Ce document décrit le fonctionnement des transistors bipolaires, y compris leurs équations et caractéristiques. Il explique la structure à trois couches du transistor bipolaire npn et pnp, ainsi que le rôle de la jonction base-émetteur et de la jonction base-collecteur.
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Ce document décrit le fonctionnement des transistors bipolaires, y compris leurs équations et caractéristiques. Il explique la structure à trois couches du transistor bipolaire npn et pnp, ainsi que le rôle de la jonction base-émetteur et de la jonction base-collecteur.
Ce document décrit le fonctionnement des transistors bipolaires, y compris leurs équations et caractéristiques. Il explique la structure à trois couches du transistor bipolaire npn et pnp, ainsi que le rôle de la jonction base-émetteur et de la jonction base-collecteur.
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3.
Circuits à transistors bipolaires
3.1. Introduction Malgré la suprématie actuelle des transistors MOS dans les circuits intégrés à très large échelle d'intégration (Very Large Scale Integration, VLSI : 10'000 à plus de 100'000 tran- sistors par circuit), le transistor bipolaire reste très utilisé dans les circuits à composants discrets ou les circuits intégrés qui exigent : des courants de sortie élevés (étage de sortie) ; une grande vitesse de commutation (circuits logiques ultra-rapides) ; un gain de tension élevé ; un faible bruit (pré-ampli cateurs hi- ) ; la réalisation de fonctions linéaires à hautes performances. Le transistor bipolaire porte son nom en raison de son fonctionnement lié aux deux types de porteurs libres, les électrons et les trous. C'est un dispositif à semi-conducteur présentant trois couches alternées n, p et n pour un transistor npn ou p, n et p pour un transistor pnp. La couche médiane est la base. Les deux couches externes sont l'émetteur et le collecteur.
C C C C n B B B B p e n E E E E
Figure 3.1.: Principe du transistor npn et son symbole
L'intégration d'un transistor sur un cristal de silicium correspond ainsi à la juxtaposition
d'une jonction np (base-émetteur) et une jonction pn (base-collecteur). Grâce à la pola- risation positive de la jonction BE, on rend conductrice cette dernière et les électrons se déplacent de l'émetteur vers la base. Cependant, comme le champ électrique créé par la tension positive du collecteur est très élevé, presque tous les électrons émis sont collectés par ce dernier. Le courant de base est alors 100 à 500 fois plus faible que les courants de collecteur et d'émetteur. La jonction base-émetteur travaille donc comme une jonction conductrice alors que la jonction collecteur-base est polarisée en sens inverse. Le courant de collecteur correspond alors au courant de saturation inverse de la jonction.
Il est important de préciser qu'un transistor réel n'a pas une structure aussi symétrique que peut le faire accroire la description qui précède. En eet, pour des raisons physiques
59 3. Circuits à transistors bipolaires
et technologiques : le transistor réel doit avoir une base très mince (quelques dixièmes de microns) ; l'émetteur et le collecteur dièrent par leur géométrie et leur dopage ; l'émetteur est bien plus dopé que la base ; etc.
3.2. Équations et caractéristiques d'un transistor
Comme on vient de le voir, la jonction BE du transistor fonctionne comme une diode conductrice. À la diérence de celle-ci, le facteur technologique n des transistors au silicium est égal à 1. On ne le fera donc pas apparaître dans la fonction exponentielle traduisant le comportement de la diode.
IC -IC C C IB -IB B B UCE -UCE UBE -UBE E E npn pnp
Figure 3.2.: Symboles, courants et tensions
Considérant le transistor npn et son symbole ( gure 3.2), sa description passe par l'écriture des équations ci-dessous (elles sont similaires pour le transistor pnp) :
1. Équation des courants
IE = IB + IC (3.1)
2. Équation de la jonction base-émetteur conductrice
UBE /VT IB = ISB e (3.2)
où, comme pour la diode, VT est le potentiel thermique équivalent à l'énergie ther- mique kT des porteurs de charge q kT VT = ' 26 mV @ T = 300 K (3.3) q et ISB est le courant de saturation inverse de la jonction BE (de l'ordre du fA).
3. Équations du courant de collecteur
a) IC commandé par le courant IB :
IC (IB ) = β IB (3.4)
où β est le gain en courant du transistor (pratiquement supérieur à 100) ;
b) IC commandé par la tension UBE (équation (3.2) dans (3.4)) :
UBE /VT UBE /VT
IC (UBE ) = (βISB ) e = IS e (3.5)
c) IC dépendant de UCE :
UCE IC (UCE ) = IC (IB ) 1+ (3.6) VA où VA , dit potentiel de Early, sert à décrire la pente non nulle des caractéristiques de sortie du transistor ; sa valeur est de l'ordre de la centaine de volts.
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c 2011 [email protected] 3.2. Équations et caractéristiques d'un transistor
Figure 3.3.: Caractéristiques d'un transistor bipolaire réel (en haut) et celles d'un tran- sistor idéal représenté par un modèle d'ordre 0 (en bas)
Les caractéristiques correspondant à ces équations sont illustrées par les deux graphes du haut de la gure 3.3. Les graphes du bas montrent les caractéristiques d'un transistor idéal représenté par son modèle d'ordre 0.
Hypothèse simpli catrice Tenant compte des équations (3.1) et (3.4), le courant d'émet- teur s'écrit IE = IC + IB = (β + 1) IB (3.7)
Comme le gain en courant est généralement supérieur à 100, il vient
β+1'β ⇒ IE ' IC (3.8)
3.3. Modèle linéaire
Comme on ne sait pas calculer des systèmes caractérisés par des équations non linéaires, on doit se contenter d'approximations linéaires d'ordre 0 ou d'ordre 1. La gure 3.3 montre les caractéristiques d'un modèle d'ordre 0 où les caractéristiques réelles sont remplacées par des segments de droite de pente nulle ou in nie et la gure 3.4 illustre son schéma équivalent d'ordre 0.
IC IB IC = βIB IB
UBE UCE UBE Vj UCE
Figure 3.4.: Modèle linéaire d'ordre 0 d'un transistor
On constate alors que la tension entre base et émetteur est admise constante si le transistor conduit et que le courant de collecteur ne dépend que du courant de base. Ainsi, vue de l'extérieur, l'entrée BE du transistor se ramène à une source de tension indépendante
UBE = Vj ' 0.6 V (3.9)
alors que la sortie CE du transistor se ramène à une source de courant idéale commandée par le courant de base IC = β IB (3.10)
3.3.1. Domaines de fonctionnement du transistor
Les circuits à transistors sont généralement constitués d'une ou plusieurs alimentations
reliées aux transistors par des résistances. La gure 3.5 illustre un schéma type de circuit à transistor dans lequel le courant de collecteur varie avec la tension d'alimentation VBB appliquée à la base du transistor.
Pour que le transistor puisse fonctionner dans un domaine linéaire ( gure 3.6), le courant de collecteur doit être compris entre 0 et sa valeur de court-circuit
VCC 0 < IC < IC,max = (3.11) RC + RE De la même manière, la tension UCE ne peut pas être négative ni supérieure à la tension d'alimentation ; on a donc : VCC > UCE > 0 (3.12)
L'état du transistor dépend des valeurs de IC et UCE ( gure 3.6) :
