Rappels d'électronique

Note de cours
1 RAPPELS D’ELECTRICITE 4

1.1 CIRCUIT ELECTRIQUE 4

1.2 COURANT ET TENSION 4
1.2.1 COURANT 4
1.2.2 TENSION 4
1.2.3 PUISSANCE 5
1.3 DIPOLE ELECTRIQUE 5
1.3.1 LE GENERATEUR DE TENSION 5
1.3.2 LE GENERATEUR DE COURANT 5
1.3.3 LA RESISTANCE 5
1.3.4 LA BOBINE 6
1.3.5 LE CONDENSATEUR 7
1.4 LOIS GENERALES 8
1.4.1 LOI DES NŒUDS 8
1.4.2 LOI DES MAILLES 8
1.4.3 THEOREME DE SUPERPOSITION 9
1.4.4 THEOREME DE THEVENIN 9
1.4.5 THEOREME DE NORTON 9

2 REGIME SINUSOÏDAL 10

2.1 CARACTERISATION DES SIGNAUX 10

2.1.1 SIGNAL PERIODIQUE 10
2.1.2 VALEUR MOYENNE ET VALEUR EFFICACE 10
2.1.3 SIGNAL SINUSOÏDAL 11
2.2 REPRESENTATION D’UN SIGNAL SINUSOÏDAL 11
2.3 IMPEDANCE COMPLEXE 11
2.3.1 IMPEDANCE DE LA RESISTANCE 12
2.3.2 IMPEDANCE DE L’INDUCTANCE 12
2.3.3 IMPEDANCE DU CONDENSATEUR 12
2.4 NOTION DE FONCTION DE TRANSFERT 12
2.5 REPRESENTATION DE BODE 13

3 LA DIODE 15

3.1 PRINCIPE 15
3.2 CARACTERISTIQUES 15
3.3 DIODES PARTICULIERES 16
3.3.1 DIODE SCHOTTKY 16
3.3.2 DIODE ZENER 17

4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 18

4.1 PRINCIPE 18
4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 18
4.3 CARACTERISTIQUES 19
4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 20

5 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 22

6 L’AMPLIFICATEUR LINEAIRE INTEGRE 28

6.1 PRESENTATION 28
6.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 28
6.3 CARACTERISTIQUES 29

Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode

 Chapitre
1 Rappels d’électricité
1
1.1 Circuit électrique
Les circuits (ou réseaux) électriques sont
constitués par l’interconnexion de composants
électriques. Un circuit électrique est au moins Générateur Récepteur
constitué d’un générateur et d’un récepteur reliés
entre eux par des conducteurs. Dans le cas le plus
simple, les composants utilisés ont seulement 2 conducteurs
bornes de connections : on les appelle des dipôles.

1.2 Courant et tension

1.2.1 Courant
Le courant circulant dans un circuit électrique est représentatif de la quantité d’électricité
circulant dans ce circuit. Il dépend donc du nombre de charges électriques se déplaçant. Cette
quantité est appelé intensité électrique et est définie comme le débit de charges électriques dans le
conducteur. On la note I et elle s’exprime en Ampère (A).

dq avec dq : la quantité d’électricité1 (C)

i= dt : le temps (s)
dt
On représente un courant électrique par une flèche sur un conducteur :
i

Remarque : on mesure l’intensité avec un ampèremètre branché en série

1.2.2 Tension
Au repos, les charges électriques d’un conducteur sont en mouvement continuel sous l’effet
de l’agitation thermique. Cependant, ce mouvement ne se traduit pas par un déplacement global
susceptible de générer un courant électrique. Pour mettre en mouvement ces charges dans une
direction donnée, il est nécessaire d’appliquer un champ électrique aux bornes du conducteur. En
appliquant une différence de potentiel sur un conducteur, on crée un champ électrique qui met les
électrons en mouvement. La valeur de la différence de potentiel est appelée la tension. On la note U
et elle s’exprime en Volt2 (V).
On représente une différence de potentiel par une flèche à côté d’un composant :

A B potentiel du point B
en Volts
uAB = VA-VB
uAB potentiel du point A
En Volts ( V ) en Volts

Remarque : on mesure la tension avec un voltmètre branché en dérivation entre les bornes A et B.

1
q = n x e avec n : nombre d’électrons
e : charge élémentaire d’un électron 1,6.10-6 C
2
Le Volt est défini de telle manière qu’une charge d’un Coulomb accélérée sous une tension de 1V acquiert une énergie de
1J (1V=1J/C)
1.2.3 Puissance
La puissance est l’énergie absorbée ou fournie, par unité de temps, par un circuit électrique
ou une portion de circuit. Elle est donc représentative de la consommation d’un circuit. Elle s’exprime
en fonction de u et de i et son unité est le Watt (W) :

p=u×i

1.3 Dipôle électrique

On appelle dipôle électrique tout système composé seulement de deux bornes. Le
comportement d'un dipôle est caractérisé par la relation entre la tension à ses bornes et le courant le
traversant. Il existe deux possibilités pour le choix des sens conventionnels de la tension et du courant
électrique :

I I
A B A B

UAB UAB
Convention récepteur : Le courant et la tension Convention générateur : Le courant et la
sont fléchés en sens opposé. Le dipôle reçoit tension sont fléchés dans le même sens. Le
de la puissance si p>0. dipôle fournit de la puissance si p>0.

Les dipôles élémentaires les plus classiques sont :

1.3.1 Le générateur de tension

Le générateur de tension impose la valeur de la tension à ses bornes quel que soit
e le courant qui le traverse.
U

1.3.2 Le générateur de courant

Le générateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quelle que soit
I0 la tension à ses bornes.
u
I

1.3.3 La résistance
Une résistance est constituée de matériau ayant une forte résistivité. Elle
i s’oppose au passage du courant dans un circuit électrique. On l’utilisera donc en
général pour limiter le courant dans un circuit. Le passage de ce courant provoque un
u échauffement de la résistance.

Lois d’Ohm :

La relation liant la tension et le courant aux bornes d’une résistance s’appelle la loi d’Ohm :
u : tension aux bornes de la résistance en Volt.
u=Ri i : courant traversant la résistance en Ampère.
R : valeur de la résistance en Ohm.
 Puissance :

u2
P = u.i =R.i² = P : puissance dissipée s’exprimant en Watt.
R
u : tension aux bornes de la résistance en Volt
i : courant traversant la résistance en Ampère

Association :

En série : Req = R1 + R2 + … + Rn

1 1 1 1
En parallèle : = + + ... +
R eq R1 R 2 Rn

Caractéristiques :

Une résistance est définie par sa valeur nominale en ohm, sa tolérance et la puissance maximale
qu’elle peut dissiper.

1.3.4 La bobine
On définit le coefficient d’induction magnétique de la bobine par le rapport entre
i
le flux d’induction magnétique à travers le circuit et le courant qui lui donne naissance ;
on le note L :
u
φ(t)
L=
i(t)
Or la différence de potentiel u apparaissant grâce à l’effet auto-inductif aux bornes de la bobine est
égale à :
dφ
u(t) =
dt
La relation entre le courant traversant une bobine et la tension à ses bornes est donc :

di
u(t) = L
dt
où L est appelée l’inductance de la bobine et s’exprime en Henri (H).

Energie :

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme magnétique. Ce stockage est
momentané et l’énergie est restituée au circuit en courant. Ainsi, la variation de courant aux bornes
d’une inductance ne pourra pas subir de discontinuité.
1
w= L.i 2
2
Association :

Idem résistance.

Caractéristiques :

Une bobine résulte du bobinage d’un fil électrique (dans l’air ou sur un
support magnétique) et elle est donc définie par la valeur de sa résistance
interne et son inductance. Ces principales caractéristiques sont son
coefficient de surtension Q qui définie la qualité de la bobine en fonction de la fréquence et son niveau
de saturation.
1.3.5 Le condensateur
i Un condensateur est constitué de deux plaques conductrices (étain, cuivre,
aluminium...) appelées armatures, placées en regard l’une de l’autre, et séparées par un
isolant d’épaisseur variable appelé diélectrique. Les diélectriques les plus utilisés sont
l’air, le mica, le papier, le mylar, le plastique, le verre, etc...
u Il se caractérise par sa capacité C qui est la constante de proportionnalité entre la
charge (ou quantité d’électricité) qu’il acquiert et la tension u appliquée à ses bornes.

Capacité :

On définie la capacité C par le rapport de charges accumulées sur les armatures sur la différence de
potentiel entre les armatures :
q
C=
u
La relation entre le courant traversant un condensateur et la tension à ses bornes est donc :

du
i=C
dt
Energie :

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme électrostatique. Le stockage

est momentané et cette énergie est restituée au circuit sous forme de tension. Ainsi, la variation de
tension aux bornes d’un condensateur ne pourra pas subir de discontinuité.
1
w= C.u 2
2
Association :

1 1 1 1
En série : = + + ... +
Ceq C1 C 2 Cn

En parallèle : Ceq = C1 + C2 + … + Cn

Caractéristiques :

Les principales caractéristiques d’un condensateur sont sa valeur nominale, sa tolérance et sa tension
nominale d’utilisation.
D’autre part, le modèle réel équivalent d’un condensateur peut se mettre sous la forme suivante :

RP : Résistance d’isolement. Elle va provoquer la

décharge du condensateur. RP>1MΩ.
RS : Résistance en série due aux contacts (quelques
dixièmes d’ohms). Lorsque le condensateur se charge et
se décharge avec un courant élevé, celui-ci dégage de la
chaleur.
C : Capacité du condensateur.
LS : bobine équivalente des liaisons – surtout génante en haute fréquence.

En fonction de la technologie de fabrication, ces différents paramètres vont plus ou moins intervenir.
 1.4 Lois générales
L’étude des circuits électriques linéaires est basée sur les lois de Kirchhoff (loi des mailles, loi
des nœuds). Leur application conduit à une mise en équation dont la résolution permet d’établir les
lois d’évolution des différentes grandeurs recherchées. Ces lois sont générales, si bien que leurs
résultats restent valables quel que soit la nature des signaux appliqués.

Vocabulaire :

A C E Un nœud est un point du circuit relié à deux

dipôles ou plus (C et D).
Une branche de réseau est la partie de circuit
Générateur comprise entre deux nœuds. (CD et EF)
D1 D2 Une maille est un parcours fermé de
branches passant au plus une seule fois par
un nœud donné (ACEFDBA et ACDBA et
CEFDC).
B D F

1.4.1 Loi des nœuds

Il s'agit d'une conséquence de la conservation de la charge électrique. Elle peut s’exprimer sous deux
formes différentes :

La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à

I1
la somme des intensités des courants sortant de ce nœud
I4 A I2 Ou

I3 la somme algébrique des courants arrivant à un nœud est

constamment nulle.

Ex : I1 + I2 = I3 + I4

1.4.2 Loi des mailles

La somme algébrique des tensions rencontrées en parcourant une maille dans un sens
prédéfini est nulle.

L’application de cette loi implique de respecter plusieurs règles :

UAB 1 – La tension aux bornes d’un élément est marquée

A par une flèche conformément à la convention générateur ou
B récepteur en usage.
2 – On choisit un sens de parcours de la maille.
UAD UBC 3 – On décrit la maille dans le sens choisi
On affecte le signe + aux tensions
dont la flèche indique le même sens
On affecte le signe - aux tensions
D C dont la flèche indique le sens inverse
UDC 4 – La somme algébrique des tensions est nulle.

Ex : UAD – UAB – UBC + UDC = 0

1.4.3 Théorème de superposition
Si les circuits étudiés sont linéaires, ils en possèdent les propriétés. La principale est la
superposition qui peut se traduire de la manière suivante :

la réponse globale d’un montage soumis à plusieurs sources indépendantes est la

somme des réponses partielles correspondant à chaque source.

Ainsi, pour chacune des sources indépendantes, on étudie la réponse du circuit en

considérant les autres sources indépendantes "éteintes" (par contre, les sources commandées restent
toujours actives).

Remarques :
Une source de tension idéale "éteinte" est remplacée par un court-circuit (e = 0 ∀i).
Une source de courant idéale "éteinte" est remplacée par un circuit ouvert (i = 0 ∀u).

Ex :

I = I1 + I2

1.4.4 Théorème de Thèvenin

Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme d’un générateur de tension Eth en ZTH
série avec une impédance Zth.

Eth représente la tension à vide du réseau linéaire (lorsque

ETH
la portion de réseau débite dans un circuit ouvert )
Zth est l’impédance entre les deux bornes du réseau
lorsque toutes les sources indépendantes sont éteintes.

1.4.5 Théorème de Norton

Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme d’un générateur de courant IN en IN
parallèle avec une impédance ZN.
ZN
IN représente le courant de court-circuit du réseau linéaire
ZN est l’impédance entre les deux bornes du réseau lorsque
toutes les sources indépendantes sont éteintes.
2 Régime sinusoïdal Chapitre

2
2.1 Caractérisation des signaux
Les signaux électriques dépendent du temps. La valeur du signal à l’instant t est appelée valeur
instantanée ; elle est notée en lettres minuscules. Si la valeur instantanée est constante, le signal est
dit continu ; il est noté en lettres majuscules.

2.1.1 Signal périodique

Un signal est dit périodique quand il représente une
u(t) allure qui se répète dans le temps. Dans ce cas là, on peut
trouver la plus petite valeur T appelée période telle que :

s(t) = s(t+ n .T) avec n entier naturel

t
La période s’exprime en seconde (s).

On définit aussi la fréquence f qui représente le nombre de

T
répétitions du signal par seconde :

1
f=
T
La fréquence s’exprime en hertz (Hz)

2.1.2 Valeur moyenne et valeur efficace

On définit une valeur moyenne et une valeur efficace pour tout signal périodique.

Sur sa période T, la valeur moyenne d’un signal s(t) est défini par :
T
1
T ∫0
< s >= s(t) dt

Remarque : on la note aussi parfois S0, S ou Smoy. Elle représente l’aire du signal s(t).
Une valeur moyenne se mesure en mode DC

Sur sa période T, la valeur efficace d’un signal s(t) est défini par :

T
1 2
T ∫0
Seff = s (t) dt

Remarque : dans une résistance, la valeur efficace d’un signal périodique représente la valeur
continue qui produirait une puissance dissipée équivalente à celle produite par la valeur périodique.
La valeur efficace est égale à la racine carré de la valeur moyenne du signal périodique au carré.
Une valeur efficace se mesure en mode AC et est toujours positive !!

Pour quantifier la valeur efficace par rapport à la valeur moyenne, on définit le facteur
de forme F :
Seff
F=
<S>
2.1.3 Signal sinusoïdal
Une représentation classique d’un signal sinusoïdal se fait sous la forme suivante :

u(t)
s(t) = S.sin(ω .t+ ϕ )

avec S : amplitude du signal S

ω : pulsation du signal en rad.s-1 (ω = 2π.f) t
ω.t+φ : phase instantanée
φ : phase initiale (pour t=0 )
1
T=
f

Un signal sinusoïdal est donc définit par sa valeur maximale, sa pulsation et sa phase à l’origine.

S
Remarque : la valeur efficace d’un signal sinusoïdal est égale à d’où S = Seff 2
2

2.2 Représentation d’un signal sinusoïdal

Un signal s(t) = S.sin(ω . t+ ϕ ) peut se
y
représenter sous la forme d’un vecteur. Si tous les
signaux sont de même pulsation, on fige l’angle ωt à
S sin φ 0 (instant initial). Ainsi, la norme du vecteur
S représentera l’amplitude du signal et son inclinaison
le déphasage à l’origine.
φ Cette description graphique est appelée
x représentation de Fresnel. Elle bénéficie des
S cos φ
propriétés attachées aux vecteurs. Cependant elle
nécessite des constructions graphiques plutôt fastidieuses.
Le défaut des diagrammes de Fresnel est levé par une représentation utilisant les nombres
complexes. On identifie le plan précédent au plan complexe puis on exprime le nombre complexe S :

S = S cos (ω t + ϕ ) + j sin (ω t + ϕ )  = [ S ; ω t + ϕ ]
Ainsi :
le module de S représente l’amplitude de s(t)
la phase de S représente le déphasage de s(t)

j(ω t+ϕ )
Remarque : s(t) est la partie imaginaire du nombre complexe S = S.e .

2.3 Impédance Complexe

Pour un dipôle D , parcouru par le courant i(t) et aux bornes duquel on mesure la tension u(t),
l’impédance complexe est définie comme étant le rapport de la représentation complexe de u(t) par
celle de i(t) :

U
Z=
I
2.3.1 Impédance de la résistance
Aux bornes d’une résistance, u = R i.
Donc
ZR = R

2.3.2 Impédance de l’inductance

di
Aux bornes d’une inductance, u = L .
dt
j(ω t+ϕ )
Si I = I.e , alors U = L. jω .I
Donc
Z L = jLω

2.3.3 Impédance du condensateur

du
Aux bornes d’un condensateur, i = C .
dt
j(ω t+ϕ )
Si U = U.e , alors I = C. jω .U
Donc
1
ZC =
jC ω

Remarques :

L’impédance dépend de la fréquence

Une impédance qui a une partie imaginaire négative est de type capacitif
Une impédance qui a une partie imaginaire positive est de type inductif.
La partie réelle d’une impédance est de type résistif et est toujours positive.
Le condensateur déphase le courant par rapport à la tension de – 90° => i(t) est en
avance sur u(t).
La bobine déphase le courant par rapport à la tension de + 90° => i(t) est en retard
sur u(t).

2.4 Notion de fonction de transfert

L’impédance de certains éléments de base de l’électrocinétique est variable avec la pulsation
de la source d’alimentation. Cette propriété est utilisée dans les fonctions électroniques où
interviennent des signaux à fréquence variable. Les circuits électroniques sont alors décrits par leur
fonction de transfert. Elle traduit le rapport entre la grandeur de sortie et celle d’entrée et son étude
permet de décrire les propriétés du circuit associé. En régime sinusoïdal, c’est une fonction complexe
de la variable fréquence. C’est donc la vision fréquentielle des signaux qui sera étudiée, se substituant
à la vision temporelle. Les amplitudes et phases relatives des signaux en fonction de la fréquence
constitueront le centre des études.
On représente un circuit électronique sous la forme d’une ‘’boîte noire’’ et on considère
l’entrée et la sortie sous leur représentation complexe.

v e (t) = Ve cos (ω t+ϕ e ) Ä Ve = Ve e j(ω t+ϕe )

ve(t) Circuit vs(t) vs (t) = VS cos (ω t+ϕ s ) Ä Vs = Vs e j(ω t+ϕs )
électronique

Vs Vs j(ϕs -ϕe )
d’où H ( jw ) = = e
Ve Ve
On définit alors les deux fonctions de la pulsation ω :

le gain du circuit qui est le module de la fonction de transfert : H(ω ) = H ( jω )

la phase du circuit qui est l’argument de la fonction de transfert : ϕ = arg H ( jω )  = ϕs - ϕe

2.5 Représentation de Bode

L’analyse purement algébrique de l’évolution du gain et de la phase de la fonction de transfert
d’un circuit devient souvent très vite complexe et fastidieuse. Aussi, on préfère utiliser une
représentation graphique : les diagrammes de Bode. On définit :

La courbe de gain : G dB = 20 log H(jω)( ) = 20 log H(ω) qui s’exprime en décibel (dB)
La courbe de phase : ϕ = arg H( jω )  = ϕs - ϕe

Remarques :
L’axe des fréquences est en échelle logarithmique (graduée par décade), ce qui permet une
représentation sur une plus large plage de valeurs ( compression d’échelle).

Les diagrammes de Bode peuvent se représenter sous forme de courbe réelles ou de

diagrammes asymptotiques :

courbes réelles : c’est la représentation graphique des fonctions GdB et ϕ en fonction

de f ou de ω.
diagramme asymptotique : c’est la représentation graphique simplifiée des fonctions
à l’aide de leurs équivalents aux bornes du domaine de définition (ω → 0, ω → ∝ et ω
→ ωc).

Exemple : Etude d’un circuit RC

R La fonction de transfert s’écrit :

Vs ZC 1
H(jω ) = = =
ve(t)
C
Vs(t) Ve Z R + ZC 1+ jRC ω

1
si on pose ωc=1/RC, la fonction de transfert devient : H(jω ) =
ω
1+ j
ωc
1
D’où : H ( jω ) =
ω 
1+   ²
 ωc 
ω 
ϕ = - Arctan  
 ωc 
 Etude du module :
  ω 2 
G dB = 20 log H ( jω ) = -10 log 1+   
  ω c  

aux basses fréquences, ω → 0 donc GdB → 0-

aux hautes fréquences, ω → + ∞ donc GdB → 20 log ωc –20 log ω
pour ω=ωc, GdB = -10 log 2 = -3dB

calcul de la pente aux hautes fréquences :

- sur [ωc , 2 ωc], GdB = [20 log ωc –20 log ωc] – [20 log ωc –20 log 2.ωc] = -20 log 2 = -6dB
- sur [ωc , 10 ωc], GdB = [20 log ωc –20 log ωc] – [20 log ωc –20 log 10.ωc] = -20 log 10 = -20dB

La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes :

D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ωc (GdB = 0dB)

D 1 asymptote oblique de pente –6dB/octave ou –20dB/décade pour ω>ωc
D le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ωc, c’est la
pulsation de coupure

Etude de l’argument :
ω 
ϕ = - Arctan  
 ωc 

aux basses fréquences, ω → 0 donc ϕ → 0° -

aux hautes fréquences, ω → +∞ donc ϕ → -90° -
pour ω=ωc, GdB = - Arctan 1 = - 45°

La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes :

D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ωc (ϕ = 0°)

D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω>ωc (ϕ = -90°)
D le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ωc (ϕ = -45°)

Courbes de Bode :

GdB ϕ
ωc 10 ωc ωc
-3 dB ω ω
10 100 1000 10 100 1000

-45°
-20 dB -20dB/dec

-90°

Diagramme asymptotique Diagramme asymptotique

Courbe réelle Courbe réelle

Remarques :
La pente à ±20dB/décade (ou ±6dB/décade) est typique d’un système du 1ier ordre en ω.
Le déphase de ±90° est typique d’un système du 1ier ordre en ω.
Un système d’ordre n apportera des pentes et des déphasages n fois plus grand.
 Chapitre
3 La diode
3
A K
ID

VAK=VD

3.1 Principe
La diode est un composant semi-conducteur,
+ + - - c’est à dire qu’elle ne conduira le courant que sous
A +
P
+
+
+ N
-
-
-
-
K certaines conditions. Elle est composée de deux
+ + - -
+ + - - jonctions de dopage opposé :
+ + - - - une jonction dopé N où les électrons
sont majoritaires : c’est la cathode.
- une jonction dopé P où les trous sont
VD majoritaires : c’est l’anode.
Pour que les électrons de la zone N se déplacent vers
la zone P et rendent ainsi la diode conductrice, il faut
leur donner une énergie minimum en appliquant une différence de potentiel positive suffisante entre
les bornes A et K.

Remarque :
Une jonction PN ne peut être conductrice que dans un seul sens. Une différence de potentiel positive
appliquée entre K et A ne fera déplacer que très peu d’électrons et le courant créé sera considéré
comme négligeable (quelques nano-ampères).

3.2 Caractéristiques
La diode possède donc 2 régimes de fonctionnement :
- si elle laisse passer le courant, on dit qu’elle est passante
- si elle ne laisse pas passer le courant, on dit qu’elle est bloquée.
Ces régimes vont dépendre de la tension VAK aux bornes de la diode et du courant ID la traversant. La
différence de potentiel suffisante pour rendre la diode passante est appelée tension de seuil (Vf ou
VS).

Fonctionnement

Si VAK<Vf alors la diode est bloquée

Si VAK > Vf et ID > 0 alors la diode est passante.

Charactéristique ID=f(VD)
ID

IFM

VBR
VD
VF

Remarque : la tension de seuil dépend du matériau semi-conducteur utilisé (typiquement, VF vaut

0,7V pour des diodes en silicium).
 Modèle

Réel Classique Idéal

ID ID ID

VF VD VF VD VD
Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
VD VD VD VD VD VD
A K A K A K A K A K A K

RD
VF VF

Caractéristiques techniques

VF : Tension de seuil.
IF : Courant direct maximum supporté par la diode en continu.
IFM : Valeur crête limite du courant direct.
VR : Tension continue inverse maximum supporté par la diode.
VRM : Tension crête inverse maximum supporté par la diode.
VBR : Tension de claquage inverse.
RD : Résistance interne de la diode.
trr : Temps de recouvrement inverse. (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état
passant à l’état bloqué)
tdt : Temps de recouvrement direct. (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état bloqué
à l’état passant)

Applications

- conversion d’énergie (redresseur, hacheur, onduleur, etc…)

- démodulation
- commutation
- optoélectronique

3.3 Diodes particulières

3.3.1 Diode Schottky
La diode Schottky présente deux avantages par rapport aux diodes
A ID K classiques :
- elle a une tension de seuil plus faible (VF # 0,3V).
- son temps de recouvrement inverse est très très faible.
VD

Applications

Elle est utilisée dans des applications où le temps de commutation de la diode est critique (utilisation
haute fréquence).

Critères de choix

- fréquence limite d’utilisation

3.3.2 Diode Zéner
Dans le sens direct, cette diode présente les mêmes caractéristiques
A IZ K qu’une diode classique. Elle n’a d’intérêt qu’en inverse où elle ne présente
pas de zone de claquage. Au contraire, le courant reste nul seulement
jusqu’à ce que la tension atteigne la tension zéner de la diode ( Vz ). A ce
VZ moment là, la tension de la diode Vd = Vz quelque soit le courant dans la
diode.

Caractéristique et modèle

ID IFM

VZ
VD
VF

IZM

Modèle équivalent en inverse Modèle équivalent bloqué Modèle équivalent en direct

K RZ A K A A RD K

VZ VF

Applications

Les diodes Zéner sont appréciées pour leur tension zéner très stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associées aux fonctions :
- référence de tension
- écrêtage de tension
- alimentation continue de faible puissance

Critères de choix

- la tension à stabiliser ( Vz )
- le courant maximal devant traverser la diode ( Iz )
- la puissance dissipée par la diode ( Pz )
 Chapitre
4 Le transistor bipolaire 4
C C
IC IC
B B
VCE VCE
IB IB
IE IE
VBE VBE
E E
NPN PNP

4.1 Principe
Le transistor est constitué par la succession de
trois couches de semi-conducteur de type N-P-N (ou P-
E N P N C N-P). Des connexions métalliques sont respectivement
fixées sur la partie centrale appelée Base et sur les
deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur.
La couche centrale est très mince par rapport aux
autres. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur
de diffusion des porteurs injectés dans cette zone.
En fonctionnement normal la jonction base-
B émetteur est polarisée dans le sens passant (VBE #
0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens
bloquant (VC>VB). Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base, le courant Emetteur-
Base est essentiellement constitué par les porteurs négatifs passant de E vers B. La largeur de la
base étant inférieure à la longueur de diffusion de ces électrons dans le matériau de base, la plus
grande partie d'entre eux parvient dans la région de charge d'espace de la jonction BC , polarisée en
inverse, où ils sont capturés et atteignent le collecteur.

C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple IC=α IE

α < 1 est le gain en courant en base commune.

En introduisant IE=IC+IB on obtient la formule fondamentale du transistor :
α
IC = β IB avec β=
1- α
β est le gain en courant du transistor.

4.2 Régime de fonctionnement

En fonction du courant IB injecté sur sa base, le régime de fonctionnement du transistor sera
différent. Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque jonction.
Cela conduit à l’étude de deux circuits :

- le montage sur la jonction BE : le circuit de commande

- le montage sur la jonction CE : le circuit commandé

Le circuit de commande définit si le transistor est passant ou bloqué suivant la polarisation de

la jonction BE (direct ou inverse). De plus, le circuit commandé va limiter la valeur des courants IC et
IE. Ils ne pourront donc pas dépasser une certaine valeur malgré l’effet transistor. Ainsi, si IB devient
trop important, IC ne pourra pas dépasser la valeur maximum fixée par le montage commandé et la
jonction BC deviendra passante : le transistor sera saturé et il n’existera plus une relation linéaire
entre IB et IC. Puisque les deux jonctions BC et BE sont passantes, la différence de potentiel entre les
jonctions C et E sera très faible.
On voit donc apparaître trois régimes de fonctionnement :

transistor bloqué : IB=0 Ä IC=0

transistor passant : IB > 0 et IC = β IB Ä VCE ≠ 0

transistor saturé : IB > 0 et IC = ICsat Ä VCE = VCesat # 0.2V

Remarque : le transistor bipolaire se comporte donc comme une source de courant commandé par un
courant.

4.3 Caractéristiques
Caractéristique IB=f(VBE)
IB

On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la

Fonctionnement Fonctionnement jonction BE est une jonction PN.
bloqué passant

VBE
Vseuil

Caractéristique IC=f(IB)

IC

On retrouve :
- IC = 0 en fonctionnement bloqué
ICsat - IC = β IB en fonctionnement linéaire
- IC = ICsat en fonctionnement saturé

IB
Fonctionnement Fonctionnement Fonctionnement
bloqué linéaire saturé

Caractéristique IC=f(VCE)
IC Chaque courbe correspond à une valeur
différente de IB.
IB3> IB2
Droite de P1 La droite de charge est obtenue en écrivant
charge IB2> IB1 la loi des mailles côté jonction CE. C’est la droite
P2
IB1 > IB0
d’équation IC=f(VCE).
Ainsi, en connaissant la valeur de IB, on
IB0 peut trouver le point de fonctionnement à
P3
l’intersection de la courbe correspondante et de la
VCE droite de charge.
VCEsat Si IB=IB2 alors le transistor est saturé et le
point de fonctionnement se trouve en P1. Si IB=IB1,
le transistor fonctionne en régime linéaire et le point de fonctionnement se trouve en P2. Enfin, si IB=0,
le transistor est bloqué et le point de fonctionnement se trouve en P3.
 Modèle

Régime du transistor Valeur particulière Modèle équivalent

C E
Bloqué IB = 0 – IC = 0
C E
Linéaire IB > 0 – IC = β IB – VCE ≠ 0

Saturé IB > 0 – IC = ICsat – VCE = VCesat C E

Caractéristiques techniques

VCEsat : Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est saturé.

VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( à ne pas dépasser surtout lorsqu’on
souhaite saturer le transistor ).
β: gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE).
ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est ).

4.4 Modèle aux petits signaux

La modélisation précédente repose sur le principe que la tension base émetteur reste
constante. Elle est donc inadapté aux calculs dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont
variables et de faible amplitude autour du point de repos (ex: amplificateur). Pour un fonctionnement
en régime variable, il faut donc utiliser le modèle aux petits signaux qui prend en compte la
caractéristique exacte de la jonction :
VBE

I C = IS .e UT
Le transistor est alors considérée comme un quadripôle linéaire que l'on définie par sa matrice H.
 vBE   h11 h12   iB  UT β
i  = h ⋅  avec h11 = rBE = =
 C   21 h22   vCE  I B gm
rBE
h12 = → 0 car rCB → ∞
rCB
h21 = β
1
h22 = →0
rCE

On obtient donc le modèle aux petits signaux suivant :

B rCB C

rBE β.iB rCE

E
Remarque :
La résistance entre base et collecteur est très souvent négligé ainsi que celle entre collecteur et
émetteur. De plus, on accepte pour la source de courant commandé un modèle commandé en tension
ou en courant. Les modèles couramment utilisés sont donc les suivants :

B C B C

rBE β.iB rCE rBE gm.vBE rCE

E E
Source de courant commandé en courant Source de courant commandé en tension

Modèle de Giacoletto
En haute fréquence, il faut tenir compte des temps de stockage des charges. Pour les simuler, on
introduit les capacités internes CB'E et CB'C. En fait, lorsque la fréquence augmente, on fait la
distinction pour la jonction BE entre le comportement de la jonction à proprement dite et celui des
semi-conducteurs qui conduisent le courant jusqu'à la jonction. Pour cela, on introduit un point B' entre
base et émetteur qui n'existe pas physiquement. On voit alors apparaître :
- une résistance rBB' qui est la résistance du semi-conducteur
- une résistance rB'E qui correspond à la résistance de la jonction BE (rBE)
- une capacité CB'E qui correspond à la capacité de la jonction BE
- une capacité CB'C qui correspond à la capacité de la jonction BC

CB'C
B rBB' B' C

CB'E rB'E β.iB rCE

Remarque :
La présence des capacités fait apparaître des fréquences de coupures qui correspondent aux limites
d'utilisation en fréquence du transistor considéré.
TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
La  dénomination  « transistor  à  effet  de  champ »  (TEC  ou  FET)  regroupe  deux 
types de transistors :
le TEC à jonction (JFET)
le TEC à grille isolée (IGFET : insulated gate FET, MOSFET : Métal 
Oxyde Semiconductor FET)

Comparaison au transistor bipolaire :
fonctionnement lié au déplacement d'un seul type de porteur (les porteurs 
majoritaires : électrons ou trous) ; composant unipolaire.
simple à fabriquer, surface réduite (plus haut niveau d'intégration).
très forte impédance d'entrée (M).
facteur de bruit inférieur au transistor bipolaire.
facteur de mérite (produit G x BP) inférieur au transistor bipolaire.

1
 JFET
I – Etude théorique
I.1 – Principe n
drain

Le TEC est réalisé dans un barreau de 
E
semiconducteur dopé (N sur l'exemple 
ci­contre).  Sa  conductance  dépend  du 
taux  de  dopage  et  des  dimensions  du 
source
barreau.

Pour  moduler les  dimensions du canal, 

drain
on  ajoute  deux  zones  de  dopage  P.  En  n
polarisant  les  jonctions  PN  en  inverse, 
p p
on  peut  agir  sur  les  dimensions  des  E
grille
zones déplétées et donc sur la taille du 
canal. On peut ainsi moduler le courant  Vgg
dans  le  transistor  en  intervenant  sur  le  source
champ existant dans les jonctions.

2
 JFET
I.2 – Symboles, tensions et courants
SOURCE  : électrode par laquelle les porteurs entrent dans le canal.
DRAIN  : électrode par laquelle les porteurs quittent dans le canal.
GRILLE : électrode de commande (IG = 0).

canal N canal P

D D
ID ID
G G
VDS VDS
VGS IS VGS IS
é­
S trous S

VGS < 0  VDS > 0 ID > 0 VGS > 0  VDS < 0 ID < 0

Remarque : le sens de la flèche représente la diode qui doit être polarisée en inverse.

3
 JFET
I.3 – Fonctionnement
pour VDS = 0 zone déplétée en porteur

VGS = 0 D
VGS < 
 < 00 D
VGS = 
 = VVGSoff D
n n n
p p p p p p
G G G

Vgg Vgg
S S S

La  conductance  maximale  du  barreau  est  obtenu  pour  V GS  =  0.  Lorsque  la  tension  VGS 
devient négative, la zone déplétée s'étend réduisant la taille du canal et sa conductance. 
Lorsque VGS = VGSoff , les deux zones déplétées se rejoignent et le canal est supprimé. La 
conductance tend alors vers 0 (impédance infinie).

Le TEC fonctionne en déplétion ou appauvrissement.

Dans ce cas, on peut considérer le TEC comme une résistance commandée en tension.
4
 JFET
pour VGS  = 0

➀ ➁ ➂
D D D
n n n
p p p p p p
G G G
E E E
S S S

➀  Pour  VDS  >  0,  le  potentiel  du  drain  est  supérieur  au  potentiel  de  la  source.  La 
tension inverse grille­canal sera donc plus importante du coté du drain. La zone de 
dépletion s'élargit donc vers le drain du transistor.
➁ Lorsque VDS ➚, il y a pincement du canal pour VDS = VP.

➂ Si VDS ➚ encore, le canal se rétrécit et le courant est limité.

5
 JFET
I.4 – Réseau de caractéristiques
TEC canal N
ID
ID transfert sortie
VGS = 0 V
VDS IDSS C
S A
VGS
O
VGS = ­1 V

VDS = cste VGS = ­2 V

VGS = ­3 V

VGS VGSoff Vp VDSmax VDS

Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (O) puis atteint la zone du coude due au 
début du pincement du canal (C) et atteint finalement une valeur de saturation (S). Si 
VDS dépasse VDSmax le semiconducteur est détruit par effet d'avalanche.

6
 JFET
réseau de sortie
pour VGS = 0 , ID est maximal : IDSS
VP
zone O : zone ohmique, le TEC se comporte comme une résistance : R DS ≈
I DS
zone C : apparition du pincement
zone S : zone linéaire ou de saturation, le TEC se comporte comme une source 
de courant commandée en tension (VDS > VP)
zone A : zone d'avalanche
2
réseau de transfert
équation du courant de drain : 

I D =I DSS 1−
V GS
V GSoff 
VGSoff : tension de blocage (ID = 0, ∀ VDS), VGSoff = ­ VP
dispersion importante des réseaux de caractéristiques (pour des TEC identiques)
grandeurs fondamentales : IDSS , VP .

7
 JFET
II – Polarisation
II.1 – Polarisation par la grille ID

On applique une tension de grille 
constante : VGG IDSS
VDD
transistor 1
Q1
RD droite de charge

ID
VGG
VDS Q2 transistor 2
VGS
VGS ­VGG VDSmax VDS

Compte  tenu  de  la  dispersion  de  caractéristiques  pour  des  transistors  de  mêmes 
références, la polarisation par la grille est la plus mauvaise méthode pour polariser 
le transistor dans la zone linéaire car le point Q est trop instable. 

8
 JFET
II.2 – Polarisation automatique
ID
VDD RS petite

IDSS
RD RS petite
droite de charge (RS moyenne)
ID RS moyenne
VDS
Q1
RS grande
RG RS Q2

VGS VDSmax VDS

Le courant circulant dans le TEC et dans RS  génère une tension : VS = RS ID .
Le courant de grille étant nul, VG = 0 donc VGS = ­ RS  ID  . Le montage crée donc sa 
propre polarisation en utilisant la tension aux bornes de R S pour polariser la grille en 
inverse.

9
 JFET
II.3 – Polarisation par diviseur de tension
ID
VDD

IDSS
R1 RD
ID
droite de charge
VDS

Q1
R2 RS Q2

VGS VDSmax VDS

R
Le pont diviseur fournit une tension :                            
V G =V DD
2

R 1  R2
V −V
On en déduit la tension VS = VG ­ VGS et le courant                           
I D= G GS
avec V GS  0
RS

10
 JFET
II.4 – Polarisation par source de courant
ID
VDD

IDSS
RD
ID
droite de charge
VDS

RG Q1 Q2 P

VSS
VGS VDSmax VDS

Bien que la tension VGS varie, le point de polarisation P reste fixe.

Toutefois ce montage nécessite une seconde source de tension.

11
 JFET
III – Le TEC en régime dynamique
Cette  étude consiste  à analyser le fonctionnement  d'un transistor polarisé en  zone 
de  saturation  lorsqu'on  applique  de  petites  variations  à  l'une  des  grandeurs 
électriques.
III.1 – Modèle en régime dynamique IDS
VGS = 0 V
IDSS
Dans  la  zone  linéaire,  le  TEC  se  comporte 
comme  une  source  de  courant  commandée 
par la tension VGS ⇒ ID = f(VDS , VGS) . VGS = ­1 V

∂ I DS ∂ I DS VGS = ­2 V
⇒  I DS =  V GS   V DS
∂V GS ∂V DS VGS = ­3 V
VDS = cste
⇒ i ds =g m vgs g ds v ds
avec : VGS Vp VDS

i ds i ds
g m=
v
∣ v ds=0
: transconductance g ds = ∣ : admittance du drain
gs v ds
v gs =0

12
 JFET
On en déduit le schéma équivalent : ID
IDSS
id
 P 
Q
vgs gds
vds
gm.vgs

VGS
Les paramètres gm et gds peuvent être
déterminés sur le réseau de caractéristiques VDS
au point de polarisation du transistor. g m =tan  g ds =tan 
2

Le paramètre gm peut aussi être calculé à partir de l'équation :
D'où pour VGS = 0 :  g mo=
−2 I DSS 
I D =I DSS 1−
V GS
V GSoff 
V GSoff
et pour VGS ≠ 0 : 
 

g m=g mo 1−
V GS
V GSoff  gm
gds
0,1 à 20 mA/V
1 à 10 µS (0,1 à 1 M)

13
 JFET
Lorsque la fréquence augmente, il faut prendre en compte les capacités parasites. 
Toute  jonction  PN  polarisée  en  inverse  constitue  un  condensateur.  Pour  le  TEC, 
on considère deux condensateurs parasites, l'un entre grille et source, l'autre entre 
grille et drain.
CGD id
CGD

vgs gds
CGS
vds
gm.vgs
CGS

La valeur de CGD  est faible ( < pF ), mais elle peut devenir très gênante par effet 
Miller.

14
 JFET
III.2 – Montages fondamentaux
Comme pour le transistor bipolaire, il existe trois montages types pour le TEC.

T bipolaire TEC
émetteur commun source commune
collecteur commun drain commun
base commune grille commune

15
 JFET
III.2.1 – Montage source commune 
E
IDS
 
RD droite de charge statique

  Cls
droite de charge dynamique
Cle D
G pente : ­1/RD

S
vs
ve Rg RS Rch droite de charge 
CS dynamique avec Rch

VDS
RS : résistance d'autopolarisation
E
VGS = VGM – VSM = ­ RS ID
  Schéma équivalent en dynamique
G D

ve Rg vgs gds RD Rch

gm.vgs vs
S

16
 JFET
III.2.2 – Montage  drain commun 
E
source E désactivée
  G D
CLe D
  G
CLs ve Rg vgs gds
S gm.vgs
ve Rg RS Rch S
vs

RS Rch
RS : résistance d'autopolarisation vs
VGS = VGM – VSM = ­ RS ID
 
Schéma équivalent  en dynamique
G vgs S

ve Rg gds RS Rch
gm.vgs vs
D

17
 JFET
III.2.3 – Montage  grille commune  source E désactivée
E
  G D
RD
  CLs
vgs gds
D
G gm.vgs
S
CLe S
vs
Rch vs
Rg RS ve RS RD Rch
Cg ve
 

Schéma équivalent  en dynamique
S D

gm.vgs
ve RS vgs RD Rch
gds vs
G

Polytech'Nice Sophia 18 C. PETER – V 3.0
 JFET
III.3 – Propriétés des montages

source C drain C grille C

ZE RG forte (> RG) faible (<< RG)

ZS moyenne faible forte

Av négatif fort (-100) positif (1) positif fort (100)

19
 JFET
IV – Le TEC en commutation analogique
On utilise le TEC comme un interrupteur. Pour obtenir ce mode de fonctionnement, la 
tension VGS prend seulement deux valeurs : zéro ou une valeur inférieure à VG S o f f  . De 
cette manière le TEC fonctionne en région ohmique ou en blocage.
Lorsque le TEC est bloqué, le courant IDS est nul, on peut donc considérer que le 
transistor est équivalent à un circuit ouvert.
Lorsque le TEC fonctionne en région ohmique, le transistor se comporte comme 
une résistance de valeur RD S (à condition que VD S reste faible).
Le TEC est donc équivalent au montage suivant :

D S
RDS
D I S

Pour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé.
Pour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert.

20
 JFET
VI.1 – L'interrupteur shunt

RD RD

I
vin vout vin vout
VGS RDS

Pour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert : Vout = Vin

Pour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé. Si RD >> RDS , VDS reste faible donc le 
transistor fonctionne bien en zone ohmique : V out ≈ 0.

21
 JFET
VI.2 – L'interrupteur série

RDS

vin RD vout vin RD vout

VG
S

Pour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert : Vout ≈ 0.
Pour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé. Si RD >> RDS , VDS reste faible donc le 
transistor fonctionne bien en zone ohmique : V out = Vin .

Le rapport on­off de l'interrupteur série est supérieur à celui de l'interrupteur shunt.
v out  max 
Rapport−on−off =
v in  min

22
 JFET
VI.3 – multiplexeur analogique

RD vout
V1 V2 V3

23
 MOSFET
Les MOSFET sont des transistors similaires au TEC à jonction, mais pour lesquels 
la grille est totalement isolée du canal.
composant unipolaire
très faibles dimensions (technologie submicronique)
très faible consommation
fabrication « simple »

⇒ Composants dominants en électronique numérique intégrée (mémoire, 
µprocesseurs, circuit mixtes).

24
 MOSFET
I – Les MOSFETs métal
isolant (oxyde)
n n semiconducteur 
I.1 – Constitution
(substrat)
p
  NMOS

I = 0 VDS>0 I ≠ 0

Grille
VGS>0
(polysilicium)
Drain / Drain /
Source Source G é­ G
+ + + ++ +
n n S D
n n n n
p
p p
substrat – Bulk B B
Ce MOSFET fonctionne en enrichissement création d'un canal d'électrons

25
 MOSFET
  NMOS à appauvrissement
I ≠ 0 VDS>0
Grille
(polysilicium) VGS<0
Drain / Drain /
Source Source G G
n n S D
n n n + + + ++ + n
p
p p
substrat – Bulk B B

Les charges positives attirées sous la grille se combinent avec les charges négatives 
du canal et diminuent ainsi la conductivité du canal. Pour une valeur suffisamment 
faible de VGS le courant IDS est nul.

26
 MOSFET
  PMOS à enrichissement

G
D/S D/S
p p

n
B
Polytech'Nice Sophia 27 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
I.2 – Symboles, tensions et courants
  NMOS PMOS
D D D D D D
G B G G G B G G
B B
S S S S S S
t ne messi hci r net ne messi r vua ppa

D D D D
G B G G B G

S S S S

Sur la source, le sens de la flèche indique le sens réel du courant.
Pour la plupart des transistors, le substrat est connecté à la source.

Polytech'Nice Sophia 28 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
I.3 – Fonctionnement
VDS = 0 VDS < VDSsat VDS > VDSsat

VGS>0 VGS>0 VGS>0

G G G
S D S D S D
n n n n n n

p p p
B B B

Dans un transistor NMOS à enrichissement, le canal d'électrons est crée par une tension 
VGS positive. Lorsqu'on applique une tension V DS  , le canal se rétrécit du coté du drain. 
Pour VDS < VDSsat , le transistor fonctionne en régime linéaire.
Lorsque VDS augmente au delà de VDSsat  , Il y a pincement du canal. Le courant I DS est 
alors limité à une valeur dépendant de VGS. Le transistor fonctionne en saturation.

Polytech'Nice Sophia 29 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
I.4 – Réseaux de caractéristiques
  NMOS à enrichissement
Lorsque le substrat est relié à la source, on obtient les caractéristiques suivantes :
IDS VGS – VT VGS = 5 V IDS transfert
C S
VDS = 5 V
VGS = 3 V (saturation)
L

VGS = 2 V
 zone linéaire
VGS = 1 V
VDS faible

5 VDS VGSoff=VT VGS

Pour que le MOSFET à enrichissement conduise, il faut que VGS > VT .
VT : tension de seuil.

Polytech'Nice Sophia 30 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
  NMOS à appauvrissement
Lorsque le substrat est relié à la source, on obtient les caractéristiques suivantes :
IDS VGS – VT VGS = 2 V IDS
transfert
C S
VDS = 5 V
VGS = 1 V (saturation)
L
enrichissemen
VGS = 0 V t
VGS = ­1 V appauvrissement

5 VDS VGSoff=VT VGS

Les réseaux de caractéristiques des PMOS sont similaires, mais toutes les 
grandeurs sont négatives.

Polytech'Nice Sophia 31 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
II – Polarisation
Les montages de polarisation utilisés pour les MOSFET sont similaires à ceux 
étudiés pour les JFET.
Exemples :
VDD VDD

RD R1 RD
ID ID

VDS VDS

RG RS R2 RS

autopolarisation polarisation par pont
MOSFET à appauvrissement MOSFET à enrichissement
VGS = 0 VGS > 0

Polytech'Nice Sophia 32 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
III – Le MOSFET en régime dynamique
Cette  étude consiste  à analyser le fonctionnement  d'un transistor polarisé en  zone 
de  saturation    lorsqu'on  applique  de  petites  variations  à  l'une  des  grandeurs 
électriques.

III.1 – Modèle en régime dynamique
En zone de saturation, le réseau de caractéristiques IDS = f(VDS) étant similaire pour 
les JFET et les MOSFET, le schéma équivalent en régime dynamique est identique.

id

gm 0,1 à 50 mA/V
vgs gds gds 0,02 à 1 mS (1 à 50 k)
vds
gm.vgs

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 MOSFET
III.2 – Montages fondamentaux
On retrouve les trois montages fondamentaux étudiés pour les JFET : source 
commune, drain commun et grille commune.
Exemples de montages source commune :

VDD VDD

RD R1 RD
CLs
Cle Cle

vs vs
ve RG RS Rch ve R RS Rch
CS 2 CS

Les propriétés sont analogues pour un MOSFET et un JFET.

Polytech'Nice Sophia 34 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
VI – Le MOSFET en commutation
A  l'image  des  JFET,  les  MOSFET  peuvent  fonctionner  en  commutateurs 
analogiques suivant les montages étudiés précédemment.
Une  autre  application  pour  ces  transistors  réside dans les  circuits numériques.  En 
effet, la tension seuil provoque un basculement brutal de l'état bloqué à l'état saturé 
lorsque la tension de grille passe de 0 à une tension supérieure à VT. Le MOSFET 
est donc un composant idéal pour les circuits logiques.
Rappel :

enrichissement appauvrissement
NMOS PMOS NMOS PMOS
VDS >0 <0 >0 <0
VGS >0 <0 VT < 0 VT > 0

Les  circuits  logiques  étant  alimentés  avec  une  tension  unique,  il  faut  que  les 
tensions  VGS  et  VDS  soient  de  même  polarité.  Dans  ces  conditions,  seuls  les 
transistors à enrichissement peuvent fonctionner en régime bloqué et saturé.
Les circuits logiques sont donc réalisés avec des MOSFET à enrichissement.

Polytech'Nice Sophia 35 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
VI.1 – Commutation à charge passive

VDD IDS VGS = 5 V

VDD/RD
RD

vout VGS = 3 V

vin
VGS = 2 V

VGS = 1 V

VDD VDS
pour vin = 0 , VGS = 0 donc ID = 0 et vout = VDD .
pour vin = VDD , VGS >> VT donc ID ≠ 0 et vout ≈ 0 à condition que RD >> RDS  
(le transistor fonctionne en zone ohmique).
Ce circuit réalise une fonction : inverseur.

Polytech'Nice Sophia 36 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
VI.2 – Commutation à charge active
Afin de diminuer la taille des circuits intégrés, les résistances qui occupent une 
surface importante ont étés remplacées par des transistors.
IDS VGS = 5 V
VDD

VGS = 3 V
vout
vin VGS = 2 V

VGS = 1 V

VDS
1 5
Le transistor du haut se comporte comme une résistance dont la valeur varie 
légèrement en fonction de la tension à ses bornes.
Le fonctionnement de ce circuit est identique au précédent mais il occupe une 
surface plus petite.

Polytech'Nice Sophia 37 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
VI.3 – Le CMOS
Afin  de  diminuer  la  consommation,  la  résistance  est  remplacée  par  un  transistor 
complémentaire. I
V  = V
VDD GSn DD V  = ­VGSp DD vout
VGSp
VDD
PMOS
vin vout
NMOS
VGSn
vin
VD
vout VDD
D

vin VGSn VGSp NMOS PMOS vout

La consommation d'une cellule 
0 0 - VDD bloqué passant VDD CMOS  est  proportionnelle  à  la 
VDD VDD 0 passant bloqué 0 fréquence de commutation.

Polytech'Nice Sophia 38 C. PETER – V 3.0
 MOSFET
V – Le MOSFET de puissance
Le  MOSFET  de  puissance  est  un  composant  discret  utilisé  dans  les  systèmes  de 
commande  des  moteurs,  lampes,  imprimantes,  alimentation  de  puissance, 
amplificateurs, etc. C'est un MOSFET à enrichissement.
Pour  accroître  leur  puissance  limite,  les  géométries  de  canal  sont  modifiées 
(VMOS, TMOS, HEXFET). 
Gammes de tension et courant : 200 A , 1200 V , 700W.
Le  MOSFET  étant  un  composant  unipolaire,  il  peut  couper  un  fort  courant 
beaucoup plus rapidement que ne peut le faire un transistor bipolaire.
Lorsque la température augmente, la résistance RDSon du canal augmente également. 
Il  n'existe  donc  pas  de  risque  d'emballement  thermique.  Il  est  donc  possible  de 
connecter  plusieurs  transistors  MOS  en  parallèle  pour  augmenter  le  courant 
admissible.

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 MOSFET
V – Précautions d'usage
Z Z

z V MOS kV
kV kV

travailler sur une table conductrice reliée à la terre.
utiliser un bracelet conducteur relié à la terre.
utiliser un fer à souder isolé du secteur dont la panne est reliée à la terre.
ne pas stocker les circuits MOS sur du polystyrène expansé (utiliser de la mousse 
chargée en carbone).
éviter de manipuler les circuits avec les doigts.
certains circuits sont protégés intérieurement par des diodes zener.

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