Les conducteurs et les semi-conducteurs

1 3 3 1 3 3
2 2 m 2 (kT ) E − EF ∞ 2 2 m 2 ( kT ) EC − EF
( )
2 1 2
n= exp( − C )  (u ) 2 exp( −u )du = exp( − )Γ 1
π 2ℏ3 kT EC π 2ℏ3 kT 2
π
avec Γ 1 ( 2) = 2
(intégrale d'Euler)

2 3 E − EF
et en reduisant les termes, on obtient: n = 3 ( 2π mkT ) 2 exp(− C
h
En remplacant ℏ par )
2π h kT
Ce résultat fait apparaître le produit de deux termes :
E − EF
f n ( EC ) ≅ exp(− C ) qui est la probabilité de présence d ' un électron sur le niveau EC : fn( EC )
kT
2 3
N = 3 * (2π mkT ) 2 qui est la densité d ' états correspondant au niveau EC .
h
Tout se passe comme si la bande de conduction se ramenait à un seul niveau possédant N états possibles.

5.4- Semi-conducteurs extrinsèques

Ce sont des semi-conducteurs intrinsèques dans lesquels on a introduit des atomes étrangers qu'on appelle
impuretés ce qui va modifier complètement leurs caractéristiques électriques. Cette opération d'injections
d'impuretés s'appelle dopage d'un semi-conducteur.

5.4.1- Densité des porteurs

Niveaux d’énergie introduits par les impuretés et les imperfections du cristal.
Les cristaux de silicium (de germanium ou d’arséniure de gallium…) utilisés pour la fabrication des
composants et des circuits intégrés, contiennent de nombreuses imperfections consistant en impuretés ou en
défauts de cristallisation du réseau. Certaines de ces impuretés seront d’ailleurs introduites volontairement
dans le réseau afin de conférer au matériau des propriétés particulières. Les impuretés néfastes proviennent
soit du matériau de base, soit de la chaîne de traitement permettant l’obtention du cristal.
Nous avons vu dans ce qui précède que la densité intrinsèque des porteurs vaut, pour le silicium : ni = 1,6 1010
cm-3. Pour que les impuretés puissent être considérées comme négligeables dans ce
matériau, elles doivent être en quantité beaucoup plus faibles (1/100, 1/1000 …), soit
des densités de l’ordre de 107 ou 108 cm-3. On peut comparer ce chiffre avec le nombre
d’atomes de silicium par cm3. Celui-ci se calcule aisément à partir de la connaissance
du système de cristallisation du silicium.
Le silicium cristallise dans un système « cubique faces centrées » décalé d’un quart de
diagonale. La figure ci-contre montre la structure de la maille de base. L’arête du cube
vaut 5,43 Angstrom. Un rapide calcul s’appuyant sur la cristallographie montre que Fig. 5.19 :
cette structure correspond à 8 atomes par maille. On peut donc calculer le nombre
d’atomes par cm 3 dans un cristal de silicium. Il vaut :
1
N = 8* Soit N = 5, 02 10 22 cm-3
Volume de la maille

En comparant ce nombre à celui de la densité intrinsèque, on s’aperçoit que le degré de pureté à atteindre pour
obtenir un matériau intrinsèque est de l’ordre de : 10 8/ 10 22 soit sensiblement 10 –14. Ceci est absolument
inconcevable compte tenu des opérations nécessaires pour obtenir le silicium monocristallin. Les limites
technologiques permettent d’atteindre des densités d’impuretés résiduelles de l’ordre de 1012 cm–3.
Le matériau intrinsèque, au sens étymologique du terme n’existe donc pas. Il permet toutefois de définir une
constante extrêmement importante qui est la densité intrinsèque ni.
45
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Toutes ces imperfections (impuretés résiduelles, défauts de cristallisation, …) perturbent localement la

périodicité du potentiel et, de ce fait, introduisent des niveaux énergétiques qui peuvent être accessibles aux
électrons. Par opposition avec les niveaux correspondant au matériau pur, nous parlerons de « niveaux
extrinsèques ». On peut généralement admettre que ces imperfections étant en nombre relativement faibles
par rapport au nombre d’atomes du réseau, elles génèrent des niveaux discrets et non des bandes d’énergie.
Dans tout ce qui suit, nous nous intéresserons à des matériaux qui satisfont cette condition (matériaux non
dégénérés).
Les niveaux extrinsèques peuvent se situer soit dans les bandes
permises, soit dans la bande interdite. Leurs influences sur les
caractéristiques du matériau seront totalement différentes.
Les niveaux apparaissant dans les bandes permises auront très peu
d’effet compte tenu de leur dilution. Ils viennent se rajouter aux
niveaux intrinsèques qui sont en nombre très important par rapport à Fig. 5.20 :
eux (1000 à 100000fois plus).
Par contre, en ce qui concerne les niveaux apparaissant dans la bande interdite, leur influence va être très
importante. On pourra toutefois les classer en deux catégories suivant leur position dans la bande interdite:
− Niveaux de bords de bande ou « Shallow levels », situés à quelques centièmes d’Électron Volt de EC
ou EV,
− Niveaux profonds ou « Deep levels », situés vers le milieu de la bande interdite.
La figure ci-dessous montre, à titre d’exemple, les différents niveaux extrinsèques qui apparaissent dans la
bande interdite du silicium. On remarquera le nombre important de niveaux et le fait que certains corps
donnent naissance à plusieurs niveaux.

Fig. 5.21 :

 Les niveaux profonds : Ce sont généralement des métaux. Ils peuvent avoir une action sur la
conductivité du matériau (compensation de l’effet des niveaux de bord de bande), mais leur rôle le
plus important se situera au niveau de la durée de vie des porteurs en excès.
 Les niveaux de bord de bande : Distants de moins de 0,1 eV de Ec ou Ev, ils peuvent interagir
facilement avec les bandes permises et conditionnent la conductivité extrinsèque du matériau. Ils vont
permettre de générer soit des électrons soit des trous. Ce sont, pour le silicium, surtout le Phosphore,
le Bore, le Gallium, l’Aluminium.
Nous allons, dans un premier temps, nous intéresser à ce deuxième type de niveaux et plus particulièrement,
au Bore et au Phosphore dans le silicium.

46
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Ces deux impuretés appartiennent, dans la classification

périodique d’éléments, aux colonnes adjacentes à celle du
silicium : colonne III pour le Bore, colonne V pour le
phosphore. Ils possèdent donc soit un électron de plus, soit un
électron de moins que le silicium. De plus, ils se situent très près
des bords de bandes : 0,044 eV de Ec pour le Phosphore, 0,045
eV de Ev pour le Bore, (Figure ci-contre).

5.4.2- Semi-conducteurs extrinsèques de type N

Fig. 5.22 :
C'est le cas où les atomes étrangers sont pentavalents
(antimoines, phosphore, arsenic) c.à.d. qu’ils ont 5 électrons sur la couche périphérique (de valence). Parmi
ces 5 électrons, 4 vont être mis en commun avec les atomes voisins pour assurer les liaisons de valence, le
5ème, resté libre, peut se déplacer et participer à la conduction. On dit que les impuretés utilisées sont des
donneurs (d'électrons). Bien que l'électron devenu libre laisse un ion positif derrière lui, celui-ci
(constitué de l'atome donneur) a 8 électrons sur sa couche de valence, il n'a pas tendance à capter
l'électron d'un atome voisin, ce n'est donc pas un trou (porteur) car il ne participera pas au courant de
trous (par le mécanisme de déplacement de trou qui a lieu à chaque fois qu'un atome ionisé comportant un
trou capte un électron de l'atome voisin pour compléter sa dernière couche).
Considérons le cas du Phosphore dans le silicium :
Si on introduit une quantité relativement faible de phosphore dans le silicium, celui-ci va se substituer à des
atomes de silicium. Or, il possède 5 électrons de valence. Quatre d’entre eux vont être utilisés pour les liaisons
avec les atomes voisins et le cinquième pourra facilement être libéré compte tenu du faible écart d’énergie
entre le niveau ED et la bande de conduction. Soit ND la concentration en atomes de phosphore;
Un faible apport d’énergie va libérer l’électron
excédentaire qui va passer sur le niveau de conduction et
de ce fait devenir libre. Cela se traduit par :
ND + énergie  ND+ + 1 e-
Il y a donc apparition de deux types de charges : ND+ qui
est un Ion positif totalement stable car il possède 8
liaisons de valence et un électron qui pourra très Fig. 5.23 : Fig. 5.24 :
facilement être libéré afin de participer au processus de conduction.
Ce processus, appelé « Dopage » permet de générer des électrons et confère un caractère spécifique au
matériau qui sera dit de type N : Le dopage par des atomes donneurs va donc favoriser la conduction par
électrons libres au détriment de la conduction par trous. On dit que les électrons constituent les porteurs
majoritaires. Comme ils sont porteurs de charge négatives, le semi-conducteur extrinsèque est dit de type N.

5.4.3- Semi-conducteurs extrinsèques de type P

Ici, les atomes d'impureté sont des accepteurs (bore, aluminium, gallium, indium), ils ont seulement trois
électrons sur la couche de valence. Si on les introduit dans un cristal intrinsèque, ils mettent en commun leurs
3 électrons avec les 4 atomes du semi-conducteur qui les entourent pour former les liaisons de valence. Ils se
trouvent à la fin avec 7 (3+4) électrons sur la couche de valence, cette configuration est instable et aura
tendance à capter un électron d'un atome voisin pour compléter sa couche à 8 électrons. Dès que cet électron
est capté, l'atome Accepteur devient un ion négatif et introduit un trou dans le cristal qui va participer à la
conduction par trou.

47
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Considérons le cas du Bore dans le silicium :

Le processus est similaire à celui présenté à la
section précédente (8.1). Ce dernier n’ayant que 3
électrons de valence peut en accepter un
quatrième provenant de la bande de valence. Il
devient alors Ion négatif stable et fait apparaître
un trou. NA + énergie  NA- + 1 trou
Le processus de dopage permettant de générer un
trou est matérialisé sur la figure ci-contre. La Fig. 5.25 : Fig. 5.26 :
liaison manquante due au fait que le bore ne
comporte que trois électrons de valence permettra, lorsque cette liaison sera comblée par un électron d’un
autre atome de générer un ion négatif stable et un trou qui s’est déplacé participant ainsi au passage d’un
courant électrique. En fait, le déplacement d’un trou correspond à celui d’un électron qui saute de liaison en
liaison.
Ce type de « Dopage » permet de générer des trous et confère un caractère spécifique au matériau qui sera
dit de type P : Aucun électron libre n'a été créé lors de la formation du trou, les trous sont donc beaucoup plus
nombreux que les électrons, ils constituent les porteurs majoritaires et le semi-conducteur est de type P.

5.4.4- Etat d’ionisation des impuretés, densité des porteurs en fonction de la température
L’ionisation des impuretés va donc permettre de créer soit des électrons soit des trous dans le matériau semi-
conducteur. Les densités de porteurs dans les bandes permises seront donc directement fonction de la densité
des atomes d’impuretés et de leur niveau d’ionisation. Il est donc
nécessaire de pouvoir définir ce degré d’ionisation en fonction de la
température afin de connaître les densités de porteurs libres existant dans
le matériau.
La cinétique d’ionisation des impuretés en fonction de la température, dans
un semi-conducteur, est régie par la statistique de Fermi-Dirac. Par
exemple, considérons du silicium dans lequel on a introduit des atomes de Fig. 5.27 :
phosphore. Cette impureté est caractérisée par l’énergie du niveau qu’il génère (ED), et par la densité
correspondante (ND cm-3).
L’état d’ionisation des impuretés va évoluer en fonction de la température. On peut définir trois zones. Pour
T voisin du zéro absolu, le matériau est inerte et tous les porteurs sont figés sur leurs niveaux. La bande de
conduction est vide et la bande de valence et le niveau donneur sont pleins.
Dès que l’on apporte de l’énergie, vu le très faible écart entre EC et ED, les impuretés vont s’ioniser faisant
apparaître des électrons dans la bande de conduction. La densité des donneurs étant très faible, ce niveau sera
vite complètement ionisé (EC-ED = 0,04 eV).
Pour observer une nouvelle évolution des densités, il faudra que l’énergie devienne suffisante pour générer
des transitions bande à bande.

5.4.5- Détermination de la loi de variation de la densité des porteurs en fonction de la température:

Les trois zones définies précédemment permettent de déterminer les équations des asymptotes à la courbe
Ln(n) = f (1/ T ) .

48
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Zone d’ionisation des donneurs: T ~ 0°K

L’ionisation des donneurs suit la statistique de
Fermi-Dirac. On a donc:
1
N D+ = N D * = N D *f p ( ED )
 ED − EF 
1 + exp  − 
 kT 
La densité des électrons étant égale à celle des
donneurs ionisés, on a donc :
n = N D+
La variation asymptotique est donc une droite.
Fig. 5.28 :
Zone d’épuisement des donneurs.
Lorsque tous les donneurs sont ionisés, la densité des porteurs reste constante tant que l’énergie n’est pas
suffisante pour faire sauter des électrons de la bande de valence ( EG >> EC - ED ) . La densité des porteurs
vaut alors : Ln (n) = Ln ( ND) .

Zone Intrinsèque.
Lorsque la température devient suffisamment élevée, il est possible de faire passer des porteurs de la bande
de valence à la bande de conduction. On génère alors des paires électron-trou. La bande de valence permettant
de créer un nombre très important de porteurs, ceux issus du niveau donneur sont rapidement en quantité
négligeable et le matériau se comporte alors comme un matériau intrinsèque.
L’intersection des asymptotes permet de déterminer les températures T1 et T2, qui limitent les différentes
zones. Il faut donc calculer les valeurs correspondantes afin de positionner la température ambiante. Le calcul
montre qu’elle se situe sur le plateau, dans la zone d’épuisement. La courbe représentative est tracée en
bleu.
Equation des asymptotes à la courbe Ln(n)=f(T) :
Dans la zone d’ionisation, la densité des atomes d’impuretés ionisées s’écrit:
1  E − EF 
N D+ = N D * ≃ N D * exp  D 
 E − EF   kT 
1 + exp  − D 
 kT 
Cette expression fait apparaître le niveau de Fermi dont on ne connaît pas la position. Il faut donc disposer
d’une deuxième équation faisant intervenir celui-ci. C’est l’équation de définition de la densité des porteurs
E − EF
que nous avons établi au début de ce cours : n = N *exp(− C ) . En égalant ces deux expressions, on
kT
peut éliminer EF. On obtient alors la loi de variation n=f(T) dans cette première zone. On obtient :
1 E − ED
Ln( n ) = Ln ( N * N D ) − C
2 2kT
E − ED 1
On a donc une droite de pente − C et d’ordonnée à l’origine : Ln ( N * N D ) .
2kT 2
La zone d’épuisement des donneurs permet d’écrire : Ln( n ) = Ln ( N D )
Pour la zone intrinsèque, le niveau de Fermi se situe au milieu de la bande interdite donc, EF = ( EC - EV ) / 2.
EC − Ev
En reportant dans l’équation qui donne n, on obtient : Ln(n ) = Ln ( N ) −
2kT

49
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

EC − Ev
On obtient aussi une droite de pente − et d’ordonnée à l’origine : Ln ( N ) .
2kT
La détermination des valeurs des températures limites des zones se fait en égalant deux à deux les équations.
1 E − ED EC − ED
Pour T1: LnLn( N D ) = Ln ( N * N D ) − C soit T1 = (N)
2 2kT1  N 
k * Ln  
 ND 
EC − Ev EC − Ev
Pour T2: Ln( N D ) = Ln ( N ) − soit T2 =
2kT  N 
2k * Ln  
 ND 
Application numérique:
N D = 1015 cm-3 

EC - ED = 0, 04 eV  On obtient : T1 = 50 °C , T2 = 636,8 °C

Silicium : EG = 1,12 eV , N = 2, 7 1019 cm-3 
On peut remarquer que la température ambiante est bien au milieu du plateau. Le matériau est donc stable
en température et on peut affirmer que, à température ambiante, toutes les impuretés sont ionisées.

5.4.6- Loi d’action de masse

Compte tenu du calcul précédent, on peut donc conclure que pour un semi-conducteur dopé, à température
ambiante :
 Toutes les impuretés sont ionisées
 La densité des majoritaires est égale à celle des impuretés (n = ND pour un type N, p = NA pour un
type P)
 La densité des minoritaires est donnée par la loi d’action de masse qui s’écrit : n * p = ni
2

Cette relation ne fait intervenir que des constantes du matériau à une température donnée ( largeur de bande
interdite, nombre de places possibles sur les niveaux, constantes universelles),elle est donc valable que le
semi-conducteur soit dopé ou non.
En résumé:
Matériau de type N
La connaissance de la densité des atomes dopants donne les
2
ni
n = ND p= densités des porteurs de chaque type
− ND
Exemple:
Matériau de type P
Silicium dopé N (ni = 1,6 1010 cm–3): ND = 1016 cm-3;
ni 2 n = 1016 cm-3, p = 2,56 104 cm-3
p = NA n=
NA
5.4.7- Position du niveau de Fermi
A très basse température, les échanges se font entre le niveau donneur (ou accepteur) et la bande voisine. Le
niveau de Fermi se situe donc entre ces deux niveaux c’est-à-dire très près du niveau EC (ou EV). Le niveau
de Fermi peut donc se situer dans toute la bande interdite (contrairement au matériau Intrinsèque ou il est au
− +
milieu). Sa position se calcule à partir de l’équation de neutralité qui s’écrit : n + N A = p + N D
Cette équation n’a pas de solution analytique et se résout donc numériquement. Elle est très complexe. On
peut avoir une idée du résultat en traçant les variations asymptotiques des quatre termes de cette équation.
50
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Ces différents termes, représentés en fonction de l’énergie, dans la bande interdite, se coupent en un point qui
correspond à la position du niveau de Fermi (neutralité). Pour ce, on considère que la somme de deux
logarithmes est le logarithme du plus grand.
Calcul de la position du niveau de fermi
− +
La position exacte du niveau de Fermi est solution de l’équation: n + N A + p + N D = 0

EF − EV
p = N * exp( − )
kT
EC − EF
n = N * exp( − )
kT

N A− = N A *f n ( E A )

N D+ = N D * f p ( ED )

n + N A−

p + N D+
Fig. 5.29 :

Nous pouvons expliciter les différents termes de cette équation ; il vient :

EF − EV E − EI E − EV E − EI
p = N *exp(− )  p = N *exp(− F ) exp(− I ) = ni *exp(− F )
kT kT kT kT
E − EF E − EI E − EF E − EF
n = N * exp( − C )  n = N * exp( − C ) exp(− I ) = ni * exp( − I )
kT kT kT kT
 E − EF E − EF   E − EF 
n + p = ni * exp( I ) + exp( I )  = 2ni * sh  I 
 kT kT   kT 
1  E − EF   E − EI   E − EF 
fn (EA ) = ≅ exp  − A  = exp  − A  exp  − I 
 E − EF   kT   kT   kT 
1 + exp  A 
 kT 
1  E − EI   E − EF 
f p ( E D ) = [1 − f n ( E D ) ] = 1 − ≅ 1 − exp  − D  exp  − I 
 E − EF   kT   kT 
1 + exp  D 
 kT 
 E − EF 
n + p = −( N A− + N D+ )  2ni * sh  I  = − ( N A * f n ( E A ) + N D *f p ( ED ) )
 kT 
 E − EF   E A − EI   EI − E F   ED − EI   EI − EF 
2ni * sh  I  = − N A * exp  −  exp  −  + N D * exp  −  exp  −  − ND
 kT   kT   kT   kT   kT 

  E − EI   E A − EI    EI − EF 
=  N D *exp  − D  − N A *exp  −   exp  −  − ND
  kT   kT    kT 

 E − EF   EI − E F 
On a donc une équation de la forme : A * sh  I  = B *exp   + C dans laquelle A, B et C sont
 kT   kT 
des constantes.
Il n’y a pas de solution analytique. Il faut résoudre cette équation numériquement.

51
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

5.5- Semi-conducteur hors d’équilibre, phénomènes de conduction

5.5.1- Injection ou extraction de porteurs, durée de vie

Un semi-conducteur est dit à l’équilibre thermodynamique si sa température est constante, s’il est homogène
et si les densités de porteurs obéissent à la loi d’action de masse: n * p = ni .
2

Lorsqu’on perturbe cet équilibre, on peut définir deux cas:

− Extraction de porteurs: n * p < ni 2
− Injection de porteurs: n * p > ni 2

Le deuxième cas est le plus fréquent. L’injection peut se faire de différentes manières:
− Élévation de température,
− Utilisation d’un rayonnement ionisant,
− Injection à partir d’une électrode.
On peut classer les phénomènes d’injection en deux catégories suivant la valeur de la densité des porteurs
injectés par rapport à la densité des porteurs majoritaires dans le matériau.
− Faible niveau d’injection si la densité des porteurs injectés est faible par rapport à celle des majoritaires,
− Fort niveau d’injection si elle devient du même ordre de grandeur.
On désignera par nˆ et pˆ les densités de porteurs en excès. Les densités totales pour un matériau hors
d’équilibre s’écriront alors:
n + nˆ = n et p + pˆ = p

5.5.2- Phénomènes de génération recombinaison

Dans un matériau semi-conducteur, les densités de porteurs existant dans les bandes sont le résultat de deux
mécanismes permanents d’échange entre elles. Il s’agit de la Génération et de la Recombinaison. Les
porteurs créés passent de la bande de valence vers celle de conduction puis effectuent le chemin inverse en se
recombinant. Il existe donc un flot permanent de porteurs allant de la bande de valence vers la bande de
conduction et vice et versa.
Les phénomènes de génération et de recombinaison sont illustrés ci-contre. A l’équilibre thermodynamique,
les densités étant constantes, on peut en déduire que la génération et la recombinaison sont égales: g0 = r0.
Si g > r, on a augmentation de la densité des porteurs, c’est à dire injection.
Si g < r, on a une diminution de la densité des porteurs, c’est à dire
extraction.
Ces mécanismes d’écart par rapport à l’équilibre s’effectuent avec une
constante de temps τ appelée durée de vie des porteurs.

5.5.3- Durée de vie des porteurs

Considérons un matériau semi-conducteur de type N (n >> p ). A l’équilibre
thermodynamique, ce matériau est caractérisé par des densités de porteurs Fig. 5.30 :
qui valent respectivement : n et p une égalité entre vitesse de génération
et de recombinaison : g0 = r0.

Supposons qu’à l’instant t = t0, on soumette ce matériau à un flux lumineux d’intensité constante Φ tel que
l’énergie qu’il transporte soit supérieure à la largeur de la bande interdite : E = hν > EG . Ce flux va générer
52
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

des paires électrons-trous et la vitesse de génération va augmenter (le signe ^ sur un symbole indique un
accroissement par rapport à l’équilibre).
g = g 0 + gˆ
Or, la vitesse de recombinaison est proportionnelle aux densités de porteurs dans les bandes (un électron se
recombinant avec un trou). On peut donc écrire :
r = A * pn ( A est une cons tan te de proportionnalité )
À l’équilibre, on peut écrire : r0 = A * pn

Si les densités de porteurs augmentent, la vitesse de recombinaison va aussi augmenter et on atteindra un

nouvel équilibre dans lequel les densités seront égales : p = n.
La vitesse de recombinaison sous éclairement vaudra : r = A * pn = A * ( p + pˆ )( n + nˆ )

Développons cette expression :

r = A * pn + A * ( pnˆ + npˆ ) + A * pn
ˆˆ
or , r0 = A * pn et pˆ = nˆ soit r = r0 + A * ( p + n ) pˆ + A * pˆ 2

Le matériau étant de Type N, p << n et si nous nous

plaçons dans l’hypothèse de faible niveau d’injection
pˆ << n soit ( p + n ) pˆ ≅ npˆ et npˆ >> pˆ .
2

L’équation précédente devient donc : r − r0 = A * pn

ˆ .
Un nouvel équilibre sera atteint lorsque : g = r.
Supposons qu’à l’instant t = t1 on coupe le flux lumineux.
L’excès de génération devient nul et le terme de
recombinaison est prépondérant. La densité des porteurs Fig. 5.31 :
en excès va décroître en fonction du temps.
L’équation qui régit cette variation s’écrit :
dp
rˆ = r − r0 = −
dt
Le signe – indique une diminution de la densité.
dp dp
Il vient: − = A * npˆ soit, − = A * ndt
dt pˆ
La solution de cette équation est donc :
t
pˆ (t ) = pˆ (0) * e Ant
= pˆ (0) * e τ

1
Le terme An est homogène à l’inverse d’un temps. Il est appelé Durée de vie des porteurs : τ =
An
Le temps de retour à l’équilibre est voisin de 3τ .
Recombinaison par centres pièges :
Lors de la définition du matériau extrinsèque, nous avions défini deux types de niveaux se situant dans la
bande interdite ; les niveaux de bord de bande qui interviennent dans le mécanisme de dopage et les niveaux
profonds (situés vers le milieu de la bande interdite). Ces derniers ont un rôle fondamental dans les
mécanismes de génération-recombinaison. Ils peuvent en effet servir de relais pour le passage des électrons et
seront d’autant plus efficaces qu’ils se situent près du milieu de la bande interdite car les probabilités
53
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

d’échanges avec les bandes de valence ou de conduction (émission ou capture d’électrons) seront alors
sensiblement égales.
Considérons le cas d’un semi-conducteur dans lequel existe un niveau piège. Ce dernier va pouvoir capturer
puis réémettre des électrons après un certain temps correspondant au temps de piégeage. Les mécanismes
d’échange avec les bandes permises sont définis ci-dessous.
Les mécanismes d’échange entre les bandes et le niveau piège
peuvent se modéliser par les quatre cas suivants:
a) Capture d’un électron de la bande de conduction par un
piège vide
b) Émission d’un électron vers la bande de conduction par un
piège plein
c) Capture d’un trou de la bande de valence par un piège plein
Fig. 5.32 :
d) Émission d’un trou dans la bande de valence par un piège
vide
Les centres pièges vont servir de « catalyseur » à la recombinaison des électrons libres en capturant ceux de
la bande de conduction pour les réémettre vers la bande de valence (cas a et c). Les pièges peuvent aussi jouer
le rôle de donneur (b) ou d’accepteurs (d). Le temps pendant lequel l’électron reste « piégé » est plus ou moins
long. C’est lui qui définit la durée de vie.
Nous allons, dans ce qui suit, modéliser les différents échanges afin d’en tirer une expression de la durée de
vie des porteurs. Toutefois, ce calcul est simplement indicatif car il ne met en œuvre qu’un seul niveau piège
ce qui ne reflète que partiellement la réalité. Les résultats obtenus sont malgré tout satisfaisants, l’écart par
rapport aux mesures n’étant que de quelques pourcents.
Capture d’un électron de la bande de conduction par un piège vide
Le flux d’électrons capturés par centimètres cube et secondes est proportionnel à la concentration des électrons
dans la bande de conduction et à la densité de pièges vides (chargés positivement). Si nous appelons Cn le
coefficient de proportionnalité, le taux de capture Rcn s’écrit :

Rcn = Cn * n * N r (1 − f n ( Er ))
Émission d’un électron vers la bande de conduction par un piège plein
Ce taux dépend du nombre de places vides dans la bande de conduction et du nombre de pièges pleins (chargés
négativement). Le coefficient de proportionnalité sera noté En et le taux d’émission Ren.

Ren = En * ( N − n ) * N r f n ( Er )
A l’équilibre, on peut considérer que ces deux mécanismes se compensent ce qui permet de déterminer la
relation liant Cn et En.
L’égalité Ren = Rcn donne:
n 1 − f n ( Er ) 1
En = C n * * avec f n ( Er ) =
N −n f n ( Er ) E − EF
1 + exp( r )
kT
1 − f n ( Er ) E − EF
soit = exp( r )
f n ( Er ) kT

54
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

E − EF
N exp( − C )
n Er − E F kT E − EF
 En = C n * * exp( ) = Cn * *exp( r )
N −n kT N −n kT
E − Er
N exp( − C )
kT n*
= Cn * = Cn
N −n N −n
*
Le terme n représente la densité qui existerait dans la bande de conduction si le niveau de Fermi était confondu
avec Er. Lorsque le matériau est hors d’équilibre, Rcn et Ren sont différents; le flux d’électrons libres réellement
capturés vaut:

Rn = Rcn − Ren = Cn * N r  n *(1 − f n ( Er )) − n*f n ( Er ) 

Le même processus appliqué aux échanges avec la bande de valence permet d’écrire:

R p = Rcp − Rep = C p * N r  p *f n ( Er ) − p* (1-f n ( Er )) 

En régime permanent, il y a égalité entre ces deux termes (pas

d’accumulation) soit, Rn = Rp.
La durée de vie s’écrit donc:
pˆ
Rn = R p =
τ
Les constantes Cn et Cp caractérisent la capacité d’un piège à capturer
un électron (fig. ci-contre). Elles sont fonction de la vitesse instantanée
de l’électron (vitesse thermique vth ~ 107 cm/s) et d’un terme appelé Fig. 5.33 :
« section efficace de capture » qui traduit la proximité du piège dans lequel doit passer l’électron pour être
capturé. Cette section, notée σn ou σp est de l’ordre de 10–15 à 10–16 cm2.
Cn = σn <vth> de même, Cp = σp <vth>
Dans l’hypothèse de faible niveau d’injection, l’excès de densité des porteurs est faible devant les densités
d’équilibre. En posant:
1 1
τn = et τ p = ,
σ n vth N r σ p vth N r
on obtient:
n + n* p + p*
τ =τ p +τ n
n+p n+p

Cette expression est connue sous le nom de « Formule de Hall-Schokley-Read » du nom des trois chercheurs
qui l’ont établie.
Elle peut s’approximer dans le cas de matériaux dopés. On obtient :
Pour un matériau type N  τ → τ p

Pour un matériau type P  τ → τ n

55
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

Cas ou il existe plusieurs niveaux pièges.

Le problème ne peut se traiter que dans le cas où il
n’existe aucune corrélation entre les différents niveaux
(chacun d’entre eux est considéré comme totalement
indépendant des autres de manière à ne prendre en
compte que ses échanges possibles avec les bandes).
On peut alors appliquer le raisonnement précédent à
chacun d’entre eux.
Fig. 5.34 :
Tout se passe donc comme si on avait affaire à des
phénomènes en parallèle. La durée de vie résultante vaut donc:

1 1 1 1 1
= + + + .... +
τ τ1 τ 2 τ 3 τn
C’est donc le centre situé le plus près du milieu de la bande interdite qui sera le plus efficace. Les autres ne
jouent pratiquement aucun rôle.

5.5.4- Mobilité des porteurs

Considérons un gaz d’électrons constitué de N électrons libres. En l’absence de force extérieure appliquée
(Champ électrique), ils se meuvent de façon aléatoire. La vitesse moyenne de déplacement du nuage
d’électrons s’écrit :
1 ∞
vD =  vi , vi représente la vitesse instantanée et vD la vitesse moyenne.
N i =1

Cette vitesse moyenne est nulle car aucune direction n’est privilégiée (mouvement Brownien). Si nous
appliquons une force extérieure, l’équation du mouvement va s’écrire :

d (vD )
m = F = qE
dt
Cette équation a pour solution :
qE
vD = vD (0) + t
m
Ce résultat n’est toutefois pas satisfaisant car on s’aperçoit que la vitesse augmente linéairement avec le temps
et de ce fait, le régime établi n’est jamais atteint. Il est donc nécessaire d’introduire une contrainte sur le
déplacement des porteurs. Ce terme, appelé temps de relaxation (R), est lié au libre parcours moyen des
électrons ainsi qu’au temps moyen entre deux collisions. Il résume l’ensemble des mécanismes de collisions
et peut être défini comme étant la durée nécessaire au rétablissement de l’équilibre.
L’équation du mouvement devient donc :
 d (vD ) vD 
m +  = F = qE
 dt τR 
La suppression de la perturbation entraîne un retour à l’équilibre suivant une loi qui s’écrit :
t
−
τR
vD = vD (0)e
Où R est donc la constante de temps de retour à l’équilibre. Dans le cas général, la solution en régime
permanent est :

56
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

qτ R qτ
vD = E avec µ = R
m m
La vitesse du porteur est donc proportionnelle au champ
électrique appliqué. La constante de proportionnalité est
appelée « Mobilité ». Elle est notée par la lettre . Elle
s’exprime en cm2/Vs. Les mobilités des deux types de porteurs
diffèrent principalement par la valeur des masses effectives,
les électrons étant plus mobiles que les trous. Cela peut se
comprendre intuitivement car ils sont à un niveau énergétique
supérieur, c’est à dire moins liés à l’atome.
Fig. 5.35 :
Influence du champ électrique sur la mobilité.
Pour des champs électriques faibles, la loi de
proportionnalité est valable. Dès que les champs électriques
deviennent importants (quelques kilovolts), la vitesse des
porteurs devient de l’ordre de grandeur de la vitesse
thermique et la mobilité décroît.
Ceci est représenté sur le graphique ci-contre.
Paramètres influant sur la mobilité des porteurs :
La température
L’augmentation de température se traduit par une agitation
thermique plus importante dans le réseau cristallin et, de ce
fait, le temps de relaxation va diminuer car la probabilité de
chocs avec les atomes augmente. Il s’en suit une diminution
de la mobilité qui suit une loi empirique de la forme :
3
µ = αT 2
Fig.5.36 :
α est un coefficient qui dépend de la nature du matériau et
du type de porteur.
Le dopage du matériau
Les atomes d’impuretés vont influer sur les
trajectoires des électrons dans le cristal car, à
température ambiante, ils sont tous ionisés. Le
nombre de collisions va augmenter et cela va se
traduire par une diminution de la mobilité.
Le graphique ci-dessus montre la variation de µ
en fonction du dopage dans le cas du silicium.

5.5.6- Résistivité, conductivité, loi d’Ohm

Nous venons de montrer que lorsqu’on applique
une force extérieure (champ électrique par
exemple) à un matériau semi-conducteur, les
porteurs vont se déplacer. Il y aura donc Fig. 5.37:
apparition d’un courant électrique.
Le courant de déplacement s’écrit : j = ρ vD dans lequel, ρ est la densité de charges ( ρ = q ∗ N ) :

57
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

 qτ 
j = q * N * vD = q * N *  R  E = σ E ,
 m 
 qτ 
avec σ = qN  R  = qN µ
 m 
σ est appelé conductivité du matériau et s’exprime en Ω / cm.
L’existence de deux types de porteurs va faire apparaître deux courants qui seront additifs (porteurs de charge
opposée se déplaçant en sens opposé). En effet σ est proportionnel à q2 qui est positif. On a :
jn = σ n E et jp = σ p E
Le courant total de conduction s’écrit donc:

j = jn + j p = (σ n + σ p ) E

La conductivité est donc fonction des

densités des deux types de porteurs. Elle
s’exprime par la relation suivante :

σ = q ( n µn + p µ p )
On a coutume de caractériser les semi-
conducteurs par leur résistivité et non par
leur conductivité. Elle s’écrit:
1 1
ρ= =
σ q ( n µn + p µ p )
Ce terme est donc fonction du dopage et le
diagramme ci-contre montre ses variations
pour les matériaux usuels. On pourra Fig. 5.38 :
remarquer que pour des matériaux dopés, il
ne dépend que des majoritaires.

5.5.7- Diffusion, relation d’Einstein

Le phénomène de diffusion est un phénomène général
en physique. Il apparaît dès qu’il existe une différence
de concentration entre deux zones, les particules se
déplaçant des zones à forte concentration vers les zones
à faible concentration. Ce phénomène crée un flux de
diffusion qui, dans le cas de particules chargées
donnera naissance à un courant électrique.
Diffusion de porteurs dans un semi-conducteur
Considérons un semi-conducteur dans lequel la densité
des électrons varie comme le montre la figure ci-contre Fig. 5.39 :
(il en serait de même avec les trous). Nous nous
placerons dans l’hypothèse d’un modèle unidimensionnel dans lequel nous considèrerons que les électrons se
déplacent uniquement suivant l’axe des X. Les électrons seront considérés comme étant monocinétiques et le
temps mis pour parcourir la ℓ distance sera très petit par rapport à leur durée de vie.

58
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

La variation de concentration va créer un flux de particules F dirigé vers les x croissants.

Soit N1 le nombre de particules comprises entre x0 - ℓ et x0 et N2 le nombre entre x0 et x0 +ℓ à l’instant t=0.

A un instant t = t0 (t>t0), on peut considérer que statistiquement, N1/2 particules ont leur vitesse dirigée vers
la droite, de même, N2/2 ont leur vitesse dirigée vers la gauche. Le flux qui en résulte pendant le temps
τ nécessaire pour parcourir la distance ℓ vaut :
N1 N 2
−
F ( x) = 2 2 = N1 − N 2 or N = n1 + n0 ℓ et N = n2 + n0 ℓ soit
τ 2τ
1
2
2
2
n −n  −∆n  ℓ
2
 ∆n   dn 
F ( x) = 1 2 ℓ =   or   =  
2  2ℓ  2τ R  2ℓ   dx ( x = 0)
2
 dn  ℓ
 F ( x) = −   *
 dx ( x =0) 2τ R
ℓ2
La constante a la dimension de cm2/s. Elle est appelée « Constante de Diffusion » et notée D (Dn pour
2τ R
les électrons, Dp pour les trous). Le flux de porteurs s’écrit :
F ( x) = − Dn gradn( x )
Courant de Diffusion
Les particules qui se déplacent par le biais du phénomène de diffusion sont des particules chargées. Elles vont
donc donner naissance à des courants électriques. Leurs expressions s’écrivent :

jn = −qFn ( x) et j p = −qFp ( x) soit:

jn ( x ) = qDn gradn( x)
j p ( x ) = −qDp gradn( x)
Les gradients de concentration étant opposés, les courants qui en découlent sont additifs eu égard aux
charges qui sont opposées.
Semi-conducteur inhomogène à l'équilibre thermodynamique, relation d’Einstein
Considérons le semi-conducteur dont la structure de bande est représentée ci-contre. Le matériau étant isolé
et à l’équilibre thermodynamique, le courant électrique total est nul. La non-homogénéité du matériau entraîne
l’apparition d’un champ électrique interne. Deux phénomènes antagonistes vont exister dans la structure :
− Un phénomène de diffusion dû à l’inhomogénéité
− Un phénomène de conduction dû au champ électrique
Ces deux phénomènes vont s’équilibrer pour donner un courant
nul.
1
Le champ électrique s’écrit : E i = − gradV = gradEc ( x ) . En tout
q Fig. 5.40 :
point de la structure le courant est nul. Cela se traduit par :

59
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

jn ( x ) = j p ( x ) = 0
 dn
 qn( x) µn Ei + qDn dx = 0
soit: 
qp ( x) µ E + qD dp = 0
 p i p
dx
EC ( x ) − EF
La relation de définition de la densité des porteurs permet d’écrire: n = N * exp(− ) qui peut s’écrire :
kT
EC ( x ) − EI ( x ) EI ( x ) − E F
n( x) = N *exp(− ) exp(− ),
kT kT
EC ( x ) − EI ( x ) E I ( x ) − EF
ni = N *exp(− )  n( x) = ni exp(− )
kT kT
on en déduit:

n( x) E I ( x ) − EF  n ( x )  EF − EI ( x )
= exp(− )  Log  =
ni kT  ni  kT
 EF − EI ( x ) = kT *( Log ( n( x) ) − Log ( ni ) )

 grad (n( x)) 

soit grad (EI ( x ) ) = − kTgrad (Log ( n( x) ) ) = − kT  
 n( x) 

or grad (EI ( x ) ) = grad (EC ( x ) ) donc;

1 1  grad (n( x ))    grad (n( x)) 
Ei = gradEc ( x ) =  − kT    = −U r  
q q  n( x )    n( x ) 
On obtient une relation similaire pour les trous en changeant le signe et en remplaçant n par p :

 grad (p ( x)) 
E i = Ur 
 p( x) 
Si nous reportons cette expression du champ électrique dans les équations du courant, nous obtenons :

  grad (n( x))  

qn( x) µn  −U r    + qD n grad (n( x)) = 0  grad (n( x)) ( − µnU r + qD n ) = 0
  n( x )  
  grad (n( x))  
qp( x) µ p  U r 
( )   − qD n grad (p( x)) = 0  grad (p( x)) ( µ pU r − qD p ) = 0
  n x 
D D kT
Pour que ces deux relations soient vérifiées, il faut : n = p = = UT
µn µp q
Cette relation est connue sous le nom de relation d’Einstein.
La constante de diffusion des porteurs est donc directement liée à leur mobilité.
Equation de conservation des porteurs
Cette équation traduit le bilan, par unité de temps, de la variation de la densité des porteurs dans un volume
élémentaire de matériau semi-conducteur. Sa résolution permettra de définir les profils des densités de porteurs

60
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

excédentaires dans les semi-conducteurs et, par conséquence de calculer les différents courants dans les
structures.
Ce bilan met en œuvre les trois éléments qui peuvent modifier la densité des porteurs :
− La génération,
− La recombinaison,
− Le passage d’un courant électrique.
Courant électrique : Considérons un volume élémentaire de semi-conducteur de dimensions ∆x, ∆y, ∆z. Soit
un courant de trous jp(x) circulant dans cet élément. Le flux de trous
est défini à partir du courant par la relation :
j p ( x)
Fp ( x ) =
q
∂Fp ( x )
Le flux en x vaut: Fp ( x + ∆x) = Fp ( x ) + ∆x
∂x
Le bilan dans la direction Ox vaut:
∂Fp ( x )
 Fp ( x + ∆x ) − Fp ( x )  ∆y ∆z =
∆x ∆y ∆z
  ∂x
On obtient des relations semblables dans les directions y et z. La
Fig. 5.41 :
variation du courant correspond donc à une divergence.

Génération : Soit g la vitesse de génération. Son influence par unité de temps se traduit par : g*∆x ∆y ∆z (ce
terme est positif).
Recombinaison : De la même manière, le terme correspondant vaut : r* ∆x ∆y ∆z (ce terme est négatif)
La variation du nombre de porteurs par unité de temps dans le volume donné s’écrit donc :

dp  1 
∆x∆y ∆z =  − div j p + g − r  ∆x∆y ∆z
dt  q 
dp 1
Soit = − div j p + g − r
dt q

On obtient une équation similaire pour les électrons en remplaçant p par n et en changeant le signe de la
divergence.
Explicitation de la relation dans le cas général
Dans le cas d’un faible niveau d’injection, seuls les porteurs minoritaires seront perturbés. Pour un matériau
de type N par exemple, on pourra écrire :
pˆ
g = g 0 + gˆ , r = r0 + rˆ et rˆ =
τp
dp 1 pˆ
L’équation de conservation s’écrit alors : = − div j p + gˆ −
dt q τp
Le courant peut être constitué de deux termes ; un terme de diffusion et un terme de conduction. On obtient
donc, dans le cas général :
dpˆ ( x) 1 pˆ
dt q
(
= − div qpˆ ( x) µ p E − qD p gradpˆ ( x) + gˆ −)τp
soit,

61
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

dpˆ ( x) pˆ
dt
( )
= Dp ∆ pˆ ( x) − µ p div pˆ ( x) E + gˆ −
τp
Dans les cas pratiques, le champ électrique est généralement nul. Cela permet de simplifier cette équation.
En régime permanent, il n’y a pas de variation en fonction du temps. On en tire:
pˆ pˆ gˆ
0 = Dp ∆ pˆ ( x) + gˆ − ∆ pˆ ( x) − =
τp Dpτ p Dp
On peut remarquer que la dimension du terme Dpp est cm2. On le posera égal à Lp2. Ce terme est appelé «
Longueur de Diffusion » :
L p = D pτ p
On pourra donc associer trois constantes aux porteurs libres dans un matériau semi-conducteur : Une constante
temporelle τ, une constante inertielle µ ou D et une constante spatiale L. Ces trois constantes sont reliées par
les relations suivantes :
D n D p kT
L p = D pτ p et = = = UT
µn µ p q

5.6-Exercice
Exercice n°1 : Semi-conducteur intrinsèque
On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d'états énergétiques dans la bande
de conduction et dans la bande de valence sont notées respectivement NC et NV.
1) Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la densité de trous p
dans la bande de valence.
2) En déduire l'expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi intrinsèque EFi.
3) Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et 227°C. On rappelle
qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence énergétique, le haut de la bande de valence
(EV=0eV).
Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour lequel
NC=2,7.1019cm-3 et NV=1,1.1019cm-3.
Exercice n°2 : Semi-conducteur extrinsèque
Le silicium est dopé avec du phosphore (groupe V du tableau de Mendeleïev) de concentration 1018cm-3.
1) Calculez à 27°C, la densité d'électrons du silicium ainsi dopé. En déduire la densité de trous. Quel est le
type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
2) Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de
bandes du silicium ainsi dopé.
Exercice n°3 : Considérons un matériau semi-conducteur (Silicium) dopé phosphore dans lequel existe un
niveau recombinant Er dont les caractéristiques sont :
Position par rapport à la bande de conduction Ec – Er = 0,375 eV
Densité d’états sur le niveau recombinant : Nr = 1013 cm-3

1) Ecrire l’expression de la durée de vie de Hall-Schokley-Read en fonction des deux variables qui sont :

62
 Les conducteurs et les semi-conducteurs

E I − EF E − Er
UF = , Ur = I
kT kT
Tracer le diagramme de bandes correspondant.
2) Donner l’expression de la durée de vie dans les différents cas suivants :
U F >> U r , U F ≥ 0
U F >> U r , U F ≤ 0
UF = 0

AN : σ n = 10−15 cm2 ; σ p = 10−16 cm2 ; vth = 107 m / s

3) Que devient la durée de vie si le centre recombinant se situe au milieu de la bande interdite ?
4) Vers quelle limite tendrait la durée de vie s’il n’y avait pas de centre recombinant ?
5) Tracer les variations asymptotiques de la durée de vie en fonction de la position du niveau de fermi et
déterminer les valeurs correspondant aux intersections des asymptotes. Conclusions.
Exercice n°4 :
On considère l’arséniure de gallium intrinsèque à la température ambiante (kT0 = 1/40 eV) pour lequel on
donne :
− la hauteur de la bande interdite:1.42 eV.
− masse effective des électrons: 0.071 m0.
− masse effective des trous: 0.428 m0.
− mobilité des électrons: 8.0 103 cm2 V-1s-1.
− mobilité des trous: 360 cm2 V-1s-1.
− les mobilités varient proportionnellement à (T)-3/2.
On donne : q=1,602.10-19C, m0 = 9.11 10-31 kg, N0 = 2.5 1025 m-3.
1) Calculer pour le GaAs intrinsèque à la température ambiante :
a) Densité des porteurs libres.
b) La position du niveau de FERMI.
c) La résistivité
d) La variation relative de la résistivité pour une diminution de 1% de la température ambiante.
2) On dope cet arséniure de gallium avec 1.0 1016 atomes accepteurs/cm3 et 5.0 1015 donneurs/cm3.
Calculer à la température ambiante :
a) Densité des porteurs libres.
b) La position du niveau de FERMI.
c) La résistivité
La variation relative de la résistivité pour une diminution de 1% de la température ambiante.

63