TRAVAUX DIRIGÉS

ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

(Série 3)

EXERCICE 1 (Polarisation par résistance de base)

Pour simplifier, la jonction base-émetteur du transistor est linéarisée, avec une tension de
seuil 𝑉0 = 0,6 𝑉 et une résistance dynamique 𝑅𝑑 = 10 Ω.
Le gain statique en courant est 𝛽 = 100.

Figure 1.

1- Équations des droites d’attaque et de charge statiques.

La loi des mailles permet d’écrire : 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 .
En exprimant 𝐼𝐵 en fonction de 𝑉𝐵𝐸 ou 𝑉𝐵𝐸 en fonction de 𝐼𝐵 , on obtient :
1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = − 𝑅 𝑉𝐵𝐸 + ou 𝑉𝐵𝐸 = −𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐶
𝐵 𝑅𝐵

Qui représentent l’équation de la droite d’attaque statique.

D’après la maille de sortie, on a : 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶

1 𝑉𝐶𝐶
 𝐼𝐶 = − 𝑅 𝑉𝐶𝐸 + ou 𝑉𝐶𝐸 = −𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐶
𝐶 𝑅𝐶

L’une ou l’autre de ces deux équations, qui sont équivalentes, représente l’équation de la
droite de charge statique.

1
 2- Coordonnées des points de repos en entrée et en sortie.
Il s’agit de déterminer les valeurs de 𝐼𝐵 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸 en régime continu.
En entrée on a 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 .
La caractéristique de la jonction base-émetteur étant linéarisée, on pourra écrire :
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉0 + 𝑅𝑑 𝐼𝐵
=> 𝑉0 + 𝑅𝑑 𝐼𝐵 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
D’où :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0
𝐼𝐵 = et 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉0 + 𝑅𝑑
𝑅𝐵 + 𝑅𝑑 𝑅𝐵 + 𝑅𝑑

AN :
𝐼𝐵 ≈ 41,28 µ𝐴 et 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,6004127 𝑉 ≈ 0,6 𝑉.
Qui sont les coordonnées du point de repos en entrée.
En sortie on a 𝑉𝐶𝐸 = −𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐶 avec 𝐼𝐶 = 𝛽 𝐼𝐵
AN :
Puisqu’on dispose déjà des valeurs de 𝐼𝐵 et 𝛽 on calcule facilement :
𝐼𝐶 ≈ 4,128 𝑚𝐴 et 𝑉𝐶𝐸 ≈ 15,87 𝑉.
Qui sont les coordonnées du point de repos en sortie.

3- Valeur de 𝑅𝐵 pour avoir un point de repos au milieu de la droite de charge statique.

Figure 1a.

2
 1 𝑉𝐶𝐶
Le tracé de la droite de charge statique grâce à l’équation 𝐼𝐶 = − 𝑅 𝑉𝐶𝐸 + montre
𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐶𝐶
qu’elle coupe l’axe horizontal pour 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 et l’axe vertical pour 𝐼𝐶 = (figure 1a).
𝑅𝐶

On voit bien sur cette figure qu’un point de repos 𝑆0 pris au m

̏ ilieu de la droite de charge
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
statique˝ correspondra à 𝑉𝐶𝐸0 = et 𝐼𝐶0 = .
2 2 𝑅𝐶

Calculons 𝐼𝐶0 .
1 𝑉𝐶𝐶 1 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶0 = − 𝑉𝐶𝐸0 + = − + =
𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝑅𝐶 2 𝑅𝐶 2 𝑅𝐶
AN : 𝐼𝐶0 = 10 𝑚𝐴.

𝐼𝐶0
Sachant que 𝐼𝐶 = 𝛽 𝐼𝐵 , on aura 𝐼𝐵0 = .
𝛽

La maille d’entrée et la linéarisation de la caractéristique de la jonction base-émetteur nous

permettent d’écrire :
𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 et 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉0 + 𝑅𝑑 𝐼𝐵 .
 𝑉0 + 𝑅𝑑 𝐼𝐵 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
D’où on peut tirer :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0 − 𝑅𝑑 𝐼𝐵
𝑅𝐵 = 𝐼𝐵

Pour un point de repos au milieu de la droite de charge statique on doit avoir 𝐼𝐵 = 𝐼𝐵0 .
AN :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0 − 𝑅𝑑 𝐼𝐵0
𝑅𝐵 = = 193,99 𝐾Ω.
𝐼𝐵0

EXERCICE 2 (Polarisation par pont et résistance d’émetteur)

La caractéristique directe de la jonction base-émetteur du transistor est idéalisée avec un
seuil 𝑉0 = 0,6 𝑉.
On désire des valeurs au repos telles que : 𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉 et 𝐼𝐵 = 30 µ𝐴.

3
 Figure 2.

1- Équation de la droite d’attaque statique.

C’est une équation qui relie 𝑉𝐵𝐸 et 𝐼𝐵 l’un en fonction de l’autre.
La loi des mailles permet d’écrire :
𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 => (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶 .

La loi des nœuds => 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵

On aussi 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
=> 𝐼2 = 𝑅2

𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
=> 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 𝑅2
+ 𝐼𝐵

En remplaçant 𝐼1 dans l’équation (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶 on obtient :

𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
(𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 + 𝐼𝐵 𝑅1 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅2

𝑅1 𝑅1
[(1 + ) (𝛽 + 1)𝑅𝐸 + 𝑅1 ] 𝐼𝐵 + (1 + ) 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅2 𝑅2

D’où
𝑅
(1+ 1 ) 𝑉𝐶𝐶
𝑅2
𝐼𝐵 = − 𝑅1 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1
[(1+ )(𝛽+1)𝑅𝐸 + 𝑅1 ] [(1+ )(𝛽+1)𝑅𝐸 + 𝑅1 ]
𝑅2 𝑅2

Qui est l’équation de la droite d’attaque statique qui peut aussi être donnée en exprimant
𝑉𝐵𝐸 en fonction de 𝐼𝐵 .

4
 2- Valeurs de 𝑅𝐸 et 𝑅2 .
On donne 𝑅1 = 100 𝐾Ω, 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω et 𝛽 = 180 avec 𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉 et 𝐼𝐵 = 30 µ𝐴.
La maile de sortie permet d’écrire :

𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝛽𝑅𝐶 𝐼𝐵
=> 𝑅𝐸 = =
𝐼𝐸 (𝛽+1)𝐼𝐵

AN : 𝑅𝐸 = 662,98 Ω.

On a 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵

𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
=> 𝑅2 = .
𝐼2

On aussi 𝐼2 = 𝐼1 − 𝐼𝐵
L’équation (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶 déjà établie plus haut permet de tirer :

𝑉𝐶𝐶 − (𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝐼2 = − 𝐼𝐵
𝑅1

𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
=> 𝑅2 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
− 𝐼𝐵
𝑅1

Puisque la caractéristique directe de la jonction base-émetteur du transistor a été idéalisée

avec un seuil 𝑉0 = 0,6 𝑉, on aura tant que le transistor conduit, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉0 = 0,6 𝑉.

AN : 𝑅2 ≈ 53,846 𝐾Ω.

3- Valeurs de 𝑅2 pour lesquelles le transistor se bloque.

La caractéristique de la jonction base-émetteur étant idéalisée avec un seuil de 𝑉0 = 0,6 𝑉,
le transistor se bloquera pour 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉0 et on aura 𝐼𝐵 = 0.
Quand le transistor est bloqué, l’équation 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
devient :

𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸
Et on a aussi 𝐼2 = 𝐼1 puisque 𝐼𝐵 est nul.
D’autre part on aura 𝑅2 𝐼2 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶 <=> (𝑅2 + 𝑅1 )𝐼2 = 𝑉𝐶𝐶

5
 𝑉𝐶𝐶 𝑅2
 𝐼2 = ce qui donne 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
(𝑅1 + 𝑅2 ) 𝑅1 + 𝑅2

𝑅2
Au blocage il faut avoir 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉0, c’est-à-dire 𝑉𝐶𝐶 < 𝑉0 .
𝑅1 + 𝑅2

𝑉0
 𝑅2 < 𝑅1 .
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0

AN :
𝑅2 < 4166,67 Ω.
Le transistor se bloquera donc pour des valeurs de 𝑅2 inférieures à 4,1667 𝐾Ω.

EXERCICE 3
Pour le montage de la figure 3 on donne : 𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉 , 𝐼𝐵 = 20 µ𝐴, 𝛽 = 200 et 𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉.

Figure 3.

1- Calcul de la valeur de 𝑅𝐸 .
La maille de sortie permet d’écrire : 𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 .
Sachant que 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 , on en déduit que :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐸 = (𝛽+1)𝐼𝐵

AN : 𝑅𝐸 ≈ 746,27 Ω.

2- Calcul de 𝑅2 sachant que 𝑅1 = 90 𝐾Ω.

On a 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵

6
 𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
=> 𝑅2 = .
𝐼2

La loi des nœuds => 𝐼2 = 𝐼1 − 𝐼𝐵

On a aussi : (𝛽 + 1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶 (loi des mailles)
𝑉𝐶𝐶 − (𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
=> 𝐼1 = 𝑅1

𝑉𝐶𝐶 − (𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

D’où 𝐼2 = − 𝐼𝐵
𝑅1

On en déduit alors l’expression de 𝑅2 :

𝑉𝐵𝐸 +(𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵
𝑅2 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝛽+1)𝑅𝐸 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
− 𝐼𝐵
𝑅1

AN : 𝑅2 = 90 𝐾Ω.

3- Valeurs de 𝑅2 provoquant le blocage.

Le transistor se bloque pour 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉0 = 0,6 𝑉 et on aura alors 𝐼𝐵 = 0.
𝐼𝐵 = 0 => 𝐼𝐸 ≈ 0.
La tension 𝑉𝑅2 aux bornes de 𝑅2 pourra alors s’écrire :

𝑉𝑅2 = 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸 .
𝑅2
𝐼𝐵 étant nul, on aura aussi : 𝑉𝑅2 = 𝑉𝐶𝐶 .
𝑅1 + 𝑅2

La condition de blocage 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉0 = 0,6 𝑉 pourra donc se traduire par :

𝑅2
𝑉𝐶𝐶 < 𝑉0 = 0,6 𝑉
𝑅1 + 𝑅2

𝑉0
 𝑅2 < 𝑅1 .
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉0

AN : 𝑅2 < 6428,57.

EXERCICE 4
Le montage de la figure 4 utilise deux transistors bipolaires identiques avec 𝑉𝐵𝐸1 = 𝑉𝐵𝐸2 =
𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉 et 𝛽1 = 𝛽2 = 𝛽.
On donne 𝑅1 = 𝑅2 = 100 𝐾Ω et 𝑅𝐶 = 𝑅𝐸 = 1 𝐾Ω.

7
 Figure 4.

Détermination des courants et tensions du montage.

𝑉𝐵𝐸1
 On a 𝑅2 𝐼2 = 𝑉𝐵𝐸1 => 𝐼2 = 𝑅2

AN : 𝐼2 = 6 µ𝐴.

 La loi des mailles permet d’écrire : 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑅1 𝐼1 = 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸1
=> 𝐼1 = 𝑅1

AN : 𝐼1 = 94 µ𝐴.

 La loi des nœuds => 𝐼𝐵1 = 𝐼1 − 𝐼2

AN : 𝐼𝐵1 = 88 µ𝐴.

 𝐼𝐶1 = 𝛽 𝐼𝐵1
AN : 𝐼𝐶1 = 6,6 𝑚𝐴.

 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵2 )𝑅𝐶

D’après l’énoncé 𝐼𝐵2 pourra être négligé devant 𝐼𝐶1 .
=> 𝑉𝐶𝐸1 ≈ 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶1
AN : 𝑉𝐶𝐸1 = 3,4 𝑉.

𝑉𝐶𝐸1 − 𝑉𝐵𝐸2
 𝐼𝐸2 = 𝑅𝐸

8
AN : 𝐼𝐸2 = 2,8 𝑚𝐴.

𝐼𝐸2
 𝐼𝐵2 = 𝛽+1

AN : 𝐼𝐵2 = 36,8421µ𝐴.

 𝐼𝐶2 = 𝛽 𝐼𝐵2
AN : 𝐼𝐶2 ≈ 2,763 𝑚𝐴.

 𝑉𝐶𝐸2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸2

AN : 𝑉𝐶𝐸2 = 7,2 𝑉.

EXERCICE 5 (Polarisation par résistance entre collecteur et base)

Pour le montage de la figure 5 on donne :
𝛽 = 65 ; 𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉 ; 𝑅𝐵 = 17 𝐾Ω ; 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω ; 𝑅𝐸 = 100Ω.

Figure 5.

1- Équation de la droite d’attaque statique et point de repos en entrée.

La loi des mailles permet d’écrire :

𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 )𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶

=> 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶
Ce qui permet de tirer :

9
 𝑉𝐵𝐸 = − [(𝛽 + 1)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑅𝐵 ] 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐶
1 𝑉𝐶𝐶
Ou 𝐼𝐵 = − (𝛽+1)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )+ 𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐸 + (𝛽+1)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )+ 𝑅𝐵

Qui sont deux formes possibles de l’équation de la droite d’attaque statique.

AN :
On donne 𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉 => 𝐼𝐵 = 104,91 µ𝐴.
Les coordonnées du point de repos en entrée sont :
𝑉𝐵𝐸0 = 0,6 𝑉 et 𝐼𝐵0 = 104,91 µ𝐴.

2- Équation de la droite de charge statique et point de repos en sortie.

La maille de sortie permet d’écrire :
𝑅𝐸 𝐼𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) = 𝑉𝐶𝐶
1 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = (1 + 𝛽) 𝐼𝐶 => (1 + 𝛽) (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

D’où on tire :
1
𝑉𝐶𝐸 = − (1 + 𝛽) (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐶

1 𝑉𝐶𝐶
ou 𝐼𝐶 = − 1 𝑉𝐶𝐸 + 1
(1+ )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (1+ )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝛽 𝛽

qui sont deux formes possibles de la droite de charge statique.

La valeur au repos 𝐼𝐶0 du courant 𝐼𝐶 peut être obtenue à partir de la relation 𝐼𝐶0 = 𝛽 𝐼𝐵0
AN :
𝐼𝐶0 = 6,81915 𝑚𝐴 ≈ 6,82 𝑚𝐴

Ce qui permet de calculer 𝑉𝐶𝐸0 qui est la valeur au repos de 𝑉𝐶𝐸 :

1
𝑉𝐶𝐸0 = − (1 + 𝛽) (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶0 + 𝑉𝐶𝐶

AN :
𝑉𝐶𝐸0 = 2,383534 𝑉 ≈ 2,38 𝑉

10
 3- Valeur de 𝑅𝐵 pour avoir un point de repos au milieu de la droite de charge statique.
Un point de repos au milieu de la droite de charge statique correspond à :
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 = = 5𝑉
2

Ce qui permet de calculer :

1 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = − 1 𝑉𝐶𝐸 + 1 = 4,47658 𝑚𝐴 ≈ 4,477 𝑚𝐴
(1+ )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (1+ )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝛽 𝛽

𝐼𝐶
Cela correspond à un courant 𝐼𝐵 = = 6,88705 . 10−5 𝐴 ≈ 68,871 µ𝐴
𝛽

À partir du montage de la figure 5, la loi des mailles permet d’écrire :

𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
=> 𝑅𝐵 = 𝐼𝐵

AN :
𝑅𝐵 ≈ 63,888 𝐾Ω.

EXERCICE 6
Le transistor du montage de la figure 6 a un 𝛽 = 100 et une tension de déchet 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡
négligeable.

Figure 6.

1- Valeur du courant de saturation 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 .

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
On a 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐶

=> 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 = ≈
𝑅𝐶 𝑅𝐶

11
AN :
𝐼𝐶 ≈ 20 𝑚𝐴.

2- Valeur de 𝑉𝑒 correspondant à un coefficient de sursaturation 𝑘𝑆 = 5.

La loi des mailles donne : 𝑉𝑒 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 .
Un coefficient de sursaturation 𝑘𝑆 = 5 => 𝐼𝐵 = 𝑘𝑆 𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 = 5 × 𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 .
𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡
Or 𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 = .
𝛽

AN :
𝐼𝐵 𝑠𝑎𝑡 = 200 µ𝐴 et 𝐼𝐵 = 1 𝑚𝐴.
En prenant 𝑉𝐵𝐸 = 0,6 𝑉, on obtient :
𝑉𝑒 = 47,6 𝑉.

3- Fréquence limite pour un fonctionnement correct en commutation.

Figure 6a.

12
La tension d’entrée 𝑉𝐸 est de type carré entre le niveau −1 𝑉, assurant le blocage, et un
niveau +𝐸, suffisant pour atteindre la saturation.
Pour avoir un fonctionnement correct en commutation ici, il faudrait que le transistor puisse
atteindre son état de blocage et son état de saturation.
D’après l’énoncé cela signifie que 𝐼𝐶 doit pouvoir monter au moins jusqu’à 0,9 × 𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑥 et
descendre au moins jusqu’à 0,1 × 𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑥 .
Cela veut dire qu’après la commutation, la tension 𝑉𝐸 doit rester au niveau haut un temps
supérieur ou égal à 𝑡𝑜𝑛 et au niveau bas un temps supérieur ou égal à 𝑡𝑜𝑓𝑓 .
1
La tension d’entrée étant carrée de rapport cyclique 2 (ou 50%) et de période 𝑇, on devrait
avoir :
𝑇 ≥ 𝑡𝑜𝑛 + 𝑡𝑜𝑓𝑓 ,

et pour la fréquence :
1 1
𝑓= ≤
𝑇 𝑡𝑜𝑛 + 𝑡𝑜𝑓𝑓

AN :
𝑡𝑜𝑛 = 𝑡𝑜𝑓𝑓 = 4 µ𝑠 => 𝑓 ≤ 125 𝐾𝐻𝑧.

128 𝐾𝐻𝑧 est donc la fréquence limite qu’il ne faut pas dépasser s’il on veut garder un
fonctionnement en commutation correct.

13