande et de variation de la valeur efficace de la tension de sortie.
Figure I.4. Gradateur à commande unidirectionnelle
I.2.3.2. Gradateur à Commande Bidirectionnelle à Cathode Commune

La structure du gradateur à commande bidirectionnelle à cathode commune est
illustrée sur la figure I.5, où les deux thyristors ayant une cathode commune. Son avantage est
que le circuit de commande nécessite un seul isolement. Son inconvénient est dû aux diodes
de puissance, c'est-à-dire lors de la conduction simultanée des deux éléments de puissance, les
pertes par conduction seront accrues et le rendement diminue.
Figure I.5. Gradateur à commande bidirectionnelle à cathode

commune pour Th1 et Th2.
I.2.3.3. Gradateur à Commande Bidirectionnelle en Pont

La structure du gradateur à commande bidirectionnelle peut être implantée avec un
montage en pont comme le montre la figure I.6. Les quatre diodes fonctionnent comme pont
de redressement. La tension du thyristor et son courant sont unidirectionnels. Pour une charge
résistive, le montage fonctionne en commutation naturelle, tandis que pour une charge
inductive, le thyristor peut essentiellement ne pas se désamorcer à chaque alternance de la
tension de source; ceci peut entraîner des problèmes de commande. Cette structure agit
11
comme un interrupteur bidirectionnel, trois éléments conduisent simultanément; ce qui limite

considérablement le rendement du montage
Figure I.6. Gradateur à commande bidirectionnelle en pont.
I.2.4. Quelques Structures du Gradateur Triphasé

La conversion AC/AC à commutation naturelle peut aussi s’élargir en triphasé surtout
pour les applications qui nécessitent une forte puissance. Il existe cependant, une variété de
configurations des gradateurs triphasés suivant le branchement des thyristors et du récepteur.
On trouve le plus souvent les trois montages possibles [3] :
1. Le gradateur triphasé tout thyristors (figure I.7);
2. Le groupement en triangle de trois gradateurs monophasés (figure I.8);
3. Le gradateur mixte à trois thyristors et à trois diodes (figure I.9).
Figure I.7. Gradateur triphasé tout thyristors Figure I.8. Groupement en triangle
de trois gradateurs monophasés
Figure I.9. Gradateur triphasé mixte.
12
En ce qui concerne le choix de la structure, pratiquement, il est difficile d’énoncer des

règles absolues donnant le type de gradateur à utiliser pour un type d’application déterminé,
les caractéristiques données par les différents gradateurs triphasés et leurs variantes
permettent de guider assez étroitement le choix du montage à retenir. Ce choix est en fonction
du type de la charge à alimenter, de sa puissance et de la profondeur du réglage souhaitée [6].
I.3. Convertisseurs AC/AC à commutation dure
Comme nous l’avons déjà vu précédemment, la structure du gradateur classique
fonctionnant à commutation naturelle ne permet pas d’améliorer de façon importante la
qualité de l’énergie du fait de l’utilisation maximale des degrés de liberté de la commande.
La commutation par extinction naturelle rend l’adjonction de degrés de liberté impossible.
L’introduction de la commutation dure permet d’ajouter d’autres degrés de liberté, telles que
la réduction des harmoniques côté charge que se soit pour la tension ou le courant et ainsi que
côté source et le réglage des grandeurs fondamentales à l’entrée et à la sortie du convertisseur.
Il est nécessaire de passer à des structures du convertisseur à commutation dure et

utiliser les possibilités offertes par les interrupteurs entièrement commandés afin de pallier les
inconvénients apportés par le gradateur classique à la source d’alimentation, et améliorer la
qualité du courant prélevé au réseau électrique.
I.3.1. Structure de Conversion Monophasée
Le hacheur alternatif est un convertisseur de puissance direct AC/AC à commutation
forcée. Il permet de faire varier le débit d’une source de tension alternative dans un récepteur
de courant alternatif. Il est conçu à base d’interrupteurs de puissance bidirectionnels en
tension et en courant et commandés à la fermeture et à l’ouverture.
La structure choisie du hacheur AC permettra de supprimer les contraintes de la

commutation assistée par le réseau au convertisseur AC/AC de type gradateur [5,6,10,11].
Généralement, le hacheur AC est destiné à l’alimentation des charges passives ou des
machines électriques tournantes (moteurs à induction à vitesse variable). Il est capable à être
commandé en MLI. Le schéma de principe du hacheur AC monophasé est montré sur la figure
(I.10). Il est constitué principalement de deux interrupteurs de puissance à commande
complémentaire notés BS (interrupteur placé en série) et BP (interrupteur placé en parallèle). Il
est utilisé pour délivrer en sa sortie une tension alternative réglable à partir de la source
alternative d’alimentation.
13
Figure I.10. Structure du hacheur AC monophasé débitant sur une charge inductive.
La structure du convertisseur présentée en figure I.10 impose une liaison, à l’aide des
interrupteurs bidirectionnels et bicommandables, d’une source pour laquelle la tension et le
courant sont réversibles et d’une charge ayant les mêmes caractéristiques.
Nous pouvons décrire de façon élémentaire le fonctionnement du hacheur AC à deux

interrupteurs BS et BP en supposant quelconques les instants d’ouverture et de fermeture de
l’interrupteur BS par rapport aux instants de passage à zéro de la tension de source Vs(t). Les
interrupteurs BS et BP ayant à transiter des courants réversibles et à supporter des tensions
ayant le même caractère.
En effet, lorsque l’interrupteur BS est fermé, la charge inductive emmagasine l’énergie

transférée de la source vers la sortie. A l’ouverture de BS, le courant de la bobine doit trouver
un chemin de passage, ce chemin est assuré par un circuit de récupération à l’aide d’un autre
interrupteur bidirectionnel BP placé en parallèle avec la charge inductive, par conséquent la
fermeture de BP conduit à la déconnexion de la source à la charge. Les commandes des deux
interrupteurs BS et BP devront être complémentaires; lorsque l’interrupteur BS s’ouvre,
l’interrupteur BP se ferme et devra immédiatement assurer le passage du courant ich.
Inversement, lorsque l’interrupteur BS se ferme, l’interrupteur BP devra s’ouvrir
instantanément sous peine de voir apparaître un court–circuit de la source d’alimentation.
Nous avons donc, deux modes de fonctionnement du hacheur AC :
Lorsque BS est fermé à θ=α1, dans ce cas la charge est connectée directement à la
source (figure I.11), on a (vch(t)=vs(t), ich(t)=is(t)).
14
Figure I.11. Schéma équivalent du mode 1 : BS fermé et BP ouvert.
D’après le schéma de la figure I.12, on a :
(I.18)
La solution de l’équation différentielle de (I.18) nous donne l’expression du courant ich :
*  + (I.19)
Lorsque BS est ouvert à θ=α2, BP est fermé, Dans ce cas la charge est court-circuitée figure
(I.12), on a (Vch(t)=0, is(t)=0).
Figure I.12. Schéma équivalent du mode 2 : BS fermé et BP ouvert.
D’après le schéma de la figure 4.13, on a
(I.20)
La solution de l’équation différentielle de (I.20) nous donne l’expression du courant ich :

(I.21)
Où ich(α2) est la valeur du courant de charge à l’instant de l’ouverture de BS (θ= α2), il est
exprimé par :
*  + (I.22)
15
I.3.2. Avantages de la Structure du Hacheur AC

Le facteur de puissance Fps prend en compte simultanément la consommation
d’énergie réactive et la génération de courants harmoniques. Pour quantifier les avantages de
la structure hacheur AC par rapport à la structure gradateur classique, il est intéressant de
déterminer ce facteur de puissance Fps et le comparer avec celui du gradateur [5].
(I.23)
Avec
et (I.24)
Ich0 est la valeur efficace du courant Ich obtenu à pleine puissance c'est-à-
dire l’interrupteur BS est toujours fermé.
Quelque soit la stratégie de commande choisie, le facteur de puissance est exprimé par:
√ (I.25)
Dans le cas du gradateur classique à deux thyristors à commutation naturelle Ich=Is, donc
l’expression de son facteur de puissance est la suivante :
√ (I.26)
Pour un gradateur classique, la réduction de la puissance fournie au récepteur

s’accompagne d’une dégradation du facteur de puissance à l’entrée du convertisseur comme il
est montré par l’équation (I.27). Quelque soit la stratégie de commande retenue, train d’ondes
ou variation d’angle de phase, à réduction de puissance donnée, le facteur de puissance FpsG
est toujours le même.
Avec un récepteur purement résistif, l’interrupteur BP est inutile puisque le récepteur
peut supporter des discontinuités de courant. L’utilisation des interrupteurs commandables à
la fermeture et à l’ouverture, dans la structure du hacheur, permet la mise en œuvre d’autres
commandes. Si on veut toujours faire travailler les interrupteurs à la fréquence de la source et
réduire la puissance réactive, on peut faire du recentrage de phase, en centrant l’onde de
16
courant à celle de tension. Si on veut élever le rang des harmoniques pour faciliter le filtrage
des courants d’entrée, on peut recourir à la commande MLI.
La relation entre les deux facteurs de puissance est donnée par :
(I.27)
Avec un hacheur AC, Ich/Is est supérieur à l’unité, c'est-à-dire à courant donné dans la charge,
la réduction du courant fourni par la source explique l’amélioration du facteur de puissance.
Cette amélioration est liée au fonctionnement de l’interrupteur de roue libre BP.
La réalisation d'un circuit de l'électronique de puissance consiste à un choix préalable
des interrupteurs de puissance, pouvant supporter la commutation forcée et rapide, et la
réversibilité du courant et de la tension, ce choix conduit à étudier plusieurs types de
composants électronique, qui peuvent être utilisés dans le cas qui nous intéresse. En outre, les
interrupteurs considérés devront être commandés à l’ouverture et à la fermeture de manière à
pouvoir assurer la commutation forcée, c’est-à-dire des interrupteurs commandables.
I.4. Choix des Interrupteurs de Puissances

Pour obtenir un interrupteur bidirectionnel tel que nous venons de le définir. Il faut satisfaire
les conditions suivantes :
L’interrupteur :
 doit avoir une tenue en tension symétrique ;
 doit être bidirectionnel en courant ;
 être commandable à l’ouverture et à la fermeture par une électrode spécifique.
Actuellement, nous disposons d’un certain nombre de composants pour pouvoir faire la
synthèse d’un interrupteur bidirectionnel et commandable.
I.4.1. Le triac : est le seul composant satisfaisant le plus près les contraintes imposées, car il
offre le fonctionnement quatre quadrants mais il autorise seulement la commande à la
fermeture, il est à extinction naturelle.
I.4.2. Le thyristor : A les mêmes caractéristiques au niveau de la commande, par contre, il
est bidirectionnel en tension et unidirectionnel en courant.
I.4.3. Le thyristor GTO : Est bidirectionnel en tension seulement.
I.4.4. Le MOSFET : par sa diode interne est bidirectionnel en courant.
I.4.5. Le transistor bipolaire BJT et le transistor bipolaire à grille isolée IGBT ne sont pas
bidirectionnels en tension et en courant.
17
Nous nous limiterons à des composants permettant l’ouverture et la fermeture par la

commande car la mise en place des circuits de commutation au niveau de la puissance
nécessite l’utilisation des circuits auxiliaires qui compliquent la topologie du convertisseur et
qui ne se justifient que dans des cas particuliers comme la commutation douce.
Pour les composants qui ne sont pas bidirectionnels en tension et en courant, il est
nécessaire d’utiliser une structure à quatre diodes (figure I.13.a). Toutefois, la présence de ces
diodes entraîne des chutes de tension supplémentaires et dans le cas des transistors bipolaires,
la commande en courant de la base nécessite une énergie non négligeable.
Pour les composants bidirectionnels en tension, il est possible de les associer deux en
antiparallèle pour obtenir le résultat affirmé (figure I.13.b).
Pour les composants bidirectionnels en courant, l’association en série inverse permet

d’obtenir les caractéristiques désirées (figure I.13.c). L’intérêt de l’association série inverse
est qu’elle permet d’avoir une seule électrode de commande pour les deux éléments
constitutifs.
(a). Structure pont. (b). Structure antiparallèle. (c). Structure série inverse.
Figure I.13. Différentes topologies d’un interrupteur bidirectionnel
Du point de vue structure, la solution à MOSFET présente l’avantage d’avoir une

bonne vitesse de commutation à cause de l’absence de charge stockée et il est commandé par
une tension de grille ne nécessitant qu’une faible consommation d’énergie. Le seul
inconvénient est que le MOSFET possède une tenue en tension limitée et son application est
réservée aux puissances commutées de moins de 10 KW par composant (1000V-10A).
Récemment, nous signalons que depuis l’an 2000, des recherches ont été effectuées
dans la direction de nouveaux composants. Notamment, des recherches ont abouti à la
conception d'un nouveau type de composant MOSFET appelé MBS (Monolithic Bidirectional
18
Switch) [12]. Il s'agit de composants capables de faire circuler un courant dans les deux sens
de conduction et de tenir des tensions de blocage dans les deux sens. Parallèlement, de
récentes recherches ont abouti à la conception d’autres nouveaux composants à semi
conducteurs à base de diamant. A condition de maîtriser les propriétés du matériau, celui-ci
permettrait un comportement symétrique sur les quatre quadrants par photoconduction et une
utilisation aisée à puissance moyenne [13].
I.5. MOS
Le transistor MOSFET, désigné par MOS de façon abrégé est un élément semi-
conducteur a effet de champ. Il est composé de trois électrodes : le drain D, la source S et la
grille G qui correspondent respectivement au collecteur, à l'émetteur et à la base d'un
transistor bipolaire.
Nous donnons au tableau (1) la représentation symbolique, ainsi que les caractéristiques
idéales et réelles de ce composant.
Il s'agit ici aussi d'un composant à deux segments, dont l'amorçage et le blocage sont
commandés. Une propriété qui peut s'avérer intéressante ou bien pénalisante (c'est selon les
cas), est que par sa structure physique, ce composant possède une diode en antiparallèle. Cette
diode peut supporter le même courant nominal que celui supporté par le transistor. En
revanche, cette diode possède un temps de recouvrement relativement élevé.
Les grands atouts du MOS sont les suivants :
- une grande rapidité de commutation, notamment en ce qui concerne le blocage par
rapport au transistor bipolaire,
- simplicité dans la mise en œuvre de la commande : Amorcer ou bloquer un MOS
consiste en la simple charge ou décharge de la capacité grille-source. C'est une
commande en tension.
19
Tableau 1 : la représentation symbolique, les caractéristiques idéales et réelles de ce

composant.
I.5.1. Description et fonctionnement :

I.5.1.1. Description de MOSFET de faible puissance
Le MOSFET ou le transistor à effet de champ à grille isolée, est le transistor le plus
utilisé en microélectronique et dans les convertisseurs de puissances faible et moyennes
tensions car il est très facile à commander à la fermeture et à l’ouverture et possède des
caractéristiques en commutation particulièrement favorables. Le MOSFET est un composant
à trois électrodes : drain, source et grille ; dans sa structure, une diode interne existe entre le
drain et la source, celle-ci fait que le MOSFET est un composant bidirectionnel en courant.
Figure I.14: (a) représentation symbolique, (b) structure interne du MOSFET.
La structure du MOSFET présente une semi-conductrice trois couches, deux régions

de même type sont séparées par une couche de type opposée. La région de grille permet de
court-circuiter la région centrale par création d’un canal entre les deux régions extrêmes.
I.5.1.2. Caractéristique électriques en régime statique

La figure (I.15) représente la courbe de caractéristique électrique du MOSFET dont on peut
distinguer trois modes d’opérations :
 Etat bloqué : quand la tension de la grille est inférieur à la tension de seuil Vgs<Vth le
canal n’est pas inversé, le courant du drain est nul.
 Régime ohmique (ou linéaire) : quand la tension de la grille est supérieure à la tension de
seuil Vgs>Vthune couche d’inversion est alors crée cette couche forme le canal et permettra la
20
circulation d’un courant en fonction du niveau d’inversion la mise en conduction des porteurs
majoritaires est donc une conséquence direct de l’effet de champ.
La tension drain-source Vgs est faible. La valeur du courant dont le canal en régime linéaire
est calculée par l’équation suivante :
( ) (I.28)
Ou :
(I.29)
- Z est largeur du canal, L est longueur du canal

- est la mobilité de porteurs de charge.
- est la capacité d’oxyde de grille.
- est le constant diélectrique relatif de l’oxyde.
- est la permittivité diélectrique du vide.
- est l’épaisseur de l’oxyde.
Le maximum du courant de drain, correspondant à la limite de validité de l’équation est

donné pour Vgs-Vth=Vcanal. On observe alors le phénomène de pincement du canal. Le
composant passe dans le régime de saturation de courant.
Figure I.15. Courbe caractéristique statique de MOSFET.
I.5.2 Les commutateurs :

I.5.2.1 commutations du MOSFET
Afin de définir les attentes concernant la commutation du MOSFET de puissance et
donc également les signaux de commande qui en découlent, nous allons présenter les
21
phases de commutation typique à l’ouverture et à la fermeture de celui-ci. Pour cela, nous

prenons le schéma du convertisseur classique du hacheur série, nous supposons ici que la
cellule de commutation est parfaite et les inductances parasites ne sont pas prises en
compte.
Figure I.16: Schéma d’un hacheur série

La commutation idéalisée a la fermeture du MOSFET peut se décomposer en quatre
phases, illustrées sur la figure :
- Phase 1 : le temps pour charger la tension de grille jusqu’au la tension de seuil Vth, le
courant de la grille charge simultanément CGS et CGD. Les circuits de commande et de
puissance sont indépendants, la tension VDS et le courant Ids ne changent pas.
- Phase 2 : elle débute quand la tension de la grille a atteint la tension de seuil et le courant
drain-source commence à croitre. La tension du drain se maintient à Vdd aussi longtemps que
lds<lo et la diode de roue libre D conduit Le temps nécessaire pour que Ids initialement nul
atteigne Io est noté tri, temps de croissance du courant Une fois que le MOSFET conduit le
plein courant lo, mais reste dans la zone active, la tension grille-source est momentanément
constante, cette phase est appelée le plateau Millier, la capacité d'entrée du MOSFET semble
infinie, notamment à cause de l'augmentation de la capacité grille-drain CGD [14].
- Phase 3: la tension du drain commence à décroître, elle diminue pendant deux intervalles,
durant le premier, le composant se trouve encore dans la zone active pendant un temps thd, et
durant le deuxième, il est dans la zone ohmique pendant un temps be.
- Phase 4: Une fois que la tension drain-source a fini de décroître et a atteint sa valeur à
l'état passant, à savoir VDSon=RDSon.l0, la tension de la grille continue à augmenter jusqu'à sa
valeur maximale, ce qui provoque une inversion plus forte du canal. De fait, la tension drain-
source atteint sa valeur minimale par diminution du RDSon. La tension finale aux bornes de la
grille conditionne ainsi le niveau de polarisation et donc la chute de tension à l'état passant du
transistor que celui-ci soit un MOSFET ou un IGBT.
22
Si la diode de roue libre D est bipolaire et possède un courant de recouvrement, les formes
d'ondes de commutation sont alors modifiées comme k montre la Figure 1.8 (b). Le courant
de recouvrement de la diode Irr. est à l'origine du fait que le courant du drain voit sa
croissance prolongée au-delà de la jusqu'à I0+Irr. Ceci entraîne une croissance de VGS au-delà
de la valeur du plateau et on l'appelle le phénomène offset. Quand le courant de la diode
s'inverse et croît jusqu'à s'annuler, le sens de variation de la tension de grille s'inverse, il y a
alors une rapide décroissance de VGS jusqu'à la valeur du plateau. Une fois la phase de
recouvrement de la diode terminée, le courant de drain revient à I0, et la commutation se
poursuit comme dans le cas de la diode idéale, c'est-à-dire une décroissance de la tension VDS
en deux intervalles.
- La commutation à l'ouverture du MOSFET se compose aussi des mêmes phases qu'à la

fermeture mais dans l'ordre inverse. Les formes d'ondes et les temps associés sont illustrés
dans la Figure (I.17) avec un échelon de la tension de commande de la grille de VGSmax à 0V.
23
Figure I.17: (a) Commutations à la fermeture et à l’ouverture du MOSFET,

(b) Commutation à la fermeture avec le recouvrement de la diode
I.6. Quelques Structures du Hacheur AC Monophasé

Suivant le choix d’interrupteurs bidirectionnels, pratiquement les structures du hacheur AC
monophasé les plus utilisées sont [11, 14] :
I.6.1. Structures du hacheur AC monophasé à trois niveaux :
Pratiquement, on trouve les deux structures qui sont à trois niveaux et permettent le
fonctionnement en deux quadrants du plan (ich-vch).
a) Structure à quatre interrupteurs (figure I.18) ;
b) Structure à deux interrupteurs (figure I.19).
24
Figure I.18. Structure d’un hacheur AC monophasé à quatre interrupteurs
Figure I.19. Structure d’un hacheur AC monophasé à deux interrupteurs
I.6.2 Structure du hacheur AC monophasé à deux niveaux :

Nous pouvons également, envisager une autre structure à quatre interrupteurs, à deux
niveaux et nous permet le fonctionnement dans les quatre quadrants du plan (ich-vch), comme
montré sur la figure (I.20) [16] :
Figure I.20. Structure d’un hacheur AC monophasé à quatre interrupteurs

et à deux niveaux.
I.7. Quelques Structures du Hacheur AC Triphasé

Les principes de fonctionnement du hacheur AC monophasé peuvent être étendus à la
version triphasée. Avec une alimentation triphasée, plusieurs schémas sont possibles suivant
les couplages effectués au niveau de la charge ou des interrupteurs de puissance. Certains sont
plus intéressants que d’autres [6,10,11]. Les structures les plus utilisées sont les suivantes :
25
I.7.1. Groupement en Etoile de Trois Hacheurs Monophasés

Ce convertisseur n’est donc que l’association de trois hacheurs alternatifs monophasés
alimentés par les tensions simples de la source (figure I.22). Vu que la tension d’alimentation
de chaque phase n’est que la tension simple du réseau, les performances de cette structure
sont analogues à celle de la structure monophasée. Pour que les courants dans les trois phases
soient identiques, il faut toutefois, caler les commandes de chacun des hacheurs monophasés
par rapport aux tensions simples de chaque phase. Le conducteur neutre est traversé par les
courants harmoniques de rang multiples de trois généré par chaque hacheur monophasé. Si
l’on veut supprimer le conducteur neutre, il faut que les courants soient dépourvus
d’harmoniques homopolaires.
Figure I.21. Groupement en étoile de trois hacheurs monophasés.
I.7.2. Groupement en Triangle de Trois Hacheurs Monophasés

Cette structure n’est donc réalisable que si les six bornes du récepteur sont accessibles
(figure I.23). Chaque phase est alimentée par une tension composée de la source, et comme
précédemment les caractéristiques relatives au récepteur sont celles du hacheur AC
monophasé. C’est au niveau des courants de ligne que le choix judicieux de la commande
permet une amélioration sensible des performances du convertisseur vu de la source.
Figure I.22. Groupement en triangle de trois hacheurs monophasés.
26
I.7.3. Hacheur AC Triphasé avec Charge en Etoile

La façon d’alimenter une charge triphasée couplée en étoile à partir d’un réseau triphasé par
l’intermédiaire d’un hacheur AC est représentée sur la figure (I.24).
Figure I.23. Hacheur AC triphasé avec charge en étoile.
Les interrupteurs complémentaires sont BS1-BP1, BS2-BP2, BS3-BP3. Pour que les courants dans
les trois phases soient identiques au décalage prés d’un tiers de période, les commandes sont
calées par rapport aux tensions simples correspondantes de la source.
Pour que la demi-onde positive soit identique au signe prés à la demi-onde négative et donc
qu’il n’y ait pas d’harmoniques pairs, on choisit le rapport fc/f pair (avec f est la fréquence de
la source d’alimentation). De plus, si ce rapport est un multiple de trois, pendant un tiers de la
période T=1/f, il y a un nombre entier de périodes Tc=1/fc. Tous les interrupteurs de ligne
sont simultanément dans le même état, fermé ou ouvert. La charge triphasée est donc soit
connectée à la source, soit déconnectée de celle-ci et mise en court-circuit.
Quand les interrupteurs de ligne sont fermés, les tensions aux bornes de la charge sont
les tensions simples de la source, quand les interrupteurs de roue libre sont fermés les tensions
aux bornes de la charge sont égales et de somme nulle, donc chacune des tensions est nulle.
Quand le rapport fc/f est un multiple de six, tous les harmoniques sont ordre impair et non
multiples de trois. Les caractéristiques sont celles d’un hacheur AC monophasé. Cette
structure peut admettre d’autres types de commande (fc/f différent de six) qui présentent
également l’avantage d’éliminer tous les harmoniques de courant de rang multiple de trois,
puisque la structure est triphasée.
Le choix de la commande à fc/f multiple de six permet une simplification structurelle
intéressante. En effet, le nombre d’interrupteurs peut être réduit à quatre, comme montré sur
la figure (I.25).
27
Figure I.24. Hacheur AC triphasé avec charge en étoile à quatre interrupteurs.
Quand BS1 et BS2 sont simultanément fermés, les tensions simples de la source sont
directement appliquées aux phases réceptrices. Quand BP1 et BP2 sont fermés, la charge est
court-circuitée. Avec ce convertisseur, les performances sont encore celles du hacheur
monophasé.
I.7.4. Conclusion
Ce chapitre nous a permis de présenter le principe de fonctionnement des
convertisseurs AC/AC directs à commutation naturelle et à commutation dure, et de mettre en
exergue la différence entre ces deux types de convertisseurs sur le plan de la topologie et de la
commande.
La topologie de la conversion AC/AC à commutation naturelle, tel que le gradateur classique
à thyristors peut être commandée par deux types de commande différents : la commande par
train d’ondes (ON-OFF) et la commande par angle de phase, ce qui montre qu’il est possible
d’avoir deux degrés de liberté au maximum pour cette topologie. La simplicité de la mise en
œuvre de ces convertisseurs est expliquée par la commutation naturelle. Cependant, cette
topologie de convertisseurs à extinction naturelle ne permet pas d’améliorer de façon
importante les performances au niveau harmoniques à cause de l’utilisation maximale de
degrés de liberté de la commande.
28
CHAPITRE II TECHNIQUES ET SIMULATION DE COMMANDE POUR LE HACHEUR
ALTERNATIF MONOPHASE
II.1. Introduction
L’introduction de la commutation dure permet d’ajouter d’autres degrés de liberté, telles que
la réduction des harmoniques du côté charge et du côté source et le réglage des grandeurs
fondamentales à l’entrée et à la sortie du convertisseur. Le montage le plus connu dans le
domaine des alimentations alternatives est le convertisseur DC/AC fonctionnant en MLI. Ce
type de convertisseurs est bien adapté à la commande des machines tournantes de type
alternatif, puisqu’ il permet à la fois la minimisation des harmoniques du côté alternatif et la
commande de l’amplitude et la fréquence de la tension de sortie [16, 3].
Depuis plusieurs années, de nombreux travaux de recherche ont été publiés dans la littérature
pour les convertisseurs DC/AC avec des techniques de commande MLI plus performantes.
Les travaux sur les convertisseurs AC/AC directs à commutation dure sont beaucoup moins
nombreux. Grâce à l’efficacité des techniques MLI, les hacheurs AC à commutation forcée se
prêtent également, de par leur structure, à ce genre de techniques.
Toute approche de commande d’un hacheur AC doit prendre en compte les contraintes
suivantes, à savoir :
 La réduction du THD en régimes permanent et transitoire, de la tension et du courant à
la sortie du convertisseur, car ces harmoniques sont nuisibles pour la charge, qu’elle
soit passive ou bien constituée par une machine électrique tournante. Dans ce dernier
cas, les oscillations de couple, de vitesse, les pertes supplémentaires et les
perturbations acoustiques sont autant d’inconvénients que l’utilisateur veut supprimer ;
 L’accès au réglage du fondamental de la tension de sortie à une valeur de référence.
Les techniques MLI peuvent être classées en deux grandes catégories :
1. Stratégie de commande PWM implicite.
2. Stratégie de commande PWM explicite.
II.2. Stratégie de commande PWM implicite

Les techniques MLI implicites ont été développées essentiellement pour les
convertisseurs DC/AC mais elles peuvent parfaitement être étendues aux convertisseurs
AC/AC construits autour d’interrupteurs fonctionnant à commutation forcée. Plusieurs
techniques sont largement utilisées pour contrôler le mode d’opération de ces convertisseurs.
Les techniques les plus employées et qui ont la particularité de pouvoir être réalisées sont [7-
9]:
29
a) Commande par Modulation Naturelle

La technique de commande par modulation naturelle est appelée aussi technique de
commande triangulo-sinusoïdale. Elle consiste à comparer une porteuse triangulaire de haute
fréquence fp et d’amplitude fixe avec une onde modulante sinusoïdale de référence de basse
fréquence fr=2f et d’amplitude variable.
Les instants de commutation sont déterminés par les points d’intersection entre la porteuse et
l’onde de référence. Pour des raisons de symétrie, il est préférable que la fréquence de la
porteuse soit un multiple entier de celle de l’onde de référence [5]. La (figure II.1) illustre le
principe de cette technique.
Figure II.1. Technique de commande par modulation naturelle.
Les états de l’interrupteur BS peuvent être définis de la façon suivante :

Si vr≥vp, alors BS fermé, sinon BS ouvert.
Les deux paramètres qui caractérisent la technique sont :
1. L’indice de modulation (m) : On le définit par le rapport fp/fr de la fréquence de la
porteuse et de la référence.
2. Le coefficient de réglage en tension (r) : On le définit comme le rapport Ar/Ap de
l’amplitude de la tension de référence à la valeur crête de la porteuse.
La modulation est dite synchrone si l’indice m est entier, elle est dite asynchrone sinon.
30
En modulation synchrone, si le maximum de la référence correspond à un pic de la porteuse,

on dit que le calage est optimal et la tension bénéficie d’une double symétrie par rapport au
quart et au milieu de la période.
b) Commande par Modulation Conventionnelle [17]
Cette technique est appelée technique de commande par un rapport cyclique, dont une
onde porteuse triangulaire de haute fréquence, soit type « M » ou type « W », est comparée à
un signal de référence de coefficient de réglage constant variant dans l’intervalle [0 1].
Les intersections de ces deux signaux permettent de définir les instants de
commutation du hacheur AC, toute en maintenant la période de modulation (Tc=Ton+Toff)
constante. Une autre contrainte est imposée sur la valeur de (Tc=Ton+Toff) est que la tension
de sortie doit être maintenue symétrique par rapport au quart de la période π/2. L’onde
porteuse a habituellement une amplitude fixe. Cette technique de commande est la plus simple
dans laquelle la tension de sortie est commandée par le réglage du rapport cyclique comme
montré sur la figure (II.2).
(a). Modulation type « M ».
31
(b). Modulation type « W »

Figure II.2.Technique de commande par modulation conventionnelle
II.3. Stratégie de commande PWM Explicites
Les techniques MLI implicites, telles que, la modulation naturelle et la modulation par un
rapport cyclique. De part leur simplicité d’implémentation par des moyens analogiques ont été
parmi les plus utilisées jusqu’à l’apparition récente des microprocesseurs qui a rendu possible
l’implémentation de techniques plus performantes [10]
Dans les techniques MLI implicites, il est extrêmement délicat de faire apparaître
certains critères sous forme analytique de manière à pouvoir les intégrer au circuit de
régulation qui fonctionne en général dans le domaine linéaire. C’est ainsi que dans le circuit
de commande en boucle fermée que la prise en compte simultanée de l’amplitude du
fondamental de la tension de sortie, de l’amplitude des harmoniques des courants de charge et
de source est pratiquement impossible. Afin de s’intéresser de manière simultanée à ces
critères, il faut aborder les techniques de modulation calculée, dans lesquelles il est possible
de faire apparaître des conditions explicites.
Le principe des techniques explicites est basé sur la détermination à priori des instant de
commutations des interrupteurs de puissance formant le hacheur AC par le biais du
développement en série de Fourier des formes d’ondes souhaitées qui répondent à des critère
prédéfinis (taux d’harmoniques, valeur du terme fondamental).
Deux modes sont envisageables pour ces dernières techniques de modulation calculée,
la modulation MLI symétrique (SPWM) [18, 19] et la modulation MLI asymétrique (APWM)
[20,21].
32
II.3.1. Technique MLI Symétrique SPWM : La technique SPWM est celle pour laquelle le
signal de commande de l’interrupteur BS présente une symétrie par rapport au quart et à la
demi-période de la tension d’alimentation.
II.3.2. Technique MLI asymétrique APWM: La technique APWM est celle pour laquelle le
signal de commande de l’interrupteur BS a la particularité de présenter seulement une symétrie
par rapport à la demi-période. Cette technique est mieux adaptée pour la commande et
l’amélioration du facteur de puissance de la source.
Les techniques pré-calculées permettent le fonctionnement avec des caractéristiques
améliorées du hacheur AC et qui sont résumés dans les points suivants [5] :
 Un meilleur facteur de puissance de la charge grâce au fonctionnement à fréquence de
commutation élevée ;
 Intervalle de commande large en termes d’angles d’allumages, indépendamment du
facteur de puissance de la charge ;
 Elimination des harmoniques de rangs faibles, ce qui facilité le filtrage ;
 Harmonique dominant de la tension de sortie pouvant être contrôlé par la fréquence de
hachage ;
 Contrôle linéaire du fondamental de la tension de sortie ;
 L’implémentation à base de circuits numériques.
Comme inconvénients, les techniques de commande pré-calculées apportent les inconvénients
suivants :
 La tension de sortie est très distordue si la charge possède un comportement non-
linéaire;
 Lors des variations brusques de la charge, le temps de réponse du régulateur de tension
prend généralement quelques périodes.
II.4. Simulation de la commande PWM pour un hacheur alternatif monophasé
La première partie de notre travail consiste à simuler la stratégie de commande PWM pour le
hacheur alternatif AC. La simulation est faite avec le logiciel Proteus et elle est effectue pour
des différentes charges, avec des différentes formes d’impulsion.
II.4.1. Aperçu sur le logiciel « Proteus »
Proteus est une suite de logiciel destinée à l’électronique développée par la société labo center
électronique. Les logiciels inclus dans « Proteus » permettent la CAO dans le domaine
d’électronique. Outre la popularité de l’outil Proteus, ce dernier possède d’autre avantage [22]
:
33
 Pack contenant des logiciels facile et rapide à comprendre et à utiliser ;

 Le support technique est performant.
Les deux logiciels principaux qui nous intéressent sont :
 Le logiciel « ISIS » est principalement connu pour éditer des schémas électriques. Par
ailleurs, le logiciel permet également de simuler ces schémas ce qui nous permet de
déceler certains erreurs dès l’étape de conception.
Indirectement, les circuits conçus grâce à ce logiciel peuvent être utilisé dans des
documentations car il permet de contrôler la majorité de l’aspect graphique des circuits ;
 Le logiciel « ARES » est un outil d’édition et de routage qui, à partir du circuit simulé
sur « ISIS », permet de placer les composants et de réaliser le routage
automatiquement [22]. Ce circuit imprimé est plus performant s’il est réalisé en
sélectionnant, dans l’outil « Ares », le mode manuel. Cette partie du travail est la plus
importante car elle demande de la concentration et un savoir faire qui est obtenu avec
le temps et surtout avec la pratique.
Le schéma de simulation dans le logiciel Proteus est le suivant :
La commande
PWM
Figure II.3 : Schéma de simulation du hacheur alternatif monophasé au PROTEUS
II.4.2. Simulation de la commande naturelle

La simulation de la commande PWM naturelle est réalisé en PROTEUS, sur la figure
suivante (I.4), il est basé sur l'utilisation d'un comparateur de type TL084, des résistances,
diodes, capacités et des sources de tension. L’idée est de générer deux :
- Le premier, appelé signal de référence, est un signal sinusoïdal redressé qui varie entre
deux seuils définis en fonction de notre application. Dans notre cas, la tension de
référence varie entre 0- 15v ;
34
- Le second, appelé signal de la porteuse, définit la cadence de la commutation ces

interrupteurs statiques du convertisseur. C’est un signal de haute fréquence par
rapport au signal de référence; L’intersection de ces signaux donne les instants de
commutation des interrupteurs.
BAT1
15V
U3:A A
4
RV1
B
3
1
C
2
59%
11
LM124
10k
U1 U2
4
4
3 3
1
R2 1
2 2
47k
BR1
11
11
TL084 TL084
R4
C1 10k
R3
100k 2W005G
100n
R1
10k
Figure II.4 : Schéma de Simulation de la commande PWM naturelle
35
Figure II.5. Résultats de simulation de la commande PWM naturelle
Sur la figure (II.5), Les instants de commutation sont déterminés par les points d’intersection
entre la porteuse et l’onde de référence.
II.4.3. Simulation de la commande conventionnelle

La simulation de la commande PWM conventionnelle est faite aussi par le logiciel
PROTEUS, dans ce cas on a faire la simulation pour les deux types de modulation (type M,
type W), on a eu le signal triangulaire nécessaire pour faire la comparaison avec le signal
continu. La réalisation électronique de signal continu est donnée par la figure (1.6)
36
II.4.3.1. Simulation de la modulation type M

a) Schéma de simulation pour avoir une alimentation continu ± 15V
Figure II.6 : Montage d’une alimentation continu ± 15V
b) Résultat de simulation de la commande PWM type M.
12
V
6
Figure II.7 : Résultat de simulation de la commande PWM conventionnelle type M.
37
II.4.3.2. Simulation de la modulation type W
12
V
6
Figure II.8 : Résultat de simulation de la commande PWM conventionnelle type W.
L’intersection de la référence avec la porteuse, en sens croissant, commande

l’ouverture du MOSFET, son intersection avec la porteuse, en sens décroissant,
commande la fermeture. Le principe se fait par comparaison entre les deux signaux utilisant
un amplificateur opérationnel.
38
II.4.4 Résultats de Simulation du hacheur alternatif monophasé
Figure II.9 Résultat de simulation pour k=5 charge R
Figure II.10 Résultat de simulation pour k=5 charge RL
Pour la simulation du hacheur AC monophasé soit pour la charge R ou RL, on remarque que
les signaux hachées suivant les impulsions de PWM, prend la forme sinusoïde même chose
pour le courant.
39
II.5 Conclusion
Dans ce chapitre on a exposé une étude sur les différentes stratégies de
commande PWM qui peut être utilisées pour commander le hacheur alternatif monophasé. On
a vu aussi la simulation des différentes techniques de la commande implicite (commande
naturelle, commande conventionnelle type M et commande conventionnelle type W). On peut
conclure que l'architecture des circuits de la commande PWM implicite simple et facile à
réaliser.
40
CHAPITRE III Etude et Réalisation pratique
III.1. Introduction
Dans ce travail, il a été demandé de suivre un cahier de charge qui consiste à
l’étude et la réalisation pratique d’un hacheur monophasé AC-AC et d’une carte de
commande PWM. Ce circuit « prototype » servira à commander les applications
nécessitant des hautes tensions et fortes puissances.
La figure (III.1) représente le schéma de principe de projet
Figure III.1 : Schéma de principe hacheur alternatif monophasé
La commande devra être suffisamment explicite et simple pour faire l’objet d’une
réalisation et manipulation de TP d’Electronique de puissance pour les étudiants en
Electrotechnique. La commande devra être réglable en fréquence, à travers de résistance
variable et capacité, de façon à pouvoir mettre en évidence l’effet de la fréquence sur la
qualité du courant qui influe sur le bon fonctionnement de la charge.
Pour ce faire, nous avons subdivisé cette étude en plusieurs parties sur lesquels sont
détaillées les étapes nécessaires à la conception de cette réalisation.
III.2. Description du prototype
Le montage réalisé est composé de quatre parties distinctes :
 Une alimentation ± 15v ;
 Circuit de commande : commande PWM ;
 Etage de retard ;
 Circuit de puissance : hacheur AC/AC à base de MOSFET;
 Circuit d’isolement : assurant l’isolement galvanique entre le circuit de
commande et le circuit de puissance.
38
III.3. Schémas et méthodologie suivie

III.3.1 Circuits d’alimentation ± 15v
Le schéma réalisé est donné par la figure (III.2). Ce circuit comporte
- Un transformateur ;
- Un pont de diode
- Des condensateurs de filtrage ;
- Un régulateur intégré
Figure III.2.a : Schéma d’alimentation ±15v.
III.3.1.1. Fonctionnement du montage

Le transformateur génère une tension sinusoïdale d’amplitude VM et de fréquence
f=50Hz (fréquence de secteur). Cette tension est redressée sur deux alternances par le pont de
diodes. L’association pont de diodes-capacité forme un détecteur de crête. En absence de
charge R, la tension aux bornes de la capacité est continue et égale à VM−2.Vd.
Le régulateur est un circuit intégré qui génère une tension constante entre ses broches 2 et 3
lorsque la tension entre ses bornes 2 et 3 est supérieure à un seuil noté VT. De plus, le courant
sortant de la broche 2 est négligeable.
Pour un fonctionnement normal du montage, il faut que quelque soit la charge, la tension
aux bornes de la capacité soit supérieur à la tension de seuil du régulateur.
39
III.3.1.2. Choix des différents éléments

1. Choix du régulateur
Ce choix se fait à partir de la tension désiré et du courant Imax.
2. Choix du transformateur
Deux points sont à prendre en considération lors d’un choix du transformateur, la puissance
qu’il doit fournir et son rapport de transformation m.
3. Choix de la capacité C
Pour :VS =15 V et Imax=3 A, on a Cmin=152µF
On prendra les valeurs normalisées 330µF, 100µF, 470µF
4. Choix du pont de diodes
5. Circuit de l’alimentation proposé
L’alimentation des composants utilisés en CMOS, ce fait à l’aide d’une alimentation stabilisée
délivrant une tension double et symétrique de valeurs +15 V/1-5 V. En se basant sur l’étude
précédente nous avons choisi le montage représenté sur la figure (III.2), qui comporte deux
régulateurs, l’un délivrant +15 V (L7815) et l’autre -15 V (L7915).
V
15
-15
Figure III.2.b : Tension continu ±15 V pratique proposée
III.3.2 Circuit de commande MLI

La commande PWM du MOSFET s’élabore en comparant un signal en dents de scie
réalisé par des amplificateurs opérationnels comme nous avons mentionnés dans le chapitre
précédent au signal continu issu de l’alimentation stabilisé.
En passant à la réalisation pratique, on a constaté que le montage proposé n’a abouti

à aucun résultat (aucune onde triangulaire) délivre à la sortie. Cela, nous a forcé à
40
chercher une autre solution. Pour résoudre ce problème, ça nous a pris au moins une semaine
d’essai et de vérification.
Nous avons optés sur un oscillateur « Trigger de Schmidt » le NE555.

III.2.1. Oscillateur « Trigger de Schmidt »
L’oscillateur composé d’un trigger de Schmidt et d’un intégrateur doit générer
un signal carré de fréquence 1.2kHz< f <.5.5kHz et d’amplitude comprise entre 0 et + 5 V.
c’est le signal PWM. Le schéma ci-dessous présente le montage utilisé
Figure III.3 : Montage oscillateur.

L’amplitude et la forme de signal est respectée. La fréquence vaut alors 5 kHz. Le montage a
été testé en pratique, le résultat sur le module oscillateur est donné ci-dessous.
Figure III.4 : Signal carrée issue de la carte (PWM).
41
La stratégie de commande dépend du résultat que l’on veut obtenir. Pour cela, il faut
concevoir une stratégie de commande des interrupteurs.
Lorsque deux interrupteurs de puissance sont situés sur un même bras de commutation, il est
nécessaire que leur commande soit toujours complémentaire de manière à ne pas avoir les
deux interrupteurs statiques commandés simultanément. Ceci provoquerait un court-circuit
sur l’alimentation qui entraînerait rapidement la destruction d’un des interrupteurs.
D’autre part, une simple commande complémentaire des deux signaux ne suffit pas
car il faut tenir compte des vitesses de fermeture et d’ouverture de l’interrupteur. Il faut
donc dans ce cas insérer ce que l’on appelle des temps morts dans la commutation, de
manière à ce que l’ordre d’ouverture de l’interrupteur qui était en conduction soit effectif
avant la fermeture de celui qui doit entrer en commutation.
Les temps morts sont liés à la technologie employée. Plus la technologie utilisée est
efficace et plus le composant a des vitesses de fermeture et d’ouverture rapide et donc les
temps morts nécessaires seront moins importants.
Le principe des temps morts est donné figure (III.5).
Figure III.5: Principe de la génération des temps morts.
III.2.2.Génération de deux créneaux complémentaire avec temps morts.

Pour éviter la conduction simultanée des deux MOSFET d’un même bras, un temps mort est
introduit entre le blocage d’un transistor et la mise en conduction de l’autre.
42
III.2.2.1. Schéma de principe
Figure.III.6 Schéma électrique du circuit
III.2.2.2 les différents composants d’étages

Le circuit comporte plusieurs composants électroniques, chaque composant à un rôle dans ce
circuit, parmi les composants utilisés:
A. Monostable
Il permet le réglage du temps de montée des signaux de commande, d'où ce temps est
obtenu en fonction de VDS, IDS et les caractéristiques des interrupteurs. Pour le monostable
utilisé (SN74LS123), le temps de décalage est : τ = 0,45.R.C avec C en picofarad et R en kilo-
ohm. La valeur nécessaire du temps de décalage dépend des pertes dissipées aux interrupteurs
à chaque commutation :
-R=20kΩ.
-C=10pF.
B. Portes XOR
Ces portes font l'opération logique "ou exclusif" entre le signal entrant au monostable
(signal PWM) et le signal sortant. Nous avons choisi des portes XOR de 74LS86.
C. Transistor
Il sert à inverser le signal sortant de la porte logique XOR. Pour le transistor nous avons
choisi 2N2222 NP
43
Figure III.7 : Forme des signaux de commande
III.3. Isolation par photo-coupleur

Un opto-coupleur est considéré comme un élément de transfert de signal dont l’entrée
et la sortie sont électriquement isolées l’une de l’autre par un couplage optique la figure (III.8)
illustre le principe de fonctionnement d’un opto-coupleur. Pour cela, nous utilisons des
optocoupleurs (4N25) disponible au laboratoire dont les caractéristiques principales sont
données sur l’annexe. Nous avons donc deux masses bien distinctes dans notre carte. La
première : la masse AGND qui est la masse de puissance et la masse de la pile. Ainsi que la
masse DGND qui est la masse de commande et de l’alimentation 5V
44
Figure III.8 : Montage d’Optocoupleur
En général, l’entrée est composée d’une diode électroluminescente « LED » opérante

dans l’infrarouge, la sortie est un photo-détecteur c’est-à-dire une photodiode, phototransistor
ou éventuellement un photo-thyristor. La LED et le photo-détecteur sont reliés optiquement,
mais sont isolés électriquement dans un même boîtier. Un signal électrique reçu d’un appareil
de commande est transformé en signal lumineux et devient alors émetteur optique, il se
propage dans l’air, le plastique ou le verre Pré-amplification, ce signal électrique sera transmis
au circuit de puissance.
III.2.4 Driver de MOSFET
Le driver de MOSFET permet de commander un MOSFET qui n’a pas sa source à la masse
du montage. Nous appelons cela une alimentation « flottante ». De plus, la grille du MOSFET
provoque un fort appel de courant pour charger ces capacités parasites. La sortie d’un trigger
ne suffit souvent pas.
Nous avons besoin d’un driver à double sortie pour commander les deux MOSFETS. Nous
avons choisi le driver IR2013 qui a deux sorties et deux entrées. Chaque entrée
commande un MOSFET, nous pouvons ainsi optimiser les temps morts entre chaque
phase. De plus, ce driver inclut une protection qui empêche que les deux MOSFETs soient
commandés en même temps.
45
Figure III.9 : Montage de DRIVER 2013
Alors les forme des signaux de circuit de commande optocoupleur et le DRIVER et illustrés
sur la figure suivantes (III.10).
V
2
0
Figure III.10 : Forme des signaux de circuit de commande optocoupleur et le DRIVER
III.2.5. MOSFET
Pour le choix des transistors, nous avons opté pour des transistors MOSFET (IRF840). On
a choisi une fréquence de 20kHz car c’est inaudible et on a le moins de pertes par
commutation. Pour le choix de nos MOSFETS, nous devons déterminer la tension
inverse maximale qu’ils devront supporter, ainsi que le courant nominal les traversant.
46
Figure III.11 : Dimensionnement des composants
III.2.5.1 Choix de la structure des interrupteurs [24]

Les interrupteurs qui peuvent être utilisés dans notre cas sont les transistors à effet de
champ (MOSFET) comme il est montré dans le premier chapitre, pour cela il existe plusieurs
structures de remplacement :
M1
D1 M2 D1 D3 D1
M1 D2 M2
D2 D4 D2
(a) (b) (c)
Figure.III.12 : Structure des interrupteurs
Dans le circuit de puissance on choisit la structure (c), parce qu'elle présente des
avantages par rapport aux autres, parmi ces avantages :
 L'association série inverse permet d'avoir une seule électrode de commande des deux
transistors constitutifs.
47
 Le courant traversant cette structure passe par deux composants (diode et transistor),
donc les pertes sont plus faibles par rapport aux autres structures.
III.2.6 : Protection du circuit de puissance [23]

Tous les transistors sont réalisés pour remplir certaines taches selon des normes bien
déterminées par leurs constructeurs, au delà de ces normes, le bon fonctionnement n'est pas
assuré alors risque de destruction.
Nous avons vu dans la construction d'un MOS que l'épaisseur du diélectrique (couche
de silicium entre la grille et la source) étant très faible (de l'ordre de 0.1µm), risque de
produire un claquage destructif, c'est pour quoi les entrées du MOS doivent être toujours
protégées.
III.2.6.1 Protection contre les surtensions et les surintensités

La tension aux bornes du composant saturé est normalement faible, à partir d'un certain
niveau du courant traversant ce composant, la chute de la tension à ses bornes devient très
élevée, entraînant un échauffement du composant qui peut causer la destruction.
Pour protéger notre circuit contre ces deux phénomènes, on disposera à des différents
circuits de protection.
III.2.6.1.1. Protection par circuit RC
La vitesse de commutation du transistor MOS est très élevée, alors la variation di/dt est
très rapide pendant la commutation, cette variation induit des tensions très élevées aux bornes
du transistor, qui peuvent provoquer sa destruction.[24]
Pour éviter la destruction du transistor, on introduit un circuit de protection RC en

parallèle avec le MOS comme il est montré dans la figure (III.13). Ce circuit permet en même
temps de limiter la croissance de la tension du/dt entre drain et source.
Figure III.13 protection par circuit RC
48
III.2.6.1.2 Protection par diode Zener

La diode Zener est une diode avalanche, conçue pour écrêter la tension à partir d'un
certain seuil, placée en inverse entre le drain et la source comme le montre la figure (III.14),
la diode Zener offre une protection efficace du MOSFET tout en réduisant le retard entre la
commande et le déclenchement de l'interrupteur, ainsi qu'elle permet la réalisation des
montages bien adaptés pour limiter les surtensions [25].
DZ
D
C
R
D S
Figure III.14 Disposition de la diode Zener
III.2.6.1.3 Protection par Fusibles

Le fusible est un conducteur destiné à fondre brutalement au-delà d'une certaine
intensité le traversant. Chaque fusible est construit pour fondre en un temps nominal tf quand
le courant If le traverse.
On représente sur le graphe ci-dessous la courbe du fonctionnement d'un fusible. On
notera qu'au-delà d'un certain courant, le fusible est incapable de réaliser la coupure sans que
la tension de rétablissement n'amorce un arc électrique.
Le fusible est choisi de tel sorte qu'il peut protéger les transistors qui supportent un
courant de 8A, pour cela on doit choisir une charge dans cette plage, dans ce cas la valeur
idéal du fusible est 5A, afin d'éviter aucune surintensité
49
temps (s)
tf Courant maxi = pouvoir de

coupure
If
Intensité (A)
Figure.III.15 Graphe de fonctionnement d'un fusible
III.2.6.1.4 Protection contre les masses flottantes [26]

Les interrupteurs sont commandés par des signaux délivrés par l'étage d'ajustage, donc
il est nécessaire d'avoir des différentes masses séparées.
Pour éviter la masse flottante en gardant la condition de commande VGS>0, on utilise le
secondaire d'un transformateur qui délivre les tensions 15v, 15v et un autre transformateur
délivrant 5v.
VCC(15v)
15V
Redresseur Régulateur
220V
15V
Potentiel de
source
Figure III.16 : Alimentation flottante par secondaire d'un transformateur
II.2.6.15. Protection contre l'échauffement

Durant les différentes étapes de fonctionnement du MOSFET, plusieurs pertes se
produisent au niveau du composant, la chaleur correspondante doit être évacué à l'air ambiant,
alors un radiateur est nécessaire pour l'évacuation de cette chaleur, car il augmente l'aire de
sécurité du MOSFET, en absorbant la chaleur qui est due à la commutation rapide de ce
composant [26].
Le refroidissement par dissipateurs de chaleur est utilisé dans le cas où les composants
sont utilisés en fortes puissances, le dissipateur est fixé aux éléments, il est généralement en
50
aluminium. Le refroidissement peut s'effectuer de plusieurs façons, conversion naturelle de

l'air ambiant lorsque le volume d'air n'est pas limité, ventilation forcée lorsque les éléments
sont placés dans un espace réduit. La ventilation forcée accélère l'évacuation de la chaleur
[27].
Des résistances thermiques s'opposent au passage de cette chaleur, on distingue les résistances
thermiques.
RthJB: résistance thermique entre la jonction et le boîtier.
RthBR: résistance thermique entre le boîtier et le radiateur.
RthRA: résistance thermique entre le radiateur et l'air ambiant.
Figure III.17 : Schéma thermique équivalent pour un élément redresseur

avec refroidissement
51
III.3 La réalisation pratique
Résistances variables
tranformateur
Alimentation ±15V
Figure III.18 schéma de réalisations
III.4 Résultats de réalisations
Figure III.19 Tension de commande en haut et tension de sortie en bas
52
Figure III.20 Courant de commande en haut et courant de sortie en bas
En ce qui concerne les résultats expérimentaux relevés lors des essais réalisés.
Les figures III.19, III.20 montrent respectivement les signaux de commande de la gâchette de
l’hacheur alternatif, la tension de sortie et le courant.
On constante que les formes d’ondes sont distordus et influent sur les allures des
tensions. Nous avons testé les résultats obtenus par un simple filtrage RC.
D'après les résultats de réalisation obtenus, on peut dire que ces résultats sont presque
conforme avec ceux obtenus en simulation.
III.4. Conclusion
La carte a été conçue et réalisée. Les essais, a parfaitement fonctionné. J’ai pu valider
chacun des blocs constituant la carte : oscillateur, PWM, le retard de temps, protection et
isolation ainsi l’implantation de MOSFET. D'après les résultats de réalisation obtenus, on peut
dire que ces résultats sont presque conforme avec ceux obtenus en simulation.
53
CONCLUSION
GENERALE
Conclusion générale
Conclusion générale
Le but principal de notre travail est l’étude et la réalisation pratique d’une
commande PWM destinée à commander à un hacheur monophasé alternatif AC réaliser
aussi. Pour cela, il a été demandé de suivre un cahier de charge qui consiste à fournir une
onde PWM d’une fréquence variant entre 1.2 kHz, 5.5 kHz.
Dans ce mémoire, nous avons tout d’abord donné l’essentiel dont on a besoin sur les
hacheurs alternatif et les techniques de commande suivies pour achever notre réalisation
pratique en commençant par la simulation sur ‘’Isis’’, et en terminant par l’enregistrement
des différents signaux pour concrétiser notre travail.
Une description détaillée sur le cahier de charge. En premier, nous avons commencé
à étudier le circuit de commande particulièrement en expliquant les différentes parties du
circuit. Ensuite, nous avons présenté le circuit de puissance et le circuit d’isolement
galvanique qui sont deux circuits indissociable.
En conclusion à titre personnel, ce projet de fin d’étude a également été une source de
découverte dans la conduite de projet, il nous a donné une idée sur la complémentarité entre la
théorie et la pratique et nous a permis de nous confronter à la réalité et aux difficulté de la
pratique.
Les perspectives qui découlent de ce travail portent sur l’amélioration de notre circuit :
- Faire générer les signaux PWM par un microcontrôleur,
- Refaire tous les calculs de montage concernant les résistances et les capacités.
- Utilisé le logiciel informatique « ARES » pour le routage qui, à partir du circuit simulé
sur « ISIS », permet de placer les composants et de réaliser le routage
automatiquement. « Circuit imprimé »
- Utilisé l’analyse spectrale des formes d'ondes pour voir les harmoniques de courant
de charge.
Nous espérons que notre réalisation pourra élargie avec des stratégies de commande
PWM plus développé. Nous proposons à la fin l'étude avec cette loi de commande,
l'association hacheur moteur asynchrone.
53
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1
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[27] A. Champenois, "Electronique industrielle", (ERPI) Ottawa. Canada 1984. p300.
2
ANNEXE A RESULTATS DE SIMULATION SUR PROTEUS
Résultat de simulation
Figure A.1: le signal d’entré de le monostable

Ce signal est remporté depuis la sortie de NE555 est un signal carré sous l’amplitude
de 5V est de fréquence de 5khz
FigureA.2: le signale du sortie de le monostable

Ce signal est réglé pour avoir le temp de monter nécessaire pour les signaux de commande de
mosfets
Figure A.3: le signale du sortie de le premier Porte XOR
Figure A.4: le signale du sortie de la deuxième porte XOR

Depuis la sortie du XOR on a deux signaux inverses avec un retard crée pour obtenir un temp
de mort qui permet de commander les interrupteurs simultanément.
Figure A.5: le signale du sortie du transistor

Ce signal est inversé afin de faire la commutation entre les deux interrupteurs.
Figure A.6: le signale du sortie d’optocoupleur
Figure A.6: le signale du sortie du Buffer

Le Buffer nous permet de amplifier le signal à la valeur que nous préféré dans ce cas on a
obtenu 12V
Pour Q4Q5
Pour Q2Q3
Figure A.7: le comparaison entre les deux signaux

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Dédicace

Je remercie Allah de m’avoir donné le courage,

Je remercié premièrement mon directeur de recherche Madame

Je suis censées à remercier vivement madame ‘DERRADJI

Je tiens aussi à remercient beaucoup mes parents pour leurs

Je remercié toute la famille dont les conseils, les remarques, et les

Université Mohamed Khider Biskra

Mémoire de Fin d'Etudes

SIMULATION ET REALISATION D’UN

Devant le jury compose de :

Année universitaire : 2014 / 2015

Université Mohamed Khider Biskra

Mémoire de Fin d'Etudes

SIMULATION ET REALISATION D’UN HACHEUR

Avis favorable du Président du Jury

Université Mohamed Khider Biskra

SIMULATION ET REALISATION D’UN HACHEUR ALTERNATIF

Proposé et dirigé : Md. GUERGAZI Aicha.

VS(t) : la tension de source (V).

I.2 Convertisseurs AC/AC à commutation naturelle ……………………... 4

CHAPITRE I : Les hacheurs alternatifs 3

Figure(I.3) . Formes d’ondes de Vs(t), Vch(t) et ich(t)……………………... 8

Figure(I.15) Courbe caractéristique statique de MOSFET…………………. 22

Figure(I.19) Structure d’un hacheur AC monophasé à deux interrupteurs ….. 25

Figure(I.21) Groupement en étoile de trois hacheurs monophasés…………... 26

Figure(I.24) Hacheur AC triphasé avec charge en étoile à quatre

CHAPITRE II : Techniques et simulation de commande pour le hacheur

Figure(II.1) Technique de commande par modulation naturelle……………. 30

CHAPITRE III : Etude et Réalisation pratique 38

Figure(III.1) Schéma de principe hacheur alternatif monophasé…………….. 38

Figure(III.2.a) Schéma d’alimentation ±15v………………………………….. 39

Figure(III.2.b) Tension continu ±15 V pratique proposée…………………….. 40

Figure(III.3) Montage oscillateur…………………………………………… 41

Figure(III.4) Signal carrée issue de la carte (PWM)………………………… 41

Figure(III.5) Principe de la génération des temps morts……………………… 42

Figure(III.6) Schéma électrique du circuit……………………………………. 43

Figure(III.7) Forme des signaux de commande……………………………… 44

Figure(III.8) Montage d’Optocoupleur………………………………………. 45

Figure(III.9) Montage de DRIVER 2013…………………………………….. 46

Figure(III.10) Forme des signaux de circuit de commande optocoupleur et le

Figure(III.11) Dimensionnement des composants……………………………. 47

Figure(III.12) Structure des interrupteurs……………………………………. 47

Figure(III.13) protection par circuit RC……………………………………….. 48

Figure(III.14) Disposition de la diode Zener…………………………………... 49

Figure(III.15) Graphe de fonctionnement d'un fusible……………………….. 50

Figure(III.16) Alimentation flottante par secondaire d'un transformateur…….. 50

Figure(III.17) Schéma thermique équivalent pour un élément redresseur

Ces dernières années, le domaine de l’électronique de puissance s’est développé

Dans ce contexte, nous présentons dans ce chapitre deux types de convertisseurs

I.2. Convertisseurs AC/AC à commutation naturelle

Dans ce paragraphe, nous nous limiterons aux convertisseurs à commutation naturelle

Figure I.1. Structure du gradateur classique monophasé débitant

I.2.2. Techniques de Commande du Gradateur Monophasé

Figure I.2. Formes d’ondes des tensions et du courant du gradateur monophasé à

I.2.2.1.1. Domaine d’utilisation de ce genre de gradateur

 On a une relation linéaire entre la puissance moyenne dans la charge et le signal de

Où k /(' ) est appelé rapport cyclique.

B. La puissance active fournie au récepteur est donnée par :

E. Le facteur de puissance à la source est donné par l’expression suivante :