Support Cours Diode Transistors Ajaamoum 2019

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DUT-Informatique / S2 2019/2020
COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
DUT-Informatique / S2
Prof. Mohamed Ajaamoum

[email protected]
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E.S.T. Guelmim M.Ajaamoum 1/26
Sommaire
I-PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS :

1- Introduction
2- Théorie des semi-conducteurs
3-Semi-conducteur pur
4- Dopage d'un semi-conducteur
5- Effet diode, la jonction P - N
II-Les diodes & transistors
1-Diode :Caractéristique - modèle de diode
2-Type des diodes : Diode Zener - Diode SCHOTTKY - Diode VARICAP
3. Transistor bipolaire
4. Fonctionnement à collecteur ouvert
5. Fonctionnement à collecteur fermé
6. Caractéristiques
7. Polarisation ( en statique )
8. fonctionnement en commutation.
9. Modèle et équations aux petits signaux ( B.F. et M.F. )
10. Modèle du transistor bipolaire en H.F.
11.Réponse en fréquence du gain en courant du transistor
bipolaire.
12. Fréquence de transition fT du transistor bipolaire.
13. Quelques caractéristiques techniques
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1- Introduction
L’électronique est la discipline qui s’intéresse aux dispositifs électriques

construits autour de la technologie des semi-conducteurs. La plupart du temps, les
courants et les tensions mis en œuvre restent de faible amplitude, excepté en
électronique de puissance.
Le traitement du signal, les automatismes, l’informatique et d’une manière plus
générale, une grande partie des appareils que nous utilisons quotidiennement possèdent
des systèmes électroniques. Que ce soit pour la commande des processus, le traitement
de l’information, le contrôle ou la mesure des phénomènes, l’électronique apporte des
solutions simples, fiables et souples à un grand nombre de problèmes techniques.
Historique
L’utilisation de semi-conducteur sous forme cristalline remonte au début du siècle
dernier. On constata que la galène (sulfure de plomb polycristallin) jouait le rôle d’une
diode lorsqu’on réalisait un contact entre une pointe métallique et un de ses cristaux.
Les redresseurs à l’oxyde de cuivre, puis au silicium ont été également utilisés, grâce à
leur caractère unidirectionnel.
Vers 1942-1945, on fabrique le premier monocristal de germanium. L’équipe de la
Bell, formée de Shockley, Bardeen et Brattain crée, en 1947, le premier transistor
bipolaire à jonctions. En 1952, ce dernier publie la théorie du transistor à effet de
champ ; Dacey et Ross réalisent le premier élément en 1953, avec du germanium.
Puis le silicium prend peu à peu l’avantage sur le germanium, grâce à sa gamme de
température d’utilisation plus large et son traitement plus facile. En 1962, à partir de la
théorie élaborée deux ans auparavant par Kahng et Attala (Bell), Hofstein et Heiman
(RCA) réalisent le premier transistor MOS. Vers la même époque, en 1959, Texas
brevète le circuit intégré et Fairchild, en 1960, met au point le procédé planar. L’ère du
circuit intégré est commencée !
2-Théorie des semi-conducteurs :
Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification

périodique des éléments (voir le tableau 1.1). Ce sont le germanium, et surtout le silicium.
Tableau 1. Classification périodique de Mendeleiev
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Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, très stables, chaque atome
mettant un électron périphérique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche
périphérique se trouve ainsi complétée à huit électrons, ce qui est une configuration très
stable.
Au zéro absolu, il n’y a pas d’agitation thermique et tous les électrons périphériques
participent aux liaisons covalentes ; aucun n’est donc libre pour participer à la conduction
électrique : le corps est isolant.
Lorsqu’on élève la température, l’agitation thermique permet à quelques électrons de se
libérer de la liaison covalente, et d’être mobiles dans le cristal. Figure 1. (b).
L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités
électriques, intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants.
Figure 1.Liaison de covalence en (a) et création d’une paire électron trou en (b).
En quittant sa position initiale, un électron devenu libre laisse derrière lui un «

trou ». L’atome étant initialement neutre, un trou est donc chargé positivement. Ce trou
peut bien sûr être comblé par un autre électron libre venu d’un atome voisin. Dans ce
cas, le trou « se déplace » en sens contraire du déplacement de l’électron. La conduction
électrique peut tout aussi bien être interprétée comme un déplacement de trous que
comme un déplacement d’électrons.
Les électrons libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les
porteurs de charge positifs.
1.1 Classement par résistivité :

Si l’on classe les éléments chimiques solides à la température ambiante en fonction de
leurs résistivités, on constate qu’il se place dans leurs grande majorités en deux
groupes.
Isolant :
[ 106 ≤ ρ ] Ω .Cm
Conducteur :
[ ρ ≤ 10-6] Ω .Cm
Semi-conducteur : Quelques éléments ont une résistivité intermédiaire. Pour cette
raison ils ont le nom de semi-conducteur
[ 10-6 ≤ ρ ≤ 106 ] Ω. Cm
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NOTE :
La résistivité d'un matériau ρ : représente sa capacité à s'opposer à la circulation
du courant électrique. Elle correspond à la résistance d'un tronçon de matériau
d'un mètre de longueur et d'un mètre carré de section et est exprimée en ohms
mètres (Ω⋅m)
a- Conducteurs
Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant électrique. Les
meilleurs conducteurs sont des matériaux constitués d’un seul élément comme le cuivre,
l’argent, l’or et l’aluminium, ces éléments étant caractérisés par un seul électron de
valence faiblement lié à l’atome. Ces électrons de valence peu retenus peuvent
facilement se détacher de leurs atomes.
b- Isolants
Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des
conditions normales. La plupart des bons isolants sont des matériaux composés de
plusieurs éléments, contrairement aux conducteurs. Les électrons de valence sont
solidement rattachés aux atomes, laissant très peu d’électrons libres de se déplacer
dans un isolant.
c- Semi-conducteurs
Un semi-conducteur est un matériau se situant entre le conducteur et l’isolant. Un
semi-conducteur à l’état pur (intrinsèque ) n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant.
Les éléments uniques les plus utilisés pour les semi-conducteurs sont le Silicium, le
Germanium et le carbone.
1.2 INTRODUCTION À LA THÉORIE DES BANDES
Niveaux d’énergie d’un atome isolé

Considérons un atome isolé : les électrons qui gravitent autour du noyau ne
peuvent occuper que certains niveaux d’énergie autorisés, définis par la mécanique
quantique. Le remplissage des électrons se fait donc par couches ; sur chacune de ces
couches, les niveaux d’énergie des électrons sont très proches les uns des autres.
L’atome de silicium est ainsi représenté en figure 2.
Figure 2. Atome isolé de silicium.
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On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de

conduction par des bandes d’énergies (figure 3):
• bande de valence : tant qu'un électron se trouve dans cette bande, il participe à une
liaison covalente au sein du cristal ;
• bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se trouver
dans cette bande ; il est alors mobile et peut participer à un phénomène de conduction ;
• bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas
prendre des niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la
bande de valence et la bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour
rendre un électron mobile, il faut donc impérativement apporter de l’énergie en quantité
suffisante pour franchir ce véritable fossé (gap en anglais).
L’énergie d’un électron se mesure en électron-volts (eV) : 1 eV = 1,6 x 10-19 J.
Figure 3
En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande

interdite, les matériaux peuvent être isolants, conducteurs ou semi-conducteurs (figure
4).
Figure 4
La principale différence entre un conducteur et un semi-conducteur réside dans le

fait que dans le premier, il n’y a pas ou peu de bande interdite, voire même
chevauchement des bandes de valence et de conduction. Les électrons sont donc a priori
mobiles et l’application d’un faible champ électrique génère une circulation de nombreux
électrons. Dans un semi-conducteur, il y a beaucoup moins d’électrons mobiles. Le
matériau est donc moins conducteur.
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3- Semi-conducteur pur
Dans un cristal pur (semi-conducteur intrinsèque), le nombre de paires électron-

trou créées dépend beaucoup de la température, ainsi que de la cohésion des liaisons
covalentes (c’est-à-dire de la difficulté à arracher un électron au réseau cristallin) du
corps considéré.
Dans, le diamant, à température ambiante, la quantité de paires électrons-trou créées
est négligeable, et celui-ci est donc un isolant. Les seuls corps simples utilisés en tant
que semi-conducteur sont donc le silicium et le germanium (ce dernier n’est pratiquement
plus utilisé). Mais on utilise actuellement de plus en plus de composés, le plus souvent des
alliages binaires, de corps trivalents d’une part (colonne III du tableau 1), et
pentavalents d’autre part (colonne V). L’Arséniure de Gallium (AsGa) prend ainsi une
importance croissante dans les nouveaux dispositifs semi-conducteurs, principalement
aux fréquences élevées. On peut citer encore, comme semi-conducteur composé le
sulfure de Cadmium (CdS) utilisé dans les photorésistantes, l’antimoniure d’indium
(InSb). Le cristal formé possède les mêmes propriétés que les corps simples semi-
conducteurs, les atomes trivalents et pentavalents étant en quantité identique (les
couches externes des atomes sont donc complétées à 8 électrons).
Semi-conducteur extrinsèque
L’utilisation du semi-conducteur pur présente assez peu d’intérêt. L’utilisation de
semi-conducteur dans la plupart des composants électroniques se fait dans un état dit
dopé (semi-conducteur extrinsèque), par opposition avec le semi-conducteur pur, ou
intrinsèque.
4- Dopage d'un semi-conducteur
Semi-conducteur de type N
Supposons par exemple que dans un semi-conducteur très pur, on introduise
volontairement un corps pentavalent (métalloïde : phosphore, arsenic, antimoine) dans
une proportion (taux de dopage) d’un atome d’impureté pour 105 à 108 atomes de
semiconducteurs. On a alors, dans le cristal, la situation schématisée en figure 5.
Figure 5 . Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres.
L’électron en surplus n’entrant pas dans une liaison covalente n’est que faiblement
lié à l’atome pentavalent. À la température ambiante, il est libre dans le semiconducteur
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(à cause de l’agitation thermique) et participe à la conduction. Il en est pratiquement

ainsi de tous les électrons en excès venant de l’impureté pentavalente.
Le semi-conducteur extrinsèque ainsi constitué est dit de type N. L’impureté dans ce cas
est appelée donneur.
Remarque : La neutralité globale du semi-conducteur est bien sûr conservée, à chaque
électron libre dans le cristal, correspondant un ion positif d’impureté dans le même
cristal.
Semi-conducteur de type P
Introduisons maintenant dans le semi-conducteur intrinsèque, en faible quantité,
un corps trivalent (par exemple Bore, Aluminium, Gallium ou Indium). Les atomes de
cette impureté vont se substituer, de place en place, à ceux du semi-conducteur : figure
6.
Une lacune apparaît dans la liaison covalente, à l’endroit de chaque atome accepteur. À la
température ambiante, cette lacune est comblée par un électron voisin sous l’effet de
l’agitation thermique, formant un trou positif dans le cristal, libre de se déplacer à
l’intérieur de celui-ci. On trouve donc, à température ambiante, pratiquement autant de
trous libres que d’atomes accepteurs. Bien sûr, la neutralité du cristal est conservée
globalement chaque atome accepteur étant ionisé négativement après capture d’un
électron. Le semi-conducteur extrinsèque ainsi crée est dit de type P.
Figure 6. Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.
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5- Effet diode, la jonction P - N
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II-Les diodes & transistors

Avant d’étudier le transistor bipolaire, nous rappellerons certaines caractéristiques des
diodes.
1. Diode
Une diode à jonction est un composant formé par la succession des matériaux suivants :
métal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N et métal. Les deux zones
métalliques qui servent de contact sont appelées anode et cathode. Les semi-
conducteurs constituent une jonction.
Symbole d’une diode :
Caractéristique - modèle de diode
La diode conduit (ID≠0) dans le sens de la flèche qui représente la diode. Il faut donc
que le potentiel de l’anode soit supérieur au potentiel de la cathode (V Anode>VCatode 
VD=VA-VC = VS). Autrement elle est bloquée (ID=0 ; VD=VA-VC  VS ).
Expression du courant de la diode ID en fonction de VD :
V 
I D  I S . exp  D  1  : IS est le courant inverse (très faible)
VT 
V  VD 0.7 V
Dans le sens passant : I D  I S . exp  D  ;   28  1
VT  VT 25 mV
avec VT = 25mV à 52mV selon la température (pour T=25°C : VT=25 mV)
IS est très faible typiquement de l’ordre de 10-9A.
Remarque :
Quand la diode est passante (VD≥VS) elle impose sa tension seuil VS.
La caractéristique peut être modélisée en diode idéale ou diode linéarisée suivant les
conditions d’utilisation :
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Symbole Modèle
Dans le sens passant la diode est équivalente à une f.e.m. VS en série avec une résistance
dynamique rD.
La tension seuil pour le silicium est d’environ 0,6 V et sa résistance dynamique est :
(en terme d’admittance)
1 I I V  ID VT
 D  S . exp  D    rD 
rD VD VT VT  VT ID
2.La diode Zener

Symbole :
Caractéristique
 En direct la diode
zéner est identique à
une diode.
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 En inverse le courant est pratiquement nul (I < 1µA) si |Vac| < Vz, on dit que la
diode est bloquée.
 En inverse si |Vac|> Vz, il y a " effet zéner " c'est à dire que la tension Vac varie
très peu (|Vac|= Vz).
 En zéner la puissance perdue dans le composant s'élève quand le module du
courant augmente. Le constructeur spécifie le courant maximal en zéner.
 On trouve dans le commerce des composants spécifiés avec Vz0 de 2V à 400V.
Pour les fortes puissances les composants doivent être montés sur un dissipateur.
 Les diodes zéner sont utilisées pour leur aptitude à produire une valeur de Vac
très stable vis à vis du courant I en zéner. Soit comme source de tension de
référence, soit en stabilisation de tension.
Autre type de diodes :
Diode SCHOTTKY :
Ce sont des diodes formées d’un semi conducteur N ou P

et d’un métal. La tension directe est plus faible et le
temps de recouvrement et pratiquement nul.
Diode VARICAP :
Ce sont des diodes à capacités variables. Cette capacité dépend de la tension inverse
impliquée.
40 * 10 12
CT  0.2 * 10 12  pF
VR  0.4
VR tension inverse.
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3. Transistor bipolaire
Il est formé de deux jonctions résultant de l’association de trois semi-conducteurs de
type N-P-N ou P-N-P. L’effet transistor provient de la proximité des deux jonctions. La
zone intermédiaire étroite et faiblement dopée est la base B, les deux zones extrêmes
sont l’émetteur E fortement dopé et le collecteur C.
4. Fonctionnement à collecteur ouvert
La jonction Base-Emetteur n’est autre q’une diode polarisée en direct, le courant direct
IB dépend des éléments extérieurs (ici de RB et VBB). La caractéristique IB = f(VBE) est
une caractéristique de diode.
Sa résistance dynamique est :
V
rbe  T (VT=25mV à 25°C).
IB
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5. Fonctionnement à collecteur fermé
La polarisation de la base est inchangée. La jonction Base-Emetteur est toujours

polarisée en direct. Le courant IB ( =(VBB-VBE) / RB ) est inchangé. La polarisation de la
jonction Base-Collecteur est en inverse, VBC = -VCC + VBE  -VCC . Les électrons injectés
par l’émetteur dans la base se trouvent en grande partie happés (attirés) par le
collecteur. En zone P, les électrons sont accélérés par le fort champ électrique de la
jonction Base-Collecteur. Bien que la jonction Base-Collecteur soit polarisée en inverse, il
existe un courant IC important contrôlé par IB. C’est l’effet transistor. L’émetteur émet
les électrons, le collecteur les collecte.
On a IC  α .IE avec  légèrement inférieur à 1.
D’autre part
IE  IC  I B
D’où :
α α 0.998
IC  .I B  I C  β  I B avec β    499  1
1 α 1  α 0.002
 représente le coefficient d’amplification en courant (20 à 800 selon les transistors) .
Le transistor bipolaire se comporte comme une source de courant commandée par le

courant de base. (On injecte à l’entrée un courant IB faible est à la sortie on a un grand
courant IC  β .I B .
Note.
La présence du courant IB implique la présence du courant IC. L’inverse est faux.
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6. Caractéristiques
- La caractéristique d’entrée est celle d’une diode :

V  V
I B  I S . exp  BE  et rbe  T
 VT  IB
- La caractéristique de transfert est une droite à peu près indépendante de VCE .
- Les caractéristiques de sortie sont des droites horizontales avec une légère pente.
V
Donc IC dépend aussi légèrement de VCE : IC  β .I B  CE où 1/rce est très faible.
rce
(rce est la résistance dynamique entre collecteur et emmeteur).
V
La démonstration de l’équation IC  β .I B  CE provient du fait que :
rce
On condiérant la cartéristique de sortie :
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ΔI C 1 V
On a : tg ( α )    ΔIC  CE 0 et finalement :
VCE 0 rce rce
V
IC  IC 0  ΔIC  β.IB 0  CE 0
rce
7. Polarisation ( en statique )
Le montage utilisé le plus couramment est celui représenté ici, c’est le montage
émetteur commun. L’émetteur est le point commun de potentiel.
Les équations des circuits extérieurs sont :
- en entrée VBE  VBB  RB  IB c’est l’équation de la droite d’attaque.

- en sortie VCE  VCC  RC  IC c’est l’équation de la droite de charge statique.
Il faut
- soit reporter ses droites sur le réseau des caractéristiques, les intersections
donneront le point de polarisation (point de fonctionnement au repos),
- soit les combiner avec les équations linéarisées des caractéristiques.
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8. fonctionnement en commutation.
Sur le réseau de sortie, on peut repérer deux points extrêmes de fonctionnement :
En S le transistor est saturé En B le transistor est bloqué
I B  I BJS IB  0
V
S : I C  VCC VCEsat / RC  CC  I Csat B : IC  0
RC
VCE  VCEsat VCE  VCC
ICsat V
IBJS est le courant IB de juste saturation : I BJS   CC
β β  RC
Le fonctionnement sur ces deux états Bloqué/Saturé permet de réaliser des fonctions
de commutation.
Exemple de commande de relais :
Le transistor permet de commander le relais en

tout ou rien à partir du signal Ve. Le relais
comprend entre ses bornes un bobinage que l’on
peut assimiler à une inductance L en série avec
une résistance r. La diode D est une diode de
roue libre qui assure la continuité du courant dans
l’inductance du relais au blocage du transistor.
Sans la Diode D une surtension destructrice pour
le transistor se produirait.
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9. Modèle et équations aux petits signaux ( B.F. et M.F. )
Une variation de Vbe provoque une variation de IB donc de IC et en fin celle

de Vce.
dVbe ΔVbe
Donc, Vbe  Vbe0  ΔVbe et en régime de variation : 0   v be
dt dt
Par la suite toutes les lettres minuscules représentent une variation de la grandeur
quelle représente.
 v be  rbe .ib  h11  ib  hie .ib
1
ic  β .i b  .v ce  h21  i b  h22 v ce  hfe .i b  hoe .v ce
rce
Avec :
VBE
h11  rbe  hie   résistance d' entrée
I B
IC
h21  β  hfe   coefficient d' amplification en courant
I B
1 IC
h22   hoe   admittance dynamique de sortie
rce VCE
La jonction base-émetteur n’est autre qu’une diode donc :

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VT V
rbe   β. T
IB IC
Et
v be I
β  ib  β .  β . B .v be  gm .v be
rbe VT
I I β
 gm  β . B  C ou gm 
VT VT rbe
IC=courant de repos du collecteur

On remarque que les deux paramètres rbe et gm sont déterminés par le courant de
polarisation IC donc on peut les calculer lors de l’étude statique.
1
D’après v be  rbe .ib et ic  β .ib  .v ce on peut représenter le transistor par le modèle
rce
suivant :
Le calcul de rce peut être fait de la manière suivante :

On remarque que la prolongation des droites de la caractéristique de sortie fait
apparaître un point de rencontre VA (qui est la tension d’Early). Chaque droite émanant
de cette prolongation peut être mise sous la forme IC=a+b.VCE.
Pour VCE  VA  IC  0  0  a  b ..VA

Pour VCE VCE .repos  IC  IC .repos  IC .repos  a  b ..VCE .repos
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1 VA VCE .repos VA VCE .repos

  rce  et comme VA est négative  rce 
b IC .repos I C .repos
10. Modèle du transistor bipolaire en H.F.

Tout ce qui a été dit jusqu'a présent ne concerne que le fonctionnement a faible
fréquence (inférieure a quelques centaines de kHz). Pour des fréquences plus élevées, on
utilise un schéma équivalent du transistor différent, rendant mieux compte de ce qui se
passe physiquement (les performances du transistor chutes en hautes fréquences).
Ce modèle introduit des capacités parasites, et donc, les paramètres du transistor

deviennent complexes (au sens mathématique du terme !).
Schéma équivalent de Giacoletto d’un transistor en haute fréquence
Le schéma ci-dessus présente en plus des éléments du montage basse fréquence :

- une base B' virtuelle et interne au transistor. L'équivalent de h11=rbe est rbb’ + rb’e.
rbb’ sera faible (moins de 100 en général), inférieure a rb’e.
- une capacité base-émetteur Cb’e qui viendra shunter rb’e en haute fréquence. Pour des
petits transistors standards (2N2222 par exemple), elle est de l'ordre de 30pF.
- une résistance rb’c (très grande, qui sera souvent négligée) en parallèle avec Cb’c qu'on
appelle capacité Miller. L'ordre de grandeur pour Cb’c est de 10pF (2N2222). Elle est
prépondérante dans la limitation en fréquence du fonctionnement du transistor.
Ce schéma est plus délicat a manipuler que celui utilisé jusqu'a présent dans ce cours,
donc, on ne l'utilisera que quand ce sera nécessaire, soit pour des fréquences
supérieures a 100 kHz.
Il permet de démontrer notamment la supériorité du montage base commune par rapport
à l'émetteur commun en haute fréquence, ce qui était infaisable avec le schéma
simplifié.
Du fait que rbb’ << rb’e et que rb’c est très grand, on utilisera le Schéma équivalent de
Giacoletto simplifié :
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Schéma équivalent de Giacoletto simplifié d’un transistor en haute fréquence
11. Réponse en fréquence du gain en courant du transistor bipolaire.

Le transistor bipolaire est un générateur de courant dépendant : β.ib. Comment évolue
son gain en courant β en fonction de la fréquence compte-tenu de la présence des deux
capacités Cbe et Cbc ?
Le transistor bipolaire est excité par un générateur de courant continu IBrepos de

manière a fixer son point de repos ICrepos. On fait varier le courant de base autour de la
valeur de repos, à l’aide du générateur de courant ib = Im sin(ωt) de manière a créer des
petites variations ic(ω) du courant de collecteur.
Sachant que les deux capacités sont en parallèle, on pose : Ce = Cbe+Cbc :
rbe
v be  ib . ; ic  g m .v be
1  jw .rbe .C e
Et finalement :
ic gm .rbe
 β( w ) 
ib 1  jw .rbe .C e
Le produit (gm.rbe) est le gain en courant β0 du transistor aux très basses fréquences.
On écrit donc sous la forme de Bode :
β0
h21 ( w )  β( w ) 
f
1
fβ
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1
Le gain en courant du transistor est une fonction du premier ordre où fβ 
2.π .rbe .C e
est la fréquence de coupure à –3dB du gain en courant du transistor.
Le graphe du module de β(ω) en fonction de la fréquence est donné en figure suivante :
A partir de la fréquence fβ, le gain en courant chute avec une pente telle que : β(ω) est
divise par 10 par décade (soit -20dB/décade).
12. Fréquence de transition fT du transistor bipolaire.

A la fréquence dite de « transition » fT, le gain en courant est égal a 1. Au-delà, le
transistor devient un atténuateur de courant. Autrement dit, fT représente la fréquence
maximale d’utilisation du transistor. Elle est indiquée par tous les constructeurs de
composants.
Explicitons la fréquence de transition.
β  1 pour f = fT, soit :
β0
β  2
f 
1   

 fβ 
 fβ2 .β0  1   fβ2 . β02

2
Si f=fT et =1  fT
2
 1.fT  β0 .fβ
Et
β0 gm ICrepos
fT   
2 π .rbe C be  C bc  2 π .C be  C bc  2 π .VT .C be  C bc 
Dans le cas générale : 1.fT  A.fc ; A est l’amplification et fc et la fréquence de

coupure.
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13. Quelques caractéristiques techniques

VCEsat : Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est sature.
VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( a ne pas dépasser surtout
lorsqu’on souhaite saturer le transistor ).
β : gain en courant du transistor ( aussi noté hfe).
ton /toff : Temps de commutation ( passage bloqué - saturé et saturé - bloqué )
PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le
dissipateur thermique si besoin est).
14. Bilan énergétique

La puissance totale dissipée dans un transistor est :
Ptot  Pe  Ps Vbe .IB Vce .Ic Vce .Ic
Or la puissance que peut dissiper un transistor est limitée. Cette limitation est due à
l'élévation de la température du silicium qui ne peut dépasser une valeur maximale, dite
température maximale de jonction. Cette grandeur est une donnée caractéristique de
chaque transistor. Cependant elle se situe le plus souvent dans la plage :
125°C <Tjmax <200°C
Tjmax : température max de la jonction.

Dans le cas ou la température de jonction, calculée avec les paramètres de l'application
dépasse la température maximale de jonction autorisée pour le semi-conducteur, il est
nécessaire d'utiliser un dissipateur de chaleur appelé aussi refroidisseur ou radiateur,
afin d'améliorer le transfert des calories de la jonction vers l'air ambiant.
16. Calcul des radiateurs

Entre les deux faces d’une paroi traversée par un flux thermique P (puissance en watts )
il existe une différence de température :
ΔT = T1 –T2 = Rth .P
Rth est la résistance thermique de la paroi =Rth.AB : résistance thermique entre corps A
et corps B (en K/W ou en °C/W).
Dans un transistor, la puissance thermique P=VCE.IC est créée au niveau de la jonction de
collecteur. Cette puissance doit d’abord passer du matériau au boîtier, puis du boîtier au
radiateur et enfin du radiateur a l’air ambiant. Ces trois interfaces sont parcourues par
la même puissance.
__________________________________________________________________________________
Or on peut écrire :
Tjonction – Tambiante= (Tjonction-Tboitier)+(Tboitier-Tradiateur)+(Tradiateur-Tambiante)
C’est à dire en introduisant les résistances thermiques :
Tjonction – Tambiante=(Rth.jb+Rth.br+Rth.ra).P
Ou les Rth.xy sont les résistances thermiques des interfaces jonction boîtier, boîtier
radiateur et radiateur air.
Les performances thermiques des refroidisseurs dépendent de la conductivité
thermique de la matière utilisée (le plus souvent de l'aluminium), des dimensions de la
surface, de la masse et de la position du montage. Ces performances sont caractérisées
par la résistance thermique du radiateur Rth.ra du refroidisseur.
C'est cette valeur Rth.ra qu'il faut déterminer a partir des données de l'application et en
utilisant la formule :
T j max Ta
Rth .ra 
P
 
 Rth . jb  Rth .br
P: Puissance totale que doit dissiper le transistor

Tjmax: Température de la jonction maximale en °C, donnée par le fabricant du semi-
conducteur (à réduire de 20 a 30°C comme coefficient de sécurité)
Ta: Température ambiante en °C (à augmenter de 10 à 30°C pour tenir compte de la
radiation du refroidisseur)
__________________________________________________________________________________
Pour un boîtier TO3, voici quelques valeurs caractéristiques de Rth.br :

- Montage a sec, sans isolation: 0,05°C/W ≤ Rth.br ≤ 0,2°C/W
- Montage avec pâte thermique, sans isolation: 0,005°C/W ≤ Rth.br ≤ 0,1°C/W
- Montage avec mica (0,05 mm) et pâte thermique: 0,4°C/W ≤ Rth.br ≤ 0,9°C/W
- Montage avec entretoise en oxyde d'aluminium et pâte thermique:
0,2°C/W ≤ Rth.br ≤ 0,6°C/W
Exemple: Un transistor 2N3055 doit dissiper 40 W, sous une température ambiante de

25°C. Le montage sur le refroidisseur s'effectue avec pâte thermique et isolation mica
d’épaisseur (0,05 mm) : Rth.b-r=0.9°C/W. Les données du fabricant relatives au 2N3055
sont : Tjmax = 185°C et Rth.j-b = 1,5°C/W
Détermination de la résistance thermique maximale du refroidisseur nécessaire :

T j max Ta
Rth .r a 
P
 
 Rth . j b  Rth .b r  0.6 oC / W
avec Tjmax = 185 - 20 = 165°C (par sécurite)

Tamb = 25 + 20 = 45°C
Ce refroidisseur peut être réalisé en profile extrude SK 30 (Fischer Elektronik), de

longueur supérieure a 75 mm.
Remarque
La puissance maximale indiquée dans les caractéristiques commerciales est toujours la
puissance maximale admissible à 25°C. Considérons par exemple un 2N3055 où la
puissance max est de 80W. Cela veut dire que si le boîtier est maintenu a 25° la jonction
atteint la limite 185°C pour une puissance dissipée de 80W. La résistance jonction
boîtier est donc :
Rth.j-b=(185-25)/80 = 2 °C/W
__________________________________________________________________________________

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE DUT-Informatique / S2 2019/2020

COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Prof. Mohamed Ajaamoum

I-PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS :

L’électronique est la discipline qui s’intéresse aux dispositifs électriques

2-Théorie des semi-conducteurs :

Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification

Tableau 1. Classification périodique de Mendeleiev

En quittant sa position initiale, un électron devenu libre laisse derrière lui un «

1.1 Classement par résistivité :

1.2 INTRODUCTION À LA THÉORIE DES BANDES

Niveaux d’énergie d’un atome isolé

Figure 2. Atome isolé de silicium.

On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de

En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande

La principale différence entre un conducteur et un semi-conducteur réside dans le

Dans un cristal pur (semi-conducteur intrinsèque), le nombre de paires électron-

Figure 5 . Effet du dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres.

(à cause de l’agitation thermique) et participe à la conduction. Il en est pratiquement

Figure 6. Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.

5- Effet diode, la jonction P - N

II-Les diodes & transistors

Symbole d’une diode :

Caractéristique - modèle de diode

2.La diode Zener

Autre type de diodes :

Ce sont des diodes formées d’un semi conducteur N ou P

sont l’émetteur E fortement dopé et le collecteur C.

4. Fonctionnement à collecteur ouvert

5. Fonctionnement à collecteur fermé

La polarisation de la base est inchangée. La jonction Base-Emetteur est toujours

 représente le coefficient d’amplification en courant (20 à 800 selon les transistors) .

Le transistor bipolaire se comporte comme une source de courant commandée par le

- La caractéristique d’entrée est celle d’une diode :

- en entrée VBE  VBB  RB  IB c’est l’équation de la droite d’attaque.

En S le transistor est saturé En B le transistor est bloqué

Exemple de commande de relais :

Le transistor permet de commander le relais en

9. Modèle et équations aux petits signaux ( B.F. et M.F. )

Une variation de Vbe provoque une variation de IB donc de IC et en fin celle

 v be  rbe .ib  h11  ib  hie .ib

La jonction base-émetteur n’est autre qu’une diode donc :

IC=courant de repos du collecteur

Le calcul de rce peut être fait de la manière suivante :

Pour VCE  VA  IC  0  0  a  b ..VA

1 VA VCE .repos VA VCE .repos

10. Modèle du transistor bipolaire en H.F.

Ce modèle introduit des capacités parasites, et donc, les paramètres du transistor

Schéma équivalent de Giacoletto d’un transistor en haute fréquence

Le schéma ci-dessus présente en plus des éléments du montage basse fréquence :

Schéma équivalent de Giacoletto simplifié d’un transistor en haute fréquence

11. Réponse en fréquence du gain en courant du transistor bipolaire.

Le transistor bipolaire est excité par un générateur de courant continu IBrepos de

12. Fréquence de transition fT du transistor bipolaire.

 fβ2 .β0  1   fβ2 . β02

Dans le cas générale : 1.fT  A.fc ; A est l’amplification et fc et la fréquence de

13. Quelques caractéristiques techniques

14. Bilan énergétique

Ptot  Pe  Ps Vbe .IB Vce .Ic Vce .Ic