Physique 1

2022
PC
4 heures Calculatrice autorisée
Capteurs photovoltaïques
Ce problème traite de quelques aspects du fonctionnement d’un capteur photovoltaïque. Il se compose de quatre
parties. La première traite de la production d’électricité à l’aide de tels capteurs. La deuxième s’intéresse au
mécanisme électronique de l’effet photovoltaïque. La troisième concerne le traitement antireflet des vitres de
protection des panneaux photovoltaïques. Enfin, la quatrième partie aborde certains aspects quantiques des
semi-conducteurs.
Ce sujet est accompagné d’un document réponse fournissant certaines données utiles.
Certaines questions, peu ou pas guidées, demandent de l’initiative de la part du candidat. Leur énoncé est repéré
par une barre en marge. Il est alors demandé d’expliciter clairement la démarche et les choix effectués et de
les illustrer, le cas échéant, par un schéma. Le barème valorise la prise d’initiative et tient compte du temps
nécessaire à la résolution de ces questions.

I Énergie photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque est un dipôle électrique qui, lorsqu’il reçoit de la lumière, est susceptible de produire
de l’énergie électrique grâce à l’effet photovoltaïque. La figure 1 présente des données relatives au fonctionnement
d’une telle cellule.

Valeurs sous éclairement

ℰ𝑖 = 1000 W⋅m–2
Caractéristique Valeur
ℰ𝑖
Tension à vide 𝑈𝑣 = 0,60 V
Courant de court-circuit 𝐼𝑐 = 3,0 A
𝐼
Puissance nominale 𝑃𝑛 = 1,32 W
Tension nominale 𝑈𝑛 = 0,47 V
𝑈
Courant nominal 𝐼𝑛 = 2,8 A

Caractéristiques pour ℰ𝑖 allant de 200 à 1000 W⋅m−2

1000 W⋅m−2
3
800 W⋅m−2
600 W⋅m−2
2,5
400 W⋅m−2
200 W⋅m−2
2
courant 𝐼 (A)

1,5

0,5

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

tension 𝑈 (V)
Figure 1 Caractéristiques d’une cellule photovoltaïque de 100 cm2

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 1/6

Q 1. En utilisant les données de la figure 1, déterminer à l’aide d’un graphe les valeurs de 𝑈 et 𝐼 qui
maximisent la puissance électrique fournie pour un éclairement ℰ𝑖 = 1000 W⋅m–2 . Comparer ces résultats aux
valeurs nominales données en figure 1 et commenter.
Q 2. Évaluer et commenter l’efficacité énergétique de la cellule en régime nominal.
𝑈 𝐼
Le facteur de forme de la cellule est 𝐹 𝐹 = 𝑛 𝑛 . Il indique la qualité de la cellule photovoltaïque.
𝑈𝑣 𝐼𝑐
Q 3. En reproduisant l’allure de la caractéristique 𝐼(𝑈 ) de la cellule, illustrer graphiquement les produits
présents au numérateur et au dénominateur de ce rapport et proposer une majoration très simple de 𝐹 𝐹 .
Q 4. Quelle est la valeur du facteur de forme 𝐹 𝐹 pour la cellule étudiée ?

II Conduction, jonction, effet photovoltaïque

II.A – Conduction électrique
Dans une approche classique, un milieu est conducteur s’il contient des charges mobiles. Ainsi, des électrons, de
masse 𝑚 et de charge −𝑒, peu liés aux noyaux, peuvent se déplacer dans le réseau cristallin : ce sont les électrons
de conduction. Lors de l’application d’un champ électrique 𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ au matériau, les électrons sont soumis à la force
de Lorentz correspondante qui entraine leur déplacement à la vitesse 𝑣 ⃗ par rapport au réseau cristallin. Dans
le modèle de Drude, les électrons sont également soumis à une force de frottement fluide exercée par le réseau
cristallin. Ainsi, en négligeant l’effet du poids et de la force de Lorentz magnétique, l’évolution d’un électron de
conduction est décrite par l’équation
d𝑣 ⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ − 𝑚 𝑣 ⃗ .
𝑚 = −𝑒𝐸
d𝑡 𝜏
Q 5. Indiquer la signification de chacun des trois termes de cette équation.
Q 6. Montrer qu’en régime permanent la vitesse 𝑣 ⃗ des électrons est proportionnelle au champ électrique 𝐸. ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ On note 𝑛𝑒 la densité volumique d’électrons de
On définit ainsi la mobilité des électrons 𝜇𝑒 en posant 𝑣 ⃗ = 𝜇𝑒 𝐸.
conduction dans le matériau.
Q 7. Calculer la conductivité 𝛾 du conducteur en fonction de 𝑛𝑒 , 𝑒, 𝜏 et 𝑚.
Quand un électron de conduction est libéré par les atomes de silicium pour se déplacer dans le réseau cristallin,
son départ crée un trou, ou défaut électronique, de charge +𝑒, qui peut lui aussi se déplacer de proche en proche
entre atomes voisins. La mobilité d’un trou est notée 𝜇𝑝 . Pour du silicium pur, la conductivité intrinsèque est
assurée par les électrons de conduction et par les trous, qui ont ici même densité 𝑛𝑒 = 𝑛𝑝 . Pour simplifier, on
admet que la masse des trous est identique à celle des électrons.
Q 8. Déterminer la densité électronique 𝑛𝑒 à partir des données figurant en annexe, à la température de
25 °C. En déduire la proportion d’atomes de silicium qui libèrent un électron de conduction.
II.B – Semi-conducteur dopé
Dans un cristal de silicium dopé, des atomes d’un autre élément (dit dopant) se substituent à des atomes de
silicium. Dans le cas d’un dopant de type 𝑁 (dit donneur), le nombre d’électrons de valence de l’élément dopant
est supérieur à celui du silicium. Le ou les électrons supplémentaires deviennent des électrons de conduction.
De façon symétrique, un dopant de type 𝑃 (dit accepteur) possède un nombre d’électrons de valence inférieur
à celui du silicium. Le ou les électrons manquants deviennent des trous. Ainsi, la présence de dopants peut
modifier fortement les densités d’électrons et de trous de conduction, qui peuvent alors être très différentes l’une
de l’autre.
Q 9. Le bore (B), le phosphore (P), l’arsenic (As), le gallium (Ga) sont souvent utilisés comme dopants
pour le silicium. Classer ceux-ci en types 𝑁 ou 𝑃 .
Q 10. Du silicium est dopé au bore à raison de 1022 atomes de substitution par unité de volume. Quel est le
taux de dopage (ou pourcentage de substitution) obtenu ?
Q 11. Proposer, en précisant les choix utilisés pour cela, une évaluation de la conductivité de ce silicium
dopé. Commenter cette valeur.
Q 12. Quel intérêt présente ce dopage pour un générateur électrique comme une cellule photovoltaïque ?

II.C – Jonction PN
Une feuille de silicium a été dopée 𝑃 . Un traitement de surface permet de créer une couche dopée 𝑁 dont
l’épaisseur est typiquement de 0,5 µm. Dans la zone 𝑃 (respectivement 𝑁 ), 𝑛𝑃 (respectivement 𝑛𝑁 ) est le
nombre d’atomes dopants par unité de volume.
L’interface entre la zone 𝑃 et la zone 𝑁 constitue la jonction PN : de part et d’autre, les porteurs de charge
mobiles majoritaires sont de signes opposés, de concentrations 𝑛𝑃 et 𝑛𝑁 dans les zones 𝑃 et 𝑁 respectivement.
Des porteurs de charge migrent d’une zone à l’autre, engendrant une zone de charge d’espace (ou zone de
déplétion) et un champ électrique de jonction. La figure 2 donne une représentation simplifiée de cette situation
dans une modélisation unidimensionnelle.

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 2/6

 photon
𝑧 𝑧 𝑧
contact

zone N
𝑧1 𝜌1

zone de déplétion
récepteur électrique −𝐸max
0
électron ⊖ 𝜌(𝑧) 𝐸(𝑧)
trou ⊕
𝑧2
zone P

𝜌2

contact
Figure 2

On associe le milieu à un diélectrique linéaire homogène et isotrope. On admet que dans un tel milieu, les
équations de Maxwell pour le vide restent valables en remplaçant la permittivité diélectrique du vide 𝜀0 par
𝜀 = 𝜀0 𝜀𝑟 où 𝜀𝑟 est appelé permittivité relative du milieu. Pour le silicium, 𝜀𝑟 = 11,8.
Q 13. Quel peut-être le phénomène physique responsable d’une migration des porteurs majoritaires, électrons
ou trous, d’une zone vers l’autre ?
Q 14. Dans un modèle simplifié de jonction abrupte, tous les atomes accepteurs situés dans une zone d’épais­
seur −𝑧2 au voisinage de la jonction captent les électrons venus d’atomes donneurs de la zone 𝑁 sur une
épaisseur 𝑧1 . Déterminer les densités de charge 𝜌1 et 𝜌2 associées à cette modélisation (figure 2).
Q 15. Déterminer une relation liant 𝑛𝑃 , 𝑛𝑁 , 𝑧1 et 𝑧2 .
Q 16. Expliquer pourquoi, dans ce modèle unidimensionnel, le champ électrostatique est parallèle à l’axe
(𝑂𝑧). Justifier la forme de la représentation graphique de 𝐸(𝑧) donnée figure 2.
Q 17. Relier la valeur maximale 𝐸max de la norme du champ électrique à 𝑒, 𝜀, 𝑛𝑁 et 𝑧1 d’une part, à 𝑒, 𝜀,
𝑛𝑃 et 𝑧2 d’autre part.
Q 18. Déterminer la différence de potentiel électrostatique 𝑉0 = 𝑉 (𝑧1 ) − 𝑉 (𝑧2 ) en fonction de 𝐸max , 𝑧1 et 𝑧2 .
2𝜀𝑉0 1 1
Q 19. Établir l’expression de l’épaisseur de la jonction 𝑤 = 𝑧1 − 𝑧2 = √ ( + ).
𝑒 𝑛𝑃 𝑛𝑁
Q 20. Évaluer numériquement l’épaisseur de jonction 𝑤 si 𝑉0 = 0,84 V, 𝑛𝑁 = 1 × 1024 m–3 = 100 𝑛𝑃 .

II.D – Effet photovoltaïque

L’absorption d’un photon incident crée au niveau de la jonction une paire électron-trou. On admet que l’énergie
minimale nécessaire à cette création est comparable à celle permettant à un électron (ou à un trou) de franchir
une barrière de potentiel associée à une tension de valeur 𝑉0 .
Q 21. Quelles sont les longueurs d’onde susceptibles de créer une paire électron-trou ? Cette jonction PN
convient-elle à la conversion photovoltaïque du rayonnement solaire ?
Q 22. Reproduire le schéma de la cellule, avec sa jonction PN, reliée à un récepteur électrique. En complétant
ce schéma, décrire qualitativement les évolutions de l’électron et du trou créés dans la zone de déplétion, expliquer
le rôle de générateur électrique réalisé par la cellule photovoltaïque, en précisant sa polarité et le sens du courant
électrique délivré par celle-ci.

III Traitement antireflet de la cellule

Le capteur est constitué de silicium, placé sous une vitre en verre. Il est recouvert d’un film de nitrure de
silicium (formule SiN𝑥 ) participant à son reflet bleu. Cette partie propose une analyse du rôle de ce dépôt dans
l’amélioration de l’efficacité énergétique de la cellule.
Pour une longueur d’onde de 600 nm, l’indice de réfraction du verre est 𝑛𝑣 = 1,5, celui du silicium, supposé réel,
est 𝑛𝑠 = 4,0.
On admettra qu’à l’interface de deux milieux, les composantes tangentielles des champs électrique et magnétique
sont ici continues.
𝑛 − 𝑛2
Si 𝑛1 et 𝑛2 sont les indices de deux milieux notés 1 et 2, on note 𝑟12 = 1 .
𝑛1 + 𝑛2

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 3/6

 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑖
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑖
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗1
𝐸
𝑘⃗ 𝑖 𝑘⃗ 𝑖 𝑘⃗ 1
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑡
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑡
𝐸
incidente 𝑘⃗ 𝑡 incidente 𝑘⃗ 𝑡
⃗⃗⃗⃗ ⃗𝑟
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗2
𝐸
transmise transmise
𝑘⃗ 𝑟 𝑘⃗ 2
non réfléchie
réfléchie
verre 0 silicium 𝑧 verre 0 dépôt 𝑒 silicium 𝑧
Réflexion simple Couche antireflet
Figure 3 Réflexion sur le silicium et traitement antireflet

III.A – Réflexion sur le silicium

Une onde électromagnétique sinusoïdale arrive, sous incidence normale, sur le capteur dont la surface est assimilée
au plan d’équation 𝑧 = 0.
Les champs électriques des ondes réfléchie et transmise (figure 3, réflexion simple) seront exprimés en notation
complexe,
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑧, 𝑡) = 𝐸
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑖 ei(𝜔𝑡−𝑘𝑖 𝑧) , ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑧, 𝑡) = 𝐸
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑟 ei(𝜔𝑡+𝑘𝑟 𝑧) , ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑧, 𝑡) = 𝐸
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑡 ei(𝜔𝑡−𝑘𝑡 𝑧) .
𝑖 𝑟 𝑡

Q 23. Exprimer les vecteurs d’onde 𝑘⃗ 𝑖 , 𝑘⃗ 𝑟 et 𝑘⃗ 𝑡 à l’aide de 𝜔, 𝑐, 𝑛𝑣 , 𝑛𝑠 et 𝑒𝑧⃗ .

Q 24. Exprimer les champs magnétiques des trois ondes, en notation complexe, en précisant leurs amplitudes
⃗⃗𝐵⃗ ⃗⃗0𝑖 , 𝐵
⃗⃗⃗ ⃗⃗0𝑟 et 𝐵
⃗⃗⃗ ⃗⃗0𝑡 en fonction de 𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑖 , 𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑟 , 𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗0𝑡 , 𝑛𝑣 , 𝑛𝑠 , 𝑐 et 𝑒𝑧⃗ (vecteur unitaire de l’axe (𝑂𝑧)).
Q 25. En traduisant les conditions aux limites, exprimer le coefficient de réflexion pour l’amplitude du champ
électrique en fonction de 𝑟𝑣𝑠 .
Q 26. Exprimer le coefficient de réflexion énergétique. Calculer et commenter sa valeur numérique.

III.B – Couche antireflet

Les traitements antireflet réalisés utilisent des dépôts en couches minces multiples, combinées avec une micro­
structuration de la surface. Nous envisageons ici simplement le cas d’une couche antireflet simple, qui occupe
la zone 0 < 𝑧 < 𝑒 (zone 𝑧 < 0 : verre, 𝑧 > 𝑒 : silicium). Les indices 𝑛𝑑 et 𝑛𝑠 sont supposés réels et on pose
𝜑 = 2𝑛𝑑 𝑒𝜔/𝑐.
Les notations précédentes sont conservées pour les champs électromagnétiques, en y ajoutant les champs élec­
triques complexes
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑧, 𝑡) = 𝐸
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗01 ei(𝜔𝑡−𝑘𝑑 𝑧) et ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑧, 𝑡) = 𝐸
𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗02 ei(𝜔𝑡+𝑘𝑑 𝑧)
1 2

des ondes se propageant, respectivement dans la direction des 𝑧 croissants des 𝑧 décroissant, dans la couche
antireflet.
Par hypothèse, la fonction antireflet est idéalement réalisée : l’onde réfléchie est annulée (figure 3, couche anti­
reflet).
Q 27. Établir la relation 𝐸⃗⃗⃗⃗⃗⃗02 = 𝑟𝑑𝑠 𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗01 e−i𝜑 .
√
Q 28. En déduire que la fonction antireflet n’est réalisée que si 𝜑 = (2𝑝 + 1)𝜋, avec 𝑝 entier, et 𝑛𝑑 = 𝑛𝑣 𝑛𝑠 .
Q 29. Justifier que l’on a intérêt à se placer dans ces conditions pour la conversion photovoltaïque du rayon­
nement solaire.

IV Bandes d’énergie dans un semi-conducteur

IV.A – Équation de Schrödinger à une dimension
Pour un problème à une dimension, l’équation de Shchrödinger vérifiée par la fonction d’onde 𝜓(𝑥, 𝑡) d’une
particule de masse 𝑚 évoluant dans un potentiel d’énergie 𝑉 (𝑥) s’écrit

∂𝜓(𝑥, 𝑡) ℏ2 ∂2 𝜓(𝑥, 𝑡)
iℏ =− + 𝑉 (𝑥)𝜓(𝑥, 𝑡).
∂𝑡 2𝑚 ∂𝑥2
Q 30. Pour quel type de potentiel 𝑉 (𝑥) une onde plane sinusoïdale 𝜓(𝑥, 𝑡) = 𝜓0 e−i(𝜔𝑡−𝑘𝑥) est-elle solution de
cette équation ? Quelle est alors la relation de dispersion de cette onde ?
Q 31. Interpréter les résultats de la question précédente en relation avec l’expression de l’énergie en méca­
nique classique et les relations de de Broglie et de Planck-Einstein.

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 4/6

Q 32. Pour une solution stationnaire 𝜓(𝑥, 𝑡) = 𝜑(𝑥)𝜒(𝑡), établir l’équation vérifiée par la fonction d’ampli­
tude 𝜑(𝑥) en faisant apparaitre l’énergie 𝐸 de la particule.

IV.B – Gaz d’électrons sur un segment

Les électrons contenus dans un milieu conducteur sont assimilés à des particules évoluant dans une boite à une
dimension de longueur 𝐿 : 𝑉 (𝑥) = 0 pour 0 < 𝑥 < 𝐿, 𝑉 (𝑥) = +∞ en dehors.
La densité d’électrons libres est 𝑁0 ≈ 1 × 1029 m–3 dans un métal. On considérera donc qu’il y en a environ
1/3
𝑁0 électrons libres par unité de longueur dans cette boite de longueur 𝐿.
Q 33. Avec ce choix d’origine de l’énergie potentielle, l’énergie 𝐸 de la particule peut-elle être négative ?
Q 34. Justifier que les valeurs prises par la grandeur 𝑘 = √2𝑚𝐸/ℏ2 sont de la forme 𝑘𝑛 = 𝑛 𝑘1 , où 𝑛 est
un entier strictement positif. Exprimer complètement, à un facteur de phase près, les fonctions d’ondes 𝜓𝑛 (𝑥, 𝑡)
associées à ces états stationnaires dont les énergies sont notées 𝐸𝑛 .
Q 35. Représenter graphiquement la relation 𝐸 = 𝑓(𝑘) en faisant figurer avec une échelle adaptée les trois
états stationnaires de plus faible énergie.

NB. Pour les applications numériques qui suivent, les énergies devront être exprimées en eV.
Q 36. Calculer la valeur numérique de 𝐸1 , pour 𝐿 = 1 µm. Comparer cette valeur à l’ordre de grandeur
de l’énergie d’agitation thermique à 𝑇 = 300 K. Pourquoi parle-t-on de quasi-continuum d’énergie au sein du
matériau ?
Q 37. À 𝑇 = 0 K, les électrons peuplent les états obtenus par énergie croissante, avec au plus deux électrons
dans le même état d’énergie d’après le principe d’exclusion de Wolfgang Pauli. En déduire le nombre de Fermi
𝑛𝐹 , défini par la valeur maximale atteinte par l’entier 𝑛 à 𝑇 = 0 K. Exprimer l’énergie de Fermi 𝐸𝐹 associée en
fonction de 𝑁0 , 𝐿 et 𝐸1 .

IV.C – Potentiel périodique, bandes d’énergie

Le modèle précédent permet de rendre compte d’un quasi-continuum des niveaux d’énergie (on adoptera par la
suite la limite 𝐿 = ∞), mais pas de l’existence de bandes d’énergie interdites dont on sait qu’elles conditionnent
la conductivité électrique du matériau. L’utilisation d’un modèle de potentiel périodique en permet ici une
approche simplifiée adaptée à un solide cristallin (figure 4).

𝑉 (𝑥)

𝑉0
∀𝑛 ∈ ℤ

𝑉 (𝑥) = 0 si (2𝑛 − 1)𝑎 < 𝑥 < 2𝑛𝑎

{
𝑉 (𝑥) = 𝑉0 si 2𝑛𝑎 < 𝑥 < (2𝑛 + 1)𝑎
𝑥
−3 −2 −1 0 1 2 3 4 5 𝑎
𝑛 = −1 𝑛=0 𝑛=1 𝑛=2
Figure 4 Potentiel périodique

Q 38. Que représentent, dans ce modèle, les cuvettes de potentiel et la période 2𝑎 ?

Q 39. Nous nous intéresserons par la suite aux états stationnaires d’énergie 𝐸 > 𝑉0 . Justifier, en précisant
les expressions des grandeurs positives 𝑘 et 𝐾, la forme des solutions 𝜑(𝑥), où 𝑛 est un entier quelconque :

𝜑(𝑥) = 𝐴𝑛 e−i𝑘𝑥 + 𝐵𝑛 ei𝑘𝑥 si (2𝑛 − 1)𝑎 < 𝑥 < 2𝑛𝑎

{
𝜑(𝑥) = 𝐶𝑛 e−i𝐾𝑥 + 𝐷𝑛 ei𝐾𝑥 si 2𝑛𝑎 < 𝑥 < (2𝑛 + 1)𝑎

Q 40. En rappelant les conditions aux limites vérifiées par la fonction d’onde pour une particule évoluant
dans un potentiel fini, justifier le système homogène suivant :

𝐴𝑛 + 𝐵𝑛 − 𝐶𝑛 − 𝐷𝑛 =0
𝐴𝑛+1 e−i𝑘𝑎 + 𝐵𝑛+1 ei𝑘𝑎 − 𝐶𝑛 e−i𝐾𝑎 − 𝐷𝑛 ei𝐾𝑎 =0
𝑘𝐴𝑛 − 𝑘𝐵𝑛 − 𝐾𝐶𝑛 + 𝐾𝐷𝑛 =0
−i𝑘𝑎 i𝑘𝑎 −i𝐾𝑎 i𝐾𝑎
𝑘𝐴𝑛+1 e − 𝑘𝐵𝑛+1 e − 𝐾𝐶𝑛 e + 𝐾𝐷𝑛 e =0

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 5/6

Les solutions obtenues sont physiquement acceptables lorsque l’une des relations suivantes, où 𝛼 = 𝐾/𝑘, est
vérifiée :
1 2
a) −1 ⩽ 𝐹𝛼 (𝑘𝑎) = cos(𝑘𝑎) cos(𝛼𝑘𝑎) − (𝛼 + ) sin(𝑘𝑎) sin(𝛼𝑘𝑎) ⩽ +1 ;
2 𝛼
1 1
b) −1 ⩽ 𝐹𝛼 (𝑘𝑎) = cos(𝑘𝑎) cos(𝛼𝑘𝑎) − (𝛼 + ) sin(𝑘𝑎) sin(𝑘𝑎) ⩽ +1 ;
2 𝛼
1 1
c) −1 ⩽ 𝐹𝛼 (𝑘𝑎) = cos(𝑘𝑎) cos(𝛼𝑘𝑎) − (𝛼 + ) sin(𝑘𝑎) sin(𝛼𝑘𝑎) ⩽ +1.
2 𝛼
Q 41. En analysant l’effet sur le système d’une translation de 𝑎, indiquer, sans calcul, l’expression correcte
de 𝐹𝛼 (𝑘𝑎).
Les fonctions 𝐹𝛼 (𝑘𝑎) et 𝐸(𝑘𝑎) (unité arbitraire) ont été tracées sur la figure A du document réponse pour
𝛼 = 0,2.
Q 42. Compléter avec soin la figure A du document réponse et expliquer en quoi ce modèle permet de rendre
compte de l’existence de bandes d’énergie, soit permises, soit interdites.
Q 43. Que deviennent ces résultats lorsque 𝛼 = 1 ? Justifier votre réponse.
Q 44. En prenant pour valeur le paramètre de maille du silicium 2𝑎 = 0,54 nm, calculer dans ce modèle et
pour 𝛼 = 0,2 la largeur en énergie de la première bande d’énergie interdite.
Q 45. On sait que pour le silicium, la largeur de bande interdite est de l’ordre de 1 eV. Commenter.

• • • FIN • • •

P004/2022-04-28 08:11:31 Page 6/6

 Numéro de place
Numéro d’inscription Signature
Nom
Prénom
Épreuve : Physique 1 PC
Ne rien porter sur cette feuille avant d’avoir complètement rempli l’entête Feuille

Question 42
4

1
𝐹𝛼 (𝑘𝑎)

−1

−2

−3

−4
100

80

60
𝐸

40

20

0
0 2 4 6 8 10
𝑘𝑎
Figure A Fonction 𝐹𝛼 (𝑘𝑎) et énergie 𝐸(𝑘𝑎) (unité arbitraire) tracés pour 𝛼 = 0,2
 luametatex 2.0932 20211203 LMTX

Ne rien écrire dans la partie barrée

P004-DR/2022-03-14 15:05:12

Extrait du tableau périodique des éléments

Hydrogène Nom de l’élément Hélium

1 Numéro atomique 2
H Symbole chimique He
1,0080 Masse molaire atomique 4,0026
Lithium Béryllium Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,9395 9,0122 10,814 12,011 14,007 15,999 18,998 20,180
Sodium Magnésium Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon
11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,306 26,982 28,085 30,974 32,068 35,452 39,948
Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Manganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,098 40,078 44,956 47,867 50,941 51,996 54,938 55,845 58,933 58,693 63,546 65,38 69,723 72,630 74,921 78,971 79,904 83,798
Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
85,467 87,62 88,906 91,224 92,906 95,95 [98] 101,07 102,91 106,42 107,87 112,41 114,82 118,71 121,76 127,60 126,90 131,29
Césium Baryum Hafnium Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thallium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
55 56 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 178,49 180,948 183,84 186,21 190,23 192,22 195,08 196,97 200,59 204,38 207,2 208,98 [209] [210] [222]
 Données et formulaire

Constantes physiques

Célérité de la lumière dans le vide 𝑐 = 3,00 × 108 m⋅s–1

Masse de l’électron 𝑚 = 9,11 × 10–31 kg
Charge élémentaire 𝑒 = 1,62 × 10–19 C
Permittivité diélectrique du vide 𝜀0 = 8,85 × 10–12 F⋅m–1
Constante d’Avogadro 𝒩𝐴 = 6,02 × 1023 mol–1
Constante de Boltzmann 𝑘𝐵 = 1,38 × 10–23 J⋅K–1
Constante de Planck ℎ = 6,63 × 10–34 J⋅s

Données sur le silicium (à 20 °C)

Structure électronique [Ne]3s2 3p2

Masse molaire 𝑀 = 28,1 g⋅mol–1
Masse volumique 𝜌 = 2,33 × 103 kg⋅m–3
Mobilité des électrons |𝜇𝑒 | = 1,5 × 10–1 m2 ⋅V–1 ⋅s–1
Mobilité des trous 𝜇𝑝 = 4,5 × 10–2 m2 ⋅V–1 ⋅s–1
Conductivité intrinsèque 𝛾 = 4,3 × 10–4 S⋅m–1

Formulaire

⃗⃗⃗ ⃗⃗ = 𝐴 𝑢⃗ + 𝐴 𝑢⃗ + 𝐴 𝑢⃗ un champ vectoriel

Soient (𝑢⃗𝑥 , 𝑢⃗𝑦 , 𝑢⃗𝑧 ) un repère orthonormé direct et 𝐴 𝑥 𝑥 𝑦 𝑦 𝑧 𝑧

⃗⃗⃗ ⃗⃗ = ∂𝐴𝑥 ∂𝐴𝑦 ∂𝐴𝑧

div(𝐴) + +
∂𝑥 ∂𝑦 ∂𝑧

⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
rot(𝐴) ⃗⃗⃗ ⃗⃗ = ( ∂𝐴𝑧 − ∂𝐴𝑦 ) 𝑢⃗ + ( ∂𝐴𝑥 − ∂𝐴𝑧 ) 𝑢⃗ + ( ∂𝐴𝑦 − ∂𝐴𝑥 ) 𝑢⃗
𝑥 𝑦 𝑧
∂𝑦 ∂𝑧 ∂𝑧 ∂𝑥 ∂𝑥 ∂𝑦