Chapitre 1

Chapitre 1 : Introduction générale
Chapitre 1 Introduction Générale
I. Définition de l’Electronique de Puissance /Utilités/ Applications

L’Electronique de Puissance (EP) diffère de l’électronique d’amplification. C’est une
électronique de conversion et de commutation travaillant en grandes puissances (quelques centaines
d’ampères).
Les composants de l’EP sont des interrupteurs électroniques (tout ou rien).
On dit que l’EP est une électronique de réglage.
On trouve son application dans le domaine domestique (Appareils électroménagers) et dans

le domaine industriel (commandes des machines électriques et particulièrement les moteurs
asynchrones, traction électrique : voiture, train électrique, etc….).
II. Différents types de convertisseurs
1
III. Définition des sources et des charges

En E.P., la caractérisation des sources (générateurs) et des charges (récepteurs) est la partie la
plus délicate car les commutations des interrupteurs auxquels sont reliés imposent des brusques
variations aux courants et aux tensions.
1. Source/Charge de tension
Les sources et les charges sont deux entités parfaitement réversibles (ex : batterie).
On dit que c’est une source/charge de tension si la valeur de tension n’est pas influencée par la
variation du courant qui la traverse. Dans ce cas, la variable d’état est la tension.
L’élément de base est la capacité. Cette dernière amortit la variation brusque de la tension.
2. Source/Charge de courant
On dit que c’est une source/charge de courant si la valeur du courant n’est pas influencée par
la variation de la tension à ces bornes. Dans ce cas, la variable d’état est le courant.
L’élément de base est l’inductance. Cette dernière amortit la variation brusque du courant.
3. Réversibilité des sources et des charges

En insérant une inductance en série avec une source de tension, on obtient une source de
courant.
En insérant une capacité aux bornes d’une source de courant, on obtient une source de tension.
4. Compatibilité / incompatibilité des sources et des charges
2
Source Charge Conséquence

Tension Tension Incompatibilité ; Surintensité
Tension Courant Compatibilité
Courant Tension Compatibilité
Courant Courant Incompatibilité ; Surtension
IV. Les composants de l’électronique de puissance

1. Caractéristique idéale d’un interrupteur
La caractéristique idéale d’un interrupteur permet de déterminer les composants
électroniques formant cet interrupteur.
Les composants électroniques principaux sont :
1.1) La diode
3
1.2) Transistor Bipolaire de Puissance (BJT : Bipolar Jonction Transistor en anglo-

saxon)
Le type de transistor qui travaille en commutation est le transistor du NPN.
➢ Dans le fonctionnement normal, les valeurs de VCEsat, ICsat, IBsat et VCE doivent
être inférieures aux valeurs données par le constructeur (VCE0sat, IC0sat, IB0sat et
VCEmax) pour :
• Réduire la charge stockée ;

• Réduire le temps d’évacuation.
➢ Les transistors supportent mal les courants de crêtes répétitifs et non répétitifs.
Pour cela, ils ne sont pas utilisés dans le redressement ;
➢ Au-delà de VCEmax (tension directe maximale), il y a destruction du BJT ;
➢ Le BJT et la famille du transistor (FET, Mosfet, IGBT) ne supportent pas une
tension inverse à ces bornes. Pour cela, on les protège par une diode ;
➢ La commande d’ouverture et de fermeture du BJT se fait par injection d’un
courant au niveau de la base.
➢ Courant de fuite <1A ;
➢ VCEmax = 5000v ;
➢ Chute de tension : 01 à 02v ;
➢ ICm = 4000A (grande puissance) ;
➢ Fréquence de fonctionnement : 10 à 20kHz (faible fréquence) ;
➢ Besoin d’une grande puissance pour la commande
➢ Le circuit de commande est relativement simple comparé à celui du thyristor ;
a) Mosfet (Famille du transistor à effet de champ)
➢ Le Mosfet représente la particularité d’être un interrupteur commandé en mode

unipolaire c à d le courant n’est du au déplacement que d’un seul type de porteur
de charge (pas de capacité parasite donc pas de charge stockée). Il en résulte une
très grande rapidité à la commande ;
4
➢ Le Mosfet est un transistor commandé par une tension au niveau de la grille. La

tension VGS doit être de 10v au minimum pour que la résistance apparente RDS (qui
est inversement à VGS) soit appréciable ;
➢ VDSmax : est de l’ordre de 300 à 400v ;
➢ IDSmax : est de l’ordre de 100A. Il est utilisé pour des faibles puissances car il
présente une chute de tension élevée comparée au BJT ;
➢ Par contre, la fréquence de fréquence est très élevée. Elle peut atteindre jusqu’à
100KHz
(Haute fréquence) ;
➢ La commande se fait à faible puissance et nécessite peu de composant.
b) IGBT (Famille du transistor à effet de champ)

Le principal inconvénient du Mosfet est sa résistance RDS importante. C’est
pour cela, il n’est pas utilisé en grande puissance.
L’IGBT (InsulateGateBiploar Transistor) a remédié à ce problème. C’est un
composant qui a les avantages d’un Mosfet en fréquence et du BJT en puissance.
1.3) Thyristor
C’est une diode qu’on commande en direct
➢ En explicitant la caractéristique réelle du thyristor, si la tension directe VAK

augment, le courant de gâchette nécessaire pour l’amorçage diminue. En
revanche, si VAK ≥ VBO, le thyristor devient en conduction sans le commander par
la gâchette. Pour le commander, il suffit d’injecter une impulsion de courant au
niveau de la gâchette
➢ Le thyristor est commandable à la fermeture à travers la gâchette mais pas à

l’ouverture. Pour le bloquer, on applique une tension inverse à ces bornes (1ère
condition) et il faut que le courant IAK<IBO (courant de maintien à la conduction)
(2ème condition). Cette dernière condition est suffisante pour bloquer un thyristor
;
➢ Le thyristor peut supporter des grandes puissances ;
➢ Il supporte des tensions maximales répétitives (VRRM) ;
➢ Le courant de fuite <1A ;
➢ La chute de tension varie de 1 à 2v ;
➢ Le courant maximal IAK est de l’ordre de 3 à 4 milliers d’ampères ;
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➢ La tension directe maximale (VAK) est de l’ordre de 5000v ;

➢ La fréquence de fonctionnement <1kHz ;
➢ Pour chaque série de thyristor existe une tension et un courant pour lequel le
thyristor s’amorce (valeur minimale). Au dessous de ses valeurs, le thyristor ne
s’amorce pas.
1.4) GTO (Famille du thyristor)
Comme son nom l’indique, le GTO (GateTurn Off) est un

thyristor qui peut être commandé en ouverture et en fermeture. Il
a les mêmes caractéristiques qu’un thyristor ordinaire que ce soit
en tension ou en courant.
Pour ouvrir le GTO, on extrait des charges par sa gâchette. Le courant est assez élevé.
A puissance égale, le temps d’amorçage d’un GTO est supérieur à un thyristor ordinaire.
1.5) Le MCT (Mos Controlled Thyristor)

Le MCT est un composant de puissance récent dans lequel deux MOSFET sont
intégré dans la structure initiale du Thyristor pour contrôler l’ouverture et la fermeture
du composant. Comme le Mosfet et l’IGT, le MCT est un interrupteur commandé en
mode unipolaire c à d le courant n’est du au déplacement que d’un seul type de porteur
de charge. La structure équivalente est comme suit :
Même avec cette amélioration, le MCT reste un interrupteur avec des

performances limitées en puissance comparées avec celles du thyristor ou le GTO.

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I. Définition de l’Electronique de Puissance /Utilités/ Applications

Les composants de l’EP sont des interrupteurs électroniques (tout ou rien).

On dit que l’EP est une électronique de réglage.

On trouve son application dans le domaine domestique (Appareils électroménagers) et dans

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III. Définition des sources et des charges

3. Réversibilité des sources et des charges

4. Compatibilité / incompatibilité des sources et des charges

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Les composants électroniques principaux sont :

1.2) Transistor Bipolaire de Puissance (BJT : Bipolar Jonction Transistor en anglo-

Le type de transistor qui travaille en commutation est le transistor du NPN.

• Réduire la charge stockée ;

a) Mosfet (Famille du transistor à effet de champ)

➢ Le Mosfet représente la particularité d’être un interrupteur commandé en mode

➢ Le Mosfet est un transistor commandé par une tension au niveau de la grille. La

b) IGBT (Famille du transistor à effet de champ)

➢ En explicitant la caractéristique réelle du thyristor, si la tension directe VAK

➢ Le thyristor est commandable à la fermeture à travers la gâchette mais pas à

➢ La tension directe maximale (VAK) est de l’ordre de 5000v ;

1.4) GTO (Famille du thyristor)

Comme son nom l’indique, le GTO (GateTurn Off) est un

1.5) Le MCT (Mos Controlled Thyristor)

Même avec cette amélioration, le MCT reste un interrupteur avec des

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