Université Ibn Tofail

Faculté des Sciences de Kénitra

Département de Physique
Kénitra

Master Systèmes de Télécommunication

Semestre S3

Cours

Dispositifs hyperfréquences

Mohamed HABIBI
Abdelhak BENDALI

ANNEE UNIVERSITAIRE 2018/2019

1
Circuits Micro-Ondes Actifs

2
 CIRCUITS HAUTE FREQUENCE NON LINEAIRE

I. Introduction générale sur les architectures de transmissions

1. Introduction
Pour transmettre les informations modulées selon des standards bien définis, la partie radio
nécessite un émetteur. Celui-ci a quatre fonctions principales : modulation, transposition
autour d’une fréquence porteuse, amplification de puissance et rayonnement. L’objectif de
l’émetteur est d’accomplir ces différentes fonctions de manière à ne pas dégrader le signal à
transmettre et ne pas polluer les signaux situés dans les canaux adjacents.
Le but d’un émetteur est de transmettre une information autour d’une fréquence porteuse.
Pour cela, il s’agit d’abord de transposer un signal modulé en bande de base vers une
fréquence plus élevée, puis de l’émettre à l’aide d’une antenne avec une amplification
préalable.
A la réception, il est alors nécessaire d’abaisser la fréquence du signal reçu pour passer d’une
fréquence RF à une fréquence intermédiaire (IF) plus faible (down-conversion) afin de
faciliter le traitement de l’information.

Figure 1: Architecture émetteur récepteur simplifiée

Il existe plusieurs architectures de transmission, qui présentent des caractéristiques
différentes, notamment en matière de bruit, de consommation, de coût, de complexité et
d’intégration. Dans ce cours, nous sintériserons seulement sur les émetteurs cartésiens puis
leurs éléments actifs de la partie RF à savoir l’amplificateur, l’oscillateur, le mélangeur et le
synthétiseur de fréquence.
2. Architecture cartésien
Dans le cas de la norme LTE (Long Term Evolution), l’information à transmettre est répartie
sur plusieurs sous-porteuses à l’aide d’une IFFT (Inverse Fast Fourier Transform), et chacune
de ces sous-porteuses est modulée en quadrature (QAM). Le signal modulé en bande de base

3
est donc complexe et s’exprime par ses composantes cartésiennes selon l’équation ci-dessous
: 𝑺𝒊 (𝒕) = I(𝒕) + 𝒋Q(𝒕)
avec I(t) la composante en phase et Q(t) celle en quadrature.
Après la transposition à une fréquence plus élevée, le signal devient donc :
𝑺𝒐𝒖𝒕(𝒕) = 𝑹𝒆{𝑺𝒊𝒏(𝒕)𝒆𝒋𝝎𝒍𝒐𝒕} = 𝑰(𝒕). 𝐜𝐨𝐬(𝝎𝒍𝒐𝒕) − 𝑸(𝒕). 𝐬𝐢𝐧(𝝎𝒍𝒐𝒕)
avec ωlo la fréquence angulaire de la porteuse.

2.1.Structure de type hétérodyne

2.1.1. Emetteur

Un émetteur hétérodyne, représenté en figure 2 fait une double conversion de fréquence. La

première partie permet la translation du signal de la bande de base vers une fréquence
intermédiaire fif. Puis, dans une seconde partie, le signal est transposé vers la fréquence RF
souhaitée à l’aide d’un simple mélangeur et d’un deuxième oscillateur local fonctionnant à la
fréquence flo= frf– fif.

Figure 2: Émetteur hétérodyne

Un filtre passe-bande est nécessaire entre le modulateur I/Q et le mélangeur simple pour
atténuer les harmoniques de la fréquence intermédiaire et ainsi éviter l’apparition de la
fréquence image à flo– fif, qui peut se mélanger à la fréquence du deuxième oscillateur.
Les avantages de cette architecture sont ses bonnes performances en sensibilité, sélectivité et
linéarité. La contrepartie est qu’elle est plus complexe à intégrer car elle nécessite deux
synthèses de fréquences, un mélangeur supplémentaire. Les filtres à implémenter sont plus
sélectifs et donc potentiellement externes.
2.1.2. Récepteur
L’architecture fonctionnelle d’une chaîne complète de réception est présentée dans la figure 3.
L’architecture de récepteur la plus couramment rencontrée est la topologie superhétérodyne.
La partie « front-end » est constituée de filtres, d’amplificateurs, de mélangeurs et
d’oscillateurs locaux (OL). La première étape est de sélectionner le canal désiré par le biais
d’un filtre passe-bande puis de l’amplifier par un amplificateur faible bruit afin d’augmenter
le niveau du signal tout en limitant le bruit à l’entrée du mélangeur. Le signal est ensuite
4
transposé à des fréquences plus basses grâce au mélangeur qui multiplie ce signal par une
sinusoïde de fréquence fournie par l’oscillateur local. Le résultat de ce mélange est une
composante à la fréquence fOL-fp et une composante à la fréquence fOL+fp. Le filtre passe-
bande en sortie du mélangeur est alors utilisé pour ne retenir qu’une seule fréquence. Le
signal, ainsi isolé et amplifié, pourra être traité numériquement après avoir traversé un
démodulateur IQ et un convertisseur analogique/numérique (CAN).

Figure 3: Structure fonctionnelle de récepteur hétérodyne

2.2.Structure de type homodyne
Un émetteur homodyne représenté en Figure 4 transpose directement le signal en bande de
base vers la fréquence porteuse à l’aide d’un modulateur I/Q. Celui-ci mixe les composantes I
et Q préalablement converties dans le domaine analogique à des signaux en quadrature
provenant d’un oscillateur local de fréquence flo égale à la fréquence RF souhaitée.

Figure 4: Émetteur homodyne

Cette solution a l’avantage d’être facilement intégrable grâce au nombre réduit de composants
à utiliser : un seul modulateur I/Q, un seul oscillateur. Pour la même raison, la consommation
est plus faible que pour l’architecture hétérodyne.
Pour étudier, examiner et évaluer le comportement des composants actifs, on utilise un
modèle le plus approprié à l’environnement dans lequel se situe le dit composant.
En haute fréquence, une liaison électrique, aussi courte soit-elle, ne peut plus être assimilée à
un court circuit. Les modèles utilisés en haute fréquence sont similaires à ceux simplifiés,

5
utilisables en basse fréquence, mais les éléments parasites, non négligeables dans ce domaine
fréquentiel, compliquent les schémas équivalents.
3. Transistors en hyperfréquences
3.1.Types de transistors
On distingue deux grandes familles de transistors : les transistors bipolaires (BJT) et les
transistors à effet de champ (FET). Les BJT sont utilisés principalement dans les applications
de puissance tandis que les FETs sont souvent utilisés dans les applications à faible bruit.
Citons les transistors les plus populaires en hyperfréquences :
Le transistor bipolaire (BJT) : Ce transistor en NPN ou PNP est basé sur un seul matériau
semi-conducteur (Si), il permet d’aller jusqu’à 10GHz.
Le transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) : Le transistor bipolaire à hétérojonction est
composé par des semi-conducteurs différents. Il permet d’atteindre des fréquences supérieures
à 100 GHz, avec de bonnes performances en bruit et consommation par rapport à un BJT
classique. On le trouve en technologie : GaAs (Arséniure de Gallium), InP et SiGe.
Métal semi-conducteur FET (MESFET) : Pour le MESFET la grille est métallique, ce qui
forme un contact métal-semi-conducteur. Il atteint des fréquences plus élevées de celles des
JFETs. Les FET en GaAs sont très populaires.
Métal oxyde semi-conducteur FET (MOSFET) : le MOSFET est caractérisé par une grille
métallique isolée de la couche active par un oxyde isolant. Dans cette famille, on trouve les
technologies CMOS, NMOS. Ces transistors sont largement utilisés pour les circuits intégrés.
Le transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT) : c’est un FET à hétérojonction
construit par plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs différents. Il permet
d’atteindre des fréquences qui dépassent les 100 GHz (dépends de la technologie de
fabrication). Cette famille de transistors est développée principalement en GaAs, mais aussi
en GaN, InP…
Le tableau suivant représente la comparaison entre les transistors les plus populaires :

3.2.Circuit équivalent d’un transistor

6
 3.2.1. Circuit équivalent petit signal (linéaire)
Les circuits équivalents hyperfréquences simplifiés à petit signal d’un BJT et d’un FET sont
donnés par la figure 5 et la figure 6 respectivement.
La capacité entre l’entrée et la sortie (CBC et CGD) dans la plus part des transistors est de faible
valeur, donc elle peut être négligée pour des fréquences relativement basses. Par
conséquences il est possible de considérer que la puissance ne circule que de l’entrée vers la
sortie et S12=0, ce qui permet de simplifier l’analyse de circuit.
Pour des fréquences élevées l’impédance de la capacité (CBC et CGD) devient de plus en plus
faible. Elle favorise le courant de la parcourir directement ce qui diminue la valeur de S21 et le
gain du transistor. En plus elle constitue une boucle de retour de la sortie vers l’entrée ce qui
détériore la stabilité.

Figure 5: Circuit équivalent petit signale simplifié d’un BJT en émetteur commun

Figure 6: Circuit équivalent petit signale simplifié d’un FET en source commune
3.2.2. Circuit équivalent grand signal
Généralement, il est possible d'obtenir, de la part des constructeurs, un modèle électrique petit
signal qui régit le comportement du transistor pour un fonctionnement linéaire. Par contre, dès
lors que le régime devient non-linéaire, la détermination des conditions optimales de
fonctionnement se complique. C'est pourquoi, la modélisation électrique grand signal permet
de traduire mathématiquement le comportement électrique du transistor de puissance pour de
forts niveaux d'excitation. L'étape la plus délicate est la détermination des éléments du schéma
électrique équivalent qui rendent compte des principaux phénomènes non-linéaires : capacités
de déplétion Cgs et Cgd, source de courant de drain id(t), passage de la grille en direct et
phénomène d'avalanche drain-grille.

7
La figure 7 propose un exemple de schéma équivalent non-linéaire d'un FET AsGa. Ce
schéma permet de décrire de façon analytique et le plus fidèlement possible les différents
phénomènes non-linéaires qui apparaissent lorsque le signal d'entrée d'un FET augmente. En
effet, en régime grand signal, les éléments du composant intrinsèque : Ri, Cgs, Cds et Cgd
varient en fonction des tensions vds et vgs. Les difficultés de mise en œuvre et d'extraction des
valeurs des éléments non-linéaires conduisent souvent à simplifier le modèle. Par exemple, les
variations de Ri et Cds sont suffisamment faibles pour les considérer comme indépendantes
des tensions appliquées. C'est pourquoi, leurs valeurs sont issues du schéma équivalent petit
signal.
Ainsi, les principales non-linéarités caractérisées au niveau du modèle grand signal sont les
suivantes :
- la source de courant de drain id(t) =f (vg (t-τ), vd (t)),
- les capacités de déplétion Cgs et Cds,
- la mise en conduction de la diode Schottky d'entrée représentée par le courant ig(t) =f(vg(t)),
lorsque la tension vd devient supérieure à la tension de conduction VΦ,
- le phénomène d'avalanche drain-grille représenté par le courant idg (t)= f (vg(t), vd(t)).

Figure 7: Circuit équivalent grand signale d’un FET, (a) réel, (b) simplifié

8
 Figure 8: Circuit équivalent grand signale simplifié d’un BJT
3.2.3. Effet Miller
Le calcul de la fréquence de coupure du montage émetteur commun donne des formules
complexes du fait de la capacité Cgd qui relie la sortie à l'entrée. L'effet Miller met en
évidence que cette capacité vue de l'entrée, était comme multipliée par le gain en tension de
l'étage.
a) Méthode de calcule
Considérons le quadripôle de la figure suivante

Figure 9 : Transformation de MILLER du quadripôle (a) vers le quadripôle (b)

Une admittance Y est connectée entre les nœuds d'entrée et de sortie.
Le quadripôle (a) est équivalent à celui du (b) dans lequel l'admittance Y a été remplacée par
deux admittances Y1 et Y2 reliées au point commun.
Soit K = V2/V1 le gain en tension de ce quadripôle.
Le courant I1 entrant par le nœud 1du quadripôle (a) s'écrit :
𝑉2
𝐼1 = 𝑌 𝑉1 − 𝑉2 ) = 𝑌𝑉1 1 − = 𝑌𝑉1 (1 − 𝐾)
𝑉1

9
Dans le quadripôle équivalent nous avons I 1 = Y1 V1, en identifiant il vient :
Y1 = Y (1 - K)
De même pour Y2 :
1
𝑌2 = 𝑌 1 −
𝐾
b) Exemple
Prenons par exemple le modèle du transistor suivant :

Ce modèle peut être simplifié en appliquant la transformation de Miller à la capacité Cb'c.

Cette transformation permet de remplacer Cb'c par deux capacités connectées en dérivation à
l'entrée et à la sortie du transistor.

Soit RS la résistance de charge en petits signaux du transistor.

Le gain de l'étage est AV = - βRS / h11 = - gm RS
La capacité Cb'c peut donc être remplacée par :
• A l'entrée une capacité C1 = Cb'c.(1-AV) = Cb'c.(1+ gm RS)
• A la sortie une capacité C2 = Cb'c.(1- 1/AV) = Cb'c.(1+1/gm RS)
La capacité C2 est beaucoup plus faible que C1 et peut être souvent négligée.
La capacité C1 se trouve en parallèle avec la capacité Cb'e.
Nous avons donc une capacité équivalente CT = Cb'e +C1, et le schéma équivalent est donné
par :

10
 3.2.4. Fréquence de transition

Pour caractériser le fonctionnement à haute fréquence d'un transistor on utilise souvent la

fréquence de transition FT qui est définie comme la fréquence à laquelle l'amplitude du gain
en courant, sortie en court-circuit, devient égale à 1.
En utilisant le modèle haute fréquence du transistor FET on obtient le schéma suivant:

Io = gmVgs
Vgs = Ii / j (Cgs + Cgd) ω
Io / Ii = gm / jω(Cgs + Cgd)
pour ω = ωT = 2πfT on a Io / Ii =1
fT = gm / 2π (Cgs + Cgd)

4. Grandeurs non-linéaires caractérisant un circuit

Dans un système de communications, en raison de la présence de bruit et de la bande passante
de valeur finie, on peut rencontrer, à la traversée d’un dispositif linéaire, des distorsions du
signal liées à des variations d’amplitudes et de phase en fonction de la fréquence :
H (jω)= |H (jω)|exp[jΦ(ω )]
D’autres distorsions, liées à la présence d’éléments non-linéaires, peuvent apparaître dans un
système.
Dans ce cas, il ne peut plus être décrit par une simple fonction de transfert. On représente
alors le signal de sortie vs(t) comme une fonction du signal d’entrée ve(t). La figure 10
représente un exemple de caractéristique de transfert.

11
 Figure 10 : Caractéristique de transfert d’un circuit non-linéaire
4.1.Point de compression à 1 dB
L’une des caractéristiques essentielles dans un circuit non-linéaire est représentée par la
distorsion d’amplitude qui résulte de la caractéristique de transfert non-linéaire.
On peut considérer que la tension de sortie est une fonction instantanée de la tension d’entrée
et que la non-linéarité est assez faible pour la représenter sous forme de la série de Taylor de
la tension d’entrée :
vs = a1 ve + a2 ve2 + a3 ve3 + …
Si nous considérons un signal d’entrée ve sinusoidale et un circuit non-linéaire à l’ordre 3 :
ve = A cos ω1t
vs = a1 ve + a2 ve2 + a3 ve3
alors on peut écrire le signal de sortie sous la forme:
vs = a1 A cos (ω1t) + a2 A2 cos2 (ω1t) + a3 A3 cos3 (ω1t)
donc :
vs =1/2 a2 A2 + (a1 A +3/4 a3 A3) cos (ω1t) +1/2 a2 A2 cos (2ω1t) +1/4 a3 A3 cos (3ω1t)

On remarque que la composante fondamentale du signal de sortie a une amplitude égale à :

𝟑𝒂𝟑 𝑨𝟐
𝒂𝟏 𝑨 (𝟏 + )
𝟒𝒂𝟏

Cette grandeur est :

 inférieure à a1 A (gain linéaire) si a3 < 0,
 supérieure à a1 A (gain linéaire) si a3 > 0.

12
Ce phénomène est respectivement appelé la compression de gain ou expansion de gain. La
plupart des composants fonctionnant dans le cas compressif, c’est-à-dire avec a3 <0, on définit
alors la puissance de sortie à 1 dB de compression.
Le gain à la fréquence fondamentale est donné par :
𝟑
𝒂𝟏 𝑨 + 𝟒 𝒂𝟑 𝑨𝟑 𝟑
𝑮 = 𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠 = 𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈 𝒂𝟏 + 𝒂𝟑 𝑨𝟐
𝑨 𝟒

Le gain linéaire G0 est défini en décibels par :

𝒂𝟏 𝑨
𝑮𝟎 = 𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠 = 𝟐𝟎𝐥𝐨𝐠⁡
(𝒂𝟏 )
𝑨
Le gain à 1 dB de compression est définit par :
G1dB = G0 – 1dB
Trois zones de fonctionnement, illustrées par la figure 10, peuvent alors être distinguées.

Figure 11: Représentation du point à 1dB de compression

La zone linéaire correspond à un fonctionnement faibles signaux où la relation entre la
puissance d’entrée et la puissance de sortie est la suivante : Pout = G.Pe.
Dans la zone de compression de gain, le gain tend à diminuer lorsque la puissance d’entrée
croît. On définit alors le point de compression à 1 dB, qui correspond à une chute de 1 dB de
la puissance de sortie par rapport au comportement linéaire extrapolé. Ce point est utilisé dans
l’étude comportementale des amplificateurs de puissance; en effet, la puissance de sortie à 1
dB de compression est fournie par tous les fabricants de composants et se pose alors comme
un élément de référence et de comparaison.
La zone de saturation correspond à un régime de forte compression de gain où la puissance
de sortie a atteint son niveau maximum. La puissance qui ne peut se reporter sur le
fondamental se répartie alors sur les différentes harmoniques. En outre, cette zone de

13
saturation est synonyme de fortes dégradations des performances électriques de l'élément
actif. Enfin, un fonctionnement prolongé dans cette zone peut conduire à la destruction du
composant.
4.2.Produits d’intermodulation
La décroissance du gain à partir d’une certaine puissance est due à l’apparition de produits
d’intermodulation, causée par les différentes non-linéarités des composants actifs. Une partie
de l’énergie va être véhiculée par les raies spectrales correspondant à ces produits
d'intermodulation, ainsi que par les différentes harmoniques.
En effet, lorsque deux signaux de fréquences f1 et f2 sont appliqués à l’entrée d’un
amplificateur, il apparaît à la sortie, non seulement les signaux amplifiés à ces mêmes
fréquences, mais également des porteuses indésirables aux harmoniques de f1 et f2 ainsi
qu’aux combinaisons linéaires de f1 et f2 : mf1±nf2, appelées produits d’intermodulation
d’ordre n+m.
La figure 12 nous présente le spectre de sortie d’un amplificateur de puissance lorsque deux
signaux de même amplitude sont présentés à son entrée. Le spectre a été volontairement
tronqué à l'ordre 3, car du fait de l'étendue spectrale en sortie, il nous est impossible de placer
le spectre en entier; c'est pourquoi, les fréquences voisines de f1 et f2 ont été uniquement
représentées.

Figure 12 : Représentation simplifiée d’un phénomène non-linéaire pour un signal deux tons

Cette figure met en évidence l’importance des produits d’intermodulation d’ordre 3, c’est-à-
dire aux fréquences 2f1-f2 et 2f2-f1. En effet plus les fréquences f1 et f2 seront proches et plus
les produits d’intermodulation d’ordre 3 seront proches de f1 et f2, ce qui posera un problème
lors du filtrage du canal.

14
Le point d’interception d’ordre n, noté IPn, est un point fictif caractérisant les non linéarités
d’ordre n. Ce point est obtenu en projetant l’interpolation linéaire de la courbe représentant la
puissance sur le fondamental (ordre 1).

Figure 13: Représentation du point d’interception d’ordre 3

Pour les raisons invoquées plus haut, nous nous intéressons particulièrement au point
d’interception d’ordre 3, noté par conséquent IP3, défini par la valeur de la puissance d’entrée
en dBm pour laquelle les puissances des raies situées à f1, f2, 2f1-f2 et 2f2-f1 sont égales.
Une relation particulière a été établie entre le point de compression et le point d’interception
d’ordre 3:
IIP3dBm - ICP1dBm = 9,6dB
Cette équation est valable en petit signal, de sorte que dans le cas particulier des
amplificateurs de puissance, cette relation devient plus approximative. Cependant, cela nous
donne un ordre de grandeur de l’IIP3 dès lors que nous connaissons ICP1, ou inversement.

II. Amplificateurs
1. Amplificateur de puissance
Dans les amplificateurs de puissance RF, le transistor peut se comporter soit comme une
source de courant haute impédance, soit comme un interrupteur basse impédance.
La topologie du circuit seule ne permet pas forcément de définir le mode d’opération du
transistor ou la classe de fonctionnement de l’amplificateur. Ces classes sont regroupées en
deux catégories, suivant le mode d’opération du transistor :

15
  les classes sinusoïdales : cette catégorie comprend des classes nommées A, B, AB et
C. Le transistor se comporte comme une source de courant et la puissance de sortie est
proportionnelle à la puissance d’entrée.
 les classes à haut rendement : dans cette catégorie se trouvent les classes notées D, E,
F et S. Le transistor se comporte comme un interrupteur : c’est alternativement un
court-circuit et un circuit ouvert et la puissance de sortie n’est pas une fonction
linéaire de la puissance d’entrée.
Dans ce cours on va traiter seulement les classes sinusoïdales. Ces classes d’amplificateurs
fonctionnent sur un point de polarisation particulier. Le transistor conduit pendant tout le
cycle (ou la plus grande partie) de l'onde d'entrée et est donc toujours activé (ou désactivé
uniquement pendant une courte période). La classification supplémentaire de cette classe est
effectuée en fonction du temps restant au transistor dans l'état conducteur (en d'autres termes,
l'angle de conduction).

Suivant de la valeur de l’angle de conduction, qui dépend de la polarisation du transistor et de

la dynamique du signal d’entrée, on distingue les différentes classes de fonctionnement
sinusoïdales (Tableau 1).

Tableau 1: Angle de conduction des classes de fonctionnement sinusoïdales

Afin de catégoriser les amplificateurs de puissance (figure 14), on peut supposer que le signal

d'entrée vin est: 𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝑝𝑜𝑙 + 𝑉𝑖𝑛 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡)

16
 Figure 14: Les points de polarisation et le schéma de principe pour un fonctionnement en
classe A, AB, B ou C
La figure 15 présente les formes d'onde de tension et de courant aux bornes de l'amplificateur
à transistors.

Figure 15: Schéma représentatif de l'angle de conduction

1.1. Amplificateur de puissance classe A

Les amplificateurs de puissance de classe A constituent le circuit d'amplification le plus

simple, en introduisant un minimum de distorsion. Le point de polarisation, comme indiqué
sur la figure 14 (a), est réglé sur la moitié de la tension d'entrée maximale afin de garantir que
la tension crête à crête maximale peut être obtenue sans écrêtage. Cela garantit que seule la
fréquence de sortie fondamentale est générée dans le transistor. En raison de l'absence
d'harmoniques, le circuit d'adaptation de sortie peut être large bande car les harmoniques
supérieures n'ont pas besoin d'être atténuées. Les amplificateurs de puissance de classe A

17
conduisent toutes les valeurs du signal d'entrée à 360° (figure 16) et atteignent la puissance de
sortie la plus élevée possible pour les transistors à mode linéaire, car le signal de sortie n'est
pas écrêté.

La tension de polarisation assure que le transistor est exploité à mi-chemin entre le courant de
sortie maximum et la coupure. En tant que tel, la moitié du courant de sortie maximum circule
toujours à travers le transistor à la masse, donc l'efficacité théorique maximale est de 50%.
Une chaleur importante est générée pendant le fonctionnement, car un refroidissement actif
suffisant est généralement requis.

Figure 16: Formes d'onde de tension et de courant dans la classe A

1.2. Amplificateur de puissance classe B

Les amplificateurs de puissance de classe B ont un rendement idéal de 78,5%, ce qui est plus
élevé que les amplificateurs de puissance de classe A. Cette amélioration du rendement est
provoquée par le changement de la tension de polarisation porte / base, qui est réglée au seuil
de la conduction du dispositif, le transistor est donc actif la moitié du temps, ce qui donne un
angle de conduction de 180o. Par conséquent, le courant de drain est une forme d'onde semi-
sinusoïdale qui contient le deuxième, troisième et plus hauts composants de la fréquence
fondamentale. Ces composantes de fréquence indésirables peuvent être éliminées en utilisant

18
un circuit de résonance à la sortie de l'amplificateur. Le schéma de circuit et les formes d'onde
pour un amplificateur de puissance de classe B sont illustrés à la figure 17.

Figure 17: Formes d'onde de tension et de courant dans la classe B

1.3. Amplificateur de puissance classe AB

La grille / base d'un amplificateur de puissance de classe AB est polarisée au milieu entre les
conditions de polarisation des amplificateurs de puissance de classe A et de classe B. Leur
angle de conduction est donc compris entre 360o et 180o. L'efficacité des amplificateurs de
puissance de classe AB se situe entre 50% et 78,5%. Par conséquent, leur efficacité est
supérieure à l'efficacité des amplificateurs de puissance de classe A, et leur linéarité est
meilleure que la linéarité des amplificateurs de puissance de classe B. En puissance de classe
B push-pull, le temps de transition fini de la région de coupure à la région active des
transistors fait que les deux transistors se trouvent simultanément dans la région de coupure.
Ainsi, le signal d'entrée ne peut pas être reproduit en raison d'une distorsion croisée, et par
conséquent, la linéarité de l'amplificateur est dégradée. Afin d'éliminer la distorsion de
croisement dans les amplificateurs de puissance push-pull de classe B, l'amplificateur est
polarisé pour un point de fonctionnement de classe AB. En outre, la polarisation de classe AB
peut être utilisée avec un amplificateur à une extrémité. La tension de drain et les formes
d'onde de courant des amplificateurs de puissance de classe AB à extrémité unique sont

19
similaires aux formes d'onde représentées sur la figure 18 mais avec des angles de conduction
supérieurs à 180o.

Figure 18: Formes d'onde de tension et de courant dans la classe AB

1.4. Amplificateur de puissance classe C

Une grille / base de l'amplificateur de puissance de classe C est polarisée en dessous de la

tension de seuil de telle sorte que le transistor est actif pendant moins d'un demi-cycle, de
sorte que l'angle de conduction est inférieur à 180o. Par conséquent, il réduit l'existence
simultanée de la tension à travers le transistor et le courant à travers lui. En conséquence, il a
un meilleur rendement que les amplificateurs de puissance de classe A, de classe B et de
classe AB. Cependant, il a une plus mauvaise linéarité que ces amplificateurs, donc le contenu
harmonique de la tension de drain et du courant sont plus élevés, ce qui pourrait nécessiter
l'ajout d'un circuit de résonance pour filtrer les harmoniques d'ordre élevé à la sortie.
L'efficacité des amplificateurs de puissance de classe C est inversement proportionnelle à leur
puissance de sortie. Par conséquent, il est théoriquement possible d'atteindre 100% d'efficacité
en réduisant la puissance de sortie à zéro et en réglant l'angle de conduction à zéro. De plus, la
réduction de l'angle de conduction réduit le gain de puissance et augmente le pic de courant de
drain. Par conséquent, le choix de l'angle de conduction est un compromis entre le gain, la
linéarité, l'efficacité et le courant de fuite. La tension de drain et les formes d'onde de courant

20
des amplificateurs de puissance de classe C sont similaires aux formes d'onde illustrées à la
figure 19, mais avec des angles de conduction inférieurs à 90o.

Figure 19: Formes d'onde de tension et de courant dans la classe C

2. Synthèse sur les classes sinusoïdales

Afin de pouvoir mieux comparer les classes sinusoïdales et de pouvoir établir des critères de
choix lors de la conception d’un amplificateur de puissance, il est intéressant de regarder
l’amplitude des harmoniques en fonction de l’angle de conduction, noté α. Pour ce faire, nous
nous baserons sur la relation ci-dessous et sur la figure 20, en se limitant à l’harmonique
d’ordre 5.

21
 Figure 20 : Réduction de l’angle de conduction : analyse de Fourier

Nous pouvons tout d’abord remarquer que la composante continue (notée DC) décroît avec la
diminution de l’angle de conduction ce qui corrobore le fait que le rendement de la classe B
est plus important que celui de la classe A pour la même amplitude du fondamental.

Si maintenant nous regardons l’amplitude des harmoniques, de la classe AB à la classe B,

nous retrouvons principalement l’harmonique 2. Lorsque l’angle de conduction devient
supérieur à π, l’amplitude de chaque harmonique devient importante, dégradant ainsi la
linéarité du signal. Nous pouvons remarquer que, dans le cas de la classe AB, l’amplitude de
l’harmonique 3 n’est pas négligeable alors qu’elle est nulle pour les classes A et B. Ceci est
particulièrement intéressant car, en ajustant le point de polarisation, nous pourrons contrôler
le niveau de l’amplitude de l’harmonique 3.

En reprenant les définitions de la puissance de sortie et du rendement, nous pouvons déduire

la variation de ces deux paramètres en fonction également de l’angle de conduction, sous
certaines conditions (amplitudes maximales de la tension et du courant, charge optimale et
harmoniques court-circuitées). Les courbes correspondant à ces deux paramètres sont
présentées sur la figure 21.

22
 Figure 21: Puissance RF et rendement en fonction de l’angle de conduction

Nous retrouvons bien, comme nous l’avons vu précédemment, l’augmentation du rendement

avec la diminution de l’angle de conduction. Ces deux courbes mettent en évidence le
principal avantage et le principal défaut de la classe C : son rendement proche de 100% d’une
part et sa faible puissance de sortie d’autre part. La puissance de sortie reste à peu près
constante de la classe A à la classe B, avec une légère augmentation pour la classe AB liée à
l’augmentation de la composante fondamentale. Pour les classes B et C, il est nécessaire
d’appliquer une puissance élevée à l’entrée du transistor, pour des puissances de sortie
maximales, ce qui provoque une diminution du rendement en puissance ajoutée.

3. Polarisation et stabilité du transistor

Un amplificateur de puissance (PA) typique comprend un dispositif actif et au moins quatre

sous-circuits passifs: adaptation de l'impédance d'entrée, polarisation de la porte, adaptation
de l'impédance de sortie et polarisation du drain. La figure 22 décrit une telle structure. On
suppose que les valeurs des condensateurs de blocage en continu sont suffisamment petites
pour ignorer l’influence des réseaux correspondants sur l’analyse de la réponse en basse

23
fréquence du PA.

Figure 22: Structure de polarisation classique pour un amplificateur de puissance RF /

hyperfréquence (PA)
4. Définitions de gain en puissance et stabilité
4.1.Gain en puissance

La figure 23 présente le schéma synoptique d’un amplificateur de puissance avec son

diagramme de fluence

Figure 23 : Schéma synoptique d’un amplificateur de puissance avec son diagramme de

fluence

24
PDG Puissance disponible du générateur

PE Puissance d’entrée dans le réseau

PDS Puissance disponible à la sortie du réseau

PC Puissance délivrée dans la charge


S11 Coefficient de réflexion à l’entrée du réseau lorsque sa sortie est terminée dans C


S 22 Coefficient de réflexion à la sortie du réseau lorsque son entrée est terminée dans S

 S  S 
S11  S11  12 21 C
1  S 22  C

 S S 
S 22  S 22  12 21 S
1  S11  S

Puissance délivrée à la charge

Gain Transducique =
Puissance disponible au générateur

1  S 1  C 1  S 1  C
2 2 2 2

GT   S 21 
2
  S 21 
2

 1  S 22  C 1  S11  S 
2 2 2 2
1  S 11 S 1  S 22  C

Puissance d′ élivrée à la charge

Gain Opérant =
Puissance d′entrée

1  C
2
1
GP   S 21 
2

 1  S 22  C
2 2
1  S11

Puissance disponible à la sortie

Gain Disponible =
Puissance disponible au générateur

1  S
2
1
GA   S 21 
2

1  S11  S 
2 2
1  S 22

4.1.1. Unilatéralité

Gain Transducique unilatérale (S12=0):

25
 1
GS , MAX  GS S  S11

1  S11
2

1
GC , MAX  GC C  S 22

1  S 22
2

Donc le Transducique maximal est donné par :

1 1
GTU , MAX   S 21 
2

1  S11 1  S 22
2 2

4.2.Concept de Stabilité

L’analyse de la stabilité est un aspect très important de toute conception de circuit actif, de
même que la conception de l’amplificateur. La stabilité d'un amplificateur, ou sa résistance à
l'oscillation, est une considération indispensable dans une conception et peut être déterminée à
partir des paramètres S, des réseaux d'adaptation et des terminaisons (figure 23). Les
instabilités sont principalement causées par trois phénomènes (1) rétroaction interne du
transistor, (2) rétroaction externe autour du transistor provoquée par un circuit externe, ou (3)
excès de gain à des fréquences situées en dehors de la bande de fonctionnement. Des
oscillations (instabilité) sont possibles si l'impédance du port d'entrée ou de sortie a une partie
réelle négative.

4.2.1. Cercle de stabilité de sortie


S11  1 Pour |Γc| < 1


Les valeurs de C qui produisent S11  1 se retrouvent sur un cercle de rayon rC et de

centre C C sur l’abaque de Smith:

26
 S12  S 21
rC 
S 22  
2 2

CC 
S 22    S11
 

S 22  
2 2

où

  S11  S22  S12  S21

Pour déterminer si c’est l’intérieur ou l’extérieur du cercle qui représente la région stable,

c’est à dire la région qui correspond à S11  1 , il faut considérer S11 . Si S11  1 alors le

centre de l’abaque se trouve dans la région stable. Si S11  1 , alors le centre de l’abaque se
trouve dans la région instable.

Figure 24: Exemple de cercle de stabilité de sortie

4.2.2. Cercle de stabilité d’entrée


S 22  1 pour S  1


Les valeurs de S qui produisent S 22  1 se retrouvent sur un cercle de rayon rS et de

centre C S sur l’abaque de Smith:

S12  S 21
rS 
S11  
2 2

27
 CS 
S 11    S 22 
 

S11  
2 2

Pour déterminer si c’est l’intérieur ou l’extérieur du cercle qui représente la région stable,

c’est à dire la région qui correspond à S 22  1 , il faut considérer S 22 . Si S 22  1 alors le

centre de l’abaque se trouve dans la région stable. Si S 22  1 , alors le centre de l’abaque se

trouve dans la région instable.

Figure 25: Cercle de stabilité d’entrée

4.2.3. Stabilité Inconditionnelle

 
Un réseau est inconditionnellement stable si S11  1 pour C  1 et S 22  1 pour S  1 .

Les conditions nécessaires et suffisantes pour une stabilité inconditionnelle sont:

 1  S11  S 22  
2 2 2

K  1
 2  S12  S 21

 B1  1  S11  S 22    0
2 2 2

Un deuxième ensemble équivalent de conditions est:

 K 1

   S11  S 22  S12  S 21  1

28
 5. Facteur de Bruit

Le rôle primordial d'un amplificateur faible bruit est d'améliorer le bilan du système au niveau
rapport signal à bruit. Dans un quadripôle actif (un transistor à effet de champ ou un
transistor bipolaire), les sources de bruit internes produiront la puissance de bruit à la sortie.
Cette puissance s'ajoutera au bruit provenant de sources extérieures (bruit d'antenne, bruit
d'impédance du générateur) et amplifié par le quadripôle.

Afin de pouvoir séparer les sources extérieures et intérieures, on défini le bruit généré par le
transistor en termes de source de bruit équivalente placée à l'entrée du dispositif et associée à
un quadripôle sans bruit ayant le même gain (le gain disponible),GA. Alors le bruit total
disponible à la sortie NS s'écrit:

N S  GA  N e  N a

où Ne est le bruit des sources extérieures et Na est le bruit ajouté.

N e  k  To  B

N a  k  Te  GA  B

où K est la constante de Boltzmann, T0est la température standard (290K), B est la largeur de

bande de l'amplificateur, et Te est la température effective de la source dont le bruit amplifié
par le quadripôle est égal au bruit ajouté.

On défini le facteur de bruit du quadripôle comme étant le rapport de deux rapports de signal
sur bruit, celui à l'entrée et celui à la sortie:

 SE 
 
F E 
N
 SS 
 
 NS 

Le facteur de bruit est une mesure de dégradation du rapport signal à bruit après le passage
par le quadripôle qui peut être exprimée finalement comme suit:

kTo BG A  N a T
F  1 e
kTo BG A To

29
 5.1.Facteur de bruit d'une cascade de quadripôles

Dans les systèmes de communications, le gain demandé d'un préamplificateur faible bruit doit
être souvent obtenu en cascadant plusieurs étages d'amplification. Cette situation est illustrée
ci-dessous:

Figure 26: Amplificateurs en cascade

Le gain total de la chaîne est évidemment donné par:

GA,tot  GA1  GA2  GAN

Quant au facteur de bruit de cette chaîne, elle est donnée par:

F2  1 F3  1 FN  1
Ftot  F1   
G A1 G A1  G A2 G A1  G A2    G AN 1

De même, la température de bruit effective d'une cascade de quadripôles est:

Te 2 Te3 TeN
Te,tot  Te1   
GA1 GA1  GA2 GA1  GA2  GAN 1

Il faut remarquer que chaque valeur de Fi , GAi et Tei dans ces équations s'applique
l'impédance de générateur qui correspond à l'impédance de sortie de l'étage précédent. Ceci
est due au fait que le facteur de bruit, ainsi que Te et GA sont des fonctions de l'impédance de
générateur.

Nous pouvons constater à partir de ces équations que le premier étage peut déterminer le
facteur de bruit global d'une cascade, à condition que son gain soit suffisamment élevé. Cette
propriété implique le problème suivant: comment constituer la cascade de façon à obtenir la
meilleure figure de bruit possible. La réponse est de placer le quadripôle à faible bruit et à
gain élevé comme premier étage d’une chaine en cascade, ainsi son gain masque le bruit
apporté par les étages suivants.
5.2.Réseaux d’adaptation

30
Les réseaux d’adaptation dans un amplificateur permettent de fixer les valeurs des
impédances (Ze et ZS) vues par le transistor. Ils permettent aussi de réaliser l’adaptation
conjuguée.
On utilise des quadripôles non dissipatifs réalisés à base des éléments réactifs, par exemple :
Les lignes de transmission pour l’adaptation par stubs, ou bien les capacités, selfs, qui forment
des quadripôles en L ou en π.
Quadripôles d’adaptation LC en L

Le quadripôle d’adaptation en L, est constitué d’une branche série qui contient l’impédance
jXS et d’une branche shunt qui contient l’impédance jXP. La réactance parallèle jXP doit être
connectée du côté de l’impédance à résistance la plus élevée.

Figure 27: Cellule d’adaptation en L : (a) pour (R2>R1), (b) pour (R1>R2)
On pose :
 R1 : la partie réelle de Z1
 X1 : la partie imaginaire de Z1
 R2 : la partie réelle de Z2
 X2 : la partie imaginaire de Z2

Tableau 3 : éléments de la cellule d’adaptation pour les deux cas

31
 6. Rendement d’un amplificateur

Considérons un amplificateur de gain G dissipant une puissance continue PDC. Lorsqu’on

injecte à son entrée une puissance radiofréquence (RF) PRF(e), on récupère à sa sortie une
puissance amplifiée de PRF(e) qu’on l’appelle PRF(s).

Figure 28: Bilan de puissance sur un amplificateur

On peut définir les deux types de rendement suivants:

- le rendement drain défini par :
𝑃𝑅𝐹(𝑠)
𝜂=
𝑃𝐷𝐶
- le rendement en puissance ajoutée (PAE : Power Added Efficiency) défini par :
𝑃𝑅𝐹(𝑠) − 𝑃𝑅𝐹(𝑒)
𝜂𝑃𝐴𝐸 =
𝑃𝐷𝐶

III. Oscillateurs
Un oscillateur est un système autonome auto-entretenu capable de générer un signal
périodique dans le temps. Ce signal est caractérisé par sa fréquence f0 exprimée en Hz ou sa
période T0 exprimée en seconde. En métrologie, on demande aux oscillateurs d’être stables,
c’est-à-dire d’avoir une fréquence constante au cours du temps.
1. Eléments constitutifs d’un oscillateur

Dans sa plus simple configuration, un oscillateur est composé d’un résonateur et d’un
amplificateur (figure 29). Le résonateur est l’élément fixant la fréquence f0 d’oscillation.
Intuitivement, on comprend que l’amplitude des oscillations va progressivement diminuer car
diverses forces ou perturbations dissipent l’énergie du résonateur. Ces pertes sont
habituellement imagées par le facteur de qualité Q0 défini comme :

𝐸𝑡𝑐 𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒 𝑠𝑡𝑜𝑐𝑘é𝑒

𝑄0 = 2𝜋𝑓0 = 2𝜋
𝑃𝑚𝑐 𝑃𝑒𝑟𝑡𝑒 𝑑 ′ é𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒𝑝𝑎𝑟 𝑐𝑦𝑐𝑙𝑒

32
avec Etc l’énergie totale emmagasinée par cycle dans le résonateur et Pmc la puissance
moyenne dissipée par cycle.

Figure 29 : Schéma général d'un oscillateur

Dans le cas d’un pendule, Q0 correspond approximativement au nombre d’oscillations

qu’effectue ce dernier avant de perdre la totalité de son énergie. Pour être exploitable, le
résonateur est couplé avec l’extérieur avec lequel il échange de l’énergie. Ce couplage
entraîne des pertes d’énergie provoquant un amortissement des oscillations. Ces pertes sont
habituellement imagées par l’énergie ΔW cédée à l’environnement pendant une période T0.
On introduit alors le facteur de qualité de l’extérieur Qext défini par:
2𝜋𝑊
𝑄𝑒𝑥𝑡 =
ΔW
Le facteur de qualité en charge QL du résonateur est obtenu par :
1 1 1
= +
𝑄𝐿 𝑄0 𝑄𝑒𝑥𝑡
Dans le domaine fréquentiel, ces pertes se traduisent par un élargissement de la raie de
résonance. Le facteur de qualité est alors :
𝑓0
𝑄𝐿 =
𝛥𝑓
avec Δf la largeur de raie à -3 dB.
Les figures 30(a) et 30(b) montrent la réponse typique en module et en phase d’un résonateur.

33
 Figure 30: Module (a) et phase (b) de la réponse d’un résonateur
Pour obtenir un oscillateur, on associe ce résonateur à un amplificateur dont le rôle est de
compenser les pertes d’énergie du résonateur. Evidemment, ce mécanisme d’entretien doit
agir en cohérence, en "phase" avec le système oscillant. Deux conditions (conditions de
Barkhausen) en module et en phase sont donc nécessaires au démarrage des oscillations:
– le gain de boucle doit être supérieur à 1.
– la phase totale de la boucle doit être égale à 0 + 2kπ (avec k entier).
2. Différentes topologies d’oscillateurs
2.1.Oscillateur à contre-réaction parallèle

Un oscillateur à contre-réaction parallèle est un système dans lequel un amplificateur de gain

G fonctionnant en régime non-linéaire est contre-réactionné par un élément passif (résonateur)
qui permet de fixer la fréquence d’oscillation (voir figure 31).
Le gain de boucle en petit signal et au voisinage de la fréquence du résonateur est supérieur à
1, de sorte que le signal démarre et augmente en amplitude jusqu’à être limité par la saturation
de l’amplificateur. Le gain de boucle est inférieur à 1 aux autres fréquences et on vérifie la
stabilité de l’amplificateur, de sorte que l’oscillation ne puisse se produire qu’à travers le
résonateur.

Figure 31: Modèle élémentaire d’un oscillateur à contre-réaction parallèle

34
Dans la première étape, le bruit intrinsèque des circuits électroniques est amplifié par la partie
active de l’oscillateur. Dans un circuit amplificateur classique, le signal résultant de
l’amplification du bruit serait amené en entrée de l’amplificateur déphasé de 180° afin
d’éviter toute instabilité du système. Pour un oscillateur, cette instabilité est nécessaire. La
boucle de rétroaction sélectionne la fréquence à laquelle les oscillations sont voulues et
réinjecte la sortie sans déphasage. Le bruit est donc amplifié jusqu’à obtenir un signal
oscillant à la fréquence déterminée par le filtre. Cette phase est appelée phase de démarrage
ou d’emballement. Barkhausen a décrit cette étape par deux conditions sur le gain et la phase
de la boucle :

La seconde étape est la stabilisation des oscillations. Cette étape est automatique puisque
l’amplificateur sature à partir d’un certain niveau de signal. Plus le signal grossit, plus le gain
du système diminue jusqu'à arriver à un équilibre où le gain du système est égal à 1. Deux
nouvelles équations décrivent ce phénomène:

La figure 32 présente un établissement typique du signal de sortie d’un oscillateur.

Figure 32: Début et stabilisation des oscillations

35
 2.2.Oscillateur à contre-réaction série

Une autre vision est celle de l’oscillateur à résistance négative (figure 33(a)). Dans un
oscillateur à contre-réaction série, les parties active et passive se comportent respectivement
comme un amplificateur en réflexion d’impédance Zampli et une cavité en réaction
d’impédance Zres (figure 33(b)). Pour présenter une résistance négative, il faut réaliser une
contre-réaction sur l’émetteur du transistor (ou dans certains cas avoir recours à une
configuration différente telle que le collecteur commun). En pratique, on dispose
généralement un petit bout de ligne sur l’émetteur du transistor.

Figure 33: (a) Exemple d’un oscillateur à contre-réaction série. Le résonateur diélectrique
(RD) est couplé par une ligne micro-ruban - (b) Modèle de l’oscillateur à résistance négative.

Toute onde incidente issue de la cavité est amplifiée et réfléchie par le transistor jusqu’à ce
que les conditions d’oscillation soient satisfaites. Les conditions d’oscillation sont écrites :
Zampli + Zres = 0
La technique consistant à définir les conditions d’oscillation à l’aide des coefficients de
réflexion Γampli et Γres (voir figure 33(b)) est aussi largement utilisée, en particulier par les
simulateurs. Ces conditions sont définies par :
𝛤𝑎𝑚 𝑝𝑙𝑖 ∗ 𝛤𝑟𝑒𝑠 = 1
3. Oscillateurs à diodes

Les diodes sont particulièrement utilisées pour la réalisation des oscillateurs dans les
domaines de fréquences microondes, millimétriques et des THz. Elles remplacent les
transistors lorsque ce dernier ne fonctionne plus, c'est à dire à des fréquences supérieures à la
centaine de GHz et également lorsque la puissance délivrée par les transistors est trop faible.

36
Trois types de diode permettent de réaliser un oscillateur: les diodes à effet Tunnel, les diodes
IMPATT et les diodes Gunn. Elles ont la caractéristique d'avoir une zone de fonctionnement à
résistance négative (voir figure 34).

Figure 34: Caractéristique courant-tension d’une diode à résistance négative

3.1.Le concept de la résistance négative

Une autre manière de voir un oscillateur est de considérer que le circuit passif peut être
approximé par un circuit RLC parallèle c'est-à-dire par un circuit LC oscillant et une
résistance de perte. Dans ce cas, le circuit est intrinsèquement oscillant mais ses oscillations
disparaissent au bout d’un certain laps de temps à cause de la dissipation de l’énergie du
circuit dans la résistance (figure 34).

Figure 35: Le circuit RLC

Il faut donc apporter une source d’énergie au circuit afin de compenser cette dissipation. Si on
considère que nous avons un circuit dont tous les éléments sont mis en parallèle les uns des
autres, la manière théorique la plus simple pour contrer l’effet de la résistance/conductance de

37
perte du circuit passif est d’ajouter une résistance/conductance négative en parallèle de celle-
ci, sa valeur devant être plus grande que la résistance de perte en valeur absolue afin
d’atteindre la phase de stabilisation des oscillations (figure 36).

Figure 36: Circuit RLC avec pertes compensées par une résistance négative

Le principe de la résistance négative est équivalent à celui de l’amplificateur de bruit sélectif.

On peut d’ailleurs exprimer un critère similaire à celui de Barkhausen pour la phase de
démarrage :
𝐺𝑝𝑒𝑟𝑡 + 𝐺𝑛𝑒𝑔 ˃0
ainsi que pour la phase d’oscillation stabilisée :
𝐺𝑝𝑒𝑟𝑡 + 𝐺𝑛𝑒𝑔 = 0

4. Oscillateurs à transistor

Contrairement à la conception de l'amplificateur, on obtient un oscillateur lorsque le transistor

est potentiellement instable, c'est à dire lorsque le facteur de Rollet K est inférieur à 1. Dans
ce cas, on va choisir comme impédances en entrée et en sortie du transistor, des impédances
qui se trouvent dans l'abaque de Smith qui rendent le circuit instable. La figure 37 représente
un oscillateur comme un quadripôle réfactionnée en série et inséré entre deux dipôles
correspondant au résonateur et à la charge.

Figure 37: Configuration d'un oscillateur à transistor

38
Les oscillateurs à transistors sont à base de FET ou de transistors bipolaires, et les
configurations utilisées sont base commune ou émetteur commun pour les bipolaires et source
commune ou grille commune pour les FET.
On a vu qu'il suffisait de faire résonner le port d'entrée du quadripôle actif (1) chargé par la
charge à la bonne fréquence (voir conditions sur la phase des coefficients de réflexion).
Si cela est réalisé le quadripôle actif oscille sur ses deux accès (1) et (2) simultanément, la
démonstration est la suivante :

On sait que sur l'accès (2) on pourrait de même exprimer le coefficient de réflexion du
quadripôle chargé par Γres par :

qui signifie que la condition d'oscillation est vérifiée sur le port 2. Cela signifie que le
composant actif oscille sur tous ses ports et que la charge qui recueille la puissance peut être
placée n'importe où puisqu'il existe de la puissance dans tout le circuit.
 Méthodologie adoptée
1/ On sélectionne un transistor de gain et de puissance de sortie suffisante à la fréquence
d'oscillation (fiche technique du constructeur, mesure des paramètres S ou simulation
logiciel).
2/ On sélectionne une topologie qui permet d'obtenir un coefficient de stabilité K <1 à la
fréquence d'oscillation voulue.
Pour cela, on ajoute une contre-réaction série ou parallèle.
𝑛𝑒𝑤
3/ On sélectionne un circuit d'adaptation de sortie qui donne à 𝑆11 > 1 à F0 (on ne peut pas le
mettre si le niveau de puissance de sortie de l'oscillateur n'est pas une préoccupation, dans ce
cas on sort directement sur une charge 50 Ohms.

39
 𝑛𝑒𝑤
4/ On fait résonner le port d'entrée avec le résonateur pour que𝛤𝑟𝑒𝑠 𝑆11 ˃1 (en petit signal,
conditions de démarrage).
𝑛𝑒𝑤
Nous aurons automatiquement𝑆22 ˃1.

Il existe une grande variété de montages utilisant un transistor et un réseau de contre-réaction

de type LC. Le plus utilisé est le montage Colpitts.
4.1.L'oscillateur Colpitts

Pour mieux comprendre le fonctionnement de cet oscillateur il faut revenir au fonctionnement

du résonateur LC. Considérons un simple circuit LC parfait dans des conditions hors
équilibre, le condensateur étant initialement chargé et le courant étant nul.

La décharge du condensateur induit un courant i dans le circuit. Ce courant induit alors la

magnétisation de la self. L'énergie électrostatique du condensateur est convertie en énergie
magnétique dans la self.

Une fois la self magnétisée et le condensateur déchargé, le courant s'inverse. L'échange

d'énergie est alors de la self vers le condensateur, le système revient à l'état de départ. La
1
pulsation d'oscillation est de : 𝜔0 = 𝐿𝐶

En coupant la capacité précédente en deux capacités on obtient le schéma équivalent ci-

contre. Le fonctionnement est identique et la fréquence de résonance est de :

1 1 1
𝜔0 = ( + )
𝐿 𝐶1 𝐶2

40
En plaçant la masse entre les deux capacités on obtient le schéma ci-contre, qui est identique
au précédent. A la résonance le courant circule alternativement de C1 vers C2. Lorsque C1 se
décharge C2 se charge, et inversement. Les tensions aux bornes des deux condensateurs sont
donc en opposition de phase.
arg 𝑉𝐶2 ) − arg 𝑉𝐶1 ) = 𝜋

De plus le courant dans les deux condensateurs étant identique, le rapport des tensions est égal
à l'inverse du rapport des capacités:
𝑉𝐶2 𝐶1
=−
𝑉𝐶1 𝐶2
Tout ceci est valable pour un réseau LC parfait en oscillation libre. En pratique le circuit est
alimenté par une source de tension (un amplificateur de tension), il n'est pas en oscillation
libre. Mais lorsque le système sera alimenté à sa fréquence propre il entrera en résonance, et il
aura un comportement proche de celui de l'oscillation libre.
L'oscillateur de type Colpitts tire partie de ces propriétés particulières du résonateur LC
(figure 37). Il utilise un amplificateur inverseur de gain A et le réseau de contre-réaction que
nous venons de décrire.

41
 Figure 37: Principe de l'oscillateur de type Colpitts

A la fréquence de résonance le déphasage introduit par la contre-réaction est de π. Sachant

que l'amplificateur induit lui-aussi un déphasage de π (il est inverseur), la condition
d'oscillation pour la phase arg(HBO(ω0))= 2kπ est remplie. En négligeant les impédances
d'entrée et de sortie de l'amplificateur, le gain de la boucle à la résonance est de :
𝐶1
𝐻𝐵𝑂 (𝜔0 ) = 𝐴
𝐶2
𝐶
Si 𝐴 𝐶1 ˃1 la condition d'oscillation pour le gain sera remplie, le système oscillera.
2
Dans la pratique ce montage est utilisé plutôt en hautes fréquences, et l'amplificateur est soit
transistor (bipolaire ou à effet de champ) soit une porte logique inverseur. Dans le cas
d'amplificateur à transistor à effet de champ le montage est représenté sur la figure 38.

Figure 38: Oscillateur Colpitts à transistor à effet de champ

Exemple :

42
Dans la pratique l’oscillation sinusoïdale prend naissance lorsque :
R 2 C2
=
R1 C1
Une autre variante de l’oscillateur Colpitts utilisant un transistor à effet de champ représenté
par sa pente en source commune s ( est infinie). Les capacités de liaisons CS et C1 sont
supposées des courts-circuits à la fréquence d’oscillation.

43
 IV. Mélangeurs

Les mélangeurs sont probablement les composants les plus utilisés et les plus importants dans
les circuits haute fréquence. Ils sont au cœur de tous les systèmes de télécommunication dont
la fonction consiste à transposer la fréquence des signaux traités sans modifier l’information
dont il est porteur. Cette transposition de fréquence permet de translater une fréquence radio
(RF) vers une fréquence dite intermédiaire (IF) qui peut être plus élevée ou plus faible
commandée par la fréquence de l’oscillateur local (LO). Donc le mélangeur permet soit
d’augmenter la fréquence du signal utile (Up converter) soit de diminuer la fréquence du
signal utile (Down-converter).

44
Les mélangeurs est très intéressants pour tous les types de communication. Ils ont diverses
topologies allant de la conception des circuits déséquilibrés vers des circuits simplement
équilibrés, doublement équilibrés et triplement équilibrés, etc. Les mélangeurs peuvent être
conçus avec des composants passifs qui ne nécessitent aucune source d’énergie (diodes) ou
des composants actifs qui nécessitent des sources d’énergie externes (transistor). Donc on
peut distinguer deus types de mélangeurs : passifs et actifs.

1. Principe de fonctionnement

Le signal utile en entrée d’une chaîne est converti à une fréquence plus élevée ou abaissée à
une fréquence plus basse dite fréquence intermédiaire (FI) au moyen d’un mélangeur
commandé par une fréquence d’oscillation local (OL) égale à la somme ou à la différence
entre la fréquence RF et la fréquence FI. Le changement de fréquence consiste à transposer le
spectre d’un signal centré sur une bande de fréquence initiale vers une autre bande de
fréquence sans altération de l’information (figure 40).

Figure 40 : transition de phase

1.1.mode de fonctionnement d’un mélangeur

La figure 41 représente la description fonctionnelle d’un mélangeur idéal. Dans ce mélangeur,

l’entrée est usuellement un signal dont on souhaite transposer de fréquence (signal RF). Le
signal de sortie est le signal résultant de la transposition fréquentielle du signal RF souvent on
le nome IF. Un oscillateur local qui est en charge de générer une onde sinusoïdale de
fréquence correspondant à la fréquence de translation désirée.

45
 Figure 41: Schéma descriptif du mélangeur idéal

Soit 𝑒𝑅𝐹 , le signal d’entrée constitué d’une porteuse à la pulsation 𝜔𝑅𝐹 dont l'amplitude est
modulée par l'information A(t), et soit 𝑒𝑂𝐿 le signal de référence (dit de pompe) de pulsation
𝜔𝑂𝐿 issu de l’oscillateur local.

𝑒𝑅𝐹 = 𝐴(𝑡) cos(𝜔𝑅𝐹 𝑡)

𝑒𝑂𝐿 = 𝐵 cos(𝜔𝑂𝐿 t)

Le signal de sortie (signal IF) s’écrit sous la forme suivante :

𝑠 𝑡) = 𝑒𝑅𝐹 . 𝑒𝑂𝐿

D’où

𝐴𝐵
𝑠 𝑡) = [cos(𝜔𝑅𝐹 + 𝜔𝑂𝐿 )𝑡 + cos(𝜔𝑅𝐹 − 𝜔𝑂𝐿 )t]
2
Après multiplication de 𝑒𝑅𝐹 et 𝑒𝑂𝐿 , deux nouvelles fréquences sont générées comme étant la
somme et la différence des 2 premières. Chacun des signaux de sortie est porteur de
l’information du signal d’entrée A(t). On peut sélectionner par filtrage soit la fréquence haute,
soit la fréquence basse selon le type de transposition de fréquence que l’on souhaite effectuer.
Le spectre des signaux d’entrée et de sortie est donné dans la figure 42.

Figure 42: Spectre d’entré et de sortie d’un mélangeur idéal

46
 1.2.Mélangeur réel

En pratique, l’opération de mélange est réalisée en utilisant des composants non-linéaires. De

plus, bien que simple mathématiquement, l’opération de multiplication s’avère quasiment
impossible à réaliser de manière idéale.

Figure 43: Mélangeur réalisé à partir d’un dispositif non-linéaire

Soit un dispositif non-linéaire dont la réponse peut être mise sous la forme :
𝑉𝑆 𝑡) = 𝑎𝑉 𝑡) + 𝑏𝑉 2 𝑡) + 𝑐𝑉 3 𝑡) + ⋯
Excité par la somme de deux signaux sinusoïdaux VE(t) et VOL(t) aux pulsations ωE et ωOL :
𝑉 𝑡) = 𝑉𝐸 cos(𝜔𝐸 . 𝑡) + 𝑉𝑂𝐿 cos(𝜔𝑂𝐿 . 𝑡)
Le développement de la réponse du dispositif non-linéaire en fonction des fréquences FE et
FOL (figure 44) montre que l’on obtient en sortie les harmoniques de ces fréquences ainsi que
d’autres fréquences de battement du type : ± mFOL ± nFE (avec m et n entiers positifs)

Figure 44: Tableau représentant la décomposition du signal de sortie d'un mélangeur réel

𝑚
En utilisant les formules trigonométriques, on montre que chaque terme 𝑉𝑂𝐿 (𝑡) génère
l’harmonique mFOL, que chaque terme 𝑉𝐸𝑛 (𝑡) génère l’harmonique nFE, et enfin que chaque
𝑚
terme croisé 𝐾. 𝑉𝑂𝐿 𝑡). 𝑉𝐸𝑛 (𝑡).VEn(t) génère des fréquences sommes (mFOL+ nFE) et des
fréquences différences (mFOL - nFE) ou (-mFOL+nFE) (avec m et n entiers positifs).

47
Contrairement au multiplieur idéal, un élément non-linéaire génère donc un grand nombre de
signaux aux fréquences de mélange dont l’amplitude décroît cependant lorsque les ordres m et
n augmentent (figure 45). Pour supprimer les raies parasites, on procède par filtrage ou en
utilisant les propriétés d’opposition de phase d'une topologie équilibrée.

Figure 45: Mélangeur réel: exemple de spectre de sortie

1.3.Grandeurs caractéristiques des mélangeurs

Les principales grandeurs caractéristiques qui sont utilisées pour mesurer les performances
d’un mélangeur sont le gain et les pertes de conversion.

Une caractéristique importante de tout système est son gain. Pour le mélangeur, l’importance
du transfert de puissance entre sa fréquence d'entrée et sa fréquence de sortie est caractérisée
par le gain de conversion. Il est défini comme le rapport de puissance de l’une des deux
composantes résultant du mélange à la puissance du signal présent sur le port RF:

𝑃𝐼𝐹
𝐺𝑐 =
𝑃𝑅𝐹

Soit en décibel :

𝐺𝑐 𝑑𝐵) = 𝑃𝐼𝐹 𝑑𝐵𝑚) − 𝑃𝑅𝐹 (𝑑𝐵𝑚)

La perte de conversion est reliée au gain de conversion par la relation suivante:

𝐿𝑐 𝑑𝐵) = −𝐺𝑐 𝑑𝐵)

2. Les différents types de mélangeurs

On distingue deux grandes classes de mélangeurs :

48
1) Les mélangeurs actifs qui mettent en œuvre des composants actifs (transistors polarisés en
amplificateur) dont on utilise les potentialités d’amplification. Ces mélangeurs peuvent avoir
des gains de conversion supérieurs à 0dB.
2) Les mélangeurs passifs qui mettent en œuvre soit des composants passifs (diodes), soit des
éléments actifs dont ne sont pas exploitées les capacités d’amplification (transistors non-
polarisés sur le drain, par exemple). Ces mélangeurs ont des gains de conversion inférieurs à
0dB.
2.1.Les mélangeurs passifs

Les mélangeurs passifs mettent en œuvre des éléments non-linéaires fonctionnant en

commutation au rythme du signal OL. Ce mode de fonctionnement ne permet pas d’obtenir un
gain de conversion supérieur à 0dB, et engendre souvent des pertes de conversion comprises
entre 6 et 10dB.
Les non-linéarités se modélisent idéalement par des interrupteurs faisant des mélangeurs
passifs de simples modulateurs. Dans le domaine micro-ondes, cette représentation devient
fortement imprécise et il est préférable soit de modéliser les éléments non-linéaires par des
conductances variables suivant le signal OL, soit de modéliser les diodes et transistors par
leurs schémas équivalents complets.
2.1.1. Mélangeurs à diodes

Bien qu’une diode unique puisse faire office de mélangeur, ce cas n’est que rarement employé
; cette configuration, figure 46, est utilisée dans le domaine des hyperfréquences où d’autres
solutions ne sont pas envisageables.

Figure 46: Mélangeur à diode en hyperfréquence

2.1.2. Mélangeur simple équilibrée
La réalisation d'un mélangeur à commutation simple équilibrée peut s'effectuer simplement à
l'aide du circuit suivant:

49
 Figure 47: Mélangeur simple équilibrée
La tension de l'oscillateur local VLO est supposée très grande devant celle du signal d'entrée
VRF et d'amplitude suffisante pour provoquer la conduction des diodes. L'oscillateur local
rend alternativement conductrices les diodes D1 et D2. Quand D1 conduit, D2 est bloquée et
vice versa.
Considérons une alternance positive de VLO:
La diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. En supposant que les diodes sont idéales on a
le schéma équivalent suivant:

La tension de sortie Vo est égale à la somme de la tension incidente Vi et de la tension VLO.

VO = VLO +Vi
Sur une alternance négative de l'oscillateur local on a le schéma suivant (D2 conductrice, D1
bloquée):

50
d'où l'expression de la tension de sortie: VO = VLO - Vi
On obtient donc bien en sortie le signal d'entrée déphasé alternativement de 0° à 180° au
rythme de l'oscillateur local. En définissant une fonction P(t) = 1 si VLO >0 et P(t) = -1 si
VLO<0 et en posant Vi* = Vi P(t), on peut obtenir une expression de la tension de sortie:
VO = VLO + Vi*
Si Vi = Vsin(ωRFt), VO peut s'écrire:
VO = VLO + (2V/π )[cos(ωRF - ωLO)t - cos(ωRF + ωLO)t -(1/3)(cos(ωRF - 3ωLO)t - cos(ωRF +
3ωLO)t) + (1/5)(cos(ωRF - 5ωLO)t - cos(ωRF + 5ωLO)t) + …]
On note la présence dans le signal de sortie des composantes suivantes:
- VLO : tension de l'oscillateur local (VLO >> Vi par hypothèse, ce qui risque de saturer
les étages suivants)
- (2V/π)cos(ωRF - ωLO)t : C'est le signal utile (cas d'un battement infradyne)
- (2V/π)cos(ωRF + ωLO)t : C'est le signal utile dans le cas d'un battement supradyne
- (2V/π)[-(1/3)(cos(ωRF - 3ωLO)t - cos(ωRF + 3ωLO)t) + (1/5)(cos(ωRF - 5ωLO)t - cos(ωRF
+ 5ωLO)t) +…] : Harmoniques indésirables qu'il faut éliminer par filtrage.
La composante VLO peut être éliminée par l'utilisation d'un double circuit équilibré (Double
Balanced Mixer), dont le plus connu est le mélangeur en anneau (Ring Mixer).

2.1.3. Mélangeur en anneau (double équilibrée)

Cette structure améliore encore d’avantage l’isolation entre les 3 ports ainsi que la réjection
des harmoniques d’ordre pair des fréquences RF et LO. Ceci lui confère un gain de
conversion bien meilleur que les précédentes structures ainsi qu’un point d’interception
d’ordre 3 bien plus élevé.

Figure 48: Mélangeur double équilibrée

Le principe de fonctionnement est le suivant:

51
Considérons une alternance positive de l'oscillateur local. Les diodes D1 et D2 sont rendues
conductrices, alors que les diodes D3 et D4 sont bloquées. Le circuit est alors le suivant:

Ce qui est équivalent à:

Dans la maille du haut, on peut écrire: VLO = -Vi + VO

Et dans celle du bas: -VLO = -Vi + VO
D'où VO = Vi
Pour une alternance négative de VLO, les diodes D3 et D4 sont conductrices et les diodes D1 et
D2 sont bloquées. On obtient de la même manière l'expression: VO = -Vi
Le signal de sortie s'écrit donc finalement:
VO(t) = Vi* = Vi P(t) avec P(t) = -1 si VLO >0 et P(t) = 1 si VLO
Si Vi(t) = VsinωRFt , VO peut s'écrire:
VO = - (2V/π )[cos(ωRF - ωLO)t - cos(ωRF + ωLO)t -(1/3)(cos(ωRF - 3ωLO)t - cos(ωRF + 3ωLO)t)
+ (1/5)(cos(ωRF - 5ωLO)t - cos(ωRF + 5ωLO)t) + …]
On constate que par rapport au circuit précédent, le terme VLO a disparu.
a) Isolation entre ports
Si le circuit est parfaitement symétrique, le mélangeur en anneau présente une très grande
réjection de la fréquence de l'oscillateur local. Dans la pratique l'isolation entre les ports LO et
IF est d'environ 40 dB. On montre de la même manière que le mélangeur en anneau présente

52
également une très bonne isolation entre les ports LO et RF, ce qui évite de perturber les
étages précédant le mélangeur.
b) Perte de conversion
L'impédance d'entrée du mélangeur, vue du port RF est égale à RL. Le circuit étant en général
adapté et l'on a : RS = RL (50Ω le plus souvent).
Ce qui implique que VS = 2Vi
A la fréquence intermédiaire ωIF = ωRF - ωLO l'amplitude maximale du signal de sortie Vo est
égale à VS/π, ce qui correspond à une puissance disponible dans la résistance RL:
PO = VS²/π²RL
La puissance incidente parvenant au port RF s'écrit:
Pi = Vi²/RL = VS²/4RL
Le gain de conversion est alors : G = PO/Pi = 4/π² ≈ 0,4
Soit en décibel GdB = 10.logG ≈ -4dB
Ce qui correspond à une perte de conversion de 4 dB.
Le signal incident à la fréquence ωRF subit donc une translation en fréquence de ω LO qui
s'accompagne d'un affaiblissement de 4dB (valeur théorique ne tenant pas compte de la
résistance dynamique des diodes. Dans la pratique la perte de conversion est de l'ordre de
6dB).
2.2.Mélangeurs actifs

Les mélangeurs actifs mettent en œuvre des transistors pour lesquels on souhaite bénéficier
des capacités d’amplification. Pour un transistor à effet de champ, le signal d’entrée RF doit
donc, comme dans le cas d’un amplificateur, être appliqué à la grille du transistor tandis que
le signal de sortie FI est recueilli sur le drain. La non-linéarité utilisée est la transconductance
du transistor et les mélangeurs résultants se nomment « mélangeur à transconductance ». Le
signal OL a pour fonction de moduler cette non-linéarité et peut, pour ce faire, être injecté soit
sur la grille, soit sur le drain ou soit sur la source du transistor.
2.2.1. Mélangeur à transistor simple
Un seul transistor peut être utilisé (figure 49). Les signaux RF et LO sont introduits sur la
grille du transistor par l’intermédiaire d’un quadripôle d’adaptation qui fait office de
duplexeur ou combineur. Les circuits de polarisation sont standards, ils utilisent en général
une self de choc. En sortie, un filtre passe-bas d’adaptation permet de sélectionner le signal IF
et une capacité parallèle permet de filtrer la fréquence LO qui est amplifiée à travers le
transistor, du fait de la puissance élevée de ce signal en entrée.

53
 Figure 49: Mélangeur simple à FET
La non-linéarité est introduite par la transconductance (figure 50). Lorsque Vgs est proche de
0V, gm est linéaire et le transistor peut être utilisé en amplificateur. Au contraire, lorsque Vgs
est très proche de la tension de pincement Vp, gm devient fortement non linéaire et cette
polarisation peut être utilisée pour la conception de circuits non linéaires. En introduisant les
signaux RF et LO sur deux pattes différentes du transistor, on améliore l’isolation entre ces
deux signaux.

Figure 50: Variation de la transconductance d’un transistor en fonction de Vgs

Les transistors à double grille permettent une utilisation plus aisée en mélangeur. Dans ce cas,
l’isolation entre les signaux RF et LO est bien plus grande que dans la configuration
précédente.

Figure 51: Mélangeur simple à FET double grille

Des montages différentiels améliorent également l’isolation entre signaux. Des structures plus
sophistiquées à base de montage différentiel, comme la cellule de Gilbert, est utilisée dans les

54
téléphones portables. La symétrie d’une telle cellule permet de minimiser les produits
d’intermodulation, en les annulant, et de favoriser les fréquences somme et différence.
2.2.2. Mélangeur de Gilbert

Les mélangeurs actifs sont aussi utilisés dans des structures simplement ou doublement
équilibrées. Pour les circuits intégrés basse fréquence utilisant des transistors FET, une
topologie très populaire est le mélangeur doublement équilibré à cellule de Gilbert. Il s'agit
d'un multiplieur réalisé à partir de 2 paires différentielles. Le cœur du mélangeur est
représenté figure 52 où la paire RF fournit du gain alors que les 2 paires OL fonctionnent en
commutation.

Figure 52: Mélangeur à cellule de Gilbert

3. Mélangeurs à rejection de la fréquence image

Dans un récepteur superhétérodyne classique, le signal incident est amplifié dans un étage HF
généralement accordé, ce qui procure un premier filtrage, puis mélangé avec un oscillateur à
fréquence variable afin de délivrer un signal à fréquence intermédiaire fixe. Si la sélectivité de
l'étage HF est faible et/ou si la fréquence intermédiaire est faible, la réjection de la fréquence
image sera insuffisante et la réception risque d'être perturbée.
La figure 53 décrit les deux mécanismes de transposition de fréquence précédemment cités.
Les bandes des signaux utile et parasite (nommée bande image) se situent symétriquement au
dessus et au dessous de la fréquence OL (d’où le terme image) et sont transposées vers la
même bande FI de sortie.

55
 Figure 53: Transposition de la fréquence RF et image vers la fréquence FI

La fréquence image doit être éliminée par filtrage, ce qui n'est pas toujours aisé à haute
fréquence. Une autre solution consiste à utiliser un mélangeur à réjection de la fréquence
image (figure 54). Le principe du circuit consiste à utiliser une paire de mélangeurs attaqués
en quadrature de phase par l'oscillateur local. La sortie I(t) est sommée à la sortie Q(t)
déphasée de 90° pour donner le signal de sortie S(t).

Figure 54: Structure de mélangeur à réjection d’image

Soit Vi = V sinωit l'expression du signal RF incident et VLO = sin(ωLOt) celle de l'oscillateur
local. On supposera ωi > ωLO, soit (ωi-ωLO) >0.
Le signal incident est appliqué simultanément aux deux mélangeurs I et Q.
Le signal de sortie du mélangeur I s'écrit:
I(t) = Vsinωit . sinωLOt = (V/2)[cos(ωi-ωLO)t - cos(ωi+ωLO)t ]
Le signal de sortie du mélangeur Q s'écrit:
Q(t) = Vsinωit . sin(ωLOt - 90°) = (V/2)[cos {(ωi - ωLO)t + 90°} - cos {(ωi+ωLO)t - 90°}]
Q(t) = (V/2)[-sin (ωi - ωLO)t - cos {(ωi+ωLO)t - 90°}]
Le signal Q(t) subit ensuite un déphasage de -90° pour donner:
Qd(t) = (V/2)[-sin {(ωi - ωLO)t - 90°} - cos {(ωi+ωLO)t - 180° }]
56
 Qd(t) = (V/2)[cos (ωi - ωLO)t + cos (ωi+ωLO)t ]
Les signaux I(t) et Qd(t) sont ensuite sommés :
S(t) = (V/2)[cos (ωi-ωLO)t - cos (ωi+ωLO)t ] + (V/2)[cos (ωi - ωLO)t + cos (ωi+ωLO)t ]
S(t) = V cos (ωi-ωLO)t
On constate qu'il y a annulation du battement supradyne.
Supposons maintenant que ωi soit la fréquence image. On a (ωi-ωLO) < 0
Le signal de sortie du mélangeur I(t) s'écrit maintenant:
I(t) = Vsinωit . sinωLOt = (V/2)[cos (ωi-ωLO)t - cos (ωi+ωLO)t ]
I(t) = (V/2)[cos (ωLO- ωi)t - cos (ωi+ωLO)t ] puisque cos(a) = cos(-a)
Et celui de Q(t):
Q(t) = (V/2)[cos {(ωi - ωLO)t + 90°} - cos {(ωi+ωLO)t - 90°}]
Q(t) = (V/2)[sin (ωLO - ωi )t - cos {(ωi+ωLO)t - 90°}]
Après déphasage de -90° on a:
Qd(t) = (V/2)[sin {(ωLO - ωi)t - 90°} - cos {(ωi+ωLO)t - 180° }]
Qd(t) = (V/2)[- cos (ωLO - ωi )t + cos (ωi+ωLO)t ]
Ce qui donne en sortie:
S(t) = (V/2)[cos (ωLO - ωi)t - cos (ωi+ωLO)t ] + (V/2)[- cos (ωLO -ωi )t + cos (ωi+ωLO)t ]
S(t) = 0
Il y a annulation de la fréquence image en sortie.
Ce type de mélangeur, qui peut être totalement intégré, est très largement utilisé, notamment
dans les téléphones mobiles.
V. Synthèse de fréquence

La synthèse de fréquence permet de fournir le signal de référence OL aux mélangeurs afin de

réaliser la transposition de fréquence (ou conversion de fréquence). La sélection du canal de
réception (ou d’émission) est réalisée grâce au synthétiseur de fréquence et à la valeur de la
fréquence du signal qu’il fournit. Dans le cas d’un système homodyne, une seule conversion
implique que le synthétiseur de fréquence doit fournir une référence de même fréquence que
le canal visé. Les systèmes hétérodynes ont plusieurs conversions de fréquences.
1. Boucle à verrouillage de phase (PLL)
Une boucle à verrouillage de phase (Phase Locked Loop) est un système bouclé capable de
délivrer un signal dont la fréquence est asservie à un signal de référence.
Elle se compose des éléments suivants:
• Un détecteur de phase

57
• Un filtre passe bas
• Un oscillateur commandé en tension (VCO)

Figure 55: Schéma simple d’une PLL

Soit Ve=E sin(ωet + ϕe) l'expression du signal d'entrée et Vs= Es sin(ωst + ϕs) celle du signal
de sortie.
Le comparateur de phase compare la phase du signal d'entrée avec celle du signal délivré par
le VCO, et génère un signal d'erreur qui est filtré et appliqué à l'entrée de commande de
l'oscillateur (VCO).
Lorsque la boucle est verrouillée (locked), la différence de phase instantanée est constante:
Ve = Ee sin(ωet + ϕe) = Ee sinΦe(t)
Vs= Es sin(ωst + ϕs) = Es sinΦs(t)
Φs(t) - Φe(t) = constante
dΦs(t)/dt - dΦe(t)/dt = 0 d'où ωs = ωe
La fréquence du VCO est égale à celle du signal d'entrée.
1.1.Principe de fonctionnement
En l'absence de signal d'entrée, le VCO délivre une tension sinusoïdale de fréquence libre f0
ou fréquence centrale (dite aussi fréquence de repos).
Supposons que l'on utilise un multiplieur analogique comme détecteur de phase. Si l'on injecte
à l'entrée un signal sinusoïdal de fréquence fe voisine de f0, le comparateur délivre un signal
e(t):
Ve(t) = AesinΦe(t)
V0(t) = A0sinΦs(t)
e(t) = Ve(t)V0(t) = AeA0 sinΦe(t)sinΦs(t)
d’après la relation trigonométrique sina.sinb = (½)[cos(a-b)-cos(a+b)] on a :
e(t) = (AeA0/2)cos[Φe(t)-Φs(t)] - (AeA0/2)cos[Φe(t)+Φs(t)]
Le signal d'erreur comporte des composantes à fe - f0 et fe + f0.

58
Le filtre passe bas ne laissera passer que la composante à basse fréquence ∆f =fe - f0 qui est
appliquée à l'entrée de commande du VCO. Il en résulte une modulation de la fréquence du
VCO par ∆f qui devient ainsi une fonction du temps.
On montre que le système converge vers ∆f = 0 si l'écart fe - f0 se situe à l'intérieur d'un
certain domaine appelée plage de capture (ou d'acquisition). Lorsque la boucle est verrouillée,
fs = fe et le comparateur de phase ne délivre qu'une tension continue Vc proportionnelle à
l'écart de phase entre les signaux d'entrée et de sortie.
Vc = K∆Φ
Le temps nécessaire pour obtenir le verrouillage est un paramètre important qui dépend des
caractéristiques du filtre de boucle.
1.2.Etude de la boucle verrouillée

Lorsque la boucle à verrouillage de phase est verrouillée, elle peut s'étudier comme un
système asservi linéaire.
Le schéma block du système peut être représenté sous forme de fonctions de transfert comme
indiqué ci après.

Figure 56: Schéma bloc de la boucle à verrouillage de phase (PLL)

Figure 57: Représentation en fonction de transfert

On notera que la variable d'entrée n'est pas la fréquence fe, mais la phase Φe(t).
ωe = dΦe/dt d'où:

59
 𝑡
Φ𝑒 = Φ𝑒 𝑡 = 0) + ω𝑒 (𝑡)𝑑𝑡
0

Soit en transformée de Laplace, en considérant que la phase à l'origine est nulle:

Φe = (1/p) ωe(p)
On suppose que la fréquence du VCO est proportionnelle à la tension d'erreur Vc.
ωosc = ω0 + K0VC
où ω0 est la fréquence d'oscillation libre du VCO.
La sortie du VCO doit être exprimée en phase puisque le détecteur est sensible à la différence
de phase entre le signal d'entrée et la sortie du VCO:
𝑡
Φ𝑜𝑠𝑐 = Φ𝑜𝑠𝑐 𝑡 = 0) + ω𝑜𝑠𝑐 (𝑡)𝑑𝑡
0

On constate que le VCO fonctionne comme un intégrateur. Un échelon de tension d'erreur Vc

correspond à un échelon de pulsation ωOSC et à une rampe de phase.
Ceci se traduit sur la fonction de transfert par le bloc 1/p.
Nous avons:
ΦOSC (p) = ωOSC / p = KOVC(p) / p
VC(p) = [Φe (p) - ΦOSC (p)].KD.F(p).A
On en déduit l'expression:
𝑉𝐶 pK D F. A
=
Φ𝑒 p + K 0 K D F. A
Qui traduit la caractéristique phase → tension du système.
En utilisant la relation Φe = (1/p) ωe(p), on obtient la fonction de transfert fréquence→tension
du système:
𝑉𝐶 K D F. A
=
ω𝑒 p + K 0 K D F. A
En posant KL = KOKDA , il vient:
𝑉𝐶 K L F(p)
=
ω𝑒 K 0 [p + K L F p)]
Ou, pour la fonction de transfert fréquence d'entrée → fréquence de sortie:
ω𝑆 F(p)
= KL
ω𝑒 [p + K L F p)]
Cette fonction de transfert dépend de la fonction de transfert F(p) du filtre passe bas.

2. Synthétiseur de fréquence

60
Il existe plusieurs dispositifs et techniques de réalisation des synthétiseurs de fréquences.
Dans ce cours, nous évoquerons les synthétiseurs à boucle à verrouillage de phase PLL (Phase
Locked Loop), à boucle à verrouillage de retard DLL (Delay Locked Loop) et à oscillateur
synchronisé OS (Injection Locked Oscillator). Les caractéristiques fondamentales des
synthétiseurs seront décrites dans les parties suivantes, ainsi que les principes de
fonctionnement des différents types de synthétiseurs. Nous s’intéresserons par une étude plus
détaillée de synthétiseur avec PLL.
1. Caractéristiques
La principale caractéristique d'un synthétiseur de fréquences est l'ensemble des fréquences
qu'il peut générer. Pour une utilisation dans émetteur-récepteur radio, les fréquences à couvrir
sont fixées par le ou les standard(s) de communication que l'ont souhaite pouvoir couvrir
(plan de fréquences). Par exemple, pour le GSM la caractéristique des canaux est définie par
l'European Telecommunications Standards Institute.
La plage de fréquences est la zone comprise entre la plus petite et la plus grande des
fréquences synthétisables, sa largeur doit être supérieure ou égale à la bande de fréquences
allouée au standard de communication. En raison des multiples changements de fréquences
possibles dans la chaîne d'émission ou de réception, la plage de fréquences à synthétiser peut
être décalée par rapport aux fréquences du standard de communication. Ce qui est le cas des
systèmes hétérodynes à plusieurs changements de fréquence.

Figure 58 : Plage de fréquences et pas de synthèse

Le pas de synthèse est la différence de fréquence entre deux fréquences synthétisées
consécutives. Habituellement le pas de synthèse est inférieur ou égal à la largeur d'un canal,
de façon à pouvoir opérer sur tous les canaux du standard de télécommunication. En général,

61
la complexité du synthétiseur de fréquences est fortement dépendante du plan de fréquences
du standard de télécommunication.
2. Synthèse de fréquences à PLL
On a vue que la boucle à verrouillage de phase, est un circuit dans lequel est asservie la phase,
et donc la fréquence, d'un oscillateur à celle d'une référence. La référence est le signal
périodique appliqué en entrée, dont est dérivée la fréquence de sortie.

Figure 59 : Schéma de principe d'un synthétiseur de fréquence à PLL

Un synthétiseur de fréquence se compose d'une boucle à verrouillage de phase dans laquelle:
• le signal d'entrée est une fréquence de référence stable et précise
• On a introduit un diviseur de fréquence, généralement programmable, entre le VCO et le
comparateur de phase.
Le détecteur de phase compare le signal du VCO dont la fréquence est divisée par N au
signal de référence. Lorsque la boucle est verrouillée on a:
FVCO = N FREF
Si N est programmable, la fréquence de sortie peut être rendue variable par bond de FREF.
Exemple:
On désire réaliser un oscillateur pilote pour un émetteur de radiodiffusion dans la bande FM
(88 - 108 MHz), sachant que les canaux doivent être espacés de 100 kHz.
On utilise un synthétiseur de fréquence avec une référence de 100 kHz (obtenue par exemple
à partir d'un oscillateur à quartz de 10 MHz suivi d'un diviseur de fréquence par 100).
Pour obtenir 88 MHz il faut diviser par N = 880, et pour 108 MHz par N = 1080. Il suffira
donc d'implanter un diviseur programmable capable de diviser par 880<N <1080.
2.1.Cas des fréquences élevées

62
Dans l'état actuel de la technologie, il est difficile de réaliser des diviseurs programmables
fonctionnant au delà d'une centaine de MHz. On a alors recours à un pré-diviseur (prescaler)
fixe par P.

Figure 60: Schéma de principe d'un synthétiseur de fréquence à PLL avec pré-diviseur
La fréquence de sortie est donnée par:
FVCO = N.P.FREF
Si l'on incrémente N d'une unité, la fréquence de sortie devient:
FVCO = (N+1)P.FREF = N.P.FREF + PFREF
FVCO(N+1) = FVCO (N) + PFREF
On constate que le pas du synthétiseur est multiplié par P, ce qui est gênant pour l'obtention
de pas fins car la fréquence de comparaison peut devenir très faible (temps de réaction plus
long, bruit de phase plus élevé, …).
Exemple :
Reprenons l'exemple précédent, avec un pré-diviseur par P=10.
Pour obtenir un pas de 100 kHz en sortie, il faut maintenant une fréquence de référence de
10kHz. Le diviseur programmable devra toujours couvrir le même intervalle 880-1080, mais
il fonctionnera à une fréquence 10 fois plus faible (8,8 - 10,8 MHz).
2.2.Synthétiseur à division fractionnaire
Le schéma synoptique de ce type de synthétiseur est donné sur la figure 61.
La sortie du VCO est tout d'abord envoyée dans un diviseur de fréquence capable de diviser
par P ou par P+1 selon la commande qu'il reçoit.
La sortie de ce diviseur à deux modules (dual modulus) est envoyée à deux compteurs
programmables M et A.
Le débordement du compteur A commande la division par P ou P+1.
La sortie du compteur M attaque le comparateur de phase.
Le débordement du compteur M commande la remise à zéro de l'ensemble.

63
 Figure 61: Schéma de principe d'un synthétiseur à division fractionnaire
Soit T0 =1/ FVCO la période du signal de sortie.
Au début du cycle, le pré-diviseur divise par P+1.
Les compteurs A et M reçoivent une horloge à la fréquence FVCO / (P+1)
Au bout d'un temps A(P+1)T0 le compteur A déborde et force le prédiviseur à diviser par P
pour le reste du cycle.
Le compteur M déborde après un temps [A(P+1) + (M-A)P]T0 = (MP+A)T0 et remet le
système à zéro.
Le comparateur de phase reçoit donc une fréquence Fcomp = 1/(MP+A)T0.
Lorsque la boucle est verrouillée Fcomp = FREF
FREF = 1/(MP+A)T0 = FVCO / (MP+A)
D'où:
FVCO = FREF (MP+A)
Toute incrémentation d'une unité du compteur A provoque un saut de fréquence égal à la
fréquence de référence.
Toute incrémentation d'une unité du compteur M provoque un saut de fréquence égal à MP
fois la fréquence de référence.
On notera que A doit toujours être inférieur à M.
Le compteur A doit pouvoir compter au minimum de 0 à P-1.
Amin = 0 Amax = P-1
M>A → Mmin = P
Il en résulte que le facteur de division minimal est:
Dmin = Mmin (P + Amin) =P(P+0) = P²
Ce système permet l'utilisation d'un pré-diviseur sans modifier le pas du synthétiseur.

64
Bibliographie
[1] S. PIRES, O. CEYLAN, and L. MARCO-PLATON, “Refine Biasing Networks for
High PA Low-Frequency Stability”.
[2] A. Grebennikov, N. O. Sokal, and M. J. Franco, Switchmode RF and microwave
power amplifiers. Academic Press, 2012.
[3] G. González, “Microwave transistor amplifiers: analysis and design,” 1984.
[4] D. M. Pozar, “Microwave Engineering 3e,” Tramsmission Lines and Waveguides, pp.
143–149, 2005.
[5] J.-S. G. Hong and M. J. Lancaster, Microstrip filters for RF/microwave applications,
vol. 167. John Wiley & Sons, 2004.
[6] P. F. Combes, Micro-ondes: Circuits passifs, propagation, antennes: cours et
exercices. Dunod, 1997.
[7] François de Dieuleveult, Olivier Romain, Electronique Appliquée aux Hautes
Fréquences. Dunod,1999.

65