Ce document présente un TP sur les hacheurs série et parallèle. Le but est d'utiliser un IGBT pour comprendre leur fonctionnement et étudier leurs caractéristiques et performances. Le matériel utilisé et les manipulations à réaliser sont décrits.
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Ce document présente un TP sur les hacheurs série et parallèle. Le but est d'utiliser un IGBT pour comprendre leur fonctionnement et étudier leurs caractéristiques et performances. Le matériel utilisé et les manipulations à réaliser sont décrits.
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Université de Bordj Bou Arreridj
Faculté des Sciences et de la technologie
Département d’Électronique 4éme année MCIL Année universitaire 2021/2022 Module : Électronique de Puissance
TP N° 4 : Les Hacheurs : Série et Parallèle 1. But de la manipulation Utilisation des caractéristiques du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT). Compréhension du principe de fonctionnement des hacheurs série et parallèle. Etude des caractéristiques et performances des hacheurs série et parallèle.
2. Matériel utilisé Alimentation à courant continu Transistor IGBT Générateur d’impulsion (Circuit de commande) Charge : Résistance R= 33 Ω Inductance L = 10 mH Capacitance C = 550 µF Appareils de mesure (Voltmètre, Ampèremètre) Oscilloscope numérique bi-canal 204 Câbles de connexion
3. Manipulations 3.1. Partie 1 : Hacheur série Le montage de la figure suivante représente le montage d’un hacheur série (Abaisseur, Buck) à base d’IGBT.
Figure 1. Montage hacheur série à base d’IGBT.
1.a. Réaliser le montage de la figure 1 avec les réglages suivants :
Tension d’entrée E = 48 V Rapport cyclique α = 0.5 Fréquence de commutation f = 10 Khz
1 TP N° 4 : Hacheurs : Série et Parallèle 1.b. Alimenter le module de circuit de commande et visualiser le signale de commande. 1.c. Alimenter le montage et observer à l’oscilloscope la tension et le courant de sortie du hacheur et mesurer la valeur moyenne de la tension et du courant. Comparer ces résultats avec les valeurs théoriques. 1.d. Observer à l’oscilloscope la tension et le courant de l’IGBT et de la diode. 1.e. Compléter le tableau suivant et tracer VC , moy = f(α). α 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VC , moy 1.f. Conclure.
3.2. Partie 2 : Hacheur parallèle
Le montage de la figure suivante représente le montage d’un hacheur parallèle (Élévateur, Boost) à base d’IGBT.
Figure 2. Montage hacheur parallèle à base d’IGBT.
2.a. Réaliser le montage de la figure 2 avec les réglages suivants :
Tension d’entrée E = 24 V Rapport cyclique α = 0.5 Fréquence de commutation f = 10 Khz 2.b. Alimenter le montage et observer à l’oscilloscope la tension et le courant de sortie du hacheur et mesurer la valeur moyenne de la tension et du courant. Comparer ces résultats avec les valeurs théoriques. 2.c. Observer à l’oscilloscope la tension et le courant de l’IGBT et de la diode. 2.d. Compléter le tableau suivant et tracer VC , moy = f(α). α 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VC , moy 2.e. Conclure.
