Chapitre 1 : Transistor Bipolaire présenté par Mme Melouk

Partie 1 : Rappel sur le fonctionnement du Transistor bipolaire

1.1. Définition d’un transistor bipolaire

Le transistor a été élaboré pour la première fois en 1948. Il est composé de deux jonctions,
placées en série, très proches l'une de l'autre et de polarité opposée.

Le transistor bipolaire est construit alors en juxtaposant trois couches de semiconducteur

dopés N, P puis N pour le transistor NPN ou dopés P, N puis P pour le transistor PNP.

Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de collecteur, IC, bien plus
important.

Les trois zones sont soudées à trois électrodes appelées émetteur, base et collecteur. Le
collecteur, reliée habituellement au boîtier du transistor, est la plus grandes des zones. La base
est la couche médiane (couche centrale) est une zone très fine séparant le collecteur de
l’émetteur. Les trois zones ont deux surfaces de séparations appelées jonctions : jonction
collecteur-base et jonction base-émetteur. D’où l’appellation fréquente de transistor à jonction
et ces jonction (ou diodes) se partagent la région centrale la base.

Figure 1.1 : Structure transistor NPN et PNP

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1.2 Symbole

Schématiquement, on représente les transistors comme indiqués sur la figure 1.2 et on associe
à chacun six grandeurs électriques : trois courants et trois tensions.

Figure 1.2 : Symboles des transistors NPN et PNP

Le transistor de type PNP a un fonctionnement identique mais les courants et les tensions
fléchés comme précédemment sont tous négatifs (les courants réels vont en sens inverse de
celui qu’indique les flêches).

La flèche indique :

- L’ émetteur
- Le type de transistor
- Le sens de courant de l’émetteur et les autres sens des courants du collecteur et de la
base.

On a bien évidemment IE = IB + IC et VCE = VCB + VBE

1.3 Relations fondamentales en courant

Avec est le gain en courant, il est très grand

Avec est un coefficient presque égale à l’unité on aura donc

1.4 Réseau Caractéristiques statiques du transistor

Quatre grandeurs caractérisent le comportement externe du

transistor :

- le circuit d’entrée IB en fonction VBE

- le circuit de sortie IC en fonction VCE

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Fondamentalement, il est important de retenir les propriétés suivantes :

• la courbe IB = f (VBE ) correspond au fonctionnement de la jonction base - émetteur. Il s’agit

donc de la caractéristique d’une diode.

• le courant de collecteur IC et le courant de base IB sont liés par la relation fondamentale IC =

IB. Le gain est une caractéristique intrinsèque du transistor. Il s’agit de son gain en
courant. Il est, en général, de l’ordre de quelques dizaines à quelques centaines, selon les
types de transistor ;

• la fonction IC = f (VCE) dépend de la valeur de IB , ce qui nous donne, finalement, un réseau

de caractéristiques.

Figure 1.3 : Réseau caractéristiques du transistor.

Une fois placé dans un montage, le transistor présente des différences de potentiels et des
courants donnés. En règle générale, on commence par polariser le transistor, c’est-à-dire par
définir les valeurs continues des tensions de base, d’émetteur et de collecteur. Cela permet de
définir un point particulier, dit de polarisation, sur le schéma de la figure 1.3. Cette opération
est réalisée en choisissant judicieusement les composants environnant le transistor
(généralement des résistances). Il est ainsi possible de placer le point de fonctionnement où
l’on souhaite sur le réseau de caractéristiques de la figure 1.3.

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1.5 Montages universels du transistor

Dans le but de faciliter l’étude du transistor dans les circuits électroniques, ce dernier est
transformé en quadripôle par la mise en commun d’une des trois connections, nous obtenons
donc trois montages fondamentaux :

- Montage Emetteur Commun (EC) : c’est le montage le plus utilisé en amplification

- Montage Base Commun (BC) : utilisé en haute fréquence
- Montage collecteur Commun (CC) : utilisé en adaptation d’impédance.

1.5.1 Montage Emetteur Commun (EC)

Le montage est présenté sur la figure 1.4.

Figure 1.4 : Montage Emetteur Commun (EC).

1.5.2 Montage Base Commune (BC)

Le montage est présenté sur la figure 1.5

Figure 1.5 : Montage base Commune (BC).

1.5.3 Montage Collecteur Commun (CC)

Le montage est présenté sur la figure 1.6.

Figure 1.6 : Montage collecteur Commun (CC).

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1.6 Polarisation du transistor

Il existe différents types de circuits de polarisation du transistor tout en le connectant à des

sources continues de façon à ce que l’effet transistor soit toujours obtenu. Des résistances
seront associées aux circuits de polarisation pour limiter les courants au niveau de chaque
borne de transistor et aussi elles permettent de bien choisir le point de fonctionnement du
transistor.

1.6.1 Polarisation par résistance de base :

a) Sans résistance d’émetteur RE :

Figure 1.7 : Polarisation d’un transistor.

Le point de polarisation d’attaque et de charge permet de connaitre l’état de fonctionnement

du transistor. Les coordonnées de ces points sont déterminées par les variables : IB, VBE, IC et
VCE :

𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∙ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 (1.1)

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 ∙ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 (1.2)

L’équation (4.1) nous donne : 𝐼𝐵 = (𝑉 𝐵𝐵 −𝑉 𝐵𝐸) /𝑅𝐵 (1.3)

L’équation (4.2) nous donne : 𝐼𝐶 = (𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐶𝐸)/𝑅𝐶 (1.4)

Avec 𝐼𝐵 = ( 𝐵𝐸 )= 𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸/𝑅𝐵 est appelée : Droite d’attaque statique.

I𝐶 = 𝑓 (𝑉 )= 𝑉 𝐶𝐶 −𝑉 𝐶𝐸 /𝑅𝐶 est appelée : Droite de charge statique.

Figure 1.8 : La droite d’attaque et la droite de charge statique.

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b) Polarisation par résistance de base avec RE :

Figure 1.9 : (a) Polarisation par résistance de base avec RE, (b) lorsque VBB=VCC=E

Le principe de calcul du point de fonctionnement se fait de la même façon du cas précédent

où on doit tout d’abord trouver les expressions des équations de la droite d’attaque et de la
droite de charge.

V𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∙ I𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 (1.5) 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝐼𝐸 = IC= 𝛽 𝐼𝐵

IB = (VBB-VBE)/RB+ 𝛽RE (1.6)

VC = RC . IC + VCE + RE . IE = RC . IC + VCE + RE . Ic

VCE = VCC-(RC + RE) . IC

4.6.2 Polarisation par pont diviseur :

En appliquant le théorème de Thévenin pour le circuit vu par la base du transistor, on

obtiendra le schéma équivalent donné par la figure 1.10 :

Figure 1.10 :(a) Polarisation par pont de base, (b) circuit équivalent par Thévenin.

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1.7 Transistor en régime dynamique :

L’étude d’un circuit amplificateur se subdivise en deux : étude statique déjà fait et étude
dynamique. :

Etude statique = polarisation du transistor, droite de charge statique et calcul du point de

fonctionnement.

Etude dynamique = Calcul du gain en tension, gain en courant, impédance d’entrée,

impédance de sortie.

1.7.1 Schéma équivalent d’un transistor en alternatif :

Prenons comme exemple le montage émetteur commun tel qu’il est présenté sur la figure 1.4

Les grandeurs électriques (tension et courant) qui existent aux différentes bornes du transistor
sont constituées de deux composantes : Une composante continue due au circuit de
polarisation et une composante alternative due au signal utile.

Les différentes grandeurs électriques sont données par les expressions suivantes :

VBE= Vbe +VBE Tension entre base et émetteur

iB = ib +IB Courant de base

VCE = Vce +VCE Tension entre collecteur et émetteur

iC= ic + IC Courant de collecteur

Avec VBE, IB, VCE et IC : Composantes continues, et Vbe, ib, Vce et ic : Composantes
alternatives.

Par conséquent, l’association des deux circuits (entrée et sortie) nous donne le schéma global
suivant :

Figure 1.11 : Schéma équivalent global du transistor bipolaire.

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Avec

v𝑏𝑒 =h11 𝑖𝑏 +h12𝜈𝑐𝑒

i𝑐 = h21 𝑖𝑏 + h22 v𝑐𝑒

Avec

Le circuit précédent peut être simplifié en négligeant h 12 (valeur très petite), on obtient :

Figure 1.12 : Schéma équivalent simplifié du transistor bipolaire.

1.8 Amplification à plusieurs étages :

Si l’amplificateur à un seul transistor ou à seul étage ne suffit pas ou son impédance d’entrée
ou de sortie n’est pas compatible avec les autres éléments où il est intégré, la solution est
d’associer plusieurs étages en cascade telle que l’amplification totale est égale au produit des
amplifications des étages constituants. Pour deux étages par exemple :

Figure 1.13 : Amplification à deux étages. La sortie 1= L’entrée 2.

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L’impédance d’entrée de l’ensemble est celle du premier étage et l’impédance de sortie est
celle du dernier.

Il existe différentes manières de liaisons des étages entre eux dans l’amplificateur : liaison par
condensateur de couplage, liaison par transformateur ou liaison directe comme le montage
Darlington.

Montage Darlington :

C’est la connexion de deux transistors (collecteur commun), il permet d’obtenir une

impédance d’entrée élevée :

Figure 1.14 : Montage Darlington.

Les deux transistors seront traités comme un seul transistor ayant un gain très élevé. Ils sont
montés dans un même boitier d’où sortent trois broches : E, B et C.