SEMI CONDUCTEURS :

DIODES-TRANSISTRORS MOS
AOP
Christian Dupaty – Jean Max Dutertre
pour l’ EMSE
D’après un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
1
Architecture analogique – numérique – analogique

Electronique
Amplification et ANALOGIQUE Amplification
Filtrage : en puissance
Conditionnement

Paramètres
(coefficients)

Convertisseur Unité de calcul Convertisseur

Analogique Ne Ns Numérique
(DSP ,
Numérique Microcontrôleur, Analogique
FPGA) Electronique
NUMERIQUE
2
• Pourquoi quelles applications ?

Instrumentation

Robotique

Communications

Multimédia

Systèmes informatiques

Cartes mémoires

3
 Histoire des semi-conducteurs

1904 invention de la Diode par John FLEMING Premier tube à vide.

1904 Triode (Lampe) par L. DE FOREST Musée . C’est un amplificateur

d'intensité électrique.

1919 Basculeur (flip-flop) de W. H. ECCLES et F. W. JORDAN .Il faudra

encore une quinzaine d'années avant que l'on s'aperçoive que ce circuit
pouvait servir de base à l'utilisation électronique de l'algèbre de BOOLE.

1937 Additionneur binaire à relais par G. STIBITZ

1942 Diodes au germanium Le germanium est un semi-conducteur, c'est à

dire que "dopé" par des impuretés, il conduit dans un sens ou dans l'autre
suivant la nature de cette impureté. Par l'association d'un morceau de
germanium dopé positivement (P) et un morceau dopé négativement (N), on
obtient une diode qui ne conduit le courant que dans un seul sens.

Et les transistors …

4
Le transistor à effet de champ a été inventé en 1925-1928 par J.E. Lilienfeld (bien
avant le transistor bipolaire). Un brevet a été déposé, mais aucune réalisation n'a été
possible avant les années 60.

1959 : MM. Attala, D. Kahng

et E. Labate fabrique le
premier transistor à effet de
champ (FET)
5
 • Parallèlement le premier prototype du transistor bipolaire est
fabriqué en 1947

En 1947 : le premier transistor bipolaire

En 1957 : le premier CI (Texas-Instruments)

6
William Shockley 1910-
1989
prix Nobel de physique William Shockley (assis), John
1956 Bardeen, and Walter Brattain,
1948.
7
Le premier récepteur radio à
transistors bipolaires

8
En 1971 : le premier Processeur

4004 d’INTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits)

9
INTEL ITANIUM Tukwila core

2010 processeur IBM POWER7 , INTEL XEON et ITANIUM

109 Transistors MOS
(Nœud technologique = taille de la grille d’un transistor : 45nm) 10
Les technologies émergentes

Electronique sur plastique

Electronique moléculaire
Une molécule comme composant

11
Mais ça ne se fait pas tout seul...

12
Contenu du cours d ’électronique analogique 1
1. Introduction aux semi-conducteurs, jonction PN

2. Les Diodes

3. Applications des diodes

4. Les Transistors à effet de champ

5. Amplificateur opérationnel

13
 Bibliographie

*Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000

*Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
* ELECTRONIQUE Fondements et applications DUNOD 2006
*ELECTRONIQUE ANALOGIQUE VALKOV Educalivre 1994
*Comprendre l’électronique par la simulation", Serge Dusausay, Ed. Vuibert
*Principes d’électronique", A.P. Malvino, Dunod
*Microelectronics circuits", A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press
*CMOS Analog Circuit Design", P.E. Allen, D.R. Holberg
*Design of Analog CMOS Integrated Circuits", B. Razavi, McGraw Hill

14
LES SEMI-CONDUCTEURS

15
 Introduction aux semi-conducteurs, la jonction PN

I – Matériaux semi-conducteurs.
1 – Introduction.
Colonne IVA : Si, Ge.
Qu’est ce qu’un semi-conducteur ? Association IIIA-VA : AsGa, etc.
Ni un conducteur, ni un isolant.
 I – Matériaux semi-conducteurs

2 – Modèle des bandes d’énergie.

Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons – nuage comportant 14 e-

-
Répartition électronique : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 - -- -
-
couche de - 14+ - -
valence : 4 e- - - -
-
-

Les électrons évoluent sur des orbites stables correspondant

à des niveaux d’énergie discrets (séparés les uns des autres).

Energie
(eV)

Niveaux d’énergie
électronique d’un
atome isolé :

17
 I – Matériaux semi-conducteurs

Principe d’exclusion de Pauli : deux électrons ne peuvent occuper le même état

quantique.
En conséquence, si deux atomes identiques sont approchés à une distance de l’ordre
de leur rayon atomique les niveaux d’énergie se dédoublent.
Dans le cas d’un cristal, la multiplication des niveaux crée des bandes d’énergie
permise (quasi-continuum), séparées par des bandes d’énergie interdites (c.-à-d. ne
contenant pas d’état stable possible pour les e-).

Energie Energie
(eV) (eV)
bande permise
bande interdite

Niveaux d’énergie Niveaux d’énergie

électronique de 2 électronique d’un Gap
atomes proches : cristal :

Bande de valence : contient les états électroniques des couches périphériques des
atomes du cristal (c.-à-d. les e- de valence, 4 pour le Si)
Bande de conduction : bande permise immédiatement supérieure en énergie à la
bande de valence. Les e- y sont quasi-libres, ils ont rompus leur lien avec leur atome
18
d’origine, ils permettent la conduction d’un courant.
 I – Matériaux semi-conducteurs

3 – Comparaison isolants, conducteurs, et semi-conducteurs.

Classification en fonction de leur résistivité ρ [Ω.m]
 l
Isolant : ρ> 106 Ω.m  R = ρ. 
 s
Conducteurs : ρ < 10-6 Ω.m
Semi-conducteur : intermédiaire

Energie Energie Energie

(eV) (eV) (eV)

conduction conduction conduction

Eg valence
Eg
valence

valence

Isolant Semi-conducteur Conducteur

Eg ~ qqs eV Eg ~ 1 eV Eg ~ 0 eV

300°K Si Ge AsGa
Eg (eV) 1,12 0,66 1,43 19
 I – Matériaux semi-conducteurs

4 – Le silicium.
a. Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur).

Cristal de silicium : 4 e- de valence Si

→ association avec 4 atomes voisins pour obtenir 8 e- sur la couche de valence (règle
de l’octet, la couche de valence est saturée) :

Si Si Si Si

Si Si Si Si
liaison covalente
Si Si Si Si

Structure de la maille cristalline : cubique face centrée

20
 I – Matériaux semi-conducteurs

Création de paires électrons - trous

→ sous l’action d’un apport d’énergie thermique (par exemple)

Energie
(eV)
Si Si Si Si
b. conduction

Eg Si Si Si Si

b. valence
Si Si Si Si

Le bandgap Eg représente l’énergie minimale nécessaire pour rompre la liaison.

Déplacement des e- libres → courant

21
 I – Matériaux semi-conducteurs

Déplacement des trous : de proche en proche → courant (de charges +)

Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si

Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs de charges :

• des porteurs négatifs : les électrons de la bande de conduction,
• et des porteurs positifs :les trous de la bande de valence.

Le phénomène de création de paires e- - trous s’accompagne d’un phénomène de

recombinaison (les e- libres sont capturés par les trous, ils redeviennent e- de valence)

Durée de vie d’un porteur = temps séparant la recombinaison de la génération.

22
 I – Matériaux semi-conducteurs

Le cristal est électriquement neutre : n = p = ni

Concentration intrinsèque de porteurs à l’équilibre thermodynamique :

3  Eg 
ni = A.T . exp −
2  [cm ]
−3

 2kT 
A cste spécifique au matériau [cm-3/K3/2]

Eg bandgap [eV]
k = 1,38.10-23 J/K
300°K, Si :
Eg bandgap [eV] ni ≅ 1,4.1010 cm −3
T température [K]

n. p = ni (T , E g )
2
Loi d’action de masse :

elle est toujours vérifiée pour un cristal à l’équilibre thermique (qu’il soit intrinsèque ou non).

23
 I – Matériaux semi-conducteurs

Phénomène de transport de charges :

• courant de conduction créé sous l’action d’un champ électrique,
• courant de diffusion créé par un gradient de concentration de porteurs.

→ densité de courant [A/cm2] :

r r 
→
J n = qµ n nE + qµ nVT grad n
r r →
J p = qµ p pE − qµ pVT grad p

VT = kT/q = 26 mV à 300°K, potentiel thermodynamique [V]

µn,p mobilité [cm2/V.s]

Pour le Si µn = 1400 cm2/V.s, µp = 500 cm2/V.s

24
 I – Matériaux semi-conducteurs

Intérêt des semi-conducteurs : possibilité de contrôler la quantité de porteurs de

charges libres (e- et trous) et par conséquent la résistivité.
Comment ? → dopage, radiations, température, injection de courant, etc.

b. Semi-conducteur extrinsèque de type N (négatif = signe des porteurs de charge majoritaires).

Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe V (cf. classification
périodique, 5 e- sur la couche de valence) en lieu et place d’atomes de Si,
généralement du phosphore P ou de l’arsenic As.
→ libération d’un e- libre, les 4 autres se liant aux atomes de Si voisins (atome
donneur) :
Energie
(eV)
Si Si Si Si b. conduction
- ED
Si Si As+ Si

b. valence
Si Si Si Si

As+ : cation fixe 25

 I – Matériaux semi-conducteurs

Le cristal garde sa neutralité électrique globale (à chaque électron libre donné par
les atomes d’impureté correspond un cation fixe).
Porteurs de charges :

• majoritaires : e- tq n ≈ ND , concentration du dopage,

• minoritaires : trous issus de la générations thermique de paires e- - trous tq

p ≈ ni / N D
2

26
 I – Matériaux semi-conducteurs

c. Semi-conducteur extrinsèque de type P (positif = signe des porteurs majoritaires).

Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe III (cf. classification

périodique, 3 e- sur la couche de valence) en lieu et place d’atomes de Si,
généralement du bore B ou du gallium Ga.
→ seules trois liaisons covalentes peuvent être créées, la 4ème reste incomplète, un
trou est créé pour chaque atome de dopage. Il va pouvoir être comblé par un e- d’une
liaison covalente proche (atome accepteur).

Energie
(eV)
Si Si Si Si b. conduction

Si Si B Si
+ EA

b. valence
B- Si Si Si

B- : anion fixe

27
 I – Matériaux semi-conducteurs

Le cristal garde sa neutralité électrique globale (pour chaque électron libre accepté
par les atomes d’impureté créant un anion fixe, un trou est créé).
Porteurs de charges :

• majoritaires : trous tq p ≈ NA , concentration de dopage,

• minoritaires : e- issus de la générations thermique de paires e- - trous tq

n ≈ ni / N A
2

d. Phénomènes de génération et de recombinaison.

→ génération sous l’effet d’apport d’énergie thermique, photonique, d’un champ
électrique, de radiations ionisantes, etc.

Energie Energie
(eV) (eV)

b. conduction b. conduction

hν hν

b. valence b. valence

28
 I – Matériaux semi-conducteurs

5 – La jonction PN.
Un semi-conducteur seul (N ou P) présente peu d’intérêt, c’est l’association de
plusieurs SC dopés qui permet de créer les composants semi-conducteurs. Le plus
simple d’entre eux est la jonction PN (ou diode), il permet en outre d’appréhender le
fonctionnement des transistors.

a. Jonction PN non polarisée, à l’équilibre.

Semi-conducteur P Semi-conducteur N
ion fixe ion fixe

e-
trou mobile
mobile majoritaire
majoritaire

paire e- - trou paire e- - trou

minoritaire minoritaire

Que se passe-t-il si l’on met en contact un s.-c. de type P avec un s.-c. de type N pour
réaliser une jonction PN ? (! Attention ! c’est simplement une vue de l’esprit, ce n’est pas ainsi que l’on
procède)
 I – Matériaux semi-conducteurs

Considérant la jonction dans son ensemble, il existe un gradient de porteurs de

charges :
→ création d’un courant de diffusion :
• des trous mobiles du s.-c. P vers le s.-c. N, au moment de leur entrée dans la
zone N contenant des e- majoritaires les trous se recombinent avec les e-,
• des e- mobiles du s.-c. N vers le s.-c. P, au moment de leur entrée dans la zone P
contenant des trous majoritaires les e- se recombinent avec les trous.
Chaque trou (resp. e-) majoritaire quittant le s.-c. P (N) laisse derrière lui un anion
(cation) fixe et entraîne l’apparition d’un cation (anion) fixe dans le s.-c. N (P) du fait
de sa recombinaison avec un e- (trou). Ces ions sont localisés à proximité de la zone de
contact entre les deux s.-c. (la zone de charge d’espace, ZCE), ils sont à l’origine de la
création d’un champ électrique qui s’oppose au courant de diffusion. Ce champ
électrique est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière de potentiel
(V0 = 0,7 V pour le silicium, 0,3 V pour le germanium).
Un état d’équilibre est atteint ou :
• seuls qqs porteurs majoritaires ont une énergie suffisante pour franchir la ZCE et
contribuer au courant de conduction ID, ils est compensé par,
• un courant de saturation inverse, Is, créé par les porteurs minoritaires lorsqu'ils
sont capturés par le champ électrique de la ZCE. 30
 I – Matériaux semi-conducteurs
zone de charge
Jonction PN non d’espace
polarisée, à s.-c P s.-c N
l’équilibre : zone neutre zone neutre
 − eV0 
→
ID
I s = I 0 . exp 
 kT 
←
Is

Energie
E
(eV) b. conduction

V0 : barrière
− qV0 de potentiel
tq

kT  N A N D 
b. valence V0 = . ln 2


q n
 i 

31
ZCE = zone de déplétion = zone désertée
 I – Matériaux semi-conducteurs

b. Jonction PN polarisée en direct. VPN > 0

→ abaissement de la barrière de potentiel P N

réduction de la ZCE et du champ électrique IPN

Valim R

E
Energie
(eV) b. conduction

− q(V0 − VPN )

b. valence

32
 I – Matériaux semi-conducteurs

On établit :
 VPN VT 
I PN = I s .e − 1
 

On retiendra que le courant traverse facilement une diode polarisée en direct

(VPN > V0)

Résistance dynamique d’une jonction polarisée en direct :

Valim = Valim + dV ⇒ IPN = IPN + dI

On obtient :
dV VT
r= =
dI I PN

33
 I – Matériaux semi-conducteurs

Charge stockée dans une jonction polarisée en direct :

Non polarisé :

Polarisation
directe :

Avant de bloquer une jonction PN polarisée en directe il faut évacuer ces charges
en excès par rapport à la situation d’équilibre → courant inverse transitoire (cf.
temps de recouvrement dans la suite du cours).

34
 I – Matériaux semi-conducteurs
c. Jonction PN polarisée en inverse.
VPN = - Valim < 0
→ augmentation de la barrière de potentiel
élargissement de la ZCE et intensification du champ P N
électrique
IPN ≈ 0

Valim R

Energie
(eV) b. conduction
E

− q(V0 + Va lim )
b. valence

35
 I – Matériaux semi-conducteurs

→ le courant de diffusion (porteurs majoritaires) est quasi-nul.

→ seul subsiste un courant inverse très faible, IPN = -Is, de porteurs minoritaires.

Claquage :

Tension de claquage = tension inverse limite supportable au-delà de laquelle apparait le

phénomène d’avalanche.
Sous l’effet d’une tension inverse élevée les porteurs minoritaires sont accélérés et
acquièrent suffisamment d’énergie pour arracher à leur tour d’autre e- de valence lors
des chocs. Une réaction en chaine apparait.
→ le courant inverse devient très important (claquage).

36
 I – Matériaux semi-conducteurs

d. Influence de la température.

• Sur Is :
courant dû aux porteurs minoritaires créés par génération thermique, il augmente
rapidement avec T° → pour le Si il double tout les 7°C.
• Sur V0 la barrière de potentiel :
pour le Si autour de 300°K elle décroit de 2 mV pour une augmentation de 1°C.

dV0
= −2 mV / °
dT

37
 I – Matériaux semi-conducteurs

6 – La diode à jonction PN.

VAK

A K
anode IAK "k"athode

P N

38
 Différentes diodes : Symboles
Anode « A » Cathode « K »
Diode
Diode Zener En inverse pour la régulation

Diode Schottky Pour les commutations rapide

Diode Varicap En HF

Diode électro luminescente (LED)

Faut il la présenter ?

39
Diodes de signal (ex 1N914)

• Faibleintensité (jusqu’à 100 mA)

• Faible tension inverse (jusqu’à 100V)
• Souvent très rapides (trr<10ns)
donc adaptée à la commutation
• Boîtier verre (ou CMS)
• L’anneau repère la cathode
• Marquage le plus souvent en clair

40
40
Diodes de redressement (ex 1N400x)

• Forte intensité (1A)

• Forte tension inverse (jusqu’à 1000V)
• Lente en commutation (trr>100ns)
réservée aux basses fréquences
• Boîtier plastique
• L’anneau repère la cathode
• Marquage le plus souvent en clair 41
 Diodes LEDs
• Choisies pour leur couleur,
luminosité et taille
• La tension Vf dépend de
la couleur (énergie)
• L’intensité est pulsée pour accroître
l’efficacité lumineuse
• Bicolores à deux ou multicolore par
combinaisons de courants
• Isolées ou assemblées

42
Diodes de puissance

Utilisées généralement pour le

redressement de puissance
Dans les onduleurs par exemple
IF >100A

43
 Autres diodes

• SCHOTTKY pour la commutation rapide en

puissance et la faible chute Vf
• TRANSIL pour absorber les courants dues
aux surtensions (protection aux décharges)
• PHOTODIODE polarisée en inverse c’est un
convertisseur lumière/courant

44
2. Les Diodes

2.1 Définition Id Id

n Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode sous polarisation “directe”
idéale : (“Vd≥0”), la diode = court-
circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

* Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles
que le redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

*La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

*ON NE SAIT PAS FABRIQUER UNE DIODE IDEALE !!!!

45
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime
statique Id
(tension et courant 140
indépendants du comportement linéaire
100
temps)
60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1
Vd

■ Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

➥ la diode est dite “bloquée”
➥ dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
➥ le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

■ Pour Vd >> ~0.6v, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
➥ la diode est dite “passante”
➥ mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

46
 Id
140

100
å le comportement est fortement non-linéaire
60
åvariation avec la température
20 åRq : pour Vd>>Vt le terme (-1) est negligeable
Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
Vo

■ Zone « du coude » : Vd ∈[0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

avec 1≤m≤ 2 (facteur “d’idéalité”)
  Vd  
I d ≅ I s e  T  − 1
mV VT = k • T/e ,pour T=300K (26,85°C), VT =26mV
  e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
  k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
Is = courant inverse

■ Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

47
Limites de fonctionnement :

■ Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts à qq 1000v Vmax
Vo Vd
peut conduire à la destruction pour
une diode non conçue pour
fonctionner dans cette zone.

Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) claquage par effet

ou « P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
■ Limitation en puissance
Il faut que VdId=Pmax

48
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

■ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un

circuit et le courant qui la traverse?
Id
Val Vd I d , V d, ?
RL VR

➪ Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff (conservation d ’énergie, loi des nœuds,

loi des mailles)

➪ Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

➪ Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

49
2.3.2 Droite de charge
Val − Vd
■ Loi de Kirchoff : L → I d = RL
= Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

➪ Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

☛ procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

➪ On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un

modèle simplifié.
50
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires ↔ hyp: Id, Vd constants

2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »

↔On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

↔Ce modèle est surtout utilisé en electronique numérique Id
● pas de tension seuil Id
● conducteur parfait sous polarisation directe Vd
Vd
● V <0: circuit ouvert
d

■ Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val ⇔ Id ≥ 0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d = al , Vd = 0
Ri

Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val ⇔ Vd < 0

Val I d = 0, Vd = Val
51
2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle Id

●
Id
● caractéristique directe
Vd
verticale (pas de “résistance Vd
série”)
● V <0: circuit ouvert
Vo
d

* Pour une diode en Si: Vo ≈ 0,6-0,7 V

schémas équivalents :
■ Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val Vo ⇔ I d ≥ 0
Val >Vo Vd
V − Vo
Ri Vo Val I d = al , Vd = Vo
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val<Vo Vd Val
⇔ Vd < Vo
Val
I d = 0, Vd = Val

52
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
● tension seuil Vo non nulle Id
● résistance directe R non nulle Vd
f
pente = 1/Rr~ 0 Modélisation
● V <0: résistance R finie
d r

☛ Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q . 10Ω, -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
Rr >> MΩ,

■ Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd ⇔ I d ≥ 0 et Vd ≥ Vo
Vo Val Rf → Vd = Vo + R f I d
Id
Ri
Val <Vo : diode bloquée
Vd
Val ⇔ Vd < Vo
Val Rr
53
Remarques : VF
DIODE PARFAITE
RI

V
■ Rf ≠ d
Id ■ Modèle couramment utilisé

■ Le choix du modèle dépend de la précision requise.

■ Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la

caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus
évolués (modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

Exemple de modèle SPICE : diode 1N757

.model D1N757 D(Is=2.453f Rs=2.9 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=78p
M=.4399
+ Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.762n Nr=2 Bv=9.1 Ibv=.48516 Nbv=.7022
+ Ibvl=1m Nbvl=.13785 Tbv1=604.396u)
* Motorola pid=1N757 case=DO-35
* 89-9-18 gjg
* Vz = 9.1 @ 20mA, Zz = 21 @ 1mA, Zz = 7.25 @ 5mA, Zz = 2.7 @ 20mA
54
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [↔Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1kΩ
Id Vo Rf V − Vo
L → I d = al = 4,33mA
Informations sur la diode: > R f + RL
Vo = 0.6V (↔ Si) 5V 1kΩ et Vd = Vo + R f I d = 0,66V
Rf = 15Ω
Rr =1MΩ

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = ∞) L → I d = 4,4mA et Vd = 0,6V

è La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement
d’un circuit .

55
EXERCICES: Caractéristiques des diodes :
Rf = 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
1)
50Ω Calcul de Id et Vd

Val 1MΩ pour : Val=-5v diode bloquée Id=0, Vd =-5v

a)Val = -5V Val=+5v diode passante Vd=0,6v
b) Val = 5V Id=(Val-V0)/(50+30)=55mA

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des

calculs

56
 Diodes au Si (Rf = 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et RR
3) D1 D2 infinie)

2V
R=100 Ω Définir If

If=(2-2*V0)/(R+2Rf)=5mA

EXERCICES
R=50Ω
4)

1V Définir IR en appliquant
l’approximation 2
(Rf=0) IR=(1-Vf)/R=0.4/50=8mA

57
 Ve (V)

VeMAX

Vcc+ 0,6v
Vcc

t
-0,6v

Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du

signal d’entrée :
• avec ventrée signal sinusoïdal basse fréquence 10Hz
d’amplitude VeMAX = 10V tel que le modèle statique reste
valable (période du signal < temps de réponse de la diode
↔pas d’effet “capacitif” )
R1(1) R1(1) R1(2)
R1
1k

D1
1N914

DIODE0 La courbe R1(2) représente la tension

aux bornes de la diode, lorsque la
diode conduit la tension à ses bornes
est VF, quasiment constante 59
R1(1) R1(1) R1(2)
R1
1k

D1
1N914

V1
2V

DIODE1 La courbe R1(2) représente la

tension aux bornes de la diode plus
2v, lorsque la diode conduit la
tension à ses bornes est VF 60
 Exemples d’application de la diode en LOGIQUE

Réalisation d’un fonction logique avec R, D

Témoin sonore de la lumière externe non éteinte dans les automobiles

-la lumière interne s’allume lorsque la porte est 12V DC
Lumière
ouverte et elle s’éteint si la porte est fermée
intérieure
- Une alarme sonne si la lumière
externe est allumée et la porte s’ouverte
- pas de sonnerie si la lumière externe
est allumée mais la porte est fermée fermée
Lumière
Donner les deux positions de la porte et placer extérieure
ouverte Porte
un circuit type Diode + Alarme pour répondre
à ce besoin.
61
2.5 Comportement dynamique d ’une diode

2.5.1 Préambule : Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques

(ou composantes continues (DC) , ou encore composantes statiques)
L’analyse statique permet de définir le point de polarisation
* = Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes
L’ Analyse dynamique

… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux”
électriques, ou encore composantes alternatives (AC) )
L’analyse dynamique permet de définir la fonction de transfert informationnelle

☛ n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

62
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1
hypothèses:
ve ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
R2 V(t)=V+v(t) VE = source statique
VE

Calcul complet

V (t ) =
R2
[VE + ve (t )] = R2 VE + R2 ve (t )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2

V v(t)
Principe de superposition :
* Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
è la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v

63
 R1
Analyse statique :
R2
ve = 0 VE V V = VE
R2 R1 + R2

“schéma statique” du circuit

☛ En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un

court-circuit
R1
Analyse dynamique :∆VE = 0
R2
ve v(t ) = ve (t )
R2 v R1 + R2

“schéma dynamique”

☛ Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

64
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

Schéma statique R1 R2
R1R3
V= Io
V R1 + R2 + R3
Io R3

Schéma dynamique
R1 R2
R3ve (t )
v(t ) =
ve R3 v R1 + R2 + R3

☛ Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit

ouvert. [puisque i(t)=0!]
65
2)
Val * C = composant linéaire caractérisé par une impédance
qui dépend de la fréquence du signal
R1
C
Rg
vg R2 V (t)
ω

Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
R1 →V = Val
R1 + R2

R2 V

66
 Schéma dynamique : 1
Zc =
iCω

R2 // R1
→v = vg avec Z g = Rg +
1
jCω
R1 R2 // R1 + Z g
ZC

vg Rg
ω R2 v

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour ω suffisamment élevée :Z g ≈ Rg et v= vg
R2 // R1 + Rg

☛ A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être

remplacé par un court-circuit.

67
 POLARISATION et
signal

VCC

B1
10V

R1
10k
R1(2)
Ve R3 C1

100
100u
VE
R2
AMP=1V 10k
FREQ=1000Hz
☛ Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-
linéaires !

Extrapolations possibles:

n le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du

composant non-linéaire

n l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du

composant reste approximativement linéaire.

“modèle linéaire petits signaux” de la diode

69
2.5.2 Modèle petits signaux (basses fréquences)
hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la
caractéristique “statique” reste valable.
■ Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
➨ la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q

pente : dI d
➪ id ≅ ⋅ vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
➪schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :
I dQ 2|id| Q
−1
Vd dI d
≡ = “résistance
dVd Q
Vo dynamique” de la
2| v| diode
VdQ

* Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !

70
■ Notation : −1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V > 0
d

−1
rr = dI d = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V < 0
d

è Pour Vd >> Vo, rf ≈ Rf

Id
−1 −1 −1
dI d  d  Vd
  1 Vd
 VT
è Pour Vd ∈ [0, ~Vo] , r f = ≅  I e mV T
− I s  = . .I s e mV T
 =m
dV d  dV d  s   mV T  Id
Vd  

è Pour Vd < 0 , rr ≈ Rr

Ω (m = 1)
25
* à température ambiante : rf ≈
Id (mA)

* proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle

å rf ne devient jamais inférieure à Rf (voir courbe expérimentale)
71
Exemple :
diode: Si, Rf = 10Ω , Vo = 0,6V ,
Rb
1kΩ C 2kΩ Température : 300K 1
Zc =
Ra 10µF D F(Ve)=1KHz, 0,1V C.ω
5V Ve

( )
ve Vd(t)
ve = 0,1 ⋅ sin 103 ⋅ 2π ⋅ t
5 − 0,6
Analyse statique : ID ≈ = 2,2mA, VD ≈ 0,62V
2000

26
Analyse dynamique : r f ≈ = 12Ω, Z c = 16Ω << Ra
2,2

Schéma dynamique :

2kΩ
(
→ vd ≈ 1,2 ⋅ 10−3 sin 103 ⋅ 2π ⋅ t )
1kΩ
Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12Ω

72
 R2
2k

R1(1) R1(1)
R1 C1

1k
10uF
D1(A)

V1 D1
5V 1N914

DIODE3

73
2.5.3 Réponse fréquentielle des diodes

■ Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations

instantanées de Vd au delà d’une certaine fréquence.

➨ apparition d’un déphasage entre Id et Vd

➨ le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable

■ Le temps de réponse de la diode dépend :

➪ du sens de variation (passant →bloqué, bloqué →passant) ( signaux de grande

amplitude)

➪ du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

74
n Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

* une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des
charges qui traversent la diode

* A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent
pas à suivre les variations de Vd)

* ~ Comportement d’un condensateur, dont la valeur augmente avec Id

(cf physique des dispositifs semiconducteurs)

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd >0) :

rc
☛ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.
≡ Cd ∝
I dQ
rsc T

= “capacité de diffusion”
* à basse fréquence : rc + rsc = rf

* la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
75
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-
t-elle à influencer la tension vd ?
5V
Rb Id = 2,2mA Cdiff ~100nF
1kΩ C 2kΩ
Ra 10µF D
ve Vd(t)

Schéma dynamique en tenant compte de Cdiff : (hyp simplificatrice: rc ~0)

1kΩ rth ~11Ω

v v
~ 12Ω
ve Cdiff vth Cdiff = « filtre » passe-bas

 v 
log 
 vth  -3dB

log f
f = 1 ≈ 130kHz
2πrthCdiff 76
n Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse
Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque
la diode bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R

-VR/R

ê le temps de réponse dépend du courant avant commutation.

ê ordre de grandeur : ps → ns
77
 R1(1) R1(1) R1(2)
R1
1k

D1
1N4004

R1(1) R1(1) R1(2)

R1
1k

D1
1N914

Le simulateur SPICE tient compte du

temps de recouvrement des diodes DIODE4
78
(1N914 vs 1N4004)
2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener

* Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par
une tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

n Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au
-Vz Vd delà duquel commence le domaine linéaire
-Imin “Zener”
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax ↔ régime de fonctionnement

79
■ schémas équivalents
➪ Modèle statique :
hyp : Q ∈ domaine Zener

Rz
Vd ≡
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q ➪ Modèle dynamique, basses fréquences,
pente faibles signaux :
1/Rz
−1
 dI 
-Imax rz =  d  ≅ Rz pour |Id| >Imin
 d Q
dV
 

80
2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)

■ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

➪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

➪ L’intensité lumineuse ∝ courant électriqueId

☛ Ne marche pas avec le Si

➥ Vo ≠ 0.7V !
➥ Vo dépend de la couleur

81
 Longueur d’onde
Couleur Tension de seuil (V)
(nm)

IR λ>760 Vs<1.63

Rouge 610<λ<760 1.63<Vs<2.03

Orange 590<λ<610 2.03<Vs<2.10

Jaune 570<λ<590 2.10<Vs<2.18

Vert 500<λ<570 2.18<Vs<2.48

Bleu 450<λ<500 2.48<Vs<2.76

Violet 400<λ<450 2.76<Vs<3.1

Ultraviolet λ<400 Vs>3.1
Blanc xxx Vs=3,5
82
3.5 PHOTODIODE

Polarisée en inverse elle produit un courant

proportionnel à l’énergie lumineuse reçue
(généralement dans l’infrarouge)

Capteur CCD

83
3. Applications des Diodes

3.1 Limiteur de crête (clipping)

■ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…)
contre une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.
Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge I
d

Rg Vg
circuit à Rg // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
84
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)

+20V ■ ouverture de l’interrupteur +20V ■ Protection par diode

: dI :
V =L → −∞
V L dt
➪ V ➪ Vmax<0 ~ - 0.7V
I
➪ VA → +∞ I ➪ VA ≤ ~20,7V
A

➪risque de décharge ➪ la conduction de la

électrique à travers diode engendre un
l’interrupteur ouvert courant transitoire et
diminue la tension
☛ L’interrupteur pourrait inductive.
être un transistor...

85
Lors de la rupture de courant
(relâche du bouton) la diode
commence à conduite lorsque
Vs atteint VCC+0,7v.
L’énergie accumulée dans L1
est dissipée dans la
résistance interne de la diode
durant environ 250uS, il y a
ensuite un phénomène
oscillatoire due à la capacité
de la diode (circuit LC //), ce
phénomène apparait lorsque
le point de fonctionnement de
la diode s’approche du coude
(fonctionnement non linéaire).

86
A suivre ….
Le transistor à effet de champ
Pour préparer la prochaine séquence :

Bien connaitre la loi d’Ohm, les théorèmes de superposition et de Millman

Intégrer les concepts de grandeurs alternatives et continues, le principe de

polarisation et de variation d’une grandeur électrique autour d’un point de
repos.

Revoir les exercices, être capable d’expliquer les formes et grandeurs des
signaux sur les graphes temporels.

87