Action Des Rayonnements Sur Les Systèmes de Mesure

Action des rayonnements
sur les systèmes de mesure
par René PAYAT

Ingénieur du Conservatoire national des Arts et Métiers : Électronique-Physique
Ingénieur au DTA/DEIN/Saclay (Commissariat à l’Énergie Atomique),
Laboratoire de tests sous rayonnements ionisants
1. Généralités sur les rayonnements et les milieux nucléaires ....... R 740 - 2

1.1 Sources de radiations.................................................................................. — 2
1.2 Grandeurs et unités usuelles ...................................................................... — 2
1.3 Les équipements et les rayonnements ...................................................... — 4
1.4 Quand, pourquoi, comment tenir compte des radiations
pour les équipements.................................................................................. — 5
1.5 Interactions avec la matière (notions)........................................................ — 5
2. Actions sur les équipements électroniques ..................................... — 5
2.1 Les rayonnements et les composants électroniques actifs ..................... — 5
2.2 Composants passifs .................................................................................... — 8
2.3 Notion de vulnérabilité................................................................................ — 9
2.4 Défauts transitoires ..................................................................................... — 9
2.5 Défauts permanents .................................................................................... — 10
3. Exemples de défaillances ...................................................................... — 10
3.1 Considérations technologiques.................................................................. — 10
3.2 Complexité et vulnérabilité......................................................................... — 12
4. Actions de compensation ; durcissement ........................................ — 13
4.1 Généralités ................................................................................................... — 13
4.2 Le choix technologique ............................................................................... — 13
4.3 Conception ................................................................................................... — 14
4.4 Modes d’utilisation ; protections................................................................ — 15
4.5 Qualification ................................................................................................. — 15
5. Limites des possibilités de durcissement ......................................... — 16
5.1 Exemples ...................................................................................................... — 16
5.2 Limites des technologies classiques.......................................................... — 16
5.3 Nouvelles technologies............................................................................... — 16
5.4 La démarche dans l’analyse de projets ..................................................... — 17
Pour en savoir plus ............................................................................ Doc. R 740
l est de plus en plus fréquent d’introduire des équipements électroniques dans

I
4 - 1994
des environnements où l’on se trouve en présence de rayonnements nuc-

léaires divers (photons X ou gamma, électrons, particules lourdes chargées, etc.).
Notons que nous incluons ici, dans le terme « rayonnement », non seulement
les émissions strictement photoniques (X ou γ), mais également les émissions
de particules nucléaires. Les phénomènes d’interactions nucléaires au sein des
matériaux ne sont pas tous perturbants avec la même efficacité, mais tous ont
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pour résultat de céder de l’énergie aux composants (actifs ou passifs), par inter-
actions complexes (collisions, ionisations...), en modifiant leurs performances,
ou en les détruisant.
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© Techniques de l’Ingénieur, traité Mesures et Contrôle R 740 − 1
ACTION DES RAYONNEMENTS SUR LES SYSTÈMES DE MESURE ________________________________________________________________________________
Les interactions rayonnement-matière sont, du point de vue de la théorie

générale, décrites dans l’article [21] des Techniques de l’ingénieur. Nous utili-
serons, pour caractériser ces actions de dépôt d’énergie, quelques notions
importantes comme la dose, le débit de dose, l’activité, etc. (§ 1.2). Sans pré-
tendre faire une liste exhaustive des types de mesures confrontées aux divers
rayonnements, nous évoquerons en premier lieu (§ 1.3) un certain nombre de
domaines concernés et apporterons quelques données chiffrées sur les milieux
perturbants.
Nous aborderons ensuite (§ 2) les effets principaux des interactions rayonne-
ment-matière en termes de défauts induits plus spécifiquement dans les
composants électroniques.
Dans la suite de notre propos, nous tenterons de montrer que la multiplicité
des applications et la qualité des performances attendues nécessitent une analyse
préalable du milieu nucléaire en jeu, afin de garantir un fonctionnement fiable
(performance, mode d’utilisation, niveau de tolérance, action de conception spé-
cifique adaptée et surcoût associé). Il nous faudra réfléchir aux aspects
complexité-coût (§ 3) et montrer que toute action indispensable de durcissement
(§ 4), conception permettant d’immuniser au mieux un système complet contre
l’agressivité du milieu nucléaire, doit être impérativement envisagée en amont
au niveau du projet (§ 5), comme pour tout autre paramètre perturbant (tem-
pérature, humidité...).
■ Enfin, il n’est pas inutile de signaler que les occupants de vols long
1. Généralités courrier à très haute altitude reçoivent des doses d’exposition non
sur les rayonnements négligeables (accumulation de dose) (figure 2).
Certains équipements peuvent, à long terme, présenter des
et les milieux nucléaires dérives accentuées par les conditions de l’environnement, mais
l’influence des rayonnements faibles ou sporadiques sur la fiabilité
à long terme est difficilement chiffrable.
1.1 Sources de radiations
Quels sont les divers milieux où l’on rencontre des rayonnements ;
quelles sont les mesures qui peuvent être concernées ? 1.2 Grandeurs et unités usuelles
■ Notre environnement (sol, sous-sol, atmosphère) est naturel- Nous donnerons ici quelques définitions essentielles et les unités
lement émissif de rayons et de particules. Le niveau d’activité est correspondantes usuelles, qui faciliteront la compréhension de la
généralement faible (puisque compatible avec la vie animale et suite de ce document.
humaine). L’ordre de grandeur typique de débit de dose en région
parisienne, par exemple, est de 10 µrad · h –1 (voir unités § 1.2). ■ Énergie
Il existe des anomalies ponctuelles régionales (Massif central), ou La valeur de l’énergie en unités SI est le joule (J).
continentales, telles que dans des zones granitiques d’origine vol- Pour les photons, l’énergie rayonnée est exprimée par la formule :
canique (régions de séismes, par exemple) où la radioactivité natu-
relle peut être anormalement élevée (10 à 100 fois la moyenne E = hν
commune). C’est le cas en Asie ou en Amérique du Sud, par exemple avec h constante de Planck (6,626 · 10–34 J · s),
(en Inde ou au Brésil, pour se limiter à ces seules régions très carac-
téristiques). Notons aussi les évolutions journalières et locales ν fréquence.
(mines) de gaz radioactif (radon), dont on observe une augmentation Mais on utilise aussi, et surtout dans le nucléaire, comme pour
significative en période crépusculaire ou sismique. une particule (grain d’énergie ou quanta ), l’unité traditionnelle l’élec-
tron-volt avec ses multiples, keV (103 eV), MeV (106 eV), etc.
■ Pour en terminer avec notre environnement, mentionnons les
quelques centaines de kilomètres de notre espace environnant, Quelques relations utiles entre ces unités :
espace dans lequel l’homme déploie de nombreuses actions. On y
1 eV = 1,602 · 10–19 J
observe une grande variété de particules (rayons cosmiques
galactiques, particules piégées par le champ magnétique terrestre, 1 fJ (soit 10–15 J) = 6,241 keV
ions lourds, etc.). Ces particules sont fortement ionisantes. Des
expériences actuelles (pour des applications spatiales) ont lieu pour h = 4,135 · 10–15 eV · s
caractériser les anomalies constatées (telle que l’anomalie de
l’Atlantique sud, où le champ magnétique terrestre y capte cinquante ■ Radioactivité
fois plus de rayons cosmiques qu’ailleurs). Cela peut non seulement La radioactivité est un phénomène spontané et aléatoire d’émis-
mettre en danger les équipements à long terme, mais aussi affecter sion d’énergie provenant d’un noyau instable, sous forme de rayon-
la santé des astronautes à bord de stations orbitales (figure 1). nements et/ou de particules.
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Figure 1 – Variations du débit d’équivalent de dose mesuré à bord de la station orbitale russe Mir
L’unité SI légale est le becquerel (Bq), équivalent à une désinté- Par exemple, pour une source ponctuelle, sans atténuation et sans
gration (émission) par seconde. L’unité traditionnelle d’activité est diffusion, Γ a pour valeur 0,33 pour le 137Cs, 1,32 pour le 60Co, 0,82
le curie (Ci), encore utilisée pour des raisons de commodité, qui équi- pour le 226 Ra, exprimée en R · h –1 · m2 · Ci –1.
vaut à la désintégration d’un gramme de radium par unité de temps.
Une relation utile entre les deux unités est : ■ Dose absorbée dans un matériau
La dose absorbée dans un matériau est, par définition, la quantité
1 Ci = 3,7 · 1010 Bq
d’énergie déposée par unité de masse de ce matériau, pour chaque
■ Notion d’exposition (dans l’air uniquement) type de radiation en cause.
Pour les photons, par la relation X = ∆Q /∆m (∆Q nombre de L’unité traditionnelle est le rad, équivalant à un dépôt de 10–2 J/kg
charges de même signe dues à l’ionisation dans une masse d’air de matériau.
∆m), l’exposition X a pour unité traditionnelle le röntgen (R) : L’unité SI est le gray (Gy) :
1 R = 2,58 · 10– 4 C/kg 1 Gy = 1 J/kg
Le débit d’exposition est le quotient de l’exposition pendant un soit encore 1 Gray = 100 rad.
intervalle de temps donné, par cet intervalle. ● La dose dépend à la fois du type de matériau et de l’énergie.
Une bonne approximation du débit d’exposition, à la distance d Pour une même dose absorbée, l’effet biologique du rayonnement
d’une source de rayonnements photoniques, est donnée par dépend de la qualité du rayonnement. On définit l’équivalent de
°
X = ΓA /d 2, relation dans laquelle Γ est une constante dépendant dose, qui est le produit de la dose absorbée par le facteur d’effica-
du corps, A est l’activité du corps radioactif. cité biologique du rayonnement. Ce facteur tient compte du fait que,
1.3 Les équipements et les rayonnements
Si les rayonnements sont omniprésents, même à faible activité,

leur agressivité mérite d’être examinée pour certaines applications.
Le bruit de fond nucléaire γ au niveau du sol est de l’ordre de 2 à
3 chocs par minute dans les meilleures conditions. Cela peut affecter
certains types de mesures de détection (équipements spécifiques du
nucléaire surtout, mesures à faibles niveaux).
■ Par exemple, un équipement pour l’homme mérite une attention
particulière. Il s’agit des stimulateurs cardiaques qui « instru-
mentent » certaines personnes, dont la technologie est adaptée
exclusivement à un usage prolongé et fiable dans un environnement
ordinaire et constant (plusieurs années, consommation de quelques
microampères). C’est un équipement particulièrement sensible aux
rayonnements, surtout comme c’est le cas des modèles récents,
lorsqu’ils sont équipés de systèmes programmables (microproces-
seur + mémoire). Ils peuvent accidentellement présenter des
Figure 2 – Débit de dose d’exposition lors d’un vol Paris-Rio
défaillances partielles ou transitoires pour des doses intégrées rela-
de Janeiro
tivement faibles, de 1 à 10 Gy par exemple, si le débit de dose ins-
tantané est suffisamment énergétique.
■ Des essais (tests électriques) ont été entrepris (CEA Saclay, Dépar-
pour produire un même effet biologique, la dose absorbée varie tement d’Électronique) sur diverses familles de composants élec-
selon les types de rayonnement (électrons, neutrons...). troniques (TTL, ECL, MOS, CMOS, transistors bipolaires PNP et
NPN) dans des conditions d’utilisations diverses (débits de dose
La dose équivalente dans la matière vivante correspondant au
faibles, mais doses et température variées, avec ou sans polarisa-
gray est le sievert (Sv) ; le rem (rad équivalent man) correspond au
tion). On ne constate pas, si les conditions de débits restent voisines,
rad : 1 sievert = 100 rem.
de corrélation affirmée entre l’apparition des défauts de fonctionne-
● Le débit de dose est la dose absorbée par unité de temps ment et les débits de dose. On observe plutôt l’effet du mode de fonc-
(exemples : le Gy · s–1, le rad · h–1). tionnement et de la température. Par exemple, pour la technologie
Bien que la dose dans un milieu autre que l’air (un équipement CMOS standard, l’irradiation continue sous tension (et selon la puis-
est constitué de composants divers, à base de silicium et autres semi- sance dissipée), est souvent moins agressive qu’une irradiation avec
conducteurs, de métaux, etc.) soit le cas réel, il reste néanmoins que des composants hors tension (composants inertes). Les résultats
les mesures d’exposition et de débit, ne sont directement et aisément sont encore différents si les circuits sont en fonctionnement (tests en
accessibles que dans l’air (chambres d’ionisation, détecteurs dynamique).
thermoluminescents...). Des coefficients permettent de calculer la Par contre, d’autres essais plus complets portant sur plusieurs
dose dans un matériau à partir des doses dans l’air (kerma). décades de débits de dose, de quelques Gy · h–1 à plusieurs milliers
de Gy · h–1, et sur une panoplie de composants typiques de diverses
technologies (logique TTL, CMOS, ECL, composants analogiques ou
Remarque importante concernant la dosimétrie
mixtes), montrent l’effet pénalisant du débit de dose, mais de façon
sur les équipements.
modulée et plus ou moins définitive, selon les conditions d’utilisa-
On ne peut avoir accès directement à la dose réelle dans les dif- tion, les technologies et la complexité du composant.
férents matériaux, mais plutôt à l’exposition globale dans le
volume (air) de l’équipement considéré. En toute rigueur, il faut La température reste toujours un paramètre très influent (effet
utiliser des coefficients de passage (0,878 rad / röntgen pour de guérison).
passer de l’exposition à la dose dans l’air, par exemple, sous À cela s’ajoutent les effets de lots, faisant apparaître des compor-
certaines conditions de mesures ; mise à l’équilibre électronique tements variables selon la source d’approvisionnement pour un
des matériaux irradiés). La dosimétrie est une discipline même type de composant.
complexe. Nous ne développerons pas cet aspect qui mérite un
article complet. ■ L’homme scientifique a découvert l’énergie nucléaire et a vite été
confronté à ses vertus et à ses nuisances en même temps qu’il en
accroissait les applications. À l’approche du XXIe siècle, l’humanité
Pour ce qui concerne le silicium, le coefficient de passage ne semble pas devoir renoncer aux utilisations pacifiques de l’atome.
Dose(air), Dose(Si) est voisin de 1, pour une gamme d’énergie allant
de 300 keV à 3 MeV. ■ Les applications médicales utilisent couramment les rayons X
(radiographies, scanners). L’instrumentation associée (ou une partie)
Exemple de relation dose – énergie – matériau. intègre des doses répétitives. Il est important d’en connaître le niveau
Pour une énergie de 1 MeV, on peut accepter l’équivalence à long terme.
1 Gy(Si) = 1 Gy(AsGa), la valeur exacte étant : 1 Gy(Si) pour
■ Mais c’est surtout dans le domaine industriel que les débits de
0,927 Gy(AsGa).
dose peuvent être importants (des centaines ou des milliers de
Pour les basses énergies, le dépôt dans l’AsGa est bien plus élevé. Gy · h–1). Ils doivent être évalués avec attention. Les instrumenta-
Par exemple, pour 1010 photons par centimètre carré, à 10 keV on a tions devront être forcément adaptées au contexte nucléaire, ou en
0,517 Gy(Si) pour 0,564 Gy(AsGa) et, à 100 keV, on obtient 0,007 Gy(Si) être protégées.
pour 0,0643 Gy(AsGa). Les applications les plus connues sont les utilisations du nucléaire
à des fins énergétiques (centrales). Dans ces centrales, des rayon-
nements gamma (10–3 Gy · h –1) dans le bâtiment réacteur seront peu
gênants pour le personnel et pour les installations, mais dans cer-
taines zones, proches du cœur du réacteur ou des échangeurs ther-
miques, on se trouve en présence de radiations diverses (neutrons,
rayonnements de produits de fission) localement élevées, avec des Par exemple, dans le cas des équipements de bord d’avions
installations en permanence sous tension (moteurs de pompes, cir- modernes atteignant des niveaux de vol à « risques répétés », le sur-
cuits de commandes, de mesures, d’alarmes, etc.) coût d’une conception en technologie plus tolérante ne représente
Pour le retraitement des combustibles (usines de retraitement), qu’une faible part du coût global d’une telle machine. Le produit final
les niveaux sont localement très élevés (des centaines de gray par est encore plus fiable.
seconde) et obligent à une automatisation des processus industriels, Quand et pourquoi agir sur la conception d’un équipement pour
toute intervention humaine étant exclue. le durcir aux radiations, est la question préalable à tout projet. Au
Au niveau final du retraitement, les coulées de verre (enrobage niveau du développement du produit, il est extrêmement compliqué,
des déchets non récupérables) se font dans des conditions parti- hasardeux, voire impossible de conclure un projet sans apporter une
culièrement sévères (débits de dose, température...), et sont suivies refonte profonde, avec une nouvelle analyse de base.
par téléopération (caméras déportées, commandes de pinces de
télémanipulation, etc.). Des équipements divers y sont fortement
irradiés. 1.5 Interactions avec la matière (notions)
D’autres implications connues du nucléaire dans l’univers indus-
triel concernent, par exemple, la gammagraphie. La gammagraphie Suivant le type d’interaction, on parle de radiations directement
et la neutrographie touchent les domaines du génie civil, des fon- ionisantes (particules chargées) ou de radiations indirectement ioni-
deries (intégrité des pièces coulées), l’industrie du pétrole (contrôle santes (photons, neutrons...).
des soudures des oléoducs...), les constructions navales (soudures), Dans un contexte de radiations indirectement ionisantes, le mot
l’aéronautique (contrôle des aubes de turbines, positionnement dans interaction est appliqué au processus suivant lequel l’énergie ou la
les turboréacteurs...), etc. direction de la radiation incidente sont altérées.
Citons enfin, pour en terminer sur les multiples applications indus- Ce processus est aléatoire. On doit parler de probabilité d’inter-
trielles : les jauges radiométriques (niveaux, épaisseurs,...), les action, qui s’exprime en termes de section efficace ou en termes de
jauges d’analyse (humidité, fumées, détecteurs d’incendie...), les tra- divers coefficients d’interaction.
ceurs industriels (recherche de fuites, d’usure...), la polymérisation
radio-induite, etc. Le concept de section efficace est défini comme la probabilité
d’une interaction rapportée au flux Φ de particules traversant la
L’écologie, paradoxalement, voit avec le nucléaire apparaître des matière [21].
procédés de traitement puissants. Notons, par exemple, l’efficacité
des faisceaux électroniques (travaux récents menés principalement
au Japon, en Allemagne et aux États-Unis) pour éliminer les émis-
sions de gaz de carneaux liées aux problèmes des pluies acides
(élimination du dioxyde de soufre et des oxydes d’azote). 2. Actions sur les équipements
Les débits de dose, selon les applications, sont compris dans une électroniques
très large gamme, allant de niveaux presque insignifiants à d’autres
particulièrement élevés. Dans ce large éventail, on peut imaginer la
diversité des instrumentations concernées. Chaque équipement est Les équipements sont constitués d’éléments discrets, passifs ou
un cas d’espèce. actifs (supports, câbles, isolants, résistances, condensateurs, circuits
à semiconducteurs, etc.).
Les composants actifs à base de semiconducteurs sont les élé-
ments les plus vulnérables aux rayonnements.
1.4 Quand, pourquoi, comment tenir
compte des radiations
pour les équipements 2.1 Les rayonnements et les composants
Pour les applications industrielles utilisant des sources puissantes
électroniques actifs
de rayonnements, la question principale est « comment
concevoir » ? Ce sera en partie l’objet de la suite de ce document. Nous orienterons ici nos propos sur les aspects « perturbations
électriques » des défauts induits par les rayonnements (signaux
Plus délicats sont les domaines où les rayonnements sont modé- électriques, dérives). Les développements théoriques pourront être
rés, mais où une très grande fiabilité à long terme est exigée. On trouvés dans les articles spécialisés, dont des références récentes
peut imaginer que la connaissance des limites pratiques d’utilisa- seront trouvées en fin de ce document.
tion d’une technologie standard sous contrainte nucléaire sera suf-
fisante. Des actions de maintenance adaptée seront judicieusement
prévues. 2.1.1 Effets induits par les photons
Dans ces cas, si le choix de la technologie ne se pose pas a priori
(par impossibilité pratique ou pour des questions de coût), il est pos- Dans le cas du silicium (Z = 14), l’effet Compton est prépondé-
sible éventuellement de s’imposer des modes d’utilisation appro- rant dans une grande gamme d’énergie (60 keV à 20 MeV).
priés afin de conserver des performances acceptables sans pour
Quels que soient les phénomènes d’interaction dans les maté-
autant se lancer dans des études longues et des développements
riaux, cela revient à créer ou à exciter des électrons primaires, qui
coûteux. Cela passe par des dispositifs redondants, mais aussi des
à leur tour réagissent avec le milieu en l’ionisant et en créant des
moyens palliatifs simples (écrans de protection). Aujourd’hui, pour
électrons secondaires [1] [2] [3].
ce qui concerne les composants électroniques, la technologie CMOS
durcie est apparue pour les besoins des équipements de l’espace, Finalement, les interactions dues aux photons se transforment
faisant passer la tolérance des circuits discrets (transistors, circuits en interactions électrons-matière dans le volume du matériau.
intégrés...) à des niveaux intéressants. Mais c’est une technologie
très chère, et encore limitée en nombre de fonctions disponibles.
Des critères économiques (marché, gain réel en fiabilité vis-à-vis des
risques) obligent à évaluer avec rigueur le développement d’un pro-
duit entièrement conçu dans une technologie non standard.
2.1.2 Interactions avec les électrons où W m est l’énergie moyenne pour créer une paire électron-trou
dans le matériau,
Les interactions produites par une exposition directe aux électrons E l’énergie déposée.
(rayonnements β ou électrons accélérés e – ), ont surtout lieu en sur-
Par exemple, pour le silicium (Si), W m = 3,6 eV ; pour le germanium
face des composants (sauf pour de fortes énergies). Ces particules
(Ge) 2,8 eV ; pour l’arséniure de gallium (AsGa) 4,8 eV et pour le SiO2
abondent, par exemple (mais pas uniquement), dans les équipe-
(oxyde omniprésent en technologie silicium) 18 eV.
ments des missions spatiales. On retrouve, pour ces types de par-
ticules, la notion de parcours moyen pour lequel un certain nombre Un courant est généré :
de formules empiriques acceptables, tenant compte de l’énergie, °
sont proposées dans la littérature. Selon la composition des boîtiers I (t ) = K ⋅ D (t )
des composants, on peut admettre souvent l’arrêt plus ou moins total
°
des électrons dans l’encapsulage du semiconducteur (spatial). où D ( t ) est le débit de dose, exprimé en Gy · s–1.
Il peut, par contre, se créer un effet de renforcement de dose par En l’absence de champ électrique, les paires électron-trou se
rayonnement de freinage des électrons de fortes énergies dans les recombinent en un temps très court. En présence d’un champ
matériaux du boîtier à Z élevé (boîtiers dorés par exemple) et émis- électrique, les composantes des paires peuvent être séparées ; cela
sion de photons de basses énergies. explique en partie les comportements différents des composants
Lorsque toutes les énergies cinétiques des électrons ont été semiconducteurs irradiés, selon qu’ils sont « sous » ou « hors »
complètement dégradées, un nombre de charges Q a été créé au tension.
sein du semiconducteur. Le nombre de charges est théoriquement : Nous reviendrons sur cet aspect au paragraphe 4 évoquant les
Q = E /W m actions de compensations.
La figure 3 résume les actions principales des irradiations β et γ
sur les semiconducteurs.
Figure 3 – Actions des rayonnements et

dans les semiconducteurs
Les défauts induits provoquent une réponse électrique plus ou 2.1.4 Irradiations neutroniques
moins marquée selon le débit de particules et la durée d’exposition.
Si l’on ajoute à cela les spécificités des technologies employées, on Le lecteur pourra se reporter à la référence [4] de la bibliographie
met en évidence soit des effets transitoires dans le cas de débits
élevés, soit des effets semipermanents ou permanents. Hormis le domaine militaire (flash neutrons), c’est surtout dans
le contexte du type installation nucléaire (également en neutrogra-
phie), que l’on peut rencontrer des flux neutroniques. En moyenne
2.1.3 Particules lourdes et/ou chargées dans une centrale, sur une durée de vie de 40 ans, la fluence agissant
sur des parties des dispositifs de contrôle est comprise entre 108
et 1014 neutrons · cm–2 (rappelons que la fluence Φ est le rapport
C’est surtout dans l’environnement spatial que l’on rencontre natu- Φ = dN /da où dN est le nombre de particules incidentes sur une
rellement les problèmes liés aux particules chargées : protons sphère de section géométrique da ).
jusqu’à 500 MeV, et surtout, bien qu’à très faible débit de fluence,
des noyaux nus très énergétiques, responsables de dépôts d’énergie Les effets perceptibles sur les matériaux semiconducteurs des
localisés le long de leurs trajectoires dans les semiconducteurs. équipements dépendent de l’énergie des neutrons, du flux, de la
fluence et des conditions d’utilisation (figure 4).
Ce rayonnement est responsable du SEU (Single Event Upset),
c’est-à-dire qu’une seule particule a une énergie suffisante pour Pour les technologies bipolaires (transistors à jonctions), l’un des
engendrer des perturbations électriques au sein du dispositif. paramètres électriques les plus sensibles est la mobilité des por-
teurs minoritaires µn ou µp (m 2 · V –1 · s–1), qui diminue suivant la
Le phénomène physique qui régit le SEU se décompose en trois relation :
étapes successives :
— l’énergie est déposée par un ion incident dans un volume 1/µ = 1/µ0 + k µ Φ
sensible ;
kµ ≈ 3 · 10–19V · s pour le silicium.
— les charges générées dans ce volume sont transportées et
collectées par une jonction ; La vitesse de fonctionnement est directement affectée. La durée
— les charges collectées provoquent une réponse électrique, de vie τ des porteurs minoritaires est fortement diminuée propor-
telle que le changement d’état d’un point mémoire par exemple. tionnellement à la fluence Φ.
Pour des circuits en technologie CMOS peut apparaître également Le gain en courant β = f (1/ τ ) devient :
le phénomène de latch-up ou verrouillage électrique (effet thyristor 1/ β – 1/ β0 = k β Φ
dû au transistor parasite arrière, structure PNPN inhérente à cette
technologie). Le circuit se met dans une configuration de saturation Le coefficient k β de dégradation du gain dépend du courant de
permanente anormale et destructive. fonctionnement et du profil de dopage ; il est de l’ordre de 10 –17 à
10–15 cm2 · neutron–1.
Figure 4 – Actions des neutrons

dans les semiconducteurs
La figure 5 montre, pour un type de transistor bipolaire courant

(2N918), les variations des gains en courant β en fonction de la
fluence neutronique, pour différentes valeurs du courant collecteur
Ic . On y retrouve l’intérêt de fonctionner à fort courant.
2.2 Composants passifs
Les structures passives, qui s’interconnectent avec les composants

actifs pour former les fonctions électroniques, sont généralement
moins affectées que les composants actifs. On doit relativiser ce pro-
pos, si l’on considère la grande diversité d’éléments inclus dans le
terme passif (supports, isolants, câbles, résistances, condensateurs,
inductances, fibres optiques, etc.).
Pour certaines applications, comme une chaîne de mesure neu-
tronique en centrale, les câbles immergés dans le flux de contrôle Figure 5 – Variation du gain en courant d’un transistor bipolaire
par exemple posent de nombreux et coûteux problèmes à long sous fluence neutronique
terme, alors que l’électronique déportée reste opérationnelle.
■ L’une des fréquentes causes de pannes en milieu nucléaire est la
multiplicité des câbles et traversées étanches (au sens nucléaire,
avec une connectique télémanipulable) qui, même à très bas débits
de dose, voient leur vieillissement accéléré par l’environnement
radiatif. Des travaux récents ont été menés, dans le cadre d’études
de vieillissement en centrales nucléaires. Par exemple, des études
sur le comportement des polymères à très bas débits de dose (10–6
à 10–4 Gy · s–1) [5], tels que ceux que l’on rencontre à l’intérieur de
l’enceinte de confinement des réacteurs à eau pressurisée, et des
élastomères qui entrent dans la composition des câbles électriques
(Hypalon, EPDM, VAMAC), des joints toriques et des pièces de rac-
cordement, montrent que la consommation d’oxygène dans ces
composés est maximale dans ces conditions et que les propriétés
mécaniques d’allongement à la rupture évoluent simultanément
avec cette consommation d’oxygène.
■ Pour d’autres applications, une attention particulière doit être
portée sur certains types d’isolants, qui interviennent dans la
composition de supports.
Par exemple, un des cas typiques est celui du Teflon (polytétra-
fluoroéthylène), possédant des propriétés diélectriques remar-
quables en très haute fréquence (domaine des gigahertz), utilisé
comme isolant de câbles et de connecteurs, supports, etc. Ce produit
présente sous flux ionisant une tolérance très médiocre, avec dimi-
nution catastrophique de sa tenue mécanique (devient cassant, puis
pulvérulent, à des niveaux de doses de quelques kilograys ; effet de
dépolymérisation des liaisons carbone-carbone).
■ Les résines et vernis de protection peuvent être considérés
comme « composés » passifs ; leurs dégradations ne sont pas négli-
geables, à doses élevées (quelques 104 à 106 Gy). On retrouve ces
produits sur beaucoup de composants discrets, tels que des bobi-
nages divers (transformateurs, inductances, etc.), sur lesquels appa-
raissent des fuites de courant, voire des courts-circuits à long terme.
Figure 6 – Tenues comparées aux rayonnements de composants
Certains vernis dégagent des composés gazeux agressifs (prove- et matériaux pour les équipements d’électronique
nant des solvants), provoquant des réactions chimiques dans leur
environnement.
L’oxygène de l’air, également ionisé par de forts débits de dose, Les liaisons optiques présentent des avantages reconnus pour la
crée des dégagements d’ozone qui activent les processus chimiques transmission d’informations. Aujourd’hui, la qualité et la reproduc-
de corrosion. tibilité des guides de lumière à faible perte incitent à introduire ces
liaisons en lieu et place des liaisons traditionnelles à fils ou câbles.
■ La figure 6 indique le comportement estimé de quelques maté- Le transmetteur optique permet des transmissions analogiques
riaux entrant dans la composition d’ensembles électroniques de ou numériques, sous forme de signaux optiques de très faible puis-
mesures et d’équipements divers. sance. Pour les systèmes de mesures et de contrôle, la prise en
■ Cas des fibres optiques compte d’effets tels que les interférences électromagnétiques, la
recherche de grands débits de transmission, la suppression des
Quelques lignes, sur les travaux multiples et importants qui ont problèmes d’équipotentialité des masses électriques et des pertur-
été consacrés aux fibres optiques et composants associés, en milieu bations électromagnétiques, toujours délicats en mesures, des dif-
nucléaire [6] [7] [8] [9]. ficultés d’isolements diélectriques, de réduction de diaphonie, de
bruit, tout cela est particulièrement en faveur des liaisons optiques.
À part les composants d’extrémité (émetteurs, récepteurs, dont nous

examinerons ci-après le comportement), la partie exposée sensible
est la fibre elle-même. L’irradiation induit de la luminescence
transitoire (photoélectrons parasites) et des centres colorés perma-
nents absorbants provoquant une atténuation de la lumière qui peut
atteindre plusieurs dizaines de dB/km. Rappelons que le dB est donné
par la formule :
Atténuation (dB) = 10 lg (Ps /P0)
avec Ps puissance de sortie,
P 0 puissance d’entrée.
Les niveaux d’absorption induits dans une fibre dépendent d’un
grand nombre de paramètres qui rendent très difficile la compa-
raison avec d’autres fibres.
Les paramètres intervenant dans le comportement sous irradia-
tion sont, parmi les plus importants :
— la technologie de la fibre : composition, profil d’indice, mode
de transmission ;
— la dose et le débit de dose ;
— le temps et la température pendant et après exposition ;
— la longueur d’onde λ de la lumière ;
— le fait que la fibre soit éclairée ou inerte hors période de trans-
mission (guérison partielle des centres colorés).
Les fibres les plus performantes, du point de vue radiations, sont
en silice pure avec des dopages d’indice localisés ou progressifs.
Le dommage croît avec la dose reçue, de façon généralement non
linéaire. Comme la cinétique de guérison est en compétition avec
Figure 7 – Évolution de la puissance lumineuse de diodes émissives
la création de défauts, l’absorption transitoire dépend du débit de
sous fluence neutronique
dose.
Les fibres dopées au phosphore sont sensibles et sont désormais
exclues pour les applications nucléaires, ainsi que les fibres
plastiques en polystyrène (PS) ou en polyméthylmétacrylate fonction inopérante. Cette notion englobe des aspects transitoires,
(PMMA). Les fibres en silice pure ou dopée, à forte teneur en ions permanents, et les phénomènes de récupération (relaxation) conco-
OH– (dites « fibres humides »), sont les plus tolérantes (jusqu’au mitants.
moins 10 kGy), avec des atténuations acceptables. La tenue associée au contexte radiatif et à la technologie utilisée,
est, de façon moins évidente, liée à la complexité de la fonction
■ Composants opto-électroniques réalisée.
Les composants d’extrémité sont des semiconducteurs [10]. Les À ces paramètres, éventuellement maîtrisables, s’ajoutent des
émetteurs sont soit des diodes électroluminescentes, soit des diodes effets de lots de fabrication de composants de qualités inégales, pour
lasers. L’arséniure de gallium AsGa est le matériau de base, avec ce qui concerne l’aspect tolérance.
des substitutions partielles de gallium par de l’antimoine, du phos-
phore, de l’aluminium et de l’indium, permettant d’ajuster la lon- On trouve des systèmes vulnérables (de l’ordre de quelques
gueur d’onde d’émission. grays), des systèmes tolérants (de l’ordre de quelques kilograys),
et des systèmes dits « durs » qui tolèrent des niveaux soit en débit
Concernant le comportement des émetteurs, on trouve dans la de dose, soit en dose, particulièrement élevés. La notion de vulné-
littérature des résultats de nombreux travaux (figure 7), qui mettent rabilité ne peut être dissociée de la mission à accomplir. Nous revien-
en évidence les effets transitoires de débits de dose neutrons, et des drons sur ces aspects au paragraphe « Actions de compensation ».
effets permanents d’atténuation de l’efficacité lumineuse, associée
à un déplacement de longueur d’onde.
Les récepteurs usuels sont des photodétecteurs PIN ou à ava-
lanche en silicium. Leur fonction même les rend très sensibles aux 2.4 Défauts transitoires
flux instantanés de photons. Ce sont, par contre, des composants
très tolérants aux effets permanents (plusieurs dizaines de kGy). Les
dégradations se limitent à l’augmentation du courant d’obscurité, On associe les effets transitoires aux débits de dose élevés et brefs.
et la marge de liaison avec les éléments de couplage est diminuée. Les effets transitoires peuvent se prolonger par des défauts per-
D’une façon plus générale, on note toujours une augmentation manents dus à des déplacements d’atomes, mais aussi à des charges
du bruit, et cela quel que soit le type de rayonnement, si l’énergie piégées avec une cinétique d’évacuation lente (allant de quelques
est suffisante, résultant de la création de pièges ou d’états fractions de seconde à quelques jours et même plus, suivant la tem-
d’interface. pérature et autres conditions externes).
La notion de défaut transitoire englobe des phénomènes instan-
tanés et généralement importants, et des mécanismes de guérison.
2.3 Notion de vulnérabilité
La vulnérabilité n’est pas toujours sanctionnée par la destruction

définitive d’un ou de plusieurs composants, mais par une dégrada-
tion suffisamment importante des performances pour rendre la
Exemple : deux cas pour illustrer ces propos. La résistance R ci (fixant la pente de conversion) est attribuée par
la voie i activée du multiplexeur. Le capteur est un générateur de
■ Le photocourant instantané (estimation) d’une diode PIN, d’un courant. Le facteur de conversion est prévu ici pour Vs = 10 V avec
volume utile de l’ordre de 10 – 6 cm 3 pour un débit de dose de Icapt = 1 mA sur la voie i, soit :
106 Gy (Si) · s–1, est d’environ 600 µA. Ce courant peut être gênant sur
une charge de quelques kΩ, mais sans importance à long terme puisque R ci = R i + Ron = 10 kΩ ( ± 0,1 %)
fugitif.
Pour le multiplexeur 8 voies (MC 1405 1 B), la valeur initiale de
■ La création progressive de charges dans un oxyde de grille de tran- résistance de conduction de canal Ron est de 64 Ω ± 2 Ω (valeur
sistors MOS avec piégeage des trous dans l’oxyde se traduit finalement, moyenne mesurée sur les 8 voies avant irradiation et sur un lot
au bout d’un certain nombre de bouffées ionisantes répétitives, par une important de composants identiques).
dérive de la tension de seuil (∆V th ), puisque la tension de seuil ∆V th est La précision des réglages est réalisée par des résistances d’ajus-
liée à la quantité de charges totales Q s accumulées dans l’oxyde de grille tement.
de capacité Cox .
Les quatre éléments constitutifs, du capteur au convertisseur
La température favorise la recombinaison des charges à l’interface 12 bits, sont dans le flux radiatif, mais le traitement des données
Si/SiO2 (effet tunnel), provoquant une récupération partielle des carac- après conversion est effectué hors rayonnement pour simplifier le
téristiques électriques d’origine. La technologie bipolaire est par contre problème.
peu tolérante au débit de dose (création de photocourants d’électrons
primaires Ipp) agissant comme un signal sur la base de transistors à Les constituants de la chaîne de mesure subissent les perturba-
jonctions. tions du milieu radiatif qui est, dans le cas présent, une irradiation
continue à débit de dose modéré (0,1 Gy · h–1 en moyenne) de
rayonnement γ du 60Co. La température ambiante est de 25 oC.
2.5 Défauts permanents Le capteur est un élément résistif, estimé a priori tolérant aux
rayons γ (tout au moins jusqu’à des doses de plusieurs dizaines de
kilograys).
Les défauts permanents sont le résultat de modifications pro-
fondes de structures (déplacements d’atomes, créations de Les figures 9 et 10 montrent des données réelles de paramètres
pièges...), qui ne peuvent être guéries, tout au moins sans action électriques obtenues lors de tests d’évaluation des composants
très « énergétique », comme un recuit en température. Les défauts analogiques sous irradiation γ sur les multiplexeurs et les
permanents sont liés à un effet de dose à long terme, ou à un débit convertisseurs analogique-numérique, qui sont les éléments les
de dose extrêmement élevé. plus fragiles. Le tableau 2 donne la modification des paramètres de
l’amplificateur opérationnel HA 4741 MHS.
Citons à nouveau quelques paramètres modifiés par des effets
de dose : Comportement de la fonction de conversion analogique
— diminution des mobilités et des durées de vie des porteurs ; courant-tension en irradiation :
— chutes des gains (de plusieurs décades), des vitesses de fonc- 1– La fonctionnalité dans sa globalité ne sera pas assurée au-delà
tionnement, des tensions de claquage des transistors bipolaires ; de 200 Gy (seuil de défaillance des multiplexeurs). Cela implique une
— augmentation des tensions de seuil MOS de plusieurs volts, durée de fonctionnement sous irradiation inférieure à 2 000 h, dans
des courants de fuite ; le contexte actuel.
— variations de la tension Zener Vz des diodes Zener, chute du 2– Le débit de dose est faible ; on observera des effets de dose
gain des amplificateurs opérationnels, etc. cumulée (dérives).
3– Le composant CMOS (multiplexeur) sensible à la dose aura des
paramètres progressivement dégradés. Par exemple, Ron (la résis-
tance de voie passante) croît linéairement de 4 · 10 –2 Ω · Gy –1.
3. Exemples de défaillances
Les temps de réponse des commandes logiques (TPHZ, TPLH-A,
B, C, etc.) augmentent de façon non linéaire.
Le tableau 1 résume les anomalies les plus fréquentes que l’on
peut associer à des types de composants standards modernes. (0) 4– En conversion courant-tension, bien que les dérives de certains
paramètres de l’amplificateur opérationnel (gain en boucle ouverte,
On trouvera par l’examen des deux exemples suivants les effets
fréquence limite, etc.) perturbent peu la fonction globale, les aug-
réels des irradiations sur des fonctions, et non plus uniquement
mentations ou les dérives du courant de décalage (Ios ), dont la pola-
sur des composants seuls.
rité est aléatoire tout comme le courant de polarisation (Ibias ), et les
courants de fuite qui peuvent dépasser quelques microampères
(Ileakage ), s’ajoutent algébriquement au courant d’entrée et modifient
3.1 Considérations technologiques la valeur apparente du courant capteur.
Par exemple, une valeur de dérive de 0,5 µA de décalage de
Prenons un premier exemple, volontairement simplifié, pour illus- courant introduit une erreur systématique de 5 · 10 –4 pour 1 mA de
trer et chiffrer l’apparition de défauts dans une chaîne de mesure courant capteur.
(figure 8). (0)
Pour le convertisseur analogique-numérique, les perturbations
Il s’agit d’une fonction de conversion analogique courant-tension essentielles avant arrêt du fonctionnement (défaut de codage appa-
(I-V ) de précision, dont la pente est programmable par une raissant vers 1 000 Gy) sont :
commande logique, agissant sur un multiplexeur de voies analo- — détérioration de la linéarité (intégrale et différentielle) qui
giques (MC 1405 1 B de National Semiconductor) en technologie dépasse 2 · 10–3 de la pleine échelle (résultat de tests) vers 200 Gy ;
CMOS, disposé en contre-réaction d’un amplificateur opérationnel — dérive du passage à 0 (réglé par des composants externes) ;
(HA 4741 en technologie bipolaire de Harris), associés à des résis- le décalage maximal compensable est de 4 · 10–3 de la pleine échelle
tances à couches métalliques de précision et haute stabilité. (donnée du fabricant) ; il devrait être compensé continûment sous
La tension de sortie est appliquée à un convertisseur analogique- irradiation.
numérique (CAN) de 12 bits de résolution (AD 574 AKD de Analog
Devices ; technologie bipolaire, ou CMOS en seconde source).
Tableau 1 – Défauts courants créés par irradiation sur des composants standards
Technologie-fonction Effets en dose totale Effets des particules lourdes et/ou chargées
Microprocesseur Pertes partielles ou totales de fonctionnalité, Erreurs d’information dans les programmes,
Microcontrôleur dégradation des paramètres dynamiques effets de latch-up matériel et logiciel.
Circuits de périphériques (vitesse et temps d’accès).
Mémoires Perte de fonctionnalité, modification d’instruc- Erreurs logicielles multiples, latch-up des
tions, dégradation des paramètres circuits CMOS.
dynamiques.
Circuits logiques Perte de fonctionnalité, diminution de l’immu- Erreurs et pertes d’information dans les
nité au bruit, augmentation des fuites de circuits complexes, possibilité de latch-up
courant, dégradation des paramètres dyna-
miques.
Amplificateurs opérationnels Réductions du gain, de la réponse en Signaux parasites, éventualité de latch-up.
fréquence.
Accroissements des courants de fuite, de
polarisation, de décalage.
Convertisseurs analogique-numérique et Perte de fonctionnalité, réduction de la Signaux parasites, erreurs numériques, latch-
numérique-analogique précision, de la linéarité et de la réponse en up des CMOS.
fréquence. Courant de fuite.
Multiplexeurs analogiques Perte de fonctionnalité, accroissement des fui- Latch-up.
tes.
Comparateurs Perte de fonctionnalité, réduction de la préci- Signaux parasites, latch-up.
sion et de la réponse en fréquence.
Imagerie par CCD Augmentation du courant d’obscurité, dégra- Points blancs, parasites lumineux (surtout
dation de l’efficacité de transfert des charges, dans les noirs), distorsions diverses.
dérives des seuils.
MOSFET Dérives des seuils, courants de fuite, diminu- Signaux parasites.
tion de la transconductance.
MOSFET de puissance Comme le MOSFET ; tension de claquage Impulsions de courants, destruction
diminuée. thermique.
Transistors bipolaires Réduction du gain, augmentation des fuites et Signaux parasites.
de la tension de saturation.
Diodes de signal Augmentation de la tension de coude directe,
fuites de courant.
Diodes émissives Réduction de la puissance d’émission, aug-
mentation du bruit.
Phototransistors Diminution du gain, de la réponse en fré- Impulsions parasites.
quence, augmentation des fuites.
Tableau 2 – Évolution de quelques paramètres de l’amplificateur opérationnel HA 4741 MHS,

pour une dose de 5 · 103 Gy
Paramètres mesurés Avant irradiation Après irradiation Remarques
 + Icc 3,435 mA 3,224 mA

Courants d’alimentation 
 – Icc – 3,432 mA – 3,200 mA
 Tension d’erreur – 101,1 µV – 2,485 mV 
Décalages sur les entrées   en croissance forte
 Courant d’erreur Ios 4,274 nA – 717,4 nA  et polarité aléatoire

Courant de polarisation Ibias – 37,04 nA – 4,155 µA 
Gain intrinsèque 1,049 V/µV 26,65 V/mV Perte décroissante
(106 → 27 · 103)
Figure 8 – Schéma simplifié d’une fonction

de conversion courant/tension
Figure 10 – Histogramme de défaillance (%) de CAN

en fonction de la dose (document interne CEA/DEIN/SIR)
Figure 9 – Variation des résistances de conduction Ron

de multiplexeurs analogiques en fonction de la dose dimension suffisante), si les composants ne sont pas homogènes
(document interne CEA/DEIN/SIR) en qualité.
On trouvera dans la bibliographie proposée des exemples récents
de multiplexeurs et de CAN conçus spécialement pour des tenues
Conclusion
très élevées [11] [12].
Le bilan approximatif des dérives indépendantes apparaissant en
cours d’irradiation s’élève à 2 · 10–3 (minimum) pour le CAN, 5 · 10–4
pour amplificateur opérationnel, 8 · 10–4 pour le multiplexeur, soit
un total supérieur à 3 · 10–3 (cas le plus défavorable). 3.2 Complexité et vulnérabilité
Dans cette approche, volontairement simplifiée, évaluée à titre
Mentionnons le cas récent concernant une fonction complexe étu-
d’exemple, qui ne prend pas en compte les dérives classiques
diée à Saclay, au Département d’Électronique et d’Instrumentation
(vieillissement), on peut conclure que la précision globale se dété-
Nucléaire (DEIN).
riorera progressivement jusqu’à 200 Gy et qu’elle sera très en deçà
de la performance attendue. En plus, il n’est pas exclu de voir appa- Le but est de « durcir » une chaîne de commande et de contrôle
raître une panne aléatoire avant la limite estimée (les tests d’éva- équipant un véhicule robotisé d’intervention en milieu hostile
luation sous rayonnement sont rarement entrepris sur un lot de nucléaire. Ce véhicule devant fonctionner en téléopération, dans un
milieu nucléaire accidenté, est relié à une régie déportée par un câble moyens adaptés à chaque application, même s’il existe des
coaxial. Ce lien unique avec l’extérieur assure, d’une part, les trans- démarches de base. Les compensations possibles et prévisibles pour
missions d’informations numériques en duplex entre la régie et le des applications analogiques n’ont pas forcément d’intérêt dans les
véhicule (paramètres de commande des moteurs et données issues domaines exclusivement logiques ou numériques, et réciproque-
de capteurs embarqués) et, d’autre part transmet des signaux vidéo ment.
analogiques pour la vision de l’environnement et le pilotage de La conception d’une fonction durcie se fait par approches
l’engin. successives :
Pour des raisons de consommation, donc de puissance électrique — définition précise des performances de l’électronique ;
embarquée, la technologie choisie a priori pour les composants au — établissement des critères de défaillance (point très important) ;
niveau du projet et de la maquette de faisabilité était du type tout — connaissance du milieu radiatif et autres contraintes associées ;
CMOS (technologie standard) pour les circuits logiques et MOS pour — choix de la technologie la mieux adaptée (et tests de validation)
les éléments de puissance. tenant compte des critères de défauts ramenés au niveau des
À bord de l’engin, des éléments programmables (technologie composants, puis des fonctions, des impératifs de pérennité, de coût,
NMOS) déroulent des séquences d’automatisme, de tests d’approvisionnement, etc. Il faudra payer très cher des projets ambi-
électriques ; les mémoires contiennent les programmes de multi- tieux, sachant qu’un composant caractérisé « durci », lorsqu’il existe,
plexage qui contrôlent les dialogues bidirectionnels véhicule-régie. peut être d’un coût allant de cent à mille fois celui d’un composant
standard ;
La vitesse de transmission des données numériques minimale pré-
— optimisation et reconfiguration de parties des fonctions de
vue à l’origine était de 19 kbauds en « full duplex », par codage
mesures ou de contrôles, avec des composants standards les plus
RS 232 sur deux fréquences porteuses distinctes en modulation de
tolérants possibles, en recherchant de préférence une simplification
phase.
et une plus grande « rusticité », faisant appel à la créativité du cir-
Deux canaux vidéo couleur PAL 625 lignes (deux caméras CCD cuiteur (encadré 1) ;
sur le véhicule) sont transmis en modulation d’amplitude sur deux — recherche des procédés de protections locales, ou des modes
fréquences porteuses vers 9 et 20 MHz. La technologie de la partie d’utilisation favorables.
haute fréquence a été réalisée en éléments bipolaires (transistors),
pour des raisons de vitesse de commutation et de puissance de
transmission. ENCADRÉ 1. EXEMPLE D’UN PRINCIPE ASTUCIEUX
La tenue souhaitée à l’origine pour une mission d’intervention était AMÉLIORANT LA TOLÉRANCE AUX RAYONNEMENTS
de 1 000 Gy. L’estimation du débit de dose est de l’ordre de
10 Gy · h –1, avec des valeurs maximales pouvant être ponctuel- Nous citerons ici un article du journal CEA-Technologie
lement importantes, compte tenu de la proximité de fuites radio- (juillet-août 1993), qui montre comment l’astuce et l’imagina-
actives et du milieu très pollué (accident nucléaire). En pratique, les tion permettent de résoudre une grande part du problème de
aspects dose et débit de dose doivent être pris en compte simulta- tenue d’un type d’installation en milieu nucléaire très agressif,
nément. et également d’en simplifier les interventions en cas de panne.
Les cellules des usines de retraitement disposent de ponts rou-
Des tests de caractérisation nucléaire, effectués au 60Co sur chaque
lants (pour transport de charges de matériaux actifs, d’outillages,
fonction élémentaire avant durcissement, ont montré que la tolé-
etc.), dont les gaines des câbles de puissance (« guirlandes »,
rance des fonctions programmées utilisant de la mémoire, un micro-
enrouleurs, frotteurs) résistent mal aux rayons γ . Si les câbles
processeur (famille 6 800) et des circuits logiques périphériques
sont mobiles, des courts-circuits créent des arcs apparaissant
CMOS était de l’ordre de quelques dizaines de grays.
sur les frotteurs qui s’usent, générant des pannes en cellules
La transmission des données numériques continuait à s’effectuer « chaudes ». La maintenance y est très difficile, le milieu étant
sur le câble (de longueur 300 m) normalement jusqu’à 250 Gy au très hostile.
débit nominal de 19 kbauds, puis à vitesse réduite jusque vers L’astuce a consisté à concevoir un pont roulant « sans fil à la
600 Gy, alors que la transmission vidéo restait qualitativement assu- patte ». Le mérite en revient à l’équipe de la section de Télé-
rée (technologie bipolaire). opération Appliquée du CEA Pierrelatte.
La complexité de l’ensemble est telle qu’il y a lieu de se poser la Il s’agit en fait de l’exploitation du principe d’une boucle induc-
question du durcissement à la fois en termes de technologie (choix tive mise au point chez un industriel (Bertin), sur un brevet CEA
de nouveaux composants adaptés tolérants), mais aussi, et avant (1980). Sans entrer dans le détail, le procédé consiste à embar-
tout peut-être, en termes d’une analyse fonctionnelle nouvelle, impli- quer une boucle inductive sur le pont roulant. Une grosse spire
quant éventuellement une refonte complète du système, associant fixe parcourue par un courant pouvant atteindre 1 000 A
la révision des performances raisonnablement possibles aujourd’hui supportée par le rail porteur, dans la cellule, constitue le primaire
et l’optimisation des masses, volumes, consommation, etc. d’un transformateur, le secondaire étant en fait une pince
ampèremétrique solidaire du pont mobile. Ce secondaire joue
On voit, par cet exemple, qu’une étude de durcissement a pos-
le rôle de primaire mobile pour l’alimentation en énergie du pont
teriori sur un projet complexe remet en question une grande partie
(figure 11).
du prototype.
Pour le contrôle commande, il suffit d’utiliser les courants por-
teurs superposés au courant de puissance pour piloter le pont.
Plus de contacts électriques forts courants, plus de conducteurs
de puissance mobiles..., l’ensemble est bien plus tolérant au
4. Actions de compensation ; milieu nucléaire, pour ce qui concerne l’alimentation électrique.
durcissement
4.1 Généralités 4.2 Le choix technologique
D’une façon générale, il n’existe pas de technique unique univer-
sellement utilisée pour le durcissement de l’électronique. Il existe un certain nombre de documents spécialisés et de
banques de données [13], faisant état d’essais de tenue sous
Malgré les expériences acquises originellement dans le domaine rayonnement de composants électroniques divers. Les fabricants de
militaire (premier domaine historiquement concerné), le durcisse- composants militaires ou spatiaux (Harris, National Semiconductor,
ment est toujours un cas d’espèce, et l’on doit parler plutôt de Marconi, etc.) sont de bonnes sources de renseignements à ce sujet
et « proposent » (mais il est plus difficile d’en disposer !) des

composants dits durcis pour certaines applications.
Exemples en analogique :
— HS-508-ARH multiplexeur tolérant au moins 1 000 Gy de 60Co ;
— HS-3530-RH amplificateur opérationnel programmable garanti
au-delà de 10 kGy.
Exemples en numérique :
— microprocesseur 16 bits HS-80C86-RH ;
— mémoires diverses et autres VLSI de Harris, etc.
Tous ces composants ne sont pas durcis aux mêmes niveaux, et
il faut bien reconnaître que s’ajoutent, au coût de ces produits, la
difficulté et les délais d’approvisionnement, l’incertitude quant à la
pérennité de ces circuits spéciaux, le manque d’équivalence avec
d’autres sources éventuelles, et également le fait que les caractéri-
sations effectuées par les fabricants correspondent rarement à
l’application réelle que l’on envisage. Ces facteurs augmentent
l’incertitude et impliquent obligatoirement une ou plusieurs étapes
de validation fonctionnelle à la conception, en utilisant une simu-
lation plus réaliste.
Une simulation nucléaire, faite avec du 60Co pour les effets des
photons X ou γ, devra, selon les cas, mettre en évidence les effets
attendus de dose ou /et débit de dose.
Les essais avec d’autres particules font appel à des équipements
très complexes et onéreux (accélérateurs de particules par exemple),
sauf si l’on peut se contenter, avec toutes les réserves qui s’imposent,
d’une simulation en équivalence de dose γ.
Pour les missions de haute technicité et nécessitant une très
grande fiabilité, les équipements seront validés en simulations
réalistes.
Les effets transitoires en débit, ou la mise en évidence du latch- Figure 11 – Principe d’un pont roulant en milieu nucléaire
up par exemple, nécessitent des essais adaptés au contexte. sans contacts ni fils d’alimentation de puissance
4.3 Conception
Le lecteur pourra se reporter aux références [14] [15] [16] [17].

La conception qui suit le choix de la technologie, après analyse
des conditions, tient compte des propriétés plus ou moins dégra-
dées des paramètres des composants pendant leur durée de vie.
Des corrections seront prévues par le circuiteur pour rendre les
dérives insignifiantes ou acceptables.
■ Pour des applications devant supporter la dose γ, les composants
silicium de type bipolaire conviennent généralement bien avec des
fonctionnements en mode dégradé connu (figure 12).
■ Les composants AsGa tiennent à des doses très élevées (106 Gy),
mais sont très sensibles aux débits de dose de photons (ainsi que de
particules lourdes chargées), et ils sont conçus exclusivement soit
pour des applications à très hautes fréquences, soit pour des utilisa-
tions logiques et numériques ultrarapides. La géométrie interne de
ces composants, optimisée pour la vitesse de fonctionnement, les
rend quasiment inaptes en fréquences basses. Paradoxalement,
pour des applications en fréquences incompatibles avec la gamme
Figure 12 – Intercomparaisons ; tolérance et choix technologique
traditionnelle AsGa, on peut, au niveau de la conception, repenser
entièrement la fonction pour imaginer l’utilisation de circuits très
rapides (accroissement en complexité, mais gain en fiabilité
nucléaire). N parasites, il est préférable d’utiliser des cellules NAND, compo-
sées de canaux N en série, avec des éléments parasites canaux P.
■ Pour les besoins en débits élevés γ et neutrons, les structures En effet, les seuils des canaux N décroissent, conservant la fonc-
MOS et CMOS sont généralement bien adaptées, dans la mesure où tionnalité logique, alors que c’est l’inverse pour les canaux P.
la dose finale reste modérée (de l’ordre de quelques centaines de
grays). Ce sont des composants qui s’imposent en milieu neutro- Les banques de données existantes, ainsi que des essais spéci-
nique et flash γ ou X, du fait de leur mode de conduction par por- fiquement adaptés au besoin bien ciblé, aident le circuiteur à ima-
teurs majoritaires. giner les parades possibles.
Dans la conception de fonctions logiques, si l’on tient compte,
par exemple, que l’assemblage de circuits NOR utilise une confi-
guration de structure série canaux P en parallèle avec des canaux
destruction, ce qui permet d’obtenir un ordre de grandeur de la limite

Remarque : il faut être vigilant sur la validité des résultats de maximale admissible.
tests anciens. Les procédés de fabrication des composants évo-
La figure 14 résume la stratégie de durcissement d’une fonction,
luent rapidement, se modifient en fonction des progrès techno-
d’un équipement, d’une chaîne de mesure ou de contrôle. Le coût
logiques et leurs comportements sous radiations doivent être
d’une qualification sera d’autant plus important que celle-ci sera tar-
périodiquement vérifiés.
dive dans le projet.
4.4 Modes d’utilisation ; protections

Dans certains cas limites, on peut améliorer la tenue à la dose en
exploitant au mieux les phénomènes de récupération, obtenus par
des séquences alternées de mise hors tension par exemple.
Ces aspects ne sont pas encore bien maîtrisés aujourd’hui ; les
tentatives d’explications théoriques ne sont pas satisfaisantes, sur
des circuits complexes.
Remarque :il est également important de tenir compte, au

niveau du projet, de l’aspect fiabilité globale. Celle-ci n’est géné-
ralement pas améliorée par des modes impliquant des interrup-
tions et des remises sous tension périodiques.
Un fonctionnement à température élevée (> 50 oC) active le pro-

cessus de guérison. On peut, pour certaines applications, du fait de Figure 13 – Composant électronique protégé contre les radiations
la compétition entre les cinétiques de création de défauts et de gué- (suivant norme JEDEC), utilisé sur les sondes Galilée et Ulysse
rison simultanées, atteindre au moyen de la température des niveaux
de tolérance plus acceptables. D’où l’emploi de forts courants par
exemple, si le contexte l’autorise.
Sur des structures CMOS simples (CMOS bulk ), les récupérations
semblent plus importantes lorsque les dispositifs sont sous tension
(effet de guérison dû à la température de la « puce » de silicium et
recombinaisons de charges à l’interface silice-silicium). Des résultats
contraires sur des structures récentes de l’ordre du µm existent.
Les composants bipolaires, généralement affectés par des modi-
fications des structures moléculaires (dislocations des réseaux dues
aux neutrons par exemple), « guérissent » moins bien. Le cas le plus
favorable semble être des arrêts hors tension.
Les comportements des fibres optiques, aussi bien en irradiations
transitoires qu’en doses cumulées, sont améliorés en soumettant les
fibres à un flux lumineux continu ou périodique activant les ciné-
tiques de guérison des centres colorés (processus équivalent à
l’action de la température dans les semiconducteurs).
Des protections localisées absorbantes d’énergie (tel le plomb
pour les photons, l’aluminium pour les électrons, etc.), voire inté-
grées aux composants sensibles [18] avec juste le volume utile pour
limiter la masse ajoutée, peuvent être combinées avec des concep-
tions multiblocs, déportant les éléments critiques hors du milieu
radiatif. La figure 13 est l’exemple d’une réalisation actuelle de pro-
tection localisée, ajoutée au boîtier du composant.
Pour ce qui concerne la protection contre les photons, l’épais-
seur de l’écran de plomb dépend de l’énergie. Par exemple, pour
une énergie de l’ordre de 1 MeV, il faut sensiblement 4 cm de
plomb pour atténuer d’un facteur 10 le débit de dose (dite couram-
ment épaisseur 1/10). On voit tout de suite l’optimisation indispen-
sable du volume à protéger, si l’on ne veut pas se trouver avec une
masse d’élément absorbant rédhibitoire.
4.5 Qualification
Figure 14 – Stratégie de durcissement au niveau d’un projet
La qualification est l’étape ultime pouvant assurer avec une cer-
taine confiance la conformité au besoin.
Une phase de tests globaux sous rayonnements est indispensable
au niveau du prototype. Suivant le niveau de confiance désiré, on
effectue soit des tests limités en dose pour valider les dérives atten-
dues, soit des essais complets allant jusqu’à l’arrêt du prototype par
5. Limites des possibilités Ce sont des paramètres économiques qui obéissent à la loi du mar-
ché et qui augmentent les risques pour des projets à long terme.
de durcissement Pour essayer de s’affranchir de ces aspects préoccupants dans le
suivi d’une action de longue haleine, l’étude et la fabrication de
composants spécifiques font aujourd’hui partie de l’action indispen-
Les limites sont diverses selon les applications, et sont souvent sable pour un durcissement de haut niveau.
insuffisantes au regard des besoins exprimés. Mais il est des cas Ces composants spécifiques (à base de prédiffusés par exemple,
où des solutions de rechange sont inexistantes. Nous évoquerons comportant des cellules tolérantes, voire durcies : se reporter aux
deux cas ; un cas d’actualité, et un autre évoquant une ancienne documents des fabricants importants du marché des composants
technologie. haute fiabilité) utilisent souvent à l’origine des technologies
classiques mais améliorées, rendues moins sensibles par des pro-
cédés d’élaboration particuliers.
5.1 Exemples L’étude de ces composants spéciaux sera à la charge de l’utilisa-
teur, et les coûts toujours très élevés.
■ Interrogeons-nous en premier lieu sur le cas d’une transmission

d’images par caméra CCD, dont la technologie du capteur est
aujourd’hui très performante du point de vue optique (résolution, 5.2 Limites des technologies classiques
sensibilité, consommation), mais très sensible aux radiations (tenue
de l’ordre de 200 Gy).
L’amélioration ces dernières années des techniques de fabrica-
Il n’y a pas aujourd’hui de solution de rechange commerciale du tion a porté sur :
capteur CCD (à transfert de charges), hormis l’utilisation du tube — la diminution des volumes actifs élémentaires ;
analyseur d’image classique (vidicon, plumbicon, etc.) dont la tech- — la précision des géométries ;
nologie est amenée probablement à disparaître ou à être pour le — la pureté des substrats de base ;
moins de disponibilité incertaine (il n’y a plus de fabrication d’ori- — les procédés nouveaux d’oxydation (tels que les oxydes pyro-
gine française) dans les prochaines années. géniques élaborés à plus basses températures pour les grilles de
Ce cas est d’actualité pour les activités de téléopérations en CMOS par exemple).
milieu nucléaire, dans la mesure où les études d’aujourd’hui sont De même, l’emploi d’oxydes dopés (nitrures) a permis d’atteindre
en amont des applications réelles de demain [18] [19]. des niveaux de tolérance en dose atteignant quelques kilograys pour
Il n’existe pas, à ce jour, de capteur à transfert de charges tolérant certains circuits logiques standards de complexité moyenne.
aux rayonnements (sauf quelques cellules en étude pour des besoins Les composants analogiques de type bipolaire ont des tolérances
spécifiquement militaires, ne convenant pas forcément pour les notablement supérieures en dose γ (plusieurs centaines de kilo-
besoins industriels). Le marché du nucléaire n’est pas suffisamment grays), avec des dérives acceptables autorisant des actions de
important pour les fabriquants de CCD, dont le point fort est la vidéo compensation qui ne sont pas trop complexes.
amateur ou professionnelle.
Il y a dans ce domaine un composant manquant, et très impor-
tant pour les applications nucléaires.
La visionique en milieu nucléaire reste à reconsidérer. 5.3 Nouvelles technologies
■ Évoquons le cas d’une chaîne de contrôle de radioactivité,
utilisant un composant spécifique à effet de champ (paire de Au-delà des besoins usuels en durcissement (au-delà de 104 Gy),
transistors MEM 501 de fabrication américaine ancienne), à très il faut faire appel à de nouvelles technologies
faible courant d’entrée (1016 Ω d’impédance d’entrée), connecté sur
une chambre d’ionisation. Ce composant n’est plus disponible
actuellement. Une tentative de remplacement par un composant un 5.3.1 Technologie silicium sur isolant
peu semblable (ICH 8500 Intersil) n’a pas permis d’obtenir une tolé-
rance équivalente sous irradiation (dérives importantes vers 150 Gy), Des technologies récentes, en phase d’industrialisation, telles que
ce qui implique un remplacement fréquent. la structure SOI (silicon on insulator) silicium sur isolant, sont des
Ce problème reste entier, puisque aujourd’hui l’ICH 8500 à son avancées très importantes.
tour n’est plus fabriqué. Cette technologie est issue de la technologie SOS (silicon on
En fait, tous les composants pour des applications très pointues sapphire) ; elle permet de gagner considérablement en perfor-
(hautes impédances, faibles fuites, grandes stabilités...), qui sont mances nucléaires [20] (figure 15).
déjà généralement peu nombreux parce que dédiés à des applica- La technologie silicium sur isolant connaît diverses variantes
tions très ciblées et performantes, sont des produits rares dans les avec des sigles divers : SOI, SIS (silicon on insulated substrate),
catalogues des technologies durcies. ESFI (epitaxial silicon films on insulator).
On peut espérer trouver bientôt, dans les technologies nouvelles, Pratiquement, aujourd’hui, la technologie encore la plus indus-
les composants de rechange. trialisée est le SOS bien que la technologie SOI, avec le procédé
SIMOX (CEA LETI) soit en continuité et développement :
■ On retrouve ici deux exemples de difficultés que l’on ne peut
maîtriser avec des composants commerciaux. Ceux-ci — aucune technologie silicium n’est équivalente au SOS en seuil
imposent une grande prudence dans les choix technologiques au de perturbation ;
niveau du projet, à savoir, d’une part la nécessité de disposer d’une — cette technologie est durcie facilement à une dose cumulée
technologie améliorée quant à sa tolérance aux radiations, ou d’une de 10 kGy.
technologie de remplacement, et d’autre part de se poser la question
de la pérennité d’une technologie convenable mais pouvant devenir
désuète.
Une des qualités majeures de ce produit est de pouvoir travailler

à haute température (600 oC), et donc d’être très utile pour des tran-
sistors de puissance dont la jonction peut atteindre plus de 500 oC
(avec des applications dans le domaine des commutateurs de puis-
sance et des diodes haute tension). La tenue aux radiations est supé-
rieure à celle des composants AsGa et à celle des composants
silicium. Des transistors CSi JFET tolèrent une dose intégrée de plus
de 106 Gy, et des tenues de 1016 neutrons · cm–2 sont probables.
■ Enfin, citons des travaux d’approche sur des substrats en dia-
mant. Ces travaux, qui déboucheront sur des circuits commerciaux
dans une dizaine d’années, laissent à penser qu’ils seront l’une des
solutions dans le domaine des environnements particulièrement
sévères et inaccessibles aujourd’hui, à savoir la température
(> 1 000 oC) et les radiations.
Il reste néanmoins le problème de fond : l’exiguïté du marché de
ces composants en rend l’industrialisation hypothétique, malgré
les performances démontrées en phase d’étude. Grâce à la
demande accrue de projets très ambitieux dans le nucléaire, les
exigences de performances deviennent accessibles peu à peu avec
ces nouvelles structures.
5.4 La démarche dans l’analyse de projets
Figure 15 – Simulation du passage d’un ion lourd dans un transistor Le bon choix technologique est le paramètre premier de la tolé-
de type SOI (doc. CEA-DAM) rance aux rayonnements. Mais peut-on assurer des performances
ambitieuses sans tenir compte des aspects annexes (complexité, uti-
lisation restreinte, coût en temps de mise au point et en dévelop-
pement technologique spécifique, etc.) ?
Elle présente : une absence de latch-up et une meilleure tenue
aux aléas logiques (de l’ordre de 2 · 10–10 erreur/ bit jour). Pour le développement, l’aspect de la tenue sous rayonnement
doit être examiné en priorité.
On trouve principalement trois industriels qui fabriquent et
commercialisent des circuits durcis en CMOS/SOS : RCA, Rockwell Les composantes classiques d’un projet, associées à l’aspect
International et Marconi. rayonnement, conditionnent entièrement les options technolo-
giques et conceptuelles.
À titre d’exemple, pour des produits Marconi, les caractéristiques
nucléaires garanties en Semi-Custom au catalogue sont : Bien qu’une chaîne de mesure implique obligatoirement la pré-
sence de capteurs, nous n’avons pas abordé de façon spécifique
— dose intégrée photons Gy (Si) : 105 ;
l’influence des rayonnements sur ces éléments. Le capteur est un
— débit de dose 108 Gy (Si) · s–1 ;
composant dont le comportement est soumis aux mêmes phéno-
— neutrons : 1015.
mènes que tout autre composant de la chaîne, et selon sa structure
(résistif, capacitif, semiconducteur, etc.), il sera utile de se référer au
tableau 1 et à la figure 5. Dans l’absolu il est impossible de chiffrer
5.3.2 Solutions nouvelles en cours d’études : avec précision la tolérance de tel ou tel capteur, et cela d’autant plus
structures nouvelles que sa constitution interne est souvent inconnue ou, pour le moins,
imparfaitement connue (données commerciales).
On voit apparaître (en prototypes) la possibilité de fabrication de
Enfin, le capteur étant l’élément de base de la chaîne, ses perfor-
circuits à partir de polymères semiconducteurs.
mances attendues comprennent des aspects de fiabilité, reproduc-
Aujourd’hui, ces composants d’avenir sont destinés en premier tibilité, sensibilité, linéarité, rapport signal/bruit, etc. Ce sont autant
lieu aux applications sensibles (spatiales et militaires). de caractères, qui font la qualité d’un capteur, qu’il sera indis-
Des solutions existent pour augmenter, par exemple, la tolérance pensable de tester en simulation nucléaire.
des composants AsGa au débit de dose (hétérostructures par
couches tampon AsGa/GaAlAs), et la panoplie des circuits dispo-
nibles s’accroît. Mais il n’existe pas, et il n’existera jamais systématiquement,
de composants de remplacement à des produits sensibles, ce
■ Une des toutes dernières technologies en cours d’investigation qui laisserait supposer que la conception tolérante aux rayon-
avancée est le carbure de silicium (CSi). Aujourd’hui, encore très peu nements se résout uniquement et simplement sur catalogue,
de produits existent commercialement (diodes photo-émissives), en choisissant le composant adapté.
mais de nombreux travaux se font sur des structures de base comme
des jonctions P-N, des transistors à effet de champ à jonction (JFET).
P
O
U
Action des rayonnements R
sur les systèmes de mesure
E
N
par René PAYAT
Ingénieur du Conservatoire national des Arts et Métiers : Électronique-Physique
Ingénieur au DTA /DEIN /Saclay (Commissariat à l’Énergie Atomique),
S
Laboratoire de tests sous rayonnements ionisants
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défauts paramétriques par niveaux et
(S.-J.) et HARRINGTON (C.-C.). – Radiation
Documents spécialisés à consulter

4 - 1994
■ IEEE Transaction on nuclear science

■ IEEE annual conference on nuclear and space radiation effects : un volume
annuel
■ Documents du CERN (Centre européen de recherches nucléaires)
notamment les publications Laboratory 2, Radiation Group.
Doc. R 740
Conférences RADECS.
Radiation effects on components and systems (First European
Conference on Radiation and its Effects on Devices and Sys-
tems) in cooperation with ESA-IEEE-Université Montpellier II
Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie

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sur les systèmes de mesure

par René PAYAT

1. Généralités sur les rayonnements et les milieux nucléaires ....... R 740 - 2

l est de plus en plus fréquent d’introduire des équipements électroniques dans

des environnements où l’on se trouve en présence de rayonnements nuc-

Les interactions rayonnement-matière sont, du point de vue de la théorie

1.3 Les équipements et les rayonnements

Si les rayonnements sont omniprésents, même à faible activité,

Figure 3 – Actions des rayonnements et

Figure 4 – Actions des neutrons

La figure 5 montre, pour un type de transistor bipolaire courant

2.2 Composants passifs

Les structures passives, qui s’interconnectent avec les composants

À part les composants d’extrémité (émetteurs, récepteurs, dont nous

La vulnérabilité n’est pas toujours sanctionnée par la destruction

Tableau 2 – Évolution de quelques paramètres de l’amplificateur opérationnel HA 4741 MHS,

 + Icc 3,435 mA 3,224 mA

Figure 8 – Schéma simplifié d’une fonction

Figure 10 – Histogramme de défaillance (%) de CAN

Figure 9 – Variation des résistances de conduction Ron

et « proposent » (mais il est plus difficile d’en disposer !) des

Le lecteur pourra se reporter aux références [14] [15] [16] [17].

destruction, ce qui permet d’obtenir un ordre de grandeur de la limite

4.4 Modes d’utilisation ; protections

Remarque :il est également important de tenir compte, au

Un fonctionnement à température élevée (> 50 oC) active le pro-

■ Interrogeons-nous en premier lieu sur le cas d’une transmission

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5.4 La démarche dans l’analyse de projets

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