TRAVAUX PRATIQUES ELECTRONIQUE FONDAMENTALE

TP N° : 04

Caractéristique de la diode à jonction

PN

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1. But de la Manipulation

L’objectif essentiel de ce TP est d’étudier l’influence de la polarisation directe et inverse sur le

courant d’une diode à jonction PN et aussi de relever la caractéristique courant-tension d’une diode
dans le sens direct et inverse.
2. Rappel Théorique
La diode est un élément actif comportant deux électrodes désignées généralement par anode et
cathode. Une diode est constituée par l’association de semi-conducteurs (silicium ou germanium dopés)
de type P du côté de l’anode et de type N du côté de la cathode.
A cause des propriétés particulières des semi-conducteurs, la circulation du courant à travers la
jonction ne peut s’exécuter que dans le sens P → N.

Diode

Composition

Cathode Anode
Symbole
- +

Figure. 1 : Constitution et symbole d’une diode à jonction PN.

2.1. La polarisation de la diode
Le courant passe à travers la diode obéit à la tension appliquée selon la loi exponentielle
suivante :

  qV d     Vd  
I d = I s  exp   − 1 = I s  exp   − 1 (1)
  nKT     nV T  
Avec :
Is : appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique du courant traversant la jonction
en polarisation inverse.

KT
VT : la tension thermodynamique (V T = 26mV ) à 25 °C.
q

q : la charge de l’électron (1.6*10-19 C).

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K : le constant de boltzman (1.3806488*10-23 J/°C).

T : la température absolue en Kelvin.

n : le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les diodes au germanium, et compris
entre 1 et 2 dans les diodes au silicium.

La diode peut être polarisée en deux manières :

2.1.1. La polarisation en sens direct (sens passant)
Soit un circuit contenant une source de tension variable et une résistance avec une diode en
série :

+
E diode
-

Figure. 2 : Polarisation direct (passant) de la diode.

Lorsque l’anode est reliée au côté plus (+) de l’alimentation (générateur de tension), et la cathode
au côté moins (-), on dit que la diode est polarisée en direct (figure. 2).
Un courant parcourt le circuit dès que la tension aux bornes de la diode est supérieure à la
tension de seuil V0 (V0 = 0.5 Volt pour une diode à base de silicium, et V0 = 0.3 Volt pour une diode au
germanium).
Ce courant croit très rapidement avec V et se trouve limité pratiquement par la résistance mise
en série avec la diode. On voit que le courant I traversant la diode est lié à la tension V qui lui appliquée
par l’équation (1).
Dans le cas de la figure. 2, la diode est polarisée dans le sens passant donc :
  qV d  
I d = I s  exp   − 1 (2)
  nKT  
2.1.2. La polarisation en sens inverse (sens bloqué)
Soit le circuit suivant :

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+
E diode
-

Figure.3. Polarisation inverse (bloqué) de la diode.

Lorsque l’anode est reliée au côté moins (-) de l’alimentation, et la cathode au côté plus (+), on
dit que la diode est polarisée en inverse (figure. 3).
Dans le cas de la figure .3, la diode est polarisée en sens bloqué et Id= Ii ; Vd = Vi de ce fait l’équation (1)
devient :
  −qV i  
I i = I s  1 − exp   (3)
  nKT  
2.2. La caractéristique courant – tension Id = f(Vd)

Figure. 4 : Caractéristique courant-tension de la diode.

3. Manipulation
3.1. Travail personnel
a. A l’aide de Proteus réaliser le montage suivant :

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I (Résistance) = I (diode)
R1
+88.8
220 mA

+88.8
Volts
E D1 +88.8 V(diode)
1.5V Volts
DIODE
V (Résistance)

b. Simuler le montage et remplir le tableau suivant :

E 0 0.3 0.5 0.7 1 3 5 7 9 11 13 15
VR
IR
Vd
Id

c. Inverser la diode pour avoir le montage suivant :

I (Résistance) = I (diode)
R1
+88.8
220 mA
+88.8
Volts

E D1 +88.8 V(diode)
1.5V Volts
DIODE
V (Résistance)

d. Simuler le montage et remplir le tableau suivant :

E (v) 0 0.3 0.5 0.7 1 3 5 7 9 11 13 15
VR (v)
IR (mA)
Vi (v)
Ii (mA)

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e. Tracer sur le même graphe en choisissant des échelles convenables, les fonctions suivantes : Ir = f
(VR) ; Id = f (Vd) ; Ii = f (Vi).
3.2. Travail Présentiel
3.2.1. Polarisation direct (sens passant)
a. Réaliser le montage suivant :
R=220Ω

Diode
E 1N4007

b. En faisant varier le générateur de tension E, relever pour chaque valeur la chute de tension VR aux
bornes de la résistance R et le courant IR qui la traverse et porter ces valeurs dans le tableau de
mesures.
c. En faisant varier le générateur de tension E, relever pour chaque valeur la chute de tension Vd aux
bornes de la diode et le courant Id qui la traverse et porter ces valeurs dans le tableau des mesures
(Tableau. 1 ).
3.2.2. Polarisation inverse (sens bloqué)
a. Réaliser le montage suivant :

R=220Ω

Diode
E 1N4007

b. En faisant varier le générateur de tension E, relever pour chaque valeur la chute de tension Vi aux
bornes de la diode et le courant Ii qui la traverse et porter ces valeurs dans le tableau des mesures
(Tableau. 1 ).

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Tableau. 1.
E 0 0.3 0.5 0.7 1 3 5 7 9 11 13 15
VR
IR
Vd
Id
Vi
Ii

3.2.3. Travail à faire

a. Citer le matériel utilisé au cours de la manipulation.
b. Tracer sur le même graphe en choisissant des échelles convenables, les fonctions suivantes :
Ir = f (VR) ; Id = f (Vd) ; Ii = f (Vi).
c. Déterminer la pente de la droite IR = f (VR).
d. Déterminer la tension de seuil de la diode, et sa résistance dynamique.
e. Donner le courant de saturation Is de la diode.
f. Conclusion.