I. P. M. - 91406 Orsay Cedex A: LU ID

FR9701990
I. P. M. - 91406 ORSAY CEDEX
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LU
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ID
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29 novembre 1995 IPNO-T-95.09
7/îése présentée par
Alexandre MAYOLET
pour obtenir le grade de Docteur en Sciences
de l'Université de Paris XI Orsay
Sujet : ETUDE DES PROCESSUS D'ABSORPTION ET DE

TRANSFERT D'ENERGIE AU SEIN DE MATERIAUX
INORGANIQUES LUMINESCENTS DANS LE
DOMAINE UV ET VUV
ORSAY
N°D'ORDRE : 3964
UNIVERSITE DE PARIS-SUD
U.F.R. SCIENTIFIQUE D'ORSAY
THESE
présentée
pour obtenir
Le GRADE de DOCTEUR EN SCIENCES
DE L'UNIVERSITE DE PARIS XI ORSAY
PAR
Alexandre MAYOLET
SUJET: ETUDE DES PROCESSUS D'ABSORPTION ET DE

TRANSFERT D'ENERGIE AU SEIN DE MATERIAUX
INORGANIQUES LUMINESCENTS DANS LE DOMAINE
UV ET VUV
Soutenue le 29 novembre 1995 devant la Commission d'examen
M.M. M. GENET Président

C. FOUASSIER Rapporteur
C. PEDRINI Rapporteur
J.C. KRUPA
P. MARTIN
D. VIVIEN
A. MOÏ Invité
REMERCIEMENTS
Je remercie Monsieur J.C. Krupa, responsable du groupe de

Radiochimie de l'IPN d'Orsay, de m'avoir accueilli au sein du
Laboratoire durant ces trois années, de m'avoir offert la possibilité
d'effectuer ce travail de thèse dans de bonnes conditions et de m'avoir fait
confiance tout au long de cette étude ainsi que d'avoir su diriger, malgré
les nombreuses autres responsabilités qui lui sont appartis, cette
recherche innovante dans le cadre des objectifs du groupe.
Je remercie Messieurs J. Deschamps, M. Berthe et A. Moï ainsi que

Madame S. Specty de la société Thomson-TTE-TIV pour m'avoir accueilli
au sein de leur équipe, pour avoir porté un intérêt constant à cette étude et
m'avoir fait participé (à mon humble échelle) et découvrir ce qu'était
l'aventure du développement et de la réalisation d'une technologie
nouvelle et pleine d'avenir.
Je souhaite remercier vivement Monsieur C. Fouassier, Directeur de

Recherche à l'Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux, et
Monsieur C. Pédrini, responsable du Laboratoire de Physico-Chimie des
Matériaux Luminescents à Lyon, d'avoir accepter de juger ce travail.
J'exprime ma respectueuse reconnaissance à Monsieur le

Professeur M. Genet qui m'a fait l'honneur d'accepter la présidence du
jury et qui m'a intégré au sein de l'équipe de Spectroscopie du groupe de
Radiochimie.
Je suis très flatté de la présence dans mon jury de thèse de Monsieur

le Professeur D. Vivien du Laboratoire de Chimie Appliquée à l'Etat Solide
de l'ENSCP qui a été mon professeur de Luminescence dans le cadre du
DEA de Chimie Inorganique.
Je tiens à exprimer toute ma gratitude à Monsieur P. Martin du

Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement Electromagnétique à
Orsay pour avoir accepté de faire partie de la commission d'examen. Je
tiens également à le remercier pour m'avoir initier à la rigueur de la
spectroscopie VUV sur la ligne SA61 et de m'avoir si souvent aidé à
résoudre les multiples problèmes que j'ai pu rencontrer au cours des
"RUN".
Je remercie Monsieur E. Simoni, Maître de Conférence, groupe de
Radiochimie, pour l'intérêt qu'il a porté à cette étude et pour les calculs
qu'il a effectué.
Je remercie Messieurs B. Chassigneux, R. Margaria et J.F. Clavelin

pour leurs apports techniques compétents et leur participation importante
à la réalisation du dispositif expérimental.
Je remercie chaleureusement Monsieur B. Chassigneux, Assistant

Ingénieur au groupe de Radiochimie, qui n'a jamais compté son temps
pendant les longues (parfois même, très longues) expériences sur la ligne
et qui a toujours su me donner "le coup de main" quand il le fallait pour
m'aider.
Je tiens à remercier vivement Madame W. Zhang,

Assistant-Professeur au département de Physiques de l'USTC d'Hefei,
ainsi que Mademoiselle M. Queffelec et Monsieur J. Souabni, étudiants,
d'avoir si activement participé, souvent avec abnégation, aux expériences
et à l'élaboration des matériaux.
Je remercie Messieurs A. Belsky et A. Vasil'ev du département de

Physiques de l'Université de Moscou ainsi que Monsieur D. Bouttet du
LPCML de Lyon pour les enrichissantes discussions que j'ai eues le
plaisir d'avoir avec eux.
Je remercie tous les membres du groupe de Radiochimie et tous les

étudiants pour l'ambiance agréable de travail.
Enfin, je tiens à remercier mes amis, Benoit et Nicolas, pour leurs

encouragements, leur aide précieuse apporter à l'élaboration de ce
manuscrit et pour les "Ka'Ouettes toujours prêtes".
SOMMAIRE
INTRODUCTION 1
I. ECRANS PLATS A PLASMA 6
A. Fonctionnement. Principe de base 6
1. Physique de la décharge dans les gaz 6

1.1. Réactions au sein du volume de gaz 7
1.2. Réactions à la surface de la cathode 7
2. Caractéristique courant-tension du système 8

2.1. Loi de Paschen 10
2.2. Dispositifs limitateurs de courant 10
B. Principe de fonctionnement des PAP-ac de type XY 10
1. Choix de TTE 10
2. Panneau à plasma monochrome 12
3. Panneau à plasma couleur 15

3.1. Emission du plasma 15
3.2. Spécification des luminophores 15
3.2.1. Colorimétrie 15
3.2.2. Photométrie 18
3.2.3. Granulométrie 20
3.2.4. Déclin de l'émission. Temps de rémanence 20
3.2.5. Stabilité sous irradiation 20
3.3. Procédé technologique de réalisation du panneau 21
C. Axes de développement des écrans à plasma TTE 21
1. Situation des PAP par rapport aux autres technologies de visualisation 21
2. Enjeu économique 23
Références bibliographiques du chapitre I 28

IL TECHNIQUES EXPERIMENTALES 29
A. Dispositifs expérimentaux 29
1. SUPER-ACO. Le rayonnement synchrotron 29

2. Ligne de lumière SA 61 31
3. Enceinte d'irradiation et ses systèmes périphériques 34
3.1. Spectres d'excitation de la luminescence et de réflectivité diffuse 36
3.2. Spectre d'émission 37
3.3. Mesure du déclin de l'émission 37
B. Méthodologie de la mesure du rendement quantique et de la réflectance diffuse 39
1, Définitions 39
2. Méthodologie de la mesure 41
2.1. Efficacité de détection des photocathodes 41
2.2. Variation du flux de photons incidents 42
2.3. Caractérisation des spectres 42
2.4. Détermination de la valeur absolue du rendement quantique externe et de
la réflectance 44
Références bibliographiques du chapitre II 47
m . RAPPELS THEORIQUES 48
A. Processus d'absorption de l'énergie incidente 48

1. Section efficace d'absorption. Règles de sélection 48
2. Processus liés au centre luminescent isolé (Ln^+) 50

3. Processus liés au centre luminescent en interaction avec son environnement 51
3.1. Transitions interconfigurationnelles 4fn —> 4f "-1 5d 54
3.2. Etat de transfert de charge : l'ion Ln3+ est un accepteur d'électron 56
3+
3.3. Etat d'auto-ionisation : l'ion Ln est un donneur d'électron 57
4. Processus d'absorption des photons mettant en jeu le réseau hôte 58

+
4.1. Création de paires [ e' - h ] liés 59
4.2. Création de paires [ e" - h + ] libres 61
4.3. Rôle de la surface du solide 61
4.4. Processus d'excitation secondaire. Multiplication des excitations 61
B. Processus de relaxation de l'état excité 64

1. Relaxation de l'état excité du centre luminescent : probabilités de transition
radiative et non radiative 65
2. le réseau hôte sensibilisateur de la luminescence de l'ion dopant 70
Références bibliographiques du chapitre III 73
IV. SYNTHESES ET STRUCTURES CRISTALLOGRAPHIQUES 75
A. Synthèses 75
1. Réactifs utilisés pour les synthèses 75
2. Synthèse des borates et des phosphates de terres rares 76

2.1. Dissolution 76
2.2. Complexation par les ions borate ou phosphate 77
2.3. Evaporation 77
2.4. Traitements thermiques 77
2.5. Lavage 78
3. Synthèse des grenats d'aluminium ou de gallium de terre rare 78
4. Caractérisation de la phase cristalline 78
B. Structures cristallographiques 79
1. Borates de terres rares 79
1.1. Orthoborates de terres rares 79
1.1.1. YBO 3 et GdBO3 79
1.1.2. LaBO 3 79
1.2. Métaborates de terres rares : La(BO2)3 et Gd(BO2)3 79
2. Phosphates de terres rares 80

2.1. Orthophosphates de terres rares 80
2.1.1. YPO4 80
2.1.2. LaPO, 80
2.2. Métaphosphates de terres rares 80
2.2.1. Y(PO 3 ) 3 83
2.2.2. La(PO 3 ) 3 83
3. Grenat d'aluminium ou de gallium et de terres rares 83
Références bibliographiques du chapitre IV 88
V. ANALYSE DES RESULTATS 90
A. Spectre de réflectivité diffuse 90

1. Differentiation de l'absorption intrinsèque du réseau hôte de celle du dopant 90
2. Variation de l'énergie du minimum de réflexion en fonction de la nature du

réseau hôte 91
B. Spectre d'excitation de la luminescence du centre activateur 98

1. Absorption de l'énergie directement par le centre luminescent 98
1.1. Transitions intraconfigurationnelles 4fn 98
1.2. Transitions interconfigurationnelles 98
1.2.1. Etat de transfert de charge de l'ion Eu 3+ 98
1.2.2. Configuration 4fn-*5d 103
1.2.2.1. Cas des ions Tb 3+ et Pr3+ 104
1.2.2.2. Cas de l'ion Ce 3+ 104
1.2.2.3. Variation de l'énergie des transitions interconfi-
gurationnelles 118
1.2.2.3.1. Effet néphélauxétique 118
1.2.2.3.2. Intensité de champ cristallin 124
2. Sensibilisation de la luminescence de l'ion dopant par le réseau hôte 127
C. Spectre d'émission 130
1. Transitions intraconfigurationnelles des ions Eu 3+ et Tb 3+ 130
2. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Ce 3+ 130
3. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Pr3+ 133
Références bibliographiques du chapitre V 137

VI. VARIATION DU RENDEMENT QUANTIQUE D'EMISSION DU
CENTRE LUMINESCENT 139
A. Absorption de l'énergie par le centre 139
1. Décalage de Stokes 139
2. Pertes non radiatives au sein du centre luminescent 141
2.1. Effet de la concentration en ions gallium sur le rendement quantique

externe des matériaux YtAOGrTb 3 * 141
2.1.1. Modèle des courbes de coordonnées de configuration du centre
luminescent 144
2.1.1.1. Mode de calcul 144
2.1.1.2. Résultats 147
2.1.2. Intervention de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent 149
2.1.3. Energie de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent 153
2.1.4. Couplage vibronique de l'état d'auto-ionisation 157
2.1.5. Détection de l'absorption de l'état d'auto-ionisation 159
B. Absorption de l'énergie par le réseau hôte 163
1. Le rôle intermédiaire de l'ion Gd^+ 163

2. Etat d'auto-ionisation et rendement quantique associé à l'absorption du réseau
hôte 165
Références bibliographiques du chapitre VI 166
VIL ETUDE DES LUMINOPHORES D'EMISSION VERTE 168
A. Caractéristiques photométriques 169

1. Choix du réseau hôte 169
2. Les centres luminescents 170

2.1. Réseaux hôtes dopés avec des ions Tb 3 + 170
2.2. Réseaux hôtes dopés avec des ions Mn 2+ 174
B. Temps de déclin et colorimétrie de l'émission 182
Références bibliographiques du chapitre VTI 184
CONCLUSION 185
LISTE DES FIGURES
page
CHAPITRE I
Figure 1.1. Réactions lors d'une décharge dans les gaz 9
Figure 1.2. Caractéristique courant-tension d'une décharge dans un gaz 9
Figure 1.3. Courbes de Paschen : tension d'amorçage en fonction du produit :

pression x distance interélectrode 11
Figure 1.4. Deux techniques de limitation du courant de décharge :
(a) limitation par résistance
(b) limitation par condensateur 11
Figure 1.5. Structure d'un panneau à plasma à courant alternatif 13
Figure 1.6. Caractéristique courant-tension d'un panneau à plasma de type

alternatif 13
Figure 1.7.
Niveau d'énergie du néon : principales configurations 14
Figure 1.8.
Spectre d'émission du néon 14
Figure 1.9.
Niveaux d'énergie du xénon : principales configurations 16
Figure 1.10.
Spectre d'émission VUV du plasma Ne-Xe (10%) 16
Figure 1.11.
Structure d'un panneau à plasma couleur de type alternatif 17
Figure 1.12.
Triangle trichromatique formé par les luminophores utilisés
Figure 1.13. actuellement dans les PAP couleurs 19
Figure 1.14. Description de la structure d'un PAP couleur 22
Occupation future du marché (%) par les différentes technologies en

Figure 1.15.
fonction de la dimension des écrans (d'après NHK) 25
Figure 1.16.
Développement des panneaux à plasma couleur à TTE 25
Photographies d'un prototype TV PAP couleur (22") et comparaison
avec un téléviseur couleur TRC classique (23") 27
CHAPITRE
Figure II.l. Structure de l'anneau de stockage SUPER-ACO du LURE (Orsay) 32

Figure II.2. Schéma optique de la ligne de lumière SA 61 33
Figure II.3. Dispositif expérimental permettant de relever simultanément le spectre
d'excitation de la luminescence et le spectre de réflectivité diffuse du
matériau 35
Figure II.4. Dispositif expérimental permettant de relever le spectre d'émission du

matériau 38
Figure II.5. Dispositif expérimental permettant de mesurer l'intensité de
fluorescence résolue dans le temps 40
CHAPITRE m
Figure III.1. Niveaux d'énergie des ions Ln 3+ 52
Figure III.2. Etendue en énergie de la configuration 4fn (2 < n < 7) des ions Ln 3+ 53
Figure III.3. Etendue en énergie de la configuration fondamentale 4f° et de la

configuration excitée 4fn~l 5d des ions Ln 3+ 55
Figure III.4. Position des niveaux d'énergie du dopant dans le schéma des bandes
d'un cristal 60
Figure III.5. Représentation des états excitoniques dans le modèle des courbes de
coordonnées de configuration 60
Figure III.6. Transition électronique conjuguée possible à l'issue de l'absorption
d'un photon incident d'énergie E g + E o 63
Figure III.7. Création d'excitation secondaire par effet Auger :

- électron chaud (Ev < Eg)
- trou profond (Ec - E v > E ) 63
Figure III.8. Mécanisme de relaxation de l'état excité du centre luminescent dans le

modèle des courbes de coordonnées de configuration 68
Figure III.9. Variation du rendement quantique (q) avec la température et en fonction :
(a) de l'énergie E (cm'1) de la transition à zéro phonon

(b) de l'énergie du phonon ftcù (cm"1)
(c) du décalage de Franck-Condon Ar associé à l'état excité radiant 69
Figure III.10. Séquence de la sensibilisation de la luminescence de l'ion Ln 3 +

lorsque celui-ci est un accepteur de trou (donneur d'électron) 72
CHAPITRE IV
Figure IV.1. Structure "YBO3". Représentation de la maille par projection selon

l'axez 81
Figure IV.2. Structure "Aragonite" LaBÛ3. Sept groupements borates BO 3 de

géométrie plane entourent le cation La 3+ selon une coordinence 9 81
Figure IV.3. Représentation des chaînes infinies (B3Û6)a dans la structure des
métaborates de lanthanides 82
Figure IV.4. Vue ortèpe des polyèdres de coordination dans la maille tétragonale
LnPO4 82
Figure IV.5. Représentation stéréoscopique de l'atome de lanthane nonacoordiné
dans la structure L11PO4 monoclinique (P2i/n) 82
Figure IV.6. Projection de la structure de YbP3Oç dans le plan ab représentant
l'arrangement des tétraèdres PO4 et des octaèdres YbOé (octaèdres
légèrement déformés) 84
Figure IV.7. Projection de la structure de YbP3Û9 dans le plan bc représentant

l'arrangement des tétraèdres PO4 et des chaînes hélicoïdales orientées
selon l'axe c 84
Figure IV.8. Projection de la structure de NdP3Û9 dans le plan ac représentant

l'arrangement des tétraèdres PO4 85
Figure IV.9. Projection de la structure de NdP3C>9 dans le plan ab représentant

l'environnement des atomes de néodyme 85
Figure IV.10. Projection de la structure de NdP3Oç dans le plan bc représentant

l'arrangement des dodécaèdres NdOg (chaînes en zigzag parallèles à
l'axe c) 86
CHAPITRE V
Figure V.l. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des orthoborates de terres rares
non dopés 93
Figure V.2. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des métaborates de terres rares
non dopés 94
Figure V.3. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des orthophosphates de terres
rares non dopés 95
Figure V.4. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des métaphosphates de terres
rares non dopés 96
Figure V.5. Spectre de réflectivité diffuse, à 300K, du YAG non dopé 97
Figure V.6. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Qext)>
de la luminescence de l'ion Eu 3+ , à 300K, dans les orthoborates de
terres rares 99
Figure V.7. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Qext)>

de la luminescence de l'ion Eu 3+ , à 300K, dans les métaborates de
terres rares 100
Figure V.8. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Qexi)>
de la luminescence de l'ion Eu 3+ , à 300K, dans les orthophosphates de
terres rares 101
Figure V.9. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Eu 3+ , à 300K, dans

les métaphosphates de terres rares 102
Figure V.10. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Tb 3+ , à 10K, dans les

orthoborates de terres rares 105
Figure V . l l . Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique (QeXt), de la
luminescence de l'ion Tb 3 + , à 300K, pour deux concentrations : 2%
(trait plein) et 20% (pointillés) dans les orthoborates de terres rares 106

métaborates de terres rares 107
Figure V.13. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Q ext ),
de la luminescence de l'ion Tb 3 + , à 300K, dans les métaborates de
terres rares 108

orthophosphates de terres rares 109
de la luminescence de l'ion Tb 3+ , à 300K, dans les orthophosphates de
terres rares 110

métaphosphates de terres rares 111
de la luminescence de l'ion Tb 3+ , à 300K, dans les métaphosphates de
terres rares 112

grenats Y(AG)G 113
de la luminescence de l'ion Tb 3+ , à 300K, dans les grenats Y(AG)G 114
Figure V.20. Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres
d'émission (pointillés) de l'ion Pr 3+ , à 300K, dans les orthophosphates
de terres rares 116
Figure V.2L Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres
d'émission (pointillés) de l'ion Pr 3+ , à 300K, dans les métaphosphates
de terres rares 117
Figure V.22. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce 3+ , à 10K et 300K,

dans les réseaux hôtes YBO 3 et GdBO3 119

dans l'orthoborate de lanthane 120

dans les réseaux hôtes La(BO2)3 et Gd(BO2)3 121
Figure V.25. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce 3+ , à 10K, dans les

Figure V.26. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce 3+ , à 10K, dans les

métaphosphates de terres rares 123
Figure V.27. Variation de l'énergie des différentes bandes d'excitation en fonction de
la concentration en ions Ga 3+ dans le réseau hôte grenat Y(AG)G:Tb3+ 126

d'émission (pointillés) de l'ion Ce 3 + , à 300K, dans les

d'émission (pointillés) de l'ion Ce 3+ , à 300K, dans les métaphosphates
de terres rares 132
Figure V.30. Spectres d'émission de l'ortho- et du métaborate de gadolinium dopés

par des ions Pr 3+ 136
CHAPITRE VI
Figure VI.1. Variation du rendement quantique externe d'émission de l'ion Tb 3 +

associé aux divers bandes d'excitation en fonction de la concentration
en ions Ga 3+ dans le réseau Y(AG)G:Tb3+ (6%) 142
Figure VI.2. Spectres d'excitation (pointillés) et de réflectivité diffuse (trait plein), à

300K, des matériaux Y(AG)G:Tb3+ 143
Figure VI.3. Illustration de la théorie dépendante du temps de la spectroscopie

électronique (a). Le recouvrement en fonction du temps (b) et le spectre
obtenu (c) sont présentés 146
Figure VI.4. Shéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Ce 3+ dans

les grenats YAGetYGG 151
Figure VI.5. Shéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Tb 3+ dans

les grenats YAGetYGG 152
Figure VI.6. Illustration dans le modèle des bandes de la position relative des deux
premiers états 5d de l'ion Ce 3+ relativement à la bande de conduction
duYAGetduYGG 154
Figure VI.7. Illustration dans le modèle des bandes de la position relative des trois
premiers états 4f75d de l'ion Tb 3 + relativement à la bande de
conduction du YAG et du YGG 154
Figure VI.8. Illustration dans le modèle des courbes de coordonnées de

configuration de la position relative de l'état d'auto-ionisation
(Ln 4+ + e" (lié)) par rapport aux états fondamental (Ln 3+ ), exités et
radiant ((Ln3+)*) 156
Figure VI.9. Illustration dans le modèle des bandes de la position relative de l'état
d'auto-ionisation Ln 4+ + e" (lié) par rapport à l'état fondamental (Ln3+),
dans le cas d'une intensité du champ cristallin forte (a) et faible (b) 156
Figure VI. 10. Spectre d'excitation, calibré en rendement quantique externe (QextX de
la luminescence de l'ion Tb 3+ dans le réseau hôte YAP 158
Figure VI. 11. Spectre d'excitation, calibré en rendement quantique externe (QextX de
la luminescence de l'ion Tb 3+ dans le réseau hôte LaGaC>3 158
Figure VI.12. Shéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Ce 3+ dans

LaPO4 162
Figure VI. 13. Variation du rapport d'intensité entre les bandes d'excitation associées à
l'absorption du réseau et du centre luminescent en fonction de la
concentration en ions Gd3+ 164
CHAPITRE VII
Figure VII.l. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb3"1" dans Y2SiO5 171
Figure VII.2. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb 3+ dans (La,Ce)PO4 171
Figure VII.3. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion T b 3 + dans

(Ce,Tb)MgAl n O 19 172
Figure VII.4. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion T b 3 + dans
(Ce,Gd)MgBgO10 172
Figure VII.5. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ (trait plein) et

spectres de réflectivité diffuse (pointillés) du réseau hôte Zn 2 Si0 4 dopé
et non dopé 176
Figure VII.6. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ dans le réseau

Zn 2 Si0 4 pour deux concentrations en centres luminescents : 4% (trait
plein) et 9% (pointillés) 178
Figure VII.7. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ dans le réseau
ZnAl2O4 178
Figure VII.8. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2 + ::

BaMg 2 Al 1 6 0 2 7 : Mn2+(trait plein) et BaMg 2 Al 16 O 27 : Eu 2+ , Mn 2+
(pointillés) 179
Figure VII.9. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ dans le réseau

BaAl 12 O 19 179
Figure VlI.lO.Spectres d'émission de plusieurs matériaux dopés par des ions Mn 2+

(Excitation = 30eV) 181
LISTE DES TABLEAUX
CHAPITRE I
Tableau 1.1. Spécification des luminophores utilisés par Thomson 18
Tableau 1.2. Principaux prototypes couleur 24
Tableau 1.3. Cahier des charges d'un écran plat mural de 50 pouces 26
CHAPITRE n
Tableau II.l. Caractéristiques spectrales des réseaux holographiques constituant le

monochromateurVUVdelaligneSA61 34
Tableau II.2. Rendements quantiques externes absolus à 254 nm obtenus pour les
références émettant dans le bleu, le vert et le rouge 45
Tableau II.3. Rendements quantiques externes et réflectances des luminophores
Philips utilisés comme références (excitation à 254 nm) 45
CHAPITRE IV
Tableau IV. 1. Données cristallographiques concernant les borates, les phosphates et

les grenats de terres rares considérés lors des synthèses 87
CHAPITRE V
Tableau V.l. Energie du minimum de réflectivité diffuse des matériaux non dopés 91
Tableau V.2. Energie de l'état de transfert de charge de l'ion Eu 3+ 103
Tableau V.3. Energies, à 10K, des mécanismes d'absorption des matériaux dopés
avec les ions Ce 3+ au sein desquels ces derniers n'occupent qu'un seul
site cristallographique 115
Tableau V.4. Energies des transitions 4fn —» 4f "-1 5d et 4fn —» 4fn-] 6s pour les
ions Ce 3+ , Pr 3+ et Tb 3+ à l'état gazeux 118
Tableau V.5. Energie du barycentre des niveaux 5d et étendue en énergie de la
configuration 5d de l'ion Ce 3+ 124
Tableau V.6. Energie (eV) de la composante 4f "-1 5d du champ cristallin de plus

basse énergie (permise de spin) 127
Tableau V.7. Energies du minimum de réflectivité (EjviinRef) e t du maximum
d'excitation (EExcitation) de la luminescence de l'ion Tb 3 + dans les
phosphates de terres rares 128
Tableau V.8. Energies des transitions radiatives de l'ion Ce 3+ et écart d'énergie entre
les bandes d'émission 133
Tableau V.9. Ecarts d'énergie entre les états de la configuration 4f2 et indexation des
transitions radiatives de l'ion Pr 3+ dans les réseaux hôtes YPO4 et
La(PO3)3 134
Tableau V.10. Déclin de l'émission d'énergie 4,77eV de l'ion Pr 3+ 134
CHAPITRE VI
Tableau VI.l. Décalages de Stokes (103 cm"1) des matériaux dopés avec les ions Ce 3+
etPr 3 + 139
Tableau VI.2. Paramètres des deux premières bandes d'absorption de l'ion Ce 3 +
introduit dans le réseau YAG 147
Tableau VI.3. Paramètres associés aux bandes d'absorption El et E3 de l'ion Tb 3 +

introduit dans les réseaux Y(AG)G 148
Tableau VI.4. Jeu de paramètres de la première bande d'absorption de l'ion Ce 3 +

introduit dan s le réseau LaPO4 160
CHAPITRE
Tableau VII.l. Rendement quantique externe mesuré à 7,3eV pour des luminophores
dopés avec des ions Tb 3+ 174
Tableau VII.2. Caractéristiques spectrales de matériaux commerciaux dopés avec des
ionsMn 2+ 180
Tableau VII.3. Temps de déclin et coordonnées du point-couleur de l'émission de

matériaux luminescents dopés avec des ions Tb 3+ ou Mn 2+ 182
Les systèmes d'éclairage fluorescents et les écrans de visualisation couleur occupent
une place de plus en plus importante dans notre environnement quotidien. Trois matériaux
polycristallins luminescents, ou luminophores, émettant dans l'une des trois couleurs
primaires (bleue, verte ou rouge) sont les éléments générateurs de la couleur dans ces
systèmes. Grâce à la combinaison de ces trois couleurs primaires, il est possible de
reproduire, soit le spectre de la lumière du jour dans un tube fluorescent, soit l'ensemble
des teintes des couleurs naturelles par un écran. Pour engendrer la luminescence des
composés inorganiques luminophores, plusieurs types d'excitation sont habituellement
mis en oeuvre. L'excitation peut être d'origine électronique, comme c'est le cas dans les
récepteurs de télévision traditionnels constitués d'un tube à rayons cathodiques (TRC), ou
d'origine électromagnétique, comme l'émission UV générée par l'ionisation du mercure
dans les lampes. A chacun de ces modes d'excitation correspond des matériaux
luminophores spécialement adaptés.
Dans le domaine de l'imagerie, plusieurs familles d'écrans de visualisation, basées

sur des principes de fonctionnement différents, sont en cours de développement. Le
dénominateur commun de ces recherches est l'amélioration de la qualité de l'image
notamment, sa définition déterminée par le nombre de pixels qui la composent, le rendu
des couleurs et la luminosité de l'écran.
La société Thomson-TTE-TIV développe une nouvelle génération d'écrans appelés

les "Panneaux à Plasma couleur, ou PAP couleur", qui offrent la possibilité d'obtenir des
écrans de visualisation de grande diagonale (1,2m), possédant un faible encombrement et
une haute définition de l'image. Le principe de fonctionnement de ce type d'écran est le
suivant : une décharge électrique dans un gaz crée un plasma au sein duquel la
recombinaison des ions et des électrons qui le composent, s'accompagne d'une émission
de photons dans le domaine de longueur d'onde de l'ultraviolet du vide (VUV). Ce
rayonnement VUV excite le luminophore et induit une émission lumineuse dans le
domaine visible.
Pour une application télévisuelle des PAP couleur, les matériaux luminescents
doivent posséder des caractéristiques photométriques, colorimé trique s et de dynamiques
de fluorescence adaptées à cette technologie. Ainsi, ils doivent présenter un rendement
quantique d'émission élevé, une émission visible saturée et un temps de déclin de la
luminescence, à 10% de l'intensité initiale, inférieur à 10ms sur tout le domaine d'énergie
d'émission du plasma. Jusqu'à présent, aucun composé présentant une émission verte ne
répond parfaitement à l'ensemble de ces trois critères.
Dans le cas général, un luminophore est constitué d'un réseau hôte au sein duquel
un ion luminogène, ou centre activateur de la luminescence, est introduit par dopage. Cet
ion peut appartenir à la série des éléments de transition, ou à la série des lanthanides. Sur
un domaine d'énergie incidente compris entre 3eV et 30eV (VUV), l'interaction photon-
matière se traduit dans ces matériaux par l'apparition de plusieurs processus d'absorption
qui sont liés à la nature différente des centres absorbants. Dans tous les cas, l'absorption
du photon incident doit induire une luminescence importante de l'ion dopant. La recherche
d'un nouveau matériau luminescent implique donc de bien comprendre l'action des
différents facteurs qui régissent les rendements quantiques des luminophores. C'est la
raison pour laquelle nos travaux portent sur l'étude des processus d'absorption dans le
domaine UV et VUV et de transfert d'énergie au sein de matériaux luminescents et plus
particulièrement, au sein des matériaux inorganiques dopés avec des ions lanthanides
trivalents.
Le but poursuivi au cours de ce travail, repose sur la recherche d'un matériau

luminescent, qui sous excitation électromagnétique dans le domaine d'énergie 6eV-12eV,
présentera une émission verte à laquelle sont associés un rendement quantique proche de
l'unité et un temps de déclin de l'émission inférieur à 10ms.
Nous avons choisi l'ion Tb 3+ (41*) comme centre émetteur car il présente dans de
nombreuses matrices d'accueil d'une part, une émission intense au voisinage de 540nm,
et d'autre part un temps de déclin inférieur aux 10ms souhaitées [1]. Cependant, le
rendement quantique d'émission de l'ion Tb 3 + peut varier de manière importante d'un
réseau hôte à l'autre. Nous avons alors aussi choisi d'étudier des matériaux inorganiques
différents de part leur nature chimique et leur stucture cristallographique afin de dégager
des lois très générales régissant les rendements quantiques d'émission du centre
luminescent. Ces différentes matrices ont été dopées avec divers ions lanthanides
trivalents : Ce 3+ , Pr 3+ , Eu 3+ et Tb 3+ . Les ions Ce 3 + (4f!) et Pr 3+ (4f2) ainsi que l'ion
Tb 3 + (4Î8) de part leurs premières transitions 4fn-I5d apparaissant à faible énergie sont
considérés comme des centres donneurs d'électron au réseau hôte [2, 3, 4], alors que
l'ion Eu 3+ de part son affinité électronique peut être considéré comme un centre accepteur
d'électron du réseau hôte [4,5].
Par ailleurs, un éclairage particulier a été porté sur la comparaison des processus
d'excitation de la luminescence des ions Ce 3+ (4f*) et Tb 3+ (4^) dont le comportement
semble voisin de part leur position respective dans la série des lanthanides : au début (4fl)
et après la demie couche 4f7 (4f 7 + 1 ).
Parmi les différentes matrices, les orthophosphates ainsi que les orthoborates de
terres rares dopés avec des ions lanthanides sont connus pour offrir sur le domaine
d'excitation du VUV des rendements quantiques élevés [6,7]. Nous avons choisi de
comparer les réponses de ces matériaux avec celles des métaphosphates et des métaborates
de terres rares qui sont aussi connus pour être des matériaux photoluminescents efficaces
[8,9] mais dont les rendements, à notre connaissance, n'ont pas été mesurés dans le
VUV. C'est ainsi que les spectres d'excitation de la luminescence des ions Ce 3+ , Pr 3+ ,
Eu 3+ et Tb 3 + introduits dans les ortho- et métaphosphates de terres rares, respectivement
de formule TRPO4 et TR(P03b (TR 3+ = Y 3 + , La 3 + , Gd 3 + ) et dans les ortho- et
métaborates de terres rares, respectivement de formule TRBO3 et TR(BC>2)3 (TR 3+ =
Y 3 + , La 3+ , Gd 3+ ), ont été mesurés.
Afin de pouvoir effectuer ces mesures dans de bonnes conditions, il était nécessaire
de posséder un spectrophotomètre maintenu sous ultra-vide et équipé d'une source de
photons de longueur d'onde variable couvrant le domaine du VUV. Nous avons utilisé
pour cela l'outil à fort potentiel pour l'investigation de la matière qu'est le rayonnement
synchrotron. Ce rayonnement électromagnétique est issu de l'anneau de stockage de
positons SUPER-ACO du Laboratoire pour l'Utilisation du Rayonnement
Electromagnétique (LURE). H est émis dans un large domaine spectral continu s'étendant
de l'infra-rouge aux rayons X mous lorsque la trajectoire de la particule chargée est
courbée par un champ magnétique. Pour ce qui concerne notre étude, nous avons limité le
domaine d'excitation des luminophores entre 3eV et 30eV et plus généralement entre 3eV
et 12eV.
L'enregistrement simultané des spectres d'excitation de la luminescence de l'ion

dopant, ainsi que celui du spectre de réflectivité diffuse des matériaux dopés et non dopés,
nous a permis de distinguer l'absorption des photons incidents par le centre luminescent
de celle associée au réseau hôte.
Ce travail s'inscrit dans le cadre d'une convention CIFRE établie entre la société
Thomson-TTE-TIV, située à Moirans dans l'Isère, et l'Institut de Physique Nucléaire
d'Orsay.
Il est constitué d'une partie appliquée sous tendue par des développements à
caractères fondamentaux qui doivent permettre la compréhension des mécanismes de la
luminescence des matériaux photoluminescents émettant dans le vert et utilisables dans les
PAP couleur.
A ce titre, nous présenterons, dans un premier chapitre, le principe et le
fonctionnement des Panneaux à Plasma couleur développés par la société Thomson-TTE-
TIV.
Nous présenterons ensuite la technique expérimentale de photoluminescence mise
au point à l'IPN qui utilise le rayonnement synchrotron comme source excitatrice des
luminophores étudiés, ainsi que la méthodologie de la mesure qui nous permet de
déterminer leur rendement quantique sur l'ensemble du domaine d'énergie étudié.
Le troisième chapitre sera consacré aux rappels théoriques des processus
d'absorption et de transfert d'énergie qui induisent la luminescence de l'ion dopant
lanthanide.
Dans un quatrième chapitre, nous présenterons les modes de synthèse chimique
utilisés ainsi que les structures cristallographiques des matériaux synthétisés, à savoir, les
ortho-et métaborates de terres rares, les ortho- et métaphosphates de terres rares et certains
grenats d'alumino-gallates d'yttrium.
Le cinquième chapitre sera consacré à l'analyse des spectres d'excitation de la
luminescence et de réflectivité diffuse de ces composés. Nous discuterons également la
variation de l'énergie des seuils des divers mécanismes d'excitation de la luminescence
associés, soit au centre luminescent, soit au réseau hôte.
Dans le chapitre suivant, nous discuterons la variation du rendement quantique de
luminescence du centre activateur en fonction de la nature chimique de la matrice
d'accueil.
Enfin, dans le dernier chapitre, nous présenterons notre sélection de luminophores,
dopés soit avec des ions Tb^+ soit avec des ions Mn 2+ , qui sont susceptibles d'être
retenus pour une application dans les PAP couleur comme éléments générateurs de la
couleur verte.
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
[1] G. Blasse, A. Bril, Philips Res. Repts. 22 (1967) 481.
[2] G. Blasse, A. Bril, J. Chem. Phys. 47(12) (1967) 5139.
[3] W. Rossner, H. Bodinger, J. Leppert, B.C. Grabmaier, IEEE Trans. Nucl. Sci.
40(4) (1993) 376.
[4] D J . Robbins, B. Cockayne, B. Lent, J.L. Glasper, J. Electrochem. Soc. 26(9)

(1979) 1556.
[5] G. Blasse, J. Chem. Phys. 45(7) (1966) 2356.
[6] A.W. Veenis, A. Bril, Philips J. Res. 33 (1978) 124.
[7] J.K.Berkowitz, LA. Olsen, J. Lum. 50 (1991) 111.
[8] H.S. Killian, F.P. van Herwijnen, G. Blasse, J. Solid State Chem. 74 (1988) 39.
[9] H. Ziran, G. Blasse, Mat. Chem. Phys. 12 (1985) 257.

u
n
On désigne par le terme "écran à plasma" (ou écran à décharge dans les gaz),
l'ensemble des dispositifs de visualisation qui utilisent l'émission de rayonnement
électromagnétique dans le domaine de longueur d'onde du visible ou de l'ultraviolet à
l'issue d'une décharge électrique dans un gaz. La répartition spectrale de l'émission du
plasma dépend de la nature des gaz. Cette propriété physique permet d'utiliser l'émission
du plasma soit directement comme source lumineuse de l'écran (on obtient alors un
panneau à plasma monochrome), soit comme source excitatrice de luminophores pour
l'obtention de la couleur (Panneau à Plasma couleur : PAP couleur).
Dans ce chapitre, nous nous proposons de présenter succinctement les principes de
fonctionnement de ces écrans et de mettre en évidence les enjeux scientifiques, techniques
et bien évidemment économiques qui motivent la mise au point de cette nouvelle
génération d'écran de visualisation.
A- FONCTIONNEMENT. PRINCIPE DE BASE
Une présentation plus exhaustive du fonctionnement et de la technologie des

panneaux à plasma a été effectuée par J. Deschamps et H. Doyeux [1,2].
1. Physique de la décharge dans les gaz
Le dispositif de la figure 1.1 comporte une enceinte étanche contenant deux

électrodes métalliques et un mélange gazeux [3].
Le mélange gazeux dit "de Penning" pour un PAP monochrome est constitué
essentiellement de néon auquel sont ajoutés quelques "pour mille" d'argon (en volume).
Une décharge électrique peut avoir lieu dans certaines conditions à l'intérieur de
l'enceinte. Elle se caractérise par une émission lumineuse orangée et un courant électrique
traversant le dispositif. Nous allons examiner ci-dessous les réactions induites par la
décharge qui conduisent à la création de ces deux phénomènes.
1.1. Réactions au sein du volume du gaz
Les réactions mises en jeu au sein du volume de gaz dépendent de l'énergie

cinétique de l'électron et de l'énergie des états excités des atomes du gaz. On distingue
alors quatre événements susceptibles de se produire :
(i) l'ionisation de l'atome de néon :
e" + Ne - > Ne + + 2e-
un électron ayant acquis une énergie cinétique supérieure à l'énergie d'ionisation de

l'atome de néon entre en collision avec celui-ci et l'ionise ;
(ii) l'excitation de l'atome de néon :
e-+ Ne -> Ne* +e"
un électron ayant une énergie cinétique inférieure à l'énergie d'ionisation de l'atome

de néon peut céder toute ou une partie de son énergie et promouvoir l'atome dans un état
excité;
(iii) la relaxation de l'état excité du néon :
Ne* -> Ne + h V
Ne* -> Ne m + h V
la relaxation de l'état excité du néon se fait soit vers son état fondamental, soit vers
un nouvel état excité métastable (Nem) et s'accompagne de l'émission de photons ;
(iv) l'ionisation de l'atome d'argon (ou ionisation par effet Penning) :
Ne m + Ar -> Ne + Ar+ + e"
l'énergie de l'état métastable du néon est supérieure à l'énergie d'ionisation de

l'argon ; leur collision peut alors conduire à l'ionisation de ce dernier. Cet événement, qui
est source de particules ionisées (Ar++ e-), est non négligeable même pour de faibles
pourcentages d'argon et permet d'abaisser notablement la tension d'amorçage de la
décharge.
1.2. Réactions à la surface de la cathode
A l'issue des réactions au sein du volume de gaz, plusieurs espèces chargées sont
susceptibles d'atteindre la cathode et d'y provoquer une réaction.
Cette réaction se caractérise par une émission :
(i) d'électrons lors de l'impact d'ions Ne + : l'ion Ne + , dirigé vers la cathode par le
champ électrique, retourne à l'état neutre en capturant un électron de la cathode et en
cédant son énergie d'ionisation. Celle-ci est suffisante pour arracher un électron de la
cathode. Ce dernier est ensuite accéléré par le champ en direction de l'anode ;
(ii) d'électrons lors de l'impact d'atome excité métastable Ne m : l'énergie libérée lors de
la désexcitation de l'état Ne m au contact de la cathode est suffisante pour arracher un
électron ;
(iii) de photoélectrons : l'énergie des photons émis (de 16 à 18 eV) lors de la

recombinaison des états excités du néon vers son état fondamental est suffisante pour
extraire un électron de la cathode (le travail de sortie n'étant que de quelques électron-
volts).
2. Caractéristique courant-tension du système

Le dispositif précédent qui conduit à la luminescence du plasma possède une
caractéristique courant-tension typique représentée sur la figure 1.2. Lorsqu'on atteint la
tension du seuil de création du plasma (ou seuil d'allumage), l'intensité du courant
augmente brutalement : c'est la décharge de Townsend (zone V). Cet effet d'avalanche
est lié à la multiplication des ions du gaz et, par conséquent, à la multiplication des
réactions à la surface de la cathode qui conduisent à une forte augmentation de l'intensité
d'émission d'électrons secondaires. Cette variation, très abrupte, est favorable à la
réalisation d'un écran matriciel puisqu'elle permet le multiplexage, c'est à dire l'adressage
sélectif d'une électrode parmi un grand nombre d'entre elles. On observe ensuite une zone
de résistance négative, appelée luminescence subnormale (zone IV), qui s'établit en
raison de la création d'une forte charge d'espace près de la cathode. La zone III
représente la luminescence normale où la décharge et les charges d'espace sont bien
établies. Lorsque la lueur cathodique occupe toute la surface de la cathode, l'efficacité
d'ionisation diminue et l'augmentation du courant nécessite un accroissement de la
tension. On se situe alors dans la zone de luminescence anormale (zone II). Mais,
lorsque le courant augmente, la décharge devient moins uniforme et des points chauds se
développent ; la décharge se concentre alors en ces points et le matériau de la cathode
commence à se vaporiser. On arrive alors à la décharge d'arc (zone I) qui conduit à la
destruction du dispositif.
Reaction a la surface
de La cathàdo
Cathode
(E)
Electron Ionisât ion Excitation
Ne Atome neutre de ne'on de G—«-Ne — • ©
Ne + Ion positif de ne'on pennin> I Ne ou
\ y Ne* ,
Ar Atome neutre d'argon
\
Ar+ Ion positif d'argon
Ne* Atome excité de néon
Ne m Atome métastable de néon
V Photon
Figure 1.1. Réactions lors d'une décharge dans les gaz
1^——
10-1-
II sS^
10-3.
10' 5 • IV >k
10-7. V
c
m-9 <^. , 1—
Vd
200 £00
Tension(V)
i - Arc
ii-Luminescence anormale
in-Luminescence normale
iV-Luminescence subnormale (résistance negative)
c -Courbes selon les caractéristiques du
circuit d'amorçage
Vjj-Tension de déclenchement
Figure 1.2. Caractéristique courant-tension d'une décharge dans un gaz

2.1. Lois de Paschen
On peut montrer expérimentalement que la tension du seuil d'amorçage Vd dépend

de la nature de la cathode, de celle du gaz mais aussi du produit P x d (pression de gaz x
distance interélectrode). Ce dernier point constitue la première loi de Paschen.
Pour une cathode et un gaz donnés, les courbes de tension d'amorçage en fonction
du produit P x d sont représentées sur la figure 1.3. Ces courbes présentent le même
aspect et passent par un minimum : cette propriété constitue la seconde loi de Paschen. On
comprend donc qu'un choix judicieux du couple gaz-cathode et pression de gaz, qui
déterminent la tension du seuil d'allumage du plasma, permet de réaliser des écrans
matriciels de faible épaisseur.
2.2. Dispositifs limitateurs de courant
Comme nous l'avons précédemment indiqué, la caractéristique courant-tension

d'une décharge présente un seuil abrupt au-delà duquel le courant augmente très
rapidement et peut conduire à la destruction du dispositif. Il est donc nécessaire d'insérer
en série entre la source de tension et le dispositif à décharge, un élément de limitation de
courant : en pratique deux types de limitation de courant sont utilisés (figure 1.4) :
- (a) la limitation par résistance : c'est la famille des panneaux à courant continu
(PAP-dc) ;
- (b) la limitation par condensateur : des chercheurs de l'Université de l'Illinois ont

imaginé de réaliser ce condensateur à l'intérieur même du dispositif en recouvrant
chaque électrode par un diélectrique (émail) [4] : c'est la famille des panneaux à
courant alternatif (PAP-ac).
B- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES PAP-ac DE TYPE XY
1. Choix de TTE
Les raisons qui ont motivé la décision de Thomson Tubes Electronique (TTE) de
travailler avec la structure PAP-ac de type XY sont la robustesse de la structure, la
simplicité technologique du panneau et l'effet mémoire intrinsèque au mode de
fonctionnement qui rend possible la réalisation d'écrans "grands-formats".
10
Néon
Néon+0.1% Argon
pd ( Torr- cm )
Figure 1.3. Courbes de Paschen : tension d'amorçage en fonction du produit

pression x distance interélectrode
Figure 1.4. Deux techniques de limitation du courant de décharge :

(a) limitation par résistance
(b) limitation par condensateur
11
2. Panneau à plasma monochrome
La structure simple du PAP-ac est représentée sur la figure 1.5. Une enceinte
constituée de deux dalles de verre identiques est remplie d'un mélange gazeux néon-argon
dans lequel s'effectuent les décharges. Les faces internes des dalles comportent
successivement un réseau d'électrodes conductrices parallèles, une couche diélectrique et
une couche de magnésie isolant les électrodes du milieu gazeux.
La magnésie permet, d'une part, d'éviter la dégradation du diélectrique lorsque la
température augmente et, d'autre part, de diminuer la tension d'allumage grâce à son fort
coefficient d'émission d'électrons secondaires. Les deux dalles sont assemblées de
manière à ce que les réseaux d'électrodes soient orthogonaux tout en conservant un espace
de faible épaisseur et uniforme entre les dalles. Les points d'intersection des électrodes
forment alors des cellules de gaz disposées en matrice.
Le principe original de fonctionnement de ce dispositif est dû à la présence d'une
couche de diélectrique sur les électrodes qui, en stockant les charges créées lors de
l'ionisation du gaz, confère au panneau un effet mémoire. En appliquant à la cellule de gaz
une tension alternative Va et en mesurant l'amplitude des impulsions du courant qui se
produisent à chaque changement de polarité, on obtient une caractéristique courant-tension
qui présente une allure de courbe d'hystérésis. Celle-ci possède deux tensions de seuil :
V a (tension d'allumage) et Ve (tension d'extinction). La tension de fonctionnement Vf
doit alors être choisie entre Va et Ve (figure 1.6). L'électronique de commande, qui
applique les signaux aux lignes et aux colonnes du panneau, permet d'affecter
indépendamment à chaque cellule de gaz, un état stable "allumé", de l'y maintenir ou de
l'éteindre selon l'image désirée.
Les fonctions d'adressage de l'état de la cellule de gaz et la génération de l'énergie
lumineuse sont complètement dissociées de sorte que cette structure permette de réaliser
des grands écrans possédant un grand nombre de pixels. De plus, l'effet de papillotement
est alors éliminé car le taux de remplissage de l'état "allumé" se trouve égal à 1.
Dans ce type de panneaux, la luminescence orangée du plasma est directement
observée. Elle correspond à la désexcitation radiative des atomes de néon excités
(figures 1.7 et 1.8).
12
Dialectiques Electrode horizontale
28î j j m I
7
500mb Joint de
A * M scellement
Mg 0.200 nm
Electrode verticale
Dalle de verre
Figure 1.5. Structure d'un panneau à plasma à courant alternatif
VA
Tension de
f oncfronnement
'Eteint'
Figure 1.6. Caractéristique courant-tension d'un panneau à plasma de type alternatif
13
E eV
N e + 2s 2 2p5
-21.6
21
2p5 i d , 5s
20 X=4704- 5820 AE 2p 5 3d
2p 5 is X77/A</777A
\- 6866^03220 A
19
18
X= 5852-7439 A
17 JP,(is 2 )16.a« eV
2P S - 2 p o (is,) 16.71 ••
- 3 p, (1s j 16.67 ••
( 1 ) 16.61 »
16
Ne 2s2 2p6
Figure 1.7. Niveau d'énergie du néon : principales configurations
1.0-
>
B 0.8
a;
0.6-
a>
0.4-
to
S o.2H
0
500 550 600 650 700
Longueur d'onde ( n m )
Figure 1.8. Spectre d'émission du néon
14
3. Panneau à plasma couleur
Pour obtenir un panneau multichrome, la structure du panneau est modifiée de deux

manières:
(i) par la composition du gaz afin de supprimer l'émission visible au profit de l'émission
VUV;
(ii) par l'adjonction d'un dépôt d'une mosaïque de luminophores excitables par
rayonnement VUV.
3.1 Emission du plasma
Le mélange gazeux est constitué de néon et de xénon (Ne 90% - Xe 10%). Les
figures 1.9 et 1.10 représentent respectivement l'énergie des configurations du xénon et le
spectre d'émission du plasma lors d'une décharge. La raie fine à 147nm provient de la
désexcitation de l'atome de xénon excité dans l'état 1S4. La large bande centrée à 173nm
correspond à la désexcitation radiative de l'excimère
3.2. Spécification des luminophores
La couleur dans ce type de panneau s'obtient grâce aux matériaux luminophores

déposés sur la face interne de l'écran (figure 1.11). Leur rôle est de convertir le
rayonnement électromagnétique émis par le plasma en un rayonnement électromagnétique
de longueur d'onde appartenant au domaine du visible. Ces luminophores doivent
posséder certaines propriétés physico-chimiques afin d'être candidats à leur application
dans le PAP-ac couleur. Ces propriétés sont regroupées dans le tableau 1.1.
3.2.1. Colorimétrie
La gamme de couleurs accessibles (ou nombre de niveaux par couleur) doit être la
plus grande possible.
Les matériaux luminescents doivent émettre dans les trois couleurs primaires : le
bleu, le vert et le rouge. De plus, leur émission doit être saturée ce qui implique que leur
point-couleur respectif se situe sur le périmètre du diagramme de chromaticité CDS 1936.
Le triangle trichromatique formé par ces trois points possède une surface importante de
sorte qu'il soit possible d'obtenir une gamme de couleurs très riche lors de la combinaison
de ces trois émissions (figure 1.12).
15
E eV
Xe+ 5s5
-12.127
12
Sp'7s
11
A=7887.4-89S2.8A
X = A62£.3-5028.3
10
5p56p
eV
fFF
X= 8231.6-3923.2A
fV 3
p0(is5)9.W'
i
i
__»p,(isj8.43»
— 3p2(1ss)B.3l~
8 - = U69.6A
= 129556A
Xe
Figure 1.9. Niveaux d'énergie du xénon : principales configurations
1000 1200 U00 1600 1800 o 2000

260 à 258 volts A
Figure 1.10. Spectre d'émission VUV du plasma Ne-Xe (10%)
16
Observateur
Gaz
Barrière Diélectrique
Diélectrique
Email + Magnésie
Verre
LuminophoreX Electrode Y
Figure 1.11. Structure d'un panneau à plasma couleur de type alternatif
17
Tableau 1.1. Spécification des luminophores utilisés par Thomson
Diamètre Diamètre Coordonnées du T

10% Rendement
Luminophores moyen point couleur
5%-95% quantique lumineux
(|xm) (um) x y (ms) % / réf %
Conditions 4 2<0<7 <1 >80 > 100
£0,35
OOO
Rouge 2 O,5<0<4 £0,65 < 10 î> 100
Vert 2 O,5<0<4 <0,21 >0,71 < 10 > 100
IV IV IV IV
-O OO OO OO
Bleu 2 O,5<0<4 <0,15 <0,06 < 10 > 100
Tolérance <6 1<0<1O <5 >90
O
Références 1<0<32 100
Rouge
5,3 0,64 0,32 <2 >50 100
Y2O3: Eu3+, P56
Vert
Zn 2 Si0 4 : Mn2+, 5,3 0,21 0,71 30 >90 100
PI
Bleu
BaMgxAlyOz : 5,7 0,15 0,06 « 1 >80 100
Eu2+r PX
Temps de vie > 10 000 heures en PAP. Pas de transformation des points couleurs
3.2.2. Photométrie
La luminosité du panneau (ou luminance) doit être importante, ce qui implique que
le rendement de conversion des photons "VUV" en photons "visibles" (ou rendement
quantique) des matériaux luminescents soit proche de l'unité. Par ailleurs, pour
l'application télévisuelle, il faut tenir compte de la sensibilité de détection de l'oeil humain.
On définit alors un rendement lumineux qui intègre, à la fois, le rendement quantique du
luminophore, la répartition spectrale de son émission et la courbe de sensibilité de l'oeil
moyen photopique. Or, le maximum de sensibilité de l'oeil humain, pour une vision en
plein jour, se situe dans un domaine de longueur d'onde correspondant à la couleur verte.
Afin d'optimiser le rendement lumineux des matériaux luminescents émettant dans le bleu
et le rouge, il est nécessaire de décaler leur émission vers le maximum de sensibilité de
l'oeil tout en veillant à conserver une teinte compatible avec les normes en vigueur pour
les écrans de visualisation (normes UER en particulier). Ainsi une émission décalée de
450 nm à 452 nm conduit, par exemple, à un gain de 10 % en rendement lumineux et une
émission à 610 nm au lieu de 612 nm entraîne un gain de 5 %.
18
0.9
Y
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Figure 1.12. Triangle trichromatique formé par les luminophores utilisés

actuellement dans les PAP couleur :
: norme UER
: dans les PAP couleur
19
3.2.3. Granulométrie
Comme l'indique la figure 1.11, les PAP couleur fonctionnent par réflexion. Dans le
domaine d'énergie d'émission du plasma, l'énergie est absorbée essentiellement à la
surface du matériau luminescent.
Les techniques de déposition utilisées dans la conception des PAP couleur ne
permettent pas d'obtenir des dépôts d'épaisseur supérieure à 20 [im.
L'expérience montre que, pour des dépôts de 15 à 20 p.m d'épaisseur, une
granulométrie moyenne de 2 à 3 |im permet d'obtenir un taux de couverture des surfaces
recevant le matériau luminophore supérieur ou égal à 80%.
3.2.4. Déclin de l'émission. Temps de rémanence
Afin d'éviter le phénomène de "traîne" sur l'image, lié au déplacement rapide

d'objets, l'expérience a montré que le temps de déclin de l'émission de lumière, mesuré
de 90% à 10% après la fin de l'excitation, ne doit pas excéder 10 ms.
Le matériau luminescent classiquement utilisé en télévision couleur, à savoir la

willémite Zn2SiÛ4 : Mn 2+ (4 %), est caractérisé par une émission verte saturée (525 nm)
et un rendement quantique élevé (80 %) constant sur le domaine d'énergie d'émission du
plasma. Cependant, comme il possède une rémanence de 30 ms, son utilisation dans les
PAP est rendue impossible malgré ses autres qualités. Le but appliqué de ce travail est
donc de trouver un luminophore de remplacement qui possède des caractéristiques
colorimétriques et photométriques proches de celles de la willémite mais pour lequel le
déclin d'émission est inférieur ou égal à 10 ms.
3.2.5. Stabilité sous irradiation
L'un des paramètres déterminant la durée de vie des écrans est la stabilité chimique
du luminophore sous l'impact des photons VUV incidents. Cela signifie que les
propriétés colorimétriques et photométriques ne doivent pas se détériorer au cours du
temps et implique que les liaisons chimiques mises en jeu dans le matériau soient fortes
afin qu'il n'y ait pas de formation de centres colorés.
20
3.3. Procédé technologique de réalisation du panneau
La fabrication des panneaux, basée sur le procédé de photolithographie, s'effectue

en plusieurs étapes dont nous ne donnerons ici que les principales :
( i ) dépôt des électrodes et du diélectrique sur chaque dalle de verre ;
(ii) dépôt successif des 3 luminophores sur l'écran. Le motif réalisé par le pavage des
luminophores correspond à un réseau "triade" qui définit un pixel (figure 1.13) ;
(iii) construction de barrières antidiaphoties afin d'isoler l'excitation VUV sur la surface
du matériau luminescent choisi (figure 1.13) ;
(iv) assemblage des deux plaques grâce à un joint de scellement et dégazage avant
introduction du mélange gazeux Ne-Xe (10 %).
C- AXES DE DEVELOPPEMENT DES ECRANS A PLASMA TTE
1. Situation des PAP par rapport aux autres technologies de visualisation
La situation des écrans plasma par rapport aux autres technologies de visualisation
est illustrée par le diagramme établi par la société japonaise NHK (figure 1.14). Celui-ci
met en évidence l'occupation future du marché par les différentes technologies en fonction
de la dimension des écrans :
(i) les écrans à cristaux liquides (LCD), en vision directe, ont un domaine d'application
dans les écrans de petites dimensions à haute résolution (calculateurs portables). Les
contraintes technologiques liées à la réalisation de matrices de grandes dimensions à
base de semi-conducteurs nécessaires à la commande de ces écrans, limitent à 15
pouces (soit 0,36m) la dimension de la diagonale de l'écran ;
(ii) dans le domaine des petits écrans, l'électroluminescence (EL) trouve également sa
limite supérieure à 10 pouces (0,24m) environ. Elle rencontre encore, de nos jours,
des difficultés dans la réalisation des écrans "pleine couleur" (notamment pour
l'émission bleue) et des problèmes technologiques importants (capacité
interélectrodes très élevée, résistance ohmique des électrodes transparentes,
uniformité des dépôts de couches minces) ;
21
Réseau Noir
>
Pixel déterminé par

le réseau triade
R V B
Electrode
- VUE DE FACE -
R : Luminophore d'émission rouge

V : Luminophore d'émission verte
B : Luminophore d'émission bleue
Barrière d'isolement
(ou antidiaphotie)
Réseau Noir
R R V V B B
Email diélectrique Substrat de verre

ép : 6 mm
- VUE EN COUPE -
Figure 1.13. Description de la structure d'un PAP couleur

22
(iii) de nos jours, les Tubes à Rayons Cathodiques (TRC) occupent de façon
prépondérante le domaine des écrans de 15 à 35 pouces. Les inconvénients majeurs
des TRC sont liés, d'une part, à l'encombrement et au poids de ces écrans et, d'autre
part, à la résolution de l'image. Pour ces raisons, les PAP couleur sont très
compétitifs lorsqu'il s'agit d'écrans de diagonale comprise entre 13 et 55 pouces ;
(iv) enfin, pour des tailles encore supérieures, les écrans à vision directe ne sont plus
envisageables et doivent être remplacés par des écrans à projection, soit à partir de
tubes à rayons cathodiques, soit à partir de valves à cristaux liquides.
2. Enjeu économique
L'enjeu économique que représente la fabrication industrielle d'une nouvelle

génération d'écrans de visualisation stimule la compétition entre plusieurs sociétés pour la
primauté de la réalisation des PAP couleur.
Le tableau 1.2 regroupe l'origine et le type des structures des principaux prototypes
fabriqués jusqu'à présent.
Des progrès technologiques importants, réalisés en 1990 au Japon, aux USA et en
Europe, placent les PAP comme la technologie d'avenir pour la réalisation d'écrans plats
couleur de 20 à 50 pouces de diagonale tant pour des applications professionnelles que
pour le grand public.
Engagé de longue date dans la recherche, le développement et la production des
écrans à plasma, TTE conduit actuellement deux programmes importants pour la mise au
point d'écrans à plasma couleur qui déboucheront sur la commercialisation (figure 1.15) :
- dès 1995, de produits pour les stations de travail militaires ou professionnelles ;

- à plus long terme, de produits pour une application de télévision professionnelle
et enfin "grand public".
Pour la réalisation d'un écran plat mural de 50 pouces (1,2m) dont les principales
contraintes sont indiquées dans le cahier des charges reproduit dans le tableau 1.3, TTE a
entrepris, en collaboration avec Thomson Consumer Electronics, une étude de faisabilité
qui porte sur trois points fondamentaux :
- l'amélioration de la qualité d'image ;

- la capacité de présenter 256 niveaux de demi-teintes par couleur ;
- l'augmentation du rendement lumineux.
Aujourd'hui, le rendement lumineux de l'écran a progressé d'un facteur 6,5

(passant de 0.1 lm/w à 0.65 lm/w), essentiellement grâce à l'optimisation de la structure
23
des cellules et à l'amélioration des processus de fabrication et de matériaux. La figure 1.16
présente un prototype PAP couleur de 22 pouces de diagonale.
Tableau 1.2. Principaux prototypes couleurs.
Pays Ja pon EUR USA
Fabricant Futjitsu Oki Matsushita NHK Thomson- Photonics

TTE
Technologie ac de puise de puise de puise ac ac

memory memory memory
Dimensions 319 x 422 538 x 358 582 x 333 874 x 520 330 x 440 287 x 381
écran (mm )
Diagonale (cm) 50,4 60 62,4 96 52,8 45,6
(pouces) 21 25 26 40 22 19
Nombre de 480 x (2 x 384) x (2 x 448) x (2 x 672) x 512 x (2 x 480) x
cellules (3 x 640) (2 x 256) (2 x 256) (2 x 400) (3 x 480) (2 x 640)
Dimension des 0,66 x (2 x 0,7) x (2 x 0,65) x '2 x 0,65) x 0,64 x "1 x 0,30) x
cellules (3 x 0,22) (2 x 0,7) (2 x 0,65) (2 x 0,65) (3 x 0,31) (2 x 0,30)
Nombre de
niveaux par 64 256 256 256 256 64
couleur
Luminance 150 90 100 65 150 90
(cd/m2)
Type d'images TV TV TV TV TV TV
Note : Les dimensions des cellules sont données sous une forme indiquant l'arrangement
utilisé pour réaliser un pixel « full color » :
- 0,66 x (3 x 0,22) signifie que la structure est en réseau triade (RVB)
- (2 x 0,7) x (2 x 0,7) signifie que la structure est en réseau quad

VB
24
Part de marché
en %
0 10 20 tt 30 40 50 60
Taille d'écran diagonale en pouces
Figure 1.14. Occupation future du marché (%) par les différentes technologies en
fonction de la dimension des écrans (d'après NHK)
PROTOTYPE
(512 x 512)
PAS 0.8 mm
23"
ECRANS HAUTE RESOLUTION DEVELOPPEMENT

POUR STATIONS DE TRAVAIL TELEVISION
\
PROTOTYPE • Demi-teintes
640 x 480
PAS 0.4 mm • Rendement lumineux
13"
<* Aspects industriels
1993
PRODUIT ECRAN DE TELEVISION

1280 x 1024 MURALE
PAS 0.3 - 0.4 mm 1,2 millions points R,V,B
19" - 24" PAS 0.6 - 0.8 mm
40" - 50"
1995-1996
Figure 1.15. Développement des panneaux à plasma couleur à TTE
25
Tableau 1.3. Cahier des charges d'un écran plat mural de 50 pouces
Caractéristiques techniques Objectif
Format 16/9 ème 50"

Surface d'écran 0,7 m 2
Nombre de pixels > 1,2-106
Pas 0,7 mm
Luminance petite zone (charge 10%) 300cd/m 2
Luminance moyenne (charge 50%) 150cd/m2
Consommation (charge 50%) 300 W
Niveaux de gris 256
Fréquence image 50 Hz
Angle de vue >120°
Chromaticité Identique aux TRC
Durée de vie l,5-10 4 h
26
THOMSON TUBES ELECTRONIQUES
Figure 1.16. Photographies d'un prototype TV PAP couleur (22") et

comparaison avec un téléviseur couleur TRC classique
27
[1] J.Deschamps, H.Doyeux, Revue Technique Thomson-CSF, 26 (1) (mars 1994)

141.
[2] H.Doyeux, J.Deschamps, Compte-Rendu de la Conférence "Visu 92" Angers,

septembre 1992.
[3] L.F.Weber, Plasma Display, Flat Panel Display and CRT'S, L.E Tannas, 1985.
[4] D.L.Bitzer, H.G.Slottow, The plasma display panel, a digitally adressable display
with inherent memory, Afips Conf. Proc. 29 (1966) 541.
28
Dans ce chapitre, nous présenterons, dans un premier temps, le dispositif
expérimental utilisant le rayonnement synchrotron comme source excitatrice des matériaux
luminescents ainsi que les diverses techniques expérimentales mises en œuvre. Dans un
second temps, nous exposerons la méthodologie de la mesure qui nous permet de
déterminer le rendement quantique externe et la réflectivité des échantillons polycristallins
en fonction de l'énergie incidente.
A - DISPOSITIFS EXPERIMENTAUX
Le rayonnement synchrotron est une source de rayonnement électromagnétique qui

couvre un large domaine spectral continu s'étendant des rayons X à l'infrarouge avec des
intensités nettement supérieures à celles des sources conventionnelles. Cette forte intensité
ainsi que la faible divergence du faisceau, la polarisation des photons, la structure
impulsionnelle de la source et la grande stabilité du faisceau en font un outil privilégié
pour étudier la matière. Dans notre cas, il rend notamment possible l'étude des
mécanismes d'absorption et de transfert d'énergie au sein de matériaux luminescents dans
un domaine d'énergie s'étendant de 5 à 40eV. Nous nous proposons de présenter
l'expérience de photoluminescence mise en place sur la ligne de lumière SA 61 de
SUPER-ACO après une brève introduction des caractéristiques de la machine.
1. SUPER-ACO. Le rayonnement synchrotron
Plusieurs auteurs ont établi les équations caractéristiques du rayonnement

synchrotron [1-3]. Pour une particule de masse m et de charge e en mouvement circulaire
(de rayon de courbure R), possédant une vitesse v (relative par rapport à celle de la
lumière c, p = — ) et d'énergie E, la puissance radiative est :
3 R mc
29
et l'énergie perdue par tour AE est :
/ T- \4
3R mc'
Cette puissance est inversement proportionnelle à la masse de la particule, ce qui

favorise l'utilisation d'électrons (ou de positons) par rapport à d'autres particules
chargées plus lourdes (protons, par exemple).
Pour un électron (positron) relativiste (j3 ~ 1), lorsque l'énergie E est exprimée en
GeV et le rayon de courbure R en mètre, on obtient :
E4
p = 88,47 — où P est exprimée en kW.
R
Dans la pratique, P est exprimée en fonction de l'énergie E, du champ magnétique

B nécessaire pour incurver la trajectoire des particules dans les aimants de courbure et de
l'intensité I du faisceau dans l'anneau, ce qui correspond à :
E4 *
P = 88,47 — = 2,654 E 3 x B x I
R
où la puissance P est exprimée en kilowatt, l'intensité I, en Ampère et le champ B en

kGauss.
P. Fieffe-Prevost a montré que l'énergie maximale du domaine spectral du

rayonnement synchrotron est déterminée par l'énergie E des particules circulant dans
l'anneau [4]. La longueur d'onde critique À.c de la radiation est inversement
proportionnelle au cube de cette énergie selon la relation :
Xc °= — où Rest le rayon de l'anneau (15 m pour SUPER-ACO)

Ht
On en déduit que, pour couvrir un domaine spectral s'étendant des rayons X (RX)
mous à l'infrarouge (IR), l'énergie E des positons doit être inférieure au GeV.
Dans l'anneau de stockage SUPER-ACO, des positons accélérés à 800 MeV par
l'accélérateur LINAC du LURE, sont injectés par paquets. Des électro-aimants, placés
sur l'anneau, modifient la trajectoire des particules accélérées (longueur d'onde critique
dans les aimants: ^ c = 18,5 Â, soit E c = 670 eV) et provoquent ainsi l'émission du
30
rayonnement synchrotron. Les pertes d'énergie des particules sont compensées, à chaque
tour, par des cavités hyperfréquences accélératrices qui maintiennent les positons sur leur
trajectoire initiale.
La radiation émise possède les caractéristiques suivantes :
- un régime de fonctionnement impulsionnel. La fréquence des paquets de positons

circulant dans l'anneau peut être calculée à partir des caractéristiques suivantes :
24 paquets toutes les 10 ns ou 2 paquets toutes les 120 ns ;
- une faible dispersion angulaire qui contribue à la super brillance du faisceau ;
- une polarisation du faisceau parallèle au plan de l'orbite des positons ;
- une forte intensité due au courant des positons :
24 paquets, I = 400 mA (temps de vie du faisceau : t = 5h) ;

2 paquets, I = 200 mA (temps de vie du faisceau : t = 3h).
La figure II. 1 schématise la structure de l'anneau SUPER- ACO ainsi que les lignes
de lumière issues de chaque aimant de courbure [5].
2. Ligne de lumière SA 61
Le schéma optique de la ligne de lumière SA 61 est représenté sur la figure II.2 [5].
Les réflexions du faisceau sur les différents miroirs permettent de focaliser le faisceau sur
la fente d'entrée du monochromateur et sur le poste d'expérience choisi (A ou B) tout en
limitant l'énergie du rayonnement synchrotron au domaine leV - 40eV.
Cette ligne de lumière est équipée d'un système de pompage ultravide (qui maintient
la pression entre 10"3 et 10"4 mPa) et d'un monochromateur à incidence normale de 3 m
de distance focale. Celui-ci comporte 3 réseaux holographiques interchangeables de 300,
1200 et 2400 traits par millimètre. Le tableau II. 1 donne les caractéristiques spectrales et
optiques de chacun de ces réseaux [2]. Ils permettent de balayer un large domaine
d'énergie de plus de 30eV avec une résolution (fonction du nombre de traits par mm) et
un flux de photons (fonction de la longueur d'onde de blaze) élevés. Un ordinateur pilote
la mécanique de précision sur laquelle repose les trois réseaux et effectue simultanément
l'acquisition de la mesure.
31
8106
SB6
LITHO
8238
Salle
propre
CO
Figure II.l. Structure de l'anneau de stockage SUPER-ACO du LURE (Orsay)

Miroir Torique Déviation Horizontale Miroir Torique
Sélecteur d'expérience 3 Réseaux sphériques
SA61.1 Miroir Plan Miroir plan SA 61,5 SA 61.4
Rapport :1/1 SA 61.2 EXPERIENCE SA 61,6 Rapport :1/1,35 Rapport 1/1
Incidence : S3" Incidonce : 77" Incidonce : 79°
Incidence: 52°,5 Incidence: 2".25
Dim: 210x75mm Dim: 280x40mm A
Dim: 60x20mm Dim: 120x25mm Dim: 110
Ecl:203.5x74,4mm Eclalrè:i95x31mm E E=- 86x29
LO
Miroir loriquo
3,0447m
SA 61.3
Incldonco: 04°,25
Rapport 1.9/1 Réseau A: 2400 t/mm de 350 À à
Dim: 180x45mm Divergence (h x v | ï Reseau B: 1200 1/mm de 350 A à 3000 A
Focalisation E= 150x37mm 28,5 x 9,5 mrad Réseau C: 300 t/mm de 350 A à 10000 A
>'X yyxyyx yyx yyx y x y xy >'.i yX >'.}y >,x y

x y
x > x yxy "J ':x >,x >:» yx p >:x p >:x *x *x >:x uyJ. uy,xy.xyx yx yx ïiyx >.x p: yx yx yx y,xyxyx yx yx yx yx yx yx -:xyx yx u yx yx ':xyx yx pyx yx <xyx rx yxyx yx ïx yx yx yx yx r,x <xyx yx v.xyx yx yx yxyx <xyxyXyxyx yx yx *>
r ? ? ? ? i r ? ? r.? ••.? ^ y >y! ?ï Zyy?y?:ïy .? T.? r.? r.?y > >•.? ?.?y?y.? r ? ^ >•?yi y?yïy$ rZ *$yZyï rH y.?y.? o y.>y? r.?y.?y;y.? ^y ? y ?y ? y ?r? y ^ y .? y > y ^ y .? y ? y ? y ^ y ^ y ? y ^ > '? y ? y ^ > '^ y ^ y ^ y ^ y ? > '^ y ?''? y ? y ^>'? y ?r^r^>'?>'?>'? y ?'';
Figure II.2. Schéma optique de la ligne de lumière SA 61

Tableau II.1. Caractéristiques spectrales des réseaux holographiques constituant le
monochromateur VUV de la ligne de lumière SA 61
Réseaux disponibles Domaine spectral

X min-?unax Emin-Emax Résolution Meilleure
Nt/mm X Blaze (Â) ultime résolution
(Â) (eV)
théorique mesurée
300 600 300-12000 1-40 0,2 À « 1À

1200 1300 300-3000 4-40 0,06 Â « 0,1 Â
2400 600 300-1500 8-40 0,03 Â « 0,07 Â
Un miroir de refocalisation reprend l'image de la fente de sortie du monochromateur

pour la focaliser sur l'échantillon. Notre enceinte d'irradiation, installée sur le poste
d'expérience, est reliée au monochromateur par l'intermédiaire d'un pompage différentiel
dont le seuil est réglé à 10"1 mPa. Ceci nous permet de travailler dans l'enceinte avec des
pressions supérieures à celles maintenues à l'intérieur de la ligne.
3. Enceinte d'irradiation et ses systèmes périphériques
Le dispositif expérimental de photoluminescence mis au point par le groupe de

Radiochimie de l'Institut de Physique Nucléaire (IPN) d'Orsay est représenté sur la
figure II.3. Il est constitué :
(i ) d'une enceinte d'irradiation connectée au groupe de pompage différentiel de la ligne

de lumière ;
(ii) d'un banc de pompage turbomoléculaire Leybold Turbovac 150 qui maintient une
pression interne de 10"l mPa ;
(iii) de deux porte-échantillons sur lesquels il est possible de pastiller sept échantillons
dans des cavités cylindriques de 8 mm de diamètre. Les deux positions disponibles
permettent de travailler soit sous incidence normale, soit sous incidence à 45° ;
(iv) d'une bride destinée à recevoir un cryostat dont la température est ajustable entre
300K et 10K. Le porte échantillon refroidi est en cuivre et de conception identique à
celui utilisé pour les mesures effectuées à température ambiante. Le cryostat ainsi
que sa régulation de température ont été réalisés par le Service de Cryogénie de
l'IPN ;
34
Faisceau Incident SUPER-ACO
Monochromateur VUV
MAC
Pilotage
X
" J rrflecrivilc'
Grille d'or
Détection
Réflectivité,
PMR1220
(115-300 nm)
Pompage
Turbomoléculairt
(6 échantillons + NuSAL)
"/• •• nombre de photons incidents

ne : nombre de photons émis-
nr : nombre de photons réfléchis
CTF 1 : Convertisseur Tension - Fréquence pour l'acquisition de la Fluorescence

CTF 2 : Convertisseur Tension - Fréquence pour l'acquisition de la Réflectivité
Figure II.3. Dispositif expérimental permettant de relever simultanément le spectre d'excitation de la

luminescence et le spectre de réflectivité diffuse du matériau
35
(v) de deux hublots de quartz qui transmettent les photons de longueur d'onde
supérieure à 190 nm ;
(vi) d'une grille d'or et d'une contre-plaque polarisée à 50 V. Lorsque l'énergie des
photons incidents atteint l'énergie du seuil de seconde ionisation de l'or, soit
20,5 eV (X. = 60 nm), des photoélectrons sont émis par la grille et collectés par la
contre-plaque. L'intensité du courant, mesurée par un picoampéremètre, est alors
proportionnelle à l'intensité du flux de photons incidents qui sont focalisés sur la
surface de l'échantillon.
Ce dispositif expérimental de photoluminescence qui utilise le rayonnement

synchrotron comme source excitatrice permet d'étudier les réponses des matériaux
luminescents polycristallins en fonction de la longueur d'onde du rayonnement incident.
3.1. Spectres d'excitation de la luminescence et de réflectivité diffuse
Le spectre d'excitation de la luminescence correspond à la variation de l'intensité de

l'émission du matériau en fonction de l'énergie du rayonnement incident.
Le spectre de réflectivité diffuse correspond à la variation de l'intensité du
rayonnement incident diffusé en fonction de l'énergie incidente. Il rend compte de
l'intensité d'absorption du matériau dans les domaines de faible absorption.
Le dispositif expérimental de la figure II.3 permet de relever simultanément les
spectres d'excitation et de réflectivité diffuse de l'échantillon. Pour cela, le rayonnement
synchrotron est dispersé par le réseau sphérique du monochromateur et le faisceau
monochromatique est focalisé (nombre de photons incidents : Ni) sur la surface de
l'échantillon sous incidence normale. Lorsque l'interaction photon-matière conduit à la
luminescence du composé, une fraction des photons émis Ne est guidée grâce à un
barreau de quartz jusqu'à la photocathode du détecteur Hamamatsu R928.
Simultanément, une fraction des photons incidents Ni diffusés est détectée par un
photomultiplicateur (PM) Hamamatsu R1220, sensible dans le domaine de longueur
d'onde 115-300 nm. Il est positionné proche de la surface de l'échantillon pour optimiser
l'angle solide de détection.
Les tensions de sortie aux bornes de la résistance de charge associée aux PM sont
transformées en train d'impulsions calibrées grâce à des convertisseurs tension-fréquence
mis au point par le Service Electronique Physique de l'IPN.
L'acquisition des données s'effectue grâce à une chaîne de comptage (compteur
Camac) interfacée avec l'ordinateur de la ligne.
36
3.2. Spectre d'émission
Le spectre d'émission correspond à l'analyse spectrale de la luminescence du

matériau pour une énergie incidente donnée.
Le dispositif expérimental, permettant de relever le spectre d'émission pour
plusieurs énergies excitatrices, est représenté sur la figure II.4. La surface de l'échantillon
est positionnée à 45° par rapport à la direction du faisceau. Un système optique de
focalisation constitué de deux lentilles de verre (transmission des photons de longueur
d'onde supérieure à 300 nra) focalise le rayonnement émis sur la fente d'entrée d'un
monochromateur ORIEL 77250. Celui-ci est équipé d'un réseau de 300 traits par
millimètre avec une longueur d'onde de blaze égale à 500 nm et dont le mécanisme de
rotation est commandée par un moteur pas à pas. Le pilotage du moteur ainsi que
l'acquisition de la tension à la sortie du PM Hamamatsu R212 s'effectue par
l'intermédiaire d'un ordinateur. Les caractéristiques du système optique de focalisation et
du réseau ne rendent possible l'analyse de l'émission que dans un domaine de longueur
d'onde s'étendant du proche UV au visible (330 - 700 nm).
3.3. Mesure du déclin de l'émission
La mesure du déclin de l'émission en fonction de l'énergie excitatrice rend compte

des divers processus dynamiques (diffusion et transfert d'énergie) qui régissent et
induisent la luminescence de l'ion dopant.
Le régime de fonctionnement impulsionnel de l'anneau de stockage rend possible la

mesure de l'intensité de fluorescence résolue dans le temps, mais impose que le déclin de
la luminescence soit court. La structure temporelle du faisceau varie avec le mode de
fonctionnement. Ainsi, pour un fonctionnement en "2 paquets", la fréquence d'émission
de la radiation synchrotron est de 8,33 MHz (soit une période de 120 ns), ce qui implique
que le déclin soit total dans la limite des 120 nanosecondes.
Le schéma du dispositif électronique de mesure de l'intensité de fluorescence

résolue dans le temps est représenté sur la figure II.5.
A chaque paquet de positons circulant dans l'anneau sont associées une impulsion
lumineuse et une impulsion électrique synchrones. La première excite l'échantillon après
sélection de la longueur d'onde par le monochromateur.
37
Faisceau Incident SUPER-ACO
Monochromateur VUV
Détection
émission
PM R212 Grille d'or
(185-650 nm)
Monochromateur
ORIBL 77250
réseau 300 traits/mm
blaze : 500 run
Moteur pas à pas
Pompage
Tu rbomo léeu la ire
Porte échantillons
( 7 échantillons)
Figure 11.4. Dispositif expérimental permettant de relever le spectre d'émission du matériau
38
La seconde déclenche l'ouverture d'un convertisseur temps-amplitude (CTA). La
fluorescence est détectée à l'aide d'un PM rapide Hamamatsu H5321 (dont la résolution à
mi-hauteur est inférieure ou égale à 600 ps) fonctionnant comme compteur de photons. H
délivre, au plus, par impulsion lumineuse, un seul photoélectron dont la probabilité
d'arrachement est proportionnelle à l'intensité instantanée parvenant à la photocathode.
L'impulsion électrique associée provoque la fermeture du convertisseur (CTA) après un
intervalle de temps At variable. L'analyseur d'amplitude à multicanaux (AM) mesure une
hauteur AV de l'impulsion proportionnelle à At à la sortie du CTA. Une accumulation
répétitive des mesures de AV permet la construction de l'histogramme des intervalles de
temps At qui représente alors I(t). Les impulsions électriques fournies par le signal
SUPER-ACO et le photomultiplicateur sont sélectionnées et mises en forme par les
discriminateurs Dl et D2. Le relevé des courbes donnant I(t) nécessite quelques dizaines
de minutes de temps d'accumulation afin d'obtenir une bonne précision statistique de
mesure (ce laps de temps d'acquisition peut être augmenté lorsque le rendement quantique
d'émission du matériau est faible). Les résultats sont ensuite traités à l'aide d'un
ordinateur.
B - METHODOLOGIE DE LA MESURE DU RENDEMENT QUANTIQUE

ET DE LA REFLECTANCE DIFFUSE
Afin de déterminer l'efficacité de conversion de l'énergie excitatrice par des

matériaux luminescents, une méthodologie de mesure du rendement quantique et de la
réflectance diffuse a été développée. Le principe de cette méthodologie repose sur les
travaux antérieurs de A. Bril et al. [6-8] et de I. Gérard [9].
1. Définitions
Les définitions du rendement quantique et de la réflectance diffuse ont été données

par A. Bril et al. [6]. Celles-ci sont en accord avec les directives de la Commission
Internationale de l'Eclairage (CIE).
Le rendement quantique intrinsèque q est défini comme le rapport entre le nombre

de photons émis Ne et celui de photons absorbés Na, soit :
Ne
q=— (i)
Na
39
Impulsion lumineuse SUPER-ACO
Signal SUPER-ACO
Impulsion
électrique
Monochromateur VUV
Dj ; D2 : discriminateurs
ï
I>2
Convertisseur Temps - Amplitude
Analyseur
Multicanaux
AM
\f
LURH
L J
'•''•'•'•''•'>
J
Ordinateur
Figure 11.5. Dispositif expérimental permettant de mesurer l'intensité de fluorescence résolue dans le temps
40
Le rendement quantique externe q ex j est, quant à lui, défini comme le rapport entre
le nombre de photons émis Ne et celui de photons incidents Ni, soit :
Ne
<*ext= -fir (2)
Le rendement quantique externe peut alors s'exprimer en fonction du rendement

quantique q et du coefficient d'absorption a selon la relation :
Ne Na Ne n.
= — = — x — = a q (3)
4
Ni Ni Na
=
<lext tt"R) x
Q
où R représente le coefficient de réflexion du matériau et est défini comme le rapport entre

le nombre de photons réfléchis Nr et le nombre de photons incidents Ni :
R = ^ (4)
Ni
Comme nous allons le montrer par la suite, le dispositif de la figure II.3 permet de
relever simultanément les deux "grandeurs" expérimentales qext et R qui caractérisent le
matériau luminescent.
2. Méthodologie de la mesure
Le dispositif de la figure IL 3 permet de relever le spectre d'excitation de la

luminescence et celui de réflectivité diffuse pour plusieurs matériaux dans des conditions
expérimentales identiques. Nous effectuons sur deux voies l'acquisition simultanée des
tensions aux bornes des deux PM en fonction de l'énergie excitatrice. Elles sont
proportionnelles au flux de photons détectés (proportionnel au nombre de photons émis
ou de photons réfléchis) convolué par la sensibilité de détection des PM et par la variation
du flux des photons incidents.
2.1. Efficacité de détection des photocathodes
Chaque photocathode de PM possède sa propre courbe d'efficacité de détection en

fonction de l'énergie des photons à mesurer. Dans le cas de la détection de la
41
fluorescence, l'efficacité de détection de la photocathode du PM Hamamatsu R928, P,
dépend de la répartition spectrale de l'émission du matériau. Ainsi, par exemple, le
rayonnement émis par un luminophore d'émission bleu et un luminophore d'émission
rouge auront une efficacité de détection P différente. En revanche, pour la détection de la
réflectivité, l'efficacité de détection de la photocathode du PM Hamamatsu R1220, y, est
identique pour chacun des matériaux étudiés puisque le rayonnement mesuré, dans ce cas,
est le rayonnement incident diffusé.
2.2. Variation du flux de photons incidents
Le flux de photons atteignant la surface de l'échantillon est fonction, en premier

lieu, de la réponse de l'appareillage de la ligne de lumière (angle de blaze du réseau et
réflexion des différents miroirs) et de la variation d'intensité du courant dans l'anneau.
La réponse de l'appareillage peut être déterminée en mesurant le spectre d'excitation
de la luminescence bleue du salicylate de sodium. Ce composé organique possède un
rendement quantique externe constant sur la totalité du domaine de longueur d'onde
d'excitation 40 - 340 nm [10]. Toutefois, la valeur absolue de son rendement de
conversion varie de 25 à 99 % selon la nature et la qualité du dépôt (pulvérisation,
pastillage...) [10]. Par ailleurs, nous avons constaté que l'intensité d'émission de ce
composé organique diminue au cours d'une irradiation prolongée par le rayonnement
synchrotron. Ce phénomène a également été observé par J.K. Berkowitz et al. [11].
En conséquence, nous considérerons que le salicylate de sodium possède un
rendement quantique externe constant sur tout le domaine d'énergie d'investigation mais
dont la valeur reste inconnue.
L'intensité du faisceau de positrons circulant dans l'anneau diminue au cours du
temps et par conséquent induit une diminution du flux de photons incidents. La mesure de
l'intensité d'un courant I, créée par un effet photoélectrique sur la grille d'or à X = 60 nm
nous permet de contrôler cette variation de flux entre chaque acquisition. Nous supposons
que la durée de la mesure est suffisamment courte pour pouvoir négliger la variation du
flux au cours de l'acquisition d'un spectre.
2.3. Caractérisation des spectres
Les variations d'intensité mesurées simultanément en fonction de la longueur

F R
d'onde incidente, de la luminescence, S e c n , et de la réflectance, S e c h , de l'échantillon
s'expriment, dès lors, par les relations suivantes :
42
- à l'instant t :
S* ch (Xi) = Nr(Xi)Y(Xi)
- et au temps ti > t, pour la référence (salicylate de sodium)
où Xi est la longueur d'onde d'excitation ;

Xe , la longueur d'onde d'émission de l'échantillon ;
NaSal
Xg , la longueur d'onde d'émission du salicylate de sodium.
En utilisant les relations (2) et (4), on obtient
S
ech <W> = qext(?û)Ni(?d,t)p(X e e ch ) (5)
S
?ch (Xi) = R(Xi) Ni(Jli.t) y(Xi) (6)
cR
et
Or, le nombre de photons incidents peut également s'écrire :
Ni (W,t) = Ni (Xi) IOr
où Ior correspond à l'intensité du faisceau de photoélectrons générés par la grille d'or.
Ainsi, on déduit des équations (5), (6) et (7), l'expression du rendement quantique
externe et de la réflectance de l'échantillon par rapport à la référence :
or
43
S * . (Xi) iNasal
R (Xi) = -=££!! oi__
<iF an Tecn
A ce stade, nous obtenons des variations d'intensités relatives au salicylate de

sodium, comparables entre elles, mais qu'il convient de transformer en valeur absolue.
2 . 4 . Détermination de la valeur absolue du rendement quantique externe et

de la réflectance
Afin d'étalonner les spectres en valeur absolue, il est nécessaire de déterminer la

réponse d'un matériau étalon dans des conditions expérimentales identiques à celles de
l'échantillon. Ces matériaux ont un rendement quantique et une réflectance bien connus
pour une excitation à 254 nm. Les travaux antérieurs de I. Gérard ont permis de
déterminer les réponses de luminophores références, recensés dans le tableau II.2, par
rapport aux échantillons du National Bureau of Standard (NBS) [9].
A l'aide de ces luminophores références, nous avons pu vérifier les données issues
des fiches techniques de Philips Lighting pour des composés commerciaux ayant une
émission identique. Lorsque le composé de référence possède une émission identique à
celle de l'échantillon étudié, les efficacités de détection $(Xe) respectives sont donc
identiques. Ces composés sont répertoriés dans le tableau H.3.
Le rendement quantique externe de la référence étant connu à 254 nm, l'équation (8)
conduit à :
SF jNaSal
f
qgft (254nm) = - ^ - (254nm) - ^ _ - - ^
d.ou
Y(254nm)
SF j
Ref
avec Y(254nm) = c (254nm)
où Y(254 nm) est l'intensité mesurée sur le spectre d'excitation de la luminescence

visible de la référence pour une excitation à 254 nm.
44
Tableau II.2. Rendements quantiques externes absolus à 254 nm obtenus pour les
références émettant dans le bleu, le vert et le rouge [9]
Luminophores Luminophores
Références NBS qext (%)
BaMg Al14 023 : E " 2 + CaWO 4 :Pb2 + 77,3

(Kyokko KX501A)
Zn2 SiO4 : Mn2+ Zn 2 Si0 4 : Mn2+ 75,5

(Nishia NP200)
Y 2 O 3 : Eu3+ 75
(Sylvaniall37)
Tableau II.3. Rendements quantiques externes et réflectances des luminophores

Philips utilisés comme références (excitation à 254 nm)
Maximum
Luminophores d'émission qext (%) R(%)
(nm)
Ba Mg Alio Oi9 : Eu 2+
(Philips - U709) 447 77,40 14
Zn2 SiO4 : Mn 2+
(Philips - G210) 525 65,57 17
(Ce,Tb)MgAlnOi9 541 90,24 4

(Philips -U721)
Y 2 O 3 : Eu 3+ 610 72 27
(Philips-U719)
Pour l'échantillon, dont le spectre d'excitation de la luminescence visible a été

relevé dans des conditions expérimentales identiques à celles de la référence, le rendement
quantique externe peut alors s'écrire :
a TNaSal Ref/ic/i \
q e x t ()d) _= ech or q£!t(254nm)
jech Y(254nm)
>NaSal
45
De même, la réflectance de la référence étant connue pour une excitation à 254 nm,
nous déduisons, de l'équation (9), l'expression suivante :
R(254nm) = gcl (254nm)

S
NaSal
Ce qui conduit, en posant :
SR
S
Z(254nm) = -gfiL. (254nm) fa

S lor
NaSal
_ R R e f (254nm)
J Z(254nm)
à l'expression globale de la réflectance de l'échantillon (équation 9) :
Z(254 nm) représente alors l'intensité mesurée à 254 nm sur le spectre de réflectivité
diffuse de la référence.
46
[I] J. Schwinger, Phys. Rev. 75 (1949) 1912.
[2] D.H. Tomboulian, P.L. Harman, Phys. Rev. 102 (1956) 1423.
[3] A.A. Sokolov I.M. Ternov, Synchrotron Radiation, Pergamon, N.Y., 1968.
[4] P. Fieffe-Prevost, Bull. BNM 35 (1979) 9.
[5] Guide Technique, LURE, 1992.
[7] A. Bril, A.W. Veenis, J. Res. NBS-A Phys. and Chem. 80A (3) (1976) 401.
[8] A. Bril, A.W. Veenis, J. Electrochem. 123 (3) (1976) 396.
[9] I. Gérard, thèse (n° 2616), Orsay, 1993.
[10] J.A.R. Samson, Techniques of Vacuum Ultraviolet Spectroscopy, J.Wiley and

Sons, N.Y. (1977) 212.
[II] J.K. Berkowitz, J.A. Olsen, J. Lum. 50 (1991) 111.
47
u
n IT
Dans ce chapitre, nous nous proposons de résumer les processus énergétiques qui
induisent la luminescence d'un solide inorganique dopé avec des ions lanthanides
trivalents (Ln 3+ ).
Dans un premier temps, nous rappellerons la nature des processus d'absorption de

photons d'énergie comprise entre 3 et 40 eV. Dans un second temps, nous étudierons les
processus de désexcitation qui peuvent conduire au peuplement de l'état radiant du centre
luminescent.
A - PROCESSUS D'ABSORPTION DE L'ENERGIE INCIDENTE
L'absorption des photons UV ou VUV par le solide inorganique dopé engendre de

multiples excitations électroniques liées à des centres absorbants de nature différente.
L'absorbance du matériau dépend de la valeur du coefficient d'absorption et donc de la
nature de la transition mise en jeu.
1. Section efficace d'absorption. Règles de sélection
La probabilité de transition par unité de temps entre un état initial décrit par la
fonction d'onde \|/j et un état final décrit par la fonction d'onde \|/f est [1] :
?\
H intéraction Vidx 22 P(E)

P =
=
T I
où p(E) représente la densité d'état autour de l'énergie hv des photons ; elle est égale à
p(E) dE = V —5— dv (normalisée dans un volume V)
La probabilité d'absorption par seconde peut donc s'écrire
Pabs -
48
où N est le nombre moyen de photons dans l'état d'énergie hv et M, l'élément de matrice
décrivant le moment de la transition (moment dipolaire électrique ou magnétique).
La section efficace d'absorption est définie comme :
. , nombre de transitions par atome et par seconde

o(v) = - ^ 5
nombre de photons incidents d'énergie hv par cm et par seconde
Le numérateur n'est autre que Pabs et le dénominateur est le flux de photons

incidents donc :
o(v) =
8 î t V
XT J
cN —~— dv
On obtient ainsi la section efficace d'absorption intégrée sur un ensemble d'états

physiquement identiques (c'est-à-dire de même élément de matrice M) et sur toutes les
énergies possibles voisines de l'énergie hv des photons absorbés :
Ja(v)dv = ^ |M|2
Le coefficient d'absorption k(E) (cm"1) est égal au produit de la section efficace

o(E) par la concentration ni des atomes absorbants :
k(E) = n! o(E)
Dans le cas d'atomes situés dans un milieu d'indice de réfraction n, il est nécessaire
de remplacer c par—. Il faut aussi introduire le rapport du champ effectif Eeff au champ
électrique appliqué E (champ dû au rayonnement électromagnétique) et la constante

diélectrique du cristal [2] :
Jc(v)dv = — n Bif
C
Bjf est le coefficient d'Einstein lié à la probabilité d'absorption par unité de temps
entre l'état initial i et l'état final f. Son expression est, dans le cas d'une transition
dipolaire électrique :
R _ 871° IA/I |2 f *eff ) 1

"if 7 M ~Ë— "^
3h 2 U E c y n'
49
et, dans le cas d'une transition dipolaire magnétique
Bjf = « 42 |M|2 I I
* 3h gi
avec g i, gf : dégénérescence des états i et f respectivement ;
Ec : valeur moyenne du champ électrique dans le cristal ;

et E = eE£ OÙ e est la constante diélectrique du cristal.
Les transitions obéissent à des règles de sélection qui différent selon la nature des
transitions (dipolaires électriques ou magnétiques). Les règles de Laporte imposent que
les transitions électroniques soient dipolaires électriques lorsqu'il y a changement de
parité de la fonction d'onde y (Al = ± 1) et dipolaires magnétiques dans le cas contraire
(Al = 0). Enfin, indépendamment de la nature de la transition, seules les transitions entre
états de multiplicité de spin identique sont permises (AS = 0).
Néanmoins, ces règles de sélection ont été obtenues en considérant d'une part que
le couplage spin-orbite, qui mélange les fonctions d'onde de même J et de L et S
différents, est négligeable et d'autre part que les atomes ne vibrent pas. Celles-ci sont
généralement affaiblies par le mélange des fonctions d'onde d'états de parité opposée avec
l'interaction du champ cristallin ou lors du couplage avec les modes de vibration de la
matrice qui brisent la symétrie.
En spectroscopie électronique, l'interaction prépondérante est généralement celle qui
met en jeu la composante électrique du rayonnement (Al = ± 1). Les transitions dipolaires
électriques sont donc très intenses lorsqu'elles sont permises.
D'une façon générale, dans un solide inorganique dopé, l'interaction photon-

matière met en jeu des transitions qui sont associées soit :
- au centre luminescent considéré comme isolé au sein du solide ;

- au centre luminescent en interaction avec son environnement immédiat ;
- au réseau hôte.
2. Processus liés au centre luminescent isolé (Ln 3+ )
Les ions lanthanides sont caractérisés par une couche 4f partiellement remplie. La
configuration électronique fondamentale des ions trivalents est alors :
[Xe] 4P1 où n correspond au nombre d'électrons présents sur la couche 4f.
50
Les orbitales 4f possèdent les propriétés d'une couche interne protégée des effets de
son environnement extérieur par les orbitales pleines 5s2 et 5p6. De ce fait, l'influence du
réseau hôte (interaction de champ cristallin) sur l'énergie des transitions optiques
intraconfigurationnelles 4fn est faible bien qu'essentielle pour permettre ces transitions.
L'ion lanthanide est en général considéré comme isolé dans la matrice d'accueil.
La figure III. 1 représente la totalité ou une partie des niveaux d'énergie J de la
configuration 4fn en fonction du nombre d'électrons sur la couche 4f pour les ions Ln 3+
[3]. La largeur des niveaux représente l'importance de l'éclatement des états sous l'effet
du champ cristallin qui reste cependant très faible comparativement aux éléments de
transition. Les transitions intraconfigurationnelles étant interdites par la règle de sélection
sur la parité, les sections efficaces d'absorption associées à celles-ci sont faibles. Par
ailleurs, comme la concentration molaire en ions dopants dans la matrice d'accueil est
généralement faible, l'absorbtion due aux transitions intraconfigurationnelles se traduit
alors par des raies de faible intensité sur les spectres optiques.
La figure III.2 présente l'étendue en énergie de la configuration 4fn des ions
L n 3 + [4]. Il est souvent impossible de mesurer l'absorption de l'ensemble de la
configuration fondamentale 4fn car, lorsque l'énergie incidente augmente, l'absorption
très intense due à des transitions, permises de parité, vers les configurations excitées de
l'ion Ln 3+ masque l'absorption des transitions intraconfigurationnelles.
3. Processus liés au centre luminescent en interaction avec son environ-

nement
Le dopage d'un solide consiste, dans la plupart des cas, à substituer une fraction
des cations M 3+ (de rayon ionique r(M3+)) constituant du réseau hôte par des ions Ln 3+
(de rayon ionique r(Ln3+)).
L'ion dopant est alors entouré de n anions ligands L m ' "premiers voisins" et se situe
dans un site de symétrie ponctuelle imposée par la structure cristalline de la matrice.
Lorsque les rayons ioniques du dopant et du métal sont très différents, la substitution
"forcée" peut introduire des distorsions de la symétrie du site.
L'ion dopant peut créer des liaisons chimiques avec son environnement cristallin via
ses électrons externes. L'interaction du centre luminescent avec son environnement peut
alors donner naissance à différents mécanismes d'absorption dont certains sont associés à
des transitions électroniques interconfigurationnelles. Ainsi, l'absorption de l'énergie
incidente est à l'origine, soit de la promotion d'un électron 4f vers les orbitales 5d, soit
d'un processus de transfert d'électron entre le dopant et son environnement (transfert de
charge, auto-ionisation).
51
2
50 D,
5/2
=9/2
1/2
• B• • - 2,
[n/2
= 7/2
5/2
il.ii
— 9/2
9/2
• 3/2
• 3/2
117/2
•11/2
•7/2
• 5/2
9/2 1
•11/2 — 5/2
p ! 7 / 2 ES —-7/2
— 3/2 B™ L 3/2
5/2 — 0 — 5/2 2
ŒSS17/2 P
7/2 5G.
1 • 3/2
30 H M I
non-11/2 | | |
I
— 7/2
;1V2 9/2
3/2 m 10
— 13 — 1/2 •H
5
3 ns/2 —n/2
Ê ! D I
2D B I 5G,
CO
—^5/2 M •11/2
P2 —_V2 3/2
O 5
1 3 ~ 1 33/2
/ 2 DU 3 «15/2 5/2 'G^
- 0 5 • 9/2 7/2
LU 20 "F F 7 / 2 'i1/2
= 7/2 3/2 1
3/2
m 0 l4s
= 3K,
• s/2 ; 6
F
L 1/2
•7/2
I
3/2
5/2
1 3/2 6
G F
11/2 : 5/2
10 — n/2
— s/2
7/2
^ 15/2' 5/2 '13/2 3p
1
En 11/2
«=» 13/21
«as 13/2
• 13/2
• sss 11/2 '
. 7/2 «"-» 11/2, s a 9/2 ;
= 7/2 •
0
Eu 8 t. \ i<i
' 5/2 '9/2
H
5/2 S u
n
r
l M5/2 n
6
r
7/2
15/2 8
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb
Figure III.1. Niveaux d'énergie des ions Ln3+
52
150 -
100 -
LU
50
0 -
Figure III.2. Etendue en énergie de la configuration 4f" (2 < n < 7) des ions Ln 3+
Ces transitions interconfigurationnelles, permises par les règles de sélection
concernant la parité (Al = ± 1), induisent des processus d'absorption avec une section
efficace importante. Elles se traduisent sur les spectres optiques par des bandes
d'absorption larges et intenses. L'énergie de ces deux types de transition dépend de la
nature chimique et de la structure cristallographique du réseau hôte.
3.1. Transitions interconfigurationnelles 4fn -»4f n-1 5d
L'influence de l'environnement cristallin sur les transitions 4f n - 1 5d intervient de

deux manières. D'une part, l'énergie du barycentre des niveaux 5d dépend de la nature
des ligands : il s'agit de l'effet néphélauxétique [5]. Ainsi, l'énergie du barycentre des
orbitales 5d diminue lorsque l'ion Ln 3 + à l'état gazeux est introduit dans un réseau
cristallin. D diminue aussi lorsque l'on passe d'un réseau fluoré à un réseau "oxyde" [6].
Par ailleurs, l'ion Ln 3 + introduit dans un solide subit l'interaction du champ
cristallin qui lève la dégénérescence des niveaux 5d. L'amplitude de cet éclatement dépend
de la nature (électronégativité) et de l'arrangement (symétrie) des ligands coordinés à l'ion
Ln 3 + . Cet effet n'est pas seulement dû aux interactions électriques coulombiennes
considérées dans le modèle des charges ponctuelles mais provient aussi de l'importance
du recouvrement des orbitales 5d avec les orbitales des ligands [7]. C'est la nature de la
liaison métal-ligand (ou degré de recouvrement des orbitales) qui impose l'intensité du
champ cristallin. G. Blasse a montré que lorsque l'électronégativité des ligands et la
distance métal-ligand décroissent (critère d'une liaison covalente), l'énergie de la première
transition 4fn -> 4P1-1 5d diminue et l'éclatement de la configuration 4f "-1 5d est plus
important [6].
L'électron promu dans un état 5d interagit avec les n-1 électrons demeurant sur la
couche 4f pour donner naissance aux niveaux de la configuration excitée 4fn"1 5d. Les
transitions 4fn —» 4fn-1 5d sont permises par les règles de sélection concernant la parité
(Al = ± 1) mais peuvent être partiellement interdites par la règle de sélection sur la
multiplicité de spin (AS = 0). C'est ainsi que pour l'ion T b 3 + ( 4 f 8 ) , les deux
composantes de champ cristallin de plus basse énergie correspondant respectivement aux
transitions 7 Fj —»9 Dj (interdite de spin) et 7 Fj —»7 Dj (permise de spin) présentent
respectivement une faible et une forte intensité [8], En revanche, dans le cas de l'ion Ce 3+
(4Î1), les transitions 4f -» 5d sont totalement permises.
La figure III.3 représente l'étendue en énergie de la configuration 4f n-1 5d en
fonction du nombre n d'électrons sur la couche 4f des ions Ln 3+ .
54
4fn
4P1"1 5d
E(10 3 cm- 1 ) (A)
t IJ I I 600
•
150
700
J 800
900
100 1 1000
i
1500
-w
7777A
50 2000
o- M 3000
4000
5000
o-
10000
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Y b Lu
Figure III.3. Etendue en énergie de la configuration fondamentale 4P1 et de la

configuration excitée 4fn"1 5d des ions Ln 3+
55
On remarque que les ions trivalents (Ce 3+ , Pr 3+ , Tb 3+ ) qui s'oxydent facilement à
l'état tétravalent présentent des transitions électroniques 4f —» 5d à relativement basse
énergie alors que les ions Eu 3+ (4f6) et Yb 3+ (4f13) qui ont tendance à se réduire à l'état
divalent : Eu 2+ (4f 7 ), Yb 2+ (4f 14 ) reportent ces mêmes transitions à beaucoup plus haute
énergie.
Dans la région de basse énergie (proche UV), l'ion Eu 3+ présente, dans les matrices
oxydes, une intense et large bande d'absorption. C.K. Jorgensen a attribué ce mécanisme
au peuplement d'un état de transfert de charge. Ce mécanisme correspond à la
délocalisation d'un électron des orbitales moléculaires des ligands vers les orbitales de
l'ion Eu 3 + [9].
Il apparaît donc que, en fonction du nombre d'électrons 4f dans l'état fondamental,
la première transition permise est, pour un ion Ln 3+ donné dans un environnement de
ligands déterminés, soit une transition 4fn —> 4f n~l5d, soit une transition de transfert de
charge (nL m - -> L n 3 + ) .
La stabilité de la demi-couche (4f7) et de la couche complète (4f 14 ) gouvernent
l'énergie du seuil d'apparition de ces deux transitions pour un ion Ln 3 + donné [10].
Ainsi, les ions qui ont tendance à perdre un électron pour atteindre les configurations les
plus stables (4f °,4f7) vont être caractérisés par des transitions 4f —> 5d de basse énergie
alors que ceux qui ont plutôt tendance à gagner un électron pour atteindre les
configurations stables 4f 7,4f14 (à savoir Sm 3+ ,Eu 3+ ,Yb 3+ ) vont quant à eux présenter
une transition de transfert de charge dans cette même région d'énergie.
3.2. Etat de transfert de charge : l'ion Ln 3 + est un accepteur d'électron
L'énergie du photon absorbé est utilisée pour transférer un électron d'une orbitale
moléculaire essentiellement localisée sur le ligand vers une orbitale localisée sur l'ion
Ln 3 +.
C.W. Struck et W.H. Fonger ont supposé que ce mécanisme d'absorption
conduisait à la réduction de l'ion Eu 3+ en Eu 2+ avec un trou restant lié sur les ligands
[11]:
W.I. Dobrov et R.A. Buchman ont confirmé cette réaction de photoréduction en

mesurant un photocourant de type -p (conduction par trou) pour une absorption de
l'énergie dans l'état de transfert de charge (O^-Eu3*) [12] :
Eu 3+ + hv -> Eu 2+ + h+
56
Les travaux de G. Blasse [13,14] et de H.E. Hoefdroad [15] sur l'ion Eu 3 + ont
montré que l'énergie de l'état de transfert de charge augmente lorsque l'électronégativité
du ligand augmente ou, en d'autres termes, lorsque le pouvoir oxydant du réseau hôte
augmente. Ainsi, plus la nature de la liaison métal-ligand est ionique, plus l'énergie
nécessaire pour délocaliser un électron des ligands vers le métal est importante. Dans cette
optique les facteurs stériques tels que la distance et la coordinence; qui influent sur le taux
de recouvrement des orbitales vont aussi jouer un rôle important [13]. En effet, plus la
distance devient courte, plus le taux de recouvrement des orbitales augmente et donc le
transfert d'électron facilité. Il en est de même lorsque la coordinence augmente, car dans
ce cas la densité de charge négative répartie autour de l'ion Ln 3+ devient plus importante.
L'augmentation de la covalence de la liaison (Kgand - Ln 3+ ) conduit à diminuer l'énergie
nécessaire pour photoréduire l'ion Ln 3+ .
Enfin, il est important de noter que la largeur des bandes d'absorption
correspondant aux transitions 4f - 5d est moins importante que celle obtenue pour l'état de
transfert de charge. Cela implique que l'état excité Ln 3 + —> Ln 2 + + h + possède un
couplage vibronique avec le réseau hôte plus important que celui des états excités 4fn-1
5d. Dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration du centre luminescent
L n 3 + , cela peut se traduire par un décalage de Franck-Condon (Ar) pour l'état
(Ln 2+ + h+) plus important que celui obtenu pour des états 4fn*1 5d, si on considère que
l'énergie du phonon associé à ces états reste identique. Cette variation de Ar qui est reliée
à la variation de la distance Métal-Ligand, s'interprète par la modification effective de
l'état de valence de l'ion Ln 3+ et, par conséquent, par la modification de son rayon
ionique.
3.3 Etat d'auto-ionisation : l'ion Ln 3+ est un donneur d'électron
C. Pédrini et D.S. McClure ont étudié les processus de photo-ionisation de certains

ions terres rares divalents dans les fluorures d'alcalino-terreux. Ils ont montré qu'il est
possible de calculer, grâce à un modèle électrostatique simple, les énergies de seuil de
photo-ionisation expérimentales obtenues par des mesures de photoconductivité [16,17].
L'étude des propriétés optiques des fluorures d'alcalino-terreux dopés avec des ions
europium et ytterbium divalents a été effectuée par B. Courtois et al [18]. Ces travaux les
ont conduits à corréler directement la fluorescence particulière présentée par ces systèmes
à l'énergie du seuil de photo-ionisation de l'ion dopant. Ils interprètent cette émission
comme la recombinaison radiative de l'état Ln 3+ + e~ (lié) vers l'état fondamental Ln 2+ ,
dans le modèle de "l'exciton piégé sur le centre impureté" [19].
Le processus de photo-ionisation intervient lorsque l'ion dopant agit comme un
donneur d'électron vis-à-vis de son environnement. Dans le cas de la photo-ionisation
57
directe de l'ion dopant, une transition électronique s'effectue de l'état fondamental du
centre luminescent vers un état du continuum constituant la bande de conduction. Ce
mécanisme est peu probable car il met en jeu un transfert d'électron entre des ions trop
éloignés. En revanche dans le cas de l'auto-ionisation, l'électron est promu sur des
niveaux excités du centre se situant dans la bande de conduction du solide (figure III.4).
Il peut alors être délocalisé et ne plus subir l'attraction de l'ion qui l'a généré, d'où le
processus d'auto-ionisation. Ce type de transfert d'électron ne peut intervenir que lorsque
l'interaction de l'état excité discret du dopant avec le continuum d'état du solide est
relativement importante. Cela implique aussi qu'il ne peut être mis en jeu que par les
orbitales 5d (ou 6s) de l'ion lanthanide.
L'état d'auto-ionisation correspond donc à la réaction de photo-oxydation :
Ln 3 + + hv -> Ln 4 + + e"
L'énergie nécessaire à cette réaction est d'autant plus faible que le pouvoir oxydant
du réseau hôte est important. Sur la figure III.4, on s'aperçoit que l'énergie du seuil de
photo-ionisation du centre luminescent dépend de la position en énergie de l'état
fondamental du dopant par rapport à la bande de conduction et de l'intensité du champ
cristallin qui agit sur les orbitales 5d [18].
4. Processus d'absorption des photons mettant en jeu le réseau hôte
Comme il a été fait mention précédemment, si l'énergie du photon absorbé est

inférieure à l'énergie du seuil d'absorption fondamentale, l'absorption est due à des
processus associés au centre luminescent. Ils se caractérisent par des transitions vers des
niveaux excités du dopant ou par son ionisation. Dans le premier cas, les transitions
électroniques sont propres à l'ion dopant, dans le second, l'électron excité peut être
délocalisé (figure III.4).
Si l'énergie du photon absorbé se situe dans la région d'absorption fondamentale,
le peuplement des états excités localisés n'est plus prépondérant. La photo-ionisation du
centre luminescent peut toujours se produire, mais les transitions électroniques propres au
réseau hôte sont beaucoup plus probables. Elles se caractérisent par la création d'un
exciton (paire électron-trou liés) pour des énergies proches du seuil d'absorption
fondamentale et de paire électron-trou libre lorsque l'énergie des photons incidents
augmente.
Pour une plus grande énergie des photons incidents, l'excitation de niveaux
profonds (niveaux de cœur) du solide peuvent alors intervenir. L'ensemble de ces
excitations possède un temps de vie fini et engendrent de nouvelles excitations dans
58
l'étape de relaxation. Ainsi, lorsque l'énergie du photon absorbé se situe très loin dans la
région d'absorption fondamentale, plusieurs événements d'excitation secondaire peuvent
se produire.
La théorie des bandes a été élaborée, en particulier, pour interpréter la variation de la

conductivité électrique en fonction de la nature des solides : métal, semi-conducteur et
isolant. Le solide est alors considéré comme un arrangement régulier pour lequel la
distribution électronique est périodique d'une cellule élémentaire à l'autre.
Les bandes d'énergie des électrons du solide sont issues du recouvrement des
orbitales atomiques des atomes constituant le réseau. Lorsque le recouvrement est faible,
les charges sont localisées, ce qui conduit à une séparation entre la bande de valence
occupée et la bande de conduction totalement vide. D'une façon générale, plus le solide
est ionique (augmentation de l'électronégativité du ligand et/ou diminution du rayon
ionique du métal), plus la largeur de la bande interdite Eg est importante. La conductivité
électrique mesurée pour un isolant est très faible, ce qui implique que la migration des
charges libres au sein du réseau et leur relaxation sont en compétition.
Lors de l'introduction de dopants ou de défauts au sein du réseau hôte, la
périodicité du cristal est rompue et le désordre rend alors difficile la détermination par le
calcul de la structure électronique du matériau dopé.
4.1. Création de paires [e- - h + ] liés
L'absorption d'un photon d'énergie correspondant à la largeur de la bande interdite

Eg provoque une transition électronique d'un état du haut de la bande de valence vers un
état du bas de la bande de conduction. L'électron et le trou restent liés par la force
d'attraction coulombienne et forment ainsi une quasi-particule neutre nommée exciton. La
figure III.5 représente, dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration, le
processus d'absorption du mécanisme excitonique [20].
On distinguera deux types d'exciton en fonction du couplage vibronique de l'état
excitonique avec les phonons du réseau. L'exciton autopiégé pour lequel le décalage de
Stokes est important et l'exciton libre qui est caractérisé par des raies d'absorption fines.
La création d'un exciton autopiégé est liée à une déformation locale importante du réseau.
C'est d'ailleurs de cette manière que sont créés les centres colorés dans les cristaux
d'halogénures d'alcalins sous irradiation UV ou RX [21].
59
1—
BANDE DE C0NDUC1 ION
Autoionisation '
TSANDE INTERD ITE

A Photoionisation
Tra nsii ions

lO( :ali<
BANDE DE VALENCE;
Figure III.4. Position des niveaux d'énergie du dopant dans le schéma des bandes
d'un cristal
Figure III.5. Représentation des états excitoniques dans le modèle des courbes de
coordonnées de configuration : FE représente l'exciton libre, SLE, un
exciton autopiégé et GS, l'état fondamental du solide étudié
60
4.2. Création de paires [e* - h + ] libres
Lorsque l'énergie du photon incident augmente de Eg à Eg + Eo, la probabilité de
transition conjuguée augmente. Il est alors possible dans les deux cas limites, soit de
promouvoir un électron avec une énergie cinétique Eo dans la bande de conduction, soit
de créer un trou d'énergie cinétique Eo dans la bande de valence (figure III.6). L'électron
de conduction et le trou peuvent migrer au sein du réseau et subir plusieurs
transformations indépendamment l'un de l'autre. C'est l'étape de thermalisation de
l'excitation. Si la thermalisation de l'excitation électronique est effectuée sur une grande
distance dans le réseau, l'électron et le trou peuvent se situer suffisamment loin l'un de
l'autre pour ne plus subir leur champ d'attraction coulombienne. Us sont alors totalement
libres.
Néanmoins, l'état électron - trou libre n'est pas stable et la capture de l'électron ou du
trou par leur autopiégeage et leur couplage en exciton peuvent intervenir. Par conséquent,
à l'issue de la thermalisation des excitations, on obtient, à nouveau, des états excités de
nature identique à ceux obtenus pour des énergies incidentes moindres (Eg) mais dont la
distribution spatiale au sein du réseau est différente.
4.3. Rôle de la surface du solide
Dans la région d'absorption fondamentale, le coefficient d'absorption est élevé (de

l'ordre de 10~5 à 10~6 cm"1). Le rayonnement incident est alors essentiellement absorbé
par une très faible épaisseur du solide ce qui implique que la densité des excitations en
surface soit très importante. La surface du solide est, en elle-même, le défaut le plus
important du cristal car elle contient un nombre élevé d'imperfections de natures
différentes. Ainsi, le schéma des bandes établi au sein du volume du solide atteint une
singularité en surface puisque la périodicité du cristal est rompue. La recombinaison
e- - h + en surface est différente de la recombinaison en volume et une plus grande
probabilité de recombinaison non radiative y est observée. Cet effet est connu sous le
terme d'extinction en surface ou de perte de surface.
4.4. Processus d'excitation secondaire. Multiplication des excitations
Lorsque l'énergie du photon incident est environ deux fois supérieure à la largeur de la
bande interdite, la relaxation de l'état "super-excité" peut entraîner une multiplication des
excitations électroniques [22]. Ce processus énergétique, qui conduit à la production de
paires e~ - h+ additionnelles, est connu sous le terme de processus Auger. Il intervient lors
61
de la relaxation soit d'un photoélectron rapide (ou électron chaud), soit d'un trou profond
(niveaux de cœur). La figure 111.7 schématise les deux processus qui peuvent avoir lieu.
Dans le cas de l'électron chaud, lorsque l'énergie du photon incident est égale à
deux fois la largeur de la bande interdite Eg, un électron est promu du haut de la bande de
valence dans la bande de conduction. La thermalisation de cette excitation dans le bas de
la bande de conduction par un processus de relaxation entre deux cellules élémentaires
voisines engendre la promotion d'un nouvel électron du haut de la bande de valence vers
le bas de la bande de conduction. L'énergie du seuil de création de ce mécanisme
d'excitation secondaire correspond à 2 Eg + E v (figure m.7). Ce processus n'est rendu
possible que si la largeur de la bande de valence Ey est inférieure à la largeur de la bande
interdite Eg (Ey < Eg).
Dans le cas du trou profond, un électron d'un niveau de cœur est promu au bas de
la bande de conduction à l'issue de l'absorption d'un photon d'énergie Ec + Eg. La
relaxation d'un électron du bas de la bande de valence sur le trou profond créé, engendre
alors par un processus de relaxation croisée, la promotion d'une seconde charge au bas de
la bande de conduction. Ce processus est rendu possible lorsque l'énergie séparant le bas
de la bande de valence et les niveaux de cœur est supérieure à la largeur de la bande
interdite. Dans le cas contraire, la relaxation peut s'effectuer par une émission de photon
ou émission de "cross-luminescence". La nature de cette luminescence est une
recombinaison radiative d'un électron de la bande de valence vers le trou situé sur le
niveau de cœur. Pour BaF2, elle est interprétée comme un mécanisme de transfert de
charge entre les orbitales 2p des ions fluorures vers les orbitales 5p des ions Ba 2+ [23].
62
BC
BV
Figure III.6. Transitions électroniques conjuguées à l'issue de l'absorption

d'un photon d'énergie E g + E o
0 -- Ào
EC 4-
y
(a) (b)
Figure III.7. Création d'excitation secondaire par eflet Auger

(a) électron chaud (E y < E g )
(b) trou profond (E c - E y > E g )
63
B - PROCESSUS DE RELAXATION DE L'ETAT EXCITE
La première étape de l'interaction photon-matière condensée consiste en la création

de divers états excités associés à la nature différente des centres absorbants. La seconde
étape consiste au retour à l'état fondamental du système perturbé ; c'est l'étape de
relaxation de l'état excité créé. Cette relaxation n'entraîne pas uniquement une dissipation
de l'énergie absorbée sous forme de chaleur par l'intermédiaire des vibrations du réseau
(émission de phonons) car une grande partie de cette énergie absorbée peut être émise
hors du solide par des photons (luminescence) ou par des électrons. Cette énergie peut
être éventuellement accumulée (ou piégée) par des états métastables ou des défauts du
solide.
Dans notre étude, nous nous intéresserons plus particulièrement à la relaxation des
excitations qui conduisent au peuplement de l'état radiant du centre luminescent.
En règle générale, un solide dopé promu dans un état excité peut se désexciter selon
trois processus : radiatif, non radiatif ou transfert d'énergie. La probabilité totale de cette
étape Ptot est donnée par la somme des probabilités de chacun de ces processus. Le
temps de vie de l'état excité X est alors inversement proportionnel à la probabilité totale :
T =
Ptot
Le rendement quantique d'émission q s'exprime comme le rapport entre la

probabilité de transition radiative Pr et la probabilité totale de désexcitation.
Ptot
A ce stade, il faut rappeler que le but de notre travail est de rechercher un

luminophore qui convertit efficacement le rayonnement VUV incident en un rayonnement
visible (vert) et dont le temps de vie de l'état excité est inférieur ou égal à 5ms. Cela
implique, en premier lieu, que le rendement quantique soit proche de l'unité et donc que la
probabilité des processus non radiatifs soit faible. En second lieu, il est nécessaire que le
moment de transition à partir de l'état radiant soit important de manière à obtenir une
probabilité de transition radiative élevée et par conséquent un temps de vie de l'état excité
court.
64
1. Relaxation de l'état excité du centre luminescent : probabilités de
transition radiative et non radiative
L'émission de photons par des luminophores dopés avec des ions Ln 3 + a

généralement pour origine des transitions électroniques, soit entre des niveaux d'énergie
de la configuration fondamentale 4fn, soit entre la composante de champ cristallin
4f "- 1 5d de plus basse énergie et les états de la configuration 4fn.
La désexcitation radiative intervient à température ambiante lorsque l'écart d'énergie
AE entre deux niveaux successifs est environ égal à cinq fois l'énergie des phonons du
réseau hôte. Pour des transitions entre niveaux de la configuration 4fn, la probabilité des
processus non radiatifs en fonction de la température est donnée par la relation [24] :
Pnr(T) = Pnr(O) (n+l) p
où : - Pnr(T) est la probabilité de transition non radiative à la température T ;

- p = — est le nombre de phonons d'énergie hœ engagés ;
ftco
- n = [exp ( pp - I ) ] ' 1 ;
La variation de Pnr(T) en fonction de p, pour un grand nombre d'ions

incorporés dans différents réseaux hôte, possède un point d'intersection pour
p = 2 [25]. Il est alors possible d'écrire Pnr(O) pour l'ensemble des ions lanthanides
quel que soit le réseau hôte de la manière suivante :
Pnr(O) = p exp [-(AE - 2fcœmax) oc]
où P et a sont les constantes caractéristiques du réseau hôte et ftcûmax l'énergie de

vibration la plus élevée de l'environnement de l'ion Ln^+. Pnr(O) est importante pour de
faibles valeurs de p, c'est à dire pour de faibles valeurs de AE ou pour des fréquences de
vibration élevées.
Quant aux transitions radiatives, elles suivent comme pour l'absorption, les règles
de sélection de Laporte. Les transitions intraconfigurationnelles sont interdites à l'ordre
dipolaire électrique et permises à l'ordre dipolaire magnétique. Cependant lorsque l'ion
est dans un site non centrosymétrique, ces règles de sélection sont affaiblies par l'effet
des termes impairs du champ cristallin qui mélange, comme nous l'avons déjà évoqué, les
fonctions d'onde des états de la configuration 4fn avec celles des états des configurations
de parité opposée. Dans cet ordre d'idée, G. Blasse et A. Bril ont noté que l'énergie de
65
l'état de transfert de charge joue un rôle plus important que celle de la configuration
4f "- 1 5d [6].
Pour les ions terres rares, les transitions intraconfigurationnelles étant partiellement
interdites, le temps de vie de l'état radiant est relativement long (quelques ms) par rapport
à ceux des transitions interconfigurationnelles 4f "-1 5d -> 4fn permises (quelques
dizaines de ns). Par ailleurs, d'après l'expression du coefficient d'Einstein d'émission
spontanée, le temps de vie de l'état radiant est proportionnel au carré de la longueur
d'onde d'émission [2].
Pour ce qui concerne l'interprétation de la forme des raies d'absorption et

d'émission ainsi que du mécanisme de relaxation des états excités, le modèle des courbes
de coordonnées de configuration du centre luminescent semble très adapté. La figure ÏÏI.8
représente, dans le cas général, les courbes de coordonnées de configuration associées
aux états de la configuration 4fn (pas de modification de la distance Métal-Ligand car elles
sont non liantes) et à un état issu d'une configuration excitée (état de transfert de charge,
par exemple) auquel correspond un décalage de Franck-Condon, Ar, positif
(augmentation de la distance d'équilibre). L'absorption d'un photon conduit le centre
dans son état de transfert de charge suivant le principe de Franck-Condon (A —» B). La
relaxation de l'état excité vers son niveau vibrationnel le moins énergétique s'accompagne
d'une émission de phonons (B —» C). Il peut alors se produire un transfert d'énergie vers
des états plus stables 4fn via des croisements de courbes et l'état radiant D peut alors être
peuplé non radiativement. Lorsque l'écart d'énergie AE est suffisamment important pour
que le processus de relaxation non radiatif s'interrompe, le centre luminescent retourne
spontanément à son état fondamental par émission de photon d'énergie correspondant à
AE. Le processus de relaxation non radiatif est alors, de nouveau, mis en jeu afin
d'atteindre le niveau vibrationnel le plus bas de l'état fondamental.
En raison des processus dissipatifs d'énergie sous forme de vibration du réseau,

l'émission a lieu pour une énergie inférieure à celle de l'absorption. Le décalage en
énergie est appelé décalage de Stokes. Il correspond à la différence d'énergie entre
l'énergie du maximum d'absorption et l'énergie du maximum d'émission. La valeur du
décalage de Stokes est directement liée à l'importance du couplage de l'état excité du
centre luminescent avec les phonons du réseau hôte. Plus le couplage vibronique est
élevé, c'est à dire plus les valeurs de Ar et/ou l'énergie des phonons associées à l'état
excité sont importantes, plus le décalage de Stokes est grand. Cela se traduit notamment
par des bandes d'absorption et d'émission très larges.
A haute température, les niveaux vibrationnels associés à l'état de transfert de

charge peuvent être peuplés thermiquement et participer dès lors au processus de
66
relaxation (figure III.8). Ainsi, lorsque le point d'exctinction thermique E est atteint, les
états du multiplet fondamental sont directement peuplés par relaxation non radiative. Il en
découle que, plus le couplage vibronique est élevé (conditions d'un décalage de Stokes
important), plus la température nécessaire à l'extinction de la luminescence est basse [26].
Les matériaux luminescents qui présentent des hautes températures d'extinction et
des rendements quantiques élevés sont généralement caractérisés par des réseaux rigides
qui s'opposent alors fortement à l'expansion de l'état excité du centre luminescent. Dans
le modèle des courbes de coordonnées de configuration, cela peut se traduire sur la figure
m.8 par une limitation de la valeur Ar de l'état excité.
G. Blasse a montré que le rendement quantique associé à l'absorption de l'état de
transfert de charge de l'ion Eu 3+ est lié à l'énergie de cet état. Le rendement quantique est
d'autant plus élevé que l'état de transfert de charge se situe à haute énergie [27, 28]. En
d'autre termes, la probabilité des transitions non radiatives directement vers l'état
fondamental est d'autant plus importante que l'état excité possédant un Àr non nul se
situe à basse énergie.
La figure III.9 rend compte de l'importance des variables suivantes sur le taux des
processus non radiatifs : l'énergie de la transition à zéro phonon Ezp, l'énergie du
phonon associé à l'état excité ftco, et le décalage de Franck-Condon Ar. Ces variations
ont été obtenues en utilisant un mode de calcul élaboré par C.W. Struck et
W.H. Fonger [29] en considérant que le centre luminescent est décrit par deux paraboles
de constante de force k identique dans le modèle de l'oscillateur harmonique [30],
67
ExKTcm-1
Figure III.8. Mécanisme de relaxation de l'état excité du centre luminescent dans le

modèle des courbes de coordonnées de configuration
68
100 • (a)
N
\
p
50 - \ <
- v\ x
0 1 » 1 1
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1 ^ ~ -
100 mm
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\
\ \
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\
\ \ \
\
\
1 t 1 i \ \ "T i
200 400 600 K
Figure III.9. Variation du rendement quantique (q) avec la température et en fonction
(a) de l'énergie E (cm"1) de la transition à zéro phonon

(b) de l'énergie du phonon ti(ù (cnr 1 )
(c) du décalage de Franck-Condon Ar associé à l'état excité radiant
69
2. Le réseau hôte sensibilisateur de la luminescence de l'ion dopant
Un transfert d'énergie de la matrice d'accueil vers le centre luminescent intervient

lorsque la luminescence de l'ion dopant est détectée à l'issue de l'absorption de l'énergie
incidente par le réseau hôte. Le coefficient d'absorption de la matrice d'accueil est
généralement élevé et lorsque le taux de transfert d'énergie est important, la luminescence
de l'ion dopant peut être très intense.
Le transfert d'énergie est associé à la capture par l'ion dopant des deux porteurs de
charge, l'électron et le trou, qui migrent au sein du réseau [11, 31-36]. Leur capture
respective est déterminée par la tendance que présente l'ion dopant, soit à s'oxyder, soit à
se réduire [37]. Par exemple, les ions cérium, praséodyme et terbium trivalents capturent
de préférence le trou tandis que les ions europium et ytterbium trivalents capturent de
préférence l'électron. Ces centres luminescents peuvent donc se classer respectivement en
tant qu'accepteur de trou (donneur d'électron) et accepteur d'électron. Dans cet ordre
d'idée, pour assurer un bon transfert, le niveau fondamental de l'ion accepteur de trou
doit être proche de la bande de valence alors que celui de l'ion accepteur d'électron doit
être proche de la bande de conduction.
Nous avons représenté, sur la figure III. 10, la séquence du processus de

sensibilisation de la luminescence d'un ion dopant accepteur de trou : l'absorption de
l'énergie incidente pour une valeur voisine de celle de la largeur de la bande interdite
entraîne une transition du haut de la bande de valence vers le bas de la bande de
conduction (étape 1) et génère un exciton (étape 2). Dans le cas où l'exciton n'est pas très
fortement autopiégé, il peut migrer au sein du réseau avant de rencontrer un centre
luminescent (étape 3). Dans ce cas, la probabilité de relaxation de l'exciton, par un
processus n'incluant pas le centre luminescent, dépend de sa distance de migration. En
augmentant la concentration en centres luminescents au sein du solide, la probabilité de
capture de l'exciton par un centre augmente. Lorsque l'ion dopant entre en interaction
avec l'exciton, il capture d'abord le trou (étape 4) et cède un électron à la bande de
valence, ce qui a pour conséquence de promouvoir l'ion luminogène Ln 3+ dans un état
ionisé Ln 4+ + e'(libre). Dans cet état, l'ion Ln 4+ capture alors l'électron pour donner
naissance à l'état Ln 4+ + e'(lié) (étape 5) qui correspond à l'exciton piégé sur le centre
luminescent. La dernière étape du processus est alors la relaxation de l'état Ln 4+ + e~(lié)
vers les états de la configuration excitée et/ou fondamentale de l'ion Ln^+ qui induit la
luminescence caractéristique de l'ion activateur (étapes 6 et 7).
L'efficacité de la sensibilisation de l'ion dopant est plus importante dans le cas de la

capture de l'exciton puisque cela correspond au piégeage simultané des deux porteurs de
charge alors que, lorsque les porteurs de charge peuvent migrer librement et
indépendamment l'un de l'autre, la capture du trou puis de l'électron par un même centre
70
devient beaucoup moins probable. L'intensité de la luminescence au cours de cette
séquence est fonction, comme nous venons de le voir, de l'efficacité de la capture des
porteurs de charge et aussi de l'importance des processus non radiatifs associés à la
relaxation de l'état Ln 4+ + e~(Iié) vers l'état fondamental Ln 3 + . Les processus non
radiatifs s'interprètent à l'aide du modèle des courbes de coordonnées de configuration du
centre luminescent évoqué au paragraphe précédent et dépendent, par conséquent, des
trois variables (Ezp, ftœ, Ar) associées à l'état excité. Dans le mécanisme présenté ci-
dessus, nous pouvons supposer que la capture du trou est favorisée lorsque l'état
fondamental Ln^+ se situe proche du haut de la bande de valence.
71
Création de l'exciton Capture Recombinaison
Ln 4 + + e' (libre)
BC
f 2 ) ^ Capture de e" 4f n " 1 5d L n 4 + + e" (libre)
t f I \ et
4fn
Ln 4 + + e" (lié)
§
j
•a 1
'o
X
Capture de h +
W Migration
0
7 - 0 - 1 Ln3+
3+
(4fn)
Figure 111.10. Séquence de la sensibilisation de la luminescence de l'ion Ln 3+ lorsque celui-ci est

accepteur de trou (donneur d'électron)
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES.
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Amsterdam, 1971.
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Press, 1987.
[8] J.L. Ryan, C.K. Jorgensen, J. Phys. Chem. 70 (1966) 2845.
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74
u
n
SYNTHESES ET STRUCTURES
CRISTALLOGRAPHIQUES
Nous avons choisi de travailler avec plusieurs familles de matériaux susceptibles
d'accueillir un cation lanthanide trivalent dopant. Ainsi, nous avons synthétisé :
- les orthoborates de terres rares de formule :

TRBO3 avec TR3+ = Y3+, La3+, Gd3+ ;
- les métaborates de terres rares de formule :

TR(BO2)3 avec TR3+ = La 3+ , Gd 3+ ;
- les orthophosphates de terres rares de formule :

TRPO4 avec TR3+ = Y3+, La3+, Gd3+ ;
- les métaphosphates de terres rares de formule :

TR(PO3)3 avec TR3+ = Y3+, La3+, Gd3+ ;
- les grenats d'aluminium ou de gallium de terres rares de formule :

TR3X5O12 avec TR 3+ = y3+, Gd3+ et X3+ = Al3+, Ga3+.
A - SYNTHESES
1. Réactifs utilisés pour les synthèses
Les réactifs utilisés lors de ces synthèses sont :
les oxydes de terres rares

Y2O3 pureté : 99,9999% Rhône-Poulenc ;
La 2 O 3 pureté : 99,99% Rhône-Poulenc ;
Gd 2 O 3 pureté : 99,99% Rhône-Poulenc ;
pureté : 99,99% Rhône-Poulenc ;
Eu2O3 pureté : 99,99% Rhône-Poulenc ;
pureté : 99,99% Rhône-Poulenc ;
- le chlorure de lanthane hydraté :
LaCl3, xH2O pureté : > 99% Fluka;
75
- le chlorure de cérium hydraté :
CeCl 3 ,7H 2 O pureté : > 98,5% Fluka ;
- l'acide orthoborique :
H3BO3 pureté : 99,5% Prolabo ;
- l'acide orthophosphorique :
H3PO4 (15M) pureté : pour Analyse Prolabo ;
- l'alumine (granulométrie : 0 < lOjim) :
AI2O3 pureté : 99,8% Aldrich ;
- l'oxyde de gallium :
pureté : 99,999% Aldrich.
2. Synthèse des borates et des phosphates de terres rares
Les borates et phosphates de terres rares ont été synthétisés par voie humide. Leur
synthèse chimique se déroule en plusieurs étapes.
2.1. Dissolution
La dissolution des oxydes de terres rares s'effectue en ajoutant progressivement de

l'acide chlorydrique concentré (12M). Cette réaction, qui présente un fort caractère
exothermique, conduit à complexer les cations terres rares au degré d'oxydation III. Pour
le terbium et le praséodyme, qui proviennent d'oxydes à valence mixte, le mélange de
coloration brunâtre est chauffé sous agitation jusqu'à obtention d'une solution limpide
caractéristique de leur degré d'oxydation III (coloration légèrement verte pour l'ion Pr 3+ ).
Pour le cérium, nous utilisons une solution de chlorure de cérium car la dissolution
de l'oxyde CeC<2 est très lente et incomplète. Cette solution est obtenue en dissolvant du
trichlorure de cérium hydraté dans de l'eau distillée. Le titre est ensuite déterminé à l'aide
d'un dosage volumétrique en retour qui consiste à ajouter, à un certain volume de la
solution, un excès d'EDTA et à doser ce dernier par le sulfate de cuivre [1].
Les dopages en cations lanthanides (Ce 3+ , Pr 3+ , Eu 3+ et Tb 3+ ) sont effectués en
considérant des pourcentages molaires par rapport aux cations terres rares (Y 3+ , La 3+ ,
G d 3 + ) constituant le réseau hôte (un dopage à 5% molaire en ions Tb 3 + dans
76
l'orthoborate d'yttrium correspond, par exemple, à la formule chimique Yo,95Tbo,O5BC>3
que nous noterons de préférence YBO3:Tfc>3+(5%)).
2.2. Complexation par les ions borate ou phosphate
La seconde étape consiste à ajouter dans le milieu réactionnel précédent les quantités
nécessaires d'acide orthoborique (préalablement dissout dans l'eau, à chaud) ou d'acide
orthophosphorique (14,5M) en respectant les rapports stœchiométriques suivants :
formes "ortho" : 5 | — = 1, formes "meta" : - ^ ~ - | < a v e c x = B 3 + > p5+
>- Toutefoi
s,
un excès molaire d'acide de l'ordre de 5% est ajouté afin de s'assurer que la totalité des
cations a réagi dans le milieu réactionnel. Le tout est maintenu à chaud et sous agitation
afin d'homogénéiser correctement la solution.
2.3. Evaporation
L'évaporation à sec s'effectue sur banc de sable, afin de récupérer la totalité du

solide formé. Le temps nécessaire au séchage dépend de la quantité de solution à
évaporer, c'est pourquoi nous utilisons des réactifs très concentrés pour limiter les
volumes initiaux de solution.
2.4. Traitements thermiques
Le résidu ainsi obtenu est finement broyé avant de subir un traitement thermique. B
est, en premier lieu, porté progressivement à 400°C sous air et maintenu à cette
température pendant deux heures afin d'éliminer les produits volatils (H2O et HC1). Un
second palier d'une heure à 600°C est ensuite effectué après broyage du solide. Ce dernier
est enfin porté à la température de cristallisation selon le protocole suivant :
- 1000°C pendant trois heures, pour les orthoborates ;
- 900°C pendant deux heures, pour les métaborates ;
- 1200°C pendant huit heures, pour les orthophosphates ;
- 800°C pendant deux heures, pour les métaphosphates.
77
Dans le cas d'un dopage avec les ions Ce 3+ , Pr 3+ ou Tb 3+ , un traitement thermique
supplémentaire à 500°C sous atmosphère réductrice (argon-hydrogène 10%) est effectué
afin d'assurer une réduction complète des ions terres rares à l'état trivalent (poudres
blanches pour les matériaux dopés avec les ions Ce 3+ ou Tb 3 + et de couleur vert-pâle
pour ceux dopés avec des ions Pr 3+ ).
2.5. Lavage
L'excès d'acide orthoborique ou orthophosphorique initialement ajouté a pu

éventuellement conduire à la formation d'oxydes de bore ou de phosphore. L'oxyde de
bore est éliminé par lavage du solide à l'ammoniaque concentré tandis qu'on élimine
l'oxyde de phosphore par lavage dans l'eau chaude. Le produit cristallisé est ensuite filtré
et séché.
3. Synthèse des grenats d'aluminium ou de gallium de terres rares
La synthèse des grenats de terres rares est effectuée par voie sèche par la méthode
du flux. Aux oxydes de terres rares et d'alumine, préalablement mélangés intimement, on
ajoute une quantité de sulfate de baryum ou de carbonate de sodium correspondant à 3%
massique du mélange initial. Le mélange est ensuite porté à 1600°C sous air durant douze
heures.
4. Caractérisation de la phase cristalline
A l'issue de chaque synthèse chimique, la structure des matériaux polycristallins est

vérifiée par diffraction des rayons X sur la poudre. La connaissance de la structure
cristalline des matériaux synthétisés, mentionnée dans la littérature, nous a permis de
nous assurer de la nature et de la pureté de la phase cristalline des composés.
Les analyses par diffraction des rayons X sur la poudre ont été réalisées à l'aide
d'un spectrogoniomètre Philips PW 1050/70 utilisant la raie Ka du cuivre
(k= 1.5418Â).
78
B - STUCTURES CRISTALLOGRAPHIQUES
1. Borates de terres rares
1.1. Orthoborates de terres rares
1.1.1. YBO 3 et GdBO 3
Les orthoborates YBO3 et GdBC>3 sont isostructuraux. Ils possèdent une structure
du type "YBO3" dérivée de la structure vatérite [2-4]. Cette structure est illustrée sur la
figure IV. 1. Dans la maille hexagonale les cations terres rares trivalents (TR 3+ ) occupent
deux sites cristallographiques différents. Le premier est un site octaédrique et le second
est de coordinence douze. Pour ce dernier, le cation est entouré de six atomes d'oxygène
à courte distance et six autres situés à des distances supérieures. La symétrie ponctuelle
des deux sites est D3. Les groupements formés par les ligands borates, isolés les uns des
autres, sont constitués d'un atome de bore lié à trois atomes d'oxygène suivant une
géométrie triangulaire plane.
1.1.2. LaBO 3
L'orthoborate LaBC>3 possède une structure du type aragonite. Il cristallise dans un

système orthorhombique (groupe d'espace Pnam) [5]. La structure est illustrée sur la
figure IV.2. L'ion La 3 + occupe un seul site et est coordiné par neuf atomes
d'oxygène [4,6].
1.2. Métaborates de terres rares : La(BÛ2)3 et Gd(BO2>3
Leur structure est constituée de chaînes infinies d'anions (B30ô)a- Ceux-ci sont
composés de groupements BO3 triangulaires et de groupements BO4 tétraédriques. Ces
groupements sont ordonnés en chaînes infinies le long de l'axe c, chaque BO4 étant relié
à quatre BO3. La liaison entre deux chaînes est assurée par l'ion TR 3+ . Cette structure est
représentée sur la figure IV.3. La distance 0 - 0 entre deux chaînes (B3Oô)a adjacentes
diminue avec l'augmentation du numéro atomique de l'atome de terre rare. Cette
contraction est limitée par le recouvrement des orbitales des atomes d'oxygène et la
répulsion des atomes de bore. C'est vraisemblablement pour cette raison que les
métaborates de terres rares sont instables pour les éléments de rayon ionique inférieur à
celui du terbium [6].
Les métaborates La(BO2)3 et Gd(BO2)3 sont isostructuraux. Ils cristallisent dans un
système monoclinique correspondant au groupe d'espace 12/a- Les ions TR 3+ occupent
79
un site de symétrie ponctuelle C2 et sont décacoordinés [5,7]. Les polyèdres TRO10
forment des couches infinies parallèles au plan ac. L'ion TR 3+ possède deux plus
proches voisins TR 3+ à 4Â environ (intra-chaîne) et quatre ions TR 3+ situés dans des
chaînes différentes à 5,1Â [8,9].
2. Phosphates de terres rares
2.1. Orthophosphates de terres rares
2.1.1. YPO4
Les terres rares de rayon ionique inférieur à celui de l'ion gadolinium (du terbium au
lutecium, y compris l'yttrium et le scandium) cristallisent dans un système tetragonal
19
conformément au groupe d'espace I4]/amd O-^fp [10-12]. La structure est illustrée sur la
figure IV.4. L'ion TR 3+ y occupe un site de coordinence huit et de symétrie ponctuelle
D2d (dodécaèdre déformé). Les tétraèdres PO4 sont également déformés.
2.1.2. LaPO 4
Les terres rares de rayon ionique supérieur ou égal à celui du gadolinium (du
lanthane au gadolinium) cristallisent dans un système monoclinique (groupe d'espace
P2i/n) [13-15]. La structure est illustrée sur la figure IV.5.
L'ion lanthanide occupe un site de coordinence neuf et de symétrie ponctuelle C s .

Les ions lanthanides sont liés les uns aux autres par des tétraèdres PO4 déformés.
2.2. Meta phosphates de terres rares
Dans les groupements phosphates, les atomes d'oxygène sont au sommet d'un
tétraèdre autour de l'atome de phosphore. Les tétraèdres PO4 peuvent être isolés ou
mettrent en commun un sommet.
Dans les orthophosphates, les tétraèdres PO4 sont isolés les uns des autres alors
que, dans les métaphosphates, ils partagent un sommet pour former des chaînes (PO3V
Cette liaison P-O-P qui s'effectue au sommet du tétraèdre est flexible. La structure du
métaphosphate dépend alors du rayon ionique de la terre rare.
80
yttrium
bore
a2
Figure IV. 1. Structure "YBO311. Représentation de la maille par projection selon

l'axe z
Figure IV.2. Structure "Aragonite" LaBC>3. Sept groupements borates BO3" de

géométrie plane entourent le cation La 3+ selon une coordinence 9
81
o -o
Figure IV.3. Représentation des chaînes infinies (B3Û6)a dans la structure des
métaborates de lanthanides
(a) (b)
Figure IV.4. Vue ortèpe des polyèdres de coordination dans la maille tetragonale
LnPO 4
03 03
04' '
02' ' 02' '

03- 03 '
04'
Figure IV.5. Représentation stereoscopique de l'atome de lanthane nonacoordiné

dans la structure LnPÛ4 monoclinique (P2i/n)
82
2.2.1. Y ( P O 3 ) 3
Le métaphosphate d'yttrium Y(PC«3)3 possède une structure du type "YDP3O9" qui

est obtenue pour les terres rares de rayon ionique inférieur ou égal à celui du gadolinium
[16]. La structure "YDP3O9" est illustrée sur les figures IV.6 et IV.7. La maille est
monoclinique et correspond au groupe d'espace P2i/C. Les chaînes hélicoïdales (PÛ3)n
sont linéaires et orientées selon l'axe c. Elles sont reliées les unes aux autres par des
liaisons Yb-O. Chaque atome d'ytterbium est coordiné à six atomes d'oxygène et se
trouve ainsi au centre d'un octaèdre distordu. Ces octaèdres sont isolés les uns des autres.
La distance Yb-Yb la plus courte est de 5,610Â. L'ion Yb 3 + occupe quatre sites
différents : deux sites possèdent un centre d'inversion avec une symétrie ponctuelle
proche de Oh alors que les deux autres sites sont de symétrie Ci [16-18].
2.2.2. La(PO3)3
Le métaphosphate de lanthane La(PC>3)3 possède une structure du type "NdP3O9"

obtenu pour les terres rares de rayon ionique supérieur ou égal à celui du gadolinium
[19]. Le métaphosphate de gadolinium synthétisé cristallise dans un tel système. La maille
est orthorhombique (groupe d'espace P2i/C). La structure "NdPsOg" est illustrée sur les
figures IV.8, IV.9 et IV. 10. Elle est caractérisée par une structure unidimensionnelle en
chaînes. L'arrangement des tétraèdres PO4 consiste en une chaîne (PO3)n le long de
l'axe c (figure IV.8). Ces chaînes sont reliées entre elles par des liaisons avec l'ion
néodyme (figure IV.9). L'ion terre rare occupe un seul site de coordinence huit, de
symétrie ponctuelle plus basse que C2 [17,18].
Chaque ion Nd^+ partage deux atomes d'oxygène avec un ion Nd^+ voisin de telle
sorte que les dodécaèdres NdOs mettent en commun une base pour former une chaîne en
zigzag le long de l'axe c (figure IV. 10). La distance entre deux atomes de néodyme
Nd-Nd intrachaîne est égale à 4.234Â et la distance interchaîne est de 7À.
3. Grenat d'aluminium ou de gallium et de terres rares
Le grenat cristallise dans un système cubique centré (groupe d'espace Ia3d (O n )).
Dans le réseau Y3AI5O12, plus communément nommé YAG, les ions Y 3 + sont coordinés
à huit atomes d'oxygène dans un site dodécaédrique de symétrie ponctuelle D2.
83
Figure IV.6. Projection de la structure de YbP3Oo. dans le plan ab représentant
l'arrangement des tétraèdres PO4 et des octaèdres YbÛ6 (octaèdres
légèrement déformés)
1.2
l.Z
50 50
Figure IV.7. Projection de la structure de YbP3Û9 dans le plan bc représentant

l'arrangement des tétraèdres PO4 et des chaînes hélicoïdales orientées
selon l'axe c
84
,(99) P 2 (49)
a
1
r (49) I s*
O—p' (75)/
© P 2 (49)
P2(99) -P 2 (49)
Figure IV.8. Projection de la structure de dans le plan ac représentant

l'arrangement des tétraèdres PO4
Figure IV.9. Projection de la structure de NdP3C>9 dans le plan ab représentant

l'environnement des atomes de néodyme
85
Figure IV.10. Projection de la structure de NdP3Û9 dans le plan bc représentant
l'arrangement des dodécaèdres NdOg (chaînes en zigzag parallèles à
l'axe c)
86
40% des ions Al 3+ sont entourés par six atomes d'oxygène dans un site octaédrique
déformé. Les 60% d'ions restants sont entourés par quatre atomes d'oxygène dans un site
tétraédrique déformé. Les réseaux YAG et Y3Ga5Oi2 (YGG) sont isostructuraux.
Il est à noter que la substitution des ions Al 3+ par les ions Ga 3+ entraîne une
augmentation du paramètre de maille a du réseau. La distance moyenne Y-O augmente de
2,367Â pour le YAG à 2,383Â pour le YGG [20].
Le tableau IV. 1 récapitule les données cristallographiques, issues de la littérature,

concernant les matériaux considérés dans ce chapitre.
Tableau IV. 1. Données cristallographiques concernant les borates, les phosphates et

les grenats de terres rares considérés lors des synthèses
Matrice YBO 3 GdBO3 YPO4 Yb(PO3)3 YAG YGG
Nombre de 1 1
2 2 1 4
site TR 3+
Coordinence 6+12 6+12 g 6 8 8
Symétrie
D3 D3 D2d Oh+Cl D2 D2
ponctuelle
Distance
2,36 2,40 2,223 + 2,367 2,383
moyenne 2,336
2,192
TR 3 + -0 (Â)
Maille hexagonale hexagonale tetragonale monoclinique cubique cubique
Matrice LaBO 3 La(BO 2 ) 3 G d ( B O 2 ) 3 LaPO 4 CePO 4 GdPO4 Nd(PO3)3
Nombre de 1 1 1 1 1 1 1
site TR 3+
Coordinence 9 10 10 9 9 9 8
Symétrie
C2 C2 Cs Cs Cs <C2
ponctuelle
Distance
moyenne 2,572 2,616 2,52 2,572 2,55 2,469 2,431
3+
TR -0 (Â)
Maille ortho- mono- mono- mono- mono- mono- ortho-
rhombique clinique clinique clinique clinique clinique rhombique
87
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89
R
Le but de cette étude est de rechercher et de trouver un matériau luminescent de
rendement quantique élevé sous excitation VUV, caractérisé par une émission verte et
possédant un temps de déclin court. Notre choix s'est porté sur l'ion Tb 3 + (4f 8 ) qui
présente un pic d'émission principale au voisinage de 540-545nm et un temps de vie de
son état radiant inférieur à 10ms quelle que soit la structure du réseau hôte. Toutefois, le
rendement quantique de l'émission de l'ion dopant peut varier très fortement en fonction
de la nature de la matrice d'accueil. Aussi, afin d'étudier les facteurs qui régissent les
mécanismes d'absorption et de transfert d'énergie ainsi que les processus de desexcitation
non radiatifs, nous avons choisi de comparer le comportement de plusieurs réseaux hôtes
dopés avec divers ions luminescents.
Ainsi, dans ce chapitre, nous nous proposons d'étudier les propriétés de
luminescence de diverses familles de matériaux : borates, aluminates, phosphates, dopés
avec les ions lanthanides trivalents : Ce 3+ , Pr 3+ , Eu 3+ et Tb 3 + . Nous présenterons et
analyserons successivement les spectres de réflectivité diffuse des matrices non dopées,
les spectres d'excitation de la luminescence des centres activateurs relevés à plusieurs
températures et les spectres d'émission. Nous discuterons enfin la variation l'énergie des
seuils des mécanismes d'absorption qui induisent la luminescence de l'ion dopant.
A - SPECTRE DE REFLECTIVITE DIFFUSE
1. Différenciation de l'absorption intrinsèque du réseau hôte de celle du

dopant
Tous les spectres de réflectivité diffuse des matrices non dopées présentent, à partir
d'une certaine énergie, une diminution plus ou moins rapide de l'intensité réfléchie
(figures V.l à V.5). Ce minimum de réflexion se retrouve également à une énergie
identique sur les spectres de réflectivité diffuse des matrices dopées, quelles que soient la
nature et la concentration du dopant. Cette variation rapide de l'intensité ne peut alors être
attribuée qu'à l'absorption des photons incidents par le réseau hôte : c'est le seuil
d'absorption intrinsèque ou fondamentale.
A partir de l'énergie du minimum de réflexion, nous pouvons donc distinguer deux
domaines d'énergie sur les spectres d'excitation de la luminescence des matrices dopées
auxquels vont correspondre des processus d'absorption différents qui impliquent :
(i) soit directement le dopant ;
(ii) soit le réseau hôte.
90
Ainsi, pour une énergie incidente inférieure à la valeur de l'énergie du minimum de
réflectivité, les processus d'absorption seront associés aux transitions électroniques
prenant naissance dans le dopant, alors que pour une énergie incidente supérieure ou
égale à la valeur de l'énergie du minimum de réflectivité, les processus d'absorption
seront associés aux transitions électroniques caractéristiques du réseau hôte.
Il est important de signaler que l'intensité de réflectivité diffuse des matériaux non
dopés décroît plus ou moins rapidement pour atteindre le minimum précédemment
évoqué. Par conséquent, dans le "front de réflectivité", les processus d'absorption
associés au dopant et au réseau hôte peuvent être en compétition.
2. Variation de l'énergie du minimum de réflectivité en fonction de la

nature du réseau hôte
Au minimum de réflectivité, l'absorption de l'énergie incidente par le réseau hôte est

prépondérante. Elle induit des transitions électroniques du haut de la bande valence vers le
bas de la bande conduction. L'énergie du minimum de réflectivité nous renseigne donc
sur la valeur de la largeur de la bande interdite du réseau hôte et par extension, sur
l'importance de son caractère isolant. T. Tomiki et al [1] et M. Kucera et al [2] ont
montré, par des mesures de réflectivité spéculaires à plusieurs températures sur des
cristaux de YAG (non dopés), que le point de convergence des seuils d'absorption
suivant la loi d'Urbach se situe à 7eV. Dans notre cas, les mesures de réflectivité diffuse
sur le YAG non dopé révèlent un minimum de réflectivité à 6,88eV à température
ambiante.
Nous avons reporté, dans le tableau V.l, l'énergie du minimum de réflectivité pour
l'ensemble des matériaux considérés dans ce chapitre.
Tableau V.l. Energie du minimun de réflectivité diffuse des matériaux non dopés
Matrice YBO3 GdBO3 LaBO3 Gd(BO2)3 La(BO2)3 YAG
E(eV) 7,65 7,1 6,9 7,75 7,75 6,88
Matrice YPO4 GdPO4 LaPO4 Y(PO3)3 La(PO3)3 YGG
E(eV) 8,4 7,8 8 8,4 8 6
91
Nous constatons que le caractère isolant des solides considérés augmente selon la
série:
gallate < aluminate < borate < phosphate
En accord avec cette propriété, les matériaux présentés ont un caractère ionique
important, conséquence d'un faible recouvrement des orbitales du métal avec celles des
ligands dû à une électronégativité élevée des ligands. Dans le cas des borates et des
phosphates, la limite d'absorption du réseau dépend probablement des liaisons
terre rare-oxygène. La liaison P-0 étant plus forte que la liaison B-O, la liaison
terre rare-oxygéne est plus ionique dans les phosphates et par conséquent, la limite
d'absorption est plus grande. La limite d'absorption plus grande pour La(BC>2)3 que pour
LaBO3 peut probablement être interprétée de la même façon.
Nous constatons aussi que pour une même famille de matériaux, les composés à
base d'yttrium se révèlent être plus isolants que ceux à base de lanthane. Il semble que
cette propriété soit gouvernée par le rapport p nJ^nn'n du métal incluant le fait que
des petits cations (ou anions) fortement chargés constituent des entités très
électronégatives. Lorsque le rayon ionique diminue (du lanthane à l'yttrium), la densité de
charge positive augmente. Aussi, le champ créé par le cation au site de l'anion augmente.
Par ailleurs, dans ce modèle ionique, plus la distance cation-anion est courte (ce qui est le
cas lorsque l'on passe d'un composé lanthane à yttrium), plus le champ créé par les
cations au site de l'anion est fort, plus il faut d'énergie pour transférer un électron de
l'anion sur le cation. Eg est plus petit pour les composés du lanthane que pour ceux de
l'yttrium puisque ce dernier est plus électronégatif et plus petit.
Dans le modèle covalent, Eg correspond à l'écart d'énergie entre les orbitales liantes
et antiliantes. Plus le recouvrement entre les orbitales est important, plus Eg est grand. La
diminution relative de la distance TR 3 + - O2* dans une matrice à base d'yttrium
comparativement à celle de lanthane (tableau IV. 1) favorise le recouvrement des orbitales
des ligands et du métal et par conséquent la covalence des liaisons. La stabilisation des
orbitales liantes dans le composé d'yttrium se traduit alors par une valeur de Eg plus
importante.
92
YBO3
300K
p
•'-'min Ref
I I I I l
5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Energie (eV)
7
Energie (eV)
Figure V.I. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des orthoborates de terres rares
non dopés
93
Gd(BO2)3
300K
miti Ref
I I i I
r 7 8 9 10
5
Energie (eV)
Figure V.2. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des métaborates de terres rares
non dopés
94
Figure V.3. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des orthophosphates de terres
rares non dopés
95
T 1 1 1 I
5 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure V.4. Spectres de réflectivité diffuse, à 300K, des métaphosphates de terres rares
non dopés
96
v YAG
V 300K
Intensité (u.a.)
\
1
\
v^ F
^ s ^ HninRef
1 1 1 1 1 1
5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure V.5. Spectre de réflectivité diffuse, à 300K, du YAG non dopé
97
B - SPECTRE D'EXCITATION DE LA LUMINESCENCE DU CENTRE
ACTIVATEUR
Selon l'énergie des photons incidents nous pouvons donc distinguer plusieurs
processus d'absorption qui induisent la luminescence du centre activateur.
1. Absorption de l'énergie directement par le centre luminescent
1.1. Transitions intraconfigurationnelles 4f n
Les transitions intraconfigurationnelles se présentent sous forme de raies

d'absorption de faible intensité. Ces transitions étant interdites au premier ordre, les
sections efficaces d'absorption sont faibles et malgré un rendement quantique interne
élevé, elles conduisent à une luminescence de faible intensité.
Dans le cas de matériaux à base de gadolinium, on distingue nettement l'absorption
due aux transitions 8S7/2 —» 6Pj (4eV) et 8S7/2 —> 6 Ij (4,55eV) de la configuration 4f7 en
raison de la concentration élevée des centres absorbants Gd 3+ . Dans le cas de
Gd(PO3)3:Tb 3+ (figures V.16 et V.17), nous observons également une bande
d'absorption à 5,56eV que nous associons à la transition 8S7/2 —» 6 Dj. L'existence de
ces transitions propres au gadolinium trivalent, sur les spectres d'excitation de la
luminescence des ions Eu3+ et Tb 3+ , implique qu'un transfert d'énergie s'établit entre
l'ion Gd3+ et l'ion dopant (Eu3+, Tb3+).
1.2. Transitions interconfigurationnelles
1.2.1. Etat de transfert de charge de l'ion Eu3 +
L'état de transfert de charge de l'ion Eu3+ (4f6) se caractérise par une large bande
d'excitation très intense au voisinage de 5eV (figures V.6 à V.9). Ce processus
correspond au transfert d'un électron des orbitales 2p des ligands oxygène vers les
orbitales vides 4f de l'ion Eu 3+ . Cette transition interconfigurationnelle
(npi, 4f 6 —» np*!*1,4f 7) possède une section efficace d'absorption élevée et peut induire
une luminescence importante de l'ion dopant Eu3+ si le peuplement des niveaux radiatifs
5
Dj par un processus de transfert d'énergie est lui même important. Nous avons reporté,
dans le tableau V.2, l'énergie du maximum d'excitation de l'état de transfert de charge de
l'ion Eu-*+ relevée pour plusieurs matrices.
98
ExcA BO33"
60- YBO3:Eu3+(5%)
^ \
/ . 300K
/ ETC
\ /
%4 0 -
/ \ ^
Qext (9
J
20-
I 1 1
4 6 8 10
Energie (eV)
60- Exc^"^"^
GdBO3:Eu3+(5%)
300K
J
\
40-
ETc\
Qext (%)
/
20-
Gd 3 + /
A1
Gd /
1 1 1 I
4 6 8 1 0
Energie (eV)
15- LaBO 3 :Eu 3+ (5%)
300K
/ \
1 ETC
10-
Qext (%)
J
\
5 - Exc
— •
I 1 1 I
4 6 8 10
Energie (cV)
Figure V.6. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Qext), de la

3+ v
luminescence de l'ion Eu , à 300K, dans les orthoborates de terres rares
99
La(BO2)3:EuJT (5%)
Exc/ Gd(BO2)3:Eu3+ (5%)

40-
300K
/ \
\
30-
\
g \
&20-
A
10-
I
4
N ETC^
\
I
6
J Energie (eV)
8
I I
10

.3+ s
luminescence de l'ion Eu , à 300K, dans les métaborates de terres rares
100
Qe
I 1 1 1 I I I
4 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
GdPO4:Eu3+ (5%)
300K
30-
Gd
g. 2 0 -
10-
i I
5 7 8 10 11
Energie (eV)
LaPO4:Eu3+ (5%)
30-
300K
20-
Qext
10-
7 8
Energie (cV)
Figure V.8. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe (Qext), de la lu-
3+ .
minescence de l'ion Eu , à 300K, dans les orthophosphates de terres rares
101
Y(PO3)3:Eu3+(5%)
x 300K
/
/ ETC
Intensité (u.a.)
\ Exc
J
!
•—«k..-.,—
1 1 I I i 1 i i
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Gd(PO3)3:Eu3+(5%)
300K
ETC
V Exc
Intensité (u.a.)
V
/
J
3
Gd i
I 1 i 1 1 i i
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
La(PO3)3:Eu3+(5%)
A
A Exc
300K
Y
Intensité (u.a.)
/ ETC
-—v—-
1
4
-J 1
5
I
6 7
Energie (cV)
8
^-"
1
9
I
10
I
11
Figure V.9. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Eu3+, à 300K, dans les
métaphosphates de terres rares
102
Tableau V.2. Energie de l'état de transfert de charge de l'ion Eu 3+
Matrice YBO3 GdBO3 LaBO3 Gd(BO2)3 (La,Gd)(BO2)3 La(BO2)3 YPO4
E(eV) 5,76 5,46 4,6 4,96 4,86 4,77 5,8
Matrice GdPO4 LaPO4 Y(PO3)3 Gd(PO3)3 La(PO3)3 YAG YGG
E(eV) 5,2 4,8 5,63 5,74 5,85 5,84 5,28
L'énergie à laquelle apparaît le processus de transfert d'électron dépend du degré

d'ionicité de la liaison ligand-europium [3,4]. Il suit le critère d'ionicité énoncé
précédemment pour les matériaux non dopés prenant en compte l'électronégativité des
ligands et la coordinence. Plus le réseau hôte est isolant, plus l'état de transfert de charge
se situe à haute énergie. De même, plus la coordinence de l'ion lanthanide est faible, plus
l'énergie de l'état de transfert de charge augmente. Cette loi de variation se vérifie très
bien au sein d'une même famille de matrices : YBO3 à LaBÛ3, ou YPO4 à LaPC>4, par
exemple. En revanche, cette variation ne se vérifie pas pour les matrices LaBO3 à
La(BO2)3, respectivement de coordinence 9 et 10 (tableau IV. 1). Ce désaccord doit être
relié au caractère isolant du réseau hôte : l'environnement de l'ion Eu 3+ est plus
électronégatif dans La(BC<2)3 où le minimum de réflectivité apparaît à une énergie
supérieure à celle relevée pour LaBO3 (tableau V.l).
Le tableau montre aussi que la variation de l'énergie de l'état de transfert de charge
dans les métaphosphates de terres rares suit une loi opposée à celle énoncée ci-dessus.
Nous reviendrons ultérieurement sur ce point.
1.2.2. La configuration excitée 4f n * 1 5d
L'absorption des photons incidents par les ions Ce 3 + (4f l ), Pr 3+ (4f 2 ) et

Tb 3+ (4f8) peut entraîner des transitions électroniques à partir du niveau fondamental 4fn
vers les niveaux de la configuration excitée 4f "- 1 5d de l'ion lanthanide considéré. Ces
transitions interconfigurationnelles se caractérisent par des bandes d'absorption plus ou
moins larges et dont la largeur est fonction du couplage vibronique de l'état excité avec les
phonons du réseau hôte. En général, cette largeur est plus faible que celle de la bande de
transfert de charge, ce qui semble indiquer que le couplage vibronique des transitions f-d
est beaucoup moins important. Les transitions 4fn —» 4f n"* 5d permises par les règles
de Laporte possèdent une section efficace d'absorption élevée et peuvent donc conduire à
103
une luminescence intense du dopant si le transfert d'énergie vers son état radiant est
efficace.
Enfin, nous remarquons que les matériaux isostructuraux présentent des spectres
d'excitation très similaires.
1.2.2.1 Cas des ions Tb 3 + et
Au premier état de la configuration excitée 4f 7 5d de l'ion Tb 3 + (4f8) est attribué le

terme spectroscopique ^D et au second, le terme 7 D (figures V.10 à V.19). La première
transition interconfïgurationnelle 7 Fj —» 9 Dj correspond donc à une transition interdite de
spin alors que la seconde 7 Fj -» 7 Dj est permise de spin et par conséquent, les intensités
des bandes d'excitation sont respectivement faible et forte en accord avec la règle de
sélection sur la multiplicité de spin (ÀS=0). Cette variation d'intensité se retrouve
parfaitement sur les spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Tb 3 + introduit dans
les réseaux hôtes de grenats d'alumino-gallate d'yttrium (figures V. 18 et V.19).
Pour l'ion Pr 3+ (4f 2 ), les premières transitions interconfigurationnelles suivent la

même règle de sélection sur la multiplicité de spin (figures V.20 et V.21). Ainsi, le
premier état de la configuration 4f 5d étant le triplet 3 G et le suivant le singulet 1 G, les
transitions à partir de l'état fondamental 3FLj de la configuration 4f2 vers les états excités
de l'ion Pr 3 + sont caractérisées respectivement par une intensité forte
>3 Gj et faible
1.2.2.2 Cas de l'ion Ce 3 +
L'ion Ce 3 + (4f *) possède un seul électron optiquement actif et, par conséquent,
toutes ses transitions 4f -» 5d sont totalement permises par les règles de sélection (figures
V.22 à V.26). Cependant, dans la plupart des matériaux dopés avec des ions Ce 3+ , il
apparaît que l'excitation de la première transition 4f —» 5d possède une intensité de
luminescence supérieure à celle relevée pour les transitions 4f —» 5d plus énergétiques.
Cela implique qu'une partie de l'énergie absorbée par les niveaux 5d plus énergétiques est
alors perdue pour le processus de luminescence.
Lorsque l'ion Ce 3 + occupe un seul site de basse symétrie ponctuelle au sein du
réseau hôte, son spectre d'excitation doit être composé de cinq bandes correspondant aux
cinq niveaux de la configuration excitée 5d.
104
Intensité
n 1 4f75d Exc
A
YBO3:Tb3+(2%)
10K
1 i I I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Exc/^\
(Y,Gd)BO3:Tb3+(2%)
10K
Intensité (u.a.)
/v
1
Gd 3 H
1
A 4f75d
1
V1 l
^~"~
i i
5 6 7 8 9 10 11
4
Energie (eV)
GdBO 3 :Tb 3+ (2%)

Exc
\ 4f75d 10K
r\
A
ri
Intensité (
Gd 3+
i 1 1 1 1 1 I I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
fi 4f75d
Exc LaBO3:Tb3+(2%)
A
A 1OK
Intensité (u.a.)
1 , 1
/si 1 1 I I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Figure V.IO. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Tb3+, à 10K, dans les
onhoborates de terres rares
105
70-
1 V - 50
J Exc;
p
I I
60- 3-
1
50- 1 4f 7 5d / - 40
D
CD
— 4 0- 1 1 /A /\ - TO
ext
•" " *3
O 30- 3+
YBO3 :Tb (x%) - 20
20- 20%
1 / OC/
- 10
10-
0-
v
1
/-v..
J I
i i i 1
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
- 35
80- / \
4f75d / - - 30
• ':
/
/ / r>n 3-
60- \ - 25
I \1 / / V - 20
D
a
O
40-
\ 1/
i « / / - 15
20-
Gd 3+
1
|
1
vv/ GdBO 3 :Tb (x%)
3+
20% - 10
j
r>oL
- 5
0 —"
i i 1 1 1 1 I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
80- ! LaBO.3 :Tb (x%)

3+
- 50
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• * -î IL AU
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- 40
60-
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1 /V - D
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- 30 CD
X
"3
o V '
- 20
I
20-
J 4f 7 5d BO 3 3 " •^s:
*•
I - 10
0 -
i - 0
1 1 t 1 I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Figure V.ll. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique (Qext), de la luminescence

de l'ion Tb 3+ , à 300K, pour deux concentrations : 2% (trait plein) et 20% (pointillés)
dans les orthoborates de terres rares
106
Exc, (La,Gd)(BO2)3:Tb3+(5%)
10K
•J2
s
c
Gd(BO2)3:Tb (5%)
10K
3+
Gd
I I 7
6 7 8 10 11
Energie (eV)

métaborates de terres rares
107
f \
La(BO2)3:Tb3+( 5%)
X
30- \ 4f75d 300K
\ Exc
I V V
1
Qext (%)
20-
10-
I 1 1 1 1 I l I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
ExCv^v
(La,Gd)(BO2)3:Tb
40- / Ni 300K
4f75d /
[\
V
/ \
Qext (%)
20-
.-,-,3+ . \ V
Gd
^
k I
0 - I 1 I 1 I
1 1
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Exc A
Gd(BO2)3:Tb3+ [5%)
v
60-
300K
/ \
40-
Qext (%)
20-
Gd 3+
rV 4f75d
/
/
il
0- - * • i I I
1 1 1 I
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)

.3+ v
luminescence de l'ion Tb , à 300K, dans les métaborates de terres rares
108
YPO4:Tb3+(5%)
GdPO,:Tb (5%)
LaPO4:Tb (5%)
10K
Figure V.14. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Tb3+, à 10K, dans les
orthophosphates de terres rares
109
YPO4:Tb3+(5%)
80-
300K
nJ \
Exc
\ 4f 75d ^ \
60-
r^—-
Qext (*
40-
\
20-
n—
| \ J
i 1 i 1
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Exc
GdPO4:Tb3+(5%)
60-
( AV 300K
J
J
g- 4 0 -
Qext
^
Gd 3 + 7
4f 5d V
20-
1 1 I i i i
4 5 6 7 8 9 10 11
Energie (eV)
Al/V Exc LaPO4:Tb3+(5%)

80-
/ AV 300K
60-
V / ^
Qext
40- 4f75d "
20-
1
4
J
1
5
1
6
i
7
1
8
1
9
I
10
i
11
Energie (eV)

luminescence de l'ion Tb 3+ , à 300K, dans les orthophosphates de terres rares
110
Y(PO3)3:Tb:3+ (5%] A /
10K /
J
i
é (u.a.)
11
\ 4f75d
Exc
s"
/
1 i i l 1 1
n 5 6 7 8 9 10
4 Energie (eV)
Gd(PO3)3:Tb (5%)
U(PO 3 ) 3 :Tb 3+ (5%) A

1OK
A A ?
4f 5d 1
/
«
Exc
Intensité
I i i 1 1 1 1
4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)

metaphosphates de terres rares
111
80- Y(PO 3 ) 3 :Tb 3+ (5%)
A
300K
\
60-
y—\
\
fi 4 0 - 4f 7 5d
a 1
20-
n - —. ""
1 1
A- 1
Exc
i i i
4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Gd(PO 3 ) 3 :Tb 3+ (5%)

A
A 300K
a
40-
Gd 3+
Gd 3 '
1
r^n Exc
20- |
0 —.-
| 1 4f75d V
V •
i
— CO
I 1 i i
4 5 7 8 9 10
Energie (eV)
60- A La(PO3)3:Tb3+(5%)
300K
40-
Exc
w
V
Qext
20-
0 -
4
i
5
y
i
6
4f 7 5d
7
I
V 1
8
V ""
9
I i
10
Energie (eV)

luminescence de l'ion Tb 3+ , à 300K, dans les métaphosphates de terres rares
112
Energie (eV)
I T
4 8 10 12
Energie (eV)
Eg
A
f E5 / \ AI/Ga=1/4
10K
1
M
"S3
A
r V
on \
U
E1
— ^
I i I T T
4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure V.18. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Tb 3+ , à 10K,

dans les grenats Y(AG)G
113
E2
80- AI/Ga=5/0
-ft
A
300K
E3
A
60-
g40-
a E4
J
•
^>-/
20-
E1 I \ ^ ^
l 1 1 1 i
4 6 8 10 12
Energie (eV)
E2.
A AI/Ga=3/2
60-
• 300K
E3
^40- Eg
*—> E
X
&
E4
20-
: E1 1
\
\ / \* ^.
0 - JKJ
J
1 i I i
4 6 8 10 12
Energie (eV)
30 1 "A AI/Ga=1/4
300K
E3
Eg
20
S" E4 E5
IA
X
aj
a
10
- E1
v\
v \J
/
^ - - ^
A I
0 .Jy 1 1 I
^ ^
I
__
4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure V.19. Spectres d'excitation, calibrés en rendement quantique externe, de la luminescence

3+ v
de l'ion Tb , à 300K, dans les grenats Y(AG)G
114
Dans le cas de l'orthophosphate d'yttrium YPO4:Ce3+ (figure V.25), le nombre
élevé de bandes d'excitation relevées (huit), associées à l'absorption du centre
luminescent, semble indiquer que l'ion dopant occupe plus d'un site dans cette matrice.
Nous avons rassemblé, dans le tableau V.3, l'énergie des diverses bandes
d'absorption qui induisent la luminescence de l'ion Ce 3+ dans les matériaux ne présentant
qu'un seul site cristallographique.
Tableau V.3. Energies, à 10K, des mécanimes d'absorption des matériaux dopés avec
des ions Ce 3 + dans lesquels ces derniers n'occupent qu'un seul site
cristallographique
Matrice LaPO4 La(PO3)3 LaBO3 La(BO2)3 Gd(BO2)3 YAG
El (eV) 4,525 4,275 3,746 4,626 4,662 2,71
E2(eV) 4,843 4,68 4,661 4,77 4,77 3,65
E3 (eV) 5,188 5,414 5,145 5,05 5,04 4,75*
E4(eV) 5,794 6,048 5,345 5,66 5,66 5,5*
E5 (eV) 6,02 6,391 5,767 6,078 6,048 6,06*
E6 (eV) 7,085 7,47 6,26 6,7 6,7 -
Exciton (eV) 8,05 8 7,05 7,6 7,7 6,88
* la déconvolution de la bande d'excitation a été effectuée par T. Tomiki et al [5]

Nous observons dans ces matériaux sept bandes d'absorption plus ou moins bien
résolues. Les bandes d'excitation indexées de El à E5 sont associées aux transitions
4f —» 5d de l'ion Ce 3 + . La bande d'absorption appelée "Exciton" correspond à
l'absorption du réseau hôte et la création d'excitons. la bande d'absorption E6 est
beaucoup plus large que celles associées aux transitions interconfigurationnelles 4f -> 5d
et son comportement se distingue d'une part, lorsque la concentration en centres
luminescents augmente (notamment dans Ce(PC>3)3 e t CePÛ4) et d'autre part lorsque la
température diminue.
115
A 3 F2,3H6
r "X LaPO4:Pr(5%)
\ : F F3 3
I \ r
Exc
!:
\ 3H5 X
\ V/ 300K
1 |
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1 i I 1 1
5 6 7 8 9
Energie (eV)
Figure V.20. Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres d'émission (pointillés)
de l'ion Pr +, à 300K, dans les orthophosphates de terres rares
116
Y(PO3)3:Pr (5%)
Figure V.21. Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres d'émission (pointillés)
de l'ion Pr3+, à 300K, dans les métaphosphates de terres rares
117
La comparaison des spectres d'excitation de la luminescence des autres ions luminogènes
Eu3*, Pr 3+ et Tb 3 * dans ces mêmes matrices montre que cette bande est caractéristique de
l'ion Ce 3+ . Nous l'associons à l'absorption conduisant à l'état d'auto-ionisation de l'ion
Ce 3 +:
Ce 3+ -> Ce 4+ + e" (lié)
Elle correspond donc à une transition électronique issue de l'état fondamental vers
un niveau excité du centre luminescent situé dans la bande de conduction du solide. Ce
niveau excité peut être soit un niveau 5d, soit un niveau 6s.
1.2.2.3. Variation de l'énergie des transitions interconfîgurationnelles
1.2.2.3.1. Effet néphélauxétique
L. Brewer a mesuré l'énergie des transitions 4fn -> 4f "- 1 5d et 4fn -» 4f n " 1 6s pour
les ions lanthanides à l'état gazeux (tableau V.4) [6].
Tableau V.4. Energies des transitions 4fn —> 4f n - 1 5d et 4fn -4 4f n - 1 6s pour les ions
Ce3*, Pr 3+ et Tb 3+ à l'état gazeux [6]
Ln 3 + 4f n _> 4f n-1 5^ 4fn -» 4f n-16s
E (10 3 cm-1) E(eV) E (103 cm-1) E(eV)
Ce3+ 49,737 6,16 86,602 10,74
Pr 3 + 61,171 7,58 100,259 12,43
Tb3+ 60 7,44 93 11,53
118
c
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*
C/3
p Intensité (u.a.) Intensité (u.a.)
3 0
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Energie (eV)
1
10
300K
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A
A
Intensi
\ -^
I i 1 I
4 6 8 10
Energie (eV)
Figure V.23. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce3+, à 10K et 300K,

dans l'orthoborate de lanthane
120
La(BO2)3:CeJT (5%)
3+
Gd(BO2)3:Ce3+ (5%)
10K
Exciton
1 1 I I
7 8 9 10
Energie (eV)
Figure V.24 . Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce3+, à 10K et 300K,

dans les réseaux hôtes La(BO2)3 et Gd(BO2)3
121
ft YPO4:Ce3+ (5%)
\\ 10K
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CS
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10
Energie (eV)
Exciton ^ - ^ LaPO4:Ce3+ (1%)

itensi té (u.a.)
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Energie (eV)
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10K
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7
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Intensi
E6
"N. Exciton
i i 1 i I I
i 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure V.25 . Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce3+ , à 10K,

dans les orthophosphates de terres rares
122
A Y(PO 3 ) 3 :Ce 3+ (5%)
Intensité (u.a.)
\\ 10K
- ^ " " ^ . . • •
i 1 1 I I
4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
E1 AE2
' \ E3 La(PO3)3:Ce3+ (5%)
A/ 1 A
r A 10K
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Intensité (u.a.)
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1 i i 1 ~1
4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
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Â Ce(PO3)3
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10K
Intensité (u.a.)
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7
~N Exciton
I
8
i
9
~I
10
Energie (eV)
Figure V.26. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Ce3+, à 10K,

dans les métaphosphates de terres rares
123
Lorsque l'ion lanthanide est introduit au sein d'un solide, l'effet néphélauxétique
diminue l'énergie de ces transitions. Nous avons consigné dans le tableau V.5, pour
différents réseaux hôtes, l'énergie du barycentre des orbitales 5d de l'ion Ce 3+ déterminée
à partir des spectres d'excitation à 10K de l'ion Ce 3 + lorsqu'il occupe un seul site
(tableau V.3) ainsi que l'étendue en énergie de la configuration 5d (E5-E1; tableau V.3).
Il apparaît que dans les réseaux hôtes les plus ioniques, le barycentre des niveaux
5d se situe à plus haute énergie. L'effet néphélauxétique, qui résulte du mélange des
orbitales 5d de l'ion lanthanide avec les orbitales du ligand, modifie dans le cas général,
les paramètres de Racah relatifs à la configuration 4fn"15d [7]. La réduction de ces
paramètres est d'autant plus importante que l'électronégativité du ligand diminue et que la
distance Ln 3+ - Ligand diminue (critère de covalence de la liaison). Par conséquent,
l'énergie du barycentre des orbitales 5d augmente des réseaux hôtes YAG à La(PC>3)3
lorsque le caractère isolant du solide augmente (tableau V.l).
Tableau V.5. Energie du barycentre des niveaux 5d et étendue en énergie de la

configuration 5d de l'ion Ce 3+
Réseau YAG LaBO3 Gd(BO2)3 La(BO2)3 LaPO4 La(PO3)3
E (5d) (eV) 4,534 4,933 5,236 5,237 5,274 5,361
AE(eV) 3,35 2,021 1,386 1,452 1,495 2,116
1.2.2.3.2. Intensité de champ cristallin
L'interaction du champ cristallin qui agit sur l'électron 5d, éclate la configuration 5d
en plusieurs composantes de champ cristallin. Cet éclatement dépend de la symétrie
ponctuelle du site occupé par l'ion lanthanide et de l'intensité du champ cristallin exercé
par les ligands. Plus l'intensité du champ cristallin est élevée, plus l'étendue en énergie de
la configuration 4f "-^d est importante. L'ion Ce 3+ , qui ne possède qu'un seul électron
optiquement actif, permet la mesure directe de cette interaction en négligeant le couplage
spin-orbite qui pour un électron d est faible. La symétrie ponctuelle du site étant très basse
dans les matrices d'accueil étudiées, la configuration 5d du Ce 3 + éclate en cinq
composantes de champ cristallin distinctes. Le tableau V.5, montre que l'intensité du
champ cristallin augmente lorsque l'on passe du réseau hôte métaborate de gadolinium au
124
réseau hôte grenat d'aluminate d'yttrium (YAG). T. Tomiki et al ont déterminé un
paramètre de champ cristallin 10 Dq égal à 2,24eV pour le YAG:Ce3+ [5].
Dans les matrices considérées dans ce chapitre, le second voisin de l'ion lanthanide
est un ion Ga 3+ , Al 3 + , B 3 + ou P 5 + . Cet ordre correspond à une augmentation de la
densité de charge (ou force ionique) portée par chaque ion et, par conséquent, à une
augmentation de la polarisation qu'il exerce sur les atomes d'oxygène qui entourent l'ion
lanthanide. Cette polarisation induit en retour une diminution de la densité de charge
négative développée par les ions oxygène, dans la région en interaction avec le cation
lanthanide considéré. Par ailleurs, la distance lanthanide-ligand augmente dans cette série
(2,367Â pour le YAG et 2,616Â pour le La(BC<2)3) et la conjugaison de ces deux
phénomènes entraîne alors une diminution du champ électrostatique généré par les ions
oxygène et exercé sur l'ion lanthanide. La résultante est donc une diminution de l'intensité
du champ cristallin le long de la série considérée.
C'est ainsi que l'intensité du champ cristallin subi par l'ion Ln 3+ diminue du réseau
YAG au réseau YGG. Sur la figure V.27, nous avons reporté, pour diverses
compositions en gallium, l'énergie des transitions 4f7 5d de l'ion Tb 3 + , notées de El à
E5, ainsi que l'énergie du minimum de réflectivité, noté Eg. (Sur cette figure, les points
correspondent aux résultats expérimentaux, obtenus à température ambiante et les droites
sont issues de l'ajustement des points expérimentaux obtenus à la température de l'hélium
liquide.) Lorsque l'on passe du YAG à YGG, la diminution de l'intensité du champ
cristallin entraîne une augmentation de l'énergie des transitions El et E2 (respectivement
interdite et permise de spin) et un chevauchement des transitions E3 et E4. Cette
diminution permet de détecter la transition E5 qui se distingue alors nettement du front
d'absorption du réseau hôte à 10K (figure V.18), alors que celle-ci était totalement
occultée par l'absorption excitonique pour de faibles concentrations en ions Ga 3+ . La
droite associée à la variation de l'énergie de la transition E5 permet de déterminer l'énergie
à laquelle devrait se situer cette cinquième transition 4f 7 5d pour le réseau YAG (environ
7,4e V).
Enfin nous remarquons que, pour une même famille de matrices, lorsque l'ion
lanthanide substitue un ion yttrium qui possède toujours le rayon ionique le plus faible,
l'énergie de la composante de champ cristallin de plus basse énergie diminue. Cet effet est
lié à la variation de la distance lanthanide-ligand et à la variation de champ cristallin qu'elle
induit. Pour mesurer cet effet, nous avons consigné, dans le tableau V.6, l'énergie de la
composante 4f "-1 5d de champ cristallin de plus basse énergie (et permise de spin) pour
les ions Ce 3+ , Pr 3+ et Tb 3+ dans les phosphates de terres rares.
125
t l • I I I I I I I I I l l I I I I I I I I I I I • t • I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I
7.0-
6.5-
4.5-
4.0-
i i i i i I i i i i i i i ri ] i I i i j i i i i j I I I n il i i | r l i i i i i i r^ i i i
0 20 40 60 80 100
3+
Concentration en ions Ga (%)
Figure V.27. Variation de l'énergie des différentes bandes d'excitation en fonction de

la concentration en ions Ga3+ dans le réseau hôte grenat Y(AG)G:Tb3+
126
Nous constatons que l'intensité du champ cristallin subi par l'ion Ln 3+ est plus
importante pour le métaphosphate que pour l'orthophosphate de lanthane. Par ailleurs,
l'énergie de la configuration 4f 5d de l'ion Pr 3+ et 4f 75d de l'ion Tb 3 + se situent à plus
haute énergie que la configuration 5d de l'ion Ce 3+ (tableau V.4).
Tableau V.6. Energie (eV) de la composante 4f "- 1 5d du champ cristallin de plus basse
énergie (permise de spin)
Matrice YPO4 LaPO4 Y(PO3)3 La(PO3)3
Ce 3 + 4,08 4,525 4,12 4,275

P r 3+ 5,66 6,048 5,8 5,87
Tb 3 + 5,53 6,04 5,71 5,9
2. Sensibilisation de la luminescence de l'ion dopant par le réseau hôte
Pour une énergie incidente voisine de celle de la largeur de la bande interdite

(tableau V.l), l'absorption des photons par la matrice d'accueil entraîne une transition
électronique du haut de la bande de valence vers le bas de la bande de conduction avec
création d'un exciton. Le coefficient d'absorption caractérisant de telles transitions est
élevé et augmente rapidement pour atteindre des valeurs de l'ordre de 105 à 106 cm"1 dans
la région d'absorption fondamentale. Il s'en suit que si la probabilité de transfert
d'énergie du réseau hôte vers le centre activateur est élevée, la luminescence induite peut
être importante.
L'excitation de la luminescence de l'ion dopant via l'absorption du réseau hôte est
fonction de la température et de la concentration en centres luminescents. A très basse
température, la probabilité de ce mécanisme d'excitation peut varier de façon importante
ce qui semble indiquer que dans la plupart des cas, le transfert d'énergie par capture des
porteurs de charge par l'ion dopant est assisté par les phonons du réseau.
Pour de faibles concentrations en centres luminescents, le mécanisme d'excitation
prépondérant est la capture des porteurs de charge libres (électron ou trou) par l'ion
lanthanide. Ces porteurs de charge libres peuvent migrer sur une grande distance dans le
réseau hôte avant de rencontrer un centre. Mais lorsque la concentration en ions dopants
augmente, il faut alors considérer la capture de l'exciton par le centre et ceci s'effectue au
détriment de la relaxation propre de l'exciton. Ainsi, lorsque le nombre de centres est
élevé, l'intensité de la luminescence du centre associé à la capture de l'exciton peut être
importante et c'est dans notre cas, le mécanisme d'excitation le plus efficace. L'électron et
127
le trou étant liés par la force d'attraction coulombienne, l'ion dopant capture
simultanément et aisément les deux porteurs de charge.
Lorsque la concentration en centres luminescents augmente, d'autres mécanismes
d'excitation peuvent intervenir comme c'est notamment le cas pour les orthoborates de
terres rares (figure V.I 1). Pour ces matériaux, le spectre d'excitation de la luminescence
de l'ion terbium trivalent dans le domaine d'énergie d'absorption de la matrice est modifié
par l'apparition d'une large bande d'excitation au voisinage de 8eV (155nm). Elle
augmente corrélativement en intensité avec la concentration en ions dopants. Elle a été
attribuée par A.W. Veenis et al à l'absorption du groupement moléculaire borate isolé [8].
Dans la plupart des cas, l'intensité de la luminescence du centre diminue lorsque
l'énergie des photons incidents croît à partir du seuil d'absorption intrinsèque. Cette
diminution peut être interprétée de deux manières. En premier lieu, la probabilité de
création de l'exciton diminue : elle est maximale pour une énergie voisine de celle de la
largeur de la bande interdite puis diminue lorsque l'énergie incidente augmente en faveur
de la création de paires électron-trou libres. Comme le mécanisme excitonique est le
mécanisme de sensibilisation de la luminescence le plus efficace, l'intensité de
luminescence suit alors la variation de la probabilité de création de l'exciton en fonction de
l'énergie incidente. En second lieu, la diminution de l'intensité peut être attribuée à
l'intervention des pertes de surface. Celles-ci se caractérisent par une augmentation de la
probabilité de recombinaison des paires électron-trou en surface, indépendamment du
centre luminescent.
Nous avons observé que, pour certains matériaux, tels que les métaphosphates ou
les métaborates de terres rares, il existe un décalage en énergie entre l'énergie du
minimum de réflectivité et le maximum de la bande d'excitation associée à l'absorption
excitonique (tableau V.7).
Tableau V.7. Energies du minimum de réflectivité (EMinRef) et du maximum

d'excitation (Enxcitation) de la luminescence de l'ion Tb 3 + dans les
phosphates de terres rares
YPO4 GdPO4 LaPO4 Y(PO3)3 Gd(PO3)3 La(PO3)3
EMinRef 8,3 7,95 8 8,4 8 8
EExcitation 8,2 7,9 7,8 7,4 7,56 7,56
128
Nous attribuons ce décalage aux pertes de surface. En effet, pour des photons
d'énergie correspondant au minimum de réflectivité, le coefficient d'absorption est si
important que l'épaisseur de matériau sollicitée est très faible. Les défauts de la surface
interviennent donc de manière prépondérante et contribuent à faire chuter l'intensité de la
luminescence de l'ion dopant. Pour des raisons identiques, les rapports d'intensité des
bandes d'excitation de la luminescence de l'ion cérium trivalent sont drastiquement
modifiées lorsque la concentration en ions Ce 3+ augmente dans les réseaux ortho- et
métaphosphate de lanthane. C'est ainsi que pour les premières bandes d'excitation
4f —» 5d de l'ion cérium trivalent dans le composé pur, un "trou" d'excitation correspond
au maximum d'excitation pour une concentration de quelques pour cent molaires dans le
réseau hôte (figures V.25 et V.28). Ce phénomène été également observé par C. Pédrini
et al lors d'une étude sur des cristaux de fluorures de lanthane (LaF3:Ce3+) [9].
129
C - SPECTRE D'EMISSION
1. Transitions intraconfigurationnelles des ions Eu 3 + et Tb 3 +
Les spectres d'émission visible de l'ion Eu 3+ et de l'ion TrP + sont des spectres de
raies fines correspondant à des transitions radiatives entre états de la configuration
fondamentale 4fn : 5 Di, 5 Do -» 7 Fj dans le cas de l'ion Eu 3+ et 5 D3, 5 D4 -> 7 Fj dans le
cas de l'ion Tb 3+ .
2. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Ce 3 +
Dans le cas de l'ion Ce 3+ , le niveau émetteur est la composante de champ cristallin

de la configuration excitée 5d de plus basse énergie ( 2 D). Les transitions radiatives
correspondent à des transitions dipolaires électriques et permises de spin de l'état 5d vers
les multiplets de la configuration fondamentale 4fl : 2 D -> 2F7/2, 2Fs/2 (figures V.28 et
V.29). Elles présentent de ce fait des temps de déclin courts (quelques dizaines de
nanosecondes). La séparation en énergie des états 2F7/2 et 2 Fs/2 étant de l'ordre
2000 cm"1, le spectre d'émission de l'ion Ce 3+ est alors composé de deux bandes (tableau
V.8) [10].
L'énergie des transitons radiatives dépend de l'énergie de la composante 5d du

champ cristallin et aussi de son degré de couplage avec les phonons du réseau. Ainsi,
alors que la composante de champ cristallin de plus basse énergie de l'ion Ce 3+ se situe à
une énergie plus faible dans le réseau métaphosphate de lanthane que dans le réseau
orthophosphate de lanthane (tableau V.6), l'émission de l'ion Ce 3 + dans cette dernière
matrice est, contre toute attente, moins énergétique. C'est là une manifestation du
couplage vibronique de l'état radiant. Il est plus important dans l'orthophosphate de
lanthane, (comme l'indique le chevauchement des deux bandes d'émission), que dans le
métaphosphate de lanthane où les deux bandes d'émission du Ce 3 + apparaissent bien
distinctes. C'est à cause de ce décalage de Stokes plus important dans LaPÛ4: Ce 3+ que la
transition a lieu à plus basse énergie. Ce phénomène se répète pour l'émission de l'ion
Ce 3+ dans le métaphosphate d'yttrium comparativement à l'émission de YPO4:Ce3+.
130
LaPO4:CeJT (5%)
300K
Figure V.28 . Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres d'émission (pointillés)
de l'ion Ce3+ , à 300K, dans les orthophosphates de terres rares
131
Y(PO3)3:Ce3+ (5%)
300K
5d
/
/ i \ r
\ Exe
T
v_
T I I
\
I I
.• ^
I
- *
I
3 4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
5d La(PO3)3:Ce3+
J+
(5%)
300K
Figure V.29. Spectres d'excitation de la luminescence (trait plein) et spectres d'émission

33+
(pointillés) de l'ion Cee , à 300K, dans les métaphosphates de terres rares
132
Tableau V.8. Energies des transitions radiatives de l'ion Ce 3 + et écart d'énergie entre
les bandes d'émission (l'astérisque indique qu'il s'agit d'un épaulement)
Réseau hôte Energies des transitions AE

E(eV) (cm-1)
YPO4 3,73 3,5 1850
La(PO3)3 4,04 3,82 1809
LaPO4 3,94 3,74* 1615
Y(PO3)3 3,75 3,55* 1649
3. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Pr 3+
Dans le cas de l'ion Pr 3+ , des transitions radiatives 4f 5d —> 4f2 sont possibles
lorsque la composante de champ cristallin de plus basse énergie (3G) de la configuration
4f5d [11,12]:
(i) se situe à une énergie inférieure à celle de l'état ^ 0 (environ 48000 cm"1) de la
configuration 4f2 ;
(ii) présente un couplage vibronique faible avec les phonons du réseau hôte.
Les transitions radiatives sont issues de l'état 3G vers les états 3 Hj, 3 Fj et ^ 4 de la
configuration fondamentale 4f2 (figures V.20 et V.21). Comme pour l'ion Ce 3 + ,
l'énergie des émissions de l'ion Pr 3+ sont fonction de l'énergie de la première
composante 4f 5d de champ cristallin ainsi que de son couplage vibronique avec les
phonons du réseau. Pour un état 3G très faiblement couplé avec les vibrations du réseau
hôte, cinq bandes d'émission sont attendues avec une séparation en énergie qui dépend de
l'éclatement des niveaux 3 H j , 3 Fj et ! G4. Par ailleurs, l'intensité de la transition
3
G -> ] G4 est faible puisque interdite de spin. Les travaux de T. Hayhurst et al
concernant les états de champ cristallin de l'ion Pr 3+ dans le réseau hôte YPO4 nous ont
permis d'indexer les diverses transitions radiatives de l'ion Pr 3+ dans YPO4 et dans
La(PO"3)3 P°ur lesquels l'état radiant est peu couplé avec les phonons de la matrice
(tableau V.9) [13].
133
Tableau V.9. Ecarts d'énergie entre les états de la configuration 4f2 [13] et indexation
des transitions radiatives de l'ion Pr 3+ dans les réseaux hôtes YPO4 et
La(PO3)3
3
Etats H4^3H5 3
H5-»3H6 3H6_>3F2 3F 2 _> 3 F 3 , 3F4 3F 3 ,3F 4 ->1G 4
AE (cm-1) 2059 2063 707 1238 2705
YPO4
AE (cm-1) 1926 2756 1428
3 3
Indexation 3H4 H5 H6, 3 F 2 3
F3, 3F4
E(eV) 5,3 5,09 4,75 4,57
La(PO3)3
AE (cm-1) 1874 3030 1464 2732
3 3 3
Indexation H4 H5 H6, 3 F 2 3F 3 , 3 F 4 ^4
E(eV) 5,56 5,33 4,96 4,78 4,43
Nous avons reporté, dans le tableau V.10, le temps de vie du niveau radiatif obtenu
en analysant le déclin de l'émission à 4,77eV (260nm) mesuré à l'issue d'une excitation
dans l'état 4f 5d radiant pour les phosphates de terres rares dopés avec 5% d'ions
Pr 3+ .Nous constatons que l'émission de l'ion Pr 3+ étant plus énergétique que celle de
l'ion Ce 3+ , son déclin est plus court.
Tableau V.10. Déclin de l'émission d'énergie 4,77eV de l'ion Pr3+
Matrice YPO4 LaPO4 Y(PO3)3 La(PO3)3
Déclin (ns) 7 8,5 13,3 12,2
134
Sur le spectre d'émission du métaphosphate de lanthane dopé avec des ions Pr 3+
(figure V.21), certaines bandes sont caractéristiques de l'ion Ce 3 + . Cet ion est donc
présent en tant qu'impureté dans les réactifs. Comme le domaine d'énergie de l'émission
de l'ion Pr 3+ (4,43-5,56eV) recouvre le domaine d'absorption de l'ion Ce 3 + (4,27-
5,4leV), la condition d'un transfert d'énergie efficace de l'ion Pr 3+ vers l'ion Ce 3 + est
alors remplie. L'ion Ce 3 + est dans ce cas un centre piège de la luminescence de l'ion
Pr 3+ . En particulier, il diminue l'efficacité de scintillation rapide de certains cristaux
dopés avec des ions Pr 3+ [14,15].
Par ailleurs, nous avons constaté que lorsque le matériau Gd(BO2)3:Pr3+ absorbe
des photons de 95 eV, seule l'émission de l'ion Gd 3+ (320nm) est relevée (figure V.30).
Il s'ensuit que l'ion Pr 3+ est un sensibilisateur efficace de l'émission de l'ion Gd 3+ dans
ce réseau hôte. Ce phénomène a été observé dans d'autres matrices d'accueil de l'ion
Pr 3+ , à base de gadolinium et notamment dans l'orthophosphate de gadolinium [16]. A.
J. de Vries et G. Blasse ont donné les conditions nécessaires pour que l'ion Pr 3 +
sensibilise efficacement la luminescence de l'ion Gd 3+ [17] :
(i) le couplage vibronique de la composante 4f 5d de champ cristallin de plus basse

énergie doit être relativement faible et correspondre à un décalage de Stokes
inférieur à 3000cnr 1 de manière à limiter les processus non radiatifs vers les états
de la configuration 4f2 ;
(ii) l'émission de l'ion Pr 3+ doit recouvrir la bande d'absorption relative au niveau 6 Ij

de la configuration 4f7 de l'ion Gd 3+ afin d'obtenir un taux de transfert important;
(iii) la bande d'absorption 4f 5d ne doit pas recouvrir l'émission 6Pj —> %S~i/2 de
l'ion Gd 3+ afin de prévenir des transferts d'énergie en retour (Gd 3+ —> Pr 3+ ).
On pourrait alors imaginer un réseau hôte à base d'ion gadolinium tel que l'ion
3+
Pr , remplissant ces deux conditions, puisse transférer l'énergie qu'il a absorbée vers
l'ion gadolinium. Ce dernier, après l'étape de migration de cette énergie au sein du sous-
réseau composé d'ion Gd 3 + , transférerait alors l'énergie disponible vers un ion
activateur. La configuration 4f 5d étant située dans l'UV lointain, l'ion Pr 3+ devrait être
un sensibilisateur aussi important pour le domaine du VUV que l'est l'ion Ce 3+ pour le
domaine de l'UV. Cependant, son utilisation est limitée car les niveaux de la
configuration 4f2 rendent possibles des transferts d'énergie en retour de l'ion activateur
(Eu 3+ ,Tb 3+ ) vers l'ion sensibilisateur (Pr 3+ ) [18]. Nous l'avons nous-même observé
pour plusieurs matériaux à base d'ions gadolinium (Gd(BC<2)3, Gd(PC«3)3 et GdPC«4)
dopés avec des ions Pr 3+ et codopés avec des ions Eu 3+ ou Tb 3+ .
135
i 1 i i . . I i i • .
/A 392 nm
GdBO3:Pr3+
- Excitation=95eV -
1 422 nm
3 \\ /r\H
v7 \V
îte"
Gd 3+
325 nm /
/ \
\
Ce3+ V
• 1 1 1 1 1 1 1 1 • 1 1 1 1 1 1 i i i i i i j i i i i
250 300 350 400 450 500

Longueur d'onde (nm)
3+
Gd(BO2)3:Pr
Excitation=95eV
J
\ • ' • • i • • • • i
200 250 300 350 400 450 500
Longueur d'onde (nm)
Figure V.30. Spectres d'émission de l'ortho- et du métaborate de gadolinium

dopés par des ions Pr.3+
136
[I] T. Tomiki, Y. Ganaha, T. Shikenbaru, T. Futemma, M. Yuri, Y. Aiura, H.

Fukutani, H. Kato, J. Tamashiro, T. Miyahara, A. Yonesu, J. Phys. Soc. Japan
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138
u
n
in
VARIATION DU RENDEMENT
QUANTIQUE D'EMISSION DU
CENTRE LUMINESCENT
Dans ce chapitre, nous nous proposons de discuter la variation du rendement
quantique d'émission du centre activateur associé aux divers mécanismes d'absorption,
en fonction de la nature de la matrice d'accueil. Nous étudierons les facteurs qui régissent
le taux des processus non radiatifs.
A- ABSORPTION DE L'ENERGIE PAR LE CENTRE
1. Décalage de Stokes
Dans le tableau VI. 1, nous avons reporté le décalage de Stokes, mesuré à

température ambiante, dans différents matériaux dopés avec des ions cérium et
praséodyme trivalents dont les propriétés spectrales ont été présentées dans le chapitre
précédent. Les décalages de Stokes pour les orthoborates de terres rares sont issus de la
littérature [1]. Il en est de même pour ceux du YAG [2-4]. Celui présenté par le
métaborate de lanthane a été déterminé à partir des résultats obtenus à 10K : la première
bande d'absorption de l'ion Ce 3+ se situe alors à 4,62eV et les émissions sont observées
à4,13eVet3,87eV[5].
Tableau VI.1. Décalages de Stokes (10 3 cm"1) des matériaux dopés avec les ions Ce 3 +
etPr 3 +
Matrice YBO3 LaBO3 La(BO2)3 YPO4 LaPO4
Ce 3+ 2 2,4 4 2,9 4,7
Pr3+ 1,8 3 - 2,4 4,9
Matrice CePO4 Y(PO3)3 La(PO3)3 Ce(PO3)3 YAG
Ce3+ 5,7 3 2 2 3,8
Pr3+ - 4,7 2,3 - 3
139
Nous constatons que, pour une même famille, le décalage de Stokes est plus
important pour le composé à base d'yttrium que pour celui à base de lanthane (sauf pour
les métaphosphates). On trouve dans la littérature l'interprétation suivante pour expliquer
ce phénomène [2] : les ions lanthanides trivalents dopants possèdent un rayon ionique
supérieur à celui de l'ion Y^+ et inférieur à celui de l'ion La^+. La substitution de l'ion
Y 3 + par un ion lanthanide est alors, en quelque sorte, forcée et implique que le réseau
hôte s'adapte à l'augmentation du volume du site occupé par l'ion dopant. De surcroît,
lorsque l'ion lanthanide se retrouve dans un état excité, la variation de son rayon ionique
engendre des modifications supplémentaires des distances Métal-Ligand et le réseau hôte
déjà forcé, s'oppose encore plus fortement à cette variation du volume. Le décalage de
Stokes nous renseigne donc sur l'aptitude du réseau hôte à s'opposer à l'expansion de
l'état excité du centre luminescent et à limiter le couplage de ce dernier avec les phonons
de la matrice. C'est ainsi que, les réseaux rigides, constitués de petit cations fortement
chargés comme B^+ ou P5+, présentent les décalages de Stokes les plus faibles.
Cependant, les résultats montrent que les métaphosphates de terres rares ne suivent
pas la règle générale énoncée ci-dessus. Le décalage de Stokes évalué pour le composé à
base de lanthane est inférieur à celui obtenu pour le composé "ytttrium". De plus, comme
nous l'avons signalé dans le chapitre précédent, l'état de transfert de charge de l'ion
europium (III) dans le métaphosphate d'yttrium se situe à une énergie inférieure à celle
relevée pour le métaphosphate de lanthane. Deux explications peuvent être envisagées :
(i) les métaphosphates ont une grande aptitude à former des produits amorphes et dans
ce type de matériaux, les décalages de Stokes et le couplage vibronique de l'état de
transfert de charge de l'ion Eu 3+ sont importants. Cependant, nous n'avons pas
observé de fond amorphe sur le spectre de diffraction des Rayons X ;
(ii) il est probable que la structure monodimensionnelle du métaphosphate de lanthane

soit plus rigide que la structure tridimensionnelle du sous-réseau formé par
l'arrangement des octaèdres [YOÔ] dans le métaphosphate d'yttrium. Les liaisons
intra- et interchaînes favoriseraient le vérouillage de la structure ce qui aurait pour
conséquence d'augmenter alors la rigidité de la structure monodimensionnelle.
Enfin, le décalage de Stokes relativement important pour l'ion cérium dans

l'orthophosphate et le métaphosphate de lanthane permet d'éviter le phénomène
d'extinction de la luminescence par concentration en centres activateurs lorsque la totalité
des ions lanthane est substituée par des ions cérium dans ces réseaux hôtes. En effet,
l'extinction de la luminescence par concentration dépend de la probabilité de transfert
d'énergie entre les ions activateurs. Cette probabilité de transfert entre ions cérium est
faible dans le cas des matériaux CePC«4 et Ce(PÛ3)3 en raison du faible recouvrement des
140
bandes d'absorption et d'émission. C'est ainsi que, le décalage de Stokes de l'ion cérium
dans Ce(PO3>3 étant plus faible, la probabilité de transfert d'énergie entre les centres
activateurs s'en trouve augmentée. L'ion cérium est alors plus sujet au processus de
réabsorption qui se caractérise par la modification du rapport des intensités des bandes
d'émission. Ainsi, dans Ce(PO3)3, la bande d'émission la plus énergétique possède
l'intensité la plus faible. Par ailleurs, cette modification d'intensité est d'autant plus
marquée que le décalage de Stokes est faible.
En dernier lieu, et c'est là une première régie qui se dégage de ces études, les
matériaux luminescents possédant de faibles décalages de Stokes présentent les
rendements quantiques les plus élevés. Dans le modèle des courbes de coordonnées de
configuration, ceci correspond à une diminution de la probabilité des processus non
radiatifs par le croisement des courbes associées à l'état excité et à l'état fondamental.
2. Pertes non radiatives au sein du centre luminescent
2.1. Effet de la concentration en ions gallium sur le rendement quantique

externe des matériaux Y(AG)G:Tb 3+
Nous avons représenté sur la figure VI. 1, en fonction de la concentration en ions

3+
Ga , la variation du rendement quantique externe (Qext) propres aux différentes bandes
d'excitation relevées sur les spectres d'excitation, à 300K, de la luminescence de l'ion
Tb 3 + introduit dans les réseaux hôtes Y3(A1X, Gay)5Oi2 (Y(AG)G). Il apparaît que le
rendement quantique externe associé à chacune de ces bandes diminue lorsque la
concentration en ions gallium augmente. Ainsi, celui associé à la bande d'absorption
4f 7 5d permise de spin (notée E2) diminue de Qext=80% dans Y3AI5O12 à Qext=33%
dans Y3(Al,Ga4)Oi2 alors que sur cette même plage de concentration, la valeur associée à
l'absorption excitonique (notée Eg) passe de 80% pour Y3AI5O12 à 20% pour
Y3(Al,Ga4)Oi2- Nous constatons aussi que la valeur de Qext associée à l'absorption
excitonique diminue plus rapidement et atteint même une valeur inférieure à celle mesurée
pour les transitons 4f7 5d lorsque la concentration en ions Ga 3+ est supérieure à 20%.
Ces diminutions de rendement quantique s'opèrent en fonction de la concentration
en ions Ga 3+ alors que sur les spectres de réflectivité diffuse (figure VI.2), la réflectivité
associée à la bande d'absorption E2 reste quasi-identique quelle que soit la concentration
en ions Ga 3+ : R=22% pour Y3AI5O12 et R=25% pour Y3(A1, Ga4)Oi2- Ceci indique
donc qu'une grande partie de l'énergie absorbée est perdue non radiativement dans le
centre luminescent.
141
80-
70-
A-
60-
B 50~
a
40-
30-
20-
T 1^ I
0 20 40
concentration en ions Ga
Figure VI.l. Variation du rendement quantique externe d'émission de l'ion Tb3+ associé aux divers bandes
d'excitation en fonction de la concentration en ions Ga3+ dans le réseau Y(AG)G:Tb3+(6%)
I l 1 i 1 1
80-
<— AI/Ga=5/0 - 60
1
60-
E2 ïV s 1
z
\ 300K
I V \ - 4 0 50
40-
a
1 î - 20
20- >
\ /
-—
\J \
- 0
1 1 1 i i i
5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
1 1 I I I
r
A
>- 60
60 J ' iA AI/Ga=3/2
• w \
^^ Fîf \ 300K
X
40- 1U - 4 0 ?o
a
20-
\/ - 20
y —
0— - 0
i 1 I 1 I I
5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
I 1 i 1 I l
E
30-
•\A AI/Ga=1/4 - 60
I: î
300K
20-
t, - 40 jo
X ••--....
a
10-
vX - 20
0 - n
i 1 i 1 I I
5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure VI.2. Spectres d'excitation (pointillés) et de réflectivité diffuse (trait plein), à 300K,
des matériaux Y(AG)G:Tb3+
143
2.1.1. Modèle des courbes de coordonnées de configuration du centre
luminescent
Afin de déterminer l'origine de ces pertes non radiatives au sein du centre

luminescent, nous avons considéré le schéma des courbes de coordonnées de
configuration de l'ion Tb 3 + introduit dans les réseaux hôtes Y(AG)G pour les rapports
stœchiométriques ,*- = Q ; y ; ~f-p ainsi que pour l'ion Ce 3+ introduit dans le réseau hôte
YAG.
2.1.1.1. Mode de calcul
Le mode de calcul est fondé sur la théorie dépendante du temps de la spectroscopie

électronique [6-11]. C'est une méthode différente de celle fondée sur la loi de Peckard.
Elle permet de calculer d'une manière plus simple les divers jeux de paramètres entrant
dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration. Le but est de calculer la
probabilité d'absorption et/ou d'émission entre deux surfaces de potentiels adiabatiques.
Après une transition verticale suivant le principe de Franck-Condon, la fonction
d'onde vibrationnelle gaussienne initiale ((pO se propage dans le puits de potentiel de l'état
excité. La fonction d'onde n'est pas stationnaire et se propage suivant l'équation de
Schrôdinger dépendante du temps. On peut alors calculer l'intégrale de recouvrement de
la fonction d'onde initiale avec la fonction d'onde dépendante du temps. L'approximation
harmonique est utilisée pour diminuer le nombre de paramètres à ajuster et pour utiliser
une expression simple de l'intégrale de recouvrement. Dans le cadre de cette
approximation, cette dernière possède la forme suivante :
A2 / , , . , s ico t
(<Pi | 9i(0) = exp l —— ( l-exp(-icot) ) -
où co et A sont respectivement la fréquence de vibration et le déplacement du mode

normal.
L'amplitude de l'intégrale de recouvrement est tracée sur la figure VI.3-b. Elle est
maximale à t=to et diminue lorsque la fonction d'onde s'éloigne de sa position initiale.
Elle atteint un minimum lorsqu'elle se situe loin de la région de Franck-Condon (tb). Au
temps t c , la fonction d'onde peut retourner à sa position initiale entraînant une
augmentation du recouvrement mais atténuée par rapport au recouvrement initial. Ce
temps te correspond à une période vibrationnelle du mode.
La transformée de Fourier de l'intégrale de recouvrement de la fonction d'onde
initiale et de la fonction d'onde dépendante du temps ((pi(t)) conduit à l'obtention du
spectre d'absorption ou d'émission I(co). La transformée de Fourier est représentée sur la
144
figure VI.3-C. <pi(t) est alors déterminée numériquement en résolvant l'équation de
Schrodinger dépendante du temps :
+00
= Cco J e i 0 ) t <<Pj | <Pi(0> dt
où C est une constante et I(co) la section efficace d'absorption à la fréquence û).
La formule qui permet de convertir le déplacement A sans dimension en angstrom

est:
Ar = x
m 2TCCÛ)
où, m est la masse (en unité de masse atomique) engagée dans la vibration de fréquence
co (en cm*1)), h = h/27i avec h la constante de Planck (en g cm 2 s*1), c la célérité de la
lumière (en cm s"1)), A le déplacement (sans dimension) et Ar le déplacement (en Â).
En reproduisant le profil de la courbe d'absorption expérimentale (ou d'émission)

mesurée à basse température, il est possible de déterminer les divers paramètres utilisés
dans le calcul :
(i) le décalage de Franck-Condon Ar ;
(ii) l'énergie h(ù du phonon associé à l'état excité (ou fondamental) ;
(iii) l'énergie de la transition à zéro phonon Ezp.
Afin de reproduire la courbe d'absorption expérimentale obtenue à basse

température, nous avons supposé que seul le niveau vibrationnel v=0 de l'état
fondamental est peuplé. Par ailleurs, la fréquence 0) du phonon associé à l'état
fondamental a été choisi parmi l'ensemble des modes de vibration du réseau YAG
déterminés par G.A. Slack et Al [12].
145
o
'5b izp
i
Temps
1.7 1.9 2.1 2.3
Energie (10 4 crrrl)
Figure VI.3. Illustration de la théorie dépendante du temps de la spectroscopie

électronique (a). Le recouvrement en fonction du temps (b) et le spectre
obtenu (c) sont présentés.
146
Plusieurs tests avec différents jeux de paramètres (Ar, ti(ù, Ezp) ont été
successivement effectués, mais seule la solution, apparaissant dans les tableaux VI.2 et
VI.3, conduit à un résultat acceptable.
2.1.1.2. Résultats
Nous avons reproduit la bande d'émission (maximale à 550nm) de l'ion Ce 3 +

introduit dans le réseau YAG en utilisant le mode de calcul décrit précédemment et avons
admis que l'énergie du phonon associé à l'état fondamental est identique à celui de l'état
excité. Cette hypothèse implique alors que la constante de force caractérisant chacune des
courbes soit la même.
Dans le cas de l'ion Tb 3 + , nous avons supposé que l'énergie du phonon est
identique à celle du phonon mis en oeuvre dans le cas de l'ion Ce 3+ . Avec les valeurs des
paramètres reportées dans le tableau VI.3, nous avons pu reproduire raisonnablement les
bandes d'absorption notées El et E3 sur les spectres d'excitation. Cependant, nous
n'avons pas pu reproduire la bande d'absorption E2 ainsi que la bande d'absorption E3
Al 2 5
pour le rapport stœchiométrique Q - = ^TF • Cette impossibilité provient certainement du
fait que plus d'une transition à zéro phonon composent ces bandes d'absorption.
Dans les tableaux VI.2 et VI.3 qui regroupent les valeurs des paramètres utilisés
pour obtenir le diagramme des courbes de coordonnées de configuration (DCC), il
apparaît que pour chacun des composés, quelle que soit la concentration en gallium :
(i) le décalage de Franck-Condon Ar est faible et que sa valeur reste quasi-identique

pour chacun des états excités ;
(ii) l'énergie du maximum de la bande d'excitation n'est décalée de l'énergie de la

transition à zéro phonon Ezp que d'environ la valeur d'un phonon.
Tableau VI.2. Paramètres associés aux deux premières bandes d'absorption de l'ion
Ce 3+ introduit dans le réseau YAG
El E2
Ezp Ar fl(Ù Ezp Ar hcù
(cm- 1 ) (Â) (cm-1) (cm-1) (À) (cm- 1 )
20200 0,125 500 28800 0,125 500
147
Tableau VI.3. Paramètres associés aux bandes d'absorption El et E3 de l'ion Tb 3 +
introduit dans les réseaux Y(AG)G
El E3
Ezp Ar Ezp Ar ha
Al
Ga (cm-l) (Â) (cm-l) (cm-l) (Â) (cm-l)
5 30200 0,13 450 43050 0,13 520

0
4 30700 0,13 400 0,125 450

1 42900
2,5 31300 0,105 450 - - -

2,5
La constante de force associée à chacune des courbes étant quasi-identique, le

décalage de Franck-Condon est suffisamment faible pour que le taux des processus non
radiatifs à température ambiante, résultant du croisement des courbes de l'état excité et de
l'état fondamental, soit faible. Par voie de conséquence, en considérant le diagramme des
courbes de coordonnées de configuration du centre luminescent et les sections efficaces
d'absorption élevées des transitions 4f n"l 5d, nous devrions nous attendre à obtenir une
luminescence importante quelle que soit la concentration en ions Ga 3+ dans le réseau
hôte. Or, comme nous allons le voir dans ce qui suit, les résultats expérimentaux et leur
interprétation dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration s'inscrivent en
contradiction avec ces conclusions.
En effet, les travaux de K. Ohno et T. Abe ont montré que, sous excitation
cathodique, l'énergie nécessaire à l'extinction thermique de la luminescence des matériaux
Y(AG)G:Tb 3+ diminue lorsque la concentration en ions Ga 3+ augmente [13]. Nous
montrons également que le rendement quantique des matériaux Y(AG)G:Tb3+ diminue
lorsque la concentration en ions Ga 3+ croît (figure VI. 1). Enfin, dans le cas des matériaux
Y(AG)G:Ce3+, G. Blasse et A. Bril ont montré que, dans ces mêmes conditions, les états
5d sont reportés à haute énergie (car l'intensité du champ cristallin diminue) alors que, le
décalage de Stokes de l'ion Ce 3+ reste constant [2]. Pour ce dernier point, en supposant
que l'énergie du phonon associé à l'état excité reste quasi-identique quelle que soit la
148
concentration en ions Ga 3+ , nous pouvons considérer que le décalage de Franck-Condon
de l'état 5d reste constant (ce qui est en accord avec les résultats des tableaux VI.2 et 3).
De ce fait, l'énergie nécessaire à l'extinction thermique de la luminescence de l'ion Ce 3+
dans les matériaux YAG:Ce 3+ et YGG:Ce 3+ ainsi que l'intensité de leur luminescence
doivent être quasi-identiques. Cependant, l'expérience montre que le matériau YAG:Ce3+
est un luminophore présentant un rendement quantique élevé alors que le matériau
YGG:Ce 3+ n'offre aucune luminescence même à très basse température, bien que des
photons soient absorbés pour peupler les états 5d comme le montre la mesure de la
réflectivité diffuse [2].
Il apparaît donc qu'une grande partie de l'énergie absorbée par les états 4fn"15d est
perdue pour la luminescence de façon non radiative. Ces processus non radiatifs ne
peuvent être liés aux déplacements de la parabole décrivant l'état excité jusqu'à l'obtention
du croisement avec la courbe de l'état fondamental puisque, comme nous venons de le
voir, le décalage de Franck-Condon (Ar) associé est faible et reste constant pour les
réseaux allant de YAG à YGG.
Cette contradiction peut être levée en considérant un nouvel état excité du centre
luminescent dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration. C'est l'état
d'auto-ionisation du centre luminescent qui est issu de l'interaction de l'ion luminogène
avec son réseau hôte. Comme nous allons le voir, c'est le pouvoir oxydo-réducteur du
réseau qui impose l'énergie de l'état d'auto-ionisation responsable des pertes non
radiatives au sein du centre luminescent.
2.1.2. Etat d'auto-ionisation du centre luminescent
En s'inspirant des travaux de C. Pédrini et al [14] ainsi que de ceux de D.S.

Hamilton et al [15], G. Blasse et al ont proposé que l'absence d'émission de l'ion Ce 3 +
(ou la présence d'une émission particulière qui ne peut pas être associée à une transition
localisée de l'ion Ce 3+ ) peut s'interpréter par l'intervention de l'état d'auto-ionisation du
centre luminescent [16]. Dans le modèle de "l'exciton piégé sur le centre impureté" [17],
l'état d'auto-ionisation de l'ion Ce 3+ correspond à la réaction de photo-oxydation :
où l'électron reste lié au centre photo-oxydé. L'auto-ionisation du centre intervient

lorsque l'état excité 5d ou 6s de l'ion Ce 3 + qui absorbe l'énergie incidente se situe
suffisamment proche (ou dans) la bande de conduction du solide. L'ion cérium passant de
la valence III à la valence IV, la diminution de son rayon ionique induit un décalage de
Franck-Condon de l'état d'auto-ionisation encore plus important.
149
D.S. Hamilton et al ont positionné le second état 5d de l'ion Ce 3+ dans la bande de
conduction du YAG [15]. Nous avons validé ce point en observant que le rendement
quantique associé à cette bande d'absorption, ainsi que ceux des états 5d encore plus
énergétiques, chutaient fortement comparativement à celui de la première bande 5&
L'absorption de l'état d'auto-ionisation dans le réseau hôte YAG ne peut être

directement observée car elle est probablement occultée par l'absorption des états 5d.
Cependant, on peut détecter la signature de son intervention par la mesure de la variation
du rendement quantique. En effet, l'état d'auto-ionisation Ce 4+ + e~ (lié) peut engendrer,
comme nous allons le voir, des pertes non radiatives importantes interprétables dans le
modèle des courbes de coordonnées de configuration. Dans ce modèle appliqué à l'ion
Ce 3 + (figure VI.4), l'état d'auto-ionisation présente un décalage Ar supérieur à celui de
l'état 5d. La parabole décrivant le puits de potentiel associé à l'état Ce 4+ + e~ (lié) coupe
alors efficacement celle de l'état fondamental. (U est important de signaler que la constante
de force propre à ce puits de potentiel peut être totalement différente de celles décrivant les
états 5d et 4f.) Dans ces conditions, un état excité 5d peut transférer l'énergie absorbée
vers l'état d'auto-ionisation lequel peut conduire à une dissipation totale de l'énergie par
des processus non radiatifs directement vers l'état fondamental. C'est le cas extrême
présenté par l'ion Ce 3 + dans le matériau YGG où l'absence de luminescence peut
s'interpréter par le fait que l'état 5d radiant se situe dans la bande de conduction du solide
et conduit donc directement à l'état d'auto-ionisation (figure VI.4).
L'extinction progressive de la luminescence lorsque la concentration en ions gallium

augmente montre que le degré d'oxydation IV de l'ion cérium est stabilisé par les ions
gallium dans le réseau hôte. En effet, l'ion Ga 3+ étant plus oxydant que l'ion Al 3+ , il
contribue à augmenter le pouvoir oxydant du réseau hôte. Dans ces conditions, l'énergie
du seuil de photo-oxydation du centre luminescent diminue avec l'augmentation de la
concentration en ions Ga 3+ dans le réseau hôte. Il doit en être de même pour l'ion Pr 3+ et
pour l'ion Tb 3+ en raison de la relative stabilité de leur valence IV.
Par ailleurs, lorsque la concentration en ion gallium augmente de YAG à YGG,

l'état d'auto-ionisation Tb 4 + + e~ (lié) est de plus en plus énergétiquement stabilisé. Dans
le diagramme des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Tb 3+ , ceci entraîne
une augmentation des pertes non radiatives (figure VI.5).
150
50x10 -i 50x10 -i
40- 40-
30- 30-
S
o
W)
G
20- 20-
w
10- 10-
o-\ 0-^ I
-1.0 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
Q(A)
Figure VI.4. Schéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Ce3+ dans les grenats YAG et YGG.
La courbe en pointillés représente l'état d'auto-ionisation.
60x10 -q 60x10 -q
\
50-
40
So
-^.^
.33 30-^
E?
C
W
20-^
10-
3+
YGG:Tb
0 i 1 1 I I
-1.0 -0.5 0 .0 0.5 1.0 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
0 (Â) Q(Â)
Figure VI.5. Schéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Tb +dans les grenats YAG et YGG.
La courbe en pointillés représente l'état d'auto-ionisation.
Mais, contrairement à l'ion Ce 3 + , la luminescence de l'ion Tb 3 + n'est pas
totalement éteinte dans le réseau hôte YGG. Cela est dû au fait que la relaxation de l'état
excité 4f 7 5d peut s'effectuer de façon compétitive soit vers l'état d'auto-ionisation, soit
vers les nombreux états excités de la configuration 4f8. Dans ce réseau hôte, c'est donc la
densité élevée d'états de la configuration fondamentale 4f8 qui empêche l'extinction totale
de la luminescence à température ambiante de l'ion Tb34".
Comme nous l'avons déjà remarqué les rendements quantiques des diverses
transitions de l'ion Tb 3 * varient différemment avec la concentration en gallium. Ainsi, le
rendement quantique associé à la transition E3 diminue lorsque la concentration en ions
Ga 3+ est supérieure à 20% dans le réseau hôte, alors que le rendement quantique associé
à la transition E2 chute rapidement pour une concentration supérieure à 50% (figure
VI. 1). Dans le modèle des bandes, pour expliquer ces variations, nous pouvons supposer
que les états 4f 7 5d correspondant aux transitions E2 et E3 sont situés dans la bande
interdite du YAG et qu'ils se rapprochent de plus en plus de la bande de conduction du
solide lorsque la concentration en ions Ga 3+ augmente dans le réseau (figures VI.6 et
VI.7).
2.1.3. Energie de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent
La seconde règle qui se dégage de ce travail peut s'exprimer de la manière suivante :

pour favoriser la luminescence caractéristique du centre activateur, il faut qu'il existe entre
son état d'auto-ionisation et l'état fondamental un écart en énergie AE suffisamment grand
(figure VI.8). Il est important de signaler que cette règle reste vérifiée pour des matériaux
dopés avec des ions Eu 3+ . En effet, l'intensité de luminescence mesurée, pour une
excitation dans la bande de transfert de charge, est d'autant plus élevée que l'état Eu 2+ +
h + (lié) se situe à haute énergie. Dans le modèle des bandes, positionner cet état d'auto-
ionisation à haute énergie consiste à positionner l'état fondamental 4fn suffisamment
proche de la bande de valence et donc à situer la majeure partie des états 4f n - 1 5d dans la
bande interdite du solide. Si la première condition est remplie, c'est à dire si l'état
fondamental est proche de la bande de valence, la localisation des états 4f n - 1 5d dans la
bande interdite est d'autant plus simple à réaliser que la largeur de la bande interdite est
importante et ceci quelle que soit l'intensité du champ cristallin (figure VI.9).
153
BC
5d
Ce 4 + + e" (lié) 5d
BC
AE
émission Ce 4 + + e" (lié)
Eg
Ce 3+ Ce 3+ Zlt AE
BV BV
YAG:Ce 3+ YGG:Ce 3+
Figure VI.6. Illustration dans le modèle des bandes, de la position relative des deux premiers
états 5d de l'ion Ce 3 + relativement à la bande de conduction du YAG et du YGG
E3
BC
E2
T b 4 + + e" (lié) BC
T b 4 + + e" (lié)
Eg
3+
\f émission \f émission
Tb
\\\\
BV
YAG:Tb 3+ YGG:Tb 3+
Figure VI.7. Illustration dans le modèle des bandes de la position relative des trois premiers
états 4f75d de l'ion T b 3 + relativement à la bande de conduction du YAG et du YGG
154
Dans le cas du matériau YAG:Tb3+, comme nous l'avons souligné précédemment,
l'éclatement important dû au champ cristallin permet de situer les premiers états 4f7 5d
dans la bande interdite et l'état 4f 7 5d engagé dans le processus d'auto-ionisation à
suffisamment haute énergie (figure VI.9-a). Ce sont les conditions requises pour obtenir
une luminescence intense : l'écart en énergie AE entre l'état d'auto-ionisation et l'état
fondamental est alors suffisamment important pour limiter la probabilité de relaxation non
radiatives directement vers l'état fondamental.
Le matériau YAlCfyTb3"1" (YAP:Tb3+) présente un comportement similaire. La

largeur de la bande interdite est de 8eV [18] mais l'intensité beaucoup plus faible du
champ cristallin limite l'éclatement des niveaux 5d (figure VI. 10). Les premières
composantes 4f7 5d de champ cristallin sont donc localisées à plus haute énergie ainsi que
l'état d'auto-ionisation (figure VI.9-b). En conséquence, le rendement quantique aux
transitions 4f 7 5d de l'ion Tb 3 + dans les réseaux hôtes YAG et YAP est élevé. Ce
comportement en fonction de l'intensité du champ cristallin caractérise les matériaux
présentant une grande largeur de la bande interdite YPO4:Tb 3+ et LaPC«4:Tb3+ ou
YBO 3 :Tb 3+ et LaBO3:Tb3+.
Comme nous l'avons déjà évoqué, la substitution des ions aluminium par des ions
gallium dans les réseaux grenat et pérovskite d'yttrium engendre une diminution de
l'intensité du champ cristallin et surtout, une diminution de la largeur de la bande
interdite. La combinaison de ces deux phénomènes positionne les états 4f "- 1 5d de plus
en plus à l'intérieur de la bande de conduction lorsque la concentration en gallium
augmente et cela implique alors que l'énergie de l'état d'auto-ionisation diminue (AE
faible, figures VI.8 et VI.9). Dans ces conditions la probabilité des processus non
radiatifs augmente et c'est la raison pour laquelle l'intensité de la luminescence mesurée
pour le matériau YGaC>3:Ce3+ est très faible.
Considérons maintenant le cas du matériau LaAlC>3. Il présente une intensité de

champ cristallin agissant sur l'ion lanthanide et une largeur de bande interdite plus faibles
que celles offertes par le réseau YAP. Par ailleurs, on doit s'attendre à ce que le couplage
des états 4fn"' 5d de l'ion activateur avec les phonons du réseau de LaAlC>3 soit plus
prononcé que pour YAIO3 du fait de la rigidité induite par le phénomène de la
"substitution forcée" que nous avons déjà évoqué précédemment. Nous pouvons aussi
supposer que le couplage vibronique de l'état d'auto-ionisation avec les phonons du
réseau soit lui aussi plus prononcé dans le matériau LaAlÛ3. Par conséquent, dans ce
réseau, non seulement l'énergie de l'état d'auto-ionisation diminue mais le couplage
vibronique de cet état avec les phonons augmente.
155
E
L n " + e (Hé) (Ln 3 + )'
Figure VI.8. Illustration dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration de la position
relative de l'état d'auto-ionisation (Ln 4+ + e" (lié)) par rapport aux états fondamental
(Ln 3 + ), excités et radiant ^1*
"O
BC c BC
Ln 4 + + e- (lié) î lV
L A
Ln4'
•o
Eg AE
AE
>f i
BV BV
(a) (b)
Figure VI.9. Illustration, dans le modèle des bandes, de la position relative de l'état d'auto-ionisation
Ln 4 + + e" (lié) par rapport à l'état fondamental (Ln 3+ ) dans le cas d'une intensité du
champ cristallin :
(a) forte
(b) faible
156
Si on considère, en première approximation, que l'énergie du phonon associé à
l'état d'auto-ionisation est identique dans les réseaux YAIO3 et LaAlC>3, l'augmentation
du couplage vibronique induit une augmentation du décalage de Franck-Condon Ar de cet
état dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration du centre luminescent. H
s'en suit que les pertes non radiatives associées à la relaxation de l'état d'auto-ionisation
directement vers l'état fondamental dans le réseau LaAlÛ3 deviennent plus importantes
(figure VI.8). C'est ainsi que le matériau LaAlO3:Ce3+ n'émet quasiment pas de lumière
[19]. Par ailleurs, comme la substitution de l'ion aluminium par l'ion gallium dans la
matrice LaA103 augmente le pouvoir oxydant du réseau, l'énergie AE de l'état d'auto-
ionisation par rapport à l'état fondamental diminue et les processus non radiatifs sont
alors favorisés. Pour ces raisons, le matériau LaGaO3:Ce3+ n'émet pas et le système
LaGaO3:Tb3+ ne possède que de très faibles rendements quantiques d'émission (figure
VI.ll).
2.1.4. Couplage vibronique de l'état d'auto-ionisation
Nous venons de voir que le taux des processus non radiatifs associés à la relaxation
de l'état d'auto-ionisation vers l'état fondamental du centre luminescent dépend de la
différence d'énergie AE entre ces deux états et de l'importance du couplage vibronique de
l'état d'auto-ionisation avec les phonons du réseau hôte (importance du Ar, en
particulier). En d'autres termes, pour une matrice d'accueil qui est caractérisée par un état
d'auto-ionisation du centre luminescent situé à haute énergie, les pertes non radiatives à
l'issue de l'absorption du centre seront d'autant moins importantes que le couplage
vibronique de l'état d'auto-ionisation sera faible. Cela implique que la structure du réseau
hôte soit rigide et puisque c'est la signature d'un réseau rigide, que le décalage de Stokes
mesuré pour le centre luminescent soit faible.
L'étude comparative des métaphosphates de terres rares Y(PC»3)3 et La(PÛ3)3,
montre que leur largeur de bande interdite est importante et que l'énergie des transitions
4f "•! 5d sont quasi-identiques dans les deux cas. Compte tenu de ces deux points et en
supposant que le niveau fondamental de l'ion Ln 3+ activateur est proche de la bande de
valence dans ces deux matériaux, nous pouvons alors considérer que l'énergie de l'état
d'auto-ionisation du centre luminescent est pratiquement identique dans chacun de ces
réseaux hôtes (figure VI.9). L'excitation des composantes 4f n-1 5d de champ cristallin de
plus basse énergie induit donc une luminescence importante du centre luminescent (Ce3+,
Pr 3+ , Tb 3+ ), quel que soit le réseau hôte métaphosphate. Mais, dans le cas de la matrice
d'accueil Y(PO3)3, il apparaît que l'excitation des transitions 4fn"15d les plus énergétiques
est en grande partie perdue non radiativement au sein du centre luminescent et cela quel
que soit l'ion activateur.
157
Figure VI.IO. Spectre d'excitation, calibré en rendement quantique externe (Qext),
de la luminescence de l'ion Tb +dans le réseau hôte YAP
8 -
LaGaO 3 :Tb 3+
AA
/ \
300K
6-
\
V
\
Qext
4 -
\
2 -
^y i
/ i i 1 i i i
4 5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure VI.11. Spectre d'excitation, calibré en rendement quantique externe (Qext),

de la luminescence de l'ion Tb3+dans le réseau hôte LaGaO
158
Ces pertes sont beaucoup moins importantes pour les matériaux La(PC>3)3:Ln3+
(Ln 3+ = Ce 3+ , Pr 3+ , Tb 3+ ). Cette différence de comportement entre états 4f "^Sd en
fonction de leur énergie et de la matrice d'accueil semble être due au rôle joué par l'état
d'auto-ionisation. Comme nous l'avons déjà remarqué, le décalage de Stokes mesuré
pour les ions Ce 3 + et Pr 3+ dans le métaphosphate d'yttrium est supérieur à celui mesuré
pour ces mêmes ions dans le métaphosphate de lanthane. Dès lors, le couplage vibronique
de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent dans le métaphosphate d'yttrium doit
donc être plus important. Ceci entraîne une augmentation de la probabilité des
desexcitations non radiatives via un croisement plus efficace des courbes de coordonnées
de configuration associées à l'état d'auto-ionisation et à l'état fondamental.
2.1.5. Détection de l'absorption de l'état d'auto-ionisation
Dans le cas des matériaux dopés avec des ions Eu 3+ , la détection de l'absorption de
l'état d'auto-ionisation Eu 2+ + h + (lié) (ou état de transfert de charge) est rendue possible
l'absorbance associée aux transitions 4f6 est bien plus faible que celle associée à l'état de
tansfert de charge.
Pour les matériaux dopés avec des ions Ce 3 + , Pr 3+ ou Tb 3 + , la situation est

différente : d'une part, l'absorption des photons pour peupler l'état d'auto-ionisation du
centre luminescent est en compétition avec l'absorption conduisant aux états de la
configuration 4f "- 1 5d et d'autre part, les sections efficaces d'absorption asociées à
chacune de ces transitions permises doivent posséder des valeurs proches. Cependant,
deux cas sont à considérer :
(1) pour les ions Pr 3+ et Tb 3+ , la densité d'états de la configuration 4f "-15d est élevée et
la configuration est très étendue en énergie ce qui rend difficile la détection de la bande
d'excitation correspondant à leur état d'auto-ionisation respectif ;
(2) dans le cas de l'ion Ce 3+ , il doit être possible de détecter l'absorption de l'état d'auto-
ionisation sous certaines conditions (sauf lorsque l'état d'auto-ionisation est
directement le niveau radiant) que l'on peut résumer ainsi :
(i) l'ion cérium ne doit occuper qu'un seul site dans la matrice d'accueil afin de
limiter le nombre de transitions f-d. Par ailleurs, la symétrie ponctuelle du site
occupé par l'ion dopant doit être basse de manière à lever totalement la
dégénérescence de la configuration 5d et l'intensité du champ cristallin doit être
suffisamment élevée afin d'obtenir cinq bandes bien résolues ;
159
(ii) la largeur de la bande interdite doit être importante afin de pouvoir détecter la
totalité des composantes 5d de champ cristallin ;
(iii) le couplage vibronique de l'état d'auto-ionisation avec les phonons du réseau

hôte doit être relativement faible.
Dans le cas où la matrice d'accueil remplit l'ensemble de ces conditions, le spectre

d'absorption devrait révéler successivement les bandes attribuées aux cinq composantes
5d de champ cristallin, à l'état d'auto-ionisation et enfin à l'absorption du réseau hôte.
C'est ce que nous obtenons sur le spectre d'excitation de la luminescence de l'ion cérium
trivalent introduit dans les réseaux hôtes orthoborate et métaborate de lanthane ainsi que
dans I'orthophosphate et le métaphosphate de lanthane. En effet, sept bandes ont été
relevées dont six sont associées à l'absorption de l'énergie directement par le centre
luminescent. Les cinq premières bandes correspondent à l'absorption des états 5d et la
sixième est attribuée soit à l'état 6s, soit à l'état d'auto-ionisation. Seule la détermination
de la position relative de l'état fondamental de l'ion Ce 3+ par rapport à la bande de valence
permet de déterminer lequel de ces deux états est à l'origine de cette sixième bande
d'absorption. Le développement suivant explique les raisons de l'attribution de la sixième
bande à l'état dauto-ionisation.
Nous avons simulé, par le calcul, le spectre d'émission de l'ion Ce 3+ introduit dans
le réseau hôte LaPÛ4. A partir des paramètres ainsi déterminés, il a été possible de
construire le schéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Ce 3+ dans
LaPÛ4 (tableau VI.4). Il révèle que le décalage de Franck-Condon Ar associé à l'état 5d
est très faible comme nous pouvions nous y attendre pour un réseau rigide et donc que
l'énergie du maximum de la bande d'absorption associée à chacun des états 5d est très
voisine de l'énergie de la transition à zéro phonon.
Tableau VI.4. Jeu de paramètres de la première bande d'absorption de l'ion Ce 3 +

introduit dans le réseau LaPCU
Première transition 4f —» 5d
Ezp Ar
(cm-1) (Â) (cm-1)
29600 0,085 968
160
Par ailleurs, en se basant sur des calculs d'orbitales moléculaires effectués sur les
"clusters" (LaOç)15" et (CeOç)15" et confortés par des résultats expérimentaux, K.C.
Mishra et al ont positionné dans la structure électronique de l'orthophosphate de lanthane,
le niveau fondamental de l'ion Ce 3+ à environ 3eV au dessus du haut de la bande de
valence [20]. Comme la largeur de la bande interdite dans ce matériau est de l'ordre de
8eV, il s'en suit que l'état 5d de l'ion Ce 3+ mesuré à 5,18eV (E3, tableau V.3) au dessus
de l'état fondamental se situe dans la bande de conduction de LaPÛ4. Par voie de
conséquence, cet état 5d doit être engagé dans le processus d'auto-ionisation de l'ion
Ce 3+ . L'énergie du seuil d'auto-ionisation du centre luminescent devrait donc intervenir
au voisinage de 5,18eV dans le matériau LaPÛ4.
Considérons maitenant le schéma des courbes de coordonnées de configuration de
l'ion Ce 3 + . L'état Ce 4 + + e~ (lié) possède un décalage de Franck-Condon Ar plus
important et dans l'hypothèse où l'énergie du phonon mis en jeu reste identique pour
chacun des états, la transition vers l'état d'auto-ionisation s'effectue à plus haute énergie
que celles conduisant aux états 5d (figure VI. 12). Nous pouvons alors considérer que la
sixième bande d'excitation située à 7eV pour le réseau LaPO4, beaucoup plus large que
celles associées aux états 5d, correspond à l'absorption de l'état d'auto-ionisation de l'ion
Ce 3+ (figure VI. 12).
161
60x10 -i
0
-1.0
Figure VI.12. Schéma des courbes de coordonnées de configuration de l'ion Ce3+

dans LaPO,
162
B- ABSORPTION DE L'ENERGIE PAR LE RESEAU HÔTE
1. Le rôle intermédiaire de l'ion G d 3 +
Dans les matériaux de basse dimensionalité, l'ion Gd 3+ est connu pour jouer un
rôle intermédiaire important dans le processus de migration de l'énergie excitatrice entre
un ion sensibilisateur et le centre luminescent [21]. Les travaux de J.Th. de Hair et al sur
les métaborates de terres rares montrent que l'ion Bi 3 + ne sensibilise efficacement la
luminescence de l'ion Tb 3 + qu'en présence de l'ion Gd 3+ [22]. L'énergie absorbée par
l'ion Bi 3 + est transférée vers l'ion Gd 3+ qui la transfère à son tour vers un autre ion Gd 3+
proche voisin. L'énergie d'excitation migre ainsi de proche en proche dans le sous réseau
formé par les ions Gd 3+ jusqu'à rencontrer un centre luminescent. L'ion Gd 3+ transfère
alors son énergie au centre activateur qui émet. Ce mécanisme peut aussi être mis en jeu
dans certains matériaux à base d'ions Gd 3+ à l'issue de l'absorption de l'énergie par le
réseau. C'est ainsi que l'absorption des photons incidents par le réseau hôte métaborate
de terres rares ne sensibilise efficacement la luminescence des ions Eu 3+ et Tb 3 + qu'en
présence d'ions Gd 3+ . Nous avons reporté sur la figure VI. 13 le rapport d'intensité de
luminescence entre l'absorption excitonique et l'absorption directe du centre luminescent
(état de transfert de charge de l'ion Eu 3+ ou transition 4f 7 5d permise de spin de l'ion
Tb 3+ ) en fonction de la concentration en ions Gd 3+ dans le métaborate de lanthane. Nous
constatons qu'à température ambiante, la sensibilisation de la luminescence de l'ion
activateur augmente avec la concentration en ions gadolinium trivalents. De plus, pour
Gd(BC>2)3, l'absorption excitonique induit une luminescence dont l'intensité est
quasiment double de celle obtenue pour une excitation directe du centre. La concentration
en ions luminogènes étant identique dans chacune des matrices d'accueil, nous pouvons
en déduire que la probabilité de transfert d'énergie de l'exciton vers le centre luminescent
augmente avec la concentration en ions Gd 3+ . En revanche, à basse température, la
sensibilisation de la luminescence est beaucoup moins efficace. Nous sommes donc
amenés à supposer que l'énergie qui migre au sein du sous réseau est piégée par des
défauts ou des impuretés, ou que le transfert d'énergie de l'exciton vers l'ion Gd 3+ est
assisté par des phonons.
163
2H
Tb 3+ -300K A
•••"" Eu 3+ -300K
. . - •
CO
/ \
/
c
••...
CD
•••••....
IS 1- / \
•••••...
tr /
o
Q. \
Q.
CO s.
DC À •\
/
•'•••
/ Tb 3+ -10K
/
/
•
La(BO2/3 Gd(BO 2 ) 3
0-
0 50 100
,3 + ,
Concentration en ions Gd (%)
Figure VI.13. Variation du rapport d'intensité entre les bandes d'excitation associées à l'absorption du réseau et
du centre luminescent en fonction de la concentration en ions Gd3+
164
2. Etat d'auto-ionisation du centre luminescent et rendement quantique
associé à l'absorption du résau hôte
Le transfert de l'énergie d'excitation du réseau hôte vers le centre luminescent

s'effectue par le biais de la capture des porteurs de charge par l'ion dopant L'émission de
ce dernier est issue de la relaxation de l'état d'auto-ionisation (l'exciton autopiégé sur le
centre) vers les états excités, des configurations 4f n-*5d ou fondamentale 4fn, de l'ion Ln
3+
. Le rendement quantique d'émission associé à l'absorption excitonique est fonction de
deux paramètres : (i) la section efficace de capture de l'exciton par l'ion dopant; (ii) le taux
des processus non radiatifs associés à l'état d'auto-ionisation. Examinons chacun de ces
facteurs. La section efficace de capture du porteur de charge par l'ion dopant est d'autant
plus élevée que le niveau fondamental de l'ion Ln 3 + se situe, soit proche de la bande de
valence dans le cas de la capture d'un trou, soit proche de la bande de conduction dans le
cas de la capture d'un électron. Dans le cas de LaPC>4:Ce3+, nous avons vu que le niveau
fondamental de l'ion Ce 3+ se situe à environ 3eV au dessus de la bande de valence. Cette
énergie est trop importante, même si l'on suppose un couplage important avec les
phonons, pour envisager une capture facile d'un trou de la bande valence. C'est la raison
pour laquelle l'intensité de la bande d'excitation est faible.
Quant aux processus non radiatifs associés à l'état d'auto-ionisation, leur

probabilité est fonction de l'énergie et du couplage de cet état avec les phonons de la
matrice. Plus l'état d'auto-ionisation se situe à faible énergie ou/et plus le couplage avec
les phonons du réseau hôte est important, plus le taux des processus non radiaitifs est
élevé. Même si la capture des porteurs de charge est aisée, le dernier processus est
prépondérant et peut éteindre totalement la luminescence. Nous associons à ce phénomène
la chute de rendement quantique de la luminescence de l'ion Tb 3 + dans Y(AG)G après
l'absorption de l'énergie par la matrice (figure VU).
En conclusion, les matériaux qui présentent une luminescence intense de l'ion

dopant, induite par l'absorption des photons incidents par le réseau, présente
simultanément des sections efficaces de capture des porteurs de charge élevées et des taux
de processus de désexcitation non radiatifs (de l'état d'auto-ionisation vers l'état
fondamental) faibles. Ces matériaux doivent donc être constitués d'un réseau rigide et
d'une largeur de bande interdite suffisamment grande afin d'y situer la majeure partie des
états 5d. En dernier lieu, le niveau fondamental de l'ion Ln 3+ (accepteur de trou) doit se
situer proche de la bande de valence, bien qu'il soit difficile de prévoir, a priori, sa
position.
165
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[20] K.C. Mishra, K.H. Johnson, MRS Symp. Proc. 348 (1994) 367.
[21] Fu Wen Tian, Thèse (N°890), Université de Bordeaux 1,1986.
[22] J.Th. de Hair, W.L. Konijnendijk, J. Electrochem. Soc. 127(1) (1980) 161.
167
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ETUDE DES LUMINOPHORES

D'EMISSION VERTE
Un matériau luminescent candidat à une utilisation dans les systèmes d'écran de
visualisation à plasma, développés par Thomson-TTE-TIV doit répondre aux trois critères
suivants :
(i) le rendement de conversion des photons VUV en photons visibles (ou rendement
quantique) du luminophore doit être proche voire supérieur à l'unité afin d'obtenir
une émission lumineuse visible la plus intense possible ;
(ii) le point-couleur correspondant à l'émission du luminophore doit se situer au plus

proche de la périphérie du diagramme des couleurs CLE. 1936 afin d'obtenir la
gamme de couleurs la plus étendue possible ;
(iii) le temps de déclin de l'émission du luminophore doit être inférieur ou égal à 10ms.
Ceci est imposé par la fréquence d'image télévisuelle.
Le but de ce travail est donc de trouver un matériau luminescent d'émission verte

qui satisfasse l'ensemble de ces trois points. Nous avons retenu deux centres émetteurs
connus pour offrir une émission intense dans le domaine de longueur d'onde du vert :
l'ion terbium trivalent qui fait partie de la famille des lanthanides et l'ion manganèse
divalent qui appartient à la famille des éléments de transition. Nous avons ensuite
recherché une matrice d'accueil qui devrait permettre l'obtention d'un luminophore
susceptible d'être candidat à l'application des PAP couleur.
Dans un premier temps, nous présenterons les caractéristiques photométriques de

matériaux luminescents dopés avec des ions Tb 3 + ou Mn 2+ , qui offrent des rendements
quantiques importants sur le domaine d'énergie d'émission du plasma. Dans un second
temps, nous présenterons les caractéristiques colorimétriques et celles de rémanence de
certains de ces matériaux.
168
A - CARACTERISTIQUES PHOTOMETRIQUES
1. Choix du réseau hôte
Le luminophore doit présenter des transitions électroniques caractérisées par des

sections efficaces d'absorption des photons incidents importantes sur le domaine
d'énergie d'excitation 6,5eV-8,5eV. Cependant, ce critère n'est pas absolu car comme
nous l'avons montré au cours des chapitres précédents, bien que le coefficient
d'absorption dans la région d'absorption fondamentale soit très élevé, les pertes de
surface peuvent diminuer considérablement l'efficacité de la sensibilisation de la
luminescence du centre activateur par le réseau hôte. Néanmoins, dans certains cas,
l'absorption excitonique peut conduire à une luminescence importante. Afin de minimiser
les effets des pertes de surface, prépondérants au-delà de l'absorption excitonique, il est
nécessaire de concentrer, sur le domaine d'énergie d'excitation du plasma, les transitions
électroniques associées à l'absorption du centre luminescent et à l'absorption du réseau
qui conduisent à la création d'exciton. Cela implique que la matrice d'accueil possède les
caractéristiques suivantes :
(i) le matériau doit être un isolant avec une largeur de bande interdite comprise entre 7eV
et8eV;
(ii) les ligands doivent être tels que l'effet néphélauxétique ainsi que l'intensité du champ
cristallin soient relativement faibles afin que l'énergie du barycentre des orbitales d
(ou l'énergie des composantes 4f75d de champ cristallin) se situe au voisinage de
7eV;
(iii) le réseau cristallographique doit être rigide de manière à limiter le couplage des états
excités du centre luminescent avec les phonons de la matrice. Le couplage est source
de relaxation non radiative ;
(iv) le pouvoir oxydant du solide doit être faible afin de ne pas favoriser l'apparition de
l'état d'auto-ionisation du centre luminescent à basse énergie.
Dans ces conditions, le luminophore devrait présenter un spectre d'excitation en

"plateau" associé à des rendements quantiques d'émission proche de l'unité sur
l'ensemble du domaine d'énergie incidente 6,5eV-8eV.
169
2. Les centres luminescents
2.1. Réseaux hôtes dopés avec des ions Tb 3+
Plusieurs matériaux, présentés dans les deux chapitres précédents, satisfont aux
critères définis ci-dessus. Il s'agit de :
- l'orthophosphate de lanthane LaPÛ4 ;
- la pérovskite d'aluminium et d'yttrium YAIO3 ;

- l'orthoborate de lanthane
Nous avons également identifié d'autres matériaux qui semblent convenir au cahier
des charges :
- l'oxyorthosilicate d'yttrium Y2SiÛ5 (figure VII. 1) ;
- l'orthophosphate de lanthane et de cérium (La,Ce)P04 (figure VEL2) ;

- l'aluminate de magnésium, de cérium et de terbium (Ce,Tb)MgAln0i9
(figure VII.3) ;
- le borate de magnésium, de cérium et de gadolinium (Ce,Gd)MgB50io
(figure VII.4).
L'introduction d'ions Ce 3+ dans les matériaux (La,Ce)P04 et (Ce,Tb)MgAln0i9

permet de sensibiliser la luminescence de l'ion Tb 3 + [1] et donc de faire apparaître
l'absorption due aux états 5d de l'ion Ce 3+ sur le spectre d'excitation de l'ion Tb 3 + . Ces
matériaux luminescents sont alors excitables sur le domaine de longueur d'onde 140-
300nm. De plus, la migration d'énergie étant très efficace au sein des ions Ce 3 + dans le
matériau (Ce,Tb)MgAlnOi9, la concentration en ion Tb 3+ nécessaire pour produire une
luminescence intense est bien moindre que celle nécessaire dans le matériau (La,Ce)PC>4.
Il en est de même dans le matériau (Ce,Gd)MgB50io, où l'ion Gd 3+ joue un rôle
d'intermédiaire important dans le transfert d'énergie entre l'ion sensibilisateur Ce 3+ et
l'ion émetteur Tb 3+ . L'énergie absorbée par l'ion Ce 3+ est transférée vers les niveaux 4f7
de l'ion Gd 3 + et migre ensuite au sein du sous réseau constitué par les ions Gd 3 +
jusqu'au centre luminescent T b 3 + [1]. Les matériaux (Ce,Tb)MgAlnOi9 et
(Ce,Gd)MgB50io deviennent alors intéressants d'un point de vue économique car les
processus de de migration de l'énergie au sein du solide permettent de réduire la teneur en
ions terres rares luminogenes, comparativement au matériau (La,Ce,Tb)PO4, et donc de
réduire les coûts de production.
170
100-
Y 2 SiO 5 :Tb 3+
A
80- 300K
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V
° 40-
J
20-
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4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure VII. 1. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb +dans Y 2 Si0 5
100-
(La,Ce)PO4 :Tb 3+
80-
60-
V v—,
300K
Qext(
40-
20-
0 - J I i I i
4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure VII.2. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb3+dans (La,Ce)PO4
171
100-
(Ce.TbJMgAl^g
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80- 300K
60-
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V
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20-
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J 1 1 1 1 1
4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure VII.3. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb3+dans (Ce,Tb)MgAl ]] O 19
100-
(Ce,Gd)MgB5O i o : T b 3 +
80-
nry\ 300K
60-
N
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40-
\
0 -
J
I I I I I
4 6 8 10 12
Energie (eV)
Figure VII.4. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Tb dans (Ce,Gd)MgB5O10
172
D'autres matériaux possèdent aussi des rendements quantiques importants sur le
domaine d'énergie d'excitation étudié, il s'agit du YAG, de YBO3, de YPO4 et de
Gd(BO2)3. Toutefois, l'éclatement de la configuration 4f 7 5d dû à une intensité du champ
cristallin trop élevée laisse apparaître des "trous d'absorption" sur le spectre d'excitation
dans le domaine d'énergie d'émission du plasma. L'efficacité de la luminescence de ces
matériaux sous excitation plasma diminue donc par rapport à un luminophore qui possède
un signal d'absorption continu.
Afin d'obtenir une absorption du luminophore sur le domaine d'énergie d'émission

du plasma, il faut modifier les seuils d'absorption associés aux transitions 4f ?5d de l'ion
Tb3"1" et à la transition excitonique sans pour autant modifier la structure cristallographique
du réseau hôte. Il faut donc intervenir sur l'effet néphélauxétique et l'intensité du champ
cristallin et/ou sur le seuil d'absorption intrinsèque du solide, sans faire varier de façon
importante l'énergie de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent.
Ainsi, il est possible :
(i) de substituer le cation ce qui modifie l'énergie du seuil d'absorption intrinsèque (ou
la largeur de la bande interdite) du solide sans modifier énormément l'intensité du
champ cristallin. C'est le cas pour les matériaux (Y,Gd)BO3 et (Y,Gd)AG ;
(ii) de substituer partiellement les ligands ce qui modifie à la fois l'intensité du champ
cristallin et le seuil d'absorption du réseau hôte ;
(iii) d'introduire un codopant pour générer des mécanismes d'absorption et de transfert

d'énergie supplémentaires.
Nous avons reporté, dans le tableau VII. 1, les rendements quantiques externes,
mesurés au maximum d'émission du plasma, des matériaux luminescents les plus
performants dopés avec des ions Tb 3+ .
173
Tableau VII.l. Rendement quantique externe mesuré à 7,3eV pour des luminophores
dopés avec des ions Tb 3+
Luminophore YBO3 (Y,Gd)BO3 LaBO3 Gd(BO2)3 YAG
Qext (%) 75 75 70 70 80
YAP (Ce,Tb) (Ce.Gd)

Luminophore LaPO4 (La,Ce)PO4
MgAlnOi9 MgB 5 Oi 0
Qext (%) 70 70 80 90 60
2.2. Réseaux hôtes dopés avec des ions Mn 2 +
L'ion Mn 2+ de configuration électronique [Ar] 3d5 est un élément de transition. Son

spectre d'émission correspond à des transitions intraconfigurationnelles 3d5. Comme les
orbitales 3d sont extrêmement sensibles à l'interaction de champ cristallin exercée par les
ligands, l'émission de l'ion Mn 2+ varie en fonction de la nature et de la structure du
réseau hôte. De plus, les transitions intraconfigurationnelles étant interdites (Al=0), les
sections efficaces d'absorption sont faibles et le temps de vie de l'état radiant est long.
Ainsi, dans certaines matrices d'accueil, l'ion Mn 2+ possède une émission verte associée
généralement à des temps de déclin supérieurs à 15ms.
L'ion Mn 2+ dans la willémite, Zn2SiÛ4, est connu depuis des décennies pour offrir
une émission verte (520nm) intense pour une excitation à 254nm (4,88eV) [2]. Dans le
domaine de longueur d'onde du VUV, les premiers spectres d'excitation calibrés en
rendements quantiques, du matériau Zn2SiC>4:Mn2+ ont été publiés par P.D.Johnson au
début des années soixante [3]. Le rendement quantique d'émission est élevé sur un large
domaine d'énergie incidente (électronique, RX, VUV-UV) et la luminescence verte est
saturée. Ces qualités font que ce matériau possède un fort potentiel quant aux applications
possibles et de nombreuses études le concernant sont encore effectuées [4-9].
La willémite cristallise dans une maille rhomboédrique de groupe d'espace R3 [10].

L'ion Zn 2+ occupe deux sites cristallographiques dans lesquels il est entouré par quatre
atomes d'oxygène dans un arrangement tétraédrique distordu. La bande d'émission de
174
l'ion M n 2 + a été attribuée, dans le diagramme d'Orgel, à la transition
intraconfigurationnelle 3d 5 interdite de spin 4 T i -> 6 A i [11]. Un phénomène de
phosphorescence s'ajoute à la luminescence intrinsèque et augmente le déclin de
l'émission jusqu'à 30ms pour une concentration molaire de 4% en ions Mn 2+ dans le
réseau hôte. Cette phosphorescence est d'ailleurs encore plus longue lorsque le matériau
est codopé avec des ions arsenic pentavalents [4].
Le spectre de réflectivité diffuse de la willémite non dopée (contenant cependant des

ions Mn 2+ en tant qu'impuretés) révèle que le seuil d'absorption du réseau hôte est voisin
de 5,8eV (figure VII.5). L'introduction d'ions Mn 2+ entraîne sur le spectre d'excitation,
l'apparition d'une large bande d'absorption dont le maximum se situe au voisinage de
5,2eV comme l'a montré F.A. Kroger (figure VII.5) [12]. Cette bande ne peut être
associée aux transitions 3d^ car les sections efficaces d'absorption des transitions
intraconfigurationnelles sont trop faibles pour entraîner une luminescence si intense de
l'ion Mn 2+ . De plus, lorsque la concentration en ions Mn 2+ augmente dans le réseau,
l'intensité de cette bande augmente ainsi que sa largeur. Cela traduit alors un couplage
vibronique important qui induit une diminution de la température nécessaire à l'extinction
thermique de la luminescence de l'ion Mn 2+ pour une excitation à 254nm (4,8 8eV) [12].
Par ailleurs, pour une concentration molaire de 4% en ions Mn 2+ , le rendement

quantique associé à l'absorption du réseau hôte est voisin de 80% et est quasi linéaire sur
le domaine d'énergie 6-lleV. Mais, lorsque la concentration en centres luminescents
augmente pour atteindre 9% molaire, le rendement quantique associé à l'absorption
exci tonique (6e V) diminue d'environ 10% et on assiste de plus à une diminution rapide de
l'efficacité de la luminescence lorsque l'énergie augmente (figure VII.6). Quant à la bande
d'absorption de l'ion Mn 2+ précédemment identifiée, le rendement quantique conserve
des valeurs quasi identiques sur toute la gamme de concentrations.
La diminution des rendemets quantiques pour de fortes concentrations en ions

dopants est la signature de l'augmentation des processus non radiatifs. Elle est due à une
plus grande probabilité de migration de l'énergie au sein du réseau hôte qui favorise le
peuplement de centres pièges de la luminescence. Nous notons aussi que le temps de
déclin de l'émission de l'ion Mn 2+ diminue de 30ms à 10ms [5].
175
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5 6 7 8 9 10
Energie (eV)
Figure VII.5. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn2+ (trait plein) et

spectres de réflectivité diffuse (pointillés) du réseau hôte Zn 2 Si0 4 dopé
et non dopé
176
DJ. Robbins et al ont proposé que la large bande d'excitation soit liée à l'ionisation
directe du centre luminescent, c'est à dire à la promotion d'un électron 3d directement
dans la bande conduction [13] :
Mn 2+ (3d5) -> Mn 3+ (3d4) + e" (BC)
Nous proposons, pour notre part, que ce processus de photo-ionisation du centre

luminescent passe par une étape intermédiaire d'auto-ionisation qui intervient lors de
l'absorption de l'énergie par les états 3d5 excités situés dans la bande de conduction.
Dans le cadre du "modèle de l'exciton piégé sur le centre impureté", l'électron reste lié à
l'ion dopant oxydé. Mais lorsque l'énergie incidente augmente, cet électron peut se
désolidariser du centre et migrer dans la bande de conduction.
L'énergie de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent est, comme nous l'avons

vu dans le chapitre précédent, gouvernée par le pouvoir oxydant de la matrice d'accueil.
H.W. Leverenz a montré que l'émission de l'ion Mn 2+ est intense pour une excitation à
365nm (3,4eV) dans la matrice d'accueil Zn2GeO4 alors qu'elle nécessite une plus courte
longueur d'onde 254nm (4,88eV) dans la matrice d'accueil ZnGa2Û4 [10]. Ainsi,
l'énergie de l'état d'auto-ionisation de l'ion Mn 2+ diminue lorsque les deux réseaux hôtes
isostructuraux Zn2SiÛ4 (5,2eV) et Zn2GeÛ4 (3,4eV) sont considérés. De même,
l'énergie diminue lorsque l'on passe de la matrice de symétrie cubique ZnA^CU (6eV) à la
matrice isomorphe ZnGa2Û4 (4,88eV). Comme nous l'avons précédemment souligné, le
matériau luminescent qui possède le rendement quantique le plus important est celui pour
lequel le réseau hôte permet de positionner l'état d'auto-ionisation de l'ion manganèse
divalent à haute énergie et pour lequel le couplage électron-phonon est suffisamment
faible pour limiter les pertes non radiatives associées à l'intervention de cet état. Dans ces
conditions, seul les matériaux à base d'ions silicates ou d'ions aluminates conviennent.
Nous avons reporté, dans le tableau VII.2, l'énergie de l'état d'auto-ionisation,

l'énergie du front d'absorption du réseau hôte, la longueur d'onde d'émission ainsi que la
largeur à mi-hauteur de la bande d'émission de plusieurs luminophores dopés avec des
ions Mn 2+ . Il apparaît que dans le matériau ZnAl2Û4, le couplage vibronique de l'état
radiant avec les phonons du réseau hôte soit le plus faible.
Les spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ dans les matrices
d'accueil BaAlÔiç (Phosphors Technology, Kyokko-kx502a), BaMg2Ali6C>27
(Phosphors Technology, Philips-U706) et ZnAl2Û4 (Phosphors Technology) sont
représentés sur les figures VII.7, VIL 8 et VII.9.
177
Figure VII.6. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn 2+ dans le réseau Zn 2 Si0 4
pour deux concentrations en centre luminescent : 4% (trait plein) et 9% (pointillés)
50- ZnAI 2 O 4 :Mn 2+

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Energie (eV)
Figure VII.7. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Mn2+

+
dans le réseau ZnALO
178
2+
Figure VII.8. Spectres d'excitation de la luminescence de l'ion Mn :
BaMg2Al16O27:Mn 2+ (trait plein)
BaMg2Al16O27:Eu2+, Mn2+ (pointillés)
Figure VII.9. Spectre d'excitation de la luminescence de l'ion Mn2+ dans le réseau BaAl12O19
179
Le matériau BaMg2Ali6O27:Mn2+ possède de faibles rendements quantiques sur le
domaine d'émission du plasma. L'introduction d'ions Eu 2+ comme codopant, entraîne
l'apparition de bandes d'excitation due aux transitions 4f 6 5d pour une énergie incidente
inférieure à 6,4eV mais ne favorise pas pour autant le transfert d'énergie de la matrice
vers le centre luminescent. Quant aux matériaux BaAli2Oi9:Mn2+ et ZnAl2O4:Mn2+, ils
regroupent leurs mécanismes d'excitation de la luminescence sur le domaine d'énergie
d'émission du plasma et présentent des rendements quantiques qui peuvent concurrencer
ceux obtenus pour le matériau Zn2SiC>4:Mn2+.
Cependant, l'analyse spectrale de l'émission de ces divers matériaux (figure VII.10)

montre que seul le luminophore ZnAl2O4:Mn2+ possède une émission verte saturée grâce
à son maximum d'émission à 51 lnm et sa faible largeur de bande.
Tableau VII.2. Caractéristiques spectrales de matériaux commerciaux dopés avec des

ions Mn 2+
Zn2SiO4 Z11AI2O4 BaAli2Oi9 BaMg2Ali6O27
E(eV)
5,2 6 6,4 6,5+5,5
auto-ionisation
E(eV)
5,8 7,1 7 7,6
réseau hôte
ît(nm)
520 511 515 514
maximum
d'émission
AX (nm)
33 18 32 25
à mi-hauteur
180
Zn 2 Si0 4 :Mn2 + (4%)
511 nm ZnAl O
2 4
3 520 nm
I
480 500 520 540 560 480 500 520 540 560
Longueur d'onde (nm) Longueur d'onde (nm)
516 nm 514 nm
a
3
BaO(Al 2 O 3 ) 6
•s
c
480 500 520 540 560 580 600 480 500 520 540 560 580
Longueur d'onde (nm) Longueur d'onde (nm)
Figure VII.lO. Spectres d'émission de plusieurs matériaux dopés

par des ions Mn2+ (Excitation = 30eV)
181
B- TEMPS DE DECLIN ET COLORIMETRIE DE L'EMISSION
Nous avons reporté, dans le tableau VII.3, les coordonnées du point-couleur et le

temps de déclin de l'émission (mesurés dans les conditions expérimentales d'une
excitation plasma) de divers luminophores dopés soit avec des ions Tb 3 + soit avec des
ions Mn 2+ .
Tableau VII.3. Temps de déclin et coordonnées du point-couleur de l'émission de

matériaux luminescents dopés avec des ions Tb3"1" ou Mn 2+
Luminophore Point-couleur Temps de déclin

x y (ms)
Zn2SiO4:Mn2+ 0,25 0,71 30

(4%)
Zn2SiO4:Mn2+ 0,25 0,71 15

(9%)
ZnAl2O4:Mn2+ 0,1 0,79 7

(0,6%)
BaAli2Oi9:Mn2+ 0,2 0,72 17

(25%)
BaMg2Ali6O27: 0,15 0,67 14

Mn 2+ (10%)
BaMg2Ali6O27: 0,15 0,67 14

Eu 2+ , Mn 2+
Y2SiO5:Tb3+ 0,36 0,55 9
YAGrTb3* 0,36 0,53 6
Les luminophores dopés par des ions Tb 3 + possèdent un temps de déclin

d'émission inférieur aux 10ms souhaitées. Cependant, les raies d'émissions de l'ion Tb 3 *
qui ont pour origine des transitions intraconfigurationnelles 4f8 sont très peu sensibles à
182
l'interaction de champ cristallin et ne sont que très peu modifiées par la nature et la
structure du réseau hôte. La fluorescence du Tb 3+ se caractérise par un spectre d'émission
dont la raie la plus intense se situe généralement au voisinage de 545nm, c'est à dire dans
le domaine de couleur du vert-jaune. Les coordonnées du point-couleur de l'émission de
tels matériaux luminescents sont donc médiocres pour une application télévisuelle.
Les luminophores dopés par des ions Mn 2+ possèdent, quant à eux, l'émission
verte souhaitée. Dans le cas du matériau ZnAl2O4:Mn2+, les coordonnées du point-
couleur sont très proches de la périphérie du diagramme des couleurs dans le domaine du
vert. De plus, parmi l'ensemble des composés dopés avec des ions manganèse divalents,
le matériau ZnAl2O4:Mn2+ possède le temps de déclin le plus court, il est inférieur aux
10ms souhaitées.
En conclusion, les luminophores dopés avec des ions Tb 3 + présentent des

rendements quantiques importants ainsi que des temps de déclin d'émission inférieurs à
10ms sur le domaine d'énergie d'émission du plasma. Cependant, leurs caractéristiques
colorimétriques sont en défaveur pour une application dans un écran de visualisation qui
nécessite une gamme importante de couleurs accessibles. En revanche, ils restent des
candidats potentiels pour les systèmes d'éclairage à plasma.
Quant aux matériaux luminescents dopés avec des ions Mn 2+ , ils présentent des
rendements quantiques élevés ainsi qu'une émission verte très intéressante pour leur
utilisation dans les écrans de visualisation à plasma. Cependant, en général, le temps du
déclin de leur émission reste trop important sauf pour ZnAl2C>4:Mn2+. ZnAl2O4:Mn2+ est
donc le seul matériau à présenter, à la fois, une concentration des seuils des mécanismes
d'absorption sur le domaine d'énergie d'émission du plasma, une émission verte saturée
et un temps de déclin court. Ceci en fait un candidat très intéressant pour l'application
envisagée. Il faut cependant remarquer que les rendements quantiques mesurés restent
encore faibles par rapport à d'autres luminophores commerciaux. Il est fort probable
qu'une optimisation du procédé de synthèse et de la concentration en centres luminescents
entraînera une augmentation notable des rendements quantiques de ce luminophore.
183
[I] B.Smets, Optical Properties of Excited States in Solids, ed. Di Bartolo, Plenum
Press, N.Y., (1992) 349.
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J. Electrochem. Soc. 132(11) (1985) 2784.
184
La société Thomson-TTE-TIV est sur le point de commercialiser une nouvelle
génération d'écran de télévisualisation, les PAP couleur. De part leurs qualités liées au
faible encombrement et à la haute définition de l'image même pour de grande diagonale
d'écran, ils seront les concurrents des récepteurs de télévision traditionnels.
Cependant, certains constituants comme le matériau photoluminescent présentant

une émission verte peuvent encore être améliorés . C'est la raison pour laquelle la
recherche d'un matériau luminophore vert mieux adapté aux PAP couleur a constitué le
but de ce travail. Ce matériau doit posséder les trois propriétés essentielles:
(i) un rendement quantique élevé dans le domaine d'émission du plasma ;

(ii) une couleur verte saturée ;
(iii) un temps de déclin de l'émission inférieur à 10ms.
Pour atteindre ce but, il a été nécessaire de bien comprendre l'action des différents
facteurs qui régissent les rendements quantiques d'émission des luminophores. Ainsi,
pour les matériaux luminescents dopés avec des ions lanthanides trivalents, il est non
seulement nécessaire de prendre en compte les propriétés spectroscopiques de l'ion
dopant qui subit l'interaction de champ cristallin mais aussi les propriétés électroniques
du réseau hôte en raison de son pouvoir oxydo-réducteur. Nous avons ainsi montré qu'il
est très important de tenir compte des processus de photo-ionisation du centre
luminescent en raison de la possible délocalisation de l'électron excité.
Dans le domaine UV-VUV, l'absorption de l'énergie incidente directement par le

centre luminescent peut entraîner deux types de transitions électroniques à partir de l'état
fondamental 4P1 de l'ion lanthanide, en fonction de son électro-affinité :
(1) des transitions vers les états de la configuration excitée 4fn"15d pour les ions
Ce 3+ , Pr 3+ et Tb 3+ "électrophobes";
(2) une transition vers l'état de transfert de charge dans le cas de l'ion Eu 3+ très
"électrophile".
Ces mécanismes d'excitation possédant une section efficace d'absorption élevée,

l'intensité de luminescence obtenue peut être importante si le transfert de l'énergie
d'excitation sur le niveau radiant du centre luminescent n'est pas contrarié par des
phénomènes non radiatifs.
C'est ainsi que nous avons mis en évidence l'augmentation des processus non
radiatifs dans les matériaux Y(AG)G:Tb3+ (6%) lorsque la concentration en ions Ga 3+
185
augmente. L'interprétation de ce phénomène, ainsi que l'extinction totale de la
luminescence de l'ion Ce 3 + dans le réseau YGG, dans le modèle des courbes de
coordonnées de configuration du centre luminescent, n'a été possible qu'en considérant
l'intervention d'un état d'énergie particulier : l'état d'auto-ionisation du centre activateur
dans la matrice considérée :
Ln 3+ -> Ln*+ + e" (lié)
L'augmentation de la concentration en ions Ga 3+ se traduit par une augmentation du

pouvoir oxydant du réseau ce qui diminue l'énergie de l'état d'auto-ionisation.
La distinction des ions en fonction de leur affinité électronique peut s'exprimer de la

façon suivante dans les systèmes dopés : les ions présentant des transitions 4fn"15d à
basse énergie (Ce 3+ , Pr 3+ ,Tb 3+ ) sont considérés comme des donneurs d'électron au
réseau hôte, ceux présentant une transition de transfert de charge à basse énergie (Eu 3+ ,
Yb3"*") peuvent être considérés comme des centres accepteurs d'électron du réseau hôte.
Dans le premier cas, l'état d'auto-ionisation est issu de la réaction de photo-
oxydation de l'ion Ln 3+ :
Ln 3+ -> Ln 4+ + e" (lié);
dans le second cas il est issu de la réaction de photoréduction de l'ion Ln 3+ :
Ln 3+ -> Ln 2+ + h+ (lié).
Nous avons ainsi montré que dans le modèle des courbes de coordonnées de
configuration du centre luminescent, la probabilité de relaxation non radiative ou la
diminution du rendement quantique est d'autant plus importante que l'état d'auto-
ionisation se situe à basse énergie par rapport à l'état fondamental de l'ion Ln 3+ d'une
part et/ou d'autre part, que son couplage avec les phonons du réseau est élevé.
Dans le schéma des bandes, en supposant que le niveau fondamental de l'ion Ln 3+
(donneur d'électron) se situe proche de la bande de valence, l'écart d'énergie AE entre
l'état fondamental 4f" et l'état d'auto-ionisation (Ln 4+ + e" (lié)) est d'autant plus
important que la largeur de la bande interdite du solide est grande. Le couplage de l'état
d'auto-ionisation avec les phonons du réseau peut être limité si ce dernier possède une
certaine rigidité.
On comprend, dès lors, beaucoup mieux pourquoi parmi les matériaux
photoluminescents, ceux qui présentent les rendements quantiques les plus élevés
possèdent généralement une largeur de bande interdite importante et sont constitués par
un réseau rigide qui limite leurs modes de vibration.
186
Lorsque le transfert d'énergie du réseau hôte vers le centre luminescent s'effectue
par la capture des porteurs de charge, ce mécanisme consiste à promouvoir l'ion dopant
dans son état d'auto-ionisation. Si la probabilité de transition non radiative de l'état
d'auto-ionisation vers l'état fondamental est importante, ce processus d'excitation ne
conduit qu'à très peu de luminescence. Dans le cas contraire la variation de la section
efficace de capture ainsi que les pertes de surface peuvent moduler de façon importante la
sensibilisation de la luminescence de l'ion dopant.
Pour essayer de quantifier l'efficacité de capture des porteurs de charge par le centre
luminescent, le calcul de structure électronique mené sur des matériaux isostructuraux tels
que (Lai-x Cex)PO4 ou (Lai-X Cex)(BO2)3 conforté par des résultats expérimentaux de
spectroscopie de photoélectron, d'absorption et de photoconductivité sur des cristaux
devrait permettre de situer l'énergie de l'état fondamental de l'ion Ce 3+ relativement à la
bande de valence et ainsi d'interpréter les variations d'efficacité des différents processus
d'excitation ainsi que les dynamiques de fluorescence. C'est le prolongement naturel de
ce travail sur le plan des interprétations.
En conclusion, au cours de ce travail, plusieurs luminophores dopés avec des ions

3+
Tb ont été proposés et étudiés. Ils présentent des rendements quantiques élevés et le
temps de déclin souhaité. Cependant, leur couleur d'émission, trop décalée vers le jaune
(540-545nm), est loin d'être saturée et donc leur utilisation dans les écrans couleur est
encore sujette à discussion. Néanmoins, ces matériaux restent des candidats potentiels
pour les systèmes d'éclairage basée sur le principe du plasma.
Enfin, certains luminophores dopés avec des ions Mn 2+ présentent quant à eux une
émission verte saturée et des rendements quantiques importants sur le domaine
d'émission du plasma. Cependant, le temps de déclin de leur émission est généralement
trop long. C'est pourquoi nous proposons le matériau ZnAl2O4:Mn2+ qui présente des
caractéristiques de rémanence, de colorimétrie et de rendement quantique très
intéressantes pour l'application envisagée mais pour lequel il convient encore d'en
approfondir l'étude.
187
RESUME :
Le but de ce travail est de trouver un matériau photoluminescent présentant une

émission verte, un rendement quantique de luminescence élevé et une faible rémanence. H
doit pouvoir être mis en oeuvre dans les Panneaux à Plasma couleur développés par la
société Thomson-TTE-TTV.
Un spectrophotomètre VUV mis au point à 11PN d'Orsay, utilisant le rayonnement

synchrotron issu de l'anneau de stockage SUPER-ACO, rend possible la mesure
simultanée des spectres d'excitation de la luminescence et de réflectivité diffuse des
composés inorganiques polycristallins. Ce dispositif expérimental nous permet également
de déterminer le rendement quantique d'émission du luminophore sur l'ensemble du
domaine d'énergie UV-VUV.
La synthèse chimique des matériaux ortho- et métaborate de terres rares et ortho- et
métaphosphate de terres rares dopés avec des ions lanthanides : trivalents cérium,
praséodyme, europium et terbium, a été effectuée.
La variation de l'énergie des seuils des mécanismes d'excitation de la luminescence
en fonction de la nature et de la structure du réseau hôte est discutée. Nous déterminons
notamment l'influence de l'effet néphélauxétique et de l'intensité du champ cristallin sur
l'énergie des transitions inter-configurationnelles f-d.
La variation du rendement quantique d'émission de l'ion dopant est interprétée dans
le modèle de "l'exciton piégé sur le centre impureté". La comparaison des propriétés
spectroscopiques des ions cérium et terbium trivalents dans les matrices Y(AG)G permet
de mettre en évidence la participation de l'état d'auto-ionisation du centre luminescent qui
joue un rôle primordial sur la probabilité des processus de désexcitation non radiatif et
donc sur l'efficacité du luminophore. C'est le pouvoir oxydo-réducteur de la matrice
d'accueil qui impose au centre luminescent l'énergie de cet état.
Dans le modèle des courbes de coordonnées de configuration du centre
luminescent, la probabilité de désexcitation non radiative de l'état d'auto-ionisation
directement vers l'état fondamental est d'autant plus faible que cet état se situe à haute
énergie et que son couplage avec les vibrations du réseau hôte est faible.
Mots clés : Panneaux à Plasma couleur, spectroscopie VUV, rendement

quantique, borate, phosphate, grenat, état d'auto-ionisation,
émission verte.
ABSTRACT :
The aim of this work is to find a green emitting phosphor showing a high quantum
efficiency and a short decay time which can be used in the color Plasma Display Panels
developed by Thomson-TTE-TIV company.
A VUV spectrophotometer built at IPN Orsay, using the synchrotron radiation from
the SUPER-ACO storage ring as an excitation source, allow us the simultaneous
recordings of the luminescence excitation and diffuse reflectivity spectra of the inorganic
compounds in the UV-VUV range. In addition, this experimental set-up enable us to
determine the luminescence quantum efficiency of phosphors in the whole energy range
of investigation.
The chemical synthesis of rare-earth ortho- and metaborate and rare-earth ortho-
and metaphosphate doped with trivalent lanthanide ions cerium, praseodymium,
europium and terbium have been made.
The energy variation of the tresholds of the luminescence excitation mechanisms in

function of the nature and the structure of the host matrix is discussed. We have
determined the influence of the nephelauxetic effect and the crystal field intensity on the
energy of the f-d inter-configurational transitions.
The variation of the luminescence quantum efficiency of the dopant ion is

interpreted through the "impurity bound exciton" model. The systematic comparison of
the cerium and terbium trivalent ions spectroscopic properties in the Y(AG)G host lattice
series stands to reason that the self-ionized state of the luminescent center plays an
important role in the rate of the non radiative relaxation. It is the redox power of the host
matrix which imposes to the luminescent center, the energy of this state.
In the configurational coordinate model of the luminescent center, the non radiative
de-excitation probability associated with the self-ionized state is lowered when this state
is situated at high energy and when its coupling with the vibrational modes of the host is
weak.
Key words : color Plasma Display Panels, VUV spectroscopy, quantum

efficiency, borate, phosphate, garnet, self-ionized state, green
emission.

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29 novembre 1995 IPNO-T-95.09

7/îése présentée par

Sujet : ETUDE DES PROCESSUS D'ABSORPTION ET DE

Le GRADE de DOCTEUR EN SCIENCES

DE L'UNIVERSITE DE PARIS XI ORSAY

SUJET: ETUDE DES PROCESSUS D'ABSORPTION ET DE

Soutenue le 29 novembre 1995 devant la Commission d'examen

M.M. M. GENET Président

Je remercie Monsieur J.C. Krupa, responsable du groupe de

Je remercie Messieurs J. Deschamps, M. Berthe et A. Moï ainsi que

Je souhaite remercier vivement Monsieur C. Fouassier, Directeur de

J'exprime ma respectueuse reconnaissance à Monsieur le

Je suis très flatté de la présence dans mon jury de thèse de Monsieur

Je tiens à exprimer toute ma gratitude à Monsieur P. Martin du

Je remercie Messieurs B. Chassigneux, R. Margaria et J.F. Clavelin

Je remercie chaleureusement Monsieur B. Chassigneux, Assistant

Je tiens à remercier vivement Madame W. Zhang,

Je remercie Messieurs A. Belsky et A. Vasil'ev du département de

Je remercie tous les membres du groupe de Radiochimie et tous les

Enfin, je tiens à remercier mes amis, Benoit et Nicolas, pour leurs

I. ECRANS PLATS A PLASMA 6

A. Fonctionnement. Principe de base 6

1. Physique de la décharge dans les gaz 6

2. Caractéristique courant-tension du système 8

B. Principe de fonctionnement des PAP-ac de type XY 10

2. Panneau à plasma monochrome 12

3. Panneau à plasma couleur 15

C. Axes de développement des écrans à plasma TTE 21

1. Situation des PAP par rapport aux autres technologies de visualisation 21

Références bibliographiques du chapitre I 28

1. SUPER-ACO. Le rayonnement synchrotron 29

B. Méthodologie de la mesure du rendement quantique et de la réflectance diffuse 39

Références bibliographiques du chapitre II 47

A. Processus d'absorption de l'énergie incidente 48

2. Processus liés au centre luminescent isolé (Ln^+) 50

4. Processus d'absorption des photons mettant en jeu le réseau hôte 58

B. Processus de relaxation de l'état excité 64

Références bibliographiques du chapitre III 73

IV. SYNTHESES ET STRUCTURES CRISTALLOGRAPHIQUES 75

1. Réactifs utilisés pour les synthèses 75

2. Synthèse des borates et des phosphates de terres rares 76

4. Caractérisation de la phase cristalline 78

2. Phosphates de terres rares 80

3. Grenat d'aluminium ou de gallium et de terres rares 83

Références bibliographiques du chapitre IV 88

V. ANALYSE DES RESULTATS 90

A. Spectre de réflectivité diffuse 90

2. Variation de l'énergie du minimum de réflexion en fonction de la nature du

B. Spectre d'excitation de la luminescence du centre activateur 98

C. Spectre d'émission 130

1. Transitions intraconfigurationnelles des ions Eu 3+ et Tb 3+ 130

2. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Ce 3+ 130

3. Transitions interconfigurationnelles de l'ion Pr3+ 133

Références bibliographiques du chapitre V 137

A. Absorption de l'énergie par le centre 139

1. Décalage de Stokes 139

2. Pertes non radiatives au sein du centre luminescent 141