Transistor en Commutation

\section{But de la manipulation}
Le but de cette manipulation est d'Utiliser en interrupteur commandé un transistor en régime de

commutation\\
\section{Principe de la manipulation}
Le principe de cette manipulation est de de piloter la mise en marche et l’arrêt d’une charge, en
utilisant un signal de commande de faible puissance, moyennant un transistor en commutation\\
\section{Etude Théorique}
On dit qu'un transistor fonctionne en commutation, lorsqu'il passe de l'état saturé à l'état bloqué
ou inversement. Dans ce cas, le passage d'un état à l'autre, doit se faire très rapidement, donc transition
très rapide. Dans tous les cas, le transistor ne peut prendre que 2 états (\textit{0 ou 1}), cela s'appelle le
"\textit{binaire}".\\
\subsection{Etat bloqué}
Lorsqu'un transistor est saturé, sa jonction base-émetteur se comporte comme une diode
passante. Dans cette jonction, la répartition des charges est analogue à celle d'un condensateur. Si on
souhaite bloquer le transistor, le temps que les charges se réorganisent (\textit{après saturation}) au
niveau de la jonction base-émetteur, cela va provoquer un courant inverse, dit "\textit{courant inverse
de blocage}". La valeur de ce courant dépend de la rapidité avec laquelle le condensateur de la jonction
base-émetteur va se bloquer.\\
\subsection{Etat saturé}\\
\begin{figure}[H]
\centering
\includegraphics[width=0.5\linewidth]{35.png}
\caption{Etat saturé d'un transistor en commutation}

\label{fig:enter-label}
\end{figure}
Lorsqu'un transistor entre en saturation, son courant collecteur est :\\
$U_{a}=R_{c} \times I_{csat}+U_{cesat}$ \\
D'où $I_{csat}=\frac{U_{a}-U_{cesat}}{R_{c}}$\\
$U_{cesat}$ étant très faible, cette expression devient: $I_{csat}=\frac{U_{a}}{R_{c}}$\\
Pour une valeur $I_{b}=\frac{U_{a}}{\beta×R_{C}}$ de $I_{b}$, le transistor est saturé. Après

cette valeur, on peut augmenter le courant de la base, mais cela ne changera rien à l'état dans lequel se
trouve le transistor
\section{Manipulation}
\maketitle Partie 1: Préparation\\
1- Définition de la droite de charge statique:\\
C’est la caractéristique tension-courant du circuit externe au collecteur. Les points d’intersection

avec les axes étant respectivement ($E$, $E/Rc$). On revient au réseau caractéristique $I_{c}=f(V_{ce})
$.\\
Elle est caractérisée par l'équation:\\
$V_{ce}=E-R_{c}i_{c}$\\
\begin{figure}[H]
\centering
\includegraphics[width=0.5\linewidth]{dcs.png}
\caption{Droite de charge statique}
\end{figure}
2- Expression de la droite de charge statique:\\
\begin{figure}[H]
\centering
\includegraphics[width=0.5\linewidth]{Question 7.PNG}
\caption{Détermination de la droite de charge statique}
\end{figure}
Pour la figure ci-dessus, après application de la loi des mailles et en considérant $R_{C}$ comme
charge, nous obtenons l'équation:\\
$V_{CE}=V_{CC}-R_{C}×I_{C}$\\
3-Représentation graphique de la droite de charge statique\\
\begin{figure}[H]
\centering
\caption{Représentation graphique de la droite de charge statique}
\end{figure}
4- Points de blocage et de saturation:\\
\begin{figure}[H]
\centering
\caption{Points de saturation et de blocage}
\end{figure}
5- Condition pour que le transistor soit:\\
a) Saturé\\
\begin{figure}[H]
\centering
\includegraphics[width=0.5\linewidth]{Question 51.png}
\caption{Transistor saturé}
\end{figure}
Pour que le transistor soit saturé, il faudrait lui injecter un courant: $\beta i_{b}>I_{Csat}$\\
Et on a: $V_{BE}\geq0,6 V$\\
$V_{E}\geq R_{1}\times I_{B}+0,6$\\
b) Bloqué\\
\begin{figure}[H]
\centering
\includegraphics[width=0.5\linewidth]{Question 52.png}
\caption{Transistor bloqué}
\end{figure}
Le transistor est bloqué lorsqu'on a une tension: $V_{BE}<0,6 V$\\
D'après la loi des mailles on a: $V_{E}-R_{1}×I_{B}-V_{D1}=0 $\\
Or: $V_{D1}=V_{BE}$ et $I_{B}=0$, donc: $V_{E}<0,6 V$\\
6- Caractéristiques du transistor:\\
- $V_{BEsat}$\\
* Pour $I_{C}= 150mA$ et $I_{B}= 15mA$, on a $V_{BEsat}= [0.6V-1.2V]$\\
* Pour $I_{C}= 500mA$ et $I_{B}= 50mA$, on a: $V_{BEsat}= 2V$\\
- $V_{CEsat}$\\
* Pour $I_{C}= 150mA$ et $I_{B}= 15mA$, on a: $V_{BEsat}= 300mV$\\
* Pour $I_{C}= 500mA$ et $I_{B}= 50mA$, on a: $V_{BEsat}= 1V$\\
- $h_{FE DC}$\\
* Pour $I_{C}=0.1mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=35$\\
* Pour $I_{C}=1.0mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=50$\\
* Pour $I_{C}=10mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=75$\\
* Pour $I_{C}=10mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=35$\\
* Pour $I_{C}=150mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=[100-300]$\\
* Pour $I_{C}=150mA$ et $V_{CE}=1.0V$, on a: $h_{FE DC}=50$\\
* Pour $I_{C}=500mA$ et $V_{CE}=1.0V$, on a: $h_{FE DC}=40$\\
- $I_{Cmax}$\\
On a: $I_{Cmax}=600mA$\\
- $V_{CEmax}$\\
On a: $V_{CEmax}=40V$\\
7- Valeur de la résistance $R_{1}$:\\
En appliquant la loi des mailles à la maille d'entrée on obtient:\\
$V_{E}-R_{1}×I{_B}-V_{BE}=0 $\\
A la saturation, $V_{BE}\geq0,6V$ et $I_{B}>\frac{I_{C}}{\beta}$\\
D'où: $I_{B}\leq\frac{V_E-0,6}{R_1} =\frac{4,4}{R_1}$ \textit{(1)}\\
En appliquant la loi des mailles à la maille de sortie on obtient:\\
$V_{CC}=V_{CE}+R_{2}×I_{Csat}$\\
A la saturation, la tension $V_{ce}$ est nulle, donc: $I_{Csat}=\frac{V_{CC}}{R_{2}} =12mA$ (\

textit{2})\\
On obtient donc la condition:\\
$R_{1}\leq\frac{4,4×\beta}{I_{C} } $\\
Ainsi, $R_{1}\leq36666,67 ohms$\\
On prendra: \boxed{$R_{1}=36000\Omega$}\\
8- Caractéristiques de la diode électroluminescente:\\
- $I_{F}$\\
On a: $I_{F}= 20mA$\\
- $V_{F}$\\
On a: $V_{F}= [1.8V-2.2V]$\\
9- Valeurs des résistances $R_{1}$ et $R_{4}$:\\

\begin{figure}[H]
\centering
\caption{Détermination des valeurs des résistances}
\end{figure}
- $R_{4}$\\
Le transistor étant saturé, nous avons l'expression: $R_{4}=\frac{V_{CC}}{I_{Csat}} $\\
Ainsi: $R_{4}=\frac{12}{10\times 10^{-3}}= 1200\Omega$\\
Donc:\boxed{$R_{4}=1200\Omega$} \\
- $R_{1}$\\
On a: $I_{B}=\frac{4.4}{R_{1}}$\\
Or: $I_{B}>\frac{I_{C}}{\beta}$\\
On obtient donc: $R_{1}<4400ohms$\\
Donc: \boxed{$R_{1}=43.000\Omega$}\\
10- Caractéristiques de la bobine:\\
Pour une tension d'alimentation $U_{N}=12V$, on a d'après l'annexe: $I_{Bobine}=16mA$ et

$R_{Bobine}=720\Omega$\\
11- Valeur de $R_{1}$ qui assurerait un bon fonctionnement du moteur:\\
\begin{figure}[H]
\centering
\caption{Détermination de la valeur de R1}
\end{figure}
\end{document}

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\section{But de la manipulation}

Le but de cette manipulation est d'Utiliser en interrupteur commandé un transistor en régime de

\caption{Etat saturé d'un transistor en commutation}

Lorsqu'un transistor entre en saturation, son courant collecteur est :\\

$U_{a}=R_{c} \times I_{csat}+U_{cesat}$ \\

$U_{cesat}$ étant très faible, cette expression devient: $I_{csat}=\frac{U_{a}}{R_{c}}$\\

Pour une valeur $I_{b}=\frac{U_{a}}{\beta×R_{C}}$ de $I_{b}$, le transistor est saturé. Après

\maketitle Partie 1: Préparation\\

1- Définition de la droite de charge statique:\\

C’est la caractéristique tension-courant du circuit externe au collecteur. Les points d’intersection

Elle est caractérisée par l'équation:\\

\caption{Droite de charge statique}

2- Expression de la droite de charge statique:\\

\caption{Détermination de la droite de charge statique}

3-Représentation graphique de la droite de charge statique\\

\caption{Représentation graphique de la droite de charge statique}

4- Points de blocage et de saturation:\\

\caption{Points de saturation et de blocage}

5- Condition pour que le transistor soit:\\

$V_{E}\geq R_{1}\times I_{B}+0,6$\\

D'après la loi des mailles on a: $V_{E}-R_{1}×I_{B}-V_{D1}=0 $\\

Or: $V_{D1}=V_{BE}$ et $I_{B}=0$, donc: $V_{E}<0,6 V$\\

* Pour $I_{C}= 150mA$ et $I_{B}= 15mA$, on a $V_{BEsat}= [0.6V-1.2V]$\\

* Pour $I_{C}= 500mA$ et $I_{B}= 50mA$, on a: $V_{BEsat}= 2V$\\

* Pour $I_{C}= 150mA$ et $I_{B}= 15mA$, on a: $V_{BEsat}= 300mV$\\

* Pour $I_{C}= 500mA$ et $I_{B}= 50mA$, on a: $V_{BEsat}= 1V$\\

* Pour $I_{C}=0.1mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=35$\\

* Pour $I_{C}=1.0mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=50$\\

* Pour $I_{C}=10mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=75$\\

* Pour $I_{C}=10mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=35$\\

* Pour $I_{C}=150mA$ et $V_{CE}=10V$, on a: $h_{FE DC}=[100-300]$\\

* Pour $I_{C}=150mA$ et $V_{CE}=1.0V$, on a: $h_{FE DC}=50$\\

* Pour $I_{C}=500mA$ et $V_{CE}=1.0V$, on a: $h_{FE DC}=40$\\

7- Valeur de la résistance $R_{1}$:\\

En appliquant la loi des mailles à la maille d'entrée on obtient:\\

A la saturation, $V_{BE}\geq0,6V$ et $I_{B}>\frac{I_{C}}{\beta}$\\

D'où: $I_{B}\leq\frac{V_E-0,6}{R_1} =\frac{4,4}{R_1}$ \textit{(1)}\\

En appliquant la loi des mailles à la maille de sortie on obtient:\\

A la saturation, la tension $V_{ce}$ est nulle, donc: $I_{Csat}=\frac{V_{CC}}{R_{2}} =12mA$ (\

On obtient donc la condition:\\

Ainsi, $R_{1}\leq36666,67 ohms$\\

8- Caractéristiques de la diode électroluminescente:\\

9- Valeurs des résistances $R_{1}$ et $R_{4}$:\\

\caption{Détermination des valeurs des résistances}

Le transistor étant saturé, nous avons l'expression: $R_{4}=\frac{V_{CC}}{I_{Csat}} $\\

Ainsi: $R_{4}=\frac{12}{10\times 10^{-3}}= 1200\Omega$\\

On obtient donc: $R_{1}<4400ohms$\\

10- Caractéristiques de la bobine:\\

Pour une tension d'alimentation $U_{N}=12V$, on a d'après l'annexe: $I_{Bobine}=16mA$ et

11- Valeur de $R_{1}$ qui assurerait un bon fonctionnement du moteur:\\

\caption{Détermination de la valeur de R1}

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