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    SN Electronique Analogique I

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    SN ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I

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    Agrément N° 23-04446/MINESUP/SG/DDES/ESUP/SDA/LMN

    EXAMEN DE SESSION NORMALE


    Spécialité / Option : MAINTENANCE DES SYSTEMES INFORMATIQUES
    Sujet de : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I
    Durée : 2H Crédit : 2
    Sujet proposé par : M. NGUIOMBOU Modeste Niveau : 1

    EXERCICE 1 : TECHNOLOGIE (7 pts)


    1- Le tableau ci-dessous présente les caractéristiques techniques du composant représenté par la fi-
    gure 1

    a- Identifier ce composant ;
    b- Identifier les électrodes 1 et 2 de ce composant ;
    c- Donner la signification de chacune des indications : VRRM, IFSM, VF, IF et TJ
    d- Donner la méthode graphique permettant la détermination graphique de :
    • La tension de seuil de ce composant ;
    • La résistance dynamique.
    e- Cette diode est insérée dans un montage de redressement simple alternance comportant un
    transformateur monophasé délivrant 230V au secondaire :
    • Calculer la tension inverse de crête de la diode ;
    • Le montage fonctionnera-t-il normalement ? Justifier votre réponse.
    f- Donner la différence entre photodiode et diode électroluminescente.
    On identifie les électrodes d’un transistor bipolaire par les lettres X, Y et Z. Les tests réalisés sur ce
    transistor à l’aide d’un multimètre ont permis de relever que les jonctions Z →X et Z → Y sont
    passantes dans le sens des flèches et bloquées dans le sens contraire :
    d- Donner le type de ce transistor ;
    b- Représenter son modèle équivalent à l’aide des diodes ;
    c- Identifier l’électrode représentant la base de ce transistor.

    Exercice 2 : transistor bipolaire 06points

    L’étude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant de
    collecteur donné et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
    caractéristiques de sortie. Le transistor est de type 2N1711 (β = 150).
    Déterminez les résistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA
    et en prenant VBEo=0.6 V
    Agrément N° 23-04446/MINESUP/SG/DDES/ESUP/SDA/LMN

    1. Polarisation simple (figure 1). (1.5 pt)


    2. Polarisation par résistance entre collecteur et base (figure 2). (1.5 pt)
    3. Polarisation avec résistance d’émetteur (figure 3). (1.5 pt)
    4. Polarisation avec résistance d’émetteur et pont de base (figure 4). (1.5 pt)

    Exercice : 2 amplification à transistor (7 pts)


    Soit le montage ci – dessous :

    A) Etude en régime statique : (les condensateurs sont ouverts)


    1) Calculer le gain d’amplification en courant de ce transistor.
    2) Calculer R3 et R1.
    3) Calculer le potentiel VBM du point B et celui VEM du point E par rapport à la masse M.
    4) Etablir et tracer l’équation de la droite d’attaque statique IB = f(VBE).
    5) Etablir et tracer l’équation de la droite de charge statique IC = f(VCE).
    B) Etude en dynamique : (les condensateurs sont court – circuités ainsi que la source de
    tension continue Vcc)
    6) Faire le schéma équivalent du montage en petits signaux.
    7) Donner le rôle de chaque condensateur.

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