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PLAN DU COURS

I - INTRO aux liaisons hertziennes – (télé–communications !)

(cas particulier, le satellite LOS – évocation de situations NLOS)

Automotive systems Cellphone coverage (indoor/outdoor/car)

II - les principaux systèmes actifs hyperfréquences
(modulation et démodulation)

III – les technologies actives en quelques notions

(transistors bipolaires et à effet de champs avancés)
SATCOMs and RADARs
IV - les circuits actifs de l’électronique des
microondes
(Amplificateurs bas niveau et de puissance, oscillateurs fixes et accordables, mélangeurs de fréquence)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 141

Circuits Hybride (HMIC) et MMIC

Alumina substrate
IN/OUT matching 3 stages version
Two main circuit declination :

MIC or hybrid circuits :

MIC Microwave Integrated Circuit
(also declined as HMIC, MHMIC, …) HEMT device (flip-chip)
InGaAlN/GaAs Thales III-V Lab
few cm²
LNA circuit (LAAS-CNRS)
MIC : Low Noise Amplifier (30 GHz)

GaAs pHEMT
Monolithic Integrated Circuits (MIMIX)
MMIC Microwave Monolithic
Integrated Circuit
GaN HEMT
few 100 µm² to mm² (LAAS-CNRS & OMMIC)
(pictures 0,9 mm²

and 0,7mm² )
MMIC : Low Noise Amplifiers (30 GHz
and 10 GHz)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 142

1
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ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

(LINEAR & NON-LINEAR)
DC and Harmonic Balanced (HB) simulators are used to plot dynamic load line of a device.
During this phase of the study you can change :
-the gate voltage range and step / the drain voltage biasing condition
-the input RF power
-the output load impedance (or reflexion coeff.) Dynamic load line

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 143

ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

(LINEAR & NON-LINEAR)

Small Signal when Large Signal when Non-

Linear relationship Linear relationship
binds input to binds input to output
output electrical electrical signals
signals (x2, x3, …xn with
(same -and only- Fourrier representation
sinusIN - sinusOUT) between sinusIN -
sinusOUT)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 144

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ACTIVE LINEAR CIRCUITS

PIN
@ 14 GHz POUT
@ 16 GHz @ 14 GHz
@ 16 GHz
@ 18 GHz IN Quadripôle linéaire OUT @ 18 GHz

Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)

-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

de l’amplitude du
-filtres = perf. (pertes, adaptation) signal d’entrée

-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

(Circuits N.Linéaires)
-mélangeurs = adaptation
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 145

ACTIVE LINEAR CIRCUITS

PIN
@ 14 GHz POUT
@ 16 GHz @ 14 GHz
@ 16 GHz
@ 18 GHz IN Quadripôle linéaire OUT @ 18 GHz

Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)

-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

de l’amplitude du
-filtres = perf. (pertes, adaptation) signal d’entrée

-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

(Circuits N.Linéaires)
-mélangeurs = adaptation
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 146

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 1/17/2024

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

f0 f0
DC 2f0
3f0

f2
Système f2
f1
non-linéaire ……. f1 …….
2f1-f2 2f2-f1

Mode de fonctionnement en fort-signal (NON-LINÉAIRE)

-ampli = saturation et distorsion (gain, puissance), intermode, rendement Padded, …

-oscillateurs = démarrage des oscillations, conversion bruit BF bruit de phase

-mélangeurs = transposition des fréquences par non-linéarité

-RF vers FI conversion récepteur, Perf. dépendantes
-FI vers RF conversion émetteur. de l’amplitude du
signal d’entrée
-doubleurs, tripleurs de fréquence, …
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 147

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

Non-linéarités nuisibles ou VS .  A.VE  B.VE2  C.VE3  ...
non-linéarités exploitées (bénéfiques) VE VS
selon application Ampli N.L
Si VE .  V1. cos(1.t )  V2 . cos(2 .t )
Alors:
VS .  A  V1  cos(1t )  A  V2  cos(2t ) Signaux fondamentaux
B 2 2 B 2 B Harmonique 2
 (V1  V2 )   V1  cos(21t )   V22 . cos(22t ) (multiplieur de fréquence)
2 2 2
DC  B  V1  V2  cos(1  2 )t   B  V1  V2  cos(1  2 )t  Prod. Intermod. 2 (convertisseur
de fréquence infra / supradyne)
C 3 C Harmonique 3
  V1  cos(31t )   V23  cos(32t )
4 4 (tripleur de fréquence)
3C 2 3C 2
  V1  V2  cos( 21  2 )t    V1  V2  cos(21  2 )t 
4 4
3C 3C Prod. Intermod. 3 (toujours nuisibles)
  V  V22  cos(1  22 )t    V  V22  cos(1  22 )t 
4 1 4 1
3C 3C Compression des fondamentaux
  (V13  V2V12 )  cos(1t )   (V12  V2  V23 )  cos(2t )  ... « il ne faut pas toucher aux fondamentaux »
4 4 G. Novès
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 148

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DUAL TIME-FREQUENCY REPRESENTATION

(Steady state)
Moivre or Euler formulas
(inverse) Fast Fourier Transform FFT(-1)
V

Time domain Linearizing Vn (co)sinus signals Frequency domain

measurements cos²(s)=1+cos(2x)/2 measurements
cos(a).cos(b)=1/2.cos(a+b)+1/2.cos(a-b)
Cos(-x)=cos(x)
…
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 149

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 150

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 1/17/2024

Régime de fonctionnement linéaire/non-linéaire

d’un amplificateur : compression
34
Pe Ps (A.Spectre)
32
IP3 On vérifie
30 généralement que :
28
26 IP3- P1dB ~ 10 dB
Ps , Ps3 en dBm

24 P1dB Ps (Pe )
1 dB
22
20 Ps3(Pe1)
18
Pente 1
16 Zone de Pente 3
fonctionnement
14 linéaire (petits
12 signaux)
10
Pe, Pe1 ou
8 0 5 10 15 20 25 30 Pe3 en dBm
Amplificateur
f1 Pe1 sous test
Mesures
Ce point correspond à une amplitude Combineur
Ps3 à 2f2-f1
d’entrée donnée par A = (aH1/H3)1/2 de puissance
ou 2f1-f2
avec a = 4/3(10-1/20-1) f2 Pe2
Principe expérimental
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 151

Produits d’intermodulation en sortie d’un amplificateur

PS O dBm

PI3
Ordre 3 croit en P3
PI3 = -47 dBm Fondamental croit en P1

+5 dB IN
 +5 dB fondamental
PS  +15 dB IP3
PI3
37 dB réjection pour PS Fond=+5 dBm
+5 dB IN
 +5 dB fondamental
 +15 dB IP3
PS
Attention,
PI3 20 dB réjection pour PS Fond=+10 dBm
dernier
graphe en
compression Relation :
IP3 @20 3.PS-PI3=2.Pint
dBm
IP3=Pint=23.5 dBm
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 152

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 1/17/2024

AMPLIFIERS : required characteristics

Les caractéristiques requises pour les amplificateurs HF concernent :

-La bande de fréquence d’utilisation (sur laquelle ils doivent être adaptés E-S)

-Le niveau de gain et l’ondulation de celui-çi dans la bande de fréquence considérée

-L’isolation

-La stabilité inconditionnelle de l’amplificateur (afin d’éviter tout risque d’oscillation, voire de
destruction)

-Le facteur de bruit linéaire HF de l’amplificateur (essentiellement pour LNA)

-Le point de compression à 1dB P1dB et l’intermode d’orde 3 IIP3 (OIP3) (essentiellement PA)

-le rendement en puissance ajoutée (SSPA)

-La consommation DC et les spécifications environnementales (encombrement, les dérives

thermiques –gamme température de fonctionnement et de stockage, …)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 153

Amplification de signaux microondes

Plusieurs familles d’amplificateurs:

Ampli faible bruit
Ampli de moyenne / forte puissance
Ampli à gain élevé
Ampli à gain contrôlé
Ampli Op.
… IMPACTE SUR LA CONCEPTION
généralement conception multi-étage
Qui se déclinent sous plusieurs sous catégories:
Bande étroite/Large bande
Faible conso
Polar unique (positive) Il existe ainsi de nombreuses déclinaisons
Différentiel d’amplificateurs!
…

Ampli ‘idéal’
A1 A2 A3
NF (LNA+fort gain+PA+…)
NF NF
G G G
P1dB P1dB, IP3 P1dB, IP3
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 154

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 1/17/2024

Amplificateurs RF :
quelques classes d’amplification

Classe A

Classe AB / B/ C : le point de repos change

(angle de conduction du transistor varie).
Il faut alors filtrer le signal de sortie pour
conserver un signal sinusoïdal

Classe B

Angle de conduction , rendement PAE

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 155

Amplificateurs RF : quelques classes d’amplification

Classe C
(Cf. circuit classe B)

Il existe aussi classes D & E

Classe F

Signal entrée : carré (transistor fonctionne en

commutation, J, J inversé …).
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 156

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 1/17/2024

AMPLIFICATEUR CLASSE A
> Class A étage de sortie = amplificateur de courant simple linéaire.
> Également très peu efficace, avec des rendements max. entre 10 et 20 %.
> Seulement valable pour des applications “faible puissance” et FAIBLE BRUIT (récepteurs :
les fortes puissances nécessitent des rendements bien meilleurs.

POURQUOI L’AMPLIFICATEUR ‘CLASSE A’ EST-IL PEU EFFICACE ?

• La conduction n’opère que dans une direction

(transistor unique).
• Le courant de repos D.C. doit gérer les signaux d’amplitude négative.
• Au moins 75 % de la puissance d’alimentation PDC est dissipée par effet joule (PTH).
• Pour améliorer le rendement, il faut éliminer (réduire !) le courant de polarisation.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 157

AMPLIFICATEUR CLASSE A
Caractéristique de transfert
Ib= 220 µA

Point de repos
Ib=120 µA

Ib= 20 µA

Un émetteur suiveur (Q1) est polarisé à courant constant I fourni

par le transistor Q2.

Caractéristique de transfert de l’émetteur suiveur : cette

caractéristique linéaire est obtenue en négligeant la modification de
vBE1 avec iL. Le maximum de sortie positive est déterminé par la
saturation de Q1 Dans la direction négative, la limite de la région
linéaire est obtenue à la fois en éteignant Q1 ou en saturant Q2 selon
les valeurs de I et RL.

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 158

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AMPLIFICATEUR CLASSE A
Caractéristique de transfert
1 2

Diagrammes temporels des

différents noeuds
Vvot
() 0
0(t) VvcE1
(t) 1
CE1(t)

1 0
0 5 10 0 5 10
t t

2
1

ic1ic1t
() 1
(t) PD1pD1
(t)(t) 0.5

0
0 5 10 0
0 5 10
t
t
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 159

AMPLIFICATEUR CLASSE B

Iout

temps

IC1

temps

> Q1 & Q2 sont en configuration emetteur suiveur (npn/pnp).

IC2
 Q1 conduit uniquement lorsque l’entrée est en
alternance positive.
 Q2 conduit uniquement lorsque l’entrée est en
alternance négative temps
> L’angle de conduction est donc de 180°
> Pour une tension d’entrée nulle, pas de conduction •Pic de rendement du classe B (étage de
(attention, crossover Q1 & Q2) sortie) à 78.5 % (bien supérieur à classe A)
> i.e. la dissipation du point de repos est zero
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 160

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 1/17/2024

CLASSES D’AMPLIFICATEURS
Amplificateur de puissance (Power Amplifier)
Classe A
Quand un amplificateur fonctionne en Classe A, il est polarisé à la moitié de son courant de saturation. La sortie conduit
pendant les 360 degrés de phase du signal d’entrée sinusoïdal. Le Classe A ne donne pas le meilleur rendement en puissance,
mais fournit la meilleure linéarité. En théorie, un rendement de drain de 50% est possible en Classe A. En pratique, il est
compris entre 10 et 20%.
Classe B
En Classe B, l’amplificateur de puissance est polarisé au point où le courant est proche de zéro. Pour un FET, cela signifie près
de la tension de pincement. Durant la moitié de la sinusoïde du signal d’entrée, le transistor conduit, mais pas pendant l’autre
demi-période. Le Classe B peut être efficace, avec des rendements théoriques de 80 à 85% selon les caractéristiques de sortie
I-V du FET. Toutefois, une perte de six dB de gain est obtenue lorsque l’on passe de la classe A à la classe B, donc si le
rendement en puissance ajoutée est importante, le choix du point de repos est délicat.
Classe AB
La plupart des amplificateurs microondes opèrent entre deux classes répondant à des compromis, le classe A (grande
linéarité) et le classe B (fort rendement). Ce cas compromis, appelé classe AB, la sortie conduit pendant plus de 180° du signal
sinusoïdal d’entrée, mais pas pendant les 360°.
Classe C
Le Classe C apparaît lorsque le dispositif (transistor) est polarisé de manière à ce que la sortie conduise durant moins de 180°
du signal sinusoïdal d’entrée. Ceci peut être plus efficace que l’opération en classe B, mais la distorsion est pire. La puissance
de sortie et le gain sont également dégradés. Le classe C n’est pratiquement jamais utilisé dans les amplificateurs microondes.
Classes D, E and F
La plupart de ces classes d’amplificateurs de puissance deviennent de plus en plus singulières, avec un soin particulier apporté
aux harmoniques.

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 161

classes d’amplification : récapitulatif

Solid state (SSPA) Tube type (TWTA)

Frequency band

L-band through C-band

X-band 20 watts (GaN device) 3000 watts (TWT)

Ka-band 11 watts (0.15 um PHEMT devices) 1000 watts (klystron)

Q-band 7 watts
W-band 0.5 watts (TRW) 1000 watts (EIKA)
D-band ?
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 162

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 1/17/2024

Amplification de signaux microondes

Techniques d’adaptation linéaire inter-étages : ex. d’adaptation large bande à 2 étages

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 163

LOW NOISE AMPLIFIERS

X-band (8-12 GHz) GaN LNA
LAAS-OMMIC
0,4x1,2 mm²

Ka-band (29-31 GHz) GaN LNA

LAAS-THALES R&T
1,8 cm²

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 164

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 1/17/2024

Hybrid GaN LNA designed in Ka-band

(SatCOM applications @ 30 GHz)

 Small Signal & noise modeling

of the HEMT
Intrinsic cell
 Electrical and EM HF simulations Parasitic cell

@29,5 GHz (IN

mismatch)
F50 = 3.2dB (max
3.9 dB over 4
LNAs)
Gain = 6,1dB (up to
6,7 dB)
P1dB= 10 dBm
(input 5 dBm)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 166

LNA DESIGN: start with [S] and noise param.

After raw
selection of DC
biasing:

- Plot the [S] and

electrical noise
parameters,
-Select the sizing
and refine the
biasing
-start with design
…

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 167

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 1/17/2024

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN

IMN alone

OMN alone

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 168

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN

S12 incidence
(parallel feedback !)

IMN/OMN together

In spite of many efforts/optimization (under designer control !)

IMPOSSIBLE TO MATCH IMN-OMN TOGETHER

WHY ?
Let’s give freedom to IMN while optimizing OMN
Let’s give freedom to OMN parameters during IMN design

Lserial-input is needed to be lower for OMN than expected for IMN

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 169

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 1/17/2024

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN

Same network without high

Same Lin (feedback) Lin (j.Lfeedback. <<Zout)
thanks to gm

Lfeedback releases
design constraints

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 170

HIGH GAIN / HIGH POWER / HIGH LINEARITY

AMPLIFIERS
From MACOM portfolio (same technology, different applications & performances

High gain Amplifier

(0,5W, 20dB gain, 8-12 GHz) low DC power

High gain Amplifier Power Amplifier (2W, 18 dB gain, 12-15 GHz) high DC power
(0,15W, 8dB gain, 2-18 GHz ) medium DC power
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 171

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 1/17/2024

DISTRIBUTED AMPLIFIER

Large bandwidth BUT DC energy, noise and size are not competitive versus other topologies
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 172

POWER AMPLIFIER
DC biasing (G & D) for 1st and 2nd amplification stages

Lange couplers
In /Out

C S I C 2 0 0 5 Digest

Ka-Band GaN MMIC power amplifier (11 W @ 34 GHz, SSPA for Sat. Com. Systems requirements).
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 173

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Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur faible bruit (LNA low noise amplifier)

Applications principales
♦ Radar météo
♦ Radar aéronautique
♦ Communications Satellite
♦ Radio Pt. à Pt.

caractéristiques
♦ 2.9 dB Noise Figure
♦ Gain 11dB
♦ VSWRIN=1.9:1 VSWROUT=1.7:1
♦ P1dB = 12dBm
♦ OIP3=23 dBm
♦ Opération 11.0-16.0 GHz
♦ process auto aligné MSAG® MESFET
♦ tension DC ajustable (Vd = 3-5V)

Ref : M/A COM (MAALGM0004 Die)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 174

Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur fort gain

Applications :
-point to point radio
-RADAR
(militaire et météo)

♦ Opération 8.0-12.5 GHz

♦ 0.5 Watt Saturated Output Power Level (Pout=26dBm)
♦ Gain 20 dB
♦ NF 8 dB
♦ Variable Drain Voltage (4-10V) Operation
♦ Self-Aligned MSAG® MESFET Process
♦ PAE=35 %

Ref : M/A COM (MAAPGM0034 Die)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 175

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 1/17/2024

Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur distribué large bande

Amplificateur distribué

♦ 0.15 Watt Saturated Output Power Level

♦ freq. Bandwith 2-18 GHz,
♦ Gain 8 dB, NF 6 dB, VSWR IN-OUT 2.0:1
♦ Single Bias Operation
♦ Variable Drain Voltage (4-6V) Operation
♦ GaAs MSAG™ Process
♦ Proven Manufacturability and Reliability
No Airbridges
Polyimide Scratch Protection
No Hydrogen Poisoning Susceptibility
Ref : M/A COM (MAAMGM0007 Die) J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 176

Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur distribué large bande (perf. -)

Amplificateur distribué (puissance +)

2,000 - 13,000 MHz Operating Frequency

Gain = 7.00 dB
NF=8dB
Output P1 = 30.0 dBm
Bias = 10/-2 V
900 mA Current
Ref : M/A COM (MAAMGM0057 Die) J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 177

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Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur de puissance (PA power amplifier)

Amplificateur de puissance 3 étages

(SatCom, pt to pt radio)

Optimisés sur :
-étage 1 : gain, adapt E + puissance, linéarité,…
-étage 2 : gain, linéarité,…
-étage 3 : gain, linéarité, adapt S + puissance…

Ét.1 Ét.2 Ét.3

♦ 12.0-15.5 GHz Operation

♦ Gain=18 dB
♦ 2 W Saturated Output Power Level (Pout=33dBm)
♦ PAE=25%
♦ VSWR = 1.5:1
♦ Variable Drain Voltage (4-10V) Operation
♦ Self-Aligned MSAG® MESFET Process

Ref : M/A COM (MAAPGM0018 Die) J.G Tartarin,

LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 178

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

CDMA signal simulation
ACPR, PAE, POUT & Gain simulation

POUT - PIN (x100 if expressed in %)

PAE=
PDC

POUT
h= can be used when POUT>>PIN
PDC

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 179

19
 1/17/2024

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

Also considering begin of life,

middle & end of life simulations

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 180

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel

TRANSIENT

Tran
Var
Eqn VAR
Tran1
VAR1 V_DC R
StartTime=0.0 nsec
Lin=1.25358 noopt{ 1 to 4 } SRC1 R3
StopTime=10.0 nsec
Lout=5.00281 noopt{ 5 to 12 } Vdc=9.5 V R=Rout Ohm
MaxTimeStep=0.1 nsec
Rp=486.464 noopt{ 300 to 500 }
Freq[1]=1.0 GHz
Rpp=10*Rp R
Rout=50.9311 noopt{ 10 to 100 } L
R1
R=Rpp Ohm L2
L=Lout nH
R
R=0.01
R4 Chip Model
R=50 Ohm for LNA
sortie
C
entree Base T erm
C2
C=100 pF T erm2
C
VtSine Num=2
C1
L Z=50 Ohm
SRC2 C=100 pF R BJTransistor
Vdc=0 V L1 X1
R2
L=Lin nH
Amplitude=0.01 V R=Rp Ohm
R=
Freq=1 GHz
Delay=0 nsec
Damping=0
Phase=0

Remarque : Amplificateur identique à celui utilisé en régime petit-signal

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 181

20
 1/17/2024

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel
Origine de la distorsion de signal sur Vin?
-adaptation? Non
-non-linéarité de jonction BE par le biais
du pont diviseur en entrée? Oui
(méthode de vérification…)

Amplitude géné 0.2V

Amplitude géné 0.01V

(conditions petit-signal,
+transitoire) out

in

@ 1GHz

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 182

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel

TRANSIENT

Tran
Tran1
StartTime=0.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
MaxTimeStep=0.63 nsec
Freq[1]=1.0 GHz

Amplitude géné 0.2V

Amplitude géné 0.01V

(conditions petit-signal,
+transitoire)

@1.5GHz, bde fréq. adaptée

(pas géré en temporel)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 183

21
 1/17/2024

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel

TRANSIENT

Tran
Tran1
StartTime=0.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
MaxTimeStep=0.63 nsec
Freq[1]=1.0 GHz

S’affranchir du régime transitoire

pour retrouver le bon
comportement harmonique par
transformées directe et inverse.

ADS offre plusieurs solutions:

-par définition des bonnes
conditions de départ
-par filtrage
-fonctions dédiées spécifiques
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 184

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel

TRANSIENT

Tran
Tran1
StartTime=2.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
MaxTimeStep=0.63 nsec
Freq[1]=1.0 GHz

Il existe d’autres fonctions pour définir

les fenêtres des transformations des spectres
(Hamming, Hanning, Gaussian,
Kaiser, Blackman-Harris,…)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 185

22
 1/17/2024

Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

balance harmonique (HB)

HARMONIC BALANCE

HarmonicBalance
HB1
Freq[1]=1.0 GHz
Order[1]=5
FundOversample=1

R
R1
R=Rpp Ohm

Chip Model
for LNA

entree Base

C
P_1Tone C1
PORT3 L BJTransistor
L1 C=100 pF R
Num=1 R2 X1
Z=50 Ohm L=Lin nH
R=Rp Ohm
P=polar(dbmtow(-20),0) R=
Freq=1 GHz

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 186

Simulation non-linéaire : application aux

modulations complexes (prévision ACPR, …)

Multi-carrier (512), measurement 5-tone Simulation

Lateral band
rejection
(Adjacent Channel
Power Ratio ACPR)

Pout Term
Term2
Dint
DC_Block Num=3
Gint
Lg=100nm DC_Block1 Z=50 Ohm
Sint

DC_Feed V_DC
DC_Block DC_Feed DC_Feed1
P_nTone P_nTone SRC2
DC_Block2 DC_Feed2fD01GHONlPA
PORT4 PORT3 Vdc=11 V
FP1

Frequency (GHz)
Num=2 Num=1
Wfg=50
Z=50 Ohm Z=50 Ohm
Nfg=4
Freq[1]=2.45 GHz Freq[1]=2.4 GHz Temp=26.85
P[1]=polar(dbmtow(Pin),0) P[1]=polar(dbmtow(Pin),0) V_DC
selfheating=1
SRC1
Vdc=-0.25 V

HARMONIC BALANCE
OMMIC GaN HarmonicBalance
Var
VAR
TechInclude Eqn
VAR1 HB1

Transmitter (Tx) output spectrum

Freq[1]=2.4 GHz
Pin=-30
GaN_TechInclude Freq[2]=2.45 GHz
TechInclude Order[1]=5
GaN_OPTION=GaN_on_Si Order[2]=5

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 187

23
 1/17/2024

Simulation non-linéaire : application aux

modulations complexes (prévision ACPR, …)

Multi-carrier (512), measurement 5-tone Simulation

Pin varying
Lateral band (from -90dBm
Pin varying rejection to -30 dBm)
(Adjacent Channel
Power Ratio ACPR)

Frequency (GHz)

Transmitter (Tx) output spectrum

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 188

OSCILLATORS
Les caractéristiques requises pour les synthétiseurs de fréquence HF concernent :
-La fréquence synthétisée, et la plage de variation contrôlée (tuning)
-La puissance du signal
-La stabilité de cette fréquence (dérive à long terme, bruit de phase à court terme)
-La stabilité de l’amplitude du signal (bruit d’amplitude)
-La sensibilité de la fréquence aux fluctuations d’alimentation (pushing) ou à la charge sur laquelle la
source débite (pulling)

La source de fréquence est donc généralement un oscillateur harmonique asservi sur une
référence stable (ou oscillateur ultra stable ‘OUS’ lui-même synchronisé sur un quartz).

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 189

24
 1/17/2024

Quartz et oscillateur à quartz

Dans un cristal de quartz (hexagonal), on découpe une lamelle d’épaisseur t soit selon le plan xy (coupe dite X) soit selon un
angle de 35° avec z (coupe dite AT choisie de préférence car plus stable). Cette lamelle est piézoélectrique c’est-à-dire que si
l’on applique une tension sinusoidale de fréquence fs (MHZ) = 1.66n/t (mm) , où n est un entier décrivant le mode de résonance,
alors la lamelle vibre à la fréquence fs et réciproquement. De ce fait, cette lamelle se comporte comme une association
d’éléments réactifs équivalents L et C (voir schéma) qui vont donc stocker de l’énergie à la fréquence fs et la restituer sous
forme de vibrations. Notons que l’énergie stockée est mécanique et non électrique : c’est pourquoi on ne parle que de L et C
équivalents. Ls Cs Rs
35°
z A B ZAB = R(f) + jX(f)
z
Cp

Ce quartz présente donc un mode de résonance parallèle pour une fréquence

fp avec p=2pfp telle que LsCpp2=1 et un mode de résonance série pour fs
telle que LsCss2=1.
X(f)
y
t Qs= Lss/Rs ~25000
donc coefficient de
x fs fp
f qualité série élevé
très apprécié pour
Coupe X Coupe AT les circuits sélectifs

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 190

Quartz et oscillateur à quartz

Filtre passe bas très sélectif :

le quartz utilisé à f > fs se comporte
comme une inductance
+V
H(f)
Self de choc

H(f)

Zg ZR G(f)
G(f)

Oscillateur de Pierce : le quartz, utilisé en contre réaction parallèle, contraint l’oscillation à demeurer à fo proche de fs et assure
donc un oscillateur ultrastable. En effet la condition d’oscillation à f=fo est G/(1-HG) et on doit donc vérifier simultanément
|HG|=1 et Phase [H(f=fo)] + Phase [G(f=fo)] = 2kp
Ceci n’est en général satisfait qu’à proximité de la fréquence de résonance du quartz fs et ce d’autant plus que Qs est élevé (la
phase de H varie d’autant plus vite avec f que Qs est grand).
Remarque : l’impossibilité de découper des lamelles d’épaisseur inférieure à 10 µm limite fs à 166 MHz, sauf à
utiliser des modes d’ordre supérieur pour lesquels le coefficient de qualité est moins bon.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 191

25
 1/17/2024

Oscillateur à résonateur diélectrique (DRO)

1 cm RESONATEUR DIELECTRIQUE COUPLÉ A UNE
LIGNE MICRORUBAN Atténuation
0 dB

20 dB

Fréquence

ligne ligne

Le résonateur diélectrique joue pour un oscillateur le même rôle que le quartz

mais à des fréquences jusqu’à plusieurs centaines de fois plus élevées.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 192

Simulation d’oscillateur sous ADS (agilent)

-Unicité des conditions d’oscillation
(OscTest, simulation petit-signal [S]) Topologie à CR parallèle

-Régime transitoire, démarrage de l’oscillation

(OscPort, simulation Harmonic Balance)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 193

26
 1/17/2024

Quelques réalisations (manip labo)…

Exemple : oscillateur éclaté à CR parallèle (4.7 GHz)

Oscillateur ‘éclaté’
à C.R parallèle (4.7 GHz)
Té de polar.
Té de polar.

Transistor monté en boîtier

Bruit de Phase (dBc/Hz)

isolateur
isolateur

déphaseur Résonateur (cavité)

Composant actif
(transistor)

Fréquence (Hz)

Source de fréquence (projet PHARAO)

4.7x2= 9.4 GHz
Q
Elément passif
Réf. LAAS-CNRS (résonateur) Réf. Llopis, LAAS-CNRS J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 194

Oscillateurs en transmission – en réflexion

Quelques réalisations MMIC SiGe…
Schéma de principe d'un oscillateur Schéma de principe de l'oscillateur
à contre réaction parallèle à contre réaction série
Composant actif
(transistor)
Elément passif
(résonateur)

Q Composant actif
(transistor)
S 21T . S 21R  1 couplage sortie

Q charge

S11T  S11R  1
Elément passif

 21T   21R  02kp  k N 11T  11R  02kp 

(résonateur)
S 21T . S 21R  1 S11T . S11R  1
1 mm

Vtuning Vb Vc

Sortie
Oscillateur MMIC SiGe
Série (10 GHz)
Oscillateur MMIC SiGe
à C.R parallèle (10 GHz)

1,3 mm
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 195

27
 1/17/2024

OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion ») régime établi
Plan d’oscillation (entretien)

a1 a1’

Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif

[S] [S’]

a b

La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit : a b  1 .1 3

Conditions de démarrage des oscillateurs    a      b   2 k p III .14
R e  Z a    R e  Z b  III .15
Il est facile d’obtenir ces conditions d’oscillation en régime établi
à partir des impédances du circuit. On obtient donc les
expressions suivantes : Im  Z a    Im  Z b  III .16
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 196

OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion ») régime établi
Plan d’oscillation
(entretien)
a1 a1’

Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif

[S] [S’]

a b

La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit:

a b  1 .1 3
Conditions de démarrage des oscillateurs
10 GHz
   a      b   2 k p III .14
Phase [°]
Gain [dB]

0 0

Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 197

28
 1/17/2024

OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion ») régime établi
Plan d’oscillation
(entretien)
a1 a1’

Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif

[S] [S’]

a b

La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit:

a b  1 .1 3
Conditions de démarrage des oscillateurs
   a      b   2 k p III .14

Il est facile d’obtenir ces conditions d’oscillation en régime R e  Z a    R e  Z b   III .15

établi à partir des impédances du circuit. On obtient donc
les expressions suivantes Im  Z a    Im  Z b  III .1 6

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 198

OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion »)
Régime transitoire
La condition de démarrage des oscillations est obtenue quant à elle, si le (démarrage)
système actif possède un gain suffisant. La condition sur la phase doit
toujours être constructive pour obtenir les oscillations.
Plan d’oscillation

S11>1 Quadripôle Actif

ZEnt ZCh
[S]

=0

Résonateur

Ici, la résistance négative (dipôle actif |S11|>1) doit présenter une valeur permettant de compenser les
pertes du résonateur (dipôle passif)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 199

29
 1/17/2024

OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Conditions de démarrage des oscillateurs Régime transitoire régime établi
Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, (démarrage) (entretien)
amplificateur « en réflexion »)

ZT ZR
T R

Z T =R T +jX T Z R =R R +jX R
Les conditions de démarrage sont en général établies par une analyse petit signal de l’oscillateur. En terme
d’impédances, elles se définissent de la manière suivante :
R T (o )  R R (o )  0 X T ( o )  X R ( o )  0

Précisons qu’il s’agit d’une condition nécessaire de démarrage, mais pas forcément suffisante. De plus, elle ne doit
être vérifiée qu’à une seule fréquence. Il convient par conséquent de lui associer une étude de stabilité à l’aide du
critère de Nyquist. Les conditions de démarrage peuvent être également exprimées en terme de coefficient de
réflexion par :
T  R  1 Arg(T )  Arg(R )  0[ 2kp]

Il peut être montré que l’équivalence est assurée que pour de fortes valeurs de Z0 (imp. Caractéristique)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 200

L’oscillateur harmonique HF
Re Im
G D
Ci ZAM= (Xi+Xg) GmXi / D + (Xi + Xg)/D
v Gmv
avec D=1+ Gm2Xi2
S
Z(I0) = ZAM RAM = Re(ZAM)<0 si (Xi+Xg) GmXi <0
D
Gm est la pente du transistor à effet de
G champ dont on suppose infinie l’impédance
S Zd
A drain-source.
Xg
ZAM Ci est sa capacité grille-source :
M Xi=1/(jCi)
ZR

Application numérique :
Oscillateur microondes à transistor à effet de si Ci=0.1 pF, Gm=100 mS et Xg réalisée par une
champ à contre réaction série sur la grille. inductance de 50 nH : on obtient entre A et M
Pour assurer une bonne stabilité, l’un des une résistance négative de -186 Ohms à 10 GHz.
éléments du circuit doit être très sélectif.

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 201

30
 1/17/2024

Hybrid low phase noise VCO in GaN @ 10 GHz

Plan d’oscillation

a1 a1’
Résonateur
passif
Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif

[S] [S’]
(transistor en R<0
avec Contre a b (Résonateur
Réaction – ligne passif, ligne
inductive) terminée par C.O)

10 200

5 100
Phase S11 [°]

Analyse
S11 [dB]

0 0
petit-signal
-5 -100 dans le plan
d’oscillation
-10 -200
9 9.5 10 10.5 11 9 9.5 10 10.5 11
Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 202

Hybrid low phase noise VCO in GaN @ 10 GHz

Plan d’oscillation

OUT
a1 a1’
Résonateur
passif R>0
Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif

[S] [S’]
(transistor en R<0
avec Contre a b (Résonateur
Réaction – ligne passif, ligne
inductive) terminée par C.O)

20
Puissance [dBm]

10

0
Analyse
-10 harmonique fort
niveau dans le
-20
plan de sortie
0 10 20 30 40 50 60 70
Fréquence [GHz]

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 203

31
 1/17/2024

Hybrid low phase noise VCO with GaN @ 10 GHz

VGS=-3V et VDS=10V

Puissance de sortie [dBm]

30
20

10
0

-10 9,7 9,8 9,9 10 10,1 10,2

-20

-30
-40
Fréquence [GHz]
19
Mesures à l’Analyseur 10
20

10
10 GHz 20 GHz

POUT [dBm]
de Spectre haute
0
-10 30 GHz

0 -20

POUT – 31dB Attenuator [dBm]

Pout (dBm), après correction atténuateur
résolution
-30
-40

-10 -50
0 40
Frequency [GHz]

-20
Measured Performances Mesure (A.S)
-105dBc/Hz +
-30 @100kHz

Output Power → 20dBm @ 10 GHz -40 + Simulation ramenée

à RBW 2kHz
++

-50 (pnmx ADS)

Phase Noise → -105 dBc/Hz @ 100 kHz -115dBc/Hz + +

@ 100kHz
-60
+ +
Pushing → 600 kHz/V; Pulling → 370 MHz -70 + +
+ +
-80 + + + + + + +
DC to RF efficiency → 23% Center frequency 9.924 GHz Span 1.5 MHz
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 204

MMIC low phase noise VCO : device & topology analysis

 BiCMOS – studies on topologies and noise conversion
 Figure Of Merit

Resonator Amplifier (reflexion)

Cvar
Lr
C1
L1

Load
Cc Lc 50 Ohms

10 GHz R<0 VCO

Optimization of the LF noise conversion & of the resonator Ph. D. thesis W. Wong, 2003
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 205

32
 1/17/2024

VCO à résistance négative (6.5 GHz)

RESISTANCE NEGATIVE VC
VT une
VB R2

La
OCT
L2 C4

V aractor C5 R1

C3 L3

Lb
T out
C2

Accès 50
L1
C1
Lc
OSCILLATEUR

Entré de
entrée delalarésistance négative
résistance négative

Une diode ‘varicap’ ou la jonction BC en inverse d’un TBH servent

d’élément d’accord du résonateur pour ajuster la fréquence en
fonction d’une tension DC appliquée (!!! Découplage DC / RF !!!)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse etRéf.
d’architecture
LAAS-CNRS des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 206

Oscillateur à résistance négative @ 6.5 GHz

B ruit d e pha s e d e l’os c illat eur. F o rm e d es s ignau x s u r la b as e vin et
s ur la s ort ie de l’os c illate ur vo ut.

S pec tre du s ign al d e s ort ie vo ut.

Modèle N.L
jusqu’à
l’ordre 7 à 8

F réq ue nc e d u s ig nal d ’os c illation

et d e s e s harm oni ques .

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 207

33
 1/17/2024

VCO à résistance négative (5.3 - 6.5 GHz)

Bruit de phase de l’oscillateur. Fréquence du signal d’oscillation et de ses harmoniques.

Forme des signaux sur la base v in et sur la sortie de l’oscillateur v out .

Rôle varicap sur

distorsion
harmonique

Spectre du signal de sortie vout

.

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 208

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 209

34
 1/17/2024

MMIC low phase noise VCO : device & topology analysis

 BiCMOS – studies on topologies and noise conversion
 Figure Of Merit

Amplifier (transmission)
C2
C1
L2
L1

Load
50 Ohms

LR LR
Cvar
CR

Resonator

10 GHz parallel VCO

Optimization of the LF noise conversion & of the resonator Ph. D. thesis W. Wong, 2003
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 210

MMIC low phase noise VCO : device & topology analysis

 BiCMOS – studies on topologies and noise conversion
 Figure Of Merit
Vcc

Oscillation axis
L1 L1

OUT2 OUT1
LB

LE1 Cvar LE1

LE2 LE2

IE
20 GHz push-push VCO

Optimization of the LF noise conversion & of the resonator Ph. D. thesis W. Wong, 2003
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 211

35
 1/17/2024

Intégration PLL MMIC

(BiCMOS STmicro et LAAS-CNRS)

Is
fref
fOUT = fref  M
UP
fOUT=fLO
+
PFD
DOWN

- filtre V VCO avec M 

OCT
Ip

 Pas d’accord de fref

M

Channel selection

Le VCO est le seul élément analogique de la PLL, et son bruit de phase impacte fortement celui de la
PLL à une certaine distance de la porteuse.
Caracteristiques :  fréquence de sortie fOUT  temps d’établissement
 Stabilité  bruit de phase
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 212

Bruit de phase des oscillateurs

Identification de la source de bruit majoritaire (essentiellement BF convertie)
Rb Rc
Cbc
B C
Bruit dans les transistors bipolaires
Rbe Vbe 
Cbe Rce
Gm.Vbe Bruit équivalent au niveau
de la tension de commande
Ramené à une source de bruit
Re
SV Extrinsèque SV
(ou intrinsèque selon modèle)
E Calcul à partir des mesures de bruit BF
en sortie de la fluctuation équivalente
Ps de la tension base-émetteur

L(fm)=Pssb/Ps
 k p  Sv 
Pssb
L(f m )  20 log 
 2  fm 
 
f0 fm fréquence
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 213

36
 1/17/2024

Intégration PLL MMIC

(BiCMOS STmicro et LAAS-CNRS)

1 mm
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Ref: Tartarin
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture Tournier
des systèmes LAAS-CNRs
du CNRS Professeur Université de Toulouse III 214

MIXERS
Les caractéristiques requises pour les convertisseurs de fréquence concernent :

-La bande de fréquence d’utilisation (sur laquelle l’entrée RF doit être adaptée, pour laquelle
le mélangeur fonctionne)
 PFi(mW ) 
-Le gain de conversion Gc(dB)  10 * log   PFi(dBm)  PRf (dBm)
 PRf (mW ) 
-La réjection des fréquences parasites (IP2, IP3) et fréquence image,

-L’isolation RF-OL, OL-FI, RF-FI.

-Le facteur de bruit

MIXER
…..
RF FI

OL

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 215

37
 1/17/2024

Conversion de signaux microondes

f0 f0

DC 2f0
3f0

s  A.e  B.e  C .e  ...

2 3

f2
Système f2
f1
non-linéaire ……. f1 …….
2f1-f2 2f2-f1

x RF (t )  VRF . cos( RF t )
xOL (t )  VOL . cos( OL t )

2 2
xOUT  A.( xRF  xOL )  B.( xRF  2.xRF .xOL  xOL )
3 2 2 3
 C.( xRF  3.xRF .xOL  3.xRF .xOL  xOL )  ...

Linéarisation de l’équation (complexes ou fonctions trigonométriques)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 216

Conversion de signaux microondes

A (dBm)

On aboutit au résultat suivant :

(idem chapitre non-linéaire)

F (Ghz)
| OL-RF| | OL+RF|

xOUT .  A VRF  cos(RF t )  A VOL  cos(OLt )

B 2 B 2 B 2
 (VRF  VOL
2
)  VRF  cos(2RF t )  VOL ( 2OLt )
2 2 2
 B VRF VOL  cos(RF  OL )t   B VRF VOL  cos(RF  OL )t 
C 3 C 3
 VRF  cos(3RF t )  VOL  cos(3OLt )
4 4
3C 2 3C 2
 VRF VOL  cos(2RF  OL )t   VRF VOL  cos( 2RF  OL )t 
4 4
3C 3C
 VRF VOL2
 cos(RF  2OL )t   VRF VOL2
 cos(RF  2OL )t 
4 4
3C 3 3C 3
 VRF  cos(RF t )  VOL  cos(OLt )  ...
4 4
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 217

38
 1/17/2024

Mélangeur filière ED02AH (OMMIC) :

structure simple,RFpolarisation ‘froide’
1Vac Mélangeur dit ‘froid’ :
0
0Vdc
- gain de conversion faible, mais PDC faible!
L1 L2
1 2 1 2
10uH 10uH
FI
Q
HEMT

C1 C2
V1
OL 1n 1n
Vgs

0 0 0
0

Simulations ‘équilibrage Polarisation du HEMT

harmonique’ jusqu’à
ordre de non-linéarité
suffisant
(i.e. convergence des perf.
de l’ordre n à n+1)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 218

Mélangeur filière ED02AH (OMMIC) :

structure simple, polarisation ‘froide’
Attention aux retour d’harmoniques
sur voies RF et OL

FI
2.FI

IP3 : Attention aux raies (2fOL-fRF)

qui peuvent se mélanger,
RF et créer une freqparasite proche de FI
OL

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 219

39
 1/17/2024

Mélangeur filière ED02AH (OMMIC):

structure simple, polarisation ‘froide’
Dessin du masque du mélangeur (ADS de Agilent)
RF

HEMT

FI
OL

Projet M2P ICEM (UPS) JG Tartarin

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 220

Mélangeur: autres topologies plus élaborées (équilibrage

des voies OL ou RF)
s1
RF s1

180° 180°
180° 180° RF OL FI
FI Diviseur 0° Combineur
OL 0°
Diviseur 0° 0° Combineur
s2
RF s2

Topologie simple équilibrée OL Topologie simple équilibrée RF

Configuration simplement équilibrée

Caractéristiques
Pour la RF Pour l’OL
Réjection des
harmoniques de signal Tous Pairs
OL
Réjection des
harmoniques de signal Pairs Tous
RF

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 221

40
 1/17/2024

Mélangeur filière ED02AH (OMMIC) :

structure simple équilibrée

OL

T2 T2B

T1 T1B

sans filtrage
sur FI FI RF
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Projet M2Pdes
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture ICEM (UPS)
systèmes JG
du CNRS Tartarin Professeur Université de Toulouse III 222

Mélangeur filière ED02AH (OMMIC) :

structure simple équilibrée
Résultats sur la voie FI (simulations)

Avec PRF=-10dBm, soit Gconv=-8 dB

-18. 4 dBm

-48 dBm FRF FOL

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 223

41
 1/17/2024

Mélangeur : réalisationsBiCMOS
(équilibrage des voies OL ou RF) Vcc

-10
FIdown
Rc Rc
-20 FIup
fup
down
Sortie -FI Sortie +FI
-30

FI (dBm)
Entrée -RF Entrée +RF -40

-50

-60

Entrée OL -70
0 10 20 30 40 50 60 70
Fréquences (GHz)
(1GHz) (21GHz)

Puissanc
e (dBm)
-18,7 -24,8 Réponse spectrale du mélangeur
Gain de
conversio 6,3 0,2
n (dB)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 224

Association Mélangeur – VCO (BiCMOS SiGe)

10
'F'

5
Gain de conversion OL (dB)

0
'D' et 'c'
-5 'E'
'A'
GC-diffOL synthétiseur+melangeur
-10
GC-summOL synthétiseur+melangeur
GC-diffOL oscillateur+melangeur
-15 GC-summOL oscillateur+melangeur

-10 -5 0 5 10 15 20
Puissance d'entrée OL (dBm)

Association mélangeur + VCO

(différentes réalisations en BiCMOS7RF ST microelectronics)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 225

42
 1/17/2024

Mélangeur 20 GHz vers 1 GHz : illustration en MMIC

BiCMOS SiGe
Système optimisé Système optimisé
Caractéristiques en bruit en gain

Fréquence du signal OL 19 GHz

RF FI Fréquence du signal RF 20 GHz
Fréquence du signal FI 1 GHz
Puissance du signal OL -20 dBm -12 dBm
Gain de conversion 25,6 dB 28,8 dB
Facteur de bruit en double
9,1 dB 11,9 dB
bande latérale ("DSB NF")
Point de compression en sortie 3,9 dBm 3,7 dBm
OIP3 15,5 dBm 15,4 dBm
Isolation OL/RF -43 dB -38 dB
Consommation < 530 mW

20 OL 0 50
NF

Gain de conversion (dB)

Coef. de réflexion (dB)
Facteur de bruit (dB)

Entrée RF -5
15
Entrée OL 40
-10
10
-15
30
5
-20

0 -25 20
5 10 15 20 25 30 5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz) Fréquence (GHz)
LAAS-CNRS
Sourcedes
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture : C. Viallon
systèmes LAAS-CNRS
du CNRS 226

Mélangeur : autres topologies plus élaborées

(équilibrage des voies OL et RF)

+FI

180° -OL +OL 0°

OL FI
Diviseur 0° 180° Combineur
+OL -OL
-RF +RF

-FI
180°
RF
Diviseur 0°

Topologie double équilibrée

filières bipolaires et effet de champ, mélangeur de Gilbert double équilibré et variantes….

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 227

43
 1/17/2024

CONCLUSIONS
Dans les approches application  cahier des charges  circuit / système,
la conception des circuits est fortement liée :

-Au niveau d’intégration (taille du circuit die, report de capa, fils de bonding externes, … )

-À la techno utilisée pour obtenir de bonnes performances (faible coût, faible conso, …)

-Au rendement de production désiré

-AU SAVOIR FAIRE DE L’INGÉNIEUR!

Ces paramètres interagissent dans la nébuleuse des produits proposés,

selon les contraintes de premier ordre
performances, robustesse, complexité architecture
performances, robustesse, complexité architecture
Applications civiles, militaires, rendement de prod. (coût)
segment spatial, terrestre Autonomie (conso),
application mobile, fixe, embarquée rendement de prod. & coût
….
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 228

44