Etude théorique et expérimentale des techniques

d’assemblage et de mise en boitier pour l’intégration de

microsystèmes radio-fréquences
David Peyrou

To cite this version:

David Peyrou. Etude théorique et expérimentale des techniques d’assemblage et de mise en boitier
pour l’intégration de microsystèmes radio-fréquences. Mécanique [physics.med-ph]. Université Paul
Sabatier - Toulouse III, 2006. Français. �tel-00129546�

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abroad, or from public or private research centers. publics ou privés.
THÈSE

Préparée au
Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS

En vue de l’obtention du
Doctorat de l’Université Paul Sabatier de TOULOUSE

Spécialité :
Mécanique et microsystèmes

Par :

DAVID PEYROU

ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES

TECHNIQUES D’ASSEMBLAGE ET DE MISE EN
BOITIER POUR L’INTEGRATION DE
MICROSYSTEMES RADIO-FREQUENCES

Soutenue le 8 décembre 2006 devant le jury :

Président MARC SARTOR Professeur

INSA Toulouse
Directeur de thèse ROBERT PLANA Professeur
Université Paul Sabatier Toulouse
Co-directeur PATRICK PONS Chargé de recherche
LAAS CNRS
Rapporteurs ROLAND FORTUNIER Professeur
Ecole des Mines de Saint-Etienne
DOMINIQUE BAILLARGEAT Professeur
Université de Limoges
Examinateurs HERVÉ AUBERT Professeur
ENSEEIHT Toulouse
NICOLAS HUC Docteur - Ingénieur
COMSOL – France
XAVIER GRISON Ingénieur
DGA Paris
Invité FRÉDÉRIC COURTADE Ingénieur
CNES Toulouse
Your manuscript is both good and
original, but the part that is good is
not original and the part that is
original is not good.

Samuel Johnson
1709-1784, Auteur Britanique

A ma femme Elise et mon fils Lucas,

A mon grand père Georges …

A mes grands parents Odile et Jacques,
A ma grand-mère Yvette et Patrick,
A mes parents, Mireille et Gérard,
A ma sœur Sandra et Olivier,
A tous mes amis et à ceux qu’on oublie.
 AVANT-PROPOS
Le travail présenté dans ce mémoire a été effectué au Laboratoire d’Analyse et d’Architecture
des Systèmes (LAAS) du Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) de Toulouse,
au sein du groupe Microdispositif et Microsystèmes de Détection (M2D) puis du groupe
MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fils (MINC).

Je tiens tout d’abord à remercier Monsieur Malik GHALLAB, Directeur du LAAS pour
m’avoir accueilli dans le laboratoire et également pour la bienveillance qu’il m’a manifestée.
Je remercie également Monsieur Pierre TEMPLE-BOYER, Directeur de recherche et
responsable du groupe Microdispositif et Microsystèmes de Détection.

Je remercie vivement Monsieur Roland FORTUNIER, Professeur à Ecole des Mines de Saint-
Etienne, et Monsieur Dominique BAILLARGEAT, Professeur à l’Université de Limoges,
pour l’intérêt qu’ils ont porté à ce mémoire en acceptant d’être les rapporteurs de mes travaux.

J’exprime également ma reconnaissance à Messieurs Hervé Aubert, Professeur de

l’ENSEEIHT Toulouse, Nicolas Huc, Docteur-Ingénieur COMSOL, Xavier Grison, Ingénieur
DGA et Frédéric COURTADE, Ingénieur CNES, pour avoir accepté d’examiner mes travaux
de thèse et de participer au jury de thèse.

J’exprime ma gratitude à Monsieur Marc SARTOR, Professeur à l’Institut National des

Sciences Appliquées de Toulouse, pour l’honneur qu’il a bien voulu nous faire en acceptant à
la fois de juger mes travaux et de présider notre jury.

Je tiens à exprimer ma profonde reconnaissance à Monsieur Patrick PONS, Chargé de

recherche au CNRS ainsi qu’à Monsieur Robert Plana, Professeur à l’Université Paul Sabatier
de Toulouse, pour la confiance qu’ils m’ont témoignée en acceptant la direction de mes
travaux ainsi que pour leurs soutiens, leurs conseils, leurs disponibilités et les échanges
scientifiques que nous avons eu.
Je remercie également l’ensemble du personnel du LAAS pour son aide et plus spécialement
les membres du groupe M2D et MINC, les membres du service TEAM, les membres du
service Sysadmin, Madame Nicole HIGOUNET et Monsieur Christian BERTY pour leur
sympathie et leur disponibilité.

Je n’oublie pas également mes amis et collègues de bureau qui m’ont aidé en créant une
ambiance agréable et amicale tout au long de ces années de thèse : Mohamed SAADAOUI
(momo), Younes LAMRANI (Jonas), Mohamad AL BAHRI, Iryna HUMENYUK, Benoît
TORBIERO (torboyau), Mohamed LAMHAMDI, Hikmat ACHKAR (le blond), Fabienne
PENNEC, Michal OLSZACKI, Cesary MAJ, Jean François LE NEAL, Christine MOLLIET,
Taoufik EL MASTOULI, Mohamed Mehdi JATLAOUI, Pierre PENNARUN, Fabio
COCCETTI, Gustavo Adolfo ARDILA RODRIGUEZ, Fadi KHALIL, Karim YACINE,
Alain SALLES, Marie Laure POURCIEL-GOUZY, William SANT, Jérome LAUNAY
Frédéric FLOURENS, ….
INTRODUCTION GENERALE

i
Introduction générale

La loi de Moore énoncée il y a plus de quarante ans par Gordon Moore, ingénieur de Fairchild
Semiconductor (co-fondateur d’Intel), indiquait que la densité des transistors doublerait tous
les deux ans. A ce jour, cette prédiction s’est révélée étonnamment exacte, avec pour
conséquences l’apparition sur le marché de systèmes électroniques de moins en moins
coûteux et de plus en plus performants.
Cette évolution quasi-exponentielle est le fruit de progrès fulgurants de la recherche en
microélectronique tant aux niveaux des procédés, des techniques de conception que des
architectures. Dans un contexte de marché de plus en plus compétitif avec des technologies
avancées et des temps de cycle réduits, la technologie ne peut s’offrir le luxe d’une pause.
Aussi, dans le domaine des télécommunications, cette course à l’innovation impose une
mutation des circuits traditionnels basses fréquences, pour tendre vers de nouveaux objectifs :
• Utilisation de fréquences plus élevées (0,1-100 GHz) pour cause d’encombrement du
spectre fréquentiel
• Hautes performances électriques (réduction de la consommation, bonne linéarité,
faibles pertes, puissance élevée en transmission…)
• Forte compacité
• Faible coût de production

L’augmentation des fréquences de fonctionnement des circuits actifs à base de SiGe permet
d’envisager aujourd’hui l’intégration des circuits passifs sur silicium. Ce matériau, avec
d’excellentes propriétés thermiques et mécaniques, s’avère un bon candidat pour la réalisation
de circuits passifs.
L’ordonnancement cristallin du silicium a permis de développer des techniques de micro-
usinage du silicium très reproductibles. Le silicium utilisé jusqu'à présent comme substrat sur
lequel les circuits micro-ondes sont fabriqués est partiellement ou entièrement gravé.
L’apparition de cette sphère technologique a révolutionné le monde de la fabrication des
circuits micro-ondes puisqu’elle a permis une montée spectaculaire en fréquence. Elle a aussi
permis d’approcher et de lier le domaine de la conception et la fabrication des circuits micro-
ondes avec celui des microsystèmes et microtechnologies.

Les Micro Systèmes Electro Mécaniques Radio-Fréquences (MEMS RF) bouleversent le

paysage en laissant entrevoir des possibilités vertigineuses : exceptionnelles performances
hyperfréquences, grande linéarité et faible consommation.

ii
Introduction générale

Ainsi pour répondre aux nouvelles exigences des systèmes de communications modernes,
deux principales pistes d’investigation font l’objet de recherches intensives :
• La réalisation de circuits intégrés monolithiques micro-onde (MMIC). Il s’agit d’une
technologie permettant la réalisation simultanée sur un même substrat des circuits
numériques, analogiques, hyperfréquences ainsi que certains éléments passifs
innovants à bases de composants MEMS.
• La réalisation de circuits intégrés hybride (HIC). Il s’agit de l’intégration de circuits
passifs et actifs sur un substrat hôte par report flip-chip, wire bonding ou par les
technologies classiques de la microélectronique.

Chacune de ces solutions amènent ses lots d’avantages et d’inconvénients, ainsi il n’existe pas
de solution idéale mais plutôt deux possibilités offertes au concepteur face au cas particulier
auquel il est confronté.

Les activités menées au sein du LAAS-CNRS, s’inscrivent dans cette démarche

d’optimisation en développant des circuits passifs à base de MEMS RF ayant de faibles
pertes, de faibles consommations, une haute compacité et une excellente linéarité. Les MEMS
RF peuvent être utilisés en tant que capacités variables, filtres accordables, commutateurs
résistif et capacitif.

Malgré les avantages indéniables des MEMS RF, les industriels attendent que ces
technologies montrent plus de maturité et soient moins coûteuses en terme de développement.
Concernant les micro-commutateurs RF, ceci passe principalement par la résolution des
problèmes de mise en boîtier (packaging), de fiabilité ou encore de prototypage afin qu’ils
obtiennent le succès escompté.
En effet, la non standardisation des procédés de report et d’encapsulation demande au
concepteur d’envisager de nouvelles solutions respectueuses de l’intégrité du MEMS sans en
affaiblir les performances, sans lesquelles tous ces microsystèmes resteraient de belles
réalisations vaines et inutiles.
De plus, la conception des MEMS bute sur de nombreux écueils : la coexistence de nombreux
phénomènes physiques couplés (électrostatique, électromagnétisme, thermique, mécanique,
fluidique), des non-linéarités fortes (matérielles et géométriques) et des incertitudes
importantes sur les dimensions géométriques des MEMS (dispersions), sur certains
paramètres assujettis aux procédés de fabrication (contraintes résiduelles), voire sur les

iii
Introduction générale

propriétés des matériaux utilisés (constante diélectrique, module de Young, coefficient de

poisson, CTE etc…).

Ces travaux de thèse initiés par le professeur Robert PLANA, le chargé de recherche Patrick
PONS et financés par la Délégation Générale de l'Armement, ont porté sur les techniques
d’assemblage et de mise en boîtier pour l’intégration de micro-commutateurs RF opérant en
bande X (10 GHz). Les résultats de ces travaux réalisés au LAAS sont ainsi présentés dans ce
mémoire et correspondent à l’état de l’art en la matière.
L’objectif de cette thèse est double, présenter une solution d’encapsulation définie
théoriquement par les outils de conception microsystèmes et validée expérimentalement.
Afin de répondre à ce double défi, il est nécessaire dans un premier temps de faire un tour
d’horizon sur les techniques d’assemblages et de mise en boîtier, de développer des outils ou
des méthodes de conception pour les microsystèmes. Puis dans un second temps, d’appliquer
ces techniques de modélisations pour la conception d’une solution d’encapsulation adaptée
aux micro-commutateurs RF. Pour aboutir finalement à la réalisation et la caractérisation
électrique de cette solution de mise en boîtier.

Le premier chapitre introductif, présente les composants MEMS en exposant leurs domaines
d’applications ainsi que leurs formidables potentialités, avant de finir par un tour d’horizon
des diverses techniques de mises en boîtier et des moyens de caractérisations indispensables
pour évaluer la qualité de l’encapsulation.

Le second chapitre permet de fixer le cahier des charges de cette thèse par une analyse de la
valeur de la solution de mise en boîtier adaptée aux commutateurs MEMS RF électrostatiques
à contact capacitif réalisés au Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes. Après
une description du principe de fonctionnement et des techniques de fabrication des
commutateurs MEMS RF, nous exposerons les principaux verrous technologiques liés aux
performances électriques en termes d’isolation, de tenue mécanique ainsi que de fiabilité.
Ensuite nous proposerons une solution de mise en boîtier, appuyée par une analyse du besoin,
compatible avec les exigences spécifiques des commutateurs. Pour finir, nous discuterons des
enjeux de la conception multi-physique en traçant le plus exhaustivement possible un
panorama des outils dédiés à la conception des microsystèmes.

iv
Introduction générale

Le troisième chapitre est focalisé sur l’évaluation de logiciels Eléments Finis permettant de
modéliser plusieurs physiques, principalement la mécanique, la thermique, l’électrostatique et
l’électromagnétisme mais également capables de proposer des modèles comportementaux afin
de modéliser le MEMS à différents niveaux d’abstraction (composant – système). Le but de
ce chapitre est de définir un environnement dans lequel une conception quasi-complète de
microsystèmes puisse être achevée de façon systématique.

Le dernier chapitre est consacré à une mise en application des choix et des techniques de
conception décrites dans le second et troisième chapitre pour la conception d’une mise en
boîtier d’un commutateur MEMS RF. Après une brève description de la réalisation
technologique, réalisée en collaboration avec la société MEMSCAP, les résultats issus de la
caractérisation électrique sont confrontés aux données de simulation. Enfin, nous conclurons
sur la qualité de la solution adoptée.

v
TABLE DES MATIERES
INTRODUCTION GENERALE............................................................................................i

CHAPITRE I ETAT DE L’ART ..................................................................................... 1

I.1. INTRODUCTION : LES MEMS............................................................................ 3

I.1.1. Définition............................................................................................................ 3
I.1.2. Historique ........................................................................................................... 3
I.1.3. Domaines d’applications des MEMS ................................................................. 4
I.1.4. Les MEMS sont une réalité … à venir ............................................................... 6
I.2. TECHNIQUES DE MISES EN BOITIER DES MEMS ...................................... 9
I.2.1. Introduction ........................................................................................................ 9
I.2.2. Les niveaux d’assemblages .............................................................................. 11
I.2.3. Packaging niveau zéro : Wafer Level Packaging............................................. 12
I.2.3.1. Définitions : ............................................................................................................ 12
I.2.3.2. Principaux avantages et inconvénients.................................................................... 14
I.2.4. Méthodes de report de capots........................................................................... 16
I.2.4.1. Report avec couche intermédiaire de scellement .................................................... 16
I.2.4.2. Report sans couche intermédiaire ........................................................................... 21
I.2.4.3. Résumé des différentes techniques ......................................................................... 22
I.3. LE PACKAGING SOUS VIDE ............................................................................ 23
I.3.1. Introduction ...................................................................................................... 23
I.3.2. Getters .............................................................................................................. 24
I.4. LES INTERCONNEXIONS.................................................................................. 24
I.4.1. Technique filaire : Wire Bonding..................................................................... 25
I.4.2. Plots métalliques : Flip Chip ............................................................................ 27
I.5. CARACTERISATION ET FIABILITE .............................................................. 30
I.5.1. Dégazage .......................................................................................................... 31
I.5.2. Adhésion - Humidité ........................................................................................ 31
I.5.2.1. Réseau de poutre ..................................................................................................... 33
I.5.2.2. Test de gonflement de membrane (bulge test) ........................................................ 34
I.5.2.3. Test de la lame (blister/blade test) .......................................................................... 35
I.5.2.4. Test du pelage ......................................................................................................... 35
I.5.2.5. Flexion quatre points............................................................................................... 35
I.5.2.6. Contrainte de cisaillement de rupture (shear test)................................................... 36
I.5.3. Pression et atmosphère contrôlée ..................................................................... 36
I.5.4. Herméticité ....................................................................................................... 37
I.6. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE I ............................. 41
CHAPITRE II PROBLEMATIQUE.............................................................................. 45

II.1. MICRO-COMMUTATEURS RADIO FREQUENCE....................................... 47

II.1.1. Généralités sur les micro-commutateur RF...................................................... 47
II.1.2. Principe de fonctionnement.............................................................................. 49
II.1.3. Microtechnologie.............................................................................................. 49
II.1.3.1. Fabrication de la partie fixe .................................................................................... 51
II.1.3.2. Lignes coplanaires................................................................................................... 51
II.1.3.3. Procédé Lift-off....................................................................................................... 51
II.1.3.4. Procédé LIGA ......................................................................................................... 52
II.1.3.5. Fabrication de la capacité........................................................................................ 52
II.1.3.6. Fabrication de la partie mobile................................................................................ 54
II.1.3.6.1. La couche sacrificielle ..................................................................................... 54
II.1.3.6.2. Fabrication du micro-pont................................................................................ 55
II.1.3.6.3. Libération des structures mobiles .................................................................... 55
II.2. PACKAGING DES MICRO-COMMUTATEURS CAPACITIFS A
ACTUATION ELECTROSTATIQUE................................................................ 57
II.2.1. Analyse fonctionnelle....................................................................................... 57
II.2.1.1. Analyse du besoin : « bête à corne »....................................................................... 57
II.2.1.2. Analyse des fonctions de service : « diagramme pieuvre » .................................... 58
II.2.1.3. Analyse de l’organisation des fonctions : Technique SADT .................................. 61
II.2.1.4. Analyse des fonctions techniques : Diagramme FAST........................................... 63
II.2.2. Choix du type de packaging ............................................................................. 65
II.3. OUTILS CAO POUR LES MICROSYSTEMES ............................................... 67
II.3.1. Introduction ...................................................................................................... 67
II.3.2. Panorama des outils de conception pour les Mems.......................................... 69
II.4. CONCLUSION....................................................................................................... 75
II.5. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE II............................ 76
CHAPITRE III EVALUATION DES LOGICIELS MULTI-PHYSIQUES ............. 81

III.1. INTRODUCTION .................................................................................................. 83

III.2. ELECTROSTATIQUE.......................................................................................... 83
III.2.1. Schéma électrique équivalent du micro-commutateur RF ............................... 84
III.2.1.1. Expression analytique de l'isolation (transmission à l'état bloqué)......................... 86
III.2.1.2. Expression analytique de la bande d’isolation à 3 dB............................................. 87
III.2.1.3. Expression analytique de la fréquence de résonance à l’état bas ............................ 87
III.2.1.4. Expression analytique des pertes d'insertion........................................................... 88
III.2.2. Ingénierie inverse ............................................................................................. 89
III.2.2.1. Expression analytique de la capacité réelle............................................................. 89
III.2.2.2. Mesure de la rugosité .............................................................................................. 91
III.2.2.3. Méthode d’ingénierie inverse.................................................................................. 93
III.2.2.4. Résultats .................................................................................................................. 96
III.2.2.5. Conclusion .............................................................................................................. 98
III.3. ELECTROMAGNETIQUE HAUTES FREQUENCES (HF) ........................... 99
III.3.1. Préliminaire : Paramètres S ............................................................................ 100
III.3.2. Description de la structure test ....................................................................... 101
III.3.3. Conditions aux limites.................................................................................... 101
III.3.3.1. Conditions aux limites : PEC ................................................................................ 102
III.3.3.2. Conditions aux limites : PMC............................................................................... 102
III.3.3.3. Conditions aux limites : PML ............................................................................... 103
III.3.3.4. Implémentation des conditions de type PML dans COMSOL 3.2b...................... 104
III.3.4. Description des méthodes de modélisation dans les différents logiciels........ 105
III.3.4.1. HFSS ..................................................................................................................... 105
III.3.4.2. COMSOL .............................................................................................................. 107
III.3.4.3. ANSYS ................................................................................................................. 108
III.3.5. Modèles simulées ........................................................................................... 108
III.3.6. Résultats et conclusions.................................................................................. 110
III.4. MECANIQUE DES STRUCTURES.................................................................. 112
III.4.1. Contraintes résiduelles et facteur de forme élevé........................................... 112
III.4.1.1. Description du microsystème : Antenne Yagi Uda............................................... 112
III.4.1.2. Modèle retenu ....................................................................................................... 113
III.4.1.3. Implémentation des contraintes résiduelles dans les logiciels .............................. 114
III.4.1.4. Possibilités des logiciels........................................................................................ 116
III.4.1.5. Résultats et perspectives ....................................................................................... 118
III.4.1.6. Améliorations des modèles ................................................................................... 119
 III.4.2. Modélisation de l’assemblage ........................................................................ 121
III.4.2.1. Description des principes de modélisation............................................................ 121
III.4.2.1.1. ANSYS ......................................................................................................... 121
III.4.2.1.2. COMSOL...................................................................................................... 121
III.4.2.2. Définition des matériaux et résultats..................................................................... 124
III.5. EXEMPLES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE...................... 127
III.5.1. Modélisation par description analytique puis calcul numérique .................... 127
III.5.1.1. Préambule : Transducteur ..................................................................................... 127
III.5.1.2. Constantes localisées : Micro-commutateur capacitif à actuation électrostatique 127
III.5.2. Modélisation comportementale ...................................................................... 129
III.5.2.1. Calcul analytique de la raideur du pont................................................................. 131
III.5.2.2. Macro modèle EF.................................................................................................. 133
III.6. CONCLUSION..................................................................................................... 137
III.7. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE III ........................ 138
CHAPITRE IV PACKAGING...................................................................................... 141

IV.1. INTRODUCTION ................................................................................................ 143

IV.2. SPECIFICATIONS GEOMETRIQUES DU PACKAGING ........................... 143
IV.2.1. Cadre du projet ............................................................................................... 143
IV.2.2. Conception du capot en Foturan..................................................................... 144
IV.2.2.1. Pré-dimensionnement du capot en Foturan........................................................... 144
IV.2.2.2. Fabrication du capot en Foturan............................................................................ 146
IV.3. CONCEPTION DU PACKAGING .................................................................... 148
IV.3.1. Analyse des performances RF........................................................................ 149
IV.3.1.1. Définitions – notations .......................................................................................... 149
IV.3.1.2. Modélisation RF.................................................................................................... 149
IV.3.1.3. Étude des interactions : plan d’expérience............................................................ 151
IV.3.1.4. Études de sensibilités ............................................................................................ 153
IV.3.1.4.1. Influence de la largeur des murs transversaux du capot ............................... 154
IV.3.1.4.2. Influence de l’épaisseur de l’anneau de scellement...................................... 155
IV.3.1.5. Conclusions sur l’étude de sensibilité ................................................................... 156
IV.3.2. Minimisation des pertes par désadaptation .................................................... 156
IV.3.2.1. Transformée conforme modifiée........................................................................... 157
IV.3.2.1.1. Description de la méthode ............................................................................ 158
IV.3.2.1.2. Capacité totale - capacités partielles............................................................. 159
IV.3.2.1.3. Méthode hybride : analytique-numérique..................................................... 161
IV.3.2.1.4. Validation de la technique ............................................................................ 162
IV.3.2.2. Adaptation d’impédance : résultats....................................................................... 164
IV.3.2.3. Conclusions........................................................................................................... 167
IV.4. CRITERES MECANIQUES............................................................................... 167
IV.4.1.1. Résistance mécanique : contrainte de rupture ....................................................... 168
IV.4.1.2. Herméticité : Taux de fuite avant rupture ............................................................. 171
IV.4.1.3. Conclusions........................................................................................................... 173
IV.5. PROCEDES D’ASSEMBLAGE ......................................................................... 174
IV.5.1. Report Flip-Chip............................................................................................. 174
IV.5.2. Calibration dispensing.................................................................................... 175
IV.6. CARACTERISATIONS RF................................................................................ 177
IV.6.1. Analyse expérimentale des pertes rapportées par le packaging ..................... 177
IV.7. CONCLUSION..................................................................................................... 181
IV.8. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE IV......................... 182
CONCLUSION GENERALE............................................................................................ 185

PUBLICATIONS ................................................................................................................ 191

ANNEXES ................................................................................................................ 195

ANNEXE A : PROPRIETES DES MATERIAUX .......................................................... 197

ANNEXE B : PROPRIETES DES ALLIAGES EUTECTIQUES ................................ 206

ANNEXE C : PROPRIETES DU FOTURAN ................................................................. 208

ANNEXE D : INTRODUCTION A LA MECANIQUE DES MILIEUX

DEFORMABLES ................................................................................................................ 209

ANNEXE E : THEORIE DES POUTRES ........................................................................ 212

ANNEXE F : THEORIE DE LA RUPTURE .................................................................... 225

ANNEXE G : INTRODUCTION A LA PLASTICITE ................................................. 229

ANNEXE H : INITIATION AU CALCUL PAR ELEMENTS FINIS......................... 240

ANNEXE I : PROGRAMMATION DE L’INGENIERIE INVERSE.......................... 244

CHAPITRE I ETAT DE L’ART

1
Etat de l’art

I.1. INTRODUCTION : LES MEMS

I.1.1. Définition
La dénomination « MEMS » provient de l’abréviation anglaise de « Micro-Electro-
Mechanical Systems » (systèmes micro-électro-mécaniques). Sous cette abréviation, il y a
deux définitions relativement différentes : celle des américains et celles des européens. En ce
qui concerne la définition américaine, un MEMS est un système électro-mécanique à l’échelle
du micron (Figure I-1) comprenant des capteurs ainsi que des actionneurs fabriqués avec les
techniques de la micro-électronique conventionnelle (croissance d’oxyde, dépôt de matériaux,
lithographie) [I.1][I.2].

Les microsystèmes, en ce qui concerne la définition européenne, sont des systèmes

miniaturisés intelligents qui combinent de manière monolithique ou non des capteurs et des
actionneurs à des fonctions de traitement du signal et de l'information [I.3][I.4].

La fabrication des microsystèmes est directement issue des techniques de fabrication utilisées
pour la réalisation des circuits intégrés (lithographie, dépôt de métaux, gravures). Grâce aux
techniques de dépôt, de gravure de films minces et également grâce aux procédés de micro-
usinage du silicium, un empilement de divers matériaux peut être formé, afin de réaliser des
structures miniatures en trois dimensions.

Figure I-1. Ordre de grandeur des microsystèmes

I.1.2. Historique
L'histoire des microsystèmes commence par une conférence donnée par le professeur
Feynman [I.5] au CALTECH lors de la réunion annuelle de l'American Physical Society en
décembre 1959 [I.6][I.7]. Le titre de son allocution "There’s Plenty of Room at the Bottom",
que l'on peut interpréter par : Il y a plein d'espace en bas de l'échelle, Feynman voulait attirer

3
Etat de l’art

l'attention sur l'intérêt de la miniaturisation, non pas en terme de taille ou de volume, mais sur
le fait que la miniaturisation d'un système rend possible la multiplication des fonctions
réalisées par ce système ou de la quantité d'informations stockée par ce dernier. C'est lui qui
parla le premier de micro-machines et qui comprit leur intérêt et les problèmes soulevés par la
physique et la mécanique des petites dimensions. C'est quelques années après l'apparition des
premiers circuits intégrés en 1958, par le récent Prix Nobel Jack Kilby, que l'on découvrit la
possibilité de fabriquer des structures mécaniques avec des technologies dérivées de la micro-
électronique et notamment la lithographie et le dépôt de couches minces [I.8][I.9]. Les
développements de la micro-mécanique ont été motivés par le fait que les matériaux de la
micro-électronique comme le silicium et le polysilicium possédaient des propriétés
mécaniques intéressantes pour les applications visées. En effet, le silicium et le polysilicium
ont des modules d'Young très élevés (respectivement 190 et 160 Gpa) et ils travaillent le plus
souvent dans le domaine élastique et non plastique (pas d’hystérésis). Dans les années 60-70,
les travaux portèrent sur les propriétés du silicium et du polysilicium en tant que jauge [I.1]
comme la piézo-résistivité, l’effet Seebeck ou la variation de la résistivité en fonction de la
température; ils permirent ainsi d’utiliser ces matériaux comme transducteurs. On vit
apparaître les technologies de micro-usinage en volume [I.9] et en surface [I.10][I.11][I.12]
qui utilisèrent les techniques de gravure sélective développées pour la micro-électronique.
Enfin, les premiers microsystèmes intégrés avec l'électronique (Figure I-2), des capteurs de
pression, … apparurent [I.13]. Les années 1990 virent ensuite l'explosion des applications
industrielles et l'apparition de technologies standardisées utilisées pour différentes
applications. Puis, ce fut l'intégration monolithique avec l'électronique et l'apparition des
premiers outils de CAO. C'est dans les années 90 également qu'apparurent les initiatives telles
que la fabrication multi-utilisateurs, pratiquée par MCNC/CRONOS ou par les services CMP
et MOSIS par exemple, qui permirent l’accès à faible coût à ces technologies.

1980 : Carte 50 cm²

1- Alignement

2002 : puce 3mm²

ADXL-202 (2D)
ADXL-50

Figure I-2. Miniaturisation – Accéléromètre Motorola (airbag)

I.1.3. Domaines d’applications des MEMS

Avec l’explosion des microsystèmes ces dernières années, les domaines d’utilisations des
MEMS sont très vastes. Néanmoins, on peut les répartir en quatre principales catégories, que
sont : les capteurs, les MOEMS, les RF MEMS et les BioMEMS [I.16]. La Figure I-3 donne
pour chaque domaine quelques exemples d’applications.

4
Etat de l’art

• Capteurs de pression CAPTEURS • Micromirroirs

MOEMS
• Centrale d’inertie • Switchs optiques
• Capteurs chimique • Cavité optique
• Etc … • Etc …
•Micro commutateur MEMS
•Capacités variables • Puce à ADN
•Résonateurs, déphaseurs • Micro-réacteur chimique
• Filtres RF, antennes, • Microvalve/Micropompe
duplexeurs • Etc …
RF MEMS BioMEMS
•Matrices de commutation
Figure I-3. Domaines des MEMS - Exemples

Dans le domaine de l’aéronautique [I.14][I.15], les applications envisageables sont très

importantes. On y retrouve en majorité des capteurs, répondant par exemples à des fonctions
de mesures inertielle et de pression (accéléromètre, gyroscope …), des fonctions de
stabilisation (capteur de terre, capteurs d’étoiles). Ce domaine prometteur, fait également
place à de nouvelles potentialités comme celles développées par les programmes de
recherches sur les micro-satellites et nano-satellites, avec par exemple l’avènement de
nouveau système de propulsion (micro-propulseurs [I.15]).

Les applications automobiles profitent quant à elles des avantages des microsystèmes en
termes de coût, d’intégration, de miniaturisation et également de communication sans fil,
rendant possible une interrogation du mems à distance (cas des capteurs de pression dans les
roues avec communication radiofréquence). Les microsystèmes permettent alors la
multiplication des capteurs et des systèmes de mesures dans tous sous-ensembles de la voiture
tels que :
- La sécurité : déclencheurs d’airbag avec les accéléromètres et les détecteurs d’occupation
des sièges, les capteurs de pression télé interrogés dans les pneus et les systèmes optiques
intelligents.
- Les suspensions actives : avec l’intégration dans les essieux de centrales inertielles et les
inclinomètres.
- Les systèmes d’anti-patinage : avec l’emploi de gyroscopes.
- La pollution : avec les capteurs de gaz (CO, CO2…) dans les échappements.
- La propulsion : avec différents capteurs tels que les capteurs de pression, de température, de
flux etc.

Les microsystèmes trouvent aussi beaucoup d'applications dans le domaine de l'électronique

et des télécommunications. L’objectif étant de remplacer certaines fonctions actuellement
réalisées à base de circuits intégrés par des microsystèmes capables de meilleures
performances : faibles pertes hyperfréquences, grande linéarité et faible consommation.
Les technologies dédiées aux télécommunications, dirigées par des enjeux industriels
importants, subissent également une forte croissance. De cette croissance, résulte
l’encombrement du spectre en fréquence, favorisant ainsi l’émergence de systèmes
fonctionnant à plus hautes fréquences. Cette nécessité est très favorable à l’utilisation de la
technologie MEMS, on nomme ce type de microsystèmes des MEMS Radio Fréquence.

5
Etat de l’art

Plusieurs types de composants ou de fonctions électroniques sont fabriqués à l’aide de

composants MEMS. Nous pouvons citer comme composant passif couramment utilisé en
hyper fréquence : la bobine. Les micro-commutateurs [I.17] (Figure I-4) sont également très
utilisés dans ce domaine, ils servent de briques de base pour la réalisation de fonctions plus
complexes telles que les filtres reconfigurables, les capacités variables, les redistribueurs de
signaux etc.… [I.18][I.19][I.20].

commutateur Raytheon ([I.21],[I.22] et Commutateurs de l'université de Perdue

[I.23]). [I.24]

Commutateur ohmique de Rockwell

Commutateur LAAS-CNRS
Scientific [I.25]
Figure I-4 Exemples de micro-commutateurs

I.1.4. Les MEMS sont une réalité … à venir

Les MEMS couvrent de nombreux domaines d’applications, aussi cette pluridisciplinarité

laisse entrevoir l’ouverture d’un nouveau marché. Par exemple, la très forte industrialisation
des capteurs (Figure I-5 et Figure I-6) ainsi que l’évolution du marché (Figure I-7) corrobore
cette perspective de production de masse.

6
Etat de l’art

40
35
30 % Valeur
25
20
15
10
5
0

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El

Figure I-5. Répartition du marché des capteurs (en valeur) par utilisateurs [I.26]

Débit

Position
Température

Déplacement
Pression Niveau
Autres

Figure I-6. Répartition du marché des capteurs (par nombre) par catégorie [I.26]

Les MEMS seront capables de sentir, d’analyser chimiquement, de détecter des accélérations,
de trier, mélanger, analyser des pico-quantités de liquides, de générer puis traiter des signaux
lumineux…
Les estimations du marché d’aujourd’hui varient de 3 à 10 milliards de dollars principalement
pour la vente d’accéléromètres pour airbag, de détecteurs de pression, de têtes de lecture pour
disques durs, de têtes d’impression pour imprimantes et de quelques « laboratoires sur puces
» (Figure I-7).
Certains spécialistes estiment que le marché dépassera les 100 milliards de dollars pour
atteindre un jour un ordre de grandeur équivalent à celui de la microélectronique. Ces
perspectives stimulent depuis de nombreuses années, outre atlantique, les investissements
publics et privés, la mise en réseau des compétences, la création de nouveaux laboratoires et
de nouvelles formations universitaires.

7
Etat de l’art

L’activité industrielle de ce secteur aux Etats-Unis a été particulièrement importante depuis

1999 avec l’apparition de très nombreuses start-ups et des investissements et acquisitions
estimés à environ 11 milliards de dollars.

4000
2000
1800
Nombre en million de pièces

1600
1400
1996
1200
2002
1000
800
600
400
200
0

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M
C

Figure I-7. Evolution du marché des capteurs (en nombre) [I.26]

Cependant, la commercialisation de certaines technologies est parfois retardée. Les raisons

souvent évoquées concernent les problèmes de coût, d’optimisation des procédés
d’élaboration, de packaging, les procédures de tests, le manque de standard et d’outils de
conception assistée par ordinateur.

Concernant les commutateurs MEMS RF, ceci passe par la résolution des problèmes de mise
en boîtier (Packaging) et de fiabilité afin qu’ils obtiennent le succès escompté.

La partie suivante repose sur un tour d’horizon des techniques de mise en boîtier et des
moyens de caractérisation indispensables pour évaluer la qualité de l’encapsulation.

8
Etat de l’art

I.2. TECHNIQUES DE MISES EN BOITIER DES MEMS

I.2.1. Introduction
Le packaging est une étape cruciale du procédé de fabrication des microsystèmes. Cette étape
permet de garantir simultanément une protection du dispositif par rapport aux éléments nocifs
de son environnement (poussières, humidité), une connexion avec la partie électronique et
éventuellement une interaction avec un milieu donné (ex: capteurs). Dans ce contexte, et
contrairement au packaging des circuits intégrés, il n’existe pas de packaging universel. Ceci
est dû essentiellement à la grande diversité des microsystèmes. La conception et la réalisation
du packaging doit être compatible avec le type du microsystème et ses particularités.

Une intégration monolithique des MEMS-RF et des circuits intégrés (above IC) permet une
meilleure miniaturisation, une diminution des phénomènes parasites et une réduction du coût.
Dans ce cas, des contraintes supplémentaires liées à la technologie mise en place sont à tenir
en compte lors de l’étape du packaging.

Certains MEMS-RF (micro-commutateurs, micro-résonateurs) contiennent des parties

mobiles fragiles. Ces parties doivent être encapsulées dans un environnement hermétique,
stable et mécaniquement robuste pour une protection au cours du fonctionnement mais aussi
au cours des étapes technologiques ultérieures. Le packaging doit également garantir
l’intégrité du MEMS en terme de performances électrique, et de fiabilité, par exemple : 0,5
dB de pertes supplémentaire sur le dispositif réduit considérablement l’intérêt des MEMS RF.
Dans le cadre de cette thèse, on s’intéresse au packaging de ce type de MEMS-RF.

Pour ce type de microsystèmes, deux grandes options sont possibles:

La réalisation de circuits intégrés hybride (HIC), technologie dite « stand alone » qui
consiste à intégrer sur un même substrat hôte des circuits passifs, actifs et tous les
microsystèmes nécessaires à une fonction donnée.

La réalisation de circuits intégrés monolithiques micro-onde (MMIC), technologie

appelée aussi « above IC » qui consiste à placer les composants MEMS en partie
supérieure des circuits intégrés, au-dessus des dernières couches de métallisation, en
rajoutant des étapes technologiques dans la fabrication de ces circuits. Dans ce cas, la
technique de packaging doit être compatible non seulement avec la technologie
microsystèmes, mais aussi avec la technologie de fabrication des circuits intégrés mise
en place.

L’intégration monolithique des MEMS-RF (above IC) impose de surcroît que l’étape de mise
en boîtier au niveau du wafer (wafer level packaging - WLP):
(i) respecte le budget thermique imposé par la filière. Généralement, la température ne doit
pas dépasser 450°C pendant une durée de 15 à 20 min dans le but d’éviter des problèmes
de disfonctionnement essentiellement liés à une diffusion non contrôlée (ex: Al/Si au
niveau des contacts source et drain des transistors).
(ii) ne doit pas apporter de contaminants pour les circuits intégrés (métaux lourds, alcalins). Il
est à noter que seule la présence de quelques métaux est acceptée en salle blanche (Ni, Co,
Ti, Al, Mo,Au).

9
Etat de l’art

Ainsi, la fonction principale du packaging est de permettre l’intégration du MEMS en tenant

compte des contraintes du cahier des charges fonctionnel selon le type d’application, par
exemple :

Objectifs : Encapsulant
Protection contre les agressions
extérieures (Figure I-8 et Figure I-10)
Dissipation thermique
- Evacuation de la chaleur (Figure I-9) Boîtier
- Homogénéisation thermique
Interconnexions
- Transmission des signaux
- Électriques
- Optiques
- Autres Figure I-8. Proctection vis à vis de l'extérieur
Performances [I.27]
- Vitesse
- Consommation
- Bruit
- Autres
Ambiance interne contrôlée
- Gaz / Vide
- Pression Substrat hôte
- Herméticité Figure I-9. Dissipation thermique [I.27]
- Etanchéité
Respect du budget thermique (MMIC-HIC-Flambement ....)
Minimisation de la taille
Minimisation du poids
Minimisation du coût

Température Chimique

Fc1 Gaz
Fc2 Fc9
Fc3
Humidité Fc8 Corrosion
Fc4 PACKAGING
Fc5 Fc7
Sollicitations Fc6 Pression
mécaniques
Vibrations Particules

Figure I-10. Domaines de protection du packaging

10
Etat de l’art

I.2.2. Les niveaux d’assemblages

On définit cinq niveaux d’assemblages selon le degré d’intégration [I.30] [I.27] :

• Niveau 0 : Encapsulation des composants

électronique sur une même puce Niveau 0
• Films minces (photolithographie...)
• Report de capot (collage, wafer
bonding, flip chip...)
Niveau 1
• Niveau 1 : Interconnexion et intégration de
la puce dans des circuits intégrés
• Ex : montage en CI de composants
MOS
• Techniques : collage, microsoudure,
encapsulation, flip chip,etc.. Niveau 2

• Niveau 2 : intégration des CI sur un support

• Ex : montage des CI sur des cartes de
circuits imprimés
• Techniques : montage en surface,
Niveau 3
multi chip module, …

• Niveau 3 : intégration des supports sur un

support commun pour créer le système
• Ex : assemblage de plusieurs cartes
sur un rack
• Techniques : Câblage, multi chip
module, assemblage 3D

• Niveau 4 : intégration du système dans son

environnement
• Ex : connexion du rack au secteur Niveau 4

11
Etat de l’art

I.2.3. Packaging niveau zéro : Wafer Level Packaging

Le type de packaging que l’on se propose d’analyser dans cette thèse, est le packaging de
niveau zéro : il s’agit d’une technique d’encapsulation au niveau du wafer.

On distingue deux techniques de packaging niveau zéro, suivant qu’elle est réalisée lors de la
fabrication du MEMS (Wafer Level Thin Film Packaging) ou bien que l’on vient rapporter un
capot sur la puce MEMS (Wafer Scale Packaging).

I.2.3.1. Définitions :
Wafer Level Thin Film Packaging (WLTFP) [I.33] :
Le packaging est réalisé en même temps que le MEMS RF par des techniques
conventionnelles de dépôts de couches métalliques et/ou diélectriques (centrifugation,
évaporation, pulvérisation, PECVD, LPCVD) sur une couche sacrificielle qui sera par la suite
supprimée (Tableau I.1). L'assemblage mécanique entre le capot et le substrat est ici lié aux
propriétés d'adhérence de la couche reportée. Cette technique a été développée notamment
dans [I.31] et [I.32].

MEMS à protéger

(a) Dépôt d’une couche sacrificielle (résine …) (b) Dépôt d’une couche métallique ou
organique réalisant le capot

(c) Gravure de trous dans le capot (d) Libération du capot par gravure humide
(solvants) ou sèche (plasma)

(e) Scellement des ouvertures par depot d’une (f) Ouverture des contacts pour les
couche métallique ou organique (diélectrique, interconnexions
polymère …)
Tableau I.1. Description de la technique de packaging en couche mince

Wafer Scale Packaging (WSP) [I.33] :

Il s’agit d’un capot (verre, silicium, polymère…) rapporté sur le substrat qui contient le
MEMS, les deux parties étant fabriquées indépendamment. Techniquement plus simple que le
WLTFP, le WSP peut également être envisagé de façon collective. L'assemblage consiste ici
à assurer l'interconnexion mécanique entre les surfaces du capot et du substrat.

12
Etat de l’art

Au niveau du WSP, nous avons trois principales méthodes d’assemblage (Tableau I.2), on
distingue :

A. L’encapsulation du MEMS au niveau de la puce (Chip Level MEMS Encapsulation)

a. Réalisation des MEMS et des capots
b. Découpe des MEMS et des capots individuellement
c. Assemblage du capot sur le MEMS
B. L’encapsulation des MEMS au niveau du wafer avec des capots individuels (Wafer
Level Chip Scale MEMS Encapsulation)
a. Réalisation des MEMS et des capots
b. Découpe des capots individuellement
c. Assemblage des capots unitaires sur le substrat hôte des MEMS
d. Découpe finale pour obtenir un MEMS encapsulé
C. L’encapsulation collective des MEMS au niveau du wafer (Wafer Level Wafer-Scale
MEMS Encapsulation)
a. Réalisation des MEMS et des capots
b. Report collectif des capots sur le substrat hôte des MEMS (wafer/wafer)
c. Découpe finale pour obtenir un MEMS encapsulé

Fabrication des capots

Fabrication des MEMS

Découpe finale Découpe finale

Tableau I.2. Description des trois méthodes de WSP

13
Etat de l’art

I.2.3.2. Principaux avantages et inconvénients

Le Tableau I.3 énumère, de façon qualitative, les principaux avantages et inconvénients
associés aux différentes techniques.

Techniques Avantages Inconvénients

Wafer Level Thin Film • Mems encapsulé durant le • Libération difficile
Packaging procédé de fabrication • Problème de collage
• Protection du Mems avant la • Faible surface d’encapsulation
découpe • Faible résistance aux chocs
• Contrôle post-packaging difficile
• Un échec lors de la réalisation des capots
implique la perte des MEMS !
Chip Level MEMS • Planéité moyenne • Mems non protégé durant la découpe
Encapsulation • Faible compression • Dommage possible
• Assemblage facile • Contamination...
• Petite production, peu d’avenir industriel
(pas collectif)
• Mise en œuvre quasi-automatique
(alignement)
Wafer Level Chip • Planéité moyenne • Moyenne production
Scale MEMS • Encapsulation des Mems • Mise en œuvre quasi-automatique
opérationnels (alignement)
Encapsulation • Protection du Mems avant la
découpe
• Faible compression
Wafer Level Wafer- • Coût de production • Bonne planéité
Scale MEMS • Collectif • Effort de compression élevée
• Robuste • Investissement coûteux
Encapsulation • Protection du Mems avant la • Alignement
découpe
• Rapidité

Tableau I.3. Avantages-inconvénients des différentes techniques

Les cavités scellées obtenues par couches minces (Wafer Level Thin Film Packaging)
présentent deux problèmes majeurs, qui sont : une faible tenue mécanique (chocs) et une
étape de libération difficile. De ce fait cette approche ne sera pas retenue dans le cadre de
cette thèse.

Il est également primordial de prendre en compte l’étape finale de découpe des composants
car suivant la technique de discrétisation, de fortes incompatibilités peuvent subsister avec
l’intégrité du Mems.
Rotation
La Figure I-11 présente une
technique de découpe, couramment
utilisée, par scie diamantée.
Flange
Fluide de Lame
refroidissement

Wafer
Adhésif Déplacement
Chuck

Figure I-11. Principe de découpe par scie diamantée [I.27]

14
Etat de l’art

Quelle que soit la technique (Tableau I.4 et Figure I-12), la discrétisation est une étape
critique car elle engendre notamment des problèmes de contamination (poussières-humidité,
Figure I-13), des contraintes mécaniques (cisaillement) et/ou thermique pouvant provoquer la
délamination des capots.

Clivage Scribbing Scie Laser Jet d’eau Plasma

• Rapide • Reproducti- • Reproductibilité • Reproductibilité • Collectif

Avantages

• Mise en œuvre simple bilité • Matériaux durs • Matériaux durs • Propre

• Sec • Variété des
• Coût procédés
• Poli optique
• Axes de • Poussières • Humide • Qualité découpe • Humide • Mise en
Inconvénients

discrétisation • Reproductibilité • Poussières • Poussières • Poussières œuvre

• Positionnement • Matériaux durs • Coût • Coût équipement • Coût • Coût
• Reproductibilité équipement • Bilan thermique équipement équipement
• Matériaux durs • Mise en • Mise en oeuvre • Mise en oeuvre
œuvre

Tableau I.4. Avantages-inconvénients des différentes techniques de discrétisation [I.27]

Scribbing Scie Laser

Figure I-12. Description de trois techniques de découpe [I.27]

(a) (b)

Figure I-13. Découpe par scie diamantée : (a) avec et (b) sans craquellements [I.27]

La technique de packaging au niveau de la puce (Chip Level MEMS Encapsulation) ne

permet pas de protéger le Mems avant la découpe. Cette technique est néanmoins utilisable
lors de la phase de développement du Mems.

15
Etat de l’art

I.2.4. Méthodes de report de capots

L’approche usuelle consiste à assembler un capot (verre, silicium, polymère…cf Tableau I.5),
sur le substrat du microsystème, les deux parties étant fabriquées indépendamment. Les capots
sont obtenus simultanément par micro-usinage en volume, par les techniques de gravure issue
de la technologie microélectronique.

Herméticité possible
Technologie établie

Solution répandue

Inspection post-
(wafer/wafer)
Wafer Level
(puce/puce)
Chip Level

packaging
Pertes RF
Accès
Capots

Verre ++ + -- -- ++ + Oui
Si +++ + -- --- ++ + Non
Polymère
structuré
+ + -- -- ++ + Poss.
Foturan1 - + -- -- ++ + Oui
Céramique
LTCC
+++ + + - Non

Tableau I.5. Description qualitative de quelques capots vis à vis de leurs potentialités

Suivant les caractéristiques des surfaces en contact, du budget thermique admissible, des
contraintes rapportées, etc ..., différentes techniques d'assemblage peuvent être envisagées.
Dans cette section, nous citons les principales techniques utilisées.

I.2.4.1. Report avec couche intermédiaire de scellement

L’assemblage par verre fritté (Glass frit bonding) :

Cet assemblage utilise du verre fritté (pâte) comme couche intermédiaire de scellement
(Figure I-14). Le verre fritté est déposé sur le substrat par préformes, par spin on, par screen
printing, par sérigraphie ou bien par photolithographie. Puis une thermo-compression, sous
une pression d’au moins 1 PSI à la température de fusion comprise entre 400°C et 600°C,
permet de réaliser le scellement qui peut par ailleurs être effectué sous vide ou sous
atmosphère contrôlée. Outre une température relativement élevée, cette méthode présente
l’inconvénient d’avoir un faible contrôle dimensionnel du joint de scellement en verre fritté.

Substrat 2
Pâte de verre
fritté
Substrat 1

Figure I-14. Assemblage par verre fritté (Glass frit bonding)

Cette technique a été utilisée, pour le packaging de micro-commutateur ohmique en
technologie SOI, par [I.39].

1
Foturan :Verre photosensible

16
Etat de l’art

L’assemblage par brasage (solder bonding) :

L’assemblage par brasage consiste à assembler deux solides à l’aide d’un alliage de brasure
de température de fusion bien inférieure à celle des deux solides à assembler. En général, on
utilise des alliages de composition eutectique (Tableau I.6). Cette technique nécessite le dépôt
au préalable d’une couche métallique d’accroche (ex : Au/Ni) sur les deux surfaces à
assembler (Figure I-15). Le budget thermique est relativement faible (118°C pour 52In48Sn
et 183°C pour 63Sn37Pb) et la soudure est forte et hermétique.

Température
Eutectique

Composition des alliages eutectique

Transition (% massique)
Liquide -
Solide
°C
118 52 In 48 Sn
143,3 97 In 3 Ag
144 60 Bi 40 Cd
145 51 Sn 31 Pb 18 Cd
177 68 Sn 32 Cd
183 63 Sn 37 Pb
199 91 Sn 9 Zn
217 90 Sn 10 Au
217 96 Sn 3,8 Ag 0,7 Cu
221 97 Sn 3,5 Ag
227 99 Sn 1 Cu
266 83 Cd 17 Zn
280 80 Au 20 Sn
303 98 Pb 2,5 Ag
356 88 Au 12 Ge
382 95 Zn 5 Al
424 55 Ge 45 Al
525 45 Ag 38 Au 17 Ge
780 72 Ag 28 Cu
Tableau I.6. Exemples de quelques alliages eutectiques (voir annexe B pour plus de détails)

Substrat 2
Alliage
Couche eutectique
d’accroche (ex : PbSn)
(ex : Au/Ni)
Substrat 1

Figure I-15. Soudure par brasage

Cette technique a été utilisée, pour évaluer les pertes par désadaptation engendrées par
l’anneau métallique de scellement sur des lignes coplanaires, par [I.39][I.40].

17
Etat de l’art

L’assemblage par soudure eutectique (eutectic bonding) :

L’assemblage par soudure eutectique directe consiste à assembler deux substrats à l’aide d’un
scellement métallique réalisant un alliage eutectique avec les wafers. La Figure I-16 donne
l’exemple d’une soudure de deux substrats en silicium en utilisant de l’or (a) ou bien de
l’aluminium (b), afin de former un alliage eutectique (ex : 97Au3Si @ 363°C, Tableau I.7).
La température eutectique est bien inférieure à la température de fusion des deux substrats à
assembler. La liaison procurée par cette soudure est forte et hermétique.

Wafer Si Wafer Si
Au Al
Wafer Si Wafer Si

(a) Soudure eutectique Au-Si (b) Soudure eutectique Au-Al

Figure I-16. Soudure eutectique

Température
Eutectique Composition eutectique
(% massique)
°C
363 97 Au 3 Si
577 88 Al 12 Si
Tableau I.7. Alliages eutectiques Si-Au et Si-Al

L’assemblage par polymère (polymer bonding) :

L’assemblage par polymère consiste à structurer sur le capot ou sur le substrat du Mems, un
anneau de polymère utilisé comme adhésif. Les polymères utilisés sont les époxies, les
silicones, les résines photosensibles (BCB, SU8...) et les polyimides (Liquid cristal polymer
LCP...). Cette technique est relativement simple, à faible coût et utilisée à basse température.
Néanmoins, elle ne permet pas un assemblage hermétique et implique un dégazage des
solvants dans la cavité.

La Figure I-17 donne l’exemple d’un scellement par un polymère thermoplastique (Liquid
Cristal Polymer LCP) avec un apport thermique fourni par un rayonnement laser en proche
infra-rouge (NIR) [I.41][I.42]. Une fine couche de matériau absorbant les longueurs d’ondes
infra-rouge est déposée sur les surfaces à sceller, ensuite le collage s’effectue lors de la
montée en température de ce matériau par l’activation laser.

18
Etat de l’art

Laser NIR Substrat hôte Anneau LCP+ Capot

absorbant IR LCP

Matériau
absorbant IR

LCP moulé

Cavité LCP après soudure

Figure I-17. Principe de la soudure utilisant un polymère LCP réticulé par laser (Foster Miller,
Inc)[I.41][I.42]

La Figure I-18 montre un scellement par un polymère photosensible, le Benzo-cyclobutène

[I.43]. Ce polymère présente l’avantage d’être simple à structurer (photolithographie), de
dégazer peu de solvant, d’être quasi-étanche (faible absorption d’humidité), de posséder
d’excellentes propriétés diélectrique, d’être réticulé à température relativement basse (180°C-
250°C) et d’être à bas coût. Mais l’herméticité n’est pas garantie, il faudra pour cela rajouter
une étape de métallisation ou bien de dépôt d’une couche minérale (SiNx-SixNy).

Figure I-18.Principe de la soudure parBCB [I.43]

L’assemblage par fusion locale :

Cette technique consiste à assembler deux solides à l’aide d’une couche mince intermédiaire
(alliage ou métal). Elle met un œuvre un chauffage localisé au lieu du chauffage classique
global (fours). En effet le matériau constituant la couche mince est à la fois le matériau
d’assemblage et l’élément chauffé localement [I.36]. Le chauffage se fait par effet joule
(micro-heater, Figure I-19 et [I.44]) ou par assistance laser (Figure I-20 et [I.45]). L’isolation

19
Etat de l’art

thermique et électrique se fait en déposant une couche organique (ex : oxyde de silicium) à
proximité de la zone de chauffage.
L’assemblage par fusion locale est une technique complexe à mettre en œuvre car elle
nécessite une bonne maîtrise de la température (confinement au niveau de l’interface
d’assemblage, isolation thermique du substrat).

Distribution de la température dans un micro-heater en

polysilicium de 50 µm de long
Figure I-19. Exemple de réalisation utilisant des micro-heater en poly-silicium [I.44]

Faisceau laser BCB

Masque de transmission
Substrat 1
BCB

Substrat 2

Mems

Soudure verre-silicium par laser

avec un anneau de BCB
Figure I-20. Soudure locale assistée par laser [I.45]

20
Etat de l’art

I.2.4.2. Report sans couche intermédiaire

L’assemblage par soudure anodique (anodic bonding) :

Pour la première fois démontrée en 1969, le collage anodique permet l’assemblage d’une
plaquette de silicium (ou de métal) à une plaquette de verre, ceci en appliquant une différence
de potentiel (jusqu’à 1500 V) entre les deux plaquettes avec des températures comprises entre
300°C et 500°C, durant 5 à 10 minutes (Figure I-21). Cette différence de potentiel provoque
la migration des cations Na+ vers la surface du verre et celle des anions O2- vers l’interface
silicium/verre. Ainsi, une zone de déplétion est créée à l’interface, créant à l’interface
Silicium/Verre un fort champ électrique. Celui-ci génère une force entre les deux substrats qui
permet une mise en contact intime des deux matériaux. Une réaction chimique des interfaces
assure ensuite un lien permanent.
Cette méthode n’est pas compatible avec la technologie MOS car elle génère des ions alkalins
et engendre un champ électrique fort qui altère les propriétés électriques des MOS
(augmentation de la charge dans les oxydes présents, en particulier les oxydes de grille des
transistors). De ce fait, cette technique est à priori incompatible avec la technologie above IC
[I.34][I.35].

Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ Verre

O2- O2- O2- O2- O2- O2- O2- O2-

~1kv Si + 2O2- ® SiO2 + 4e-
Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+
Silicium

Figure I-21. Principe de la soudure anodique

Néanmoins, cette méthode requiert une planéité des surfaces en contact de l’ordre du micron,
permet un assemblage très résistant mécaniquement et hermétique.

L’assemblage par soudure directe silicium (Fusion bonding) :

Pour la première fois démontrée en 1986, l’assemblage par soudure directe permet de lier
deux substrats de silicium, d’excellente planéité (quelques nanomètres) et de faible rugosité
(quelques Å). Cette méthode est basée sur la création de liaison de type Van Der Waals (à
température ambiante) ou de type Si-O-Si à haute température ( >800°C). Les liaisons de type
Van Der Waals n’étant pas solide mécaniquement (décollage par le test de la lame de rasoir),
on retiendra uniquement le procédé de fusion (Figure I-22) qui permet d’avoir une soudure
très résistante et hermétique. On notera également qu’il n’y a pas de contrainte thermo-
mécanique rapportée (même CTE). Par rapport à la soudure anodique, on observe une plus
grande tenue en température et l’absence d’ions alkalins.

21
Etat de l’art

A température ambiante l’adhesion des A haute température (>800°C), les groupements d’hydroxydes
wafers de silicium est de type Van Der réagissent ensemble pour former de l’eau et produire la liaison
Waals (pont d’hydrogène) Si-O-Si permettant la fusion des deux wafers.
Figure I-22. Mécanisme physico-chimique de la fusion

L’assemblage par diffusion en phase solide (solid state diffusion bonding) :

Cette technique consiste à mettre en contact les deux solides à assembler suivi d’un maintien
isotherme sous une pression déterminée. Ceci demande en particulier une très faible rugosité
des surfaces à assembler et surtout l’absence totale de toute couche superficielle (oxydes,
nitrures etc.). La liaison interfaciale est alors réalisée par un processus de diffusion à l’état
solide (avec ou sans formation de phases intermédiaires).
Dans la littérature, il existe un grand nombre d’études sur la réactivité interfaciale
métal/silicium (métal: Ni, Co, Ti, Mo, etc.) en configuration couches minces. Généralement,
il ressort de ces études que les phénomènes d’interdiffusion et surtout de formation de phases
intermédiaires ont lieu à des températures relativement basses (200-300°C). Par ailleurs, les
études de couples de diffusion massifs semblent être limitées aux hautes températures
(>500°C), la raison principale étant que les phénomènes de diffusion à l’état solide sont lents
à basse température[I.37][I.38]. Ceci s’ajoute à une réelle difficulté de désoxydation des
surfaces métalliques.

I.2.4.3. Résumé des différentes techniques

Contrainte de
Température
Techniques Herméticité Fiabilité cisaillement de Commentaires
°C
rupture (Mpa)
Verre fritté >400 OUI Bien pour des surfaces non planes
Eutectique 180-400 OUI 20 Surfaces planes
Brasure 100-300 OUI Nécessite une couche d’accroche
Simple, bas coût, surfaces
Polymère 150-300 NON 15-20
accidentées possibles, dégazage
Planéité ~1µm-
Anodique 300-500 OUI >30
Tension de 300 à 1kV
Planéité ~1nm- Nettoyage des
Fusion 700-1400 OUI >20
surfaces
Surfaces planes, peu rugueuses et
Diffusion 200-300 OUI
néttoyées

22
Etat de l’art

I.3. LE PACKAGING SOUS VIDE

I.3.1. Introduction
Le packaging sous vide est requis dans certaines applications, notamment pour s’affranchir
d’amortissement visqueux, de phénomènes de collage due à la présence d’humidité (selon la
nature du gaz). Par exemple, le facteur de qualité d’un résonateur se trouve amélioré d’un
facteur supérieur à 500 si l’on passe de la pression atmosphérique au vide. En ce qui concerne
les micro-commutateurs RF, il faudra veiller à un compromis sur le niveau de vide vis-à-vis
des performances (temps d’actuation, auto-actuation par oscillations libres...) souhaitées ainsi
que de la fiabilité. En effet, la Figure I-23 montre l’influence du niveau de vide sur le temps
d’actuation et les oscillations d’un micro-commutateur capacitif.

1 Bar 2.10-4 Bar

Figure I-23. Influence du niveau de vide sur le temps d'actuation [I.46]

La diminution de la pression permet une diminution du temps de commutation mais en contre
partie elle peut générer des oscillations suivant le niveau de pression et la rigidité mécanique
du micro-commutateur [I.46] (Figure I-24).On remarque que le micro-commutateur possédant
une faible rigidité mécanique, se retrouve en oscillations libre à partir de 0.125 bar !

Figure I-24.Influence du niveau de vide et de la rigidité sur les oscillations [I.46]

23
Etat de l’art

I.3.2. Getters
Lors de l’étape d’assemblages, les différents matériaux (capot, scellement, substrat) vont
dégazer (solvant, humidité...), entraînant une contamination résiduelle dans la cavité.

En effet, par exemple la réaction chimique durant la soudure anodique génère de l’oxygène
qui va introduire une pression dans la cavité de 100 à 400 Torr (13-53 kPa), de même la
désorption de gaz après la brasure génère une pression de l’ordre de 2 Torr (266 Pa).De plus
en fonctionnement, suivant la solution d’assemblage retenue, une contamination de l’extérieur
peut se produire par l’existence de fuite. Ainsi, lorsque l’on souhaite un fonctionnement du
Mems sous vide et sans humidité résiduelle, il est impératif de déposer à l’intérieur de la
cavité (capot) un matériau capable de piéger les particules (poussières), l’humidité et des
molécules gazeuses [I.50]. On nomme un tel matériau : un getter.

MEMS Getter

Anneau de Interconnexion
Substrat
scellement

Figure I-25. Getters - application hermétique

Un getter peut être un métal pur ou bien un alliage, par exemple alliage de: Ba, Al, Ti, Zr, V,
Fe etc....Ils sont fabriqués par des techniques de frittage (poudre métallique, Figure I-26), par
dépôt de film en couche mince et commercialisés sous forme de plaquette. Le dépôt
s’effectue directement dans le capot par compression pour les getters non évaporables (NEG)
ou par évaporation pour les NanoGetters [I.47].

Image (x 200) d’un NEG obtenu par frittage Image (x 200) d’un film mince de NanoGetterTM
Figure I-26. Exemples de getters

I.4. LES INTERCONNEXIONS

Si l’on opte pour une intégration monolithique des Mems (above IC), alors les
interconnexions feront partie intégrante de l’étape d’assemblage de niveau 1 entre la puce et
la carte des circuits intégrés. Dans ce cas, la fonction d’interconnexion et de packaging est
découplée. Mais si l’on choisi une intégration hybride (stand alone), qui consiste à intégrer
sur un même substrat hôte des circuits passifs, actifs et tous les microsystèmes nécessaires à
une fonction donnée, alors il faudra tenir compte des interconnexions lors de la conception du
packaging.

24
Etat de l’art

Dans ce cas, on a trois possibilités de sortie pour la prise de contacts électriques (Figure
I-27) :
• Au niveau de la face supérieure du silicium, on parle alors d’alimentation traversante
• Au niveau de la face inférieure de silicium, par le biais de trous métallisés (vias)
• A travers le capot, également par des vias

Capot
BCB 20 um

Si 400 um
Anneau de
Or 2 um BCB 10 um

Ligne traversante

Figure I-27. Alimentation : (a) traversante - (b) (resp.c) par vias dans le capot (resp. dans le wafer)
Pour chacune de ces possibilités, on retrouve deux méthodes classiques pour réaliser les
interconnexions, l’une filaire (wire bonding) et l’autre par plots métalliques. Nous détaillons
ces méthodes dans les sections suivantes.

I.4.1. Technique filaire : Wire Bonding

Il s’agit d’une technique industriellement répandue, basée sur des interconnexions réalisées au
moyen de fils conducteurs (or, argent...) entre deux plots métalliques (pads). Elle ne permet
de réaliser des interconnexions de forte densité mais cela ne pose pas de problèmes pour les
Mems car peu de connexions sont requises. On distingue deux techniques : ball bonding et
wedge bonding (Figure I-28 et Figure I-29).

25
Etat de l’art

Force
clamp câble Ultrason

Claquage
électrique

T°C

Formation de la boule Descente et Remontée pour Formation de la boucle et

(claquage électrique ou soudure formation de la boucle coupure du fil
flamme d’hydrogène)

Photo MEB - Réalisation LAAS Micro-moteur, Heriot Watt University

Figure I-28. Description du ball bonding - exemples de réalisations

clamp câble Force

Ultrason

T°C

Descente Soudure Remontée pour Formation de la boucle

formation de la boucle et coupure du fil

Photo MEB - Réalisation LAAS Accéléromètre, Silicon Designs Inc

Figure I-29. Description du wedge bonding - exemples de réalisations [I.27]

26
Etat de l’art

Le Tableau I.8 donne les caractéristiques de mise en œuvre du Wedge et Ball Bonding. Ces
techniques sont quasi similaires, on notera néanmoins une densité moins importante pour le
Ball Bonding mais une fréquence de fabrication plus élevée en mode automatique. De plus il
est important de souligner que ces techniques nécessitent l’utilisation d’ultrasons pouvant être
néfaste pour le Mems.
Ball bonding Wedge bonding
Force <1N
Température 150-200°C 125-150°C
Ultrasons 60-120 kHz
Durée minimale (en
20 ms 80 ms
mode automatique)
Pas du câblage Moyen Bon
Déformation
60-80% 25-30%
maximale du câble
Nature des câbles Au dopé Be et Ca (5-10ppm)
Al dopé Si (1%)
Al dopé Mg (0.5 –1%)
Diamètres 25 µm , 50 µm,..
Tableau I.8. Caractéristiques des deux techniques

I.4.2. Plots métalliques : Flip Chip

Développé pour la première fois en 1960 par la société IBM pour l’assemblage de circuits
intégrés. Cette technique est basée sur l’utilisation d’une jonction par plots métalliques de
faibles dimensions qui permet de diminuer les pertes, d’augmenter la compacité et la densité
par rapport à la technique filaire. La puce retournée est directement soudée sur le substrat par
l’intermédiaire de plots métalliques (bumps) préalablement réalisés (Figure I-30).

Bump
Under Bump
Metallization (UBM)
Puce à reporter Plot métallique
Métallisation du
substrat

Substrat hôte

Alignement puis :
Thermocompression
Collage
Refusion

Substrat hôte

Underfill

Figure I-30. Définition des zones fonctionnelles du flip chip

27
Etat de l’art

Les bumps, fabriqués avec des métaux (Au, In, alliages eutectiques ...) ou en polymères,
assurent les connexions électriques, l’assemblage mécanique et la dissipation thermique.

Différents procédés de fabrication sont utilisés pour la réalisation de bumps :

Evaporation
Croissance électrolytique (Figure I-33)
Electroless Bump electrodéposé
Sérigraphie (Figure I-34)
Ball bumping (Figure I-31) UBM
Passivation
Cœur polyimide métallisé
Jet d’encre
Plot Al
Bump sérigraphié

UBM
Passivation

Figure I-31. Bumps par ball bumping (ball

bonding modifié) Plot Al

Ball bumping

Passivation

Plot Al

Figure I-32. Description de trois principaux

procédés de Bump [I.27]
Figure I-33. Bumps par croissance
électrolytique (Heriot Watt University)

Plot Aluminium (Pad Al) UBM

Refusion Dépôt de la brasure par sérigraphie

Figure I-34. Description de la fabrication de bump par serigraphie puis refusion

28
Etat de l’art

L’underfill est un matériau a base de polymère et/ou d’adhésif, permettant une protection
chimique et mécanique de la soudure en limitant les contraintes thermiques rapportées par la
différence de coefficient de dilatation (Tableau I.9). Il s’applique par injection ou en utilisant
la capillarité suivie d’une réticulation (activation thermique ou UV).

Composés Underfill % massique

Résine Biphenal A diepoxie 5.8
Solvant Epoxie cycloaliphatique 12.5
Liant réticulable Anhydride HMPA 13.8
Catalyseur 2ethyl 4methyl imidazole 0.3
Colorant Pigment noir 0.1
Réducteur de CTE Sphérules de silice 67.5
Tableau I.9. Exemple de composition d'un underfill

La Figure I-35 résume les différents procédés possibles basés sur la technique flip chip. Pour
les trois techniques, la soudure nécessite un apport thermique pour les bumps métalliques
(350°C pour Au, 183°C Pb/Sn) mais pour les bumps en polymères la réticulation peut se faire
aussi par UltraViolets. La compression est plus élevée (>100MPa) pour la technique de
thermocompression par rapport aux deux autres techniques. La technique de refusion (Figure
I-35 et Figure I-34) permet d’obtenir des soudures étirées, offrant une meilleure durée de vie
en cycle thermique.

Procédés Flip chip

Thermocompression Collage Refusion

Bumps electroless Ni/Au Local Général

Bumps Au
Bumps polymères
Bumps Sn/Pb
Bumps Au Bumps Au/Sn
Bumps In Conduction isotrope
Conduction anisotrope Bumps In
Bumps polymères Etc.
Adhésifs non conducteurs

1-Alignement 1- Alignement
Film
adhésif

2- Compression 2- Refusion
+chaleur/UV 2- Compression général local
+chaleur

3-Soudure achevée

3bis- Etirement des soudures

Figure I-35. Description des procédés flip chip [I.27]

29
Etat de l’art

I.5. CARACTERISATION ET FIABILITE

Les enjeux en termes de fiabilité du packaging concernent l’élimination ou bien la maîtrise

des problèmes suivants :
Dégazage des matériaux (capot, scellement, substrat)
Taux de fuite
Contraintes rapportées lors de la phase d’assemblage (thermocompression, T>Tambiante)
Contraintes résiduelles d’origine thermique due à l’emploi de matériaux ayant des
CTE différents (T=Tambiante), voir Figure I-36
Collage (« stiction ») de la partie mobile due au dégazage et/ou de la non herméticité
Délamination

Avant Après

250°C pendant 10 minutes

Figure I-36. Déformations résiduelles, d'origine thermique, d’un micro-commutateur
Afin d’augmenter la fiabilité d’un microsystème, nous devons rechercher les effets des choix
de conception (matériau, topologie), des procédés de fabrication, du packaging, sur le
fonctionnement et la durée de vie du Mems, tout en tenant compte des conditions extérieure et
d’utilisations.

En effet, le Mems et son boîtier seront soumis durant leurs vies à de multiples sollicitations :
Au niveau de la fabrication : contraintes thermo-mécanique, vibrations (ex : nettoyage
par ultrasons), chocs...
Au niveau de la distribution : vibrations et chocs (transport), manutention, stockage
(Température, humidité...)
Au niveau de l’utilisation par le client : contraintes extérieures (variations de
température, choc thermique-mécanique), vibration (ex : téléphone mobile), humidité,
poussière, radiations (espace) ....

Par exemple, nous retrouvons typiquement dans les spécifications des cahiers des charges les
contraintes suivantes :
RF-MEMS (télécommunication): Au moins 108 cycles de commutations avec des
températures comprise entre -20 et +65°C
RF-MEMS (spatial): Une seule commutation mais après dix années dans l’espace !
Micro-mirroir: Au moins 1013 cycles commutations et cinq ans

Le problème qui se pose est donc d’imaginer des procédures de tests permettant de prévoir le
comportement du microsystème dans cinq ou dix ans sans avoir pour cela à attendre. Des tests
standards existent, comme par exemple l’International Electrotechnical Commission
standards (IEC), MIL (military) standards ou encore Telcordia. Néanmoins ces tests sont issus
des besoins de la microélectronique et ne sont pas forcément adaptés au cas des
microsystèmes.

30
Etat de l’art

I.5.1. Dégazage
D’après [I.48], le dégazage est responsable d’une augmentation de la résistance de contact, ce
qui est un problème crucial pour les micro-commutateurs résistifs.
Le dégazage et l’adsorption par le Mems peuvent modifier l’état des contraintes, la rigidité et
la masse de la partie mobile. Par exemple, cela a pour conséquence un décalage de la
fréquence de résonance pour les résonateurs [I.49] (Figure I-37).

Figure I-37. Variation de la fréquence de résonance d'un résonateur en fonction du temps (dégazage)
Afin d’étudier le dégazage introduit lors de la phase d’assemblage, nous pouvons utiliser un
spectromètre de masse selon la Figure I-38.

Echantillon (Mems, polymère ...)

vide Pompe
Spectromètre
de masse
Plaque
chauffante

Figure I-38. Mesure du dégazage par spectromètre de masse (exemple BCB)

I.5.2. Adhésion - Humidité

L’humidité issue de la réaction chimique, de la désorption lors de l’assemblage risque
d’entraîner le collage de la partie mobile par les forces de capillarités [I.51](Figure I-39).

31
Etat de l’art

Figure I-39. Exemple de stiction d'un pont après libération (LAAS)

D’après la théorie sur les tensions de surface, nous avons un critère sur le risque de collage :

e2k
Si ≤ 2γ LScosθ alors il y a aura collage (Figure I-40)
4S

Substrat Microstructure suspendue e : épaisseur initiale du capillaire

k : raideur de la partie mobile
S : surface « mouillée »
γLS : tension de surface du liquide
k
θ : angle de contact entre le liquide et la
surface Rc

Ressort θ
Liquide e/2
e

Figure I-40. Modélisation des forces de capillarités

Exemple :
Pont : k = 20 N/m
S = 150 x 40 µm²

On peut ainsi calculer l'épaisseur e0 minimale du capillaire pour s'affranchir du collage lors du
séchage ; on obtient l'expression suivante :
8γ LS S
emin =
k cos(θ )
Le graphe de la Figure I-41 représente l'épaisseur minimale en fonction de la tension de
surface du liquide en considérant le cas le plus défavorable, c'est à dire lorsque l'angle de
contact θ est nul [I.52].

32
Etat de l’art

Evolution épaisseur du capillaire en fonction de la

tension de surface

Epaisseur minimale
6
5
(µm) 4 Masse
Pont flotante

Isopropanol
3 Poutre
Poutre

Pentane

Acetone
Ethanol
2

Eau
1
0
0 20 40 60 80
Tension de surface(dyn.cm)

Figure I-41. Evolution de l'épaisseur minimale admissible pour le capillaire en fonction de la tension de
surface du liquide
Cette courbe montre qu'avec un gap d’air de 1 à 2 µm il faudrait un liquide de tension de
surface inférieure à 10.10-3 J.m-2. Or, il s’agit d’une tension 7 à 8 fois plus faible que l’eau
donc même si il existe un faible taux d’humidité et par conséquent une surface de capillaire
plus faible, on peut s’attendre à avoir le collage de la partie mobile. D’ailleurs, B. Waterson,
(AD, ISTFA), a montré le phénomène de collage juste en expirant sur le Mems !

I.5.2.1. Réseau de poutre

Une technique de mesure de l’énergie d’adhésion (tension de surface) repose sur l’utilisation
d’un réseau de poutre de différentes longueurs, donc de raideur différentes (#L3), qui seront
immergées dans le liquide d’étude. Ainsi, il suffit de relever la longueur minimale pour qu’il
y ait collage pour en déduire le seuil d’instabilité mécanique correspondant à l’énergie
d’adhésion (Figure I-42).

Poutre courte : libérée

Poutre longue : collée

Figure I-42. Réseau de poutres pour l'identification de l'énergie d'adhésion

33
Etat de l’art

Le Tableau I.10 donne l’expression de la tension de surface selon le cas d’une poutre courte
collée « ponctuellement » et le cas d’une poutre longue collée sur une étendue « linéique ».

Cas de la poutre courte Cas de la poutre longue

t t
θ=0
L d L d
h θ h

l l e

3 d 2t 3 3 d 2t 3
γ= E (J/m²) γ= E (J/m²)
8 L4 2 ( L − e) 4
Tableau I.10. Mesure de l’énergie d’adhésion (en J/m²)

La Figure I-43 donne un exemple de détermination de l’énergie d’adhésion entre des poutres
en or et le solvant de libération (acétone).

14
12
Adhesion (mJ/m²)

10
8
7,1 mJ/m²
6
4
2
0
0 100 200 300 400 500 600 700
Longueur (µm)

Figure I-43. Détermination de la tension de surface solvant-poutre (X.Lafontan- Novamems)

I.5.2.2. Test de gonflement de membrane (bulge test)

Afin de déterminer l’énergie surfacique critique nécessaire à la propagation d’une fissure Gc ,
une technique possible repose sur le test de gonflement (Figure I-44). On relève la pression
nécessaire pour délaminer le matériau, on obtient alors Gc suivant le mode I :

0.088P²a 4
Gc =
Ee3

Figure I-44. Description du bulge test pour la rupture

34
Etat de l’art

I.5.2.3. Test de la lame (blister/blade test)

On introduit une lame (Figure I-45) de façon à séparer les deux matériaux (mode I), ainsi on
obtient l’énergie surfacique critique de propagation d’une fissure Gc :
a
e
3E e 2 h 3 Cap
G = 2h
c 8a4 Substrate

Figure I-45. Test de la lame (Blister test)

I.5.2.4. Test du pelage

Le test du pelage consiste à ouvrir l’assemblage en exerçant un effort perpendiculaire au plan
de l’interface (Figure I-46). L’énergie surfacique critique de propagation d’une fissure Gc,
s’obtient :
P2a 2 h 2
G = 12 (1 + 0.64 )
c
B 2 h 3 E/(1 − ν) a

Figure I-46. Test du pelage

I.5.2.5. Flexion quatre points

Le test de la flexion quatre points permet une sollicitation en flexion pure entraînant une
combinaison des modes I et II de rupture (ψ=45° voir section A.3). Ainsi on peut remonter à
l’énergie surfacique critique de propagation d’une fissure Gc :
21 P 2 l 2 (1 − ν 2)
G =
c 16 b 2 h 2 E

P/2 P/2
l

h
h Longueur b
l de fissure 2a
P/2 P/2
Mixité modale: ψ~45°

Figure I-47. Test de flexion quatre points

35
Etat de l’art

I.5.2.6. Contrainte de cisaillement de rupture (shear test)

La mesure de la contrainte de rupture de cisaillement de l’assemblage capot/substrat peut être
déterminée en utilisant des tests normalises de cisaillement (Standard SEMI G63-95 et MIL-
STD-883C Method 2019.5) provenant de la microélectronique (Figure I-48).

Outil de cisaillement équipé d’un

Direction système de mesure de force
du cisaillement
Puce
Matériau de scellement

Figure I-48. descrition du shear test

I.5.3. Pression et atmosphère contrôlée

Nous avons montré dans la section correspondante au packaging sous vide qu’une faible
pression pouvait entraîner des oscillations libre des parties mobiles, ce qui n’est pas
acceptable pour les micro-commutateurs. De plus, P. Czarnecki (IMEC) a montré que plus le
niveau de vide était élevé plus l’isolation du commutateur était grande (capacité à l’état bas
importante) mais également que la durée de vie était beaucoup plus faible (Figure I-49).

Figure I-49. Capacité à l'état bas d'un commutateur en fonction de la pression et du nombre de cycles (P.
Czarnecki –IMEC)

36
Etat de l’art

La Figure I-50 montre également que la nature du gaz utilisé peut fortement modifier la durée
de vie, aussi on préfèrera l’azote à l’air.

Figure I-50. Influence de la nature du gaz sur la durée de vie (P. Czarnecki –IMEC)

I.5.4. Herméticité
L'herméticité du packaging a été pendant longtemps une exigence spécifique aux applications
militaires et spatiales. La définition et la mesure du niveau d'herméticité reposent encore
aujourd'hui sur des normes MIL et sur des hypothèses physiques (dimensions de la cavité,
scellement, nature des gaz…).

On citera, notamment :
MIL-STD 883D : Détection des taux de fuites élevés
Le Mems encapsulé est plongé (Figure I-51) dans du fluoro-carbone (température
d’ébullition >139°C) puis l’on chauffe la solution à 80°C-100°C. Dès que l’on détecte
la présence de bulles pour une température donnée, on obtient (abaque) le taux de
fuite. Cette technique permet de détecter des taux de fuite > 10-4 mbar.l/s.

Figure I-51. Test des bulles- MIL-STD 883D

MIL-STD 883E : Détection des taux de fuites moyen
Le Mems encapsulé est soumis à une surpression à l’hélium, le but étant d’introduire
dans la cavité de l’hélium, ensuite on le place dans un détecteur de présence d’hélium
(Figure I-52). Cette technique est limitée à des taux de fuite > 10-9 mbar.l/s.

37
Etat de l’art

Figure I-52. Test He MIL-STD 883E

La validité des normes MIL n'est plus garantie quand il s'agit d'évaluer l'étanchéité des
boîtiers et surtout lorsque la taille de la cavité est inférieure à 50 mm3 [I.53] (Figure I-53).
En effet, si l’on prend l’exemple suivant :
• Volume de la cavité=Vc=100nl (3900x1900x15 µm3)
• Pression interne initiale Po=1mbar
• Variation de pression acceptée, après une durée= Δt=5 ans : ΔP<1mbar

On en déduit le taux de fuite (leak rate RL) maximum admissible :

ΔP × Vc ΔP × 10 −7
RL = = = 6,34.10 −16 mbar.l.s −1
Δt 5 × 365 × 24 × 3600

Alors il faudra être capable de mesurer des taux de fuite de l’ordre de 10-16 mbar.l/sec !

Pas de minimum spécifié ! Trop élevé pour le

packaging des Mems!

Figure I-53. Procédures de test pour la norme MIL-STD 883E (Méthode 1014.9) [I.53]

Compte tenu des faibles volumes des cavités, l'évaluation de la pénétration de l'humidité ou
de gaz dans ces cavités ou leur niveau de vide nécessite le développement de techniques et de
modèles spécifiques.

38
Etat de l’art

Les recherches actuelles sont basées sur des méthodes de mesures ex-situ et des dispositifs de
test in situ. Par exemple pour la mesure de la pression résiduelle dans les cavités encapsulées
sous vide, une possibilité d'évaluation du vide repose sur les mesures ex situ de la
déformation (Figure I-54) et/ou des fréquences de résonance du capot en fonction de la
pression externe, cette méthode reste limitée à des pressions 10-2-10-1 mBar [I.56]. Egalement,
une technique in situ consiste à intégrer un microrésonateur dans la cavité dont la réponse
(fréquence de résonances et facteur de qualité) sera étalonnée en fonction de la pression et de
la température [I.54] (Figure I-55).

Pression Pression Pression Pression

externe > interne externe = interne

Capot Capot
Pint Pint

Substrat Substrat

Figure I-54. Mesure de la pression interne par déformation du capot [I.56]

Facteur de qualité Q

Pression (mBar)
Figure I-55. Variation du facteur de qualité d’un micro-commutateur résistif utilisé comme résonateur, en
fonction de la pression [I.54][I.57]

39
Etat de l’art

Une technique basée sur la spectroscopie infrarouge par transformée de fourrier (FTIR-
Figure I-56) permet de déterminer la concentration de gaz, préalablement introduit par
surpression (typiquement N2O) à l’intérieur de la cavité (transparente aux longueurs d’ondes
infrarouge). Utilisée en continu pendant quelques heures, elle permet de déterminer le taux de
fuite [I.55]. Néanmoins cette technique n’est pas encore mature et ne permet pas de prendre
en compte le dégazage des matériaux.

Faisceau IR

N2O
Préalablement
introduit par Anneau de
surpression scellement
Substrat Si HR

Mesure de la
transmission

Présence de N2O

Figure I-56. Principe de la spectroscopie FTIR [I.55]

40
Etat de l’art

I.6. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE I

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44
CHAPITRE II PROBLEMATIQUE

45
Problématique

II.1. MICRO-COMMUTATEURS RADIO FREQUENCE

II.1.1. Généralités sur les micro-commutateur RF

Les fonctions hyperfréquences de commutation sont généralement réalisées à partir de

composants semi-conducteurs (diode PIN et transistor FET) ou bien de relais
électromécaniques ("Reed Relay") et d'interrupteurs coaxiaux pour des applications
spécifiques. Le Tableau II.1, (d’après [II.1], [II.2] et [II.3]), présente les commutateurs
MEMS RF comme un sérieux concurrent face aux composants classiques de la
microélectronique.

Transistor
Inter. Coaxial Relais EM MEMS RF Diode PIN
FET
Intégration Impossible bonne Très bonne Très bonne Très bonne
Pertes (dB) 0,1 0,3 0,05-0,2 0,3-1,2 0,4-2,5
Résistance de contact (Ω) 0,5 0,05 0,5-2 1-5 1-5
Isolation (dB) 80 50 30-40 30 30
IP3 (dBm) Infini infini +66-80 +27-45 +27-45
Temps de commutation (µs) ~ 40000 ~ 5000 1-300 0,001-0,1 0,001-0,1
Durée de vie (nbre de cycles) 105-106 0,5-5.106 1010 (à confirmer) 1010 1010
< 20 < 10
Fréquence de travail (GHz) DC-40 DC-5 DC-120
(bde étroite) (bde étroite)
Tenue en puissance (W) 40 10 <1 < 10 < 10
Tension de commande (V) 12-28 1,5-24 5-80 3-5 3-5
Consommation (mW) <1000 0-140 0.05-0.1 5-100 0.05-0.1
Mise en boîtier Aucune Facile Difficile Aucune Aucune
Coût (€) 38-90 0.85-12 8-20 0.2-2 0.5-4.5

Tableau II.1. Comparaison des différentes technologies de commutation RF

Aussi, depuis une dizaine d’années, ce constat s’est traduit par la naissance d’une très grande
variété de micro-commutateurs. Une classification, communément admise, repose sur le type
de configuration, le type de contact et le mode d’actionnement.
Le commutateur peut être monté en configuration soit série, soit parallèle par rapport à la
ligne de signal RF comme le montre le Tableau II.2:

Type de Schéma électrique équivalent Schéma électrique équivalent

configurations ETAT PASSANT ETAT BLOQUE
Entrée Sortie Entrée Sortie
Série
Etat bas Etat haut
Entrée Sortie Entrée Sortie

Parallèle

Etat haut Etat bas

Tableau II.2. Type de configuration suivant l’état haut ou bas de l’élément MEMS

Les principales forces d’actionnement utilisées pour changer l’état du commutateur sont les
suivantes : électrostatique, électrothermique, magnétostatique ou piézoélectrique. Le Tableau
II.3 résume les principales caractéristiques de chaque actionnement.

47
Problématique

Dans notre cas, c'est l’actionnement électrostatique qui est développé et que nous avons
retenu pour la conception de nos commutateurs MEMS RF.

Force de contact
Consommation

commutation

Déplacement
Actionnement Avantages Inconvénients

Temps de
(mW)

(µm)

(µN)
(µs)
Rapidité de commutation. Instabilité
Mise en œuvre simple Tension Pull in élevée (10 à
Electrostatique 50 à
~0 1-200 0-10 Faible consommation 60 V)
[II.7] 1000
Faible coût Chargement du diélectrique
Fiabilité
Possibilité de faire de Forte consommation
Electro-
50 à 300 à 50 à grand déplacement d’énergie.
thermique 0-20
200 10000 4000 Tension d’activation Mauvaise fiabilité
[II.8]
Force de contact élevée Temps de commutation
Stabilité Mauvaise compatibilité
Tension d’actionnement avec l’électronique
faible classique.
Magnétostatique 30 à 300 à 50 à
0-20 Bidirectionnels Consommation en courant
[II.11] 100 1000 200
Encombrement
Temps de commutation
Dépôt et gravure difficile
Rendement élevé. Mauvaise compatibilité
Temps de réaction court avec l’électrique
Piézoélectrique 50 à 50 à Tension d’actionnement. Coût (procédés spécifiques,
~0 0-20
[II.10] 500 200 non utilisés en
microélectronique)
Pertes
Tableau II.3. Caractéristiques des modes d’actionnements

Les contacts peuvent être de deux types : ohmique ou capacitif (Tableau II.4).

Fréquences
Type de contact Avantages Inconvénients
d’utilisation
Variation de la
Capacitif Fréq utilisation Capacité mal
capacité en fonction de
[II.6] 5 à 120 GHz. contrôlée
la fréquence
Mise en œuvre
plus compliquée.
Résistif Fréq utilisation. Contrôle des
Court circuit direct
[II.9] < 60 GHz. résistances de
contact entre les
matériaux
Tableau II.4. Présentation des différents types de contact
Un contact ohmique ou Métal/Métal permet au commutateur en question de présenter à l’état
haut une capacité très faible (ordre du fF) métal/air/métal entre la partie mobile et la ligne de
signal RF, et à l’état bas, un court circuit DC. Il présente cependant les inconvénients
d’introduire une résistance de contact, très sensible à divers facteurs (dégradation,
accumulation ou érosion de la surface des métaux en contact) et de ce fait, source de
mécanismes de défaillance. En effet, la résistance de contact, qui doit généralement rester en

48
Problématique

dessous de 5 Ω (pour une impédance de 50 Ω) afin d'obtenir des pertes d'insertion inférieures
à -0.5 dB, se dégrade en fonction du nombre de cycles [II.1]. Pour les applications de
puissance où de forts courants sont en jeu, la résistance provoque par effet Joule des risques
de micro-soudures au niveau du contact. Ce type de contact est généralement utilisé pour des
commutateurs fonctionnant du DC jusqu'à 60 GHz.
Pour le contact capacitif ou Métal / Diélectrique / Métal le phénomène de collage ou
« stiction » est limité grâce aux traitements de surface appliqués à la couche diélectrique. Des
problèmes de collage liés au chargement diélectrique peuvent néanmoins dégrader la durée de
vie de ce type de commutateur [II.4][II.5]. Il est plus adapté aux fréquences allant de 5 à 120
GHz.
Le type de contact choisi dépendra principalement de la maturité de la technologie choisie.
Dans notre cas, c'est la technologie à contact capacitif qui est la plus aboutie et que nous
avons retenue pour la conception de nos commutateurs MEMS RF.

II.1.2. Principe de fonctionnement

Le principe de fonctionnement d’un tel commutateur réside dans la variation de capacité
obtenue entre ses deux états mécaniques, haut et bas lors de l’actuation électrostatique (Figure
II-1). Plus cette variation est grande, plus la dynamique de coupure du commutateur à l’état
bloqué sera importante.

Pont

GND Signal GND Isolant

Mode passant Mode non passant

Figure II-1. Le micro commutateur à l’état passant « OFF » et non passant « ON »

On parlera de capacité à l'état bas Cb (Con) et à l'état haut Ch (Coff). Généralement, les
capacités à l’état haut varient entre 10 et 200 fF suivant la hauteur de l’élément mécanique, et
les surfaces en regard. Pour ce qui est des capacités à l’état bas, celles-ci peuvent varier de 1 à
40 pF suivant la nature, l’épaisseur et la rugosité du diélectrique mais également suivant les
surfaces de contact et la qualité de celui-ci.
Le rapport Cb/Ch (aussi appelé Con/Coff) est traditionnellement utilisé comme facteur de
mérite pour classer les commutateurs capacitifs. Cela dit, c’est bien souvent le contact intime
entre le métal et le diélectrique à l’état bas du commutateur qui est critique, et ce rapport n’en
rend pas directement compte car l’état haut du commutateur est également différent de celui
attendu théoriquement (hauteur différente de celle espérée, etc…).
On préfèrera donc utiliser le facteur Cb mesuré / Cb théorique pour évaluer et comparer l’isolation
des commutateurs.

II.1.3. Microtechnologie
L’objectif de cette section est double, présenter le procédé technologique de fabrication des
micro-commutateurs capacitif tout en discutant du compromis performance/fiabilité de façon
à cerner certains enjeux pour la conception assistés par ordinateurs (CAO) des microsystèmes.

49
Problématique

La Figure II-2 montre les différentes étapes de fabrication d’un micro-commutateur RF

capacitif à actionnement électrostatique. Celui-ci peut se décomposer en deux grandes
parties : la fabrication de la partie fixe, puis de la partie mobile [II.13][II.14][II.15][II.16].

1
Nettoyage du
substrat

Dépôt pleine Dépôt pleine

2 3
plaque couche plaque couche
d’oxyde (SiO2) de nitrure

FABRICATION DE LA PARTIE FIXE

Dépôt pleine plaque
4 5
d’une couche Réalisation des
d’accrochage (Ti) lignes coplanaires

6 7
Dépôt pleine plaque Photogravure du
couche diélectrique diélectrique

8 Photogravure 9
Dépôt pleine plaque de la couche
couche sacrificielle sacrificielle

FABRICATION DE LA PARTIE MOBILE

10
Photogravure 11
Dépôt pleine plaque
métallisation du pont à air

12 13
Micro-usinage de Micro-usinage
volume de surface

Figure II-2. Description de la fabrication d’un micro-commutateur capacitif à actuation électrostatique

50
Problématique

II.1.3.1. Fabrication de la partie fixe

Dans un premier temps, avant la fabrication d’un micro-commutateur, le choix du substrat
d’accueil est primordial. La majeure partie des structures fabriquées utilise actuellement des
plaquettes de silicium haute résistivité (>10kΩ.cm) [II.13] [II.18] afin de diminuer au
maximum les pertes diélectriques lors de la propagation du signal micro-onde. D’autres
substrats sont également utilisés, comme par exemple des substrats en GaAs [II.19][II.20]
ainsi qu’en quartz [II.12] [II.20][II.21]. De plus, on peut pratiquer un micro-usinage de
volume face arrière (Figure II-2-n°12) de manière à obtenir des lignes coplanaires suspendues
sur une membrane diélectrique de très faible épaisseur. Ainsi, la propagation se fait quasiment
sans pertes diélectriques, la permittivité effective étant proche de un. Néanmoins, il faut
préciser que cette solution complique la fabrication au niveau de la tenue mécanique et les
simulations éléments finis (EF) car la faible épaisseur de la membrane par rapport aux autres
dimensions introduit un facteur de forme élevée (~10000), ce qui ne facilite pas l’obtention
d’un maillage de qualité.

II.1.3.2. Lignes coplanaires

Une ligne coplanaire (plan de masse ou conducteur central) doit être constituée d’un métal
avec une très bonne conductivité et d’une épaisseur supérieure à trois fois l’épaisseur de peau
afin de diminuer au maximum les pertes résistives. Avant tout dépôt des lignes, une couche
d’oxyde thermique d’une épaisseur comprise entre 0,2 et 1 µm est généralement utilisée
[II.17]. Le choix du métal utilisé ainsi que le mode de dépôt de celui-ci va conditionner ses
caractéristiques. Les métaux généralement utilisés pour la fabrication des lignes sont :
l’aluminium (Al) [II.13][II.14], l’or (Au) [II.15][II.16][II.19][II.20], le cuivre (Cu)
[II.18][II.20]. Des techniques utilisant des bicouches [II.24][II.25] de métaux existent
également. Dans le cas de lignes en or ou en cuivre, une couche d’accroche est nécessaire,
celle-ci est en général en titane (Ti) ou en chrome (Cr).
Les performances typiques pour des lignes en aluminium, sur substrat silicium, d’une
épaisseur de 4 µm atteignent les 0,06 dB/mm à une fréquence de 10 GHz [II.17]. En ce qui
concerne les lignes en or d’une épaisseur de 2 µm, les pertes à 10 GHz sont de 0,05 dB/mm
[II.23].

Il existe deux procédés technologiques pour la fabrication des lignes : le Lift-off pour le dépôt
des conducteurs par pulvérisation cathodique ou par évaporation, et le procédé de type LIGA
pour la réalisation de conducteurs métalliques par dépôt électrolytique.

II.1.3.3. Procédé Lift-off

Le principe du dépôt par pulvérisation cathodique consiste en un bombardement, dans une
chambre à vide, par un flux d’ions inertes (Argon, Hélium) sur une cible constituée du
matériau à déposer. Les particules éjectées du matériau sont alors déposées sur le substrat.
Cette méthode est souvent utilisée pour la fabrication de microsystèmes, car elle permet des
dépôts de films métalliques fins comme l’aluminium, l’or, le chrome à basses températures (<
150°C). Les épaisseurs déposées sont rarement supérieures à 1µm [II.22]

Le dépôt par évaporation repose sur le chauffage local d’une cible constituée du matériau à
évaporer, ceci dans le but d’obtenir une génération de vapeur se condensant sur le substrat.

51
Problématique

II.1.3.4. Procédé LIGA

Cette solution est beaucoup moins onéreuse que les précédentes de part le faible coût du
matériel nécessaire (générateur, bain électrolytique, électrode, source…). Cependant, la
qualité des dépôts est inférieure : la résistivité supérieure aux autres dépôts, la rugosité plus
importante, de plus l’homogénéité est moins bonne sur une plaquette. L’avantage principal est
que l’épaisseur du dépôt peut atteindre des centaines de microns.
Avant tout dépôt des lignes, une couche d’oxyde thermique d’une épaisseur comprise entre
0,2 et 1µm est généralement utilisée, [II.11][II.12][II.17]. La croissance électrolytique
nécessite généralement la réalisation préalable d’une couche d’accrochage (Au, Cu) qui devra
être localement gravé à la fin du procédé. Les métaux couramment utilisés pour la fabrication
des lignes sont : l’or (Au) [II.15][II.16][II.19][II.20], le cuivre (Cu) [II.18][II.20].

Le Tableau II.5 présente un comparatif des deux méthodes de fabrication des lignes
coplanaires.

Procédé de fabrication des lignes Lift off Liga

Epaisseurs < µm qq µm
Contraintes qq dizaines Mpa <10 MPa
Rugosité qq dizaines Å qq centaines Å

Tableau II.5.Comparatif des deux méthodes de fabrication des lignes coplanaires

II.1.3.5. Fabrication de la capacité

Une fine couche (0,1 à 0,3µm -Figure II-2-n°6) de diélectrique est déposée pour créer le
contact capacitif lors de l’actuation. Afin de ne pas détériorer les différentes couches de métal
des lignes coplanaires; il est obligatoire de faire des dépôts à températures basses (<350°C)
[II.27]. La plupart des laboratoires utilisent du nitrure de silicium déposé par PECVD
[II.14][II.15][II.18][II.27].

La fabrication de la capacité est une étape cruciale car de sa bonne qualité dépendra les
performances et la fiabilité du micro-commutateur. Les principaux modes de défaillance qui
dépendent de cette étape sont :
Le claquage du diélectrique
Le chargement du diélectrique lors de l’activation cyclique du micro-commutateur par
voie électrostatique

Afin d’éviter le claquage, il est recommandé de choisir un dépôt épais de diélectrique. Mais
pour une bonne isolation, la capacité à l’état bas doit être la plus grande et de ce fait nécessite
une faible épaisseur de diélectrique. De ce dilemme naît un compromis pour aboutir à une
épaisseur de l’ordre de 0,1 à 0,3 µm.
De plus, les dépôts non-conformes sont à exclure car il existe un risque d’obtenir des pics d’or
traversant le diélectrique (Figure II-3), ce qui entraînerait le claquage et des micro-soudures.

52
Problématique

Pont (Or) Zoom

Métal
(Or) BCB ou diélectrique minéral

Silicium

Pic d’or

Figure II-3. (a) Présence de pics d'or traversant lié au dépôt non-conforme- (b) Photo MEB du dépôt non-
conforme de BCB sur une couche d’or électrolytique

Néanmoins, un dépôt conforme (ex : PECVD SiO2 ou SiNx) n’est pas sans inconvénient car il
implique la création d’une capacité d’air parasite entre le pont et le diélectrique à l’état bas,
due à la rugosité du conducteur central et du pont (Figure II-4). En effet, la capacité Con chute
de près de 70 % si il subsiste une épaisseur équivalente d’air d’environ 0,2 µm.

Zoom
Diélectriques Gap d’air

Figure II-4. Capacité d'air parasite issue de la rugosité et de la conformité du dépôt du diélectrique

Le chargement du diélectrique implique la création d’un champ électrique parasite qui

augmente lors de l’activation cyclique (Figure II-5), ce phénomène est dû au piégeage de
charges par le diélectrique, ce qui engendre un décalage de la tension d’actuation (pull-in) et
de la tension de seuil (pull-down).

53
Problématique

Pont
r
E parasite Si3N4

Au

Figure II-5. Champ E parasite lors du chargement du diélectrique

Par exemple, les dépôts classique de diélectrique minéral SiO2/Si3N4 (εr=5,3 , densité de
porteur de charge σcharge=2,4.1011/cm²) possèdent un champ de claquage de l’ordre
4,6MV/cm. Or théoriquement, on s’attend pour la majeure partie de nos structures à un champ
électrique à l’état bas Eon ≈ 3MV/cm, qui est très proche du champ de claquage.
De façon à limiter ce phénomène ainsi que la diffusion de l’or du conducteur central dans le
diélectrique lors des recuits, une couche d’accroche et de protection est généralement
intercalée entre le diélectrique et les lignes coplanaires. Ces couches sont constituées de Ti ou
de Cr [II.26].
Le vieillissement du diélectrique par le chargement cyclique est alors un verrou technologique
et théorique devant être levé pour concevoir un micro-commutateur performant et fiable.
Un des enjeux de la simulation sera donc de modéliser dans le domaine électrostatique le
comportement d’une capacité MIM (Métal/Isolant/Métal) en prenant en compte la rugosité
des surfaces, de façon à appréhender les mécanismes de vieillissement en vue de les maîtriser.

II.1.3.6. Fabrication de la partie mobile

La réalisation du micro-commutateur (micro-pont ou poutre) se fait en deux étapes : le dépôt
de la couche sacrificielle puis le dépôt du matériau constituant le pont.

II.1.3.6.1. La couche sacrificielle

Le rôle de ces couches dites « couches sacrificielles » est de donner la future forme à la partie
mobile (micro-pont, micro-poutre) (Figure II-6).
Couche
sacrificielle

Figure II-6. Exemple de procédé technologique avec de la résine sacrificielle

Ces couches vont être supprimées entièrement à la fin du procédé technologique par une étape
de gravure sélective et isotropique appelée en général micro-usinage de surface.
L’utilisation de résines photosensibles [II.28] ou bien de polymères [II.29] est la plus
fréquente. Le mode de dépôt par centrifugation [II.25] permet d’obtenir une bonne
reproductibilité des épaisseurs sur une plaquette, celles-ci peuvent varier entre 1µm [30] à
7µm [II.30][II.25] selon les paramètres de dépôt.
L’utilisation de polysilicium [II.32], ainsi que de couche de métal comme par exemple l’Al
[II.30] est également très courante.

54
Problématique

II.1.3.6.2. Fabrication du micro-pont

Le micro-pont est généralement constitué d’une ou de plusieurs couches de métal dont
l’épaisseur totale peut varier de 0,8 à 4µm [II.33] [II.31]. Les principales caractéristiques du
métal constituant le pont doivent être :
- une forte conductivité pour augmenter l’isolation du micro-commutateur,
- une contrainte intrinsèque faible et maîtrisée pour minimiser les déformations
résiduelles et la tension d’actionnement,
- une bonne stabilité thermique,
- une bonne fiabilité.

La plupart des structures est fabriquée avec une monocouche d’Al [II.13][II.14][II.34][II.35],
ou bien à l’aide d’une bicouche de Ti/Au [II.36], ou en Au [II.37][II.16][II.33], ou bien plus
rarement en Ni [II.31].

II.1.3.6.3. Libération des structures mobiles

Suppression de la couche sacrificielle

L’attaque par une gravure sèche du type plasma oxygène est la plus répandue lorsque la
couche sacrificielle est en résine ou bien en polymère [II.35][II.37]. En effet, ce type de
gravure évite tout problème dû au collage des structures lors d’une libération liquide. D’autres
solutions liquides telles que l’acétone ou bien des dérivés de solvant du type AZ100 Remover,
sont également utilisées. Lorsque des métaux sont utilisés comme couche sacrificielle, une
attention très particulière doit être apportée à ce que la gravure ne détériore pas les autres
métaux [II.30]. La Figure II-7 donne quelques exemples de solutions d’attaques ainsi que leur
sélectivité.

Attaque Al. Attaque Cr.

Figure II-7. Exemple de sélectivité en fonction des métaux pour une solution d’attaque donnée

Séchage des structures, le phénomène de collage

L’utilisation de solutions d’attaque liquide engendre des problèmes de collage « stiction »

[II.38]. La présence d’une couche très fine de liquide avec un angle de contact très petit
(surface hydrophile) peut engendrer un collage entre les deux surfaces par capillarité. Une
technique dite « séchage par CO2 supercritique » permet de contourner ce phénomène.
En effet, l'une des particularités de l'état supercritique est que le fluide possède à la fois les
propriétés des gaz et des liquides. Ainsi pour l'application au séchage, l’intérêt réside sur une
tension de surface des gaz quasi nulle. D'autre part, au delà du point critique, il n'y a plus de
changement de phase. Par conséquent, le passage de l'état liquide à l'état gazeux par

55
Problématique

contournement du point critique se fait sans changement de phase, c'est-à-dire sans

évaporation du liquide. Ainsi, les effets de tension de surface responsable du collage des
micro-structures sont supprimés. Le diagramme de phases de la Figure II-8 [II.39] permet de
situer l'état supercritique qui se trouve au delà du point critique de coordonnées (Pc; Tc) dans
le diagramme de phases (ex : Tableau II.6).

Etat
supercritique

Figure II-8. Diagramme de phases – contournement du point critique

CO2 Eau Méthanol Acétone

Tc (°C) 31,1 374 240 235
Pc (Mpa) 7,38 22,1 7,99 4,7

Tableau II.6. Point critique de différents fluides

56
Problématique

II.2. PACKAGING DES MICRO-COMMUTATEURS CAPACITIFS A

ACTUATION ELECTROSTATIQUE

L’objectif de cette section est de proposer un choix de technique de report, de matériaux ainsi
que des pistes de réflexions au niveau de la conception du packaging appliqué aux micro-
commutateurs capacitifs à actuation électrostatique.
II.2.1. Analyse fonctionnelle
De la détermination de la hiérarchie fonctionnelle (traduction des attentes du Cahier des
Charges Fonctionnel- CdCF) dépendra la pertinence des principes de conception retenus pour
le packaging. Le choix, les orientations et les décisions à prendre seront alors clarifiés.
Le CdCF peut alors être présenté comme la réponse aux questions suivantes : " Comment
quantifier, hiérarchiser et traduire les attentes du packaging" " Les réponses de conception
correspondent-elles réellement aux besoins final et avec quel niveau de pertinence?"

II.2.1.1. Analyse du besoin : « bête à corne »

La fonction globale du packaging est de protéger, au sens large, le MEMS RF.

À qui ? Sur quoi ?

MEMS RF Performances
et fiabilité

PACKAGING

Dans quel but ?

Protéger le MEMS RF

Cette première étape permet de répondre aux deux questions simples suivantes afin de
contrôler un besoin réellement justifié.

Ce but répond-il à un besoin ?

Oui : Garantir la fiabilité pour la commercialisation des MEMS RF
Applications militaires et civiles de télécommunication.

Est-ce un besoin stable ?

Oui, évolution possible :
Progrès technologiques des matériaux
Progrès des moyens de fabrication (ex : Packaging collectif)

57
Problématique

II.2.1.2. Analyse des fonctions de service : « diagramme pieuvre »

Par définition, le CdCF se limite aux fonctions de service et aux seules contraintes résultant
de l'utilisation prévue du Mems RF. Il ne fait pas état des fonctions techniques qui sont
attachées à une solution technique mais il fera apparaître différents niveaux de détail sur les
fonctions de service (raison d'être du packaging) et les contraintes (limitations à la liberté du
concepteur). La Figure II-9 présente l’ensemble des fonctions de contraintes et de services du
packaging.

MEMS RF MEMS RF
« NU » PROTEGE

ATMOSPHERE
Fp1
SIGNAL RF Fc1 Fc6 INTERNE

Fc2
PACKAGING
Fc3 Fc5
INDUSTRIELS INTERCONNEXIONS

Fc4

Température Humidité Particules

Sollicitations Chimique
Corrosion Gaz
mécaniques

Vibrations ENVIRONNEMENT Pression

EXTERIEUR

Figure II-9. Analyse des fonctions de contraintes et de services du Packaging

Fp1: Protéger le Mems RF

Fc1: S’adapter et respecter le substrat d’intégration
Fc2: Respecter les performances RF
Fc3: Dimininuer le taille pour minimiser les pertes et augmenter la densité d’intégration
Réduire le coût
Contrôler le budget thermique pour l’intégration monolithique (above IC)
Respecter la santé des opérateurs
Fc4: Protéger et résister aux agressions extérieures
Respecter l’environnement
Fc5: Permettre la transmission la transmission du signal RF par des entrées/sorties
Diminuer les pertes résistives et par désadaptation d’impédances
Fc6: Permettre une ambiance interne contrôlée

58
Problématique

Les fonctions contraintes ayant été identifiées, il convient de définir leurs critères
d'appréciation. Parmis ceux qui sont déterminants, nous détaillons les performances au moyen
de critères d'appréciation (qualitatif et/ou quantitatif) avec un niveau d’exigence, on parle de
flexibilité.

Cette étape est formalisée par les tableaux II.7 et II.8. Ainsi, nous pourrons nous appuyer sur
les spécifications du CdCF pour isoler un ensemble de fonctions techniques qui permettent de
satisfaire le besoin, c’est l’objet de la partie suivante.

Fonc- Milieu extérieur Verbe Critère Performance Flex-

tion bilité2
Fp1 Mems RF « nu » Faibles pertes <0,2 dB 0
Faible consommation <0,2 mW 0
Compacité élevée <10x10x0,5 mm3 0
Mems RF protégé Applications Civile et militaire 0

Protéger Performances RF Non dégradées 1

Fc1 Mems RF « nu »

S’adapter Surface structurée 1µm<dénivellation<5µm 1

Dimensions <10x10 mm² 0
Respecter Température T°<200 °C (flambement) 0
Tenue mécanique Contraintes rapportées < 0
critère de rupture
Fc2 Signal RF Fréquences 0,1 à 60 GHz 1
Compatibilité EM
Respecter Performances RF <0.1 dB de pertes rapportées 1

Fc3 Industriels Fondeurs PME 2

microtechnologies Grands groupes 1
Diminuer Taille L,l,h < 10x10x0,5 mm3 1
Masse <0,2g 1
Réduire Coût <30% du prix final 1
Contrôler Compatibilité mono- T°<450°C 0
lithique (Above IC) Pas de métaux lourds/alcalins 1
Respecter Santé des opérateurs Plan d’hygiène et sécurité 0
pour la manipulation de
matériaux toxiques

Tableau II.7 . Spécification du cahier des charges fonctionnel (Fp1, Fc1,Fc2,Fc3)

2
Flexibilité 0 : performance à respecter
Flexibilité 1 : dans la mesure du possible
Flexibilité 2 : si cela est permis

59
Problématique

Fonc- Milieu extérieur Verbe Critère Performance Flex-

tion bilité
Fc4 Environnement Niveau fabrication Salle blanche 1
extérieur Circuit de distribution Stockage/manutention 1
Client Utilisation/Pays 1
Permettre Humidité 10% à 80% 0
T° de stockage -40°C à 70°C 1
T° d'utilisation -20°C à 50°C 0
Pollution toutes (poussière, sable...) 0
Gaz Air, Azote, vide autres 2
Chocs A définir
Vibration Eloignée de Freq. de 0
Pression résonance 2
0 à 10 bars
Résister Durée de vie 2 ans 0
5 ans avec évolution 1
Fiabilité 95 % 0
Entretien Remplacement 1
Ne pas se dérégler A vie 1
Respecter Déchets Minimum 0
Recyclable Totalité 2
Fc5 Interconnexions

Permettre Connectique Standards 1

Dissipation thermique A définir
Diminuer Longueurs Les plus courtes possibles 0
Fc6 Atmosphère interne

Permettre Pression 0 à 1 bar 1

Gaz air, azote, gaz neutre 0
Herméticité Taux de fuite faible 1
Dégazage Faible (getters) 1

Tableau II.8. Spécification du cahier des charges fonctionnel (Fc4, Fc5, Fc6)

60
Problématique

II.2.1.3. Analyse de l’organisation des fonctions : Technique SADT

L'analyse descendante d’une fonction, à partir des outils de la méthode SADT3, permet de
comprendre pourquoi un système existe, ou doit être conçu, quelles fonctions il doit remplir et
enfin comment elles sont réalisées.
La méthode, appuyée par un modèle graphique, procède par approche descendante en ce sens
que l'on va du plus général au plus détaillé, en s'intéressant aux activités du système (Figure
II-10).

Figure II-10. Formalisme SADT

Le diagramme de niveau le plus élevé représente la finalité du système technique. Il porte la
référence A-0 (Figure II-11) et ne comporte que la fonction principale du système.

Extérieur (T°, RH, pollution...) Programmes

Energie Réglages

Mems RF
Mems RF Protégé
Protéger les performances RF des
« nu » micro-commutateurs RF Qualité de la
protection

Packaging
A-0
Figure II-11. Diagramme SADT niveau A-0

3
SADT® : Structured - Analysis - Design – Technique

61
Problématique

Ensuite, nous décomposons cette fonction principale en sous fonctions reliées entre elles par
des liens permettant le transfert d’informations ou de matière, la Figure II-12 décrit le
diagramme A0 de la fonction principale.

Températures Forces Réglages Programmes

Qualité de la
Mems RF PROTECTION DE protection
« nu » LA ZONE ACTIVE
A1
Qualité du
scellement
SCELLEMENT
A2
Qualité
ENCAPSULATION herméticité
CONTROLEE
A3
Qualité des
INTERCONNEXIONS contacts
Mems RF
A4 Protégé

Packaging
A0 Protéger les performances RF des micro-commutateurs RF

Figure II-12. Diagramme SADT niveau A0

Ainsi on distingue quatre sous fonctions, étroitement liées, constituant la fonction globale du
packaging :

Bloc A1 : PROTECTION DE LA ZONE ACTIVE

Afin de ne pas venir perturber le signal électromagnétique, le capot devra être éloigné des
lignes. On recense dans la littérature, pour différents types de matériaux, qu’une hauteur de
l’ordre de 50 µm permet de négliger les pertes rapportées par le capot au niveau de la zone
active [II.40]. Pour répondre à cette exigence, le capot peut-être éloigné en utilisant un
matériau intermédiaire de scellement épais (si cette technique est retenue) et/ou une cavité
structurée dans le capot. Egalement, il conviendra de choisir des matériaux ayant de faibles
pertes.

Bloc A2 : SCELLEMENT
On désigne par scellement l’opération d’assemblage mécanique entre le capot et le substrat
contenant le Mems, celle-ci pouvant se faire avec ou sans matériau intermédiaire.

Bloc A3 : ENCAPSULATION CONTROLEE

Comme nous l’avons indiqué dans le premier chapitre, l’encapsulation devra être hermétique
ou quasi-hermétique afin d’éviter le problème de collage (« stiction ») du pont sur le
diélectrique. L’encapsulation devra permettre l’utilisation de gaz neutre avec une pression
donnée ou sous vide.

62
Problématique

Bloc A4 : INTERCONNEXIONS

Du choix des techniques d’interconnexions va dépendre la qualité du signal RF. En cela, pour
des raisons de performances électriques, les interconnexions devront à la fois être les plus
courtes possibles et sortir du capot en minimisant les pertes.
Dans notre cas, on a trois possibilités de sortie pour la prise de contacts électriques :
• Au niveau de la face supérieure du silicium, on parle alors d’alimentation traversante
• Au niveau de la face inférieure de silicium, par le biais de trous métallisés (vias)
• A travers le capot, également par des vias

II.2.1.4. Analyse des fonctions techniques : Diagramme FAST4

Cette méthode permet d'ordonner et de décomposer logiquement les fonctions précédemment
identifiées pour aboutir aux solutions techniques qui permettent de satisfaire le packaging.
La Figure 11 représente la description FAST de la fonction globale packaging avec les
fonctions de services, les fonctions techniques et les solutions techniques d’après l’état de
l’art en la matière.

4
Function Analysis System Technique

63
Problématique

Cavité dans le Micro-usinage de Gravure sèche DRIE autres

capot volume
Gravure humide KOH autres
Eloigner le capot de Matériau de scellement épais si
la zone active assemblage avec couche intermédiaire Résine épaisse SU8, BCB autres

Polymères – Verre
Capot
PROTECTION DE LA Utiliser des matériaux Silicium HR - Foturan
PACKAGING faibles pertes
ZONE ACTIVE Matériau de scellement si assemblage
Polymères
avec couche intermédiaire

Glass frit bonding non car T°>400°C

Avec couche Solder bonding alliage eutectique 118°C pour 52In48Sn
intermédiaire Eutectic bonding non car 97Au3Si @ 363°C
Polymère oui mais non hermétique et dégazage

Sans couche Anodic bonding non car T°>300°C et non compatible avec la technologie MOS
SCELLEMENT intermédiaire Fusion bonding non car T°>800°C
Diffusion en phase solide non car nécessite une surface plane

Anodic bonding Glass frit bonding

Hermétique Fusion bonding Solder bonding
Diffusion en phase solide Eutectic bonding

ENCAPSULATION Quasi hermétique Polymère avec possibilité

CONTROLEE d’introduire des getters

Flip Chip Vias dans le capot + pad + UBM

Vias dans le substrat du Mems+ pad + UBM

Légende

Wire bonding Au niveau de la face supérieure du silicium Incompatible avec le CdCF

INTERCONNEXIONS (alimentation traversante)
Quasi compatible avec le CdCF
sous quelques améliorations
Figure II-13. Diagramme FAST de la fonction packaging des micro-commutateur RF Compatible avec le CdCF

64
Problématique

II.2.2. Choix du type de packaging

L’analyse fonctionnelle nous a permis de recenser l’ensemble des solutions techniques

possibles, au moyen des méthodes SADT et FAST, appuyées par l’état de l’art sur les
techniques de mise en boîtier (chapitre 1). En couplant la description FAST avec les
compatibilités ou non des solutions techniques vis-à-vis des spécifications du cahier des
charges fonctionnel (CdCF étudié lors de l’analyse de la valeur), elle nous a également permis
d’isoler deux solutions possibles pour la réalisation du packaging, qui sont présentées dans la
Figure II-14.

CAPOT SCELLEMENT INTERCONNEXIONS

Wire bonding

Polymères
Polymères
Verre Au niveau de la face supérieure du
Silicium HR silicium (alimentation traversante)
Brasure eutectique
Foturan

Figure II-14. Descriptions des deux solutions retenues après l'analyse fonctionnelle

Dans le cadre de nos recherches, nous avons retenu un capot en Foturan car il s’agit d’un
verre photosensible et également parce qu’il permet une inspection post-packaging aisée.

A ce stade nous avons concentré nos recherches sur les techniques de scellement par brasure
eutectique (solder bonding) et par polymères :

Les alliages eutectiques faible température (Annexe B)

Une recherche approfondie des différents alliages permettant une soudure à faible température
a été menée en collaboration avec la société MEMSCAP. Le verdict s’est avéré sévère car il
n’existe pas d’alliage permettant d’effectuer une soudure fiable à des températures proche des
150°C. Le seul alliage connu permettant de faire réellement un scellement se trouve être
l’eutectique BiSnPb (46 % Bi ; 34 % Sn ; 20%Pb) ayant une température d’eutectique
(liquidus) à 96°C. Cet alliage permet d’avoir un pic de refusion à 135°C, ce qui s’avère être le
plus bas pic de refusion connus donnant des résultats à peu près satisfaisant. De plus, cet
alliage nécessite d‘être en contact avec une épaisseur d’or inférieure à 0.5 microns pour
limiter les risques de recombinaison générant une fragilité pouvant engendrer une
délamination. En effet, des tests menés par Indium-corp, montre que pour une épaisseur d’or
de un micron d’or, la délamination de l’assemblage est systématique.

Les scellements polymères

Les scellements polymères sont des solutions quasi-hermétiques. Elles ne permettent pas
d’assurer une herméticité du niveau de celles atteintes par les scellements par alliages.

65
Problématique

Le choix des polymères pouvant assurer un scellement est quasi infinie. Dans le cadre de cette
application nous avons sélectionné le Benzo-Cyclo-Butène (BCB).
Ce polymère peut être déposé à l’aide d’une seringue (3cc) et d’une aiguille de 100 microns
de diamètre, grâce à une machine de dispense flip-chip. Outre les bonnes propriétés
électriques du BCB, ce polymère est une résine photosensible, donc offrant la possibilité
d’être structuré par photolithographie. Ce constat, fait du BCB un très bon candidat pour le
scellement car le packaging collectif (wafer/wafer) peut être envisagé. Par contre, le budget
thermique est un peu élevé car une température supérieure à 180°C est requise pour amorcer
la polymérisation du BCB. Néanmoins, un séchage peut être effectué aux environs de 150C.
La mouillabilité du BCB sur le Foturan est assez faible mais ce polymère est décliné sous
différents degrés de thixotropie (Annexe A) en fonction des références. Aussi, nous avons
opté pour le BCB 3022-63 qui s’avèrent être fortement thixotrope.

En conclusion, nous avons opté pour un capot Foturan avec un scellement polymère (BCB
3022-63) et des interconnexions traversantes au niveau de la face avant du micro-
commutateur RF.

66
Problématique

II.3. OUTILS CAO POUR LES MICROSYSTEMES

II.3.1. Introduction
La conception des MEMS bute sur de nombreux écueils : la coexistence de nombreux
phénomènes physiques couplés (Figure II-15), des non-linéarités fortes (matérielles et
géométriques) et des incertitudes importantes sur les dimensions géométriques des MEMS
(dispersion), sur certains paramètres assujettis aux procédés de fabrication (contraintes
résiduelles), voire sur les propriétés des matériaux utilisés (constante diélectrique, module de
Young, coefficient de poisson, CTE etc…).

Electro-
magnetique Magnetique
Thermique
Fluidique

Electro-
statique

Electrique
Structures

Figure II-15. Domaines physiques couplés lors de la fabrication et du fonctionnement des Mems

De plus la multiplication des outils spécifiques pour la conception, modélisation et simulation

des microsystèmes rend la tâche encore plus difficile au concepteur et limite la phase
d’optimisation. En effet la conception des microsystèmes suit le flot suivant [II.41] :

i) Le dessin du masque et la conception au niveau du layout : ce sont les éditeurs de

layout et les outils de vérification de règles de dessin (DRC5).
ii) La simulation de procédé technologique : les simulateurs de procédé semi-
™
conducteur et les simulateurs de gravure (MEMULATOR ).
iii) La simulation de composant : les simulateurs Eléments Finis (Annexe H - FEM6,
BEM7), circuits équivalents et les langages de description du matériel (HDLs8)
iv) La simulation au niveau système : circuits équivalents, HDLs, simulateurs
analogiques et mixtes analogiques/numériques
v) Vérification et mesures : validation de la simulation
vi) Simulation globale : l’exécution itérative des étapes précédentes (Optimisation)

Devant le panel d’outils dédiés à la conception des microsystèmes sur ces différents niveaux
de simulation [II.42][II.43][II.44], il est nécessaire que ces outils puissent être couplés ou bien
communiquer ensemble par transferts de données (importation/exportation).

5
DRC Design Rules Checker
6
FEM Finite Element Method
7
BEM Boundary Element Method
8
HDL Hardware Description Language

67
Problématique

La croissance vertigineuse des performances des calculateurs et des méthodes numériques

(Figure II-16) depuis une trentaine d’année, laisse entrevoir une opportunité de résoudre
numériquement et ce dans un même environnement tout type de problèmes avec des
phénomènes physiques fortement couplés. Néanmoins, même si l’on supposait les
performances des calculateurs infinis, il serait illusoire de penser que les temps de conception
en seraient pour autant diminués car la modélisation complète d’un problème multi-physique
nécessite de nombreuses étapes de validations numériques au moyen de cas tests. De plus, le
développement de ce type de simulation complexe risque d’être sanctionné par une non-
convergence des modèles, réduisant l’investissement en terme de temps de calculs à zéro.

Par ailleurs, la mise au point d’outils de conception permettant de prendre en compte les
incertitudes de manière efficace est un enjeu important, qui intéresse potentiellement tous les
acteurs de l’industrie des MEMS. La prise en compte des incertitudes dans les simulations se
fait souvent par l’utilisation de méthodes de type Monte-Carlo, plan d’expérience (plan
fractionnaire, de Tagushi ...). Cette démarche requiert un nombre de tirages et de ce fait de
simulations, énorme pour parvenir à une description statistique correcte du MEMS. Dans le
domaine des MEMS, cette approche n’est pas actuellement envisageable car une simple
simulation peut nécessiter un temps de calcul exorbitant, selon la complexité du modèle
utilisé.

Figure II-16. L’evolution des méthodes numériques suit la loi de Moore, croissance exponentielle [exp
(2/3t)]
Egalement, avec l’avènement de complexité supplémentaire due à la miniaturisation (effets
quantique, Van Der Walls, Casimir), il est crucial de centrer les efforts de conception sur des
outils permettant le couplage entre la simulation au niveau composant et la simulation au
niveau système par des modèles équivalents ou bien des modèles réduits, dans le but de gérer
les interactions des différents niveaux d’abstraction mais également dans un souci d’intégrer
des outils d’optimisation.

Aussi les principaux défis à relever pour la conception des microsystèmes peuvent se résumer
par [II.45]:
La construction de modèles 3D de composant microsystème à partir de son layout
La modélisation FEM de composants microsystème
La construction de modèles à constantes localisées (macro-modèles ou modèles réduits)
L’insertion de ces macro-modèles dans un environnement dynamique de simulation

68
Problématique

Pour répondre à ces défis, deux approches peuvent être envisagées : la première consiste à
développer un nouvel environnement spécifique aux microsystèmes, la seconde plus réaliste
réside dans l’utilisation d’outils CAO existants (multi-physique ou non), de les améliorer et de
les interfacer dans un seul environnement de conception afin d’assurer un flot de conception
systématique et continu.
L’objectif de la section suivante est de dresser un panorama des outils directement dédiés ou
modifiables, pour la conception des microsystèmes.
II.3.2. Panorama des outils de conception pour les Mems
Le développement des outils CAO spécialement dédiés aux microsystèmes a commencé au
début des années 80. Les premiers outils ont été essentiellement conçus pour améliorer la
™
conception de layout des microsystèmes [II.46][II.47][II.48][II.49]. MEMCAD , SENSIM,
™
CAPSIM, CAEMEMS-D, SENSOR, NM/SESES sont des exemples de ces outils. La plupart
de ces outils utilisent des bases de données simples qui contiennent les propriétés des
matériaux et les critères de performance. La communication entre les différents modules de
ces outils se fait par des simples transferts de fichiers [II.50].
Les techniques de simulation électrique (de type SPICE) sont utilisées pour les circuits
analogiques. Les techniques de simulation évènementielles « event-driven » (exemple VHDL)
sont utilisées pour les circuits numériques.
En exploitant les analogies des équations électriques avec celles issues de la mécanique, la
thermique et la fluidique, il est possible d’utiliser les simulateurs SPICE comme des « solvers
» analogiques de modèles à constantes localisés (lumped parameters model) pour simuler les
Mems. En effet, les lois de Kirchhoff des tensions et des courants sur lesquelles est basé tout
simulateur électrique, sont issues des lois de conservation de l’énergie et peuvent donc être
généralisées à d’autres domaines obéissant aussi à des principes de conservation. Cette
approche est celle des circuits équivalents, où les équations différentielles d’un composant
physique sont remplacées par celles d’un circuit électrique équivalent (qui présente les mêmes
équations).

On définit de manière générale deux types de variables pour chaque domaine physique:
le type potentiel: la valeur des variables de ce type est propre à chaque noeud du
réseau et est définie par rapport à un noeud de référence (un pour chaque domaine). Le
terme anglais est across.
le type flux, nommé through en anglais: il désigne les grandeurs relatives à une
branche comprise entre deux noeuds. Un flux est d’autre part une grandeur absolue et
unidirectionnelle.

69
Problématique

Le Tableau II.9 présente les couples de grandeurs qui sont généralement choisis pour décrire
les systèmes électriques, mécaniques, thermiques et fluidiques ainsi que les lois. On trouvera
à la fin du chapitre III, un exemple du micro-commutateur capacitif à actuation
électrostatique.

Loi de connexion aux

Domaines Potentiel (across) Flux (through)
nœuds du réseau
Loi de Kirchhoff
Electrique Tension V (volt) Courant I (A) ∑i=0
noeud

Loi de la dynamique
Mécanique Déplacement X (m) ou d2x dV
Translation Vitesse V (m/s)
Force F (N)
∑
solide
F=M
dt 2
=M
dt
Loi de la dynamique
Mécanique Rotation θ (rad) ou
Couple Γ (Nm) d 2θ dΩ
Rotation autour d’un axe
fixe
Vitesse
Ω (rad/s)
angulaire
∑
solide
Γ=J
dt 2
=J
dt
Flux de chaleur Conservation du flux de
Thermique Température (K)
(J/s ou Watt) chaleur
Pression (Pa)
Hydraulique Débit Vol. (m3/s) Conservation du débit
Hauteur Liquide (m)

Pneumatique Pression (Pa) massique (kg/s) Conservation du débit

Tableau II.9. Présentation de quelques domaines physiques

La Figure II-17 présente un exemple simple de circuit équivalent correspondant à la

modélisation des vibrations de micropoutres, avec la prise en compte de l’amortissement
visqueux (ex :air ou azote). X1 et X2 désignent les déplacements des masses M1 (substrat) et
M2 (poutre) par rapport à leurs positions initiales et V1, V2 sont leurs vitesses respectives.

Mais la modélisation d’un composant physique extrêmement non linéaire est délicate, la
technique courante pour contourner ce problème consiste à linéariser les composants autour
d’un point de fonctionnement « bias » [II.51]. L’inconvénient de cette technique est qu’elle
limite l’analyse de performance sur des petits intervalles.

Afin de décrire des systèmes multi-disciplinaires en prennant en compte les non-linéarités, le

langage de modélisation doit permettre une intégration du comportement physique.
Le langage VHDL-A permet de répondre à ce besoin par la création d’un nouvel objet,
nommé nature, qui autorise l’utilisateur à définir divers domaines physiques, caractérisés par
les noms des variables de type potentiel et flux et par le nom du noeud de référence tout ayant
la possibilité d’intégrer les non-linéarités au moyen de boucles if, elsif.

70
Problématique

Micropoutre
de masse M1

Substrat, masse M2

Pot vibrant (Piézo)

Vibration de micropoutres Aluminium

1/B
M1 X1

K B 1/K
V1 M1 M2 V2

M2 X2

D’après la mise en équation de ce système à deux degrés de libertés, V1 et V2 :

dV
M1 1 + K ∫ (V1 − V2 ) dt + B (V1 − V2 ) = 0
dt
dV
M 2 2 + K ∫ (V2 − V1 ) dt + B (V2 − V1 ) = 0
dt

Figure II-17. Modélisation des vibrations d’une micro-poutres par son équivalent électrique

Une autre technique repose sur la description comportementale à l’aide d’une décomposition
en schéma blocs. La fonction globale du système est décrite par un assemblage de blocs
représentant une fonction précise du système et dont le comportement physique est décrit soit
analytiquement au moyen d’équations différentielles, soit numériquement au moyen
d’abaques permettant de gérer les non-linéarités. Les blocs sont alors connectés entre eux par
un ensemble discret de connecteurs qui assurent la transmission de l’énergie.
Nous citerons par exemple le logiciel AMESim®, développé en France depuis 1994 par la
société IMAGINE et le logiciel SimulinkTM de Matlab®, bien connu de la communauté
scientifique. Par son utilisation, AMESim® ressemble à SimulinkTM de Matlab®, mais
contrairement à celui-ci, les variables échangées aux ports sont physiques et elles vont dans
les deux directions.

Le logiciel AMESim®, était conçu initialement pour l’étude des réseaux fluides. Désormais
AMESim® dispose d’un large éventail de bibliothèques et de modèles qui correspondent soit

71
Problématique

aux disciplines de l’hydraulique, la pneumatique, la mécanique, le contrôle, le di-phasique,

soit à des domaines d’application : la transmission, le conditionnement d’air, la dynamique
véhicule, les systèmes de refroidissement, les composants électro-mécaniques, le moteur à
combustion interne, etc.
AMESim® est un logiciel multi-domaine : il permet de relier entre eux des systèmes des
différents domaines physiques (hydraulique, pneumatique, mécanique, électrique, ...).
La modélisation d'un système se fait en quatre étapes :

mode sketch : pendant lequel on assemble les différents composants

mode sous-modèle : pendant lequel on choisit le sous-modèle physique associé à
chaque composant
mode paramètre : pendant lequel on choisit les paramètres pour les différents sous-
modèles
mode simulation : pendant lequel on fait tourner la simulation
™
L’outil CoSolve-EM est un « solver » qui couple des simulations 3D quasi-statique pour les
microsystèmes électromécaniques [II.52]. Cinq classes de problèmes électromécaniques sont
traitées :

1. Composants avec instabilité électrostatique (type pull-in)

2. Composants dont des déformations précises sont exigées
3. Composants actionnés par des conducteurs multiples
4. Capteurs capacitifs qui utilisent des contacts de surface
5. Actionneurs qui utilisent des contacts de surface
™
Cet outil est intégré dans Coventorware platform qui est distribué par Coventor Technology
Inc.

L’outil SENSOR [II.47] fournit un générateur automatique de macro modèle d’un capteur
™
mécanique ou thermique qui est simulé dans l’étape suivante par H-SPICE . Les paramètres à
constantes localisées du modèle sont calculés soit par des méthodes analytiques, soit par des
simulations Eléments Finis (EF). Des simulations simplifiées des caractéristiques de sortie (y
compris des comportements non linéaires) sont possibles.
La modélisation et la simulation de transducteurs microsystèmes en utilisant des circuits
équivalents à constantes réparties sont illustrées dans [II.51]. Des transducteurs microélectro-
mécaniques sont décrits en prenant en compte leurs comportements dynamiques. La limitation
de cette approche réside toujours dans l’utilisation de modèles à paramètres constants qui sont
linéarisés autour d’un point de fonctionnement. La méthodologie de modélisation est étendue
pour décrire deux modèles à constantes réparties.
Les simulateurs SPICE peuvent être utilisés pour simuler des systèmes à constantes réparties,
cette approche est discutée dans [II.51][II.53] . Un modèle à constantes réparties est présenté
dans [II.53], il s’agit de la modélisation de l’amortissement dans les gaz dans une
microstructure. Dans cette approche il s’agit de définir un maillage discret de la
microstructure avec les conditions aux limites appropriées. Les éléments de maillage sont les
composants électriques élémentaires. Cette méthode peut être envisagée pour modéliser des
systèmes extrêmement non linéaires avec une grande précision mais on peut reprocher à cette
méthode d’être compliquée et difficile à implémenter tant qu’un outil de maillage
automatique n’est pas disponible.

72
Problématique

Le couplage entre les solvers EF et les simulateurs de circuits est décrit dans [II.54]. Deux
©
simulateurs (ANSYS et PSPICE) sont couplés pour calculer la réponse d’une poutre vibrante.
Le couplage entre les deux simulateurs n’est pas « en temps réel » , mais il se fait
séquentiellement par itérations en mettant à jour la réponse de chaque simulateur. Cette
approche a l’inconvénient d’être valable uniquement sur des cas simples. Les problèmes de
convergence ne sont pas discutés pour des cas plus compliqués.
Une étude sur l’optimisation des microsystèmes basée sur le couplage du simulateur au niveau
composant et l’analyse de stabilité de système est présentée dans [II.55]. Les microstructures
étudiées sont deux convertisseurs thermiques composés d’une membrane conçue avec une
seule couche d’oxyde.

La génération d’un modèle comportemental à partir des simulations EF est discutée dans
[II.56]. Les exemples rencontrées [II.57][II.58][II.59][II.60], sont encore limités à de simples
composants dont le nombre de degrés de liberté (DOFs9) est réduit. Néanmoins cette
approche, autrefois inexploitable à cause d’une offre commerciale limitée sur les logiciels EF
multi-physique, laisse entrevoir des perspectives prometteuse avec des outils de CAO tels que
ANSYS et COMSOL.
En effet, ces deux logiciels commerciaux se sont étoffés durant ces cinq dernières années pour
proposer une plate-forme de simulation multi-physique complète :
ANSYS, historiquement réputé dans le domaine mécanique et thermique, s’est
récemment enrichi d’un module électromagnétique (ANSYS EMAG 2003) afin
d’offrir un environnement de simulation complet.
COMSOL à pour origine la PDE Toolbox1.0 introduite dans MATLAB en 1995, puis
en 1999 sous le nom FEMLAB (V1, V2) pour proposer une interface de simulation
élaborée mais couplée à MATLAB. En 2003, la version 3 de FEMLAB est autonome
(stand alone), elle ne nécessite plus le logiciel MATLAB, avant de devenir COMSOL
Multiphysics en 2005. Au cours de ces dix années d’évolution, COMSOL s’est doté
de modules dédiés à la simulation multi-physique. (structure, électromagnétique,
chimique, MEMS, thermique ...).

L’intérêt de ces logiciels, outre l’aspect multi-physique, est de proposer une modélisation
comportementale du modèle éléments finis par le biais de macro modèles (macro models) ou
de modèles d’ordre réduit (Reduced Order Models). Ainsi l’essentiel du comportement
physique du Mems est capturé dans une forme compatible avec la description au niveau
système.

Cet avantage permet d’envisager un flot de conception top-down, depuis la spécification vers
les dessins de masques, suivi d’un flot bottom-up depuis les masques vers une modélisation
comportementale en vue d’une validation globale du microsystème (Figure II-18).

Dans le cadre de cette thèse, cette approche sera retenue. Compte tenue des récentes
évolutions offertes par COMSOL et ANSYS et de l’absence de recul sur la calibration de ces
outils pour les microsystèmes, il nous est apparu primordial d’évaluer leurs performances
dans les domaines d’application des Mems RF (électrostatique, électromagnétique, thermique
et mécanique). Ainsi le chapitre suivant, présente une analyse des performances de ces
logiciels sur des cas relativement simple traitant un domaine physique à la fois, de façon à
comparer les résultats avec un logiciel choisi comme référence.

9
DOFs Degree Of Freedom

73
Problématique

Spécification conceptuelle du MEMS RF

Définition de l’architecture RF
Saisie de schémas électrique

BIBLIOTHEQUE DE MICROSYSTEMES
(Analytique et/ou à partir de modèles EF)
Flot de conception TOP-DOWN

Schémas blocs de la fonction RF

Proposition de modèles comportementaux

SPICE, HDL, VERILOG, AMESIME

Circuits équivalents - Equations

Simulations comportementales
SPICE, HDL, VERILOG, AMESIM

Dessins des masques

GENERATEUR DE LAYOUT
GDSII, CIF (CLEWIN...)
Vérification des règles de dessin
DRC (MEMULATOR, CADENCE)

Simulation des procédés technologique

Flot de conception BOTTOM-UP

(Simulation de gravure, génération du modèle 3D – TCAD)

Modèle 3D

Simulation FEM
ANSYS – COMSOL

Génération du modèle comportemental

Réduction de modèle

Simulation globale :
Microélectronique-Microsystème-Packaging

Fabrication et test

Figure II-18. Flot de conception des microystèmes RF

74
Problématique

II.4. CONCLUSION

Ce chapitre, nous a permis de poser la problématique de la thèse tant au niveau des enjeux de
conception pour les microsystèmes que pour le choix d’une technique de packaging respectant
les exigences spécifiques d’un micro-commutateur capacitif à actionnement électrostatique.

Aussi, nous avons montré qu’une technique de packaging basée sur un report de capot avec
une couche intermédiaire de scellement en polymère est une méthode simple à mettre en
œuvre, peu coûteuse et réalisable de manière collective.

Nous avons également discuté des principales difficultés rencontrées par les concepteurs de
microsystèmes face à la multitude d’outils disponibles. Par ailleurs, un tour d’horizon des
divers outils de CAO dédiés ou modifiables pour la conception de microsystèmes, a permis
d’identifier une méthodologie systématique du flot de conception. Nous avons fait le choix
d’une modélisation structurelle du Mems à partir de logiciels de simulation EF multi-physique
permettant de générer des macro-modèles comportementaux. Notre motivation repose sur
l’intégration de ces macro-modèles qui traduisent l’essentiel du comportement structurel du
Mems dans un langage de description comportemental pour réaliser une simulation au niveau
système.

75
Problématique

II.5. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE II

[II.1] G. M. Rebeiz, "RF MEMS, Theory, Design and Technology", Edition Willey 2003,
Chap. 7 "MEMS Switch reliability and power handling", pp. 192-199.

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of the Forty-Ninth IEEE Holm Conference on Electrical Contacts 8-10 Sept. 2003
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[II.4]J.R.Reid, “Simulation and measurement of dielectric charging in capacitive

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force for a bimetallic cantilever microactuator”, J. Micromech. Microeng., Vol 3, p4

[II.9] Q-A. Huang and N. K. S. Lee, 1999, “Analysis and design of polysilicon thermal
flexure actuator,” J. Micromech. Microeng., Vol. 9, p 64-70

[II.10] Q-A. Huang and N. K. S. Lee, 1999, “Analysis and design of polysilicon thermal
flexure actuator,” J. Micromech. Microeng., Vol. 9, p 64-70

[II.11] J.A. Wright and Y.C. Tai, 1998, “Micro-Miniature Electromagnetic Switches
Fabricated Using MEMS Technology,” Proceedings: 46th Annual International
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[II.14] Z.J. Yao, S. Chen, S. Eshelman, D. Denniston, C. Goldsmith, IEEE J.

Microelectromech. Systems 8 (2) (1999) 129–134

76
Problématique

[II.15] J.B. Muldavin, G.M. Rebeiz, IEEE Trans. Microwave Theory Techniq. 48 (6)
(2000) 1045–1052

[II.16] J.B. Muldavin, G.M. Rebeiz, IEEE Trans. Microwave Theory Techniq. 48 (6)
(2000) 1053–1056

[II.17] Goldsmith, C.L.; Zhimin Yao; Eshelman, S.; Denniston, D. "Performance of low-
loss RF MEMS capacitive switches"; In Microwave and Guided Wave Letters,
IEEE [see also IEEE Microwave and Wireless Components Letters] Volume 8,
Issue 8, Aug. 1998 Page(s):269 – 271

[II.18] M. Ulm, et al., Proceedings of the 31st European Microwave Conference, London,
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[II.19] J.J. Yao, M. Frank-Chang, Transducers_95, Stockholm, 1995, pp. 384–387

[II.20] J.Y. Park et al., MEMS_2000, Miyazaki (J), 2000, pp. 639–644

[II.21] X. Rottenberg, H. Jansen, P. Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, Proceedings of

the 32nd European Microwave Conference, September 2002, Milan, Italy, pp. 809–
812.
[II.22] O. Tabata, R.A sahi, H.Funabashi, K. Shimaoka, S. Sugiyama, "Anisotropic etching
of Silicon in TMAH solutions", In Sensors and actuators A(34), 1992, pp. 51-57

[II.23] Design of X-Band MEMS Microstrip Shunt Switches., Jad B. Rizk, Student
Member IEEE, Jeremy B. Muldavin, Student Member IEEE, Guan-Leng Tan,
Student Member IEEE and Gabriel M. Rebeiz, FellowIEEE

[II.24] Peroulis, D.; Pacheco, S.P.; Sarabandi, K.; Katehi, L.P.B.; "Electromechanical
Considerations in developing low-voltage RF MEMS switches", In Microwave
Theory and Techniques, IEEE Transactions onVolume 51, Issue 1, Part 2, Jan.
2003 Page(s):259 – 270

[II.25] Measurement of the mechanical properties of electroplated gold thin films using
micromachined beam structures ., Chang-Wook Baek, Yong-Kweon Kim, Yoomin
Ahn and Yong-Hyup Kim; In Sensors and Actuators A: Physical, Volume 117,
Issue 1, 3 January 2005, Pages 17-27

[II.26] Barker, S.; Rebeiz, G.M.; "Distributed MEMS true-time delay phase shifters and
wide-band switches", In Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on
Volume 46, Issue 11, Part 2, Nov. 1998 Page(s):1881 – 1890

[II.27] Bengi, F; Hanyalogu and Eray, S; Aydil. Low temperature plasma deposition of
silicon nitride from silane and nitrogen plasma

[II.28] C. Goldsmith et al., Proceedings of the 2001 IEEE MTT-S, Phoenix, AZ, May,
2001, pp. 227–230

[II.29] Shyh-Chiang Shen and Milton Feng; low actuation voltage RF MEMS switches
with signal frequencies from 0.25GHz to 40GHz

77
Problématique

[II.30] Pacheco, S.; Nguyen, C.T.; Katehi, L.P.B.; "Micromechanical electrostatic K-band
switches"; In Microwave Symposium Digest, 1998 IEEE MTT-S International
Volume 3, 7-12 June 1998 Page(s):1569 - 1572 vol.3

[II.31] Pacheco, S.P.; Katehi, L.P.B.; Nguyen, C.T.-C.; "Design of low actuation voltage
RF MEMS switch"; In Microwave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S
International Volume 1, 11-16 June 2000 Page(s):165 - 168 vol.1

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Microelectromechanical Systems, Journal of Volume 9, Issue 3, Sept. 2000
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[II.33] Guan-Leng Tan; Rebeiz, G.M.; "A DC-contact MEMS shunt switch"; In
Microwave and Wireless Components Letters, IEEE [see also IEEE Microwave and
Guided Wave Letters] Volume 12, Issue 6, June 2002 Page(s):212 – 214

[II.34] Reliability of MEMS devices were discussed. The X. Rottenberg, H. Jansen, P.

Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, Proceedings of the 32nd European
Microwave Conference, September 2002, Milan, Italy, pp. 809–812

[II.35] X. Rottenberg, H. Jansen, P. Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, " Novel RF-
MEMS capacitive switching structures

[II.36] Muldavin, J.B.; Rebeiz, G.M.; "All-metal high-isolation series and series/shunt
MEMS switches"; In Microwave and Wireless Components Letters, IEEE [see also
IEEE Microwave and Guided Wave Letters] Volume 11, Issue 9, Sept. 2001
Page(s):373

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microwave actuator (MIMAC) technology-a new tuning approach for microwave
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Symposium, 1991. Digest of Papers., IEEE 1991 10-11 June 1991 Page(s):27 – 30

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electrical characterization of BCB as a bond and seal material for avities housing
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[II.42] Stephen D. Senturia, "CAD challenges for microsensors, microactuators and

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78
Problématique

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perspective", Sensors and actuators, vol. A67, pp. 1-7, 1998

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79
Problématique

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thermal converter", In 8th International Conference on Solid-State Sensors and
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[II.57] K. Richard, T. L. Sevilla, and M. C. Rodamaker, "Predicting hysteric oscillations in

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[II.58] J. Vaananen, "Circuit theoretical approach to couple two-dimensional finite element

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[II.59] J. G. Rollins and J. J. Choma, "Mixed-mode PISCES-SPICE coupled circuit and

device solver", IEEE Transactions on Computer Aided Design of Integrated Circuits
and Systems, vol. 7, pp. 862-867, 1988

[II.60] J. Litsios, S Müller, and W. Fichtner "Mixed-mode Multi-dimensional devices and

circuit simulation", Technical report no. 93/28, Integrated Systems Laboratory,
Swiss Federal Institute of Technology Zurich, 1993

80
CHAPITRE III EVALUATION DES LOGICIELS MULTI-PHYSIQUES

81
Evaluation des logiciels multi-physique

III.1. INTRODUCTION
La génération d’un modèle comportemental à partir des simulations éléments finis (EF) multi-
physique, laisse entrevoir des perspectives prometteuses car elle permettrait de développer des
bibliothèques de modèles décrivant l’essentiel du comportement physique du Mems, dans une
forme compatible avec la description au niveau système. Ainsi, une plateforme de simulation
globale pourrait voir le jour avec des langages tels que le VHDL-A, des outils numériques
(solver SPICE, MATLAB-Simulink, AMESim ...) tout en permettant l’intégration de
fonctions d’optimisation.
Actuellement, l’offre commerciale en logiciels EF réellement multi-physique est restreinte à
deux logiciels : ANSYS et COMSOL [III.8][III.9].

Comme nous l’avons déjà mentionné dans le précèdent chapitre, le manque de recul en terme
de calibration pour les microsystèmes ainsi que les récentes évolutions offertes par ces outils,
font qu’il nous est apparu primordial d’évaluer leurs performances dans les domaines
d’applications des Mems RF (électrostatique, électromagnétique, thermique et mécanique).
C’est l’objet de ce chapitre : présenter une analyse des performances de ces logiciels sur des
cas traitant un domaine physique à la fois, de façon à comparer les résultats avec un logiciel
choisi comme référence. Nous avons déterminé le type de simulations en fonction des besoins
identifiés pour la conception des micro-commutateurs RF. Pour chacune de ces simulations,
nous présenterons les pré-requis concernant à la fois les aspects théoriques et les techniques
de modélisations, les objectifs que nous nous sommes fixés ainsi que les moyens pour y
répondre.
En fin de chapitre, nous proposerons également des exemples de modélisation
comportementale par circuit équivalent au moyen d’un transducteur en régime linéaire et par
la génération d’un modèle comportemental issu de simulation EF.

III.2. ELECTROSTATIQUE

Concevoir un micro-commutateur avec de bonnes performances RF revient principalement à

minimiser les pertes d’insertion (<0,2dB), obtenir une bonne isolation (>20-30dB) et une
bande passante assez large (~10%). Malgré la validation de la modélisation analytique à l’aide
de circuit équivalent avec les simulations numériques, nous rencontrons toujours un écart très
significatif entre l’isolation attendue lors de la conception et celle mesurée. En effet, nous
remarquons que la capacité à l’état bas (Con) choisie théoriquement est très supérieure à la
capacité mesurée, selon un facteur compris entre 2 et 4 (Figure III-1).

83
Evaluation des logiciels multi-physique

Fréquence (GHz)
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0

Etat haut
Transmission (S21 en dB) -5 Coff=68 fF (théorie 60fF)

-10

Etat bas
-15
Con=0.65 pF (théorie 2.4 pF)

-20

-25

Con/Coff=9.6 (théorie = 40)

Figure III-1. Caractérisation (S21) d’un micro-commutateur à l’état haut et à l’état bas

Ainsi les objectifs de cette partie sont les suivants :

Présenter les critères de conception d’un micro-commutateur à l’aide d’une
modélisation par circuit équivalent, dans le but de démontrer l’importance de la
maîtrise d’un rapport Kc=Con/Coff (Coff : capacité à l’état haut) suffisamment élevé
pour diminuer les pertes d’insertions.
Valider une méthode numérique d’ingénierie inverse permettant de faire des rétro-
simulations sur le calcul de la capacité à l’état bloqué en prenant en compte l’influence
de la rugosité. Le but n’étant pas de réaliser une étude poussée sur les mécanismes à
l’origine de la dégradation de la capacité Con [III.7] mais plutôt de montrer une
technique numérique possible permettant au concepteur de re-simuler la structure
réellement fabriquée.

III.2.1. Schéma électrique équivalent du micro-commutateur RF

Le comportement électrique d’un pont capacitif parallèle, peut-être modélisé par un circuit
résonnant R-L-C série, mis en parallèle sur une ligne de transmission coplanaire, supposée
sans pertes, d’après [III.1][III.2][III.3][III.4]. La Figure III-2 décrit ce modèle, la ligne de
transmission présente une impédance caractéristique Z0. R et L sont respectivement la
résistance et l’inductance équivalentes du pont. C est la capacité équivalente entre la ligne
coplanaire et le pont. On désigne par Con la capacité à l’état bas (commutateur en état de
marche) et par Coff la capacité à l’état haut (commutateur au repos). On introduit également
la constante Kc comme étant le rapport Con/Coff.

84
Evaluation des logiciels multi-physique

Pont

GND Signal GND Isolant

Mode passant

Mode non passant

Figure III-2. Schéma électrique équivalent d'un micro-commutateur capacitif parallèle

Le paramètre de transmission en puissance S21 du micro-commutateur est donné par

l'expression suivante :

1+ α ²
S 21 = Eq. 1
α ² + (1 + β )²

Avec les paramètres :

Z0 1 L 1 ω 1
β= α= ⋅ ⋅X− X = et ω 0 =
2⋅ R R C X ω0 LC
X est la pulsation normalisée par rapport à la pulsation de résonance du pont ωo à l'état
considéré. Une telle normalisation permet de comparer la réponse en fréquence de différentes
géométries de commutateurs. Les courbes données en Figure III-3 donnent la forme des pertes
d’insertion S21 (dB) en fonction de X pour différentes valeurs du rapport L/C. Le facteur β
est égal à 125, avec R=0.4Ω et Z0=50Ω.

85
Evaluation des logiciels multi-physique

L/C

Kc

Figure III-3. Réponse en fréquence du micro-commutateur capacitif pour différents rapport L/C

En remarquant que la pulsation normalisée dans l’état passant « off » se déduit de celle à
l’état non passant « on » en la multipliant par 1/ K c , il est alors possible d’évaluer
rapidement l’isolation à l’état bas (ω/ωo=1) et les pertes à l’état haut en fonction de la valeur
Kc. Ainsi nous avons également gradué sur la Figure III-3 les abscisses en fonction de Kc.

Les parties suivantes vont nous permettre de mesurer l’influence des différents paramètres sur
les performances des micro-commutateurs (isolation, bande d’isolation, pertes d’insertions).
Ainsi nous verrons qu’un compromis devra être trouvé entre ces trois caractéristiques.

III.2.1.1. Expression analytique de l'isolation (transmission à l'état bloqué)

Le pont doit être conçu de telle manière que sa pulsation de résonance à l'état bloqué soit
confondue avec la fréquence d'utilisation du MEMS. Dans ce cas la variable X est égale à 1 et
l'isolation est alors donnée par l'expression suivante :
1
S 21 = , d’où
(1 + β )2
⎛ Zo ⎞
Isolation = S on = 20 ⋅ log( S 21 ) ≅ −20 ⋅ log(β ) = −20. log⎜ ⎟ en dB Eq. 2
⎝ 2R ⎠

Cette équation montre que le niveau d’isolation autour de la fréquence de résonance est
directement relié au rapport Z0/(2.R). La minimisation de ce rapport peut être obtenue avec
une faible résistance R et une haute impédance de ligne Zo.

86
Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.1.2. Expression analytique de la bande d’isolation à 3 dB

Ce calcul cherche à déterminer la bande de fréquence dans laquelle le niveau d'isolation est
compris entre Son et Son +3 dB. Autour de la résonance à l'état bloqué, la variable α n'est plus
nulle mais reste petite devant β. Le paramètre de transmission peut alors se simplifier en :

1 + α²
S21 =
β²
Aux fréquences de transition de la bande de coupure, le module de S21 est égal à 2 × Soff,
ainsi on peut alors écrire la relation suivante :

1 + α² 2
S21 = = d’où α²=1
β² β²

D’après l’expression de α, on en déduit la bande de coupure:

Δω ω 2 −ω 1 Con
= = R⋅ Eq. 3
ω0 ω0 L

Une large bande passante assure une meilleure isolation pour une gamme de fréquences
donnée et également permet d’obtenir des performances moins sensibles à la dispersion
technologique. En effet, la conception d’un commutateur avec une fréquence de résonance
donnée est reliée à Con. Cette valeur de capacité est très sensible à la qualité du contact entre
le pont métallique et le diélectrique. La reproductibilité de ce contact spécialement pour de
faibles actuations, peut-être un point très critique dans le cas d’une faible bande passante.

III.2.1.3. Expression analytique de la fréquence de résonance à l’état bas

En effet, à l'état bas, la pulsation de résonance du pont ωoon doit être égale à la pulsation du
signal ωT que l'on souhaite isoler, d’où :

1
ωO on = = ωT
L ⋅ Con

1
Le produit Con L est alors donné par l'expression suivante : L ⋅ Con = Eq. 4
ωT ²

D’après les équations 3 et 4, le rapport et le produit permettent de déterminer L et Con, qui

sont donnés par les expressions suivantes :

R ⎛ Δω ⎞ 1
L= Con = ⎜ ⎟⋅
Δω ⎝ ωT ⎠ R ⋅ ωT

87
Evaluation des logiciels multi-physique

La conséquence de ceci est qu'un choix d'un ωT faible implique une inductance et une
capacité à l'état bas importantes, ce qui pose des problèmes de réalisation. En résumé, le choix
de Δω/ω fixe le rapport Con/L et le choix de ωT fixe le produit LCon.
Nous allons voir, dans le paragraphe qui suit, que les pertes d'insertion du pont à l'état haut
sont par contre liées à la valeur de Kc pour une isolation et une bande d’isolation donnée.

III.2.1.4. Expression analytique des pertes d'insertion

A l'état passant, la capacité Coff du pont repousse la résonance loin devant la fréquence
d'utilisation du MEMS. La pulsation normalisée X devient alors négligeable devant 1, ainsi
nous pouvons simplifier l’expression du module du coefficient S21 donner par l’équation 1,
sous la forme suivante :

α² 1
S21 ≅ =
α ² + (1 + β )² β²
1+
α²
A l’état passant, nous avons alors :
1 R 2 Coff X R 2 Coff
= × = × X + o(X 3)
α 2
L X −1
2
L

2
R 2Coff ⎛ Δω ⎞ Coff
En remarquant que : = ⎜⎜ ⎟⎟ × on aboutit alors à :
L ⎝ω0 ⎠ Con
−1 / 2
⎛ ⎛ Δω ⎞ 2 β 2 ⎞
S 21 ≅ ⎜1 + ⎜⎜ ⎟ ⋅ ⎟
⎜ ⎝ ω 0 ⎟⎠ K c ⎟
⎝ ⎠
D’où, l’expression des pertes d'insertion en décibel :

⎡ β 2 ⎛ Δω ⎞ 2 ⎤
PINSERT ≅ −10 ⋅ log ⎢1 + ⋅⎜ ⎟ ⎥ en dB Eq. 5
⎣⎢ K c ⎝ ω 0 ⎠ ⎦⎥

De l’expression précédente nous pouvons déduire que pour réduire efficacement les pertes
d’insertions, nous devons obtenir un rapport Kc important, une bonne isolation (β faible) et
une faible bande passante. Mais cette faible bande passante présente une sensibilité plus
grande aux dispersions technologiques. Nous voyons donc qu’il est nécessaire de trouver un
compromis entre la bande passante et les pertes d’insertions. Plus le rapport Kc sera
important, plus ce compromis sera facilité.

88
Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.2. Ingénierie inverse

Les résultats de caractérisation montrent que les mesures des capacités à l’état bloqué sont
deux à quatre fois inférieures à celles attendues lors de la phase de conception. Or comme
nous venons de l’indiquer, une diminution de la capacité entraîne inéluctablement une
dégradation de l’isolation et des pertes d’insertions importantes.
Ainsi, cette partie a pour but de proposer une technique numérique envisageable pour déceler
les fondements physiques de ce désaccord (l’étude physique de ces mécanismes n’est pas
traitée dans cette thèse). Elle servirait alors de support pour étudier l’influence des procédés
de fabrication (dépôt rugeux, planarisant, ...) sur la valeur de la capacité. Cette technique
s’appuie sur une méthode d’ingénierie inverse couramment utilisée en prototypage rapide.

III.2.2.1. Expression analytique de la capacité réelle

Dans le cas idéal, la capacité à l’état bas correspond à une capacité parfaite
métal/isolant/métal, s’écrivant comme énoncé dans la Figure III-4 :

wc

ε 0 ε diel S
wp C th =
g diel

Avec :
ε0 : Permittivité du vide
Diélectrique Pont εdiel : Permittivité du diélectrique
Conducteur gdiel S=wp.wc : Surface en regard
central gdiel :Epaisseur du diélectrique

Substrat

Figure III-4. Capacité Con théorique

Cependant le cas réel est très différent. En effet, il ne peut pas y avoir de contact intime entre
la surface inférieure du pont et le diélectrique du fait de la présence d’une fine couche d’air
(gap d’air) introduite notamment par la rugosité des surfaces en regard.

89
Evaluation des logiciels multi-physique

Ainsi, nous pouvons modifier l’expression théorique de la capacité en introduisant une

capacité parasite en série provenant du gap d’air :

Cr
• Cr capacité parasite rapportée par le gap d’air
• Cf capacité théorique du condensateur plan
Cf

D’où l’expression de la capacité totale :

Cr C f ε 0ε air ε diel S ε 0ε air ε diel S 2

Ctotal = = =
Cr + C f ε air g diel + ε diel g air ε airVdiel + ε dielVair
Avec ε 0 , ε air et ε diel : permittivité du vide, de l ' air et du diélectrique
S : surface en contact ( projection)
Vdiel et Vair : volume du dielectrique et du gap d ' air

Les volumes de diélectrique et d’air peuvent être évalués en utilisant une valeur moyenne de
l’épaisseur ou bien comme nous le verrons plus loin à partir d’une intégration sur le volume
réel des sous domaines au cours de la résolution numérique par EF.

Cette expression analytique de la capacité en fonction des volumes correspondants au

diélectrique et au gap d’air, limite l’origine de la dégradation de la capacité Con à la rugosité et
à la non planéité des surfaces.
Afin d’enrichir ce modèle analytique, nous avons opté pour une rétro-simulation de la
distribution du champ électrique en prenant en compte le profil réel des surfaces. A travers
cette application, nous souhaitons démontrer et valider l’importation de modèles réels, dont
les géométries et les états de surfaces sont issus de la caractérisation, dans le logiciel de
simulation COMSOL. En effet, une fois ce verrou levé, nous pourrions améliorer notre
modèle en prenant en compte par exemples les gradients du champ électrique au voisinage
des pics de rugosité mais aussi intégrer une modélisation du chargement du diélectrique afin
d’en étudier le viellissement, etc.... Enfin, cette technique pourrait également déboucher sur
d’autres applications touchant la conception des Mems.

90
Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.2.2. Mesure de la rugosité

Afin d’effectuer un relevé de la topographie des surfaces en regard entre le diélectrique et le
pont, nous avons utilisé une technique nous destructive à l’aide d’un profilomètre optique
Wyko NT1000 (Veeco Instrumentation©). L’état de surface du diélectrique a été obtenu après
arrachage du pont, tandis que l’état de surface de la partie inférieure du pont (en regard avec
le diélectrique) peut être obtenu en prenant l’état de surface de la résine sacrificielle (nous
présentons uniquement l’introduction de la rugosité au niveau du diélectrique et non pas celle
du pont).

La rugosité d’une surface peut se quantifier à l’aide de plusieurs paramètres, on utilisera par
exemples (Figure III-5) :
1
• La rugosité arithmétique moyenne : Ra = ∫ y ds
LL
• La hauteur Rp du pic maximal : Rp= ymax
• La profondeur Rc du creux maximal : Rc= | ymin |;
• La rugosité totale : Rt = Rp + Rc.
1 2
L ∫L
• La rugosité quadratique moyenne : Rq = y ds

• L’ondulation moyenne la : Il s’agit de la moyenne des espaces entre les pics. Cela
correspond à une description « basse fréquence » de la rugosité qui est relative à la
planéité.

Profil réel d’une section

Ondulation moyenne: la
Figure III-5. Décomposition de la rugosité en deux parties : basse fréquence et haute fréquence

La Figure III-6 résume les trois paramètres principaux permettant de quantifier l’état de
surface : la planéité avec l’ondulation moyenne la, la rugosité arithmétique moyenne Ra ainsi
que la hauteur des pics Rp.

91
Evaluation des logiciels multi-physique

Surface inférieure du pont

Planéité

Micro-commutateur RF (a) (b)

a) Profil sans filtrage b) Profil avec filtrage passe bas
Surface du diélectrique suivant trois configurations de fabrication de la ligne centrale

(c) (d)

Pic Rp Rugosité Ra
Or électrolytique
(e)

c) Or évaporé 2000 Å d) Or évaporé 2 µm e) Or électrolytique 2,5 µm.

Figure III-6. Caractérisation de la rugosité par profilométrie optique
La Figure III-6 présente également trois relevés des états de surfaces du diélectrique suivant
qu’il soit déposé sur de l’or évaporé ou de l’or électrolytique. Pour notre application, nous
avons choisi d’étudier le cas le plus défavorable qui concerne le dépôt du diélectrique sur de
l’or électrolytique. En effet, comme nous pouvons le constater dans le Tableau III.1, le dépôt
d’or électrolytique est de loin le plus rugueux et possède des pics les plus élevés, compris
entre 50 et 63 nm. Ce mauvais état de surface est non seulement le présage d’une mauvaise
capacité Con mais également est un défi en terme de traitement numérique, notamment pour le
maillage du domaine.

Profilomètre optique Wyko

(surface d’acquisition130 µm x 80 µm)

Hauteur du pic
Métal Ra (Å) Rt (nm)
maximum (nm)

Au évaporé : 2000 Å 18 27 1,6

Au évaporé : 2 µm 26 175 12

Au électrolytique : 2,5 µm 174 1150 63

Tableau III.1. Mesures de rugosité pour les différents dépôts

92
Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.2.3. Méthode d’ingénierie inverse

La méthode d’ingénierie inverse est résumée dans l’organigramme présenté dans la Figure
III-7 avec une description en images, des différentes étapes, décrite dans la Figure III-8. Tout
d’abord nous partons de l’acquisition de la surface du diélectrique obtenu par le profilomètre
optique Wyko. Nous réduisons volontairement la surface du diélectrique (facteur 1/16) afin de
diminuer la taille du modèle. Ensuite, le fichier ascii produit par le logiciel d’acquisition
Vision32 est traité dans Matlab pour créer trois tenseurs d’ordre deux (meshgrid) relatifs aux
coordonnées des points dans le repère cartésien X Y Z. Cette technique permet alors la
génération par extrusion d’un bloc 3D ayant la face d’extrusion identique à la surface capturée
lors de l’acquisition. Ensuite, nous devons convertir ce nuage de points en un format standard
de la CAO de façon à pouvoir importer le modèle dans COMSOL. A ce stade, nous avons
initialement programmé la conversion du nuage de points représenté par les trois tenseurs en
un objet VRML. Malgré une importation possible de ce type de fichier dans COMSOL, cette
méthode a été abandonnée car elle nécessite l’utilisation d’un filtrage trop restrictif pour
permettre l’importation, dénaturant complètement la forme initiale (Figure III-8-e). Pour
contourner ce problème nous avons programmé la conversion du nuage de points en un fichier
de stéréolithographie (STL). Ce type de fichier renferme les coordonnées des nœuds des
facettes triangulaires du domaine (analogue aux fichiers de maillages). L’importation de ce
type de fichier dans COMSOL a été possible mais nous n’avons pas pu mailler la majorité des
structures tests du fait des problèmes de recouvrement de nœuds. En effet, deux nœuds
contigus peuvent être perçu comme disjoint suivant la tolérance machine et non pas fusionnés.
Néanmoins cette technique n’a pas été écartée car nous pouvons importer le fichier STL dans
un logiciel de CAO standard (Figure III-8-d : ex CATIA) afin de traiter par filtrage les nœuds
proches puis exporter le modèle sous divers format compatible avec COMSOL (STL,
CATPart, Step, Iges, Sat....).
Enfin une technique plus confortable a été trouvée, en générant un objet géométrique à l’aide
des fonctions COMSOL : geomsurf.m, block3.m, geomcoerce.m et split.m. Cette dernière
technique a permis l’importation, le maillage et la résolution sans problèmes. De plus, elle
présente l’avantage de permettre la réalisation de l’ensemble de la modélisation-simulation
dans un seul fichier Matlab (Annexe I).
La modélisation s’achève en spécifiant les propriétés des matériaux, les conditions aux
limites, le type de solveur.
Pour finir, la capacité est calculée à partir de l’énergie électrique emmagasinée, We, dans la
capacité « MIAM » (Métal/Isolant/Air/Métal), soumise à une différence de potentiel V :

2W ∫ (D • E) dΩ
Ω
C = 2e =
V V2

93
Evaluation des logiciels multi-physique

Acquisition 3D
VEEKO (a)

Nuages points
Fichier ascii (b)

Traitement numérique
MatLab (c)

Logiciel Prototypage rapide

CATIA (d)

Objet Objet Objet Objets

géométrique VRML STL CATPart Iges Sat …
(geomcoerce)

Module importation (e)

COMSOL

Modélisation (f-g)
• Matériaux
• Maillage
• C.L
• Solveur

Résultats (h)
Post-traitement
Figure III-7. Organigramme des étapes du procédé d'ingénierie inverse

94
Evaluation des logiciels multi-physique

Pont
Diélectrique
ASCII
Masse Ligne
Masse
RF

Réduction

MATLAB

CATIA

Objet CATIA V5

Objets :

CATPart
IGES
SAT
...
Objet géométrique Objet STL
Objet VRML

Matériaux + CLs Maillage Résultats - Post traitements

Surface inférieure du pont en

contact sur un pic
Air gap

0.2 µm de dielectrique (εr=6)

Figure III-8. Description du principe de fonctionnement de l'ingénierie inverse

95
Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.2.4. Résultats
Les hypothèses simplificatrices retenues pour cette modélisation (Figure III-9), sont les
suivantes :
• H1 : La réduction de la taille (facteur 1/16) reste fidèle à la rugosité moyenne de
l’échantillon
• H2 : Pont parfaitement plat
• H3 : Pont en appui sur le pic de diélectrique le plus élevé

Surface inférieure du pont en

contact sur un pic

Gap d’air

0,2 µm de dielectrique (εr=6,6)

Figure III-9. Modélisation et hypothèses simplificatrices

Le post-traitement de la simulation (Figure III-10) nous permet d’obtenir la valeur de la

capacité (C11_emes) mais également d’accéder par intégration aux volumes du gap d’air ainsi
qu’au diélectrique.

Capacité C11_emes=6,222879 E-14 F

Volumes :
1. Gap d’air Vair= 4.25949E-17 m3
2. Dielectrique Vdiel=1.295215E-16 m3

Figure III-10. Capacité simulée (Sous-domaine: champ électrique, résultats en bas à gauche)

96
Evaluation des logiciels multi-physique

Afin de comparer la valeur de la capacité obtenue par simulation avec la capacité mesurée, il
faut corriger la capacité simulée par un facteur 16. En effet, comme nous l’avons énoncé, la
construction du modèle est basée sur une acquisition réduite de la surface du diélectrique,
25.7µm × 25.2µm contre 130 µm × 80 µm, de ce fait avec l’hypothèse H1 nous pouvons
supposer que la capacité correspondant au modèle entier s’obtient en multipliant la valeur
obtenue par un facteur voisin de 16 [ cad (130×80)/(25.7×25.2)].

Le Tableau III.2 nous donne le résultat de la capacité simulée en tenant compte du facteur
correctif.
Capacité simulée avec
Capacité simulée
la correction surfacique (x16)
6.222879e-2 pF 0.999335 pF ~ 1 pF
Tableau III.2. Capacité simulée et corrigée
Par ailleurs, nous pouvons évaluer la capacité théorique en prenant en compte la rugosité
introduite par les volumes d’air et du diélectrique, nous la noterons CR :

ε 0 ε air ε diel S 2
C R = C total = = 0.9571255 pF ~ 0.96 pF
ε air V diel + ε diel V air

Afin de bien voir l’influence de la rugosité, nous calculons la capacité théorique pour des
surfaces parfaites, nous la noterons CP :

ε 0 ε diel S
C P = C th = = 3.03 pF
g air

Les mesures des capacités sont effectuées à l’aide du banc de mesure, composé
principalement d’un système de visualisation (PC), d’un analyseur d’impédance et d’une
station sous pointes (Figure III-11).

Analyseur d'impédance
Visualisation
Agilent 4294A
.40Hz à 110MHz
.signal : 5mV à 1V rms
.DC ± 40V ou ± 100mA

PC

.Intuilink
(GPIB +
Excel)
Station sous pointes .semi -automatique
.6 pouces
KARLS SUSS AP6

Figure III-11. Banc de mesures de capacité

97
Evaluation des logiciels multi-physique

Dans notre gamme de travail, comprise entre 1pF et 10pF, les mesures des capacités sont
données dans le Tableau III.3 avec une précision inférieure à 1%.

N° de l’échantillon Capacité mesurée

1 1,60 pF
2 1,35 pF
3 1,36 pF
4 1,29 pF
5 1,46 pF
Capacité moyenne 1,41 pF
Tableau III.3. Capacités mesurées pour cinq échantillons

Le Tableau III.4 regroupe les résultats obtenus. Nous constatons que la capacité simulée et la
capacité calculée avec la prise en compte de la rugosité (CR), ne différent que de 4,2%. Cette
légère différence peut être attribuée à la prise en compte de la distribution réelle du champ
électrique pour la capacité simulée, contrairement à une distribution uniforme du champ
électrique pour la capacité calculée.

Calculée
Simulée Mesurée
CR (rugosité) CP (parfait)
~ 1 pF ~ 0.96 pF 3.03 pF 1.41 pF
Tableau III.4. Synthèse des résultats : simulation - calcul analytique – mesure
Cependant, nous pouvons remarquer une différence importante, de l’ordre de 30%, entre la
capacité simulée et la capacité mesurée. Nous pensons que cette différence est due à la non
prise en compte des effets de bords, de la rugosité du pont ainsi que de l’hypothèse H3 qui
rappelons-le stipule un contact du pont sur le pic le plus élevé du diélectrique.

III.2.2.5. Conclusion

Cette étude nous a permis de démontrer et valider la faisabilité de simulation par ingénierie
inverse. Aussi, nous pouvons envisager des rétro-simulations permettant la prise en compte de
la forme réelle des structures fabriquées.
Cette possibilité laisse le champ libre pour de nombreuses applications potentielles
directement liées à la conception et à la fabrication des Mems. Citons par exemple, l’étude de
la résistance de contact DC, pour les commutateurs résistifs, en fonction de la pression et de la
rugosité des surfaces.
Par ailleurs, nous pouvons en perspective étendre ces travaux en modélisant l’ensemble des
surfaces rugueuses ainsi qu’en prenant en compte la déformation des matériaux lors du
contact. Nous verrons en III.4.2, les techniques de modélisation du contact.

98
Evaluation des logiciels multi-physique

III.3. ELECTROMAGNETIQUE HAUTES FREQUENCES (HF)

Deux logiciels commerciaux apparaissent comme des leaders dans le domaine des
hyperfréquences:
SONNET Suite [III.15], un logiciel électromagnétique 2D1/2 utilisant la méthode des
moments
HFSS ANSOFT [III.14], un logiciel 3D résolvant dans l'espace les équations de
Maxwell

SONNET a notamment pour avantages, une souplesse d'utilisation pour l'optimisation des
structures, maillage bi-dimensionnel automatique et temps de calculs CPU réduit. Mais le
problème majeur, discuté dans [III.6], est que ce logiciel ne peut prédire correctement la
densité de courant maximale dans les lignes.

HFSS permet l’intégration d’un maillage tri et bi-dimesionnel réalisé automatiquement mais
avec la possibilité de raffiner localement le maillage. Contrairement à SONNET, il est alors
possible d’avoir une bonne précision sur les densités de courant mais en contre partie les
temps de calculs CPU sont beaucoup plus importants. En effet, le maillage en volume des
conducteurs nécessite des tailles d’éléments inférieures à cinq fois l’épaisseur de peau (Figure
III-12, soit 100 nm à 20 GHz) pour obtenir des résultats indépendants de la qualité du
maillage, ce qui le rend très volumineux.

1 f est la fréquence du signal (Hz)

δ= µ0 = 4π.10-7 est la perméabilité du vide
π f μ0 σ σ est la conductivité du métal considéré,
σ=4.1.107 S/m pour l'or

Figure III-12. Expression de l'épaisseur de peau δ

Les fortes densités de courant sont à l’origine des défaillances structurelles, suite aux
échauffements thermiques (fluage, flambage), et aussi électriques par l’apparition du
phénomène d’électromigration. En effet, dans les zones à fortes densités de courant, les
atomes métalliques vont s'arracher localement et migrer dans le sens du courant, augmentant
la résistance et donc les pertes résistives.

Ainsi, les simulations des performances RF des micro-commutateurs devront permettre

l’évaluation des densités de courant pour se placer en dessous du seuil d’électromigration
mais également autoriser la prise en compte des échauffements provoqués par effet joule sur
les déformations du pont afin d’avoir un couplage direct. Les valeurs du Tableau III.5
correspondent à des limites de densité de courant à ne pas dépasser, pour différents
conducteurs, de manière à s’affranchir du phénomène d’électromigration. Ces limites sont
valables pour des courants continus ou de fréquences inférieures à quelques kHz, aussi des
valeurs plus importantes peuvent être considérées en présence de signaux RF et micro-ondes.

99
Evaluation des logiciels multi-physique

Conducteurs Densité de courant Jmax

Cu 25 GA/m2
Au 5 GA/m2 *
Al 2 GA/m2
Tu 10 GA/m2
*valeurs trouvées comprises entre 5 et 20 GA/m2

Tableau III.5. Limite d’électromigration (DC) des quelques métaux

Des techniques d’analyse séquentielles sont menées au laboratoire, en utilisant le logiciel E-

Physics de ANSOFT qui permet de réaliser des simulations thermo-mécaniques des modèles
issus de HFSS en important la géométrie et des densités de courant simulées. Mais, cette
méthode ne permet pas un couplage direct, les simulations sont menées séquentiellement. De
plus, la géométrie déformée suite aux contraintes thermo-mécaniques, obtenue dans E-
Physics, ne peut pas être importée dans HFSS, ce qui complique encore plus le couplage
séquentiel.

Aussi, la possibilité de réaliser les différents calculs dans le même environnement, et plus
encore de coupler les phénomènes physiques en résolvant directement un modèle multi-
physiques est donc un atout indéniable aux logiciels EF ANSYS et COMSOL.

Dans ce contexte, il nous est apparu primordial d’analyser les performances de ces deux
logiciels EF vis-à-vis du logiciel HFSS que nous prenons comme référence.

La structure test utilisée est une simple ligne de transmission coplanaire (coplanar waveguide,
noté CPW), pour laquelle nous effectuons une analyse des paramètres S. Notons, que la
validation de ce modèle très simple est une étape incontournable, et dès que celle-ci sera
franchie, elle devra s’accompagner d’une étude de structures plus complexes pour valider
complètement les logiciels.

III.3.1. Préliminaire : Paramètres S

La matrice [S], matrice de répartition ou « scattering matrix », est l’outil de base pour l’étude
des quadripôles linéaires en hyperfréquence (Figure III-13). Les paramètres S ont un lien
direct entre les transferts de puissance entrée - sortie d’un quadripôle. Dans les systèmes
hyper fréquences, on cherchera à optimiser les transferts de puissance, sachant que la
puissance est la grandeur la plus simple à mesurer en hyperfréquence (HF), on comprend
alors immédiatement l’intérêt d’une extraction des paramètres S.

a1 a2
Quadripôle
Port 1

Port 2

HF
b1 b2

Figure III-13. Représentation d'un quadripôle HF - a (onde incidente) et b (onde réfléchie)

La matrice [S] est alors définie par la relation comme une transmittance entre ondes
incidentes (a) et ondes réfléchies (b), on a alors : (b)=[S](a) avec :

(a ) = ⎧⎨
a1⎫
(b ) = ⎧⎨
b1⎫
[S ] = ⎛⎜⎜
S 11 S 12 ⎞
⎬ ⎬ et ⎟
⎩a 2 ⎭ ⎩b2⎭ ⎝ S 21 S 22 ⎟⎠

100
Evaluation des logiciels multi-physique

En conséquence si a2 = 0, ce qui signifie que la sortie du quadripôle est adaptée, alors S11
=b1/a1 est le coefficient de réflexion vu à l’entrée et S21 = b2/a1 est le coefficient de
transmission de l’entrée à la sortie. De même si a1 = 0, ce qui signifie que l’entrée du
quadripôle est adaptée, alors S22 = b2/a2 est le coefficient de réflexion vu à la sortie et S12 =
b1/a2 est le coefficient de transmission de la sortie vers l’entrée.

III.3.2. Description de la structure test

La Figure III-14 décrit la géométrie de la ligne CPW ainsi que les propriétés électriques.
Notons que :
• Le substrat silicium, d’une épaisseur de 400 µm, est hautement résistif HR (εr= 11.9 et
on prendra soit une résistivité nulle soit une résistivité finie prise à 2000 Ω.cm)
• L’épaisseur des lignes est de 2 µm, on fera alors un modèle volumique en prenant la
conductivité de l’or à 4.1.107 S/m. Malgré une épaisseur de peau inférieure à un demi
micron (à 30 GHz), on fera également un deuxième modèle surfacique ayant une
conductivité infinie, on parlera de Perfect Electric Conductor (PEC)
• La largeur conducteur central : w=300µm
• La largeur des plans de masses : wm=600µm
• Largeur des gaps : g=125 µm

200 600–
125/3 00/125–60
0 2 00 Silicium :
1. εr =11.9 et σ=0.05 S/m
2. εr =11.9 et σ=0 S/m

3400

Lignes Or :
3. Volumique (2 µm d’épaisseur)
+ conductivité de 4.1.107 S/m
400
4. Surfacique en PEC (ie conductivité infinie)

L’option 4 est une approximation car @ 30Ghz

2150 l’épaisseur de peau est de 0.45 um
Dimensions en microns

Figure III-14. Description du modèle géométrique et des niveaux de simulations

Les dimensions de cette ligne coplanaire ont été choisies de façon à obtenir une impédance
caractéristique proche de 50 Ohms.
Résoudre un problème électromagnétique, revient à déterminer les champs électrique E et
magnétique H. Aussi nous devons délimiter le domaine par une « boîte » d’air qui précisera la
frontière.

III.3.3. Conditions aux limites

Le domaine étant délimité (Figure III-15), il convient d’appliquer des conditions aux limites
(CL) sur la frontière.

101
Evaluation des logiciels multi-physique

Figure III-15. Frontière du domaine

On distingue trois types de conditions aux limites qui sont définies ci-dessous.

III.3.3.1. Conditions aux limites : PEC

Une condition aux limites de type conductivité infinie, Perfect Electric Conductor (PEC),
impose la nullité de la composante tangentielle du champ électrique E sur la face considérée
(Figure III-16).

Sens de propagation

E
H

PEC

Figure III-16. Conditions aux limites PEC

Généralement ce type de condition est appliqué dans deux cas :

1. La conductivité électrique est élevée et les effets de peau sont négligeables

2. Pour définir un plan anti-symétrique pour le champ électrique

III.3.3.2. Conditions aux limites : PMC

Une condition aux limites de type conducteur magnétique parfait, Perfect Magnetic
Conductor (PMC), impose la nullité de la composante tangentielle du champ électrique H sur
la face considérée (Figure III-17).

102
Evaluation des logiciels multi-physique

Sens de propagation

H
E

PMC

Figure III-17. Conditions aux limites PMC

Généralement ce type de condition est appliqué dans deux cas :

1. Sur une surface d’un matériau de grande perméabilité

2. Pour définir un plan de symétrie du champ magnétique

III.3.3.3. Conditions aux limites : PML

Un des grands défis dans la modélisation EF en hyperfréquences est de traiter les problèmes
radiatifs avec des domaines ouverts. Dans de telles applications, il sera nécessaire de définir
les frontières du domaine comme étant infiniment radiatives, c'est-à-dire sans réflexion. Une
première possibilité revient à utiliser des conditions aux limites de type matched boundary
condition, qui permettent d’absorber les ondes planes mais nécessite de bien connaître la
direction de propagation. On peut également contourner ce problème en définissant un
matériau artificiel anisotrope qui est transparent et infiniment absorbant (matériau présentant
de fortes pertes) pour la longueur d’onde incidente. Donc une région PML n’est pas à
proprement parlé une condition au limite mais plutôt un artifice de simulation qui permet de
simuler des domaines infinis. En règle générale on définit quatre à cinq couches de PML sur
la frontière radiative, avec une taille inférieure au quart de la longueur d’onde (Figure III-18).

4 couches de PML

La taille des éléments PML doit être

inférieure à λ/4.
Le coefficient d’absorption utilisé dans
Ansys est de –50dB par défaut
(modifiable par la commande PMLOPT)

Figure III-18. Description des conditions PML

103
Evaluation des logiciels multi-physique

Notons que les conditions aux limites radiatives ne sont pas disponibles dans COMSOL 3.2b,
il est donc nécessaire de les implémenter, c’est l’objet de la section suivante.

III.3.3.4. Implémentation des conditions de type PML dans COMSOL 3.2b

Comme nous l’avons indiqué précédemment, il sera nécessaire d’ajouter un domaine
additionnel dans la modélisation, à l’extérieur des frontières, qui sera affecté à la définition
des PML. Ce sous modèle sera constitué d’un matériau artificiel ayant une perméabilité et
permittivité anisotropique de façon à ne pas présenter de réflexions [III.16][III.17].

μ = μ oμ r L
ε = ε oε r L

Avec μo, εo la perméabilité et la permittivité du vide et μr, εr la perméabilité et la permittivité

relative du domaine physique. L est un tenseur d’ordre deux, qui pour un PML parallèle à un
vecteur de la base du repère cartésien, se réduit à un tenseur diagonal. Ainsi, il sera facile
d’obtenir le tenseur L pour n’importe quelle couche PML en utilisant les matrices de
passages.

⎡L xx 0 0 ⎤
L = ⎢⎢ 0 L yy 0 ⎥⎥
⎢⎣ 0 0 L zz ⎥⎦
ss ss ss
Avec L xx = y z , L yy = x z et L zz = x y
sx sy sz

Les paramètres sx, sy et sz sont des nombres complexes qui correspondent aux paramètres
d’atténuations du signal, que l’on souhaite suivant les directions x, y et z.

Par exemple si l’on souhaite une atténuation d’une onde suivant la direction x, alors on
prendra :
sx =a-ib et sy=sz=1

a et b étant des nombres réels positifs arbitraires. En fait, pour une couche PML de normale x,
l’atténuation de l’onde se propageant de Δx est donnée par la composante suivant x du vecteur
d’onde (kx) et de la partie imaginaire de sx (b), selon l’équation suivante :

E = E o exp(-b k x Δx)
La partie réelle de sx (a), ne permet que d’accroître la rapidité d’atténuation d’une onde
évanescente. En pratique, on prendra au moins quatre couches PML avec des éléments de
taille inférieure à λ/4 et on choisira b de sorte que le produit b kx Δx=1.

L’implémentation dans COMSOL 3.2b est relativement simple. Nous avons défini les
paramètres complexes sx, sy, sz comme étant égaux à 1 sauf pour le paramètre lié à la normale
de la couche PML pris à 1-i (Figure III-19).

104
Evaluation des logiciels multi-physique

PML
sz =1-i
sy=sx=1

PML
sx =1-i
sy=sz=1

PML PML
sx =1-i sz =1-i
sy=sz=1 sy=sx=1
Figure III-19. Définition des PML dans COMSOL 3.2b

III.3.4. Description des méthodes de modélisation dans les différents logiciels

Nous présentons dans cette section l’essentiel des méthodes de modélisation, sans expliquer
de façon détaillée l’ensemble de la construction du modèle.

III.3.4.1. HFSS
Le modèle CPW construit sous HFSS est décrit dans la Figure III-20. On distingue en rose les
ports d’entrée/sortie. Un port est une surface sur laquelle est déterminée les champs
électriques et magnétiques selon les équations de Maxwell, de manière à définir une
excitation harmonique appropriée dans le volume entier. Cela revient à déterminer la
distribution des champs sur les ports comme des entrées du modèle 3D.

Frontière du domaine

Silicium
CPW

Port

Figure III-20. Description du modèle HFSS

En pratique, la dimension du port doit réaliser un compromis, pas trop petit pour ne pas perdre
l’intensité des champs et pas trop grand pour ne pas introduire l’apparition de modes de cavité
résonante, aussi nous pouvons donner quelques recommandations classiques (Figure III-21):
La largeur du port ne doit pas être inférieure 3(2g + w)
La hauteur du port ne doit pas être inférieure à 4h
La diagonale du port ne doit pas être supérieure à λ/2

105
Evaluation des logiciels multi-physique

>3 (2g + w)

>4h
w
g

CPW

Figure III-21. Recommandations sur les dimensions des ports – exemples : (a) correct et (b) trop petit

Le maillage initial du modèle est automatique, il s’agit d’un maillage adaptatif qui permet
d’obtenir la densité de maille nécessaire pour que la distribution des champs, calculée à la
plus haute fréquence, soit proche de la solution exacte (issue d’une méthode de type courant).
Si le critère de précision n’est pas atteint dans une région du modèle, alors cette zone sera
raffinée jusqu’à l’obtention de la précision escomptée si bien entendu le nombre maximum de
pas (adaptative passes) pour la convergence n’est pas atteint.

Le maillage des ports sera également adaptatif en fonction de la fréquence et d’un critère de
précision sur la continuité de la distribution des champs à l’interface des ports et du domaine
du modèle.

Enfin, lorsque le maillage initial du domaine et les maillages des ports (en fonction de la
gamme de fréquence analysée) sont réalisés, le maillage adaptatif sera aussi utilisé pour
satisfaire un critère d’erreur sur les paramètres S en fonction des fréquences balayées. En
effet, nous pouvons fixer la variation relative du module des paramètres S entre deux pas
fréquentiel (Delta S per pass), si cette variation est trop importante alors HFSS raffinera le
maillage jusqu’à ce que le nombre maximum de pas ne soit pas atteint pour obtenir la
précision souhaitée.

La valeur maximum de variation du module des paramètres S est définie par:

[ (
Max ij = mag SijN − SijN −1 )]
Avec N le pas fréquentiel, Sij les composantes de la matrice des paramètres S.

106
Evaluation des logiciels multi-physique

III.3.4.2. COMSOL
Contrairement à HFSS, la modélisation sous COMSOL n’utilise pas un maillage adaptatif en
fonction de la fréquence pour vérifier si la distribution des champs calculée au voisinage des
ports est proche de l’excitation. En effet, cette distribution des champs est calculée une seule
fois dans le domaine quasi-statique (Electric Currents Mode) en appliquant une différence de
potentiel de un volt entre le conducteur central et les plans de masses (Figure III-22).

1V

Figure III-22. Définition du champ électrique au niveau du port d'entrée

Ce champ calculé permet de générer l’excitation pour le port d’entrée. La simulation se fait
donc en deux temps (Figure III-23), une quasi-statique dans le mode « Electric Currents »
puis l’autre dans le mode « Electromagnetic Wave ».

Calcul de l’excitation (Electric currents)

Puis simulation du mode TEM par un
balayage fréquentiel (ici de 10 à 30GHz
par pas de 0.1 GHz)

Figure III-23. Description de la résolution en deux temps de l'analyse des paramètres S

107
Evaluation des logiciels multi-physique

III.3.4.3. ANSYS
La structure planaire du modèle permet de construire le modèle 3D par extrusion d’un
maillage réglé 2D (Figure III-24) définissant les zones du domaine (lignes or, substrat
silicium et PML).

Or Or PML
Z>0
Z<0 Extrusion du maillage
Silicium PML Silicium
b8
b7
Air PML
b6
b5
Lignes
b4
Silicium
Air
b3
Y b2
b1
a1 a2 a3 a4 a5 a6 a7 a8 a9 a10
X
Z

Figure III-24. Construction du modèle ANSYS par extrusion du maillage 2D réglé

Nous avons également profité du plan de symétrie de la structure, pour ne modéliser que la
moitié du CPW. La Figure III-25 présente les types de conditions aux limites utilisées : de
type PMC sur le plan de symétrie (symétrie du champ H) et de type PEC sur les faces
extérieurs des PML (les cinq faces restantes).

PEC

PMC

Ports

J (courant
d’excitation )

Figure III-25. Conditions aux limites

III.3.5. Modèles simulées

Malgré une description de la distribution des champs au niveau des ports correctes d’un point
de vue qualitatif (voir Figure III-26), les premières simulations ont abouti à un constat mitigé :
un désaccord entre HFSS et les deux logiciels multi-physique ANSYS et COMSOL, est assez
important au niveau des pertes par réflexions (on reporte environ 10dB de pertes
supplémentaires par rapport à HFSS).

108
Evaluation des logiciels multi-physique

E
E

Figure III-26. Distribution du champ E sur les ports (ANSYS et COMSOL)

De ce constat, nous nous sommes intéressés à l’origine des erreurs de modélisation commises
et dans cet objectif nous avons entrepris des simulations en faisant varier les paramètres
suivants :

Matériaux :
Lignes CPW : Surfacique (noté PEC) ou Volumique (noté Gold)
Substrat : Avec Pertes diélectriques (noté SiliconLAAS) ou sans (noté Silicon)

Conditions aux limites :

Conducteur magnétique parfait : PMC
Absorbantes : Radiatives pour HFSS (notée Rad)
PML pour COMSOL et ANSYS (notée PML)

Nous avons également fait varier la taille des ports dans les simulations sous HFSS afin de
vérifier que le problème ne réside au niveau de leurs excitations.

La Figure III-27 résume les divers modèles simulés. Notons que seules les conditions aux
limites de type absorbante (radiative ou PML) ont un sens physique, la condition PMC
n’ayant été utilisée que pour comprendre l’origine des erreurs de modélisation.

PMC ou Rad

SiliconLAAS PEC ou Gold

ou Silicon

Figure III-27. Résumé des différents modèles utilisés pour déterminer l'origine des erreurs de
modélisation

109
Evaluation des logiciels multi-physique

III.3.6. Résultats et conclusions

Les résultats des simulations en paramètres S d’une ligne coplanaire, modélisée sous
COMSOL et ANSYS, restent éloignés (Figure III-28 et Figure III-29) avec le modèle HFSS
ayant des conditions aux limites (réalistes) de type radiative (ex : SiliconLAAS Gold Rad). Ce
désaccord est particulièrement marqué pour les pertes par réflexions. Aussi, les différents
modèles permettent d’expliquer l’écart entre les fréquences de résonances (18 GHz/20GHz),
ainsi que l’écart en amplitude. En effet, on s’aperçoit que la condition aux limites PMC à
tendance à « resserrer » les pertes par réflexion autour de la fréquence de résonance.
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32

-10 -10

-15 -15

-20 -20 HFSS

SiliconLAAS Gold Rad Precis
-25 -25 SiliconLAAS Gold PMC
SiliconLAAS Gold Rad Port reduit
Silicon PEC Rad
-30 -30 Silicon PEC PMC
SiliconLAAS Gold Rad
S11 (dB)

-35 -35 SiliconLAAS Gold Rad6

COMSOL
-40 -40 SiliconLAAS PEC PMC
SiliconLAAS PEC PMC
-45 -45 Silicon PEC PMC
SiliconLAAS PEC PML
SiliconLAAS PEC PMC
-50 -50
ANSYS
SiliconLAAS PEC PML
-55 -55

-60 -60
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
Frequence (GHz)

Figure III-28. Pertes par réflexions des différents modèles

De plus, nous pouvons constater (Figure III-29), que le non respect des dimensions limites des
ports implique une augmentation des pertes d’insertion ainsi qu’une dérive de la fréquence de
résonance.

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
0,0 0,0
-0,1 -0,1
-0,2 -0,2
-0,3 -0,3 HFSS
SiliconLAAS Gold Rad Precis
-0,4 -0,4 SiliconLAAS Gold PMC
SiliconLAAS Gold Rad Port reduit
-0,5 -0,5 Silicon PEC Rad
Silicon PEC PMC
-0,6 -0,6 SiliconLAAS Gold Rad
S12 (dB)

SiliconLAAS Gold Rad6

-0,7 -0,7
COMSOL
-0,8 -0,8 SiliconLAAS PEC PMC
SiliconLAAS PEC PMC
-2,62 -2,62 Silicon PEC PMC
-2,64 -2,64 SiliconLAAS PEC PML
SiliconLAAS PEC PMC
-2,66 -2,66
-2,68 -2,68 ANSYS
-2,70 -2,70 SiliconLAAS PEC PML
-2,72 -2,72
-2,74 -2,74
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
Frequence (GHz)
Figure III-29. Pertes d'insertions des différents modèles

110
Evaluation des logiciels multi-physique

En conclusion, les modélisations faites sur COMSOL en ANSYS, ne sont pas en total accord
avec le modèle réaliste décrit sur HFSS. Cette étude aura permis d’identifier les principales
erreurs de modélisation. Une étude de sensibilité sur la dimension des ports dans les modèles
simulées sous COMSOL et ANSYS n’a pas montrée d’influence significative sur les pertes.

Ainsi, nous pensons que ces erreurs sont dues à :

une mauvaise définition des conditions aux limites radiatives sur COMSOL (courbes
bleu/courbes rouge Figure III-30)
une mauvaise définition du courant d’excitation sur ANSYS

Paramètres S - COMSOL VS HFSS

-15
-20
HFSS
-25 SiliconLAAS Gold Rad
S11 (dB)

SiliconLAAS Gold PMC

-30
SiliconLAAS Gold Rad Port Reduit
-35 SiliconLAAS Gold PMC Port Reduit

-40 COMSOL
SiliconLAAS PEC PMC
-45
-50
-55 -0,1
-0,2
-0,3

S21 (dB)
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7
-0,8
-70
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
Frequence (GHz)

Figure III-30. Paramètres S pour les modèles COMSOL et HFSS

Cette récente étude, menée en collaboration avec les supports techniques de ANSYS [III.10]
et de COMSOL [III.8], soulève le besoin d’approfondir les modélisations pour pouvoir
conclure définitivement. Néanmoins, elle a le mérite de montrer qu’une simple simulation en
transmission d’une ligne coplanaire est très laborieuse sur ANSYS et COMSOL, quand celle-
ci réclame seulement quelques minutes pour la construction du modèle et la simulation sous
HFSS.
S’agissant d’un verrou notable pour la conception des Mems RF, ces deux logiciels
montreront leurs intérêts pour l’électromagnétisme dès que la construction du modèle sera
validée et facilité. Cela passe notamment par l’intégration d’un maillage adaptatif (réalisable
par une macro) et également d’outils permettant la définition correcte des conditions aux
limites. Dans cette perspective, il est à noter que la nouvelle version de COMSOL 3.3, sortie
au mois d’octobre 2006, propose des outils prédéfinis pour les conditions aux limites
radiatives et PML.

111
Evaluation des logiciels multi-physique

III.4. MECANIQUE DES STRUCTURES

Dans le domaine de la mécanique des structures, les principales difficultés de conception

reposent sur la modélisation de microsystèmes ayant des rapports de forme élevées, sur une
description fidèle des procédés de fabrication et sur les propriétés des matériaux utilisés.

Au cours du deuxième chapitre, nous avons montré l’intérêt pour des applications
hyperfréquences, de réaliser un micro-usinage de volume en face arrière du Mems RF de
manière à obtenir une propagation du signal quasiment sans pertes diélectriques. Néanmoins
cet avantage indéniable apporte des complications pour la fabrication de grandes membranes,
au niveau de la tenue mécanique, mais également pour la réalisation d’un maillage de qualité
lors des simulations durant la phase de conception.

Le premier objectif de cette partie est de présenter des techniques de modélisation de

microsystèmes ayant des facteurs d’échelles élevés, et également de présenter la prise en
compte des contraintes résiduelles issues des procédés de fabrication (essentiellement
d’origine thermique).

Le deuxième objectif est de présenter une modélisation de l’étape d’assemblage du capot.

Cette étude permet d’aborder de façon qualitative les techniques de modélisation du contact
(rigide/déformable ou déformable/déformable).

III.4.1. Contraintes résiduelles et facteur de forme élevé

Afin de tester les performances des logiciels COMSOL 3.2 et ANSYS 10.0, au niveau de
l’implémentation des contraintes résiduelles et de la gestion du maillage de micro-structures
ayant des facteurs de formes élevées, nous avons choisi de simuler les déformations d’une
membrane ayant la complexité supplémentaire de posséder un bord libre (non encastré). Nous
avons également choisi de comparer les résultats de ces deux logiciels avec
COVENTORWARE 2005 [III.13] et I-DEAS 11-ABAQUS 6.5 [III.11][III.12], ce dernier
ayant été choisi comme référence.

III.4.1.1. Description du microsystème : Antenne Yagi Uda

Le domaine d’application des Mems RF et micro-ondes étant le monde de la communication
sans fil (téléphonie, radioastronomie, radars ...), il est alors primordial d’intégrer un système
d’émission/réception des signaux. Actuellement, un engouement pour les antennes planaires
se précise de part leurs potentialités, propagation homogène de l’onde sans modes de substrat
et faibles pertes diélectriques.

Aussi nous avons choisi de simuler les déformations issues des contraintes résiduelles
rapportées lors de la fabrication, de la membrane diélectrique supportant une antenne
surfacique dite Yagi Uda. La Figure III-31 présente la géométrie de l’antenne.

112
Evaluation des logiciels multi-physique

θ
Propagation
ϕ M ur de silicium

660µm
55°
Conducteurs
métalliques Direction de
M embrane diélectrique radiation

Figure III-31. Antenne Yagi Uda – (a) vue en coupe selon le plan de symétrie vertical et (b) photo MEB

Afin d’optimiser les performances de cette antenne, il convient de minimiser les perturbations
engendrées par la présence du silicium dans la direction de propagation du signal (Figure
III-31-a mur de silicium). Cette optimisation a conduit à la réalisation de membranes dites
trois cotés (trois encastrements), le quatrième coté étant quasiment libre. Une technique
innovante a été développée dans [III.18], pour obtenir un mur de silicium de section
triangulaire de faibles dimensions (Figure III-32-b)

w=100µm

θ=54,74° h=70µm

{111}

B’

B’ B

Figure III-32. Membrane 3 cotés : (a) Vue MEB face arrière - (b) Zoom sur le mur de silicium (c) Profil
3D obtenu par profilométrie optique (VEEKO) et (d) Déplacement vertical selon l’axe de symétrie (BB’)

III.4.1.2. Modèle retenu

La Figure III-33 donne les dimensions du modèle retenu. On remarquera que dans le cadre de
cette pré-étude nous avons simplifié la modélisation du mur de silicium avec une section
rectangulaire. D’autres part, la membrane est constituée soit d’un bi-couche oxyde nitrure
(SiO2/SiN1.15) soit d’une seule couche d’oxynitrure (SiO0.74N0.74). Pour la clarté de la
présentation, nous ne traiterons que le cas de la membrane composite.

113
Evaluation des logiciels multi-physique

SiN1.15 (0,6 µm)

Si

SiO2 (0,8 µm)

Figure III-33. Dimensions de la demi-membrane composite (en microns) par symétrie

La membrane a une épaisseur de 1,4 µm dont 0,8 µm pour la couche d’oxyde et 0,6 µm pour
la couche de nitrure (Figure III-33). Une caractérisation des modules de Young E et des
coefficients de poisson ν, pour l’oxyde et le nitrure, a été menée par la technique du
gonflement de membrane [III.18]. La mesure des contraintes résiduelles a été effectuée par la
méthode de Stoney [III.19][III.20]. Le Tableau III.6 regroupe les propriétés utilisées lors des
simulations.

Silicium

SiN1.15
Epaisseur (µm) 400 SiO2
0.8 0.6
Module de Young (GPa) 180.5 80 265
Coefficient de poisson 0.1 0.18 0.25
Contrainte initiale
moyenne (Mpa)
6 -300 600

Tableau III.6. Propriétés des matériaux

III.4.1.3. Implémentation des contraintes résiduelles dans les logiciels

La loi de comportement des matériaux linéaires, élastiques, homogènes et isotropes soumis à
une variation de température s’écrit sous la forme générale :
σ = Kε el + σ 0 = K (ε − ε th − ε 0 ) + σ 0
Avec
σ, σο respectivement les tenseurs : des contraintes et des contraintes initiales
ε, εel, εth, εo respectivement les tenseurs : des déformations, des déformations
élastiques, des déformations thermiques et des déformations initiales
K la matrice de rigidité définie ci-après

114
Evaluation des logiciels multi-physique

Par préférence pour la relation de Hooke devant celle de Lamé (Annexe D et E), on donnera
l’expression de la matrice de souplesse K-1 :

⎡ 1 −ν −ν ⎤
⎢ E 0 0 0 ⎥
E E
⎢ −ν 1 −ν ⎥
⎢ 0 0 0 ⎥
⎢ E E E ⎥
⎢ −ν −ν 1
0 0 0 ⎥
⎢ ⎥
K −1 =⎢ E E E
⎥
(1 + ν )
⎢ 0 0 0 2 0 0 ⎥
⎢ E ⎥
⎢ 0 (1 + ν ) ⎥
0 0 0 2 0
⎢ E ⎥
⎢ (1 + ν ) ⎥
⎢ 0 0 0 0 0 2 ⎥
⎣ E ⎦

avec les différents tenseurs (contraintes et déformations) se réduisant à la forme vectorielle

suivante :
⎡σ x ⎤ ⎡ε x ⎤ ⎡ε x ⎤ ⎡α x ⎤
⎢σ ⎥ ⎢ε ⎥ ⎢ε ⎥ ⎢α ⎥
⎢ y⎥ ⎢ y⎥ ⎢ y⎥ ⎢ y⎥
⎢σ ⎥ ⎢ε ⎥ ⎢ε ⎥ ⎢α ⎥
σ =⎢ z ⎥ ε =⎢ z ⎥ ε th = ⎢ z ⎥ = α vec (T − Tref ) avec α vec =⎢ z⎥
⎢σ xy ⎥ ⎢γ xy ⎥ ⎢0⎥ ⎢0⎥
⎢σ yz ⎥ ⎢γ yz ⎥ ⎢0⎥ ⎢0⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣⎢σ xz ⎦⎥ ⎣⎢γ xz ⎦⎥ ⎣⎢ 0 ⎦⎥ th ⎣⎢ 0 ⎦⎥

Les déformations thermiques sont proportionnelles à la variation de température, les facteurs

de proportionnalité correspondent aux coefficients de dilatation thermique définis. Dans le cas
des matériaux isotropes, ces coefficients sont tous égaux mais il peut être intéressant d’utiliser
des coefficients différents, comme pour les matériaux orthotropes, dans le but de modéliser de
manière artificielle les contraintes résiduelles.
De plus, il est également utile de définir le gradient des contraintes suivant l’épaisseur de la
couche :
Δσ h
σ = σ0 − ( z − ) avec h l’épaisseur de la couche
h 2

Aussi, nous pouvons résumer les différentes techniques possibles pour implémenter les
contraintes résiduelles bi-axiale (plan xy) sous la forme du Tableau III.7.

115
Evaluation des logiciels multi-physique

Contraintes moyennes Gradients de contraintes

1) Un tenseur des contraintes constant : a) Un tenseur des contraintes en fonction de
σ 0 = [σ 0 σ 0 0 0 0 0]T l’épaisseur σ = σ 0 −
Δσ h
(z − )
h 2
2) En utilisant le tenseur des déformations initiales εo b) En modélisant le gradient de contrainte par une
σ
ε 0 = − 0 [1 − υ 1 − υ − 2υ 0 0 0]
T
∑σ e i i
E moyenne pondérée par les épaisseurs σ 0 = i

∑e i
i

3) En utilisant le tenseur des déformations thermiques c) En faisant un découpage suivant l’épaisseur de la

εth=αvec ΔT couche:
1
α vec = [υ − 1 υ − 1 2 υ 0 0 0]
T

E
avec (T − T ref ) = Δ T = σ 0
σi

Tableau III.7. Description des possibilités d'implémentation des contraintes résiduelles

COMSOL supporte toutes les possibilités de modélisation des contraintes résiduelles décrites
dans le Tableau III.7.
ANSYS permet seulement d’introduire une valeur constante de la contrainte résiduelle et
seulement pour un matériau. Cette limitation très restrictive peut néanmoins être contournée
en générant un fichier de commande (ISFILE) qui permet d’appliquer des contraintes
localement aux nœuds désirés. Il est à noter que cette manipulation est complexe et ne permet
d’approcher les gradients de contraintes que par la méthode c) du Tableau III.7.
De plus, la modélisation du gradient de contrainte par la méthode c, impose une discrétisation
supplémentaire suivant l’épaisseur et de ce fait complique encore plus le maillage.

III.4.1.4. Possibilités des logiciels

Pour la réalisation des simulations, nous nous sommes placés en grande déformation avec
l’utilisation de solvers non linéaire et des éléments quadratiques (des éléments linéaires ayant
été utilisés pour s’assurer de la convergence).
Afin de diminuer le nombre de degré de liberté, nous n’avons simulé que la moitié de la
structure et opté pour un maillage réglé obtenu par extrusion (briques hexahèdres).

Malgré ces précautions, il a fallu utiliser une modélisation muti-géométrique dans COMSOL
car celui-ci ne permet pas une écriture des fichiers tampons (swap) sur le disque dur
contrairement à ANSYS. Pour cela, nous avons créé un modèle pour le substrat (Geom1) et
un modèle pour la membrane (Geom2) ayant des maillages différents sur lesquels nous avons
appliqués des conditions d’identités en termes de déplacements au niveau de l’interface
silicium/membrane. Cette technique est très séduisante pour contourner le manque de
ressource en mémoire vive (RAM) pour résoudre des problèmes ayant des facteurs d’échelles
importants. Il est à noter que nous avons utilisé un ordinateur configuré avec 2Go de RAM et
un processeur Xeon de 3,2 GHz à 32 bits. Nous pouvons remarquer qu’avec un processeur
fonctionnant à 64 bits, il est possible de réaliser un contrôle du swap sur le disque dur.

116
Evaluation des logiciels multi-physique

Une autre solution pour diminuer la taille du maillage aurait été de modéliser les couches de
la membrane avec des éléments coques. Mais cette possibilité ne permet pas d’implémenter
des contraintes résiduelles même thermiquement, et de ce fait n’a pas été retenue.

Le Tableau III.8 résume les possibilités offertes par les logiciels pour modéliser sous une
application donnée (solide ou coque), différentes analyses mécaniques ainsi que les méthodes
d’implémentation de contraintes résiduelles.

Implémentation
Possibilités d’analyses des contraintes
initiales

Déformation thermique εth

Transitoire quasi-statique

Contrainte moyenne σ0

Déformation initiale ε0
Réponse harmonique

Grande déformation

Flamblage linéaire
Analyse modale

Logiciels Applications

Elastoplasticité

Multiphysique
Parametrique
Temporelle

σ0(x,y,z)
Statique

Solide 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
COMSOL
Coque 3 3 3 3 3 3 3
Solide 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
ANSYS
Coque 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Solide 3 3 3 3 3 3 3 3 3
COVENTOR
Coque 3 3 3 3 3 3 3 3
I-DEAS Solide 3 3 3 3 3 3 3 3 3
ABAQUS Coque 3 3 3 3 3 3 3 3
Tableau III.8. Performances des différents logiciels suivants les types d'applications

117
Evaluation des logiciels multi-physique

III.4.1.5. Résultats et perspectives

Après une étude de convergence en fonction de la qualité du maillage, nous avons obtenu les
résultats présentés en Figure III-34 (dernier millimètre) et Figure III-35.

B’ C
Axe de symétrie (BB') (µm)
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-0,2
-0,4
-0,6
-0,8
Déplacement vertical (µm)

-1 B
-1,2
-1,4
-1,6 ANSYS Mean stress Shell/Solid Quadratic element
-1,8
COVENTOR Mean stress Solid Quadratic element
-2 C
-2,2 COMSOL Average Thermal Stress introduce by virtual CTE
mismatch Solid Quadratic element 56058 DOFs
-2,4 B’ COMSOL Average initial strain Solid Quadratic element 108950
-2,6 DOFs
IDEAS-ABAQUS Mean stress Solid Quadratic Refine Mesh
-2,8
-3 COMSOL Average stress Solid Quadratic 108950 DOFs
-3,2

Figure III-34. Déplacement vertical de la membrane suivant son axe de symétrie

ANSYS – Subdomain : vertical displacement COVENTOR – Subdomain : vertical displacement

% erreur
Déflection
référence :
Logiciels maximum
I-DEAS
(µm)
ABAQUS

IDEAS-
-3.15 0
ABAQUS

ANSYS -3.195 1.42

COMSOL -3.034 3.68

IDEAS-ABAQUS – Deformed shape and Von Mises COMSOL – Deformed shape and Von Mises stress on
stress on subdomain subdomain COVENTOR -2.95 6.35

Figure III-35. Champs des déplacements : (a) ANSYS et (b) COVENTOR – Champs des contraintes de
Von Mises : (c) IDEAS-ABAQUS et (d) COMSOL

Les résultats sont très voisins entre les différents logiciels. On remarque que les différentes
implémentations des contraintes résiduelles dans COMSOL (σo, εth, εo voir Tableau III.7)
donnent le même résultat.

118
Evaluation des logiciels multi-physique

En premières conclusions nous pouvons dire que les simulations mécaniques menées sur ce
type de structure nous ont permis de tester avec succès :
Dans COMSOL :
• L’ensemble des méthodes d’implémentation des contraintes résiduelles
• Une technique de modélisation multi-échelle en utilisant des conditions d’identités
entre les nœuds des différents maillages disjoints

Dans ANSYS :
• Seulement une implémentation des contraintes initiales de type contrainte
moyenne sur toute l’épaisseur de la membrane

Cette étude fait état d’un avantage de COMSOL sur la modélisation des pré-contraintes ainsi
que sur la facilité de la gestion du maillage. Cependant, les mesures des profils des
membranes (Figure III-32-d) montrent une flèche deux fois plus grande que celles simulées.

Devant ce constat, nous avons poursuivi nos investigations en raffinant notre modèle sur
COMSOL et également en tenant compte des réels profils de gravure anisotropique ainsi que
des lignes de l’antenne.
La section suivant présente les résultats obtenus en fonction du niveau de modélisation.

III.4.1.6. Améliorations des modèles

Quatre modélisations, suivant un niveau croissant de fidélité par rapport à la structure réelle,
ont été simulées (Figure III-36).

Modèle 1 Modèle 2 Modèle 3 Modèle 4

Figure III-36. Différents niveaux de modélisation
Une première campagne de simulation, sans la prise en compte du gradient des contraintes a
permis de montrer que le modèle 3 présente un bon compromis en terme de temps de calculs
par rapport à la précision des résultats (Figure III-37).

119
Evaluation des logiciels multi-physique

0
0 1000 2000 3000 4000 5000

Déplacement vertical (µm) -1

-2

-3 Model 1 Model 2 Model 3 Model 4

-4

-5

Axe de symétrie (BB’)

Figure III-37. Comparaison des différents modèles pour une pré-contrainte moyenne

Dans un second temps, nous avons utilisé le modèle 3 en prenant cette fois en compte le
gradient de contrainte dans la bi-couche. La Figure III-38 montre que les résultats obtenus
sous COMSOL et IDEAS-ABAQUS sont très proches en terme de déflexion maximale, de
l’ordre de 6,2 µm, et avec 14 % d’erreur commise par rapport aux mesures (7,2 µm).
Néanmoins, COMSOL reste plus réaliste car le profil de la déformée sous forme de « sillons »
introduits par les directeurs de l’antenne correspondent bien à l’allure du profil mesuré
(Figure III-32 - d).

0,4

0
0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000 4400 4800 5200
-0,4

-0,8

-1,2
No Gold (ABAQUS )
Déplacement vertical (µm)

-1,6

-2

-2,4
1,5 um of Gold (ABAQUS )
-2,8

-3,2

-3,6 3,5 um of Gold (ABAQUS )

-4

-4,4

-4,8 3,5 um of Gold (COMSOL )

-5,2

-5,6
1,5 um of Gold (COMSOL )
-6

-6,4
Axe de symétrie (BB’)

Figure III-38. Simulation du modèle 3 sous COMSOL et ABAQUS avec deux épaisseurs d'or

120
Evaluation des logiciels multi-physique

III.4.2. Modélisation de l’assemblage

Lors du second chapitre, nous avons montré que notre choix se portait vers une technique de
report de capot avec une couche intermédiaire de scellement en polymère (BCB).

Au niveau de la simulation des procédés du packaging, une étape importante sera de

modéliser la phase de report par thermo-compression. En effet, il convient de voir les
déformations et les contraintes rapportées par cette étape finale sur le Mems mais également
de s’assurer de la continuité du scellement.

Dans cette logique, nous nous sommes intéressés à la modélisation du contact pour simuler la
phase de compression. Le logiciel ANSYS, est une référence pour la gestion du contact car il
permet facilement de modéliser des contacts entre des matériaux déformables ou non (Figure
III-39).
En revanche le logiciel COMSOL ne dispose pas d’outils prédéfinis pour modéliser le
contact.

III.4.2.1. Description des principes de modélisation

III.4.2.1.1. ANSYS
La modélisation du contact sous ANSYS est relativement conviviale car une fois que la
géométrie est réalisée, il suffit de spécifier une surface de destination « contact » et une
surface source (cible) « target » qui viendra en contact sur la surface destination. Dès que l’on
aura spécifié les matériaux et les conditions aux limites, il ne restera plus qu’a imposer le
déplacement de la source suivant une droite, une spline etc...

2 mm

Déplacement

Target
Contact
2 mm
Target
1 mm
Contact
2 mm

10 mm

Figure III-39. Principe de la modélisation du contact sous ANSYS

III.4.2.1.2. COMSOL
Nous avons modélisé le contact en programmant une variation de pression sur le bord de
l’élément destination, qui augmente de manière exponentielle à mesure que la surface de
l’objet rigide s’approche. Cette technique est celle couramment utilisée dans les codes de
calculs pour modéliser un contact dit souple (sans chocs).

121
Evaluation des logiciels multi-physique

d
−
Ainsi nous avons définis, une pression ayant l’expression suivante : p = A e B

Avec : p la pression appliquée sur la surface destination

d est la distance entre la source et la destination, qui tend à diminuer
A est un coefficient homogène à une pression, typiquement A = 1 Bar
B est homogène à une longueur, il ne doit pas choisi trop grand pour ne pas
engendrer un chargement non négligeable lorsque la source est loin du contact.
Typiquement, on prend pour B un nombre compris en 20 et 30 fois l’épaisseur du
modèle géométrique de la destination. Dans notre cas on prendra B=15 mm car le
substrat à une épaisseur de l’ordre de 0,5 mm.

La principale difficulté dans l’implémentation de la pression de contact, sera de tenir compte

de la variation de la normale du contact durant la déformation.

En utilisant la formule de NANSON qui permet de relier un élément de surface orientée dans
la configuration non déformée à un élément d’aire dans la configuration déformée (avec la
convention vecteur en gras) :

ds=JF-TdS

f n x1
N

X1 x2
X2

dS=dS N ds=ds n
Configuration initiale Configuration déformée
Figure III-40. Formule de NANSON

Avec J, le jacobien de la transformation vectorielle f pour passer de l’état initial à l’état

déformée et F le gradient de déformation, s’écrivant :

∂f i ∂x ⎛F F12 ⎞
F = grad f = = i = ⎜⎜ 11 ⎟
∂X j ∂X j ⎝ F21 F22 ⎟⎠

122
Evaluation des logiciels multi-physique

Ainsi, pour notre application, il suffit d’implémenter la valeur du chargement surfacique

suivant la configuration initiale dans COMSOL. D’après la formule de NANSON, ce
chargement va s’écrire :

⎧ Fx ⎫ −T ⎧ x ⎫
N
⎨ ⎬ = pJF ⎨ ⎬
⎩ Fy ⎭ ⎩N y ⎭

Chargement surfacique Pression de contact Vecteur normal dans la

suivant x et y dans la configuration initiale
configuration déformée

En utilisant la syntaxe de programmation de COMSOL, on obtient finalement l’expression de

la pression dans la configuration déformée en fonction de la configuration initiale :

⎧ Fx ⎫ ⎛ invF11 _ smpn invF 21 _ smpn ⎞⎧n x ⎫

⎨ ⎬ = p × J _ smpn × ⎜⎜ ⎟⎟⎨ ⎬
F
⎩ ⎭ COMSOL
y ⎝ invF 12 _ smpn invF 22 _ smpn ⎠ ⎩n y ⎭

Désormais, il ne reste plus qu’à définir la pression pour le contact « souple ». En effet, on a
besoin de déterminer la distance d en fonction de la position sur la surface destination (Figure
III-41). Dans notre cas, nous pouvons simplifier le calcul de d en voyant que :
Le modèle admet un plan de symétrie (O,Y,Z)
Déplacer le capot ou déplacer la puce (ligne CPW) revient strictement au même

Y Ligne CPW Déplacement

Polymère de
scellement
Silicium
d
BCB
X

CL de type appuis simple permettant de

modéliser le capot (solide rigide)

Figure III-41. Modélisation de la compression lors de la phase d'assemblage

En utilisant cette modélisation, il suffit de déterminer la fonction continue par morceau qui
représente la forme de « l’indenteur » qui ici correspond aux lignes CPW (Figure III-42).

123
Evaluation des logiciels multi-physique

∀i ∈ [1,7]
Y
f i (x) = a i x + b i pour x ∈ [x i−1 , x i [

f3 f7
f2 f4 f6
f1 f5

X
x0 x1 x2 x3 x4 x 5 x6 x7

Figure III-42. Décomposition du profil de la ligne en fonctions continues par morceaux

En notant eBCB, l’épaisseur du BCB, gap la distance initiale séparant le capot et la ligne ,
para la valeur du paramètre de déplacement que l’on fera varier en utilisant une simulation
paramétrique de façon à déplacer « l’indenteur », on obtient l’expression de d :

∀i ∈ [1,7] d i = eBCB + gap + f i (x + u - x i-1 ) - para - (y + v) pour x ∈ [x i −1 , x i [

Donc ∀i ∈ [1,7] , pour x ∈ [x i−1 , x i [ , on a l’expression du chargement surfacique a

implémenter dans COMSOL :

di
× J _ smpn × (invF 11 _ smpn × n x + invF 21 _ smpn × n y )
−
(Fx )i = − Ae B

di
(F )
y i = − Ae
−
B
× J _ smpn × (invF 21 _ smpn × n x + invF 22 _ smpn × n y )

La Figure III-43 décrit la méthode pour implémenter le chargement surfacique dans

COMSOL au niveau des conditions aux limites.

Figure III-43. Implémentation dans COMSOL 3.2

III.4.2.2. Définition des matériaux et résultats

A cette étape, on se heurte à l’absence de donnée concernant les propriétés des matériaux
polymères en phase de réticulation. Nous avons alors fait l’hypothèse que durant la thermo-
compression, le comportement du polymère pouvait s’identifier à un matériau visco-élastique.

124
Evaluation des logiciels multi-physique

Aussi nous avons pris la formulation de Mooney-Rivlin [III.21][III.22] pour décrire sa loi de
comportement, dont voici l’expression de l’énergie de déformation :

( ) ( ) 1
Whyp = C10 I1 − 3 + C01 I 2 − 3 + κ (J - 1)
2
2

Avec les propriétés suivantes :

E = 6(C10 + C01 ) = 2.82 MPa (Module d’Young initial)

ν= 0.49967 (coefficient de poisson)
C10=0.293 MPa C01=0.177 MPa
E dP
κ= =- = 1424 MPa Module de compréssibilité (Initial Bulk Modulus )
3(1 − 2ν ) dV

I1, I2 sont les invariants du tenseur de Cauchy-Green, J est le rapport du volume élastique
déformé sur le volume initial et κ représente le changement de volume d’un matériau quand
une pression appliquée sur ce dernier est changée.

La Figure III-44 donne un aperçu des résultats de simulations sous ANSYS et COMSOL.

Figure III-44. Déplacements simulées sous ANSYS et COMSOL

D’après le graphe de la Figure III-45, nous constatons que les résultats sont identiques entre
COMSOL et ANSYS (écart inférieur à 0,3%). Cette parfaite concordance, nous permet de
valider notre méthode de modélisation du contact sous COMSOL.

125
Evaluation des logiciels multi-physique

Pression VS deplacement

7,5
COMSOL
7
y = 0,0622x3 - 0,1594x2 + 0,6099x - 0,027
6,5 R2 = 0,9995
6
5,5
5 ANSYS
Pression (MPa)

4,5 y = 0,0691x3 - 0,2143x2 + 0,7347x - 0,1011

4 R2 = 0,9995 ANSYS_p500
3,5 COMSOL_p500
3
2,5 Erreur<0,3%
2
1,5
1
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5
Déplacement (µm)

Figure III-45. Variation de la pression en fonction du déplacement - ANSYS et COMSOL

Nous pouvons remarquer, comme énoncé lors de l’introduction, qu’au moyen de l’analyse
paramétrique présentée dans la Figure III-46, une pression de l’ordre de 12 Bars permet au
BCB de venir combler les fentes des lignes coplanaires. Ce résultat reste en accord avec les
ordres de grandeurs des pressions appliquées dans la littérature.

Figure III-46. Profil du BCB en fonction de la pression appliquée

126
Evaluation des logiciels multi-physique

III.5. EXEMPLES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE

L’objectif de cette section est de présenter deux exemples de simulations comportementales :

Le premier basé sur la notion de circuit équivalent, permet de définir un transducteur
électromécanique qui décrit le comportement dynamique de l’actuation électrostatique
dans le cas du micro-commutateur.
Le deuxième, permet quant à lui de modéliser par simulation EF, la raideur mécanique
(non linéaire) de ce même micro-commutateur en prenant en compte l’influence de la
température et de la contrainte initiale, pour générer un macro-modèle
comportemental.

III.5.1. Modélisation par description analytique puis calcul numérique

Le comportement d’un microsystème est gouverné par un système d’équations à dérivées
partielles où les grandeurs physiques dépendent de la position spatiale et du temps. La
résolution de ce type d’équations, nécessite généralement l’utilisation du calcul numérique
(MEF10, DF11...). Néanmoins, pour des applications simples, il est possible de s’affranchir de
ces méthodes pour représenter ces systèmes d’équations par des modèles à constantes
localisées (dite également discrète), prenant le temps comme la seule variable indépendante et
de ce fait donnant lieu à un système d’équations différentielles ordinaires.

III.5.1.1. Préambule : Transducteur

La notion de transducteur fait intervenir des ports permettant le transfert d’énergie ( un port
pour la partie électrique et un port pour la partie mécanique), représentés par exemple par le
quadripôle de la Figure III-47.

• •
Courant i(t) = q (t) Vitesse u(t) = x (t)
Transducteur
électromécanique linéaire

Tension v(t) Force F(t)

Figure III-47. Représentation d'un transducteur électromécanique par un quadripôle

III.5.1.2. Constantes localisées : Micro-commutateur capacitif à actuation

électrostatique
La description du modèle électromécanique linéaire du micro-commutateur est donnée à la
Figure III-48, xo et qo représentent le point de linéarisation. En effet, le comportement non
linéaire ne permet pas de définir la fonction de transfert (transmittance) du transducteur.

10
Méthode des Eléments Finis
11
Différences Finis

127
Evaluation des logiciels multi-physique

qo+q

Electro- Pont
vo+v de fixe mobile Fo+F

d xo+x

Figure III-48. Modélisation du transducteur électromécanique autour d'un point de linéarisation

Les variables d’état sont x le déplacement et q la charge variable du condensateur plan.
L'énergie de nature électrostatique emmagasinée par le transducteur s'écrit :

(q + q o ) 2 1 (q + q o ) 2 (d + x o + x) 1
We (q, x) = + k(d + x o + x − l o ) =
2
+ k(d + x o + x − l o ) 2
2C(d + x o + x) 2 2ε oS 2

Avec C la capacité, d le gap initial, k la raideur de pont et S la surface en regard du

condensateur plan.

En prenant la différentielle totale de l’énergie électrostatique, on obtient :

∂We ∂We
dWe =
dq + dx Eq. 6
∂q ∂x
Or l’équilibre thermodynamique pour un transducteur est atteinte lorsque l’énergie menée par
les deux ports est donnée par :

dWe = v dq + Fdx Eq. 7

Ainsi, à partir des équations 6 et 7, nous avons :

⎛ ∂We ⎞ (q + q o ) (d + x o + x)
v t (q + q o , d + x + x o ) = ⎜⎜ ⎟⎟ =
⎝ ∂q ⎠ x =cste ε oS
⎛ ∂We ⎞ (q + q o )
2
Ft (q + q o , d + x + x o ) = ⎜ ⎟ = +kx
⎝ ∂x ⎠ q =cste 2ε oS

En effectuant une linéarisation autour de qo et xo, on obtient :

⎛ ∂v ⎞ ⎛ ∂v ⎞ (d + x o ) q 1 v
v(q, x) = ⎜⎜ t ⎟⎟ q + ⎜ t ⎟ x = q+ o x = q+ o x
⎝ ∂q ⎠ x =0 ⎝ ∂x ⎠ q =0 ε oS ε oS Co xo
⎛ ∂F ⎞ ⎛ ∂F ⎞ q v
F(q, x) = ⎜⎜ t ⎟⎟ q + ⎜ t ⎟ x = o q + k x = o q + k x
⎝ ∂q ⎠ x =0 ⎝ ∂x ⎠ q =0 ε oS xo

Ainsi nous déduisons le système d’équation matriciel suivant :

128
Evaluation des logiciels multi-physique

⎡ 1 vo ⎤
⎧v ⎫ ⎧q ⎫ ⎢C xo ⎥
⎨ ⎬ = [B ]⎨ ⎬ avec [B] la matrice de couplage du transducteur : [B] = ⎢ v ⎥
o

⎩F ⎭ ⎩x⎭ ⎢ o k ⎥
⎢⎣ x o ⎥⎦

Pour la fonction de transfert [T], en prenant des fonctions dépendant du temps en exp(jωt)
(tout autre signal pourra se déduire à l’aide de la transformée de Fourier), nous obtenons le
système d’équations :

⎡ x ⎛ 2
⎞⎤
⎢ o
- xo ⎜ k − C ⎛⎜ x o ⎞⎟ ⎟⎥
o⎜ ⎟
⎧q ⎫ ⎧F ⎫ ⎜ ⎝ v o ⎠ ⎟⎠⎥
avec [T ] = ⎢ o o
C v jωω o v o
⎨ ⎬ = [T ]⎨ ⎬ ⎢ ⎝ ⎥
⎩v ⎭ ⎩x⎭ ⎢ jω v o v ⎥
− k jω o
⎢⎣ x o xo ⎥⎦

Co v Co
On définit le coefficient de couplage κ, tel que κ = 1 − det[B] = o .
k xo k

κ est une grandeur fondamentale qui reflète la capacité de conversion énergétique

(électrique/mécanique) du transducteur. κ varie théoriquement entre 0 et 1, si κ =0 alors il n'y
a pas d'interactions entre les deux types d'énergie, du point de vue expérimental κ est
généralement compris entre 0,05 et 0,25 d’après [III.5].

III.5.2. Modélisation comportementale

Nous venons de voir une description du comportement dynamique du micro-commutateur au
moyen d’un transducteur mais autour d’un point de fonctionnement. En effet, nous avons
contourné la non linéarité en simplifiant l’étude au voisinage d’une position de référence.

La Figure III-49 décrit le comportement non linéaire lors de l’actuation électrostatique des
micro-commutateurs. Ainsi, afin d’analyser leurs performances en terme de rapidité de
commutation, de tension d’actuation (pull-in) ou de tension seuil de libération (pull-out) nous
ne pouvons plus nous restreindre à un petit intervalle d’étude !

129
Evaluation des logiciels multi-physique

Fméca
Pont
VDC
g-tox C Félec
tox x
Electrode y
Diélectrique z

g : distance pont-électrode (gap)

tox : épaisseur du diélectrique (oxyde) Tension

Figure III-49. Description de l'actuation d'un micro-commutateur

Une solution simple serait de résoudre numériquement le système d’équation différentielle

non linéaire en utilisant par exemple un schéma itératif par la technique des différences finies.

En utilisant le paramétrage proposé à la Figure III-49, le déplacement du pont est régi par
l’équation différentielle non linéaire suivante :

d 2z dz ε ε S V2 M : masse du pont
M 2 +λ +k z− 0 r =0 λ : le coefficient d’amortissement visqueux
14 dt44
dt4424 3 12( g o − z ) 2 k : la raideur du pont
4243
Fmécanique Félectrostatique ε0 : la permittivité du vide
εr : la permittivité relative (air, gaz...)

La Figure III-50 montre une résolution de ce problème par le logiciel Simulink (Matlab ©) en
utilisant une résolution de type explicite avec la méthode de Runge-Kutta (ode45).

Figure III-50. Résolution par schémas blocs - Matlab Simulink

Afin de simplifier la description de la méthode, la résolution du problème sera faite en quasi-

statique, nous négligerons ainsi la quantité de mouvement et les frottements visqueux.
Dans ce cas, nous avons besoin d’évaluer uniquement la raideur du pont, c’est l’objet de la
section suivante.

130
Evaluation des logiciels multi-physique

III.5.2.1. Calcul analytique de la raideur du pont

Le calcul de la raideur d’un pont encastré-encastré, sous l’hypothèse de la théorie des poutres,
nécessite la résolution d’un problème hyperstatique d’ordre 3, dont voici la description :

F
w : largeur du pont = 40 µm
Eor νor L : Longueur du pont = 400 µm
w
w t : épaisseur du pont = 2.7 µm
F : Force extérieure (pour évaluer la raideur)
t Eor : Module de Young de l’or = 80 GPa
νor : Coefficient de poisson de l’or = 0.42
L

La Figure III-51 présente le paramétrage du modèle ainsi que le bilan des actions mécaniques
appliquées au pont.

Modèle y Bilan des actions Mécaniques

L F L
F
2 2
z x YA YB
- +
A C B MA Xo m MB XB
x
L
Figure III-51. Modélisation et bilan des actions mécaniques
En appliquant le principe fondamental de la statique au pont, nous obtenons :

r
r ⎧ /x : X A + X B = 0 (1)
Th. R ⎨ r
⎩/y : YA − F + YB = 0 (2)
r r L
Th. M en m /z : M A + M B + YB L − F = 0 (3)
2
De la symétrie du problème (géométrique et chargement), nous en déduisons :

F
YA = YB =
d' après (2)
2
(3) ⇒ M A = −M B
Ainsi, nous obtenons l’expression des torceurs de cohésion en un point m quelconque sur la
fibre neutre de la poutre :
r r
⎧ X A x + YA y ⎫
– Zone [AC] {τ Coh }m = − {τ −/ + }m = −⎨ r⎬
⎩( M A − YA x) z ⎭
[ AC ]

r r
⎧ X B x + YB y ⎫
Zone [CB] {τ Coh }m = {τ + / − }m =⎨ r⎬
⎩[M B − YB ( L − x)]z ⎭
– [ CB ]

131
Evaluation des logiciels multi-physique

Nous déduisons de l’expression des torseurs de cohésion, l’énergie de déformation

emmagasinée par la poutre, dont voici l’expression :

[W ] = 12 ∫
2 2
L X A2 1 LY 2 1 L / 2⎛ F ⎞ 1 L ⎛ F ⎞
def
0 ES
dx +
2 ∫
0
A
GS
dx +
2 EI ∫
0
⎜ M A − x ⎟ dx +
⎝ 2 ⎠ 2 EI ∫
L/2
⎜ − M A + ( L − x ) ⎟ dx
⎝ 2 ⎠

En appliquant, les théorèmes de Castigliano et de Ménabréa avec l’hypothèse de Bernouilli

(les efforts tranchant sont négligés devant les efforts engendrés par les moments fléchissant),
nous obtenons directement les inconnus hyperstatiques ainsi que la flèche au point C :

∂W
def = 0 ⇒ X = X = 0
∂X A A B

∂W
def = 0 ⇒ .... M = −M = FL
∂M A A B 8

∂W 3
def = δ = FL fleche au point C
∂F 192EI

Pour finir, la raideur de la poutre bi-encastrée dans le cadre des petites déformations, s’écrit :
F 192EI wt 3
K= = 3 avec I = moment quadratique de la section suivant z
δ L 12
L’application numérique, nous donne alors : K=15,75 N/m.

La Figure III-52 présente la raideur calculée analytiquement et la raideur issue d’une

caractérisation à l’aide d’un indenteur mécanique. Nous pouvons remarquer la non linéarité de
la raideur et de ce fait l’erreur commise en utilisant une raideur constante.

132
Evaluation des logiciels multi-physique

0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00

50 50

0,5 mg
2.5
45 1mg
45

Hauteur (µm)
1,5mg
2
2,5mg
1.5 3mg
3,5mg
40 1
40
K raideur du pont (N/m)

4mg
4,5mg
0.5
5mg
5,5mg
50 100 150 200 250 300 350 400 450

35 Longueur (µm) 35

30 30

25 25
Raideur mesurée
Raideur calculée
20 20

15 15
0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00
Déplacement (µm)
Figure III-52. Raideur issue de l'expérimentation et raideur calculée

Le calcul de la raideur analytique repose sur un modèle très simplifié qui ne tient pas compte
de la géométrie réelle du pont et des encastrements (Figure III-52). Dans notre exemple, la
raideur calculée est environ deux fois moins importante que la raideur moyenne. Suivant les
procédés de fabrication du pont (or évaporé-électrolytique, couche d’accroche etc...), les
contraintes résiduelles vont notablement modifier la raideur et dans ce cas nous ne pouvons
approcher la valeur de la raideur que par des simulations de type éléments finis.

De plus suivant la température d’utilisation du Mems, la raideur va également se trouver

modifiée.

Ainsi, cette technique, très simple à mettre en œuvre, reste néanmoins limitée à l’utilisation de
constante localisée (raideur) et ne prend pas en compte les non linéarités géométriques
(grande déformation), les contraintes résiduelles et la température d’utilisation.

Afin d’améliorer cette modélisation sous Simulink, nous pouvons l’enrichir d’un modèle
comportemental, décrivant la déformation de la structure mécanique (pont), généré à partir
d’une simulation EF. En effet, nous verrons dans la section suivante qu’à partir d’une
simulation sous COMSOL, il est possible de créer un bloc Simulink qui renferme la
simulation EF afin de l’importer dans Simulink.

III.5.2.2. Macro modèle EF

Afin d’obtenir le déplacement du pont en fonction de la force électrostatique, de la variation
de température par rapport à l’ambiante et des contraintes initiales, nous avons réalisé sous
COMSOL une poutre bi-encastrée en flexion simple dont la modélisation est décrite dans la

133
Evaluation des logiciels multi-physique

Figure III-53. Nous avons simplifié le problème en utilisant la résultante des efforts de
pression électrostatique appliquée au centre de la poutre, il s’agit d’une approximation
raisonnable compte tenu de la faible largeur de l’électrode (100 µm) pour une grande
longueur de pont (400µm). En effet, la surface inférieure du pont en regard avec l’électrode
sera pratiquement plate et de ce fait la pression électrostatique sera uniformément répartie sur
le pont.

force

Figure III-53. Modélisation d'un problème de flexion simple sous COMSOL - (a) Expression des
constantes pour définir les entrées du modèle simulink - (b) Définition des proprités matériaux – (c)
Contraintes initiales – (d) Prise en compte de la variation de température – (e) CL Chargement – (f)
Résultat

134
Evaluation des logiciels multi-physique

Une fois le modèle créé, nous pouvons générer un bloc comportemental de type Simulink. La
Figure III-54 présente la création du modèle, les entrées du bloc seront : la force, la contrainte
initiale, la température de service et la température ambiante tandis que la sortie sera la flèche
de la structure.

Figure III-54. Création d'un bloc comportemental Simulink

Ensuite, nous pouvons récupérer ce bloc à partir de la bibliothèque Simulink et l’insérer en
tant que « femblock » pour réaliser l’analyse statique de l’actuation (Figure III-55).

Figure III-55. Impémentation du bloc COMSOL dans Simulink - Analyse statique

135
Evaluation des logiciels multi-physique

La Figure III-56 présente le résultat de cette modélisation à la température ambiante (25°C) et

pour une contrainte initiale de 20 MPa.

Figure III-56. Résultat de la simulation Simulink - T=25°C et σo=20 MPa

A ce stade, nous avons réalisé une plateforme de modélisation du cycle d’actuation

électrostatique des micro-commutateurs. Nous pouvons alors étudier les effets d’une variation
de température ou de la contrainte initiale. La Figure III-57 décrit l’influence de la
température sur le cycle d’actuation du micro-commutateur, nous avons également reporté le
cycle d’actuation utilisant une constante localisée pour la raideur calculée théoriquement
(15.75 N/m – sans le bloc comportemental issu de COMSOL).

Nous pouvons remarquer que la valeur de la tension de pull-in trouvée par la simulation sur
Simulink et celle calculée théoriquement par l’équation ci-dessous [III.23] sont identiques.

⎧A = 100 × 40 µm 2 (Surface électrode)

⎪
8 k g 30 ⎪k = 15.75 N/m (Raideur du pont calculée)
Vp = ≅ 32,47 V Avec ⎨
27 ε 0 A -12
⎪ε 0 = 8,854.10 (permittivité du vide)
⎪g = 2 µm (gap entre pont et ligne)
⎩ 0

136
Evaluation des logiciels multi-physique

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

1,0 1,0

0,9 0,9
u=z/go Déplacement normalisé du pont

0,8 0,8

0,7 0,7

0,6 0,6 Théorique

-50°C
0,5 0,5 -25°C
0°C
0,4 0,4
25°C
0,3 0,3 50°C

0,2 0,2

0,1 0,1

0,0 0,0

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

Tension (V)

Figure III-57. Influence de la température sur la tension de pull-in et de pull-out

III.6. CONCLUSION
A travers ce chapitre, nous avons présenté les possibilités de modélisations numériques de
deux logiciels de simulation par éléments finis multiphysique, COMSOL et ANSYS. Par
ailleurs, nous avons également présenté deux modélisations comportementales, une
analytique par le biais d’un transducteur électromécanique et une autre correspondant à la
génération d’un macro-modèle issu d’une simulation éléments finis.

Ce chapitre a permis alors de mettre en lumière les performances actuelles de ces deux
logiciels dans le domaine des Mems RF, que nous pouvons résumer de la façon suivante :

Applications ANSYS COMSOL

Non effectuée mais
Ingénierie inverse Démontrée et validée
possible
Contraintes Pré-contraintes réduites à Modélisation
résiduelles une seule contrainte multigéométrique
Facteur moyenne initiale pour un Tout type de contraintes
Mécaniques d’échelle seul matériau acceptées (gradient …)
Contact Démontrée et validée
Démontrée et validée
Limité à des contacts
Contact Tout type de contact
rigide/déformable avec des
autorisé
géométries approchées
Non démontrée
RF Non démontrée
Complexe à mettre en
Paramètres S Simple à implémenter
œuvre
Possibilités d’utiliser des
modèles d’ordres réduits
Modèle comportemental Démontré et validé
(ROM) et des éléments de
type SPICE

137
Evaluation des logiciels multi-physique

III.7. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE III

[III.1] J.B. Muldavin, G.M. Rebeiz, ‘High-isolation CPW MEMS shunt switches – Part 1 :
Modeling’, IEEE MTT, Vol. 48, n° 6, pp. 1045-1052, Juin 2000

[III.2] J.B. Muldavin, G.M. Rebeiz, ‘High-isolation CPW MEMS shunt switches – Part 2 :
Design’, IEEE MTT, Vol. 48, n° 6, pp. 1053-1056, Juin 2000

[III.3] Muldavin,-J.-B.; Rebeiz,-G.-M., “30 GHz tuned MEMS switches”, 1999-IEEE-

MTT-SInternational-Microwave-Symposium-Digest-Cat.-No.99CH36282. 1999:
1511-14 vol.4

[III.4] Wong,-C.-H.; Tan,-M.-J.; Guo,-L.-H.; Huang,-J.--M.; Liew,-K.-M.; Liu,-A.-Q.,

“Micromachined capacitive switches at microwave frequencies”, Proceedings-of-
the-SPIEThe-International-Society-for-Optical-Engineering. 2000; 4175: 140-8

[III.5] H. H. Woodson and J. R. Melcher, Electromechanical dynamics, vol. I, II and III,

Wiley, New York, NY, USA, 1968.

[III.6] Benoît Ducarouge « Conception et caractérisation de micro-commutateurs

électromécaniques hyperfréquences de puissance : Application à un circuit de
commutation d’ Emission/Réception large bande ». Thèse de doctorat de
l’Université Paul Sabatier de Toulouse, Décembre 2005

[III.7] S.Mellé, F.Flourens, D.Dubuc, K.Grenier, P.Pons, J.L.Muraro, Y.Segui, R.Plana

“Investigation of dielectric degradation of microwave capacitive microswitches”,
IEEE MEMS2004, Maastricht, Netherlands, Janv. 2004, pp.141-144

[III.8] http://www.comsol.com/

[III.9] http://www.ansys.com/

[III.10] CRIL Technology – Immeuble Avenir - 18 rue Grange Dame Rose 78114 Vélizy

[III.11] http://www.abaqus.com/

[III.12] http://www.ugs.com/products/nx/ideas/

[III.13] http://www.coventor.com/

[III.14] http://www.ansoft.com/products/hf/hfss/

[III.15] http://www.sonnetusa.com/

138
Evaluation des logiciels multi-physique

[III.16] Zhao, L. and Cangellaris, A.C., "GT-PML: Generalized Theory of Perfectly

Matched Layers and Its Application to the Reflectionless Truncation of Finite-
Difference Time-Domain Grids", IEEE Trans. on Microwave Theory and
Techniques, Vol. 44, pp. 2555-2563

[III.17] Jianming Jin, The Finite Element Method in Electromagnetics, 2nd Edition, Wiley-
IEEE Press, May 2002

[III.18] Mohamed Saadaoui « Optimisation des circuits passifs micro-ondes suspendues sur
membrane ». Thèse de doctorat de l’Université Paul Sabatier de Toulouse,
Novembre 2005

[III.19] W. Fang and J.A. Wickert, “Determining mean and gradient residual stresses in
thin films using micromachined cantilevers”, J. Micromech. Microeng. 6 (1996)
p301-309

[III.20] Youn-Hoon Min, Yong-Kweon Kim, “In situ measurement of residual stress in
micromachined thin films using a specimen with composite layered cantilever”, J.
Micromech. Microeng. 10 (2000) p314-321

[III.21] Rivlin R., “Large Elastic Deformations of Isotropic Materials I-IV” Philosophical
Transactions of the Royal Society of London Series A, Mathematical and Physical
Sciences, 240, 822-823 (1948) 459-490

[III.22] Mooney M., « A Theory of Large Elastic Deformation, » Journal of Applied

Physics, 11 (1940) 582-592

[III.23] G. M. Rebeiz « RF MEMS Theory, Design and Technology » ,édition Wiley, 2003,
p38

139
Evaluation des logiciels multi-physique

140
CHAPITRE IV PACKAGING

141
Packaging

IV.1. INTRODUCTION

Ce chapitre traite de la conception, de la réalisation et de la caractérisation de la solution de

mise en boîtier discutée dans l’analyse fonctionnelle du chapitre II.
Cette analyse nous a permis de choisir une technique de mise en boîtier du micro-
commutateur RF par report d’un capot en Foturan avec une couche de scellement
intermédiaire en BCB. De plus nous avons opté pour une alimentation traversante (sans vias)
au niveau de la face supérieure du Mems RF et des interconnexions par wire-bonding.

IV.2. SPECIFICATIONS GEOMETRIQUES DU PACKAGING

IV.2.1. Cadre du projet
Dans le cadre du projet PAMIR (Projet d'Architecture Microsystème d'Interrupteur
Radiofréquence) entre le LAAS et la Délégation Générale de l'Armement (DGA), nous
souhaitons réaliser la mise en boîtier d’un micro-commutateur RF ayant les spécifications
techniques décrites dans le Tableau IV.1.

Micro-commutateur RF (PAMIR) Bande étroite Large bande

Bande de fréquence 10GHz +- 10% 6-18 GHz
Puissance admissible E/R 50W 4W
Signal 10µs/20% CW
Temps de fonctionnement 750µs 750µs
Temps de repos entre deux fonctionnements consécutifs 10µs 10µs
Isolation sur la bande >40dB >40dB
Pertes d’insertion sur la bande <0.5 dB <1dB
Temps de commutation <10 µs <10µs
Tension de polarisation du commutateur <50V <50V
Consommation A optimiser A optimiser
Dimensions (avec le boîtier) A optimiser A optimiser
Températures de fonctionnement 25 et 50°C 25 et 50°C
Tenue en fonctionnement à puissance nominale (critère de
1010 cycles on/off 1010 cycles on/off
défaillance :-50% sur isolation)
Tableau IV.1. Spécification du micro-commutateur RF du projet PAMIR
La topologie des micro-commutateurs répondant à ces spécifications à été étudiée dans les
travaux de thèse de B. Ducarouge [IV.1][III.6]. La solution retenue (Figure IV-1) repose sur :
Une structure associant deux micro-commutateurs en cascade afin de garantir une
forte isolation sur une large bande fréquentielle
Une largeur élevée des fentes des lignes coplanaires, de manière à diminuer les
concentrations de densité de courant et de ce fait permettre la transmission de forte
puissance demandée sans dépasser le seuil d’électromigration

143
Packaging

Figure IV-1. Structure retenue - Dessin des masques

Les dimensions des lignes coplanaires sont présentées dans la Figure IV-2, nous remarquons :
Une largeur du conducteur central : w=240 µm
Une largeur des fentes : S=100 µm et 240 µm sous les micro-commutateurs
Une longueur totale (ancrage) des micro-commutateurs de 1.5 mm
Zoom sur les accés coplanaires

Figure IV-2. Dimensions des lignes coplanaires

IV.2.2. Conception du capot en Foturan

IV.2.2.1. Pré-dimensionnement du capot en Foturan

La géométrie du capot devra non seulement s’adapter aux contraintes dimensionnelles
imposées par les micro-commutateurs et par les accès pour assurer les interconnexions de type
wire bonding mais également être déterminée de manière à minimiser les pertes rapportées

144
Packaging

par le capot. La Figure IV-3 présente de manière qualitative la zone possible pour assurer le
scellement du capot.

Zone permise pour le

scellement du capot

Figure IV-3. Limitations dimensionnelles de la zone de scellement

La Figure IV-4 présente la distribution du champ électrique sur le port d’entrée ayant les
recommandations dimensionnelles préconisées dans le chapitre II. Cette configuration montre
que le champ électromagnétique est confiné dans l’enveloppe rectangulaire de hauteur égale à
4×h et de largeur égale à 3×(2g+w) avec h l’épaisseur du substrat, g la largeur des fentes et w
la largeur du conducteur central.

>3 (2g + w)=2160 µm

h minimum
>4h
h=400 µm

Figure IV-4. Distribution du champ E

En utilisant ces considérations ainsi que les limitations dimensionnelles de la zone de

scellement (Figure IV-3), les dimensions de la cavité ont été portées à 3170 µm de long et
2210 µm de large. Concernant la hauteur de la cavité, la recommandation énoncée à la Figure
IV-4 est très sécurisante car l’intensité du champ électromagnétique devient faible au-delà
d’une distance h égale à l’épaisseur du substrat. De plus des travaux menées dans [IV.3]
démontrent que pour un capot en silicium haute résistivité (resp. un capot en verre AF45) une
hauteur de cavité supérieure à 45 µm (resp. 5 µm) devient sans conséquence sur les pertes.
Ainsi, avec un verre Foturan de 1 mm d’épaisseur nous avons retenu une hauteur de cavité de
500 µm. Ce choix permet de garantir une bonne rigidité du capot tout en restant correct vis-à-
vis de la distribution des champs mais également facilite le procédé technologique en
permettant l’obtention de la cavité et de la découpe des capots en une seule étape de gravure
humide (voir section suivante).

145
Packaging

Les dimensions de la cavité étant choisies, les épaisseurs maximales des murs de scellements
sont imposées par la frontière extérieure de la zone de scellement. Aussi, sachant que
l’épaisseur des murs longitudinaux (parallèle à la direction de propagation) n’affectera pas les
pertes, nous avons retenu dans ce cas une épaisseur de 500 µm mais concernant les murs de
scellement transversaux (perpendiculaire à la direction de propagation) il faudra réaliser un
compromis entre les pertes rapportées et les possibilités technologiques pour minimiser
l’épaisseur et également garantir un bon scellement. La fabrication et la réalisation de la mise
en boîtier étant confiées à la société MEMSCAP, celle-ci préconise de par son savoir faire,
une épaisseur de 200 µm au minimum. La Figure IV-5 présente la solution géométrique
retenue.

3170

500
200

2210
Figure IV-5. Implémentation du boîtier (dimensions en microns)

IV.2.2.2. Fabrication du capot en Foturan

Le Foturan [IV.4] (Annexe C) est un verre alcalin dont les caractéristiques photosensibles
sont dues à l’adjonction de Ce2O3 et de Ag2O, Au2O et Cu2O. Des photons de longueurs
d’onde comprises entre 300 et 320 nm permettent la réaction chimique suivante :

Ce3+ + Ag+ → Ce4+ + Ag

La durée d’exposition contrôle la profondeur de la « sensibilisation » du verre, on parlera de

verre « céramisé ». Une énergie de 2J/cm² permet d’insoler le verre sur une profondeur de 1
mm. Pour obtenir des microstructures à flans droits, le faisceau d’ultra violet doit être
parallèle, focalisé et orthogonal à la surface de l’échantillon.

Cette insolation se déroule en deux étapes, la première concerne la face avant afin d’obtenir
des cavités de 500 microns et la seconde concerne la face arrière pour réaliser la découpe des
capots.
Le verre amorphe ne cristallise qu’à haute température (T > 700°C) mais dans le cas du
Foturan céramisé, cette transformation se produit à des températures plus basses. En effet,
entre 400°C et 500°C, les atomes d’argent commencent à s’agglomérer puis vers 600°C des

146
Packaging

cristaux se forment. Ainsi, pendant le traitement thermique, des cristaux de métasilicate de

lithium (Li2SiO3) apparaissent dans les parties insolées du verre. Dans un bain d’acide
fluorhydrique, ces régions sont gravées beaucoup plus vite que le verre « vitreux », la réaction
chimique permettant la gravure est la suivante:

Li2SiO3 + 8 HF → 2 LiF+H2SiF6+3 H2O

Le rapport des vitesses de gravure entre les zones insolées et les zones vitreuses est d’environ
vingt dans un bain d’acide fluorhydrique tamponné à 10%. L’utilisation d’ultrasons durant la
gravure permet de stabiliser ce rapport. Un bain d’acide fluorhydrique à plus forte
concentration n’est pas indiqué car des essais montrent que le rapport de sélectivité s’inverse,
le verre non insolé se gravant plus rapidement que le verre céramisé.

1. Exposition UV
Le Foturan est insolé à travers un
masque de Chrome sur Quartz par un
rayonnement UV de 300-320 nm avec
une énergie de 2 J/cm².
Pour une plaque de 1 mm d’épaisseur,
la face avant est insolée pendant 2’40"
pour réaliser la cavité de 500 µm, la
face arrière est insolée pendant 5’40"
Face avant : Cavité Face arrière : Découpe pour réaliser les chemins de découpes
traversants.
2. Cristallisation

Foturan La partie insolée du Foturan est

céramisé céramisée par un traitement thermique
de 500°C puis de 600 °C.

Vue face avant

3. Gravure
La partie céramisée du Foturan est
gravée dans un bain d’acide
fluorhydrique tamponné (HF 10%)
accompagné d’ultrasons. La vitesse de
gravure est de 10µm par minute.
Vue face avant

Figure IV-6. Résumé du procédé technologique

Des capots ayant des géométries différentes, pour les besoins d’une autre application, seront
réalisés de manière collective avec les mêmes masques. Afin de ne pas mélanger les différents
capots lors de la gravure humide, les chemins de découpe sont discontinus et une forme
« trapézoïdale » des angles externes du capot (Figure IV-6 et Figure IV-7) a été adoptée par
MEMSCAP de manière a permettre une découpe rapide par clivage.

147
Packaging

Figure IV-7. (a) Gravure des capots Foturan – (b) Capot Foturan découpé

IV.3. CONCEPTION DU PACKAGING

Lors de la section précédente, nous avons défini une géométrie du capot ayant pour seul degré
de liberté possible, l’épaisseur des murs transversaux. En effet, le procédé technologique mis
au point par MEMSCAP est validé pour des épaisseurs supérieures à 200 µm mais une
optimisation reste possible pour essayer de diminuer cette limite.

La couche intermédiaire de scellement en BCB sera déposée directement sur le capot en

utilisant une machine flip chip équipée d’une seringue (dispensing). Le dépôt de l’anneau de
scellement sur le capot et non pas sur les lignes coplanaires, permet en cas de mauvais dépôt
de limiter les risques à la perte d’un seul capot et non pas du Mems RF. De plus, déposer du
BCB sur un wafer contenant des composants actifs/passifs (Mems) peut s’avérer dangereux
vis-à-vis des imperfections de dépôt (filament de BCB, problèmes d’alignements, pas d’arrêt
pour l’écoulement …).

Le BCB 3022-63 étant un fluide non newtonien, fortement thixotrope, il est nécessaire de le
déposer sur une surface ayant des arrêtes saillantes permettant de stopper son écoulement
(tension de surface élevée). Des premiers tests de report vont dans ce sens, en montrant que
les arêtes du capot créent des « barrières » de migration pour le BCB. De ce fait la surface de
scellement du capot est totalement recouverte de BCB (Figure IV-8).

Figure IV-8. Test de scellement

Ainsi, la seule liberté de réalisation dimensionnelle au niveau du scellement concerne son

épaisseur.

148
Packaging

IV.3.1. Analyse des performances RF

Afin de déterminer le couple largeur des murs transversaux (appelés également murs « RF »)
et épaisseur de l’anneau de scellement, nous allons effectuer une étude de sensibilité sur ces
paramètres vis-à-vis des performances RF. Notons que cette étude s’intéresse uniquement aux
pertes rapportées par le packaging, de ce fait pour simplifier l’interprétation des résultats et
réduire les temps de calculs, nous n’avons pas modélisé les micro-commutateurs et également
pas pris en compte les pertes résistives en utilisant des lignes parfaitement conductrices. En
effet, la comparaison des résultats entre les lignes coplanaires « nues » et celles encapsulées,
nous donne directement les pertes rapportées par le packaging.

IV.3.1.1. Définitions – notations

La Figure IV-9, résume à elle seule la définition géométrique du modèle de référence ainsi
que les notations utilisées.

Capot MODELE DE REFERENCE

BCB 20 µm Anneau de BCB Capot
Largeur des murs
Or 2 µm Si 400 µm
Epaisseur
transversaux
(notée eRing)
Anneau de (notée eMur)
BCB 10 µm 10 µm 200 µm
Mur « RF »
de 200 µm

Figure IV-9. Description du modèle géométrique de référence et notations

IV.3.1.2. Modélisation RF
L’analyse des performances RF a été réalisée au moyen du logiciel HFSS 8.2. Durant cette
étude, nous n’avons pas utilisé des conditions aux limites de type radiatives sur la frontière du
domaine mais des conditions de type conducteur parfait (PEC cad boîte métallique). Nous
avons fait délibérément ce choix pour valider notre technique de modélisation par
comparaison avec des logiciels basés sur la méthode des moments (ex : SONNET), qui
utilisent des conditions aux limites PEC. Néanmoins ce type de conditions aux limites,
recommandé pour les guides d’ondes, peut s’avérer inadapté si des modes de transmissions
parasites apparaissent. En effet, le mode de propagation Transverse Electrique Magnétique
(TEM), attendu pour un guide coplanaire, peut subir un couplage avec les conditions aux
limites PEC suivant la fréquence et les dimensions de la frontière du domaine pour donner
naissance à des modes parasite de propagation (TE, TM).

En utilisant la symétrie du modèle, nous pouvons diminuer les temps de calculs mais
également espérer rejeter les modes parasites suffisamment loin de la gamme de fréquence 6-
18 GHz. En effet, d’après l’expression des fréquences de résonances (Figure IV-10), une
diminution des dimensions de la frontière du domaine entraîne une augmentation des
fréquences de résonances pour les modes parasites (TE101 TM110 et TE111).

149
Packaging

1
⎡⎛ m ⎞ 2 ⎛ n ⎞ 2 ⎛ p ⎞ 2 ⎤ 2
f mnp = v ⎢⎜ ⎟ +⎜ ⎟ +⎜ ⎟ ⎥
⎢⎣⎝ 2a ⎠ ⎝ 2b ⎠ ⎝ 2c ⎠ ⎥⎦
3
Avec (m,n,p)ÎN
a,b,c les dimensions de la frontière du domaine
c
v=
εr
c la vitesse des ondes électromagnétique dans le vide
εr la permittivité relative du diélectrique

Figure IV-10. Expression des fréquences de résonances pour les modes parasites

Dans notre application, la simulation de la moitié du modèle permet de rejeter le premier

mode parasite (TE101) à 30 GHz. La Figure IV-11 présente le calcul analytique de la
fréquence de résonance du mode TE101, qui est en accord avec la simulation correspondante.

a (um) b (um) c (um)

2730 1500 4670 Paramètres S

TE 101 29,74GHz -15

0 5 10 15 20 25 30 35
0,00

-20 -0,02

-0,04
-25

-0,06
-30
-0,08

S12 (dB)
S11 (dB)

-35
-0,10
-40
-0,12

b -45
-0,14

-50 -0,16

c -55 -0,18
0 5 10 15 20 25 30 35
Fréquence (GHz)

Figure IV-11. Calcul du premier mode parasite et simulation HFSS

Néanmoins afin de réaliser une modélisation « robuste », qui permette de s’affranchir des
modes parasites sans se soucier de la taille de la frontière du domaine, nous avons étudié
quatre modélisations qui sont présentées dans le Tableau IV.2 :
Le modèle 1 (resp. 3) n’a pas les plans de masse en contact avec la boîte métallique
(frontière extérieure), ainsi apparaissent 3 modes (resp. 2 modes). Ces deux modèles
ont été écartés car les modes viennent perturber l’interprétation des résultats de
simulations.
Les modèles 2 et 4 ont des résultats identiques, cependant le modèle 2 est très coûteux
en temps de calculs.

Nous avons alors retenu le modèle 4 pour l’ensemble des simulations.

150
Packaging

Modèle 1 Modèle 2 Modèle 3 Modèle 4

Modèle
Modèle complet Modèle
Temps Modèle complet symétrique
approché symétrique
CPU (3 modes) approché
(1 mode) (2 modes)
(1mode)
Gain de
T1= {00:40:25 – T2= {00:31:44 - T3= {00:07:47 - T4= {00:03:39 -
temps /
01:09:13} 00:53:10} 00:11:06} 00:06:22}
réf
Tableau IV.2. Etude préliminaire: modélisation HFSS

IV.3.1.3. Étude des interactions : plan d’expérience

Avant d’effectuer une analyse de sensibilité sur la variabilité des pertes en fonctions de
différentes épaisseurs pour l’anneau de scellement ainsi que pour les murs RF, nous avons au
préalable regardé si ces paramètres avaient des effets indépendants.
Une méthode simple pour vérifier si l’effet d’un paramètre est influencé par le choix du
niveau du second paramètre, repose sur une analyse par plan d’expérience.
Aussi, nous avons utilisé un plan d’expérience factoriel complet avec quatre facteurs et deux
niveaux, pour lesquels nous avons relevé les pertes d’insertions en bande X du projet PAMIR,
à savoir 10 GHz (Tableau IV.1). Les facteurs et leurs niveaux sont donnés dans le Tableau
IV.3.

Niveaux A : Nature du B: Hauteur de la C: Largeur des D: Epaisseur de

capot cavité murs RF scellement
niveau bas (-1) PYREX 7740 50 µm 100 µm 5 µm
niveau haut (1) Foturan 500 µm 300 µm 20 µm

Tableau IV.3. Affectation des niveaux pour le plan à 4 facteurs

Deux facteurs supplémentaires, nature du capot et hauteur de la cavité, ont été volontairement
rajoutés. En effet, nous souhaitons confirmer qu’une faible hauteur de cavité est sans
conséquence sur les pertes et de ce fait que la cavité pourrait être obtenue uniquement grâce à
l’épaisseur de l’anneau de BCB. Dans ce cas, nous pourrions nous affranchir du micro-
usinage de volume du Foturan ou bien utiliser par exemple du Pyrex, ce qui pourrait élargir
les possibilités de la solution initiale de mise en boîtier.

Pour la campagne des simulations, nous avons choisi un plan factoriel orthogonal complet,
donc de 24=16 essais de simulations. L’orthogonalité permet d’estimer les effets moyens des
facteurs sans risque de perturbation par d’autres facteurs. Le Tableau IV.4 donne la table des
réponses pour les quatre facteurs affectés de leurs deux niveaux. Nous pouvons remarquer que
l’ordre des essais n’a pas d’influence car il s’agit de simulations numériques dont les résultats
sont « uniques » (au maillage près) contrairement à des essais par exemple de fabrication.

151
Packaging

N°d'ordre A : Nature du capot B : Hauteur de la cavité C : Largeurs des murs RF D : Epaisseur de scellement Réponses
normal niveau bas (-1) niveau haut (1) niveau bas (-1) niveau haut (1) niveau bas (-1) niveau haut (1) niveau bas (-1) niveau haut (1) S12 (dB)
des essais PYREX 7740 Foturan 50 µm 500 µm 100 µm 300 µm 5 µm 20 µm @ 10 GHz
1 -1 -1 -1 -1 -0,1065
2 -1 -1 -1 1 -0,1
3 -1 -1 1 -1 -0,14
4 -1 -1 1 1 -0,125
5 -1 1 -1 -1 -0,095
6 -1 1 -1 1 -0,09
7 -1 1 1 -1 -0,12625
8 -1 1 1 1 -0,12175
9 1 -1 -1 -1 -0,1025
10 1 -1 -1 1 -0,096
11 1 -1 1 -1 -0,136
12 1 -1 1 1 -0,121
13 1 1 -1 -1 -0,091
14 1 1 -1 1 -0,086
15 1 1 1 -1 -0,12225
16 1 1 1 1 -0,11775

Tableau IV.4. Matrice orthogonale du plan factoriel complet, à 4 facteurs et deux niveaux, complétée des
réponses simulées en terme de pertes d'insertion S12 @ 10 GHz (dB)

Les résultats de ces simulations sont analysés suivant le tracé normal des effets estimés décrit
dans la Figure IV-12. Ce tracé, semblable à la droite d’Henry, permet de savoir si un
paramètre a des effets réel sur la réponse ou pas. Si la distribution des effets suit une loi
gaussienne alors cela signifie qu’il n’y a pas d’effet réel, c’est le cas de tous les effets hormis
pour C (largeur des murs RF). En effet, d’après la Figure IV-12 les effets d’interaction double
et triple (ex : AC et ABD) sont quasiment sur la gaussienne (droite bleue Figure IV-12), les
effets simples sont légèrement éloignés de la gaussienne pour A, D et B. Ainsi, seul le
paramètre C (largeur des murs RF) aura un effet réel sur la réponse, à savoir les pertes
d’insertions.

Tracé normal des effets estimés

Réponse S12 @ 10 GHz
99
Ty pe d'effet
Négligeable
95 B Réel

90 F acteur N om
D
A C apot
80 A B H cav ité
CD C eM ur
70 A BD D eRing
AC
Pi en %

60
AD
50 AB
40 A BC D
A BC
30 ACD
BC
20
BC D
10 BD

5 C

1
-0,03 -0,02 -0,01 0,00 0,01
Effets estimés Ei

Figure IV-12. Tracé normal des effets estimés - échelle gausso-arithmétique

152
Packaging

La Figure IV-13 permet d’identifier les interactions doubles. Si l’effet d’un facteur est
conditionné par le choix du niveau d’un second facteur alors ces deux facteurs auront des
effets dépendants, on parlera d’interaction positive ou négative (augmentation ou diminution
de la réponse). A l’inverse, si le changement de niveau d’un paramètre n’est pas influencé par
le choix du niveau d’un second paramètre, alors les effets seront additifs, on dira qu’il n’y a
pas d’interaction.
Nous constatons que les tracés des effets d’interactions sont tous additifs (parallèles) sauf
pour l’effet BD. En effet, nous pouvons remarquer que B2 stabilise D. En d’autres termes B
pris au niveau haut, cad une hauteur de cavité de 500 µm, permet de minimiser la variation de
la réponse donc des pertes suivant un changement de niveau de D, donc pour une épaisseur de
5 ou 20 µm de scellement. Ce résultat semble logique car pour une cavité importante, la
variation de hauteur au niveau du scellement ne va pas profondément modifier la permittivité
effective et donc les pertes.

Représentation des effets d'intéractions

µm µm µm
50 500 100 300 5 20
-0,090
C apot

Intéraction moyenne sur S12 @ 10 GHz (dB)

-0,105
Py rex 7740
Foturan
Capot
-0,120

-0,090
Hcav ité
-0,105 50
500
Hcavité
-0,120

-0,090
eMur
100
C (largeur des murs -0,105
300
RF) à un effet principal eMur
-0,120

B2 stabilise D

eRing

Figure IV-13. Effets d'interactions - influence sur la variabilité des pertes @ 10GHz
En conclusion, nous pouvons dire que la variabilité des pertes est très faible (de l’ordre de
0.045 dB), que les effets d’interaction sont nuls pour tous les paramètres. L’interaction décrite
précédemment entre la hauteur de la cavité et l’épaisseur du scellement est très peu
significative compte tenue des faibles pertes ramenées. Nous voyons également que les
réponses sont peu sensibles à la nature du capot, l’épaisseur du scellement ainsi qu’à la
hauteur de la cavité. Seule la largeur des murs RF a un effet réel.

Ainsi, nous pouvons poursuivre l’analyse des effets de C et D (largeur des murs RF et
épaisseur de l’anneau de scellement) en utilisant une étude de sensibilité.

IV.3.1.4. Études de sensibilités

Nous avons réalisé, au moyen du logiciel HFSS, deux études de sensibilités sur les pertes RF
générées par le packaging suivant la largeur des murs RF et l’épaisseur de l’anneau de
scellement en BCB. Les dimensions utilisées pour ces études sont reportées dans le Tableau
IV.5.

153
Packaging

Comme nous l’avons déjà indiqué, la modélisation adoptée pour réaliser les simulations ne
tient compte des pertes résistives de façon à diminuer la taille du maillage (pas de prise en
compte d’effet de peau) et de ce fait permet de réduire les temps de calculs. De plus, pour
faciliter l’interprétation des résultats, nous ne modéliserons pas les micro-commutateurs.
L’ensemble des résultats sera présenté avec la simulation des lignes coplanaire seule (noté
CPW seul) afin de montrer par comparaison les pertes engendrées par le packaging.

Etudes de sensibilités
Etude 1 Etude 2
Influence de la largeur des murs Influence de l’épaisseur de l’anneau de
transversaux (notée eMur) en µm scellement (notée eRing) en µm
20 50 100 200 300 400 5 10 15 20

Tableau IV.5. Paramètres utilisés pour les études de sensibilité

IV.3.1.4.1. Influence de la largeur des murs transversaux du capot

Cette étude s’intéresse à la variabilité des pertes suivant le seul changement de la largeur des
murs transversaux du capot. Les dimensions du modèle simulé correspondent à celles du
modèle de référence (Figure IV-9) pour lequel nous avons fait varier la largeur des murs
transversaux (Tableau IV.5) et donc par conséquence la largeur de l’anneau de scellement.

La structure étudiée possède une bonne isolation (Figure IV-14) pour une épaisseur du mur
inférieure à 300 µm. (S11< -30 dB @ 0-10 GHz et S11<-15 dB @ 10-20 GHz). On constate
également, que les pertes d’insertions sont voisines pour des épaisseurs des murs transversaux
inférieures à 200 µm.

Fréquence (GHz)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 3 32 3 36 38 40
-10 0 4
eMur 20
-15
-20 eMur 50
-25
eMur 100
S11 (dB)

-30
-35 eMur 200
-40
-45
eMur 300
-50 eMur 400
-55

-60
CPW seul

Figure IV-14. Pertes par réflexions pour différentes largeurs des murs transversaux

154
Packaging

Fréquence (GHz)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
-0,05

eMur 20
-0,1
eMur 50
eMur 100
-0,15
S21 (dB)

eMur 200
-0,2 eMur 300
eMur 400
-0,25
CPW seul

-0,3

Figure IV-15. Pertes d'insertions pour différentes largeurs des murs transversaux

De plus, d’après la Figure IV-16, les pertes additionnelles engendrées par le capot sont faibles
(0.04 dB @ 10 GHz et 0.06 dB @ 20 GHz avec eMur=200µm.

Fréquence (GHz)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
0

-0,02

-0,04
S21 (dB)

-0,06

-0,08

-0,1

-0,12

-0,14 Ligne encapsulée

-0,16
Ligne nue
-0,18
Capot + scellement
-0,2

Figure IV-16. Répartition des pertes entre le packaging et la ligne coplanaire pour eMur=200 µm

IV.3.1.4.2. Influence de l’épaisseur de l’anneau de scellement

Cette étude s’intéresse à l’influence de l’épaisseur de l’anneau de scellement en BCB sur les
pertes engendrées par le packaging. Les dimensions du modèle simulé correspondent à celles
du modèle de référence (Figure IV-9) pour lequel nous avons fait uniquement varier
l’épaisseur de scellement (Tableau IV.5).
Les résultats de cette étude (Figure IV-17 et Figure IV-18) ne démontrent pas d’influence
significative de l’épaisseur du scellement sur les pertes. Aussi, l’ensemble des épaisseurs
modélisées donnent une bonne isolation (<-20dB @ 0-20GHz).

155
Packaging

Fréquence (GHz)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
-18

-23

S11 (dB) -28

-33

-38

-43
eRing BCB 5
-48
eRing BCB 10
-53
eRing BCB 15
-58
eRing BCB 20
CPW seul

Figure IV-17. Pertes par réflexions pour différentes épaisseurs de l’anneau de scellement

Fréquence (GHz)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
-0,04

-0,06

-0,08 eRing BCB 5

S21 (dB)

-0,1 eRing BCB 10

-0,12 eRing BCB 15
-0,14
eRing BCB 20
CPW seul
-0,16

-0,18

-0,2

Figure IV-18. Pertes d'insertions pour différentes épaisseurs de l’anneau de scellement

IV.3.1.5. Conclusions sur l’étude de sensibilité

Les simulations ont permis de dégager deux points :

1. Les performances électriques de la structure sont peu sensibles aux différentes

épaisseurs de ring testées.
2. On constate une bonne isolation et des pertes d’insertions voisines pour des épaisseurs
de mur du capot inférieures à 200 µm.

Aussi, cette étude préliminaire, complétée des recommandations technologiques vues dans la
section IV.2, permet de définir un packaging élémentaire ayant les spécifications
dimensionnelles du modèle de référence (Figure IV-9) sauf pour l’épaisseur de l’anneau
scellement. En effet, celle-ci pourra être indifféremment comprise entre 5 et 20 µm et de ce
fait renforçant la simplicité technologique de cette solution.

IV.3.2. Minimisation des pertes par désadaptation

Les simulations précédentes montrent que les pertes rapportées par le packaging sont
négligeables. Cependant, pour minimiser l’ensemble des pertes, nous avons cherché à réduire
les pertes introduites par la désadaptation d’impédance. Un changement de permittivité

156
Packaging

effective ou une variation brutale des dimensions des lignes coplanaires est à l’origine de
désadaptation d’impédance.
Dans notre application, les désadaptations d’impédances (Figure IV-19) sont localisées au
niveau :
des murs de scellement transversaux
du changement de largeur des fentes

Conducteur Anneau
Variation de central BCB
la largeur
Masse
des fentes Lfeed T
s

w wfeed
sfeed
s
Changement de
Masse eMur
permittivité effective (εeff)
Adaptation d’impédance au niveau
de la ligne traversante (feedthrough)

Figure IV-19. Désadaptation d'impédance – Notations - Optimisations

La Figure IV-19 présente une solution pour diminuer les pertes par désadaptation, un
dimensionnement des paramètres (wfeed, sfeed, Lfeed et T) est discuté dans [IV.5][IV.6] pour
aboutir aux recommandations suivantes :
wfeed choisi de sorte que l’impédance soit égale à l’impédance caractéristique
(Zo=50Ω)
Lfeed=eMur=T
Cette technique utilise une largeur de ligne (w+2s=440µm) constante et nécessite de
déterminer l’impédance caractéristique au niveau du scellement.
Afin de limiter le nombre de simulations permettant de déterminer le couple solution (wfeed,
sfeed) aboutissant à l’impédance Zo, nous avons choisi d’utiliser une méthode analytique-
numérique qui repose sur le transformée conforme des lignes coplanaires en condensateur
plan. Cette méthode hybride permet d’obtenir avec seulement trois simulations, les
impédances caractéristiques de la ligne coplanaire en fonction des largeurs de fentes, de la
largeur du conducteur central et pour des épaisseurs de matériaux données. La présentation de
cette méthode est donnée dans la section suivante.

IV.3.2.1. Transformée conforme modifiée

La conception des lignes coplanaires nécessite de déterminer les paramètres géométriques
permettant de réaliser une impédance désirée. Une méthode analytique basée sur la
transformée conforme de la structure coplanaire dans l’espace ℜ en un condensateur plan
dans l’espace des complexes, permet de déterminer l’impédance caractéristique [IV.7]. Nous
rappelons dans un premier temps la théorie de ce modèle de référence avec ses hypothèses
puis dans un second temps nous décrivons notre modèle hybride analytique-numérique avant
de l’appliquer pour minimiser les pertes engendrées par la variation d’impédance au niveau de
la transition ligne-capot (feedthrough).

157
Packaging

IV.3.2.1.1. Description de la méthode

Topologie de référence :

Nous nous plaçons dans le cas général avec une structure de type multicouches, décrite dans
la Figure IV-20, en adoptant les notations et définitions suivantes :

L’indice U (resp. L) correspond à Upper (resp. Lower)

• Epaisseur de la couche i e iU, L
• Permittivité relative de la couche i ε iU, L
• Largeur du ruban ω
• Largeur de la fente s
• Largeur d’un demi-plan de masse ωm

Les autres paramètres utilisés sont :

ω ω + 2s
a= b= c = b + ωm
2 2
Y

1 ε 1U e1U

p-1 ε pU−1 e pU-1

p ε pU e pU
Upper wm s w s wm
eOr
Lower L
n ε n e Ln

n-1 ε Ln −1 e Ln -1

1 ε 1L e1L
X
0 a b c

Figure IV-20. Topologie d'une ligne coplanaire muticouches

Hypothèses :

H1 : Les conducteurs sont parfaits et d’épaisseurs négligeables ( σ → ∞ et e Or ≈ 0 )

λg
H2 : Approximation quasi TEM ( ω + 2s << )
2
H3 : Plan de masse infini et diélectriques faibles pertes ( c >> b et tan δ << 1 )
H4 : La permittivité diélectrique décroît suivant que l’on s’éloigne de la ligne CPW
ie : ∀ U, L ∀ i, j / i > j ε Ui , L ≥ ε Uj , L

158
Packaging

Remarques :
1. Si H4 est non vérifiée alors :
☺ La méthode reste approchée si l’épaisseur h du diélectrique « fautif » est nulle
ou infini
La méthode n’est pas utilisable pour h < s ⇒ Il faut adapter la méthode
2. Distribution des charges - densité de courant :
☺ Lorsque H4 n’est pas vérifiée, ex : ε 1 ≥ ε 2 la densité de courant
s’uniformise sur la section du conducteur
☺ Lorsque H4 est vérifiée, ex : ε 1 ≤ ε 2 la densité de courant s’uniformise sur
la section du conducteur si h 2 → 0 ou h 2 → ∞
s
Pour h 2 ≈ alors apparaît des concentrations de densité de courant sur les
10
bords du conducteur

IV.3.2.1.2. Capacité totale - capacités partielles

Le calcul de la capacité totale, basé sur le principe de superposition, s’effectue en sommant
les capacités partielles des structures monocouches issues du « découpage » de la structure
multicouche réelle. Ces structures monocouches possèdent des constantes diélectriques
modifiées (Figure IV-21) afin de respecter par équivalence la structure réelle. La capacité
partielle pour chaque structure monocouche est calculée par la technique de la transformée
conforme [IV.8][IV.9][IV.10].

1 ε 1U
ε1U − ε 0
U
ε 2U − ε1U
p-1 ε p −1 ε pU − ε pU-1
p ε pU
ε0 + + +
= +
n ε Ln ε0 + + +
n-1 ε L
n −1
ε Ln − ε Ln-1
ε L2 − ε1L
ε − ε0
L
1
1 ε 1L

Figure IV-21. Découpage équivalent en structures monocouches

La capacité linéique de chaque structure CPW monocouche de la Figure IV-21, peut s’écrire :
K(k Li )
C = 2 ε 0 δε
L L
i i
K(k L'i ) δε Ui = ε Ui − ε Ui-1
, ∀(i, j) ∈ [1, n ]× [1, p ] avec ∀i , Eq. 1
U
U K(k i ) δε Li = ε Li − ε Li-1
C j = 2 ε 0 δε i
U

K(k U'i )

Dans le cas d’une structure CPW suspendue dans le vide, la capacité linéique s’écrit :

159
Packaging

K(k 0 )
C 0 = 2 × 2ε 0 Eq. 2
K(k '0 )
K(θ) défini une intégrale elliptique complète de première espèce :
π
1
K : θ a K (θ ) = ∫ 2 dx
1 - (θ sinx )
0 2

Les arguments k 0 , k '0 , k i , k i' (indice U et L indifféremment) sont définis comme suit :

a c2 − b2
k0 = k0' = 1 − k02
b c2 − a2
⎛π a ⎞ ⎛π c⎞ ⎛π b⎞
sh⎜⎜ ⎟ sh 2 ⎜⎜ ⎟⎟ − sh 2 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ 2 ei ⎟⎠ ⎝ 2 ei ⎠ ⎝ 2 ei ⎠
ki = ki' = 1 − ki2
⎛π b⎞ ⎛π c⎞ ⎛π a ⎞
sh⎜⎜ ⎟⎟ sh 2 ⎜⎜ ⎟⎟ − sh 2 ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ 2 ei ⎠ ⎝ 2 ei ⎠ ⎝ 2 ei ⎠
Le facteur 2 dans l’équation (Eq. 2) tient compte du vide situé au dessus et au dessous des
lignes. La capacité linéique totale se calcule en sommant l’ensemble des capacités partielles :
n p
C = C 0 + ∑ C iL + ∑ C Uj =C 0 .ε eff Eq. 3
i =1 j=1

ε eff est la permittivité effective de la structure. Des équations 1, 2 et 3 nous pouvons définir
L U
une permittivité effective inférieure notée Lower ε eff (resp. supérieure, notée Upper ε eff en
changeant d’indice) comme suivant :

CL = 2 ε 0
K (k0 )
'
K (k0 )
+ 2 ε ε
0 1
L
(− ε 0 )
K (k1L )
L'
K (k1 )
+ K + 2 ε 0 ε L
n − ε L
n −1
K (k nL )
L'
K (k n )
(
= 2ε0
K (k0 )
' 142i 43
K (k0 )
)
1 + δε L . qiL { }
L
ε eff
L
K(k ) K(k 0 )
, i ∈ [1, n ]
i
avec q iL = L'
×
K(k )i K(k '0 )

{ }
ε L + ε eff
U
Ainsi, 1 L L
ε eff = 1 + δε i . q i + δε Uj . q Uj = eff
2 2 Eq. 4

Pour le calcul de l’impédance caractéristique, nous avons :

η K(k ' )
Z = 0 × 0 , avec η = 120
0 ε 4 K(k ) 0
eff 0

Applications - restrictions

La méthode de la transformée conforme permet de déterminer l’impédance caractéristique de

la ligne. L’avantage de cette méthode réside sur la nature analytique de l’expression de
l’impédance, ainsi le gain de temps de calculs est incontestable devant les modèles

160
Packaging

numériques. Néanmoins cette technique reste très restrictive et souvent inadaptée pour les
structures courantes. En effet, si généralement les hypothèses H1, H2, H3 sont vérifiées,
l’hypothèse H4 est difficilement vérifiée en technologie substrat silicium (εrSilicium=11.9).
Aussi, nous vous présentons dans la section suivante une méthode hybride analytique-
numérique, basée sur la transformée conforme modifiée, permettant d’étudier des structures
ne satisfaisant pas l’hypothèse H4.

IV.3.2.1.3. Méthode hybride : analytique-numérique

La technique proposée s’appuie sur le modèle de la transformée conforme modifiée par l’ajout
de paramètres issus de simulations numériques. Dans un souci de clarté, nous présentons
l’étude d’un cas particulier bi-couche BCB/Silicium sans diélectrique sur la partie supérieure,
l’étude dans le cas général se déduisant très simplement de cette présentation.

wm s w s wm
eOr
Lower 2 BCB ε L2 e L2

1 Silicium ε 1L e1L
X
0 a b c

Figure IV-22. CPW BCB-Silicium

La permittivité effective inférieure (L) sera modifiée comme suivant [IV.11] :

α
ε L = 1 + δε L .⎛⎜ q L ⎞⎟ i Eq. 5
eff i ⎝ i ⎠
aL
et α i = 1 +aL avec a 0L , a 1L , a L2 , trois constantes à déterminer
L L 2
a +e
0 i

Afin de résoudre l’équation hyperstatique (Eq. 5) à 3 inconnues et d’après les travaux de

[IV.11], nous allons déterminer trois permittivités effectives correspondant à trois épaisseurs
de BCB [h1=0.01 (a+b), h2=0.1 (a+b), h3=(a+b)] à l’aide de simulations numériques réalisées
sous HFSS et SONNET.

On notera ces trois permittivités effectives totales de la façon suivante :

eff 1 eff
(
ε Simu = ε Simu e = h
2 1
)
ε Simu = ε Simu (e = h )
eff 2 eff 2 2
ε Simu = ε Simu (e = h )
eff 3 eff 2 3

161
Packaging

De l’équation (Eq. 4), on peut déduire les trois permittivités effectives partielles
U
correspondantes, sachant que dans notre cas ε eff = ε0 = 1

i = 2ε eff −1
L Simu
ε eff

Remarque

lim q i = 1 , or e1 = 400 µm >> 1 ainsi q i ≈ 1

ei → ∞

D’après cette remarque et la relation (Eq. 5) on obtient :

L
ε eff ( )
= 1 + δε iL . q iL
αi
( )( )
≈ 1 + ε L2 − ε 1L . q L2
α2
(
+ ε 1L − ε 0 ) Eq. 6

a1L
Posons : f : x a + a2L et notons ∀i ∈ {1,2,3} f i = f (h i )
a0 + x
L

De l’équation (Eq. 6), on obtient :

(
⎡ ε L − 1 + ε 1L − ε 0 ⎤
ln ⎢ eff i L
)
⎥
⎣ ε 2 − ε1L ⎦
fi =
ln[q 2 ]

Posons A =
(f1 − f 2 )(h 3 − h 1 ) , alors :
(f1 − f 3 )(h 2 − h 1 )
Ah 2 − h 3
a 0L =
1− A
( )(
a 1L = h 1 + a 0L h 2 + a 0L ) ((hf 1 − f2 )
2 − h1 )

a 1L
a L2 = f1 −
(h 1 + a 0L )
Nous venons de déterminer les constantes a 0L , a 1L et a L2 qui seront utilisées dans l’équation
L
(éq. 7) afin de déterminer ε eff correspondant à des géométrie quelconques (a, b, c, e iL ...).
U
D’une manière analogue, nous pouvons déterminer ε eff dans le cas de la structure complète
(Figure IV-20). Ainsi, le calcul de la permittivité effective ε eff suivi de l’impédance
caractéristique est immédiat.

IV.3.2.1.4. Validation de la technique

Afin de valider la méthode de calcul, nous présentons dans le Tableau IV.6 les permittivités
effectives déduites des mesures [IV.12] puis des calculs en utilisant la transformée conforme,
la méthode hybride et pour finir par des simulations numériques faites sous SONNET et
HFSS. Nous constatons que la technique de calcul dite hybride (analytique-numérique) est en
accord avec les résultats de caractérisation et des simulations numériques.

162
Packaging

eBCB 20 µm 30 µm

ε eff mesurée 2.9 2.42

ε eff transf. conforme 6.77 6.87
ε eff hybride 2.88 2.41
ε SONNET
eff 2.79 2.48
HFSS
ε eff 2.85 2.55
Tableau IV.6. Permittivités effectives mesurées, calculées et simulées
(w,s)=(30, 80 ) µm, εBCB=2.65, eSi=400µm et εSi=11.9

Ainsi nous pouvons tracer des courbes d’iso-permittivité et d’iso-impédance en fonction de

(w,s) pour des couches ayant des épaisseurs et des permittivités fixées (Figure IV-23 et Figure
IV-24).

Figure IV-23. Courbes d'iso-permittivité en fonction de (w,s)

avec eBCB=20 µm, εBCB=2.65, eSi=400µm et εSi=11.9

163
Packaging

Figure IV-24. Courbes d'iso-impédance en fonction de (w,s)

avec eBCB=20 µm, εBCB=2.65, eSi=400µm et εSi=11.9

Ainsi, nous avons étendu la méthode développé par Zhu, Pun et Li [IV.11] pour analyser des
structures multicouches dans le cas général, et ce en adoptant une modélisation hybride
(technique de la transformée conforme modifiée avec trois paramètres obtenus par simulations
numériques). Cette méthode d’approximation, permet la détermination précise et rapide de la
permittivité effective de la structure ainsi que son impédance caractéristique.

IV.3.2.2. Adaptation d’impédance : résultats

La facilité de programmation de cette technique et sa rapidité, en fait un outil idéal pour
réaliser des adaptations d’impédances. Aussi, nous pouvons réaliser rapidement des courbes
d’iso-impédances pour différentes épaisseurs : de l’anneau de scellement en BCB, de la
couche d’isolation également en BCB, du silicium et du capot en Foturan.

La Figure IV-25 présente les résultats obtenus pour les dimensions du modèle de référence
(Figure IV-9). En traçant la droite w+2s= 440 µm (largeur de ligne constante), nous obtenons
le couple solution (wfeed, sfeed)=(190 µm, 125 µm) qui donne une impédance de 50 Ohm.

164
Packaging

w+2s=440 µm

190 µm

125 µm

Figure IV-25. Courbes d'iso-impédances pour l'adaptation d'impédance de la transition lignes-capot

Nous pouvons remarquer qu’une simulation sous HFSS de l’impédance caractéristique, pour
ces mêmes dimensions (190,125), donne une impédance voisine de 51 Ω (Figure IV-26) en
accord avec la technique hybride.

Zo Port 1
51,15 Zo Port 2

51,10
Impédance caractéristique (Ω)

51,05

51,00

50,95

50,90

50,85

50,80

50,75

50,70

50,65
5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz)

Figure IV-26. Vérification de l'impédance caractéristique par simulation sous HFSS

A ce stade nous pouvons évaluer la qualité de l’adaptation d’impédance en comparant les

pertes de notre modèle ayant une transition ligne capot adaptée avec celui sans adaptation. La
Figure IV-27 présente les deux modèles ainsi que les dimensions retenues. Nous pouvons
remarquer que les modèles ne tiennent pas compte de l’élargissement des fentes de la
structure réelle (Figure IV-1) afin de focaliser l’interprétation des résultats uniquement sur la
transition ligne-capot.

165
Packaging

200 125
200 200
190

100 240100 100 240100

Figure IV-27. Description des modèles - (a) non adapté et (b) adapté par la méthode hybride
Le résultat des simulations, présenté dans la Figure IV-28, nous indique un très faible gain sur
la minimisation des pertes avec une transition ligne capot optimisée. En effet, ce gain est de
l’ordre de 0.02 dB @ 20 GHz !

0 5 10 15 20 25 30 35
-0,05

-0,1

-0,15
S21 Adaptée
S21 Non adaptée
-0,2

-0,25

-0,3

Fréquence (GHz)
Frequence (GHz)

Figure IV-28. Comparaison des pertes dans le cas d'une transition ligne-capot adaptée et non adaptée

Par ailleurs, nous pouvons remarquer que les pertes d’insertions pour un quadripôle parfait,
sans pertes par désadaptation peuvent se définir de la façon suivante :
2
S21 adapté = 1 − S11

En effet, un quadripôle parfait vérifie : [S] [S ] = [1] cad S11 + S21 = 1

*T 2 2

Ainsi les pertes par désadaptation se déduise simplement par :

⎛ S21 global ⎞
⎜ ⎟
Pertes par désadaptations= 20 log⎜ ⎟
S21 adapté
⎝ ⎠

166
Packaging

En utilisant cette formule, on trouve une perte par désadaptation de 0.029dB @20GHz, ce qui
confirme le résultat précédent.

IV.3.2.3. Conclusions
Cette technique de calcul basée sur la transformée conforme modifiée n’apporte pas un gain
significatif pour minimiser les pertes par désadaptation au niveau de la transition ligne-capot
(feedthrough). En effet, celles-ci étant très négligeables, de l’ordre de 0.015 dB par
feedthrough non adapté. Néanmoins, nous avons pu valider cette méthode originale, qui laisse
entrevoir des applications plus prometteuses pour minimiser les pertes par désadaptation. Par
exemple, pour optimiser les transitions des lignes coplanaires sur substrat massif vers une
membrane, fréquemment rencontrées dans le domaine des Mems RF (micro-usinage de
volume en face arrière).

IV.4. CRITERES MECANIQUES

Dans les sections IV.2 et IV.3, nous avons mis en avant une solution de packaging
élémentaire. Cependant, cette solution repose uniquement sur des contraintes technologiques
(respect des accès et des micro-commutateurs, savoir faire) et sur une analyse des
performances RF. Dans le souci de respecter les spécifications du cahier des charges, nous
devons nous intéresser, notamment pour des questions de fiabilité, à la résistance mécanique
de l’assemblage ainsi qu’à la qualité de l’herméticité, c’est l’objet de cette section.

Dans le chapitre III, nous avons présenté une simulation de la phase de report du capot, en
évaluant l’ordre de grandeur de la pression à appliquer pour garantir un scellement uniforme
au niveau des fentes des lignes coplanaires (comblement des gaps). Malgré des hypothèses sur
les propriétés mécanique du BCB non réticulé, nous avons évalué cette compression à 12
bars, qui est une valeur en accord avec les valeurs couramment rencontrées dans la littérature
(1 à 16 bars)[IV.13][IV.14][IV.15][IV.16].
Cette simulation met également en avant, le problème du choix des propriétés des matériaux à
utiliser. En effet, le manque de caractérisations des propriétés des matériaux pour les Mems
fait que l’on ne puisse que donner des tendances ou des ordres de grandeur dès lors que la
physique étudiée sort « des sentiers battus », par exemple dans les domaines de la visco-
élasticité, de la plasticité ou de la rupture.

L’objectif de cette section sera de donner des recommandations pour améliorer la tenue
mécanique et l’herméticité du packaging. Celles-ci s’appuyant sur des modèles analytiques et
également sur des résultats issus de la littérature.

167
Packaging

IV.4.1.1. Résistance mécanique : contrainte de rupture

Les propriétés mécaniques du BCB [IV.18] nous indiquent que sa rupture en traction se
produit au-dessus d’une contrainte seuil de 87 MPa avec un allongement relatif de 8%.
D’après les essais mécaniques réalisés dans les travaux [IV.13], nous voyons que la rupture
s’amorce pour une contrainte plus faible, de l’ordre de 18 MPa. Cependant, ces essais
reposent sur la rupture interfaciale du scellement et de ce fait nous ne pouvons pas distinguer
la part de la rupture cohésive de celle concernant la rupture adhésive.

Néanmoins, en supposant un mode de rupture cohésif et en utilisant des résultats sur les
travaux de caractérisation des assemblages par collage de [IV.17] (Figure IV-31), nous
pouvons évaluer l’ordre de grandeur de la contrainte de rupture.
Différentes approches peuvent être utilisées pour décrire la propagation quasi statique d’une
fissure. Dans le cas des ruptures interfaciales, les modèles de Griffitz et de Barenblatt sont
principalement utilisés pour appréhender les effets cohésifs. Ces effets sont représentés par
des liens interfaciaux, modélisés par des ressorts (Figure IV-29) qui se brisent à une certaine
contrainte critique (Annexe F-G).
Pour qu’il y ait propagation de la fissure, il faut que l’énergie libérée par unité de surface
(notée G en J/m2 ) franchisse un seuil critique G c au-delà duquel une extension de la fissure
libère plus d’énergie qu’elle n’en absorbe, la fissure est alors instable.

Propagation si G>Gc

Figure IV-29. Modélisation d’une interface cohésive avec des ressorts interfaciaux

168
Packaging

Le critère de propagation de la fissure, dans le modèle de Griffitz, peut également s’écrire en

utilisant un seuil de contrainte σc :

⎧E * = E en contrainte plane
*
E Gc ⎪⎪
σ> = σc avec ⎨
πa ⎪E * = E en déformation plane
⎪⎩ 1 − υ2

σc est la valeur critique de la contrainte au-delà de laquelle la propagation des fissures se fait
de façon catastrophique. E* désigne le module de Young équivalent (constante de Mandel), E
le module de Young du BCB, ν le coefficient de poisson du BCB et a la longueur de la
fissure. Le terme EG c , noté également Kc, correspond au facteur d’intensité critique de
contrainte, aussi appelé ténacité du matériau.

Afin d’évaluer la contrainte critique de rupture, nous devons connaître la taille moyenne des
défauts localisés à l’interface BCB-Substrat mais également Gc, l’énergie surfacique critique
nécessaire à la propagation d’une fissure.

En fracture interfaciale, le chemin de la fissure est guidé par l’interface car celle-ci possède de
forte inhomogénéité. Dans notre cas, nous ne considérons pas des fissures quittant ou
traversant l’interface. Nous évaluons une longueur de fissure moyenne interfaciale, entre le
BCB polymérisé et un substrat Silicium, à 2 µm. Cette longueur est déduite d’une inspection
au MEB réalisé dans les travaux de [IV.14] (Figure IV-19).

Silicium

Silicium

BCB

Silicium BCB
Défauts ~ 2µm

Figure IV-30. Estimation de la taille des fissures au niveau de l'interface BCB-Silicium

Gc est dans ce cas une caractéristique du matériau composite (Si-BCB-Si), qui doit être
déterminé expérimentalement. Ne pouvant pas réaliser ce type de caractérisation, nous avons
approché Gc avec celui correspondant au matériau composite Verre-Epoxy-Verre étudié et
caractérisé dans [IV.17]. Le graphe de la Figure IV-31 représente les valeurs de Gc en
fonction du paramètre ψ, défini comme la phase dans le plan (KI, KII) des modes de rupture I
et II (pelage et glissement de translation ou cisaillement).

169
Packaging

Figure IV-31. Courbe expérimentale de Gc pour un matériau bi-couche verre/epoxy [IV.17]

Ainsi, des valeurs de Gc et pour une longueur de fissure moyenne de 2 µm, il est possible de
tracer la contrainte critique de rupture en fonction du paramètre de mixité modale Ψ pour le
cas d’une propagation de fissure dans un état de contrainte plane ou de déformation plane
(Figure IV-32).

-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

220 220

200 σc en contrainte plane 200

Contrainte critique σc de rupture (MPa)

σc en déformation plane
180 180

160 160

140 140

120 120

100 100

80 80

60 60

40 40
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Paramètre de mixité modale Ψ (deg)
Figure IV-32. Contrainte critique de rupture du scellement Si-BCB-Si en fonction du paramètre de mixité
modale ψ défini comme la phase dans le plan (KI, KII) relatif aux modes de pelage et de cisaillement

Au vu des dimensions de l’anneau de scellement (élancé), nous sommes dans un état de

déformation plane. En effet les déplacements suivant la dimension la plus grande peuvent être
négligés.

170
Packaging

Pour notre application, la contrainte critique de rupture est de l’ordre de 44 MPa pour une
sollicitation en pelage (Ψ =0°) et de l’ordre de 90 MPa (resp. 215 MPa) pour une sollicitation
en cisaillement de type Ψ =90° (resp. Ψ =-90°).

IV.4.1.2. Herméticité : Taux de fuite avant rupture

Une autre information importante concerne le mode de rupture. Il peut être immédiat, dans ce
cas on parlera de mode fragile ou au contraire être lente (déchirement) et dans ce cas on
parlera de mode ductile. Le mode de rupture n’est pas influencé par la nature du matériau
(ductile ou fragile) mais par une taille limite de longueur de fissure (Figure IV-33). En effet,
si l’on relève la résistance σY d’un matériau lors d’un essai de traction et que l’on compare
cette limite avec la valeur de la contrainte critique σc, on se rend compte qu’un matériau
réputé ductile peut avoir un mode de rupture fragile, il suffit que :
K K2 E Gc
σ c < σ Y ⇒ c < σ Y ⇒ a > c2 = =ac
πa π σY π σ2Y
σ

σY
Kc
πa

a
ac
Rupture Rupture
ductile fragile
Figure IV-33. Transition rupture fragile - rupture ductile en fonction de la longueur de la fissure a

Dans le cas du BCB, la contrainte de rupture en traction d’un échantillon de BCB est de 87
MPa [IV.18] mais dans notre cas il faudra utiliser la contrainte de rupture en traction du
composite Si-BCB-Si. Une valeur de cette contrainte est présentée dans les travaux de
[IV.14], nous reportons une contrainte de rupture en traction de 18,6 MPa (BCB 4026-
compression de 1.3 bars et recuit 230°C).

Ainsi, de manière analogue à la contrainte critique de rupture, nous pouvons tracer l’évolution
de la longueur de la fissure critique, définissant le seuil de transition rupture fragile-rupture
ductile, en fonction du paramètre de mixité modale (Figure IV-34). Aussi, nous obtenons une
longueur de fissure critique de l’ordre de 11 µm pour une sollicitation en pelage, mode I Ψ
=0°, de l’ordre de 48 µm (resp. 191 µm) pour une sollicitation en cisaillement, mode II Ψ
=90° (resp. Ψ = -90°).

171
Packaging

-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

200 200

180 ac en contrainte plane 180

Longueur de fissure critique ac (µm)

160
ac en déformation plane 160

140 140

120 120

100 100

80 80

60 60

40 40

20 20

0 0
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Paramètre de mixité modale Ψ (deg)
Figure IV-34. Longueur critique de fissure ac correspondant à la transition rupture ductile- rupture
fragile pour le scellement Si-BCB-Si, dans le cas d’un état de contrainte plane et de déformation plane, en
fonction du paramètre de mixité modale Ψ, défini comme la phase dans le plan (KI, KII)

Au cours de la fabrication du packaging et lors des différents reports d’assemblage, le

scellement sera soumis à des contraintes de cisaillement provenant de la déformation du
substrat sollicité principalement en flexion (différences de coefficient thermique d’expansion
et présence d’efforts tranchants lors du report). Ainsi, nous pouvons dire que le mode de
rupture KII sera prédominant et suivant l’interface considérée avec un paramètre de mixité
modale Ψ égal à ± π/2 (Figure IV-35).

π
KII pour Ψ = +
2
Substrat 2

Scellement Substrat 1

π
KII pour Ψ = −
2

Figure IV-35. Paramètre de mixité modale suivant l'interface, en sollicitation de type flexion
La Figure IV-36 représente la transition entre le mode de rupture ductile et le mode de rupture
fragile en fonction des paramètres de mixités modales : Ψ=0° correspondant au cas du pelage,
puis pour Ψ=90° et Ψ=-90° qui sont les deux paramètres attendus pour notre application
(Figure IV-35).

172
Packaging

Ainsi, à partir de ce graphe, nous pouvons remarquer que pour des défauts interfaciaux de
l’ordre de 2 µm (voir Figure IV-30), la rupture sera ductile même dans un mode I de rupture
(Ψ=0°). L’intérêt d’une rupture ductile est crucial pour la majorité des applications
nécessitant une marge de sécurité. Par exemple, pour une enceinte contenant un fluide sous
pression (chauffe eau, réservoir de combustible...), une fissure se propageant en mode de
rupture ductile pourra être détectée avant la rupture totale. En effet, l’épaisseur de ces
enceintes étant choisie de telle sorte qu’elle soit inférieure à la limite critique de fissure ac,
ainsi la rupture ductile se verra « peut-être » par la présence de fuite avant la rupture définitive
(on parle alors de « leak before break »).

0,5 1 2 4 8 16 32 64 128 256

375 375
Contrainte critique σc de rupture (MPa)

350 σc pour Ψ=0 350

325 σc pour Ψ=π/2 325
300 σc pour Ψ=-π/2 300
275 275
250 250
225 225
200 RUPTURE RUPTURE 200
175 DUCTILE FRAGILE 175
150 150
125 125
100 100
75 75
50 50

σY=18.6 MPa 25 25
0 0
0,5 1 2 4 8 11 16 32 48 64 128 191 256
[échelle logarithmique - Octave]
Longueur de la fissure a (µm)
Figure IV-36. Transition rupture ductile / rupture fragile. La taille critique de la fissure ac étant de 11 µm
pour Ψ=0 (exemple de la figure) , de 48 µm pour Ψ=+π/2 et de 191 µm pour Ψ=-π/2
Nous avons vu que pour le packaging des Mems, un scellement hermétique permet
d’améliorer la durée de vie et de ce fait il n’est pas acceptable de dégrader l’herméticité par un
taux de fuite avant la rupture du joint de scellement.
Aussi, nous recommandons de choisir une largeur de scellement supérieure à la longueur de
fissure critique correspondant au cas extrême pour Ψ=-90° du mode II, à savoir 191 µm. Ce
critère étant bien évidemment très sécurisant car en réalité on peut s’attendre à un mode de
rupture mixte entre KI et KII et ainsi avoir une rupture explosive avant une propagation de
fissure de 191 µm !

IV.4.1.3. Conclusions
Cette analyse du mécanisme de la rupture, basée sur une approximation de l’énergie
surfacique critique Gc (nécessaire à la propagation d’une fissure), a le mérite de donner des
ordres de grandeurs sur les contraintes de rupture (44 MPa pour le pelage et 90 MPa pour le
cisaillement) ainsi que de proposer un dimensionnement de la largeur de l’anneau de
scellement (>200 µm).

173
Packaging

Par ailleurs, ces niveaux de contraintes de rupture respectent largement, dans le cadre de notre
application, les recommandations de la norme MIL-STD-883 method 2019.5. En effet, cette
norme spécifie, pour des surfaces de scellement comprises entre 0.3 mm² et 4 mm², que la
contrainte minimale de rupture en cisaillement soit de 6 MPa.
Enfin, nous pouvons remarquer que ces ordres de grandeurs sont en accord avec les mesures
faites par A. Jourdain [IV.16], faisant état :
De contraintes de cisaillement comprises entre 20 et 100 MPa pour une rupture de
cisaillement en fonction des modes opératoires (compression, température et temps de
recuit)
D’un taux de fuite, pour un packaging utilisant un anneau de scellement de 100 µm,
2000 fois plus important que celui d’un packaging utilisant une largeur de 800 µm.
Ces travaux montrent que le taux de fuite est sensible à la largeur de l’anneau de
scellement et non pas à son épaisseur. Néanmoins, on gardera à l’esprit que même une
largeur élevée (> 800 µm) ne permettra pas de respecter une variation de pression de
l’ordre de 1mBar pendant un an (typique des spécifications Mems). En effet, pour
respecter ce niveau d’herméticité, il faudrait compter sur un taux de fuite maximum de
1,1.10-13 mBar.l.s-1 or d’après les travaux de [IV.16] une largeur de 800 µm entraîne
un taux de fuite de l’ordre de 10-11 mBar.l.s-1 !.

IV.5. PROCEDES D’ASSEMBLAGE

IV.5.1. Report Flip-Chip
La fabrication et l’assemblage des capots ont été réalisés par la société MEMSCAP.
L’assemblage (décrit dans la Figure IV-37), est réalisé par un report flip chip du capot, sur
lequel au préalable, un anneau de scellement en BCB a été déposé par une seringue
(dispensing). Ensuite, la polymérisation du BCB est obtenue dans un four de recuit polyimide
sous ambiance contrôlée (Azote). Le cycle de recuit adopté (Figure IV-37-c) vise à minimiser
le budget thermique puisqu’il utilise une température maximale de 180°C, qui est la
température minimale pour amorcer la réticulation du BCB [IV.18]. Le degré de la
polymérisation s’obtenant en faisant varier le temps de recuit à cette température.

174
Packaging

Y Dépôt de
BCB sur:
X
Z
Capot Substrat

θ bras

Méthode
θ chuck de dépôt

Dispensing Tournette

Technique
T °C de report

250 Soft Cure DOW

40 A froid A chaud
min 60 Hard Cure DOW
min
210 Compression +
MEMSCAP Asservissement en T°
180 de :
ce
10°C/min 10°C/min

150 120 min

ia n d e,
b vi

as
10°C/min (2h)

am e (

br
15

k
+

k+
é

uc
ur ol 2)

as
min

Ch
Fo ntr N

uc
Br
T0 t (min)

Ch
co

Figure IV-37. (a) Principe du report flip chip – (b) Méthode d’assemblage retenue (chemin bleu) et (c)
cycle de recuit utilisé

IV.5.2. Calibration dispensing

Les paramètres opératoires ayant des effets principaux sur la qualité de l’assemblage peuvent
être résumés de la façon suivante :
Pour assurer une bonne homogénéité et uniformité du cordon de scellement, nous
pourrons agir sur les conditions suivantes:
Mode de dépose : Continu ou Point par point
Vitesse de dépôt (1000 à 8000 µm/s)
Hauteur de l’aiguille par rapport au substrat
Pour contrôler la tenue mécanique :
Des temps de recuits compris entre 15’ et 90’ avec une compression comprise
entre 2 et 16 bars réalisent un collage ayant une résistance mécanique
(cisaillement et traction) élevée de l’ordre de 18 Mpa (resp. 40 MPa) pour la
contrainte de rupture en traction (resp. pour la contrainte de rupture au
cisaillement), d’après [IV.13][IV.16]. La résistance mécanique se trouve
renforcée (quasiment doublée) dès lors que le temps de recuit est supérieur à
60’.
Un recuit additionnel élevé entraîne une décomposition du BCB et de ce fait
dégrade la résistance mécanique de l’assemblage.

La Figure IV-38 donne des exemples de résultats obtenus sur la nature du profil du cordon de
BCB lors d’un « dispensing » point par point.

175
Packaging

1000
µm/s
2000
µm/s
3000
µm/s
4000
µm/s
5000
µm/s
6000
µm/s
7000
µm/s
8000
µm/s
Mode point par point - Tps extrusion 20 ms
Profil du cordon pour en fonction de la hauteur de dispense

5 10 µm
4 20 µm
Y (µm)

30 µm
3
40 µm
2 50 µm

1 60 µm

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
-1
X (µm)

Figure IV-38. Dispensing point par point : (a) Allure du profil de l’anneau de BCB en fonction de la
vitesse de dépôt – (b) Vue 3D du cordon du BCB – (c) Profil transversal du cordon de BCB en fonction de
la hauteur de l’aiguille par rapport au substrat

Une optimisation des paramètres opératoires a conduit au procédé technologique suivant :

1. Dépose du BCB 3022-63 à la seringue sur le capot :
i. Dispensing en mode point par point
ii. Aiguille dont la longueur l, le diamètre intérieur Φint et le diamètre extérieur,
Φext ont été choisis pour réaliser un cordon de 200 µm de large et de 10 µm
d’épaisseur (dosage 2000 [IV.20])
iii. Hauteur de l’aiguille/capot=45 µm
2. Compression du capot après report Flip Chip 200g soit ≈ 0.34MPa.

La Figure IV-39 montre l’anneau de scellement déposé sur le capot en Foturan (a) ainsi que la
mise en boîtier, après report flip chip et recuit, de la ligne coplanaire sans les micro-
commutateurs.

176
Packaging

Figure IV-39. (a) Dépôt du BCB 3022-63 sur le capot Foturan - (b) Packaging d'une ligne CPW

IV.6. CARACTERISATIONS RF
IV.6.1. Analyse expérimentale des pertes rapportées par le packaging
Le packaging étant composé de deux parties, le capot en Foturan et l’anneau de scellement en
BCB, nous avons souhaité évaluer les pertes engendrées par l’ensemble du packaging mais
également définir la répartition des pertes allouées aux différentes parties.
Dans ce sens, trois structures tests ont été caractérisées par un analyseur de réseaux vectoriel
afin de déterminer les paramètres S :
Ces structures de tests sont les suivantes :
Structure 1 : Uniquement la ligne coplanaire
Structure 2 : La ligne coplanaire avec le capot en Foturan posé sur celle-ci sans
scellement en BCB
Structure 3 : Le packaging complet de la ligne coplanaire (Figure IV-39-b)
Ainsi pour identifier la distribution des pertes, nous avons comparé les performances RF des
structures 2 et 3 avec la structure 1 prise comme référence. Les pertes d’insertions et les pertes
par réflexions sont données dans la Figure IV-40 et la Figure IV-41.
0 5 10 15 20 25 30
0,0 0,0

-0,1 -0,1

-0,2 -0,2

-0,3 -0,3

-0,4 -0,4
S12 (dB)

-0,5 -0,5

-0,6 -0,6

-0,7 -0,7
Struct. 1 Mesurée
-0,8 Struct. 2 Mesurée -0,8
Struct. 3 Mesurée

-0,9 -0,9

-1,0 -1,0
0 5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz)
Figure IV-40. Pertes d'insertion mesurées pour les trois structures

177
Packaging

0 5 10 15 20 25 30 35
-5 -5

-10 -10

-15 -15

-20 -20

-25 -25
S11 (dB)

-30 -30

-35 -35
Struct. 1 Mesurée
Struct. 2 Mesurée
-40 Struct. 3 Mesurée -40

-45 -45

-50 -50
0 5 10 15 20 25 30 35
Fréquence (GHz)
Figure IV-41. Pertes par réflexions mesurées pour les trois structures

La courbe de le Figure IV-42 représente les pertes d’insertions de la structure mise en boîtier
retranchées de celles de la ligne seule (S12 Struct. 3 – S12 Struct. 1) et de ce fait
correspondant aux pertes rapportées par le packaging. De cette courbe, nous pouvons
remarquer que l’atténuation générée par le packaging (Boîtier micro-usiné Foturan et
scellement polymère BCB) est très faible et de l’ordre de grandeur des précisions de mesures
(+/- 0.025dB). Par exemple, dans le cas de l’application en bande étroite à 10 GHz, ces pertes
s’élèvent seulement à 0.05 dB. Ces résultats sont en accord avec les pertes du packaging
déduites par comparaison des simulations lors des études de sensibilités (IV.3.1.4).

178
Packaging

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-0,050 -0,050

-0,055 -0,055

-0,060 -0,060
S12 Struct.3 - S12 Struct.1 (dB) Pertes rapportées par la packaging
-0,065 -0,065

-0,070 -0,070

-0,075 -0,075

-0,080 -0,080

-0,085 -0,085

-0,090 -0,090

-0,095 -0,095

-0,100 -0,100
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Fréquence (GHz)

Figure IV-42. Pertes rapportées par le packaging déduites par comparaison des mesures Struct.3-Struct.1

Cependant, même si la part des pertes attribuée au packaging entre les mesures et les
simulations sont voisines, nous pouvons remarquer que les pertes globales simulées pour la
structure mise en boîtier sont quasiment trois fois plus faibles que les pertes mesurées. La non
prise en compte des pertes résistives ne suffit pas, à elle seule, pour expliquer l’origine de cet
écart. Aussi, dans le but d’affiner notre modélisation numérique, nous avons fait des « rétro-
simulations » en prenant en compte les pertes résistives mais également en introduisant une
modélisation des charges électriques à l’interface Silicium/BCB afin d’obtenir un modèle plus
réaliste et ainsi s’approcher des mesures expérimentales.
Cette modélisation des charges interfaciales repose sur l’ajout d’une fine couche (4 µm) de
silicium basse résistivité (Figure IV-43) à l’interface du substrat de silicium haute résistivité et
le BCB.

Conducteurs

BCB
Silicium BR
(4 µm)
Silicium HR

Figure IV-43. Modélisation des charges à l'interface Silicium-BCB

179
Packaging

Les résistivités utilisées lors des rétro-simulations sont données dans le Tableau IV.7.

Silicium Haute Silicium Basse

Résistivité (HR) Résistivité (BR)
Epaisseur µm 396 4
Résistivité Ω.cm 4000 100
Conductivité S/m 0.025 1
Tableau IV.7. Résistivités utilisées pour la modélisation des couches HR et BR du substrat silicium

Les résultats de ces rétro-simulations sont donnés dans la Figure IV-44 et la Figure IV-45
avec également les mesures expérimentales.

0 5 10 15 20 25 30
0,0 0,0

-0,1 -0,1

-0,2 -0,2

-0,3 -0,3

-0,4 -0,4
S12 (dB)

-0,5 -0,5

-0,6 -0,6

-0,7 -0,7
Struct. 1 Mesurée
-0,8 Struct. 2 Mesurée -0,8
Struct. 3 Mesurée
Struct. 1 Simulée
-0,9 Struct. 3 Simulée -0,9

-1,0 -1,0
0 5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz)
Figure IV-44. Pertes d'insertion mesurées et rétro-simulées pour les structures 1 et 3

180
Packaging

0 5 10 15 20 25 30 35
-5 -5

-10 -10

-15 -15

-20 -20

-25 -25
S11 (dB)

-30 -30

-35 -35
Struct. 1 Mesurée
Struct. 2 Mesurée
-40 Struct. 3 Mesurée -40
Struct. 1 Simulée
-45 Struct. 3 Simulée -45

-50 -50
0 5 10 15 20 25 30 35
Fréquence (GHz)

Figure IV-45. Pertes par réflexions mesurées et rétro-simulées pour les structures 1 et 3

Ainsi, nous constatons que la prise en compte des charges interfaciales permet d’approcher,
sans atteindre, les résultats expérimentaux. Néanmoins, ces résultats montrent qu’un léger
écart entre les mesures et les simulations demeure. En remarquant que les lignes coplanaires
des structures mesurées ont été réalisées avec les masques de fabrication des micro-
commutateurs et de ce fait, même si nous n’avons pas fabriqué les micro-commutateurs, les
électrodes et les accès DC pour l’actuation électrostatique ont alors été structurés. Ainsi, des
pertes supplémentaires par désadaptation d’impédances, non prises en compte dans les
simulations, ont certainement une responsabilité dans ce désaccord entre les simulations et les
mesures.

IV.7. CONCLUSION
Les résultats des tests RF menés sur la solution du packaging proposé, montrent que
l’atténuation générée par le packaging (Boîtier micro-usiné en Foturan et scellement polymère
BCB) est très faible et de l’ordre de grandeur des précisions des mesures. Ces résultats sont en
accord avec les résultats obtenus lors des simulations RF effectuées sous HFSS.

Ainsi la méthodologie de conception a été validée par la bonne adéquation des simulations
avec les mesures expérimentales. Nous pouvons remarquer que le faible niveau de pertes
engendré par le packaging confirme l’inutilité de minimiser les désadaptations d’impédances
au niveau de la transition ligne coplanaire-capot.

Nous avons ainsi défini et validé une solution de mise en boîtier simple dont les pertes
rapportées sont négligeables.

181
Packaging

IV.8. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE IV

[IV.1] B.Ducarouge, D.Dubuc, L.Rabbia, P.Pons , K.Grenier, R.Plana "Structures

optimisées de commutateurs MEMS RF", 13èmes Journées Nationales Microondes
(JNM'2003), Lille (France), 21-23 Mai 2003

[IV.2] Benoît Ducarouge « Conception et caractérisation de micro-commutateurs

électromécaniques hyperfréquences de puissance : Application à un circuit de
commutation d’ Emission/Réception large bande ». Thèse de doctorat de
l’Université Paul Sabatier de Toulouse, Décembre 2005

[IV.3] Anne Jourdain, Xavier Rottenberg, Geert Carchon and Harrie A.C. Tilmans
« Optimization of 0-level packaging for RF-Mems devices », The 12th International
Conference on Solid State Sensors. Actuators and Microsystems, Boston, June 8-12,
2003, TRANSDUCERS 2003, pp 1915-1918

[IV.4] Mikroglas chemtech GmbH, Galileo-Galilei-Str., 28 D-55129 Mainz, Germany,

http://www.mikroglas.com/

[IV.5] Fujii, Kimura, Satoh, Imanaka, Proc. GAAS 2001

[IV.6] Jourdain, Brebels, De Raedt and Tilmans, Proc. GAAS 2001

[IV.7] G. Ghione and C. Naldi, ”Analytical formulas for coplanar lines in hybrid
monolithic MICs”, Electronics letters, vol. 20, n_4, 16th February 1984, pp. 179-
181

[IV.8] C. Veyres and V.F. Hanna, “Extension of the application of conformal mapping
techniques to coplanar lines with finite dimensions” Int. J. Electron., vol. 48, n_1,
pp. 47-56, 1980

[IV.9] S. Gevorgian, L. J. P. Linner, and Z. L. Kollberg, “CAD models for shielded

multilayered CPW,” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol.43, pp. 772-779,
Apr.1995

[IV.10] E. Carlsson and S. Gevorgian, “Conformal Mapping of the field and charge
distributions in multilayered substrate CPW’s”, IEEE Trans. Microwave Theory
Tech., Vol.48, n_8, August 1999, pp. 1544-1552

[IV.11] N. H. Zhu, E. Y. B. Pun and J. X. Li, “ Analytical formulas for calculating the
effective dielectric constants of coplanar lines for OIC applications ”, Microwave
Optical Tech. letters, Vol. 9, n_4, July 1995

[IV.12] K. Grenier,“Conception, réalisation et caractérisation de structures micro-usinées

sur silicium,” Thèse de doctorat de l’Université Paul Sabatier de Toulouse,
novembre 2000

[IV.13] F. Niklaus et al. « Low-temperature full wafer adhesive bonding », Institute of

Physics Publishing, J.Micromech.Microen., 11-2001, pp. 100-107

182
Packaging

[IV.14] Y.S Choi et al. « Effects of temperatures on microstructures and bonding strengths
of Si-Si bonding using bisbenzocyclobutene », Sensors and Actuators, 2003, pp.
201-205

[IV.15] C.K Chong et al. « Cure Behaviour and Interfacial Adhesion of a Photo-sensitive
BCB »

[IV.16] A. Jourdain et al. “Mechanical and electrical characterization of BCB as a bond

and seal material for cavities housing (RF-)MEMS devices”, Institute of Physics
Publishing, J.Micromech.Microen., 15-2005, pp. 89-96

[IV.17] K. M. Liechti, Y.-S. Chai. Asymmetric shielding in interfacial fracture under in

plane shear. J. Applied Mech. 59 294 (1992).

[IV.18] http://www.dow.com

[IV.19] David Peyrou, Patrick Pons, Arnaud Nicolas, Jun-Wu Tao, Hugues Granier et
Robert Plana, « Foturan Cap and BCB Sealing-Ring for RF MEMS Packaging
Applications », EUMIC 2006, 11-9, 4p

[IV.20] Dosage 2000 62-70, Rue Yvan Tourgueneff 78380 Bougival http://www.efd-
inc.com/fr

183
CONCLUSION GENERALE

185
Conclusion générale

La montée en fréquence est inévitable avec la saturation des canaux et le rétrécissement du

spectre fréquentiel. Devant l’intérêt économique et scientifique lié à la réduction du coût de la
production et de la miniaturisation, la dernière décennie s’est distinguée par le développement
de nouveaux circuits micro-ondes capables de fonctionner à des fréquences jusqu’à une
centaine de gigahertz. Ce développement s’est traduit par l’émergence de Micro Systèmes
Electro Mécaniques Radio-Fréquences (MEMS RF) qui laissent entrevoir des possibilités
vertigineuses : exceptionnelles performances hyperfréquences, grande linéarité et faible
consommation. Cependant la mise sur le marché de composants à base de MEMS RF est
freinée par leurs manques de maturités au niveau du flot de conception, du packaging et de la
fiabilité.
Dans ce contexte, le Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes a débuté dans le
cadre de cette thèse, l’étude d’une solution de mise en boîtier adaptée aux micro-
commutateurs RF.

Nous avons présenté dans le premier chapitre introductif un tour d’horizon des différentes
techniques de mise en boîtier en mettant en avant les enjeux associés en terme de conception
et de fiabilité. Ainsi, le packaging apparaît comme une étape cruciale du procédé de
fabrication des microsystèmes. En effet la non standardisation des procédés d’assemblage et
d’encapsulation ainsi que la diversité des spécifications des microsystèmes font qu’il n’existe
pas de packaging universel et de ce fait que celui-ci devra faire partie intégrante du flot de
conception du microsystème.

Devant ce constat nous avons établi, à travers le second chapitre, les spécifications inhérentes
au packaging des micro-commutateurs RF en s’appuyant sur une analyse fonctionnelle.
Celle-ci nous a permis de recenser l’ensemble des solutions techniques possibles avant de
converger vers deux solutions possibles pour la réalisation du packaging. Finalement, une
seule technique sera retenue, basée sur un report de capot en Foturan avec une couche
intermédiaire de scellement en Benzo-Cyclo-Butène et des interconnexions de type wire-
bonding au niveau de la face supérieure.
Après avoir dressé un panorama des outils de CAO dédiés ou modifiables pour la conception
de microsystèmes, nous avons identifié une méthodologie systématique du flot de conception
permettant d’intégrer la phase de conception du packaging avec celle du microsystème. Nous
avons porté notre choix sur une modélisation structurelle du Mems à partir de logiciels de
simulation EF multi-physique permettant de générer des macro-modèles comportementaux.

187
Conclusion générale

Notre motivation repose d’une part, sur la nécessité de prendre en compte les couplages des
nombreux phénomènes physique rencontrés (électrostatique, électromagnétisme, thermique,
mécanique, fluidique) et d’autre part sur un objectif d’intégration de macro-modèles qui
traduisent l’essentiel du comportement structurel du Mems dans un langage de description
comportemental pour réaliser une simulation au niveau système.

Dans l’objectif de créer une plateforme de simulation globale, le chapitre III a permis
d’identifier dans le domaine des microsystèmes, les possibilités offertes par deux logiciels EF
réellement multi-physique : ANSYS et COMSOL. Nous avons démontré et validé la
faisabilité de simulation par ingénierie inverse, technique qui permet de réaliser des rétro-
simulations à partir de la forme réelle des structures fabriquées. Cette modélisation très fine
de la réalité, laisse le champ libre pour de nombreuses applications potentielles directement
liées à la conception et à la fabrication des Mems.
Dans le domaine de la mécanique des structures, des solutions d’implémentations des
contraintes résiduelles ainsi que la gestion du maillage par une modélisation multi-
géométrique ont permis de répondre aux exigences les plus extrêmes lors de la conception des
Mems, à savoir des structures pré-contraintes ayant des facteurs d’échelles élevés. Cette étude
nous a permis de déceler une limitation de ANSYS qui ne permet de définir qu’une seule
contrainte initiale moyenne et pour un seul matériau. Nous avons également validé la
possibilité de réaliser une modélisation du contact avec les deux logiciels. Cependant,
COMSOL reste limité en ne proposant pas d’outils prédéfinis pour modéliser notamment le
contact déformable/déformable.
Par ailleurs, dans le domaine de l’électromagnétisme, nous avons mis en lumière un manque
de maturité des deux logiciels sur les outils disponibles pour réaliser une analyse des
performances RF. S’agissant d’un verrou notable pour la conception des Mems RF, ces deux
logiciels montreront leurs intérêts pour l’électromagnétisme dès que la construction du
modèle sera validée et facilité. Cela passe notamment par l’intégration d’un maillage adaptatif
mais également d’outils permettant la définition correcte des conditions aux limites.
Pour finir, nous avons proposé une modélisation comportementale par la génération d’un
macro-modèle du comportement mécanique non-linéaire d’un micro-commutateur. Cette
application simple a permis de valider la création de modèles comportementaux du Mems au
niveau composant électromécanique. La méthodologie adoptée pourra permettre le
développement d’une bibliothèque de modèles décrivant l’essentiel du comportement
physique du Mems et ce dans une forme compatible avec la description au niveau système.

188
Conclusion générale

Ainsi, une plateforme de simulation globale pourrait voir le jour avec des langages tels que le
VHDL-A, des outils numériques (solver SPICE, MATLAB-Simulink, AMESim ...) tout en
permettant l’intégration de fonctions d’optimisation.

Dans le dernier chapitre, nous avons proposé une géométrie du capot ainsi que du scellement
compatibles avec les possibilités technologiques, les contraintes dimensionnelles en terme
d’encombrement afin de permettre les accès pour les interconnexions, le respect des
performances RF et la résistance mécanique. Par le biais de simulations électromagnétiques et
par une modélisation de la rupture interfaciale du scellement, nous avons abouti à une solution
« optimale ». Cette solution de mise en boîtier a été caractérisée en déterminant les pertes
rapportées par le packaging. Aussi, les résultats montrent que l’atténuation générée par le
packaging (Boîtier micro-usiné en Foturan et scellement polymère BCB) est très faible, moins
de 0.05 dB de pertes à 10 GHz. Cette solution repose sur un procédé de fabrication simple qui
n’affecte pas les performances RF mais qui ne permet qu’une quasi-herméticité.

De ce travail, deux axes devront être améliorés. Le premier concerne la mutation de la

solution de mise en boîtier retenue pour satisfaire les exigences industrielles. En effet, le
report unitaire n’est souhaitable que pour des pré-séries mais dans un objectif de production
de masse nous devrons réaliser les anneaux de scellement par photolithographie du BCB, dans
le but de réaliser le report collectivement. L’acquisition récente au laboratoire d’une machine
d’assemblage dite wafer bonder, permettant l’alignement, le report, le contrôle de l’ambiance
interne et la soudure dans une seule et même enceinte, permettra de démarrer cette
technologie de packaging.
Le deuxième axe concerne la poursuite des travaux menés dans la réalisation d’une
plateforme de conception globale, en élaborant une bibliothèque de modèles
comportementaux des micro-commutateurs. De plus, un verrou notable consistera à
développer une méthodologie de conception en environnement incertain. En effet, la
conception devra être robuste vis-à-vis des incertitudes relatives notamment aux dimensions
des Mems (dispersions), aux contraintes résiduelles, voire sur les propriétés des matériaux
utilisés (constante diélectrique, module de Young, coefficient de poisson, CTE etc…).

189
PUBLICATIONS

191
Publications

MANIFESTATIONS INTERNATIONALLES AVEC PROCEEDINGS A

COMITE DE LECTURE
[1] D. Peyrou, P. Pons, A.Nicolas, J.W. Tao, H. Granier, R. Plana « Foturan cap and
BCB Sealing-ring for RF MEMS packaging applications », IEEE European
Microwave Integrated Circuits 2006, Manchester (UK), 10-15 september 2006, 4p
[2] D. Peyrou, H. Achkar, M. Saadaoui, P. Pons and R. Plana « Finite element
simulation to predict the deformation of quasi free edge membranes », 17th
Workshop on Micromachining, Micromechanics and Microsystems, Micro-
Mechanics-Europe (MME), Southampton (United Kingdom), 3-5 September
2006, 4p
[3] F. Flourens, D. Peyrou, K. Yacine, S. Melle, K. Grenier, D. Dubuc, A.
Boukabache, P.Pons and R. Plana « Reliability investigation on a fully suspended
redundancy ring », 5th IEEE 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic
Integrated Circuits in RF Systems, Atlanta (USA), 8-10 September 2004, pp.163-
166
[4] K. Yacine, F. Flourens, M. Olszacki, D. Peyrou, L. Salvagnac, P.F. Calmon,
P.Pons and R. Plana « Biaxial initial stress state characterization of evaporated
gold on sacrificial photoresist » EUROSENSORS XIX, Barcelone (Espagne), 11-
14 September 2005, Vol.II, WPa36p.
CONFERENCES INTERNATIONALLES AVEC PROCEEDINGS A
COMITE DE LECTURE
[5] D. Peyrou, P. Pons and R. Plana « Surface roughness influences on the
capacitance of microswitches », Conference COMSOL 2006, Paris (France), 7
november 2006, 4p
[6] D. Peyrou, P. Pons and R. Plana « Capacitance simulation between rough
surfaces of electrostatically actuated cantilever beam structures by reverse
engineering method », 27-30 June 2006 MEMSWAVE Workshop, Orvieto (Italy),
4p
[7] D. Peyrou, P. Pons, H. Granier, D. Leray, A. Ferrand, K. Yacine, M. Saadaoui,
A.Nicolas, J.W. Tao and R. Plana « Multiphysics Softwares Benchmark on Ansys
/ Comsol Applied For RF MEMS Switches Packaging Simulations » , Conference
IEEE Eurosime 2006, Côme (Italy), 24-26 April 2006, pp 494-501
[8] D. Peyrou, P. Pons, R. Plana, A. Nicolas and J.W. Tao « Bonding process
simulations for RF MEMS switches packaging », Conference FEMLAB 2005,
Paris (France), 15 November 2005, 3p
[9] D. Peyrou, P. Pons, A.Nicolas, J.W. Tao, H. Granier and R. Plana « Foturan
micromachined packages for RF MEMS switches », 23-24 June 2005
MEMSWAVE Workshop, Lausanne (Swiss), 4p

192
Publications

[10] K. Yacine, F. Flourens, D. Bourrier, L. Salvagnac, P.F. Calmon, X. Lafontan,

Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, P.Pons and R. Plana « Biaxial initial stress
characterization of bilayer gold RF-switches », Analysis (ESREF'2005), Arcachon
(France), 10-14 October 2005
[11] K. Yacine, F. Flourens, X. Lafontan, Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou,
P.Pons and R. Plana « Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RF-
switches » 23-24 June 2005 MEMSWAVE Workshop, Lausanne (Suisse), , 4p.
REVUES AVEC COMITE DE LECTURE
[12] K. Yacine, F. Flourens, D. Bourrier, L. Salvagnac, P.F. Calmon, X. Lafontan,
Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, P.Pons and R. Plana « Biaxial initial stress
characterization of bilayer gold RF-switches », Microelectronics Reliability,
Vol.45, N°9-11, pp.1776-1781, September-November 2005
[13] M Saadaoui, D Peyrou, P Pons, R Plana, L Bary, P Dubreuil, D Bourrier,
« Design of Experiment Simulation Response for Predicting Deformation of Quasi
Free edge Membrane », J. Micromech. Microeng, En cours de soumission
MANIFESTATIONS NATIONALES
[14] A. Cazarre, D. Peyrou, P. Pons, R. Plana, G. Ardila, C. Rossi, W. Habra, P.
Tounsi « Introduction à la modélisation Multi Physique en Master 2
(Environnement COMSOL MULTIPHYSICS) », Coordination Nationale pour la
Formation en Micro-nanoélectronique (CNFM) Atelier Inter universitaire de
Microélectronique, 22-24 novembre 2006, Saint-Malo (France)
SEMINAIRES NATIONAUX
[15] D. Peyrou, D. Prost « Simulations multiphysiques – Packaging de MEMS RF »,
Séminaire ANSYS - Capteurs et Eléments Finis, 11 octobre 2005, Cril
Technology Toulouse (France)
[16] D. Peyrou « Simulation de la capacité d’un micro-commutateur RF par ingénierie
inverse », Séminaire COMSOL – Modélisation Multiphysique, 19 mai 2006,
LAAS-CNRS (Toulouse)

193
ANNEXES

195
Annexe A : Propriétés des matériaux

ANNEXE A : PROPRIETES DES MATERIAUX

Dans cette section, nous allons définir les propriétés des matériaux jugées importantes pour la
conception du packaging.

A.1. Propriétés électriques

Conductivité σ: Pouvoir de conduction électrique d’un matériau
• Conducteurs utilisés pour :
L’alimentation et l’interconnexion (câblage, bumps,…)
La fixation (colles conductrices, bumps,…)
La protection (underfill,..)
La dissipation thermique (bumps, vias,…)
Exemples : Cu : 59.6 106 S/m Al : 37.7 106 S/m Au : 45.2 106 S/m

• Isolants utilisés pour :

La fixation (colles isolantes,…)
La protection (encapsulant, underfill,…)

Permittivité ε : Pouvoir de polarisation sous l’effet d’un champ électrique

Exemples : εr Air : 1 Téflon : 2.1 Verre : 5

Tangente de perte Tan δ : Pouvoir de dissipation l’énergie électrique

• Tan δ = 0 toute l’énergie est dissipée
• Tan δ ≈ ∞ toute l ’énergie est stockée
Exemples : Nitrure de Bore 0.0005-0.0017 (@ 8.8 Ghz) AlN 0.001 (@ 1Mhz)

A.2. Propriétés thermiques

Conductivité thermique : Pouvoir de conduction thermique d’un matériau (En général va de
pair avec la conductivité électrique)
Exemples : Cu : 401 W/(m.K) Al : 237 W/(m.K) Au : 317 W/(m.K)

Température de transition vitreuse Tg : Modification des propriétés mécaniques

Exemples : PMMA : 100°C PBMA : 27°C Silice 1200°C

Coefficient Thermique d’Expansion : Pouvoir de dilatation ou de contraction

• But : les plus homogènes possibles pour éviter les contraintes d’origines thermiques
Exemples : Cu : 16.5 10-6/K Al : 24 10-6/K Au : 14.2 10-6/K

A.3. Propriétés mécaniques

Rhéologie – loi de comportement :
Les propriétés élastiques d’un matériau sont décrites par une relation constitutive liant
déformations et contraintes. Une approximation très largement utilisée est celle de la réponse
linéaire, introduite par Hooke. Valable dans la limite des faibles déformations, et pour les
matériaux isotropes, cette approximation suppose la proportionnalité entre contrainte et

197
Annexe A : Propriétés des matériaux

déformation. Cette proportionnalité introduit deux constantes caractéristiques du matériau : le

module de Young E ainsi que le coefficient de poisson ν.

Module de young E :
En 1678, Robert Hooke (1635-1703) montra que dans le domaine élastique linéaire :
L’allongement d’une structure dans une direction donnée est proportionnel à l’effort appliqué
dans cette direction, et ceci pour plusieurs matériaux (Figure A. 1).

σ Elasticité linéaire

Δf
E
G

Section S
ε
σ = Eε
Figure A. 1. Formulation de la loi de HOOKE
F
Avec σ = contrainte de traction dans le matériau (N.m-2=Pa, généralement MPa)
S
Δl
ε= Allongement relatif ou déformation (sans dimension)
lo
E= module de Young ou module d’élasticité longitudinal (MPa)

Coefficient de poisson : Contraction – élargissement

Lorsque l’on exerce une traction ou une compression (Figure A. 2), on constate que la largeur
de la pièce varie également, à l’inverse de l’allongement. La variation relative de dimension
est proportionnelle à l’allongement relatif ε, le coefficient de proportionnalité s’appelle le
coefficient de poisson12 ou rapport de poisson (Poisson’s ratio). On le note ν (sans
dimension).

Pour un cylindre :
Δr Δl
= − ν = − νε
ro lo

Pour un parallélépipède rectangle :

Δa Δl
= − ν = − νε
ao lo
Δb Δl
= − ν = − νε
bo lo
Figure A. 2. Description de la déformation transversale -coefficient de poisson

12
Denis Poisson, mathématicien Français (1781 - 1840), auteur de travaux sur la physique mathématique et la
mécanique

198
Annexe A : Propriétés des matériaux

Pour plus de détail sur la mécanique des milieux déformables nous vous invitons à lire les
annexes D et E.

Thixotropie :
Le comportement des fluides non newtoniens dépend souvent du temps car les modifications
de structures microscopiques ne sont pas instantanées.
On a ainsi des manifestations diverses de ces phénomènes dans les tracés de rhéogrammes
(Figure A. 3).
•
Le tracé du rhéogramme, τ =f( E ) contraintes de cisaillement en fonction de la vitesse de
•
cisaillement, s’obtient en faisant croître puis décroître régulièrement E , afin de revenir à la
valeur initiale .On réalise ce qu’on appelle une « charge » puis une « décharge ».
Si on applique des valeurs de vitesse de cisaillement assez fortes pendant assez longtemps, on
obtient le diagramme suivant : la structure a été modifiée durablement lors de la charge et le
comportement du produit est affecté (rhéogramme de décharge différent, liquide globalement
moins visqueux)

Figure A. 3. Rhéogramme d'un fluide newtonien

Pour certains corps, si après ce cycle de charge et décharge, on laisse au repos pendant un
temps assez long, la structure se réorganise et si on recommence une charge, on obtient le
premier rhéogramme à nouveau.
Ainsi, sur les expériences suivantes (Figure A. 4), on voit que si le temps de repos est
supérieur ou égal à t3 on a retrouvé le comportement rhéologique du produit avant toute
charge.

Figure A. 4. Rhéogramme d'un fluide thixotrope

On dit alors que le fluide est thixotrope.
Définitions :

199
Annexe A : Propriétés des matériaux

Un fluide est thixotrope si, sa viscosité, à vitesse de cisaillement constante, diminue au cours
du temps à condition que ce phénomène soit réversible.
Le comportement thixotrope concerne les corps fluidifiants et les corps plastiques (plus
rarement les épaississants).

Cette propriété est importante dans le cas de scellement de capot par des polymères car
suivant le degré de thixotropie du polymère en aura plus ou moins de facilité à « mouiller » la
base du capot pour une compression donnée.

Rupture :

C’est à Griffith que l’on doit en 1920 l’approche énergétique de la mécanique de la rupture.
Dans un milieu solide élastique linéaire (avec la limite élastique conventionnelle Re à 0,2 %
égale à la résistance à la rupture Rr ), contenant une fissure de surface A et soumis à un champ
de forces Fe , la progression de la fissure est stable tant que l’énergie libérée par l’extension
de cette fissure est absorbée par la création de nouvelles surfaces.

Si nous supposons que les forces extérieures F e dérivent d’un potentiel V , un accroissement
virtuel dA d’aire fissurée libère une énergie G dA telle que :

dP = – G dA
et
P =W +V =W –Te
avec P énergie potentielle totale de la structure fissurée

W énergie de déformation élastique

Te travail des forces extérieures

paramètre qui peut s’exprimer en J/m2 ou en N/m, correspondant à une énergie

G
libérée par unité de surface, parfois appelée force d’extension de la fissure.

Il existe un seuil critique G c au-delà duquel une extension de la fissure libère plus d’énergie
qu’elle n’en absorbe, et la fissure est instable pour G tel que :

G dA > G c dA

Gc est l’énergie surfacique critique nécessaire à la propagation d’une fissure, il s’agit d’une
propriété intrinsèque du matériau.

Le terme EG c apparaît très souvent en mécanique de la rupture, on le note Kc. Il s’agit du

facteur d’intensité critique de contrainte aussi appelé ténacité du matériau, il permet de
chiffrer l’aptitude du matériau à la résistance à la propagation des fissures, et est considérée
comme une caractéristique intrinsèque du matériau dans un état bien défini (température,
traitement thermique donné, mode de rupture).Kc s’exprime en MPa m (unité pratiquée
couramment) et d’une manière générale, Kc diminue quand la limite élastique Re augmente.

200
Annexe A : Propriétés des matériaux

En ne considérant que les fissures planes se propageant dans leur propre plan, on montre que
l’état le plus général de propagation se ramène à la superposition de trois modes (Figure A.
5) :

Mode I Mode II Mode III

Figure A. 5. Définition des modes de rupture

mode I (mode par ouverture) : les surfaces de la fissure se déplacent dans des
directions opposées et perpendiculairement au plan de fissure ;
mode II (glissement de translation) : les surfaces de la fissure se déplacent dans
le même plan et dans une direction perpendiculaire au front de fissure ;
mode III (glissement de rotation) : les surfaces de la fissure se déplacent dans
le même plan et dans une direction parallèle au front de la fissure.

La rupture plate correspond au mode I; la rupture inclinée aux modes II et III, la rupture de
mode I étant la plus dangereuse. De plus, les problèmes rencontrés sont généralement des
problèmes d’élasticité plane et de ce fait le mode III est nul.

Ainsi, on introduit le paramètre ψ défini comme la phase dans le plan (KI, KII),
mesurée dans l’intervalle [-π , π]. Il est appelé paramètre de mixité modale et mesure
l’importance relative des modes I et II à la pointe de la fissure (Figure A. 6). La fracture dans
un milieu homogène correspondrait à KII = 0, i.e.ψ = 0.

Figure A. 6. Paramètre de mixité modale, ψ, définissant l'importance respectives des modes I et II à la

pointe de la fissure. Il est défini comme la phase dans le plan (KI,KII) mesurée dans l'intervalle [−π , π]

201
Annexe A : Propriétés des matériaux

Ainsi, on peut exprimer le tenseur des contraintes à la pointe de la fissure (fonction d’Airy) :

KI ⎛ θ 3θ ⎞ K II ⎛ θ 3θ ⎞
σ rr = ⎜ 5 cos − cos ⎟ + ⎜ − 5 sin + 3 sin ⎟
4 2π r ⎝ 2 2 ⎠ 4 2π r ⎝ 2 2 ⎠
KI ⎛ θ 3θ ⎞ K II ⎛ θ 3θ ⎞
σ θθ = ⎜ 3 cos + cos ⎟ + ⎜ − 3 sin − 3 sin ⎟
4 2π r ⎝ 2 2 ⎠ 4 2π r ⎝ 2 2 ⎠
KI ⎛ θ 3θ ⎞ K II ⎛ θ 3θ ⎞
σ rθ = ⎜ sin + sin ⎟+ ⎜ cos + 3 cos ⎟
4 2π r ⎝ 2 2 ⎠ 4 2π r ⎝ 2 2 ⎠

Figure A. 7. Modélisation et tenseur des contraintes de la fissure en contraintes planes

Pour estimer la contrainte à la pointe de la fissure ou dans une zone de forte singularité
géométrique (par ex : au niveau des encastrements donnés par gravure RIE ou KOH), il est
nécessaire de connaître les facteurs d’intensité critique KI et KII correspond au mode I et II
(Figure A. 7 et Figure A. 8 d’après [I.28]). Ainsi on pourra par comparaison avec une
contrainte de rupture critique, savoir si la rupture est prévisible et également si il s’agit d’une
rupture ductile ou fragile.

Figure A. 8. Courbe expérimentale de Gc pour un matériau bi-couche verre/epoxy [I.28]]

Nous vous conseillons de voir l’annexe F pour plus de détail sur la théorie de la rupture.

202
Annexe A : Propriétés des matériaux

A.4. Propriétés physico-chimique

Tension de surface : Energie de cohésion de la surface (J/m² ou encore dynes/cm ou mN/m)
Les interactions dans le volume entre les molécules d’un corps pur sont équilibrées par des
forces uniformément réparties: les forces de cohésion. Les interactions à la surface entre les
molécules d’un corps pur ne sont pas équilibrées (Figure A. 9). Il existe une « énergie libre »
appelée tension de surface.
surface

Volume

Figure A. 9. Tension de surface

Adhésion : Pouvoir de solidarisation physico-chimique de deux matériaux

Mouillage : Aptitude qu'a un liquide à occuper la plus grande surface d'un solide.
Plus l'énergie de surface d'un matériau est élevée, plus l'angle θ est petit (tend vers 0), plus la
surface de contact est grande et meilleure sera l'adhésion : F liquide
• F liquide cosθ + F liquide-solide = F solide θ
Liquide
• θ = 0° mouillabilité parfaite
• θ = 180° « imperméabilité parfaite »
F solide F liquide-solide
Les contaminations ont beaucoup d’influence sur le mouillage.

Potentiel d’oxydo-réduction : capacité à céder ou capter des électrons

• Création de « piles » ex : soudure filaire Al/Au

Herméticité – étanchéité :
Un matériau est dit hermétique lorsque le coefficient de diffusion de l’Hélium y est inférieur à
10-8 cm3.s-1 (=10-11.l.s-1).

Le graphe de la Figure A. 10
représente le temps nécessaire
pour que 50% de l’humidité
extérieure pénètre a travers le
matériau [I.29].

Figure A. 10. Perméabilité à l'eau

suivant les matériaux [I.29]

203
Annexe A : Propriétés des matériaux

Exemples de matériaux
Le Tableau A. 1et le Tableau A. 2 donnent les principales propriétés mécaniques et
électriques des matériaux couramment utilisés en microtechnologie.

Transition
Module Limite Conductivité Résistivité Coefficient
Densité vitreuse CTE
d’Young élastique thermique électrique de Poisson
Matériaux (g/cm3)
(GPa) (MPa)
Tg
o
-6
(10 /K)
(W/mK) (Ω-cm) (v)
( C)
Métaux – Semiconducteurs - Céramiques
Si 2.4 120-131 120 1430 2.8 124-150 1E4 0.3
Ge 5.3 130 — 958 6.1 64 50 —
Si3N4 — 325 — — 2.9 — — 0.24
Al 2.8 70 83 660 24 210 2.7 0.24
Au 19.3 62.5 130 1064 14.2 293-311 2.2 —
Au + 2%Si 14.5 69.5 500-600 — 50 50 310 —
Cu 8.96 117-125 250-450 1083 16.5 395 1.7 0.3
Cu-W 17 255 — — 6.5 180-200 <6 —
Cuivre
8.8 113 490-590 — 17 160 5.7 —
AlliageMF 202
Ni — 200 — — 13 — — 0.3
Kovar 8.4 138 627 — 5.3 17.5 49 —
Alliage 42 8.1 145 588-735 1425 4.3-4.5 15.7-15.9 57 —
TAMAC5 8.9 120 527-562 — 16.7 138 4.9 —
CDA 194 8.8 121 480-519 — 16.3 263 2.6 —
OLIN 7025 8.8 131 527 — 17.1 166 4.3 —
EFTEC 64T 8.9 119 560 — 17 300 2.3 —
Verre fillé
4.5 — >10 — 8 270 10 —
argent
Alumine 3.6-3.7 390 157 2050 6.7 18-22 — 0.25
Nitrure
3.3 — — 2000 4.6 170 — —
d’aluminium
Verre 4.7 5.7 — — 6.3-7.0 0.6 — —
o
49.3(-55 C)
26.5(0oC)
Eutectique PbSn 8.4 12.5(50oC) 20 183 24 50 — 0.35
2.9(100oC)
2.2(125oC)

Tableau A. 1. Principaux matériaux rencontrés en microtechnologies

204
Annexe A : Propriétés des matériaux

Transition
Module Limite Conductivité Résistivité Coefficient
Densité vitreuse CTE
d’Young élastique thermique électrique de Poisson
Matériaux (g/cm3)
(GPa) (MPa)
Tg (10-6/K)
(W/mK) (Ω-cm) (v)
(oC)
Organiques
Composant de E1=11.7 α1<=23
1.88 120-220 165 0.58-0.73 — —
moulage E2=0.1 α2<=80
Silicone 1.2 — 4 220 230 0.26 — —
α1=19
Encapsulant — 6-10 — — 0.52 — 0.35
α2=70
α1=40-80
Adhésif argenté 2.5-3.5 0.3-2 — 25-100 α2=150- 2.5 100 —
200
10.5(210oC) 22.0 0.3
Underfill — 10(340oC) — — 24.0 — — 0.3
8(400oC) 0.35
Laminate 12-16(x,y)
— 12-18 225-330 195 — — 0.28
Substrate 72-85(z)
α1=60
Brasure — 3 60 175 0.2 — —
α2=160
23(230oC) 17.0(35.0) 0.25
FR-4 — 20(340oC) — — 19.0(45.0) — — 0.25
12(400oC) 0.35
25(230oC) 10.0(25.0) 0.25
FR-5 — 21(340oC) — — 11.0(35.0) — — 0.25
13(400oC) 0.35

Tableau A. 2. Principaux matériaux rencontrés en microtechnologies

Références
ELECTRONIC PACKAGING DESIGN MATERIALS PROCESS AND RELIABILITY
o LAU J,WONG C,PRINCE J,NAKAYAMA W
o MC GRAW HILL 1998

FUNDAMENTALS OF MICROSYSTEMS PACKAGING

o TUMMALA R R
o MC GRAW HILL 2001

HANDBOOK OF SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING TECHNOLOGY :

SCIENCE TECHNOLOGY AND APPLICATIONS
o KERN W
o NOYES PUBLICATIONS 1993
L’ASSEMBLAGE PAR COLLAGE (cahiers sectoriels 1 et2)
o CRIF/CREACOL
o MINISTERE DE LA RECHERCHE DE LA REGION WALLONE

TRAITEMENTS DE SURFACE ET ADHERENCE

o CREACOL/TECHNACOL

205
Annexe B : Propriétés des alliages eutectiques

ANNEXE B PROPRIETES DES ALLIAGES EUTECTIQUES

Coefficient de
Température

d’expansion
conductivité

cisaillement

Elongation
Coefficient

Module de

Module de
Eutectique

Résistivité

thermique

thermique
électrique

élastique

Young E
Composition des alliages

Densité

Dureté
Brinell
Limite
Transition
Liquide -
eutectique
Solide (% massique) W/cm µm/m par
gm/cm3 µΩ.cm °C °C PSI PSI PSI %
°C @ 85°C @ 20 °C X1e6
10,7 63 Ga 22 In 16 Sn 6,5
15,7 76 Ga 25 In 6,35
47 45 Bi 23 Pb 19 In 8,3 Sn 5,3 Cd 9,16 38,22 0,15 25 5400 37.5 16.5
58 49 Bi 21 In 18 Pb 12 Sn 9,01 70,78 0,1 23 6300 20 16.5
60 51 In 33 Bi 17 Sn 7,88 52,12 22 4850 11
61,5 62 In 31 Bi 7,5 Cd 8,02
70 50 Bi 27 Pb 13 Sn 10 Cd 9,58 43 0,18 22 5990 300 120 14.5
72 66 In 34 Bi 7,99
77,5 49 Bi 42 In 10 Cd 8,49
79 57 Bi 26 In 17 Sn 8,54
81 54 Bi 30 In 16 Sn 8,47
92 52 Bi 40 Pb 8,2 Cd 10,25
93 44 In 42 Sn 14 Cd 7,46 0,36 24 2632 4.8
95 53 Bi 32 Pb 16 Sn 9,71
96 52 Bi 30 Pb 18 Sn 9,6 74,78 0,13 5200 100 15.5
96 46 Bi 34 Sn 20 Pb 8,99
100 50 Bi 28 Pb 22 Sn 9,44
108 52 In 46 Sn 1,8 Zn 7,27
109 67 Bi 33 In 8,81
118 52 In 48 Sn 7,3 14,7 0,34 20 1720 1630 83 4.5
123 74 In 26 Cd 7,62

206
Annexe B : Propriétés des alliages eutectiques

124 56 Bi 45 Pb 10,44 43 0,04 6400 37,5 15

135 57 Bi 42 Sn 1 Pb 8,58
138,3 58 Bi 42 Sn 8,56 38,22 0,19 15 8000 500 55 23
143,3 97 In 3 Ag 7,38 7,48 0,73 22 800 2
144 60 Bi 40 Cd 9,31
145 51 Sn 31 Pb 18 Cd 8,45 0,35 24 6263
177 68 Sn 32 Cd 7,68
179 63 Sn 36 Pb 1,4 Ag 8,41 14,45 0,5 27 7000 7540
183 63 Sn 37 Pb 8,4 14,96 0,5 25 7500 6200 4,35 37 17
199 91 Sn 9 Zn 7,27 11,47 0,61 7940 32,5 21.5
217 90 Sn 10 Au 7,78 7280 1,1
217 96 Sn 3,8 Ag 0,7 Cu 7,4
217 96 Sn 3,9 Ag 0,6 Cu 7,4
221 97 Sn 3,5 Ag 7,36 10,75 0,33 30 5620 73 40
227 99 Sn 1 Cu 7,31
227 99 Sn 0,7 Cu 7,31
266 83 Cd 17 Zn 8,35
280 80 Au 20 Sn 14,51 0,57 16 40000 40000 8,57 2
303 98 Pb 2,5 Ag 11,33 20 4400 2900 42
309 98 Pb 1,5 Ag 1 Sn 11,28 28,67 0,23 30 4420 23 9,5
313 91 Pb 4 Sn 4 Ag 1 In 11,05
356 88 Au 12 Ge 14,67 0,44 13 26835 26825 10,6
363 97 Au 3,2 Si 15,4 0,27 12 36975 31900 12
382 95 Zn 5 Al 6,6
424 55 Ge 45 Al 3,71
525 45 Ag 38 Au 17 Ge 10,58
577 88 Al 12 Si 2,66
780 72 Ag 28 Cu 10,01
890 80 Au 20 Cu 15,67
950 82 Au 18 Ni 15,92
217 96 Sn 4 Ag 0,5 Cu 7,4

207
Annexe C : Propriétés du Foturan

ANNEXE C : PROPRIETES DU FOTURAN

Mechanical Properties Glass Glass ceramic (brown)

Young's modulus [10³ N/mm²] 78 88
Poisson's ratio 0,22 0,19
Knopp hardness [N/mm²] 4600 5200
Modulus of rapture [N/mm²] 60 150
Density [g/cm³] 2,37 2,41

Thermal properties Glass Glass ceramic (brown)

-6
Thermal expansion a20-300[10 /K] 8,6 10,5
o
Thermal conductivity 20 C [W/mK] 1,35 2,73
o
Specific heat 25 C [J/gK] 0,88 0,92
o
Transformation temperature [ C] 465 -
o
Max. safe processing temperature [ C] 450 750

Electrical properties Glass Glass ceramic (brown)

o 12
Electrical conductivity 25 C [Ohm*cm] 8,1*10 5,6*1016
Electrical conductivity 200oC [Ohm*cm] 1,3*107 4,3*107
Dielectric constant 1 MHz, 20oC 6,5 5,7
o -4
Loss factor tan d 1 MHz, 20 C [*10 ] 65 25

Chemical properties Glass Glass ceramic (brown)

Water resistance DIN/ISO 719 [(µg) Na2O/g] 468 1300
Acid resistance DIN 12116 [mg/dm²] 0,4 0,9
Alkali resistance DIN/ISO 695 [mg/dm²] 96 250

Tableau A. 3 Principales propriétés physiques du Foturan

208
Annexe D : Introduction à la mécanique des milieux déformables

ANNEXE D : INTRODUCTION A LA MECANIQUE

DES MILIEUX DEFORMABLES
L’objectif des deux annexes suivantes est d’initier le lecteur à la mécanique des milieux
déformables en se limitant aux matériaux élastiques, linéaires, homogènes et isotropes. Cette
annexe d’introduction ainsi que l’annexe E permettent d’introduire la notion de comportement
des matériaux et des sollicitations simples dans le cas des poutres. Une présentation de la
théorie de l’élasticité générale en 3D sera proposée avec l’introduction de la notation
tensorielle. Cette synthèse est largement inspirée des cours du Professeur Luc Chevalier de
l’Ecole Normale Supérieure de Cachan.

B.1. Préliminaires : Comportement et structure des matériaux

B.1.1. Liaisons et structures atomiques

Atomes et liaisons atomiques
L’atome est constitué de particules élémentaires (nucléons et électrons) qui obéissent aux lois
de la mécanique quantique. Le classement des éléments chimiques (atomes) du Tableau
Périodique se fait par remplissage successif des orbitales. Les propriétés chimiques des
éléments ne sont fonction que de leurs électrons périphériques (l’électron de valence
appartenant à la plus grande orbitale). Les liaisons chimiques entre atomes sont
essentiellement électrostatiques. C’est la nature des liaisons qui détermine en grande partie les
propriétés des phases condensées (liquides ou solides) et la classification des matériaux peut
se faire d’après leur type de liaisons.

Structure et organisation des solides

L’état physique d’une substance (solide, liquide ou gaz) est déterminé par la balance entre son
énergie de cohésion qui rapproche les atomes et son énergie thermique qui tend à les séparer.
L’énergie thermique est proportionnelle à la température, tandis que l’énergie de cohésion est
en première approximation indépendante de celle-ci. Cette situation explique la transition des
états de la matière avec la température. L’arrangement des atomes dans un solide peut prendre
un caractère ordonné ou désordonné et conduire à deux types de structures :
• La structure amorphe, peu ordonnée et qui est analogue à celle des liquides. On y
rencontre, à courte distance (quelques diamètres atomiques), une certaine périodicité
de la distribution des atomes. Cette structure amorphe se rencontre dans certaines
céramiques (verres minéraux) et dans un grand nombre de polymères organiques
(verres organiques, caoutchouc).
• La structure cristalline caractérisée par une distribution périodique d’atomes ordonnés
à grande distance. L’ensemble des matériaux métalliques, une partie importante des
céramiques et un certain nombre de polymères organiques, se présentent sous la forme
d’un assemblage de microcristaux (grains).

209
Annexe D : Introduction à la mécanique des milieux déformables

B.2. Elasticité des matériaux

B.2.1. Module d’élasticité

Toute force appliquée à un matériau se traduit par une déformation qui entraîne un
changement de la position des atomes. Les arrangements se trouvent à l’équilibre lorsque les
noyaux atomiques sont distants d’une certaine valeur ro. Sous l’effet d’efforts extérieurs les
atomes se rapprochent ou s’éloignent engendrant ainsi une force d’attraction dont l’allure est
donnée ci-dessous. Cette force de rétraction tend à restituer à l’échantillon sa forme originale.
La force est pratiquement proportionnelle à la distance r- ro pour tous les matériaux, tant en
traction qu’en compression. La raideur de la liaison est constante aux petites déformations et
se trouve à l’origine de la définition du module d’élasticité E que l’on rencontrera plus loin.
C’est le cadre de l’élasticité linéaire.

F
Raideur au voisinage
de l’équilibre, pente
de la courbe
F maxi
Attraction
0

Répulsion

rD
ro Rayon de dislocation

A l’aide de calculs simples on peut estimer la résistance théorique maximale des matériaux
(σthéorique=E/8). La théorie et l’expérience aboutissent dans un grand nombre de cas à un
divorce qui est lié, comme nous le verrons par la suite, à l’existence de défauts et en
particulier de dislocations, dans la structure cristalline des matériaux.

B.2.2. Défauts dans les cristaux : Limite élastique

Le cristal réel comporte un nombre élevé de défauts dont les dimensions caractéristiques
minimales sont en général de l’ordre de grandeur d’un diamètre atomique. Ces défauts
peuvent être ponctuels comme des lacunes ou les atomes étrangers, linéaires comme des
dislocations, bi-dimensionnels comme les joints de grains ou les défauts d’empilement.

210
Annexe D : Introduction à la mécanique des milieux déformables

Figure A. 11. Représentation d’une dislocation dans un cristal

La dislocation (Figure A. 11) est le seul type de défaut linéaire. C’est le déplacement des
dislocations, appelé glissement, qui est à la base de la déformation plastique des métaux et de
leurs alliages. Lors du passage d’une dislocation dans un cristal, il y a peu d’atomes impliqués
et peu de liaisons rompues simultanément. Grâce à une grande densité de dislocations et à leur
facilité de déplacement, une déformation macroscopique importante peut être obtenue en peu
de temps dans les matériaux métalliques par des procédés de formage à basse température.
Les autres types de matériaux (céramiques, polymères organiques) qui ont des dislocations
peu nombreuses et peu mobiles ont un comportement élastique fragile. Nous verrons plus en
détails dans le dernier chapitre, une introduction à la plasticité et la rupture.

211
Annexe E : Théorie des poutres

ANNEXE E : THEORIE DES POUTRES

Préambule :
Cette synthèse provient de mes cours dispensés en Master 2 Professionnel AISEM,
« La mécanique pour les microsystèmes »

Définition des poutres :

Un milieu (Ω) est une poutre si:

il existe une ligne moyenne, continue, passant par les barycentres des sections du solide
la longueur L est au moins 4 à 5 fois supérieure au diamètre D
il n’y a pas de brusque variation de section (trous, épaulements)
le solide admet un seul et même plan de symétrie pour les charges et la géométrie

Plan de symétrie de la D
poutre
d
Section
Ligne
droite
moyenne
x x x Lm
A G B

Figure A. 12. Définition d’une poutre

Figure A. 13. Exemples de sections de poutres

Hypothèses sur les matériaux

Les matériaux doivent être :

1. Continus :

Mat. 1 Mat. 2

Il ne doit pas y avoir de discontinuité

212
Annexe E : Théorie des poutres

2. Homogènes : Taille de la microstructure<< taille de la macrostructure ainsi

∀ M point du matériau, les propriétés mécaniques sont identiques ( ρ (M) = ρ , E, G,ν ...)
Pb: Il faut regarder de plus
OK près => Effet quantique

Au facteur d’échelle : MEMS OK NEMS à voir !!!

3. Isotrope: Même comportement dans toutes les directions (il n’existe pas de directions
privilégiées)
Exemple: Cube acier
Les matériaux composites (bois, stratifiés, bicouche SiO2/SiNx) ne sont pas isotropes
mais il faut alors résoudre le problème en utilisant les lois dans les directions d’études.
4. Elastique linéaire (Petites déformations)
En effet, dans le domaine des petites déformations, l’énergie interatomique est une
fonction parabolique de la distance r interatomique et donc le déplacement est
proportionnel à l’effort appliqué (Figure A. 14).

F F=kX
Pourquoi?
W(potentiel d’énergie interatomique)

W (r ) = wo + k (r − ro) 2
X=L-Lo ∂W
F= = 2k (r − ro) Linéaire
∂r
Figure A. 14. Comportement élastique linéaire pour les petites déformations

Hypothèses sur les déplacements

o Les sections droites (S) sont supposées indéformables

o Hypothèses des petites déformations

Hypothèse de Bernoulli

Après déformations, les sections initialement planes et perpendiculaires à la ligne

moyenne restent planes et perpendiculaires à la ligne moyenne
Rq: Traction et flexion OK
Torsion : (S) circulaire OK
(S) carré NON (gauchissement)

213
Annexe E : Théorie des poutres

Sollicitations simples :

Type Commentaire Exemple

Allongement longitudinal, on tire de
Traction Câble de remorquage
chaque côté
Raccourcissement, on appui de
Compression Barreau de chaise
chaque côté
Rotation par glissement relatif de arbre de transmission
Torsion
sections droites d'un moteur
Ciseaux/ tectonique
Cisaillement Glissement relatif des sections
des plaques/ Collage
Fléchissement sans allongement des
Flexion simple Planche de plongeoir
fibres contenues dans le plan moyen
Fléchissement sans allongement des
Flexion pure Planche de skateboard
fibres contenues dans le plan moyen

F F
Lm
A B

L
F F W
Lm
A B

-M M
x Lm x
A α B
L

Traction – Compression - Torsion Cisaillement Flexion simple

Figure A. 15. Illustration de quelques sollicitations simples

214
Annexe E : Théorie des poutres

Loi de HOOKE

En 1678, Robert Hooke (1635-1703) montra que dans le domaine élastique linéaire :
L’allongement d’une structure dans une direction donnée est proportionnel à l’effort appliqué
dans cette direction, et ceci pour plusieurs matériaux

F F

lo E,S

F F
F F

ES
F=kX F= Δl = KΔl
lo

X=L-Lo X=L-Lo
E = Module d’Young
= Module d’élasticité longitudinal (« rigidité de la matière ») exprimé en N.m-2
(Généralement en MPa voire GPA)
ES Raideur de traction (N/m)
K=
lo

Figure A. 16. Illustration de la raideur d’une poutre

Formulation de la loi de HOOKE

σ Elasticité linéaire
Δf
G E

Section S
ε

σ = Eε
F
Avec σ = contrainte de traction dans le matériau (N.m-2=Pa, généralement MPa)
S
Δl
ε= Allongement relatif ou déformation (sans dimension)
lo

Contraction – élargissement : Coefficient de poisson

215
Annexe E : Théorie des poutres

Lorsque l’on exerce une traction ou une compression, on constate que la largeur de la pièce
varie également, à l’inverse de l’allongement. La variation relative de dimension est
proportionnelle à l’allongement relatif e, le coefficient de proportionnalité s’appelle le
coefficient de poisson13 ou rapport de poisson (Poisson’s ratio). On le note ν (sans
dimension).

Pour un cylindre :
Δr Δl
= − ν = − νε
ro lo

Pour un parallélépipède rectangle :

Δa Δl
= − ν = − νε
ao lo
Δb Δl
= − ν = − νε
bo lo

Figure A. 17. Loi de comportement : courbe contrainte - déformation

L’essai de traction permet, à lui seul, de définir les caractéristiques mécaniques courantes
des matériaux. Les résultats issus de cet essai, permettent de prévoir le comportement d’une
pièce sollicitée en Cisaillement, Traction / Compression et Flexion.

Principe de l’essai
L’essai est réalisé sur une machine de traction. On applique progressivement et lentement
(sans choc) à une éprouvette cylindrique de formes et de dimensions normalisées, un effort de
traction croissant.

13
Denis Poisson, mathématicien Français (1781 - 1840), auteur de travaux sur la physique mathématique et la
mécanique

216
Annexe E : Théorie des poutres

Eprouvette installée entre les

Machine de traction Eprouvettes
mors de machine de traction

Ainsi, grâce à l’essai de traction, on peut identifier la loi de comportement d’un matériau.
Cette loi de comportement, qui est décrite pour le cas général par la Figure A. 18 , permet de
fixer des limites de travail spécifiques à chaque matériau (élastique, plastique, écrouissage,
striction).

F
σ=
S D
Limite rupture Rr

E
Limite élastique Re
A B C
Rupture

σ = Eε Δl
ε=
O I II III IV lo
Elastique Parfaitement Zone Zone de striction
plastique écrouissage

Zone élastique Zone plastique

Figure A. 18. Courbe contrainte-déformation

Dans la partie suivante nous allons développer la notion de contrainte, non plus suivant une
direction privilégiée (essai uniaxial de traction par exemple) mais dans n’importe quelle
direction.

Afin de comprendre ce qui se passe au sein de la matière, faisons une coupure fictive (par la
pensée) de notre matériau (Figure A. 19) :

217
Annexe E : Théorie des poutres

+ Orientation de la poutre

y +
- m
x
z

Figure A. 19. Coupure fictive : Où se cache la contrainte ?

La cohésion de la matière est garantie par l’existence de contrainte interne qui permet
l’équilibre de la structure.

Si l’on reprend l’exemple de l’essai de traction, alors la contrainte se répartie uniformément

sur la section (Figure A. 20)

L’action de la partie + sur la partie –

- + Δf
peut être remplacée par une
contrainte de traction en tout point de
F F G F
la section : σ =
S
Section S
Rq : ∫ σ dS = F = effort de traction
S

Figure A. 20. Répartition des contraintes lors d'un essai de traction

De manière imagée, la contrainte peut s’interpréter par la présence fictive d’une infinité de
ressorts de rappel interatomique qui permettent la cohésion de la matière.

Figure A. 21. Interprétation imagée de la notion de contrainte

Dans le cas des poutres, on définit un torseur de cohésion qui généralise l’ensemble des
sollicitations possibles (traction/compression, flexion, torsion…).

Torseur de cohésion

218
Annexe E : Théorie des poutres

Définition : Le torseur de cohésion est le torseur modélisant les efforts intérieur issues de
l’action de la partie (+) sur la partie (-) (par convention) exprimé au point G, centre d’inertie
de la section.

{τ Coh }G = {τ + / − }G = −{τ −/ + }G

w
Fn F1

Cn Ty ⎧N Mt ⎫
⎪ ⎪
Mfz
Mfy
{τ Coh } = ⎨Ty M fy ⎬
- G
N + ⎪T
⎩ z M fz ⎪⎭
Mt x G
T
z
F2 C1

N : Effort Normal sur (G, x) M t : Moment de Torsion sur (G, x)

Ty : Effort Tranchant sur (G, y ) M fy : Moment de Flexion sur (G, y )
Tz : Effort Tranchant sur (G, z ) M fz : Moment de Flexion sur (G, z )

Figure A. 22}. Torseur de cohésion

Exemple : Flexion simple

Bilan des actions

F F
Modèle Yo mécaniques
y
- + Xo - +
O m A z x Mo m A
x x
L L
D’où le torseur de cohésion en m, centre s’inertie de la section :
r r
⎧ R = −F y ⎫
{τ Coh }m = {τ + / − }m = ⎨ r r r r r r r r⎬
⎩M (m) = M ( A) + mA ∧ R = 0 + ( L − x) x ∧ − F y = − F ( L − x) z ⎭

Dans ce qui précède, nous avons vu les bases de la théorie des poutres avec l’introduction du
torseur de cohésion qui rend compte des efforts mis en jeu au niveau d’une section
rigidifiante. Dans ce qui suit, nous allons généraliser au cas de l’élasticité classique en
introduisant le tenseur des contraintes qui nous renseigne sur les sollicitations en un point
subit par la matière et ce quelle que soit la direction.

219
Annexe E : Théorie des poutres

Tenseur des contraintes : Que se passe t’il localement au sein de la matière?

w y
Fn F1

Cn Ty
Mfy
M Mfz
N
G x
Tz Mt
F2 z
Base Orthonormée Directe
C1

Figure A. 23. Passage du modèle global (sur une section) à la description locale (un point)

Les faces i et -i sont les faces normales à ei , en partant du centre du cube, ei pointe vers i, la
face -i étant la face opposée.

Construction du tenseur des contraintes :

Dans un premier temps, nous ne considérons que les faces numérotées positivement.
r
Sur la face j s'exerce un vecteur-force F j qui a trois composantes :

⎛F ⎞
r ⎜ 1j ⎟
Fij étant la composante selon ei du vecteur-force s'exerçant sur la face j. F j = ⎜ F2 j ⎟
⎜F ⎟
⎝ 3j ⎠
La surface de chaque facette étant a², on peut définir neuf composantes σij homogènes à des
contraintes :
F
σ ij = ij2
a
On définit alors l’état de contrainte en un point par un tenseur:
⎛ σ11 σ12 σ13 ⎞ ⎛ σ11 σ12 σ13 ⎞
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
σ(M ) = ⎜ σ 21 σ 22 σ 23 ⎟ = ⎜ σ12 σ 22 σ 23 ⎟ car σ(M )est symmétrique
⎜σ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ 31 σ 32 σ 33 ⎠ ⎝ σ13 σ 23 σ 33 ⎠

On définit le vecteur contrainte T (M, n ) = σ(M )n . Ce vecteur caractérise la cohésion du

matériau, il dépend du point M, de la normale de la facette orientée et du temps.

220
Annexe E : Théorie des poutres

r r r r r
⎧T(M,e1) = σ11e1 +σ12e2 +σ13e3
⎪⎪ r r r r r
Ex : ⎨ T (M,e2 ) = σ e
12 1 +σ e
22 2 +σ e
23 3
⎪r r r r r
⎪⎩T(M,e3 ) = σ13e1 +σ23e2 +σ33e3

Ainsi, on peut tracer la surface enveloppe du champ des contraintes appliqué au point
M en calculant le vecteur contrainte pour toutes les directions de l’espace !

De façon à bien assimiler la notion de tenseur, voici une description tensorielle de la couleur
(métaphore) : Une couleur peut être obtenue par une infinité de combinaison de Bleu, Rouge
ou Jaune avec plus ou moins d’intensité. On peut alors obtenir une unique couleur qui sera un
point A de l’espace (O, B, R , J ) , voir Figure A. 24.

J Jaune Rq :
Si A ∈ (O, J ) alors on aura un jaune d' intensité # OA

Si A ∈ (O, B) alors on aura un bleu d' intensité # OA

A
etc....
Dans le cas général il s' agit des composantes du vecteur OA :
R OA • B # intensité du bleu
O
Rouge OA • R # intensité du rouge
OA • J # intensité du jaune
Bleu
B
Figure A. 24. Description imagée de la notion de tenseur

De la même façon, on définit un tenseur des déformations :

⎛ ε11 ε12 ε13 ⎞

⎜ ⎟ 1 ⎛ ∂u ∂u j ⎞⎟ 1 ⎛
= ⎜ grad u + grad u ⎞⎟
T
ε (M ) = ⎜ ε12 ε 22 ε 23 ⎟ tenseur symétrique avec ε ij = ⎜ i +
⎜ε 2 ⎜⎝ ∂x j ∂x i ⎟⎠ 2 ⎝ ⎠
⎝ 13 ε 23 ε 33 ⎟⎠

Avec u , le champ des déplacements (Figure A. 25).

r r r r r
u ( M ) = M0M = u1e1 + u2e2 + u3e3

M Champ des déformations d’un milieu continu :

M + dM r
r r ∂u r
dM − dM0 = dM0
∂M0
M0 + dM0
M0
r ⎛ ∂1u1 ∂1u2 ∂1u3 ⎞
⎡ ∂u ⎤ r ⎜ ⎟
⎢ ⎥ = grad ( u ) = ⎜ ∂ 2u1 ∂ 2u2 ∂ 2u3 ⎟
⎣ ∂M0 ⎦ ⎜∂ u ∂ u ∂ 3u3 ⎟⎠
⎝ 3 1 3 2
Figure A. 25. Champ des déplacements – Gradient du champ des déplacements

221
Annexe E : Théorie des poutres

Exemple : Cas d’un essai de traction

⎛ ε 11 0 0 ⎞
⎜ ⎟ σ F
ε (M ) = ⎜ 0 −ν .ε 11 0 ⎟ avec ε 11 = 11 =
⎜ 0 E ES
⎝ 0 −ν .ε 11 ⎟⎠

Loi de comportement

L’essai de traction nous a permis d’identifier la relation contrainte-déformation dans le cas

particulier d’une sollicitation uniaxiale. Dans le cas général, par le biais d’essais de
caractérisations et par principe de superposition (comportement linéaire), on révèle l’existence
d’une relation linéaire bijective entre ces deux champs, σ et ε :

σ = F (ε ) ⇔ σ ij = Cijkl ε kl , C tenseur de rigidité

ε = G (σ ) ⇔ ε ij = Sijklσ kl , S tenseur de souplesse
Aussi,
⎡σ 11 ⎤ ⎡C1111 C1122 C1133 C1123 C1131 C1112 C1132 C1113 C1121 ⎤ ⎡ ε 11 ⎤
⎢σ ⎥ ⎢C
⎢ 22 ⎥ ⎢ 2211 C2222 C2233 C2223 C2231 C2212 C2232 C2213 C2221 ⎥⎥ ⎢⎢ε 22 ⎥⎥
⎢σ 33 ⎥ ⎢C3311 C3322 C3333 C3323 C3331 C3312 C3332 C3313 C3321 ⎥ ⎢ε 33 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎢σ 23 ⎥ ⎢C2311 C2322 C2333 C2323 C2331 C2312 C2332 C2313 C2321 ⎥ ⎢ε 23 ⎥
⎢σ 31 ⎥ = ⎢C3111 C3122 C3133 C3123 C3131 C3112 C3132 C3113 C3121 ⎥ ⎢ε 31 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎢σ 12 ⎥ ⎢C1211 C1222 C1233 C1223 C1231 C1212 C1232 C1213 C1221 ⎥ ⎢ε 12 ⎥
⎢σ ⎥ ⎢C C3222 C3233 C3223 C3231 C3212 C3232 C3213 C3221 ⎥ ⎢ε 32 ⎥
⎢ 32 ⎥ ⎢ 3211 ⎥⎢ ⎥
⎢σ 13 ⎥ ⎢C1311 C1322 C1333 C1323 C1331 C1312 C1332 C1313 C1321 ⎥ ⎢ε 13 ⎥
⎢σ ⎥ ⎢C
⎣ 21 ⎦ ⎣ 2111 C2122 C2133 C2123 C2131 C2112 C2132 C2113 C2121 ⎥⎦ ⎢⎣ε 21 ⎥⎦

Dans le cas des Matériaux Linéaire Homogène Elastique Isotrope (MLHEI), cette relation se
simplifie : de 81 inconnues, on passe à 2 inconnues !
Loi de Hooke : Relation déformation-contrainte

1+ ν ν
ε ij = σ ij − σ kk δij avec σ kk = trace(σ )
E E

222
Annexe E : Théorie des poutres

Que l’on peut écrire également sous la forme :

⎡ 1 −ν −ν ⎤
⎢ E 0 0 0 ⎥
E E
⎢ ⎥
⎡ ε 11 ⎤ ⎡ ε 1 ⎤ ⎢ − ν 1 −ν
0 0 0 ⎥ ⎡ σ1 ⎤ ⎡ σ11 ⎤
⎢ ε ⎥ ⎢ε ⎥ ⎢ E E E ⎥ ⎢σ ⎥ ⎢σ ⎥
⎢ 22 ⎥ ⎢ 2 ⎥ ⎢ − ν −ν 1 ⎢ 2 ⎥ ⎢ 22 ⎥
⎢ ε 33 ⎥ ⎢ε 3 ⎥ ⎢ E 0 0 0 ⎥ ⎢σ ⎥ ⎢σ ⎥
E E ⎥ 3 33
⎢ ⎥=⎢ ⎥=⎢ (1 + ν) ⎥ ⎢σ ⎥ ou ⎢σ ⎥
⎢2ε 23 ⎥ ⎢ε 4 ⎥ ⎢ 0 0 0 2 0 0 ⎥ ⎢ 4 ⎥ ⎢ 23 ⎥
⎢ 2ε 13 ⎥ ⎢ε 5 ⎥ ⎢ E ⎥ ⎢σ 5 ⎥ ⎢ σ13 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ (1 + ν) ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎢⎣ 2ε 12 ⎥⎦ ⎢⎣ε 6 ⎥⎦ ⎢ 0 0 0 0 2 0 ⎥ ⎢⎣σ 6 ⎥⎦ ⎢⎣ σ12 ⎥⎦
E ⎥
⎢ (1 + ν) ⎥
⎢ 0 0 0 0 0 2 ⎥
⎣ E ⎦

Loi de Lamé : Relation contrainte-déformation

σ ij = λε kk δ ij + 2μμij ou σ ij = λtrace(ε)δij + 2μμij

Egalement,
⎡ σ11 ⎤ ⎡ σ1 ⎤ ⎡λ + 2μ λ λ 0 0 0 ⎤ ⎡ ε1 ⎤ ⎡ ε11 ⎤
⎢σ ⎥ ⎢ σ ⎥ ⎢ λ λ + 2μ λ 0 0 0 ⎥⎥ ⎢⎢ε 2 ⎥⎥ ⎢⎢ ε 22 ⎥⎥
⎢ 22 ⎥ ⎢ 2 ⎥ ⎢
⎢σ 33 ⎥ ⎢σ 3 ⎥ ⎢ λ λ λ + 2μ 0 0 0 ⎥ ⎢ε 3 ⎥ ⎢ ε 33 ⎥
⎢ ⎥=⎢ ⎥=⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ou ⎢ ⎥
⎢σ 23 ⎥ ⎢σ 4 ⎥ ⎢ 0 0 0 μ 0 0 ⎥ ⎢ε 4 ⎥ ⎢2ε 23 ⎥
⎢ σ13 ⎥ ⎢σ 5 ⎥ ⎢ 0 0 0 0 μ 0 ⎥ ⎢ε 5 ⎥ ⎢ 2ε13 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣⎢ σ12 ⎦⎥ ⎣⎢σ 6 ⎦⎥ ⎣⎢ 0 0 0 0 0 μ ⎦⎥ ⎣⎢ε 6 ⎦⎥ ⎣⎢ 2ε12 ⎦⎥

Relations entre les coefficients de Lamé et ceux de Hooke :

⎧ E ⎧ μ (2μ + 3λ )
⎪⎪ μ = 2(1 + ν ) ⎪⎪E = λ + μ
⎨ et ⎨
νE λ
⎪λ = ⎪ ν=
⎪⎩ (1 − 2ν )(1 + ν ) ⎪⎩ 2(λ + μ )

La connaissance du module de Young E et du coefficient de Poisson ν (ou bien λ et μ), nous

donne accès au comportement de la matière. Mais dans le but de garantir la résistance d’une
structure, comment s’assurer que l’état de contrainte-déformation de la structure reste dans le
domaine élastique ?

Précédemment, on a vu que à partir d’un essai de traction uniaxial, on obtient la limite

élastique σe =Re. Donc, si la structure étudiée est sollicitée en traction-compression (cas 1D)
alors il suffit de vérifier σ < σe =Re comme critère de résistance.

Afin de passer aux cas de sollicitations complexes 3D (Ex : torsion+traction+cisaillement), il

convient d’étendre le domaine de validité dans le cas 3D en construisant un scalaire à partir
du tenseur des contraintes s à comparer avec σe.

223
Annexe E : Théorie des poutres

Nous verrons par la suite plusieurs critères de limite élastique ou bien de seuil d’écoulement
plastique. Nous verrons également que ces critères sont valables tant que la ténacité de la
matière est « suffisante » ou bien que la probabilité d’avoir une longueur de fissure supérieure
à un certain seuil est nulle.

De plus, s’appuyer sur un des critères pour prédire la rupture n’est pas envisageable dès lors
qu’il existe une singularité géométrique. En effet, une simulation numérique par EF verra la
contrainte au voisinage d’une singularité géométrique augmenter avec le raffinement du
maillage ! Ainsi, il n’est pas acceptable de regarder seulement un critère de limite élastique ou
de rupture ! Il faut utiliser les techniques de la mécanique de la rupture, que nous allons voir
plus loin.

224
Annexe F : Théorie de la rupture

ANNEXE F : THEORIE DE LA RUPTURE

Préambule :
Cette synthèse est largement inspirée des cours du Professeur Luc Chevalier de l’Ecole
Normale Supérieure de Cachan.
L’essai de traction nous a permis d’identifier différents types de comportements se rapportant
à différentes familles de matériaux. En résumé, on peut rappeler que tous les matériaux ont
une phase de comportement élastique. Au-delà d’une certaine limite σY (également noté σe )
les matériaux fragiles (céramiques, fontes, polymères à phase amorphe vitreuse par exemple)
se rompent, leur limite élastique est donc confondue avec leur limite à la rupture σR.

Expérimentalement la répétabilité n’est pas bonne. Dans le cas des matériaux fragiles σR n’est
pas un bon critère de rupture. La mécanique de la rupture propose une approche différente
basée sur l’énergie de fissuration qui permet de prévoir la rupture fragile. Nous nous
proposons une rapide présentation de la mécanique de la rupture.

Pour les matériaux ductiles (les métaux, les polymères semi-cristallins) la limite σY
correspond à la phase d’écoulement plastique. Cette propriété, associée au fait que les
déformations élastiques sont petites, permet de mettre en forme les métaux par déformation
permanentes.

Introduction à la mécanique de la rupture :

La rupture brutale constatée pour les matériaux tenaces, est provoquée par la propagation
rapide des petites fissures qui existent dans le matériau. Pour rompre le matériau, il faut que
l’énergie extérieure fournie soit supérieure à la somme de l’énergie élastique susceptible
d’être emmagasinée par le matériau et de l’énergie surfacique nécessaire à l’augmentation de
surface qui accompagne l’ouverture de la fissure. L’ouverture de la fissure entraine une
augmentation de la surface du matériau qui nécessite l’apport d’une certaine énergie δWS :

δWS = G c δS
δS est la surface de fissure nouvellement crée et Gc est l’énergie surfacique critique nécessaire
à la propagation d’une fissure. Gc est une caractéristique du matériau (voir quelques exemples
donnés dans le tableau A.4). Considérons l’expérience suivante : on étire élastiquement une
plaque d’épaisseur « e » en exerçant une contrainte de traction d’intensité σ.

La déformation e de la plaque est homogène et la plaque a donc emmagasinée une énergie

élastique par unité de volume qui vaut :
1 σ2
dWel = σ : ε =
2 2E
Soit une énergie élastique totale :
σ2
Wel = ∫ dWel = v
Ω 2E

225
Annexe F : Théorie de la rupture

σ≠0
σ=0
Zone relâchée
élastiquement

dWel = 0 1
dWel = σ : ε 4a
2

σ=0
σ≠0 a

Figure A. 26. Description de la restitution d'énergie élastique emmagasinée

La plaque est maintenue dans cette position, on bloque les bords inférieurs et supérieurs. Si on
réalise une fissure de longueur « a » à partir d’un bord (Figure A. 26), la zone elliptique (a, 2a)
au voisinage de la fissure se relâche donc élastiquement, une partie de l’énergie élastique est
restituée. Wel vaut donc maintenant :
σ2 ⎡ π a (2a) e ⎤
Wel = ⎢ v− ⎥
2E ⎣ 2 ⎦
Pour que l’ouverture de la fissure puisse se produire, il faut que l’énergie élastique restituée
lors de l’accroissement δa de la longueur de fissure soit supérieur au seuil d’énergie δWS
permettant l’ouverture. Cette dernière énergie vaut :
δWS = G c δS = G c e δa
L’énergie élastique restituée vaut alors :
σ2
Vf δWel = δv avec δv l’accroissement de volume relâché, on
2E
Vi
admettra que la zone de relâchement elliptique évolue deux fois
plus rapidement suivant le grand axe (Figure A.27 27).
4a δv = Vf − Vi =
πe
2
[ ]
( 2a + 2δa ) (δa + a ) − 2a 2 = 2π e a δa + o (δa ) 2

σ2
Ainsi δWel = π e a δa
2E
2δa
La condition de propagation de la fissure s’écrit alors :
δa a

δWel > δWS

Figure A.27 27. Description de
2
la variation de volume de la σ
zone déchargée élastiquement ⇔ 2π e a δa > G c e δa
2E
EG c
⇔σ>
πa

226
Annexe F : Théorie de la rupture

La mécanique de la rupture, permet donc de prévoir la valeur critique de la contrainte au-delà

de laquelle la propagation des fissures se fait de façon catastrophique. Le terme
EG c apparaît très souvent en mécanique de la rupture, on le note Kc. Il s’agit du facteur
d’intensité critique de contrainte aussi appelé ténacité du matériau (voir exemples dans le
tableau A.4).

Il faut noter que la propagation d’ondes élastiques dans les matériaux se fait à une célérité
E
donnée par la relation : c =
ρ
Par exemple, dans le cas du verre cette célérité vaut 5000 m/s ! On comprend pourquoi cette
rupture à l’air d’être pratiquement instantanée.

Détermination de la ténacité d’un matériau :

Afin d’évaluer la ténacité des matériaux, une éprouvette (plaque mince) entaillée sur le coté
subit un essai de traction (Figure A. 29). On relève l’évolution de la force de déchirement en
fonction de l’ouverture de l’entaille δd. Lorsque la fissure évolue de façon brutale, le
comportement devient non-linéaire. On détermine la force critique Fc qui agit sur une aire
égale à :

S = e (L − a ) avec e : épaisseur de l’éprouvette

L : longueur entre le fond de l’entaille et le bord
opposé (L>>a)

F
Cet essai permet de déterminer Fc, ainsi on
obtient Kc et Gc:

δd Fc
σc =
e( L − a )
Kc F πa
F or σ c = ⇒ Kc = c
Fc d πa e( L − a )
2
π a Fc
Aussi, K c = EG c ⇒ G c =
E e 2 (L − a ) 2

a
e
F L

Figure A. 29. Détermination expérimentale de la ténacité d’un matériau

On obtient alors la contrainte critique σc et par la suite le facteur d’intensité critique Kc.
Connaissant le module de Young, on peut déterminer l’énergie surfacique critique nécessaire
à la propagation de la fissure Gc (Tableau A. 4). Ces valeurs varient considérablement entre
les matériaux de moindre ténacité comme la glace et les céramiques jusqu’à ceux de ténacité
maximale comme les métaux ductiles.

227
Annexe F : Théorie de la rupture

Si on relève la résistance σY d’un matériau lors d’un essai de traction et que l’on compare
cette limite avec la valeur de la contrainte critique σc, on se rend compte qu’un matériau
réputé ductile peut avoir un mode de rupture fragile (Figure A. 30). En effet, il suffit que :
Kc K c2 E Gc
σc < σY ⇒ < σY ⇒ a > = =ac
πa π σY π σ2Y
2

σY
Kc
πa

a
ac
Rupture Rupture
ductile fragile
Figure A. 30. Transition de mode de rupture: ductile - fragile

La présence de fissures de longueurs suffisantes modifie le mode de rupture d’un matériau

pour le rendre fragile. Mais la longueur de ces fissures qui correspond à la transition rupture
ductile – rupture fragile peut être très faible.

Métaux et alliages : 10 < ac < 500 mm

Plastiques et bois : 1 < ac < 10 mm
Céramiques et verres : 10-4 < ac <10-1 mm

Matériau² Gc en kJ/m² Kc en MN/m3/2 ou MPa m

Fonte 0,2 à 3 6 à 20
Alumine 0,02 3à5
Carbure de tungstène 0,3 14
Aciers ferritiques 170 à 220 150 à 200
Aciers doux 100 140
Composite bore / époxyde 17 46
Laiton et Bronze 100 100
Aluminium 100 100
Béton, ciment 0,03 0,2
Composite verre / époxyde 10 à 100 40 à 60
Bois courant (// aux fibres) 0,5 à 2 0,5 à 1
Nylon 2à4 3
Polystyrène 5 4
PMMA 0,3 0,9
Glace 0,003 0,2
Tableau A. 4. Exemples de valeurs d’énergies surfaciques critiques nécessaires à la propagation d’une
fissure pour différents matériaux (mode I de pelage)

228
Annexe G : Introduction à la plasticité

ANNEXE G : INTRODUCTION A LA PLASTICITE

Préambule :
Cette synthèse est largement inspirée des cours du Professeur Luc Chevalier de l’Ecole
Normale Supérieure de Cachan.

Dans cette annexe, nous allons supposer dans un premier temps pour plus de clarté, que la
partie élastique des déformations est négligeable (Figure A. 31). De plus nous ne ferons pas
intervenir l’écrouissage. Compte tenu de ces deux hypothèses, le comportement en traction
d’un tel matériau serait le suivant :

Pas d’écrouissage
σY

•
Elasticité négligée ∀ ε,ε

Figure A. 31. Comportement plastique parfait

Evidemment, il s’agit d’une schématisation du comportement plastique, nous verrons plus

loin comment prendre en compte l’écrouissage d’une part et l’élasticité en petite déformation
d’autre part.

Critères d’écoulement plastique

Certaines notions présentées par la suite ont déjà été abordées du point de vue de l’élasticité.
La présentation est légèrement différente ici puisqu’on va considérer les critères comme des
seuils à partir desquels l’écoulement plastique se développe. On distingue deux familles de
critères d’écoulement : ceux qui font appel à la notion de courbe intrinsèque au matériau, ceux
qui font appel à la notion de contrainte équivalente.

Courbes intrinsèques

On rappelle que l’état des contraintes en un point M peut être représenté par un domaine
limité par 3 cercles dans le plan contrainte normale σ en abscisse et contrainte tangentielle τ
en ordonnée. La notion de courbe intrinsèque suppose que dans le plan (σ,τ) l’écoulement
plastique va apparaître si une certaine relation f(σ,τ) est vérifiée. Cette fonction est la courbe
intrinsèque du matériau (Figure A. 32), c’est l’enveloppe de tous les tricercles de Mohrs
possible avant plastification.

229
Annexe G : Introduction à la plasticité

τ
Courbe intrinsèque
f(σ,τ)

Figure A. 32. Courbe intrinsèque d'un matériau

On remarque que les critères introduit à partir de la notion de courbe intrinsèque ne font pas
intervenir la contrainte principale intermédiaire. Considérons trois de ces critères :

Critère de Rankine :
On suppose que la limite élastique est déterminée par des valeurs limites portant sur les
contraintes normales principales.
On fait un essai de traction pour déterminer la contrainte normale maximale σY, et un essai de
compression pour déterminer la contrainte normale minimale σY’. Le critère s’écrit donc :

σ Y ' < σi < σ Y ∀ i ∈ {1,2,3}

Dans la représentation de Mohr, ce critère revient à limiter les cercles de Mohr entre les
abscisses σ Y ’ et σ Y .

Avec ce critère, la contrainte principale intermédiaire σ 2 ne joue aucun rôle. La contrainte

tangentielle est implicitement limitée à :
1
(σY − σY ') .
2

Critère de Tresca :
Ce critère suppose que la courbe intrinsèque est une droite horizontale, en d’autres termes que
seule la contrainte tangentielle τ intervient. Ce critère s’écrit :

σi − σ j
sup i, j ≤ τY
2
τY est le seuil d’écoulement plastique en cisaillement. Compte tenu que τY vaut σY/2, la
relation devient :
sup i, j σ i − σ j ≤ σ Y

230
Annexe G : Introduction à la plasticité

τ Critère de Tresca

Figure A. 33. Description du critère de Tresca

En pratique, il est assez délicat de représenter un tenseur (6 dimensions) et donc il est

difficile de représenter graphiquement un critère. On le trace cependant en fonction des 3
contraintes principales σI,σΙΙ,σΙΙΙ. Compte tenu des valeurs absolues, il faut distinguer les cas
où :

σ I < σ II < σ III → σ III - σ I ≤ σ Y

σ II < σ III < σ I → σ I - σ II ≤ σ Y
σ III < σ I < σ II → σ II - σ III ≤ σ Y
etc ...
σΙΙΙ

1
n1
Tresca 1

σΙΙ

σΙ

Figure A. 34. Surface seuil de limite d'élasticité pour le critère de Tresca

La surface seuil est donc constituée de portions de plans tous parallèles à la droite de direction
n (1,1,1) .Ce qui donne le prisme à base hexagonale ci-dessus (Figure A. 34). On peut remarquer
que pour ce critère la trace de n’intervient pas, ce qui est difficilement admissible. De plus,
ce critère permet de prédire l’apparition de la plasticité en traction simple dans les plans
inclinés à 45° par rapport à la direction de traction. En pratique les éprouvettes métalliques se
rompent suivant un angle légèrement différent de 45°.

Critère de Coulomb :
Le critère de Coulomb suppose qu’il existe un frottement interne caractérisé par une
inclinaison d’un angle φ des droites représentant la fonction intrinsèque. Dans ce cas le critère
s’écrit :

231
Annexe G : Introduction à la plasticité

f(σ,τ) = τ−c−σ tanφ = 0

Où c est l’ordonnée de la droite à l’origine. Ce critère permet de prédire une rupture en

traction suivant un angle de 45°-φ/2 par rapport à la direction de la traction.

σΙΙΙ

τ 1
n1
Critère de Coulomb
Coulomb 1
φ

σ σΙΙ

σΙ

Figure A. 35. Description du critère de Coulomb

En identifiant sur le cercle de Mohrs (Figure A. 35) correspondant à l’essai de traction, on a

au point T de tangence :
σ σ
σ T = Y (1 + sin φ) et τ T = Y cos φ + σ T tan φ
2 2
Ce qui permet d’écrire le critère en ce point :
σY σ
cos φ + σ T tan φ - c - σ T tan φ = 0 ⇒ c = Y cos φ
2 2
On peut donc réécrire le critère sous la forme :
⎛ σ ⎞
τ − ⎜ σ T tan φ + Y cos φ ⎟ = 0
⎝ 2 ⎠
Contrainte équivalente :
Une autre façon de faire le passage entre l’essai de traction et le 3D est de définir une
contrainte équivalente au tenseur . C'est-à-dire une certaine norme de que l’on pourra
comparer avec la valeur de σY. Dans le cas des matériaux isotropes, cette contrainte
équivalente doit être invariante par changement de repère ce qui impose qu’elle s’exprime en
fonction des invariants de . Ces trois invariants sont :

I1( )=trace( )=σkk I2( )=trace( )= : I3( )=det

De plus, compte tenu de l’incompressibilité plastique, une pression hydrostatique ne permet

pas de plastifier le métal. Donc seule la partie déviatorique intervient dans cette norme. Par
tenseur des contraintes déviatorique, on entend le tenseur des contraintes amputé de sa
pression hydrostatique, ayant ainsi une divergence nulle à savoir :
1
S + D avec S = trace( D)I le tenseur hydrostatique
3
D= S le tenseur déviatorique

232
Annexe G : Introduction à la plasticité

Par ailleurs, il est très délicat de mettre en place des essais d’identification pour lesquels le det
est différent de 0. La contrainte équivalente est donc une fonction de I2( D).

Critère de Von Misès

Une fonction simple du second invariant du déviateur des contraintes peut être :

σeq=κ[trace( D D)]1/2=κ( D: D)1/2

La valeur de κ est choisie pour retrouver la limite σY du matériau en traction. Ainsi on
trouve :
3
σ eq = trace (σ D σ D ) ≤ σ Y
2
On obtient ainsi une fonction facilement programmable :
1
2
{ }
(σ1 − σ 2 )2 + (σ 2 − σ3 )2 + (σ3 − σ1 )2 ≤ σ Y dans la base principale
1
2
{ }
(σ11 − σ 22 )2 + (σ 22 − σ33 )2 + (σ33 − σ11 )2 + 6(σ122 + σ132 + σ 223 ) ≤ σ Y dans le cas général

Critère de Hill :

Pour les matériaux anisotropes, on généralise le critère ci-dessus en introduisant des

coefficients d’anisotropie. Par exemple pour un matériau orthotrope dans la base
d’orthotropie, on a :

σ eq =
1
2
{
F (σ 11 − σ 22 ) + G (σ 22 − σ 33 ) + H (σ 33 − σ 11 ) + Lσ 122 + Mσ 132 + Nσ 23
2 2 2 2
}
On remarque que le critère de Hill n’est pas invariant par rotation. Ce qui pose le problème de
l’objectivité du critère.

Dans ce qui précède, on a présenté quelques critères courants de limite élastique sans chercher
en justifier un plus que l’autre. Chacun a sa manière propre de limiter les tenseurs des
contraintes. En l’absence de règlements ou de normes, il est sans doute prudent d’en combiner
plusieurs et d’opter pour un facteur de sécurité.

Les critères de Tresca et de Von Misès (très populaires dans les codes de calcul) ne limitent
pas les tenseurs sphériques. Si on se limite à ne regarder que l’un ou l’autre de ces critères, on
prend le risque de déclarer admissibles des tractions sphériques très importantes. On devrait
prudemment le combiner avec le critère de Rankine.

Les critères permettent de répondre à la question : quand la plasticité apparaît-elle ? Pour

déterminer comment le matériau se plastifie, il faut connaître la loi d’écoulement du matériau.

Loi d’écoulement plastique

On rappelle que la plasticité est la conséquence macroscopique du glissement suivant les

plans denses du réseau cristallin. A l’échelle microscopique, il faut que la cission τ soit égale
à une certaine cission critique τc pour qu’il puisse y avoir mouvement des lignes de
dislocations.

233
Annexe G : Introduction à la plasticité

F Emboutissage

MACRO

MICRO
,
vg
τ

vg
τ

F
Pour un système de glissement on a :
Si τ<τc pas de glissement
Si τ=τc glissement dans le plan dense a la vitesse vg

La puissance dissipée par déformation est égale à la somme des produits τcvgS sur l’ensemble
des systèmes (i) activées de section égale à S. Par ailleurs, à l’échelle macroscopique cette
dissipation vaut la somme de trace( D ) sur le domaine déformé, ce qui donne :
∫ trace( D )dV= ∑ τ c v g S
i i i

Ω Syst.activés
∗
Soit un état de contrainte caractérisé par une cission i∗ sur les systèmes de glissement. Si
cet état de contrainte ne conduit pas à la plastification du matériau, c’est que pour tous les
systèmes activés par le système ( D ), on a :
i∗
≤ i = ic
Pour tous les autres systèmes de glissement :
vig=0
Dans ces conditions :
trace( * ) = ∑ τ ∗ci v ig Si ≤ ∑ τ ic v ig Si = trace( )
Syst.activés Syst.activés

Cette propriété est généralement admise sous le nom de « principe du travail maximal » et
s’énonce comme suit : « Soit le champ des contraintes associé à l’écoulement plastique
caractérisé par le taux de déformation . Pour tous champ de contrainte * intérieur au
domaine d’élasticité, on a :
trace[( *- ). ] ≤0
Le principe du travail maximal permet alors de montrer que pour un domaine d’élasticité
convexe, l’écoulement plastique est nécessairement normal au domaine. On comprend alors
que les critères présentant des points anguleux peuvent poser des problèmes. La conséquence
de ce principe est la suivante :

234
Annexe G : Introduction à la plasticité

n
f( ) : seuil de plasticité
*
σΙΙΙ
* *

Zone élastique

σΙΙ

σΙ

Si est à l’intérieur du convexe d’élasticité, alors * peut être n’importe où autour de et

pour que l’inégalité soit vérifiée il faut que soit nul. Pas d’écoulement plastique. Si est sur
le convexe d’élasticité, alors le produit *: devant être inférieur ou égal à : quelque soit
*
, on en déduit que est porté par la normale extérieure au domaine d’élasticité. Dès lors
pour un domaine défini par une fonction seuil f( ), on obtient le taux de déformation par :

∂f
D=λ
avec λ ≥ 0
∂σ
λ est nul si on reste dans le domaine élastique du matériau (pas d’écoulement plastique). Il est
positif lorsqu’il y a écoulement plastique.

Application : Critère de Von Misès

Pour le critère de Von Misès qui ne possède pas de point anguleux, la fonction seuil du critère
est :
3
f(σ D ) = trace (σ D σ D ) − σ Y
2
∂f
Le calcul de donne :
∂σ

∂ ⎧3 ⎫
⎨ trace(σ D σ D )⎬
∂f ∂σ ⎩ 2 ⎭ = 3 σD
=
∂σ 2σ éq 2 σ éq
Notons que dans le cas de la plasticité parfaite, λ est indéterminé si on connaît par contre, si
on connaît alors :

235
Annexe G : Introduction à la plasticité

3 σD 9 σD : σD
D=λ ⇒ D : D = λ2 2
2 σ éq 4 σ éq
⎛2 ⎞
⇒ λ 2 = trace⎜ D : D ⎟ = D éq
2

⎝3 ⎠
⇒ λ = D éq car λ > 0
On a donc dans ce cas :
2σ éq D
σD =
3 D éq

Illustration : Rupture brutale d’une matrice

La matrice de la figure ci-dessous est conçue pour faire des alliages supra conducteurs. Les
alliages sont obtenus en mélangeant les constituants, sous forme de poudre métalliques et en
les comprimant dans le matrice sous une pression aussi élevée que possible. Cette méthode
donne un lingot de métal qui est ensuite fritté et étiré sous forme d’un fil fin. Plus la pression
est élevée, plus le lingot est dense et meilleur est le produit final.

Pour augmenter la pression, on a fabriqué une matrice en acier spécial traité thermiquement
(chauffé puis trempé à l’huile). La conséquence de ce traitement thermique est une limite
d’élasticité σe très élevée : σe=2000 MPa

Un échantillon de ce même acier ayant subi le même traitement thermique a une ténacité Kc
de :
Kc=22 MPa m

L’idée des concepteurs de cette matrice était de tirer parti de cette limite élastique très élevée
pour travailler à de fortes pressions. Or, elle se rompit au premier essai et ce à la moitié de la
charge de sécurité prévue à la conception. L’examen du faciès de rupture montra une fissure
en forme de « d’ongle de pouce », s’initiant à la surface intérieure de la matrice. On se
propose, dans cette illustration, de déterminer la raison de cette rupture brutale.

236
Annexe G : Introduction à la plasticité

F
ro

Fissure en forme
d’ongle, rayon a

r1

ro=6,4 mm
r1=32 mm
a=1,2 mm

On rappelle que la mécanique des milieux continus élastiques permet de déterminer la

répartition des contraintes au sein d’un réservoir cylindrique épais. La forme du tenseur des
contraintes correspond à la solution classique de Lamé :

⎡σ r 0 0 ⎤ ⎧ B
⎪ σr = A + 2
σ = ⎢⎢ 0 σ θ 0⎥⎥ avec : ⎨ r
B
⎢⎣ 0 0 0⎥⎦ ⎪σ θ = A − 2
⎩ r
Pour les conditions limites on supposera que la pression atmosphérique est négligeable devant
la pression P qui règne dans la matrice lors de l’opération de compaction :

B
− σ er = P er en r = ro ⇒ A + = −P
ro2
B
σ er = 0 en r = r1 ⇒ A + =0
r12

On en déduit :

P ro2 − P ro2 r12

A= et B=
r12 − ro2 r12 − ro2

Ce qui donne, comme contraintes :

237
Annexe G : Introduction à la plasticité

P ro2 ⎧ r12 ⎫ P ro2 ⎧ r12 ⎫

σr = 2 ⎨1 − ⎬ et σθ = 2 ⎨1 + ⎬
r1 − ro2 ⎩ r 2 ⎭ r1 − ro2 ⎩ r 2 ⎭

1,5

1
σr
σθ
0,5

0 Rayon r (mm)
10 20 30 40

-0,5

-1

Le graphique ci-dessus est obtenu pour une pression P unitaire. La contrainte σz est nulle
aussi, σθ est toujours la plus grande contrainte principale, σr est toujours la plus petite.

En adoptant le critère de plasticité de Tresca, on a :

σ θ (r = ro ) − σ r (r = ro ) ≤ σ e
On tire :
2P r12 r12 − ro2 σ e
≤ σ e ⇒ P ≤ A.N. : P ≤ 960MPa
r12 − ro2 r12 2
Il est donc possible de comprimer jusqu’à une pression de 960 MPa (9600 Bars !!!).
Evidemment, il est prudent d’utiliser un fort coefficient de sécurité s. En pratique une valeur
de s égale à 2,5 est assez raisonnable.

Si désormais en tient compte de la présence de fissure, la rupture aura lieu si la contrainte

dans la matrice dépasse la contrainte critique de propagation de fissure σc.
K
σ c = c = 358 MPa
πa
Selon le critère de Rankine, la propagation de fissure se fera si la plus grande contrainte
principale est de traction et de valeur supérieure à σc. Dans notre cas, σθ est positive et
maximale en r=ro. Les fissures dangereuses seront celles contenues dans un plan radial au
voisinage de l’intérieur de la matrice. C’est effectivement le cas de la fissure en ongle de
pouce observée après rupture.
σ θ (r = ro ) ≤ σ c
On obtient :
r12 + ro2 r12 − ro2
P 2 2 ≤ σc ⇒ P ≤ 2 2 σc A.N. : P ≤ 330MPa
r1 − ro r1 + ro

238
Annexe G : Introduction à la plasticité

Conclusion : Un dimensionnement classique ne prenant pas en compte la présence de fissures

conduit à une pression d’utilisation :
P 960
⇒ Pu = = = 380 MPa
s 2,5
La faible ténacité de l’acier obtenue après trempe conduit à une rupture dès les 330 MPa. Il
était donc prévisible qu’un incident pouvait avoir lieu pourvu que l’on ait détecté la présence
de la fissure. En tout état de cause, il est souhaitable de procédé à une opération de revenu sur
l’acier en question. Cette opération aura pour effet de diminuer légèrement σe mais permettra
d’augmenter considérablement Kc : la présence de fissures de quelques millimètres de
longueur devenant sans conséquences.

239
Annexe H : Initiation au calcul par éléments finis

ANNEXE H : INITIATION AU CALCUL PAR

ELEMENTS FINIS

Nous allons présenter de manière synthétique les étapes de résolution d’un problème par la
méthode des éléments finis :

Etape 1 : Discrétisation
Cette première étape consiste à décomposer le domaine D en un ensemble de sous domaines
dits élémentaires {De} sans intersections ni recouvrement (Figure A. 36).

Suivant le modèle, on choisira un type d’éléments géométrique (1D, 2D, 3D)

Sk
y
Sj
e
y e
Si x

x
Figure A. 36. Discrétisation du domaine géométrique

Etape 2 : Approximation en déplacement

On définit un champ {Ue} de déplacement dans chaque élément {De} par une méthode
d’approximation nodale qui ne fait intervenir que les déplacements des nœuds de l’élément.

Matrice d’interpolation

⎡ u1 ⎤
⎢v ⎥
⎢ 1⎥
⎢ w1 ⎥
⎢ ⎥
⎡ u e (M) ⎤ ⎡ϕ1e 0 0 ϕ 2e 0 0 ϕ3e 0 0 ⎤ ⎢ u2 ⎥
r ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
U e (M ) = ⎢ v e (M) ⎥ = ⎢ 0 ϕ1e 0 0 ϕ 2e 0 0 ϕ3e 0 ⎥ ⎢ v 2 ⎥ = [ϕ (M )][Un ]
⎢ ⎥
⎢ w e (M)⎥ ⎢ 0 0 ϕ1e 0 0 ϕ 2e 0 0 ϕ3e ⎥⎦ ⎢ w 2 ⎥
⎣ ⎦ ⎣
⎢u ⎥
⎢ 3⎥
⎢ v3 ⎥
⎢w ⎥
⎣ 3⎦

240
Annexe H : Initiation au calcul par éléments finis

Par exemple, on peut utiliser des fonctions d’interpolations polynomiales comme l’espace
d’interpolation linéaire Pe=P1={a+bx+cy}.

Etape 3 : Relations déplacements-déformations-contraintes

Matrice des déformations

⎡∂ ⎤
⎢ ∂x 0 0⎥
⎢ ∂ ⎥
⎡ ε11e
⎤ ⎡ ∂u ∂x ⎤ ⎢0 0⎥
⎢ e ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ∂y ⎥
⎢ ε 22 ⎥ ⎢ ∂v ∂y ⎥ ⎢ ∂ ⎥ ⎡ u e (M) ⎤
⎢ e ⎥
⎢ ∂ ∂ ⎥ ⎢0 0
∂z ⎥⎥ ⎢ v e (M) ⎥ = [δ(M )] U e
[ ] ε
~ε e (M ) = 33 =
⎢ e ⎥ ⎢
w z
⎥=⎢ ∂ ∂ ⎥⎢ ⎥ [ ]
⎢2ε 23 ⎥ ⎢∂v ∂z + ∂w ∂y ⎥ ⎢ 0 ⎢ w e (M)⎥
⎢ 2ε e ⎥ ⎢∂u ∂z + ∂w ∂x ⎥ ⎢ ∂z ∂y ⎥ ⎣ ⎦
⎢ 13 ⎥ ⎢ ⎥ ⎢∂ ∂ ⎥
⎢⎣ 2ε12 ⎥⎦ ⎣⎢ ∂u ∂y + ∂v ∂x ⎦⎥ ⎢ 0 ⎥
e

⎢ ∂z ∂x ⎥
⎢∂ ∂
0⎥
⎢⎣ ∂y ∂x ⎥⎦

Loi de comportement dans le cas d’un milieu isotrope

⎡ σ11 ⎤ ⎡2μ + λ λ λ 0 0 0 ⎤ ⎡ ε11 ⎤

⎢σ ⎥ ⎢ λ 2μ + λ λ 0 0 0 ⎥⎥ ⎢⎢ ε 22 ⎥⎥
⎢ 22 ⎥ ⎢
⎢σ ⎥ ⎢ λ λ 2μ + λ 0 0 0 ⎥ ⎢ ε 33 ⎥
[~σ(M )] = ⎢ 33 ⎥ = ⎢ ⎥⎢ ⎥ = [K ][δ(M )][U ]
⎢σ 23 ⎥ ⎢ 0 0 0 μ 0 0 ⎥ ⎢2ε 23 ⎥
⎢ σ13 ⎥ ⎢ 0 0 0 0 μ 0 ⎥ ⎢ 2ε13 ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎣⎢ σ12 ⎦⎥ ⎣⎢ 0 0 0 0 0 μ ⎦⎥ ⎣⎢ 2ε12 ⎦⎥

Etape 4 : Expression de l’énergie potentielle

Energie de déformations

64 4 44[7 K ] e
4 4 4 48
[W ] = 12 ∫∫∫ [~ε
e
def
De
e
(M )]T [~σ e (M )]dV = ... = 1 [U e ]T
2 ∫∫∫ e [δ(M )] [C ][δ(M )]dV U
D
T e
[ ]
Travail des efforts extérieurs

[W ] = ∫ [f (M )] [ϕ (M )][U ]dV + ∫ [F(M )] [ϕ (M )][U ]dS = [U ] [F ]

e
ext
D e
T e
n
∂D e
T e
n
e T
n
e

Ainsi, nous avons accès à l’énergie potentielle du domaine élémentaire {De} :

241
Annexe H : Initiation au calcul par éléments finis

[W ] = [W ]− [W ] = 12 [U ] [K ][U ]− [U ] [F ]
e
pot
e
def
e
ext
e T
n
e e
n
e T
n
e

Etape 5 : Minimisation de l’énergie potentielle (Premier Principe de la

Thermodynamique)

Le champ des déplacements solution du problème élastique minimise l’énergie potentielle

totale sur l’ensemble des champs cinématiquement admissibles.

De façon imagée, on peut traduire ce principe comme étant la recherche d’un minimum
d’énergie interne. (Par exemple, le corps humain possède une énergie interne plus faible
lorsqu’il se trouve allongé par rapport à une position debout !)

Ainsi, nous obtenons :

[ e
d Wpot = ] [ ] [K ][U ] + 12 [U ] [K ]d[U ] − d[U ] [F ]
1
2
d U en
T e e
n
e T
n
e e
n
e T
n
e

= ([U ] [K ] − [F ] )d[U ]
e T
n ∀d[U ]e e T e
n
e
n

D' où [U ] [K ] − [F ] = 0 ⇔ [K ][U ] = [F ]
e T
n
e e T e e
n
e

Etape 6 : Résolution

Nous avons vu, lors de la minimisation de l’énergie potentielle, que le problème revenait à
résoudre une équation matricielle locale sur chaque sous domaines élémentaire {De} :
K e U en = Fe [ ][ ] [ ]
Désormais, nous devons résoudre l’ensemble de ces équations sur le domaine entier, cette
opération consiste à « assembler » les sous domaines :

Local Global

[K ][U ] = [F ]
e e
n
e
[K ][U ] = [F ]
g g
n
g
[ ]
avec K g = ∪ K e [ ]
Par exemple, voici ci-dessous, une matrice de rigidité globale obtenue par assemblage de cinq
matrices de rigidité élémentaires (KI … KV).

⎡K11
I I
K12 ⎤
⎢ ⎥
⎢ K +K I
22
II
22 K II
23 ⎥
⎢ K + K 33
II
III III
K 34 ⎥
K=⎢ 33
⎥
44 + K 44
K III IV
⎢ K IV
45 ⎥
⎢ SYM IV
K 55 + K 55
V V ⎥
K 56
⎢ V
⎥
⎣⎢ K 66 ⎦⎥

Conclusion :

Cette méthode est systématique et automatique : elle revient à inverser la matrice de rigidité
pour obtenir les déplacements nodaux sur l’ensemble des nœuds du maillage :

242
Annexe H : Initiation au calcul par éléments finis

[U ] = [K ] [F ]
g
n
g −1 g

A ce stade, la résolution est terminée, nous pouvons utiliser des fonctions de post-traitements
afin de calculer/visualiser les déplacements, les déformations, les contraintes ….

243
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

ANNEXE I PROGRAMMATION DE L’INGENIERIE

INVERSE

function lect(donnee,info)
clear all;

%********************************************************************* *
% *
% Lecture du fichier ASCII *
% *
%**********************************************************************

% Ouverture du fichier%
id_fich = fopen('OrElec.asc','r');

global A;

pathstr = fullfile(pwd,filesep);
FilterSpec = {'*.asc','DATA (*.asc)'; ...
'*.*', 'All Files (*.*)'};
[fileName, PathName] = uigetfile(FilterSpec, 'Pick a data file',pathstr);
if isequal(fileName,0)
return
end
id_fich = fopen([PathName fileName],'r');

% Lecture de l'entete (7 premiere lignes)

for i=1:7
info{i}=fgetl(id_fich);
end
% Lecture de la longueur d onde (contenu dans la 8 ieme ligne)
unite=cell(4,1);
for i=1:4
unite{i}=fscanf(id_fich,'%s',1);
end

WAVELENGH=str2num(unite{4});

for i=8:12
info{i}=fgetl(id_fich);
end

%-------------------------------------------------------------------------%
% Lecture des donnees %
%-------------------------------------------------------------------------%

244
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

% donnees relative x y z
donnee=fscanf(id_fich,'%f',[3 inf]);
donnee=donnee';
% donnees relatives intensite
while not(feof(id_fich))

trash = fgetl(id_fich);% case line with " Intensity..."

Intensity=fscanf(id_fich,'%f',[3 inf]);
Intensity=Intensity';

end

% fermeture du fichier
fclose(id_fich);

%**********************************************************************
% *
% Création de la géométrie COMSOL *
% *
%**********************************************************************

A=donnee;
n=0;
offsetY=0 ;
offsetX=0;
% calcul du pas de la numerisation

Temp=(A(:,1));
[ligne,colone]=size(A);
pas=0;
for i=1:ligne
if Temp(i)==0
pas=pas+1;
end
end

for i=1:(((ligne)/pas)-offsetX)
Xo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),1);
Yo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),2);
Zo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),3).*(WAVELENGH*1e-3);
end

[nl,nc]=size(Xo);
Xmin=min(min(Xo));

245
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

Xmax=max(max(Xo));

Ymin=min(min(Yo));
Ymax=max(max(Yo));

Zmin=min(min(Zo));
Zmax=max(max(Zo));

largeur=Xmax-Xmin;
longueur=Ymax-Ymin;
Zmoy=(Zmin+Zmax)/2
DeltaZ=Zmax-Zmin
epOr=2; % µm
epDiel=0.2; % µm
epPont=2; % µm
epAir=0; % µm
epOffset=0.98*epAir;

Zinf=Zo+(epAir-Zmin);
Zsup=Zinf+epDiel;
f=geomsurf(Xo,Yo,Zinf);
h=geomsurf(Xo,Yo,Zsup);

% Bloc 1 pour partie superieure

b1=block3(largeur,longueur,DeltaZ+epAir+epDiel,'base','corner','pos',[Xmin Ymin 0],...

'axis',[0 0 1],'rot',0) ;
% Bloc 2 pour partie inferieure

b2=block3(largeur,longueur,DeltaZ+epAir,'base','corner','pos',[Xmin Ymin 0],...

'axis',[0 0 1],'rot',0) ;

g1=geomcoerce('solid',{h,b1});

g2=geomcoerce('solid',{f,b2});

sup = split(g1);
inf = split(g2);

%*************************************************************************
% Réalisation du modèle dans COMSOL
%*************************************************************************

% COMSOL Multiphysics Model M-file

% Generated by COMSOL 3.2 (COMSOL 3.2.0.222, $Date: 2006/09/01 18:02:30 $)

246
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

% Some geometry objects are stored in a separate file.

% The name of this file is given by the variable 'flbinaryfile'.

flclear fem

% COMSOL version
clear vrsn
vrsn.name = 'COMSOL 3.2';
vrsn.ext = '';
vrsn.major = 0;
vrsn.build = 222;
vrsn.rcs = '$Name: $';
vrsn.date = '$Date: 2006/09/01 18:02:30 $';
fem.version = vrsn;

flbinaryfile='capa.mphm';

% Geometry
g1=flbinary('g1','draw',flbinaryfile);
garr=split(g1);
[g2,g3]=deal(garr{:});
clear g3
g4=flbinary('g4','draw',flbinaryfile);
garr=split(g4);
[g5,g6]=deal(garr{:});
clear g6
g7=geomcomp({g5,g2},'ns',{'CO2','CO1'},'sf','CO2+CO1','face','none','edge','all');
% scaling
g7=scale(g7,1e-6,1e-6,1e-6,0,0,0);
clear s
s.objs={g7};
s.name={'CO3'};
s.tags={'g7'};

fem.draw=struct('s',s);
fem.geom=geomcsg(fem);

% Initialize mesh
fem.mesh=meshinit(fem, ...
'hmaxfact',3, ...
'hcurve',0.9, ...
'hgrad',1.85, ...
'hcutoff',0.06, ...
'hnarrow',0.2, ...
'hpnt',10, ...
'jiggle','off');

% (Default values are not included)

% Application mode 1

247
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

clear appl
appl.mode.class = 'EmElectrostatics';
appl.module = 'EM';
appl.assignsuffix = '_emes';
clear prop
prop.input='We';
appl.prop = prop;
clear bnd
bnd.inport = {0,0,0,1};
bnd.type = {'V0','cont','nD0','port'};
bnd.ind = [3,3,4,3,3,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2, ...
1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,3,3,2,1,2,1,2,1, ...
1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1, ...
2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,3,3];
appl.bnd = bnd;
clear equ
equ.epsilonr = {1,6.6};
equ.ind = [1,2];
appl.equ = equ;
fem.appl{1} = appl;
fem.border = 1;
fem.units = 'SI';

% Subdomain expressions
clear equ
equ.ind = [1,2];
equ.dim = {'V'};
equ.expr = {'Vair',{1,''}, ...
'Vdiel',{'',1}};
fem.equ = equ;

% Multiphysics
fem=multiphysics(fem);

% Extend mesh
fem.xmesh=meshextend(fem);

% Solve problem
fem.sol=femlin(fem, ...
'symmetric','on', ...
'solcomp',{'V'}, ...
'outcomp',{'V'}, ...
'linsolver','cg', ...
'prefun','amg');

% Save current fem structure for restart purposes

fem0=fem;

248
Annexe I : Programmation de l’ingénierie inverse

% Plot solution
postplot(fem, ...
'tetdata',{'V','cont','internal'}, ...
'tetmap','jet(1024)', ...
'tetkeep',1, ...
'tetkeeptype','random', ...
'title','Subdomain: Electric potential [V]', ...
'axisequal','off', ...
'grid','on', ...
'campos',[1.06093385775865E-4,1.58529715245019E-4,1.53317280871587E-4], ...
'camtarget',[1.28631263578427E-5,1.28631263578427E-5,1.28631263578427E-5], ...
'camup',[-0.402536817922344,-0.488704794613784,0.774036002998862], ...
'camva',11.311627992032893);

% Integrate
I2=postint(fem,'Vair', ...
'dl',[1]);

% Integrate
I3=postint(fem,'Vdiel', ...
'dl',[2]);

249
 Résumé

La mise sur le marché de Micro Systèmes Electro Mécaniques Radio-Fréquences (MEMS RF)
est freinée par leurs manques de maturités au niveau du flot de conception, de la mise en
boîtier (packaging) et de la fiabilité.
Dans ce contexte, nous mettons en évidence, une solution d’assemblage par report d’un capot
avec un scellement en polymère adaptée aux micro-commutateurs RF. Afin de répondre aux
enjeux de conception, nous avons identifié des besoins en terme de modélisation éléments
finis (EF) multi-physique, permettant de générer des macro-modèles comportementaux. Ainsi,
nous discutons des possibilités offertes par deux logiciels EF réellement multi-physique :
ANSYS et COMSOL.
Finalement, nous proposons une solution (boîtier micro-usiné en Foturan et scellement en
polymère BCB) compatible avec les spécifications du cahier des charges. La fabrication et la
caractérisation électrique d’un démonstrateur ont permis de valider cette technique simple de
packaging quasi-hermétique.

Mots clés : MEMS RF, Micro-commutateurs parallèles capacitif micro-ondes, Packaging,

Benzo-Cyclo-Butène, Simulations multiphysiques, ANSYS, COMSOL, Analyse mécanique
et micro-onde

Abstract

Radio-Frequency Micro-Electro-Mechanical Systems (RF MEMS) are highly miniaturized

devices intended to switch, modulate, filter or tune electrical signals from DC to microwave
frequencies. RF Mems switches are characterized by their high isolation, low insertion loss,
large bandwith and by their unparalleled signal linearity. Despite these benefits, RF Mems
switches are not yet seen in commercial products because of reliability issues, limits in signal
power handling and question in packaging.
In this context, we put in evidence, a near hermetic packaging based on a micro-machined cap
in Foturan sealed onto a photopatternable polymer Benzo-Cyclo-Butene (BCB) as a solution
adapted to micro-switches RF. To answer the stakes in conception, we identified needs in
multiphysics modelling able to generate behavioural macro-models.
Finally, a demonstrator was characterised in terms of return and insertion losses
measurements, which assures insignificant impact of the package on the RF losses.

Key words : MEMS RF, Capacitive microwaves parallel microswitches, Packaging, Benzo-
Cyclo-Butène, Multiphysics simulations, ANSYS, COMSOL, Mechanical and microwave
analysis.