CHAPITRE‐1

2ème année CP

Prof: S.D. BENNANI

Fès le 15/02/2023
 Objectifs du cours

• Etudier quelques matériaux caractérisés par leurs propriétés électriques :

 les conducteurs
 les isolants
 semi-conducteurs

* Expliquer la physique permettant de comprendre lesdites propriétés.

* Donner les applications des matériaux décrits.

L'un des principaux objectifs du cours est d'enseigner à l'étudiant que le fonctionnement des différents types de composants
électroniques passe par une maîtrise des phénomènes physiques régissant les propriétés des porteurs de charges dans les semi-
conducteurs

2
Livres et références
 Le contenu du cours

Conducteurs

Isolants

Semi-conducteurs

Caractéristiques des semi-conducteurs

Semi-conducteurs intrinsèques (purs)

Dopage

Dopage de type N

Dopage de type P

4
 Rappel: Atome
é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏
𝟗 𝟑𝟏
𝒆 𝟏, 𝟔 𝟏𝟎 𝑪 𝒎𝒆 𝟗, 𝟏 𝟏𝟎 𝒌𝒈

𝒎𝒑 𝒎𝒏 𝟏, 𝟔𝟔 𝟏𝟎 𝟐𝟕 𝒌𝒈

Protons

é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏 Noyau (nucléons)

Neutrons

𝒁: Le numéro atomique : le nombre de protons d'un atome

é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏
: le nombre d’électrons d'un atome

L’atome est symbolisé par:

𝑨: représente le nombre de nucléons, c'est-à-dire la somme du nombre de protons (numéro atomique Z) et du nombre de
neutrons (N) constituant le noyau d'un atome.
I-1 : Conducteurs

Les conducteurs sont des matériaux qui conduisent facilement le courant électrique

Les métaux Les plasmas

Les électrolytes
Conductivité électrique 𝜸: 𝑺. 𝒎 𝟏
La matière constituée de
Substance conductrice en
particules chargées,
 : très élevée raison de la présence
d'ions et d'électrons
d'ions mobiles.
Il existe des électrolytes:
• Liquides
La résistance R est trop faible • Solides

𝐿𝑜𝑛𝑔𝑢𝑒𝑢𝑟: 𝑳
𝑅
𝜸. 𝑆𝑒𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛: 𝑺

La résistance dépend de la nature, de la forme et des

dimensions du matériau S L
1 : Argent ( =63 x 106 S.m-1) 6 : Nickel  =(14,3 x 106 S.m-1)

2 : Cuivre ( = 59,6 x 106 S.m-1) 7 : Fer ( = 9,93 x 106 S.m-1)

8 : Etain
3 : Or ( = 45,2 x 106 S.m-1

4 : Aluminium ( = 37,7 x 106 S.m-1) 9 : Platine ( = 9,66 x 106 S.m-1)

10 : Palladium ( = 9,5 x 106 S.m-1)

5 : Zinc ( = 16,6 x 106 S.m-1)

11 : Plomb ( = 4,81 x 106 S.m-1)

 Atome argent
Atome cuivre
Configuration électronique: 2, 8, 18, 18, 1
Configuration électronique: 2, 8, 18, 1
électron de valence
électron de valence
V(tension) ou E
(champ électrique)

Ces électrons libres

Cu

Courant
 Conducteur métallique Conducteur métallique

+ + + + + +
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
+ + + + + +
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
+ + + + + +
‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
Sens conventionnel

K Ouvert K fermé
Sens conventionnel

Sens de parcours des électrons

I-2 : Isolants
Les isolants sont des matériaux qui ne conduisent pas le courant électrique

La résistance est très élevée (R ∞).

Le bois
Exemples :

Le tissu, l’air, les matières plastiques

Le papier
Le verre

Les électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu d’électrons libres de se déplacer
dans un isolant.
I-3 : Semi-conducteurs

Par son habilité à conduire le courant, un SC a une résistance supérieure à celle des conducteurs et plus faible que celle des
isolants.
RConducteurs  RSC  RIsolants

Un SC à l’état pur (intrinsèque) n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant. Si

Les éléments uniques les plus utilisés pour les SC sont le Silicium, le germanium et le carbone.

Ge C

GaAs

Des éléments composés tels l’arséniure de gallium sont aussi couramment utilisés pour les
SC.
Table de Mendeleïev
Les semi-conducteurs
En électronique: Croûte terrestre

Manteau

Noyau
1. Abondance de silicium

Le Silicium (SILICON) est issu de la silice que l’on trouve

notamment dans le sable et le quartz. 1 OXYGENE 42%
2 SILICIUM 28%
3 FER 9%
Le quartz 𝑺𝒊𝑶𝟐 Minéral assez dur et résistant à l’altération
4 ALUMINIUM 8%
5 CALCIUM 7%
Roches sédimentaires 6 SODIUM 4%
7 POTASSIUM 3%
Le sable

Roches métamorphiques

Roches magmatiques
2. Fabrication de silicium La production de circuits intégrés et Composants électroniques

Les lampe LED

Les cellules photovoltaïques Transistors

AOP
Diode de puissance
Diode ZENER
LED
 Pont de redressement à diodes Capteur CCD
Récepteur radio RF
Module émetteur radio RF

Camera CMOS Carte Arduino

Afficheur LCD
3. Propriétés chimiques

Les Si et Ge sont très importants à cause de leur tétravalence

Liaison
Liaison

Liaison Liaison
Liaison
Liaison

Liaison
Liaison

* ne gagnent pas d’électrons

Les atomes de Si et de Ge * ne perdent pas d’électrons
* ils échangent les électrons avec d’autres atomes Liaisons
Le Si et Ge sont des cristaux tétraédriques
Dans le cristal, l'atome se lie donc de façon tétraédrique à 4
autres atomes
𝑮𝒆 𝒐𝒖 𝑺𝒊

𝑮𝒆 𝒐𝒖 𝑺𝒊
Projection plane

𝑮𝒆 𝒐𝒖 𝑺𝒊

𝑮𝒆 𝒐𝒖 𝑺𝒊
Pourquoi les métaux sont conducteurs alors que
C’est la théorie de bande qui fournit l’explication
d’autres matériaux sont isolants ?

Rappel : Niveaux d’énergie d’un atome

Tout atome possède de l’énergie; mais cette énergie est quantifiée car elle ne peut prendre que certaines valeurs formant une suite
discontinue.
Les états correspondant à ces valeurs particulières sont appelés niveaux d’énergie de l’atome

Pour un atome isolé

Energie
des
électrons E1
(eV)
E2

E3
Nous allons construire un réseau d’atomes afin d’aboutir au métal solide

Energie des électrons (eV)

Le décalage est la conséquence du principe d’exclusion de PAULI (Wolfgang Pauli physicien Autrichien a proposé le principe
d’exclusion en 1925) qui veut que 2 électrons ne peuvent avoir le même état quantique et donc ils ne peuvent pas avoir le même
état énergétique.
Au fur et à mesure que l’édifice cristallin se construit, les niveaux énergétiques se démultiplient.

La notion de configuration électronique s’efface pour laisser la place à la théorie des énergies.

Energie des électrons (eV)

•électrons de conduction : ceux-ci sont responsables de la circulation du courant

électrique.

Électrons périphériques
• électrons de valence : ceux-ci sont sur les couches externes de l’atome et
permettent de créer des liaisons interatomiques et de former les molécules ;

Électrons de cœur • électrons de cœur : ceux-ci sont proche du noyau et n’interagissent pas
vraiment avec les autres atomes ;
Oublions les électrons de cœur proches du noyau et chimiquement inactifs et intéressons-nous aux électrons périphériques qui
peuvent se situer dans deux bandes d’énergies permises : la bande de valence et la bande de conduction.

Energie des électrons (eV)

Bande de conduction

Bande de valence

C’est la position relative de ces deux bandes qui permet de classer le matériau soit un conducteur soit un isolant soit un semi-
conducteur.
Le cuivre matériel conducteur, son 29ème électron est situé dans la bande de valence et comme il est libre il est dans la bande de
conduction.

Conducteur
Energie des électrons (eV)

Bande de conduction

Bande de valence
Ce chevauchement des deux bandes caractérise un matériau conducteur

Energie des électrons (eV)

La BV et la BC se chevauchent

Les électrons libres s’y trouvent sans aucun apport d’énergie.

Dans un isolant maintenant, tous les électrons servent pour assurer des liaisons entre atomes.

Energie des électrons (eV)

La BC est vide

Bande interdite de 5,5 eV

La BC est remplie d’électrons

La bande valence est complètement remplie d’électrons et la bande de conduction est vide
Les deux bandes sont séparées par une bande d’un GAP de 5,5 eV.
Pour faire monter un électron de la bande de valence vers la bande de conduction, il faut chauffer le matériau isolant d’une centaine de degrés.
 ELF

VLF
Energie des électrons (eV)
Ondes Radios
La BC est vide

Microondes
Bande interdite de 5,5 eV
1
Infrarouge
2 La BC est remplie d’électrons
Lumière
visible
4
UV
6
X

E (eV)
Enfin dans un semi-conducteur.

ELF

VLF
Energie des électrons (eV)
Ondes Radios

Microondes 1,1 eV pour le silicium

1
Infrarouge
2
Lumière
visible
4
UV
6
X

E (eV)
Dans un isolant (silicium ou le germanium) la bande interdite existe toujours mais sa largeur est beaucoup faible : 0,7 eV pour le
germanium et 1,1 eV pour le Silicium
Une petite excitation par chauffage solaire peut faire passer un électron de la BV vers la BC et conduire le courant.
Notons que le dernier état d’énergie occupé par les électrons s’appelle le niveau de fermi

Conducteur Isolant Semi-conducteur

Energie des
électrons (eV)
Niveau de Fermi

Il est utilisé (dans le conducteur) entre le chevauchement des deux Bandes

Dans un semi-conducteur ou un isolant, il est situé dans la bande interdite.
La théorie des bandes d’énergie est utile car elle permet de modéliser le comportement électronique des matériaux.
I-4 : Caractéristiques des semi-conducteurs

Les SC (à élément unique) ont des atomes à 4 électrons (e-) sur la couche extérieure  On dit que leur valence est de 4.

Par exemple, l’atome de silicium (Si) possède 14 électrons répartis sur les différentes couches par groupe de 2, 8 et 4.

Noyau (protons + neutrons)

Couche externe (couche de valence)

Figure-1 : Atome de Silicium

Semi-conducteurs intrinsèques (purs)
Habituellement les atomes de Silicium ne perdent pas d’électrons de valence et n’en gagnent pas mais les partages avec des atomes
voisins en réalisant des configurations stables à 8 électrons.

Si
Réseau cristallin de Silicium
pur
Si Si Si

Electron de valence Si Si Si Avec les liaisons de covalences établies

entre atome et atome, il n’y a pas
Atome de Silicium d’électron libre.

Si Si Si

Liaison covalente
T=0K tous les électrons de valence sont utilisés dans des liaisons de covalence – Pas d’électrons libres

 aucune possibilité de conduction

T Agitation thermique
– le cristal est un isolant
électron libre
Si

électron libre
Si Si Si

Courant électrique Si Si Si
électron libre

Si Si Si
électron libre

Courant électrique
 La conductivité des SC peut être augmentée par l’addition d’impuretés :

DOPAGE

Le dopage a pour but d’introduire des charges libres pouvant se déplacer facilement en appliquant une tension

Les charges libres peuvent être soit des charges positives soit des charges négatives suivant le dopage
I-5 Dopage
I-5-1 Dopage de type N et de type P

Dopage de type N

Le dopage d’un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des atomes étrangers

Afin d'améliorer la conduction d'un semi-conducteur, les fabricants injectent dans une plaquette semi-conductrice des matériaux
étrangers, ou impuretés, qui possèdent un nombre d'électrons périphériques juste inférieur ou juste supérieur aux 4 électrons du
semi-conducteur.

Dans le domaine des semi-conducteurs, un dopant est une impureté ajoutée en petites quantités à une substance pure afin de
modifier ses propriétés de conductivité.
Les éléments dopants ont une valence de 5 comme l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb) et le Phosphore (P).

Antimoine (Sb) 51e

Arsenic (As) 33e

Phosphore (P) 15e

As Sb
P
 Si
Réseau cristallin de Silicium
non pur
Si Si Si

Electron de valence Si P Si Avec les liaisons de covalences établies

entre atome et atome, il y a des
Atome de Silicium électrons libres.

Si Si Si

Liaison covalente
Un SC dopé N possède une grande quantité d’électrons introduits par les atomes d’impuretés. On les appelle des
porteurs majoritaires. Les porteurs minoritaires sont alors les trous.

porteurs majoritaires

Un SC N

- - - - - - - -
+ + +
- porteurs minoritaires
- - - - - - -
+ + +
- - - - - - - -
+ +
- - - - - - - -
Les éléments dopants ont une valence de 3 comme:

L’Aluminium (Al) Z=13 Le Bore (B) Z=5 Le Galium (Ga) Z=31

Al B

Ga

L’Indium (In) Z=49

In
Dopage de type P

Si
Les éléments dopants ont une valence de 3

Si Si Si

Si In Si

Si Si Si

Il y a un manque de 1 électron et ce manque d’électron est considéré comme une charge positive libre appelée TROU.
Dans ce cas l’élément dopant est dit accepteur d’électron puisqu’il apporte une charge positive qui est le trou qui peut
se déplacer sous l’effet d’une tension appliquée.

porteurs majoritaires

+ + + + + + + +
‐ ‐ ‐
porteurs minoritaires
+ + + + + + + +
‐ ‐ ‐
+ + + + + + + +
‐ ‐
+ + + + + + + +