Dynamique de l'électron

Concept de masse effective

3

1- Vitesse de l’électron dans un cristal parfait.

L'état d'un électron dans un cristal est défini par :

n )
Sa fonction d'onde y (r , t ) = uk (r )ei ( kr -E ( k )t /
Son énergie: En (k )

La solution générale par superposition des N solutions

n )
y (r , t ) = å A(k ) uk (r )ei ( kr - E ( k )t /
ZB Amplitude

Pour N très grand et pour uk (r ) = uk0 (r )

n
0 ZB
y (r , t ) = uk (r ) ò A(k ) ei ( kr -E ( k )t / ) dk
Chap: III -2-
 Definitions: Vitesse de Groupe d'un paquet
d'onde
• La vitesse de la particule réelle est la
vitesse de phase de l'enveloppe du
paquet d'onde. Elle est appelée la
vitesse de groupe et sa relation à
l'énergie et l'impulsion est obtenue

dE 1 dE ( k )
vg = =
dP dk
• Ici, E et K sont interprétés comme le
centre des valeurs de l'énergie et
l'impulsion de cristal, respectivement.

Chap: III -3-

Vitesse de Groupe d'un paquet d'onde

n vg
0 ZB
y (r , t ) = uk (r ) ò A(k ) ei (kr -E ( k )t / ) dk
C’est un paquet d’ondes, dont la vitesse de groupe
est :
r r En
r 1r
v g = Ñ k w = Ñ k En (k ) r r
k = ko
h
k
Cette expression est donnée à une dimension par :

dw 1 dEn (k )
vg = =
dk dk r
Pour simplifier l’écriture nous omettons l’indice du vecteur k
r 1r r
v g = Ñ k En ( k )
h -4-
Chap: III
 2- Action d'une force extérieure

L'accélération (classique) de l'électron est donnée par:

dv 1 d
g = g = Ñ k En (k )
dt dt
r
Si on applique une force extérieure F
r r rr
l'énergie de l'électron sera: dE = dW = Fdr = F v dt
r r r r r
Or, par définition de la vitesse de groupe: dE = Ñ k En (k ).dk = h v dk

En identifiant ces deux relations, on obtient

dk dP
F= =
dt dt
Chap: III -5-

dk dP
F= =
dt dt
En reportant cette relation dans l'expression donnant
l'accélération, on obtient:

1 d
g = Ñ k En (k )
dt
1 æ dk ö
= ç .Ñk ÷ Ñk En (k )
è dt ø
1
Donc: g = 2 F .Ñk Ñk En ( k )
( )
Chap: III -6-
 1
g = 2 k
( F.Ñ r ) Ñ E (k ) k n

soit, en explicitant les coordonnées de g

1æ ¶ ö ¶En (k ) 1 ¶ 2 En ( k )
g i = 2 ç å Fj . ÷÷ = 2 å Fj
ç j
è ¶k j ø ¶k j j ¶k j ¶ki

ì 1 ¶ 2 En ( k ) 1 ¶ 2 En ( k ) 1 ¶ 2 En ( k )
ïg x = 2 Fx . 2
+ 2 Fy . + 2 Fz .
ï ¶k x ¶k y ¶k x ¶k z ¶k x
ï
ï 1 ¶ 2 En (k ) 1 ¶ 2 En ( k ) 1 ¶ 2 En ( k )
íg y = 2 Fx . + 2 Fy . 2
+ 2 Fz .
ï ¶k y ¶k x ¶k y ¶k z ¶k y
ï 2 2 2
1 ¶ En ( k ) 1 ¶ E n ( k ) 1 ¶ En ( k )
ïg z = Fx .
2
+ 2
Fy . + 2
Fz .
ïî ¶k z ¶k x ¶k z ¶k y ¶k z2

Chap: III -7-

æ ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ö
ç 2 ÷
ç ¶k x ¶k y ¶k x ¶k z ¶k x ÷
æg x ö ç 2 ÷ æ Fx ö
ç ÷ 1 ç ¶ En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ÷ ç ÷
. ç Fy ÷
ç g y ÷ = 2 ç ¶k ¶k
çg ÷ y x ¶k y2 ÷
¶k z ¶k y ç ÷
è zø ç ÷ è Fz ø
2
ç ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ En ( k ) ÷
ç ÷
è ¶k z ¶k x ¶k z ¶k y ¶k z2 ø

C’est un tenseur
une force F agissant sur un électron du réseau lui donne
une accélération qui n'a pas généralement la direction de F

Chap: III -8-

 æ ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ö
ç 2 ÷
ç ¶k x ¶k y ¶k x ¶k z ¶k x ÷
ç ÷
1 ç ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ÷
g = 2 .F
ç ¶k y ¶k x ¶k y2 ¶k z ¶k y ÷
ç ÷
2
ç ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ En ( k ) ÷
ç ÷
è ¶k z ¶k x ¶k z ¶k y ¶k z2 ø

Cette relation ressemble à l'équation F

g =
fondamentale de la dynamique m
à condition d'affecter à l'électron une (masse) m*:

æ 1 ö 1 ¶ 2 En (k )
ç ÷ = 2
è m * ø ij ¶k j ¶ki
Chap: III -9-

æ 1 ö 1 ¶ 2 En (k )
ç ÷ = 2
è m * ø ij ¶k j ¶ki
soit, explicitement,
æ ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ö
ç 2 ÷
ç ¶k x ¶k x ¶k y ¶k x ¶k z ÷
ç ÷
1 1 ç ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ 2 En ( k ) ÷ Appelée: tenseur
= 2
m* ç ¶k y ¶kx ¶k y2 ¶k y ¶k z ÷ de masse effective
ç ÷
2 de l'électron
ç ¶ 2 En (k ) ¶ 2 En ( k ) ¶ En ( k ) ÷
çç ¶k ¶k ¶k z ¶k y
è z x ¶k z2 ÷÷ø
Ce concept de masse effective est très utile puisqu'il permet de
traiter la dynamique de l'électron quasi-libre dans un cristal en
utilisant les lois de la mécanique classiques, à condition de
remplacer la masse au repos de l'électron par sa masse effective.
Chap: III -10-
 Diagramme E-k,
vitesse et masse effective
Au point k = 0, électron a une E
valeur positive constante et elle
monte rapidement quant la valeur dE/dk
de k augmente. Après avoir connu
une singularité (masse infinie) la
masse effective devient négative
au sommet .
d2E/dk2
• Par conséquent:
- m * est positive vers le bas de
toutes les bandes,
- m * est négatif, près du
sommet de toutes les bandes

Chap: III -11-

Matériel Masse effective Masse effective

de l’électron du trou

Groupe IV
Si(4.2K) 1.08 0.56
Ge 0.555 0.37
Groupe III-V
GaAs 0.067 0.45
InSb 0.013 0.6
Groupe II-VI
ZnO 0.19 1.21
ZnSe 0.17 1.44

En multiples de la masse de l'électron libre

M0 = 9.11 10 31 kg
Chap: III -12-
 On notera que, la masse effective est inversement proportionnelle à
la courbure de bande E (k ) Ainsi,

- m* > 0 au voisinage d'un minimum de E (k )

E (k )

- m* < 0 au voisinage d'un maximum de E (k )

k

Autrement dit, dans un cristal, l'accélération de l'électron

n'est pas forcément colinéaire à la force appliquée, et peut
même être de sens opposé.

Chap: III -13-

III.3 Etude des extrema de la fonction En (k )

Au voisinage d'un extremum de la courbe En (k ) situé en k = k0

on peut développer la fonction En(k) en série de Taylor.

En se limitant au deuxième ordre, on obtient :
1 ¶ 2 En (k )
En (k ) = En (k 0 ) + ( k - k0 Ñk En (k )
) + å ( ki - k0,i ) ( k j - k0, j ) + ...
k = k0 2 ij ¶k j ¶ki k = k
0

or Ñ k En ( k ) = 0 car extremum kox

k = k0
kx
on aura donc
koy Minimum de B.C.
ky k0

1 ¶ 2 En (k )
En (k ) = En (k 0 ) + å (k i - k0,i ) ( k j - k0, j ) + ...
2 ij ¶k j ¶ki
k =k0 -14-
Chap: III
 1 ¶ 2 En (k )
En (k ) = En (k 0 ) + å ¶k ¶k ( ki - k0,i ) ( k j - k0, j ) + ...
2 ij j i k =k
0

Si on se place dans un système de coordonnées tel que la matrice

1/m* soit diagonale, on peut exprimer l'énergie en fonction de la
masse effective et du vecteur d'onde sous la forme :

2
2 k - k ù
0, x y 0, y
é ( k - k )2 ( k - k )2 (z 0, z )
En (k ) » En (k0 ) + ê x + + ú
*
2 ê m*x m*y mz ú
ë û
kz
c’est l’équation d’une ellipsoïdes

kx

ky

Chap: III -15-

kz
a. Cas d’un système sphérique

Dans le cas le plus simple où

m*x = m*y = m*z = m*
ky kx
la masse effective est alors un scalaire noté m*. Les surfaces
isoénergétiques sont des sphères et l'énergie s'écrit :
2
2
(k - k ) 0
En (k ) » En (k 0 ) +
2 m*
Faisons un changement d’origine dans l’espace réciproque c.a.d
kz
k0 = 0
l'énergie s'écrit
kx
2 2
k
En (k ) » E0 +
2m* ky

Chap: III -16-

 · Si on se place dans la bande de conduction
2
k2
En (k ) = E0 +
2m*
A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* > 0
Soient m* = m*c et E0=EC E (k )
2
k2
En (k ) = EC +
2mc*
énergie potentielle k
énergie cinétique

r
L’expression de En( k) est similaire à celle de l'énergie d'un
électron enfermé dans une boîte.
On retrouve bien l'idée que la dynamique d'un électron cristallin
est identique à celle de l'électron libre à condition de remplacer
sa masse par la masse effective m*c.
Chap: III -17-

Densité des états dans la BC

d 3k
Dans d3k il y a: niveaux d’énergie par cm3
(2p )3
4p 3 1
Dans une sphère on a : Nc ( E ) = k × niveaux d’énergie
3 (2p )3
ì 2mC* ( E - EC )
2
ï k = 2
k2 ï
Or: E - EC = Þ í *
2mC* ïdk = 2mC dE
ï 2
î 2 ( E - EC )
-3/ 2
1 æ 2 ö
Nc (E) = 2 × ç * ÷ ( E - EC )3/ 2
6p è 2 mc ø

Entre la surface d’énergie E et la surface d’énergie E +dE il y a NcdE états

dN c ( E )
gc ( E ) =
dE
-3/2 C’est la
2
æ 1 ö densité des
gc ( E ) = 2 × ç * ÷ ( E - EC )1/2 états dans
4p è 2mc ø la BC
Chap: III -18-
 · Si on se place dans la bande de valence
2
k2
En (k ) = E0 +
2m*
A l’extremum de la bande de valence on a donc m* < 0 On
introduit ainsi une nouvelle notion de porteurs de charges c’est
la notion de trous. E (k )
Soient m* = -m*v et E0=EV

2
k2
En (k ) = EV -
2mV* k

énergie potentielle
énergie cinétique
trous.

Bande de valence
pleine

Chap: III -19-

Les trous
Pour les semi-conducteurs, les « manques » d’électrons dans
la bande de valence sont aussi important que les électrons
dans la bande de conduction.

Un trou est une façon alternative pour décrire une bande dans
laquelle il manque un électron.

Chap: III -20-

 Densité des états dans la BV
3
d k
Dans d3k il y a: 3 niveaux d’énergie par cm3
(2p )
4p 3 1
Dans une sphère on a : NV ( E ) = k × 3
niveaux d’énergie
3 (2p )
ì 2mv* ( EV - E )
2
ï k= 2
k2 ï
Or: EV - E = Þ í *
2mv* ïdk = 2mv dE
ï 2
î 2 ( EV - E )
-3/ 2
1 æ 2 ö
NV (E ) = 2 × ç * ÷ ( EV - E ) 3/ 2
6p è 2 mv ø

Entre la surface d’énergie E et la surface d’énergie E +dE il y a NvdE états

dNV ( E )
gV ( E ) =
dE
-3/2 C’est la
2
1 æ ö densité des
gV ( E ) = × ç ÷ ( EV - E )1/2 états dans
4p 2 è 2 mV* ø la BV -21-
Chap: III

b. Cas d’un ellipsoïde de révolution

Si la maille du cristal n'est pas un cube, mais une forme

géométrique moins symétrique, l'anisotropie se voit aussi dans le
diagramme des bandes. Du coup, l'expression de l'énergie au
voisinage d'un extremum de bande s'écrit:

2 2 2
2 2 2
(k x - k x ,0 ) (k y - k y ,0 ) (k z - k z ,0 )
En (k ) » En (k0 ) + + +
2 m*x 2 m*y 2 mz*

2 2 2
k x2 k y2 k z2
En (k ) = En (0) + + +
2 m*x 2 m*y 2 m*z
2
k i2
= En (0) + å
2 i mi*
Chap: III -22-
 · Si on se place dans la bande de conduction
A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* > 0
Soient m* = m*ic et E0=EC
2 E (k )
2
En (k ) = EC + å 2m *
k i
i iC
Equation équivalente l’équation
de l’ellipse :
k
k12 k22 k32
2
+ 2 + 2 =1
a b c
4p
Le volume de l’ellipse est: Vk = a ×b×c
3
* * * 1/2
4p æ 2m1C × 2m2C × 2m3C ö 2/3
Vk = ç 2 ÷ ( E - EC )
3 è × 2× 2 ø

Chap: III -23-

1/2
4p æ 2m1*C × 2m2*C × 2m3*C ö 2/3
Vk = ç 2 ÷ ( E - EC )
3 è × 2× 2 ø
Le nombre des états par unité de volume :

Vk M est le nombre
N (E ) = M 3 des ellipsoïdes
( 2p ) d’énergie
1/ 2 Si Ge
1 æ 2m1*C × 2m2*C × 2 m3*C ö 2/ 3
= 2ç 2 ÷ M ( E - EC )
6p è × 2× 2 ø
3/ 2
1 æ 2mC* ö 1/ 3
= 2ç 2 ÷ ( E - EC ) 2/ 3 avec mC* = ( m1*C × m2*C × m3*C ) M 2 / 3
6p è ø
La densité des états: 3/2
1 æ 2mC* ö
g (E) = 2 ç 2 ÷ ( E - EC )1/2
4p è ø
Chap: III -24-
 · Si on se place dans la bande de valence
A l’extremum de la bande de conduction on a donc m* < 0
Soient m* = -m*iV et E0=EV
2
En (k ) = EV - *
k i2
E (k )
å 2m
i iV

Le nombre des états par

unité de volume :
3/ 2 k
*
Vk 1 æ 2m ö v
N (E) = M 3
= ç ÷ ( Ev - E ) 2/ 3
( 2p ) 6p 2 è 2 ø

La densité des états: 3/2

1 æ 2mv* ö
g ( E ) = 2 ç 2 ÷ ( EV - E )1/2
4p è ø
Chap: III -25-

1/2
4p æ 2m1*C × 2m2*C × 2m3*C ö 2/3
Vk = ç 2 ÷ ( E - EC )
3 è × 2× 2 ø
Le nombre des états par unité de volume :

Vk M est le nombre des

N (E ) = M 3 ellipsoïdes d’énergie
( 2p ) Si Ge
1/ 2
1 æ 2m1*C × 2m2*C × 2 m3*C ö
= 2ç 2 ÷ M ( E - EC ) 2/ 3
6p è × 2× 2 ø
3/ 2
1 æ 2mC* ö 1/ 3
= 2ç 2 ÷ ( E - EC ) 2/ 3 avec mC* = ( m1*C × m2*C × m3*C ) M 2 / 3
6p è ø
La densité des états:
* 3/2
1 æ 2m ö C
g (E) = ç ÷ 2
( E - EC )1/2
Chap: III
4p 2 è ø -26-
 Exercise

On considère un électron dans la bande de valence d’un

semiconducteur, par exemple, du silicium. Qu’est ce qu’il
faut faire passer l’électron dans la bande de
conduction?

a. chauffer le matériau
b. éclairer par la lumière
c. appliquer un champ magnétique

Chap: III -27-

Exercise Solution
On considère un électron dans la bande de valence d’un semi-
conducteur, par exemple, du silicium. Qu’est ce qu’il faut faire
passer l’électron dans la bande de conduction?
Comme on augmente la
a. chauffer le matériau température, tels que kT> Egap,
certains électrons sont excités
vers la bande de conduction.

b. éclairer par la lumière Comme nous éclairons le

semiconducteur par la lumière
(avec Ephoton> Egap), des paires
électron-trou sont créées.
c. appliquer un champ magnétique

On a découvert récemment que les champs magnétiques

peuvent altérer les niveaux d'énergie de certains
matériaux, en les convertissant des métaux aux semi-
conducteurs.

Chap: III -28-

 Les semiconducteurs 4

Semi-conducteurs
Sont fait des éléments de la colonne

Colonne Semiconducteur
IV Ge, Si, C
IV-IV SiC, SiGe
Binaire GaAs, GaP, InP, InSb…
III-V Ternaire AlxGa1-xAs, GaAsyP1-y
quaternaire Al xGa1-xAs yP1-y
Binaire CdS; CdTe, ZnSe, ZnS
II-VI Ternaire CdxHg1-xTe….

Chap: IV -2-
 Semi-conducteurs

Structure de zinc cubique

(diamant avec 2 atomes différents)

Chap: IV -3-

Structure diamant
Semiconducteurs
élémentaires
Il sont fait des éléments de
la colonne IV
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te
Exp: diamant
Hg Tl Pb Bi Po Eg = 5,4 eV
incolore

Configuration
sp3

Chap: IV -4-
 semi-conducteurs Structure zinc-Blende
composés
Il sont fait des éléments des
colonnes III-V et II-VI
IIB IIIB IVB VB VIB
B C N O

Al Si P S

Zn Ga Ge As Se
Structure de zinc cubique
Cd In Sn Sb Te (diamant avec 2 atomes différents)
Hg Tl Pb Bi Po

III-V: GaAs, InP, GaN, etc Configuration

sp3
II-VI: ZnSe, CdTe, HgSe, etc

Chap: IV -5-

Question: Combien d’électrons

dans la bande de conduction?

Chap: IV -6-
 EB
Combien d’électrons dans la bande de
conduction?
EB Ec
n  2 gC ( E ) f (E )dE Ev
EC
énergie

E E
E
E1

g(E)

EC
EF

g(E) g(E) f(E)

1
f(E) f (E ) 
* 3/2 e( E  EF ) / kT  1
1  2m  C Probabilité d’occupation des électrons
gC ( E )     2
( E  EC )1/2
4 2  
Or cette expression n’est valable qu’au voisinage des extremums (EC). On ne
commet pas de grande erreur en faisant cet intégrale

EB
n  2  g C ( E ) f ( E )dE
EC

* 3/ 2
EB 1  2m  C ( E  EC )1/2
n  2    2 ( E  EF )/ kT
dE
EC 4 2  e 1

E  EC EF  EC E  EF
Posons:  , F  ;    F
kT kT kT
3/ 2
B 3
1
 2mC*   1/2
d
0
n  2   2   (kT ) (  )
F
2   e 1
E  EC 1
or  B  B   400
kT 1/ 40
f ( E B )  e 400  0
3/ 2
 3
1
 2mC*   1/2
n  2  2  (kT ) d
0 (  F )
2   e 1
Chap: IV -8-
 * 3/ 2
1  2m kT C
Soit : N C    2
2 3/ 2  
2   1/ 2
n  NC  d
0 (  F )
 e 1
2
 NC  F1/ 2 ( F )

Intégrale de Fermi

Chap: IV -9-

Question: Combien de trous dans

la bande de valence?

Chap: IV -10-
 EB
Combien de trous dans la bande de valence?

EV Ec
p  2 gV ( E ) 1  f ( E)  dE Ev
E1
énergie

3/2
E1
1  2mV*  1/2
gV (E )  2   2  ( EV  E )
4   g(E)
Probabilité d’occupation
des trous
Or cette expression n’est valable
qu’au voisinage des extremums (EV) e( E  EF )/ kT
On ne commet pas de grande 1  f ( E )  ( E  EF )/ kT
e 1
erreur en faisant cet intégrale
1
 ( EF  E )/ kT
e 1

Chap: IV -11-

EV
p  2 gV ( E ) 1  f ( E )  dE
E1
3/ 2
EV 1  2mV*  ( EV  E )1/ 2
p  2 
2   ( EF  E )/ kT
dE
E1 4  2  e 1

Posons:
EV  E EV  EF EF  E
' ,  F'  ;   '  F'
kT kT kT
3/ 2
1  2mV*  V  '1/ 2
p  2  2  d '
0 ( '  F' )
2   e 1
* 3/ 2
1  2m kT  V
Soit : NV     2
2 3 / 2  
2 V  '1/ 2 2 '
p  NV  ' ' d '  N V  F1/ 2 ( nF)
0 (  F )
 e 1 
Chap: IV -12-
 2
EF  EC GaAs
n  NC  F1/ 2 ( )
 kT

2
EV  EF
p  NV  F1/ 2 ( )
 kT

Chap: IV -13-

Dans le cas d’un semiconducteur non dégénéré

Le niveau de Fermi se trouve dans la bande interdite E

EC  EF  kT et EF  EV  kT
EC
EF
 E  EF  E  EC  EC  EF  kT
EV
 kT

1
e( E  EF )/ kT  1  f (E)   e  ( E  EF )/ kT
e( E  EF )/ kT  1
  1/ 2 
1/ 2 (  ) F
d   e d  e
0
F1/ 2 ( F )   0
e( F )  1
 /2


 eF
2
Chap: IV -14-
 semiconducteurs
EC
Les approximations faites sont:

EC  EF  kT et EF  EV  kT
n  N C et p  NV EV

n  NC e( EF  EC )/ kT

p  NV e( EV  EF ) / kT

Chap: IV -15-

Le silicium, Si, Atom

Le silicium est de Cette image montre

valence de 4 à savoir 4 les électrons
électrons dans son partagés
couche externe
Chaque atome de
silicium partage ses 4
électrons externes avec
4 atomes voisins
Ces électrons partagés
- liaisons - sont
représentées par des
lignes horizontales et
verticales entre les
atomes

Chap: IV -16-
 Silicium - le réseau cristallin

Si l'on étend cet

arrangement à
travers un morceau
de silicium ...

Nous avons le réseau

cristallin de silicium

C'est le silicium quand

il est froid (T=0K)

Il n'a pas d'électrons libres - il ne peut pas conduire l'électricité -

par conséquent, il se comporte comme un isolant

Chap: IV -17-

Mouvement des électrons dans le Silicium

Cependant, si l'on
applique un peu de
chaleur au silicium ....

Un électron peut
gagner assez
d'énergie pour se
libérer de sa liaison ...
Il est alors disponible
pour la conduction et
libre de se déplacer à
travers le matériau

Chap: IV -18-
 Génération Thermique des électrons libres

Silicium EC
Intrinsèque
(pas de dopants)
à 0K
n=p=0
EV

Atomes de
Silicium
Électron
libre
EC

Pour le silicium à 300K

(température amiante),

EV n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Trou libre
“hole”
Atomes de
Silicium

Chap: IV -19-

Mouvement des trous dans le Silicium

Regardons de plus
près ce que l'électron
a laissé derrière lui

Il ya un espace dans
la liaison - ce que nous
appelons un trou

Donnons-lui un peu
plus de caractère ...

Chap: IV -20-
 Mouvement des trous dans le Silicium

Ce trou peut
également se
déplacer ...
Un électron - proche
d’une liaison - peut
sauter dans ce trou ...
Effectivement
provoquant le
déplacement du trou…
comme ça …

Chap: IV -21-

Chauffage du silicium

Nous avons vu que,

dans le silicium, la
chaleur libère des
électrons de leurs
liaisons …

Cela crée des paires

électrons-trous qui
sont alors disponibles
pour la conduction

Chap: IV -22-
 Semiconducteur intrinsèque

Prenons un morceau
de silicium …

Et appliquons une
différence de
potentiel à à ses
bornes…
Ceci crée un champ
électrique à travers
le silicium - vu ici en
traits pointillés

Lorsqu’une chaleur est appliquée un

électron est libéré et …
Chap: IV -23-

Conduction intrinsèque

L'électron sent une

force et se déplace
dans le champ
électrique electron

Il est attiré vers

l'électrode positive
et réémise par
l'électrode négative

Chap: IV -24-
 Conduction intrinsèque

Maintenant, nous
allons appliquer un
peu plus de chaleur …

Un autre électron se
libère…
Et se déplace dans le
champ électrique.
Nous avons
maintenant un courant
plus élevé qu'avant …
Et le silicium a moins
de résistance …

Chap: IV -25-

Conduction intrinsèque

Si plus de chaleur
s'applique le
processus se poursuit
…
Plus de chaleur …
Plusb de courant…
Moin de resistance…
Le silicium agit comme
une thermistance

Sa résistance diminue
avec la température

Chap: IV -26-
 La thermistance

• La thermistance est une résistance

sensible à la chaleur

• Au froid, il se comporte comme un isolant

i.e. il a une très grande résistance

• Lorsqu'il est chauffé, les paires électron-

trou sont libérés et sont alors disponibles
pour la conduction comme cela a été
décrit - donc sa résistance est réduite
Thermistance
Symbol

Chap: IV -27-

La thermistance

• Les thermistances sont utilisées pour

mesurer la température

• Ils sont utilisés pour mettre en marche ou

Arrêter des dispositifs, lorsque la
température change

• Ils sont également utilisés dans les circuits

d’alerte de feu ou d'alerte de gel
Thermistance
Symbol

Chap: IV -28-
 Absorption de la lumière
L'électron perd de l'énergie thermique dans le
réseau par des collisions et se déplace vers le
Eph>Eg bas de la bande de conduction

Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est supérieure à l'énergie du gap, le
photon est absorbé et un électrons quitte une liaison et se déplace de la
bande de valence vers la bande de conduction.

Chap: IV -29-

Absorption de la lumière
Eph=EG
Bande de
Energie conduction

Gap
d'énergie

Bande de
valence

Position
Lorsque l'énergie des photons est égale à l'énergie du gap, le
photon est absorbé, mais aucune énergie thermique n’est
générée.

Chap: IV -30-
 La résistance dépendante de lumière (LDR)
The Light Dependent Resistor (LDR)

• Le LDR est très similaire à la thermistance –

mais il utilise l'énergie lumineuse à la place
de l'énergie thermique
• A l’obscurité de sa résistance est élevée
• Sous l'énergie lumineuse, il libère des
paires électron-trou
• Ces charges sont alors libres pour la
conduction
• Ainsi, la résistance est réduite

LDR Symbol

Chap: IV -31-

La résistance dépendante de lumière (LDR)

The Light Dependent Resistor (LDR)

• LDR sont utilisés comme luxmètres

• LDR sont également utilisés pour contrôle automatique

de l'éclairage

• LDR sont utilisés là où la lumière est nécessaire pour

contrôler un circuit - par exemple, sonnette d'alarme
fonctionnant à la lumière

Chap: IV -32-
 Génération Thermique des électrons libres

Silicium EC
Intrinsèque
(pas de dopants)
à 0K
n=p=0
EV

Atomes de
Silicium
Électron
libre
EC

Pour le silicium à 300K

(température amiante),

EV n=p=ni = 1.5 x 1010 / cm3

Trou libre
“hole”
Atomes de
Silicium

Chap: IV -33-

Semiconducteur intrinsèque
q Semiconducteur pur : n = p=ni, EF=Ei

n  ni  Nce ( EF Ec ) / kT  Nc e( Ei  Ec )/ kT
énergie

p  ni  Nv e( Ev EF )/ kT  N ve( Ev Ei )/ kT

3/ 2
 kT  * * 3/ 4  Eg / 2 kT
ni  2  2  C
m m  V e
 2 
2  Eg / kT
i
n  p  n  NC NV e -34-  cte
Chap: IV
 Concentration des porteurs intrinseques:
3
3
 2kT  * * 2
Calculer ni pour le Si à 300K: 
ni  2 2  mn m p 4 e  Eg / 2 kT 
 h 
3
23 2 3 1.11
 2 1.38 10 J / K  300 K  
31 2 4 20.0259
ni  2  34 2  1.1 0.56  9.1110 kg  e
 (6.63 10 J  s ) 
3 3
46 2 2 61 2 4
ni  2 5.9177110 / J  s   5.112 10 kg  e 21.236
1
ni  2 1.4396  1070 3/ 2 3
 6.04593 10 46 kg 3/ 2  5.99143 10 10
kg m
ni  1.043 1016 m 3

ni  1.043 1010 cm3

Chap: IV -35-

qL’énergie de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque

s’exprime par la relation :

n  p
NC e  ( EC  EF ) / kT  NV e ( EF  EV ) / kT

EC  EV kT NV Si mv* mc* le
Ei   ln niveau intrinsèque
2 2 NC est au dessus du
milieu de la bande
EC  EV 3 mV* interdite si non c’est
Ei   kT ln * l’inverse
2 4 mC
qSi on fait l’hypothèse que mv* mc* alors le niveau de Fermi d’un semi-
conducteur intrinsèque est situé au milieu de la bande interdite.

Chap: IV -36-
 q La concentration intrinsèque
dépend du « gap » et de la
température en T3/2.

q On retrouve le fait que la

conductivité d’un semi-conducteur
augmente avec la température
q Pour le silicium la densité de
porteurs intrinsèque double tous
les 11°C !
Germanium Silicium Gallium
Arsenide
300 K 2.02 1013 8.7 2 109 2.03 106

400 K 1.38 1015 4.52 1012 5.98 109

500 K 2.02 1016 2.16 1014 7.98 1011

600 K 1.18 1017 3.07 1015 2.22 1013

Chap: IV -37-

300°K Ge Si GaAs

Eg(eV) 0.66 1.12 1.424

ni(cm-3) 2.4 1013 1.4 1010 1.76 106

NC(cm-3) 1.04 1019 2.8 1019 4.7 1017

NV(cm-3) 6 1018 1.04 1019 7 1018

Chap: IV -38-
 Semiconducteurs dopés

q Désavantages des semiconducteurs intrinsèques:

Ø faible conductivité à basse température;
Ø la conductivité dépend fortement de la
température.

q On fera intervenir le dopage pour augmenter la

concentration des porteurs et ainsi s’affranchir de la
dépendance en température.

Chap: IV -39-

qUn semi-conducteur extrinsèque est un semi-

conducteur dopé. Les propriétés électriques d’un cristal
semi-conducteur sont profondément modifiées si l’on
remplace certains atomes du réseau par des atomes
ayant, par rapport à l’atome substitué, un électron de
plus ou en moins dans son cortège électronique.
qOn désigne sous le nom de dopage toute opération qui
revient à introduire des impuretés dans le cristal.
création de niveaux d’énergie dans la bande
interdite
q Les atomes dopants doivent être placés en position
substitutionnelle dans le cristal i.e ils doivent prendre la
place d’un atome de silicium. Les dopants placés en
position interstitielle ne conduisent pas à une
modification notable des propriétés électriques.
Chap: IV -40-
• Semiconducteur dopé de type n
Type n : insertion
d’atomes possédants 5
électrons de valence
dans le réseau cristallin
du Si, l’électron
excédant se libère
facilement pour la bande
de conduction, le dopage
produit ainsi des
porteurs de charge
négative (électrons), d’où
dopage de type n.
Silicium
Dopants
“Donneurs”
Chap: IV -41-

Le phosphore
Silicium (Si) Phosphore (P)
L’électron
supplémentaire de P
est faiblement
attaché à son atome.
C’est un électron
Le phosphore (P) est le numéro 15 libre
dans la classification périodique
des éléments

Bande
Il possède 15 protons et 15 normale
électrons - 5 de ces électrons avec deux
sont dans la couche extérieure electrons
(électrons de valence)

n Le Phosphore est lié dans le silicium

Chap: IV -42-
 Semiconducteur dopé de type n

Relying on heat or light for

conduction does not make
for reliable electronics

Supposons que nous

enlevons un atome de
silicium du réseau cristallin
...

n on remplace l’atome de
silicium par un atome de
phosphore (P).

Nous avons maintenant un électron qui n'est pas lié - il est donc libre pour la conduction

Chap: IV -43-

Dopage - silicium de type n

Enlever un autre atome

de silicium ...

et le remplacer par un
atome de phosphore

Comme plus d'électrons

sont disponibles pour la
conduction, nous avons
augmenté la
conductivité du
matériau

Le phosphore est appelé Si nous appliquons maintenant une différence de

dopant potentiel à travers le silicium ...

Chap: IV -44-
 La conduction extrinsèque - silicium de type n

Un courant circule

Remarque:
Les électrons
négatifs se
déplacer vers la
borne positive

Chap: IV -45-

Niveaux d’énergie des impuretés

q Substitution  modification du potentiel électrique.

- On suppose que la perturbation due à l’impureté est faible et de longue
portée.
- Dans un cristal de silicium dopé au phosphore (P). Le cinquième électron
voit donc l’ion de l’impureté P+ (charge >0).

qModélisation de l’impureté en deux parties :

1- un « quasi-Si» (Noyau Si, électrons de cœur, 4 électrons de valence).
2- le cinquième électrons de valence du phosphore qui crée un nouveau
niveau d’énergie proche de la bande de conduction. Cet électron est lié au
proton supplémentaire provenant du noyau du phosphore.
Le problème est similaire à un atome d’hydrogène ou l’électron et le
proton ne se trouvent pas dans le vide mais dans le cristal de silicium
( 0).

Chap: IV -46-
 qL’énergie d’ionisation de l’atome d’hydrogène est:

H  H   e
m0 q 4
EH  2
13.6 eV
32 2 02
qLa situation dans le silicium dopé est similaire à l’atome
d’hydrogène:.
 
D D  e
mc*q 4 mc*  02
ED  2
13.6 2
 0.047eV
32 2 Si2 m0  Si

L’existence d’un proton excédentaire crée une énergie de liaison Ed qui

diminue l’énergie de l’électron supplémentaire et le fait passer sous la
bande de conduction. Ed= EC- ED

Chap: IV -47-

Niveaux d’énergie des impuretés

Si + colonne V (avec 5 e- de valence )

Ec

ED = Niveau d'énergie des donneurs (peu profond)

Eg centres donneurs
ionisés (+ve)
Le Gap est de 1,1 eV pour le silicium
Electron
Ev
Trou

Semiconducteur type-n

Chap: IV -48-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

P 0.045 0.012
Donneur
As 0.049 0.013

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type " N" 0.0058 0.0061 0.0061 0.0059

Chap: IV -49-

Ionisation des impuretés

Chap: IV -50-
 Niveau de Fermi
q le type de dopage la neutralité électrique doit être préservée (loi
d’action de masse) :

  q( p  N D  n  N A )  0
p  N D  n  N A
q La probabilité d’occupation d’un niveau donneurs peut s’écrire:

1
fD 
1 ( ED  EF ) / kT
1 e
g
g: dégénérescence de l’état fondamental du niveau de l’impureté:
üg=2 pour un niveau donneur (le niveau fondamental peut accepter un
électron avec un spin ou aucun).
üg=4 pour un niveau accepteur (le niveau de dégénérescence est double
en raison du « splitting » des bandes de valence en k=0).
Chap: IV -51-

qLe nombre ND de dopant donneurs ionisés peut s’écrire :

1
N D  N D 1  
1 ( ED EF ) / kT
1 e
g ND
Soit:
N D  ED  E F
( )
kT
1  g e

Aux températures ordinaires on a: N D  ND

qLe nombre NA de dopant accepteurs ionisés peut s’écrire :

NA
N A 
1  g  e ( EA  EF ) / kT
Aux températures ordinaires on a: N A  N A
Chap: IV -52-
 Détermination du Niveau de Fermi
q la neutralité électrique pour un semiconducteur type n donne:

n  p  N D
q A température T le dopant est connu (E D, ND connus) ainsi que le
semiconducteur ( Nc, NV, Ei, EC connus) :

(EC  EF )/kT (EF  EV )/kT ND

NC e  NV e  ED  EF
( )
kT
1  g e
La seule inconnue c’est EF
Il faut résoudre cette équation pour obtenir EF

Chap: IV -53-

q On fait une résolution graphique de l’équation pour

déterminer le niveau de Fermi (type n) :

n  p  N D

p  N D
N C e (EC  EF )/kT  ND

NV e (EF  EV )/kT  n
p
ND
ED  E F
( )
kT
1  ge

EF
Chap: IV -54-
 Aux températures ordinaires on a: N D  N D

p  n  N acceptors  N donors

2
n  p  ni 2
p  n  Nd ni / n  n  N d

2 2
N d  4ni  N d
n  Nd
2

n  NC e (E C  EF )/kT

EC  EF  kT ln  NC N D  -55-
Chap: IV

Concentration des électrons dans un

semiconducteur dope

n  NC exp  (EC  EF )/kT  

NC exp  (EC  Ei  Ei  EF )/kT  
NC exp  (EC  Ei )/kT exp  (Ei  EF )/kT 

ni

n  ni exp (EF  Ei )/kT 

Chap: IV -56-
 Semiconducteur type p
ØType P : insertion d’atomes possédants 3 électrons de valence dans
le réseau cristallin du Si.
Un lien laissé vacant est rempli par un électron de l’atome de Si
voisin, ce qui créé un trou dans la bande de valence. Le dopage
produit des porteurs chargés positivement (trous), d’où dopage de
type P.

Bore (B) Silicium (Si)

Silicium
type-p (trous)
dopants
“accepteurs”
Chap: IV -57-

L’atome de bore
Le Bore (B) est le numéro 5
dans le tableau périodique

Il dispose de 5 protons et
5 électrons.
3 de ces électrons sont
dans sa couche externe

Chap: IV -58-
 Dopage - Rendre le silicium de type p
Comme précédemment, on
enlève un atome de silicium
du réseau cristallin ...

Cette fois ci, il est

remplacé par un atome de
bore

Notons que nous avons un

trou dans une liaison - ce
trou est donc libre pour la
conduction

Chap: IV -59-

Dopage - Rendre le silicium de type p

Enlevons un autre atome de
silicium ...

et le remplacer par un
autre atome de bore

Comme d'autres trous sont

disponibles pour la conduction,
nous avons augmenté la
conductivité du matériau

Le bore est le dopant dans Si nous appliquons maintenant une différence de

ce cas, potentiel à travers le silicium ...

Chap: IV -60-
 Dopage - Rendre le silicium de type p

Un courant
circule - cette
fois porté par les
trous positifs
note:
Les trous
positifs se
déplacer vers la
borne négative

Chap: IV -61-

• Semiconducteur dopé de type p

Ec Si Si Si Si

Eg Si Si Si Si

Ea
Si A Si Si
Ev

Si Si Si Si Trou
libre
Electron
Trous
Accepteurs peu profonds dans le silicium

Chap: IV -62-
 Energie d'ionisation (eV)
des impuretés dans Si et Ge

Impureté
Si Ge
Comportement Type

B 0.045 0.010
Accepteur
Ga 0.065 0.011

Energie d'ionisation (eV) des impuretés dans GaAs

Colonne du
tableau II IV VI
de classification

Éléments Be Si Ge S Se

Type "P" 0.028 0.035 0.040

Chap: IV -63-

Ionisation des impuretés

énergie d’ionisation des impuretés

ionisation complète
des accepteurs:

p  NA

S.M.Sze

Chap: IV -64-
 concentration des trous dans
semiconducteur dope

p  NV exp  (EF  EV )/kT  

NV exp  (EF  Ei  Ei  EV )/kT  
NV exp  (Ei  EV )/kT exp  (EF  Ei )/kT 

ni

p  ni exp (Ei  EF )/kT 

Chap: IV -65-

Loi d’action de masse

p  n  ni exp (Ei  EF )/kT  ni exp (EF  Ei )/kT 

2
ni ~ 1010 cm 3 ( Si )
 Eg / kT
n  p  Nc Nve n p  n i
ni ~ 106 cm 3 (GaAs )

Neutralité de charge
En générale
les accepteurs n  N A p  N D
et les
donneurs
peuvent être
présents
ions négatifs
Chap: IV -66- ions positifs
 Porteurs majoritaires et minoritaires

électrons trous

Dopé -n porteurs Porteurs

(ND > NA) MAJORITAIRES MINORITAIRES

dopé - p Porteurs porteurs

(ND < NA) MINORITAIRES MAJORITAIRES

Chap: IV -67-

Porteurs majoritaires et minoritaires

de: pn nn  ni2 et nn  N A pn  N D
électrons majoritaires :

1 2
nn  ND  N A  N D  N A   4ni2 

2 
N D  N A  nn  N D  N A

Trous minoritaires : pn  ni2 / nn

Chap: IV -68-
 Porteurs majoritaires et minoritaires

de: p p n p  ni2 et n p  N A p p  N D
Trous majoritaires:

1
pp  N A  ND 

N D  N A 2  4ni2 
2 
N A  N D  p p  N A  N D

électrons minoritaires :
n p  ni2 / p p

Chap: IV -69-

Semiconducteur non-dégéneré

n  NC  EF  EC
et

p  NV  EF  EV
q Le niveau de Fermi sera repositionné selon le type de dopage
suivant les expressions :

NC
§ E FN  EC  kT ln dopage de type N
ND
NV
§ E FP  EV  kT ln dopage de type P
NA
Chap: IV -70-
 §En général, les concentrations de porteurs obtenues par
dopage sont beaucoup plus grandes que les
concentrations générées thermiquement donc:

Ø n ≈ ND pour un semiconducteur dopé N,

§ avec ND : concentration de donneur.

Ø p ≈ NA pour un semiconducteur dopé P,

§ avec NA : concentration d’accepteur.

Chap: IV -71-

Semiconducteur à l’équilibre
ØLe niveau de Fermi dans une structure à l’équilibre

§Propriété fondamentale: quelle que soit la structure du matériau

(homogène ou non), le niveau de Fermi est le même partout à
l’équilibre thermodynamique.

§ Illustration

§Quelle est la particularité du dopage pour ces deux figures ?

Chap: IV -72-
 Influence de la température
sur la concentration des porteurs

Variation du Niveau de Fermi en fonction de la température

S.M.Sze

Chap: IV -73-

Densité des électrons en fonction de la

température

S.M.Sze
Chap: IV -74-
 Exemple
Un échantillon de Si est dopé avec 1017 atoms d’As/cm3. Quelle est la
concentration d'équilibre trou p0 à 300 K? Où se trouve EF relatifs à Ei?
Quelle est l'expression de ni à T? Si ni à T est égal à Nd, quelle est
l'expression de n0 et p0 à T?

Puisque N
d  ni, on peut approcher n0 = Nd et
Ec
2 20 EF
n i 2.25 10 cm-3 0.407 eV
p0    2.25 10 3 Ei
n0 1017
n0
E F  E i  kT ln  0.407 eV Ev
ni
3/ 2
 2 kT 
ni (T )  2 2  (mn* m *p ) 3 / 4 exp(  E g / 2kT )
 h 
Puisque N d  ni , on ne peut pas négliger ni ou p0
 ni2 5 1 5 1
n0  N  p0  N d 
d
n0  N d p0  Nd
n0 2 2
Chap: IV -75-

Quel genre de mécanisme d'excitation peut provoquer une

transition d’un e- du haut de la bande de Valance (BV) vers le
bas de la bande de conduction (BC)?

Réponse :
BC
partiellement
rempli
• Energie thermique ?
• Champ électrique ? Eg
BV
• Rayonnement électromagnétique ? partielleme
nt rempli

Diagramme de bande d'énergie

d'un s c à une température finie.

Pour avoir une configuration bande remplie en partie dans un SC, on

doit utiliser un de ces mécanismes d'excitation

Chap: IV -76-
 1-Energie thermique :

Energie thermique = k x T = 1.38 x 10-23 J/K x 300 K =25 meV

Taux d’éxcitation = constant x exp(-Eg / kT)

Bien que l'énergie thermique à température ambiante, TA, est très faible,
soit 25 meV, quelques électrons peuvent promouvoir vers la CB.
Les électrons peuvent promouvoit vers la CB par le biais de l'énergie
thermique

Cela est dû à l'augmentation exponentielle de la fréquence d'excitation

lorsque la température augment

Le taux d’éxcitation est une fonction fortement dependante de la

température.

Chap: IV -77-

2- Un champ électrique :
• Pour les champs faibles, ce mécanisme ne permet pas de
promouvoir les électrons dans la BC. point commun des sc, tels
que Si et GaAs.

• Un champ électrique de 1018 V / m peut fournir une énergie de

l'ordre de 1 eV. Ce champ est énorme.

Ainsi, l'utilisation du champ électrique comme mécanisme d'excitation

n'est pas bonne façon de promouvoir les électrons dans les

Chap: IV -78-
 3- Rayonnement électromagnétique :

c 1.24
E  h  h  (6.62 x1034 J  s)  (3x108 m / s) /  (m)  E (eV ) 
  (en  m)

h = 6.62 x 10-34 J-s

c = 3 x 108 m/s
1 eV=1.6x10 -19 J Proche
infrarouge

1.24
Pour le silicium Eg  1.12eV ;  ( m)   1.1m
1.12

Pour promouvoir des électrons de la BV vers la BC de silicium, la

longueur d'onde des photons doit de 1.1 μm ou moins

Chap: IV -79-

4 4
GaAs bande de bande de
Si
conduction conduction
3 3

2 2

ΔE=0.31
1 1
Eg Eg
Energie (eV)
Energie (eV)

0 0

-1 -1
bande de bande de
Valance Valance
-2 -2
[111] 0 [100] k [111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de GaAs et de Si

Chap: IV -80-
 4
GaAs bande de Largeur de bande est la plus petite
conduction
séparation d’énergie entre les bords
3
la bande de valence et la bande de
conduction.
2

ΔE=0.31
1
Eg La plus petite différence d'énergie a lieu à

Energie (eV)
la même valeur de la quantité de
0
mouvement

-1
bande de
Valance semi-conducteurs à bande interdite
-2
0 k
direct
[111] [100]
Structure de bande d'énergie de GaAs

Chap: IV -81-

4
Le plus petit gap d’’énergie se trouve Si bande de
entre la partie supérieure de la VB conduction
pour k = 0 et un des minima de la CB 3
loin de k = 0
2

semi-conducteurs à bande interdite 1

indirect e Eg
Energie (eV)

0
•Band structure of AlGaAs?
•Effective masses of CB satellites? -1

•Heavy- and light-hole masses in VB? bande de

Valance
-2
[111] 0 [100] k

Structures de bandes d'énergie de Si

Chap: IV -82-
 25
2. Couleurs dues à des impuretés

(semi-conducteurs extrinsèques)

BC

Défauts dans la bande interdite donneur

accepteur

BV

Eg = 5,4 eV
exemple du diamant
incolore

Chap: IV -83-

Diamant jaune
B.C.
Impureté N C = 12 e
e-
N = 13 e N

4 eV Ed = 2,2 ev

5,4eV

niveau donneur 4 eV N donneur

5,4 eV

B.V.

transition N bande de conduction

bande d’impureté large
absorption dans le violet (2,2 eV) jaune

Chap: IV -84-
 Diamant bleu ‘Hope’
e-
C = 12 e
Impureté B
B = 11 e B

niveau accepteur 0,4 eV 5,4 eV

transition bande de valence B

absorbe dans le rouge bleu

Chap: IV -85-

CdS- CdSe même structure wurtzite

1 eV 3 eV

CdS CdSe

CdS1-xSex
E = 2,6 eV
E = 1,6 eV
jaune
noir

Orange de cadnium = CdS0,25Se0,75

Chap: IV -86-
 30
Sulfo-séléniures de cadmium

Orange de cadnium = CdS0,25Se0,75

Chap: IV -87-

ZnS
ZnSe
Eg = 3,6 eV
Zn Eg = 2,58 eV S

Cd Se

CdS CdTe

Eg = 2,42 eV Eg = 1,50 eV

Chap: IV -88-
 Phénomènes de transport
dans
les semiconducteurs
5

Phénomènes de transport

Aperçu

• Mouvement thermique

• Mouvement de dérive

• Mouvement de diffusion

Chap: V -2-
 Mobilité-conductivité
Mouvement thermique
Approche classique
Soit un cristal Sc contenant des e- et des trous libres de
densité n et p. Si on ajoute un kT, cette énergie va augmenter
l'agitation thermique. Si vth est la vitesse moyenne d'agitation
thermique, l'énergie cinétique d'agitation thermique vaut :

3 1 3kT T
E = kT = m0vth2 vth = =105 × m/s
2 2 m0 300

A 300K, on obtient v th ≈ 105 m/s (soit 400 000 km/h).

Les porteurs ont ainsi une vitesse thermique moyenne, orientée
dans toutes les directions de l’espace
Les trajectoires sont très complexes
Interaction avec la réseau
-3-
Chap: V

En l’absence d'un champ électrique E, la vitesse

moyenne d'entraînement est nulle

vth = 0 Trajectoire
linéaire entre
choc

Dans l’approximation classique l’électron subit des collisions.

On définie:
§ < >: Le temps caractéristique représente le temps
moyen entre deux collisions.
§ <ℓ>: le libre parcours moyen , ou distance moyenne
parcourue entre deux collisions

on a <ℓ> = vth< >

vth =
t
-4-
Chap: V
 Mouvement de dérive

vth = 0
1 3
m0vth2 = kT vth = 105 m / s
2 2

Appliquer champ électrique sur le semiconducteurs:

E ≡ champ électrique [V cm-1] ⇒ force nette

v ¹0

1 3
m0v 2 » kT
2 2

E
-5-
Chap: V

En présence d'un champ électrique E constant et uniforme, La

force à laquelle est soumis l’électron est :

F = Fappliquée + Flocale

Cette dernière est due à toutes les interactions avec le réseau

(vibration thermique).

dv
F = -qE + Fl = m0g = m0
dt Trajectoire
incurvée
q 1 entre choc
v (t ) = - Et + ò Fl dt
m0 m0
Les porteurs ont une vitesse thermique moyenne, orientée dans
toutes les directions de l’espace qui est légèrement modifiée en
imposant une direction statistique préférentielle par la présence du
champ électrique.
-6-
Chap: V
 la vitesse d'entraînement vaut donc:

q 1
v(t ) = v = - Et car Fl dt = 0
m0 m0 ò

Soit m la mobilité:
qt
m= Þ v = -mE
m0
Pour les Semiconducteurs: Si v<<vth ou E faible
E
< vn > Vitesse moyenne des électrons < vn > = -mn E - qE

E
< vp > Vitesse moyenne des trous < vp > = m p E + qE

qt qt
mn = mp = (cm2/Vs)
mn* m*p
m*p et m*p sont les masses effectives de conduction
-7-
Chap: V

La mobilité des trous est généralement plus petite que la mobilité des
électrons en raison de l'apparition de la dégénérescence au bord de la
bande de valence au centre de la zone, ce qui rend possibles la
dispersion interband des processus qui permettent de réduire la
mobilité.

Crystal n(cm
2/Vs)
p(cm
2/Vs)

GaAs 8000 300

InAs 30000 450

Diamond 1800 1200

Si 1350 480

Ge 3600 1800

PbS 550 600

T=300K
-8-
Chap: V
 • Pour faible niveau de dopage, μ est limitée par les collisions avec
les réseaux. Si la Température augmente; μ diminue.
• Pour le dopage moyen et haut niveau de dopage, μ est limitée par
les collisions avec les impuretés ionisées.
• Trous "plus lourd" que les électrons: Pour le même niveau de
dopage, μn> μp -9-
Chap: V

Densité de courant et Mobilité

(1) Courant causé par le champ électrique due aux électrons: q

A
DQ -qn un DtA
j= =
A × Dt ADt vnDt
nq 2t n
j = -qn un = - * E = nq mn E (A/cm2)
mn
nq 2t n (due aux
Loi d’Ohm : j =sE s n = * = qn mn électrons
(2) Courant total due aux électrons aux trous: mn seulement)

j = -qn un + qp u p = ( nqmn + pqm p ) E = s E = qn n + qp p

jn et jp sont les courants de dérive dans le champ électrique.

qt p ( m p est la mobilité des trous)

Pour les trous, up = E = mpE
m*p -10-
Chap: V
 Exemple
Calculer la vitesse d'un électron dans un morceau de silicium de
type n causée par son énergie thermique à température
ambiante et sa vitesse due l'application d'un champ électrique
de 1000 V / m à travers le morceau de silicium.

Vth = ? T = 300 K me* = 1.18 m0

Vd = ? E = 1000 V / m m = 0.15 m 2 / (V - s )

3kT 5
V th = Þ Vth = 1.08 x10 m / sec
m*

Vd = m E Þ Vd = 150 m / sec
Chap: V

§ Evolution de la vitesse des électrons en fonction du champ électrique :

* forts champs la vitesse sature et converge vers la vitesse
thermique. Bien que les trajectoires entre chocs soient suffisamment
incurvées pour prendre la direction du champ, l’énergie thermique
reste très supérieure à l’énergie apportée entre ces chocs.
* faibles champs la courbe réelle est linéarisée et la pente définit la
mobilité des électrons n

vn = -mn E jn = qnmn E

§ (GaAs) présente une meilleure mobilité (rapport 5)

et une survitesse qui est exploitée dans la
réalisation de certains composants très rapides HF

Zincblende

-12-
Chap: V
 La loi d'Ohm locale (microscopique) :

nq 2 Et n pour les électrons, et

Jn = *
= snE
mn
pq 2 Et p
Jp = = s pE pour les trous.
*
m
p

Def: Les conductivités électriques s'écrivent :

nq 2t n
sn = = nq mn (W-1cm -1 ) pour les électrons, et
*
mn
pq 2t p
sp = = pq m p (W -1cm -1 ) pour les trous.
m*p
Le courant total étant la somme des courants de trous et d'électrons, la
conductivité totale du matériau s'écrit naturellement:

s = s n + s p = qnmn + qpm p
Chap: V -14-

Le courant total étant la somme des courants de trous et d'électrons,

nq 2 Et n pq 2 Et p
J = Jn + Jp = + *
=
mn* m p

= (s n + s p ) E = s E
la conductivité totale du matériau s'écrit naturellement:

s = s n + s p = qnmn + qpm p
La résistivité d’un matériau est l’inverse
de la conductivité

1 1
r= = (W cm)
s q(n mn + p m p )
1
rn = si n >> p
qn mn
1
rp = si p >> n
qp m p
-15-
Chap: V
 Resistance

V I
I

L w
t

Pour calculer R, Il faut

V rL L 1 trouver s de la
R= = = concentration des electron
I wt wt s et des trous, et apres
utiliser les dimensions de
l’echantillon
= qn n + qp p

-16-
Chap: V

-17-
Chap: V
Ø Cas du silicium intrinsèque à 300K :

n=1350 cm²/V.s et p=480 cm²/V.s

si n>>p
p=n=ni=1,5 1010 cm-3
=3,4 105 cm et = 2,9 10-6 -1 cm-1
si p>>n
Ø Cas du silicium dopé à 300K :

n=280 cm²/V.s et p=90 cm²/V.s

n=ND=1018 cm-3 et p=2,2 102 cm-3
=2,2 10-2 cm et = 48 -1 cm-1

Ø La concentration en impuretés d’un semi-conducteur peut être obtenue si sa

résistivité est connue.
Ø La concentration en impuretés peut cependant différée de la concentration
réelle en porteurs :
Exemple : cas du silicium dopé p (Gallium) avec NA=1017 cm-3, on peut
montrer qu’il y a en réalité 23% d’accepteurs non-ionisés ce qui fait une
concentration réelle de porteurs de 7,7 1016 cm-3 !
Ø Même pour de très forts dopages la résistivité du semi-conducteur reste
très supérieure à celle d’un métal dont l’ordre de grandeur est le µ .cm.
-18-
Chap: V

Exemple numérique
Soit le Silicium avec ND = 3 x 1016 cm-3 à la température ambiante
μn ≈ 1000 cm2 / V • s
ρn ≈ 0.21 Ω • cm
n ≈ 3X 1016 cm-3

Appliquer E = 1 kV / cm

vdn » 106 cm / s << vth

E
J nder » qnvth = qnmn E = s E =
r
J nder » 4.8 ´103 A / cm2
Temps pour la dérive à travers L = 0,1 mm
L
td = = 10 ps Très rapide
vth
Chap: V
 Exemple
Problème: Calculer la résistivité intrinsèque de Si à 300 K

Solution:

Pour Si intrinsèque : mn = 1350 et mp = 480 cm2/V-s .

Ainsi, puisque n0 = p0 = ni

i = q( n + p )n i = 1.6 ´ 10 -19 (1830 ) ´ 1.5 ´ 1010 = 4.39 ´ 10 -6 (Ω.cm)-1

1
i = = 2.28 ´ 10 5
(Ω.cm)
i

-20-
Chap: V

Mouvement de diffusion des porteurs

qLe phénomène de diffusion est lié à l’existence de gradient de
concentration ou gradient de température
Il y a diffusion des régions de forte concentration vers les régions de
faible concentrations
¶C i
ÑC = i C : concentration de l’espèce
¶x ÑC

¶C
<0
¶x
qLoi de Fick : le mouvement des porteurs de charges s’effectuera
dans une direction qui a tendance à uniformiser leur distribution
spatiale. Ce phénomène est équivalent à celui de l’équilibre de la
pression d’un gaz dans une enceinte.

®
(Loi de Fick) : F = -D Ñ C D : coefficient de diffusion (cm-2s-1)
Le flux des particules F est proportionnel au gradient de concentration

qLe signe( – ) vient du fait que pour qu’il y ait étalement, le gradient doit être < 0. Cette
loi est générale et s’applique aussi bien aux électrons, aux trous , aux atomes et aux ions.
-21-
Chap: V
Ø Courants de Diffusion : En considérant macroscopiquement la diffusion des
électrons et des trous, leur déplacement est équivalent à un courant. On peut
donc exprimer les densités de courant de diffusion des électrons et des trous en
multipliant le flux des porteurs par la charge élémentaire.

Ø Cas des électrons :

1 ®
Fn = - .J n , D ® J n , D = + q.Dn Ñ n
q
Dn : coefficient de diffusion des électrons.
Par convention la densité de courant est de sens opposé au
déplacement des électrons. Les électrons étant de charge
<0, se déplaçant vers les x>0, le gradient de concentration
<0, la densité de courant est <0.
ØCas des trous :
1 ®
Fp = .J p , D ® J p ,D = -q.Dp Ñ p
q
Dp : coefficient de diffusion des trous
Par convention la densité de courant est dans le même sens
que celui des tous. Les trous étant de charge>0, se déplaçant
vers les x>0, le gradient de concentration<0, la densité de
courant est>0. -22- Chap: V

Densité de courant de diffusion

®
J n , D = (-q ).Fn = + q.Dn Ñ n Pour les électrons

®
J p , D = (+ q ).Fp = -q.D p Ñ p Pour les trous

® ®
J D = q.( Dn Ñ n - D p Ñ p) Total

-23-
Chap: V
 Densité de courant totale
§ Densité de courant total d’électrons dans un semi-conducteur :
dn( x)
J n = J n ,deriv + J n , Dif = qmn nE + qDn
dx
§ Densité de courant total de trous dans un semi-conducteur :

dp ( x)
J p = J p ,deriv + J p, Dif = qm p pE - qD p
dx
§ Densité de courant total dans un semi-conducteur :

J = J n + J p = å J deriv + åJ diff
n, p n, p
§ Les coefficients de diffusion s’expriment en cm²/s. Ils sont de l’ordre de
grandeur de l’unité et en général tels que Dn>Dp.
§ Les équations présentées ici ne sont valables que pour un semi-conducteur
homogène et à température constante. Ces équations sont profondément
modifiées quand le dopage, le « gap » ou la température varient.
§ Le modèle utilisé ici unidimensionnel permet de mener à bien des calculs
analytiques. -24-
Chap: V

Relations d’Einstein
Démonstration simple de la relation d’Einstein;
dan le cas à une dimension on a:

1 1 qt
m0vth2 = kT mn =
2 2 m0

m0 mn kT
Dn º vthl = vth (vtht ) = vth2 = mn
q q
De même pour les trous:
kT
Dp = mp
q

Dp Dn kT Relation d’Einstein
= =
mp mn q
Chap: V -25-
Chap: V

Equations de Maxwell
§ Equations de Maxwell pour des matériaux isotropes et homogènes :

¶B ¶D ÑB = 0 , B = m0 H
Ñ´ E = - , Ñ´ H = - + J cond = J tot
¶t ¶t
Conditions statiques
t
ÑD = r ( x, y, z ) , D =esE
-¥
D(r , t ) = ò e s (t - t ') E (r , t ')dt '

§ E et D sont le champ et l’induction électrique.

§ H et B sont le champ et l’induction magnétique.
§ s et 0 sont la permittivité du semi-conducteur et la perméabilité du vide.
§ (x,y,z) est la densité de charge électrique totale, Jcond la densité de
courant de conduction et Jtot la densité de courant total (incluant à la fois
la conduction et la diffusion .Jtot=0).
§ Parmi les six équations de Maxwell, la plus importante est sans doute celle
de Poisson qui permet de calculer toutes les propriétés d’une jonction PN et
des dispositifs associés.
-27-
Chap: V
 Equation de Poisson
§ L’équation de Poisson est issue des équations de Maxwell et reste valable
dans un semi-conducteur. En supposant un modèle à une dimension on peut
écrire :
¶ 2V r Concentration de charges C/m3
ÑD = e sÑE = r ( x, y, z ) = -
¶x 2 e 0e r Permittivité du semi-conducteur
en F/cm

Laplacien en V/cm²

§ Dans un semi-conducteur dopé par les deux types de dopants, la

concentration de charges totales tient compte des porteurs libres et des
atomes ou impuretés ionisées :

r = q( p + -n + N D+ - N A- )
§ Dans de nombreux cas, pour aboutir à une solution analytique, il faudra
simplifier cette expression en comparant les différentes concentrations.

-28-
Chap: V

Equations de continuité
§ Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux de
variation de la concentration des porteurs (électrons et trous) en fonction
du temps (modèle unidimensionnel).

§ Soit un élément de volume d’épaisseur dx. Si le dx

flux entrant F(x) est supérieur au flux sortant C(t) x + dx
F(x+dx), la concentration des particules S
augmente. L’évolution du nombre de porteurs
par unité de temps est donné par:
F
¶N ¶C x
=- Sdx
¶t ¶t
= F ( x) S - F ( x + dx) S
¶F ¶F
= F ( x) S - S ( F ( x) - dx) = - S dx
¶x ¶x
¶C
= -div F
¶t -29-
Chap: V
 ØSupposons que dans cet élément il soit possible de générer des paires de
porteurs par des photons (taux de génération G, cm-3/s) ou d’en faire
disparaître sur place par recombinaison (taux de recombinaison U , cm -3/s)

¶C dF
=- + G -U
¶t dx
Variation de concentration = variation du flux + génération-recombinaison

Ø Pour les électrons:

J n = qFn , J n = q mn nE + qDn Ñn
¶n 1
= div J n + G - U
¶t q
Ø Pour les trous:
J p = qFp , J p = q m p pE - qD pÑp
¶p 1
= - div J p + G - U
¶t q -30-
Chap: V

§ Hors équilibre thermodynamique, on cherche à déterminer le taux de variation de la

concentration des porteurs (électrons et trous) en fonction du temps (modèle
unidimensionnel).
2
1 tot ¶n ¶n ¶
nF = - j n =D
n +m
2
nE + G - U
n ( )
q ¶t ¶x ¶x
1 ¶p ¶ 2n ¶
Fp = j tot
p = Dp 2 - m p pE + G - U ( )
q ¶t ¶x ¶x
§ Hypothèse de faible injection i.e la densité de porteurs injectés est
inférieure à la densité de porteurs majoritaires à l’équilibre le taux de
recombinaison U (np-np0)/ n avec np la densité de porteurs minoritaires, np0
la densité de porteurs minoritaires à l’équilibre thermodynamique et n le
temps de vie des électrons.
§ La même hypothèse existe pour les trous conduisant à la relation :
§ U (pn-pn0)/ p

§ Si les électrons et les trous sont générés et recombinés par paires sans
pièges ou autres effets similaires alors on peut écrire que:
§ n= p.
-31-
Chap: V
 Génération et Recombinaison
des porteurs de charges 6

Semiconducteurs hors équilibre thermodynamique

Les caractéristiques, l'efficacité et les limites des appareils

sont déterminées par les propriétés des porteurs hors
d'équilibre.

Les paramètres des porteurs minoritaires jouent un rôle

majeur dans ces propriétés.

A l’équilibre thermodynamique: n0 p0  ni2

Dès que l’équilibre thermodynamique n’est pas maintenu: np  ni2
- Si np  ni2 on a le processus d’injection.

- Si np  ni2 on a le processus d’extraction.

-2-
Chap: VI
 Semiconducteur hors équilibre thermodynamique:
Génération des porteurs
- e
h fon Soit un photon tq:

Génération Ø Si hn  E g
Pas de création de paire électron /trou

h >Eg
Ø Si hn  E g
- e Possibilité de création de
paire électron /trou
thermalisation

+ h
+ h
h fon

L’énergie hn  E g sera perdue par relaxation des porteurs (thermalisation)

Chap: VI -3-

Semiconducteurs à gap directe et

indirecte: Concept de l'espace k-2
Dans l‘espace d’énergie –moment
(E-k)
2
k2
E  EC 
2mC*
Energie

Moment E= énergie phonon

hk = moment du phonon
Moment
2
k2
E  EV 
2mV*
Energie

Gap Directe Gap indirecte

A Noter la relation parabolique entre l'énergie et de le vecteur d’onde

Pour les trous, qui sont censés être à charge positive, la relation est inversée

-4-
Chap: VI
 Phonon
Ø Les atomes vibrent autour de leur position moyenne à une
température finie. Ces vibrations produisent des ondes
vibratoires à l'intérieur du cristal.
Ø Les Phonons sont les quanta de ces ondes vibratoires. Les
Phonons se déplacent avec une vitesse égale à la vitesse du
son.
Ø Leur longueur d'onde est déterminée par la constante de réseau
cristallin. Phonons ne peut exister qu’à l'intérieur du cristal.
Ø La transition qui implique des phonons sans produire des photons
sont appelés transitions non radiatives.
Ø Ces transitions sont observées dans les semiconducteurs à bande
interdite indirecte.
Ø Ainsi, afin d'avoir LED et laser efficaces, il faut choisir des
matériaux ayant des bandes interdites directes telles que le
composé S / C de GaAs, AlGaAs, etc

-5-
Chap: VI

CALCUL
• Pour GaAs, calculer l’énergie typique du photon (gap) et la quantité de
mouvement, et les comparer à celles du phonons qui pourraient être prévu
avec ce matériel

photon phonon

E(photon) = Eg(GaAs) = 1.43 ev E(phonon) = h  = hv s /λ

= hvs / a0
E(photon) = h  = hc / λ Avec a0 constante du réseau

c= 3x108 m/sec λ (phonon) ~a0 =5.65x10-10 m

P=h/λ h=6.63x10-34 J-sec

Vs= 5x103 m/sec ( velocity of sound)

λ (photon)= 1.24 / 1.43 = 0.88 μm

E(phonon) = hvs / a0 =0.037 eV
P(photon) = h / λ = 7.53 x 10-28 kg-
m/sec P(phonon)= h / λ = h / a0 = 1.17x10-24 kg-m/sec

Chap: VI -6-
 • Energie du Photon = 1.43 eV
• Energie du Phonon = 37 meV
• Quantité de mouvement du Photon = 7.53 x 10-28 kg-m/sec
• Quantité de mouvement du Phonon= 1.17 x 10-24 kg-m/sec

Les Photons portent une grande quantité d’énergies, mais une quantité
de mouvement négligeable.

D'autre part, les phonons portent très peu d'énergie mais une
quantité de mouvement significative

Chap: VI -7-

Irradiation Solaire - Définitions

>Air mass définition
Air mass 1(AM 1):
L'irradiation solaire avec le soleil
dans le zénith au niveau de la
mer à l'équateur

Air mass 0 (AM 0): AM 0

L'irradiation solaire à l'extérieur
de l'atmosphère de la terre
I=135.3mWcm-2

Air mass 2 (AM 2): AM 1

a AM x d
La lumière du soleil traverse 2
épaisseurs d'atmosphère (le Atmosphère
spectre diffèrent de AM1 en
raison des pertes atmosphériques) Surface de la terre
= 60°

Chap: VI -8-
 Spectre Solaire et rendement théorique
Pertes atmosphérique

(i) Diffufion Rayleigh I~l-4

(dparticle << i.e. < 50nm)
(ii) absorption électronique de O2,
N2 et O3 (absorption presque
complète pour nm)
(iii) absorption infrarouge par
rotation moléculaire et modes
de vibration de CO2 et H2O
(iv) Diffusion par les aérosols
et particules de poussière
(v) Changements spectraux
due aux changements dans
indice de réfraction de
l’atmosphère (température,
pression, turbulences,
contenu de vapeur d'eau)

Chap: VI -9-

Chap: VI -10-
 Tout le spectre électromagnétique
1.24
E eV  

Red
l m 

Blue
Violet

Green
Yellow
Infrared Visible Ultraviolet

InN GaAs GaP GaN

InS Ge Si CdS Cd SiC ZnS AlGaN AlN

Eg (eV)
0 1 2 3 4 5 6

( m) 7 5 3 2 1 0.8 0.6 0.4 0.3 0.2

Chap: VI -11-

Coefficient absorption
La dépendance d'énergie de photon du
coefficient absorption est exprimée
par le terme
(hn  E g )1/ 2
a (hn )  A trans. directe
hn
a (hn )  B *(hn  Eg )1/ 2 trans. indirecte
Le coefficient absorption augmente avec la racine carrée de l'énergie de
photon et le début de l'absorption est au gap
A et B* sont différent

Supposons : A = B* = 104; ils peuvent différer par ~ 5x102 (Ge / GaAs) mais
même si on les prend égaux, Des différences notables ont lieu.
Notons : pour hn grand , des transitions interbande peuvent aussi avoir lieu
dans des semiconducteurs à gap indirects.
Relation entre a et intensité de la lumière I (Loi de Baer-Lambert) :

I  I 0e a x I0 : Intensité de la lumière incidente

x : distance de la surface
Chap: VI -12-
 Pour un semiconducteur type n à l’équilibre thermodynamique:
nn0=1016 cm-3 ≈ ND ; pn0=104 cm-3
AM1: Aire masse 1 ; c’est l’énergie solaire à midi
AM1 F ≈ 1017 photons /cm2/s. h >Eg

En 1ére approximation les photons sont absorbés dans une épaisseur de 1/

Pout le Silicium = 102 cm-1
1/ = 100 m c’est l’épaisseur du silicium ou de la lumière est absorbée

Soit G le taux des porteurs photogénérés:

F
G  a F  1019 cm 3 s 1
1/ a

Chap: VI -13-

qExcitation lumineuse génération de paires

électrons-trous (cas d’un semi-conducteur type n).
nn  nn0  n
pn  pn0  p

Les porteurs ainsi créés ont une durée de vie:   100 s pour le Si

n  p  G   1019104  1015 cm3

nn  nn0  n  1016  1015  1016 cm 3
pn  pn0  p  10 4  1015  1015 cm 3
pn  p

Comme pn<nn0 on est en faible injection

A 100 soleils: Δn= Δp= 1017cm-3 > nno  Forte injection

Chap: VI -14-
 Equation de continuité,
Durée de vie des porteurs
pn 1
 div J p  G  R
t q
G – taux de génération : nombre de paires électron-trou créé / cm3 /s
R – taux de recombinaison: nombre de paires électron-trou annihilé / cm3 /s
Une paires électron-trou est annihilé si un électron transite de la BC vers la BV
pn
q En régime permanent 0
t
1
Si il n y a pas de conduction de courant: div J p  0
q
Donc : GR

q En équilibre thermodynamique Gth  Rth

Chap: VI -15-

q Hors d’équilibre: On crée GL électrons/trous par la lumière

pn 1 avec R  a n p

 div J p  GL  Gth  R
t q
En régime permanent et pas de courant électrique:

GL  R  Gth  U Taux net de recombinaison

On écrit donc:

pn 1 Génération et recombinaison

 div J p  G  U
t q autre que thermique
Origine
externe

Chap: VI -16-
 q Exemple nn0  1016 ; pn0  2 10 4 ;
GL  1019 cm 3 s 1; nn  1016 cm 3 ; pn 105 cm 3

A l’équilibre thermodynamique:

nn0 pn0  ni2 et Uth  0

Hors d’équilibre thermodynamique:

nn pn  nn0 pn0  0 et U 0

U  GL  a (nn pn  nn0 pn0 )

Pour un semiconducteur type n
pn  pn0 p
U  a  nn0 ( pn  pn0 )  
p p
1 1
avec  p  
a  nn0 a  N D est la duréede viedes porteurs minoritaires
p
Chap: VI -17-

Génération et recombinaison
E

EC

EV

x
Génération Recombinaison Génération Recombinaison
thermique thermique radiative radiative

EC

EV

Chap: VI -18-
 Recombinaison
Les mécanismes de recombinaison qui ont tendance à
ramener le système à son équilibre initial
Radiatif Non radiatif

Thermique Auger Par pièges

recombinaison linéaire
- E~Eg
n
R
EC - e - e - e - e 

ET recombinaison quadratique

hn~Eg Phonon 2
R   n 
EV
+ h + h + h + h
recombinaison cubique (Auger)

3
R   n 
Chap: VI -19-

q Recombinaison Auger

L’électron e1 passe de la BC
vers la BV et disparaît. (a) (b)

L’électron e2 gagne Ef-Ei =Eg.

Eg e1 BC e1
e2
e2’

BV
e2
e1
e2
Ee1
Egap Plus probable dans les Plus probable dans les
semiconducteur type n semiconducteur type p
fortement dopés fortement dopés
distance entre électrons distance entre trous
très petite très petite
h k

Chap: VI -20-
 q Recombinaison par pièges

§ Les recombinaison par pièges sont liés aux défauts du cristal.

§ Ce sont les impuretés qui entraînent l’existence de centres de
recombinaison..
§ Il existe toujours des impuretés chimiques dans un cristal réel,
constituées d’atomes autres que ceux du semiconducteur considéré (S,
Au, Cu, Ag, Fe, ..).
§ Ces impuretés induisent des niveaux d’énergie supplémentaires situés
dans la bande interdite du semiconducteur et qui sont appelés centres
de recombinaison
§ Ces niveaux peuvent se comporter comme des centres accepteurs ou
donneur d’électrons.
§ Ces niveaux mettent en jeu des énergie plus faibles que celles
correspondant à une transition bande-à-bande.
§ Les recombinaisons SRH (Shockley, Read, Hall) sont décrites par
quatre processus: capture d’un électron, émission d’un électron,
capture d’un trou, émission d’un trou.
Chap: VI -21-

Niveaux d’énergie dans la Bande interdite

Représentation
Schématique de la
recombinaison par piège
EC

ET

EV

Signe - indique accepteurs

Signe + indique donneurs

Chap: VI -22-
 Recombinaison indirecte (SHR)
SHR = Shockley-Hall-Read
E

Centre de
EC
recombinaison
ET
(trap)

EV

x
capture émission capture émission
électron électron trou trou

EC

ET

EV

Chap: VI -23-

Jonction Abrupte
ou
Jonction idéale
7

Chap: VII -1-

 La jonction pn
C’est la jonction la plus simple et la plus
importante.
La jonction p-n est le premier composant à
semiconducteur découvert « par hasard »
(Russel Ohl, 1940)
…un pas crucial vers le transistor
Russel Ohl fabriqua en 1939
du silicium pur à 99,8% et
le hasard permit qu'une
Type d’applications: craquelure dans le matériau
Diodes, redresseurs, LED, Laser induise une contrainte avec
apparition d'une zone très
riche en électrons et une
zone très riche en trous.
La première diode à jonction
Constituants: PN était née.
- Transistors bipolaires, pnp ou npn
-Transistors EFFET, FET ou MOSFET
- les mémoires

Chap: VII -2-

Jonction p-n
p n

N
P Négatif
Positive signe moins

Une ”clapet anti-

retour” électriques

circulation Pas de circulation

du courant du courant

Chap: VII -3-

 - Si la jonction est réalisée dans un même
semiconducteur. On l’appelle Homojonction

-Si la jonction est réalisée dans différents

matériaux, c.a.d. la région n et la région p sont
constitués de semiconducteurs différents: On
l’appelle Heterojonction

Le dopage de la jonction est réalisé par diffusion

ou Implantation ionique

Chap: VII -4-

Diagramme de bandes d’énergie

Niveau du vide
E0

Affinité électronique
qC

EC
énergie

Travail de sortie
qFp
Ei
EFp
qCSi = qCGaAs = 4.05 eV
EV
type-p

Chap: VII -5-

 Avant connexion
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
E0 E0

qFp qC qFn qC

EC EC

énergie
Eg EFno
Ei Ei
EFpo
EV EV
p-type n-type

qF p  qC  Eg  EFpo  EV  qFn  qC  Eg   EV  EFno 

Chap: VII -6-

Jonction abrupt

Qu’arrive-t-il lorsqu’on fusionne un

monocristal de silicium de type P avec un
autre de type N ?

Chap: VII -7-

 Il y a diffusion des porteurs majoritaires

dn Flux de diffusion des électrons

Fdn  Dn
dx
dp Flux de diffusion des trous
Fdp  Dp
dx
Fdp
Fdn

Une fois la jonction traversée les porteurs diffusés se

recombinent.
Cette interdiffusion crée une zone de charge d’espace
Chap: VII -8-

Dans la zone de charge d’espace apparaît un

champ électrique E
Le champs E entraînés un flux inverse Fi des
porteurs minoritaires

Fin  μn nE Fip  μ p pE

Fdp E Fip
-
O +
O
type-p -
O +
O type-n
-
O +
O
Fin Fdn
Chap: VII -9-
 A l’équilibre thermodynamique , E est telle que le flux de
porteurs majoritaires (Diffusion) Fd est égale au flux inverse Fi
des porteurs minoritaires entraînés par E.

Fin  Fdn Fip  Fdp

Coté n Coté p

La diffusion s’arrête donc lorsque E, devient assez fort pour

repousser toute particule libre hors de la zone désertée

Zone de charge d’espace= Zone désertée :

c’est la région de la jonction où il n’y a plus de porteurs
libres.

Chap: VII -10-

Avant connexion
E0 E0

qFp qC qFn qC

EC EC
EFn
énergie

Ei Ei
EFp
EV EV

dE F
Il faut aligner les niveaux de fermi!!! 0
dx
-11-
 Nécessité d’un équilibre
thermodynamique

Pour l’équilibre thermodynamique

dE F
0
dx
conséquence:
Les niveaux de Fermi des semiconducteurs
type-n et -p doivent être égaux
EFn= EFp = EF

Chap: VII -12-

Après connexion
E0

qFp qC E0

EC qFn qC
énergie

Ei EC
EFp EFn
EV Ei

EV

-13-
 Après connexion
E0

qFp qC E0

EC qFn qC

énergie
Ei EC

N D
EFp EFn
N A
EV Ei

EV

-14-

Après connexion
E0 Barrière de potentiel
qVbi (potentiel de diffusion)
Built-in potential
qFp qC E0

EC qFn qC
énergie

Ei EC
N D
EFp EFn
N A
EV Ei

qVbi  qF p  qF n  EFno  EFpo

EV

-15-
 pn Junction in Thermal
Equilibrium
p:N A n:ND

- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - -
+ + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - + + + + + + + + + + + +
dp dn
+qND

-qNA
E

V Built-in voltage

Chap: VII -16-

Characteristique I-V d’une Diode

 qV
kT

Courant 
I  I 0  e  1
 
Augmentation exponentielle

Voltage

Polarisation Polarisation directe

inverse

Chap: VII -17-

 Applications
1- Cellule solaire

2- Diodes électroluminescentes

Light Emitting Diodes

LED

3- Diode Laser

4- Les circuits logiques

Chap: VII -18-

Applications

1- Cellule solaire

Chap: VII -19-

 Région Active
Région-n
neutre
Region de
Région-p neutre
Depletion

Base
Longue longueur P-type
d’onde

Drift Diffusion
Moyenne Lh
longueur d’onde Le
Courte longueur Champ -E
d’onde
Diffusion Drift
N-type Région active = Lh + W + Le
émetteur
I L  qAG Le  W  Lh 
Chap: VII -20-

Characteristics I-V d’une Cellule Solaire

Curant
 qV
kT


I  I 0  e  1  I L
 
Obscurité

Voltage
Courant due à l’absorption de Photons
1 X Lumière

2 X lumière= 2 X Courant

Chap: VII -21-

 1- Cellule solaire Photovoltaique

Semiconducteur
type n
+ + + + + + + + + + + + + + + Zone de Depletion
- - - - - - - - - - - - - - - - - -
Semiconducteur
type p

Chap: VII -22-

Le cellule solaire photovoltaique

contacts avant

Doigts métalliques. Electrode bus pour la

collecte de courant

contacts
arrière

Chap: VII -23-

 Coupe transversale d’une cellule
photovoltaique

h Contact avant

-
Couche Antireflet Region-n

Region-p

~0,2µm + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - -
~300µm
Zone de depletion
Séparation de la charge
Contact de face arrière

Chap: VII -24-

La cellule solaire

La characteristique I-V

I (mA)

20
Dark
Voc
0 V
Iph 0.2 0.4 0.6
Light

T wice the light

–20

Chap: VII -25-

 Applications

1- Cellule solaire

2- Diodes électroluminescentes
Light Emitting Diodes
LED

3- Diode Laser

Chap: VII -26-

Principales sources de lumière

artificielle
Émission entre niveaux
quantiques excitée par
Émission du corps noir impact

Chap: VII -27-

 Diodes électroluminescentes
Polarisation directe
LED = Light Emitting Diodes _
+ p n

Injection d’électrons et de trous p e-

+
dans la jonction
n _
p+

Recombinaison radiative
e-
électron-trou dans la jonction
(avec émission de lumière)
h = E
GaAs E = 1,4 eV rouge p+
GaP E = 2,3 eV vert
GaAsxP1-x gap variable GaAs, GaP, AlAs, AlP
Chap: VII -28-

Diodes électroluminescentes
GaX Eg (eV)
GaP 2,25 vert
GaAs 1,43 rouge
La lumière émise dépend du gap
GaSb 0,68
I.R.

GaP GaAs
Eg = 2,3 eV Eg = 1,4 eV
vert (gap indirect) rouge (gap direct)

GaAs1-xPx
GaN 1,4 ≤ Eg ≤ 2,3 eV

Chap: VII -29-

 Diodes électroluminescentes
Diode bleue 1992

(Nichia Chemical - Japon)

GaN - InGaN

LED bleue : GaN

445 - 485 nm Nakamura

Chap: VII -30-

Diodes électroluminescentes

réflecteur

Chap: VII -31-

 Diodes électroluminescentes

Chap: VII -32-

Applications

1- Cellule solaire

2- Diodes électroluminescentes
Light Emitting Diodes
LED

3- Diode Laser

Chap: VII -33-

 Diode Laser

dopage ‘n’ >> dopage ‘p’

Inversion de population dans la zone dépeuplée

au-delà d’une tension seuil
Pierre Aigrain - 1958

p
e-
+

-
p+
n

Chap: VII -34-

Diodes laser = hétérojonctions

e-

p n

GaA
s

émission dans la couche de GaAs 1,4 eV Eg = 1,9 eV

Guide d ’onde n1 ≠ n2 AlxGa1-xAs AlxGa1-xAs

- p+
n
laser
p

Chap: VII -35-

 Diode Laser

face face
réfléchissante semi-réfléchissante

émission
laser

Jonction

Chap: VII -36-

Diode laser

pointeur laser

Imprimante laser

compact disque

Chap: VII -37-

 Les circuits logiques
La porte OU (OR-gate, ODER-Gatter)

+ + + Tableau de vérité
source source de la porte OU:
5V 5Vsource
A A 5V (OU non exclusif)
S S
A
A entrées

Rs

Rs
sortie
B B S A B S
0 0 0
1 0 1
Rs
+ +
source B
B source 0 1 1
5V 5V
1 1 1
A A
S S Symbole:

Rs
Rs

Lorsque
La les 2àinterrupteurs
Bsituation (S A
= et
1) B
reste
B sont et B = 0), aucun
ouverts (A =la0même les
Lorsqu’un interrupteur
la sortie Sest fermé 1 ou B = 1), le
(A =évidemment courantlorsque
passe par
courant ne2passe par les
interrupteurs diodes. La
fermésrésistance R maintient la
>
la diode correspondante. Le sont
potentiel de la
(Asortie
= 1 et S
B Spasse
= 1). au potentiel
potentiel à la sortie S au potentiel de la masse (S = 0).
du pole positif de la source (S = 1).

Chap: VII -38-