TP 4 Realisation Modulation FM À BJT

Systèmes Electroniques des Télécommunications (TP de Transmission analogique)
TP N°4 : Utilisation du transistor B.J.T à réactance

Pour la production d’onde radio (FM)
Le montage représenté ci-après peut être utilisé pour simuler entre le point A et B une
capacité variable commandée par une tension continue ou sinusoïdale de basse fréquence (BF)
voir figure 1.
A
Vcc
i
R0 Z1 I2 A
CL i1
BF Q1 C=f(t)
U 2N2222
Z2
B
U1
Figure 1 : capacité variable à base du transistor à réactance

On donne :
1
ib ≈ 0 ; Z1 = Zc = 𝑗𝐶Ω ; Z2 = R ≪ Ro.
CL(2)
R0(1)
Combiné à un oscillateur, il permet de réaliser une modulation de fréquence.

En effet, le transistor à réactance est connecté aux bornes de la bobine de l’oscillateur.
Ainsi, aux bornes de cette bobine, il apparaît une capacité CAB = C(1+gmR) qui dépend de la
transconductance du transistor. Ainsi si cette transconductance varie en fonction de la BF, on
aura une capacité variable en fonction du temps. En appliquant la BF au niveau de la base du
ℎ21 𝑘𝑇
transistor B.J.T, on obtient bien le résultat recherché car gm = ℎ11 et h11 = 𝑞𝐼𝑏. La variation du
courant de base 𝐼𝑏 entraîne celle de gm et donc de CAB.

CAB peut donc s’écrire CAB(t) = C(t) = C0 + ∆C*Cos(ωmt)
1) Préparation :
Les fonctions de l’électronique des télécommunications étudiées dans ce TP sont au nombre de
trois (3). A savoir :
• Le transistor à contre réaction utilisé comme diode varicap polarisé en inverse,
• L’oscillateur Colpitts servant à produire le signal haute fréquence de la porteuse,
• L’émetteur d’onde modulée en fréquence (FM), Il convient donc de faire une étude
théorique préalable de ces fonctions avant d’aborder la séance pratique.
1
2) Manipulation :
La modulation de fréquence (FM) est une technique de modulation consistant à
transmettre un signal par la variation de la fréquence d'un signal de grande portée (porteuse).
Si on considère la porteuse C(t) de fonction C(t) = Bcos(Ωt + φ(t)) avec Ω = Ωo = 2ΠFo
tel que Fo est la fréquence de la HF et B son amplitude puis la modulante m(t) de
fonction m(t)= ACos(ωmt) tel que fm est la fréquence de la BF et A son amplitude, on a :
OMF = Bcos(Ωt + β𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑚𝑡)) tel que β est l’indice de modulation.
2.1) Etude de l’oscillateur Colpitts pour la production d’une onde HF
Schémas structurels de l’oscillateur Colpitts est le suivant :

Vcc Vcc
Rc C2
R1
Vs
Q1
C4
L1(inductance)
C1
R2
RE C5
GND GND
Figure 2 : Oscillateur Colpitts
On prend R1 = 10KΩ ; R2= 100KΩ ; RC = 1KΩ ; RE = 100Ω ; C1 = 33pF ; C2 = 1nF ;

C4= 15pF ; C5 = 15pF ; Vcc = 15V ; L1=0,68uH.
2.2.1) Câbler le schéma de l’oscillateur Colpitts (figure 2).

2.2.2) Visualiser et relever le signal V s en sortie. Préciser l’amplitude et la fréquence
sur le relevé.
2.2.3) Justifier les légères variations de fréquences constatées s’il y en a. Dans ce cas
proposer une solution pour la stabiliser.
2.2.4) Mesurer la résistance de sortie Rs et la tension à vide Vs0 du montage, déduire
la charge nécessaire pour le transfert du maximum de puissance.
2.2.5) Calculer la puissance transmise pour une charge de 70Ω.
2.2.6) Pourquoi est-il nécessaire de réaliser ce dispositif.
2
2.3) Etude l’émetteur FM à transistor BJT à réaction

Schémas structurels de l’émetteur FM à étudier :
Figure 3 : l’émetteur FM faible puissance à transistor BJT à réaction
On prend R1 = 10KΩ ; R2= 100KΩ ; RC = 1KΩ ; RE = 100Ω ; C1 = 1nF ; C2 = 1nF ;

C4= 15pF ; C4’= 33pF ; C5 = 15pF ; Vcc = 15V ; L1=0,68uH.
2.3.1) Câbler le schéma de l’émetteur faible puissance (figure 3).

2.3.2) Régler le signal BF (ABF = 0,2V ; FBF = 2KHz). Visualiser et relever le signal
Vs en sortie. Préciser les amplitudes et les fréquences sur le relevé.
2.3.3) Représenter le spectre du signal. Préciser les amplitudes et les fréquences sur le
relevé.
2.3.4) Déterminez l’indice de modulation β de l’onde FM produite.
2.3.5) Calculer la puissance transmise pour une charge de 70Ω.
2.3.6) Pour la puissance calculée, déduire la portée du signal.
2.3.7) Identifier les composants de la capacité variable à base du transistor à réactance
dans le montage de la figure 3 tout en justifiant son branchement dans
l’oscillateur Colpitts.

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TP N°4 : Utilisation du transistor B.J.T à réactance

Figure 1 : capacité variable à base du transistor à réactance

Combiné à un oscillateur, il permet de réaliser une modulation de fréquence.

courant de base 𝐼𝑏 entraîne celle de gm et donc de CAB.

OMF = Bcos(Ωt + β𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑚𝑡)) tel que β est l’indice de modulation.

2.1) Etude de l’oscillateur Colpitts pour la production d’une onde HF

Schémas structurels de l’oscillateur Colpitts est le suivant :

Figure 2 : Oscillateur Colpitts

On prend R1 = 10KΩ ; R2= 100KΩ ; RC = 1KΩ ; RE = 100Ω ; C1 = 33pF ; C2 = 1nF ;

2.2.1) Câbler le schéma de l’oscillateur Colpitts (figure 2).

2.3) Etude l’émetteur FM à transistor BJT à réaction

Figure 3 : l’émetteur FM faible puissance à transistor BJT à réaction

On prend R1 = 10KΩ ; R2= 100KΩ ; RC = 1KΩ ; RE = 100Ω ; C1 = 1nF ; C2 = 1nF ;

2.3.1) Câbler le schéma de l’émetteur faible puissance (figure 3).

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