Electronique Telec Chap1

ELECTRONIQUE DES TELECOMS
CHAPITRE 1 : SEMICONDUCTEURS
Pr Ibra DIOUM
[email protected]
Dépqrtement Génie Informatique

Ecole Supérieure Polytechnique de Dakar
Semestre 1 / 2020 – 2021

Sommaire
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
3 Cristal de silicium
4 Doper un sémi-conducteur
5 Types de sémi-conducteurs
6 La jonction PN (Diode)
7 Polarisation d’une diode
Pr I. DIOUM (DGI - ESP) SEMICONDUCTEURS Semestre 1 / 2020 – 2021 2 / 46

1 - Introduction
1 Introduction
Objectifs
2 Sémiconducteurs

1. - Introduction
Ce chapitre présente
f les bases de la physique des semi-conducteurs.
f les dispositifs à semi-conducteurs les plus courants sont introduits,
3 les diodes,
3 les transistors.
f Les applications de ces dispositifs
Et permettra de
f Reconnaître, à l’échelle atomique, les caractéristiques d’un bon
conducteur et d’un semi-conducteur.
f Décrire la structure du cristal de silicium.
f Identifier les deux types de porteurs et indiquer les impuretés qui les
font devenir porteurs majoritaires.
f Comprendre ce qui se passe à la jonction pn d’une diode : non polarisée,
polarisée en direct et polarisée en inverse.
fPr I.Déterminer les types de courants
DIOUM (DGI - ESP)
de claquage venantSemestre
SEMICONDUCTEURS
d’une tension
1 / 2020 – 2021 4 / 46
2 - Sémiconducteurs
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
Définition
Conducteurs
Sémi-conductuers

2.1 - Définition
Les matériaux solides peuvent être divisés, en ce qui concerne

leurs propriétés électriques, en trois catégories :

2.1 - Définition

1 Conducteurs
3 cuivre, aluminium
3 un nuage d’électrons libres à toute température au-dessus du
zéro absolu
3 formé par les électrons de "valence" faiblement liés dans les
orbites les plus externes de leurs atomes
3 un champ électrique est appliqué à travers un tel matériau,
les électrons circuleront, provoquant un courant électrique

2.1 - Définition

1 Isolateurs
3 les électrons de valence sont étroitement liés aux noyaux des
atomes
3 très peu d’entre eux sont capables de se libérer pour conduire
l’électricité.
3 L’application d’un champ électrique ne fait pas circuler un
courant
3 il n’y a pas de porteurs de charge mobiles.

2.1 - Définition

1 Sémiconduuteurs
3 À très basse température, les semi-conducteurs ont les
propriétés d’un isolant
3 à des températures plus élevées, certains électrons sont libres
de se déplacer et les matériaux prennent les propriétés d’un
conducteur (bien que médiocres)
3 Néanmoins, is ont des caractéristiques utiles qui les
distinguent à la fois des isolants et des conducteurs.
Pour comprendre le fonctionnement des diodes, transistors et
autres appareils électroniques, nous devons comprendre la
structure de base des semi-conducteurs.

2.2 - Conducteurs
f Cuivre, un bon conducteur

f en raison de sa structure atomique
f neutre, 29 électrons gravitent autour du noyau
f les électrons occupent diverses orbites (2,8, 18, 1)
Figure 1 – Atome de cuivre

2.2 - Conducteurs
f Orbites stables
3 le noyau positif attire les électrons planétaires.
3 La force centrifuge engendrée par leur mouvement circulaire
les empêche d’atteindre le noyau
3 force d’attraction = force de répulsion =⇒ l’orbite est stable
3 Plus grande est l’orbite ⇒ plus faible est l’attraction du noyau
3 Sur les grandes orbites, les électrons se déplacent plus
lentement ⇒ possèdent moins d’énergie centrifuge

2.2 - Conducteurs
f cœur
3 tout se passe sur l’orbite extérieure appelée orbite de valence
3 détermine les propriétés électriques de l’atome
3 on rassemble le noyau et les orbites internes de l’atome dans
le cur.
3 Pour le cuivre, le cœur est le noyau (+29) et les trois
premières orbites (-28)
Figure 2 – Cœur d’un atome de cuivre

2.2 - Conducteurs
f électron libre
3 l’attraction entre l’électron et le reste de l’atome de cuivre est
très faible
3 ⇒ une force extérieure peut très facilement l’arracher.
3 ⇒ on appelle cet électron de valence un électron libre
3 le cuivre est un bon conducteur ⇐ la moindre tension fait
voyager l’électron libre d’un atome à l’autre
3 L’argent, le cuivre et l’or sont de bons conducteurs

2.3 - Sémi-conductuers
3 Les meilleurs conducteurs (argent, cuivre, or) ont un électron

de valence
3 les meilleurs isolants en ont huit.
3 Un semi-conducteur est un élément dont les propriétés
électriques sont à mi-chemin entre les conducteurs et les
isolants
3 les meilleurs semi-conducteurs ont quatre électrons de
valence

f Germanium (2,8,18,4)
3 Le germanium (Ge) est un exemple de semi-conducteur
3 il possède quatre électrons de valence
3 Pendant plusieurs année, le seul matériau utilisable pour
réaliser des composants
3 Un défaut non surmonté : courant inverse était trop
important

f Silicium (2,8,4)
3 Après l’oxygène, le silicium (Si) est l’élément le plus abondant
sur Terre.
3 Au début, son usage a été retardé par des problèmes de
purification
3 les avantages du silicium en ont fait un semi- conducteur de
choix
3 Sans lui, l’électronique moderne n’existerait pas
Figure 2 – (a) Atome de cuivre, (b) cœur

3 - Cristal de silicium
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
Intro
Liaison de convalence
Orbite saturéé
Trou

3.1 - Intro
3 Quand les atomes de silicium s’assemblent pour faire un solide, ils

s’ordonnent selon un motif régulier appelé cristal
3 Chaque atome partage ses électrons périphériques avec quatre
voisins pour obtenir huit électrons sur son orbite de valence
(figure)
3 les cercles ombrés représentent les cœurs des atomes.
3 L’atome central avait initialement quatre électrons sur son orbite
périphérique, maintenant il en possède huit.
Figure 3 – (a) Atome dans un cristal et ses quatre voisins ; (b) liaisons de covalence.
3.2 - Liaison de convalence
3 chaque cœur présente une charge +4 Observons celui du

centre et celui de droite
ß attirent la paire d’électrons située entre eux d’une même force
mais de sens opposé.
ß traction dans des sens opposés lie les atomes les uns aux
autres
ß chaque électron attiré dans deux sens différents ⇒ exerce une
liaison entre deux atomes voisins
ß On nomme ce type de liaison chimique une liaison de
covalence
3 Dans un cristal de silicium, il y a des milliards d’atomes de
silicium
3 chacun avec ses huit électrons de valence formant les
liaisons de covalence
3 c’est ce qui confère à ce matériau sa solidité
3.3 - Orbite saturéé
3 Chaque atome dans un cristal de silicium possède une orbite

de valence avec huit électrons.
3 Cependant, il semble que tout élément ne possédant pas ses
huit électrons a tendance à s’associer avec d’autres atomes
pour les obtenir
3 Il existe des équations fondamentales en physique donnant
une explication partielle de la stabilité chimique de ce
modèle
3 C ’est une loi, comme la loi de gravité, la loi de Coulomb et
certaines autres, que l’on observe mais que l’on n’explique
pas complètement.
3 Quand une orbite de valence possède huit électrons, elle est
saturée car aucun autre électron ne viendra s’y placer.
3 D’où la loi de saturation d’une orbite de valence
3.4 - Trou
3 Plus la température est haute, plus le mécanisme de

vibration est important.
3 lorsqu’on touche un objet chaud, la chaleur ressentie est
l’effet de la vibration des atomes.
3 dans un cristal de silicium, les vibrations des atomes
peuvent occasionnellement enlever un électron de son orbite
de valence.
3 quand cela se produit, l’électron libéré possède assez
d’énergie pour occuper une orbite plus grande ⇒ c’est un
électron libre
3 le départ de l’électron crée un vide dans l’orbite de valence
appelé trou (figure )

3.4 - Trou
3 Le trou attire et capture tout électron dans son voisinage immédiat.

3 L’existence de ces trous est une différence fondamentale entre les
conducteurs et les semi-conducteurs.
ß Ils permettent aux semi-conducteurs de faire toutes sortes de
choses impossibles aux conducteurs.
3 A la température ambiante, l’énergie thermique produit peu de
trous et d’électrons libres.
3 Pour augmenter leur nombre, il est nécessaire de doper le cristal
Figure 4 – (a) Création d’une paire électron-trou par l’énergie thermique ; (b) recombinaison d’un électron libre et d’un trou.
4 - Doper un sémi-conducteur
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
Principe
Augmenter le nombre d’électron
Augmenter le nombre de trous

4.1 - Principe
3 Le dopage est une méthode permettant d’augmenter la

conductivité d’un semi- conducteur.
3 Cela consiste à introduire des impuretés dans un cristal
intrinsèque pour modifier ses propriétés électriques.
3 Un semi-conducteur dopé est appelé semi-conducteur
extrinsèque.

4.2 - Augmenter le nombre d’électron
3 fondre un cristal de silicium pur

ß brise les liaisons de valence et le liquéfie.
3 augmenter le nombre d’électrons libres,
ß ajouter au silicium fondu des atomes pentavalents (arsenic, antimoine et phosphore)
ß cinq électrons périphériques
ß l’électron excédentaire au cristal de silicium,
ß des impuretés donneuses
3 un silicium dopé après refroidissement et reconstitution de la structure
cristalline est représenté
3 Plus il introduit d’impuretés, plus la conductivité est importante
Figure 5 – Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

4.3 - Augmenter le nombre de trous
3 utiliser une impureté trivalente

ß l’atome a seulement trois électrons de valence
ß l’aluminium, le bore, le gallium
3 l’atome trivalent a seulement trois électrons de valence
ß chaque voisin en donne un,
ß sept sur l’orbite de valence,
ß un trou s’est formé.
3 on donne le nom d’atome accepteur à un atome trivalent
3 le trou ainsi créé peut accepter un électron libre pour effectuer une
recombinaison
Figure 6 – Dopage pour augmenter le nombre de trous

5 - Types de sémi-conducteurs
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
Sémi-conducteurs de type N
Sémi-conducteurs de type P

5.1 - Sémi-conducteurs de type N
3 C’est le silicium dopé avec une impureté pentavalente

3 les électrons sont beaucoup plus nombreux (porteurs majoritaires) que
les trous (porteurs minoritaires)
3 Sous l’effet de la tension appliquée
ß les électrons libres se dirigent vers la gauche les trous vers la droite Quand un trou
atteint le bord droit du cristal
{ un des électrons libres du circuit extérieur entre et se recombine avec le trou
ß Les électrons libres se dirigent vers le côté gauche du cristal
{ ils entrent dans le circuit extérieur pour rejoindre la borne positive de la pile
Figure 7 – semi-conducteur de type N

5.2 - Sémi-conducteurs de type P
3 C’est le silicium dopé avec une impureté trivalente

3 les trous sont beaucoup plus nombreux (porteurs majoritaires) que les
électrons libres (porteurs minoritaires)
3 La tension appliquée entraîne
ß le déplacement des électrons libres vers la gauche et les trous vers la droite
{ ces derniers, arrivés au bord droit du cristal, se combinent avec les électrons libres du circuit extérieur
ß il existe aussi un flux de porteurs minoritaires

{ les électrons libres qui se déplacent de la droite vers la gauche.
{ peu nombreux que leur effet est insignifiant.
Figure 8 – semi-conducteur de type P

6 - La jonction PN (Diode)
1 Introduction
2 Sémiconducteurs
Principe
Jonction PN (Diode)
Barrière de potentiel

6.1 - Principe
3 quand un constructeur dope P sur la moitié du cristal et N

sur l’autre moitié, quelque chose de nouveau apparaît.
3 la frontière entre le type P et le type N est appelée jonction
PN.
3 Elle a entraîné beaucoup d’inventions, en particulier les
diodes, transistors et circuits intégrés.
3 Comprendre la jonction PN permet de comprendre toutes
sortes de composants semi-conducteurs.

6.2 - Jonction PN (Diode)
3 On sait faire un cristal unique avec un côté P et un côté N

3 La jonction est la frontière où le type P voisine le type N.
3 La diode à jonction est un autre nom donné au cristal PN.
3 Le mot diode est la contraction de di (deux) et électrodes.
3 Si l’on place un semiconducteur P à coté d’un
semi-conducteur N, que se passe-t-il ?
Figure 9 – Jonction PN

3 A cause de leur répulsion les uns envers les autres

ß les électrons libres du côté N ont tendance à diffuser (se disperser) dans toutes les
directions
ß Quelques-uns traversent la jonction et entrent dans la région P où ils sont
minoritaires
ß l’électron libre se recombine avec un trou
ß le trou disparait et l’électron libre devient un électron de valence.
ß l’électron libre crée une paire d’ions
ß en quittant la région N, l’atome pentavelent devient positif
ß l’électron libre produit un ion négatif avec l’atome trivalent qui le capture.
3 Dans la zone de transition : il n’y a plus de porteurs libres, il reste les
ions fixes.

3 les ions positifs (cercle +) et négatifs (cercle -) de part et d’autre de la

jonction ne peuvent bouger dans le cristal comme les électrons libres et
les trous à cause des liaisons de covalence.
3 Chaque paire d’ions positif et négatif est un dipôle qui vient de la
disparition d’un électron libre et d’un trou.
3 Au fur et à mesure que le nombre de dipôles augmente, la région près de
la jonction se vide de porteurs ; on l’appelle la zone déplétée
Figure 11 – (a) Création des ions à la jonction ; (b) zone déplétée.

6.3 - Barrière de potentiel
3 Chaque dipôle crée un champ électrique entre l’ion positif et l’ion négatif
3 Si un électron supplémentaire entre dans la zone déplétée, ce champ le
repousse vers la région N
3 La force du champ électrique s’accroît à chaque électron traversant la
zone jusqu’à ce que l’équilibre soit atteint
ß champ électrique arrête la diffusion des électrons à travers la jonction.
3 le champ électrique entre les ions est équivalent à une différence de
potentiel appelée barrière de potentiel.
3 A 25◦ C, elle est égale à 0,3 V pour le germanium et 0,7 V pour le silicium.

7 - Polarisation d’une diode
1 Introduction
2 Sémiconducteurs

Polarisation directe : Principe
Polarisation directe : Flux des électrons libres
Polarisation inverse : Principe
Polarisation inverse : Élargissement de la zone déplétée
Polarisation inverse :
Claquage
7.1 - Polarisation directe : Principe
3 On applique une source de tension continue sur la diode

3 la borne négative sur le côté N et la borne positive sur le côté
P
3 Cette connexion est une polarisation directe.

7.2 - Polarisation directe : Flux des électrons
libres
3 La source de tension continue de la figure pousse les

électrons et les trous vers la jonction. Si sa tension est plus
faible que la barrière de potentiel, les électrons n’ont pas
assez d’énergie pour traverser la zone déplétée. Les ions les
repoussent du côté n, et de ce fait il n’y a pas de courant à
travers la diode Si la tension de la source est supérieure à la
barrière de potentiel
ß les électrons libres ont une énergie suffisante pour traverser la
zone déplétée et aller se recombiner avec les trous du côté P.

7.3 - Polarisation inverse : Principe
3 Inverser la source continue

3 le côté P est relié au pôle négatif et le côté N au pôle positif.
3 Cette connexion est une polarisation inverse.
Figure 14 – Polarisation directe

7.4 - Polarisation inverse : Élargissement de la zone déplétée
3 Les trous et les électrons libres s’éloignent de la jonction

3 le pôle positif attire les électrons et le pôle négatif les trous.
3 La zone déplétée s’élargit.
3 Le départ des électrons et des trous crée des ions
supplémentaires qui font augmenter la différence de
potentiel sur la zone déplétée
3 Cette augmentation se termine lorsque la tension de barrière
est égale à la tension appliquée
3 Quand la tension inverse augmente, la zone déplétée s
’élargit

7.5 - Polarisation inverse :
3 un faible courant existe en polarisation inverse.

3 l’agitation thermique fabrique continuellement des paires
électron-trou
3 La plupart se recombinent avec les porteurs majoritaires
3 un faible courant circule dans le circuit extérieur
3 Ce courant inverse venant des porteurs créés par l’agitation
thermique s’appelle courant de saturation Isat
3 Le courant inverse d’une diode au silicium est tellement
faible qu’il est ignoré dans la plupart des applications.
3 L’idée principale à retenir est que le courant inverse d’une
diode au silicium est proche de zéro.

7.6 - Claquage
3 Les diodes sont classées par tension maximale.

3 Il existe une limite de la tension inverse qu’une diode peut supporter
avant d’être détruite
3 C’est la tension de claquage de la diode.
3 Pour beaucoup de diodes, elle est supérieure à 50V Une fois la tension de
claquage atteinte
ß un grand nombre de porteurs minoritaires apparaissent dans la zone déplétée
ß la diode conduit fortement
ß les porteurs sont produits par le phénomène d’avalanche qui survient aux fortes
tensions inverses
Remarque
Dépasser la tension de claquage d’une diode ne signifie pas forcément
pour autant qu’elle va être détruite, au moins tant que le produit de la
tension inverse et du courant inverse ne dépasse pas la puissance
nominale de la diode.
7.6 - Claquage

7.6 - Claquage

7.6 - Claquage

7.6 - Claquage

7.6 - Claquage

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7.6 - Claquage

7.6 - Claquage

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Semestre 1 / 2020 – 2021

7 Polarisation d’une diode

Pr I. DIOUM (DGI - ESP) SEMICONDUCTEURS Semestre 1 / 2020 – 2021 2 / 46

7 Polarisation d’une diode

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Les matériaux solides peuvent être divisés, en ce qui concerne

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f Cuivre, un bon conducteur

Figure 1 – Atome de cuivre

Pr I. DIOUM (DGI - ESP) SEMICONDUCTEURS Semestre 1 / 2020 – 2021 8 / 46

Figure 2 – Cœur d’un atome de cuivre

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3 Les meilleurs conducteurs (argent, cuivre, or) ont un électron

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Pr I. DIOUM (DGI - ESP) SEMICONDUCTEURS Semestre 1 / 2020 – 2021 10 / 46

Figure 2 – (a) Atome de cuivre, (b) cœur

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7 Polarisation d’une diode

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3 Quand les atomes de silicium s’assemblent pour faire un solide, ils

3 chaque cœur présente une charge +4 Observons celui du

3 Chaque atome dans un cristal de silicium possède une orbite

3 Plus la température est haute, plus le mécanisme de

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7 Polarisation d’une diode

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3 Le dopage est une méthode permettant d’augmenter la

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3 fondre un cristal de silicium pur

Figure 5 – Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

3 utiliser une impureté trivalente

Figure 6 – Dopage pour augmenter le nombre de trous

7 Polarisation d’une diode

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3 C’est le silicium dopé avec une impureté pentavalente

Figure 7 – semi-conducteur de type N

3 C’est le silicium dopé avec une impureté trivalente

ß il existe aussi un flux de porteurs minoritaires

Figure 8 – semi-conducteur de type P

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3 quand un constructeur dope P sur la moitié du cristal et N

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3 On sait faire un cristal unique avec un côté P et un côté N

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3 A cause de leur répulsion les uns envers les autres

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3 les ions positifs (cercle +) et négatifs (cercle -) de part et d’autre de la