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    CC Electronique Analogique II

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    Le document présente trois exercices portant sur l'étude de transistors bipolaires et à effet de champ. L'exercice 1 étudie un transistor bipolaire en régime statique et dynamique. L'exercice 2 concerne diverses topologies de polarisation d'un transistor bipolaire. L'exercice 3 traite d'un amplificateur à transistor à effet de champ en régime statique et dynamique.

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    Cc Electronique Analogique II

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    Agrément N° 23-04446/MINESUP/SG/DDES/ESUP/SDA/LMN

    CONTROLE CONTINU
    Spécialité / Option : MAINTENANCE DES SYSTEMES INFORMATIQUES
    Sujet de : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE II
    Durée : 2H Crédit : 2
    Sujet proposé par : M. NGUIOMBOU Modeste Niveau : 1

    Exercice I : transistor bipolaire en régime statique (8 pts)


    Soit le montage ci – dessous :

    I. ETUDE STATIQUE

    1. Calculer le gain d’amplification β en courant de ce transistor


    2. Calculer R3 et R1.
    3. Donner les différents rôles de chaque condensateur
    4. Calculer le potentiel VBM du point B et celui VEM du point E par rapport à la masse M.
    5. Etablir et tracer l’équation de la droite d’attaque statique IB = f(VBE).
    6. Etablir et tracer l’équation de la droite de charge statique IC = f(VCE).
    II. ETUDE DYNAMIQUE
    1) Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique ;
    2) Pourquoi découple – t – on R4 ?
    3) De quel type d’amplificateur s’agit – il ? Pourquoi ?
    4) Donner le schéma équivalent du montage en régime de petits signaux, en utilisant les paramètres hybrides.
    5) Calculer l’amplification en tension ;
    6) Calculer la résistance d’entrée et Calculer la résistance de sortie.

    Exercice 2 : transistor bipolaire 06points

    L’étude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant de
    collecteur donné et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
    caractéristiques de sortie. Le transistor est de type 2N1711 (β = 150).
    Agrément N° 23-04446/MINESUP/SG/DDES/ESUP/SDA/LMN

    Déterminez les résistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA
    et en prenant VBEo=0.6 V
    1. Polarisation simple (figure 1).
    2. Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 2).
    3. Polarisation avec résistance d’émetteur (figure 3).
    4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base (figure 4).

    EXERCICE 3 : Transistor à effet de champ (TEC) (6points)


    Soit l’amplificateur TEC de la ci-dessous. La résistance d’entrée du TEC est supposée infinie en régime continu
    comme en régime dynamique. On donne : 𝑉�𝐷�S = 20;
    𝐼�𝐷� =1,8𝑚�𝐴� ; 𝑉�𝐺�𝑆� = 1,8𝑉� ; 𝑅�2 = 1,9𝑀�Ω ; 𝑅�𝐷� = 4,56𝐾�Ω 𝑒�𝑡� 𝑉�𝐷�𝐷� = 30𝑉�
    1.1. Etude statique
    1.1.1. Donner le schéma équivalent de cette étude.
    1.1.2. Calculer 𝑅�𝑆� 𝑒�𝑡� 𝑅�1
    1.2. Etude dynamique
    1.2.1. Comment appelle-t-on les condensateurs 𝐶�1 𝑒�𝑡� 𝐶�3 ? Préciser leurs rôles.
    1.2.2. Donner le schéma équivalent du montage en régime petits signaux.
    On donne :
    𝑅�𝑆� =1𝐾�Ω, 𝑅�1 = 13,96𝑀�Ω, 𝜌� = 220𝐾�Ω; 𝑅�𝐿� = 1𝐾�Ω 𝑒�𝑡� 𝑔�𝑚� = 8𝑚�𝑠�
    1.2.3. Calculer l’amplification en tension en charge.
    1.2.4. Calculer l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie du montage.

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