Cours S5 Chap1

Filière : Sciences de la matière physique
Semestre : S5
Cours : Electronique Analogique
Enseignante: CHADLI Sara
Année : 2021/2022
Programme
 Introduction
 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor Bipolaire

 Généralités sur l’amplification
 Montages fondamentaux du transistor bipolaire (étude
aux moyennes fréquences
 Etude fréquentielle :Amplificateur en basses fréquence,
Amplificateur en hautes fréquence
 Chapitre II : Transistor à Effet de Champ
  Etude en régime statique
 Etude en régime dynamique
 Chapitre III : Amplificateur Opérationnel

 Fonctionnement en régime linéaire
 Fonctionnement en régime non linéaire
Introduction
 Qu’est ce que l’électronique
 Domaine de la physique appliquée qui exploite les

variations de grandeurs électriques pour capter, transmettre
ou analyser des informations
 Le traitement de l’information est généralement assuré par des

circuits électroniques
Introduction
 Qu’est ce qu’un circuit électronique
 Un ensemble de composants (résistances, condensateurs,

diodes,
² transistors, circuits intégrés: AOP, microprocesseurs,
...)qui agissent sur les courants et tensions électriques.
 Les circuits électroniques produisent, modifient et utilisent des

signaux électriques, Commande,
contrôle,...
Amplificateur, redresseur,
modulateur...
Générateurs, capteurs,...
Introduction
 L’électronique est omniprésente... dans les domaines :

 de l’informatique,
 des télécommunications et des réseaux sans fil
 du multimédia
 de l’automobile
²
 de l’avionique
 de la médecine
 de l’instrumentation
 de l’électroménager, .
Chapitre I : Amplificateur à base du transistor
Bipolaire
Plan
I. Généralités sur l’amplification
I.1 Définition
I.2 Caractéristiques d’amplificateur
II. Montages fondamentaux du transistor bipolaire (étude aux
moyennes fréquences
II.1 Montage Emetteur commun (EC)
II.2 Montage Collecteur commun (CC)
II.3 Montage Base commune (BC)
II.4 Comparaison des montages
III. Etude fréquentielle de l’amplificateur
III.1 Amplificateur en basses fréquence
III.2Amplificateur en hautes fréquence
Chapitre I : Amplificateur à base du transistor Bipolaire
I. Généralités sur l’amplification

I.1 Définition
 Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un

signal d’entrée, amplifier signifiant augmenter la puissance du
signal.
 Structure générale d’un circuit d’amplification :
 Alimentation: l’amplificateur est alimenté par une ou plusieurs sources de

tensions continues. Le rôle de l’alimentation est de polariser les éléments
actifs (transistors).
 Le signal d’entré: il est peut être une antenne, un circuit électronique ou
un capteur qui transforme un phénomène physique en une énergie électrique.
Dans plusieurs cas, cette énergie est de faible puissance et par conséquent,
elle doit être amplifiée avant de l’envoyer à la charge.
 La charge : est un récepteur représenté par une impédance tel que par
exemple un haut-parleur ….
I.2 Caractéristiques d’amplificateur
𝐞𝐠 : Tension variable 𝐙𝐞 : Impédance d’entrée

𝐑 : Charge
Quadripôle 𝐀𝐯 : Gain en tension à vide 𝐜
𝐑 𝐠 : Résistance interne
𝐙𝐬 : Impédance de sortie
a) Gain en tension « 𝑨𝐯 »
Le gain en tension est le rapport entre la tension de la sortie et la
tension à l’entrée de l’amplificateur :
𝒗𝒔
𝑨𝒗 =
𝒗𝒆
b) Impédance d’entrée « 𝒁𝒆 »
On appelle impédance d'entrée, l'impédance que verrait un
montage branché en entrée d’amplificateur
𝒗𝒆
𝒁𝒆 =
𝒊𝒆
c) Impédance de sortie « 𝒁𝒔 »
On appelle impédance de sortie, l’impédance vue entre la sortie
de l’amplificateur et la masse à vide sans charge , quand on
passive les générateurs non liés
𝒗𝒔
𝒁𝒔 = |𝒗𝒆 =0 , à vide
𝒊𝒔
d) Bande passante
Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en
fréquence appelée « bande passante »[𝑓𝐶𝐵 , 𝑓𝐶𝐻 ] .
𝐺𝑑𝑏
𝑓𝐶𝐻 log10 𝐟
𝑓𝐶𝐵
On appelle fréquence de coupure haute, 𝑓𝐶𝐻 , la fréquence au-

dessus de laquelle le gain en tension commence à chuter.
la fréquence de coupure basse, 𝑓𝐶𝐵 , la fréquence au-dessous de
laquelle le gain en tension commence à chuter.
𝐺𝑑𝑏
(𝟏) (𝟐) (𝟑)

𝑓𝐶𝐻 log10 𝐟
𝑓𝐶𝐵
Basse Moyenne Haute
fréquence fréquence fréquence
la figure représentant le gain G en fonction de la fréquence présente trois zones:

• Zone (2) Moyenne fréquence 𝐟𝐂𝐁 < 𝒇 < 𝐟𝐂𝐇: dans cette zone le gain
reste toujours constant quel que soit la variation de la fréquence,
• Zone (1) Basse fréquence 𝐟 < 𝐟𝐂𝐁 : dans cette zone les condensateurs
externes de liaisons et de découplages interviennent en diminuant le
gain
• Zone (3) Haute fréquence 𝒇 > 𝐟𝐂𝐇 : dans cette zone les condensateurs
interne du transistors interviennent en diminuant le gain
II. Montages fondamentaux du transistor bipolaire (étude aux
moyennes fréquences
Rappel
 En dynamique, en utilisant les paramètres hybrides. Le schéma
équivalent général du Tr est:
B C
E
𝒗𝒃𝒆  Impédance d’entrée du transistor
𝒉𝟏𝟏 = ห𝒗𝒄𝒆=𝟎
𝒊𝒃
𝒗
𝒉𝟏𝟐 = 𝒃𝒆 ห𝒊𝒃=𝟎  Terme de réaction interne
𝒗𝒄𝒆
𝒊
𝒉𝟐𝟏 = 𝒄 ห𝒗𝒄𝒆=𝟎  Le gain en courant β
𝒊 𝒃
𝒊𝒄 1
𝒉𝟐𝟐 = ห𝒊
𝒗𝒄𝒆 𝒃=𝟎
 : impédance de sortie du transistor
ℎ22
Dans la plupart des cas , on prend ℎ12 = 0 , Le schéma équivalent

simplifié du Tr est:
ℎ22 très petite

1
ρ= très grande →∞
ℎ12
= équivalent à un circuit ouvert
 En dynamique il existe 3 montages fondamentaux du transistor

:
Émetteur commun Collecteur commun Base commune
Type entrée sortie

Emetteur commun Base Collecteur
Collecteur commun Base Emetteur
Base commune Emetteur Collecteur
II.1 Montage Emetteur Commun « EC »
C S
e B
entrée sortie Émetteur commun

Base Collecteur
a) Schéma équivalent en dynamique
 Pour obtenir le schéma en régime variable de faible signaux il faut :
 Relier toutes les sources de tension continue à la masse

(potentiel nul):
 En moyenne fréquence, remplacer tous les condensateurs de

liaison st de découplage par un fil. Leurs impédances sont
supposées négligeables vis-à-vis des résistances du montage
 Remplacer les transistors par leurs schéma équivalents

(paramètres hybrides
Régime dynamique
C
B
E
C
B
E
M
C
B
E
C
B
M
C
B
 sans ρ
B C
E M
b) Calcul du Gain
𝒊𝒆 B C 𝛃𝐢𝐛
E M
𝑣𝑠
 Gain en tension : 𝐆𝐯 ou 𝑨𝐯 =
𝑣𝑒
𝑣𝑠 = −(𝑹𝑪 // 𝑹𝑳 )β 𝒊𝒃
 En utilisant la maille d’entrée
𝑣𝑠 𝑹𝑪 //𝑹𝑳 β 𝒊𝒃
 𝑨𝐯 = =−
𝑣𝑒 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
β 𝑹𝑪//𝑹𝑳
 𝑨𝐯 = −
 En utilisant la maille de sortie 𝒉𝟏𝟏
c) Calcul de l’impédance d’entrée 𝒁𝒆  𝒁𝒆 = 𝑣𝑒
𝑖𝑒
𝒁′𝒆
𝒊𝒆 B 𝒊𝒃 C
E M
𝑹𝑩 // 𝒁′𝒆
 Pour calculer l’impédance d’entrée en utilisant la méthode directe,
nous devons se placer au niveau de la tension d’entrée 𝑉𝑒 .
 Nous voyons que : 𝑍𝑒 =𝑅𝐵 //𝑍′𝑒
𝑣𝑒
 Où 𝑍′𝑒 défini l’impédance du reste de circuit  𝒁′𝒆 =
𝑖𝑏
𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
 𝒁′𝒆 = = 𝒉𝟏𝟏
𝑖𝑏
𝒁𝒆 = 𝑹𝑩 // 𝒉𝟏𝟏
d) Calcul de l’impédance de sortie 𝒁𝒔
 Pour calculer Zs on doit court-circuiter le générateur de tension variable
et débrancher la charge
𝒊𝒆 B C
E M
𝑣𝑠 𝒆𝒈 =0,
 𝒁𝒔 = |𝑒 =0, à vide à vide
𝑖𝑠 𝑔
 En utilisant la méthode directe, nous devons se placer au niveau de la
tension d’entrée 𝑉𝑠
 𝒁𝒔 = 𝑹𝒄
II.2 Montage Collecteur Commun « CC »
e B
E S
entrée sortie
Collecteur commun
Base Émetteur
C
B
M
 sans ρ
C
B
E
B E
C M
b) Calcul du Gain
(𝛃 + 𝟏)𝐢𝐛
𝒊𝒆
𝒗𝒔
𝑣𝑠
𝑣𝑒
𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + (𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃
 calcul de 𝑣𝑠
𝑣𝑠 = 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃 𝑣𝑠 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃
 𝑨𝐯 = =
𝑣𝑒 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 +𝑹𝑬 (β +1)𝒊𝒃
 calcul de 𝑣𝑒
𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝑣𝑠 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)

 𝑨𝐯 =
𝒉𝟏𝟏 +𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)
𝒁′𝒆
𝒊𝒆 𝒊′𝒆 = 𝒊𝒃
𝑣𝑒 𝑣𝑒
 𝒁′𝒆 = = 𝑹𝑩 // 𝒁′𝒆
𝑖′𝑒 𝑖𝑏
𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃

𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 +𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃
 𝒁′𝒆 = = 𝒉𝟏𝟏 + 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)
𝑖𝑏
𝒁𝒆 = 𝑹𝑩 // 𝒁′𝒆 = 𝑹𝑩 // (𝒉𝟏𝟏 + (𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1))

𝑣𝑠
 𝒁𝒔 = |𝑒 =0, à vide
𝑖𝑠 𝑔
𝑣𝑠 𝑣𝑠
 𝒁′𝒔 = =
𝒊′𝒔 −(𝛃+𝟏)𝐢𝐛
𝒆𝒈 =0,
 𝑣𝑠 = −𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 − (𝑹𝒈 //𝑹𝑩 )𝒊𝒃 𝐙′𝐬
à vide
𝒊′𝒔 =-(𝛃 + 𝟏)𝐢𝐛
−𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 −(𝑹𝒈 //𝑹𝑩 )𝒊𝒃
 𝒁′𝒔 =
−(𝛃+𝟏)𝐢𝐛
𝒉𝟏𝟏 +(𝑹𝒈 //𝑹𝑩 )
 𝒁′𝒔 =
β+1
 𝒁𝒔 = 𝑹𝑬 // 𝒁′𝒔
𝒉𝟏𝟏 +(𝑹𝒈 //𝑹𝑩 ) 𝑹𝑬 // 𝒁′𝒔
 𝒁𝒔 = 𝑹𝑬 //
β+1
II.3 Montage Base Commune « BC »
C S
E e
entrée sortie
Base commune
Émetteur collecteur
B
C
M E B
E
M
M
C
B  sans ρ
E
M
E C
M B
b) Calcul du Gain
𝒊𝒆
𝒊𝒃
𝑣𝑠
𝑣𝑒
𝑣𝑠 −𝑹𝑪 //𝑹𝑳 β𝒊𝒃
 calcul de 𝑣𝑒  𝑨𝐯 = =
𝑣𝑒 −𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
𝑣𝑒 = −𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
𝑹𝑪 //𝑹𝑳
 𝑨𝐯 = β
 calcul de 𝑣𝑠 𝒉𝟏𝟏
𝑣𝑠 = −𝑹𝑪 //𝑹𝑳 β𝒊𝒃

c) Calcul de l’impédance d’entrée 𝒁𝒆
𝒁′𝒆
𝒊𝒆 𝒊′𝒆 = −β𝒊𝒃
𝑣𝑒
 𝒁𝒆 =
𝑖𝑒
𝑣𝑒 𝑣𝑒
 𝒁′𝒆 = = (𝑹𝑬 // 𝒉𝟏𝟏 )// 𝒁′𝒆
𝑖′𝑒 −β𝑖𝑏
𝑣𝑒 = −𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
−ℎ11 𝒊𝒃 ℎ11
 𝒁′𝒆 = =
−β𝒊𝒃 β
𝒉𝟏𝟏
𝒁𝒆 =(𝑹𝑬 // 𝒉𝟏𝟏 )// 𝒁′𝒆 = (𝑹𝑬 // 𝒉𝟏𝟏 ) //
β
d) Calcul de l’impédance de sortie 𝒁𝒔
𝑣𝑠
 𝒁𝒔 = |𝑒 =0, à vide
𝑖𝑠 𝑔
 𝑒𝑔 =𝑅𝑔 𝑖𝑔 + 𝑣𝑒 𝒊 = −𝒊𝒃 -β𝒊𝒃
𝒊𝒈
 𝑒𝑔 =𝑅𝑔 𝑖𝑔 − ℎ11 𝑖𝑏
𝑣𝑒
 𝑖𝑔 = +𝑖
𝑅𝐸
ℎ 𝑖 𝒆𝒈 =0,
 𝑖𝑔 =- 11 𝑏 − 𝑖𝑏 -β𝑖𝑏 à vide 𝐙𝐬
𝑅𝐸
ℎ 𝑖 𝒊𝒔
 𝑒𝑔 =-𝑅𝑔 11 𝑏 − 𝑅𝑔 𝑖𝑏 −𝑅𝑔 β𝑖𝑏 − ℎ11 𝑖𝑏
𝑅𝐸
𝑅𝑔 ℎ11
 𝑒𝑔 =-( + 𝑅𝑔 (1 + β) + ℎ11 )𝑖𝑏
𝑅𝐸
𝑅𝑔 ℎ11
 𝑒𝑔 =0 𝑒𝑔 =-(
𝑅𝐸
+ 𝑅𝑔 (1 + β) + ℎ11 )𝑖𝑏 =0 𝒊𝒃 =0 β𝒊𝒃 =0
 𝒁𝒔 = 𝑹𝒄
II.4 Comparaison des montages
Emetteur Collecteur commun Base commune
commun (montage suiveur) (montage non
(montage inverseur)
inverseur)
Gain en 𝑨𝐯 (𝑹𝑬 //(𝑹𝑳)(β +1) (𝑹𝑪 //𝑹𝑳 )β
𝑨𝐯 = ≈ 𝑨𝐯 =
tension β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 ) 𝒉𝟏𝟏 +(𝑹𝑬 //𝑹𝑳 )(β +1) 𝒉𝟏𝟏
=− 1
𝒉𝟏𝟏
Impédance Moyenne (jusqu’à Elevée (jusqu’à quelque Faible (jusqu’à
d’entrée quelque dizaines centaines de KΩ) quelque centaines de
de KΩ) 𝒁𝒆 = 𝑹𝑩 // (𝒉𝟏𝟏 + Ω)
𝐙𝐞 = 𝐡𝟏𝟏 // 𝐑 𝐁 (𝑹𝑬 //𝑹𝑳 )(β +1)) 𝒉
(𝑹𝑬 // 𝒉𝟏𝟏 ) // 𝟏𝟏
β
Impédance Assez élevée Très faible Assez élevée
de sortie 𝒁𝒔 = 𝑹𝒄 𝒉𝟏𝟏 +(𝑹𝒈 //𝑹𝑩) 𝒁𝒔 = 𝑹𝒄
𝒁𝒔 = 𝑹𝑬 //
β+1
Utilisation Amplificateur Adaptateur d’impédance Rarement utilisé(à
universel Amplificateur de courant cause de son Ze
III.1 Amplificateur en basses fréquence
Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en fréquence due
principalement aux condensateurs (interne ou externe)
𝐺𝑑𝑏
(𝟏) (𝟐) (𝟑)

𝑓𝐻 log10 𝐟
𝑓𝐵
Basse Moyenne Haute
la figure représentant le gain G en fonction de la fréquence présente trois zones:

• Zone (2) Moyenne fréquence: dans cette zone le gain reste toujours constant quel
que soit la variation de la fréquence
• Zone (1) Basse fréquence : dans cette zone les condensateurs externes de liaisons
et de découplages interviennent en diminuant le gain
• Zone (3) Haute fréquence : dans cette zone les condensateurs interne du transistors
interviennent en diminuant le gain
𝐺𝑑𝑏
(𝟏) (𝟐) (𝟑)

𝑓𝐻 log10 𝐟
𝑓𝐵
Basse Moyenne Haute
Les condensateurs
externes (liaison &
(𝟏) basse fréquence
découplage)
interviennent
 les condensateurs de liaisons et de découplage imposent au circuit une fréquence basse
limite 𝑓𝐵 en dessous de laquelle le signal diminue.
1.1) Influence de la capacité de liaison (couplage)
 Nous prendrons comme exemple le montage émetteur commun. L’amplificateur
peut se modéliser par le schéma en quadripôle incluant les condensateurs de liaison
d’entrée et de sortie.
𝐑𝐋
a) Exemple du montage émetteur commun
𝒁𝒆
Au moyennes fréquences les caractéristiques du EC sont: 𝒗𝒆 = 𝒆
𝒁𝒆 + 𝑹𝒈 𝒈
𝐑𝐋
Gain en tension vs β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 )

𝑨𝐯 = =−
ve 𝒉𝟏𝟏
Gain en tension à vide β𝑹𝑪
𝑨𝐯𝟎 = −
𝒉𝟏𝟏
Impédance d’entrée 𝐙𝐞 = 𝐡𝟏𝟏 // 𝐑 𝐁
Impédance de sortie 𝒁𝒔 = 𝑹 𝒄
Gain en tension composite v v v 𝒁𝒆
𝐀𝐯𝐜 (𝛚) = es =vs ∗ ee =𝑨𝐯 *𝒁
g e g 𝒆 +𝑹𝒈
1.1) Influence de la capacité de liaison 𝑪𝒈 en basse fréquence
𝐑𝐋
𝐑𝐋
ve Ze Ze
𝐯𝐬 = 1 =
 Gain en tension composite : 𝐀𝐯𝐜 (𝛚) = eg
Ze +Rg + 1
𝐞𝐠 𝐣𝐂𝐠 𝛚 (Ze + R g )(1 + ቇ
vs ve ve 𝐣(Ze + R g )𝐂𝐠 𝛚
 𝐀𝐯𝐜 (𝛚)= ∗ = 𝐀𝐯 (𝐌𝐅) ∗
ve eg eg
 En appliquant le diviseur de tension au Ze 𝐣(Ze + R g )𝐂𝐠 𝛚
ve Ze 1
= * = ∗
niveau de la maille d’entrée on a : eg Ze +Rg 1+ j(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚 Ze + R g 1 + 𝐣(Ze + R g )𝐂𝐠 𝛚
𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚
Ze
𝐯𝐞 = eg 𝟏
1 On pose ω0 = (Z
Ze + R g +
𝐣𝐂𝐠 𝛚 e +Rg )𝐂𝐠
𝛚
ve Ze j𝛚
0
= ∗ 𝛚
eg Ze +Rg 1+j𝛚
0
𝐑𝐋
𝝎
𝑣 𝑣 𝑣𝑒 𝑗𝝎
 𝑨𝐯𝐜 (ω)= 𝑠 ∗ 𝑒 = 𝑨𝐯 (𝑴𝑭) ∗  𝑨𝐯𝐜 (ω)=𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 0
𝑣𝑒 𝑒𝑔 𝑒𝑔
1+𝑗 𝝎
𝝎
0
−Rβ
 𝑨𝐯 (𝑴𝑭)= 𝒉𝟏𝟏  L’amplificateur en basses
𝑗𝝎
𝝎 fréquences se comporte comme un
𝑣𝑒 𝑍
 = 𝑒 ∗ 0
𝝎 filtre passe haut
𝑒𝑔 𝑍𝑒 +𝑟𝑔 1+𝑗
𝝎0
𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭)
𝝎
−Rβ 𝑍𝑒 𝑗𝝎
0
 𝑨𝐯𝐜 (ω)= ∗ 𝝎
𝒉𝟏𝟏 𝑍𝑒 +𝑟𝑔 1+𝑗 𝝎
0
 Rappel sur les filtres
a) Définition
Lors de l'amplification ou du transfert d'un signal, des tensions parasites, de fréquences
différentes, peuvent aussi être amplifiées ou transmises. Un filtre est un quadripôle qui,
correctement choisi, permet d'éliminer les signaux parasites en ne laissant passer que le signal
utile. On distingue quatre types de filtres :
• Filtre passe-bas : laisse passer les signaux de basses

fréquences inférieur à 𝑓𝐶 𝐵 . Les signaux de fréquences
supérieur à 𝑓𝐶 𝐵 sont atténué,
• Filtre passe-haut : cette fois les signaux de hautes

fréquences sont transmis sans atténuation,
• Filtre passe-bande : les signaux transmis ont des

fréquences comprises entre 𝑓𝐶 𝐵 𝑒𝑡 𝑓𝐶𝐻 . En dehors de la
bande passante, les signaux sont éliminés
• Filtre coupe-bande (ou réjecteur de fréquences) : c'est
l'opposé du filtre passe-bande ; toutes les fréquences
passent, exceptées celles qui sont comprises entre
𝑓𝐶 𝐵 𝑒𝑡 𝑓𝐶𝐵 .
b) Fonction du transfert T(jω)

La fonction du transfert montre comment varie le signal de sortie par rapport au signal
d’entrée. La fonction de transfert complexe peut toujours s'écrire sous la forme:
Sortie
T(jω)=Entrée T(jω)
 tension : • T(jω)= Sortie =vs  Gain en tension :
Entrée v e 𝑨𝐯 (jω)
𝑮𝐯 (jω)
Filtre passe-bas : Filtre passe-haut :
𝝎
1 𝑗𝝎
𝑮𝐯 (𝐣ω)=𝑮𝟎 ∗ 0
𝝎 𝑮𝐯 (𝐣ω)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗𝝎 1+𝑗𝝎
0 0
Avec 𝑮𝟎 = 𝐺𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑔𝑎𝑖𝑛 𝑑𝑢 𝑝𝑙𝑎𝑡
et 𝝎0 = 𝑝𝑢𝑙𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑢𝑝𝑢𝑟𝑒
Gain en décibel 𝐺 𝑑𝑏
 La fréquence peut varier de quelques Hertz à des centaines de kiloHertz; de même
l'amplitude de la tension de sortie peut varier jusqu'à un facteur 1000; il est donc
commode d'utiliser une échelle logarithmique, ou semi-logarithmique en fréquence,
pour représenter les graphes de la fonction de transfert. On définit alors les gains en
décibels :
𝑮 𝒅𝒃 = 𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈𝟏𝟎 ( 𝑮𝐯 𝐣𝝎 )
Fréquence de coupure 𝒇𝒄
 La fréquence de coupure d'un filtre est la fréquence pour laquelle le signal de sortie est
atténué de -3dB, c'est-à-dire que son amplitude est réduite d'un facteur de 71% de
l'amplitude du signal d'entrée
 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏 𝑒𝑛 𝑑𝑒𝑐𝑖𝑏𝑒𝑙
𝒇𝑐
|𝑨𝐯𝐜 (𝛚)|𝑚𝑎𝑥
 𝑒𝑛 𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎𝑖𝑟𝑒 𝑟é𝑒𝑙
2
Pulsation de coupure ω𝒄 = 2π fc
Diagramme de Bode
 La fonction de transfert T(jω) est une grandeur complexe caractérisée par une
amplitude et une phase :
 𝑀𝑜𝑑𝑢𝑙𝑒
𝑮𝐯 (jω) Nombre complexe 𝑮 (jω)=|𝑮 (𝐣𝛚)|𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝐯 𝐯
 𝑃ℎ𝑎𝑠𝑒
 Pour faire l’étude de T(jω), il faut faire l’étude du module et de la phase en utilisant
le Diagramme de Bode
 La représentation dans le plan de Bode se définit par les deux diagrammes suivants :
1) Courbe d’amplitude (diagramme d’amplitude): le module de la fonction de transfert

exprimé en décibels en fonction de log(𝐟𝐜 ) ou en fonction de log (ω𝐜 ): 𝐺 𝑑𝑏 = f(log 𝜔𝑐 )
2) Courbe de phase (diagramme de phase): la phase de la fonction de transfert en

fonction de log(𝐟𝐜 ) ou en fonction de log (ω𝐜 ): φ=f(log 𝜔𝑐 )
 Filtre passe haut
 La fonction du transfert d’un filtre passe haut s’écrit sous la forme
canonique suivante: 𝝎
𝑗
𝝎0
𝑮𝐯 (𝐣ω)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎0
 Etude asymptotique du diagramme d’amplitude
 Pour faire l’étude asymptotique il faut suivre les étapes suivantes:
1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝐯 (𝐣ω)|

𝜔 𝜔 𝜔
𝑗 𝑗 𝜔0
𝜔0 𝜔0
|𝐺v (jω)|= |𝑮𝟎 𝜔 | = 𝑮𝟎 ∗ | 𝜔 | = 𝑮𝟎 * 𝜔
1+𝑗 𝜔 1+𝑗 𝜔 1+(𝜔 )2
0 0 0
2. Calcul du gain en décibel G db ω
𝜔0
𝐺 𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑮𝐯 𝒋ω ) = 20log10 ( 𝑮𝟎 ∗
ω 2൲
1+( )
𝜔0
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
3. Etude asymptotique
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
𝛚
𝜔𝑐 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ Dans ce cas « 𝝎 » est négligeable devant « 1 »
𝒄
𝛚 2
1+( ൰
𝜔𝑐
𝛚 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ ቇ = 20log10 𝐺0 + 20log10 ( ቇ
𝜔𝑐 𝜔𝑐
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 𝛚 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐  asymptote oblique
𝜔𝑐
Pour tracer cet asymptote on prend deux points: 𝛚 = 𝜔𝑐 et 𝛚 = 10
 Si 𝛚 = 𝜔𝑐 → 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 𝐺0
 Tracé 𝜔𝑐 𝜔𝑐
 Si 𝛚 = 10 →𝐺𝑑𝑏 = 20log10 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐
10
= 20log10 𝜔𝑐 − 20log10 10 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 10 + 20log10 𝐺0
= -20+20log10 𝐺0
 Filtre passe haut
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
𝛚
𝜔𝑐 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ Dans ce cas « 𝝎 » est négligeable devant « 1 »
𝒄
𝛚 2
1+( ൰
𝜔𝑐
𝛚 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ ቇ = 20log10 𝐺0 + 20log10 ( ቇ
𝜔𝑐 𝜔𝑐
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 𝛚 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐  asymptote oblique
𝜔𝑐
Pour tracer cet asymptote on prend deux points: 𝛚 = 𝜔𝑐 et 𝛚 = 10
 Tracé 𝜔𝑐 𝜔𝑐
 Si 𝛚 = 10 →𝐺𝑑𝑏 = 20log10 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐
10
= 20log10 𝜔𝑐 − 20log10 10 + 20log10 𝐺0 − 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 10 + 20log10 𝐺0
= -20+20log10 𝐺0
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
𝛚
𝜔𝑐
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ = 20log10 ( 𝐺0 )  asymptote horizontal
2
𝛚
1+( ൰
𝜔𝑐
𝛚 = 𝜔𝑐: 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 )
asymptote
Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
oblique 𝜔𝑐
𝛚= : 𝐺𝑑𝑏 = −20 +20log10 𝐺0
10
Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 asymptote : 𝐺 = 20log ( 𝐺 )
𝑑𝑏 10 0
horizontal
𝐺𝑑𝑏
20log10 ( 𝐺0 )
−20 +20log10 𝐺0
𝑓𝑐 𝑓𝑐
log10 𝒇
10
 Caractéristiques du filtre passe-haut
 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
𝒇
𝑮𝒅𝒃( 𝒇𝒄 )−𝑮𝒅𝒃 (𝟏𝟎𝒄 ቁ
 Gain maximal  Pente en décibel = 𝒇
𝒇𝒄 −𝟏𝟎𝒄
𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 ( 𝐺0 )
 Fréquence de coupure =
𝟐𝟎𝐥𝐨𝐠 𝟏𝟎 ( 𝑮𝟎 )+𝟐𝟎−𝟐𝟎𝐥𝐨𝐠 𝟏𝟎 ( 𝑮𝟎 )
𝒇
𝒇𝑐  𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏 𝒇𝒄 −𝟏𝟎𝒄
décade
 Bande passante 𝑓𝑐 , ∞
=+20 db/décade
On rappel la décade est un intervalle de 10 et l’octave est un

intervalle de 2
décade décade
Octave Octave
 Diagramme de bode en phase
1. L’expression de la phase
𝝎
𝑗𝝎
φ = arg (Gv (jω)) = arg (𝑮𝟎 ∗ 𝑐
𝝎 )
1+𝑗 𝝎
𝑐
𝝎 𝝎
= arg (𝑮0 ) + arg (𝑗 ) − arg (1 + 𝑗 ቇ
𝝎𝑐 𝝎𝑐
 arg 𝑮0 = 0 𝑐𝑎𝑟 (𝑮0 𝒆𝒔𝒕 𝒓é𝒆𝒍) ω
ω Imaginaire ωc π
 arg j = arctg = arctg = arctg ∞ =
ωc réel 0 2
ω
𝝎 ω𝑐 ω
 arg (1 + 𝑗 ) = arctg = arctg
𝝎0 1 ωc
𝛑 𝛚
donc φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠
𝟐 𝛚𝐜
2. étude asymptotique
𝛑 𝛚
φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠
𝟐 𝛚𝐜
𝛑 𝛑
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 𝟎 =
𝟐 𝟐
𝛑
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 ∞ =0
𝟐
𝛑 𝛑
 Si 𝛚 = 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 𝟏 =
𝟐 𝟒
φ
𝛑
𝟐
𝛑
𝟒
0
𝛚𝑐 log10 𝛚
 Filtre passe bas

 La fonction du transfert d’un filtre passe haut s’écrit sous la forme canonique suivante:
1
𝑮𝐯 (𝐣ω)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗𝝎
0
 Etude asymptotique (diagramme de bode )
1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝐯 (𝐣ω)|

1 1 1
|𝐺v (jω)|= |𝑮𝟎 𝜔 | = 𝑮𝟎 ∗ | 𝜔 | = 𝑮𝟎 * 𝜔
1+𝑗𝜔 1+𝑗 1+(𝜔 )2
0 𝜔0
0
2. Calcul du gain en décibel G db

1
= 20log10 ( 𝑮𝟎 ∗
𝐺 𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑮𝐯 𝒋ω ) ω ቍ
1 + (𝜔 )2
0
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐  Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
1
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ = 20log10 ( 𝐺0 ) = 20log10 ( 𝐺0 )  asymptote horizontal
2
𝛚
1+( ൰
𝜔𝑐
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
𝟏 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ Dans ce cas « 1 » est négligeable devant « 𝝎 »
𝛚 2 𝒄
1+( ൰
𝜔𝑐
𝜔𝑐 𝜔
𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 ∗ ൰ = 20log10 𝐺0 + 20log10 ( 𝑐 ൰
𝛚 𝛚
𝐺𝑑𝑏 = −20log10 𝛚 + 20log10 𝐺0 + 20log10 𝜔𝑐  asymptote oblique
 Tracé
 Si 𝛚 = 𝟏𝟎𝜔𝑐→𝐺𝑑𝑏 = −20log10 10𝜔𝑐 + 20log10 𝐺0 + 20log10 𝜔𝑐
= −20log10 𝜔𝑐 − 20log10 10 + 20log10 𝐺0 + 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 10 + 20log10 𝐺0
= -20+20log10 𝐺0
asymptote
Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 )
horizontal
𝛚 = 𝜔𝑐 : 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝐺0 )
Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 asymptote
oblique
𝛚 = 10𝜔𝑐 : 𝐺𝑑𝑏 = −20 +20log10 𝐺0
𝐺𝑑𝑏
20log10 ( 𝐺0 )
−20 +20log10 𝐺0
𝜔𝑐 10𝜔𝑐
log10 𝛚
1. L’expression de la phase
1
φ = arg (Gv (jω)) = arg (𝑮𝟎 ∗ 𝝎 )
1+𝑗 𝝎
𝑐
𝝎
= arg (𝑮0 ) + arg (1) − arg (1 + 𝑗 ቇ
𝝎𝑐
 arg 𝑮0 = 0 𝑐𝑎𝑟 (𝑮0 𝒆𝒔𝒕 𝒓é𝒆𝒍)
 arg 1 =0
ω
𝝎 ω𝑐 ω
 arg (1 + 𝑗 ) = arctg = arctg
𝝎0 1 ωc
𝛚
donc φ =- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠
𝛚𝐜
2. étude asymptotique
𝛚
φ =- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠
𝛚𝐜
φ
 Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 𝟎 =𝟎
𝛑
 Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 ∞ =-
𝟐
𝛑
 Si 𝛚 = 𝜔𝑐 φ = - 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 𝟏 =-
𝟒
𝛚𝑐
𝟎
log10 𝛚
𝛑
−
𝟒
𝛑
-
𝟐
𝐑𝐋
𝝎
𝑣 𝑣𝑒 𝑣𝑒 𝑗
 𝑨𝐯𝐜 (ω)= 𝑠 ∗ = 𝑨𝐯 (𝑴𝑭) ∗  𝑨𝐯𝐜 (ω)=𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) ∗
𝝎0
𝑣𝑒 𝑒𝑔 𝑒𝑔 𝝎
1+𝑗𝝎
0
−Rβ
 𝑨𝐯 (𝑴𝑭)= 𝒉𝟏𝟏  L’amplificateur en basses
𝝎
𝑗𝝎 fréquences se comporte comme un
𝑣𝑒 𝑍
 = 𝑒 ∗ 0
𝝎 filtre passe haut
𝑒𝑔 𝑍𝑒 +𝑟𝑔 1+𝑗𝝎
0
𝝎
−Rβ 𝑍𝑒 𝑗𝝎
 𝑨𝐯𝐜 (ω)= 𝒉𝟏𝟏 𝑍𝑒 +𝑟𝑔
∗ 0
𝝎
1+𝑗𝝎
0
𝛚 = 𝜔𝑐 : 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )

asymptote
Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
oblique 𝜔
𝛚 = :𝑐 𝐺𝑑𝑏 = −20 +20log10 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭)
10
Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 asymptote : 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )

horizontal
𝐺𝑑𝑏
20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )
−20 +20log10 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭)
𝛚𝑐 𝛚𝑐
10 log10 𝛚
a) Influence de la capacité de liaison de la sortie 𝐂𝟎
Au moyennes fréquences les caractéristiques du EC sont:
Gain en tension β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 )

𝑨𝐯 = −
𝒉𝟏𝟏
Gain en tension à vide β𝑹𝑪
𝑨𝐯𝟎 = −
𝒉𝟏𝟏
Impédance d’entrée 𝐙𝐞 = 𝐡𝟏𝟏 // 𝐑 𝐁
Impédance de sortie 𝒁𝒔 = 𝑹 𝒄
Gain en tension 𝒁𝒆
𝐀𝐯𝐜 (𝛚) =𝑨𝐯 *
composite 𝒁𝒆 +𝑹𝒈
Schéma équivalent en quadripôle en basse fréquence

𝐑𝐋
vs RL RL
𝐯𝐬 = 1 =
 Gain en tension composite : 𝐀𝐯𝐜 (𝛚) = AVO ∗ve
Zs +RL + 1
𝐞𝐠 𝐣𝐂𝟎 𝛚 (Zs + R L )(1 + ቇ
vs AVO ve ve
𝐣(Zs + R L )𝐂0 𝛚
 𝐀𝐯𝐜 (𝛚)= ∗ ∗
AVO ve ve eg
vs RL 1
 En appliquant le diviseur de tension au =Z *
AVO ∗ve s +RL 1+ j(Zs +RL )𝐂𝟎 𝛚
niveau de la maille d’entrée on a : 𝐣(Zs +RL )𝐂𝟎 𝛚
Ze Zs 𝐣(Zs + R L )𝐂0 𝛚
= ∗
𝐯𝐞 = e Zs + R L 1 + 𝐣(Zs + R L )𝐂0 𝛚
Ze + R g g
ve Ze 𝟏
= e On pose ω0 = (Z
eg Ze + R g g s +RL )𝐂𝟎
 En appliquant le diviseur de tension au j𝛚

𝛚
vs Zs 0
niveau de la maille de sortie on a : = ∗ 𝛚
AVO ∗ve Zs +RL 1+j𝛚
0
𝒗𝒔 𝑨𝑽𝑶 𝒗𝒆 𝒗𝒆
𝑨𝒗𝒄 (𝝎)= ∗ ∗
𝑨𝑽𝑶 𝒗𝒆 𝒗𝒆 𝒆𝒈
vs ve
𝑨𝐯𝐜 (ω)= ∗ AVO ∗ −RC β
𝝎
𝑗𝝎
AVO ve eg 𝑅𝐿 𝑍𝑒
 𝑨𝐯𝐜 (ω)= ∗ ∗ ∗ 0
𝝎
𝒉𝟏𝟏 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 𝑍𝑒 +𝑅𝑔 1+𝑗
−RC β 𝝎0
 𝑨𝐯𝑶
𝒉𝟏𝟏
𝒗𝒆 𝒁𝒆 𝝎
 = 𝑗𝝎
𝒆𝒈 𝒁𝒆 +𝑹𝒈 𝑨𝐯𝐜 (ω)=𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 0
𝝎
𝝎 1+𝑗 𝝎
vs 𝑍𝑠 𝑗𝝎 0
 = ∗ 0
𝝎
AVO ∗ve 𝑍𝑠 +𝑅𝐿 1+𝑗 𝝎
0
 L’amplificateur en basses
 Or on a 𝑍𝑠 = 𝑅𝐶
fréquences se comporte comme
𝝎 un filtre passe haut
vs 𝑅𝐿 𝑗𝝎
 = ∗ 0
𝝎
AVO ∗ve 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 1+𝑗
𝝎0
Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert


III.1 Amplificateur en hautes fréquence
𝐺𝑑𝑏
(𝟏) (𝟐) (𝟑)

𝑓𝐻 log10 𝐟
𝑓𝐵
Basse Moyenne Haute
(𝟑) Haute fréquence  Les condensateurs

internes (de
parasites)
interviennent
III.2 Amplificateur en hautes fréquence
 Tout ce qui a été présenté jusqu'à présent ne concerne que le fonctionnement à

basse et moyenne fréquence (inférieure à quelques centaines de kHz).
 Lorsque la fréquences de travail n’excède pas quelques centaines de kHz, les

relations entre grandeurs caractéristiques des différents composants(transistors
amplificateurs,,,) sont des relations linéaires à coefficients réels
 Pour des fréquences plus élevées, on utilise un schéma équivalent du transistor

différent, rendant mieux compte de ce qui se passe physiquement. Ce modèle
introduit des capacités parasites, et donc, les paramètres du transistor
deviennent complexes.
a) Modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire
 En haute Fréquence, il faut tenir compte des capacités intrinsèques du transistor

qui sont dues principalement aux deux jonctions Base Collecteur polarisée en
inverse et Base Emetteur polarisé en directe.
 On introduit un point B' entre base et émetteur qui n'existe pas physiquement. Ce
point représente la base réelle de la jonction. Le point B représente le contact
de la base
 Le modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire est:
Le modèle de Giacoletto
i βi=𝒈𝒎 𝒗𝑩′ 𝑬
=𝒈𝒎 𝒗𝑩′ 𝑬
 𝑪𝑩′ 𝑬 : c’est une capacité de diffusion de la jonction base/émetteur polarisée en

directe , Elle est proportionnelle au courant qui traverse la jonction base
émetteur!. Sa valeur est de qq 10pF
 𝑪𝑩′ 𝐶 : c’est une capacité de transition de la jonction base/collecteur polarisé en

inverse, Elle est proportionnelle à la tension 𝑉𝑩′ 𝐶 . Sa valeur est de qq pF pour les
transistors de faible puissance jusqu’à qq 100pF pour les transistors de puissance
 rB𝑩′ : c’est la résistance de contact de l’élément semi-conducteur entre

l’électrode B et le point interne B’ se trouvant à la limite de la jonction de
l’émetteur. La base B’, appelée base intrinsèque, n’est pas accessible
physiquement . Sa valeur est de qq 10 Ω.
 𝑟𝑩′ 𝐸 = ℎ11 : résistance base/émetteur
1
 𝑟𝐶𝐸 = ℎ : résistance collecteur/émetteur de qq 10 Ω à qq 100 Ω.
22
 𝑟𝑩′ 𝐶 : résistance base/collecteur de qq MΩ. Cette résistance est équivalent à un

circuit ouvert.
 β= ℎ21 : gain en courant du transistor
ℎ ℎ
 𝑔𝑚 = ℎ21 = 𝑟 21 : 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 qq 100 mA/V.
11 𝐵′ 𝐸
 On rappelle le schéma équivalent du transistor en haute fréquence (Schéma

Giacolleto) :
 𝑟𝑩′ 𝐶 : résistance base/collecteur de qq MΩ. Cette résistance est équivalent à un

circuit ouvert.
 Le condensateur 𝐶𝑩′ 𝐶 relie la sortie avec l’entrée du transistor

 Le problème consiste maintenant à trouver le moyen de rompre la liaison directe
entre la sortie et l’entrée,
 Pour cela on applique le théorème de MILLER
b) Rappel sur théorème de MILLER

 Si on place une impédance Z entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur de gain
A,
 cette impédance peut se partager de part et d'autre de l'amplificateur à deux
impédances 𝑍𝑒𝑚 en parallèle sur l'entrée et 𝑍𝑠𝑚 en parallèle sur la sortie
Ces deux impédances équivalentes en

entrée et en sortie de l’amplificateur
peuvent être retrouvées à l’aide des
relations suivantes : 𝑍𝑒𝑚 𝑍𝑠𝑚
 Ces deux impédances équivalentes en entrée et en sortie de l’amplificateur

peuvent être retrouvées à l’aide des relations suivantes :
Z
 𝑍𝑒𝑚 = 1−A
Z∗A
 𝑍𝑠𝑚 =
A−1
c) Montage émetteur commun en HF
Soit le schéma suivant :

relations suivantes :
 Les condensateurs de liaison et de découplage sont considérés comme des fils en
1
haute fréquence. Car 𝑍𝐶 = 𝐣𝐂𝛚 →0
 Si on néglige la résistance de contact 𝑟B𝑩′ ' Le schéma équivalent du transistor est
donné par:
Schéma équivalent en dynamique:
C
B
Ces deux impédances équivalentes Régime
en dynamique
E
relations suivantes : M
𝑹𝟏 𝑹𝟐
𝒐𝒏 𝒑𝒐𝒔𝒆 ∶ 𝑹𝑩 =𝑹
𝟏 + 𝑹𝟐
𝒗𝒃𝒆 =
𝒗𝒃𝒆
Ces deux impédances

𝒐𝒏 𝒑𝒐𝒔𝒆 équivalentes
∶ 𝑹𝑩𝒆𝒒 =𝑹𝑩 //𝒓 en ′ 𝑬𝑻 𝑹𝑪𝒆𝒒 =𝑹𝑪 //𝒓𝑪𝑬 //𝑹𝑳
𝑩𝑬
peuvent
Le schéma
êtreéquivalent
retrouvéestotal du montage
à l’aide des est le suivant :
𝒗𝒃𝒆
 Dans ce cas précis, il convient d'appliquer le théorème de Miller qui permet de

répartir la capacité 𝑪𝑩′𝑪 entre l'entrée B et la sortie C de l'amplificateur.
 Pour utiliser le théorème de MILLER , nous devons d'abord
calculer le gain en tension de l'étage (gain maximum dans la
bande passante, sans les capacités).
 En débranchant les capacités 𝐶𝑩′𝐶 et 𝐶𝑩′𝐸 le schéma équivalent
devient
 Le gain miller du montage émetteur commun est donné par la

relation :
𝒗𝒔 −𝒈𝐦 𝒗𝒃𝒆 ∗ 𝑹𝑪𝒆𝒒
𝑨𝐯0 = =
𝒗𝒆
𝒗𝒃𝒆
𝑨𝐯0 = −𝒈𝐦 ∗ 𝑹𝑪𝒆𝒒
 En utilisant Miller la capacité 𝑪𝑩′𝐶 peut se décomposer en deux

capacités 𝑪𝑒𝑚 à l’entrée de l’amplificateur et 𝑪𝑠𝑚 à la sortie de
l’amplificateur suivant les deux relations suivants:
1
Z ′ 1 jωC ′
 Zem = BC
= = BC
𝐂𝐞𝐦 = 𝐂𝐁′𝐂 (1 + 𝐠 𝐦 ∗ 𝐑 𝐂𝐞𝐪 ൯
Ces deux1−A
impédances
v0 équivalentes
jωC em 1+g m ∗R enCeq
peuvent être retrouvées à l’aide des 1
Z ′ ∗Av0 Z ′ ∗(−g m ∗R Ceq ) jωC
∗(−gm ∗RCeq )
1 ′
 Zsm = relations
BC suivantes
= BC :
= = 𝐵 𝐶 𝐂𝐬𝐦 ≈ 𝐂𝐁′ 𝐂
Av0 −1 −g m ∗R Ceq −1 jωCsm −gm ∗RCeq −1
𝒗𝒃𝒆

 Leêtre
peuvent nouveau schéma
retrouvées équivalent
à l’aide des simplifié devient donc:
𝒗𝒃𝒆
𝒗𝒃𝒆

𝑶𝒏 𝒑𝒐𝒔𝒆
𝑶𝒏 𝒑𝒐𝒔𝒆 𝑪𝑻 =𝑪𝑩′𝑬𝑪
𝑻 𝒆𝒎 𝑩′𝑬 //𝑪
//𝑪=𝑪 = 𝑪𝑩′𝑬 + 𝑪𝒆𝒎= 𝑪
𝒆𝒎 𝑩′𝑬 + 𝑪𝒆𝒎
Le schéma équivalent devient :
Le schéma
relationséquivalent
suivantes : devient :
𝒗𝒆 =𝒗𝒃𝒆
En calculant le gain en tension composite on trouve :

𝒗𝒔 𝒗 𝒗
𝑨𝐯𝐜 (HF) = = 𝒔∗ 𝒆
𝒆𝒈 𝒗𝒆 𝒆𝒈
Or on a 𝐯𝐞 = 𝐯𝐛𝐞
RCeq ∗ ZCs
vs = −g m vbe ∗ R Ceq // ZCs =−g m vbe
RCeq + ZCs
RCeq ∗
1
jCs ω 1
vs = −g m vbe = −g m vbe
1
RCeq +jC ω
1+jRCeq Cs ω
s
𝒗𝒆 =𝒗𝒃𝒆
𝒗𝒆 RBeq
 calcul de : ve 1+jRBeq CT ω
𝒆𝒈
Donc =
En appliquant le diviseur de tension eg RBeq
+Rg
1+jRBeq CT ω
au niveau de la maille d’entrée on a:
Zem RBeq
𝐯𝐞 = e =
Zem +Rg g Rg +j(RBeq ∗Rg )CT ω+RBeq
avec Zem = R Beq // ZCT RBeq 1

1 = ∗ RBeq ∗Rg
RBeq +Rg
RBeq ∗
jCT ω R Beq 1+jR
Beq +Rg
CT ω
Zem = 1 =
RBeq +jC ω 1 + jR Beq CT ω Rg ∗RBeq
T On pose R T =R g //R Beq =
Rg +RBeq
Alors l’expression du gain composite en haute fréquence est :

RBeq 1 1
Avc (HF)= −g m R Ceq ∗ ∗ *
RBeq +Rg 1+j 𝑹𝑻 CT ω 1+jRCeq Cs ω
RBeq
On pose G0 = −g m vbe ∗
RBeq +Rg
𝟏
ωe =
𝑹 𝑻 CT
𝟏
ωs =
RCeq Cs
l’expression du gain devient :

1 1
𝐀 𝐯𝐜 (𝐇𝐅)= 𝐆𝟎 ∗ 𝛚 * 𝛚
𝟏+𝐣𝛚 𝟏+𝐣𝛚
𝐞 𝐬
 La fréquence de coupure en "hautes fréquences" est déterminée

par la fréquence la plus basse.
 Dans ce cas, en comparant les deux fréquences fe et fs on trouve que
la fréquence fe est la fréquence haute du montage EC :
𝛚𝐞 𝟏
𝐟𝐂𝐇 = 𝐟𝐞 = =
𝟐𝛑 𝟐𝛑 𝐑 𝑻 𝐂𝑻
Donc l’expression du gain composite en négligeant l’effet de la

capacité 𝐂𝐬 est :
1
𝐀 𝐯𝐜 (𝐇𝐅)= 𝐆𝟎 ∗ 𝛚
𝟏+𝐣𝛚
𝐞
 Le système se comporte comme un filtre passe-bas dont la

fréquence de coupure est 𝐟𝐂𝐇 = 𝐟𝐞 .


1995 2010

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Filière : Sciences de la matière physique

 Qu’est ce que l’électronique

 Domaine de la physique appliquée qui exploite les

 Le traitement de l’information est généralement assuré par des

 Qu’est ce qu’un circuit électronique

 Un ensemble de composants (résistances, condensateurs,

 Les circuits électroniques produisent, modifient et utilisent des

 L’électronique est omniprésente... dans les domaines :

I. Généralités sur l’amplification

 Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un

 Alimentation: l’amplificateur est alimenté par une ou plusieurs sources de

𝐞𝐠 : Tension variable 𝐙𝐞 : Impédance d’entrée

On appelle fréquence de coupure haute, 𝑓𝐶𝐻 , la fréquence au-

(𝟏) (𝟐) (𝟑)

la figure représentant le gain G en fonction de la fréquence présente trois zones:

Dans la plupart des cas , on prend ℎ12 = 0 , Le schéma équivalent

ℎ22 très petite

 En dynamique il existe 3 montages fondamentaux du transistor

Émetteur commun Collecteur commun Base commune

Type entrée sortie

entrée sortie Émetteur commun

 Relier toutes les sources de tension continue à la masse

 En moyenne fréquence, remplacer tous les condensateurs de

 Remplacer les transistors par leurs schéma équivalents

𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝑣𝑠 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)

𝑣𝑒 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1)𝒊𝒃

𝒁𝒆 = 𝑹𝑩 // 𝒁′𝒆 = 𝑹𝑩 // (𝒉𝟏𝟏 + (𝑹𝑬 // 𝑹𝑳 (β +1))

𝑣𝑠 = −𝑹𝑪 //𝑹𝑳 β𝒊𝒃

(𝟏) (𝟐) (𝟑)

la figure représentant le gain G en fonction de la fréquence présente trois zones:

(𝟏) (𝟐) (𝟑)

Gain en tension vs β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 )

• Filtre passe-bas : laisse passer les signaux de basses

• Filtre passe-haut : cette fois les signaux de hautes

• Filtre passe-bande : les signaux transmis ont des

b) Fonction du transfert T(jω)

1) Courbe d’amplitude (diagramme d’amplitude): le module de la fonction de transfert

2) Courbe de phase (diagramme de phase): la phase de la fonction de transfert en

1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝐯 (𝐣ω)|

On rappel la décade est un intervalle de 10 et l’octave est un

 Filtre passe bas

 Etude asymptotique (diagramme de bode )

1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝐯 (𝐣ω)|

2. Calcul du gain en décibel G db

𝛚 = 𝜔𝑐 : 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )

Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 asymptote : 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )

20log10 ( 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭) )

−20 +20log10 𝑨𝐯𝒄 (𝑴𝑭)

Gain en tension β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 )

Schéma équivalent en quadripôle en basse fréquence

 En appliquant le diviseur de tension au j𝛚

Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert

Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert

(𝟏) (𝟐) (𝟑)

(𝟑) Haute fréquence  Les condensateurs

 Tout ce qui a été présenté jusqu'à présent ne concerne que le fonctionnement à

 Lorsque la fréquences de travail n’excède pas quelques centaines de kHz, les

 Pour des fréquences plus élevées, on utilise un schéma équivalent du transistor