Série : physique des semi-conducteurs

Exercice 1 : Calculer la longueur d’onde associée à un photon, un électron et à un neutron de

1 eV. me = 9.10954x10-31 kg, mn = 1.67495x10-27 kg, mp = 1.67265x10-27 kg

Exercice 2

Le réseau de Bravais du diamant est cubique à faces centrées de paramètre de maille a =

0,3567nm, le motif est composé de deux atomes de carbone situés en (0, 0, 0) et (1/4, 1/4,
1/4).

1. Représenter la maille élémentaire ainsi qu’une projection sur le plan (x, y).
2. Donner la multiplicité, la coordinence et la compacité.
3. Calculer la masse volumique ρ du diamant sachant que la masse atomique de carbone
M = 12g /mol et le numéro d’Avogadro N = 6,023.1023 mol-1.

Exercice 3

On donne le tableau suivant :

Eg [eV] NC [atomes/cm3] NV [atomes/cm3]

AsGa 1,43 4,7.1017 7.1018
19
Ge 0,66 1,04.10 6.1018
Si 1,12 2,8.1019 1,04.1019
1. Parmi ces trois semi-conducteurs, quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la
plus faible ?

2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K.

Exercice 4

On considère un semi-conducteur intrinsèque.

1. Rappeler la relation qui lie la concentration de porteurs libres n, p et la concentration

intrinsèque ni et donner l’expression de ni en fonction de Eg (gap).
2. Sachant qu’à 300 K la concentration intrinsèque du silicium vaut 6,4.10 9 cm-3 et que
la hauteur de la bande interdite vaut 1,12 eV, déterminer la valeur de A (ni=
AT3/2exp(-Eg/2kT).
3. En supposant que A indépendant de T, calculer la concentration intrinsèque du
silicium à la température d’un four à diffusion (1200 K).

Exercice 5 : Semi-conducteur intrinsèque

On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes d'états

énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de valence sont notées
respectivement NC et NV.

1
F. LMAI
 1. Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la
densité de trous p dans la bande de valence ?
2. En déduire l'expression de la densité intrinsèque ni et la position du niveau de Fermi
intrinsèque EFi ?
Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande interdite (ou gap)
19 -3 19 -3
Eg=1,1eV et pour lequel NC=2,7.10 cm et NV=1,1.10 cm .
3. Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C, 127°C et
227°C. On rappel qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence énergétique,
le haut de la bande de valence (EV=0eV) ?

Exercice 6 : Semi-conducteur extrinsèque

18 -3
Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 10 cm .
1. Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.
Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?

2. Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi E F puis donnez une représentation du

-19
diagramme de bandes du silicium ainsi dopé ? k=1,38.10-23JK-1 q=1,602.10 C

Exercice 7
Dans le cas du Silicium, à T = 300 K, avec ni = 1,5.1010 cm-3, nombre total d’atomes par cm3
= 5.1022.

1. Quel est le rapport du nombre d’atomes ionisés au nombre total d’atomes ?

2. Quelle est la largueur de la bande interdite en eV ?

3. Déterminer sans calculs le type de semi-conducteur (n ou p) puis les concentrations des

porteurs à l’équilibre dans les cas suivants :

a) Silicium dopé par 1015 atomes de Ga par cm-3.

b) Silicium dopé par 1012 atomes de Sb par cm-3.

c) Silicium dopé par 3.1010 atomes de In par cm-3.

Exercice 8

On considère un barreau de silicium intrinsèque. On donne :

e = 1,6.10-19 C, k = 1,38.10-23 J/K, nombre d’Avogadro = 6,02.1023, h = 6,6.10-34 J.s.
Masse atomique = 28,08 g.
Masse volumique = 2,33.103 kg.m-3.

2
F. LMAI
Largeur de la bande interdite Eg = 1,1 eV (supposée indépendante de la température).
Concentration effective des porteurs dans la bande de conduction,

1. Calculer la concentration ni des porteurs à 300 K.

2. Le barreau est maintenant dopé à raison d’un atome d’antimoine (Sb) pour 5.1012 atomes de
silicium. Déterminer la concentration des impuretés introduites. Quel type de semi-conducteur
obtient-on ?
3. Après avoir rappelé comment on établit les expressions générales donnant les
concentrations des porteurs n et p en fonction de ni et des concentrations des impuretés
acceptrices et donatrices, déterminer ces concentrations à 300 K.
4. On admet que le barreau de silicium redevient pratiquement intrinsèque lorsque ni dépasse
de 10 fois la valeur de la concentration des impuretés introduites. A quelle température
minimum doit-on chauffer le barreau pour se trouver dans un tel cas?

Exercice 9

Un semi-conducteur au Si de type N de longueur 2 mm et de section de 1mm2. Sa résistance à

T=300°K est de 100Ω. On donne: Eg = 1,12 eV, µn = 1,4 x 103 cm2V −1 s −1, µp = 0,5 x 103
cm2V −1 s −1, NC = NV = 2,5 x 1025m −3 et k = 1,38 x 1023JK−1. Nc et Nv sont supposées
indépendantes de la température.

1. Calculer la résistivité du semi-conducteur.

2. Calculer la concentration des porteurs majoritaires et minoritaires.
3. A quelle température T1, le nombre d’électrons provenant de la rupture des liaisons de
valence est-il égale au nombre d’électrons provenant de l’ionisation des donneurs.

Exercice 10

On considère un semi-conducteur intrinsèque.

1. Calculer la probabilité d’occupation f’(E) d’un trou d’énergie E dans la bande de

valence. Que devient cette expression dans le cas d’un semi-conducteur non dégénéré,
pour lequel E << EF-2kT ?

2. En déduire la concentration p en trous dans la bande de valence, supposée semi-

+∞ √𝜋 3
infinie. On donne : ∫0 𝑥2 exp(−𝑎𝑥2) 𝑑𝑥 = ∗ 𝑎(− 2).
4

3. Les électrons de la bande de conduction possèdent l’énergie cinétique E-Ec. Par

analogie expliquer pourquoi l’énergie cinétique des trous de la bande de valence vaut
Ev-E.

3
F. LMAI
 4. Calculer la vitesse moyenne <v> des trous dans la bande de valence. Commenter le
résultat obtenu.

Exercice 11

Un matériau intrinsèque est dopé par Nd atomes donneurs et Na atomes accepteurs.

1. Donner l'expression de la concentration n0 en fonction de ni et de N = Nd - Na.

2. Quel est le signe de N si le semi-conducteur est de type n ? de type p ?
3. On suppose Nd > Na. Faire un développement limité de n0 en fonction de ni / N.
4. En déduire la valeur minimale de N / ni pour que l'erreur introduite en utilisant la
formule approchée de n0 = N soit inférieure à 5 %.

Exercice 12

Un semi-conducteur est faiblement dopé avec des atomes donneurs et accepteurs. Les
concentrations respectives sont Nd et Na. On pose N0 = Nd - Na. La température est telle que
les impuretés sont ionisées.

1. Calculer en fonction de N0 et de la concentration intrinsèque ni, les concentrations n

en électrons dans la bande de conduction et p en trous dans la bande de valence.

Soient µn et µp les mobilités respectives des électrons et des trous. On pose α = µp/ µn ; est
inférieur à 1 et peut être considéré comme pratiquement indépendant du dopage.

2. Exprimer la conductivité σ du matériau en fonction de N0, ni, α, e et µn.

3. Montrer que σ présente un extremum σ e pour une valeur négative N0e de N0. De quel
type est alors le semi-conducteur ? Expliciter N0e en fonction de ni et α, même chose
pour σe en fonction de ni, α et µn.
4. Examiner le cas particulier de l’arséniure de gallium pour lequel, à la température
ambiante α=1/20, ni =2.3*1012 m-3 et µn = 0.8m2/Vs.
5. Déterminer la valeur σi de la conductivité intrinsèque. Comparer σi et σe, en supposant
que µni~ µn. Vérifier ce résultat dans le cas de l’arséniure de gallium. Commenter.

Exercice 13

On considère une plaque rectangulaire d’épaisseur h, et de largeur b, représentée sur la figure

suivante. Elle est réalisée dans un semi-conducteur où la conduction électrique est assurée par
des électrons mobiles dont le nombre par unité de volume est n. La plaque est parcourue par
un courant d’intensité I, uniformément réparti sur la section de la plaque avec la densité
volumique 𝐽⃗ = 𝑗𝑒⃗⃗⃗⃗𝑥 ( J > 0 ).

4
F. LMAI
Elle est alors placée dans un champ magnétique uniforme 𝐵 ⃗⃗ = 𝐵𝑒⃗⃗⃗⃗𝑧 (B > 0), crée par des
sources extérieures. Le champ magnétique crée par le courant dans la plaque est négligeable
devant le champ extérieur, et on suppose que le vecteur densité de courant est toujours porté
par l’axe (Ox) (circulation permanente des e-).

1. Champ électrique de Hall Champ électrique de Hall

1.a) Exprimer le vecteur vitesse 𝑣⃗ des électrons dans la plaque en fonction de J, n et e en

l’absence de champ magnétique extérieur.

1.b) Lors de l’apparition d’un champ magnétique extérieur 𝐵⃗⃗, le courant est dévié et il va y
avoir accumulation de charges. Représenter sur un schéma ce phénomène.
1.c) En régime permanent, après que les charges se soient accumulées, le vecteur densité de
courant 𝐽⃗ est forcément parallèle à (Ox) (sinon des charges sortiraient par les cotés de la
plaque…), en déduire que ces charges font apparaître un champ électrique dit de Hall : 𝐸⃗⃗𝐻 =
1
𝐽⃗ ᴧ 𝐵
⃗⃗
𝑛𝑒

1.d) Exprimer les composantes de ce champ de Hall 𝐸⃗⃗𝐻 .

2. Tension de Hall et mesure du champ magnétique

2.a) On considère 2 points M et N en vis-à-vis des faces 1 (x = -b/2) et 2 (x = +b/2). Calculer
la différence de potentiel entre ces deux points UH = V N − V M appelée tension de Hall.
2.b) Montrer que UH s’écrit UH = I x B x CH/h, et exprimer la constante CH. En quoi la
mesure de cette tension de Hall peut-elle être utile ?
2.c) AN : Pour l’antimoniure d’indium InSb, CH = 375.10−6 uSI, I = 0,1 A, h = 0,3 mm et UH
= 88mV. Calculer la norme du champ 𝐵 ⃗⃗, ainsi que la densité volumique n en électrons par
3
m.

Exercice 14

On considère un barreau de silicium de longueur 2 L dont le type passe de n à p avec une

distribution d’électrons de la forme n (x) = ni exp (1-x/L) où ni est la densité de porteurs
intrinsèques

1. Calculer le champ électrique dans le barreau.

5
F. LMAI
 2. Calculer la charge d’espace
3. Donner l’expression du profil de dopage (Nd – Na) qui est à l’origine de cette
distribution en fonction de x
4. Représenter le profil de dopage et le diagramme énergétique du barreau à l’équilibre
thermodynamique en fonction de x
5. Que dire de cette jonction.
6. Donner la loi de variation de la résistance R du barreau avec sa longueur. Le barreau a
une section s = 1 cm2 et on supposera égales les mobilités des électrons et des trous (µ
2
= µn = µ p = 1000cm /Vs)
7. Calculer R pour un barreau de 2 cm de longueur.

Exercice 15

On considère une jonction P-N réalisée en Si avec une partie P dopée à NA = 5x1016 cm-3 et
une partie dopée ND = 1x1015 cm-3 fonctionnant à température ambiante.

1. Evaluer l’énergie de fluctuation thermique à la température ambiante en eV.

2. Expliquer pourquoi le Si intrinsèque est isolant à T=0k et que le Si dopé N ou P est
conducteur à la température ambiante.
3. Représenter les schémas en bande d’énergie pour le Si pur, Si de type P et le Si de
type N.
4. Calculer les niveaux de fermi dans chacun des cas.
5. Donner l’expression de la barrière de potentiel VΦ, la largeur de la zone de charge
d’espace W et la capacité C d’une jonction polarisée en direct et en inverse.
6. Calculer la valeur de VΦ, W et le courant IS pour une jonction en court-circuit.

Données : kB=8.62x10-5 eV/k, εSi=1x10-12 F/cm, Eg=1,1eV, NC=2.7x1019 cm-3, NV=1.1x1019

cm-3, q=1,602.10-19C

Exercice 16

Un morceau de silicium mono-cristallin de forme parallélépipédique est dopé sélectivement

avec des accepteurs (dopage P) sur sa partie gauche et des donneurs (dopage N) sur sa partie
droite.

1. Que se passe-t-il lorsque l’on porte globalement un cristal homogène (ou une région
d’un cristal) à un potentiel électrostatique Vo ?
2. En une région quelconque du composant, retrouver la densité locale d’électrons de la
bande de conduction en fonction du niveau bas de celle-ci Ec et d’une constante ne
dépendant que du matériau.
3. Même question pour les trous.
4. Que peut-on dire du produit np ?
5. Rappeler la valeur de n dans un cristal dopé avec une densité ND de donneurs et la
valeur de p dans un cristal dopé avec une densité NA d’accepteurs.
6. En déduire la différence de potentiel qui règne entre les régions P et N de notre cristal.
On suppose que les effets de la juxtaposition d’une région N et d’une région P ne se
font sentir qu’au voisinage de l’interface (jonction). Loin à l’intérieur des régions P et
N, on supposera que cette jonction n’a pas d’influence directe.

6
F. LMAI
 7. Faire un schéma illustrant la position des niveaux d’énergie électroniques dans le
cristal.
8. Faire le bilan des déplacements de charges (électrons et trous).
9. Une différence de potentiel externe est appliquée entre la zone P et la zone N, brisant
ainsi l’équilibre. Déduire du bilan des courants de charge, le courant électrique passant
dans le composant.

Exercice 17
On considère la jonction NP abrupte de section unité dont les paramètres sont :
Région N : ND=1017cm-3 WN = 1µm,
Région P : NA=1016cm-3, WP = 1µm

1. Calculer la différence de potentiel électrostatique Vϕ établie entre les régions N et P

sachant que ni = 1010cm-3.
2. Calculer les réparations E(x) du champ électrique et V(x) du potentiel électrostatique
dans les régions N et P de part et d'autre de la jonction métallurgique.
3. Trouver les extensions WTN et WTP de la zone de transition dans les régions N et P.
4. Comment seraient modifiées ces données si on met un dopage plus important du côté
N : ND=1019cm-3

Exercice 18

Une jonction p-n abrupte au silicium est constituée de deux régions homogènes dopées
respectivement avec Na = 1018 cm-3 accepteurs excédentaires et Nd = 1016 cm-3 donneurs
excédentaire. Les longueurs des régions n et p sont de plusieurs dizaines de micromètres. Les
mobilités et les durées de vie des porteurs minoritaires sont respectivement µn = 1540 cm2 /
Vs, µp = 770 cm2 /Vs, τn = 10-10 s et τp = 10-8 s. La densité de porteurs intrinsèque du silicium
à température ambiante est ni = 1010 cm-3

1. Calculer dans chacune des régions la distance du niveau de Fermi au niveau de Fermi
intrinsèque.
2. Calculer la tension de diffusion de la jonction.
3. La jonction est polarisée par une tension directe de 260 mV, calculer les densités de
porteurs minoritaires injectés dans chacune des régions.
4. La jonction est polarisée en inverse par la même tension de 260 mV, calculer les
densités de porteurs minoritaires aux frontières de la zone de charge d’espace.
5. Calculer la densité de courant traversant la jonction pour des polarisations directe et
inverse de 260 mV. On négligera les phénomènes de génération-recombinaison dans
la zone de charge d’espace.

Exercice 19

On considère une jonction p+n en silicium à 300 k. La zone n est dopée à 10 16 atomes cm-
3
et la zone p à 1018 atomes cm-3. On supposera que le nombre de porteurs du silicium
intrinsèque est ni = 1,45 x 1010 cm-3 et que la constante diélectrique vaut εr = 11,9.

1. Calculer la hauteur de la barrière de la jonction en l’absence de polarisation.

2. Calculer le nombre d’électrons dans la zone p et le nombre de trous dans la zone n.

7
F. LMAI
 3. Calculer l’épaisseur de la zone de déplétion de la région p et celle de la région n en
l’absence de polarisation.
4. Que deviennent ces épaisseurs lorsque la diode est polarisée en inverse avec une
tension de 5 V et lorsqu’elle est polarisée en direct avec une tension de 0.5 V ?

Exercice 20

On considère l’arséniure d’indium (InAs) pour lequel on connaît la hauteur de la bande

interdite : 0.36 eV, la mobilité des électrons : 33x103 cm2/V/s, la mobilité des trous 4.6
102 cm2/V/s, la masse effective des électrons 0.023 m0, la masse effective des trous 0.4 m0, et
la permittivité relative 14.6. On supposera que les mobilités ne varient pas en fonction de la
densité des impuretés présentes dans le semi-conducteur et qu’elles évoluent
proportionnellement à T-3/2 :

Dans tout l’exercice proposé on prendra : m0 : masse de l’électron : 0.91 10-30 kg. q : charge
élémentaire : 1.6 10-19 C ; T0 : température ambiante : 293 K ; kT0 : 25.3 meV. 0 :
permittivité du vide : 8.85 10-14 F/cm. N0 : 2.5 1025 m-3.

1. Calculer le nombre intrinsèque (cm-3) de l’InAs à la température ambiante.

2. Calculer la résistivité (Ω.cm) de l’InAs à la température ambiante.

On dope maintenant l’InAs de telle façon que les porteurs négatifs soient dix mille fois plus
nombreux que les porteurs positifs et on envisage la température ambiante (pour simplifier les
calculs, on prendra ni(T0) = 2.0 1014 cm-3) :

3. Calculer la densité (cm-3) des porteurs positifs et des porteurs négatifs.

4. Calculer la résistivité (Ω.cm) de l’InAs dopé.

On réalise une diode PN abrupte de 100 µm de côté en InAs dont la tension de barrière est de
0.45 V à T0 (dopage de la partie N : 2.0 1016 cm-3) et la durée de vie des porteurs minoritaires
10 µs.

5. Calculer le dopage (cm-3) de la région P.

6. Calculer la capacité (pF) de la jonction lorsqu’elle n’est pas polarisée.

Exercice 21

1. Donner les définitions du niveau du vide, du travail de sortie, et de l’affinité

électronique.
2. On réalise un contact entre un métal et un semi-conducteur de type " N " dont le
dopage est constant, quelle condition doivent présenter le métal et le semi-conducteur
pour réaliser une barrière métal-semi-conducteur ?
3. Le métal utilisé a un travail de sortie de 4.7 eV et le semi-conducteur présente une
affinité électronique de 4.0 eV, calculer le dopage du semi-conducteur (atomes/cm3)
pour que le potentiel de la barrière qui s’oppose au passage des électrons du semi-
conducteur vers le métal soit de 0.53 V. (on prendra kT 0 = 0.025 eV et Nc = 10 25 m-3).
4. Démontrer la relation que relie le potentiel de barrière à l'épaisseur de la zone désertée
qui existe dans le semi-conducteur. Sachant que q = 1.6 10-19 C, que le dopage du
semi-conducteur est de 1.0 1016 cm-3 et sa permittivité 10-12 F/cm, en déduire la valeur
de la capacité par unité de surface (pF/cm2) de la barrière non polarisée.

8
F. LMAI
 5. Que faut-il faire pour polariser la barrière métal-semi-conducteur en direct. Calculer la
tension à appliquer pour obtenir un courant direct un million de fois plus grand que le
courant d'émission des électrons du métal vers le semi-conducteur.
6. Sachant que la valeur du champ d'avalanche dans le semi-conducteur utilisé est de
l'ordre de 100 kV/cm, en déduire la valeur approximative de la tension de claquage
inverse de la barrière métal-semi-conducteur envisagée.
7. Dire en quelques lignes, ce qu’il faut faire pour réaliser un contact ohmique avec le
métal et le semi-conducteur précédents.

Exercice 22

On mesure en fonction de la tension de polarisation V, la capacité C d’un contact redresseur

métal – silicium (n). On obtient, pour la quantité C-2, une variation linéaire de la forme : C-2
=A – BV avec A = 106 F-2 et B = 1,25 x 106 F-2 V-1. La constante diélectrique, affinité
électronique et la densité équivalente d’états de la bande de conduction du silicium sont
respectivement, ε = 10-10 F / m, eχ = 4eV et Nc = 1019 cm-3.

1. Etablir l’expression de la largeur w de la zone de charge d’espace et les lois de

variation du champ électrique et du potentiel dans toute la structure.
2. Etablir l’expression de la largeur w de la zone de charge d’espace en fonction de la
tension de polarisation.
3. Etablir l’expression de la capacité C de la structure.
4. Calculer la tension de diffusion Vd de la structure.
5. Calculer le dopage Nd du semi-conducteur.
6. Calculer le travail de sortie du semi-conducteur.
7. Calculer le travail de sortie du métal.

Exercice 23

1. A partir de la relation de la dispersion E(k) en déduire la masse effective des électrons et

des trous mn et mp.

2. Rappeler les expressions de la densité d’électron n dans la bande de conduction et la densité

de trous p dans la bande de valence.

3. Montrer que la concentration intrinsèque des porteurs s’écrit sous la forme suivante : ni =
(NcNv) ½ exp (-Eg/2KT) = T3/2 exp (-Eg/2KT) et en déduire n0 et p0 en fonction du niveau de
Fermi intrinsèque EFi.

4. En utilisant le théorème du Gauss et l’équation de Poisson, donner l’expression du potentiel

V(x) dans la région neutre et la région de charge d’espace (ZCE) désertée.

5. Définir les trois mécanismes qui influencent la mobilité des porteurs.

6. Donner la résistance d’un semi-conducteur en fonction de la mobilité des porteurs.

7. Exprimer les coefficients de diffusion D n et Dp des électrons et des trous à partir de la loi de
Fick.

8. Expliquer l’effet Hall et l’effet magnétorésistance.

9
F. LMAI
9. Comment créer les porteurs libres, citer les quatre méthodes de les créer et donner
l’expression de leur taux de génération Gn,p.

10. Une fois on a une perturbation physique le semi-conducteur est hors équilibre. Donner
dans ce cas l’expression du produit nxp et du courant électrique total (conduction + diffusion)
en fonction de quasi-niveau de Fermi.

11. Expliquer le processus de recombinaison et donner l’expression de la durée de vie des

porteurs dans le cas d’une recombinaison directe et indirecte.

12. Définir la photoconductivité, la luminescence et distinguer ses différents types.

13. Quelle est la différence entre la longueur de diffusion et la longueur de Debye, donner
l’expression du temps de relaxation d’un semi-conducteur.

14. Le contact entre deux matériaux demande à définir des grandeurs qui déterminent le
transfert de charges : Travail de sortie, Affinité électronique et Barrière de potentiel.
Expliquer chaque grandeur et donner son expression.

15. L’oxyde entre le métal et le semi-conducteur se comporte comme une capacité C. Ecrire
cette capacité en fonction de la barrière de Schottky Φb.

16. La description qualitative de la caractéristique I(V) d’un contact M-SC donne soit un
contact redresseur soit un contact ohmique. Définir chaque contact en introduisant les bandes
d’énergie.

Exercice 24

On étudie le contact argent – silicium idéal, dépourvu d’états interface. Le travail de sortie de
l’argent est eϕm = 4,3 eV. Le gap du silicium est Eg = 1,2 eV, son affinité électronique est eχ
= 4eV, sa constante diélectrique est ε = 10-10 F / m et sa densité de porteurs intrinsèques ni =
1010 cm-3.

1. Expliquer le comportement de cette hétérostructure quand on fait varier le type et le

taux de dopage du silicium.
2. Comment doit-on doper le silicium pour que la structure soit en régime de bandes
plates ?
3. Le silicium est dopé n avec une densité de donneurs Nd = 2 x 1018 cm-3. Calculer la
tension de diffusion de la structure.
4. Calculer la largeur de la zone de charge d’espace.
5. La surface du contact est S = 104 µm2. Calculer la capacité du contact non polarisé.

Exercice 25

On considère une structure MIS du type Al-I-Si. L’épaisseur de l’isolant I est d = 88,5 nm. Le
silicium est de type n avec une densité excédentaire de donneurs N d = 1015 cm-3. Le gap, la
constante diélectrique relative, la densité de porteurs intrinsèques et l’affinité électronique du
silicium sont respectivement Eg=1,2, εr(Si) = 12, ni = 1010 cm-3, eχ = 4eV. La constante

10
F. LMAI
diélectrique relative de l’isolant est εr(isolant) = 2. Le travail de sortie de l’aluminium est eϕm
= 4,3 eV. On supposera nulle la densité d’états d’interface.

1. Calculer dans le silicium la distance eϕFi = EF - EFi du niveau de Fermi au niveau de

Fermi intrinsèque.
2. Calculer la capacité Ci de l’isolant.
3. Calculer la tension de bandes plates VFB de la structure.
4. Calculer la tension de seuil VT du régime de forte inversion de la structure.
5. La structure est polarisée par une tension Vg = 5 V. Calculer la valeur de sa capacité.

Exercice 26

La cellule élémentaire d’un CCD (Charge Coupling Device) à canal enterré est constituée
d’une capacité MOS associée à une jonction pn. La structure de base de cette cellule est
représentée sur la figure ci-dessous.

On suppose que la jonction pn est abrupte et que les dopages Nd et Na des régions n et p sont
uniformes. La région de type p du semiconducteur est reliée à la masse, la jonction pn et la
capacité MOS sont respectivement polarisées par les tensions V n et Vg – Vn. Les potentiels Vn
et Vg sont tels que la capacité MOS est polarisée en régime de déplétion et la jonction pn est
polarisée en inverse. Enfin la région de type n du semiconducteur est suffisamment étroite
pour que les zones de charge d’espace de la capacité MOS et de la jonction pn se recouvrent.

1. Donner les expressions de la densité de charge dans toutes les régions de la structure.
2. Etablir les lois de variation du potentiel V dans la structure.

Dans l’isolant, on exprimera V en fonction du potentiel V g et du champ électrique Ei régnant

dans cette région. Dans la région de type p du semiconducteur on exprimera V en fonction de
la largeur w de la zone de charge d’espace dans cette région. Dans la région de type n du
semiconducteur on exprimera V en fonction de Vm et xm, où Vm et xm représentant la valeur et
la position du maximum de potentiel dans cette région.

3. Représenter graphiquement l’allure de la variation du potentiel dans toute la structure.

4. Etablir en fonction de w les expressions de xm, Vm et Ei.
5. Etablir l’expression de w (on supposera Na<<Nd)

Exercice 27

Une photopile au silicium de 5 cm2 de surface est caractérisée, lorsqu’elle est exposée au
rayonnement solaire, par un courant de court-circuit Icc = 100 mA et une tension de circuit
ouvert Vco = 480 mV.

1. Calculer le courant de saturation de la jonction constituant la photopile.

2. Définir la conduction d’utilisation optimum de cette photopile en établissant les
expressions de la tension V m et du courant Im correspondants.

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 3. En faisant les approximations qui s’imposent montrer que l’expression de Vm se met
sous la forme ln (x) = C – x où x = e Vm / kT. Calculer la constante C.
4. Calculer la valeur de x et par suite de Vm correspondant au maximum de puissance.
5. En déduire la valeur du maximum de puissance débitée, le facteur de forme de la
cellule ainsi que la valeur de l’impédance de charge adaptée.
6. En prenant pour le rayonnement solaire, P solaire = 1 kW / m2, calculer le rendement de
la photopile.

Exercice 28

On considère une cellule photovoltaïque au GaAs soumise au rayonnement solaire dont on

linéarisera le spectre à la surface de la terre par les expressions suivantes :

I (E) = 18 E – 10 pour E < 2,5 eV ; I (E) = 60 - 10 E pour E > 2,5 eV

La cellule est constituée d’une jonction n+p dont la région frontale de type p a une
épaisseur dp = 1 µm et dont la zone de charge d’espace a une épaisseur w = 0,9 µm. La
surface sensible de la cellule est S = 30 cm2. Les paramètres spécifiques du GaAs sont :
gap Eg = 1,42 eV, indice de réfraction nr = 3,5, coefficient d’absorption α = 104 cm-1.

1. Etablir l’expression de ϕ (E) de la densité énergétique de flux de photons à la surface

de la terre.
2. Calculer le flux total ϕt (E) de photons reçus par la cellule.
3. Calculer le flux total ϕa (E) de photons absorbés par la cellule. Un premier élément
conditionnant le rendement de la cellule est le rapport ϕa / ϕt. Calculer ce rapport.
4. Calculer la puissance globale du rayonnement reçu par la cellule, la puissance optique
absorbée par la cellule, la puissance électrique maximum disponible, la puissance
dissipée thermiquement.
5. En déduire la limite supérieure du rendement de la cellule.
6. Etablir l’expression du courant de photogénération dans la zone de charge d’espace de
la cellule.
7. En négligeant les autres sources de photocourant, calculer le courant électromoteur de
la cellule.

Exercice 29

Une couche mince de type p, d’épaisseur d = 0,1 µm est éclairée, à la température ambiante et
en incidence normale, par un rayonnement monochromatique de longueur d’onde λ = 0,8 µ m
et d’intensité constante I = 10 W/cm2. Les paramètres caractéristiques de la couche sont, à la
température ambiante : coefficient d’absorption α = 104 cm-1, durée de vie des porteurs
minoritaires τ = 10-9 s, mobilité des électrons µn = 8000 cm2 / Vs, indice de réfraction nr = 3,5.

1. Calculer le flux ϕ0 de photons tombant sur le matériau.

2. Etablir l’expression du taux de génération g de photoporteurs dans le matériau.
3. Calculer le taux de génération g0 de photoporteurs à la surface du semiconducteur.
4. Etablir l’expression de la densité de photoporteurs dans l’échantillon.
5. Calculer la densité de photoporteurs dans l’échantillon.
6. La structure est polarisée par une tension Vg = -0,8 V.
a. Déterminer son régime de fonctionnement.
b. Calculer l’abscisse xi à laquelle le semiconducteur est de nature intrinsèque.

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 c. Calculer la capacité C de la structure.

Exercice 30

Une diode électroluminescente au GaAs est constituée d’une jonction pn abrupte dont les
dopages respectifs des régions n et p sont Nd = 1018 cm-3 et Na = 1017 cm-3. Lorsque cette diode
est excitée par un courant constant d’amplitude I, la distribution d’électrons excédentaires
injectés dans la région de type p de la jonction est de la forme Δn(x) = Δn(xp)exp[-(x-xp) /Ln]
où xp représente l’abscisse de la frontière de la zone de charge d’espace de la jonction dans la
région de type p. Les paramètres caractéristiques du GaAs sont : Eg = 1,4 eV, εr = 11,5, µn =
8000 cm2 / Vs, µp = 200 cm2 / Vs, la durée de vie globale des électrons est τ = 5x10-9 s, la
probabilité de transition radiative est B = 7, 2x10-10 cm3 / s.

1. Etablir l’expression du rapport γn/γp des taux d’injection d’électrons et de trous dans
les régions n et p de la jonction. Calculer ce rapport.
2. Calculer le rendement quantique interne ηi, le rendement optique ηo et le rendement
externe ηe de la diode.
3. Etablir l’expression de Δn(x) en fonction du courant excitateur I.
4. Lorsque la diode est excitée par un courant constant de 100 mA, elle émet un
rayonnement monochromatique de 1 mW dont la longueur d’onde correspond au gap
du matériau. Calculer le nombre de photons émis par seconde par la diode.
5. Dans les mêmes conditions d’excitation, calculer le rendement radiatif du matériau.

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