2 Ampli Puissance Ing Modifié V2
2 Ampli Puissance Ing Modifié V2
2 Ampli Puissance Ing Modifié V2
: AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
I. Généralités et définitions
Placé en fin d'une chaîne amplificatrice, l'amplificateur de puissance a pour but de
délivrer une puissance de sortie suffisante pour exciter le circuit de charge : Haut-parleur,
moteur, etc. Il en résulte le besoin de travailler avec des signaux de fortes amplitudes.
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a°) Amplificateur Classe A :
Il en résulte une très faible consommation en continu avec une meilleure restitution du signal
que dans la classe B (plus faible distorsion).
d°) Amplificateur Classe C :
Le fonctionnement est en classe C si la jonction émetteur - base est polarisée en inverse. En
régime sinusoïdal, le transistor ne conduit que pendant une fraction de la demi- période. Ce
fonctionnement est utilisé en émission HF (radio, télévision, téléphonie, etc.)
e°) Amplificateur Classe D :
Le fonctionnement en classe D consiste à faire fonctionner l'étage de puissance en
commutation. Ce fonctionnement, utilisé en HF, est à très haut rendement.
2. Puissances, rendements
a°) Puissance Utile :
Dans un étage amplificateur de puissance, les puissances mises en jeu sont la préoccupation
essentielle de l'utilisateur. Il faut que la puissance fournie soit maximale et que les pertes par effet
joule soient minimales. Il faut donc veiller à obtenir un rendement aussi grand que possible.
L'amplification en puissance Ap est définie par le rapport entre la puissance utile à la sortie
et la puissance moyenne fournie à l'entrée par le générateur de commande :
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c°) Rendement : On pourra schématiser un étage de puissance de la façon suivante :
La puissance perdue Pd est dissipée par effet Joule. Le rendement de l'étage est défini par :
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- Puissance utile :
Si nous prenons en considération la partie utile (partie signal alternatif) du signale de sortie
et que nous négligeons la puissance du signal d'entrée (cas où le gain en puissance est
grand), on peut écrire :
. Le calcul
conduit à : .
Cette puissance est composée d’une partie consommée par la charge en continu (partie
inutile), et d’une partie utile en régime variable.
On déduit que :
- Calcul du rendement :
On constate alors que le rendement est toujours < 25% puisque Vs = E/2. Si nous tenons
max
compte des tensions de déchet, le rendement est encore inférieur à cette valeur et, en
pratique, le rendement est de l'ordre de 20%.
Conclusion :
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2°) Amplificateur de puissance Classe B
Le principal inconvénient de l'amplificateur de puissance en classe A réside dans le fait que, son
point de repos étant placé au milieu de la droite de charge, il consomme du courant même
lorsque la composante alternative du signal d'entrée est nulle. Pour éviter cela, il suffit de placer
le point de repos en Sb (blocage) pour que le courant de repos soit nul.
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Figure 6 : Schéma électrique d’un push pull
Si les deux transistors sont choisis par paire de façon à avoir les mêmes paramètres
caractéristiques, le montage est parfaitement symétrique. Il en résulte que le potentiel des
points situés dans le plan de symétrie du montage est nul. Pour les deux transistors, V be=0.
Ils sont bloqués. En l’absence de signal sinusoidal d’entrée, les alimentations ne fournissent
pas de puissance.
Lorsque VB > +0.7v, le transistor T1 conduit et le transistor T2 est bloqué : Vs=VB -0,7
Lorsque VB < -0.7v, le transistor T2 conduit et le transistor T1 est bloqué : Vs=VB +0,7
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En 1, 2 et 3, nous avons une distorsion de croisement ou de raccordement qui est d’autant
plus marquée que l’amplitude du signal est faible. En a et c, le transistor T1 conduit et le
transistor T2 bloqué tant dis qu’en b, le transistor T1 bloqué avec le transistor T2 conducteur.
- Puissance utile :
Si Vs est l’amplitude du signal de sortie alors l’amplitude du courant est Vs/R. Dans le
cas d’un régime sinusoïdal, la puissance utile vaut donc
- Rendement :
Le rendement en classe B est : . Ce rendement est maximum pour
Vs =E. Par conséquent, le rendement obtenu pour une puissance maximale est :
Tout en faisant conduire chaque transistor pendant une demi-période du signal d’entrée,
ce montage fera disparaître la distorsion de croisement précédemment observé sur le
montage push-pull. Ce résultat sera obtenu par l’usage de diodes judicieusement placées
dans le circuit de base selon le schéma suivant :
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Figure 8 : Schéma électrique d’un push pull de base modifié
Remarques:
Il existe des moyens permettant de réduire sinon d'éliminer la distorsion
de croisement en modifiant un tout
petit peu le circuit du montage précédent (voir figure 6). En voici deux
comme indiqué ci-dessous:
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Réduction de la distorsion de raccordement.
Il existe diverses solutions ; on cite les 2 plus classiques :
D2 Raj
uS
uE
T2 Vcc
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4°) AMPLIFICATEUR CLASSE C
a°)Généralités
Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non-linéaires à très haut rendement. Ils
sont toutefois utilisables que dans les amplificateurs HF (émetteur radio) avec des porteuses
non modulées en amplitude. Ils génèrent un nombre considérable d'harmoniques qui doivent
être filtrées à la sortie à l'aide de circuits accordés appropriés.
La structure de principe d'un amplificateur classe C est illustrée à la Figure 10
VCC
L R C u0(t)
iC(t)
CB iB(t)
Q
uC(t)
ui(t) RB uB(t)
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Les amplificateurs de classe C sont utilisées comme étage de sortie dans les émetteurs
radiophoniques, comme multiplicateurs de fréquence du signal d'entrée ( la fréquence d'accord
du circuit résonnant est alors un multiple de la fréquence du signal d'entrée), comme étage de
sortie dans les installations de chauffage haute fréquence, etc…
Le circuit d'entrée se comporte comme un redresseur dont la diode est la jonction base-
émetteur du transistor. La polarisation négative UB0 de la base est due à la charge, par le
courant iB, du condensateur CB qui joue en même temps le rôle de condensateur de liaison pour
le signal d'entrée ui. La constante de temps RBCB doit être beaucoup plus grande que la période
du signal à amplifier pour que le condensateur CB n'ait pas le temps de se décharger pendant
les durées de blocage du transistor.
Dans une réalisation pratique, la charge est souvent couplée inductivement au circuit résonnant
dans le but de l'isoler de la tension d'alimentation VCC et de permettre une adaptation
d'impédances. La Figure 11 montre une telle réalisation avec en plus une polarisation de la
base du transistor
VCC
n1 n2
C RL u (t)
0
RB1
iC(t)
CB iB(t)
Q uC(t)
nf0 : Accordé sur un
ui(t) multiple de la fréquence
RB2 uB(t)
du signal d'entrée u i
-Vp
Figure 11 : Amplificateur Classe C avec couplage inductif de la charge
Fonctionnement
Pour l'étude de fonctionnement, on admet que la caractéristique de transfert IC(UBE) du
transistor est linéaire par segment (deux segments, le premier est une droite passant par
l'origine, de pente nulle. Le second est une droite affine coupant l'axe UBE en UJ et de pente gm
dans sa partie active).
On admet que le signal d'entrée est sinusoïdal d'amplitude Ûi, on trouve l'expression du courant
collecteur iC(t) par la relation
⎧ cos(ω ⋅ t ) − cos(δ )
⎪ I CM ⋅ pour − δ + n ⋅ 2 ⋅ π < ω ⋅ t < δ + n ⋅ 2 ⋅ π
iC = ⎨ 1 − cos(δ )
⎪0 ailleurs
⎩
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I CM
Ûi = ⋅ (1 − cos(δ ))
gm
IC=f(UBE) iC (t)
ICM
UB0 0 UJ UBE ωt
-δ δ
-δ 0
0 uBE(t)
δ
Ûi
ui(t)
ωt
On peut représenter les potentiels aux divers nœuds de l'amplificateur classe C de la Figure
11 ainsi que son courant de collecteur. L'amplitude Û0 du signal de sortie est au plus égale à
VCC dans le cas idéal où la tension de saturation UCEsat du transistor est nulle. Comme pour le
cas des amplificateurs classe A et B, on rapporte cette amplitude à la tension d'alimentation par
la relation
Û 0 = k ⋅ VCC
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En résumé le fonctionnement de l'amplificateur classe C est caractérisé par les grandeurs VCC
et ICM ainsi que par les paramètres k et δ.
uC(t)=VCC-u0(t)
Û0=kVCC
u0(t)
VCC
0 t
uB(t)
UJ
Ûi
0
UB0
-δ δ t
0
iC(t)
ÎC
0 t
-δ δ
0
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π
1
2 ⋅ π −∫π
PTOT = ⋅ VCC ⋅ iC (ω ⋅ t ) ⋅ d (ω ⋅ t )
δ
VCC ⋅ I CM
π ⋅ (1 − cos(δ )) ∫0
= ⋅ (cos(ω ⋅ t ) − cos(δ )) ⋅ d (ω ⋅ t )
La puissance utile dissipée dans la résistance de charge, le circuit résonnant étant supposé
idéal, s'exprime par la relation
π
1
2 ⋅ π −∫π
PR L AC = ⋅ u S (ω ⋅ t ) ⋅ iC (ω ⋅ t ) ⋅ d (ω ⋅ t )
δ
k ⋅ VCC ⋅ I CM
π ⋅ (1 − cos(δ )) ∫0
= ⋅ cos(ω ⋅ t ) ⋅ (cos(ω ⋅ t ) − cos(δ ))d (ω ⋅ t )
k ⋅ VCC ⋅ I CM 2 ⋅ δ − sin( 2 ⋅ δ )
= ⋅
4 ⋅π 1 − cos(δ )
La puissance moyenne dissipée dans le transistor, PQ, est donnée par la différence entre la
puissance fournie par l'alimentation et la puissance utile
PQ = PTOT − PR L AC
VCC ⋅ I CM ⎛ k ⎞
= ⋅ ⎜ sin(δ ) − δ cos(δ ) − ⋅ (2 ⋅ δ − sin( 2 ⋅ δ ) )⎟
π ⋅ (1 − cos(δ )) ⎝ 4 ⎠
La puissance maximum fournie par l'alimentation est obtenue pour δ=π/2, elle vaut
VCC ⋅ I CM
PTOT M =
π
dans ces conditions et pour k=1, la puissance utile est aussi maximum et vaut
VCC ⋅ I CM
PRL ACM = (*)
4
Le rendement η de l'amplificateur, quotient de la puissance utile par la puissance fournie par
l'alimentation, est donné par l'expression
k 2 ⋅ δ − sin( 2 ⋅ δ )
η= ⋅
4 sin(δ ) − δ ⋅ cos(δ )
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η=f(k,δ)
1
k=1
0.9
0.8
k=0.8
0.7
0.6
k=0.6
0.5
0.4 k=0.4
0.3
0.2 k=0.2
0.1
0 π/4 π/2 3π/4 π δ
us2 f [Hz]
uS
us3
us1
us4
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5°) AMPLIFICATEUR CLASSE D
a°)Généralités
Les amplificateurs de classe D sont des amplificateurs travaillant en commutation. Le signal à
amplifier est préalablement transformé en un signal rectangulaire de fréquence de pulsation fp
dont le rapport cyclique est proportionnel à la valeur moyenne glissante sur une période de
pulsation Tp. Ce type de modulation est appelé modulation de largeur d'impulsion MLI (PWM
Pulse Width Modulation).
Le signal rectangulaire résultant est directement utilisé pour attaquer les transistors de sortie
qui sont généralement de type MOS pour les fréquences supérieures à 50kHz.
La sortie de l'étage de puissance est suivie d'un filtre BF qui restitue un signal semblable à
celui d'entrée. Les amplificateurs de classe D ont des rendements élevés et sont de fidélité
moyenne. Ils sont utilisés dans les autoradios.
La Figure 16 montre un étage de puissance suivi du filtre BF et de la charge sous forme d'un
haut-parleur.
+VCC
S
RG Q2: canal P
G
CP D L
D C ZL
RG Q1: canal N
G
CN S
Filtre BF
-VCC
La droite de charge classique pour les amplificateurs de classe A et AB est remplacée par deux
points de fonctionnement correspondants aux deux états possibles des transistors MOS de
sortie.
IC
ON
OFF UCE
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b°) Structure de la commande de l'étage de sortie
Les transistors de l'étage de sortie sont contrôlés par un étage driver intermédiaire permettant
une adaptation du niveau des signaux de commande à chaque transistor de puissance. En effet
les tensions de grille et de source de chaque transistor présentent un mode commun différent.
On profite de cet étage d'adaptation pour créer des commandes assurant le non-recouvrement
de l'état fermé des transistors de puissance.
AV [dB]
recouvrement spectral
fp 2fp f
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f°)Exemple de réalisation
L'exemple de la Figure 19 illustre une réalisation simple pour des tensions d'alimentation de
±24V ou moins. Le transistor MOSFET supérieur est un canal P alors que le MOSFET
inférieur est un canal N. Les commandes peuvent être de type TTL. Un niveau logique bas
provoque l'ouverture du transistor MOSFET associé à la commande. Tels qu'ils sont conçus,
les drivers ont un retard à l'enclenchement de l'ordre de la microseconde alors que pour le
déclenchement on a 200ns environ. En commandant les entrées de manière complémentaire,
les délais sont tels que le temps d'antichevauchement est de l'ordre de 800ns, ce qui est optimal
pour des puissances de quelques centaines de watts.
+VCC
R3
DZ1
R2 Q3
Q4
R4 Q6 D2
D1
Commande Q6 : 0V ... 5V
Q5
Q2
R1 R5
Q1
0V
+VCC
R8
R7 Q9 L
R9
C RL=8Ω
D3
Q8
Commande Q13 : 0V ... 5V
R6 0V
Q7 Filtre Passe-Bas
0V
R12
Q11 Q13 D4
R10
Q12
Q10
DZ2
R11
-VCC
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