Circuits Electriques ZAMBOU

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….
Par
ZAMBOU
~1~
TABLE DES MATIERES :
Chapitre 0 : Rappel sur les théorèmes fondamentaux…………….….…..3
Chapitre 1 : Circuits en régime sinusoïdal …………………………….…...7
Chapitre 2 : Les semi – conducteurs …………………………….………..22
Chapitre 3 : La diode à jonction ………………………………..………. 25
Chapitre 4 : Le redressement …………………………………………..….36
Chapitre 5 : La diode zener ……………………………………………..….49
Chapitre 6 : Le transistor bipolaire ………………………….……………..57
Chapitre 7 : Le transistor à effet de champ ……………………………....83
Chapitre 8 : L'amplificateur opérationnel ….. ……………………..……100
Chapitre 9 : Le thyristor – Le TRIAC – Le DIAC ………………………..108
Les anciens Probatoires F3 avec corrigés ……………….……………..113
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~2~
Chapitre 0 : RAPPELS SUR LES THEOREMES FONDAMENTAUX
1) Théorème de Kennely 𝑅𝐴 𝑅𝐵
R1 =
𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑅𝐶
Il existe des groupements particuliers, qui
ne sont ni en série ni en parallèle. Ce sont des 𝑅𝐵 𝑅𝐶
R2 =
groupements étoiles ou triangles. Pour trouver la 𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 𝑅𝐶
résistance équivalente d'un tel circuit, on sera 𝑅𝐴 𝑅𝐶
appelé à faire une transfiguration étoile – triangle R3 =
𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑅𝐶
(Y - ∆) ou triangle – étoile (∆ - Y).
Règles :
o La résistance d'une branche du montage

R1 étoile est égale au produit des résistances
RA
des deux branches les plus rapprochées
RB
du montage triangle, divisé par la somme
R2 R3
des résistances du montage triangle.
o La résistance d'une branche du montage
RC
triangle est égale à la somme de tous les
produits possibles des résistances prises
deux à deux du montage étoile, divisé par
la résistance de la branche la plus
RB R1 éloignée du montage étoile.
RA
Cas particulier :
R2 R3
Si R1 = R2 = R3 = RY et RA = RB = RC = R∆
Alors, on aura :
RC
𝑅∆
RY = et R∆ = 3RY
3
Transfiguration étoile – triangle (Y - ∆) 2) Loi des mailles

𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 Une maille est un circuit fermé à l'intérieur d'un
RA =
𝑅2 réseau. La somme des tensions le long d'une
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 maille est nulle.
RB =
𝑅3
Considérons le circuit ci – dessous :
𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3
RC =
𝑅1 R1 I2 I
2
u1 I1
Transfiguration triangle – étoile (∆ - Y)
1
R2 u 2 u
u4 R4
ZAMBOU
~3~
R3 u3
I1 + I4 = I2 + I3 + I5
5) Règle du diviseur de courant

On peut écrire les équations des mailles :
Considérons le circuit suivant :
Maille 1 : u – u1 – u2 – u3 = 0
I
Soit u = u1 + u2 + u3 I1 I2
D'autres parts, on a : I = I1 + I2 u R1 R2
Or U4 = U = R4I1 = Req I
𝑈 1 1
I= ainsi, I = U ( + ) 𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2
𝑅𝑒𝑞 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 Req = ; U = Req I = I
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
3) Règle du diviseur de tension 𝑈 𝑈
Or I1 = et I2 =
Considérons la branche de circuit ci – après : 𝑅1 𝑅2
R1 R2 D'où et
𝑅2 𝑅1
I1 = I I2 = I
U2
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
U1
I
U 5) Théorème de Thévenin
En courant continu, tout réseau à deux bornes
𝑈 peut être remplacé par un générateur constitué
On a U1 = R1 I et U2 = R2 I or I = d'une source de tension en série avec une
𝑅1 + 𝑅2
résistance.
D'où 𝑈
U1 = R1 x La détermination du générateur de Thévenin
𝑅1 + 𝑅2
passe par les étapes suivantes :
𝑈
- On isole la partie du circuit à laquelle
et U2 = R2 x
𝑅1 + 𝑅2
sera raccordé le générateur de Thévenin ;
- On repère les deux bornes du circuit
résiduel ;
4) Loi des nœuds - On détermine Eth : c'est la tension en
Un nœud est le point de rencontre entre plusieurs circuit ouvert aux bornes repérées ;
branches. La somme des courants entrant dans - On détermine Rth . pour cela, on met en
un nœud est égale à la somme des courants court - circuit toutes les sources de
sortant. tension et on ouvre toutes les sources de
courant. On calcule ensuit la résistance
I1 équivalente aux bornes repérées.
I2
I5 Exemple :
I3
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4
~4~
Calculer le courant qui traverse la résistance de
5Ω dans le circuit suivant, en utilisant la
méthode de Thévenin :
6) Théorème de Norton
I
En courant continu, tout réseau linéaire à deux
1Ω 2Ω bornes peut être remplacé par un générateur de
5Ω
Norton, constitué d'une source de courant en
10V 4V parallèle avec une résistance.
La détermination du générateur de Norton passe
par les étapes suivantes :
Solution : - On isole la partie du circuit à laquelle
Calcul de Eth : sera raccordé le générateur de Norton ;
A
- On repère les deux bornes du circuit
résiduel ;
2Ω
- On détermine IN : c'est le courant de court –
1Ω
circuit à travers les bornes repérées ;
Eth
- On détermine RN par le même procédé que
10V 4V
Rth.
B Exemple :
Déterminer le courant qui traverse la résistance
10 – 1 I – Eth = 0 d'où Eth = 10 – I de 4Ω dans le circuit suivant, en utilisant la
10 − 4 méthode de Norton.
Avec I = = 2A
1+ 2
3Ω
Eth = 10 - 2 = 8V Eth = 8V
I
Calcul de Rth :
4Ω
9V 6Ω
A
1Ω 2Ω
Solution :
B Calcul de IN :
3Ω A
1𝑥2 2
Rth = = IN
1+2 3 6Ω
9V
Calcul de I
Rth 𝐸𝑡ℎ B
I= 9
𝑅𝑡ℎ + 5 IN = = 3A IN = 3A
8 24 3
Eth 5Ω I=2 =
+ 5 17
Cours de circuits analogiques
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I = 1,4A
~5~
Calcul de RN :
3Ω A
6Ω
B
RT = 6 + 6 // 3 = 8Ω
3𝑥6
Rth = = 2Ω Rth = 2Ω 72 6
3+ 6 I' = = 9A ; I1 = x 9 = 6A
8 6+3
Calcul de I : 2ème étape :
6Ω 3Ω I2
I
3Ω 4Ω
3A
6Ω 18V
2 RT = 3 + 6//6 = 6Ω
I = 2 + 4 x 3 = 1A I = 1A
18
I2 = = 3A
7) Théorème de superposition 6
- Enoncé : Calcul de I
Soit un réseau alimenté par plusieurs sources de I1 = 6A

courant et/ou de tension : 3Ω
Le courant qui traverse un élément d'un réseau I2 = 3A

linéaire est égal à la somme algébrique des
courants créés séparément par chaque source. Il I = 6 – 3 = 3A I = 3A
en est de même pour la tension aux bornes de
chaque élément du réseau. 8) Théorème de Millman
- Application : Ce théorème permet de remplacer un certain

nombre de sources de tension en parallèle par
Soit à trouver le courant qui traverse la résistance une seule.
de 3Ω dans le réseau suivant :
Exemple :
6Ω 3Ω
Calculer la tension u dans le circuit suivant :

72V 6Ω 18V
5Ω 4Ω 2Ω
1ère étape : 4Ω
u
10V 16V 8V
6Ω 3Ω I1
I’
6Ω
Cours 72V
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10 16 8 10
+ 4 + 4 2+ 4+ 4 V = = 8,33V V = 8,33V
5 1,2
V= 1 1 1 1 =
+ 4+ 2+ 3 0,2 + 0,25 + 0,5 + 0,25
5
Chapitre 1 : CIRCUITS EN REGIME SINUSOÏDAL
I – RAPPELS SUR LES NOMBRES Exemple :

COMPLEXES J16 = j(4 x 4) = 1 ; J25 = j(4 x 6) + 1 = j
1) Définition J42 = j(4 x 10) + 2 = -1
On appelle nombre complexe tout nombre qui
s’écrit de la forme z = a + jb, où a et b sont des b) Somme de deux nombres complexes
nombres réels. Soient z = a + jb et z’ = a’ + jb’ deux nombres
a est appelé partie réelle du nombre z et b est sa complexes :
partie imaginaire. z + z’ = a + jb + a’ + jb’
On note : R(z) = a et Im(z) = b. = (a +a’) + j(b + b’)
Exemple : z = 5 +2j : Exemple :
R(z) = 5 et Im(z) = 2 Z = 3 + 2j et z’ = 6 - 4j
Remarque : z +z’ = (3 + 6) + (2 – 4) j= 9 - 2j
 Si a = 0, alors z = jb. c) produit de deux nombres complexes
On dit que z est un imaginaire pure.
z x z’ = (a + jb) (a’ + jb’)
Exemple : z = - 4j
= aa’ + ab’j + a’bj + bb’
 Si b = 0, alors z = a
= (aa’ + bb’) + (ab’ + a’b)j
On dit que z est un réel pur
Exemple : z = 5 Exemple :
z = 2 + 4j et z’ = 3 – 3j
Ainsi, tout nombre réel est un nombre complexe
zz’ = (2 + 4j) (3 – 3j)
dont la partie imaginaire est nulle. L’ensemble
= 6 – 6j + 12j + 12
des nombres complexes est noté C. = 18 – 6j
2) Opérations sur les nombres complexes d) Conjugué d’un nombre complexe
a) Puissance nème de j Soit z = a + jb un nombre complexe. On appelle

conjugué de z le nombre complexe z = a – jb
j2 = j x j = -1
Exemple :
j3 = j2 x j = (-1)j = -j
j4 = j2 x j2 = (-1) x (-1) = 1 z = 4 + 2j → z = 4 – 2j
j5 = j4 x j = 1 x j = j Propriétés :
Généralisation Quel que soient z et z’ € C, on a :
z = z ; z + z’ = z + z’ ; zz’ = z z’ ; zn = ( z )n ;
Quel que Soit n € N, on a :
z z = (a + jb) (a – jb) = a2 +b2
j4n = 1
e) Quotient de deux nombres complexes
j4n+1 = j
j4n +2 = -1 Soient z = a + jb et z’ = a’ + jb’, avec z’≠ 0.
j4n+3 = -j 𝑧 𝑎+𝑗𝑏 (𝑎+𝑗𝑏)(𝑎′ − 𝑗𝑏′ )
= = (𝑎′
𝑧′ 𝑎′ + 𝑗𝑏′ + 𝑗𝑏′ )(𝑎′ − 𝑗𝑏′ )
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𝑎𝑎′ + 𝑏𝑏′ + 𝑗(𝑎′ 𝑏−𝑎𝑏′ ) 𝑎𝑎′ + 𝑏𝑏′ 𝜋
= = +j → θ = = 60°
𝑎′2 +𝑏′2 𝑎′2 + 𝑏′2 3
𝑎′ 𝑏+𝑎𝑏′ D’où z = [ 1 ; 60°] = 1 60°
𝑎′2 + 𝑏′2
Exercice : Trouver la forme trigonométrique des
Exemple : z = 3 + 3j et z’ = 4 – 2j nombres complexes suivants :
𝑧 (3 + 3𝑗)( 4 − 2𝑗) 12 − 6𝑗 + 12𝑗 + 6 √2 √2
= = 1) z = + 𝑗 ;
𝑧′ (4 + 2𝑗)(4 − 2𝑗) 42 + 22 2 2
2) z = 4 + 3j
18+6𝑗 9 3
= = + 𝑗
20 10 10 Propriétés :
3) Module d’un nombre complexe Si z = [ ρ ; θ], alors z = [ ρ ; - θ]
Si z = [ ρ ; θ] et z’ = [ ρ’ ; θ’], alors,
Soit le nombre complexe z = a + jb. On appelle z x z’ = [ ρ ; θ] x [ ρ’; θ’] = [ ρ ρ’; θ + θ’]
module de z le réel positif │z│ tel que
𝑧 [ ρ ; θ] 𝜌
│ z│ = √𝑧 𝑧 = √𝑎2 + 𝑏 2
= =[ ; θ – θ’]
𝑧′ [ ρ′ ; θ′] 𝜌′
1 1
Exemple : z = 4 – 3j =[ ; − θ]
𝑧 𝜌
│z│= √42 + (−3)2 = √16 + 9 = √25 = 5 z2 = [ ρ ; θ] x [ ρ ; θ] = [ ρ ρ ; θ + θ]
Propriétés : z2 = [ ρ2 ; 2θ]
𝑧 │z│
│z z’│ = │z││z’│ ; │𝑧′│ = Ainsi zn = [ ρn ; nθ]
│z′│
4) Forme trigonométrique d’un nombre N.B :

complexe - Pour l’addition et la soustraction des nombres
La notation z = a + jb est appelée la forme complexes, il est conseillé d’utiliser la forme
algébrique du nombre complexe z. algébrique ;
La forme trigonométrique de z est notée : - Pour la multiplication et la division des

nombres complexes, il est conseillé d’utiliser la
Z = ρ(cosθ + jsinθ), dans laquelle ρ est le forme trigonométrique.
module de z et θ son argument.
II – LOI D’OHM EN ALTERNATIF
𝑎 𝑏
Ainsi, cosθ = et sinθ =
𝜌 𝜌 1) Impédance et admittance d’un dipôle passif
On note aussi z = [ ρ ; θ], ou encore z = ρ θ linéaire
1 √3
Exemple : z = + 𝑗 Considérons un dipôle linéaire AB placé dans un
2 2
circuit fonctionnant en régime sinusoïdal
Pour trouver la forme trigonométrique de z, on permanant.
calcule le module ρ et l’argument θ.
i Z
A B
1 2 √3 2 1 3
ρ = √( ) +( ) = √4 + = √1 = 1 uAB
2 2 4
1 √3
1 √3
cosθ = 2
= ; sinθ = 2
=
1 2 1 2
~8~
La tension uAB appliquée aux bornes du dipôle Soit I = [ I ; 0°] d'où i = I√2sin𝜔t.
AB est : u = U√2sin𝜔t. Il est traversé par un
L'impédance du dipôle est ZR = R et le
courant d’intensité i tel que i = I√2sin(𝜔t + θ). déphasage est θ = 0
Lorsque le dipôle AB est alimenté, on peut Remarque :
mesurer directement les valeurs efficaces U de la Aux bornes d'un résistor, le courant et la tension
tension et I du courant. sont en phase.
L’impédance du dipôle est donnée par : b) Bobine parfaite
𝑼 Avec : U en volt ; I en A I L
Z= 𝑰 et Z en Ω
U
L’impédance Z du dipôle dépend de la
𝑈𝐿
nature du dipôle, mais elle est indépendante des UL = jL𝜔I, soit I=
𝑗𝐿𝜔
valeurs efficaces U et I. Pour la plupart des 𝑈𝐿
dipôles, l’impédance dépend de la pulsation du Module de I = I =
𝐿𝜔
courant, c’est – à – dire de la fréquence f, car on Arg I = arg U – arg (jL𝜔) → θ = 0 - 2 = - 2
𝜋 𝜋
a 𝝎 = 2πf. 𝑈 𝜋 𝑈 𝜋
I = [ 𝐿𝜔 ; − 2 ] d'où i = 𝐿𝜔 √2sin(𝜔t - 2 )
L’admittance du dipôle, notée Y, est l’inverse de
l’impédance Remarque :
Aux bornes d'une bobine pure, le courant est en
1 𝜋
Y=𝑍 → Y=
𝐼 Avec : I en A ; U en V retard de 2 sur la tension. On dit que la tension
𝑈
Et Y en siémens (S) est en quadrature avance sur le courant.
L'impédance du dipôle est donnée par : ZL = Lw
2) Dipôle élémentaire
Le déphasage de la tension par rapport au
Il existe trois types de dipôles élémentaires : courant est :
- Le résistor ; 𝜋 𝜋
arg Z = arg U – arg I = 0 – ( - ) d'où Arg Z =
- La bobine ; 2 2
- Le condensateur. c) Condensateur parfait
On dit que ces dipôles sont linéaires lorsque les C
I
grandeurs R, L et C qui les caractérisent
respectivement sont constantes. Uc
a) Le résistor ou dipôle résistif

𝐼
Z Uc = , soit Ic = UjC𝜔
I 𝑗𝐶𝜔
U Module de I = UC𝜔
𝑈 𝜋 𝜋
U = RI → I = Arg I = arg U + arg (jC𝜔) = 0 + 2 = 2
𝑅
𝜋 𝜋
U et I sont les notations complexes de U et I Ainsi I = [ 𝑈𝐶𝜔 ; ], d'où i = UC𝜔√2sin(𝜔t + 2 )
2
𝑈 𝑈 1
Ainsi, module de I = module de →𝐼= L'impédance du dipôle est :Zc = 𝐶𝜔
𝑅 𝑅
𝑈
L'argument de I = argument de →θ=0 Le déphasage du courant sur la tension est
𝑅
~9~
𝜋 𝜋 Remarque :
θ = arg Z = arg U – arg I = 0 - =-
2 2 1
Remarque : - Si L𝜔 > , le circuit est dit inductif;
𝐶𝜔
Aux bornes d'un condensateur parfait, le courant 1
𝜋 - Si L𝜔 < , le circuit est dit capacitif.
𝐶𝜔
est en avance de sur la tension. On dit que la
2 1
- Si L𝜔 = , le circuit est dit résonant.
tension est en quadrature retard sur le courant. 𝐶𝜔
3) Groupements en série d) Résonance série

a) Circuits R – L série
Considérons un circuit R – L – C série et son
L impédance Z tel que Z = R + jX. On dit que le
I R
circuit est en résonance lorsque la partie
U
imaginaire est nulle.
U = R I + j L𝜔I = (R + jL𝜔) I or, U = Z I 1
X = 0 → L𝜔 - 𝐶𝜔 = 0. Ainsi Z = R.
→ Z = R + jL𝜔 La fréquence de résonance est donnée par :
1
Le module de Z est : Z = √𝑅 2 + (𝐿𝜔)2 LC𝜔02 = 1 → 𝜔0 = . Or 𝜔0 = 2πf0
√𝐿𝐶
𝐿𝜔 𝜔0 1
Le déphasage est 𝜑 tel que tan 𝜑 = D'où f0 = → f0 =
𝑅 2π 2π√LC
Pour un circuit résonant, on peut définir un
b) Circuit R – C série
facteur de qualité ou facteur de surtension :
C 𝑈c 𝑈𝐿 1 𝐿𝜔
I R Q0 = = → Q0 = =
𝑈 U RCω R
U
Conséquences de la résonance :
𝐼 𝑗 j A la résonance extérieure, le dipôle se comporte

U=RI+ = (R - )I→Z=R- comme un résistor parfait. Mais à l'intérieur, des
𝑗𝐶𝜔 𝐶𝜔 Cω
1 surtensions peuvent exister car, la tension
Le module de Z est Z = √R2 + (Cω)2 UL = Uc peut être très grande.
1
Le déphasage est 𝜑 tel que tan 𝜑 = - C'est pourquoi la résonance doit être évitée dans
𝑅𝐶𝜔
les circuits industriels. Ces tensions élevées
c) Circuit R – L – C série pourraient être dangereuses à la fois pour
L l'utilisateur et pour le matériel.
I C
R
U 4) Groupements en parallèle
𝐼 𝑗 a) Circuit R – L parallèle
U = R I + j L 𝜔 I + 𝑗𝐶𝜔 = [( R + jL𝜔 - 𝐶𝜔)] I
IR R
1
→ U = [ R + j( L𝜔 - 𝐶𝜔) I
I
1 L
→ Z = R + j( L𝜔 - ) IL
𝐶𝜔
1
Le module de Z est Z = √R2 + (Lω − )2 U
Cω
1
𝐿𝜔 − U U 1 1
𝐶𝜔
Le déphasage est 𝜑 tel que tan 𝜑 = - I = IR + IL = + =U( + )
𝑅 R jLω R jLω
~ 10 ~
1 −𝑗 1 1
Si on pose : YR = et YL = , on aura : A la résonance, on a C𝜔 - 𝐿𝜔 = 0 → Y = 𝑅
𝑅 𝐿𝜔
Y = YR + YL La fréquence de résonance est donnée par
1 𝜔0 1
Y est appelé l'admittance du dipôle. 𝜔0 = → f0 = → f0 =
√𝐿𝐶 2π 2π√LC
1 1
Son module est Y = √( )2 +( )2 A la résonance, pour 𝜔 = 𝜔0, Y est minimale et
R Lω
1
𝑅 par conséquent, l'impédance Z = est maximale
Le déphasage du dipôle est𝜑 tel que tan 𝜑 = - 𝑌
𝐿𝜔
b) Circuit R – C parallèle Si le circuit est alimenté par un courant de valeur
efficace constante et de fréquence variable, alors
IR R
la valeur efficace de la tension U est également
I
C
maximale.
Ic
Remarque :
𝑈 1
I = IR + IC = + U jC𝜔 = U ( + 𝑗𝐶𝜔) Les expressions générales de l'admittance
𝑅 𝑅
L'admittance du dipôle est Y tel que : complexe d'un dipôle passif sont:
1 Y = G + jB et Y = [ Y ; θ' ]
Y= + 𝑗𝐶𝜔 .
R G est appelé la conductance du dipôle, en
1 Siémens (s)
Le module de Y est Y = √( )2 + (C𝜔)2
R B est appelé la susceptance du dipôle en Siémens
Le déphasage est 𝜑 tel que tan 𝜑 = - RC𝜔 (s)
Ainsi, G = Y cos θ' et B = Y sin θ'
c) Circuit R – L – C parallèle
III – GENERALISATION DE
IR R
LA LOI D'OHM
L 1) Association en série
I IL
C
Considérons un dipôle AB formé de n dipôles
Ic
élémentaires associés en série et soumis à une
U tension u .
i Z1 Z2 Zn
𝑈 𝑈 A B
I = IR + IL + IC = + + UjC𝜔 u1 u2 un
𝑅 𝑗𝐿𝜔
uAB
1 1
I= U( + + jC𝜔)
R jL𝜔
L'admittance est : uAB = u1 + u2 +….. +un, soit en notation

1 j 1 1 complexe :
Y= − + jC𝜔 = + j(C𝜔 − L𝜔)
R L𝜔 𝑅
U = U1 + U2 + … + Un = ( Z1 + Z2 + … + Zn) I
1 1 2
Le module de Y est Y = √( )2 + (C𝜔 − ) L'impédance du dipôle est alors :
R L𝜔
Z = Z1 + Z2 + …+ Zn
Le déphasage du dipôle est 𝜑 tel que
1
tan 𝜑 = - 𝑅( 𝐶𝜔 − ) 2) Association en parallèle
𝐿𝜔
d) Résonance parallèle
~ 11 ~
Soit un dipôle AB formé de n dipôles ZL2 = jL2w = jL2.2π.f = j(50 x 10-3 x 2 x π x 50)
élémentaires associés en parallèle, et soumis à
ZL2 = j15,7Ω
une tension u
ZT = j0,0942 - j67,72 + 40 + j 15,7
i1 Y1
= 40 + j (0,094 – 67,72 + 15,7)
i i2 Y2 = 40 – j51,92Ω
A B
│Z│= √402 + 51,922 = 65,54

40
in Yn Cos θ = 65,54 = 0,61; sin θ = 51,92→ θ = - 52,38°
uAB ZT = 65,54 - 52,38° Ω
2) Calcul de i
i= i1 + i2 + …+ in, soit en notation complexe :
𝑈 220 0°
I = I1 + I2 + …+ In = Y1U + Y2 U+ …+ YnU I= =
𝑍 𝟔𝟓,𝟓𝟒 − 𝟓𝟐,𝟑𝟖° Ω
I = (Y1 + Y2 + … + Yn) U
220
L'admittance du dipôle est donc : = 0 – ( - 54,38° )
65,54
Y = Y1 + Y2 + … + Yn
I = 3,35 54,38° A
Exercice 1 :
i = 3,35 √𝟐 sin (100πt + 54,38° )
On donne le groupement suivant :
Exercice 2 :
L1 C L2
A i R B
On donne le circuit suivant :
U
i
i2
On donne : L1 = 0,3mH; C = 47µF; R = 40Ω ; i1 i3
L2 = 50mH u R L C
1) Calculer l'impédance équivalente

complexe du groupement, si f = 50Hz
2) Trouver le courant i si la tension aux
bornes du circuit est u = 220√2sin100πt. U = 100 o° ; ZR = 10Ω ; ZL= j5Ω ; Zc = - j10 Ω
Solution : Calculer :
1) Calcul de l'impédance total du circuit 1) L'impédance équivalente du circuit ;
ZT = ZL1 + Zc + ZR + ZL2 2) Le courant dans chaque branche du circuit ;
3) Le courant I.
ZL1 = jL1𝜔 = jL1.2π.f = j(0,3 x 10-3 x 2 x π x 50)
ZL1 = j0,0942Ω Solution :
1 𝑗
1) Impédance équivalente :
Zc = =−
𝑗𝐶𝜔 𝐶𝑤 YT = Y1 + Y2 + Y3, avec :
1 1 1
= −𝑗( ) Y1 = = = 0,1S
47 𝑥 10−6 𝑥 2 𝑥 𝜋 𝑥 50 𝑅 10
Zc = -j67,72Ω ZL = j5Ω ⇨ │ZL│= √52 = 5
ZR = 40Ω Cosθ = 0 ; sinθ = 1 ⇨ θ = 90°
~ 12 ~
1 1 0,5−𝑗0,25
ZL = 5 90° ⇨ Y2 = 𝑍 = = 0,2 -90° = ⇨ Z1 = 1,6 – j0,8
𝐿 90° 0,3125
Y2 = - j0,2S 1 1 1 0,2+𝑗0,33
1 1 1 Z2 = = 1 1 = =
Y3 = = = = 0,1 90° S 𝑌2 +
5 𝑗3
0,2+𝑗0,33 0,04+0,11
𝑍𝑐 −𝑗10 10 −90°
0,2+𝑗0,33 0,2 0,33
YT = 0,1 + j 0,1 – j0,2 = 0,1 – j 0,1 = = +
0,15 0,15 0,15
YT = 0,14 - 45°
Z2 = 1,33 + j2,22
1 1 1
ZT = = = 45° ZAB = 1,6 – j0,8 + 1,33 + j2,22 = 2,93 + j1,42
𝑌𝑇 0,14 −45° 0,14
ZT = 7,14 45° ZAB = 3,25 25,88° Ω
2) Courant dans chaque branche du circuit
I1 = Y1 U = ( 0,2 0°) ( 100 0°) = 10 0° = 10A

I2 = Y2 U = (0,2 -90°)(100 0° )
Exercice 4 :
= 20 -90° = -j20A
I3 = Y3 U = (0,1 90°)(100 0° ) = 10 90° = j10A Calculer l'impédance équivalente du circuit
suivant :
3) Courant total I dans le circuit L
R1
IT = I1 + I2 + I3 = 10 – j20 + j10 = 10 – j10
A B
IT = 14,14 - 45° A C
R2
Exercice 3 :
Calculer l'impédance équivalente du circuit R1 =2Ω ; R2 = 5Ω ; ZL = j3Ω ; Zc = - j4Ω
suivant :
Solution :
L
R1 1
ZAB = 𝑌
𝐴𝐵
A B 1 1
C
R2
YAB = Y1 + Y2 = +
2+𝑗3 5−𝑗4
2−𝑗3 5−𝑗4
= +
4+9 25+16
R1 =2Ω ; R2 = 5Ω ; ZL = j3Ω ; Zc = - j4Ω 2 3 5 4
YAB = − 𝑗 + − 𝑗 = 0,27 – j0,32
13 13 41 41
Solution : = 0,41 - 49,84°
Calcul de ZAB : 1 1
ZAB = = = 2,43 49,84°
𝑌𝐴𝐵 0,41 −49,84°
ZAB = Z1 + Z2, avec :
ZAB = 2, 43 49,84° Ω
1 1 1 1
Z1 = = 1 1 = 1 1 =
𝑌1 + + 0,5+𝑗0,25
𝑅1 𝑍𝑐 2 −𝑗4
IV – MODELE D'UN DIPOLE LINEAIRE
(0,5−𝑗0,25) 0,5−𝑗0,25
= (0,5+𝑗0,25)(0,5−𝑗0,25) =
0,25+0,0625 1) Modèle équivalent de Thévenin
~ 13 ~
Tout dipôle actif linéaire à deux bornes admet un
modèle équivalent appelé modèle de Thévenin,
représenté par l'association en série d'une source
de tension Eth et d'une impédance Zth.
La tension Eth et l'impédance Zth se détermine R = 10Ω ; C = 100µF ; L = 50mH ;

comme en courant continu
u1 = 20√2 sin100πt ; u2 = 10√2 sin100πt
Application 1 : Solution :
Soit le circuit suivant : Calcul de Eth :
C
R i
A
R c
u uAB
Eth
B
~ u1 ~ u2
𝑈1 𝑈
R = 10Ω ; C = 100µF ; u =√2 20 sin100πt + 2 20
+ 10 𝑥 100 𝑥 10−6 𝑥 100𝜋
𝑅 𝑋𝐶 10
Eth = 1 1 = 1
Déterminer Eth et Zth + + 100 𝑥 10−6 𝑥 100𝜋
𝑅 𝑋𝐶 10
Solution : Eth = 20,2 - 8,51° = 9,1 – j2,85

- Calcul de Eth : 1
Rth = R // (𝐶𝜔)
Eth est la tension aux bornes de AB lorsque le
courant I est nul. D'où Eth = U = 20 0° Rth = 9,54 - 17,44° = 9,1 – j2,85
Eth = 20 0° 2) Modèle équivalent de Norton
- Calcul de Zth :
Tout dipôle actif linéaire à deux bornes admet un
Zth est l'impédance aux bornes de AB lorsque la modèle équivalent appelé modèle de Norton,
source de tension est court – circuitée. représenté par l'association en parallèle d'une
Zth = ZR + Zc, avec source de courant IN et d'une admittance YN.
Le courant IN et l'admittance YN se détermine
1 −𝑗
Zc = = comme en courant continu.
𝑗𝐶𝑤 100𝑥10−6 𝑥 100𝜋
𝑗 Application
= = - j31,83
10−2 𝜋 Soit le montage de la figure suivante :
Zth = 10 – j31,83 = 33,36 - 72,56° Ω I
A
Zth = 33,36 - 72,56° Ω

I1 Y1 I2 Y2 U
Application 2 :
Trouver le courant I dans le circuit suivant, par la
méthode de Thévenin : B
I
R c Y1 = 0,1 + j0,1; Y2 = 0,3 + j0,2 ;
L
1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ u1 ~ u2
~ 14 ~
I1 = 2A ; I2 = 3A 1
Zth = 𝑌 or YAB = Y1 + Y2 + Y3
𝐴𝐵
Trouver IN et YN 1 1 1
YAB = + +
Solution : 𝑗100 −𝑗100 10
Calcul de IN : = - j0,01 + j0,01 + 0,1 = 0,1

IN est le courant aux bornes AB en court - circuit 1 1
Zth = = = 10Ω
𝑌𝐴𝐵 0,1
IN = I1 + I2 = 2 + 3 = 5A IN = 5A
- Calcul de Eth :
Calcul de YN :
A
On ouvre les sources de courant et on cherche
l'admittance équivalente vue des bornes AB. C
YN = Y1 + Y2 = 0,1 + j0,1 + 0,3 +j0,2 i L R

Eth
u
= 0,4 + j0,3 = 0,5 36,86°
YN = 0,5 36,86° S B
Exercice A
On donne le montage de la figure ci – dessous : I1 I

L C
A R
Eth
I1 u
C u1
L1
i L R
u B
R1
B
𝑈𝐿 𝑈
i = 0,1√2 sinwt ; u = 10√2 sinwt ; + 𝑍𝐶
𝑍𝐿 𝐶
1 Eth = 1 1 1
Lw = 𝐶𝑤 = 100Ω ; R = 10Ω ; R1 = 50Ω ; 𝑍
+ 𝑍 + 𝑅
𝐿 𝐶
L1w = 20 Ω
Avec Uc = Zc x I = 0,1 x 100j = 10j
Trouver le courant i1 dans le circuit :
1) En utilisant le théorème de Thévenin ; 𝑗10 10
𝑗100
+ −𝑗100 0,1 + 𝑗0,1
2) En utilisant le théorème de Norton Eth = 1 1 1 = = 1 + j
+ −𝑗100 + 10 0,1
𝑗100
Solution :
1) Théorème de Thévenin : Eth = 1,41 45° V
- Calcul de Rth :
Eth = 1,41 45° V
On ouvre les sources de courant, on met en court
– circuit les sources de tension, et on calcule Zth = 10Ω
l'impédance équivalente vue des bornes AB.
Calcul de I
A Zth
Y2
i Y1 Y3 Z1
Eth
~ 15 ~
𝐸𝑡ℎ 1,41 45° 1,41 45° 𝐼𝑁 𝑍𝑁
I= = = I=
𝑍𝑡ℎ+ 𝑍1 10 +10+𝑗20 20+𝑗20 𝑍𝑁+ 𝑍1
1,41 45° (0,1+𝑗0,1)10

I= = 0,049 26,59° =
28,28 49,99° 10+10+𝑗20
1+𝑗
i = 0,049√2 sin (wt – 4,99°) =
20+𝑗20
= 0,049√2 sin (2 π x 50t – 4,49°) 1,41 45°
= = 0,049 - 4,49°
i = 0,049√𝟐 sin (100 π t - 4,49°) 28,28 49,49°
2) Théorème de Norton i = 0,049√𝟐 sin (100𝝅t - 4,49°)
V - PUISSANCE EN COURANT
ALTERNATIF
1) Définition
A a) Puissance active
C Elle est donnée par :
i L R
P = UI cos𝛗, en monophasé
Eth
u P = UI √3 cos𝛗, en triphasé
Avec U = tension entre phases ;
B
Cos𝛗 = Facteur de puissance.
L'unité de la puissance active est le Watt (W)
Calcule de ZN : ZN = Zth = 10Ω
b) Puissance réactive
Calcul de IN :
Q = UI sin𝛗, en monophasé
A Q = UI √3 sin𝛗, en triphasé
Avec U = tension entre phases ;
I ZL U
R
Cos𝛗 = Facteur de puissance
ZC Zc IN
L'unité de la puissance réactive est le Volt
Ampère réactif (Vars)
B
c) Puissance apparente
𝑈
IN = I + avec I = 0,1A S = UI , en monophasé
𝑍𝑐
S = UI √3 , en triphasé
𝑈 10
= = j0,1 Avec U = tension entre phases ;
𝑍𝑐 −𝑗100
Cos𝛗 = Facteur de puissance
IN = 0,1 + j0,1 = 0,14 45° L'unité de la puissance apparente est le Volt
Ampère (VA)
ZN = 10Ω
d) Diagramme des puissances
IN = 0,14 45°
D'après Pythagore,
Calcul de I
S2 = P2 + Q2 S
Q
ZN Z1
IN
φ ZAMBOU
P
~ 16 ~
S = √𝑃2 + 𝑄 2 Soit
- P : la puissance active consommée par
𝑃
Le facteur de puissance est donné par : cos𝛗= 𝑆 l'installation ;
- Q : la puissance réactive de l'installation
2) Théorème de Boucherot avant l'installation du condensateur ;
- Q' : la puissance réactive de l'installation
- La puissance active consommée par plusieurs
après l'installation du condensateur ;
récepteurs est égale à la somme des puissances
- Qc : La puissance réactive fournie par le
actives consommée par chaque récepteur :
condensateur.
PT = P 1 + P2 + … + Pn
On a le diagramme
- La puissance réactive consommée par plusieurs
Ci - contre : Q
récepteurs est égale à la somme des puissances S S’
réactives consommée par chaque récepteur : φ Q’
QT = Q1 + Q2 + … + Qn φ’
P
- Les puissances apparentes ne doivent jamais
être additionnées. La puissance apparente totale Qc = Q – Q' or Qc = U2 Cw
est donnée par : ST = √𝑃𝑇2 + 𝑄𝑇2 Q = P tan𝛗, Q' = P tan𝛗'
3) Compensation du facteur de puissance U2Cw = P tan𝛗 – P tan𝛗'
La consommation de l'énergie réactive dans une 𝑃 (𝑡𝑎𝑛𝜑−𝑡𝑎𝑛𝜑 ′ )

installation électrique entraine une réduction du C=
𝑈2𝑤
facteur de puissance. Il s'agit des machines ou
appareils fortement inductifs tels que les moteurs Cos𝛗 = Facteur de puissance avant la
asynchrones, les réfrigérateurs, ou tout ce qui compensation
comporte un circuit magnétique. Cela a pour
Cos𝛗' = Facteur de puissance après la
conséquence :
compensation
- Une augmentation du courant en ligne ;
- une augmentation des chutes de tension en N.B : En triphasé, les condensateurs seront
ligne ; couplés soit en étoile, soit en triangle. Ainsi :
- Une diminution de la puissance disponible ;
𝑃 (𝑡𝑎𝑛𝜑−𝑡𝑎𝑛𝜑′ )
- Des pénalités infligées par le distributeur. - En triangle, CΔ =
3𝑈 2 𝑤
Pour éviter cela, le consommateur doit relever
son facteur de puissance à une valeur minimale 𝑃 (𝑡𝑎𝑛𝜑−𝑡𝑎𝑛𝜑′ )
- En étoile : CY =
qui est 0,86. 𝑈2𝑤
Pour cela, il faut placer dans l'installation des Avec U = tension entre phases du réseau
appareils qui produisent de l'énergie réactive.
Les solutions les plus utilisées industriellement Exercice 1:
sont : On considère un réseau triphasé 220/380V –
 L'utilisation des batteries de condensateur ; 50Hz qui alimente trois récepteurs tels que :
 L'utilisation d'un compensateur synchrone.
- Récepteur1 :Pu =5,33KW; Cos𝛗 =0,8 ; η =0,82
C'est moteur synchrone qui est excité à
vide. - Récepteur2 :Pu=3,15KW; Cos𝛗 =0,75 ; η =0,9
Calcul de la capacité du condensateur : - Récepteur3 :Pu = 5KW; Cos𝛗 = 0,6 ; η = 0,8
~ 17 ~
1) Calculer les puissances active, réactive et a) Capacité de la batterie de condensateurs
apparente totales de l'installation à pleine charge.
𝑃 (𝑡𝑎𝑛𝜑−𝑡𝑎𝑛𝜑′ )
2) Calculer le facteur de puissance de CΔ =
3𝑈 2 𝑤
l'installation ;
Cos𝛗 = 0,70 tan𝛗 = 1,02
3) Quelle est la valeur efficace de l'intensité du
courant en ligne ? Cos𝛗' = 0,86 tan𝛗 = 0,59
4) On souhaite relever le facteur de puissance 16250(1,02−0,59)
de cette installation à 0,86, en utilisant une CΔ = = 5,134 x 10-5 F
3 𝑥 3802 𝑥 2 𝑥 𝜋 𝑥 50
batterie de trois condensateurs couplés en
triangle. Calculer : Soit C = 51,3 µF
a) La capacité de la batterie de condensateurs b) Nouvelle valeur de l'intensité en ligne :
b) La nouvelle valeur du courant en ligne. 𝑃
P = U I' Cos𝛗' I' = 𝑈 Cosφ′
16250
I' = = 72,47A D'où I' = 72,47A
Solution : 380 𝑥 0,59
1) Calcul des puissances active, réactive et Exercice 2 :

apparente : Soit le circuit ci – dessous :
L
- Puissances active et réactive : A k
Récept Pu cos𝛗 tan𝛗 η P Q

C Z
1 5330 0,8 0,75 0,82 6500 4875 ~
e
2 3150 0,75 0,88 0,9 3500 3080
3 5000 0,6 1,33 0,8 6250 8312,5 B
16250 16267,5
Total C = 50µF ; L = 12,8mH ; e = 120√2 cos100πt
Ainsi P = 16250W et Q = 16267,5Vars 1) Calculer les paramètres du modèle de

- Puissance apparente : Thévenin du dipôle AB.
2) En déduire le modèle de Norton.
S = √𝑃2 + 𝑄 2 = √162502 + 16267,52
3) Calculer l’intensité du courant qui traverse Z
S = 22993,34 VA quand on ferme l’interrupteur k, sachant qu’à la
2) Facteur de puissance fréquence du signal, Z = 5 + 4j
𝑃
P = S cos𝛗 coc𝛗 = Solution :
𝑠
16250
Coc𝛗 = = 0,70
22993,34 L
A k
3) Courant en ligne :
𝑆 𝟐𝟐𝟗𝟗𝟑,𝟑𝟒 C Z
S = U I√3 I= = = 60,5A ~
𝑈 380 √3 e
4) Relèvement du facteur de puissance : B
~ 18 ~
C = 50µF ; L = 12,8mH ; e = 120√2 cos100πt
1) Paramètre du modèle de Thévenin du dipôle
AB :
𝑍𝑡ℎ 128,08 128,08
Calcul de Zth :
I= = = =
𝑍𝑡ℎ + 𝑧 𝑗4,29+5+𝑗4 5 + 𝑗8,29
128,08 0
A = I = 13,23 - 58,9°
9,68 58,9°
L C
Zth
Zth = XL//XC
XL = jL𝜔 = j 12,8 x 10-3 x 100π = j4,02Ω

Exercice 3 :
1 1
XC = = = - j63,66Ω On considère le montage de la figure 3 suivante :
𝑗𝐶𝜔 𝑗 𝑥 50 𝑥 10−6 𝑥 100 𝑥 𝜋
𝑗4,02 𝑥 (−𝑗63,66) 255,91 L C

Zth = = = j4,29Ω
𝑗4,02−𝑗63,66 − 𝑗59,64
I
Calcul de Eth : R
~ e1 Z ~ e3
𝑋𝐶 – 𝑗63,66
Eth = E x = 120 x ~ e2
𝑋𝐿 + 𝑋𝐶 𝑗4,02−𝑗63,66
– 𝑗63,66 63,66
Eth = 120 x = 120 x
− 𝑗59,64 59,64
e1 = 220V ; e2 = 100V ; e3 = j110V ; ZL = j103Ω
Eth = 128,08V Zc = - j103Ω ; R = 500Ω ; Z = 100Ω ; f = 50Hz
Déterminer le courant i dans la charge Z
2) Déduction du modèle de Norton :
1) En utilisant la méthode de Thévenin.
A 2) En utilisant la méthode de Norton.
IN = 29,85A Zth = j4,29Ω Solution :

1) Méthode de Thévenin :
B
- Calcul de Zth :
𝐸𝑡ℎ 128,08 A
IN = = = 29,85A
𝑍𝑡ℎ 4,29
R C
3) Intensité du courant dans Z si Z = 5 + 4jΩ L
On utilisera le modèle de Thévenin : B
1
Zth I Zth =
𝑌
Z
Cours Ede
th
circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
B ~ 19 ~
1 1 1 1 1 1 - Calcul de I :
Y=𝑍 + + = + +
𝐿 𝑅 𝑍𝐶 𝑗103 500 − 𝑗103
Y = - j0,001 + 0,002 + j0,001 = 0,002

1 IN
Zth = = 500Ω Zth Z
0,002
- Calcul de Eth :
𝐸1 𝐸 𝐸 220 100 𝑗110
+ 2+ 3 + +
𝑍𝐿 𝑅 𝑍𝐶 𝑗103 500 − 𝑗103
Eth = 1 1 1 = I = IN x
𝑍𝑁
=
0,23 − 66,96 𝑥 500
+ + 𝑌 𝑍𝑁 +𝑍 500 + 100
𝑍𝐿 𝑅 𝑍𝐶
115 66,96
− 𝑗0,22 + 0,2−0,11 I= = 0,19 - 67,75°
Eth = 600
0,002
Eth = 45 – j110 = 118,84 - 67,74° I = 0,19√2 sin (100πt – 67,75°)
- Calcul de I :
Zth
Exercice 4 :
On considère le schéma de la figure ci – contre,
dans lequel e est une tension alternative
~ Eth Z
sinusoïdale de valeur efficace 50V et de
pulsation 5000rad/s.
On donne : R1 = 200Ω ; R2 = 210Ω ; R3 = 50Ω ;
R4 = 50Ω ; C = 2µF
𝐸𝑡ℎ 118,84 −67,74
I= = = 0,19 - 67,74 I R1 R2
𝑍𝑡ℎ + 𝑍 500 + 100
I1 I2
I = 0,19√2 sin (100πt – 67,74)
R3 R4
2) Méthode de Norton :
~ e
- ZN = Zth = 500Ω
C
- Calcul de IN :
1) Calculer l’impédance complexe totale du

E1 E2 C E3 IN circuit ;
L ZL
R R ZC 2) Calculer les courants I, I1 et I2.
Solution :
1) Impédance complexe totale du circuit :
𝐸1 𝐸2 𝐸3 220 100 𝑗110
IN = + + = 3
+ +
𝑍𝐿 𝑅 𝑍𝐶 𝑗10 500 − 𝑗103
IN = - j0,22 + 0,2 – 0,11 = 0,09 – j0,22 Z1
IN = 0,23 - 67,75°
~e
Z2 Z3
Cours de circuits analogiques 1 ère
F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 20 ~
Z = Z1 + Z2//Z3
Z1 = ZR1 = 200Ω ; Z2 = ZR3 = 50Ω
Z3 = ZR2 + ZR4 + ZC
1
Z3 = 210 + 50 +
𝑗2𝑥 10−6 𝑥 5000
Z3 = 260 – j100 = 278,56 - 21,03

50 𝑥 (278,56 −21,03°)
Z = 200 +
50 +260−𝑗100
13928 −21,03°
Z = 200 +
310 –𝑗100
13928 −21,03°
Z = 200 +
325,72 −17,87
Z = 200 + 42,72 - 3,16°

Z = 242,65 – j2,35 = 242,66 - 0,55°
2) Calcul de i :
𝐸 50 0°
I= = = 0, 20 0,55°
𝑍 242,66 − 0,55°
i = 0,02 √2sin (5000t + 0,55°)

Calcul de i1 :
𝑍3 278,56 −21,03° 𝑥 0,02 0,55°
I1 = 𝑥𝐼=
𝑍2 + 𝑍3 50 + 260 − 𝑗100
55,71 −20,48° 55,71 −20,48°
I1 = =
310 − 𝑗100 325,72 −17,87°
I1 = 0,17 - 2,61°
i1 = 0,17√2 sin (5000t – 2,61°)
Calcul de i2 :
𝑍2 50 𝑥 0,20 0,55°
I2 = 𝑥𝐼=
𝑍2 + 𝑍3 50 + 260 − 𝑗100
10 0,55°
I2 = = 0,03 18,42°
325,72 −17,87°
i2 = 0,03√2 sin (5000t + 18,42°)
~ 21 ~
Chapitre 2 : LES SEMI – CONDUCTEURS
I – DEFINITION
Un semi – conducteur est un matériau

dont la résistivité est comprise entre 10-3 et
107Ω.m. Ainsi, les semi – conducteurs se situent Une observation de ce schéma nous
à mi – chemin entre les matériaux conducteurs et permet de voir que : deux électrons circulent sur
les matériaux isolants. la première orbite, huit sur la deuxième et quatre
sur l'orbite périphérique.
On dit que les semi – conducteurs sont
des éléments chimiquement tétravalents par ce Le nombre maximal d'électrons pouvant
qu'ils comportent quatre (4) électrons sur leur circuler sur chaque orbite est donné par la
couche périphérique. Cette dernière propriété est formule suivante : N = 2 n2, dans laquelle n est
particulièrement importante en électronique. le numéro de l'orbite.
Voila pourquoi les semi – conducteurs Les 14 électrons neutralisent la charge

sont à la base de tous les composants des 14 protons. C'est pourquoi on dit que l'atome
électroniques. On peut citer par exemple : les est électriquement neutre. Entre les atomes, il
diodes, les transistors, les thyristors… existe plusieurs types de liaisons dont les plus
importantes sont : la liaison de covalence, la
II – L' ATOME liaison ionique, la liaison métallique, la liaison
moléculaire …
1) Constitution
2) Niveau d'énergie
L'atome est constitué par un noyau et des
électrons, qui gravitent en orbite autour du Les électrons peuvent circuler sur la 1ère,
noyau. Le noyau, constitué de protons, est chargé la 2ème ou la 3ème orbite, et non sur les orbites
positivement et les électrons sont chargés intermédiaires.
négativement.
3è nivea d’énergie
Exemple : Le noyau d'un atome de silicium r3 r3
possède 14 électrons 2è niveau d’énergie
r2 r2
r1
noyau
1er niveau d’énergie
r1
électron Bords du noyau

0
~ 22 ~
Il faut dépenser une certaine quantité important dans le fonctionnement des diodes et
d'énergie pour faire passer un électron d'une des transistors.
orbite inférieure à une orbite supérieure.
III – TYPES DE SEMI – CONDUCTEURS
Si une énergie extérieure bombarde un
atome, elle peut augmente l'énergie d'un électron 1) Dopage
qui s'élève à un niveau énergétique supérieur. On On appelle cristal pur un semi –
dit que l'atome est en état d'excitation. Cet état conducteur formé à partir des atomes de même
ne dure pas longtemps car l'électron excitée nature.
revient bientôt à son niveau énergétique initial,
Le dopage est l'ajout d'atomes
en restituant l'énergie acquise, sous forme de
d'impuretés à un cristal de semi – conducteur,
chaleur ou de lumière.
pour augmenter le nombre d'électrons libres, ou
3) Cristal encore le nombre de trous.
On obtient un cristal de type N si le
Un atome de silicium isolé possède
dopeur est pentavalent (cinq électrons de
quatre électrons sur son orbite de valence.
valence) et un cristal de type P si le dopeur est
Cependant, pour être chimiquement stable, il doit
trivalent (trois électrons de valence).
en avoir huit sur cette orbite. Il se combinera
donc avec quatre autres atomes, de manière à Un cristal dopé est appelé un semi – conducteur
avoir huit électrons sur son orbite de valence. intrinsèque.
Lorsque les atomes de silicium se 2) Semi – conducteur de type N

combinent pour former un solide, ils se disposent
Pour augmenter le nombre d'électrons de
en une structure ordonnée appelée cristal. Ainsi,
la bande de conduction, on ajoute des atomes
chaque atome de silicium se positionne de lui –
pentavalents au cristal. L'ajout d'atomes
même entre quatre autres atomes de silicium.
pentavalents à un cristal de silicium préserve la
majorité des atomes de silicium. Après la
formation des liaisons de covalence, l'atome
central possède un électron de trop qui doit
circuler sur une orbite de la bande de conduction.
Ainsi, les électrons sont des porteurs majoritaires
et les trous sont des porteurs minoritaires.
Ce type de semi – conducteur est appelé
semi – conducteur de type N
Les atomes pentavalents sont appelés
4) les trous atome donneur d'électrons. Exemple : l'arsenic,
l'antimoine, le phosphore …
Lorsqu'une énergie externe enlève un
électron de valence, l'électron migrateur laisse un 3) Semi – conducteur de type P
vide ou encore une lacune appelée trou. L'atome Pour avoir des trous supplémentaires, on
d'où vient cet électron se charge positivement et utilise des atomes trivalents. Après l'ajout d'une
l'atome où va cet électron se charge telle impureté, chaque atome trivalent sera
négativement. Le phénomène des trous est très entouré de quatre atomes de silicium. Il aura
~ 23 ~
ainsi sept (7) électrons sur son orbite de valence. 5) Barrière de potentiel
Il restera donc un trou.
La couche d'appauvrissement se
Un tel semi – conducteur est appelé semi comporte comme une barrière qui empêche les
– conducteur de type P . électrons de traverser la jonction. Un électron
libre de la région N qui veut pénétrer dans la
Les atomes trivalents sont appelés atomes
zone d'appauvrissement se heurte à une paroi
accepteurs d'électrons. Exemple : l'aluminium, le
d'ions négatifs qui le repoussent vers la droite.
bore, le gallium …
S'il a assez d'énergie, il peut percer la paroi et
4) Jonction PN pénétrer dans la région P où il tombe dans un
trou créant ainsi un ion négatif.
On peut fabriquer un cristal moitié du
type P et moitié du type N. la zone de rencontre L'intensité de la couche
entre les régions de type P et N s'appelle une d'appauvrissement croit à mesure que les
jonction. Un tel cristal s'appelle une diode. électrons la traversent, jusqu'à obtention d'un
équilibre. La différence de potentiel entre les
Barrière de potentiel extrémités de la couche d'appauvrissement
Type N
s'appelle la barrière de potentiel.
A 25°C, la barrière de potentiel est égale à 0,7V

Type P pour le silicium et 0,3V pour le germanium.
Zone de
transition
Le côté P possède un grand nombre de

trous (porteurs majoritaires) et le côté N possède
un grand nombre d'électrons (porteurs
minoritaires)
Au niveau de la jonction des deux semi –

conducteurs, in se produit un phénomène de
diffusion des porteurs : les électrons diffusent de
N vers P et les trous de P vers N.
Le départ d'un électron libre de la région

N crée un atome chargé positivement (ion
positif) dans la région N. peu après son entée
dans la région P, il tombe dans un trou. Le trou
disparait et l'atome en question devient chargé
négativement (ion négatif).
A mesure que le nombre d'ions augmente,

la région voisine de la jonction s'appauvrit en
électrons libres et en trous. Cette région est
appelée la couche d'appauvrissement ou de
déplétion.
~ 24 ~
Chapitre 3 : LA DIODE A JONCTION
I – PRESENTATION II – POLARISATION ET CARACTERSTIQUES

1) Polarisation directe
1) Définition
Une diode à jonction est un dipôle
constitué d'un cristal de semi – conducteur. Elle
comporte une jonction PN et deux électrodes Rp A
A
métalliques qui sont respectivement en contact
avec la région P (anode) et la région N (cathode). +
V
-- E
Son rôle est de laisser passer le courant dans un
sens, et de le bloquer dans le sens inverse.
K
2) Symbole et présentation physique
A i
On dit qu'une diode est polarisée en direct
K
lorsque l'anode est reliée au pôle positif du
u générateur et la cathode au pôle négatif. Ainsi le
a) symbole d’une diode potentiel de l'anode est supérieur au potentiel de
la cathode. Dans ce cas, la diode est passante.
A Le modèle électrique d'une diode

b) présentation physique
K
polarisée en direct est équivalent à une source de
3) Constitution d'une diode tension u0 appelée tension seuil, en série avec
Une diode à jonction est réalisée à base une résistance dynamique Rd.
d'un fragment de silicium ou de germanium. Elle A id K
comporte une région P, une région N et une zone
intermédiaire appelée jonction. ud
A id Rd u0 K
I
ud
Ud = u0 + Rd id
Région Jonct Région

P ion
La diode reste bloquée tant que ud < uo
N
PN
2) Polarisation inverse
La zone P est la zone où les trous sont Rp K
majoritaires et la zone N est la zone où les A
électrons sont majoritaires. +
-- E ZAMBOU
V
~ 25 ~
A
On suppose que la diode a un courant nul pour
toute valeur de Ud < U0. Elle commence à
Une diode est dite polarisée en inverse conduire à partir de Ud = Uo. Ainsi, on a
lorsque le potentiel de la cathode est supérieur au
potentiel de l'anode. Dans ce cas, la diode reste Ud = U0 + Rd Id
bloquée. c) Caractéristique idéale
3) Caractéristiques
Id (mA)
a) Caractéristique réelle
Id (mA) A
Ud (V)
Caractéristique 0
directe
B
Ud (V)
0
C
D
Caractéristique
inverse Dans la caractéristique idéale, on suppose
E que la tension seuil U0 est nulle, ainsi que la
résistance dynamique rd de la diode.
- Zone OC : la diode est soumise à une
tension Ud < U0. Aucun courant ne - En direct, la diode est comparable à un
circule. C'est la zone de blocage direct. interrupteur fermé
- Zone CB : la tension Ud≅U0. Un léger
courant circule dans la diode. C'est la A Id K Ud = 0
zone de coude.
Id > 0
- Zone BA : Ud > U0. Le courant est de
Ud = 0
plus en plus important. C'est la zone de
conduction, ou encore zone linéaire.
- En inverse, la diode est comparable à un
- Zone OD : le courant est négatif. C'est la
interrupteur ouvert.
zone de blocage inverse.
- Zone DF : pour une petite variation de la Id = 0 Ud < 0
A K
tension, on a une grande variation du
Id = 0
courant. C'est la zone de claquage
inverse. Ud < 0
b) Caractéristique linéaire
Remarque :
Id (mA)
Pour une diode au germanium, la tension seuil
U0 est comprise entre 0,2V et 0,3V. pour une
diode au silicium, U0 est comprise entre 0,6V et
Ud (V)
0,7V.
0 U0
~ 26 ~
4) Droite de charge
La droite de charge permet de déterminer le
courant et la tension exacte de la diode.
Soit le circuit de la figure suivante :
Le point d'intersection entre la droite de

charge et la caractéristique de la diode (point Q)
est appelé point de fonctionnement de la diode.
Les coordonnées de ce point représentent le
I Rp courant et la tension de la diode pour une tension
de source de 2V et une résistance de protection
de 100Ω
Ce point peut aussi se déterminer graphiquement
Vs V
par lecture directe sur papier millimétré.
III – GROUPEMENT DES DIODES

EN PARALLELE
L'équation de la maille donne : 1) Diodes en anode commune
Vs – Rp I – V = 0 Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs
anodes, la diode qui conduit est celle qui a la
Pour I = 0, on trouve V = Vs
plus petite tension de cathode.
𝑉𝑆
Pour V = 0, on a I = D1
𝑅𝑝
Exemple : soit Vs = 2V et Rp = 100Ω.

D2
R
𝑉𝑠
Pour V = 0, on a I = ,
𝑅𝑝
D3
2
Soit I = = 20 x 10-3 = 20mA
100 E
Le point de coordonnées (I = 20mA ; V = 2V 5V 10V
0) appartient à l'axe vertical. On l'appelle point

de saturation parce qu'il représente le courant Dans ce cas, la diode qui conduit est D3
maximal.
Pour I = 0, on a V = Vs = 2V
Le point de coordonnées (I = 0A ; V = 2V) Dans ce cas, on suppose que E > 2V
appartient à l'axe horizontale. On l'appelle point 2) Diodes en cathodes communes
de blocage ou encore point de coupure parce
qu'il représente la tension maximale. Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs
cathodes, la diode qui conduit est celle qui a la
de plus grande tension d'anode.
I (mA) int n
Po ratio Caractéristique
a tu De la diode
s D1
20mA
ur e
D2
ag de
up ag
R
e
co b l o c
ch ite
e
ro
12,5mA Q
D
de e
u d
O int

D3
ZAMBOU
Po
V
(V) ~ 27 ~ E
0,75V 2V 2V 5V 10V
Dans ce cas, la diode qui conduit est D1

Dans ce cas, on suppose que E < 10V Selon les polarités, c'est l'une ou l'autre des LED
IV – DIODES SPECIALES qui s'allume à la fois.
1) Diode électroluminescente (DEL) e) Application des LED
Les diodes électroluminescentes (DEL) sont Les LED sont utilisées pour réaliser :
souvent désignées par leur sigle anglais LED - Les voyants indiquant la présence d'une tension
(ligth emeting diode). Ce sont des diodes à - Les indicateurs des fonctions logiques ;
jonction à semi – conducteur, qui émettent de la - Les afficheurs des valeurs numériques
lumière lorsqu'elles sont polarisées en direct. (afficheur 7 segments).
Certaines émettent des radiations infra – rouge. - Les opto – coupleurs
On les appelle des photo – émetteurs.
a) Symbole A 2) Les photo – diodes
Une photo – diode est une diode à jonction à
semi – conducteur qui produit un courant inverse
lorsque sa cathode est éclairée par une lumière
convenable.
K Ainsi, elle est toujours polarisée en inverse. Les
b) Fonctionnement photo – diodes font partie de la catégorie des
photo – détecteurs.
 En polarisation direct :
- Si VAK > VF alors la LED s'allume ;
- Si VAK < VF alors la LED s'éteint.
 En polarisation inverse, la LED reste
éteinte.
N.B : VF est la tension seuil de la LED
c) Caractéristiques 3) Les photo – coupleurs
Leur tension seuil direct VF0 varie de 1,5V à a) Définition
2,2Vet le courant direct varie de 10mA à 30mA Un photo – coupleur est constitué par
l'association d'un photo – émetteur et d'un photo
d) Les différentes couleurs rencontrées
– détecteur. Les deux sont contenus dans un
Sur le marché, on rencontre couramment les même boitier métallique ou plastique étanche à
couleurs suivantes : infra – rouge, rouge, orange, la lumière. Ils sont couplés optiquement et isolés
vert, bleu, ultra – violet électriquement.
Remarque : Il existe aussi des LED bicolores : Exemple :
ce sont des doubles LED, l'une verte et l'autre
rouge. Les deux sont contenus dans un même
boitier.
LED
rouge 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 28 ~
- La tension inverse (Vinv) : c'est la tension
inverse qu'elle peut supporter sans
destruction de sa jonction.
Pour choisir une diode à jonction pour une
application quelconque, on doit tenir compte des
grandeurs suivantes :
- Le courant direct moyen maximal : IFAM
- Le courant direct de pointe répétitif : IFRM
- Le courant inverse continu : IR
- La tension directe continue : VF
- La tension inverse de pointe répétitive :
VRRM
- La résistance dynamique : Rd
- La tension seuil : Us, U0 ou E
La puissance consommée par une diode est égale
à : Pd = Vd x Id = (U0 + rd Id) Id
VI – MESURES SUR UNE DIODE
1) Comment savoir, à l’ohmmètre qu’une

diode à jonction est en bon état ?
On place le curseur du multimètre sur la position

diode :
- Dans le sens direct, on doit lire la tension seuil

2) Application de la diode
- Dans le sens inverse, on doit lire une résistance
Les opto – coupleurs peuvent être utilisés presque infinie.
comme relais ou comme transformateur
d'isolement. On peut aussi les utiliser pour la 2) Comment savoir à l’ohmmètre qu’une
transmission des informations à distance diode à jonction est défectueuse ?
(signaux téléphoniques, signaux vidéo …)
- Diode coupée : On mesure une résistance
V - CARACTERISTIQUES DE CHOIX infinie dans les deux sens ;
D'UNE DIODE - Diode en court – circuit : On mesure une
résistance nulle dans les deux sens ;
Une diode à jonction est essentiellement
caractérisée par : 3) Comment reconnaitre l’anode et la
- Le courant direct (IF) : c'est le courant cathode ?
nominal qu'elle laisse passer dans le sens On branche correctement les cordons du
direct. multimètre sur les électrodes de la diode, au
hasard : Si on lit la tension seuil (0,7V par
~ 29 ~
exemple), alors le coté + du cordon est la
cathode, et l’autre coté est l’anode.
Exercice 1 : 1) Déterminer le courant dans les différentes

Soit le montage ci – après : branches du circuit ;
I Rp 2) Même question si la diode est renversée.
Ud = 0,7V
P = 1,5W
10V V
Solution :
1) Calcul des courants I, I1 et I2 :
La diode est polarisée en inverse. Elle est donc
Calculer : bloquée et se comporte comme un interrupteur
1) Le courant I dans le circuit ; ouvert. D'où I2 = 0 et I = I1
2) La résistance de protection Rp ;
La loi des mailles nous donne :
3) La puissance dissipée par cette résistance.
𝑈 15
Solution : U – 5 I – 3 I = 0 d'où I = = = 1,87A
8 8
1) Calcul de I : 2) Diode inversée :
𝑃 1,5
P = Ud I soit I = 𝑈 = = 2,14A La diode est maintenant polarisée en direct et se
𝑑 0,7
2) Calcul de Rp : comporte comme un interrupteur fermé. Le
𝑈−𝑈𝑑 circuit devient :
U – Rp I – Ud = 0 d'où Rp =
𝐼 2Ω i2
10−0,7
Rp = = 4,34Ω
2,14
3) Puissance dissipée par Rp : 3Ω
P = Rp I2 = 4,34 x 2,142 = 19,87W i1

5Ω I
15V
Exercice 2 :
On donne le montage de la figure suivante :
i2 Les équations de maille nous donnent :

Diode au
silicium 15 – U0 – rd I2 – 5 I = 0
3Ω 15 – 3 I1 – 5 I = 0
U0 = 0,7V
i1 I = I1 + I2
5Ω I Rd = 2Ω
15V 15 – 0,7 – 2 I2 – 5 I = 0
15 – 3 I1 – 5 I = 0
I = I1 + I2
~ 30 ~
Après résolution du système d'équation, on 𝑉𝑒
<< R d'où Ve >> + Vcc. Ainsi IR est
trouve : 𝐼𝑅
maximal et Ve est maximale. IR = IRmax et
I1 = 1,08A Ve = Vemax
I2 = 1,27A
Figure 2 :
I = 2,35A
- Cellule obscure : IR est négligeable
𝑉𝑒
> R, d'où Ve ≅ + Vcc = Vemax
𝐼𝑅
- Cellule éclairée : IR est maximale
𝑉𝑒
< R, d'où Ve << + Vcc. Ve = Vemin = 0
𝐼𝑅
Exercice 3 : Conclusion : Les résultats obtenus dans les deux

On donne les schémas suivants : figures sont complémentaires.
- La figure 1 délivre un signal Ve lorsque la

+Vcc +Vcc
IR cellule est éclairée. Elle peut être utilisée dans la
lecture des cartes perforées.
R
- La figure 2 délivre un signal Ve lorsque la
cellule est obscure. Elle peut être utilisée dans la
détection du passage des objets ou des
IR
personnes.
R
Ve Ve Exercice 4 :
La caractéristique d’une diode à jonction est
assimilable à une droite passant par les points
Figure 1 Figure 2 A (1V ; 5mA) et B (2V ; 20mA).
1) Déterminer l’équation Id = f (Ud) de cette
caractéristique ;
Trouver dans chaque cas la tension Ve lorsque la 2) En déduire la tension seuil U0 et la résistance
cellule est obscure et lorsqu'elle est éclairée. dynamique rd de cette diode ;
Solution : 3) On monte cette diode en série avec une source
de tension E = 4V et une résistance de protection
Figure 1 :
Rp = 100Ω.
La diode montée en inverse présente une grande a) Donner l’équation de la droite de charge de la
𝑉𝑒 diode ;
résistance ( ) au passage du courant inverse.
𝐼𝑅 b) Tracer la caractéristique de la diode et la
- Cellule obscure : IR est négligeable droite de charge sur un même graphique
La résistance de la diode est très grande par (Echelle : 1Cm pour 1V et 1Cm pour 10mA) ;
rapport à R c) Déterminer graphiquement les coordonnées du
𝑉𝑒 point de fonctionnement Q de la diode.
>> R d'où Ve << + Vcc. Ainsi Ve est
𝐼𝑅
Solution :
minimale. Ve ≅ 0
- Cellule éclairée 1) Equation Id = f(Ud) de la caractéristique :
~ 31 ~
C’est l’équation d’une droite. Elle est de forme 4 0
y = ax + b, avec y = Id et x = Ud
La droite passe par A (1V ; 5mA) et
B (2V ; 20mA.
Ainsi 5=a+b a + b = 5
20 = 2a + b 2a + b = 20
La résolution de l’équation nous donne :
a = 15 et b = - 10
D’où y = 15x – 10, soit Id = 15Ud – 10
2) Tension seuil et résistance dynamique de la Id(mA)
diode :
Pour une diode réelle, on a : 60
Ud = U0 + rdId or nous avons :
10 1 50
Id = 15Ud – 10 d’où Ud = + Id Caractéristique
15 15 courant - tension
40
Ud = 0,66 + 0,06Id
30
D’où U0 = 0,66V et rd = 0,06Ω.
20 Q
3) Droite de chage
a) Equation de la droite de charge : 10
Ud(V)
100Ω 0
Id 1 2 3 4 5 6
4V c) Le point de fonctionnement est le point Q

Ud (2V ; 20mA)
Exercice 5 :
La maille 1 nous donne : Dans le montage suivant, les diodes sont

4 – 100Id – Ud = 0 supposées parfaites. Calculer l’intensité du
4 𝑈𝑑 courant i, et la tension u, dans les cas suivants :
Soit Id = 100 - 100
1) E = 10V ; 2) E = 30V.
b) Graphique :
Caractéristique : D1 D2
Ud(V) Id(mA) i 1A
1 5 uD1
2 20
R=20Ω
E
u
Droite de charge
Ud(V) Id(mA)
Solution :
0 40
~ 32 ~
1) E = 10V
Supposons que D1 est bloquée.
Alors i = 1A et u = 20 x 1 = 20V
Calculons uD1 :
𝑢 20
Ainsi u = E = 20V ; i = 𝑅 = = 10A
uD1 = E – u = 10 – 20 = - 10V < 0 2
L’hypothèse est donc vérifiée : Exercice 7 :

D1 est bloquée, i = 1A et u = 20V La caractéristique courant – tension d’une diode
fournit les des deux valeurs suivantes : U0 =
2) E = 30V
0,6V et Rd = 0,8Ω. La puissance maximale que
Supposons D1 bloquée : la diode peut dissiper est de 2,7W.
Alors i = 1A et u = 20V. Calculer l’intensité maximale du courant continu
qui peut traverser la diode.
uD1 = 30 – 20 = 10V > 0.
Solution :
L’hypothèse n’est pas vérifiée. D conduit
30 Pour une diode réelle, la tension est donnée par :
Alors u = E = 30V et i = 20 = 1,5A
Ud = U0 + Rd i
Exercice 6 : Le courant a sa valeur maximale lorsque la
Dans le montage suivant, la diode est supposée puissance est maximale.
parfaite. Calculer l’intensité du courant i, et la 2
Pmax = Ud im = (U0 + Rd im)im = U0 im + Rd 𝑖𝑚 =
tension u, dans les cas suivants :
2,7
1) R = 5Ω ; 2) R = 2Ω.
2
Ainsi, 0,6 im + 0,8 𝑖𝑚 = 2,7
D
2
Soit 8𝑖𝑚 + 6im – 27 = 0
I = 5A i C’est une équation du second degré.
uD
Calcul du discriminant :
E = 20V
u ∆ = b2 – 4 a c (avec a = 8 ; b = 6 et c = - 27)
∆ = 62 – 4 x 8 x (-27) = 900
− 𝑏 − √∆ − 6 −30
im1 = = = - 2,25
Solution : 2𝑎 2𝑥8
1) R = 5Ω − 𝑏+ √∆ − 6 + 30
im2 = = = 1,5
On a R I = 5 x 5 = 25V > E, d’où la diode est 2𝑎 2𝑥8
bloquée. Ainsi u = 25V et i = 5A On conservera uniquement la valeur positive du

2) R = 2Ω courant. Soit im = 1,5A
On a RI = 2 x 5 = 10V < E Exercice 8 :
La diode conduit est le circuit devient : On considère le montage de la figure suivante
dans lequel les diodes sont supposées parfaites.
i Déterminer l’intensité du courant i et la tension
I = 5A
aux bornes de chaque diode.
E
D1
ZAMBOU
u
~ 33 ~ - 30V D2 5V
i
- 10V D3 u
R=
Les diodes ont leurs cathodes communes. D1 a sa
anode au potentiel le plus élevé. Donc D1
conduit, D2 et D3 sont bloquées.
u = 30V
Calcul de i :
𝑢 −10 30 −10
u = 10 + R i i= =- = 1A
𝑅 20
Tension aux bornes de chaque diode :

uD1 = 0V
Solution : uD2 = 10 – u = 10 - 30 = - 20V
uD3 = 15 – u = 15 - 30 = - 15V
Les diodes ont leurs anodes communes. D1 a sa
cathode au potentiel le plus bas. Donc D1 Exercice 10 :
conduit, D2 et D3 sont bloquées.
Dans le montage de la figure suivante, les diodes
u = - 30V sont supposées parfaites.
Calcul de i : 1) Calculer la tension u dans les deux cas
𝑢+5 − 30 + 5 suivants :
u=-5–Ri i=- =- = 2,5A
𝑅 10 a) e = 10V ; b) e = - 10V
Tension aux bornes de chaque diode : 2) Donner la forme d’onde de u(t) si e est une
uD1 = 0V tension sinusoïdale de valeur maximale 10V.
uD2 = u – ( - 10) = - 30 + 10 = - 20V
D1 R/2
uD3 = u – ( - 20) = - 30 – ( - 20) = - 10V
Exercice 9 : i R
e
On considère le montage de la figure suivante u
dans lequel les diodes sont supposées parfaites. R/2
Déterminer l’intensité du courant i et la tension
D2
aux bornes de chaque diode.
D1
Solution :
30V D2 10V 1) a) e = 10V

Les diodes D1 et D2 conduisent. D’où le schéma
i équivalent suivant :
10V D3 u
R=
20Ω R/2
15V
i R
u
R/2
Solution :
e
~ 34 ~
Ainsi u = e = 10V
b) e = - 10V
Les diodes D1 et D2 sont bloquées. D’où le
schéma équivalent suivant :
Exercice 11 :
i Dans le montage de la figure 1 suivante, les
R/2 diodes sont supposées parfaites. La tension e(t)
appliquée au montage a la forme indiquée sur la
u figure 2.
e R
Donner les oscillogrammes de u(t), ud1(t) et
R/2 ud2(t).
D1
ud1
D2
e(t)
𝑒 𝑒
i=𝑅 𝑅 = 2𝑅 ud2
+ 𝑅+
2 2
10V u
La loi des mailles nous donne :
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅 Figure 1
e-2i+u-2i=0 e – (2 + 2) i + u = 0
e–Ri+u=0 u=Ri-e
e(t)
En remplaçant i par sa valeur on trouve :
𝑒 𝑒 𝑒 20
u = R (2𝑅) - e = 2 - e = - 2
− 10 0 10 20 30 t(ms)
u=- = 5V
2
-20
2) Forme d’onde de u(t) :
Figure 2
Pour e(t) > 0, on a Û = 10V
Pour e(t) < 0, on a Û = 5V
Solution :
e (V) e est une tension qui peut varier entre – 20V et
20V.
10V - Pour 0 < t < 10ms, on a e = 20V
Ainsi pour e = 20V, la diode D1 conduit et la
t diode D2 est bloquée.
D’où ud1 = 0 et u = e = 20V
Cours
- 10V de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
u (V)
~ 35 ~
10V
5V
ud2 = 10 – u = 10 – 20 = - 10V
- Pour 10 < t < 20ms, on a e = - 20V
La diode D1 est bloquée et la diode D2 conduit.
ud2 = 0 et u = 10V
ud1 = e – u = - 20 – 10 = - 30V
Oscillogramme de u(t) :
e(t)
20
10
0 10 20 30 t(ms)
Oscillogramme de ud1(t) :
e(t)
10 20 30 40 50 t(ms)
0
-30
Oscillogramme de ud2(t)
e(t)
10 20 30 40 50 t(ms)
0
-10
~ 36 ~
Chapitre 4 : LE REDRESSEMENT
I – RAPPELS
1) Tension alternative sinusoïdale
Une tension alternative sinusoïdale a pour
expression : u = Umax sin (𝜔t + 𝛗) d) Représentation schématique
Avec u = valeur instantanée en volt (V);
U (V)
Umax = Û = valeur maximale en volt (V) ;
Û
𝜔 = pulsation en rad/s
𝛗 = phase à l'origine (à t = 0) +
T/2
𝜔t + 𝛗 = phase à l'instant t t (mS)
T/4 3T/4 T
Elle peut aussi être exprimée par : --
u = Ueff √2 sin (𝜔t + 𝛗) où Ueff est la -Û
𝑼𝒎𝒂𝒙
valeur efficace de la tension telle que
√𝟐
u = Û sin (𝜔t + 𝛗)
2) Caractéristiques d'une grandeur
2𝜋
Sinusoïdale Si 𝛗 = 0 alors, u = Û sin 𝜔t. Or 𝜔 = 2πf =
𝑇
a) Période 𝑇 2𝜋 𝑇
At= , on a u = Û sin = Û sin π
La période d'un signal alternatif est l'intervalle de 2 𝑇 2
Or sin π = 0 d'où u = 0
temps pendant lequel ce signal se répète
identiquement à lui – même. On note T. son II – REDRESSEMENT MONO OU SIMPLE
unité est la seconde (s). Chaque demi – période ALTERNANCE
est une alternance. 1) Schéma du montage
b) Fréquence Ud
La fréquence d'un signal alternatif est le nombre id
de périodes de ce signal en une seconde. On note
1
f. c'est aussi l'inverse de la période : f = 𝑇 ~ R
v UR
Son unité est le Hertz (Hz).
c) Amplitude
L'amplitude d'un signal représente la plus grande D'après la maille, on a :
valeur que la courbe du signal peut atteindre
dans le sens positif par rapport à l'axe des temps. v – Ud – UR = 0 , avec v = V sin wt et UR = R i
N.B : Dans tous les montages redresseurs, les

diodes sont considérées comme étant idéales.
~ 37 ~
2) Analyse du fonctionnement
 Alternance positive
La diode est polarisée en direct car v > 0. Elle est
donc passante et se comporte comme un
interrupteur fermé. D'où le schéma équivalent
suivant :
Ud = 0
i
4) Valeur moyenne et valeur efficace
R  Valeur moyennes
~ v UR
Û 𝑈𝑅𝑚𝑜𝑦 Û
URmoy = ; IRmoy = =
𝜋 𝑅 𝜋𝑅
 Valeur efficaces
𝑈𝑅 𝑣 Û 𝑉 𝑈𝑅𝑒𝑓𝑓 Û
Ud = 0 d'où UR = v. Ainsi i = = UReff = ; Veff = ; IReff = =
𝑅 𝑅 2 √2 𝑅 2𝑅
 Alternance négative 5) Tension inverse maximale de la diode
La diode est polarisée en inverse car v < 0. Elle Tic = Û
est donc bloquée et se comporte comme un
interrupteur ouvert, d'où le schéma équivalent 6) Taux d'ondulation
suivant : T = √𝐹 2 − 1
Ud
i
où F est le facteur de forme tel que :
𝑈𝑅𝑒𝑓𝑓 𝐼𝑅𝑒𝑓𝑓 Û/2 𝜋
F = = = = = 1,57
R 𝑈𝑅𝑚𝑜𝑦 𝐼𝑅𝑚𝑜𝑦 Û/𝜋 2
~ v UR
D'où T = √1,572 − 1 = 1,21
III – REDRESSEMENT DOUBLE

i = 0 d'où UR = R i = 0 et v = Ud ALTERNANCE
3) Chronogrammes de fonctionnement 1) Montage au pont de Graëtz.
v (V)
Û a) Schéma
+
D3 D1
t (mS)
--
~ i
v
-Û
D4 D2
UR (V) R UR
Û
0
Cours
U (V) de circuits analogiques
d
t (mS) 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
t (mS)
-- ~ 38 ~
-Û
i(A)
Schéma équivalent
vD1 vD2
D1 D2 vD2 = vD3 = 0
R (1) : v – vD1 = 0 d'où v = vD1

~ (2) : v – vD4 = 0 d'où v = vD4
v UR
Ainsi vD1 = vD4 = 0
−𝑣
vD3 D3 vD4 D4
(3) : UR = - v d'où i =
𝑅
c) Chronogrammes de fonctionnement
b) Analyse du fonctionnement. v (V)

A l'alternance positive de la tension d'entrée, V T/4 T/2 3T/4 T
on a v > 0. Alors D1 et D4 sont passantes, D2
et D3 bloquées.
i
t
vD1 = 0
vD2
D1 D2
~ -V
v UR
vD4 = 0
D3 D4
vD3
UR
vD1 = vD4 = 0 V
(1) : v + vD2 = 0 d'où vD2 = - v
(2) : v + vD3 = 0 d'où vD3 = - v
Ainsi vD2 = vD3 = - v
𝑣 t
(3) : UR = v d'où i =
𝑅
 Alternance négative i
A l'alternance négative de la tension d'entrée,
on a v < 0. Ainsi, D2 et D3 sont passantes, D1 V/R
et D4 bloquées.
t
i
vD1
vD2 = 0
D1 D2 d) Valeurs moyennes et valeurs efficaces
R
 Valeurs moyennes
2Û 2 𝑈𝑅𝑚𝑜𝑦 2Û
~ v
URmoy = ; IRmoy = =
UR 𝜋 𝑅 𝜋𝑅
 Valeur efficaces
vD3 = 0
vD4
D3 D4
~ 39 ~
Û 𝑈𝑅𝑒𝑓𝑓 Û
UReff = ; IReff = =
√2 𝑅 √2 𝑅
 Tension maximale inverse UR = v1 ; vD1 = 0
V2 – vD2 – UR = 0
Tic = vD1max = vD2max = vD3max = vD4max = V vD2 = v2 – UR = v2 – v1 car UR = v1
vD2 = - v1 – v1 car v2 = - v1
Tic = V
d'où vD2 = - 2v1
2) Montage avec transformateur à
 Alternance négative
point milieu
V1 < 0 et v2 > 0. Ainsi D1 est bloquée et D2
est passante
a) Schéma
vD1
vD1
D1
v1
D1 R i
v1 ~
R i UR
~ v2
UR D2
v2
D2 vD2 = 0
V2 = 0 ; UR = v2 = - v1
vD2
V1 – vD1 – UR = 0
vD1 = v1 – UR = v1 – ( - v1) car UR = - v1
vD1 = 2 v1
v1 et v2 sont deux tensions alternatives
symétriques, telles que : b) Chronogrammes de fonctionnement
v1 = Vm sin 𝜔t v1 (V)
v2 = Vm sin sin (𝜔t + π) Vm T/4 T/2 3T/4 T
= - Vm sin 𝜔t
= - v1
t(ms)
a) Analyse du fonctionnement
On a v1 >0 et v2 <0 - Vm
Ainsi , D1 conduit et D2 est bloquée
v2
Vm
vD1 = 0
D1
v1 t(ms)
R i
~
UR
v2 - Vm
D2
UR
vD2 Vm

t(ms)
~ 40 ~ vD2
t(ms)
 Pour 0 ≤ t ≤ t1, on a E > v.
La diode est bloquée
UR = 0 ; v = E et U = E
c) Valeurs moyennes et valeurs efficaces  Pour t1 ≤ t ≤ t2, on a v > E
 Valeurs moyennes La diode conduit.
2Û 2Û UR = v – E et U = v
URmoy = 𝜋 ; IRmoy =  Pour t2 ≤ t ≤ t3, on a E > v
𝜋𝑅
 Valeur efficaces La diode est bloquée
Û 𝑈𝑅𝑒𝑓𝑓 Û UR = 0 ; v = E et U = E
UReff = √2
; IReff = =
𝑅 √2 𝑅
e) Tension maximale inverse c) Chronogramme
Tic = 2Vmax v(V)
N.B : Vm
o Les valeurs moyennes et efficaces sont E

les mêmes que pour le montage au pont
de Graëtz ; t1 t2 t3 t4
t(ms)
o La différence entre les deux montages
réside au niveau de la tension inverse
maximale supportée par une diode : - Vm
- Pour le pont de Graëtz, on a Tic = Û

- Pour le transformateur à point milieu, on UR(V)
Tic = 2 Û
III – MONTAGES ECRETEURS Vm-E

1) Ecréteur à une diode
a) Schéma t(ms)
D
i U(V)
vD Vm
R
~ v UR
U E
E
t(ms)
b) Fonctionnement 2) Ecréteur à deux diodes

v(V) a) Schéma
Cours
Vm
E
D1 D2
t1 t2 T
t(ms) ~ 41 ~ ~ v
U
E2 E1
Fonctionnement : III – FILTRAGE PAR CONDENSATEUR
1) Montage simple alternance
v(V)
a) Charge infinie
D
E2
i
t1 t2 t3 t4 T
t(ms)
E1
vD
~ C UC
v
- Pour 0 ≤ t < t1, on a : E2 > v > E1

Ainsi D1 et D2 sont bloquées. v1 (V)
U = v et UR = 0
T/4 T/2 3T/4 T
- Pour t1 ≤ t < t2, on a : v > E2 > E1 Vm
Ainsi D2 conduit et D1 est bloquée

U = E2 et UR = v – E2
- Pour t2 ≤ t < t3, on a : E2 > v > E1 t
Ainsi D1 et D2 sont bloquées.
U = v et UR = 0
- Pour t3 ≤ t < t4, on a : E2 > E1 > v - Vm
Ainsi D1 conduit et D2 est bloquée
U = - E1 et UR = v + E1 Uc
- Pour t4 ≤ t < T, on a : E2 > v > E1
Vm
Ainsi D1 et D2 sont bloquées.
U = v et UR = 0
t
Chronogrammes de U(t) et de UR(t)
v(V)
Vm b) Montage avec charge résistive
E2 D
i
t1 t2 t3 t4 T
t(ms)
E1 vD
~ v C R
UR
Cours
U(v) de circuits analogiques 1
ère
F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
E2
~ 42 ~
0 t1 t2 t3 t4 T
t(ms)
E1
𝑰 𝑻𝟏
D'où C =
𝟐 ∆𝑼
2) Montage double alternance
D3 D1
i iR
~ v
iC
D4 D2
C R UR
v(V)
Vm v(V)
Vm
t(ms)
t(ms)
- Vm T1
- Vm
UR(V) T1
T2
UR(V)
Û
Umoy 2 ∆U T2
Umin
0 t(ms) Û
Umoy 2 ∆U
Umin
∆𝑈 = Umax – Umoy : c’est l’ondulation crête 0 t(ms)
2∆U = Umax – Umin : c’est l’ondulation crête à

crête.
𝑈𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝑚𝑖𝑛 𝑇1
Ainsi ∆𝑈 = T1 = 2T2 T2 =
2 2
𝐼𝑇
La valeur moyenne de la tension est : C= Avec T = T2 et U = 2∆U
𝑈
𝑼𝒎𝒂𝒙 + 𝑼𝒎𝒊𝒏 𝐼 𝑇2 𝐼 𝑇1
Umoy = C= =
𝟐 2 ∆𝑈 4 ∆𝑈
L'énergie emmagasinée par le condensateur D’autres parts i(t) = ic(t) + iR(t)

pendant la charge est : Q = C U = I t La diode est bloquée lorsque i = 0
𝐼𝑡
Ainsi C = or U = 2 ∆U (tension aux bornes V(t) = Vmax sin 𝜔t iR =
𝑉𝑚𝑎𝑥
sin 𝜔t
𝑈 𝑅
du condensateur). Et t = T1 𝑑𝑉
Ic = C = C (Vmax sin 𝜔t)’ = CVmax𝜔cos𝜔t
𝑑𝑡
~ 43 ~
Ic = CVmax𝜔cos𝜔t On considère le montage redresseur de la figure
i = ic + iR =
𝑉𝑚𝑎𝑥
sin 𝜔t + CVmax𝜔cos𝜔t ci – dessous, dans lequel les diodes sont
𝑅
𝑉𝑚𝑎𝑥 supposées parfaites. Le pont est alimenté par une
i=0 𝑅
sin 𝜔t + CVmax𝜔cos𝜔t = 0 tension sinusoïdale v = Vm sin wt et la charge
d’où sin 𝜔t = - RC𝜔cos𝜔t est constituée d'une résistance R.
𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
= - RC𝜔 tan 𝜔t = - RC𝜔 iD1
𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡 i
Si on pose 𝜑 = 𝜔t , on aura tan 𝜑 = - RC𝜔
𝜑 est l’angle de blocage de la diode. vD1
D1 D2
~ v u
D3 D4
Exercice 1:
1) Analyser le fonctionnement du montage et en
On donne le montage de la figure suivante : déduire les tensions u et vD1 :
a) Lors d'une alternance positive ;
D
iR b) Lors d'une alternance négative
2) Construire les chronogrammes de v, u, vD1 et
iD1 en fonction du temps ;
~ R
e UR 3) La tension v a pour valeur efficace 220V et
pour fréquence 50Hz. Sachant que R = 20Ω,
calculer, pour le courant dans chaque diode :
a) La valeur efficace ;
E (t) = Ê sin wt, avec Ê =220√2 𝑉 et w = 100π . b) La valeur maximale ;
R = 50Ω c) La valeur moyenne.
1) Tracer les chronogrammes des grandeurs e (t), Solution :
UD (t), UR (t) et iR (t).
iD1 i
2) Calculer URmoy, UReff, IRmoy et IReff.
Solution :
vD1
D1 D2
1) voir cours R
Ê 220 √2 ~ v u
2) URmoy = = = 99,03V
𝜋 𝜋
D3 D4
Ê 220 √2
UReff = = = 155,56V
2 2
Ê 220 √2
IRmoy = = = 1,98A 1) Analyse du fonctionnement
𝜋𝑅 𝜋 𝑥 50
a) Alternance positive (v > 0)
Ê 220 √2 D1 et D4 conduisent, D2 et D3 sont
IReff = = = 3,11A
2𝑅 2 𝑥 50
bloquées. D'où le schéma équivalent
Exercice 2 : suivant :
i

vD1 = 0
vD2
D1 D2
~ 44 ~
R
~ v u
V
T/4 T/2 3T/4 T
t
- Vm
Ainsi vD1 = 0 et u = v Vm/R
b) Alternance négative (v < 0)

D2 et D3 conduisent, D1 et D4 sont
bloquées. D'où le schéma équivalent t
suivant :
3) Veff = 220V, f = 50Hz, R = 20Ω
Pour toutes les diodes, le courant a la même
vD1
vD2 = 0
D1 D2 valeur que dans la charge.

a) Valeur efficace
R
𝑉𝑚 𝑉𝑚
~ IReff = or Veff = ainsi
v u √2 𝑅 √2
Vm = Veff x √2
vD3 = 0
vD4
D3 D4
220 𝑥 √2
IReff = = 11A
√2 𝑥 20
b) Valeur maximale
Ainsi, vD1 = v et u = - v IRmax = IReff x √2 = 11 x √2 = 15, 55A
2) Chronogrammes de v, u, vD1 et iD1 en c) Valeur moyenne
fonction du temps. 2 𝑉𝑚 2 𝑥 220 𝑥 √2
IRmoy = = = 9,9A
𝜋𝑅 𝜋 𝑥 20
v (V)
Exercice 3 :
T/4 T/2 3T/4 T
V Soit le montage redresseur ci – dessous,
comportant deux diodes identiques supposées
parfaites. La tension e a pour expression
t 𝑡
e = 200 sin 2π , avec T = 20ms.
𝑇
D1
-V
e
R = 5Ω i
~
u u
-e
V D2
~ 45 ~
1) Montrer que :
- Lorsque e > 0, D1 conduit ; Valeur moyenne :
- Lorsque e < 0, D2 conduit. 2Û 2 𝑥 200
URmoy = = = 127,32V
2) En déduire le graphe représentant les 𝜋 𝜋
variations de la tension u en fonction du 3) Ce montage est appelé redresseur double
temps, et calculer sa valeur moyenne. alternance parce qu'il redresse les deux
3) Expliquer pourquoi ce montage est alternance de la tension.
appelé redresseur double alternance. Exercice 4 :
Dans le montage de la figure suivante, les diodes
sont supposées parfaites :
v(t) = 24√2 sin 100πt ; R = 100Ω
Solution : is
D1 D3
D1
i iR
~ v
e iC
R = 5Ω i D2 D4 R
C
~ UR
u
-e
D2 1) Faire une analyse du fonctionnement de ce
montage et représenter UR(t) et iR(t).
1) Démonstration 2) On désigne par t0 et t1 respectivement l’instant
- Lorsque e > 0, D1 conduit. de début et de fin de conduction d’une diode au
Lorsque e > 0, le potentiel de l'anode de D1 cours d’une demi-période de e. Trouvé les
est supérieur au potentiel de la cathode. valeurs de t1 dans les cas suivants :
Ainsi, la diode D1 est polarisée en direct. a) C = 100µF
D'où D1 conduit et D2 est bloquée. b) C = 1000µF
- Lorsque e < 0, D2 conduit. 3) Quelles est la valeur de la tension inverse
Lorsque e < 0, le potentiel de l'anode de D2 maximale supportée par une diode.
est supérieur au potentiel de la cathode.
Ainsi, la diode D2 est polarisée en direct. Solution :
D'où D2 conduit et D1 est bloquée. 1) Analyse du fonctionnement :
2) Graphe de u (t) : Les diodes D1, D2, D3 et D4 réalisent un
redressement double alternance de la tension
d’entrée.
U(V)
A t = 0, le condensateur est initialement
200
déchargé, puis, il commence à se décharger mais,
n’atteint pas la valeur zéro car la deuxième
alternance vient recharger le condensateur
t (ms) 3𝑇
0
5 10 15 20 jusqu’à l’instant , puis le cycle recommence.
4
~ 46 ~
UR(V) 1) L’interrupteur k se trouve dans la position (1).
a) Représenter l’allure de la tension aux bornes
Vmax
Vmin
de la résistance R.
t(ms) b) Quelle doit être la valeur de la résistance R
t0 t1 pour que le courant dans le circuit ne dépasse pas
iR(t) 500µA ?
c) Donner la tension inverse maximale supportée
imax
imin par la diode.
t(ms)
2) L’interrupteur k se trouve dans la position (2).
a) Au début, quelle est la valeur du courant dans
2) a) Valeur de t1 pour C = 100µF :
la résistance R et dans R’, sachant que le
On sait que tan𝜑 = - RC𝜔 où 𝜑 = 𝜔t1
condensateur a une charge initiale nulle ?
Tan𝜑 = - 100 x 100 x 10-6 x 314 = - 3,14
b) Calculer la constante de temps de charge et
D’où 𝜔t1 = - 72,33° = 287,67° = 5rad donner l’allure de la tension aux bornes du
5 5 condensateur en fonction du temps.
t1 = = = 15,9ms
𝜔 314
Pour C = 1000µF, on aura : Solution :

D
Tan𝜑 = - 100 x 1000 x 10-6 x 314 = - 31,4 1 2
D’où 𝜔t1 = - 88,17° = 271,82° = 4,74rad k

UD
4,74 4,74
t1 = = = 15ms ~ v R C R’
𝜔 314
3) Tension inverse maximale supportée par la E

diode :
Uinvmax = Vmax = 24√2 = 33,94V
Exercice 5 : V = 50V ; f = 50Hz ; C = 100µF ; R = R’ ; E =

50V.
Dans le circuit de la figure suivante, D est une 1) Interrupteur k en position (1)
diode parfaite, v une tension sinusoïdale de
a) Allure de la tension UR :
valeur efficace 50V et de fréquence 50Hz. Le
condensateur C a pour capacité 100µF. R = R’ et - Pendant l’alternance positive, la diode est
E = 50V. passante : UR = V + E = 50√2 + 50
- Pendant l’alternance négative, la diode est
D
1 2 bloquée : UR = 0
k
UD V(V)
~ v R C R’
E 50 2
t(ms)

-50 2 ZAMBOU
~ 47 ~ UR(V)
50 + 50 2
b) Valeur de la résistance R pour que le courant
ne dépasse pas 500µA.
La maille (1) nous donne : V – Ri + E = 0
𝑉+𝐸 𝑉𝑚𝑎𝑥 + 𝐸 50√2 + 50
R= = =
𝐼 𝐼𝑚𝑎𝑥 500 𝑥 10−6
R = 241421,35Ω
c) Tension inverse maximale de la diode :

La diode est bloquée pendant l’alternance
négative de v et la tension VD est négative.
Ainsi la maille nous donne :
- V – VD + E = 0 VD = E – V
VD = 50 – 50√2 = - 20,71V
2) Interrupteur en position (2) :
a) Au début, Qc = 0.
Calcul du courant dans R et R’ :
Lorsque Qc = 0, le condensateur est en court –
circuit. D’où
𝐸 50
E = RI I= = = 0,206mA
𝑅 241421,35
Le courant dans R’ est nul.

b) Constante de temps de charge :
Le condensateur se décharge à travers la
résistance (R//R’).
241421,35
τ = (R//R’) C = x 100 x 10-6 = 12,07s
2
Allure de la tension aux bornes du condensateur
en fonction du temps :
Uc(V)
~ 48 ~
E
Chapitre 5 : LA DIODE ZENER
I – DEFINITION ET PRESENTATION
1) Définition
Une diode zener est une diode à jonction qui, en
plus du courant direct, laisse passer un courant
inverse relativement important, sans destruction
par claquage de sa jonction.
Dans le sens inverse, la diode zener reste
2) Symbole bloquée jusqu'à une certaine valeur Uz de la
Une diode zener peut avoir un des symboles tension, puis elle cède brusquement passage à un
suivants : courant important. Uz est appelée la tension de
zener.
A K A K
3) Caractéristiques
Iz (mA)
A K
II – CARACTERISTIQUES
Uz
D 0
1) Montage direct UAk (V)
Uo
E Izmin
Rp
A
e V
F Izmax
Dans le sens direct, la diode zener se Iz = intensité inverse

comporte comme une diode à jonction ordinaire, Izmin = intensité inverse minimale
c'est – à – dire qu'elle conduit à partir de la Izmax = intensité inverse maximale
tension seuil U0. OD = zone de fuite
DE : zone de coude
2) Montage inverse EF = zone d'avalanche non destructive.
Rp
A 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 49 ~
e V
4) Modèle électrique de la diode zener
Une diode zener polarisée en inverse est

équivalente à une source de tension Uzo en série
avec une résistance dynamique rz.
Iz
rz 2) Stabilisation amont
Uz Dz Uz La charge restant fixe, on fait varier la tension
Uzo
d'alimentation.
a) schéma
i1 Rp i2
∆𝑈
Uz = rz Iz + Uzo et rz = , en inverse iz
∆𝑖
5) Diode zener idéal ue Dz Uz Rc Uc
Une diode zener idéale a les caractéristiques

suivantes :
- La chute de tension directe Uo est nulle ; b) fonctionnement
- La résistance dynamique rz est nulle ; - Avant la stabilisation, on a Ue < Uz. La
- Lorsque le courant inverse est différent diode est bloquée et iz = 0
de zéro, la tension inverse est constante. - Au début de la stabilisation, on a Ue = Uz
D'où la caractéristique suivante : mais iz = 0
Iz (mA)
i1 Rp i2
ue Rc Uc
Uz
Uak (V)
𝑅𝑐
Uc = Uz = Ue
𝑅𝑝 + 𝑅𝑐
- Pendant la stabilisation, on a Ue > Uz et

iz ≠ 0
III – STABILISATION DE TENSION
1) But de la stabilisation i1 Rp i2
iz
La stabilisation a pour but de maintenir la
tension constante aux bornes de la charge, ue Dz Rc Uc
quelque soient les variations de la tension
d'alimentation, ou de la résistance de charge.
L'élément principal de la stabilisation de tension
est la diode zener.
Cours de
i1 circuits analogiques 1 F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
ère
Rp i2
iz ~ 50 ~
ue Dz Rc Uc
Uc = Uz
Ue = Uz + Rp i1 = Uz + Rp (i2 + iz) i1 Rp i2
𝑈𝑧 𝑈𝐶 iz
Or i2 = =
𝑅𝑐 𝑅𝐶
ue Rc
𝑈𝑧 𝑅𝑝 Dz Uc
Ue = Uz + Rp ( + iz) = Uz + Uz + Rp iz
𝑅𝑐 𝑅𝑐
D'où 𝑅𝑝
Ue = Uz (1 + ) + Rp iz
𝑅𝑐
b) Fonctionnement
Or, au début de la stabilisation, iz = 0
- Avant la stabilisation, Ue < Uz. D'où iz = 0
𝑅𝑝
D’où Uemin = Uz (1 + ) 𝑅𝑐
𝑅𝑐 La diode reste bloquée et Uc = Ue
𝑅𝑐 + 𝑅𝑝
- La limite de la stabilisation est fixée par - Au début de la stabilisation, on a Ue = Uz
le courant maximal izmax admissible par la et iz = 0
diode zener en inverse. La tension - Pendant la stabilisation, on a Ue > Uz et
d'entrée Uemax est donnée par : i2 ≠ 0
𝑅𝑝 La maille (1) nous donne :
- Uemax = Uz (1 + ) + Rp izmax
𝑅𝑐 Ue – Rp i1 – Uz – rz iz = 0
Ue = Rp i1 + Uz + rz iz
c) Allure de la courbe
= Rp (i2 + iz) + Uz + rz iz
𝑈
Uc = Rp i2 + Rp iz + Uz + rz iz or iz = 𝑅𝑧
𝑐
𝑈𝑧
Ue = Rp x + Rp iz + Uz + rz iz
𝑅𝑐
Uzmax
∆Uz 𝑅𝑝
Uzmin
Ue = (Rp + rz) iz + ( + 1) Uz
𝑅𝑐
∆Ue
- A la limite de la stabilisation, la diode

Ue cesse de conduire :
Avant la V1 Plage de la V2
stabilisation stabilisation
Ue = Rp Imax + Uz Ue – Uz = Rp Imax
Début de la Limite de la
stabilisation 𝑈𝑒 − 𝑈𝑧
stabilisation D'où Rp =
𝐼𝑚𝑎𝑥
c) Facteur de stabilisation Rp imax

∆ 𝑈𝑒 𝑈2 − 𝑈1
T= =
∆ 𝑈𝑐 𝑈𝑧𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝑧𝑚𝑖𝑛
ue Rc
3) Stabilisation aval Uc
a) Principe
La tension d'entrée restant fixe, on fait varier la
tension de sortie à l'aide d'un rhéostat de charge.
~ 51 ~
c) Courbe Uc = f (i2)
Ue – R I – Eth = 0 Eth = Ue – R I
Uc (V) 𝑈𝑒 − 𝑈𝑧 10−5,1
I= = = 0,044A
𝑅 + 𝑟𝑧 100 + 10
Eth = 10 – 100 x 0,044 = 5,6V

Uz
𝑅 𝑟𝑧 100 𝑥 10
Rth = R//rz = = = 9,09Ω
𝑅 + 𝑟𝑧 100 + 10
I2 (A) 3) Calcul de USM, si Ue = 10V, R = 100Ω ,

Imax
Uz = 5,1V et rz = 10Ω, et Rc = 0
Exercice 1 : USM = Uz + rz Iz or Iz = I ( Ic = 0)
𝑈𝑒 − 𝑈𝑧 10−5.1
On considère le circuit suivant : Iz = = = 0,044A
𝑟𝑧 + 𝑅 10+100
USM = 5,1 + 10 x 0,044 = 5,54V
R S
iz 4) Calcul de Us si Rc = 500Ω et Ue = 10V
ue Rc
Dz Ue Rth IC
M RC
Eth
UC
1) Quel est le rôle de la résistance R ?
2) Trouver le générateur de Thévenin entre
les bornes S et M.
3) Calculer USM si Ue = 10V, R = 100Ω ,
𝑅𝐶 5,6 𝑥 500
Uz = 5,1V et rz = 10Ω, lorsqu'il n'ya pas Uc = Eth x = = 5,5V
𝑅𝑡ℎ + 𝑅𝐶 9,09 + 500
de charge.
4) Calculer la tension de sortie si la charge Exercice 2 :
est Rc = 500Ω, Ue restant égale à 10V.
Soit une diode zener idéale en série avec une
Solution : résistance de protection de 500Ω. On applique
1) R est une résistance de protection. Elle aux bornes du circuit une tension de 25V d'abord
protège la diode contre une tension en inverse, puis en direct.
inverse trop grande. Calculer dans chaque cas l'intensité du courant
2) Générateur de Thévenin entre les bornes dans le circuit sachant que Uz = 10V.
S et M :
Solution :
I R
1) Montage inverse
rz
Ue i R
Eth
iz
Uz 25V
E
Dz Uz
F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 52 ~
3) On fixe E = 24V et Rp = 100Ω. Entre
quelles limites peut varier Rc pour qu'il y
La diode est polarisée en inverse, mais E > Uz; ait stabilisation.
d'où Iz ≠ 0
Solution :
E – R i – Uz = 0 R i = E – Uz 1) Courant maximal de la diode
𝐸 − 𝑈𝑧 25 − 10 Uz = 6,2V , Pmax = 1,3W
i= = = 0,03A 𝑃𝑚𝑎𝑥
𝑅 500 Pmax = Uz Imax Imax =
𝑈𝑧
1,3
Imax = = 0,2A
6,2
2) Rc = Rp = 100Ω
2) Montage direct Limites de E pour qu'il y ait stabilisation :
i R
i Rp ic
iz
iz
E 25V
Dz Uz E Dz Rc U
La diode est polarisée en direct et se comporte E = Rp i + u (1)

comme une diode ordinaire. D'où Uz = 0 u = Rc ic (2)
i = iz = ic (3)
𝐸 25
E – Ri = 0 i= = = 0,05A
(1) : E = Rp i + u
𝑅 500
Lorsqu'il y a stabilisation, u = Uz.
Exercice 3 : D'où E = Rp i + Uz
On considère le montage de la figure ci – La tension E varie entre Emin et Emax.
dessous, dans lequel Dz est une diode zener  Calcul de Emin :
𝑈
supposée parfaite telle que Uz = 6,2V et Pmax = Emin = Rp imin + Uz Or imin = ic = 𝑅𝑧
𝑐
1,3W 𝑈𝑧
Emin = Rp x + Uz
i Rp ic 𝑅𝑐
𝑅𝑝
iz = Uz ( + 1)
𝑅𝑐
100
E Dz Rc U Emin = 6,2 ( + 1) = 12,4V
100
 Calcul de Emax
Emax = Rp imax + Uz = Rp (ic + izmax)
𝑈𝑧
1) Déterminer le courant maximal qui peut Emax = Rp ( + izmax) + Uz
𝑅𝑐
traverser la diode. 6,2
Emax = 100 ( + 0,2) + 6,2 = 32,4V
2) On fixe Rc = Rp = 100Ω. Entre quelles 100
limites peut varier E pour qu'il y ait 3) E = 24V et Rp = 100Ω
stabilisation. Limites de Rc pour qu'il y ait stabilisation
𝑈
(2) : u = Rc ic Rc =
𝑖𝑐
~ 53 ~
𝑈𝑧
A la stabilisation, on a u = Uz d'où Rc =
𝑖𝑐
Rc varie entre Rcmin et Rcmax.
 Calcul de Rcmin :
Pour Rc = Rcmin, on a ic = icmax

1) Déterminer la valeur de la résistance Rp
I = i c + iz ic = i – iz pour que iz reste toujours inférieure à
(lorsque Rc diminue, ic augmente et iz 100mA, sachant que Emax = 20V et que Uz
diminue). = 5V.
icmax = i – izmin or izmin = 0 2) La caractéristique Uz = f(iz) de la diode
𝐸− 𝑈𝑧 passe par les points A(5,25V ;10mA) et
icmax = i =
𝑅𝑝 B(5,50V ;50mA).
D'autres parts, Uz = Rcmin icmax Déterminer le model équivalent de la diode
𝑈𝑧 𝑈𝑧 𝑈𝑧 𝑅𝑝 dans cette zone.
Rcmin = = 𝐸− 𝑈𝑧 =
𝑖𝑐𝑚𝑎𝑥 𝐸− 𝑈𝑧 3) La diode est utilisée dans le montage de la
𝑅𝑝
6,2 𝑥 100 figure 2, avec Rp = 150Ω et Rc = 500Ω. E
Rcmin = = 34,83Ω
24−6,2 est une f.e.m qui peut varier entre Emin =
 Calcul de Rcmax 10V et Emax = 12V.
Pour Rc = Rcmax, on a ic = imin Calculer la valeur maximale Umax et la
valeur minimale Umin de u.
Or i = icmin + izmax
En déduire la valeur du coefficient de
∆𝑬
i Rp ic stabilisation :K = ∆𝑼
iz
i RP
E (1) Dz uz Rc U
iz
E Rc
Uz u
La maille (1) nous donne : E – Rp i - Uz = 0

𝐸− 𝑈𝑧 24−6,2 Figure 2
D'où i = = = 0,17A
𝑅𝑝 100 Solution :
Ainsi, icmin = i – izmax = 0,17 – 0,2 < 0
Tout le courant fourni par E passera par Dz i RP
A
D'où Rcmax ∞ iz
V
Exercice 4 : E Uz
On veut relever la caractéristique inverse
Uz = f(iz) d’une diode zener en utilisant le
montage de la figure 1 suivante : Emax = 20V, Uz = 5V, iz = 100mA
1) Calcul de Rp
i RP E – Rp i – Uz = 0
A Emax – Rp imax – Uz = 0
iz
V 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
CoursEde circuits analogiques
Uz
~ 54 ~
Figure 1
Rp =
𝐸𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝑧
=
20−5
= 150Ω Uzo + rz iz – Rc ic = 0
𝑖𝑧𝑚𝑎𝑥 100 𝑥 10−3 U = Rc ic et i = ic + iz
1) A(5,25V ;10mA) ; B(5,50V ;50mA).
E – Rp ( ic + iz) – rz iz – Uzo = 0
Modèle équivalent de la diode dans la
Rz iz – Rc ic = - Uzo
zone AB :
Ce modèle est de la forme : (Rp + rz) iz + Rp ic = E – Uzo
iz0 rz Uz0 Rz iz – Rc ic = - Uzo
Uz  Pour E = Emin, trouvons la valeur Umin de u

(150 + 6,25) iz + 150 ic = 10 - 5,18
∆𝑈 5,50−5,25
Uz = Uz0 + rz iz0 or rz = = ( 50−10)𝑥 10−3
6,25iz – 500 ic = - 5,18
∆𝑖
Rz = 6,25Ω
La détermination de uz0 se fait graphiquement. 156,25 iz + 150 ic = 4,82
6,25 iz – 500 ic = - 5,18
Uz (V)
En résolvant cette équation, on trouve
6 ic = 0,0106A. d'où icmin = 0,0106A
5,50
5,25 5
Umin = Rc icmin = 500 x 0,0106 = 5,3V
4  Pour E = Emax, trouvons la valeur Umax de u
3 (Rp + rz) iz + Rp ic = E – Uzo
2
Rz iz – Rc ic = - Uzo
1
(150 + 6,25) iz + 150 ic = 12 – 5,18
0 Iz (mA)
10 20 30 40 50 60 70 6,25 iz – 500 ic = - 5,18
On trouve Uz0 ≅ 5,18V
156,25 iz + 150 ic = 6,82
D'où uz0 = 5,18V
6,25 iz – 500 ic = - 5,18
Rz = 6,25Ω
2) Rp = 150Ω ; Rc = 500Ω ; Emin = 10V et En résolvant cette équation, on trouve ic =
Emax = 12V 0,0107
Umax = Rc icmax = 500 x 0,0107 = 5,35V
i RP
Exercice 5 :
iz
Rc La diode du montage suivant est supposée
E
Uz u parfaite. Sa tension de zener est Uz = 6V
1) Quel est l'état de la diode ?
2) Calculer l'intensité du courant dans la
i RP ic diode.
iz
rz 50Ω
E Rc
Uzo u
100Ω
15V Dz
Les équations des mailles nous donnent :
E – Rp i – rz iz – Uzo = 0
Solution :
i 50Ω ic
ZAMBOU
~ 55 ~ iz
Rc 100Ω
15V Uz Dz
Ve est une tension pouvant varier de 0 à 30V ;
Dz est une diode zener telle que Vzmin = 6V et
Vzmax = 6,4V, Izmin = 5mA ; Pmax = 0,5W ;
Rp = 470Ω ; Rc peut varier de 0 à 1KΩ
A ) On maintient Rc = 1KΩ = constante et on
1) Etat de la diode : fait varier Ve.
Supposons que la diode soit bloquée. Alors, 1) De quel type de stabilisation s’agit – il ?
2) Déterminer la valeur Vemin de Ve
iz = 0 et i = ic
correspondant au début de la stabilisation ;
E – Rp ic – Rc ic = 0 d'où E – (Rp + Rc) ic = 0 3) Déterminer la valeur Vemax de Ve
𝐸 15 correspondant à la limite supérieure de la
Ic = = = 0,1A stabilisation ;
𝑅𝑝 + 𝑅𝑐 100 +50
∆𝑈
Uc = Rc ic = 100 x 0,1 = 10V 4) Calculer le facteur de stabilisation F = ∆𝑈𝐶
𝑒
5) Tracer la courbe Uc = f(Ve).
On constate que Uc > Uz. D'où la diode
Echelle : Abscisses : 1cm pour 10V
conduit et il y a stabilisation car iz ≠ 0
Ordonnées : 1cm pour 2V
2) Calcul de iz :
E – Rp i – Uz = 0 B) On maintient Ve constante égale à 30V et on
𝑈𝑧 fait varier Rc :
i = iz + ic , avec ic =
𝑅𝑐
𝑈𝑧 1) Calculer Iz pour Rc = 1KΩ et Vz = 6,2V
E – Rp (iz + ) – Uz = 0 2) Calculer la valeur Icmax de Ic correspondant à
𝑅𝑐
𝑈𝑧 la limite supérieure de la stabilisation ;
E – Rp iz – Rp x - Uz =0
𝑅𝑐 3) Calculer la valeur de Ic pour Rc = 0
𝑅𝑝 4) Tracer la courbe Uc = f(Ic).
Rp iz = E – Uz ( 1 + )
𝑅𝑐 Echelle : 1cm pour 10mA et 1cm pour 2V
𝑅𝑝
E – Uz ( 1 + 𝑅 )
Iz =
𝑐 Solution :
𝑅𝑝
50 A) Rc = 1KΩ et Ve variable
15−6 (1 + 100 )
A.N : iz = = 0,12A 1) Il s’agit de la stabilisation amont
50
2) Calcul de Vemin :
Exercice 6 : Vemin = Rp Iemin + Vzmin.
On donne le schéma de la figure suivante : Calcul de Iemin :
𝑈
Iemin = Icmin + Izmin = 𝑅𝐶 + Izmin
𝐶
Rp 𝑉𝑧𝑚𝑖𝑛 6
Ie Ic = + Izmin = 1000 + 5 x 10-3 = 11mA
𝑅𝐶
iz Vemin = 470 x 11 x 10-3 + 6 = 11,17V

Rc 3) Calcul de Vemax :
Ve Dz Uc Vemax = Rp Iemax + Vzmax
Calcul de Iemax :
𝑃 𝑉𝑧𝑚𝑎𝑥
Iemax = Izmax + Icmax = 𝑉 𝑚𝑎𝑥 + 𝑅𝐶
𝑧𝑚𝑎𝑥
~ 56 ~
0,5 6,4
= 6,4 + = 84,52mA
1000
Vemax = 470 x 84,52 x 10-3 + 6,4 = 46,12V
4) Facteur de stabilisation :
∆𝑈𝐶 ∆𝑈𝑧 𝑉𝑧𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑧𝑚𝑖𝑛
Uc = 0 et Iz = 0
F = ∆𝑈 = =𝑉 𝑉𝑒 30
𝑒 ∆𝑈𝑒 𝑒𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑒𝑚𝑖𝑛 Ie = Ic = = = 63,82mA
𝑅𝑝 470
6,4 − 6
F = 46,12 − = 0,011 4) Courbe Uc = f(Ic)
11,17
5) Courbe Uc = f(Ve)
Uc (V) Uc (V)
8
8 6,2
6
6,4
6 4
4 2
0 Ic (mA)
2 20 30 40 50 60 70
10
45,63 63,82
0 Ve (V)
10 20 30 40 50 60
11,17 46,12
B) Ve = 30V et Rc variable
1) Calcul de Iz pour Rc = 1KΩ
Ie = Iz + Ic, Avec
𝑉𝐶 𝑉𝑧 6,5
Ic = = = = 6,2mA
𝑅𝐶 𝑅𝐶 1000
𝑉𝑒 − 𝑉𝑧 30 − 6,2
Ie = = = 50,63mA
𝑅𝑝 470
Iz = Ie – Ic = 50,63 – 6,2 = 44,43mA
2) Calcul de Icmax :
Ie = Iz + Ic = cste
Ainsi, pour Icmax, on a Izmin = 5mA
Icmin = Ie – Izmin = 50,63 – 5 = 45,63mA
3) Valeur de Ic pour Rc = 0
Rp Ie Ic
iz
Ve
Dz
~ 57 ~
Chapitre 6 : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
INTRODUCTION  L'émetteur : il est fortement dopé. Sa

fonction est d'émettre ou d'injecter des
Le transistor bipolaire est un composant
électrons dans la base.
électronique fabriqué à base de semi –
 La base : elle est légèrement dopée et très
conducteurs. Son apparition a complètement
étroite. Sa fonction est de conduire la
révolutionné le monde industriel.
plupart des électrons émis par l'émetteur
Avant 1950, tout équipement
vers le collecteur.
électronique fonctionnait à base des tubes à vide.
 Le collecteur : son niveau de dopage est
C'était un dispositif volumineux, et qui
moyen. Son rôle est de recueillir ou de
consommait beaucoup d'énergie.
collecter les électrons provenant de la
En 1951, SHOCKLEY inventa le tout
base
premier transistor à jonction. Dés lors le
transistor commença à remplacer 2) Symbolisation
progressivement les tubes à vide dans toutes les Selon la disposition des trois régions, on
applications. distingue deux types de transistors :
Au niveau des ordinateurs, cette
 Le transistor NPN
évolution fut spectaculaire. Avant 1950, un
C C C
ordinateur occupait une salle de 100m2 à peu
près. Il coûtait plusieurs millions de francs, et
N
consommait plusieurs kilowatts. A cause du
B P B B
transistor, un meilleur ordinateur tient de nos
N
jours dans une poche. Il coûte quelques centaines
de milliers de francs et consomme quelques
E E E
centaines de watts. Structure Modèle symbole
schématique équivalent
I – CONSTITUTION ET SYMBOLISATION
 Le transistor PNP
1) Constitution
C C C
Le transistor bipolaire ou transistor à jonction
est constitué par un cristal de semi – conducteur P
(silicium ou germanium), comportant deux B N B B
jonctions PN et trois régions de conductibilité P
différente, qui sont :
E E E
Structure Modèle symbole
schématique équivalent
~ 58 ~
Remarque : Il existe trois modes de polarisation :
La différence entre les deux types de - Le montage base commune ;
transistors se retrouve au niveau de l'orientation - Le montage émetteur commun ;
de la flèche. Cette flèche indique toujours le sens - Le montage collecteur commun.
passant de la jonction base – émetteur.
2) La polarisation de base
3) Comment trouver la base, et le
type de transistor ? Ic
A l'aide d'un ohmmètre, on teste deux à
Rc
deux les électrodes du transistor. On détermine la C
paire qui est bloquée dans les deux sens. IB RB B Vcc
L'électrode restante est la base. VCE
On teste ensuite les jonctions base – émetteur VBE

et base – collecteur. VBB E
- Si elles sont passantes dans le sens direct, IE
alors on a affaire à un transistor NPN ;
- Si elles sont passantes dans le sens
VBB : Tension de base ;
inverse, alors on a affaire à un transistor
VBE : Tension base – émetteur ;
PNP ;
VCE : Tension collecteur – émetteur.
4) Comment distinguer le collecteur et
l'émetteur ? La maille (1) nous donne :
On réalise le montage suivant : 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
VBB – RB IB – VBE = 0 IB =
𝑅𝐵
Rp La maille (2) donne :
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸
Vcc – Rc Ic – VCE = 0 Ic =
𝑅𝑐
NPN La loi des nœuds donne :
PNP
E
V
U
IE = IB + IC . or Ic = β IB, où β est le gain en
courant ou encore l'amplification en courant.
IE = IB + β IB = (β + 1) IB.
On fait varier E jusqu'à ce que U se 2) Polarisation par réaction d'émetteur.

stabilise. On en déduit qu'on a atteint la tension
de claquage entre E et B. on permute le
collecteur et l'émetteur et on mesure à nouveau la Ic
tension U. la plus faible tension de claquage Rc
correspond au couple base – émetteur. C
II – POLARISATION D'UN TRANSISTOR IB RB B
VCE Vcc
BIPOLAIRE
1) Définition VBE E
VBB
La polarisation d’un transistor consiste à lui RE
appliquer un ensemble de tensions et de IE
courants, afin qu’il soit en état d’amplifier un
signal.
Vcc – Rc Ic – VCE – RE IE = 0
~ 59 ~
𝐼𝑐 1
Or IE = IB + Ic = + Ic = Ic ( + 1)
𝛽 𝛽
1 Rc
Vcc – VCE = Rc Ic + RE Ic ( + 1)
𝛽
IB Rth Vcc
VCE
𝑽𝒄𝒄 − 𝑽𝑪𝑬
Ic = 𝟏 Eth
𝑹𝒄 + 𝑹𝑬 ( + 𝟏) RE
𝜷
IE
(1) : VBB – RB IB – VBE – RE IE = 0 On se ramène donc à un schéma de

Or IE = ( β + 1 ) IB polarisation par réaction d'émetteur.
D'où VBB – VBE = RB IB + RE IB( β + 1)
𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 III – CARACTERISTIQUES STATIQUES
IB =
𝑹𝑩 + 𝑹𝑬 ( 𝜷+𝟏) D'UN TRANSISTOR NPN
Les caractéristiques d'un transistor sont
(2) : Vcc – Rc Ic – VCE – RE IE = 0 définies par quatre paramètres principaux :
Vcc – VCE = Rc β IB + RE ( β + 1) IB
𝑽𝒄𝒄 − 𝑽𝑪𝑬 - La tension base – émetteur ( VBE) ;
IB = - Le courant de base ( IB) ;
𝜷 𝑹𝒄 + ( 𝜷+𝟏)𝑹𝑬
- La tension collecteur émetteur ( VCE) ;
3) Polarisation par diviseur de tension
- Le courant collecteur ( Ic).
I1 1) Schéma du montage
Rc
R1
mA
IB Vcc Rc
B VCE
I2 C
RB B Vcc
R2 mA
RE
E V2
V1
VBB
M
Appliquons le théorème de Thévenin entre les

bornes B et M. 1) Caractéristique d'entrée
C'est l'ensemble des courbes IB = f ( VBE),
tracées à différentes valeurs de VCE. Chacune de
R1
ces courbes a l'allure de la caractéristique d'une
Vcc
B diode à jonction.
R2 IB (mA)
𝑅1 𝑅2
Rth = R1 // R2 = = RB
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑉𝑐𝑐 VBE (V)
Eth = EBM = Uo
𝑅1 + 𝑅2
D'où le schéma équivalent suivant :
3) Caractéristique de sortie
~ 60 ~
C'est l'ensemble des courbes Ic = f ( VCE),
tracées à différentes valeurs de IB.
Ic
(mA
)
IB = 0,4mA
IB = 0,3mA
IB = 0,2mA
IB = 0,1mA
IB = 0
VCE
0 0,5 40V (V)
- Pour VCE < 0,5V, Ic croit en fonction de

VCE : C’est la région de saturation. 6) Caractéristiques idéalisées
- Pour VCE Є [ 0,5V ; 40V ], le transistor
Ic (mA)
est en fonctionnement normal. La
caractéristique est presque horizontale :
IB4
C’est la région active.
IB3
- Pour VCE > 40V, Ic croit brutalement : IB2
C’est la région de claquage. IB1
Les constructeurs précisent toujours la IB mA)
valeur maximale de VCE à ne pas 0 VCE (V)
dépasser.
4) Caractéristiques de transfert en courant
C'est la courbe Ic = f ( IB), tracée à VCE VBE( V)
constante.
Ic (mA) IV – DOMAINE DE FONCTIONNEMENT

D'UN TRANSISTOR
1) Principe de fonctionnement
a) Transistor NPN
En état de fonctionnement, la jonction base –
émetteur (BE) est polarisée en direct et la
IB (mA) jonction collecteur - base (CB) est polarisée en
inverse.
5) Réseau complet de caractéristiques C
Ic (mA) VCB
IB B Vcc
VCE > 0 ZAMBOU
IB4
IB3 ~ 61 ~ VBE
VBB
E
IB2
IC = f (IB) à VCE cste
IB1
2) Effet transistor
On appelle effet transistor la propriété
pour le transistor de commander un important
Le schéma équivalent est le suivant : courant collecteur à partir d'un faible courant de
base. Ce courant collecteur est donné par un
coefficient β appelé amplification en courant.
IC
𝐼
Ic = β IB d'où β = 𝐼 𝑐
𝐵
IB
N.B : certains constructeurs notent h21 pour
désigner l'amplification en courant.
IE
3) Mode de fonctionnement
a) Montage expérimental
En appliquant la loi des nœuds, on trouve :

A2
IE = IB + IC or, IC >> IB. D'où IE ≅ IC Ic
Rc
b) Transistor PNP
C
Le fonctionnement d'un transistor PNP RB Vcc
IB B
A1 =12V
est contraire à celui d'un transistor NPN. La
jonction BE doit être polarisée en inverse et la E
VBB
jonction CB polarisée en direct. IE
C
b) Tableau de relevées
VCB
On fait varier VBB et on relève les valeurs
IB B Vcc correspondantes de IB et de Ic, récapitulés dans
VCE<0
le tableau suivant :
VBE IB 0 100 200 300 400 500 600 700
VBB (mA)
E
Ic 0 1,5 3 4,5 6 7,5 8 8
(mA)
Le schéma équivalant est le suivant :
Xtor Régime de
Régime linéaire
bloqué saturation
IC c) Zones de fonctionnement
En se référant au tableau ci – dessus, on peut
IB
distinguer trois zones de fonctionnement pour le
transistor :
- Etat bloqué : IB = 0 et Ic = 0 ;
IE
~ 62 ~
- Etat passant :
C'est le fonctionnement en régime linéaire.
Ic est proportionnel à IB ( Ic = βIB)
- Régime de saturation :
Ic ne varie plus quelque soit la valeur de IB
4) Détermination du point de fonctionnement
ou point de repos d’un transistor d) Droite de charge
a) Schéma du montage D'après la maille (2), on a :
Vcc – Rc Ic – VCE = 0 Rc IC = Vcc – VCE
Ic
Rc 𝑽𝒄𝒄 − 𝑽𝑪𝑬
Ic =
C 𝑹𝒄
Vcc
RB IB B VCE C'est l'équation d'une droite qui passe par les
VBE
points suivants :
E
VBB
IE
Le point de fonctionnement est

caractérisé par la détermination des valeurs de Ic (mA)
VBE, VCE, IB et Ic. Vcc
b) Droite de commande ou droite d'attaque Rc

VCE Ic
D'après la maille (1), on a : 0 𝑉𝑐𝑐
VBB – RB IB – VBE = 0 RB IB = VBB - VBE 𝑅𝑐
Vcc 0 Vcc VCE (V)
𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬
IB =
𝑹𝑩
Cette équation est celle d'une droite On peut également tracer la droite de
appelée droite de commande ou droite d'attaque charge sur les caractéristiques de sortie, afin de
du transistor. Elle passe par les points suivants : mieux voir le fonctionnement du transistor.
IB (mA)
saturation
VBE IB
Point de
t
men
VBB 0 VBB
fonct int de
0 𝑉𝐵𝐵 RB
ionne
Ic (mA)
𝑅𝐵
Po
Vcc IB > IB sat

Rc
IB = IBsat
VBB VBE (V)
c) Point de fonctionnement d'un transistor

C'est le point d'intersection entre la droite IB qcq
de commande statique et la caractéristique IB = 0
blo int de
0
d'entée du transistor. Vcc
ge
VCE (V)
ca
Po
IB (mA)
VBB
RB
IBo Q ~ 63 ~
VBEo VBE (V)
VBB
VI – TRANSISTOR EN REGIME 4) Puissance dissipée par un transistor
DE COMMUTATION Elle est donnée par :
Pt = VCE Ic + VBE IB or VCE Ic >> VBE IB
On dit qu'un transistor fonctionne en
régime de commutation lorsqu'il n'est utilisé que D'où Pt ≅ VCE Ic
dans les deux états extrêmes (bloqué et saturé). Si on donne les valeurs maximales et minimales
Le basculement d'un état à l'autre est rapide. du transistor, on aura :
Pmax = VCEmax ICmin = VCEmin ICmax
1) Transistor bloqué
Condition de blocage : IB0 = Ic = 0 et VCE = Vcc Le point de repos doit se situer en dessous de la
𝑃𝑚𝑎𝑥
Le transistor se comporte comme un interrupteur courbe VCE Ic = Pmax, soit Ic = 𝑉𝐶𝐸
ouvert entre le collecteur et l’émetteur. 𝑎
Cette équation est de la forme y = . C'est
𝑥
2) Transistor saturé l'équation d'une hyperbole appelée hyperbole de
Condition de saturation : IB > IBsat, Ic = Icsat et dissipation maximale
VCE = 0. De plus : βmin ≤ β ≤ βmax
𝑉𝑐𝑐
im tio de
IBsat = Ic
ax a e
al n
m si p o l
𝛽𝑚𝑖𝑛 𝑅𝑐
is b
e
D per
Icmax
y
Un transistor saturé se comporte comme un
H
interrupteur fermé entre le collecteur et
l’émetteur
e de
D ro i t e
3) Temps de commutation g
ch a r
Le passage de l'état bloqué à l'état saturé et vice
– versa n’est pas instantané.
VCE
- Lorsqu'on injecte un courant IB dans la VCEmax VCC
Zone de
base du transistor, Ic ne prend pas fonctionnement
instantanément la valeur Icsat. On définit
ainsi un temps de déblocage noté tON, 5) Limites d'emploi
encore appelé temps de fermeture.
- De même lorsqu'on supprime le courant Pour éviter la destruction du transistor, il faut
IB, le courant Ic ne s'annule pas toujours que :
instantanément. On définit également un - VCE < VCE0
temps de blocage noté tOF , encore appelé - Ic < ICmax
temps d'ouverture. - P = VCE Ic < Pmax
Ainsi, le point de fonctionnement doit
Ic (mA) toujours se situer en dessous de
Fermeture Ouverture
du Xtor l'hyperbole de dissipation maximale.
du Xtor
Exercice 1 :
Soit le circuit suivant :
Ic
T (S)
Rc
tON tOF
RB Vcc
IB VCE
~ 64 ~ VBB VBE
IE
2) Calculer la valeur de IE et IB si VBE = 0,7V
Solution :
RB
On donne : Vcc = 10V ; Rc = 5kΩ
Vcc
1) Donner l'équation de la droite de charge
2) Tracer cette droite
RE
Solution :
1) Equation de la droite de charge
Vcc – Rc Ic – VCE = 0 1) Relation entre IE et IB :
𝑉𝑐𝑐 − 𝐶𝐶𝐸 10− 𝑉𝐶𝐸 IE = Ic + IB or Ic = β IB
Ic =
𝑅𝑐 5000
IE = (55 + 1) IB
10 1
Ic = − VCE IE = 56IB
5000 5000
2) Représentation : 2) Calcul de IE et IB si VBE = 0,7V
VCE IC La loi des mailles nous donne :
0 2mA Vcc – RB IB – VBE – RE IE = 0
10V 0 Vcc – VBE = RB IB + RE (56 IB)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 9−0,7
IB = = = 8,73mA
𝑅𝐵 + 56 𝑅𝐸 390+56 𝑥 10
Ic (mA)
IE = 56 IB = 56 x 8,73 x 10-3 = 0,48A
2 Exercice 3 :
Soit le circuit :
0 VCE (V)
10 I1
Rc
R1
Ic
IB
Exercice 2 : VCE Vcc
B
On donne le montage suivant : I2
R2 RE
V2
RB
M
Vcc
Vcc = 15V ; β = 100 ; R1 = 100KΩ ;
RE R2 = 220KΩ ; Rc = 15KΩ , RE = 480Ω
1) On suppose que IB est négligeable devant

I2. Calculer IE et Ic, si VBE = 0,7V
RB = 390Ω ; RE = 10Ω ; Vcc = 9V ; β = 55 2) Trouver le modèle équivalent de
Thévenin entre les bornes B et M et
1) Trouver la relation entre IE et IB calculer la valeur de IB
~ 65 ~
Solution : Calcul de IB :
I1
Rc
R1
Ic Rc
IB Vcc
B VCE
I2 IB Rth
VCE Vcc
IE
R2 RE VBE
V2
Eth RE
M
IE
1) Calcul de IE, Ic et VCE si VBE = 0,7V
La maille (1) donne : Eth – Rth – VBE – RE IE = 0
RE IE + VBE – V2 = 0 Eth – VBE = Rth IB + RE ( β + 1 ) IB
𝑉2 − 𝑉𝐵𝐸 𝐸𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
IE = or IB = 0 ce qui entraine IB =
𝑅𝐸 𝑅𝑡ℎ + 𝑅𝐸 ( 𝛽 + 1)
I1 = I2, et le transistor est bloqué 10,31−0,7
Alors R1 est en série avec R2 IB = =8,19 x 10-5
68,75 𝑥 103 + 480 𝑥 101
𝑉𝑐𝑐 𝑅2 220 𝑥 103 𝑥 15 IB = 81,9µA
V2 = =
(100+220)103
= 10,31V
𝑅1 + 𝑅2
10,31 − 0,7 Exercice 4 :
IE = = 0,02A, soit IE = 20mA
480
Calcul de Ic :
𝐼𝑐 Rc
IE = IB + Ic or Ic = β IB IB = R1
𝛽
𝐼𝑐 𝐼𝑐 ( 𝛽+1) Vcc
IE = + Ic =
𝛽 𝛽
Ic (β + 1) = β IE
RE
𝛽 𝐼𝐸 100 𝑥 0,02
Ic = = soit Ic =19mA
𝛽+ 1 100+1
2) Modèle équivalent de Thévenin entre B
et M : On donne :
Vcc = 6V ; R1 = 100KΩ ; Rc = 500Ω;
RE = 100Ω ; VBE0 = 0,8V ; β = 60
R1 1) Calculer IB , Ico et VCE0 ;
2) Trouver le point de fonctionnement du
Vcc
B transistor et le placer dans un repère
(VCE ; Ic).
R2
Solution :
M
Rc
100 𝑥 220 R1
Rth = R1 // R2 = = 68,75KΩ
100 + 220
𝑉𝑐𝑐 𝑅2
IB Vcc
Eth = V2 = = 10,31V VBE
𝑅1 + 𝑅2
RE
~ 66 ~
1) Calcul de IB0 :
Vcc – R1 IB – VBE – RE IE = 0
Vcc – VBE = R1 IB + RE IE
= R1 IB + RE IB ( β + 1)
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
IB =
𝑅1 + 𝑅𝐸 (𝛽+1)
6−0,8
IB = = 4,9 x10-5
100 𝑥 103 + 100 𝑥 61
Soit IB0 = 49µA
Calcul de IC0 :
IC0 = β IB0 = 60 x 4,9 x 10-5 = 2,94 x10-3
Soit IC0 = 2,94mA
Le point de fonctionnement est le point P de
Calcul de VCE0 :
coordonnées P ( VCE0 ; Ico),
Vcc – Rc IC0 - VCE0 – RE IE0 = 0 soit P (4,23V ; 2,94 mA)
𝐼𝐶0
VCE0 = Vcc – Rc Ico – RE ( Ico + )
𝛽
VII - TRANSISTOR BIPOLAIRE EN
𝑅𝐸
= Vcc – Rc Ico - ( β + 1) Ico REGIME VARIABLE
𝛽
𝑅𝐸
= Vcc - [ Rc + (β +1)] Ico Il existe principalement deux régimes de
𝛽
100 fonctionnement pour un transistor :
= 6 - [ 500 + (60 + 1)] 2,94 x 10-3
60 - Le régime statique ;
VCE0 = 4,23V - Le régime dynamique.
2) Point de fonctionnement :
Droite de charge : Rc
Vcc – Rc Ic – VCE – RE IE = 0 C2
𝑅𝐸
Vcc – VCE = RC Ic + (β +1) Ic
𝛽
𝑅𝐸 I C1 Vcc
= [ Rc + ( β + 1)] Ic VCE
𝛽
Rg RB RL
𝑉𝑐𝑐 𝑉𝐶𝐸
Ic = 𝑅 − 𝑅
𝑅𝑐 + 𝐸 ( 𝛽+1) 𝑅𝑐 + 𝐸 ( 𝛽+1) ~ eg VBB
𝛽 𝛽
6 𝑉𝐶𝐸
= 100 𝑥 61 − 100 𝑥 61
500+ 60
500+ 60 1) Régime statique
Ic = 9,9 – 1,66VCE (mA) En régime statique, le schéma s'obtient en
Pour Ic = 0, on a VCE = 5,96V mettant en circuit ouvert tous les condensateurs
et la source de tension alternative. On obtient le
Pour VCE = 0 , on a Ic = 9,9mA
schéma suivant :
On prendra pour échelle :
1Cm pour 1V et 1Cm pour 2mA Rc
Ic
Ic (mA)
IB ZAMBOU
Vcc
10 ~ 67 ~ RB
8 IE
6 VBB
Schéma équivalent :
Ce schéma est le schéma de polarisation IB

Ic
du transistor. Il permet de déterminer le point de
VBE Transistor VCE
fonctionnement du transistor.
2) Régime dynamique
Le schéma s'obtient en mettant en court – circuit Ce schéma permet d'écrire les équations
tous les condensateurs et les sources de tension suivantes :
continues.
VBE h11 h12 IB
=
Ic h21 h22 VCE
Rc
VBE = h11 IB + h12 VCE (1)

VCE
RL
Ic = h21 IB + h22 VCE (2)
Rg
RB
- Supposons que la sortie soit en court –
~ eg
circuit. Alors VCE = 0
𝑉𝐵𝐸
o L'équation (1) nous donne : h11 =
𝐼𝐵
Ce schéma permet de déterminer les 𝐼𝑐
paramètres de fonctionnement du transistor en o L'équation (2) donne : h21 =
𝐼𝐵
régime d'amplification.
h11 est l'impédance d'entrée du quadripôle
VIII – ETUDE DU REGIME DYNAMIQUE lorsque la sortie est en court – circuit ;
OU REGIME DE PETITS SIGNAUX h21 est le gain en courant du quadripôle.
- Supposons que l'entrée soit ouverte.
1) Définition
Alors IB = 0
Lorsque les variations d'une grandeur par o L'équation (1) donne : h12 = 𝑉𝐵𝐸
𝑉
rapport à sa valeur de repos ont de très faibles 𝐶𝐸

𝐼𝑐
amplitudes, on dit que le système travaille en o L'équation (2) donne : h22 =
𝑉𝐶𝐸
régime de petits signaux.
h12 est le gain en tension inverse du quadripôle
Le transistor est un quadripôle défini par h22 est l'admittance de sortie du quadripôle
deux paramètres d'entrée et deux paramètres de
2) Schéma équivalent du transistor bipolaire
sortie. Ces paramètres peuvent être déterminés
en régime dynamique :
par deux équations fondamentales :
les paramètre hybrides
C
IC
IC ZAMBOU
IB VCE
~ 68 ~ B IB VCE
VBE IE VBE IE
E E
a) Schéma du montage
Rc
R1
C2
IB I C1 Vcc
B h11 Ic C VCE
Rg RL
h21IB R2 vs
VBE
~ h12VCE 1/h22
ve RE
~ eg CE
VCE
E E
h11, h12, h21 et h22 sont appelés les paramètres b) Rôle des éléments du montage
hybrides du transistor. C1 : condensateur de couplage ou de liaison : son
Certains constructeurs notent :
1
rôle est de relier le transistor à la source
h21 = β ; h11 = r ; ℎ = ρ et h12 = µ alternative, et d'empêcher ainsi la composante
22
Pour simplifier le schéma, on peut noter continue de perturber le montage lorsqu’il
VBE = Ve et VCE = Vs fonctionne en alternatif ;
Dans la plupart des applications, h12 = 0 C2 : condensateur de couplage ou de liaison : son
Le schéma devient : rôle de relier une électrode du transistor à la
charge. Il d'empêcher ainsi au générateur de
B IB h11 Ic C
courant continu de débiter un courant constant
βIB dans la charge ;
Ve
ρ CE : condensateur de découplage : son rôle est de
VCE
court – cuiter la résistance RE pendant le
E E fonctionnement sinusoïdal et de relier ainsi
Si en plus h22 est très grand, alors on aura : l'émetteur à la masse.
1
h22 ∞ et ρ = =0 c) Schéma équivalent de l'amplificateur en
∞
régime de petits signaux
Le schéma devient :
B IB h11 Ic i1 B IB Ic C i2
C
Ve βIB Rg βIB
VCE R1 R2 r ρ Rc Ru
~ eg ve Vs
E
E
Circuit E Transistor E Circuit
d’entrée de sortie
IX – AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR
BIPOLAIRE d) Performances du montage
Il existe principalement trois types de montages :  Résistance d'entrée
- Le montage émetteur commun ; Si on pose : RB = R1 // R, on aura
- Le montage collecteur commun ;
- Le montage base commune. i1 B IB Ic C i2
1) Montage émetteur commun Rg βIB

RB r ρ Rc Ru
F3/ ………………………….……………………….Par
~ eg ve ZAMBOU
Vs
~ 69 ~ E E
𝛽 𝐼𝐵 𝜌 𝑅′
= − (𝑅 ′ + 𝜌)𝑟 𝐼𝐵
𝛽 𝜌 𝑅′ 𝛽 𝜌 𝑅′
Av = = −
𝑟 (𝑅 ′ + 𝜌) 𝑟 𝑅 ′+ 𝜌
𝑣𝑒 𝜷
Re = Av = ρ // R'
𝑖1 𝒓
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸  Amplification en courant
or Ve = VBE et I1 = IB + = + 𝑖2 𝑉𝑒 𝑉𝑠
𝑅𝐵 𝑟 𝑅𝐵
Ai = avec i1 = et i2 = -
1 1 𝑖1 𝑅𝑒 𝑅𝑢
I1 = VBE ( + ) 𝑉
𝑟 𝑅𝐵 − 𝑅𝑠 𝑉𝑠 𝑅𝑒 𝑅𝑒
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸 1 𝑢
Re = = 1 1 = 1 1
Ai = 𝑉𝑒 = - = - Av x
𝐼1 𝑉𝐵𝐸 ( + ) + 𝑉𝑒 𝑅𝑢 𝑅𝑢
𝑟 𝑅𝐵 𝑟 𝑅𝐵 𝑅𝑒
1 1 1 𝑹𝒆
= + Ai = - Av x
𝑅𝑒 𝑟 𝑅𝐵 𝑹𝒖
Re = r // RB  Amplification en puissance
 Résistance de sortie : Rs Ap = Ai x Av
Pour déterminer la résistance de sortie,
on déconnecte la charge Ru et on calcule 2) Montage collecteur commun
la résistance équivalente à la sortie du a) Schéma
montage.
Ainsi Rs = ρ // Rc
 Amplification en tension
𝑣𝑠 R1
Av = avec Ve = r IB
𝑉𝑒
I1 C1 Vcc
Schéma transformé de la sortie :
C2 I2
Rg
Ic i2 ρ Ic R2
ve RE
~ eg Ru vs
βIB βIBρ
ρ Rc Ru
R’
Vs Vs
b) Schéma équivalent en régime de petits
signaux
Avec R' = Rc // Ru i1 r E
B IB i2
(R' + ρ) Ic – β IB ρ = 0
𝑉𝑠
or Vs = - R' Ic Ic = -
𝑅′ Rg βIB
𝑉𝑠 RB ρ RE Ru
(R' + ρ) (- 𝑅′ ) – β IB ρ = 0
𝑅′+ 𝜌 ~ e g ve Vs
Vs = β IB ρ
𝑅′
( R' + ρ) Vs = - β IB ρ R' C C
− 𝛽 𝐼𝐵 𝜌 𝑅′
Vs =
𝑅 ′+ 𝜌
RB = R1 // R2
𝛽 𝐼 𝜌 𝑅′
𝑉𝑠 − 𝐵′
𝑅 +𝜌
Av = = c) Performances du montage
𝑉𝑒 𝑟 𝐼𝐵
~ 70 ~
 Résistance d'entrée
Pour trouver la résistance d'entrée, on
déconnecte l'entrée, on ouvre la source de
courant et on calcule la résistance En régime dynamique, on met les condensateurs
équivalente du circuit. en court – circuit. Ainsi, les résistances R1 et R2
r sont en court – circuit. D’où le schéma
équivalent suivant :
RB RT
ve
RT = ρ // RE // Ru
𝑣
Ainsi, Re = 𝑖 1 = RB // ( r + RT)
1
 Résistance de sortie
RL RC
Pour trouver la résistance de sortie, on
ouvre la source de courant, on met en CB Rg V
RE
court – circuit la source de tension et on S
calcule la résistance équivalente du Ve

~ eg
circuit.
r r Or le schéma équivalent du transistor en base

commune est le suivant :
Rg
RB ρ RE R’B RT
E I1 I2 C
Vs Vs
VEB VCB
Rs = RT // ( r + R'B ), avec R'B = Rg // RB et

RT = ρ // RE. B B
 Amplification en tension
βiB
𝑣𝑠 𝛽 ( 𝑅𝐸 / / 𝑅𝑢 ) E C
Av = =
𝑣𝑒 𝑟+ 𝛽 ( 𝑅𝐸 / /𝑅𝑢 )
 Amplification en courant VBE h11 VCB
𝑅𝑒
Ai = - Av .
𝑅𝑢
B B
3) Montage base commune
Avec h22 = h12 = 0
RC Ainsi le schéma équivalent de notre montage est

R1
C1 le suivant :
βiB
CE VCC ie E C is
RL
CB R2 Rg Rg
RE
Cours de circuits analogiques 1 VSère
F3/ ………………………….……………………….Par
~
RE h11
ZAMBOU
RC RL
~ eg eg Vs
Ve
Ve
~ 71 ~
B B
a) Amplification en tension :
𝑉
Av = 𝑉𝑠
𝑒
VS = - (Rc//RL) βiB Il est constitué de deux transistors connectés

de manière à ce que l'ensemble se comporte
Ve = - riB
comme un transistor unique, tel que :
− (𝑅𝑐 // 𝑅𝐿 ) 𝛽 𝑖𝐵 (𝑅𝑐 // 𝑅𝐿 ) 𝛽 𝑖𝐵
Av = =
− 𝑟 𝑖𝐵 𝑟 𝑖𝐵 - La base est celle de T1 ;
(𝑅𝑐 // 𝑅𝐿 ) 𝛽 - Le collecteur est celui de T1 et T2 réunis
Av = 𝑟 - L'émetteur est celui de T2.
b) Impédance d’entrée Ainsi, on a :
IB = IB1 or IC1 = β1 IB1
On déconnecte le générateur de commande et on
IE1 = IB1 + IC1 = IB1 + β1 IB1
déterminer la résistance équivalente à l’entrée.
IE1 = IB1 ( 1 + β1)
D’où Ze = Re //r IC2 = β2 IB2 or IB2 IE1
c) Impédance de sortie IC2 = β2 IE1
IE2 = IC2 + IB2 = β2 IE1 + IE1 = IE1 (β2 + 1)
On débranche la charge et on met en court –
Or IE1 = IB1 ( 1 + β1)
circuit la source de tension eg. On détermine
IE2 = IB1 ( 1 + β2) ( 1 + β1)
enfin la résistance de Thévenin vue des bornes A
IE2 = IB1 + (β1 β2 + β1 + β2 + 1)
et B.
Ic = IC1 + IC2 = β1 IB1 + β2 IE1 + β2 IE1
Zs = Rc
Ic = β1 IB1 + β2 IB1 ( 1 + β1)
X – TRANSISTORS SPECIAUX
Avec IE1= IB2 = IB1 ( 1 + β1)
1) Transistor parallèle ou DARLINGTON Ic = β1 IB1 + β2 IB1 + β2 β1 IB1
Ic = IB1 (β1 + β2 + β1 β2)
Ic
Or Ic = β IB d'où β = β1 + β2 + β1 β2
IC1 2) Les photo - transistors
IC2
Un photo – transistor est un transistor bipolaire
qui se polarise lorsque sa base est éclairée par
IB1
T1 une lumière convenable. Ainsi, l'éclairement
IB (β +1) remplace le courant de base IB.
T2
IB2
IE2
E C
Schéma équivalent
IC1+ IC2
~ 72 ~
IB1
Une fois polarisé, un photo – transistor se
comporte comme un transistor bipolaire
ordinaire.
1) Montrons que T est bloqué si D n'est pas

éclairée :
Calcul de VBE :
Exercice 1 : VBE = VB – VE. Supposons IB ≅ 0
On donne le montage de la figure ci – dessous : Alors VB = RB I. or I = ID
VB = 27 x 103 x 20 x 10-6 = 0,54V
ID
𝑅𝐸
VE = Vcc car IR = IE
Rc R 𝑅𝐸 + 𝑅
D Ic 100
C VE = 20 = 1,8V
IR 100+ 103
IB
B Vcc VBE = VB – VE = 0,54 – 1,8 = - 1,26 < 0
D'où le transistor est bloqué
E
Calcul de IE, IB et VCE :
RB RE
D'après la maille (1), on a :
IE
Vcc – R IR – RE IE = 0 or IE = IR
Vcc – R IR – RE IR = 0
R = 1KΩ ; Rc = 5KΩ ; RE = 100Ω ; RB = 27KΩ 𝑉𝑐𝑐 20
IR = = = 18mA
Vcc = 20V ; VBE = 0,6V ; β = 100 ; Vcc = 20V 𝑅 + 𝑅𝐸 100 + 103
IB = ID = 20µA
Lorsque la photodiode D n'est pas éclairée, elle Calcul de VCE :
reste bloquée. Lorsqu'elle est éclairée, elle est Maille (2) : Vcc – Rc Ic – VCE RE IE =0
parcourue par un courant inverse de 20µA. Or Ic = 0. Alors Vcc - VCE – RE IE = 0
1) Montrer que le transistor est bloqué VCE = Vcc RE IE = Vcc – VE
lorsque la photo diode n'est pas éclairée. VCE = 20 – 1,8 = 18,2V
Calculer dans ce cas les valeurs de IE, IB et 2) Calcul de Icsat :
VCE Si le transistor est saturé, alors VCE = 0
2) Calculer le courant ICSat du transistor
C
saturé. En déduire la valeur minimale du Rc
courant ID de la diode pour que le transistor
R
soit juste saturé.
3) Préciser les valeurs des courants et Vc Icsat
Vcc
IR
tensions du montage dans ce cas. E
Solution :
VE RE
ID
Rc R
D Ic
C 𝑅𝐸
IR VE = Vcc
IB 𝑅𝐸 + 𝑅𝑐 // 𝑅
B Vcc

E
RB RE ~ 73 ~
IE
100
VE = 20 x 5 𝑥 103 𝑥 103
= 2,14V
100 + Rc
5 𝑥 10−3 + 103 R1
Ic
Vc = Vcc – VE = 20 – 2,14 = 17,86V IB
VCE Vcc
𝑉𝑐
Or Vc = Rc ICsat d'où ICsat = 𝑅𝑐 VBE
17,86 R2 RE
ICsat = = 0,00357. Soit ICsat = 3,57mA
5𝑥 103
3) Valeur des courants et des tensions :
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
ICsat = β IBsat IBsat = Droite de charge :
𝛽
3,57
IBsat = = 3,57 x 10-2mA Or à la saturation, on a IE = Ic
100
VBE = 0,6V ; VCE = 0 Vcc – Rc Ic – VCE – RE Ic = 0
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸 30 − 𝑉𝐶𝐸
Ic = = =
IDsat
𝑅𝑐 + 𝑅𝐸 3000 + 750
Rc R 30 𝑉𝐶𝐸
Ic = -
D Ic 3750 3750
C Pour Ic = 0, on a VCE = 30V ;
IBsat IR
B Vcc Pour VCE = 0 , on a Ic = 8mA
Isat
VBE E
RB RE Ic (mA)
IE
10
RE IEsat + VBE – RB Isat = 0 8

𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 0,6 + 2,14 6
Isat = = = 0,1mA
𝑅𝐵 27 𝑥 103
4
IDsat = IBsat + Isat = 3,57 x 10-2 + 0,1
2
IDsat = 0,135mA
VCE (V)
0 5 10 15 20 25 30
Exercice 2 :
On considère le montage de la figure suivante :
Point de fonctionnement :
Rc
R1
Ic
IB Vcc
VCE Rc
C
R2 RE
IB Rth B Vcc
VCE
VBE
E
Eth RE
R1 = 6,8KΩ ; R2 = 1KΩ ; Rc = 3KΩ ; RE = 750Ω
Vcc = 30V ; VBE = ,7V ; β = 100 IE
Tracer la droite de charge du transistor et

déterminer le point de fonctionnement 𝑅2 1000
Eth = Vcc = x 30 = 3,84V
Solution : 𝑅1 + 𝑅2 1000 + 6800
~ 74 ~
𝑅1 𝑅2 1000 𝑥 6800
Rth = = = 871,8Ω
𝑅1 + 𝑅2 1000 + 6800
Calcul de Ic :
VE + VBE – Rth IB – Eth = 0
VE = Eth + Rth IB – VBE or IB << IE
VE = Eth – VBE = 3,84 – 0,7 = 3,14V VCC = 20V ; VBE = 0,3V ; RE = 500Ω ;
𝑉𝐸 R2 = 10KΩ
VE = RE IE IE =
𝑅𝐸
IB0 = 20µA ; IC0 = 2mA ; VCE0 = 10V.
3,14
IE = = 4,2 soit Ico = IE = 4,2mA 1) Amplification en courant du transistor
750
𝐼 2 𝑥 10−3
Calcul de VCE0 : IC0 = β IB0 β = 𝐼𝐶0 = = 100
𝐵0 20 𝑥 10−6
VCE0 = Vc – VE 2) Calcul de RC :
Vc = Vcc – Rc Ic = 30 – 4,2 x 10-3 x 3 x 103
Vc = 17,4V La maille de sortie nous donne :
VCE0 = 17,4 – 3,14 = 14, 26V Vcc – Rc Ico – VCE0 – RE IE0 = 0
D'où le point de fonctionnement Q ( 14,26 ; 4,2 )
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸0 − 𝑅𝐸 (𝐼𝐵0 + 𝐼𝐶0 )
Exercice 3 : Rc = 𝐼𝐶0
On considère le montage ci – dessous : 20−10−500(20 𝑥 10−6 + 2 𝑥 10−3 )

Rc = 2 𝑥 10−3
Rc = 4495Ω = 4,49KΩ
RC
R1 Calcul de R1 :
IC
IB VCC La maille extérieure nous donne :
Vcc – R1 I1 – R2 I2 = 0
R2 RE Or I2 = I1 – IB0
IE
D’où Vcc – R1 I1 – R2 (I1 – IB0) = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑅2 (𝐼1 − 𝐼𝐵0 )
R1 =
VCC = 20V ; VBE = 0,3V ; RE = 500Ω ; 𝐼1
R2 = 10KΩ Calcul de I1 :
Le point de repos du transistor correspond à :
La maille d’entrée nous donne :
IB0 = 20µA ; IC0 = 2mA ; VCE0 = 10V.
R2 I2 – VBE – RE IE = 0
1) Calculer le coefficient d’amplification du
transistor ; R2 (I1 – IB0) – VBE – RE (IB0 + IC0) = 0
2) Calculer RC et R1 ; R2 I1 – R2 IB0 – VBE – RE (IB0 + IC0) = 0
3) Tracer la droite de charge statique et placer le
𝑉𝐵𝐸 + 𝑅2 𝐼𝐵𝑂 + 𝑅𝐸 (𝐼𝐵𝑂 + 𝐼𝐶𝑂 )
point de repos (prendre Rc = 4,5KΩ et R1 = I1 =
𝑅2
124KΩ).
I1 =
Solution :
0,3+10000 𝑥 20 𝑥 10−6 + 500 (20 𝑥 10−6 + 2 𝑥 10−3
10000
RC I1 = 1,51 x 10 A -4
R1
IC
20−10000(1,51 𝑥 10−4 − 20 𝑥 10−6 )
IB VCC R1 =
1,51 𝑥 10−4
R2 RE
IE ~ 75 ~
R1 = 123774,83Ω = 123,77KΩ
3) Equation de la droite de charge :
Or IE ≅ IC
Vcc – Rc Ic - VCE – RE IC = 0
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸 20 𝑉𝐶𝐸 R1 = 1KΩ ; RE = 100Ω ; VCC = 24V.
Ic = = 4,5+0,5 −
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 4,5+0,5
Solution :
Ic = 4 – 0,2VCE (mA)
1) Calcul de i1 :
Pour Ic = 0, VCE = 20V
Pour VCE = 0, Ic = 4mA
RC
Ic (mA) R1
IC
UC
i1 IB VCC
5
iz
4 (1)
RE
3 Vz VE IE
Q
2
1
La maille (1) nous donne :
0 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑍
5 10 15 20 25 VCC – R1 i1 – Vz = 0 i1 = 𝑅1
Exercice 4: i1 =
24−6,6
= 0,0174 Soit i1 = 17,4mA
1000
Le montage de la figure suivante constitue un Puissance que doit dissiper R1 :
générateur de courant presque parfait, chargé
par la résistance réglable RC. La diode zener est P = R1 𝑖12 = 1000 x 0,01742 = 0,3W
supposée parfaite et sa tension de zener vaut
2) Calcul de iE :
6,6V. Le transistor a pour coefficient
d’amplification β = 100 et sa tension base –
émetteur vaut 0,6V. La tension VCEsat = 0,3V
RC
R1
1) Calculer l’intensité i1 et la puissance que doit IC
UC
dissiper la résistance R1. i1 IB VCC
2) Calculer iE. iz
3) Calculer la valeur maximale de Rc pour que iC (2)
soit constante. RE
Vz VE IE
4) Calculer la puissance que doit pouvoir
dissiper le transistor d’une part et la diode zener
d’autres parts.
Vz – VBE – RE iE = 0
RC
R1 𝑉𝑍 − 𝑉𝐵𝐸 6,6−0,6
IC iE = = = 0,06A soit iE = 60mA
UC 𝑅𝐸 100
i1 IB V
Cours
i
de circuits analogiques
CC
1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
z
RE ~ 76 ~
Vz VE IE
3) Valeur maximale de RC pour que iC soit
constante :
Figure 1
La valeur maximale de RC est fixée par la
saturation du transistor.
VBE (V)
(3)
RC
R1
IC
UC
i1 IB VCC 0,6V
iz
RE
VE
0 Figure
IB (mA) 2
Vz IE
Le transistor de la figure 1 ci – dessus est

Ainsi, la maille (3) nous donne : caractérisé par un réseau d’entrée indiqué par
une droite horizontale VBE = 0,6V, pour toute
VCC – Uc – VCE – RE iE = 0 valeur de IB > 0. (voir figure 2.
uC = VCC – VCE – RE iE 1) En appliquant la loi des nœuds au point B,
Or uc atteint sa valeur maximale lorsque déterminer la relation entre VBE, R1 , R2 , VCC et
IB ;
VCE = VCEsat = 0,3V
2) Retrouver cette relation par application du
uC = 24 – 0,3 – 100 x 60 x 10-3 = 17,7V
théorème de Thévenin à l’entrée du circuit ;
Pour toute valeur de uc inférieure à 17,7V,
3) Déterminer le point de repos du montage pour
l’intensité est constante et égale à 60mA.
VCC = 10V ; RC = 1KΩ ; R1 = 200KΩ ;
𝑢𝐶 17,7
D’où uC = RC iC RC = = = 295Ω R2 = 50KΩ et β = 148,5
𝑖𝑐 0,06
Solution :
4) Puissance dissipée par le transistor :
P = VCE iC = 0,3 x 0,06 = 0,018W = 18mW I1 (2)
Rc
Puissance dissipée par la diode zener : R1
𝑖
P = Vz iz or iz = i1 – iB = i1 - 𝛽𝑐 Vcc
B
I2
0,06 VBE
Iz = 0,0174 – = 0,0168A (1)
100 R2
P = 6,6 x 0,0168 = 0,1108W Soit P = 110,8mW
Exercice 5:
1) Loi des nœuds au point B :
Rc I1 = I2 + IB
R1
𝑉𝐵𝐸
(1) : RB I2 – VBE = 0 I2 =
Vcc 𝑅𝐸
B
(2) : Vcc – R1 I1 – R2 I2 = 0
CoursRde
2
circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 77 ~
Vcc – R1(I2 + IB) – R2 I2 = 0 ICO = β IBO = 35 x 10-6 x 148,5 = 5,19 x 10-3
ICO = 5,19mA
Vcc – R1 I2 – R1 IB – R2 I2 = 0
VCEO = VCC – RC ICO = 10 – 1000 x 5,19 x 10-3
𝑉
𝑉𝐶𝐶 –(𝑅1 + 𝑅2 ) 𝐼2 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅1 + 𝑅2 ) 𝐵𝐸
𝑅2 VCEO = 4,81V
IB = =
𝑅1 𝑅1
Exercice 6 :
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅1 + 𝑅2 ) 𝑉𝐵𝐸
IB = On monte un transistor NPN au silicium en
𝑅1 𝑅2
amplificateur comme l'indique la figure
2) Théorème de Thévenin : suivante :
𝑅2
Eth = Vcc x
𝑅1 + 𝑅2
Rc
𝑅1 𝑅2 R1
Rth = R1//R2 = C2
𝑅1 + 𝑅2
D’où le schéma équivalent suivant : C1

VCE Vcc
IC Rg Ru
(2)
Rc (2) R2
RE
~ eg CE
Rth IB Vcc
VBE
Vth (1) Rc = 3,3KΩ ; RE = 1,5KΩ; R1 = 150KΩ ;
R2 = 56KΩ ; Vcc = 12V ; eg = Eg √2 sin wt ;
Rg = 2KΩ ; f = 50Hz
(1) : Vth – R2 IB – VBE = 0 I – ETUDE EN REGIME STATIQUE

𝑅2 1) Déterminer le schéma équivalent du
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝑥 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅1 + 𝑅2 montage en régime statique ;
IB = = 𝑅1 𝑅2
𝑅𝑡ℎ 2) Déterminer les éléments RB et VBB du
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅1 + 𝑅2 )𝑉𝐵𝐸

générateur de Thévenin équivalent pour
IB = le transistor au point de polarisation ;
𝑅1 𝑅2
3) En admettant que β = 120 et VBE =
3) Point de repos : Vcc = 10V ; R1 = 200KΩ ; 0,7V, calculer les valeurs de polarisation
Rc = 1KΩ ; R2 = 50KΩ ; β = 148,5 IB0, Ico et VCE0 ;
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅1 + 𝑅2 )𝑉𝐵𝐸
4) Construire la droite de charge statique et
IB = placer le point de fonctionnement du
𝑅1 𝑅2
transistor ;
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅1 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅2 𝑉𝐵𝐸
= 𝑅1 𝑅2
𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 𝑉𝐵𝐸 𝑅2 𝑉𝐵𝐸

II – ETUDE EN REGIME DYNAMIQUE
= − − 1) Donner le schéma équivalent du montage
𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2
en régime dynamique
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸
IB = − 2) La résistance RE est découplée par le
𝑅1 𝑅2
condensateur CE. Calculer CE en
10 − 0,6 0,6 1 𝑅𝐸
IB = – = 35 x 10-6A utilisant la règle du dixième ( = )
200 𝑥 103 50 𝑥 103 𝐶𝐸 10
IBO = 35µA 3) Calculer le paramètre r tel que
F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 78 ~
25 𝑅1 𝑅2 150 𝑥 56
r=βx avec Ico en mA RB = = = 40,77KΩ
𝐼𝐶0 𝑅1 + 𝑅2 150 + 56
4) Sachant que ρ = 40KΩ et que µ = 0, VBB =
𝑅2
Vcc =
56 𝑥 12
= 3,26V
écrire les équations dynamiques du 𝑅1 + 𝑅2 56 + 150
transistor 3) β = 120 et VBE = 0,7V, calcul de IB0, Ico
5) En déduire le modèle équivalent du et VCE0
montage en régime de petits signaux ;
6) Quelle doit être la valeur de Ru pour que Ic0
la charge reçoive le maximum de Rc
puissance ? C
7) Iu étant le courant dans Ru, calculer les IB0 RB B Vcc
VCE0
𝑉𝐶𝐸 𝑖𝑢
amplifications Av = et Ai = VBE
𝑉𝐵𝐸 𝑖𝐵 E
Solution : VBB RE
IE
Rc
R1
C2 (1) : VBB – RB IB0 – VBE – RE (IB + β IB0) = 0
VBB – VBE = RB IB0 + RE (1 + β) IB0
C1 Vcc 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3,26−0,7
VCE IB0 = 𝑅 =
𝐵 + 𝑅𝐸 (1+ 𝛽) 40,77+1,5 𝑥 120
Rg Ru IB0 = 0,0115mA
R2 Ico = β IB0 = 120 x 0,0115 = 1,38mA
RE
~ eg CE (1) : Vcc – Rc IC0 – VCE0 – RE (IB + Ico) = 0
VCE0 = Vcc – Rc Ico – RE (IB0 + Ico)
= 12 – 3,3 x 1,38 – 1,5 (0,0115 + 1,38)
VCE0 = 5,35V
Rc = 3,3KΩ ; RE = 1,5KΩ; R1 = 150KΩ ; 4) Droite de charge statique
R2 = 56KΩ ; Vcc = 12V ; eg = Eg √2 sin wt ; 𝐼𝑐
Vcc – Rc Ic – VCE – RE (Ic + ) = 0
Rg = 2KΩ ; f = 50Hz 𝛽
𝑅𝐸
Vcc – Rc Ic – VCE - (1 + β) Ic = 0
I – ETUDE EN REGIME STATIQUE 𝛽
𝑅𝐸
Vcc – VCE = Rc Ic + (1 + β) Ic
𝛽
1) Schéma équivalent en régime statique 𝑉𝑐𝑐 𝑉𝐶𝐸
Ic = 𝑅𝐸 − 𝑅𝐸
𝑅𝑐 + (1+ 𝛽) 𝑅𝑐 + (1+ 𝛽)
𝛽 𝛽
Rc 12 𝑉𝐶𝐸
R1 = 1,5 𝑥 121 − 1,5 𝑥 121
Ic 3,3 + 3,3 +
120 120
IB Vcc Ic = - 0,207 VCE + 2,49 (mA)
VBE
Pour Ic = 0, VCE = 12V
R2 RE Pour VCE = 0, Ic = 2,49mA
IE
Echelle : 1Cm pour 2V et 1Cm pour 0,5A

2) Détermination de RB et VBB :
~ 79 ~
Ic = 120 IB + 0,025 VCE.
5) Modèle équivalent du montage en régime

Ic (mA) de petits signaux :
2,5 i1 IB Ic i2
2
Rg βIB
1,5 P (5,35 ; 1,38) RB r ρ Rc Ru
1,38 1 ~ eg ve Vs
0,5
VCE (V) 6) Valeur de Ru pour que la charge reçoive
0 2 4 6 8 10 12
5,35 le maximum de puissance :
P = Pmax ssi Ru = ρ // Rc
II – ETUDE EN REGIME DYNAMIQUE 𝑅𝑐 𝑥 𝜌 40 𝑥 3,3
Ru = = = 3,04KΩ
𝑅𝑐+ 𝜌 40+3,3
1) Schéma équivalent du montage en régime
dynamique 7) Amplification :
𝛽
8) Av = - ( 𝜌// R' ), avec R' = Rc // Ru
𝑟
Rc 𝑅𝑐 𝑥 𝑅𝑢 40 𝑥 3,04
R1 R' = = = 2,81KΩ
𝑅𝑐 + 𝑅𝑢 40 + 3,04
120 40 𝑥 2,81
Av = - 𝑥 = - 144
2,17 40+2,81
Av = - 144
Rg Ru 𝐼𝑢 𝑅𝑒
R2 Ai = = −𝐴𝑣 𝑥 avec Re = r // RB
𝐼𝐵 𝑅𝑢
~ eg 2,17 𝑥 40,77
Re = = 2,06
2,17+40,77
2,06
Ai = - ( - 144) = 97,57
3,04
2) Calcul de CE : Ai = 97,57
1 𝑅𝐸
=
𝐶𝐸 𝑤 10
10 10 Exercice 7 :
CE = 𝑅 = = 2,12 x 10-5F
𝐸 𝑤 1500 𝑥 314 Soit le montage de la figure suivante :
Soit CE = 21,2µF
3) Calcul de r :
25 120 𝑥 25 Rc
r=βx𝐼 = = 2,17KΩ RB
𝐶0 1,38 IS
4) ρ = 40KΩ
Equations dynamiques du transistor : Cg Vcc
VBE = r IB + µ VCE
𝑉𝐶𝐸 Rg
Ic = β IB + or µ = 0 US
𝜌 RE
VBE = 2,17 IB ~ eg CE
~ 80 ~
RB = 200KΩ ; RE = 100Ω ;
H21 = β = 150 ; h11 = r = 1KΩ
VCC = 12V ; VBE = 0,7V ; RC = 1KΩ ; RB =
200KΩ ; RE = 100Ω ; I – Etude en régime statique
H21 = β = 150 ; h11 = r = 1KΩ ; h12 = 0 ; h22
statique :
infini.
I – Etude en régime statique ;

RB Rc
1) Donner le schéma équivalent du montage en
régime statique ;0,5pt IC
2) Quel est le rôle de la résistance RE ? IB Vcc

3) Déterminer le point de repos du transistor ;
4) Donner l’équation de la droite de charge
statique ; RE
5) Tracer la droite de charge et placer le point IE
de repos.
II – Etude en régime dynamique 2) Rôle de la résistance RE :

La résistance RE a pour rôle d’assurer la stabilité
thermique du montage. Elle fixe le point de
régime dynamique ;
repos et limite le courant dans le transistor.
2) Pourquoi découple – t – on RE ?
3) De quel type d’amplificateur s’agit – il ? 3) Point de repos du transistor :
Pourquoi ? Calcul de IB0 :
4) Donner le schéma équivalent du montage en La maille extérieure nous donne :
régime de petits signaux, en utilisant les Vcc – RB IB – VBE – RE IE = 0
paramètres hybrides.
Or IE = IB + IC = IB + β IB = IB (1 + β)
5) Calculer l’amplification en tension ;
6) Calculer la résistance d’entrée ; VCC – RB IB – VBE – RE IB(1 + β) = 0
7) Calculer la résistance de sortie. 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 12−0,7
IB = =
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 (1+ 𝛽) 200000+100 (1+150)
Solution :
IB = 5,25 x 10-5A
Soit IB0 = 52,5µA
RB Rc Calcul de IC0 :
IS
IC0 = β IB0 = 150 x 52,5 x 10-6 = 7,87mA
Cg Vcc Calcul de VCE0 :
Rg La maille de sortie nous donne :
US
RE
~ eg CE Vcc – Rc IC0 – VCE0 – RE IE0 = 0
VCE0 = Vcc – RC IC0 – RE (IC0 + IB0)
= 12 – 1000 x 7,87 x 10-3 – 100(52,5
VCC = 12V ; VBE = 0,7V ; RC = 1KΩ ;
~ 81 ~
x 10-6 + 7,87 x 10-3) = 3,33V
VCE0 = 3,33V
4) Equation de la droite de charge : 2) on découple RE pour relier l’émetteur à la
Vcc – RC IC – VCE – RE IE = 0 masse. Cela donne ainsi un amplificateur à
émetteur commun.
𝐼𝐶 1
Or IE = IB + IC = 𝛽
+ IC = IC (𝛽 + 1) 3) c’est un amplificateur à émetteur commun car
1
en régime dynamique, l’émetteur est relié à la
Vcc – RC IC – VCE – RE IC (𝛽 + 1) = 0 masse.
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸 4) Schéma équivalent du montage en régime de
IC = 1
petits signaux.
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ( + 1)
𝛽
12 𝑉𝐶𝐸 i1 IB B C Ic i2
IC = 1 - 1
1+0,1 ( + 1) 1+0,1 ( + 1)
150 150
Rg βIB
Avec RC et RE en mA RB r ρ Rc
Soit IC = 10,9 – 0,9VCE (mA) ~ eg ve Vs
5) Tracé de la droite de charge : E E
Pour IC = 0, VCE = 12,11V Or h22 est infini et ρ = 0. Le schéma devient :

i1 IB Ic i2
Pour VCE = 0, Ic = 10,9mA
Ic (mA)
Rg βIB
RB r Rc
~ eg ve Vs
10
8 Q
6
7,87 5) Amplification en tension :
4 𝑉𝑠
Av =
𝑉𝑒
2 3,33
VCE(V)
Ve = r IB
0 2 4 6 8 10 12 14
Vs = - β IB Rc
II – Etude en régime dynamique − 𝛽 𝐼𝐵 𝑅𝑐 − 𝛽 𝑅𝑐
Av = =
𝑟 𝐼𝐵 𝑟
150 𝑥 1000
dynamique : Av = - = - 150
1000
6) Résistance d’entrée :
RB Rc En ouvrant le générateur de courant alternatif, on
IS trouve :
𝑅𝐵 𝑥 𝑟
Re = RB // r =
Ie 𝑅𝐵 + 𝑟
200000 𝑥 1000
Rg Re = = 995,02Ω
US 200000+1000
7) Résistance de sortie :
~ eg
~ 82 ~
Rs = RC = 1000Ω 𝐼𝐶𝑒 17 𝑥 10−3
IBe = A.N : Ice = = 142𝜇𝐴
𝛽𝑠 120
Pour iB = 0,5mA, si le transistor est en
Exercice 8 : fonctionnement normal alors,
Soit le schéma de la figure suivante : ic = βs iB = 120 x 0,5 = 60mA
or, pour ic = 60mA, on a VCE = E – Rcic
E = 24V
VCE = 24 – 400 x 60 x 10 -3 = 0
Rc D'où le transistor est saturé pour iB = 0,5mA.
R2 D
2) Calcul de R1 et R2
LDR ic
R1 iR1 = R1 x 10iB = VBE d'où
T 𝑉𝐵𝐸 0,6
B
iB R1 = = = 120Ω
10𝑖𝐵 10 𝑥 0,5 𝑥 10−3
R1 (R2 + RLDR) (iB + iR1) = E – VBE
iR1 En régime d'éclairement, RLDR = Re = 160Ω
M D'où (R2 + Re)11iB = E – VBE
𝐸−𝑉𝐵𝐸 24−0,6
- LDR est une cellule photo – résistante R2 = – 𝑅𝑒 = - 120
11𝑖𝐵 11 𝑥 0,5 𝑥 10−3
caractérisée par une résistance en régime
d'obscurité R0 = 160KΩ et une résistance en R2 = 4,1KΩ
régime d'éclairement Re = 160Ω.
3) Calcul de VBE lorsque la cellule est obscure
- Rc est un relais électromagnétique de résistance
En régime d'obscurité, RLDR = R0 = 160KΩ
400Ω, caractérisé par une intensité
D'où iLDR = 0 car RLDR très grand
d'enclenchement Ie = 17mA et une intensité de
déclenchement Id = 10mA. Générateur de Thevenin entre B et M. :
- T0 est un transistor caractérisé par un gain en 𝐸 𝑥 𝑅1 24 𝑥 120
Eth = =
courant statique βs = 120, une tension VBE = 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝐿𝐷𝑅 120 + 4100 + 160000
0,6V pour tout courant iB positif et par une Eth = 0,175V
tension VCEsat = 0 en régime de saturation.
𝑅1 (𝑅2 + 𝑅𝐿𝐷𝑅 120 (4100+160000)
1) Quelle est la valeur minimale de iB pour que le Rth = =
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝐿𝐷𝑅 120 + 4100 +160000
relais s'enclenche ? Quel est alors l'état du
transistor pour iB = 0,5mA ? Rth = 119, 91Ω
2) Calculer les valeurs des résistances R1 et R2

pour que iB = 0,5mA lorsque la cellule est
éclairée, en supposant que le courant iR1 soit
égale à 10iB. Rth
E
3) Calculer VBE lorsque la cellule est dans VBE
l'obscurité. Quel est alors l'état du transistor ? Eth
Solution :
1) Courant iB d'enclenchement du relais
Ice = Icenclechement d'où Ice = 17mA
VBE = Eth – Rth iB or iB = 0
~ 83 ~
D'où VBE = Eth = 0,175V << 0,6V
Le transistor est bloqué.
Chapitre 7 : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
conducteur de type N à deux ilots, et d'un

INTRODUCTION matériau de type P noyé dans ses flancs.
La partie inférieure s'appelle la source (S), la
Le transistor bipolaire est le composant
partie supérieure s'appelle le drain (D). Les deux
essentiel de l'électronique linéaire. Son
régions P sont reliées intérieurement et
fonctionnement repose sur deux types de charges
constituent la grille (G). Le petit espace entre les
qui sont : les trous et les électrons. D'où le
deux régions P s'appelle le canal. Les électrons
qualificatif bipolaire.
libres doivent circuler par ce canal pour aller de
Il existe par contre un autre type de
la source au drain.
transistor, dont le fonctionnement repose sur un
seul type de charge : soit les trous, soit les
D
électrons. C'est le transistor unipolaire. Ce type
D
de transistor convient particulièrement pour
certaines applications en électronique. N
Le transistor à effet de champ est un exemple P G
G P
de transistor unipolaire. C'est un dispositif
commandé par une tension, par opposition au
N b)
transistor bipolaire qui est commandé par un S
courant. a)
On distingue deux types de transistors à effet S
de champ :
Figure 1 : JFET à canal N
 Le transistor à effet de champ (TEC) à a) constitution ; b) Symbole
jonction ou JFET (Jonction Field Effet
Transistor). b) JFET à canal P
 Le transistor à effet de champ à grille Un JFET à canal P est constitué d'un barreau
isolée ou MOSFET (Metal Oxyde Semi – de silicium dopé d'un matériau semi –
Conductor Field Effet Transistor). conducteur de type P à deux ilots, et d'un
matériau de type N noyé dans ses flancs.
I – LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
A JONCTION ( JFET) D
D
1) Constitution et symbole
P
Il existe deux catégories de JFET : G
G N N
- Le JFET à canal N ;
- Le JFET à canal P.
P b)
S
a) JFET à canal N
a)
Un JFET à canal N est constitué d'un barreau
S
de silicium dopé d'un matériau semi –
Figure 2 : JFET à canal P
~ 84 ~
a) constitution ; b) Symbole Lorsque la tension grille est suffisamment
négative, le canal se ferme et bloque le courant
drain. On note VGS(blocage) la valeur de la tension
grille qui bloque le courant drain.
Exemple : Pour le transistor 2N5951, on a
VGS(blocage) = - 3,5V
Certains constructeurs appellent cette tension la
tension de pincement.
2) Caractéristiques d'un JFET à canal N
b) Caractéristique de drain : ID = f ( VGS)
N ID (mA)
P P
VDS VGS = 0
10
VGS
N VGS = -1V
5,6
VGS = -2V
2,5
VGS = -4V
VGS (V)
Figure 3.a) : Alimentation d'un JFET à canal N 0 4 15 30
Figure 4 : Caractéristique de drain d'un JFET

ID
Ces caractéristiques sont comparables à
D
IG G
celles d'un transistor bipolaire. Elles comportent
VDS une région de saturation, une région active, une
région de claquage et une région de blocage.
VGS S
IS La tension maximale de saturation (VDS =
4V pour VGS = 0) est égale à la valeur absolue de
la tension de blocage grille – source.
Figure 3.b) : Schéma équivalent
Entre 4V et 30V, le courant drain est
On place une source de tension positive presque constant et le JFET se comporte comme
entre le drain et la source, et une source de une source de courant d'environ 100mA.
tension négative entre la grille et la source.
Lorsque VGS dépasse 30V, le JFET entre
n courant d'électrons circule de la source dans la zone de claquage.
vers le drain, en passant par le canal. Il ut
c) Caractéristique de transconductance.
toujours polariser la grille en inverse. Cela a
pour but d'empêcher tout courant au niveau de la C'est la courbe de variation du courant de sortie
grille. (ID) en fonction de la tension d'entrée (VGS).
lus la tension grille est négative, plus le L'équation générale de cette caractéristique est
anal est étroit. 𝑉𝐺𝑆
donnée par : ID = IDSS [ 1 - ]2
𝑉𝐺𝑆(𝑏𝑙𝑜𝑐𝑎𝑔𝑒)
Le TEC a une impédance d'entrée très élevée.
ID (mA)
a) Tension de blocage grille – source
IDSS ZAMBOU
~ 85 ~
VGS (V)
VGS (blocage)
VDD – RD ID – VDS = 0
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷𝑆
ID = = −
𝑅𝐷 𝑅𝐷 𝑅𝐷
𝑉𝐷𝐷
- Pour VDS = 0, on ID =
𝑅𝐷
- Pour ID =0, on a VDS = VDD
d) Fonctionnement en commutation
C'est le fonctionnement d'un JFET dans les deux
ID (mA)
états extrêmes, c'est – à dire l'état passant et l'état
VGS = 0
bloqué. VDD
RD
VGS = -1
ID
D
G VGS = -2
VDS
VGS blocage
VGS S
IS
0
VDD VGS (V)
Figure 6 : Commutation d'un TEC Figure 8 : Droite de charge statique d'un TEC
- Lorsque VGS = 0, le TEC est passant et il est b) Polarisation automatique

comparable à un interrupteur fermé entre le
drain et la source. ID
- Lorsque VGS = VGS(blocage), le TEC est bloqué RD

et il est comparable à un interrupteur ouvert
IG
entre le drain et la source. VDD
3) Polarisation d'un JFET à canal N RG IS

RS
a) Polarisation de grille
ID Figure 9 : Montage de polarisation automatique d'un

TEC
RD
D Equation de polarisation automatique :

IG RG G
VDD VGS = VG – VS or VG = 0 et VS = RS IS = Rs ID
𝑉𝐺𝑆
VGG S D'où VGS = - RS ID ID = − 𝑅𝑆
IS
ID(mA)
Figure 7 : Polarisation de grille d'un JFET

IDSS
C'est la pire façon de polariser un JFET car, le V
ID = GS
point de repos varie excessivement. RS
Q
Droite de charge statique
VGS(V)
VGS(blocage) ZAMBOU
~ 86 ~
Exercice :
On considère un TEC dont les caractéristiques
sont données à la figure 1 suivante :
Figure 11 : Courbe de polarisation automatique d'un ID (mA)
TEC VGS = 0V
12
VGS = -1V
8
c) Polarisation par diviseur de tension
VGS = -2V
4
ID
VGS (V) -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V)
R1 RD
Ce TEC est utilisé dans le montage de la figure 2
VDD ci – dessous :
VD
R2 IS
ID
VS RS
RD
Figure 13 : Montage de polarisation par diviseur de IG

tension d'un TEC VDS VDD
Cette polarisation repose sur le même principe RG IS

VDM
que celle d'un transistor bipolaire par diviseur de RS
tension. La tension de Thévenin appliquée à la
grille est égale à :
𝑅2 On donne :VDD = 12V ; RD = 1KΩ
Vth = VDD ainsi, VG = Vth
𝑅1 + 𝑅2 Le point de fonctionnement est choisi tel que la
tension VDM = 8V.
VGS = VG – VS VS = VG – VGS = Vth - VGS
Or VS = RS ID RS IS = Vth – VGS 1) Calculer l'intensité du courant ID et en déduire
la tension VGS ;
𝑉𝑡ℎ− 𝑉𝐺𝑆
ID = 2) Déterminer la valeur de la résistance RS ;
𝑅𝑆
3) Donner la valeur de la tension de pincement
𝑉𝑡ℎ
Cependant, Vth ≫ VGS ID ≅ VP ;
𝑅𝑆
4) Tracer la droite de charge sur la
ID ne varie pas beaucoup, d'où le point de repos caractéristique de sortie, et en déduire la valeur
est stable. de la tension VDS ;
Remarque : 5) Dans ce montage, la résistance RG doit avoir
Le fonctionnement d'un JFET à canal P est une valeur élevée. Expliquer pourquoi.
complémentaire à celui d'un JFET à canal N.
Autrement dit, toutes les tensions et les courants
doivent être inversés. Les différentes
polarisations d'un JFET canal N sont aussi
valables pour le JFET à canal P
~ 87 ~
VDD – RD ID – RS ID – VDS = 0
𝑉𝐷𝐷− 𝑉𝐷𝑆 12 𝑉𝐷𝑆
ID = - = -
𝑅𝑆+𝑅𝐷 1500 1500
Solution : - Pour ID = 0, VDS = 12V

- pour VDS = 0, ID = 8mA
ID Pour la détermination de VDS, on prend
l'intersection de la droite de charge avec la droite
RD
VGS = -2V, ce qui nous donne : VDS = 6V
IG
VDS VDD 5) La résistance RG doit avoir une valeur élevée
parce que la commande du TEC se fait en
RG IS
VDM tension, et que le courant grille IG doit être nul.
RS
4) Etude du JFET en régime d'amplification
1) Calcul de ID : a) Schéma équivalent en régime dynamique
La maille 1 nous donne : Du fait de sa grande résistance d'entrée

𝑉𝐷𝐷− 𝑉𝐷𝑀 entrainant IG = 0, le schéma équivalent en régime
VDD – RD ID – VDM = 0 ID =
𝑅𝐷 dynamique du JFET est le suivant :
12−8
A.N : ID = = 4mA
1000
G D
Détermination de VGS :
La détermination se fait graphiquement par gmVGS rDS
projection sur la droite de charge. VGS
ID (mA)
VGS = 0V S S
12
VGS = -1V
8
4
VGS = -2V gm est appelée la transconductance ou encore la
conductance mutuelle. Sa valeur est donnée par :
VGS (V) -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V) 𝛥𝑖𝐷𝑆
gm = ; Son unité est le milliampère par
𝛥𝑉𝐺𝑆
Ainsi, on trouve VGS = - 2V volt(mA/V).
2) Détermination de RS : rDS est la résistance interne du TEC. Sa valeur est
𝛥𝑉𝐷𝑆
La maille 2 nous donne : rDS =
𝛥𝑖𝐷𝑆
RG IG – VGS –RS ID = 0 or, IG = 0
Certains constructeurs note S pour gm et 𝜌 pour
−𝑉𝐺𝑆 −(−2)
RS = A.N : = 500Ω rDS
𝐼𝐷 4𝑥10−3
Dans la plupart de cas, rDS est très grande. Le
3) Tension de pincement : schéma devient :
Elle se détermine à ID = 0
G D
D'après la caractéristique, VP = - 3V
4) Droite de charge : gmVGS
VGS

S S
~ 88 ~
Certains constructeurs notent S pour gm et 𝜌 pour c) Montage drain commun
rDS.
b) Montage source commune RD
CD
C1
RD
C2
C2 VDD
C1
Rg RG
VDD
Rg RG VS eg VGG RS
~ VS
eg RS CS
~ VGG
Schéma équivalent :
Schéma équivalent i1 G VGS S i2
Rg
i1 G D I2
Ve RG gmVGS rDS RS VS
Rg ~ eg
VGS RG gmVGS rDS RD VS
D D
~ eg
Si rDS est très grande, le schéma devient :
S S
i1 G VGS S i2
Si rDS est très grande, le schéma devient :
Rg
i1 G D I2 Ve RG gmVGS RS VS
Rg ~ eg
VGS RG gmVGS RD VS D D
~ eg
- Amplification en tension
S S 𝑉𝑆
Av =
𝑉𝑒
- Amplification en tension
𝑉𝑆 Ve = VGS + Vs (1)
Av = Vs = (rDS // RS) gmVGS
𝑉𝑒
Vs = - gm VGS (rDS//RD) et Ve = VGS 𝑉𝑆
VGS = (2)
Av = - gm (rDS // RD) (𝑟𝐷𝑆// 𝑅𝑠 ) 𝑔𝑚
- Impédance d'entrée 𝑉𝑆
(2) dans (1) Ve = Vs +
(𝑟𝐷𝑆 //𝑅𝑠 ) 𝑔𝑚
𝑉𝑒
Re = Re = RG 1
𝑖1 Ve = Vs ( 1 + )
(𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝑠 ) 𝑔𝑚
- Impédance de sortie
𝑉𝑒 (𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝑠 ) 𝑔 + 1
𝑉𝑠 (𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝐷 ) 𝑖2 = (𝑟 // 𝑅 𝑚
Rs = = Rs = rDS //RD 𝑉𝑠 𝐷𝑆 𝑠 ) 𝑔𝑚
𝑖2 𝑖2
~ 89 ~
𝑉𝑆 (𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝑠 ) 𝑔𝑚 - Le fonctionnement en régime
Av = =
𝑉𝑒 (𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝑠 ) 𝑔𝑚 + 1 d'enrichissement, où les électrons affluent vers le
canal.
Ainsi les différents symboles sont les suivants :
Remarque :
On a toujours Av < 1 pour un amplificateur à Drain Drain
drain commun.
- Impédance d'entrée :
Grille Grille
𝑉𝑒
Ze = = RG R e = R G
𝑖1
Source Source
a) b)
- Impédance de sortie :
Zs = rDS // RS
Figure : Symbole d'un transistor MOS à appauvrissement
II - TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À : a) Canal N ; b) Canal P
GRILLE ISOLÉE ( MOSFET)
Drain Drain
1) Constitution et symbole
P Ou
N N N
Grille Grille
Drain Source
P b)
Substrat P a) Source Source
Grille
Figure : Symbole d'un transistor MOS à enrichissement :

a) Canal N ; b) Canal P
Le transistor à effet de champ métal
oxyde – semi – conducteur (MOSFET) ou tout 2) Fonctionnement
simplement transistor MOS est également a) Fonctionnement en régime
constitué d'une source, d'une grille et d'un drain. d'appauvrissement ou de déplétion
Cependant, à la différence du TEC à jonction, la
grille est séparée du canal.
Le courant grille est extrêmement petit, D
que la grille soit négative ou positive. La grille G VDD

S
est métallique, d'où l'appellation MOS.
VGS
Tout comme les TEC à jonction, Il existe
deux types de transistor MOS :
 Le transistor MOS à canal N (NMOS) ;
 Le transistor MOS à canal P (PMOS). En régime d'appauvrissement la tension grille est
négative. Plus cette tension est négative plus le
On distingue deux modes de fonctionnement : courant drain est petit et le MOSFET fonctionne
- Le fonctionnement en régime comme un JFET. Lorsqu' elle est suffisamment
d'appauvrissement, où les électrons s'éloignent négative, ce courant s'annule.
du canal ;
~ 90 ~
Le fonctionnement à grille négative dépend de
l'appauvrissement du canal en électrons libres.
Il est constitué de deux transistors :
Remarque : Le substrat est généralement relié à - Un transistor MOS à canal N ;
la source dès la fabrication. - Un transistor MOS à canal P.
Les deux transistors fonctionnent en régime
d'enrichissement, et de façon complémentaire.
b) Fonctionnement en régime
Lorsqu' un transistor conduit, l'autre est bloqué,
d'enrichissement
et vice versa. L'ensemble est cependant bloqué
lorsque le tension d'entrée est nul.
Les deux transistors étant en série, le courant du
D
circuit est très faible (quelques nano ampères).
G VDD La puissance dissipée par le circuit est de
S
quelques nano Watts seulement. C'est la raison
VGS pour laquelle on utilise les transistors CMOS
dans les circuits intégrés à très haut niveau
d'intégration et à très faible consommation. On
En régime d'enrichissement, la tension VGS est les retrouve particulièrement dans les
positive. Cette tension positive augment le calculatrices, les montres numériques et les
nombre d'électrons libres qui traversent le canal. satellites.
Ainsi, plus VGS est positive plus le courant drain
est grand. III – COMPARAISON ENTRE UN TEC
TRANSITOR BIPOLAIRE
Remarque :
Le fonctionnement d'un MOSFET à canal P est 1) Du point de vue fonctionnement
complémentaire à celui d'un MOSFET à canal N. - Le transistor bipolaire dépend de deux types de
Autrement dit, toutes les tensions sont inversées, charge qui sont les trous et les électrons, alors
ainsi que les courants. que le TEC dépend d'un seul type de charge,
Les différentes polarisations d'un JFET sont c'est – à dire soit les trous soit les électrons.
aussi valables pour un MOSFET. - Le transistor bipolaire est commandé par un
3) Transistor MOS complémentaire ( CMOS) courant (IB), alors que le TEC est commandé par
une tension (VGS).
VDD
2) Avantages et inconvénients du TEC par
rapport au transistor bipolaire
Q1 a) Avantages
 Faible consommation ;
 Résistance d'entrée élevée ;
V1 V0  Faible influence de la température ;
 Fabrication facile ;
 Large plage de la tension d’alimentation.
Q2
b) Inconvénients
~ 91 ~
 Puissance limitée ; b) Lorsque le transistor conduit, VGS est
 Mauvaises performances en hautes négative.
fréquences. 3) a) Equation de la droite de charge statique :
VDD – RD ID – VDS – RS ID = 0
VDS = VDD – ID(RD + RS)
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 20− 𝑉𝐷𝑆
Exercice 1 : ID =
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆
=
3,3𝑥103 +200
Soit le montage de la figure suivante : 𝑉𝐷𝑆 20
ID = - +
3500 3500
ID
Pour ID = 0, on a VDS = 20
RD
Pour VDS = 0, on a ID = 5,71mA
IG
ID (mA)
VDS VDD
6
RG IS
RS 5
4
M 3
Le courant de grille est supposé nul (Résistance 2

d'entrée infinie). 1
VDS (V)
1) Déterminer le potentiel du point G de la grille; 0 5 10 15 20 25
2) En déduire :
a) la relation entre VGS et VSM ;
b) Calcul de ID, VDS et VGS
b) Le signe de la tension VGS lorsque le transistor
𝑉𝐷𝐷 20
conduit. VDS = = = 10V
2 2
3) On admet les valeurs numériques suivantes :
𝐼𝐷𝑆𝑆 5,71
RG = 100KΩ ; RD = 3,3 KΩ ; RS = 200Ω ; ID = = =2,85mA
2 2
VDD = 20V. VGS = – VSM
a) Ecrire l'équation de la droite de charge Or VDD – RD ID – VDS – VSM = 0
statique ;
b) Tracer cette droite ; VSM = VDD – RD ID – VDS
c) Déterminer les valeurs de ID, VDS et VGS = 20 – 3,3 x 103 x 2,85 x 10-3 – 10
lorsque le point de fonctionnement se trouve au
VGS = - 0,59V
milieu de la droite de charge.
Exercice 2 :
Solution :
On considère le montage de la figure ci –
1) Potentiel du point G : VG = 0 dessous :
2) a) VGS = VG – VSM or VG = 0
RD
C2
VGS = -VSM
C1
VDD
Rg RG VS

~ e R C g
ZAMBOU S 3
~ 92 ~
gm = 5mA/V ; RDS est très grand ; RS = 20KΩ ;
RG = 10MΩ ; RD = 10 KΩ.
1) Dessiner le schéma équivalent dynamique de
ce montage ;
𝑉𝑠
2) Calculer l'amplification en tension Av = , VDD = 20V ; Rg = 0 ; gm = 6ms ; R2 = 2MΩ ;
𝑉𝑒
ainsi que l'impédance de sortie Zs . rDS = 0
Solution :
I – Etude en régime statique :
RD 1) Donner le schéma équivalent du montage en
C2
régime statique ;
C1
VDD 2) On désire le point de repos suivant :

Rg RG VS VDS = 15V ; ID = 5mA ; VGS = - 1,5V.
RS C3
~ eg a) Calculer l’intensité du courant dans la
résistance R2 ;
1) Schéma équivalent dynamique : b) Calculer RS et R1 ;
i1 G D 3) Tracer la droite de charge et placer le point de
Rg repos.
VGS RG gmVGS RD VS
~ eg
II – Etude en régime dynamique
S S 1) De quel type d’amplificateur s’agit – il ?

2) Amplification en tension :
𝑉𝑠 régime de petits signaux.
Av = 3) Calculer l’amplification en tension ;
𝑉𝑒
Vs = - RD ID = - Rs gm VGS 4) Calculer l’impédance d’entrée ;
Or VGS = Ve, d'où Vs = - RD gm Ve 5) Sachant que la valeur crête de la tension
𝑉𝑠 − RD gm Ve d’entrée est de 5mV, calculer la valeur crête à
Av = = = - gm RD crête de la tension de sortie.
𝑉𝑒 Ve
A.N : Av = - 5 x 10-3 x 10 x 103 = - 50
Impédance de sortie Zs : Solution :
Zs = RD = 10 KΩ I – Etude en régime statique :
Exercice 3 : 1) Schéma équivalent en régime statique :

On considère le montage de la figure ci –
dessous dans lequel l’élément actif est un
(2)
transistor à effet de champ à jonction dont la
R1
résistance d’entrée est supposée infinie (i0 = 0) (3)
I
VDD
R2 (1)
R1
CoursC1de circuitsD analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par
I
Rs ZAMBOU
G
VDD
Rg S
C2
~ 93 ~
R2
Rs
~ eg Vs
2) Point de repos :
VDS = 15V ; ID = 5mA ; VGS = - 1,5V.
a) Calcul du courant I dans R2 :
II – Etude en régime dynamique :
1) Il s’agit d’un amplificateur à drain commun.
R2 I – VGS – RS ID = 0 Car, en régime dynamique, le drain est relié à la
𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷 − 15 + 1000 𝑥 5 𝑥 10−3 masse.
I= =
𝑅2 2 𝑥 106 2) Schéma équivalent en régime de petits
-6
I= 1,75 x 10 A = 1,75µA signaux :
b) Calcul de RS : i1 G VGS S i2
La maille (2) nous donne : Rg

Ve R1 R2
VDD – VDS – RS ID = 0 gmVGS RS VS
~ eg
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 20 − 15
RS = = = 1000Ω
𝐼𝐷 5 𝑥 10−3 D D
Calcul de R1 : 3) Amplification en tension :

La maille (3) nous donne : 𝑉𝑆
Av = 𝑉𝑒
VDD – R1 I – R2 I = 0
(Le même courant parcourt R1 et R2 car IG = 0) Ve = VGS + Vs
𝑉𝐷𝐷 − 𝑅2 𝐼 𝑉𝐷𝐷 Vs = RS gm VGS
R1 = = - R2
𝐼 𝐼 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆
20 AV = = =
𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆
R1 = −6
= 9,42 x 106 Ω= 9,42MΩ
1,75 𝑥 10 𝑅𝑆 𝑔𝑚
1 + 𝑅𝑆 𝑔𝑚
3) Droite de charge :
6 𝑥 10−3 𝑥 1000
La maille (2) nous donne à nouveau : AV = = 0,85
1 + 6 𝑥 10−3 𝑥 1000
VDD – VDS – RS ID = 0
4) Impédance d’entrée :
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 20− 𝑉𝐷𝑆
ID = = 9,42 𝑥 2
Ze = R1//R2 = 9,42 + 2 = 1,64MΩ
𝑅𝑆 1000
20 𝑉𝐷𝑆 5) Vemax = 5mV.
ID = − = 20 – VDS (mA)
1000 1000
Calcul de ∆Vs
- Pour ID = 0, on a VDS = 20V
𝑉𝑆
- Pour VDS = 0, on a ID = 20mA On sait que Av = Vs = Av Ve
𝑉𝑒
ID (mA) Vsmax = Av Vemax = 0,85 x 5 = 4,25mA
25 ∆ Vs = 2 Vsmax = 2 x 4,25 = 8,5mV

20
Cours
15
10 ~ 94 ~
5 Q(15V ; 5mA)
VDS (V)
0
5 10 15 20 25
Exercice 4: 4) Calculer alors les valeurs exactes de VGS, ID et
VDS. Dans cette question, RS et RD sont les
Dans le montage de la figure 2 ci – contre,
valeurs choisies à la question 2.
le transistor est tel que : Lorsque la tension VDS
𝑑𝑖
est comprise entre 5V et 25V, le courant de 5) Sachant que gm = (𝑑𝑉 𝐷 ), déterminer gm pour
𝐺𝑆
drain est donné par la formule suivante : VDS égale à la valeur calculée à la question3
𝑽𝑮𝑺 2
ID = 30 1+ en mA 6) Dessiner le circuit équivalent du montage en
𝟏𝟎
régime dynamique.
7) Calculer l'amplification en tension et la
RD résistance de sortie du circuit.
C1
(Prendre 𝜌 = 200KΩ et 𝜌 = 3,55mS)
D
G
VDD
Solution :
S Rc
RG
~ uGS
Rs C2 RD
C1
D
G
M VDD
S Rc
RG
La résistance RG est considérée comme ~ uGS
Rs C2
étant très grande.
M
1) Questions préliminaires : Figure 2
a) Pourquoi RG doit être très élevée ? 1)
b) Quel type de montage est réalisé à la
figure 2 ? a) RG doit être très grande pour empêcher la
c) Citer les autres types de montage possibles circulation du courant entre G et la masse,
d) Est – il possible dans ce montage d'obtenir pendant la polarisation.
une amplification en courant ? b) Le montage réalisé est une polarisation
e) Comment appelle-t-on les condensateurs automatique.
C1 et C2 ? Quel est leur rôle dans le montage?
c) Autres montages possibles :
2) On veut que le point de polarisation
- Polarisation de grille ou polarisation par la
corresponde à VGS = - 4V et VDS = 15V, pour
source ;
VDD = 30V
- Polarisation par diviseur de tension.
a) Donner le schéma équivalent du montage
en régime de polarisation. d) Dans ce montage, il n’est pas possible
b) Calculer RS et RD. d’obtenir une amplification en courant car le
courant d’entrée (IG) est nul. On ne peut avoir
3) Déterminer les valeurs normalisées de RS et qu’une amplification en tension.
RD dans la série des résistances suivantes : 100 ;
e) Condensateurs :
120 ; 150 ; 180 ; 220 ; 270 ; 330 ; 390 ; 470 ; 560
; 680 ; 820 ; 1000 ; 1200 ; 1500 … - C1 : Condensateur de couplage : Son rôle est de
coupler la charge Rc en régime dynamique
~ 95 ~
- C2 : Condensateur de découplage : Son rôle est On a vu que :
de découpler la résistance RS en régime 𝑉𝐺𝑆
VGS + RS ID = 0 ID = -
dynamique. 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 2
2) Point de fonctionnement : Or ID = 30 ( 1 + ) (mA).
10
VGS = - 4V ; VDS = 15V 𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆
D’où 30 ( 1 + ) x 10 -3
= - .
10 𝑅𝑆
a) Schéma équivalent du montage en régime de 𝑉𝐺𝑆 2 𝑉
polarisation : Ou encore 30 ( 1 + 10 ) x 10-3 = - 𝑅𝐺𝑆 x 103.
𝑆
2 1 1000
30 (1 + 10 VGS + 100 VGS2 ) + VGS = 0
390
2
30 + 6VGS + 0,3𝑉𝐺𝑆 + 2,56VGS = 0
ID
2
RD 0,3𝑉𝐺𝑆 + 8,56VGS + 30 = 0
C’est une équation du second degré. Sa
D
G
résolution paees par le calcul du déterminant.
VDD
∆ = b2 – 4ac = (8,56)2 – 4 x 0,3 x 30 = 37,27
VGS S
RG
− 𝑏− √∆ − 8,56−6,1
Rs VGS1 = = = - 24,43V
2𝑎 2 𝑥 0,3
IS
− 𝑏 + √∆ − 8,56 + 6,1
M VGS2 = = = - 4,1V
2𝑎 2 𝑥 0,3
b) Calcul de Rs :
𝑉𝐺𝑆 2 - Pour VGS = - 24,43V, on a :
Pour 5V < VDS < 25V,on a : ID = 30(1 + ) mA
10 𝑉𝐺𝑆 − 24,43
−4 2 ID = - = − = 62,64mA
ID = 30(1 + ) = 10,8mA 𝑅𝑆 390
10
VDS = VDD – (RD + RS) ID
VGM = VGS + VSM RG IGM = VGS + VSM
= 30 – (1200 + 390) x 62,64 x 10-3 = - 69,59V
Or VSM = RS ID et IGM = 0
- Pour VGS = - 4,1V, on a :
VGS + RS ID = 0
𝑉𝐺𝑆 − 4,1
𝑉𝐺𝑆 −4 ID = - = − = 10,51mA
RS = - = − = 370,37Ω 𝑅𝑆 390
𝐼𝐷 10,8 𝑥 10−3
VDS = VDD – (RD + RS) ID
Calcul de RD :
= 30 – (1200 + 390) x 10,51 x 10-3 = 13,28V
On retiendra les valeurs de VGS et ID pour
VDD – RD ID – VDS – RS ID = 0 lesquelles VDS > 0. D’où les valeurs exactes
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷 suivantes :
RD =
𝐼𝐷 VGS = - 4,1V ; ID = 10,51mA et VDS = 13,28V
30 − 15 − 370,37 𝑥 10,8 𝑥 10−3 𝑑𝑖
5) gm = (𝑑𝑉 𝐷 )VDS .Calcul de gm :
RD = = 1018,51Ω
10,8 𝑥 10−3 𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 2
3) Valeurs normalisées : ID = 30 ( 1 + ) x 10-3
10
Rs = 390Ω ; RD = 1200Ω. 𝑑𝑖
Ainsi gm = 𝑑𝑉 𝐷 = 2 x 30 x 0,1 (1 +
𝑉𝐺𝑆
) x 10-3.
𝐺𝑆 10
4) Valeurs exactes de VGS, ID et VDS :
((ax + b)2)’ = 2 x a x (ax + b)
~ 96 ~
− 4,1 a) Calculer le courant IDO et la tension VDSO
gm = 2 x 30 x 0,1 (1 + ) x 10-3 = 3,55mS
10
correspondant au point de polarisation ;
6) Circuit équivalent du montage en régime b) Donner l’équation de la droite de charge ;
dynamique : c) Tracer cette droite et placer le point de repos.
i1 G VGS S ID i2 II – Etude en régime dynamique
~ VGS Ve RG ρ RD
gmVGS RC régime de petits signaux ;
VS 2) Calculer l’amplification en tension ;
D D 3) Calculer l’impédance d’entrée et l’impédance
de sortie.
𝑉𝑆 𝑉
Av = =𝑉𝑠
𝑉𝑒 𝐺𝑆 Solution :
Vs = - gm VGS (𝜌//RD)
𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝜌 // 𝑅𝐷 )
Av = - = - gm (𝜌//RD) RD
𝑉𝐺𝑆 C2
2000000 𝑥 1200 C1
Av = - 3,55 x 10-3 x = - 4,23
200000+1200
VDD
Résistance de sortie : Rg VS
RG
200000 𝑥 1200 eg RS CS
RS = 𝜌//RD = = 1192,84Ω ~
200000 + 1200
Exercice 5:
1) Schéma équivalent du montage en régime de
On considère le montage amplificateur de la polarisation :
figure suivante :
RD RD (2)
C2
C1 IG
VDD VDD
Rg VS VGSO
RG
RG
(1)
RS
eg RS CS
~
RG = 1MΩ ; RS = 2KΩ ; RD = 3KΩ ; 2) a) Calcul de IDO :

VDD = 20V ; rDS = 0,5MΩ ; gm = 5mA/S (1) : RG IG – VGSO – RS IS = 0
I – Etude en régime statique Or IG = 0 et IS = IDO
1) Donner le schéma équivalent du montage en 𝑉𝐺𝑆𝑂 − 4,1
IDO = = = 2,05mA
régime de polarisation ; 𝑅𝑆 2000
2) Le point de repos est choisi tel que Calcul de VDSO :

VGSO = - 4,1V.
(2) : VDD – RD IDO – VDSO – RS IDO = 0
~ 97 ~
VDSO = VDD – (RD + RS) IDO 0,5 𝑥 106 𝑥 3 𝑥 103
Zs = rDS // RD =
0,5 𝑥 106 + 3 𝑥 103
VDS0 = 20 – (2 + 3) x 103 x 2,05 x 10-3
Zs = 2982,1Ω
VDSO = 9,75V
Exercice 6 :
b) Droite de charge :
VDD – RD ID – VDS – RS ID = 0 Soit le montage suivant :
ID =
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
=
20 − 𝑉𝐷𝑆 On donne : RG = 1,5MΩ ; RD = 5KΩ ;
𝑅𝑆 + 𝑅𝑆 3+ 2
VGG = 2V ; gm = 4mA/V ; rDS très grande.
ID = 4 – 0,2VDS (mA)
ID(mA) RD
C2
5 C1
ID VDS
4 0 20 VDD
Rg VS
3 4 0 RG
2 Q(9,75V ; 2,05mA) ~ eg VGG
0 VDS(V)
5 10 15 20 25 30
I – Etude en régime statique
régime statique ;
1) Schéma équivalent du montage en régime de 2) Donner l’équation de la droite d’attaque ;
petits signaux : 3) Donner l’équation de la droite de charge ;
4) Tracer la droite de charge et la droite
i1 G D I2
d’attaque dans un même graphique.
Rg II – Etude en régime dynamique
VGS RG gmVGS rDS RD VS
~ eg 1) Donner le schéma équivalent du montage en
régime de petits signaux ;
S S
2) Calculer l’amplification en tension ;
2) Amplification en tension : 3) Calculer l’impédance d’entrée et l’impédance
de sortie.
𝑉𝑆 − 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑟𝐷𝑆 // 𝑅𝐷 )
Av = =
𝑉𝑒 𝑉𝐺𝑆 Solution :
Av = - gm (rDS // RD) = 1) Schéma équivalent du montage en régime
0,5 𝑥 106 𝑥 3 𝑥 103 statique :
= - 5 x 10-3 x = - 14,9
0,5 𝑥 106 + 3 𝑥 103
3) Impédance d’entrée : RD (2)
Ze = RG = 1MΩ IG
Impédance de sortie : VDD
VGS
RG
F3/ ………………………….……………………….Par
(1) ZAMBOU
~ 98 ~
Zs = RD = 5KΩ
2) Droite d’attaque :
(1) : VGG + VGS + RG IG = 0 Or IG = 0
D’où VGS = - VGG = - 2V
3) Droite de charge :
(2) : VDD – RD ID – VDS = 0
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 15 − 𝑉𝐷𝑆
ID = =
𝑅𝐷 5
ID = 3 – 0,2 VDS (mA)
4) Graphique :
ID(mA)
25
20
15
10
5
VGS(V) VDS(V)
-3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
1) Schéma équivalent du montage en régime de

petits signaux :
i1 G D I2
Rg
VGS RG gmVGS RD VS
~ eg
S S
𝑉𝑆 − 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷
Av = = = - gm RD
𝑉𝑒 𝑉𝐺𝑆
Av = - 4 x 10-3 x 5 x 103 = - 20
3) Impédance d’entrée :
Ze = RG = 1,5MΩ
Impédance de sortie :
~ 99 ~
Chapitre 8 : L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
I – AMLIFICATEUR DIFFERENTIEL sont commercialisés sous forme de circuits

intégrés.
1) Définition
L'amplificateur opérationnel le plus courant est
On appelle amplificateur différentiel un le 741. Son boitier se présente sous la forme
composant électronique comportant deux entrées suivant :
et une sortie. Il a pour rôle de faire la différence
8 7 6 5 8 7 6 5
entre deux tensions appliquées à ses entrées, et
d'amplifier cette différence. --
LM 741
+
2) Symbole
+Vcc +Vcc 3 1 2 3 4
1 2 4
V- -- 1 : Non connecté ; 5 : Off set nul ;

V-
-- ∆ ∞
S ou S
2 : Entrée inverseuse ; 6 : Sortie ;
V+
+ 3 : Entrée non inverseuse ; 7 : +Vcc
V+ +
4 : - Vcc ; 8 : Non connecté
- Vcc - Vcc
N.B: Off set : compensation de la tension de
3) Amplificateur différentiel réel décalage.
Pour un amplificateur différentiel réel, on a la 2) Définition

relation suivante : L'AOP est un circuit intégré comportant de
𝑉 ++ 𝑉 − nombreux transistors, renfermés dans un boitier
S = AD ( V+ - V-) + AC ( ) relié à l'extérieur par l'intermédiaire des broches,
2
AD = Amplification différentielle ; qui sont des bornes de connexion.

AC = Amplification commune ; 3) Polarisation d'un AOP
V+ = Entrée non inverseuse ;
Pour que le circuit puisse fonctionner, les
V- = Entrée inverseuse
transistors doivent être polarisés. Pour cela, on
𝐴𝐷 leur applique deux tensions continus symétriques
Le rapport = RMMC
𝐴𝐶
(+Vcc et –Vcc)
4) Amplificateur différentiel réel
Dans le cas d'un amplificateur réel, on a AC = 0 --

+Vcc
V- S
D'où S = AD ( V+ - V- ) et RMMC = ∞
+ Vs
- Vcc
II – AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL V+
Introduction
L'amplificateur opérationnel est le nom
commercial de l'amplificateur différentiel. Ils
4) Caractéristiques d'un AOP
F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
~ 100 ~
Le schéma équivalent interne de l'AOP est le
suivant :
1) Fonctionnement en mode linéaire
Vs
V- M1
i- +Vsat
Zs S
ε Ze
i+ AD0ε
V+
-ε
+ε Vd
0
- Ze = Impédance d'entrée ;
- Zs = Impédance de sortie ;
- AD0 = Gain en tension continue ou - Vsat
M2
amplification en boucle ouverte.
- ℇ = V+ - V-
Saturé Linéaire Saturé
Un AOP réel est caractérisé par :
o Une amplification, différentielle très Si le point de fonctionnement est situé sur le
élevée (AD = 5 x104 à 2 x 105) ; segment [M1 ; M2] , alors Vs est proportionnelle
o Un RMMC élevé (de l'ordre de 3 x103 à à Vd. On a Vs = AD0 Vd
105) ;
o Une impédance d'entrée très élevée La tension de sortie Vs varie de – Vsat à +Vsat
( Ze = 1MΩ à plusieurs dizaines de MΩ) et la tension d'entrée Vd doit être comprise entre
o Un courant d'entrée très faible (quelques - ℇ et + ℇ
dizaines de mA) ; 𝑉𝑠𝑎𝑡
Vsat = AD ℇ ℇ= 𝐴𝐷
o Un courant de sortie faible.
ℇ est une tension qui est toujours très faible, de
5) Tension d'off set ou de décalage l'ordre de 1mV
Lorsqu'on alimente les deux entrées d'un Aop au Remarque : Pour faire fonctionner un Aop en
même potentiel, on devrait avoir une tension de régime linéaire, il suffit d'avoir une contre –
sortie nulle. Ce n'est cependant pas le cas. Pour réaction négative, c'est – à – dire une liaison de
ramener la sortie à zéro, on applique une certaine l'entée inverseuse à la sortie.
tension à l'entrée +Vcc ou à l'entrée – Vcc. Cette
2) Fonctionnement en régime de saturation
tension est appelée tension d'off set ou tension de
décalage. Elle joue un rôle de compensation et sa Lorsque la tension d'entrée Vd n'est pas dans
valeur est de quelques volts. l'intervalle [ℇ ; ℇ] , on dit que l'Aop fonctionne
en régime de saturation.
III – FONCTIONNEMENT D'UN AOP
Si Vd < - ℇ alors Vs = - Vsat
Un Aop peut avoir deux modes de
fonctionnement : le mode linéaire et le mode Si Vd > + ℇ alors Vs = +Vsat
saturé.
~ 101 ~
ℇ étant une tension très faible, un Aop se sature Conséquences :
très facilement. 𝑉𝑠
Vs = AD (V+ - V-) → V+ - V- = =0
𝐴𝐷
Remarque : Pour faire fonctionner un Aop en
régime de saturation, il faut, soit lui appliquer car AD → ∞. D'où V+ = V-
une contre – réaction positive, soit n'appliquer Par ailleurs, Ze → ∞ d'où
aucune contre – réaction. 𝑉− 𝑉+
Une contre – réaction positive est une liaison de = i- = 0 et = i+ = 0
𝑍𝑒 𝑍𝑒
la borne non inverseuse à la sortie.
Ainsi, pour un Aop idéal, V+ = V- et i+ = i- = 0
3) Amplificateur opérationnel idéal
IV – APPLICATION DES AOP EN REGIME
a) Définition
LINEAIRE
Pour étudier plus facilement des circuits Dans ce paragraphe, tous les Aop seront
comportant des Aop, on a imaginé un composant considérés comme étant idéals
idéal appelé Aop parfait. Ce composant fictif
fonctionne de manière idéale. Il permet de 1) Montage suiveur
déterminer approximativement et rapidement les
performances d'un montage.
V-
--
b) Performances de l'Aop idéal i-
Un Aop idéal comporte les caractéristiques V+ +

suivantes : i+
Vs
Ve
- Une amplification commune nulle (AC = 0)
- Une amplification différentielle infinie
(AD → ∞)
- Une impédance de sortie nulle (Zs = 0) On a les relations suivantes :
- Une impédance d'entrée infinie (Ze → ∞) V+ = V- V+ = Ve
- Les deux bornes d'entrée sont toujours au I+ = i- = 0 V- = Vs
même potentiel ( V+ = V-) 𝑉𝑠
- Vd = 0 →ℇ =0 Vs = Ve Av = =1
𝑉𝑒
Ainsi, sa caractéristique est la suivante : Ce montage est utilisé comme adaptateur

d'impédance.
Vs
2) Montage inverseur
+Vsat
i2 R2
i1 R1 V-
--
A i-
Vd
0
V+ +
Ve i+
Vs
- Vsat
~ 102 ~
𝑉𝑒 𝑉𝑠
+
- 𝑅1 𝑅2
V = VA = 1 1
+
𝑅1 𝑅2 V+ = 0
𝑉1 𝑉2 𝑉3 𝑉𝑠
V- = V+ or V+ = 0 V- = 0 + + +
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4
𝑉𝑒 𝑉𝑠 𝑉𝑠 𝑉𝑒 V- = 1 1 1 1
D'où + =0 = - 𝑅1 𝑅1
+ 𝑅2
+ 𝑅3
+ 𝑅4
𝑅1 𝑅2 𝑅2
𝑅2 𝑉𝑠 𝑅2 𝑉1 𝑉2 𝑉3 𝑉𝑠
Vs = - Ve Av = = - V+ = V- = 0 + + + =0
𝑅1 𝑉𝑒 𝑅1 𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4
𝑉𝑠 𝑉1 𝑉2 𝑉3
=-( + + )
Ve et Vs sont de signe contraire, d'où le nom de 𝑅4 𝑅1 𝑅2 𝑅3
montage inverseur. 𝑉1 𝑉2 𝑉3
Vs = - R4 ( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3
3) Montage non inverseur
Si R1 = R2 = R3 = R4, alors Vs = - (V1 + V2 +V3)
V+
+
i+
Ce montage est appelé sommateur inverseur par
V-
--
ce qu'il réalise la somme des tensions appliquées
Ve i- à l'entrée, et inverse cette somme.
i1 i2 R2
Vs 5) Montage soustracteur
V R1
R2
V1
R1 V- --
-
i =0 i1 = i2 ; V+ = Ve A
𝑅1
V- = V = 𝑉𝑠 R3 B V+
+
𝑅1+𝑅2
𝑅1 V2 R4 Vs
V+ = V- Ve = 𝑉𝑠
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 +𝑅2
Vs = Ve
𝑅1
𝑉𝑠 𝑅1 + 𝑅2
Av = =
𝑉𝑒 𝑅1
𝑉1 𝑉𝑠 𝑅2 𝑉1 + 𝑅1 𝑉𝑠
Ve et Vs sont de même signe, d'où le nom de +
𝑅1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
montage non inverseur.
VA = V- = 1 1 = 𝑅1 + 𝑅2 =
𝑅1
+ 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
4) Montage sommateur 𝑉1 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1 𝑉1 𝑅2 𝑉𝑠 𝑅1
= = +
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
R3 R4
V3 𝑉2 𝑅4
R2 VB = V+ = Or V+ = V-
-- 𝑅3 + 𝑅4
R1 V-
V2 𝑉2 𝑅4
𝑉1 𝑅2 𝑉𝑠 𝑅1
D'où + =
V1 V+
+
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4
Vs 𝑉𝑠 𝑅1 𝑉2 𝑅4 𝑉1 𝑅2
= -𝑅
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4 1 + 𝑅2
~ 103 ~
𝑉2 𝑅4 𝑉1 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 3) Si R1 = R2 = R3 , exprimer Vs en fonction de
Vs = ( -𝑅 )( )
𝑅3 + 𝑅4 1 + 𝑅2 𝑅1 V1 et V2
𝑉2 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
4) Calculer Vs si V1 = 3V et V2 = 4V
= 𝑥 V2 - V1
𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 𝑅1
Solution :
𝑅4 (𝑅1 + 𝑅2 )/𝑅4 𝑅2
= 𝑅3 + 𝑅 V2 - V1 1) Comparaison des potentiels M, E+ et E- :
4) 𝑅1
𝑅1 ( L'Aop étant idéal, on a VE+ = VE- = 0
𝑅4
D'où VE+ = VE- = VM = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
= R3 V2 - V1 2) Expression de Vs en fonction de V1, V2, R1,
𝑅1 (1+ R4 ) 𝑅1
R2 et R3.
𝑅 𝑉1 𝑉2 𝑉𝑠
R
2 ( 1+ 1 )
+ +
R2 𝑅2 𝑅1 𝑅2 𝑅3
= VE-= 1 1 1 Or VE- = 0
R3 V2 -
𝑅1
V1 + +
𝑅1 (1+ R4 ) 𝑅1 𝑅2 𝑅3
R 𝑉1 𝑉2 𝑉𝑠
𝑅2 1+ 1 D'où + + =0
R2 𝑅1 𝑅2 𝑅3
Vs = R V2 – V1
𝑅1 1+ 3 𝑉𝑆 𝑉1 𝑉2
R4
= −( + )
R1 R3 𝑅2 𝑅3 𝑅1 𝑅2
- Si = alors Vs = (V2 – V1 )
R2 R4 𝑅1 𝑉1 𝑉2
Vs = - R3 ( + )
𝑅1 𝑅2
- Si R1 = R2 = R3 = R4 alors, Vs = V2 – V1.
Ce montage permet de faire la différence entre 3) Si R1 = R2 = R3 alors Vs = - ( V1 + V2 )
les tensions V1 et V2, et d'amplifier cette 4) Si V1 = 3V et V2 = 4V alors :
différence. C'est donc un amplificateur
Vs = - (3 + 4) d'où Vs = – 7V
soustracteur.
V – FONCTIONNEMENT DE L'AOP EN
Exercice :
REGIME DE SATURATION
On donne le montage suivant, dans lequel l'Aop
est considéré comme étant idéal : En régime de saturation, la tension différentielle
Vd = V+ - V- n'est plus nulle.
I2 R2 R3 i3
1) Montage comparateur.
i1 R1
V2 --
E- Un comparateur est un circuit qui effectue la
V1 comparaison entre deux tensions d'entrée et qui
E+ fournit en sortie le basculement haut ou bas,
+
Vs
R4 selon le signe de la différence V+ - V- entre les
M entrées. La sortie varie alors entre +Vsat et - Vsat
Application : Une tension v est comparée à une
tension constante Vref, qui est une tension de
référence.
1) Après observation du schéma, comparer les
potentiels M, E+ et E- +Vcc
2) Exprimer Vs en fonction de V1, V2, R1, R2 et --

R3. Vd S
+
v ZAMBOU
- Vcc
Vs
~ 104 ~ Vref
V- = V ; V+ = Vref ; Vd = V+ - V- Exemple de montage :
- Si Vd < 0 alors Vs = - Vsat ;
- Si Vd > 0 alors Vs = + Vsat. --
Caractéristique de transfert : Vs = f(v) Ve

+
Vs (V)
R R Vs
+Vsat
Vref
V (V)
0 Vref
Caractéristique de transfert :
-Vsat
Vs (V)
Chronogrammes :
Ve (V)
v
Ve B2 VeB1
+Vmax
Vref
0 t
T/2 T
- Vmax Exercice 1 :
R1 R4
Vs
+Vsat
V1 R2
--
V2 R3
t
+
V1
- Vsat Vs
2) Trigger de Schmitt 1) Donner l'expression littérale de Vs en fonction

Un trigger est un comparateur à hystérésis, c'est de V1, V2, V3, R1, R2, R3 et R4.
– à – dire à deux seuils de basculement. 2) Calculer Vs si R1 = 10KΩ ; R2 = 20KΩ ;
~ 105 ~
Ve Trigger Vs
R3 = 30KΩ ; R4 = 100kΩ, et V1 = V2 = V3 = 1V. La fonction réalisée par le montage est uns
somme inversée ( c'est un sommateur inverseur).
3) Etablir une relation entre R1, R2, R3 et R4 pour
que Vs = - (V1 + V2 + V3). Quelle serait alors la Exercice 2 :
fonction réalisée par le montage ?
On considère le montage suivant, dans lequel
l'Aop est supposé parfait.
Solution : R1 VA R2
R1 R4 --
V1
V1 R2 R3 VB
A +
-- Vs
R3 V2 R4
V2
+
V1
Vs
1) Exprimer VB en fonction de V2, R3 et R4

2) Exprimer VA en fonction de VS, V1, R1 et R2
1) Expression littérale de Vs en fonction de V1, 𝑅2 𝑅4
V2, V3, R1, R2, R3 et R4 : 3) On réalise la condition k = =
𝑅1 𝑅3
Calculons VA en utilisant le théorème de Démontrer que l'on peur écrire : Vs = k (V2 – V1)
Millman :
4) Quel nom peut-on alors donner à ce montage?
𝑅1
+ 𝑅2
+ 𝑅3
+ 𝑅4
VA = 1 1 1 1 Solution :
𝑅1
+ 𝑅2
+ 𝑅3
+ 𝑅4 R1 VA R2
Or VA = V+ = V- = 0 D'où --
V1
+ + + =0 R3 VB
𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅4 +
Vs
V2 R4
𝑉𝑠 𝑉1 𝑉2 𝑉3
=-( + + )
𝑅4 𝑅1 𝑅2 𝑅3
𝑉1 𝑉2 𝑉3
Vs = - R4 ( + + )
𝑅1 𝑅2 𝑅3
2) Calcul de Vs si R1 = 10KΩ ; R2 = 20KΩ ; 1) Expression de VB en fonction de V2, R3 et R4

R3 = 30KΩ ; R4 = 100kΩ, et V1 = V2 = V3 = 1V
𝑅4
1 1 1 VB = V2
𝑅3 + 𝑅4
Vs = - 100 ( + + ) = - 18,33V
10 20 30
2) Expression de VA en fonction de VS, V1, R1 et
3) Relation entre R1, R2, R3 et R4 pour que Vs = - R2
(V1 + V2 + V3). 𝑉1 𝑉𝑆
+
𝑅1 𝑅2 𝑅2 𝑉1 + 𝑅1 𝑉𝑆 𝑅1 𝑅2
Pour que Vs = - (V1 + V2 + V3), il faut VA = 1 1 = x
+ 𝑅1 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
R1 = R2 = R3 = R4 𝑅1 𝑅2
~ 106 ~
𝑅2 𝑉1 + 𝑅1 𝑉𝑆 𝑅2 𝑉1 𝑅1 𝑉𝑆
= = +
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑅1
VA = V1 + Vs
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑅4
3) On réalise la condition k = =
𝑅1 𝑅3
Démontrons qu'on peur écrire : Vs = k (V2 – V1):

En régime linéaire, on a VA = VB. D'où :
𝑅4 𝑅2 𝑅1
V2 = V1 + Vs
𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅4 𝑅2
Ainsi, Vs = V2 - V1
𝑅1 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2
𝑅4 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
Vs = ( V2 - V1 ) ( )
𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
𝑅4 𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
=[ ][ ]V2 - V1
𝑅3 + 𝑅4 𝑅1 𝑅1
𝑅4 (𝑅1 + 𝑅2 )/𝑅4 𝑅2
= V2 - V1
𝑅1 (𝑅3 + 𝑅4 )/𝑅4 𝑅1
𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
= 𝑅 V2 - V1
𝑅1 (1 + 3 ) 𝑅1
𝑅4
𝑅
𝑅2 (1 + 1 ) 𝑅2
𝑅2
= 𝑅 V2 - V1
𝑅1 (1 + 3 ) 𝑅1
𝑅4
𝑅1
𝑅2 1+ 𝑅2
𝑅2
Vs = 𝑅 V2 - V1
𝑅1 1+ 3 𝑅1
𝑅4
1 + 𝑘′ 1
= k 1+ V2 - k V1 avec k' = 𝑘
𝑘′
D'où Vs = k V2 - k V1 = k ( V2 - V1 )
4) Ce montage est un soustracteur.
~ 107 ~
Chapitre 9 : LE THYRISTOR – LE TRIAC – LE DIAC
I – CONSTITUTION ET FONCTIONNEMENT
1) Constitution
Le thyristor est un composant électronique à
 Le modèle à deux transistors
base de semi – conducteur. Il comporte quatre
couches alternativement de type P et de type N, A
A
formant trois jonctions PN
P
N N N
N
A (Anode)
G P P
N P P
G
N
P1
K
K
N1
G P2
(Gachette)
N2  Le modèle à une diode et un transistor
K (Kathode) A A
P
Le thyristor peut ainsi considéré comme étant
P
l'équivalent de trois diodes dont l'une (celle du N
N
P
milieu) est en opposition avec les deux autres. G
G P
N
2) Symbole N
A
K K
G 4) Principe de fonctionnement
K
Le thyristor est un dispositif unidirectionnel
3) Représentation schématique bistable. Pour bien analyser son fonctionnement,
on peut distinguer trois cas de figures :
Il existe trois représentations ou modèles :
a) Polarisation inverse(cathode positive par
 Le modèle à trois diodes
rapport à l'anode)
A A A
P
N
P1
G P G N1
N
G P2
N2 ZAMBOU
K K
~ 108 ~
K
Une tension directe est appliquée au
thyristor mais, la gâchette n'est pas commandée.
Tension Le thyristor reste bloqué et sa résistance interne
inverse 0
est très élevée. Le courant direct est
Etat bloqué en pratiquement nul.
sens inverse
Si on augmente la tension jusqu'à une
valeur critique appelée tension de retournement,
le thyristor devient passant. Dans ce cas, la
jonction de commande n'est pas détruite par
Courant claquage. Elle se reconstitue lorsque le thyristor
inverse
se désamorce.
c) Polarisation directe avec signal de gâchette
Lorsqu'une tension positive est appliquée A
à la cathode, les jonctions d'anode et de cathode
IA
sont polarisées en inverse. Le thyristor se
comporte alors comme une diode bloqué, et ne
IB1
laisse passer qu'un très faible courant de fuite. Si T1
IC2
la tension augmente au delà d'une certaine
valeur, le courant de fuite augmente IG IB2
G T2
brusquement, provoquant ainsi la destruction du
thyristor. Ik
b) Polarisation directe
K
(Anode positive par rapport à la cathode)
A Une tension directe est appliquée au
thyristor et une impulsion positive de courant est
envoyée dans la gâchette. Le courant de gâchette
P1
(IG) correspond au courant de T2. Il est amplifié
N1 par effet transistor, de sorte que :
G P2 IC2 = β2 IB2 = β IG
Le courant de collecteur de T2 sert de
N2
courant de base à T1, qui est amplifié à son tour,
de sorte que : IC1 = β1 IC2 = β1 β2 IG. Or β1 β2 ≫ 1
K Le thyristor devient conducteur et sa résistance
interne est pratiquement nulle.
I
N.B :

Etat passant
~ 109 ~
IH
Etat bloqué en
sens direct
- Si l'impulsion de commande disparait, le claquage par avalanche, d'où la destruction
thyristor reste à l'état passant, à condition que le du thyristor.
courant principal (IT) reste supérieur à une valeur o Lorsque le thyristor est polarisé en direct
appelée courant d'accrochage (IL) ; sans aucun courant de gâchette, (quadrant I),
- Lorsque le thyristor est amorcé, la gâchette n'a il reste bloqué. Si la tension directe atteint la
plus d'effet, et le courant principal tendrait vers valeur critique de retournement VB0, le
l'infini, s'il n'est pas limité par une résistance de thyristor s'amorce. Si le courant d'anode
charge ; devient inférieur au courant de maintient IH,
- Le thyristor en polarisation direct présente deux pendant environ 10µs, le thyristor se
états stables : désamorce.
* A l'état bloqué, il est équivalent à un
interrupteur ouvert ; 2) Caractéristique dynamique
* A l'état passant, il est équivalent à un a) Temps d'amorçage
interrupteur fermé. C'est l'intervalle de temps entre l'instant
- Le passage de l'état bloqué à l'état passant d'application du signal de gâchette et l'instant où
s'appelle l'amorçage, et le passage de l'état le thyristor devient passant. On note : tgt
passant à l'état bloqué s'appelle le désamorçage
ou le blocage. IT (A)
tgt
II - CARACTERITIQUES D'UN
THYRISTOR
Le thyristor peut avoir trois caractéristiques tgt = t2 – t1
principales :
 La caractéristique statique d'anode ; t1 t2 t (µS)
 La caractéristique dynamique ;
 La caractéristique de gâchette. b) Temps de désamorçage ou de blocage
C'est l'intervalle de temps qui s'écoule entre
1) La caractéristique statique d'anode l'instant où le courant principal IT est supprimé et
C'est la caractéristique courant – tension, en l'instant où le thyristor est bloqué.
l'absence d'un courant de gâchette. IT (A)
tq
Courant
direct I
II Etat
passant tq = t2 – t1
I0 t (µS)
Tension VR 0 Tension t1 t2
inverse VS0 direct
Tension de
c) Caractéristique de gâchette
claquage Etat bloqué
inverse
III
IV
Lorsque le thyristor est polarisé en direct, une
impulsion de gâchette provoque son amorçage.
Cette impulsion doit être suffisante en tension et

en courant pour provoquer l'amorçage du
o Lorsque le thyristor est en polarisation
thyristor. Si le courant de gâchette est nul ( IB0 =
inverse (quadrant III), il reste bloqué. Une
0), alors la tension VAK doit atteindre la tension
tension inverse élevée (VR) provoque le
~ 110 ~
de retournement. Ainsi, le thyristor se comporte
comme une diode.
Remarque :
IT
Etant donné que le TRIAC fonctionne dans les
Ig3 > Ig2 > Ig1 > Ig0
deux sens, ses bornes principales ne portent plus
le nom d'anode et cathode, mais plutôt borne
Ig2 Ig1 Ig0
Ig3 directe ou positive pour B2 et borne inverse ou
IH négative pour B1. Elles peuvent aussi être notées
A1 et A2.
0 V0 4) Principe de fonctionnement
Vg2 Vg1 Vg0
Le TRIAC peut avoir quatre modes d'amorçage
III – LE TRIAC  1er mode
1) Généralités La borne B2 est positive par rapport à la borne B1

et une impulsion positive est appliquée à la
Le thyristor ne fonctionne en courant alternatif gâchette. Dans ce cas, le TRIAC s'amorce
que durant une seule alternance par période. En comme un thyristor normal.
plus, il est unidirectionnel. Pour palier à ces
inconvénients, on utilise un montage tête – bèche  2ème mode
de deux thyristors qui peut laisser passer ou La borne B2 est toujours positive par rapport à la
bloquer le courant dans les deux sens. Ce borne B1, mais l'impulsion appliquée à la
montage constitue un TRIAC. gâchette est négative. Le TRIAC ne peut
2) Définition s'amorcer que si le courant de gâchette est
maintenu pendant un certain temps.
Un TRIAC est un dispositif à semi – conducteur
comportant trois électrodes. Il est formé de deux  3ème mode
thyristors. Son amorçage peut se faire par une La borne B1 est positive par rapport à la borne B2
impulsion positive ou négative de courant. et une impulsion négative est appliquée à la
Le terme TRIAC est formé de deux mots qui gâchette. Dans ce cas, le TRIAC s'amorce
sont : Triode (trois électrodes) et AC (alternatif comme un thyristor normal.
courent).  4ème mode
3) Description et symbole La borne B1 est positive par rapport à la borne B2
B2 B2 et une impulsion positive est appliquée à la
gâchette. Dans ce cas, le TRIAC s'amorce mais
N1 très lentement.
P1
N1 I
Etat passant
P2
Ig = 0
N2 N2 G
Etat bloqué
G B1 B1 - VB0 V
Cours de circuitsB2 analogiques
a) Constitution 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
b) Schéma équivalent VB0
Etat bloqué
~ 111 ~
Etat passant
G c) symbole
B1
IV – LE DIAC
1) Définition
Un DIAC (Diode Alternative Courent Switch)
est un dispositif bidirectionnel comprenant trois
couches (PNP) et deux électrodes de sortie. On
peut le considérer comme un TRIAC sans
gâchette. Il se comporte comme un commutateur
dont l'état (Bloqué ou passant) dépend de la
tension appliquée à ses bornes :
- En dessous de la tension de retournement
(VB0), le DIAC reste bloqué ;
- A une tension supérieure à VB0, le DIAC
devient passant
2) Description
A A
P
A K
N
ou
K
P
K
a) Structure b) Symbole
3) Caractéristiques courant – tension d'un

DIAC
iA (A)
Zone
derésistanc
e négative
IB0+
VB0-
VAK (V)
VB0+
IB0-
~ 112 ~
LES ANCIENS PROBATOIRES F3
AVEC CORRIGES
~ 113 ~
CIRCUITS ELECTRIQUES, INDUSTRIELS ET NUMERIQUES
SESSION DE 2008
I – TECHNOLOGIE
1.1 – Citer 03 modes de polarisation d'un transistor bipolaire.
1.2 – Dans un circuit amplificateur à transistor, préciser le rôle du condensateur de couplage.
1.3 – On identifie les bornes d'un transistor bipolaire par les chiffres 1 ; 2 et 3. Les tests réalisés
dans ce transistor à l'aide d'un multimètre ont permis de relever que les jonctions 1 3 et
2 3 sont passantes dans le sens des flèches et bloquées dans le sens contraire.
a) Donner le type de ce transistor et le représenter par son modèle équivalent à diodes.
b) Identifier la borne représentant la base de ce transistor.
1.4 – Le thyristor est un composant fréquemment utilisé en électronique :
a) Dessiner son symbole ;
b) Décrire brièvement son principe de fonctionnement ;
c) Donner son domaine d'application.
1.5 – En terme de principe de fonctionnement, quelle différence fondamentale y a – t – il entre :
a) La diode à jonction et le Diac ?
b) Le thyristor et le Triac ?
1.6 – Définir le sigle "GRAFCET", et décrire les règles d'évolution de celui – ci.
1.7 – Déterminer le nombre de bascules nécessaires pour compter les 60 secondes de l'aiguille
d'une montre.
1.8 – Exprimer le nombre 18 en numération binaire, et en déduire le nombre de bascules d'un
registre à décalage capable de le mémoriser.
II – CIRCUITS ANALOGIQUES
2.1 Courant continu
On considère le schéma de la figure1 ci – dessous, où les valeurs des résistances indiquées
sont en ohms :
A 5
10A 8 5 2 15V
B
Figure 1
~ 114 ~
2.1.1 – Dessiner le schéma du modèle équivalent de Norton vue des bornes A et B, et calculer
les éléments du générateur de Norton.
2.1.2 – Calculer le courant IAB et la tension UAB au niveau de la charge.
2.2 – Transistor bipolaire en régime statique

On considère la figure2 ci – dessous représentant un amplificateur à transistor.
Vcc
Rc Vcc = 18V
R1
Vbe = 0,7V
R1 = 10K
B R2 = 5,6K
VEM = 3,5V
E Rc = 100Ω
R2
RE
VEM
Figure2
2.2.1 – Schématiser le modèle de polarisation de Thévenin vue des bornes B et la masse M, et

calculer les éléments EB et RB de ce générateur.
2.2.2 – Calculer IB et en déduire IC et RE ; β = 150.
2.2.3 – Ecrire l'équation de la droite de charge statique.
2.3 – Amplificateur opérationnel

On considère le montage de la figure 3 ci – dessous :
K1 K2 K3
2R 4R 6R
R
--
+
Ve Vs
Figure 3
2.3.1 – Déterminer l'expression de Vs et la valeur du gain Av = Vs/Ve dans chacun des cas
suivants :
a) K1, K2 et K3 ouverts.
b) K1, K2 et K3 fermés.
c) K1 et K3 fermés, K2 ouvert.
~ 115 ~
2.3.2 – Préciser les positions (ouvert ou fermé) de chacun des 03 interrupteurs K 1, K2 et K3
permettant d'avoir un gain de 10 en valeur absolue. Justifier votre réponse.
III – CIRCUITS NUMERIQUES

3.1 – Logique combinatoire
On considère le logigramme donné par la figure 4 ci – dessous :
B
Figure 4
3.1.1 – Déterminer l'expression simplifiée de la fonction logique X = f(A,B), et en déduire la

nature de la fonction logique ainsi réalisée.
3.1.2 – Donner le symbole (norme américaine et française) de la fonction logique représentée
par la figure 4 ci – dessus.
3.1.3 – Compléter le tableau suivant :
A B X
0 0
0 1
1 0
1 1
3.2 – Logique séquentielle

Soit le compteur synchrone représenté par le schéma de la figure 5 ci – dessous :
Q1 Q2 Q3
U1 U2 U3
J Q J Q J Q
"1"
k Q k Q "1" k Q
CLK
Figure 5
~ 116 ~
3.2.1 – Rappeler la table de vérité de la bascule JK.
3.2.2 – Dresser la table des états du compteur ci – dessous et en déduire son modulo.
3.2.3 – Représenter en fonction des impulsions d'horloge les chronogrammes des sorties Q 1,
Q2 et Q3.
CORRECTION
I – TECHNOLOGIE nouvelle impulsion de courant sur sa
gâchette.
1.1 – Trois modes de polarisation d'un
transistor bipolaire : c) Domaine d'application du thyristor :
- Emetteur commun ; - Redressement ;
- Collecteur commun ; - Réglage de tension (ou de puissance).
- Base commune. 1.5 – a) Le Diac conduit en inverse et en
1.2 – Rôle du condensateur de couplage :
directe, alors que la diode à jonction conduit
C'est un condensateur de liaison qui seulement en directe.
bloque la composante continue d'un
signal et ne permet que le passage de la b) Le Triac conduit en inverse et en directe,
composante variable. alors que le thyristor conduit seulement en
1.3 a) C'est un transistor de type PNP directe.
Symbole : 1.6 – Définition du sigle GRAFCET : Graphe
Fonctionnel de Commande Etape
1 2
Transition.
3 Règles d'évolution du Grafcet :

- L'initialisation précise l'étape active au
b) Identification de la base : borne 3
début du fonctionnement ;
1.4 – a) Symbole du thyristor : - Pour franchir une transition, il faut que
toutes les étapes immédiatement
A K
précédentes soient actives et que la
G réceptivité associée à la transition soit
ou
vraie ;
A K
- Le franchissement d'une transition
G entraine simultanément l'activation de
ou toutes les étapes immédiatement
A K suivantes et la désactivation de toutes
les étapes immédiatement précédentes
G
b) Le thyristor est un interrupteur électrique 1.7 – Il faut 6 bascules pour compter jusqu'à
commandé. Une impulsion de courant 60.
suffisant sur sa gâchette le rend passant 1.8 – 18 en numération binaire
avec une tension VAK > 0. Lorsque la
(18)10 = (10010)2 soit 5 bascules.
tension VAK devient négative, il se bloque. Il
ne sera amorcé à nouveau que par une II – CIRCUITS ANALOGIQUES
~ 117 ~
2.1 – Courant continu : EB = Vcc x
𝑅2
= 18 x
5600
= 6,46V
𝑅1 + 𝑅2 5600+10000
2.1.1 – Schéma du modèle équivalent de
Norton vu des bornes A et B : 2.2.2 – Calcul de IB :
A EB = RB IB + VBE + VEM A
𝐸𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸𝑀 6,46−0,7−3,5
IB = =
10A 8 5 2 3A 𝑅𝐵 3590
IN RN
IB = 0,63mA
B Calcul de Ic :
Ic = β IB = 150 x 0,63 = 94,5mAB
Calcul de RE :
𝑉𝐸𝑀 3,5
RE = = = 36,8Ω
𝐼𝑐 + 𝐼𝐵 0,63+94,5
IAB 2.2.3 – Equation de la droite de charge :

A
Vcc = Rc Ic + VCE + VEM Ic =
5 𝑉𝐶𝐶− 𝑉𝐶𝐸− 𝑉𝐸𝑀 18 − 𝑉𝐶𝐸 − 3,5
13A 1,21 = Ic =
𝑅𝐶 100
𝑽𝑪𝑬 + 𝟏𝟒,𝟓
B 𝟏𝟎𝟎
IN = 10 + 3 = 13A IN = 13A ; 2.3 – Amplificateur opérationnel
RN = (8//2//5) = 1,21 RN = 1,21Ω K1 K2 K3
2.1.2 – Calcul du courant IAB et de la tension Ie R

--
2R 4R 6R Is
uAB : +
Ve Vs
13 𝑥 1,21
IAB = = 2,53
5+1,21
2.3.1 – Détermination de Vs et de Av :
uAB = 5 x IAB = 5 x 2,53 = 12,66
En général, on a : ie + is =0, d'où ie = - is
2.2 – Transistor bipolaire en régime 𝑉𝑒 𝑉𝑠
statique Ie = et is =
𝑅 𝑅𝑠
2.2.1 – Modèle de polarisation de Thévenin 𝑉𝑠 𝑅𝑠 𝑖𝑠 𝑅𝑠 𝑖𝑠 𝑅𝑠
Av = = = - = -
vu des bornes B et M : 𝑉𝑒 𝑅 𝑖𝑒 𝑖𝑠 𝑅
Rc a) K1, K2 et K3 ouverts :
Ic 12𝑅
Av = - = - 12
RB Vcc 𝑅
b) K1, K2 et K3 fermés :
VBE
EB
Av = 0
RE
c) K1 et K3 fermés, K2 ouvert :
4𝑅
Av = - = -4
𝑅
𝑅1 𝑥 𝑅2 10 𝑥 5,6
RB = = = 3,59KΩ 2.3.2 – Positions de K1, K2 et K3 pour Av =
𝑅1 + 𝑅2 10+5,6
10 en valeur absolue
~ 118 ~
𝑅𝑠 N° Q3 Q2 Q1
Av = - Rs = Av x R = 10R, d'où K1
𝑅 0 0 0 0
fermé, K2 et K3 ouverts. 1 0 0 1
2 0 1 0
III – CIRCUITS NUMERIQUES 3 0 1 1
3.1 – Logique combinatoire 4 1 0 0
3.1.1 – Expression de X = f(A,B)
A
C'est un compteur modulo 5
X = f(A,B) = A B + A B
3.2.3 – Chronogrammes de Q1, Q2 et Q3 :
X
X=A + B
1 2 3 4 5
C'est la fonction OU exclusif
B CLK
X = f(A,B) = A B + A B t
X=A + B
Q1
C'est la fonction OU exclusif
t
3.1.2 – Symbole :
Q2
X A X
A
=1
B B t
Norme américaine Norme française Q3
3.1.3 -
t
A B X
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
3.2 – Logique séquentielle
3.2.1 – Table de vérité de la bascule JK :
J K Q Q
0 0 Qn Qn
1 0 1 0
0 1 0 1
1 1 Qn Qn
3.2.2 – Table des états du compteur :
~ 119 ~
CIRCUITS ELECTRIQUES INDUSTRIELLES ET NUMERIQUES
SESSION DE 2009
Première partie : Technologie
1. Quelle est la différence entre une mémoire synchrone et une mémoire asynchrone ?
2. Quelle est la différence entre une bascule RS et une bascule D ?
3. Quelles sont les éléments de base d’un GRAFCET ?
4. Quelle est la différence entre le GRAFCET de niveau 1 et le GRAFCET de niveau 2 ?
Deuxième partie : circuit analogique
Exercice 1 : Polarisation par diviseur de tension
Vcc = 30V
Soit la Figure ci-dessous
1. Calculer VB, VE, IE, IC, IB, et VC Rc = 1KΩ
R1 = 22KΩ
2. Quelle est la valeur de VCE ?
3. Quelles sont les coordonnées du point
de repos Q ?
R2 = 10KΩ RE = 1KΩ
Exercice 2 : Amplificateur opérationnel

On donne l’amplificateur opérationnel non inverseur ci-dessous :
1. Calculer l’impédance d’entrée Zen(NI)
Rc = 220KΩ
2. Calculer l’impédance de sortie Zs(NI)
3. Calculer le gain en tension en boucle fermée
--
4. Cet amplificateur opérationnel est maintenant utilisé
dans une configuration à suiveur de tension. + Vs
a) Déterminer l’impédance d’entrée Zen(ST) Ven
b) Déterminer l’impédance de sortie Zs(ST)
Re = 10KΩ
c) Comparer Zen(NI) et Zen(ST)
d) Comparer Zs(NI) et Zs(ST)
~ 120 ~
Exercice 3 : Analyse des circuits par la méthode de superposition
On considère le circuit ci-contre +
VS1 20V
1. Calculer le courant dans R3 en utilisant la --
Méthode de superposition
R1 = 1KΩ
2. Déterminer la tension au point A par
rapport à la masse
R2 = 1KΩ
R3 = 2,2KΩ
+
Troisième partie : circuit numérique VS2 15V
--
Exercice 4 : numération
Convertir 1128 (code décimal) en code binaire
Exercice 5 : Multiplexeur (3pts)

Soit le circuit ci-contre :
V
Les entrées SO et S1 forment un nombre binaire à 2 bits.
I0
SO est le LSB et S1 le MSB. [S1SO] = S1. 21 + SO. 20 = K en
I1 Y
décimal. Lorsque l’entrée de validation V est active, Y = Ik
Lorsque l’entrée de validation V est inactive, Y = 0 (V est active au I2
Niveau bas) I3
1. Dresser la table de vérité de ce circuit S0 S1
2. Donner l’équation liant les entrées à la sortie
3. Exprimer cette équation sous la 3ème forme canonique
4. En déduire le schéma à partir des portes NAND (le nombre
D’entrée est au choix du candidat)
Exercice 6 : Compteur synchrone

On veut réaliser un compteur synchrone modulo 7 à bascules JK commutables sur front
descendant.
1. Combien de bascules doit-on utiliser ?
~ 121 ~
2. Dresser sa table de transition
3. Donner les équations des entrées pour chaque bascule
4. Donner le schéma structurel du compteur
CORRECTION
Première partie : TECHNOLOGIE
1) Dans une mémoire synchrone, les
changements d’état sont synchronisés avec
un générateur d’impulsions appelé horloge
alors que dans une mémoire asynchrone les
impulsions de comptage délivrées par une
bascule commandent la bascule suivante.
2) Une bascule D est une bascule RS où les Pour un amplificateur opérationnel idéal en
entrées R et S sont commandées par un régime linéaire, on a : E+ = E- et I+ = I- = 0
signal et son inverse, ce qui évite toute
possibilité d’indétermination. 1) Calcul de Zen (NI) :
3) Les éléments de base du Grafcet sont : Ven = Zen (NI) Ie
- Les étapes ; Zen (NI) =
𝑉𝑒𝑛
Or Ie = I+ = 0
𝐼𝑒
- Les transitions ;
- Les liaisons orientées. Zen (NI) ∞
4) Le grafcet de niveau 1 permet de décrire 2) Calcul de Zs ( NI)
de manière littérale le fonctionnement d’un 𝑉𝑠
Zs (NI) = Or Vs = 0
automatisme alors que le grafcet de niveau 𝐼𝑠
2 précise les spécifications technologiques Zs (NI) = 0
(nature des actionneurs et des capteurs).
3) Gain en tension en boucle fermée :
Deuxième Partie : CIRCUITS
𝑉
ANALOGIQUES Av = 𝑉 𝑠
𝑒𝑛
Exercice 1 : E+ = Ven
ANNULE : 𝑅𝑒
E- = Vs x 𝑅 Or E+ = E-
𝑒 + 𝑅𝑐
Les caractéristiques statiques du transistor
𝑅𝑒 𝑉𝑠 𝑅𝑒 + 𝑅𝑐
(β et VBE) n’ont pas été données. Les Ven = Vs x 𝑅 =
𝑒 + 𝑅𝑐 𝑉𝑒𝑛 𝑅𝑒
points alloués à cet exercice ont été répartis
10+220
dans d’autres exercices. Av = = 23
10
Exercice 2 : 4) Configuration à suiveur de tension

Rc = 220KΩ
E- I -- -
Cours de circuits
-- analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU
E+ + Vs I+ +
~ 122 ~
Ven Vs
Ven
Re = 10KΩ
𝑉𝑆1
I’T = ′
𝑅𝑇
𝑅 𝑅 1 𝑥 2,2
Avec R’T = R1 + 𝑅 2+ 𝑅3 = 1 + = 1,68KΩ
2 3 1+2,2
20
a) Calcul de Zen (ST) : I’T = 1,68 = 11,851mA
Ven = Zen (ST) Ie I’3 = I’T x 𝑅
𝑅2
= 114,851 𝑥
1
= 3,703mA
2 + 𝑅3 1+2,2
𝑉𝑒𝑛
Zen (ST) = Or Ie = I+ = 0
𝐼𝑒 - Contribution de VS2 :
Zen (ST) ∞
b) Calcul de Zs ( ST)
𝑉𝑠
Zs (ST) = Or Vs = Ad . Ud = 0
𝐼𝑠
A
Zs (ST) = 0 I’’3
R2
c) Comparons Zen (NI) et Zen (ST) : R1 I’’T
Zen (NI) = Zen ( ST) + R3
d) Comparons Zs (NI) et ZS (ST) : --
Zs (NI) = Zs (ST)
𝑉𝑆2
Exercice 3 : I’’T = ′′
𝑅𝑇
𝑅 𝑅 1 𝑥 2,2
+ Avec R’’T = R2 + 𝑅 1+ 𝑅3 = 1 + = 1,68KΩ
1 3 1+2,2
VS1 20V
-- 15
I’’T = 1,687 = 8,888mA
R1 = 1KΩ 1 1
I’’3 = I’’T x 1+ 𝑅 = 8,888 𝑥 = 2,77mA
3 1+2,2
- Calcul de I3 :
R2 = 1KΩ
I3 = I’3 + I’’3 = 3,703 - 2,77 = 0,933mA
R3 = 2,2KΩ 2) Calcul de la tension VA :
+
VS2 15V
-- VA = R3 I3 = 2,2 x 0,933 = 2,05V
Exercice 4 :
1) Calcul du courant dans R3, en utilisant la Soit à convertir 1128(10) en code binaire :
méthode de superposition :
On procède par une division successive par
- Contribution de VS1 : 2 de 1128 :
A
I’3 (1128)10 = (10001101000)2.
+
VS1
-- R2
R3
Cours deI’Tcircuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

R1
~ 123 ~
Exercice 5 :
S1 S0 V Y
V 0 0 0 I0
I0 0 1 0 I1
I1 Y 1 0 0 I2
I2 1 1 0 I3
I3 X X 1 0
S0 S1
2) Equation liant les entrées à la sortie :

Y = V(S1S0I0 + S1S0I1 + S1S0I2 + S1S2I3)
3) Equation sous la 3è forme canonique :
Y = V(S1S0I0 + S1S0I1 + S1S0I2 + S1S2I3)
1) Table de vérité :
Y = VS1S0I0 + VS1S0I1 + VS1S0I2 + VS1S2I3.
Schéma à partir des portes NAND :
V S1 S0 I0 I1 I2 I3
Exercice 6 : M ≤ 2n.
1) Nombre de bascules à utiliser : Soit n = 3 bascules.
M = 2n = 7, avec M = modulo du compteur et
n = nombre de bascules
Ainsi, on 22 < 7 < 23. On prendra n tel que
~ 124 ~
2) Table des transitions :
Etats Etats
présents futurs
Seq QA QB QC QA QB QC JA KA JB KB JC KC
0 0 0 0 0 0 1 0 X 0 X 1 X
1 0 0 1 0 1 0 0 X 1 X X 1
2 0 1 0 0 1 1 0 X X 0 1 X
3 0 1 1 1 0 0 1 X X 1 X 1
4 1 0 0 1 0 1 X 0 0 X 1 X
5 1 0 1 1 1 0 X 0 1 X X 1
6 1 1 0 0 0 0 X 1 X 1 0 X
Equations des entrées pour chaque bascule
JA JB JC
Q
QA
QC
A
QC QC
Q
A
00 01 11 10
QB
00 01 11 10 00 01 11 10
B
B
0 0 0 x x 0 0 x x 0 0 1 1 0 1
1 x x x x
1 0 1 x x 1 1 x x 1
JC = QA + QB
JA = QBQC JB = QC
KA KB
Q
KC
Q
QC
A
Q
QC
Q
A
00 01 11 10
Q
00 01 11 10 QC
A
B
00 01 11 10
B
0 x x 1 0 0 x 0 1 x 0 x x x x
1 x x x 0 1 x 1 x x 1 1 1 1 1
KA = QB KB = QA + QC KC = 1
4) Schéma structural du compteur :
QA JA QB JB QC JC
H H H

KA QA
1ère
QB
F3/ ………………………….……………………….Par
QC KC 1
ZAMBOU KB
~ 125 ~
QA QB QC
CIRCUITS ELECTRONIQUES, INDUSTRIELS ET NUMERIQUES
SESSION DE 2010
I – TECHNOLOGIE
1.1) Au sens de l’électronique numérique,
a) Définir les termes suivants :
 CMOS ;
 TTL ;
 Entrance ;
 Sortance.
b) Donner deux avantages et deux inconvénients de la technologie CMOS par rapport à la
technologie TTL
1.2) Citer les deux types d’afficheurs couramment utilisés comme périphériques de sortie en
électronique numérique, et préciser celui qui se caractérise par une faible consommation
d’énergie.
1.3) Dans chacun des cas suivants, montrer à l’aide d’un schéma comment on peut transformer
une bascule JK pilotée par une horloge pour obtenir :
a) Une bascule D ;
b) Une bascule T.
1.4) Donner 04 paramètres permettant de choisir une diode à jonction.
1.5) En termes de principe de fonctionnement, quelle est la différence majeure entre un
transistor bipolaire et un transistor à effet de champ.
1.6) Dessiner le modèle équivalent à trois diodes d’un thyristor et décrire brièvement son
principe de fonctionnement.
II – CIRCUITS ANALOGIQUES
Cette partie est composée de 02 exercices indépendants
2.1) Circuit RLC série – parallèle
Soit le montage de la figure 1 ci – dessous : On donne : U = 250V, 50Hz
I1 R1 A L
R1 = 100Ω ; Lω = 75Ω ;
I 1
C R2
R2 = 150Ω ; = 200Ω.
I2 B 𝐶𝜔
Figure 1
~ 126 ~
En prenant la tension U pour référence, calculer le module et l’angle des grandeurs ci – après :
2.1.1) Les impédances Z1 et Z2 dans chacune des deux branches respectives du circuit.
2.1.2) Les courants I1 et I2.
2.1.3) L’impédance équivalente Z du dipôle.
2.1.4) Le courant I, les tensions aux bornes de R1, de C et la tension UAB.
2.2) Amplificateur à transistor bipolaire
Soit le montage ci – dessous :
Vcc
Vcc = 20V ; Vce = 10V ;
R3 C2
R1
C1
IB = 20µA ; Vbe = 0,3V ;
B Vs
Ic = 2mA ; R4 = 0,5K ;
E
Ve R2
R4 C3
R2 = 10K
Figure 2
A) Etude en régime statique : (les condensateurs sont ouverts)

2.2.1) Calculer le gain d’amplification en courant de ce transistor.
2.2.2) Calculer R3 et R1.
2.2.3) Calculer le potentiel VBM du point B et celui VEM du point E par rapport à la masse M.
2.2.4) Etablir et tracer l’équation de la droite d’attaque statique IB = f(VBE).
2.2.5) Etablir et tracer l’équation de la droite de charge statique I C = f(VCE).
B) Etude en dynamique : (les condensateurs sont court – circuités ainsi que la source de
tension continue Vcc)
2.2.6) Faire le schéma équivalent du montage en petits signaux.

2.2.7) Donner le rôle de chaque condensateur.
III – CIRCUITS NUMERIQUES

Cette partie est composée de 03 exercices indépendants
3.1) Logique combinatoire
Une association est constituée de quatre membres (A, B, C, D) dont A est le président. Face à
un problème épineux, ils décident de voter à bulletin secret. Etant donné leur nombre, il est
décidé que le président (A) aura seul droit à un vote de poids double, les autres membres (B, C
et D) intervenant par une seule voie chacun
L’un des membres étant électronicien, leur propose alors une machine à voter comportant,
quatre petits boutons – poussoirs OUI (1) et NON (0) que les intéressés mettront sur leur
~ 127 ~
genoux, et en sortie une lampe S qui devra s’allumer (Sortie à 1) si la majorité de OUI est
obtenue.
3.1.1) Etablir la table de vérité de la sortie S, en prenant A, B, C et D comme variables
d’entrées.
3.1.2) Déterminer l’expression booléenne de la sortie S traduisant la solution.
3.1.3) Simplifier l’équation logique de S par la méthode de Karnaugh.
3.2 ) Compteur asynchrone
Le schéma ci – dessous est un compteur asynchrone :
Q0 Q1 Q2
J J J
Q Q Q
+ K Q K Q K Q
Vcc =
C C C
+5V 1
&
2
Figure 3
3.2.1) Déterminer le modulo de ce compteur.

3.2.2) Préciser la position (1 ou 2) du commutateur pour laquelle ce compteur est actif et
justifier votre réponse.
3.2.3) Représenter en correspondance du signal d’horloge, les signaux des sorties Q 0, Q1 et Q2.
3.2.4) Le temps de propagation de chaque bascule étant t pd = 50ns, calculer la fréquence
maximale qui peut piloter ce compteur.
3.2.5) Modifier le schéma de ce compteur pour en faire un compteur synchrone modulo 8.
3.3) Automatisme industriel
Une perceuse motorisée permet de tarauder des pièces dans un atelier (voir fig 4).
Son cycle de fonctionnement est décrit de la manière suivante :
Lorsqu’une pièce est présente sur l’établi, l’opérateur lance le départ de cycle. Le moteur de
rotation M1 se met en marche. Les actions s’effectuent alors comme suit :
- Descente de la tête de perçage en deux temps ;
- Remontée de la tête de perçage en deux temps ;
Cycle de
fonctionnement M1 M1 : Moteur rotation de la
M2 broche
M2 : Moteur translation de l
a tête de perçage
Descente en Remontée en
grande vitesse grande vitesse

Descente en Remontée en
petite vitesse petite vitesse ~ 128 ~
Figure 4
Travail à faire : Etablir le GRAFCET DE NIVEAU 1 de ce système.
CORRECTION
I – TECHNOLOGIE D Q
J
1.1) Au sens de l’électronique numérique : H
a) Définition des termes : K Q
- CMOS : Complementary Metal Oxyde

Semi – Conductor ;
D Q
- TTL : Transistor – Transistor – Logic ;
H
- Entrance : C’est le nombre maximal Q
d’entrées indépendantes pour une
porte logique ;
- Sortance : C’est le nombre maximal b) Une bascule T
d’entrées qu’une porte logique peut
Vcc
alimenter sans que les niveaux haut et bas
J Q
soient perturbés.
H
b) Avantages et inconvénients de la
K Q
technologie CMOS par rapport à la
technologie TTL.
 Avantages :
1.4) Paramètres permettant de choisir une
- Forte densité d’intégration ;
diode à jonction.
- Très faible consommation ;
- Bonne tenue aux parasites. - La tension inverse de pointe répétitive
 Inconvénients : maximale (VRRM) ;
- Faible vitesse de fonctionnement ; - La tension de pointe non répétitive
- Obligation de polariser les entrées en maximale (VRSM) ;
l’air. - Le courant moyen direct maximal (IF) ;
1.2) Les deux types d’afficheurs - Le courant de pointe direct répétitif
couramment utilisés : maximal (IFRM) ;
- Afficheurs 7 segments lumineux ; - Le courant de pointe direct non répétitif
- Afficheurs à cristaux liquide (caractérisés maximal (IFSM) ;
par une faible consommation d’énergie). - La température maximale de la jonction
1.3) Transformation d’une bascule JK (TVJ).
pilotée par une horloge pour obtenir :
1.5) La différence majeure en terme de
a) Une bascule D : principe de fonctionnement entre un
~ 129 ~
transistor à effet de champ et un transistor 2.1.1) Z1 et Z2
bipolaire est que :
Z1 = R1 + j Lω = 100 + j75
- Le transistor bipolaire est commandé en
Z1 = √𝑅12 + (𝐿𝜔)2 = √(100)2 + (75)2
courant (IB) ;
- Le transistor à effet de champ est Z1= 125Ω
commandé en tension (VGS). 𝐿𝜔 75
φZ1 = tg-1 ( 𝑅 ) = tg-1 (100) = 36,87°
1.6) Modèle équivalent à trois diodes d’un 1
1
thyristor Z2 = R2 + j 𝐶𝜔 = 150 + j200
G 1
Z2 = √𝑅22 + (𝐶𝜔)2 = √(150)2 + (200)2
A K Z2= 250Ω
1
− − 200
𝐶𝜔
φZ2 = tg-1 ( ) = tg-1 ( ) = - 53,13°
𝑅2 150
Fonctionnement :
2.1.2) I1 et I2
Le thyristor est un dispositif à semi –
𝑈 250 0°
conducteur dont la mise en conduction est U = Z1 I1 I1 = 𝑍 =
1 125 36,87°
commandable par sa gâchette où il faut
I1 = 2 - 36,87°
appliquer un courant minimum, qui
autorisera le passage d’un courant entre I1 = 2A et φI1 = - 36,87°.
l’anode et la cathode. Pour le bloquer, il 𝑈 250 0°
U = Z2 I2 I2 = 𝑍 =
faut : 2 250 −53,13°
- Soit annuler ou inverser la tension I2 = 1 53,13° I2 = 1A et φI2 = 53,13°.

aux bornes du thyristor ; 2.13) L’impédance équivalente Z
- Soit réduire le courant principal 𝑍 𝑍 125 36,87° 𝑥 250 −53,13°
Z = Z1 // Z2 = 𝑍 1+ 𝑍2 =
jusqu’à une valeur notée IH. 1 2 125 36,87° + 250 −53,13°
125 36,87° 𝑥 250 −53,13°

II – CIRCUITS ANALOGIQUES = (100,01+𝑗74,98)+ (150−𝑗200) = 111,79 10,29°
2.1) Circuit RLC série – parallèle Z = 111,79Ω et φZ = 10,29°

Soit le montage ci – dessous : 2.1.4) Le courant total I :
𝑈 250 0° 250
R1 A L I= = 111,79 = - 10,29°
I1 𝑍 10,29° 111,79
I UR1 I = 2,236 - 10,29°.

Uc UAB R2 I = 2,236A ; φI = - 10,29°
I2
C B U La tension UR1
UR1 = R1 I1 = 100 0° x 2 - 36,87°
U = 250V ; f = 50Hz ;
R1 = 100Ω ; Lω = 75Ω ; UR1 = 200 - 36,87°.
R2 = 150Ω ; 1/Cω = 200Ω. UR1 = 200V et φUR1 = - 36,87°
En prenant la tension pour référence, La tension aux bornes de C :
calculons le module et l’angle des grandeurs
UC = ZC I2 = 200 - 90° x 1 53,13°
ci – après :
~ 130 ~
UC = 200 - 36,87° Calcul de R1 :
La maille (2) donne : VCC – R1 I1 – R2 I2 = 0
UC = 200V et φUC = - 36,87° 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅2 𝐼2 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅2 𝐼2
R1 = =
La tension UAB : 𝐼1 𝐼2 + 𝐼𝐵
Calcul de I2 :
UAB = UC – UR1 Or UR1 = UC D’où UAB = 0
La maille (3) donne : R4 IE + VBE – R2 I2 = 0
2.2) Amplificateur à transistor bipolaire R4 (IC + IB) + VBE – R2 I2 = 0
𝑅4 (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 )+ 𝑉𝐵𝐸 500 (2 𝑥 10−3 + 20 𝑥 10−6 )+ 0,3
Soit le montage ci – dessous : I2 = =
𝑅2 10000
Vcc I2 = 131μA
R3 C2 20 −10000 𝑥 131 𝑥 10−6
R1 R1 = = 123,774KΩ.
131 𝑥 10−6 +20 𝑥 10−6
C1
Ie B
2.2.3) Calcul de VBM et VEM :
E Vs
Ve R2
VBM = R2 I2 = 10000 x 131 x 10-6 = 1,31V
R4 C3
VEM = R4 IE = R4 (IC + IB) = 500 (2 x 10-3 + 20
M x 10-6) – 1,01V
2.2.4) Equation de la droite d’attaque
statique : IB = f (VBE)
Vcc = 20V ; Vce = 10V ;
Trouvons le modèle équivalent de Thévenin
IB = 20µA ; Vbe = 0,3V ;
Ic = 2mA ; R4 = 0,5K ; R2 = 10K
R3
A) Etude en régime statique IC
(1)
RB
IB B
VCE Vcc
VBE
(2) R3
(3)
R1 R4
IC
(1)
I1 IE
IB B
VCE Vcc M
I2
VBE
R2
(3) R4
IE
RB = R1 // R2
𝑅1 𝑅2 123,774 𝑥 10
M
RB = = = 9,25Ω
𝑅1 𝑅2 123,774+10
2.2.1) Calcul du gain d’amplification en 𝑅2

VBB = VCC x 𝑅
courant : 1 + 𝑅2
10
𝐼 2 𝑥 10−3 VBB = 20 x 133,774 = 1,495V
β = 𝐼𝐶 = = 100
𝐵 2 𝑥 10−6
2.2.2) Calcul de R3 :
La maille (1) donne : R4 IE + VCE + R3 IC – VBB – RB IB – VBE – R4 IE = 0
VCC = 0 Or IE = IC + IB VBB – RB IB – VBE – R4 (IC + IB) = 0
R3 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅4 (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) Or IC = β IB
𝐼𝐶
VBB – RB IB – VBE – R4 IB (1 + β) = 0
20−10−500 (2 𝑥 10−3 +200 𝑥 10−6 )
R3 = 2 𝑥 10−3
= 4495Ω
~ 131 ~
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐸
IB = 𝑅 = -
𝐵 + 𝑅4 ( 1+ 𝛽) 𝑅𝐵 + 𝑅4 (1 + 𝛽) 𝑅𝐵 + 𝑅4 (1 + 𝛽)
𝑉𝐵𝐸 1,495
IB = - 9250 +500 (1 +100) + 9250 +500 (1 +100)
IB = - 16,73 VBE + 25
Traçons cette droite d’attaque :
B) Etude en régime statique
IB (μA) 0 25
VBE (V) 1,49 0 2.2.6) Schéma équivalent du montage en
petits signaux
IB (µA)
ie B IB C is
25
20 h11 βIB
R2 1 R3
15
R1
h22
ve h12vCE Vs
10
5 E E
VBE (V)
0,5 1 1,5 2.2.7) Rôle de chaque condensateur :
2.2.5) Equation de la droite de charge C1 : Condensateur de couplage ou de

statique : Ic = f(VCE) liaison : Son rôle est de bloquer toute
La maille (2) nous donne : composante continue pouvant provenir de
ve, et de ne laisser passer que la
VCC – R3 IC – VCE – R4 IE = 0 composante variable ;
VCC – R3 IC – VCE – R4 (IC + IB) = 0
C2 : Condensateur de couplage ou de
VCC – R3 IC – VCE – R4 IC – R4 IB = 0 liaison : Son rôle est de bloquer toute
Or IB =
𝐼𝐶 composante continue pouvant provenir de
𝛽
VCC, et de ne laisser passer que la
𝐼 composante variable amplifiée;
VCC – R3 IC – VCE – R4 IC – R4 ( 𝛽𝐶 )= 0
𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 C3 : Condensateur de découplage : Son rôle

IC = - 𝑅 + 𝑅 est de relier l’émetteur à la masse en régime
𝑅4 + 4 + 𝑅3 𝑅4 + 4 + 𝑅3
𝛽 𝛽
de petits signaux, par un bon filtrage du
𝑉𝐶𝐸 20
Ic = - + 500
signal alternatif, et en augmentant ainsi
500 500 + +4495
500 +
100
+4495 100 l’amplification en tension Av.
IC = - 0,2 VCE + 4 (en mA) III – CIRCUITS NUMERIQUES
IB (μA) 0 4 3.1) Logique combinatoire
VBE (V) 20 0
3.1.1) Table de vérité
IC (mA)
2
1 ~ 132 ~
VCE (V)
5 10 15 20
A B C D S Justification :
0 0 0 0 0 L’entrée C (clair) de chaque bascule est
0 0 0 1 0 l’entrée de remise à zéro de la bascule. Elle
0 0 1 0 0 est activée par le « 0 » logique. En position
0 0 1 1 0 2, nous avons « 0 » à l’entrée de l’inverseur
0 1 0 0 0
réalisé par la porte NAND et « 1 » à sa
0 1 0 1 0
0 1 1 0 0 sortie. D’où le niveau logique « 1 » aux
0 1 1 1 1 entrées C , ce qui autorise le comptage.
1 0 0 0 0 3.2.3) Chronogrammes
1 0 0 1 1
1 0 1 0 1 H
1 0 1 1 1 1
1 1 0 0 1 t
1 1 0 1 1
Q0
1 1 1 0 1 1
1 1 1 1 1
Q1
3.1.2) Expression booléenne de S 1
S=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD
Q2
+ABCD+ABCD+ABCD+ABCD
1
3.1.3) Simplification de S par la méthode de

Karnaugh
3.2.4) Fréquence maximale

1 1
fmax = 𝑛𝑡 = = 6,666Mhz
3 𝑥 50 𝑥 10−9
A
𝑝𝑑
B
C
00 01 11 10
D
00 0 0 1 0 3.2.5) Modifions le schéma pour en faire un

01 0 0 1 1 compteur synchrone modulo 8
11 0 1 1 1 Table des transitions de la bascule
10 0 0 1 1
J K Qn Qn-1
0 X 0 0
0 1 1 X
S=AB+AC+AD+BCD
1 0 X 1
3.2) Compteur asynchrone 1 1 x 0
Table des transitions du compteur
3.2.1) Déterminons le modulo de ce
compteur Nbre Q2 Q1 Q0 J2 K2 J1 K1 J0 K0
Soit n = 3 bascules. Le modulo de ce 0 0 0 0 0 X 0 x 1 X
compteur est M = 2n = 8 1 0 0 1 0 X 1 x X 1
2 0 1 0 0 X X 0 1 X
3.2.2) Position du commutateur : 3 0 1 1 1 X X 1 X 1
Le compteur est actif lorsque le 4 1 0 0 X 0 0 X 1 X
commutateur est en position 2. 5 1 0 1 X 0 1 X X 1
~ 133 ~
6 1 1 0 X 0 X 0 1 X
7 1 1 1 x 1 x 1 x 1
Simplification
J2 J1
Q2
Q2
Q K1
Q1
00 01 11 10 Q
Q1
0 00 01 11 10 K0
Q2
0
Q
Q2
Q1
0 00 01 11 10 Q
Q1
0 0 0 x x 0 00 01 11 10
0 0 x x 0
0 x 0 0 x 0 x x x x
1 0 1 x x 1 1 x x 1
1 x 1 1 x 1 1 1 1 1
J2 = Q1Q0 J2 = Q0
K1 = Q0 K0 = 1
J0 K2
Q2
Q2
Q Q
Q1
Q1
0 00 01 11 10 0 00 01 11 10
Ainsi0 : 1J2 =1 K2 1= Q11Q0 ; 0J1 =
x K1x = Q
0 0 0 ; J0 = K 0 = 1
1 x x x x 1 x x 1 0
Schéma du compteur
J2 = 1 K2 = Q1Q0
+Vcc Q0 Q1 Q2
J0 Q0 J1 Q1 J2 Q2
K0 K1 K2
3.3) Automatisme industriel
Grafcet de niveau 1
Présence de la pièce sur l’établi et départ du cycle
Descente de la tête de
2 M1 en marche perçage en grande vitesse
Fin de la descente en grande vitesse
Descente de la tête de
3 M1 en marche
perçage en petite vitesse
Fin de la descente en petite vitesse ( Fin de perçage)
Remontée de la tête de
4 M1 en marche perçage en petite vitesse
Fin de la remontée en petite vitesse
Cours de circuits analogiques M1
1ère F3
en /marche
………………………….……………………….Par
Remontée de la tête de ZAMBOU
5 perçage en grande vitesse
~ 134 ~
Fin de la remontée en grande vitesse
(tête de perçage en position haute)
~ 135 ~

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Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….

Chapitre 0 : Rappel sur les théorèmes fondamentaux…………….….…..3

Chapitre 1 : Circuits en régime sinusoïdal …………………………….…...7

Chapitre 2 : Les semi – conducteurs …………………………….………..22

Chapitre 3 : La diode à jonction ………………………………..………. 25

Chapitre 4 : Le redressement …………………………………………..….36

Chapitre 5 : La diode zener ……………………………………………..….49

Chapitre 6 : Le transistor bipolaire ………………………….……………..57

Chapitre 7 : Le transistor à effet de champ ……………………………....83

Chapitre 8 : L'amplificateur opérationnel ….. ……………………..……100

Chapitre 9 : Le thyristor – Le TRIAC – Le DIAC ………………………..108

Les anciens Probatoires F3 avec corrigés ……………….……………..113

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par

o La résistance d'une branche du montage

Transfiguration étoile – triangle (Y - ∆) 2) Loi des mailles

5) Règle du diviseur de courant

Soit un réseau alimenté par plusieurs sources de I1 = 6A

Le courant qui traverse un élément d'un réseau I2 = 3A

- Application : Ce théorème permet de remplacer un certain

Calculer la tension u dans le circuit suivant :

I – RAPPELS SUR LES NOMBRES Exemple :

a) Puissance nème de j Soit z = a + jb un nombre complexe. On appelle

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

4) Forme trigonométrique d’un nombre N.B :

La forme trigonométrique de z est notée : - Pour la multiplication et la division des

a) Le résistor ou dipôle résistif

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

3) Groupements en série d) Résonance série

𝐼 𝑗 j A la résonance extérieure, le dipôle se comporte

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

L'admittance est : uAB = u1 + u2 +….. +un, soit en notation

│Z│= √402 + 51,922 = 65,54

1) Calculer l'impédance équivalente

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

ZT = 7,14 45° ZAB = 3,25 25,88° Ω

2) Courant dans chaque branche du circuit

I1 = Y1 U = ( 0,2 0°) ( 100 0°) = 10 0° = 10A

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

La tension Eth et l'impédance Zth se détermine R = 10Ω ; C = 100µF ; L = 50mH ;

Solution : Eth = 20,2 - 8,51° = 9,1 – j2,85

Zth = 33,36 - 72,56° Ω

Calcul de IN : = - j0,01 + j0,01 + 0,1 = 0,1

YN = Y1 + Y2 = 0,1 + j0,1 + 0,3 +j0,2 i L R

On donne le montage de la figure ci – dessous : I1 I

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

1,41 45° (0,1+𝑗0,1)10

2) Théorème de Norton i = 0,049√𝟐 sin (100𝝅t - 4,49°)

3) Compensation du facteur de puissance U2Cw = P tan𝛗 – P tan𝛗'

La consommation de l'énergie réactive dans une 𝑃 (𝑡𝑎𝑛𝜑−𝑡𝑎𝑛𝜑 ′ )

1) Calcul des puissances active, réactive et Exercice 2 :

Récept Pu cos𝛗 tan𝛗 η P Q

Ainsi P = 16250W et Q = 16267,5Vars 1) Calculer les paramètres du modèle de

4) Relèvement du facteur de puissance : B

Cours de circuits analogiques 1ère F3/ ………………………….……………………….Par ZAMBOU

XL = jL𝜔 = j 12,8 x 10-3 x 100π = j4,02Ω

𝑗4,02 𝑥 (−𝑗63,66) 255,91 L C

IN = 29,85A Zth = j4,29Ω Solution :

On utilisera le modèle de Thévenin : B

Y = - j0,001 + 0,002 + j0,001 = 0,002

Eth = 45 – j110 = 118,84 - 67,74° I = 0,19√2 sin (100πt – 67,75°)