Grain 5.2 - Réseau de Caractéristiques

Séquence 5 : Transistor bipolaire Grain 5.
2 : Réseau de caractéristiques
Transistor bipolaire
Réseau de caractéristiques du transistor
En fonction du courant I B injecté sur la base, le régime de fonctionnement du transistor sera

différent. Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque
jonction. Cela conduit à l’étude de deux circuits :
- Le montage sur la jonction BE : le circuit de commande (Source)
- Le montage sur la jonction CE : le circuit commandé (Charge)
On peut donc considérer le transistor comme un quadripôle, et en prenant le montage émetteur

commun, les bornes d’entrée du quadripôle sont la base et l’émetteur, les grandeurs d’entrée
sont I B et VBE . La sortie se fait entre le collecteur et l’émetteur, les grandeurs correspondantes
sont I C et VCE .
V   H H12   I B 
On utilise les paramètres hybrides :  BE    11
 I C   H 21 H 22  VCE 
Le réseau de caractéristique permet donc une détermination expérimentale des paramètres
hybrides H. Pour procéder au relevé des caractéristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
paramètres d’entrée I B et VBE sont maintenus constants et on mesure I C lorsque VCE varie. On
constate avec ce montage l’influence de la température sur les valeurs mesurées. Pour limiter
l’auto-échauffement du transistor par le courant de collecteur, il ne faut appliquer les tensions
que pendant la durée de la mesure.
IC
mA RC
RB IB
A
VBB VCE VCC
V
VBE mV
Figure 2- montage de relevé de caractéristique

Pour un NPN on trace:
- La caractéristique d’entrée : I B  f VBE 
- La caractéristique de transfert : I C  f I B  à VCE constante.
COURS D’ELECTRONIQUE DE BASE 1

Séquence 5 : Transistor bipolaire Grain 5.2 : Réseau de caractéristiques
- La caractéristique de sortie : VCE  f I C  à I B constant.
Figure 3- Réseaux de caractéristique du transistor NPN
Observations :
 La fonction I C  f VCE  est maîtrisée par la valeur du courant de base I B . Celle-ci
comporte essentiellement deux domaines; la partie où I C est peu variable pour une
valeur de I B c’est le régime linéaire, la partie coudée où le transistor est en régime
saturé.
 La fonction VBE  f I B  est celle d’une jonction PN entre la base et l’émetteur.
 La fonction I C  f I B  caractérise « l’effet transistor » en régime linéaire. C’est une
droite de pente β (ordre de grandeur de β ≈100).
 En régime linéaire I C   I B et VBE  0,6V .
 En régime saturé I C  I Csat   I B et VCE  VCEsat  0.4Volt .
 Au point M0 le transistor est bloqué. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur ouvert : I B  0  I C  0 .
 Au point M1 le transistor est saturé. Entre son collecteur et son émetteur le transistor est
équivalent à un interrupteur fermé.
 Par la variation spontanée du courant I B de 0 à I B 4 ou inversement on peut passer de M0
à M1 ou inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor
fonctionne en commutation.
 En faisant varier I B tout en conservant le transistor en régime linéaire on peut utiliser le
transistor en amplificateur de courant.

Séquence 5 : Transistor bipolaire Grain 5.2 : Réseau de caractéristiques
1- Effet Early :
Théoriquement, dans sa zone de fonctionnement linéaire, le courant de collecteur I C d'un
transistor bipolaire ne devrait pas être influencé par la tension collecteur-émetteur VCE . En
réalité, la hausse de cette tension VCE modifie légèrement le courant de collecteur. C'est ce qu'on
appelle l'effet Early. Cet effet est provoqué par la variation de l'épaisseur de base en fonction de
la tension appliquée sur la jonction collecteur-base. Lorsque le courant de base I B est faible,
l'effet se fait moins ressentir. Par contre, plus le courant de base est grand, plus l'effet Early se
manifeste.
Si on trace le réseau de courbes I C  f VCE  à I B constant on observe qu’il converge vers un
point que l'on nomme la tension d'Early VA (Fig.4). Cette tension est très grande elle vaut dans
les 130V pour les transistors NPN.
Cet effet Early peut donc être modélisé par une résistance mise en parallèle entre le collecteur et
l’émetteur : la source de courant ainsi crée possède une résistance parallèle de fuite. L’ensemble
constitue alors une source de courant non parfaite.
2- Principaux paramètres des transistors bipolaires

Les constructeurs donnent en général les valeurs ci-dessous à ne pas dépasser afin d'éviter la
détérioration du transistor :
I C max Courant de collecteur maximum. A partir de cette valeur, le gain en courant β va fortement
chuter et le transistor risque d’être détruit.
VCE max Tension que peut supporter le transistor ou tension de claquage. Au delà de cette tension, le
courant de collecteur I C croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor
 Le gain en courant (paramètre essentiel en amplification)
VCE Sat Tension de saturation (utile en commutation)
PTot max puissance maximale que peut dissiper un transistor, donnée par la formule : VCE  I C
ton / toff Temps de commutation (passage bloqué-saturé et saturé-bloqué)

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Séquence 5 : Transistor bipolaire Grain 5.

En fonction du courant I B injecté sur la base, le régime de fonctionnement du transistor sera

On peut donc considérer le transistor comme un quadripôle, et en prenant le montage émetteur

Figure 2- montage de relevé de caractéristique

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- La caractéristique de sortie : VCE  f I C  à I B constant.

Figure 3- Réseaux de caractéristique du transistor NPN

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2- Principaux paramètres des transistors bipolaires

 Le gain en courant (paramètre essentiel en amplification)

VCE Sat Tension de saturation (utile en commutation)

ton / toff Temps de commutation (passage bloqué-saturé et saturé-bloqué)

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