Corrige EN
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A. Production de l’énergie
L’alimentation du système est prise en charge par le module énergie (alimentation
autonome). Ce dernier est associé à un panneau solaire et à un ensemble de batteries au
plomb. Les puissances mises en jeu dépendent de l’autonomie envisagée pour le système.
Dans le cas de notre étude, on dispose des informations suivantes :
Le panneau solaire fournit une puissance nominale de 140W et ce dans le cas le plus
favorable.
Les batteries, associées en parallèle, ont une tension de service de 12V. Cette tension
sera distribuée sur le bus système.
Le module délivre sur le bus système, une tension fixe de 8V destinée à l’alimentation
des autres modules connectés au bus. Cette tension sera distribuée sur le bus
système.
Le module est raccordé au bus de communication (CAN) du bus système afin de
permettre sa supervision à distance.
Dans l’étude qui suit nous allons aborder différents aspects du fonctionnement du module
énergie.
Le panneau solaire.
La conservation de l’énergie totale S émise par le Soleil par unité de temps s’écrit :
S (W ) flux solaire,
6
DTS (km) distance moyenne Terre-Soleil (DTS = 149,6 × 10 km),
–2
ESC (W · m ) flux d’énergie incident par unité de temps au niveau de la
Terre.
ESC correspond à la densité du flux d’énergie incidente reçue par unité de temps par un plan
de front de terre. On l’appelle généralement l’éclairement ou constante solaire.
Q1 : Déterminer la constante solaire Esc.
Ms = 63.15 106 W/m2 et Esc = 1366 W/m2
L’atmosphère terrestre va absorber une partie de cette énergie et cette absorption dépendra
de la zone géographique considérée.
Conversion photon-électron
Le rayonnement solaire est constitué de photons transportant une énergie donnée par la
relation :
E(J) énergie,
(m) longueur d’onde
(Hz) fréquence.
Q2 : L’énergie solaire, au niveau du sol terrestre, est, pour une grande partie,
disponible dans la gamme des longueurs d’ondes visibles (0,4 à 0,78 m).
Déterminer, pour ces 2 limites, le niveau d’énergie mis en jeu (les résultats seront
exprimés en eV).
On a 1 eV=1.6 10-19Joule(J) ce qui donne pour la formule :
E(eV) = 6,62.10-34 x 3.108 / 1,6.10-19 x 0,4.10-6 = 3,10 eV
E(eV) = 6,62.10-34 x 3.108 / 1,6.10-19 x 0,78.10-6 = 1,59 eV
Le flux de photons par seconde et par centimètre carré N( ) de longueur d’onde est donné
par la relation :
–2 –1
N( ) (cm · s · m) flux de photons,
d ( m) tranche de longueur d’onde (de largeur 1 m en général
(largeur spectrale normalisée))
1 -2
M (eV.s- .cm ) le flux d’énergie par unité de temps
Q3 : Exprimer N en fonction de M, E et d puis déterminer, pour les 2 limites du
spectre visible, le flux de photons obtenu si on prend pour M la valeur de la constante
solaire.
N= M. d /E ce qui donne en respectant les unités :
N (0,4) = (1366/1,6.10-19 x 104).10-6 / 3,1 =2,75.1019
N (0,78) = (1366/1,6.10-19 x 104).10-6 / 1,59 =5,36.1019
Pour convertir en énergie les photons obtenus avec l’énergie solaire, il faut que ces derniers
puissent être absorbé par un matériau. Dans celui-ci, on a alors obtention d’une énergie
thermique et d’une énergie potentielle.
L’énergie potentielle (qui nous intéresse ici) est transmise aux électrons et si elle est
correctement collectée, elle permet de produire du courant.
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Q4 : On donne ci-dessous une représentation souvent utilisée pour expliquer
l’excitation des électrons dans un atome et ce pour différentes familles de matériaux.
On demande de replacer, sur le diagramme, les légendes (semi-conducteur,
métal, isolant) et les mots clés suivants : bande de valence, bande interdite,
bande de conduction, gap, niveau de Fermi.
On demande de rappeler (sur votre copie) la définition des termes : bande de
valence, bande interdite, bande de conduction, gap, niveau de Fermi
La bande de valence : les électrons qui s'y trouvent participent aux liaisons entre les atomes.
La bande de conduction : les électrons qui s'y trouvent sont mobiles et peuvent bouger d'un
atome à l'autre si on leur applique un champ approprié, ils participent donc à la conduction
électrique ; c'est le déplacement de ces électrons là qui est responsable du courant
électrique.
La bande interdite ou GAP la gamme d'énergie auxquelles les électrons n'ont pas accès (il
n'y a pas de niveau d'énergie dans cette gamme).
Le niveau de Fermi correspond à l'énergie limite qui sépare, au zéro absolu, les niveaux
occupés des niveaux vides. Cette énergie est caractéristique du matériau.
Dans un métal, le gap est nul ; il y a continuité entre les bandes de valence et celles de
conduction, il y a donc toujours des électrons susceptibles de conduire le courant.
Dans un isolant, la dernière bande de valence est pleine, et le gap est énorme : il n'y a donc
aucune chance d'exciter un électron pour qu'il passe dans la bande de conduction (l'énergie
requise est trop importante et ferait fondre le matériau avant qu'il ne commence à conduire).
Pour les semi-conducteurs, à température nulle (=0 Kelvin) ce sont des isolants : bandes de
valence pleines, et bandes de conduction vides. Mais un apport d’énergie faible (thermique
ou lumineuse) suffit à faire passer des électrons dans la bande de conduction car le gap est
très faible.
Q5 : On demande pourquoi les semi-conducteurs sont les plus aptes à permettre une
conversion photon-électron. Le silicium (dont la largeur du gap, Eg est de l’ordre de
1,17 eV) peut-il convenir ?
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Pour les semi-conducteurs, un apport d’énergie faible (thermique ou lumineuse) suffit à faire
passer des électrons dans la bande de conduction car le gap est très faible (la largeur de
bande interdite est comprise entre 0,7 et 4 eV) : le matériau devient ainsi conducteur.
D’après les calculs précédents, on voit que le silicium (1,17 eV) peut convenir (énergie
solaire de 1,5 à 3eV).
Les photons dont l’énergie est supérieure à Eg peuvent faire passer un électron de la bande
de valence dans la bande de conduction laissant ainsi un trou dans la bande de valence.
L’électron et le trou ainsi libérés doivent rapidement être collectés pour participer ensuite à la
conduction électrique avant leur recombinaison.
Q6 : Comment peut-on collecter les électrons libérés lors de la conversion photon-
electron ?
Le dispositif de collecte nécessite un champ électrique au niveau de la création des paires
électron-trou afin « d’orienter » les électrons collectés. La jonction PN est la solution
actuellement la plus répandue de convertisseur photovoltaïque.
On donne l’aspect d’une cellule photovoltaïque :
On peut aisément calculer le courant de
conversion d’une cellule idéale à partir des
hypothèses et des calculs précédents.
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Is (A) courant d’obscurité des porteurs
minoritaires (saturation),
VT (V) potentiel thermique (25 mV à
20°C) ,
coefficient dépendant du matériau qui,
dans le cas des cellules photovoltaïques
au silicium, a pour valeur 1.
Si l’on soumet une jonction PN de faible épaisseur à un flux lumineux, des paires électron-
trou sont créées par les photons dont l’énergie est supérieure à la largeur de la bande
interdite du matériau.
Il en résulte une augmentation du courant inverse de saturation proportionnelle au flux
lumineux. Physiquement, cet effet se traduit de deux manières selon le quadrant de
fonctionnement du dispositif :
dans le 3ième quadrant, la jonction PN travaille dans le mode photoconducteur. Le
courant inverse varie alors en fonction de l’éclairement;
dans le 4ième quadrant, le système fonctionne en générateur dont le courant de court-
circuit est proportionnel à l’éclairement et dont la tension à vide est celle de la diode
en polarisation directe (0,5 à 0,8 V pour Si) ; c’est la cellule photovoltaïque à jonction
PN.
Q8 : On demande de représenter l’évolution de la caractéristique de la diode dans le
cas d’une cellule photovoltaïque (on précisera en représentant la courbe pour 3
valeurs d’éclairement).
Le réseau de caractéristiques est alors donné par la figure.
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Pour cela, nous allons représenter les caractéristiques dans un nouveau repère p = f(Vp) où
le courant de saturation inverse est compté positivement. cc représente le courant de court-
circuit et Vc0 la tension en circuit ouvert de la cellule photovoltaïque.
Q9 : On demande de représenter, dans ce nouveau repère, la caractéristique de la
diode dans le cas d’une cellule photovoltaïque.
On demande d’en déduire l’équation de la caractéristique ainsi que le schéma
équivalent.
On donne la courbe, l’équation et le modèle :
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En pratique, un panneau solaire est composé d’un grand nombre de cellules élémentaires
placées en série pour augmenter Ip et en parallèle pour augmenter Vc0.
Q11 : Que devient le schéma équivalent de base suivant si on utilise un panneau
constitué de np branches constituées chacune de ns cellules de base ?
On a alors :
Lors de la mise en série et en parallèle de cellules élémentaires réelles, on doit résoudre des
problèmes dus au déséquilibre du fonctionnement qui peut résulter de caractéristiques
différentes ou plus simplement d’un éclairage différent (occultation d’une ou plusieurs
cellules).
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Q12 : Lors de la mise en série de plusieurs cellules que se passe-t-il si une cellule est
totalement occultée et comment remédier à cet inconvénient ?
Quand une cellule est occultée, elle se comporte en récepteur et si on ne limite la tension à
ses bornes elle peut être détruite par effet thermique ou par application d’une tension inverse
trop importante sur la jonction correspondante.
On peut résoudre ce problème en plaçant en parallèle pour plusieurs cellules une diode en
parallèle et en inverse.
Q13 : Lors de la mise en parallèle de plusieurs cellules que se passe-t-il si une cellule
ou un ensemble de cellules ont des seuils plus faibles (ou si on a une occultation de
cellules) ? Comment remédier à cet inconvénient ?
Là encore certaines cellules peuvent se comporter en récepteur et risquer d’être détruites.
On peut placer en série une diode de protection ce qui évite la circulation de courants
inverses.
Q14 : Proposer un schéma permettant de « protéger » les cellules d’un panneau
constitué d’une matrice de cellules élémentaires.
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Q15 : Sachant que pour un panneau Rs = ns.rs/np (ns nombre de cellule en série, np
nombre de branches en parallèle et rs la valeur de la résistance série d’une cellule
élémentaire), déterminer la valeur de Rs si rs vaut 0,2 ohm.
ns vaut 9, np vaut 4 ; on a alors Rs = 9 x 0,2 / 4 soit de Rs = 0,45 ohms
En utilisant la courbe du constructeur, vérifier en donnant un ordre de grandeur de la
résistance de sortie Rs du panneau utilisé en générateur de tension.
Dans la zone linéaire de la courbe, on peut relever Rs = dV/dI qui est de l’ordre de Rs = 2/5 =
0,4 ohms
La charge de la batterie.
Pour stocker l’énergie, on utilise un ensemble de batteries au plomb spécifiques dites « semi-
stationnaires à décharge lente ». Elles présentent la particularité de supporter une décharge
jusqu’à 80% de leur capacité tout en permettant d’avoir 500 à 600 cycles de charge (avec ce
type d’utilisation, une batterie de démarrage classique ne supporte que quelques dizaines de
cycles).
Pour assurer une durée de vie importante aux batteries utilisées, il convient de respecter 2
limitations importantes :
La tension d’une batterie ne doit pas dépasser 13,7V (ce qui correspond à la pleine
charge)
La tension d’une batterie ne doit pas être inférieure à 11,4V (ce qui correspond à la
décharge profonde)
On donne un schéma partiel du module énergie qui présente les éléments permettant de
respecter ces contraintes:
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On donne quelques extraits du programme de traitement :
……………. /* définitions des fonctions */
int16 en_vbat; //tension de void gest_bat(){
batterie
if (en_vbat > 137){
…………….
full = 1;
int full; //indicateur de
charge complète OFF; //limitation de la
charge de la batterie
int empty; //indicateur de
décharge }
while (1)
{ void mesure(){
………. ……….
gest_bat(); set_adc_channel(2);
mesure(); delay_us(100);
………… a=read_adc();
} en_vbat = (a*20)/100;
} …………
}
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Q17 : Préciser comment on protège la batterie contre une surcharge. On indiquera le
rôle des composants et on précisera comment dimensionner les composants dont la
valeur n’est pas précisée.
Le programme nous montre que quand la batterie est complètement chargée, on commande
la sortie RA5 passe à « 1 » ce qui a pour effet de court-circuiter le panneau solaire grâce au
transistor T1 et ainsi d’arrêter la charge de la batterie.
Le courant de court-circuit est donné à 8,2A, il faudra que le transistor supporte ce courant.
La diode D2 protège le panneau contre une décharge de la batterie dans ce dernier (la diode
n’est pas forcément utile si le panneau en possède déjà une), elle doit supporter 8A et on a
une diode Schottky pour son faible seuil.
R8 peut être utile quand on utilise une alimentation au lieu du panneau pour des tests ou des
réglages.
Q18 : La majorité des circuits électroniques sont alimentés par la tension +Vbat.
Préciser comment on protège la batterie contre une décharge profonde. On indiquera
le rôle des composants, on précisera comment dimensionner les composants dont la
valeur n’est pas précisée et on indiquera la ou les valeurs à régler s’il y a lieu.
Que pensez-vous du choix de cette structure ? Quelles améliorations peut-on apporter ?
La tension +Vbat (on distribue cette tension sur le bus système) est celle de la batterie +Bat
mais après un contact relais. Lorsque la batterie atteint le seuil de décharge profonde, on
ouvre ce contact afin de limiter cette décharge.
On n’utilise directement la tension de batterie +Bat que pour alimenter la bobine de relai et le
comparateur IC9. Ce dernier a une référence de tension fixée par une diode zener que l’on
pourra choisir, par exemple de 5,5V ; le potentiomètre P7 sera réglé de manière à fournir une
tension 5,5V quand la batterie fournie 11,3V.
Quand ce seuil est atteint, on commande le transistor T3 qui provoque l’ouverture du contact
(contact normalement fermé).
La diode D6 est nécessaire car le seuil bas du comparateur entrainerait une conduction
partielle de T3.
La structure utilise ici un amplificateur opérationnel en tant que comparateur. Il serait
préférable d’utiliser un comparateur avec une sortie collecteur ouvert permettant d’effectuer
directement la commande du relais. Cela évite les composants placés en sortie de ce dernier.
Un LM311 (même techno et même constructeur que le LM358) peut faire l’affaire si le relais ne
nécessite pas plus de 50mA.
Par ailleurs on peut éventuellement choisir une comparaison avec une légère hystérésis pour
éviter quelques multiples transitions au niveau du basculement.
Quelques condensateurs de découplage notamment à la sortie des potentiomètres pourrait
également être utiles.
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Le contrôle du bon fonctionnement du module énergie est assuré par la surveillance :
de la tension aux bornes de la batterie (voir ci-dessus),
de la tension aux bornes du panneau solaire,
du courant délivré par le panneau solaire,
du courant délivré par la batterie.
Ces informations sont soit utilisé par le microcontrôleur local du module énergie ou
transmises via le bus CAN à un module de supervision.
Nous allons maintenant nous intéresser à la mesure des courants. Après une analyse des
principes physiques mis en jeu, on se propose d’analyser la mise en œuvre du capteur dans
le cas de notre module.
Le principe utilisé par le capteur est basé sur la
proportionnalité entre le champ d’induction B et le
courant qui le crée I.
Un capteur d’induction est placé dans l’entrefer du
circuit magnétique. Il mesure le champ d’induction
créé par le passage du courant I.
Le rôle du circuit magnétique est de concentrer les
lignes de champ dans l’entrefer, ce qui accroît sa
sensibilité et limite l’influence du décentrage du
conducteur central.
Le circuit magnétique doit présenter de faibles pertes pour éviter un échauffement et avoir un
champ rémanent faible.
Q19 : On demande d’exprimer le champ magnétique B disponible dans l’entrefer lors
du passage d’un courant I en fonction des caractéristiques du circuit magnétique.
Si le capteur placé dans l’entrefer fournit une tension du type Vs = k.B en déduire Vs =
f(I) en fonction de Le (longueur moyenne du circuit magnétique) et µe (perméabilité
équivalente du circuit magnétique) .
Le théorème d’Ampère nous indique que : I courant à mesurer,
Le longueur moyenne du circuit magnétique,
e perméabilité équivalente, entrefer compris.
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Q20 : Après avoir rappelé la courbe caractérisant l’évolution du champ magnétique B
dans le circuit magnétique en fonction de l’intensité I (ou H), indiquer quel défaut
majeur comporte ce principe de mesure.
Les sources d’erreurs sont surtout dues au circuit magnétique.
Q21 : Indiquer comment on peut travailler à flux nul dans le cas de ce capteur.
Quel est l’intérêt de ce principe par rapport au précédent ?
Déterminer la tension de sortie Vs en fonction de I et des différents éléments
caractérisant le capteur.
Ce type de capteur de courant fonctionne en boucle fermée. Le courant à mesurer I génère
un flux dans le circuit magnétique. Il est compensé par le courant i2 issu de l’amplificateur
afin d’annuler en permanence les ampères-tours : I=N.i2
Le capteur d’induction détecte l’induction dans l’entrefer. L’asservissement de flux, dont la
référence de consigne est nulle, génère les ampères-tours nécessaires à l’annulation du
champ dans l’entrefer.
La tension de sortie Vs est l’image du courant de compensation i2 donc du courant I.
Ce principe permet donc la mesure des courants continus et variables. Il fournit une bonne
linéarité, une grande dynamique de mesure.
L’amplificateur (gain A) délivre une tension V1 à l’origine du courant i2 dans les N spires du
bobinage. Le sens de la boucle, constituée par la spire de I, le capteur d’induction,
l’amplificateur et le bobinage de N spires, est tel qu’une augmentation du courant I provoque
un accroissement du champ magnétique. En réaction, la tension V1 s’accroît et induit un
courant i2 qui tend à annuler les ampères-tours créés par le courant I.
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On a obligatoirement I = N.i2 pour que le flux soit nul et on a : Vs= R.I/N
Le capteur d’induction utilisé dans les principes précédents est un capteur à effet Hall dont
on présente une vue simplifiée mettant en évidence les grandeurs en jeu :
Q22 : Après avoir indiqué la nature des matériaux présentant ce phénomène et les
causes de ce dernier, on demande d’énoncer le principe de l’effet Hall.
Si un courant Io traverse un barreau en matériau conducteur ou semi-conducteur, et si un
champ magnétique d'induction B est appliqué perpendiculairement au sens de passage du
courant, une tension Vh, proportionnelle au champ magnétique et au courant Io, apparaît sur
les faces latérales du barreau.
C'est la tension de Hall (du nom de celui qui remarqua le phénomène en 1879) : Vh = Kh * B
* Io
avec Kh: constante de Hall, qui dépend du matériau utilisé.
Les causes de l’effet Hall sont que le champ magnétique dévie les électrons créant ainsi une
différence de potentiel. L’intérêt pour le phénomène est que la relation obtenue est linéaire.
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Q23 : Le capteur utilisé dispose de plusieurs calibres de mesures. On demande
d’expliquer le principe utilisé pour fixer les calibres et l’impact du choix sur les
caractéristiques du capteur.
Sur le tableau, on remarque que le capteur propose plusieurs trajet pour le courant qui décrit
des spires (1 pou le calibre 15A et 3 pour le calibre 5A). Ces spires sont obtenues par la
mise en place de cavalier entre les bornes 1 à 6 du capteur.
On a représenté les spires et on voit que l’on change les calibres en mettant en // les spires
ou non.
En // les caractéristiques électriques sont meilleures (calibre 15A).
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La mesure des courants, depuis les entrées analogiques, par le microcontrôleur nécessite
d’adapter le niveau de tension issu du capteur. On propose le montage suivant :
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Q25 : +Velec est une tension continue de +8V. Montrer pourquoi il n’est pas judicieux
d’utiliser directement +Vbat pour fournir la tension de 5V ?
Avec +Velec le régulateur linéaire dissipe dans le cas le plus défavorable : (8-5) * 1 = 3W
Avec +Vbat le régulateur linéaire dissipe dans le cas le plus défavorable : (13,7-5) * 1 = 8,7W
Afin d’optimiser l’usage de l’énergie stockée dans la batterie, on réalise une conversion
continu/continu afin de produire la tension +Velec au niveau du module énergie depuis la
tension de batterie +Vbat.
On propose le montage suivant sur lequel on a reporté le schéma interne du circuit intégré
utilisé (MC34063) :
La valeur de la résistance R21 doit être fixée à (0,3/I) où I désigne le courant maximal que
l’on souhaite avoir dans T2.
On donne quelques extraits de la notice du circuit IC8 :
Page 90
Q26 : A partir des valeurs proposées sur le schéma précédent, en déduire la fréquence
de fonctionnement de l’horloge de commande.
On utilise l’abaque du constructeur qui précise ton et toff de l’oscillateur et ce en fonction du
condensateur C11 de 470 pF.
On a, pour 470 pF, toff = 3µs et ton=17µs ce qui fait une période de 20µs soit une fréquence
d’environ 50kHz.
Q27 : On souhaite obtenir +Velec = 8V, déterminer la valeur de réglage de P4.
Expliquer le fonctionnement de la commande du transistor T2.
On compare une image de la tension de sortie Velec avec la référence interne Vref =1,25V
pour savoir s’il faut ou non commander le transistor T2.
On a : Vref = Velec(R20/(R20+R19+P4))
ce qui donne P4 = R20.(Velec/Vref) – R20 –R19 = 7 k
Quand Velec est supérieur ou égale à 8V, le transistor T2 est bloqué
Quand Velec est inférieure à 8V, le transistor T2 conduit pendant un temps ton fixé par
l’oscillateur.
Il faudra que ce temps soit suffisant pour compenser la décharge du condensateur C2 ;
décharge due au courant prélevé sur la sortie Velec quand T2 bloqué.
On dispose d’une limitation de courant automatique qui permet grâce à la résistance R21 de
bloquer le transistor T2 en bloquant l’oscillateur donc la mise en conduction de Q2 et donc de
T2.
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On suppose, dans la suite, que la charge appliquée sur la sortie Velec est une résistance R
et qu’elle consomme 10A. Nous souhaitons avoir une ondulation maximale de 0,5V sur cette
sortie. La tension Vbat est supposée égale à 13V. On négligera la présence du condensateur
C12 dans un premier temps.
Nous allons déterminer les composants dont la valeur n’est pas indiquée.
Q28 : On demande de déterminer la tension aux bornes de la charge R en régime
permanent en boucle ouverte. Que se passe-t-il en boucle fermée ?
La valeur de L1 est de 220 µH et la valeur de R est de 8/10 =0,8 . La constante de temps
de la cellule RL est de 220.10-6/0,8 = 275 µs ce qui est très supérieur à la période de
fonctionnement 20 µs.
L’évolution des courants sera pratiquement linéaire.
Le fonctionnement peut être divisé en deux phases :
• Durant ton, T2 est passant, il s’en suit un transfert d’énergie de la source vers le filtre et
la charge.
• Durant toff, T2 est bloqué. Il apparaît une phase de roue libre assurant la continuité du
courant dans l’inductance via la diode de roue libre D5.
En boucle ouverte, la tension de sortie Velec = Vbat (ton/ton+toff) = 13 (17/17+3) = 11V
En boucle fermée, toff augmente donc Velec diminue, le réglage du seuil permet d’avoir Velec
= 8V
Q29 : Comment dimensionner le condensateur de filtrage C12 ?
Le condensateur de filtrage permet de lisser la tension. Sa valeur ne doit pas faire entrer le
système en oscillation car il se retrouve en // de la bobine lors du blocage de T2.
Si on prend, par exemple 1000 µF la fréquence de résonnance est f =1/2. (1/LC)-0,5 = 340
Hz 5 kHz
Q30 : Que peut-on dire de la valeur maximale du courant dans le transistor T2 ?
Comment peut-on le limiter à 1,2 fois sa valeur nominale ?
Le courant est maximum quand lors de la mise en route du module car le condensateur est
déchargé ; sa croissance reste toutefois limité grâce à la bobine L1.
Le régulateur fonctionne avec une correction maximale (le rapport cyclique impose une
tension de sortie de 11V comme il a été vu précédemment).
On peut le limiter le courant grâce à R21 dont la valeur doit être fixée à 0,3/I d’après les
indications du constructeur.
On choisira R21 = 0,3/1,2.10 = 0,025
Sur le schéma, on voit que pour nos modules, il faudra ou non, activer la résistance de
terminaison suivant la place du module sur le bus.
Traditionnellement dans les réseaux, on pratique un adressage de nœud : chaque hôte sur le
réseau possède son adresse et lorsqu’il envoie un message à une autre station, il précise sa
propre adresse (adresse émetteur) et l’adresse du destinataire. Parce que l’adressage de
nœud n’offre pas une bonne élasticité (il faut connaitre les adresses et de ce fait toute
modification au réseau entraine une redécouverte de celles-ci), pour CAN on a adopté un
adressage d’objet utilisant des identifiants ou ID.
Le protocole CAN comporte deux sous-spécifications qui différent au niveau de la taille de
l’ID :
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Trame standard (CAN 2.0A) avec
un ID sur 11 bits,
Trame étendue (CAN 2.0B) avec
un ID sur 29 bits. CAN 2.0B assure
la compatibilité ascendante avec la
précédente version.
Q32 : Comment s’effectuent les échanges entre équipements sur le bus CAN ?
Les nœuds ne possèdent pas d’adresse, ce sont les messages échangés sur le médium qui
sont identifiés.
On utilise des Identificateurs ("Identifiers" en anglais) que nous noterons sous la forme
abréviée ID. Chaque message possède un ID, qui décrit son contenu (la signification des
données).
Un message déposé sur le réseau, est mis à la disposition de tous (diffusion : "Broadcast").
Cela suppose que chaque nœud soit capable de décider si ce message l’intéresse ou non
(un contrôleur CAN pourra posséder des filtres d’acceptation en réception pour limiter son
activité).
Un identificateur est unique et spécifie sans ambiguïté, l’information (ou l’objet) qu’une trame
transporte. Par exemple, l’ID 200 désigne la température du moteur, l’ID 301 la commande
des phares. Les IDs sont attribués par le concepteur de l’application suivant l’urgence du
message (priorité). Chaque nœud est producteur (ou consommateur) des valeurs d’un ou
plusieurs objets identifiés.
Les IDs sont codés sur 11bits (trame standard CAN 2.0 A) ou sur 29bits (trame étendue CAN
2.0 B).
Parce que, pour les réseaux non déterministes classiques, les collisions peuvent avoir un
effet catastrophique sur le flux des données, le bus CAN utilise une technique de bits
dominants et récessifs.
Le bus peut prendre deux états :
état dominant (correspondant à un niveau logique 0),
état récessif (correspondant à un niveau logique 1).
En cas de transmission simultanée (par deux nœuds) de deux niveaux différents, c’est l’état
dominant qui l’emporte.
Le bus CAN utilise une méthode d’arbitrage bit à bit pour l’accès au bus. Cette méthode est
appelée CSMA/CR.
Q33 : Que veulent dire ces abréviations ?
Si 3 équipements Ni, qui ont pour identifiant respectivement 01101111001,
01001111001 et 01100101001 transmettent simultanément, qu’obtient-on sur le bus ?
La méthode CSMA/CR (Carrier Sense, Multiple Access with Collision Resolution) réalise un
arbitrage non destructif.
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Afin d’attribuer le bus à un nœud et un seul, CAN opère de la manière suivante :
Le nœud qui désire transmettre, vérifie d’abord que le réseau est libre en analysant le
signal sur le réseau (Carrier Sense). Si c’est le cas, il accède au bus directement en
déposant sur celui-ci un bit de start à 0 (Start Of Frame) puis l’ID : l’identificateur du bit de
poids fort au bit de poids faible.
Si plusieurs stations désirent émettre quasi simultanément, elles vont voir le bus libre et
vont donc accéder simultanément au réseau (Multiple Access). L’arbitrage se fait ensuite bit
à bit, chaque station vérifie qu’elle lit bien sur le bus (bus monitoring), ce qu’elle y a écrit.
Tant que les données lues correspondent aux données écrites, chaque station croit être la
seule, elle continue donc à émettre. Dés qu’une station présente un bit récessif alors qu’au
moins une autre présente un bit dominant, alors elle perd l’arbitrage. Lorsqu’un nœud perd
l’arbitrage, il arrête d’émettre (Collision Resolution) et devient récepteur. Il n’essaiera de
retransmettre son message que lorsque le bus sera à nouveau libre. Tout se passe donc
comme si le message de plus haute priorité était le seul à être transmis.
La trame la plus prioritaire sera donc celle dont l’ID est le plus petit (beaucoup de bits à 0
(dominants) dans les bits de poids fort).
Ce sera dans notre cas la trame 2 (id=01001111001) qui sera finalement transmise sur le
bus.
Q 34 : On donne ci-dessous un extrait du document ISO représentant, pour le modèle
OSI, le détail des sous-couches concernées par les spécifications du bus CAN.
On demande de représenter le modèle OSI à 7 couches et de situer les sous-couches
présentées par rapport aux couches du modèle OSI à 7 couches.
On demande de compléter la colonne specification en délimitant les sous-couches
concernées par les spécifications du protocole CAN.
On demande de compléter, la colonne implementation, afin d’y faire figurer les 3
composants du schéma structurel donné précédemment.
Page 95
Etude de la couche physique utilisée par le bus CAN.
La couche physique requiert une attention toute particulière car c’est elle qui, dans un
environnement industriel, conditionne la fiabilité et les performances des transmissions. De
nombreux paramètres et choix technologiques doivent être pris en considération lors de sa
mise en place.
La ligne de transmission.
Pour le bus CAN, comme pour la plupart des modes de transmission, le support utilisé doit
être considéré comme une ligne de transmission car sa longueur n’est pas suffisamment
faible devant la longueur d’onde des signaux transmis.
On est obligé de tenir compte de la vitesse de propagation des grandeurs électriques qui est
forcément inférieure à la vitesse de la lumière.
Par conséquent, à un instant donné, tensions et courants ne seront pas identiques en tout
point d’un conducteur, comme on a l’habitude de l’admettre dans ce qu’on appelle
l’approximation des états quasi-stationnaires.
On peut considérer que la ligne est formée d’une infinité de tronçons de longueur infiniment
petite dx. Un tel élément de ligne est essentiellement caractérisé par une inductance L et une
capacité C (on néglige les résistances et admittances de pertes).
La longueur de ce tronçon étant petite vis-à-vis de la longueur d’onde, on peut l’étudier
comme un circuit électrique classique.
Bien que le bus CAN véhicule une information numérique par le biais de signaux
numériques, on se propose de qualifier les problèmes d’impédance en régime sinusoïdal.
Q35 : Montrer que, pour une entrée sinusoïdale, la tension sur la ligne est la somme de
deux termes qui représentent deux ondes progressives se propageant en sens
contraire.
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La loi d’Ohm pour la bobine s’écrit :
La loi d’Ohm pour le condensateur s’écrit :
Nous en déduisons :
D’où les équations de propagation appelées équations des télégraphistes :
Ces deux équations différentielles du second ordre admettent en solution des fonctions
sinusoïdales :
On trouve : Zc = (10.10.-6.30.10.-12)0.5 ce qui donne 57 ce qui est compatible avec les 120
usuel donné.
Page 97
Le nombre d’équipements sur le bus.
La norme CAN impose des contraintes liées à la longueur du bus, à la vitesse de
transmission et au nombre d’équipements connectés.
Nous allons vérifier comment les structures physiques utilisées influent sur ces paramètres.
Dans le cas général, on utilise l’organisation ci-dessous :
Pour l’émetteur, les transistors sont conducteurs dans le cas de l’émission d’un bit dominant
et bloqués dans le cas contraire et dans ce dernier cas c’est le câblage du bus qui impose
les niveaux.
Page 98
Pour le récepteur, les transistors sont toujours bloqués et c’est le câblage du bus qui impose
les niveaux.
On donne le schéma équivalent :
Q38 : En supposant que les résistances Rw sont négligeables devant les autres
résistances, déterminer le nombre de nœuds nmax que l’on peut connecter sur un bus
CAN.
Si RL est la charge pour l’émetteur, elle correspond à l’ensemble des résistances en
parallèle.
On a en // RT/2 et Rdiff/n ce qui donne RL = RT.Rdif/nRT+2Rdif
Ce qui donne n = Rdiff (1/RL – 2/RT) soit, avec RLmin = 45 , Rdiff = 20k et RT = 120 ,
Soit : n = 111
Le choix du câble.
On se propose de déterminer l’influence du câble utilisé sur la longueur du bus et ce pour un
nombre n d’équipements connectés.
On donne, ci-dessous, un extrait de la notice du constructeur pour le câble.
Page 99
Tension d'essai c/c en V 1500 1500 1500 1500 1500
Résistance linéique en Ohm/km 210 149 93 55 34
Résistance diélectrique en MOhm/km 100 153 153 153 153
Capacité c/c + blind.à la terre en pF/m 72 84 96 100 108
La vitesse de transmission.
Le bus CAN propose pour les équipements des vitesses de transmission normalisées qui
varient entre 10kb/s et 1Mb/s. L’arbitrage au niveau du bit, impose une contrainte de
longueur maximale du bus.
Q40 : Montrer que le principe d’arbitrage utilisé impose que le "Temps Bit" soit
supérieur à 2 fois la durée de propagation (notée tp) à travers le câble.
Déterminer les longueurs maximales du câble dans le cas d’une transmission à
128kb/s et à 1Mb/s si l’on considère que la vitesse de propagation des ondes dans les
câbles est de l’ordre de 200 000km/s.
Examinons le chronogramme de la figure, à t0 la station 1 croit être la seule sur le bus, elle
commence à émettre un bit récessif. Compte tenu de la vitesse de propagation des ondes
EM dans les câbles (200 000km/s), ce bit parviendra à la station 2 au bout du temps tp (à
l’instant t2). Mais peu de temps avant, la station 2 qui désirait émettre et ne voyant pas de
conflit, a commencé à transmettre un bit dominant. Ce bit dominant va écraser le bit récessif
émis par la station 1, mais celle-ci ne le saura qu’à l’instant t3, à condition qu’elle l’émette
encore à ce moment là. Dans le pire des cas (t1#t2), le temps bit doit donc être supérieur à
2tp.
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Si l’on considère le débit sur le bus CAN est :
1Mbits/s, il vient : Temps bit=1µs et tp<0,5µs, soit une distance maximum théorique du bus
de
L= V.t = 100 m.
128kbits/s, il vient : Temps bit=7,8µs et tp<3,9µs, soit une distance maximum théorique du
bus de
L= V.t = 780 m.
Synthèse sur la couche physique.
Q41 : Des questions précédentes, déduire un exemple de méthode de choix des
caractéristiques physiques du bus CAN.
Le protocole CAN n’impose pas le choix du support de transmission mais on peut comme
c’est souvent le cas utiliser un support filaire. Il s’en suit le choix du moteur de bus ; ici c’est
le 82C250 qui impose des contraintes électriques (du même ordre de grandeur pour les
différents autres composants).
Il faut ensuite, en fonction des exigences du système à réaliser, définir la topologie physique
du bus ce qui nous donnera un paramètre important : la longueur des câbles.
Il faudra, en fonction des exigences du système, choisir une vitesse de transmission et
vérifier si cette dernière est en adéquation avec la longueur du bus.
Il faudra préciser la localisation des terminaisons de bus en fonction de la topologie
physique.
Le choix de la nature des câbles est important surtout pour des bus de grande longueur.
Pour les câbles, la qualité des isolants et d’éventuels blindages n’est pas anodine.
Page 101
Utilisation du bus CAN.
On donne ci-dessous un extrait du programme de gestion du module énergie :
#include "can.c" //driver can
/* variables du systeme */
int16 en_ve; //tension d'entree
int16 en_vs; //tension de sortie
int16 en_ie; //courant d'entree
int16 en_is; //courant de sortie
int charge; //indicateur de charge
int full; //indicateur de charge complete
int empty; //indicateur de decharge
void gest_can(){
if ( can_kbhit() ){ //y a t il des donnees dans le buffer ?...
if(can_getd(crx_id, &crxbuf[0], crx_len, rxstat)){ //...si oui lecture des donnees
if (crx_id == i_rmain) {
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led_on; // change la LED system
ctxbuf[0]=en_ve;
ctxbuf[1]=en_ie;
ctxbuf[2]=en_is;
ctxbuf[3]=en_vs;
ctxbuf[4]=charge;
ctxbuf[5]=full;
ctxbuf[6]=empty;
can_putd(i_ren, &ctxbuf[0], 7,1,1,0); //réponse avec 7 octets de buffer
}
}
}
}
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la représentation d’une trame vue précédemment (format classique et non
étendue)
le fait que la vitesse sur le bus soit de 128kb/s
le fait que le demandeur (unité de gestion) envoie une trame de request toutes
les secondes
On demande de calculer le taux d’occupation du bus (en %) lié à cet échange.
L’échange se compose d’une trame de request (pas de données) et d’une trame de données
avec 7 octets soit 144 bits comme le montre la figure ci-dessous.
Sachant qu’un bit dure : Tb = 1/128.103 = 7,81.10-6s on utilise un temps total de Tt = 144.Tb
= 1,125 ms
On obtient un pourcentage d’occupation de = 0,1125 %
Page 104
Il faut fixer l’adresse de la passerelle par défaut qui ne peut être que 172.17.100.1 car nous
sommes dans le premier sous-réseau ; elle permet de « sortir » de notre réseau.
Il faut fixer l’adresse DNS qui nous permettra une résolution de nom et la valeur ne peut être
que 172.17.100.2 car nous sommes dans le premier sous-réseau.
Le calculateur dialogue avec un serveur dont le nom est S1. Le calculateur exécute une
application dont on donne quelques extraits du code source ci-dessous.
………………………………………………………
using namespace MySql::Data::MySqlClient;
int main() {
…………………………………………………………………………………………………..
string connStr = "server=S1;user id=root; password=; database=energie; pooling=false";
OleDbDataReader myReader;
myReader = c1Command->ExecuteReader();
while (myReader->Read()) {
Console::WriteLine("{0}, {1}, {2}", myReader->GetInt32(0), myReader-
>GetString(1), myReader->GetString(2));
}
myReader->Close();
}
catch (Exception^)
{
Console::WriteLine("Echec lors de la lecture!");
}
…………………………………………………………………………………………………
try
{
string data1 = "vbat";
string data2 = "time";
string data3 = "data";
string query2 = "INSERT INTO vbat (time,data) VALUES ("+ data1 +",'"+ data2 + "','" +
data3 +"')";
Page 105
OleDbCommand c2 = new OleDbCommand(query2, cn);
c2->ExecuteNonQuery();
}
catch (Exception^)
{
Console::WriteLine("L'enregistrement existe deja !");
}
…………………………………………………………………………..………………………….
cn->Close();
Q46 : Que peut-on dire de la fonction de S1 (du moins de celle qui correspond à
l’activité du calculateur) ?
Préciser le rôle des zones délimitées par des pointillés.
Qualifier les zones de texte commençant par SELECT et INSERT.
Donner un exemple de l’utilisation du langage objet dans cet extrait de code.
A quoi servent les zones try…catch… ?
Le paramétrage DNS, cité précédemment, est-il indispensable dans le cas de
notre calculateur ?
S1 est un serveur de base de données avec une base de données MYSQL (logiciel
libre).
Son utilisation est conditionnée par l’ouverture d’une connexion (zone où on a : cn-
>open) grâce à la chaîne de connexion qui décrit les paramètres d’accès au serveur de
bases de données.
Son utilisation est conditionnée par la fermeture de la connexion en fin d’utilisation
(zone où on a : cn->close)
La zone contenant SELECT correspond à une lecture dans la base (qui doit être
ouverte)
La zone contenant INSERT correspond à une écriture dans la base (qui doit être
ouverte)
INSERT et SELECT sont des directives du langage d’interrogation SQL utilisé pour les
bases de données (et pas seulement pour MYSQL)
On utilise ici des classes définies dans l’espace de nom MySql::Data::MySqlClient et,
par exemple, la ligne MySqlConnection cn = new MySqlConnection( connStr ); correspond à
l’instanciation d’un nouvel objet cn de la classe MySqlConnection avec la définition du
paramètre connStr pour ce nouvel objet. Cet objet correspond à la connexion avec la base
MYSQL.
Try…Catch permet, en cas d’erreur lors de l’exécution du code de prendre en charge
l’échec d’une action (ce qui évite, dans le meilleur des cas, d’avoir un message du système).
Le paramétrage DNS est indispensable car la chaîne de connexion au serveur
MYSQL ne fait référence qu’à son nom.
C. Les capteurs
En ce qui concerne la partie applicative, de nombreux modules sont disponibles afin de
permettre l’utilisation de différents capteurs. Pour ces capteurs, on distingue :
Les capteurs « monobloc » qui sont directement intégrés dans le module.
L’électronique de traitement et le capteur sont solidaires du module lui-même.
Les capteurs déportés qui sont éloignés du module et qui échangent l’information avec
le module au moyen d’une liaison à boucle de courant ou autre.
Dans l’étude qui suit nous allons aborder différents aspects concernant l’utilisation de ces
capteurs.
Page 106
Etude d’un détecteur explosimétrique.
Les gaz aux vapeurs combustibles (groupe des hydrocarbures saturés…) sont, entres
autres, caractérisés par les grandeurs suivantes :
LIE : C'est la concentration en volume d’un gaz, à partir de laquelle il peut être
enflammé.
LSE : C’est la concentration maximale en volume d’un gaz, au dessus de laquelle il ne
peut être enflammé.
Densité : Densité relative par rapport à l’air.
Pour détecter un risque d’explosion, il faut mesurer la concentration du gaz et détecter quand
elle atteint la valeur LIE. On donne, en exemple, le cas du méthane :
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On dispose deux filaments métalliques identiques à
l’intérieur d’une cellule antidéflagrante. Cette dernière est
baignée par le gaz dont on veut mesurer la concentration.
Les filaments ont une résistance électrique qui varie avec la
conductibilité thermique du gaz entourant les filaments.
Si le gaz arrivant sur les filaments est de l’air, les filaments
présentent une résistance R0.
Si le gaz arrivant sur les filaments est par exemple du
propane, la conductivité du gaz autour des filaments est
différente. Les filaments présentent alors une résistance Rc
qui est fonction de la concentration du gaz injecté.
La détection est réalisée en utilisant un pont de
Wheatstone. Le courant injecté est de l’ordre de 340mA.
Le pont est équilibré quand le gaz est de l’air. Tout
déséquilibre indique la présence de gaz à vapeur
combustible et la quantification de se déséquilibre permet
d’en déduire la concentration.
On se propose d’étudier les performances de la structure électronique qui permet de produire
la tension qui sera appliquée à l’entrée de conversion analogique/numérique du
microcontrôleur du module afin d’être convertie puis transmise sur le bus CAN.
Dans un premier temps nous utilisons le circuit suivant où les amplificateurs sont alimenté
entre 0 et Vcc :
Q47 : Déterminer l’expression de vout en fonction de ue1, ue2 et Vref et des éléments
du montage.
On peut utiliser le théorème de superposition ce qui donne :
( R5 + R8).R 7 R8 ( R5 + R8).R 6
vout = ue2( ) − ue1. + Vref ( )
( R 7 + R 6).R5 R5 ( R 6 + R 7).R5
Q48 : On donne R1=R4=r et R2=R3=r+dr où R2 et R3 désigne les filaments du capteur
présenté ci-dessus. De plus, on R5=R6=R et R7=R8=k.R
Déterminer l’expression de vout en fonction de r, dr, Vref, Vcc et k.
Que peut-on dire de l’utilité de Vref ?
Page 108
Comment choisir les amplificateurs et le gain k dans le cas ou on souhaite une
dynamique maximale en sortie si |dr|max=0,05.r ?
Quel est le principal inconvénient du montage précédent ?
dr dr
On a : vout = k .Vcc + Vref ≈ k .Vcc + Vref si dr<<r
2r + dr 2r
Vref non nul est indispensable car les amplificateurs sont alimentés entre 0 et Vcc=5V ; on le
choisira égal à 2,5V (milieu de la plage du convertisseur).
dr est positif, il faudra choisir Vref légèrement supérieure à la valeur minimale de la tension
en sortie de l’amplificateur de sortie car vout=Vref si dr=0.
Le gain k doit être choisit de manière à obtenir la tension de sortie légèrement inférieure à la
tension maximale possible en sortie du même amplificateur.
Si on choisit un amplificateur de type « rail to rail » les tensions minimale et maximale seront
proches de 0 et Vcc.
Avec dr=0,05.r vout=0,025.k.Vcc+Vref
Si on utilise par exemple Vref=2,5V et Voutmax= 5V, on a k = Voutmax-Vref / Vcc.0,025 = 20
L’inconvénient du montage précédent est surtout que le réglage du gain k dépend de 4
composants et qu’il n’est pas facile à ajuster.
On utilise maintenant le montage suivant :
Page 109
Page 110
Q51 : Proposer le schéma structurel permettant la mise en œuvre du composant
présenté dans le cadre de l’utilisation de notre capteur.
On précisera les connexions à effectuer ainsi que la liste des tâches à effectuer par le
microcontrôleur afin d’obtenir le fonctionnement souhaité.
On donne un exemple de connexion :
Il faudra pour Vref utiliser une tension de l’ordre de 2,5V (amplement suffisant car composant
rail to rail).
Lors de l’initialisation du PIC, il faudra fixer le gain :
• On active CS du circuit AD8231 à 0
• On fixe les sorties correspondantes à A0, A1 et A2 du circuit AD8231
• On remonte le CS du circuit AD8231 à 1 (le gain reste fixé)
dr
On a : vout = AVcc
. + Vref si on choisit une valeur maximale de 4,5V avec Vref = 2,5V avec
2r
dr=0,05.r
On obtient : A = (Voutmax – Vref)/0,025.Vcc =16
On fixera les valeurs : A2.A1.A0=100
Si l’on spécifie le nombre de bit du convertisseur analogique numérique, on peut alors prévoir
les valeurs maximales et minimales que l’on récupérera dans le traitement du µC.
Page 112
La résistance Rp désigne la résistance de mesure Pt100.
Q53 : Déterminer le courant Iout dans le cas où le courant IQ2 se réduit à celui de la
source de courant I3.
Les 2 entrées de l’amplificateur sont au même potentiel.
On a Iout=IR4+IR1 et de plus R1.IR1=R4.IR4 donc Iout =
IR1+IR1.(R1/R4)=IR1(1+R1/R4)=I3(1+(R1/R4))
Soit Iout =100.10-6.(1+975/25)= 4 mA
Q54 : Déterminer le courant IQ2 dans le cas général. En déduire le rôle et la valeur de
la résistance Rz.
V+U 1 − V+U 2 Rp.I1 − Rz.I 2
Le courant IQ 2 = I 3 + = I3+
Rg Rg
V+U1 permet de mesurer la température dans la plage -100 à +100°C
On a vu que IQ2 se réduit à I3 pour Iout=4mA soit pour T=-100°C ce qui implique V+U2
permet de fixer la valeur basse de la plage de mesure et on a Rz=Rp(-100°C) car on a le
même courant (I1=I2)
D’après les formules Rp(-100)= 100 (1 + 3,90802.10-3(-100) - 0,5802.10-6(-100)2) =61
Donc il faut fixer Rz = 61
Q55 : Déterminer Iout dans le cas général en fonction de Vin = V+U1-V+U2 puis déterminer Rg.
Rg doit être réglé de manière à avoir Iout = 20mA pour T=+100°C
Page 113
Pour +100°C, on a Rp(100)= 100 (1 + 3,90802.10-3(100) - 0,5802.10-6(100)2) =139
V+U 1 − V+U 2 Vin V −V
Le courant IQ 2 = I 3 + = I3+ donc Rg = +U 1 +U 2
Rg Rg IQ 2 − I 3
Comme Iout = IQ2(1+R1/R4) d’après une des questions précédentes.
Vin R1 Vin
On a Iout = ( I 3 + )(1 + ) = 4.10 −3 + 40.
Rg R4 Rg
V+U1=Rp.I1 et V+U2=Rz.I2 donc Vin=(Rp-Rz)I où I=8.10-4A
40.( Rp − Rz ).8.10−4 40.(139 − 61).8.10−4
On a : Rg = = = 156Ω
Iout − 4.10−3 (20 − 4).10−3
Q56 : Que dire de Iin par rapport à Iout si on néglige le courant dans R7 ?
En déduire le rôle de R7.
Si on néglige le courant dans R7, Iin est égal à Iout mais en lui ajoutant tous les courants
nécessaires au bon fonctionnement de la structure (avec en particulier I1 et I2) ce qui
faussera la mesure.
La réinjection de ces courants dans la boucle du générateur de courant permet d’en éliminer
l’influence.
En pratique, la structure présentée est disponible sous forme de circuit intégré avec quelques
améliorations.
On donne un exemple de circuit ci-dessous :
Page 114
Peut-on utiliser directement comme récepteur une résistance RL ?
Non car lors de l’acquisition, on consomme du courant ce qui fait chuter la tension mesurée
aux bornes de RL. De plus cette erreur n’est pas constante, elle dépend de la tension
mesurée et donc du courant mesurée.
On se propose pour notre boucle de mesure d’utiliser le récepteur ci-dessous :
START : durée T1=50ms : Le module envoie un courant calibré à 4mA au capteur durant
50ms. Cette valeur et cette durée sont détectées par le capteur qui démarre un cycle de
mesure.
Page 116
RÉFÉRENCE : durée T2=220ms : Le capteur envoie au module un courant calibré à 15mA
durant 220ms. Ce courant permet au module de vérifier le fonctionnement général de
l'électronique.
SYNCHRO : durée T3=130ms : Le capteur envoie sur ligne un courant de 25mA. Ce courant
correspond à une information de détection de défaut s'il persiste plus de 130 ms.
MESURE : durée T4=390ms. Le capteur envoie au module le courant correspondant à la
mesure. Il est compris entre 4 et 20 mA et représente la hauteur du liquide dans la cuve.
Etude du module de mesure.
On se propose d’analyser les structures permettant la mesure au niveau du module. On
donne le schéma structurel simplifié suivant :
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Quand OKA bloqué Vgs est nul et on a conduction naturelle.
Quand OKA conducteur, Vgs négatif car Vout de U2 inférieur à Vcc, on a donc diminution de
la conduction si Vout de U2 diminue.
Q61 : Montrer qualitativement que l’on a une régulation du courant I circulant dans la
boucle de courant si OKA est conducteur.
Sachant que le module ne fixe qu’un seul niveau de courant, quel doit être le courant I
de cette boucle ?
En déduire la valeur des composants permettant d’obtenir cette valeur.
Le courant est mesuré par la résistance R3 de 75 , la tension obtenue est appliquée à
l’intégrateur U2.
Si la tension de l’entrée – augmente et dépasse la tension de l’entrée +, la sortie de U2
diminue ce qui a pour effet de diminuer la conduction du MOS et ainsi de diminuer le courant.
On a régulation : si Iboucle augmente alors on a tendance à le réduire.
Ici, on doit obtenir un courant de 4 mA imposé par le module (phase T1 de 50ms).
On peut fixer le courant en rendant OKA passant donc en positionnant la sortie PB1 du micro
à « 1 ».
Le courant est fixé par le seuil de l’intégrateur.
On a I.R3 = Vdz1.(R13 / R13+R14), ce qui donne (R13 / R13+R14) = I.R3/Vdz1 = 4.10-
3
.75/5,6=0,0535
On peut choisir R13=10K ce qui donne R14=176K
Q62 : Calculer, en fonction du courant de boucle I, la tension disponible sur l’entrée
AN1 du microcontrôleur durant les différentes phases de la mesure.
On a VAN1 = R3.I (1 + R5/R4) = 185.I
Phase T1 : I=4mA VAN1 = 0,74V
Phase T2 : I=15mA VAN1 = 2,775V
Phase T3 : I=25mA VAN1 = 4,625V
Phase T4 : entre I=4mA avec VAN1 = 0,74V et I=20mA avec VAN1 = 3,7V
Q63 : Comment le microcontrôleur procède-t-il pour effectuer une mesure ?
Page 118
Le microcontrôleur, après avoir lancé la mesure en imposant le courant de 4 mA (bit PB1 à 1
durant 50ms), va lancer des temporisations avec les valeurs fixées et surveiller les courants
de 15mA ou 25mA pour vérifier le bon fonctionnement du capteur.
Si les valeurs attendues sont obtenues, on lit le courant de mesure.
Le cycle peut alors recommencer.
Etude du capteur.
Le capteur est un détecteur de niveau à lames vibrantes.
L'élément vibrant est excité par des éléments piézo-électriques
et oscille sur sa fréquence de résonance mécanique.
Le recouvrement de l'élément vibrant par le produit entraîne
une variation de la fréquence de vibration. Celle-ci est détectée
par l'étage électronique intégré puis convertie en un courant.
Le capteur doit être associé à la commande électronique
spécifique évoquée précédemment.
On donne le schéma fonctionnel du capteur :
Page 119
Les amplificateurs sont alimentés entre 0(GND) et la tension +V.
Q64 : On demande, après avoir validé le rôle de la structure construite autour de U2,
de déterminer la valeur de D4 permettant d’avoir +V=8,2V.
Quelle est l’utilité de disposer de la tension Uref ?
On a ici une alimentation à régulation parallèle et en régime normal de fonctionnement U2
voit ces entrées + et – à la même tension donc
VD4=+V.R10/(R10+R9)=8,2.121/121+274=2,52V
La diode D3 évite que U2 travaille à proximité de sa tension d’alimentation (+V).
Uref = +V.R13 / (R13+R12) =3,7V est une tension de référence utilisée comme point milieu
car les amplificateurs sont alimentés entre 0 et +V=8,2V
Q65 : Expliquer le fonctionnement de la structure construite autour de Q1 et U1.
Pourquoi utiliser ce type de transistor pour Q1 ?
Calculer la valeur du courant de ligne en fonction de la tension Uc quand l’interrupteur
est dans la position indiquée et cela dans le cas où le module de mesure n’injecte
aucun courant dans la boucle.
Pendant la phase de mesure, la tension Uc évolue entre les deux valeurs indiquées, en
déduire et placer sur la courbe ci-dessous les courants obtenus.
Page 120
On a bien une régulation de courant, car quand Iligne augmente la tension aux bornes de R3
augmente donc V+ de l’ampli diminue (attention au signe de Iligne).
Ce qui a pour effet d’augmenter Vgs négatif est ainsi de réduire la conduction de Q1 ce qui
diminue Iligne.
A l’équilibre on V+ = V- pour U1
+V .R8 − R3.R 7.I R5 R4
On a : V + = = V − = Vref + Uc
R 7 + R8 R 4 + R5 R 4 + R5
1 R 7 + R8
Ce qui donne : I = (+V .R8 − ( R5.Vref + R 4.Uc))
R3.R 7 R 4 + R5
Ce qui donne : I=0,0372-0,00892.Uc
Page 121
Le diapason forme, avec l’émetteur et le récepteur piézo-électrique, un oscillateur
électromécanique avec une fréquence propre d’environ 380Hz pour le diapason non
immergé (environ 300Hz pour le diapason immergé).
On donne le schéma fonctionnel de la structure avec le diapason :
Attention, la courbe de la phase est donnée modulo 360, ce qui donne, dans notre cas, une
phase variant de -90° à -270°.
Il est également à remarquer que le déphasage de 180° à 300Hz est donné modulo 180° car
on ne connait pas le signe relatif des tensions d’entrée et de sortie du capteur.
Q67 : Proposer une définition pour le phénomène de piézo-électricité.
Page 122
La piézo-électricité est un phénomène propre à certains types de cristaux (le quartz est le
plus connu) ou de céramiques anisotropes. Il apparaît à la surface de ces corps, quand on
les soumet à des pressions ou à des charges électriques (effet "direct").
Inversement, l'application d'une tension électrique sur ces mêmes surfaces donne lieu à une
modification des dimensions des cristaux (effet "inverse").
Il y a là un moyen de transformer un signal électrique en déformation mécanique et
réciproquement. Ce phénomène, combiné aux propriétés de résonance mécanique des
corps utilisés, permet d'obtenir des vibrations électriques ou mécaniques, à l'origine de
nombreuses applications pratiques.
Q68 : Pour l’étude de la fonction amplification FP3 (adaptation et ampli), on propose le
schéma d’étude simplifié suivant :
1+ . 1+ +
ω1 ω0 ω0
4
Avec : 2= ms, 1 = 10 rd/s (v2 tension de sortie de U1)
Déterminer 0 et tracer ensuite le diagramme de Bode de la fonction de transfert
obtenue.
Déterminer les valeurs du gain et de la phase pour fr = 300Hz
L’amplificateur est alimenté entre 0 et 8,2V ce qui nécessite de déplacer le point de repos au
milieu de la plage utilisable grâce à Vref. La structure proposée correspond à celle d’un
amplificateur alimenté entre –V et +V.
Pour simplifier les calculs, on peut remplacer la cellule R2, C2, R6 et C7 par un générateur
de Thévenin équivalent.
v2 − pR 7C 2
On obtient : ( p) =
v1 (1 + pR 7C 4)(1 + p ( R 6C 7 + R 2C 2 + R 6C 2) + p 2 R 2 R 6C 2C 7)
1
Ce qui donne T2=R7.C2=0,1s=100ms, ω1 = =104 soit f1=1592Hz
R 7.C 4
1
On a : ω0 = = 2787 rd/s soit f0=443Hz
R 2 R 6C 2C 7
On obtient les courbes de réponse suivante :
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On donne les résultats de simulation correspondant à la fonction FP4 (FS4.1 et FS4.2) :
Q69 : Quel est la nature de ce filtre ? (on ne demande pas un calcul complet)
Indiquer sa fréquence caractéristique.
Indiquer les valeurs obtenues pour le gain et la phase dans le cas de l’utilisation du
capteur immergé.
On dispose ici d’un filtre sélectif qui permet de rejeter les signaux parasites de fréquence
50Hz.
On voit que le continu passe ainsi que les fréquences élevées. Sur la courbe, la fréquence
rejetée est bien le 50Hz.
Il présente un gain d’environ 30dB avec un déphasage de +52° à la fréquence de
fonctionnement du capteur (300Hz)
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Le gain de la structure non inverseuse est de 20.log(1+R12/R11) soit environ 33,7dB mais le
filtre ramène une atténuation supplémentaire de l’ordre de 3dB ce qui correspond bien à la
valeur lue (29,2dB).
On donne les résultats de simulation correspondant au filtre de sortie de la fonction FP4
(FS4.3) :
Q70 : On demande d’établir le bilan des mesures et des calculs précédents; ceci dans
le but de caractériser FP2 pour obtenir la structure oscillante associée à notre capteur.
Les valeurs à utiliser correspondent au capteur immergé et on désire avoir un gain
global de l’ordre de 44 dB afin de compenser l’amortissement due à l’immersion.
On résumera les différentes valeurs dans le tableau ci-dessous :
Capteur FP3 FS4.1 & FS4.2 FS4.3 bilan
Déterminer les valeurs des composants R17, R18 et C12 de l’amplificateur FP2
(amplificateur U3).
On place les gains et les phases pour 300Hz des différentes fonctions connues dans le
tableau ci-dessous :
Capteur FP3 FS4.1 & FS4.2 FS4.3 bilan
gain -60 37 29 -6 0 dB
déphasage -174 -178 52 -106 -406 soit -46°
Le gain global de 44 dB demandé est obtenu si le gain de FP2 est de 44dB.
La phase doit être telle que le déphasage global soit nul (on ne connait pas le signe relatif
des tensions entrée/sortie du capteur).
On devra avoir un déphasage de 46°.
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1 + τ 1( p ) 1 + ( R17 + R18).C12. p
On a : FP 2( p ) = =
1 + τ 2( p ) 1 + R18.C12. p
gain de 44dB donc amplification de 158
1=160. 2 donc (R17+R18).C12 = 160.R18.C12
Argument = 46°
arg numérateur = 90°
arg dénominateur = -44° donc à 300Hz
tg (44°) = 2 .300.R18.C2
On choisit : C18=150nF, R18=3,4K et R17=540k
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