BERTHEAU 2014 Archivage
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BERTHEAU 2014 Archivage
Présentée par
Julien BERTHEAU
Etude et caractérisation
d'interconnexions intermétalliques à
partir de plots de cuivre et d'alliages
SnAgCu pour l'empilement
tridimensionnel de composants actifs
Introduction générale...............................................................................................................1
1. Introduction...........................................................................................................................4
2. Du circuit intégré planaire vers l’intégration 3D de composants..........................................4
2.1. Objectifs historiques de l’industrie de la microélectronique.........................................4
2.2. Limitation du circuit intégré planaire. ..........................................................................5
2.3. Le packaging en microélectronique ..............................................................................6
2.4. Introduction à l’intégration 3D .....................................................................................7
2.4.1. Le câblage unitaire de puces...............................................................................7
2.4.2. Le wafer level packaging....................................................................................7
3. Mise en interconnexion tridimensionnelle des composants par brasage d’alliage...............9
3.1. Du « solder ball » vers le « micro-bump » ....................................................................9
3.2. De l’alliage Sn-Pb vers l’alliage Sn-Ag-Cu.................................................................11
4. Alliage de type SAC...........................................................................................................12
4.1. Diagrammes d'équilibre de phases...............................................................................12
4.1.1. Diagrammes d'équilibre de phases binaire........................................................12
4.1.2. Systèmes ternaires.............................................................................................13
4.2. Microstructure de solidification...................................................................................16
4.2.1. Solidification des alliages binaires Sn-Ag et Sn-Cu.........................................16
4.2.2. Solidification des alliages ternaires Sn-Ag-Cu riche en étain...........................16
4.2.3. Influence de différents paramètres sur la microstructure de l'alliage................17
4.3. Conclusion. .................................................................................................................24
5. Interaction alliage de brasure/ substrat................................................................................24
5.1. Réactivité interfaciale entre un substrat cuivre et un alliage base étain......................24
5.1.1. Système Cu-Sn(solide)..........................................................................................24
5.1.2. Système Cu-Sn(liquide).........................................................................................28
5.1.3. Système Cu-SnAgCu........................................................................................31
5.1.4. Influence de l'ajout d’éléments additionnels dans le système...........................32
5.2. Réactivité interfaciale entre un substrat nickel et un alliage base étain.......................33
5.2.1. Système Ni-Sn(solide)..........................................................................................34
5.2.2. Système Ni-Sn(liquide).........................................................................................34
5.2.3. Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de
croissance des couches réactionnelles..................................................................37
6. Etude du système métallurgique transposé au micro-bump................................................38
6.1. La dimension du système.............................................................................................38
6.2. La nature des traitements thermiques subis par le système.........................................40
7. Fiabilité des joints de brasure avec UBM...........................................................................41
7.1. Introduction..................................................................................................................41
7.2. Type de test mécanique ...............................................................................................42
7.3. Test en cisaillement .....................................................................................................42
7.4. Incidence de la chimie de brasure et des traitements thermiques ...............................44
7.5. Conclusion...................................................................................................................44
8. Conclusion..........................................................................................................................45
1. Introduction.........................................................................................................................48
1. Introduction.........................................................................................................................76
2. Etude microstructurale........................................................................................................77
2.1. Introduction..................................................................................................................77
2.2. Etat initial du système après le dépôt électrolytique de l'alliage de brasure................77
2.3. Etude par calorimétrie différentielle à balayage (DSC) de la fusion et solidification de
l'alliage SAC................................................................................................................79
2.3.1. Introduction......................................................................................................79
2.3.2. Etude par DSC...................................................................................................80
2.3.3. Conclusion.........................................................................................................83
2.4. Microstructure de solidification...................................................................................84
2.4.1. Introduction.......................................................................................................84
2.4.2. Microstructure après un reflow.........................................................................84
2.4.3. Influence de différents paramètres sur la microstructure de solidification.......86
2.5. Conclusion...................................................................................................................89
3. Etude du système interfacial ..............................................................................................89
3.1. Introduction..................................................................................................................89
3.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le cuivre solide...........................................90
3.2.1. Etat initial de l'interface Cu/SAC après le dépôt (interaction à l'état solide)....90
3.2.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le cuivre solide dans le cas de micro-
bumps de diamètre égale à 25µm.........................................................................91
3.2.3. Comparaison de la réactivité interfaciale Cu/SACliquide dans le cas du micro-
bump de diamètre 25µm et du bump face arrière de diamètre 80µm.................103
3.2.4. Mouillage réactif des parois verticale..............................................................105
3.3. Interaction entre l'alliage SAC et le nickel solide pour des micro-bump de diamètre
25µm..........................................................................................................................107
3.3.1. Etat initial de l'interface Ni/SAC après dépôt..................................................107
3.3.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le nickel solide...............................108
3.4. Conclusion................................................................................................................112
4. Résistance mécanique des micro-bumps de diamètre 25µm............................................112
4.1. Introduction................................................................................................................112
4.2. Cisaillement de micro-bumps ayant subi un reflow - Impact de la vitesse de
cisaillement................................................................................................................112
4.2.1. Profil des courbes force de déplacement - cisaillement .................................112
4.2.2. Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement............114
4.2.3. Examen des faciès de rupture..........................................................................114
4.3. Cisaillement de micro-bumps ayant subi un maintien isotherme à 240°C................117
4.3.1. Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement............117
4.3.2. Examen des faciès de rupture..........................................................................118
4.3.3. Analyse des résultats.......................................................................................119
4.4. Conclusion.................................................................................................................121
5. Conclusion........................................................................................................................121
1. Introduction ....................................................................................................................124
2. Diagramme d'équilibre de phase et réactivité interfaciale .............................................124
2.1. Diagrammes d'équilibre de phases ............................................................................124
2.1.1. Description du système binaire Au-Sn............................................................124
2.1.2. Diagrammes de phases ternaires ....................................................................125
2.2. Réactivité interfaciale ...............................................................................................126
2.2.1. Réactivité dans le système Au-Sn...................................................................126
2.2.2. Implication de l'ajout du nickel et du cuivre...................................................128
2.3. Conclusion.................................................................................................................129
3. Caractérisation morphologique du système d'interconnexion........................................130
3.1. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800nm, test Div1).............................................130
3.1.1. Introduction)....................................................................................................130
3.1.2. Caractérisation après assemblage....................................................................130
3.1.3. Caractérisation après deux reflows successifs à l'assemblage........................135
3.1.4. Caractérisation après quatre reflows successifs à l'assemblage......................137
3.1.5. Caractérisation après test de vieillissement.....................................................138
3.2. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto)....140
3.2.1. Introduction.....................................................................................................140
3.2.2. Caractérisation après assemblage du système Cu/Ni/Au//SAC/Cu................140
3.2.3. Caractérisation après assemblage du système Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu...........142
3.3. Conclusion.................................................................................................................144
4. Caractérisation électrique et de fiabilité du système d'interconnexion...........................144
4.1. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800nm, test Div1) ............................................144
4.1.1. Test en cisaillement sur système de puces reportées......................................144
4.1.2. Caractérisation électrique au cours de différentes étapes de reflows..............148
4.1.3. Caractérisation après test de vieillissement.....................................................150
4.2. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto) ...151
4.2.1. Impact du diamètre d'interconnexion..............................................................151
4.2.2. Impact des tests de fiabilité.............................................................................153
4.2.3. Impact de l'ajout de nickel..............................................................................154
4.2.4. Conclusion......................................................................................................154
5. Conclusion......................................................................................................................155
Conclusion générale..............................................................................................................157
Références..............................................................................................................................161
Annexes..................................................................................................................................170
Résumé
1
travail de diagnostic et de propositions de solutions alternatives doit s'inscrire dans la
perspective de la probable poursuite de la réduction des dimensions du système dans le futur.
Pour répondre à ces objectifs, la présente étude se découpe en quatre chapitres. Etant
donné la grande variabilité des systèmes du type des empilements cuivre-alliage base étain
face à des paramètres dimensionnels, thermodynamiques, cinétiques et compositionnels, il est
nécessaire de comprendre comment s'articule ces différents paramètres entre eux pour
configurer un état métallurgique. Tout d'abord, les aspects relatifs à la réactivité chimique des
empilements Cu / alliages base étain sont examinés à travers un état de l'art bibliographique
conséquent. Ce premier chapitre présente à la fois les propriétés thermodynamiques et
microstructurales propres aux alliages SnAgCu, ainsi qu'un large étendue des connaissances
relatives à la réactivité interfaciale entre le substrat de cuivre ou de nickel et l'alliage. Une
dernière partie est consacrée à l'étude de la fiabilité mécanique des systèmes d'interconnexion
notamment au travers de test en cisaillement.
Les véhicules test à partir desquels les systèmes de puces reportées et interconnectées
peuvent être réalisés sont présentés dans le second chapitre. L'élaboration des structures
d'interconnexion y est détaillée ainsi que plusieurs problématiques que soulèvent l'obtention
d'un procédé optimal et reproductible. Le travail décrit tout au long de ce manuscrit repose en
grande partie sur la caractérisation par le biais de différents supports qui feront tour à tour
l'objet d'une présentation dans la dernière partie de ce chapitre.
Le travail de caractérisation décrit durant le second chapitre, permettra de qualifier
précisément les états métallurgiques atteints par le système d'interconnexion avant
l'assemblage de composants. Ce sera l'objet du chapitre 3. A ce stade d'intégration, le système
d'interconnexion étudié est un empilement micrométrique de cuivre et d'un alliage SnAgCu.
L'avancement réactionnel, correspondant aux étapes successives du procédé d'élaboration ou à
des simulations de vieillissements thermiques seront analysés. Ainsi, l'analyse métallurgique
suivant l'avancement réactionnel et les évolutions morphologiques et microstructurales
autorise une vision prédictive du système et met ainsi en exergue les causes éventuelles d'un
défaut de fiabilité. Le cœur de l'étude consiste ici en une bonne compréhension du système
métallurgique que constitue le simple empilement Cu/SnAgCu afin d'appréhender au mieux le
système de l'interconnexion complète. En effet l'interconnexion complète constitue un
système au sein duquel davantage de matériaux sont en interaction (cuivre, étain, argent,
nickel et or), est donc plus complexe et pose davantage de problématiques. Par le biais de
tests en cisaillement, il sera tenté, dans une dernière partie, d'identifier les causes éventuelles
d'un affaiblissement mécanique.
Enfin, le système reporté est élaboré comme support expérimental du dernier chapitre.
La caractérisation de l'interconnexion complète dans différentes configurations permettra,
comme précédemment, une mise en évidence de l'état métallurgique pour différents stades
d'avancements réactionnels et même d'envisager des mécanismes de défaillances associés à
certaines configurations. Conjuguées à la caractérisation électrique, les évolutions de l'état
métallurgique peuvent être corrélées avec une dégradation des performances électriques.
L'objectif du chapitre est donc de donner des bases pour l'identification des intégrations
prometteuses du point de vue de la performance et la durée de vie.
Une synthèse des principaux résultats obtenus sera finalement dressée dans une
conclusion générale. Cette dernière partie du manuscrit sera l'occasion de donner des
recommandations sur les choix d'intégration et les solutions alternatives évaluées et de donner
une série de perspectives pour la poursuite des travaux.
2
Chapitre 1: Alliage de type Sn-Ag-Cu (SAC): contexte
industriel et état de l'art bibliographique
3
1) Introduction
L'objectif de ce premier chapitre est d'abord de situer l'objet d'étude dans son contexte
industriel, c'est-à-dire en premier lieu au sein de la technologie de la microélectronique, puis
dans le cadre de la stratégie d'intégration tridimensionnelle de composants. La première partie
dresse donc un bref historique du secteur de la microélectronique, puis du contexte dans
lequel la stratégie de l'intégration 3D de composants a émergé comme solution innovante.
Dans une seconde partie, quelques éléments historiques marquants conférant à l'objet d'étude
ses propriétés (géométriques et compositionnelles) actuelles seront présentés. Les deux parties
suivantes intitulées respectivement "alliage de type SAC" et "interaction alliage de brasure-
substrat", constituent le cœur du chapitre. Les travaux notables portant sur des systèmes
analogues à celui de la présente étude en termes de dimension, de composition ou de
condition thermodynamique, y sont recensés. Cette fois l'objectif est d'identifier les points
clefs régissant la physico-chimie du système et ce, suivant deux axes majeures d'études qui
sont: l'analyse de l'alliage de brasure composé à plus de 95% massique d'étain et l'analyse du
système interfacial entre le substrat métallique et l'alliage. Cet état de l'art débouche
naturellement sur le champ d'investigation de la fiabilité mécanique. C'est pourquoi la
dernière partie est consacrée à l'évaluation de la fiabilité mécanique de l'objet d'étude par test
en cisaillement. L'impact des paramètres expérimentaux sur les variables de sorties y est
discuté avec l'appui de différents travaux bibliographiques sur le sujet.
Figure 1-1: Nombre de transistors par processeur en fonction des années [1].
4
pourquoi une véritable explosion du marché des semi-conducteurs depuis ces années là a pu
être notée, et qui est toujours effective aujourd’hui. Chaque année, des experts des différents
domaines de la microélectronique (Photolithographie, Procédé Front-End, Microsystème
électromécanique ou "MEMS", Technologie Radiofréquence, Métrologie, Mise en boitier ou
"Packaging", Simulation…etc) se réunissent pour définir les prochaines dimensions
caractéristiques d'une technologie (ou "nœuds technologiques") à développer. Cette
conférence, l’International Technology Roadmap for Semi-conductor (ITRS), bien
qu’admettant l’inaltérable validité de la conjecture de Moore, se trouve depuis peu face à
l’importance croissante d’une nouvelle tendance appelée "More than Moore", dans laquelle la
diversification des fonctionnalités est privilégiée face à la miniaturisation. L’accord avec la loi
de Moore n’est alors dans ce cas pas systématique.
En effet, cette loi, ou conjecture, s’est révélée étonnement vraie pendant plus de trente
ans, mais ne peut logiquement pas être poursuivie à l’infini. La limite physique du composant
en termes de dimension (ou en poursuivant la logique à l’extrême, chaque élément primordial
du composant ne saurait être plus petit qu’un atome), ainsi qu’en termes d’effets quantiques
apparaissent comme des limites ultimes. La puissance dissipée par les courants de fuite
augmente exponentiellement avec l'inverse de la taille de grille des transistors. C’est l’effet
tunnel au travers de l’oxyde de grille qui est responsable de ce courant de fuite. Par ailleurs le
coût de développement de ces nouvelles technologies augmente de manière exponentielle
également. Chaque nouveau saut technologique implique donc des investissements toujours
plus considérables et des risques stratégiques toujours plus périlleux.
5
typiquement trois niveaux de hiérarchisation : local, semi-global et global, comprenant
jusqu’à 10 niveaux de métal (Figure 1-2).
Il sera à nouveau fait référence aux niveaux de métallisation lors de la description des
véhicules test qui sera abordée dans le second chapitre.
6
nom du procédé "C4" pour "Controled Collapse Chip Connection" [9] puis s’est répandu
comme une solution standard d’assemblage de puces sur substrat organique.
Figure 1-3: Représentation schématique de mode de connexion filaire de composant (ou wire
bonding) (a) et du mode de connexion verticale par brasage (ou flip-chip) (b).
La finalisation du produit passe par son enrobage dans une résine polymère
généralement appelée "Molding" puis celui-ci est placé dans un boitier en plastique servant
d'interface mécanique entre le composant lui-même et le circuit imprimé.
Figure 1-4 : Exemples de 3D-Packaging: empilement 3D avec câblage en boucle entre les
puces (a), empilement 3D avec câblage périphérique en cascade (b) [4].
Selon les applications et les besoins on peut faire appel à différentes architectures
d’assemblage avec par exemple l’utilisation de l’interposeur. L'interposeur est une puce de
silicium traversée par les vias (TSV) intercalée entre une puce de technologie avancée et le
substrat (figure 1-5). L’interposeur silicium a été introduit comme une réponse à la nécessité
croissante de complexifier le substrat face à la diminution des tailles de motif et
d’interconnexion. Il constitue ainsi une passerelle entre la taille des motifs de la puce et celle
du substrat. Le substrat, appelé BGA pour Ball Grid Array en anglais, est une interface entre
le composant et le circuit imprimé. Il comprend une matrice de billes soudables destinées à
être assemblées sur le circuit imprimé. Ce substrat est constitué d’une succession de couches
organiques et/ou céramiques. Sa fabrication est couteuse notamment lorsque le degré de
complexité devient trop important. L’utilisation de substrats de type BGA ne serait plus
rentable lorsque l’espacement des motifs devient inférieur à 180µm [12]. C’est dans ce cas
que l’utilisation d’un interposer devient moins couteuse.
Une architecture 3D classique comprend donc les puces suivantes :
• la puce du dessus, généralement support de la technologie la plus pointue de l’édifice.
• la puce du dessous, ou interposeur. Il peut s’agir d’un interposeur actif ou interposeur
passif.
et les connexions ou interconnexions suivantes:
8
• la connexion inter-puce : joints de brasures localisés en face arrière de la puce du dessus et
en face avant de l’interposeur qui, positionnés en regard, assurent la communication entre
ces deux puces,
• les vias traversants ou TSV (Trough Silicon Vias) qui permettent la conduction électrique
au travers de l’épaisseur de l’interposeur,
• les couches de redistribution en face avant, plus communément appelées Frontside RDL
(pour ReDistribution Layer en anglais), qui assurent le déplacement du courant jusqu’aux
vias traversants,
• les couches de redistribution en face arrière (Backside RDL), localisées en face arrière de
l’interposeur, redistribuent le courant de la même manière que les frontside RDL, vers de
gros plots de cuivre ou des billes destinées au report sur substrat BGA,
• les interconnexions face arrière, (Backside interconnection en anglais) ou solder balls,
communiquent le courant au circuit imprimé ou BGA.
Les connexions inter-puces et les interconnexions en face arrière sont deux
déclinaisons du même objet physique et doivent répondre aux mêmes exigences. Ces
architectures d’interconnexions se différencient au premier abord essentiellement par leur
dimension et leur géométrie mais ont en commun le principe de brasage décrit précédemment.
Alors que l’interconnexion face arrière utilise des solder balls, qui mettent directement en
contact les lignes de métallisations des deux niveaux de puces, les connexions inter-puces
assurent la connexion entre les lignes au moyen de plots métalliques surplombés d’un alliage
fusible. Cette dernière structure est appelée micro-bump (figure 1-6). C’est selon la maturité
de la technologie à assembler et donc, très concrètement, selon l’espacement des motifs (ou
pitch en anglais) que va s'imposer l’utilisation de l’une ou l’autre des architectures.
Figure 1-6 : Inspections MEB montrant un exemple de chacune des deux structures de
connexion entre puces : le solder ball (a) et le micro-bump (b) [3].
Nous allons, dans la partie qui suit, différencier le solder bump du micro-bump qui
constituent les deux structures élémentaires de la connexion par brasage.
9
L’introduction du micro-bump est par conséquent historiquement apparue pour des niveaux
d’interconnexion requérant de faibles pas.
Figure 1-7 : Deux géométries d’interconnexion distinctes : le solder bump (a), et le micro-
bump (b).
Quelle que soit l'approche considérée, le système subit un traitement thermique appelé
"reflow" au cours duquel le point de fusion de l'alliage est franchi pendant une durée
caractéristique d'environ une minute. Le reflow a plusieurs fonctions de stabilisation de la
structure (solder bump ou micro-bump) qui seront détaillées au cours du chapitre 2. Dans le
cas des solder bumps, la distance entre la puce et le substrat est déterminée par l’amplitude de
l’effondrement de la bille au cours du reflow. La conservation de cette distance puce/substrat
sur toute la longueur de la puce, est un élément sur lequel il est difficile d’obtenir une bonne
reproductibilité. Il est toutefois possible de limiter l’étalement de la brasure sur le substrat ou
la couche métallique par l’utilisation d’une couche de passivation non mouillable [15].
La géométrie d’intégration avec pilier (ou micro-bump) comporte plusieurs avantages
comparativement au cas de la brasure simple (ou solder bump). Le bénéfice majeur de
l’utilisation des piliers de cuivre est l’étalement limité de la brasure ce qui limite le risque de
court-circuit, d’autant plus lorsque les applications nécessitent des pas réduits. Un autre
argument concerne la gestion thermique du système d’interconnexion. En effet, la
conductivité thermique du cuivre est supérieure à celle de l'alliage SnPb eutectique d’environ
un ordre de grandeur à température ambiante. Cela conduit à un meilleur transfert de la
chaleur depuis la puce vers l’extérieur et donc à une plus faible température de
l'interconnexion pendant le fonctionnement [16]. De surcroit, l’espace inter-puce est comblé
par une résine d'encapsulation appelée "underfill" qui présente une bonne conductivité
thermique ; les performances électriques ne peuvent alors qu’être améliorées.
Un autre avantage concerne la propagation du champ électrique au sein des
interconnexions. Il a été démontré [17, 18] qu’une défaillance relative à la géométrie de
l'interconnexion peut être rencontrée lors de la mise en fonctionnement du système (figure 1-
8). Ceci est lié à la propagation non uniforme du courant de fonctionnement au sein des
interconnexions ce qui conduit à des effets de surdensification du courant localisés aux coins
supérieurs de l’interconnexion (à l’embranchement entre la ligne de redistribution et
l’interconnexion (figure 1-8)). Le cuivre est capable d’endurer des densités de courant très
importantes (106 à 107A/cm²) contrairement à la brasure pour laquelle des déplétions de
matières ont été observées pour des densités de courant beaucoup plus faibles (104 à
105A/cm²) [19]. Des piliers de cuivre peuvent alors être utilisés comme matériaux supportant
ces points de surdensifications. Ainsi, la densité de courant est plus homogène dans le joint
d’alliage proprement dit.
En résumé l’interconnexion verticale comprenant des piliers de cuivre présente plus
d’avantages que le simple solder bump:
• L'utilisation des piliers de cuivre, du fait de la résistance électrique du cuivre qui vaut
environ un quart de celle des alliages base étain, permet la réduction de la puissance
10
électrique consommée ainsi que la réduction de la génération de chaleur dans le
packaging.
• Le pilier de cuivre permet d’acheminer des densités de courant plus importantes que dans
un simple solder bump. De ce fait, les diamètres d’interconnexions peuvent être réduits
pour un fonctionnement à puissance équivalente.
11
D'une façon générale, les alliages de brasures sans plomb sont à base d'étain, ont des
énergies de surface plus élevées que l'alliage eutectique SnPb et possèdent un plus grand
angle de mouillage sur cuivre (autour de 30-45°) [24]. Certains de ces alliages sont considérés
comme ayant un point de fusion trop bas (Sn-58Bi, Sn-56Bi-4Zn).
Il a par la suite été mis en évidence que c’est l’alliage basé sur le système étain-argent
qui présentait les meilleures propriétés mécaniques [25]. L’ajout d’un troisième élément
entraine en général une diminution de la durée de vie en fatigue mis à part le cas du cuivre
[26]. Certains résultats visant à évaluer les différents alliages candidats incitent à se baser sur
le système ternaire SnAgCu [27, 28]. Depuis plusieurs années, différentes compositions
d’alliages de brasures SnAgCu ont été brevetées (alliages appelés SAC, comme par exemple
SAC305 : 3mass%Ag, 0,5mass%Cu).
L’alliage eutectique SnAgCu de composition 3,0 mass% Ag et 0,5 mass% Cu (parfois
appelé SAC 305) mouille et forme un joint de bonne qualité avec le cuivre. Il est très
prometteur dans des applications ou un grand nombre de cycles thermiques et de vibrations
mécaniques sont à prévoir [29]. Ces propriétés thermomécaniques sont supérieures à celles de
l'alliage eutectique SnPb conventionnel. La température de fusion de l’eutectique SnAgCu
répertoriée dans la littérature, bien que sujet à controverse, est généralement considérée être
égale à 217°C. De même, la composition de l’eutectique reportée dans la littérature, n’est pas
toujours la même suivant les observations métallurgiques ou les analyses par calorimétrie
différentielle à balayage. Cette composition est cependant très proche de Sn-3,8mass% Ag-
0,7mass% Cu (ou SAC 387).
A présent que le système d'étude (micro-bump) est situé dans son contexte industriel et
que les paramètres relatifs à la géométrie et à la composition du joint d'alliage ont été décrits,
l'étude concernant la métallurgie de l'alliage SnAgCu (ou SAC) sera abordée dans le
paragraphe qui suit.
Plusieurs alliages de type SAC sont sujets à de permanentes études et sont utilisés par
les industriels. Les variantes visent à améliorer des paramètres comme la mouillabilité, le
module d’élasticité, la température de fusion ou bien le taux de dissolution du cuivre dans
l'alliage. Parmi ceux-ci on retiendra essentiellement le SAC 305 et le SAC 387 (proches de la
composition eutectique). Lors de différents opérations de brasage, les alliages SnAgCu sont
généralement mis en contact avec des solides métalliques, essentiellement le cuivre et le
nickel. Par conséquent les diagrammes de phases des systèmes Sn-Ag-Cu puis Sn-Cu-Ni
seront successivement étudiés.
12
en étain β-Sn de structure tétragonale entre 13°C et 162°C, γSn de structure orthorhombique
au-dessus de 162°C et αSn de structure diamant au-dessous de 13°C.
Le système Ag-Cu est un système eutectique simple comprenant deux phases solides:
une solution solide riche en cuivre de structure cubique faces centrées αCu et une solution
riche en argent de structure cubique faces centrées α'Ag. La transformation eutectique a lieu à
779°C: Liq αCu + α'Ag.
Enfin, dans le domaine de température inférieure à 300°C, le système binaire Ni-Sn
(figure 1-10d) présente la transformation eutectique suivante à 231°C : Liq Ni3Sn4 + β-Sn.
Dans ce domaine de température ce système présente trois phases intermédiaires: NiSn, NiSn2
et Ni3Sn4. Notons enfin que les systèmes binaires Cu-Ni et Ag-Ni ne présentent aucune phase
intermédiaire, la solubilité à l'état solide dans le système Cu-Ni est totale alors que dans le
système Ag-Ni elle est pratiquement nulle.
Figure 1-9 : Diagramme d'équilibre de phases des systèmes Sn-Ag (a), Sn-Cu (b), Ag-Cu (c)
et Ni-Sn (d) [30].
13
eutectique notamment pour pouvoir bénéficier d’une assez basse température de fusion. Les
alliages les plus étudiés sont : SAC 105, SAC 205, SAC 396, SAC 305 et SAC 387.
Comme tous ces alliages sont à base étain, la zone majoritairement riche en étain du
diagramme ternaire SnAgCu sera ici tout particulièrement utile (figure 1-10b). La figure 1-
11a représenta la projection du liquidus du diagramme ternaire SnAgCu. Ce diagramme ne
comporte aucun composé ternaire. L'agrandissement du diagramme du côté riche en étain (<8
mass% Ag, < 3mass% Cu) montre l'existence de trois transformations eutectiques biphasées
monovariantes : Liq Ag3Sn + β-Sn ; Liq β-Sn + Cu6Sn5 et Liq Ag3Sn + Cu6Sn5.
Les deux premières sont des prolongements des transformations eutectiques dans les
systèmes binaires AgSn et SnCu respectivement. Les trois lignes monovariantes se
rencontrent en un seul point (E) où la transformation eutectique ternaire a lieu:
Liq β-Sn + Ag3Sn + Cu6Sn5
La composition du point E se trouve dans l'intervalle 3,6-3,7mass%Ag, et 0,8-
0,9mass%Cu.
Figure 1-11: coupes isothermes calculées pour une température de 223°C (a) et 240°C (b)
[31].
Figure 1-12: section isotherme du diagramme de phase ternaire Cu-Ni-Sn à 220°C [32].
15
4-2) Microstructure de solidification
Figure 1-13 : Microstructure d’un alliage Sn3,5 mass% Ag, refroidissement à 0.5°C/s (a),
refroidissement à 0.08°C/s (b) [33].
17
La figure 1-16, montre clairement la coexistence de précipités primaires d'Ag3Sn ou
Cu6Sn5, de dendrites de β-Sn et d'un mélange eutectique entourant les dendrites dans le cas
d'un alliage SAC de composition proche de l'eutectique ternaire (Sn-3,9%Ag-1,4%Cu).
La figure 1-17 indique de façon plus détaillée comment sont organisés les précipités
Ag3Sn et de Cu6Sn5 issus de la transformation eutectique par rapport aux dendrites de β-Sn.
Les bras dendritiques d'étain sont entourés par des précipités d'Ag3Sn et de Cu6Sn5
apparaissant plus brillants sur le cliché.
Figure 1-17: Cliché MEB de la microstructure de solidification d'un alliage SAC 387 (Sn–
3.8%Ag–0.7%Cu) [39]
Malgré le fait que le nombre de branches dendritiques de β-Sn parait important (figure
1-17 et figure 1-18a) [38, 39], L. P. Lehman et al ont montré par une analyse microscopique
en lumière polarisée que dans une bille d'alliage Sn-Ag-Cu de diamètre d'environ 800µm, il
peut y avoir seulement quelques grains de β-Sn (figure 1-18b).
La comparaison d'analyses en diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD) et en
lumière polarisée (Polarized Light Microscopy ou PLM) a également été effectuée par A.
Lalonde et al [37] (figure1-19), par D. W. Henderson [39], et plus récemment par B. Arfaei et
E. Cotts [40].
Figure 1-19: Cliché EBSD (a) et PLM (b) d'une bille de brasure type BGA de SAC 387 (Sn-
3.8 Ag-0.7Cu) [37].
18
D'une façon générale, quelque soit l’alliage utilisé, l’observation des précipités
intermétalliques (Ag3Sn et Cu6Sn5) est attestée par un très large nombre de publications. En
revanche, la microstructure de l’alliage (la taille des grains, des dendrites et des précipités
ainsi que leur densité) est susceptible de connaitre une forte variabilité selon les différentes
conditions expérimentales. Les principaux paramètres expérimentaux qui ont une influence
significative sur la microstructure des alliages SAC sont : la vitesse de refroidissement lors du
brasage, la dimension du système, la composition des alliages et la présence d’impuretés
solides et/ou d’interfaces solides présentes dans l’alliage.
Comme la microstructure finale des alliages SAC dépend de l'histoire de la
solidification qui elle-même dépend de la surfusion, nous exposerons dans un premier temps
la dépendance de la surfusion des alliages SAC avec les différents paramètres expérimentaux.
La surfusion des alliages SAC dépend d'un certain nombre de facteurs comme la composition
de l'alliage, la dimension, la présence ou non de particules solides dans l'alliage liquide et / ou
d'interfaces solides comme les intermétalliques à l'interface alliages/substrat.
De très nombreuses études (voir par exemple les références [41-44]) ont clairement
démontré que la surfusion des alliages SAC dépend de la dimension du système, de sa
composition, de la méthode d'élaboration (par exemple industrielle ou en laboratoire) ou
encore de la présence d'un solide métallique en contact avec l'alliage liquide. Les surfusions
mesurées pour les alliages SAC sont de quelques dizaines de degrés et peuvent atteindre 85-
90°C (voir annexe A2 [41-46]).
Comme cela a été vu au cours du paragraphe 3-1, le diagramme de phase permet de
déterminer les phases présentes à l’équilibre thermodynamique à une température donnée,
mais il ne donne aucune indication sur la cinétique de solidification qui conditionne la
microstructure de l’alliage. La cinétique de solidification dépend de la température de début
de solidification (donc de la surfusion), de la vitesse de refroidissement du système dont
dépend en partie la vitesse de croissance des différentes phases à une température donnée et
de la composition du système. Comme la surfusion dépend en plus de la dimension du
système (mais aussi d'autres facteurs) la microstructure finale de l'alliage dépendrait
également de la dimension du système. Nous présenterons dans ce qui suit l'influence de trois
paramètres principaux sur la microstructure finale des alliages SAC :
• la vitesse de refroidissement lors du brasage,
• la dimension du système,
• la composition des alliages.
19
d'Ag3Sn sont observés et sont d'autant plus larges que la proportion d'argent de l'alliage
augmente.
Figure 1-20 : Inspection MEB d’échantillons d'alliages SAC 305 (Sn–3.0Ag–0.5Cu) , SAC
357 (Sn–3.5Ag–0.7Cu), SAC 396 (Sn–3.9Ag–0.6Cu) refroidis à 8.3°C.s-1, 0.43°C.s-1,
0.012°C.s-1 [47].
Figure 1-21: Microstructure d'un alliage SAC 305 après refroidissement au four de 0,14°C/s,
(a), après trempe à l'air de 1,7°C/s (b), après trempe à l'eau de 100°C/s (c) [48].
Cet effet de v sur la distance (d) entre les branches primaires et secondaires des
dendrites de β-Sn a été généralisé par P. D. Pereira et al [49]. Il a été démontré que la distance
moyenne entre les dendrites primaires (dp) et les dendrites secondaires (ds=λ) décroit quasi-
linéairement avec v. Pour un alliage Sn-2%Ag-0,7%Cu, lorsque v augmente de 10-2 K/s à
10K/s, dp diminue de 150µm à 50µm et ds=λ décroit de 50µm à 4µm. Une analyse identique a
20
été faite par G. Wei et al [48] dans laquelle l'espacement entre les dendrites secondaires passe
d'une gamme de 25µm à 39µm à une gamme de 3µm à 20µm lorsque lor v passe de 0,14K/s à
2
10 K/s (figure 1-23).
Figure 1-22:
22: Microstructure d'un alliage SAC 305 après refroidissement au four de 0,14°C/s,
(a), après trempe à l'air de 1,7°C/s (b), après trempe à l'eau de 100°C/s (c). (Zooms de la
figure 1-22) [48].
Figure 1-24 : Microstructure de billes d’alliage SAC 305 de diamètre 1100µm a),
590µm b), 270µm c) c et 130µm d) [50].
21
Il faut aussi noter qu'une analyse des échantillons par microscopie en lumière polarisée
montre que la taille des grains d'étain est plus importante dans le cas des grandes billes
(~100µm) que dans le cas de petites billes (~10µm) (figure 1-25).
Des résultats similaires ont été reportés par A. Arfaei et al [41] qui ont étudié la
solidification de billes d'alliage SAC 305 de diamètre 750µm, 300µm et 125µm pour une
vitesse de refroidissement de 1°C/s. La taille moyenne des grains de βSn diminue avec le
diamètre de la bille. Il doit être noté aussi que ces auteurs ont mesuré des surfusions qui
dépendent à la fois du diamètre de la bille mais également de la manière dont l'alliage a été
élaboré. En effet, pour les alliages industriels, des surfusions respectivement de 18°C, 23°C et
53°C ont été mesurées pour les billes de dimensions 750µm, 300µm et 125µm, tandis que ces
surfusions s'élevaient respectivement à 37°C, 46°C et 80°C pour les alliages élaborés en
laboratoire. En conséquence la dimension du système joue un rôle significatif sur la
température de germination de β-Sn et de ce fait sur la microstructure finale de l'alliage. Ce
phénomène est lié à la nature probabiliste de la germination qui est accrue avec la quantité de
matière et donc, la dimension du système.
22
augmente lorsque le pourcentage massique d'argent augmente. De plus l'argent a tendance à
affiner la microstructure de l'alliage et diminuer la taille des dendrites de β-Sn.
Figure 1-26 : Photos MEB de quatre joints SAC de compositions différentes, Sn-3,0Ag-0,5Cu
(a), Sn-3,9Ag-0,6Cu (b) [51].
23
Figure 1-28: Profil typique de la résistance au cisaillement en fonction du taux de
cisaillement pour un alliage SAC (a), variation de la résistance au cisaillement en fonction de
la teneur en argent de l'alliage (Sn-x%Ag-0,4%Cu) [46].
4-3) Conclusion
Dans ce paragraphe sont présentés les diagrammes de phases principaux en relation
avec le procédé de brasage d'alliage SAC (Sn-Ag-Cu) sur des substrats de cuivre ou de nickel.
Différents types de structure de solidification d'alliages SAC, en fonction des paramètres
expérimentaux, ont été présentés. Plusieurs paramètres expérimentaux comme la dimension,
la composition, la vitesse de solidification ou bien la présence ou non de particules solides
dans l'alliage de brasure impactent indirectement la microstructure de solidification en élevant
ou en réduisant le degré de surfusion atteint par l'alliage. L'accroissement de la vitesse de
refroidissement ainsi que les paramètres compositionnels (comme l'augmentation de la teneur
en argent) contribuent à affiner la microstructure de l'alliage. L'accroissement de la dimension
ainsi que la présence de particules solides sont des paramètres qui réduisent le degré de
surfusion et conduisent donc à une microstructure plus fine. Enfin, les propriétés mécaniques
de l'alliage sont directement liées à la microstructure obtenue (taille de grain, taille et
espacement des précipités) en fonction de ces paramètres expérimentaux.
Au cours de ce paragraphe, les interactions entre l'étain ou les alliages base étain (à
l’état solide ou liquide) avec un substrat de cuivre ou de nickel seront décrites.
24
mobile dans les différentes phases (Cu6Sn5, Cu3Sn), tantôt identifiée comme étant le cuivre,
d’autre fois comme l’étain.
a) De -2°C à 80°C :
A partir d’expériences sur des films minces d’étain pur et de cuivre, K.N. Tu [57, 58]
et K. N. Tu et R. D. Thompson [59] ont observé l’existence de la phase η’-Cu6Sn5 après un
temps de recuit de 1 an à -2°C. La phase ε-Cu3Sn n’était en revanche pas identifiée en
microscopie électronique en transmission (TEM) tant que la température de maintien
n’atteignait pas 60°C. A partir de cette température, la croissance de Cu3Sn accompagne celle
de Cu6Sn5.
R. Chopra et M. Ohring [60] ont étudié la cinétique d'interaction entre une couche
mince de cuivre de 4nm et d'étain de 2-3nm, déposée par évaporation thermique sous vide,
lors de maintien isotherme à 80°C et 86°C. Le système interfacial a été caractérisé par
microscopie électronique en transmission (TEM) et par spectroscopie électronique Auger (ou
AES). Il a été démontré, par TEM, que pour des temps de recuit inférieurs à 160 minutes à
80°C, seule la phase Cu6Sn5 est présente à l'interface et que la phase Cu3Sn est détectée pour
des temps de maintien supérieurs à 360 minutes. Une analyse qualitative par AES de la
cinétique de croissance de la couche réactionnelle à 86°C pour des temps de maintien
inférieurs à 360 minutes montre qu'elle obéit à une loi linéaire et que la croissance est limitée
par la cinétique réactionnelle interfaciale [60].
R. Halimi [61] a étudié l'interaction Cu/Sn à température ambiante à partir
d'expériences sur films minces d'étain et de cuivre d'épaisseur variant de 2nm à 5nm déposés
par évaporation thermique sous vide avec une vitesse de dépôt de 20Å/s. Ils déterminent par
diffraction de rayons X (DRX), que la phase η' est formée à l'interface même pendant le dépôt
et qu'après vieillissement à température ambiante, seule cette phase η' est détectée. Des
résultats similaires sont reportés par C.N. Liao et C.T. Wei [62] qui ont étudié la croissance de
phases aux interfaces Cu/Sn par des mesures in situ de résistivité et DRX lors de chauffage de
films minces de cuivre et d'étain d'épaisseur ∼200nm déposés par pulvérisation cathodique.
Récemment W. M. Tang et al [63] ont étudié l'interaction entre des couches de cuivre
et d'étain de quelques micromètres réalisées par dépôt électrochimique. Les densités de
courant pour le dépôt de l'étain et du cuivre étaient respectivement de 10mA/cm² et 25
mA/cm² et la vitesse de dépôt de 0,5µm/min et 0,3µm/min. Des mesures de diffraction (DRX)
leur ont permis de conclure que la phase Cu6Sn5 est formée à l'interface Cu/Sn soit au cours
du dépôt électrochimique soit après. Par ailleurs, l'analyse par microscopie électronique à
balayage et spectroscopie dispersive en énergie (EDX) d'un échantillon vieilli 76 jours à
température ambiante (figure 1-29) montre très clairement une couche de quelques centaines
de nm voire 1µm, nettement discernable à l'interface Cu/Sn que l'analyse EDX révèle être
Cu6Sn5.
25
b) De 70°C à 220°C :
Les interactions aux interfaces Cu/Sn à l'état solide dans la gamme de températures
70°C-220°C ont été très largement étudiées dans la littérature. Deux types d'expérience
peuvent être ici distingués: celles basées sur des couples de diffusion Cu/Sn ou Cu/alliage
base étain qui demandent une préparation minutieuse de l'état de surface des deux solides et
des expériences sous vide secondaire. Le contact initial à l'interface est réalisé par passage de
l'alliage à l'état liquide en présence d'un flux (agent de désoxydation de surface du cuivre et de
l'alliage) et refroidissement de l'ensemble jusqu'à température ambiante. Ensuite le couple
Cu/alliage base étain subit un maintien isotherme pendant un temps déterminé (allant jusqu'à
170 jours [64]). Dans la plupart des études, la présence à l'interface des deux phases Cu6Sn5 et
Cu3Sn a été reportée.
La figure 1-30 montre un cliché en microscopie électronique à balayage (MEB) de la
zone interfaciale d'un couple de diffusion Cu/Sn à 215°C sous vide pendant 225h [65]. A
l'interface initiale à t=0, des particules inertes de taille micrométriques de ThO2,
accomplissant le rôle de marqueurs, ont été placées. Cette figure montre la formation de deux
phases Cu6Sn5 et Cu3Sn respectivement d'épaisseur 10-15µm et 7-10µm. L'interface Cu/ε est
relativement plane comparativement aux interfaces ε/η et η/Sn qui sont irrégulières. Les
particules des marqueurs de ThO2 sont situées vers le milieu de la couche de Cu6Sn5.
Dans l'étude de M. Onishi et al [66], l'épaisseur moyenne de chacune des phases (ε et
η) est mesurée en fonction du temps de réaction allant jusqu'à 900h pour une gamme de
températures de 190°C à 220°C (figure 1-31).
La cinétique de croissance des deux phases η et ε obéit à une loi parabolique: ( e² = k '.t
ou e = k. t ), ce qui indique qu'elle est limitée par la diffusion au travers des couches
réactionnelles. Les épaisseurs ei (i = η ou ε) des couches peuvent être décrites par les relations
suivantes:
( )
ei=ki.t 1/2 et k i = k i0 exp −RTQi
où kη et kε sont des constantes de cinétiques de croissance et Qε = 61 = kJ.mol-1 et Qη =
55kJ.mol-1 sont les énergies d'activation du processus de diffusion dans les phases ε et η
respectivement.
Figure 1-30: Cliché MEB de la zone interfaciale Cu/Sn après mise en contact de 225h
à 215°C [65].
P. T. Vianco et al [67] ont également mesuré l'épaisseur totale moyenne de la couche
réactionnelle formée entre le cuivre et l'étain ou entre le cuivre et l'alliage en fonction de la
durée du maintien thermique pour plusieurs températures de maintien (allant de 70°C à
250°C) et des temps de maintien jusqu'à 400 jours (figure 1-32). Il est notable que la
croissance dans le cas du couple Cu/Sn est légèrement plus importante que dans le cas du
couple Cu/SnAg. Comme dans le cas précédent, la cinétique de croissance est parabolique.
26
Les valeurs d'énergie d'activation de la croissance de la couche réactionnelle (η + ε) ont été
déterminées: Qε+η(Cu/Sn) = 43 kJ.mole-1 ; Qε+η(Cu/SnAg) = 50 kJ.mole-1.
Notons enfin que la présence de trous Kirkendall à l’interface Cu/Cu3Sn ou au proche
voisinage de cette interface est reportée à plusieurs reprises [68-70]. Il est enfin remarquable
que lors du refroidissement, à une température égale à 186°C, intervient la transformation du
η-Cu6Sn5 hexagonal en η’-Cu6Sn5 monoclinique. Les deux phases présentent des densités
différentes (8.448 et 8.270 g.cm3 respectivement à température ambiante [71]). Cette
transition peut donc générer des contraintes liées à une modification du volume occupée par la
phase [72] (Lors du refroidissement par exemple, cela ira dans le sens d’une réduction du
volume).
27
5-1-2) Système Cu-Sn(liquide)
Lors de la mise en contact du cuivre avec l'étain liquide, la première étape de
l'interaction est la dissolution du cuivre dans l’étain qui peut-être un processus très rapide
[64]. Cette dissolution se poursuit jusqu’à saturation en cuivre de l’étain liquide se trouvant au
proche voisinage de l’interface. Elle est accompagnée d'un processus de diffusion du cuivre
dans l'étain liquide conduisant ainsi à un profil de concentration du cuivre du type "profil de
diffusion".
Dans la zone du liquide proche de l'interface où la concentration en cuivre est
supérieure à celle correspondant à l'équilibre liquide - Cu6Sn5, le liquide se trouve dans un état
métastable par rapport à la formation du composé Cu6Sn5 mais aussi par rapport à la
formation de Cu3Sn. A partir du moment où la force motrice est suffisante pour amorcer la
réaction chimique entre le cuivre et l’étain, la formation de cristallites de Cu6Sn5 peut être très
rapide par germination hétérogène dans la zone interfaciale [64, 73]. Dans la littérature, il est
généralement admis que la première phase qui croit à l'interface Cu/Sn est la phase Cu6Sn5.
La figure 1-33 présente une microstructure typique de la zone interfaciale Cu/Sn caractérisée
ici à l'issue d'une mise en contact de 200s à 250°C.
Figure 1-33 : Cliché MEB d’un échantillon cuivre - étain révélant la formation de Cu6Sn5 à
l'interface entre le Cu et Sn après une mise en contact de 200s à 250°C (voir [74]).
28
exemple être longitudinale [75] ou en aspérités (ou "scallops" en anglais) [74, 76] et peut
évoluer avec la température et le temps de réaction.
Les figures 1-35 et 1-36 montrent l'évolution de la morphologie de la couche
réactionnelle avec le temps de maintien à 275°C et avec la température pour un temps de
réaction donnée de 20min. La forme des grains de la phase η est longitudinale et le rapport
hauteur de la dendrite sur largeur de la dendrite s'accroit avec la durée de maintien (figure
1-35) ainsi qu’avec la température de maintien (figure 1-36).
Dans l'étude de M. Yang [77], une vue de dessus de la couche réactionnelle après
gravure chimique de l'étain montre que la morphologie des grains de la phase η est presque
identique (en aspérités ou "scallops") et que la taille moyenne de ces grains augmente avec le
temps et la température de maintien suivant un mécanisme de murissement d'Ostwald (figure
1-37) (Noter que les clichés ne sont pas tous à la même échelle).
Figure 1-37: Clichés MEB révélant les morphologies du Cu6Sn5 se formant à l'interface entre
étain liquide et cuivre solide. Température de maintien: 240°C (a, c, e) et 280°C (b, d, f);
durée de maintien 2min (a, b), 30min (c, d), 600min (e, f). Remarque: les clichés ne sont pas
tous à la même échelle [77].
29
Lorsque la température de maintien de l'étain à l'état liquide augmente, la phase ε
forme une couche continue et relativement uniforme et le système interfacial est constitué de
deux couches intermétalliques η-Cu6Sn5 et ε-Cu3Sn organisées suivant l'empilement :
Cu/ε/η/Sn. La figure 1-38, fournie deux micrographies de l'interface Cu/Sn après 64 minutes
de mise en contact à 250°C (figure 1-38a) et 300°C (figure 1-38b). Sur la figure 1-38a (T =
250°C) il est visible que l'épaisseur moyenne de la couche de la phase η est très élevée par
rapport à celle de la phase ε et que cette couche ε n'est pas parfaitement continue ni très
uniforme en épaisseur. En revanche, à plus haute température (T = 300°C) dans le cas du
cliché de la figure 1-38b, la couche est continue et plutôt uniforme et son épaisseur moyenne
est comparable à celle de la phase η.
Figure 1-38: Clichés MEB de l'interface cuivre/étain après 64 minutes de mise en contact à
250° (a) [64], après 25heures à 300°C pendant (b)[78].
La cinétique de croissance des couches interfaciales η et ε a fait l'objet de nombreuses
publications (voir par exemple les références [75, 77-79]). Le travail de S. Bader et al [79]
peut en particulier être mentionné. Dans cette étude, la cinétique de croissance de η et ε entre
des couches micrométriques de cuivre et d'étain, déposées par dépôt physique en phase vapeur
(ou PVD), est determinée entre 240°C et 330°C et ce, pour des durées de réactions inférieures
à 2,5minutes. Une variation linéaire des épaisseurs de η (eη <3µm) et ε (eε <1µm) est ainsi
obtenue.
Dans l'étude de R. A. Gagliano et M. E. Fine [75], un ensemble complet de mesures
est obtenu dans une gamme de températures de 250°C à 325°C et pour des durées de maintien
allant jusqu'à 100 minutes (figure 1-39). Une croissance parabolique pour la phase ε est
mesurée tandis que l'épaisseur de la phase η évolue plutôt de façon proportionnelle avec la
racine cubique du temps. Les lois de variations des épaisseurs de ces couches (ei, i = η ou ε)
en fonction du temps peuvent être décrites par les équations suivantes:
ei=ki.tn ; ki = ki0 exp ( );
-Qi
RT
Figure 1-39: Cinétique de croissance des couches η-Cu6Sn5 (a) et ε-Cu3Sn (b) entre 250°C et
325°C. e = épaisseur de la couche [75].
30
Toujours concernant les cinétiques de croissance, la récente et complète étude de M.
Yang et al [77], se place dans une gamme de température de 240°C à 280°C et pour des cas de
maintien long, allant jusqu'à 10h. Dans cette étude, une croissance parabolique est identifiée
pour la phase ε quelle que soit la température. Ainsi les valeurs: kε ≈ 0,030 µm.s1/2 pour T =
240°C et kε ≈ 0,051 µm.s1/2 pour T = 280°C peuvent être déterminées. En ce qui concerne la
croissance de la phase η, deux régimes peuvent être distingués comme cela est visible en
figure 1-40a. Jusqu'à une épaisseur moyenne limite de η (eη) qui vaut environ 5µm à 240°C et
7µm à 280°C, la croissance de η suit une loi du type eη= k.tn avec n ≈ 0,32 à 240°C et n ≈ 0,36
à 280°C. Au-delà de cette épaisseur limite, la croissance de η suit quasiment une loi
parabolique avec cette fois n ≈ 0,48 à 240°C et n ≈ 0,47 à 280°C (figure 1-40). Pour le régime
de cinétique de croissance associée aux plus faibles épaisseurs, des valeurs de kη ≈
0,139µm.s1/2 pour T = 240°C et kη ≈ 0,179 µm.s1/2 pour T = 280°C peuvent être déterminées.
Figure 1-40: Cinétique de croissance des couches η-Cu6Sn5 (a) et ε-Cu3Sn (b) à 240°C et
280°C [77].
Pour conclure sur cette partie, η est la première phase à se former à l’interface Cu - Sn
avec une croissance très rapide. Le mécanisme de sa formation est contrôlé par la dissolution
du cuivre dans l’étain liquide, suivie de la réaction chimique entre le cuivre et l’étain.
Morphologiquement, la couche réactionnelle présente des aspérités hémisphériques (ou
scallops) de la phase η. A l’état final, la morphologie de la couche réactionnelle peut être très
irrégulière. Cela peut être attribué à une non-uniformité du taux de dissolution du cuivre à
l’interface réactionnelle (éventuellement plus rapide aux joints de grains) mais aussi à un taux
de croissance dépendant de l’orientation cristalline du composé Cu6Sn5. La question reste
cependant ouverte. Si le temps de réaction est suffisant, la phase ε peut être alors observée et
sa croissance résulte davantage d’un mécanisme diffusionnel que réactionnel. La croissance
de la couche réactionnelle débute avec celle de la phase η qui suit une loi de la forme eη = k.tn,
avec n ≈ 0,3 et évolue potentiellement vers eη = k.tn, avec n ≈ 0,5. La phase ε croit ensuite en
obéissant à la loi: eε = k.tn, avec n ≈ 0,5. Enfin, les énergies d'activation du processus de
croissance de ces phases sont telles que Qη < Qε.
31
vitesse de refroidissement (~100°C.s-1, 1-2°C.S-1, 0.02°C.s-1). Il est suggéré que la teneur en
argent dans la brasure impacte l’énergie d’interface entre η et la brasure, ce qui a des
implications sur le murissement des "scallops" de la phase η [82].
Figure 1-41 : Images MEB de la couche η après un recuit de 5 min à 250°C puis
gravure chimique de la brasure n’ayant pas réagi. Teneurs en Ag: 0% (a, b, c); 1% (d, e, f);
3% (g, h, i). Vitesse de refroidissement: 100°C.s -1 (a, d, g); 1-2°C.s-1 (b, e, h) 0.02°C.s-1 (c, f,
i) [82].
b) Rôle du cuivre
Le cuivre est ajouté à l'étain afin de diminuer la température de fusion mais surtout
pour ralentir la cinétique de dissolution du cuivre solide au sein de l'étain liquide afin
d'obtenir une dissolution aussi homogène que possible. La présence du cuivre en faible
quantité (<1%) n'a pratiquement pas d'influence sur la cinétique de croissance des couches
réactionnelles [83].
5-1-4) Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de croissance des
couches réactionnelles.
L’ajout d’éléments additionnels au couple réactionnel peut potentiellement affecter la
couche interfaciale à trois niveaux. L’ajout d’éléments peut affecter le taux de croissance de la
couche réactionnelle, modifier la morphologie de ses phases, ou contribuer à la formation ou
la suppression d’une ou de plusieurs nouvelles phases. Dans le cas du système Cu-Sn, il ne
semble manifestement pas possible, quelque soit la nature de l’additif, de supprimer la
croissance des phases η et/ou ε [64]. Le système est étudié entre 110°C et 150°C lorsque les
éléments Mg, Cr, Mn, Ni, Ti, Al, Si, Fe, Co, P, Pt, Pd sont ajouté au cuivre à hauteur de 1%.
La première moitié de ces éléments (Mg jusqu’à Ti), entraine une légère réduction du taux de
croissance de la couche interfaciale, mais tend à y générer des fractures. Les autres éléments
(Al jusqu’à Pd), amplifient au contraire, le taux de croissance de η et ε. Un cas particulier
intervient avec l’ajout de Bi dans la brasure pour des températures inférieures à 200°C. Ce
dernier ne réagit pas avec le cuivre, la réaction met donc seulement en jeu Cu et Sn. Ce n'est
que lorsque la concentration en bismuth est très élevée (~60at%) que Cu6Sn5 n’est plus en
équilibre thermodynamique avec la brasure et se transforme en Cu3Sn qui est en équilibre
avec la brasure. La morphologie initiale de Cu6Sn5 est cependant conservée [84]. La réaction
peut se poursuivre jusqu’à la consommation totale de Cu6Sn5 et de Sn dans l'alliage ce qui a
des implications dramatiques sur les propriétés mécaniques du joint de brasure.
Un effet intéressant a été noté avec des brasures SnAg, SnSb, SnPb ou Sn pur lorsque
le substrat de cuivre était dopé en nickel [85]. Dans ce cas, le taux de croissance de la couche
réactionnelle est fonction de la quantité de nickel incorporé dans le cuivre, avec un maximum
pour un taux de nickel voisin de 6-9at% au-delà duquel le taux de croissance retombe. Ce taux
32
de nickel est lui-même fonction de la composition de la brasure et de la température. Cette
différence de taux de croissance serait vraisemblablement liée à une modification de la
composition de l’intermétallique [85, 86]. Dans ce cas, la couche interfaciale ne comporte
qu’une seule phase visible, analysée comme étant un composé ternaire de la forme
(Cu,Ni)6Sn5. Il est donc observé dans ce cas, une suppression complète de Cu3Sn qui semble
n’intervenir que lorsque la teneur en nickel du cuivre solide est supérieure à 6-9at%. La figure
1-42 montre l’interface entre l’étain liquide et un substrat de cuivre dopé au nickel à 15at%
après recuit à 240°C pendant 60min [64].
Figure 1-42 : Produit de la réaction entre substrat Cu-15%Ni et Sn liquide à 240°C pendant
60min [64].
Figure 1-43: Mise en évidence de la couche réactionnelle après une mise en contact
de nickel et d'étain de 16 jours à 75°C (a), 100°C (b), 125°C (c) (grossissement X1000).
Mesure de la croissance de la couche interfaciale entre nickel et étain (courbe pleine rouge)
et entre cuivre et étain (courbe pointillée noire) (d) [88].
34
de l’interface Ni-Sn. La dissolution se poursuit jusqu’à ce que la sursaturation soit
suffisamment importante pour conduire à la germination hétérogène et ensuite à la croissance
de l'intermétallique Ni3Sn4 [79]. En comparant les diagrammes de phases Ni-Sn et Cu-Sn, à la
même température, la limite de solubilité de nickel dans l'étain liquide est beaucoup plus
faible que celle du cuivre, ce qui signifie que le taux de dissolution est plus faible dans le cas
du nickel que dans celui du cuivre. C’est une des raisons pour lesquelles, il est observé à
contrainte thermique équivalente, un taux de croissance d'intermétallique moins important
dans le cas du nickel. Comme dans le cas du couple Ni-Sn(solide), l'interaction entre nickel et
étain liquide conduit toujours à la croissance de Ni3Sn4 et les deux autres phases
thermodynamiquement stables Ni3Sn et Ni3Sn2 ne croissent pas à l'interface Ni/Sn(liquide).
Pour des temps de réaction beaucoup plus élevés, il a pu être mis en évidence que la
cinétique de croissance est ralentie significativement. L'explication d'un tel phénomène de
changement de régime de croissance a été apportée par une étude récente de J. Görlich et al
[90]. Ces derniers ont étudié la cinétique réactionnelle à l'interface Ni/Sn(liquide) en déposant
35
des billes d'étain sur un substrat de nickel. L'ensemble est ensuite porté à la température de
250°C et maintenu pendant des durées variant entre 30 secondes et 7 jours. L'évolution de
l'épaisseur du produit réactionnel est visible en figure 1-45.
Figure 1-45: Clichés MEB de l'interface Ni/Sn après une mise en contact à 250°C de
30 secondes (a), 16 minutes (b), 2 jours (c), 7 jours (d) [90].
c) Conclusion
Pour conclure, Ni3Sn4 est donc la première et unique phase à se former dans le système
Ni-Sn(liquide) au domaine de température qui nous intéresse. La première étape est la
dissolution du nickel et sa diffusion dans l'étain jusqu’à obtention d’une sursaturation locale
de cet élément dans Sn. Lorsque la réaction chimique s’amorce pour former Ni3Sn4, la
dissolution du nickel est largement interrompue, du fait de la disparition progressive de zone
de contact entre Ni et Sn (liquide). La solubilité métastable et donc, le taux de dissolution de Ni
dans Sn est plus faible que celui de Cu et cela se traduit sur l’épaisseur intermétallique
moindre, en particulier la zone bi-phasique (Ni3Sn4 + Sn). Lorsque Ni3Sn4 forme une couche
36
continue ayant totalement comblé l’interface Ni/Sn, sa croissance se poursuit par diffusion au
travers de la couche interfaciale. Pour des temps de réaction plus élevés, la couche évolue vers
une structure en éponge (pénétration du liquide aux joints de grains de Ni3Sn4).
5-2-3) Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de croissance des
couches réactionnelles.
Dans cette partie on se concentrera sur l’impact de l’addition de cuivre dans le système
Ni-Sn(liquide). (Un autre système fréquemment étudié met en jeu le nickel dopé au phosphore
avec l’étain, mais ne sera pas considéré ici). On considérera les réactions interfaciales du
système Ni/SnAgCu(liquide) comme indépendantes de l’addition d’argent dans l'alliage; d’une
part parce que l'argent ne forme aucun composé stable avec le nickel et d’autre part parce
qu’en l’état des connaissances actuelles, aucun effet d’interface n’a été répertorié comme cela
avait été le cas dans le système Cu(solide) - alliage base Sn(liquide) [82].
L'effet de l'addition du cuivre dans l'étain liquide sur la réactivité interfaciale de
l'alliage liquide SnCu avec Ni solide est très différent de l'effet de l'addition de Ni au substrat
de Cu en solution solide sur la réactivité de ce solide avec l'étain liquide. Il a été démontré
clairement que de très faibles ajouts de Cu à l'étain liquide peuvent changer complètement le
chemin de diffusion dans le couple Ni(solide) - SnCu(liquide). En effet, il a été observé, dans le cas
d’une brasure SnCu, que pour une teneur ≤ 0.2mass% Cu le produit de la réaction interfaciale
est (Ni,Cu)3Sn4, alors qu’à partir de teneurs plus importantes (0.7% à 1%Cu), le composé
(Cu,Ni)6Sn5 se forme à l'interface [91]. Lorsque la teneur en cuivre est comprise entre
0,2mass% Cu et 0,6mass% Cu, alors la couche réactionnelle est composée de deux phases:
(Ni,Cu)3Sn4 et (Cu,Ni)6Sn5. Ce changement drastique de chemin de diffusion et donc de
composition et surtout de la morphologie du système interfacial peut être expliqué à l'aide du
diagramme d'équilibre de phases du système ternaire Cu-Sn-Ni (figure 1-47).
37
6) Etude de la métallurgie transposée au système joint de brasure
38
moyenne de l'alliage lors de la réactivité interfaciale. En revanche, lorsque l'élément réactif
est très dilué dans l'alliage de brasure, sa consommation lors de la réaction interfaciale peut
conduire à des variations drastiques de sa composition dans l'alliage de brasure qui, à leur
tour, peuvent conduire à d'importants changements de type de produit de réaction et de la
morphologie associée. C'est le cas par exemple, lors de la réactivité interfaciale entre un
substrat de nickel et des alliages Sn-Cu ou Sn-Cu-Ni base étain où l'élément réactif avec Ni
n'est pas seulement Sn mais aussi Cu qui est en faible concentration dans l'alliage (voir
paragraphe 5-2-3).
Il doit être cependant noté que même dans le cas de réactivité entre alliages base étain
(SnCu ou SnAgCu) et un substrat de nickel, les dimensions du système peuvent avoir une
influence sur la réactivité interfaciale. Cet effet a été observé par Y. S. Park et al [95] lors
d'une étude de la réactivité interfaciale entre un substrat de cuivre et des billes d'alliage SAC
105 (Sn-1,0%Ag-0,5%Cu) de diamètre 200µm, 300µm et 400µm, lors de reflow avec
maintien isotherme de 1min, 2min et 3min à 250°C. La figure 1-49 montre l'évolution de
l'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle avec le temps de maintien isotherme. Une
différence significative d'épaisseur du produit de réaction pour des billes de différents
diamètres est notable. Cette différence devient plus faible lorsque la température de maintien
augmente. Ceci est expliqué par le fait que lors de la mise en contact du cuivre avec l'alliage
liquide SnAgCu, la dissolution du cuivre, qui impose une concentration de cuivre à l'interface
égale à la limite de saturation, conduit à des profils de diffusion du cuivre dans l'alliage qui
dépendent du diamètre de la bille. De ce fait la zone où la germination (puis la croissance de
la couche réactionnelle) a lieu, est plus large lorsque le diamètre de la bille est réduit. Pour des
durées réactionnelles plus élevées, l'alliage devient presque saturé en cuivre (la limite de
saturation est légèrement supérieure à 1% pour 250°C) et de ce fait la taille du système ne
joue pratiquement plus de rôle sur la réactivité interfaciale. L'effet s'estompe donc avec la
durée du maintien thermique.
Figure 1-49 : Epaisseur moyenne de Cu6Sn5 formé entre un alliage SAC 105 (Sn-
1,0%Ag-0,5%Cu et le plot de cuivre à T = 250°C en fonction du temps pour 3 solder bumps
de diamètre différent [95] .
Enfin, le fait que la dimension du système ait un impact sur le degré de surfusion de
l'alliage de brasure conduit à des variations de la durée de maintien à l'état liquide; c'est-à-dire
une variation de la durée entre la température de fusion et celle de germination intervenant
pendant le refroidissement (∆tg). De ce fait, si le mécanisme de la réactivité interfaciale est
concerné par le transport des espèces réactives au travers de canaux liquides nanométriques
contenus dans la couche réactionnelle, alors la réactivité interfaciale dépendra aussi de cette
durée (∆tg) et donc, de la dimension du système.
39
6-2) La nature des traitements thermiques subis par le système
Lorsqu’on considère un système métallurgique comme le solder bump ou le micro-
bump, ce dernier n’a pas vocation à recevoir des recuits de plusieurs heures comme c’est
fréquemment le cas dans les études de cinétiques de croissances [66, 78, 96]. Dans le cadre du
montage d’un système électronique répondant à une stratégie d’intégration 3D, le système est
destiné à subir quelques reflows assez brefs (comprenant la fusion puis la solidification de
l'alliage) comme on le verra dans le chapitre suivant. Cette succession de reflows brefs n’est
pas rigoureusement équivalent à un seul long maintien à l'état liquide suivi de la solidification
et peut avoir de grosses implications sur la morphologie de croissance de la couche
interfaciale. Ainsi par exemple, l'étude de W. K. Choi et al [97] montre de façon claire
l'implication de tels traitements sur la morphologie du produit interfacial. L’étude se base sur
des joints de brasure type solder bump comprenant des alliages SnAg d'épaisseur 100µm et de
diamètre 2mm sur des substrats de cuivre. Ces échantillons sont observés après un recuit à
250°C de durée variable (30s, 60s, 90s, 120s, 10min, 1h et 10h). Il est constaté que la
croissance intermétallique suit une évolution morphologique, passant d’une croissance
colonnaire (de 30s à 120s) vers une croissance en aspérités du type "scallops" en anglais
(10min, 10h), come vu sur la figure 1-38.
Les mêmes échantillons (de 30sec à 10h) sont ensuite vieillis à 130°C pendant des
durées variables (100h, 400h, 800h). Différents comportements de croissance sont observés
selon la morphologie originelle de la couche réactionnelle. Les échantillons ayant subi un
premier recuit court à 250°C (<120s) évoluent progressivement vers une morphologie
d’interface plane à partir d’une morphologie colonnaire (figure 1-50a), alors que ceux ayant
une morphologie en aspérités type "scallops" la conservent (figure 1-50b). Dans tous les cas,
une réduction de la surface entre la brasure et l'intermétallique est constatée, soit par un
mécanisme de "murissement" (regroupement des scallops) soit par nivellement de la structure
colonnaire.
40
7) Fiabilité mécanique de joints de brasure avec UBM (Under Bumps Metallization) par
tests de cisaillement (shear test).
7-1) Introduction
Lorsqu’un système électronique est en fonctionnement, un effet Joule s’y produit avec
des effets néfastes à long terme. Les joints de brasure n’échappent pas à cette règle. L’effet
dépend de la densité de courant et a pu être mesuré [100]. Lorsque le système passe de la mise
en fonctionnement à l’arrêt, il peut ainsi être sujet à une forme de cyclage thermique. Or, pour
ce qui est d'assemblage (packaging) par flip-chip dans lesquels des billes de brasure (solder
balls) relient fréquemment une puce silicium avec un substrat polymère, la différence de
coefficient de dilation thermique entre des deux matériaux induit une contrainte en
cisaillement cyclique. (Figure 1-51).
L’impact de ces contraintes peut être simulé par des cyclages thermiques. Ce type de
test de fiabilité est devenu incontournable en microélectronique et répond à différentes
normes JEDEC associées. Lors de tels tests appliqués à un système d’interconnexion, il a été
noté des ruptures aux interfaces dont la propagation serait fortement favorisée par l’existence
des trous Kirkendall décrits au paragraphe 4-1-1. Dans l’exemple montré sur la figure 1-52,
l'apparition de ces trous est clairement démontrée à la suite de cycles entre -40°C et 125°C
avec une heure de maintien [101].
Figure 1-51: Billes de brasure subissant une contrainte en cisaillement liée à la différence de
coefficient de dilation thermique (α) entre la puce silicium (α1), la brasure (α2) et le substrat
(α3) [98].
Figure 1-53 : Schéma de principe du test de cisaillement réalisé sur un package de puce
empilée (a), schéma de principe du test de cisaillement réalisé sur un solder bump (b).
42
rupture d'une interface de joint de brasure. F. Song et al [108] ont étudié l'influence de la
vitesse de cisaillement (variant de 10mm.s-1 à 3000 mm.s-1) sur le mécanisme de rupture de
bumps (SAC 405) type BGA de 760µm. La figure 1-54 présente deux profils type de force en
fonction du déplacement pour la même vitesse de cisaillement (500mm.s-1). Dans les deux
cas, la force de cisaillement passe par un maximum appelé force maximale de cisaillement à
partir de laquelle la résistance au cisaillement peut être déduite. L'intégrale de la courbe force-
déplacement donne l'énergie totale de rupture (ou de fracture).
La valeur de la force maximale ne varie que de 20% entre les deux profils, alors que
l’énergie de fracture diffère d'un facteur supérieur à 4. La courbe bleue correspond à un
cisaillement dit ductile tandis que la courbe rouge représente un cisaillement dit fragile. Cette
différence de profil de force-déplacement permet de distinguer deux modes de ruptures fragile
et ductile [121] et impacte directement le faciès de rupture après cisaillement (voir figure
1-54b et 1-54c). D'une façon plus générale, il est possible de différencier 3 types de modes de
ruptures (ou de fractures) [117]:
- Fracture se produisant dans la brasure menant à une énergie de rupture élevée. Il s’agit d’une
rupture ductile.
- Fracture se produisant en partie au travers de la couche intermétallique et en partie dans la
brasure. Il s'agit alors d'une rupture mixte.
- Fracture se produisant exclusivement dans la couche intermétallique qui est de caractère
fragile conduisant alors à une faible énergie de rupture.
Figure 1-54 : Profil de force de cisaillement en fonction du déplacement effectué sur deux
bumps type BGA(a). Rupture ductile (courbe bleue), micrographie du faciès de rupture
ductile (b), rupture fragile (courbe rouge) micrographie du faciès de rupture fragile (c)[108].
Dans la littérature il a été clairement démontré que la vitesse de cisaillement a un effet
sur le mode de rupture, l'énergie de rupture et sur la résistance mécanique des joints brasés:
a) Les modes de ruptures sont généralement ductiles à faible vitesse et deviennent de
plus en plus fragiles à haute vitesse [102, 111, 119]. La proportion de la surface de rupture
fragile par rapport à la surface ductile du faciès de rupture augmente lorsque la vitesse de
cisaillement croit. Noter que ces observations se confirment quel que soit le test de résistance
mécanique (shear-test, pull test, ou bien test avec jet d’eau) [104] et quelle que soit la nature
de la chimie de brasure (SnPb ou SAC) [108].
b) Une augmentation de la vitesse de cisaillement conduit à un accroissement de la
résistance au cisaillement [102, 108]. Dans l'étude de J. Y. H. Chia [111], il a été démontré,
par le biais de tests en cisaillement réalisés sur des bumps type BGA d'alliage SAC 405 (Sn-
4,0%Ag-0,5%Cu) et SnPb eutectique (Sn-37%Pb) d'environ 350µm de diamètre, une relation
linéaire entre la force de rupture et le logarithme de la vitesse de cisaillement.
c) Alors que la résistance au cisaillement croit avec la vitesse de cisaillement, l’énergie
totale de rupture décroit d'après l'étude de K. Sweatman [117] réalisée sur des bumps type
BGA de 500µm de diamètre. La même tendance se manifeste pour les trois types de brasures
investiguées: Sn-37%Pb, Sn-0.7%Cu-0.05%Ni-0.006%Ge, et Sn-3.0%Ag-0.5%Cu. L'énergie
43
de rupture diminue d'un facteur 2 à 4 lorsque la vitesse de cisaillement augmente de 10 mm.s-1
à 2000mm.s-1 [117]. Il doit être noté que cette réduction de l'énergie de rupture avec
l'augmentation de la vitesse de cisaillement remarquée par K. Sweatman et al [117] coïncide
avec le fait que la tendance fragile du profil de rupture est favorisée à vitesse élevée. En effet,
comme reporté également par F. Song et al, [108] les courbes de force en fonction du
déplacement présentent, dans le cas d'une rupture fragile, une chute très abrupte
(caractéristique de la rupture fragile) aux environs de la limite d’élasticité (comme c'est le cas
en figure 1-54). La rupture se produit en fait avant même que la pointe ait effectué sa
trajectoire complète. C’est la raison pour laquelle l’accroissement de la vitesse de cisaillement
conduit à une diminution du déplacement avant rupture comme l'ont remarqué J. M. Koo & al
[102].
7-4) Influence de la chimie de brasure et des traitement thermiques
De nombreuses études de la littérature ont comparé le comportement en cisaillement
de différents joints de brasure en utilisant différents types d'alliages de brasure (SnAg, SnPb,
SnCuNiGe) mais aussi différents types de substrats ou de métallisations (Cu, Ni-Au, Cu-Ni-
Au). Les résultats de ces études ne seront pas développés ici, pour plus d'informations, se
reporter directement aux références [104, 112, 123]. Notons enfin que de nombreuses études
sur le rôle du vieillissement sur le comportement mécanique des joints brasés ont été reportées
dans la littérature.
Le vieillissement est simulé par des stockages ou cyclages thermiques pendant des
temps généralement de l’ordre de la dizaine ou centaine d’heures [104]. Beaucoup de
publications traitent de la fatigue thermique et du vieillissement [22, 104]. Bien que la couche
intermétallique assure l’adhésion, avec le temps de maintien thermique et les modifications
microstructurales induites, le joint devient fragile et la force d’adhésion se réduit [112]. Sans
entrer dans les détails de ces travaux, il semble que la résistance au cisaillement peut
effectivement ne varier que très peu au cours du vieillissement thermique dans la mesure où la
microstructure reste quasiment inchangée [104, 105, 118]. C’est ce qui a été observé par Y.
Tian et al [105] qui ont réalisé des essais sur des joints de brasure (SAC 305) recuits plusieurs
fois ou ayant subi des vieillissements thermiques (stockage à 150°C durant 4, 36 et 64 jours).
Au bout de 64 jours, le vieillissement et les modifications microstructurales induites sont
assez significatives pour affaiblir mécaniquement le joint en augmentant la proportion fragile
du faciès de rupture. Cette dégradation de la résistance est ici attribuée à deux causes [105]:
(i) L’effet de coalescence des particules de Cu6Sn5 ainsi que de celles d’Ag3Sn.
(ii) La planarisation progressive des couches interfaciales intermétalliques au cours du
vieillissement thermique.
Sur la première de ces causes, les particules d’Ag3Sn et de Cu6Sn5 de petite taille
peuvent entraver la propagation de cracks et favoriser ainsi les déformations de type ductile,
mais après la coalescence, ces grosses particules deviennent au contraire des sites privilégiés
pour l’amorce à la rupture.
Sur la seconde cause, la planarisation de la couche intermétallique au cours du
traitement thermique reportée par Y. Tian et al [105] conduit à l’absence d’une certaine
"rugosité" de l’interface d’adhésion entre l’intermétallique et la brasure réduisant ainsi l'aire
de cette interface et en conséquence l’énergie d’adhésion. Cet effet de planarisation après
vieillissement thermique est également invoqué dans l’étude de D. M. Williamson et al [104]
sur des joints Sn37Pb/Au-Ni.
7-5) Conclusion
Le test en cisaillement peut être utilisé comme biais d'évaluation de la fiabilité
mécanique du système d'interconnexion. Le profil de la courbe de force appliquée en fonction
du déplacement permet de déduire le type de régime de rupture (fragile, ductile ou mixte), la
44
force maximale au cisaillement (pic de cette courbe) ainsi que l'énergie totale de rupture
(intégrale de la courbe). Ces données de sortie sont dépendantes de paramètres intrinsèques au
système comme la chimie de brasure et sa microstructure ainsi que la morphologie, la
composition, la microstructure et l'épaisseur des couches interfaciales. Ces paramètres
peuvent évoluer de façon significative avec le traitement thermique du système. Ces données
de sortie sont également très dépendantes de la vitesse de cisaillement, puisque la résistance
au cisaillement évolue linéairement avec le logarithme de la vitesse de cisaillement.
8) Conclusion
45
Tous ces constats rendent nécessaire la caractérisation fine de notre objet d'étude qui
s'avère être, comme cela sera décrit au chapitre suivant, de dimension inférieure à tout ce qui
a été présenté jusqu'ici.
46
Chapitre 2: Véhicule tests, intégration et moyens de
caractérisations
47
1) Introduction
48
face arrière. La visualisation de ces deux niveaux, ici à la même échelle, permet de constater
la différence des dimensions des puces supérieure et inférieures.
Figure 2-2: Visualisation en vue du dessus de tous les niveaux (a), du niveau micro-bump (b),
du niveau interconnexion face arrière (c) du véhicule test DIV1
Ce sont ces deux derniers niveaux (figure 2-2b et 2-2c) qui nous intéressent en
particulier, et à partir desquels des interconnexions en face arrière de la puce inférieure de
80µm de diamètre et des connexions inter-puce de 25µm de diamètre peuvent être fabriquées.
Ces motifs sont photo répétés à l’échelle du wafer et subissent les étapes d’élaboration
standard de la microélectronique (photolithographie, dépôt, gravure). Dans le cas des micro-
bumps, par exemple, une représentation du masque de photolithographie (figure 2-3), montre
que le niveau consiste en une répartition homogène d'un unique motif correspondant à une
puce.
Cette puce, correspondant au motif vu précédemment (figure 2-2b), présente des
dimensions de 4.7mm par 5.9mm et correspond à 2362 micro-bumps répartis en une matrice
centrale et une couronne périphérique. Leur diamètre est de 25µm et le pas de 50µm.
49
Figure 2-3: Représentation du masque de photolithographie du niveau micro-bump.
Figure 2-4: Vue en coupe transversale d'une chaine de deux interconnexions [125].
50
cette mesure. En effet, l'élévation de la résistance de chaine d'environ 5Ω pour les lignes
situées vers le milieu ou vers les extrémités du motif de puce Div1 (figure 2-5b) est liée à la
présence des interconnexions de la matrice centrale ou à celles de la couronne périphérique
respectivement. Ici la contribution supplémentaire des interconnexions de la matrice centrale
ou de celles de la couronne périphérique ne contribue qu’à une élévation de la résistance de
chaine de 20% à 30%. Ce qui signifie que la résistivité de la ligne d’aluminium prévaut très
largement sur celle des interconnexions.
51
sans avoir contribué à une réelle dégradation au sein des interconnexions. Le
redimensionnement adéquat des lignes permet d'étudier l'implication des phénomènes
d'électromigration au sein des interconnexions [126].
Enfin, une dernière limitation est d'ordre pratique. Plusieurs des niveaux décrits en
figure 2-1b (les niveaux passivation, plot aluminium et métallisation du BEOL) sont réalisés
sur le site de STMicroelectronics à Crolles. L'élaboration implique donc des transits de wafers
entre le laboratoire et Crolles ainsi qu'une bonne gestion des aspects logistiques associés. Le
suivi du procédé est de surcroit facilité lorsque l’élaboration se fait en un lieu unique.
De la même manière que précédemment, le véhicule test permet ici de vérifier après
flip-chip puis scellement, la fonctionnalité des interconnexions au moyen d'une caractérisation
électrique. Les lignes de métallisation et les interconnexions, en cuivre hormis le joint de
brasure, constituent le réseau par lequel se propage le signal électrique d’une puce à l’autre.
La ligne de métallisation de la puce supérieure est prévue pour une épaisseur de 1.4µm et
traverse le niveau passivation de 1.14µm, avant de rejoindre l’interconnexion comprenant le
micro-bump (12µm de cuivre et 6µm de SAC) puis le micro-pillars (9µm de cuivre, 2µm de
nickel et 200nm d’or) placé sur la puce inférieure (figure 2-7).
Le niveau de passivation constitué d'un empilement de SiO2 et SiN, a pour fonction
première d’isoler les différentes niveaux de métallisation pour éviter tout courant de fuite.
L'oxyde de silicium (SiO2) rempli cette fonction. Sa constante diélectrique de 3.9, en fait un
bon isolant pour ces applications d’isolation du Back End Of Line (ou BEOL). En revanche
l'oxyde de silicium n’offre qu’une mauvaise protection à l’oxydation. Le nitrure de silicium
(SiN) à l’inverse, est un mauvais isolant mais apporte une véritable contribution de
passivation, c'est pourquoi ce nitrure est utilisé en association avec l'oxyde de silicium.
Comme visible sur le schéma précédent (figure 2-6), ce niveau de passivation impose
une légère réduction du diamètre de la ligne de cuivre (notée « B » en figure 2-6). En effet,
lorsque le diamètre est inchangé, un désalignement occasionné lors de l’étape de
52
photolithographie du niveau passivation engendre une défaillance lors des étapes successives
de dépôt et de gravure. Cette réduction du diamètre permet une tolérance de désalignement
équivalente à la différence A-B, c'est-à-dire 5µm dans le cas d'interconnexion dont le
diamètre (A) vaut 20µm et d'une ouverture passivation de 15µm.
Enfin, le niveau plot aluminium a pour fonction d’assurer les caractérisations
électriques. En effet, la ligne de métallisation en cuivre par laquelle se propage le courant,
n’est jamais placée en contact direct avec l’extérieur. Afin d’éviter l’oxydation rapide et
excessive du cuivre, l’aluminium joue le rôle d’interface avec l’air ambiant. Les plots
aluminium sont également requis pour le câblage et la mise en boitier nécessaire à la
réalisation de test de fiabilité.
A la différence du véhicule test Div1, le véhicule test Alto permet, tout en suivant la
disposition décrite (figure 2-6 et 2-8) d'élaborer 20 différentes configurations d'empilement de
puces, chacune ayant un motif propre de répartition des interconnexions. La description
complète n'en sera néanmoins pas faite. Comme précédemment, un wafer est dédié, lors de la
fabrication, pour chaque type de puce: puce supérieure et puce inférieure. Contrairement au
véhicule test Div1, chaque type de wafer permet l’élaboration de micro-bump (ou micro-
pillars) de différents diamètre: 20µm, 30µm et 40µm. A titre d’exemple, l’ensemble des
niveaux d'intégration décrits précédemment est représenté pour un des ces 20 empilements
(figure 2-9).
53
Figure 2-9: Visualisation en vue du dessus des niveaux correspondant à la puce inférieure (a)
et la puce supérieure.
Comme visible en figure 2-9, les lignes de métallisation ne sont situées que sur une
zone figurant sur un côté de la puce. La matrice centrale d'interconnexion qui apparaissait sur
le motif de puce Div1 (figure 2-2b) a été conservée en prévision des caractérisations
ultérieures et afin d’assurer suffisamment de stabilité mécanique lors de report de puce (ou
flip-chip). Chacune de ces puces comprend différents motifs de test. Un des plus fréquents est,
comme sur le véhicule test Div1, le motif de chaine qui permet comme décrit précédemment
de faire passer le courant de part et d’autre de l’espace inter-puce. Ce motif de test permet de
vérifier rapidement la fonctionnalité des niveaux ligne de métallisation, interconnexion et
passivation en s’assurant qu’il n’y ait pas de court-circuit, ouverture ou courant de fuite. Des
chaines de différentes longueurs et comprenant de 2 jusqu'à 3300 interconnexions. Comme
visible en figure 2-10, pour une chaine de 2 interconnexions, les lignes ont été élargies à
40µm en prévision des tests de fiabilité. Les lignes de mesures sont conservées plus étroites
(5µm) afin de limiter l’encombrement.
3-1) Introduction
Bien que l'empilement de composants actifs par brasage eutectique et technologie flip-
chip soit utilisé aujourd'hui par plusieurs groupes industriels ou instituts de recherches, un
grand nombre de variantes de procédés les distinguent. En effet, si le protocole d'assemblage
54
est examiné au cours des différentes étapes qu'il comporte, alors il est visible qu'il n'existe
pratiquement pas deux procédés identiques.
Un assemblage obéissant à la stratégie de l'intégration 3D se décline en trois étapes: la
synthèse des micro-bumps, la synthèse des micro-pillars, puis le report de puce. D'un point de
vue de la chronologie des étapes du procédé, les deux premières peuvent se dérouler en
parallèle. En effet, conformément à l'optique du wafer-level-packaging (WLP), la synthèse
des micro-bumps comme celle des micro-pillars se fait à l'échelle du wafer, il existe donc des
wafers dédiés à l'élaboration des puces supérieures d'une part et aux puces inférieures d'autre
part. Dans le cadre du flip-chip, le micro-bump doit être élaboré sur la puce supérieure [129],
afin de venir la placer sur la puce inférieure (figure 2-11). La puce du dessous comprend donc
des micro-piliers de cuivre (ou micro-pillars) dont la disposition sur puce est identique à celle
de la puce du dessus afin que les deux types de structures d'interconnexion soient compatibles
lorsque mises en vis-à-vis. Pour cela, il est essentiel que les micro-bumps d'un côté et les
micro-pillars de l'autre aient au moins une partie de leur surface en contact lors du report, le
désalignement doit être inférieur au diamètre d'interconnexion.
Le potentiel désalignement lors de cette étape de report est largement corrigé par la
suite du procédé. En effet, lorsqu’intervient la fusion du joint d'alliage SAC, son passage à
l'état liquide va générer une force de capillarité suffisante pour provoquer un réalignement des
deux structures d'interconnexion.
55
employant un masque comme celui présenté (figure 2-3), l'exposition est sélective en
certaines zones. La résine exposée acquière une solubilité plus importante, et est ensuite
éliminée par l'utilisation d'une solution chimique appelé le développeur.
4. L'étape d'électrodéposition (ou ECD) comprend généralement une brève exposition à un
plasma de gaz O2 de 3s afin de supprimer la pellicule d'oxyde de cuivre s'étant formée
depuis son dépôt en étape 3. La recette d'électrodéposition est fonction de la surface du
wafer qui n'est pas recouverte par de la résine, appelée surface ouverte. Dans le cas du
véhicule test Div1, la surface ouverte vaut 9,102cm². Ainsi, pour obtenir une hauteur de
cuivre déposé de 12µm (qui constituera un standard dans toute la suite de l'étude), la
durée de l'électrodéposition est comprise entre 16 min et 17 min. Une mesure mécanique
par profilométrie permet la vérification de la hauteur déposée.
5. Le dépôt (ECD) d'alliage SAC est immédiatement enchainé après celui de cuivre. La
surface ouverte est identique à celle de l'étape précédente. Pour déposer une hauteur de
SAC de 10µm, une durée d'électrodéposition de 1min 30sec est nécessaire. Notons que le
procédé électrolytique est adiabatique et se déroule à température ambiante pour les deux
étapes décrites ci-dessus.
6. La résine qui jusqu'ici définissait les motifs au sein desquels la croissance de cuivre et de
l'alliage SAC pouvait s'effectuer, est maintenant éliminée. Ce retrait de résine (ou
stripping) se fait par voie chimique à une température de 30°C. L’étape s’achève par un
rinçage à l’eau déionisée et un séchage au diazote.
7. La couche d'accroche ainsi que celle d'initiation à l'électrodéposition (titane et cuivre)
sont retirées par une gravure en immersion afin d'éviter tout court circuit. La gravure de
la couche de cuivre nécessite une solution comprenant de l'acide phosphorique (H3PO4),
de l'eau oxygénée (H2O2) et de l'eau déionisée et ce, avec un temps d’immersion de 90
secondes. Le titane est gravé par une solution d’acide fluorhydrique diluée à 0.25%, avec
un temps d’exposition de 40 secondes. La gravure se déroule à température ambiante et
nécessite une agitation manuelle. Un contrôle par microscopie optique est nécessaire pour
valider l’étape.
8. La dernière étape est le recuit thermique (nommé "reflow": fusion de l'alliage de brasure).
Cette étape, qui sera discutée plus en détail par la suite à pour fonction première de
conférer une structure hémisphérique à l’empilement cuivre – alliage en passant le point
de fusion de l’alliage. La structure est ainsi stabilisée pour permettre le report de puce.
Figure 2-12: Représentation schématique des principales étapes du procédé de synthèse des
micro-bumps.
56
3-3) Principales optimisation du procédé
Figure 2-13 : Comparaison des ordres d'enchainement des étapes de reflow et de gravure sur
le procédé de synthèse des micro-bumps.
Figure 2-14 : Observation optique de micro-bumps après recuit puis gravure (a) ; après
gravure puis reflow (b).
57
Figure 2-15 : Inspection MEB de micro-bumps après recuit et en attente de gravure (a) ;
après gravure puis reflow (b).
Figure 2-16 : Inspection MEB de micro-bumps sans (a) et avec (b) pulvérisation de flux
ECOFREC 202 (b).
58
Figure 2-17 : Observation MEB de micro-bumps après étape de reflow.
En analysant la morphologie de l'alliage SAC, il est remarquable qu'il n'est ni
hémisphérique, ni cylindrique (comme après dépôt) mais à un stade intermédiaire. Comme si
l'alliage passait à l'état liquide, accroissant ainsi son volume, mais restait cloisonné dans une
enveloppe solide. Il est alors initialement conclu qu'une oxydation excessive de l’étain
formant une enveloppe de SnO2 (restant à l’état solide pendant le recuit) doit être à l'origine
de cette morphologie de l'alliage. Cette oxydation excessive pourrait impliquer à la fois un
délai trop important entre l’étape de dépôt électrolytique et le reflow, une efficacité
insuffisante du flux ECOFREC 202, ou bien une instabilité des paramètres du reflow. Il est
reconnu que le flux permet au mieux le retrait d’un oxyde épais de quelques couches
atomiques [5]. Il a finalement été identifié et vérifié que c'est le vieillissement de la solution
de dépôt électrolytique qui est en cause (figure 2-18).
Figure 2-18 : Observation MEB de micro-bumps après étape de dépôt électrolytique. à partir
d'une solution de dépôt utilisée depuis 4 mois (a) et après renouvellement de la solution de
dépôt (b).
59
- La solution électrolytique dans laquelle sont immergés les wafers pour y subir
l'électrodéposition, est une solution contenant divers additifs (chlore, cyanure, souffre). Ces
additifs sont nécessaires à l'étape d'électrodéposition mais deviennent inutiles par la suite. Or,
un certain nombre de ces impuretés peuvent être dégazées au cours des premières étapes du
reflow [131]. Le reflow aurait donc une fonction, bien que secondaire et non quantifiée, de
purification.
- Malgré tous les éléments mis en œuvre pour optimiser la bonne croissance
électrolytique des alliages métalliques, le SAC reste un matériau relativement poreux à l'issue
de sa déposition. Sa fusion puis solidification va le restructurer et le stabiliser vis-à-vis de
l'oxydation. Alors qu'il y a une contrainte d’enchainement pour les dernières étapes décrites
en figure 2-12, liée à la forte réactivité de la structure (essentiellement à l’égard de
l’oxydation), le micro-bump est, à l'issue de cette étape de reflow, considéré comme un
système stable.
- Comme discuté au cours du chapitre précédent, le micro-bump, lors du passage à
l'état liquide de l'alliage sera siège d’une réaction chimique entre le cuivre et le SAC liquide.
Cette dernière va conduire à la formation d'une couche interfaciale contribuant à la bonne
adhésion entre ces deux matériaux. L’épaisseur de cette couche est principalement
conditionnée par la durée de maintien du bump à une température supérieure à celle du
liquidus. Le recuit rempli donc ici indirectement une fonction de stabilisation mécanique.
- En dernier point, rappelons que l'espace inter-puce est occupé par les interconnexions
ainsi que par une résine (ou underfill) qui participe à la fiabilité mécanique de l'empilement
technologique et peut remplir également une fonction de dissipation thermique lors du
fonctionnement du dispositif. Selon les types d'intégrations, l'underfill peut être injecté après
brasage eutectique puis s’infiltrer par capillarité (on parle dans ce cas là de Capillary
Underfill), ou bien à l'échelle du wafer après le procédé de bumping (on parle alors de Wafer
Level Underfill). Or il se trouve que dans le second type d'intégration, le fait de conférer cette
géométrie au micro-bump réduit considérablement le risque de piéger de la résine entre le
micro-bump de la puce supérieure et le micro-pillars de la puce inférieure. Les aspects liés à
l'intégration de l'underfill seront rediscutés au cours du paragraphe 4.
60
- Le profil rentre ensuite dans la séquence que l'on appelle "reflow" et qui désigne
souvent, par abus de langage, le recuit dans sa totalité. La séquence comprend une montée en
température de manière à dépasser le point de fusion de 20°C à 30°C et ce, pendant une durée
qui peut varier de 30sec à 90sec. La contrainte thermique appliquée par ce couple de
paramètres (durée, température) doit être suffisamment importante pour que l'alliage de
brasure soit totalement liquide et ce, pour tous les micro-bumps présents sur le wafer. La
réaction interfaciale s'opérant entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure base étain (voir
paragraphe 4 du chapitre 1) consomme progressivement les deux matériaux qui en sont les
réactifs. Pour cette raison, le reflow doit rester le plus bref possible. Plusieurs autres recuits
thermiques seront nécessaires à la réalisation du montage complet de l'empilement
technologique. Chacun de ces reflows va induire une poursuite de cette réaction chimique
d'interface.
- Le refroidissement est généralement souhaité rapide ou du moins jusqu'à
solidification de l'alliage, pour les raisons microstructurales évoquées au chapitre précédent.
La rampe de refroidissement sera classiquement de 3-4°C/s.
Figure 2-19: Représentation schématique d'un profil de recuit thermique utilisé pour un
procédé de bumping.
61
Comme visible en figure 2-21,2 21, une disparité des faciès des micro-bumps
micro pouvait
même intervenir au sein d'un même wafer. Sur ces observations observations microscopiques de
micro-bumps,
bumps, la mise au point est faite sur le sommet des micro-bumps.
micro bumps. En bord de plaque
(figure 2-21a),
21a), toute la surface d'un micro-bump
micro bump nous apparait sur le même plan, ce qui
signifie qu'ils ont conservé une forme cylindrique
cylindrique comme après le dépôt. Ce n'est pas le cas en
centre de plaque (figure 2-21c),
21c), où cette fois, la partie périphérique du micro-bump
micro est en
arrière plan. Cette observation témoigne d'une géométrie hémisphérique du joint de brasure.
La fusion du joint d'alliage
age est donc effective en centre de plaque contrairement à ce qui est
visible en bord de plaque.
Figure 2-21:
21: Observation microscopique d'une région d'une plaque ayant subi un recuit en
four infra rouge. Bord de plaque (a), zone mi-rayon
mi rayon (b), centre de plaque
p (c).
Le four à passage comprend sept compartiments d’environ 30 cm de longueur pour
lesquels une température de consigne est paramétrée. Les deux derniers compartiments sont
dédiés au refroidissement. Les éléments chauffants sont des résistances situées
si de part et
d’autre du tapis déroulant dont on peut contrôler la vitesse de défilement. La chaleur à
l'intérieur du four est répartie par convection. L’atmosphère est rendue inerte par balayage de
diazote et permet une réduction de la teneure en oxygène oxygène sous le seuil des 500ppm.
L’acquisition des profils de température est rendue possible en plaçant un ou plusieurs
thermocouples sur une plaque témoin que l’on relie à un enregistreur enfermé dans une
protection thermique. Le profil est visible en figure 2-22.
Figure 2-22:
22: Profil thermique de recuit sur four à passage enregistré grâce à l'utilisation de
thermocouples placés sur une plaque témoin.
Après avoir caractérisé les deux fours, il a été mis en évidence que:
• Dans le cas d’un recuit infrarouge,
infrarouge, le temps passé au dessus du point de fusion du
SnAgCu varie entre 30s et 50s, alors qu’il demeure à 65s dans le cas du four à passage,
• La rampe de fusion est beaucoup plus brutale dans le cas d’un recuit infrarouge : ~7° C/s
contre moins de 1 °C/s pour les profils mesurés sur four à passage.
• La rampe de refroidissement s’avère variable dans le cas du recuit par infrarouge : entre
1 °C/s et 10 °C/s contre 1,5 °C/s dans le cas du four à passage.
• La température maximale est généralement entre 255 °C et 260 °C pour le four à
infrarouge contre 238 °C pour le four à passage.
• Dans le cas du four infrarouge, tous les matériaux ne présentent pas la même absorption
au rayonnement et par conséquent l'augmentation de la chaleur induite diffère selon la
62
nature du matériau. A titre d’exemple le titane est réfractaire alors que le silicium est
transparent aux infrarouges. Il y a donc une instabilité ainsi qu’une forte dépendance aux
matériaux de l’intégration.
Face à ces constats il a été décidé de réaliser l’étape de recuit sur four-à-passage qui
est l'équipement de référence du procédé bumping sur solder-bump.
Figure 2-23: Représentation schématique des principales étapes du procédé de synthèse des
micro-pillars.
63
3-6) Problématique liée au développement du procédé
En première approche, pour mettre en œuvre le brasage eutectique, le micro-bump doit
reposer sur un support métallique pour obtenir un bon mouillage de l’alliage de brasure lors
du reflow. Etant donné que les niveaux de métallisation dans la puce supérieure comme dans
la puce inférieure sont en cuivre, le plus intuitif est donc d’élaborer ces plots également en
cuivre. Cependant, le cuivre forme un oxyde natif très rapidement sur lequel l’alliage de
brasure ne peut pas mouiller. Cela signifie qu'il faut prévenir toute oxydation de la surface du
micro-pillar. Pour cela deux solutions peuvent être envisagées: l'utilisation de flux, ou bien la
passivation du cuivre du micro-pillar. Parmi les passivations référencées dans le carde de
scellement eutectique, les techniques de revêtement OSP (ou Organic Solderability
Preservative) [132], ou les finitions en argent ou en paladium [133] peuvent être citées ainsi
que la finition en or [134] qui sera la solution utilisée dans le cadre de cette étude.Notons que
l'or et le cuivre sont totalement miscibles et forment une solution solide à température
ambiante [30]. Le nickel est ajouté à l'empilement entre le cuivre et l'or comme couche de
barrière à la diffusion. Comme précisé au chapitre précédent, l'interdiffusion entre le cuivre et
le nickel est très faible et il en est de même entre le nickel et l'or qui présentent une forte
lacune de miscibilité jusqu’au point critique de 810°C [135].
Cette infiltration induit un dépôt parasite d’or autour des micro-pillars. Ce dépôt
parasite provoque l'apparition d'une collerette plus ou moins importante autour des micro-
pillars (figure 2-25a) toujours visible après l'étape de la gravure (étape 9 du procédé figure 2-
64
23). Le phénomène est parfois suffisant pour provoquer une mise en court-circuit des plots
(figure 2-25b).
Un autre défaut est noté à plusieurs reprises: une surgravure du cuivre électrodéposé
lors du retrait de la couche d’initiation Cu (figure 2-25a et 2-25c). La surgravure est plus
prononcée à l'interface entre le cuivre (ECD) et le cuivre (PVD) car celle-ci est naturellement
plus poreuse et plus contaminée qu'à l'intérieur des deux matériaux massifs. Cette surgravure
peut aller jusqu'à provoquer le déchaussement des plots depuis la base.
Figure 2-25: Inspection MEB (a et b) et en microscopie optique après coupe transversale (c)
de micro-pillars à l’issue du procédé de synthèse.
65
eutectique sont réalisés dans un premier temps et l'underfill est appliqué dans un second temps
puis se répartit par capillarité (figure 2-26a). Dans le second cas, l'underfill est établi à
l'échelle du wafer sur les puces supérieures puis dispersé par un procédé de mise en rotation
du wafer appelé "spin-coating". Dans ce cas de figure le procédé de pick and place est
enchainé avec la thermo-compression qui va permettre l'assemblage des puces.
Figure 2-26 : Schémas des deux méthodes d’intégration: capilary underfill (a), pre-applied
underfill (b) [136].
Dans le cas de l'utilisation du wafer level underfill, le niveau de résine surplombe les
micro-pillars et il y a donc un risque de piéger de la résine dans l'interconnexion au moment
du brasage eutectique. C'est pourquoi il est nécessaire, d'appliquer une force sur la puce du
dessus après son report afin de faciliter l'extrusion de l'underfill présent entre les surfaces
métalliques.
4-2-1) La thermo-compression
La thermo-compression est une technique d'assemblage de matériaux métalliques dans
laquelle la compression est couplée à la chauffe. L'assemblage va s'effectuer par diffusion des
espèces du réseau cristallin d'un des matériaux vers l'autre sous l'influence de l'agitation
thermique. Il n'est ainsi pas nécessaire d'atteindre l'état liquide d'un des deux matériaux. Ce
type d'assemblage est aussi utilisé pour des scellements d'autre nature comme le scellement
or-étain. Les matériaux doivent avoir une bonne conductivité thermique ainsi que des
coefficients de diffusion élevés. Du fait de l'application d'une force pendant le processus, les
tailles d'interconnexions sont généralement réduites par rapport à un procédé dans lequel seul
le paramètre calorifique rentre en jeu.
Le pick and place et la thermo-compression peuvent être réalisés successivement sur
le même équipement. De cette manière il est possible d'appliquer un contact pendant une
durée de 1msec à 100s et dont la force d'application peut aller de 1N à 50N. En ce qui
concerne la programmation du profil thermique, il est possible d'assigner une consigne au
support de chacune des deux puces. Pour chacun des deux substrats, une température
maximale ainsi que des vitesses de chauffe et de refroidissement sont modulables dans les
limites décrites dans le tableau 2-1.
Support puce du dessus Support puce du dessus
66
C'est à partir du développement de la technique de thermo-compression que
l'intégration du wafer level underfill a trouvé sens [137-138].
5-1) Introduction
Cette étude cherche à qualifier les réactions d'interfaces et les propriétés
microstructurales du micro-bump, ainsi que leurs évolutions au cours des différentes étapes de
montage qui sont en majeur partie influencées par le budget thermique. Afin de caractériser
finement ces aspects morphologique et microstructuraux, la microscopie électronique à
balayage (ou MEB) est incontournable (figure 2-15 et 2-16). En revanche nous ne disposons
pas de moyen simple pour réaliser des coupes transversales au sein des micro-bumps, excepté
par faisceau d'ions focalisé (FIB). En parallèle de cette difficulté technique, il sera nécessaire
d'inspecter les évolutions microstructurales de l'alliage ainsi que celles du système interfacial
avec la contrainte thermique. L'étude de l'évolution de la microstructure de l'alliage et du
système interfacial suivant le nombre de reflows apparait comme une approche intéressante
puisque cela correspond effectivement à ce qui sera subi par le système lors du procédé de
montage. En effet, les recuits ultérieurs au brasage eutectique de puces, nécessaires au report
des composants sur BGA puis sur PCB sont des recuits dont les paramètres sont analogues au
profil visible en figure 2-22. Cependant, des profils thermiques adaptés aux besoins de l'étude
seront également appliqués sous atmosphère d'argon par un équipement de calorimétrie
différentielle à balayage. Cet outil sera utilisé dans le but d'appliquer des profils thermiques
avec rampe de montée en température et de refroidissement constante et des maintiens
isothermes de durées variables. Le but est de faire varier la durée d'interaction entre le cuivre
et la brasure liquide. La calorimétrie différentielle à balayage permet également d'obtenir des
67
informations thermodynamiques comme les températures de transition de phase. La
méthodologie consiste donc dans un premier temps à associer un traitement thermique avec la
caractérisation morphologique (MEB) et compositionnelle (spectroscopie X dispersive en
énergie) du système d’étude. En second lieu, l'impact des propriétés du système interfacial sur
la résistance mécanique du système d’étude sera analysé. Dans cette optique, le test en
cisaillement (shear test) sera utilisé sur des micro-bumps de diamètres et de compositions
différentes. Pour finir, la tomographie par projection, sera exploitée en complément du MEB
afin d’apporter une vision tridimensionnelle de notre système d’étude et sera l'objet de la
dernière partie de ce chapitre.
Le principe est le suivant : un faisceau d'ion d'argon non focalisé de diamètre 300 µm
attaque la surface de l’échantillon et crée une section de positionnement perpendiculaire à
celui-ci. La vitesse de gravure est de l’ordre du micron par minute pour la matériau référence
du silicium. La coupe présente une largeur de 700 µm. La zone spécifique à abraser est
68
sélectionnée par clivage puis par un jeu de masque comme montré en figure 2-28. Le
positionnement de la coupe est obtenu avec une précision évaluée à 20 µm.
Figure 2-28 : Schéma du principe d’exposition à l’abrasion utilisé dans le Cross Section
Polisher. Vue d'ensemble (a), zoom sur la zone de masquage (b).
Figure 2-29 : Observation en microscopie optique d’une coupe transversale réalisée dans une
ligne de micro-bump.
69
numéro atomique des éléments chimiques constituants la surface de l'échantillon. Parmi les
émissions résultant de l’irradiation de l’échantillon par les électrons, ce sont les rayons X
caractéristiques (figure 2-30) générés qui peuvent être utilisés pour l'identification des
éléments chimiques.
Figure 2-30 : Représentation des différents rayonnements émergeants suite à une irradiation
électronique typique de l’utilisation du MEB. (Avec z : la profondeur limite d’émissions
rétrodiffusées et do le diamètre du faisceau électronique. [139]).
Une telle analyse est adaptée à des défauts de taille relativement importante c’est-à-
dire autour de 0.5 à 1 µm dans leur limite inférieure, par conséquent des phases peuvent être
visibles au MEB sans pour autant pouvoir être analysés avec justesse. La résolution en énergie
de la technique EDX (130 eV) ne permet pas la détection des liaisons atomiques et se limite à
la détection chimique des éléments selon leur numéro atomique. Le détecteur employé est une
photodiode de Si dopée au Lithium (jonction p-i-n à tension inversée). Quand un photon X
tombe sur le détecteur, son énergie est absorbée par une série d'ionisations qui se manifestent
par la création de paires électron-trou. Ces dernières sont collectées par les électrodes de la
photodiode et forment une charge électrique directement proportionnelle à l'énergie du photon
X incident. La procédure d'acquisition EDX est décrite en annexe A4.
Des simulations permettent de rendre compte du volume de la poire de diffusion en
fonction du matériau sondé et de la tension d’accélération des électrons primaires. La figure
2-31 présente le résultat d'une simulation de la poire de diffusion obtenue en bombardant un
matériau composé de 25% de Sn et de 75% de Cu avec une tension d'accélération 15keV.
(Détails en annexe A4).
70
Dans cet exemple, le diamètre de cette zone d’irradiation est légèrement inférieur au
micron (figure 2-31),
31), et par conséquent l’analyse d’objets plus petits est rendue difficile car le
signal transmis est parasité par la présence des éléments composants les zones voisines. C’estC’e
notamment en cet aspect que l’on rencontre les limites de cette technique. Une alternative
serait de choisir la technique, plus fine, de spectroscopie de perte d'énergie (Electron Energy
Loss Spectroscopy en anglais ou EELS) mais son utilisation nécessite
nécessite de hautes tensions
d’accélération (supérieure à 100kV) et est donc généralement couplée à celle d’un TEM pour
lequel les restrictions sur les dimensions des objets observés rendent compliqué son utilisation
dans le cadre de caractérisations récurrentes comme c'est le cas dans cette étude.
Figure 2-32:
32: Schéma de principe du test en cisaillement à différentes hauteurs sur micro-
micro
bump.
L’expérimentation
ion est réalisée sur l'équipement de cisaillement de marque DAGE-
DAGE
SERIES-4300
4300 compatible avec des wafers 200mm et 300mm. Le support de wafer peut-être
peut
mis sous vide. Des "joysticks" permettent la manipulation complète du wafer alors qu'une
71
loupe binoculaire permet la visualisation de la manipulation en cours. La pointe,
interchangeable, a ici un diamètre de 50µm.
6-1) Introduction
Quelques résultats, décrits dans le chapitre suivant, sont basés sur des caractérisations
utilisant la tomographie par rayons X. L'intérêt premier de ce type d’analyse est le fait de
pouvoir obtenir une imagerie et une caractérisation tridimensionnelle beaucoup plus complète
que ce qu'il est possible d'obtenir par le biais du protocole décrit précédemment. La
tomographie par rayons X est une technique directement inspirée de l’imagerie médicale (le
« scanner ») et qui peut être mise en œuvre à plusieurs échelles spatiales. Pour la tomographie
industrielle, on peut utiliser des rayons X de très haute énergie (100keV ou plus) sur de très
gros objets et à basse résolution (de 100 micromètres jusqu’à quelques millimètres). La
microtomographie vise à obtenir une imagerie 3D à des résolutions (sub)micrométriques, à
des énergies allant souvent de 10keV à 100keV [140]. A très haute résolution, on trouve la
nanotomographie par rayons X avec des résolutions allant jusqu’à 50nm [141, 142].
Quand on augmente la résolution, cela revient à mettre plus de photons dans des pixels
toujours plus petits ; il faut donc augmenter la brillance. Pour cette raison, les outils de
nanotomographie permettant d’effectuer une expérience avec un rapport signal sur bruit et un
temps d’acquisition raisonnable reposent tous sur l’utilisation du rayonnement synchrotron.
Dans le cadre de ces travaux, nous avons utilisé le rayonnement synchrotron de 3ème
génération fourni par Le European Synchrotron Radiation Facility (ESRF). Des détails
concernant l'ESRF et le dispositif expérimentale de la ligne ID22 sont fournis en annexe A5
[143-147].
Figure 2-33: Représentation du positionnement du trait de découpe sur puce Div1 permettant
l’obtention d’un unique micro-bump.
72
6-3) Principe de la tomographie par projection
La tomographie est une technique d’imagerie qui permet de reconstruire un objet en
3D à partir de la mesure d’une série de projections bidimensionnelles qui sont en fait des
radiographies. Un système typique de radiographie est composé d'une source de rayons X,
d’un porte-échantillon motorisé et d'un détecteur. L’objet est placé au-delà du point de
focalisation du faisceau de manière à être intégralement irradié (figure 2-34). Une projection
plane de son volume est ainsi obtenue. Le principe est en fait identique à celui de la
radiographie médicale.
6-4) Reconstruction
A partir de cet ensemble de radiographies de l'objet, il est possible par reconstruction
mathématique d'établir les coupes axiales, sagittales et frontales et donc une reconstruction
tridimensionnelle de l'objet sondé (figure 2-35). La reconstruction passe par une méthode
analytique : la rétroprojection filtrée. La reconstruction peut être obtenue par la transformée
inverse de Radon qui constitue l’expression mathématique d’une projection. Cette opération
consiste à filtrer toutes les projections et à les propager sur toute l'image dans la même
direction où ils avaient été projetés [148]. La résolution de l’objet reconstruit est en partie liée
au nombre de projections acquises.
73
L'intérêt majeur de la technique ici est la quantification du volume de la couche
réactionnelle. En utilisant un logiciel de traitement d'image (Image J), il est possible de
calculer, sur une coupe transversale ou bien axiale, la surface occupée par la couche
réactionnelle (voir figure A6-1 en annexe A6). En répétant ce calcul pour chaque coupe axiale
(figure 2-36), un profil de la surface occupée par l'intermétallique en fonction de la hauteur
(figure 2-36c) est obtenu. L’intégration de ce profil permet d'obtenir le volume total de la
couche réactionnelle.
Figure 2-36: Coupe axiale de micro-bumps à 14µm de hauteur (a) à 15µm de hauteur (b).
Surface de la couche interfaciale occupée en fonction de la hauteur (c).
7) Conclusion
Dans ce chapitre, les procédés d’élaboration ont été introduits ainsi que les outils
d’analyses. La fabrication de micro-bumps à l’échelle du wafer avec le véhicule test Div1 est
satisfaisante et reproductible. Tout est disponible pour permettre une étude de la
microstructure et de la réactivité interfaciale du micro-bump. Il s’agira ensuite de mener une
étude comparative entre le procédé dans lequel le micro-bump comprend une couche de
nickel entre le cuivre et l’alliage de brasure et le procédé standard décrit au cours de ce
chapitre. Nous nous attacherons à analyser ces deux systèmes dans le but d’identifier s’il
existe ou non des arguments permettant d’en privilégier un plutôt que l’autre d’un point de
vue industriel.
Le procédé de synthèse du micro-pillar est également identifié et stabilisé de même
que les étapes du procédé de montage (ou flip-chip). Le report de puce (flip-chip) puis
brasage eutectique du micro-bump sur micro-pillar peuvent ainsi être réalisés afin de faire une
analyse métallurgique en aval de l’étude du micro-bump, et ce, en s’affranchissant de la
problématique de l’intégration de l’underfill.
74
Chapitre 3: Métallurgie des micros-bumps
75
1) Introduction
Figure 3-1: Présentation schématique des systèmes d'études: micro-bump (ϕ =25µm) et bump
face arrière (ϕ = 80µm) après le dépôt, sur substrat cuivre et sur substrat nickel.
(ii) L'évolution du système interfacial pour les deux systèmes (figure 3-2), Cu/SAC et
Ni/SAC. Il doit être noté tout d'abord que le cuivre et le nickel ne forment aucune phase
intermédiaire avec l'argent (voir figure 1-9 et référence [151]) et de ce fait les systèmes
interfaciaux Cu/SAC et Ni/SAC peuvent pratiquement être présentés par les systèmes Cu/Sn-
Cu liquide riche en étain et Ni/Sn-Cu liquide riche en étain. Selon le substrat Cu ou Ni, les
systèmes interfaciaux à l'état initial peuvent être définis comme deux "couples de diffusion"
représentés schématiquement sur les deux sections isothermes des diagrammes de phases
ternaires Sn-Cu-Ag et Sn-Cu-Ni sur la figure 3-2b. Les points rouges sur ces coupes
isothermes représentent schématiquement les concentrations initiales des deux membres de
chaque "couple de diffusion".
2) Etude microstructurale
2-1) Introduction
Dans cette partie sera étudié dans un premier temps l'état initial de l'alliage de brasure
après électrodéposition aussi bien sur substrat cuivre que sur substrat nickel dans le cas de
micro-bump (diamètre: ϕ = 25µm) et seulement sur substrat cuivre pour des bumps face
arrière (diamètre: ϕ = 80µm).
Dans un second temps, la fusion et la solidification par calorimétrie différentielle à
balayage (DSC) pour des micro-bump (ϕ = 25µm) et des bumps face arrière (ϕ = 80µm)
déposés sur substrat cuivre seront étudiés. Les températures de fusion et de solidification
obtenues pour les micro-bumps et les bumps face arrière seront comparées avec les
températures de fusion et solidification de billes de même alliage de 450µm et de 70µm de
diamètre.
Finalement, la microstructure de solidification et l'incidence de différents paramètres
(nombre de reflows, vitesse de refroidissement ou composition de la brasure) sur cette
microstructure seront présentées et analysées.
77
Dans le cas du bump face arrière de diamètre 80µm (figure 3-3b), la taille moyenne
des grains est beaucoup plus élevée (~10µm) et seulement 5 ou 6 grains peuvent être
distingués.
Figure 3-3: Observation en imagerie ionique (FIB) d’un micro-bump (a) et d’un bump face
arrière (b) après électrodéposition.
La figure 3-4 montre des clichés de spectroscopie dispersive en énergie (EDX) réalisés
sur des coupes transversales de bumps face arrière (ϕ = 80µm). Ces observations mettent
clairement en évidence l'existence de précipités d'argent sous forme de plaquettes d'épaisseur
micrométrique et d'une longueur de quelques microns (5µm à 10µm), ainsi que la présence de
particules riches en cuivre dont la taille moyenne dépasse celle du micron (>1µm). Comme
l'alliage contient plus de 95% d'étain il s'agirait de grain d'étain étant donné qu'aux
températures inférieures à 25°C (température maximale atteinte lors de l'électrodéposition
[152]), la solubilité du cuivre et de l'argent dans l'étain est pratiquement nulle (voir les
diagrammes de phases figure 1-9). Par conséquent, le cuivre et l'argent déposés peuvent se
trouver à l'intérieur de la matrice d'étain soit sous forme d'éléments pur (Cu ou Ag) soit sous
forme de composés Cu3Sn et/ou Cu6Sn5 ou sous forme d'Ag3Sn respectivement.
Figure 3-4: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière après électrodéposition (a, d), Composés riche en argent
(b, e), et riche en cuivre (c, f).
Une nette augmentation de la taille des grains d'étain est observée lorsque le diamètre
du bump augmente. Cette différence de taille de grain peut provenir de la différence du temps
78
de l'électrodéposition entre les deux types de bumps. En effet, comme la déposition de
l'alliage SAC est réalisée à une densité de courant identique pour les deux dimensions de
bumps concernés ici (figure 3-3), la durée de l'électrodéposition est plus longue dans le cas
des micro-bumps de plus grand diamètre: pour le micro-bump (ϕ = 25µm), 10µm d’alliage
sont déposés (figure 3-3a) contre 25µm pour le bump face arrière (ϕ = 80µm) (figure 3-3b).
Les durées d'électrodéposition sont ainsi de 1min 25s pour le micro-bump contre 4min 48s
pour les bumps face arrière. Dans le cas de l'électrodéposition de longue durée (4min 48s),
une croissance de grains d'étain pendant le dépôt peut être envisagée, de quelques microns
après une minute de dépôt à environ 10µm au bout de cinq minutes à température ambiante
[153].
2-3-1) Introduction
Dans ce paragraphe seront comparés et discutés les résultats de l'étude calorimétrique
de l'alliage SAC sous deux configurations différentes:
- billes d'alliages SAC de diamètres 70µm et 450µm.
- alliage de brasure SAC déposé sur un substrat de cuivre (configuration bump).
Avant d'aborder cette étude proprement dite, les volumes d'alliage dans ces deux
configurations (billes et bumps) sont ici comparés. Le volume des billes de diamètre 70µm et
450µm est respectivement de 1,8.105 µm3 et 4,8.107 µm3. Le volume de l'alliage SAC déposé
sur les bumps de diamètre 80µm et de hauteur d'alliage 25µm est d'environ 1,3.105 µm3. Pour
les micro-bumps de diamètre 25µm, comprenant une hauteur d'alliage de 8µm et 10µm le
volume est d'environ 0,04.105 µm3 et 0,05.105 µm3 respectivement. Etant donné que le
volume d'alliage reste dans tous les cas inférieur à 1mm3, sa forme à l'état liquide sera soit
sphérique dans le cas des billes, soit sous forme de calotte sphérique dans le cas des miro-
bumps (figure 3-5). En effet lorsque le volume des alliages métalliques est inférieur à 1mm3,
les forces de gravité sont négligeables devant les forces capillaires [154]. La relation entre le
volume de l'alliage (V), le diamètre du micro-bump (ϕ = 2r) et l'angle β formé entre l'alliage
liquide et le plot de cuivre (figure 3-5), est donnée par:
79
25µm. La forme de l'interface liquide vapeur est bien sphérique et les valeurs de l'angle β
évaluées ici (figure 3-5c et 3-5d) sont légèrement supérieures à 90° pour ϕ = 80µm et 25µm.
Il y a par conséquent une bonne correspondance entre les valeurs calculées et celles mesurés
sur les micrographies.
80
germination. Des variations de la surfusion avec la taille des billes d'alliages SAC ont été
aussi reportées dans la littérature comme dans l'étude de B. Arfaei et al [41] (voir annexe A2).
Figure 3-6: Signal DSC obtenu en soumettant des billes d'alliages SAC (Sn-3,5%Ag-
0,7%Cu) à un profil thermique de vitesse de chauffe égale à 10°C/min et de vitesse de
refroidissement égale à 3°C/min. Billes de 450µm de diamètre (a), billes de 70µm de
diamètre.
Figure 3-7: Pic de fusion de profils calorimétriques d'un unique micro-bump, ϕ = 25µm (a),
ϕ = 80µm (b).
81
Même si l'amplitude du signal DSC est ici très faible et il est difficile de déduire des
valeurs quantitative de ∆Hfusion pour un seul micro-bump, il a été confirmé de façon claire par
plusieurs expériences, que dans les deux cas la température de fusion de l'alliage SAC,
mesurée au décollage de la ligne de base, se situe à 217,5±1°C. Cette valeur correspond,
d'après le diagramme ternaire SnAgCu (figure 1-10), à la température de fusion d’un alliage
de composition très proche de l'eutectique ternaire Sn-3,5%Ag-0,8%Cu. Le pic de
solidification de l'alliage n'est en revanche pas détectable ce qui peut être attribué au fait que
la vitesse de solidification est trop faible lors de la solidification.
Afin de discerner le pic de solidification en configuration bump et micro-bump, leur
nombre a été élevé à plusieurs milliers. La figure 3-8a donne donc une courbe type DSC
obtenue lors de la fusion et de la solidification de plusieurs milliers de bumps (φ = 80µm).
Deux pics, correspondant à la fusion de l'alliage, peuvent être clairement identifiés, ainsi que
de nombreux pics correspondant à la solidification. Il est à noter que le double pic lors du
chauffage a été obtenu pour un ensemble de 5 expériences de ce type. Le premier se situe à
219,2°C et le second à 220,5°C, le "décollage" du premier pic (température de fusion) est
enregistré pour une température de 217,5°C. Les températures relevées ici restent
pratiquement inchangées lorsque des profils thermiques DSC successifs sont exécutés. Si la
composition moyenne de chaque micro-bump pour une puce donnée est considérée identique,
l'existence de ces deux pics lors de la fusion indique que l'alliage n'est pas de composition
eutectique ternaire. En effet, même si l'alliage est considéré très hétérogène lors du dépôt
(c'est-à-dire comprenant par exemple de grosses particules d'Ag ou d'Ag3Sn), le fait que deux
pics distincts soient toujours observés après plusieurs reflows de l'alliage suggère fortement
que la composition globale du bump ne correspond pas tout-à-fait à celle de l'eutectique
ternaire. Dans ce cas, la fusion de l'alliage débuterait par la fusion d'un eutectique ternaire
(Sn+Ag3Sn+Cu6Sn5), qui correspond au premier pic, suivie de la fusion d'un eutectique
binaire (Sn+Ag3Sn) ou bien (Sn+Cu6Sn5) (et éventuellement de la fusion des dernières
particules solides) pour le second pic. Dans le cas où il y aurait la fusion de quelques
particules solides de type primaire, l'apparition d'un troisième pic est très peu probable car ce
pic serait noyé dans celui de la fusion de l'eutectique binaire.
Les températures de solidification de l'ensemble des bumps se situent entre 195°C et
205°C donc les surfusions ∆T, entre 22°C et 32°C obtenues ici, sont significativement plus
faibles que dans le cas des billes de mêmes alliage de diamètre 70µm et donc pratiquement de
mêmes volumes pour lesquelles ∆T se situent entre 40 et 96°C. Cette diminution significative
de la surfusion dans le cas des bumps par rapport au cas des billes peut être due à deux
facteurs:
(i): La quantité et/ou la nature des inclusions (particules solides micrométriques ou
submicrométriques) déposées lors du dépôt électrochimique. Ces conditions sont susceptibles
d'être très différentes dans le cas de l'élaboration des billes d'alliage SAC, puisque leur
élaboration résulte de la solidification de gouttelettes d'un bain liquide d'alliages SnAgCu lors
de la chute dans une chambre sous atmosphère contrôlée. Le mode d'élaboration des alliages
SAC à un effet très important sur le degré de surfusion comme cela a été montré par B. Arfaei
and E. Cotts [40] en comparant la surfusion de billes d'alliages SAC industriels et des billes
formées à partir des alliages SAC élaborés en laboratoire.
(ii): Dans le cas de la configuration bump, l'alliage liquide est en contact avec le substrat de
cuivre et par la suite avec l'intermétallique Cu6Sn5 formé à l'interface Cu/SAC. Cet
intermétallique peut alors agir comme site préférentiel de germination et conduire ainsi à une
diminution de la surfusion comme cela a été démontré par F. Hodaj et al [43].
L'intégration du signal DSC donne la quantité de chaleur associée à la fusion et à la
solidification (∆Hfusion et ∆Hsolidification). La chaleur de fusion totale est d'environ 26±3mJ, ce
qui correspond à la fusion d'environ 4000 bumps face arrière (ϕ = 80µm).
82
La figure 3-8b donne une courbe type DSC obtenue lors de la fusion de plusieurs
milliers de micro-bumps de diamètre 25µm. Un pic, unique cette fois, peut clairement être
distingué lors de la fusion de l'alliage SAC avec un point de décollage à la température de
218,2°C. Cette fusion avec apparition d'un pic unique a été confirmée lors de plusieurs
expériences, que ce soit lors de la première fusion ou lors de fusion successives à une
température de 217,5±1,0°C. Si, comme dit précédemment, les différents micro-bumps sont
supposés de composition identique à l'issue du dépôt électrolytique, il peut être déduit que
cette composition globale est très proche de celle de l'eutectique ternaire (contrairement à ce
qui avait été remarqué pour les bumps face arrière). Même si le signal DSC lors de la fusion
de milliers de bumps de diamètre 25µm est clairement identifié lors de la fusion pour toutes
les expériences, le signal lors de la solidification est très difficile à obtenir. Cette difficulté
s'explique par le fait que l'intervalle de température de germination hétérogène augmente
lorsque la dimension du système diminue [41]. Ainsi par exemple, si la solidification des
bumps (ϕ = 80µm) a lieu dans l'intervalle de température 195-205°C, l'intervalle de
solidification des micro-bumps (ϕ = 25µm) ne peut que être plus large, et de ce fait, le signal
peut être confondu avec le bruit du signal DSC.
2-3-3) Conclusion
L'analyse des données obtenues par calorimétrie différentielle à balayage permet de
vérifier approximativement la composition de l'alliage. En effet pour les micro-bumps de
diamètre ϕ = 25µm, la température de fusion enregistrée en moyenne sur plusieurs
expériences est de 217,5±1°C et un seul pic apparait, ce qui correspond à une composition de
l'alliage très proche de la composition eutectique ternaire E. (Pour rappel, cette composition
eutectique E se trouve dans l'intervalle pour lequel la concentration en argent est comprise
entre : 3,6 et 3,7mass%Ag et celle du cuivre entre 0,8 et 0,9mass%Cu). Dans la suite de
l'étude il sera considéré que les micro-bumps (ϕ = 25µm) présentent une composition très
proche de l'eutectique ternaire et l'alliage de ces micro-bumps seront par la suite nommés
SAC(E). Dans le cas des bumps face arrière de diamètre ϕ = 80µm, un double pic est
systématiquement enregistré, ce qui indique une fusion au moins en deux temps, d'abord d'un
eutectique ternaire puis d'un eutectique binaire (Sn+Ag3Sn) ou bien (Sn+Cu6Sn5). La
composition de l'alliage SAC dans le cas des bumps face arrière (ϕ = 80µm) est donc
légèrement différente de celles des micro-bumps (ϕ = 25µm). La comparaison des
températures de solidification de billes d'alliage SAC de composition identique (SAC 357)
mais de dimension différente (450µm et 70µm de diamètre) montre que la surfusion augmente
lorsque la taille de la bille diminue, ce qui est en accord avec le fait que la germination est un
83
phénomène probabiliste. Enfin, la comparaison des températures de solidification dans le cas
des bumps face arrière (ϕ = 80µm) et des billes d'alliages SAC de dimension presque
identique (ϕ = 80µm) montre que la surfusion est plus importante dans le cas des billes. La
germination hétérogène intervient donc plus rapidement dans le cas des bumps, ce qui peut
être due à la présence des particules solides au sein de l'alliage SAC électrodéposé, mais aussi
à la présence d'une couche interfaciale d'intermétallique à l'interface Cu/alliage liquide.
2-4-1) Introduction
Dans ce paragraphe l'analyse de la microstructure des micro-bumps ou bumps face
arrière à l'issue d'un reflow sera présentée. L'influence de paramètres comme le nombre de
reflows, la vitesse de refroidissement ou la chimie de brasure est également étudiée. Ces
aspects seront discutés seulement dans le cas des bumps de diamètre 80µm car le micro-bump
(ϕ = 25µm) est un système dont la dimension, dans le cadre de cette étude, devient trop
limitée pour pouvoir tirer des conclusions sur la microstructure du joint d'alliage.
Figure 3-9: Clichés MEB de bumps (φ=80µm) (a, b) et micro-bumps (φ=25µm) (c, d) avant
reflow (a, c) et après reflow (b et d)
Dans les deux cas, la forme de la surface de l'alliage est, à l'issue du reflow,
pratiquement celle d'une calotte sphérique et l'angle β formé entre cette surface et le substrat
de cuivre (voir figure 3-5) vaut en moyenne β1 ≈ 100° pour le micro-bump (diamètre 25µm) et
β2 ≈ 95° pour le bump face arrière (diamètre 80µm). Ces valeurs sont proches de celles
calculées au paragraphe 2-3-1) de ce chapitre.
Ce premier passage à l'état liquide a permis d'affiner nettement la microstructure du
bump en ce qui concerne les précipités riche en argent ainsi que ceux riche en cuivre présents
dans le bump à l'issue de dépôt électrolytique. En effet, comme le montre la figure 3-10, qui
présente une analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) avant et après le reflow
effectuée sur des aires de quelques 500µm² à partir de coupes transversales de bumps face
arrière, la dimension des précipités riches en argent et en cuivre après le reflow est
84
submicronique (entre 200nm et 500nm) et ils sont distribués de manière relativement
homogène dans la brasure. Par conséquent lors du premier reflow les gros précipités riches en
argent et en cuivre se sont dissouts complètement dans l'alliage liquide.
Figure 3-10: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière (ϕ = 80µm) après électrodéposition (a, c), après un
reflow (b, d). Aires riche en argent (a, b), et riche en cuivre (c, d).
La microstructure type du bump après reflow apparait en figure 3-11. Sur cette figure,
des zones contenant des particules blanches de tailles submicrométriques (200nm-500nm)
peuvent être distinguées. Ces zones ne peuvent qu'être des précipités de Cu6Sn5 et/ou Ag3Sn
dans une matrice d'étain. Cette affirmation est renforcée par les résultats fournis en figure 3-
10. La microstructure visible en figure 3-11 consiste en une association de zones eutectique
ternaire SnAgCu et d'eutectique binaire SnAg et/ou SnCu très riche en étain (fraction
volumique de l'étain dans les différents eutectiques est supérieure à environ 95%). Ces zones
riches en précipités semblent parfois former une sorte de réseau qui peut constituer un liquide
interdendritique entourant les dendrites d'étain. Cette figure montre clairement que la fraction
surfacique de l'étain primaire est très élevée malgré le fait que la composition de l'alliage SAC
est très proche de la composition eutectique ternaire. Ce résultat est en accord avec un certain
nombre d'études qui reportent le même type de microstructure dans le cas de billes d'alliages
SAC toute seule ou en configuration BGA (voir référence [31, 39, 41]). L'apparition d'une
fraction importante de dendrites primaires d'étain est due à la difficulté de germination de
l'étain ou à sa croissance coopérative avec Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 [31]. De ce fait, la
microstructure des alliages SAC de composition proche de l'eutectique ternaire est constituée
soit de dendrites primaires d'étain et d'eutectiques (binaires et ternaires) soit de dendrites
primaires d'étain, de larges précipités de Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 et d'eutectiques (binaires et
ternaires). L'apparition d'une ou plusieurs phases primaires dépend de la composition de
l'alliage mais aussi de la vitesse de refroidissement (voir annexe A7).
Notons qu'à partir d'une caractérisation en coupe transversale (figure 3-11), il est
difficile de déterminer le nombre de dendrites d'étain appartenant au même grain, c'est-à-dire
ayant la même orientation cristallographique.
85
Figure 3-11: Cliché en imagerie ionique d'un bump face arrière après étape de reflow.
Il est remarquable que la taille moyenne des précipités diminue et leur densité
augmente lorsque le nombre de reflow passe de un à cinq. Ces observations sont confirmées
par les caractérisations en spectroscopie (EDX) effectuées sur des aires d'environ 500µm² à
partir de coupes transversales des bumps face arrière (figure 3-13). En effet, les précipités, de
tailles submicroniques à l'issue du premier reflow (200nm à 500nm - voir figure 3-12), ne sont
plus ici discernables après 5 reflows car leur dimension devient inférieure à la limite de
résolution de l'équipement de spectroscopie.
86
Figure 3-13: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière après électrodéposition (a, c), après un reflow (b, d).
Composés riche en argent (a, b), et riche en cuivre (c, d).
Figure 3-14: Comparaison des profils de recuit comprenant une trempe à 120°C/min (courbe
bleue) ou un refroidissement lent à 3°C/min (courbe jaune).
Ces bumps sont ensuite inspectés après coupe transversale (figure 3-15). Dans le cas
du bump refroidi lentement (figure 3-15a et 3-15b), la microstructure présente des précipités
submicroniques noyés dans une matrice d'étain dont les joints de grains ne sont pas toujours
discernables sur les micrographies. Cette microstructure est similaire à celle qui était observée
après un reflow. Le bump ayant subi une trempe (figure 3-15c) quant à lui, montre des grains
de dimension supérieure à la dizaine de microns. Les joints de grains peuvent être distingués
87
de manière beaucoup plus nette que dans le cas des échantillons refroidis à faible vitesse
(3°C/min-1). Sur la partie supérieure à gauche de l'alliage de brasure (figure 3-15c), de fins
précipités dispersés sont discernables comme c'était le cas pour l'échantillon refroidi à
3°C.min-1, il est cependant difficile de distinguer ce type de précipité sur les autres grains.
Enfin, la disposition des différents grains suggère que leur nucléation s'est amorcée au niveau
de la couche réactionnelle.
Figure 3-15: Observation en imagerie ionique (FIB) sur des coupes transversales de bumps
ayant subi un maintien thermique de 15min à 240°C suivi d'un refroidissement lent (3°C/min)
(a, b), refroidissement rapide (120°C/min) (c).
Etant donné l'ensemble des microstructures des alliages refroidis dans le four à
passage pour lequel la vitesse de refroidissement est de 90°C.min-1 et dans l'équipement de
DSC (vitesse de 3°C.min-1), il peut être conclu que le nombre de grain d'étain est, dans ces
conditions, relativement faible (inférieur à environ 10 grains) et que la dépendance avec la
vitesse de refroidissement est peu importante.
2-5) Conclusion
Grâce à l'étude des profils de calorimétrie différentielle à balayage, il a été mis en
évidence lors de la solidification de billes d'alliage SAC(E) et de bumps (ϕ = 80µm) de
dimension analogue que la surfusion dans le cas des bumps est plus faible que celle des billes.
Cette diminution du degré de surfusion est liée soit à la présence de l'intermétallique Cu6Sn5,
formé à l’interface Cu/alliage, en contact direct avec l'alliage liquide soit par la présence
d'inclusions solides micrométriques (ou submicrométriques) déposées lors du dépôt
électrochimique, qui peuvent l'un comme l'autre agir comme site de germination
préférentielle. Le degré de surfusion est d'autant plus important que la dimension du système
est réduit, ce qui est vérifié sur des billes d'alliages SAC de différentes dimensions (70µm et
450µm), mais pas avec les micro-bumps car les pics de solidification sont indiscernables dans
le cas des micro-bumps (ϕ = 25µm). (Le signal exothermique de solidification est
probablement confondu avec le bruit du signal DSC).
La microstructure des bumps après le dépôt présente des grains de structure colonnaire
de 2 à 3µm de largeur pour les micro-bumps (ϕ = 25µm) et proche de 10µm voire plus pour
les bumps (ϕ = 80µm). L'argent et le cuivre y sont dispersés de manière hétérogène formant
de grands précipités (de 5 à 10µm pour l'argent et supérieur au micron pour le cuivre). A
l'issue du reflow, la microstructure du bump (ϕ = 80µm) est constituée de grains d'étain
primaire entourés d'eutectiques biphasés et triphasés où les précipités riche en cuivre et en
argent de taille submicrométrique sont dispersés de manière relativement homogène.
L'incidence de différents paramètres sur la microstructure de l'alliage de brasure est évaluée
comme le nombre de reflows, la vitesse de refroidissement et la composition de la chimie de
brasure. Même si des petites tendances de modification de la microstructure de l'alliage de
brasure avec ces paramètres ont été observées, il peut être conclu que dans la gamme de
paramètres utilisée dans cette étude (nombre de reflows, vitesse de refroidissement,
composition), l'influence de ces paramètres n'est pas très significative, du moins à partir des
résultats d'analyses de caractérisations utilisées dans cette étude.
3-1) Introduction
Dans ce paragraphe les interactions interfaciales entre l'alliage liquide SAC(E) et le
cuivre ou le nickel solide seront étudiées. Dans le cas où l'alliage sera en contact direct avec le
cuivre, les micro-bumps (ϕ = 25µm) et bumps (ϕ = 80µm) constituent l'objet d'études, tandis
que seuls les micro-bumps (ϕ = 25µm) sont exploités dans le cas où le substrat est en le
nickel. En effet, comme cela a été vu dans le paragraphe 4 du premier chapitre, la cinétique
réactionnelle est réduite dans le cas du couple Ni/Sn par rapport au couple Cu/Sn. Le
caractère limitant du volume de brasure et l'aspect critique de la réactivité interfaciale se
posent d'avantage pour les connexions inter-puce (ϕ = 25µm) que pour les connexions en face
arrière (ϕ = 80µm). L'interaction entre l'alliage liquide SAC et le plot de cuivre (ϕ = 25µm)
sera d'abord présentée, et ce, en utilisant différents profils thermiques, qu'ils soient d'intérêt
pratique ou bien pour la compréhension des mécanismes mis en jeu. Une comparaison entre
les interactions Cu/SAC existant au sein du micro-bump et du bump face arrière sera ensuite
89
réalisée. Un bref paragraphe sera dédié au phénomène de mouillage réactif de l'alliage liquide
sur les parois verticales du plot de cuivre (pour les deux dimensions de bumps). Enfin, les
interactions entre l'alliage liquide SAC(E) et le nickel solide seront présentées dans le cas des
micro-bumps (ϕ = 25µm).
3-2-1) Etat initial de l'interface Cu/SAC après le dépôt (interaction à l'état solide).
La figure 3-17 présente deux images MEB de l'interface Cu/alliage SAC après le dépôt
pour des bumps de diamètre égale à 80µm (figure 3-17a) et de diamètre égal à 25µm (figure
3-17b et 3-17c). Cette figure montre clairement que dans les deux cas une couche
réactionnelle entre le cuivre et l'alliage est formée à l'interface. Cette couche est continue et
irrégulière comme cela a été vu à plusieurs reprises au cours du chapitre premier (voir par
exemple [74]) et d'épaisseur moyenne micronique. Cette observation est cohérente avec le fait
qu’un mécanisme d’interdiffusion à l’état solide entre le cuivre et l'étain à faible température
peut conduire à la formation d’une couche interfaciale continue [156]. En effet la température
maximale pendant le dépôt électrolytique ne dépasse pas 30°C, cependant plusieurs jours
peuvent s'écouler à température ambiante entre l'élaboration du bump et sa caractérisation, ce
qui pourrait contribuer à la croissance de la couche interfaciale. Notons aussi que l'opération
d'enrobage, qui nécessite un recuit de plus de 3h à 70°C (voir annexe A3), peut conduire à une
évolution du système interfacial.
Figure 3-17: Observation en imagerie ionique (FIB) d’un bump face arrière (ϕ = 80µm)
après électrodéposition (a). Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d'un
micro-bump (ϕ = 25µm) (b, c) après électrodéposition. Focus sur la zone interfaciale (c).
A partir d'une caractérisation par sonde ionique focalisé (FIB), il peut être remarqué
que la couche réactionnelle est parfois discontinue (figure 3-18b) et ne révèle pas les scallops
de géométrie hémisphérique classiquement observés lors des interactions Cu/Sn à l'état solide
et à haute température [64, 74-75]. La formation de cette couche réactionnelle peut alors être
90
attribuée essentiellement à un mécanisme de diffusion aux joints de grains comme suggéré par
A. Paul [157].
Il est important de noter que des microcavités sont clairement visibles au niveau de
l'interface entre le cuivre et la couche réactionnelle. Ces microcavités peuvent être discernées
sur la partie inférieure du cliché en imagerie ionique (figure 3-18c) et plus facilement sur celui
en microscopie MEB (figure 3-17c).
Figure 3-18: Réalisation d’une coupe transversale par abrasion ionique (FIB) sur micro-
bump après électrodéposition (ECD). Vue générale (a), focus sur la zone interfaciale (b, c).
3-2-2) Interaction entre l'alliage SAC(E) liquide et le cuivre solide dans le cas de micro-bump
Dans ce paragraphe les interactions entre le cuivre solide et l'alliage SAC(E) liquide
dans le cas de micro-bump (ϕ = 25µm) seront étudiées lorsque différents profils thermiques
sont appliqués au système. Le premier profil thermique appliqué est celui utilisé dans
l'industrie, appelé reflow (ou refusion) qui consiste à chauffer jusqu'à une température
maximale de 20°C à 30°C au-dessus de la température de fusion de l'alliage. Pour le profil de
reflow utilisé dans le cadre de notre étude, la vitesse de chauffe est d'environ 40°C.min-1 et la
vitesse de refroidissement de 90°C.min-1 (voir paragraphe 3-4-3 du chapitre 2 et figure 2-22).
La figure 3-19a présente le profil thermique type d'un reflow utilisé dans l'industrie et repris
pour cette étude. La durée pendant laquelle l'alliage se trouve à une température supérieure à
sa température de fusion est de quelques dizaines de secondes (dans notre cas entre 35s et
40s).
Comme mentionné au cours du chapitre premier, il arrive fréquemment qu'un joint de
brasure subisse plusieurs reflows (successifs ou non), soit au cours des différentes étapes du
procédé de montage, ou éventuellement au cours d'opérations de réparations. Dans la présente
étude 5 reflows successifs ont été appliqués, ce qui correspond généralement à la contrainte
thermique appliquée sur le micro-bump depuis sa synthèse jusqu'à la mise en boitier.
Afin d'étudier l'évolution du système interfacial pour des durées de maintien à l'état
liquide plus élevées, des maintiens isothermes à l'état liquide ont été effectués à différentes
températures (223°C, 230°C et 240°C), et pour des durées de maintiens de 0min, 5min, 15min
et 30min. Ces expériences de maintiens isothermes ont été effectuées dans un appareil DSC
2920 décrit au paragraphe 5 du chapitre 2. A titre d'exemple, les profils thermiques lors de
maintiens isothermes à 240°C sont donnés sur la figure 3-19.
91
Figure 3-19: Profil de recuit T(t) dans un four à passage ou reflow (a), profils de recuit avec
maintiens isothermes (0min, 5min, 15min et 30min) à 240°C (b), récapitulatif des propriétés
de chacun des profils thermiques (c)
92
Figure 3-20 : Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’un micro-bump
après reflow. Vue générale (a), après coupe transversale (b, c). Mode de détection secondaire
(b), mode de détection rétrodiffusé (c).
Un grossissement plus élevé sur MEB (figure 3-21) permet de distinguer d'avantage de
détails à l'interface Cu/SAC. Tout d'abord, il peut être constaté que le produit de réaction est
composé de deux couches:
- Une couche mince de 200nm à 300nm et continue située du côté du cuivre.
- Une seconde couche continue et irrégulière du côté de la brasure d'épaisseur moyenne
beaucoup plus élevée.
Les trous Kirkendall déjà observés avant le reflow sont localisés essentiellement à
l'interface entre le cuivre et la couche réactionnelle (figure 3-21b et 3-21d). Leur taille
moyenne (~100nm) et leur nombre semblent être identiques à ceux déterminés dans le cas des
échantillons après le dépôt électrochimique (figure 3-18). Notons cependant que le caractère
limité de l'observation en coupe transversale de l'effet Kirkendall ne permet pas d'être
affirmatif à ce propos.
93
riches en cuivre et riches en étain (figure 3-22c, 3-22d) permet d'identifier clairement qu'entre
le cuivre et l'alliage SAC il y a une zone réactionnelle et que cette zone comprend deux
couches: une première couche très fine en contact avec le cuivre et d'ailleurs, plus riche en
cuivre, au vue des contrastes, que la deuxième couche de forme ondulée. Cette seconde
couche présente des aspérités hémisphériques (ou scallops) déjà observées par exemple dans
les références [51, 93] et qui sont caractéristiques de la phase η-Cu6Sn5.
94
Figure 3-23: Cliché en microscopie électronique en transmission de l’interface Cu/SAC à
l’issue d’un reflow (a). Balayage linéaire en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) (b),
quantification, en pourcentage atomique du cuivre et de l’étain au cours du balayage.
Il peut être noté que les cartographies 3-22c et 3-22d mettent aussi en évidence la
présence de particules riches en étain et en cuivre sur la partie supérieure de ces clichés. Au
vue du contraste, ces particules sont de concentration quasi-identique à celle de la couche
réactionnelle ondulée de Cu6Sn5 côté alliage. Ces particules, d’une taille avoisinant les 200nm
à 500nm se seraient soit détachées de la couche originelle de Cu6Sn5, ou bien constitueraient
des précipités se formant lors de la solidification de l'alliage SnAgCu.
Il peut être noté également sur les figures 3-22c et 3-22d, la présence d'un nano-canal
très riche en étain au travers de la couche de Cu6Sn5 qui relie l'alliage avec Cu3Sn (dont
l'épaisseur est extrêmement faible en cet emplacement). Bien qu'il soit difficile de confirmer
que de tels nano-canaux existent partout à travers la couche de Cu6Sn5, cette observation
conforte l'hypothèse faite fréquemment dans la littérature que la croissance très rapide de la
phase Cu6Sn5 entre le cuivre solide et l'étain liquide ne peut pas être attribuée à une diffusion
volumique du cuivre et/ou de l'étain dans Cu6Sn5. La croissance rapide de Cu6Sn5 serait selon
cette hypothèse, due à une diffusion en phase liquide entre les grains de Cu6Sn5 ou bien à une
diffusion aux joints de grains de Cu6Sn5. Il est à noter qu'aucune de ces hypothèses n'a été
validée formellement de façon expérimentale dans la littérature.
Comme indiqué précédemment, afin d'obtenir une représentation tridimensionnelle du
produit de réaction, une caractérisation par la méthode de tomographie par projection a été
effectuée. La figure 3-24 montre quelques clichés de tomographie par projection d'un micro-
bump à l'issue d'un reflow. La radiographie d'une coupe axiale (figure 3-24a) est associée aux
radiographies de coupes sagittales (figure 3-24b, 3-24c). Il peut être remarqué que le plan de
coupe axiale met en évidence un nombre de scallops compris entre 25 et 30. Une coupe selon
l'axe XZ sur ce cliché (figure 3-24a) révèle environ 8 scallops, ce qui concorde avec les
précédentes caractérisations (figure 3-21).
Il doit être noté que la résolution du dispositif expérimental ne permet pas ici de
distinguer les deux phases η-Cu6Sn5 et ε-Cu3Sn qu'on assimile à une seule couche
réactionnelle. Comme décrit au chapitre précédent, la tomographie par projection permet un
calcul du volume total des intermétalliques. Il est ainsi déterminé un volume de 495±20µm3
après un reflow (figure 3-24), ce qui conduit (pour un diamètre du micro-bump de 25µm) à
une épaisseur totale moyenne de e = 1,00±0,05µm. Cette valeur est inférieure à la valeur
moyenne de l'épaisseur totale de la couche réactionnelle après 1 reflow déterminée à partir de
la caractérisation 2D de micro-bumps e = 1,65±0,15µm évaluée à partir de mesures réalisées
sur 5 échantillons. Même si la valeur de e déterminée par tomographie par projection est
obtenue avec une bonne précision en tenant compte du volume total de la couche
95
réactionnelle il ne s'agit que d'une seule valeur pour un seul échantillon. De ce fait, la
dispersion autour de e due aux aléas des conditions expérimentales n'est pas évaluée ici.
Figure 3-24: Clichés extraits de tomographie par projection d’un micro-bump après étape de
reflow. Coupe axiale (a), coupes sagittales dans le plan XZ (b) dans le plan YZ (c)*.
* Les clichés en coupes sagittales correspondent au positionnement des lignes pointillées
jaunes de la coupe axiale (a). De même, la coupe axiale (a) correspond au positionnement
des lignes pointillées jaunes des coupes sagittales (b), (c).
96
A l'interface Cu/Cu3Sn des trous Kirkendall d'une taille caractéristique de 100nm sont
observés, il n'y a donc, à nouveau, pas d'évolution notable de la dimension ou du nombre de
trous Kirkendall. Il peut également être noté que l'alliage liquide a mouillé les parois
verticales du micro-bump par mouillage réactif. Ce phénomène s'est significativement
accéléré par rapport au cas précédent à l'issue d'un reflow, il sera discuté un peu plus loin
(voir paragraphe 3-2-4).
Une analyse plus fine de l'interface montre toujours la présence de trous Kirkendall au
niveau de l'interface Cu/Cu3Sn et ceci quelle que soit la durée du maintien à 240°C (voir
figure 3-27). L'observation répétée d'interfaces ayant subi des traitements thermiques sans
maintien à 240°C (figure 3-27a), ou avec 30min de maintien (figure 3-27b), montre que le
nombre moyen de trous Kirkendall supérieur à 50nm reste pratiquement le même (d'environ
25 à 35 trous de taille supérieure à 50nm sur toute l'interface).
97
Figure 3-27: Observation MEB de la zone interfaciale de micro-bumps ayant subi des
maintiens isothermes à 240°C. 0min (a) 30min (b). Profil thermique en figure 3-19.
Figure 3-28: Clichés extraits de tomographie par projection d’un micro-bump après un
reflow (a), après cinq reflows (b), après un maintien isotherme à 240°C pendant 5 minutes de
maintien (c) (voir figure 3-19 pour le profil thermique).
98
(figure 3-28c). Cette observation révèle clairement l'effet de coalescence des scallops ou
autrement dit des grains de Cu6Sn5 lorsque la durée de maintien à l'état liquide augmente
(murissement d'Ostwald). Comme décrit auparavant, la tomographie par projection permet de
calculer le volume total de la couche réactionnelle. Il est ainsi déterminé un volume de
495±20µm3 après un reflow (figure 3-28a), de 840±30µm3 après cinq reflows (figure 3-28b)
et de 1360±40µm3 après un maintien de 5minute à 240°C (figure 3-28c). Ce calcul aboutit à
une valeur d'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle de 1,00±0,05µm après 1
reflow, 1,7±0,1µm après 5 reflows et 2,7±0,1µm après maintien de 5 minutes à 240°C.
Tableau 3-1: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi 1 reflow et 5 reflows.
Tableau 3-2: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi des maintiens isothermes à 240°C
99
Tableau 3-3: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi des maintiens isothermes à 223°C et 230°C.
100
Figure 3-29: Variation de l'épaisseur totale moyenne des intermétalliques η-Cu6Sn5 et ε-
Cu3Sn en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température supérieure à la
température de fusion (217,5°C) au cours des maintiens isothermes à 240°C (0min, 5min,
15min et 30min). Profil thermique en figure 3-19.
101
- Les points en beige (•) correspondent aux mesures de etotale par image J (moyenne sur 5
différents échantillons ou plus pour la même durée d'interaction à l'état liquide tliquide).
- Les points en bleu ( ) correspondent aux mesures de etotale par tomographie. Pour rappel,
il s'agit ici d'une seule mesure tridimensionnelle pour une durée d'interaction à l'état liquide
tliquide donnée.
Afin d'évaluer qualitativement l'influence de la température sur la cinétique de croissance
de la couche réactionnelle, l'épaisseur totale du produit interfacial en fonction de la durée
d'interaction à l'état liquide (tliquide) a été mesurée pour différentes températures de maintien
(223°C, 230°C, 240°C). L'ensemble de ces résultats est reporté en figure 3-31.
Malgré la variation en température appliquée, qui est en fait relativement faible, les
variations des valeurs de ktotale avec la température sont telles que l'ensemble des points de
mesures n'est pas discernable du domaine de dispersion des valeurs moyennes de etotale. A titre
de comparaison, les cinétiques de croissances de la couche réactionnelle déterminées par R.
A. Gagliano [75] sur des échantillons Cu/Sn à une température de 250°C et celles mesurées
par J. Liang et al [159] sur des échantillons Cu/SAC 387 à une température de 225°C sont
présentées sur le même graphique (Figure 3-31). Les cinétiques de croissance déterminées ici
montrent qu'entre 223°C et 240°C il n'y a pas de différences notables de même que pour
celles déterminées par J. Liang et R. A. Gagliano qui sont également dans le même domaine
de cinétique. La détermination d'une énergie d'activation spécifique à la cinétique de
croissance de la couche réactionnelle n'est par conséquent pas possible compte tenu du fait
que les coefficients de croissance présentent des valeurs très proches avec des marges
d'erreurs importantes. L'obtention d'une énergie d'activation nécessiterait soit des
déterminations de cinétiques de croissances étalées sur des durées réactionnelles plus
importantes ou bien d'utiliser des températures de maintiens à l'état liquide plus élevées.
Cependant, dans un cas comme dans l'autre la quantité d'alliage de brasure risque d'être
102
rapidement limitante puisqu'à l'issue d'un maintien thermique de 30min à 240°C plus de la
moitié de la brasure est consommée (figure 3-26d).
Figure 3-32: Observation MEB de coupes transversales de micro-bump de diamètre 25µm (a,
b, c) et de bumps de diamètre 80µm (d, e, f) après maintien isotherme à 230°C de 0min, (a,
d), 5min (b, e) et 15min (c, f).
103
La variation de l'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle en fonction de la durée
d'interaction à l'état liquide est tracée en figure 3-33. Même si le nombre de points
expérimentaux sur cette figure n'est pas très élevé, il peut être conclu qu'il n'y pas de
différence de cinétique de croissance des couches réactionnelles entre les deux configurations
et que la cinétique de croissance suit une loi parabolique. Ce résultat est différent de ce qui a
été reporté par Y. S. Park et al [95] qui ont comparé la cinétique de croissance
d'intermétalliques entre un alliage SAC 105(liquide) et le cuivre pour des billes de diamètre
200µm, 300µm et 400µm lors de reflow avec maintien isotherme de 1min, 2min et 3min à
250°C. Ils ont déterminé que l'épaisseur totale de la couche réactionnelle augmente lorsque le
diamètre des billes diminue.
Figure 3-33: Variation de l'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle (etotale= eCu6Sn5
+ eCu3Sn) en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température supérieure à
la température de fusion (217,5°C) lors de maintiens isothermes à 230°C. Micro-bump (ϕ =
25µm): • et bump (ϕ = 80µm): .
104
la brasure par le biais de spectroscopie X dispersive en énergie sur des coupes transversales de
bumps face arrière (ϕ = 80µm) avant le reflow, après un puis cinq reflows (voir figure 3-34).
Figure 3-34: Evolution de la teneur en cuivre (points bleus) et en argent (points roses)
détectées par des balayages EDX sur de larges surfaces (≈500µm²) de coupes transversales
de bumps face arrière de diamètre 80µm (avant reflow, après 1 et 5 reflows). Valeurs
obtenues à partir d'analyses faites sur 3 échantillons.
Cette figure montre que la limite de saturation en cuivre dans l'alliage SAC est atteinte
après 1 reflow (Tmax = 238°C, durée d'interaction à l'état liquide tliquide = 37s).
En conclusion de cette partie, il n'y a pas de différence significative distinguée entre le
bump face arrière (ϕ = 80µm) et le micro-bump (ϕ = 25µm) sur l'épaisseur moyenne du
produit de réaction pour des durées d'interaction à l'état liquide (tliquide) supérieures à celle d'un
reflow. Ceci est dû au fait que pour les dimensions des systèmes considérés dans cette étude,
la saturation de l'alliage liquide en cuivre intervient très rapidement, en une durée inférieure à
10s.
3-2-4) Mouillage réactif des parois verticales du micro-bump par l'alliage SAC(E)
Comme cela a déjà été mentionné au paragraphe 3-2-2, lors de l'interaction entre
l'alliage liquide et le bump, en plus de la réactivité interfaciale étudiée jusqu'ici à l'interface
horizontale entre le cuivre et l'alliage liquide, il y a aussi un léger étalement et une réactivité
de l'alliage liquide avec les parois verticales du plot de cuivre (voir par exemple figure 3-27).
La figure 3-35 montre quelques clichés MEB de zones proches des parois latérales des bumps
(ϕ = 80µm) où cet étalement a eu lieu. A titre de comparaison, une image d'un échantillon
après le dépôt (sans passage à l'état liquide) a été également reportée sur cette figure.
Cette figure montre que la distance d'étalement de l'alliage sur les parois verticales du
micro-bump (définie arbitrairement ici à partir de l'interface Cu/intermétallique) augmente
avec le temps de maintien à l'état liquide. La figure 3-36 présente la variation de cette
distance l moyennée avec la durée de maintien à l'état liquide à 230°C et 240°C pour des
105
bumps de diamètre 25µm et 80µm. Il peut être constaté que pour le même diamètre de micro-
bump (ϕ = 25µm) l augmente lorsque la température augmente alors que pour le même
traitement thermique, l augmente lorsque ϕ passe de 25µm à 80µm.
Figure 3-37: Schéma représentant les positions successives d’un liquide non réactif sur la
surface horizontale plane d’un solide S lors d’ajouts successives de liquide (a).
Représentation schématique de la réactivité entre l’alliage SAC liquide et les parois latérales
du plot de cuivre (b).
106
Revenons maintenant au cas de mouillage réactif de l’alliage liquide SAC sur le cuivre
(figure 3-37b) avec un angle d’équilibre θ qui varie d’environ 25° à 35°, donc bien inférieur à
90° [161]. Lors de la fusion de l’alliage SAC sur le plot de Cu, on aura presqu’instantanément
une calotte sphérique d’alliage liquide sur la surface horizontale du plot de Cu avec un angle β
qui est d'environ 90° (voir figure 3-5). Comme l'alliage liquide SAC réagit avec le substrat de
cuivre, cette réaction conduit tout d'abord à une modification de la géométrie de l'arrête (c'est-
à-dire du périmètre) et ensuite, la réaction entre l'étain et le cuivre sur la paroi verticale peut
se poursuivre par exemple par un mécanisme de "mouillage secondaire" [160]. Le mouillage
secondaire concerne le mouillage ou l'infiltration des rugosités de la surface de Cu6Sn5 tout au
long des parois verticales du point T1 au point T2 (figure 3-37b). Un autre mécanisme possible
serait la diffusion rapide des atomes d'étain sur la surface de Cu6Sn5 et réagissant avec les
atomes de cuivre conduisant ainsi à un épaississement du produit réactionnel (η + ε) et à un
déplacement du point T2 vers la base du plot de cuivre.
Cette réactivité sur les parois latérales du plot de cuivre peut conduire à une
dégradation partielle du plot qui sera d’autant plus importante que le temps d’interaction est
élevé et la hauteur du plot faible.
3-3) Interaction entre l'alliage SAC(E) et le nickel solide pour des micro-bump de diamètre
25µm
Le nickel peut être introduit dans le micro-bump en remplacement du cuivre du plot ou
bien être associé au cuivre pour former, selon les proportions, des intermétalliques "hybrides"
type (Cu,Ni)6Sn5 ou (Ni,Cu)3Sn4 [162]. Dans notre cas, le nickel est introduit entre le cuivre et
la brasure en quantité suffisamment importante (épaisseur initiale: 2µm) pour que sa
consommation par réaction avec l'étain, ne reste que partielle. L'expression de couche
"barrière de diffusion" entre le cuivre et la brasure est parfois employée. Cette couche occulte
en effet les réactions entre le cuivre et la brasure. Cependant le système Ni/Sn, bien que de
réactivité réduite par rapport au système Cu/Sn est susceptible de former des composés
intermétalliques comme vu au chapitre premier. Avant d'étudier l'interaction entre l'alliage
SAC liquide et le nickel solide (pour ϕ = 25µm), lorsque différents profils thermiques seront
imposés, l'état initial du système interfacial Ni/SAC après le dépôt électrolytique sera
présenté.
107
Figure 3-38: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’une coupe
transversale de micro-bump (ϕ = 25µm) avec nickel après électrodéposition (ECD). Vue
générale (a, c), zoom sur la zone interfaciale (b, d).
3-3-2) Interaction entre l'alliage SAC(E) liquide et le nickel solide au sein des micro-bumps
Dans ce paragraphe, les interactions entre l'alliage SAC(E) liquide et le nickel solide
seront étudiées lorsque différents profils thermiques sont appliqués au système. L'état du
système interfacial sera analysé à l'issue d'un reflow, de cinq reflows et de maintien
isothermes de 0min, 5min, 15min et 30min à 240°C (voir figure 3-19 pour les profils
thermiques).
108
De la même manière que précédemment pour le mico-bump d'intégration standard
Cu/SAC, le système interfacial Ni/SAC est caractérisé plus finement par microscopie
électronique en transmission (figure 3-40). Le cliché de la figure 3-40a met en évidence la
couche réactionnelle dont les grains sont discernables. Ces deniers présentent une hauteur
comprise entre 0,5µm et 1µm pour une largeur moyenne de 0,5µm. L'analyse spectroscopique
(EDX) révèle la présence de zones riches en nickel (figure 3-40b), en cuivre (figure 3-40c), en
étain (figure 3-40d) et en argent (figure 3-40e). L'examen conjugué des clichés 3-40b et 3-40d
révèle que la couche réactionnelle est effectivement composée d'étain et de nickel. Une très
faible proportion de cuivre dans le composé peut être distinguée, ce qui est en accord avec les
données de la littérature sur la formation des intermétalliques (Cu,Ni)xSny [91]. Des précipités
(de taille moyenne d'environ 100nm), riches en argent et en étain et correspondant
vraisemblablement à l'intermétallique Ag3Sn, sont visibles dans l'alliage mais aussi entre les
grains de la couche réactionnelle. Il peut être rappelé que le même type de précipité et de
même dimension a été observé à l'interface Cu/SAC liquide après 1 reflow (figure 3-22).
Une analyse spectroscopique suivant un balayage linéaire est réalisée sur cet
échantillon (figure 3-41) en sondant la couche réactionnelle depuis le nickel (point "A" sur la
figure 3-41a) jusqu'à l'alliage de brasure (point "B" figure 3-41a). Ce balayage mène à une
quantification en pourcentage atomique des deux éléments principaux détectés: l'étain et le
nickel (figure 3-41b). La concentration de ces deux éléments reste constante dans la région
centrale (de largeur comprise entre 500nm et 1500nm environ) correspondant à la couche
réactionnelle. Ce résultat montre qu'à cette échelle d'analyse un seul intermétallique est formé
à l'interface à l'issue d'un reflow. Par ailleurs la concentration légèrement supérieure en étain
(55%) qu'en nickel (45%) de cette couche indique qu'il s'agit du composé Ni3Sn4 (voir
diagramme de phase Ni-Sn, figure 1-10). L'épaisseur moyenne de la couche de Ni3Sn4 est
estimée à 700nm. Cette observation est en accord avec celles reportées dans la littérature sur
l'interaction Ni solide/alliage base étain liquide pour des échantillons de taille supérieure à la
centaine de microns [64].
109
Figure 3-41: Cliché en microscopie électronique en transmission de l’interface Ni/SAC à
l’issue d’un reflow (a). Balayage linéaire en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) (b),
quantification, en pourcentage atomique du nickel et de l’étain au cours du balayage.
Aucun trou ou porosité n'est observé dans la zone interfaciale Ni/SAC contrairement au
cas Cu/SAC où beaucoup de trous Kirkendall étaient observés à l'interface (voir figure 3-25).
110
Figure 3-43: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes
transversales de micro-bump avec nickel ayant subi des maintiens isothermes de différentes
durées de maintien à 240°C. 0min (a), 5min (b), 15min (c) et 30min (d).
111
3-3-3) Conclusion
Par l'introduction d'une couche de nickel, le système interfacial Ni/SAC du micro-
bump est le siège de la formation d'un composé intermétallique de la forme Ni3Sn4. A la
différence du système interfacial Cu/SAC étudié précédemment, la croissance de
l'intermétallique n'est pas accompagnée de formation de porosités ou trous Kirkendall. La
cinétique de croissance de l’intermétallique Ni3Sn4, suit une croissance parabolique
caractérisée par une plus faible constante de croissance kNi3Sn4 = 0,029µm².s-1 comparée à
celle du système Cu/SAC: kCu6Sn5+Cu3Sn = 0,147µm².s-1.
4-1) Introduction
Il a été vu dans le premier chapitre que la problématique liée à la résistance mécanique
des micro-bumps était posée par la présence des intermétalliques et des trous Kirkendall,
suspectés de dégrader mécaniquement le micro-bump [70, 164-165]. La croissance des trous
Kirkendall, susceptibles de dégrader la résistance mécanique de micro-bump [166] a été
signalée dans la littérature comme ayant lieu au cours de vieillissement thermique [167, 168],
ce qui semble être le cas dans notre étude (figure 3-27). De surcroit, la faible dimension du
système dans cette étude, rend la proportion occupée par la couche intermétallique non
négligeable, surtout après assemblage ou bien stockage à haute température [117, 169]. Les
intermétalliques jouent dans ce cas nécessairement un rôle significatif dans la tenue
mécanique de l'ensemble.
Le test en cisaillement sur puce a beaucoup été exploité dans la littérature dans le but
de déterminer la résistance mécanique des interconnexions et des paramètres comme la
vitesse de cisaillement, la dimension du bump ou bien le vieillissement thermique ont été
investigués comme décrit au chapitre premier [105, 170-175]. En revanche, les études menées
sur le cisaillement unitaire de bump ne concernent pratiquement jamais des bumps de
diamètre inférieur à 80µm excepté la récente étude de Chen [176]. De la même manière,
l'impact de la hauteur de cisaillement sur la résistance au cisaillement aussi bien que sur le
mode de rupture n'a pas été étudié dans la littérature.
Dans ce paragraphe une étude sur l'impact du traitement thermique, de la vitesse de
cisaillement ainsi que de la hauteur de cisaillement (par rapport à la base du plot de cuivre)
sur la résistance mécanique de l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure sera
présentée. L’objectif est d’identifier la présence ou non, d’une interface critique. L'étude porte
sur des micro-bumps d'intégration cuivre et alliage SAC(E) de diamètre 25µm ayant subi soit
un reflow, soit des maintiens isothermes de différentes durées (voir figure 3-19). Le
cisaillement est appliqué à l'aide d'une lame de 50µm de largeur à 6 hauteurs différentes, de
h = 11µm à h = 16µm avec un pas de 1µm (voir figure 2-32 du second chapitre). Enfin, 20
micro-bumps sont cisaillés pour chacun des traitements thermiques et pour chacune des
hauteurs de cisaillement.
112
= 70µm.s-1 et 500µm.s-1. Dans les deux cas, le profil général est similaire et présente une
augmentation rapide de la résistance de la force de cisaillement, qui s’atténue ensuite, jusqu'à
atteindre un maximum avant de finalement chuter. La première différence notable entre les
courbes obtenues pour v = 70µm.s-1 et 500µm.s-1 est la valeur maximale de la force de
cisaillement. Cette dernière est accrue à plus haute vitesse de cisaillement, ce qui est en
accord avec de précédentes études de la littérature [102, 104, 117, 177]. Les valeurs
maximales de la force de cisaillement sont obtenues dans la gamme de déplacement
respectivement de 7-14µm et 20-25µm pour v = 70 et 500µm.s-1. La valeur moyenne de la
force maximale est calculée à partir de 5 mesures au moins et vaut (5.3±0.7) x10-2 N pour v =
70µm.s-1 et (8.8±0.4) x10-2 N pour v = 500 µm.s-1. Sachant que le diamètre du micro-bump
vaut 25µm et considérant que l'interface de cisaillement correspond à l'aire circulaire du
micro-bump (soit 4.9x10-10 m2), les valeurs suivantes de résistance maximale au cisaillement
peuvent être déduites : 108±15 MPa pour v = 70µm.s-1 et 180±10 MPa pour v = 500 µm.s-1.
Ces valeurs sont du même ordre de grandeur que celles reportées dans la littérature pour des
interfaces Cu/SAC de dimension importante (diamètre supérieur à 500µm) [102, 104, 117].
Figure 3-45: Profils force de cisaillement - déplacement lors de tests de cisaillement sur
micro-bump ayant subi un reflow. Hauteur de cisaillement h = 16µm. Vitesse de cisaillement
v = 70 µm.s-1 (a, b) et 500 µm.s-1 (c, d).
Les profils force - déplacement en figure 3-45a et 3-45c sont représentés sur une
même échelle en figure 3-46 afin de pouvoir les comparer.
Figure 3-47: Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement pour des
micro-bump après reflow à différentes vitesses de cisaillement: 70, 130 and 500 µm.s-1.
Figure 3-48: Faciès de rupture de micro-bumps ayant subi un reflow et cisaillés à h = 16µm
et v = 70µm.s-1 (a) et 500µm.s-1 (b). (Pour tous les clichés, le cisaillement se déroule de la
droite vers la gauche).
Un balayage spectroscopique (EDX) est réalisé sur la zone de rupture d'un micro-
bump cisaillé à h = 12µm et v = 70 µm.s-1 (figure 3-49).
Figure 3-49: Caractérisation de la surface d'un micro-bump après reflow cisaillé à une
hauteur de 12µm à une vitesse de 70 µm.s-1. Imagerie MEB après abrasion ionique (FIB) (a),
zoom (b), analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) révélant trois zones de
concentration différentes (1), (2) et (3) en (c) quantifications des concentrations pour ces
trois zones (d). (La flèche indique la direction du cisaillement).
115
L'analyse révèle trois zones de différentes concentrations (1), (2) et (3). La première
zone est plus riche en étain qu'en cuivre. Les concentrations respectivement détectées pour
chacun des éléments (25% et 70% en figure 3-49d), suggèrent que le cisaillement se produit
dans une zone intermédiaire entre le η-Cu6Sn5 et l'alliage. Cependant, la confrontation de la
vue générale du faciès (figure 3-49a) et du balayage spectroscopique (figure 3-49c), met
également en évidence une rupture dans la zone (2) de concentration proche de η-Cu6Sn5 ce
qui suggère un cisaillement dans la phase η-Cu6Sn5 aussi. Enfin, un zoom sur la zone
interfaciale (3) de la figure 3-49b, rend visible l'interface Cu/Cu3Sn marquée par la présence
de trous Kirkendall qui se trouvent à une distance de la zone de rupture inférieure à 500nm.
En conséquence il s'agit d'un mode de rupture mixte dans lequel une zone majoritairement
riche en étain est cisaillée dans un premier temps, après quoi la rupture se déporte en direction
du Cu6Sn5.
Des analyses en spectroscopie (EDX) sont réalisées de manière systématique sur les
faciès de rupture de micro-bump pour chaque hauteur de cisaillement. Des exemples sont
visibles en figure 3-50 pour une vitesse de cisaillement v = 70 µm.s-1 et pour plusieurs
hauteurs de cisaillement h = 12µm, 13µm, 14µm et 16µm. Le sens du cisaillement est précisé
par une flèche et par convention, les zones contenant majoritairement du cuivre, de l'étain ou
un intermétallique Cu-Sn sont qualitativement représentées en jaune, en rouge et en bleu
respectivement. Pour rappel, l'épaisseur moyenne de la couche intermétallique (Cu6Sn5 +
Cu3Sn) est d'environ 2µm.
4-3) Cisaillement de micro-bumps ayant subi des maintiens isothermes à 240°C - Impact de la
durée du traitement thermique.
Afin d'étudier l'impact d'un traitement thermique sur le comportement mécanique des
micro-bumps, il a été choisi de réaliser des tests en cisaillements sur des micro-bumps ayant
subi des maintiens isothermes à 240°C pendant 0min, 5min, 15min et 30min (voir le profil
thermique sur la figure 3-19). Ces tests de cisaillement, se focalisent sur une seule vitesse de
cisaillement (v = 70µm.s-1) sélectionnée à partir des résultats expérimentaux obtenus dans le
paragraphe précédent.
117
chute de la force maximale de cisaillement avec la hauteur de cisaillement seront évoquées
dans les paragraphes suivants.
118
La morphologie du faciès de rupture à h = 12µm est rugueuse, l'analyse
spectroscopique (EDX) montre que la partie droite du faciès (première partie cisaillée) est
constituée de cuivre alors que la partie gauche est composée essentiellement d'intermétallique.
Le faciès correspondant à h = 12µm, similaire à ce qui était observé dans le cas de
cisaillement après un reflow (figure 3-50a), traduit une déformation viscoplastique dans le
cuivre avant une rupture fragile dans l'intermétallique. Lorsque la hauteur h augmente de
12µm à 13µm, la surface de cuivre n'est plus visible, le faciès présente un cisaillement ductile
dans l'alliage base étain, suivi d'une rupture fragile dans l'intermétallique. Enfin, de manière
analogue à ce qui a été analysé pour la figure 3-50, la proportion du faciès ductile liée à un
cisaillement se produisant majoritairement dans l'alliage base étain augmente avec h (figure 3-
52c). Considérant les propriétés mécaniques de chacune des phases impliquées dans la zone
interfaciale (Cu, Sn, Cu6Sn5 et Cu3Sn) [178], ces observations sont en accord avec le fait que
la résistance au cisaillement décroit avec la hauteur.
119
hauteur de cisaillement augmente, c'est ce qui induit la diminution de la force maximale Fmax
avec h, ce qui est en bon accord avec la littérature [173]. C'est par le même raisonnement que
l'augmentation de Fmax avec la durée du maintien isotherme pour une hauteur donnée peut être
expliquée.
120
4-4) Conclusion
Le comportement en cisaillement du micro-bump est en grande partie conditionné par
le rapport des proportions fragile et ductile des modes de rupture. Lorsque l’on considère les
hauteurs de cisaillement supérieures à h = 12µm, où normalement le cuivre ne serait plus
sollicité, alors le mode fragile de rupture associé à l’intermétallique apparait. De ce fait,
comme la force maximale de cisaillement correspond au cisaillement de la zone contenant les
intermétalliques, cette zone apparait plus robuste que celle correspondant au cisaillement de
l'alliage. L’épaisseur de la couche réactionnelle n'apparait pas critique du point de vue de la
résistance mécanique du micro-bump.
Il n’y a pas d’affaiblissement notable de la force maximale de cisaillement
correspondant à la région où se situent les trous Kirkendall (vers h = 12µm). Une légère
diminution est notée seulement lorsque la durée du maintien atteint le maximum de 30min.
Mais cet effet est en partie noyé dans les marges d’erreurs et ne permet pas d’être catégorique
sur ce point.
Enfin, l’examen systématique des faciès de rupture met fréquemment en évidence le
composé Cu3Sn, suggérant la propagation préférentielle de la rupture à l’interface
Cu3Sn/Cu6Sn5 plutôt qu'à l'interface Cu/Cu3Sn contenant les trous Kirkendall.
5) Conclusion
Au cours de ce chapitre des micro-bumps (ϕ = 25µm) ainsi que des bumps (ϕ = 80µm)
ont été étudiés d'un point de vue thermodynamique et microstructural dans une première
partie. De nombreuses expériences répétées de calorimétrie différentielle à balayagé (DSC),
sur des micro-bump (ϕ = 25µm) et bumps (ϕ = 80µm), ont mis en évidence que la
composition de l'alliage SAC déposé est proche de l'eutectique ternaire, particulièrement pour
les micro-bump. Des surfusions de 13°C à 23°C ont été mesurées sur les bumps de diamètre
80µm qui sont bien moindre que celles mesurées sur des billes d'alliages SAC de même
composition et même dimension. La germination hétérogène est favorisée dans le cas des
bumps, soit du fait de la présence de la couche d'intermétallique formée à l'interface avec le
cuivre solide soit par l'existence dans la brasure de particule solide micrométrique ou
submicronique. La microstructure à l'issue du dépôt électrolytique est très hétérogène car les
grains ont une taille variable et les précipités, souvent larges (de 5 à 10µm pour l'argent et
supérieure au micron pour le cuivre) sont répartis de manière aléatoire. A l'issue du reflow, la
microstructure est constituée de grains d'étain primaire, entourés d'eutectiques biphasés et
triphasés ou de précipités riches en argent (Ag3Sn) et en cuivre (Cu6Sn5) de taille
submicrométrique dispersés de manière homogène autour de ces grains. Le reflow à donc une
fonction de stabilisation au niveau de la microstructure du joint d'alliage qui ne figure pas
dans ses fonctions à priori.
Dans une seconde partie, la réactivité interfaciale de l'alliage de brasure avec le
substrat a été analysée pour des substrats cuivre aussi bien que pour des substrats nickel. Dans
cette partie, la nature chimique des phases formées à l’interface a été identifiée, leur
morphologie et son évolution au cours de la croissance a été étudiée et la cinétique de
croissance de ces phases a été déterminée pour les deux systèmes (Cu-SAC et Ni-SAC). La
cinétique de croissance est plus rapide d'un facteur cinq dans le cas du système Cu/SAC(E) que
dans le cas du système Ni/SAC(E) (constantes cinétique de croissance: kCu-Sn = 0,147µm².s-1 et
kNi-Sn = 0,029µm².s-1). L'introduction d'un substrat en nickel pour les micro-bumps aboutit
donc à une consommation de l'étain de la brasure bien moindre que dans le cas standard du
substrat en cuivre. Dans le cas présent (micro-bump de 25µm de diamètre comprenant une
épaisseur d'alliage de 10µm), la formation de la couche réactionnelle avec le cuivre atteint un
121
stade qui peut ne pas être vu comme critique d'un point de vue industriel. En effet, en
considérant qu'un total de 5 reflows est subi en moyenne par le micro-bump depuis sa
synthèse jusqu'à la mise en boitier, l'épaisseur réactionnelle atteinte à ce stade (2,25±0,15µm)
laisse une épaisseur importante de brasure (~5µm, soit environ la moitié). L'introduction du
nickel peut toutefois se révéler pertinente si la poursuite de la réduction des dimensions doit
pousser par exemple l'épaisseur d'alliage de brasure à être réduite d'un facteur deux. Des
expériences comparatives sur les épaisseurs de couches réactionnelles, effectuées dans le cas
des micro-bumps (diamètre 25µm) et des bumps (diamètre 80µm), montrent qu'il n'y a pas
d'effet de dimension sur la cinétique de croissance dans cette gamme de taille de bump et de
temps de réaction. Il n'y a par conséquent pas lieu de spécifier le procédé de reflow des micro-
bumps par rapport à celui des bumps pour une raison de réactivité interfaciale. Les mêmes
paramètres de dépôt électrolytique ou de reflow conduisent au même état interfacial.
Dans une dernière partie, la résistance mécanique de micro-bump (ϕ = 25µm) est
testée par cisaillement, pour différentes vitesses et hauteurs de cisaillement et pour des
échantillons ayant subi différents types de traitements thermiques: reflow ou maintien
isotherme de 0min, 5min, 15min et 30min à 240°C. Le cisaillement des micro-bumps conduit,
dans la majorité des cas, à un faciès de rupture mixte, comprenant une partie ductile
(correspondant soit à la déformation de la brasure, soit à celle du cuivre) et une partie fragile
(correspondant à la propagation d'une rupture dans l'intermétallique). Plusieurs effets
conformes à de précédents travaux sont notés comme le fait que l'apparition de faciès de
rupture fragile s'accompagne d'une augmentation de la force au cisaillement, d'une réduction
de l'énergie de rupture et d'une chute du déplacement avant rupture. Les forces maximales de
cisaillement sont donc mesurées lorsque la zone contenant les intermétalliques est sollicitée.
Cette zone apparait donc plus robuste que celle correspondant au cisaillement de l'alliage et
n'apparait ainsi pas critique du point de vue de la résistance mécanique du micro-bump. De la
même manière, l'absence de diminution de la force de cisaillement au niveau où se situent les
trous Kirkendall, indique qu'ils ne sont pas critiques sur la fiabilité mécanique du bump. La
propagation de la rupture se fait plus fréquemment à l’interface Cu3Sn/Cu6Sn5 plutôt qu'à
l'interface Cu/Cu3Sn contenant les trous Kirkendall. En conséquence, l'argument parfois
invoqué, selon lequel l'épaisseur du composé intermétallique ou la présence des trous
Kirkendall sont des facteurs d'affaiblissement mécanique, semble ne pas être valide dans cette
étude. L'effet pourrait être observable après des tests de fiabilité par cycles thermiques ou
lorsque l'alliage de brasure est confiné entre deux plots métalliques (comme après flip-chip).
Ces aspects serontabordés au cours du chapitre suivant.
122
Chapitre 4: Etude et caractérisation du système reporté
123
1) Introduction
Au cours du chapitre précédent une étude de fond a pu être menée sur le système que
constitue le micro bump, en investiguant aussi bien les aspects liés à la réactivité interfaciale
que des aspects morphologiques, microstructuraux ou mécaniques. Cette étude permet
d'aborder la compréhension des mécanismes réactionnels susceptibles d'intervenir lors de
l'établissement du flip-chip (le report de puce), puis du brasage eutectique. En effet, dans cette
situation, qui constitue l'étape suivante dans le procédé d'élaboration d'un système répondant
aux contraintes de l'intégration 3D, le système est plus complexe pour deux raisons. Tout
d'abord parce que le système confiné qu'est le joint de brasure présente cette fois deux
interfaces réactionnelles, et aussi parce que l'or, qui est ajouté en tant que couche de
passivation au niveau de micro-pillars (figure 2-23), peut potentiellement rentrer en jeu dans
la réactivité physico-chimique avec des effets qui n'ont pas été étudiés dans le chapitre 3. La
couche externe d'or du micro-pillars est effectivement directement mise en contact avec
l'alliage du micro-bump (figure 2-1b). De ce fait, lors de la fusion du micro-bump, l'alliage
liquide sera mis en contact direct avec la couche d'or d'épaisseur 200nm ou 800nm qui est
déposée sur une couche de nickel. Dans les premiers instants de la fusion de l'alliage de
brasure, la configuration du système sera alors:
Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/alliage liquide//Au/Ni/Cu ou bien Ni/Ni3Sn4/alliage liquide//Au/Ni/Cu.
Il est alors nécessaire de connaitre d'une part les transformations susceptibles de se
produire à l'interface alliage liquide/Au mais aussi l'interaction éventuelle entre l'or dissous
dans la brasure et les intermétalliques Cu6Sn5 ou Ni3Sn4 ou même Ni solide. De ce fait le
diagramme de phase binaire Au-Sn mais aussi les diagrammes ternaires Sn-Au-Cu et Sn-Au-
Ni seront donnés. Ensuite les principales conclusions d'études bibliographiques sur l'impact de
l'or dans des brasures de base étain seront présentées. Les interconnexions élaborées à partir
des véhicules tests Div1 et Alto (voir paragraphe 2 du chapitre 2) seront ensuite caractérisées
et analysées d'un point de vue métallurgique et ce, après application de différents reflows ou
bien de tests en cyclage thermique. La dernière section de ce chapitre est consacrée à la
caractérisation électrique et mécanique des puces reportées, également depuis leur élaboration
jusqu'à ces étapes de reflows multiples ou bien de cyclage thermique.
124
Figure 4-1 Diagramme de phase Sn-Au [179]
L'examen du diagramme de phase Au-Sn met donc en évidence le fait que des
composés intermétalliques sont susceptibles de se former dans une gamme de températures
correspondant à celle du reflow. Etant donné que la couche de passivation en or est d'une
épaisseur bien moindre que celle de la brasure base étain (théoriquement 200nm d'or contre
10µm de SAC), la zone du diagramme qui s'applique à cette étude est située dans la zone
riche et étain. De ce fait, parmi les 5 phases susceptibles de se former dans le domaine de
température caractéristique du reflow (≤ 250°C), η-AuSn4 est la phase en équilibre
thermodynamique avec l'étain pur à une température inférieure à la température de fusion de
l'alliage SAC proche de l’eutectique (217,5±1°C) (figure 4-1).
La solubilité maximale de l'or dans l'étain liquide varie de 4,6at% à 215°C jusqu'à
11,3at% à 252°C et elle est d'environ de 8at% à 235°C.
125
Figure 4-2: Section isotherme à 190°C (a) [180] et projection du liquidus du côté riche en
étain (b) [181] du diagramme ternaire Sn-Au-Cu.
Figure 4-3: Section isotherme du diagramme ternaire Sn-Au-Ni à 200°C dans la zone riche
en étain (b) [182].
126
Figure 4-4: Observation MEB de la couche réactionnelle formée après mise en contact d'un
fil d'or et de l'étain liquide pendant 10 secondes à 245°C. Vue générale (a), zoom sur
l'interface Au/Sn (b) [183].
P. G. Kim et K. N Tu [184] ont, eux, étudié la réactivité entre l'or pur et cette fois-ci
l'alliage liquide eutectique SnPb (Sn-37mass%Pb) à 200°C et pendant 210s. Comme le
montre la figure 4-5, deux couches réactionnelles sont visibles à l'interface, une couche fine et
continue d'AuSn2 d'épaisseur micrométrique (comme dans le précédent cas Au/Sn(liquide)) et
une couche d'AuSn4 sous forme de bâtonnets. Les auteurs indiquent qu'AuSn4 présente une
forme de scallops même après 2s de contact à 200°C.
Noter enfin que dans les études précédentes, la phase stable AuSn n'a pas été observée
à l'interface.
De nombreuses études sur les interactions Au-Sn ou Au-alliages base étain à l'état
solide montrent que la cinétique de croissance des intermétalliques dans ce système est
beaucoup plus rapide que dans le système Cu-Sn. Ainsi par exemple T. Yamada et al [185]
montrent que le coefficient de croissance globale des intermétalliques dans le système Au-Sn
est d'environ 50 à 70 fois supérieur que dans le système Cu-Sn pour un domaine de
température compris entre 190°C et 220°C. Les auteurs reportent que la zone réactionnelle est
composée de trois couches continues de phases AuSn4, AuSn2 et AuSn et la cinétique de
croissance de ces phases a été déterminée entre 120°C et 200°C (voir figure 4-6). Il est à noter
que la phase AuSn4 croît beaucoup plus rapidement que les deux autres phases et ceci quelle
que soit la température.
127
Figure 4-6: Cinétique de croissance de couches réactionnelles dans un empilement Sn/Au/Sn
au cours d'un maintien thermique à 120°C (a), 200°C (b) [185].
Figure 4-7: Représentation schématique des deux types d'intégrations testées dans l'étude de
R. Labie et al [186].
Dans le cas du solder bump Cu/Sn (cas (1) de la figure 4-7), la brasure comprend,
avant assemblage, du cuivre en solution (dont la concentration dépend de la température
atteinte lors du premier reflow de formation du solder bump). Lors du brasage eutectique, les
atomes de cuivre migrent jusqu'à l'interface opposée (Cu/Ni/Au) pour former l'intermétallique
ternaire (Cu,Ni)6Sn5. C'est ce qui peut être observé en microscopie électronique à balayage en
figure 4-8a. Selon l'interprétation de cette étude, les atomes d'or dissouts précipitent, au
moment de la solidification au niveau de l'interface alliage/(Cu,Ni)6Sn5, sous la forme
d'AuSn4. Etant donné le fait que la phase AuSn4 entoure (Cu,Ni)6Sn5 (figure 4-8a), la
formation de (Cu,Ni)6Sn5 est donc, suivant cette interprétation, antérieure à celle d'AuSn4,
128
Lorsqu'il s'agit du solder bump Cu/Ni/Au/Sn (cas (2) de la figure 4-7) il n'y a, avant
assemblage, pas ou très peu de cuivre dissout dans la brasure. En suivant le même
raisonnement que précédemment, l'or se dissout rapidement, permettant la réaction
interfaciale entre le nickel et l'étain, puis formation de l'intermétallique Ni3Sn4. Lors du
refroidissement, l'or précipite sous la forme (Au,Ni)Sn4 ou AuSn4 en surplombant
l'intermétallique Ni3Sn4; c'est ce qui peut être observé en figure 4-8b.
Figure 4-8: Observation MEB en mode de détection rétrodiffusé d’un assemblage d’un bump
Cu/Sn (a) et Cu/Ni/Au/Sn (b) sur une métallisation Cu/Ni/Au après un reflow [186].
2-3) Conclusion
Dans les cas d'assemblage flip-chip suivi d'un reflow impliquant des micro-bump
(Cu/SAC) et des micro-pillars (Cu/Ni/Au), la brasure est mise en contact avec la passivation
or, ce qui mène à la formation de composé du type AuSn4 à l'interface entre l'or et l'étain. Le
système Au-Sn peut mener à la formation d'autres composés intermétalliques comme AuSn2
ou AuSn dont la croissance est réduite par rapport à celle d'AuSn4.
129
La solubilité de l'or dans l'étain liquide à 235°C (≈ 8at% Au) est beaucoup plus élevée
que celle du cuivre à la même température (environ 2at% Cu). De ce fait, lorsqu'une couche
d'or de faible épaisseur (≈ 100nm) est mise en contact avec l'étain liquide, la limite de
solubilité de l'or dans l'étain liquide n'est pas atteinte même après la dissolution totale de la
couche d'or. Dans ces cas, il n'y aura donc pas de formation d'intermétallique AuSn4 à
l'interface entre la brasure et le substrat (comme c'était le cas pour le système Cu/Sn par
exemple). AuSn4 précipite seulement lors du refroidissement sur les intermétalliques Cu6Sn5
ou Ni3Sn4, qui se forment eux-mêmes principalement aux interfaces Cu/Sn ou Ni/Sn lors du
brasage mais également au sein de la brasure lors du refroidissement. En revanche si de l'or
massif ou une couche épaisse d'or est mis en contact avec l'étain liquide, il y aura formation
de la phase AuSn4 à l'interface Au/Sn lors du maintien à l'état liquide et la précipitation de
l'eutectique AuSn4 + Sn, lors du refroidissement, dans la zone du liquide affectée par la
diffusion de l'or.
L'ajout d'autres éléments dans la brasure comme le cuivre ou le nickel impacte la
composition de la phase AuSn4 qui peut incorporer beaucoup de nickel mais aussi du cuivre
pour devenir (Au,Ni,Cu)Sn4. De ce fait, le cuivre et le nickel stabilisent la phase AuSn4
précipitée au sein de la brasure lors du refroidissement et évitent aussi une redistribution de
cette phase aux interfaces. Les modifications engendrées peuvent avoir un effet drastique sur
la tenue mécanique des joints de brasure. Le cas d'une couche continue de la phase AuSn4
déposée sur un intermétallique de la forme Ni3Sn4 par exemple, est reporté comme étant une
configuration favorable à la propagation de ruptures fragiles.
3-1-1) Introduction
Cette section regroupe les caractérisations réalisées sur des interconnexions élaborées
à partir du véhicule test Div1 (diamètre du micro-bump égal à 25 µm). Du fait de la quantité
excessive d'or intégrée dans ce premier système métallurgique étudié, l'existence de
mécanismes de défaillances liés à la présence d'or sera ainsi mise en exergue. Ce système est
d'abord caractérisé après brasage eutectique, puis son évolution métallurgique est inspectée à
l'issue de deux, puis quatre reflows supplémentaires et dans un autre cas de figure, à l'issue de
cyclage thermique succédant au brasage eutectique.
130
Figure 4-9: Représentation schématique de l'empilement métallurgique que constitue
l'interconnexion issue du véhicule test Div1 avec les épaisseurs visées. Diamètre des micro-
bumps égal à 25 µm.
131
de long). Ces précipités semblent occuper une proportion importante de l'alliage puisqu'ils
l'envahissent sur toute sa longueur. Leur orientation est variable et peut aussi bien être
verticale (figure 4-11b) qu'horizontale (figure 4-11c) ou bien de biais (figure 4-11c).
Cependant, pour chacun de ces précipités, une interface est partagée avec une couche
réactionnelle intermétallique qu'elle soit du côté du nickel ou du côté du cuivre.
A plus fort grossissement (figure 4-12), il peut être noté que la couche réactionnelle au
niveau de l'interface Cu/SAC présente une morphologie qui diffère de ce qui était observé sur
micro-bump (voir figure 3-21). En effet, les scallops caractéristiques de la phase η-Cu6Sn5 (à
l'interface Cu/SAC(liquide)) ne sont pas observés ici (figure 4-12a). A l'inverse, la couche ε-
Cu3Sn peut être aisément identifiée puisque la morphologie et la dimension submicronique,
caractéristique de cette phase, observées dans le système Cu/SAC(liquide) (voir figures 3-21 et
3-22), se présentent ici de la même façon. Des trous Kirkendall sont également visibles à
l'interface Cu/Cu3Sn et avec un diamètre moyen inférieur à 100nm (figure 4-12) et de ce fait
le brasage eutectique n'atteindrait pas l'intégrité de cette couche. Notons que pour la couche
de la phase η, non seulement une modification nette de morphologie est observée (comparée
au cas Cu/SAC du chapitre 3) mais aussi une évolution du contraste au sein même de cette
couche est détectée en mode de détection rétrodiffusé. En effet, en observant le cliché en
figure 4-12b du haut vers le bas, il peut être noté un contraste qui évolue du sombre (au
voisinage de Cu3Sn) vers le clair (proche des larges précipités colonnaires). Cette observation
suggère une modification de la composition de la phase η-Cu6Sn5 (préexistante déjà à
l'interface Cu/SAC sous forme de scallops), au cours du brasage eutectique, qui conduit elle-
même à un changement drastique de sa morphologie.
133
cuivre et de nickel dans cette zone (en vert sur la figure 4-13c) est l'imprécision de la mesure,
puisque comme cela est visible sur la cartographie EDX de cette zone, une légère partie du
signal retourné provient des intermétalliques d'interfaces (riche en cuivre du côté cuivre et
riche en nickel côté nickel).
- La troisième zone révélée par l'analyse EDX (figure 4-13d) indique que cette zone
est constituée majoritairement d'étain (83%Sn-11%Cu-3%Au-3%Ag). Cette zone correspond
bien au liquide base étain à la température de brasage qui se transforme en étain et d'autres
intermétalliques lors du refroidissement (voir l'analyse ci-dessous). Une des phases
précipitées au sein de ce liquide serait aussi Ag3Sn comme le suggère l'analyse EDX de la
figure 4-13e qui montre des zones très riches en argent qui ne peuvent être que des précipités
d’Ag3Sn.
Figure 4-14: Diagramme de phase Au-Sn (a) [179], représentation schématique de la zone
riche en étain de ce diagramme (b).
134
Indépendamment du fait que les calculs ci-dessus sont approximatifs, pour une
épaisseur initiale d'or d'environ 800nm, la mise en contact de l'alliage liquide avec la couche
d'or conduira tout d'abord à une dissolution de l'or dans l'alliage liquide, ensuite à une
sursaturation en or par rapport à la formation du composé AuSn4 (xAu > xAu (L) comme visible
en figure 4-14b) et enfin à la germination et la croissance du composé AuSn4. La germination
pourra avoir lieu à l'interface alliage liquide/Au mais aussi sur des impuretés solides au sein
du liquide servant de sites potentiels de germination hétérogène. La croissance d’AuSn4 dans
le liquide sursaturé a lieu ici sous forme de gros précipités (comme cela a été observé par
P. Oberndorff [183] (figure 4-4) et P. G. Kim et K. N. Tu [184] (figure 4-5).
Avant la solidification, le joint sera constitué de précipités de la phase AuSn4
contenant éventuellement du nickel et du cuivre et d'une phase liquide base étain contenant de
d'or (~8at%) de l'argent (~3at%) et du cuivre. La solidification de ce liquide quaternaire (Sn-
Ag-Au-Cu) conduirait à la formation d'eutectiques (et/ou de péritectiques) binaires et ternaires
(contenant les phases Sn, Ag3Sn, AuSn4 et Cu6Sn5) qui ne sont pas étudiés ici.
Figure 4-16: Analyse sur une coupe transversale d’interconnexion Div1 après 2 reflows
succédant au brasage eutectique. Cliché MEB en mode de détection rétrodiffusé (a), analyse
spectroscopique (EDX) révélant deux composés (b, c).
Concernant les trous observés après l'assemblage (voir figure 4-12c), ils sont toujours
visibles après 2 reflows supplémentaires comme l'atteste le zoom de la figure 4-16a ainsi que
les clichés de la figure 4-17. En revanche, leur densité et leurs diamètres semblent décroitre.
136
3-1-4) Caractérisation après quatre reflows successifs à l'assemblage
Certains empilements de puces ont subi deux nouveaux reflows les menant ainsi à 4
reflows succédant à l'assemblage et 5 reflows en considérant celui du brasage eutectique. Sur
les clichés MEB (figure 4-18), la microstructure irrégulière en deux zones vue auparavant
(figure 4-15 et 4-16) est de nouveau apparente. Cependant, cette microstructure est ici plus
fine puisque les précipités y sont de l'ordre du micron ou légèrement inférieur tandis qu'ils
étaient plus gros après seulement deux reflows (figure 4-14 et 4-15).
Par la succession des étapes de reflows, le système métallurgique que constitue le joint
de brasure a de toute évidence évolué d'un état dans lequel de larges précipités colonnaires de
la phase (Au,Cu,Ni)Sn4 occupaient la brasure, vers une microstructure irrégulière "biphasée"
comprenant une phase liquide riche en étain et des précipités de taille submicrométrique très
vraisemblablement de la phase (Au,Cu,Ni)Sn4. Il faut noter en plus que les intermétalliques se
trouvant du côté du cuivre restent solidaires du cuivre et qu'une quantité importante d'or s'y
trouve. Toutes ces observations confortent l'hypothèse faite au paragraphe précédent sur le
mécanisme de transformation des précipités de (Au,Ni)Sn4 en (Cu,Au,Ni)6Sn5 par réaction
avec le cuivre (ou Cu3Sn) via un mécanisme de dissolution de (Au,Ni)Sn4 dans l'alliage
liquide, d'une diffusion de l'or et du nickel de l'interface (Au,Ni)Sn4 / liquide vers l'interface
(Cu,Au,Ni)6Sn5 / liquide et enfin réaction à cette interface. Le "couple de diffusion" associé à
cette réaction serait alors: (Au,Ni)Sn4//liquide//(Cu,Au,Ni)6Sn5/(Cu,Au)3Sn/Cu.
Cette transformation, dont la force motrice est la différence de potentiel chimique des
atomes de cuivre, d'or et d'étain de part et d'autre du "couple de diffusion" devrait être limitée
par diffusion en phase solide au travers des couches des phases (Cu,Au,Ni)6Sn5 et/ou
(Cu,Au)3Sn. Le rôle du nickel ainsi que celui de la couche interfaciale du côté du nickel a été
négligé lors de ce raisonnement.
Il a été noté à plusieurs reprises des fractures au sein de quelques joints de brasure à
l'issue des 4 reflows venant s'ajouter à l'assemblage (figure 4-19a et 4-19b). Malgré quelques
résidus de polissage sur ces clichés, la microstructure en deux zones est nettement discernable
et il est indiscutable que le brasage eutectique a eu lieu, suivi ensuite d'une rupture au sein de
la brasure contrairement à ce qui peut être observé en figure 4-19c où il n'y à eu ni mouillage
137
ni réaction à l'interface. Ces ruptures témoignent donc d'une détérioration à imputer aux
reflows et à leur incidence sur l'évolution de la métallurgie du joint d'alliage. Cinq
interconnexions scellées présentant une rupture postérieure à l'assemblage ont été
comptabilisées contre trois interconnexions sans fracture visible. La rupture ne se propage pas
selon une interface et son orientation générale semble indépendante de la localisation des
précipités d'AuSn4 (ou (Au,Ni,Cu)Sn4).
En résumé, les interconnexions comprenant une épaisseur importante d'or (de 800nm)
mènent à la formation de gros précipités de l'intermétallique AuSn4 ou (Au,Ni)Sn4 dont la
morphologie est amenée à évoluer fortement par l'application de nouveaux reflows. Cette
évolution de la morphologie de ces précipités, qui se traduit par un affinement
microstructural, s'accompagne de ruptures conduisant à l'ouverture de l'interconnexion. Par
conséquent un mécanisme de défaillance manifeste apparait à l'issue de 4 reflows succédant à
l'assemblage (soit 5 reflows depuis l'assemblage).
Les tests par cyclage thermique induisent une légère amplification du diamètre moyen
des trous Kirkendall mais pas de dégradations notables comme les ruptures vues à l'issue des
reflows multiples (figure 4-18). Dans l'ensemble, la métallurgie du joint de brasure reste assez
analogue à celle observée à l'issue du brasage eutectique (figure 4-11) puisque les
intermétalliques d'AuSn4 se présentent également sous la forme de bâtonnets longs de
plusieurs microns et partagent une interface commune avec les intermétalliques d'interfaces.
Cela signifie que ces cycles thermiques dans le domaine de température de -40°C à 125°C ont
peu d'incidence sur l'intégrité des intermétalliques AuSn4 à la différence des reflows. Ce
constat renforce l'idée selon laquelle la transformation d'AuSn4 est accélérée par un processus
de dissolution en phase liquide. Enfin, les trous aperçus à l'interface or/brasure à l'issue de
l'assemblage (figure 4-12) et encore visibles après 2 reflows supplémentaires (figures 4-16 et
4-17), sont indistincts ici. Il s'agit d'un constat positif dans la mesure où le cyclage thermique
simule un vieillissement accéléré et rend compte de la métallurgie du système après une mise
en fonctionnement pendant de nombreuses heures d'utilisation. Les cavités auraient donc
tendance à s'estomper lors de ces cycles thermiques à l’état solide.
139
3-2) Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto)
3-2-1) Introduction
Le véhicule test Alto est cette fois utilisé pour étudier un système métallurgique
comprenant une épaisseur d'or conforme à ce qui est visé. Trois autres différences (en plus de
celles citées au chapitre 2) entre les tests Div1 et Alto peuvent être notées.
(i) L'épaisseur équivalente de l'alliage SAC est ici d'environ 4µm à 5µm au lieu de 8µm
comme c'était le cas précédemment pour le véhicule test Div1.
(ii) Deux configurations différentes ont été utilisées ici (voir figure 4-22). Une configuration
est relativement proche de celle du test Div1, la seule différence étant les épaisseurs des
différentes couches (configuration (1) de la figure 4-22). La seconde configuration est proche
de la configuration (1), la différence tient cette fois dans le fait que l'interface avec le micro-
bump est une interface Ni/SAC et non plus Cu/SAC.
(iii) Dans le cas du test Alto les caractérisations ont été réalisées sur des micro-bumps de
diamètre égal à 40µm, au lieu de 25µm dans le cas du test Div1.
Figure 4-22: Représentation schématique des empilements métallurgiques que constituent les
interconnexions issues du véhicule test Alto avec les épaisseurs visées. Diamètre des micro-
bumps égal à 25 µm.
Deux plaques comprenant des assemblages de puces par procédé flip-chip ont été
élaborées à partir du véhicule test Alto. Pour l'une d'elle, l'assemblage est effectué par le biais
de micro-bump d'intégration Cu/SAC (configuration (1) de la figure 4-22) et pour l'autre, il
s'agit de micro-bump Cu/Ni/SAC (configuration (2) de la figure 4-22).
140
Figure 4-23: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes
transversales d’interconnexions Alto après brasage eutectique. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu.
L'analyse du joint de brasure par une spectroscopie dispersive en énergie (figure 4-24),
indique que le joint de brasure est constitué principalement de grains de même composition
globale moyenne (zone en rouge sur la figure 4-24b) contenant 53%Sn-32%Cu-11%Au-
4%Ni. Il existe aussi quelques zones du joint (environ 20% de la surface totale) qui semblent
plus riches en étain que les précédentes avec une composition moyenne de 65,5%Sn-25%Cu-
4%Au-4%Ni-1,5%Ag. Les grains moins riches en étain (53%Sn) sont très vraisemblablement
constitués principalement de la phase (Cu,Au,Ni)6Sn5 (contenant 45%Sn) alors que la seconde
zone (riche en étain) pourrait correspondre à des poches de liquide riche en étain à la
température d'assemblage. Cependant des analyses plus poussées sont nécessaires afin de
déterminer la nature exacte de ces zones. Il faut noter la grande différence entre la
microstructure du joint de ce test Alto (figure 4-23 et 4-24) avec celles obtenues dans le cas
du test Div1 (figure 4-11 à 4-13). Rappelons que les épaisseurs initiales des couches d'or et
d'alliage SAC pour les configurations Div1 et Alto sont :
Le même type de calcul que celui fait au paragraphe 3-1-2) montre qu'après la
dissolution totale de la couche d'or d'épaisseur 200nm, la teneur en or de l'alliage liquide est
d'environ 8at%. Cette teneur est proche de la limite de saturation de l'étain liquide en or
(environ 8at% à 235°C - voir point L de la figure 4-14b). Ceci est en accord avec le fait que
les précipités colonnaires d'AuSn4 ou (Au,Cu,Ni)Sn4 n'apparaissent pas dans les joints de
brasure des tests Alto. Il doit enfin être noté que la croissance de l'intermétallique
(Cu,Au)6Sn5 a consommé une part très importante de la brasure puisque l'aire de cet
intermétallique occupe plus de 75% de l'alliage sur cette coupe transversale ( figure 4-24b).
141
Figure 4-24: Analyse spectroscopique (EDX) sur une coupe transversale d’interconnexion
Alto. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu
142
Au centre du joint de brasure une zone se distingue du reste de la brasure par un
contraste plus sombre, révélant la présence d'éléments de numéro atomique Z plus faible. Des
porosités peuvent apparaitre entre la zone centrale et le joint de brasure comme le montre la
figure 4-25d. L'analyse en spectroscopie EDX (figure 4-26), révèle deux zones. La zone
affichée en rouge (figure 4-26b), présente une composition globale moyenne (en at%) de
62%Sn-20%Ni-15%Au-3%Cu. La seule phase du système ternaire Sn-Ni-Au de composition
proche de celle-ci est la phase ternaire AuNi2Sn4 (contenant 57%Sn-28%Ni-15%Au).
Cependant des analyses spécifiques sont nécessaires afin d'identifier la nature de(s) phase(s)
en présence dans cette zone. L'analyse de la zone en vert dans la figure 4-26c indique que
cette zone est très riche en étain. La proportion non négligeable de nickel détectée dans cette
zone est à imputer au fait que cette phase est assimilée à l'intermétallique Ni3Sn4 identifié sur
l'interface supérieure. De ce fait il est très raisonnable de penser que la partie centrale du joint
était constituée d'une phase liquide très riche en étain à la température de brasage. Cette
hypothèse est en très bon accord avec les observations expérimentales citées précédemment:
(i) Cette zone (liquide) se situe toujours au centre de la brasure, emprisonnée entre les deux
couches d'intermétalliques développées à partir des deux interfaces Ni/liquide côté micro-
bump et côté micro-pillars (Ni/Au), à partir de la réaction entre le nickel solide et le liquide
base étain contenant du cuivre et de l'argent.
(ii) Le retrait lors de la solidification de ce liquide emprisonné, peut conduire à la formation
de porosités (ou retassures) comme observées sur la figure 4-25d.
Figure 4-26: Analyse spectroscopique (EDX) sur une coupe transversale d’interconnexion
Alto. Système Cu/Ni/Au/SAC/Ni/Cu.
Dans cette configuration l'or est, au cours du reflow, rapidement dissous dans la
brasure laissant le nickel sous-jacent directement en contact avec l'alliage liquide. Après la
dissolution très rapide de la couche d'or, l'alliage liquide contient environ 8at% d'or. Cet
alliage liquide SnAgCuAu contenant très peu de cuivre (<0,5%) réagit avec les deux couches
de nickel (côté micro-bump et côté micro pillar). La seule différence de réactivité des deux
côtés réside dans le fait qu'une couche préexistante de Ni3Sn4 est présente du côté micro bump
(formée lors du premier reflow de formation du bump, voir chapitre 3) alors que côté Ni/Au,
le nickel est en contact direct avec l'alliage. Cette réactivité conduit à la formation
d'intermétallique(s) contenant à la fois du nickel, de l'étain et de l'or et à l'appauvrissement en
or de l'alliage liquide. A la fin du reflow, le liquide restant (au centre du joint) se solidifie, et
sa solidification conduit à la formation de retassures qui sont néfastes pour les propriétés
mécaniques du joint de brasure.
143
3-3) Conclusion
La première partie de cette étude, portant sur des systèmes comprenant une proportion
importante d'or (800nm soit 86at%Sn-14at%Au) permet en partie de dresser la chronologie
des événements métallurgiques se produisant dans le joint de brasure. Lors du brasage
eutectique, la couche d'or se dissout dans la brasure jusqu'à sursaturation par rapport à la
formation du composé AuSn4. Ce composé germine et ensuite se développe sous forme de
gros précipités. Lors de la solidification, le système comprend alors des précipités d'AuSn4
éventuellement enrichis en nickel et en cuivre, ainsi qu'une phase liquide base étain contenant
également de l'argent, de l'or et du cuivre. L'application de reflows successifs exerce un
impact drastique sur la microstructure du joint de brasure. En effet, la morphologie du joint de
brasure évolue d'un état dans lequel des précipités colonnaires sont présents, vers une
microstructure irrégulière "biphasée" comprenant une phase liquide riche en étain et des
précipités submicrométriques de la phase (Au,Cu,Ni)Sn4. La couche réactionnelle se trouvant
du côté du cuivre est également riche en or et sa morphologie est modifiée comparativement à
ce qu'elle était (η-Cu6Sn5) avant le brasage eutectique. L'ensemble des observations suggère
une transformation des précipités de (Au,Ni)Sn4 en (Cu,Au,Ni)6Sn5 par réaction avec le cuivre
ou avec Cu3Sn. Les tests de cyclages thermiques n'engendrent ni modifications sensibles de la
microstructure du joint de brasure ni de ruptures d'interconnexions contrairement à l'issue
d'une succession de 4 reflows après assemblage.
A partir du second véhicule test (Alto), la configuration normale en terme d'épaisseur a
pu être testée avec ou sans nickel du côté du micro-bump. Les joints de brasure comprenant
une épaisseur d'or de 200nm et d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu présentent une morphologie
suggérant la présence d'un unique composé intermétallique occupant plus de 75% du volume
de brasure et qui serait vraisemblablement (Cu,Au,Ni)6Sn5. Dans le cas de l’intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu, la croissance de l’intermétallique est plus modeste que dans le cas
précédent. Le joint se compose visiblement d'une couche de Ni3Sn4 ou (Ni,Cu)3Sn4 du côté du
micro-bump d’épaisseur moyenne submicronique et d'une couche d’épaisseur moindre du
côté du micro-pillar. Les analyses de composition suggèrent que le joint de brasure serait
composé d'un seul intermétallique qui croit aux deux interfaces laissant le liquide restant au
centre du joint et dont la solidification peut conduire à la formation de porosités. La nature et
la composition exacte des différentes couches et phases composant ce joint restent à être
déterminées par des analyses spécifiques.
Au cours de cette partie, les systèmes d'empilements technologiques qui ont été
caractérisés d'un point de vue métallurgique, sont caractérisés électriquement et
mécaniquement. A partir du véhicule test Div1, les interconnexions comprenant une épaisseur
importante d'or sont caractérisées mécaniquement et électriquement à l'issue du brasage
eutectique, puis les caractérisations électriques sont poursuivies après les étapes de reflows
multiples et les tests de vieillissement en cyclage thermique décrits précédemment. La
dernière partie est consacrée à la caractérisation électrique après assemblage, du véhicule test
ALTO, qui permet de caractériser les interconnexions plus finement que pour le véhicule test
Div1.
144
L'expérienceconsiste à faire subir une contrainte sur la puce supérieure par le biais d'une
pointe alors que le wafer, et donc la puce inférieure, est maintenue sur son support par une
plaque aspirante (figure 1-53a). Le cisaillement est opéré à une vitesse de 200µm.s-1, pour
laquelle la résistance au cisaillement n'est pas conditionnée par le mode de rupture et donc par
l'éventuel présence d'une interface fragile mais par la résistance mécanique de l'ensemble des
interconnexions. La figure 4-27a présente une comparaison des performances électriques et
mécaniques obtenues pour chacune des puces d’un wafer Div1. Pour simplifier la lecture du
graphique, les valeurs de résistances infinies (correspondant aux chaines ouvertes) ont été
ramenées à zéro. Il s'agit de la résistance d'une chaîne de 340 interconnexions se trouvant au
niveau de la matrice centrale du motif Div1 (voir paragraphe 2-1 du chapitre 2 et figure 2-2b).
Dans ce cas, près de la moitié des puces présentent donc des chaines ouvertes simplement à
l'issue du premier reflow d'assemblage (figure 4-27). Cela est lié à la forte probabilité qu'une
au moins de ces interconnexions n'ait pas subi un brasage eutectique effectif. La majeure
partie des puces présente soit une résistance de chaine comprise entre 20mΩ et 40mΩ, soit
une résistance infinie (ici rabaissée à zéro), probablement liée à une ouverture au sein de la
chaine. Les résultats des tests en cisaillement, exprimés en N ou en kgF (1kgF ≈ 10N) sont
visibles pour chaque puce en figure 4-27b. Il peut être remarqué que de bonnes performances
électriques accompagnent de bonnes performances mécaniques. De bonnes performances
électriques semblent donc garantes de bonne tenue mécanique.
145
Figure 4-28: Nombre de puces Div1 cisaillé par gamme de résistance mécanique
Figure 4-29: Inspection en microscopie optique des faciès de rupture après cisaillement de
puces Div1 assemblées. Rupture à 61N (a, b, c) rupture à 105N (d, e, f).
146
Dans chacun des deux cas précédents, le faciès d'une des interconnexions est examiné
après rupture par spectroscopie EDX. En figure 4-30 l'analyse est faite sur une interconnexion
de la puce présentant une basse résistance (6,1 kgF) tandis qu'en figure 4-31 elle est réalisée
sur la puce présentant les meilleures résistances mécaniques (10,5kgF). La morphologie de
l'interconnexion (figure 4-30a) suggère celle d'un micro-bump aplati au cours du flip-chip
comme décrit précédemment. Il n’y pas de traces visibles d'arrachement ou de déformation.
L'analyse mène à la détection d'une phase unique, dont la concentration est celle du SAC
déposé. Dans ce cas il n'y a donc vraisemblablement pas eu d'assemblage.
147
présente des proportions voisines du cuivre et de l'étain, avec un net avantage pour le cuivre
avec une proportion de 72at% contre 28at% pour l'étain. Cette proportion est très proche de
celle du Cu3Sn traduisant le fait que Cu3Sn est resté solidaire du cuivre contrairement au
composé Cu6Sn5 qui n'est pas détecté. Cette observation suggère une rupture entre Cu3Sn et
Cu6Sn5 ce qui est en accord avec les précédentes analyses faites sur les tests en cisaillement
unitaire de micro-bump (voir paragraphe 4-3-3 et figure 3-53). (iii) Pour la troisième zone
(figure 4-31e), la proportion de cuivre est nettement supérieure à celle d'étain avec, 88at% de
cuivre et 12at% d'étain. Le composé Cu3Sn affleurerait donc à cet endroit mais en quantité
submicronique, ainsi c'est le cuivre sous-jacent qui est essentiellement détecté
L'analyse des faciès de rupture pour ces puces montre donc que dans un cas
l'assemblage est partiel (figure 4-30), puisque pour plusieurs interconnexions, il n'y a pas eu
brasage eutectique, d'où la plus faible résistance en cisaillement (d'où aussi, les valeurs de
résistance électrique en dehors des spécifications). Dans un second cas, l'assemblage est
complet et la rupture se produit alors dans l'intermétallique (figure 4-31). La différence de
résistance en cisaillement pour les puces analysées ici, s'explique donc par la non- uniformité
du procédé de l'assemblage. Cette non- uniformité peut elle même avoir plusieurs causes. Elle
peut être provoquée par une dispersion non homogène du flux sur wafer comme cela a été
suggéré dans la partie 3-1-2 de ce chapitre. Ainsi une couche d'oxyde d'étain pourrait se
former sur certains des micro-bumps non exposés par le flux, empêchant le mouillage sur la
surface des micro-pillars pendant le flip-chip. Une autre cause pourrait être la non- uniformité
des hauteurs de micro-bumps ou bien de micro-pillars à l'issue du procédé d'électrodéposition.
Ce phénomène, mentionné au paragraphe 3-3-3 du chapitre 2, a déjà été noté et peut expliquer
un assemblage partiel des puces si les micro-bumps et/ou micro-pillars présentent des
différences de hauteurs. Enfin, une non- reproductibilité du procédé de flip-chip et de pick
and place par l'équipement "DATACON" pourrait éventuellement être mise en cause.
148
c'est-à-dire graphiquement par le seuil atteint par le pourcentage cumulé. En effet, la valeur de
seuil chute lorsque 2 reflows supplémentaires sont exécutés. Cette chute est nulle dans le cas
de la chaine de 10 interconnexions (figure 4-32b) mais est légèrement supérieure à 10% dans
le cas des chaines de 2 interconnexions (figure 4-32c). Cet effet ne peut s'expliquer que par
l'apparition d'une rupture au sein de la chaine. Pour ce qui est du passage de 3 reflows à 5
reflows, la chute du rendement ne peut pas être quantifiée puisque la comparaison se fait sur
un nombre de puces différent. Il y a cependant une chute du rendement notable entre 3 et 5
reflows dans chaque cas (figure 4-32) malgré le nombre de puces réduit. Cette chute, sans
pouvoir être quantifiée, est donc effective. Cette dégradation mène à penser que le type de
rupture occasionnellement observée au sein du joint de brasure (figure 4-19), doit en être à
l'origine. Notons que dans le cas particulier de la chaine de 100 interconnexions, et pour le
passage de 1 reflow à 3 reflows (figure 4-32a), l'effet est inverse, car ici la valeur seuil est
rehaussée de 6%. Ce résultat peut être attribué à une amélioration du scellement eutectique
qui n'aurait été que partiel à l'issue du premier reflow, comme cela a été déjà suspecté au
cours de l'observation (figure 4-29b).
Figure 4-32: Evolution des performances électriques des composants Div1 en fonction du
nombre de reflows. Chaine de 100 interconnexions (a), 10 interconnexions (b), 2
interconnexions (c).
149
cinquième reflow. Cette dégradation légère pourrait être liée à l'évolution de la métallurgie du
joint de brasure observée au cours des étapes de caractérisation morphologique.
Figure 4-33: Performance électrique des composants Div1 avant et après cyclage thermique.
Chaine de 100 interconnexions (a), 10 interconnexions (b), 2 interconnexions (c).
150
s'accompagnent d'une évolution de la morphologie du joint de brasure vers une microstructure
en deux zones. Tandis que dans le cadre de ce test de vieillissement, la résistance moyenne
n’augmente pas, mieux, elle diminue légèrement alors que la morphologie de la métallurgie
du joint de brasure à l'issue de ces tests est similaire à son état après assemblage.
L'apport des caractérisations électriques permet avant tout de mettre en évidence la
part importante de composants défaillants après scellement ou la proportion de chaines
ouvertes liées à une absence de brasage, comme cela a été vu en figure 4-9. Ce défaut
d'assemblage rend plus probable la défaillance d'une chaine de 100, que celle d'une chaine de
2 interconnexions. L'évolution de ces performances électriques avec la succession de reflows
se note à deux niveaux. D'abord sur la chute du seuil atteint par le pourcentage de puces
fonctionnelles, qui traduit l'apparition d'une ouverture de la chaine, donc d'une rupture (figure
4-19). Ensuite une progressive augmentation de la résistance moyenne de la chaine, estimée
inférieure ou égale à 5%, est enregistrée. Cette augmentation peut être associée à l'évolution
de la métallurgie de l'alliage de brasure vers une microstructure bi-phasique, dans la mesure
où cette dégradation n'est pas notée dans le cas des cyclage thermiques où cette microstructure
bi-phasique n'est justement pas observée.
151
Figure 4-35: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm
Les valeurs moyennes de résistances mesurées en figure 4-35 sont comparées avec des
valeurs calculées en figure 4-36. Le tableau en figure 4-36a récapitule les épaisseurs et
résistivités des différents matériaux considérés pour le calcul. La résistivité du composé
intermétallique (figure 4-24b) est assimilée à celle du Cu6Sn5 (qui vaut 17,5 µΩ.cm [194]) et
la résistivité de l'alliage est assimilée à celle de l'étain. Le tracé en figure 4-36b met en
évidence un écart entre valeur mesurée et valeur calculée qui est nul pour le cas
d'interconnexion de diamètre égal à 40µm alors qu'il atteint un facteur deux pour les
interconnexions de diamètre égal à 20µm. Il y a donc une élévation de la résistance avec la
réduction de la dimension d'interconnexion qui est plus importante que ce qu'elle devrait être
théoriquement. Un simple calcul permet de vérifier que pour une interconnexion de diamètre
20µm, la différence de résistance entre un joint de brasure entièrement constitué
d'intermétalliques et un joint de brasure entièrement constitué d'étain est de l'ordre de 0.4mΩ
alors qu'une différence d'environ 5mΩ est notée en figure 4-36b. Cet écart entre valeur
mesurée et valeur calculée n'est donc pas à imputer seulement aux intermétalliques. Il peut
être remarqué que la valeur de la résistance mesurée pour une interconnexion de 20µm de
diamètre équivaut à la valeur calculée d'une interconnexion d'environ 15µm de diamètre. Cet
écart pourrait par conséquent être attribué à une décote du diamètre d'interconnexion. Cette
décote pourrait provenir d'une réduction du diamètre de la brasure due au ménisque concave
observé en figure 4-11 ou à un mouillage réactif important.
152
Pour revenir à présent aux résultats de la figure 4-35, il est notable que les résultats
correspondant aux caractérisations d'interconnexions de diamètre 20µm présentent une assez
forte dispersion puisque les valeurs de résistances s'étendent de 8mΩ à 12mΩ. Au contraire
pour les diamètres d'interconnexions supérieurs (30µm et 40µm) les valeurs sont resserrées
autour de la valeur moyenne. Les écarts types valent respectivement 0,88mΩ, 0,21mΩ et
0,12mΩ pour les interconnexions de diamètre 20µm, 30µm et 40µm. Par conséquent plus la
dimension d'interconnexion se réduit, plus la distribution des valeurs est importante. Cette
variabilité ne peut s'expliquer que par l'accroissement de l'impact de la métallurgie du joint de
brasure sur la résistance d'interconnexion avec la réduction de sa dimension. En effet les
paramètres de la métallurgie du joint de brasure (morphologie des phases, épaisseur des
couches réactionnelles ou éventuellement apparition de cavités) sont les seuls paramètres pour
lesquels une variabilité peut être notée entre les interconnexions.
Figure 4-37: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Avant cyclage thermique (a), après cyclage
thermique (b).
Le test de fiabilité en cyclage thermique n'a pas d'impact sur les performances
électriques des motifs pseudo-kelvins. Si, comme supposé dans la partie précédente, la forte
dispersion des performances électriques des interconnexions de faible dimension est à imputer
153
à une variabilité de la métallurgie au sein des joints de brasure, les cyclages thermiques n'y
apportent qu'une très légère modification.
Figure 4-38: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu (a), intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (b).
4-2-4) Conclusion
L'utilisation du motif pseudo-kelvin permet de sonder uniquement la résistance
électrique propre à l'interconnexion. La mesure de résistance a été faite en fonction du
diamètre de l'interconnexion, avant et après test de fiabilité par cyclage thermique et pour les
154
deux types d'intégrations (figure 4-22), c'est-à-dire : Cu/Ni/Au//SAC/Cu et
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu. Il est noté que la dispersion des valeurs augmente lorsque le diamètre
d'interconnexion atteint sa valeur minimale (20µm), ce qui traduit certainement la part
croissante qu'occupe la métallurgie du joint de brasure sur la résistance globale de
l'interconnexion puisqu'il est le seul élément pour lequel une variabilité peut être enregistrée
(voir paragraphe 3-2-3). Cette variabilité des résultats est d'autant plus importante dans le cas
des interconnexions d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu. En effet les valeurs d'écart type sont
plus élevées pour ce type d'intégration et la dispersion des valeurs concernent même les
interconnexions de diamètres plus élevés (30µm, 40µm). Les rares caractérisations faites dans
cette configuration montrent effectivement une variabilité des métallurgies obtenues puisque
l'une d'elle présente des porosités et l'autre non (voir figure 4-25). Il est par conséquent
possible que la métallurgie du joint de brasure obtenue dans le cas de l'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu présente une plus grande variabilité intrinsèque. Globalement les
résultats de caractérisations électriques des interconnexions sont moins bons avec l'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu que ce soit en terme de rendement, de valeur moyenne de résistance
ou bien de dispersion des valeurs. Il est raisonnable de penser que l'apparition des porosités
participe aux moins bons résultats obtenus dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu.
Pour ce qui est du rendement, aucune conclusion ne peut être tirée puisqu'un défaut dans le
procédé d'assemblage est certainement en cause (voir annexe A10). Les tests en fiabilité par
cyclage thermique ne mènent qu'à une modification infime des résultats. La configuration
étudiée présente donc une bonne stabilité face à ces tests.
5) Conclusion
155
dès l'étape d'assemblage, alors que le système Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu est susceptible de
générer un intermétallique qui est associé à la formation de porosités. Par conséquent un
système d'intégration du type Cu/Ni/SAC//SAC/Ni/Cu pourrait potentiellement présenter à la
fois l'avantage de la croissance limitée de la couche réactionnelle tout en permettant de
s'exempter des problèmes liés à la réactivité avec l'or. Quoi qu'il en soit la grande variabilité
des performances électriques pour les interconnexions de plus faibles dimensions suggère une
grande sensibilité face aux paramètres géométriques.
156
Conclusion générale et perspectives
Comme l'essentiel des éléments constitutifs d'un dispositif électronique grand public,
les systèmes de mise en interconnexion de composants actifs par brasage eutectique sont
destinés à voir leurs dimensions générales se réduire. La technologie de brasage employée
pour réaliser l'assemblage est connue et utilisée par l'industrie de la microélectronique depuis
des décennies de même qu'elle est étudiée en recherche fondamentale comme appliquée.
L'étude de tels systèmes de brasage nécessitant l'utilisation d'un alliage base étain, se
concentre généralement sur ses aspects métallurgiques, c'est-à-dire (i) la réactivité du système
interfacial (germination de composés intermétalliques, cinétique de croissance de ces
composés,…) et (ii) l'analyse microstructurale (morphologie des phases, orientation cristalline
et dimensions,…) ainsi que sur certaines des propriétés mécaniques du système (résistance
mécanique). Ainsi la compréhension du système métallurgique peut permettre de le
configurer dans des conditions favorables de fiabilité (mécanique et électrique) et de durée de
vie. C'état le but recherché par la présente étude qui s'est focalisée sur le système
d'interconnexion par brasage se situant dans un domaine de faible dimension par rapport à ce
qui est a été étudié auparavant.
Comme cela a été vu au cours du premier chapitre, de nombreux travaux sont
consacrés à l'étude métallurgique des systèmes Cu-Sn ou Ni-Sn généralement sur des
échantillons de dimensions millimétriques. En parallèle, des mesures de fiabilité au travers de
tests en cyclage thermique, en électromigration ou bien en test en cisaillement sur
interconnexion, existent également en grand nombre dans la littérature. En revanche très peu
d'études se concentrent sur la métallurgie de système d'interconnexion avant report de
composant par le procédé flip-chip comme cela été fait dans le chapitre 3. L'originalité de ce
travail repose donc en premier lieu sur le fait que l'étude métallurgique est développée sur un
système intégré, de faible dimension. La seconde singularité réside dans le fait que l'étude
poursuivie sur l’interconnexion complète comprend des caractérisations fines pour un système
toujours de faible dimension.
Pour conclure ces travaux, il convient de différencier les causes concernant la
métallurgie des interconnexions pouvant engendrer des perturbations sur les performances des
technologies de composants empilés. Les principales causes suspectées et identifiées sont
relatives à l'apparition des trous Kirkendall et des composés intermétalliques. Il a été à
plusieurs fois reporté la propagation de ruptures au voisinage de la ceinture de trous
Kirkendall qui voyaient leur dimension ou leur nombre allant croissant sous l'effet de la
contrainte thermique. La croissance de la dimension ou du nombre de trous Kirkendall est
nulle ou bien commence à être très faiblement perceptible pour des conditions de maintien
thermique (30min à 240°C) qui sont des conditions situées au-delà de ce que le système
d'interconnexion subit lors de son élaboration ou lors d'une mise en fonctionnement
prolongée. La succession de cinq reflows, qui sont nécessaires à l'élaboration du produit
jusqu'à sa mise en boitier n'engendre pour sa part pas de modifications visibles sur l'effet
Kirkendall. Lorsque cette fois l'analyse est poursuivie sur le système reporté, les trous
Kirkendall sont toujours visibles sans toutefois qu'il y ait eu une exacerbation de cet effet. Le
recours aux tests par cyclage thermique révèle finalement un accroissement du diamètre
moyen des trous Kirkendall d'environ un facteur deux. Bien que l'effet peut être jugé modeste
comparativement aux ruptures complètes d'interconnexions rapportées dans certaines études,
il convient de réaliser ce type de tests pour un nombre de cycles plus importants (1000 cycles
et plus). Ainsi, la durée de vie de l'interconnexion vis-à-vis de cet effet pourra être quantifiée
157
si la formation de rupture se concrétise. Ce dernier point s'inscrit dans les perspectives de ce
travail.
En second lieu, la croissance des composés intermétalliques peut devenir
problématique dans la mesure où elle tend à affaiblir mécaniquement l'interconnexion, ou à
partir du moment où son développement atteint un stade d'avancement réactionnel tel que les
deux fronts de croissance intermétallique (de part et d'autre du joint d'alliage) se rencontrent.
En effet les composés intermétalliques sont parfois considérés comme responsables d'un
affaiblissement mécanique d'autant plus important que leurs épaisseurs sont élevées. La
fiabilité mécanique a par conséquent été évaluée par des tests en cisaillement pour différents
paramètres de vitesse de cisaillement et de hauteur de cisaillement sur des micro-bumps
présentant différentes épaisseurs d’intermétalliques. Il en ressort que l'augmentation de
l'épaisseur d’intermétallique n'induit pas de variations sensibles mesurées sur la force
maximale de cisaillement. Les cisaillements qui se produisent majoritairement au sein des
intermétalliques ne présentent pas les plus faibles valeurs de force maximale de cisaillement
mesurées. Il n'y à donc pas lieu de les considérer comme critiques sur la plan de la fiabilité
mécanique. Le balayage suivant la hauteur de cisaillement démontre que l'interface
correspondant à l'emplacement des trous Kirkendall n'est pas particulièrement faible. D'autre
part l'examen des faciès de rupture montre que la rupture ne se propage pratiquement pas au
niveau de cette interface.
Concernant la "stœchiométrie" de la réactivité interfaciale et le caractère limitant de
l'étain comme réactif, les mesures à l'issue des cinq reflows montrent que l'épaisseur
réactionnelle atteinte à ce stade (2,25±0,15µm) laisse une épaisseur importante de brasure
(~5µm soit environ la moitié). En revanche, si les prototypes à venir imposent une réduction
de la hauteur du joint de brasure d'un facteur 2, une condition de consommation quasi
intégrale de l’étain sera obtenue. Dans ce cas de figure, la question de l'introduction d'une
couche de nickel entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure peut se présenter comme une
solution à l'avenir. La différence de cinétique de croissance dans les micro-bumps entre les
systèmes Cu-SAC et Ni-SAC (avec des coefficients de croissances de kCu-Sn = 0,15µm².s-1 et
kNi-Sn = 0,03µm².s-1), est d'environ un facteur cinq, ce qui permet de réduire le produit
réactionnel à une épaisseur de 1µm à l'issue des cinq reflows, laissant ainsi une proportion
supérieure à la moitié de brasure n'ayant pas été consommée.
Pour revenir au cas du substrat cuivre, les mesures sur des bumps de différents
diamètres (25µm et 80µm) ont montré l'indépendance de ce paramètre sur la cinétique
réactionnelle dans la gamme de taille et de temps de réaction d'intérêt. Ce constat permet
d'affirmer que les mêmes paramètres de procédé d'élaboration (de dépôt électrolytique ou de
reflow) conduisent au même état interfacial et n'ont pas à priori vocation à être modifiés pour
les micro-bumps de diamètre 25µm.
Le système d'interconnexion constitué par l'assemblage de micro-bumps sur micro-
pillars est une édification technologique complexe dont les procédés d'élaboration ont été en
partie développés au cours de ce travail de doctorat. Le chapitre 2 en est la preuve. Le chapitre
4 a permis de définir les bases d'une analyse métallurgique systématique d'interconnexion
complète. De nombreuses questions demeurent sans réponse, tant d'un point de vue industriel
que d'un point de vue de la compréhension des mécanismes réactionnels. En effet, d'une part
les durées de vie des systèmes d'interconnexion n'ont pas pu être clairement estimées, d'autre
part le nombre de caractérisations obtenues et de configurations étudiées reste restreint pour
bénéficier d'une compréhension complète. Néanmoins l'ensemble des résultats du chapitre 4
permet d'en jeter les bases concrètes. Le système d'interconnexion complet a été caractérisé
morphologiquement et électriquement pour des interconnexions comprenant deux teneurs
différentes en or, pour différents diamètres d'interconnexions, et pour deux types
d'intégration: Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (c'est-à-dire avec ou sans nickel
158
du côté du micro-bump). L'apport de l'ensemble des analyses morphologiques réalisées sur le
système comprenant une forte teneur en or est double. Tout d'abord, les multiples
caractérisations du système à différents stades d'avancement réactionnel permettent de
visualiser l'évolution du système que constitue le couple de diffusion
Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/alliage liquide//Au/Ni/Cu. Ainsi, après assemblage, l'alliage de brasure
révèle de larges précipités d'AuSn4 (jusqu'à 10µm de long). Suite aux reflows successifs
appliqués au système, les précipités AuSn4 sont progressivement dissous dans la brasure au
profit d'un composé intermétallique de la forme (Cu,Au,Ni)6Sn5 dont le volume réactionnel
est toujours croissant. Le second apport de cette analyse du système à forte teneur en or est la
mise en évidence d'un mécanisme de défaillance générant la rupture de l'interconnexion.
Observé morphologiquement et mesuré par caractérisation électrique, ce mécanisme
résulterait de la dissolution des précipités d'AuSn4 qui conduit à une microstructure en deux
aires. Dans un second cas de figure, la brasure comprend à la fois une plus faible proportion
d'or d'un facteur 4 et d'étain d'un facteur 2. La consommation complète de la brasure est alors
quasiment atteinte dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu contrairement au cas de
l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu où les cinétiques interfaciales sont plus lentes
conformément à la différence de cinétique de croissance déterminée au chapitre 3. Le joint de
brasure est essentiellement occupé par une unique formation intermétallique (Cu,Au,Ni)6Sn5.
Lorsque l'intégration comprend une couche de nickel en supplément du côté du micro-bump
(intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu) alors le joint de brasure comprend une couche de
(Ni,Cu)3Sn4 au niveau de chaque interface. Le cœur du joint de brasure est occupé par
l'alliage base étain au voisinage duquel des porosités peuvent se former.
En parallèle de cette analyse métallurgique, les résultats électriques ont permis pour
leur part, la quantification du taux de dégradation sur un nombre d'interconnexion
représentatif. La dégradation se note à la fois sur la valeur de résistance moyenne et sur le
rendement. La dispersion des valeurs est également un indicateur de performance. Le véhicule
test développé dans le cadre de ce travail de doctorat, et décrit au cours du chapitre 2, a été
utilisé entre autre, pour la caractérisation unitaire d'interconnexion. A ce propos, les tests ont
mis en évidence une dispersion des résultats d'autant plus importante que la dimension
d'interconnexion se réduisait. Cette variabilité ne peut s'expliquer que par l'accroissement de
l'impact de la métallurgie du joint de brasure sur la résistance d'interconnexion avec la
réduction de sa dimension.
Les tests de fiabilité par cyclage thermique induisent une chute du rendement de 10%
dans le cas de systèmes à forte teneur en or et de 5% lorsque la teneur en or est conforme à
l'épaisseur visée. L'ensemble des résultats de caractérisation électrique ne démontrent pas de
véritable intérêt à introduire le nickel en supplément au sein du micro-bump. En effet,
l'intégration standard Cu/Ni/Au//SAC/Cu présente de meilleurs résultats électriques en tout
point (rendement, résistance électrique moyenne et dispersion des résultats). Une des causes
des moins bonnes performances de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu est probablement
inhérente à un défaut du procédé de flip-chip pour ce wafer. La forte dispersion des résultats
dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu, tend néanmoins à penser que la
métallurgie formée présente une instabilité, très possiblement liée à la présence des porosités
observées pour ce type d'intégration. Ce type de microstructure pourrait certainement causer
des défaillances du système lors de tests de fiabilité. Finalement l'ensemble des résultats, bien
qu'insuffisants pour être catégorique à ce sujet, n'encouragent pas l'introduction du nickel au
sein du micro-bump dans les configurations analysées au cours de cette étude et qui
correspondent à celles des prototypes en cours.
159
trous Kirkendall et des intermétalliques d'interfaces. L'amplification de l'effet Kirkendall ne se
manifeste que très faiblement d'après les mesures réalisées dans cette étude et son impact sur
l'affaiblissement mécanique n'est pas avéré. En revanche il conviendrait de poursuivre les
tests de fiabilité par cyclage thermique jusqu'à 1000 cycles au moins afin de savoir si les
ruptures occasionnées le sont du fait de l'existence de ces trous Kirkendall.
L'essentiel des travaux qui mériteraient d'être poursuivis concernent le système
d'interconnexion complet. Des moyens de caractérisations plus fins pourraient être employés
pour identifier avec davantage de précision les phases et les composés intermétalliques en
présence. Dans un souci, à nouveau de fiabilité, des tests en électromigration, éventuellement
selon différentes configurations d'intégration, permettent à la fois de quantifier plus
précisément des durées de vie mais aussi de mettre davantage en exergue les performances de
différentes configurations d'intégration.
Ceci nous mène à la seconde question soulevée par cette étude qui est celle de l'ajout
d'une couche de nickel au sein du micro-bump afin de modifier le système métallurgique que
constitue l'interconnexion. Les résultats présentés, comme dit précédemment, ne plaide pas
pour cette modification de l'intégration. Cependant la différence des deux types de métallurgie
n'est que faiblement chiffrée. Cette fois encore, le recours aux tests en électromigration
permettrait de différencier les deux types d'intégration d'un point de vue des durées de vie
ainsi que des performances électriques. Enfin, un système d'intégration du type
Cu/Ni/SAC//SAC/Ni/Cu mériterait de faire l'objet d'une étude car il pourrait présenter à la
fois l'avantage de la croissance limitée de la couche réactionnelle tout en permettant de
s'affranchir des problèmes liés à la réactivité avec l'or.
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170
Annexes
171
Annexe A1: Les alliages candidats en remplacement de l'alliage SnPb
Plusieurs éléments ont été envisagés afin d’élaborer des alliages à base étain, (Bi, In,
Zn, Sb, Ge). Mais :
• L'antimoine (Sb) a été identifié comme nocif par le programme environnemental des
nations unies.
• L'indium (In), bien que permettant de réduire la température de fusion de l’eutectique
Sn-3.5Ag, il est trop rare et trop cher pour être envisagé dans des applications
industrielles.
• Le zinc (Zn) est peu cher et facilement approvisionnable, mais est peu résistant face à
la corrosion et forme rapidement un oxyde stable qui génère des problèmes de
mouillabilité.
• Le bismuth (Bi), qui a de très bonnes propriétés physiques (mouillabilité,..) étant un
« by-product » du plomb, est largement disponible depuis les restrictions d’utilisation
du plomb décrites précédemment. Le bismuth n'est par contre seulement valable pour
des applications basse température.
[1]: Manuscrit de thèse de Olivier Fouassier: “Brasure composite sans plomb, de la composition à la
caractérisation”, Université de Bordeaux 1, (2001).
172
Annexe A2: Surfusion des alliages Sn-Ag-Cu en configuration bille
ou BGA (Ball Grid Array)
Plusieurs études démontrent la dépendance face à la dimension du système des phénomènes de
surfusion d'alliages SnAgCu. Ces observations se sont vérifiées aussi bien sur des systèmes du type
bille d'alliage SnAgCu (ou SAC) que sur système BGA (ball grid array, c'est-à-dire des systèmes pour
lesquels l'alliage SAC liquide est mis en contact avec un substrat de cuivre). La particularité du
système BGA par rapport au système de la bille tient au fait qu'une couche intermétallique se
développe à l'interface entre le substrat de cuivre et l'alliage.
La figure A2-1 montre que lorsque le diamètre d'une bille d'alliage SAC 305 diminue de 760µm à
100µm, la surfusion augmente de 10°C à 50°C pour un alliage commercial (points en bleus) et de
30°C à 85°C pour un alliage élaboré en laboratoire (contenant une quantité moindre d'impuretés,
points en rouges).
Dans l'étude d’Y. C. Huang et al [2], des mesures de surfusion par calorimétrie
différentielle à balayage sont réalisées sur des alliages de différentes dimensions et de
différentes compositions (figure A2-2). Dans chaque cas les 3 dimensions d'alliages testés
sont notées "L" (5mg), "S" (2,5mg) et "VS" (0,5mg) en figure A2-2b et les surfusions
correspondent respectivement aux trois colonnes de points de mesures. Ces résultats montrent
clairement que la surfusion des alliages base étain dépend à la fois de la dimension de la bille
et de la composition.
F. Hodaj et al [3] et Kang et al [4] ont montré que la présence d'un substrat bien
mouillé par l'alliage liquide et plus précisément ici, d'une interface intermétallique / alliage
peut conduire à une diminution significative de la surfusion. Il faut noter que l'influence de la
vitesse de refroidissement sur la surfusion des alliages SAC n'est pas encore clairement
décrite du moins dans le domaine des vitesses de refroidissements inférieures à 500K/min, ce
qui est pourtant le cas des applications industrielles (voir par exemple [5], [6]). Ceci est dû
aux dispersions importantes des résultats expérimentaux.
La récente étude de Z. M. Bo et al [7] montre que même en configuration BGA, la
dimension du système a une influence sur la surfusion. En effet le degré de surfusion s'accroit
lorsque la dimension du système est réduite et ce aussi pour bien pour les systèmes de billes
ou bien de joints de brasures (figure A2-3).
173
Figure A2-2: Evolution du degré de surfusion en fonction de la composition de l'alliage base
étain sur substrat cuivre. Les compositions des alliages, notés "S", "SC", "SA", "SAC", "SN"
(a) sont données en (b) [2].
Figure A2-3: Degré de surfusion pour des billes et des joints de brasures de différentes
dimensions. Billes de Sn-3.0Ag-0.5Cu (a); et joins de brasures de Sn-3.0Ag-0.5Cu sur plot
Cu. (L'unité Ds/Dp indique ici le rapport entre le diamètre du joint de brasure et le diamètre
du plot de cuivre) [7].
[1]: B. Arfaei et al, "Dependence of Sn Grain Morphology of Sn-Ag-Cu Solder on Solidification Temperature",
Journal of Electronic Materials, Vol. 41, pp. 362-374, (2011).
[2]: Y. C. Huang et al, "Size and Substrate Effects upon Undercooling of Pb-Free Solders", Journal of Electronic
Materials, Vol. 39, pp. 109-114, (2010).
[3]: F. Hodaj et al, “Undercooling of Sn–Ag–Cu alloys: solder balls and solder joints solidification, Journal of
Material Research, Vol. 104, pp. 874-878, (2013).
[4]: S. K. Kang et al, "Study of the undercooling of Pb-free, flip-chip solder bumps and in situ observation of
solidification process", Journal of Material Research, Vol. 22, pp. 557-560, (2007).
[5]: S. K. Kang et al, "Critical Factors Affecting the Undercooling of Pb-free, Flip-Chip Solder Bumps and In-
situ Observation of Solidification Process", proceeding of Electronic Components and Technology Conference,
pp. 1597-1602, (2007).
[6]: Y. L. Gao et al, "Calorimetric measurements of undercooling in single micron sized SnAgCu particles in a
wide range of cooling rates", Thermochimica Acta, Vol. 482, pp. 1-7, (2009).
[7]: Z. M. Bo et al, “Size Effect on the Intermetallic Compound Coalescence in Sn-Ag-Cu Solder and Sn-Ag-
Cu/Cu Solder Joints”, Proceeding of International Conference on Electronic Packaging Technology & High
Density Packaging, pp. 248-253, (2011).
174
Annexe A3: Méthode de préparation d'échantillon pour abrasion sur
Cross Section Polisher (CSP)
La réalisation d'une caractérisation à partir d'une coupe transversale de micro-bump,
utilisée de manière récurrente dans cette étude, nécessite un protocole de préparation
d'échantillon décrit dans cette section. La méthode exige une encapsulation pour préserver
l’échantillon et ses microstructures d’éventuels dégâts qui pourraient être occasionnés au
cours de l’abrasion. Cette encapsulation est obtenue au moyen du dépôt d’une résine (Spécifix
40), qui doit être associée à un réticulant.
Le protocole expérimental est le suivant:
- sous hotte, 5 ml de résine sont associés à 2.5 ml de durcisseur,
- l’ensemble est mélangé pendant 3 min,
- le mélange est laissé à dégazer à l’air libre pendant 2 ou 3 minutes,
- une goutte du mélange est versée sur un morceau de téflon,
- l’échantillon est ensuite placé sur la goutte; la partie que l’on souhaite enrober doit
être en contact avec la goutte,
- s’en suit un dégazage dans une pompe à vide jusqu’à élimination de toutes les
bulles,
- enfin il ne reste plus qu’à mettre l’échantillon à l’étuve pendant 3h30 à une
température de 70°C.
Un échantillon apte à subir une abrasion ionique par CSP est ainsi obtenu, mais
généralement il est nécessaire d’ajouter une étape de polissage mécanique grossier pour
approcher la ligne de piliers de cuivre. En effet, le CSP étant utilisé pour éliminer des couches
qui ne doivent pas être plus large que 50 µm à 75 µm, il est impératif de procéder à cette
abrasion seulement si les objets que l’on cherche à sectionner sont en bordure d’échantillon.
C’est pourquoi on utilise une Mécapol pour polir l’échantillon de quelques dizaines voire
centaines de µm et ainsi, rendre une ligne de pilier de cuivre accessible par le CSP. La
Mécapol est une polisseuse mécanique sur laquelle peut s'adapter des disques de rugosité
variant de 30 µm à 3 µm.
175
Annexe A4: Méthode d'acquisition par spectroscopie dispersive en
énergie (EDX)
De nombreuses caractérisations par spectroscopie dispersive en énergie ayant été
fournies dans cette étude, une brève description de la méthode d'acquisition fait l'objet de
cette annexe. La sonde spectroscopique est solidaire du microscope électronique à balayage
(MEB), L'acquisition EDX est obtenue comme suit :
- obtention d'une image en MEB,
- choix de la région à analyser et du grandissement,
- choix du mode d'analyse (fenêtre, spot, ligne),
- paramétrage du MEB (courant, tension d'accélération des électrons),
- paramétrage de l'analyseur (constante de temps…),
- acquisition du spectre d'analyse,
- identification des éléments présents,
- éventuellement, calcul des concentrations.
Des simulations permettent de rendre compte du volume de la poire de diffusion en fonction
du matériau sondé et de la tension d’accélération des électrons primaires. La figure A4-1 présente le
résultat d'une simulation de la poire de diffusion obtenue en bombardant un matériau composé de
25at% d'étain et de 75at% de cuivre avec une tension d'accélération 15keV. Il s'agit de la composition
de la phase ε-Cu3Sn évoquée à plusieurs reprises au cours du chapitre 1 et sondée à une tension
d'accélération adaptée à ces matériaux (cuivre et étain). Sur cette simulation, en bleu figure la
trajectoire des électrons primaires et en rouge celle des électrons qui s’échappent de la surface de
l’échantillon. La détection se fait grâce à l’émission X qui concerne donc la partie basse de ce volume.
Les électrons incidents doivent avoir une énergie supérieure à l’énergie de liaison des électrons des
atomes sondés pour que ces derniers puissent être détectés. Il est généralement considéré que
l’optimum en termes de section efficace est obtenu pour une énergie incidente double de l’énergie des
électrons des atomes sondés. Pour l'application d'empilement métallique de cuivre et d'étain, cela
correspond à une énergie de 15keV (énergie de liaison des électrons de couche K du cuivre : 8211 eV).
176
Annexe A5: Le synchrotron (ESRF) et le dispositif expérimental de la
ligne ID22
Créé en 1994, l'ESRF fait partie des 3 plus grands synchrotrons au monde. Le principe est
l'accélération d'électrons d'abord dans un accélérateur linéaire (LINAC), puis dans un
accélérateur circulaire (booster), ce qui leur permet d’atteindre l’énergie de 6GeV (électrons
relativistes). Les électrons sont alors stockés dans l’anneau de stockage, dont le diamètre
atteint 320m. Des aimants de focalisation permettent d'affiner le faisceau électronique et des
aimants de courbure permettent de le dévier de plusieurs degrés afin de refermer la trajectoire
et d’émettre des rayons X appelés lumière synchrotron. Entre chaque aimant de courbure se
trouve une section droite qui comprend des éléments d’insertion (« insertion device » ou ID).
Ces éléments d’insertion, ou onduleurs, permettent de faire osciller le faisceau d’électron dans
un plan horizontal, ce qui permet de produire un rayonnement synchrotron bien plus brillant
que dans le cas d’un aimant de courbure. A l’ESRF, environ 40 lignes de lumière sont
disponibles. Chaque ligne est constituée d’une cabine optique pour conditionner et filtrer le
faisceau et d’une cabine d’expérience pour analyser les échantillons par différentes techniques
telles que la diffraction, la fluorescence, l'imagerie ou la spectroscopie par exemple. La
nanotomographie a été réalisée sur la ligne ID22NI1 du synchrotron [1].
Dispositif expérimental
Le faisceau doit être conditionné avant toute expérience. Le faisceau X provenant de
l'onduleur synchrotron traverse une série de fentes afin de le collimater et de minimiser le
rayonnement de diffusion. Un premier miroir vertical est chargé de filtrer les hautes
harmoniques. Le faisceau présente alors une dimension en coupe de 0.16x0.38mm2. Il est
alors focalisé en utilisant un miroir Kirkpatrick-Baez [2] constitué de deux miroirs elliptiques
et est ainsi ramené à un point de focalisation de 80nm et ce, pour une intensité du
rayonnement X de 1012ph.s-1 à une énergie de 29.6keV. Ce spot peut être utilisé comme
nouvelle source X à partir de laquelle le rayonnement diverge pour fournir une image
agrandie de notre échantillon. Ce dernier doit alors être placé entre la source et un détecteur
haute résolution. Il s’agit d’un détecteur à détection indirecte utilisant d’abord un écran
scintillateur pour convertir le rayonnement X en rayonnement visible, puis une optique et une
caméra CCD pour grandir et numériser l’image visible. Avec ces paramètres, une résolution
latérale de 100nm peut être obtenue. L’atténuation des rayons X par la matière, donnée par la
loi de Beer-Lambert, dépend des coefficients d'atténuation (µ en cm-1) spécifiques aux
matériaux sondés (équation a).
I 0 ( E ). e ∫l
− µ ( E ). dl
I = ∫ .dE (a)
E
177
I = I 0 .e ∫l
− µ . dl
(c)
Il est possible de calculer individuellement le contraste apporté par le SAC, le cuivre et
la couche réactionnelle en réduisant la formule de Beer-Lambert à l’expression suivante :
I = I 0 .e − µ .l (d)
De cette expression, l’absorption du rayonnement, essentiellement par effet
photoélectrique, peut-être déduite (I/I0). Le trajet optique est ici le diamètre du micro-bump
(25µm), et les coefficients d’atténuation peuvent être déduits par l'utilisation du logiciel XOP
[3, 4]. Ce dernier a été développé par l’ESRF et possède plusieurs fonctionnalités. Entre autre,
les coefficients d’atténuation peuvent être obtenus à partir des densités des matériaux (tableau
A5-1).
Il peut être déduit, au vu des valeurs des absorbances associées aux matériaux du micro-
bump, que le contraste sera tout-à-fait suffisant pour distinguer les interfaces et les phases.
[1]: P.Bleuet et al, “A hard x-ray nanoprobe for scanning and projection nanotomography”, Review of Scientific
Instruments, Vol. 80, 056101, (2009).
[2]: P. Kirkpatrick and V. Baez, “Formation of Optical Images by X-Rays”, Journal of Optical Society of
America, Vol. 38, pp. 766-773, (1948).
[3]: A. H. Gomez, “X-ray standing wave analysis of overlayer-induced substrate relaxation: the clean and Bi-
covered (110) GaP surface”, Physical review B, Vol. 75, 165318, (2007).
[4]: Manuel Sánchez del Río, and Roger J. Dejus, “A New Version of the X-ray Optics software Toolkit”, AIP
Conference Proceedings / Vol. 705, pp.784-794, (2003).
[5]: M-H Lu and K. C. Hsieh, “Sn-Cu Intermetallic Grain Morphology Related to Sn Layer thickness”, Journal
of Electronic Materials, Vol. 36, pp. 1448-1454, (2007).
178
Annexe A6: Capture de surface intermétallique par le logiciel Image J
Figure A6-1: Clichés MEB de micro-bumps avec (a, b) et sans nickel (c, d), vue simple (a, c)
et avec capture de l'aire d’intermétallique par le logiciel Image J (b, d).
179
Annexe A7: Solidification des alliages binaires Sn-Ag.
Dans cette annexe, les principaux phénomènes ayant lieu dans le cas de solidification
des alliages du type Sn-Ag-Cu seront présentés. Lors de la solidification des alliages ternaires
SnAgCu il a été noté des surfusions importantes (voir chapitre 3). Par ailleurs la
microstructure après solidification est constituée d'une grande proportion de grains d'étain
primaire alors que la composition des alliages est proche de la composition de l'eutectique
ternaire. Ces phénomènes sont principalement dûs à la difficulté de germination de l'étain et
de sa croissance coopérative avec Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 [1]. Afin de simplifier la présentation,
l'influence des paramètres (vitesse de refroidissement, composition) sur la microstructure sera
décrite dans le cas de deux alliages binaires SnAg, l'un hypoeutectique (1) et l'autre
hypereutectique (2) (figure A7-1).
Pour l'alliage (1), lors du refroidissement pour T < TA le liquide devient sursaturé en
étain. Or, il est connu que l'étain présente une difficulté à la germination ce qui conduit à des
surfusions très importantes (de quelques dizaines de degrés pour la germination hétérogène à
plus d'une centaine de degrés pour la germination homogène [2]). Lorsque la température
devient inférieure à celle du point C, le liquide devient également sursaturé par rapport à la
précipitation de Ag3Sn. Pour T < TC, c'est soit Ag3Sn soit Sn qui germe le premier. Cela
dépend du degré de surfusion de chaque constituant ainsi que de la vitesse de refroidissement.
Etant donné le fait que la germination de Ag3Sn ne nécessite pas de surfusion importante [1],
plus l'alliage est riche en argent, plus la probabilité de germination de Ag3Sn primaire est
élevée (même si l'alliage est hypoeutectique). Deux scénarios sont alors possibles:
(i): La solidification débute par la germination et la croissance de dendrites d'étain primaire,
conduisant à l'enrichissement du liquide en argent (et en cuivre dans le cas général) et de ce
fait, le liquide interdendritique se transforme en eutectique biphasé (et ensuite en eutectique
ternaire dans le cas général).
(ii): Ag3Sn germine en premier sous forme de grosses plaquettes, ce qui est suivi de la
germination puis croissance de dendrites d'étain primaire et ensuite de l'eutectique biphasé et
triphasé.
180
lesquels aucun gros précipité n'a été détecté. Par conséquent, la microstructure du bump à l'issue du
reflow est constituée de dendrites d'étain primaire entourées des eutectiques biphasés et triphasés. Ceci
est en accord avec les observations reportées dans la littérature dans le cas d'alliages SAC de
composition proche de l'eutectique de dimension supérieures à 100µm après un reflow [3,4].
Pour l'alliage (2), lors du refroidissement pour T < TF le liquide devient sursaturé par
rapport à la précipitation d’Ag3Sn primaire qui peut germer avec des degrés de surfusions
relativement faibles. Pour T < TG = TE, le liquide devient métastable par rapport à la
formation de l’eutectique Sn + Ag3Sn mais cette transformation n’a pas lieu ce qui est dû à la
difficulté de l’étain à croitre de façon coopérative avec Ag3Sn. Lorsque la température devient
inférieure à celle du point H, le liquide devient également sursaturé par rapport à la
précipitation de Sn du type ″primaire″. La solidification se poursuit par la formation de
dendrites primaires d’étain suivie de la croissance de l’eutectique Sn + Ag3Sn.
[1]: K.W. Moon et al, “Experimental and Thermodynamic Assessment of Sn-Ag-Cu Solder alloys”, Journal of
Electronic materials 29, 1122-1236, (2000).
[2]: P. G. Debenedetti, “Metastable Liquids Concepts and Principles”, Princeton University Press, USA, page
194, (1996).
[3]: G. Wei and L. Wang, "Effects of cooling rate on microstructure and microhardness of lead-free Sn-3.0Ag-
0.5Cu solder", proceedings of Electronic Packaging Technology & High Density Packaging, pp. 453-456,
(2012).
[4]: I. E Anderson et al, “Sn-Ag-Cu Solders and Solder Joints: Alloy Development, Microstructure, and
Properties”, Lead-Free Electronic Solders, pp 55-76, (2002).
181
Annexe A8: Evaluation du temps nécessaire à la saturation en cuivre
d'un micro-bump (Sn-Ag-Cu) en contact avec un plot de cuivre.
Dans cette annexe, on évalue le temps nécessaire pour atteindre la saturation en cuivre
(C ) d'un alliage Sn-Ag-Cu ayant initialement une concentration en cuivre (C0) lorsque cet
sat
alliage est mis en contact avec un plot de cuivre (voir figure A8-1a) à T = 230°C. On suppose
qu'à l'interface Cu6Sn5/alliage l'équilibre est obtenu et que donc la concentration du cuivre
dans l'alliage est égale à Csat.
Afin de simplifier les calculs on remplace la configuration "calotte sphérique" de
l'alliage par une configuration "parallélépipédique" (voir figure A8-1b) de même hauteur h.
Dans ce cas le temps nécessaire à la saturation sera surestimé. La figure A8-1c donne
schématiquement la variation de la concentration en cuivre à t = 0, t1, t2 > t1 et t ∝ .
La figure A8-1d donne la variation de la concentration en fonction de la distance z à partir
de l’interface Cu6Sn5/alliage pour différentes durées de mise en contact via le paramètre
(D.t/h²) où D est le coefficient de diffusion du cuivre dans l'étain liquide [1].
182
En ordonné de la figure A8-1d est utilisé le paramètre :
C - C0 ( C / C sat ) - ( C 0 / C sat )
=
C sat - C 0 1 - ( C 0 / C sat )
Dans notre cas, la limite de saturation de l’alliage SAC en cuivre est Csat ≈ 0,9 mass% [2]
et on considère que la concentration initiale en cuivre de l’alliage SAC est C0 ≈ 0,3mass%
(comme vu en figure 3-34 du chapitre 3). Ce qui donne:
C - C0 ( C / C sat ) - 0 ,33
=
C sat - C 0 0 ,33
[1]: J. Crank, The Mathematics of Diffusion, Calendron Press, Oxford, second edition, p. 50, (1992).
[2]: K.W. Moon et al, “Experimental and Thermodynamic Assessment of Sn-Ag-Cu Solder alloys”, Journal of
Electronic materials 29, 1122-1236, (2000).
[3]: G. H. Geiger, "Transport Phenomena in Metallurgy", Addison-Wesley Publishing Company, pp 455, (1980).
183
Annexe A9 - Test en cisaillement sur des micro-bumps comprenant
une couche de nickel
Dans cette annexe des résultats de tests en cisaillement effectués sur micro-bumps sont
présentés. A la différence des résultats de tests en cisaillement fournis au paragraphe 4 du
chapitre 3, ces résultats concernent des micro-bump comprenant une couche de 2µm de
nickel à l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage SnAgCu. L'impact du traitement
thermique et de la hauteur de cisaillement (par rapport à la base du plot de cuivre) sur la
résistance mécanique de l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure est ici
évalué (figure A9-1). Ces micro-bumps de diamètre 25µm subissent des maintiens
isothermes de différentes durées (voir figure 3-19 du chapitre 3). Le cisaillement est
appliqué à l'aide d'une lame de 50µm de largeur à 4 hauteurs différentes, de h = 13µm à
h = 16µm avec un pas de 1µm. 20 micro-bumps sont cisaillés pour chacun des traitements
thermiques et pour chacune des hauteurs de cisaillement.
12
10
8
isotherme:
Force (g)
6 0min
Isotherme:
05min
4
Iostherme:
15min
2
Isotherme:
30min
0
9 10 11 12 13 14 15 16 17
Hauteur du cisaillement
184
Annexe A10 - Caractérisation électrique sur le motif de test "chaine de
deux" (Alto)
Comme expliqué au chapitre 2, le véhicule test Alto, comprend à l'instar de Div1 des
composants du type "chaine de deux". Les caractérisations électriques qui suivent et les
analyses en résultant, se focaliseront sur ce composant (figure A10-1).
Figure A10-1: Visualisation schématique du composant : " chaine de deux". Vue du dessus
(a), vue latérale (b), vue du dessus après élaboration côté puce inférieure (c).
Comme cela a été expliqué au cours du second chapitre, le véhicule test Alto permet à
la fois l'élaboration d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Ainsi, la géométrie du
composant varie avec le diamètre d'interconnexion comme décrit dans la figure A10-2.
Figure A10-2: Récapitulatif des dimensions (D), (L) et (E) de la figure A10-1 selon la nature
de la puce.
Figure A10-3: Vue du dessus schématique du composant "chaine de deux" (a), récapitulatif
des mesures réalisées sur le composant "chaine de deux" (b).
185
A10-4e, A10-4f). Sur la première colonne, le taux de composants fonctionnels est élevé
puisque le seuil atteint, en pourcentage cumulé, est toujours supérieure à 94%, traduisant un
assemblage des puces abouti. Dans le cas de la colonne de droite, en revanche, l'assemblage
est moins satisfaisant car les performances ne dépassent jamais 60% des composants. Il y à
très vraisemblablement eu un défaut dans le procédé de report (flip-chip) pour ce second
wafer.
Figure A10-4: Performance électrique des composants "chaine de 2" pour des
interconnexions d’intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu (a, b, c) et d'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (d, e, f). Interconnexion de diamètre 20µm : puce 18 (a) diamètre
30µm : puce 19 (b), diamètre 40µm : puce 20 (c).
186