ENSI-UL Introduction 4 l'Blectronique 2020-2021 crrce Examen de synthéiac(GEL 300) Semestrea Bxcrene nd Sout le ciicuit represente a kt figure 1.1, On considére une tension secondaire efficace de 24 volts, On donne R= 100 et C= 1000 pF Calculer ta tension inver (le matsir icnsion moyenne AUS, bornes de K et le tau d’ondulation du signal filo aux bomes des diodes, ly Figure 1.1 fev ontre, Ver R = 100 2 La diode est earacterisée par Uz = TV si = 100 mA et Uz = 6. SmA <1 100 mA, Quel est le gencrateur de Thévenin (Ly. Ru) équivatent entre A et B. Determiner La caracte Calculer la résistance dy namique et les valeurs de 20 mA, 60 mA et 1O0mA, Y si 1, = 20 mA. Sa caractéristique est linéaire pour stance statique pour Vs 4. Caleuler Uz que Ru = 100.2. 5. Faire quelles Timites peut varier Ru pour que la diode Zener ravsille dans ta) Ve partie linéaire de sa caractéristique Exercice n°3 On donne Mamplificateur émeticur commun suivant : On donne : E = 1SV 2 Var = 0,6V ; Re = 6,2 kQ; Re = 15000 5 Ry = SOQ; Ry = 10KMet B= 150 1. Calculer le gain en tension du montage Ry =29 et méme question si Ry = 10 kQ 2. Calculer les impédances d'entrée et de sortie de I’ étage. NB : Pour le processus dynamique utilisé le model suivant : La valeur de Vimpédance d'entrée du transistor hi) dépend dur ats ig transistor (f) et point de fonctionnement obugwe (Te) ae - of al Om fn b= 1 [ne i tJ} eaen wos ~saqjaegs soueseynd Bl ya souessmd ap ama}ouy a] axMpep Ua (> ‘asuodar By soynsnp’ ¢ espow souessind aun ¥ of]9-j-epuodsaxtoo sounssind on9 (E tunajour np-soueessind wy supa (z “s8equor np wurpyps tm ape (T yi oot (a) 00€ (vst arng997 sTeyoa | woysues ssqnieo | Juemos osqHeD ‘yeredde, ans sany yuos sayuoayns stopeoIpUy S27] “TEAR aFeyuOW 9] jUEYdOpE ud spguniem un sed souBssnd wl oINsoUF UO 10 ANAoU 3] S}UOWNTD UO “IE “ssuodps ANoA sOyASNP ¢ aanow souessind aun ¥ a[[9--apuodsazz09 souBssInd aN9D (y “epmsow | weed 9] 39 | UOIsUD] By] seu (E ¢ 9Buyuour 90 sed ogspuadua snsiz9, 309 3119ND (e “ean adwyuow! 3] 1EsPp|suos UD aBejuOW Np BLUpYOS UN ITwA (T st of W 00€ a7 QUIHTOA + of (v) of sagqurosedury 9anjoo71 oreyoa eaqrTtD 2 Jueamns Nwa[quI 3] Sup SyUUOP 1U08 DOUapIPdNe,1 2p siynszz so] ‘souwssind vy sourua~p mod ampord 9] s[n9[u9 UO sind “aN QUN[oA UN J aNgurAgdueE UN JWES_AAN ws sowsog S98 az)U9 VOY) Bl dp 39 juMIMOD Np ssBOIS sIMaTwa so] ZNsoW UO 49 INDOUs 9] SUDUITE UO “T : srassa xnap apyoord uo ‘as7ej 09 mmog “voUSsINd vs samsaur vA UO JOP HUMIDITY weMOD y anbiN2Z[7 sndjour uN yog PopExercice 3 Soit un moteur électrique a courant alternatif dont on va mesurer sa puissance. Pour ce faire, on procéde deux essais : I. On alimente le moteur et on mesure les valeurs efficaces du courant et de la tension entre ses bornes en utilisant un ampéremétre et un voltmeétre. Puis on calcule le produit pour déterminer la puissance. Les résultats de Yexpérience sont donnés dans le tableau suivant : Calibre Echelle Lecture Ampéremétre 30 (A) 30 24 Voltmétre 300 (V) 30 15 1) Faire un schéma du montage en considérant le montage aval. 2) Quelle est l'erreur engendrée par ce montage ? 3) Déterminer Ja tension U et le courant I mesurés. 4) Cette puissance corresponde-t-elle 4 une puissance active ? Justifier votre réponse. IL. On alimente Je moteur et on mesure Ja puissance par un wattmétre en adoptant le montage aval. Les indications suivantes sont lues sur l'appareil. Calibre courant | Calibre tension Echelle Lecture 15 (A) 300 (V) 100 73 1) Faire un schéma du montage. 2) Déterminer la puissance du moteur. 3) Cette puissance corresponde-t-elle A une puissance active ? Justifier la réponse. 4) En déduire le facteur de puissance et la puissance réactive. Bon travail !BP toi " ’ aot h = yf ta ‘ es o= “ Wry ba ty UP Mela f 4 Vi pee, Vata oy , | le Lo et Fhe eat Bey OT MERE Mg, ‘) Maye te lay i ta STR Ty HW Vay Ni, Raley RCM iM 09 BA : rv 4G IVAN i Ree Gav pe) Me oyy ber Bay ‘Hy Roh p MB co ? (romp vt) ype bee -oonecamg PR = oe Lo te 2 empeeemms 4 nate oy ta WV Ter pont 12 OL Vi Ve, & 49 wah GPO YEW| Ss A, ake bo Joy SL oe “7 seer): U Hg-K veTrouver limpétance ZA ajouter & ensemble (figure E-b) (pirat ait ne impedance ner male “tem ) pour que le généatear~ (Se he = | , ner (Menon, peellant le Le eovbinadtor | weed Pan Coe ee i omen UE Calter De courant dows chaque Iorcwe ov renck ah mete be fomark dete Join elt Loz Inset Ekacde, Tt ce Vib 4B On creck pase Rliovec Bz ass & Lz ORM oo fiat dus Hiquncs de JOO, Sob pogo te . Deemtnne LL implens Conplsees Zz four (Roem che ems equerces . Grenedon, WwW Un Grok pare ewes Re Rb © HO MT of obrest for res damnton Ue Sv0 Cos (.S00¢ -20*). Cakeulia te coment (Circa dona Se visits. Crnedte: TK: ok Ure, Lenrdon 12283 sin (Zoot-+ 30°) ost aay bauee & an pate pow Compoitinost dime) Jugutences BR BL ab pre Inductomer L<0,02 4. Cobo ker Le courant jy eceulant pdow bo crud Lag done Smpclanons Ly XZa de be Geena eS-dumous fod moe ar iia Dralinocdes pa tna fondton (Ye fookttt Coeur teUNIVERSITE DE LOME ANNE UNIVERSITAIRE 2018 - 2019 ECOLE NATIONALE SUPERIEURE D'INGENIEURS, -ct-omsi EXAMEN CONSTRUCTION MECANIQUE - ELEMENTS DE BASE (GEM 330) Durée. 2 heures (Aucun document auturisé) Exereice 1 : Généralices 4) Citer 2 fonctions bassurer par un puidage en rotation en phase duilisaion. b) Citer 2 solutions pour assurer I'arrét axial d'un ‘roulement. ©) Citer 3 types de roulements différens, Exercice 2 : Tolerances et Ajustements ‘On donne le détail d'un taquet de barre d'écoute ci-dessous, On s*intéresse & ajustemen! du mantage de ls piéce 2 dans le corps L 8) Expliciter la notation 220 9 e9. by Préciser tes tolerances sur la pidce 2 (cote, €ean supérieur, écart inféricur, coie Maxi, cote Mini) ©) Priviser les tolerances sur Ia pigce 1 (cote, dear supérieur, inférieur, cole Maxi, cote Miti 4) Calculer le jet: Maxi et Ie jeu Mir ©) Conclure sir fe montage 172 est serv, incertain ou avec jeu. ” = soe ea wow ” “ ” a4 Exercice3 : Caleul de coussinct 5 ire net de longueur b. La vitesse de de diamétre d ~ 20 mm est en liaison pivot par lintermédiaire d'un couss vi ration de arte Das rapport au cousin es N = 200 tri. L'arbre exre ule cousin! ut force # = 4000 N cer are plan én du cousinet Leu sree cousin et wbre eel qu'il ona res dx ites sur toute la fongueur du coussinet et sur une demie circonférence de celle-c. La durée Ue vie La (en 2000 \ coussine sere évalué par expression : Ly, = 77s oi (Dv) ext exprimée en MPa.ms". + expression de Is pression diamétrale pa. ne ason pve 3) Detemicer plus fable longoou nomalte au coussnet qu perme de else ne ason pst de drke ie supérieure & 1000 heures ; _ On done leveanet es coewelbonlie nies de mtage de ippage couse: Pu = 70 MPa, . (pp, = 3 MPamas, Calculer numériquement la pression diaméirale py. Y-a-til matage Pte grippoge ? Justifier. (04 MaRS 2019 Ia£ a Lp—CTT- GE -Semestre 4 GEL 402 : Mesures électriques Durée :2 heures “Année académique : 2020-2021 Devolr surveillé Partie A tions 8 Choix Multiple (QCM] Jeportersurla copie e numéro correspondont 6 lo bonne répanse. Aitention pluseurs bonnes répanses son: poss bles. 2) La préciston d'une mesute est évalude & partie des erreurs dues simultanément a instrument, Vopératcur ainsl qu’3 la méthode de mesure utlisée : a. Oui Non 2). Reller chaque apparel de mesure analogique dela colonne « A» du tableau ci-dessous aver le principe de fonctionnement qul lui convient dans la colonne « B » : a, Le princlpe de fonctionnement d'un apparellfercomagnétique est bast sur faction d'un champ créé par un circuit pareouru par un courant sur Une ou plusieurs —pitces «defer, «dau ot dont certaines sont mobiles. Le principe de fonctionnement est bast sur une force exercte par Apparall ferromagnétique _| armature lixe d'un condensateur sar son armature mobil Le principe de fonctionnement est basé sur un circuit fixe (principalement deux demitobines) créant un champ magnétique + 3. Appareil électcostatique | intévieur duquel se déplace un cane mobile de faible inertie monté sur deux pivats et entrainant une aigulle. | Le principe de fonctionnament est basé sur un aimant fixe en forme de U, la déviation de ‘Faigullle est proportionnelle 4, Appareil thermique ‘au courant moyen qui traverse une bobine placé a V'intérleur du champ magnétique crée part’aimant fie. Le principe de fonctionnement de ce type d'apparells est basé sur Ia diletation d'un (il conducteur qui s’échaulfe lors du passage d'un courant électrique dintensité | 1. Apparell lectradynamique 5. Appareil magnétoélectrique 3) Relier chaque caractéristique d'un insteumant de mesure queleonque dans la colonne « A » du tableau ci - dessous avec la définition qul lui convient dans la colonne « B » a |. Ensemble des valeurs du mesurande pour lesquelles un instrument de mesure est supposé fournir une mesure correcte. —_ Aptitude d'un apparell de mesure a déliveer une réponse proche Ge lz 2, Grandeur d'influence valeur vraie — Toute grandeur physique autre que la grandeur & mesurer susceptible 3. Flaelieg de perturber la mesure d. qualité d'un apparell& délivrer une mesure répétitive sans erreurs 4, Gomme de mesure [Plus petite variation de Ta valeur de la grandeur qu'un appareil peut 5. Résolution | détecter dans sagamme 4) Quelles sont Tes différentes causes ¢’erreur qui peuvent Intervenir ‘dans le résultat d'une mesure Gleetrique ? 3. Laméthode de mesure, Popérateur, Vappareil de mesure et le montage b. Les erreurs systématiques et aléatoires c. Laméthode de mesure, Fopérateur, 'apparell de mesure. 5) Pour remédier aux erreurs aléatolres lors d'une mesure, Il faut : a gue les montages sofent clair et soignés et es paramétces mis en Jeu saint len connis et mattrsés. utiliser un bon oscilloscope possédant un réglage qui permet d’éliminer la rotation du falsceau. c. effeetuer un bon régiage de 2410 stfectuer une série de mesures etcalcuer la valeur moyenne arithmétique, 6) Pour raméer aux erreurs systématiques lor une mesure, Wfaut: teffectuer un bon réglage de zéro et un bon étalonnage tL avolr une bonne appréctation dela action de divisionExercice 0° 1)- Calcul des hauteurs de barriére de potentiel 8 I'équilibre thermodynamique. La hautour de la barriere de potenticl se définit A partir de I'expression: = = Lf us St Pour le silicium, n, = 1,6 10? crv? En remplagant par les valeurs numénques, on obtient: *Casn*l}- Ny = 10 "em, Ny=10'*em? O= “3 Ln ae = 0,813V =26 10 (10°F . Cas n°2}-Np=5 10cm, Ny=2.5 10! em @= 0,879V Pour le germanium, n, = 2,5 104 cm? Casn°l) Ny = 10cm, Ny = 10cm! ®= 0,431V Cas n°2-N_=5 10 Meme! N= 2.510 emt ®= 0,496Vfor aR) te, = Fee Re Ta Re (MB) Ig, = OF Eee pRaAKe = ey 1g al Re, a BIg OR ~ Ra Te ~\ee Remo eters =p ~ Reale co Se é on + YE a\ts) _ jo@f¥, AVL f& = Ine Le, Ryz hS- PR - 69305, uLVoe \ oot Cup , Mi ie > _— 4 aofems Ade yee € Tan ot pas BorieENSI-UL __— Année acadé _— mi que : 2020- 2021 GEL 402 : Mesures électriques Durée : 2 heures Examen de synthése Exercice 1 Ona mesuré fil conducteus le calibre 40000 d'un chmmétre numérique de 4000 points Ia eur. La valeur affichée (Iue) était 475,5 0. résistance Rod’un PartieA: Sachant que la i lecture, 5 points) ptm ao 1) Calculer la valeur de I'incertitude absolue. 2) Calculer la valeur de I'incertitude relative. 3) Donner le résultat sous les deux formes. (Ry +ARg et Ro + 222) Ro Ja relation: + (2% de Partie B: La résistance varie avec la tempéi degré Celsius eta une constante. as 250 1) Déterminer la valeur de R. fe Vincertitude absolue OR. ‘incertitude relative AR/R. ature selon la relation R= Ro(1+ a2) 00 O esta température en Pour @=50°C£1°C et 2) Déterminerla valeur d 3) Déterminerla valeur det 4) Donner le résultat sous les deux formes. Exercice 2 On dispose dun de proportion ast égate a & avec s pont de Wheatstone dans |e rapport =10000 sur des décades do 0.3%. La résistance R=4328Q est donnée par Ry=1002 et Re’ 10, x1000) de précision 0.4%. association de 4 boites de décados (x1, x10, x101 4. Représ 2. Donner I'ox 3. Calculer (ARs, 4Ro, ARe, ARa). enter Je montage Mustrant celts méthode de mesure. pression at Ia valeur de Rr. 4. Délerminer AR et deduirs =. ag Ake 5, Déterminer incartitude relative @* et Vincertitude absolue ARx.eihe y Geno ly —? bk Brey ke * ops Be - Ee 207 y aE 07 +& > Lo Ye é Orb - V2. - \ ag 7 gitce) CR Fa) 2 s4=s =weer srry were rr ee Exercice n° 3- La pureté maximale permettant d’obtenir des dopages de 10" cm“! on pourra, dans le cas du Germanium, obtenir un materiau Intrinstque. Pour les deux autres, cela ne sera pas possible. Les résistivités limites que |'on pourra obtenir scront donc: Pour le Silicium ‘Type P =—_l__ ; _1_ qrijet pied ~ qNatir AN: p=1kQem'! 2 BeNa. ie Pp Pour I'Arséniure de Gallium Type P ie eth a en BaNe . G=5 P= Tae = GNate AN: p=l.56 kQem4 ‘Type N aeNn , pete lL ;—1- HeNo . Pay, P= Tieepil = qNoie AN: p=4i7Q cm! Type N re poe =-—_1L__=_]1_ HaNo . B=, P= Tanem) = GN AN: p= 73,5 Qem! Les dopages couramment utilisés en technologie étant toujours nettement supérieurs 4 cette valeur de 10 '? cm-3, i | |avon) TOD gs fap! >} pst aninqumENsp snssaeerd 2] AMO = AN -aorp,| ap aquor ap 1a apuiia,p sooueppd] a a od ay) nvswep ay enei v0u0 spoip ay and ano my MA xy, mod! aatauient ssumetes! 9p y|_ 2 co 149 y ana mapeasnty (yy “-Q) 9} 13 an tvod alingury as0 anbasapizeaRD yu! I=L ATO = AN YW OO = FI AL he san! WoO! = WA wonnoues (COs TaD esqpuss cp usu = BOLLD Wwewecen = entyuenssra.teuoponpomur — -N-TSNGt * ote ona ~ on 129, tm — di Ey Pe, - rR ton, x, Mu one — matey To. a, CU aN inUniversité de Lomé Ecole Nationale Supérieure d'ingénieurs EXAMEN DE SYNTHESE CIRCUITS ELECTRIQUES (GEL 100) ‘A. On considére la charge monophasée représentée sur la figure ci-destous, placée sous une tension sinusoidale de valeur efficace V = 230 V et de fréquence SO Hz. On donne : L= 20 mH ; Ri = 200; Ra= 100; 41) Caleuler|a valeur efficace ls du courant circulant dans ia résistance R}- 2) Caleuler la valeur effieace Ix du courant circulant dans la résistance Ra. 3) Calculer la valeur efficace | du courant absorbé par ensemble de ce circult. 14) Calculer la valeur des puissances actives P reactive Qet apparente Srelative & ce cireuit. 5) én dédulre la valeur du Facteur de pussance de cette charge. 8, Unateller monophasé est constitué de tras ensembles de machines, constituant les charges 1,2 et 3, misesen paralléle sur la méme tension sinuscidale @ SO Hz de valeur efficace V = 230 V.On récapitule dans le tableau 1 les mesures faltes sur chacune de ses charges. Tableau L ° tesa Charge 2 Charge 2 ‘Charge 3 - P1=20 kW $2 = 45 kVA $3 = 10KVAR Q1 = 15 KVAR Cosip2 = 0,6 AR Q3=-SKVAR 1) Calculer pour chaque charge ensemble des grandeurs électriques la coractéisar facteur de pulssance. On notera Courant abscrbé, puissance actives, réactives et apparente, ces grandeurs |i, Ia, ta, Pi, Pa, ete. 2) En déduire la valeur dela puissance active (0 consommées par fa charge totale. Calculer également ta puls facteur de pulssance global ans que le courant total absorbé |. ale per de la pulssance reactive totale sance apparente totale S, lep L Mqmetion Wun Unutt a Un need of loult Rerun te tom Aart, ‘ A,B ees ( 10 ets r) 4450 oN L t 7 zat Cort soool y 2) 1) Then bepramian de 3 eres Ra Youre de Cendnus Comrrant xy ad Aunek ant ee daptaroge ere dy A o. 4 On dispere dar prowiages nucvasts oF On donne wl *& =" Uz 2 2 Oniwae Leap "0 da ne dows on doin can!QT Veda re eberbark (ad Lontuons . \ wv | . ~~ ini, Ot tg we Zale ntbare Kercice “Ki Le yostence Jatoba, alissyde, ‘yee dons Le picuit parollibe de att ote ot de prov), Cetin ee ; pe Wengen oie ie Nistanct, 2 datantnes Lanes 32 KH E ae jour te agut . ct veapiv Of Ta] [ent [zum Stat 2y Bayonne vedlatel Meyidsertronk 694 Lontuans .sanbusnaivaws | 708 Ad w AuOdavy ‘{side) xn0,p un2e4> ap sonbnsyaseses say (q xna,p unDeyp ap ojquay—(e Zauuod “synesasiuuipe S499 sop uos jeqsan-sq00ud 3] 19 npuas aydwOD a “YOddeL 7] ~p {sid9) ‘axgidwios as199) aun 229499 1a sya[go sa> ap un, zassis}0uy—E (sido) ‘axey aun,p psuadsyp ang ‘pA3ja2 290 sng apLiod jews ayOU BUN JOLWE}D—L *SUNO3UCI UN e Ja}RISOd ‘suo $9p anod ojjes Bun 4Juago ‘sajjespURY xne Jalje Nod Saujewas xnap J]UDIgO ‘aHeYS un JJUIIqO + SIWEAINS sujosaq 59] Jnod syafqo saj zajnuLIa} ‘sonyens|UjWpe S@z1¥0] SOA DIUDP,p INA UZ~Z (sids) “AQ un,p soy 190 sanbyuqny anenb 29419 2 AD un sasyenye sed uo-puaia,nd -T Wz opang (S02 Vid : 9pos) sjauuoisrajoud sy203| — wowuxo,p oanaidg, o}mjoap,p ansowos (WD "AD 95) L19 suo (wossnopy) | onbrmppoae ansatineg ‘smoyuipSuy,p sinoypcng ayowomeny o}00g 1702-0207 onbuuppuoe opiny SNOT 3G SLISWAAINALP —CTT-GE-Semestre 4 Durée : 2 heures ENSI=UL___ GEL 402 : Mesures électriques 20-2021 | nde acodémique Exercice 1 Ona mesuré sur le calibre 40000 d'un ohmmeétre numérique de 4000 points la résistance Rod'un valeur affichée (luc) était 475,50. fil conducteur. L Partie A: donnée par_—ia relation: + (2%de Sachant que ia lecture, 5 points) 1) Calculer la valeur de I'incertitude absolue. 2) Calculer la valeur de lincertitude relative. 3) Donner le résultat sous les deux formes. précision est (Ro +ARy ct Rg + 4Ro) Ro Partie B: La résistance varie avec la température selon la relation R = Ro(1+ a.€) od @ est la température en degré Celsius et a une constante. Pour @=50°C#1°C et a= 250 1) Déterminer la valeur de R. 2) Déterminer la valeur de l'incertitude absolue AR. 3) Déterminer la valeur de l'incertitude relative AR/R. 4) Donner le résultat sous les deux formes. Exercice 2 On dispose d'un pont de Wheatstone dans le rapport de proportion est égale & & avec R; R1=100Q et R2=10002 sur des décades de 0.3%. La résistance R=4328Q est donnée par l'association de 4 boites de décades (x1, x10, x100, x1000) de précision 0.4%. 1. Représenter le montage illustrant cette méthode de mesure. 2. Donner l'expression et la valeur de Rx. 3. Calculer (ARs, Ro, ARe, ARs). 4. Déterminer AR et déduire 2. 6. Déterminer l'incertitude relative a et Vincartitude absolue ARs.Exercice n°1)}- On considére une jonction P-N dont les caractéristiques sont données. ci dessous. Région | Région P Determiner les curaciéristiques de la région de charge d'espace (hauteur et largeur) dans lex différents cas suivants: #1" No = 10" cm", Ny=10'* cor" #2°)-N,=5 10! cin", Ny 10 co? ‘On dtudier successivement le cas du Germanium et du Silicium. —_—— ++ . y Deduire de ces résultats les dimensions électriques des regions N ct P. v Méme question dans te cas ou kes deux régions ant des dopages identiques égaux a: N= 10! cnr? Exercice n°2)~ Qn reprend le cas de la diode correspondant a |"exercice précédent (Np = 5 10!" crv, N,a=2.5 10 cm), Recalcules les dimensions électriques des régions dans les cas suivants: «Diode au silicium polarixce par: *Une tension directe de 0.6 V “Une tension inverse de 5 V *Diode au Germanium polarisée par: *Une tension directe de 0.3. V *Une tchsion inverse de 5 Vion & Electronique 2020-2021 ENSI-UL Introd crrecEe Exnamende synthése(GEL300) Semestres Ly Sot le cures represente a la figure 11, On considére une tension secondaire effieace de 24 volts, On donne R180 Q et © 1000 wh. Caleute maximale aux hornes des diodes, la Ja tension tension L " etle tiny d’ondulation du signal), aur bv au R et les montages suivants 2 2+) Ampliticatcur Opérationnel | RE (a) NON-INVERSUR, (b) CONVERTISSEUR COURANT TENSION, (c) SOMMATEUR: INVERSUR. (d) Figure 1.1 INTEGRATEUR, (€) DERIVATEUR Exercice On donne te circuit e-contre Quel est le generateur de Thévenin (Eq, Ro) équivatent entre A et B, 2 Calculer R et Ru stchant qu © Vy 40st Vea sibs 3 Calculer alors ty si Vi - s ler alors Verreur relative —— Vs 4 On considere que R. 5 Un fait sarier Ru. Quel est te domaine de variation de cette résistance Hest assurée 7 dans lequel la régul may = 13W(R, sera negligée saul la question n°), On donne: V, =40V = 12.5%, V, = 24V et Execuice On donne Namplificateur émetteur commun uivant ; 2kO ; Re = 15000 ; On donne : E = 1SV: Var = 0.6V : Re Ri = 36KQ; Ro = 10KNet P= 150 1 Calculer le gain en tension du montage R, =9 et méme question si R, = 10 k2 2. Calculer les impedances d’entrée et de sortie de I'étagUNIVERSITE DE LOME Année académique 2020-2021 Ecole Nationale Supérieure d’Ingénieurs ‘Semestre académique 1 (Mousson) Options CTT (GC, GE, GM) ‘Semestre d'€volution 4 Epreuve d'examen — Ecrits professionnels (code : FRA 205) Durée 2h 1- Qu’entend-on par actualiser un CV ? Citez quatre rubriques obligatoires d'un CV. (Spts) 2= En vue d’écrire vos lettres administratives, formulez les objets pour les besolns suivants : ‘obtenir un stage, obtenir deux semaines pour aller aux funérallles, obtenir une salle pour des manifestations, postuler 2 un concours, réclamer une note mal portée sur votre relevé, atre dispensé d'une taxe. (6pts) 3—Choisissez l'un de ces abjets et éerivez une lettre complate. (6Pts) 4—Le rapport, le compte rendu et le procés-verbal sont des écrits administratifs. Donnez a) Le réle de chacun d’eux. b) Les earactéristiques de chacun d'eux. (3pts). RAPPORT oe Pv ROLE | CARACTERISTIQUES |UNIVERSITE DE LOME ANNEE ACADEMIQUE FACULTE DES SCIENCES 2021 - 2022 PHY 310; Electroniaue Analogique Durée; 02 Heures 5 ~“ Question de cours 1- Quelle est la charge globele d'un semi-conducteur dopé N ? a 2- Exprimez les coefficients Ty de Ia matrice de transfert en fonction de ceux de la matrice admittance. 3+ Définir : a) dopage, b) souffle électronique. | 4- Qu'est ce qui limite les densités minimum et maximum d’impuretés dans un semicondusteur. 5- Expliquer le phénoméne d'amplification dans une jonction ou diode. Ln LW On considére le quadripéle ci-contre alimenté en cournnt altematif sinusofdal. Le réseau est ferme en sortie sur une impédance complexe Zz c Z [|}u2 Ondésire que "impedance d’entrée du réseau soit égale AZ. w 1- Déterminer la condition sur Z pour que notre désir soit realisé. 2- En déduire que Z est réel ou imaginaire pur suivant que 1a pulsation w est inférieure ou supéricure & une pulsation limite «op que l'on déterminera. 3. Déterminer le fonction de transfert HGw) de ce quadcipdle. Exercice 2 1+ La concentration inns d'un semi-conducteur varie en fonction de Ia température suivant : n? = A.Texp(— 72) avec 4300 K ni=2,5.10" cm, Eg = 0,67 eV pour le Ge et nj = 1,5.10'° em, Eg = 1,1 pour le Si. (Quel est le pourcentage de variation de my (i 300 K) pour une élévation de ter smpérature de un (1) degré 2 2 Soit un cristal de silicium 4 T=300 K. Le niveau de f it ie conduction, Calculer ac iveau fermi est situé a 0,25 eV au-dessous de la centration a I’équilibre en électrons Données : Eg(Si) =1,12 eV, Ne=2,8.10!9 m3, enn cm? sentrous 3+ Soit un semiconducteur au silicium dopé avec de lindi i ". Le ni seinico ium de concentration 1079 cm. Le niveau 7 fermi est situé & 0,87 eV en dessous de la bande de conduction. Si "énergie d’ionisation des pants est de 0.05 eV et que Eg(Si) = 1,12 eV et Vi=26 mV: 8) Déterminer la densité des dopants non ionisés & T= 150 K. ) Déterminer la densité des dopants non ionisés &T = 250 K.Resistivité, conductivité (Exercices). Exgrcice a° J+ En considérant une erreur maximale admissible de 1% , déterminer & partir de quel dopage on peut considérer que, dans le calcul de la résistivité, seul les porteurs majontuires interviennent. Application numénque au cas du Germanium, Silicium et Arséniure de gallium. On donne: Germanium D jin = 4500 om'/Vin bp = 2000 cmV.6 Sihcium D> un = 1500 cms up = 600 cm'/V.s Arséniure de Gallium D> pn = 7500 cm/V.s Mp = 300 cnr/V.x Exercice 8° 2- Calculer la résistivité maximale de ces trois malériaux. Comparer cette valeur avec 1a résistivité intrinsdque . Conclusion.0 Exercice o° 3. La purcié maximale possible avec les technologies actuelles Gant de 10 em, calculer les conductivilés corres pondantes pour les trois corps étudi¢s précédemment Exercke n° 4 On dope un barreau de silicium avec du phosphore. Donner le type et la valeur du dopage pour obtenir un matériau de résistivité p =0.6 Diem. Quelle est a masse de phosphore névessaire pour doper un lingot de 40cm de long et de 15 cm de diumétre. Sachumt que fon peut garantir la pesée du phesphore au 1/]008me de mulligramme, quelle est erreur maximale commise sur le dopage? Exercise n° 5: A partr du sem-conducteur précédent, on souhaite obtenir un malénau de type oppose. Quel dopant va-t-oo utiliser et quelle est la concentration et le poids ndcessaice permettant d'obtcair un matériau de résistivité égale a 2 Qem Exercice a° 6 Calculer le rapport du courant d’'électrons ef de tous correspondasit au malériau de Mexercice n° 4. Conclunion. Exercice newnEirwee [- On considére un barreau de sificium de 2 cm de long et 0.1 cm? de section . Le silicium est de type N (N, 10 Sem") On iene cle oe heerrenes rine tendon dhe UF Unite at nin meetin ten coterant de TM md Palenber In mebilied rlee dlactronsExereice n° 1- En considérant une erreur maximale admissible de 1% , déterminer & partir de quel dopuge on peut considérer que, dans |e calcu! de la résistivité, seul les porteurs majoritaires imerviennent. Application numérique au cas du Germanium, Silicium et Arséniure de gallium.On donne: Germanium D> pn =4500cm7Vs Bp = 2000 cm/V.s Silicium D> pn = 1500 cms Arséniure de Gallium > jin = 7500 cm/V's Excmicen? 2: Calculer la résistivité maximale de ces trois matériaux. Comparer cette valeur avec la résistivité intrinstque . Conclusion.0 Exersice n° 3- [a pureté maximale possible avec les technologies actuelles étant de 10" cm ~, calculer les conductivités correspondantes pour les trois corps én précédemment. ce.n! 4. On dope un barreatt de silicium avec du phosphore, Donner le type et la valeur du dopage pour obtenir un materia de résisti vilé p =0,6 Quem. Quelle est la masse de phosphore nécessaire pour doper un lingot de 40cm de long et de 15 cm de diamétre. Sachant que |'on peut garantir la pesée du phosphore au 1/1002me de milligramme. quelle est Merreur maximale commise sur le dopage? Exereice n° 5- A partir du semi-conducteur préeédent. on souhaite obtenir un matériau de type opposé. Quel dopant va-t-an utiliser et quelle est la concentration et le poids nécessaire permettant d’obtenir un matérian de résistivité gale 4 2.Qcm. Exervice n° 6- Calculer fe rapport du courant d’électrons et de trous correspondant au matériau de V'exercice n° 4. Conclusion, ‘Exemice n? 7- On considére un burrcau de silicium de 2 em de long ct 0,1 cm? de section . Le silicium est de type N (Ny =5 10 © em), On applique aux bornes de ce barreau unc tension de 12 Volts ct on mesure un courant dc 720 mA. Calculer la mobilité des électrons.— lune tension efficace U= 200V. Elle consomme 'W. La fréquence est f= SOHz, I"intensité efficace 80A. 1) Sachant que cetic installation est ype inductif, calculer la résisiance R et I"inductance propre L qui, placées en sésie avec Ia méme slimentation, seraient équivalentes Vinstallation. 7) Cala capacié C & plier ea pai wr Maslin pour rlever le fucur de puissance dla valeur 0,9.ENSLUL Introduction 4 l'Electronique 2020-2021 crrce Examen deaynthéac(GEL 300) Semostre# Exereice n°J Soit fe eieuit represente la igure } 1 On considte aie tension secondarre efficace de 24 volts, Qn denne R= 100.2 et C = 1000 jh Calculer la tension inverse maximate aux bores des diades, la teusiom moyenne aux bomes de R et le taux d’ondulanon du signal tilt. Figure 1.1 Exercice n°2 (On dorme le cireuit ci-contre, Ve, R= 100.2. Ve = VFS La diode est caractérisée par Uz = 7V si ly = 100 mA et Uz = 6.2V si = S mA . Grencoce + Un caeuit Jodo oc @heule im como Joc India urt tonpete Bes GRimest Ry Lek C (Ws Bre coedonmes), Codesdun Da Sandon . te n mee é& - : . pn . “ @ i fey a Mh RO TD oak \ BE, - Fa » cS t } ; wee ee ge Plt T "4 7Université de Lomé UEGEM215 EXERCICE 1 : FLEXION +: Schéma de travall (DEFORMATIONS) PONT ROULANT | 5340 $340 z : \ Sone lp OA STS oe [3] i pease te. fies tee BP > Yusgpe tse Le pont rouiant de la figure 1 se compose d'une poutte principale 2 et d'un palan motorisé 4. Vensemble se déplace en translation sur deux rails paralléles 3 4 l'aide de motoréducteur 2. Soit 4 étudler la déformation en flexion de la poutre principale 1. Celle-ci est réalisée 8 partir 'un IPE 450 (h ‘= 450 mm, b=190 mm, Iz = 33740 em* et Iz/v = 1500 cm?) La longueur de la poutre est 10.68 m et son poids est de 77,6 dav. On se place dans le cas du chargement le plus défavorable. Le matériau de le poutre aun madule d'Young E = 20 000 daN mm”, Liétude de la poutre se raméne au schéma de Is figure 4. Pour cette étude le poids propre de la poutre rest pas pris en compte et Ia charge P = 5000 daN est appliquée au milieu de la poutre. 1 Déterminer les actions aux appuls RA et RB par la méthode graphique qui sera confirmée par la méthode analytique. 2+ Tracer allure du diagramme des efforts tranchants et des moments fléchissant, 3+ Rappel Me - E.L. y”, Déterminer la fléche maxi y et sa position le long de la poutre. EXERCICE 2~ Torsion : (10 pts) Un moteur électrique d’une puissance de 10 KW tourne a la vitesse de 750 tr/mn. Son arbre est en acier XC 32 de limite élastique égale & 320 N/mm?. Déterminer son diamatre dans les cas suivant: 1) arbre du moteur est court ; on peut donc le considérer comme sallicité uniquement & Ia torsion. 2}. Site métal devalt eésister &un effort de traction permanent et constant, on pourralt adopter une résistance pratique: Ry = 160N/mm? ans os mémes conditions de sécurité : Rpg =p: 2 = BON/mm?, Pour tenir compte du démarrage brusave, de effet c'inertie correspondant, des accidents de forme (rainure de clavette du manchon raccouslement par exemple), nous prendrons la moité de cette valeur: Rpg = 40N/me? GRIT UL ~Sujetpropost par Dr AFIO pour Notion de ROM -$4-UI CTF Génie MiENSILP CTT S4 ANNEE UNIVERSITAIRE 2020-2021 Epreuve: ANGLAIS Durte: 2h ENS: Mr. SOWAH SYNTHESE DE OCTOBRE ‘EXT: MEASUREMENT A simple dictionary definition of the verb ‘to measure” is: find the size, quantity, volume, degree, weight, ec. of something by means ofa standard or unit. fn all branches of enginesring, measurement lays a vital role since the design, manufacture and use of any product cannot be considered without reference to this concept. tts for this reason that the majority of texts on engineering contain tables, charts ists or appendixes which provide the student with accepted standards and units of measurement We eve al familiar with the symbols C and F for scales of temperature, but three is also K (Kelvin), which is the fraction (1/273.16) of the thermodynamic temperature of te triple part of watcr, Of course it may not always be necessary to understand the precise definition itself, vided one can understand the significance of the term cr figure in relation to the digram, coer orealeulation involved. Each branch of engineering, naturally, tends tobe more concemed with some particular forms of measurement than with others, Look fer example at Table | bellow, taken from a text for chemical engineers and which showe conversion factors. Then compare it with Table 2 which gives US customary units and their SI equivalenis ond comes from a text on sanitation engineering, Al frst glance, it may seam difficult, or even impossble, to find any conection between the «wo, However, if we reek more closely, we will see that much ofthe information shown deals with the same things rans afferent approach, Cleary, students n ether ofthe engineering branches for which aac were waiten would have lite dificlty n using the figures and symbols relating ro their own specialization, ST is the abbreviation for System Iaiern dz. $1 is based on seven basic units, ‘each of which is defined with great ac all other basic units are derived. ‘ unit for its measurement. Thus, & Under the system, cach physical ist length is only measured in meters, |! ef with a basic unit is very small, or . Conversion tables are necessury then a prefix can b: sethe USA and Britsicy which is different from thot used of the world. ensures! there is a wide range of devices and = iments W! cely length, pressure, time and so on. The iMlustrati _chantes, with its instructions for aligning and e | such device and somte of the language and figures QUESTIONS: (5 ae 1=, What is measurement? ; 2. What is the principle on which SI is based”? 3, Why is measurement so important in engineering? + Dngineers need 10 know about al the diferent forms of measurement? $. How many types of temperature measurement are given in the text?Université de Lomé Ecole Nationale Supérieure d’Ingénieurs EXAMEN DE SYNTHESE CIRCUITS ELECTRIQUES (GEL 100) A. On considére la charge monophasée représentée sur la figure ci-dessous, placée sous une tension sinusoidale de valeur efficace V= 230 V et de fréquence 50 Hz. v G) Ry Ry On donne : L=20 mH ; Ri = 200; R= 100; 1) Calculer la valeur efficace |; du courant circulant dans la résistance R1. 2). Calculer la valeur efficace | du courant circulant dans la résistance R2. 3) Calculer la valeur efficace | du courant absorbé par l'ensemble de ce circuit. 4) Calculer la valeur des puissances actives P, réactive Q et apparente S relative & ce circuit. 5) En déduire la valeur du facteur de puissance de cette charge. B. Un atelier monophasé est constitué de trois ensembles de machines, constituant les charges 1,2 et 3, mises en paralléle sur la méme tension sinusoidale 8 50 Hz de valeur efficace V = 230 V. On récapitule dans le tableau 1 les mesures faites sur chacune de ses charges. Tableau 1 Charge 1 Charge 2 Charge 3 P1=20kW S2=45 kVA S3= 10 KVAR Qi = 15 KVAR Casw2 =0,6 AR Q3=-5kVAR 1) Calculer pour chaque charge l'ensemble des grandeurs électriques la caractérisant : Courant absorbé, pulssance actives, réactives et apparente, facteur de puissance. On notera ces grandeurs ly, lz, Is, Pr, P2, etc. 2) En déduire fa valeur de la pulssance active totale P et de la puissance réactive totale Q consommées par la charge totale. Calculer également la pulssance apparente totale S,le facteur de puissance global ainsi que le courant total absorbé |,Calcul de La largeur de la barnére de petentiel ‘La largeur, a l'équilibre thermodynamique, s‘exprime par La relation: é 2 Dans cette relation, le terme N* correspond au dapage effectif. Il s’écrit: att (On pourra remarquer que. lorsque les deux dopages sont trés différents, c'est le plus faible des deux qui conditionne la dimension de a charge d'espace. Pour le silicium, n; = 1,6 10" cmv? En remplagant par les valeurs numériques, on obtient: Cas n?1} N,=10 "em, N,=10'%em BN =N, . — ir? = Peo = er Te 0813 = 0318 om Np=3 10cm, N,=2.5 10 “cnr } N*=N, =a 21" B= [26 = [rarenasige 0879 = 020m La répartition des extensions de charge d'espace dans les régions se fait en raison inverse des dopages. Se he tthe Swit: & =o be ot & ao Ne ~ Na” NutNa~ NotNa NatNa ~ Ns No (Comme nous avons considéré gue N* = N,. toute la charge d'expace sera dans la région P. On aura donc: Wy = Xy et Wp = Xp — SD Cas n° 1) Xp= 2.5 — 0,918 = 2,182 pm: cas n°2} Xp = 2.5 — 0,209 = 2.291 pm.ayaENSI-UL. Introduction & Electronique 2020-2021 crrGe Examendesynthése(GEL 300) Semestre 4 Exercice nd Soit le eneuit wepresenté a lis figure 11. On considére une tension secondaire efficace de 24 volts. On donnie R = 100 Q et C = 1000 pF. Calculerla tension inverse maximate aux bomes des diodes, la tension moyenne eux bornes de R et le (aux d’ondulation du signal file, (On donne le cireult cicontte, Ve, R= 100.2. ,e= 12 Ls diode est caractérisée par U2 = 7V si l2= 100 mA et Uz = 6.2V si le = 20 mA, Sa caractéristique est linéaire pour SmA op sonbpsupreres say (q ‘xnapunseypapajqia] fe ZaUUOY ‘syeNs|URUpE S11I99 Sap OS jeqISA-SA20Nd a 19 NpuaA aydwOd aj ‘Yodde: 3) —» (sida) “eagidusoa aio] aun zonu29 9 sta[go sa9 ap un, z—ss1s10u) — € (5149) ‘axe aun,p asuadsip ng “pnaj21 270A Jns apUOd Jew a}OU BUN JaWe}>QU ‘sINoIUOD UN e JaInIsod "suoeIsa}UEW 32p snod ayes aun sjuaigo ‘sajjjespuny xne sajje anod saujewas xnap J)UDIqO 'aBeXs Un JjusIge 7 sueains sujosaq sa} anod syafqo say zaynuuioy ‘Sonnresisqujwpe S011] $04 D4L39,p ona Ua —Z (sads) “09 un,p saxjoresyqo sanbuqny anenb zay1D 2 AD Un sas}jeniae sed uo-puaiua,AD + T ye oan (S02 Wis + epos) sjouuozssajoud m9 — vowmxo,p oanioudey WORN[OAG,p ansawos OND ‘3D ‘09) LID suopdo (wossnoy) | enbrupproe ansating sunayup8uy,p sunoypcng 2feuoltEN o]ooy 1202-0207 onbymppaoe opuuy ‘WOT 2d SLUSYaAINAan=o © “we ~ ele Re lyn °F ; l Ree ) Re te Relea -O)? f = luge Re, = met ‘, = nara \le ‘Eco z RiIwaPle © ) : 6 = WOR ABA RIM, ! ota, l ‘ ley = ts = TR Tet 16 Se, ' - Oy t RE, (4s B) ts) = iQg%8, 72 (OR) 48K) Ty, = Fee Ra Sk Tg \ | Re Te Re, (14 B)Ig, = OFF ef] et Are RANKL = Ty & = nS TR. = 67305, YUU? 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