Détecteurs

Semi-conducteurs

Beaucoup d’extraits de l’ancien cours de DEA CPM

de Sylvie Dagoret-Campagne (LPNHE maintenant au LAL)

1
 Bandes en énergie dans un solide
Les électrons se répartissent
dans des bandes en énergie
selon la Loi de Fermi

2
 Liaisons électroniques dans un semi-
conducteur
„ Atomes tétravalents: le Germanium et le Silicium

1022 at/cm3

„ A température non nulle, formation de paires

électron/trou par excitation thermique

ni=1011/cm3 à 300 K

3
Dopage d’un semi-conducteur

Dopage

1013 a 1016
pour
1022 at / cm3

Ge Si unit
Z 32 14
A 72.6 28.1
Dens 5,32 2,33 g/cm2
Eg 0.7 1.1 eV
2.96 3,62 eV
Ee/t @77 @300 4°K
 Niveaux d’énergie dans un semi-
conducteur dopé
Les atomes donneurs créent un Les atomes accepteurs créent un
niveau dans le Gap légèrement niveau (vide) dans le Gap légèrement
sous le bas de la bande de Au dessus de la bande de valence.
conduction : résultat l’électron du Un électron de la bande de valence
donneur est excité dans la bande va peupler ce niveau en laissant un
de conduction trou dans la bande de valence.

5
 La jonction PN

„ Diffusion des porteurs

majoritaires dans la zone
opposée
„ Création d’une charge
d’espace
„ Création d’un courant de
conduction

En résolvant l’équation de Poisson:

6
Jonction PN polarisée en mode inverse
Objectif : obtenir une large zone de déplétion

VT est remplace par VT+V

d augmente

Ex. V=300V, d=1mm

Jonction PN+: objectif

Obtenir une zone de déplétion
de qqs centaines de microns

7
 Détecteur semi conducteur
Jonction PN polarisée en inverse

1. Ionisation électrons / trous

Création de paires électrons / ions

2. Mouvement des électrons et des ions

Déplacement dans le champ électrique

3. Multiplication
( Multiplication dans les photodétecteurs APD et SiPM )

4. Influence sur les électrodes

Création du signal

5. Electronique de lecture
Traitement du signal 8
 Principales caractéristiques (1)

« Energy Gap »
(séparation bande de valence et conduction)

« Energy to produce a pair e/h »

Silicium Germanium

10-12 s

9
Principales caractéristiques (2)
du Silicium et Germanium intrinsèque

10
 Principales caractéristiques (2)

Forme du signal

- Déplacement des charges dans le champ

V = µ.E (électrons et trous)
Remarque : si la densité d’ionisation est élevée,
considérer «l’effet plasma»

- Influence sur les électrodes

Appliquer le Théorème de Ramo

11
Utilisation en physique de hautes énergies
Mesure de la position
Détecteurs de « Vertex » ou de « Traces »

Silicium de 300 µm

Particule au Minimum d’ionisation (mip) :

Dans une zone déplétée de 300 µm, un mip dépose une énergie :
E=0.03cm x (1.6 MeV/(g/cm2))x(2.33g/cm3)=100 KeV

Sachant qu’il faut 3.6 eV pour libérer une paire électron-trou

dans le silicium, le nombre de paires crées est de :
100 KeV/ 3.6 eV= 25000 paires.
(80 paires par micron pour un mip)

12
Les détecteurs microstrips

Détecteur de Vertex Atlas

13
Détecteur au Silicium dans Atlas
STC d’ATLAS
Plaquette 6cm x 6 cm
768 micropistes de 20 µm de
large
Lecture tous les 80 µm
Épaisseur 300 µm

14
Les détecteurs à Pixels

15
Les détecteurs à dérive

Structure PNP
•Qui produit un puit
de potentiel
•Les électrons
dérivent vers
l’électrode de lecture
en 100 ns à 100 s.

16
 Détecteurs au Silicium
Utilisation en physique nucléaire

Mesures d’énergie
(Grande dynamique)

Mesures de temps

Mesures de position
(Segmentation en pistes)

Identification de noyaux
Perte Energie / Energie
Energie / Temps de vol
Forme d’impulsion

17
 The Array
Collaboration: IPNO,SPhN/Saclay,GANIL

ASICs
10cm
16 channels
CsI(PD) E and T
Si(Li) 4cm
DSSD 128+128 4.5mm 18
300μm
 The Array
Collaboration: IPNO,SPhN/Saclay,GANIL

Temps de Vol
Energie
12000
Perte d’énergie
a) Energie
Time of flight (a.u.)

11500

11000

10500

10000

9500 α
deutons
9000
protons
8500

8000
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Energy (MeV)

ASICs
10cm
16 channels
CsI(PD) E and T
Si(Li) 4cm
DSSD 128+128 4.5mm 19
300μm
20
Détecteurs au Germanium
Détection de photons

21
Détecteurs au Germanium
Détection de photons

Excellente
Résolution en énergie

22
Détecteurs au Germanium
Détection de photons

Coefficients d’atténuation dans le Germanium

23
 Détecteurs au Germanium
Détection de photons
Détecteur
de grand volume

Extrait du livre de Knoll

24
 Détecteurs au Germanium
Détection de photons
Détecteur
de petit volume

Extrait du livre de Knoll

25
 Détecteurs au Germanium
Détection de photons
Détecteur
de « volume moyen »

Extrait du livre de Knoll

26
 Détecteurs au Germanium
Détection de photons
Forme d’impulsion (en charge) pour différents points d’interaction

Extrait du livre de Knoll

Détecteur planaire (Modèle simplifié)27
 Détecteurs au Germanium
Détection de photons
Forme d’impulsion (en charge) pour différents points d’interaction

Extrait du livre de Knoll

Détecteur coaxial (Modèle simplifié)28
John Simpson , Nuclear Physics Group

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