Poly Edp Ense3 Lefranc

ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE
L'ENERGIE, L'EAU ET L'ENVIRONNEMENT
Introduction à l'électronique de puissance :

principes de conversion, applications, composants,
lois de commande et conception
Pierre LEFRANC - ENSE3
OCTOBRE 2012, V1.0

Table des matières
1 Topologies de base de l’électronique de puissance 5

1.1 Classification des convertisseurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.1 Vocabulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 La conversion DC-DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.3 La conversion AC-DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 La conversion AC-AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.1.5 La conversion DC-AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2 Les convertisseurs DC-DC à commutations dures . . . . . . . . . . . 27
1.2.1 La structure de base : l’abaisseur . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.2 Extension de la notion de cellule de commutation . . . . . . 28
1.2.3 Généralisation de la notion de cellule de commutation . . . 32
1.2.4 Insertion d’une isolation galvanique par transformateur ma-
gnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.2.5 Synthèse sur les structures de base DC-DC à commutations
dures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
1.3 Principes de base des commutations douces et convertisseurs as-
sociés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.3.1 Mécanismes des pertes lors des commutations des inter-
rupteurs de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.3.2 Commutations à zéro de courant . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.3.3 Commutation à zéro de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
1.4 Conclusion de chapitre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2 Les composants de l’électronique de puissance. Classifications et fonc-

tionnements 46
2.1 Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.2 La diode de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2.1 Diode PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.2.2 Diode Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.3 Le MOSFET de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.3.1 La structure MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.3.2 Le MOSFET latéral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3
TABLE DES MATIÈRES
2.3.3 Le MOSFET à canal horizontal et courant vertical . . . . . . . 54

2.4 L’IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.4.1 La structure de l’IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.4.2 Fonctionnement simplifié de l’IGBT . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.4.3 Quelques variantes technologiques des composants IGBT . . 64
2.5 Le packaging des interrupteurs de puissance, principes et éléments
de base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.5.1 Le rôle du boîtier . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.5.2 Boîtiers ”plastiques“ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.5.3 Boîtiers ”press-pack“ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
2.6 Etat de l’art des circuits de commande d’IGBT . . . . . . . . . . . . . 79
2.6.1 Description des circuits de commande d’IGBT dans leur en-
vironnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3 Modélisation du comportement des convertisseurs de puissance en ré-

gime établi 83
3.1 Objectifs de la modélisation en régime établi . . . . . . . . . . . . . . 83
3.2 Modélisation des convertisseurs DC-DC en mode de conduction
continue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
discontinue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
3.3.1 Principe de base de la modélisation en mode DCM . . . . . . 88
3.3.2 Modélisation en mode DCM des convertisseurs abaisseur,
élévateur, SEPIC et Cuk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.3.3 Résumé sur la modélisation en mode DCM . . . . . . . . . . 93
4 Conception des convertisseurs de puissance 96

4.1 Problématique industrielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.2 Les méthodologies de prototypage virtuel . . . . . . . . . . . . . . . 98
4.3 Quelques exemples essentiels, illustrations de la méthode directe . 100
4.3.1 Méthode directe de dimensionnement des convertisseurs
buck et flyback avec filtre d’entrée . . . . . . . . . . . . . . . . 100
4.3.2 Méthode directe de dimensionnement d’un convertisseur
SEPIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Bibliographie 116
4
Chapitre 1
Topologies de base de
l’électronique de puissance
Ce premier chapitre a pour objectif de donner un aperçu des différentes to-

pologies et familles de conversion au lecteur débutant. Une classification basique
et les convertisseurs les plus classiques y sont présentés. Ensuite, nous proposons
d’entrer plus profondément dans la compréhension des convertisseurs DC-DC qui
sont à la base de beaucoup de principes et de mécanismes utiles pour la compré-
hension tous les autres types de convertisseurs. Pour finir, quelques principes de
base sur les “commutations douces” sont proposées dans le cadre des convertis-
seurs DC-DC
1.1 Classification des convertisseurs

Cette section a pour objectif de donner un aperçu des quatres grandes familles
de conversion en électronique de puissance. Pour cela, nous partons des deux
types de sources et de charges (alternative et continue) et nous donnons les prin-
cipales topologies associées. Les structures complexes ne sont pas abordées dans
cette section.
1.1.1 Vocabulaire
Sur la Figure 1.1, nous faisons apparaître les quatre grandes familles de conver-
sion. Dans la littérature, on trouve classiquement le vocabulaire suivant : ondu-
leur pour la conversion DC-AC et redresseur pour la conversion AC-DC.
Par la suite, nous détaillons les différents types de conversion en commen-
çant par la plus classique, la conversion DC-DC.
1.1.2 La conversion DC-DC

La structure la plus connue pour passer d’une source continue à une charge
à tension et courant continus est bien évidemment le “convertisseur abaisseur”
5
Convertisseur
AC-AC
Source
Source AC
AC Charge
Charge AC
AC
r
le u
du
On
Re
d res
seu
r
Source
Source DC
DC Charge
Charge DC
DC
Convertisseur
DC-DC
F IGURE 1.1 – Classification des convertisseurs en quatre grandes familles.
vds
ids iL L vds
ic is i1 L 1 ids iL L
ve id
vd C R vs id ic is
d ve
vs
C1 v1 d vd C R
F IGURE 1.2 – Convertisseur abaisseur sans et avec filtre d’entrée.
ou buck converter pour la littérature anglo-saxonne. Sur la Figure 1.2, on donne

le schéma de base d’un convertisseur abaisseur sans et avec filtre d’entrée avec
un MOSFET (interrupteur à commutations commandées) et une diode (inter-
rupteur à commutations spontannées)
Dans la Section 1.2 page 27, nous verrons que le convertisseur abaisseur
constitue la base des autres convertisseurs DC-DC à l’aide de la notion de cel-
lule de commutation. En découle alors les structures connues telles que : l’éléva-
teur, l’inverseur, le flyback, le forward, le SEPIC (Single Ended Primary Inductor
Converter), le Cuk, etc.
1.1.3 La conversion AC-DC : les redresseurs

Cette famille de conversion est également bien connue car elle englobe les
redresseurs tels que le fameux pont de Graëtz à diodes, le pont tout thyristor et
le pont mixte [Lab89] [Lab92].
Commençons par l’analyse qualitative du pont redresseur monophasé à diodes
sur charge capacitive pour en montrer son principal inconvénient : Figure 1.3.
Les formes d’ondes associées sont données sur la Figure 1.4. On remarque que
le courant de ligne i 1 est de nature impulsionnelle, il charge le condensateur C
sur le haut de la sinusoïde de la tension v 1 . Or, d’un point de vue de la qualité de
la conversion d’énergie, ce convertisseur n’est pas très bon. Classiquement, on
définit le facteur de puissance F P tel que :
6
ich
id1
i1
D1 D2 C R
v1
vch
D3 D4
F IGURE 1.3 – Redresseur monophasé à diodes sur charge capacitive.
P
FP = (1.1)
v 1e f f i 1e f f
Avec, P la puissance active fournie par le réseau ; v 1e f f et i 1e f f les valeurs
efficaces de v 1 et i 1 .
On définit ensuite le taux de distorsion harmonique T D H :
qP
∞ 2
n=2 i ne f f
T DH = (1.2)
i 1e f f
Avec :
p ∞ p
2si n(ωt − ϕ1 ) + i ne f f 2si n(nωt − ϕn )
X
i 1 (t ) = i 1e f f (1.3)
n=2
On définit le facteur de déplacement F D :
F D = cosϕ1 (1.4)
Où ϕ1 est le déphasage entre v 1 et le fondamental du courant i 1 .
Par définition :
P = v 1e f f i 1e f f cosϕ1 (1.5)
On en déduit une nouvelle formulation du facteur de puissance F P :
FD
FP = p (1.6)
1+T DH2
Cette nouvelle formulation du facteur de puissance permet de dégager deux
points importants sur les convertisseurs redresseurs :
– Si ϕ1 augmente, le facteur de déplacement F D diminue et le facteur de
puissance F P diminue.
– Si le courant i 1 est riche en harmonique, son taux de distorsion harmo-
nique augmente et le facteur de puissance F P diminue
7
v1
|v1|
t
vch
t
i1
t
id1 id2
id4 id3
F IGURE 1.4 – Formes d’ondes du redresseur monophasé à diodes sur charge ca-
pacitive.
8
ich
id1
v1
i1 D1 D2 D3 C R
v2 i2 vch
i3
v3
D4 D5 D6
v1 v2 v3
|v1| |v2| |v3|
vch
i1
t
F IGURE 1.5 – Formes d’ondes du redresseur triphasé à diodes sur charge capaci-
tive.
Du point de vue de cette analyse qualitative rapide, on comprend bien que le

redresseur à diodes sur charge capacitive est assez pénalisant vis à vis du facteur
de puissance. De plus, du point de vue de l’utilisateur, il ne permet pas d’ajuster
ou de réguler la tension moyenne < v ch > en sortie du redresseur.
Cette analyse peut être transposée sans difficultés à une source alternative
triphasée comme sur la Figure 1.5.
Afin d’ajuster et/ou de réguler la tension < v ch >, on utilise un pont “tout”
thyristor P 6T (Figure 1.6) ou un pont mixte P 3T 3D (Figure 1.7) [Lab89] [Lab92].
ich
v1 v2 v3
ith1
v1
t
i1 Th1 Th2 Th3
v2 i2 vch
i3 |v1| |v2| |v3|
v3
Th4 Th5 Th6 t
α α
F IGURE 1.6 – Pont P 6T .
9
ich
ith1
v1
i1 Th1 Th2 Th3

v2 i2 vch
i3
v3
D4 D5 D6
F IGURE 1.7 – Pont P 3T 3D.
Sur charge inductive, on trouve les relations suivantes, pour le pont P 6T :

p
3 2 Ue f f
< v ch >= cosα (1.7)
π
3
FP = cosα (1.8)
π
Puis, pour le pont P 3T 3D :
p
3 2 Ue f f
< v ch >= (1 + cosα) (1.9)
2π
3
FP = (1 + cosα) si 0 < α < π/3 (1.10)
2π
r
3 (1 + cosα)
FP = p si α > π/3 (1.11)
2π π−α
Les courbes des facteurs de puissance pour les redresseurs P 6T et P 3T 3D
sont données sur la Figure 1.8. Cette courbe permet d’aider les concepteurs à
faire le choix de la meilleure structure du point de vue du facteur de puissance
dans un premier temps.
Nous venons de voir que le facteur de puissance d’un pont de diodes est très
mauvais et ne permet pas de régler la tension en sortie. Cependant, la fonctio
de conversion “alternatif-continu” est très souvent utilisée pour des appareils
domestiques de type téléviseur, chaîne Hi-Fi, PC, etc. Ainsi, on voit la nécessité
de développer une nouvelle fonction de conversion qui permet de corriger le
facteur de puissance d’une structure redresseur : correcteur de facteur de puis-
sance (PFC pour Power Factor Corrector).
Sur la Figure 1.9, on montre le synoptique d’un correcteur de facteur de puis-
sance (CFP). L’objectif est d’absorber un courant i 1 en phase avec la tension v 1
avec un T D H le plus faible possible. Globalement, on distingue deux types de
CFP :
– Mono-étage
– Bi-étage
10
FP
1
3/π
P3T3D
P6T
α
π/2 π
F IGURE 1.8 – Comparaison des facteurs de puissance pour les topologies P 6T et

P 3T 3D.
Isolation galvanique
ich
i1
v1
i1
v1 CFP vch charge
t
F IGURE 1.9 – Synoptique de la fonction CFP.
11
ie is ich
i1
v1 ve vs vch charge
Pré-régulateur Convertisseur
non-isolé DC-DC isolé
F IGURE 1.10 – Synoptique de la fonction CFP à deux étages.
ve
i*e α
v*s +- C2(p) MLI
+ C1(p)
-
vs ie
F IGURE 1.11 – Structure de commande pour le pré-régulateur pour convertis-

seur CFP.
Commençons par une structure CFP à deux étages : Figure 1.10. On retrouve
le pont de diodes, un étage “pré-régulateur” et un convertisseur DC-DC isolé
puis ensuite la charge. La tension en sortie du pré-régulateur v s est régulée à
une valeur fixe v s∗ . Cette structure permet de “piloter” le courant i e pour qu’il
soit en forme de sinusoïde redressée et en phase avec la tension v e . De ce fait, i 1
est en phase avec v 1 et sinusoïdale.
Une loi de commande spécifique est donc appliquée au convertisseur pré-
régulateur. En général, il s’agit d’une boucle en cascade qui pilote le rapport cy-
clique α du pré-régulateur avec pour première boucle la régulation du courant
i e qui doit être en phase avec v e (sinusoïde redressée) dont l’amplitude dépend
de la tension de référence v s∗ à obtenir : Figure 1.11.
Très souvent, le pré-régulateur est un convertisseur élévateur. Sur la Figure
1.12, on donne un résumé de la fonction pré-régulateur avec un convertisseur
élévateur et sa loi de commande associée.
Ensuite, pour les CFP à un étage, on trouve la pluspart du temps un conver-
tisseur flyback piloté de la même manière qu’un pré-régulateur pour CFP à deux
étages : Figure 1.13. Cette solution est réservée pour des puissances inférieures
à 100W et à faible coût.
12
Pré-régulateur non-isolé
ie is ich
i1
v1 ve vs vch charge
Convertisseur
DC-DC isolé
ve
i *e α
v*s +- C2(p) MLI
+ C1(p)
-
vs ie
F IGURE 1.12 – Pré-régulateur élévateur pour convertisseur CFP.
Le D
ie id
i1
ve C vs
v1 Ce
Charge
ve
i*e α
v*s +- C2(p) MLI
+ C1(p)
-
vs ie
F IGURE 1.13 – Exemple de convertisseur CFP mono-étage avec convertisseur fly-

back.
13
vk
ik
K
v1 vch1 charge
F IGURE 1.14 – Schéma de principe d’un gradateur mono-phasé.
1.1.4 La conversion AC-AC

Pour ce type de conversion on identifie trois sous-familles :
– Gradateur
– Cyclo-convertisseur
– Convertisseur matriciel
Gradateur
Le schéma de principe d’un gradateur mono-phasé est donné Figure 1.14. La

source et la charge sont de nature alternative. La commande de l’interrupteur K
est décalée d’un angle α par rapport à la référence d’angle qui est donnée par v 1
qui est sinusoïdale pure.
Sur charge résistive, on donne les formes d’onde de v ch et de i k sur la Figure
1.15. Le calcul de v ch1e f f donne la formule suivante :
sµ
V1M α si n(2 α)
¶
v ch1e f f = p 1− + (1.12)
2 π 2π
Sur la Figure 1.15, on remarque que le fondamental du courant i k est dé-

phasé par rapport à v 1 et que les variations rapides engendrent des harmo-
niques. Qualitativement, on en déduit que le facteur de puissance de ce type de
convertisseur n’est pas très bon et qu’il va dépendre de la nature de la charge :
R, RL, etc. Il reste néanmoins utilisé pour des applications industrielles de forte
puissance. L’adaptation sur un réseau triphasé se conçoit en duplicant le grada-
teur mono-phasé : Figure 1.16.
Cyclo-convertisseur
Un cyclo-convertisseur permet de faire une conversion AC-AC avec comme

propriété que la fréquence de la charge est plus faible que celle de la source.
Dans le cas mono-phasé, on utilise deux ponts redresseurs à thyristors comme
14
v1
ωt
π/2 π 3π/2 2π
vch1
ωt
π/2 π 3π/2 2π
ik
Charge
résistive
ωt
π/2 π 3π/2 2π
α π+α
F IGURE 1.15 – Formes d’onde pour convertisseur gradateur mono-phasé sur

charge inductive.
15
ich1 ich2 ich3

ich1 ich2 ich3
vch1 vch2 vch3 vch1 vch2 vch3
ik1 ik2 ik3 ik1 ik2 ik3

vk1 vk2 vk3 vk1 vk2 vk3
v1 v2 v3 v1 v2 v3
ich2 ik2
vch2
vk2
vk1
vch3 ich3
ik1
vch1
vk3 ik3
ich1
v1 v3 v2
F IGURE 1.16 – Gradateurs tri-phasés.
16
Redresseur 1, commande α1 Redresseur 2, commande α2
ik1 ik2 ik3 ich ik4 ik5 ik6

vch
v1 v2 v3 v1 v2 v3
F IGURE 1.17 – Principe de base d’un cyclo-convertisseur mono-phasé.
Sortie du 50Hz
Cycloconvertisseur
F IGURE 1.18 – Formes d’ondes d’un cyclo-convertisseur mono-phasé.
l’illustre la Figure 1.17. Les commandes des deux ponts sont respectivement α1
et α2 , la propriété suivante doit être respéctée : α1 + α2 = π
Sur la Figure 1.18, on montre les formes d’ondes où le réseau source est si-
nusoïdal à 50Hz. La tension v ch appliquée à la charge est donc la succession des
différentes portions des tensions du réseau tri-phasé pour recréer une tension
alternative où le fondamental a une fréquence inférieure à celle du réseau.
On conçoit aisément que dans le cas d’une charge tri-phasée, on duplique
un cyclo-convertisseur mono-phasé : Figure 1.19. Ce type de convertisseur est
utilisé principalement pour des machines électriques de très forte puissance
ayant une fréquence de rotation faible.
ich ich ich

vch vch vch
F IGURE 1.19 – Cyclo-convertisseur tri-phasé.
17
A
B Aa Ab Ac
C Ba Bb Bc
Ca Cb Cc
a b c
F IGURE 1.20 – Cyclo-convertisseur tri-phasé.
Ac
F IGURE 1.21 – Interrupteur bi-directionnel en courant et tension.
Convertisseur matriciel
Le principe de base du convertisseur matriciel est donné sur la Figure 1.20.

A l’aide de neuf interrupteurs bi-directionnels en tension et courant, les trois
phases peuvent être connectées directement sur les trois charges de façon in-
dépendante. Cependant, malgré un principe de base assez simpliste se cache
des difficultés technologiques pour ; premièrement concevoir un interrupteur
bi-directionnel en courant et tension (Figure 1.21) ; puis deuxièmement pour
assurer la continuité des courants de charge (dans le cas de charges inductives)
ce qui nécessite une gestion complexe des commandes rapprochées des inter-
rupteurs.
1.1.5 La conversion DC-AC : les onduleurs

Les convertisseurs DC-AC sont communément appelés onduleurs. Dans la
littérature, on distingue deux types d’onduleurs : onduleur de tension et on-
duleur de courant (Figure 1.22). Nous commençons par décrire les structures
18
Source
Source Charge
Charge
tension
tension DC
DC courant
courant AC
AC
Onduleur de
tension
Source
Source Charge
Charge
courant
courant DC
DC tension
tension AC
AC
Onduleur de
courant
F IGURE 1.22 – Définitions des termes onduleur de tension et onduleur de cou-

rant.
ik1
is
vk1
vp1
v1 i1
vs
vk2 vp2
m
ik2
F IGURE 1.23 – Onduleur push-pull.
des onduleurs monophasés. Le premier est l’onduleur de type push-pull : Fi-

gure 1.23. Les formes d’ondes dépendent du type de charge. On définit ϕ l’angle
entre la tension v s et le courant i s . Par définition, si ϕ > 0, on parle de déphasage
arrière ; et si ϕ < 0, on parle de déphasage avant. Sur la Figure 1.24 on donne les
formes d’ondes pour l’onduleur push-pull pour ϕ > 0 et ϕ < 0.
La deuxième structure mono-phasée est l’onduleur de type demi-pont ca-
pacitif : Figure 1.25. Il est constitué d’un bras d’onduleur à base d’interrupteurs
puis d’un deuxième bras avec deux condensateurs de forte valeur pour la ten-
sion à leurs bornes soient constantes. De la même manière que pour l’onduleur
push-pull, on distingue deux modes de fonctionnement comme le montre la Fi-
gure 1.26.
La troisième et dernière structure mono-phasée est l’onduleur de type pont
complet (ou pont en H, H-bridge) : Figure 1.27. Il est constitué de deux bras d’on-
duleur à base d’interrupteurs. On distingue également deux modes de fonction-
nement comme le montre la Figure 1.28.
Enuite, nous continuons sur les structures tri-phasées (ou poly-phasée). La
19
vs vs
m v1
m v1
T/2 T t
T/2 T t
-m v1
-m v1
is
is
φ/ω
isM
isM
φ/ω
t
t
-isM
-isM
i1
i1
isM
isM
t
t
vk2
vk2
isM
isM
t
t
ik2
ik2
isM isM
t
T T t
D2 MOS2 D1 MOS1
MOS2 D2 MOS1 D1
(a). ϕ > 0, déphasage arrière (b). ϕ < 0, déphasage avant
F IGURE 1.24 – Formes d’ondes pour l’onduleur push-pull.
20
ibus
ik1
ic1
vbus vk1 is vc1
ic2
vk2 vs vc2
ik2
F IGURE 1.25 – Onduleur demi-pont capacitif.
vs vs
vbus/2
vbus/2
T/2 T t T/2 T t
-vbus/2 -vbus/2
is is
φ/ω
isM isM
φ/ω
t t
-isM -isM
ibus
ibus
isM/2
isM/2
t
t
vk1 vk1
vbus
vBUS
t t
ik1
ik1
isM
isM
T t
t
T
MOS1 D1 MOS2 D2
D1 MOS1 D2 MOS2
F IGURE 1.26 – Formes d’ondes pour l’onduleur demi-pont capacitif.
21
ibus
ik1 ik3
vbus vk1 is vk3
vk2 vs vk4
ik2 ik4
F IGURE 1.27 – Onduleur en pont complet.
T1 T2 T1 T2
T3 T4 T3 T3 T4 T3
vs vs
vbus vbus
β π π+β 2π β π π+β 2π
θ θ
-vbus -vbus
is is
φ φ
isM isM
θ θ
-isM -isM
ibus ibus
isM isM
θ θ
vk1 vk1
vbus vbus
θ θ
ik1 ik1
isM isM
β π π+β 2π β π π+β 2π
θ θ
MOS3 MOS2
MOS1
D1 MOS1 D2 D2 D1 D1 D2 D2
MOS3 MOS4 MOS4 MOS3 MOS3 D4 MOS4 D3
F IGURE 1.28 – Formes d’ondes pour l’onduleur en pont complet.
22
ibus
ik1 ik3 ik5
vbus vk1 vk3 vk5

C
B
A
vk2 vk4 vk6
ik2 ik4 ik6
F IGURE 1.29 – Onduleur tri-phasé à deux niveaux.
plus connue est l’onduleur à deux niveaux constitué de trois bras d’onduleur
avec deux interrupteurs chacun : Figure 1.29. Sur la Figure 1.30, on représente
les formes d’ondes des tensions composés v ab , v bc , v ca et la tension simple v an .
On remarque que cette dernière possède deux niveaux de tension : +2 v bus / 3
et v bus / 3. Cette tension est bien T −périodique, de valeur moyenne nulle mais
possède des harmoniques.
Afin d’approcher au mieux une tension sinusoïdale, on introduit la notion
d’onduleur multi-niveaux où l’on va ajouter des niveaux intermédiaires sur les
tensions en sortie de l’onduleur afin de réduire les harmoniques. En découle
trois grandes familles d’onduleurs multi-niveaux : Neutral Point Converter (NPC),
Flying Capacitors (FC) et casacade de ponts en H. La structure NPC à trois ni-
veaux est donnée Figure 1.31. La structure FC à quatre niveaux est donnée Figure
1.32 puis la structure à ponts en H en cascade sur la Figure 1.33.
Pour terminer sur la conversion DC-AC, nous donnons quelques éléments
sur les méthodes de modulation de largueur d’impulsion (MLI, ou Pulse Width
Modulation PWM). Dans la littérature, on distingue quatres grandes familles
usuelles :
– MLI “sinus-triangle”
– MLI calculée
– MLI vectorielle
– MLI partielle
Nous décrivons uniquement le principe de la MLI “sinus-triangle” (pour les
autres familles, voir la référence [LSB95]). Il consiste à comparer une référence
de tension basse fréquence (de type sinusoïdale) qui est le fondamental de la
tension qui doit être appliquée en sortie de l’onduleur avec un signal en dent de
scie à haute fréquence (fréquence de découpage de l’onduleur) afin de générer
les séquences logiques pour piloter les différents interrupteurs de l’onduleur :
Figure 1.34.
23
2π/3
vAB
vbus
2π
θ
π/2 π
-vbus
vBC
vbus
π/2 2π
θ
π
-vbus
vCA
vbus
π/2 2π
θ
π
-vbus
2vbus/3
vAN
vbus/3
π/2 2π
θ
π -vbus/3
-2vbus/3
F IGURE 1.30 – Formes d’ondes d’un onduleur tri-phasé à deux niveaux.
ibus
vbus/2
vbus
A B C
vbus/2
F IGURE 1.31 – Onduleur tri-phasé NPC à trois niveaux.
24
ibus
vbus/2
2vbus/3 vbus/3
vbus
A B C
vbus/2
F IGURE 1.32 – Onduleur tri-phasé FC à quatre niveaux.
vbus A
vbus
vbus
F IGURE 1.33 – Onduleur mono-phasé à pont en H en cascade.
25
ibus
ik1 ik3 ik5
vbus vk1 vk3 vk5

C
B
« Basse » fréquence A
Fondamentale des vk2 vk4 vk6
tensions de sortie ik2 ik4 ik6
Bras
Bras 11 Bras
Bras 22 Bras
Bras 33
Sinus
Sinus
Bras 1
Comp
Comp Logique
Logique Bras 2
Bras 3
Triangle
Triangle
« Haute » fréquence
Fréquence de découpage
F IGURE 1.34 – Principe de la MLI “sinus-triangle” pour onduleur tri-phasé à

deux niveaux.
1.1.6 Conclusion sur la classification des convertisseurs

Dans cette section, nous venons de voir un aperçu rapide des différentes to-
pologies classiques utilisées pour les quatres grandes familles de conversion. Il
est évident que d’autres topologies sont possibles, immaginables mais que l’es-
sentiel des possibilités et des habitudes industrielles ont été décrites. Cepen-
dant, pour plus de détails, le lecteur peut se référer à [Seg92] [RS91] [BLS97]
[LSB95] pour avoir un aperçu plus détaillé sur les quatres grandes familles de
conversion.
26
1.2 Les convertisseurs DC-DC à commutations dures
vds
ids iL L
ve id ic is
vd C R vs
d
F IGURE 1.35 – Schéma de base du convertisseur abaisseur sans filtre d’entrée

avec charge résistive.

Cette section a pour objectif de clarifier les idées sur la famille des convertis-
seurs DC-DC à commutations dures. Nous donnons une méthode générale per-
mettant de retrouver les convertisseurs DC-DC classiques sans isolation galva-
nique : abaisseur, élévateur, inverseur, SEPIC et Cuk. Puis quelques convertisseurs
avec isolation galvanique sont présentés : flyback, forward, SEPIC et Cuk.
1.2.1 La structure de base : l’abaisseur

La structure de base est l’abaisseur. Nous allons voir qu’elle constitue le socle
des cinq autres structures citées ci-dessus. La Figure 1.35 donne le schéma de
base d’un convertisseur abaisseur avec un transistor Metal Oxide Semiconduc-
tor Field Effect Transistor (MOSFET).
Lorsque le MOSFET K est fermé, la diode D est bloquée, il y a un transfert
d’énergie de la source de tension v e vers l’inductance L et le condensateur C .
Quand le MOSFET K est ouvert, la diode D assure la continuité du courant dans
l’inductance L. Le condensateur C et l’inductance L fournissent de l’énergie à la
charge R.
Cette analyse qualitative permet de bien comprendre la notion de transfert
d’énergie dans les éléments réactifs (L et C ) où il est question d’emmagasiner et
de restituer de l’énergie sur un cycle de fonctionnement.
La Figure 1.36 donne l’allure des formes d’ondes au sein du convertisseur
abaisseur. On définit d , le rapport cyclique, compris en 0 et 1. On note T la pé-
riode de découpage et F la fréquence de découpage.
Dans ce cas, on considère le mode de conduction continue, c’est à dire que le
courant dans l’inductance L ne passe pas par la valeur zéro. On pose la relation
suivante :
1
Z T L
Z i L (T )
< v L >= i L (τ) d τ = d iL = 0 (1.13)
T 0 T i L (0)
27
iL(t)
iLM
ΔiL - vo/L ic(t)

iLm
ΔiL
(vi - vo)/L dT T t
t
0 dT T
vo(t)
iK(t)
iLM Δvo Vo
ΔiL
iLm
(vi - vo)/L t
0 dT/2 dT T
t (1+d)T/2
0 dT T
F IGURE 1.36 – Formes d’ondes au sein du convertisseur abaisseur sans filtre

d’entrée avec charge résistive.
Ensuite, en exprimant la valeur moyenne de v L en fonction de v o , v i et d et

en condidérant l’équation (1.13), on arrive à la relation suivante :
vo = d vi (1.14)
Afin de retrouver tous les convertisseurs de la famille, nous modifions le
schéma de la Figure 1.35 pour aboutir au schéma équivalent de la Figure 1.37.
La tension v o est supposée constante, le condensateur C n’est plus nécessaire
à la compréhension de la méthode suivante. On remplace le MOSFET K par un
interrupteur parfait K .
Le schéma de la Figure 1.37 est simplifié pour faire apparaître uniquement
les potentiels E , E − S et 0. Sur la Figure 1.38 on ne garde que l’interrupteur K , la
diode D, l’inductance L : la cellule de commutation est alors définie. La relation
(1.15) provient directement de l’équation (1.14).
S =d E (1.15)
1.2.2 Extension de la notion de cellule de commutation

Sur la base de la cellule de commutation définie sur la Figure 1.38 nous
allons retrouver les schémas connus des convertisseurs DC-DC usuels. Nous
montrerons par la suite que cette méthode peut s’étendre à d’autres convertis-
seurs, moins conventionnels, mais peu utilisés dans la pratique car ne présen-
tant que peu ou pas d’intérêts particuliers hormis un intérêt purement pédago-
gique.
Reprenons le schéma de la Figure 1.38 et connectons une première source
de tension entre les potentiels E et E − S et une deuxième entre les potentiels
E − S et 0 : Figure 1.39. Afin de déterminer la source de tension qui va fournir de
28
id
vd D S
vL
E
ik L iL
K vk
F IGURE 1.37 – Schéma de base du convertisseur abaisseur.
id
S
vd D
vL
E-S
ik L iL
K vk
F IGURE 1.38 – Schéma de base de la cellule de commutation.
29
id i1
v1
vd D
vL
E-S
ik L iL
i2
K vk v2
F IGURE 1.39 – Première tentative d’extension de la cellule de commutation.
la puissance et celle qui va en recevoir, considérons simplement que le sens du

courant i d ne peut pas être négatif. De ce fait, le courant i 1 est forcément négatif
et la source de tension v 1 représente la charge. La source de tension v 2 est donc
naturellement la source de puissance. Maintenant, le schéma de la Figure 1.39
peut être modifié pour faire apparaître la source et la charge : Figure 1.40. La
relation (1.15) entre E , S et d est toujours vérifiée. Maintenant, nous avons les
relations suivantes entre, v e , v s , E et S :
ve = E − S (1.16)
vs = S (1.17)
En combinant les relations (1.15), (1.16) et (1.17), on obtient :
d
vs = ve (1.18)
1−d
Le schéma du nouveau convertisseur n’est pas très conventionnel. Afin de
reconnaitre cette structure très classique, nous allons revoir le schéma sous une
autre forme équivalente. La Figure 1.41 donne les quelques étapes de modifica-
tion du schéma. On peut reconnaître ainsi la structure du convertisseur DC-DC
inverseur.
Nous utilisons la même démarche pour aboutir au convertisseur élévateur.
Repartons de la Figure 1.38 en mettant une première source de tension entre les
potentiels E − S et 0 et une deuxième entre E et 0 : Figure 1.42. On en déduit
que la première source de tension fournit de la puissance et que la deuxième
modélise la charge. Le deuxième schéma montre le convertisseur élévateur sous
sa fomre la plus conventionnelle. En utilisant la relation propre de la cellule de
commutation, on aboutit à la relation suivante :
1
vs = ve (1.19)
1−d
30
id
+
D C R vs
vd
vL
ik L iL E-S
ie
K vk ve
F IGURE 1.40 – Première tentative d’extension de la cellule de commutation :

identification de la source et de la charge.
id
+
D C R vs
vd
vL
ik L iL E-S
ie
K vk ve
K D
ve R ve R
L C vs L C vs
+ +
K D
F IGURE 1.41 – Schéma de base du convertisseur inverseur.
31
id L D
vd D ve
vL
vs K C R vs
ik L iL E-S
ie
K vk ve
F IGURE 1.42 – Schéma de base du convertisseur élévateur.
id
vd D
L E-S
ik L E-S
K vk
F IGURE 1.43 – Généralisation de la cellule de commutation.
1.2.3 Généralisation de la notion de cellule de commutation

Reprenons la cellule de commutation comme définit sur la Figure 1.38. Les
trois potentiels qui définissent la cellule sont supposés constants. L’inductance
L peut être vue comme la mise en parallèle de deux inductances. A chaque ex-
trémités des deux inductances, le potentiel E − S est imposé par la structure :
Figure 1.43. La relation (1.15) est toujours vérifiée : S = d E .
Ce schéma peut être ensuite utilisé pour aboutir à de nouvelles structures de
convertisseurs DC-DC plus complexes. Nous allons voir que deux d’entre elles
sont connues dans la pratique car elles présentent un intérêt autre que pédago-
gique.
32
Charge
id id
+
vd D S vd D vs
ik ik
ve +
E-S E-S ve
K vk K vk
Source
D
ik
ve +
K vk vs
+
ve
ve D
+
ik
ve +
K vk vs
F IGURE 1.44 – Structure SEPIC.
Strucuture SEPIC La structure Single Ended Primary Inductor Converter (SE-

PIC) est décrite sur la Figure 1.44. La relation de base est la suivante :
d
vs = ve (1.20)
1−d
On note que l’interrupteur est référencé par rapport à la masse, la mise en
œuvre sera donc facilitée de ce point de vue (contrairement à la structure in-
verseur par exemple). Une inductance est en série avec la tension d’entrée, le
courant d’entrée n’est donc pas discontinu comme sur la structure abaisseur
par exemple.
Structure de Cuk La structure de Cuk est décrite sur la Figure 1.45. La relation
de base est la suivante :
d
vs = ve (1.21)
1−d
De la même manière que sur la structure SEPIC, la structure de Cuk a les
mêmes propriétés : interrupteur référencé par rapport à la masse et une induc-
33
Charge
id id
+
vd D S vd D vs
ve+vs
+
E
ik ik
ve
K vk E-S K vk
Source
ik
ve
vs
K vk D
+
ve+vs
+
ve+vs
+
ik
ve
vs
K vk D
+
F IGURE 1.45 – Structure de Cuk.
tance en série avec la tension d’entrée. On remarque que la tension de sortie v s

a une polarité inversée par rapport à la tension v e .
1.2.4 Insertion d’une isolation galvanique par transformateur magné-

tique
La nécessité d’introduire un transformateur magnétique dans les conver-
tisseurs continu-continu vient souvent de la contrainte d’isolation galvanique
entre la source de la charge. Mais, il ne faut pas oublier qu’une deuxième rai-
son peut entrer en compte : lorsque les rapports entre tensions d’entrée et de
sortie sont trop importants, il est nécessaire d’utiliser un transformateur ma-
gnétique afin de ne pas faire travailler les structures avec des rapports cycliques
proches de zéro ou de un. Pour les rapports cycliques trop proches de zéro, les
semiconducteurs seront mal utilisés, les courants crêtes élevés dans les induc-
tances vont engendrer des pertes très élevées. Pour les valeurs proches de un,
pour les structures comme l’élévateur, l’inverseur, SEPIC et Cuk, le rapport de
transformation v s /v e tend théoriquement vers +∞. Or, dans la pratique, les im-
perfections des différents composants (principalement les résistances série des
34
i'1 i1 i2
m
iL
v1 L v2
F IGURE 1.46 – Modèle simplifié d’un transformateur magnétique.
inductances) font que le rapport de transformation tend vers 0 quand le rapport

cyclique tend vers 1.
Afin de bien comprendre la méthode générale permettant d’insérer un trans-
formateur magnétique dans une structure de conversion continu-continu, re-
prenons la modélisation d’un transformateur. Dans un premier temps, nous le
modélisons par une inductance de magnétisation et un transformateur parfait
(Figure 1.46) ayant les propriétés suivantes :
v2 = m v1 (1.22)
i 1 = −m i 2 (1.23)
0
i1 = i1 + iL (1.24)
d iL
v1 = L (1.25)
dt
Le courant de magnétisation i L modélise l’interaction entre l’induction ma-
gnétique créée dans le matériau magnétique et la tension aux bornes du pri-
maire (ou du secondaire) du transformateur. La réalité physique nous impose
de faire fonctionner les matériaux magnétiques à des inductions finies et infé-
rieures à des valeurs dépendantes du type des matériaux (saturation des ma-
tériaux magnétiques). C’est à dire que la valeur moyenne sur une période de
découpage T de la tension v 1 (ou v 2 ) doit être nulle en régime établi. Cette pro-
priété constitue la contrainte de base pour l’insertion des transformateurs ma-
gnétiques dans les convertisseurs de puissance.
Structure flyback Reprenons le schéma de base de la structure de l’inverseur

de la Figure 1.41. La valeur moyenne de la tension v L est nulle sur une période de
découpage. L’inductance L peut être remplacée par le schéma équivalent d’un
transformateur comme sur la Figure 1.46. Dans ce cas, l’inductance magnéti-
sante du transformateur sert à accumuler de l’énergie quand l’interrupteur est
fermé (et la diode ouverte) et à restituer (partiellement ou entièrement) cette
énergie quand l’interrupteur est ouvert et la diode passante. Cette structure est
dite à accumulation inductive. Cette structure est plus connue sous le nom de
structure flyback.
35
K D
m
ve R
L C vs
+
D
m
+ R
L C vs
ve
F IGURE 1.47 – Schéma de base de la structure flyback.
ve D
+
ik
ve +
K vk vs
F IGURE 1.48 – Schéma de base de la structure SEPIC avec transformateur ma-

gnétique.
Structures SEPIC et Cuk L’insertion d’un transformateur dans la structure SE-

PIC se fait naturellement, comme sur la structure inverseur. Sur la Figure 1.48, la
deuxième inductance est remplacée par le modèle de transformateur.
Pour la structure de Cuk, le raisonnement est plus complexe. Sur la base de
la cellule de commutation avec deux inductances, nous en ajoutons une troi-
sième. Ensuite, le transformateur magnétique est inséré à la place de cette troi-
sième inductance. On remarque que la structure de Cuk avec transformateur
magnétique est plus complexe et met en jeu plus de composants passifs que la
structure SEPIC.
Cas particulier de la structure abaisseur Le convertisseur abaisseur est décrit

sur la Figure 1.37. Pour insérer un transformateur entre la source et la charge, la
seule possibilité est de le placer au niveau de la diode sachant que la tension à
ses bornes n’a pas une valeur moyenne nulle (Figure 1.50). Lorsque l’interrup-
teur est fermé, le courant magnétisant augmente et lorsque l’interrupteur est
ouvert, la diode est passante et le courant magnétisant reste constant. De ce fait,
36
Charge
id
+ +
id vd D vs
+
+ vd D vs
ik ik
+ ve ve
+
K vk K
Source
+ vk
ik +
ve vs
K vk D
+
F IGURE 1.49 – Schéma de base de la structure de Cuk avec transformateur ma-

gnétique.
le courant magnétisant ne cesse d’augmenter à chaque fois que l’interrupteur

est fermé. Donc, pour démagnétiser le transformateur, une solution consiste
à isoler la partie au secondaire par une diode (D 2 ) en série entre la diode D
et le secondaire du transformateur. La démagnétisation du matériau se fait à
l’aide d’un troisième enroulement (n 3 ) connecté au niveau du primaire et de la
source de tension v e et à l’aide d’une diode D 3 permettant la circulation du cou-
rant dans l’enroulement n 3 seulement quand l’interrupteur K est ouvert (Figure
1.51). Cette structure est plus connue sous le nom de forward.
D’autres solutions permettant la démagnétisation sont possibles. Pour plus
de détail, se reporter à [Sad02].
1.2.5 Synthèse sur les structures de base DC-DC à commutations dures

Dans cette section, nous venons de voir une méthode générale qui permet
de retrouver les schémas des convertisseurs les plus classiques. La notion de
cellule de commutation est introduite pour être généralisée au cas des conver-
tisseurs complexes (SEPIC et Cuk) et à l’insertion de transformateur magnétique
(pour aboutir aux convertisseurs flyback et forward par exemple).
Cette section constitue la base de la compréhension des convertisseurs DC-
DC avec et sans transformateur magnétique qui permet d’aborder le problème
du dimensionnement et de la conception de ces derniers.
Notons également que la notion de cellule de commutation est intéressante
pour expliquer le fonctionnement des onduleurs de tension à deux niveaux à
commutations dures : Section 1.1.5 page 18.
37
m
iLm id
Lm vd D vs
vL
ve
ik L iL
K vk
F IGURE 1.50 – Convertisseur abaisseur avec insertion d’un transformateur ma-

gnétique.
D2 L
id
D3
n1 n2 vd D vs
ve
n3 ik
vk
K
F IGURE 1.51 – Convertisseur abaisseur avec insertion d’un transformateur ma-

gnétique et démagnétisation à l’aide d’un troisième enroulement : structure for-
ward.
38
1.3 Principes de base des commutations douces et convertisseurs associés
id
D vd io
ve
ids
vds
vgs
F IGURE 1.52 – Convertisseur abaisseur à commutations dures.
1.3 Principes de base des commutations douces et conver-

tisseurs associés
1.3.1 Mécanismes des pertes lors des commutations des interrupteurs
de puissance
Le principe de commutations douces est opposé à celui des commutations
dures. Sur la Figure 1.52, on reprend la structure classique du convertisseur abais-
seur. Sur la Figure 1.53 sont tracés les chronogrammes simplifiés des grandeurs
v d , i d , v d s et i d s . Intrinsèquement, on a les propriétés suivantes :
ve = vd + vd s (1.26)
io = id + id s (1.27)
De ce fait, on remarque que la puissance instantannée p(t ) n’est pas seule-
ment liée à la nature technologique de l’interrupteur : quelque soit l’interrup-
teur choisi, il y a naissance de pertes dites en commutation. Ainsi, afin de di-
minuer ces pertes, on peut augmenter la vitesse de commutation des interrup-
teurs (cette solution a bien évidement des limites physiques) ou bien modifier
la topologie du convertisseur pour modifier la nature des commutations. Cette
dernière option nous permet d’introduire la notion de commutations douces.
1.3.2 Commutations à zéro de courant

Sur la Figure 1.52, dans le cas de la commutation dure, lors de la fermeture de
l’interrupteur, le gradient de courant i d s est imposé par l’interrupteur lui-même
39
vds
ve
t
ids
io
t
vd
ve
t
id
io
t
p =ids (t) vds(t)
F IGURE 1.53 – Chronogrammes du convertisseur abaisseur à commutations

dures
40
id
D vd io
ve
l
c
d
ids
vds
vgs
F IGURE 1.54 – Convertisseur abaisseur à commutations douces à quasi-

résonance en courant.
mais également la diode et les éléments parasites. Pour diminuer les pertes à
la fermeture, il faudrait “ralentir” la montée du courant lors de la décroissance
de la tension v d s . Cela est possible si l’on ajoute une inductance en série avec
l’interrupteur comme sur la Figure 1.54. On note également la présence de deux
nouveaux composants : la diode d et le condensateur c.
Lors de la fermeture de l’interrupteur, lorsque la diode D est passante, puis
ensuite bloquée, on obtient les formes d’ondes suivantes : Figure 1.55. Ce mode
de fonctionnement est dit “quasi-résonant” en courant.
A la mise en conduction de l’interrupteur, le gradient de courant dans l’in-
terrupteur est contrôlé par v e et l : phase 1. Ensuite, phase 2, lorsque la diode D
est bloquée, le circuit (l , c) devient oscillant. La diode d se bloque (phase 3) et le
condensateur c se charge à courant constant jusqu’à ce que la diode D se mette
en conduction : la configuration est revenue au point de départ.
1.3.3 Commutation à zéro de tension

Sur le même principe que pour la commutation à zéro de courant, on in-
troduit la notion de commutation à zéro de tension. Ceci est possible en plaçant
un condensateur c en parallèle avec l’interrupteur, une diode d en anti-parallèle
puis une inductance l en série qui permet de réaliser la résonance du circuit
(l , c) : Figure 1.56. Sur cette topologie, c’est à l’ouverture que le gradient de ten-
sion est contrôlé et limité comme le montre la Figre 1.57.
41
vds
ve
io/c
t
ids
io
ve/l
t
id
io
t
Phase 0 Phase 1 Phase 2 Phase 3

douces à quasi-résonance en courant
42
id
D vd io
ve
l
ids
vds c
vgs d
F IGURE 1.56 – Convertisseur abaisseur à commutations douces à quasi-

résonance en tension.
43
vds
ve
io/c
t
ids
io
ve/l
t
vd
ve
t
Phase 0 Phase 1 Phase 2 Phase 3 Phase 4

douces à quasi-résonance en tension
44
1.4 Conclusion de chapitre

Dans ce premier chapitre, nous venons de voir une classification des conver-
tisseurs en électronique de puissance avec ses quatre grandes familles de conver-
sion. Ensuite, une attention particulière est portée sur les convertisseurs DC-DC
avec l’introduction de la notion de cellule de commutation qui permet de trou-
ver et de définir tous les convertisseurs DC-DC. L’utilisation de transformateurs
magnétiques est également introduit en fin de la deuxième section. Pour finir,
quelques notions sur les commutations douces sont introduites sur la base du
convertisseur abaisseur.
45
Chapitre 2
Les composants de l’électronique

de puissance. Classifications et
fonctionnements
Ce deuxième chapitre permet au lecteur d’avoir un aperçu des composants

indispensables au fonctionnement des convertisseurs à découpage. Ainsi, les com-
posants semiconducteurs de type diode, MOSFET et IGBT sont décrits à l’aide
d’une première analyse qualitative physique puis avec une esquisse de modéli-
sation utile au dimensionnement. Ensuite, quelques considérations sur le “pa-
ckaging” de ces composants permet de mieux comprendre leur fonctionnement
au sein d’un convertisseur. En effet, les imperfections liées à la mise en boitier en-
gendre des phénomènes électriques et thermiques qu’il faut absolument appré-
hender. Pour finir, une description détaillée des circuits de commande des IGBT
(communément appelés circuit “driver”) permet de faire le lien entre les aspects
purement théoriques de ce type de composant et la mise en pratique de leur utili-
sation : en effet, ces circuits de commande font partie intégrante des convertisseurs
mais sont souvent perçus comme des fonctions de second rang sans importance.
2.1 Classification
Les convertisseurs de puissance utilisent différents types de composants.
Les plus connus sont les interrupteurs (à commutations commandées, spon-
tannées et mixtes) ; les condensateurs ; les inductances ; les transformateurs ma-
gnétiques et piezoélectriques ; les résistances ; les super-condensateurs ; les ac-
cumulateurs ; les éléments de connectique conducteurs (circuit imprimé, bus-
barre, câble, etc.) ; les éléments de connectique isolants électriques ; les dissipa-
teurs de chaleur (dissipateur à ailettes, plaque à eau, caloduc, ventilateur, etc.) ;
etc.
Ici, nous développons le fonctionnement des principaux interrupteurs à base
de matériaux semiconducteurs (diode, MOSFET, IGBT). Des informations sur le
46
2.2 La diode de puissance
id
id
D vd vBR
vd
F IGURE 2.1 – Schéma d’une diode et lieu de fonctionnement idéalisé.
id anode
id P
D vd vd
N
cathode
F IGURE 2.2 – Coupe d’une diode de signal.
packaging sont proposés afin de mieux comprendre le fonctionnement statique

et surtout dynamique des interrupteurs. Ensuite, les fonctions de “commande
rapprochée” sont analysées tant au niveau théorique que technologique et pra-
tique. En effet, ces fonctions font partie intégrante des interrupteurs de puis-
sance commandés.

2.2.1 Diode PIN
Le composant “diode” fait partie des interrupteurs à commutation spontan-
née, c’est à dire que son état (passante ou bloquée) dépend uniquement du cir-
cuit extérieur [FF99]. Sur la Figure 2.1, on rappelle le schéma d’une diode et son
lieu de fonctionnement dans le plan (courant i d , tension v d ). La tension v B R est
dite tension de claquage inverse. Au dela de cette tension, la diode est détruite
par avalanche.
Pour rappel, les diodes dites “de signal” sont un empilement de deux couches
semiconductrices : P et N . Sur la Figure 2.2 est donnée la coupe d’une diode de
signal.
Les diodes dites “de puissance” sont un empilement de trois couches afin
d’obtenir des propriétés de tenue en tension (v B R ) pouvant aller jusqu’à quelques
k-Volts en technologie silicium. On appelle ces diodes de type “PIN”, “I” voulant
dire intrinsèque, c’est à dire que cette couche est faiblement dopée par rapport
à la couche “N” : Figure 2.3.
De manière qualitative, la tenue en tension inverse est obtenue à l’aide de
47
id anode
P
id
D vd WI I vd
N
cathode
F IGURE 2.3 – Coupe d’une diode de puissance de type PIN.
id anode
id id1 trr
P
i0
D vd WI I vd
t
N irr
Qrr
cathode t1
F IGURE 2.4 – Formes d’onde à l’extinction d’une diode de type PIN, mise en évi-
dence du phénomène de recouvrement.
l’épaisseur W I de la zone intrinsèque “I”. Plus cette couche est épaisse plus la
tension de claquage inverse v B R est élevée. L’inconvénient est que la résistance
à l’état passant augmente si W I augmente. C’est pourquoi la couche P + est for-
tement dopée afin d’injecter une forte proportion de trous dans la zone “I” afin
de faire chuter sa résistance. La zone “I” passe alors en régime de forte injec-
tion [Bal08] [PLA+ 04]. Ce type de diode est dite bipolaire car les deux types de
porteurs (électrons et trous) participent au courant électrique. De ce fait, lors
de l’extinction (spontanée) du courant, les deux types de porteurs sont présents
dans la zone “I” et se produit le phénomène de recouvrement. Le temps de re-
combinaison des trous dans la zone “I” est plus élevé que celui des électrons
dans cette même zone : on parle de porteurs majoritaires (électrons dans la zone
“I”) et de porteurs minoritaires (trous dans la zone “I”) [Bal08]. Lorsque le cou-
rant électrique i d varie rapidement et tend vers zéro, le phénomène de recouvre-
ment dû à la présence de trous dans la couche “I” fait que le courant i d devient
négatif pendant un court instant puis, lorsque la recombinaison des porteurs
minoritaires est terminée, la diode retrouve son pouvoir de blocage. Afin de cla-
rifier ce phénomène transitoire rapide, sur la Figure 2.4 est représenté le courant
d’une diode de type PIN lors du blocage.
On définit alors Q r r la charge recouvrée, i r r le courant de recouvrement et
t r r le temps de recouvrement. Cette charge engendre des pertes supplémen-
taires à chaque commutations dans la diode mais également éventuellement
dans d’autres interrupteurs au sein du convertisseur. Par exemple, sur la Figure
2.5, on montre que ce phénomène engendre une surintensité dans l’interrup-
48
vbus
id1 trr
ic1 i0
D1
vd1
t
i0 irr
id1
t1
ic2 ic2
D2
vd2 irr
i0
id2
t
F IGURE 2.5 – Formes d’onde et impact du phénomène de recouvrement sur un

bras d’onduleur.
id anode
id Métal
D vd N vd
N+
cathode
F IGURE 2.6 – Coupe d’une diode de puissance de type Schottky.
teur commandé complémentaire sur un bras d’onduleur.
2.2.2 Diode Schottky

La famille des diodes Schottky permet d’avoir un phénomène de recouvre-
ment très faible, voire négligeable. Ces diodes sont dites unipolaires, elles uti-
lisent uniquement la mise en mouvement d’un seul type de porteur : il n’y a plus
de porteur minoritaire. Sur la Figure 2.6 est représentée le schéma et la coupe
d’une diode Schottky.
L’inconvénient majeur des diodes de type Schottky est leur faible tenue en
tension inverse v B R . En effet, avec le matériau semiconducteur silicium (Si), la
tenue en tension espérée ne dépasse pas 200V. Cependant, l’apparition de ma-
tériaux semiconducteurs à “grand gap” tels que le carbure de silicium (SiC), l’ar-
séniure de gallium (AsGa) et le nitrure de gallium (GaN) permet de réaliser des
diodes Schottky pouvant tenir jusqu’à 1.2kV [Bal96].
49
2.3 Le MOSFET de puissance
Grille (gate)
Métal
Oxyde SiO2
vGB
Semiconducteur P
Métal
Substrat (bulk)
F IGURE 2.7 – Coupe d’une structure MOS.

Le composant MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transis-
tor) appartient à la famille des interrupteurs à commutations commandées. Afin
d’expliquer son fonctionnement, la structure MOS (Metal Oxyde Semiconduc-
tor) est abordée pour aboutir à la structure MOSFET latéral utilisée en micro-
électronique “de signal”. Ensuite la structure MOSFET de puissance à canal ho-
rizontal et courant vertical est présentée pour des composants de puissance.
2.3.1 La structure MOS

La structure MOS est constituée d’un empilement de quatre couches de ma-
tériaux : Métal - Oxyde - Semiconducteur - Métal. Sur la Figure 2.7 est représenté
la coupe d’une structure MOS à semiconducteur de type P . La métalisation du
côté de l’oxyde est appelée Grille (Gate) et celle du côté semiconducteur Substrat
(Bulk).
Lorque l’on applique une tension positive vGB , les trous et les électrons de
valence présents dans le semiconducteur dopé P migrent dans deux régions :
vers l’oxyde pour les électrons et vers le substrat pour les trous. Plus la tension
vGB augmente, plus l’accumulation d’électrons à la frontière de l’oxyde est forte.
Quand une couche d’électrons est suffisament importante dans cette frontière,
on dit qu’il y a création d’un canal d’électrons. Sur la Figure 2.8, on montre la
création du champ électrique E et les forces crées sur les charges dans la couche
P.
De manière un peu moins qualitative, on parle de régime d’accumulation
quand vGB < v F B . v F B est la tension Flat Band de la structure MOS [Bal08]. Le ré-
gime de dépletion est définit pour v F B < vGB < v t h . v t h est la tension de seuil de
la structure MOS. Elle dépend de la concentration d’atome accepteur N A prin-
50
Grille (gate)
Métal
SiO2
E
F=qE
tr+ vGB
P
e-
F=qE
Métal
Substrat (bulk)
F IGURE 2.8 – Création de forces électrostatiques avec l’application d’une tension

vGB .
vGB < v F B v F B < vGB < v T H vGB > v T H

Accumulation Déplétion Faible et forte inversion
TABLE 2.1 – Récapitulatif des états de la structure MOS en fonction de la tension

vGB .
cipalement. Pour plus de détails, se reporter à [Bal08] page 277 et [But04] page
11. Ensuite, pour vGB > v t h , on parle de régimes de faible et forte “inversion” :
Tableau 2.1.
2.3.2 Le MOSFET latéral

La structure simplifée d’un MOSFET latéral est donné Figure 2.9. On note la
Source et le Drain les deux connexions métalliques sur les ilots N + . On remarque
la structure MOS étudiée précédement entre la Grille et le Substrat.
Dans le cas où la structure MOS est en régime d’inversion (vGB > v T H ) et que
les potentiels de Drain de et Source ne sont pas connectés à un circuit extérieur,
on peut assimiler la région du canal à une résistance R ch ([Bal08] page 287 et
[But04] page 13) :
L
R ch = (2.1)
W µns Q n
avec,
– L : longueur du canal
– W : largeur du canal
– µns : mobilité de surface des électrons
51
Grille (gate)
Source Drain
SiO2
N+ N+
P-
Zone de création du canal
Substrat (bulk)
F IGURE 2.9 – Coupe d’une cellule MOSFET latéral.
Grille (gate)
Source Drain
SiO2
N+ N+
vc(x) dx dQn
x L
P-
Substrat (bulk)
F IGURE 2.10 – Coupe d’une cellule MOSFET latéral, mise en évidence de l’in-
fluence de v DS sur la répartition des charges dans le canal.
– Q n : charge disponible pour participer à la circulation d’un courant élec-

tronique
Dès que l’on applique une tension extérieure v DS , la répartition des charges
dans le canal est impactée. Afin d’obtenir l’expression de i D en fonction de vGB
et v DS , on considère v c (x) la différence de potentiel entre le point d’absisse x et
l’ilot N + de la source : Figure 2.10. On considère désormais que les potentiels de
Source et de Substrat sont connectés.
On définit un volume élémentaire de surface W d x de chute de tension d v c .
Ce volume englobe une charge dQ n . On exprime d R la résistance de ce volume :
dx
dR = s (2.2)
µns C ox W (vGS − v T H − v c (x))
s
avec, C ox la capacité surfacique.
52
Grille (gate)
Source Drain
SiO2
N+ N+
P-
Substrat (bulk)
F IGURE 2.11 – Mise en évidence du phénomène de pincement du canal.
L’équation (2.2) donne :
d vc = d R iD
Z L Z v DS
s
iD d x = µns C ox W (vGS − v T H − v c (x)) d v c
0 0
v d2 s
Ã !
s
µns C ox W
iD = (vGS − v T H ) v DS − (2.3)
L 2
L’équation (2.3) est valide pour vGS − v T H < v DS . Pour la condition vGS −
v T H > v DS , il se produit le phénomène de pincement du canal : Figure 2.11. Le
MOSFET passe en régime de saturation de courant, i D n’augmente plus avec
l’augmentation de v DS :
s
µns C ox W
iD = (vGS − v T H )2 (2.4)
2L
En résumé, le MOSFET latéral a deux zones de fonctionnement : linéaire et
saturé. Sur la Figure 2.12, on trace les courbes i D = f (v DS ) paramétrés par la
tension vGS . Les deux équations propres aux deux régimes de fonctionnement
sont :
Zone linéaire, vGS − v T H < v DS :
v d2 s
Ã !
s
µns C ox W
iD = (vGS − v T H ) v DS − (2.5)
L 2
Zone saturée, vGS − v T H > v DS :

s
µns C ox W
iD = (vGS − v T H )2 (2.6)
2L
53
iD
Régime Régime saturé
linéaire
vGS
vDS
F IGURE 2.12 – Courbes de fonctionnement d’un MOSFET latéral en régime sta-

tique.
Grille (gate) Grille (gate)

Source Drain Source Source
SiO2 SiO2
N+ N+ N+ N+
P P
L P+ P+
Zones de création
du canal
P- Zone de création
du canal N-
Substrat (bulk) Drain
(a). Canal et courant horizontaux (b). Canal horizontal et courant vertical
F IGURE 2.13 – Structures MOSFET latérale et verticale. Mise en évidence du cou-

rant “vertical” et du canal “horizontal” du MOSFET de puissance.
2.3.3 Le MOSFET à canal horizontal et courant vertical

Cette structure MOSFET est spécialement développée pour réaliser des in-
terrupteurs de puissance : avoir une forte densité de courant en conduction et
une tension d’avalanche importante à l’état bloqué. En effet, le structure MOS-
FET latérale ne permet pas d’avoit ces propriétés : le potentiel de Grille est trop
proche du Drain et la surface proposée pour le passage du courant est faible.
En partant de la structure latérale (avec le potentiel de Substrat relié à la
Source), le potentiel de Drain est positionné sur la “face arrière” du composant
au lieu d’être sur la même ligne horizontale que le potentiel de Source : Figure
2.13.
La mise en équation du canal est identique à la structure latérale. Cepen-
dant, pour le MOSFET à structure verticale, les différentes couches traversées
par le courant électronique vont induire une succession de résistances addition-
nelles. Classiquement, on identifie six résistances sur le parcours du courant :
Figure 2.14.
A l’aide de quelques principes physiques simples, quelques explications peuvent
être apportées :
54
Grille (gate)
Source Source
SiO2
R
S N+
R
CH P
R
A
P+
R
JFET
R
V
N-
R
D
Drain
F IGURE 2.14 – Mise en évidence des différentes résistances d’une structure MOS-
FET verticale.
– R S : forte proportion de la résistance totale ; est due aux bondings (connexions

métalliques) entre la puce silicium et le boitier externe.
– R D : faible proportion de la résistance totale car la puce silicium est direc-
tement brasée sur la semelle en cuivre.
– R A : zone de rupture de cheminement du courant vertical et horizontal
(zone d’accumulation) ; diminue si on rapproche les cellules.
– R J F E T : zone d’extension de la charge d’espace de la jonction P + N − côté
N − (Figure 2.15) ; effet d’étranglement de la section effective ; diminue si
on éloigne les cellules.
– RV : zone de faible dopage N − ; cette zone permet d’assurer la tenue en
tension v B R ; si l’épaisseur de cette zone augmente, v B R augmente et RV
également.
– RC H : dans la zone linéaire (faible v DS ) ; diminue si L diminue et si W (pro-
fondeur de la cellule) augmente.
Lorsque le courant i D tend à être négatif (cas d’un bras d’onduleur sur charge
inductive par exemple), le courant continue à passer au sein de la structure
MOSFET mais le mode de fonctionnement n’est plus le même. En effet, sur la
Figure 2.16, on note la présence d’une diode intrinsèque PIN. Elle peut être uti-
lisée comme diode de roue libre. Mais, à cause de sa nature bipolaire (structure
PIN), elle présente un phénomène de recouvrement (cf paragraphe 2.2.1). Il peut
être atténué grâce à des techniques d’irradiation électronique et de dopage or ou
platine de la couche N − mais a pour inconvénient d’augmenter la résistance à
l’état passant R DSon .
En complément des effets résistifs des cellules MOSFET, elles présentent
55
Grille (gate)
Source Source
SiO2
N+ N+
P P
P+ P+
R
JFET
N- Extension des zones

de charge d'espace
Drain
F IGURE 2.15 – Mise en évidence de l’effet JFET par l’extension des zones de
charge d’espace.
Grille (gate)
Source Source
SiO2
N+ N+ iD
P P
P+ P+
vDS
vGS
N-
Drain
F IGURE 2.16 – Mise en évidence de la diode intrinsèque d’une cellule MOSFET

de puissance.
56
Coxm Grille (gate)
Source Source
CoxP SiO2
CoxN+ CGD N+
P P
P+ P+
CDS
N-
Drain
F IGURE 2.17 – Mise en évidence des capacités intrinsèques d’une cellule MOS-
FET de puissance.
des comportements capacitifs qui sont essentiels à appréhender pour étudier

le fonctionnement en régime de commutation. Sur la Figure 2.17, on identifie
plusieurs capacités intrinsèques sur une cellule MOSFET.
– C oxm , C oxP & C oxN + : la zone de charge d’espace ne s’étend pas trop dans
les couches N + et P , ces capacités sont constantes et dépendent princi-
palement des surfaces en regard et des épaisseurs d’isolants.
– CGD : dépend fortement de la répartition de la zone de charge d’espace
(dépend de vGD : Figure 2.18). Plus vGD augmente, plus CGD diminue.
– C DS : dépend également de l’extension de la zone de charge d’espace (Fi-
gure 2.18).
Les effets capacitifs peuvent se résumer à la prise en compte de trois capaci-
tés équivalentes : CGS , CGD & C DS (Figure 2.19). Seule CGS est constante, CGD &
C DS dépendent des tensions appliquées sur la cellule ce qui va avoir des réper-
cussions importantes sur les commutations.
Le deuxième aspect ayant un impact important sur le comportement dyna-
mique des MOSFET de puissance est la répercussion du cablâge vis à vis des
effets inductifs. Entre la puce MOSFET et les bornes extérieures du boitier, les
connections métalliques peuvent être modélisées par des inductances propres
et mutuelles. Prenons l’exemple d’un boitier D2P AK où l’on remarque que la
connexions de source extérieure est connectée au potentiel de source de la puce
à l’aide de fils d’aluminun appelé “bondings” (de même pour la connection de
la grille) : Figure 2.20 [But04].
De manière synthétique, on peut alors représenter la pluspart des boitiers de
MOSFET de puissance de la manière suivante vis à vis des éléments inductifs :
Figure 2.21.
57
Grille (gate)
Source Source
SiO2
N+ CoxD P N+
P
P+ P+
CDS CGDj
N- Extension des zones

de charge d'espace
Drain
F IGURE 2.18 – Mise en évidence de la dépendance de CGD avec la tension vGD

via l’extension de la zone de charge d’espace.
Source Grille (gate)

CGS Source
SiO2 iD
N+ N+ CGD
P P
P+ CGD P+
CGS vDS
CDS CDS
vGS
N-
Drain
F IGURE 2.19 – Résumé des différentes capacités mises en évidence sur les cel-
lules MOSFET de puissance.
Fils d'aluminium (bondings)

Semelle de cuivre (drain) Connection de source
Connection de grille
F IGURE 2.20 – Exemple de connectique de boitier de MOSFET de puissance

[But04].
58
Connexions iD
du boitier
L3
M13
iG
L1
iG+iD vDS
vGS
L5
L2
L4
F IGURE 2.21 – Modélisation des éléments inductifs d’un module MOSFET.
Les inductances propres {L 1 , ... , L 5 } sont les éléments modélisant les effets
“d’inductances propres” ; les termes { M 12 , ... , M 45 } modélisent les couplages.
Dans certaines configurations, les effets de couplage peuvent avoir des effets
non-négligeables notamment quand il s’agit d’interactions entre le circuit de
commande et le circuit de puissance : {L 1 , L 3 , M 13 } [Lef05].
On définit M la matrice d’inductance :
 
L 1 M 12 M 13 M 14 M 15

 L 2 M 23 M 24 M 25  
M= L 3 M 34 M 35 
 
 
 L 4 M 45 
L5
avec, M = Mt .
De plus, quelques compléments doivent être donnés sur l’influence de la
température de fonctionnement des composants MOSFET en régime statique.
En effet, les propriétés des matériaux semiconducteurs sont dépendantes de la
température. Des caractéristiques en température de MOSFET montrent que la
résistance R DSon à l’état passant augmente avec la température : Figure 2.22
[But04].
Les éléments inductifs et capacitifs sont très peu impactés par la tempéra-
ture de fonctionnement. En effet, on admet que les surfaces en regard pour les
capacités et les formes géométriques des connections métalliques pour les in-
ductances sont peu influées par la température.
Pour finir, une amélioration du modèle analytique du comportement sta-
tique de la puce MOSFET est proposée. Les équations (2.5) et (2.6) modélisent le
59
500
450 Vgs=18V
400
350
Courant de drain (A)
300
Vgs=8V
250
200 175°C
150°C
150
120°C
100 80°C
50°C
50
30°C
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
Tension drain source (V)
F IGURE 2.22 – Caractéristique statique du MOSFET STB210NF02 (120A, 20V) en

fonction de la température. Mise en évidence de l’augmentation de R DSon avec
l’augmentation de la température [But04].
comportement statique des puces MOSFET : i D = f (vGS , v DS ). Afin de complé-

ter cette modélisation, plusieurs coefficients sont ajoutés afin de représenter au
mieux le fonctionnement réel des puces. On définit K pl i n , K psat , θ, v T et σ :
– θ : modélise l’influence de la tension v DS sur la baisse de mobilité dans le
canal.
– K pl i n , K psat : dans les Equations (2.5) et (2.6), le terme K p n’est pas homo-
gène en fonction du mode de conduction linéaire ou saturé.
– v T , σ : modélisent l’effet de v DS sur v T H .


 0 Pour VGS < Vt h





 K pl i n
2
((VGS −Vt h ) VDS − 2 K VDS )

psat K pl i n
ID = K pl i n Pour VDS < (VGS − Vt h ) (2.7)
 1+θ (VGS −Vt h ) K psat






 K psat (VGS −Vt h )2 K pl i n
Pour VDS > (VGS − Vt h )

2 (1+θ (VGS −Vt h )) K psat
avec,
s
µns C ox W
Kp = Transconductance (2.8)
L
et,
Vt h = VT − σ VDS (2.9)
60
2.4 L’IGBT
10.0
1.0
Résistance spécifique (Ω.cm−2)
100.0 m
10.0 m
1.0 m
MOS idéal
MOS idéal avec une résistance de câblage de 500 µΩ
MOS commercialisés (résistance spécifique estimée)
100.0 u
10 V 100 V 1 kV
Tension de claquage (V)
F IGURE 2.23 – Mise en évidence de la dépendance entre v B R et R DSon pour la

technologie MOSFET [But04].
2.4 L’IGBT
2.4.1 La structure de l’IGBT
L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est née du constat que le compo-
sant MOSFET est limité quant aux applications haute tension [Lef05] [But04].
Ceci à cause du compromis d’epaisseur minimale de la zone N − faiblement do-
pée qui permet de tenir la tension au blocage mais qui présente une certaine
résistance : voir paragraphe 2.3.3 sur le MOSFET vertical. La Figure 2.23 illustre
cette problématique de compromis entre la tenue en tension au blocage et la
résistance R DSon des composants MOSFET [But04].
En première approche, l’IGBT peut être considéré comme un MOSFET ver-
tical où une couche P + est ajoutée au niveau de la face arrière de la connection
du drain. On parle alors de potentiels de collecteur (drain) et d’émetteur (source)
pour l’IGBT : Figure 2.24.
La couche fortement dopée P + côté collecteur permet d’injecter des trous
t r + dans la zone N − lors de la conduction du dispositif. Cette zone passe alors
en régime de forte injection, c’est à dire que la concentration de trous n’est pas
négligeable par rapport à la concentration d’électrons considérés comme por-
teurs majoritaires dans cette zone N − . En conséquence, en conduction, la zone
N − (qui permet de tenir la tension au blocage) est moins résistive que celle du
MOSFET équivalent car la conduction dans l’IGBT est assurée par les deux types
de porteurs : l’IGBT est bien un composant “bipolaire”.
Cependant, à l’ouverture du dispositif, lors de la décroissance de la tension
61
2.4 L’IGBT
Grille
Émetteur Émetteur
SiO2
N+ N+
P P
P+ P+
N-
P+
Collecteur
F IGURE 2.24 – Coupe d’une cellule IGBT
vGE , le canal disparait rapidement mais la forte concentration de trous de la

zone N − met un temps important pour se recombiner : ce sont des porteurs mi-
noritaires. A niveau du courant collecteur i C , qui est égal au courant d’électrons
plus le courant de trous, lors du blocage, on observe une décroissance très ra-
pide de i C puis une phase lente pour finir : cette dernière s’appelle “queue de
courant” (current tail) et est une des caractéristiques très marquante des IGBT :
Figure 2.25.
2.4.2 Fonctionnement simplifié de l’IGBT

Lors de la conduction, on remarque que le courant total est l’ajout du cou-
rant électronique passant par le canal et le courant de trous passant directe-
ment par l’empilement des couches P + N − P + (du collecteur vers l’émetteur).
Globalement, le courant total i C engendre une chute de tension en passant par
la jonction P + N − (côté collecteur) et la résistance totale due aux différents phé-
nomènes résistifs expliqués pour le MOSFET. Sur la Figure 2.26, on résume le
fonctionnement bipolaire d’une cellule IGBT. Une analyse un peu plus fine nous
amène à considérer cette cellule comme l’association de plusieurs composants
élémentaires : transistor JFET, bipolaire NPN, MOSFET, résistance. En effet, l’em-
pilement P + N − P + (du collecteur vers l’émetteur) est considéré comme un tran-
sistor bipolaire PNP, l’empilement N − P + N + (N + côté collecteur) comme un
transistor NPN, et les deux cellules adjacentes avec le phénomène d’extension
de zone de charge d’espace comme un transistor JFET : Figure 2.27.
Une analyse du schéma équivalent proposée Figure 2.27 permet d’identifier
une structure thyristor parasite : les deux transistors PNP et NPN, et la résistance
R b . Le risque est un verrouillage de cette structure si le courant dans R b est trop
62
2.4 L’IGBT
ic(t), vce(t)
Lcab
vD vce(t)
L vbus
vbus I0 iD
I0
vCG iC
Rg ic(t)
ig
vCE
Iqueue
vg vGE Vcesat
T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 t
vge(t) ig(t)
t
Vcc
VgeI0
Vdd
T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12
F IGURE 2.25 – Mise en évidence de la queue de courant à l’ouverture d’un IGBT
vge >0 Canal d'électrons

Grille
Émetteur Émetteur
SiO2
N+ N+
P P
P+ P+
N-
« Chemin » de trous
« Chemin » d'électrons
+ + + + + + P+ + + + + + +
Collecteur
F IGURE 2.26 – Mise en évidence de parcours des courants de trous et d’électrons

dans une cellule IGBT.
63
2.4 L’IGBT
Grille
Émetteur Émetteur
SiO2
N+ N+
P P
P+ P+
N-
P+
Collecteur
F IGURE 2.27 – Schéma équivalent d’une cellule IGBT. Mise en évidence des com-
posants élémentaires.
important (mise en conduction de la jonction base-emetteur du transistor bipo-

laire NPN). Cette problématique ne pose plus de difficultés sur les composants
IGBT actuels [Alo98] [PLA+ 04].
Pour le calcul des pertes en conduction, on admet classiquement que le mo-
dèle est une chute de tension en série avec une résistance. Néanmoins, ces deux
paramètres dépendent de la température des cellules et de la tension v g e . Sur la
Figure 2.28 on montre l’évolution de i c pour différentes valeurs de v g e . La dé-
pendance en température dépend du type de technologie des puces IGBT. En
conséquence, lors du dimensionnement d’un convertisseur, le concepteur de-
vra porter une attention particulière à ce phénomène : dépendance des pertes
en conduction avec la température des puces semiconductrices.
Pour les phénomènes de commutations, on considère les aspects capacitifs
comme sur les structures MOSFET (voir Section 2.3.3). On arrive à la conclu-
sion que la cellule IGBT peut être modélisée (au niveau macroscopique) par trois
condensateurs, dont deux sont dépendants de la tension à leurs bornes : Figure
2.29.
2.4.3 Quelques variantes technologiques des composants IGBT

Les quelques bases prédédentes sur les cellules IGBT permettent de bien
comprendre leur fonctionnement quasi-statique et dynamique. Cependant, la
technologie IGBT possède de nombreuses variantes : nous tenons ici à en déga-
ger les principales tendances et caractéristiques importantes pour l’utilisateur
64
2.4 L’IGBT
Ic
Vge=20V Vge=11V
Vge=10V
Zone Zone
ohmique Vge=9V saturée
Vge=8V
Vce
V0
F IGURE 2.28 – Mise en évidence de la dépendance de v ce = f (i c ) avec la tension

vg e .
Émetteur Grille
CGE Émetteur
SiO2 iC
N+ N+ CGC
P P
P+ CGC P+
N- CGE vCE
CCE vGE CCE
P+
Collecteur
F IGURE 2.29 – Modélisation des effets capacitifs d’une cellule IGBT.
65
2.4 L’IGBT
Emetteur Grille Emetteur

Emetteur Grille Emetteur
N+ N+
P+ P P P+ N+ N+
P+ P P P+
N- Epitaxie
N+ N- Substrat
P+ Substrat
P+
Collecteur Diffusion ou implantation

Collecteur
(a) (b)
F IGURE 2.30 – Coupe de cellules IGBT PT (a) et NPT (b).
et le concepteur.
Dans un premier temps, l’analyse des structures PT (Punch Through) et NPT
(Non-Punch Through) est essentiel. Sur la Figure 2.30.(a), une coupe de cellule
PT est proposée [Lef05]. Sa construction part initialement d’un wafer (disque
de silicium) dopé P + qui est la base ”mécanique“. D’un côté, une métallisation
en face arrière fait office de collecteur. De l’autre côté, on fait croitre une fine
couche N + puis par épitaxie une couche N − . La couche N + permet d’assurer
la décroissance du champ électrique car la couche N − est très fine (en compa-
raison à la structure NPT). L’avantage d’une couche N − fine est une chute de
tension v cesat assez faible. L’inconvénient se reporte sur la tension au blocage :
pour v ce négatif, cette structure ne permet pas d’avoir une tension d’avalanche
aussi importante que pour v ce positif. De ce fait, la structure PT est dite ”asymé-
trique“.
Ensuite, pour la structure NPT, dite ”symétrique“, on part d’un wafer de type
N − . La couche P + côté collecteur est réalisée par diffusion ou implantation :
Figure 2.30.(b). La tenue en est assurée par la couche épaisse N − . De ce fait, la
chute de tension à l’état passant est élevée en comparaison à la structure PT.
A priori, la structre PT a une chute de tension plus faible que la structure NPT
à tension et courant identique. Par contre, la couche épaisse P + de la structure
PT injecte fortement des trous dans la zone N − , ce qui a pour effet d’augmen-
ter les pertes à l’ouverture à cause du temps de recombinaison des trous dans
une couche N . C’est pourquoi, en général, les structures NPT possèdent des
faibles pertes à l’ouverture mais avec des pertes élevées en conduction. Sur la
Figure 2.31 est représentée une courbe de tendances qui compare les deux tech-
nologies pour le compromis E o f f (énergie à l’ouverture) vs v cesat [SUH+ 03]. La
dernière remarque que l’on puisse faire est que la structure NPT a a priori une
meilleure tenue en court-circuit car la zone N − où se concentre les pertes est
épaisse et limite l’élévation de température transitoire.
Les constructeurs de puces et modules IGBT ne se sont pas arrêtés au déve-
loppement des technologies PT et NPT. En effet, à partir de la structure PT (Fi-
gure 2.30.(a)), la couche N − est désormais utilisée comme wafer et une couche N
66
2.4 L’IGBT
Eoff Eoff
Sans
Irradiation Trench IGBT
PT
PT Avec
irradiation
NPT NPT
Vcesat Tj
F IGURE 2.31 – Courbes de tendances pour les technologies PT et NPT, mise en

évidence du compromis E o f f vs v cesat [SUH+ 03].
Emetteur Grille
Champ électrique
N+
P+ P
N-
N Field Stop
P+
Collecteur
F IGURE 2.32 – Coupe schématique d’une cellule IGBT Field Stop et profil du
champ électrique lors d’une polarisation directe bloquée
Field Stop est ajoutée entre les couches N − et P + du côté collecteur : Figure 2.32.
Le profil du champ électrique à l’état bloqué est également proposé et montre
que le champ électrique décroit fortement dans la couche N Field Stop. Cette
structure est appelée Field Stop (FS) par Eupec et Fuji. La fine couche N "Field
Stop" faiblement dopée modifie l’injection de trous de la couche P (côté collec-
teur) et permet de stopper le champ électrique de la zone N − en polarisation di-
recte bloquée. Le Tableau 2.2 compare les différentes structures de cellule IGBT :
NPT, PT, FS.
De par sa nature, la structure FS ne présente plus de queue de courant et
sa chute de tension à l’état passant est faible. Lors de l’ouverture de l’IGBT , le
champ électrique atteint la couche tampon "Field Stop" ce qui permet de ré-
duire le phénomène de queue de courant [LLM00].
Cette même technologie est utilisée par Mitsubishi mais est appelée LPT :
Light Punch Through [NK]. De son côté, ABB propose une structure Soft Punch
67
2.4 L’IGBT
PT NPT FS
Couche P côté Fortement Faiblement Faiblement
collecteur dopée, forte dopée dopée
injection dans la
couche N −
Zone de drain Fine : épitaxiée Moyennement Fine : substrat
N− épaisse fin
Couche addi- Stoppe le champ Pas de couche N Permet de stop-
tionnelle N électrique à per le champ E à
l’état bloqué l’état bloqué
Carrier lifetime Méthodes pour Durée de vie non Durée de vie non
accélérer la optimisée optimisée
recombinaison
TABLE 2.2 – Comparaison des cellules PT, NPT et FS pour une tenue en tension
identique
Through (SPT) qui est identique aux structures FS et LPT [RLA+ 01].
IEGT - CSTBT - HiGT
Toshiba a développé l’IEGT (Injection Enhancement Gate Transistor) pour

combiner la chute de tension du GTO et l’excellente performance de commuta-
tion de l’IGBT [MMY+ 01] [TMT+ 04].
La structure de l’IEGT est la même que celle de l’IGBT avec un profil de do-
page différent pour la zone de drain N − . La Figure 2.33 montre une cellule IGBT
PT Trench Gate et le profil de dopage de la zone N − . La Figure 2.34 montre une
cellule IEGT Trench Gate et le profil de dopage de la zone N − N + . De son côté,
Mitsubishi Electric propose une structure d’IGBT : CSTBT (Carrier Stored Trench
gate Bipolar Transistor) qui a pour but de réduire la chute de tension à l’état pas-
sant sans détériorer les pertes à l’ouverture. Cette structure est la même qu’une
structure "PT Trench Gate" avec une couche N ajoutée côté émetteur : couche
"Carrier Stored N Layer" [TT] [ISM+ 01]. Sur la Figure 2.35, on représente une cel-
lule IGBT LPT CSTBT : Light Punch Through CSTBT. De même, Hitachi propose
la structure HiGT (High conductivity IGBT) qui est basée sur le même principe
que l’IEGT et le CSTBT : une couche N est ajoutée côté émetteur sur une cellule
planar. La Figure 2.36 montre une cellule d’un HiGT. On note que cette structure
est proche de la structure de l’IEGT de Toshiba. Les profils de concentration de
dopage sont très proches pour ces deux structures. Elles ont l’avantage d’avoir
une chute de tension à l’état passant réduite grâce à la couche "carrier stored"
pour l’IGBT CSTBT et au dopage augmenté de la couche N − côté émetteur pour
l’IEGT.
68
2.4 L’IGBT
Emetteur Grille Dopage

N+
P+
N-
N+
P+
Collecteur
F IGURE 2.33 – Coupe schématique d’une cellule IGBT Trench Gate et profil de
dopage

N+
P+
N-
N+
P+
Collecteur
F IGURE 2.34 – Coupe schématique d’une cellule IEGT Trench Gate et profil de
dopage
69
2.4 L’IGBT

P+ N+
N+
N-
N+
P+
Collecteur
F IGURE 2.35 – Coupe schématique d’une cellule LPT CSTBT et profil de dopage

N+
P+
N+
N-
N+
P+
Collecteur
F IGURE 2.36 – Coupe schématique d’une cellule HiGT et profil de dopage
70
2.5 Le packaging des interrupteurs de puissance, principes et éléments de base
F IGURE 2.37 – Différents types de boîtiers de modules IGBT
2.5 Le packaging des interrupteurs de puissance, principes

et éléments de base
2.5.1 Le rôle du boîtier
Le boîtier a pour rôle d’assurer la liaison électrique entre les puces diodes
et IGBT, l’isolation électrique entre les différentes connexions des modules et
le maintien mécanique de l’ensemble. Ceci doit être réalisé en optimisant les
transferts thermiques de la puce IGBT vers l’extérieur du boîtier et réduire les in-
ductances parasites. La Figure 2.37 montre quelques boîtiers de modules IGBT.
Dans la plupart des cas, les modules IGBT sont soit en boîtier ”plastique“
(avec semelle métallique), soit en boîtiers "press-pack". Ces deux technologies
sont les plus répandues pour les IGBT disponibles dans le commerce. Nous dé-
taillons ces deux technologies.
2.5.2 Boîtiers ”plastiques“

Le problème de base de la mise en boîtier des puces IGBT et diode est d’avoir
un bon compromis entre la fiabilité et l’évacuation des pertes des puces vers
l’extérieur. Ce compromis va conduire au choix des isolants, des semelles mé-
talliques et des soudures.
La Figure 2.38 montre la structure d’un boîtier de module IGBT. On voit ap-
paraître la semelle (baseplate) qui garantit la rigidité mécanique de l’ensemble
71
puce boîtier
bonding plastique
gel isolant
connexion
connexion métallique
métallique
brasures isolant
semelle
graisse
thermique
dissipateur
F IGURE 2.38 – Coupe schématique d’un module IGBT monté sur radiateur
et le transfert thermique de l’intérieur vers l’extérieur du boîtier ; les couches

d’isolants entre les puces de silicium et la semelle pour l’isolation galvanique
des boîtiers ; les "bondings" et les connexions vers l’extérieur.
La fiabilité des modules IGBT en boîtier plastique est limitée par la fatigue
des soudures entre "bondings" et puces IGBT ; entre puces IGBT et isolant puis
entre isolant et semelle.
Pour les brasures entre "bondings" et puces, des forces électromagnétiques
se créent à chaque impulsion de courant (voir Figure 2.39). Le cisaillement se si-
tue sous le "bonding" sur la métallisation de la puce (7 micromètre d’épaisseur)
au talon de la soudure. La granulométrie de l’aluminium des métallisations aug-
mente et la liaison se dégrade puis se rompt. Par expérience, la soudure ultraso-
nique est meilleure que la thermo-compression [Alo98].
Les soudures "puce - isolant" et "isolant - semelle" sont soumises à des contraintes
mécaniques si les coefficients de dilatation thermiques sont différents entre les
matériaux à souder. La Figure 2.40 montre le type de déformation propre à un
empilage de trois matériaux.
On distingue trois types de brasures :
• brasure élastique : (dite brasure dure) à base de molybdène, a pour avantages
d’avoir un coefficient de dilatation identique au silicium et un coefficient
d’élasticité élevé.
• brasure tendre : à base de plomb, d’étain et d’argent avec des alliages de mé-
taux comme l’indium et l’antimoine.
• colle epoxy chargée d’argent : pratique mais sa fiabilité reste à être éprouvée.
Pour les isolants, on distingue plusieurs matériaux utilisés dans l’industrie :
72
soudure ultrasonique
bonding
métallisation
F aluminium
F
F
7µm
connexion métallique
puce silicium
F IGURE 2.39 – Connexion par bonding
Si
soudure
isolant
T T
Si
soudure
isolant
Zones de contraintes
F IGURE 2.40 – Déformation d’un empilage à cause de dilatations thermiques
73
F IGURE 2.41 – Module IGBT FZ1200R33KF2 avec et sans boîtier plastique
alumine (Al 2O 3 ) ; berylium (B eO) ; nitrure d’aluminium (AlN).

Pour les semelles, on utilise couramment le cuivre pour obtenir une bonne
conductivité thermique et l’AlSiC 1 (mélange d’aluminium et de carbure de sili-
cium) pour une bonne fiabilité lors de cyclages thermiques.
Le mode de défaillance des soudures est dû à la fatigue thermique sous l’effet
de cyclage thermique. Les structures d’empilage se déforment selon des cycles
imposés par les pertes dans le composant. On rencontre le plus souvent les phé-
nomènes de fatigue thermique dans les modules IGBT utilisés pour la traction.
On utilise alors des semelles AlSiC avec isolant AlN 2 . Le Tableau 2.3 montre les
coefficients des matériaux utilisés pour l’électronique de puissance.
Les figures suivantes montrent la composition du module Eupec FZ1200R33KF2.
Ce composant constitue un seul IGBT avec diode anti-parallèle. Il est constitué
de six zones chacune constituée de quatre puces IGBT 50A et deux puces diode
de 100A : voir Figure 2.41.
Sur la Figure 2.42, on montre plus en détail une zone constituée de deux
puces IGBT et une puce diode. On voit apparaître plus clairement les systèmes
de connexion en bus-barre et par "bonding".
Sur la Figure 2.43, on fait apparaître l’empilage des puces, de l’isolant et de
la semelle. On distingue difficilement les soudures (couches très fines).
1. Aluminium + Carbure de Silicium

2. Nitrure d’Aluminium
74
matériaux Coefficient Module Charge de Limite élas-

de di- Young [GPa] rupture tique [MPa]
latation [MPa]
[ppm/°C]
Acier (Fe+C) 11 200 450 300
Aluminium (Al) 23 70 100 80
Antimoine (Sb) 11
Cuivre (Cu) 16 130 180 170
Etain (Sn) 20 50 250
Fer (Fe) 12 210 290 200
Germanium 6 200
(Ge)
Kovar (Ni+Fe) 13 450 300
Molybdène (Mo) 5 325 650 500
Nickel (Ni) 13 200 520 360
Or (Au) 14 78 200
Plomb (Pb) 29 16 15 10
Silicium (Si) 4 200 100
Tungstène (W) 4.5 430
Tantale (T) 6.5
soudures
Au + 20 Sn 16 48 250 200
Au + 3 Si 12 80 230 200
PbAgIn 28
Pb + 5 Sn 13 10
Sn + 3.5 Ag + 1.5 20 15
Sb
Sn + 10 Ag + 10 47 30
Sb
Sn + 25 Ag + 10 65 50
Sb
SnSb 26
isolants
Mica 3
Quartz (SiO 2 ) 13 310
Alumine (Al 2O 3 ) 6 340 193
Berylium (BeO) 6 158
Nitrure d’alumi- 6
nium (AlN)
TABLE 2.3 – Propriétés thermo-mécaniques des matériaux de l’électronique de

puissance
75
F IGURE 2.42 – Puces IGBT et diodes FZ1200R33KF2
F IGURE 2.43 – Empilage des couches puces - isolant - semelle FZ1200R33KF2
76
Emetteur
cuivre
plastique plastique
molybdène
puce
molybdène
cuivre
Collecteur
F IGURE 2.44 – Coupe d’un IGBT press-pack
2.5.3 Boîtiers ”press-pack“

Nous avons vu dans le paragraphe précédent que l’empilage puce - isolant -
semelle est soumis à des contraintes mécaniques lors de cyclages thermiques
menant à la détérioration des soudures (et des résistances thermiques de ce
fait). De même pour les bondings qui sont soumis à des forces électromagné-
tiques et contraintes thermiques. A partir de ce constat, il est intéressant de
supprimer les soudures. Ceci est possible grâce à la technologie "press-pack"
qui élimine les soudures grâce à une pression permanente en fonctionnement
par un système de "clamp". Cette solution est utilisée pour les diodes, thyris-
tors, IGCT et IGBT dans le cadre d’applications de traction par exemple où les
problèmes de cyclage thermique sont les plus sévères.
La référence [SSS+ 01] présente une description d’un IGBT press-pack 6.5kV
- 650A. Il est constitué de 21 puces IGBT en parallèle. Une puce est représentée
Figure 2.44 avec les connexions métalliques.
Grâce à cet empilage, la résistance thermique du composant est améliorée
par rapport à un boîtier plastique car un radiateur est présent sur les deux faces
du composant. La résistance thermique du composant dépend de la force de
serrage du "clamp" [EWI+ 99]. La Figure 2.45 montre un montage de composant
press-pack avec les dissipateurs et le clamp.
77
F IGURE 2.45 – Montage press-pack
78
2.6 Etat de l’art des circuits de commande d’IGBT
Commande Driver Module

globale IGBT IGBT
Convertisseur
statique
F IGURE 2.46 – Synoptique commande - driver - module IGBT - convertisseur

statique

Dans cette section, nous présentons l’environnement et les fonctions associées
aux circuits de commande des modules IGBT. Pour chaque fonction, nous expo-
sons les objectifs à atteindre puis les solutions technologiques employées et envi-
sageables. Ce qui est présenté dans cette section peut être appliqué ou extrapolé
pour les modules et composants MOSFET.
2.6.1 Description des circuits de commande d’IGBT dans leur envi-

ronnement
Le circuit de commande de module IGBT est communément appelé "dri-
ver". Nous gardons cette dénomination par la suite.
La définition d’un driver de module IGBT est relativement simple : c’est un
circuit qui doit piloter tout type de module IGBT dans tout type de convertisseur
statique (hacheur, onduleur, redresseur commandé, . . .). Le pilotage consiste à
provoquer et contrôler les passages de l’état bloqué à l’état passant et inverse-
ment.
Dans l’objectif d’intégrer ce produit dans les convertisseurs industriels, il
faut avoir comme objectif de réaliser un driver dont le prix est en accord avec
ceux des modules IGBT et des convertisseurs. Ceci passe par l’utilisation de so-
lutions technologiques fiables et peu coûteuses.
•Pilotage :
Le driver a pour rôle de piloter un module IGBT en fonction des ordres qu’il
reçoit d’une commande globale (voir Figure 2.46). Le module IGBT peut être
composé d’un bras d’onduleur avec diodes de roue libre ou bien d’un seul IGBT
avec diode de roue libre (Figure 2.47).
•Sécurité :
79
(a) (b)
F IGURE 2.47 – Topologie de modules IGBT simple et double
Le driver doit effectuer la sécurité rapprochée du module qu’il pilote pour amé-
liorer sa survie en cas de défaut. En cas de sur-intensité dans le composant de
puissance par exemple, le driver doit couper l’IGBT et envoyer une information
d’erreur à la commande globale. En cas d’ouverture en court-circuit, le driver
doit piloter l’ouverture de l’IGBT de telle manière que sa tension v ce ne dépasse
pas sa tension de claquage. Des mesures et estimations de température peuvent
être effectuées pour la sécurité thermique des modules IGBT. Des sécurités en
”d i /d t “ et ”d v/d t “ peuvent être implantées pour compléter les sécurités en
court-circuit et sur-intensité.
•Isolation galvanique :
Pour répondre à tous les types de module IGBT et tous les types de convertis-
seurs statiques, les ordres qui proviennent de la commande globale et appliqués
sur la grille de l’IGBT concerné doivent être isolés galvaniquement. La qualité de
cette isolation galvanique tient dans sa tenue en tension statique qui permet de
piloter des IGBT à des potentiels flottants (300V, 600V, 800V, 1500V, · · · ) et éga-
lement à ses caractéristiques dynamiques qui donneront au driver la possibilité
de piloter des modules IGBT de plus en plus rapides sans problèmes de CEM
sur l’électronique du driver (perturbations de mode commun entre primaire et
secondaire par exemple).
La commande de grille nécessite une puissance pour ouvrir et fermer l’IGBT
(charge et décharge des charges stockées dans la grille de l’IGBT). Il faut donc
transmettre cette puissance avec une isolation galvanique du potentiel de la
commande globale au potentiel flottant (ou non flottant) de l’IGBT. La qualité de
cette alimentation isolée est soumise aux mêmes caractéristiques que la trans-
mission d’ordre : il faut tenir la tension statique et minimiser les capacités de
couplage entre le primaire et le secondaire de l’alimentation isolée.
Les capacités parasites entre le primaire et les secondaires ont pour effets de
générer des courants de mode commun lors des variations de tension sur les se-
condaires. Ces courants circulent au primaire du driver et au niveau de la com-
80
Transmission
Transmission desdes ordres
ordres
et
et retours
retours informations
informations
Commande
Commande Primaire
Primaire Secondaire
Secondaire
globale
globale
Transmission
Transmission
puissance
puissance Module
Module IGBT
IGBT
DRIVER D'IGBT
Isolation
Isolation
galvanique
galvanique
F IGURE 2.48 – Synoptique du driver d’IGBT
mande globale. Ils peuvent perturber l’électronique au primaire du driver et au

niveau de la commande globale et ensuite provoquer des dysfonctionnements.
Pour synthétiser les caractéristiques précédentes, on représente Figure 2.48
le synoptique d’un driver de module IGBT. On fait apparaître la notion de pri-
maire et secondaire pour l’isolation galvanique.

Nous venons de détailler le fonctionnement des trois principaux compo-
sants à base de semiconducteurs : diode, MOSFET et IGBT. Grâce aux analyses
qualitatives puis quantitatives proposées, l’utilisateur peut comprendre une par-
tie des phénomènes observales par simulations et expérimentations. N’oublions
pas que les cellules semiconductrices sont obligatoirement liées à un packaging
qui fait partie intégrante du composant de puissance. Il en est de même pour
les drivers de MOSFET et d’IGBT qui jouent un rôle très important dans le fonc-
tionnement normal des composants interrupteurs mais également dans le cas
de disfonctionnements.
Cependant, certains composants comme le JFET (Junction Field Effect Tran-
sistor) et certains matériaux émergeants comme le Carbure de Silicium (SiC)
n’ont pas été abordés. En effet, le JFET en SiC commence à apparaître sur le mar-
ché (2011) et a des propriétés intéressantes (tenue en tension et en température)
qui permettrait de l’utiliser dans des environnements ”chauds“ et/ou sous haute
81
tension. Pour plus d’informations sur le matériau SiC, se référer à [Bal08], puis
pour le composant JFET à [PLA+ 04].
82
Chapitre 3
Modélisation du comportement
des convertisseurs de puissance
en régime établi
Dans le Chapitre 1, nous avons analysé le fonctionnement de base des conver-

tisseurs de puissance et plus particulièrement ceux de la famille des convertis-
seurs DC-DC. Afin d’expliquer d’avantage leur fonctionnement et surtout dans
l’optique d’aller vers une démarche de conception, nous proposons ici une mé-
thode qui permet d’analyser le comportement en régime établi. Nous développons
une méthode générique basée sur le principe des “modèles moyens” (qui est égale-
ment utile pour le Chapitre ?? sur la modélisation en régime dynamique). Celle-ci
est suffisament générique pour être appliquée à tous les convertisseurs DC-DC en
conduction continue, avec ou sans filtre d’entrée, avec ou sans imperfections sur
les composants. Ensuite, le cas de la conduction discontinue est traitée pour clo-
turer le chapitre.
3.1 Objectifs de la modélisation en régime établi

Du point de vue de l’utilisateur, la modélisation en régime établi permet
dans un premier temps d’exprimer les relations entre les grandeurs électriques,
de commande et les valeurs des composants passifs. Dans un second temps, elle
apporte les informations et conditions nécessaires pour garantir le fonctionne-
ment du convertisseur considéré dans le mode de conduction voulu. En effet,
le mode de conduction (CCM ou DCM) dépend des paramètres cités précede-
ment.
Dans la suite de ce chapitre, nous voyons les méthodes développées afin de
modéliser tous les types de convertisseurs DC-DC en CCM et DCM.
83
3.2 Modélisation des convertisseurs DC-DC en mode de conduction continue
3.2 Modélisation des convertisseurs DC-DC en mode de

conduction continue
Pour tout type de convertisseur DC-DC fonctionnant en CCM, l’objectif est
de trouver un jeu d’équations qui représente le fonctionnement quasi-statique
de celui-ci. On note X le vecteur des grandeurs caractérisant le convertisseur.
Par exemple, on choisit X = (I L Vs )t pour le convertisseur abaisseur de la Figure
3.1.
vds
ids iL L
vi id ic io
vd C R vo
d
F IGURE 3.1 – Schéma d’un convertisseur abaisseur sans filtre d’entrée et charge
résistive.
Le principe de base de la modélisation proposée ici réside sur l’utilisation

de la modélisation par “modèle moyen” [MC76]. Le principe théorique est dé-
taillé dans la Section ?? page ?? car il est également utilisé pour la modélisation
dynamique. Néanmoins, le principe de base est assez simple. Prenons le cas du
convertisseur abaisseur de la Figure 3.1 et traçons les chronogrammes de i L , v s ,
v d s , i d s , v d et i d en CCM : Figure 3.2.
On admet la propriété suivante : la valeur moyenne sur une période de dé-
coupage T de la grandeur i d s , notée i¯d s , est définie par :
1
Z T
i¯d s = i d s (t ) d t (3.1)
T 0
et est égale à α i¯L . De la même manière, on obtient le jeu d’équations sui-

vant :


 i¯d s = α i¯L
(1 − α) v̄ e

 v̄
ds =
¯ (3.2)

 i d = (1 − α) i¯L
α v̄ e

 v̄
d =
Ensuite, en appliquant la loi des noeuds et des mailles au circuit de la Figure

3.1, on obtient les relations suivantes :
84
ve
vds
0 α.T T
t
iL ids iL
0 α.T T
t t
vd ve
vs
t
0 α.T T
t
id iL
0 α.T T
t
F IGURE 3.2 – Chronogrammes de i L , v s , v d s , i d s , v d et i d en CCM du convertis-

seur abaisseur sans filtre d’entrée et charge résistive.
½
v̄ d = v̄ L + v̄ s
(3.3)
i¯L = i¯c + i¯s
On admet que les relations constitutives des éléments de base R, L et C sont

vérifiées pour les grandeurs courant et tension au sens des valeurs moyennes.
C’est à dire :
d v̄ c

 i¯c
 = C dt
d i¯L (3.4)
v̄ L = L dt
= R i¯s

v̄ s

En injectant (3.2) et (3.4) dans (3.3), on obtient :
¯
(
α v̄ e = L dditL + v̄ s
(3.5)
i¯L = C ddv̄ts + v̄Rs
Au sens des valeurs moyennes, on décompose tout signal ȳ comme la somme

d’un état de repos Y (valeur en régime établi) et d’une petite variation ŷ. On note
alors :
85


 α = αo + α̂
 i¯

= I L + iˆL
L
(3.6)

 v̄ s = Vs + v̂ s

 v̄
e = Ve + v̂ e
En injectant (3.6) dans (3.5), on obtient alors :
ˆ
(
(αo + α) (Ve + v̂ e ) = L dditL + v̂ s + Vs
(3.7)
I L + iˆL = C ddv̂ts + v̂Rs + VRs
On suppose que le régime établi définit par (αo , Ve , I L , Vs ) est superposé au

régime des petites variations (α̂, v̂ e , iˆL, v̂ s ) et que la modélisation peut être sci-
dée en deux jeux d’équations : l’un quasi-statique, l’autre dynamique. Gardons
ici le premier jeu d’équations :
αo Ve
½
= Vs
(3.8)
IL = VRs
La première équation du système (3.8) est l’équation caractéristique du conver-

tisseur abaisseur en conduction continue : Vs = αo Ve . La deuxième permet de
connaitre le courant moyen dans l’inductance en régime établi en fontion de la
tension de sortie et de la charge.
Dans le cas général, cette méthode peut être appliquée pour tous les conver-
tisseurs DC-DC en CCM. Néanmoins, dans le cas des convertisseurs complexes
tels que le SEPIC ou bien le convertisseur abaisseur avec filtre d’entrée, cette
méthode peut devenir fastidieuse et source d’erreurs dans la simplification des
expressions analytiques. Pour palier à cette difficulté, nous proposons une mé-
thode plus générique et systématique basée sur la même notion de modèles
moyens.
Toujours à titre d’exemple, considérons le convertisseur abaisseur de la Fi-
gure 3.1. On pose x le vecteur d’état du système :
x = (i L v s )t (3.9)
Pour t ∈ [0, α T ], on définit :
µ ¶
0 −1/L
A1 = (3.10)
1/C −1/(R C )
µ ¶
1/L
B1 = (3.11)
0
86
Avec,
dx
= A1 x + B1 ve (3.12)
dt
Puis, pour t ∈ [α T, T ], on définit :
µ ¶
0 −1/L
A2 = (3.13)
1/C −1/(R C )
µ ¶
0
B2 = (3.14)
0
Avec,
dx
= A2 x + B2 ve (3.15)
dt
Les expression de A 1 , A 2 , B 1 et B 2 proviennent des deux schémas équivalents
définis sur la Figure 3.3.
vds vds
ids iL L ids iL L
ic is ic is
ve ve
vd C R vs id C R vs
(a). Schéma équivalent pour t ∈ [0, α T ] (b). Schéma équivalent pour t ∈ [α T, T ]
F IGURE 3.3 – Schémas équivalent du convertisseur abaisseur sans filtre d’entrée

pour les deux intervalles de temps
On admet que la représentation d’état au sens des valeurs moyennes (définie

par x̄) est la moyenne des représentations d’état (3.12) et (3.15) sur une période
de découpage T :
d x̄
= (A 1 α + A 2 (1 − α)) x̄ + (B 1 α + B 2 (1 − α)) v̄ e (3.16)
dt
Sur le même principe que la méthode précédente, on définit x̄ = X + x̂. On
obtient donc l’équation suivante en négligeant les termes du second ordre :
d x̂
dt = [A 1 αo + A 2 (1 − αo )] x̂
+ [(A 1 − A 2 ) X + (B 1 − B 2 )Ve ] α̂
+ [B 1 αo + B 2 (1 − αo )] v̂ e (3.17)
+ [A 1 αo + A 2 (1 − αo )] X
+ [B 1 αo + B 2 (1 − αo )] Ve
En isolant les deux derniers termes relatifs au régime établi, on obtient l’ex-
pression suivante pour X :
87
discontinue
X = − [A 1 αo + A 2 (1 − αo )]−1 [B 1 αo + B 2 (1 − αo )] Ve (3.18)
Or, X est définit par : X = (I L Vs )t . De ce fait, on obtient les expressions ana-
lytiques de I L et Vs par les opérations suivantes :
I L = (1 0) X (3.19)
Vs = (0 1) X (3.20)
Grâce à cette méthode, l’utilisateur n’a plus besoin de maîtriser les calculs
littéraux de l’équation (3.18) et peut faire appel à un logiciel de calcul formel.
3.3 Modélisation des convertisseurs DC-DC en mode de

conduction discontinue
La méthode de modélisation proposée est principalement issue de [EM]. Nous
avons vu dans la Section précédente et dans la Section 1.2 page 27 que la tension
de sortie des convertisseurs DC-DC, en mode CCM, ne dépend pas de la charge R.
Dans le cas du mode DCM, nous allons voir que la tension de sortie toujours du
rapport cyclique mais également de la charge R.
3.3.1 Principe de base de la modélisation en mode DCM

Pour expliquer la méthode de modélisation, nous traitons le cas du conver-
tisseur inverseur donné Figure 3.4. Les formes d’ondes associées sont données
sur la Figure 3.5 dans le cas du mode DCM.
v1 v2
i1 i2 d
iL ic is
ve
L vL C R vs
F IGURE 3.4 – Schéma de l’inverseur sans filtre d’entrée.
Tout d’abord, on donne l’expression de i pk :

ve
i pk = i L (α1 T ) = α1 T (3.21)
L
88
discontinue
A1
i1 ipk
t
iL ipk 0 α1.T α2.T α3.T T
v1 ve+vs
ve
t
0 α1.T α2.T α3.T T t
vL A2
ve
i2 ipk
t
t
-vs 0 α1.T α2.T α3.T T
v2 ve+vs
ve
t
F IGURE 3.5 – Chronogrammes de l’inverseur sans filtre d’entrée dans le cas du

mode DCM.
Au sens des valeurs moyennes, on suppose que la valeur moyenn de la ten-

sion v L est nulle sur une période de découpage :
v̄ L = α1 v̄ e − α2 v̄ s = 0 (3.22)
On en déduit la relation liant α1 à α2 :
v̄ e
α2 = α1 (3.23)
v̄ s
Ensuite, on exprime la valeur moyenne de v 1 :
v̄ 1 = α2 (v̄ e + v̄ s ) + α3 v̄ e (3.24)
Par définition, on a la relation suivante :
α1 + α2 + α3 = 1 (3.25)
En combinant les équations (3.23), (3.24) et (3.25), on obtient la simplifica-
tion suivante :
v̄ 1 = v̄ e (3.26)
De la même manière, on obtient :
89
discontinue
v̄ 2 = v̄ s (3.27)
Ensuite, on calcul la valeur moyenne de i 1 :
1
Z T
i¯1 = i 1 (t ) d t (3.28)
T 0
A1
i¯1 = (3.29)
T
α21 v̄ e
i¯1 = (3.30)
2L F
α21 v̄ 1
i¯1 = (3.31)
2L F
De même, on calcule la valeur moyenne de i 2 :
1
Z T
i¯2 = i 2 (t ) d t (3.32)
T 0
A2
i¯2 = (3.33)
T
α1 α2 v̄ e
i¯2 = (3.34)
2L F
α21 v̄ 12
i¯2 = (3.35)
2 L F v̄ s
Si l’on reprend l’expression (3.31), on peut identifier une résistance équiva-
lente R e (α1 ) pour le dipôle définit par (v̄ 1 , i¯1 ) telle que :
2L F
R e (α1 ) = (3.36)
α21
On obtient alors un schéma équivalent pour le dipôle (v̄ 1 , i¯1 ) représenté sur
la Figure 3.6.
Ensuite, pour le dipôle (v̄ 2 , i¯2 ), on reprend l’expression (3.35) en la multi-
pliant par v̄ 2 pour obtenir la puissance du dipôle :
α21 v̄ 12
v̄ 2 i¯2 = = p̄ (3.37)
2L F
v̄ 12
v̄ 2 i¯2 = = p̄ (3.38)
R e (α1 )
Cela signifie que la puissance instantanée du dipôle 2, au sens des valeurs
moyennes, est égale à la puissance du dipôle 1. On introduit un dipôle de source
90
discontinue
i1
v1 Re(α1)
F IGURE 3.6 – Modélisation du dipôle (v̄ 1 , i¯1 ) par une résistance équivalent R e
p
i1 i2
v1 Re(α1) v2
F IGURE 3.7 – Schéma équivalent pour le quadripôle {(v̄ 1 , i¯1 ) ; (v̄ 2 , i¯2 )}
de puissance pour aboutir au schéma équivalent de la Figure 3.7 pour le quadri-

pôle formé par (v̄ 1 , i¯1 ) et (v̄ 2 , i¯2 ).
Si l’on reprend le schéma de base du convertisseur inverseur de la Figure 3.4,
on aboutit au schéma équilalent de la Figure 3.8.
Pour obtenir la relation “entrée/sortie” en régime établi, on considère que
l’inductance L est un court-circuit et que le condensateur C est un circuit-ouvert :
Figure 3.9.
On définit α10 , P , Ve et Vs les différentes grandeurs du circuit en régime éta-
bli. On obtient les relations suivantes :
Ve2 Vs2
P= = (3.39)
R e (α10 ) R
On en déduit :
s
R
Vs = Ve (3.40)
R e (α10 )
Or :
2L F
R e (α10 ) = (3.41)
α210
En combinant (3.40) et (3.41) on obtient :
r
R
Vs = α10 Ve (3.42)
2L F
91
discontinue
v1 v2
i1
d
ic is
i2
ve
vs
iL
C R
L vL
i1 p i2
Re(α1)
ic is
v1 v2
ve
vs
iL
C R
L vL
F IGURE 3.8 – Schéma équivalent au sens des valeurs moyennes pour le conver-
tisseur inverseur en mode DCM
P
I1 I2
Is
Ve Re(α10)
R Vs
V1 V2
F IGURE 3.9 – Schéma équivalent du convertisseur inverseur en mode DCM en

régime établi
r
Vs R
= α10 (3.43)
Ve 2L F
92
discontinue
Vs α10
=p (3.44)
Ve K
Avec :
2L F
K= (3.45)
R
3.3.2 Modélisation en mode DCM des convertisseurs abaisseur, éléva-

teur, SEPIC et Cuk
Si l’on applique la même méthode sur les autres convertisseurs classiques
tels que l’abaisseur, l’élévateur, le SEPIC et le Cuk, on obtient les schémas équi-
valents suivants : Figure 3.10 et Figure 3.11.
Pour les convertisseurs abaisseur et élévateur on a :
2L F
Re = (3.46)
α21
Puis, pour les convertisseurs SEPIC et Cuk :
2 F L1 L2
Re = (3.47)
α21 L 1 + L 2
3.3.3 Résumé sur la modélisation en mode DCM

Nous donnons les expressions pour les différents convertisseurs DC-DC clas-
siques.
Abaisseur
Vs 2
= q (3.48)
Ve
1 + 1 + 4 RRe
2L F
Re = (3.49)
α21
Elévateur q
Vs 1+ 1 + 4 RRe
= (3.50)
Ve 2
2L F
Re = (3.51)
α21
93
discontinue
vds
ids iL L
Re(α10) id ic is
ve
d vd C R vs
p
(a). Convertisseur abaisseur en mode DCM
vd
iL L id
ids d ic is
ve
vds C R vs
p
Re(α10)
(b). Convertisseur élévateur en mode DCM
F IGURE 3.10 – Schéma équivalents des convertisseurs abaisseur et élévateur en

mode DCM au sens des valeurs moyennes
Inverseur s
Vs R
= (3.52)
Ve Re
2L F
Re = (3.53)
α21
SEPIC & Cuk s

Vs R
= (3.54)
Ve Re
2 F L1 L2
Re = (3.55)
α21 L 1 + L 2
Pour terminer, il faut pouvoir déterminer la frontière entre le mode CCM et le
mode DCM. On définit I cr i t la valeur du courant moyen de sortie qui caractérise
cette frontière. On a les propriétés suivantes :
–
1 − α10 Ve
I cr i t = (3.56)
α10 R e
94
vC1 vd
iL1 L1 id
ids C1 p R
ve C2
vds L2 vs
Re(α10) iL2
(a). Convertisseur SEPIC en mode DCM
vC1
iL1 L1 L2 iL2
ids C1 p R
ve C2
vds vd vs
Re(α10) id
(b). Convertisseur Cuk en mode DCM
F IGURE 3.11 – Schéma équivalents des convertisseurs SEPIC et Cuk en mode

DCM au sens des valeurs moyennes
– pour I s > I cr i t ,→ CCM

– pour I s < I cr i t ,→ DCM

Nous venons d’expliquer les méthodologies classiquement utilisées pour les
modélisations en régime établi pour les convertisseurs DC-DC. Les deux modes
de conduction, CCM et DCM, sont traitées séparément mais sont tout de même
basées sur le principe générique des modèles moyens. La principale difficulté
calculatoire revient tout de même au mode DCM car il nécessite une mise en
équation un peu plus complexe que dans le cas du mode CCM car la période
de découpage est divisée en trois sous-périodes et fait apparaitre la notion d’un
deuxième rapport cyclique (noté α2 ).
95
Chapitre 4
Conception des convertisseurs de

puissance
Dans ce chapitre, nous nous plaçons dans l’objectif de pouvoir “dimension-

ner” et/ou “pré-dimensionner” un convertisseur de puissance, et ce, avec quelques
éléments de rigueur indispensables à tout dimensionnement de systèmes multi-
physiques. Dans un premier temps, nous proposons de décrire, de notre point de
vue, les problématiques industrielle et pratique de la conception des convertis-
seurs d’électronique de puissance. On y dégage principalement des notions de ca-
hier des charges, de prototypages virtuels et physiques et d’optimisation.
4.1 Problématique industrielle

Dans un contexte industriel, la conception des convertisseurs se doit d’être
méthodique. Ce document se focalise sur les convertisseurs continu-continu
(plus communément appelés convertisseurs DC-DC).
Bien avant de se focaliser sur ce type de convertisseurs, les ingénieurs en
charge de la conception de systèmes de puissance doivent au préalable choi-
sir la topologie du convertisseur répondant au mieux au cahier des charges. Par
exemple, afin de réaliser la fonction continu-continu de 24V à 12V, on peut uti-
liser un convertisseur abaisseur ou bien un pont complet suivit d’un pont de
diode. Le choix n’est pas évident à faire dans la pratique car beaucoup de para-
mètres et de contraintes interviennent.
Ce document ne traite pas de la méthodologie permettant le choix de la to-
pologie en fonction d’un cahier des charges. Pour plus d’information sur une
ébauche de méthode permettant de choisir la bonne topologie en fonction d’un
cahier des charges, voir les références suivantes : [ELLM09] [ELLM10].
La Figure 4.1 résume la succession d’étapes que va rencontrer un ingénieur
en charge de la conception d’un système de puissance.
Dans le cas où la topologie du convertisseur est choisie, il faut ensuite réali-
ser son dimensionnement. Dans un premier temps, il faut connaître les contraintes
96
4.1 Problématique industrielle
Cahier
Cahier des
des charges
charges
du
du système
système de
de
puissance
puissance
Choix
Choix de
de la
la topologie
topologie
de
de puissance
puissance enen fonction
fonction
du
du cahier
cahier des
des charges
charges
Conception
Conception de
de la
la
topologie
topologie choisie
choisie
F IGURE 4.1 – Etapes de conception d’un système de puissance.
et objectifs des performances voulues (cahier des charges). Dans la pratique, il

faut savoir que celles-ci ne sont pas forcément explicitement données. Prenons
l’exemple des spécifications relatives à la Compatibilité Electro-Magnétique (CEM) :
très souvent, il faut respecter une norme précise en fonction de la nature de l’ap-
plication (aéronautique, automobile, ferroviaire, etc.). Le concepteur doit se ré-
férer à la norme en question et traduire les spécifications pour les intégrer au
nouveau cahier des charges.
Ensuite, quand le cahier des charges est dûment complété commence la
phase de conception proprement dite. Débute alors la première phase de la
conception : la réalisation d’un prototype virtuel. Celui-ci peut être basé sur des
expressions analytiques, sur des maquettes numériques en 3D, sur des simula-
tions par éléments finis permettant de dimensionner les éléments du convertis-
seur pour répondre aux spécifications et contraintes du cahier des charges.
Pour la phase montante du cycle en V, sur la Figure 4.2, nous procédons à la
réalisation de prototypes physiques afin de valider les différentes étapes des pro-
totypes virtuels. Il arrive fréquement que les différences de performances entre
les prototypes physiques et virtuels soient trop importantes pour continuer la
remontée du cycle en V. Il est alors nécessaire de reboucler par la phase de pro-
totypage virtuel dans le but d’affiner le dimensionnement.
97
4.2 Les méthodologies de prototypage virtuel
-- poids
poids
-- volume
volume
-- rendement
rendement
-- temps
temps de
de réponse
réponse
Cahier des Produit
Produit sous
sous forme
forme de
de prototype
prototype
-- dépassement
dépassement
charges physique
physique industrialisable
industrialisable
-- CEM
CEM
-- etc.
etc.
Vérifications
des performances
Etapes
Etapes du
du prototypage
prototypage Etapes
Etapes du
du prototypage
prototypage
virtuel
virtuel physique
physique
Prototype
Prototype virtuel
virtuel
répondant
répondant auau cahier
cahier
des
des charges
charges
F IGURE 4.2 – Cycle en V.

Nous venons d’introduire les notions de prototypes virtuels et physiques.
Nous allons maintenant nous focaliser sur la notion de prototypage virtuel et
donner quelques grandes tendances afin de clarifier quelques notions.
Afin de réaliser un prototype virtuel permettant de répondre au cahier des
charges (objectifs et contraintes), il est possible de développer des modèles de
types :
– Analytique : ce type de modèle permet d’écrire des relations analytiques
entre certaines grandeurs (la relation entre la fréquence de découpage
et la valeur du condensateur de sortie d’un convertisseur abaisseur par
exemple). En fonction des contraintes et objectifs, ces expressions analy-
tiques vont permettre de dimensionner le convertisseur considéré.
– Numérique 1D : un modèle de type circuit d’un convertisseur DC-DC est
un exemple de modèle numérique 1D. Ce type de modèle est très utile
pour la phase de conception des lois de commande pour la vérification
des performances provenant des modèles analytiques. Voir la Figure 4.3
pour un exemple.
– Numérique 3D : un modèle de description en trois dimensions d’un conver-
tisseur permet par exemple de vérifier les contraintes de volume et d’en-
combrement d’un convertisseur qui est en général embarqué dans un sys-
tème plus complet. Voir la Figure 4.4 pour un exemple.
98
F IGURE 4.3 – Exemple de modèle numérique 1D d’un convertisseur abaisseur

avec filtre d’entrée. Validation d’une loi de commande par retour d’état avec le
logiciel SIMPLORERT M [LGDU09].
MOSFET Inductance
diode
F IGURE 4.4 – Exemple de modèle numérique 3D d’un convertisseur. Mise en évi-

dence de l’encombrement pris par les éléments diode, MOSFET, inductance et
dissipateur.
Ensuite, en fonction des types de modèles disponibles, le concepteur devra

choisir la méthode de conception (ou d’optimisation) la mieux adaptée. Dans ce
document, nous classifions les méthodes en deux catégories :
– Méthode directe : utilisation directe des modèles disponibles pour le di-
mensionnement. Dans ce cas, le problème de conception est relativement
simple et ne nécessite pas de méthode d’optimisation.
– Méthode indirecte : dans le cas d’un dimensionnement difficile, la simple
juxtaposition des modèles ne permet pas de résoudre facilement le pro-
blème de dimensionnement (performances et contraintes). Il est alors né-
cessaire de mettre en oeuvre des méthodes d’optimisation.
La Figure 4.5 illustre la différence entre un problème de conception simple
résolu par une méthode de calcul direct et un problème complexe où la mise en
oeuvre de méthodes d’optimisation est nécessaire.
Afin d’aboutir à des exemples concrets de dimensionnements de quelques
structures classiques de convertisseurs DC-DC (Section 4.3) puis des lois de com-
mande associées (Section ??).
99
4.3 Quelques exemples essentiels, illustrations de la méthode directe
Conception
Conception de
de la
la
topologie
topologie choisie
choisie
Modèles
Modèles développés
développés
Méthode
Méthode directe
directe Méthode
Méthode indirecte
indirecte
Problème
Problème simple
simple Problème
Problème difficile
difficile
Calculs
Calculs directs
directs Méthode
Méthode d'optimisation
d'optimisation
F IGURE 4.5 – Mise en évidence de deux méthodes de dimensionnement : cal-

cul direct pour les problèmes simples et méthodes d’optimisation pour les pro-
blèmes complexes.
4.3 Quelques exemples essentiels, illustrations de la mé-

thode directe
Cette section a pour objectif de donner des exemples de conception de conver-
tisseurs classiques : buck (abaisseur), flyback et SEPIC. Seule la méthode directe est
illustrée par ces exemples. Le lecteur pourra alors réutiliser ces exemples et cette
méthode sur d’autres types d’applications. Pour plus de détails sur la méthode
indirecte, voir [ELLM09] [ELLM10].
4.3.1 Méthode directe de dimensionnement des convertisseurs buck

et flyback avec filtre d’entrée
Dimensionnement des convertisseurs buck et Flyback avec filtre d’entrée Les
schémas des convertisseurs buck et Flyback sont respectivement donnés aux
Figures 4.6 et 4.7. Nous nous plaçons dans le cas de la conduction continue :
Contiuous Conduction Mode (CCM). Le courant de diode i d ne s’annule pas
lors de la phase de roue libre. Les Figures 4.8 et 4.9 illustrent le fonctionnement
des deux convertisseurs. On introduit β, le rapport cyclique des convertisseurs
fonctionnant à fréquence fixe F (de période T ). Dans le cas de la CCM, les re-
lations liant v o et v i sont les suivantes, respectivement pour les convertisseurs
buck et flyback [FF99] [EM] :
vo
=β (4.1)
vi
100
vo β
=m (4.2)
vi 1−β
vds
i1 L1 ids iL L
vi id ic io
C1 v1 d C R vo
F IGURE 4.6 – Schéma de base du convertisseur buck
i1 L1 m d id i1 L1
m d id
ic io iLm ic io
vp vs C R vo vp Lm vs C R vo
vi vi
C1 v1 C1 v1
vds vds
ids ids
F IGURE 4.7 – Schéma de base du convertisseur flyback et schéma équivalent du

transformateur
i1
t (v1-vo)/L -vo/L
iL
ids t
t vo
id t
t 0 βT T
0 βT T
F IGURE 4.8 – Chronogrammes de base du convertisseur buck
101
i1
t i v1/Lm -vo/Lm
Lm
ids t
t vo
id t
t 0 βT T
0 βT T
F IGURE 4.9 – Chronogrammes de base du convertisseur flyback
Dans la suite, nous donnons les contraintes électriques relatives au dimen-

sionnement d’un convertisseur buck de 1kW et d’un convertisseur flyback de
100W.
Dimensionnement du convertisseur buck avec filtre d’entrée Le dimension-

nement du convertisseur buck avec filtre d’entrée s’effectue en prenant en compte
une contrainte sur les ondulations maximales de tension aux bornes de C 1 et
C et une contrainte de courant positif dans L (fonctionnement en conduction
continue dans l’espace de fonctionnement ([v i mi n v i max ] , [P omi n P oN ])). Les
contraintes concernant les taux d’ondulation de tension et courant n’ont rien de
normatif, les valeurs choisies sont relatives à des valeurs communément adop-
tées. De même pour la contrainte de conduction continue, la puissance P omi n
est purement arbitraire tout en respectant une règle de bon sens (P omi n = 1/10 P oN ).
Le Tableau 4.1 résume la liste des contraintes. Les équations (4.3), (4.4), (4.5),
et (4.6) donnent les relations permettant de calculer les valeurs numériques des
inductances L 1 et L puis des condensateurs C 1 et C pour vérifier les contraintes
sur les ondulations de tension et de conduction continue. Le Tableau 4.2 donne
les valeurs des composants résultants des contraintes.
1−β vo
L1 ≥ pour β = βmi n = (4.3)
8 F 2 C 1 x i L1 v i max
v o2 (1 − β)
L≥ pour β = βmi n & P o = P omi n (4.4)
2 F Po
P o β2 (1 − β)
C1 ≥ pour β = 2/3 & P o = P omax (4.5)
F x v c1 v o2
102
Description Notation Valeur

Puissance nominale P oN 1kW
Puissance minimale P omi n 100W
Tension nominale d’entrée vi N 42V
Tension maximale d’entrée v i max 48V
Tension minimale d’entrée v i mi n 36V
Tension de sortie vo 24V
Fréquence de découpage F 100kHz
Taux d’ondulation i L1 x i L1 10%
Taux d’ondulation v 1 x vC 1 10%
Taux d’ondulation v o xvo 2%
TABLE 4.1 – Liste des contraintes pour le convertisseur buck avec filtre d’entrée
1−β
C≥ pour β = βmi n (4.6)
8 L F 2 xvo
Variables Valeurs
L1 0.24µH
C1 25µF
L 14µH
C 22µF
TABLE 4.2 – Liste des valeurs des composants pour le convertisseur buck avec
filtre d’entrée
Dimensionnement du convertisseur flyback avec filtre d’entrée Le dimen-

sionnement du convertisseur flyback avec filtre d’entrée s’effectue de la même
manière que précédement. Le Tableau 4.3 résume la liste des contraintes. Les
Equations (4.7), (4.8), (4.9), (4.10) et (4.11) donnent les relations permettant de
calculer les valeurs numériques du rapport du transformateur m, des induc-
tances L 1 et L m puis des condensateurs C 1 et C pour vérifier les contraintes.
Le Tableau 4.4 donne les valeurs des composants résultants des contraintes.
vo
m= (4.7)
vi N
1−β 1
L1 ≥ pour β = βmi n = (4.8)
8 F 2 C 1 x i L1 1 + m v i max /v o
103
Description Notation Valeur

Puissance nominale P oN 100W
Puissance minimale P omi n 10W
Tension nominale d’entrée vi N 12V
Tension maximale d’entrée v i max 14V
Tension minimale d’entrée v i mi n 10V
Tension de sortie vo 24V
Fréquence de découpage F 300kHz
Taux d’ondulation i L1 x i L1 10%
Taux d’ondulation v 1 x vC 1 10%
Taux d’ondulation v o xvo 2%
TABLE 4.3 – Liste des contraintes pour le convertisseur flyback avec filtre d’en-
trée
(1 − β)2 v o2
Lm ≥ pour β = βmi n & P o = P omi n (4.9)
2 F Po m2
β2 P o m 2 1
C1 ≥ pour β = βmax = & P o = P omax (4.10)
F x v c1 v o2 (1 − β) 1 + m v i mi n /v o
β Po
C≥ pour β = βmax & P o = P omax (4.11)
F x v o v o2
Variables Valeurs
m 2
L1 4.3µH
C1 1.7µF
Lm 7µH
C 16µF
TABLE 4.4 – Liste des valeurs des composants pour le convertisseur flyback avec
filtre d’entrée
Conclusion Ces deux premiers exemples nous montrent que les valeurs nu-
mériques des composants passifs sont facilement et directement calculables en
prenant en compte des contraintes de taux d’ondulation et de type de conduc-
tion dans un espace de fonctionnement donné.
104
A ce stade, on parle de pré-dimensionnement, c’est à dire que la faisabilité

du convertisseur est prouvée mais que les composants ne sont pas choisis phy-
siquement.
Pour aller plus loin, il faut ensuite donner les dimensions physiques des
différents composants (section de matériaux magnétiques, épaisseurs d’entre-
fers, sections de cuivre, tailles des condensateurs, types de condensateurs, etc.).
Cette dernière étape n’est pas traitée à ce stade de l’étude.
4.3.2 Méthode directe de dimensionnement d’un convertisseur SEPIC

Le schéma de base du convertisseur SEPIC est donné sur la Figure 4.10. On
définit le cahier des charges suivant :
– P ∈ [P mi n P max ]
– Ve ∈ [Vemi n Vemax ]
– ∆Vs < x v s Vs
– ∆I e < x i e I emi n
– ∆VC 1 < x vc1 Vemi n
avec :
– P : puissance de sortie
– Ve : tension d’entrée
– ∆Vs : ondulation de la tension de sortie
– ∆I e : ondulation du courant d’entrée
– ∆VC 1 : ondulation de la tension aux bornes du condensateur C 1
Sachant que la fréquence de découpage F est fixée à 500kHz, on cherche à
déterminer les valeurs minimales des grandeurs L 1 , C 1 , L 2 et C 2 afin de vérifier
les contraintes exprimées ci-dessus.
L1 iC1 C1 id is
ie iL2
ik vd iC2
ve
L2 vc2 vs
vk
C2
F IGURE 4.10 – Schéma de base du convertisseur SEPIC.
Sur la Figure 4.11, les grandeurs électriques sont représentées à l’échelle

d’une période de découpage en supposant que Ve et P s sont constants.
105
ie -vs/L1 ieM
Δie
iem
ve/L1 vs -Is/C2
t -Δvs
α.T T
ic1 -vs/L1
ieM
iem t
id -vs , (1/L1 + 1/L2) idM
t
idm
t
vc1
iC2 -vs . (1/L1 + 1/L2)
Δvc1 idM
idM - Is
idm
t idm - Is
iL2 -ve/L2 t
α.T T
-Is
vs/L2
t
F IGURE 4.11 – Chronogrammes de base du convertisseur SEPIC.
Relation entrée/sortie La relation entrée/sortie du convertisseur SEPIC dans

le cas de la CCM a été définie à la page 33 et est rappelée ci-dessous :
α
vs = ve (4.12)
1−α
Frontière entre conduction continue et conduction discontinue La limite de

conduction est définie quand i d m = 0. Si i d m > 0, on fonctionne en CCM. La
valeur moyenne du courant de diode est égale au courant de sortie (la valeur
moyenne du courant de condensateur C 2 est égale à 0) :
< i d >= I s (4.13)
Puis, grâce au chronogramme de la Figure 4.11, on trouve :

idm + id M
< i d >= (1 − α) (4.14)
2
En considérant l’évolution de i d entre αT et T , on a la relation suivante :
(L 1 + L 2 ) (1 − α) T
id M = idm + vs (4.15)
2 L1 L2
Ce qui donne, avec la relation (4.14) :
Is (L 1 + L 2 ) (1 − α) T
idm = − vs (4.16)
1−α 2 L1 L2
106
La limite entre les conductions continue et discontinue est donnée par la

condition suivante :
idm = 0 (4.17)
On obtient l’équation suivante pour la frontière de mode de conduction :
y
xl i m = (4.18)
2 (1 − y)2
Avec,
F L eq I s vs L1 L2
x= , y= et L eq = (4.19)
ve ve L1 + L2
La courbe de limite de conduction est donnée Figure 4.12.
y
Limite de conduction
2 α=1
1 α=1/2
1/2 Conduction α=1/4

Discontinue Conduction discontinue
x
1/9 1/8
F IGURE 4.12 – Courbes de fonctionnement en fonction du type de conduction.
La contrainte de conduction continue impose que i d m > 0. Ce qui donne :
v s2
L eq > = F 1 (P s , v e ) (4.20)
2 F P s (1 + vves )2
La fonction F 1 est maximale pour P s = P smi n et v e = v emax :
v s2
L eq > L eqmax = vs (4.21)
2 F P smi n (1 + v emax )2
Calcul de L 1 On impose une contrainte sur l’ondulation de courant d’entrée i e

qui permet de calculer une valeur pour l’inductance L 1 . On note ∆i e l’ondula-
tion de i e :
P smi n
∆i e < x i e I emi n = x i e (4.22)
v emax
107
A l’aide des chronogrammes de la Figure 4.11, on trouve :

ve
∆i e = αT (4.23)
L1
En simplifiant les Equations (4.22) et (4.23), on a :

v s v emax
L1 > = F 2 (v e ) (4.24)
x i e P smi n F (1 + vves )
La fonction F 2 est maximale pour v e = v emax , donc :

v s v emax
L 1 > L 1max = vs (4.25)
x i e P smi n F (1 + v emax )
Calcul de L 2 A l’aide des contraintes sur L eq et L 1 (Equations (4.20) et (4.25))

on obtient :
1
L 2 > L 2max = vs (4.26)
2 F P smi n (1+ v emax )2
v s2
− L11
Calcul de C 2 Sur la tension de sortie v s , on impose une ondulation de tension

de sortie ∆v s :
∆v s < x v s v s (4.27)
A l’aide du chronogramme, on trouve :
Is
∆v s = αT (4.28)
C2
Ce qui donne :
Ps
C2 > = F 3 (P s , v e ) (4.29)
x v s F v e (v s + v e )
La fonction F 3 est maximale pour P s = P smax et v e = v emi n , donc :
P smax
C 2 > C 2max = (4.30)
x v s F v emi n (v s + v emi n )
Calcul de C 1 Sur la tension vC 1 , on impose une ondulation de tension ∆vC 1 :
∆vC 1 < x vC 1 v emi n (4.31)
A l’aide du chronogramme, on calcule ∆vC 1 :

Z T 1
Z T 1
Z T µ
vs
¶
∆vC 1 = d vC 1 = i C 1 (t ) d t = − t + i eM d t (4.32)
αT C1 αT C1 αT L1
On considère que le rendement du convertisseur est de 100% :
< i d >= I S (4.33)
108
Puis :
vs
i eM = i em + (1 − α) T (4.34)
2 L1
Après simplification, on obtient :
Ps
C1 > = F 4 (P s , v e ) (4.35)
x vC 1 F v e (v s + v e )
La fonction F 4 est maximale pour P s = P smax et v e = v emi n , donc :
P smax
C 1 > C 1max = (4.36)
x vC 1 F v emi n (v s + v emi n )
Exemple de dimensionnement Afin de donner un exemple d’application, nous

fixons les valeurs numériques pour les contraintes du cahier des charges et la
fréquence de découpage :
– P mi n = 10W
– P max = 100W
– Vemi n = 20V
– Vemax = 30V
– x v s = 5%
– x i e = 30%
– x vc1 = 5%
– F = 500kHz
Ce qui donne les valeurs numériques données dans le Tableau 4.5.
L 1 [H] C 1 [F] L 2 [H] C 2 [F]

185µH 7.6µF 13µH 7.6µF
TABLE 4.5 – Valeurs numériques des composants passifs pour le convertisseur

SEPIC à 500kHz.
A ce stade du dimensionnement, le MOSFET et la diode ne sont pas choisis.

Pour cela, il faut tout d’abord calculer les pertes générées au sein de ces deux
composants.
MOSFET, pertes en conduction A l’état passant, le MOSFET peut être modé-

lisé par une résistance notée R d son . Sur le chronogramme de la Figure 4.13, on
trace l’évolution du courant et de la tension au niveau du transistor MOSFET.
On note P cond MOS les pertes en conduction dans le MOSFET :
1
Z αT 1
Z αT ve 2
P cond MOS = R d son i k2 (t ) d t = R d son (i em + t) dt (4.37)
T 0 T 0 L1
109
Avec,
Ps vs
i em =
− (1 − α) (4.38)
ve 2 F L1
Après simplification de l’Esuation (4.37), on obtient :
v e4 v s2 + 12 F 2 L 21 P 2 (v e + v s )2
P cond MOS = R d son v s = F 5 (P s , v e ) (4.39)
12 F 2 L 21 v e2 (v e + v s )3
La fonction F 5 est maximale pour P s = P smax et v e = v emi n :
4
v emi v 2 + 12 F 2 L 21 P smax
n s
2
(v emi n + v s )2
P cond MOS max = R d son v s (4.40)
12 F 2 L 21 v emi
2
(v
n emi n
+ v s )3
ik ieM
Δie
iem
ve/L1
t
α.T T
vk
ve+vs
F IGURE 4.13 – Chronogrammes du courant et de la tension au niveau du tran-

sistor MOSFET.
MOSFET, pertes en commutation Pour le calcul des pertes en commutation,

on fait l’hypothèse que le courant et la tension au niveau du MOSFET ont des
gradients constants à l’ouverture et à la fermeture comme le montre la Figure
4.14. On définit t r 1 , t f 1 , t r 2 et t f 2 les différents temps de commutation. On note
P comMOS la puissance totale générée dans le MOSFET à cause des phénomènes
de commutation :
(t r 1 − t r 2 + t f 1 − t f 2 ) v e2 v s + F L 1 P s (t r 1 + t r 2 + t f 1 + t f 2 ) (v e + v s )
P comMOS =
2 L1 ve
(4.41)
P comMOS = F 6 (P s , v e ) (4.42)
La fonction F 6 est maximale pour P s = P smax et v e = v emi n :
2
(t r 1 − t r 2 + t f 1 − t f 2 ) v emi v + F L 1 P smax (t r 1 + t r 2 + t f 1 + t f 2 ) (v emi n + v s )
n s
P comMOS max =
2 L 1 v emi n
(4.43)
110
ik ieM
Δie
iem
t
α.T T
vk
ve+vs
t
tr1 tf1 tr2 tf2
F IGURE 4.14 – Chronogrammes du courant et de la tension au niveau du tran-

sistor MOSFET, zoom sur les commutations.
C1 L2 Diode
C2
L1
MOSFET
F IGURE 4.15 – Convertisseur SEPIC 100W 500kHz.
Choix et dimensionnement des inductances Dans ce paragraphe nous don-

nons une brève méthode sur le choix des matériaux magnétiques et des bo-
binages. Dans un premier temps, considérons une inductance bobinée sur un
noyau magnétique avec un entrefer simple e : Figure 4.16.
Le théorème d’Ampère donne :
−−→
Z
→
H d l = n iL (4.44)
cont our
He e + Hl l = n i L (4.45)
Et la conservation du flux implique que :
ϕ = Bl s = Be s Bl = Be (4.46)
111
l Ae
iL
s
vL n e (He Be)
(Hl Bl)
F IGURE 4.16 – Description géométrique d’une inductance bobinée
et :
B l = µ0 µr Hl B e = µ0 He (4.47)
On en déduit que :
He = µr Hl (4.48)
et :
Hl (l + e µr ) = n i L (4.49)
Or, on connait la définition suivante :
dφ d iL
vL = n =L (4.50)
dt dt
Donc :
n2 s 1 d iL
v L = µ0 l
(4.51)
e 1+ dt
e µr
Puis on identifie l’expression de L :
n 2 µ0 µr s
L= (4.52)
µr e + l
Pour l’inductance L 1 , on choisit un noyau de ferrite : pot RM12 (Figure 4.17).
On fixe la valeur de l’entrefer e = 1mm.

On calcule le nombre de tours pour obtenir la valeur d’inductance voulue :
s
L 1 µr e + l
n= = 45 (4.53)
µ0 µr s
112
F IGURE 4.17 – Pot RM12 du constructeur FERROXCUBE
Avec, pour le matériau magnétique 3C 90 :
µr = 1500 (4.54)
s = 146mm 2 (4.55)
l = 56.6mm (4.56)
Ensuite, on vérifie que le courant maximal engendre une induction maxi-
male B max inférieure à l’induction de saturation B sat = 250mT .
L 1 I L1max
B max = = 195mT (4.57)
sn
Si la valeur de B max est supérieure à la valeur de B sat , on change la valeur de
l’entrefer et ce jusqu’à la vérification de cette contrainte.
Ensuite, pour le bobinage, on doit respecter les deux contraintes suivantes :
n s cu < A 1 (4.58)
I L1e f f /s cu < 5A/mm 2 (4.59)

Où s cu est la section de cuivre et A 1 l’aire de la fenêtre de bobinage dispo-
nible. Dans notre cas, on a A 1 ≈ 100mm2 et i L1max = 6.7A ce qui donne :
n I L1e f f /A 1 < n I L1max /A 1 ≈ 3A/mm 2 (4.60)

On en déduit que ce pot est bien adapté pour la réalisation de l’inductance
L 1 . Si on se rend compte que la densité de courant est trop importante, il faut
changer de taille de pot. Pour cela, en première approche, on accepte une den-
sité de courant maximale de 10A/mm2
113
F IGURE 4.18 – Pot RM10 du constructeur EPCOS
Pour l’inductance L 2 , on choisit un noyau de ferrite : pot RM10 (Figure 4.18).
On fixe la valeur de l’entrefer e = 0.5mm.

On calcule le nombre de tours pour obtenir la valeur d’inductance voulue :
s
L 2 µr e + l
n= = 10 (4.61)
µ0 µr s
Avec, pour le matériau magnétique N 87 :
µr = 1500 (4.62)
s = 98mm 2 (4.63)
l = 42mm (4.64)
Ensuite, on vérifie que le courant maximal engendre une induction maxi-
male B max inférieure à l’induction de saturation B sat = 250mT.
L 1 I L2max
B max = = 72mT (4.65)
sn
Si la valeur de B max est supérieure à la valeur de B sat , on change la valeur de
l’entrefer et ce jusqu’à la vérification de cette contrainte.
Ensuite, pour le bobinage, on doit respecter les deux contraintes suivantes :
n s cu < A 1 (4.66)
114
I L2e f f /s cu < 5A/mm 2 (4.67)

Où s cu est la section de cuivre et A 1 l’aire de la fenêtre de bobinage dispo-
nible. Dans notre cas, on a A 1 ≈ 64mm2 et i L2max = 5.7A ce qui donne :
n I L2e f f /A 1 < n I L2max /A 1 ≈ 0.9A/mm 2 (4.68)

On en déduit que ce pot est bien adapté pour la réalisation de l’inductance
L 2 . Si on se rend compte que la densité de courant est trop importante, il faut
changer de taille de pot.
Conclusion Dans cet exemple, un peu plus complexe que les deux précédents,
nous calculons les valeurs numériques des composants passifs. Cependant, nous
proposons une ébauche de méthode afin de choisir et de dimensionner les in-
ductances sur la base de ’pots’ en ferrite et de fils de Litz. Nous voyons apparaitre
la faiblesse de cette méthode qui est itérative et fortement basée sur l’expérience
du concepteur. Afin d’aider un concepteur novice et de diminuer le temps de
conception, il apparait nécessaire d’automatiser la conception des inductances.
Mais à ce stade, le concepteur a répondu au premier stade du dimensionnement
qui est l’étude de faisabilité.

Quelques notions générales sur la conception des convertisseurs de puis-
sance sont proposées dans ce chapitre : cycle en V, prototypage virtuel, prototy-
page physique, dimensionnement, optimisation, etc.
Ensuite, trois exemples de dimensionnement (abaisseur, flyback et SEPIC)
sont proposés à l’aide d’équations simples amenant à utiliser une méthode de
dimensionnement dite directe (ne nécessite pas de méthode d’optimisation).
Cependant, le concepteur avisé se posera rapidement la ou les questions sui-
vantes : comment choisir les composants de puissance, les dissipateurs, les lois
de commande ? Comment choisir la solution optimale pour minimser le vo-
lume, minimiser le poids, les deux en même temps, maximiser le rendement ?
etc. Pour tenter de répondre à ces questions, il faut rapidement mettre en oeuvre
des méthodes d’optimisation. Ce sujet n’est pas traité dans ce document. Les
références suivantes peuvent donner quelques éléments de réponse pour les
convertisseurs DC-DC : [ELLM09] [ELLM10] [Ejj10].
115
Bibliographie
[Alo98] Pierre Aloïsi. Tout savoir ou presque sur les IGBT. Polycopié
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catroniques automobiles ; Approche de prédimensionnement multi-
niveau multi-physique de convertisseurs statiques. PhD thesis, Uni-
versité Paris XI, 2010. 115
[ELLM09] K. Ejjabraoui, C. Larouci, P. Lefranc, and C. Marchand. A new pre-
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IEEE Industrial Electronics Society, IECON’09, Porto, Portugal, No-
vember 2009. 96, 100, 115
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[TT] Hideki Takahashi and Yoshifumi Tomomatsu. Next-generation igbts
(cstbts). Application note, Mitsubishi Electric. 68
118

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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DE

L'ENERGIE, L'EAU ET L'ENVIRONNEMENT

Introduction à l'électronique de puissance :

Pierre LEFRANC - ENSE3

OCTOBRE 2012, V1.0

1 Topologies de base de l’électronique de puissance 5

2 Les composants de l’électronique de puissance. Classifications et fonc-

2.3.3 Le MOSFET à canal horizontal et courant vertical . . . . . . . 54

3 Modélisation du comportement des convertisseurs de puissance en ré-

4 Conception des convertisseurs de puissance 96

Ce premier chapitre a pour objectif de donner un aperçu des différentes to-

1.1 Classification des convertisseurs

1.1.2 La conversion DC-DC

F IGURE 1.1 – Classification des convertisseurs en quatre grandes familles.

F IGURE 1.2 – Convertisseur abaisseur sans et avec filtre d’entrée.

ou buck converter pour la littérature anglo-saxonne. Sur la Figure 1.2, on donne

1.1.3 La conversion AC-DC : les redresseurs

F IGURE 1.3 – Redresseur monophasé à diodes sur charge capacitive.

On définit le facteur de déplacement F D :

|v1| |v2| |v3|

Du point de vue de cette analyse qualitative rapide, on comprend bien que le

Th4 Th5 Th6 t

F IGURE 1.6 – Pont P 6T .

i1 Th1 Th2 Th3

F IGURE 1.7 – Pont P 3T 3D.

Sur charge inductive, on trouve les relations suivantes, pour le pont P 6T :

F IGURE 1.8 – Comparaison des facteurs de puissance pour les topologies P 6T et

F IGURE 1.9 – Synoptique de la fonction CFP.

F IGURE 1.10 – Synoptique de la fonction CFP à deux étages.

F IGURE 1.11 – Structure de commande pour le pré-régulateur pour convertis-

F IGURE 1.12 – Pré-régulateur élévateur pour convertisseur CFP.

F IGURE 1.13 – Exemple de convertisseur CFP mono-étage avec convertisseur fly-

F IGURE 1.14 – Schéma de principe d’un gradateur mono-phasé.

1.1.4 La conversion AC-AC

Le schéma de principe d’un gradateur mono-phasé est donné Figure 1.14. La

Sur la Figure 1.15, on remarque que le fondamental du courant i k est dé-

Un cyclo-convertisseur permet de faire une conversion AC-AC avec comme

F IGURE 1.15 – Formes d’onde pour convertisseur gradateur mono-phasé sur

ich1 ich2 ich3

vch1 vch2 vch3 vch1 vch2 vch3

ik1 ik2 ik3 ik1 ik2 ik3

F IGURE 1.16 – Gradateurs tri-phasés.

Redresseur 1, commande α1 Redresseur 2, commande α2

ik1 ik2 ik3 ich ik4 ik5 ik6

F IGURE 1.17 – Principe de base d’un cyclo-convertisseur mono-phasé.

F IGURE 1.18 – Formes d’ondes d’un cyclo-convertisseur mono-phasé.

ich ich ich

F IGURE 1.19 – Cyclo-convertisseur tri-phasé.

F IGURE 1.20 – Cyclo-convertisseur tri-phasé.

F IGURE 1.21 – Interrupteur bi-directionnel en courant et tension.

Le principe de base du convertisseur matriciel est donné sur la Figure 1.20.

1.1.5 La conversion DC-AC : les onduleurs

F IGURE 1.22 – Définitions des termes onduleur de tension et onduleur de cou-

F IGURE 1.23 – Onduleur push-pull.

des onduleurs monophasés. Le premier est l’onduleur de type push-pull : Fi-

(a). ϕ > 0, déphasage arrière (b). ϕ < 0, déphasage avant

F IGURE 1.24 – Formes d’ondes pour l’onduleur push-pull.

F IGURE 1.25 – Onduleur demi-pont capacitif.

(a). ϕ > 0, déphasage arrière (b). ϕ < 0, déphasage avant