TRANSISTOR BIPOLAIRE

( BJT : Bipolar Junction Transistor )

– Structure d'un transistor bipolaire - Rappel -

– Caractéristiques statiques:
– Etat bloqué :
- Limites en tension

– Conduction :
- Limites en courant
- Aire de sécurité

– Caractéristiques dynamiques :
- Fermeture (temps de commutation, pertes, cde de base)
- Ouverture (aire de sécurité , temps de commutation,
pertes, cde de base, C.A.L.C)

– Applications:
– Circuit de commande de base
– Circuit d’aide à la commutation
– Domaines d’utilisation

– Le Transistor Darlington.

STRUCTURE TRANSISTOR BIPOLAIRE

(rappel)
Transistor NPN
Base Emitter C

N+
P
C (+)

N-
B
E
N+ ( substrat) C
IB EB

Collector

- Interrupteur unidirectionnel en tension et en courant.

E (+)
IB

- Structure 3 couches ( NPN ou PNP ).

- Plusieurs technologies sont utilisées pour la fabrication des
transistors bipolaires : Triple diffusé, Epi-collecteur double B
C
diffusé, Epi-base, Multi-épitaxies...etc.

1
 TRANSISTOR BIPOLAIRE A L'ETAT BLOQUE

CARACTERISTIQUE STATIQUE
ETAT BLOQUE

E E
IB=0
ou N+ N+
VBE< 0 P P
B B
N-

N-

N+ N+

transistor C (+) C(+) transistor

haute tension basse tension

La tenue en tension est définie par la résistivité et l'épaisseur de la zone N-.

Par contre, augmenter la résistivité et l' épaisseur de cette zone c'est :

- Réduire le gain à fort niveau de courant. (voir courbe β=f(IC) )
- Augmenter le temps de commutation à l'ouverture.
(davantage de porteurs ,stockés pendant la conduction, àévacuer)

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 CARACTERISTIQUE STATIQUE
CARACTERISTIQUE V- I A L'ETAT BLOQUE
à IB=0 (VCEO)
à IE=0 (VCBO)

VCEO
IC

VCBO

IB>0

IE=0
IB=0
IB<0

VCE
BVCE0 VCB
BVCB0

Le fabricant spécifie la tenue en tension en donnant les valeurs limites de

VCEO <ou = BVCEO [ Breakdown Voltage ...]
VCBO >ou = BVCBO

CARACTERISTIQUE STATIQUE
CARACTERISTIQUE V- I A L'ETAT BLOQUE
( avec différents cas de polarisation de Base)

VCER VCES
R
IC

VCEX
- VCEV
V
+

VCE
BVCE0 VCB
BVCB0

VCEO < VCER < VCES < VCEX #VCBO

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 CARACTERISTIQUE STATIQUE
ETAT BLOQUE / TENUE EN TENSION

Limites absolues d'utilisation

[ Absolute Maximum Ratings ]

Collecteur - Emetteur

- VCES : Tension Max Collecteur-Emetteur avec base et émetteur en c/c.

Paramètre à utiliser pour choisir le transistor.
- VCER : Tension Max Collecteur-Emetteur avec baseconnectée à l' émetteur avec une
résistance R (ex:10Ω).
- VCEV (ou VCEX ): Tension Max Collecteur-Emetteur avec basepolarisée négativement
( ex: VBE= -1.5V)
- VCEO : Tension Max Collecteur-Emetteur avec la base en l'air ( IB=0 , circuit ouvert )
Cette valeur est environ 60% plus faible que le VCES.

Choix en fonction du circuit de Cde:

Emetteur - Base

- VEBO : Tension Max Emetteur-Base ( spécifié à collecteur ouvert ).

TRANSISTOR BIPOLAIRE EN CONDUCTION

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 CARACTERISTIQUE STATIQUE
CONDUCTION
IB > 0
VBE > 0

Base
+
+IB Emitter
N+
P

IC e-
N-
PIN
?

N+ ( substrat)

++ Collector

1 ) Principe:
-courant circulant de B vers E • injection d’électrons de E vers B
-ces électrons se diffusent dans la base
-les électrons sont captés par le champ électrique de la jonction PN Base-Collecteur
2) Technologie:
-l’injection de trous de B vers E est à minimiser
ñ jonction dissymétrique (N + dopé que P)
-le nombre d’électrons qui se recombinent dans la base est à minimiser
ñ base étroite (gain important)

CARACTERISTIQUE STATIQUE
IC
CONDUCTION

B A IB3

C
IB2

IB1

A
Régime linéaire
B Régime quasi saturé
C Régime saturé

VCE

1 ) Régime linéaire ou "actif ":

Le courant de base IB polarise la jonction Base-Emetteur en direct : un courant d'électrons ,
C venant de l'émetteur, est injecté dans la base. Une grande partie des électrons est "captée"
par le champ électrique et circule dans le collecteur. Il y a peu de porteurs minoritaires
0.6V injectés par la base P . La base reste "active" : IC=hfe.IB ( IC=β.IB)
2) Régime de saturation.
B Si le courant de base augmente, la tension collecteur diminue et la jonction Base-Collecteur
0.6V se trouve polarisée en direct. Des trous sont alors injectés par la zone P+ et envahissent le
collecteur N-. (porteurs minoritaires).
E L'avantage de lafaible chute de tension VCE obtenue, est contre balancée par un fort courant
base et surtout par un tempsd'ouverture important ( évacuation des charges de la zone N-)
En pratique on cherche à fonctionner à faible saturation, voire en quasi-saturation, pour
réduire les contraintes à l'ouverture.

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 CARACTERISTIQUE STATIQUE
LA SATURATION : SPECIFICATION

Les feuilles de caractéristiques donnent :

- VCEsat : Tension de saturation Collecteur-Emetteur spécifiée en 2 ou 3 points

( différentes valeurs de IC [ICsat] et de IB ).
Le VCEsat dépend de la température jonction (il augmente avec Tj)

- VBEsat : Tension de basedans les conditions de saturation.

IC IC<Csat
le transistor secomporte comme une résistance.

R(on)= VCEsat / ICsat

ICsat
(Valeur max spécifiée) Pour un courant IC on a VCE = IC.R(on)

IC >ICsat
Le transistor se comporte comme une source de courant:
DANGER !

VCEsat VCE

CARACTERISTIQUE STATIQUE
PERTE EN CONDUCTION

VCE
IC
VCE=f(IB)
IB
R
+
VCE

V Vaux

IB

Pertes de puissancedans le transistor :

Pcond = Pcond(C) +Pcond(B) , avec: Pcond(C) = pertes collecteur-Emetteur en conduction
Pcond(B) = pertes base- Emetteur

Pcond = (VCEsat.IC + VBEsat.IB) δ (δ = rapport cyclique conduction)

En fait les pertes dues à IB les plus importantes sont celles du circuit de commandede base (Pdr).
Pdr = IB.Vaux . δ
Interdépendance entre Pon(C) et Pdr :

P Ptotal

Pertes totales Pdr = f(IB)

( transistor +cde de base)
Pcond(C) = f(IB)

IB

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 CARACTERISTIQUE STATIQUE
LIMITE EN COURANT

Limites absolues d'utilisation

[ Absolute Maximum Ratings / Electrical Characteristics ]
SCR / DIODE

Le transistor bipolaire n'a pas de capacité de surcharge .

Tr.Bip.

Le courant max (avant destruction: absolute maximum

ratings) est spécifié pour un fonctionnement en mode
saturé:
- IC max : cette limite absolue est fixée par le gain min du
IC max Effet Early
dispositif (@ I B & VCE donnés !)
- ICM : valeur donnée pour unfonctionnement en
impulsion (durée spécifiée, voir aussi S.O.A).

En pratique : Ce qui intéresse l'utilisateur c'est le courant max qu'il pourra

contrôler (couper) et pour lequel le gain et le VCEsat sont bien spécifiés.
Cette valeur seravoisine du niveau IC utilisé par le fabricant pour spécifier les
paramètres dynamiques du transistor (voir tableau " Electrical Characteristics ")

CARACTERISTIQUE STATIQUE
AIRE DE SECURITE
[ S.O.A: Safe Operating Area ]

Polarisation de base positive :

FBSOA ( Forward Bias Safe Operating Area )

logIC
L'aire de sécurité est délimitée par les segments:
ICM
tp=10µs 1 - Courant max (Gain et/ou section fils de connexion)
ICmax tp=100µs
1 2 - Puissance max (P àTcase =25°C)
2 3 - Second claquage (cf. caractéristique dynamique)
4 - Tension Max. (VCE0 car la tension de baseest #0)

En régime impulsionnel l'aire de sécurité augmenteet

3 pour des impulsions courtes on obtient une aire rectangulaire.
DC operation
Pulse
operation 4 VCE
VCEO

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 FERMETURE & OUVETURE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
MISE EN CONDUCTION (FERMETURE)

Base + IB1>0
Emitter
logIC

N+ ICmax
P

N-

VCE

N+ ( substrat) VCEO

Collector
++
L'injection de trous dans la couche P et ensuite dans la zone N- vafaire décroître rapidement la tension
collecteur-émetteur. Le courant va s'établir dans le circuit sur les bords de la périphérie (où la ZCE s’étend
en 1er grâce à la tension qui apparaît aux bornes de la résistanceémetteur-base).
La densité de courant dans ces zones sera très importante (focalisation) :
Si la tension VCEest encore élevée, cela peut produire des échauffements localisés [ Hot points ] et
entraîner la destruction du composant par second claquage.

Il faut respecter l' aire de sécuritéFSOA à la mise en conduction.

En général la commutation est suffisamment rapide pour utiliser toute la zone rectangulaire délimitée par
VCE0 et ICmax

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 CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
OUVERTURE

Base - Emitter
Base
IB2 (<0)
N+
P

N-

N+ ( substrat)

Collector

L'ouverture d'un transistor bipolaire se fait en faisant circuler un courant inverse dans la base (IB2).

1- Le courant de basenégatif extrait d'abord les charges positives de la zone N- présentent sous la
base. Les charges présentes sous l'émetteur continuent d'assurer la circulation du courant
collecteur.
2- Pendant le temps de "déstockage" (ts) les charges de la zone N- situées sous l'émetteur sont à leur
tour progressivement absorbées vers la base.
3- La tension collecteur augmente. La ZCE s’étend d’abord en bordure de l'émetteur (effet de la
résistance base-émetteur). Le courant se focalise sous la partie centrale de l'émetteur (risque de
destruction par second claquage: R æ quand Tj ä ).
E
Solution technologique: géométrie interdigittée
Doigts
de Base

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
AIRE DE SECURITE A L’OUVERTURE
Polarisation de base négative :

RBSOA ( Reverse Bias Safe Operating Area )

IC

1
ICM
L'aire de sécurité est délimitée par les segments:
DESTRUCTION !

1 - Courant max
2 - Second claquage
3 - Tension Max .( VCEV )
2
VBEoff<0
VBEoff=0 4 - L'aire de sécurité est réduite lorsque l'ouverture se
4 fait sans tension négative sur la base. (VBEoff=0)
VCE
3
VCE0 VCES VCEV
( o u VCBO)

A l'ouverture, il faut que le cycle IC-VCE reste à l'intérieur de la zone de

sécurité RBSOA. (Cycle B)

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 CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
TEMPS DE COMMUTATION
A LA FERMETURE

IC
90%

Définition (mesures sur charge résistive) 10%

td tr
td : Delay time
tr : Rise time
ton : Turn-on time = td+tr IB

VCE
dynamic
VCEsat

VCEsat

La tension collecteur-Emetteur n'atteint pas immédiatement la valeur VCEsat.

Il y a une phase transitoire appelée "Saturation dynamique" qui peut durer
2 à 3 µs et pendant laquelle la tension reste de l'ordre de 2 à 3V.
Il faut tenir comptede ce phénomène pour évaluer les pertes.
Ce paramètre dynamique est spécifié pour certains transistors.

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
TEMPS DE COMMUTATION
A L'OUVERTURE
(mesures sur charge résistive)

ts : storage time
tf : Fall time

ICM
IC
courant
de "queue" Le temps de "déstockage" ts est relativement important
vis à vis des autres temps de commutation (1à 5µs).
ts tf ts dépend du niveau de saturation du transistor.
Il augmente avec la température (double de 25 à 125°C).
IB1
IB Le courant de queue est dû au temps de recombinaison
des porteurs "piégés " sous l'émetteur (loin du contact de
base).
IB2

Va
VCE

VCEsat

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 CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE
CARACTERISATION SUR CHARGE RESISTIVE

IC IR

+Va

IB
IC

T
IB
VCE VCE
Va

VCEsat

ton

La fermeture sur charge résistive est utilisée pour la caractérisation et laspécification des transistors
bipolaires.
Dans ce cas la forme du courant est l'image de laforme de la tension.
La commutation est rapide et les pertes sont relativement faibles .

1 1
E≅ ⋅ Va ⋅ IR ⋅ t ON Rq: sur charge inductive: E≅ ⋅ Va ⋅ IL ⋅ t OFF
4 2

APPLICATIONS DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

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 APPLICATION

Commande de base à la fermeture

Le dIC/dt (ou tr) dépend du temps de montée et de l'amplitude du courant base :

Il faut "remplir" rapidement la zone N- de porteurs minoritaires pour faire décroître la
résistance du collecteur le plus vite possible.
Objectif : minimiser les pertes à la fermeture.
Un courant de base avec un "overshoot" pendant la phase de commutation est
recommandé . Ensuite il faut réduire l'amplitude au niveau requis pour maintenir la
conduction (IB1).

Par exemple: Exemple de circuit de commande:

IB

IB0 = 3x IB1

IB1

APPLICATION
Commande de base à la fermeture

rbb La valeur de la résistancerbb est

élevée au début de lafermeture et
décroît progressivement pendant les
1ères dizaines de nanosecondes.
(A) R
IB

Si la cde de base est réalisée avec

+ t
B
rbb une faible tension (circuit A) le temps
V Vaux VBE
IB de montée du courant baseest limité
par ce comportement dynamique de
la jonction base -émetteur.
t

Il faut utiliser un générateur de courant !

VBE

IB
Avec un générateur de courant
(B) t
(circuit B) c'est l'étage de cde qui fixe
le temps de montée du courant base.
rbb
B
IB
IB

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 APPLICATION
Commande de base à l’ouverture

Il est préférable d'appliquer "en douceur" le courant négatif de base (IB2).

Cela évite de focaliser trop rapidement le courant sous les doigts d'émetteur
(commutation plus sûre) et donc d'extraire plus de charges ce qui réduit le tf (fall time) et le
courant de queue =moins de pertes (Poff).
En contre partie cela augmentele temps de déstockage (ts).

Cette technique est surtout utilisée pour les transistors HT (charge stockée élevée)

Storage time
+long
Fall time
+ court
IC Réduction des
courant de pertes Poff
"queue"
réduit
IB1 LOAD
tf
ts
ON IB
Lb IB1 dIB/dt controlé
Rb
VBE
OFF
- IB2 On recommande :
Vaux IB2 voisin de IC/2
IB2 Vaux
+ (Lb quelques µH )

inductance série V(br)BE

APPLICATION
CIRCUIT ANTI-SATURATION
Pour réduire la quantité de porteurs minoritaires stockés dans la couche collecteur N- on
utilise des circuits d'antisaturation dont le plus classique est le " Backer Clamp"

D1
C
IB1 Ds
D2
B
VCE

(IB2<0)
E
D3

Haute tension Bassetension

Lorsque la tension VCE passe en dessous d'un certain niveau, la diodeD1 conduit et dérive
une partie du courant base (IB1).
Le seuil de tension de la diode D2 est voisin de celui de D1 : la tension VCB est maintenue
autour 0 Vce qui empêche la saturation du transistor (VCE#1V).
La diodeD3 permet d'appliquer le courant négatif IB2 pour extraire les charges au moment du
blocage.
REMARQUE:
La diode D1 doit tenir la tension d'alimentation (en général cesera une diode Haute
tension)
Elle doit être plus rapide au blocage que la jonction B-C, pour éviter une surtension sur le
circuit de commande au moment où le transistors'ouvre.
La diode D2 doit avoir un faible VF dynamique (VFP) pour ne pas limiter le temps de montée
du courant base à lamise en conduction du transistor.

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 APPLICATION
RESEAU D'AIDE A LA COMMUTATION (*)
[ Snubber ]

Sans snubber
ICM
IC

VCE
VCEsat

D R Avec snubber
VCE ICM
C IC

VCE
dV/dt
VCEsat

Le circuit RCD "retarde" l'application de la tension àl'ouverture du transistor.

Cela permet de réduire considérablement les pertes dans le transistor.
( les pertes sont dissipées dans la résistance R du snubber lors de la décharge du condensateur
à la fermeture suivante du transistor.)

(*) ou Circuit d'aide à la commutation ( C.A.L.C )

APPLICATION
RESEAU D'AIDE A LA COMMUTATION
[ Snubber ]

IC Sans snubber
ICM
A IC
( sans snubber)
VCE
ICM
VCEsat

B Avec snubber
(avec snubber)
ICM
IC

VM VCE
VCE
VCEsat

Le réseau d'aide à la commutation permet d'utiliser des transistors ayant une

aire de sécurité plus petite. ( transistor+ rapide, réduction de coût..)

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 APPLICATION

Domaines d'application

ä SMPS / Chargeurs:
VCES: 700V - 1000V / IC: 5A- 30A

ä Télévision /Monitor : Circuit de balayage horizontal.

VCES: 1500V / IC: 8A

ä Eclairage ( Ballast électronique )

VCES: 700V - 1000V / IC: 2A - 10A

Motifs d’utilisation

ä Commande en courant

ä Faible chute de tension àl’état passant

ä Contrôle linéaire

APPLICATION

Ballast électronique

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 LE DARLINGTON

CONFIGURATION DU DARLINGTON

ICD β
IC1

IB1 IC2
T1
β = f(IC)
T2 pour un
transistor bipolaire
IB1 + IC1 IC
ICD = IC1+IC2
IB2=IC1+IB1

L'association des 2 transistors T1 et T2 permet d'obtenir un gain élevé :

ICD/IB1 =βD = β 1.β 2 +β1+β 2 (βD = gain du darlington)

Le montage Darlington est intéressant :

- pour les commutateurs à fort niveau de courant .
(utilisation du composant à forte densité de courant)
- dans le cas de transistor haute tension.

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 FONCTIONNEMENT DU DARLINGTON

ICD
IC1
Diode
B-C
IB1 IC2
T1
T1 IB1
B T2
T2
Diode
IB1 + IC1
B-E
(IB2<0)
S.U.D

Le transistor T1 joue le rôle de circuit d'antisaturation pour T2:

- T1 fonctionne en régime sursaturé.
- T2 en régime non saturé.
Conséquences :
- La chute de tension àl'état passant sera +élevée qu'un transistor bipolaire.
- Le temps de commutation àl'ouverture ( toff ) sera plus long:
Il faut d'abord évacuer les charges dans T1, ensuite ouvrir T2
Une diode supplémentaire (S.U.D) est nécessaire pour accéder à la base de T2.
( Speed-Up diode )

CONDUCTION

Tr. Bip

ICD ICD
IC1
IC nom.

IB1 VCE1sat
T1 IC2
VCE2
T2 Darlington
IB1 + IC1
VBE2sat
VCE2
0 VCE#1.5v - 2 v
VCE2 = VCE1sat + VBE2
Seuil de tension: VBE

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 DARLINGTON INTEGRE

B T1 D1
R1
T2

D2 R2

- R2 est une résistanceintégrée destinée à écouler le courant de fuite de T1

à la masse sans être amplifié par T2.
- D2 est la diode "Speed-up" absolument nécessaire pour ouvrir rapidement T2.

R1 est une résistance "parasite". Elle est suffisamment élevée pour ne pas réduire le gain de
T1.
D1 est une diode "parasite" (due à la réalisation de R2).
Ce n'est pas une diode rapide. Elle ne peut pas être utiliséecomme diode de roue-libre.

DARLINGTON :

Domaines d'application

ä Automobile : Circuit d'allumage.

500V / 10-15A

ä Télévision /Monitor : Circuit de balayage horizontal.

1400V / 8A

ä Applications Industrielles.
400V-600V / 100A.

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 BACK-UP

FERMETURE SUR CHARGE INDUCTIVE

1) FERMETURE AVEC UN COURANT INITIAL NUL

+Va
+Va L
Cp Icapa VCE
IL
IL Icapa tension et courant
IC=IL+Icapa
dans le transistor

VCEsat
IB T
VCE IC

Pon

Cp = Capacité parasitetotale
( Charge L + diode roue-libre)

Au début de la commutation le courant dans l'inductance est nul. Il croît ensuite avec la pente Va/L
Les pertes sont dues essentiellement au courant de charge des capacités parasites Cp.

Won = 1/2 Cp Va²

19
 FERMETURE SUR CHARGE INDUCTIVE

2) FERMETURE AVEC UN COURANT INITIAL NON NUL (= IL)

Va

VCE IL+IRM
Va IL ID
IC
IL dIC/dt fixé
L par le transistor
D
dIC/dt VCEsat

t0 t1 t2
T
IT)

Pon P1 P2

Quand le transistor seferme, la diode roue-libre D

conduit et "court-circuite" la charge. La tension VCE
reste égale à la tension d'alimentation Va. Cet état IL trr et I R M
ID trr caractéristiques de
subsiste jusqu'au blocage de la diode (t=t2). Le la diode roue-libre
courant dans le transistor atteint, à cemoment là, la ta
valeur IL+IRM.
Pertes à la fermeture : Pon = P1 +P2
IRM
La partie la plus importante est :

P1 = 1/2 (IL+IRM)².Va. 1/(dIC/dt) . F

OUVERTURE SUR CHARGE INDUCTIVE

VCE
ICM ∆V Va Lp

IC Va
L
D
VCEsat

tf T
VCE IC)
IB1 IB
IB2

IB2

La décroissance du courant collecteur dIC/dt (=ICM/ tf)

provoque une surtension ∆V due à l'inductance parasite (Lp). On doit
ajouter également la surtension due au VF dynamique (VFP) de la
diode roue-libre D :
∆V = Lp .dIC/dt + VFP
Pertes à l'ouverture :

Woff =1/2 Va . ICM . tf + 1/2 Lp . ICM²

20