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    Electronique Analogique: Mars 2021

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    sur 33

    1

    Electronique Analogique

    Mars 2021 A.ELAMRI


    PLAN
    2

     Les semi-conducteurs
     La jonction PN-Diodes et applications

     Transistor bipolaire

     Transistor à effet de champ

     Amplificateur Opérationnel
    Les diodes
    3
    Les diodes
    4

    1. Principe de la diode
    Définition : Elément bipolaire obtenu en créant une jonction entre
    deux types de matériaux semi-conducteurs (Type P et N)
    1. Semi-conducteurs
    Atome de Silicium : 4 éléments sur son orbite de valence (couche
    périphérique

    Remarque: Quand un électron quitte son orbite, il laisse un trou


    (charge positive)
    Les diodes
    5

    • Cristal : électrons mis en commun entre différents atomes


     8 électrons = Stabilité

    Electron provenant
    d’un atome voisin

    • Electron libre : créé par l’augmentation de température


     flux possible de charges négatives (électrons) et positives (trous)
    en sens inverse
    A température ambiante, le silicium n’est ni isolant, ni conducteur
     semi-conducteur
    Les diodes
    6

     Semi-conducteur intrinsèque : cristal de silicium pur


     Dopage : Ajout d’atomes d’impuretés pour augmenter le
    nombre de charges à semi-conducteur extrinsèque
     a. Type N
    ◼ ajout d ’atomes à 5 électrons sur la couche périphérique à électrons
    porteurs majoritaires
    ◼ Arsenic (As), Antimoine (Sb), Phosphore (P)

     b. Type P
    ◼ ajout d ’atomes à 3 électrons sur la couche périphérique à trous
    porteurs majoritaires
    ◼ Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
    Les diodes
    7

    Diode non polarisée


    Aucune tension externe
    Avant contact des deux zones

    Jonction : zone de rencontre des régions P et N au contact des deux


    zones : zone de déplétion

    Barrière de potentiel (0,7V pour Si à 25°C)


    Les diodes
    8

    Polarisation directe
    Mouvements opposés d’électrons de trous
    Cette polarisation peut produire un grand
    Courant direct
    Polarisation inverse

    La couche d’appauvrissement s’élargit


    quand la polarisation inverse augmente

    Faible courant inverse : courant de saturation IS du aux porteurs


    minoritaires
    Limite : Tension de claquage (supérieure à 50V) pour laquelle
    phénomène d’avalanche et destruction
    Les diodes
    9

    Représentation

    Symbole

    Relation : dispositif non linéaire Id=Is(exp(Vd/VT)-1)


    VT=kT/q26mV pour Si à 20°C
    K : Constante de Boltzmann; q : charge de l’électron
    T : température ambiante en °Kelvin
    Is=10-18 à 10-15 A
    Les diodes
    10

    La diode est un composant non linéaire.


    Zone 0A: diode est polarisée dans le sens
    directe, mais la tension est trop faible pour
    débloquer la jonction: zone de blocage directe.
    Zone AB :la tension V commence à débloquer
    la diode, c'est la zone du coude.
    Zone BC:
    la diode est passante, c'est une zone linéaire.
    Zone OE :
    la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de
    blocage inverse.
    Zone EF :
    l'intensité croit brusquement, c'est la zone de
    claquage
    Les diodes
    11

     Polarisation directe :
     la diode ne conduit pas tant qu’on n ’a pas surmonté la barrière
    de potentiel
     Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite augmentation de tension
    implique une forte augmentation de courant

     Polarisation inverse : on obtient un courant extrêmement


    petit
     diode : conducteur à sens unique
     Ne pas dépasser la tension de claquage et la puissance limite
    Les diodes
    12

    Etude d’un circuit simple


    On veut déterminer V et I
    D’après la loi des mailles E=RI+V
    Connaissant E et R, il faut une 2ème relation pour
    déterminer V et I : la caractéristique de la diode

    Résolution analytique
    Il faut établir l’équation de la caractéristique de la diode
    Solution graphique
    Il faut représenter sur le même graphe:
    - Caractéristique de la diode
    - La droite de représentant l’équation I=(E-V)/R
    Pour I=0, V=E Pour V=0, I=E/R
    Le point de fonctionnement s’établit à l’intersection des
    Deux courbes
    Les diodes
    13

    Modèles

    La caractéristique d’une diode peut être modélisée


    par deux segments de droites:

    Dans le sens passant (polarisation directe) et dans


    la zone linéaire, la diode se comporte comme un
    générateur de Thévenin « pris à contre sens »
    - Vd : tension de seuil (Si: 0,6V)
    - Rd : résistance interne de la diode
    (R dynamique: qq mohms à 1kohms)

    Dans le sens de polarisation inverse, la diode se


    comporte come une résistance très élevée ( à
    condition que V ne dépasse pas la tension de
    claquage
    Les diodes
    14
    Les diodes
    15

    Diode idéale= interrupteur


    Conducteur parfait (tension nulle) en direct et isolant parfait (courant nulle)
    en inverse

    Polarisation directe ; Interrupteur fermé CC

    Polarisation inverse : interrupteur ouvert CO

    Diode réelle
    Polarisation directe :

    Polarisation inverse :
    Interrupteur ouvert CO
    Les diodes
    16

    • En fait, résistance non linéaire fonction du courant qui


    traverse la diode
    • Résistance directe RF<100Ω
    • Résistance inverse RR>1M Ω

    Pente: résistance dynamique rd2


    Les diodes
    17

    Redressement
    But: Obtenir une tension continue à partir d’une ou plusieurs tensions alternatives
    Redressement mono alternance
    Les diodes
    18

    Redressement mono alternance


    Les diodes
    19
    Les diodes
    20

    Redressement double alternance


    Les diodes
    21

    Redressement double alternance


    Les diodes
    22
    Le diodes
    23
    Les diodes
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    Les diodes
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    Les diodes
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    Les diodes
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    Les diodes
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    Les diodes
    29
    Les diodes
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    Les diodes
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    Les diodes
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