Chapitre 4

Université des Sciences et de la Technologie d’Oran Faculté de génie électrique
Département d’automatique 2ème Année Licence Parcours Automatique

Matière : Electronique fondamentale 1 Année 2016-2017
Chapitre IV :
Les transistors bipolaires NPN
1. Généralités :
En 1947, les physiciens américains John Bardeen, Walter Brain et

William Shockley ont inventé le transistor chez Bell Telephone
Laboratories. Ils ont reçu le prix Nobel de physique en l'année 1956. En
1954, Texas Instruments a produit le transistor au silicium pour la première
fois. L'utilisation du transistor est d'amplifier et commuter des signaux
électroniques.
1.1. Constitution :
Un transistor est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes) montées en sens inverse. Selon le sens de
montage de ces diodes on obtient 2 types de transistors :
Remarque :
L'émetteur est toujours repéré par une flèche qui indique le sens du courant dans la jonction entre base
et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en inverse de conduire quand une tension
est appliquée sur la base.
1|Page
2. Règle :
Deux sources d'alimentation sont nécessaires pour assurer un fonctionnement correct du transistor. Elles
sont souvent notées :
𝑉𝑏𝑏 : Alimentation du circuit Base.

𝑉𝑐𝑐 : Alimentation du circuit Collecteur.
Remarque : L'alimentation 𝑉𝑏𝑏 est parfois réalisée à partir de 𝑉𝑐𝑐
2.1. Schéma de principe : « Placer les courants et les tensions sur le schéma »
Avec :
𝐼𝑏 : Courant de base
𝐼𝑐 : Courant de collecteur
𝐼𝑒 : Courant dans l’émetteur
𝑅𝑏 et 𝑅𝑐 : Résistances de limitation des courants 𝐼𝑐 et 𝐼𝑏
2.2. Relations entre courants :
La loi des nœuds permet d'écrire :

𝐼𝑒 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝑏 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (01)
Quand un courant 𝐼𝑏 > 0, parcourt le circuit base-émetteur « on dit que le

courant traverse la jonction base-émetteur », alors un courant beaucoup plus
important circule entre collecteur et émetteur « typiquement 100 fois plus élevé ».
Le rapport entre courant de base 𝐼𝑏 et courant de collecteur 𝐼𝑐 est une constante
que l'on note 𝛽. La loi de Kirshoff nous permet de dire que 𝐼𝑒 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝑏 .
𝐼𝑏 est bien plus faible que 𝐼𝑐 on peut affirmer que le courant 𝐼𝑒 est égal au
courant 𝐼𝑐 .
En résumé, et dans un premier temps, nous pouvons dire que :

𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏 Avec 𝛽 : Gain en courant du transistor.
REM : Ce coefficient 𝛽 est souvent noté 𝐻𝑓𝑒 dans les catalogues

constructeurs. Il est parfois aussi appelé coefficient d'amplification statique
en courant.
En règle générale 𝛽 varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :
o Transistors dit « Petit signaux » : 100 < 𝛽 < 300

o Transistors dit de « Puissance » : 30 < 𝛽 < 100
La relation (1) peut alors s'écrire :
𝐼𝑒 = 𝛽 𝐼𝑏 + 𝐼𝑏 soit 𝐼𝑒 = (𝛽 + 1) 𝐼𝑏
REM : Si 𝛽 𝐼𝑏 est grand devant 𝐼𝑏 ( ce qui est le cas pour les transistors « Petits signaux ») on peut alors
écrire :
𝛽 + 1 = 𝛽 et 𝐼𝑒 = 𝐼𝑐
2|Page
3. Les caractéristiques d'un transistor NPN :
3.1. Caractéristiques d'entrée du transistor :
La jonction 𝑏𝑒 est en réalité une diode :
3.2. Caractéristiques complètes d'un transistor :
Le fonctionnement du transistor se résume à l’aide de son réseau de caractéristiques : « pour un

NPN »
 La caractéristique d’entrée : 𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒 )
 La caractéristique de transfert : 𝐼𝑐 = 𝑓(𝐼𝑏 ) à 𝑉𝑐𝑒 constante
 La caractéristique de sortie : 𝑉𝑐𝑒 = 𝑓(𝐼𝑐 ) à 𝐼𝑏 constant
4. Le transistor en régime de commutation :
Utilisé comme interrupteur commandé, on souhaite un comportement :

D’interrupteur ouvert D’interrupteur fermé
On parle d’état bloqué, le courant ne On parle d’état saturé, le courant circule.
circule pas,
Modèle équivalent d'un transistor bloqué Modèle équivalent d'un transistor saturé
3|Page
5. Etude en régime statique : « Polarisation »
On distingue différents montages de polarisation.
a) Polarisation par montage de base :
b) Polarisation par rebouclage des résistances :
c) Polarisation par pont de base :
5.1. Etude de la polarisation :
 Méthode analytique :
Il s’agit de résoudre le système suivant :
𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒 ) 𝑑𝑟𝑜𝑖𝑡𝑒 𝑑 ′ 𝑎𝑡𝑡𝑎𝑞𝑢𝑒

𝑉𝑏𝑒 ≈ 0.7 𝑉 𝑓𝑜𝑛𝑐𝑡𝑖𝑜𝑛𝑛𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙
𝐼𝑐 = 𝛽 𝐼𝑏
{ 𝐼𝑐 = 𝑔(𝑉𝑐𝑒 ) droite de charge statique
4|Page
 Méthode graphique :
On peut également entièrement

résoudre ce système de manière
graphique, en faisant apparaitre sur les
caractéristiques du transistor les droites
de charge et d’attaque. La figure montre
un exemple de résolution graphique. Une
méthode hybride peut bien sûr être
adoptée.
Application :
Dans la maille 1:
Vbb = R b 𝐼𝑏 + 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑏𝑏 − 𝑉𝑏𝑒 } 𝑑𝑟𝑜𝑖𝑡𝑒 𝑑 ′ 𝑎𝑡𝑡𝑎𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 ∶ 𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒 )
𝐼𝑏 =
𝑅𝑏
Dans la maille 2 :
Vcc = R c 𝐼𝑐 + 𝑉𝑐𝑒
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒 } 𝑑𝑟𝑜𝑖𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 ∶ 𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒 )
𝐼𝑏 =
𝑅𝑐
5|Page
6. Etude en régime dynamique :
On applique une tension alternative 𝑉𝑏𝑒 de petite amplitude autour de la tension de polarisation statique
𝑉𝑏𝑒0
6.1. Paramètres hybrides du transistor : « petits signaux »
On notera 𝑣𝑏𝑒 , 𝑖𝑏 , 𝑖𝑐 et 𝑣𝑐𝑒 les variations des grandeurs électriques autour de leur point de polarisation
𝑉𝑏𝑒0 , 𝐼𝑏0 , Ic0 et Vce0 . Le principe de superposition permet d’analyser le transistor sans faire apparaître ces
tensions et ces courants de polarisation.
En régime linéaire, on a :
𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑣𝑐𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝑖
} [ 𝑖 ]= 𝐻×[ 𝑏 ]
𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒 𝑐 𝑣𝑐𝑒
Schéma équivalent du transistor « petits signaux »
Schéma équivalent simplifié :
𝑣𝑏𝑒
ℎ12 = | 𝑎𝑣𝑒𝑐 ∶ 𝑣𝑐𝑒 ≫ 𝑣𝑏𝑒 𝑑𝑜𝑛𝑐 ∶ ℎ12 ⟶ 0 Ω
𝑣𝑐𝑒 𝑖
𝑏=0
𝑖𝑐 −1
ℎ22 = | 𝑎𝑣𝑒𝑐 ∶ 𝑣𝑐𝑒 ≫ 𝑖𝑐 𝑑𝑜𝑛𝑐 ∶ ℎ22 ⟶ +∞ Ω
𝑣𝑐𝑒 𝑖
𝑏=0
6|Page

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En 1947, les physiciens américains John Bardeen, Walter Brain et

𝑉𝑏𝑏 : Alimentation du circuit Base.

Remarque : L'alimentation 𝑉𝑏𝑏 est parfois réalisée à partir de 𝑉𝑐𝑐

2.2. Relations entre courants :

La loi des nœuds permet d'écrire :

Quand un courant 𝐼𝑏 > 0, parcourt le circuit base-émetteur « on dit que le

En résumé, et dans un premier temps, nous pouvons dire que :

REM : Ce coefficient 𝛽 est souvent noté 𝐻𝑓𝑒 dans les catalogues

En règle générale 𝛽 varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :

o Transistors dit « Petit signaux » : 100 < 𝛽 < 300

3.1. Caractéristiques d'entrée du transistor :

La jonction 𝑏𝑒 est en réalité une diode :

3.2. Caractéristiques complètes d'un transistor :

Le fonctionnement du transistor se résume à l’aide de son réseau de caractéristiques : « pour un

4. Le transistor en régime de commutation :

Utilisé comme interrupteur commandé, on souhaite un comportement :

a) Polarisation par montage de base :

b) Polarisation par rebouclage des résistances :

c) Polarisation par pont de base :

5.1. Etude de la polarisation :

Il s’agit de résoudre le système suivant :

𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒 ) 𝑑𝑟𝑜𝑖𝑡𝑒 𝑑 ′ 𝑎𝑡𝑡𝑎𝑞𝑢𝑒

On peut également entièrement

6.1. Paramètres hybrides du transistor : « petits signaux »

Schéma équivalent du transistor « petits signaux »

Schéma équivalent simplifié :

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