Thèse Doctorat VF - Mamadou Lamine BA

UNIVERSITE DE THIES
ECOLE DOCTORALE DEVELOPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)

∞∞∞∞∞∞
DOMAINE SCIENCES ET TECHNOLOGIE (DSET)
∞∞∞∞∞∞
ANNEE 2019 – N° d’ordre :
THESE DE DOCTORAT
Présentée par
M. Mamadou Lamine BA
POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR EN PHYSIQUE
Option : Energies Renouvelables
THEME :
ETUDE DEs EffETs DE l’irraDiaTion DE parTicUlEs chargéEs sUr
UNE PHOTOPILE monofaciale AU SILICIUM EN REGIME STATIQUE
sous éclairement polychromatique
Soutenu publiquement le …/10/2019 devant le jury composé de :
Président :
M. Moustapha DIENG : Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Technique de l’Université
Cheikh Anta Diop de Dakar
Rapporteurs :
M. Amadou DIAO : Maitre de conférences à la Faculté des Sciences et Technique de l’Université Cheikh
Anta Diop de Dakar
M. Ibrahima LY : Professeur Titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès
Examinateurs :
M. Hamet Yoro BA : Maitre-assistant à l’Ecole Polytechnique de Thiès
M. Ousmane SOW : Maitre-assistant à l’IUT / Université de Thiès
Mme Hawa Ly DIALLO : Maitre de Conférences à l’UFRSET / Université de Thiès
Directeurs :
M. Grégoire SISSOKO : Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Technique de l’Université
Cheikh Anta Diop de Dakar
M. Mamadou WADE : Professeur Titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès
Invité :
M. Daour SENE : Proviseur du Lycée Technique Professionnel MSFXN de Thiès
Ecole Doctorale Développement Durable et Société (ED2DS)
Ce travail de Thèse de Doctorat unique en

PHYSIQUE a été effectué sous la direction de :
Monsieur Grégoire SISSOKO, Professeur
Titulaire de classe exceptionnelle au
Département de Physique de la Faculté des
sciEncEs ET TEchniqUEs DE l’UnivErsiTé chEikh
Anta Diop de Dakar (FST – UCAD),
ChEvaliEr DE l’orDrE naTional DU lion, ET
Rédacteur en Chef du Journal des Sciences
(www.cadjds.org)
ET DE MONSIEUR MAMADOU WADE, Professeur

Titulaire à l’écolE polyTEchniqUE DE Thiès
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | i
Dédicaces
DEDICACES
Ce travail de Thèse de Doctorat Unique est dédié à :

Ma reine Birguisse BA (la Reine de Chaba), mère de mes adorables enfants.
Mes brillants garçons Alassane, Mouhamad, Ababacar et ma chouette fille Fatoumata.
Ma maman Fatoumata DIALLO de bravoure inestimable pour la réussite de ses enfants.
Mon papa Mansour BA au gros cœur trop généreux, infatigable papa pour ses prières à ma réussite.
Que le Tout Puissant Vous laisse toi et maman avec nous aussi longtemps que possible. Amène !
Mes grandes sœurs Seynabou, Mariama, Adama et petites sœurs Aïssatou chérie Malick, Oussèye et mes
petits frères Mbaye Ababacar, Mamadou Talibé, Assane, Abdoulaye.
Mon beau-frère Alassane DIALLO et son épouse qui, leur soutien a été d’une importance capitale dans
mon cursus lycéen et universitaire à Dakar.
Tous mes neveux et nièces qui n’en restent pas en rade.
La généreuse Mame Diarra DARRY.
La famille Thiamène : mon tuteur Mamadou THIAM et son épouse Ndèye Awa DIOUM, ma sœur à moi
Kadijah THIAM, de par leur piété et générosité à mon endroit.
La famille Ndiayène : ma tutrice Sokhna NIANG et son époux Abdou Guèye NDIAYE.
Maty GUEYE, la bienveillante, très honoré par ta gratitude à mon endroit.
Au proviseur Daour SENE, au directeur des études Mamadou Moustapha BA, au chef des travaux Youssou
GUEYE et à l’ensemble du personnel administratif du Lycée Technique de Thiès.
Mes collègues de travail du Lycée Technique et Professionnel MSFXN de Thiès.
Mon frère et collègue François Michel NDIAYE, qui n’a jamais dénié à me motiver et de m’encourager
pour le travail à la perfection. Merci à toi !
Mon Directeur de Thèse le Professeur Grégoire CISSOKO qui n’a ménagé aucun effort pour la réussite de
ce travail.
Mon Co-Directeur de Thèse le Professeur Mamadou WADE qui pour ces encouragements et motivations à
mon encontre m’ont été d’une grande utilité.
Docteur Bakary dit Dembo SYLLA dont le soutien inlassable a permis l’aboutissement de ce travail en un
temps record.
Docteur Ibrahima DIATTA qui aussi m’a apporté des suggestions remarquables pour la perfection de ce
document.
Docteur Youssou TRAORE que je porte la mention spéciale pour sa disponibilité, sa courtoisie et aux
travaux qu’il abat au sein de l’équipe de recherche. Merci à toi mon jeune frère.
A tous/toutes ceux/celles qui ont souhaité et prié pour la brillante réussite de ce travail !
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | ii
Remerciements
REMERCIEMENTS
Louange au Tout Puissant !
Je porte mes remerciements à
M. Moustapha Dieng : Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de
l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar d’avoir accepté de présider ce jury.
M. Amadou Diao : Maître de Conférences à la Faculté des Sciences et Techniques de l’Université
Cheikh Anta DIOP de Dakar d’avoir accepté d’être rapporteur de ce jury.
M. Ibrahima Ly : Professeur Titulaire au Département de Génie Electromécanique de l’Ecole
Polytechnique de Thiès (EPT). Je suis honoré par le fait que vous rapportiez ce travail.
M. Hamet Yoro BA : Maître Assistant à l’Ecole Polytechnique de Thiès d’avoir accepté d’être
membre de ce jury.
M. Ousmane Sow : Maître Assistant à l’Institut Universitaire de Thiès IUT, pour ses conseils et
orientations qui m’ont servi à poursuivre les études. Je vous renouvelle toute ma gratitude.
Mme. Hawa Ly Diallo : Maître de Conférences, Chef de département à l’Université de Thiès
d’avoir accepté d’examiner ce travail.
M. Mamadou Wade : Professeur titulaire à l’Ecole Polytechnique de Thiès (EPT), pour sa
disponibilité, son sens de l’écoute et ses qualités humaines. Vous avez co-encadré ce travail. Vous m’avez
toujours poussé à donner le meilleur de moi pour finir à temps cette thèse. Je vous en suis très
reconnaissant.
M. Grégoire Sissoko : Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de
l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar. Le panafricain, le savant chercheur, le généreux sans égal, le
bienveillant au gros cœur d’or, … je trouve plus mots pour qualifier votre personne et magnifier mes
sincères et plus profondes gratitudes. Vous êtes une bénédiction que Dieu nous a gratifiée de vous avoir
comme chercheur renommé de notoriété sans faille. Nous tirons des leçons de vous tant à la recherche,
tant à la vie quotidienne où nulle part nous pourrions nous en abreuver. Je vous remercie du fond du cœur
d’avoir été endurant, patient, accompagnant dans la maitrise de mes connaissances et à la perfection de
ce document de thèse qui à vue le jour.
Je porte un remerciement et une reconnaissance qui n’auront ni limite et fin à mes braves vaillants parents
mon papa et ma maman. Que Dieu vous donne longue vie, santé et force pour nous accompagner dans les
épreuves de la vie imprévisible et nous prodiguer des prières de protection et de réussite. Amène !
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | iii
Table des matières
TABLE DES MATIERES
DEDICACES..................................................................................................................................................... ii
REMERCIEMENTS ........................................................................................................................................ iii
TABLE DES MATIERES ................................................................................................................................iv
NOMENCLATURE ........................................................................................................................................ vii
LISTE DES FIGURES ................................................................................................................................... viii
LISTE DES TABLEAUX .................................................................................................................................xi
INTRODUCTION GENERALE ........................................................................................................................ 1
Chapitre 1 ........................................................................................................................................................... 3
Etude bibliographique ........................................................................................................................................ 3
1.1. Introduction ................................................................................................................................................. 4
1.2. Light spectral effect on recombination parameters of silicon solar cell...................................................... 4
1.3. Proc. Wold Renewable Energie Conference ............................................................................................... 4
1.4. Detailed Modeling of Photovoltaic Components ........................................................................................ 4
1.5. Spectral response of light biased Si solar cells at open circuit voltage ....................................................... 5
1.6. Modélisation de la recombinaison aux interfaces d'une photopile au silicium polycristallin en régime
stationnaire ......................................................................................................................................................... 6
1.7. Analysis of the effect of parasitic resistances on the performance of photovoltaic modules ...................... 7
1.8. « Measurement of ac parameters of gallium arsenide (gaas/ge) solar cell by impedance spectroscopy »..7
1.9. Rayonnement solaire ................................................................................................................................... 8
1.10. L’environnement radiatif atmosphérique .................................................................................................. 9
1.11. Radiation-Hard High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells for Commercial Space Applications ....... 10
1.12. Evaluation of the Electrical Characteristics of III-V Compounds Solar Cells Irradiated with Protons at
Low Temperatures ............................................................................................................................................ 10
1.13. « SiO2 sur silicium : comportement sous irradiation avec des ions lourds ».......................................... 11
1.14. Radiation damage in silicon detectors ..................................................................................................... 11
1.15. Radiation effect test for single-crystalline and polycrystalline silicon solar cells .................................. 11
1.16. Theoretical Study of the Influence of Irradiation on a Silicon Solar Cell Under Multispectral
Illumination ...................................................................................................................................................... 12
1.17. Effect of irradiation on the transient response of a silicon solar cell ...................................................... 12
1.18. Diffusion Coefficient Modeling of a Silicon Solar Cell under Irradiation Effect in Frequency : Electric
Equivalent Circuit............................................................................................................................................. 12
1.19. Irradiation effect on the electrical parameters of a bifacial silicon solar cell under multispectral
illumination ...................................................................................................................................................... 12
1.20. Theoretical Study of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell Capacitance under Modulated
Polychromatic Illumination : Influence of Irradiation ..................................................................................... 13
1.21. Impact of irradiation on the surface recombination velocity of a back side monochromatic illuminated
bifacial silicon solar cell under frequency modulation .................................................................................... 13
1.22. Illumination wavelength effect on electrical parameters of a parallel vertical junction silicon solar cell
under steady state and under irradiation ........................................................................................................... 13
Conclusion :...................................................................................................................................................... 13
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Table des matières
Chapitre 2 ......................................................................................................................................................... 14
Etude théorique de la photopile monofaciale au silicium sous irradiation....................................................... 14
2.1. Introduction ............................................................................................................................................... 15
2.2. Présentation de la photopile ...................................................................................................................... 15
2.3. Taux de génération .................................................................................................................................... 16
2.4. Taux de recombinaison ............................................................................................................................. 17
2.5. Equation de continuité ............................................................................................................................... 17
2.6. Résolution de l’équation............................................................................................................................ 18
2.7. Solution générale de l’équation de continuité ........................................................................................... 18
2.8. Conditions aux limites ............................................................................................................................... 18
2.9. Densité des porteurs de charges minoritaires en excès ............................................................................. 19
2.10. Densité de photocourant .......................................................................................................................... 22
2.11. Phototension ............................................................................................................................................ 26
2.12. Etude de la caractéristique I(Sf) -V(Sf) de la photopile éclairée ............................................................ 28
2.13. Conclusion ............................................................................................................................................... 30
Chapitre 3 ......................................................................................................................................................... 31
Détermination des paramètres phénoménologiques de la photopile monofaciale au silicium sous irradiation
.......................................................................................................................................................................... 31
3.1. Introduction ............................................................................................................................................... 32
3.2. Vitesse de recombinaison des porteurs de charge à la face arrière Sb ...................................................... 32
3.3. Vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf .......................................................... 34
3.4. Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc ........................................................ 35
3.4.1. Généralités .............................................................................................................................................. 35
3.5. Technique de détermination de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc .. 38
3.6. Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit-ouvert de la photopile Sfco ............................ 40
3.6.1. Généralités .............................................................................................................................................. 40
3.7. Technique de détermination de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert de la
photopile Sfco................................................................................................................................................... 43
3.8. Conclusion ................................................................................................................................................. 45
Chapitre 4 ......................................................................................................................................................... 46
Détermination des paramètres électriques de la photopile monofaciale au silicium sous irradiation .............. 46
4.1. Introduction ............................................................................................................................................... 47
4.2. Etude de la résistance série (Rs) ................................................................................................................ 47
4.2.1. Expression .............................................................................................................................................. 47
4.3. Techniques de détermination de la résistance série Rs ............................................................................. 50
4.3.1. Profils de la résistance série Rs en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage . 51
4.4. Etude de la résistance shunt (Rsh) ............................................................................................................. 52
4.4.1. Expression .............................................................................................................................................. 52
4.5. Techniques de détermination de la résistance shunt Rsh .......................................................................... 55
4.5.1. Profils de la résistance shunt Rsh en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage
.......................................................................................................................................................................... 56
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | v
Table des matières
4.6. Etude de la capacité ................................................................................................................................... 57
4.6.1. Etude de la capacité de diffusion de la photopile ................................................................................... 59
4.6.2. Etude de l’épaisseur de la zone de charge d’espace ZCE ...................................................................... 61
4.7.Etude de la puissance et du point de puissance maximale ......................................................................... 62
4.7.1. Puissance électrique de la photopile ....................................................................................................... 62
4.7.2. Effet de l’irradiation sur le courant de diode .......................................................................................... 63
4.7.3. Effet de l’irradiation sur la puissance ..................................................................................................... 65
4.8. Détermination du point de puissance maximale MPP .............................................................................. 67
4.8.1. L’influence de l’énergie d’irradiation sur SFmax .................................................................................. 70
4.8.2. L’influence du coefficient de dommage sur SFmax .............................................................................. 72
4.9. Facteur de forme ........................................................................................................................................ 74
4.10. Rendement de conversion photovoltaïque .............................................................................................. 75
4.11. Conclusion ............................................................................................................................................... 79
CONCLUSION GENERALE .......................................................................................................................... 80
Références bibliographiques ............................................................................................................................ 82
Annexe mathématique ...................................................................................................................................... 89
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Nomenclature
NOMENCLATURE
ai : Coefficient tabulé du rayonnement solaire………………………………………………………...….(cm-3.s-1)
A : Largeur totale de la zone de transition ……………………………………...………………(Sans unité)
bi : Coefficient tabulé du rayonnement solaire………….………………….……………………..……...…..(cm-1)
C : Capacité………………………………….……………...………………..……………………..……….....(F.cm-2)
C0 : Capacité intrinsèque ou transitionnelle ………………...……………….………..…………………(C)
Cd : Capacité de diffusion de la photopile………….…………………………..…………………..………(C)
D : Coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans la base……………………………..….....(cm-2.s-1)
(x) : Densité des porteurs minoritaires photocréés dans la base en fonction de la profondeur x dans la
base…………………………….…………………………………………………………………………………...(cm-3)
G(x) : Taux de génération en fonction de la profondeur x de la base…..……………………….……..(cm-3.s-1)
H: Epaisseur totale de la base……………………………………………………………………….…………...(µm)
𝐼𝑑 courant de saturation de la diode……………………………….…………………….…………………………(A)
Jph: Densité de photocourant ………………………………………….…………………………………….(A.cm-2)
Jcc: Densité de photocourant de court-circuit………………………………………………….………….(A.cm-2)
Kb : Constante de Boltzmann……………………………………………………………………….…....(sans unité)
L : Longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la base…………………………….……………..(cm)
n : Le nombre de soleil……………………………………………………………………………….…..(Sans unité)
ni : Concentration intrinsèque du matériau Si………………………….……………………….……………(cm-3)
Nb: Taux de dopage des impuretés dans la base……………………….……………………….……………(cm-3)
P: Puissance………………………………………………………………………………………….…………(W/cm2)
q: Charge élémentaire de l’électron………………………...………………………………….…….……………(C)
Rs: Résistance série…………….…………………………………………………………………………...…(.cm-2)
Rsh: Résistance shunt…..………………………………………….……………………………..………...…(.cm-2)
Rch: Résistance de charge……………………………………………….…………………………………...……(.)
Sf: Vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction………………………………………(cm/s)
Sb: Vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la face arrière…………………………………( cm/s)
Sf0 est la vitesse de recombinaison associée aux pertes de porteurs de charge…………………………(cm/s)
Sfmax : Vitesse de recombinaison maximale des porteurs de charges à la jonction correspondant au point
de puissance maximale……………….…………..………………..…………………………………………..…(cm/s)
T:Température absolue………………………………………….…………………………………………………..(K)
: Durée de vie moyenne des porteurs minoritaires dans la base…….………………………………………(µs)
Vph : Phototension…..……………………………………………….………………………………………………(V)
Vco : Phototension de circuit ouvert….……………………………………………………………………………(V)
VT: Tension thermique………………………………………………….……………………………………………(V)
x : Profondeur de la base de la photopile à jonction horizontale……………………………………………(µm)
X0 : Profondeur dans la base pour densité des porteurs maximale …….…………………………..………(cm)
ɛ0 : Permittivité du vide…………………………………………………………………………….……….…...(pF/m)
ɛr : Constante diélectrique relative……..……………………….…………………………………….…(Sans unité)
ŋ : Rendement de conversion photovoltaïque…………………….……………………………..…………….... (%)
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Liste des figures
LISTE DES FIGURES

Figure 1- 1: Schéma électrique d’une cellule photovoltaïque ......................................................................... 5
Figure 1- 2: Caractéristiques puissance en fonction de SJ et de la phototension (figures 1 et 2), rendement
et facteur de forme en fonction de la longueur d’onde (figures 3 et 4) ........................................................... 6
Figure 1-3: Le ciel vu sous différentes longueurs d’ondes ............................................................................. 8
Figure 1-4: Rayonnements cosmiques atteignant la haute atmosphère ........................................................... 9
Figure 1-5: Densité spectrale de l’éclairement énergétique du rayonnement solaire ...................................... 9
Figure 1-6: Cascade neutronique dans l'atmosphère terrestre ....................................................................... 10
Figure 2-1: Structure d’une cellule solaire au silicium sous irradiation........................................................ 15
Figure 2-2: Densité des porteurs minoritaires de charges en excès en fonction de la profondeur x dans la
base pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5 cm-2/MeV, H=200µm, Sf=3.103cm/s,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s ............................................................................................................................................ 20
base pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sf=3.103cm/s,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s ............................................................................................................................................ 21
base pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sf=6.106cm/s,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s ............................................................................................................................................ 21
base pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sf=6.106cm/s,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s ............................................................................................................................................ 22
Figure 2-6: Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s................ 23
Figure 2-7: Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ................. 24
Figure 2- 8 : Photocourant de court-circuit en fonction de l’énergie d’irradiation pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec Sf= 6.106cm/s et H=200µm ........................................................................... 25
Figure 2- 9: Photocourant de court-circuit en fonction du coefficient de dommage pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec Sf= 6.106cm/s et H=200µm ......................................................................... 26
Figure 2-10: Phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s .............................................. 27
Figure 2-11: Phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ................................................ 28
Figure 2-12: Densité de photocourant en fonction de la phototension pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s .................................................................. 29
Figure 2-13: Densité de photocourant en fonction de la phototension pour différentes valeurs du coefficient
de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ....................................................................... 29
Figure 3-1: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la face arrière Sb en fonction du logarithme de
l’énergie d’irradiation pour différentes valeurs du coefficient de dommage ................................................ 33
Figure 3-2: Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb en fonction du coefficient de dommage pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation ................................................................................................ 33
Figure 3-3: Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur ....................................... 34
Figure 3-4 : Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du
logarithme de l’énergie d’irradiation ............................................................................................................. 37
Figure 3-5: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du
logarithme du coefficient de dommage ......................................................................................................... 37
Figure 3-6: La vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit de la photopile .................... 38
Figure 3-7: Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction de l’énergie
d’irradiation ................................................................................................................................................... 39
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Liste des figures
Figure 3-8: Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du coefficient de
dommage ....................................................................................................................................................... 40
Figure 3-9 : Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction
du logarithme de l’énergie d’irradiation ........................................................................................................ 42
Figure 3-10: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction
du logarithme du coefficient de dommage .................................................................................................... 42
Figure 3-11: La technique de détermination de la vitesse de recombinaison limitant le circuit ouvert ........ 43
Figure 3-12: Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction de l’énergie
d’irradiation ................................................................................................................................................... 44
Figure 3-13: Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction du coefficient de
dommage ....................................................................................................................................................... 45
Figure 4-1: Détermination de la résistance série Rs à partir de la caractéristique I-V au voisinage du circuit
ouvert ............................................................................................................................................................. 48
Figure 4-2: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de circuit ouvert .......... 48
Figure 4-3: Résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s.................................. 49
valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, F(kl,ϕp)cm/s .......................................... 49
Figure 4-5: Technique de détermination de la résistance série ..................................................................... 50
Figure 4-6: Résistance série en fonction de l’énergie d’irradiation .............................................................. 51
Figure 4-7: Résistance série en fonction du coefficient de dommage ........................................................... 52
Figure 4-8: Détermination de la résistance shunt Rsh à partir de la caractéristique I-V ............................... 53
Figure 4-9: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit ............................... 53
Figure 4-10: Résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes
Figure 4-11: Résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes
valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ................................... 54
Figure 4-12: La technique de détermination de la résistance shunt .............................................................. 55
Figure 4-13: Résistance shunt en fonction de l’énergie d’irradiation ........................................................... 56
Figure 4-14: Résistance shunt en fonction du coefficient de dommage........................................................ 57
Figure 4-15: Capacité de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
Figure 4-16: Capacité de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
Figure 4-17: Logarithme de la capacité de diffusion en fonction du logarithme de la phototension pour
différentes valeurs d’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ................... 60
Figure 4-18: Logarithme de la capacité de diffusion en fonction du logarithme de la phototension pour
Figure 4-19: Logarithme de la capacité en fonction du logarithme de la profondeur de la ZCE de la base X0
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ....... 62
Figure 4-20: Logarithme de la capacité en fonction du logarithme de la profondeur de la ZCE de la base X0
pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ......... 62
Figure 4-21: Schéma du circuit électrique équivalent d’une photopile......................................................... 63
Figure 4-22: :Courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
Figure 4-23: Courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
Figure 4-24: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s ............................................................................................................................................ 65
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | ix
Liste des figures
Figure 4-25: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la
jonction pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
....................................................................................................................................................................... 66
Figure 4- 26: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la phototension pour différentes
Figure 4-27: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la phototension pour différentes
valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ................................... 67
Figure 4- 28: Représentation de l’équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison des
porteurs de charges à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV et
H=100µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ......................................................................................................................... 69
Figure 4- 29: Représentation de l’équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison des
porteurs de charges à la jonction pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=50MeV et
H=100µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s ......................................................................................................................... 70
Figure 4- 30: Représentation de l’influence de SFmax en fonction de l’énergie d’irradiation ..................... 71
Figure 4- 31: Influence de SFmax en fonction de l’énergie d’irradiation (extraites de la caractéristique
P(Sf)) ............................................................................................................................................................. 72
Figure 4- 32: Représentation de l’influence de SFmax en fonction du coefficient de dommage ................. 73
Figure 4- 33: Influence de SFmax en fonction du coefficient de dommage (extraites de la caractéristique
P(Sf)) ............................................................................................................................................................. 74
Figure 4-34: Photocourant maximal en fonction de l'énergie d'irradiation ................................................... 76
Figure 4-35: Photocourant maximal en fonction du coefficient de dommage .............................................. 77
Figure 4-36: Phototension maximale en fonction de l'énergie d'irradiation.................................................. 77
Figure 4-37: Phototension maximale en fonction du coefficient de dommage ............................................. 78
Figure 4-38: Rendement de conversion photovoltaïque en fonction de l'énergie d'irradiation ..................... 78
Figure 4-39: Rendement de conversion photovoltaïque en fonction du coefficient de dommage ................ 79
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | x
Liste des tableaux
LISTE DES TABLEAUX

Tableau 2- 1: Valeurs de ai et bi ....................................................................................................................... 16
Tableau 3- 1: Les valeurs numériques de Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation .................... 34
Tableau 3- 2: Les valeurs numériques de Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage ................ 34
Tableau 3-3: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec
kl=5cm-2/MeV .................................................................................................................................................. 39
Tableau 3-4: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage
avec ϕp=60MeV ............................................................................................................................................... 39
Tableau 3-5: Les valeurs numériques de Vco, Sfco, Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
avec kl=5cm-2/MeV .......................................................................................................................................... 43
Tableau 3-6: Les différentes valeurs de Vco, Sfco, Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage
avec ϕp=60MeV ............................................................................................................................................... 44
Tableau 4-1: Les valeurs numériques de Vco, Sfco, Sb et de la résistance série Rs pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV ................................................................................................. 50
Tableau 4-2: Les différentes valeurs de Vco, Sfco, Sb et de la résistance série Rs pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec ϕp=60MeV ....................................................................................................... 51
Tableau 4-3: Les valeurs numérique de Jcc, Sfcc, Sb et de la résistance shunt Rsh pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV ................................................................................................. 56
Tableau 4-4: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb et de la résistance shunt Rsh pour différentes valeurs
du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV .................................................................................................. 56
Tableau 4-5: Les valeurs numériques de SFmax correspondant aux points de puissances maximales pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation ................................................................................................... 71
Tableau 4-6: Points de puissances maximales extraits de la caractéristique P(Sf) correspondants à SFmax
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation ........................................................................................... 71
Tableau 4-7: Les valeurs numériques de SFmax correspondant aux points de puissances maximales pour
différentes valeurs du coefficient de dommage ................................................................................................ 72
Tableau 4-8: Points de puissances maximales extraits de la caractéristique P(Sf) correspondants à SFmax
pour différentes valeurs du coefficient de dommage ....................................................................................... 73
Tableau 4-9: Les valeurs numériques de Vco, Icc, Pmax et FF pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV ..................................................................................................................... 74
Tableau 4-10: Les valeurs numériques de Vco, Icc, Pmax et FF pour différentes valeurs du coefficient de
dommage avec ϕp=60MeV .............................................................................................................................. 75
Tableau 4-11: Les valeurs du photocourant Imax, de la phototension Vmax, de la puissance Pmax, du facteur
de forme FF et du rendement Ƞmax correspondant au point de puissance maximale pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV .............................................................................................. 75
Tableau 4-12: Les valeurs du photocourant Imax, de la phototension Vmax, de la puissance Pmax, du facteur
de forme et du rendement Ƞmax correspondant au point de puissance maximale pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec ϕp=60MeV ....................................................................................................... 76
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | xi
Introduction générale
INTRODUCTION GENERALE
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS-THIES Page | 1
Introduction générale
La future gestion de l’énergie est désormais une question d’actualité majeure pour de multiples raisons.
Tout d’abord, la question démographique ainsi que l’évolution rapide des pays en voie de développement
posent la problématique des besoins à long terme en matière énergétique. Selon la majorité des
prévisionnistes, la consommation de l’énergie primaire commerciale devrait doubler d’ici 2030, puis tripler
aux horizons de 2050 [1].
A l’heure actuelle, notre planète est menacée par les effets du changement climatique qui influence
fortement la qualité de notre environnement. L’utilisation massive des énergies fossiles (charbon, pétrole,
gaz) par les grandes puissances mondiales, a entraîné l’émission de gaz carbonique, ce gaz, aggravant l’effet
de serre, est aujourd’hui responsable de ce bouleversement climatique.
Par contre, la prise de conscience de l’opinion publique de ces graves problèmes environnementaux liés
à ce type d’énergie a fait émerger maintenant depuis plus d’une décennie des idées nouvelles vers une
utilisation d’énergies propres et renouvelables qui remplaceraient nos anciennes modes de production
d’énergie et du coup permettraient de réduire le réchauffement climatique de la terre ajouté à la pollution de
son atmosphère.
Parmi les énergies renouvelables, le solaire photovoltaïque a marqué son empreinte grâce aux progrès
technologiques tant du point de vue forme que de la qualité (monofaciales au silicium monocristallin,
polycristallin et amorphes aux photopiles bifaciales au silicium monocristallin et polycristallin) [2].
Mais il apparait aujourd’hui des fautes au sein de ces dispositifs, qui affectent leur rendement énergétique
et souvent peuvent entrainer leur destruction. Ainsi plusieurs techniques d’évaluation des fautes dans les
matériels photovoltaïques ont été entreprises par des chercheurs afin de mieux garantir l’avenir de ces
systèmes de production d’énergie électrique [3-6].
A partir d’une étude théorique, nous montrerons l’influence de l’énergie d’irradiation sur les paramètres
électriques d’une photopile au silicium en régime statique et déterminons le point de puissance maximale à
partir des paramètres phénoménologiques à la différence des techniques des MPPT (Maximum Power Point
Tracker) qui forcent le générateur photovoltaïque à fonctionner à son point de puissance maximale [7-10].
Le présent travail est composé de quatre chapitres :
Dans le premier chapitre nous faisons une synthèse de la littérature sur d’importants travaux de recherche
portant sur les effets de l’énergie d’irradiation.
Dans le deuxième chapitre est proposé une étude de la photopile monofaciale en régime statique sous
éclairement polychromatique et sous irradiation. 
Dans le troisième chapitre est effectué une étude des paramètres
phénoménologues : vitesse de recombinaison à la jonction, vitesse de recombinaison à la face arrière, les
vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit et limitant le circuit ouvert.
Dans le quatrième chapitre est présenté une étude des paramètres électriques sous l’influence de l’énergie
d’irradiation et la détermination du point de puissance maximale à partir des paramètres phénoménologiques.
Chapitre 1 : Etude bibliographique
Chapitre 1
Etude bibliographique
1.1. Introduction
Dans ce chapitre, nous présentons une revue bibliographique d’importants travaux scientifiques
permettant d’examiner en détail les paramètres de recombinaison intrinsèque, l’environnement radiatif et
l’influence de l’énergie d’irradiation sur les performances d’une cellule solaire photovoltaïque.
1.2. Light spectral effect on recombination parameters of silicon solar cell [11]
Cette étude vise la détermination des paramètres de recombinaison, c’est ainsi qu’une modélisation de la
réponse spectrale et du rendement quantique ont permis d’obtenir de nouvelles expressions des vitesses de
recombinaison SF à la jonction et SB en face arrière de la base de la photopile.
L’étude montre aussi que ces vitesses sont fonction de deux paramètres : l’un est le coefficient d’absorption
optique (α) et l’autre est la vitesse de diffusion (D/L) par conséquent de la densité de dopage.
1.3. Proc. Wold Renewable Energie Conference [12]

 En court-circuit :
Cette étude permet d’accéder à l’expression de la vitesse de recombinaison Sb en surface arrière qui est
fonction de la longueur de diffusion L. En remplaçant alors Sb dans l’expression de la densité de photocourant
Jn, l’expression de Jn obtenue sera celle du courant de court-circuit en fonction de la longueur de diffusion L.
En prenant la limite de cette fonction lorsque SFn tend vers l’infini, on obtient l’expression de Jsc(L) qui est
l’expression du courant de court-circuit de la photopile.
La fonction Jsc étant obtenue et pour une valeur mesurée Jsc de courant de court-circuit correspondra à une
valeur de L qui est obtenue par intersection entre les courbes Jsc(L) et Jsc.
 En circuit ouvert :
Pour ce point de fonctionnement la photopile délivre une tension Vco (tension en circuit ouvert) ainsi la vitesse
de recombinaison des porteurs de charges à la jonction se réduit à la vitesse SF0 introduite par les états
interfaces. La mesure de la tension en circuit ouvert d’une photopile permet de déterminer la valeur de SF0
par la technique d’intersection entre la fonction de calibration Vco(SF0) et la tension de circuit Vco mesurée
expérimentalement. L’extraction de cette valeur de SF0 en plus de la longueur de diffusion L et Sb obtenue
précédemment permet de calculer les paramètres de la photopile.
1.4. Detailed Modeling of Photovoltaic Components [13]

Plusieurs modèles sont utilisés pour décrire le circuit électrique équivalent de la cellule PV. La figure suivante
matérialise le modèle d’une photopile considérée comme un générateur de courant en parallèle avec une diode
et une résistance shunt (Rsh) puis en série avec une résistance (Rs).
Figure 1- 1: Schéma électrique d’une cellule photovoltaïque
Le courant fourni par la cellule est donné par la relation suivante :
  qV  RS I    V  RS I
I  Iph  Is exp   1  (1)
  AkT   RSh
Où :
I : Courant fourni par la cellule [A]
V : Tension à la borne de la cellule [V]
Iph : Photocourant [A], proportionnel à l’irradiance, avec correction selon T
Is : Courant de saturation de la diode [A], dépendant de la température [°C]
Rs : Résistance série [ohm] est due à la qualité du matériau et des contacts électriques.
Rsh : Résistance shunt (ou parallèle) [ohm] qui matérialise les fuites de courant dues aux interfaces.
q : Charge de l’électron = 1,602.10-19 Coulomb
k : Constante de Boltzmann = 1,38.10-23 J/K
A : Facteur de qualité de la diode, normalement compris entre 1 et 2.
T : Température effective de la cellule [Kelvin].
Le courant de saturation de la diode est supposé variable avec la température selon l’expression suivante :
 qE 1 
3
T   1
Is  Is ref  C   exp  g
   
T   Ak   (2)
 ref   Tref TC 
Où :
Isref : Courant de saturation référence [nA].
Le courant de saturation est souvent donné par le fabricant, il est en général positif mais très faible.
1.5. Spectral response of light biased Si solar cells at open circuit voltage [14]
Les auteurs ont utilisé la méthode de la réponse spectrale pour analyser les facteurs limitant l’efficacité
des cellules : efficacité quantique, photocourant et les paramètres de recombinaison. Dans cette méthode, la
réponse spectrale de la cellule solaire est déterminée et analysée non seulement en situation de court-circuit,
mais aussi en situation de circuit ouvert où la concentration de la lumière injectée est significativement plus
élevé que dans une cellule en court-circuit. La détermination de la RS est basée sur la mesure du courant
alternatif généré par un faisceau spectral modulé dans une lumière blanche et de tension DC polarisant la
cellule. Ainsi des cellules solaires expérimentales ont été utilisées pour illustrer les avantages de la nouvelle
méthode. Les échantillons ont montré des défauts structurels de différents types et de différentes distributions
spatiales dans la région de la base. Une large gamme de variations de quantum interne efficacité (IQE), durée
de vie, recombinaison en surface arrière et photocourant généré sous illumination solaire AM 1.5 a été
démontrée par des mesures de la RS de ces échantillons lorsqu’ils étaient en circuits ouverts et court-circuités.
1.6. Modélisation de la recombinaison aux interfaces d'une photopile au silicium

polycristallin en régime stationnaire [15]
L’auteur présente au chapitre premier de sa thèse, à travers une étude bibliographique une analyse
détaillée du matériau de silicium et des divers traitements qu’il subit en vue d’une amélioration de ses
performances. Ensuite une revue de quelques techniques de caractérisation de la photopile est présentée
notamment les plus connues : la passivation à l’hydrogène, la diffusion d’impuretés métalliques, le recuit
thermique, le traitement des surfaces frontale et arrière permettant de réduire ou annihiler l’activité
recombinante des défauts structuraux (les dislocations, les joints de grains, les surfaces) ou encore déplacer
les impuretés recombinantes (l’oxygène, le carbone etc.) des régions actives de la photopile. Suivant une
approche, l’auteur introduit le paramètre de vitesse de recombinaison SJ à la jonction, rattaché à la résistance
de charge extérieure fixant le point de fonctionnement de la photopile afin de déterminer les performances de
la photopile : puissance électrique maximale, rendement de conversion et le facteur de forme.
Figure 1- 2: Caractéristiques puissance en fonction de SJ et de la phototension (figures 1 et 2), rendement et facteur

de forme en fonction de la longueur d’onde (figures 3 et 4)
1.7. Analysis of the effect of parasitic resistances on the performance of photovoltaic
modules [16]
Dans ce travail, les auteurs montrent que les résistances parasites nuisent à la performance des cellules
solaires car elles réduisent la puissance à délivrer. Ainsi se porte une analyse des effets de la résistance série
et shunt sur les paramètres de performance des modules photovoltaïques.
Ils utilisèrent le modèle à deux diodes pour effectuer des mesures sur le courant de court-circuit, la
tension de circuit ouvert, la puissance électrique, le facteur de forme et le rendement de conversion en
augmentant la résistance série ou diminuant celle shunt à partir de la caractéristique courant-tension régie par
l’expression suivante.
  q V  I RS    q V  I RS   V  I  RS
I  Iph   I 01  e KT  1  I 02  e nKT  1  (3)
     RSh
Il ressort de cette analyse qu’une augmentation de la résistance série d’un module a-Si révèle une perte
de puissance de 50% après une exposition extérieure de 130 kWh/m2. Ensuite une diminution de 29% de la
résistance shunt d’un module CuInSe2, sur la même exposition, entraine une perte de puissance de 6%.
Leur étude a montré que les effets des résistances shunt et série sur les performances du module sont
significatifs et ne peuvent pas être ignorés. Tous les aspects doivent être compris et pris en compte lors de
l’utilisation de modules photovoltaïques dans les systèmes et lors de l’analyse de la dégradation des
performances.
1.8. « Measurement of ac parameters of gallium arsenide (gaas/ge) solar cell by

impedance spectroscopy » [17]
Dans cet article, il est proposé une méthode expérimentale de détermination des paramètres électriques.
L’étude est faite sur une cellule solaire en Arséniure de Gallium par la méthode spectroscopie d’impédance.
Les mesures sont réalisées sur une cellule GaAs/Ge de taille (20 x 40 mm), la température de la salle est de
22ºC ±1ºC. La cellule est polarisée à l’obscurité, la tension de polarisation est comprise entre 0,3V et 0,9V et
l’amplitude du signal alternatif est de 10 mV avec une fréquence variant de 1Hz à 60 KHz.
Le spectre d’impédance obtenu est un demi-cercle (diamètre R ), permettant de déterminer les paramètres
p
électriques de la cellule ( R , R , C )
s p
Des observations faites sur cette méthode ont permis aux auteurs de dire que lorsque la cellule est en circuit
ouvert, les demi-cercles ne sont plus parfaits.
La résistance parallèle Rp qui est un paramètre important de la cellule car étant la combinaison de deux
résistances : la résistance dynamique et la résistance shunt R . En Général R  R lorsque ces cellules
sh sh D
sont en circuit ouvert, ce qui entraîne que RP  RD .
L’expression de la résistance dynamique est donnée par la relation suivante :
VT 
RD  (4)
I
VT : la tension thermique
 : facteur d’idéalité
I : le photocourant de la cellule solaire
1.9. Rayonnement solaire [18]
Le soleil est un gigantesque réacteur thermodynamique qui fonctionne à l’hydrogène. L’énergie qu’il
émet est d’abord sous la forme de rayonnements électromagnétiques dont l’ensemble forme le rayonnement
solaire qui se propage dans l’atmosphère sous forme de lumière visible mais également d’ondes radio,
d’infrarouge, d’ultra-violet, de rayons X et mêmes de rayons gamma.
En fait le soleil émet des radiations dans toutes les longueurs d’ondes du spectre électromagnétique, radiations
qui voyagent à la vitesse de la lumière c'est-à-dire 300 000 km/s. Malgré la distance considérable de 150
millions de kilomètres qui sépare le soleil de la terre, la couche terrestre reçoit une quantité d’énergie
importante 180 millions de Giga Watts, c’est pour cette raison que l’énergie solaire se présente bien comme
une alternative par rapport aux autres sources d’énergie.
Cette quantité d’énergie quittera la surface du soleil sous forme de rayonnement électromagnétique composé
de différentes longueurs d’ondes qui peuvent être observables dans le ciel. La figure (1-3) ci-dessous montre
des clichés d’un ciel foisonnant de rayonnements électromagnétiques obtenus grâce aux satellites.
Figure 1-3: Le ciel vu sous différentes longueurs d’ondes

C’est donc une pluie de rayonnements qui atteint la terre. Mais heureusement pas tous car une grande majorité
des rayonnements est arrêtée et absorbée par les divers composants de l’atmosphère : une partie des Infra
Rouge par la vapeur d’eau, une partie des Ultra-Violet par la couche d’ozone, les rayons X et gamma par
l’oxygène.
La figure 1-4 ci-dessous représente un illustratif des rayonnements qui atteignent la haute atmosphère.
Figure 1-4: Rayonnements cosmiques atteignant la haute atmosphère

Ainsi cette importante quantité d’énergie quittant la surface du soleil et atteignant la terre sous la forme de
rayonnement électromagnétique est compris dans une longueur d’ondes variant de 0,22 à 10µm.
L’énergie associée à ce rayonnement solaire est illustrée sur la figure 1-5 ci-dessous.
Figure 1-5: Densité spectrale de l’éclairement énergétique du rayonnement solaire

Seule la lumière visible (0,4 à 0,8 µm) constitue la partie de l’énergie solaire exploitable et convertissable en
électricité par les systèmes photovoltaïques plus précisément les cellules PV.
1.10. L’environnement radiatif atmosphérique [19]
La terre est protégée par l’atmosphère qui constitue un véritable écran semi-perméable. Néanmoins les
particules cosmiques (protons, hélium, électrons et ions lourds) ayant réussi à traverser la magnétosphère
entrent en collision et interagissent avec les atomes de l’atmosphère (composée d’environ 80 % d’azote et
20 % d’oxygène), les ioniser d’une part et déclencher d’autre part des réactions nucléaires en chaîne formant
une cascade de particules secondaires telles que : neutrons, protons, électrons, muons, pions, photons comme
illustré par la figure (1-6).
Toutefois, ces particules présentent aujourd’hui un niveau de dangerosité qui ne cesse de croître vis à vis de
la fiabilité des systèmes photovoltaïques terrestres modernes du fait de leur intégration technologique toujours
plus poussée.
Figure 1-6: Cascade neutronique dans l'atmosphère terrestre
1.11. Radiation-Hard High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells for Commercial Space

Applications [20]
Dans cet article, les auteurs ont présenté des résultats de tests de rendement sur des cellules
photovoltaïques à triple jonction InGaP/GaAs/Ge soumises à une forte radiation. Le rendement moyen de
conversion pour les lots de cellules testés en vol est de 26,0% (28C, un soleil, 135,3 mW/cm2), avec des
rendements de l’ordre de 24,5% à 27,6%. L’irradiation par des électrons de 1 MeV avec une fluence de 5.1014
à 1.1015 e/cm2, a réduit la puissance des cellules de 91% à 87%.
1.12. Evaluation of the Electrical Characteristics of III-V Compounds Solar Cells

Irradiated with Protons at Low Temperatures [21]
Des cellules solaires à triple jonction conçues pour des applications spatiales ont été irradiées avec des protons
à 10 MeV à 175 K. Les performances électriques de ces dernières ont été mesurées in situ sous éclairement
AM0 à basse température. Cette performance électrique diminue avec l’augmentation de la fluence des protons
de l’ordre de 87 à 80% des valeurs avant irradiation et indique une résistance au rayonnement plus élevée par
rapport aux cellules solaires Si.
1.13. « SiO2 sur silicium : comportement sous irradiation avec des ions lourds » [22]
Cet auteur s’intéresse dans son étude au comportement sous irradiation du a-SiO2 et du Si. Il montre
que les irradiations avec des agrégats ont permis d’observer la création des traces amorphes dans les semi-
conducteurs comme Germanium, Silicium ou Arsenic de Gallium. La conclusion qu’il tire de cette étude est
que les irradiations avec des ions avec un fort pouvoir d’arrêt électronique induisent des changements
structuraux dans la couche de silice.
1.14. Radiation damage in silicon detectors [23]

Les auteurs de ce travail présentent les effets de l’irradiation sur des détecteurs au silicium. Ils montrent
les principaux types d’effets observés ;
 augmentation de courant de fuite,
 réduction de la mobilité des porteurs,
 augmentation de la durée de collecte de charge,
 augmentation du temps de montée du signal de sortie,
 diminution de la sensibilité à l’éclairement.
Les auteurs, partant de la relation empirique entre le coefficient de dommage donné ci-dessous et le type de
radiation, proposent un résumé de valeurs de coefficients de dommage pour des particules données et des
énergies particulières.
1 1
  kl.
  0
(5)
Dans cette équation, kl désigne le coefficient de dommage, 𝜙 l’énergie d’irradiation, 𝜏0 la durée de vie des
porteurs avant irradiation et 𝜏 celle après irradiation. Les auteurs terminent en montrant l’effet des recuits
thermiques sur l’énergie de gap.
1.15. Radiation effect test for single-crystalline and polycrystalline silicon solar cells [24]
Ce travail présente les résultats de l’irradiation de photopiles mono et poly cristallines par des protons
d’un accélérateur des protons. Les photopiles sont soumises à deux énergies différentes avec deux flux
différents (20,3 MeV et 3,24.1011 particules /cm2, puis 10,7 MeV et 2,28.1011 particules/cm2). Les auteurs
comparent ensuite les performances des photopiles avant et après irradiation pour un lot de 16 photopiles et
montrent que ces dégradations pour les photopiles poly cristallines sont 5% inférieures à celles des
monocristallines. De plus, les dégradations sur les polycristallines vont jusqu'à 30% et celles des
monocristallines à 35%. La dégradation de performance peut dans les cas être présentée par la relation :
  
D  D0  C. log 1  
 (6)
 0 
Où D désigne la performance après irradiation et D0 celle avant irradiation ; 𝜙0 est un coefficient d’ajustement
et 𝜙 l’énergie d’irradiation.
1.16. Theoretical Study of the Influence of Irradiation on a Silicon Solar Cell Under
Multispectral Illumination [25]
Cette étude vise à démontrer les effets de l’irradiation des particules sur les propriétés des cellules
solaires au silicium. Une étude théorique d’une cellule solaire de silicium sous l’illumination multispectrale et
des particules (électrons, protons ...) est présentée. La densité relative est présentée et nous montrons que la
largeur de la zone de charge d’espace dépend des paramètres d’irradiation (énergie et nature en particulier).
Nous avons également souligné l’influence de l’irradiation sur les paramètres suivants : la densité du
photocourant, la tension en circuit ouvert, le facteur de remplissage, l’efficacité de conversion, les résistances
shunt et série et la capacité de diffusion de la cellule solaire.
1.17. Effect of irradiation on the transient response of a silicon solar cell [26]
Dans cet article les auteurs font une étude théorique d’une cellule solaire sous éclairement multispectral
et sous irradiation. Ils présentent la dépendance de la longueur de diffusion avec l’énergie d’irradiation par la
relation suivante :
Lkl,  p  
1
(7)
 1 
 2  kl   p 
 L0 
Les auteurs ont montré que la longueur de diffusion diminue avec l’augmentation de l’énergie d’irradiation et
du coefficient de dommage, mais cette baisse est plus marquée pour de haute énergie d’irradiation.
1.18. Diffusion Coefficient Modeling of a Silicon Solar Cell under Irradiation Effect in
Frequency : Electric Equivalent Circuit [27]
Les auteurs présentent dans cet article, une théorie sur la détermination du coefficient de diffusion des
porteurs minoritaires en excès d'une cellule solaire au silicium. Ils étudient le coefficient de diffusion liée à la
fréquence de modulation, à l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage à l’aide de la méthode de
spectroscopie d’impédance et des diagrammes de Bode et Nyquist. Ensuite sur la base du coefficient de
diffusion, ils déduisent la longueur de diffusion, la fréquence de coupure et quelques paramètres électriques
obtenus à partir des circuits équivalents du coefficient de diffusion.
1.19. Irradiation effect on the electrical parameters of a bifacial silicon solar cell under
multispectral illumination [28]
Dans cet article, les auteurs présentent une étude théorique d'une cellule solaire de silicium bifacial sous
illumination multispectrale avec des particules électrons, protons etc. Ils mettent en évidence la dépendance
de l’énergie et la nature de l’irradiation sur les paramètres : densité de photocourant, tension de circuit ouvert,
facteur de puissance, rendement de conversion, résistances shunt et série. Ces dépendances sont représentées
pour trois modes d’illumination de la cellule bifaciale : avant, arrière et simultanée avant et arrière.
Ils ont montré que les paramètres électriques de la cellule dépendent de l’énergie d’irradiation et aussi du type
de particules d’irradiation.
1.20. Theoretical Study of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell Capacitance
under Modulated Polychromatic Illumination : Influence of Irradiation [29]
Les auteurs de cet article ont fait une étude théorique sur une photopile au silicium à jonction parallèle
vertical sous éclairement polychromatique. Ils étudient le module de la capacité de la cellule solaire sous
illumination polychromatique modulée, la densité des porteurs de charges minoritaires, la densité de
photocourant et la phototension avec l’influence de l’irradiation. En outre, à partir d’un diagramme Nyquist
un circuit électrique équivalent de la capacité est proposé.
1.21. Impact of irradiation on the surface recombination velocity of a back side

monochromatic illuminated bifacial silicon solar cell under frequency modulation
[30]
Dans un régime de fréquence dynamique, l’effet de l’irradiation sur les porteurs de charges minoritaires
et les paramètres de recombinaison en surface (Sf, Sb) qui se produisent dans une photopile bifaciale sous
éclairement monochromatique par la face arrière a été présenté par ces auteurs. De la résolution de l’équation,
ils établissent les expressions de Sf et Sb. Les modèles électriques équivalents en rapport avec Sf et Sb sont
déduits du diagramme de Nyquist ainsi que quelque valeurs d’énergie d’irradiation. Et par la suite, une
méthode pour déterminer les paramètres électriques équivalents est proposée.
1.22. Illumination wavelength effect on electrical parameters of a parallel vertical
junction silicon solar cell under steady state and under irradiation [31]
Dans cet article, les auteurs ont présenté une étude théorique sur une cellule solaire à jonction verticale
parallèle sous illumination monochromatique en régime statique et sous irradiation. En résolvant l’équation
de continuité régissant le processus de diffusion d’électrons dans la base, ils établissent l’expression de la
densité des électrons et en déduisent les expressions de la densité de photocourant et de la phototension en
fonction de la longueur d’onde, de la vitesse de recombinaison à la jonction et des paramètres d’irradiation.
Ensuite, les expressions des résistances série et shunt ont été établies à partir de modèles de circuits électriques
et étudié l’influence de la variation de la longueur d’onde sur ces dernières.
Conclusion :
L’étude bibliographique ainsi présentée a montré que les effets de l’irradiation sur les cellules photovoltaïques
ont toujours été une préoccupation des chercheurs scientifiques. La problématique posée par ces auteurs
concours à une étude des paramètres électroniques et électriques de la photopile au silicium (coefficient de
diffusion, longueur de diffusion, densité de photocourant, phototension etc.). Notre travail dans ce mémoire
de thèse, consiste à étudier l’influence de l’énergie d’irradiation sur les paramètres électriques d’une photopile
au silicium en régime statique et de déterminer le point de puissance maximale à partir des paramètres
phénoménologiques.
Chapitre 2 : Etude théorique de la photopile monofaciale au silicium sous irradiation
Chapitre 2
Etude théorique de la photopile monofaciale au
silicium sous irradiation
2.1. Introduction
Ce chapitre se consacre à l’étude d’une photopile monofaciale au silicium éclairée par son émetteur, sous
l’effet du flux d’énergie d’irradiation incidente.
L’influence de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage sera montrée sur l’évolution de la densité
des porteurs de charges minoritaires en excès suivant la profondeur dans la base en situation de fonctionnement
de circuit ouvert et de court-circuit. Les expressions [30] [63] de la densité de photocourant, de la phototension,
toutes dépendantes de l’énergie d’irradiation et du niveau de dégradation sont déterminées et graphiquement
représentés en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction.
Les caractéristiques I(Sf)-V(Sf) de la densité de photocourant en fonction de la phototension sont également
représentées graphiquement [28] [53, 54].
2.2. Présentation de la photopile

Le schéma ci-dessous figure 2-1 représente la structure d’une photopile monofaciale éclairée et sous
irradiation.
Figure 2-1: Structure d’une cellule solaire au silicium sous irradiation [48]
Elle est composée principalement de :
 L’émetteur de type n+ :
L’épaisseur est faible (0.5 à 1µm), elle est fortement dopée en atomes donneurs (1017 à 1019 atomes par cm3)
et recouverte d’une grille métallique qui permet de collecter les charges électriques photocréées.
Cette partie de la cellule est aussi appelée face avant de la photopile et peut recevoir de la lumière incidente.
 La base de type p :
Cette partie est relativement peu dopée (1015 à 1017 atomes par cm3) en atomes accepteurs (atomes de bore :
3 électrons de valence). Mais son épaisseur est beaucoup plus importante que celle de l’émetteur. Elle peut
s’élever jusqu’à 400m. Etant de type p, cette partie de la structure présente un défaut d’électrons (porteurs
minoritaires). L’étude caractéristique de la cellule portera essentiellement sur cette partie qui est la zone de
prédominance des phénomènes d’absorption, de génération, de recombinaison et de diffusion.
 La jonction émetteur-base (Zone de Charge d’Espace) :
Entre les deux zones du semi-conducteur dopés différemment (émetteur de type n et la base de type p),
il existe une jonction où règne un champ électrique très intense. Ce champ permet la séparation des paires
électron-trou qui arrivent à la jonction.
Ainsi un rayon lumineux qui frappe la cellule peut pénétrer dans le cristal à travers la grille collectrice et
provoquer l’apparition d’une tension électrique autour de la jonction, si le rayon possède une énergie
suffisante.
 Le BSF (Back Surface Field) de type p+ :
C’est la zone située en face arrière de la base, elle est surdopée en atomes accepteurs (1017 à 1019 atomes par
cm3) par rapport à la base. Cela induit l’existence d’un champ électrique arrière qui permet de renvoyer vers
l’interface émetteur-base les porteurs minoritaires générés près de la face arrière.
Pour relier la cellule à une charge extérieure c’est-à-dire pour la collecte du courant résultant de l’absorption
de la lumière (des photons), des électrodes sous forme de grilles métalliques sont déposées par sérigraphie sur
la face avant servant de contacts électriques. Pour améliorer les performances de la cellule solaire ces grilles
doivent laisser passer le maximum de flux lumineux incident. C’est la cause pour laquelle une couche
d’antireflet est déposée sur ces électrodes pour augmenter la quantité de lumière absorbée par la cellule.
2.3. Taux de génération

Lorsque la photopile est convenablement éclairée par une lumière polychromatique en régime statique
(l’énergie des photons incidents supérieure à l’énergie du gap Eg), il y a génération de pair électron - trou.
Sous éclairement multispectral constant, l’expression du taux de génération des porteurs minoritaires en
profondeur x dans la base est donnée par la relation suivante [31, 32] :
3
G  x   n   ai  e bi x (8)
i 1
Avec ai et bi des coefficients tabulés du rayonnement solaire et dépendent du coefficient d’absorption du

silicium avec la longueur d’onde [33].
n : est un paramètre appelé niveau du rayonnement solaire. Il permet de corréler le niveau d’éclairement
expérimental au niveau d’éclairement de référence pris sous AM 1.5. Dans notre étude n = 1.
x : est la profondeur dans la base de la photopile mesurée à partir de la jonction émetteur–base (x = 0) jusqu’à
la face arrière (x = H = 100 à 200μm).
Par ailleurs, des études réalisées, montrent qu’on arrive à décrire de manière satisfaisante le comportement de
la photopile sous éclairement multispectral en se limitant à une série de trois termes [34, 35].
Le tableau (2-1) ci – dessous, donne les valeurs suivantes des coefficients ai et bi sous A.M 1.5 :
Tableau 2- 1: Valeurs de ai et bi
i ai (cm-3.s-1) bi (cm-1)
1 6.13.1020 6630
2 0.54.1020 103
3 0.0991.1020 130
2.4. Taux de recombinaison
Sous éclairement multispectral, les porteurs photogénérés sont soumis à des processus de recombinaison en
volume et en surface. Le taux de recombinaison R(x,kl,ϕp) est alors donné par la relation suivante :
 ( x, kl,  p )
R x, kl,  p   (9)

τ : est durée de vie des porteurs de charges minoritaires dans la base.
 ( x, kl, p ) : représente la densité des porteurs de charge minoritaires en excès photogénéré dans la base de la
photopile à la position x, dépendant de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
2.5. Equation de continuité

Sous l’effet de l’excitation, des paires électron-trou sont générés aussi bien dans la jonction, l’émetteur et la
base de la photopile. Compte tenu des phénomènes de génération, de recombinaison et de diffusion au sein de
la photopile, l’équation de continuité des porteurs minoritaires de charge dans la base à l’abscisse x en régime
statique et sous irradiation est donnée par l’équation 10 :
 2 x, kl,  p   x, kl,  p 

D kl,  p    G x   0
x 2  (10)
 2 x, kl,  p   x, kl,  p  3

Dkl,  p     ai  e bi x  0
x 2
 i 1
(11)
  Lkl,  
2
Dkl,  p p

(12)
Lkl,  p  
1
1 (13)
 1  2
 2  kl   p 
 L0 
 2 x, kl,  p   x, kl,  p  3
D kl,  p   D kl,  p    ai  e b x  0
Lkl, p  i1
i
x 2 2 (14)
 2 x, kl,  p   x, kl,  p  1 3

    ai  e bi x
x 2

Lkl,  p 
2
D kl,  p  i 1
 (15)
D kl,  p  : Coefficient de diffusion des électrons dans la base dépendant de l’énergie d’irradiation ;
L kl,  p  : Longueur de diffusion des porteurs minoritaires de charges en excès dans la base en fonction du
flux d’énergie d’irradiation et de l’intensité du coefficient de dommage. Elle représente aussi la distance
moyenne parcourue par les porteurs minoritaires avant leur recombinaison dans la base sous irradiation ;
kl : Coefficient de dommage ;
ϕp : Energie d’irradiation ;
2.6. Résolution de l’équation

 Sans second membre
L’équation de continuité excepté son second membre s’écrit sous la forme suivante :
 2 1 x, kl,  p   1 x, kl,  p 

 0
x 2

Lkl,  p 
2
 (16)
Après résolution on obtient :
 x   x 
1 x, kl,  p   A  cosh   B  sinh  
 L kl ,  
p 
  L kl ,  
p 

(17)
 Avec second membre

L’équation avec second membre s’écrit :
 2 x, kl,  p  1 3
    ai  e b x
Lkl, p  Dkl, p  i1
i
2 (18)
Après résolution on obtient :
  Lkl ,     a  e
2
 2 x, kl,  p p bi  x
D kl,  (19)
i
p
2.7. Solution générale de l’équation de continuité
 x, kl, p   1 x, kl, p    2 x, kl, p  (20)
D’où :
 x 
 x, kl, p   A  cosh
 x  Lkl, p  2  
  ai  e bi x
  B  sinh  
 Lkl, p   Lkl, p  Dkl, p 
(21)
 x   x 
 x, kl, p   A  cosh   B  sinh     Ki  e
b x
 Lkl,  p   Lkl,  p 

i
(22)
Ki  

ai  Lkl,  p  
2
Lkl,    b 
1
 
2 2
Dkl,  p  Lkl,  p   bi  1
2 2
avec : p i (23)
2.8. Conditions aux limites

Sous éclairement, les porteurs photogénérés sont soumis à des processus de recombinaison en surface, ce qui
permet de donner les conditions aux limites suivantes :
 A la jonction émetteur-base (x = 0)
 x, kl,  p 
D kl,  p   S f   0, kl,  p 
x x 0
(24)
Avec :
Sf : est la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction imposée par la charge extérieure.
Elle caractérise le point de fonctionnement choisi et varie de la position nulle (circuit ouvert) à l’infini (court–
circuit) [36, 37].
En effet, le photocourant qui est proportionnel au gradient de la densité des porteurs de charges à la jonction
devient nul lorsque (Sf tend vers zéro) : c’est la situation de circuit ouvert.
Pour de très grandes valeurs de Sf , la densité des porteurs de charges minoritaires en excès à la jonction devient
très grande (Sf tend vers infini), tous les porteurs photogénérés traversent la jonction et contribuent au
photocourant : c’est la situation de court–circuit.
 A la face arrière (x = H)
 x, kl,  p 
D kl,  p    S b   H , kl,  p 
x xH
(25)
Sb : est la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaire en excès à la face arrière [37] [57, 58].
Elle est la conséquence du champ électrique produit par la jonction p/p+ et caractérise le comportement de la
densité des porteurs de charges au niveau de cette interface [38]. H est l’épaisseur de la base de la photopile,
elle varie de 100 à 200 μm.
En effet, pour les photopiles ayant une très faible valeur de Sb, le gradient de la densité des porteurs de
charges en excès à la face arrière est nul, il n’y a pas de perte des porteurs par recombinaison en face arrière :
c’est le cas des photopiles à champ arrière.
Pour les photopiles ayant une très grande valeur de Sb, la densité des porteurs de charges en excès à la
jonction est nulle ; il y’a perte des porteurs due aux recombinaisons en face arrière : c’est le cas des photopiles
conventionnelles à contact ohmique.
2.9. Densité des porteurs de charges minoritaires en excès

La résolution de l’équation différentielle (10) donne l’expression de la densité des porteurs de charges
minoritaires en excès dans la base par la relation suivante :
 x   x 
 x, kl, p   A  cosh   B  sinh     Ki  e
b x
 Lkl,  p   Lkl,  p 

i
(26)
Ki  

ai  Lkl,  p  
2
Lkl,    b 
1
 
2 2
Dkl,  p  Lkl,  p   bi  1
Avec : 2 2
et : p i (27)
Les coefficients A et B sont déterminées à partir des conditions aux limites (24) et (25). Nous obtenons ainsi
les expressions suivantes des constantes A et B.
p p i  
 D(k l,  ).Sb  D 2 (k l,  ).b  e bi .H   k l,  Sf  D ( k l,  ).b
  p p i

A  L ( k l,  ). K i (28)
 
p    
 H   H 
L2 ( k l,  ).Sb.Sf  D 2 ( k l,  ) sinh  D ( k l,  ). L ( k l,  ).Sf  Sbcosh
p p  L ( k l,  )  p p  L ( k l,  ) 
 p   p 
 
 
  
  H   H 
 k l,   D ( k l,  ). cosh
p 
 p  L ( k l,  )   L ( k l,  p ).Sb. sinh L( k l,  )   (29)
  p   p 
p p 
 
L(k l,  ).Sf . Sb  D 2 (k l,  ).bi .e i   k l,  Sf  D ( k l,  ).b

b .H
p p i

B  L ( k l,  ). K i (30)
 
p    
 H   H 
 L ( k l,  )   D ( k l,  p ).L ( k l,  p ).Sf  Sbcosh L ( k l,  ) 
2 2
L ( k l,  ).Sb.Sf  D ( k l,  ) sinh
p p
 p   p 
 
 
  
  H   H 
 k l,   D ( k l,  ). sinh
p 
 p  L( k l,  )   L( k l,  p ).Sb. cosh L( k l,  )   (31)
  p   p 
Les figures (2-2), (2-3), (2-4) et (2-5) matérialisent les profils de densité des porteurs de charges minoritaires
en excès dans la base en fonction de la profondeur x pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du
coefficient de dommage en situation de circuit ouvert et de court-circuit de la photopile.
Figure 2-2: Densité des porteurs minoritaires de charges en excès en fonction de la profondeur x dans la base pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5 cm-2/MeV, H=200µm, Sf=3x103cm/s, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sf=3x103cm/s, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sf=6x106cm/s, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sf=6x106cm/s, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Nous notons que la densité des porteurs de charges est maximale à la jonction pour de très faibles épaisseurs
dans la base. Ensuite cette densité décroit progressivement en profondeur dans la base pour devenir minimale
figures (2-2) et (2-3).
Les figures (2-4) et (2-5) montrent que la densité des porteurs de charges augmente en profondeur dans la
base. Cette augmentation se traduit par une pente positive où tous porteurs de charges se trouvant dans cette
zone seront renvoyés à la jonction et participeront à la production du photocourant. A partir d’une certaine
épaisseur dans la base, la densité des porteurs de charges atteint un maximum puis décroit avec la profondeur
et se traduit aussi par une pente négative où tous porteurs de charges se trouvant dans cette zone ne
parviendront pas à remonter vers la jonction car ne disposant pas assez d’énergie et donc vont se recombiner
en volume et en face arrière.
Ces figures illustrent aussi que lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent, les
maximas des densités de porteurs de charges se déplacent vers la jonction de la photopile entrainant une
diminution de la pente positive et ainsi une baisse du nombre de porteurs de charges qui traversent la jonction
et participent au photocourant.
2.10. Densité de photocourant

L’expression de la densité de photocourant est obtenue à partir de la densité des porteurs de charges
minoritaires en excès dans la base. Elle est donnée par la relation suivante :
  x, kl,  p 
Jphkl,  p   q.D kl,  p .  (32)
 x  x 0
 x, kl,  p B 3
Avec :
x
x 0    Ki .bi
Lkl,  p  i1
(33)
En remplaçant l’équation (33) par son expression dans Jph(kl,ϕp) nous obtiendrons la relation suivante :
  ( x, kl,  p ) 
Jphkl,  p   q.D(kl,  p ).  
3
B
x
  q. D kl ,  p   K i .bi
Lkl,  p  i 1
(34)
  x 0
En remplaçant B par son expression dans Jph(kl,ϕp) on aura :
   

 bi  L2 (kl, p ) S b  D(kl, p )  sinh  H
 L(kl, ) 
  O(kl, p ) 
3   p  
Jph( Sf , kl, p )  q  D(kl, p ) K i  Sf  (35)
 2   
i 1
  D 
( kl ,  )  L2
( kl ,  ) S  S sinh 

H 

 P ( kl ,  p 
)


 L(kl, p ) 
p p b f
   
  H 
 

O(kl,  p )  L(kl,  p ) Sb  D(kl,  p )bi  e bi H  cosh 
 L(kl,  )  
(36)
  p 
 

P(kl,  p )  D(kl,  p ) L(kl,  p ) S b  S f cosh  H 
 L(kl,  ) 
(37)
 p 
Les figures (2-6) et (2-7) présentent des profils de la densité de photocourant en fonction de la vitesse de
recombinaison à la jonction Sf pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 2-6: Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 2-7: Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Nous notons sur ces figures que la densité de photocourant est quasi nulle pour des vitesses de recombinaison
inférieures à 10 cm/s (photopile fonctionnant en situation de circuit ouvert).
Ensuite pour 10 cm/s < Sf < 3 x 103 cm/s, la densité de photocourant augmente avec la vitesse de recombinaison
pour atteindre une amplitude maximale. Ceci montre que les porteurs de charges minoritaires ont acquis une
certaine énergie pour traverser la jonction.
Par contre, pour des vitesses de recombinaison supérieures à 3 x 103 cm/s, la densité de photocourant est
maximale et constante, correspondant au photocourant de court-circuit.
Les figures montrent aussi que lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent,
l’amplitude maximale de la densité de photocourant diminue. Ce phénomène peut s’expliquer du fait de
l’interaction des particules irradiantes avec la matière de silicium qui augmente et dégradent la densité des
porteurs de charges.
 Photocourant de court–circuit
Lorsque Sf tend vers « l’infini » dans l’expression de la densité de photocourant (35), ce qui permet de
déterminer l’expression du photocourant de court–circuit Jcc(kl,ϕp) par :
Jcc ( kl,  p )  lim Jph ( Sf , kl,  p ) (S𝑓 → les grandes valeurs) (38)
S𝑓→∞
     

 bi L2 (kl, p ) S b  D(kl, p ) sinh
H
 
 

  L(kl, p ) S b  D(kl, p )bi  e bi H  cosh

H


 (39)
3  L ( kl , )    L ( kl , ) 
Jcc(kl, p )  qD(kl, p ) K i 
p p

 2    
i 1 
  
 L (kl, p ).S b sinh H



 D(kl, p ) L(kl, p ) cosh

H


 


   L ( kl , )
p   L ( kl , p 
)  
Pour une photopile donnée Jcc(kl,ϕp) dépend de la vitesse de recombinaison en face arrière, de la longueur de
diffusion, du coefficient de diffusion, tous dépendants de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Les profils du photocourant de court-circuit en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage
sont représentés par les figures (2-8) et (2-9) :
Figure 2- 8 : Photocourant de court-circuit en fonction de l’énergie d’irradiation pour différentes valeurs du

coefficient de dommage avec Sf= 6x106cm/s et H=200µm
Figure 2- 9: Photocourant de court-circuit en fonction du coefficient de dommage pour différentes valeurs de

l’énergie d’irradiation avec Sf= 6x106cm/s et H=200µm
Nous notons sur les figures (2-8) et (2-9) une diminution du photocourant de court-circuit suivant les variations
de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
2.11. Phototension
L’expression de la tension qui existe aux bornes de la photopile lorsque celle-ci est soumise à un éclairement
multispectral constant est obtenue par la relation de Boltzmann donnée comme suit [39].
 Nb 
Vph( Sf , kl,  p )  VT . ln 2 . (0, kl,  p )  1 (40)
 ni 
Le calcul donne l’expression mathématique de la phototension Vph(Sf,kl,ϕp) par :
 
 
 Nb 3
Vph( Sf , kl, p )  VT ln 1  2  K i
L(kl, p )D(kl, p )bi  Sb   e i [ P1  P2 ]
 b H
  (41)

ni i 1  2  H   H  

  D ( 
kl ,  p )  L2
( kl ,  p ) S S
b f 
sinh 
 L(kl, ) 
  D ( kl ,  p ) L ( kl , 
 p ) S b S f cosh  
 L(kl, )  
   p   p  

Avec :
  H 
P1  L(kl,  p ) D(kl,  p )bi  L(kl,  p ) Sb cosh 
 L(kl,  ) 
(42)
  p  
 

P2  L2 (kl,  p )bi Sb  D(kl,  p ) sinh
H
 
 L(kl,  ) 
(43)
 p 
VT est la tension thermique, cette tension est définie par :
Kb
VT  T
q (44)
ni : la concentration intrinsèque
N b : le taux de dopage en atomes accepteurs dans la base,
Kb: la constante de Boltzmann,
T : la température absolue,
q : charge élémentaire de l’électron,
Les figures (2-10) et (2-11) présentent des profils de la phototension en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction Sf pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 2-10: Phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de
l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 2-11: Phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Nous constatons que dans les deux cas de figures, la phototension est maximale et constante pour des vitesses
de recombinaison inférieures à 2 x 102 cm/s ; traduisant ainsi la situation de phototension en circuit ouvert.
Au-delà de cette vitesse, la phototension décroit linéairement de façon très rapide pour atteindre des valeurs
quasi nulles au voisinage du court-circuit traduisant la traversée de la presque totalité des porteurs de charges
au niveau de la jonction.
Ensuite, nous remarquons sur ces figures que l’augmentation de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage n’a qu’un effet peu influent sur la phototension.
2.12. Etude de la caractéristique I(Sf) -V(Sf) de la photopile éclairée

Les figures (2-12) et (2-13) représentent les caractéristiques I(Sf)-V(Sf) de la photopile pour différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 2-12: Densité de photocourant en fonction de la phototension pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 2-13: Densité de photocourant en fonction de la phototension pour différentes valeurs du coefficient de
dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Nous remarquons que la densité de photocourant diminue avec l’augmentation de l’énergie d’irradiation ainsi
que celle du coefficient de dommage. Mais par contre la phototension augmente légèrement.
Il faut noter que sur cette caractéristique, nous avons la matérialisation de deux points de fonctionnement
particuliers de la photopile c’est-à-dire :
 le point de fonctionnement du circuit ouvert, correspondant à une densité de photocourant nulle et une
phototension maximale ;
 le point de fonctionnement du court-circuit correspondant à une phototension nulle et une densité de
photocourant maximale.
2.13. Conclusion
Nous avons montré dans ce chapitre l’influence de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage sur le
comportement de la densité des porteurs minoritaires de charges en excès dans la base, sur la densité de
photocourant, sur la phototension puis sur la caractéristique I(Sf)–V(Sf). Cette étude a montré une diminution
de la densité de photocourant, ainsi que du photocourant de court-circuit et une légère augmentation de la
phototension de circuit ouvert lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent.
Chapitre 3 : Détermination des paramètres phénoménologiques de la photopile sous irradiation
Chapitre 3
Détermination des paramètres
phénoménologiques de la photopile
monofaciale au silicium sous irradiation
3.1. Introduction
Dans ce chapitre nous présentons les principes de détermination des vitesses de recombinaison des porteurs
de charges en face arrière Sb et à la jonction Sf ainsi que les techniques de détermination des vitesses de
recombinaison des porteurs de charges à la jonction initiant le court-circuit Sfcc et celle limitant le circuit-
ouvert Sfco de la photopile.
3.2. Vitesse de recombinaison des porteurs de charge à la face arrière Sb

La densité de photocourant est constante pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison des porteurs
de charges à la jonction [37] [59-61].
 Jph( Sf , kl,  p ) 
  0 (45)
  Sf  Sf  
La résolution de cette équation permet d’extraire la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la face
arrière Sb(kl,ϕp) dépendante de H, L(kl,ϕp), D(kl,ϕp) et bi.
  H   H 
L(kl,  p ).bi  e bi . H  cosh    sinh 
D (kl,  p )   L ( kl ,  )    L ( kl ,  ) 
Sbkl,  p  
3
  p   p 
. (46)
L(kl,  p ) i 1  H   H  b .H
 L(kl,  p ).bi . sinh   cosh e i
 L(kl,  )   L(kl,  ) 
 p   p 
La vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la face arrière ainsi obtenue est fonction des paramètres
de la photopile, du coefficient d’absorption du matériau bi, de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage.
Les figures (3-1), (3-2) et (3-3) représentent les courbes de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges
à la face arrière Sb en fonction de l’énergie d’irradiation, du coefficient de dommage et de l’épaisseur H de la
photopile.
Figure 3-1: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la face arrière Sb en fonction du logarithme de l’énergie
d’irradiation pour différentes valeurs du coefficient de dommage
Figure 3-2: Vitesse de recombinaison à la face arrière Sb en fonction du coefficient de dommage pour différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation
Figure 3-3: Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur
Dans les tableaux (3-1) et (3-2) ci-dessous nous avons représenté les valeurs numériques de la vitesse de
recombinaison à la face arrière Sb en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Tableau 3- 1: Les valeurs numériques de Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
Sb
Energie d’irradiation ϕp (MeV)
(cm/s)
50 24.24
60 21.42
70 19.32
80 17.64
90 16.24
Tableau 3- 2: Les valeurs numériques de Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage

Coefficient de dommage kl Sb
(cm-2/MeV) (cm/s)
5 5.42 x 104
8 3.47 x 104
11 2.54 x 104
14 1.99 x 104
17 1.63 x 104
3.3. Vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf

Pour les grandes valeurs de Sb, la densité de photocourant devient constante et peut se traduire par l’équation
suivante [36, 37] :
 Jph( Sf , kl,  p ) 
  0 (47)
 Sb  Sb
Ainsi la résolution de cette équation permet de déterminer l’expression de la vitesse de recombinaison des
porteurs de charges à la jonction Sf(kl,ϕp) par :
  H   
b  e
i
bi . H
 L(kl1, 
. sinh   bi . cosh H
 L(kl,  ) 

 L(kl,  )  
D(kl,  p ) 3  )    
. (48)
p p p
Sf (kl,  p ) 
L(kl,  p ) i 1 b . H   H  1  H  1
e i  bi . sinh  . cosh  
  L(kl,  )  L(kl,  )  L(kl,  )   L(kl,  )
  p  p  p  p
Cette vitesse de recombinaison à la jonction dépend de la longueur de diffusion L(kl,ϕp), de l’épaisseur H de

la base et du paramètre bi qui est le coefficient d’absorption du matériau.
3.4. Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc
3.4.1. Généralités
Pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf, le
photocourant tend asymptotiquement vers une valeur constante quel que soit le mode d’éclairement de la
photopile. Cette valeur constante est le courant de court-circuit. Cette situation de fait s’explique
mathématiquement par l’équation suivante :
 Jph( Sf , kl,  p ) 
  0 (49)
 Sf  Sf  
Autrement dit, l’expression générale de la densité de photocourant de court-circuit est obtenue par la relation
suivante [40, 41] :
Jcc ( kl,  p )  lim Jph ( Sf , kl, p ) (S𝑓 → 𝑙𝑒𝑠 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟𝑠) (50)
S𝑓→∞
Par conséquent, pour l’obtention de l’expression du photocourant de court-circuit, nous allons faire tendre vers
l’infini la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf dans les équations donnant la
densité de photocourant pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Dans ces conditions, la résolution de l’équation différentielle du second degré à discriminant positif permet
d’obtenir l’expression de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges Sb(kl,ϕp) à la face arrière de la
base comme fonction de la longueur de diffusion. Ainsi, nous obtenons une expression du photocourant de
court-circuit en fonction de la longueur de diffusion L(kl,ϕp) et du coefficient de diffusion des électrons dans
la base D(kl,ϕp) dépendante de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage. Les autres paramètres
(bi, H) étant des constantes, on peut alors représenter la densité de photocourant de court-circuit en fonction
de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage. Mais dans ce présent paragraphe, on s’intéresse plutôt
à la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction initiant le court-circuit Sfcc.
Elle peut être obtenue à partir des différentes expressions du photocourant et de la valeur du photocourant de
court–circuit.
Jph(Sf , kl, p )  Jcc(kl, p )  0 (51)
L’équation (51) devient en remplaçant la densité de photocourant par son expression :

Sf  3

q.D(kl, p ). 
D(kl, p ) 
A  
i 1
K i   Jcc(kl, p )  0

(52)
La résolution de l’équation (52) permet d’avoir l’expression mathématique de la vitesse de recombinaison

des porteurs de charges initiant le court-circuit Sfcc(kl,ϕp) donnée par l’équation (53) :
     
  (kl,  ).D 2 (kl,  ). sinh H    (kl,  ).S (kl,  ).L(kl,  ).D(kl,  ). cosh H   kl,   
 p p  L(kl,  )  p b p p p  L(kl,  )  p

 p   p  (53)
Sfcc(kl,  p )   
       
     (kl,  p ).L2 (kl,  p ).S b (kl,  p ). sinh
H     (kl,  p ).L(kl,  p ).D(kl,  p ). cosh H    kl,  p  
    L(kl,  )    L(kl,  )  
 p   p 

 kl,  p   L(kl,  p ).D 2 (kl,  p ). K 1 .bi 

3
(54)
i 1
 kl,  p   L(kl,  p ).D(kl,  p ).X (kl,  p ). K i   L(kl,  p ). K i . (kl,  p ) 

3 3
(55)
i 1 i 1
 (kl,  p )  L(kl,  p )S b (kl,  p )  D(kl,  p )bi e b H  i

(56)
 Jcc(kl,  p ) 3 
 (kl,  p )  L(kl,  p )    K i .bi  (57)
 q.D(kl,  p ) i 1 
 H   
X (kl,  p )  D(kl,  p ) sinh   L(kl,  p ) S b (kl,  p ) cosh H  (58)
 L(kl,  )   L(kl,  ) 
 p   p 
Les figures (3-4) et (3-5) représentent le tracé logarithmique de la vitesse de recombinaison initiant le court-
circuit Sfcc en fonction du logarithme de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 3-4 : Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du logarithme
de l’énergie d’irradiation
Figure 3-5: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du logarithme
du coefficient de dommage
3.5. Technique de détermination de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-
circuit Sfcc
Le profil de la densité de photocourant est asymptotique aux grandes valeurs de la vitesse de recombinaison
des porteurs de charges à la jonction. Cette valeur constante atteinte par la densité de photocourant correspond
à la densité de photocourant de court-circuit. En se basant sur cette partie de la courbe, nous pouvons
déterminer la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction initiant le court-circuit.
Elle indique le point de fonctionnement à partir duquel la photopile est en situation de court-circuit pour une
valeur de l’énergie d’irradiation ϕp et du coefficient de dommage kl donnée.
La figure (3-6) représente cette technique de détermination de la vitesse de recombinaison des porteurs de
charges à la jonction initiant le court-circuit Sfcc pour un éclairement de la photopile. La technique consiste à
considérer une valeur de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf dans le domaine
du court-circuit, c'est-à-dire la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction initiant le court-
circuit Sfcc. L’intersection de cette valeur d’abscisse Sfcc avec la courbe correspondante à une valeur
d’ordonnée de la densité de photocourant qui donne la valeur du photocourant de court-circuit de la photopile.
Figure 3-6: La vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit de la photopile

En utilisant cette technique, nous représentons dans les tableaux (3-3) et (3-4) les valeurs de la vitesse de
recombinaison des porteurs de charges à la jonction initiant le court-circuit et la densité de photocourant de
court-circuit pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Tableau 3-3: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec
kl=5cm-2/MeV
Energie d’irradiation ϕp Jcc Sfcc Sb kl
(MeV) (A) (cm/s) (cm/s) (cm-2/MeV)
50 0.02802 8.11 x 103 24.24 5
60 0.02619 5.48 x 103 21.42 5
70 0.02470 3.80 x 103 19.32 5
80 0.02347 2.69 x 103 17.64 5
90 0.02241 2.02 x 103 16.24 5
Tableau 3-4: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec
ϕp=60MeV
Coefficient de dommage kl Jcc Sfcc Sb ϕp
(cm-2/MeV) (A) (cm/s) (cm/s) (MeV)
5 0.02619 4.01 x 103 5.42 x 104 60
8 0.02185 3.00 x 103 3.47 x 104 60
11 0.01923 2.30 x 103 2.54 x 104 60
14 0.01741 1.77 x 103 1.99 x 104 60
17 0.01605 1.35 x 103 1.63 x 104 60
Les figures (3-7) et (3-8) représentent l’évolution de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-
circuit en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 3-7: Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction de l’énergie d’irradiation
Figure 3-8: Vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit en fonction du coefficient de dommage
3.6. Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit-ouvert de la photopile Sfco

3.6.1. Généralités
La phototension diminue pour les grandes valeurs de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la
jonction et devient presque nulle ce qui correspond à la situation de court-circuit où la photopile délivre un
courant maximal. La phototension augmente légèrement avec l’énergie d’irradiation et le coefficient de
dommage. Cela s’explique par le fait que la phototension est définie à partir de l’expression de la densité des
porteurs minoritaires qui elle-même augmente avec l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage.
C’est la raison pour laquelle, pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à
la jonction Sf la phototension est maximale et est égale à la tension de circuit-ouvert. Cette situation de fait
s’explique mathématiquement par l’équation suivante [42] :
 Vph( Sf , kl,  p ) 
  0 (59)
 Sf  Sf 
Autrement dit, l’expression générale de la phototension de circuit ouvert est donnée par la relation suivante :
Vco (kl,  p )  lim Vph( Sf , kl,  p ) (60)
Sf  
Après calcul , on obtient :
 
 
 N 3 
L(kl,  p )D(kl,  p )bi  S b (kl,  p )   e bi H [Y1 (kl,  p )  Y2 (kl,  p )   (61)
Vco ( Sf , kl,  p )  VT ln 1  2b  Ki
 2     

 ni

i 1
 
 D (kl,  p ) sinh
H   D(kl,  p ) L(kl,  p ) S b (kl,  p ) cosh

H 
 L(kl,  )  
   L(kl,  p )   p  

Avec :
  H 
Y1 (kl,  p )  L(kl,  p )  D(kl,  p )bi  L(kl,  p )  Sb (kl,  p ) cosh 
 L(kl,  ) 
(62)
  p 
 H 

Y2 (kl, p )  L2 (kl, p )bi  S b (kl, p )  D(kl, p )  sinh 
 L(kl, ) 
 (63)
 p 
Dans ce présent paragraphe, on s’intéresse surtout à la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la
jonction donnant la valeur de la phototension du circuit ouvert. Ainsi, cette vitesse de recombinaison à la
jonction sera déduite de l’équation suivante :
Vph(Sf , kl,  p )  Vco(kl,  p )  0 (64)

En remplaçant la phototension et la phototension du circuit-ouvert Vco par leurs différentes expressions dans
l’équation (64), on peut en déduire la valeur de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit-
ouvert Sfco(kl,ϕp) donnée par l’équation (65) :
  H    
  (kl, p ).D(kl, p ) 2 .sinh   L(kl, p ).Sb (kl, p ) D(kl, p ).cosh H . (kl, p )   kl, p . (kl, p ).bi .K i 
  L(kl, )   L(kl, )   (65)
Sfco(kl, p )    p   p 

   H 
  
 H 
  
    (kl, p ) L(kl, p ) Sb (kl, p ) sinh L(kl, )     (kl, p ).L(kl, p ). (kl, p ).D(kl, p ).cosh L(kl, )   L(kl, p ). (kl, p ).K i 
2
   p   p  
 kl, p   L(kl, p ). (kl, p ).Ki  L(kl, p ).D(kl, p ) (66)
 ni 2   Vco  3 
 ( Sf , kl,  p )   . e VT  1   K i  (67)
  i 1
 N b    
 (kl,  p )  D(kl,  p )S b (kl,  p )  D(kl,  p )bi .e b H  i

(68)
 H   
 (kl,  p )  D(kl,  p )  cosh   L(kl,  p )  Sb (kl,  p )  sinh H  (69)
L ( kl ,  )   L(kl,  ) 
 p   p 
Les figurent (3-9) et (3-10) représentent le logarithme de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges
à la jonction limitant le circuit ouvert Sfco en fonction du logarithme de l’énergie d’irradiation et du coefficient
de dommage.
Figure 3-9 : Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction du
logarithme de l’énergie d’irradiation
Figure 3-10: Logarithme de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction du
logarithme du coefficient de dommage
3.7. Technique de détermination de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit
ouvert de la photopile Sfco
La phototension est maximale pour les faibles valeurs de la vitesse de recombinaison à la jonction. Cette valeur
maximale atteinte par la phototension correspond à la phototension de circuit ouvert. En se basant sur cette
partie de la courbe, nous pouvons déterminer la vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit-
ouvert. Elle indique le point de fonctionnement à partir duquel la photopile est en situation de circuit-ouvert
pour une valeur de l’énergie d’irradiation ϕp et du coefficient de dommage kl donnée.
La figure (3-11) représente la technique de détermination de la vitesse de recombinaison à la jonction limitant
le circuit ouvert Sfco pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 3-11: La technique de détermination de la vitesse de recombinaison limitant le circuit ouvert

Les valeurs numériques obtenues pour la vitesse de recombinaison limitant le circuit ouvert et la phototension
de circuit ouvert pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage sont
représentés sur les tableaux (3-5) et (3-6) ci-dessous :
Tableau 3-5: Les valeurs numériques de Vco, Sfco, Sb pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec
kl=5cm-2/MeV
Energie d’irradiation Vco Sfco Sb kl
ϕp (MeV) (V) (cm/s) (cm/s) (cm-2/MeV)
50 0.5953 0.598 24.24 5
60 0.5958 0.520 21.42 5
70 0.5963 0.450 19.32 5
80 0.5967 0.400 17.64 5
90 0.5970 0.365 16.24 5
Tableau 3-6: Les différentes valeurs de Vco, Sfco, Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec
ϕp=60MeV
Coefficient de dommage kl Vco Sfco Sb ϕp
(cm-2/MeV) (V) (cm/s) (cm/s) (MeV)
5 0.5958 0.668 5.42 x 104 60
8 0.5972 0.480 3.47 x 104 60
11 0.5979 0.340 2.54 x 104 60
14 0.5984 0.242 1.99 x 104 60
17 0.5988 0.193 1.63 x 104 60
Les figures (3-12) et (3-13) ci-dessous représentent l’évolution de la vitesse de recombinaison à la jonction
limitant le circuit ouvert en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 3-12: Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction de l’énergie d’irradiation
Figure 3-13: Vitesse de recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert en fonction du coefficient de dommage
3.8. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons mis l’aspect sur le comportement de la vitesse de recombinaison à la face arrière
Sb et à la jonction Sf sous l’influence de kl et ϕp ainsi que sur la technique de détermination de la vitesse de
recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc et celle à la jonction limitant le circuit ouvert Sfco.
A partir de cette technique, les valeurs du photocourant de court-circuit Jcc, de la phototension de circuit
ouvert Vco, des vitesses Sfcc et Sfco ont été extraites en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient
de dommage. Ensuite, nous avons tracé les profils des vitesses de recombinaison Sfcc et Sfco en fonction de
kl et ϕp afin de voir comment elles sont influencées. Cette étude a montré que les situations de court-circuit et
de circuit ouvert sont impactées par l’effet de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage à travers
les vitesses de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit et limitant le circuit ouvert.
Chapitre 4 : Détermination des paramètres électriques de la photopile sous irradiation
Chapitre 4
Détermination des paramètres électriques de la
photopile monofaciale au silicium sous
irradiation
4.1. Introduction
Ce présent chapitre étudie l’effet de l’énergie d’irradiation et celui du coefficient de dommage sur les
paramètres électriques de la photopile à savoir, la résistance série et shunt qui représentent des pertes résistives
au sein de la photopile liée à la structure du matériau et à la métallisation. Un accent particulier est mis sur
l’aspect source idéale de tension et de courant. Ensuite nous étudions l’effet de l’énergie d’irradiation et du
coefficient de dommage sur la capacité de diffusion ainsi que sur la puissance électrique de la photopile en
fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction [26] [55, 56]. En fin une méthode
de détermination de la vitesse de recombinaison maximale à la jonction correspondant au point de puissance
maximale de la photopile est proposée.
4.2. Etude de la résistance série (Rs)

La résistance série Rs est un paramètre fondamental qui dépend de la nature du substrat, de la température et
de la technologie utilisée et joue un rôle déterminant sur la qualité d’une photopile. Elle caractérise les effets
résistifs du matériau et du dispositif de contact utilisé. Pour des photopiles de bonne qualité, elle est souvent
très faible [43, 44].
4.2.1. Expression
Sur la caractéristique densité de photocourant-phototension de la photopile on distingue deux situations de
fonctionnement caractéristiques, il s’agit de la situation de circuit-ouvert où la phototension est maximale
(le photocourant presque nul) et de celle de court-circuit où le photocourant est maximal (la phototension
presque nulle). Considérant la situation de circuit-ouvert, la caractéristique est une droite oblique : ce qui
permet de modéliser la photopile comme une source idéale de tension. Donc nous avons une source idéale de
tension en série avec une résistance série [40].
La figure (4-1) représente la détermination de la résistance série Rs à partir de la caractéristique I-V de la
photopile au voisinage du circuit ouvert Vco.
Figure 4-1: Détermination de la résistance série Rs à partir de la caractéristique I-V au voisinage du circuit ouvert
Le schéma électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de circuit ouvert est représenté par
la figure ci-dessous :
Figure 4-2: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de circuit ouvert
En appliquant la loi des mailles au circuit de la figure (4-2) cela nous donne l’expression de la résistance
série comme suit :
Vco Sf , kl,    Vph( Sf , kl,  )

Rs( Sf , kl,  ) 
 p p
(70)
p Jph ( Sf , kl,  )
p
Les figures (4-3) et (4-4) illustrent des profils de la résistance série en fonction de la vitesse de recombinaison
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, F(kl,ϕp)cm/s
Nous notons que pour des vitesses de recombinaison inférieures à 10 cm/s, la valeur de la résistance série est
minimale et presque constante. Ensuite elle varie au-delà de 10 cm/s avec l’augmentation de la vitesse de
recombinaison à la jonction Sf.
La résistance série augmente également avec l’augmentation de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage ; ceci montre bien que la qualité de la photopile pourrait être compromise car pour une photopile de
qualité, cette résistance doit être de valeur assez faible.
4.3. Techniques de détermination de la résistance série Rs

En considérant une valeur de la vitesse de recombinaison à la jonction, c’est à dire limitant le circuit ouvert
Sfco. Cette valeur d’abscisse Sfco projetée au niveau de la courbe correspond en ordonnée à une valeur de la
résistance série Rs de la photopile [45].
La figure (4-5) nous montre cette technique de détermination de la résistance série en fonction de la vitesse de
recombinaison des porteurs de charge à la jonction pour un éclairement de la photopile.
Figure 4-5: Technique de détermination de la résistance série

En utilisant cette technique, nous présentons dans les tableaux (4-1) et (4-2), les valeurs de la résistance série
Rs, de Sfco, de Sb et de la phototension de circuit ouvert Vco pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
et du coefficient de dommage.
Tableau 4-1: Les valeurs numériques de Vco, Sfco, Sb et de la résistance série Rs pour différentes valeurs de
l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV
Energie
Vco Sfco Rs Sb kl
d’irradiation
(V) (cm/s) (Ω/cm2) (cm/) (cm-2/MeV)
ϕp (MeV)
50 0.5953 0.598 0.978 24.24 5
60 0.5958 0.520 1.066 21.42 5
70 0.5963 0.450 1.156 19.32 5
80 0.5967 0.400 1.241 17.64 5
90 0.5970 0.365 1.328 16.24 5
Tableau 4-2: Les différentes valeurs de Vco, Sfco, Sb et de la résistance série Rs pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec ϕp=60MeV
Coefficient de
Vco Sfco Rs Sb ϕp
dommage kl
(V) (cm/s) (Ω/cm2) (cm/s) (MeV)
(cm-2/MeV)
5 0.5958 0.668 1.030 5.42 x 104 60
8 0.5972 0.480 1.259 3.47 x 104 60
11 0.5979 0.340 1.456 2.54 x 104 60
14 0.5984 0.242 1.638 1.99 x 104 60
17 0.5988 0.193 1.811 1.63 x 104 60
4.3.1. Profils de la résistance série Rs en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de

dommage
Figure 4-6: Résistance série en fonction de l’énergie d’irradiation
Figure 4-7: Résistance série en fonction du coefficient de dommage
Nous notons une augmentation de la résistance série lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de
dommage augmentent. Ceci compromet la bonne qualité de la photopile car entrainerait plus de pertes
ohmiques.
4.4. Etude de la résistance shunt (Rsh)

La résistance shunt matérialise les fuites de courant dans le matériau. Elle permet de déterminer à peu près la
bonne qualité de la photopile [43, 44].
4.4.1. Expression
Pour l’étude de la résistance shunt, nous allons cette fois-ci utiliser la situation de fonctionnement de court-
circuit de la photopile. A ce niveau la caractéristique n’est pas une droite horizontale. On modélise la photopile
comme une source idéale de courant. On a donc une source idéale de courant en parallèle avec une résistance
shunt, le tout connecté à la résistance de charge [46].
Figure 4-8: Détermination de la résistance shunt Rsh à partir de la caractéristique I-V
Le schéma électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de court-circuit, est représenté par
la figure ci-dessous :
Figure 4-9: Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en court-circuit

En appliquant la loi des nœuds et celle des mailles au circuit de la figure (4-9) nous obtenons l’expression de
la résistance shunt donnée par la relation suivante (71) :
Vph( Sf , kl,  )
p
Rsh( Sf , kl,  ) 
Jcc Sf , kl,    Jph( Sf , kl,  )
p (71)

 p p
Où Jcc est le photocourant de court-circuit ; son expression est obtenue à partir de la relation suivante :
Jcc(kl,  )  lim Jph(Sf , kl,  ) (72)

p Sf 
p
Les figures (4-10) et (4-11) matérialisent les profils de la résistance shunt en fonction de la vitesse de
recombinaison pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 4-10: Résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs de
Figure 4-11: Résistance shunt en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs du
Sur ces courbes, la résistance shunt augmente avec la vitesse de recombinaison à la jonction
(Sf > 5 x 105 cm/s). Nous observons entre autre que l’augmentation de l’énergie d’irradiation et celle du
coefficient de dommage entrainent aussi une augmentation de la résistance shunt. Ceci peut s’expliquer par
l’augmentation du nombre d’interactions des particules irradiantes et énergétiques qui provoquent une
dégradation de la matière de silicium dans la base de la photopile et ainsi favoriser une accélération des
porteurs minoritaires à travers la jonction.
4.5. Techniques de détermination de la résistance shunt Rsh

La figure (4-12) représente une technique de détermination de la résistance shunt. La technique consiste à
considérer une valeur de la vitesse de recombinaison à la jonction dans le domaine (court-circuit) c'est-à-dire
la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc. L’intersection de cette valeur d’abscisse
Sfcc avec la courbe correspond à une valeur d’ordonnée Rsh qui donne la valeur de la résistance shunt de la
photopile [41].
Figure 4-12: La technique de détermination de la résistance shunt

En utilisant cette technique, nous représentons dans les tableaux (4-3) et (4-4) les valeurs de la résistance shunt
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Tableau 4-3: Les valeurs numérique de Jcc, Sfcc, Sb et de la résistance shunt Rsh pour différentes valeurs de
l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV
Energie
Jcc Sfcc Sb kl
d’irradiation ϕp Rsh (Ω/cm2)
(A) (cm/s) (cm/s) (cm-2/MeV)
(MeV)
50 0.02802 8.11 x 103 3.883 x 106 24.24 5
60 0.02619 5.48 x 103 4.483 x 106 21.42 5
70 0.02470 3.80 x 103 5.066 x 106 19.32 5
80 0.02347 2.69 x 103 5.634 x 106 17.64 5
90 0.02241 2.02 x 103 6.191 x 106 16.24 5
Tableau 4-4: Les valeurs numériques de Jcc, Sfcc, Sb et de la résistance shunt Rsh pour différentes valeurs du
coefficient de dommage avec ϕp=60MeV
Coefficient de
Jcc Sfcc Sb ϕp
dommage kl Rsh (Ω/cm2)
(A) (cm/s) (cm/s) (MeV)
(cm-2/MeV)
5 0.02619 4.01 x 103 1.666 x 106 5.42 x 104 60
8 0.02185 3.00 x 103 2.444 x 106 3.47 x 104 60
11 0.01923 2.30 x 103 3.179 x 106 2.54 x 104 60
14 0.01741 1.77 x 103 3.887 x 106 1.99 x 104 60
17 0.01605 1.35 x 103 4.574 x 106 1.63 x 104 60
4.5.1. Profils de la résistance shunt Rsh en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de

dommage
Figure 4-13: Résistance shunt en fonction de l’énergie d’irradiation
Figure 4-14: Résistance shunt en fonction du coefficient de dommage

Les figures (4-13) et (4-14) montrent que la résistance shunt de la photopile augmente avec les variations de
l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
4.6. Etude de la capacité

Lorsque la photopile est éclairée, nous assistons à un stockage de charges opposées de part et d’autre de la
jonction émetteur-base. Ce qui entraîne l’établissement d’un condensateur dont la capacité varie en fonction
des effets de l’éclairement sur la photopile.
En utilisant l’expression de la phototension, l’expression de la capacité est obtenue à partir de la relation
suivante [47] :
Q( Sf , kl,  p )
C ( Sf , kl,  p )  (73)
Vph( Sf , kl,  p )
Avec : Q(Sf , kl,  p )  q   ( x, Sf , kl,  p ) (74)
 (0)
Et : C ( Sf , kl,  p )  q (75)
L’équation (75) peut être écrite de la façon suivante :
 (0) 1
C ( Sf , kl,  p )  q  (76)
Sf Vph( Sf , kl,  p )
Sf
En tenant compte de l’expression de la phototension et de la densité des porteurs de charge minoritaires en
excès, nous obtenons l’expression suivante :
q.ni2  ( x, Sf , kl,  p )
C ( Sf , kl,  p )  q (77)
Nb.VT VT
Posons : C(Sf , kl,  p )  C0  Cd (Sf , kl, p ) (78)
q.ni2
Où : C0  (79)
Nb.VT
 ( x, Sf , kl,  p )
Et : Cd ( Sf , kl,  p )  q (80)
VT
C0 est la capacité intrinsèque ou transitionnelle.
Cd(Sf,kl,ϕp) est la capacité de diffusion de la photopile à énergie d’irradiation ϕp et à coefficient de dommage
kl, sous éclairement polychromatique en un point de fonctionnement donné par Sf.
Les figures (4-15) et (4-16) matérialisent les profils de la capacité de la photopile en fonction de la vitesse de
recombinaison pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 4-15: Capacité de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4-16: Capacité de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour différentes valeurs
du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Au voisinage du circuit ouvert correspondant aux vitesses de recombinaison à la jonction inférieures à 10 cm/s,
l’amplitude de la capacité est maximale et constante. Les porteurs de charges minoritaires sont ainsi stockés à
la jonction. On peut dire que le condensateur plan est à une épaisseur petite. Cependant cette amplitude
diminue lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent.
Pour Sf comprise entre 10 cm/s et 4 x 104 cm/s, la capacité décroit avec la vitesse de recombinaison à la
jonction et traduit ainsi une décharge accélérée des porteurs minoritaires de charges.
Au voisinage du court-circuit correspondant aux vitesses de recombinaison à la jonction supérieures à
4 x 104 cm/s, la capacité est minimale, ce qui traduit un élargissement de l’épaisseur X0 du condensateur plan.
On peut dire que les porteurs minoritaires de charges ont traversé la jonction.
4.6.1. Etude de la capacité de diffusion de la photopile

Pour une charge q élémentaire donnée, la capacité est définie comme étant le rapport de la charge q sur la
phototension. Par conséquent, pour une densité de porteurs de charges donnée, on peut établir l’expression de
la capacité comme suit :
q. x, Sf , kl,  p 
C x, Sf , kl,  p  
VphSf , kl, p 
(81)
L’expression de la phototension Vph est celle qui existe au niveau de la jonction émetteur-base de la photopile.
Elle est obtenue de la même manière conformément à la relation de Boltzmann :
 N 
VphSf , kl,  p   VT . ln 1  2b . x, Sf , kl,  p  (82)
 ni 
VT : la tension thermique à la température T(°K)
ni : la concentration intrinsèque du substrat,
Nb : le taux de dopage dans la base.
Les figures (4-17) et (4-18) représentent les profils du logarithme de la capacité en fonction du logarithme de
la phototension pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage :
Figure 4-17: Logarithme de la capacité de diffusion en fonction du logarithme de la phototension pour différentes
valeurs d’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4-18: Logarithme de la capacité de diffusion en fonction du logarithme de la phototension pour différentes
valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Sur ces figures nous observons que le logarithme de la capacité de diffusion est une fonction linéaire du
logarithme de la phototension aux bornes de la photopile, dont la pente est strictement positive. Ce qui montre
que la capacité de diffusion croît avec la phototension, mais varie avec l’énergie d’irradiation et le coefficient
de dommage.
4.6.2. Etude de l’épaisseur de la zone de charge d’espace ZCE

L’étude de la densité des trous générés dans l’émetteur montre que la zone de charge d’espace s’élargit lorsque
la vitesse de recombinaison des trous augmente. Pour les porteurs qui ne participent pas à la production du
photocourant, la photopile semble être en circuit-ouvert quel que soit son point de fonctionnement.
Ces porteurs stockés dans la photopile se comportent comme des charges présentes sur les armatures d’un
condensateur.
Pour un éclairement donné de la photopile et en tenant compte de la densité des porteurs de charges
minoritaires en excès dans la base, on peut en déduire la capacité de la zone de charges d’espace en fonction
de la profondeur X 0 dans la base correspondant aux maximums de la densité des porteurs de charges
minoritaires. La capacité de l’épaisseur de la zone de charge d’espace est calculée en ne tenant compte que
des variations de la densité des porteurs photogénérés. Son expression est donnée par l’équation suivante :
A. 0 . r
X0  (83)
C ( Sf , kl, p )
ni  Vph( Sf , kl, p ) 
C ( Sf , kl, p )  q   exp  (84)
Nb  VT  VT 
X0 : la profondeur de la base.
A : la largeur totale de la zone de transition.
ε0 : la permittivité du vide, avec :
1
0   8.85 1012 F  m 1 (85)
36 10 9
εr : constante diélectrique du matériau semi–conducteur, elle est égale à 12 pour le silicium.

Les figures (4-19) et (4-20) représentent les profils du logarithme de la capacité en fonction du logarithme de
la profondeur de la Zone de Charge d’Espace (ZCE) pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du
coefficient de dommage.
Figure 4-19: Logarithme de la capacité en fonction du logarithme de la profondeur de la ZCE de la base X0 pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4-20: Logarithme de la capacité en fonction du logarithme de la profondeur de la ZCE de la base X0 pour
différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Sur ces figures, nous constatons que la représentation du logarithme de la capacité de la photopile en fonction
de celui de la profondeur X0 dans la base est une droite. Le logarithme de la capacité varie linéairement avec
les positions des maximas de la densité des porteurs de charges. La zone de charge d’espace est assimilable à
un condensateur plan dont la constante diélectrique est égale à la pente de la courbe.
4.7. Etude de la puissance et du point de puissance maximale

4.7.1. Puissance électrique de la photopile
Le circuit électrique équivalent d’une cellule solaire réelle sous éclairement est représenté sur la figure (4-21).
Ce circuit traite la photopile comme un générateur idéal de courant qui débite un photocourant Iph dépendante
de l’éclairement, connectée en parallèle avec une diode et une résistance shunt Rsh et en série avec une
résistance série Rs puis le tout connecté en parallèle sur une charge R.
Figure 4-21: Schéma du circuit électrique équivalent d’une photopile [48]
La loi d’ohm appliquée à la figure (4-21) permet d’obtenir la puissance électrique délivrée par la base de la
photopile au circuit de charge extérieure comme suit :
P ( Sf , kl,  )  Vph ( Sf , kl,  )  I ( Sf , kl,  )

p p p (86)
En appliquant la première loi de Kirchhoff au circuit de la figure (4-21), le courant délivré au circuit de charge
extérieure par une photopile éclairée est donné par la relation suivante [43].
I ( Sf , kl,  )  Iph( Sf , kl,  )  I d ( Sf , kl,  )

p p p (87)
Id est le courant de diode, son expression est donnée par la relation suivante :
I d ( Sf , kl,  )  q  Sf0 
ni 2 
 exp

Vph Sf ,kl , p  
1
p Nb
 VT  (88)
Sf0 est la vitesse de recombinaison associée aux pertes de porteurs de charges induites par la résistance shunt
[49] [62], elle caractérise la bonne qualité de la photopile [36, 37] [58].
4.7.2. Effet de l’irradiation sur le courant de diode

Les figures (4-22) et (4-23) représentent les profils du courant de diode en fonction de la vitesse de
recombinaison des porteurs de charges à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du
Figure 4-22: :Courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4-23: Courant de diode de la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour
différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Pour des vitesses de recombinaison à la jonction inférieures à 2 x 102 cm/s, ces figures indiquent une amplitude
maximale et constante du courant de diode quel que soit la variation de l’énergie d’irradiation et du coefficient
de dommage.
Ensuite pour des vitesses de recombinaison à la jonction supérieures à 2 x 102 cm/s, le courant de diode décroit
et s’annule pour des vitesses de recombinaison à la jonction très élevées.
Nous remarquons aussi que l’augmentation de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage entraine
une augmentation du courant de diode.
4.7.3. Effet de l’irradiation sur la puissance

Après la détermination de l’équation du courant de diode, la puissance susceptible d’être livrée au circuit de
charge extérieure peut s’écrire sous la forme de l’équation :
  
 V  Sf , kl,  
 

 n2  ph 
 
 1
p
P( Sf , kl,  )  Vph( Sf , kl,  ). Iph( Sf , kl,  )  q  Sf  i  exp (89)
p p p 0 Nb V
  T 
  
En remplaçant la phototension Vph(Sf,kl,ϕp) et le photocourant Iph(Sf,kl,ϕp) par leurs expressions
respectivement dans celle de la puissance P(Sf,kl,ϕp), cette dernière devient complètement définie.
Les figures (4-24) et (4-25) matérialisent les profils de la puissance en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 4-24: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4-25: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction
pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=60MeV, H=200µm, Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Les figures (4-26) et (4-27) matérialisent les profils de la puissance en fonction de la phototension pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 4- 26: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la phototension pour différentes valeurs de
Figure 4-27: Puissance électrique délivrée par la photopile en fonction de la phototension pour différentes valeurs du
Nous notons sur les figures (4-24) et (4-25) que la puissance croit avec la vitesse de recombinaison à la jonction
et atteint une amplitude maximale où elle décroit pour tendre vers des valeurs nulles.
Les maximums de l’amplitude de la puissance diminuent avec l’augmentation de l’énergie d’irradiation et du
On note trois zones de variation de la puissance en fonction de la phototension figures (4-26) et (4-27) :
 Une zone de court-circuit où la phototension est nulle et la densité de photocourant maximale donnant
une puissance également nulle ;
 Une zone au voisinage du circuit ouvert avec une phototension maximale et une densité de
photocourant nulle fournissant une puissance aussi nulle ;
 Et une zone intermédiaire avec une puissance croissante puis décroissante passant par un maximum
qui se situe en un point de fonctionnement intermédiaire.
On note également, une diminution des maximums de la puissance avec l’augmentation de l’énergie
d’irradiation et du coefficient de dommage.
4.8. Détermination du point de puissance maximale MPP
Le point de puissance maximum d’un générateur photovoltaïque correspond au couple densité de
photocourant-phototension générant le maximum de la puissance électrique de cette cellule. Quatre données
essentielles permettent de déterminer la caractéristique densité de photocourant-phototension d’un générateur
photovoltaïque [48] :
 La densité de photocourant de court-circuit noté Jcc,
 La tension de circuit ouvert ou la tension à vide notée Vco,
 La densité de photocourant maximal noté Jphmax,
 La phototension maximale notée Vphmax.
Le produit de la densité de photocourant maximale et la phototension maximale Jphmax × Vphmax donne une
puissance maximale Pmax. Déterminons la vitesse de recombinaison maximale des porteurs de charges à la
jonction correspondant au point de puissance maximale [50, 51]. Soit :
P ( Sf , kl ,p )
 0
Sf (90)
Désignons par SFmax cette vitesse de recombinaison maximale des porteurs de charges à la jonction
correspondant au point de puissance maximale. Elle ne dépend que des paramètres phénoménologiques et
géométriques de la photopile [L(kl,ϕp), D(kl,ϕp), Sf(kl,ϕp), Sb(kl,ϕp), τ, ni, μ, Nb et H] ainsi que du coefficient
d’absorption du matériau bi dans la détermination de la puissance maximale basé sur la variation du coefficient
de diffusion des électrons dans la base en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage
ainsi que l’épaisseur H de la photopile [52].
A partir de l’équation (90), le calcul permet d’obtenir l’équation transcendante dépendante de la vitesse de
recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf, de l’énergie d’irradiation ϕp et du coefficient de
dommage kl. Elle est donnée par les expressions suivantes :
 SFmax  L ( kl ,p ) 

M SFmax , kl ,p  1
 1
SFmax  L ( kl ,p )  Y . D ( kl ,p )  SF  L ( kl ,p )

 (91)
 1 max 
 
   
   
max ( 0 , kl ,p )   
 
 
 1
N SFmax , kl ,p    
Nb.max ( 0 , kl ,p )
  ni 2    log 

  max ( 0 , kl ,p ) 
Nb 

. SFmax . L ( kl ,p )  Y1 . D ( kl ,p )    2
1  (92)
     ni 
Гmax (0,kl,ϕp) est la densité des porteurs de charges minoritaires en excès au point de puissance maximum,
son expression est donnée par la relation suivante :
 
max ( 0 , kl , p )   . D (kl, p ). SF Y2  Y1  bi . L ( kl ,p )

max . L ( kl ,p )  Y1 . D ( kl ,p ) 

 (93)
Avec :
ai . L ( kl ,p ) 2
  
D ( kl ,p ).( L ( kl ,p ) 2 .bi2 1) (94)
D(kl, p)  H   H 
. sinh   Sb. cosh 
L(kl, p)  L(kl, p)   L(kl, p) 
Y1  (95)
D(kl, p)  H   H 
. cosh   Sb. sinh 
L(kl, p)  L(kl, p)   L(kl, p) 
Y2 
D(kl,p).bi  Sb.exp bi .H  (96)
D(kl,p)  H   H 
. cosh   Sb.sinh 
L(kl,p)  L(kl,p)   L(kl,p) 
La résolution graphique de cette équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison des
porteurs de charges à la jonction Sf pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage permet d’obtenir les valeurs de SFmax par l’intersection des deux courbes représentées par les
figures (4-28) et (4-29).
Figure 4- 28: Représentation de l’équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs de
charges à la jonction pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV et H=100µm,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Figure 4- 29: Représentation de l’équation transcendante en fonction de la vitesse de recombinaison des porteurs de
charges à la jonction pour différentes valeurs du coefficient de dommage avec ϕp=50MeV et H=100µm,
Sb=F(kl,ϕp)cm/s
Les figures (4-28) et (4-29) montrent une diminution des valeurs de SFmax lorsque l’énergie d’irradiation et
le coefficient de dommage augmentent. Ce qui traduit une diminution de la puissance maximale lorsque
l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage croient. Nous obtenons des points d’intersections des deux
courbes, correspondants aux valeurs de SFmax. Ces valeurs de SFmax correspondent à une condition de
fonctionnement de la photopile : son point de puissance maximale.
Les résultats obtenus à partir des figures (4-28) et (4-29) correspondant aux valeurs numériques de SFmax
pour chaque point de puissance maximale sont donnés dans les tableaux (4-5) et (4-7) :
4.8.1. L’influence de l’énergie d’irradiation sur SFmax

Les résultats obtenus par le modèle de la figure (4-28) correspondant aux valeurs numériques de SFmax pour
chaque point de puissance maximale sont donnés dans le tableau (4-5) :
Tableau 4-5: Les valeurs numériques de SFmax correspondant aux points de puissances maximales pour différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation
Points d’intersections pour
chaque valeur d’énergie
Energie d’irradiation (MeV) SFmax (p.10p cm/s)
d’irradiation donnée
(p)
50 1.506 48.286
60 1.432 38.721
70 1.349 30.131
80 1.243 21.750
90 1.139 15.686
L’influence de l’énergie d’irradiation sur le SFmax est représentée par la figure (4-30) :
Figure 4- 30: Représentation de l’influence de SFmax en fonction de l’énergie d’irradiation
A partir de la caractéristique P(Sf), nous déduisons les valeurs de SFmax correspondantes pour les différentes
valeurs de l’énergie d’irradiation représentées dans le tableau (4-6).
Tableau 4-6: Points de puissances maximales extraits de la caractéristique P(Sf) correspondants à SFmax pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation
Energie d’irradiation (MeV) Point de puissance (p) SFmax (p.10p cm/s)
50 2.72 1.427 x 103
60 2.67 1.249 x 103
70 2.63 1.122 x 103
80 2.55 904.774
90 2.52 834.45
Figure 4- 31: Influence de SFmax en fonction de l’énergie d’irradiation (extraites de la caractéristique P(Sf))
4.8.2. L’influence du coefficient de dommage sur SFmax

Les résultats obtenus par le modèle de la figure (4-29) correspondant aux valeurs numériques de SFmax pour
chaque point de puissance maximale sont donnés dans le tableau (4-7) :
Tableau 4-7: Les valeurs numériques de SFmax correspondant aux points de puissances maximales pour différentes
valeurs du coefficient de dommage
Points d’intersections pour
Coefficient de dommage chaque valeur d’énergie
SFmax (p.10p cm/s)
(cm-2/MeV) d’irradiation donnée
(p)
5 1.686 81.985
8 1.574 59.177
11 1.456 41.618
14 1.297 25.763
17 1.084 13.165
L’influence du coefficient de dommage sur le SFmax est représentée par la figure (4-32) :
Figure 4- 32: Représentation de l’influence de SFmax en fonction du coefficient de dommage
A partir de la caractéristique P(Sf), nous déduisons les différentes valeurs de SFmax correspondantes pour les
différentes valeurs du coefficient de dommage représentées dans le tableau (4-8).
Tableau 4-8: Points de puissances maximales extraits de la caractéristique P(Sf) correspondants à SFmax pour
différentes valeurs du coefficient de dommage
Coefficient de dommage (cm-2/MeV) Point de puissance (p) SFmax (p.10p cm/s)
5 2.71 1.390 x 103
8 2.70 1.353 x 103
11 2.67 1.249 x 103
14 2.62 1.092 x 103
17 2.58 980.889
Figure 4- 33: Influence de SFmax en fonction du coefficient de dommage (extraites de la caractéristique P(Sf))
4.9. Facteur de forme

Le facteur de forme est un paramètre important pour une photopile. Il indique la qualité de la jonction p-n pour
un rendement de conversion indiquant la performance d’une cellule parfaite. L’expression du facteur de forme
est donnée par [15] :
Pmax
FF  (97)
Vco  I cc
Pmax : puissance maximale

Vco : tension de circuit ouvert
Icc : courant de court-circuit
Les valeurs trouvées du facteur de forme pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient
de dommage sont notées dans les tableaux (4-9) et (4-10)
Tableau 4-9: Les valeurs numériques de Vco, Icc, Pmax et FF pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation avec
kl=5cm-2/MeV
Energie d’irradiation
50 60 70 80 90
(MeV)
Vco (Sf) (V) 0.59526 0.59585 0.59631 0.59669 0.59701
Icc (Sf) (A/cm2) 0.028026 0.026191 0.024705 0.023478 0.022414
Pmax (W/cm2) 0.016572 0.015494 0.014619 0.013898 0.013269
FF 0.9934 0.9928 0.9923 0.9920 0.9916
Tableau 4-10: Les valeurs numériques de Vco, Icc, Pmax et FF pour différentes valeurs du coefficient de dommage
avec ϕp=60MeV
Coefficient de dommage
5 8 11 14 17
(cm-2/MeV)
Vco (Sf) (V) 0.59585 0.59718 0.59794 0.59844 0.59881
Icc (Sf) (A/cm2) 0.026191 0.021851 0.01923 0.017414 0.016054
Pmax (W/cm2) 0.015495 0.012938 0.011386 0.010309 0.009501
FF 0.9929 0.9915 0.9902 0.9892 0.9883
4.10. Rendement de conversion photovoltaïque

Le rendement de conversion d’une cellule photovoltaïque est le rapport entre la puissance maximale fournie
par la photopile et la puissance lumineuse incidente absorbée, il s’écrit comme suit :
I max .Vmax
 
Pincident (98)
Pincident : est la puissance de la lumière incidente absorbée par le générateur photovoltaïque avec
Pincident  100 mW / cm 2 , dans les conditions standards Air Mass 1.5 [36].
Pour la représentation du rendement nous avons déduit sur les courbes caractéristiques de la densité de
photocourant en fonction de la phototension à partir des figures (2-12) et (2-13), les valeurs graphiques
correspondant aux points de puissance maximale du photocourant maximal, de la phototension maximale, la
puissance maximale ainsi que le rendement maximal de la conversion photovoltaïque pour différentes valeurs
de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage. Ces résultats sont notés dans les tableaux (4-11) et
(4-12).
Tableau 4-11: Les valeurs du photocourant Imax, de la phototension Vmax, de la puissance Pmax, du facteur de forme
FF et du rendement Ƞmax correspondant au point de puissance maximale pour différentes valeurs de l’énergie
d’irradiation avec kl=5cm-2/MeV
Energie d’irradiation
50 60 70 80 90
(MeV)
Imax (A/cm2) 0.02802 0.02619 0.02470 0.02347 0.02241
Id (SFmax) (A) 0.19578x10-3 0.19616x10-3 0.19655x10-3 0.19692x10-3 0.19729x10-3
Vmax (V) 0.59549 0.59606 0.59652 0.59692 0.59726
Pmax (W/cm2) 0.016569 0.015494 0.014617 0.013886 0.013267
FF 0.9934 0.9928 0.9923 0.9920 0.9916
Ƞmax (%) 16.569 15.494 14.617 13.886 13.267
Tableau 4-12: Les valeurs du photocourant Imax, de la phototension Vmax, de la puissance Pmax, du facteur de forme
et du rendement Ƞmax correspondant au point de puissance maximale pour différentes valeurs du coefficient de
dommage avec ϕp=60MeV
Coefficient de dommage
5 8 11 14 17
(cm-2/MeV)
Imax (A/cm2) 0.02619 0.02185 0.01923 0.01741 0.01605
Id (SFmax) (A) 0.19652x10 0.19788x10 0.19924x10-3
-3 -3
0.20058x10-3 0.20192x10-3
Vmax (V) 0.59608 0.59740 0.59826 0.5988 0.5992
Pmax (W/cm2) 0.015494 0.012935 0.011433 0.010305 0.009496
FF 0.9929 0.9915 0.9902 0.9892 0.9883
Ƞmax (%) 15.494 12.935 11.433 10.305 9.496
Les figures (4-34) à (4-39) représentent l’évolution du photocourant maximal Imax, de la phototension
maximale Vmax ainsi que le rendement maximal Ƞmax de conversion de la photopile en fonction de l’énergie
d’irradiation et du coefficient de dommage.
Figure 4-34: Photocourant maximal en fonction de l'énergie d'irradiation
Figure 4-35: Photocourant maximal en fonction du coefficient de dommage
Figure 4-36: Phototension maximale en fonction de l'énergie d'irradiation
Figure 4-37: Phototension maximale en fonction du coefficient de dommage
Figure 4-38: Rendement de conversion photovoltaïque en fonction de l'énergie d'irradiation
Figure 4-39: Rendement de conversion photovoltaïque en fonction du coefficient de dommage
Sur ces figures (4-34) à (4-39) nous constatons que la vitesse de recombinaison maximale des porteurs de
charges à la jonction SFmax, le photocourant maximal ainsi que le rendement de conversion photovoltaïque
diminuent lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage croient contrairement à la phototension
maximale qui croit avec l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage. Ceci se traduit par une variation
du point de puissance maximale lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent.
4.11. Conclusion
Dans ce chapitre, les expressions de la résistance série et shunt ont été déterminées puis étudiées pour
différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage. Cette étude a montré que, lorsque
l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent, les résistance série et shunt augmentent.
Une technique de détermination de ces valeurs de résistances série et shunt a aussi été proposée. Nous avons
aussi montré que lorsque la photopile est éclairée, elle se comportait comme un condensateur plan de capacité
donnée en fonction de la phototension et de la profondeur de la base x.
La puissance électrique de la photopile a aussi été mise en exergue à travers la vitesse de recombinaison à la
jonction et de la phototension. L’étude a montré entre autre que les paramètres électriques de la photopile sont
influencés par les effets de l’énergie d’irradiation. Ensuite une méthode de détermination de la puissance
maximale fournie par le générateur photovoltaïque à partir de SFmax a été élucidée. Cette méthode ne prend
en compte que les paramètres microscopiques de la photopile basée sur son mécanisme physique,
contrairement aux convertisseurs et aux différents systèmes de poursuite forçant le générateur à fonctionner à
son point de puissance maximum (MPP) basé sur les paramètres macroscopiques du générateur
photovoltaïque.
Conclusion générale
CONCLUSION GENERALE
Conclusion générale
Dans ce travail de thèse, nous avons étudié l’influence de l’énergie d’irradiation sur les paramètres
phénoménologiques et électriques d’une photopile monofaciale en régime statique sous éclairement
polychromatique.
Au premier chapitre, une étude bibliographique a été présentée parlant des effets de l’irradiation sur
des cellules photovoltaïques proposés par certains auteurs scientifiques. Les paramètres mis en exergue par
ces auteurs concours à ceux électroniques et électriques de la photopile au silicium (coefficient de diffusion,
longueur de diffusion, densité de photocourant, phototension, capacité).
Au deuxième chapitre, nous avons montré l’influence de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage sur le comportement de la densité des porteurs minoritaires de charges en excès dans la base, sur
la densité de photocourant, sur la phototension puis sur la caractéristique I–V. Cette étude a montré une
diminution du photocourant de court-circuit et une augmentation de la phototension de circuit ouvert lorsque
l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent.
Au troisième chapitre, nous avons mis l’aspect sur le comportement de la vitesse de recombinaison à
la face arrière Sb et à la jonction Sf sous l’influence de kl et ϕp ainsi que sur la technique de détermination
de la vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit Sfcc et celle à la jonction limitant le
circuit ouvert Sfco. A partir de cette technique, les valeurs du photocourant de court-circuit Jcc et de la
phototension de circuit ouvert Vco ont été extraites en fonction de l’énergie d’irradiation et du coefficient de
dommage.
Au quatrième chapitre, les expressions de la résistance série et shunt ont été déterminées puis étudiées
pour différentes valeurs de l’énergie d’irradiation et du coefficient de dommage. Cette étude a montré que,
lorsque l’énergie d’irradiation et le coefficient de dommage augmentent, les résistance série et shunt
augmentent. Une technique de détermination de ces valeurs de résistances série et shunt a aussi été proposée.
Nous avons aussi montré que lorsque la photopile est éclairée, elle se comportait comme un condensateur
plan de capacité donnée en fonction de la phototension et de la profondeur de la base x.
La puissance électrique de la photopile a aussi été mise en exergue à travers la vitesse de recombinaison à la
jonction et de la phototension. L’étude a montré entre autre que les paramètres électriques de la photopile
sont influencés par les effets de l’énergie d’irradiation. Ensuite une méthode de détermination de la puissance
maximale fournie par le générateur photovoltaïque à partir de SFmax a été élucidée par une équation
transcendante.
Comme perspectives, nous envisageons pour la suite de ce travail de thèse d’étudier les effets de
l’énergie d’irradiation sur une photopile bifaciale en :
 Régime dynamique transitoire,
 Régime dynamique fréquentiel,
 Combinant l’influence du champ électrique sur les paramètres électriques de la photopile bifaciale,
 Combinant l’influence du champ magnétique sur les paramètres électriques de la photopile bifaciale,
 Combinant l’influence du champ électrique et magnétique sur les paramètres électriques de la
photopile bifaciale.
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Abstract
Abstract:
After studying the issues regarding the operation and longevity of irradiated photovoltaic cells in the space
environment, it was also a worrying concern at the terrestrial level for photovoltaic electronics manufacturers
in order to guarantee the future of this production sector clean energy in terms of reliability and performance.
The theme of our subject is to study the influence of irradiation energy on the electrical parameters of a silicon
solar cell in static mode in order to draw attention to the presence of certain charged particles and energy
(electrons, protons, helium, heavy ions) that can cause degradation of the macroscopic parameters (current,
voltage, power and efficiency) of our terrestrial photovoltaic energy conversion systems. Then contribute to
the search of the point of maximum power from the phenomenological parameters of the photovoltaic devices
when they are under irradiation with the concept of the maximum recombination velocity at the junction,
intrinsic parameter of the solar cell.
Keywords : Silicon Solar Cell, Irradiation, Electrical Parameters, Maximum Power Point.
Annexe mathématique
 Equation de continuité :
Compte tenu des phénomènes de génération, de recombinaison et de diffusion au sein de la photopile, l’équation
de continuité des porteurs minoritaires de charge dans la base à l’abscisse x en régime statique et sous irradiation
est donnée par l’équation 1 :
 2 x, kl,  p   x, kl,  p 

D kl,  p    G x   0 (1)
x 2 
Avec : G  x   n   a i  e bi  x et n = 1 (2)

i 1
 2 x, kl,  p   x, kl,  p  3

Dkl,  p     a  e bi x
0
On obtient :
x  (3)
2 i
i 1
Dkl,   
Lkl,  p
2
Où :
 (4)
p
 
Lkl,   p
2
Alors :
D kl,   p
(5)
Lkl,   
1
Et : 1 (6)
 1  2
 2  kl   
L0 
En remplaçant le terme de l’équation (5) dans celle (3), on obtient ainsi :
 2 x, kl,  p   x, kl,  p  3

D kl,  p   D kl,  p    ai  e b x  0
Lkl,  p  i1
i
x 2 2 (7)
En divisant les membres de l’équation (7) par D kl,  p , on a :  

 2 x, kl,  p   x, kl,  p  1 3
    ai  e bi x
x 2

Lkl,  p 
2
D kl,  p  i 1
 (8)
D kl,  p  : Coefficient de diffusion dépendant de l’irradiation ;

L kl,  p  : Longueur de diffusion dépendant de l’irradiation ;
kl : Coefficient de dommage ;
ϕp : Energie d’irradiation ;
Mamadou Lamine BA-Thèse de Doctorat en Sciences et Technologie, Energies Renouvelables, ED2DS THIES Page | 89
 Résolution de l’équation
 Sans second membre
L’équation de continuité excepté son second membre s’écrit sous la forme suivante :
 2 1 x, kl,  p   1 x, kl,  p 

 0
x 2 
Lkl,  p 
2
 (9)
L’équation caractéristique est :

1 1
r2  0r 

L(kl,  p )
2
 L(kl,  p ) (10)
 x   x 
1 ( x)  A1 exp 
 B1 exp 
 L(kl, ) 
 L(kl, p )   p  (11)
 x   x   x   x 
 1 ( x)  A1 cosh   B1 cosh   A1 sinh   B1 sinh 
 L(kl,  )   L(kl,  )   L(kl,  )   L(kl,  ) 
 p   p   p   p  (12)
   
1 ( x)   A1  B1  cosh    A1  B1  sinh
x x 
  
 L(kl,  p )   L(kl,  p )  (13)
En posant A  A1  B1 et B  A1  B1
L’expression devient :
 x   x 
1 x, kl,  p   A  cosh   B  sinh  
 L kl ,  
p 
  L kl ,  
p 

(14)
 Avec second membre

L’équation avec second membre s’écrit :
 2 x, kl,  p  1 3
    ai  e b x
Lkl, p  Dkl, p  i1
i
2 (15)
On obtient :
  Lkl ,     a  e
2
 2 x, kl,  p p bi  x
D kl,  (16)
i
p
 Solution générale de l’équation de continuité :
 x, kl, p   1 x, kl, p   2 x, kl, p  (17)
D’où :

 x, kl, p   A  cosh
x   x  Lkl, p 
2
  ai  e bi x
 
  B  sinh  
 Lkl, p   Lkl, p  Dkl, p 
(18)
 x   x 
 x, kl,  p   A  cosh   B  sinh     Ki  e i
b x
 Lkl,  p   Lkl,  p 

(19)

ai  Lkl,  p  
2
Ki  

Dkl,  p  Lkl,  p   bi  1
2 2
 Lkl,    b p
2
i
2
1  (20)
Les coefficients A et B sont déterminées à partir des conditions aux limites :

 A la jonction émetteur-base (x = 0)
 x, kl,  p 
D kl,  p   S f   0, kl,  p 
x x 0
(21)


 x   x  Lkl,  p  2  
 bi  x 

 A  cosh         i 
 Lkl,  p   Lkl,  p  D kl,  p 
B sinh a e
 
D kl,  p     S f   0, kl,  p  (22)
x
x 0
  x 
Dkl,  p   A  sinh 
 x  Lkl,  p 
 B  cosh 
  
2
 ai   bi  e bi  x   S f   0, kl,  p 

 
 Lkl,  p   Lkl,  p  Dkl,  p 
(23)
 
  x 0
Dkl,  p 
 
  x   x  Lkl,  p  2   
 B  Lkl,  p   a i   bi  S f   A  cosh   B  sinh     a i  e bi  x 
2
Lkl,  p   Lkl,  p   Lkl,  p  Dkl,  p 

(24)
 
 x 0 
Dkl,  p 

 B  Lkl,  p  
2

 ai   bi  S f   A 

Lkl,  p 
2

  ai 

Lkl,  p  Dkl,  p 
(25)
 
 
Lkl,  p  Lkl,   a  Lkl,   a  b
3
Dkl,   
B  A S f  Sf 
p 2
Dkl,  p  2 i p i i (26)
p
 A la face arrière (x = H)
 x, kl,  p 
D kl,  p    S b   H , kl,  p 
x xH
(27)
 
 A  cosh
x  
 B  sinh 
x  Lkl,  p  2

 
  ai  e bi  x 

 
  Lkl,  p   Lkl,  p  D kl,  p  
D kl,  p      S b   H , kl,  p  (28)
x
xH
 
Dkl,  p  A  sinh
x  
  B  cosh x  Lkl,  p 

 
 ai   bi  e bi  x 
 2
  S b   H , kl,  p  (29)
 Lkl,     Lkl,    Dkl,  
  p   p  p  x  H
  H 
Dkl,  p  A  sinh
 H  Lkl,  p  2
  B  cosh 
 
 ai   bi  e bi H  

  Lkl,     Lkl,    Dkl,   
 p   p  p
(30)

 S b   A  cosh
 H   H  Lkl,  p   
bi  H 

2
        i 
 Lkl,  p   Lkl,  p  Dkl,  p 
B sinh a e
 
 
 H   H  Lkl,  p 2
 A  Dkl,  p   sinh    B  D kl,  p   cosh   Dkl,  p   ai   bi  e bi H 
 Lkl,     Lkl,    D kl,  
 p   p  p
(31)
 H 
 S b  A  cosh
 H  Lkl,  p 
2

  ai  e bi H

  S b  B  sinh    Sb 
 Lkl,  p   Lkl,  p  Dkl,  p 
 H   
 A  Dkl,  p   sinh   B  Dkl,  p   cosh H   Lkl,  p  2  ai   bi  e bi H 
 Lkl,     Lkl,   
 
 p   p 
(32)
 H 
 H  Lkl,  p  
  ai  e bi H
 2
  S b  B  sinh    Sb 
 Lkl,  p   Lkl,  p  Dkl,  p 
 H   
B  Dkl,  p   cosh    A  Dkl,  p   sinh H   Lkl,  p  2  ai   bi  e bi H
 Lkl,     Lkl,   
 
 p   p 
(33)
 H 
 H  Lkl,  p 
2

  ai  e bi H

  S b  B  sinh    Sb 
 L kl ,  
p   L kl ,  
p  D kl ,  p 
 H 
 A  D kl,  p   sinh
 Lkl,   
 
  Lkl,  p  2  ai   bi  e bi H
B  p 
 H 
D kl,  p   cosh 
 Lkl,   
 p 
(34)
 H 
 H  Lkl,  p 
2

  ai  e bi H

  S b  B  sinh    Sb 
 Lkl,  p   Lkl,  p  D kl,  p 
 H 
D kl,  p   cosh 
 Lkl,   
 p 
En égalisant les deux B on obtient :

 H 
 A  D kl, p   sinh
 Lkl,  
 
  Lkl, p  2  ai   bi  e  bi  H
A Sf 
Lkl, p 
 Sf 
Lkl, 
p
3
 2

  ai  Lkl, p   ai   bi   p 
D kl, p  Dkl, 
p
2
 H 
D kl, p   cosh 
 Lkl,   (35)
 p 
 H 
 Sb  A  cosh
 H  
Lkl, p 
2

  ai  e  bi  H
  Sb  B  sinh    Sb 
 Lkl, p   Lkl, p  D kl, p 
 H 
D kl, p   cosh 
 Lkl,  
 p 
Après calcul, on a :
p p i  
 D(k l,  ).Sb  D 2 (k l,  ).b  e bi .H   k l,  Sf  D ( k l,  ).b
  p p i

A  L ( k l,  ). K i (36)
 
p    
 H   H 
 L ( k l,  )   D ( k l,  p ).L ( k l,  p ).Sf  Sbcosh L ( k l,  ) 
2 2
L ( k l,  ).Sb.Sf  D ( k l,  ) sinh
p p
 p   p 
 
 
  
  H   H 
 k l,    D ( k l,  ). cosh  L ( k l,  ).Sb. sinh (37)
p
 p  L ( k l,  )  p  L( k l,  )  
  p   p 
Et :
p p 
 
L(k l,  ).Sf . Sb  D 2 (k l,  ).bi .e i   k l,  Sf  D ( k l,  ).b

b .H
p p i
 (38)
B  L ( k l,  ). K i
 
p    
 H   H 
L2 ( k l,  ).Sb.Sf  D 2 ( k l,  ) sinh  D ( k l,  ). L ( k l,  ).Sf  Sbcosh
p p  L ( k l,  )  p p  L ( k l,  ) 
 p   p 
 
 
  
  H   H 
 k l,   D ( k l,  ). sinh
  L ( k l,  ).Sb. cosh (39)
p
 p  L( k l,  )  p  L( k l,  )  
  p   p 
 Calcul de la densité de photocourant :
  x, kl,  p 
Jph(kl,  p )  q.D kl,  p .  (40)
 x  x 0
 x, kl,  p  B 3
   K i .bi
Lkl,  p  i1
x 0
(41)
x
  ( x, kl,  p ) 
Jphkl,  p   q.D(kl,  p ).  
3
B

  q. D kl ,  p
     K i .bi (42)
 x  x 0 L kl , p i 1
En remplaçant B par son expression dans Jph(kl,ϕp) on aura :
   

 bi L2 (kl, p ) S b  D(kl, p ) sinh
H

 L(kl, ) 
  O(kl, p ) 
3    
Jph( Sf , kl, p )  qD(kl, p ) K i  Sf  (43)
p
 2   
i 1
  D ( kl ,  )  L2
( kl ,  ) S S sinh 

H
   P (kl, p )



 L(kl, p ) 
p p b f
   
  H 
 

O(kl,  p )  L(kl,  p ) Sb  D(kl,  p )bi  e bi H  cosh 
 L(kl,  )   (44)
  p 
 H 

P(kl,  p )  D(kl,  p ) L(kl,  p ) Sb  S f cosh 
 L(kl,  ) 
 (45)
 p 
 Calcul de la phototension :
 Nb 
Vph( Sf , kl,  p )  VT . ln 2 . (0, kl,  p )  1 (46)
 ni 
Le calcul donne l’expression mathématique de la phototension Vph(kl,ϕp) par :
 
 
 N 3  L(kl, p )D(kl, p )bi  Sb   e [ P1  P2 ]
 bi H
  (47)
Vph( Sf , kl, p )  VT ln 1  2b  Ki
 2     

   
 ni i 1 H H

 D (kl, p )  L (kl, p ) Sb S f sinh   D(kl, p ) L(kl, p ) Sb  S f cosh 
 L(kl, )  
2
 
   L(kl, p )   p  

Avec :
  H 
P1  L(kl,  p ) D(kl,  p )bi  L(kl,  p ) Sb cosh 
 L(kl,  )  (48)
  p 
 H 

P2  L2 (kl,  p )bi Sb  D(kl,  p ) sinh  
 L(kl,  )  (49)
 p 
 Calcul des paramètres électriques

 La résistance série :
La maille donne : Vco( Sf , kl,  p )  Rs( Sf , kl,  p )  Jph ( Sf , kl,  p )  Vph( Sf , kl,  p )  0 (50)
Vco Sf , kl,    Vph( Sf , kl,  )

 p p
On obtient : Rs( Sf , kl,  p )  (51)
Jph ( Sf , kl,  )
p
Avec : Vco ( S f , kl,  p )  Sflim


Vph( Sf , kl,  p ) (52)
 
 
 N 3 
L(kl,  p )D(kl,  p )bi  S b (kl,  p )   e bi H [Y1 (kl,  p )  Y2 (kl,  p ) 
Vco ( Sf , kl,  p )  VT ln 1  2b  Ki
 2  H   H  

(53)
 ni

i 1
 
 D (kl,  p ) sinh

  D(kl,  p ) L(kl,  p ) S b (kl,  p ) cosh


 L(kl,  )  
   L ( kl , p )   p  
Où :
  H 
Y1 (kl,  p )  L(kl,  p ) D(kl,  p )bi  L(kl,  p ) S b (kl,  p ) cosh  (54)
   
 L ( kl , p 
) 
 H 

Y2 (kl,  p )  L2 (kl,  p )bi S b (kl,  p )  D(kl,  p ) sinh 
 L(kl,  ) 
 (55)
 p 
 La résistance shunt :
La loi des nœuds donne : Jcc ( Sf , kl,  )  Jph ( Sf , kl,  )  Ish ( Sf , kl,  ) (56)
p p p
Ainsi : Ish ( Sf , kl,  )  Jcc ( Sf , kl,  )  Jph ( Sf , kl,  ) (57)

p p p
Rsh ( Sf , kl,  )  Ish ( Sf , kl,  )  Vph( Sf , kl,  )  0 (58)

p p p
Rsh( Sf , kl,  )   Jcc ( Sf , kl,  )  Jph ( Sf , kl,  )   Vph( Sf , kl,  )  0 (59)

p  p p  p
Vph( Sf , kl,  )
p
On obtient alors : Rsh( Sf , kl,  p )  (60)
Jcc Sf , kl,    Jph( Sf , kl,  )

 p p
Avec : Jcc(kl,  )  lim Jph( Sf , kl,  ) (61)

p Sf 
p
     

 bi L2 (kl, p ) S b  D(kl, p ) sinh  H
 L(kl, ) 
 
  L(kl, p ) S b  D(kl, p )bi  e bi H  cosh

H 
 L(kl, )    (62)
3   p    p 
Jcc(kl, p )  qD(kl, p ) K i  
 2    
i 1 
  L ( 
kl ,  p ).S b sinh 


H



 D ( kl ,  p ) L ( kl ,  p ) cosh

H


 


   L ( kl , )
p   L ( kl , )
p   
 Calcul de la capacité de la photopile

Q( Sf , kl,  p )
C ( Sf , kl,  p )  (63)
Avec : Q(Sf , kl,  p )  q   ( x, Sf , kl,  p ) (64)
 (0)
Et : C ( Sf , kl,  p )  q (65)
L’équation (63) peut être écrite de la façon suivante :
 (0) 1
C ( Sf , kl,  p )  q . (66)
Sf Vph( Sf , kl,  p )
Sf
En tenant compte de l’expression de la phototension et de la densité des porteurs de charge minoritaires en
excès, nous obtenons l’expression suivante :
q.ni2  ( x, Sf , kl,  p )
C ( Sf , kl,  p )  q (67)
Nb.VT VT
Posons : C(Sf , kl, p )  C0  Cd (Sf , kl, p ) (68)
q.ni2
Où : C0  (69)
Nb.VT
 ( x, Sf , kl,  p )
Et : Cd ( Sf , kl,  p )  q (70)
VT
 Calcul de la puissance électrique de la photopile

La puissance électrique délivrée par la base de la photopile au circuit de charge extérieure s’exprime comme
suit :
P ( Sf , kl,  )  Vph ( Sf , kl,  )  I ( Sf , kl,  ) (71)
p p p
Avec :
I ( Sf , kl,  )  Iph( Sf , kl,  )  I d ( Sf , kl,  )

p p p (72)
Id est le courant de diode, son expression est donnée par la relation suivante :
I d ( Sf , kl,  )  q  Sf0 
ni 2
 exp

Vph Sf ,kl , p 
1
 
p Nb

VT  (73)
P ( Sf , kl, 
p
)  Vph ( Sf , kl, 
p

)  Iph( Sf , kl ,  )  I ( Sf , kl ,  )
p d p
 (74)
 2
  
 Vph  Sf , kl ,  


 
 n   p 
Finalement : P ( Sf , kl,  p )  Vph ( Sf , kl,  p )   Iph( Sf , kl ,  p )  q  Sf0  Nb
i
 exp  1

 V
(75)
 

T 

 Détermination du MPP
Dérivons l’expression de la puissance électrique par rapport à la vitesse de recombinaison à la jonction :
P ( Sf , kl ,p )
 0
Sf (76)
En posant la dérivé égale zéro nous permet d’obtenir une équation transcendante suivante :
 Sf max L ( kl ,p ) 

M Sf , kl ,p  1
Sf max L ( kl ,p )
 1
 Y . D ( kl ,p )  Sf


max L ( kl ,p ) 
(77)
 1
 
   
   
max ( 0 , kl ,p )  
 
 
 
1
N Sf , kl ,p   
 Nb.max ( 0 , kl ,p )
ni 2    log 

  max ( 0 , kl ,p ) 
Nb
. Sf
 max

. L ( kl ,p ) Y1 . D ( kl ,p )   
ni 2
1 

(78)
   
 
max ( 0 , kl , p )    D (kl,p). Sf Y2 Y1  bi . L ( kl ,p )
  

 (79)
 max . L ( kl , p ) Y1 . D ( kl , p )
ai . L ( kl ,p ) 2
 
D ( kl ,p ).( L ( kl ,p ) 2 .bi2 1) (80)
D(kl, p)  H   H 
. sinh   Sb. cosh 
L(kl, p)  L(kl, p)   L(kl, p) 
Y1  (81)
D(kl, p)  H   H 
. cosh   Sb. sinh 
L(kl, p)  L(kl, p)   L(kl, p) 
Y2 
D(kl,p).bi  Sb.exp bi .H  (82)
D(kl,p)  H   H 
. cosh   Sb.sinh 
L(kl,p)  L(kl,p)   L(kl,p) 
Nom et Prénom du candidat : M. BA Mamadou Lamine
Thème :
ETUDE DEs EffETs DE l’irraDiaTion DE parTicUlEs chargéEs sur UNE PHOTOPILE
monofaciale AU SILICIUM EN REGIME STATIQUE sous éclairement polychromatique
Date et lieu de soutenance : octobre 2019 à l’Ecole Polytechnique de Thiès
Résumé :
Après l’étude des enjeux sur le fonctionnement et la longévité des cellules photovoltaïques irradiées en
milieu spatial, ce fut aussi une affaire préoccupante au niveau terrestre chez les industriels de l’électronique
photovoltaïque afin de garantir l’avenir de cette filière de production d’énergie propre tant au niveau
fiabilité et performance.
La thématique de notre sujet se propose d’étudier l’influence de l’énergie d’irradiation sur les paramètres
électriques d’une photopile au silicium en régime statique dans le but d’attirer l’attention sur la présence de
certaines particules chargées et énergétiques (électrons, protons, hélium, ions lourds) pouvant occasionner
une dégradation des paramètres macroscopiques (courant, tension, puissance et rendement) de nos systèmes
de conversion d’énergie photovoltaïque terrestre. Ensuite contribuer à la recherche du point de puissance
maximale à partir des paramètres phénoménologiques des dispositifs photovoltaïques lorsque ceux-ci sont
sous irradiation avec le concept de la vitesse de recombinaison maximale à la jonction, paramètre
intrinsèque de la cellule solaire.
Mots clés : photopile au silicium, irradiation, paramètres électriques, point de puissance maximale.
Abstract :
After studying the issues regarding the operation and longevity of irradiated photovoltaic cells in the space
environment, it was also a worrying concern at the terrestrial level for photovoltaic electronics
manufacturers in order to guarantee the future of this production sector clean energy in terms of reliability
and performance.
The theme of our subject is to study the influence of irradiation energy on the electrical parameters of a
silicon solar cell in static mode in order to draw attention to the presence of certain charged particles and
energy (electrons, protons, helium, heavy ions) that can cause degradation of the macroscopic parameters
(current, voltage, power and efficiency) of our terrestrial photovoltaic energy conversion systems.
Then contribute to the search of the point of maximum power from the phenomenological parameters of
the photovoltaic devices when they are under irradiation with the concept of the maximum recombination
velocity at the junction, intrinsic parameter of the solar cell.
Keywords : Silicon Solar Cell, Irradiation, Electrical Parameters, Maximum Power Point.

Thèse Doctorat VF - Mamadou Lamine BA

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UNIVERSITE DE THIES

ECOLE DOCTORALE DEVELOPEMENT DURABLE ET SOCIETE (ED2DS)

Ce travail de Thèse de Doctorat unique en

ET DE MONSIEUR MAMADOU WADE, Professeur

Ce travail de Thèse de Doctorat Unique est dédié à :

TABLE DES MATIERES

LISTE DES FIGURES

LISTE DES TABLEAUX

1.3. Proc. Wold Renewable Energie Conference [12]

1.4. Detailed Modeling of Photovoltaic Components [13]

Figure 1- 1: Schéma électrique d’une cellule photovoltaïque

Le courant fourni par la cellule est donné par la relation suivante :

1.6. Modélisation de la recombinaison aux interfaces d'une photopile au silicium

Figure 1- 2: Caractéristiques puissance en fonction de SJ et de la phototension (figures 1 et 2), rendement et facteur

1.8. « Measurement of ac parameters of gallium arsenide (gaas/ge) solar cell by

Figure 1-3: Le ciel vu sous différentes longueurs d’ondes

Figure 1-4: Rayonnements cosmiques atteignant la haute atmosphère

Figure 1-5: Densité spectrale de l’éclairement énergétique du rayonnement solaire

Figure 1-6: Cascade neutronique dans l'atmosphère terrestre

1.11. Radiation-Hard High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells for Commercial Space

1.12. Evaluation of the Electrical Characteristics of III-V Compounds Solar Cells

1.14. Radiation damage in silicon detectors [23]

1.21. Impact of irradiation on the surface recombination velocity of a back side

2.2. Présentation de la photopile

2.3. Taux de génération

Avec ai et bi des coefficients tabulés du rayonnement solaire et dépendent du coefficient d’absorption du

2.5. Equation de continuité

 2 x, kl,  p   x, kl,  p 

 2 x, kl,  p   x, kl,  p  3

 2 x, kl,  p   x, kl,  p  1 3

2.6. Résolution de l’équation

 2 1 x, kl,  p   1 x, kl,  p 

Après résolution on obtient :

 Avec second membre

Après résolution on obtient :

 2 x, kl,  p p bi  x

2.7. Solution générale de l’équation de continuité

 x, kl, p   1 x, kl, p    2 x, kl, p  (20)

 Lkl,  p   Lkl,  p 

2.8. Conditions aux limites

2.9. Densité des porteurs de charges minoritaires en excès

 Lkl,  p   Lkl,  p 

2.10. Densité de photocourant

Figure 2- 8 : Photocourant de court-circuit en fonction de l’énergie d’irradiation pour différentes valeurs du

Figure 2- 9: Photocourant de court-circuit en fonction du coefficient de dommage pour différentes valeurs de

VT est la tension thermique, cette tension est définie par :

2.12. Etude de la caractéristique I(Sf) -V(Sf) de la photopile éclairée

3.2. Vitesse de recombinaison des porteurs de charge à la face arrière Sb

Figure 3-3: Vitesse de recombinaison à la face arrière en fonction de l’épaisseur

Tableau 3- 2: Les valeurs numériques de Sb pour différentes valeurs du coefficient de dommage

3.3. Vitesse de recombinaison des porteurs de charges à la jonction Sf

Cette vitesse de recombinaison à la jonction dépend de la longueur de diffusion L(kl,ϕp), de l’épaisseur H de

Jph(Sf , kl, p )  Jcc(kl, p )  0 (51)

L’équation (51) devient en remplaçant la densité de photocourant par son expression :

La résolution de l’équation (52) permet d’avoir l’expression mathématique de la vitesse de recombinaison

 kl,  p   L(kl,  p ).D 2 (kl,  p ). K 1 .bi 

 kl,  p   L(kl,  p ).D(kl,  p ).X (kl,  p ). K i   L(kl,  p ). K i . (kl,  p ) 

 (kl,  p )  L(kl,  p )S b (kl,  p )  D(kl,  p )bi e b H  i

Figure 3-6: La vitesse de recombinaison à la jonction initiant le court-circuit de la photopile