Microphone

Microphone électrodynamique MEMS en technologie
CMOS : étude, modélisation et réalisation

F. Tounsi
To cite this version:

F. Tounsi. Microphone électrodynamique MEMS en technologie CMOS : étude, modélisation et réali-
sation. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble -
INPG, 2010. Français. �NNT : �. �tel-00482408�
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INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
N° attribué par la bibliothèque

|_9_|_7_|_8_|_2_|_8_|_4_|_8_|_1_|_3_|_1_|_5_|_1_|_1_|
THESE EN COTUTELLE INTERNATIONALE
pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L’Institut Polytechnique de Grenoble

et
de l’Ecole Nationale d’Ingénieurs de Sfax en Tunisie
Spécialité : Micro et Nano Electronique
préparée au laboratoire TIMA
dans le cadre de l’Ecole Doctorale EEATS
et au laboratoire Micro-Electro Thermal Systems : METS
dans le cadre de l’Ecole Doctorale « Sciences et Technologies »
présentée et soutenue publiquement
par
Farès Tounsi
le 22 Mars 2010

JURY
M. Mongi Lahiani , Président

M. Khalifa Aguir , Rapporteur
M. Hamadi Ghariani , Rapporteur
M. Pascal Nouet , Rapporteur
M. Mohamed Masmoudi , Co-directeur de thèse
M. Libor Rufer , Co-directeur de thèse
M. Mounir Samet , Examinateur
‫‪‬‬
‫ﺐ﴾‬
‫﴿ ‪‬ﻭﻣ‪‬ﺎ ‪‬ﺗ ‪‬ﻮﻓِﻴﻘِﻲ ِﺇﻻﱠ ﺑِﺎﻟﹼﻠ ِﻪ ‪‬ﻋﹶﻠ‪‬ﻴ ِﻪ ‪‬ﺗ ‪‬ﻮﻛﱠ ﹾﻠﺖ‪ ‬ﻭِﺇﹶﻟ‪‬ﻴ ِﻪ ﹸﺃﻧِﻴ ‪‬‬
‫]ھود‪[88:‬‬
‫‪i‬‬
‫إﻟﻰ أﺑﻲ و أﻣﻲ اﻟﻐﺎﻟﻴﻴﻦ‬
‫إﻟﻰ زوﺟﺘﻲ و اﺑﻨﻲ اﻟﻌﺰﻳﺰﻳﻦ‬
‫إﻟﻰ ﺟﻤﻴﻊ أﻓﺮاد أﺳﺮﺗﻲ‬
‫و إﻟﻰ ﻛﻞّ ﻣﻦ ﻳ‪‬ﺤﺒ‪‬ﻨﻲ‬
‫‪ii‬‬
« Seuls ceux qui croient en leurs rêves peuvent les réaliser »
Hergé (1907 - 1983)
iii
Remerciements
Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est le fruit d’une collaboration entre le
groupe de recherche EMC de l’ENI de Sfax et le groupe RMS du laboratoire TIMA à
Grenoble. Je tiens à remercier sincèrement les responsables de ces deux groupes, Messieurs
Mohamed Masmoudi et Salvador Mir pour leurs accueils pendant ces longues années de
thèse.
J'adresse mes profonds remerciements à Monsieur Libor Rufer pour m'avoir accueilli au
groupe RMS et dirigé mes travaux de recherche. Je lui témoigne de ma sincère
reconnaissance pour la qualité de son aide, ses conseils et pour l'état d'esprit qu'il m'a su
instaurer.
J'assure de mon entière reconnaissance à Monsieur Mongi Lahiani, Maître de conférence à

l’ENIS, pour avoir accepté d’être le Président du Jury de cette soutenance.
J’exprime ma gratitude à Monsieur Khalifa Aguir, Professeur à l’université Paul Cézanne

Aix-Marseille III et Monsieur Hamadi Ghariani, Maître de conférence à l’ENIS et à
Monsieur Pascal Nouet, Professeur à l’université Montpellier II, qui ont bien accepté d’être
les rapporteurs de mon travail de thèse.
Je voudrais remercier également, Monsieur Mounir Samet, Professeur à l’ENIS, pour avoir
accepté d’examiner mon travail et d’être membre du jury.
J'adresse mes remerciements particuliers et assure de ma sympathie à Monsieur Brahim

Mezghani pour sa patience, sa disponibilité, ses conseils et son aide.
Je tiens à remercier Monsieur Thierry Fournier, Ingénieur de recherche à l’Institut NEEL de

Grenoble pour son attention, sa disponibilité et son assistance dans l’expérimentation des
puces réalisées. Un grand merci également à Monsieur Alexandre Chagoya, responsable des
outils CAO au CIME Nanotech pour son éternelle gentillesse, son sourire et ses conseils.
J’aimerai remercier chaleureusement tous les membres du groupe EMC pour leur bonne
humeur et leur précieuse compagnie, sans oublier notre cher technicien Nabil. Mes
remerciement s’adresse également à tous les membres du groupe RMS que j’ai eu la chance
de côtoyer : Louay, Gustavo, Yoann et Fabio, et plus particulièrement ceux du fameux bureau
T212 : Rafik, Nourredine et le nouveau arrivant Rshdee pour leurs grande amitié.
Enfin, je remercie ma femme Lara, pour avoir supporté tous les mois durant lesquelles je me
suis exilé loin d'elle et un énorme merci à ma famille qui m’a soutenue durant toutes mes
années d'études.
Farès Tounsi
(Mars 2010)"
iv
Table des matières
Introduction générale _______________________________________________________ 1
Chapitre 1 : Introduction aux technologies Microsystème

1) Introduction____________________________________________________________ 4
2) Matériaux pour les microsystèmes compatibles aux circuits intégrés _______________ 5
2.1. Silicium _________________________________________________________________5
2.2. Polysilicium (silicium polycristallin) ___________________________________________7
2.3. Oxyde de silicium SiO2 ______________________________________________________8
2.4. Nitrure de silicium _________________________________________________________8
2.5. Couches minces de métal ____________________________________________________9
3) Technologie CMOS et le Micro-usinage_____________________________________ 10
3.1. Micro-usinage en pré-CMOS________________________________________________10
3.2. Micro-usinage en intra-CMOS ______________________________________________12
3.3. Micro-usinage en post-CMOS _______________________________________________13
3.3.1. Déposition de couches en post-CMOS _____________________________________________14
3.3.2. Gravure des couches CMOS en post-CMOS_________________________________________15
a) Micro-usinage en volume _______________________________________________________15
b) Micro-usinage en surface _______________________________________________________21
4) Conclusion____________________________________________________________ 22
Chapitre 2 : Etat de l’Art des Structures de Microphones MEMS

1) Introduction___________________________________________________________ 26
2) Principales caractéristiques des transducteurs électromécaniques ________________ 27
2.1. Introduction aux transducteurs électromécaniques _______________________________27
2.2. Mesure des performances du microphone ______________________________________27
3) Différents principes des microphones microusinés_____________________________ 30
3.1. Microphones piézoélectriques _______________________________________________31
3.1.1. Présentation et modélisation de l'effet piézoélectrique _________________________________31
3.1.2. Principes des microphones piézoélectriques_________________________________________34
v
3.2. Microphones piézorésistifs__________________________________________________37
3.3. Microphones électrostatiques _______________________________________________38
3.3.1. Linéarisation de la force électrostatique____________________________________________40
3.3.2. Microphones à condensateur ____________________________________________________42
3.3.3. Microphones à électret _________________________________________________________43
3.3.4. Principaux travaux antérieurs sur les microphones capacitifs ___________________________44
3.4. Microphones optiques _____________________________________________________49
4) Conclusion____________________________________________________________ 49
Chapitre 3 : Modélisation magnétique et électrique du microphone

1) Introduction___________________________________________________________ 54
2) Présentation du microphone électrodynamique CMOS-MEMS ___________________ 55
2.1. Principe du couplage électrodynamique _______________________________________55
2.2. Description de la structure du microphone _____________________________________56
3) Modélisation magnétique du microphone ____________________________________ 57
3.1. Modélisation d’une inductance intégrée _______________________________________57
3.1.1. Modèle équivalent d’une inductance_______________________________________________57
3.1.2. Évaluation de l’inductance totale d’une spirale intégrée _______________________________58
3.2. Modélisation d’un transformateur intégré______________________________________61
3.2.1. Relations fondamentales des transformateurs________________________________________61
3.2.2. Différentes réalisations monolithiques des transformateurs_____________________________63
3.3. Modes de polarisation du microphone_________________________________________64
3.3.1. Évaluation du champ magnétique produit par une spire filiforme ________________________64
3.3.2. Polarisation de l’inductance externe par un courant continu____________________________67
a) Évaluation de la tension induite à travers le champ magnétique _________________________67
b) Évaluation de la tension induite à travers l’inductance mutuelle _________________________70
3.3.3. Polarisation de l’inductance externe par un courant alternatif __________________________73
3.3.4. Polarisation des deux inductances par un courant alternatif ____________________________78
3.4. Modélisation d’une bobine avec décalage vertical _______________________________79
4) Modélisation électrique du microphone _____________________________________ 81
4.1. Évaluation de la tension induite du microphone _________________________________81
4.1.1. Modèles analytiques du transformateur concentrique _________________________________81
4.1.2. Expression du courant dans le secondaire __________________________________________83
4.1.3. Effet de la force de Lorentz sur le comportement du microphone_________________________85
4.2. Montage avec la bobine spirale multicouches ___________________________________87
5) Conclusion____________________________________________________________ 88
Chapitre 4 : Modélisation mécanique et acoustique du microphone

1) Introduction___________________________________________________________ 91
2) Modélisation mécanique de la structure du microphone ________________________ 92
2.1. Réponse en fréquence des microphones micro-usinés _____________________________93
vi
2.2. Modélisation des ressorts de suspension _______________________________________94
2.2.1. Rigidité de flexion des différents types d’attachement _________________________________94
2.2.2. Comparaison entre les différents types d’attachement _________________________________98
2.3. Estimation de la masse équivalente de la membrane______________________________99
2.4. Choix des dimensions de la membrane _______________________________________100
2.4.1. Validation des calculs de la raideur et de la membrane _______________________________100
2.4.2. Calcul des dimensions de la membrane ___________________________________________101
2.4.3. Calcul des modes propres de la structure __________________________________________102
2.4.4. Etude statique de la membrane __________________________________________________103
3) Modélisation électro-acoustique du microphone inductif_______________________ 103
3.1. Modélisation en éléments localisés de la structure du microphone _________________104
3.1.1. Impédance de rayonnement_____________________________________________________105
3.1.2. Impédance de la membrane et des bras d’attachement________________________________106
3.1.3. Impédance d'air à travers des ouvertures de la membrane_____________________________107
3.1.4. Impédance acoustique de la cavité _______________________________________________107
3.2. Réponse en fréquence du microphone ________________________________________107
3.2.1. Sensibilité du microphone sans amortissement ______________________________________108
3.2.2. Sensibilité du microphone avec amortissement______________________________________109
3.3. Bruit du microphone _____________________________________________________113
3.3.1. Bruit Brownien de la membrane _________________________________________________113
3.3.2. Bruit thermique (Johnson) _____________________________________________________114
4) Conclusion___________________________________________________________ 115
Chapitre 5 : Fabrication du premier prototype du microphone

1) Introduction__________________________________________________________ 118
2) Fabrication du microphone______________________________________________ 118
2.1. Description du procédé de fabrication _______________________________________119
2.2. Post-process de gravure du microphone ______________________________________121
2.3. Technologie et fabrication d’un prototype_____________________________________123
3) Description et résultats de gravure des différentes structures de test _____________ 124
3.1. Description et résultats de gravure de TEST1 __________________________________124
3.2. Description et résultats de gravure de TEST2 __________________________________125
3.3. Structure principale : le microphone électrodynamique __________________________126
3.4. Solutions adoptées pour remédier aux problèmes technologiques __________________129
3.4.1. Utilisation d’une gravure humide ________________________________________________129
3.4.2. Utilisation du FIB ____________________________________________________________130
3.4.3. Solutions proposées pour modifier la position verticale de la membrane__________________131
4) Conclusion___________________________________________________________ 132
Conclusion générale ______________________________________________________ 133

Annexe _________________________________________________________________ 136
vii
viii
Liste des figures
Chapitre 1 :
Figure 1.1. Représentation schématique des structures (a) cristalline, (b) polycristalline, et (c)
amorphe dans un matériau.__________________________________________________________ 6
Figure 1.2. Les trois plans cristallographiques principaux avec leurs indices de Miller montrés sur la
structure cubique du cristal. _________________________________________________________ 6
Figure 1.3. Vue en coupe de la technologie M3EMS de Sandia National Lab’s [11]. ____________ 11
Figure 1.4. Vue en coupe de la technologie Mod MEMS d’Analog Devices, Palo Alto Research Center
et l'UC Berkeley [15]. _____________________________________________________________ 12
Figure 1.5. Vue en coupe de la technologie iMEMS d’Analog Devices Inc [17]. _______________ 13
Figure 1.6. Techniques de micro-usinage (a) micro-usinage en volume, gravure anisotropique et
isotropique (b) micro-usinage en surface avec les couches sacrificielles, les couches structurelles et
une étape de gravure postérieure. ____________________________________________________ 15
Figure 1.7. Schéma d’une poutre réalisée par une gravure anisotrope du silicium par la face avant.
La rainure résultante est limitée par les plans (111) des quatre cotés et le plan (100) sur le plafond. 16
Figure 1.8. Post-CMOS : micro-usinage en volume par la face arrière du substrat. ____________ 17
Figure 1.9. Les différentes formes de gravure dans le substrat produites par les techniques de
gravures. _______________________________________________________________________ 17
Figure 1.10. Gravure électrochimique par la face arrière. ________________________________ 19
Figure 1.11. Vue en coupe des séquences de process en post-CMOS nécessaire pour la réalisation (a)
d’un diélectrique [39] et (b) des microstructures en silicium cristalline [38].__________________ 20
Figure 1.12. Schéma en coupe d’une technologie de micro-usinage en surface avant (a) et après (b) la
gravure des oxydes sacrificiels.______________________________________________________ 22
Chapitre 2 :
Figure 2.1. Tracé typique de la réponse en fréquence.____________________________________ 28
Figure 2.2. L’allure de la densité spectrale en puissance typique du bruit d’un microphone. _____ 29
Figure 2.3. Variations de l’amplitude et les spectres de puissance d'une onde (a) sinusoïdale pure et
(b) déformée (c) très déformée. ______________________________________________________ 29
Figure 2.4. Polarisation des céramiques piézoélectriques suite à une déformation. _____________ 31
Figure 2.5. Comparaison entre l’effet d’une contrainte appliquée sur des structures (a)
centrosymétrique et (b) noncentrosymétrique. __________________________________________ 31
ix
Figure 2.6. Axes de référence utilisés pour la modélisation d'un solide piézoélectrique. _________ 32
Figure 2.7. Illustration des modes piézoélectriques d33 et d31 utilisés pour la récupération d’énergie.33
Figure 2.8. Vue en coupe du premier microphone piézoélectrique monolithique microusiné sur
silicium de Royer et coll. [23]. ______________________________________________________ 35
Figure 2.9. Vue en coupe du microphone piézoélectrique intégré de Kim et coll. [26]. __________ 35
Figure 2.10. Vue en coupe du premier microphone piézorésistif microusiné sur silicium de Schellin et
Hess [31]. ______________________________________________________________________ 37
Figure 2.11. Microphone électrostatique (a) modèle simplifié [1] et (b) réponse en fréquence typique.
_______________________________________________________________________________ 38
Figure 2.12. Structure d’un microphone à condensateur typique. ___________________________ 39
Figure 2.13. Schématique d’un microphone à condensateur. ______________________________ 42
Figure 2.14. Circuit simplifié d'un microphone à condensateur connecté avec un préamplificateur
(adapté par Scheeper et coll. [30]). __________________________________________________ 43
Figure 2.15. Schéma d’un microphone capacitif avec une membrane à électret. _______________ 43
Figure 2.16. Vue en coupe du microphone à électret micro-usiné de Hohm [39]._______________ 45
Figure 2.17. Vue en coupe du microphone à électret micro-usiné de Sprenkels [37].____________ 45
Figure 2.18. Vue en coupe du microphone à condensateur micro-usiné de Bergqvist & Rudolf [44]. 45
Figure 2.19. Vue en coupe du microphone à condensateur amélioré de Bergqvist et coll [45]. ____ 46
Figure 2.20. Vue en coupe du microphone à condensateur de Bourouina et coll [47].___________ 47
Figure 2.21. Vue en coupe du microphone à condensateur de Scheeper [48]. _________________ 47
Chapitre 3 :
Figure 3.1. (a) Principe de base de l’induction magnétique (b) Vue en coupe d'un microphone
électrodynamique. ________________________________________________________________ 55
Figure 3.2. Position des deux inductances sur le substrat._________________________________ 56
Figure 3.3. Vue 3D de la géométrie du microphone électrodynamique. ______________________ 57
Figure 3.4. Représentation spatiale (a) d’une inductance intégrée plane carrée sur silicium (b) des
éléments parasites. _______________________________________________________________ 57
Figure 3.5. Le modèle électrique équivalent, d’une inductance intégrée plane carrée (a) posée sur le
substrat (b) suspendue. ____________________________________________________________ 58
Figure 3.6. Illustration de l’inductance mutuelle positive et négative d’une spirale planaire carrée. 59
Figure 3.7. Disposition en parallèle de deux conducteurs de même longueur. _________________ 60
Figure 3.8. Méthode de calcul de la GMD entre deux surfaces. ____________________________ 60
Figure 3.9. Disposition, (a) arbitraire (b) symétrique par rapport au milieu, de deux conducteurs en
parallèle de longueur différente. _____________________________________________________ 61
Figure 3.10. Interaction magnétique entre deux inductances idéales. ________________________ 62
Figure 3.11. Modèle en éléments localisés d’un transformateur non-idéal. ___________________ 63
x
Figure 3.12. Les différentes structures de transformateurs (a) concentrique, (b) entrelacée et (c)
empilée. ________________________________________________________________________ 64
Figure 3.13. Disposition géométrique et champ magnétique B produit par (a) un fil conducteur
rectiligne (b) une spire carrée. ______________________________________________________ 65
Figure 3.14. Allure de la composante du champ magnétique (a) Bz en fonction de (x,y) pour z=0, (b)
Bx en fonction de (x,y) pour z=20µm, (c) Bz en fonction de z et (d) Bx en fonction de z. __________ 66
Figure 3.15. Disposition géométrique (a) des deux spires dans le microphone (b) de la spire interne
en mouvement de vibration._________________________________________________________ 67
Figure 3.16. Variation des deux facteurs A1 et A2 dans l’expression de la femL en fonction du
déplacement ξ (pour a = 1.5 mm, ε = 109 µm et I = 5mA).________________________________ 69
Figure 3.17. Allure de la femL induite donnée par l’équation exacte et l’estimée pour une amplitude de
déplacement égale à (a) h = 20µm (b) h = 100µm. ______________________________________ 70
Figure 3.18. Interaction magnétique entre deux inductances idéales dans le cas où seul le primaire est
parcouru par un courant DC. _______________________________________________________ 70
Figure 3.19. Structure d’un transformateur planaire concentrique. _________________________ 71
Figure 3.20. Vue en coupe du mouvement relatif de l’inductance interne B2 par rapport à B1. ____ 71
Figure 3.21. Variation de la mutuelle inductance M en fonction du déplacement ξ, pour les
expressions exacte et estimée (pour la = 1.65 mm, εa = 121 μm, s = 0.9 µm et w = 1 μm). ________ 72
Figure 3.22. Variation du coefficient du couplage magnétique k en fonction de (a) l’amplitude de
vibration de l’inductance interne (b) la séparation entre les deux inductances. ________________ 73
Figure 3.23. Spectre de fréquences des forces électromotrices induites, cas de (a) Lorentz, (b)
Neumann et (c) la somme des deux. __________________________________________________ 74
Figure 3.24. Différentes formes de trapèze de modulation en fonction du taux de modulation, m. __ 76
Figure 3.25. L’allure de la tension, femT, résultante de la somme de la femL et de la femN pour
ωc>>2ωp (fp = 1kHz et fc = 40kHz)___________________________________________________ 78
Figure 3.26. L’allure de la tension, femT, résultante de la somme de la femL et de la femN pour
ωc<<2ωp (fp = 1kHz et fc = 20Hz) ___________________________________________________ 78
Figure 3.27. Allure de la tension induite eL donnée par l’équation exacte et l’estimée pour une
amplitude de déplacement égale à (a) h = 20µm (b) h = 100µm. ___________________________ 80
Figure 3.28. Allure de la eL pour (a) ωc>>2ωp (fp = 1kHz et fc = 40kHz, sans porteuse), et (b)
ωc<<2ωp (fp = 1kHz et fc = 20Hz, porteuse de basse fréquence). ___________________________ 81
Figure 3.29. Différents montages du transformateur (a) inverseur (b) non-inverseur. ___________ 82
Figure 3.30. Modèle d’un transformateur concentrique (a) inverseur (b) non-inverseur._________ 82
Figure 3.31. Schéma équivalent général de la bobine dans différents modes de polarisation. _____ 84
Figure 3.32. Direction de la force de Lorentz générer par le champ magnétique (a) vertical (b) radial.
_______________________________________________________________________________ 86
Figure 3.33. Une inductance spirale double couches sur substrat de silicium (a) Illustration
tridimensionnelles (b) circuit équivalent idéal.__________________________________________ 88
xi
Chapitre 4 :
Figure 4.1. Schéma équivalent d’un système à membrane (a) sans amortissement (b) avec
amortissement.___________________________________________________________________ 93
Figure 4.2. Réponse en fréquence classique d’une membrane (courbe 1), l'effet d’un amortissement
extérieur sur le diaphragme (courbes 2 à 5) pour un microphone électrodynamique.____________ 94
Figure 4.3. Divers structures de flexion (a) fixe-fixe, (b) « crab-leg », (c) « U-spring », (d) serpentine,
attaché à une membrane carrée. La pression est appliquée sur la surface de la membrane._______ 95
Figure 4.4. Illustration du déplacement d’une poutre simple soumise à une force Fz. ___________ 97
Figure 4.5. Vue d'ensemble de différentes conceptions d'attachement (a) Jambe de crabe, (b)
méandre, (c) U-spring et (d) la serpentine._____________________________________________ 99
Figure 4.6. Comparaison de la raideur pour les différents types d’attachements donnés dans la
Figure 4.5. ______________________________________________________________________ 99
Figure 4.7. Détermination des modes propres de la structure avec le profilomètre Fogal._______ 101
Figure 4.8. Modes de résonance simulés d’une membrane carrée attachée par quatre bras en forme
de crab-leg (respectivement en Hz : 861,1219, 1468, 8360, 13761 et 14481)._________________ 102
Figure 4.9. Simulation statique de la flèche de la membrane. _____________________________ 103
Figure 4.10. (a) Coupe transversale du circuit mécano-acoustique équivalent (b) Le modèle électro-
acoustique à constantes localisées, de la structure du microphone électrodynamique. __________ 105
Figure 4.11. Représentation du couplage mécanoacoustique en forme de (a) transformateur entre les
deux domaines (b) schéma de couplage (c) schéma acoustique équivalent.___________________ 106
Figure 4.12. Allure (a) de l’impédance acoustique équivalente (b) du déplacement, de la membrane en
fonction de la fréquence de l’onde incidente. __________________________________________ 109
Figure 4.13. Allure de la sensibilité du microphone en fonction de la fréquence dans le cas d’une
polarisation en AC. ______________________________________________________________ 109
Figure 4.14. Illustration de l’effet d’amortissement visqueux par compression « sqeeze film damping »
pour une oscillation verticale de la membrane. ________________________________________ 111
fonction de la fréquence de l’onde incidente pour différentes valeurs de la distance G0. ________ 111
Figure 4.16. Allure (a) de la vitesse (b) de la sensibilité, de la membrane en fonction de la fréquence
de l’onde incidente pour différentes valeurs de la distance G0. ____________________________ 112
Figure 4.17. Densité spectrale du bruit Brownien dans la membrane. ______________________ 114
Figure 4.18. Densité spectrale du bruit Johnson dans la membrane. _______________________ 115
Chapitre 5 :
Figure 5.1. (a) Composition des, (b) Épaisseurs des principales, couches de la technologie chinoise
CSMC 0.6µm, 2P2M. ____________________________________________________________ 119
Figure 5.2 Etapes technologiques de fabrication du microphone inductif. ___________________ 120
Figure 5.3. Vue finale en coupe du microphone électrodynamique. ________________________ 120
xii
Figure 5.4. Illustration de la gravure au coin convexe et la formation des poutres suspendues dans un
matériau qui n'est pas gravée.______________________________________________________ 122
Figure 5.5. Simulation atomistique de la gravure anisotropique de la membrane du microphone
soutenue par quatre bras, pour différents pas de calculs montrant la progression de la gravure. _ 122
Figure 5.6. Simulation atomistique de la gravure anisotropique de la membrane soutenue par quatre
bras à 45°, pour différents pas de calculs montrant la progression de la gravure. _____________ 123
Figure 5.7. (a) Dessin des masques (b) Image MEB, de la structure de test du microphone. _____ 123
Figure 5.8. Image MEB de la structure TEST1 (avant gravure). ___________________________ 124
Figure 5.9. (a) Empilement des couches (b) Profile topographique, enregistré lors du passage à
travers la structure TEST1. ________________________________________________________ 124
Figure 5.10. Image de TEST1 après la gravure prise par (a) MEB, (b) microscope optique. _____ 125
Figure 5.11. Image de TEST2 prise par MEB après la gravure avec une membrane (a) attachée (b)
libérée.________________________________________________________________________ 125
Figure 5.12. Image MEB (a) des spires de la bobine externe (b) de l’ouverture sur le coté interne du
bras –entre le bras et la membrane–. ________________________________________________ 126
Figure 5.13. Image MEB (a) des ouvertures prévues sur les deux cotés du bras. (b) de la membrane
du microphone après gravure. _____________________________________________________ 127
Figure 5.14. (a) Sélection de la zone d’analyse sur la surface du microphone par spectroscopie (b)
spectre spécifiques constituant la composition des matériaux dans la zone d’analyse. __________ 127
Figure 5.15. Identification de la présence des différents éléments chimique dans la zone d’analyse qui
sont, respectivement de gauche à droite et du haut en bas, le nitrure, l’oxygène, l’aluminium, le
silicium et le titane. ______________________________________________________________ 128
Figure 5.16. Profil enregistré lors du passage sur les deux bobines et le bras.________________ 129
Figure 5.17. Image MEB de l’ouverture du microphone gravée dans d'acide fluorhydrique. _____ 130
Figure 5.18. (a) Elargissement de la largeur des ouvertures par le FIB, (b) Résultat après 2h de
gravure par TMAH sur le microphone._______________________________________________ 130
Figure 5.19. Illustration de la position verticale de la membrane par rapport au substrat. ______ 131
Figure 5.20. Illustration de l’incurvation des bras d’attachement de la membrane ____________ 131
xiii
xiv
Liste des tableaux
Chapitre 1 :
Tableau 1.1. Comparaison entre les différents processus CMOS micromécanique. _____________ 10
Tableau 1.2. Exemple de techniques de gravure pour micro-usiner le substrat en silicium. _______ 18
Chapitre 2 :
Tableau 2.1. Définition des coefficients piézoélectriques et leurs unités. ______________________ 33
Tableau 2.2. Propriétés électromécaniques de différents matériaux piézoélectriques. ___________ 34
Tableau 2.3. Les importants travaux précédents dans la conception des microphones capacitifs. __ 44
Chapitre 3 :
Tableau 3.1. Comparaison entre les différents types de réalisation de transformateurs.__________ 64
Tableau 3.2. Équation et valeur des paramètres physiques d’une bobine planaire intégrée sur silicium.
_______________________________________________________________________________ 83
Tableau 3.3. Tableau récapitulatif des différents modes de polarisation. _____________________ 87
Chapitre 4 :
Tableau 4.1. Propriétés des différentes couches utilisées dans le processus de fabrication. ______ 100
Tableau 4.2. Analogie acoustique / électrique / mécanique._______________________________ 104
Tableau 4.3. Valeurs de composantes de simulation du circuit électroacoustique. _____________ 107
Tableau 4.4. Sensibilité et bande passante simulées du microphone en fonction de l’épaisseur du gap
d’air. _________________________________________________________________________ 112
Chapitre 5 :
Tableau 5.2. Les solutions de gravure du silicium sélectives et leurs ratios de gravure. _________ 121
xv
xvi
Introduction générale
La communication est une chose primordiale dans notre existence. Notre compétence
d’échanger les informations est essentielle pour le progrès de notre connaissance et
civilisation. La communication humaine progresse à travers l’histoire d’une communication
visuelle sous forme d’images et de gestes jusqu’à arriver au langage conventionnel
sophistiqué de nos jours. En outre, la communication avec les autres est un besoin naturel
chez l’espèce humaine; ce désir a eu beaucoup d’influence dans nos innovations
technologiques. L’une des premières réalisations dans ce domaine est le télégraphe inventé
par Samuel Morse (1833), dans lequel les informations se transmettent en code à travers un
interrupteur électrique. Pourtant, le besoin de transmettre, non pas les codes seulement mais
aussi la parole, reste une nécessité d’où l’invention d’un appareil de transmission acoustique
s’avère très importante. Durant le développement du téléphone, inventé par Alexander
Graham Bell (1876) pour la première fois, le besoin d’un transducteur acoustique "le
microphone" est affronté. Le microphone est demandé pour transformer un signal acoustique
en un signal électrique analogique qui peut être transmis à un autre transducteur (haut-
parleur). La structure de base de ce système électroacoustique n’a pas changé; elle trouve
beaucoup d’applications non seulement en téléphonie mais aussi dans la radio, la télévision,
les systèmes audio et vidéo.
Une autre révolution technologique qui est comparable à celle de Morse et Bell, c’est
l’invention du transistor par Shockley et le développement des circuits intégrés fabriqués en
semi-conducteur. Cette technologie améliore nettement la production en masse, fournit une
miniaturisation immense aux systèmes et complique les circuits électroniques en leur donnant
plus de fonctionnalité et de fiabilité. Un détournement de la microélectronique a donné
naissance aux microsystèmes qui conjuguent la microélectronique des semi-conducteurs et la
technologie du micro-usinage, permettant ainsi la réalisation de systèmes entiers sur une puce.
Une autre appellation des microsystèmes très usité est apparue en Amérique : les MEMS
"Micro-Electro-Mechanical Systems" ou Microsystèmes Electromécaniques. Ce sont des
micro-dispositifs ou micro-systèmes intégrés combinant des composants électriques et
mécaniques. Les MEMS sont fabriqués avec des techniques congénères à celles utilisées pour
la fabrication des circuits intégrés et leurs tailles peuvent s'étendre des micromètres aux
millimètres. En effet, les opérations traditionnelles d’oxydation, de diffusion, de dépôt de
couches minces de la microélectronique se voient complétées par l’apparition de technique de
micro usinage en volume et en surface du silicium. Cette nouvelle micro technologie du
silicium laisse entrevoir de nombreuses possibilités d’intégration de formes géométriques plus
complexes de manière à miniaturiser et intégrer des fonctions supplémentaires tout en restant
compatible avec la présence de l’électronique intégrée de proximité. Cette possibilité de
structuration en trois dimensions du silicium permet de créer des cavités, des poutres, des
membranes et des structures suspendues qui vont être à la base de micro dispositifs ayant la
possibilité d’interagir avec l’environnement. Les principes physiques mis en oeuvre dans ces
1
capteurs et ces actionneurs sont très divers : électriques, mécaniques, chimiques, optiques,
thermiques, thermodynamiques, etc…
Le champ d’application des microsystèmes est donc très large, et leur conception fait
appel à de nombreux domaines connexes comme la mécanique, l’optique, l’électronique ou la
micro fluidique. Les microsystèmes fluidiques restent un domaine récent malgré que leurs
applications soient nombreuses. L’aéronautique s’intéresse notamment au développement de
capteurs de pression, d’actionneurs situés sur les voilures pour modifier les écoulements de
couches limites et proposer une alternative aux lourds organes hydrauliques conventionnels.
Le secteur automobile développe par exemple des micro-injecteurs haute pression pour les
chambres de combustion, des micros capteurs pour la détection de baisses de pression dans les
pneumatiques. Les imprimantes grand public sont constituées, pour la plupart, de micro buses
à jets d’encre. Mais c’est certainement les secteurs de la télécommunication et de la santé qui
présentent le plus fort potentiel d’application. Les demandes en termes de micro capteurs de la
variation de pression, ou des microphones, sont fréquentes et nombreux laboratoires se sont
lancés dans l’aventure pour en effectuer la conception, la réalisation et l’optimisation. Les
microcapteurs de pression acoustique sont spécialement utilisés dans les systèmes d'aides
auditives tel que les prothèses auditives et les implants cochléaires. Le microphone est un
microcapteur acoustique qui transforme l'énergie acoustique en une énergie électrique. Avec
les récents progrès dans la technologie MEMS, la fabrication de microphones avec des
dimensions miniaturisées à bas coût est maintenant possible. Une variété de systèmes de
transduction, tels que piézoélectriques, piézorésistives, capacitifs et optiques, ont été utilisés
dans des microphones MEMS. Les microphones capacitifs ont montré la meilleure sensibilité
et ils sont les plus utilisés, comparé aux autres types de microphones intégrés. Ils présentent
les meilleurs avantages tels qu’une sensibilité relativement élevée, une large bande passante
par inhérence, une faible consommation d'énergie et un faible bruit de fond. Toutefois, dans la
conception des microphones capacitifs, des problèmes spécifiques doivent être résolus telles
que l'instabilité dans la traction électrostatique, l'atténuation du signal de sortie en raison de la
capacité parasite et, dans certains modèles, une baisse de la sensibilité dans les hautes
fréquences due à l'amortissement visqueux de l’air. Encore que, leur intégration sur la même
puce avec l’électronique de traitement nécessite des matériaux et des chaînes de fabrication
spécifiques et assez coûteux.
Pour surmonter ces problèmes, une nouvelle approche plus souple, utilisant un procédé
de fabrication de circuits intégrés CMOS standard, est présentée dans cette thèse.
L'électronique de proximité est intégrée monolithiquement avec la partie capteur, en utilisant
une technologie CMOS industriel standard suivi d’un miro-usinage en volume, permettra de
miniaturiser le système et d'augmenter ses performances, et en particulier de minimiser le
bruit grâce à la réduction des capacités parasites des interconnexions. En outre, notre
approche met l'accent sur les MEMS à faible coût obtenus par la transformation de micro
puce émis à partir d'un procédé CMOS standard.
Le travail présenté dans ce mémoire décrit la modélisation, l’optimisation et la
réalisation d’un microphone électrodynamique intégré. Ce manuscrit est constitué de cinq
chapitres et il est organisé comme suit : le premier chapitre décrit les différents procédés de
fabrication des microsystèmes compatibles microélectroniques mis en oeuvre durant ces
dernières années en rapportant les avantages et les inconvénients afin de montrer l’intérêt de
notre approche.
Le deuxième chapitre, récapitule l’état de l’art sur les différents principes de

transduction et les spécifications des différentes structures de microphones MEMS intégrés
2
micro-usinés. Parmi les nombreuses structures de microphones intégrés, le microphone

capacitif offre les meilleures performances. Un tour d’horizon des différentes contributions
dans la fabrication des microphones capacitifs et leurs caractérisations est présenté.
Dans le chapitre trois, on commence par introduire notre nouvelle architecture de

microphone électrodynamique intégré monolithique qui présente l’avantage d’être peu
coûteuse tout en ayant des performances satisfaisantes. Dans cette approche, nous utilisons
des couches de silicium et autres émis à partir d'un procédé CMOS standard comme
matériaux de base pour la fabrication de la partie mécanique du capteur. L’idée du
transducteur électroacoustique de type électrodynamique (ou inductif) intégré et similaire à
celle du microphone électrodynamique macroscopique. En effet, en utilisant deux bobines
spirales planaires et concentriques occupant deux régions distinctes, on peut imiter le
fonctionnement du microphone électrodynamique hybride. Ensuite, une étude magnétique du
lien entre les deux bobines dans les différents cas de polarisation est détaillée. Cette étude
permettra de donner une caractérisation analytique du microphone en calculant la tension
induite, sa sensibilité et le niveau de la distorsion à la sortie.
Le quatrième chapitre est dédié à l’analyse mécanique et vibratoire de la structure du

microphone. Plusieurs structures différentes de fixation pour la membrane suspendue vont
être étudiées tel que la poutre simple, la jambe de crabe, le ressort en forme de U et en
serpentin. L'étude a pour but de trouver la fréquence de résonance optimale de la structure de
la membrane d'un microphone électrodynamique afin de parvenir à une large bande passante.
La fréquence de résonance du diaphragme doit être placée au centre de la gamme audible
ciblée de fréquence et doit être suffisamment amortie. Par la suite, on a entamé une
modélisation électro-acoustique et une analyse modale (fréquentielle), par la Méthode des
Eléments Finis (MEF), qui est nécessaire pour connaître l’amplitude de vibration et la plage
de réponse de la structure du microphone. L’étude des transducteurs électroacoustiques est
communément réalisée à l’aide de modèles électriques équivalents en constantes localisées
traduisant les comportements électrique, mécanique et acoustique du système. Les constantes
localisées du circuit électrique équivalent, représentent la raideur, la masse et l'amortissement
du système mécanoacoustique. Ceci va nous amener, finalement, à proposer une structure
optimisée du microphone électrodynamique et à estimer la tension induite aux bornes de son
secondaire.
Le dernier chapitre de cette thèse consistera à accomplir le dessin des masques et

fabriquer un prototype du microphone. Les différents résultats de gravures et de
caractérisation des puces du microphone seront expliqués dans une seconde étape du chapitre
cinq. Finalement, on clôture par une conclusion générale avec les perspectives de notre
travail.
3
Chapitre 1
Introduction aux technologies Microsystème
1) Introduction____________________________________________________________ 4
2) Matériaux pour les microsystèmes compatibles aux circuits intégrés _______________ 5
2.1. Silicium _________________________________________________________________5
2.2. Polysilicium (silicium polycristallin) ___________________________________________7
2.3. Oxyde de silicium SiO2 ______________________________________________________8
2.4. Nitrure de silicium _________________________________________________________8
2.5. Couches minces de métal ____________________________________________________9
3) Technologie CMOS et le Micro-usinage_____________________________________ 10
3.1. Micro-usinage en pré-CMOS________________________________________________10
3.2. Micro-usinage en intra-CMOS ______________________________________________12
3.3. Micro-usinage en post-CMOS _______________________________________________13
3.3.1. Déposition de couches en post-CMOS _____________________________________________14
3.3.2. Gravure des couches CMOS en post-CMOS_________________________________________15
a) Micro-usinage en volume _______________________________________________________15
b) Micro-usinage en surface _______________________________________________________21
4) Conclusion____________________________________________________________ 22
1) Introduction
Sans doute, l’une des plus excitantes évolutions technologiques au cours de la dernière
décennie du 20ème siècle est le domaine des microsystèmes (MEMS). La technologie MEMS a
pu profiter des avantages et des innovations créées pendant la révolution de la technologie des
circuits intégrés (CI) en termes de procédés, équipements et matériaux. Étant donné qu’une
structure MEMS comporte un empilement de couches de matériaux, chacun a un rôle critique,
rassemblées parfois sur un même substrat. La compréhension des MEMS exige, à part des
connaissances physique et électronique, une maturité dans la connaissance des matériaux
utilisés pour construire les dispositifs ainsi que leurs propriétés. Dans la suite, une
présentation d’une sélection de matériaux les plus répandus dans les procédés de fabrication
des MEMS, sera présentée. Par la suite, nous nous attarderons sur les différentes techniques
de fabrication des microsystèmes, compatible microélectronique, accessible industriellement
ou au niveau de laboratoire.
4
2) Matériaux pour les microsystèmes compatibles aux circuits intégrés

Le procédé de fabrication des dispositifs microsystèmes est basé sur les techniques de
fabrication standard des circuits intégrés microélectroniques. Le matériau de base est bien
entendu le silicium (Si) ainsi que ses dérivés tels que l’oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de
silicium (Si3N4), le carbure de silicium (SiC) et ses oxy-nitrures (SiNxOy). Ces matériaux sont
déposés comme une couche mince d’épaisseur qui varie entre une dizaine d’Ångström et
plusieurs dizaines de micromètres. Divers métaux servent aussi des liaisons électriques ou
comme surface d’accroche biochimique tel que l’aluminium, le titane, l’or, le tungstène ou le
cuivre. On peut joindre à cette liste quelques polymères tel que la résine photosensible1 et les
polyimides (PI) du groupe imide. Dans la suite, une brève description des ces matériaux les
plus utilisés, sera détaillée.
2.1. Silicium
Le silicium est parmi les éléments les plus abondants sur la terre, il peut être facilement
obtenu à partir du sable raffiné pour produire à la fin l’EG-silicium (Electronic Grade pureté
99.99999999%). L'énorme richesse d'informations accumulées sur le silicium et ses composés
au cours des dernières décennies a permis d'innover et explorer de nouveaux domaines
d'application s'étendant au-delà de la fabrication des circuits intégrés. Il devient évident que le
silicium est la plate-forme appropriée sur laquelle les composants électroniques, mécaniques,
thermiques, optiques, et même les fonctions de dynamique des fluides peuvent être intégrées.
Des ultra pures plaquettes (wafer) d’EG-silicium sont disponibles aujourd'hui à des prix très
bas pour l’industrie des circuits intégrés et ainsi pour les composants MEMS.
Le silicium possède une structure de type diamant, forme dérivée de la structure cubique faces
centrées (CFC). Il possède une bande interdite de 1,1eV, et d’ailleurs, comme la plupart des
matériaux semi-conducteurs il peut être dopé avec des impuretés pour modifier sa
conductivité [1]. Le silicium est un très bon conducteur thermique avec une conductivité
thermique supérieure à celle de nombreux métaux et d'environ 100 fois supérieure à celle du
verre [2]. Mécaniquement, le silicium cristallin est un matériau dur et fragile, il se déforme
élastiquement jusqu'à atteindre sa limite d'élasticité, à ce point il se casse. Sa résistance à la
traction est de 7 GPa [1], qui est équivalente à un poids de 700 kg suspendu à une surface de
1mm2. Son module de Young dépend de l’orientation du cristal, qui vaut 130 GPa dans la
direction <100>, 169 GPa dans la direction <110> et 189 GPa dans la direction <111>— (une
valeur qui est comparable à l'acier (210 GPa) [2]). En médecine et en biologie, des études sont
en cours pour évaluer l’utilisation du silicium pour les implants médicaux. Les résultats
préliminaires indiquent que le silicium est bénin dans l'organisme et ne libère pas de
substances toxiques au contact avec les cellules biologiques
L’élément silicium existe sous trois formes différentes: monocristalline, polycristalline ou

amorphe (illustrées sur la Figure 1.1). Le silicium monocristallin est d’usage pour fabriquer
des substrats circulaires de diamètre allant de 100 mm jusqu’à 300 mm dont l’épaisseur varie
de 525μm jusqu’à 650μm. Une structure monocristalline est une structure atomique
tridimensionnelle de même orientation cristallographique, qui s’appelle le grain, dans laquelle
les atomes occupent des emplacements spécifiques et ordonnés dans une maille de treillis
(lattice). Le silicium épitaxiale et le diamant sont des exemples de matériaux qui présentent
1
La résine photosensible (appelée aussi photorésine et parfois photorésist) est un matériau photosensible utilisé dans de
nombreux procédés industriels, comme la photolithographie ou la photogravure afin de former un revêtement protecteur
ajouté à la surface d'un substrat.
5
une structure monocristalline. Le silicium polycristallin, ou simplement "poly", et le silicium

amorphe sont habituellement déposés comme des couches minces avec une épaisseur typique
inférieur à 5µm. Dans un matériau polycristallin, l'orientation du réseau n'est pas la même
dans tout le matériau. Les grains sont séparés par des joints de grains, qui sont des zones dans
lesquelles le réseau cristallin est "perturbé" puisqu'il s'agit d'une transition entre deux
orientations. La plupart des métaux, comme l'aluminium et l'or, ainsi que le silicium
polycristallin, présentent des exemples de cette structure. Dans une structure amorphe, les
atomes de Si ne respectent aucun ordre et aucune orientation [3].
(a) (b) (c)

Figure 1.1. Représentation schématique des structures (a) cristalline, (b) polycristalline, et
(c) amorphe dans un matériau.
Un wafer en Si monocristallin est caractérisé essentiellement par son dopage initial et par
l’orientation cristallographique de son réseau cristallin. La compréhension des plans
cristallographiques est essentielle pour comprendre le rapport entre les propriétés du matériau
et son orientation et les effets des solutions de gravure sélective. Les trois principales
orientations de coordonnés dans un cube sont appelées les axes principaux. Les directions et
plans spécifiques dans le cristal sont désignés en référence par rapport aux axes principaux en
utilisant les indices de Miller [4] (voir Figure 1.2). Les chiffres utilisés dans la notation Miller
pour les plans représentent l’inverse de l’intercepte des axes dans les distances de la cellule
unitaire depuis l'origine. Les fabricants de wafers de Si coupent finement les plaquettes
circulaires tout au long d’un plan cristallin spécifique du matériau. Le plan de face de ces
wafers représente l'orientation du plan de coupe. Les wafers (100) dominent dans les
technologies CMOS et MEMS, mais les wafers avec l’orientation (111) sont également
disponibles et, à un degré moins, on trouve l’orientation (110). Un méplat latéral (plan (110)
pour un wafer (100)) permet de définir correctement l'orientation du réseau cristallin sur un
wafer.
Figure 1.2. Les trois plans cristallographiques principaux avec leurs indices de Miller montrés sur la
structure cubique du cristal.
6
Dans le cas de plusieurs applications MEMS à base de silicium, le Si monocristallin sert pour
réaliser plusieurs fonctions clés. Le Si monocristallin est le matériau le plus polyvalent pour le
micro-usinage en volume, à travers une bonne maîtrise des caractéristiques de la gravure et
une maturité au niveau des masques de protection utilisés. Il permet de sculpter des structures
micromécaniques à partir du substrat en Si. Pour les applications micro-usiné en surface, le Si
monocristallin est utilisé comme une plateforme mécanique sur lequel les structures sont
fabriquées et montées.
2.2. Polysilicium (silicium polycristallin)

Le silicium polycristallin est un matériau important dans l'industrie des CI où il a été étudié
pendant plusieurs années. Une description détaillée de ses propriétés électriques peut être
trouvée dans [5]. Comme le Si monocristallin, le Si polycristallin peut être dopé pendant ou
après sa déposition en utilisant les techniques standard de traitement des CI. La résistivité du
silicium polycristallin peut être modifiée par un dopage en impuretés à l'aide des mêmes
méthodes développées pour le silicium monocristallin. L'ajout de l’élément Phosphore réduit
le taux de dopage et augmente la résistivité, tandis que l'addition du Bore augmente le taux de
dopage et alors, diminue la résistivité. Le coefficient de Seebeck2 du polysilicium est assez
élevé.
Le silicium polycristallin est un matériau aussi important et attrayant pour les MEMS. Il est le
matériau structurel le plus souvent utilisé pour la fabrication des structures MEMS micro-
usiné en surface avec le SiO2 comme matériau sacrificiel et le Si3N4 comme isolant électrique.
Pour les applications CI et MEMS, la couche mince de polysilicium est généralement déposée
à travers d’un processus connu sous le nom Low-Pressure Chemical Vapor Deposition
(LPCVD). Les conditions typiques de dépôts exigent des températures de 580 à 650°C et des
pressions allant de 100 à 400 mTorr (1 Torr ≈ 1 mmHg = 133.322 Pa). Pour les processus
réalisés à 630°C, le taux de dépôt du silicium polycristallin est d'environ 100 Å/min.
Généralement, toutes les couches minces déposées sont soumises à des contraintes appelées
contraintes résiduelles qui peuvent gravement affecter les performances des microstructures.
Les plus hautes valeurs de contraintes résiduelles se trouvent dans le Si amorphe et le
polysilicium sous forme de compression, principalement, avec une forte texture relative à la
colonne (110). Dans les mêmes conditions de dépôt, les couches de polysilicium épaisses sont
souvent soumises à moins de contraintes résiduelles que les couches minces, ce qui est
particulièrement vrai pour les couches avec une microstructure de texture en colonne
verticale (columnar). Pour réduire la compression dans les couches de polysilicium déposées
on peut utiliser un recuit à des températures comprises entre 650 et 850°C. Les poutres en
silicium polycristallin ou amorphe, libérées avec le micro-usinage en surface, qui n'ont pas été
soumises à une étape de recuit peuvent se déformer sous l'effet des contraintes intrinsèques.
Cette étape de recuit permet, en outre, d'annuler les contraintes mécaniques dans les couches
de polysilicium permettant d'améliorer la stabilité mécanique et d'annuler les effets de
vieillissement. Pour les couches de polysilicium déposées à 650°C, les contraintes de
compression résiduelles sont typiquement de l'ordre de 0,5 à 1 GPa. Toutefois, ces contraintes
peuvent être réduites à moins de 10,8 Pa par un recuit à haute température (1000°C) des
couches minces.
2
L'effet Seebeck est un effet thermoélectrique, il se manifeste avec l’apparition d’une différence de potentiel à la jonction de
deux matériaux soumis à une différence de température. L’utilisation la plus connue de l’effet Seebeck est la mesure de
température à l’aide de thermocouples.
7
2.3. Oxyde de silicium SiO2

Le silicium est un matériau qui retrouve un succès énorme également grâce à son oxyde stable
qui représente une bonne isolation électrique. Contrairement au germanium, dont l’oxyde est
soluble dans l'eau, ou à l’arséniure de gallium, dont l’oxyde est incapable de croître
sensiblement en épaisseur. Diverses formes d’oxydes de silicium (SiO2, SiOx, etc…) sont
largement utilisées dans les processus standards de fabrication des CI grâce à leurs excellentes
propriétés d’isolation électrique et thermique. Son module de Young est supérieur à celui du
silicium.
Le dioxyde de silicium (SiO2) est produit principalement par une oxydation thermique
(croissance) du silicium se trouvant sur la surface du wafer. L'oxydation thermique du Si est
effectuée à des hautes températures (de 900 à 1000°C) en présence de l'oxygène ou de la
vapeur. L'oxydation thermique présente un processus auto-limité (le taux de croissance de
l’oxyde diminue avec l'augmentation de l'épaisseur de la couche), l'épaisseur maximale de la
couche obtenu en pratique est d'environ 2 μm, ce qui est largement suffisant pour de
nombreuses applications.
Les couches de SiO2 pour les applications MEMS peuvent être déposées également par
LPCVD en utilisant un processus appelé oxydation à basse température (LTO). Un avantage
du procédé LPCVD, consiste dans la possibilité de doper le flux des gaz de source par
d’autres éléments afin de doper la couche de SiO2 déposée. Comme exemple, c’est
l'incorporation du phosphore sous forme de Phosphoro Silicate Glass (PSG). Le SiO2
thermique, LTO, et le PSG sont des isolants électriques convenant pour de nombreuses
applications MEMS. Les constantes diélectriques de l’oxyde thermique et de l’oxyde à basse
température (LTO) sont égales à 3.9 et 4.3, respectivement.
L’oxyde de silicium est utilisé aussi comme des couches sacrificielles dans le processus du
micro-usinage en surface parce qu'il est gravé avec une grande sélectivité en utilisant l'acide
fluorhydrique (HF) [1]. L'objectif est de dissoudre entièrement l’oxyde sacrificiel afin de
libérer les composants prévus sans graver le silicium polycristallin formant les parties
structurelles. Les wafers ou les moules sont simplement immergés dans la solution appropriée
pour une période de temps suffisante pour libérer toutes les parties souhaitées. La faible
densité des couches de LTO et de PSG est partiellement responsable de l'augmentation du
taux de gravure en HF, ce qui les rend attrayantes comme matières sacrificielles pour le
micro-usinage en surface. Sans doute, le SiO2 est un matériau sacrificiel excellent pour le
micro-usinage en surface avec le silicium polycristallin; toutefois, d'autres matériaux
pourraient également être utilisés.
2.4. Nitrure de silicium

Le nitrure de silicium (SixNy) est largement utilisé dans l’industrie des CI grâce à ses
propriétés diélectriques et mécaniques intéressantes. En effet, le nitrure de silicium est un
matériau extrêmement dur ce qui le rend un matériau attrayant pour les applications dans
lesquelles l'usure physique est une considération majeure. Son module de Young, de l’ordre
de 323 GPa, est largement supérieur à celui du silicium avec des caractéristiques intrinsèques
de la contrainte contrôlables par les spécificités du procédé de dépôt. En plus, le nitrure de
silicium est un bon matériau de masquage efficace dans de nombreuses solutions de gravures
alcalines.
8
Le nitrure de silicium le plus répandu, de formule chimique Si3N4, est largement utilisé en
MEMS pour l’isolation électrique, la passivation, les masques de gravures et comme un
matériau structurel. Deux méthodes sont couramment utilisées pour déposer les couches
minces de Si3N4: LPCVD et PECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition).
L'utilisation du Si3N4 déposé par PECVD dans les applications micro-usinées a ses
inconvénients en raison de son taux de gravure assez élevé par le HF (souvent plus élevé que
celui de SiO2 déposé par croissance thermique), et de la porosité de la couche. Contrairement
à son homologue PECVD, le dépôt du Si3N4 par LPCVD est extrêmement résistant aux
attaques chimiques, le rendant ainsi le matériau idéal pour de nombreuses applications micro-
usinées en volume et en surface. Il est couramment utilisé comme une couche isolante pour
isoler les structures du dispositif du substrat parce qu'il possède une bonne résistivité qui est
de 1016 Ω-cm. Le dépôt typique se fait à une température entre 700 et 900°C et une gamme
de pressions de 200 à 500 mTorr. Le taux de dépôt typique est d'environ 30 Å/min.
2.5. Couches minces de métal

Le choix de la nature d’une couche mince de métal à utiliser dans un microsystème dépend
essentiellement de l’application visée. Les couches minces de métal peuvent être déposées en
utilisant une large gamme de techniques de dépôt, les plus courantes étant l'évaporation, la
pulvérisation cathodique (sputtering) et par un dépôt chimique en phase vapeur (CVD-
Chemical Vapor Deposition). Ce large éventail de méthodes de dépôt fait d’elles l'une des
classes les plus polyvalentes des matériaux utilisés dans la fabrication des CI. Les métaux
peuvent remplir plusieurs tâches allant de la réalisation des interconnexions internes dans le
circuit, passant par leurs utilisations en tant que masques durs de gravure, arrivant jusqu’à
leurs utilités dans la formation des éléments structurels ou sacrificiels dans les microcapteurs
et les microactionneurs MEMS. Pour les interconnexions électriques, l'aluminium, avec une
température de fusion de 660°C, est le matériau le plus utilisé et il est relativement facile à
déposer par pulvérisation cathodique, mais son fonctionnement est limité aux environnements
non corrosif et à des températures inférieures à 300ºC. L'aluminium a tendance à se dégrader
avec le temps et avec la température, ce qui provoque des changements dans ses
caractéristiques intrinsèques de la contrainte (stress). En conséquence, il est généralement
situé à l'écart du stress ou des éléments déformables [1]. L’or, le cuivre, le titane, le platine et
le Permalloy (NixFey), et quelques autres matériaux peuvent également être déposés par des
méthodes électrolytiques. Pour les environnements les plus sévères (rudes) ayant des
températures très élevées, le tungstène, avec un point de fusion très élevé, de l’ordre de
3422°C, est très adéquat.
Dans les MEMS, les couches minces d’aluminium peuvent être utilisées en combinaison avec
des polymères tels que les polyimides, connu pour leurs bonnes propriétés thermiques et
élastiques, car ces derniers peuvent être déposés par pulvérisation à basse température
(<400°C). Dans la plupart des cas, l’aluminium est utilisé comme une couche structurelle,
mais il peut aussi bien être utilisé comme une couche sacrificielle. Un inconvénient du
polyimide est sa viscoélasticité (il est glissant). Le tungstène (W) (déposé par CVD) peut
également être utilisé comme un matériau structurel et le dioxyde de silicium comme matériau
sacrificiel dans la construction des microstructures avec le micro-usinage en surface [6]. Dans
ce cas, le HF est utilisé pour la gravure de l'oxyde sacrificiel. En termes de propriétés
chimiques, l’aluminium serait certainement un bon matériau pour construire les couches
sacrificielles, comme il peut être dissout dans des solutions de gravure acide qui n’attaquent
que l’Al sans attaquer le silicium polycristallin.
9
3) Technologie CMOS et le Micro-usinage

Le problème majeur dans une intégration monolithique d’un capteur/actionneur MEMS avec
l’électronique de traitement est le besoin d’utiliser des hautes températures qui causent la
dégradation des performances du circuit CMOS à son voisinage. En effet, les microstructures
en polysilicium, qui forment généralement les couches structurelles du capteur, sont déposées
à des températures comprises entre 575 et 625°C dans un four LPCVD et exigent
généralement un recuit thermique à des températures ≥900°C pour réduire les contraintes
résiduelles [7]. Toutefois, après le dépôt de la couche de métallisation (généralement en
aluminium) du procédé CMOS, la température maximale dans le processus sera limitée à
450°C afin de ne pas dégrader les contacts entre l’aluminium et le silicium. Par conséquent, le
polysilicium ne peut être déposé qu’après l'achèvement du processus CMOS avec une
métallisation standard de l’aluminium. Afin de permettre le dépôt des microstructures en
polysilicium après l'achèvement du processus CMOS, une alternative de métallisation stable à
haute température, comme le tungstène, doit être utilisée dans le procédé CMOS [8][9].
Trois approches différentes sont développées en vue d’intégrer les étapes de micro-usinage
avec la technologie CMOS standard pour réaliser une structure MEMS monolithique. Les
étapes de micro-usinage additionnelles peuvent soit précéder le procédé CMOS standard (pré-
CMOS) ou être effectuées entre les étapes régulières (intra-CMOS) ou bien après
l'achèvement de tous les processus standards (post-CMOS) [10]. Le Tableau 1.1 présente une
comparaison entre ces trois approches. Généralement, les processus CMOS-MEMS sont
associés à des étapes de micro-usinage en surface ou en volume.
Tableau 1.1. Comparaison entre les différents processus CMOS micromécanique.
planéité de la contrainte de contrainte de

accessibilité
surface température contamination
Pré-CMOS excellent aucune oui limitée
Intra-CMOS bonne oui oui très limitée
Post-CMOS variable oui non facile
3.1. Micro-usinage en pré-CMOS

L’approche de micro-usinage en pré-CMOS ou «MEMS au-premier" permet de réduire
sensiblement le coût de fabrication des MEMS. Avec cette méthode on peut co-intégrer une
épaisse microstructure en polysilicium avec les circuits CMOS, en exigeant un recuit à des
températures allant jusqu'à 1100°C pour réduire les contraintes résiduelles,. Le processus de
micro-usinage en pré-CMOS commence par la construction de la structure MEMS sur un
wafer en silicium nu. L’étape suivante consiste à enterrer et sceller ces structures MEMS avec
une planarisation de la surface du wafer. La nouvelle surface est utilisée pour bâtir la suite du
procédé CMOS standard. En outre, une étape de métallisation est nécessaire pour réaliser les
interconnexions entre les structures MEMS et la surface planarisée du circuit contenant les
composants CMOS. Les fonderies CMOS standards en général n’acceptent pas de tels wafers
personnalisés, une ligne de production dédiée est donc nécessaire. Une étape de libération des
structures MEMS est également nécessaire à la fin de fabrication [11].
Il existe deux approches différentes pour réaliser le micro-usinage en pré-CMOS, la première

consiste à construire la microstructure MEMS en polysilicium dans une tranchée gravée dans
le wafer en silicium avec une gravure humide anisotrope. Ensuite, un recuit à haute
10
température est nécessaire afin d’éliminer les contraintes résiduelles dans la microstructure en
silicium polycristallin. L’étape suivante consiste à remplir la tranchée avec l'oxyde de silicium
déposé par LPCVD et planarisée avec une étape de polissage mécano-chimique (CMP –
Chemical Mechanical Polishing). À ce stade, le wafer est prêt pour le traitement avec le
procédé CMOS conventionnel. Une fois le traitement CMOS est terminé, l’étape finale sera
de déposer une couche de nitrure de silicium qui sert pour protéger l’électronique CMOS
contre l’attaque humide du HF. Les contacts électriques entre les microstructures et
l’électronique CMOS se réalisent par des via (studs) en polysilicium. La technologie M3EMS
(Modular, Monolithic MicroElectro-Mechanical Systems) développée par SNL (Sandia
National Laboratories) à été la première à mettre en ouvre ce concept de fabrication [12]. Un
accéléromètre résonant fabriqué avec Sandia M3EMS technologie a été rapporté dans [13].
Une coupe transversale d’un capteur d’inertie fabriqué avec la technologie M3EMS est
illustrée sur la Figure 1.3 [14].
Figure 1.3. Vue en coupe de la technologie M3EMS de Sandia National Lab’s [11].
Une deuxième approche plus récente, est apparue par paradoxe à M3EMS, dans la quelle les
microstructures sont construites sur la surface du substrat en silicium et non pas dans une
tranchée (voir Figure 1.4) [15]. Un recuit à 1100°C assure presque l’élimination des
contraintes dans les couches de silicium polycristallin, qui est sensiblement important pour les
microstructures assez épaisses (5-10 µm) [15]. Après avoir déposé un chapeau
d’oxyde/nitrure en sandwich d’épaisseur 2µm sur le silicium polycristallin, les flancs de la
région MEMS sont passivés thermiquement par l’oxyde. Ensuite, un processus sélectif de
croissance épitaxiale de silicium est utilisé pour assurer la planarisation du wafer autour de
l'épaisseur de la structure MEMS. Puisque les structures MEMS sont encapsulées avec une
couche d'oxyde de silicium, la couche de silicium épitaxiale ne croie que dans les régions
autour. Après que la surface du wafer est planarisée avec un CMP, le circuit CMOS est formé
dans la région épitaxiale avec une zone d'exclusion de 12µm entre les MEMS et le circuit
actif. Après l'achèvement du processus IC, les structures MEMS sont libérées, la couche
épaisse de silicium polycristallin est émergée avec une gravure sèche anisotrope et les
microstructures MEMS sont enfin libérées par la gravure de l'oxyde sacrificielle. La
faisabilité de cette approche a été démontrée avec succès, à travers le processus appelé Mod
MEMS, en fabricant un accéléromètre et un gyroscope intégré [15].
11
Figure 1.4. Vue en coupe de la technologie Mod MEMS d’Analog Devices, Palo Alto Research Center
et l'UC Berkeley [15].
3.2. Micro-usinage en intra-CMOS
Le micro-usinage en intermédiaire (ou intra-CMOS) est utilisé pour intégrer des

microstructures en polysilicium avec la technologie CMOS/BiCMOS. Le recuit à haute
température de certains matériaux microstructurels, comme le polysilicium, doit être achevé
avant la métallisation afin d'éviter la fusion des métaux d'interconnexion. Ainsi, l'insertion des
étapes de micro-usinage des microstructures MEMS dans les étapes du processus CMOS
permet d’assurer la compatibilité avec les processus de dépôt et de recuit du polysilicium. La
température de recuit est généralement limitée à environ 900°C afin de ne pas affecter le
profil de dopage du procédé CMOS. Le traitement en Intra-CMOS est entièrement
personnalisé, par conséquence, il exige une ligne de production dédiée [11].
Un exemple qui illustre cette approche est la technologie iMEMS d’Analog Devices Inc [17].
La fabrication commence par l’application des premières étapes de la technologie BiCMOS ;
la création des puits n (ou p), des sources, des drains et des grilles en silicium polycristallin
des transistors MOS et des bases, collecteurs et émetteurs pour des transistors bipolaires.
Après la fabrication des transistors, ceux-ci sont couverts par une couche de nitrure déposée
par LPCVD et une deuxième couche de BPSG3 (BoroPhosphoSilicate Glass). La région où les
structures MEMS (capteur) seront intégrées, doit être nettoyée du diélectrique à travers
l’oxyde de grille jusqu’au silicium. Par la suite une autre couche de nitrure, qui servira de
couche d’arrêt de la gravure durant la libération du capteur, est déposée par LPCVD et gravée.
Ensuite, les couches d'oxyde sacrificiel et de polysilicium structurel, qui vont former la
microstructure MEMS, sont déposées et gravées. La couche de silicium polycristallin est
dopée, avec du phosphore, suivi d’un recuit afin de réduire les contraintes résiduelles dans la
structure pour éviter sa déformation (ou flambage). Après la formation de la zone MEMS du
circuit, les séquences du processus BiCMOS sont reprises par la formation des
interconnexions en métal. Par la suite, une couche de passivation composée d’oxyde et de
3
BoroPhosphoSilicate Glass. BPSG est un oxyde principalement utilisé comme diélectrique. Il est déposé dans un réacteur
de PECVD en utilisant un mélange de SiH4, de B2H6, et de PH3 avec N2O dans un environnement contrôlé en température et
en pression. BPSG est utilisé principalement à cause de sa basse température de fusion comparée à d'autres oxydes. Il peut
être déposé au-dessus du polysilicium et sa fusion est assez basse pour ne pas modifier de manière significative les profils
des dopants dans le dispositif de silicium fondamental. BPSG n'est pas un bon matériau de passivation parce qu'il est
hydroscopique en nature.
12
nitrure en sandwich est déposée par PECVD pour protéger la zone CMOS / BiCMOS du
capteur au cours de la dernière étape de gravure. Finalement, les microstructures MEMS sont
libérées sur la surface du wafer par une gravure humide de l'oxyde sacrificiel. Une vue en
coupe qui illustre une structure MEMS intégrée avec la technologie iMEMS est schématisée
sur la Figure 1.5.
Figure 1.5. Vue en coupe de la technologie iMEMS d’Analog Devices Inc [17].
Durant ce processus, le dépôt et le recuit des matériaux constituant la structure sont réalisés
avant la métallisation. En comparaison au micro-usinage en pré-CMOS, il n’est pas nécéssaire
de graver une tranchée dans un wafer ni d’utiliser le CMP. Toutefois, après que la couche
structurelle est modelée, le wafer n'est pas planarisé parce que la couche structurelle est
pratiquement au-dessus du reste du wafer de quelques microns. Par conséquent, une seule
couche d'interconnexion peut être faite, et la couche de diffusion permet la connexion
électrique du circuit CMOS avec la couche structurelle. En outre, la haute température de
recuit n’aura pas d'influence sur la métallisation des interconnexions. Néanmoins, d’éventuels
problèmes de compatibilité avec le dopage du Si, qui influent sur les performances des
transistors, doivent être considérés lors de la conception d’un circuit sur puce.
3.3. Micro-usinage en post-CMOS
L’approche du micro-usinage en post-CMOS permet de construire des structures micro-

usinées après l'achèvement de toutes les étapes CMOS, permettant ainsi de se baser sur des
wafers fabriqués par des fonderies CMOS industrielles. Après l'achèvement des séquences du
processus CMOS ordinaire, le micro-usinage en post-CMOS peut être fait à une fonderie
MEMS spécialisée [11]. Les processus, dont la température maximale est supérieure à 450°C,
sont exclus tel que les dépôts à haute température (dépôts de silicium polycristallin dans un
four LPCVD) et le recuit afin que la métallisation CMOS ne se fond pas. Les procédés
PECVD, pulvérisation, la galvanoplastie et la plupart des étapes de micro-usinage en volume
et en surface humide ou sec sont, cependant, bien adaptés. Une solution alternative de post-
CMOS propose de modifier la métallisation des interconnexion pour qu’elle soit basée sur,
par exemple, le tungstène pour satisfaire le besoin d’une haute température stable qui permet
le dépôt et le recuit du silicium polycristallin [18]. Au cours de l’étape du micro-usinage,
l’électronique CMOS pourrait nécessiter une protection spéciale.
Le processus de micro-usinage en post-CMOS peut être divisé en deux catégories selon la

façon dont les matériaux constituant la microstructure MEMS sont obtenus. La première est le
13
post-CMOS de dépôt, dans la quelle les matériaux de la microstructure sont déposés à la fin
du traitement standard CMOS. Cette méthode nécessite une ligne de production dédiée,
néanmoins, il permet de réduire le coût de fabrication parce que la partie MEMS est placée
directement sur la même puce contenant le circuit CMOS. La deuxième catégorie est le post-
CMOS de gravure, dans laquelle les microstructures sont formées directement par la gravure
du substrat CMOS ou bien des couches minces sacrificielles. Dans cette méthode, la
microstructure est déjà formée avec le processus CMOS régulier donc on n’aura besoin que
d’une étape de gravure pour sa libération. Par la suite, nous allons détailler les étapes de
fabrication par ces deux approches.
3.3.1. Déposition de couches en post-CMOS
La déposition avec LPCVD et le recuit, pour réduire les contraintes résiduelles des couches
minces de polysilicium, nécessitent un processus à des températures de ~600 et >900°C,
respectivement. Ces températures sont largement supérieures au point de fusion du métal
d'interconnexion CMOS ce qui rend le processus non compatible avec le procédé de
métallisation de l'aluminium (ou du cuivre) utilisé dans la plupart des processus CMOS. Pour
résoudre ce paradoxe, des modifications ont été apportées au procédé CMOS standard au
niveau de la métallisation et de la passivation [18]. Les contacts métal/silicium utilisent une
métallisation avec les métaux réfractaires4, le tungstène en particulier, pour interconnecter le
circuit au MEMS. Finalement, une couche de passivation composée d'un sandwich de
PhosphoSilicate Glass (PSG) et du nitrure de silicium, à basse contrainte, déposée par
LPCVD, a été choisie. La couche de passivation doit planariser la surface du wafer et protéger
le circuit non seulement de l'environnement, mais aussi de l'acide fluorhydrique HF utilisé
pour libérer les microstructures [18]. Cependant, les métaux réfractaires à haute température
ont une faible industrialisation et ne sont pas assez répandu en tant qu’interconnexion dans les
processus CMOS commerciaux. En plus, un léger changement dans les caractéristiques du
transistor a pu être observé, ce qui indique une redistribution du dopage au cours de cette
étape de post-traitement à haute température.
Pour éviter la redistribution du dopage et la nécessité d’avoir une haute température pour la
métallisation des interconnexions, la température du post-traitement doit être réduite au-
dessous de 500°C [19]. Pour ce faire, des couches minces de silicium-germanium
polycristallin (poly-SiGe) ont été étudiées [20][21] comme une alternative aux couches de
polysilicium. Les microstructures minces en SiGe polycristallin sont déposées à faible
température, pour éviter l'utilisation des interconnexions en métaux réfractaires, rendant le
processus compatible avec le standard CMOS de métallisation de l’aluminium [22]. Le recuit
à haute température n'est pas nécessaire puisque la couche structurelle de poly-SiGe possède
moins de contrainte que le poly-Si. Dans ce processus, le poly-Ge est utilisé comme couche
sacrificielle au lieu de l'oxyde. Il est prévu que les propriétés des couches poly-SiGe peuvent
être améliorées pour des applications MEMS en poursuivant l'optimisation des paramètres de
dépôt et de recuit [20]. Le poly-SiGe est un matériau prometteur pour l’intégration des MEMS
en post-CMOS.
4
Les métaux réfractaires (Refractory metals) sont une classe de matériaux extrêmement résistants à la chaleur et à l'usure
mais par contre ils sont peu résistant à l'oxydation et la corrosion. Certaines définitions comprennent cinq métaux qui sont le
niobium (Nb, Z=41), le molybdène (Mo, Z=42), le tantale (Ta, Z=73), le tungstène (W, Z=74), et le rhénium (Re, Z=75). Le
point de fusion élevé de ses matériaux les rend utiles dans de nombreuses applications qui nécessitent une température très
élevée. Le Tungstène est à la fois le plus abondant des métaux réfractaires et possédant une température de fusion la plus
haute de tous les métaux, à 3410°C.
14
3.3.2. Gravure des couches CMOS en post-CMOS
Dans l’approche du post-CMOS de gravure, les microstructures sont formées directement à

partir d’une gravure du substrat en silicium, ou bien des couches diélectriques ou métalliques
utilisées normalement pour les interconnexions. Les techniques de gravure sont classées en
micro-usinage en volume [23] et micro-usinage en surface [24] (voir Figure 1.6). Dans le cas
du micro-usinage en volume, la microstructure est formée par un usinage relativement
profond d’un volume dans le substrat. Tandis que dans le cas du micro-usinage en surface, la
microstructure comprend des couches minces qui sont déposées au-dessus du substrat et
enlevées sélectivement lors d’une séquence définie pour libérer les structures MEMS.
(a) (b)
Figure 1.6. Techniques de micro-usinage (a) micro-usinage en volume, gravure anisotropique et
isotropique (b) micro-usinage en surface avec les couches sacrificielles, les couches structurelles et
une étape de gravure postérieure.
a) Micro-usinage en volume
La technique du micro-usinage en volume a été élaborée en 1960. Elle permet une
suppression sélective d’une quantité importante de silicium dans le substrat pour former des
poutres, des ponts ou des membranes qui sont les briques élémentaires des capteurs et des
actionneurs. Le terme micro-usinage en volume vient du fait que la gravure s'opère
directement de cavités dans le volume du substrat en silicium. Il consiste à graver le substrat à
travers des ouvertures judicieusement définies lors de la réalisation du dessin des masques par
le concepteur. L'agent gravant, possédant une bonne sélectivité vis a vis des oxydes, n’attaque
que le silicium par les ouvertures qui ont été faites durant le processus CMOS et libère les
structures. Les microstructures libérées sont réalisées par un sandwich des couches CMOS au-
dessus d’une cavité ayant des épaisseurs allant de quelques microns jusqu'à la totalité de
l’épaisseur du wafer (200 à 550µm).
Afin de libérer une microstructure suspendue, sur la face avant, le substrat en silicium doit
être exposé à la solution de gravure dans certaines régions. Ceci peut être réalisé dans un
procédé CMOS en superposant une surface active (sans l’oxyde de champ), un contact (sans
la séparation entre l'oxyde, le poly et le métal), une via (sans l’oxyde entre les deux couches
de métal) et un plot d'ouverture (sans passivation), supprimant ainsi localement toutes les
couches diélectriques du procédé et exposant le substrat de silicium à nu [25]. Après le
procédé CMOS, les puces ou les wafers sont plongés dans une solution de gravure tel que le
TMAH ou le KOH qui permet de graver le substrat en silicium à partir de ces zones nues (voir
Figure 1.7). Seul le silicium est attaqué, les autres couches (métal, oxyde) sont inertes ou
possèdent une vitesse de gravure insignifiante. La technique de micro-usinage en volume peut
15
être divisée en une gravure, isotrope ou anisotrope, sèche ou humide. Les solutions de
gravures liquides, s'appuyant exclusivement sur des produits chimiques aqueux, se réfèrent à
une gravure humide, tandis que les gravures à vapeur et plasma se réfèrent à une gravure
sèche. La gravure en volume sèche la plus répandue de silicium est la gravure plasma ainsi
que la gravure ionique réactive (Reactive Ion Etching -RIE).
Figure 1.7. Schéma d’une poutre réalisée par une gravure anisotrope du silicium par la face avant. La
rainure résultante est limitée par les plans (111) des quatre cotés et le plan (100) sur le plafond.
Le micro-usinage en volume peut se faire par la face avant, par la face arrière ou par les deux
faces du wafer en même temps. Le micro-usinage en volume par la face avant est un moyen
simple et peu onéreux pour fabriquer différentes sortes de capteurs. Cependant les faibles
inerties mécaniques des structures réduisent le champ d’applications qu’on peut concevoir
avec une telle technique. Seul le micro-usinage par la face arrière peut combler ce vide. Le
micro-usinage en volume par la face arrière consiste à graver le substrat à partir de la face
arrière des puces (face opposée à la face contenant l'électronique) [26]. Une vue en coupe
d’un dispositif, après le post-CMOS de micro-usinage en volume par la face arrière est
montrée sur la Figure 1.8. L'épaisseur de la membrane de silicium formée est déterminée par
le temps de gravure. Si ce temps est important, la couche de silicium restante peut disparaître
donnant ainsi naissance à une membrane formée exclusivement par les couches issues du
processus CMOS (Figure 1.8). Cette technique permet de libérer des membranes pleines
(attaque face arrière uniquement) ou des masses inertielles en silicium (attaque par les deux
faces simultanément). Le principe consiste à déposer sur la face arrière d'un wafer, un masque
en oxyde ou en nitrure de silicium à basse température que l’on ouvre dans certains endroits
pour faire apparaître le silicium. Les ouvertures de la face arrière doivent correspondre aux
motifs ou aux ouvertures de la face avant, donc une lithographie double face est obligatoire
pour aligner les deux motifs. L'étape de masquage de la face arrière est devenue un module
standard de post-CMOS, toutefois, elle est un peu coûteuse dans la mesure où elle nécessite la
réalisation d'un masque dédié et oblige d’opérer au niveau du wafer. De plus, afin de protéger
la face avant du circuit, l'utilisation d'un cache réalisé en acier inoxydable ou en téflon,
suivant la solution chimique utilisée, est généralement nécessaire. Pour ces raisons, qui
rendent son utilisation plus chère qu'un procédé de gravure par la face avant, cette technique
est utilisée pour des applications où le micro-usinage par la face avant n'est pas possible. Il est
possible de conjuguer les deux procédés de micro-usinage en volume présentés précédemment
16
en attaquant le substrat de silicium par la face avant et la face arrière du circuit en même
temps [26].
Figure 1.8. Post-CMOS : micro-usinage en volume par la face arrière du substrat.
La gravure isotropique permet de réaliser des cavités de surfaces arrondies (Figure 1.9), car la
vitesse de gravure est la même dans toutes les directions cristallographiques. Cette technique
n'est pas utilisée fréquemment vu la difficulté du contrôle des conditions de gravure. La
solution de gravure isotropique humide la plus usuelle est un mélange d'acide fluorhydrique
(HF), l'acide nitrique (HNO3) et l'acide acétique (CH3COOH). Dans ce mélange de gravure,
l'acide nitrique oxyde la surface du silicium alors que l'acide fluorhydrique grave la couche de
dioxyde de silicium qui s’est produite par croissance. L'acide acétique contrôle la dissociation
du HNO3, qui assure l'oxydation du silicium.
La gravure isotopique sèche du silicium peut être faite en utilisant le difluorure de xénon,
XeF2. Cette méthode qui comprend une phase de gravure avec le vapeur représente
d'excellentes sélectivitées à l'égard de l'aluminium, le dioxyde de silicium, le nitrure de
silicium et le photorésist, qui peuvent être tous utilisés comme des masques de gravure.
Toutefois, les surfaces de silicium gravées sont assez rudes. La molécule d’XeF2 est adsorbée
par le wafer à graver et, au contact avec le silicium, il se décompose en xénon et fluor ; ce
dernier attaque le silicium en produisant du tétrafluorure de silicium suivant la réaction
suivante :
2 XeF2 + Si → 2 Xe + SiF4
La gravure ionique réactive (RIE) peut être aussi utilisée pour la gravure sèche isotrope (voir
gravure sèche anisotrope par la suite).
Figure 1.9. Les différentes formes de gravure dans le substrat produites par les techniques de
gravures.
17
La gravure anisotrope humide du silicium est la technique de micro-usinage la plus utilisée

servant pour la libération de structures. Les solvants de gravure humide anisotrope gravent le
substrat en silicium avec des vitesses de gravures différentes suivant la direction cristalline.
Les rainures résultantes de la gravure sont reliées aux plans cristallins; tout au long d’eux le
procédé de gravure possède la vitesse la plus lente, à savoir le plan (111) pour le silicium.
Dans le cas d’un wafer d’orientation (100), le plus fréquemment utilisé, les plans (111) font
un angle de 54,7° avec la surface horizontale du substrat, produisant une gravure pyramidale
dans le volume du substrat (Figure 1.9). Les masques de matériaux utilisés pour obturer
(arrêter) la gravure anisotrope du silicium sont le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium.
La solution de gravure anisotrope humide la plus usuelle est l’hydroxyde de potassium, KOH.
La solution de KOH est très stable, elle donne un rendement dans les résultats de gravure qui
est reproductible et elle est relativement peu coûteuse. L’inconvénient du KOH, est qu’il
possède un taux de gravure relativement élevé pour le SiO2 et l’aluminium, donc des
précautions doivent être prises pour protéger les contacts en aluminium du procédé CMOS
d’être contre une gravure au cours de l'étape. La vitesse de gravure suivant les différentes
directions cristallines dépend fortement de la composition chimique exacte de la solution de
gravure et de la température du processus [27][28]. D’autres solutions alternatives pour la
gravure du silicium sont aussi déployées comme les solutions de Tetra-Methyl Ammonium
Hydroxide TMAH (de formule chimique (CH3)4NOH), l’Ethylène-Diamine Pyrocatéchol
(EDP), solution aqueuse d’hydrazine et l’hydroxyde d'ammonium composés (NH4OH). Les
solutions EDP et TMAH ont relativement de faible taux de gravure pour l'aluminium,
permettant de ne pas utiliser un masque pour la libération des microstructures si l'étape de
gravure n’est pas trop longue. Toutefois, les solutions EDP, qui vieillissent rapidement, sont
potentiellement cancérigènes et sont très difficiles à éliminer. La solution TMAH présente des
caractéristiques similaires à la gravure EDP, mais elle est plus facile à manipuler. Le masque
de gravure, avec le TMAH, consiste aux couches de diélectriques du processus CMOS qui
seront gravées par-dessous à partir de leurs coins convexes, permettant la libération des
microstructures diélectrique, tels que les poutres et les ponts. Le Tableau 1.2 résume les
solvants utilisés pour les différentes techniques de gravure pour micro-usiner le substrat en
silicium.
Tableau 1.2. Exemple de techniques de gravure pour micro-usiner le substrat en silicium.

Type Gravure humide Gravure sèche
Isotropique système HNA : HF+HNO3+CH3COOH gravure par vapeur : XeF2
5
- solutions hydroxyde de métal
alcalin6 : KOH, NaOH, etc… gravure plasma :
- solution d’hydroxyde d’ammonium : - gravure ionique réactive
Anisotropique
(CH3)4NOH (TMAH), NH4OH (RIE)
- solution EDP - RIE profonde
- autre solution, tel que l’hydrazine
La gravure anisotrope sèche de silicium est généralement effectuée par une gravure ionique
réactive (RIE – Reactive Ion Etching) dans un système de gravure de plasma assistée. En
contrôlant les paramètres de processus de gravure, tels que les processus de gaz et de pression,
5
L'hydroxyde est le nom de l'anion diatomique OH-, composé d’une liaison de covalence entre les atomes d'oxygène et
d'hydrogène.
6
Un métal alcalin est un élément chimique de la première colonne (groupe 1, excepté l'hydrogène) du tableau périodique des
éléments, tel que le lithium (Li), le sodium (Na), le potassium (K), le rubidium (Rb), le césium (Cs) et le francium (Fr).
18
la réaction peut être rendue soit isotrope ou anisotrope. La gravure sèche anisotrope provient
principalement de la direction du bombardement d'ions, elle est donc indépendante de
l'orientation du cristal du matériau constituant le substrat. La méthode la plus utilisée pour la
gravure en volume du silicium à l'aide du fluor avec les radicaux libres SF6 comme un
processus gazeux typique. Des microstructures avec un aspect ratio très élevé peuvent être
atteints avec une gravure ionique réactive profonde (D)/RIE, une méthode qui a gagnée
beaucoup d’importance au cours des dernières années. En raison du bombardement d'ion, le
dépôt d’un polymère sur les surfaces horizontales peut presque être évité, tandis que les flancs
de gravure (sidewalls) sont passivés avec un polymère de type téflon.
Afin de permettre de l'électronique active au-dessous de la microstructure, le micro-usinage en

volume du wafer CMOS a été combiné avec une technique électrochimique d'arrêt de gravure
(etch-stop) se basant sur les puits-n du procédé CMOS (voir Figure 1.10). Par exemple, le
capteur CMOS à base de convertisseurs thermiques [29]. Cette technique exploite le fait que
la vitesse d'attaque de la solution chimique employée est modifiée en fonction de la
polarisation électrique du matériau à usiner. De ce fait, le micro-usinage en volume classique
peut être complété par une gravure électrochimique. Le principe est de polariser une zone
dopée n (par rapport à une électrode plongée dans la solution) pour empêcher son attaque
[30][30]. Cette couche d'arrêt permet de suspendre des petits blocs de quelques microns
d’épaisseur en silicium sans avoir recours à une technique de micro-usinage face arrière. Les
principaux avantages résident dans la formation d’une petite masse inertielle et de suspendre
l’électronique, soit pour l’isoler thermiquement ou électriquement du reste de la puce.
Figure 1.10. Gravure électrochimique par la face arrière.
Cette technique est aussi utilisée pour former une couche d'arrêt lors des gravures face arrière.
On obtient ainsi une membrane plus épaisse et donc plus rigide (Figure 1.10). La gravure
électrochimique est intéressante, mais difficile à mettre en oeuvre car elle nécessite des
moyens de gravure adaptés. La couche libérée en silicium ne peut être que de type n, ce qui
limite les possibilités de l’électronique suspendue. D’autres techniques d’arrêt de la gravure
sont couramment utilisées récemment pour contrôler l’arrêt de la gravure comme les zones de
silicium fortement dopées p++ et les jonctions p-n [32].
Une autre approche de micro-usinage en volume par la face avant utilisant une gravure sèche
a été développée dans [33]. Cette méthode utilise le métal d'interconnexion de la couche
supérieure comme masque de gravure pour définir la microstructure. De cette façon, les tailles
minimales des microstructures MEMS, tel qu’une poutre ou une ouverture, sont définies par
les règles de conception CMOS (Design Rules) et peuvent être adoptées directement par la
technologie CMOS. Les microstructures finales sont laminées (feuilletées), se composant de
19
couches de polysilicium et de métal intercalées dans le diélectrique CMOS, et libérées en

utilisant deux étapes de gravure sèche (voir Figure 1.11a)
Figure 1.11. Vue en coupe des séquences de process en post-CMOS nécessaire pour la réalisation
(a) d’un diélectrique [39] et (b) des microstructures en silicium cristalline [38].
La première étape utilise une gravure chimique anisotrope CHF3-O2, les zones d’oxyde qui ne
sont pas protégées par un masque métallique par-dessous sont gravées jusqu’au bout du
substrat en silicium. Dans la deuxième étape de gravure chimique isotrope utilisant le SF6-O2,
l'oxyde qui forme la poutre est gravé par dessus, libérant ainsi la microstructure. La gravure
isotrope a une vitesse de gravure verticale qui est le double de la vitesse, c’est possible donc
de graver une microstructure de 16μm de largeur en arrivant à une profondeur typique de 25
μm. Cette technologie a été utilisée pour fabriquer un accéléromètre [34], un gyroscope [35],
et des dispositifs acoustiques [36][36].
Dépendant du procédé CMOS, la couche diélectrique réalisée peut être soumise à

d'importantes contraintes résiduelles et des gradients de la contrainte, causant les
20
déformations des microstructures. Pour être capable de libérer les microstructures en silicium
monocristallin, le processus précédant a été combiné avec une gravure anisotropique DRIE
par la face arrière du wafer [38] (Figure 1.11b). Le nouveau processus commence avec une
gravure anisotropique profonde par la face arrière, ne laissant qu’une membrane en silicium
d’épaisseur de 10 à 100µm. L'épaisseur de la membrane obtenue fixera l'épaisseur de la
microstructure finale. Ensuite, une étape de gravure sèche anisotropique est effectuée par la
face avant du wafer, éliminant les zones de dioxyde de silicium qui ne sont pas protégées par
la couche métallique. Par la suite, contrairement à l'ancienne technologie [39], une étape de
gravure anisotropique (à la place d’isotropique) du silicium est utilisée pour libérer les
microstructures, qui sont maintenant composées d'une épaisse couche de silicium, en plus de
la couche diélectrique sandwichée. Avec une gravure latérale, le silicium sous les poutres peut
être supprimé pour réaliser, par exemple, une isolation électrique de certaines zones de
silicium. Le processus a été utilisé pour la fabrication d'un accéléromètre suivant l’axe z [38]
et d'un gyroscope [40].
Avec les microstructures micro-usinées en volume du silicium, la technique de collage du

wafer (wafer-bonding) est parfois nécessaire pour assembler plusieurs dispositifs MEMS
ensemble. Le micro-usinage en surface, cependant, peut être utilisé aussi pour construire des
dispositifs MEMS monolithiques.
b) Micro-usinage en surface
Le micro-usinage en surface est basé sur l’emploi des couches sacrificielles qui vont être
gravées entièrement à la fin du processus par une étape de gravure sélective et isotropique
[24]. Le terme micro-usinage en surface vient par opposition à l’expression micro-usinage en
volume car ici la gravure n’attaque pas le silicium du substrat (bulk) [26]. Pendant le
processus standard de fabrication des CI, les couches déposées vont être une succession de
couches minces sacrificielles et structurelles. Au cours du processus, les couches d’oxyde
sacrificielles sont gravées de manière à définir les zones d’ancrage des structures structurelles
sur le substrat ou sur le niveau supérieur. Le micro-usinage en surface ne crée pas des
ouvertures dans le substrat en silicium mais plutôt construit des structures à la surface du
silicium en supprimant éventuellement les couches sacrificielles pour la libération des
structures. La couche sacrificielle possède une épaisseur relativement faible qui varie de
quelques dixièmes de microns à une dizaine de microns. Les dimensions de ces
microstructures fabriquées par le micro-usinage en surface peuvent être de plusieurs ordres de
grandeur plus petits que les structures formées par le micro-usinage en volume. On trouve peu
de travaux liant cette technique de gravure au procédé CMOS ou AsGa, car les épaisseurs des
couches déposées en microélectronique sont trop faibles pour être utilisées.
La libération des microstructures en silicium polycristallin par la suppression de couches

minces de dioxyde de silicium sacrificiel est la technique de micro-usinage en surface la plus
populaire [24]. La Figure 1.12 montre un schéma en coupe d’une technologie de micro
usinage en surface avant (a) et après (b) gravure des couches d’oxydes sacrificielles. On peut
remarquer l’existence d’une couche de nitrure déposée sur tout le substrat, de trois couches
structurelles de polysilicium ainsi que les couches d’oxydes sacrificielles et les zones
d’ancrage. La solution de gravure des matériaux sacrificiels doit avoir une excellente
sélectivité et elle doit être en mesure de ne graver que le matériau sacrificiel sans altérer le
matériau structurel. La gravure des oxydes sacrificiels est généralement opérée par l’acide
fluorhydrique à 49%, suivi par une étape de séchage au CO2 supercritique pour éviter les
21
problèmes de collage. Le principal avantage des microstructures créées par micro-usinage en

surface est leurs intégrations facile avec les composants crées par CI.
Figure 1.12. Schéma en coupe d’une technologie de micro-usinage en surface avant (a) et après (b) la
gravure des oxydes sacrificiels.
Le micro-usinage en surface a besoin d'un ensemble de matériaux structurels, matériaux

sacrificiels et de solutions chimiques de gravure compatible CI. Les matériaux compatible CI
utilisés dans le micro-usinage en surface sont [41]: (1) polysilicium / dioxyde de silicium ;
déposé le polysilicium comme matériau structurel (par LPCVD) et le dioxyde comme
matériau sacrificiel (également par LPCVD). L'oxyde se dissous facilement dans une solution
HF sans que le polysilicium soit affecté. Avec ce système de matériau, le nitrure de silicium
est souvent utilisé pour l'isolation électrique. (2) polyimide / aluminium, dans ce cas le
polyimide est le matériau structurel et l'aluminium est le matériau sacrificiel. Les solutions de
gravure à base d’acide sont utilisées pour dissoudre la couche sacrificielle d’aluminium. (3)
nitrure de silicium / silicium polycristallin ; le nitrure de silicium comme matériau structurel,
tandis que le silicium polycristallin est le matériau sacrificiel. Pour ce couple, les solutions de
gravure anisotropique du silicium tel que le KOH et l’EDP sont utilisés pour dissoudre le
polysilicium. (4) tungstène / dioxyde de silicium ; le tungstène est utilisé comme matériau
structurel (déposé par CVD) et l'oxyde comme matériau sacrificiel. Une solution d’acide
fluorhydrique HF est utilisée pour éliminer l'oxyde sacrificiel. Le micro-usinage en surface
pourrait également être effectué à l'aide des méthodes de gravure sèche. Comme exemple, la
gravure plasma du substrat de silicium avec un mélange de gaz composé de l'Hexafluorure de
Soufre (SF6) basé sur l’O2 et le tétrafluorure de carbone (CF4) basé sur le H2 est avantageuse.
En effet, elle possède une sélectivité élevée pour le photorésist et les masques pour le dioxyde
de silicium et l'aluminium peuvent être réalisés. Comme les exemples de technologies
industrielles de micro-usinage en surface peuvent être cités le procédé MUMPS de
MEMSCAP (Multi User MEMS Process Service), Sommet V de Sandia National Labs,
iMEMS de Analog Devices.
4) Conclusion
Dans ce premier chapitre nous avons fait le tour d’horizon des différents procédés de
fabrication des microsystèmes compatibles microélectronique connues en focalisant
principalement sur les technologies intégrées permettant d'obtenir des microstructures
monolithiques. Cette étude a pour but de connaître les différentes structures qu’on peut
réaliser avec cette technologie en se basant sur des techniques de gravure chimique. On est
intéressé aux technologies MEMS compatibles avec les procédés CMOS standard pour
donner des solutions performantes et moins coûteuses.
22
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25
Chapitre 2
Etat de l’Art des Structures de Microphones MEMS
1) Introduction___________________________________________________________ 26
2) Principales caractéristiques des transducteurs électromécaniques ________________ 27
2.1. Introduction aux transducteurs électromécaniques _______________________________27
2.2. Mesure des performances du microphone ______________________________________27
3) Différents principes des microphones microusinés_____________________________ 30
3.1. Microphones piézoélectriques _______________________________________________31
3.1.1. Présentation et modélisation de l'effet piézoélectrique _________________________________31
3.1.2. Principes des microphones piézoélectriques_________________________________________34
3.2. Microphones piézorésistifs__________________________________________________37
3.3. Microphones électrostatiques _______________________________________________38
3.3.1. Linéarisation de la force électrostatique____________________________________________40
3.3.2. Microphones à condensateur ____________________________________________________42
3.3.3. Microphones à électret _________________________________________________________43
3.3.4. Principaux travaux antérieurs sur les microphones capacitifs ___________________________44
3.4. Microphones optiques _____________________________________________________49
4) Conclusion____________________________________________________________ 49
1) Introduction
De nombreuses méthodes ont été utilisées dans les microphones pour la détection des
fluctuations de la pression. Les principes disponibles sont basés principalement sur la
détection de la vibration d'une membrane en utilisant des techniques piézoélectriques,
piézorésistif, capacitives et optiques. Ces principes étaient déjà connus au 20e siècle, mais
l'introduction des méthodes de fabrication photo-lithographique au cours des deux dernières
décennies a donné un élan vigoureux pour une course à la miniaturisation et à la performance.
Ces nouvelles technologies de fabrication des CI permettent de concevoir des capteurs à faible
tolérance et d'augmenter la sensibilité grâce à un haut degré de miniaturisation tout en
réduisant le coût unitaire. Ces méthodes de fabrication sont également compatibles avec
d'autres techniques CI afin que les circuits électroniques comme le préamplificateur puissent
26
être intégrés à proximité du capteur, ce qui est un facteur important pour améliorer le
rendement des capteurs de pression.
Ce chapitre est introduit par une description du principe de la transduction électromécanique

ainsi que des critères de performances des microphones. Par la suite, les différents principes
d’opérations, précédemment mentionnés, utilisés dans les microphones microusinés sont
présentés et détaillés. Parmi ces différents mécanismes de transduction, les microphones
capacitif et piézoélectrique ont engendré le plus de succès grâce à leur sensibilité acceptable.
Une attention particulière sera donc portée à ces deux types de microphones en évoquant un
résumé des travaux antérieurs sur les microphones capacitifs.
2) Principales caractéristiques des transducteurs électromécaniques

2.1. Introduction aux transducteurs électromécaniques
Un transducteur électromécanique est un dispositif qui convertit une entrée mécanique en une
grandeur électrique, ou vice versa. La grande majorité des transducteurs électroacoustiques
fait intervenir une cascade comprenant un transducteur électromécanique et un couplage
mécano-acoustique. Les propriétés des transducteurs électromécaniques comprennent linéaire
contre non linéaire, réciproque contre non-réciproque, conservatrice contre non-conservatrice
et direct contre indirect. Un transducteur électromécanique est linéaire si ses mesures à la
sortie sont des fonctions linéaires des mesures à l’entrée. Des erreurs introduites par des
distorsions harmoniques non linéaires mineures sont généralement permis dans les
transducteurs linéaires électromécaniques [1][2]. La propriété réciproque est utilisée pour
décrire la capacité d'un transducteur électromécanique pour convertir les signaux dans les
deux sens entre deux domaines d'énergie différents. Les coefficients de transduction sont tous
réversibles dans les transducteurs électromécaniques réciproques [1]. Un transducteur
électromécanique est conservateur quand il n'y a pas de dissipation d'énergie au cours de la
transduction, sinon elle est non-conservative. Un transducteur électromécanique est indirect
s’il existe un domaine d'énergie de transition entre l'entrée et les quantités de sortie, sinon,
c'est un capteur direct. En général, les transducteurs peuvent être classés en deux grandes
catégories : les capteurs et les actionneurs. Par définition, les microphones appartiennent à la
catégorie des capteurs.
2.2. Mesure des performances du microphone
Un microphone est un transducteur électroacoustique qui convertit la pression produite par les
signaux sonores acoustiques en un signal électrique. Les microphones peuvent être classés en
deux grandes familles selon leurs techniques de fabrication; les microphones conventionnels
et les microphones micro-usinés en silicium. Les microphones conventionnels sont
généralement fabriqués à partir de pièces métalliques séparées et des feuilles de métal ou des
polymères avec la plupart de la procédure d'assemblage faite à la main [3]. D'autre part, les
microphones en silicium sont fabriqués à partir des techniques modernes de micro-usinage du
silicium. En comparaison avec les microphones conventionnels, les microphones en silicium
sont plus faciles à intégrer avec l'interface électronique, et offrent des performances
compétitives en réduisant les éléments parasitaires dans le système de détection. En plus, la
fabrication en lot des microphones sur silicium entraîne une baisse des coûts puisque des
centaines ou des milliers d'exemplaires sont fabriqués simultanément sur un seul wafer de
silicium [4].
27
Les principaux paramètres de performance d’un microphone sont la sensibilité, la bande

passante, la gamme dynamique et le bruit de fond. La sensibilité à circuit ouvert, d'un
microphone est généralement définie par rapport à une certaine fréquence de référence (par
exemple, 1 kHz, comme le montre la Figure 2.1). Il est défini comme le rapport entre la
variation de tension de sortie (avant le préamplificateur) par la variation d'amplitude de la
pression acoustique incidente sur la membrane [3].
sensibilité en 1 kHz
-3db -3db
largeur de bande
fc basse fc haute
fréquence (Hz)
90
-90
-180
fréquence (Hz)
Figure 2.1. Tracé typique de la réponse en fréquence.
La bande passante d'un microphone est définie comme étant la gamme de fréquences où le
microphone conserve idéalement une sensibilité constante [3]. Dans la pratique, comme le
montre la Figure 2.1, la bande passante à -3dB est généralement la gamme de fréquence entre
la fréquence de coupure basse à -3dB et la fréquence de coupure haute à -3dB du gain
maximal.
Le niveau de bruit de fond d'un microphone est l'une des caractéristiques les plus importantes,
puisque il détermine le niveau de pression acoustique le plus bas mesurable et affecte le
rapport signal sur bruit (SNR) d'un microphone. Pour les microphones, les sources de bruit
habituels pourraient être le bruit ambiant (comme la ligne électrique, les interférences de
fréquence radio et les vibrations de l'environnement), le bruit dans le microphone (comme le
bruit thermomécanique, le bruit Johnson, bruit de grenaille, (bruit de Schottky- shot noise) et
le bruit en 1/f [5]) en plus du bruit dans l'électronique d'interface. La Figure 2.2 montre
l’allure typique de la densité spectrale en puissance du bruit (Power Spectral Density ou PSD)
d'un microphone. La fréquence de coupure est l’emplacement où la puissance du bruit 1/f est
égale à la puissance du bruit thermique. Le bruit en 1/f est dominant dans les basses
fréquences, tandis que le bruit thermique et/ou de grenaille devient important vers les
fréquences élevées.
Dans la pratique, le bruit de fond est généralement spécifié par une méthode linéaire, une
approche pondérée-A (A-weighted) ou une méthode à bande étroite (narrow-band method)
[6]. Dans la méthode linéaire, le bruit est intégré à travers une plage de fréquence spécifiée
(par exemple, 20 Hz à 20 kHz pour les microphones audio) sans aucune pondération. Le bruit
de fond pondéré-A (A-weighted noise floor) est obtenu en intégrant l'amplitude du spectre du
bruit après pondération, ce qui simule le bruit perçu par l'oreille humaine [6]. Le bruit de fond
28
à bande étroite est obtenu en calculant le bruit total dans une fourchette très étroite de
fréquence, par exemple, un rectangle de largeur 1Hz centré à 1kHz. Pour les microphones de
mesure, la méthode à bande étroite est généralement adaptée puisque les signaux en
provenance du microphone sont souvent échantillonnés et analysés dans le domaine
fréquentiel.
Figure 2.2. L’allure de la densité spectrale en puissance typique du bruit d’un microphone.
L'écart entre le plus haut et le plus bas niveau de pression sonore mesurable d'un microphone
est défini comme la gamme dynamique [3]. Le plus faible niveau de pression mesurable est
généralement déterminé par son bruit de fond. La limite supérieure de la gamme dynamique
est déterminée par un certain niveau de pression acoustique, qui se traduit par 3% de
distorsion harmonique totale (THD) dans les limites de la gamme de fréquences de 160 Hz à
1000 Hz pour les microphones de mesure [7]. Le THD est défini comme suit
PH
THD   100%, Éq. (2.1)
PTotal
où PH est la somme de l’énergie des toutes les harmoniques, et Ptotal est la somme de l’énergie
du fondamental plus les autres harmoniques [7]. La Figure 2.3 fournit une illustration de la
distorsion harmonique d'une onde sinusoïdale dans les deux domaines temporel et fréquentiel.
Comme les harmoniques supplémentaires sont ajoutées au signal sinusoïdal original à une
fréquence unique dans le domaine fréquentiel, plus la distorsion est observée dans le graphe
du domaine temporel. Pour les microphones capacitifs, les sources possibles de distorsion
harmonique sont le comportement élastique non-linéaire de la membrane, la non-linéarité
électrostatique et le distorsion du préamplificateur "clipping" [3][6].
Figure 2.3. Variations de l’amplitude et les spectres de puissance d'une onde (a) sinusoïdale pure et
(b) déformée (c) très déformée.
29
3) Différents principes des microphones microusinés

Les microphones sont un type particulier de capteur de pression conçu pour capter les
signaux acoustiques en les transformant en signaux électriques. Le microphone est largement
utilisé dans une variété d’applications dans différents domaines telles que les mesures de
champ acoustique [9], les prothèses (aides) auditives [10], les réseaux acoustiques de
localisation de bruit [11], les télécommunications [3] et les applications aéroacoustiques.
Aussi, l'utilisation des microphones dans des applications à ultrasons et sous-marines a été
également rapportée dans la littérature [12][13]. Pour répondre aux besoins d'une application
spécifique, le concepteur peut choisir entre certains nombres de principes de transduction
différents et d'opérations acoustiques. Par conséquent, il existe de nombreux types de
microphones, tels que électromagnétique, électrodynamique, piézoélectrique, piézorésistif,
électrostatique et optique [8].
La plupart des microphones disponibles sur le marché actuellement sont fabriqués en

différentes parties et par suite assemblés à la main dans les grandes chaînes de production. Par
conséquent, ces microphones peuvent souffrir d’un manque de reproductibilité, d’une taille
assez grande et d’une dégradation des performances dues à l’assemblage. Durant la dernière
décennie, des microphones ainsi que d'autres capteurs, ont été miniaturisés par le micro-
usinage du silicium. La miniaturisation est nécessaire pour le rendre compétitif avec les
dispositifs conventionnels existants. En utilisant la technologie des Microsystèmes (MEMS),
il est possible de miniaturiser le microphone et de réduire les capacités parasites dues aux
interconnexions. Les principaux avantages de l'introduction de la technologie MEMS
comprennent: (i) un degré de contrôle très élevé des dimensions, (ii) la miniaturisation des
dispositifs et des éléments mécaniques, (iii) la possibilité de fabrication par lots et par
conséquent la réduction subséquente des coûts d'économie d'échelle, et (iv) l'intégration des
transducteurs acoustiques avec des circuits intégrés, par exemple CMOS pour faire un
Système sur puce (SoC). Tous ces facteurs contribuent à améliorer le rapport
coût/performance des produits pour ces dispositifs acoustiques.
Un large éventail de principes de transduction sont employés dans des microphones

électromécaniques microusinés, y compris piézoélectrique, piézorésistif, optique et
électrostatique. Parmi ces divers modèles, les microphones piézorésistifs ont l'avantage
d’utiliser de simples procédés de fabrication et de s'intégrer facilement dans les dispositifs à
semi-conducteurs [14]. Il utilise des matériaux et des procédés pour rendre les jauges
intégrables sur des poutres ou des membranes. Les microphones piézoélectriques peuvent
avoir le même design que les piézorésistifs, mais les matériaux utilisés pour ces dispositifs
génèrent des différences de charge électrique à la surface au lieu d’une variation résistive. Un
autre effet, largement utilisé dans les microphones, c’est la transduction électrostatique. Les
microphones utilisant cet effet, appelé électrostatique ou capacitif, sont sensibles aux
variations dans un champ électrostatique créé entre deux électrodes. Le champ électrique,
nécessaire pour le fonctionnement du microphone peut être soit fourni par une source externe
ou par un dépôt de couche d'un matériau qui peut garder en quasi-permanence une charge
électrique entre les deux électrodes. Ce matériau, appelé électret, assure un potentiel qui
permet l'utilisation de ces microphones dans les applications portables [16]. La détection
optique est une autre alternative pour détecter la pression acoustique. L'idée d'un microphone
optique est basée sur la modulation de la lumière plutôt que de la conversion d'une forme
d'énergie en énergie lumineuse [17]. Ces différents types de microphones et leurs propriétés
sont discutés en détail dans la suite.
30
3.1. Microphones piézoélectriques

3.1.1. Présentation et modélisation de l'effet piézoélectrique
La piézoélectricité est une propriété montrée par certains matériaux de développer une charge
électrique en réponse à une contrainte mécanique appliquée. Historiquement, cela a été
désigné comme l'effet piézoélectrique direct. Ces mêmes matériaux présentent une
déformation mécanique lorsqu'un champ électrique est appliqué, cet effet est appelé l’effet
piézo-électrique inverse (voir Figure 2.4) [18]. En pratique, l’effet direct nous permet
d’utiliser les matériaux piézoélectriques comme capteurs, alors que l’effet inverse est à
l’origine de leur fonctionnement en tant qu’actionneurs.
Figure 2.4. Polarisation des céramiques piézoélectriques suite à une déformation.
L'existence de la piézoélectricité dans un cristal est liée aux symétries de la structure

cristalline. En particulier, un cristal ne peut pas être piézoélectrique si sa structure possède un
centre de symétrie (structure dite centrosymétrique). Toutefois, pour un matériau
noncentrosymétrique (Figure 2.5b), la contrainte a pour effet d’écarter les barycentres des
charges positives et négatives, ce qui crée un dipôle électrique décrit par la polarisation P.
Mentionnons toutefois que le fait d’avoir une asymétrie interne ne garantit pas que le matériau
soit piézoélectrique. Sur les 32 classes cristallines, il en existe 21 non centrosymétrique, dont
20 remplissent cette condition et qui, par conséquent, admettent l’effet piézoélectrique. Sur les
20 classes cristallines piézoélectriques, il en existe 10 qui possèdent une polarisation
électrique en présence d’un changement de température et sont dites pyroélectriques.
(a) (b)
Figure 2.5. Comparaison entre l’effet d’une contrainte appliquée sur des structures
(a) centrosymétrique et (b) noncentrosymétrique.
Parmi la grande variété de matériaux piézoélectriques, certains, appelés ferroélectriques,

présentent une caractéristique supplémentaire : ils possèdent une polarisation électrique
spontanée que l’on peut réorienter en appliquant un fort champ électrique dans le sens désiré
[20]. Ce moment dipolaire provient du décalage entre le barycentre des charges positives et
négatives de la structure locale à l’état d’équilibre. Certains cristaux sont donc
intrinsèquement piézoélectriques (comme le quartz). D'autres, les ferroélectriques, présentent
des propriétés piézoélectriques actives que lorsqu’ils sont préalablement polarisés (en anglais,
31
polling). Le titanate de baryum (BaTiO3) et le titano-zirconate de plomb (PZT) sont deux

exemples typiques de matériaux ferroélectriques. Ces matériaux sont préparés par des
procédés appliqués aux céramiques et peuvent être produits dans différentes formes.
Par conséquent, en raison de leur structure asymétrique, les matériaux piézoélectriques sont
généralement anisotropes1. Cette propriété implique que leur comportement doit être exprimé
à l'aide de matrices et tenseurs, et de plus leur réponse électrique ou mécanique dépendra de la
direction dans laquelle il est stimulé. La Figure 2.6 montre un trièdre, qui définit six
mouvements possibles dans l'espace: trois translations le long des axes 1, 2, 3 et trois rotations
autour des ces axes 4, 5, 6. L'axe 3 est choisi dans la direction de polarisation du matériau
piézoélectrique.
Figure 2.6. Axes de référence utilisés pour la modélisation d'un solide piézoélectrique.
Les matériaux piézoélectriques conservent l'énergie convertie entre les domaines mécanique
et électrique. Il existe quatre couples d'équations d'état qui permettent d'écrire le couplage
piézoélectrique. Ces équations relient les variables électriques (champ électrique E en V.m-1 et
déplacement électrique ou induction D en C.m-2) aux variables mécaniques (déformation S
sans unité et contrainte T en N.m-2) [19]. Les grandeurs électriques et mécaniques sont des
tenseurs d’ordre 1 et peuvent être simplifiées par une matrice de dimensions 31 et 61
éléments non nuls, respectivement.
S  s ET  d t E , D   T E  dT
T  c D S  ht D , E   S D  hS
S  s DT  g t D , E   T D  gT
T  c E S  et E , D   S E  eS
[]t est la transposé de la matrice [].
() X indique que la grandeur est considérée à X nul ou constant.
Dans les équations d’état, les constantes utilisées sont soit purement électriques comme la
permittivité, ε en F.m-1, ou la constante d’imperméabilité, β en m.F-1, soit purement
mécanique, comme la compliance ou la souplesse, s en m2.N-1, la raideur ou la rigidité
élastique, c en N.m-2, ou encore des coefficients piézoélectriques tel que d, g, e et h. Les
constantes électriques, mécanique (ou élastiques) et piézoélectriques sont rangées dans des
matrices de dimensions 33, 66 et 36, respectivement. Les définitions et les équations
exprimant les coefficients piézoélectriques sont données dans le Tableau 2.1. Les indices dans
les équations correspondent à la composante de chaque variable dans la direction spécifique.
La direction de polarisation est toujours nommée « 3 » et les directions perpendiculaires
équivalentes sont nommées « 1 ».
1
Anisotropie (contraire d'isotropie) est la propriété d'être dépendant de la direction donc elle présente différentes caractéristiques selon la
direction.
32
Tableau 2.1. Définition des coefficients piézoélectriques et leurs unités.

Coefficient
Appellation Equation
piézoélectrique
constante piézoélectrique  S   D 
d (m/V ou C/N) dij   i   i 
de charge  E j   
 T  const  T j  E  const
e (C/m2 ou  T   D 
constante piézoélectrique eij   i   i 
N/Vm)  E j   
  S  const  S j  E  const
g (m2/C ou constante piézoélectrique  S   E 
gij   i    i 
Vm/N) de tension  D j   T j 
 T  const   D  const
 T   E 
h (N/C ou V/m) constante piézoélectrique hij   i    i 
 D j   S j 
  S  const   D  const
La structure la moins symétrique (triclinique) a 18 coefficients piézoélectriques différents,

mais avec l'augmentation de la symétrie, le nombre des coefficients indépendants diminue.
L’oxyde de zinc (ZnO) et le sulfure de cadmium (Cds) appartiennent à la classe cristalline
hexagonal de symétrie ‘6mm’, la matrice du coefficient piézoélectrique d est réduite sous la
forme présentée dans l'équation suivante :
0 0 0 0 d15 0 
d   0 0 0 d 24 0 0  Éq. (2.2)
d 31 d 31 d 33 0 0 0 
Dans le cas de la récupération de tension, il y a typiquement deux constantes (modes)
piézoélectriques utilisés : d33 (longitudinale) et d31 (transversale). Comme le montre la Figure
2.7, le mode d33 correspond au cas où la tension est mesurée dans la même direction que la
force appliquée. Dans le mode exprimé par la constante d31, la force est appliquée dans l’axe 1
du matériau et la tension générée est mesurée selon l’axe 3. Dans le cas de l’effet piézo-
électrique inverse, les coefficients d31 et d33 correspondent aux coefficients d’électrostriction,
c’est-à-dire ils traduisent la capacité du matériau à se déformer sous l’effet du champ
électrique. Respectivement d31 et d33 correspondent à la déformation perpendiculaire au
champ (transversale) et parallèle (ou longitudinale) [20].
Figure 2.7. Illustration des modes piézoélectriques d33 et d31 utilisés pour la récupération d’énergie.
33
En mode actionneur, l’énergie apportée est électrique et l’énergie transformée est mécanique
et inversement pour le mode capteur. Le choix du matériau piézoélectrique repose
principalement sur sa capacité à convertir de grandes densités d’énergie. Cette caractéristique
peut être évaluée à l’aide du coefficient de couplage électromécanique k qui décrit l’efficacité
avec laquelle l’énergie mécanique (électrique) est convertie en énergie électrique (mécanique)
selon une direction donnée. Mathématiquement, k est défini par l’expression suivante [20]:
énergie transformée
k Éq. (2.3)
énergie fournie
Le coefficient k peut s’exprimer à partir des coefficients mécanique, électrique et piézo-
électrique du matériau pour un résonateur et un mode de vibration donnée. Si on considère le
cas simple d’un barreau vibrant selon le premier mode d’extension (ou compression), le
coefficient électromécanique est donné par cette équation [20] :
d
k Éq. (2.4)
 TsE
Le Tableau 2.2 montre les propriétés pertinentes pour sélectionner les matériaux piézo-
électriques. Notez que les valeurs piézoélectriques sont sensiblement plus élevées pour le PZT
par rapport aux autres matières énumérées. Ceci est avantageux pour les applications
électromécaniques de détection d’une sensibilité élevée tels que les microphones.
Tableau 2.2. Propriétés électromécaniques de différents matériaux piézoélectriques.

d33 d31 g33 g31
Matériau k33 k31 -3 -3  33  0
(pC/N) (pC/N) (10 Vm/N) (10 Vm/N)
LiNbO3 - - 6 -0.85 23 -4 28.7

PVDF 0.15 0.12 −33 23 330 216 12
BaTiO3 0.493 0.208 191 -79 11.4 -4.7 1900
PZT 0.67 - 223 - - - 730
PZT-5A (Hard) 0,71 0,31 374 -171 24.8 -11,4 1700
PZT-5H (Soft) 0,75 0,39 593 -274 9.7 -9.1 3400
PZN-0.07PT 0.92 0.8 2500 1100 - - 6700
3.1.2. Principes des microphones piézoélectriques

Dans un microphone piézoélectrique, la détection électroacoustique se compose d'une couche
piézoélectrique déposée sur une membrane mince (cantilever [22], plaque rectangulaire
[23][26] ou circulaire [15] ). La déformation de la membrane, provoquée par la pression
acoustique, crée un champ de contrainte dans la couche piézoélectrique mince qui génère une
tension par l’effet piézoélectrique inverse. Ainsi, le principe de couplage piézoélectrique
permet la transduction d'un signal acoustique en un signal électrique sans nécessiter
d'alimentation externe. Un des principaux avantages de ce type de microphone consiste dans
la possibilité d'une intégration monolithique avec l’électronique de traitement sans avoir
besoin d’une alimentation externe pour fonctionner. Conscient des avantages potentiels de ce
mécanisme de transduction, plusieurs chercheurs ont développé des microphones
piézoélectriques pour les applications audio. Ces applications sont caractérisées par un niveau
34
maximal de pression acoustique (SPL) de 110−120dB (réf 20μPa), des bruits de fonds de
23−35dBA et une bande passante de 10Hz−20kHz.
Du point de vue du design, le matériau piézoélectrique est généralement déposé en une

couche mince sur la membrane du microphone (Figure 2.8) [23]. Dans une autre approche le
matériau piézoélectrique est placé dans la région qui subira le maximum de déformation
causée par le signal acoustique. Une région de contrainte élevée existe près du périmètre de la
membrane [15]. La sensibilité mécanique, la bande passante et la linéarité du microphone sont
directement liées au comportement de la structure composite de la membrane. La conception
acoustique du microphone détermine la valeur de la fréquence de coupure basse, et peut avoir
un impact sur la sensibilité globale. En revanche, la sensibilité électrique et le bruit de fond de
l'appareil dépendent de l’emplacement du matériau piézoélectrique et des circuits d'interface
[15].
Figure 2.8. Vue en coupe du premier microphone piézoélectrique monolithique microusiné sur silicium
de Royer et coll. [23].
Durant la dernière décennie, les microphones ainsi que d'autres capteurs, ont été miniaturisés
par le micro-usinage du silicium. Plusieurs chercheurs ont développé et fabriqué des
microphones piézoélectriques microusiné en utilisant un large éventail de matériaux piézo-
électriques. Leurs principal souci était de trouver des matériaux piézoélectriques compatibles
avec la filière silicium et le micro-usinage existant tout en ayant des coefficients
piézoélectriques suffisants donc une forte sensibilité. Les matériaux piézoélectriques sont
déposés en couche mince, y compris l'oxyde de zinc (ZnO), le nitrure d'aluminium (AlN), la
polyurée aromatique, le fluorure de polyvinylidène (PVDF), et le titanate zirconate de plomb
(PZT). Chacun d'entre eux offre des propriétés mécaniques et électriques, ainsi que des
habilités de transduction différentes. En plus, certains des matériaux sont compatibles CMOS,
d'autres non, ce qui a conduit à de nombreuses approches différentes pour la mise en œuvre de
microphones piézoélectriques. La facilité d'intégrer du matériau piézoélectrique dans une
séquence de fabrication est un facteur important dans le développement d'un microphone. Le
AlN, par exemple, est compatible avec la technologie CMOS alors que le PZT, contient du
plomb, est fabriqué par une déposition « sol-gel » ou par un dépôt chimique en solution, et
soumis à un processus de polarisation. Le ZnO et le PVDF, tout en n'étant pas totalement
compatible CMOS, peuvent être intégrés plus facilement avec un traitement conventionnel.
Figure 2.9. Vue en coupe du microphone piézoélectrique intégré de Kim et coll. [26].
35
Les premiers microphones piézoélectriques micro-usinés sont fondés sur des matériaux
inorganiques (comme le ZnO [23] et l’AlN [24]) et des matières organiques (comme le
polyurée aromatiques2 [25]). En effet, la première implémentation d'un microphone
piézoélectrique MEMS, montrée sur la Figure 2.8, a été réalisée par Royer et coll. [23]. Ce
capteur se compose d'une membrane en silicium de diamètre 3mm avec une épaisseur de
30µm, et d’une couche de ZnO d’épaisseur 3-5μm. La couche de ZnO a été déposée sur la
membrane entre deux couches en SiO2 qui contiennent les électrodes supérieure et inférieure
en aluminium (Figure 2.8). Le capteur peut être fourni avec un préamplificateur intégré, et il
est capable d’atteindre une sensibilité de 250µV/Pa, et une réponse en fréquence de l'ordre de
10 Hz-10 kHz (plat à moins de 5dB) et un bruit de fond de 66dB. Plus récemment, Schellin et
coll. [25] ont conçu un microphone à base de couche mince organique, le polyurée
aromatique, ils ont rapporté une sensibilité entre 4-30µV/Pa. Cependant, la membrane en
dioxyde de silicium était sous contraintes de traction élevées qui peuvent être réduites par une
implantation supplémentaire de bore [27]. Contrairement aux matériaux inorganiques
piézoélectrique, les couche mince polymères de polyurée aromatique et PVDF doivent être
polarisées dans des champs électriques élevés « polling » (jusqu'à 200V) pour obtenir une
polarisation permanente. Pendant la même année, Kim et coll. on conçu un microphone à base
de ZnO (Figure 2.9) qui atteint une sensibilité de 1mV/Pa avec une fréquence de résonance de
16 kHz et un bruit de fond de 50dB (ref 20μPa) en utilisant une membrane carrée de coté
3mm et d'épaisseur 2µm [25][26]. Afin de parvenir à une meilleure performance dans les
microphones (i) les couches inorganiques piézoélectriques rigides (raides) de ZnO et de l'AIN
sont remplacées par un film très élastique de copolymère P(VDF/TrFE)3 et (ii) au lieu d'une
membrane en silicium très dopé en bore, une membrane en nitrure de silicium est utilisée
[28]. Cette membrane en nitrure de silicium est enracinée avec des ions de bore, afin de
réduire les contraintes de traction dans le plan, conduisant à une plus grande sensibilité des
microphones. Un transducteur piézoélectrique est réalisé par Schellin et coll. [28] avec une
sensibilité maximale de 150µV/Pa, une bande passante d'environ 16kHz et un niveau de bruit
équivalent de moins de 60dB(A). Vu la petite surface de la membrane (1mm2), les capteurs
montrent une performance bien meilleure que les anciens microphones avec des couches de
polymères piézo-électriques [28].
Par ailleurs, les fortes caractéristiques piézoélectriques du PZT ont motivé la recherche des
techniques de déposition, d’intégration et de conception des dispositifs utilisant les matériaux
ferroélectriques. En effet, les couches minces de titanate zirconate de plomb (PZT) ont été
considérées comme des matériaux prometteurs pour les applications micro-acoustiques grâce
à leurs coefficients de couplage électromécanique extrêmement élevé et leurs actionnements
piézo-électriques excellents [29]. L’apparition de couches minces du PZT dans les
microsystèmes est arrivée avec un retard assez important dû aux difficultés d’intégration [13].
Le PZT est actuellement l'un des meilleurs candidats pour toutes les applications
piézoélectriques. Les microphones piézoélectriques basés uniquement sur les structures en
cantilever ont également été démontrés. Les structures en cantilever sont plus souples que les
membranes et sont capables de réaliser des déplacements plus larges pour une pression
acoustique donnée [27].
Les microphones piézoélectriques possèdent de nombreux avantages dont une consommation

électrique intrinsèquement faible et une possibilité d’intégration monolithique avec
l’électronique de proximité. L’arrivée des nouveaux matériaux ferroélectriques a permis
2
Aromatic polyurea
3
P(VDF/TrFE) : poly(vinylidene fluoride – trifluoroethylene) copolymer.
36
d’avoir des sensibilités, de l’ordre de 40mV/Pa [29], qui sont comparables à celles des autres
types de microphones intégrés et principalement les microphones capacitifs. Les
inconvénients des microphones piézoélectriques résident dans le bruit de fond de l’ordre de
50–72 dB(A) SPL [26] et dans le vieillissement du cristal piézoélectrique, tout en craignant la
chaleur et l’humidité [15]. Pour les propriétés électromécaniques, les microphones
piézoélectriques sont des transducteurs réciproques, linéaires, conservateurs et directs.
3.2. Microphones piézorésistifs
La propriété piézorésistive d'un matériau est définie comme la variation de sa résistivité due à
une déformation ou une contrainte mécanique. La piézorésistivité des semi-conducteurs a été
démontrée pour un grand nombre de matériaux comme le germanium et le silicium
polycristallin ou amorphe. Pour le silicium, la variation de la résistivité est due à un
changement dans la mobilité de porteurs de charge.
Le principe de la transduction piézorésistive peut être utilisé pour concevoir des microphones
sur silicium. Un microphone piézorésistif se compose d'une membrane mince qui est
généralement munit de quatre piézorésistances, appelé aussi des jauges piézorésistives, dans
une configuration en pont de Wheatstone. L’arrangement le plus commun est de placer deux
des quatre jauges au centre, et les deux autres à la périphérie de la membrane. Lorsqu’une
onde sonore fais vibrer la membrane, les contraintes mécaniques induites dans les deux paires
de piézorésistances au milieu et à la périphérie de la membrane auront des signes opposés, ce
qui conduit à des changements opposée dans les résistances. En utilisant le pont de
Wheatstone, la modulation de la résistance dans les deux paires de piézorésistors est exprimée
par une variation de la tension à la sortie, donc, la pression acoustique entrantes peut être
déterminée [30].
Figure 2.10. Vue en coupe du premier microphone piézorésistif microusiné sur silicium de
Schellin et Hess [31].
Schellin et Hess (1992) [31] ont présenté le premier capteur piézorésistif MEMS, montré sur
la Figure 2.10. Ce capteur a été utilisé comme un microphone et il avait une membrane de
1µm d'épaisseur, en silicium très dopé en bore avec une superficie de 1mm2. La membrane
dispose de résistances en polysilicium de type p, d'épaisseur égale à 250nm, isolées de la
membrane par une couche de dioxyde de silicium d’épaisseur 60nm. En utilisant une tension
d'alimentation du pont égale à 6V, ce transducteur a montré une sensibilité de 25μV/Pa et une
réponse en fréquence de l'ordre de 100Hz-5kHz (±3dB). Cependant, la sensibilité était plus
faible que prévu par un facteur de 10, qui a été expliqué par la contrainte statique initiale dans
la membrane en silicium très dopée en bore. Pour améliorer la sensibilité du capteur
37
piézorésistif, différents matériaux pour la membrane ont été explorés, comme le polysilicium
et le nitrure de silicium [32].
Les microphones piézorésistifs présentent de nombreux avantages, tels que la robustesse, la

facilité de micro-usinage et l'absence d'un besoin de l’électronique intégrée grâce à une faible
impédance de sortie [33]. Toutefois, les microphones piézorésistifs ont quelques
inconvénients, comme un bruit de fond élevé, une consommation électrique élevée et surtout
une dégradation thermique du matériau piézorésistif à cause de l'échauffement par l’effet de
Joule et par la contrainte [34]. Malheureusement, cela entraîne une forte dépendance de la
température du capteur piézorésistif. Ces microphones ne sont pas suffisamment répandus en
raison de leur sensibilité relativement faible. Pour les propriétés électromécaniques, les
microphones piézorésistifs sont des transducteurs linéaires, directs, non-réciproques et non-
conservatifs.
3.3. Microphones électrostatiques

Le mécanisme de transduction électrostatique a été établi depuis plus de deux siècles pour des
applications d'actionneurs [1]. Les applications acoustiques basées sur l’effet électrostatique
sont venue avec l’invention du microphone électrostatique par Wente en 1917 [34]. Pour
réaliser une conversion électrostatique entre une grandeur électrique et une autre grandeur
mécanique, un condensateur avec une électrode déformable est généralement nécessaire [1].
Le principe de ce type de détection capacitive est de convertir la déformation mécanique d’un
élément en une variation de distance entre deux électrodes. Le microphone électrostatique à
condensateur perçoit la variation de la capacité, due à l'excitation extérieure générée par la
pression sonore, quand l'écart entre l’électrode fixe et celle mobile change. Ce changement de
capacité sera directement proportionnel à la force extérieure appliquée.
ressort
ε0, A k
x
x0 membrane Q
+
x0-x'
_
0 fb fh fréquence
plaque arrière fixe
Figure 2.11. Microphone électrostatique (a) modèle simplifié [1] et (b) réponse en fréquence typique.
La structure fondamentale du microphone capacitif se compose principalement d’une plaque

arrière fixe, qui représente la référence, en parallèle avec une membrane souple positionnée à
proximité, qui sont séparées par un diélectrique, généralement, un gap d’air. Lorsque la
pression acoustique fait vibrer la membrane, le changement de la capacitance entre la
membrane et la plaque arrière est détecté puis amplifié par l'intermédiaire de divers types de
circuits d'interface [35]. Le fonctionnement du microphone capacitif est conditionné par
l’application d’une tension de polarisation pour générer un champ électrique constant entre les
deux électrodes du condensateur. Cette tension pourra être appliquée de l’extérieur par une
source de tension continue. Alternativement, le champ électrique pourra être généré par une
38
charge électrique fixe, emprisonnée dans une couche de diélectrique (électret) à l’intérieur du
microphone : on obtient ainsi le microphone à électret.
Dans un microphone micro-usiné, la membrane est choisie la plus mince que possible pour
maximiser sa réponse envers le son avec un gap d’air étroit par-dessous, typiquement, de
l'ordre de 1-2μm [30]. La plaque arrière, épaisse et rigide, est généralement perforée pour que
l’air entre les deux plaques puisse circuler librement lors de la vibration de la membrane ce
qui permet d’optimiser l'amortissement et assurer la caractéristique dynamique appropriée. La
membrane et la plaque arrière sont faites soit avec des matériaux conducteurs ou ont des
électrodes pour réaliser le mécanisme de détection capacitif. La structure d'un microphone à
condensateur typique est montrée dans la Figure 2.12. Le principe capacitif représente la
forme la plus utilisée pour réaliser les microphones des dispositifs MEMS.
ondes sonores
membrane électrode (Al)
p+ Si
plaque gap d’air
arrière
Figure 2.12. Structure d’un microphone à condensateur typique.
Il faut prendre soin lors de la conception du microphone électrostatique, car, il doit être conçu
pour fonctionner dans la région contrôlée par la rigidité. Étant donné que la sensibilité du
microphone est proportionnelle à la compliance du système (inverse à rigidité), le microphone
est conçu de telle sorte que la résonance de la membrane soit supérieure à la fréquence la plus
élevée souhaitée (Figure 2.11b). La bande passante d'un microphone est déterminée
principalement par la rigidité de la membrane. Atteindre de large gamme dynamique et une
haute sensibilité sont généralement des objectifs contradictoires. En effet, pour une large
bande passante, la structure de la membrane doit être assez rigide. Cela provoquera la
réduction de la sensibilité du microphone. Par contre, pour une sensibilité élevée, le gap entre
les deux électrodes doit être petit. Toutefois, lorsque l'écart devient très petit l’effet
d'amortissement par la viscosité d’air (squeeze air damping), produite par la compression et
l’écoulement de l’air entre les deux électrodes, devient très grand. La bande passante du
microphone peut être réduite par cet l'effet d'amortissement, quant à l’amortissement par les
pertes visqueuses réduit la sensibilité vers les hautes fréquences de façon plus significative.
Pour une haute sensibilité et un faible effet d'amortissement, la plaque arrière est souvent
perforée [38][39]. Les trous dans la plaque arrière permettent à l'air de circuler à travers,
lorsque le diaphragme est en vibration de manière à ce que l’effet d'amortissement de l’air
peut être optimisé par leurs tailles et leurs densités.
Le principe de la détection capacitive offre de nombreux avantages, comme une sensibilité

relativement élevée, une large bande passante, une consommation d’énergie intrinsèquement
faible et un faible bruit de fond [36]. Par ailleurs, un des principaux avantages de ce type de
microphone présenté récemment par Scheeper [30], consiste en fabrication sur une seule puce
éliminant la nécessité de multiples étapes de collage de wafers ultérieure comme dans les
conceptions classiques. L'utilisation de la mono puce ou l’encapsulation hybride de
39
l’électronique à proximité a permis d'atténuer les effets de l'impédance de sortie élevée et la

capacité parasite. Toutefois des problèmes spécifiques sont toujours présents dans les
microphones capacitifs tels que l'instabilité dans la traction électrostatique, l'atténuation du
signal de sortie en raison de la capacité parasite et une baisse de la sensibilité vers les hautes
fréquences due à l'amortissement visqueux de la plaque arrière perforée [30]. Une autre
limitation cruciale des capteurs capacitifs est liée à l’accumulation de l'humidité et des
charges dans des environnements à haut taux d'humidité ce qui peut gêner les mouvements de
la membrane et peut exiger un nettoyage régulier. Les microphones électrostatiques sont des
transducteurs linéaires, réciproques, conservateurs et directs.
Comme la force électrostatique dans un condensateur est non linéaire par défaut, elle a besoin
d’être linéarisée pour être adaptée au fonctionnement du microphone. La linéarisation doit
être effectuée en considérant l’un des deux régimes de polarisation : (i) polarisation par une
charge ou (ii) polarisation par une tension [1].
3.3.1. Linéarisation de la force électrostatique

La Figure 2.11 montre le modèle simplifié d'un microphone électrostatique dans l'air. La
membrane est située initialement à la position x=x0. En utilisant l’hypothèse des plaques
parallèles, la capacité moyenne C0 est donnée par :
0 A
C0  Éq. (2.5)
x0
où ε0 est la constante diélectrique de l'air et A est la surface de la membrane. Si l’on considère
des petits déplacements x', sous l’effet de la pression acoustique incidente, la nouvelle
position de la membrane sera exprimée par x = x0 - x'. La capacité C du microphone varie
suivant l’équation suivante :
1 1
0 A x' 
0 A   x' 
C   1    C  1   Éq. (2.6)
x0  x0   x0 
0
x0  x' 
Puisque les deux armatures sont polarisées, on aura donc une charge Q qui se présente sur les
plaques du microphone. On assume que Q=Q0+Q', où Q0 est la charge moyenne et Q' est la
petite fluctuation de la charge. Par conséquence, la tension, V, entre la membrane et la plaque
arrière est :
Q Q x'   Q'  x' 
V   1     V0   1   , Éq. (2.7)
C C0  x0   C0  x0 
où V0=Q0/C0 est la tension moyenne. L'énergie potentielle électrostatique accumulée dans le
condensateur, Ep, est donnée par [5]
1 Q2 Q 2  x' 
E p  CV 2    1   Éq. (2.8)
2 2C 2C0  x0 
Par conséquent, la force électrostatique agissant sur la membrane est donnée par :
dE p Q2 Q2
Fe    Éq. (2.9)
dx' 2 x0C0 2 0 A
40
D’autre part, la force mécanique de rappel pour la membrane est modélisée par un ressort et
elle est donnée par :
x
Fm  k m x  , Éq. (2.10)
cm
où cm est la compliance mécanique du ressort (km=1/cm est la raideur). Par conséquent, la
force équivalente agissant sur la membrane est :
x Q2
F  . Éq. (2.11)
C m 2 x0 C0
Les équations Éq. (2.6), Éq. (2.7) et Éq. (2.11) sont trois équations non linéaires couplées.
Afin de linéariser ces équations pour réaliser la transduction électrostatique, on doit assumer
x Q V
 1,  1 et 1 Éq. (2.12)
x0 Q0 V0
Physiquement, ce processus de linéarisation peut être fait par l'un des deux régimes de
polarisation: une polarisation par une charge ou une polarisation par une tension [29]. Si une
tension constante V0 est appliquée entre le diaphragme et la plaque arrière, le régime de la
polarisation par une tension est adoptée. Dans un microphone à électret, une charge constante
Q0 est accumulée de manière permanente sur le diaphragme ou la plaque arrière. Une fois que
la polarisation est appliquée, les équations Éq. (2.6), Éq. (2.7) et Éq. (2.11) peuvent être
linéarisées comme :
1
0 A 0 A  x'   x'  Éq. (2.13)
C   1    C0  1   ,
 
x0  x' x0  x0   x0 
Q' V0 '
V'   x, Éq. (2.14)
C0 x0
x' V0 '
et F '   Q. Éq. (2.15)
cm x0
où V' et F' sont les composantes de la fluctuation de la tension et de la force appliquées sur le
diaphragme, respectivement. Les équations Éq. (2.14) et Éq. (2.15) représentent les équations
linéarisées de couplage électrostatique dans le cas de déplacement et de charge. Ces deux
équations peuvent encore être réécrites avec des variables électriques et mécaniques par [29] :
1 V
V'  I '  0 v' , Éq. (2.16)
jC0 j x0
1 V
et F '  v'  0 I ' , Éq. (2.17)
jCm j x0
où I' est la composante variable du courant à travers le diaphragme et v' est la composante de
la vitesse de la membrane. Sous forme matricielle, les équations de couplage sont écrites
comme suit :
 1 V0 

V '   j C0 j x0   I'  Éq. (2.18)
  V 
1  v' 
 F'    0
 j x0 j C m 
41
3.3.2. Microphones à condensateur

La schématique d’un microphone à condensateur typique avec une membrane et une plaque
arrière est montrée sur la Figure 2.13. La plaque arrière est perforée afin de réduire la
résistance d’écoulement d'air, un orifice est prévu pour équilibrer la pression à l'intérieur de la
chambre arrière avec la pression atmosphérique ambiante. Un condensateur est formé entre la
membrane conductrice et la plaque arrière.
Figure 2.13. Schématique d’un microphone à condensateur.
Basé sur le modèle dynamique de la Figure 2.11a, théoriquement, si le déplacement de la

membrane dépasse les deux tiers de l’épaisseur du gap d’air, celle-ci va s'effondrer et se coller
sur la plaque arrière. Ainsi, la tension de polarisation de référence est limitée par le
phénomène de pull-in qui constitue le point au-delà duquel les électrodes entrent
inévitablement en contact. Le phénomène de collage « pull-in » est géré par la force
électrostatique et la force mécanique agissant sur la membrane. Pour trouver la tension
statique de collage « pull-in », la force électrostatique d'attraction est fixée d’être égale à la
force de rappel à x=d0/3 (dpi=2d0/3), ce qui définit la gamme de fonctionnement stable du
microphone lorsque V<Vpi. La polarisation critique de collage « pull-in », Vpi dans le cas
d’une polarisation par une tension constante est donnée par [35] :
8 k d03
V pi  Éq. (2.19)
27  0 A
où d0=d − x est la distance entre la membrane et la plaque arrière. Il convient de souligner
que ces équations sont valides en se basant sur l’hypothèse de plaques parallèles simples et un
modèle de ressort linéaire. Afin de contrôler la réponse du microphone par la tension seule,
les microphones à condensateur utilisent généralement une cavité relativement importante en
arrière. En concevant le microphone de cette façon, la réponse mécanique de la membrane est
essentiellement régie par les propriétés élastiques et la tension de la membrane elle-même et
non par la compressibilité de l'air dans la chambre derrière de la membrane.
Dans la pratique, un microphone à condensateur doit être connecté à un préamplificateur pour

effectuer une mesure qui permet d'éviter une atténuation ou une perte du signal. Le circuit
simplifié d'un microphone à condensateur connecté avec un préamplificateur est montré par la
Figure 2.14. Le microphone est connecté à une résistance de polarisation Rbias et un
préamplificateur.
La capacité parasite Cpar provient principalement des connexions électriques vers

l’amplificateur et du capteur lui-même. En plaçant physiquement le préamplificateur le plus
proche possible du microphone, on réduit cette capacité parasite et on augmente ainsi la
performance du capteur. Ceci pourra être accompli par une intégration monolithique du
42
préamplificateur et du microphone. La résistance de polarisation Rbias est utilisée pour obtenir

une tension de polarisation continue stable pour le microphone et le préamplificateur. Puisque
l’impédance de sortie du microphone capacitif est assez élevée, l’utilisation d’un
préamplificateur pour l’adaptation d’impédance est nécessaire. L’amplificateur et la résistance
de polarisation ne forment pas une partie intégrale du microphone, mais ils ont une influence
majeure sur sa performance.
Figure 2.14. Circuit simplifié d'un microphone à condensateur connecté avec un préamplificateur
(adapté par Scheeper et coll. [30]).
3.3.3. Microphones à électret

Les microphones à électret sont une forme de microphones capacitifs qui utilisent un matériau
qui est titulaire d'une charge quasi-permanente. Cela évite la nécessité d’une tension de
polarisation DC dans le dispositif capacitif. Le matériau électret est dominé par le téflon pour
les microphones conventionnels et le dioxyde de silicium ou nitrure pour les microphones
micro-usiné sur silicium. Dans des microphones micro-usiné, l'intégration de la couche
d'électret sur le diaphragme est plus courante, puisque la plaque arrière est généralement
perforée [38].
Figure 2.15. Schéma d’un microphone capacitif avec une membrane à électret.
Un schéma d'un microphone capacitif avec une membrane avec électret est montré sur la
Figure 2.15. Une couche de métallisation est utilisée pour charger la couche d'électret avant
l'opération pour générer le champ électrique à l'intérieur du gap. Un avantage du microphone
à électret est l'absence d'une alimentation externe et la possibilité pour les applications
portables [36] [37]. Toutefois, l'intégration des microphones à électret avec les MEMS souffre
de la mauvaise qualité des couches minces d’électrets et de la perte de charge due à l'humidité
[36]. Pour que la membrane ne s'effondre pas sur la plaque arrière du microphone il faut que
Qch<Qcr, avec Qcr est charge critique de polarisation qui est donnée par [38]:
Qcr  2 0 Akd0 Éq. (2.20)
43
3.3.4. Principaux travaux antérieurs sur les microphones capacitifs
D'importants travaux, antérieurs et récents, de développements de microphones capacitifs sur

silicium sont énumérés dans le Tableau 2.3. On peut constater qu'il existe une tendance
significative vers le développement des microphones à condensateur sur silicium de qualité en
termes de taille plus petite, de sensibilité, du rapport signal/bruit et une bande passante plus
large.
Tableau 2.3. Les importants travaux précédents dans la conception des microphones capacitifs.
Surface de la Bande Niveau de

Gap d’air Sensibilité
Auteurs membrane passante bruit
(µm) (mV/Pa)
(mm2) (kHz) (dBA)
a
Hohm and Gerhard-Multhaupt
~50.3 30 8.5 3 n/a
(1984)
a
Sprenkels et coll. (1988) 6 20 >15 25a n/a
b a
Bergqvist and Rudolf (1990) 4 4 16 13 n/a
b
Bergqvist et coll. (1991) 4 2 20 1.6 40
b
Kuhnel and Hess (1992) 0.64 2 20 1.8 43
b
Bourouina et coll. (1992) 1 7.5 10 2.4 38
b
Scheeper (1993) 4 3 >14 7.8 30
b
Zou et coll. (1996) 4 2.6 9 14.2 n/a
b
Schafer et coll. (1998) 0.5 4 17 14 28
b
Torkkeli et coll. (2000) 1 1.3 12 4 33.5
b c
Rombach et coll. (2000) 4 0.9 >20 13 22.5
b c
Scheeper et coll. (2003) ~12 20 20 22 23
b
Hansen et coll. (2004) ~0.01 1 100 7.3 63.6
b c,d
Martin et coll. (2005) ~0.17 2 230 0.28 42
b
Pedersen (2006) ~0.1 1.24 100 0.5 22
a
Microphone à électret, b Microphone à condensateur, c Sensitivité à circuit ouvert, d Amplification par charge
Hohm et Gerhard-Multhaupt (1984) [39] ont développé le premier microphone à électret

micro-usiné sur silicium (Figure 2.16). Sa plaque arrière se compose d’une couche de silicium
de type p de dimension 10×10mm2, d’une couche supérieure en SiO2 d’épaisseur 2μm qui
représente l’électret (-350V) et d’une couche inférieure en aluminium d’épaisseur 0,1µm,
l’électrode. Une ouverture circulaire de diamètre 1mm a été perforée dans le centre de la
plaque arrière. La membrane est formée d’une feuille d’aluminium recouverte de Mylar4
d'épaisseur 13μm et de diamètre 8mm. La feuille de Mylar a été utilisée comme une entretoise
pour former un gap d'air de 30µm. La sensibilité théorique en circuit ouvert rapportée, à la
fréquence de 1kHz, était d'environ 8.8mV/Pa mais la sensibilité mesurée a été d'environ
3mV/Pa en raison de la capacité parasite. La fréquence de résonance de ce microphone était
de 8.5kHz. La fabrication de ce microphone sur silicium ne diffère pas trop de la technologie
de fabrication conventionnelle existante, puisque le dispositif consiste essentiellement d’une
membrane en Mylar et d'une plaque arrière assemblée par des moyens de collage.
4
Mylar est une pellicule mince de polyester de type polyéthylène téréphtalate (polyethylene terephthalate polyester film)
utilisé pour sa résistance à la traction, sa transparence et son isolation électrique. Il est également connu comme Melinex
(un nom commercial au Royaume-Uni).
44
Figure 2.16. Vue en coupe du microphone à électret micro-usiné de Hohm [39].
Sprenkels et coll. (1988) [37] ont développé un microphone à électret sur silicium (Figure
2.17). Il avait une membrane en feuille de Mylar métallisé de dimension 2.45×2.45mm2 avec
une épaisseur de 2.5μm et un gap d'air de 20μm, réalisé par la gravure d'une cavité dans la
plaque de silicium avec le KOH. Une couche de SiO2 d’épaisseur 1.1µm a été utilisée comme
matériau électret et a été polarisée par une charge permanente avec une tension effective
d'environ -300V. La sensibilité en circuit ouvert a été d'environ 25mV/Pa à la fréquence de
1kHz. La réponse mesurée en fréquence à ±2dB était plate dans la gamme de 100-15000Hz.
Figure 2.17. Vue en coupe du microphone à électret micro-usiné de Sprenkels [37].
Bergqvist et Rudolf (1990) [44] ont publié le premier microphone à condensateur sur silicium
(Figure 2.18). Ce microphone, avec une membrane en silicium de type p de dimension
2×2mm2 d'épaisseur 5-8µm et un gap d'air de 4µm, montre une sensibilité en circuit ouvert de
13mV/Pa à la fréquence de 1kHz. Le microphone avec une membrane en silicium épaisse de
type p 8μm a montré une bande passante (±1dB) de 200Hz-16kHz. Une faible capacité parasite
(<0,5pF) et un grand nombre de trous dans la plaque arrière ont été rapporté sur ce
microphone. La membrane était fabriquée avec une gravure anisotrope avec le KOH avec un
arrêt électrochimique. La plaque arrière était construite avec une superposition de verre-
silicium-verre. La plaque supérieure de verre a été amincie par polissage mécanique, et munie
de trous acoustiques qui occupent 20% de la superficie totale de plaque arrière.
Figure 2.18. Vue en coupe du microphone à condensateur micro-usiné de Bergqvist & Rudolf [44].
45
Bergqvist et coll. (1991) [45] ont amélioré une autre structure de microphone à condensateur
ayant une réponse en fréquence plate (±3dB) entre 2Hz-20kHz. Ceci a été réalisé en
augmentant la densité des trous dans la plaque arrière mince jusqu'à 640-4000 trous/mm2
permettant ainsi de réduire la résistance de l'écoulement de l’air, toutefois, la taille de la
plaque arrière n'a pas été publiée. La membrane et la plaque arrière sont fabriquées par une
gravure anisotropique dans des wafers séparés en utilisant la technique d’arrêt
électrochimique pour avoir des structures minces. Finalement, les wafers sont collés ensemble
et les microphones sont découpés. La structure du microphone comporte une membrane en
silicium de type p de dimensions 2×2mm2 avec un gap d’air réduit jusqu’à 2μm. La sensibilité
mesurée était de 1.6mV/Pa à la fréquence de 1kHz, avec une tension de polarisation de 5V. Le
bruit mesuré du microphone est dominé par le bruit du préamplificateur et le niveau de bruit
équivalent était de 40dBA. La distorsion harmonique totale était inférieure à 0,08% à un
niveau de pression acoustique de 120dB.
Figure 2.19. Vue en coupe du microphone à condensateur amélioré de Bergqvist et coll [45].
Kuhnel et Hess (1992) [46] ont développé un microphone à condensateur avec une plaque
arrière spécialement conçue pour réduire la résistance de l'écoulement de l’air (air-streaming).
Le processus de fabrication était basé par la technologie développée par Hohm [39]. Le
microphone consiste en une membrane en nitrure de silicium de dimensions 0.8×0.8mm2 et
d'épaisseur 150nm. La plaque arrière a été structurée soit avec de trous gravés
anisotropiquement soit avec des rainures gravées par plasma. Les microphones avec des
rainures dans la plaque arrière et avec les membranes ayant une contrainte résiduelle faible
montrent une sensibilité en circuit ouvert de 10mV/Pa (1.8mV/Pa la sensibilité mesurée due à
l'affaiblissement du signal causée par la capacité parasite) et la bande passante a été mesurée
jusqu'à 20kHz avec une tension de polarisation de 28V.
Bourouina et coll. (1992) [47] ont développé un microphone à condensateur conçu sans les
trous acoustiques dans la plaque arrière. La chambre arrière du microphone a été gravée dans
le substrat contenant le diaphragme. Avec cette construction, pas de trous acoustiques dans la
plaque arrière était nécessaire, cependant, afin de maintenir une résistance assez faible de
l’écoulement de l'air latérale, un gap d’air relativement épais a été utilisé (5 ou 7.5μm). Un
wafer en pyrex a été assemblé par la suite avec le wafer constituant la membrane par collage
anodique. La membrane a été faite avec du silicium fortement dopé en bore et avait une
contrainte résiduelle de 70MPa. Le microphone, de dimensions 1×1mm2 et un gap d’air de
7.5μm, a montré une réponse en fréquence linéaire jusqu'à 10kHz et une sensibilité de
2.4mV/Pa pour une tension de polarisation de 20V. Le bruit issu du microphone,
principalement dû au préamplificateur, a été mesuré à 38dBA.
46
Figure 2.20. Vue en coupe du microphone à condensateur de Bourouina et coll [47].
Toutes les structures décrites ci-dessus sont assemblées à partir de pièces fabriquées à partir
de substrats distincts. Pour les microphones ayant des petits gaps d’air, de l’ordre de quelques
µm, cet assemblage est très critique pour leurs performances et tolérances. Le premier
microphone, qui a surmonté ce problème d'assemblage été introduit par Scheeper (1993) [48].
Ce microphone à condensateur, avec une haute densité de trous acoustiques dans la plaque
arrière, été le premier fabriqué avec une technologie de substrat unique. La membrane et la
plaque arrière sont fabriquées avec des couches minces de nitrure de silicium et le gap d’air
est réalisé en aluminium avec une technique de couche sacrificielle. Les dimensions de la
membrane sont de 2×2mm2 avec une épaisseur de 0.25µm, et un gap d’air de 3µm. Ce
microphone possède une sensibilité en circuit ouvert de 7,8mV/Pa, une capacité de 8,6pF et
une réponse en fréquence linéaire de 100Hz à 14kHz (±2dB). Grâce à l'existence d'un gap
d’air étroit, le microphone fonctionne à une tension de polarisation relativement faible de 5V
pour éviter l’effet de collage. Cette approche est considérée comme le meilleur point de départ
pour la fabrication de microphone intégré avec de faibles tolérances.
Figure 2.21. Vue en coupe du microphone à condensateur de Scheeper [48].
Zou et coll. (1996) [49] ont développé un microphone à condensateur miniaturisé sur silicium
avec une membrane pliée (ondulé). Ce microphone a été fabriqué sur une seule puce avec une
membrane très souple et une plaque arrière très rigide. Le microphone avait un gap d’air de
2.6μm et un diaphragme de 1×1mm2 avec une contrainte résiduelle de 70MPa et une épaisseur
de 1.2μm. Le diaphragme ondulé a été fabriqué par une gravure anisotrope avec le KOH pour
améliorer la sensibilité en réduisant l’effet de contrainte de l’application des hautes tensions.
Un microphone avec une profondeur d'ondulation de 8µm, et une tension de polarisation de
10V a montré une sensibilité mesurée de 14.2mV/Pa. La bande passante simulée a été déclarée
d’être 9kHz. La méthode des éléments finis (FEM) et la méthode du circuit équivalent ont été
utilisées pour prédire les performances mécaniques et acoustiques du microphone.
47
Schafer et coll. (1998), ont rapporté un microphone à condensateur micro-usiné sur silicium
pour les applications d’aide auditive [50]. Le microphone avait un gap d'air de 4µm et une
membrane en nitrure de silicium circulaire de rayon de 0.4mm et d’épaisseur 0.75μm. Une
membrane très souple a été obtenue par le soutien au milieu plutôt que l'appui au niveau du
périmètre. Un modèle en éléments localisés a été construit pour prédire la sensibilité, la bande
passante et le bruit de fond du microphone. La sensibilité du microphone mesurée, avec une
tension de polarisation de 12V, est de 14mV/Pa à la fréquence de 1kHz. Le niveau de bruit
pondéré A mesuré était inférieur à 28dBA et la fréquence de résonance mesurée était environ
de 17kHz.
Torkkeli et coll. (2000) ont fabriqué un microphone capacitif sur une seule puce avec une
membrane en silicium polycristallin à faible contrainte (2MPa) [51]. Le microphone avait un
gap d’air de 1.3μm et une membrane de 1×1mm2 avec une épaisseur de 0.8μm. La sensibilité
du microphone mesurée avec une tension de polarisation de 2V a été de 4mV/Pa à la
fréquence de 1kHz. Le niveau de bruit pondéré A mesuré était de 33.5dBA. La capacité
mesurée est 11pF et la bande passante été de 12kHz.
Rombach et coll. (2002) ont fabriqué le premier microphone à condensateur double plaque sur
silicium [52]. Ce microphone utilise deux wafer entreposés en utilisant l'oxyde de silicium en
poudre comme colle (méthode SODIC). Grâce à la disposition symétrique des deux plaques
arrière, un gap d’air mince de 0.9μm a été fabriqué pour générer un champ électrique élevé et
une haute sensibilité sous une tension de polarisation faible. Le microphone se composait
d’une membrane multicouche de taille 2×2mm2 à avec une épaisseur de 0.5μm seulement et
des contraintes résiduelles de traction globale de 45MPa. La sensibilité totale, sous une
tension de polarisation de 1,5V, a été mesurée de 13mV/Pa et le niveau de bruit équivalent
pondéré A mesuré a été de 22.5dBA. La limite supérieure de sa gamme dynamique été de
118dB et la distorsion harmonique totale égale à 80dBA était inférieure à 0,26%. Le
microphone dispose d’une large bande passante de 75Hz à 24kHz.
Scheeper et coll. (2003) ont fabriqué un microphone à condensateur MEMS de mesure [53].
Le microphone avait un gap d’air de 20μm et une membrane octogonale en nitrure de silicium
avec une contrainte de traction de 340MPa et une épaisseur de 0.5μm. La surface de la
membrane circulaire été d'environ 11.95mm2, tandis que la superficie de la plaque arrière
carrée était d'environ 8mm2. La moyenne de la sensibilité mesurée à circuit ouvert, été de
22mV/Pa avec une tension de polarisation de 200V et le niveau de bruit mesuré (y compris le
préamplificateur) a été 23dBA. La réponse en fréquence mesurée était plate jusqu'à 20kHz, et
la fréquence de résonance est rapportée entre 47 et 51kHz. Ce travail a montré que les
microphones de mesure de haute qualité peuvent être fabriqués en utilisant la technologie
MEMS.
Hansen et coll. (2004) ont rapporté un microphone capacitif micro-usiné de large bande
passante basé sur la détection des fréquences radio [54]. Le microphone se composait d’une
membrane rectangulaire en nitrure de silicium métallisé, qui était suspendue par-dessus d’un
substrat en silicium pour former un petit volume scellé. Une sensibilité de 7.3mV/Pa été
mesurée avec un gap d’air de 1µm et une membrane de dimension 70μm×190μm et
d'épaisseur 0.4μm. La bande passante mesurée était plate à moins de 0.5dB sur toute la plage
de 0.1Hz à 100kHz. Toutefois, le microphone souffre d’un bruit de fond mesuré relativement
élevé, qui est égale à 63.6dBA.
48
Martin et coll. (2005) ont fabriqué un microphone capacitif MEMS à double plaque arrière en
utilisant le processus SUMMiT V de Sandia National Laboratories [55][56]. Grâce à la
disposition symétrique des plaques arrière, un gap d’air mince de 2µm a été fabriqué. Le
microphone se composait d'une membrane circulaire de silicium polycristallin, avec un rayon
de 230µm et d’une épaisseur de 2,25µm. La sensibilité mesurée avec un amplificateur de
charge et une tension de polarisation de 9V était de 0,28mV/Pa et le niveau de bruit mesuré est
de 42dB Hz à 1kHz. La gamme dynamique mesurée était plus que 118dB et une réponse
linéaire jusqu'à 160dB a été observée. La fréquence de résonance prévue était d'environ
185,5kHz et la fréquence de résonance mesurée était d'environ 230kHz.
Pedersen (2006) a présenté un microphone capacitif MEMS aéro-acoustique conçu en

utilisant la technologie SiSonic™ de Knowles Acoustics [57]. Le microphone se composait
d'une membrane circulaire de rayon 180µm et d’une épaisseur de 2μm. Un gap d'air de
1,24µm a été fabriqué entre la membrane et la plaque arrière. La sensibilité mesurée à 1kHz a
été d'environ 0.5mV/Pa. La distorsion harmonique totale mesurée au niveau de la pression
acoustique 130dB a été de 1.5%. La bande passante prévue était d'environ 100 kHz et le
niveau de bruit mesuré est de 22dB Hz à 1kHz.
3.4. Microphones optiques
La classification de la transduction optique est généralement basée sur les propriétés de la

lumière modulée. Trois principes de transduction sont utilisés (i) la modulation d'intensité, (ii)
la modulation de phase et (iii) la modulation de polarisation [40][41]. Un microphone optique
transforme un signal acoustique en signal électrique en modulant un signal lumineux de
référence [40]. Contrairement aux autres types de microphones, un signal sonore est d'abord
converti en un signal optique avant qu'il soit converti en un signal électrique.
Les techniques optiques sont moins vulnérables aux interférences électromagnétiques et

peuvent tolérer des températures plus élevées. Les inconvénients des microphones optiques
incluent l'exigence d'une source optique stable comme référence et l'encapsulation de tous les
composants du système, tels que les sources de lumière, le capteur optique et le photo-
détecteur, puisqu’ils doivent être bien alignés et positionnés [42][43]. En plus, ils exigent
généralement des circuits optoélectronique d'interface plus complexes pour convertir le signal
optique en un signal électrique. Les microphones optiques sont des transducteurs linéaires,
non-réciproque, non-conservatifs et indirects.
4) Conclusion
La mesure de la pression est certainement l'une des applications les plus matures de la
technologie MEMS. Le succès commercial de cette branche des MEMS sert comme un
excellent modèle pour d'autres applications de MEMS. Ceci est rendu possible par l'avantage
de fabrication de lot en technologie de micro-usinage capable de produire des capteurs à très
faible coût unitaire. Avec le progrès de la technologie MEMS, les procédés de fabrication
deviennent plus puissants, une gamme de matériaux plus large est plus disponible, des
capteurs de pression micro-usinés trouveront beaucoup de nouvelles opportunités.
L'importance des propriétés du matériau silicium ne doit pas non plus être sous-estimée. Son
comportement piézorésistif intrinsèque facilite la conception des capteurs de pression avec
des jauges de déformation, tandis qu'à l'autre extrémité du spectre de performances, ses
49
propriétés mécaniques le rendent idéal pour les solutions de détection de pression complexe à
base de la résonance. Ce second chapitre a décrit les différents mécanismes de transduction
qui ont été développés au fil des années. Tous les microphones fonctionnent comme un
transducteur pour détecter la déformation d'une structure entraînée par la pression acoustique,
généralement une membrane. Un aperçu des travaux publiés sur les deux principes de
microphones en silicium, capacitif et piézoélectrique, était également présenté. Dans le
chapitre suivant, une nouvelle génération de microphone électrodynamique MEMS micro-
usiné sera présentée et modélisée.
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53
Chapitre 3
Modélisation magnétique et électrique du microphone
1) Introduction___________________________________________________________ 54
2) Présentation du microphone électrodynamique CMOS-MEMS ___________________ 55
2.1. Principe du couplage électrodynamique _______________________________________55
2.2. Description de la structure du microphone _____________________________________56
3) Modélisation magnétique du microphone ____________________________________ 57
3.1. Modélisation d’une inductance intégrée _______________________________________57
3.1.1. Modèle équivalent d’une inductance_______________________________________________57
3.1.2. Évaluation de l’inductance totale d’une spirale intégrée _______________________________58
3.2. Modélisation d’un transformateur intégré______________________________________61
3.2.1. Relations fondamentales des transformateurs________________________________________61
3.2.2. Différentes réalisations monolithiques des transformateurs_____________________________63
3.3. Modes de polarisation du microphone_________________________________________64
3.3.1. Évaluation du champ magnétique produit par une spire filiforme ________________________64
3.3.2. Polarisation de l’inductance externe par un courant continu____________________________67
3.3.3. Polarisation de l’inductance externe par un courant alternatif __________________________73
3.3.4. Polarisation des deux inductances par un courant alternatif ____________________________78
3.4. Modélisation d’une bobine avec décalage vertical _______________________________79
4) Modélisation électrique du microphone _____________________________________ 81
4.1. Évaluation de la tension induite du microphone _________________________________81
4.1.1. Modèles analytiques du transformateur concentrique _________________________________81
4.1.2. Expression du courant dans le secondaire __________________________________________83
4.1.3. Effet de la force de Lorentz sur le comportement du microphone_________________________85
4.2. Montage avec la bobine spirale multicouches ___________________________________87
5) Conclusion____________________________________________________________ 88
1) Introduction
Dans ce chapitre, nous allons commencer par introduire et présenter la structure de notre
microphone électrodynamique monolithique faisant l’objet de ce travail de thèse. Cette
nouvelle approche s'incline sur les transducteurs MEMS à faibles coûts obtenus par
l’application d’autres étapes de gravure postérieure à la suite d'un procédé CMOS standard
54
industriel. Par conséquent, nous utilisons les mêmes couches émises à partir d'un procédé
CMOS comme matériaux de base pour la partie mécanique ainsi que la partie électrique de
notre système. La structure de notre microphone repose sur l’utilisation de deux bobines
concentriques et coplanaires, ce qui nécessitera une révision de l'état de l'art des inductances
et des transformateurs intégrés. La circulation d’un courant dans l’une des deux bobines va
engendrer la création d’un champ magnétique au sein de la deuxième. Ce courant de
polarisation peut être soit continu ou alternatif. Une étude électromagnétique et électrique sera
détaillée, durant ce chapitre, dans le but de déterminer l’équation de la tension induite aux
bornes de la bobine secondaire dans chaque mode de polarisation. En outre, nous avons étudié
l’impact de la force de Laplace sur le déplacement de la membrane. La dernière partie de ce
chapitre introduit diverses solutions envisageables pour atteindre des tensions induites plus
large en utilisant les bobines multicouches ou un pont de maxwell.
2) Présentation du microphone électrodynamique CMOS-MEMS

2.1. Principe du couplage électrodynamique
Le microphone électrodynamique est basé sur les principes de l'électricité et du magnétisme
datant du 19ème siècle. Ces microphones n’étaient pas trop répandus, à cause de leurs faibles
rendements, jusqu'à l’apparition de l'amplification électrique ce qui les a permis de trouver
leurs places dans le commerce et la radiodiffusion. Néanmoins, actuellement on trouve
relativement peu de microphones électrodynamique utilisés à grande échelle, la plupart de
leur rôle ayant été pris par les microphones à électret 0. Le microphone électrodynamique est
aussi référé comme microphone dynamique, inductif ou à bobine mobile. Il est basé sur le
principe de l'induction magnétique dans lequel un conducteur, ou un fil, se déplace dans un
champ magnétique induisant ainsi une tension proportionnelle à la force du champ
magnétique, la vitesse du mouvement et la longueur du conducteur émergé dans le champ
magnétique. L'équation gouvernant le mouvement est donnée par e(t) = B.l.v(t) où e(t) [V] est
la tension de sortie instantanée, B [T] est la densité du flux magnétique, l [m] est la longueur
du conducteur, et v(t) [m/s] est la vitesse instantanée de déplacement du conducteur. Puisque
que l et B sont constants, la tension de sortie est directement proportionnelle à la vitesse
instantanée de déplacement du conducteur. Le principe de base de l'induction magnétique est
montré sur la Figure 3.1a, qui montre la relation entre le vecteur de densité de flux,
l’orientation du courant dans le conducteur et la vitesse du conducteur. Dans un microphone,
la réalisation typique est sous la forme d'une bobine multi-tours placée dans un champ
magnétique radial. Une vue en coupe d’un microphone typique à pression dynamique est
présentée sur la Figure 3.1b. Dans cette configuration, l'action est la réciproque d’un haut-
parleur dynamique.
(a) (b)
Figure 3.1. (a) Principe de base de l’induction magnétique (b) Vue en coupe d'un microphone
électrodynamique.
55
Actuellement, l’évolution de la nouvelle génération de microphone se focalise sur la

miniaturisation de toutes ses composantes par le micro-usinage du silicium. Cette
miniaturisation peut être obtenue à travers les évolutions accomplies dans la technologie de
fabrication des Circuits Intégrés, ce qui permet d’augmenter les performances et réduire le
coût. Les nouveaux microphones intègrent monolithiquement sur le même substrat de silicium
les microstructures formant la partie vibrante ainsi que l’électronique de traitement
analogique/numérique. Dans ce contexte vient l’objectif de cette thèse qui a pour but de
concevoir et réaliser une nouvelle génération de microphone de type électrodynamique micro-
usiné sur silicium, réalisé en technologie CMOS standard. L’utilisation d’une technologie
CMOS standard vise à ce que notre capteur présente, à partir de certain volume de production,
un faible coût de fabrication.
2.2. Description de la structure du microphone

A notre connaissance, le principe électrodynamique, sujet de cette thèse, n’a jamais été
exploité dans la pratique pour la réalisation de microphones micro-usiné sur silicium.
Toutefois, l’intégration du principe électrodynamique sur puce et le choix de la technologie
utilisée pour la réalisation de notre microphone représentent les deux grandes précellences.
L’idée du transducteur électroacoustique de type électrodynamique (ou inductif) intégré est
similaire à celle du microphone électrodynamique conventionnel. En effet, en utilisant deux
bobines spirales planaires et concentriques occupant deux régions distinctes, on peut imiter le
fonctionnement du microphone électrodynamique hybride. La première bobine externe B1 est
stationnaire et sera fixée sur le substrat. La deuxième bobine interne est solidaire à une
membrane flexible suspendue au-dessus d’une microcavité (Figure 3.2). La bobine B1 est
utilisée pour la création d’un champ magnétique au sein de B2. La vibration de la membrane
sous l’effet de la variation de pression, créée par les ondes acoustiques, engendre un
déplacement de la bobine interne B2 par rapport à B1. En appliquant la loi de Faraday, qui
stipule que tout déplacement d’un conducteur dans un champ magnétique engendre la création
d’une force électromotrice à ses bornes proportionnelle au déplacement, ceci donne naissance
à une tension induite (fem). La tension induite récupérée aux bornes de B2, proportionnelle à
la variation de la pression acoustique, sera ensuite amplifiée et traitée par l’électronique de
traitement intégrée sur la même puce [2].
Bobine B1 Bobine B2
Figure 3.2. Position des deux inductances sur le substrat.
La structure du microphone intégré est obtenue en utilisant une technologie standard de

fabrication des Circuits Intégrés (CI) complétée par une étape de post process de micro-
usinage en volume par la face avant, sur la surface du silicium pour libérer la partie capteur, à
savoir la membrane suspendue. La technologie CMOS utilisée est une technologie industrielle
standard, permettant d’intégrer l’électronique de traitement analogique et/ou numérique
nécessaire pour l’amplification et le traitement du signal. De ce fait, notre transducteur
56
électroacoustique présente un très faible coût de production et pourrait ainsi être employé
dans plusieurs applications grand public. La structure en 3D du microphone électrodynamique
CMOS est montrée sur la Figure 3.3.
Bobine B2 Bobine B1
Electronique de traitement
Cavité micro-usinée
Substrat CMOS
Figure 3.3. Vue 3D de la géométrie du microphone électrodynamique.
3) Modélisation magnétique du microphone

La structure du microphone électrodynamique microusiné repose sur l’utilisation de deux
inductances carrées spirales. Puisque le transformateur n'est rien d'autre que deux inductances
couplées, une connaissance solide des caractéristiques et limites des inductances intégrées
sera un excellent point de départ de l'analyse des transformateurs intégrés.
3.1. Modélisation d’une inductance intégrée

3.1.1. Modèle équivalent d’une inductance
Pour réaliser une inductance intégrée plane spirale avec une technologie CMOS standard, on
doit disposer au minimum de deux couches de métaux (Figure 3.4a). La spirale est construite
en utilisant l'une des couches métalliques encastrées dans l'oxyde de silicium, généralement,
la couche supérieure du métal pour réduire la capacité parasite du couplage avec le substrat.
De plus, la couche supérieure de métal est d’habitude plus épaisse ce qui minimise la
résistance série statique (Rs) de l’inductance (Figure 3.4b). La prise de contact de l’extrémité
interne est effectuée en utilisant l’autre niveau de métal ce qui représente la piste de retour de
la bobine. Les paramètres géométriques d’une inductance tel que la largeur des spires (ou
pistes) w, l’espacement entre les spires s, le diamètre extérieur dout, le diamètre intérieur din, le
nombre de tours n et la forme sont contrôlés par le concepteur. Les paramètres technologiques
tel que la conductivité du métal utilisé σm, la résistivité du substrat ρsub, l'épaisseur d'oxyde tox
et du métal tM sont fixées par le procédé technologique.
(a) (b)
Figure 3.4. Représentation spatiale (a) d’une inductance intégrée plane carrée sur silicium
(b) des éléments parasites.
57
Dans la pratique une inductance pure n’existe pas, elle est toujours accompagnée d’éléments
parasites, tels que capacités et résistances. L’obtention d’un modèle physique localisé
(concentré) de grande précision passe par l’identification et la prise en compte de tous ces
différents éléments parasites et de leurs effets. Dans la littérature, plusieurs modèles ont été
proposés tel que le modèle à transformateur [13], le modèle π à large bande [14][15] et le
modèle π qui est le plus connu [16]. Il est important de mentionner que les paramètres des
circuits électriques qui représentent ces modèles ne sont pas seulement empiriques, mais ils
ont aussi un sens physique. Le modèle π montré sur la Figure 3.5a est une approximation la
plus réaliste de l’inductance, dans lequel Ls et Rs représentent, respectivement, l’inductance et
la résistance série de la spirale. Dans un processus à multicouches en métal, plusieurs couches
métalliques du niveau haut peuvent être liées ensemble pour réduire la résistance série. La
capacité série Cs entre les deux extrémités de l'inductance modélise la somme entre la
capacitance produite par la superposition entre la spirale et la piste de retour souterraine,
d’une part, et le couplage entre les spires formées par les faces latérales de la spirale
métallique, d’autre part. La capacité de l’oxyde Cox, formée par la couche d’oxyde qui sépare
la spirale du substrat, est la plus gênante puisqu’elle a la plus grande valeur parmi les
différentes capacités parasites. Finalement, la capacité et la résistance du substrat en silicium
sont modélisées par Csi et Rsi [16]. Les caractéristiques de chaque élément sont étudiées en
détail dans [17]. Pour une inductance suspendue, les éléments parasites dans le modèle π
concentré, qui représentent le lien avec le substrat sont éliminés est le modèle équivalent
correspondant est montré sur la Figure 3.5b.
(a) (b)
Figure 3.5. Le modèle électrique équivalent, d’une inductance intégrée plane carrée (a) posée sur le
substrat (b) suspendue.
3.1.2. Évaluation de l’inductance totale d’une spirale intégrée

Il existe deux méthodes numériques pour l’évaluation de la valeur de l’inductance d’une
bobine : la méthode de Grover et celle de Wheeler [19]. En se basant sur l’étude de Grover,
qui a montré des résultats plus en accord avec la pratique [20], Greenhouse a développé une
théorie permettant de calculer l’inductance totale d’une spirale planaire carrée [9]. En effet,
une spirale carrée peut être découpée en un ensemble de lignes droites discrètes et
l’inductance totale de la spirale peut être évaluée comme la somme des inductances propres Li
de chaque ligne. Outre la considération de l’inductance propre de chaque conducteur,
l'interaction entre les segments parallèles doit être aussi incluse dans le calcul de l'inductance
totale. Cette interaction s’exprime par l’induction mutuelle Mi,j (positive ou négative) entre le
ième et le jème (avec i≠j) segments parallèles. Ainsi, l'expression de l’inductance totale peut
être calculée selon l'équation suivante [12] :
L   Li   M i, j   M i, j Éq. (3.1)
58
L’expression de l’inductance propre Li d’un conducteur rectangulaire a été donnée par Grover
comme suit [12] :
0l   2l  wt
Li  ln w  t   0.50049  3l  Éq. (3.2)
2    
où w, t et l représentent la largeur, l’épaisseur du conducteur et la longueur de l’inductance,
respectivement. Cette expression reste valide tant que la largeur ou l’épaisseur du conducteur
ne double pas sa longueur, ce qui est difficile à reproduire. Une expression approximative
plus simple qui utilise la longueur complète de la spirale peut être trouvée dans [16]. La
mutuelle inductance entre deux conducteurs dépend de leurs angles d’intersections, longueur
et séparation. Deux conducteurs orthogonaux n’ont pas d’inductance mutuelle puisque leurs
flux magnétiques ne sont pas couplés ensemble. Pour une inductance carrée, l’inductance
mutuelle, est constituée par deux composantes : la composante positive qui contribue à
augmenter le couplage magnétique entre les spires et la composante négative qui contribue à
le diminuer. Les segments en parallèles, ayant des courants qui circulent dans la même phase,
produisent une contribution positive à l’inductance mutuelle, M+, ce sont les segments de
spire situés sur le même côté de l’inductance carrée. Les segments antiparallèles, où les
courants sont en opposition de phase, ont une contribution dans la mutuelle négative, M-, tels
que les courants d'un côté et de l'autre de l’inductance (voir Figure 3.6).
davg
dout
din
Figure 3.6. Illustration de l’inductance mutuelle positive et négative d’une spirale planaire carrée.
Dans le cas simple de deux conducteurs parallèles, de même longueur l et ayant une section
rectangulaire de largueur w et d'épaisseur t (Figure 3.7), placés en regard à une distance entre
les deux centres égale à d, pour l’inductance planaire cette distance est égale à (w+s).
L’inductance mutuelle est définie alors par l’équation suivante [9].
0 l
Ml  Q Éq. (3.3)
2
où l est la longueur du conducteur et Q est un coefficient qui dépend uniquement de la
géométrie, et il est donné par l’équation suivante [10] : [10]
 l l2  GMD 2 GMD
Q  ln   1   1   Éq. (3.4)
 GMD GMD 2  l2 l
59
l
I I
w t
I
d
t
w
l
Figure 3.7. Disposition en parallèle de deux conducteurs de même longueur.
La GMD (acronyme anglais pour "Geometric Mean Distance") est la moyenne géométrique
de la distance entre la surface des deux conducteurs. La GMD entre deux nombres, d1 et d2,
est donnée directement par la racine carrée du produit. Une représentation équivalente est
obtenue en introduisant le logarithme naturel (népérien) des deux côtés :
1
ln(GMD)  ln( d1 )  ln( d 2 ) Éq. (3.5)
2
La GMD entre deux surfaces peut être obtenue en partitionnant les aires de chaque surface en
éléments différentiels et de calculer la moyenne géométrique de la distance entre ces
éléments. La moyenne géométrique de la distance entre ces deux surfaces est calculée de la
manière suivante [24] :
r r'
GMD  r .r'  d i , j Éq. (3.6)
i 1 j 1
Ainsi la GMD entre r points d'un côté et r’ points de l'autre coté est :
1  r r' 
ln( GMD )   ln( d i , j ) Éq. (3.7)
r .r'  i 1 j 1 
Figure 3.8. Méthode de calcul de la GMD entre deux surfaces.
où r et r’ symbolisent le nombre d'éléments différentiels dans les surfaces A et A’,

respectivement, dij est la distance entre l'élément i dans la zone A, et l'élément j dans la zone
A’. La GMD peut être aussi définie pour les distances nécessitant des variables continues à la
différence que les sommations deviennent des intégrales. En effet, la GMD est plus utilisée
dans la forme intégrale car les sections sont continues plutôt que discrètes. Pour le cas de deux
conducteurs de forme rectangulaire (Figure 3.7), la valeur exacte de la GMD peut être obtenue
à partir de la table de Grover [9] et elle peut être estimée, avec une erreur inférieure à 3%, par
l'équation suivante [6]:
60
 w2 w4 w6 w8 w10 
lnGMD   lnd    2
 4
 6
 8
 10
 ... Éq. (3.8)
 12d 60 d 168 d 360 d 660 d 
Comme prévu, le GMD est plus petit que la distance d séparant les deux centres. L'inductance
mutuelle, Ml, ne varie que légèrement avec la largeur du conducteur lorsque la distance qui
sépare les deux centres, d, restera fixe. Cela implique que la valeur de l’inductance mutuelle
entre deux inductances, ayant les mêmes distances entre les spirales à peine change lorsque la
largeur de ces spires est modifiée [11].
Dans une inductance planaire, correspondant à la structure du microphone, nous pourrons

identifier des interactions entre des segments de différentes longueurs comme indiquées sur la
Figure 3.9a. L’inductance mutuelle entre deux conducteurs parallèles de longueurs
différentes, l et m, peut être exprimée comme une différence de mutuelle de segments de la
même longueur, donnée par l'équation (17) [8].
1
M l m 
2

M m p  M p  M mq  M q  Éq. (3.9)
(a) (b)
Figure 3.9. Disposition, (a) arbitraire (b) symétrique par rapport au milieu, de deux conducteurs en
parallèle de longueur différente.
Dans le cas où chacun des segments de longueur m est situé symétriquement par rapport au
milieu de celui de longueur l (p=q) (Figure 3.9b), l'expression de l'inductance mutuelle peut
être écrite sous une forme simplifiée comme :
M l  m  M m p  M p Éq. (3.10)
3.2. Modélisation d’un transformateur intégré

3.2.1. Relations fondamentales des transformateurs
Une configuration dans la quelle deux inductances sont placées dans une faible distance et
parcourues par des courants i1 et i2, comme le montre la Figure 3.10, donne naissance à un
transformateur idéal. Une interaction magnétique entre les deux circuits et quatre composants
de flux Φ11, Φ12, Φ22 et Φ21 se manifesteront. Le flux magnétique produit par le courant i1
circulant dans l’enroulement primaire, induit un courant i2 circulant dans l'enroulement
secondaire, et vice versa, suivant les équations suivantes :
 1   11   21  L1 i1  M 21 i2 Éq. (3.11)

 2   22   12  L2 i2  M 12 i1
61
Figure 3.10. Interaction magnétique entre deux inductances idéales.
où L1 et L2 sont les inductances propres du primaire et du secondaire. En effet, le courant i1

produit un flux de champ magnétique Φ1 dont une partie est perdue sous forme de flux de
couplage, Φ21, et l’autre partie, Φ11, traverse le circuit 1 lui-même. L’inductance mutuelle,
M12, entre deux circuits 1 et 2, est définie comme le rapport entre le flux généré par le circuit
1 traversant le circuit 2 (Φ12) et le courant qui circule dans le circuit 1 (i1). D’après la loi de
Faraday la variation du flux, généré par le champ magnétique traversant l’une des deux
inductances, induit une force électromotrice aux bornes de la deuxième, ce qui donne le
couple des équations suivantes :
  L1 i1  M i2
v1   t  t
 Éq. (3.12)
v    L2 i2   M i1
 2 t t
Pour caractériser l’importance du coulage entre le primaire et le secondaire, nous sommes
amené à introduire le coefficient de couplage magnétique (ou mutuel) k qui est défini par :
M
k Éq. (3.13)
L1 L2
Pour un transformateur idéal, k=1, alors que pour la plupart des transformateurs intégrés, k est
comprise entre 0.3 et 0.9 en raison des fuites du flux magnétique [5]. Les causes de la non
idéalités des transformateurs intégrés dans la pratique englobe la capacité parasite, la
résistance due à la perte ohmique, l’effet de peau, l'effet de proximité et le courant de
Foucault dans le substrat.
Dans le cas d’un transformateur intégré, son modèle est réalisé en représentant les inductances
primaire et secondaire par leurs modèles localisés π équivalents, puis en ajoutant l’inductance
mutuelle et les capacités de couplage entre le primaire et le secondaire [5][6]. Les
capacitances Cs,12 et Cs,21 modélisent la capacité terminal-terminal entre les surfaces des spires
en regard des deux inductances. Les inductances propres, L1 et L2, peuvent être calculées en
utilisant les expressions de l’inductance qui ont été présentées dans le §3.1.2. L'inductance
mutuelle peut être calculée à l'aide de ces expressions et elle sera décrite plus tard dans §4.1.1.
Les capacités parasites et les résistances peuvent être estimées par des techniques similaires à
celles utilisées dans la modélisation par un circuit localisé π des inductances intégrées. Bien
que la Figure 3.11 montre un modèle localisé complet d'un transformateur sur puce non idéal,
la réalisation pratique de chaque transformateur contient en général un sous-ensemble plus
petit de capacités parasites grâce à des considérations de symétrie.
62
Figure 3.11. Modèle en éléments localisés d’un transformateur non-idéal.
3.2.2. Différentes réalisations monolithiques des transformateurs

Les transformateurs monolithiques ont été couramment utilisés dans les circuits RF. Les
structures de transformateurs se divisent principalement en deux catégories : planaires ou
empilés, selon le couplage magnétique utilisé qui est latéral ou vertical [23]. Le compromis
entre ces deux catégories est d’avoir une capacité terminale substrat plus grande et une
fréquence d’auto résonance plus petite. Les transformateurs planaires occupent généralement
une surface plus grande que les empilés, avec de nombreuses variétés dans leurs réalisations
comme montre la Figure 3.12. Le transformateur concentrique « tapped » à 2-portes, montré
sur la Figure 3.12a, représente en réalité une inductance spirale avec une prise de contact au
milieu. La capacité parasite entre la spirale et le substrat peut être minimisée par une
implémentation de l’inductance dans le niveau supérieur du métal, afin de réaliser une haute
fréquence de résonance. Ce transformateur permet un large éventail des rapports entre le
nombre de tours de son primaire et son secondaire, quoique son coefficient de couplage k est
généralement faible (0.4 ~ 0.6) [6].
La Figure 3.12b montre un transformateur entrelacé « interleaved », son primaire et son

secondaire sont enroulés en parallèle. Ce type de transformateur est le mieux adapté aux
inductances et permet un couplage modéré (k ≈ 0.7) atteignit au prix d'une diminution de
l'inductance propre. Ce couplage peut être augmenté au prix d’une résistance série plus grande
en réduisant la largeur de la spire, w, et de l'espacement, s.
Le transformateur empilé « stacked », illustré sur la Figure 3.12c, utilise de multiples couches
de métal et exploite à la fois le couplage magnétique vertical et latéral pour permettre la
meilleure efficacité en occupation de surface et avoir un coefficient de couplage plus élevé (k
≈ 0,9). Le principal inconvénient est la capacité terminal-terminal haute, ou de manière
équivalente une fréquence d’auto résonance faible. Dans des procédés de fabrication
modernes à plusieurs niveaux, la capacité peut être réduite en augmentant l’épaisseur d’oxyde
entre les spirales.
63
(a) (b) (c)

Figure 3.12. Les différentes structures de transformateurs (a) concentrique, (b) entrelacée et
(c) empilée.
Le Tableau 3.1 nous montre une comparaison au niveau des performances entre les différents
types de réalisation de transformateurs présentées. D’autres types de transformateurs sont
présentés dans la littérature mais ils sont inspirés de ces trois derniers [8].
Tableau 3.1. Comparaison entre les différents types de réalisation de transformateurs.
Type de coefficient de Inductance Fréquence de

Surface
transformateur couplage, k propre résonance propre
Concentrique élevée faible moyenne élevée
Entrelacé élevée moyen faible élevée
Empilé faible élevé élevée faible
3.3. Modes de polarisation du microphone

Pour générer une tension induite, au moins l’une des deux spirales doit être polarisée par un
courant continu (DC) et/ou alternatif (AC). Ainsi, un champ magnétique variable dans
l'espace et/ou dans le temps sera généré dans le voisinage de l’inductance induite. Dans la
suite, nous allons donner les expressions de la tension induite dans les différents cas possibles
de polarisation, en fonction des courants circulant dans l'une ou les deux inductances. En
revanche, nous allons nous intéresser principalement à produire la tension dans l'inductance
interne car elle est suspendue au-dessus de la microcavité qui permettra de limiter le couplage
parasite avec le substrat. D'autre part, la spirale externe possède un diamètre plus grand que la
spirale interne, ce qui permet donc de produire un champ magnétique plus élevé.
3.3.1. Évaluation du champ magnétique produit par une spire filiforme

Le champ magnétique B produit par un fil conducteur rectiligne de longueur fini
(Figure 3.13a), transportant un courant I est donné par la loi de Biot-Savart. Ce champ en un
point M de l'espace, peut être évalué à l’aide de l'équation suivante:
0 I
B sin 1  sin  2  Éq. (3.14)
4 r
64
où μ0 est la perméabilité magnétique du vide1, r est la distance perpendiculaire séparant le

point M du fil conducteur et, 1 et 2 sont les deux angles indiqués sur la Figure 3.13a.
1 
2
(a) (b)
Figure 3.13. Disposition géométrique et champ magnétique B produit par (a) un fil conducteur
rectiligne (b) une spire carrée.
Les circuits ayant une forme rectangulaire sont faits par une juxtaposition (assemblage) de
plusieurs segments de droites ensembles. En vertu du principe de superposition, le champ
magnétique résultant créé en un point M est la somme vectorielle des champs magnétiques
créés par la contribution de chaque segment de fil. Ainsi, pour une spire carrée de côté a,
placée dans le plan (x-y) (Figure 3.13b), parcourue par un courant permanent de densité I, le
champ magnétique à son intérieur est exprimé par trois composantes non uniformes dans
l'espace données par la série d'équations suivantes [3]:
0 I z  1  a2  y a2  y  1  a2  y a2  y 
Bx ( M )   a       
4  ( 2  x )2  z 2  c1 c2  ( a2  x )2  z 2  c3 c4 
0 I z  1  a2  x a2  x  1  a2  x a2  x 
By ( M )   a       
4  ( 2  y )2  z 2  c1 c3  ( a2  y )2  z 2  c2 c4 
I  a
x  a2  y a2  y  ( a2  x )  a2  y a2  y 
Bz ( M )  0  a 2 2        Éq. (3.15)
4  ( 2  x )  z 2  c1 c2  ( a2  x )2  z 2  c3 c4 
a
2 y  a2  x a2  x  a
2  y
 a2  x a2  x 
 
2 
 
    
a 2
( 2  y )  z  c1 c3  ( 2  y )2  z 2
a
 c2 c4 
où, c1  ( a2  x )2  z 2  ( a2  y )2 , c2  ( a2  x )2  z 2  ( a2  y )2 ,
c3  ( a2  x )2  z 2  ( a2  y )2 , c4  ( a2  x )2  z 2  ( a2  y )2 .
Le système de coordonnées cartésien (x, y, z) utilisé dans toute la suite est celui sur la Figure
3.13b. Les représentations spatiales des trois composantes du champ magnétique délimitées
par le contour de la spire sont données par la Figure 3.14. A partir du système d’équation
Éq. (3.15), on peut remarquer que, sur le plan de la spire x-y (c’est-à-dire pour z=0), les
composantes Bx et By sont nulles et Bz est maximale. Notant que Bz demeure presque constant
tout au long de la droite parallèle à la spire, bien qu’elle augmente brusquement vers les coins
(Figure 3.14a). Si on s’éloigne légèrement du plan de la spire, les deux composantes Bx et By
1
La perméabilité magnétique décrit la capacité du matériau à laisser passer le champ magnétique. L’air est considéré
comme un matériau paramagnétique, sa perméabilité magnétique est légèrement supérieure à celle du vide, elle est égale à
4π.10-7 H/m.
65
augmentent exponentiellement de plus en plus qu’on s’approche du bord de la spire

(Figure 3.14b). L’allure de la variation de la valeur maximale des deux composantes Bx et Bz
en fonction de la position z est montrée par les Figure 3.14c et Figure 3.14d.
(a) (b)
(c) (d)
Figure 3.14. Allure de la composante du champ magnétique (a) Bz en fonction de (x,y) pour z=0, (b) Bx
en fonction de (x,y) pour z=20µm, (c) Bz en fonction de z et (d) Bx en fonction de z.
Nous allons considérer la structure du microphone composée de deux spirales carrées

concentriques. La spire interne qui vibre verticalement suivant l'axe z sous l’effet de la
pression acoustique. La spire externe étant toujours stationnaire. Généralement, l’onde sonore
incidente est un signal complexe, résultant de la superposition de plusieurs signaux
sinusoïdaux de fréquences différentes. Le théorème de Fourier nous permet de décomposer ce
signal complexe en une somme de sons purs, définis par leurs fréquences (spectre de
fréquence) et leurs phases (spectre de phase). Pour des raisons de simplicité nous allons
considérer, dans les calculs faits dans cette section, une onde sonore incidente pure décrite par
une simple équation sinusoïdale.
On suppose aussi que le mouvement de la membrane peut être considéré comme celui d’un
piston, d’où la déflection à son centre par rapport à la périphérie est négligeable. L’équation
du mouvement instantané de la membrane est associée au déplacement harmonique ξ(ωp)
donné par h·sin(ωpt), où ωp est la vitesse angulaire de la pression acoustique incidente, h est
l’amplitude de la vibration et t est le temps.
66
3.3.2. Polarisation de l’inductance externe par un courant continu

a) Évaluation de la tension induite à travers le champ magnétique
La configuration schématique des spires du microphone électrodynamique MEMS est
montrée sur la Figure 3.15a.
z
Spire interne y
I1
a
Ca B
2 (- /2+ε,a/2-ε) (a/2-ε,a/2-ε)
a 
a
2 x
2 (-a/2+ε,-a/2+ε)
(a/2-ε,-a/2+ε)
D A
Spire externe
I1
(a) (b)
Figure 3.15. Disposition géométrique (a) des deux spires dans le microphone (b) de la spire interne en
mouvement de vibration.
Si la polarisation du microphone est assurée par un courant continu, la spire externe sera donc
parcourue par un courant permanent de densité uniforme I1. Conformément à la loi de
Faraday, une force électromotrice (fem) induite à l'intérieur du circuit fermé sera produite par
le phénomène de l’induction électromagnétique dit de Lorentz. Cette force électromotrice,
appelée de Lorentz (motional emf), notée par femL, est générée par le mouvement de la spire
interne dans un champ magnétique indépendant du temps et variable dans l'espace.
L'expression de la femL produite est proportionnelle à la variation temporelle du flux
magnétique, Φ, comme l’indique l'équation suivante [4]:
d
femL     Em dl   ( v  B ) dl Éq. (3.16)
dt loop loop
où Em et dl représentent, respectivement, le champ électromoteur et le vecteur du déplacement

élémentaire tangent à chaque point de la spire interne. La vitesse de vibration de la membrane,
v, est obtenue en dérivant l’équation du déplacement instantané de la membrane, ξ, par
rapport au temps. L’Éq. (3.16) traduit que la circulation d’un champ électromoteur sur la
courbe fermée décrite par la spire interne est non nulle, et qu’elle est égale à la fem induite.
On peut reformuler aussi cette même équation pour apparaître l’aire coupée par l’élément de
circuit dl au cours de l’intervalle de temps dt, ce qui nous donne :
1 1 d c
femL    ( v dt  dl ) B    d 2S n B   Éq. (3.17)
dt loop dt loop dt
où d2S est la surface élémentaire orientée vers la normale, décrite par dl lors d’un déplacement
élémentaire égal à v·dt dans le sens de mouvement (Figure 3.15b). On reconnaît alors
l’expression du flux coupé, Φc, à travers cette surface élémentaire. La valeur de la femL est
égale à la somme algébrique des tensions induites dans chaque segment formant la spire. Pour
un champ magnétique invariable dans le temps, la femL est donnée par l'équation suivante :
67

  
femL  v   z  Bx /( x a 2  ) x dy y   z  By /( y a 2  ) y dx x 
 AB BC Éq.
 (3.18)
  z  B
CD
x /( x a 2  ) 
x dy y   z  B
DA
y /( y  a 2  ) 
y dx x 

où ε est la distance séparant la spire interne de la spire externe (voir Figure 3.15a). Grâce aux
propriétés géométriques de symétrie de la spire carrée, Bx et By sont des fonctions impaires
par rapport aux variables y et x, respectivement. L'expression simplifiée de la femL est donnée
par l'équation suivante :
a
2

femL  4 v B x /  x  a 2   dy Éq. (3.19)

 a2 
L'expression exacte de la femL en fonction du déplacement, ξ suivant l'axe z, après

l’intégration, est donnée par l'équation suivante :
 2 2 2 
2 0 I 1      a     2   
2 2
femL   v  A1 I 1 v Éq. (3.20)

  2  2
Le facteur A1 dans l'Éq. (3.20), qui est une fonction paire du déplacement ξ, désigne
l’amplitude des vibrations de la femL. En conséquence, la tension totale induite aux bornes de
l’inductance secondaire restera sinusoïdale uniquement dans le cas où ce facteur est linéaire,
ce qui n’est pas toujours assuré. Lorsque nous procédons à un développement limité d'ordre 1
de la femL au voisinage de zéro, son expression simplifiée dans la gamme linéaire, peut être
estimée par l'équation suivante :
2 0 I 1  2  a   2  2
femL   v  A2 I 1 v Éq. (3.21)
 2
Le facteur A2 est un facteur purement géométrique qui représente une assez bonne
approximation linéaire de A1 au voisinage de zéro. Les allures de A1 et A2, pour des
dimensions données des deux spires, sont représentées sur la Figure 3.16. Pour une erreur
relative inférieure à k (d’habitude k=5%) il faut que l’amplitude des vibrations soit bornée à
une bande linéaire qui est donnée par l’équation suivante (moins de 22μm dans le cas de la
Figure 3.16 pour un k=5%) :

A1  A2
k  2

k a  2 
A1 2 2 Éq. (3.22)
4 a  3 2 
a
Afin d'étendre les résultats obtenus précédemment dans le cas de deux spires rectangulaires
vers deux inductances planaires et concentriques, le cas de notre microphone, nous avons
besoin d'appliquer quelques approximations. Posant n1 le nombre de tours de la bobine
externe et n2 celui de la bobine interne. Notre approximation suppose que chaque inductance
va être représentée par une seule spire moyenne incluant réellement les n1 ou n2 spires
superposées. La somme de toutes les forces électromotrices sera rapprochée par l'équivalent
de l'effet des n1 spires, situées à la distance moyenne, de l’inductance externe B1 sur les n2
spires de l’inductance interne B2. On pose la et ma les diamètres de la spire moyenne externe
68
et interne, respectivement, et εa la distance qui les séparent (εa=(la-ma)/2). Lorsque nous

substituons ξ par h· sin(ωpt) dans l'Éq. (3.21), la tension de sortie totale dans la zone linéaire,
en circuit ouvert, est donnée par l'équation suivante :
1
femL  n1n2 A2 I1 v  n1n2 A2 I 1h 2 p sin2 p t 
2
Éq. (3.23)
2 0  a2  la   a 2  2 a
où, A2 
  a2
Figure 3.16. Variation des deux facteurs A1 et A2 dans l’expression de la femL en fonction du
déplacement ξ (pour a = 1.5 mm, ε = 109 µm et I = 5mA).
Dans l’Éq. (3.23), la femL produite est inversement proportionnelle au carré de la distance de
séparation εa entre B1 et B2. Par conséquence, les deux inductances doivent être placées le plus
proche que possible afin d'obtenir le maximum de tension à la sortie. La distance de
séparation minimale est fixée par la géométrie et la technologie de fabrication choisie. Nous
pouvons également constater que la fréquence du signal de sortie est doublée, par rapport à
celle de l'onde de pression incidente. Cela est dû à la composante Bx du champ magnétique
qui est une fonction impaire de la position verticale z. Cet effet n'est pas souhaitable dans le
fonctionnement du microphone.
Pour une fréquence moyenne fp = ωp/2π = 1kHz, un nombre de tours n1=n2=50 tours et les
autres paramètres égaux à ceux de la Figure 3.16, les allures de la femL exacte et estimée sont
représentées pour deux amplitudes de vibrations différentes (Figure 3.17). Pour une
amplitude, égale à 20μm, située dans la zone linéaire on peut acquérir deux femL superposées
et sinusoïdaux dans la gamme des microvolts (Figure 3.17a). Nous pouvons parvenir à des
amplitudes de la tension induite plus élevées si la bobine interne exerce un déplacement plus
grand, mais au détriment de l’augmentation de la distorsion du signal (Figure 3.17b). Par la
suite, nous aurons besoin d’appliquer un électronique de traitement plus compliqué pour
filtrer et récupérer le signal utile.
69
(a) (b)
Figure 3.17. Allure de la femL induite donnée par l’équation exacte et l’estimée pour une amplitude de
déplacement égale à (a) h = 20µm (b) h = 100µm.
b) Évaluation de la tension induite à travers l’inductance mutuelle
Figure 3.18. Interaction magnétique entre deux inductances idéales dans le cas où seul le primaire est
parcouru par un courant DC.
Le couplage entre les deux inductances représente un transformateur planaire concentrique

avec l’inductance interne qui occupe une région distincte que celle de l’externe. Puisque seule
l’inductance primaire est alimentée par un courant continu (Figure 3.18), le flux à travers la
bobine B2 est restreint à Φ12=M·I1, et la tension au secondaire est donnée alors par l’équation
suivante :
 M I1 M
v2    I 1 Éq. (3.24)
t t
où M est la mutuelle inductance (ou le couplage magnétique) entre les segments de
l'inductance primaire externe, B1, et le secondaire interne, B2. La tension induite est d'autant
plus importante que la variation de l’inductance mutuelle par rapport au temps est grande,
c'est-à-dire le mouvement de la bobine interne est rapide. Les transformateurs concentriques
reposent uniquement sur le couplage magnétique latéral (Figure 3.19). Ainsi, la mutuelle
inductance totale entre les deux inductances, M, sera calculée en utilisant l'algorithme de
Greenhouse qui est basé sur la somme des interactions des couplages magnétiques de chaque
segment de B1 avec celui de B2. Comme mentionné précédemment, l’inductance mutuelle est
la superposition de deux termes, un terme positif qui contribue à l’augmentation du flux
magnétique de couplage, moins les accouplements magnétiques négatifs qui le réduit. Dans
70
notre cas, les effets de l’inductance mutuelle négative peuvent être négligés à cause du grand
diamètre de l’inductance interne (gamme des mm). D’après les équations Éq. (3.3) et
Éq. (3.8), l'inductance mutuelle est un paramètre purement géométrique, qui est proportionnel
à la longueur des conducteurs, inversement proportionnel à la distance qui sépare leurs deux
centres et il ne varie que légèrement avec la largeur du conducteur.
Figure 3.19. Structure d’un transformateur planaire concentrique.
La même approximation utilisée dans la section §3.3.1, va être appliquée dans le calcul de la
mutuelle en remplacent les deux inductances par deux autres ayant n1 et n2 spires superposées,
avec les même dimensions que précédemment. En utilisant la symétrie et notant que les
segments perpendiculaires les uns aux autres ont une mutuelle nulle, la valeur totale des
interactions positives de la mutuelle inductance d’un côté peut être remplacée par un
équivalent de n1n2 interactions moyennes entre deux conducteurs parallèles de longueur
différente. Par la suite, dans le cas d’une inductance carrée où chaque tour de spire se
compose de 4 segments de droite il faut multiplier par quatre pour trouver la mutuelle
inductance totale. D’autre part, il faut tenir compte de la distance verticale instantanée entre
les plans des deux bobines. L'inductance mutuelle entre les deux inductances spirales dépend
de la distance entre les deux plans de B1 et B2. Pour une vibration sinusoïdale de l’inductance
interne égale à ξ, la distance d séparant les deux centres devient d = √(εa2 + ξ2) (voir
Figure 3.20). Compte tenu de ces considérations et en combinant les équations Éq. (3.3), Éq.
(3.8) et Éq. (3.10), la mutuelle inductance entre les deux inductances concentriques est une
fonction parabolique qui peut être estimée par l'équation suivante :
  l    GMD 
2
2 0   la   a  GMD 2
l    ln 
a a
M  1   1 
  a a   GMD GMD 2  la   a 2 la   a 
   Éq.
(3.25)
  
 a  a2  GMD 2 GMD 
  a ln   1   1  
  GMD
 GMD 2   a2  a 
 
Figure 3.20. Vue en coupe du mouvement relatif de l’inductance interne B2 par rapport à B1.
71
La mutuelle inductance peut être normalisée en écrivant qu’elle est égale à la somme de deux
termes comme suit M=M0+ΔM(ξ). Le terme M0 représente le lien magnétique, permanent et
constant par rapport au temps, entre les spires des deux inductances correspondant à une
longueur de séparation égale à εa. Le second terme ΔM(ξ) représente la mutuelle causée par la
vibration relative, ξ, entre le plan de l’inductance interne et celui de l’externe (voir
Figure 3.20). Les composantes de la mutuelle inductance dans le régime des petits
déplacements peuvent être estimées en utilisant un développement limité d'ordre 2 de M
lorsque ξ varie au voisinage de 0, et qui résulte en :
  l   2  l  
    
2
2 0 
M 0  n1 n2
 
 
la   a ln a a a
a
a a  2

   a  l a   a 
2
 
  a ln 1  2  2 

  
Éq.
(3.26)
 
   2  la   a   2 a  2
2
A
M     n1 n2 0  a 2    n1 n2 2  2
  a  2
 
Pour les mêmes valeurs utilisées précédemment, une représentation graphique des équations
exactes et estimées de la mutuelle inductance est donnée sur la Figure 3.21. Les deux courbes
coïncident largement pour les amplitudes de vibration de l’ordre de 22μm (Figure 3.21). Nous
pouvons remarquer que, dans notre cas, le coefficient de couplage mutuel M est assez petit
(gamme de μH) en raison de la large séparation spatiale, εa, entre les deux inductances.
Finalement, en combinant les équations Éq. (3.24) et Éq. (3.26), la tension induite à la sortie
du secondaire en circuit ouvert dans la gamme linéaire peut être obtenue en dérivant, par
rapport au temps, ΔM(ξ), comme indiqué par les équations suivantes:
d M
v2   I 1  n1 n2 A2 I 1  v Éq. (3.27)
dt
Figure 3.21. Variation de la mutuelle inductance M en fonction du déplacement ξ, pour les

expressions exacte et estimée (pour la = 1.65 mm, εa = 121 μm, s = 0.9 µm et w = 1 μm).
On remarque bien que l'expression évaluant la tension induite v2, donnée par l'Éq. (3.27), et la
même que la femL évaluée dans la section 1, donc, les mêmes conséquences sont appliquées à
v2. Pour les différentes structures du transformateur, le coefficient de couplage mutuel k, est
égal à M/√(L1L2). Dans le transformateur concentrique, k, est relativement faible (k≈0.5) [6].
Son allure est représentée en fonction de l’amplitude de vibration de l’inductance interne sur
72
la Figure 3.22a et en fonction de la séparation entre les deux inductances sur la Figure 3.22.
On remarque que le coefficient du couplage magnétique est à son maximale quand les deux
inductances sont contenues sur le même plan et quand la distance qui les sépare est minimale.
Les transformateurs empilés ont un coefficient de couplage plus élevé grâce à la distance
faible entre les couches formant les deux inductances, désormais, nous sommes limités dans
notre cas par le principe de fonctionnement et l'utilisation d’une technologie industrielle
standard pour la fabrication de notre microphone électrodynamique.
(a) (b)
Figure 3.22. Variation du coefficient du couplage magnétique k en fonction de (a) l’amplitude de
vibration de l’inductance interne (b) la séparation entre les deux inductances.
Une polarisation supplémentaire de l’inductance interne par un courant DC ne va pas ajouter

une nouvelle composante à la tension induite, puisque l’inductance propre et le courant sont
invariables par rapport au temps.
d M
femL    I1   ( v  B ) dl Éq. (3.28)
dt t loop
3.3.3. Polarisation de l’inductance externe par un courant alternatif

D’après la relation de Faraday, le phénomène d’induction électromagnétique intervient dés
qu’il y a une variation, au cours du temps, du flux magnétique à travers l’induit. Pour
augmenter la tension induite produite par la pression acoustique, on peut générer une
deuxième composante de champ magnétique variable, qui va s’ajouter à la composante de
Lorentz. C’est à travers un courant de polarisation AC appliqué à l'inductance externe qu’un
champ magnétique variable dans le temps va être généré et par la suite un élément de tension
va s’additionner à celui déjà dans l'induit. Dans ce cas l’induction électromagnétique et la
tension, produite par les variations temporelles du champ magnétique, est dite de Neumann et
elle est définie par [4]:
d d i
femN     E .dl    B .d S   M 1 Éq. (3.29)
dt loop dt S t
où S est la surface s’appuyant sur le contour de la spire interne ABCD fermée et orientée vers
l’extérieur suivant la direction z (voir Figure 3.15a) et E est le champ électromoteur. Une
force électromotrice, comme étant défini par la loi de Faraday, est une tension qui résulte d’un
conducteur se déplaçant dans un champ magnétique constant ou d'un conducteur immergé
73
dans un champ magnétique variable dans le temps, ou une combinaison des deux. Ainsi,
lorsque l'inductance externe est entraînée par un courant alternatif, la valeur totale de la
tension induite femT est donnée par la superposition de ces deux contributions définies par les
équations Éq. (3.23) et Éq. (3.29). La fem induite de Lorentz est fonction de la vitesse de
vibration du secondaire et de la densité du champ magnétique, alors que la fem de Neumann
dans un circuit stationnaire fermé est égale à l'inverse des taux de variation du champ
magnétique traversant le circuit. La superposition des deux tensions est exprimée par
l’équation suivante :
d
femT   v  B  E .dl
loop
  ( v  B ) .dl
loop

dt  B .d S
S
Éq. (3.30)
Cette équation peut être exprimée en considérant un transformateur planaire concentrique.

Puisque seule l’inductance primaire est alimentée par un courant AC, de la forme
i1= I0·cos(ωct) où ωc est sa vitesse angulaire, donc le flux à travers la bobine B2 est donnée
toujours par Φ12=M·i1, et la tension au secondaire est la suivante :
 M i1 M i
v2     i1 M 1 Éq. (3.31)
t t t
On reconnaît dans l’Éq. (3.31) le terme, -i1∂M/∂t, renvoyant à la femL. En lui substituant la
nouvelle expression du courant alternatif, on aura l'équation suivante :
femL  n1n2 A2 i1  v
1 Éq. (3.32)
 n1 n2 A2 I 0 h 2 p sin 2 p t  cos c t 
2
La femL décrit un signal modulé en amplitude, subséquemment, la valeur la plus grande parmi
ωc et 2ωp désigne la pulsation de la porteuse et l’autre celle du signal modulant (ou
modulateur) [22]. Pour ce type de modulation, l’amplitude du signal modulé varie tandis que
sa fréquence reste constante égale à celle de la porteuse. L’enveloppe de la variation
d’amplitude est proportionnelle au signal modulant. Si le signal modulé est la multiplication
de deux sinusoïdes pures, la modulation est dite à porteuse supprimée (DSB - Dual Side
Band). Ainsi, son spectre de fréquences ne possède que deux raies de fréquences ωc-2ωp et
ωc+2ωp (voir Figure 3.23a). L’Éq. (3.32) peut alors être également écrite comme suit :
1
femL 
4

n1 n2 A2 I 0 h 2 p cos(  c t  2 p t )  cos(  c t  2 p t )  Éq. (3.33)
À partir de l’Éq. (3.33), l’amplitude des deux raies latérales sont égales à l’amplitude de
vibration donnée par n1 n2 A2 I0 ωp /4.
(a) (b) (c)

Figure 3.23. Spectre de fréquences des forces électromotrices induites, cas de (a) Lorentz, (b)
Neumann et (c) la somme des deux.
74
Le deuxième terme de l’Éq. (3.30) désigne la femN, où la surface élémentaire dS étant orientée
vers la normale, donc ce n’est que la composante z du champ magnétique qui servira dans
l’évaluation de la femN, ce qui donne l'équation suivante :
d i1
femN    BZ dx dy   M Éq. (3.34)
dt S
t
En se plaçant dans le cas des faibles amplitudes de vibration, l’inductance mutuelle M pourrait
être substituée par celle de l’Éq. (3.26). En conséquence, l'Éq. (3.34) représente le produit
d’une fonction sinusoïdale par une autre fonction sinusoïdale avec offset comme montre
1  di
femN   n1 n2 A2 2  M 0  1
2  dt
Éq. (3.35)
1  1 
  n1 n2 A2 h 2 cos2 p t    M 0  n1 n2 A2 h 2   c I 0 sinc t 
4  4 
La femN, présente un signal modulé en amplitude ayant un spectre de fréquence composé de
trois raies de fréquences successives égales à ωc-2ωp, ωc et ωc+2ωp (voir Figure 3.23b). Par la
suite, la porteuse est donnée par di1/dt et présente une pulsation égale à ωc alors que le signal
modulant donné par M a une pulsation égale à 2ωp. En se servant des formules
trigonométriques, l’Éq. (3.35) peut s’écrire également comme suit :
A2 2
femN  n1 n2
8

h I 0  c cos  c t  2 p t   cosc t  2 p t 
Éq. (3.36)
 1 
  c I 0  M 0  n1 n2 A2 h 2  sin c t 
 4 
L’amplitude de chacune des trois raies est donnée par l’amplitude du signal sinusoïdal
correspondant.
De ce fait, la tension induite totale femT, qui est la somme de la tension de Lorentz donnée par
l’Éq. (3.33) et celle de Neumann donnée par l’Éq. (3.36), sera exprimée par l’expression
suivante :
1  
femT 
4

n1 n2 A2 I 0 h 2  c   p  cos(  c t  2 p t )  cos( c t  2 p t ) 
 2 
Éq. (3.37)
 1 
 c I 0  M 0  n1 n2 A2 h 2  sinc t 
 4 
La femT présente aussi un signal modulé en amplitude, puisque qu’elle est la somme de deux
signaux modulés, avec un spectre de fréquence composé de trois raies de fréquences
successives égale à ωc-2ωp, ωc et ωc+2ωp (voir Figure 3.23c). La porteuse est la même que
celle de la femL alors que les deux bandes latérales représentent la somme des bandes latérales
de la femL est de la femN. Toutefois, notre objectif est de récupérer le maximum de tension
induite utile proportionnelle aux vibrations de l’onde sonore incidente de pulsation ωp qui
balaie la bande acoustique sonore [20Hz-20kHz]. D’après les équations Éq. (3.23) et
l’Éq. (3.26), on peut remarquer que M0>>n1n2A2h2/4, donc on peut dire que l’amplitude de la
porteuse est pratiquement constante, et notre signal utile est inclus uniquement dans les deux
raies latérales. Par conséquent, le seul paramètre non géométrique, qu’on peut modifier
75
aisément pour varier l’amplitude des raies, est la pulsation du courant de polarisation ωc. La
condition à respecter dans le choix de la pulsation ωc, c’est qu’elle doit être hors la bande
acoustique sonore pour pouvoir, finalement, séparer les deux signaux celui qui provient du
courant de polarisation et celui qui est proportionnel à l’onde sonore. On remettant
l’Éq. (3.37) sous forme de produit, on aura l’équation suivante :
1  1 
femT   n1 n2 A2 h 2  c  2 p cos( 2 p t )   c  M 0  n1 n2 A2 h 2   I 0 sin c t  Éq. (3.38)
4  4 
Le taux de modulation (ou profondeur de modulation), défini par m, est exprimé par
l’amplitude du signal modulant sur l’offset et son équation est donné par :
m
 c  2 p  n1 n2 A2 h 2

 c  2 p  n1 n2 A2 h 2
Éq. (3.39)
 c 4 M 0  n1 n2 A2 h 2  4 M 0 c
Le contrôle de la qualité de la modulation peut s’effectuer au moyen du trapèze de
modulation. Le trapèze de modulation, est une représentation en 2D du signal modulé en
fonction du signal modulant. Suivant le taux de modulation, m, quatre représentations peuvent
être schématisées comme montre la Figure 3.24. Pour obtenir la meilleure qualité de
modulation, il faut que le taux de modulation soit strictement compris entre 0 et 1
(Figure 3.24b), dans le cas contraire on a une surmodulation (Figure 3.24d).
(a) (b) (c) (d)

Figure 3.24. Différentes formes de trapèze de modulation en fonction du taux de modulation, m.
En choisissant une valeur de ωc>>2ωp, le taux de modulation est pratiquement nul (m≈0)
donc on aura plus de modulation d’amplitude au niveau la tension induite au secondaire
(Figure 3.24a). Toutefois, puisque la porteuse, représentée par le courant de polarisation,
possède une fréquence fixe et en plus n’apporte aucune information utile sur l’onde incidente,
on peut donc procéder à son élimination ou atténuation. L’élimination de la porteuse peut se
réaliser grâce à des structures équilibrées à transistors (structure de Gilbert [30]) ou à diodes
tel que le modulateur en anneau. Ce type de modulation, appelée modulation d'amplitude à
porteuse supprimée (CAM- Carrierless Amplitude Modulation ou Double Side Band
Suppressed Carrier), possède toujours un taux de modulation m≈1 et le signal modulé induit
se place alors à la limite de la surmodulation. Par conséquence, le trapèze de modulation a une
forme triangulaire au lieu d’avoir une forme trapézoïdale (Figure 3.24c). Par conséquent, la
tension induite totale, emfT, possède une amplitude pour les deux raies latérales indépendantes
de la pulsation de l’onde incidente, puisque on a supposé que ωc>>2ωp, comme montre
1
femT 
8
 
n1n2 A2 I 0 h 2c cos(  c t  2 p t )  cos(  c t  2 p t ) Éq. (3.40)
En outre, on pourrait avoir un facteur de multiplication entre la femL et la femT ajustable et

largement supérieur à l’unité défini par le coefficient (ωc/2ωp). Cela revient à dire que la
76
composante de la femL serait négligée devant la femN et l’induction électromagnétique n’est

assurée, donc, que par la variation du flux magnétique au cours du temps.
Finalement, le signal induit doit être démodulé pour récupérer la composante utile
proportionnelle à l’onde acoustique incidente. La démodulation d’un signal modulé en
amplitude sans porteuse consiste à la détection de son enveloppe qui correspond au signal
modulant utile multiplié par l’amplitude de la porteuse. Il existe deux méthodes principales
pour la démodulation d’un signal, la plus simple est d'utiliser une diode suivie d'un filtre RC
dont la constante de temps est grande devant la période de la porteuse. Cette méthode n’est
pas valable dans notre cas puisqu’elle utilise une diode dont le seuil est largement supérieur à
l’amplitude du signal modulé. La deuxième méthode, la démodulation synchrone, la plus
utilisée actuellement car elle permet une meilleure restitution du message que la détection
d'enveloppe. Le principe consiste à multiplier le signal modulé par un signal généré par un
oscillateur local de même fréquence et de même phase que la porteuse. Un filtre passe-Bas
permet ensuite d'éliminer les raies crées par la multiplication, autour des fréquences fc et 2fc,
est de restituer le signal modulant en basse fréquence. Cette technique se base sur l’utilisation
d’un amplificateur opérationnel et elle est idéale même lorsque les signaux reçus sont faibles,
en plus elle fonctionne également lorsque m>1 et/ou sans porteuse. Dans les conditions
réelles de transmission de signaux, il apparaît une erreur de phase plus ou moins importante
entre les deux signaux, modulé et après démodulation, la démodulation n'est pas cohérente.
Pour corriger ce problème de cohérence, on fait appel à une boucle à verrouillage de phase
(PLL) qui est un système permettant l'asservissement de phase. Un autre type de
démodulation utilisée dans les montages fonctionnant à très haute fréquence est la
démodulation par détection quadratique. A cause de la très faible amplitude de la tension
induite modulée, il vaut mieux que l’étape de préamplification précède celle de la
démodulation. Le signal après démodulation est donné par l’équation suivante :
1
femTd  n1 n2 A2c I 0 2 Éq. (3.41)
2
Ce signal contient encore une composante de tension continue (offset), qui peut être éliminée
avec une capacité. Finalement la tension obtenue, après filtrage et sans amplification, est
indépendante de la pulsation angulaire de l’onde incidente et d’amplitude (ωc/2ωp) plus
grande que celle de la femL avec un déphasage de π/2. Elle peut s’écrit comme suit :
1  
femTd  n1 n2 A2 h 2 c I 0 cos  2 p t   Éq. (3.42)
4  2
En gardant les mêmes paramètres géométriques des deux bobines que précédemment, nous
pouvons parvenir à une amplitude de la femT, vingt fois plus élevée que celle de la tension
femL possédant deux harmoniques, de pulsation angulaire ωc-2ωp et ωc+2ωp (Voir
Figure 3.25). Cela a été simulé pour un déplacement de 20µm, fp = 1kHz et fc = 40kHz.
L’utilisation d’une démodulation synchrone nous permet de récupérer le signal proportionnel
à la vibration de la membrane de pulsation angulaire de 2ωp. La dernière étape, c’est d’utiliser
d’un diviseur analogique de fréquence pour corriger la pulsation de la tension induite,
initialement égale à ωp.
Pour une valeur de ωc<<2ωp, on aura une porteuse de fréquence plus basse que la tension
modulante et l’équation de la tension sera donnée par :
1 
femT   n1 n2 A2 h 2 p cos( 2 p t )  c M 0  I 0 sin c t  Éq. (3.43)
4 
77
Figure 3.25. L’allure de la tension, femT, résultante de la somme de la femL et de la femN

pour ωc>>2ωp (fp = 1kHz et fc = 40kHz)
Pour les mêmes paramètres géométriques qu’avant, on remarque que l’amplitude de la

porteuse est constante et le signal modulant va osciller autour d’elle (Figure 3.26). Ce principe
de modulation est appelé courant porteur en ligne (CPL- Powerline Communications), et il est
utilisé dans la transmission de signal sur les lignes de haute tension. Il consiste à transmettre
un signal haute fréquence sur le dos d’un autre signal de basse fréquence. Cette configuration
est utile si l’amplification précède le traitement du signal si non, après filtrage le signal
récupéré va être le même que celui produit avec une polarisation en DC.
Figure 3.26. L’allure de la tension, femT, résultante de la somme de la femL et de la femN

pour ωc<<2ωp (fp = 1kHz et fc = 20Hz)
3.3.4. Polarisation des deux inductances par un courant alternatif

Dans ce dernier cas de polarisation, nous considérons les deux inductances, interne et externe,
parcourues par un courant de polarisation AC. De ce fait, un troisième coefficient va
apparaître dans l’expression de la tension induite totale au secondaire. Ce coefficient
représente le flux produit par l’inductance secondaire sur elle-même. Donc l’expression de la
tension induite récupérée est donnée par l’expression suivante :
78
 i2 i M i
v2   L2  M 1  i1   L2 2  femL  femN Éq. (3.44)
t t t t
Le nouveau terme L2∂i/∂t, possède la même pulsation que le courant de polarisation de la
bobine secondaire. Si on considère la même pulsation, ωp, pour le courant de polarisation du
secondaire ainsi que le primaire, l’amplitude du terme supplémentaire va s’additionner à
l’amplitude de la porteuse dans la femT, et donc il n’apportera pas d’informations utiles
supplémentaires à propos de l’onde sonore incidente.
3.4. Modélisation d’une bobine avec décalage vertical

Dans les différents modes de polarisations, il se trouve que la tension induite récupérée aux
bornes du secondaire soit proportionnelle soit au produit du déplacement par la vitesse (DC)
soit au carrée du déplacement (AC). Cependant, un microphone électrodynamique
conventionnel typique est constitué d’une bobine qui oscille dans un champ magnétique
constant produit par un aimant permanent. La tension induite ainsi aux bornes de la bobine est
une force électromotrice donnée par la loi de Faraday par Blv, comme il vient d’être
mentionné au §2.1.
A partir le da la Figure 3.14d, on remarque que la composante Bx du champ magnétique

augmente linéairement jusqu'à une valeur optimale puis elle décroître. Si on arrive à
positionner notre membrane dans cette altitude dans la quelle le Bx est optimale, on arrive à
avoir un champ magnétique radiale constant et maximal. Le fait de se placer dans la condition
où le Bx est maximal va permettre de récupérer une tension induite maximale. Alors que le fait
d’avoir un Bx constant va induire une tension qui dépendra uniquement de la vitesse de la
membrane et non pas du produit du déplacement par la vitesse. Plusieurs solutions
technologiques pour agir sur la position verticale de la membrane sont présentées dans le
chapitre 5, §3.4.3. En outre, pour une polarisation DC, lorsque la membrane est animée d’une
vitesse v, l’Éq. (3.19) devient :
a
2

eL  4v Bx ,max  dy  4v a  2 B
 a2 
x ,max Éq. (3.45)
Puisque le champ Bx est pratiquement constant, tout au long du conducteur AB parallèle à la

spire primaire, on peut chercher la position verticale, où le champ magnétique est maximal,
analytiquement en résolvant l’équation suivante :
 
Bx  x  2a   , y  0 , z    0 I 1 a  z   0
0  Éq. (3.46)
z z  4   2  z 2   2  z 2  a4 2 
  
En utilisant un logiciel de résolution mathématique (tel que Mathematica ou Maple), on
trouve que cette position est donnée pour une altitude verticale égale à :
1
z
4
12 2
 a2   4 a   4
2 2 2

 a2   Éq. (3.47)
Par la suite, si on suppose que la position verticale de repos de la membrane se trouve à cette
altitude ε, vers le haut ou bien vers le bas, le champ magnétique Bx est maximal et son
amplitude sera exprimée, pour x=a/2- ε, par l’équation suivante :
79
0 I  a 
Bx ,max     A3 I 1 Éq. (3.48)
4  2 2 
  8  a 
Donc la tension induite finale, dans le cas où on arrive à assurer une élévation verticale à la
membrane, sera une grandeur qui dépend de la géométrie du microphone, du courant de
polarisation et de la vitesse de vibration de la membrane. Elle sera ainsi donnée par :
 l l  2  
0 I
eL  n1n2  a a a  v  4 n n A l  2 I v Éq. (3.49)
1 2 3 a a 1
  8 2  l 2 
 a a a 
Pour une fréquence moyenne fp = ωp/2π = 1kHz et en gardant toujours les mêmes paramètres
géométriques utilisés précédemment, une représentation graphique des équations exacte et
estimée de la tension induite eL, pour deux amplitudes de vibrations différentes, est donnée
sur la Figure 3.27. L’allure de la tension exacte est donnée à travers l’Éq. (3.20), en ajoutant
une position initiale, εa, dans le déplacement. Pour une amplitude de vibration sinusoïdale
pure égale à 20μm, les tensions induites estimée, eL, et réelle coïncident largement en gardant
la même forme sinusoïdale du déplacement sans doublement de la fréquence (voir
Figure 3.27a). L’amplitude de la tension acquise est dans la gamme des dizaines de
microvolts, avec un coefficient multiplicateur de cinq fois dans le cas des dimensions
choisies. Nous pouvons parvenir à des amplitudes de la tension induite plus élevées si la
bobine interne exerce un déplacement plus grand, mais au détriment de l’augmentation de la
distorsion du signal (Figure 3.27b).
(a) (b)
Figure 3.27. Allure de la tension induite eL donnée par l’équation exacte et l’estimée pour une
amplitude de déplacement égale à (a) h = 20µm (b) h = 100µm.
Dans le cas où le courant de polarisation est alternatif, la tension induite est donnée par la
somme de deux termes. Le premier terme décrit la circulation non nulle d’un champ
électromoteur, associé à la variation temporelle du champ magnétique, tandis que le deuxième
terme décrit la présence d’un flux coupé dû au déplacement du circuit et/ou à sa déformation.
Le premier terme peut être calculé à partir de l’Éq. (3.29) comme suit :
d 2
eN   Bx ,max a  2  Éq. (3.50)
dt
En remplaçant les deux spires par deux bobines, ayant n1 et n2 spires dans le primaire et le
secondaire, respectivement, l’Éq. (3.50) devient :
80
2 di1
eN   n1n2 A3 la  2 a  Éq. (3.51)
dt
La tension induite totale est la somme de deux termes, données par l’induction de Neumann et
celle de Lorentz, d’où son expression est donnée par :
 di 
eT  eL  eN  n1n2 A3 la  2 a 4i1v  la  2 a  1  Éq. (3.52)
 dt 
La tension induite représente un signal modulé en amplitude. En substituant les valeurs de la
vitesse et du courant de polarisation, on trouve l’équation suivante :
 
eT  n1 n2 A3 I 0 l a  2 a  4 h p cos p t sin c t   la  2 a  c cos c t  Éq. (3.53)
Dans cette configuration, la tension de Neumann, eN, générée par la polarisation de la bobine
interne va jouer le rôle de la porteuse et par conséquence elle ne va pas apporter aucune
composante utile supplémentaire au niveau de la tension induite totale. Pour le mêmes
paramètres géométrique que précédemment, la eT est représentée sur la Figure 3.28 dans les
deux cas où ωc>>2ωp et ωc<<2ωp. Dans les deux cas, on remarque que le gain est
pratiquement unitaire puisque la porteuse de contient par d’informations utiles qui vont
s’additionner.
(a) (b)
Figure 3.28. Allure de la eL pour (a) ωc>>2ωp (fp = 1kHz et fc = 40kHz, sans porteuse), et (b)
ωc<<2ωp (fp = 1kHz et fc = 20Hz, porteuse de basse fréquence).
4) Modélisation électrique du microphone

4.1. Évaluation de la tension induite du microphone
4.1.1. Modèles analytiques du transformateur concentrique
Un transformateur peut être configuré comme un périphérique à 2-ports, 3-ports ou 4-ports.
La Figure 3.29 présente, respectivement, les modèles d’analyses possibles pour un
transformateur concentrique inverseur et non-inverseur implémentés avec des spirales carrées.
Le transformateur concentrique inverseur à 2-ports, montré sur la Figure 3.29a, est réalisé
comme une inductance symétrique avec le centre de la spirale relié à la masse. Il est utilisé
dans nombreux circuits différentiels tels que les inductances de charge « load inductors », les
inductances à source dégénérée « the source degenerated inductors » ou dans les circuits
LNA. Par contre, dans le transformateur non-inverseur à 2-port, montré sur la Figure 3.29b,
81
l'extrémité externe de la spirale interne est connectée à l'extrémité interne de la spirale

externe, tandis que, l'extrémité interne de la spirale interne est mise à la masse. Ce genre de
transformateur a généralement une inductance efficace plus petite, ainsi qu’une fréquence de
résonance propre élevée.
(a) (b)
Figure 3.29. Différents montages du transformateur (a) inverseur (b) non-inverseur.
Ces configurations ont été choisies pour réduire au maximum le nombre d’éléments parasites
dans le modèle complet et qui vont être court-circuités. Le calcul des capacités parasites dans
un transformateur est, dans le principe, semblable au calcul des capacités parasites d’une
inductance. En effet, toutes les capacités dominantes peuvent être modélisées en utilisant les
approximations des capacitances à plaques parallèles. Pour les transformateurs planaires
(concentriques et entrelacés), les capacités dominantes sont les capacités d’oxyde, Cox, entre
la spirale et le substrat du primaire et du secondaire. Les capacitances terminal-terminal sont
faibles pour le transformateur concentrique et modérées pour l’entrelacé. Dans le cas de notre
microphone, l’inductance secondaire B2 est suspendue, donc les éléments de couplage avec le
substrat sont éliminés. Ainsi, les modèles à éléments localisés complets présentant le
transformateur concentrique inverseur et non-inverseur, sont illustrés sur la Figure 3.30. Le
Tableau 3.2 fournit des expressions détaillées pour les éléments du transformateur.
Terminal 1 M Terminal 2
Cox,1b Ls,1 Ls,2

(a) Cs,1 Cs,2
Rsi,1b
Csi,1b
Rs,1 Rs,2
(b)
Figure 3.30. Modèle d’un transformateur concentrique (a) inverseur (b) non-inverseur.
82
Tableau 3.2. Équation et valeur des paramètres physiques d’une bobine planaire intégrée sur silicium.
Paramètre physique d’une bobine planaire
Valeur Effets
intégrée sur silicium
Ls,1 = 13.38·10-6
Ls : La méthode de Greenhouse Couplage mutuel
Ls,2 = 13.29·10-6
l Rs,1 = 13.61 kΩ
 Courants de Foucault
RS
w  1et  

 Rs,2 = 9.9 kΩ
Effet de peau du métal
lt  ox Cs,1 = 1.1·10-13
CS1   , C S 2  n w2 Feed-through capacitance
ox s tox( M 1M 2 )
avec, C s  C s 1  C s 2 Cs,2 = 9.17·10-14
1  ox Ccox,1 = 7.34·10-14
Cox  lw Capacitance d’oxyde
2 t ox Ccox,2 = 6.07·10-14
Csi,1 = 1.02·10-12
1 Capacitance du substrat en
C Si  l w C sub
2 Si
Csi,2 = 8.44·10-13
2 Rsi,1 = 3.67·107
RSi  Perte Ohmique dans le
G sub l w 7 substrat en Si
Rsi,2 = 4.43·10
où ρ=résistivité DC du matériau, δ=épaisseur de peau, tox=l’épaisseur de oxyde à partir de la spirale jusqu'au substrat,
k=coefficient de couplage mutuelle, n=nombre de tours, davg=diamètre moyen, l=longueur de la spirale≈4ndavg, GSub2=la
conductance du substrat, Csub3=Capacité du substrat.
4.1.2. Expression du courant dans le secondaire

On admet que la polarisation des deux bobines du transformateur va être générée par des
sources de courant, et ceci pour ne pas influencer la tension induite du secondaire. Dans le cas
où seul le primaire est alimenté, la tension aux bornes de la bobine peut être subdivisée en
deux termes qui sont la variation du flux d’induction mutuelle Φ12 de la bobine primaire à
travers chaque spire du secondaire et la variation du flux d’auto-induction Φ22 (Figure 3.31b).
Si le mode de polarisation du transformateur était en double alimentation, donc une source de
courant supplémentaire est appliquée à travers la sortie (Figure 3.31c). En appliquant le
théorème de superposition la tension de sortie vo,2 totale est la somme algébrique des tensions
dues à chaque source indépendante prise séparément, les autres sources indépendantes étant
rendues passives. Le modèle équivalent de la bobine secondaire suspendue réelle est donc
celui du montage présenté sur la Figure 3.31a.
2
GSub = 0.16 [29]. Pour diminuer les pertes par effet joule dans le substrat, on doit choisir un substrat de grande résistivité.
3
CSub = 6·10-6 [29]. Malgré sa faible valeur, les pertes sous forme d’énergie électrique stocké dans le substrat sont modulés
par la capacité parasite CSi dont la valeur n’est pas très importante, mais elle a des effets parasite non négligeable en hautes
fréquences.
83
Figure 3.31. Schéma équivalent général de la bobine dans différents modes de polarisation.
Dans le cas où seul le primaire est polarisé, le sens du courant induit est déterminé par la loi
de Lenz. Cette loi évoque qu’un changement d'état d'un système électromagnétique provoque
un phénomène dont les effets tendent à s'opposer à ce changement. Par la suite la polarité de
la force électromotrice produite est telle que si un courant peut circuler, il génère un flux qui
tend à s'opposer à la variation du flux inducteur. Autrement dit, ce courant produit une force
de Laplace qui tend à s'opposer à la vibration de la bobine secondaire qui est solidaire à la
membrane. A fin de calculer l'intensité du courant induit et son impact sur la vibration de la
membrane, on considère le montage de la Figure 3.31b. On peut écrire la loi des mailles sous
la forme :
1 d 12 di
vo ,21   i2 ,21 dt    L2 2 ,21  Rs ,2 i2 ,21 Éq. (3.54)
c dt dt
L’Éq. (3.54) représente celle d’un circuit RLC série excité par une tension sinusoïdale. En
organisant les termes, elle peut être exprimée par :
1 di
 i2 dt  L2 2  Rs ,2i2  femL  femN Éq. (3.55)
c dt
Soit, en introduisant les impédances complexes, on retrouve que le module et la phase de
l’impédance complexe équivalente sont donnés par :
  
2
Z  R L  
2 1
s ,2  s ,2

 éq c  
emf L  emf N  1    s ,2 
Z éq   Rs ,2  j  Ls ,2    Éq. (3.56)
i2  cs ,2    Ls ,2  
1
arg Z   Arc tan cs ,2 
 éq
Rs ,2

On appelle pulsation de résonnasse ω0=1/√(Ls,2Cs,2) du circuit, la pulsation pour la quelle la
partie imaginaire de l’impédance est nulle. L’impédance Zéq possède un extrema minimal
pour la pulsation égale à ω0 et elle est purement résistive. Les fréquences de coupure haute et
basse, ainsi que la bande passante à +3 dB du minimum sont défini par :
 Rs ,2Cs ,2  Rs2,2Cs2,2  4 Ls ,2C s ,2 Rs ,2Cs ,2  Rs2,2Cs2,2  4 Ls ,2C s ,2

1  , 2 
2 Ls ,2C s ,2 2 Ls ,2C s ,2 Éq. (3.57)
R
et  
L
Pour les valeurs de ω<<ω0, on trouve que le circuit est purement capacitif tandis que pour les
valeurs de ω>>ω0, le circuit est purement inductif. Ceci est équivalent à dire que le
84
condensateur est équivalent à un coupe-circuit vers les BF et la bobine à un court-circuit vers

les HF.
En se basant sur les équations et les valeurs des éléments concernant l'inductance interne du
Tableau 3.2, la fréquence de résonance est de l’ordre de 114Mhz. Par la suite, pour une
excitation de la membrane dans la bande de fréquence acoustique [20Hz, 20kHz], on a :
1
Z éq  , vo ,21  femL  femN Éq. (3.58)
jcs ,2

donc, i2 ,11  jcs ,2  femL  femN  Éq. (3.59)
Le courant induit possède la même pulsation que la tension induite avec un retard de -π/2.
Avec des tensions induites dans les cas les plus optimistes dans la zone des mV, le courant
induit sera alors très faible, dans la zone des pA, nous pouvons conclure que son effet sur le
flux produit par l'inductance externe est négligeable.
Concernant le cas où le secondaire est polarisé avec un courant, de la forme i2= I0·sin(ωct), on
retrouve le montage de la Figure 3.31c, qui va se superposer à celui de la Figure 3.31b. Pour
une polarisation en continue, la vitesse angulaire ωc serait nulle. L’impédance complexe
équivalente pour une polarisation en AC est exprimée par l’équation suivante :
 1  Rs ,2  jLs ,2c
Z équ   Rs ,2  jLs ,2c //  Éq. (3.60)
 jC s ,2c  ( 1  C s ,2 Ls ,2 2 )  jC s ,2 Rs ,2c
La pulsation de résonance du montage est la même que le précédent et elle est égale à
ω0=1/√(Ls,2Cs,2). Pour les valeurs de ω<<ω0, on trouve que le circuit est équivalent à une
bobine avec sa résistance série tandis que pour les valeurs de ω>>ω0, le circuit est purement
capacitif. Donc, pour une fréquence d’excitation juste supérieure à la bande audible, tout le
courant de polarisation va traverser la bobine secondaire et la tension est donnée par :
di2
vo ,22  Ls ,2  Rs ,2i2 Éq. (3.61)
dt
Donc si seul le primaire est alimenté la tension finale aux bornes du secondaire est donnée par
vo,21. Si les deux bobines sont alimentées la tension est la somme de vo,21 avec vo,22.
4.1.3. Effet de la force de Lorentz sur le comportement du microphone

La circulation d'un courant dans un conducteur filiforme immergé dans un champ magnétique
produit une force de Lorentz donnée par [20]:
F i  dl  B Éq. (3.62)
spire
On sait déjà que le champ magnétique se compose de trois composantes suivant les directions
x, y et z. Tout au long de la spire AB, le produit vectoriel de la composante z du champ
magnétique par le déplacement élémentaire dy produit une composante de la force de Lorentz
suivant l’axe x. En conséquence et grâce à la symétrie de la bobine carrée, les spires anti-
parallèles d'un côté et de l'autre du secondaire s’attirent ou se repoussent les unes aux autres
selon le signe de Bz et du courant i2. Puisque la bobine interne est inhumée dans la membrane,
les forces produites horizontalement n'ont pas d’impact, d’autre part, leurs sommes s’annulent
deux à deux (voir Figure 3.32a).
85
y
z dfz
By
dl
dfz dfz
dl
Bx dl i1 Bx x
dfz
dl
By
(a) (b)
Figure 3.32. Directions de la force de Lorentz générée par le champ magnétique (a) vertical
(b) radial.
D’autre part, les composantes x et y du champ magnétique B vont produire une composante
suivant l’axe z de la force de Lorentz. Du fait que Bx et By ont un signe opposé, de chaque côté
de la bobine, l'orientation de la force de Lorentz produite est normale à la surface de la
membrane et possède la même orientation dans toutes les spires (Figure 3.32b). Cela permet
d'éviter la création d’un moment de force qui va plier la membrane en torsion. La force de
Lorentz produite dans une spire élémentaire ABCD est donnée par l'équation suivante :

  
Fz  i2   dy y  Bx /( x a 2  ) x   dx x  B y /( y a 2  ) y 
 AB BC
Éq. (3.63)

   
  dy y  Bx /( xa 2  ) x   dx x  By /( ya 2  ) y  z
CD DA 
Pour la bobine B2, la somme de toutes les composantes suivant z de la force de Lorentz
peuvent être estimées par un équivalent de n1n2 effet moyen de n1 spires de l'inductance
externe sur les n2 spires de l'inductance interne. D’autre part, puisque les champs Bx et By sont
deux fonctions impaires par rapport aux variables y et x, respectivement, l'expression
simplifiée résultant de Fz est donnée par l'équation suivante :
Fz  4 n1n2 i2  Bx /( xa 2  ) dy Éq. (3.64)
AB
L'expression exacte de la force de Lorentz en fonction du déplacement suivant l'axe z, ξ, est

donnée par l'équation suivante:
2 0 i1 i2  2   2  a   2  2 2   2 Éq. (3.65)
Fz    A1i1 i2
 2 2
Pour les faibles amplitudes de vibration, comme c’est le cas pour la femL, la force de Lorentz
sera donnée par l’expression suivante :
Fz  A2 i1 i2 Éq. (3.66)
La force de Lorentz produite est proportionnelle à la vibration du secondaire, en plus des
courants de polarisation des deux bobines. Par conséquence, si seule la bobine primaire est
polarisée en DC ou en AC, la valeur du courant induit sera très faible (gamme de pA) et la
force de Lorentz n’aura aucun effet. En outre, si les deux bobines primaires ou secondaires
86
sont parcourues par un courant AC, ceci donne une pulsation différente a celle de l’onde
sonore sur la force de Lorentz. Donc, la force de Lorentz va avoir un impact indésirable sur la
vibration de la membrane. Dans le dernier cas, où les deux bobines sont polarisées par un
courant DC, selon la direction des deux courants, on aura une force de Lorentz possédant la
même pulsation que l’onde sonore, qui soit s'opposer ou favorise, la vibration de la
membrane. Il ne faut en aucune circonstance que l’amplitude de la force de Lorentz, soit
supérieure à celle de la force produite par l’onde acoustique, Fp, ce qui peut s’écrire par
Fz  Fp  A2 i1 i2  s 2 p Éq. (3.67)
où, p est la pression acoustique et sm est la surface de la membrane. On suppose que le

primaire est parcouru par l’intensité maximale de courant que sa surface de spire puisse
autorisée, pour produire le maximum de champ magnétique. Donc le courant maximum dans
le secondaire sera donné par l’inégalité suivante :
sm2 p0
A2 i1 i2 hmax  sm2 p0  i2  Éq. (3.68)
i1 A2 hmax
Le Tableau 3.3 résume les différents modes de polarisation et l’effet de la force de Lorentz
produite sur la vibration de la membrane.
Tableau 3.3. Tableau récapitulatif des différents modes de polarisation.
Mode de Effet de la force de Lorentz

Expression de la tension induite
polarisation sur la membrane
DC – n.a femL négligeable
AC – n.a femL+ femN négligeable
DC – DC femL– Rs,2I2 amplifie la vibration
AC – AC femL+ femN – Rs,2i2–Ls,2∂i2/dt désastreux, catastrophique
4.2. Montage avec la bobine spirale multicouches

La courbe de l’inductance mutuelle en fonction de la distance qui sépare les deux spires
montre que l’inductance mutuelle diminue exponentiellement en fonction de la distance
verticale (Figure 3.21). Par conséquence, pour pouvoir augmenter le champ magnétique B et
améliorer la fem induite, on a intérêt à implanter les spires des deux bobines le plus proche
que possible. De ce fait, nous pouvons utiliser le concept de la bobine spirale symétrique
multicouches 'multi-layer'. Cette technique consiste à implanter la même spirale dans les
différentes couches de métaux, et de les connecter en série, comme le montre la Figure 3.33
[25]. Avec cette structure, l'inductance mutuelle entre les couches de métal de l'inductance
augmente. Cela incrémente l'inductance totale par unité de surface, permettant
l’implémentation de bobines avec de grandes inductances à l'intérieur d’une surface plus
petite que celle requis par la configuration correspondante en un seul niveau. En comparaison
avec la bobine spirale simple couche classique, la théorie et les mesures montrent que, pour
une intégration sur la même surface de silicium, la bobine double couches offre une
inductance de valeur trois fois supérieur à celui de la bobine simple couche [26][27].
L'utilisation de ce type de concept dans notre structure de microphone peut conduire à une
fem qui est quatre fois plus grande à celles données dans le Tableau 3.3. Cela peut facilement
être vu puisque le nombre des spires a été multiplié par deux à la fois pour la bobine interne et
87
externe. On suppose que vers les basses fréquences, les impédances parasites ne vont pas
intervenir beaucoup dans les calculs finals des tensions induites comme on a montré dans
§4.1.2 .
(a) (b)
Figure 3.33. Une inductance spirale double couches sur substrat de silicium (a) Illustration
tridimensionnelles (b) circuit équivalent idéal.
5) Conclusion
Durant ce chapitre nous avons présenté en détail la modélisation magnétique et électrique

d'une nouvelle structure de microphone électrodynamique monolithique CMOS-MEMS. Nous
avons tiré les équations de l’inductance mutuelle et de la tension induite aux bornes de la
bobine secondaire, dans les différents modes de polarisation. Cette modélisation nous a
permis d’évaluer la gamme de tension de sortie du microphone inductif qui s’étend de
quelques microvolts à quelques dizaines de microvolts. L’étude du champ magnétique en
fonction du déplacement vertical de la membrane nous a montré que la tension induite est
proportionnelle au produit du déplacement multiplié par la vitesse de vibration en cas de
polarisation en DC. De plus, il existe une relation de non linéarité entre la tension de sortie et
l’onde acoustique incidente à partir d’une certaine élongation de la membrane. En outre,
l'utilisation d'un courant alternatif dans l’inductance primaire produit une tension induite plus
grande et indépendante de la pulsation de l’onde incidente comme c’était le cas pour la
polarisation en AC. L'augmentation attendue de la tension induite peut être exprimée par un
ratio de tension en mode AC par rapport en mode DC qui est de l'ordre de ωc/ωp. La
polarisation des deux bobines simultanément, ne va pas générer une tension induite
supplémentaire, mais elle va faire naître une composante verticale de la force de Lorentz.
Finalement, nous avons montré aussi que l’utilisation d’une bobine double couche dans le
primaire et le secondaire peut donner une tension induite quatre fois plus élevée.
88
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Toulouse, Déc 2001.
90
Chapitre
² 4
Modélisation mécanique et acoustique du microphone
1) Introduction___________________________________________________________ 91
2) Modélisation mécanique de la structure du microphone ________________________ 92
2.1. Réponse en fréquence de microphones micro-usinés______________________________93
2.2. Modélisation des ressorts de suspension _______________________________________94
2.2.1. Rigidité de flexion des différents types d’attachement _________________________________94
2.2.2. Comparaison entre les différents types d’attachement _________________________________98
2.3. Estimation de la masse équivalente de la membrane______________________________99
2.4. Choix des dimensions de la membrane _______________________________________100
2.4.1. Validation des calculs de la raideur et de la membrane _______________________________100
2.4.2. Calcul des dimensions de la membrane ___________________________________________101
2.4.3. Calcul des modes propres de la structure __________________________________________102
2.4.4. Etude statique de la membrane __________________________________________________103
3) Modélisation électro-acoustique du microphone inductif_______________________ 103
3.1. Modélisation en éléments localisés de la structure du microphone__________________104
3.1.1. Impédance de rayonnement_____________________________________________________105
3.1.2. Impédance de la membrane et des bras d’attachement________________________________106
3.1.3. Impédance d'air à travers des ouvertures de la membrane_____________________________107
3.1.4. Impédance acoustique de la cavité _______________________________________________107
3.2. Réponse en fréquence du microphone ________________________________________107
3.2.1. Sensibilité du microphone sans amortissement ______________________________________108
3.2.2. Sensibilité du microphone avec amortissement______________________________________109
3.3. Bruit du microphone _____________________________________________________113
3.3.1. Bruit Brownien de la membrane _________________________________________________113
3.3.2. Bruit thermique (Johnson)______________________________________________________114
4) Conclusion___________________________________________________________ 115
1) Introduction
L’étude des différents principes de fonctionnement des microphones conduit à considérer une
cascade de phénomènes. En premier lieu, la pression acoustique s’exerce sur un diaphragme,
par exemple une membrane tendue, et y développe des forces. Sous l’action de ces forces, le
diaphragme, ou plus généralement un système mécanique, est mis en mouvement. Un
91
Chapitre 4 : Modélisation acoustique et mécanique du microphone
processus de conversion convertit la grandeur mécanique du mouvement en une grandeur

électrique. Sachant que chacun de ces phénomènes est réalisable de différentes manières, se
pose alors la question de savoir quelles sont les cascades permettant de réponde à l’exigence
d’une courbe de réponse plate. Cette discussion, conduit à considérer les types fondamentaux
de microphones qui vont êtres discutés en détail. Suite à cette définition, la fréquence de
résonance ainsi que les dimensions de notre membrane vont être fixés. Par la suite, une
analogie entre les différents domaines va être établie et le circuit équivalent du microphone
électrodynamique sera construit et discuté. Par ailleurs, une implémentation du modèle dans
l’environnement MATLAB sera décrite et les résultats seront représentés pour illustrer la
réponse en fréquence et le bruit.
2) Modélisation mécanique de la structure du microphone

Dans cette partie on va s’intéresser au premier phénomène mis en jeux dans un microphone
qui est la déflexion mécanique générée par l’action d’une pression acoustique. En effet, le
mouvement du système est déterminé par la masse de la membrane développant une force
d’inertie, par la suspension développant une force de rappel, par l’amortissement dû à la
transformation de l’énergie mécanique en d’autres formes et par les forces extérieures
appliquées. Le mode d’action acoustique pour notre structure de microphone
électrodynamique est dit en pression puisque les forces extérieures, représentées par la
pression acoustique, ne s’exercent que sur la face avant de la membrane. Contrairement au
mode d’action dit en gradient de pression, où la pression acoustique s’exerce sur les deux
faces du diaphragme, ou bien mixte, lorsqu’elle s’exerce directement sur la face avant et via
un système acoustique sur la face arrière. La modélisation mécanique du système de
suspension du microphone permet de déterminer l’une de ses caractéristiques les plus
importantes qui est sa performance dynamique, représentée par une sensibilité uniforme dans
une large bande passante.
Les structures suspendues sont représentées généralement par un système mécanique du

second ordre de type masse, ressort avec amortissement (Figure 4.1a). Ce modèle linéaire
donne des résultats assez bons tant que les vibrations sont de faible amplitude. La réponse
dynamique d’un tel système est la solution de l’équation différentielle d’Alembert suivante
[23] :
d2x dx
m  b  kx  f ext Éq. (4.1)
dt dt
où m est la masse effective de la structure suspendu, k est la constante de ressort de la
suspension, b est le facteur d’amortissement, x est le déplacement effectué par la masse et fext
est la somme des forces extérieures appliquée sur la structure (pression acoustique dans les
microphones). En utilisant la transformé de Laplace, la réponse en fréquence s’exprime par
cette équation :
Fext  j   1 
X  j    2

 Éq. (4.2)
k  1   0   j Q0 
où ω0=√(k/m) est la pulsation de résonance (ou propre) et Q=k/(ω0b) défini le facteur de
qualité de la structure vibrante. Le terme ζ=b/2√(km) est définit comme étant le coefficient
d’amortissement du système.
92
masse effective Masse effective

M·a M·a
M M
x x
fext fext
amortissement
ressort b·v ressort
k·x k·x
(a) (b)
Figure 4.1. Schéma équivalent d’un système à membrane (a) sans amortissement
(b) avec amortissement.
2.1. Réponse en fréquence des microphones micro-usinés

La structure du microphone peut être, dans une approximation de premier ordre, simplifiée
comme un système de masse-ressort sans amortissement (Figure 4.1a). Ce système a une
fréquence de vibration naturelle égale à ω0 comme montre l’Éq. (4.2). Par conséquent, la
relation entre l'amplitude de vibration et la fréquence du système possède un pic au voisinage
de ω0. L'amplitude des vibrations, à cette fréquence, doit être atténuée par un mécanisme de
dissipation d'énergie (l'effet d'amortissement- the damping effect) du système. Pour un
amortissement optimal, la variation de l'amplitude de vibration, en fonction de la fréquence,
possède une largeur de bande passante maximale 0.
Généralement, pour la conception d'un microphone à action en pression, nous pouvons

considérer deux principaux types de transduction qui vont influer le comportement du
microphone dans le domaine fréquentiel. La sensibilité du microphone est proportionnelle au
déplacement de la membrane lorsqu'un champ électrique est utilisé comme un moyen de
transduction électromécanique (modèle capacitif et piézoélectrique), c’est un microphone à
conversion en élongation. Si l'effet de transduction d'un microphone est basé sur le champ
magnétique (modèle électrodynamique ou électromagnétique), la sensibilité est
proportionnelle à la vitesse de la membrane donc on a un microphone à conversion en vitesse.
Cette différence doit être considérée pour la définition de la fréquence propre de vibration.
Dans le premier cas, cette fréquence coïncide avec la fréquence de coupure haute du
microphone. Pour les microphones utilisant un champ magnétique, la fréquence naturelle de
vibration est placée au centre de la gamme de fréquences utile du microphone [2]. En
conséquence, la fréquence naturelle nécessaire pour ces microphones est sensiblement
inférieure à celle utilisée dans leurs homologues capacitifs. Cette exigence peut être remplie
en utilisant soit une masse plus lourde ou une constante de ressort plus faible. Comme la
sensibilité du microphone est inversement proportionnelle à la constante de ressort, cette
seconde solution est généralement plus appropriée.
De ce fait, le microphone électrostatique est conçu pour fonctionner dans leur zone de rigidité
contrôlée. Contrairement au microphone électrodynamique qui est conçu avec un
amortissement qui peut être contrôlé tout au long de la gamme de sa bande de fréquence utile
par l'application d’un amortissement externe sur la vibration de la membrane. Par conséquent,
les microphones à conversion en élongation sont contrôlés par la compliance tandis que ceux
à conversion en vitesse sont contrôlés par résistance. La Figure 4.2 montre la réponse d'un
diaphragme qui n’est pas amortis (courbe 1), ainsi que les effets de l'augmentation de
93
l'amortissement (courbes 2 à 5). Noter que, puisque l'amortissement augmente, la sortie à la

mi-bande devient de plus en plus plate, mais au détriment de la sensibilité. Pour atteindre une
réponse en fréquence satisfaisante tout en maintenant une bonne sensibilité globale, plusieurs
techniques de conception sont employées. Le diaphragme est amorti dans le cas de
microphone électrodynamique conventionnel par la mise de couches minces de soie ou de
feutre (felt) dans l’ouverture qui sépare la bobine et la chambre d’air à l'arrière. En général, le
pic de résonance est réduit d'environ 25-35 dB, produisant la courbe de réponse en 5. Ajouter
d'autre amortissement dans les fréquences médiums par la même manière peut entraîner une
sensibilité insatisfaisante à la sortie.
Figure 4.2. Réponse en fréquence classique d’une membrane (courbe 1), l'effet d’un amortissement
extérieur sur le diaphragme (courbes 2 à 5) pour un microphone électrodynamique.
2.2. Modélisation des ressorts de suspension

2.2.1. Rigidité de flexion des différents types d’attachement
Les microphones utilisant une membrane comme élément sensible sont généralement conçus
pour fonctionner dans la direction normale à la membrane. Afin de réaliser une fréquence de
résonance relativement faible, la partie sensible du microphone peut être composée d'une
plaque mince attachée au substrat avec des bras de fixation flexibles. Les bras se comportent
comme des ressorts permettant un mouvement, de préférence, dans la direction normale à la
plaque en restant relativement rigide dans les deux autres directions. Les ressorts sont
composés de poutres et de joints et permettent de connecter la masse de la plaque suspendue à
l'ancre (substrat). Plusieurs types de bras d'attachement flexibles, qui jouent le rôle d’un
ressort mécanique, sont rapportés dans la littérature [3] et schématisés sur la Figure 4.3 tel que
la poutre simple, la jambe de crabe (crab-leg), le ressort en forme de U (U-spring) et le ressort
en serpentine (courbure).
Une poutre simple fixée des deux côtés (fixe-fixe) (Figure 4.3a) possède une constante de
ressort très rigide (dure) à cause des contraintes axiales étalées associée aux efforts de flexion.
Pour réduire cette composante de la contrainte et gagner plus de flexibilité, nous pouvons
utiliser des incurvations pliées comme la jambe de crabe « crab-leg » ou le « U-spring »
(Figure 4.3b et Figure 4.3c). Chaque extrémité de la courbure est libre de se dilater ou de se
contracter dans toutes les directions. Les contraintes résiduelles intrinsèques dans une petite
section de la courbure sont distribuées moyennement sur toute la longueur des poutres qui la
compose, donnant ainsi une contrainte résiduelle effective réduite au déterminant de la rigidité
dans des directions non désirées. Un ressort en serpentin (Figure 4.3d), qui est une version de
94
courbure composée de poutres, permet d'atteindre une compliance plus élevée par rapport à
une poutre simple de même longueur.
Anchor Lb2
beam, b2 one meander

L thigh La Anchor
truss Lt
M0 y n=1 n=2 n=3 n=4 Anchor
shin
y y y
Lb Lb1 z
n=5
Lb
z z x z x beam, b1
Span
connector La
(a) (b) (c) (d)
Figure 4.3. Divers structures de flexion (a) fixe-fixe, (b) « crab-leg », (c) « U-spring », (d) serpentine,
attaché à une membrane carrée. La pression est appliquée sur la surface de la membrane.
N’importe quelle structure de flexion peut être représenté par une matrice de rigidité
symétrique 6×6 à éléments localisés dont les termes diagonaux représentent la raideur du
ressort dans les directions de translation et de rotation, et les autres termes (hors-diagonale)
représentent le couplage entre différentes directions [5], cette matrice est donnée par :
 k xx k xy k xz k xx k x y k x z 
k
 yx k yy k yz k y x k y y k yz 
 k zx k zy k zz k zx k z y k zz 
k  Éq. (4.3)
 kx x kx y k xz kxx k x y kxz 
k x k y y k y z k yx k y y k yz 
 y 
 kz x kz y kz z kzx kz y kzz 

où les termes kij désigne la constante de raideur dans la direction i dans le cas où on applique
une force (ou moment) dans la direction j. La matrice de rigidité peut aussi être considérée
comme la combinaison de 4 sous-matrices. Deux de ces sous-matrices sont appelées, la
matrice de rigidité dans le plan, kip, et la matrice de rigidité hors plan, kop et qui sont
représentées par le deux équations suivantes :
 k xx k xy k z y   k zz k zx k z y 
   
kip   k yz k yy k y z  kop   kx z kxx kx y 
k Éq. (4.4)
k z
 z k z k zz 
 y z k yx k y y 
Sous-matrice de rigidité dans le plan Sous-matrice de rigidité hors plan
La matrice de rigidité globale pour un système de flexion est obtenue en additionnant les
matrices de rigidité individuelle de chaque flexion. De ce fait, lorsque la géométrie des quatre
ressorts sont identiques et leurs disposition est symétrique deux à deux (Voir Figure 4.5), la
matrice de rigidité du système complet est diagonale, puisque les termes hors diagonale des
quatre ressorts d'annuler après leurs sommations. Dans la conception de notre capteur de
pression, nous développant principalement l’expression de la constante de ressort linéaire kzz,
puisque la pression et la déflexion de notre membrane sont appliquées suivant la direction
normale z. Dans la suite, quatre modèles de fixation différents, donnée sur la Figure 4.3, vont
être considérés et examinés.
Dans l'analyse de la constante de rigidité des flexions micromécaniques, nous utilisons la
méthode d'énergie de déformation pour tirer les formules analytiques des constantes linéaires
95
des raideurs, kzz [4]. Dans cette méthode, une force F (ou moment M) est appliquée à
l'extrémité libre d'un ressort dans la direction appropriée et le déplacement δ est obtenu en
appliquant le deuxième théorème de Castigliano1 [3]. Notre objectif dans cette étude est
d’estimer le déplacement de la membrane, δz, résultant d'une pression acoustique, Fz,
appliquée dans la direction appropriée, z, pour différents types d’attachements (Figure 4.3).
Seuls les déplacements résultant d’une flexion ou/et d’une torsion sont considérés. Les
déformations résultant d’un cisaillement, d’un allongement de la poutre, des contraintes
résiduelles et du tenseur des contraintes sont négligées. Une introduction sur le principe de la
méthode de l'énergie de déformation utilisée pour tirer la matrice des raideurs d’une poutre est
donnée dans [26]. Généralement, la poutre simple est l’élément de base d'un flexion plus
compliquée, son l'énergie par unité de longueur est donnée par :
2
dU M i  x  Éq. (4.5)

dx 2 EI i
L'énergie totale de déformation totale, U, d’un système est obtenue en intégrant l’Éq. (4.5) sur
toute la longueur d’une poutre élémentaire suivie d’une sommation sur toutes les poutres
constituant le ressort :
2
N Li M i x 
U  
poutre i 1
0 2 EIi
dx Éq. (4.6)
où, Li est la longueur de la iéme poutre dans la flexion, Mi(x) est le moment de flexion transmis
à travers la poutre i, E est le module d'Young équivalent du matériaux de la structure et Ii,
c'est le moment d'inertie2 de la poutre i, autour de l'axe concerné (l’axe z/x pour les forces
dans/hors le plan et des couples autour de z/x). Le déplacement en un point c dans n'importe
quelle direction est données alors en appliquant le deuxième théorème de Castigliano,
δi=dU/dFi. Pour une poutre fixe-fixe guidée en translation par son extrémité libre (voir
Figure 4.4), le moment de flexion en fonction de l’abscisse x est donné, en considérant que le
déplacement angulaire θy autour de l’axe y est nulle, par l’équation suivante :
U L 
y   0  M  Fz   x  Éq. (4.7)
M 0 2 
où L est la longueur de la poutre.
On appliquant le deuxième théorème de Castigliano, le déplacement maximale d’une poutre

fixe-fixe sera exprimer par :
dU L M M F 4 L3
 zz  fixed  fixed   dx  z 3 Éq. (4.8)
dFz 0 EI F
z z Ew t
où E est le module d’Young du matériaux et w et t sont, respectivement la largeur et
l'épaisseur de la poutre.
1
Le second théorème de Castigliano stipule que la dérivée partielle de l'énergie de déformation d'une structure linéaire, U,
par rapport à une force donnée, Fi, a pour valeur la projection du déplacement du point d’application de cette force suivant
sa ligne d’action, δi. Ce théorème peut s'étendre aux moments appliquée, Mi, et leurs déplacements angulaires
correspondants, θi.
2
Le moment d'inertie quantifie la résistance d'un corps soumis à une mise en rotation (ou plus généralement à une
accélération angulaire), et a pour grandeur physique [M.L²]. C'est l'analogue de la masse qui mesure la résistance d'un
corps soumis à une accélération linéaire. Cette appellation est aussi utilisée en mécanique des matériaux pour déterminer la
contrainte dans une poutre soumise à une flexion. Il s'agit alors d'une notion physique différente, encore appelée moment
quadratique, qui a pour grandeur physique [L4].
96
Figure 4.4. Illustration du déplacement d’une poutre simple soumise à une force Fz.
L'Éq. (4.8) de la déformation (déflexion) est valide tant qu’on a des déformations et des
angles de rotation petites de la poutre. La théorie de faible déformation ne peut être appliquée
que si [3] :
4
w  LL Éq. (4.9)
31   
où, ν est le coefficient de Poisson de l'épaisseur équivalent des couches constituant le bras. La
constante linéaire de flexion du ressort dans la direction z, correspondant à quatre ressorts
d'attachement, est donné par :
4 Fz
k zz  fixed  fixed  Éq. (4.10)
z
Pour la structure en forme de la jambe de crabe, la constante de flexion est obtenue avec la
même méthode et elle est donnée par l'Éq. (4.11), où La et Lb sont, respectivement, la
longueur de la cuisse et du tibia (thigh and the shin) [3]. Les fichiers développant le calcul des
constantes de raideur des différentes structures de flexion proposées sont données dans
l’annexe A. Si nous supposons que Lb>>La et que w>t, l’Éq. (4.11) peut être simplifiée par
l’Éq. (4.12):
 1  
E t 3 w  L2a  L2b       La Lb 
   
k zz Crab leg  Éq. (4.11)
 1 5  1  
 4 La  Lb  12     La Lb  La Lb   La Lb  La Lb 
5 4 4 3 2 2 3
   
 1  
E t 3 w  Lb      La 
   
k zz Crab leg  Éq. (4.12)
 1 L4  1
 1  
 4 b 2    La Lb3  La2 Lb2 
   
où  est donné par:
2  192 t 
1  i  w 
 1  5  tanh    Éq. (4.13)
( 1  )   w i 1 ,iodd i
5
 2 t 

En utilisant la même méthode, la rigidité du ressort en forme de « U-spring » peut être tirée.
Le modèle analytique dérivant la déformation des quatre poutres, dans la direction z est donné
par l'équation suivante :
97
4 E t 3 w Lt   Lb 1  Lb 2  Lb1  Lb 2   Lt 

k zz 
U spring  
12 Lb1 Lb 2 L3t  4 Lt Lb1  Lb 2  L3b 1  L3b 2  3 Lb 1 Lb 2 Lt  L3t  
Éq.
 2 5 
  2
 3 3
  3 2 2 3

 Lb1  Lb 2  Lt  5 Lb1 Lb 2  4 Lt Lb1  Lb 2  2 Lb1 Lb 2  Lb1 Lb 2  4 Lt Lb 1  Lb 2 
5 5 3 2
 (4.14)
 
   
  3 Lt L4b 1  L4b 2  2 Lb1 Lb 2 2 L2b1  2 L2b 2  3 Lb1 Lb 2  L3t Lb1  Lb 2   
La constante de ressort pour un ressort en serpentin dans la direction z est donnée par
l'Éq. (4.15) pour n est paire, et par l'Éq. (4.16) pour n est impaire, n étant le nombre de
méandre de longueur La et de largeur Lb.
4 E t 3 w Éq. (4.15)
k zzSerpentine 
 n3 L3a   (n  1) L3b  n (n 2  3n  2) L2a Lb  3n La L2b
4 E t 3 w  (n La   (n  1) Lb )
k zz  Serpentine 
  n 4 L4a   2 ( n  1) 2 L4b  n 2 (n  1) (n 2  n  2) L3a Lb  Éq. (4.16)
 
 4 n (n  1) La L3b  (n  1)( n (n  1)(n  2)  3(n  1)) L2a L2b 
Pour diminuer la constante de raideur et acquérir une souplesse plus élevée dans la direction z,
nous devrions prendre le même nombre de connecteurs et des travées dans les poutres
(connector and span beams). Alors, la rigidité sera donnée par l'Éq. (4.17) lorsque n est paire
et par l'Éq. (4.18) lorsque n est impaire.
1 4 E t 3 w ( La  Lb ) Éq.
k zz Serpentine   2 2 4
n  n La   L4b  2(1  n 2 )  L3a Lb  (3   2 ) La L3b  (n 2  3  1) L2a L2b (4.17)
4 E t 3 w n  ( La   Lb )( La  Lb )
k zz Serpentine  Éq.
  2 n 4 L5a   2 n 2 L4b  n 2  (2  n 2 (2  2 )) L4a Lb  n 2  (4  2 ) La L4b

(4.18)
 2 3
 4 2 2 2 3 2 4
 2 2

  n (1  2 )  n (2  3  1)  3 La Lb  n   n (4   3)  3 La Lb  
2.2.2. Comparaison entre les différents types d’attachement

Sur la base de ses quatre structures de flexion déjà présentées, on a établi quatre modèles
d’attachements différents de la membrane (Figure 4.5). Ces modèles sont regroupés deux par
deux en fonction de la distance séparant la membrane de l'ancre (substrat) puisque cette
distance doit être minimisée au maximum (résultat conclu au chapitre 3). Dans le premier
groupe, on trouve les attachements qui assurent la distance de séparation minimale entre le
substrat est le bord de la membrane à savoir la jambe de crabe et le méandre. Le deuxième
groupe comporte les attachements de types U-spring et serpentine qui ont une séparation plus
grande. Les allures des raideurs de ces différents attachements sont tracées sur la Figure 4.5
deux par deux. En comparant les raideurs des deux premiers concepts (a) et (b), nous pouvons
constater que la jambe de crabe est légèrement plus souple que le méandre (Figure 4.6a). Pour
les deux autres modèles, (c) et (d), on peut remarquer que le ressort en forme de serpentine
présente une flexibilité meilleure que la serpentine même si celle-ci comporte un nombre
élevé de méandre n (Figure 4.6b). Donc, le choix final de la structure d’attachement se réduit
à un choix entre le crab-leg et le U-spring. En évaluant les résultats de calcul de prés, on
remarque que la raideur du crab-leg est 4-6 fois plus grande que celui de l’U-spring. Donc, en
terme de fréquence de résonance on peut atteindre une fréquence de résonance 2-2.5 fois plus
petite en utilisant le U-spring.
98
Figure 4.5. Vue d'ensemble de différentes conceptions d'attachement (a) Jambe de crabe, (b) méandre,
(c) U-spring et (d) la serpentine.
Spring stiffness as a function of the length Spring stiffness as a function of the length
0.5 0.35
Crab Leg U-spring
0.45 Meander Serpentine (n=50)
0.3
Serpentine (n=20)
0.4
0.25
0.35
Stiffness of the spring
Stiffness of the spring
0.3 0.2
0.25 0.15
0.2
0.1
0.15
0.05
0.1
0.05 0
1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
Length of the membrane -3 Length of the membrane -3
x 10 x 10
(a) (b)
Figure 4.6. Comparaison de la raideur pour les différents types d’attachements donnés dans la
Figure 4.5.
2.3. Estimation de la masse équivalente de la membrane
La membrane de notre microphone est constituée d’une plaque carrée, attachée au substrat par
quatre bras. Sa masse totale est donc la somme de la masse de la plaque et celle de ses bras
d’attachement. La plaque est supposée infiniment rigide et son mouvement s’effectue sans
déformation, elle est donc assimilée à une masse mécanique idéale dont l’équation est donnée
par :
M mem   0 t a 2 Éq. (4.19)
où ρ0 est la densité volumique équivalente du matériel constituant la membrane et t est son
épaisseur. En ce concerne le calcul de la masse effective du bras d’attachement, un point
important à considérer, c’est sa vibration. En effet, une analyse modale indique que la masse
d’une poutre en mode résonnant est inférieure à sa la masse réelle, puisque seule la partie à
son milieu (ou à son bout) est en mouvement. En conséquence, la masse équivalente de
chaque bras, en vibration harmonique, est exprimée par la notion de masse réduite. Les
éléments réduits sont définis par rapport à une référence du système et leurs valeurs sont
choisies de telle manière qu’ils remplacent l’effet précis des éléments dispersés dans tout le
système au premier mode propre, sa validité est limitée alors à la première fréquence de
résonance [12]. La masse réduite d’une poutre, ayant la même épaisseur que la membrane,
99
encastrée d’un seul coté et calculée par rapport au substrat est donnée par l’équation suivante
[12] :
M bras  0.236  0 t l w Éq. (4.20)
où w désigne la largeur de la poutre et l son longueur. La masse totale de la membrane est

donnée en additionnant Mmem et Mbras.
2.4. Choix des dimensions de la membrane

2.4.1. Validation des calculs de la raideur et de la membrane
Afin de valider les modèles de la masse réduite et de la raideur équivalente proposée aux
paragraphes précédents, on a fait secours à quelques puces qui ont été conçus au LIRM de
Montpellier, avec une technologie CMOS standard, dans le cadre d’un projet de conception
d’un microphone piézorésistif. La structure de la membrane utilisée dans ces microphones est
tenue avec quatre bras d’attachements en forme de jambe de crabe. La longueur de la cuisse,
Lal, et du tibia, Lbl, de chaque bras est 440µm et 20µm, respectivement. Notre objectif derrière
cette étude est de trouver la raideur de la fixation du système masse-ressort en passant par la
fréquence de résonance, puisque f0=√(k/m)/2π. La membrane de ce microphone, selon son
dessin de masques, se compose d’un empilement de toutes les couches d’oxyde disponible
dans la technologie, à savoir l’oxyde de champ, l’oxyde entre poly et métal1 et l’oxyde entre
les deux métaux, en plus d’une dernière couche de passivation. Les propriétés des ces couches
sont données par le Tableau 4.1.
Tableau 4.1. Propriétés des différentes couches utilisées dans le processus de fabrication.
Epaisseur Module d’Young Densité volumique

Couche
ti [µm] Ei [GPa] ρi [kg/m3]
oxyde de champ 0.6 70 2500
oxyde entre poly-métal1 0.6 90 2500
oxyde entre métaux 1 81 2500
Passivation 1 131 3100
Avec ces valeur, nous pouvons ainsi estimer la valeur de la masse totale, mml, de la membrane
carrée de côté, aml, égale à 400µm attachée avec un bras de forme crab-leg de largeur Lb2,
comme suit :
4
2
mml   ti i aml 
 0.236 Lb1 Lal  1.55 µg  Éq. (4.21)
i 1
De la même façon on estime le module de Young moyen, Emoy, de l’empilement des couches
déposées sur la membrane par cette équation :
4
t
i 1
i Ei
Emoy  4
 96.25Gpa Éq. (4.22)
t i 1
i
En appliquant ces estimations, on trouve une flexibilité de flexion Kz égale à 661N/m et une
fréquence de résonance théorique de l’ordre de 3286Hz. Une mesure théorique de cette
100
fréquence de résonance avec un profilomètre vibromètre optique FOGAL a donné la courbe

de la Figure 4.7 avec une valeur de la fréquence de résonance égale à 3605Hz, qui est une
valeur très comparable à l’analytique.
Figure 4.7. Détermination des modes propres de la structure avec le profilomètre Fogal.
2.4.2. Calcul des dimensions de la membrane

Divers modèles de bras d’attachement ont été étudiés pour être en mesure d'atteindre la
fréquence de résonance assez faible souhaitée de notre microphone électrodynamique.
Normalement, cette fréquence de résonance, f0, est choisie pour être au voisinage de la
fréquence moyenne géométrique ‘geometric mean’ de la réponse en fréquence du
microphone. La moyenne géométrique entre deux fréquences, sur la même échelle numérique,
est définie comme suit:
moyenne géométrique  fréquencemin  fréquencemax Éq. (4.23)
Pour une réponse en fréquence typique dans la bande audible qui s'étend de 20Hz jusqu'à
20kHz, la résonance de la structure de la membrane-ressort sera :
f 0  20  20 k  632.5 Hz Éq. (4.24)
Bien que les résultats de simulation de la Figure 4.6 montrent que l’attachement en forme de
U-spring abouti à la meilleure flexibilité, on va considérer, dans un premier temps, une
membrane avec l'attachement en forme de crab-leg. La raison de ce choix, c’est que ce dernier
permet de réaliser une distance plus petite entre la membrane et le substrat, et cela permet par
la suite d’augmenter la sensibilité du microphone. On va chercher donc les dimensions de la
membrane qui nous permettent d’atteindre une fréquence de résonance dans la moyenne
géométrique de la bande acoustique. Avec un calculateur mathématique, en considérant une
largeur de la membrane, wm, égale à 25µm, le côté de la membrane est trouvé dans l’environ
de 1.5mm. La largeur du bras doit être le plus petit que possible pour rapprocher les deux
inductances au maximum ce qui permet d’obtenir un champ magnétique B plus intense [6].
Pour vérifier ce résultat, on peut développer une équation estimative du côté a, en effectuant
quelques approximations tel que on néglige la masse réduite des bras et on le simule à une
poutre simple. Sous ces hypothèses, une expression simple approximative de l’ordre de
grandeur du côté de la membrane peut être donnée par cette expression :
101
t 2 Emoy wm
a5 Éq. (4.25)
02  ox
où Emoy est le module d’Young moyen de la membrane, ρmoy est la densité volumique
moyenne
2.4.3. Calcul des modes propres de la structure
La modélisation par éléments finis est une méthode de simulation qui est très employée, par
exemple dans le domaine de la mécanique pour le calcul des déformations de structures
complexes. Cette méthode est particulièrement adaptée pour la modélisation et la simulation
des microsystèmes du fait de sa capacité à simuler des systèmes en trois dimensions dans
différents domaines d’énergies. Le principe de l’analyse par éléments finis est de rechercher
une solution approchée de la solution exacte engendrée par la distribution d’une grandeur
physique sur un domaine spatial. Pour cela, les différents volumes du système sont divisés en
éléments qui contiennent un ensemble de points appelés nœuds. Les éléments avec leurs
nœuds sont à la base du maillage (meshing). Le logiciel d’analyse en éléments finis ANSYS
est l’un des logiciels les plus efficaces non pas seulement dans les secteurs classiques de la
simulation comme l’automobile mais également dans les branches plus récentes comme la
microtechnique, la microélectronique ou l’industrie médicale.
Afin de justifier les dimensions calculées pour notre structure une analyse harmonique est
menée avec ANSYS© Workbench. Cette analyse nous permet de connaître les différents
modes de vibration de la structure, en d’autre sa fréquence naturelle de résonance (si on
considère que le premier mode de vibration). La Figure 4.8 nous montre les simulations des
six premiers modes de vibration des structures. Les dégradés de couleurs correspondent au
fléchissement de la structure. Nous nous intéressons uniquement au premier mode de
vibration de la structure, (égale à 861Hz), qui est comparable à celui estimé dans le
paragraphe précédent. La première fréquence de résonance détermine la bande passante dans
lequel le capteur devra fonctionner.
Figure 4.8. Modes de résonance simulés d’une membrane carrée attachée par quatre bras en forme de
crab-leg (respectivement en Hz : 861,1219, 1468, 8360, 13761 et 14481).
102
2.4.4. Etude statique de la membrane
Cette simulation à pour but de déterminer la déflexion statique de la membrane et la comparée

avec celle donnée par l’équation de vibration d’Alembert (Éq. (4.1)). En régime statique on a :
pa 2
kx  f ext  x Éq. (4.26)
k
Pour une membrane de côté, a, égale à 1.5mm et une largeur des bras égale à 25µm, la raideur
du ressort correspondante est de 0.231N/m. Si on considère une pression acoustique, p, égale à
1Pa, l’Éq. (4.26) estime que le déplacement statique de la membrane sous l’effet de p est égal
à 9.75µm. En outre, une simulation réalisée sous ANSYS© Workbench, nous donne une
amplitude du déplacement statique égale à 6.41µm (voir Figure 4.9), ce qui présente une assez
bonne concordance avec la théorie et permet une autre fois de valider l’équation de la rigidité
de la flexion du crab-leg.
Figure 4.9. Simulation statique de la flèche de la membrane.
3) Modélisation électro-acoustique du microphone inductif

Un transducteur électroacoustique est un système qui transforme l’énergie reçue sous une
forme acoustique en énergie électrique. Dans le cas du microphone, le signal d'entrée est
transféré à partir du domaine acoustique (pression acoustique) en passant par le domaine
mécanique (déformation de la membrane) pour arriver au domaine électrique (variation du
champ magnétique B, dans notre cas). L’étude de ces transducteurs électroacoustiques est
communément réalisée à l’aide de schémas électriques équivalents en constantes localisées
[7][8] traduisant les comportements électrique, mécanique et acoustique du système. Cette
approche reste valide dans le cas où la longueur de la plus haute onde acoustique dans le
spectre envisagé (f=20kHz, λ=17mm) demeure grande devant les dimensions du microphone.
Dans le cas inverse, l'interaction entre le microphone avec le champ sonore peut provoquer
une diffraction du son vers les hautes fréquences. Cela introduira des erreurs dans la réponse
en fréquence [10]. Pour constituer un système à constantes localisées équivalent à un
dispositif physique, siège de phénomènes électromagnétique, mécanique ou acoustique, un
modèle doit être bâti par analogie avec les différents domaines intervenants. Le but de réaliser
ces analogies est de faciliter la solution des problèmes mécaniques et/ou acoustiques des
systèmes vibrants en convertissant ces problèmes dans les analogies électriques
103
correspondantes et en résolvant les circuits électriques résultants par la théorie classique du

circuit électrique. Les types d’éléments acoustiques rencontrés présentent une résistance, une
masse ou une compliance, suivant la clôture de la conduite modélisée et la manière avec
laquelle elle se comporte vis à vis d’un écoulement acoustique. Dans un tel modèle, la
pression acoustique correspond à une tension, le débit acoustique à un courant et le
déplacement volumique à une charge électrique (voir Tableau 4.2).
Tableau 4.2. Analogie acoustique / électrique / mécanique.

Paramètre électrique Paramètre mécanique
Paramètre Acoustique Unité Unité Unité
équivalent équivalent
Pa =
Pression, p Tension, U V Force, F N
N/m2
Débit, q m3/s Courrant, I A Vitesse, v m/s
Déplacement, y m3 Charge, Q C [As] Déplacement, x m

m3/Pa =
Compliance, Ca Capacitance, Ce F Compliance, Cm m/N
m5/N
Pa/m3
Raideur 1/ Capacitance F-1 Raideur N/m
= N/m5
kg/m4 =
Masse acoustique, Ma Inductance, Le H Masse, Mm Kg
Ns2/m5
Résistance acoustique, Pas/m3
Résistance, Re Ω Résistance, Rm Ns/m
Ra = Ns/m5
Lorsqu’on applique l'analogie entre les différents domaines d’énergie, un système à

constantes localisées de la structure du microphone peut être proposé. Cette analogie consiste
à mettre en série tous les éléments qui sont traversés par le même flux de vitesse et mettre en
parallèle les éléments correspondants à une addition de ces flux. La modélisation en éléments
localisés peut déterminer la sensibilité, la réponse en fréquence, notamment l'amplitude et la
phase, l'impédance acoustique complexe de la membrane, l'impédance électrique et le bruit
électrique intrinsèque du microphone.
3.1. Modélisation en éléments localisés de la structure du microphone

La structure du microphone électrodynamique peut être schématisée par un circuit
mécanoacoustique dont sa coupe transversale est donnée sur la Figure 4.10a. Elle est
constituée d’une membrane suspendue, qui sépare la chambre arrière de l’air ambiant, à l’aide
de quatre bras d’attachement qui vont jouer le rôle d’un ressort mécanique de rappel. Le seul
mouvement possible est une oscillation harmonique suivant la normale autour de sa position
d’équilibre (ou de repos) qui s’amorti progressivement jusqu'à l’arrêt. Cet amortissement
provient d’une part du rayonnement acoustique et des forces de réaction du milieu s’opposant
au mouvement et d’autre part, des pertes d’énergie par frottements internes dans la
suspension. Le modèle électroacoustique à constantes localisées équivalent, montré sur la
Figure 4.10b, se compose essentiellement de cinq éléments: {1} l'impédance de rayonnement,
générée par le mouvement de la membrane, représentée par Mrad et Rrad, {2} l'impédance de la
membrane en soit représentée par Mmem et Cmem, {3}, l'impédance des trous autour des bras
d’attachement de la membrane représentée par Mslit, Rslit, {4} l'impédance des ouvertures dans
la membrane représentée par Mslit et Rslit, {5} la compliance acoustique de la cavité sous la
membrane représentée par Cback. Dans notre modèle électro-acoustique, la tension est
représentée par la pression acoustique agissant sur la membrane, pin(t), et le courant par le
104
débit acoustique, q(t). Par la suite une explication de chaque élément du circuit équivalent est
détaillée.
(a) (b)
Figure 4.10. (a) Coupe transversale du circuit mécano-acoustique équivalent (b) Le modèle électro-
acoustique à constantes localisées, de la structure du microphone électrodynamique.
3.1.1. Impédance de rayonnement

La face avant de notre transducteur électroacoustique est constituée d’une membrane carrée
plate, mince et rigide, suspendue à travers quatre bras attachés au substrat. Pour les petites
dimensions de la membrane par rapport à la longueur d’onde, λ, l’effet de phase3 et la
diffraction deviennent négligeable et la force développée par la pression ne dépend pas de
l’angle d’incidence (microphone omnidirectionnel). Cela revient à dire que la membrane se
comporte comme un piston rigide de surface active S [13]. Lorsque la membrane vibre, en
accord avec la pression acoustique, une onde sonore est générée en contact avec les particules
de l’air ambiant et rayonne vers l'extérieur, elle agit comme un haut-parleur. Ce mécanisme
peut être important si la longueur de l'onde acoustique est inférieure ou égale à une certaine
dimension de l'élément mécanique, ce qui est rare dans les MEMS. Le rayonnement d'un
piston carré est représenté par une impédance mécanique de rayonnement, Zrad, constituée de
deux termes qui sont la masse de rayonnement, Mrad, et la résistance de rayonnement Rrad
[11]. L’impédance mécanique Zrad, est donnée par l’équation suivante :
mé
Z rad  cair  air  0 ka   i0 ka  Éq. (4.27)
où a est la longueur du côté de la membrane carré, le cair est la vitesse du son dans l'air, ρair est
la densité de l'air, k est le nombre d'ondes qui est égal à ω/cair (ou bien 2π/λ, λ :longueur
d’onde) et θ0 et χ0 sont donnés par :
2 2
0 ( x )  1  J 1 ( x ),  0 ( x )  H 1 ( x ) Éq. (4.28)
x x
où J1 et H1 représentent les fonctions de Bessel de première espèce et la fonction de Struve
d'ordre un, respectivement. Un développement en série de Fourrier pour J1 et H1 quand ka0
donnera l’expression suivante qui peut être considérée comme un couple de résistance et de
masse acoustique :
cair  air 1 2 4 ka  1  air 2 4  air
 8 ka   i 3    8 c   j 3  a   Rr  jM r
mé
Z rad  Éq. (4.29)
a2 air
3
L’effet de phase apparaît lorsque la forcé développée sur une face dépend de l’angle d’incidence dans cas elle sera plus
faible que celle en direction normale : la directivité du microphone apparaîtra.
105
Le signe négatif dans l’expression de Mr indique que vers les basses fréquences, la vitesse des
particules de l’air est en avance de phase de 90° par rapport à la pression.
3.1.2. Impédance de la membrane et des bras d’attachement

La membrane tendue avec les bras d’attachement de la structure du microphone
électrodynamique représente un résonateur mécanique. C’est l’élément clés dans la
transduction mécanique acoustique. On suppose initialement que le micro-usinage en volume
est assez profond, donc la membrane peut vibrer sans déformation ni amortissement. En
considérant que la membrane se comporte comme un piston d’une masse m et de section S
rappelée par une force élastique (due à son élasticité k), son impédance mécanique est donnée
alors par la somme de l’impédance de la plaque en vibration et celle des bras d’attachement.
Les bras de la membrane en vibration sont modélisés par une impédance mécanique
composée d’une masse réduite et d’une compliance idéale Cmem. La compliance est un
composant dénué de masse, donnant lieu à une force de rappel qui y est proportionnelle. La
valeur de la compliance, Cmem, des bras est inversement proportionnelle à leurs raideurs
mécanique, kzz. Le deuxième terme de l’impédance des bras, est la masse équivalente du bras
en vibration harmonique avec la membrane et donnée par l’Éq. (4.20). Donc, l’impédance
totale du système est exprimée par :
mé 1
Z mem  M mem  M bras  Éq. (4.30)
j C mem
L’introduction des transformateurs [8], permet d’avoir différents domaines sur le même
circuit linéaire, de ce fait, la modélisation des problèmes couplés est énormément simplifiée.
Le schéma direct d’un système mécanoacoustique se ramène toujours à celui de la Figure
4.11a, dans lequel le couplage mécanoacoustique est modélisé par un transformateur idéal.
Dans ce cas, le couplage est géré par le couple d’équations F=pS et v=-q/S.
Dans la pratique, un transformateur est toujours accompagné par des impédances à l’entrée et
à la sortie, voir Figure 4.11b. Dans un système du microphone, la partie mécanique est
modélisée par une source de force F et une impédance Zm et la partie acoustique par une
source de pression acoustique p et une impédance Za. Le montage de la Figure 4.11c, est
l’équivalent acoustique de celui de la Figure 4.11b avec un primaire ramené au secondaire,
donc on n’aura pas avoir recours au transformateur. On y retrouve les impédances et les
sources équivalentes données par Zam=Zm/S2 et pF=F/S. De cette manière, l’impédance
acoustique totale de la membrane avec les quatre bras d’attachement et donnée en divisant
l’impédance acoustique par S2, et sera exprimée par l’équation suivante :
ac  t w  k zz
Z mem  j 0  t  4  0.236  Éq. (4.31)
 a  j
Figure 4.11. Représentation du couplage mécanoacoustique en forme de (a) transformateur entre les
deux domaines (b) schéma de couplage (c) schéma acoustique équivalent.
106
3.1.3. Impédance d'air à travers des ouvertures de la membrane

Il est nécessaire pour le fonctionnement du microphone de considérer deux sortes de fentes.
Les fentes se trouvant sur les deux côtés du bras d’attachement servent pour assurer une
certaine souplesse à la membrane du microphone. Les secondes placées au milieu de la
membrane servent à faciliter la pénétration de la solution de gravure du dessous de la
membrane lors du micro-usinage du silicium. Une fente est considérée comme étroite si sa
largeur wh est inférieure à 0,003/√f [8]. Le passage des ondes sonores dans une fente étroite
est influencé par la résistance acoustique qui est due à la viscosité de l’air. Dans ce cas le flux
d'air, supposé être incompressible, à travers les fentes crées dans la membrane, peut être décrit
par une impédance acoustique. Cette impédance Zopen, en négligeant la correction d’extrémité,
peut être décrite par une résistance acoustique en série avec une masse par l’équation suivante
[8] :
12 air t 6  air t
Z open  3
 j Éq. (4.32)
a wh 5 a wh
où ηair4 et ρair5 sont la viscosité et le coefficient de densité de l'air à 20°C, respectivement.
3.1.4. Impédance acoustique de la cavité

Étant donné que le volume d'air dans la cavité arrière de la membrane, clos (fermée) à son
extrémité, est compressible, on peut l’assimiler à une compliance acoustique. Cette
considération est valide dans le cas où son côté est compris entre environ 0.05×√(π/f) et
(10×√π)/f [8]. En supposant qu'aucun écoulement significatif n’est présent dans la cavité
arrière et que l'air est un gaz parfait, l’impédance de la compliance acoustique est donnée par
l’équation suivante [8] :
2
 air cair
Z back  Éq. (4.33)
jV
où V est le volume de la cavité arrière. La masse équivalente dans la cavité arrière sera
négligée dans notre modèle. Le Tableau 4.3 récapitule les impédances acoustiques des
différents éléments simulés dans le circuit. La masse de notre membrane est évaluée à 13.4µg.
Tableau 4.3. Valeurs de composantes de simulation du circuit électroacoustique.
Composant équivalent Masse [kg/m4] Résistance [kg/s.m4] Capacitance [kg/m4]

impédance de rayonnement 364.21 4.42 10-4 ω2
impédance de la membrane 3400.14 1.63 10-11
impédance des ouvertures 167.93 2.86 10+9
impédance de la cavité 7.65 10-15
3.2. Réponse en fréquence du microphone

La sensibilité du microphone est généralement représentée par le rapport entre la tension de
sortie et la pression acoustique incidente sur la surface de la membrane [14]. Pour la plupart
des applications, la sensibilité du microphone doit être relativement plate et indépendante de
4
ηair=1.56·10-5 m2/s
5
ρair=1.21 kg/m3
107
la fréquence de l’onde incidente. Comme il a été déjà mentionné dans §2.1, deux types de
microphones à action en pression peuvent être distingués, à savoir : {i} à conversion en
vitesse et contrôle résistif ou {ii} à conversion en déplacement et contrôle par compliance. En
effet, pour un microphone la vitesse de vibration de la membrane, vm, est proportionnelle à
l’inverse de l’impédance totale du circuit acoustique équivalent (vm≡1/Zéqu). De ce fait, pour
un microphone à conversion en vitesse, l’exigence générale d’une sensibilité indépendante de
la fréquence dans la gamme de fréquence prévue, conduit à la condition que Zéqu est purement
résistif. Donc, le pic de résonateur du système membrane avec les bras doit être atténué (ou
bien contrôlé) par une résistance. En utilisant un raisonnement similaire, et sachant que pour
une onde plane progressive, la pression et la vitesse des particules sont en phase les unes par
rapport aux autres (ξm=vm/jω), on retrouve que Zéqu doit être purement capacitif. Donc pour le
microphone à conversion en déplacement, le résonateur (membrane+bras) doit être contrôlé
par compliance et sa fréquence de résonance f0 doit être placée à la limite supérieure de la
largeur de bande planifiée.
3.2.1. Sensibilité du microphone sans amortissement

L’allure de l'impédance acoustique équivalente, Zéqu, de l'ensemble du circuit est évaluée sur
la Figure 4.12a, pour déterminer le mode de conversion du circuit. On voit, que la courbe de
l’impédance équivalente est dominée par l’impédance de la cavité arrière du microphone
(Zéqu≡Zback), d’où on peut déduire que le mode d’action approprié de notre structure sera en
déplacement. A partir du schéma équivalent du microphone, le déplacement de la membrane
est donné par l’équation suivante :
ac
pin Z open
m  ac ac ac Éq. (4.34)
j Z équ S Z open  Z mem
Le coefficient Zopen/( Zopen+ Zmem) vient du faite que l’onde incidente se divise en deux parties,
une partie qui va heurter la membrane et une autre traversera les ouvertures, d’où on peut le
modéliser par un diviseur de courant. Les ouvertures dans la membrane, d’impédance Zslit,
jouent un rôle similaire à une conduite d’échappement (vent) dans les microphones capacitifs.
Leurs utilités seront d’égaliser la pression dans la cavité avec celle de l’air ambiante à
l’extérieure (atmosphérique) et par la suite éliminer l'effet des vibrations de la pression
barométrique, qui entraînerait sinon une déformation statique de la membrane. L’impédance
de cet anus d’égalisation est choisie de valeurs telles que dans la largeur de bande du
microphone le débit dans l’anus soit négligeable. L’allure du déplacement de la membrane,
comme montre la Figure 4.12b, est plate et indépendante de la fréquence.
Pour une sensibilité aplatie aux bornes du secondaire, sachant que celui-ci effectue un
déplacement constant sur toute la bande de fréquence, on doit réaliser une tension électrique
qui dépend uniquement du déplacement. De ce fait, l’expression de la tension de sortie qu’on
peut utiliser et celle donnée par l’Éq. (3.42), exprimée dans le cas où on a une polarisation AC
des deux bobines primaire et secondaire. La sensibilité du microphone est tracée sur la
Figure 4.13, et son équation est donnée par l’expression suivante :
2
V n1 n2 A2c I 0  m
S  Éq. (4.35)
P 2 pin
108
(a) (b)
fonction de la fréquence de l’onde incidente.
Figure 4.13. Allure de la sensibilité du microphone en fonction de la fréquence dans le cas d’une
polarisation en AC.
Dans les basses fréquences, la réponse est déterminée par l’impédance des ouvertures autour
des bras (trou d’échappement) tandis que vers les hautes fréquences, la réponse est déterminée
en grande partie par la résonance de la masse de la membrane et la compliance de la chambre
d'air par dessous. Dans la bande de fréquence audible, la sensibilité de la structure du
microphone est pratiquement aplatie, néanmoins, sa valeur est au-dessous du niveau du bruit
(de l’ordre de 10-11V/Pa). En plus, ce qui est le plus important, c’est que le principe de la
conversion en déplacement est contrôlé par compliance, ce qui n’est pas le principe utilisé
dans les microphones électrodynamiques conventionnels.
3.2.2. Sensibilité du microphone avec amortissement

Il s’agit de déterminer à quelles conditions, on peut concevoir un microphone à mode d’action
en pression et conversion en vitesse. Pour obtenir une sensibilité indépendante de la fréquence
du microphone électrodynamique, le module de Zéqu doit être constant dans la gamme des
fréquences prévues. Pour ce faire, le pic de résonance de la membrane, f0 placé au milieu
géométrique de la bande passante, doit s’amortir par l’effet d’une résistance.
109
Initialement, Zéqu est pratiquement équivalente à la compliance acoustique de la cavité du

boîtier au dessous de la membrane. Afin de réduire cet effet, il faut introduire une résistance
acoustique pour amortir la vibration de la membrane autour de la fréquence de résonance en
gardant le principal point fort de la conception de notre microphone, qui est l’utilisation d’un
procédé de fabrication standard. Dans le cas où la profondeur du micro-usinage en volume du
silicium est comparable à la dimension de la membrane, ceci est modélisé par une chambre
d’air. Dans le cas contraire, c’est-à-dire une profondeur de gravure très petite, on va avoir un
amortissement visqueux produit par la compression de l’air entre la membrane en vibration et
le fond de la gravure « squeeze film damping ». Cet amortissement visqueux provient de
l’interaction de l’air ambiant avec une structure mécanique en mouvement. Comme tous les
phénomènes surfaciques, il a une influence beaucoup plus grande à l’échelle microscopique
qu’à l’échelle macroscopique. Ainsi, dans le cas d’une microstructure se déplaçant
perpendiculairement au substrat (Figure 4.14), on a communément recours à l’équation de
Reynolds pour déterminer les forces d’amortissement [21]. Cette équation, qui décrit les
couches minces de gaz en compression, est exprimée comme suit :
  3 p    3 p   G 
 G     G   12 Éq. (4.36)
x  x  y  y  t
où p désigne la variation de la pression ambiante, p0 la pression de référence du fluide non
perturbé, η la viscosité du fluide, ρ sa masse volumique, G la hauteur du gap d’air à un instant
donné. Plusieurs hypothèses sont considérées pour linéariser l’équation de Reynolds, par
exemple, petits déplacements (par rapport à l’entrefer), faibles variations de la pression par
rapport à la pression de référence, rigidité de la structure, pour arriver à une forme simplifiée.
Finalement, pour deux plaques rectangulaires de longueur L et de largeur B, qui ne sont pas
perforés, le coefficient d’amortissement mécanique est donné par [22]:
 air LB 3  B 
brec  3
  Éq. (4.37)
G0  L
où G0 définit l’épaisseur de référence du gap d’air autour du quel oscille la structure et β est
une fonction du rapport B/L, donnée par [22] :
B  192  B   1  n L  
    1  5    5 tanh  Éq. (4.38)
L    L  n1,3 ,5 ,.. n  2 B 
Pour une membrane carrée, la fonction β est évaluée à 0.42, par la suite l’équivalent
acoustique du coefficient d’amortissement est donné, en divisant par le carré de la surface de
la membrane, par une résistance exprimée par l’équation suivante :
ac  air
Rsqueeze  0 ,42 Éq. (4.39)
G03
Dans le microphone capacitif, la sensibilité du microphone est proportionnelle à la distance
entre les deux plaques vibrantes. De ce fait, la membrane est souvent perforée afin de les
rapprocher le plus possible en réduisant l'effet de la viscosité de l'air entre eux. Dans notre
configuration, ce problème ne se pose pas, puisque le rapprochement qu’on doit réaliser et un
rapprochement horizontale et pas verticale, c’est-à-dire que les diamètres moyens des deux
bobines doit être le plus proche que possible.
110
air
compressé vibration suivant la Rsqueeze
normale
G0
Figure 4.14. Illustration de l’effet d’amortissement visqueux par compression « sqeeze film damping »
pour une oscillation verticale de la membrane.
Le nouveau circuit équivalent de la structure du microphone est réalisé en substituant la

capacitance de la cavité par la résistance donnée dans l’Éq. (4.39). Dans cette configuration, il
faut que la membrane soit placée dans une position verticale où le champ magnétique B est
constant et maximale (voir Figure 4.14). En faisant varier la distance G0, les allures de
l’impédance totale du circuit équivalent sont montrées sur la Figure 4.15a et la vitesse de
vibration de la membrane sur la Figure 4.15b. Avec le même raisonnement qu’avant, pour une
sensibilité totalement aplatie du microphone, la membrane effectue une vitesse constante sur
toute la bande de fréquence dans un champ sonore ayant une pression constante, il faut avoir
une équation de la tension induite fonction d’une seule grandeur qui est la vitesse. Donc il faut
choisir le cas ou on a une polarisation DC avec élévation de la membrane. La sensibilité du
microphone est tracée alors sur la Figure 4.16, et son équation est donnée par l’expression
suivante :
ac
V  I la  2 a  Z slit
S  n1n2 0 Éq. (4.40)
P ac
  a la 8 a2  la2 Z équ Z slitac  Z mem
ac

(a) (b)
fonction de la fréquence de l’onde incidente pour différentes valeurs de la distance G0.
La sensibilité du microphone est déterminée en premier lieu par la résonance de la structure,

qui est régie par la masse et la constante de flexion, et en second lieu par l’amortissement qui
est fonction de l’écoulement de l’air entre la chambre arrière et l’air ambiant. On remarque
111
que lorsque l’épaisseur du gap d’air augmente, la sensibilité du circuit augmente aussi mais au
détriment de la bande passante. De ce fait, le gap d’air doit être très soigneusement optimisé
afin de réaliser une bande passante acceptable et suffisante. D’après la Figure 4.16 on peut
atteindre des sensibilités dans les zones des dizaines de µV comme montre le Tableau 4.4.
La bande passante de notre microphone dynamique est limitée dans le bas du spectre
notamment par la taille de la membrane et la rigidité de la fixation élastique, qui ne permet
pas à la bobine de reproduire les variations amples de la pression acoustique (faible vitesse et
grande élongation). Dans le haut du spectre, la chute de la bande passante s’explique
essentiellement par l’effet d’inertie de la bobine qui la laisse insensible aux petites variations
acoustiques de faible énergie (grande vitesse et faible élongation). Le choix des
caractéristiques du microphone (longueur de la bobine, taille de la membrane, souplesse de la
fixation) ne peut permettre à la fois une conversion fidèle en basse et en haute fréquence,
puisqu’il doit théoriquement se faire de façon opposée dans chacune de ces zones
fréquentielles. Par exemple, la fixation élastique doit être souple en basse fréquence et rigide
en haute fréquence pour permettre les oscillations rapides de la bobine. Ou encore, la bobine
doit être légère et donc de taille réduite en haute fréquence, mais de longueur importante en
basse fréquence pour induire une forte énergie électrique (loi de Faraday). Les caractéristiques
d’un microphone électrodynamique résultent par conséquent d’un compromis et doivent être
adaptées au spectre fréquentiel du signal sonore à transcrire.
(a) (b)
Figure 4.16. Allure (a) de la vitesse (b) de la sensibilité, de la membrane en fonction de la fréquence
de l’onde incidente pour différentes valeurs de la distance G0.
Tableau 4.4. Sensibilité et bande passante simulées du microphone

en fonction de l’épaisseur du gap d’air.
Épaisseur du gap d’air Sensibilité Bande passante

G0, [µm] S, [µV/Pa] [Hz]
70 58 110 - 2,45k
60 36,45 72 – 3.8k
50 21,11 44 – 6.2k
40 10.81 24 – 11.2k
30 4.56 12 – 21.8k
112
3.3. Bruit du microphone

Généralement, le signal issu d’un capteur micro-usiné est très faible. Spécifiquement, notre
capteur acoustique délivre une tension induite très faible, de l'ordre de quelques microvolts à
quelques dizaines de microvolts. Avec un tel signal, l’étude des sources de bruit devient une
nécessité. Une évaluation des trois types de bruit qui existent dans notre système s'impose. Le
bruit thermomécanique de la structure mécanique (membrane suspendue), le bruit Johnson et
le bruit de fond des transistors MOS appartenant au circuit d'amplification. Puisque la partie
amplification ne va pas être abordée durant cette thèse, on va se contenter de l’étude du bruit
thermomécanique et Johnson.
3.3.1. Bruit Brownien de la membrane

Le bruit thermomécanique d’un système membrane-bras (masse-ressort) actionné sous une
pression atmosphérique, est représenté par un bruit Brownien. En effet, le bras est en contact
thermique avec le reste du dispositif expérimental, que l'on peut considérer comme un
thermostat à la température T. Cette température étant non nulle, un certain nombre de modes
de phonons vont être thermiquement (naturellement) excités conduisant le bras à osciller [15].
Ainsi, en absence de toute force extérieure, le levier vibrera avec une moyenne quadratique de
l’amplitude (ou efficace) xrms=√<x2> vérifiant le théorème d'équipartition de l'énergie [17].
Selon ce principe, chaque mode de vibration dans un système qui est en équilibre thermique et
contribue un terme quadratique de l'énergie telles que l'énergie cinétique ou l’énergie
potentielle aura une énergie moyenne égale à kBT/2, où kB est la constante de Boltzmann6 et T
est la température ambiante7. Ainsi, pour une poutre en vibration l’énergie cinétique associée
au premier mode permet d’écrire cette équation [19]:
1 2 1
k x  k BT Éq. (4.41)
2 2
En réalité, les modes de vibration du levier autres que le fondamental possèdent également
une amplitude thermique non nulle. Cependant, leurs constantes de raideur effectives étant
beaucoup plus élevées que celle du mode fondamental, ils ne contribuent que de façon
négligeable à la valeur de xrms, ce qui justifie le traitement du bruit thermique dans le cadre du
premier mode de résonance [18].
Les vibrations de la poutre peuvent être vues comme étant induites par une force stochastique
fn(t) de moyenne nulle, c'est-à-dire une force de bruit blanc. Afin de trouver l’expression de fn,
la moyenne du carré de la position peut être trouvée en utilisant la fonction de transfert
donnée par l’Éq. (4.1) (on remplace fext par fn) et en intégrant sur toutes la bande de fréquence
comme suit :

f n2
2 1
x  2  1      df
k 2 2
  2 Q0 
2
0 0 Éq. (4.42)
2 0 Q
 fn
4k 2
En substituant l’Éq. (4.42) dans l'Éq. (4.41), le bruit de la force est égal :
6
kB=1,38·10-23J/K
7
Le kelvin est l’unité SI de température en thermodynamique (0 K est égale à -273,15 °C)
113
4k BTk
f n  4b k BT N Hz   S f n  4  k BT 
c Q
Éq. (4.43)
Cette valeur est reconnue comme étant l’analogue à la amplitude de bruit équivalent d'une
résistance de valeur, R, qui est égale au coefficient d'amortissement, b [16]. On note que la
densité spectrale de puissance de force est indépendante de la pulsation du fait de sa nature de
bruit blanc, contrairement à la densité spectrale de puissance d’amplitude.
On peut également donner une description du spectre de bruit en amplitude de vibration

Sx(ω). Il correspond au bruit blanc Sfn, amplifié par la fonction de transfert G(ω) du levier :
2
S x    G   S fn  
2
4 k BTk  c2  1 Éq. (4.44)
  
c Q  k    
2
 2
c 2
  2   c 
 Q 
On retrouve finalement l’équation suivante de l’amplitude de vibration du bruit Brownien :

4bk BT 1
x
k 2 2
m / Hz  
2
      Éq. (4.45)
 1  2    
 c   Qc 
De ce fait, les poutres avec des grandes constantes de flexion et de faibles coefficients
d'amortissement se traduiront par une position basse de bruit brownien comme montre la
Figure 4.17.
Figure 4.17. Densité spectrale du bruit Brownien dans la membrane.
3.3.2. Bruit thermique (Johnson)

Le mouvement instantané des composantes mécaniques est affecté par l'agitation thermique
moléculaire, ce qui donne ensuite lieu à des bruits thermiques (bruit de Johnson ou Johnson-
Nyquist). L'origine physique du bruit thermique réside dans les mécanismes de dissipation
dans les systèmes mécaniques tels que l'amortissement dans les ressorts, amortissement de
l’air entre deux surfaces parallèles etc.. Pour un capteur miniaturisé, tel qu'un microphone,
son signal de sortie, ayant généralement une faible amplitude, peut être très gravement
114
affectés par le bruit thermique si les caractéristiques d'amortissement de la structure du

capteur ne sont pas correctement conçu.
L'estimation du bruit dans le microphone peut être faite d’une façon très pratique en utilisant
le modèle du circuit équivalent. Pareil comme le cas pour un circuit électrique, dans notre
modèle équivalent, les résistances acoustiques sont eux qui construisent principalement les
sources du bruit du microphone plus que les éléments du circuit réactif. De ce fait, il existe
deux sources de bruit (résistances) dans un microphone, voir le modèle de circuit équivalent
représenté sur la Figure 4.10. La résistance équivalente de l'amortissement de la membrane
produit par radiation et la résistance d’égalisation de la pression statique. Le bruit de pression
produit par une résistance acoustique est défini par la formule ci-dessous. Le modèle de bruit
couramment utilise pour les résistances est un bruit blanc, de densité spectrale donnée par
S R  4 k BTR Éq. (4.46)
où R est la somme des valeurs de la résistance mécanique des trous d’échappement et de la
radiations de la membrane. Dans la pratique, le bruit produisant l’amortissement du
diaphragme est plus important, car le bruit produit par l'égalisation de pression de ventilation
est inférieur à celui du préamplificateur à n'importe quelle fréquence [20]. Le spectre de bruit
final d'un microphone ressemble à sa réponse en fréquence de pression. Le bruit de la
résistance des ouvertures de gravure est estimé à 3.58 10-11 et celle de radiation est donnée sur
la Figure 4.18.
Figure 4.18. Densité spectrale du bruit Johnson dans la membrane.
Comme prévue la densité spectrale du bruit est comparable à la sensibilité dans le cas ou on a
un microphone sans amortissement (à conversion en élongation) et elle est largement inférieur
au microphone à conversion en vitesse.
4) Conclusion
Ce chapitre commence par une introduction sur les spécifications des microphones
électrodynamiques par rapport aux électrostatiques. En effet, les microphones utilisant un
champ magnétique comme moyen de transduction, ont une fréquence naturelle de vibration
placée au centre de la gamme de fréquences du microphone. Afin de parvenir à la
caractéristique de réponse en fréquence désirée, couvrant toute la bande audible, plusieurs
modèles d'attachement ont été présentés, étudiés et comparés. Ces modèles renferment les
115
structures les plus utilisées dans la conception de microsystème tel que le crab-leg, le
méandre, le U-spring et la serpentine. Nous avons constaté que, pour des dimensions
comparables, la forme en U-spring présente la plus grande souplesse et le méandre est le plus
rigide. Cette étude de la rigidité de flexion de plusieurs types d’attachement est réalisée dans
le but d'établir la structure de bras qui satisfait la contrainte d’avoir une fréquence de
résonance au milieu géométrique de la bande acoustique. Des modélisations par éléments
finis, de la membrane suspendue ont été élaborées par la suite pour choisir le type
d’attachement susceptible de réponde à l’exigence sur le fréquence propre qui été le crab-leg.
Par la suite, une étude acoustique détaillée par analogie électro-mécano-acoustique a été
réalisée, dans le but de modéliser le comportement fréquentiel de notre structure et la
sensibilité du circuit. Nous avons démontrée que la sensibilité à la sortie du microphone pour
une pression acoustique constante est maximale pour une position verticale de la membrane
par rapport au substrat de l’ordre de ε, où ε est la distance qui sépare la bobine externe de
l’interne. La sensibilité en pression du microphone électrodynamique reste dans sa bande
passante assez faible comparativement à celle d’un microphone électrostatique ou d’un
microphone à électret (de l’ordre de quelques dizaines de µV/Pa dans une bande passante de
50 – 5kHz). La dernière partie de ce chapitre a été dédiée à l’étude et à la modélisation des
bruits Johnson et thermomécanique de la structure du microphone.
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Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, April 2003.
117
Chapitre 5
Fabrication du premier prototype du microphone
1) Introduction ________________________________________________________ 118

2) Fabrication du microphone ____________________________________________ 118
2.1. Description du procédé de fabrication __________________________________ 119
2.2. Post-process de gravure du microphone ________________________________ 121
2.3. Technologie et fabrication d’un prototype _______________________________ 123
3) Description et résultats de gravure des différentes structures de test ____________ 124
3.1. Description et résultats de gravure de TEST1 ____________________________ 124
3.2. Description et résultats de gravure de TEST2 ____________________________ 125
3.3. Structure principale : le microphone électrodynamique ____________________ 126
3.4. Solutions adoptées pour remédier aux problèmes technologiques_____________ 129
3.4.1. Utilisation d’une gravure humide ______________________________________________ 129
3.4.2. Utilisation du FIB __________________________________________________________ 130
3.4.3. Solutions proposées pour modifier la position verticale de la membrane _______________ 131
4) Conclusion _________________________________________________________ 132
1) Introduction
Après avoir étudié et modélisé le microphone électrodynamique micro-usiné en technologie
CMOS standard, nous avons fabriqué un premier prototype avec le but de caractériser son
comportement. Ce chapitre commence par une première partie qui présentera le procédé de
fabrication CMOS standard du microphone ainsi que l’étape de post-process de micro-usinage
en volume. La seconde partie, s’intéressera aux différentes structures de test conçu afin de
valider la fabrication du microphone. Par la suite, nous allons discuter les résultats de gravure
de ces structures de test et commenter les différentes solutions qui ont été proposées pour
améliorer le dispositif.
2) Fabrication du microphone
Pour concrétiser les études développées dans les chapitres précédents un premier prototype du
microphone électrodynamique MEMS a été fabriqué pour un éventuel test avec un
amplificateur externe. Les dimensions de la membrane retenues sont 1.5mm de côté et une
largeur du bras égale à 25µm.
118
2.1. Description du procédé de fabrication
La technique de micro-usinage en volume, est une technique qui sert pour graver le silicium
sur le substrat pour produire des microstructures tridimensionnelles tels que les poutres, les
ponts et les membranes. Dans cette approche, les microstructures sont réalisées dans le
substrat CMOS lui-même après la fin de la procédure CMOS standard. Ces technologies de
fabrications de microsystèmes sont accessibles via des sociétés faisant l’intermédiaire entre
les clients et les fonderies. Dans notre cas, nous avons travaillé avec les services de Circuits
Multi Projets (CMP) à Grenoble. La seule technologie qui était disponible pour la fabrication
de la puce du microphone, est une technologie CMOS standard CSMC 0.6µm, à 2 niveaux de
poly et 2 métaux, proposée par une fonderie chinoise ICC (Integrated Circuit Center design).
L’application du post-process du micro-usinage en volume sur la puce fabriquée a été
possible par le faite que cette technologie n’utilise pas une planarisation (ou polissage) des
couches déposées. La composition de ces couches est illustrée sur la Figure 5.1a et les
dimensions des principales couches sont présentées sur le tableau de la Figure 5.1b.
Figure 5.1. (a) Composition des, (b) Épaisseurs des principales, couches de la technologie chinoise
CSMC 0.6µm, 2P2M.
La Figure 5.2 montre les étapes technologiques suivies pour assurer la fabrication du
microphone dans une technologie CMOS industriel standard. Le processus de fabrication
commence par le développement de l’oxyde de champ (Field Oxyde), par oxydation à chaud
du wafer, dans les zones prédéfinies par le dessin des masques. Par la suite, les transistors
CMOS sont fabriqués dans des caissons n ou p déjà réalisés avec une croissance de l’oxyde et
un dépôt de poly. La Figure 5.2a représente le wafer en silicium, étiquette 100, avec les étapes
précédentes déjà réalisées sur lequel on dépose une couche de dioxyde, 101, ouverte par
lithographie à des emplacements prédéfinis. Par ailleurs, le métal1 (généralement de
l’aluminium) est déposé par évaporation, étiquette 99, pour former la spire métallique de
retour de chaque bobine et les connections des transistors. Elle est suivie par un dépôt d’une
couche du diélectrique SiO2, étiquette 102 (Figure 5.2b). Il faut prévoir un entassement
d’ouvertures dans toutes les couches diélectriques et la couche de passivation pour ôter le
silicium du substrat. Ces ouvertures doivent être placées dans les emplacements appropriés
pour laisser le silicium nu et permettre la suspension de la membrane lors de l’utilisation de la
solution organique de gravure en volume. L’étape suivante consiste à déposer une couche de
métal, étiquette 98, permettant de dessiner la forme carrée des deux bobines B1 et B2 (Figure
5.2c). Ensuite, une dernière couche de diélectrique 103, en nitrure de silicium, est déposée sur
les bobines comme passivation pour protéger la surface du circuit et l’électronique de
traitement à proximité (Figure 5.2c).
119
Figure 5.2 Etapes technologiques de fabrication du microphone inductif.
Après la fabrication de la puce, une dernière étape de post process consiste à tremper le
microphone dans une solution de micro-usinage en volume est réalisée. Cette gravure
n’attaque que le silicium et par la suite permet la gravure de la cavité, étiquette 104, au
dessous de la membrane (Figure 5.3). Les masques de matériaux utilisés pour définir la
gravure anisotrope du silicium sont le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium. La
structure finale suspendue est l’empilement de différents matériaux diélectrique sont illustrés
sur la Figure 5.3.
Figure 5.3. Vue finale en coupe du microphone électrodynamique.
120
2.2. Post-process de gravure du microphone
La gravure anisotropique du silicium est une réaction chimique en phase liquide entre la
solution de gravure et le silicium dont la cinétique est commandée par l’orientation
cristallographique des surfaces de contact. La forme résultante de la gravure est reliée aux
plans cristallins, tout au long d’eux le procédé de gravure possède la vitesse plus la lente, à
savoir le plan (111) pour le silicium. Dans le cas d’un wafer d’orientation (110), le plus
fréquemment utilisé, les plans (111) font un angle de 54,7° avec la surface horizontale du
substrat, produisant une gravure pyramidale dans le volume du substrat Figure 5.3.
Nous avons prévu d’appliquer le micro-usinage du silicium par la face avant afin de libérer la
structure de la membrane et des bras. Pour pouvoir entamer cette procédure, il est nécessaire
de prévoir des ouvertures dans les couches du procédé CMOS jusqu’au niveau silicium du
substrat. Ceci est réalisée en superposant une zone active, un contact, un via et une ouverture
pad dans la conception du dessin des masques, les zones de silicium sur la surface du wafer
seront nu à la fin de la séquence du processus CMOS standard. Par la suite, la puce est
plongée dans une solution de gravure qui permet de graver le substrat en silicium en volume à
partir de ces zones nues. Les solutions de gravure anisotrope humides les plus usuelles sont
l’hydroxyde de potassium, KOH, le Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide TMAH et
l’Ethylene-Diamine Pyrocatechol (EDP). Leurs taux de gravure vis-à-vis de l’orientation
cristallographique et du matériau sont illustrés dans le Tableau 5.1. Parmi ces nombreuses
solutions liquides utilisées pour la gravure du silicium, nous avons choisi la gravure en
utilisant l’hydroxyde de tétra-méthyle ammonium (TMAH). Malgré que son emploi soit un
peu délicat du fait de sa nature organique qui lui confère une faible stabilité, elle reste la
solution offrant les meilleurs résultats en termes de vitesse de gravure, d’anisotropie et de
sélectivité par rapport à l’aluminium. De plus elle est totalement compatible avec les procédés
de fabrication de la microélectronique. Cette étape de gravure est réalisée par la société IBS
(Ion Beam Services, Aix en Provence, France) soutraitée par le CMP.
Tableau 5.2. Les solutions de gravure du silicium sélectives et leurs ratios de gravure.
Taux de gravure plan {100} plan {111} SiO2 SiN4
HF non sélective non sélective non sélective non sélective
KOH 0.14 µm/min 3.5 nm/min 1.4 nm/min ne grave pas
EDP 0.75 µm/min 21 nm/min 0.2 nm/min 0.1 nm/min
TMAH 1 µm/min 29 nm/min 0.2 nm/min 0.1 nm/min
La première difficulté qu’on doit faire face dans la fabrication du microphone est la libération
des longs bras et de la large membrane suspendue en utilisant le micro-usinage en volume
face avant. Pour surmonter ce problème il faut comprendre l’enchaînement du mécanisme de
gravure dans une poutre suspendue. On peut noter que la solution commence par consommer
le plan (100) tout en formant les plans d’arrêt virtuels (111). L’effet de bord sur les parties
convexes vient créer des plans (411) qui sont souvent les plus rapides dans la gravure. La
gravure par dessous de la poutre commence par les coins convexes permettant de libérer
complètement la structure et d’obtenir une cavité en forme de pyramide inverse. Le résultat
d’une telle gravure peut alors être observé sur la Figure 5.4 où l’on voit une poutre suspendue
au-dessus d’une cavité pyramidale.
121
Figure 5.4. Illustration de la gravure au coin convexe et la formation des poutres suspendues dans un
matériau qui n'est pas gravée.
Donc, pour le cas de notre membrane si on considère un bras de 1.5mm et une vitesse de
gravure de 1.4µm/min, il nous faut plus que 17h pour graver le long du bras. Avec cette durée
de temps la solution de TMAH peut endommager l’électronique de proximité et graver le
silicium par-dessous et sur les bords du substrat. Un exemple du résultat d’une simulation
atomistique1 qui a été effectuée avec le simulateur de gravure anisotropique ACES est montré
sur la Figure 5.5.
(a) (b)
Figure 5.5. Simulation atomistique de la gravure anisotropique de la membrane du microphone
soutenue par quatre bras, pour différents pas de calculs montrant la progression de la gravure.
Une orientation de 45° de la structure du microphone dans le substrat permet de réduire

considérablement ce temps de gravure, puisque l’attaque par le TMAH va s’effectuer
simultanément sur toute la longueur du bras (Figure 5.6). En outre, puisque la bobine interne
sera fabriquée à la périphérie de la membrane suspendue, nous aurons une grande surface
libre au centre de la membrane suspendue. Cette surface va être exploitée pour optimiser au
maximum la durée de la gravure, permettant d’avoir la distance désirée entre la membrane et
le fond de la cavité gravée. Donc, l’idée était d’ajouter aussi sur cette surface inoccupée, des
ouvertures de gravure, qui vont faciliter la gravure. La largeur de ces lignes de gravure est
fixée par la distance minimale permise par les règles de conception de la technologie.
Cependant, leur longueur est limitée par le dessin des masques de la bobine intérieure qui est
composée de quelques dizaines de tours. Lors de l’étape post process, chaque ouverture de
1
La simulation atomistique est basée sur la discrétisation d’un volume en points (les atomes) d’un réseau régulier, comme
un réseau d’atomes dans un cristal. L’algorithme de calcul va alors, pas à pas, calculer l’orientation du plan formé par un
point et ses proches voisins puis en extraire une vitesse de gravure correspondante. En fonction du pas de calcul et de la
vitesse de gravure déterminée, l’atome sera alors déclaré gravé ou pas.
122
gravure va créer une cavité avec un fond rectangulaire par dessous, ce qui va accélérer le
processus de gravure. Le temps estimé pour effectuer la gravure de la membrane dans cette
configuration été de 2h.
(a) (b)
Figure 5.6. Simulation atomistique de la gravure anisotropique de la membrane soutenue par quatre
bras à 45°, pour différents pas de calculs montrant la progression de la gravure.
2.3. Technologie et fabrication d’un prototype
Le dessin des masques du microphone réalisé est montré sur la Figure 5.7. Sur ce layout, nous
avons réuni plusieurs structures de test, dont la principale est la structure de notre microphone
électrodynamique MEMS.
Figure 5.7. (a) Dessin des masques (b) Image MEB, de la structure de test du microphone.
Le microphone est situé au centre et occupe la forme d’un losange de diagonale 2,6 mm. A
son entourage, se trouvent les autres structures de test qui sont (i) 6 bobines planaire intégrées
de dimensions approximatives par bobine 0,7×0,6 mm², destinées pour une étude du facteur
de qualité (ii) une structure des test (TEST1) composée de poutres suspendus (iii) une
structure de (TEST2) qui représente une membrane suspendue avec des bras en forme de U-
spring.
123
3) Description et résultats de gravure des différentes structures de test

3.1. Description et résultats de gravure de TEST1
Figure 5.8. Image MEB de la structure TEST1 (avant gravure).
Sur la Figure 5.8, on aperçoit la première structure de test TEST1 de dimensions

0,35×0,35mm². Elle comporte principalement des poutres suspendues (à droite) et des fentes
(à gauche). Une vue en coupe de l’empilement des couches utilisées lors du dessin des
masques dans les poutres est montrée sur la Figure 5.9a. Les fontes, situées à gauche, ont des
ouvertures de largeurs dans la passivation égale à 2, 4, 5, 6, 5 et 6µm, respectivement (les
deux dernières ne respectent pas les règles technologiques). Leurs utilité est de déterminer la
largeur minimale permettant la pénétration de la solution de gravure dans le substrat en
silicium. Sur les bords de la microcavité, on aperçoit deux pistes métalliques, celle du dessous
en métal 2 et l’autre en métal 1. Ces deux pistes s’approchent progressivement du bord avec
une distance variant de 4.5µm jusqu’à 0.5µm. Le but de la déposition de ces deux pistes est de
déterminer la distance de séparation minimale, dans notre procédé technologique, entre une
piste métallique et une microcavité. En utilisant un profilomètre à contact (ou mécanique), le
relief le long du parcours à travers les poutres du haut en bas de la Figure 5.8, est montré sur
la Figure 5.9b. Le niveau du substrat est fixé à l’origine, et celui du silicium nu est le plus bas
(proche de -4000A°).
Figure 5.9. (a) Empilement des couches (b) Profile topographique, enregistré lors du passage à
travers la structure TEST1.
L’intégration des poutres permet en premier lieu de valider le micro-usinage en volume à

travers une structure simple et en second lieu étudier le flambage des poutres causé par les
contraintes résiduelles après libération. L’empilement des couches dans TEST1 est montré sur
la Figure 5.9a. Les poutres 1 et 4 comportent toutes les couches d’oxyde dans un process
124
standard, et par suite elles ont pratiquement le même niveau que la surface du circuit
(Figure 5.9b). Par contre, les niveaux métal 1 et métal 2 ont été ajoutés sur les poutres 2 et 3
donnant ainsi à ces poutres un niveau plus haut que le reste du circuit. Il faut noter que pour la
poutre 2, les deux niveaux de métaux ne sont pas séparés par l’oxyde. En plus, la poutre 4
possède une largeur plus faible que celle des autres poutres, qui sont de même largeur.
À partir de la Figure 5.10, qui montre les résultats de la gravure de la structure TEST1, on
peut tirer deux conclusions :
- La fente permet de graver une forme carrée en dessous dans le silicium si sa largeur est
supérieure à 4µm. Par conséquent, pour avoir une ouverture suffisante, qui permet le passage
de la solution de gravure, il faut avoir une distance minimale de 5µm dans le dessin des
masques initial.
- La forme carrée de la microcavité est bien conservée malgré la présence des deux spires en
métal 1 et 2 qui s’approchent progressivement de son bord. Donc la spire interne de la
primaire de notre microphone peut être placée à une distance de 0.5µm des ouvertures entre le
bras et ainsi pour la spire externe du secondaire.
Figure 5.10. Image de TEST1 après la gravure prise par (a) MEB, (b) microscope optique.
3.2. Description et résultats de gravure de TEST2

La deuxième structure de test TEST2 représente une membrane carrée suspendue, de côté
égale à 110µm, attachée au substrat par quatre bras en forme de U-spring. Elle a été conçue
pour étudier la réponse en fréquence et la faisabilité de ce type de membrane souple sans
avoir recourt à des ouvertures de gravure au milieu. La membrane, avec une orientation de
45°, est attachée par des bras de largeur égale à 15µm. Les résultats de gravure de TEST2 sont
montrés sur la Figure 5.11.
(a) (b)
Figure 5.11. Image de TEST2 prise par MEB après la gravure avec une membrane (a) attachée (b)
libérée.
125
La Figure 5.11a montre que les bras et la membrane sont entièrement gravés et sont libérés à
travers des ouvertures de largeur qui varie entre 5-6µm. Toutefois, le temps de gravure
présente une importance capitale pour assurer la suspension totale de la membrane. Un
exemple d’membrane avec un centre qui est encore attaché au substrat est montré sur la
Figure 5.11b. Ce résultat a été obtenu par une gravure d’une durée de 1h. En conclusion, les
résultats obtenus sur la structure de test TEST2 du microphone sans bobine sont réussit, avec
une suspension totale de la membrane et des bras d’attachement.
3.3. Structure principale : le microphone électrodynamique
La membrane est réalisée avec une forme carrée orientée de 45° avec un côté égal à 1.5mm.
Elle est orientée par rapport aux axes cristallins de manière à faciliter la gravure. Les bras ont
une largeur de 35µm, alors que l’ouverture de la dépassivation est de largeur égale à 8µm.
Avant la gravure de la puce on a remarqué que la largeur des spires et l’espacement dans les
deux bobines n’ont pas été respecté par le fabriquant. En effet, au lieu d’avoir une largeur de
1µm et un espacement de 0.9µm comme le dessin des masques original, on a trouvé 1.7µm et
0.2µm, respectivement (Figure 5.12a). De plus, on a constaté aussi la présence d’une fissure
de largeur 1.75µm sur les ouvertures situées entre la membrane et les bras (Figure 5.12b).
Cette fissure n’existe pas sur l’ouverture située de l’autre côté, c’est-à-dire entre le bras et la
bobine externe (Figure 5.13a).
(a) (b)
Figure 5.12. Image MEB (a) des spires de la bobine externe (b) de l’ouverture sur le coté interne du
bras –entre le bras et la membrane–.
Après la gravure de la structure du microphone, on a remarqué la présence de deux

problèmes. Le premier, c’est que les bras ne sont pas libérés et le second, c’est que le centre
de la membrane était trop fragile. Ceci a été fait en insérant un grand via sur le dessin des
masques initiale pour alléger le poids de la membrane et avoir une fréquence de résonance au
milieu géométrique de la bande audible. En plus, la disposition choisie pour les ouvertures,
qui devrait faciliter la gravure, a rendu la structure de la membrane, formée par des lames,
sensibles au choc. Ces chocs peuvent venir par l’agitation de la structure dans le bain de
TMAH ou bien par la manipulation et des secousses sur la puce. Par conséquent, les
différentes couches d’oxyde doivent être présentes sur la membrane dans un dispositif final. Il
faut éviter la désoxydation du centre de la membrane pour une autre éventuelle fabrication.
L’élimination de la couche d’oxyde au centre de la membrane pour augmenter la fréquence de
126
résonance du microphone a rendu la membrane très fragile ce qui a causé la cassure de

quelques lames lors de la gravure.
(a) (b)
Figure 5.13. Image MEB (a) des ouvertures prévues sur les deux cotés du bras. (b) de la membrane du
microphone après gravure.
Le premier problème au niveau de la libération des bras a des conséquences très graves pour
le fonctionnement et le test de notre microphone. D’après la Figure 5.13b, il semble que la
gravure est accomplie que sur un seul côté du bras et le deuxième côté reste attaché au
substrat. En effet, le dioxyde et/ou le nitrure de silicium obturent encore les ouvertures de
gravures du côté externe du bras, c’est-à-dire entre le bras et la bobine externe. Pour essayer
de détecter la cause et remédier au problème, on a essayé d'identifier les éléments chimiques
qui obturent les ouvertures et laisse le silicium nu inacceptable par une technique d'analyse
spectroscopique. Cette technique permet, en d’autre, d'identifier les compositions
moléculaires chimiques d’une structure en utilisant la résonance magnétique nucléaire
(RMN). La zone d’analyse désignée est la région d’intersection du bras avec la membrane
montrée sur la Figure 5.14a. L’analyse spectrale de cette zone, a montré la présence du
dioxyde du silicium (SiO2), du nitrure du silicium (SixNy) et d’un alliage d’aluminium et de
titane comme métal (Figure 5.14b). Une décomposition en éléments simples de cette zone est
montrée sur la Figure 5.15.
cps/eV
35 N-K
O-K Al-K
Si-KA Ti-KA Map
30
25
O Si
20 N Al Ti
15
10
Ti
5
0
2 4 6 8 10 12 14
keV
(a) (b)
Figure 5.14. (a) Sélection de la zone d’analyse sur la surface du microphone par spectroscopie
(b) spectre spécifiques constituant la composition des matériaux dans la zone d’analyse.
127
Nous avons déduit d’une analyse spectroscopique que les dépôts sont responsable de
l’obturation les ouvertures sont soit l’oxyde de silicium de formule chimique SiO2 soit la
passivation de formule SixNy. Par ailleurs, les masques d’éléments qui nous intéressent
vraiment sont celui du nitrure et de l’oxygène puisque le Si est l’élément commun pour toutes
les couches. La Figure 5.15 montre la présence intensive de ces deux éléments dans les zones
prévues aux ouvertures de gravure. Par conséquent, on peut affirmer que la couche de
passivation en nitrure de silicium, lors du dépôt, a dépassé ses limites prévues et elle a obturé
les ouvertures de gravure. Nous pouvons constater ce problème malgré que l’épaisseur de
l’ouverture a été définie par le dessin des masques dans la gamme comprise entre 7 et 8µm, ce
qui devrait être suffisant d’après les règles de dessin.
Figure 5.15. Identification de la présence des différents éléments chimique dans la zone d’analyse qui
sont, respectivement de gauche à droite et du haut en bas, le nitrure, l’oxygène, l’aluminium, le
silicium et le titane.
128
On a utilisé un profilomètre mécanique pour illustrer le profil du passage au-dessus de la

structure du microphone. Le parcours choisi, commence par la surface du circuit, en passant
par la bobine externe B1, l’ouverture externe, le bras, l’ouverture interne, la bobine interne B2
et finalement la surface de la membrane. Le profil enregistré lors du passage est illustré sur la
Figure 5.16. A partir de ce profil, on remarque que la distance verticale qui sépare le niveau
haut du bras avec la bobine B1 en passant par l’ouverture externe est beaucoup plus grande
par rapport à celle qui sépare le bras et la bobine B2 en passant par l’ouverture interne. Ce
profil est tout a fait justifiable puisque on a opté dés le début de réaliser une membrane la plus
légère que possible en éliminant la couche d’oxyde entre poly et métal1. Ceci explique bien
l’apparition de la fissure du coté interne de l’ouverture et non pas du coté externe. D’où, on
peut affirmer que la raison de l’obturation des ouvertures de gravure, a part le procédé
technologique non précis, sera la différence de niveau énorme entre la bobine et le bras d’un
coté et la surface nu du silicium d’un autre coté qui dépasse les 5µm.
Figure 5.16. Profil enregistré lors du passage sur les deux bobines et le bras.
3.4. Solutions adoptées pour remédier aux problèmes technologiques
Dans la suite, nous allons décrire les solutions proposées pour éliminer la couche de nitrure de
silicium qui empêche la gravure des bras. Ces solutions sont basées sur la gravure humide et
sur l’utilisation d’une sonde inique focalisée (FIB).
3.4.1. Utilisation d’une gravure humide

La première solution tentée pour enlever la couche résiduelle entre les bras, est l’utilisation
d’une gravure humide. Cette gravure se fait par une attaque chimique dans une solution
aqueuse. On a estimé que puisque le dépôt de nitrure dans l’ouverture est fait par erreur, donc
son épaisseur au milieu devrait être relativement faible (intersection entre le nitrure déposé
par la à gauche et à droite). La gravure humide est isotrope avec une vitesse qui dépend de la
concentration de la solution et du type d'impureté que contient la couche à graver. Pour cela,
on a essayé de couvrir la membrane, puisque elle est l’élément le plus sensible, au milieu par
une résine protectrice. Ensuite, nous avons trompé notre puce dans une solution partiellement
diluée d'acide fluorhydrique (HF) tamponnée par du fluorure d'ammonium (NH4F) et de l’eau
(HF + NH4F + H2O) pour essayer d’éliminer (ou de diminuer l’épaisseur) la couche
superficielle de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium qui empêchent la gravure.
L’équation de la réaction est donnée par :
SiO2 (s) + 6 [NH4][HF2] (aq) -> H2[SiF6] (aq) + 6 [NH4]F (aq) + 2 H2O (l)
La fin de la gravure est difficile à repérer, et pour un premier essaie on a agité la puce pendant
30 minutes. Les résultats de gravure observés sous le MEB montrent que, pratiquement, tout
129
le dioxyde de silicium a été gravé même celui qui est déposé entre les métaux, entraînant ainsi
le détachement du métal2 constituant les deux bobines (Figure 5.17). Les résultats trouvés ont
été très décourageants. Malheureusement, une faible sélectivité de la solution de la gravure ce
qui a entraîné une gravure latérale et verticale sur la puce, d’où le décollage de plusieurs
structures comme le spirale du bobine primaire.
Figure 5.17. Image MEB de l’ouverture du microphone gravée dans d'acide fluorhydrique.
3.4.2. Utilisation du FIB

Une seconde solution proposée pour éliminer les couches de dioxyde et de nitrure, est réalisée
avec la Sonde Ionique Focalisée (FIB, acronyme de Focused Ion Beam). La technique de FIB
est utilisée principalement comme un outil de micro-fabrication, pour modifier ou pour usiner
la matière à l'échelle micrométrique ou nanométrique. En utilisant le FIB, on a essayé
d’élargir les ouvertures entre les bras pour permettre le micro-usinage du silicium (voir Figure
5.18a). Par la suite, on a utilisé une solution de TMAH à 10% avec 60g/l d’acide silicique
pour protéger les plots. La mise en température se fait doucement puisque on passe de la
température ambiante à 85° en une heure. L’ensemble de la solution est agité par un barreau
aimanté, se qui assure à la solution une bonne homogénéité. Les résultats de gravure,
présentés sur la Figure 5.18b, montrent que les ouvertures prévues pour l’attaque du TMAH
sont devenues totalement obturées. En effet, le micro-usinage fait par le FIB a déposé des ions
de gallium à la place des ions de nitrure, ce qui a obturé le silicium nu (Figure 5.18b). En
effet, quand des ions gallium de haute énergie sont projetés sur un échantillon, ils pulvérisent
les atomes de la surface de l'échantillon. En même temps, les atomes de gallium sont
implantés dans les premiers nanomètres de la surface de l'échantillon qui est ainsi amorphisé.
(a) (b)
Figure 5.18. (a) Elargissement de la largeur des ouvertures par le FIB, (b) Résultat après 2h de
gravure par TMAH sur le microphone.
130
3.4.3. Solutions proposées pour modifier la position verticale de la

membrane
Nous avons démontrée que la tension à la sortie du microphone pour une pression acoustique
constante est maximale dans le cas où on a une certaine position verticale de la membrane par
rapport au substrat. Ce déplacement posera un problème technologique supplémentaire dans
la conception de notre microphone (voir Figure 5.19).
bobine bras
secondaire membrane d’attachement
substrat
Figure 5.19. Illustration de la position verticale de la membrane par rapport au substrat.
Pour améliorer le fonctionnement du microphone, nous avons proposé dans la suite quelques
solutions pour le réglage de cette position verticale de la membrane. Ce réglage est une
conclusion directe des résultats théorique démontrés dans le chapitre 4, par l’analyse exprimée
par l’Éq. (4.1). Parmi ces solutions on peut citer :
- Insérer des résistances d’échauffements, et l’élongation du bras va être suivant les
coefficients de dilatation de l’empilement des matériaux qui le constitués.
- Profiter des forces de Laplace qui sont générées dans le cas où les deux bobines
externe et interne sont polarisées par un courant DC.
- Utiliser les contraintes résiduelles inhérent dans la structure après sa libération
(exemple : les bras d’attachement de la membrane du microphone résistif du LIRMM
présente une incurvation de 15µm après leurs libération, voir Figure 5.20)
- Placer la structure du microphone sur une électrode métallique, et essayer d’exploiter
la force électrostatique pour définir une nouvelle position d’équilibre.
Figure 5.20. Illustration de l’incurvation des bras d’attachement de la membrane
131
4) Conclusion
Nous étions les premiers à utiliser cette technologie CMOS standard CSMC 0.6µm, pour
réaliser le micro-usinage en volume sur une structure de précision qui est un peu délicate. Le
problème majeur à résoudre reste toujours la libération des bras. L’application d’un masque
de résine en photorésist qui définit les zones d’oxyde à graver reste une étape très difficile vu
qu’on n’a pas les moyens de manipuler des puces qui sont déjà découpées. Cela nécessite le
travail au niveau du wafer, ce qui rend le développement plus coûteux qui revient même plus
cher du prix de fabrication d’un nouveau prototype. La fabrication d’un nouveau prototype de
test reste la seule alternative pour valider la nouvelle structure de notre microphone
électrodynamique micro-usiné MEMS. Dans cette nouvelle structure fabriquée, il faut prévoir
de réaliser un soulèvement de la membrane dans une altitude ou le champ magnétique est à
son maximum.
132
Conclusion générale
L’évolution de la nouvelle génération de microphone intégré de hautes performances

basées sur le micro-usinage de silicium, se focalise à une intégration monolithique du capteur
avec l’électronique et ceci pour augmenter les performances et réduire le coût. Dans ce cadre
vient objectif de cette thèse qui a pour but d’étudier la faisabilité et la réalisation d’une
nouvelle génération de microphone de type électrodynamique à base de bobines spirales
planes qui sera réalisées en utilisant une technologie standard de fabrication des circuits
intégrés (CI), compléter par un post process de micro-usinage en volume par la face avant. A
notre connaissance, le principe électrodynamique, sujet de cette thèse, n’a jamais été utilisé
dans la pratique pour la réalisation de microphones MEMS intégrés. Toutefois, l’intégration
de ce principe sur puce et le choix de la technologie utilisée pour la réalisation du microphone
représentent les deux grandes précellences. L’incarnation du principe électrodynamique
nécessite l’utilisation de deux bobines spirales intégrées et coplanaires, une interne et l’autre
externe. La bobine externe est utilisée pour la création d’un champ magnétique au sein de la
bobine interne. En appliquant la loi de Faraday, une fem induite proportionnelle à l’onde
acoustique va naître aux bornes de la bobine interne. L’utilisation d’une technologie CMOS
commerciale fait que ce capteur présente de très faible coût de production et pourrait ainsi être
employé au sein d’applications grand public, comme les microphones pour des appareils
portatifs en télécommunications, ou spécifique, comme des systèmes d'aide auditive.
Le premier chapitre de ce manuscrit fait le tour d’horizon des différentes technologies

de fabrication des microsystèmes monolithiques compatibles CMOS. Ensuite, une étude
bibliographique concernant les grandes familles de microphones intégrés réalisés via les
technologies microsystèmes et leurs caractéristiques est présentée tout en s’attardant plus
particulièrement sur les microphones piézoélectriques et capacitifs. Dans le chapitre suivant,
la nouvelle structure de notre microphone électrodynamique MEMS est présentée et étudiée.
Une modélisation électromagnétique détaillée est réalisée pour étudier les solutions menant à
augmenter la tension induite à la sortie de l'inductance secondaire. Cette étude a montré que la
tension induite évaluée, lorsque l'inductance externe est traversée par un courant continu, se
trouve dans la gamme des µV. De plus, elle représente une fréquence double que celle de
l’onde acoustique incidente, du fait qu’elle est proportionnelle au produit du déplacement de
la membrane par sa vitesse. Lors de l'utilisation d’un courant alternatif de polarisation, la
tension induite s’avère être multipliée par un facteur qui représente le rapport de la pulsation
du courant de polarisation du primaire par celui de l’onde incidente. Deux cas se présentent
dans ce mode de polarisation, si la fréquence du courant utilisée est inférieure à la fréquence
de la petite onde dans la bande acoustique (à savoir 20Hz), on aura une tension quasiment
égale à celle fournie par une polarisation en DC, si elle est supérieure à la fréquence de la
grande onde dans la bande acoustique (à savoir 20kHz), on aura une tension induite plus
grande modulée en amplitude et qui est proportionnelle au carré du déplacement de la
membrane. Cette augmentation dans la tension induite est accomplie au détriment d’un signal
133
analogique plus complexe, ce qui complique l’électronique de proximité par l'utilisation du

filtrage analogique. Une autre alternative qui permet d’avoir une tension induite supérieure,
est de ramener la membrane dans une altitude verticale où le champ magnétique est à son
maximal. Dans cette zone, le champ magnétique est quasi-constant, par la suite, la tension de
sortie est uniquement proportionnelle à la vitesse de vibration de la membrane. Une étude de
la force de Laplace montre que son effet est négligeable dans le cas où l’une des deux bobines
est polarisée par un courant continu et/ou alternatif. Dans le cas où les deux bobines sont
polarisées simultanément par un courant continu, on trouve que la force de Laplace peut
amplifier l’amplitude de vibration de la membrane, alors que son effet est néfaste si les deux
bobines sont polarisées en AC. Ce chapitre a permis de tirer les expressions exactes de la
tension induite, dans chaque cas de polarisation, et de comprendre le phénomène d’induction
magnétique entre la bobine primaire fixe et la secondaire mobile.
Dans le chapitre quatre, nous présentons la modélisation du comportement dynamique

de la structure du microphone lorsqu’elle est soumise à une pression acoustique. Cette étude a
commencé par mettre le point entre les microphones à conversion en élongation et ceux à
conversion en déplacement. Cette définition exige de placer la fréquence de résonance de la
structure au milieu géométrique de la gamme de fréquence souhaitée. Ce qui nous ramène, par
la suite, a s’intéressé à l’étude de plusieurs modèles d’attachement de la membrane au
substrat, afin de choisir la forme la plus appropriée qui permet de bien ajuster cette fréquence.
Notre étude a permis de classer ces modèles d’attachement selon la rigidité qui en résulte.
Nous étions limités dans notre choix par la séparation entre la membrane et le substrat qu'il
faut garder au minimum afin de maintenir une sensibilité suffisante, puisque la tension induite
est inversement proportionnelle au carré de cette distance. En conclusion, nous avons pu
affirmer que la flexure en forme de U (U-spring) donne la compliance la plus élevée.
Cependant, il requiert un espacement plus important entre la membrane suspendue et le
substrat, ce qui réduit la sensibilité. Après avoir calculer la masse de la membrane, estimée à
13.4µg, le choix retenu est celui de la flexure en forme de jambe de crabe, puisque qu’elle
nous permis d’avoir une fréquence de résonance égale à 650Hz. La présente étude a été
combinée à une modélisation électroacoustique du système dans son ensemble afin d'obtenir
la configuration optimale du microphone. Le modèle électrique équivalent décrivant le
comportement acoustique du microphone est bâti en connectant en parallèle les composants
sur lesquels agit la même pression (forces) et en série les composants ayant les mêmes débits
(flux de vitesses). Cette modélisation nous a permis de distinguer deux types de microphone
{i} à conversion en déplacement et contrôlé par compliance et {ii} à conversion en vitesse et
contrôlé par résistance. Dans la première configuration, où la membrane avait un déplacement
constant, la sensibilité simulée été au-dessous du niveau du bruit. Tandis que dans la
deuxième configuration, où la membrane avait une vitesse constante, la sensibilité simulée a
été dans les dizaines de µV avec une réponse plate dans la zone de 50 – 5kHz. La condition
capitale pour avoir cette sensibilité est d’assurer un soulèvement (ou un abaissement) vertical
de la membrane à la hauteur où le champ magnétique est à son maximum. En conclusion, le
microphone sans circuit d’amplification a présenté une sensibilité très limitée, par rapport aux
valeurs présentées dans la littérature pour les microphones en silicium. Donc, l’étage
d’amplification CMOS devra être assez performant pour pouvoir détecter ce signal assez
faible, ce qui est le même problème rencontré par les microphones électrodynamiques
conventionnels de l’époque.
Le dernier chapitre, est dédié à la fabrication de notre microphone électrodynamique

MEMS. Durant cette étape de fabrication, on a rencontré un problème majeur c’était la
134
recherche d’un procédé industriel CMOS qui ne réalise pas la planarisation sur les couches
déposées. En effet, durant la période dans la quelle on voulait fabriquer le circuit toutes les
fonderies connues de la microélectronique utilisent la planarisation dans leurs procédés de
fabrication, ce qui obture le silicium sur la wafer. Finalement, notre choix s’est fixé sur la
technologie CMOS standard CSMC 0.6µm, provenant du fondeur chinois ICC (Integrated
Circuit design industrial Center) complétée par un post process de micro-usinage en volume
par la face avant (bulk micro-machining) réalisé par la société IBS « Ion Beam Services » de
Peynier, France. Cette technologie était peu connue pour nous, particulièrement, si on va
réaliser un post process de gravure organique. Les résultats de fabrication ont montré qu’il
existe un problème dans la libération des bras du côté de la bobine externe. Cet aléa est dû
essentiellement à la grande variation dans le relief entre le bras et la bobine externe d’un côté
et le silicium nu de l’autre côté. On peut dire que la fabrication du premier prototype a échoué
et ceci à cause du manque dans les connaissances de la technologie utilisée quand elle est
adaptée aux MEMS et à cause du manque dans sa fidélité par rapport au dessin des masques
soumis. Le chapitre cinq est clôturer par des propositions de quelques solutions qui permettent
d’arriver à un déplacement verticale de la membrane du microphone par rapport à la surface
du circuit. Notre microphone inductif porte encore l’espoir de devenir très utilisé dans
plusieurs applications, en particulier dans les prothèses auditives, les implants cochléaires et
les téléphones portables (GSM, UMTS).
Les perspectives pour ce travail de recherche sont assez nombreuses, étant donné que le
thème des microsystèmes se compose d’un sujet multidisciplinaire assez vaste. A cela
s’ajoute le fait que notre microphone électrodynamique est une nouvelle structure qui
nécessitera d’être modélisée et améliorée aussi bien pour la partie mécanique que pour la
partie électronique de traitement. Toutefois, la première chose à réaliser est l’étude et la
modélisation des solutions proposées, et voir s’il y en a d’autres alternatives, pour arriver à la
conception d’un microphone avec une membrane qui présente une certaine hauteur verticale
(en haut ou en bas) par rapport à la surface du circuit. Une étude de la distorsion et des
phénomènes de non-linéarité liés à la structure du microphone sera aussi envisagée.
Finalement, la caractérisation expérimentale du microphone est sans doute nécessaire pour la
validation des théories développées tout au long de cette thèse. Cette caractérisation nécessite
une re-fabrication d’un second prototype du microphone électrodynamique.
Un deuxième volet de perspective pour cette thèse, c’est la conception d’un
amplificateur faible bruit capable de capturer la fem induite, dans la zone des µV, et le
développement de l’électronique associé pour un fonctionnement correct du microphone.
135
Annexe
Le fichier sources pour calculer les constantes de raideur du crabe-leg:
136
Le fichier sources pour calculer les constantes de raideur de l’U-spring :
137
Le fichier sources pour calculer les constantes de raideur de la serpentine :
138
139
140
Farès Tounsi
‫ األنظمة الكھربائية والميكانيكية الدقيقة المدمجة( ھي مكونات مصغرة تضم وظائف إلكترونية وميكانيكية وبصرية‬،MEMS) ‫ المايكروسيستمز‬:‫الخالصة‬
‫ تجمع تكنولوجيات مايكروسيستمز بين تقنيات االلكترونيات الدقيقة ألشباه الموصالت و التقنيات الجديدة في مجال الخرط الدقيق متيحة‬.‫مجتمعة على نفس الرقاقة‬
‫ فإن ھذا الدمج يسمح بتصغير ھذه النظم وتحسين أداءھا وزيادة الحساسية والحد من‬،‫ باإلضافة إلى ذلك‬.(SoC) ‫إمكانية دمج نظم بأكملھا على نفس الرقاقة‬
‫ في ھذا السياق تأتي الغاية من ھذه األطروحة الذي تھدف إلى تصميم وبناء جيل جديد من الميكروفونات‬.‫الضوضاء من خالل تقليص حجم مكوناتھا‬
‫ ھذا الميكروفون سيتم تصنيعه عن طريق تكنولوجيا اعتيادية تليھا عملية خرط دقيق في كتلة السليكون‬.‫األلكتروديناميكية اعتمادا على وشيعتين لولبيتين مسطحتين‬
‫ العمل‬.‫ ھذه التقنية تتيح دمج الوظائف الميكانيكية و إلكترونيات المعالجة الرقمية الالزمة لتضخيم و معالجة اإلشارة على نفس الرقاقة‬.‫من خالل الجبھة األمامية‬
‫ بعد ذلك تأتي دراسة الكتروصوتية و التي تسمح بمعرفة‬.‫المنجز خالل ھذه األطروحة يستھل بدراسة الميكانيكية وتحليل الصوتي لھيكل الميكروفون عند االھتزاز‬
‫ الخطوة التالية تھتم بنموذج االرتباط الكھرومغناطيسي بين‬.‫مدى قوة تموج و استجابة غشاء الميكروفون )الحجاب( المعلق و الموصول بأربعة اذرع إلى جسمه‬
‫ ھذه الدراسة قادتنا أخيرا إلى تقدير شدة التوتر المستحث في الوشيعة الثانوية و اقتراح تصميم‬.‫الوشيعتين الثابتة و المتحركة لحساب الحقل المغناطيسي المتولد‬
.‫وتصنيع نموذج أولي لھذا الميكروفون األلكتروديناميكي‬
،‫ دراسة الكتروصوتية‬،‫ مرونة اللولب‬، ‫ االرتباط الكھرومغناطيسي‬، ‫ خرط دقيق في كتلة السليكون‬، ‫ محول كھروديناميكي‬،MEMS ‫ ميكروفون‬:‫المفاتيح‬
. (FEM)‫طريقة العناصر المنتھية‬
Résumé : Les microsystèmes (MEMS - Micro-Electro-Mechanical Systems) sont des composants miniaturisés
réunissant des fonctions électroniques, mécaniques et optiques sur la même puce. Les technologies microsystèmes
conjuguent les techniques du pointe de la microélectronique des semi-conducteurs et les nouvelles techniques du micro-
usinage, permettant ainsi la réalisation de systèmes entiers sur une puce (SoC - System on Chip). En plus, cette intégration
permettra de miniaturiser le système, d’améliorer ses performances, d'augmenter la sensibilité et de diminuer le bruit grâce à
la réduction de la taille des composants et par la suite les capacités parasites dues aux interconnexions. Dans ce cadre vient
l’objectif de cette thèse qui a pour but de concevoir et réaliser une nouvelle génération de microphone monolithique de type
électrodynamique, à base de bobines spirales planaires, réalisée en technologie standard complétée par un post process de
micro-usinage en volume par la face avant. Après avoir décrire les différents procédés de fabrication des microsystèmes
compatibles microélectroniques et récapituler l’état de l’art des différents principes de transduction des structures de
microphones MEMS intégrés micro-usinés. Une modélisation électromagnétique détaillée est réalisée pour étudier le lien
inductif entre les deux bobines, constituant le microphone, dans les différents modes de polarisation et par conséquent,
proposer des solutions menant à augmenter la tension induite. Par la suite, une étude de la flexibilité et les constantes de
raideur la membrane suspendue a été menée. Cette analyse mécanique a pour but de concevoir un système de membrane
souple qui a permis de placer la fréquence de résonance au milieu géométrique de la bande audible et d'avoir des amplitudes
de déplacement suffisantes dans la plage linéaire. L’étape suivante a consistée à calculer le déplacement statique aussi bien
que les fréquences propres de notre microphone par la méthode des éléments finis (MEF) à l’aide du logiciel ANSYS.
Ensuite, une modélisation électro-acoustique est bien nécessaire pour proposer un modèle théorique équivalent du
microphone et évaluer la sensibilité du microphone. Le modèle électrique équivalent décrivant le comportement acoustique
du microphone est bâti en connectant en parallèle les composants sur lesquels agit la même pression et en série les
composants ayant les mêmes débits (flux de vitesses). Cette modélisation nous a permis de distinguer deux types de
microphone {i} à conversion en déplacement et contrôlé par compliance et {ii} à conversion en vitesse et contrôlé par
résistance. La dernière étape de cette thèse a été d’accomplir le dessin des masques et fabriquer le 1er prototype.
Mots clés: Microphone MEMS, Transducteur électrodynamique, micro-usinage du silicium, Modélisation

électromagnétique, constante de raideur, Modélisation électroacoustique, Méthode des éléments finis (MEF).
Abstract : Microsystems (MEMS - Micro-Electro-Mechanical Systems) are miniature components including

electronic, mechanical and optical functions on the same chip. Microsystems technologies combine developed
microelectronic semiconductor technology and new techniques of micro-machining, allowing the realization of an entire
system on chip (SoC). In addition, this integration will miniaturize the system, improve performance and increase the
sensitivity and especially the noise reduction by reducing the size of components and thereafter the parasitic capacitances
due to interconnections. The objective of this thesis is to design and build a new generation of monolithic electrodynamic
microphone based on planar spiral coils made with a standard CMOS technology complemented with a front side bulk
micromachining post process. The thesis begins with an overview of different standard monolithic fabrication processes
which are compatible with integrated MEMS. Then, a detailed electromagnetic analysis and calculations are carried out to
study effects between the two inductors which constitute the microphone. This analysis permitted us to estimate the induced
voltage at terminals of the secondary coil and helped us to optimize the structure of the inductive microphone. Then,
mechanical and vibration analysis of the microphone structure were carried out to study the flexibility and spring constants
of its components. Subsequently, we have done an electro-acoustic modeling and modal analysis, using the ANSYS
software, to estimate the sensitivity and resonant frequency of the microphone. The final part of the thesis was devoted to
explaining in details fabrication steps of the first prototype of the microphone, it shows the layout and describes the
characterization.
Key-words: MEMS Microphone, Electrodynamic transducer, Silicon micro-machining, Electromagnetic modeling,

Spring constant, Electro-acoustic modeling, Finite element method (FEM).
ISBN : 978-2-84813-151-1
Laboratoire TIMA, 46 avenue Félix Viallet, 38031 Grenoble Cedex, France.

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Microphone électrodynamique MEMS en technologie

CMOS : étude, modélisation et réalisation

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HAL is a multi-disciplinary open access L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est

N° attribué par la bibliothèque

THESE EN COTUTELLE INTERNATIONALE

pour obtenir le grade de

DOCTEUR DE L’Institut Polytechnique de Grenoble

Spécialité : Micro et Nano Electronique

préparée au laboratoire TIMA

dans le cadre de l’Ecole Doctorale EEATS

et au laboratoire Micro-Electro Thermal Systems : METS

dans le cadre de l’Ecole Doctorale « Sciences et Technologies »

présentée et soutenue publiquement

Microphone électrodynamique MEMS en technologie

M. Mongi Lahiani , Président

J'assure de mon entière reconnaissance à Monsieur Mongi Lahiani, Maître de conférence à

J’exprime ma gratitude à Monsieur Khalifa Aguir, Professeur à l’université Paul Cézanne

J'adresse mes remerciements particuliers et assure de ma sympathie à Monsieur Brahim

Je tiens à remercier Monsieur Thierry Fournier, Ingénieur de recherche à l’Institut NEEL de

Introduction générale _______________________________________________________ 1

Chapitre 1 : Introduction aux technologies Microsystème

Chapitre 2 : Etat de l’Art des Structures de Microphones MEMS

Chapitre 3 : Modélisation magnétique et électrique du microphone

Chapitre 4 : Modélisation mécanique et acoustique du microphone

Chapitre 5 : Fabrication du premier prototype du microphone

Conclusion générale ______________________________________________________ 133

Le deuxième chapitre, récapitule l’état de l’art sur les différents principes de

micro-usinés. Parmi les nombreuses structures de microphones intégrés, le microphone

Dans le chapitre trois, on commence par introduire notre nouvelle architecture de

Le quatrième chapitre est dédié à l’analyse mécanique et vibratoire de la structure du

Le dernier chapitre de cette thèse consistera à accomplir le dessin des masques et

Introduction aux technologies Microsystème

2) Matériaux pour les microsystèmes compatibles aux circuits intégrés

L’élément silicium existe sous trois formes différentes: monocristalline, polycristalline ou

une structure monocristalline. Le silicium polycristallin, ou simplement "poly", et le silicium

(a) (b) (c)

2.2. Polysilicium (silicium polycristallin)

2.3. Oxyde de silicium SiO2

2.4. Nitrure de silicium

2.5. Couches minces de métal

3) Technologie CMOS et le Micro-usinage

Tableau 1.1. Comparaison entre les différents processus CMOS micromécanique.

planéité de la contrainte de contrainte de

3.1. Micro-usinage en pré-CMOS

Il existe deux approches différentes pour réaliser le micro-usinage en pré-CMOS, la première

3.2. Micro-usinage en intra-CMOS

Le micro-usinage en intermédiaire (ou intra-CMOS) est utilisé pour intégrer des

3.3. Micro-usinage en post-CMOS

L’approche du micro-usinage en post-CMOS permet de construire des structures micro-

Le processus de micro-usinage en post-CMOS peut être divisé en deux catégories selon la

3.3.1. Déposition de couches en post-CMOS

3.3.2. Gravure des couches CMOS en post-CMOS

Dans l’approche du post-CMOS de gravure, les microstructures sont formées directement à

Figure 1.8. Post-CMOS : micro-usinage en volume par la face arrière du substrat.

La gravure anisotrope humide du silicium est la technique de micro-usinage la plus utilisée

Tableau 1.2. Exemple de techniques de gravure pour micro-usiner le substrat en silicium.