REPUBLIQUE DU CAMEROUN REPUBLIC OF CAMEROON

Paix -Travail – Patrie Peace -Work -Fatherland

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MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR MINISTRY OF HIGHER EDUCATION
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UNIVERSITE DE MAROUA THE UNIVERSITY OF MAROUA
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ECOLE NATIONALE SUPERIEURE NATIONAL ADVANCED SCHOOL OF
POLYTECHNIQUE DE MAROUA ENGINEERING OF MAROUA
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DEPARTEMENT DES ENSEIGNEMENTS DEPARTMENT OF BASIC SCIENTIFIC
SCIENTIFIQUES DE BASE BP 46 Maroua TEACHINGS
Tél : (237) 242 62 30 76 / (237)242 62 08 90
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ESB 242 : TP PHYSIQUE 2 ELECTRONIQUE I

THEME : COMPTES RENDUS DES TRAVAUX

PRATIQUES D’ELECTRONIQUE I

GROUPE 16

N° Noms et prénoms Matricules Filières

1. ESSAM TCHIMBE HERRICK LEVI 20C0174EP GC
2. VESSAH NJOYA ABDEL AZIZ 20C0166EP GC
3. HAMADOU DAIROU 20C0108EP ENREN
4. NJOMLO MALOBE CHARLOTTE ROERICHE 20C0117EP ENREN
5. MERAWA YORE GAMO 20C0223EP INFOTEL
6. VANA ZOKOM ELIE 20C0244EP INFOTEL
7. DAHAYE GHISLAIN HERMANN DIMITRI 20C0239EP INFOTEL

Nom de l’encadreur : Dr. MIMSHE

Année académique 2021-2022

0
 TABLE DES MATIERES
INTRODUCTION
I- TP 2 : Détermination de la résistance par les méthodes indirectes ......................................3
1) Présentation de l’expérience ....................................................................................................3
2) Etude détaillé de la manipulation ...........................................................................................3
3) Analyse des résultats et Discussion ........................................................................................6
II- TP 3 : Mesures de capacités .....................................................................................................8
1) Présentation de l’expérience ....................................................................................................8
2) Etude détaillé de la manipulation ...........................................................................................8
3) Analyse des résultats et Discussion ...................................................................................... 11
III- TP 4 : Caractérisation d’une diode .................................................................................... 13
1) Présentation de l’expérience .............................................................................................. 13
2) Etude détaillé de la manipulation ..................................................................................... 13
3) Analyse des résultats et Discussion .................................................................................. 15
IV- TP 7 : Transistor bipolaire .................................................................................................. 18
1) Présentation de l’expérience .................................................................................................. 18
2) Etude détaillé de la manipulation ..................................................................................... 18
3) Analyse des résultats et Discussion .................................................................................. 21

CONCLUSION

LEXIQUE

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

Page | 1
 INTRODUCTION
L’électronique en général est une branche de la physique appliquée, traitant
entre autres la mise en forme et de la gestion de signaux électriques, permettant de
transmettre et de recevoir les informations. Ce domaine assez particulier dont on ne
peut s’en soustraire de nos jours est très capitale pour ainsi développer les populations.
De ce fait parmi ces différents composantes électroniques nous pouvons citer : les
résistors, les transistors, les diodes, les générateurs …De ce fait, ces composants
électroniques présentent chacune une particularité qui permet donc ainsi de réaliser a
bien certains montages nécessaires pour la cause expérimentale. Cependant la tâche
qui nous a été convié est celle de la réalisation de quatre travaux pratiques. Notre
devoir va donc être structurer comme suit : nous allons tout d’abord travailler sur le
TP 2 sur la détermination des résistances à l’aide des méthodes indirectes ensuite nous
allons travailler sur le TP3 sur les mesures des capacités, ensuite nous allons parler des
caractéristiques d’une diode dans le TP4 et enfin nous allons réaliser une expérience
sur les transistors bipolaires.

Page | 2
 I- TP 2 : Détermination de la résistance par les méthodes
indirectes

1) Présentation de l’expérience
Titre de l’expérience : Détermination de la résistance par les méthodes indirectes

Date de l’expérience : Vendredi 22 Juillet 2022

Résumé : Cette manipulation consiste à déterminer la valeur de la résistance par deux

méthodes (loi d’OHM et utilisation du code des couleurs). Ceci dans le but d’identifier
la méthode la plus précise et celle la plus rapide. Pour mener à bien cette tâche qui
nous a été conviée, nous avons donné le principe de la manipulation ensuite nous
avons donné le mode opératoire et enfin nous avons analysé et discuter les résultats.
Au vu de cela les résultats suivants ont été obtenus :

Introduction : La résistance est un dipôle électrique qui transforme l’énergie électrique

en chaleur. C’est une propriété physique qui permet de protéger les composantes
sensibles d’un circuit en limitant de courant qui les traverse. Elle est donné en Ohm
( symbole 𝛺)

2) Etude détaillé de la manipulation

But de la manipulation : L’objectif est de déterminer la résistance dans un circuit

électrique via deux méthodes différentes afin d’identifier la meilleure en terme de
précision et de rapidité d’obtention de résultat.

Principe de la manipulation :

Loi d’OHM : Il est question de faire varier la valeur de l’intensité du courant

dans le circuit grâce à un rhéostat et collecter les différentes valeurs de la tension et de
l’intensité pour effectuer la loi d’OHM.

Code des couleurs : Il est question d’identifier les couleurs de chaque bande
colorée de la résistance (4 bandes ou 5 bandes) et les identifier aux chiffres selon le
tableau suivant :

Couleurs 1er chiffre 2e chiffre 3e chiffre multiplicateur tolérance

Argent 0.01𝛺 10%

Or 0.1𝛺 5%
Noir 0 0 1𝛺 20%

Page | 3
 Marron 1 1 1 10𝛺 1%
Rouge 2 2 2 100𝛺 2%
Orange 3 3 3 1000𝛺
Jaune 4 4 4 10000𝛺
Vert 5 5 5 100000𝛺
Bleu 6 6 6 1000000𝛺
Violet 7 7 7 107 𝛺
Gris 8 8 8 108 𝛺
Blanche 9 9 9 109 𝛺

Mode opératoire : Nous allons décrire l’ensemble des techniques mis en œuvre pour
effectuer cette manipulation

- Mesures de sécurité : Il est conseillé de port d’une blouse blanche et chaussure

fermée, avoir les mains sèches
- Matériels : Pour réaliser cette manipulation, on a besoin de :

Une alimentation continue 0-20 V ; 600mA

Un rhéostat 330𝛺 – 1A

Un ampèremètre

Un voltmètre numérique et analogique

Comme l’indique la figure suivante :

Figure 1 : Matériels du TP 2

Page | 4
 - Schéma du dispositif :

Figure 2 : Schéma électrique du TP 2

- Protocole expérimental : Nous allons décrire les étapes de réalisation de cette

manipulation
 Sur la plaque à essai, disposer la résistance
 Placer un voltmètre en parallèle avec la résistance
 Placer un ampèremètre en série avec la résistance
 Placer le rhéostat en série avec l’ampèremètre
 Alimenter la plaque à essaie à travers l’alimentation continue 0-20V ; 600Ma

On obtient visuellement la figure suivante :

Figure 3 : schéma du montage du TP 2

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 3) Analyse des résultats et Discussion
 Loi d’Ohm

Calculs et résultats :

Tableau des mesures

U(V) 0.91 0.99 1.1 1.2 1.4 1.53 1.61 1.76 1.96 2.02
I(mA) 11.2 12.2 13.5 14.7 17.3 18.8 19.8 21.6 24.2 24.9

Réponses aux questions éventuelles :

- La caractéristique U=f(I) d’un dipôle est la fonction qui relie la tension U aux
bornes de ce dipôle et l’intensité I qui le parcoure.
- Un rhéostat est une résistance variable qui placé dans un circuit électrique,
permet de régler l’intensité du courant dans le circuit. On peut l’utiliser en
faisant varier manuellement la résistance. On distingue le montage ‘amont’ ou
longue dérivation et le montage ‘aval’ ou courte dérivation
- Les données ont été relevées dans le tableau des mesure ci-dessus
- Graphe sur papier millimétré avec échelle et unités : Nous avons réalisé le
graphe suivant à l’aide du logiciel Geogebra conformément au tableau des
mesures précèdent :

- On observe une allure linéaire de la caractéristique U=f(I).

- Calcul de la pente

Δ𝑈 𝑈 𝑒𝑛 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠(𝑉)
𝑎= 𝑎𝑣𝑒𝑐 |
Δ𝐼 𝐼 𝑒𝑛 𝑎𝑚𝑝è𝑟𝑒(𝐴)
1.4 − 1.2 0.2
⇒𝑎 = −3
= = 76,92 𝛺
(17.3 − 14.7) × 10 0.0026

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  Code des couleurs

Calcul des résistances par la méthode du code des couleurs :

- Résistance 1

Cette resistance possède 5 bandes colorées, selon le code des couleurs :

𝑅1 = 665 × 100 ± 20%

⇒ 𝑹𝟏 = 𝟔𝟔𝟓 ± 𝟏𝟑𝟑 𝜴

Figure 4 : Résistance 1 à la loupe

- Résistance 2

Cette resistance possède 4 bandes colorées, selon le code des couleurs :

𝑅2 = 33 × 101 ± 5%
⇒ 𝑹𝟐 = 𝟑𝟑𝟎 ± 𝟏𝟔, 𝟓 𝜴

Figure 5 : Résistance 2 à la loupe

- Conclusion : La tension aux bornes de la résistance est proportionnelle à

l’intensité du courant qu’elle reçoit. La résistance correspond à 𝑅 = 76,92 𝛺
- Discussion : Le code des couleurs est de moins en moins utilisé parce que,
aujourd’hui la plupart des résistances sont de très petite taille et montée en
surface (composant CMOS)

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 II- TP 3 : Mesures de capacités

1) Présentation de l’expérience

Titre de l’expérience : Mesures de capacités

Date de l’expérience : Vendredi 22 Juillet 2022

Résumé : Dans cette expérience, nous mesurons la capacité d’un condensateur par
deux méthodes : la méthode voltampérimétrique et la méthode du pont de Sauty. Du
montage des circuits jusqu’à la collecte des résultats, nous relèverons les sources
possibles d’erreurs afin de trouver la meilleure approche.

Introduction : Un condensateur est un dipôle électrique constitué de 02 armatures

conductrices en regard l’une de l’autre et séparées par un isolant appelé diélectrique.
Le condensateur est caractérisé par sa capacité qui s’exprime en Farad. La capacité du
condensateur régit son comportement électrique. Il y a donc (02) façons de déterminer
C : par le calcul, car C ne dépend que des caractéristiques physiques du condensateur
(épaisseur entre les armature, surface des armatures en regard). On peut également
déterminer expérimentalement la capacité d’un condensateur au moyen de diverses
méthodes. C’est l’objectif de ce TP.

2) Etude détaillé de la manipulation

But de la manipulation : il s’agit de déterminer expérimentalement la capacité d’un

condensateur via plusieurs méthodes.

 Montage voltampérimétrique ou ampère-voltmètre

Principe de la manipulation : Cette méthode consiste à utiliser la caractérisation de

l’impédance du condensateur, le condensateur est considéré sans pertes. Ainsi 𝑢(𝑡) et
𝑖(𝑡) sont déphasés de 90°.

Mode opératoire :

- Matériels : Nous aurons besoin d’un autotransformateur 220/110𝑉, d’une

plaque à essai et deux multimètres ( l’un jouant le rôle de voltmètre et l’autre
d’un ampèremètre).

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 - Schéma du dispositif :

Figure 6 : Schéma électrique du TP 3

- Protocole expérimental :
 Sur la plaque à essai, en série, placer le transformateur, un multimètre branché
en ampèremètre
 Monter un multimètre branché en voltmètre en dérivation aux bornes du
condensateur
 Faire vérifier son montage par un encadreur
 Alimenter le circuit afin mesurer les valeurs de la tension et du courant à l’aide
de nos multimètres.

Après montage, on obtient :

Figure 7 : Montage de la méthode voltampérimétrique

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  Pont de Sauty

Principe de la manipulation : Nous utilisons un montage dit « Pont de Sauty »

constituée essentiellement d’une tête de pont constituée par deux résistances 𝑅 et 𝑅’
connues et d’une capacité 𝐶 et une capacité inconnue 𝐶𝑥 . On utilise la condition
d’équilibre du pont en régime sinusoïdal permanent. Il s’agira d’équilibrer le pont de
Sauty pour nous permettre de déterminer 𝑪𝒙 .

Mode opératoire :

- Matériels : Il nous faut une boite à décade résistive C et notre capacité inconnue
𝐶𝑥 , une plaque à essais, des fils dénudés, une source de courant alternative, un
multimètre branché en ampèremètre.
- Schéma du dispositif :

Figure 8 : Schéma électrique du pont de Sauty

- Protocole expérimental :

 Disposons 𝐶et 𝐶𝑥 en série suivant le parallélogramme 𝐴𝐵𝐶𝐷. Dans la

diagonale 𝐴𝐶 du pont se trouve la source du courant alternative. Dans la
diagonale 𝐵𝐷 se trouve le multimètre branché en ampèremètre qui permet la
détection de l’extinction du courant.
 Varier la capacité de 𝐶 de telle sorte à obtenir l’extinction du courant dans la
branche 𝐵𝐷.

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Figure 9 : Montage du pont de Sauty

3) Analyse des résultats et Discussion

 Montage voltampérimétrique ou ampère-voltmètre

Calcul de la capacité sous forme scientifique

D’après les mesures provenant de notre voltmètre et ampèremètre, nous avons

les données suivantes :
𝐼 = 10.9𝑚𝐴 = 0.0109 𝐴
{
𝑈 = 7𝑚𝑉 = 0.007 𝑉
On a :
𝑈 1
𝑍= = 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝜔 = 2𝜋𝑓
𝐼 𝐶𝜔
𝐼 𝐼
⇒𝐶 = ⇒ 𝐶=
𝑈𝜔 2𝜋𝑓𝑈

0.0109
⇒𝐶 = = 0,0049 𝐹
2 × 3.14 × 50 × 0.007
Sous forme scientifique :

𝐶 = 4.9 × 10−3 𝐹

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Les sources d’erreurs peuvent provenir du calibre de chaque multimètre utilisé pour
la mesure des données. Ainsi détaillé par le tableau suivant :

Dans notre cas l’incertitude est de ±2.5%

Donc :
𝐶 = 4.9 × 10−3 ± 1,23 × 10−4 𝐹

Discussion : Cette méthode entraine une erreur due au calibre de chaque multimètre
utilisé. Il est donc important d’opter pour un multimètre avec le calibre le plus petit
possible.

Conclusions : La capacité est de

𝐶𝑋 = 4.9 × 10−3 𝐹

 Pont de Sauty

Calcul de 𝑪𝑿

D’après la loi des mailles :

𝑈 = 𝑈𝐴𝐷 ̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐵 𝑖1 = ̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐷 𝑖2
{ 𝐴𝐵 ⇒ {̅̅̅̅̅
𝑈𝐵𝐶 = 𝑈𝐷𝐶 𝑍𝐵𝐶 𝑖1 = ̅̅̅̅̅
𝑍𝐷𝐶 𝑖2
̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐷 ̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐵 1 1
⇔ ̅̅̅̅̅ = ̅̅̅̅̅ 𝑎𝑣𝑒𝑐 ̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐷 = ; ̅̅̅̅̅
𝑍𝐷𝐶 = ; ̅̅̅̅̅
𝑍𝐴𝐵 = 𝑅 ; ̅̅̅̅̅
𝑍𝐵𝐶 = 𝑅′
𝑍𝐷𝐶 𝑍𝐵𝐶 𝑗𝐶𝑋 𝜔 𝑗𝐶𝜔
𝐶 𝑅
⇒ =
𝐶𝑋 𝑅′

𝐶𝑅′
⇒ 𝐶𝑋 =
𝑅

D’après les données mesurées : 𝐶 = 10.64 𝑛𝐹 ; 𝑅 = 18.1 𝛺 ; 𝑅′ = 1.102 𝑀𝛺

10.64 × 10−9 × 1.102 × 106

⇒ 𝐶𝑋 = = 0.000647 𝐹
18.1
Sous forme scientifique :

𝑪𝑿 = 𝟔. 𝟒𝟕 × 𝟏𝟎−𝟒 𝑭

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Les sources d’erreurs peuvent être la présence d’un courant de fuite considérable.
𝑅′
Egalement lorsque le rapport ≠ 1, on aura une perte de chiffres significatifs.
𝑅

III- TP 4 : Caractérisation d’une diode

1) Présentation de l’expérience

Titre de l’expérience : Caractérisation d’une diode

Date de l’expérience : Vendredi 22 Juillet 2022

Résumé : Dans cette expérience, nous étudions les caractéristiques d’une diode au
silicium en régime continu, notamment son fonctionnement, sa tension seuil et sa
caractéristique intensité-tension.

Introduction : Une diode est un dipôle non linéaire et polarisé qui peut se comporter
comme un interrupteur fermé dans le sens passant ou comme un interrupteur ouvert
dans le sens bloquant. Elle est connue pour sa propriété unidirectionnelle, le courant
est autorisé à circuler dans une seule direction. Elles sont utilisées afin de régulariser
les formes d’ondes et peuvent être utilisées dans les blocs d’alimentation ou dans les
détecteurs radio.

2) Etude détaillé de la manipulation

But de la manipulation : il s’agit de déterminer les caractéristiques une diode au

silicium.

Principe de la manipulation : Nous réalisons des montages avec différents sens de

branchement de la diode pour identifier ses bornes et donc le sens de circulation du
courant.

Mode opératoire :

Matériels : Nous avons besoin d’une diode au silicium, d’une lampe, d’un
générateur de tension continue, d’une résistance 𝑅 = 100 Ω, d’une plaque à
essai.

Schéma du dispositif

Page | 13
 Figure 11 : Schéma d’une diode dans le sens passant

Protocole expérimental : Réalisons les différents montages ci-dessus et notons nos

observations.

 Pour mesurer la tension de seuils 𝑈𝑠 de notre diode, placer la diode dans le

sens passant en réglant 𝑈𝑃𝑁 , tension aux bornes du générateur à
6.0 𝑉, 4.5𝑉 𝑝𝑢𝑖𝑠 7,5𝑉. Pour chacune de ces tensions, mesurer les tensions 𝑈𝐷 et
𝑈𝑅 aux bornes de la diode et de la lampe respectivement.
 Pour trouver la caractéristique intensité-tension, remplacer la lampe par une
résistance 𝑅 = 100 Ω dans le montage et placer la diode dans le sens passant.
Varier 𝑈𝑃𝑁 et relever à chaque fois la tension aux bornes de la diode et l’intensité
du courant dans ce cas.

Figure 12 : Montage de la diode en sens passant

Page | 14
 3) Analyse des résultats et Discussion
Calculs et résultats :

Tableau des mesures

𝑼𝑷𝑵 (𝑽) 4.5 6.0 7.5

𝑼𝑫 (𝑽) 0.776 0.782 0.79
𝑼𝑹 (𝑽) 3.49 4.93 6.35

- Réponses aux questions éventuelles :

 On observe que la lampe s’allume lorsque le courant entre par l’anode de la
diode (Expérience 1) mais ne s’allume pas lorsque l’on inverse les bornes de la
diode (Expérience 2)
 Une diode est donc un dipôle qui joue le rôle d’interrupteur fermé dans le sens
passant et celui d’interrupteur ouvert dans le sens bloqué
 Identification du sens de la diode

Figure 13 : Diode en sens passant

Page | 15
 Ci-dessus, la diode est passante. Le courant entre par son anode.

Figure 14 : Diode en sens bloquant

Ci-dessus, la diode est bloquée. Le courant entre par sa cathode.

On remarque que la cathode est indiquée par l’extrémité rayée.

 On peut dire que 𝑈𝐷 croit progressivement en fonction de 𝑈𝑃𝑁

 Lorsque l’on remplace la lampe par une résistance :

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Figure 15 : Schéma d’une diode passante avec une résistance en série

 En faisant varier 𝑈𝑃𝑁 entre -3.0V et +3.0V, on obtient ce tableau :

𝑼𝑷𝑵 (𝑽) -3.0 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3.0
𝑼𝑫 (𝑽) - - - - - - 0 0.52 0.64 0.68 0.7 0.71 0.73
3.01 2.51 2.06 1.55 1.01 0.54
𝑰(𝒎𝑨) 0 0 0. 0 0 0 0 0.21 2.18 4.57 7.09 9.38 12

 Graphe obtenu 𝐼 = 𝑓(𝑈𝐷 )

Dans le logiciel Geogebra, on obtient :

Figure 16 : Courbe caractéristique I=Ud(V)

Page | 17
  Lorsque la diode est passante, on trouve une tension particulière de 5V

Discussion : La méthode graphique d’étude de la caractéristique tension-courant est

plus accessible que celle analytique en terme de vitesse de calcul.

Conclusions :

Pour 𝑈 < 𝑈𝑠 ⇒ 𝐼 = 0, donc la diode est bloquante. Elle peut être modélisé par un
interrupteur ouvert

Pour 𝑈 > 𝑈𝑠 ⇒ 𝐼 ≠ 0, donc la diode est passante. Elle peut être modélisé par un
interrupteur fermé

IV- TP 7 : Transistor bipolaire

1) Présentation de l’expérience

Titre de l’expérience : Transistor bipolaire

Date de l’expérience : Vendredi 22 Juillet 2022

Résumé : Dans cette expérience, nous étudions la logique de deux cas de transistor en
commutation dans deux montages différents

Introduction : C’est un élément actif à 3 accès (Base (B), Collecteur (C), Emetteur (E))
constitué de 3 couches semi-conductrices NPN et PNP. C’est le composant
électronique à base de semi-conducteur le plus utilisé à nos jours dans les rôles
d'amplificateur et d'interrupteur. Il est créé en juxtaposant trois couches de semi-
conducteurs dopés N, P puis N+ (pour le NPN : courant dû à un flux d’électrons) ou
dopés P, N puis P+ (pour le PNP : courant dû à un flux de trous) constituant ainsi 2
jonctions (ou diodes) PN montées en sens inverse Fig.1. Pour simplifier la
compréhension du fonctionnement de ce composant, on peut considérer que la
troisième 3 patte (la base) de ce composant permet de contrôler le passage du courant
entre les 2 autres pattes (Emetteur, collecteur).

2) Etude détaillé de la manipulation

But de la manipulation : il s’agit d’étudier un transistor bipolaire en commutation

(régime de saturation).

Page | 18
Principe de la manipulation : Il s’agit de réaliser les montages pour chaque de
valeur de 𝑉𝐸 , tension continue .

Mode opératoire :

- Matériels : Nous avons besoin deux résistances 𝑅𝐵 = 𝑅𝐶 = 1𝑘Ω, un transistor

BD135, une LED verte, une plaque à essai, un générateur de tension continue
(0 𝑜𝑢 5𝑉 ).
- Schéma du dispositif :

Figure 17 : Schéma du transistor bipolaire avec une LED à la base

Figure 18 : Schéma du transistor bipolaire avec une LED en serie à la base

- Protocole expérimental : On considère les étapes suivantes :

 Utiliser le logiciel ECD6, en inscrivant le modèle de notre transistor pour
identifier les différentes pattes
 Sur notre plaque expérimentale, disposer la résistance 𝑅𝐶 en série avec
l’alimentation 5V et notre patte collecteur
 Disposer la résistance 𝑅𝐵 en série avec la patte de la base
 Raccorder la patte émettrice à la masse (GND)

Page | 19
  Disposer la LED en série avec la résistance 𝑅𝐶 selon les deux cas
 Faites vérifier le montage par un encadreur
 Alimenter et collecter les résultats

Le schéma 1 est ci-dessous :

Figure 19 : Montage de la diode en sens passant

Le schéma 2 est ci-dessous :

Figure 20 : Montage de la diode en sens bloquant

Page | 20
 3) Analyse des résultats et Discussion

Calculs et résultats :

L’état logique vaut 1 lorsque 0𝑉 ≤ 𝑈 < 2.8𝑉 et il vaut 0 lorsque à 2.8𝑉 ≤ 𝑈 ≤

5𝑉

Schéma 1 :

𝑉𝑒 logique T Bloqué (B) 𝑉𝑠 tension 𝑉𝑠 logique LED

ou saturé (S) réelle allumée ?
0 B Sans LED : 1 Non
5.07 V
Avec LED : 1 Oui
3.62 V
1 S 0 0 Non
Schéma 2 :

𝑉𝑒 logique T Bloqué ou 𝑉𝑠 tension 𝑉𝑠 logique LED

saturé réelle allumée ?
0 B 3.25 1 Non
1 S 0 0 Oui

Réponses aux questions éventuelles

- La condition de saturation du transistor

En utilisant la loi des mailles :

𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝑐 𝐼𝐶

Or si le transistor se sature, on a :

𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝑠𝑎𝑡 = 0𝑉

⇒ 𝐸 = 𝑅𝑐 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

𝐸
⇒ 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

- Calculons 𝑅𝐶 pour avoir 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 5𝑚𝐴

𝐸
On admet que 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

𝐸
⇒ 𝑅𝐶 =
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

Page | 21
 5
⇒ 𝑅𝐶 = = 𝟏𝟎𝟎𝟎𝜴
5 × 10−3
- Pour 𝑉𝑒 = 0𝑉

Nous aurons 𝑰𝑩 = 𝟎𝑨

⇒ 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 = 𝟎𝑨

Donc le transistor est à l’état bloqué

𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝑐 𝐼𝐶 or 𝐼𝐶 = 0𝐴

⇒ 𝑬 = 𝑽𝑪𝑬

D’après la loi des mailles :

𝑉𝑒 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 𝑜𝑟 𝑉𝑒 = 0𝑉 𝑒𝑡 𝐼𝐵 = 0𝐴

Donc 𝑽𝑩𝑬 = 𝟎𝑽

- En prenant 𝛽 = 100 𝑒𝑡 𝑅𝐵 = 1𝑘𝛺

La valeur minimale de 𝑉𝑒 pour obtenir la saturation est :

𝐸
𝑉𝑒𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 𝑜𝑟 𝑉𝐵𝐸 = 0𝑉 𝑒𝑡 𝐼𝐵𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑅𝐶

𝐸𝑅𝐵
⇒ 𝑉𝑒𝑚𝑖𝑛 =
𝛽𝑅𝐶

5 × 1000
⇒ 𝑉𝑒𝑚𝑖𝑛 = = 0.05 𝑉
100 × 1000

⇒ 𝑽𝒆𝒎𝒊𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟓 𝑽

Discussion : Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B

et E soit polarisée dans le sens direct, la jonction entre C et B soit polarisée dans le sens
inverse. Le transistor en commutation ou encore fonctionnement en tout-ou-rien est
fréquemment utilisé pour piloter des charges telles que les ampoules à incandescence,
les diodes électroluminescentes et les bobines à relais.

Conclusions : Au vu des résultats précédents, la polarisation du transistor doit être

choisie de telle sorte que le signal de sortie puisse évoluer sans jamais approcher ni la
saturation, ni le blocage.

Page | 22
 CONCLUSION
Tout au long de ces travaux pratiques il a été question pour nous de réaliser des
montages sur des plaques à essai et ainsi de relever les données afin de faire des études
analogiques et dynamiques. Nous avons présenté des diverses expériences, nous
avons effectué des manipulations sur le plan théorique tout en restituant ce que nous
avons fait sur le plan pratique et enfin nous avons relevé les différents résultats et ainsi
effectuer des graphes illustrant bien cela tout en donnant des conclusions partielles sur
chaque manipulation. Nous n’avons pas la prétention d’avoir fait un travail parfait
mais néanmoins nous sommes ouverts à toutes critiques constructives.

Page | 23
 LEXIQUE
Ohm : De Georg Simon Ohm, né le 16 mars 1789 à Erlangen et mort à 65 ans le 6 juillet
1854 à Munich, est un physicien allemand. Ce qui est actuellement connu sous le nom
de loi d'Ohm est apparu dans le livre Die galvanische Kette, mathematisch bearbeitet
(« Le circuit galvanique étudié mathématiquement ») (1827) dans lequel il fournit une
théorie complète de l'électricité

Pont de Sauty : circuit électrique analogue à pont de Maxwell, qui permet de mesurer
avec une grande précision la capacité d'un élément est attaché. Il se compose d'un
générateur de tension alternative qui alimente un pont de deux branches parallèles
contenant le composant à mesurer, impédances variables et fixes de l'échantillon de
valeur connue.

NPN : se dit des transistors qui sont commandés (ou activé) par un courant positif
polarisé à la base pour contrôler le flux de courant du collecteur à l'émetteur

PNP : se dit des transistors qui sont commandés par un courant négatif polarisé à la
base pour contrôler le flux de l'émetteur au collecteur.

Autotransformateur : est un transformateur dont au moins deux enroulements ont

une partie commune

Commutation : fonction de modifier de la configuration de circuits en transférant la

connexion d'un ensemble de conducteurs à un autre

Page | 24
 ANNEXES

Annexe 1 : Recherche de l’ordre des pattes du transistor

Annexe 2 : Les membres du groupe 16 en pleine réflexion

Page | 25
 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

- Electronique de base, Dr. MOHAMMADOU, Département des

Enseignants Scientifiques de base, Ecole Nationale Supérieure

Polytechnique de Maroua.

- Electrocinétique, BIDIAS BENJAMIN, Département des Enseignants

Scientifiques de base, Ecole Nationale Supérieure Polytechnique de

Maroua.

- TP Électronique 1, Polycopie des travaux pratiques d’électronique 1,

Département des Energies Renouvelables, Institut Supérieure du Sahel

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