Calcul de La Résistivité Des Semi-Conducteurs Irradiés: Memoire
Calcul de La Résistivité Des Semi-Conducteurs Irradiés: Memoire
Calcul de La Résistivité Des Semi-Conducteurs Irradiés: Memoire
MEMOIRE
En Vue de l'Obtention du Diplôme de Magistère
En Electronique
Option
Architecture des systèmes : Contrôle
Par
Hezabra Adel
Soutenu-le:04/07/2005
Devant le jury:
Nom et prénoms Grade Qualité Etablissement
Mimoune Souri Mohammed M.C. Président U. Biskra
Sengouga Nouredine Pr Rapporteur U. Biskra
Helmaoui Abd Errachid M.C Examinateur C.U. Bechar
Dehimi Lakhdar M.C. Examinateur U. Biskra
2004/2005
Résumé
nucléaire par exemple) peut devenir défectueux. Ces défauts ont des effets indésirables qui
peuvent dégrader les performances. Parmi ces effets l’augmentation de sa résistivité qui peut
atteindre sa valeur maximale. La prédiction de ces effets est donc très utile. Le composant
utilisé est une simple diode. Pour une diode à une région active de type n on a trouvé que :
changement de signe pour le coefficient de Hall. Puis il commence a diminué avec les
intrinsèque ou de type p. Ceci est du à la compensation des donneurs superficiels par les
ii
ﻤﻠﺨﺹ
ﻋﻨﺩﻤﺎ ﻴﺘﻌﺭﺽ ﻤﺭﻜﺏ ﻤﻜﻭﻥ ﻤﻥ ﻨﺼﻑ ﻨﺎﻗل ﺇﻟﻰ ﺍﻹﺸﻌﺎﻋﺎﺕ ﻓﺈﻨﻬﺎ ﻗﺩ ﺘﺅﺩﻱ ﺇﻟﻰ ﺘﺸﻭﻩ ﺒﻨﻴﺘﻪ .ﻫﺫﻩ
ﺍﻟﺘﺸﻭﻫﺎﺕ ﻟﻬﺎ ﺃﻀﺭﺍﺭ ﺘﺅﺩﻱ ﺇﻟﻰ ﺘﻐﻴﺭ ﺨﺼﺎﺌﺹ ﻫﺫﺍ ﺍﻟﻤﺭﻜﺏ ﻭ ﻤﻥ ﺒﻴﻥ ﻫﺫﻩ ﺍﻟﺘﺄﺜﻴﺭﺍﺕ ﺍﺭﺘﻔﺎﻉ ﺍﻟﻤﻘﺎﻭﻤﻴﺔ
)( n ) .( ρﻤﻥ ﺃﺠل ﺩﺭﺍﺴﺔ ﺘﺄﺜﻴﺭ ﺍﻹﺸﻌﺎﻋﺎﺕ ﻗﻤﻨﺎ ﺒﺎﺨﺘﻴﺎﺭ ﺜﻨﺎﺌﻲ ﺒﺴﻴﻁ ﺫﻭ ﻤﻨﻁﻘﺔ ﻓﻌﺎﻟﺔ ﻤﻥ ﺍﻟﻨﻭﻉ
ﻭﻭﺠﺩﻨﺎ ﺃﻥ ﺍﻟﻤﻘﺎﻭﻤﻴﺔ ﺘﺭﺘﻔﻊ ﺒﺎﺭﺘﻔﺎﻉ ﻜﺜﺎﻓﺔ ﺍﻵﺨﺫﺍﺕ ﺤﺘﻰ ﺘﺼل ﺇﻟﻰ ﻗﻴﻤﺔ ﻗﺼﻭﻯ )ﻗﺭﻴﺒﺔ ﻤﻥ ﺍﻟﻘﻴﻤﺔ
ﺍﻟﻘﺼﻭﻯ ﻟﻤﻘﺎﻭﻤﻴﺔ ﺍﻟﺴﻴﻠﻴﺴﻴﻭﻡ( ﻫﺫﻩ ﺍﻟﻘﻴﻤﺔ ﺍﻟﻘﺼﻭﻯ ﻴﺭﺍﻓﻘﻬﺎ ﺘﻐﻴﺭ ﻓﻲ ﺇﺸﺎﺭﺓ ﻤﻌﺎﻤل ﻫﻭل ) (Hallﺘﻌﻭﺩ
ﺒﻌﺩ ﺫﻟﻙ ﻓﻲ ﺍﻟﻬﺒﻭﻁ ﻤﻊ ﺍﺭﺘﻔﺎﻉ ﻜﺜﺎﻓﺔ ﺍﻵﺨﺫﺍﺕ .ﺍﻟﻤﻘﺎﻭﻤﻴﺔ ﺘﻨﺨﻔﺽ ﺒﺎﺭﺘﻔﺎﻉ ﻜﺜﺎﻓﺔ ﺍﻟﻤﺎﻨﺤﺎﺕ ﻭ ﻤﻌﺎﻤل ﻫﻭل
ﻴﺭﺘﻔﻊ ﻟﻜﻥ ﺩﻭﻥ ﺇﻥ ﺘﺘﻐﻴﺭ ﺇﺸﺎﺭﺘﻪ ﺒﺤﻴﺙ ﻴﺒﻘﻰ ﺩﺍﺌﻤﺎ ﺫﻭ ﻗﻴﻤﺔ ﺴﺎﻟﺒﺔ.
ﺍﻟﻤﻨﻁﻘﺔ ﺍﻟﻔﻌﺎﻟﺔ ﺍﻟﺘﻲ ﻜﺎﻨﺕ ﺃﺼﻼ ﻤﻥ ﺍﻟﻨﻭﻉ ) (nﺘﺘﺤﻭل ﺇﻟﻰ ﺍﻟﻨﻭﻉ ) (pﻫﺫﺍ ﻨﺎﺘﺞ ﻤﻥ ﺍﻟﺘﻌﻭﻴﺽ ﺍﻟﺨﺎﺭﺠﻲ
ﻟﻠﻤﺎﻨﺤﺎﺕ ﺍﻟﺫﻱ ﻴﺘﻡ ﻤﻥ ﻁﺭﻑ ﺍﻵﺨﺫﺍﺕ.
ﺍﻟﻤﻘﺎﻭﻤﻴﺔ ﺘﻨﺨﻔﺽ ﺒﺎﺭﺘﻔﺎﻉ ﺍﻟﺤﺭﺍﺭﺓ ﻋﻠﻰ ﻋﻜﺱ ﻤﻌﺎﻤل ﻫﻭل ﺍﻟﺫﻱ ﻴﺭﺘﻔﻊ ﻤﻊ ﺍﺭﺘﻔﺎﻉ ﺍﻟﺤﺭﺍﺭﺓ ﺇﻟﻰ ﻏﺎﻴﺔ ﺃﻥ
ﻴﺼﺒﺢ ﺜﺎﺒﺘﺎ ﻤﻥ ﺃﺠل ﻗﻴﻡ ﺍﻟﺤﺭﺍﺭﺓ ﺃﻜﺒﺭ ﻤﻥ . 300 K
iii
Remerciements
la documentation nécessaire.
l’institut de l’électronique.
iv
Dédicace
carrière scolaire.
A toute la famille
Adel Hezabra
v
SOMMAIRE
Résumé ii
iii
ﻣﻠﺨﺺ
Remerciement iv
Dédicace v
Sommaire vi
Liste des symboles viii
Introduction 1
vi
Chapitre 3 : Modélisation et calcul numérique
3.1. Introduction 26
+
3.2. Discrétisation spatiale de la structure p n 27
3.3. Les équations fondamentales pour l'analyse statique 27
3.4. Discrétisation des équations par la méthode des différences finies 30
3.5 Définition des conditions initiales et des conditions aux limites 35
3.6. Résolution du système d’équations par la méthode récursive 36
3.7. Partie de calcule résistivité et coefficient de Hall 37
3.8. Algorithme de calcul 37
3.9. Conclusion 39
Conclusion 59
Bibliographie 61
vii
Liste des symboles
viii
N g −r Densité de centres de génération-recombinaison (g-r)
S Section de la jonction
T Température
U Taux de recombinaison
v th Vitesse thermique des électrons
V bi Tension de diffusion
Vd Tension de déplétion
V A ,V Tensions appliquées à la structure
w Largeur de la zone de déplétion
wp Largeur de la zone de déplétion dans la région p
wn Largeur de la zone de déplétion dans la région n
x Distance
ρ Charge totale
τ Constante du temps
Γ Différence des densités d’accepteurs et donneurs superficiels ( N d − N a )
ρ Résistivité
RH Coefficient de Hall
ε 0 ,ε r Permittivité et permittivité relative
ψ Potentiel
ix
γ 1 ,γ 2 ,γ 3 Coefficients de l’équation de Poisson discrétisée
trous
α , β , E c , N ref ,
Constants concernant la mobilité
µ min , µ max
x
Introduction
Les détecteurs de particules sont employés pour la détection nucléaire et pour la spectroscopie
dans plusieurs domaines importants. Les détecteurs réalisés à base des semiconducteurs sont
de plus en plus utilisés grâce à leur résolution énergétique, ainsi pour des avantages
économiques.
La création des défauts dans les détecteurs par irradiations, fait l'objet des études depuis déjà
plus de 30 ans.
Les principaux effets des radiations sont la création des défauts [1]. Parmi des effets des
défauts : le changement dans la concentration du dopant ce qui peut entraîner une inversion du
type du semi-conducteur, changement de la tension nécessaire pour la déplétion totale [2-3],
augmentation du courant de fuite à cause de création de centre de génération-recombinaison et
donc la réduction de l'efficacité de collection de la charge à cause de piégeage des porteurs
libres.
L'objective de ce travail est le calcul numérique de la résistivité et le coefficient de Hall d’un
détecteur de particule à base de silicium (Si), pour atteindre ce but on a choisie d ‘étudié une
jonction abrupte p+n .la résistivité et le coefficient de Hall sont calculés en fonction de la
densité du piége (accepteur et donneur), la densité du centre de géneration-recombinaison (g-
r) ; l’effet de la température a été étudie aussi.
Notre travail s’organise comme suit :
Le premier chapitre résume les principales notions et définitions concernent les détecteurs de
particule telque le principe de fonctionnement et quelques concepts théoriques de
la jonction p-n.
Le deuxième chapitre décrit les principaux effets de l ‘irradiation, classification des défaut,
statistique de Shokley Read-Hall et quelques phénomènes concernent les détecteurs de
particule
Le troisième chapitre présente en détail la méthode numérique utilisée pour le calcul de la
résistivité et le coefficient de Hall.
Les résultas de la simulation sont représentées avec leurs interprétations dans le quatrième
chapitre. Ce chapitre est commencé par l’étude de l’effet des centre (g-r) en absence du piége,
l’effet des piéges accepteur et donneur sur la caractéristique de la résistivité et le coefficient
de Hall ; l’effet de la température est aussi étudiée .le chapitre est terminé par l’extraction de
quelques paramètres de la diode telque la concentration effective de dopage Neff
En fin on termine notre travail par une conclusion générale.
1
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Chapitre 1
Détecteurs de particules au silicium
1.1. Introduction:
Des grands efforts ont été consacrés au développement des détecteurs de particules basés sur
les semi-conducteurs [4]. Ceci inclut les détecteurs au silicium qui ont trouvé une utilisation
dans beaucoup de domaines. Leurs applications s'étendent des interactions des leptons, quarks
aux gluons. Entre ces extrémités, ils sont employés en physique nucléaire, cristallographie, et
médecine pour le traitement d’image. Dans chacune des nombreuses applications, ils ont été
modifiés pour s’adapter à l’échelle d'énergie, la structure de temps et les caractéristiques de
signal de l'application.
Dans les sections suivantes, le principe de fonctionnement des détecteurs au silicium est
expliqué et une description de leur fabrication est donnée.
Un détecteur de particules est une chambre d'ionisation. Si une particule chargée traverse un
solide elle perte son énergie aux électrons du solide, créant dans toutes sa trajectoire des
charges mobiles positives et négatives (électrons et trous (e-t)). Ces charges peuvent être
collectées sous l'action d'un champ électrique, et indiquer une impulsion pour chaque
particule détectée. Le nombre de ces charges est proportionnel à l'énergie dissipée des
particules qui fournit les informations élémentaires sur la particule.
2
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Les détecteurs de particules à base de semi-conducteurs sont employés depuis 1964 et ils
fournissent la meilleure résolution de l'énergie. Ils donnent également une impulsion d'une
amplitude plus élevée.
Le gap d'énergie Eg du silicium est environ 1.12 eV à la température ambiante. La création
d’une paire électron-trou exige une énergie moyenne de 3.6 eV . [5]
Cette section, peut seulement donner les dispositifs de base de l'opération des détecteurs
de silicium. Pour d'autres détails voire [6-8].
Un détecteur au silicium est un dispositif basé sur les structures '' p − n '' ,'' p −n−n''et ` p −i − n ''
ou encore '' n+ n - n+ '' .La jonction '' p − n '' représente l'élément de base de la majorité des
détecteurs ; qui est présente en plus de détail dans les sections suivantes.
b) La jonction p-n :
Le dopage peut être réalisé sélectivement sur différentes régions d’un même substrat de
silicium ; une partie du cristal peut être dopé p et un autre n. Les deux types de silicium p et n
peuvent être ainsi mis en contact. Comme ils présentent des concentrations des porteurs
libres très différents, un phénomène de diffusion se met en place ; les électrons en excès du
côté n migrent vers le côté p alors que les trous se déplacent en sens opposé. Ce
mouvement des porteurs tend à équilibrer la concentration de chaque type de porteur libre.
Les électrons qui quittent le côté n et les trous qui quittent le côté p, ne sont pas
remplacés ce qui entraîne la formation d’une charge d’espace. Celle ci génère alors un
champ électrique qui s’oppose à la diffusion des porteurs de charge libres. Un équilibre
s’établit lorsque le courant induit par ce champ compense celui dû à la diffusion.
Dans la région proche de l’interface entre les côtés p et n, pratiquement aucune charge libre
n’est présente. Une jonction p-n dont le principe est représenté sur la figure 1.1 est alors
formée.
3
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Région de déplétion
− xp 0 xn
Densité de Charge
ρ (x ) qN d
0
x
− qN a
Champ électrique
E (x )
0
x
Potentiel
ψ (x ) Emax
0
Vbi x
4
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
d 2 φ(x ) ρ el q N eff
- = = (1.1)
dx 2 εε 0 εε 0
N eff : est la concentration de dopage effective qui est donnée par la différence entre la
concentration des donneurs et accepteurs ionisés dans la région de charge d'espace, εε 0 est la
q N eff
E m (V ) = − W (V ) (1.2)
εε 0
à l’interface p+-n (x = 0 ) .
Une autre intégration dans la condition de frontière φ ( x = W ) = 0 mène à une fonction
parabolique pour le potentiel. Ainsi :
1 q N eff
φ (x ) = − (x − W )2 (1.3)
2 εε 0
Pour la détection de particules chargées, les paires (e-t) créent dans la région d'épuisement
par la particule traversant sont séparées par le champ électrique, collectée par le pole
correspondant est donne un signal électrique lu par l’appareillage électronique. La charge crée
dans la région neutre recombine avec les porteurs libres et est perdue.
L'augmentation de la largeur de la région de charge d'espace augmente la charge collectée et
donc le signale collecté. Pour une collection maximale on voudrait avoir l'épaisseur entière de
la diode déplétée des porteurs libres.
Il est possible donc d'augmenter la largeur du SCR1 (fig.1.2) en appliquant une différence de
potentielle inverse externe.
1
: Space Charge Region (région de charge d'espace)
5
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
EC
Vbi − V
EV
Région de déplétion
Fig. 1.2 : Diagramme schématique de bande d'énergie d'une jonction p-n polarisée en inverse.
Dans cette condition (application d’une tension externe) φ = Vbi − V on obtient une
expression pour la largeur d'épuisement (déplétion) :
2εε0
W (V) = ( V − Vbi ) Pour w ≤ d (1.4)
q 0 N eff
Il est évident de (1.4) que la zone de déplétion augmente avec la tension de polarisation
inverse appliquée jusqu'à ce que les porteurs libres soient enlevés du volume entier de la
structure. C’est la tension de déplétion totale donnée par :
Quand une diode est polarisée en inverse, seulement un faible courant, appelé courant de
fuite ou courant inverse. Si aucune polarisation n'est appliquée les paires (e-t) sont produites
et annihilées et aucun courant ne circule.
6
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
En général, la jonction p − n est fabriquée par des techniques épitaxiales [9]. Les besoins en
matériaux pour la fabrication des détecteurs de particules au silicium utilisés pour des
applications au physique des énergétiques élevées doivent avoir deux conditions suivantes :
• résistivité élevée, ρ
• temps de vie des porteurs minoritaires élevé, τ 0
Une résistivité très élevée (≥ 1 KΩCm) est nécessaire afin de dépléter entièrement le volume
de détecteur d’épaisseur ≈ 200 − 300µm par une tension au-dessous de 300 V.
Pour un prix raisonnable et une distribution homogène de résistivité (non seulement au-dessus
d'une couche simple mais également au-dessus du lingot entier). Le silicium préparé par la
méthode de la zone fondue est le meilleur choix du matériel et est donc des applications
exclusivement utilisées dans les détecteurs aujourd’hui [10]. En outre, la condition de
fabrication inclut également une efficacité à grande vitesse, une conversion élevée (particule
→ paire (e-t) ) et une bonne résistance à l’endommagement par les rayonnements. La grande
vitesse peut être obtenue si la longueur de la surface déplétée est courte et les mobilités de
porteur, sont hautes. Pour une efficacité élevée de conversion pour les particules au minimum
d’ionisation (MIP)1, la longueur de la surface déplétée devrait être longue et tous les porteurs
libres créés devraient quitter cette surface rapidement.
1
- Minimum Ionizing Particles
7
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Zone déplétée
Fig1.3.Principe de fonctionnement d’une jonction p-n
Polarisée
Cependant, la zone désertée, créée par la jonction p-n ne s’étend que sur une distance de
quelques microns. Il est donc nécessaire d’en augmenter sa taille pour assurer une bonne
collection des charges créées par une particule. La largeur de déplétion est augmentée en
appliquant une différence de potentiel positif Vn-Vp (figure1.3) car le champ électrique
extérieur force les porteurs majoritaires, trous du côté n et électrons du côté p, à migrer
en direction opposée à la jonction. Ainsi, si la tension est suffisante, le substrat peut
être entièrement déserté.
Généralement, pour construire un détecteur, une couche de l’ordre de 1 micron
d’épaisseur, fortement dopée p+ (respectivement n+) est implantée sur un substrat de 300
microns, dopé n (respectivement p). Une tension de polarisation est appliquée pour déserter
l’ensemble des 300 microns du substrat. La différence de concentration en porteurs entre les
deux types de silicium permet de maintenir l’équilibre de la jonction.
La charge déposée par le passage d’une particule peut être mesurée en connectant les
côtés p ou (et) n à un amplificateur qui produira un signal mesurable. Cependant, il existe un
courant de fuite entre les côtés p et n qui introduit du bruit dans l’amplificateur. Afin de
découpler ce courant et d’isoler la source de tension de polarisation de l’électronique
de lecture, le signal est généralement lu par couplage capacitif. Le principe de ce couplage est
représenté sur la figure 1.4. Une couche de quelques microns d’épaisseur de dioxyde
de silicium est déposée à la surface du substrat de silicium. Elle est elle-même recouverte par
une couche d’aluminium. La capacité entre l’aluminium et l’implantation p+ (ou n+) est
importante. Les implantations p+ et n+ sont connectées au générateur de tension de
polarisation à travers des impédances importantes afin de forcer la majeure partie du
courant à être induit sur l’aluminium.
8
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Oxyde
0
Aluminium
x Lignes de champ
électrique P+implant
n+implant
w Volume déplété
Le mouvement de la charge produite induit un signal sur les électrodes de détecteur selon le
théorème de Ramo [11].
9
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
∆x
∆Q = Q (1.6)
w
Où W est l'épaisseur de détecteur, Q est la charge produite.
vdr , n , p
I =q , vdr , n , p = µn , p (E ( x )) × E (x ) (1.7)
w
détecteur.
Un signal d'impulsion courte résultant de quelques 10 ns est descendu dans la branche à haute
fréquence d'un circuit électrique se composant d'un condensateur d'accouplement et d'un
amplificateur de charge (voir la Fig.1.4). Le rendement est proportionnel à la charge produite
globale dans le détecteur si le détecteur est entièrement épuisé [6].
La charge rassemblée par un détecteur dépend du nombre de paires (e-t) qui sont créées dans
le détecteur par la particule chargée. L'énergie moyenne consommée par la particule primaire
chargée pour produire une paire s'appelle l'énergie de l'ionisation. Le nombre de paires
produites est proportionnel à l'énergie dispersée. Par conséquent la détection de la quantité de
charge donnera une évaluation de cette énergie dispersée [4]. Dans cette situation, le signal
mesuré est proportionnel à l'énergie déposée par la particule. La quantité de charge qui est
mesurée est déterminée par la proportion de toute la distance entre les électrodes que les
électrons et les trous traverseront dans le champ électrique à travers le dispositif.
Si, le temps de pulsation est suffisant de sorte que tous les porteurs atteignent leurs électrodes
appropriées, ou de sorte qu'ils soient piégés pendant le déplacement, toute la charge nette
obtenue soit donnée par l'expression suivante [12].
10
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
(w − x ) ⋅ w x ⋅ w
Qmax = An 1 − exp − + Ap 1 − exp − (1.8)
µnτ 0 nV µ τ V
p 0 p
Où x est le point où la charge est injectée, τ 0n et τ 0 p sont les durées de vie des électrons
et des trous respectivement.
µ nτ 0 nV (1.9)
An = Q0
w2
µ pτ 0 pV
A p = Q0 (1.10)
w2
Q max
CCE = (1.11)
Q0
11
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
Les études des matériaux détecteurs irradiés dans l'équilibre thermique sont souvent basées sur
des mesures de la résistivité et du coefficient de Hall. Toutes les deux quantités sont
directement liées aux concentrations des porteurs libres et par conséquent à la position du niveau
de Fermi.
La résistivité est simplement la constante de proportionnalité entre le champ électrique et la
densité de courant:
E = pJ (1.12)
Où J est le courant par unité de superficie (par opposition à J v, le courant par volume
unitaire, qui est employé pour mesurer le courant de fuite de détecteur). En termes de
concentrations en porteur, la résistivité est donnée par :
1
ρ= (1.13)
e ( µn n + µp p )
12
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
VH
E y
=
W
= R H jx Bz (1.14)
p − b2n µn
RH = ou b≡ (1.15)
e ( p + bn ) µp
2
B<<µ -1 -1
n si p>>n ou B<<µ p si n>>p.
L’étude de l’effet de Hall dans ce cas est de vérifier le type du semi-conducteur (n ou p ) .
Si RH < 0 le semi-conducteur est de type n.
13
CHAPITRE 1 DÉTECTEURS DES PARTICULES AU SILICIUM
1.7. Conclusion
Dans ce chapitre nous avons décrit les détecteurs de particule, ces détecteurs sont des
chambres d'ionisation. La structure de base de ces détecteurs est la jonction p-n d'autres
structures sont aussi utilisées. Cette jonction est la juxtaposition de deux types différents de
semi-conducteur un de type ‘p’ et l’autre de type ‘n’, donc une zone de déplétion va se créer.
La jonction est caractérisée par trois paramètres tel que la densité de charge, le champ
Résistivité élevée.
14
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
Chapitre 2
Dommages et défauts d'irradiation dans
le silicium
2.1. Introduction :
L’endommagement induit par les radiations sur les détecteurs de silicium se fait de plusieurs
manières. La manière de classifier les effets d'irradiation d'un point de vue physique est basée
sur la distinction entre les dommages de déplacement et les dommages d'ionisation. Les
dommages d'irradiation du pont de vue spatiale peuvent être divisés en dommage de surface
et de volume (bloc).Ce dernier est le facteur limitant l'usage des détecteurs au silicium dans
l'environnement d'irradiation intense. Dans ce travail seul le dommage de volume sera donc
considéré.
Ce chapitre commence par la description des mécanismes création des défauts basés sur
l'interaction des particules à haute énergie (hadrons, leptons, photons) avec le cristal de
silicium et ayant pour résultat la formation des défauts ponctuels et des défauts cluster. Ces
défauts créent des piéges dans la bande interdite, donc la théorie d’occupation des piéges sera
décrite. Enfin l'impact des défauts sur les propriétés électriques des détecteurs de silicium est
résumé
15
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
Les dommages en volume produits dans les détecteurs de particules au silicium par les
hadrons (neutrons, protons) sont provoqués par le déplacement des atomes suivant de coups
primaires sur ses derniers (PKA)1 lors de son déplacement dans le réseau. Le résultat est un
silicium interstitiel qui laisse un site vacant (paire de Frenkel) (Fig.2.1). Tous les deux
émigrent par le réseau et forment finalement des défauts ponctuels avec les atomes d'impureté
(dopant). Cependant, l'atome primaire de recul peut seulement être déplacé si l'énergie donnée
est plus forte que l'énergie Ed de seuil de déplacement de 25 eV approximativement [14].
Cristal de silicium
Neutron Cristal de Si
Atome de Si
Vacant Interstitiel
(a) (b)
Fig. 2.1 : a) Formation du vacant due au déplacement d’atome silicium, b) formation des
interstitiels due aux réarrangements après dispersion.
1
: A primary Knock on atom
16
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
Les neutrons sont plus pénétrants que les particules chargées (avoir besoin d'une énergie
cinétique ≈ 185 eV pour la production d'une paire Frenkel et plus que 35 keV pour produire
un cluster), et agissent principalement sur la majeure partie du dispositif. [18,19]
Les défauts créent par l'irradiation sont généralement des niveaux profonds. Les niveaux
profonds sont ceux sites de plusieurs KT de la bande correspondante. La figure2.2 montre les
différents processus qui peuvent avoir lieu. Le niveau peut capturer un électron de la bande
de conduction, (a) est caractérisé par le coefficient de capture cn .Après la capture d'électron
un des deux événements peut avoir lieu. Du à l'énergie thermique l'électron peut être réémis
de nouveau à la bande de conduction, émission d'un électron en (b), ou il peut capturer un
trou de la bande de valence, (a) capture d'un trou c p . Après l'un ou l'autre de ces processus,
le centre est occupé par un trou et encore deux options sont disponibles. Soit il émet le trou
de nouveau à la bande de valence e p ou il capture un électron. Un événement de piégeage
dans le dernier cas est un piège de trou, caractérisé par c p << c n . [20].
17
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
cn
(a)
cp
en EF
Piège à électron
en >> ep
ep
EF
(b)
EF
Piège à trou
ep >> en
EF
recombinaison.
18
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
EC
ra rb
G
ET
rc rd
EV
Fig. 2.3 : Taux d'émission et de capture. Procédés de transition directe (G) et indirects ( ri ) par
l'intermédiaire d'un seul niveau de piège [23].
ra ∝ nNT (1 − f ) (2.1)
19
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
vth : est la vitesse thermique des porteurs ; vth ≡ 3k BT / me ≡ 1.2 × 107 cm.s-1 à 300 K. σ n est
la section efficace de capture des centres pour les électrons, une mesure de la proximité de
l'électron du piége à capturer.
Le taux d'émission d'électron, processus (b), est proportionnel à la concentration des piéges
qui sont occupés par des électrons :
rb = en NT f (2.3)
La constante de proportionnalité, en est la 'probabilité d'émission ' d'un électron par le piége
occupé dans la bande de conduction. La valeur en ainsi dépend de la densité des états
inoccupés dans la bande de conduction et de la proximité des centres au bord de bande de
conduction.
Le taux de capture de trou, par analogie au processus (a), est donné par :
rd = e p NT (1 − f ) (2.5)
La première étape est d'évaluer les probabilités de taux d'émission, en et e p .Dans le cas de
l'équilibre thermique, les taux des deux processus par dans lesquels les transitions et hors de la
bande de conduction ont lieu doivent être égaux, ra = rb . On remplace ra et rb par leurs
expressions (2.2 et 2.3 respectivement) et sachant que la concentration d'électron en
l'équilibre est donnée par:
n = ni exp((EF − Ei ) / k BT ) (2.6)
20
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
S'il y a une excitation extérieure, on sait que le semi-conducteur est hors équilibre. Cette
situation est caractérisée par un taux de génération G, donné par :
dn
= G − (ra − rb ) = 0 (2.9)
dt
dn
Dans l'état stationnaire = 0 et par conséquent G = ra − rb
dt
De même, pour les trous :
dp
= G − (rC − rd ) = 0 (2.10)
dt
Il est possible d'éliminer G entre les deux équations précédentes pour trouver :
ra − rb = rc − rd (2.11)
σ n n + σ p ni exp((Ei − ET ) / k BT )
f = (2.12)
σ n (n + ni exp(ET − Ei ) / k BT ) + σ p (( p + ni exp(Ei − ET ) / k BT ))
21
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
σ n n + σ p ni e − β ET − Ei
f = , où β≡ (2.13)
σ n (n + ni e β ) + σ p ( p + ni e − β ) K BT
La valeur de f , peut être substituée dans les taux des différents processus pour obtenir le taux
U SRH =
(
σ pσ n v th NT pn − ni 2 ) (2.14)
σ n (n + ni e β ) + σ p ( p + ni e − β )
Où :
2
pn − ni
U SRH = (2.15)
τ 0 p (n + n0 ) + τ 0 n ( p + p0 )
1 1
Où, n0 = ni e β , p0 = ni e − β et avec τ 0 n = , τ0p = sont les durées de vie
σ n vth NT σ p vth NT
2
pn − ni
U SRH = (2.16)
τ 0 p (n + ni ) +τ 0 n ( p + ni )
1
τ = τ 0n( p) = (2.17)
cn( p ) × N T
22
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
Il y a plusieurs effets des piége et centres de g-r, mais les plus importants sont :
• Changeant la concentration effective de dopage Neff et affectant de ce fait la tension
requise pour la déplétion totale d'une diode.
• Détérioration de l'efficacité de collection de charge.
• Augmentation de courant de fuite de la diode
La tension de déplétion est la tension nécessaire pour dépeupler toute la diode des porteurs
libres [24]. Les détecteurs doivent fonctionner à cette tension pour prolonger entièrement le
champ électrique dans toute la profondeur de la diode.
La tension de déplétion du détecteur, V dep est liée à la résistivité électrique, ρ tel que
2
w (2. 18)
V dep =
2 εµρ
1
ρ = (2. 19)
q µ N eff
La tension de déplétion totale est liée à la concentration efficace Neff par substitution ρ
dans Vdep :
2εε 0
N eff = VFD (2. 20)
qw 2
Neff, dépend de l'état d'ionisation des niveaux de défaut dans le matériel selon :
N eff = ∑ NTDi
+
− ∑ NTA
−
j + p−n (2. 21)
i j
+
NTD i : Densité de pièges donneurs 'i' ionisés.
−
NTA j : Densité de pièges accepteurs 'j' ionisés
23
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
Pour un détecteur non irradié de type n, Neff et Vdep est déterminé par la concentration des
3
5000 10
Vdep [V] (d =3 00 µm)
1000 2
10
10
5 10 0
"Type n" "Type p"
1 -1
- 1 0 1 2 3
10
10 10 10 10 10
Φeq [1012 cm-2]
Il a été observé que la tension de délétion totale diminue avec l'augmentation de la fluence φ
puis augmente. Ce pic est dû à l'inversion de type de la région active de la diode.
Dans notre travail on va essayer d'expliquer ce phénomène (l'inversion) en calculant la
résistivité de la diode et le coefficient de Hall après l'inversion.
24
CHAPITRE 2 DOMMAGES ET DÉFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM
2.5. Conclusion :
Dans ce chapitre on a décrit les dommages et les défauts d’irradiation dans le silicium. On
commence par la description des mécanismes de base d’irradiation en suite on discute les
classification de ces défauts dépend de leur position dans la bande interdite en tant que
niveau peu profond ou niveau profond. Ces défauts sont caractérisés par des paramètres tel
présenté. Le temps de vie du porteur τ 0 est un paramètre que les comptes pour la pureté du
Shockley–Read–Hall (SRH)
Finalement le chapitre est terminé par la description de l’effet macroscopique de dommages
d’irradiation et la Tension de déplétion.
25
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
Chapitre 3
Modélisation et calcul numérique
3.1 Introduction :
La modélisation apparaît comme un outil de plus en plus utilisé pour optimiser la conception
des composants électroniques et prédire leurs comportements. Cela revient évidement aux
développements remarquables et continus de l'outil informatique au niveau de la capacité de
mémorisation et de la rapidité d'exécution.
La modélisation dans les composants à semi-conducteurs consiste à trouver les
caractéristiques essentielles d'une structure, comme la caractéristique courant-tension,
capacité-tension, et la résistivité …etc. à partir des paramètres proposés, avant de faire la
validation par l'expérimentation.
Dans notre modélisation numérique, on va tout d'abord considérer le cas d'une structure p+n
au silicium irradié, lui appliquer l'ensemble des équations décrivant le mécanisme de transport
(les équations de continuité pour les deux types de porteurs et l'équation de poisson ), pour la
résolution numérique des équations, on utilise la méthode des différences finies en
considérant seulement le cas unidimensionnel, c'est à dire que les différentes variables
recherchées ne seront fonction que de la coordonnée spatiale x, ce qui permet de calculer la
résistivité et le coefficient de Hall de la structure, en partant des conditions aux limites et des
paramètres pratiquement utilisables.
26
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
La structure p+n considérée est divisée sur son épaisseur d en un nombre L de tranches
verticales. Cela nous permet d'utiliser la méthode des différences finies et transformer les
équations aux dérivées partielles du problème en équations algébriques non linéaires
résolubles par des méthodes numériques. Cette discrétisation spatiale de la cellule peut être
uniforme (pas fixe) ou non uniforme (pas variable).
(
La figure 3.1 montre la discrétisation considérée ou une double notation h, h ' est utilisée)
pour pouvoir distinguer les variables primitives n, p et ψ qui sont reliées aux nœuds
principaux notés par N , et donc dépendantes du pas h , alors que les variables dérivées sont
reliées aux nœuds secondaires situés au milieu des tranches et notés par M , et donc
dépendantes du pas h ' .
p+ n
1 2 M -1 M M+1
1 2 N-1 N N+1 L
h’ (N) h’ (N+1)
X
Fig.3.1: Discrétisation spatiale de la structure p+n suivant la méthode des différences finies
27
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
∂ 2ψ q
∂x 2
ε
( +
= − Γ + p − n + NTD −
− NTA ) (3.1.a)
ψ : le potentiel.
n : la densité d’électrons.
p : la densité de trous.
G : le taux de génération.
U : le taux de recombinaison.
Γ : la différence des densités d’accepteurs et donneurs superficiels ( N d − N a ).
µ n( p ) : la mobilité des électrons (trous).
28
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
µ −µ 1
µ ( x) = max min
α
+ µ
min ⋅ (3.3)
N ( x) β
1
β
1+ 1 + E ( x)
N ref E
c
Avec:
N ( x) = N d ( x) − N a ( x)
Les constants caractérisants la mobilité (pour le silicium) sont donnés dans le tableau 3.1.
µp µn
N ref (cm -3 )
6.3 × 1016 8.5 × 1016
α 0.76 0.72
µ max (cm 2 / V . sec)
495 1330
µ min (cm / V . sec)
2
47.7 65
E c (V/cm) 1.95 × 10 4 8 × 10 3
β
1 2
∂p ∂ψ
J p = − µ p kT . + q × p (3.4.b)
∂x ∂x
Dans la pratique les centres qui jouent un rôle important dans les processus de recombinaison
introduisent des niveaux d'énergie voisins du milieu du gap du semi-conducteur et de plus ont
des coefficients de capture tels que cn ≈ c p . Les centre caractérisés par des coefficients de
capture d'électrons et de trous très différents jouent davantage le rôle de piège à électron
29
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
(cn c p ) ou à trous (c p cn ) . On peut donc écrire l'expression (1.28) sous une forme
simplifiée en posant :
Et = EF i , cn = c p = c , τ 0 n = τ 0 p = τ 0 = 1/ cNT
soit
1 pn − ni2
U = (3.5)
τ 0 2ni + p + n
U : Taux de recombinaison.
N g − r : Densité de centre de génération-recombinaison.
Le taux de recombinaison est négatif, tout simplement parce que dans la mesure où les
densités de porteurs sont inférieures aux densités d'équilibre, définies par, np = ni2 le nombre
de porteur créé thermiquement est plus important que le nombre de porteurs qui se
recombinant. Un taux de recombinaison négatif correspond à une génération de porteurs.
L'expression (3.5) montre que U est positif si np ni2 et négatif dans le cas contraire.
La structure étudiée n’est pas soumise aux excitations externes et elle ne fonctionne pas en
régime de forts courants. Il en résulte que le taux de génération causé par les deux effets
précédents est négligeable (G = 0 ) .
30
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
∂ψ ψ ( N ) − ψ ( N + 1)
E=− = (3.6.c)
∂x x( N ) − x( N + 1)
Avec:
1
γ 1 (N ) =
h( M − 1)h ′( N )
1 1 1
γ 2 (N ) = − +
h′( N ) h( M − 1) h( M )
1
γ 3 (N ) =
h( M )h ′( N )
La discrétisation des équations (3.1.b) et (3.1.c) par la méthode des différences finies pose un
problème de non-singularité dans la résolution du système d’équations (3.1.a, b et c). Pour
cette raison qu’une méthode est proposée par Scherfetter et Gummel (1969) pour éviter ce
problème.
La méthode consiste à intégrer les équations (3.4.a) et (3.4.b) en considérant constant : Le
champ électrique, la mobilité et la densité du courant entre le point N (x=0) et N+1 (x=h). Puis
ces équations sont transformées en une autre forme, et elles s'écrivent :
qµ p E
Jp =− ⋅ ( p(0) ⋅ e θEx − p( x ) ) (3.8.a)
1 − e θEx
qµ n E
Jn = −
1− e −θEx
(
⋅ n(0) ⋅ e −θEx − n( x) ) (3.8.b)
q
Avec: θ=
kT
Les équations (3.8.a) et (3.8.b) sont équivalentes aux formes discrétisées données par :
q
J n (M ) = [λn1 ( M )n( N ) + λn 2 ( M )n( N + 1)] (3.9.a)
h( M )
J p (M ) =
q
h( M )
[λ p1 ( M ) p( N ) + λ p 2 ( M ) p( N + 1)] (3.9.b)
31
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
Avec:
ψ ( N ) − ψ ( N + 1)
λ n1 ( M ) = µ n ( M )
1 − e β (M )
ψ ( N ) − ψ ( N + 1)
λn 2 ( M ) = µ n ( M )
1 − e −β (M )
ψ ( N ) − ψ ( N + 1)
λ p1 ( M ) = µ p ( M )
1 − e −β (M )
ψ ( N ) − ψ ( N + 1)
λ p2 (M ) = µ p (M )
1 − e β (M )
q
β (M ) = (ψ ( N ) −ψ ( N + 1) )
kT
1 J p ( M ) − J p ( M − 1)
⋅ + U (N ) = 0 (3.10.b)
q h ′( N )
+ −
Puisque les quantités J n , J p , U , N TD et NTA dans les équations précédentes sont non
linéaires en fonction des variables p, n et ψ . Alors ils sont linéarisés par le développement
de Taylor, en négligeant les termes d’ordre supérieur à 1 :
∂J n0 ( M ) ∂J n0 ( M ) ∂J 0 ( M )
J n ( M ) ≈ J n0 ( M ) + δn ( N ) + δn( N + 1) + n δψ ( N )
∂n( N ) ∂n( N + 1) ∂ψ ( N )
(3.11.a)
∂J n0 ( M )
+ δψ ( N + 1)
∂ψ ( N + 1)
∂J p0 ( M ) ∂J p0 ( M ) ∂J 0p ( M )
J p ( M ) ≈ J p0 ( M ) + δp ( N ) + δp( N + 1) + δψ ( N )
∂p( N ) ∂p( N + 1) ∂ψ ( N )
(3.11.b)
∂J 0p ( M )
+ δψ ( N + 1)
∂ψ ( N + 1)
∂U 0 ( N ) ∂U 0 ( N )
U (N ) = U (N ) +
0
δp ( N ) + δn ( N ) (3.11.c)
∂p ( N ) ∂n ( N )
+ 0
∂NTD (N )
+
NTD + 0
( N ) = NTD (N ) + δ p( N ) (3.11.d)
∂p ( N )
− 0
∂NTA (N )
−
N (N ) = N
TA
− 0
TA (N ) + δ n( N ) (3.11.e)
∂n( N )
32
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
+ 0 − 0
Les termes J n0 , J p0 , U 0 , N TD et NTA sont déterminés en fonction des conditions initiales:
p( N ) = p 0 ( N ) + δp( n ) ; n( N ) = n 0 ( N ) + δn( N ) ; ψ ( N ) = ψ 0 ( N ) + δψ ( N ) .
Si on remplace les équations (3.11.a, b, c, d et e) dans les équations (3.10.a et b) et avec
l’équation (3.7) on obtient un système d'équations de trois variables de la forme :
2 ≤ N ≤ L − 1 , C’est à dire que les points ‘1’ et ‘L’ sont des conditions de type Dirichlet.
A, B et C sont des matrices de dimension 3× 3 . F est un vecteur de dimension 3× 1 .
Leurs définitions sont données par :
• pour la matrice A :
1 ∂J p0 ( M − 1)
A(1,1) = − ⋅ ;
qh ′( N ) ∂p( N − 1)
1 ∂J 0p ( M − 1)
A(1,3) = − ⋅ ;
qh ′( N ) ∂ψ( N − 1)
1 ∂J n0 ( M − 1)
A( 2,2) = − ⋅
qh ′( N ) ∂n( N − 1)
1 ∂J 0 ( M − 1)
A( 2,3) = − ⋅ n ;
qh ′( N ) ∂ψ( N − 1)
1
A(3,3) =
h( M − 1)h ′( N )
• pour la matrice B :
1 ∂J p ( M ) ∂J p ( M − 1) ∂U 0 ( N )
0 0
B (1,1) = − + ;
qh ′( N ) ∂p( N ) ∂p( N ) ∂p( N )
∂U 0 ( N )
B (1,2) =
∂n ( N )
33
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
1 ∂J p ( M ) ∂J p ( M − 1)
0 0
B (1,3) = − ;
qh ′( N ) ∂ψ( N ) ∂ψ( N )
∂U 0 ( N )
B ( 2,1) = −
∂p ( N )
1 ∂J n ( M ) ∂J n ( M − 1) ∂U 0 ( N )
0 0
B ( 2,2) = − − ;
qh ′( N ) ∂n ( N ) ∂n ( N ) ∂n( N )
1 ∂J n0 ( M ) ∂J n0 ( M − 1)
B ( 2,3) = −
qh ′( N ) ∂ψ( N ) ∂ψ( N )
q ∂NTD + 0
B (3,1) = 1 + ;
ε 0ε r ∂p( N )
−q − 0
∂NTA
B (3, 2) = 1 + ;
ε 0ε r ∂p ( N )
1 1 1
B (3,3) = − +
h ′( N ) h( M − 1) h( M )
• pour la matrice C :
1 ∂J p0 ( M )
C (1,1) = ⋅ ;
qh ′( N ) ∂p( N + 1)
1 ∂J p0 ( M )
C (1,3) = ⋅ ;
qh ′( N ) ∂ψ( N + 1)
1 ∂J n0 ( M )
C ( 2,2) = ⋅
qh ′( N ) ∂n( N + 1)
1 ∂J n0 ( M )
C ( 2,3) = ⋅ ;
qh ′( N ) ∂ψ( N + 1)
1
C (3,3) =
h( M )h ′( N )
34
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
• Pour le vecteur F :
F (1) = −
1
qh′( N )
[ ]
⋅ J p0 ( M ) − J 0p ( M − 1) − U 0 ( N )
F ( 2) = −
′
1
qh ( N )
[ ]
⋅ J n0 ( M ) − J n0 ( M − 1) + U 0 ( N )
−q
F (3) = Γ( N ) + p 0 ( N ) − n0 ( N ) + NTD + (0) − (0)
( N ) − NTA ( N ) − γ 1 ( N )ψ 0 ( N − 1)
ε
− γ 2 ( N )ψ 0 ( N ) − γ 3 ( N )ψ 0 ( N + 1)
• Pour le potentiel :
1 n
Pour la région p ψ 0 =ψ 1 = ⋅ ln − i (3.14.a)
θ Γ
1 Γ
Pour la région n ψ 0 =ψ 1 = ⋅ ln + (3.14.b)
θ ni
35
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
Si la tension appliquée est différente de zéro (polarisation appliquée sur le dispositif), ψ 0 est
donnée par :
VG VG
ψ 0 ( N ) = 1 − ⋅ψ 1 ( N ) + ⋅ψ 1 ( L) (3.15)
ψ 1 (1) −ψ 1 ( L) ψ 1 (1) −ψ 1 ( L)
n ( L) = Γ ( L ) ; p( L) = n i2 / n( L)
• Pour le potentiel:
1 p(1) 1 n( L)
ψ (1) = VG − ln + ; ψ ( L) = ln +
θ n i θ n i
B′( N ) = B( N ) − A( N ) B′( N − 1) −1 C ′( N − 1)
C ′( N ) = C ( N ) ; 3 ≤ N ≤ L −1
F ′( N ) = F ( N ) − A( N ) B′( N − 1) −1 F ′( N − 1)
Alors, dans cette étape on détermine les matrices B′( N ), C ′( N ) et le vecteur F ′( N ) pour N
variant entre 3 et L-1.
Deuxièmement, à partir de l’équation (3.16), les δy( N ) sont calculés pour N variant entre
L-1 et 2, et comme point de départ : δy( L ) = 0 (aussi : δy( 1 ) = 0 ).
36
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
E = pJ (3.17)
Où J est le courant par unité de superficie (par opposition à J v, le courant par volume
unitaire, qui est employé pour mesurer le courant de fuite de détecteur). En termes de
concentrations en porteur, la résistivité est donnée par [ 1.23 ] :
1
ρ= (3.18)
e ( µn n + µ p p )
p − b2n µn
RH = where b≡ (3.19)
e ( p + bn ) µp
2
L'algorithme de calcul est représenté sur la figure 3.2. Les paramètres de calcul et de la
structure sont définis: la tension appliquée ( VG = ψ ( L ) −ψ ( 1 ) ), la précision de calcul
(erreur), nombre d’itération (ITRE), les durées de vies des porteurs ( τ 0 n , τ 0 p ), la section de la
diode (S) l’épaisseur de la diode (d), le niveau d’énergie du piège (ET), la concentration du
piège ( NTD ou NTA ).
donnée. Si la condition δy / y ≤ erreur est réalisée alors le calcul des variables principales
( p , n et ψ ) est terminé. Si non il est répété jusqu’à où le nombre d’itération est dépassé, et
par conséquent pas de convergence.
Finalement la résistivité et coefficient de Hall sont évalués à partir de calcul les mobilités et
la densité des porteurs.
37
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
Début
Améliorer les
i bl
Test de
convergence
Calcul de ρ et RH
FIN
38
CHAPITRE3 MODÉLISATION ET CALCUL NUMÉRIQUE
3.9. Conclusion :
L’équation de Poisson, et les deux équations de continuité aux dérivées partielles, non
ont été présentées pour le cas de l'analyse d'une structure homogène unidimensionnelle.
La résolution numérique des équations, est réalisé par l’utilisation de la méthode des
différences finies en considérant seulement le cas unidimensionnel, c'est à dire que les
39
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
Chapitre 4
Résultats et discussions
4.3.Introduction
Après une longue durée d'exposition aux radiations, les caractéristiques des détecteurs sont
sévèrement affectées. Une des paramètres affectés est la tension de déplétion. Ce paramètre
est très importent car il détermine la tension d'opération des détecteurs. Le changement de la
tension de déplétion des détecteurs après irradiation a été expliqué par une apparente
inversion de la région active du type n ver le type p [25-29]. Parmi les méthodes utilisées pour
extraire la tension de déplétion est la caractéristique (C-V). Dans des études précédentes dans
ce groupe [30-33]. La tension de déplétion et la densité effective de région active du
détecteur ont été estimées à partir des caractéristiques C-V.
Ce travail est donc la continuité des travaux précédents. La résistivité et le coefficient de
Hall des détecteurs irradiés pour expliquer l'inversion de type du semi-conducteur aussi que
pour une éventuelle comparaison.
Les deux paramètres sont directement liés aux concentrations des porteurs libres et par
conséquent à la position de niveau de Fermi. Donc le calcul de la résistivité ( ρ ) et le
coefficient de Hall (RH) donne une indication sur la densité effective et le type de
semi-conducteur.
Expérimentalement les courbes de la résistivité et du coefficient de Hall en fonction de
fluence (par conséquente densité du piége) représentent un pic pour la résistivité et un
changement de signe pour le coefficient de Hall, la figure suivante montre un exemple du
résultat expérimental de cette caractéristique d’une structure de type n d’épaisseur de
300 µm
40
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
Lorsqu’une jonction est soumise à une forte radiation, des défauts structuraux sont crées. Ces
défauts se manifestent comme des pièges profonds, et/ou des centres de
génération-recombinaison (g-r).
Dans ce chapitre, on va étudier l'effet des piéges et les centres de génération-recombinaison
sur la résistivité et le coefficient de Hall.
La structure étudiée est une jonction abrupte p+n au silicium. L’épaisseur de la diode (d) est
de l’ordre de 350 µm et sa section (S) est 1 mm 2 . La figure 4.2 montre les paramètres de la
diode.
w =350µm Vappl
p+ n ○
3µm
NA=1015 cm-
3 ND=1011 cm-3
implanté de la densité de dopant (NA) plus grand que 1014 atomes/cm3 [35].Dans ce travail le
profile de dopage est montré dans la figure 4.2.
41
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
16
10
15
P+ ND
10 NA
14
13
10
12
10
n
11
10
10
10
9
10
0 3 6 9 12 15 18 250 300 350
Distance x [µm]
Généralement, l'irradiation est mesurée par la densité de sa fluence φ . Cette densité est
proportionnelle à la densité du piége (accepteur ou donneur) et centre de génération-
recombinaison (g-r) par une relation empirique de la forme N T = βφ , N g -r = αφ [36]
Donc on peut simuler l'effet d'irradiation par les densités des piéges et centres de génération-
recombinaison crées au lieu des fluences.
Il est évident que les radiations créent des pièges et des centres de génération-recombinaison
(g-r). La figure 4.4 et figure 4.5 montre les caractéristiques de la résistivité et le coefficient de
Hall calculés en fonction des densités de centres g-r en absence des pièges.
42
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
4
6,2x10
Résistivité ρ [ Ω.cm]
4
6x10
4
5,8x10
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
Densité du centre de génération-recombinaison Ng-r
-64,0
Coefficient de Hall RH[10 cm ,C ]
6 3 -1
-64,5
-65,0
-65,5
-66,0
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
Densité du centre de génération-recombinaison Ng-r
On remarque ici que la résistivité et le coefficient de Hall ne changent pas avec le changement
de densité du centre de génération-recombinaison. Donc on peut dite – dans ces conditions -
que les centres de génération-recombinaison n'ont aucun effet sur la résistivité et le coefficient
de Hall
43
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
5
10
Résistivité ρ [Ω ,cm]
4
10
ET-EV [eV]
3 0,45
10 0,52
0,56
σp/σn=100
0,62
0,72 10 -3
10
2
Ng-r=10 cm
0,8
0,9
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
Dans la figure.4.6 la résistivité est tracée en fonction de la densité des piége accepteur (N TA)
et pour différentes positions du niveau d’énergie du piége au-dessus du bord de la bande de
valence (EV) comme paramètre dans la gamme de 0.45-0.9 eV et en présence d'une faible
densité de g-r
Initialement (pour les densités faibles des piége accepteurs) la résistivité est constante
(de l'ordre de 6×104 Ω.cm ). Cette valeur correspond à N D = 1011 cm −3
1 1
( ρ= = 11 ≈ 6 × 10 4 Ω.cm ) qui est le dopage de la région n.
n e µ n 10 × 1,6 × 10 × 1450
−19
Lorsque la densité des piége accepteurs augmente la résistivité augmente avant d'atteindre un
maximum. Cette augmentation est évidente puisque les piéges sont des accepteurs ce qui vent
44
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
dote que la densité des trous (p) augmente. Ceci compense et diminue la densité des
donneurs n et donc la résistivité qui inversement proportionnelle à la densité des électrons
augmente. La valeur maximale de la résistivité correspond à la valeur de la densité des
électrons (diminués) exactement égale à la densité des trous (augmentés) multipliée par un
2
µp
facteur représente le rapport de leur mobilité . Après cette valeur maximale la
µn
résistivité commence à diminuer. Ceci est aussi évident puisque la densité des trous continué
à augmentée avec l'augmentation de la densité des piéges accepteurs tandis que la densité des
électrons continue à diminuer donc la densité des trous surpasse celle des électrons et donc le
semi-conducteur devient de type p (p>n). Donc le pic est le point d'inversion de type
de semi-conducteur.
On remarque aussi que le pic se déplace vers les densités plus élevées des piéges accepteurs
lorsque ces derniers sont plus profonds. Ceci est du au fait que les piéges plus profonds sont
moins ionisés selon les statistiques d’occupation de Shockley-Read-Hall ou Fermi-Dirac.
Donc la compensation des électrons diminue avec la profondeur énergétique des pièges
accepteurs.
50 ET-EV [eV]
0,45
0,52
0
Coefficient de Hall [10 cm ,C ]
0,56
-1
0,62
3
-50 0,72
6
0,8
0,9
-100
σ /σ =100
p n
10 -3
-150 Ng-r=10 cm
-200
-250
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
45
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
40 ∼ 50 × 106 cm3.C−1 et ceci selon le niveau énergétique du piége. Après ce point le semi-
1
conducteur devient fortement de type p et donc R H ≈ . Donc il commence à diminuer avec
ep
l’augmentation de la densité du piége accepteur.
12
densité des électrons ET-EV [eV]
10 densité des trous 0.45
Densité des électron et des trous [cm ]
0.52
-3
0.56
11
10 0.62
0.72
0.8
10 0.9
10
σ /σ =100
9
p n
10 10 -3
Ng-r=10 cm
8
10
10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
Fig.4.8. Les densités moyennes des électrons et des trous en fonction de densité du piége
accepteur N TA avec le niveau d'énergie de piége comme paramètre en présence d’une faible
densité de centre g-r
46
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
0,60
0,55
Ei
0,45
ET-EV [eV]
0,40 0,45
0,52
0,35 0,56 σp/σn=100
0,62 10 -3
0,72 Ng-r=10 cm
0,30
0,8
0,9
0,25
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
Le niveau de Fermi est aussi un indicateur sur le type de semi-conducteur. Ce niveau est
présenté à la figure 4.9 en fonction de la densité des piéges. Le niveau de Fermi EF est
au-dessus de niveau intrinsèque Ei pour les faibles densités c’est-à-dire que le semi-
conducteur est de type n (avant l'inversion). Au point (densité) où la courbe de la résistivité
est maximale et point maximal négatif pour le coefficient de Hall, le niveau de Fermi est au
niveau intrinsèque (EF = Ei). C'est le point de l'inversion. Après cette valeur le semi-
conducteur devient fortement de type p.
Noter aussi que la densité qui cause l'inversion augmente quand le niveau d'énergie de piége
est loin de la bande de valence (plus profond).
Les piéges donneurs sont caractérisés par un rapport de section de la section efficace de
σp
capture des électrons par rapport de celle des trous = 0.01 , une densité du piége NTD
σn
47
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
structure contenant des piéges donneurs sont représentés dans les figures 4.10.et 4.11
respectivement.
5
10
4
10
Résistivité ρ [Ω ,cm]
3
10 Ec-ET [eV]
0,45 σp/σn=0,01
0,52 10 -3
0,56 Ng-r=10 cm
2
10 0,62
0,72
0,8
1
0,9
10
9 10 11 12 13 14 15 16
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége donneur NTD [cm ]
Fig.4.10.La résistivité ρ en fonction de densité du piége donneur NTD avec le niveau d'énergie
du piége comme paramètre en présence d’une faible densité de centre g-r
Dans la figure.4.10 la résistivité est tracée en fonction de la densité des piége donneur (NTD)
et pour différentes positions du niveau d’énergie du piége au-dessous du bord de la bande de
conduction (EC) comme paramètre dans la gamme de 0.45 à 0.9 eV.
On observe que la résistivité est constante pour les valeurs de densité faible (<1011 cm-3) mais
décroît avec l'augmentation de la densité du piége donneur pour les densités (>1011cm-3) due
au présence d’une grande densité du piége ionisé. Ceci rend le semi-conducteur plus de
type n.
Noter aussi que la résistivité diminue quand le niveau d'énergie de piége est proche de la
bande de conduction puisqu’il plus facile à s’ioniser.
48
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
10
0
σp/σn=0,01
-10 10 -3
-30 0,52
0,56
-40 0,62
0,72
0,8
-50
0,9
-60
-70
9 10 11 12 13 14 15 16
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége donneur NTD [cm ]
Le coefficient de Hall RH calculé en fonction de la densité du piége donneur avec son niveau
d’énergie comme paramètre, et en présence d'une faible densité de centre g-r est présenté
dans la figure 4.11. Pour des faibles valeurs de densité de piége donneur, le coefficient de Hall
est négatif. Ceci indique que le semi-conducteur est de type n. Avec l’augmentation de la
densité des piéges, la valeur négative de RH diminue puisque la densité des électrons
−1
augmente, tandis que celle des trous diminue (voire figure 4.12), où R H ≈ . Pour les
en
piéges plus profond le coefficient de Hall est presque constant, puisqu’ils ne sont pas ionisés
et donc ils ne contribuent pas à la densité des électrons.
49
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
14 EC-ET [eV]
10 densité des électrons
0.45
-3
13
10 0.52
0.56
12
10 0.62
11 0.72
10 0.8
10 0.9
10
9
10
σ /σ =0.01
8 p n
10 10 -3
Ng-r=10 cm
7
10
6
10
9 10 11 12 13 14 15 16
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége donneur NTD [cm ]
Fig.4.12. Les densités moyennes des électrons et des trous en fonction de densité du piége
donneur N TD avec le niveau d'énergie de piége comme paramètre en présence d’une faible
densité de centre g-r
0,80
Ec-ET [eV] σp/σn=0,01
0,75 0,45 10 -3
Ng-r=10 cm
0,52
0,56
0,70
0,62
Niveau de Fermi [eV]
0,72
0,65 0,8
0,9
0,60
0,55
Ei
0,50
0,45
9 10 11 12 13 14 15 16
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége donneur [cm ]
Le niveau de Fermi EF en fonction de la densité du piége donneur est présenté dans la figure
4.13. Ce niveau est au-dessus du niveau intrinsèque Ei s'implique que le semi-conducteur
reste de type n, avec une augmentation de la densité des électrons. Notez, quand le piége est
moins profond le matériau est plus de type n.
50
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
La température est un facteur très important pour le fonctionnement des composants à base
des semi-conducteurs. Pour cela on a étudié l'effet de la température sur la résistivité est le
coefficient de Hall, en présence et en absence des piéges et centres g-r.
+
Résistivité ρ [Ω,cm]
10 13 -3
NTA =10 cm
+
4
10 15 -3
NTA =10 cm
3
10 16 -3
NTA =10 cm
+
2
10 18 -3
1 NTA =10 cm
10
10
0 ET-EV=0,62
-1
10 + σp/σn=100
-2
10 Ng-r=1010 cm-3
1,0 1,3 1,5 1,8 2,0 2,3 2,5 2,8 3,0 3,3 3,5 3,8 4,0
-1
1000/T [K ]
51
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
T [K]
550 500 435 400 357 330 300 280 260 250
6000
non irradiée (NTA=0)
4000
10 -3
2000
NTA =10 cm
12 -3
Coefficient de Hall [10 cm ,C ]
-1
0 NTA =2.10 cm
3
13 -3
-2000 NTA =10 cm
6
15 -3
-4000 NTA =10 cm
16 -3
-6000 NTA =10 cm
18 -3
-8000 NTA =10 cm
-10000 ET-EV=0,62
-12000 σp/σn=100
1,8 2,0 2,3 2,5 2,8 3,0 3,3 3,5 3,8 4,0
-1
1000/T [K ]
52
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
T [K]
550 500 435 400 357 330 300 280 260 250
non irradiée (NTD=0)
6
10 10 -3
NTD =10 cm
13 -3
5
10 NTD=10 cm
14 -3
+
NTD=10 cm
Résistivité ρ [Ω,cm]
4
10
+
15 -3
NTD =10 cm
16 -3
3 NTD =10 cm
+
10
Ec-ET=0,72
2
10
1
10
+ σp/σn=0.01
Ng-r=1010 cm-3
0
10
1,8 2,0 2,3 2,5 2,8 3,0 3,3 3,5 3,8 4,0
-1
1000/T [K ]
53
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
T [K]
550 500 435 400 357 330 300 280 260 250
100
13 -3
NTD =10 cm
-200
3
14 -3
NTD =10 cm
6
-300 15 -3
NTD =10 cm
-400 16 -3
NTD=10 cm
-500
Ec-ET=0,72
-600
σp/σn=0.01
-700 Ng-r=1010 cm-3
-800
1,8 2,0 2,3 2,5 2,8 3,0 3,3 3,5 3,8 4,0
-1
1000/T [K ]
54
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
Dans cette section on discute l'inversion de type de la structure (la région active) en
présence d'un piége accepteur et pour différents niveaux d'énergie du piége au-dessus de la
bande de valence. A partir de la caractéristique de la résistivité et le coefficient de Hall en
fonction de la densité du piége on peut calculé la densité effective de dopage Neff et la tension
de déplétion totale Vdep on utilisant les équations (2.20 et 2.21). Les courbes de Neff et Vdep en
fonction de la densité du piége accepteur sont présentées dans la figure 4.18 :
13
10 947.634
vdep [ V ]
Neff [cm ]
-3
11
10 9.476
10
10 0.948
9 10 11 12 13 14 15
10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
La figure 4.18 montre que Neff et Vdep décroîts avec l’augmentation de la densité du piége
accepteur jusqu’au un point ou ils commencent à remonter. C'est le point d’inversement
discuté précédemment
Pour expliquer bien le phénomène d’inversion il est nécessaire de présenter l'illustration de
niveau de Fermi en fonction de la densité du piége accepteur.
55
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
0,60
0,55
Ei
0,45
0,40
EV+ET [eV]
0,35 σp/σn=100
0,45
0,52 10 -3
Ng-r=10 cm
0,30 0,56
0,62
0,25
9 10 11 12 13 14 15 16 17
10 10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
La figure 4.19 montre que le niveau de Fermi EF est au-dessus de niveau intrinsèque Ei pour
les faibles densités c'est à dire que la structure est de type n (avant l'inversion). Au point
(densité) ou le pic apparaît pour les courbes de la résistivité et le point maximal négatif pour
le coefficient de Hall, le niveau de Fermi est égal au niveau intrinsèque (EF = Ei).
C'est le point de l'inversion. Après cette valeur, la densité des trous augmente tandis celle des
électrons diminuée et la structure devient plus type p comme il indique à la figure 4.20.
Noter aussi que le point d'inversion décale vers la droite quand le niveau d'énergie de piége
est loin de la bande de valence.
56
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
10
10 σ /σ =100
p n
10 -3
Ng-r=10 cm
9
10
8
10
10 11 12 13 14
10 10 10 10 10
-3
Densité du piége accepteur NTA [cm ]
Fig.4.20. Les densités moyennes des électrons et des trous en fonction de densité du piége
accepteur N TA avec le niveau d'énergie de piége comme paramètre en présence d’une faible
densité de centre g-r
Vdep [ V ]
-3
11
10 9,476
9 10 11 12 13 14
10 10 10 10 10 10
-3
Densité du piége donneur NTD [cm ]
La figure 4.21 montre que Neff et Vdep augmentent avec l’augmentation de la densité du
piége donneur parce que le matériel est plus de type n, on observe aussi que les niveaux
peu profonds ont des effets important que les niveaux profonds.
57
CHAPITRE 4 RESULTATS ET DISCUSSIONS
4.6. Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons présenté les résultats obtenus par la simulation avec leurs
laboratoires, Les paramètres de la structure étudiée tel que l’épaisseur, le dopage, la section
l’effet des piéges accepteur et donneur en présence d’une faible densité du centre de
génération-recombinaison
L’effet de la température sur la résistivité et le coefficient de Hall sont étudiés pour différents
cas :
Finalement la concentration effective de dopage Neff et la tension de déplétion totale Vdep sont
calculées à partir de la résistivité.
58
Conclusion
coefficient de Hall d’une structure p+n au silicium. L’effet de la température a été aussi
étudié.
– Si les radiations créent des centres des génération-recombinaison (g-r) seulement, alors la
résistivité et le coefficient de Hall sont les même pour une diode non irradiée c'est a dire
la compensation des donneurs superficiels par les pièges accepteurs. Elle atteint une
piége donneur. Ceci est du au fait que les piéges donneurs ionisés augmente la densité
initiale des électrons et donc la conductivité ce qui implique que la résistivité diminue.
– Le coefficient de Hall augmente mais ne change pas le signe (reste toujours négatif ).
– Les radiations créent des pièges et des centres g-r. Ceci peut entraîner un changement dans
si les pièges crées sont des accepteurs. L’autre paramètre affecté est la tension nécessaire
59
pour la déplétion totale (Vdep).Ce paramètre est très important dans le fonctionnement des
– Pour une éventuelle continuité de ce travail la comparaison avec d'autres résultats tell que
les caractéristiques C-V et I-V. D'autres structures peuvent être aussi étudiées.
60
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