Chapitre 3

Les diodes

Sommaire
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . . . . . . . . . 53
3.2.2 Semi-conducteurs extrinsèques . . . . . . . . . . . . . 53
3.3 La jonction P N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.3.1 Polarisation directe de la jonction P N . . . . . . . . . 56
3.3.2 Polarisation inverse de la jonction P N . . . . . . . . . 57
3.4 Diode à jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.4.1 Dénition et symbole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.4.2 Caractéristique d'une diode . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.4.3 Modèles électriques linéaires de la diode . . . . . . . . 59
3.5 Applications des diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.1 Redresseur simple alternance . . . . . . . . . . . . . . 67
3.5.2 Redresseur double alternance . . . . . . . . . . . . . . 70
3.6 Diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.6.1 Dénition et symbole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.6.2 Caractéristique d'une diode Zener . . . . . . . . . . . . 73
3.6.3 Modèle équivalent de la diode Zener . . . . . . . . . . 74
3.6.4 Stabilisation de tension par diode Zener . . . . . . . . 74
3.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
52 Chapitre 3. Les diodes

3.1 Introduction
Pour comprendre comment les diodes, transistors et circuits in-
tégrés fonctionnent, il faut d'abord étudier les semi-conducteurs :
matériaux qui ne sont ni conducteurs, ni isolants. Ils contiennent
des électrons libres mais aussi des trous, ce qui les rend particuliers.
On débute ce chapitre par des généralités sur les semi-
conducteurs. Ensuite, on présente la diode à jonction ainsi que ses
caractéristiques, sa modélisation et ses applications. Enn, on étu-
die la diode Zener et son utilisation dans les circuits de stabilisation
de tension.

3.2 Les semi-conducteurs

Un semi-conducteur est souvent connu comme étant un maté-
riau dont la conductivité et la résistivité dépendent de la tempéra-
ture :
 Si la température T croît, la conductivité δ croît et la résis-
tivité décroît.
 Si la température T décroît, la conductivité δ décroît et la
résistivité croît.
Donc les semi-conducteurs sont également des isolants pour les
basses températures et des conducteurs pour les hautes tempéra-
tures.
Les semi-conducteurs les plus utilisés sont le silicium et le germa-
nium qui sont des éléments tetravalents qui appartiennent à la qua-
trième colonne de la classication périodique des éléments. Leurs
atomes comportent quatre électrons (de valence) sur la couche pé-
riphérique (couche de valence). Leur structure est identique à celle
du diamant ( gure 3.1(a) ).
Chaque atome est attaché à quatre voisins mis aux pics d'un
tétraèdre par une liaison covalente. La gure 3.1(b)) représente la
reproduction de la structure sur un plan.
3.2. Les semi-conducteurs 53

((a)) Structure cubique. ((b)) Structure sur un plan.

Figure 3.1: Structure d'un semi-conducteur.

3.2.1 Semi-conducteurs intrinsèques

Lorsque le corps est parfaitement pur, il est qualié d'intrin-
sèque. Exemples : Silicium (Si), Germanium (Ge), Sélénium (Se).
A la température "0◦ K" toutes les liaisons covalentes sont main-
tenues. C'est un bon isolant : pas d'électrons libres. Lorsque la tem-
pérature du cristal augmente, certains électrons de valence quittent
leurs places, certaines liaisons covalentes sont interrompues. On dit
qu'il y a rupture de la liaison covalente et par conséquent :
- Libération de certains électrons qui vont se déplacer librement
d'où la conduction du courant électrique.
- On obtient une liaison rompue (un ion Si+ ) qui entraîner la
naissance d'une paire de charge : électron libre (charge négative)
et trou (charge positive).

3.2.2 Semi-conducteurs extrinsèques

Ce sont des semi-conducteurs intrinsèques dans lesquels on
a introduit des atomes étrangers qu'on appelle "impuretés" ce
qui va modier complètement leurs caractéristiques électriques.
Cette opération d'injection d'impureté s'appelle dopage d'un
semi-conducteur. De cette opération résulte deux types de semi-
conducteurs extrinsèques.
54 Chapitre 3. Les diodes

3.2.2.1 Semi-conducteurs extrinsèques de type N

On fait pénétrer dans le réseau cristallin du semi-conducteur
des atomes étrangers pentavalents tels que : Antimoines, Phos-
phore, Arsenic (qui contiennent chacun cinq électrons de valence).
Parmi ces cinq électrons, quatre vont être mis en commun avec les
électrons des atomes voisins pour assurer les liaisons de valence. Le
cinquième resté libre, peut se déplacer et participer à la conduction.
On dit que les impuretés utilisés sont des donneurs (d'électrons).
Dans ce cas les électrons sont des porteurs majoritaires alors que
les trous sont des porteurs minoritaires, le semi-conducteur extrin-
sèque est dit de type N .

Figure 3.2: Dopage par atome donneur.

3.2.2.2 Semi-conducteurs extrinsèques de type P

Dans ce cas, les atomes d'impureté sont des accepteurs (Bore,
Aluminium, Gallium, Indium). Ils ont seulement trois électrons sur
la couche de valence. Pour assurer les liaisons entre atomes voisins,
quatre électrons sont nécessaires alors que l'atome du dopage ne
porte que trois, il y a donc un trou disponible susceptible de re-
cevoir un électron. Un électron d'un atome voisin peut occuper ce
trou. L'atome du dopage devient un ion négatif xe. L'atome voisin
aura un trou et une charge positive excédentaires. Les trous sont
3.3. La jonction P N 55

donc beaucoup plus nombreux que les électrons, Ils constituent les
porteurs majoritaires et le semi-conducteur est de type P .

Figure 3.3: Dopage par atome accepteur.

3.3 La jonction P N
Une jonction est dénie comme étant l'assemblage de deux par-
ties de semi-conducteurs N et P ayant une frontière commune
appelé plan de jonction. En réalité, on ne colle pas deux semi-
conducteurs N et P , mais on diuse dans une plaque de silicium
dopée N une zone dopée P . Les électrons majoritaires au coté N
vont diuser vers le coté P et les trous majoritaires au côté P vont
diuser vers le côté N . Les électrons passés au coté P vont se re-
combiner avec les trous abondants de ce côté, et les trous passés
au côté N vont se recombiner avec les électrons abondants de ce
coté. Il se crée alors une région sans porteurs où il n'y a plus que
des ions positifs du coté N et des ions négatifs du coté P . Cette
région dite, zone de charge, d'espace ou zone dépeuplée n'est plus
neutre électriquement. Il se crée alors un champ électrique interne.
Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et
arrête la diusion (gure 3.4).
56 Chapitre 3. Les diodes

Entre les deux parties P et N apparaît alors une diérence de

potentiel (d.d.p) appelée aussi barrière de potentiel de l'ordre de
0, 7V pour le Silicium et 0, 3V pour le Germanium.

Figure 3.4: Jonction PN.

3.3.1 Polarisation directe de la jonction P N

Lorsqu'une tension positive est appliquée entre la partie P et la
partie N (VP N > 0), la jonction P N est polarisée en direct (gure
3.5). Le champs externe Eext créé par ce générateur au sein de la
jonction s'oppose au champ interne Ei . Tant que la tension VP N du
générateur reste inférieure à un certain seuil, Eext reste inférieur
à Ei , et les porteur ne peuvent toujours pas traverser la jonction
donc, il n'y a pas de courant.
Si la tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext
devient supérieur à Ei , le champ résultant dans la jonction est
maintenant orienté de P vers N et va donc favoriser la diusion
des électrons de N vers P et des trous de P vers N . Il se crée alors
un courant électrique important de P vers N au sein de la jonction
(de N vers P dans le circuit extérieur).
3.3. La jonction P N 57

Figure 3.5: Polarisation directe de la jonction P N .

3.3.2 Polarisation inverse de la jonction P N

Lorsqu'une tension négative est appliquée entre la partie P et

la partie N (VP N ≤ 0), la jonction P N est polarisée en inverse
(gure 3.6). L'action du champ Eext créé par le générateur externe
s'ajoute à celle de champ interne Ei , les porteurs majoritaires, sont
repoussés encore un peu plus loin de la jonction ce qui augmente
la largeur de la zone dépeuplée.
Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit
qu'elle est bloquée. Le seul courant qui arrive à passer est celui créé
par les porteurs minoritaires dont la diusion est encouragée par le
champ. Ce courant reste cependant très faible, si bien qu'on peut
considérer qu'une jonction P N polarisée en inverse correspond à
une résistance très élevée ou même à un circuit ouvert.

Figure 3.6: Polarisation inverse de la jonction P N .

58 Chapitre 3. Les diodes

3.4 Diode à jonction

3.4.1 Dénition et symbole
La diode est un composant électronique obtenu en recouvrant
une jonction P N par une couche protectrice en plastique an d'en
faciliter la manipulation. Elle est constituée de deux électrodes :
l'Anode (A) et la Cathode (K ).

Figure 3.7: Représentation symbolique de la diode.

3.4.2 Caractéristique d'une diode

La caractéristique courant-tension (I −V ) de la diode est donnée
par la relation exponentielle suivante :
V
ID = Is (e nVT − 1) (3.1)
Avec
ID : Courant de la diode.
Is : Courant de saturation de la diode.
n : Coecient d'idéalité de la diode (1 6 n 6 2).
VT : Tension thermique, VT = KT q .
K : Constante de Boltzmann, K = 1.38 × 10−23 J.K −1 .
T : Température.
q : Charge de l'électron, q = 1.60219 × 10−19 C
 En polarisation inverse (VAK ≤ 0), le courant qui parcours
la diode de la cathode vers l'anode est négligeable (ID ' 0).
 En polarisation directe (VAK > Vd ), le courant croît rapide-
ment avec la tension comme montré dans la gure 3.8.
3.4. Diode à jonction 59

Figure 3.8: Caractéristique I − V d'une diode.

Vd : Tension de seuil de la diode.

rd : Résistance dynamique de la diode. Elle est donnée par :

VD
rd = (3.2)
ID
L'analyse d'un circuit électrique comportant des diodes est dif-
cile, parce que le système d'équations décrivant le circuit est non
linéaire.

3.4.3 Modèles électriques linéaires de la diode

Pour faciliter l'analyse d'un circuit contenant une diode (circuit
non linéaire) on remplace celle-ci par des modèles linéaires.

3.4.3.1 Modèle idéal (première approximation)

Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne
de la diode. Il s'agit d'un interrupteur fermé en polarisation directe
(VAK > 0) et ouvert en polarisation inverse (VAK ≤ 0). La gure
3.9 montre ce modèle idéal.
60 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.9: Modèle d'une diode idéale (première approximation).

Exemple
Soit le montage de la gure 3.10.
-Déterminer le courant I en utilisant le modèle idéal de la diode.

Figure 3.10: Exemple d'application d'une diode idéale.

solution
On débranche la diode et on détermine la tension VAK . La gure
3.11 représente le schéma équivalent lorsque la diode est débran-
chée.

Figure 3.11: Schéma pour déterminer VAK .

3.4. Diode à jonction 61

On peut appliquer la loi des mailles :

E − VAK − RI = 0

Le courant I = 0 donc :

VAK = E

On distingue deux cas :

 E ≤ 0 ⇒ VAK ≤ 0 ⇒ La diode est bloquée. On remplace la
diode par un interrupteur ouvert, donc le courant est nul.
 E > 0 ⇒ VAK > 0 ⇒ La diode est passante. On remplace
la diode par un interrupteur fermé comme illustrer dans la
gure 3.12.

Figure 3.12: Schéma pour déterminer le courant I .

Donc le courant I est donné par :

E
I=
R

3.4.3.2 Modèle diode parfaite (deuxième approximation)

On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir
compte du seuil de la diode. Dans ce modèle, on remplace la diode
par une source de tension Vd lorsque VAK > Vd (Vd = 0, 7V pour
le Silicium et 0, 3V pour le Germanium) , et par un interrupteur
ouvert pour VAK 6 Vd . Ce modèle est représenté par la gure 3.13.
62 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.13: Modèle d'une diode parfaite (deuxième approximation).

Exemple
Soit le montage de la gure 3.14.
- Déterminer le courant I en utilisant la deuxième approxima-
tion de la diode.

Figure 3.14: Exemple d'application d'une diode parfaite.

solution
On débranche la diode et on détermine la tension anode-cathode
VAK . la gure 3.15 représente le schéma équivalent lorsque la diode
est débranchée.

Figure 3.15: Circuit équivalent lorsque la diode est débranchée.

3.4. Diode à jonction 63

En utilisant le théorème de Millmann, on obtient :

E1 E2
R1 − R2
VAK = 1 1
R1 + R2

R2 E1 − R1 E2
VAK =
R1 + R2
On distingue deux cas :
 Premier cas : VAK 6 Vd
R2 E1 − R1 E2
VAK 6 Vd ⇒ 6 Vd
R1 + R2
⇒ La diode est bloquée. On la remplace par un interrupteur
ouvert (gure 3.16).

Figure 3.16: Circuit équivalent diode bloquée.

On applique la loi des mailles :

E1 − i(R1 + R2 ) − E2 = 0

E1 − E2
i=
R1 + R2
 Deuxième cas : VAK > Vd
R2 E1 − R1 E2
VAK > Vd ⇒ > Vd
R1 + R2
⇒ La diode est passante. On la remplace par une source de
tension Vd (gure 3.17).
64 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.17: Circuit équivalent diode passante.

On applique la loi des mailles sur la maille (1), on obtient :

E1 − Vd
i=
R1

3.4.3.3 Modèle diode réelle (troisième approximation)

Dans ce modèle, la résistance dynamique rd est incluse dans le
modèle équivalent. Donc on remplace la diode par une source de
tension Vd en série avec sa résistance dynamique rd lorsque VAK >
Vd , et par un interrupteur ouvert pour VAK 6 Vd .
La gure 3.18 montre ce modèle.

Figure 3.18: Modèle d'une diode réelle (troisième approximation).

Exemple
soit le montage de la gure 3.19.
- Déterminer la tension V en utilisant la troisième approxima-
tion de la diode.
3.4. Diode à jonction 65

Figure 3.19: Exemple d'application d'une diode réelle.

solution
On débranche la diode et on détermine la tension VAK (gure
3.20)

Figure 3.20: Circuit pour déterminer VAK .

En utilisant le diviseur de tension, on obtient :

E.R3
VAK = VR3 =
R1 + R3
On distingue deux cas :
 Premier cas : VAK 6 Vd

E.R3
VAK 6 Vd ⇒ 6 Vd
R1 + R3
⇒ La diode est bloquée. On la remplace par un interrupteur
ouvert (gure 3.21).
66 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.21: Schéma équivalent pour VAK 6 Vd .

On applique le diviseur de tension :

E.R3
V =
R1 + R3
 Deuxième cas : VAK > Vd
E.R3
VAK > Vd ⇒ > Vd
R1 + R3
⇒ La diode est passante. On la remplace par une source
de tension Vd en série avec une résistance interne rd (gure
3.22).

Figure 3.22: Schéma équivalent pour VAK > Vd .

Pour déterminer la tension V , on applique le théorème de
Millmann, on obtient :
E Vd
R1 + (rd +R2 )
V = 1 1 1
R1 + rd +R2 + R3
3.5. Applications des diodes 67

3.5 Applications des diodes

Il existe divers types de diodes correspondant à des technolo-
gies diérentes. Chaque technologie présente le meilleur compromis
pour une utilisation donnée.
Nous allons présenter dans la section suivante l'application de
la diode à jonction dans les montages d'alimentation comme re-
dresseur.
Le redressement consiste à transformer une tension bidirection-
nelle en une tension unidirectionnelle appelée tension redressée.

3.5.1 Redresseur simple alternance

Le circuit utilisé dans cette conversion permet de supprimer la
partie négative du signal alternatif et de garder la partie positive.
La gure 3.23 montre un circuit simple qui permet de faire pas-
ser l'alternance positive et annuler l'alternance négative d'un signal
sinusoïdal.

Figure 3.23: Redresseur simple alternance à diode.

La tension d'entrée est sinusoïdale (Ve = VM sinωt).

Pour simplier le fonctionnement on suppose que la diode est
idéale.
Pour déterminer l'état de la diode on calcule la tension VAK
lorsqu'elle est débranchée (gure 3.24) :
68 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.24: Schéma simplier lorsque la diode est débranchée.

D'après la gure précédente, on a :

VAK = Ve (3.3)
On distingue deux cas :
 Si Ve 6 0 ⇒ VAK 6 0 ⇒ La diode est bloquée.
On remplace la diode par un interrupteur ouvert, on obtient :

Vs = 0
 Si Ve > 0 ⇒ VAK > 0 ⇒ La diode est passante.
On remplace la diode par un interrupteur fermé comme illus-
tré dans la gure 3.25.

Figure 3.25: Schéma équivalent diode passante.

Donc la tension de sortie est donnée comme suit :

Vs = Ve

La gure suivante représente les tensions Ve et Vs en fonction du

temps :
3.5. Applications des diodes 69

Figure 3.26: Signaux d'un redresseur simple alternance.

Valeur moyenne
la valeur moyenne d'une fonction périodique est donnée par :
Z T
1
hVs i = Vs (t)dt (3.4)
T 0
Dans le cas d'un redresseur simple alternance, on obtient :
VM
hVs i = (3.5)
π

Valeur ecace
La valeur ecace d'une fonction périodique est donnée par :
s
Z T
1
Vsef f = Vs2 (t)dt (3.6)
T 0

Dans le cas d'un redresseur simple alternance, on obtient :

VM
Vsef f = (3.7)
2
70 Chapitre 3. Les diodes

3.5.2 Redresseur double alternance

Pour que Vs s'approche un peu plus d'une tension continue, on
va redresser les deux alternances.
Dans la pratique, on utilise souvent deux circuits principaux
pour le redressement double alternance. Les deux circuits sont :
-Redresseur avec transformateur à point milieu.
-Redresseur avec pont à diode ou pont de Graetz.
Dans ce travail on présente un redressement double alternance
à l'aide d'un pont redresseur à 4 diodes (pont de Graetz) comme
illustré dans la gure 3.27).

Figure 3.27: Redresseur double alternance.

 Pendant l'alternance positive de la tension d'entrée (Ve (t) >

0) , les diodes D1 et D3 sont conductrices et les diodes D2 et
D4 sont bloquées (gure 3.28).

Figure 3.28: Circuit équivalent pendant l'alternance positive.

3.5. Applications des diodes 71

D'après la gure précédente et par l'application de la loi des

mailles, on obtient :

Vs = Ve
 Pendant l'alternance négative de la tension d'entrée (Ve (t) ≤
0) , les diodes D2 et D4 sont conductrices et les diodes D1 et
D3 sont bloquées.
Le circuit correspond à cet état se ramène au circuit présenté
par la gure 3.29.

Figure 3.29: Circuit équivalent pendant l'alternance négative.

A partir de la gure précédente et par l'application de la loi

des mailles, on obtient :
Vs = −Ve

Le résultat est que la charge est toujours alimentée dans le même

sens. La composante continue de la tension Vs a doublé par rapport
au redressement simple alternance.
Remarque Il est conseillé d'éviter l'utilisation de ce type de
montage pour le redressement des signaux à faibles amplitudes,
notamment inférieurs au double du seuil d'une diode car la charge
RL est montée en série avec deux diodes.
La gure suivante représente les tensions Ve et Vs en fonction
du temps :
72 Chapitre 3. Les diodes

Figure 3.30: Signaux d'un redresseur double alternance.

Dans ce cas la valeur moyenne et la valeur ecace sont données

par :

Valeur moyenne

2VM
hVs i = (3.8)
π

Valeur ecace

VM
Vsef f = √ (3.9)
2
3.6. Diode Zener 73

3.6 Diode Zener

3.6.1 Dénition et symbole
La diode Zener est une diode fabriquée pour être utilisée en
inverse dans la zone de claquage.
 En direct, la diode Zener se comporte comme une diode nor-
male.
 En inverse, la diode Zener au claquage présente un coude de
tension inverse très net, suivi d'une croissance verticale du
courant. La tension est presque constante, c'est la tension
Zener VZ . Les symboles d'une diode Zener sont :

Figure 3.31: Représentation symbolique de la diode Zener.

3.6.2 Caractéristique d'une diode Zener

La gure 3.32 représente la caractéristique IZ = f (VAK ) d'une
diode Zener.

Figure 3.32: Caractéristique I − V d'une diode Zener.

74 Chapitre 3. Les diodes

3.6.3 Modèle équivalent de la diode Zener

Le schéma équivalent de la diode Zener se fait selon trois ap-
proximations :
 Première approximation : Où on suppose que la caractéris-
tique I = f (V ) est verticale dans la zone de claquage donc
la diode Zener est dite idéale, elle est juste remplacée par un
générateur de tension VZ .
 Deuxième approximation : Dans la région de claquage la ca-
ractéristique I = f (V ) n'est pas tout à fait verticale il existe
une résistance Zener rZ très petite dont on doit en tenir
compte dans certaines applications c'est à dire la diode est
remplacée par un générateur de tension VZ en série avec la
résistance rZ .
 Troisième approximation : Dans ce cas la diode est bloquée
et on peut la remplacer par un interrupteur ouvert lorsque
−VZ 6 VAK 6 Vd .

Figure 3.33: Modèle équivalent d'une diode Zener.

3.6.4 Stabilisation de tension par diode Zener

Parmi les techniques de régulation de la tension on trouve la
diode Zener. Elle permet de maintenir une tension dans un circuit
stable quelques soient les variations des autres éléments de ce cir-
cuit. La gure 3.34 représente le circuit de stabilisation de tension
par diode Zener .
3.6. Diode Zener 75

Figure 3.34: Stabilisation de tension par diode Zener.

Pour que la tension de sortie reste constante, il faut que la diode

Zener soit polarisée en inverse dans la zone de claquage et que :

VAK < −VZ (3.10)

Exemple
Dans le montage suivant la source est sinusoïdale avec un oset :
Ve = VM sin+V0 . La diode Zener a une tension de claquage (tension
Zener) VZ = 8.1V et a une résistance Zener rZ = 10Ω.
On donne : VM = 1V , V0 = 30V , R1 = 1kΩ, R2 = 2kΩ.

Figure 3.35: Exemple d'application d'un stabilisateur à diode Zener.

 Tracer dans le même graphe les tensions ve et vs .

 Calculer la puissance dissipée dans la résistance R2 .
76 Chapitre 3. Les diodes

solution
De la même façon que pour la diode normale, on calcule premiè-
rement la tension VAK de la diode Zener lorsqu'elle est débranchée.

Figure 3.36: Circuit pour calculer VAK d'une diode Zener.

R2
VAK = − ve
R1 + R2
Selon les données, on a :
ve = VM sinωt + V0

ve = VM sinωt + 30
On peut limité la tension Ve entre Vemin et Vemax .

29 ≤ ve ≤ 31

R1 + R2
ve = − VAK
R2
R1 + R2
29 ≤ − VAK ≤ 31
R2

− 19.33 ≥ VAK ≥ −20.66

On remarque que VAK < −VZ / (VZ = 8.1V ), donc la diode
Zener est au claquage. On la remplace par une source de tension
VZ en série avec une résistance rZ .
3.6. Diode Zener 77

Figure 3.37: Circuit équivalent lorsque la diode est au claquage.

ve VZ
R1 + rZ
vs = 1 1 1
R1 + rZ + R2

vs = 0.0098ve + 7.98 ' 7.98V

Figure 3.38: Tension d'entrée et tension de sortie en fonction du temps.

La puissance dissipée dans la résistance R2 est donnée par l'ex-

pression suivante :

(VR2 )2 (Vs )2
Pd = VR2 .IR2 = =
R2 R2

Pd = 31.84mW
78 Chapitre 3. Les diodes

3.7 Conclusion
Ce chapitre a été divisé en trois parties :
Des généralités sur les semi-conducteurs ainsi que la polarisation
de la jonction P N sont traitées dans la première partie.
Dans la deuxième partie, nous avons présenté la dénition de la
diode, ses caractéristiques, ses diérentes méthodes de modélisation
et leurs applications.
La troisième partie a été réservée à la diode Zener ainsi que sa
représentation symbolique, sa modélisation et son utilisation dans
les circuits de stabilisation de tension.