Supelec: Dimensionnement Énergétique de Réseaux de Capteurs Ultra-Compacts Autonomes en Énergie
Supelec: Dimensionnement Énergétique de Réseaux de Capteurs Ultra-Compacts Autonomes en Énergie
Supelec: Dimensionnement Énergétique de Réseaux de Capteurs Ultra-Compacts Autonomes en Énergie
SUPELEC
ÉCOLE DOCTORALE STITS
« Sciences et Technologies de l’Information des Télécommunications et des Systèmes »
THÈSE DE DOCTORAT
DOMAINE : STIC
Spécialité : Électronique
Fabien TODESCHINI
Composition du jury :
Jules Renard
REMERCIEMENTS
Trois années ont passé et me voilà en train de taper les derniers mots de mon manuscrit.
J’ai peine à croire que j’y suis parvenu. Mais si j’en suis là aujourd’hui, j’ai conscience que
c’est grâce à l’aide et au soutien des personnes que j’ai rencontrées et côtoyées tout au long
de ces années de recherches. Tant à STMicroelectronics qu’au laboratoire de Supélec.
Je remercie donc en premier lieu P HILIPPE B ÉNABÈS, mon directeur de Thèse, pour
m’avoir guidé dans mon travail et aidé à trouver des solutions.
Je remercie également PASCAL U RARD sans qui je n’aurais jamais eu la chance de réali-
ser ce travail. Merci de m’avoir offert cette opportunité et de m’avoir fait confiance.
Je remercie C HRISTOPHE P LANAT, mon encadrant industriel, qui m’a accordé de son
temps lorsque j’avais besoin de son aide. Désolé pour les longues soirées à ST.
Je remercie toute l’équipe ST au sein de laquelle j’ai beaucoup appris. Il est toujours
agréable de travailler dans une bonne ambiance avec des collègues toujours prompts à t’aider.
Je profite de ce paragraphe pour adresser un merci très particulier à mon collègue T HIERRY
S IMON qui m’a conseillé pour toutes les fonctions matlab et autres commandes Linux. Merci
à lui aussi d’avoir partagé avec moi un petit millier de pauses café bien méritées ;-)
Je remercie également mes deux compagnons de galère : F LORIAN BARRAU qui m’a
soutenu à chaque nouvelle « tuile » (j’ai été ravi d’essuyer les plâtres pour toi ! !) et N ICO -
LAS L E D ORTZ qui m’a donné les clés de latex.
Je remercie sincèrement PAUL G OSSELIN pour son apport lors de son stage de fin d’étude
chez STMicroelectronics. Merci pour ta contribution sur les travaux concernant le compteur
de charges.
Je remercie enfin C AMILLE, mon plus grand soutien depuis des années. Merci de m’avoir
encouragé et d’avoir cru en moi. Et merci d’avoir supporté mes longs mois d’absence lors de
mes séjours à Supélec ;-)
3
RÉSUMÉ
Les capteurs sans fil ont un avenir prometteur c’est pourquoi leur développement est à
l’origine de nombreuses recherches. Leur autonomie reste cependant un problème à résoudre.
Les travaux de cette thèse se concentrent précisément sur cette problématique : trouver
une stratégie permettant aux capteurs d’être autonomes en énergie.
L’énergie nécessaire à l’alimentation du capteur, quel que soit son mode de fonctionne-
ment, doit en effet être récupérée de l’environnement dans lequel le capteur se trouve. De
plus, en cas d’absence ou d’insuffisance d’énergie environnante, le fonctionnement du cap-
teur doit pouvoir perdurer. À cela s’ajoute la nécessité de connaitre à tout instant la quantité
d’énergie disponible afin de pouvoir maintenir un niveau de charge constant et ainsi prolon-
ger la vie du capteur. Enfin, toute cette gestion de l’énergie doit pouvoir garantir le meilleur
rendement possible.
Cette étude a conduit à la conception et au test d’un circuit en technologie CMOS 90nm.
Ce même circuit a été intégré dans les capteurs sans fil d’un réseau en cours de dévelop-
pement. Et enfin, une méthode permettant de connaitre le niveau d’énergie embarquée a été
mise au point et pourra permettre à l’avenir la conception d’un nouveau circuit de power ma-
nagement pour capteurs autonomes en énergie.
This work focuses on this problem : find a strategy for the sensors to be autonomous.
The energy required to power the sensor, whatever its working mode, must indeed be har-
vested from the environment wherein the sensor is located. Moreover, in case of absence or
a lack of available energy, the sensor has to keep working. Additionnaly the state-of-charge
has to be known in real time in order to extend the sensor lifetime. Finally, the energy mana-
gement has to give the highest efficiency.
This study led to the design and the test of a circuit in a CMOS 90nm technology. This
circuit was integrated in wireless sensors for networks under development. Finally, a method
to estimate the level of energy in the sensor has been developed and will allow to design a
new circuit of power management for wireless sensor network.
1 INTRODUCTION 23
7
TABLE DES MATIÈRES
8
TABLE DES MATIÈRES
9
TABLE DES MATIÈRES
6 PERSPECTIVES 163
6.1 INTRODUCTION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
6.2 AMÉLIORATION DU PM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
6.2.1 Le PVLDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
6.2.2 La protection de batterie (Low-Cut Off) . . . . . . . . . . . . . . . . 163
6.2.3 Le limiteur de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
6.3 STRATÉGIES DE FONCTIONNEMENT DU COMPTEUR DE CHARGES 167
6.4 CONCLUSION . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
7 CONCLUSION 171
A ANNEXES 175
A.1 IMPERFECTIONS DE L’INTÉGRATEUR CONTINU . . . . . . . . . . . . 175
A.1.1 Effet des imperfections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
A.1.2 Technique de compensation du retour d’un intégrateur continu . . . . 177
10
TABLE DES MATIÈRES
11
TABLE DES MATIÈRES
12
Table des figures
13
TABLE DES FIGURES
14
TABLE DES FIGURES
15
TABLE DES FIGURES
5.42 Résultat de l’intégrateur compensé face aux mismatch des capacités d’échan-
tillonnage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
5.43 Erreur normalisée du résultat de l’intégrateur compensé aux mismatch. . . . . 114
5.44 Résultat de l’intégrateur compensé face aux mismatch des capacités d’échan-
tillonnage exagéré de 20%. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.45 Erreur normalisée du résultat de l’intégrateur compensé aux mismatch. . . . . 115
5.46 Signal de sortie de l’accumulateur en fonction de l’offset du comparateur. . . 115
5.47 Signal de sortie de l’accumulateur normalisé. . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
5.48 Dérive due à un offset du comparateur de 10mV par rapport à un offset nul. . 116
5.49 Dérive due à un offset du comparateur de 1mV par rapport à un offset nul. . . 117
5.50 Dérives d’offset de 10mV et 1mV normalisés par rapport à un offset nul. . . 117
5.51 Diagramme de Bode de la référence de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . 119
5.52 PSRR de la référence de tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
5.53 Schéma équivalent de l’alimentation du système. . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.54 Variation de la tension d’alimentation et référence de tension résultante. . . . 120
5.55 Référence de tension avec un PSRR de 60dB. . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
5.56 Référence de tension avec un PSRR de 80dB. . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
5.57 Sortie de l’accumulateur pour différentes qualités de références. . . . . . . . 122
5.58 Sortie de l’accumulateur normalisée pour différentes qualités de références. . 122
5.59 Erreur du modulateur Σ ∆ à capacités commutées pour un gain de 100. . . . 122
5.60 Erreur du modulateur Σ ∆ à capacité commutées pour un gain de 100 avec
bruit numérique ajouté. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
5.61 Erreur de gain fini non compensé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
5.62 Erreur de gain fini non compensé normalisé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
5.63 Erreur de gain fini compensée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
5.64 Dérive en fonction du gain de l’amplificateur. . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
5.65 Erreur d’offset. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
5.66 Erreur d’offset normalisée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
5.67 Erreur d’offset non nul compensée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.68 Erreur d’offset compensées normalisées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.69 Dérive en fonction de l’offset de l’amplificateur. . . . . . . . . . . . . . . . . 128
5.70 Dérive due à l’offset de l’amplificateur normalisée. . . . . . . . . . . . . . . 128
5.71 Dérives dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages. . . . . . 129
5.72 Erreur normalisée des différents mismatch des capacités d’échantillonnages. . 130
5.73 Dérives dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages. . . . . . 130
5.74 Erreurs dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages norma-
lisées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
5.75 Dérive due au mismatch des capacités. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
16
TABLE DES FIGURES
17
TABLE DES FIGURES
18
Liste des tableaux
19
LISTE DES TABLEAUX
20
GLOSSAIRE
21
LISTE DES TABLEAUX
22
Chapitre 1
INTRODUCTION
Être connecté au reste du monde. Si ce rêve a longtemps relevé de l’utopie, il fait aujour-
d’hui partie intégrante de nos vies. Chacun désire avoir accès à l’information et a le besoin
irrépressible de communiquer avec son entourage. Chacun a besoin de tisser sa toile.
Pourtant, au début des années 1970, lorsque les premiers microprocesseurs ont révolu-
tionné le monde de l’électronique et permis l’apparition des premiers ordinateurs personnels,
la société doutait de l’utilité de tels appareils. Comme elle aurait été stupéfaite de savoir que
30 ans plus tard elle en serait dépendante au point d’en demander toujours plus !
Si nous nous sommes en effet longtemps satisfaits d’être connectés uniquement à notre
entourage ce n’est plus le cas aujourd’hui. Les avancées technologiques tendent à nous rendre
plus exigeants en termes de sécurité, de confort et de santé, c’est pourquoi être connectés à
notre environnement nous est devenu indispensable. Des réseaux de capteurs environnemen-
taux apparaissent donc progressivement. Reliés à Internet, ils répondent à une grande majorité
des demandes actuelles. Cependant, pour des raisons économiques et pratiques, il devient dif-
ficile d’utiliser ces réseaux de capteurs câblés.
Heureusement, les technologies sans fil sont apparues. En effet, depuis quelques années
la miniaturisation de plus en plus poussée du transistor élémentaire a suivi la loi de Moore et
les systèmes sont donc devenus de plus en plus compacts (smartphones, tablettes tactiles, lec-
teurs de musiques, etc.). Cette avancée technologique repose entre autre sur le gain de place
réalisé par le groupement de différents circuits intégrés dans des System in Package (SiP) ou
dans des System on Chip (SoC). Plusieurs circuits se retrouvent donc dans un même boitier,
ce qui permet de faire cohabiter des circuits analogique, radiofréquence et numérique. Les
surfaces des circuits imprimés sont donc plus petites. De plus, des techniques d’empilements
ont dernièrement vu le jour et aboutissent à des circuits en trois dimensions (Figures 1.1a
et 1.1b) possédant des boitiers moins imposants.
23
CHAPITRE 1. INTRODUCTION
24
F IGURE 1.2 – Exemple d’architecture d’un capteur autonome en énergie.
C’est pourquoi, dans un premier temps (Chapitre 2) les différents types de systèmes per-
mettant de récolter l’énergie ambiante et de la convertir en énergie électrique seront présentés.
Ces éléments sont en effet indispensables à la survie et à l’autonomie énergétique du capteur.
Il est donc primordial de connaitre tous les types de systèmes existants pour faire des choix
judicieux en termes d’apport énergétique et de rendement. Dans le même temps, un tour
d’horizon des différents éléments de stockage de l’énergie et des différents convertisseurs
d’énergie sera effectué. Étant indispensables à l’alimentation du capteur lorsque l’énergie
ambiante est insuffisante ou nulle, il est également important de les choisir convenablement.
Cet aperçu architectural des différents éléments permettra dans un deuxième temps (Cha-
pitre 3) de mettre en évidence les besoins d’un capteur autonome en énergie. Il sera alors
possible de s’interroger sur les contraintes que chacun d’eux représente pour le projet tout en
mettant en lumière les enjeux.
Puis dans un troisième temps (Chapitre 4) les différentes solutions permettant de répondre
aux interrogations préalablement soulevées seront mises en perspective. Il s’agira de mettre
en lumière chacune des étapes pour bien saisir les attentes du projet et être en mesure d’ap-
préhender celui-ci dans sa globalité.
25
CHAPITRE 1. INTRODUCTION
26
Chapitre 2
2.1.1 Introduction
Les capteurs d’énergie apparaissant sous leur forme anglophone harvester dans la ma-
jorité des ouvrages scientifiques traitant de ce sujet, il a été choisi d’utiliser également cet
anglicisme tout au long de la recherche. De plus, cela permettra d’éviter les confusions avec
les autres emplois du terme « capteur ».
27
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
explosion ou d’une machine à laver. D’autres applications visant des systèmes complets ont
pu être démontrées. Par exemple, un capteur sans fil autonome alimenté à partir d’un har-
vester piézoélectrique a été développé. Conçu dans un Micro-Mecanical-Electrical-System
(MEMS) dans lequel le vide d’air avait été créé (l’air enfermé dans ce genre de cavité freine
la masse en mouvement, il est donc indispensable de faire le vide d’air pour que la puissance
délivrée puisse être décuplée), le harvester a été capable de délivrer une puissance de 85µW
une fois excité à une fréquence de 325Hz (Figure 2.1) [8].
2.1.3 Thermoélectricité
La thermoélectricité a été découverte au début du 19ème siècle par le physicien Thomas
Johann Seebeck [12]. Elle consiste à transformer un flux de chaleur en courant électrique
par l’intermédiaire de matériaux conducteurs de natures différentes [13]. L’effet thermoélec-
trique est réversible. Si une différence de température existe de chaque côté d’un couple de
matériaux de natures différentes alors une différence de potentiel se crée. C’est l’effet See-
beck. La réciproque est également valable. De la même manière, si un courant électrique
parcourt un couple de matériaux conducteurs de natures différentes alors une différence de
température apparaît aux jonctions de ce couple. Une jonction s’échauffe alors que l’autre
se refroidit. On parle alors de l’effet Peltier en référence au physicien Jean-Charles Peltier
28
2.1. LES CAPTEURS D’ÉNERGIE
qui découvre l’effet en 1834 [12]. Chaque couple de matériaux conducteurs ayant un pouvoir
thermoélectrique différent, il convient alors de les choisir judicieusement afin d’obtenir le
meilleur rendement de la conversion [14]. Les harvesters thermoélectriques ont une courbe
de puissance caractéristique en cloche (Figure 2.2). On remarque aisément que le maximum
VOC
de puissance intervient pour une valeur de 2
.
15 40
courant
puissance
ICC 30
10
puissance (µW)
courant (µA)
20
5
10
0 0
0 2 4 6 8 10 VOC 12
tension (V)
F IGURE 2.2 – Courbe de courant et de puissance en fonction de la tension d’un convertisseur
thermoélectrique.
Des harvesters thermoélectriques sont donc des modules formés de couples thermoélec-
triques. Leur efficacité repose sur un quadrillage de thermocouples simultanément connectés
de deux manières différentes : électriquement en série et thermiquement en parallèle (Fi-
gure 2.3). En effet, chaque thermocouple a une différence de potentiel de l’ordre de quelques
millivolts. La chaleur traversant le module va donc pouvoir créer une tension de quelques
volts qui sera exploitable par une électronique classique.
Chaque matériau utilisé pour un thermocouple est efficace pour un ∆T donné. Ainsi,
pour augmenter le rendement d’un générateur thermoélectrique utilisé dans des applications
1. Image issue de : pcbheaven.com/wikipages/The_Peltier_Thermo-Element/
Site consulté en Mai 2013
29
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
Ces cellules photovoltaïques (PV) sont composées de deux couches de silicium (dopé N
et P) superposées. Cela crée une jonction PN avec une bande d’énergie Eg . Ces deux couches
se trouvent entre un substrat et une grille métalliques afin de pouvoir collecter l’électricité
produite par la cellule. Quand un photon d’énergie supérieur à Eg vient frapper cette jonction
PN, il arrache un électron de la couche N pour le faire passer dans la couche P (l’électron rem-
plit donc un trou de la couche P et libère ainsi un trou en N). Une paire « électron-trou » est
générée et une différence de potentiel est créée aux bornes de la jonction. Si une charge est
placée sur ces bornes, un courant est récolté. Selon la luminosité et le type d’éclairement (na-
turel (solaire), artificiel (tube fluorescent, halogène, etc.)) ainsi que le type de matériau utilisé
le rendement de la cellule peut être plus ou moins élevé.
L’irradiance est la quantité d’énergie lumineuse reçue à la surface de la Terre par mètre
carré. Pour une cellule solaire, elle représente la puissance lumineuse incidente à la cellule.
Le rendement solaire η d’une cellule est donc la puissance électrique produite par la cellule
en fonction de l’irradiance qu’elle reçoit :
Pproduite
η=
irradiance × surf ace
Différents types de cellules existent, cependant certaines sont plus utilisées que d’autres.
Les cellules solaires monocristallines (Figure 2.4) sont réalisées à partir des lingots de
silicium obtenus selon le procédé de Czochralski. Cela consiste à étirer les germes d’un mo-
nocristal (à une vitesse de l’ordre du millimètre par heure) et à leur faire suivre une même
orientation cristalline [17]. Ainsi les cellules obtiennent un teint homogène et un rendement
30
2.1. LES CAPTEURS D’ÉNERGIE
élevé. Les cellules monocristallines sont issues du même silicium que celui utilisé dans l’in-
dustrie de la micro-électronique. Une fois étiré, le monocristal de silicium est purifié à plus
de 99.999%. Le rendement des cellules monocristallines est donc plus élevé mais également
leur coût. En effet le procédé est long (plusieurs heures pour la fabrication d’un lingot mo-
nocristal), la consommation énergétique importante et la conception délicate. Leur utilisation
se limite donc à des surfaces relativement réduites.
Les cellules solaires polycristallines (ou multicristallines) (Figure 2.5) sont de loin les
plus répandues à ce jour. La raison est simple ; leur rapport coût/rendement est plus faible.
Elles peuvent être réalisées selon deux méthodes :
La première consiste à réaliser des rubans de silicium (polycristallin EPR (Electron Pow-
der Ribbon) à partir de poudre de silicium. Le procédé est relativement rapide donc son coût
est peu élevé. Cependant, des contraintes se forment lors du refroidissement. La matière se
disloque et les cristaux sont alors arrangés de manière aléatoire [18].
La seconde est beaucoup plus répandue. Elle consiste à refondre des chutes de silicium
monocristalin issues de l’industrie de la micro-électronique (lors de l’équarrissage des wa-
fers). Bien qu’elle nécessite l’utilisation de fours chauffant à plus de 1400◦ C, cette méthode
nécessite beaucoup moins d’énergie que pour la production de silicium monocristallin. Son
coût est donc plus faible. Une fois refroidis, les lingots sont découpés en tranches de quelques
centaines de micromètres d’épaisseur. Elles aussi forment un ensemble de cristaux monocris-
tallin arrangés de manière non uniforme [19]. Le rendement est donc également plus faible
31
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
que des cellules monocristallines mais leur rapport coût/rendement est le plus faible.
Les cellules de silicium en ruban sont fabriquées à partir de silicium mou ayant une
structure polycristalline. Ces cellules sont moins efficaces (13.5-15%), mais représentent une
faible perte de silicium puisqu’aucune découpe n’est réalisée (Figure 2.6). Ce principe a été
breveté par la société Solarforce [20].
Les cellules solaires dites amorphes (ou cellules à couche mince (Figure 2.7)), créées en
1969 par Chittick, Alexander et Sterling [21], sont principalement utilisées pour des calcula-
trices à bas coût, des montres et d’autres gadgets électroniques. Leur principe repose sur la
fine couche de silicium déposée au moyen d’un gaz composé de silicium et d’hydrogène, le
3. Image issue de : www.directindustry.fr/fabricant-industriel/cellule-solaire-73613.html
Site consulté en Mai 2013
4. Image issue de : www.solarforce.fr/fr/technologie
Site consulté en Mai 2013
32
2.1. LES CAPTEURS D’ÉNERGIE
silane (SiH4 ) [22]. Le dépôt du silane se fait sur un substrat (par exemple du verre) chauffé
à 150 - 200˚C. Cette technique au gaz est également utilisée pour déposer d’autres matériaux
qui permettent d’absorber une partie plus large du spectre lumineux. Le rendement est ainsi
accru. Au contraire des cellules cristallines, les atomes de silicium ne sont pas structurés de
manière périodique mais aléatoire. C’est ce qui leur procure un aspect mat [17]. Le processus
de fabrication des cellules amorphes comporte moins d’étapes que celui de la fabrication des
cellules cristallines. Il est donc plus rapide et moins coûteux.
Leur rendement lors d’une exposition aux rayons du soleil est relativement faible mais est
nettement supérieur pour une bande spectrale de lumière plus courte que celle des cellules
cristallines. En effet, le silicium amorphe a lui une bande interdite de 1.7eV (1.1eV pour les
cellules cristallines qui ne lui permet pas de convertir la lumière infrarouge) [23]. Ces cellules
seront donc plus efficaces en intérieur sous un éclairage artificiel tel que l’éclairage à lampes
à diodes électroluminescentes (LED) ou à tube fluorescent que sous un éclairage solaire ou
artificiel de type halogène. L’utilisation de ce type de cellule peut constituer un avantage
non négligeable pour des applications ou la lumière est diffuse (temps couvert, ombragées,
intérieur...) là où les cellules polycristallines auraient un rendement quasi nul (Figure 2.8).
La courbe 2.8 compare la puissance fournie normalisée par unité de surface pour une
cellule monocristalline et une cellule amorphe sous un éclairage artificiel. On constate qu’en
dessous de 15klux, la cellule amorphe a un avantage en rendement sur la cellule cristalline :
33
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
105
cellule amorphe
104
cellule cristalline
102
101
100 2
10 103 104 105
LUX
F IGURE 2.8 – Comparaison de la puissance d’une cellule amorphe et d’une cellule monocris-
talline en fonction de l’éclairement.
Une cellule tandem est l’association d’une cellule cristalline et d’une cellule amorphe [24].
Elle fonctionne aussi bien en intérieur qu’en extérieur puisqu’elle peut combiner l’efficacité
de la cellule cristalline (en fort éclairement) avec celle de la cellule amorphe (en faible éclai-
rement) [25]. Bien que cette technique soit ancienne, le coût de fabrication de ces cellules
reste élevé et leur utilisation marginale.
Les cellules multicouches (ou multijonctions (Figure 2.9)) peuvent extraire davantage
d’énergie que les cellules solaires à couche unique car elles convertissent une plus large
bande de fréquences de l’énergie lumineuse [26]. En effet, chaque jonction convertit une
bande de longueur d’onde restreinte. L’ajout de différents types de jonctions permet donc de
convertir plusieurs bandes de longueur d’onde et augmente par conséquent le rendement de la
cellule solaire. Leur coût de fabrication (cent fois supérieur au prix des cellules en silicium)
contraint leur utilisation au seul domaine spatial qui donne plus d’importance à la durée de
vie du produit ainsi qu’à son poids.
34
2.1. LES CAPTEURS D’ÉNERGIE
F IGURE 2.9 – Rendement énergétique d’une cellule à trois couches composés de Gallium-
Indium-Phosphore (GaInP), d’arséniure de gallium (GaAs) et de Germanium (Ge) en fonc-
tion de la longueur d’onde de la lumière 6 .
6. Image issue de : Advanced Material Technology and Future Of III-V Multijunction Solar Cells, P. Rhushi
Prasad, K. S. Badarinarayan, P.B.Gangavati, H.V.Byregowda.
35
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
1 0.3
puissance (mW)
0.75
courant (µ A)
0.2
0.5
0.1
0.25
0 0
0 1 2 3 4
tension (V)
2.1.5 Conclusion
D’autres types de harvesters existent tels que les harvesters électromagnétiques qui ré-
coltent l’énergie des antennes comme celle des portables, du wifi ou des stations de bases.
Leur utilisation reste cependant du domaine de la recherche et les puissances concernées de-
meurent marginales pour les types d’utilisations qui intéressent cette présente étude.
Ce n’est en revanche pas le cas d’un des principaux harvesters présentés précédemment.
En effet, il apparait rapidement que l’énergie solaire apporte un avantage non négligeable face
aux autres sources d’énergie (Tableaux 2.1). Cependant, en l’absence de lumière et selon les
conditions et lieux d’utilisation, d’autres sources peuvent se substituer. De plus, l’énergie
lumineuse est rarement présente en permanence pendant les 24h de la journée. Aussi, une
énergie thermo-électrique pourrait donc avoir un avantage supérieur à l’énergie lumineuse
si on l’utilise dans des environnements où la présence de source de chaleur est continue
(chaudière, radiateur, etc.). Ce n’est pas la condition retenue pour les spécifications du projet,
donc un harvester de type photovoltaïque en technologie amorphe sera utilisé.
Le harvester, quel qu’il soit, sera rarement adapté à une utilisation direct sur la batterie.
Afin d’optimiser le rendement, il convient donc d’adapter l’énergie du harvester à la batterie
par le biais d’un convertisseur d’énergie. L’utilisation de celui-ci permet en effet d’adapter
36
2.2. LES BATTERIES
2.2.1 Introduction
Le terme « batterie » désigne une série d’éléments accumulateurs d’énergie électrique.
L’appellation française « batterie » désigne tout type d’accumulateur électrochimique d’éner-
gie électrique. C’est dans ce sens que le terme batterie sera employé dans ce manuscrit.
Une batterie constitue un élément indispensable pour tous les appareils électriques no-
mades. Elle sert de support de stockage à l’énergie temporaire de l’appareil utilisé et doit
donc être rechargée pour recommencer un nouveau cycle. Certains paramètres de la batte-
rie (niveau de potentiel, impédance interne, profils de charge et décharge, capacité, courant
maximal de débit, etc.) sont déterminés par les éléments qui la compose : la batterie com-
prend deux électrodes (couple électrochimique) baignées dans une solution appelée « élec-
trolyte » (Figure 2.11).
37
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
Tous ces paramètres permettent d’offrir un large choix de batteries afin que toute applica-
tion trouve le meilleur compromis en fonction de ses besoins [28] [29]. Ici seront présentées
les batteries semblant le mieux convenir au type d’application du projet.
Les batteries à base de lithium sont actuellement l’une des technologies les plus em-
ployées et notamment les batteries lithium-ion qui utilisent le lithium à l’état ionique. Pour
ces batteries, la variété de conception est large car les matériaux utilisés pour les électrodes
sont nombreux. Leur tension de service se situe généralement à 3.6V et leur tension de fin de
charge s’élève à 4.2V . Le principal avantage des batteries lithium est leur grand rendement
énergétique qui avoisine les 100% [29].
Les batteries Zinc-air ont un avenir prometteur. Elles reposent sur le principe d’oxydation
du zinc [30]. En effet, l’oxygène de l’air joue le rôle d’électrode positive et au contact de
l’électrolyte liquide à base d’eau des ions hydroxydes sont produits. Ceux-ci oxydent le zinc
de l’électrode négative et libèrent ainsi des électrons.
Avoir ainsi l’oxygène de l’air comme réactif permet un gain de place (puisqu’il n’est pas
un composant physique solide) et donne donc la possibilité d’utiliser une anode en zinc plus
volumineuse. La capacité de la batterie zinc-air est donc plus importante pour un volume
donné qu’une batterie d’une autre technologie (le principe de ces batteries permettrait de sto-
cker de 10 à presque 20 fois plus d’énergie que les batteries lithium-ion [31]). Les réserves
mondiales de zinc sont de loin plus importantes que celles du lithium [32] ; le coût de ce
type de batteries pourrait donc baisser nettement pour les productions de masse. Les batteries
Zinc-air deviendraient alors très compétitives face aux batteries lithium.
38
2.2. LES BATTERIES
Cette technologie de batterie permet ainsi d’encapsuler une batterie dans un boitier de
composant électronique standard (< 10mm2 ) et de la confondre par la suite avec les autres
composants sur une même carte [41].
39
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
Les batteries au pentoxyde de vanadium sont appelées ainsi car leur cathode est consti-
tuée d’oxyde de vanadium. Elles trouvent un intérêt pour les systèmes ultra compacts (leurs
dimensions étant très réduites). Leur tension de services se situe aux alentours de 3V et leur
tension de charge quant à elle s’effectue aux alentours de 3.5V [42]. Ces batteries permettent
ainsi d’alimenter les systèmes électroniques directement, sans conversion préalables. De plus,
elles supportent un nombre de cycles de l’ordre de 1000 pour des profondeurs de décharge
de 10% (Figure 2.12).
Les batteries au manganèse sont-elles appelées ainsi car leur cathode est constituée d’un
alliage de manganèse. Tout comme les batteries au pentoxyde de vanadium, leur tension de
service est proche de 3V et leur tension de charge est tolérée jusqu’à 3.3V [43]. Leur nombre
de cycles s’élève en revanche à 1500 pour une profondeur de décharge de 10% (Figure 2.13).
Un des avantages des batteries boutons rechargeables par rapport aux batteries à couche
minces réside sur le fait d’une résistance interne beaucoup plus faible mais restant tout de
même de l’ordre de la dizaine d’ohms du fait notamment d’une taille réduite des électrodes.
La figure 2.13 présente le nombre ce cycle pour quelques batteries Lithium Manganèse :
40
2.3. LES CONVERTISSEURS D’ÉNERGIE
2.2.7 Supercapacités
Les supercapacités (ou supercaps) sont des condensateurs de très grande capacité (de
quelques milli-Farads à plusieurs milliers de Farads) à mi-chemin entre les condensateurs et
les batteries. De fortes densités de puissance et d’énergie non négligeables y sont combinées.
La faible résistance de série (ESR) de ces supercaps présente un avantage certain face aux
batteries de type thin film ou coin cell. De plus, ces supercaps ont un nombre de cycles de
charge/décharge très élevé (500000) [44]. Toutefois, le courant de fuite de ces supercaps étant
de quelques micro-Ampères, leur application à des systèmes de faible puissance tels que les
capteurs autonomes en énergie est à éviter [45].
2.2.8 Conclusion
Toutes ces batteries présentent donc d’importantes différences tant au niveau de leur du-
rée de vie que de leur rendement. De plus, peu sont adaptées aux applications ultra-compactes
telles que les capteurs autonomes en énergie (puisque ceux-ci commencent seulement à ce
développer). Au regard de l’énergie nécessaire à ces systèmes, les batteries thin film, pas en-
core commercialisées, pourraient avoir leur légitimité. Cependant, la batterie de technologie
Lithium-Manganèse présente des avantages certains en termes de faible encombrement et
d’énergie embarquée. C’est donc cette dernière qui a été retenue pour le projet.
2.3.1 Introduction
Chaque harvester fournit une puissance maximale différente. Celle-ci se situe à une valeur
particulière de courant et de tension : le MPP (Maximum Power Point). Il est indispensable
de rechercher ce point pour obtenir le plus de puissance possible. Les techniques utilisées
41
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
pour cela (Maximum Power Point Tracking : MPPT) sont plus ou moins complexes. Elles
dépendent en effet de la précision et la réactivité du système face à des changements rapide
du MPP. De plus, un convertisseur d’énergie peut fonctionner simultanément avec plusieurs
types de harvesters qui fournissent des réponses différentes (par exemple un capteur Seebeck
et un capteur solaire). Il est donc indispensable que le MPPT puisse s’adapter à ces sources.
La dichotomie (bisection search theorem : BST) est une autre des méthodes utilisées pour
rechercher le MPPT [48]. Elle consiste à utiliser la dérivée de la courbe de puissance en
fonction de la tension pour chercher le point particulier pour lequel la fonction s’annule (la
dérivée est nulle au maximum de puissance). Cette technique est très rapide et simple à mettre
en œuvre mais elle nécessite elle aussi l’utilisation d’un micro-contrôleur. Elle n’est donc pas
adaptée pour les applications solaires en intérieur.
Une autre méthode est en revanche plus adaptée pour des applications où l’énergie récu-
pérée est très faible. Elle considère le MPP comme étant une fraction de la tension de circuit
ouvert (VOC ) ou du courant de court-circuit (ICC ) (Figure 2.14). En effet, tout comme VOC la
tension au maximum de puissance (VM P P ) varie de manière logarithmique avec la lumino-
sité et est donc relativement proportionnelle à la tension VOC (VM P P ≃ k1 × VOC avec k1 un
facteur proche de 0.75 qui doit être déterminé au préalable pour différents seuils d’éclaire-
ment [49]). C’est donc par des mesures de VOC que le point de fonctionnement VM P P peut
être déterminé.
42
2.3. LES CONVERTISSEURS D’ÉNERGIE
MPP
ICC
IM P P
Puissance
Courant
VM P P VOC
Tension
F IGURE 2.14 – Courbes courant/tension du PV
Une méthode similaire par fraction de ICC existe également. Cependant, elle est moins
utilisée car elle est plus difficile à mettre en œuvre techniquement parlant. Particulièrement
adaptée aux applications faibles consommations (car celles-ci ne nécessitent pas de traite-
ment numérique), cette méthode n’est pas plus rapide. La mesure du VOC doit en effet se
faire régulièrement pour déterminer le MPP, ce qui empêche la recherche d’être continue.
Elle ne représente donc qu’une approximation du MPP. Cependant, pour des applications en
intérieur nécessitant l’utilisation de cellules solaires en silicium amorphe, la proportion k est
relativement bien gardée [47].
Les convertisseurs d’énergie de type buck-boost utilisent une bobine pour convertir l’éner-
gie. Il permet d’adapter la tension fournie par le harvester au reste du système (unité de
stockage, circuit électronique, etc.). Ce type de convertisseur convient particulièrement aux
conversions d’énergie de moyenne et haute puissance. Il est donc utilisé dans tous les sys-
tèmes de conversion d’énergie pour panneaux solaires extérieurs où les puissances mises en
jeu vont du Watt au kiloWatt [50].
Cependant, bien qu’ils nécessitent des éléments discrets (notamment la bobine), ils trouvent
également leur place dans les capteurs sans fils puisque leur rendement peut atteindre les
90% [2]. Ces convertisseurs peuvent permettre d’alimenter deux charges de tensions diffé-
rentes avec un rendement de 85% pour 200mW de puissance convertie [51]. L’adaptation de
ce type de convertisseurs aux capteurs à très faibles puissances (dont le rendement calculé
dépasse les 95%) est également possible [52]. Cependant, le rendement dépasse difficilement
les 70% pour des puissances de quelques micro-watts.
43
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
Les convertisseurs d’énergie à capacités commutées sont principalement utilisés pour des
applications de faible puissance (notamment en électronique numérique pour adapter des ni-
veaux de tensions : enregistrement des mémoires, liaisons série RS232, etc.), c’est pourquoi
ils sont qualifiés de pompes de charges [53]. Cependant, ces convertisseurs peuvent avoir un
certain intérêt pour les capteurs sans fil. En effet, les capacités peuvent être facilement inté-
grées sur silicium (contrairement aux inductances), rendant ainsi les systèmes très compacts.
Bien que leur rendement effectif reste faible pour de fortes puissances (inférieur à 50% [54]),
ils peuvent être utiles lorsque les tensions entre le harvester et la batterie et/ou le système sont
différentes. Pour les faibles puissances en revanche (quelques micro-watt à 1mW [55]), les
rendements peuvent dépasser 70%. En effet, avec 350pF de capacités intégrées et un rapport
de conversion de 1, il est possible de dépasser les 70% pour 50µA convertis [56] . Cependant,
ce rendement s’effondre vite en dessous de 50µA quand le rapport de conversion est élevé.
50% devient alors une valeur optimiste.
2.3.5 Conclusion
Les deux techniques présentées répondent à la plupart des besoins des systèmes actuels
puisqu’elles peuvent convertir la puissance maximale fournie par un harvester. Elles sont en
outre particulièrement indispensables lorsqu’il faut convertir les différences de tensions entre
différents éléments d’un système (harvester, batterie, charge).
44
2.4. GESTION DE L’ÉNERGIE D’UN CAPTEUR SANS FIL
2.4.1 Introduction
La gestion de l’énergie (plus couramment connue sous le terme anglophone power mana-
gement (PM)) conditionne le dimensionnement énergétique d’un réseau de capteurs. Elle est
donc primordiale puisqu’elle sert d’interface aux trois éléments interdépendants du capteur
que sont le harvester, la batterie et le système. Le PM doit permettre trois actions :
– l’alimentation du système en énergie via la batterie et/ou le harvester.
– l’adaptation des niveaux de tensions et/ou impédances entre le harvester, la batterie et
le système.
– la recharge de la batterie avec l’énergie apportée par le harvester.
Les puissances mises en jeu par le PM dépendent de l’application à laquelle ce dernier est
destiné. Les contraintes de consommations peuvent donc être différentes. Elles définissent
entre autre les types de convertisseurs pouvant être utilisés.
Texas Instruments ont quant à eux réalisé un PM dont la consommation au repos est de
330nA. Il permet de recharger une batterie (ou super-capacité) à partir d’un harvester soit
de type photovoltaïque soit de type thermique [58]. Le convertisseur d’énergie qu’ils utilisent
donne un rendement de l’ordre de 90% (même par faible charge) bien qu’il soit de type boost.
Utilisé pour des applications de faible énergie, le système de MPP est donc fondé sur la mé-
thode fractionnelle de VOC . En effet, pour les harvesters de type photovoltaïque (cf.2.1), le
facteur k = VVMOC
PP
est d’environ 0.75 alors qu’il est de 0.5 pour un convertisseur thermique.
Leur solution propose un pont de résistances externes pour configurer ce facteur k.
Une équipe de Leuven est parvenue à charger une batterie à partir d’un capteur thermique
45
CHAPITRE 2. ETAT DE L’ART : L’AUTONOMIE ENERGETIQUE DES
RESEAUX DE CAPTEURS
Zhangcai Huang and Yashuaki Inoue présentent un PM destiné à des applications médi-
cales qui ne consomme pas plus de 100nA en veille. Mais le circuit, ne gère pas la charge de
la batterie qui est directement connectée au harvester [60].
2.4.3 Conclusion
Les PM peuvent donc être très différents. Certains sont très spécifiques et sont par consé-
quent destinés à seulement quelques types de harvester et de batteries. D’autres sont en re-
vanche plus polyvalents et s’adaptent plus aisément.
Toutes les solutions présentées pourraient être adaptées à l’objet de cette étude. Il est
donc essentiel de prendre en compte les contraintes et les exigences des capteurs autonomes
en énergie afin de faire le meilleur choix. D’autant plus que cette présente recherche ne peut
s’appuyer que sur très peu d’études. En effet, le projet présente des contraintes énergétiques
très spécifiques encore peu approfondies dans le domaine de la recherche.
46
Chapitre 3
47
CHAPITRE 3. CONTRAINTES ET EXIGENCES D’UN CAPTEUR AUTONOME
EN ENERGIE
Le bilan énergétique typique d’un capteur autonome en énergie (Figure 3.1) se compose
de deux parties : la phase active (ou phase de réveil) pendant laquelle le capteur exécute les
tâches qui lui sont attribuées (mesures des capteurs, traitement et envoi des données, etc.) et
la phase de veille pendant laquelle le capteur est inactif. La phase active a une consomma-
tion moyenne très élevée (une dizaine de milli-Ampères) sur un temps très court (inférieur
à 100ms). Cela peut représenter 30% de l’énergie consommée par le capteur. La phase in-
active a quant à elle une consommation moyenne beaucoup moins élevée mais sur plus de
99.9% du temps. Cela peut représenter 70% de l’énergie consommée par le capteur. Il est
donc indispensable que la consommation de veille soit la plus basse possible pour permettre
au harvester de recharger la batterie.
La consommation d’un capteur autonome en énergie doit donc être de moyenne nulle
(Figure 3.2).
48
3.3. MESURE DE L’ÉNERGIE
35
30
courant (mA) 25
20
15
10
5
0
-5
0 20 40 60 80 100 120
temps (ms)
Sur la courbe ci-dessus, la partie supérieure à 0mA représente l’énergie consommée par le
capteur alors que la partie inférieure à 0mA représente l’énergie récupérée par le harvester (et
donc stockée dans la batterie).
Dans ce cas précis, l’intégrale de cette courbe est nulle, ce qui revient à dire qu’il n’y a ni
gain ni perte énergétique. Le PM ne doit donc absolument pas entraver le bilan énergétique
du capteur. Autrement dit, la batterie doit pouvoir être rechargée par le harvester même si
celui-ci ne reçoit qu’une faible quantité d’énergie.
La consommation statique du capteur doit donc être la plus faible possible. Elle doit
pouvoir satisfaire la charge et la décharge de la batterie, c’est à dire protéger cette dernière en
respectant les contraintes du constructeur. Elle doit également pouvoir satisfaire le système
en énergie quelle que soit la demande. Peu importe le moment, si le système demande un
courant bien supérieur à ce que fournit le harvester, le PM doit pouvoir lui fournir tant que
l’énergie stockée dans la batterie le permet.
49
CHAPITRE 3. CONTRAINTES ET EXIGENCES D’UN CAPTEUR AUTONOME
EN ENERGIE
Connaître l’état de charge de la batterie pourrait donc permettre de retarder la mise à jour
ou de la séquencer (stopper la mise à jour avant la décharge complète de la batterie et la
reprendre plus tard, une fois la quantité d’énergie disponible suffisante) et éviter ainsi toute
erreur de mise à jour.
50
3.3. MESURE DE L’ÉNERGIE
2.8
Vbatt (V)
2.6
2.4
2.2
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
temps normalisé
F IGURE 3.4 – Courbe de décharge typique d’une batterie ML2016 sous une charge de 1mA.
Une autre solution repose sur le fait que le micro-contrôleur gère le rapport cyclique. Cela
lui permet en effet de connaître son propre temps de veille et d’ainsi déduire sa consomma-
tion lors de cette phase (en connaissant le courant consommé en veille). Il connaît également
sa propre durée de phase de fonctionnement ainsi que celle de chacun des composants qu’il
active (capteur de température, accéléromètre, radio, etc.). Il serait donc envisageable de cal-
culer l’intégrale du signal le signal de manière informatique (Figure 3.5).
30
25
20
courant (mA)
15
10
5
0
1 2 3 4 5 6 7
-5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
temps normalisé
51
CHAPITRE 3. CONTRAINTES ET EXIGENCES D’UN CAPTEUR AUTONOME
EN ENERGIE
Chacune des parties numérotées de 1 à 7 représente une action du système. À partir d’une
table préconfigurée, il est possible de sommer chacun des éléments pour connaitre l’énergie
consommée.
Une telle estimation est également très approximative et peut très vite mener à une dérive.
En effet, pour déterminer l’intégrale numéro 7, il faut connaître l’énergie fournie par le har-
vester. Une estimation peut être faite après une mesure en fin de 6. Cependant, si l’énergie
fournie par le harvester varie au cours du mode veille (qui peut durer plusieurs minutes), une
erreur sur l’estimation s’ajoutera. De plus, certains événements indépendants des commandes
informatiques peuvent survenir et donc également s’ajouter. C’est le cas des transmissions ra-
dio. Dans certains cas, si une trame radio n’a pas été reçue par le récepteur, l’émetteur peut
choisir de la renvoyer à nouveau, et ceci de manière autonome, sans commande de la part
du micro-contrôleur. De telles contraintes imposent donc de réfléchir à un éventuel système
hardware qui permettrait de fournir l’information précise de l’état de charge de la batterie en
minimisant les éventuelles dérives.
3.4 CONCLUSION
Pour être autonome en énergie, un capteur sans fil a besoin de recharger sa batterie à l’aide
d’un harvester. Or, dans le cadre de cette étude celui-ci ne fournit que très peu d’énergie. Il
est donc nécessaire que le capteur présente deux phases de fonctionnement afin de préserver
l’énergie et que le PM consomme le moins possible pour ne pas entraver l’apport d’énergie
du harvester.
52
Chapitre 4
4.1 INTRODUCTION
Comme il l’a été expliqué précédemment, les convertisseurs à capacités commutées offrent
une alternative intéressante en ce qui concerne la conversion de faible énergie. Une étude
théorique approfondie sur le rendement de ce type de convertisseur sera donc présentée dans
cette partie.
Ce convertisseur est composé d’une ou plusieurs capacités qui forment une matrice consti-
tuée de n capacités en séries mises sur m capacités en parallèles. Il fonctionne en deux temps :
– Φ1 : Un réseau de capacités se charge sur la source d’énergie (un panneau solaire dans
53
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
notre cas).
– Φ2 : Le réseau se transforme pour venir se décharger sur la charge (batterie de stockage)
à un potentiel différent du premier (Figures 4.1 et 4.2).
F IGURE 4.1 – Φ1 : Charge des capacités. F IGURE 4.2 – Φ2 : Décharge des capacités.
Vbatt
EC = m × n × × ∆Q (4.1)
m
n
= Vbatt × C V1 − Vbatt (4.2)
m
n
Selon le ratio de capacités m
, il est donc possible d’élever ou d’abaisser la tension.
Cependant, une capacité commutée agit également comme une résistance qui serait pro-
portionnelle à la période de commutation. L’énergie perdue lors de la décharge des capacités
n
est alors proportionnelle à (V1 − m Vbatt ). Cette perte est d’autant plus importante que la
n
tension du PV (V1 ) est éloignée de la tension de batterie rapportée ( m Vbatt ). Autrement dit,
plus la tension du harvester est différente de la tension de la charge rapportée (plus ∆Q
est grande), plus la perte d’énergie sera importante. Pour outrepasser cette perte, il est néces-
saire d’avoir une matrice contenant un grand nombre de capacités afin de pouvoir jouer sur les
n
rapports de tensions. Si le terme m Vbatt est proche de V1 , les pertes seront faibles (∆Q faible).
54
4.2. GESTION DE L’ÉNERGIE D’UN CAPTEUR AUTONOME EN ÉNERGIE
IV
MP P
ISC
0.75
0.2
Puissance (mW)
Courant (µA)
50
PV 0.1
0 n 0
0 1 V
m BAT T V1 VM P P VOC
Tension (V)
F IGURE 4.3 – Charge d’une matrice de capacités sur une courbe d’un harvester solaire.
Le rendement théorique d’un tel convertisseur (Figures 4.4) est donc défini comme le
rapport entre l’énergie réellement transférée (équation 4.1) et l’énergie maximale disponible
(équation 4.3) :
Et
η= (4.4)
Em
55
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
Pour avoir un rendement théorique optimal, la fréquence et/ou la capacité unitaire se doit
d’être « infinie » et la tension rapportée de la batterie (tension de début de charge) doit être
placée au MPP. Cette valeur n’est que théorique, mais nous montre que le rendement se
dégrade rapidement si on charge la matrice de capacités à une valeur différente du MPP ou
si la fréquence d’échantillonnage est faible. Cette courbe a été normalisée par rapport à la
fréquence (Figure 4.5) afin de déterminer l’influence de la fréquence sur le rendement selon
l’équation :
η(Vbatt , f s)
ηnorm = (4.5)
η(Vbatt , ∞)
Il est intéressant de constater que la fréquence (ou la capacité unitaire) n’est pas le facteur
dominant qui influence le rendement. Il est même plutôt conseillé de travailler avec une fré-
quence basse si le point de départ de charge des capacités est éloigné du MPP. Inversement,
dès que l’on dépasse le MPP, le rendement diminue très rapidement si la fréquence diminue.
Cette étude est théorique et ne prend pas en compte les éléments électroniques nécessaires au
fonctionnement d’un tel système (horloge). Il va de soi que l’utilisation d’une horloge à haute
fréquence engendrerait une consommation plus élevée qu’une horloge à basse fréquence.
Cette étude a permis de montrer que l’utilisation à basse fréquence d’un convertisseur à
capacités commutées n’est pas adapté aux capteurs autonomes pauvres en énergie.
56
4.2. GESTION DE L’ÉNERGIE D’UN CAPTEUR AUTONOME EN ÉNERGIE
Les précédents chapitres ont également montré que pour un système ultra-basse consom-
mation, la conversion d’énergie ne représente pas la meilleure des solutions. De plus, les
convertisseurs ne sont intéressants que s’ils sont couplés à un système de MPPT. Or, cette as-
sociation représente non seulement une architecture complexe, mais également une consom-
mation d’énergie non négligeable qui dégrade le rendement du système de gestion d’énergie
ultra-basse consommation. Par conséquent, le choix du harvester est orienté en fonction des
57
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
tensions des autres éléments (batterie et système). Ainsi, l’ensemble des éléments constituant
le capteur sans fil tourne autour d’une tension unique. Cela dispense d’utiliser des convertis-
seurs et un système de MPPT (Figure 4.6). Les tensions et courants de fonctionnement du
harvester solaire sont fournis en Annexes A.8.
58
4.2. GESTION DE L’ÉNERGIE D’UN CAPTEUR AUTONOME EN ÉNERGIE
Vient ensuite la définition des différents blocs du système qui sont schématisés au ni-
veau transistor. A cette étape, les fonctions doivent retrouver le comportement décrit lors de
la modélisation haut niveau. Les temps de simulations sont beaucoup plus longs mais per-
mettent d’ajuster différents paramètres en fonction des contraintes de la technologie utilisée
(process, température...). L’étape de routage (Layout) finalisant cette conception représente
les différentes parties du circuit telles qu’elles apparaitront sur le silicium. La méthodologie
ascendante dite BOTTOM - UP à l’inverse de la méthodologie TOP - DOWN, sert au test et
à la vérification du système fini. Cette méthode permet également d’analyser les défaillances
du système (debug).
4.2.3.2 Spécifications
Pour réaliser un premier système il est nécessaire de commencer par concevoir un proto-
type. Voici donc les spécifications de celui du PM.
De plus, la batterie doit être protégée pour satisfaire les contraintes imposées par le
constructeur (courant et tension maximales de charge) et dans le même temps permettre de
maximiser la durée de vie de la batterie. En effet, celle-ci est caractérisée par sa profondeur de
59
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
décharge (cf. 2.2). Autrement dit, plus on décharge profondément une batterie, moins longue
sera sa vie (Tableau 4.1).
Ces données permettent donc de définir une contrainte supplémentaire au système : la bat-
terie ne doit pas être utilisée dans la totalité de sa capacité ; seulement dans un pourcentage
réduit. De cette manière, la durée de vie d’un capteur peut être garantie pendant une dizaine
d’années environ.
L’ensemble des spécifications venant d’être définies est synthétisé dans le tableau 4.2.
60
4.2. GESTION DE L’ÉNERGIE D’UN CAPTEUR AUTONOME EN ÉNERGIE
4.2.4 Conclusion
Le PM a plusieurs fonctions : charger et décharger la batterie à travers la charge, alimen-
ter directement celle-ci via le harvester, prolonger la vie de la batterie, éviter de gaspiller
l’énergie collectée, adapter le mode de fonctionnement du capteur, privilégier le routage des
informations à travers les différents nœuds du réseau. Cette gestion de l’énergie se dispense
d’un convertisseur d’énergie puisque celui-ci tire une quantité d’énergie beaucoup trop im-
portante.
De plus, malgré ses nombreuses fonctions, le PM ne permet pas de connaître à tout ins-
tant l’énergie disponible. L’état de charge de la batterie n’est pas connu avec précision. Il
est uniquement possible de mesurer la tension de cette dernière et déterminer ainsi de ma-
nière très arbitraire la quantité d’énergie restante. En effet, chaque batterie suit un profil de
charge et de décharge particulier. Il est donc seulement possible de déterminer si la batterie
est pleine, à moitié pleine ou pratiquement vide. Son niveau de charge n’est jamais connu
avec la précision indispensable au bon dimensionnement d’un système autonome en énergie.
61
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
4.3.1 Introduction
Un compteur de Coulombs (qui sera employé sous sa forme anglophone gas gauge tout au
long de cette étude) est un système permettant de mesurer le courant traversant un conducteur.
En d’autres termes, il compte le nombre de charges (Coulombs) qui traverse ce dernier. Il
permet donc de connaitre l’état de charge de la batterie.
4.3.3.1 Fonctionnement
Pour mesurer le courant entrant et sortant de la batterie, le gas gauge est monté en série
avec celle-ci (Figure 4.7).
Une méthode rapide et efficace consiste à amplifier le signal aux bornes d’un shunt monté
en série avec la batterie (Figure 4.8). La tension aux bornes de ce shunt étant proportionnelle
au courant qui le traverse, des conversions analogique/numérique périodiques peuvent être
faites directement en sortie de cet amplificateur.
62
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Une erreur est donc commise à chaque échantillonnage et blocage. Cette erreur peut être
diminuée si la durée TS de l’échantillonnage est plus courte. Seulement, échantillonner à très
grande vitesse va à l’encontre du principe du système qui doit être Ultra-Low-Power. De
plus, une erreur de quantification bornée entre [− 12 VLSB , + 21 VLSB ] est commise après chaque
échantillonnage. L’accumulation de cette erreur engendre une divergence non contrôlable ni
compensable (Figure 4.10).
63
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
n=4
0.6 n=8
n=20
0.5 n=50
0.4
0.3
0.2
0.1
-4 -2 2 4
De plus, le rapport signal sur bruit (SNR) est défini par SNR = 6.02N + 1.76dB avec
N le nombre de bits de l’ADC. Afin d’augmenter ce SNR, il est nécessaire d’augmenter le
nombre de bits de l’ADC. Mais concevoir un ADC rapide (période TS très courte) avec un
nombre de bits élevés (haute résolution) est généralement coûteux en énergie.
64
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
(mais également très gourmand en énergie puisque le nombre de comparateurs est égal
au nombre de bits désirés). Son utilisation est idéale pour la conversion des images
vidéo.
– Les convertisseurs pipeline sont plus lents que les convertisseurs flash mais consomment
moins d’énergie.
– Les convertisseurs à sur-échantillonnage ne codent le résultat du signal à convertir que
sur 1 bit. Ils sont également appelés convertisseurs sigma delta (Σ ∆) parce que la
somme (Σ) de la différence (∆) est faite entre le signal d’entrée et le résultat de sortie
codé sur 1 bit. Il s’agit d’un système bouclé qui intègre le signal d’entrée puis le décime
sur une certaine période afin de définir le nombre de bits de la conversion finale. Le
signal d’entrée peut ainsi être relativement élevé (64 bits ou plus), ce qui permet des
conversions très précises idéales pour des mesures de capteurs. Ces convertisseurs se
trouvent également dans les applications audio (lecteur CD), grâce notamment à leur
très faible bruit. En revanche, leur fréquence d’échantillonnage beaucoup plus élevée
que le signal à convertir (3MHz pour un Σ ∆ audio) limite ce type de convertisseurs à
la conversion de signaux basses fréquences.
65
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
Le signal d’entrée doit donc être borné entre ±Vref et ainsi vérifier :
L’intégrale du signal d’entrée soustrait au signal BS est ensuite calculée. Un signal numérique
valant ’1’ (si l’intégrale est positive) ou ’0’ (si l’intégrale est négative) sort du comparateur
puis traverse une bascule D. À chaque coup d’horloge BS = Vref si l’intégrale est positive.
BS = −Vref si l’intégrale est négative.
Z
Vin − BS < 0 si (Vin − BS) ≥ 0 (4.7)
Z
Vin − BS > 0 si (Vin − BS) ≤ 0 (4.8)
Cela permet de borner le signal à intégrer (Vin − BS) autour de 0 et d’éviter toute divergence.
La saturation de l’intégrateur est ainsi évitée et l’intégrale du signal d’entrée Vin est équiva-
lente à l’intégrale du signal BS.
66
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Vref
Entrée
bitstream
0
-Vref
Sortie de l’intégrateur
0.1
-0.1
2
Entrée
Intégrales
bitstream
1
0
Temps
F IGURE 4.12 – Signaux d’entrées et de bitstream et leurs intégrales correspondantes.
la valeur moyenne du signal d’entrée) est cumulée dans un accumulateur numérique. Ainsi,
quand le bitstream = ’1’, on ajoute ’1’ à l’accumulateur et lorsque le bitstream = ’0’ on re-
tranche ’1’ à l’accumulateur (Figure 4.13). De cette manière, l’accumulateur (sortie finale du
système) représente la valeur de l’intégrale du courant. De plus, ce système ne commet pas
d’erreur de quantification comme cela aurait pu être le cas avec un autre convertisseur ana-
logique numérique. Chaque erreur est en effet compensée par la conversion qui lui succède
(Figure 4.12). Les erreurs sont donc éphémères et ne peuvent se cumuler au sein du système.
67
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
Si l’amplificateur est parfait (offset nul et gain infini), la tension de sortie VOU T vérifie :
1
Z
VOU T (t) = − VIN (t)dt (4.9)
RC
Si la résistance du shunt est placée dans la masse, un tel intégrateur peut être utilisé pour
réaliser un gas gauge. Cependant, dans ce cas de figure, la tension aux bornes du shunt est
très faible. Sa mesure est donc difficile si ce n’est impossible. En effet, avec un amplificateur
réel la tension d’offset est non négligeable face à la tension de mesure.
L’intégrateur peut également être réalisé en montage différentiel (Figure 4.15). Les conden-
sateurs sont alors considérés comme identiques (pas de désappariement ou mismatch en an-
glais. Ce terme anglophone sera employé pour la suite de ce manuscrit). De même pour les
résistances. La tension de sortie VOU T vérifie l’équation :
1
Z
VO+ = VI− (t)dt (4.10)
RC
1
Z
VO− = VI+ (t)dt (4.11)
RC
VOU T = VO+ − VO− (4.12)
VIN = VI+ − VI− (4.13)
1
Z
VOU T = − VIN (t)dt (4.14)
RC
68
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Ce type d’intégrateur peut être utilisé pour un shunt placé sur la borne positive de la bat-
terie. Chacune des entrées de l’intégrateur est placée de part et d’autre du shunt. Cependant,
comme l’intégrateur est alimenté par la batterie, sa tension de fonctionnement se situe entre
0 et Vbatt . La tension à intégrer est donc proche de Vbatt et l’intégration du signal est alors
impossible. Afin de pallier cela, il est indispensable que la tension d’entrée de l’intégrateur
se situe à un potentiel proche de Vbatt
2
.
L’intégrateur différentiel à temps continu (Figure 4.15) est donc adapté (Figure 4.16). Le
VIN Vbatt
potentiel d’entrée de l’intégrateur est alors égal à 2
soit environ 2
.
69
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
70
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Cependant, une telle architecture comporte des inconvénients qu’il faut limiter (ou com-
penser). Le mismatch concernant les 4 résistances et les 2 condensateurs ainsi que l’imperfec-
tion des switches sont donc à prendre en compte. En effet, les MOS utilisés ont une résistance
ROF F non infinie et une résistance RON non nulle définie par :
1
RON = (4.16)
kW
L
(VGS − Vt )
Cette imperfection des switches augmente la valeur des résistances. Elle s’ajoute ainsi au
mismatch de ces dernières. Cette imperfection entraine également une modification de la
valeur de VREF et de la masse. Si le courant traversant les résistances R est nul, alors selon
l’état du bitstream le potentiel au point ’A’ (Figure 4.19) n’est pas de 0 ou de VREF mais de :
VREF × ROF F
(4.17)
RON + ROF F
ou
VREF × RON
(4.18)
RON + ROF F
Cela crée donc une valeur différente de VREF et de la masse. Cette erreur, relativement mi-
nime, n’occasionne pas de dérive au signal de sortie mais une modification de la valeur de
chaque bit du bitstream (Figure 4.19).
71
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
d’entrée non nuls. Ces imperfections sont donc à prendre en compte car leurs effets sont
non négligeables ; d’autant plus que l’amplificateur doit être Ultra-Low-Power et qu’il est
notamment difficile d’avoir un gain élevé dans de telles conditions. Ainsi, la fonction de
transfert de l’amplificateur (Figure 4.17) peut s’écrire :
Avec VOU T la tension différentielle de sortie VO+ − VO− , VIN la tension différentielle d’entrée
VI+ − VI− et Vof f la tension d’offset.
Les effets de ces imperfections et une méthode de compensation sont détaillés en An-
nexe A.1.
Les circuits à capacités commutées reposent sur le principe de transfert de charges à l’aide
d’une capacité. Ce principe permet l’émulation d’une résistance (Figure 4.20). Les interrup-
teurs S1 et S2 sont commandés respectivement pendant les phases Φ1 et Φ2 . Afin d’éviter la
perte de charges, ces phases ne doivent pas se chevaucher. En l’absence d’un système d’anti-
chevauchement d’horloge, les interrupteurs (réalisés à l’aide de MOS) se retrouvent en effet
tous deux fermés pendant un temps très court à chaque changement de phase. L’entrée se
trouve ainsi directement connectée à la sortie.
∆Q = C(V1 − V2 ) (4.20)
Le courant moyen transféré de la borne V1 à la borne V2 est donc lié à la période de l’horloge.
Il est défini par :
∆Q C(V1 − V2 )
Imoy = = (4.21)
T T
La résistance équivalente émulée par la capacité commutée à la période d’horloge T est dé-
terminée par :
V1 − V2 (V1 − V2 )T T
Req = = = (4.22)
Imoy C(V1 − V2 ) C
72
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
L’intégrateur à capacités commutées repose sur le même principe que l’intégrateur continu
mais possède une résistance émulée via la capacité d’échantillonnage Cs (Figure 4.22). Les
interrupteurs 1 et 2 sont commandés respectivement par les phases Φ1 et Φ2 . Lors de la pre-
mière phase Φ1 , la capacité d’échantillonnage se charge à la tension VIN . L’amplificateur
opérationnel maintient la charge de la capacité d’intégration Ci en figeant la tension de sor-
tie VOU T . Lors de la phase Φ2 , la charge de Cs est transférée à la capacité Ci via la masse
virtuelle imposée par l’entrée inverseuse de l’amplificateur opérationnel. Cs se retrouve alors
totalement déchargée. La charge de la capacité Cs prend donc un incrément (si la charge de
Ci est positive) ou un décrément (si la charge de Ci est négative). Un intégrateur à temps
discret est ainsi réalisé. Il est appelé ainsi car la capacité Cs prend une charge ∆Q à chaque
Cs
demi-période, ce qui fait varier la tension VOU T de V .
Ci IN
73
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
entre deux phases d’horloge. Les charges lors de la première phase Φ1 sont ainsi définie par :
QCs(2) = 0 (4.25)
QCi(2) = Vout(2) Ci (4.26)
Vout Cs Z −1/2
= (4.28)
Vin Ci 1 − Z −1
Une erreur est commise entre chaque phase d’échantillonnage. L’intégrateur est en effet dé-
connecté du signal d’entrée lors de la phase d’intégration. Il ne prend donc pas en compte les
variations de ce dernier. Ces erreurs seront d’autant plus élevées que la fréquence d’échan-
tillonnage est basse. Cependant cet effet peut être limité et fera l’objet d’une analyse dans la
suite de ce manuscrit. Afin d’intégrer la différence de tension aux bornes du shunt, il est né-
cessaire de considérer une fois de plus une topologie différentielle. L’amplificateur opération-
nel étant alimenté par la batterie (à l’instar de tout le système), il est nécessaire de travailler
avec des tensions d’entrée et de sorties de l’amplificateur proches de Vbatt2
(Figure 4.23). Les
interrupteurs notés ’1’ sont activés pendant les phases Φ1 de l’horloge. Les interrupteurs no-
tés ’2’ sont quant à eux activés pendant les phases Φ2 . Les potentiels V1 et V2 sont calculés
de sorte à avoir des niveaux de tension de l’ordre de Vbatt
2
sur les entrées inverseuse et non
inverseuse de l’amplificateur opérationnel. Les potentiels sur les entrées de l’amplificateur
V + +V −
vont en effet se stabiliser à une valeur proche de i 2 i − V1 + V2 . Ainsi, si V1 a une valeur
proche de Vbatt
2
et V2 est à la masse, les entrées de l’amplificateur fluctueront autour de Vbatt
2
.
74
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Comme pour l’intégrateur à temps continu, l’amplificateur opérationnel peut être uti-
lisé pour ajouter ou soustraire la tension de référence en fonction du signal du bitstream.
Il suit l’architecture de l’intégrateur différentiel à capacités commutées avec feedback [64]
(Figure 4.24). Pour faciliter la réalisation des références de tensions leurs valeurs sont fixées
autour de 1.2V . La référence de tension du système (de 30mV ) est représentée par la dif-
+ −
férence entre VREF et VREF . Cette différence borne également l’intégrateur. En effet, il est
plus aisé de concevoir une référence de tension proche du bandgap du silicium plutôt qu’une
référence de tension proche de 0V . De plus, cette tension pourra être réutilisée par l’amplifi-
cateur de l’intégrateur (cf. 5.4.8). Ainsi, selon l’état du bitstream, la référence de tension est
+ −
permutée de manière à être ajoutée ou soustraite à l’intégrateur (VREF - VREF si bitstream = 0
− +
ou VREF - VREF si bitstream = 1). Toutes les capacités Cr , Cs et Ci ont la même valeur afin
que le gain de l’intégrateur soit unitaire.
– Durant la phase Φ1 , l’entrée est échantillonnée à travers les capacités Cs tandis que la
référence est intégrée.
– Durant la phase Φ2 , l’entrée est intégrée alors que la référence est échantillonnée.
75
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
VOU T −Z −1/2 ǫ
= α+1 −1 + (4.29)
VIN 1− α Z VIN (1 − α+1
α
Z −1 )
L’intégrateur est sensible au gain fini. Il l’est également à l’offset d’entrée qui agit comme
une valeur intégrée fonction de l’entrée.
76
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Tel qu’il est conçu le système nécessite deux références de tension proches de 1.2V . La
différence ∆ entre ces deux tensions doit être de ±30mV . Jusqu’à présent, les références
utilisées pour le système représentaient des sources parfaites de 1.23V et 1.2V pour respecti-
vement VREF P et VREF M. Si la conception de deux références de tension de valeurs proches
se révèle difficile, une différence ∆ plus importante (plusieurs centaines de millivolts) peut
être acceptée. Il suffira donc de modifier les capacités d’échantillonnage de la référence de
sorte à avoir un gain d’intégrateur de ∆−1 .
Idéalement, une référence de tension est une source de tension parfaite. C’est à dire
qu’elle ne présente aucune variation et ce quelles que soient les perturbations extérieures
(température, apport d’énergie, etc.). Concrètement cette référence de tension est principale-
ment caractérisée par :
– Son taux de réjection d’ondulation d’alimentation (PSRR : Power Supply Rejection
Ratio) défini par = 20log ∆Valimention (V )
∆Vref erence (V )
(dB)
dVout ppm
– Son indépendance à la tension d’alimentation, définie par :
ppm dVin V
– Son indépendance à la température ◦
C
77
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
1
Le gain de l’intégrateur est donc défini par G = 1−c avec c < 1. Cela démontre qu’une va-
riation du signal ne produira pas de variation du signal de sortie d’entrée si elles est comprise
dans l’intervalle :
c−1 1−c
<x< (4.31)
1+c 1+c
Ainsi, pour un intégrateur dont le gain de l’amplificateur est de 20dB (c = 0.99), borne x
sera entre :
L’intégrateur étant borné entre ±30mV , cette équation montre qu’un signal d’entrée entre
±150µV ne produira pas de variation du signal de sortie. Cela démontre une limite du comp-
teur de charges. Or il est difficile d’en concevoir un à la fois Ultra-Low-Power (gain de l’am-
plificateur réduit) et de grande dynamique du signal d’entrée (mesure précise entre quelques
78
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
micro-ampères à 30mV ). De plus, il faut préciser que ce phénomène est perçu pour chaque
valeur du signal d’entrée rationnel (±1/2, ±1/3, ±1/4...).
Cette erreur du modulateur Σ ∆ est mise en évidence grâce à des simulations sous mat-
lab. Le modulateur Σ ∆ d’ordre 1 est modélisé pour recevoir un signal constant compris
entre [-1 ; +1] en entrée. En sortie du modulateur, ce modèle fournit le signal du bitstream in-
crémenté. Il représente le compteur de charges du projet de manière simplifiée. Grâce à lui,
l’erreur du modulateur est mise en évidence par le coefficient directeur de la droite de régres-
sion linéaire du signal de sortie correspondant au signal d’entrée (Figure 4.26).
30
25 Sortie accumulateur
droite de régression linéaire
20
15
Sortie Σ ∆
10
5
0
-5
-10
-15
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000
Nombre de points
F IGURE 4.26 – Droite de régression linéaire du bitstream accumulé.
ǫ = α − αth (4.33)
Lorsqu’une simulation du modulateur est lancée avec 1000 valeurs différentes du signal
d’entrée comprises entre [-1 ; +1] (soient 1000 coefficients directeurs de l’accumulateur de
sortie), l’erreur apparaît pour chacune d’entre elles. Pour un intégrateur de gain infini, l’erreur
est relativement faible (< 10−5 ) (Figure 4.27).
79
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
5
4
3
Erreur (×10−6 )
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
F IGURE 4.27 – Erreur correspondante pour un gain de l’intégrateur infini.
L’erreur fait également apparaître une divergence aux extrémités des signaux d’entrée
lorsque l’intégrateur arrive à saturation. Cette courbe montre également la périodicité de l’er-
reur pour le signal d’entrée (0, ±1/3...).
Pour un intégrateur dont le gain de l’amplificateur est de 20dB, l’erreur est beaucoup plus
importante (de l’ordre de 800 pour un signal d’entrée proche de 0) (Figure 4.28).
5
4
3
Erreur (×10−3 )
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
F IGURE 4.28 – Erreur correspondante pour un gain de 20dB.
80
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
Pour atténuer cette erreur il est possible de générer un bruit numérique modulé à l’aide
d’un Σ ∆ numérique. Ce bruit numérique est injecté avec un gain g à l’entrée du comparateur
du modulateur Σ ∆ (Figure 4.29).
Le bruit blanc peut être généré par un registre à décalage à rétroaction linéaire (LFSR Li-
near Feedback Shift Register) inséré dans un modulateur Σ ∆ numérique d’ordre 1. Le mon-
tage LFSR utilise les polynômes primitifs modulo 2 et permet de générer des bits cyclique-
ment (tous les 2n coups d’horloge, n le nombre de bits du registre) et de manière "pseudo-
aléatoire". L’utilisation de n registres (bascule D) et de portes ou-exclusif (XOR) ou non-ou-
exclusif (XNOR) est nécessaire (Figure 4.30).
Pour éviter le phénomène de locked-up (phénomène qui ne laisse apparaître aucun chan-
gement de bits) le registre doit être initialisé avec d’autres valeurs que tout 0 ou tout 1 (dans
le cas d’utilisation de portes XNOR). Ainsi, en respectant le polynôme correspondant pour le
nombre de bits voulus (Tableau 4.3), le registre balayera de façon aléatoire tous les nombres
(dépendant de la valeur initiale) sauf le 0.
81
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
Une nouvelle simulation du modulateur est lancée après l’ajout d’un bruit issu d’un po-
lynôme du troisième ordre et d’un gain g de 0.2. Celle-ci révèle qu’avec un intégrateur dont
l’amplificateur est de gain infini, l’erreur correspondant à un signal d’entrée autour de 0 a
pratiquement disparue (Figure 4.31).
2
1.5
1
Erreur (×10−6 )
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
82
4.3. LE COMPTEUR DE CHARGES
5
4
3
Erreur (×10−3 )
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
F IGURE 4.32 – Erreur corrigée pour un intégrateur de gain 20dB.
Cette modélisation matlab met donc en évidence l’erreur engendrée par un modulateur
Σ ∆ d’ordre 1 tout en présentant une technique qui atténue cette erreur.
4.3.9 Conclusion
Bien que l’amplificateur soit plus difficile à réaliser et nécessite notamment un système de
contrôle du mode commun (CMFB : Common Mode Feedback), l’architecture différentielle
a un avantage certain fasse à l’architecture simple. Elle permet en effet de réduire considé-
rablement les bruits affectant les résistances. Ceux-ci, à l’exemple du bruit thermique, ont
les mêmes caractéristiques et donc la même composante continue. Mais cette dernière peut
être supprimée grâce au montage différentiel qui permet donc d’intégrer un bruit de moyenne
nulle. Aucune dérive à long terme n’est donc générée.
Cependant, cette architecture présente certains inconvénients face à une architecture à in-
tégrateur simple. Elle est plus gourmande en énergie et plus coûteuse en surface de circuit.
En effet, l’amplificateur doit pouvoir charger et décharger deux capacités. Sa consommation
est donc presque le double d’un intégrateur simple.
Quant à l’intégrateur à temps continu, ses résistances doivent être très grandes pour li-
miter les courants de fuites. Des résistances de l’ordre de 10MΩ représentent une surface
supérieure à 2000µm2 . Un tel intégrateur nécessiterait donc pas loin de 10000µm2. De plus,
le courant consommé par les branches représentent une consommation de l’ordre de 2 × V2Rbatt
soit 300nA quand la batterie est chargée et ce malgré des valeurs de résistances élevées. Cette
contrainte limite donc le côté Ultra-Low-Power du compteur de Coulombs.
L’intégrateur à temps discret propose en revanche une alternative plus intéressante en ma-
tière de consommation. En effet, les capacités ne consomment pas de courant contrairement
83
CHAPITRE 4. LES SYSTÈMES DE GESTION ET DE MESURE DE L’ENERGIE
D’UN CAPTEUR AUTONOME
aux résistances et leur surface de circuit est plus réduite ce qui représente un coût moins
onéreux. C’est donc cet intégrateur qui sera retenu pour la réalisation du système.
84
Chapitre 5
RÉALISATIONS ET MESURES DU
POWER MANAGEMENT ET DU
COMPTEUR DE CHARGES
5.1 INTRODUCTION
Les travaux réalisés sur le PM et présentés dans le chapitre précédent ont permis de conce-
voir un circuit. Celui-ci a validé l’autonomie énergétique du capteur sans fil. Dans un premier
temps, ce circuit a été testé sous pointes afin de faire un premier tri et connaitre le taux de
conformité aux spécifications. Puis des mesures de caractérisations ont ensuite été réalisées
pour définir le rendement et l’efficacité du PM.
Le gas gauge n’a quant à lui pas été validé par un circuit mais par des simulations du
macro-modèle. Celles-ci ont mis en évidence différentes dérives dues aux imperfections du
système. À partir de là, des figures de mérite ont pu être élaborées. Elles mettent en avant un
certain nombre de spécifications qui permettront de concevoir le système judicieusement. De
plus, certains blocs de l’architecture ont été conçus et démontrent donc que la réalisation du
système est envisageable.
85
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
– Lors d’un appel important de courant, la tension du PV chute. Celui-ci est alors désac-
tivé du système. Il se réactive quelques milli-secondes après (une fois la capacité à ses
bornes suffisamment rechargée). La fréquence des oscillations est fonction de la valeur
de la capacité et de la luminosité ambiante.
Après avoir pris ces contraintes en considération, la conception du circuit intégré com-
mence. Lors de la modélisation comportementale du prototype, le système en développement
est stimulé grâce à un banc de test en macro-modèle. Ce dernier a alors une double fonction :
– La définition des spécifications : la description fonctionnelle du système doit permettre
la conception du circuit.
– La vérification de la cohérence avec les spécifications initiales : au cours de la concep-
tion du circuit, le banc de test permet de valider ou d’invalider certaines fonctionnalités.
Il permet donc le suivit de la conception jusqu’à ce que le système réponde aux attentes.
86
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
5.2.1.1 Le bloc PV
Le PV (Figure 5.3) a été modélisé à partir de celui conçu pour le projet. Le modèle a été
très simplifié. L’idée n’est pas d’avoir avec exactitude la même caractéristique que le PV exis-
tant mais d’avoir une réponse similaire en fonction de la charge imposée. Ainsi, la tension de
circuit ouvert et la tension correspondant au MPP varient de manière logarithmique en fonc-
tion de la consigne de luminosité ; le courant de court-circuit (ISC ) varie proportionnellement
(cf. 2.1) en fonction de la consigne d’intensité lumineuse. La tension ainsi que le courant de
sortie (PV_OUT), vont donc dépendre de la charge présentée et de la consigne de luminosité
sur l’entrée lux (Figure 5.4).
87
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
60
50
40
current (µA)
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
voltage (V)
La batterie est représentée par une résistance interne de 10Ω en série avec une capacité
de 4F . Cette capacité est relativement faible au vu de la véritable batterie permet de simuler
rapidement les variations dans le temps. L’entrée (Batt_value) rend possible la modification
à tout instant de la tension de la batterie (Figure 5.5).
88
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
Le système (Figure 5.6) correspond au capteur dans sa totalité, c’est à dire à toute l’élec-
tronique que le PM doit alimenter. Cette électronique consomme très peu en veille (de l’ordre
de quelques micro-ampères sous 3V) alors que des pics de courant dépassant des dizaines de
milli-ampères peuvent apparaitre. La modélisation simplifiée de ce système est donc une
simple résistance qui varie de quelques mégaohms (en mode sleep) à quelques dizaines ou
centaines d’ohms. Les variations de la charge se font via l’entrée sleep.
Le bloc USB (Figure 5.7) représente une alimentation externe que l’on peut utiliser pour
remplacer l’énergie apportée par le harvester et avoir ainsi autant d’énergie que souhaitée.
Cela permet d’avoir une charge rapide de la batterie et d’alimenter complètement le système.
Dans ce cas précis il peut donc être utilisé comme un routeur, c’est à dire être placé à la base
du réseau pour récolter l’ensemble des données. Il peut ainsi travailler en permanence sans
nécessiter de temps de repos. Le modèle utilisé est une source de tension 5V qui peut être
activée ou désactivée à l’aide de l’entrée enable.
Le bloc FSM (Figure 5.8) a été développé pour piloter l’ensemble des éléments consti-
tuant le banc de test du PM (USB, PV, batterie). Il permet de programmer les cycles désirés
89
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
pour la simulation, tels que le niveau d’éclairement, le niveau de tension de la batterie, l’ab-
sence ou non de tension externe (USB) et les variations du système. Une programmation
temporelle de tous ces paramètres permet de visualiser la réponse du PM face aux différents
comportements des éléments externes.
5.2.2 La conception du PM
Le circuit (Figure 5.9) a été conçu selon les mêmes principes de base que le prototype en
technologie discrète. Des éléments ont donc été maintenus :
– Les régulateurs linéaires à faible chute de tensions (LDO) : permettant de limiter la ten-
sion du système et ainsi protéger la batterie contre une éventuelle surcharge en tension.
– Le limiteur de courant de charge de batterie : évitant un courant supérieur à 2.2mA.
– La protection de décharge de batterie : limitant la décharge de la batterie en dessous de
2.4V .
D’autres éléments ont été créés pour pallier les contraintes rencontrées sur le prototype, no-
tamment l’interrupteur rapide.
Les régulateurs des deux entrées (LDO) sont basés sur la même architecture. Les spéci-
fications concernant la consommation les contraignent néanmoins à différer sur le plan de
leurs fonctionnalités.
L’USB_LDO est activé par le détecteur USB basé sur la même architecture que le com-
parateur de tension de batterie (LCO). Dès que l’entrée USB détecte une tension, le limiteur
de courant 2mA s’active, le switch rapide (FS) s’ouvre et, quel que soit le niveau de tension
de la batterie, le switch PS se ferme. De cette manière, l’énergie venant de l’entrée USB est
90
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
régulée à 3.2V et alimente ainsi directement la charge sur Vsupply . Elle recharge également la
batterie à 2mA via le limiteur.
Le PV_LDO lui est activé via un pont de résistances qui mesure la tension présente sur
l’entrée PV. Le point milieu du pont est relié aux grilles des transistors d’activations du LDO.
Ainsi, une fois qu’il a franchi la tension de seuil des transistors, le LDO est activé. Bien que
ne constituant pas un changement d’état très net, cette méthode permet de s’affranchir de la
consommation d’un comparateur supplémentaire, la valeur des résistances étant chacune de
15MΩ. De plus elle a notamment permis de résoudre un problème majeur.
91
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
lorsque la batterie est complètement chargée, le LDO régule la tension du PV. La tension de
sortie Vsys est alors limiter à 3.2V . La chute de tension entre l’entrée et la sortie est plus ou
moins importante suivant l’éclairement.
Lors d’une première étude, l’espérance du limiteur se situait à 1.6mA. Cette valeur était
choisie de sorte à avoir à +2σ proche de 2mA afin de protéger la batterie contre une surcharge
en courant. Par la suite, un ajustement du limiteur (cf. Figure 5.11) a été toléré afin d’avoir
une moyenne plus proche de 2mA. Cela a permis d’optimiser la charge de la batterie lorsque
de forts courants sont disponibles.
92
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
800
400
200
0
1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8
Courant (mA)
F IGURE 5.11 – Histogramme de la simulation Monte Carlo du limiteur de courant.
La protection de la batterie contre les décharges profondes est assurée par le bloc LCO.
Celui-ci est l’unique élément connecté à la batterie à consommer du courant. Il est le seul à
être toujours actif. Il est donc déterminant dans la mesure où les spécifications précisent que
le PM doit désactiver le système dès que la batterie a franchi le seuil de 2.4V et le réactiver
dès que la batterie sera rechargée à 2.8V . Ce LCO se doit donc de consommer un minimum
d’énergie afin de préserver la batterie une fois déchargée. De plus, il ne doit pas gaspiller
l’énergie de la batterie en l’absence d’énergie du harvester. Les spécifications concernant la
consommation statique de 250nA (cf. 4.2.3.2) font donc référence à ce bloc LCO.
Ce bloc est constitué principalement d’un diviseur de tensions permettant de définir les
seuils de basculements. Il est également composé d’un système de référence de tension (Fi-
gure 5.12). Les simulations Monte Carlo (MC) montrent un seuil du LCO compris entre
[2.49V ; 2.36V ] et un wake-up compris entre [2.72V ; 2.86V ]. La simulation MC de la
consommation du LCO se situe entre [150nA ; 300nA] (Figure 5.13).
93
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
800
700
Nombre d’échantillons 600
500
400
300
200
100
0
100 150 200 250 300 350
Courant de consommation du LCO (nA)
F IGURE 5.13 – Histogramme de la consommation du LCO.
Le layout (Figure 5.14) et la photographie (Figure 5.15) du PM présente une surface totale
(pads inclus) de 1mm2 . La surface efficace du circuit, sans pads, se limite à 0.4mm2 .
94
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
Le test du limiteur de courant (Figure 5.16) a été appliqué dans un premier temps au lot
◦
n 1 contenant 1216 puces. Il a décelé 1191 puces valides. Les 25 puces défectueuses avaient
une charge au-delà de 2.2mA. Dans un second temps, le test a été réalisé sur le lot n◦ 2 conte-
nant 1372 puces. Il a décelé 1300 puces valides. Les 72 puces défectueuses avaient une charge
proche de 0mA (limiteur de courant non fonctionnel). Le lot n◦ 1 a donc un taux de rejet plus
95
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
250 150
200
100
Nb puces
Nb puces
150
100
50
50
0 0
1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.1 2.2
Icharge (mA) Icharge (mA)
Les tests du courant statique (Figure 5.17) ont décelé 1213 puces valides (sur 1216) dans
le lot 1. Seulement 3 étaient au-delà de 250nA. Il a décelé 1368 puces valides (sur 1372)
parmi le lot 2. Quatre puces se situaient au-delà de 250nA. Le taux de rejet est donc de
0.25% pour le lot n◦ 1 et de 0.29% pour le lot n◦ 2.
140
150 120
100
Nb puces
Nb puces
100 80
60
50 40
20
0 0
120 130 140 150 160 120 130 140 150 160
Courant statique (nA) Courant statique (nA)
(a) Lot n◦ 1 (b) Lot n◦ 2
Les spécifications du constructeur de la batterie exigeaient que cette dernière soit rechar-
gée entre 3.1V et 3.3V maximum pour ne pas être endommagée. En deçà de 3.1V la batterie
ne se chargerait pas totalement et sa durée de vie serait donc altérée. Par conséquent les puces
qui ne respectaient pas ces recommandations ont été exclues grâce aux tests des tensions ré-
gulées (PV et USB).
96
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
Les tests de la tension régulée du PV (Figure 5.18) ont fait apparaitre 341 puces défec-
tueuses. Parmi elles, 46 se trouvaient en-dessous de 3.1V et 295 au-dessus de 3.3V . Parmi
les puces du lot n◦ 2, 118 étaient en-dessous de 3.1V et 11 au-dessus de 3.3V . Le taux de rejet
est donc de 28% pour le lot n◦ 1 et de 18% pour le lot n◦ 2.
150 150
100 100
Nb puces
Nb puces
50 50
0 0
3 3.1 3.2 3.3 3.4 3 3.1 3.2 3.3 3.4
Tension de sortie Vsys (V) Tension de sortie Vsys (V)
Les tests de la tension régulée de l’USB (Figure 5.19) sont similaires à ceux du test de la
tension régulée du PV mais les résultats obtenus ne sont pas les mêmes. Les tests font en effet
apparaitre 14 puces au-dessus de 3.3V et 22 en-dessous 3.1V pour le lot n◦ 1 et 96 en-dessous
de 3.1V et 126 au-dessus de 3.3V pour le lot n◦ 2. Le taux de rejet est donc de 2.9% pour le
lot n◦ 1 et de 16% pour le lot n◦ 2.
150 150
100 100
Nb puces
Nb puces
50 50
0 0
3 3.1 3.2 3.3 3.4 3 3.1 3.2 3.3 3.4
Tension de sortie Vsys (V) Tension de sortie Vsys (V)
Les tests de consommation ont été réalisés pour vérifier que le PM consommait moins
de 5% de l’énergie fournie par le panneau photovoltaïque (selon les spécifications). Ces tests
97
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Pour le test effectué à 10µA (Figure 5.20), la limite est fixée à 1µA. En effet, le LDO consomme
500nA et le LCO fonctionne sous 250nA. Dans le lot n◦ 1, 158 sur 1216 consomment plus de
1µA. Le lot n◦ 2 contenant 1372 puces, compte 24 puces qui ne conviennent pas (dont 21 ont
une consommation quasi nulle). Le taux de rejet est donc de 13% pour le lot n◦ 1 et de 1.75%
pour le lot n◦ 2.
2 2
consommation (µA)
consommation (µA)
1.5 1.5
1 1
0.5 0.5
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 1000 1200
Puce Puce
(a) Lot n◦ 1 (b) Lot n◦ 2
F IGURE 5.20 – Test de la consommation du PM sous un courant de 10µA fourni par le PV.
Pour le test effectué à 100µA (Figure 5.21), 479 puces sur 1216 sont défectueuses dans
le lot n◦ 1. Le lot n◦ 2 (1372 puces) compte 3 puces consommant au-dessus de 5µA et 20 en
dessous de 0.5µA. Le taux de rejet est donc de 40% pour le lot n◦ 1 et de 1.67% pour le lot
n◦ 2.
20 7
6
consommation (µA)
consommation (µA)
15 5
4
10
3
2
5
1
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 1000 1200
Puce Puce
(a) Lot n◦ 1 (b) Lot n◦ 2
F IGURE 5.21 – Test de la consommation du PM sous un courant de 100µA fourni par le PV.
98
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
Pour le test effectué à 1mA, (Figure 5.22), 28 puces sur 1216 consomment plus de 50µA
dans le lot n◦ 1. Le lot n◦ 2 (1372 puces) compte 41 puces consommant plus de 50µA. Le
taux de rejet est donc de 2.3% pour le lot n◦ 1 et de 3% pour le lot n◦ 2.
0.06 0.06
0.05
consommation (mA)
0.05
consommation (mA)
0.04 0.04
0.03 0.03
0.02 0.02
0.01 0.01
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 0 200 400 600 800 1000 1200
Puce Puce
(a) Lot n◦ 1 (b) Lot n◦ 2
F IGURE 5.22 – Test de la consommation du PM sous un courant de 1mA fourni par le PV.
Ces comparaisons ont permis d’élaborer un diagramme de Pareto (Figure 5.23). Il classe
tous ces tests de manière dégressive en fonction de leur taux d’échec :
500 250
Nombre de puces hors specs
Nombre de puces hors specs
400 200
300 150
200 100
100 50
0 0
100µA Vsys_PV 10µA Vsys_USB 1mA Ilimiter I_std Vsys_USBVsys_PV Ilimiter 1mA 10µA 100µA I_std
Le test du courant statique est celui qui présente le plus faible taux d’échec pour les deux
lots. Pour le lot n◦ 1, les tests de la consommation du PM à 100µA et de la tension régulée
du PV présentent le plus fort taux d’échec. Pour le lot n◦ 2, les tests de la tension régulée de
l’USB et du PV présentent le plus fort taux d’échec.
Ces taux d’échecs étant relativement importants, il a fallu être moins exigeant en terme
de respect des spécifications. Cela n’a pas été un inconvénient majeur dans la mesure où les
composants dits "défectueux" n’étaient pas forcément non fonctionnels.
99
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
5.2.4 Rendement
Les mesures du rendement sont réalisées en balayant à la fois la tension de batterie de 2.4V
à 3.2V et le courant d’entrée de 5µA à 2mA (Figures 5.24, 5.25 et 5.26).
90
85
rendement(%)
80
75
70
65
3.2
3
2.8
2.6
2.4 2
103
10
Vbatt (V ) 2.2 101
100
IP V (µA)
100
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
90
85
rendement(%)
80
75
70
65
3.5
3 100
2.5 50
2 0
Vbatt (V ) IP V (µA)
90
85
rendement(%)
80
75
100
70
50
65
3.2 3 2.8 2.6 2.4 0
2.2 IP V (µA)
Vbatt (V )
101
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
masse (Figure 5.26). Ce creux est encore plus remarquable en bas éclairement puisque le
courant apporté par le PV y est faible. La consommation du PM est fonction de la tension de
la batterie (Figure 5.27). La surconsommation à 2.8V est notable.
PSfrag replacements
1.5
courant (µA)
0.5
0
2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2
Vbatt
Il apparait également que le rendement est supérieur à 85% à partir d’un courant de PV su-
périeur à 20µA. Il atteint même plus de 87% à 100µA (batterie chargée). Puis, lorsque le
PM passe en mode fort éclairement (et que la consommation du limiteur de courant s’ajoute
à la consommation globale), il diminue.
Au regard du panneau solaire utilisé pour le projet, la perte d’énergie engendrée par l’ab-
sence d’un système de MPPT peut être considérée comme la différence entre la puissance
transférée et la puissance au maximum de puissance (délivrée par le PV)[66] :
Ptransf erred
ηP V = (5.2)
PM P P
Avec
P M P P = V M P P × IM P P (5.3)
Les courbes courant-tension (IV) et puissance-tension (PV) du panneau solaire utilisé dans le
cadre du projet représentent une caractéristique typique d’une cellule solaire (Figure 5.28).
Le point de fonctionnement (OP) représente le point pour lequel le PV fournit l’énergie au
PM. La position de ce point de fonctionnement dépend de la tension de la batterie (Vbatt ) ainsi
que de la luminosité dans laquelle le PV est baigné. Ces deux paramètres définissent en effet
la chute de tension aux bornes du PV_LDO.
102
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
40 100
MPP
OP
80
30
puissance (µW)
IOP
courant (µA)
IM P P 60
20
40
10
20
0 0
0 1 2 VOP VM P P 4 VOC
tension (V)
F IGURE 5.28 – Points de fonctionnement du système sur la courbe PV.
Le PM engendre donc une perte d’énergie puisqu’il ne travaille pas exactement au maxi-
mum de puissance que peut fournir le PV. Des calculs ont été effectués pour différentes
luminosités et différentes valeurs de tension de la batterie. Ces valeurs ont été déterminées
en fonction des courbes PV fournies en annexes (cf. A.8) ainsi que de la chute de tension
occasionnée par le PM (cette chute dépend directement de la tension de batterie ainsi que du
courant fourni par le PV) (Tableau 5.1).
H
HH Vbatt
HH 2.4 2.6 2.8 3
lux HH
H
20 100% 96% 81.9% 47 %
200 90% 94.8% 97.6% 100%
800 86% 91.5% 94.5% 98.6%
2000 84% 88.4% 91% 96%
103
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
η = ηP V × ηP M (5.4)
Ptransf erred × POU T
η = (5.5)
PM P P × PIN
A partir de là, le rendement du système peut être redéfini pour le maximum de puissance
fourni par le PV (Tableau 5.2) :
HH
HH Vbatt
HH 2.4 2.6 2.8 3
lux HH
20 76.5% 72.5% 59.6% 33.7%
200 77% 81% 83.5% 86.4%
800 72.4% 77.7% 81% 85.3%
2000 70% 74.6% 77.7% 82.8%
104
5.2. VALIDATION DU PM PAR UN CIRCUIT DE TEST
10
5
IP M (µA)
0.15
0.1
0.029 1 10 100 800
IP V (µA)
F IGURE 5.29 – Consommation du PM en fonction du courant fournit par le PV.
105
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Les interrupteurs notés ’1’ sont commandés lors de la phase d’échantillonnage Φ1. Les
interrupteurs marqués ’2’ correspondent à la phase d’intégration Φ2. Les condensateurs Cs
et Ci sont respectivement les condensateurs d’échantillonnage et d’intégration. Les conden-
sateurs Ce et Co servent eux à la compensation du système.
106
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
Lors de cette phase Φ1 suivante, Co fixe le même potentiel Vout que lors de la phase
précédente. La capacité Cs augmente alors le potentiel de l’entrée inverseuse de Vin . Il sera
compensé par la connexion de Ce sur cette même entrée. Ainsi, Cs n’échantillonne pas uni-
quement la valeur d’entrée Vin mais également l’entrée inverseuse ǫ − VOU
α
T
. Les deux
capacités Ce et Co permettent par conséquent de maintenir l’amplificateur dans le même état
lors de la phase Φ1 qu’il l’est lors de la fin de la Φ2 précédente. L’erreur ǫ − VOU
α
T
ajoutée
est ainsi supprimée lors de la phase d’intégration ultérieure.
VOU T −Z −1/2
= (5.6)
VIN 1 − Z −1
Ce montage nécessite deux fois plus de condensateurs et de switches associés que l’intégra-
teur à capacités commutées (Figure 4.22). La surface de circuit est donc plus importante.
Cependant, ce montage autorise l’utilisation d’un amplificateur opérationnel de qualité mé-
diocre en termes de gain et d’offset. Cela lui permet d’être moins gourmand en énergie.
Cet intégrateur à capacités commutées avec corrections de gain fini et de l’offset non nul
est alors adapté à l’architecture entièrement différentielle (Figure 5.31). Contrairement à l’in-
tégrateur précédent, les capacités d’échantillonnage Cs sont commutées de telle sorte que les
potentiels d’entrée de l’amplificateur opérationnel sont maintenus proche de V2dd . La capacité
Ce a été supprimée puisque les tensions d’entrées sont proches de Vdd et les références de
+
tension (Vref −
, Vref et Vmid ) sont proches de V 2dd . Les entrées de l’amplificateur opérationnel
se stabilisent ainsi naturellement à un potentiel proche de V 2dd à chaque fin de phase d’inté-
gration Φ2 . Lors de la phase Φ1 suivante, ces mêmes entrées restent à un potentiel proche.
107
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
F IGURE 5.31 – Intégrateur avec gain fini et offset compensés entièrement différentiel.
Les capacités Métal Oxyde Métal (MOM) fabriquées avec deux couches de métal séparées
par une couche d’oxyde ont une capacité surfacique beaucoup plus faible que les capacités
polysilicium (d’un facteur 8.5) mais sont dotées d’une grande linéarité.
Les capacités FMOM, conçues par des doigts de métal inter-digités séparés d’un oxyde,
présentent elles aussi une grande linéarité. Leur capacité surfacique est fonction notamment
du nombre de doigts dessinés.
108
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
tion des produits dopants imposent une certaine tolérance. Les condensateurs MOM n’échappent
donc pas à la règle (Figures 5.32 et 5.33). Les FMOM non plus.
250 250
200 200
Nombre d’échantillons
Nombre d’échantillons
150 150
100 100
50 50
0 0
-4 -2 0 2 4 -1 -0.5 0 0.5 1
Tolérance (%) Tolérance (%)
F IGURE 5.32 – Tolérance d’une capacité F IGURE 5.33 – Tolérance d’une capacité
MOM d’1µm2 . MOM d’10µm2 .
Plus le condensateur est petit, plus sa tolérance est élevée. Une capacité de l’ordre du
micro-mètre carré a donc une tolérance pouvant dépasser quelques pour cents. Une capacité
de 10 micro-mètres carré n’a en revanche qu’une tolérance de quelques pour mille. Ceci
démontre une certaine imprécision sur la finesse de gravure. Toutefois, les composants d’un
même circuit suivront une dispersion semblable. Par conséquent leur mismatch sera faible
(Figures 5.34 et 5.35).
Nombre d’échantillons
Nombre d’échantillons
150 150
100 100
50 50
0 0
-5 0 5 -0.5 0 0.5
Mismatch (%) Mismatch (%)
F IGURE 5.34 – Mismatch d’une capacité F IGURE 5.35 – Mismatch d’une capacité
MOM d’1µm2 . MOM d’10µm2 .
Le mismatch entre deux capacités MOM de 10µm2 est de quelques pour mille. Il est donc
peu probable qu’un condensateur de +3% se trouve à proximité d’un condensateur à -3%
109
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
sur un même circuit. La linéarité des FMOM étant bien plus élevée, le mismatch entre ces
capacités est bien plus faible (Figures 5.36 et 5.37).
Nombre d’échantillons
Nombre d’échantillons
150 150
100 100
50 50
0 0
-0.4 -0.2 0 0.2 0.4 -0.02 -0.01 0 0.01 0.02
Mismatch (%) Mismatch (%)
F IGURE 5.36 – Mismatch d’une capacité F IGURE 5.37 – Mismatch d’une capacité
FMOM de 10µm2 . FMOM de 150µm2 .
Les capacités de type FMOM seront donc privilégiées pour la suite de cette étude.
Les capacités de l’intégrateur (Figure 5.31) sont donc modifiées de sorte à ce qu’elles
atteignent le même ordre de grandeur que l’éventuel mismatch. Des simulations ont été réa-
lisées (Tableau 5.4) :
Tableau 5.4 – Valeurs des capacités dans les différents cas simulés.
Un signal carré est présenté en entrée du modulateur Σ ∆ afin d’obtenir une intégrale
nulle en fin de période (Figure 5.38).
110
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
Sortie accumulateur
6
4
2 cas idéal
cas 1
0
cas 2
-2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Sortie accumulateur
6
5
4
3 Cas idéal
2
1 cas 3
0 cas 4
-1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
Afin de mettre la dérive en évidence, l’ensemble de ces courbes est normalisé par rapport
au cas idéal (cas 1) (Figure 5.39).
1.5
erreur normalisée
cas 1
0
cas 2
-0.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
1.5
erreur normalisée
cas 3
0
cas 4
-0.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
111
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
112
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
De plus, elle permet d’opposer l’erreur due au mismatch des capacités d’échantillonnage à
l’erreur du cycle précédent. Le mismatch est ainsi ajouté puis soustrait, ce qui rend le système
insensible aux imperfections des capacités (Figure 5.41). L’erreur d’un cycle à l’autre est ainsi
compensée. L’échantillonnage du signal d’entrée est en revanche deux fois plus lent. Il faut
donc limiter les erreurs d’échantillonnage (cf. 5.4.1). .
113
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Sortie accumulateur
6
2 cas idéal
cas 1
cas 2
0
Sortie accumulateur
4
cas idéal
2 cas 3
cas 4
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
F IGURE 5.42 – Résultat de l’intégrateur compensé face aux mismatch des capacités d’échan-
tillonnage.
Les courbes semblent superposées les unes sur les autres. L’erreur normalisée atteste d’un
éventuel gain d’intégration.
1.05
1.04 cas idéal
cas 1
1.03 cas 2
cas 3
cas 4
1.02
Erreur normalisée
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
En effet, une différence de pente d’intégration apparait lorsque le mismatch sur les conden-
sateurs est exagéré de 20% (Figure 5.44). Le gain d’intégration est donc bien modifié sans
que cela crée de dérive (Figure 5.45). En fin d’intégrale, l’accumulateur retombe à zéro.
114
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
0.6
Cas Ideal
Cr=12pF - Cs = 10pF
Sortie accumulateur
Erreur normalisée
0.6 0.4 1.2 Cr=10pF - Cs = 12pF
0.2 1
-200
Offset nul
-250 Offset 10mV
Offset 20mV
Accumulateur
-300
-350 ∆ = 38
-400 ∆ = 74
-450
-500
99.8 99.85 99.9 99.95
Temps (s)
Les courbes semblent ici aussi se superposer. Cependant en normalisant l’ensemble des
courbes par rapport au cas idéal (offset nul), une erreur apparait pour un offset de 10mV .
115
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
2
0V/0V
100µV/0V
Erreur de sortie 1.5 1mV/0V
5mV/0V
10mV/0V
1
0.5
0
0 200 400 600 800 1000
Temps (ms)
La simulation du signal typique non plus sur une seconde mais sur cent secondes (soit
environ 757 signaux typiques) le confirme. L’offset de 10mV conduit à une dérive de 228
(Figure 5.48). Cette erreur correspond à la perte d’un signal sur 700.
100
offset nul
0
offset 10mV
-100
Accumulateur
-200
-300
-400 ∆ = 228
-500
-600
99.4 99.5 99.6 99.7 99.8 99.9 100
Temps (s)
F IGURE 5.48 – Dérive due à un offset du comparateur de 10mV par rapport à un offset nul.
Pour un offset de 1mV , la dérive n’est plus que de 20. Par conséquent, l’erreur engendrée
par l’offset du comparateur semble proportionnelle à l’offset :
116
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
100
offset nul
-100
-200
-300
∆ = 20
-400
99.4 99.5 99.6 99.7 99.8 99.9 100
Temps (s)
F IGURE 5.49 – Dérive due à un offset du comparateur de 1mV par rapport à un offset nul.
Les résultats normalisés par rapport à un offset nul attestent ces résultats :
6
offset nul
4 offset 1mV
offset 10mV
2
Erreur
-2
-4
-6
99.4 99.5 99.6 99.7 99.8 99.9
Temps (s)
F IGURE 5.50 – Dérives d’offset de 10mV et 1mV normalisés par rapport à un offset nul.
La référence de tension est modélisée comme étant une tension fixe avec une légère dé-
pendance à la tension d’alimentation :
Avec α = 10−4 pour 80dBm ou 10−5 pour 100dBm et β la tension fixe proche de la référence
de tension.
Le PSRR quant à lui peut être représenté comme un filtre du premier ordre. Il est minimal
en basse fréquence et tend vers la référence de tension (Équation 5.7). Puis, à partir d’une
117
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
fréquence de coupure déterminée, il augmente. Le module du filtre doit donc être de la forme :
s 2
ω
|H(jω)| = 1+ (5.8)
ω0
jω
V out = V in + V in (5.10)
ω0
Pour un signal alternatif (AC), la référence de tension n’atténue plus le signal d’alimentation
lorsque le terme α ωjω0 Vdd est supérieur à 1 − αV dd. Elle l’amplifie.
L’équation peut donc être modifiée de sorte à ce que la référence de tension (Figure 5.51)
atténue le signal jusqu’à −20dB :
jω
α Vdd + V
ω0 dd
VREF = jω +β (5.12)
1+ V
10αω0 dd
118
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
0
-20
Gain (dB)
-40
-60
-80
-100
100
80
Phase (◦ )
60
40
20
0
101 102 103 104 105 106 107 108 109
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.51 – Diagramme de Bode de la référence de tension.
Le PSRR (Figure 5.52) décroit donc de 1kHz jusqu’à 10MHz pour atteindre 20dB de
réjection.
100
80
PSRR (dB)
60
40
20
0
102 104 106 108
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.52 – PSRR de la référence de tension.
L’alimentation du système (Figure 5.53) repose sur la batterie. Celle-ci est équivalente
à une source de tension en série avec une résistance de l’ordre de 10Ω. Une capacité de
découplage (Cd ) d’une valeur supérieure à 100µF est placée en parallèle sur cette batterie.
Cela permet à la fois de limiter la chute de tension sur la charge lors de forts appels de courant
et de prendre en compte l’ensemble des capacités de découplage des différents composants
électroniques du système. Celui-ci, représenté par Rload peut donc varier de 1MΩ à quelques
dizaines d’ohms selon le courant requis.
119
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Vload dVload
2.5 0
2.4 -100
2.3 -200
Tension (V)
-300
2.2
-400
2.1
-500
2 -600
1.9 -700
1.8 -800
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Vref dVref
2 ×10
−3
1.2
0
-2
Tension (V)
1.195
-4
-6
1.19
-8
-10
1.185 -12
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Temps (ms) Temps (ms)
120
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
10 1
0 0
-10 -1
Tension (mV)
Tension (mV)
-50 -5
-60 -6
-70 -7
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Temps (ms) Temps (ms)
F IGURE 5.55 – Référence de tension avec F IGURE 5.56 – Référence de tension avec
un PSRR de 60dB. un PSRR de 80dB.
Une référence de tension de 60dB qui coupe à 100Hz est équivalente à une référence de
tension de 80dB qui coupe à 10Hz.
+ −
Afin que la référence de tension soit parfaite (VREF − VREF ), il faudrait que les deux
tensions nécessaires au projet aient à la fois exactement le même PSRR et la même fréquence
de coupure. En effet, un écart de fréquence (entre les références) de ne serait-ce que de 1Hz
génère un pic de 7mV soit 23% de la référence.
Le système a été simulé (Figures 5.57 et 5.58) sur une seconde (environ 7 signaux ty-
piques du système) avec l’intégrateur différentiel à capacités commutées compensé (Figure 5.41).
121
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
1.5
200
1000dB - 1GHz
Sortie Accumulateur
Sortie normalisée
60dB - 10Hz
0 80dB - 10Hz
1
1000dB - 1GHz
-200 60dB - 10Hz
80dB - 10Hz
0.5
-400 0 0.5 1
0 0.5 1
Temps (s)
Temps (s)
Il apparait clairement que la qualité du PSRR a un impact direct sur la dérive du signal
de sortie. Un PSRR de 60dB dérive dès le premier réveil du système alors qu’il semble
pratiquement imperceptible à 80dB.
0.5
erreur (×10−3 )
0.25
-0.25
-0.5
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
F IGURE 5.59 – Erreur du modulateur Σ ∆ à capacités commutées pour un gain de 100.
L’ajout de bruit numérique montre une déformation du signal d’erreur. Ce procédé permet
d’atténuer l’erreur à 0 et ±0.2 mais ne compense pas les deux erreurs les plus importantes. Il
122
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
est donc nécessaire d’aboutir à un compromis idéal entre le nombre de registres du LFSR et
la valeur du gain ajouté.
0.5
erreur (×10−3 )
0.25
-0.25
-0.5
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Signal d’entrée
F IGURE 5.60 – Erreur du modulateur Σ ∆ à capacité commutées pour un gain de 100 avec
bruit numérique ajouté.
Cette modélisation permet d’éviter le phénomène des zones mortes du modulateur Σ ∆ d’ordre
1. Toutefois, la partie électronique n’a pas été étudiée et les contraintes concernant la consom-
mation ainsi que la surface de silicium n’ont pas été estimées.
La simulation de l’intégrateur (Figure 4.23, cf. 4.3.6) a été réalisé avec un signal d’en-
trée carré. Celui-ci est composé d’une constante positive (1mA) jusqu’à 0.5s puis négative
(−1mA) jusqu’à 1s. La moyenne du signal d’entrée est donc nulle. En fin de cycle, l’accu-
mulateur retrouve sa valeur initiale si le système est parfait.
123
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
6
5 G=120dB
G=40dB
Sortie Accumulateur 4
3
2
1
0
-1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
Une fois normalisé (Figure 5.62), ce signal de sortie montre que l’erreur de gain fini n’a
pas d’incidence sur la dérive du système 1 .
1.5
G=40dB
G=120dB
erreur de gain
0.5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
Avec l’intégrateur de gain fini et d’offset compensés (Figure 5.31, cf. 4.3.6), l’erreur de
gain est complètement compensée. Pour un amplificateur de gain de 40dB et un amplificateur
de 120dB (gain d’amplificateur considéré comme parfait), le résultat en sortie de l’accumu-
lateur est identique (Figure 5.63).
1. Les divergences à zéro et à 1 sont dues aux divisions de valeurs proches de zéro.
124
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
5
G=120dB
4 G=40dB
Sortie Accumulateur 3
-1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
5.3.3.1.3 Dérive
Afin d’estimer la dérive, le gas gauge est simulé avec le signal typique d’un capteur
autonome (Figure 3.2, cf. 3.2) de moyenne nulle sur une période. Ce signal est répété sur une
centaine de secondes (soit environ 757 signaux typiques).
0.1
0.05
Cas Ideal
0 10000
1000
Sortie accumulateur
-0.05 500
100
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
-0.3
-0.35
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
temps (s)
Avec un amplificateur de gain de 10000, 1000 ou 500, le système présente le même résul-
tat qu’avec un amplificateur de gain infini. Avec un amplificateur de gain de 100, il n’atteint
pas cette perfection mais s’en approche considérablement. Le gain de l’amplificateur n’a donc
pas d’incidence sur la dérive du système.
125
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Le signal de sortie du gas gauge pour un amplificateur d’offset de 10µV n’est pas le
même que pour un amplificateur d’offset nul (considéré comme parfait). En effet, à la fin du
cycle il ne retrouve pas sa valeur initiale (Figure 5.65). Cela crée une erreur.
6
G=120dB - ǫ=0V
5
G=120dB - ǫ=10µV
Sortie Accumulateur
0
-0.24
Le système présente donc une dérive qui va progressivement s’amplifier si l’erreur n’est
pas compensée. La normalisation obtenue en divisant les courbes par le cas idéal le démontre
(Figure 5.66).
1.5
ǫ=0
ǫ = 10µV
erreur d’offset
0.5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
126
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
5
ǫ=0
4 ǫ = 10µV
Sortie Accumulateur
-1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
L’erreur normalisée par rapport à un amplificateur parfait (Figure 5.68) montre que la
structure compense l’erreur d’offset.
1.5
ǫ=0
ǫ = 10µV
erreur d’offset
0.5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Temps (s)
5.3.3.2.3 Dérive
Pour la simulation de l’offset, le gain de l’amplificateur a été fixé à 120dB (Figure 5.69).
127
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
0.2
10mV
20mV
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
temps (s)
Malgré une compensation, une dérive est perceptible pour des valeurs d’offset élevées
(Figure 5.70).
1.8
1.5 10mV
20mV
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
Après 100 sec, les valeurs obtenues en sortie de l’accumulateur divergent (Tableau 5.5).
Tableau 5.5 – Valeurs de l’accumulateur après cent secondes en fonction de différents offsets
de l’amplificateur.
128
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
À partir de l’intégrateur différentiel à capacités commutées (Figure 4.24, cf. 4.3.6.2), dif-
férentes simulations ont été réalisées (Tableau 5.6). Les ordres de grandeur des mismatch des
capacités Cr et Cs sont de 2% et 2 0/00 . Ils correspondent au pire cas obtenus lors des simu-
lations Monte Carlo sur les capacités FMOM (cf. 5.3.1.2).
Tableau 5.6 – Valeurs des capacités dans les différents cas simulés.
Une dérive du signal de sortie apparait même avec un faible mismatch (Figure 5.71).
L’erreur normalisée la met nettement en évidence (Figure 5.72).
Sortie accumulateur
6
4
2 cas idéal
cas 1
0
cas 2
-2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Sortie accumulateur
6
5
4
3 Cas idéal
2
1 cas 3
0 cas 4
-1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
F IGURE 5.71 – Dérives dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages.
129
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
1.5
erreur normalisée
1
cas 1
0
cas 2
-0.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
1.5
erreur normalisée
cas 3
0
cas 4
-0.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
F IGURE 5.72 – Erreur normalisée des différents mismatch des capacités d’échantillonnages.
Les simulations sont cette fois-ci réalisées (Figure 5.73) avec l’intégrateur qui compense
les mismatch des capacités (Figure 5.41).
Sortie accumulateur
2 cas idéal
cas 1
cas 2
0
Sortie accumulateur
4
cas idéal
2 cas 3
cas 4
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
F IGURE 5.73 – Dérives dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages.
130
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
Toutes les courbes se superposent au cas idéal. L’erreur normalisée (Figure 5.74) montre que
la divergence n’est effectivement plus perceptible.
1.05
erreur normalisée
1
cas idéal
cas 1
cas 2
0.95
PSfrag replacements
1.05
erreur normalisée
cas idéal
cas 3
cas 4
1
0.95
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps (s)
F IGURE 5.74 – Erreurs dues à différents mismatch des capacités d’échantillonnages norma-
lisées.
5.3.3.3.3 Dérive
Sur le long terme, l’erreur compensée laisse apparaitre une dérive très faible (Figure 5.75).
0.15
Cas Ideal
0.1 Cref = 10.2pF
0.05 Cref = 10.1pF
Cref = 10.05pF
Sortie accumulateur
0 Cref = 10.01pF
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
-0.3
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
temps (s)
Le mismatch des capacités ne crée pas de dérive notable sauf s’il est exagéré à 20%.
131
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
5.3.3.3.4 Remarques
L’architecture utilisée lors de ces simulations ne permet pas de compenser les erreurs de
gain et d’offset. Les différentes erreurs ne sont pas compensées simultanément. Une étude
plus approfondie permettrait de résoudre ce problème.
132
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
Afin de mesurer l’éventuelle dérive (Figure 5.76), les simulations ont été réalisées à partir
du signal d’entrée typique sur cent secondes.
3.5
0.5
-0.5
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
temps (s)
5
0
-5
erreur normalisée
-10
-15
-20
-25 Cas Idéal
100dB
90dB
-30 80dB
70dB
-35
-40
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
Après 100 secondes, des dérives très importantes apparaissent en sortie de l’accumulateur
et ce même pour de bonnes réjections (Tableau 5.7).
133
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Pour les résultats qui vont suivre, l’amplificateur de l’intégrateur est considéré comme
parfait (offset nul, gain de 120dB). Afin de montrer l’impact de la qualité du PSRR des
références de tension, deux simulations ont été réalisées. La première pour des PSRR dont la
fréquence de coupure est de 100Hz. La seconde pour des PSRR dont la fréquence de coupure
est de 10Hz.
-1
Sortie accumulateur
-2
-3
Cas Idéal
100dB
-4 80dB
70dB
-5 60dB
50dB
-6
134
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
60
Cas Idéal
100dB
50 80dB
erreur normalisée 70dB
40 60dB
50dB
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
-1
-2
dérive accumulateur
-3
Cas Idéal
-4
100dB
80dB
-5 70dB
60dB
-6 50dB
-7
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
La figure de mérite (Tableau 5.8) montre la valeur obtenue en sortie de l’accumulateur après
cent secondes (757 signaux typiques).
Tableau 5.8 – Valeurs de l’accumulateur après cent secondes en fonction de différentes qua-
lités de la référence de tension.
135
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Une fréquence de coupure plus basse accentue davantage la dérive (Figures 5.81, 5.82
et 5.83).
-1
-2 Cas Idéal
100dB
Sortie accumulateur
-3 80dB
70dB
-4
60dB
-5 50dB
-6
-7
-8
-9
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
temps (s)
90
80 Cas Idéal
100dB
70 80dB
70dB
60
erreur normalisée
60dB
50 50dB
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
136
5.3. MODÉLISATION ET SIMULATIONS DU COMPTEUR DE CHARGES
-1
dérive accumulateur -2
-3
-4
Cas Idéal
-5 100dB
80dB
-6 70dB
60dB
-7 50dB
-8
-9
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
La figure de mérite (Tableau 5.9) montre la valeur obtenue en sortie de l’accumulateur après
cent secondes.
Tableau 5.9 – Valeurs de l’accumulateur après cent secondes en fonction de différentes qua-
lités de la référence de tension.
137
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
2 Cas Idéal
1mV
2mV
0 5mV
10mV
20mV
Sortie accumulateur
-2
-4
-6
-8
-10
99.8 99.82 99.84 99.86 99.88 99.9 99.92 99.94 99.96 99.98 100
Temps (s)
F IGURE 5.84 – Dérive due à l’offset du comparateur.
4.5
Cas Idéal
4 1mV
2mV
3.5 5mV
10mV
erreur normalisée
3 20mV
2.5
1.5
0.5
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
138
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
-1
dérive accumulateur
-2
-3 Cas Ideal
1mV
2mV
-4 5mV
10mV
-5 20mV
-6
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
temps (s)
La figure de mérite (Tableau 5.10) montre que la dérive est relativement proportionnelle
à la valeur de l’offset.
Tableau 5.10 – Valeurs de l’accumulateur après cent secondes en fonction de différents offsets
du comparateur.
139
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Le shunt aura donc une résistance de 1Ω. 1mV de mesure correspond ainsi à 1mA du cou-
rant débité ou absorbé. Afin d’éviter des chutes de tensions trop importantes aux bornes de la
batterie, une capacité de découplage de 100µF est placée aux bornes de cette dernière. Cette
capacité joue un rôle important notamment dans la stabilité des références de tensions. Le
fait d’échantillonner le signal d’entrée pour l’intégrer fait perdre une partie de l’information
pendant la phase d’intégration (cf. 4.3.6). Le choix est donc fait d’intégrer le signal non pas
directement aux bornes du shunt, mais aux bornes d’une capacité c d’un filtre rc passe-bas
placé en parallèle du shunt (Figure 5.87).
140
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
tension (mV)
0
-10 RC = 1e-12
-20
-30
0 20 40 60 80 100 120 140
tension (mV)
0
-10
RC = 1e-4
-20
-30
0 20 40 60 80 100 120 140
tension (mV)
0
-10
-20 RC = 1e-3
-30
0 20 40 60 80 100 120 140
tension (mV)
0
-10 RC = 1e-2
-20
-30
0 20 40 60 80 100 120 140
temps (ms)
F IGURE 5.88 – Signal d’entrée de l’intégrateur selon différentes valeurs du filtre RC.
Le filtre a pour objectif de lisser le signal d’entrée afin d’éviter tout changement brusque
du signal à intégrer. Cette méthode permet ainsi de limiter l’erreur lors des phases d’intégra-
tion et donc améliorer la précision du gas gauge.
Le filtre contribue également à limiter les pics de courant à mesurer. Rester en-dessous
de la valeur de référence permet d’éviter de saturer l’intégrateur. Afin de ne pas perturber
le signal aux bornes du shunt, r est choisi de telle sorte à vérifier r >> shunt. De plus, la
capacité c doit être suffisamment grande pour pouvoir charger les capacités d’échantillon-
nage Cs sans altérer le fonctionnement du filtre. Avec τ > 5 × Tclk (τ = rc), toute variation
importante du signal lors de la phase d’intégration est évitée. Le système utilise une horloge
de période Tclk = 30µs, et rc = 200µs avec r = 100Ω et c = 2µF satisfait les recomman-
dations. Les valeurs importantes de ces composants (notamment la capacité c) leur imposent
une technologie discrète.
141
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
5
5
4.5
4.5
4
4
Capacité (fF)
Capacité (fF)
3.5
3.5
3
3
2.5
2.5
2
2
1.5
-3 -2 -1 0 1 2 3 1.5
-3 -2 -1 0 1 2 3
Voltage (V)
Voltage (V)
La capacité évolue d’un facteur 3 entre −3V et 3V . Pour diminuer la variation de la ca-
pacité en fonction du potentiel présent sur ces bornes, il est possible de placer une capacité
en polysilicium de type N en parallèle avec une capacité en polysilicium de type P. Ce prin-
cipe revient à ajouter les deux courbes précédentes et minimiser ainsi la variation de capacité
(Figure 5.91).
7.2
Capacité (fF)
6.8
6.6
6.4
-3 -2 -1 0 1 2 3
Voltage (V)
F IGURE 5.91 – Évolution de la capacité de 2 capacités N et P en parallèles en fonction de la
tension à ses bornes.
142
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
Malgré cette diminution de la capacité, la variation reste dans ce cas précis de 11.5%.
Une autre solution consiste à placer deux capacités (par exemple de type P) en parallèle en
les reliant par leurs bornes opposées [70]. L’anode de la première est reliée à la cathode de
la seconde et l’anode de la première à la cathode de la seconde. Cette solution repose sur le
même principe que la précédente méthode : faire la somme d’une capacité et de son opposée.
Une capacité équivalente est ainsi obtenue (Figure 5.92).
6.9
Capacité (fF)
6.8
6.7
6.6
6.5
-3 -2 -1 0 1 2 3
Voltage (V)
F IGURE 5.92 – 2 capacités P et N en parallèle.
Une variation de seulement 6.5% est ainsi obtenue sur la plage de tension [−3 ; 3V ].
Cette variation reste cependant élevée pour des applications de mesure. Toutefois, la forte
capacité surfacique des capacités en polysilicium rendent ces dernières intéressantes pour
des utilisations de découplage et de compensation.
5.4.3 Intégrateur
Le bruit intrinsèque d’un composant n’est pas le bruit que le composant peut recevoir
d’une source extérieure, mais bien le bruit généré par le composant lui-même [64]. Deux
types de bruits intrinsèques sont particulièrement à prendre en compte : le bruit de scin-
tillement et le bruit thermique. Ils proviennent notamment des switches, des références de
tensions et de l’amplificateur opérationnel [71].
143
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Le bruit de scintillement (également appelé bruit en 1/f) est un bruit électronique parasite
présent dans le substrat. Il est décroissant selon l’équation √βf , avec β une constante détermi-
née de manière empirique. Généré au sein des transistors, il est nettement plus présent dans
les transistors de petite dimension que dans ceux de grandes dimensions. Cependant, les tran-
sistors PMOS présente un bruit en 1/f moins important que pour les transistors NMOS. Cela
est dû au nombre important de trous. Ces derniers ont en effet moins de chance d’être piégés
que les électrons.
Le bruit thermique des capacités (aussi appelé kT/C) est un bruit blanc constant quelle
que soit sa fréquence. Par définition, les condensateurs ne génèrent pas de bruit. Ce sont les
composants connectés à la capacité (telles les résistances) qui émettent le bruit [72].
Le bruit thermique généré par la résistance RDSON du NMOS suit l’expression 4kT R.
Lors de laqcharge des capacités par les switches (Figure 5.93), il va engendrer un bruit ther-
mique de kT C
avec k la constante de Boltzman (1.381e−23 JK −1 ), T la température en Kel-
vin et C la capacité en Farad.
Le dimensionnement des capacités commutées a un impact direct sur le niveau de bruit
quelle que soit la dimension du transistor servant de switch.
F IGURE 5.93 – Charge d’une capacité C à travers un MOS de résistance de drain RDSON .
Le modulateur Σ ∆ d’ordre 1 n’étant pas utilisé dans le cadre d’un traitement de signal
mais pour l’intégration continu du signal, le bruit sera intégré continuellement. L’architec-
ture choisie, entièrement différentielle, démontre ici tout son avantage. En effet, les sources
de bruits vont être identiques sur les deux entrées de l’intégrateur et seront ainsi annulées.
Une dérive à court terme peut être perceptible, mais sur le long terme la moyenne sera an-
nulée [73]. Il faudra veiller à ce que les mismatches soient les plus faibles possible. Tant au
niveau des switches qu’au niveau des capacités.
144
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
Cette quantité n’est pas répartie équitablement. Elle dépend de certains paramètres tels
que le temps de commutation ou les impédances vues de la source et du drain. Il a été montré
que plus le temps de commutation est court plus la répartition est équitable sur le drain et la
source [74] et [76]. En revanche, si le temps de commutation est long, les charges se logent
là où l’impédance est la plus faible.
Afin de limiter cet effet de l’injection de charges, différentes méthodes peuvent être prises
en compte.
Une d’entre elles consiste à disposer des dummies switches de part et d’autre des switches.
Il s’agit de "faux" switches ayant pour seul but d’annuler l’injection de charges (Figure 5.95).
Ces dummies switches doivent être dimensionnés environ de moitié par rapport au switch en
question si on considère les charges injectées se trouvant équitablement réparties. La com-
mande de ces dummies switches doit être l’inverse de celle des switches. Ainsi les charges
sont absorbées lors de l’ouverture des switches.
145
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Pour minimiser encore davantage l’injection de charges, il est nécessaire de retarder l’ou-
verture du second switch. Une fois le premier switch ouvert et sa quantité de charges libérée,
une borne de la capacité se trouve flottante. L’ouverture du second switch ne crée pas d’ajout
de charges supplémentaires dans la capacité. Il décale uniquement la tension des deux bornes.
Qch
∆U = (5.14)
2C
W LCox(VGS − Vt )
= (5.15)
2C
La capacité d’oxyde d’un MOS peut être déterminée en simulant celui-ci comme une capa-
cité ; c’est-à-dire en reliant les trois terminaux (source, drain et bulk) à la masse (Figure 5.96).
Dans un premier temps, le potentiel de grille est fixé à 0V (MOS OFF) et un balayage de la
tension AC est effectuée. En prenant R = 1kΩ, la fréquence est extraite lorsque la tension Vg
atteint −3dB. La capacité de grille est ensuite calculée selon :
1
Cg = (5.16)
2πRf(−3dB)
L’opération est renouvelée pour une tension DC où le transistor se trouve en régime de forte
inversion (MOS ON). Avec W et L égales à 1µm, la capacité d’oxyde peut être détermi-
née [72] :
CM OS(ON ) − CM OS(OF F )
Cox = (5.17)
WL
2. en considérant que les MOS ainsi que les capacités ont un mismatch négligeable
3. dans l’hypothèse que l’impédance vu par le drain est égale à l’impédance vu par la source ou que le temps
de commutation est très court
146
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
5.5
CM OS(ON )
5
Capacité (fF)
4.5
4
3.5
3
CM OS(OF F )
2.5
-2 -1 0 1 2 3
Tension de grille (V)
F IGURE 5.97 – Capacité de grille en fonction de la tension appliquée.
La valeur d’une capacité d’oxyde est déterminée grâce à cette formule. Elle est de 2.76f F .
Pour une tension d’entrée de 1.2V (avec Vt ≃ 0.55V et un transistor de dimensions
1 × 1µm2 ) la quantité de charges présente dans le canal du transistor est de 1.79f C. Si elle
n’est pas annulée par un dummy switch, cette quantité de charges décalera la tension aux
bornes de la capacité. Pour un PMOS, le décalage sera de 900µV pour une capacité de 1pF
et de 90µV pour une capacité de 10pF .
Ces mêmes tensions seront négatives pour l’utilisation d’un NMOS [78].
La conception doit donc veiller à plusieurs critères : la rapidité des fronts d’horloges, la
taille appropriée des dummies switches, le décalage du temps de commutation des MOS et la
taille élevée des capacités face aux capacités d’oxydes.
147
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
capacités commutées dû aux changements d’état de l’horloge sur les grilles des MOS utilisés
en interrupteur. En effet, la grille des transistors "déborde" légèrement de part et d’autre de la
source et du drain ce qui crée des capacités parasites (grille-drain et grille-source) appelées
capacités de chevauchement (overlap capacitance). Le transistor peut donc être modélisé
simplement comme sur la figure 5.98 :
La valeur de ces deux capacités peut être déterminée selon le même procédé de mesure
C F)
que la capacité d’oxyde Cox . Elle correspond à la valeur de M OS(OF
2
et vaut ici Cov =
1.32f F pour une longueur et largeur de 1µm. À chaque changement de front d’horloge sur
la grille, la tension aux bornes de la capacité C varie selon le principe du diviseur capacitif
(Figure 5.99).
Une variation de 3V sur la grille (pour une horloge oscillant de 0 à 3V ) ferait donc varier
la tension aux bornes d’une capacité C de 1pF de :
3COV
dVC = − ≃ 5mV (5.18)
COV + C
Bien qu’il agit sur les capacités parasites de très petite taille (quelques femto Farad), ce phé-
nomène peut devenir problématique. En effet, la différence de tensions qui doit être mesurée
aux bornes du shunt est de l’ordre de quelques milli ou micro Volts. Toutefois, ce phéno-
mène sera compensé par la structure différentielle de l’intégrateur si les transistors sont bien
appareillés [79].
148
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
Les switches sont réalisés à partir de transistor PMOS ou NMOS et ne sont donc pas
parfaits. À l’image de leur résistance non infinie à l’état ouvert, leur résistance à l’état fermé
n’est pas nulle :
1
RON = (5.19)
kW
L
(VGS − Vt )
avec k = µcox .
La mobilité des électrons µn étant plus élevée que la mobilité des trous µp , la résistance
RON d’un NMOS sera environ 3 fois plus faible que la résistance d’un PMOS de dimensions
équivalentes (Tableau 5.11).
```
``` RM OS (Ω)
```
```
` NMOS PMOS
Dimensions (µm) ```
``
W = 0.4 ; L = 0.38 14k 28k
W = 0.4 ; L = 1 31k 80k
W = 1; L = 1 13k 34k
W = 2; L = 1 6.4k 16.7k
Dans le cadre du projet, la constante de temps du système est relativement lente (≃ 30µs).
La résistance RON des MOS doit donc pouvoir vérifier qu’une demi-période d’horloge (15µs)
suffit aux capacités pour se charger entièrement. Il faut donc considérer le circuit en en-
trée de l’intégrateur pour dimensionner les switches. Parmi ceux-ci, deux servent à char-
ger la capacité d’échantillonnage. La constante de temps de charge de la capacité sera donc
τ = 2RON C. Pour charger entièrement la capacité, il est nécessaire d’attendre au moins 5τ
(99%). La demi-période d’horloge étant de 15µs, la résistance RON doit donc vérifier :
Avec des capacités de 10pF (valeur fortement majorée), la résistance doit être inférieure
à 150k (Tableau 5.11). Afin de minimiser le mismatch entre les transistors tout en limitant
la quantité de charges susceptible d’être injectée, des transistors de 1µm × 1µm sont choisi
pour W et L.
149
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Le nombre d’inverseurs et les dimensions des MOS les constituants définissent les diffé-
rents retards. Les sorties Φ1 et Φ2 représentent les phases d’échantillonnages et d’intégrations
sans chevauchement. Les sorties Φ1D et Φ2D représentent les phases Φ1 et Φ2 avec un retard
supplémentaire évitant l’injection de charges des seconds switches. Il faut donc veiller à ajou-
ter un inverseur supplémentaire pour piloter des transistors PMOS.
150
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
Afin de garder une consommation d’énergie relativement basse, l’architecture de cet am-
plificateur ne doit pas être complexe. Elle doit se faire sur un seul étage. Trois types d’ampli-
ficateurs sont alors possibles [81] :
– Les amplificateurs cascode télescopiques qui permettent un gain DC relativement élevé
mais ont une dynamique de sortie relativement réduite. Ces amplificateurs sont bien
adaptés aux applications où la rapidité est un facteur de choix.
– Les amplificateurs cascode repliés nécessitent davantage de courant que leurs homo-
logues télescopiques. C’est pourquoi ils ne sont particulièrement pas adaptés aux ap-
plications Low-Power.
– Les amplificateurs à miroir de courant dont la dynamique de sortie est élevée grâce au
faible nombre de transistors. Ils permettent à la fois d’avoir une surface de circuit ré-
duite et des améliorations de gain par simple modification du ratio des transistors [82].
Leur architecture étant très simple, ils sont parfaitement adaptés aux applications Low-
Power. D’autant plus lorsqu’ils ne comprennent que deux branches principales.
Pour concevoir cet amplificateur, il faut suivre deux spécifications fondamentales [72] :
– Le produit gain-bande doit être supérieur d’au moins 5 fois la fréquence de l’horloge
de l’intégrateur à capacités commutées : soit GBW > 170kHz.
– La marge de phase doit être supérieure à 70◦ . Cette considération évite les surtensions
et évite la surcharge des capacités.
À ces critères doivent être rajoutés un gain DC de 20dB minimal (valeur pour laquelle
le système a été étudié) et une réjection de mode commun optimale. L’architecture (Fi-
gure 5.101) peut alors être conçue. Le choix des transistors d’entrée PMOS n’est pas anodin.
Ils offrent en effet un avantage en terme de bruit 1/f et ils permettent notamment un meilleur
produit gain bande (cf. 5.4.3).
Afin de minimiser la consommation de l’amplificateur tout en gardant un gain DC suffi-
151
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
152
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
qID
gm4 = (5.23)
nkT
Pour une température de 300K, la transconductance est de 12, 88µS. Pour un fonctionnement
de faible inversion, la transconductance et le gain de l’amplificateur seront sensiblement af-
fectés par la température.
Les résistances dynamiques de sortie ro8 et ro9 sont identiques et valent 11MΩ. Le Gain
DC est donc de :
153
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
60
40
Gain (dB)
20
-20
-40
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.102 – Gain de l’amplificateur.
60
40
Gain (dB)
20
0
-20
-40
0
Phase (◦ )
-100
-200
-300
-400 0
10 101 102 103 104 105 106 107 108 109
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.103 – Marge de Phase de l’OTA.
154
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
Les phases Φ1 et Φ2 sont issues du circuit d’antichevauchement des horloges. Les capa-
cités C1 et C2 ont une valeur de 100f F et les capacités C3 et C4 de 500f F . Il faut veiller à
ce que les capacités C1 et C2 aient une valeur inférieure (4 à 10 fois) aux capacités C3 et C4
afin d’éviter toute surcharge. La taille des MOS est minimisée à 0.16µm2 ce qui donne une
injection d’environ 0.28f C (soit 0.7% de la charge maintenue dans la capacité C1 ou C2 ).
La tension de référence de 1.2V fournie dans le système est utilisée pour le mode commun
de sortie. La tension d’alimentation peut ainsi varier de 2.4V à 3.2V et la tension de sortie
reste bornée. Ce circuit a été testé et démontre ainsi que le système est réalisable avec un
courant Ibias de l’ordre de 500nA. Une amélioration de gain aurait pu être envisagée ([85]
et [82]) mais les spécifications étant atteintes cette amélioration n’a pas été étudiée en pro-
fondeur. Cependant, il faut reconnaitre que si la consommation pouvait encore diminuer tout
en maintenant les mêmes résultats, l’implémentation ne semblerait alors pas exclue.
La tension de sortie d’un amplificateur différentiel est définie par son gain de mode diffé-
rentiel et son gain de mode commun :
1
Vout = Ad (V + − V − ) + Acm (V + + V − ) (5.26)
2
Avec Ad le gain de mode différentiel et ACM le gain de mode commun. Le taux de réjection
de mode commun (TRMC ou CMRR en anglais pour common mode rejection ratio) est défini
comme le rapport du gain de mode différentiel sur le gain de mode commun :
Ad
CMRR = 20 log( ) (5.27)
Acm
Pour un amplificateur entièrement différentiel, la matrice de gains peut être définie en fonc-
tion des tensions d’entrées différentielles et communes ainsi que des tensions de sorties dif-
155
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
La tension de sortie en mode commun n’est pas liée à la tension d’entrée en mode différentiel.
Idéalement Acd = 0 et la tension de sortie en mode différentiel n’est pas impactée par la
tension d’entrée en mode commun. Acd ≃ 0.
156
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
157
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
Vf 1 dVf
Vref = R + (5.31)
R3 R2
Le détail des calculs (Annexe A.3) montrent alors que Vref P = 1.306V et Vref M = 1.276V .
La référence du système est alors de 30mV (Figures 5.106 et 5.107).
Le circuit a été simulé et montre des résultats corrects du point de vue de la référence de
tension. Ainsi la différence entre VREF P et VREF M est de 28.8mV avec une variation de
10µV sur la plage [-10 ; 60] ◦ C. Soit environ 350ppm.
1.29
1.285
1.28
VREF _P
Tension (V)
1.275 VREF _M
1.27
1.265
1.26
-10 0 10 20 30 40 50 60
Température (◦ C)
158
5.4. CONCEPTION DU COMPTEUR DE CHARGES
28.81
28.81
28.81
Tension (mV)
28.81
28.80
28.80
28.80
28.80
-10 0 10 20 30 40 50 60
Température (˚C)
Le courant dans chacune des branches est d’environ 1.2µA. L’amplificateur qui n’est
constitué que d’une paire différentielle consomme 90nA. Ainsi, la référence de tension consomme
moins de 5µA. Il serait possible d’envisager une consommation plus réduite en augmentant
la valeur des résistances. Mais cela se ferait au détriment de la surface.
Cette architecture ne permet cependant pas d’avoir une réjection d’alimentation élevée.
En effet, il est nécessaire d’augmenter le coefficient λ des transistors M3 et M4 pour améliorer
le PSRR. Cela permet au miroir de courant de gagner en perfection. Ce coefficient peut être
modifié en fonction de la longueur des transistors. Ainsi, en prenant L = 10 et W = 20, le
PSRR est amélioré (Figure 5.108).
159
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
tension (V)
2.41
2.4 20mV
2.39 Vdd
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
1.3013
tension (V)
1.30129
17.26uV
1.30128 +
VREF
1.30127
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
1.27138
tension (V)
1.27137
15.79uV −
1.27136 VREF
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
tension (mV)
29.9255
29.925
29.9245
1.47uV
VREF
29.924
29.9235
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
temps (s)
Cette figure montre qu’une ondulation de 20mV sur l’alimentation induit une ondulation
de respectivement 17.28µV et 15.79µV pour Vref P et Vref M. Ces deux signaux étant en
phase, l’ondulation de la différence n’est plus que de 1.47µV (soit une réjection de l’alimen-
tation de 82.6dB en basse fréquence) (Figure 5.109). Ce résultat est en accord avec la théorie.
Les références Vref P et Vref M peuvent être de qualité médiocre. En effet, si leur réjection
est identique ou proche, la différence sera tout de même de bonne qualité.
-20
-40
Gain (dB)
-60
-80
-100
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.109 – Tensions de références Vref_1 et Vref_2.
160
5.5. CONCLUSION
-40
-50
Gain (dB)
-60
-70
-80
-90
10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
Fréquence (Hz)
F IGURE 5.110 – Tensions de références Vref_1 et Vref_2.
5.5 CONCLUSION
Les validations du PM et du gas gauge ont toutes deux apporté des résultats intéressants
à exploiter.
Les statistiques sur les mesures des différents lots de PM ont en effet montré qu’une
grande quantité de puces ne correspondaient pas aux spécifications. Il semble donc indispen-
sable de réfléchir à d’éventuelles modifications du design pour obtenir de meilleurs taux de
réussite. En outre, ces tests ont permis de sélectionner les puces les plus adaptées pour l’éla-
boration des capteurs autonomes en énergie du projet.
Les mesures effectuées sur le PM ont quant à elles prouvé que celui-ci possédait un ex-
cellent rendement bien qu’il soit dépourvu de système de MPPT. Cette observation a été dé-
crite dans un article qui a fait l’objet d’une présentation à la conférence ICECS 2013 d’Abu
Dhabi.
En ce qui concerne le gas gauge, les simulations ont présenté des dérives indéniables.
Il faudra donc prévoir des améliorations (une correction analogique pour limiter l’erreur de
l’offset du comparateur, une calibration digitale et un système de remise à zéro pour limiter
161
CHAPITRE 5. RÉALISATIONS ET MESURES DU POWER MANAGEMENT ET
DU COMPTEUR DE CHARGES
et annuler les dérives des erreurs non compensables (références de tension, CMRR...)) pour
éviter que les dérives ne faussent trop le résultat de l’état de charge à long terme.
162
Chapitre 6
PERSPECTIVES
6.1 INTRODUCTION
Les études et leurs résultats présentés précédemment ont prouvé que le dimensionnement
énergétique des capteurs était réalisable. Toutefois, les recherches entreprises pourraient être
poursuivies afin d’améliorer encore davantage le rendement. Dans un premier temps, des
modifications du PM pourraient mener à une consommation statique quasi nulle. Dans un
second temps, il serait intéressant de lier le gas gauge à des modes de fonctionnement lui
permettant d’éviter toute consommation excessive.
6.2 AMÉLIORATION DU PM
6.2.1 Le PVLDO
La consommation statique du LDO alimenté par le PV, est de 500nA en bas éclairement.
Lorsque le LDO passe du mode follower au mode regulator (courant d’entrée de 800µA) elle
monte à 5µA. Il pourrait donc être intéressant de diminuer cette consommation.
Ce même LDO étant activé par un simple pont de résistances, il pourrait être également
nécessaire de réfléchir à un éventuel système de start-up ou à une modification de ces résis-
tances. Cela permettrait de décaler le seuil d’activation.
Le PSRR devrait également être amélioré, mais cela serait sans aucun doute au détriment
de la consommation du LDO.
163
CHAPITRE 6. PERSPECTIVES
seconde (par exemple 1/1000), la consommation du PM se retrouve alors divisée par 1000.
Une telle modification nécessite l’utilisation d’une horloge. Le capteur, autonome en énergie,
possède une horloge de 32kHz, lui permettant de définir ses phases de réveil. Cette horloge
pourrait donc être réutilisée pour gérer l’activation du LCO. Il suffirait dans un premier temps
de diviser l’horloge par un certain nombre N (Figure 6.1). Ce nombre serait défini en fonction
de la période de rafraîchissement de l’état de la batterie. Cette fréquence divisée pourrait très
largement atteindre des valeurs inférieures au Hertz. En effet, même si la batterie continue
de se décharger en dessous de son seuil critique, la capacité perdue en quelques seconde ne
représenterait qu’une partie infime de sa capacité totale.
Une fois cette fréquence divisée, nul n’est besoin d’activer le circuit LCO durant toute
la durée de la demie période. La division n’aurait alors aucun sens. Il suffit de l’activer une
fraction de seconde. Pour cela, un circuit monostable activé à chaque front de l’horloge divi-
sée peut être utilisé (Figure 6.2). Sa constante de temps est à déterminer en fonction du temps
d’établissement nécessaire pour que le LCO soit fonctionnel. Dans les simulations réalisées,
une constante de temps de 200µs a été testée.
Ainsi, en divisant la fréquence jusqu’au Hertz (15 bascules) le rapport cyclique n’est plus
que de 0.02%. De cette manière, la consommation du LCO devient dérisoire. Sa consomma-
tion de 200nA initiale se retrouverait à une moyenne de 40pA. Afin de garantir le fonction-
nement de l’hystérésis, il est nécessaire d’adopter une autre stratégie que le comparateur à
hystérésis seul. En effet, vu qu’il est activé puis désactivé périodiquement, l’hystérésis perd
l’information concernant l’état précédent du comparateur. Il faut alors avoir recours à deux
164
6.2. AMÉLIORATION DU PM
La simulation de ce circuit a fourni des résultats satisfaisants (Figure 6.4). Afin de pouvoir
verrouiller le système, il est nécessaire de garder en mémoire l’état de sortie des compara-
teurs. Des bascules D (non-représentées sur le schéma) pourraient faire office de mémoires.
165
CHAPITRE 6. PERSPECTIVES
3.2
tension (V)
3
2.8
2.6 Vbatt
2.4
2.2
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
tension (V)
3
2
1 V2.4
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
tension (V)
3
2
1 V2.8
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
tension (V)
3
2
1 LCO Out
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
temps (s)
Bien qu’un comparateur supplémentaire soit nécessaire, la consommation des deux réunis
resterait inférieure à la centaine de pico-ampères. La réduction de surface du circuit pourrait
également être envisagée grâce à ce procédé. En effet, la grosse majorité de la surface est
consommée par les résistances du comparateur qui dépassent la dizaine de Méga-Ohms. Ces
résistances pourraient donc être réduites. Cela engendrerait une hausse de la consomma-
tion des comparateurs mais permettrait de réduire considérablement la surface. Cependant, le
procédé utilisé permettra de réduire au maximum cette hausse de consommation. Même des
comparateurs consommant 1µA représenteraient une consommation moyenne de 0.1nA. À
cette consommation, il faut bien sûr rajouter la consommation de toute la partie numérique
(notamment celle permettant la division de fréquence). Toute cellule digitale consomme de
l’énergie. Principalement lors des changements d’état. La première bascule du diviseur de
fréquence représente la consommation la plus élevée. Néanmoins, les simulations ont montré
une consommation du diviseur de fréquence de l’ordre de 11nA. Il est donc envisageable
d’atteindre une consommation inférieure à 15nA pour toute la partie de protection de batte-
rie. Cela représente un facteur 10 par rapport à la configuration actuelle.
166
6.3. STRATÉGIES DE FONCTIONNEMENT DU COMPTEUR DE CHARGES
L’étude démontre donc qu’il est toujours possible de diminuer de façon importante la
consommation du PM.
Cependant, le PM aura toujours besoin de l’horloge pour fonctionner et cela même lorsque
le seuil critique aura été franchi. Dans ce cas de figure, il faudra peut-être envisager le retour
à un LCO initial.
167
CHAPITRE 6. PERSPECTIVES
– Un premier, tel que décrit dans le présent rapport, où le gas gauge intègre le signal en
continue et renseigne l’information dans l’accumulateur.
– Un second, lors duquel le gas gauge se réveille périodiquement à des temps définis lors
des phases de veille du système afin de mesurer l’énergie apportée à la batterie par le
harvester (Figure 6.6). Cette mesure serait renseignée dans un second accumulateur et
représenterait l’estimation de la valeur moyenne du courant apporté.
Il serait également possible d’avoir recours à un second shunt de forte valeur (une cen-
taine d’Ohms) qui serait permuté lors des phases de veille afin d’accentuer la précision de
la mesure (Figure 6.7). L’absence de mesures pendant les phases inactives risque d’engen-
drer des erreurs qu’il serait possible de minimiser en jouant sur la fréquence de réveil du gas
gauge. Cette méthode permettrait de descendre la consommation moyenne du gas gauge bien
en dessous de la centaine de nano-Ampères.
168
6.4. CONCLUSION
Il faudra également envisager une compensation numérique notamment pour les dérives
dues au CMRR. Celles-ci étant propres à chaque circuit, une méthode de calibration initiale
devra être élaborée. La compensation du comparateur pourrait quant à elle être envisager de
manière analogique.
6.4 CONCLUSION
Les améliorations pouvant être apportées au dimensionnement énergétique des capteurs
autonomes sont nombreuses. Les pistes à explorer sont donc multiples.
169
CHAPITRE 6. PERSPECTIVES
170
Chapitre 7
CONCLUSION
De nombreuses études traitent aujourd’hui des réseaux de capteurs sans fil car leur ave-
nir est prometteur. Ils sont en effet étroitement liés à l’Internet des objets qui représente un
marché économique colossal qui va révolutionner le monde de l’Internet dans les années à
venir.
Les réseaux de capteurs sans fil étant voués à être dispersés en très grand nombre dans
les bâtiments, les entrepôts, les hôpitaux et même en pleine nature, il est indispensable de
trouver une solution énergétique pour éviter que leur maintenance soit fastidieuse.
Cependant, l’autonomie énergétique de ces capteurs est particulièrement complexe à mettre
en œuvre car ils présentent des contraintes techniques tant au niveau logiciel qu’au niveau
matériel.
Cette étude a donc tenté de mettre ces contraintes en lumière afin de pouvoir les maitriser
et ainsi proposer des solutions adaptées à l’autonomie des capteurs sans fil. Il s’agissait plus
précisément de démontrer qu’un système de gestion de l’énergie très faible consommation
(pour ne pas entraver l’énergie du système) pouvait offrir le rendement énergétique indis-
pensable à l’autonomie d’un capteur sans fil. Ces travaux avaient également pour objectif de
se concentrer sur l’étude d’un système permettant de mesurer l’énergie embarquée dans le
capteur sans fil afin de lui permettre de choisir son mode de fonctionnement.
Ces objectifs ont été atteints puisque de façon générale, l’analyse a permis de constater
que le rendement pouvait demeurer très bon même avec une énergie collectée très basse.
De plus, les résultats révèlent que ce rendement énergétique est meilleur lorsque le PM est
dépourvu d’un système de MPPT. Le présent rapport montre que l’ajout d’un système de
MPPT dans ces conditions particulières de niveau d’énergie ne présente pas d’avantage par-
ticulier. En effet, la quantité d’énergie qu’il permet de capter est similaire à celle obtenue
par un PM dépourvu d’un système de MPPT. De plus, la mise en place d’un système de
MPPT ajoute une consommation supplémentaire au PM. Ces observations ont permis de
déterminer l’architecture nécessaire à un système de gestion de l’énergie et d’exclure toute
utilisation de convertisseurs d’énergie.
171
CHAPITRE 7. CONCLUSION
L’étude portant sur le compteur de charges a permis de conclure que celui-ci était la clef
de l’autonomie énergétique d’un capteur sans fil. En effet, les simulations effectuées ont ré-
vélé qu’une telle architecture offrait la précision nécessaire à l’estimation de la durée de vie
du PM. Cependant, un tel système présente des dérives indéniables qu’il faudra impérative-
ment compenser pour que toutes ces observations deviennent des avantages bien réels.
Les résultats obtenus sur la conversion d’énergie entres les différents éléments constituant
un système autonome en énergie n’ont quant à eux pas été satisfaisants. En effet, l’utilisation
de fréquences de commutation élevées (indispensables à l’obtention d’un bon rendement) au
sein du convertisseur pénalise indiscutablement le rendement. Par conséquent, l’utilisation
d’une tension commune entre tous les éléments s’est avéré fondamentale au transfert d’éner-
gie.
La gestion de l’énergie n’a pu se faire efficacement qu’en adoptant des modes de fonc-
tionnement entre les différentes sous-parties du power management. C’est donc au niveau de
la stratégie d’alimentation du capteur sans fil et de la recharge de la batterie que les avantages
sont les plus visibles. Cependant, cela restreint considérablement le type de batterie et de
capteur d’énergie pouvant être utilisés. Pour avoir un système efficace respectant les spécifi-
cations, il faut donc se soumettre à cet inconvénient.
Conséquemment, cette réduction de la consommation énergétique du power management
permet de diminuer de manière non négligeable le rapport cyclique de fonctionnement du
capteur sans fil. De cette façon, plus d’informations pourraient être envoyées grâce à des
phases de réveil plus fréquentes.
Compte tenu des contraintes de cette étude, il n’a pas été possible d’analyser plus en pro-
fondeur certains aspects. Cependant, il semblerait intéressant de pouvoir se concentrer dans
l’avenir sur la polyvalence du power management. Cela permettrait de diversifier les types de
capteurs d’énergie et de batteries pouvant être utilisés et ainsi élargir l’éventail d’applications
du power management.
Une autre piste de recherche future consisterait à explorer les limites de la consommation
ultra-basse du power management à l’aide d’un système à verrous commandé par l’horloge du
capteur sans fil. Cette stratégie constituerait sans doute un atout supplémentaire pour conce-
voir des systèmes de gestion de l’énergie dont la consommation est critique.
Enfin, l’étude sur le compteur de charges, développé dans ce travail, constitue indénia-
blement un instrument utile pour la recherche future. Il importe donc avant tout de réfléchir
aux compensations des différentes dérives qu’il présente et de prendre en compte la nécessité
d’une remise à zéro régulière. De plus, il faut rechercher des solutions permettant de diminuer
172
sa consommation et ainsi soulager le PM.
Les travaux réalisés tout au long de cette thèse ont donc permis de progresser dans la
conception d’un capteur sans fil tout en respectant les spécifications de départ. Le power
management élaboré est déjà intégré au produit.
De manière plus générale, les recherches entreprises sur l’autonomie des capteurs sans
fil ont toutes atteintes leurs objectifs. Elles ont offert des résultats qu’il est important de
ne pas considérer comme une conclusion mais plutôt comme un tremplin vers de nouvelles
innovations technologiques.
173
CHAPITRE 7. CONCLUSION
174
Annexe A
ANNEXES
L’effet des mismatches et des switches sur l’intégrateur continu ainsi que le gain fini et
l’offset de l’amplificateur (Figure A.1) amènent à considérer une éventuelle dérive.
Le signal de sortie peut alors s’écrire en fonction de la sortie VO+ et de la sortie VO− :
175
ANNEXE A. ANNEXES
VS+ − VS− 2
jA1 C1 ω jA2 C2 ω
+ + =
2 α 1 + jA1 C1 ω 1 + jA2 C2 ω
VS+ + VS−
jA2 C2 ω jA1 C1 ω
−
2 1 + jA2 C2 ω 1 + jA1 C1 ω
V] 1−ǫ2
REF 2 + Vbatt 2
1+ǫ2
V] 1−ǫ1
REF 2 + (Vbatt + Vsh ) 2
1−ǫ1
+ −
1 + jA2 C2 ω 1 + jA1 C1 ω
−ǫof f
Les simplifications amènes à une équation qui fait apparaître différents termes plus ou
moins désirés :
VS+ − VS− 2
2 2
(1 + jω(A1 C1 + A2 C2 ) − A1 A2 C1 C2 ω ) + jω(A1 C1 + A2 C2 ) − 2A1 A2 C1 C2 ω =
2 α
1 + ǫ1 ǫ1 + ǫ2 ±VREF
Vsh ( )+ 1−
2 2 2
+ −
V + VS
+ S (j(A2 C2 − A1 C1 )ω)
2
+Vbatt [(ǫ2 − ǫ1 ) + jω(A1 C1 − A2 C2 )]
jA2 C2 ω
+Vsh
2
−ǫof f (1 + jω(A1 C1 + A2 C2 ) − A1 A2 C1 C2 ω 2 )
1 + ǫ1 ǫ1 + ǫ2 ±VREF
VS+ − VS− (1 −1
− α )jω(A1 C1 + A2 C2 ) = Vsh ( )+ 1−
2 2 2
−ǫof f jω(A1 C1 + A2 C2 )
(ǫ2 − ǫ1 )
−ǫof f − α−1 (VS+ − VS− ) + Vbatt
2
2 2
] RC ǫ2 −ǫ1 ]
VREF ǫ2 − ǫ1 jω 2 2 1 + ǫ2
ǫ1 − ǫ2 ±VREF ǫ1 + ǫ2
+ + [ Vsh + + 1+ Vbatt
2 2 1 + jωRC 2 2 2 2
ǫ1 + ǫ2 VREF
+ 1− − VOU T
2 2
RC ǫ22 − ǫ21 −1 RC ǫ22 − ǫ21 +
−jω ǫof f + (1 + α )jω (V − V − )]
2 2 2 2
Le premier terme représente la valeur à intégrer et le second (2◦ ligne) représente un offset
en sortie de l’intégrateur. Le terme en α−1 VOU T peut s’interpréter comme un feedback de la
sortie de l’intégrateur (Figure A.2) et peut éventuellement être limité.
176
A.1. IMPERFECTIONS DE L’INTÉGRATEUR CONTINU
Les autres termes, notamment le Vbatt (ǫ2 − ǫ1 ) sont les plus problématiques. La dérive
occasionnée par ce terme est en effet non constant, Vbatt variant continuellement dans le temps
mais également à chaque appel de courant. Même avec des résistances précises à quelques
pour mille, ce signal intégrer peut prendre des proportions supérieures au signal minimal que
l’on cherche à intégrer.
F IGURE A.3 – Schéma équivalent de l’intégrateur continu avec l’effet parasite de la boucle
de retour.
177
ANNEXE A. ANNEXES
La valeur de Vinteg en fonction du signal d’entrée fait apparaître les zones mortes, caractéris-
tiques du modulateur Σ ∆ d’ordre 1 (Figure A.4a).
Si Vcomp prend la valeur −αTclk Vin , la valeur moyenne de Vinteg sera proche de 0. Pour rendre
−1
plus aisée cette comparaison, il suffit de fixer le gain de l’intégrateur α = Tclk .
1
en sortie de l’intégrateur (V)
Tension moyenne
0.5
−0.5
−1
−0.03 −0.02 −0.01 0 0.01 0.02 0.03
Tension d’entrée du gas gauge (V)
0.5
−0.5
−1
−0.03 −0.02 −0.01 0 0.01 0.02 0.03
Tension d’entrée du gas gauge (V)
178
A.1. IMPERFECTIONS DE L’INTÉGRATEUR CONTINU
−
VC = Vinteg − (Vbatt + Vsh ) (A.3)
+
VC ′ = Vinteg − Vbatt (A.4)
+ −
Avec Vinteg et Vinteg respectivement les tensions de sorties positives et négatives de l’intégra-
teur.
+ −
En phase Φ2, le comparateur compare donc les sorties de l’intégrateur (Vinteg − Vinteg )
à −Vsh = Vbatt − (Vsh + Vbatt ). Cette méthode permet donc d’avoir en entrée du comparateur
la valeur négative du signal d’entrée −Vin . Si le comparateur présente un offset en entrée, la
valeur moyenne du signal de sortie de l’intégrateur ne sera plus égale à zéro mais à l’offset
du comparateur :
Cependant, comme l’offset du comparateur est une constante, le feedback β × ǫcomp lié à
cette constante va produire une dérive qui pourra être compensée numériquement.
179
ANNEXE A. ANNEXES
dVdd
VREF = α Vdd + γ +β
dt
Vbatt − VLoad
i1 =
Rbatt
dVLoad
i2 = −C
dt
VLoad
i3 = i1 + i2 =
RLoad
−t Vbatt τ
VLoad = ke τ +
CRbatt
Vbatt τ
VLoad (0) = Vbatt = k +
CRbatt
τ
k = Vbatt 1 −
CRbatt
180
A.2. ÉQUATION DE LA RÉFÉRENCE DE TENSION ET MODÉLISATION
MATHÉMATIQUE
d’où
−t
VLoad = Vbatt (1 − ξ)e τ + ξ
RLoad
avec ξ = RLoad +Rbatt
Cette équation donne l’expression de la tension aux bornes de la charge (soit V dd) en
fonction de la tension de batterie, la capacitée de découplage et de la charge imposée (RLoad ).
La dérivée de la tension VLoad permet de déduire l’expression de VRef .
−t
Vbatt −t
VREF = α Vbatt (1 − ξ)e τ + ξ + γ(ξ − 1) e τ +β
τ
181
ANNEXE A. ANNEXES
kT
Avec VT = q
≃ 25.9mV et N = 15.
dVf
i2a = ≃ 569nA (A.7)
R2
et
182
A.3. CALCUL DE LA RÉFÉRENCE DE TENSION DU SYSTÈME
ID
Vf 1 = VT ln( ) ≃ 639mV (A.8)
IS
Avec IS ≃ 10aA
D’où le courant dans chacune des principales branches :
Ainsi
et
183
ANNEXE A. ANNEXES
L’intégrateur à capacité commutée simple (Figure A.7) est considéré. Pendant les phases
impaires, le signal d’entrée VIN est échantillonné puis pendant les phases paires la valeur
stockée dans les capacités d’échantillonnages est intégré.
F IGURE A.7 – Intégrateur à capacités commutées avec compensation du gain fini et de l’offset
d’entrée.
VOU T
En considérant ǫ′ la tension sur l’entrée inverseuse, (avec ǫ′ = ǫ − α
), les différentes
charges peuvent être calculées.
en phase Φ2 :
en phase Φ3 :
en phase Φ4 :
En appliquant la conservation de la charge entre les phase Φ3 et Φ4, les équations peuvent
184
A.4. CALCUL DE LA FONCTION DE TRANSFERT DE L’INTÉGRATEUR À
CAPACITÉS COMMUTÉES
s’écrire :
En considérant ǫ′(3) ≃ ǫ′(2) (la tension de sortie ayant très peu variée entre deux phases
d’horloge) la fonction de transfert prend la forme :
VOU T −Z −1/2
= (A.21)
VIN 1 − Z −1
L’erreur de gain fini et d’offset a donc été compensé avec cette architecture.
L’intégrateur différentiel simple (Figure A.8) est considéré. Pendant les phases impaires,
les signaux d’entrées Vi+ et Vi− sont échantillonnés puis pendant les phases paires la valeur
stockée dans les capacités d’échantillonnages est intégrée. Pour simplifier les calculs, les
capacités sont considérées identiques et de valeur unitaire.
Le raisonnement s’effectue donc pour chacune des phases d’horloge. Les charges sto-
ckées dans les capacités sont calculées en fonction des tensions appliquées à leurs bornes :
en phase Φ1 :
+
QCs(1) = Vi(1) − VM (A.22)
+ −
QCi(1) = Vo(1) − V(1) (A.23)
′ −
QCs(1) = Vi(1) − VM (A.24)
′ − +
QCi(1) = Vo(1) − V(1) (A.25)
185
ANNEXE A. ANNEXES
en phase Φ2 :
−
QCs(2) = V(2) (A.26)
+ −
QCi(2) = Vo(2) − V(2) (A.27)
′ +
QCs(2) = V(2) (A.28)
′ − +
QCi(2) = Vo(2) − V(2) (A.29)
+ + − +
Vo(2) − Vo(1) + V(1) = −Vi(1) + VM (A.30)
− − + −
Vo(2) − Vo(1) + V(1) = −Vi(1) + VM (A.31)
avec V + + V − = VOU α
T
+ ǫ, α étant le gain de l’amplificateur et ǫ l’offset d’entrée.
À partir de la différence des l’équations A.30 - A.31, la fonction de transfert peut s’écrire :
VOU T −Z −1/2 ǫ
= α+1 −1 + (A.32)
VIN 1− α Z VIN (1 − α+1
α
Z −1 )
186
A.5. CALCUL DE LA FONCTION DE TRANSFERT DE L’INTÉGRATEUR
DIFFÉRENTIEL À CAPACITÉS COMMUTÉES COMPENSÉ
Comme pour l’intégrateur simple, il faut considérer les transferts de charges lors des
différentes phases d’horloge.
L’intégrateur (Figure A.9) est constitué de deux entrées principales. L’entrée Vin avec
les deux signaux différentiels Vi+ et Vi− et l’entrée Vref avec Vref
+ −
et Vref commandés selon
l’état du bitstream. Pour simplifier les calculs, les capacités sont consédérées toutes égales,
de valeur unitaire.
F IGURE A.9 – Intégrateur différentiel à capacités commutées de gain fini et d’offset compen-
sés.
187
ANNEXE A. ANNEXES
QCi(1) = / (A.33)
QCi′ (1) = / (A.34)
− +
QCo(1) = VO(1) − V(1) (A.35)
+ −
QCo′ (1) = VO(1) − V(1) (A.36)
+ −
QCs(1) = Vin(1) − V(1) (A.37)
− +
QCs′ (1) = Vin(1) − V(1) (A.38)
− −
QCr(1) = Vref (1) − V(1) (A.39)
+ +
QCr′ (1) = Vref (1) − V(1) (A.40)
− +
QCi(2) = VO(2) − V(2) (A.41)
′ + −
QCi(2) = VO(2) − V(2) (A.42)
−
QCo(2) = VO(2) − VM (A.43)
′ +
QCo(2) = VO(2) − VM (A.44)
+
QCs(2) = V(2) (A.45)
′ −
QCs(2) = V(2) (A.46)
+
QCr(2) = V(2) − VM (A.47)
′ −
QCr(2) = V(2) − VM (A.48)
− +
QCi(3) = VO(2) − V(2) (A.49)
′ + −
QCi(3) = VO(2) − V(2) (A.50)
− +
QCo(3) = VO(3) − V(3) (A.51)
′ + −
QCo(3) = VO(3) − V(3) (A.52)
+ −
QCs(3) = Vin(3) − V(3) (A.53)
′ − +
QCs(3) = Vin(3) − V(3) (A.54)
− −
QCr(3) = Vref (3) − V(3) (A.55)
′ + +
QCr(3) = Vref (3) − V(3) (A.56)
188
A.5. CALCUL DE LA FONCTION DE TRANSFERT DE L’INTÉGRATEUR
DIFFÉRENTIEL À CAPACITÉS COMMUTÉES COMPENSÉ
− +
QCi(4) = VO(4) − V(4) (A.57)
′ + −
QCi(4) = VO(4) − V(4) (A.58)
−
QCo(4) = VO(4) − VM (A.59)
′ +
QCo(4) = VO(4) − VM (A.60)
+
QCs(4) = V(4) (A.61)
′ −
QCs(4) = V(4) (A.62)
+
QCr(4) = V(4) − VM (A.63)
′ −
QCr(4) = V(4) − VM (A.64)
Toutes les charges étant définies, la loi de la conservation de la charge peut être appliquée
entre les différentes phases.
En l’appliquant entre les phase φ3 et φ4 :
− + − + + + − + − −
VO(4) − V(4) − VO(2) + V(2) = V(4) − Vin(3) + V(3) + V(4) − VM − Vref + V(3)(A.66)
+ − + − − − + − + +
VO(4) − V(4) − VO(2) + V(2) = V(4) − Vin(3) + V(3) + V(4) − VM − Vref + V(3)(A.68)
189
ANNEXE A. ANNEXES
α+3 α+6 β α+1 α+1
V o4 − V o2 = Vin MC + VIN 3 − Vref (A.73)
α α+3 α(α + 3) α+3 α+3
190
A.6. ZONES MORTES DU MODULATEUR Σ ∆ D’ORDRE 1
k−1
X
u(k) = ci x + (−1)k (−c)i (A.83)
i=0
k−1
X k−1
X
i
u(k) > 0 → cx> (−c)i (A.84)
i=0 i=0
k−1
X k−1
X
i
u(k) < 0 → cx<− (−c)i (A.85)
i=0 i=0
191
ANNEXE A. ANNEXES
x 1
> (A.86)
1−c 1+c
et
x −1
< (A.87)
1−c 1+c
c−1 1−c
<x< (A.88)
1−c 1+c
192
A.7. COURBES DE CHARGE ET DÉCHARGE DE LA BATTERIE DU PROJET
3 0.5mA
1mA
2.8 2mA
tension (V)
5mA
2.6
2.4
2.2
0 10 20 30 40
temps (hrs)
F IGURE A.10 – Mesures de décharge de la batteries pour différentes valeurs de courant.
100
Quantité de charge (%)
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40
Temps (hrs)
F IGURE A.11 – Mesures de charge de la batteries par le PM (courant cst).
193
ANNEXE A. ANNEXES
15
10lux
20lux
30lux
40lux
12.5
50lux
60lux
70lux
80lux
10 90lux
100lux
courant (µA)
7.5
2.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
tension (V)
194
A.8. COURBES COURANT - TENSION DU PANNEAU PHOTOVOLTAÏQUE DU
PROJET
150
100lux
200lux
300lux
400lux
125
500lux
600lux
700lux
800lux
100 900lux
1000lux
courant (µA)
75
50
25
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
tension (V)
195
ANNEXE A. ANNEXES
1100
1000lux
1000 1500lux
2000lux
900
2500lux
800 3000lux
5000lux
700 7000lux
courant (µA)
600
500
400
300
200
100
0
0 1 2 3 4 5 6
tension (V)
196
Bibliographie
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