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Etude et caractérisation d’interconnexions

intermétalliques à partir de plot de cuivre et d’alliage


SnAgCu pour l’empilement tridimentionnel de
composants actifs
Julien Bertheau

To cite this version:


Julien Bertheau. Etude et caractérisation d’interconnexions intermétalliques à partir de plot de cuivre
et d’alliage SnAgCu pour l’empilement tridimentionnel de composants actifs. Matériaux. Université
de Grenoble, 2014. Français. �NNT : 2014GRENI043�. �tel-01237276�

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THÈSE
Pour obtenir le grade de

DOCTEUR DE L’UNIVERSITÉ DE GRENOBLE


Spécialité : Matériaux, Mécanique, Génie Civil, Électrochimie
Arrêté ministériel : 7 août 2006

Présentée par

Julien BERTHEAU

Thèse dirigée par Fiqiri HODAJ et


co-encadrée par Jean CHARBONNIER

préparée au sein des Laboratoires SIMaP et CEA-LETI


dans l'École Doctorale I-MEP2

Etude et caractérisation
d'interconnexions intermétalliques à
partir de plots de cuivre et d'alliages
SnAgCu pour l'empilement
tridimensionnel de composants actifs

Thèse soutenue publiquement le 26 Mars 2014


devant le jury composé de :
M. Christophe GIRARDEAUX
Professeur à l'Université d'Aix-Marseille, Rapporteur
M. Krzysztof WOLSKI
Directeur de Recherche à l'Ecole des Mines de Saint-Etienne, Rapporteur
M. Jean-Claude TEDENAC
Professeur à l'Université de Montpelier 2, Examinateur
M. Nicolas HOTELLIER
Ingénieur à STMicroelectronics, Examinateur
M. Jean Charbonnier
Ingénieur au CEA de Grenoble, Co-encadrant
M. Fiqiri HODAJ
Professeur à Grenoble INP, Directeur
Table des matières

Introduction générale...............................................................................................................1

Chapitre 1 Alliage de type Sn-Ag-Cu (SAC): contexte industriel et état de l'art


bibliographique.........................................................................................................................3

1. Introduction...........................................................................................................................4
2. Du circuit intégré planaire vers l’intégration 3D de composants..........................................4
2.1. Objectifs historiques de l’industrie de la microélectronique.........................................4
2.2. Limitation du circuit intégré planaire. ..........................................................................5
2.3. Le packaging en microélectronique ..............................................................................6
2.4. Introduction à l’intégration 3D .....................................................................................7
2.4.1. Le câblage unitaire de puces...............................................................................7
2.4.2. Le wafer level packaging....................................................................................7
3. Mise en interconnexion tridimensionnelle des composants par brasage d’alliage...............9
3.1. Du « solder ball » vers le « micro-bump » ....................................................................9
3.2. De l’alliage Sn-Pb vers l’alliage Sn-Ag-Cu.................................................................11
4. Alliage de type SAC...........................................................................................................12
4.1. Diagrammes d'équilibre de phases...............................................................................12
4.1.1. Diagrammes d'équilibre de phases binaire........................................................12
4.1.2. Systèmes ternaires.............................................................................................13
4.2. Microstructure de solidification...................................................................................16
4.2.1. Solidification des alliages binaires Sn-Ag et Sn-Cu.........................................16
4.2.2. Solidification des alliages ternaires Sn-Ag-Cu riche en étain...........................16
4.2.3. Influence de différents paramètres sur la microstructure de l'alliage................17
4.3. Conclusion. .................................................................................................................24
5. Interaction alliage de brasure/ substrat................................................................................24
5.1. Réactivité interfaciale entre un substrat cuivre et un alliage base étain......................24
5.1.1. Système Cu-Sn(solide)..........................................................................................24
5.1.2. Système Cu-Sn(liquide).........................................................................................28
5.1.3. Système Cu-SnAgCu........................................................................................31
5.1.4. Influence de l'ajout d’éléments additionnels dans le système...........................32
5.2. Réactivité interfaciale entre un substrat nickel et un alliage base étain.......................33
5.2.1. Système Ni-Sn(solide)..........................................................................................34
5.2.2. Système Ni-Sn(liquide).........................................................................................34
5.2.3. Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de
croissance des couches réactionnelles..................................................................37
6. Etude du système métallurgique transposé au micro-bump................................................38
6.1. La dimension du système.............................................................................................38
6.2. La nature des traitements thermiques subis par le système.........................................40
7. Fiabilité des joints de brasure avec UBM...........................................................................41
7.1. Introduction..................................................................................................................41
7.2. Type de test mécanique ...............................................................................................42
7.3. Test en cisaillement .....................................................................................................42
7.4. Incidence de la chimie de brasure et des traitements thermiques ...............................44
7.5. Conclusion...................................................................................................................44
8. Conclusion..........................................................................................................................45

Chapitre 2 Véhicule tests, intégration et moyens de caractérisations................................47

1. Introduction.........................................................................................................................48

2. Véhicules test support de l’étude........................................................................................48


2.1. Véhicule test Div1........................................................................................................48
2.2. Limitation du véhicule test Div1..................................................................................50
2.3. Conception du véhicule test Alto.................................................................................52
3. Les micro-bumps et micro-pillars, procédé de Synthèse....................................................54
3.1. Introduction..................................................................................................................54
3.2. Détail du procédé d’élaboration du micro-bump ........................................................55
3.3. Principales optimisations du procédé...........................................................................57
3.3.1. Enchainement de la gravure de la couche d’accroche (Ti/Cu) et du reflow.....57
3.3.2. Etude de l'impact du flux..................................................................................58
3.3.3. Sensibilité au vieillissement de la solution d'électrolyse...................................58
3.4. Traitement thermique et fusion de l’alliage SAC .......................................................59
3.4.1. Fonction du recuit..............................................................................................59
3.4.2. Paramètres de l'étape de reflow.........................................................................60
3.4.3. Influence du type de four...................................................................................61
3.5. Détail du procédé d’élaboration de la brique micro-pillar ..........................................63
3.6. Problématique liée au développement du procédé.......................................................64
3.6.1. Sur l'utilisation de flux......................................................................................64
3.6.2. Optimisation procédé sur les couches d'accroches............................................64
4. Procédé d’élaboration du brasage eutectique .....................................................................65
4.1. Procédé de réalisation du report de puce (flip chip)....................................................65
4.2. Problématique liée à la présence d'underfill................................................................65
4.2.1. La thermo-compression.....................................................................................66
4.2.2. Limitation de la thermo-compression................................................................67
4.2.3. Approche four-à-passage...................................................................................67
5. Dispositifs expérimentaux et méthodologie de caractérisation...........................................67
5.1. Introduction .................................................................................................................67
5.2. Calorimétrie différentielle à balayage .........................................................................68
5.3. Protocole de préparation d'échantillon.........................................................................68
5.4. Spectroscopie de rayonnements-X dispersive en énergie............................................69
5.5. Test de cisaillement (shear test) ..................................................................................71
6. Technique de tomographie par projection au synchrotron (ESRF) ...................................72
6.1. Introduction .................................................................................................................72
6.2. préparation échantillon ................................................................................................72
6.3. Principe de la tomographie par projection .................................................................73
6.4. Reconstruction.............................................................................................................73
7. Conclusion..........................................................................................................................74

Chapitre 3 Métallurgie des micros-bumps.........................................................................75

1. Introduction.........................................................................................................................76
2. Etude microstructurale........................................................................................................77
2.1. Introduction..................................................................................................................77
2.2. Etat initial du système après le dépôt électrolytique de l'alliage de brasure................77
2.3. Etude par calorimétrie différentielle à balayage (DSC) de la fusion et solidification de
l'alliage SAC................................................................................................................79
2.3.1. Introduction......................................................................................................79
2.3.2. Etude par DSC...................................................................................................80
2.3.3. Conclusion.........................................................................................................83
2.4. Microstructure de solidification...................................................................................84
2.4.1. Introduction.......................................................................................................84
2.4.2. Microstructure après un reflow.........................................................................84
2.4.3. Influence de différents paramètres sur la microstructure de solidification.......86
2.5. Conclusion...................................................................................................................89
3. Etude du système interfacial ..............................................................................................89
3.1. Introduction..................................................................................................................89
3.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le cuivre solide...........................................90
3.2.1. Etat initial de l'interface Cu/SAC après le dépôt (interaction à l'état solide)....90
3.2.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le cuivre solide dans le cas de micro-
bumps de diamètre égale à 25µm.........................................................................91
3.2.3. Comparaison de la réactivité interfaciale Cu/SACliquide dans le cas du micro-
bump de diamètre 25µm et du bump face arrière de diamètre 80µm.................103
3.2.4. Mouillage réactif des parois verticale..............................................................105
3.3. Interaction entre l'alliage SAC et le nickel solide pour des micro-bump de diamètre
25µm..........................................................................................................................107
3.3.1. Etat initial de l'interface Ni/SAC après dépôt..................................................107
3.3.2. Interaction entre l'alliage SAC liquide et le nickel solide...............................108
3.4. Conclusion................................................................................................................112
4. Résistance mécanique des micro-bumps de diamètre 25µm............................................112
4.1. Introduction................................................................................................................112
4.2. Cisaillement de micro-bumps ayant subi un reflow - Impact de la vitesse de
cisaillement................................................................................................................112
4.2.1. Profil des courbes force de déplacement - cisaillement .................................112
4.2.2. Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement............114
4.2.3. Examen des faciès de rupture..........................................................................114
4.3. Cisaillement de micro-bumps ayant subi un maintien isotherme à 240°C................117
4.3.1. Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement............117
4.3.2. Examen des faciès de rupture..........................................................................118
4.3.3. Analyse des résultats.......................................................................................119
4.4. Conclusion.................................................................................................................121
5. Conclusion........................................................................................................................121

Chapitre 4 Etude et caractérisation du système reporté..................................................123

1. Introduction ....................................................................................................................124
2. Diagramme d'équilibre de phase et réactivité interfaciale .............................................124
2.1. Diagrammes d'équilibre de phases ............................................................................124
2.1.1. Description du système binaire Au-Sn............................................................124
2.1.2. Diagrammes de phases ternaires ....................................................................125
2.2. Réactivité interfaciale ...............................................................................................126
2.2.1. Réactivité dans le système Au-Sn...................................................................126
2.2.2. Implication de l'ajout du nickel et du cuivre...................................................128
2.3. Conclusion.................................................................................................................129
3. Caractérisation morphologique du système d'interconnexion........................................130
3.1. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800nm, test Div1).............................................130
3.1.1. Introduction)....................................................................................................130
3.1.2. Caractérisation après assemblage....................................................................130
3.1.3. Caractérisation après deux reflows successifs à l'assemblage........................135
3.1.4. Caractérisation après quatre reflows successifs à l'assemblage......................137
3.1.5. Caractérisation après test de vieillissement.....................................................138
3.2. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto)....140
3.2.1. Introduction.....................................................................................................140
3.2.2. Caractérisation après assemblage du système Cu/Ni/Au//SAC/Cu................140
3.2.3. Caractérisation après assemblage du système Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu...........142
3.3. Conclusion.................................................................................................................144
4. Caractérisation électrique et de fiabilité du système d'interconnexion...........................144
4.1. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800nm, test Div1) ............................................144
4.1.1. Test en cisaillement sur système de puces reportées......................................144
4.1.2. Caractérisation électrique au cours de différentes étapes de reflows..............148
4.1.3. Caractérisation après test de vieillissement.....................................................150
4.2. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto) ...151
4.2.1. Impact du diamètre d'interconnexion..............................................................151
4.2.2. Impact des tests de fiabilité.............................................................................153
4.2.3. Impact de l'ajout de nickel..............................................................................154
4.2.4. Conclusion......................................................................................................154
5. Conclusion......................................................................................................................155

Conclusion générale..............................................................................................................157

Références..............................................................................................................................161

Annexes..................................................................................................................................170
Résumé

Les objectifs technologiques de l'industrie de la microélectronique sont largement


dictés par la loi de Moore qui vise une réduction permanente de la taille des transistors.
Depuis peu l'intégration tridimensionnelle de composants actifs se présente comme une voie
d'intégration alternative à la loi de Moore. Selon cette stratégie, les composants sont
interconnectés selon l'axe vertical au moyen de plots de cuivre et d'un alliage à base d'étain
(SnAgCu). L'assemblage est alors réalisé par brasage eutectique avec l'alliage SnAgCu qui
génère une formation de composés intermétalliques (Cu6Sn5 et Cu3Sn) à l'interface entre les
plots de cuivre et l'alliage. Or, ces composés intermétalliques sont parfois décrits dans la
littérature comme facteur affaiblissant la fiabilité mécanique de l'interconnexion. Par ailleurs
cette réactivité interfaciale s'accompagne de l'apparition de microcavités de type trous
Kirkendall susceptibles d'être à l'origine de ruptures d'interconnexions observées lors de tests
de vieillissement.
Ce mémoire est consacré à l’étude et à la caractérisation métallurgique du système
d'interconnexion par brasage dont les dimensions caractéristiques sont celles des prototypes
actuels c'est-à-dire 25µm. L'étude se concentre successivement sur les aspects relatifs à la
microstructure de l'alliage SnAgCu, à la réactivité interfaciale des systèmes Cu/SnAgCu et
Ni/SnAgCu et à la fiabilité mécanique du système d'interconnexion. Ces thématiques sont
investiguées en fonction de la contrainte thermique et au cours des différentes étapes
d'intégration jusqu'à l'assemblage de composant. Le caractère critique de la problématique
réside dans le fait que les dimensions du système, déjà faibles, ont vocation à se réduire,
rendant de plus en plus importante la proportion du volume de l'alliage occupée par ces
formations interfaciales.
Abstract

Technological roadmap of the microelectronic industry is mainly described by Moore's


law which aims a constant reduction of transistors size. Three-dimensional integration of
active chips appears more and more as an alternative way to Moore's law. According to this
strategy, chips are interconnected along the vertical axis thanks to copper pillars and a tin
based alloy (SnAgCu).The joining is then performed through eutectic bonding using a
SnAgCu solder alloy which is at the origin of intermetallic compounds growing at the copper
alloy interface. These intermetallic compounds are sometimes described in literature as
weakening factor of the interconnection mechanical reliability. Moreover this interfacial
reactivity leads also to the formation of Kirkendall microvoids potentially causing
interconnections breakings, mostly noticed during ageing tests.
This report is dedicated to the study and metallurgical characterization of the
interconnection system with a size close to that of the actual prototypes which is 25µm. The
study is successively focused on SnAgCu alloy microstructure, Cu/SnAgCu and Ni/SnAgCu
interfacial reactivity and on the mechanical reliability of interconnection system. These topics
are investigated in function of thermal constraints and during different integration steps until
chips packaging. The main critical aspect is related to the fact that system dimensions, already
small, are planned to be reduced, leading to a more important proportion of the solder alloy
consumed by interfacial reaction.
Introduction Générale

A plusieurs reprises dans l'histoire, des révolutions technologiques ont précédé


l'ouverture de marchés nouveaux ayant des répercussions majeures sur les modes de vie.
L'invention de l'imprimerie dans le milieu du XVème siècle par exemple, a permis la
commercialisation du livre qui est un élément ayant grandement participé à la progression de
la Renaissance. De même, l'apparition de la machine à vapeur a permis le foisonnement de
moyens de transports maritimes et ferroviaires, et s'est accompagnée d'une libéralisation des
déplacements individuels.
Le secteur de la microélectronique est un exemple emblématique à notre époque de ce
que ce type de révolution technologique peut engendrer en termes de marché. En effet, la fin
du XXème siècle est fortement marquée, depuis la commercialisation du premier
microprocesseur par Intel en 1971, par la prolifération de l'ordinateur personnel. Cet état de
fait, résulte de l'avènement du premier circuit intégré dans les années 1960 qui en constitue la
révolution technologique. Cette expansion s'est poursuivie jusqu'à aujourd'hui où 353 millions
d'ordinateurs personnels ainsi que 462 millions de smartphones se sont vendus à travers le
monde dans l'année 2011 et où les chiffres d'affaires sans cesse croissants des sociétés Intel et
Apple atteignaient respectivement 53 milliards et 152 milliards de dollars pour l'année 2012.
Il peut être prétendu que c'est à partir de cette première révolution qui est l'émergence
de l'outil informatique que la révolution internet s'est construite. Depuis de nombreuses
années, une bonne partie de l'essor de l'industrie de la microélectronique repose sur ces deux
révolutions technologiques. Son ascension suit un plan bien établi. Il ne s'agit dès lors plus
d'une révolution mais d'une évolution. Or depuis peu, la poursuite effrénée à la
miniaturisation s'est heurtée à une limite physique qui a imposé l'identification de solutions
alternatives d'intégration des composants électroniques.
C'est ici que l'intégration tridimensionnelle des composants a trouvé sens. Selon cet
axe de recherche, des solutions d'intégrations à haute performances et à faible coût devenaient
envisageables tout en rendant leur développement réalisable à court terme. Concrètement,
cette voie d'intégration impose un empilement des composants actifs qui sont interconnectés
par un procédé de brasage, c’est-à-dire par un procédé d'assemblage permanent qui établit une
continuité métallique entre les pièces réunies. Ce procédé requiert la fusion d’un alliage
métallique, dit alliage de brasure, dont la matrice première est l’étain (Sn).
Le brasage a été mis en œuvre dès l'âge du fer, bien avant le soudage et constitue une
technique d'assemblage de référence en microélectronique. Or des systèmes d'interconnexions
par brasage de faible dimension de l'ordre de la vingtaine de microns et qui soient fiables font
partie des exigences de l'intégration tridimensionnelle. La problématique réside dans le fait
que le brasage cuivre - étain, dont il est question ici, est siège de réactions physico-chimiques
d'interfaces comprenant notamment la croissance de composés intermétalliques fragiles ainsi
que l'apparition de microcavités. Ces formations, potentiellement critiques à long terme d'un
point de vue de la fiabilité, sont susceptibles d'occuper une part croissante dans la mesure où
la dimension de ces systèmes d'interconnexion tend à se réduire.
L'objectif premier du présent travail de thèse est de qualifier l'état métallurgique du
système d'interconnexion par brasage dont les dimensions sont celles des prototypes en cours.
La caractérisation systématique selon différents paramètres physiques est requise pour
permettre une bonne compréhension de la métallurgie du système. Il s'agira d'identifier la
présence éventuelle de points susceptibles de nuire à la fiabilité et à la durée de vie du
système d'interconnexion. Des solutions alternatives d'intégration ou des recettes de procédé
pourront être proposées pour remédier ou atténuer les éventuelles défaillances. Enfin, ce

1
travail de diagnostic et de propositions de solutions alternatives doit s'inscrire dans la
perspective de la probable poursuite de la réduction des dimensions du système dans le futur.

Pour répondre à ces objectifs, la présente étude se découpe en quatre chapitres. Etant
donné la grande variabilité des systèmes du type des empilements cuivre-alliage base étain
face à des paramètres dimensionnels, thermodynamiques, cinétiques et compositionnels, il est
nécessaire de comprendre comment s'articule ces différents paramètres entre eux pour
configurer un état métallurgique. Tout d'abord, les aspects relatifs à la réactivité chimique des
empilements Cu / alliages base étain sont examinés à travers un état de l'art bibliographique
conséquent. Ce premier chapitre présente à la fois les propriétés thermodynamiques et
microstructurales propres aux alliages SnAgCu, ainsi qu'un large étendue des connaissances
relatives à la réactivité interfaciale entre le substrat de cuivre ou de nickel et l'alliage. Une
dernière partie est consacrée à l'étude de la fiabilité mécanique des systèmes d'interconnexion
notamment au travers de test en cisaillement.
Les véhicules test à partir desquels les systèmes de puces reportées et interconnectées
peuvent être réalisés sont présentés dans le second chapitre. L'élaboration des structures
d'interconnexion y est détaillée ainsi que plusieurs problématiques que soulèvent l'obtention
d'un procédé optimal et reproductible. Le travail décrit tout au long de ce manuscrit repose en
grande partie sur la caractérisation par le biais de différents supports qui feront tour à tour
l'objet d'une présentation dans la dernière partie de ce chapitre.
Le travail de caractérisation décrit durant le second chapitre, permettra de qualifier
précisément les états métallurgiques atteints par le système d'interconnexion avant
l'assemblage de composants. Ce sera l'objet du chapitre 3. A ce stade d'intégration, le système
d'interconnexion étudié est un empilement micrométrique de cuivre et d'un alliage SnAgCu.
L'avancement réactionnel, correspondant aux étapes successives du procédé d'élaboration ou à
des simulations de vieillissements thermiques seront analysés. Ainsi, l'analyse métallurgique
suivant l'avancement réactionnel et les évolutions morphologiques et microstructurales
autorise une vision prédictive du système et met ainsi en exergue les causes éventuelles d'un
défaut de fiabilité. Le cœur de l'étude consiste ici en une bonne compréhension du système
métallurgique que constitue le simple empilement Cu/SnAgCu afin d'appréhender au mieux le
système de l'interconnexion complète. En effet l'interconnexion complète constitue un
système au sein duquel davantage de matériaux sont en interaction (cuivre, étain, argent,
nickel et or), est donc plus complexe et pose davantage de problématiques. Par le biais de
tests en cisaillement, il sera tenté, dans une dernière partie, d'identifier les causes éventuelles
d'un affaiblissement mécanique.
Enfin, le système reporté est élaboré comme support expérimental du dernier chapitre.
La caractérisation de l'interconnexion complète dans différentes configurations permettra,
comme précédemment, une mise en évidence de l'état métallurgique pour différents stades
d'avancements réactionnels et même d'envisager des mécanismes de défaillances associés à
certaines configurations. Conjuguées à la caractérisation électrique, les évolutions de l'état
métallurgique peuvent être corrélées avec une dégradation des performances électriques.
L'objectif du chapitre est donc de donner des bases pour l'identification des intégrations
prometteuses du point de vue de la performance et la durée de vie.
Une synthèse des principaux résultats obtenus sera finalement dressée dans une
conclusion générale. Cette dernière partie du manuscrit sera l'occasion de donner des
recommandations sur les choix d'intégration et les solutions alternatives évaluées et de donner
une série de perspectives pour la poursuite des travaux.

2
Chapitre 1: Alliage de type Sn-Ag-Cu (SAC): contexte
industriel et état de l'art bibliographique

3
1) Introduction

L'objectif de ce premier chapitre est d'abord de situer l'objet d'étude dans son contexte
industriel, c'est-à-dire en premier lieu au sein de la technologie de la microélectronique, puis
dans le cadre de la stratégie d'intégration tridimensionnelle de composants. La première partie
dresse donc un bref historique du secteur de la microélectronique, puis du contexte dans
lequel la stratégie de l'intégration 3D de composants a émergé comme solution innovante.
Dans une seconde partie, quelques éléments historiques marquants conférant à l'objet d'étude
ses propriétés (géométriques et compositionnelles) actuelles seront présentés. Les deux parties
suivantes intitulées respectivement "alliage de type SAC" et "interaction alliage de brasure-
substrat", constituent le cœur du chapitre. Les travaux notables portant sur des systèmes
analogues à celui de la présente étude en termes de dimension, de composition ou de
condition thermodynamique, y sont recensés. Cette fois l'objectif est d'identifier les points
clefs régissant la physico-chimie du système et ce, suivant deux axes majeures d'études qui
sont: l'analyse de l'alliage de brasure composé à plus de 95% massique d'étain et l'analyse du
système interfacial entre le substrat métallique et l'alliage. Cet état de l'art débouche
naturellement sur le champ d'investigation de la fiabilité mécanique. C'est pourquoi la
dernière partie est consacrée à l'évaluation de la fiabilité mécanique de l'objet d'étude par test
en cisaillement. L'impact des paramètres expérimentaux sur les variables de sorties y est
discuté avec l'appui de différents travaux bibliographiques sur le sujet.

2) Du circuit intégré planaire vers l’intégration 3D de composants

Le secteur de la microélectronique, depuis le début de la seconde partie du XXème


siècle, a connu une progression continue et un développement particulièrement favorable
marqué par une croissance technologique et économique des plus agressives seulement
ponctuée de quelques crises mineures.

2-1) Objectifs historiques de l’industrie de la microélectronique.


Jusqu’ici, les objectifs de la recherche et développement dans l’industrie des semi-
conducteurs sont en grande partie dictés par la loi de Moore, non pas une loi physique mais
une extrapolation empirique qui énonce que le nombre de transistors des microprocesseurs sur
une puce de silicium double tous les deux ans (Figure 1-1).

Figure 1-1: Nombre de transistors par processeur en fonction des années [1].

La réduction de la taille du transistor a par conséquent permis depuis les années 70


l’obtention d’un rapport performance sur coût du produit en amélioration constante. C’est

4
pourquoi une véritable explosion du marché des semi-conducteurs depuis ces années là a pu
être notée, et qui est toujours effective aujourd’hui. Chaque année, des experts des différents
domaines de la microélectronique (Photolithographie, Procédé Front-End, Microsystème
électromécanique ou "MEMS", Technologie Radiofréquence, Métrologie, Mise en boitier ou
"Packaging", Simulation…etc) se réunissent pour définir les prochaines dimensions
caractéristiques d'une technologie (ou "nœuds technologiques") à développer. Cette
conférence, l’International Technology Roadmap for Semi-conductor (ITRS), bien
qu’admettant l’inaltérable validité de la conjecture de Moore, se trouve depuis peu face à
l’importance croissante d’une nouvelle tendance appelée "More than Moore", dans laquelle la
diversification des fonctionnalités est privilégiée face à la miniaturisation. L’accord avec la loi
de Moore n’est alors dans ce cas pas systématique.
En effet, cette loi, ou conjecture, s’est révélée étonnement vraie pendant plus de trente
ans, mais ne peut logiquement pas être poursuivie à l’infini. La limite physique du composant
en termes de dimension (ou en poursuivant la logique à l’extrême, chaque élément primordial
du composant ne saurait être plus petit qu’un atome), ainsi qu’en termes d’effets quantiques
apparaissent comme des limites ultimes. La puissance dissipée par les courants de fuite
augmente exponentiellement avec l'inverse de la taille de grille des transistors. C’est l’effet
tunnel au travers de l’oxyde de grille qui est responsable de ce courant de fuite. Par ailleurs le
coût de développement de ces nouvelles technologies augmente de manière exponentielle
également. Chaque nouveau saut technologique implique donc des investissements toujours
plus considérables et des risques stratégiques toujours plus périlleux.

2-2) Limitation du circuit intégré planaire.


D’un point de vue volontairement simpliste, l’enjeu des interconnexions consiste à
concevoir les fils reliant les différents éléments d’un circuit de la manière la plus efficace
possible. Dans un cas idéal, les interconnexions n’engendrent aucun délai de propagation du
signal, ne prennent pas de place dans la puce, sont bon marché et toujours fiables. En réalité,
l’enjeu perpétuel des interconnexions consiste à atteindre des valeurs de temps de réponse, de
dimensionnement, de coût et de fiabilité qui constituent un compromis acceptable pour la
réalisation d’interconnexions pour répondre aux spécifications de l’industrie de la
microélectronique.
Depuis la création de l’industrie microélectronique dans les années 50 jusqu’à la fin
des années 90, les transistors ont dominé les performances et les coûts des puces, alors que
les interconnexions n’ont joué qu’un rôle second dans ces domaines. Le XXIe siècle a vu cette
hégémonie s’inverser significativement. Une bonne illustration consiste à faire le parallèle
entre ce qui se faisait il y a une vingtaine d’années et ce qui se fait maintenant [2]. Ainsi, pour
une technologie correspondant à une taille de grille de 1 µm (fin des années 80), le temps de
réponse intrinsèque d’un transistor MOSFET approchait les 10 ps, alors que le temps de
réponse d’une interconnexion de longueur 1 mm avoisinait 1 ps. Une technologie
correspondant cette fois à une taille de grille de 0.1 µm caractéristique du début des années
2000 présente des performances bien différentes. Le temps de commutation du MOSFET
chute à 1 ps alors que le temps de réponse de la même interconnexion s’élève à plus de 100
ps. Sur une période d’environ vingt ans, l’augmentation du temps de réponse dans les
interconnexions a été dix fois plus importante que la diminution du temps de commutation des
transistors. Le temps de réponse généré par les interconnexions devient donc le facteur
limitant des performances des circuits intégrés actuels.
Le réseau global d’interconnexions ("Back End Of Line" ou BEOL) dans un circuit
intégré obéit à une logique de hiérarchisation des niveaux physiques d’interconnexions
(niveaux de métallisation). Un niveau de métallisation correspond à l'ensemble des lignes
métalliques de même espacement (pas). Une architecture moderne d’interconnexion comporte

5
typiquement trois niveaux de hiérarchisation : local, semi-global et global, comprenant
jusqu’à 10 niveaux de métal (Figure 1-2).

Figure 1-2 : Modélisation d’une structure d’interconnexion à trois niveaux [3].

Il sera à nouveau fait référence aux niveaux de métallisation lors de la description des
véhicules test qui sera abordée dans le second chapitre.

2-3) Le packaging en microélectronique


Les circuits électroniques actuels ont des spécifications de plus en plus avancées,
largement guidées par les applications grand public (technologies sans fil, applications
multimédia portatives, calcul, etc.). La majorité des applications se doivent d’offrir plus de
puissance de calcul, une réduction des dimensions, un faible coût et consommer moins
d’énergie. C'est face à ces contraintes que des systèmes intégrés sur une même puce incluant
aussi bien des technologies similaires que des technologies hétérogènes ont vu le jour. Ces
systèmes à fonctions multiples, sont désignés par les appellations System-on-Chip (SoC) et
System-in-Package (SiP). Une des principales problématiques actuelles du domaine "More
than Moore", est que les systèmes en boîtier (SiP) doivent faire face à une mise en boîtier
(packaging) de plus en plus coûteuse et complexe à réaliser, ce qui constitue la limite
principale des systèmes hétérogènes du "More than Moore". Avant de rentrer dans la
description de la stratégie d'intégration 3D, les deux méthodes principales de mise en
connexion de systèmes électroniques vont faire ici l'objet d'une présentation. Les connexions
filaires périphériques ("wire-bonding" en anglais) sont ici distinguées des connexions
verticales (figure 1-3):
(i) La méthode du câblage dit: " wire bonding", est la technologie phare de connexion
des circuits intégrés vers le substrat de packaging [4]. En 2005, on estime que 90 % des
circuits intégrés sont assemblés par cette technique [5]. Le principe du câblage est de relier
des plots d’interconnexion situés à la surface de la puce à ceux situés sur le substrat support,
par des fils métalliques (figure 1-4). Plusieurs approches et matériaux ont été développés afin
de répondre aux besoins, sans cesse plus exigeants, de miniaturisation et surtout de baisse des
coûts de fabrication [6].
(ii) La connexion verticale est réalisée ici par le procédé d'assemblage par brasage, qui
établit une continuité métallique permanente entre les pièces assemblées. Ce procédé requiert
la fusion d’un alliage métallique, dit alliage de brasure, dont la matrice première est l’étain
(Sn). L'interconnexion verticale peut toutefois être réalisée par d'autres techniques
prometteuses comme par exemple le collage direct cuivre à cuivre ou bien les connections
verticales par micro-tubes [7, 8].
Selon la méthode de connexion verticale par brasage, le composant supérieur est
retourné puis placé sur le support (figure 1-3). Ce procédé, appelé "flip-chip", a été
initialement développé pour des applications multi-puces sur substrat céramique. Ce mode de
mise en interconnexion a fait son apparition en 1969 chez IBM et Delco Electronics sous le

6
nom du procédé "C4" pour "Controled Collapse Chip Connection" [9] puis s’est répandu
comme une solution standard d’assemblage de puces sur substrat organique.

Figure 1-3: Représentation schématique de mode de connexion filaire de composant (ou wire
bonding) (a) et du mode de connexion verticale par brasage (ou flip-chip) (b).

La finalisation du produit passe par son enrobage dans une résine polymère
généralement appelée "Molding" puis celui-ci est placé dans un boitier en plastique servant
d'interface mécanique entre le composant lui-même et le circuit imprimé.

2-4) Introduction à l’intégration 3D


La première étape de l’intégration 3D (figure 1-4) consiste à obtenir un gain de place
en empilant les différentes puces les unes sur les autres. Dans un premier temps, les puces
sont reliées entre elles et au substrat par câblage uniquement, sur des plots de contact situés à
la périphérie (cf. figure 1-3a, et 1-4). Cette première approche, appelée aussi 3D-Packaging
[4], a permis de réduire de manière évidente la taille finale du packaging par rapport à une
configuration bidimensionnelle traditionnelle.

2-4-1) Le câblage unitaire des puces


Malgré les multiples prédictions de la fin de l’"ère wire bonding", cette technologie
continue de se développer en introduisant des concepts et des techniques innovantes. Dans un
assemblage utilisant une technologie wire bonding, la présence d’or représente une part
significative du coût global du packaging. La diminution du diamètre des connexions à des
valeurs inférieures à 20µm pour des applications à faible pas (pitch) a permis une réduction
significative des coûts associés. Le remplacement du câblage en or par un câblage en cuivre a
pu ensuite être obtenu pour certaines dimensions (jusqu’à 18 µm de diamètre) afin de baisser
encore les coûts [4]. La limitation du wire bonding réside dans le fait que sa méthode par
câblage périphérique impose une surface supplémentaire à la surface active et limite le
nombre de configurations possibles pour assurer la connexion des différents niveaux [10].

Figure 1-4 : Exemples de 3D-Packaging: empilement 3D avec câblage en boucle entre les
puces (a), empilement 3D avec câblage périphérique en cascade (b) [4].

2-4-2) Le wafer-level packaging


Le Wafer Level Packaging (WLP) répond à cette limitation en permettant de réaliser
simultanément toutes les interconnexions du packaging à l’échelle de la plaque. L’approche
originale du WLP a été de réaliser tous les plots entrée/sortie (ou "Input/Output" en anglais -
7
I/O), à l’intérieur même du périmètre de la puce, en face avant [5]. C’est au cours de cette
innovation qu’a été introduit le concept d’interconnexion verticale. Des tailles
d’interconnexions beaucoup plus petites peuvent ainsi être traitées comparativement au wire
bonding. De nouvelles formes d’interconnexions vont alors être développées comme nous le
verrons dans la partie suivante. Le WLP va également emprunter la technologie de flip chip
en remplacement de la technologie du wire bonding.
En associant les avantages des deux types de technologie (3D Packaging et WLP),
c'est-à-dire l’empilement de puce et la fabrication d’interconnexions à l’échelle de la plaque,
la technologie dite du 3D-Wafer Level packaging (ou 3D-WLP) est apparue. On doit
essentiellement cette innovation à l’introduction du via traversant (ou "Through Silicon Via"
en anglais - TSV), c'est-à-dire des connexions verticales métalliques traversant le substrat et
qui permettent d’établir des liaisons électriques entre les deux faces de la puce à travers le
silicium. Par ce biais, une amélioration sensible des performances électriques a été permise du
fait de la diminution de la taille des interconnexions entre la puce et le substrat. Après
l’introduction et le développement du TSV, des applications comme les capteurs d’images
CMOS utilisés pour les caméras de téléphones mobiles ont vu le jour. Une architecture
moderne obéissant à la stratégie de l’intégration 3D peut comprendre un empilement de
plusieurs puces (figure 1-5).

Figure 1-5 : Architecture typique d’un empilement électronique interconnecté suivant la


technique de l’intégration 3D [11].

Selon les applications et les besoins on peut faire appel à différentes architectures
d’assemblage avec par exemple l’utilisation de l’interposeur. L'interposeur est une puce de
silicium traversée par les vias (TSV) intercalée entre une puce de technologie avancée et le
substrat (figure 1-5). L’interposeur silicium a été introduit comme une réponse à la nécessité
croissante de complexifier le substrat face à la diminution des tailles de motif et
d’interconnexion. Il constitue ainsi une passerelle entre la taille des motifs de la puce et celle
du substrat. Le substrat, appelé BGA pour Ball Grid Array en anglais, est une interface entre
le composant et le circuit imprimé. Il comprend une matrice de billes soudables destinées à
être assemblées sur le circuit imprimé. Ce substrat est constitué d’une succession de couches
organiques et/ou céramiques. Sa fabrication est couteuse notamment lorsque le degré de
complexité devient trop important. L’utilisation de substrats de type BGA ne serait plus
rentable lorsque l’espacement des motifs devient inférieur à 180µm [12]. C’est dans ce cas
que l’utilisation d’un interposer devient moins couteuse.
Une architecture 3D classique comprend donc les puces suivantes :
• la puce du dessus, généralement support de la technologie la plus pointue de l’édifice.
• la puce du dessous, ou interposeur. Il peut s’agir d’un interposeur actif ou interposeur
passif.
et les connexions ou interconnexions suivantes:

8
• la connexion inter-puce : joints de brasures localisés en face arrière de la puce du dessus et
en face avant de l’interposeur qui, positionnés en regard, assurent la communication entre
ces deux puces,
• les vias traversants ou TSV (Trough Silicon Vias) qui permettent la conduction électrique
au travers de l’épaisseur de l’interposeur,
• les couches de redistribution en face avant, plus communément appelées Frontside RDL
(pour ReDistribution Layer en anglais), qui assurent le déplacement du courant jusqu’aux
vias traversants,
• les couches de redistribution en face arrière (Backside RDL), localisées en face arrière de
l’interposeur, redistribuent le courant de la même manière que les frontside RDL, vers de
gros plots de cuivre ou des billes destinées au report sur substrat BGA,
• les interconnexions face arrière, (Backside interconnection en anglais) ou solder balls,
communiquent le courant au circuit imprimé ou BGA.
Les connexions inter-puces et les interconnexions en face arrière sont deux
déclinaisons du même objet physique et doivent répondre aux mêmes exigences. Ces
architectures d’interconnexions se différencient au premier abord essentiellement par leur
dimension et leur géométrie mais ont en commun le principe de brasage décrit précédemment.
Alors que l’interconnexion face arrière utilise des solder balls, qui mettent directement en
contact les lignes de métallisations des deux niveaux de puces, les connexions inter-puces
assurent la connexion entre les lignes au moyen de plots métalliques surplombés d’un alliage
fusible. Cette dernière structure est appelée micro-bump (figure 1-6). C’est selon la maturité
de la technologie à assembler et donc, très concrètement, selon l’espacement des motifs (ou
pitch en anglais) que va s'imposer l’utilisation de l’une ou l’autre des architectures.

Figure 1-6 : Inspections MEB montrant un exemple de chacune des deux structures de
connexion entre puces : le solder ball (a) et le micro-bump (b) [3].

Nous allons, dans la partie qui suit, différencier le solder bump du micro-bump qui
constituent les deux structures élémentaires de la connexion par brasage.

3) Mise en connexion tridimensionnelle des composants par brasage d’alliage

3-1) Du solder bump vers le micro-bump


Les recherches sur l’interconnexion de puces par technologie flip-chip datent, comme dit
précédemment, de 1969 [13]. Depuis cette date et jusqu’en 2006, l’essentiel des recherches se
concentraient sur les alliages de type SnPb. En parallèle, depuis 2001 et les travaux de T.
Wang et al [14], les investigations se poursuivent sur une géométrie d’interconnexion
associant un plot de cuivre avec le joint de brasure : le micro-bump (figure 1-7).

9
L’introduction du micro-bump est par conséquent historiquement apparue pour des niveaux
d’interconnexion requérant de faibles pas.

Figure 1-7 : Deux géométries d’interconnexion distinctes : le solder bump (a), et le micro-
bump (b).

Quelle que soit l'approche considérée, le système subit un traitement thermique appelé
"reflow" au cours duquel le point de fusion de l'alliage est franchi pendant une durée
caractéristique d'environ une minute. Le reflow a plusieurs fonctions de stabilisation de la
structure (solder bump ou micro-bump) qui seront détaillées au cours du chapitre 2. Dans le
cas des solder bumps, la distance entre la puce et le substrat est déterminée par l’amplitude de
l’effondrement de la bille au cours du reflow. La conservation de cette distance puce/substrat
sur toute la longueur de la puce, est un élément sur lequel il est difficile d’obtenir une bonne
reproductibilité. Il est toutefois possible de limiter l’étalement de la brasure sur le substrat ou
la couche métallique par l’utilisation d’une couche de passivation non mouillable [15].
La géométrie d’intégration avec pilier (ou micro-bump) comporte plusieurs avantages
comparativement au cas de la brasure simple (ou solder bump). Le bénéfice majeur de
l’utilisation des piliers de cuivre est l’étalement limité de la brasure ce qui limite le risque de
court-circuit, d’autant plus lorsque les applications nécessitent des pas réduits. Un autre
argument concerne la gestion thermique du système d’interconnexion. En effet, la
conductivité thermique du cuivre est supérieure à celle de l'alliage SnPb eutectique d’environ
un ordre de grandeur à température ambiante. Cela conduit à un meilleur transfert de la
chaleur depuis la puce vers l’extérieur et donc à une plus faible température de
l'interconnexion pendant le fonctionnement [16]. De surcroit, l’espace inter-puce est comblé
par une résine d'encapsulation appelée "underfill" qui présente une bonne conductivité
thermique ; les performances électriques ne peuvent alors qu’être améliorées.
Un autre avantage concerne la propagation du champ électrique au sein des
interconnexions. Il a été démontré [17, 18] qu’une défaillance relative à la géométrie de
l'interconnexion peut être rencontrée lors de la mise en fonctionnement du système (figure 1-
8). Ceci est lié à la propagation non uniforme du courant de fonctionnement au sein des
interconnexions ce qui conduit à des effets de surdensification du courant localisés aux coins
supérieurs de l’interconnexion (à l’embranchement entre la ligne de redistribution et
l’interconnexion (figure 1-8)). Le cuivre est capable d’endurer des densités de courant très
importantes (106 à 107A/cm²) contrairement à la brasure pour laquelle des déplétions de
matières ont été observées pour des densités de courant beaucoup plus faibles (104 à
105A/cm²) [19]. Des piliers de cuivre peuvent alors être utilisés comme matériaux supportant
ces points de surdensifications. Ainsi, la densité de courant est plus homogène dans le joint
d’alliage proprement dit.
En résumé l’interconnexion verticale comprenant des piliers de cuivre présente plus
d’avantages que le simple solder bump:
• L'utilisation des piliers de cuivre, du fait de la résistance électrique du cuivre qui vaut
environ un quart de celle des alliages base étain, permet la réduction de la puissance

10
électrique consommée ainsi que la réduction de la génération de chaleur dans le
packaging.
• Le pilier de cuivre permet d’acheminer des densités de courant plus importantes que dans
un simple solder bump. De ce fait, les diamètres d’interconnexions peuvent être réduits
pour un fonctionnement à puissance équivalente.

Figure 1-8 : Simulation de l’importance des variations de densités de courant observable au


sein d’une brasure simple (a) et d’un pilier de cuivre (b) [17].

3-2) De l'alliage SnPb aux alliages SnAgCu


L’alliage de brasure qui a été retenu pendant de nombreuses années fut l’alliage de
composition eutectique SnPb (Sn-37mass%Pb ; Sn-40mass%Pb). Les plus grands avantages
des alliages SnPb et en particulier le rôle du plomb sont :
• La bonne ductilité de la brasure SnPb.
• Le plomb permet de diminuer l’énergie interfaciale des alliages liquides SnPb. L’angle de
mouillage de l’eutectique SnPb fondu sur du cuivre est de 17° [20] alors que celui de
l’étain pur est de 37° [21].
• L’eutectique SnPb présente un point de fusion bas (autour de 183°C) ce qui permet une
réduction du budget thermique : la température de reflow avoisine les 200°C.
• Il présente de bonnes propriétés mécaniques.
• Dans le cas des brasures très riches en plomb (95Pb-5Sn) l'écart entre solidus et liquidus
est étroit (10°C).
Cependant le plomb est un élément très toxique. En effet, aux Etats-Unis, suite à la
demande de l’agence de la protection de l’environnement aux industriels de réduire leurs
déchargements en plomb, la NEMI (National Electronics Manufacturing Initiative) a
développé un programme visant à bannir de manière définitive l’introduction du plomb dans
les applications électroniques. En 2000, la NEMI recommande de remplacer l’alliage
eutectique SnPb par l’alliage eutectique SnAgCu dans les procédés de reflow. En Europe, la
WEEE (Waste Electrical and Electronic Equipment Directive) a prétendu que l’utilisation du
plomb serait bannie à partir de Janvier 2006. Au Japon, Hitachi, Panasonic et Sony ont prévu
que leurs produits de consommation seraient garantis sans plomb en 2001 [22].
Les alliages à base d’étain sont fortement privilégiés car l’étain a une température de
fusion relativement faible (232°C) et réagit avec de nombreux métaux pour former des
liaisons métallurgiques fortes. C’est justement le but du joint de brasure. De nombreuses
études ont été effectuées à partir de 1990 pour déterminer la nature de l’alliage "idéal" qui
pourrait remplacer l'alliage eutectique Sn-37mass%Pb anciennement utilisé dans l’industrie
de la microélectronique. La figure A1-1 (en annexe A1 [23]) répertorie l’ensemble des
alliages binaires, ternaires et quaternaires candidats en tant qu’alliage de substitution à
l’alliage étain plomb.

11
D'une façon générale, les alliages de brasures sans plomb sont à base d'étain, ont des
énergies de surface plus élevées que l'alliage eutectique SnPb et possèdent un plus grand
angle de mouillage sur cuivre (autour de 30-45°) [24]. Certains de ces alliages sont considérés
comme ayant un point de fusion trop bas (Sn-58Bi, Sn-56Bi-4Zn).
Il a par la suite été mis en évidence que c’est l’alliage basé sur le système étain-argent
qui présentait les meilleures propriétés mécaniques [25]. L’ajout d’un troisième élément
entraine en général une diminution de la durée de vie en fatigue mis à part le cas du cuivre
[26]. Certains résultats visant à évaluer les différents alliages candidats incitent à se baser sur
le système ternaire SnAgCu [27, 28]. Depuis plusieurs années, différentes compositions
d’alliages de brasures SnAgCu ont été brevetées (alliages appelés SAC, comme par exemple
SAC305 : 3mass%Ag, 0,5mass%Cu).
L’alliage eutectique SnAgCu de composition 3,0 mass% Ag et 0,5 mass% Cu (parfois
appelé SAC 305) mouille et forme un joint de bonne qualité avec le cuivre. Il est très
prometteur dans des applications ou un grand nombre de cycles thermiques et de vibrations
mécaniques sont à prévoir [29]. Ces propriétés thermomécaniques sont supérieures à celles de
l'alliage eutectique SnPb conventionnel. La température de fusion de l’eutectique SnAgCu
répertoriée dans la littérature, bien que sujet à controverse, est généralement considérée être
égale à 217°C. De même, la composition de l’eutectique reportée dans la littérature, n’est pas
toujours la même suivant les observations métallurgiques ou les analyses par calorimétrie
différentielle à balayage. Cette composition est cependant très proche de Sn-3,8mass% Ag-
0,7mass% Cu (ou SAC 387).
A présent que le système d'étude (micro-bump) est situé dans son contexte industriel et
que les paramètres relatifs à la géométrie et à la composition du joint d'alliage ont été décrits,
l'étude concernant la métallurgie de l'alliage SnAgCu (ou SAC) sera abordée dans le
paragraphe qui suit.

4) Alliages de type SAC (Sn-Ag-Cu)

Plusieurs alliages de type SAC sont sujets à de permanentes études et sont utilisés par
les industriels. Les variantes visent à améliorer des paramètres comme la mouillabilité, le
module d’élasticité, la température de fusion ou bien le taux de dissolution du cuivre dans
l'alliage. Parmi ceux-ci on retiendra essentiellement le SAC 305 et le SAC 387 (proches de la
composition eutectique). Lors de différents opérations de brasage, les alliages SnAgCu sont
généralement mis en contact avec des solides métalliques, essentiellement le cuivre et le
nickel. Par conséquent les diagrammes de phases des systèmes Sn-Ag-Cu puis Sn-Cu-Ni
seront successivement étudiés.

4-1) Diagramme d'équilibre de phases.

4-1-1) Diagramme d'équilibre de phases binaires


La figure 1-9 présente les diagrammes de phases des systèmes binaires Sn-Ag, Sn-Cu,
Ag-Cu, Sn-Ni.
Dans le domaine de température inférieure à 300°C, le système binaire Sn-Ag (figure
1-9a) présente la transformation eutectique suivante à 221°C pour la composition Sn-3,5 Ag :
Liq Ag3Sn + β-Sn. Le système binaire Sn-Cu (figure 1-9b) présente la réaction eutectique
suivante à 227°C pour la composition Sn-0,7mass%Cu : Liq Cu6Sn5 + β-Sn. Ce système
Cu-Sn comprend une phase ε-Cu3Sn de structure orthorhombique, une phase Cu6Sn5 de
structure hexagonale η pour une température supérieure à 187,5°C et de structure
monoclinique (η’) pour une température inférieure à 187,5°C et une solution solide très riche

12
en étain β-Sn de structure tétragonale entre 13°C et 162°C, γSn de structure orthorhombique
au-dessus de 162°C et αSn de structure diamant au-dessous de 13°C.
Le système Ag-Cu est un système eutectique simple comprenant deux phases solides:
une solution solide riche en cuivre de structure cubique faces centrées αCu et une solution
riche en argent de structure cubique faces centrées α'Ag. La transformation eutectique a lieu à
779°C: Liq αCu + α'Ag.
Enfin, dans le domaine de température inférieure à 300°C, le système binaire Ni-Sn
(figure 1-10d) présente la transformation eutectique suivante à 231°C : Liq Ni3Sn4 + β-Sn.
Dans ce domaine de température ce système présente trois phases intermédiaires: NiSn, NiSn2
et Ni3Sn4. Notons enfin que les systèmes binaires Cu-Ni et Ag-Ni ne présentent aucune phase
intermédiaire, la solubilité à l'état solide dans le système Cu-Ni est totale alors que dans le
système Ag-Ni elle est pratiquement nulle.

Figure 1-9 : Diagramme d'équilibre de phases des systèmes Sn-Ag (a), Sn-Cu (b), Ag-Cu (c)
et Ni-Sn (d) [30].

Dans la suite du manuscrit, on utilisera par convention la terminologie souvent


employée dans la littérature suivant laquelle un alliage de composition Sn-[x1,x2]%Ag-
[0,y]%Cu est noté SAC x1x2y. A titre d'exemple un alliage de composition Sn-3,0%Ag-
0,5%Cu est noté SAC 305.

4-1-2) Systèmes ternaires


a) Système Sn-Ag-Cu
Plusieurs dérivés des alliages de type Sn-Ag-Cu ont été étudiés pour le remplacement
des alliages sans plomb. Les alliages étudiés avoisinent généralement la composition

13
eutectique notamment pour pouvoir bénéficier d’une assez basse température de fusion. Les
alliages les plus étudiés sont : SAC 105, SAC 205, SAC 396, SAC 305 et SAC 387.
Comme tous ces alliages sont à base étain, la zone majoritairement riche en étain du
diagramme ternaire SnAgCu sera ici tout particulièrement utile (figure 1-10b). La figure 1-
11a représenta la projection du liquidus du diagramme ternaire SnAgCu. Ce diagramme ne
comporte aucun composé ternaire. L'agrandissement du diagramme du côté riche en étain (<8
mass% Ag, < 3mass% Cu) montre l'existence de trois transformations eutectiques biphasées
monovariantes : Liq Ag3Sn + β-Sn ; Liq β-Sn + Cu6Sn5 et Liq Ag3Sn + Cu6Sn5.
Les deux premières sont des prolongements des transformations eutectiques dans les
systèmes binaires AgSn et SnCu respectivement. Les trois lignes monovariantes se
rencontrent en un seul point (E) où la transformation eutectique ternaire a lieu:
Liq β-Sn + Ag3Sn + Cu6Sn5
La composition du point E se trouve dans l'intervalle 3,6-3,7mass%Ag, et 0,8-
0,9mass%Cu.

Figure 1-10 : Projection du liquidus du diagramme de phases ternaires Sn-Ag-Cu (a)


(température en °C) – zoom sur la zone proche eutectique ternaire (b) [23].

La figure 1-11 présente des coupes isothermes à T=240°C et 223°C du système


SnAgCu du côté riche en étain. A partir de la figure 1-11, il peut être déduit que, d'un point de
vue thermodynamique, la phase primaire qui se forme à partir du liquide serait la phase β-Sn
primaire pour (i) SAC 105, SAC 205 et SAC 305 et la phase Ag3Sn primaire pour (ii) SAC
387 et SAC 396. La solidification de ces alliages comporte trois étapes :
(1) Solidification primaire Liq Sn pour le groupe (i) et Liq Ag3Sn pour le groupe (ii)
(2) Eutectique biphasé Liq Sn + Ag3Sn
(3) Eutectique ternaire Liq Sn + Ag3Sn + Cu6Sn5
A titre d'exemple, à la fin de la transformation eutectique ternaire à T=217°C (fin de
solidification), il y aurait:
Pour l'alliage SAC 305: 15% de Sn primaire, 25% d'eutectique biphasé et 60% d'eutectique
ternaire ; pour l'alliage SAC 396: environ 1% d'Ag3Sn primaire, 24% d'eutectique biphasé et
75% d'eutectique ternaire et pour l'alliage de composition autour de l'eutectique ternaire SAC
305 (217,2±0,2°C) on devrait avoir 100% d'eutectique ternaire.
Ces proportions de phases prévues par le diagramme d'équilibre sont celles obtenues
en laboratoire (vitesse de refroidissement inférieure à un degré par minute). Or dans des
conditions industrielles, où la vitesse de refroidissement est de quelques dizaines à quelques
centaines de degrés par minute, de telles proportions ne sont pas obtenues. Ceci est lié au fait
14
que la solidification de ces alliages SAC a lieu dans des conditions hors équilibre
thermodynamique, favorisées par de fortes surfusions, qui seront décrites par la suite.

Figure 1-11: coupes isothermes calculées pour une température de 223°C (a) et 240°C (b)
[31].

b) Diagramme de phase du système ternaire Sn-Cu-Ni


Le diagramme de phase Sn-Cu-Ni est relativement peu connu dans le domaine de
température inférieure à 400°C [32] car il s'agit de températures très inférieures aux
températures de fusion du cuivre et du nickel. Dans une étude récente [32], il a été établi une
section isotherme partielle de ce diagramme à 220°C (figure 1-12). Les équilibres de phases
dans le domaine riche en étain sont estimés à partir des résultats expérimentaux à 220°C alors
que ceux dans le domaine riche en cuivre et en nickel (en gris) sont estimés à partir des
résultats expérimentaux à plus haute température. La figure 1-12 montre l'existence de
quelques composés ternaires observés expérimentalement à plus haute température (T >
400°C). Ce diagramme montre que à 220°C la solubilité du nickel dans la phase η-Cu6Sn5 est
élevée (plus de 20at% Ni): (Cu,Ni)6Sn5. La solubilité du cuivre dans les phases (Ni,Cu)3Sn2 et
(Ni,Cu)3Sn4 est d'environ 15at% Ni et 5at% Ni respectivement. Notons enfin que les auteurs
estiment que la solubilité du Ni dans la phase ε-Cu3Sn est pratiquement nulle.

Figure 1-12: section isotherme du diagramme de phase ternaire Cu-Ni-Sn à 220°C [32].

15
4-2) Microstructure de solidification

4-2-1) Solidification des alliages binaires Sn-Ag et Sn-Cu


Les microstructures de solidification de systèmes binaires (Sn-Ag et Sn-Cu) seront tout
d'abord considérées. La figure 1-13 présente deux micrographies d'un alliage binaire SnAg de
composition eutectique refroidit avec deux vitesses différentes 0,5°C.s-1 et 0,08°C.s-1. Dans le
premier cas (vitesse de refroidissement élevée) il est constaté que la microstructure de l'alliage n'est
pas 100% eutectique: en effet elle est constituée de grains primaires d'une solution solide riche en
étain β-Sn qui contient moins de 0,07mass% Ag et d'un mélange eutectique binaire Ag3Sn + β-Sn.
Les raisons d'obtention d'une telle microstructure lorsque la vitesse de refroidissement est élevée
seront discutées au paragraphe suivant. Par contre lorsque la vitesse de refroidissement est très
faible la microstructure est pratiquement constituée d’eutectique binaire Ag3Sn + β-Sn et il n'y a
que très peu de dendrites primaires de β-Sn (voir figure 1-13b).

Figure 1-13 : Microstructure d’un alliage Sn3,5 mass% Ag, refroidissement à 0.5°C/s (a),
refroidissement à 0.08°C/s (b) [33].

De même il est constaté que la microstructure de solidification d'un alliage SnCu de


composition eutectique n’est pas 100% eutectique (figure 1-14), elle est composée de régions
claires correspondant à des dendrites primaires la phase β-Sn, noyée dans une matrice
d'eutectique binaire β-Sn + Cu6Sn5.

Figure 1-14 : Microstructure d’un alliage Sn0.7mass% Cu [34]

4-2-2) Solidification des alliages ternaires Sn-Ag-Cu riche en étain

Si la solidification des alliages Sn-Ag-Cu de composition proche de l'eutectique


ternaire (Sn-3,5±0,3mass%Ag-0,9±0,2mass%Cu) a lieu dans des conditions d'équilibre
thermodynamique, alors la microstructure serait constituée de trois phases: une matrice de
βSn (ceci est dû au fait que sa fraction volumique est très élevée) contenant de petites
particules d'Ag3Sn (sous forme d'aiguilles) et de Cu6Sn5 (sous forme de disque) [31] comme
le montre la figure 1-15.
16
Figure 1-15 : Microstructure d’un alliage SAC359 (Sn-3,5%Ag-0,9%Cu) [31]

Néanmoins, de nombreuses études expérimentales [31, 35-37] ont montré que la


microstructure de solidification de tels alliages est très différente de la microstructure
eutectique ternaire uniforme montrée en figure 1-15. Ces "anomalies" concernent:
(i) Des fractions volumiques très élevées de phase primaire (plaquettes d'Ag3Sn,
disques de Cu6Sn5 ou dendrites de β-Sn dans des alliages dont la composition globale se
trouve à l'extérieur de la nappe de liquidus de la phase primaire.
(ii) L'existence de microstructures d'eutectique biphasé: β-Sn + Ag3Sn et β-Sn +
Cu6Sn5. La présence de ces constituants hors équilibres thermodynamique est attribuée à la
difficulté de germination de β-Sn (qui participe à la transformation eutectique ternaire). Ceci
conduit à des surfusions très importantes (10°C à 80°C) des alliages SAC avant la
solidification complète. Ceci est valable pour des alliages SAC industriels ou élaborés en
laboratoire. En absence de la transformation eutectique, l'alliage liquide traverse des portions
de nappes de liquidus métastables de phases primaires Ag3Sn ou Cu6Sn5. Comme la surfusion
d'Ag3Sn ou Cu6Sn5 est beaucoup plus faible que celle de βSn, il y aura précipitation de
cristaux primaires d'Ag3Sn ou Cu6Sn5. Si la vitesse de refroidissement est rapide
(~100°C/min), alors la taille de ces cristaux primaires est relativement petite (de l'ordre du
micron). Lors de la formation de ces cristaux primaires, entre la température de germination
d’Ag3Sn ou Cu6Sn5 et la température de germination de β-Sn, le liquide métastable s'appauvrit
en cuivre et en argent. Quand la germination de β-Sn a lieu, la composition du liquide se
trouve dans la nappe de solidification primaire de β-Sn. Cela condit à une croissance de β-Sn
primaire de morphologie dendritique. La croissance de β-Sn primaire dans des conditions
éloignées de l'équilibre est très rapide: des vitesses de croissances de 80µm.s-1 ont par
exemple été mesurées pour une surfusion de ∆T=30°C (la vitesse de croissance croit
proportionnellement avec ∆T [38]). La croissance rapide des dendrites de β-Sn fait que le
liquide interdendritique s'enrichit en cuivre et en argent et sa solidification a lieu selon une
transformation monovariante (liq βSn + Ag3Sn et/ou liq βSn + Cu6Sn5) et invariante (liq
β-Sn + Cu6Sn5 + Ag3Sn).

Figure 1-16: Observation au microscope optique d'un alliage SAC (Sn-3,9%Ag-1,4%Cu)


après élaboration dans un four à arc (a), refroidi à 0,1°C/sec depuis la température de
250°C (b et c) deux zones différentes [38].

17
La figure 1-16, montre clairement la coexistence de précipités primaires d'Ag3Sn ou
Cu6Sn5, de dendrites de β-Sn et d'un mélange eutectique entourant les dendrites dans le cas
d'un alliage SAC de composition proche de l'eutectique ternaire (Sn-3,9%Ag-1,4%Cu).
La figure 1-17 indique de façon plus détaillée comment sont organisés les précipités
Ag3Sn et de Cu6Sn5 issus de la transformation eutectique par rapport aux dendrites de β-Sn.
Les bras dendritiques d'étain sont entourés par des précipités d'Ag3Sn et de Cu6Sn5
apparaissant plus brillants sur le cliché.

Figure 1-17: Cliché MEB de la microstructure de solidification d'un alliage SAC 387 (Sn–
3.8%Ag–0.7%Cu) [39]

Malgré le fait que le nombre de branches dendritiques de β-Sn parait important (figure
1-17 et figure 1-18a) [38, 39], L. P. Lehman et al ont montré par une analyse microscopique
en lumière polarisée que dans une bille d'alliage Sn-Ag-Cu de diamètre d'environ 800µm, il
peut y avoir seulement quelques grains de β-Sn (figure 1-18b).
La comparaison d'analyses en diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD) et en
lumière polarisée (Polarized Light Microscopy ou PLM) a également été effectuée par A.
Lalonde et al [37] (figure1-19), par D. W. Henderson [39], et plus récemment par B. Arfaei et
E. Cotts [40].

Figure 1-18: Observation de la microstructure de solidification d'un alliage SAC (Sn-


3.9%Ag-0.6%Cu) refroidit à une vitesse de 1°C/sec à partir de 250°C. L'échantillon a connu
une surfusion de 34°C au delà de la température eutectique. Observation optique (a), en
lumière polarisée (b) [38].

Figure 1-19: Cliché EBSD (a) et PLM (b) d'une bille de brasure type BGA de SAC 387 (Sn-
3.8 Ag-0.7Cu) [37].
18
D'une façon générale, quelque soit l’alliage utilisé, l’observation des précipités
intermétalliques (Ag3Sn et Cu6Sn5) est attestée par un très large nombre de publications. En
revanche, la microstructure de l’alliage (la taille des grains, des dendrites et des précipités
ainsi que leur densité) est susceptible de connaitre une forte variabilité selon les différentes
conditions expérimentales. Les principaux paramètres expérimentaux qui ont une influence
significative sur la microstructure des alliages SAC sont : la vitesse de refroidissement lors du
brasage, la dimension du système, la composition des alliages et la présence d’impuretés
solides et/ou d’interfaces solides présentes dans l’alliage.
Comme la microstructure finale des alliages SAC dépend de l'histoire de la
solidification qui elle-même dépend de la surfusion, nous exposerons dans un premier temps
la dépendance de la surfusion des alliages SAC avec les différents paramètres expérimentaux.
La surfusion des alliages SAC dépend d'un certain nombre de facteurs comme la composition
de l'alliage, la dimension, la présence ou non de particules solides dans l'alliage liquide et / ou
d'interfaces solides comme les intermétalliques à l'interface alliages/substrat.
De très nombreuses études (voir par exemple les références [41-44]) ont clairement
démontré que la surfusion des alliages SAC dépend de la dimension du système, de sa
composition, de la méthode d'élaboration (par exemple industrielle ou en laboratoire) ou
encore de la présence d'un solide métallique en contact avec l'alliage liquide. Les surfusions
mesurées pour les alliages SAC sont de quelques dizaines de degrés et peuvent atteindre 85-
90°C (voir annexe A2 [41-46]).
Comme cela a été vu au cours du paragraphe 3-1, le diagramme de phase permet de
déterminer les phases présentes à l’équilibre thermodynamique à une température donnée,
mais il ne donne aucune indication sur la cinétique de solidification qui conditionne la
microstructure de l’alliage. La cinétique de solidification dépend de la température de début
de solidification (donc de la surfusion), de la vitesse de refroidissement du système dont
dépend en partie la vitesse de croissance des différentes phases à une température donnée et
de la composition du système. Comme la surfusion dépend en plus de la dimension du
système (mais aussi d'autres facteurs) la microstructure finale de l'alliage dépendrait
également de la dimension du système. Nous présenterons dans ce qui suit l'influence de trois
paramètres principaux sur la microstructure finale des alliages SAC :
• la vitesse de refroidissement lors du brasage,
• la dimension du système,
• la composition des alliages.

4-2-3) Influence de différents paramètres sur la microstructure de l'alliage SAC.

a) Impact de la vitesse de refroidissent (v)


Une première étude sur le sujet est celle de K. S. Kim et al [47], qui ont étudié
l'influence de la vitesse de refroidissement (v) sur les microstructures des alliages SAC. Trois
compositions d'alliages sont étudiées: SAC305, SAC 357 et SAC 396 et à trois vitesse v :
8,3°C/s, 0,43°C/s et 0,012°C/s. La première vitesse v = 8,3°C/s (~50°C/min), est équivalente à
celle appliquée dans les conditions industrielles pour le brasage d'alliage SAC. Les clichés
présentant les microstructures de ces alliages pour chaque condition sont visibles en figure
1-20. Il est notable que tous les alliages présentent une microstructure fine comportant des
dendrites de β-Sn entourées d'un eutectique fibreux (matrice de Sn + précipités d'Ag3Sn
indiqués sur les micrographies mais aussi les précipités fins de Cu6Sn5 détectés par DRX). La
microstructure de chaque alliage dépend de sa composition chimique mais aussi de v. La
microstructure eutectique devient plus fine lorsque v augmente et lorsque la teneur en argent
de l'alliage diminue. Il peut également être remarqué que lorsque v diminue, des précipités

19
d'Ag3Sn sont observés et sont d'autant plus larges que la proportion d'argent de l'alliage
augmente.

Figure 1-20 : Inspection MEB d’échantillons d'alliages SAC 305 (Sn–3.0Ag–0.5Cu) , SAC
357 (Sn–3.5Ag–0.7Cu), SAC 396 (Sn–3.9Ag–0.6Cu) refroidis à 8.3°C.s-1, 0.43°C.s-1,
0.012°C.s-1 [47].

Récemment, G. Wei et L. Wang [48] ont étudié l'influence de la vitesse de


refroidissement sur la microstructure de solidification de l'alliage SAC 305 (Sn-3,0%Ag-
0,5%Cu) pour v égal à 0,14°C/s, 1,7°C/s et 100°C/s. Les microstructures de solidification
mises en évidence (figure 1-21) montrent nettement des dendrites de β-Sn entourées d'un
mélange eutectique et la distance entre les bras dendritiques secondaires (d) diminue
significativement avec v. d vaut respectivement 25µm, 9µm et 3µm lorsque v vaut 0,14°C/s,
1,7°C/s et 100°C/s. De même la fraction volumique des dendrites de β-Sn augmente de 45% à
70% lorsque v passe de 0,14°C/s à 100°C/s. Notons enfin que la microstructure du mélange
eutectique devient de plus en plus fine lorsque v augmente (figure 1-22).

Figure 1-21: Microstructure d'un alliage SAC 305 après refroidissement au four de 0,14°C/s,
(a), après trempe à l'air de 1,7°C/s (b), après trempe à l'eau de 100°C/s (c) [48].
Cet effet de v sur la distance (d) entre les branches primaires et secondaires des
dendrites de β-Sn a été généralisé par P. D. Pereira et al [49]. Il a été démontré que la distance
moyenne entre les dendrites primaires (dp) et les dendrites secondaires (ds=λ) décroit quasi-
linéairement avec v. Pour un alliage Sn-2%Ag-0,7%Cu, lorsque v augmente de 10-2 K/s à
10K/s, dp diminue de 150µm à 50µm et ds=λ décroit de 50µm à 4µm. Une analyse identique a

20
été faite par G. Wei et al [48] dans laquelle l'espacement entre les dendrites secondaires passe
d'une gamme de 25µm à 39µm à une gamme de 3µm à 20µm lorsque lor v passe de 0,14K/s à
2
10 K/s (figure 1-23).

Figure 1-22:
22: Microstructure d'un alliage SAC 305 après refroidissement au four de 0,14°C/s,
(a), après trempe à l'air de 1,7°C/s (b), après trempe à l'eau de 100°C/s (c). (Zooms de la
figure 1-22) [48].

23: Représentation schématique de dendrites primaires et secondaires de β-Sn (a)


Figure 1-23:
récapitulatif des valeurs de distance interdendritique (dp) obtenues pour chaque vitesse de
refroidissement (b) [48].
b) Impact de la dimension du système.
système
M. Mueller et al [50] ont étudié l'influence de la dimension des billes d'alliage de SAC
305 (Sn-3%Ag-0,5%Cu)
0,5%Cu) sur la microstructure lorsque la vitesse de refroidissement est
maintenue constante (1,1°C/s). Des clichés de quatre billes ayant des diamètres
diamètre différents
(1100µm, 590µm, 270µm et 130µm) sont visibles en figure 1-24. 1 24. L'examen de ces clichés
révèle que la taille des dendrites de β-Sn diminue lorsque le diamètre des billes diminue de
1100µm à 270µm. Dans le cas de la bille de diamètre 130µm, il est difficile
difficile de distinguer des
dendrites de β-Sn,, la microstructure est principalement constituée de petits précipités
d'intermétalliques dans une matrice d'étain.

Figure 1-24 : Microstructure de billes d’alliage SAC 305 de diamètre 1100µm a),
590µm b), 270µm c) c et 130µm d) [50].

21
Il faut aussi noter qu'une analyse des échantillons par microscopie en lumière polarisée
montre que la taille des grains d'étain est plus importante dans le cas des grandes billes
(~100µm) que dans le cas de petites billes (~10µm) (figure 1-25).

Figure 1-25 : Observation en lumière polarisée de microstructure de billes d’alliage


SAC 305 de diamètre 1100µm a), 130µm d) [50].

Des résultats similaires ont été reportés par A. Arfaei et al [41] qui ont étudié la
solidification de billes d'alliage SAC 305 de diamètre 750µm, 300µm et 125µm pour une
vitesse de refroidissement de 1°C/s. La taille moyenne des grains de βSn diminue avec le
diamètre de la bille. Il doit être noté aussi que ces auteurs ont mesuré des surfusions qui
dépendent à la fois du diamètre de la bille mais également de la manière dont l'alliage a été
élaboré. En effet, pour les alliages industriels, des surfusions respectivement de 18°C, 23°C et
53°C ont été mesurées pour les billes de dimensions 750µm, 300µm et 125µm, tandis que ces
surfusions s'élevaient respectivement à 37°C, 46°C et 80°C pour les alliages élaborés en
laboratoire. En conséquence la dimension du système joue un rôle significatif sur la
température de germination de β-Sn et de ce fait sur la microstructure finale de l'alliage. Ce
phénomène est lié à la nature probabiliste de la germination qui est accrue avec la quantité de
matière et donc, la dimension du système.

c) Impact de la composition de l’alliage.


L'argent est ajouté à l'étain essentiellement car il contribue à baisser la température de
fusion, ainsi pour la composition de l'eutectique binaire Sn-3,7%Ag la température de fusion
est de 221°C (232°C pour l'étain pur). Le cuivre permet également de faire chuter la
température de fusion puisqu'elle atteint 218°C pour l'eutectique ternaire (Sn-3,9%Ag-
0,6%Cu). Mais le cuivre est surtout ajouté pour ralentir la cinétique de dissolution du substrat
de cuivre en contact avec l'alliage liquide. La teneur en argent et en cuivre de l'alliage a aussi
une influence importante sur la microstructure de l'alliage. De ce fait, de nombreuses études
ont été réalisées sur l'influence de la composition des alliages SAC sur la microstructure et les
propriétés mécaniques de ces alliages dont par exemple celle d’I. E. Anderson et al [51] sur
l'influence de la teneur en argent et en cuivre. La figure 1-26 montre les micrographies des
alliages SAC (SAC 305 et SAC 396) refroidis à la même vitesse (comprise entre 1°C/s et
3°C/s). La comparaison des clichés (figure 1-26a et 1-26b) montre indiscutablement qu'une
augmentation de la teneur en argent conduit à la formation de dendrites de β-Sn plus fines. De
plus, des plaquettes d'Ag3Sn primaires sont visibles sur la figure 1-26b.
Y. Kariya et al [52] ont étudié l'influence de la teneur d'argent dans des alliages SAC
de teneur en cuivre fixée à 0,5mass% (Sn-x%Ag-0,5%Cu, avec x=1%, 2%, 3% ou 4%Ag) sur
la microstructure et les propriétés mécaniques de ces alliages. La figure 1-27 montre les
micrographies de ces différents alliages après refusion de billes de 200µm dans un four à
reflow. Pour tous les alliages la microstructure consiste en un ensemble de particules fines
d'Ag3Sn et de Cu6Sn5 et d'une matrice de β-Sn. La fraction volumique de particules d'Ag3Sn

22
augmente lorsque le pourcentage massique d'argent augmente. De plus l'argent a tendance à
affiner la microstructure de l'alliage et diminuer la taille des dendrites de β-Sn.

Figure 1-26 : Photos MEB de quatre joints SAC de compositions différentes, Sn-3,0Ag-0,5Cu
(a), Sn-3,9Ag-0,6Cu (b) [51].

Figure 1-27 : Micrographies d'alliages SAC de composition différentes, Sn-1,0Ag-0,5Cu (a),


Sn-2,0Ag-0,5Cu (b), Sn-3,0Ag-0,5Cu (c), Sn-4,0Ag-0,5Cu (d) [52].
Récemment, D. A. Shnawah et al [53] ont reporté des résultats expérimentaux
similaires sur l'influence de la teneur en argent sur la microstructure et les propriétés des
alliages SAC. La distance entre les branches dendritiques secondaires (ds=λ) de β-Sn diminue
lorsque la proportion en argent augmente. Ce qui est cohérent avec l'affirmation précédente
selon laquelle la microstructure s'affine avec l'élévation de la proportion massique d'argent.
Pour finir, il est important de noter que tous ces paramètres (composition, dimension,
vitesse de solidification) conduisent à l'obtention de microstructures ayant des propriétés
mécaniques spécifiques. En effet conformément à la loi de Hall-Petch [54] la résistance
mécanique évolue selon l’inverse de la racine carrée de la taille des grains, or il vient d'être vu
que l'augmentation de la concentration en argent (dans le domaine investigué) tend à affiner la
microstructure. Cette affirmation peut être confrontée à l'étude de J. Keller et al [55] dans
laquelle des disques de 230µm de brasures SAC (Sn-x%Ag-0,4%Cu) de teneur en argent (x)
variant de 1% à 4% sont testés mécaniquement. Il s'agit de tests en cisaillement sur lesquels
nous reviendrons en détail dans la partie 6) de ce chapitre. Ici, les profils de la contrainte en
cisaillement en fonction du taux de cisaillement (figure 1-28) sont investigués pour plusieurs
teneur en argent de l'alliage SAC et le maximum en terme de résistance au cisaillement est
obtenu pour l'alliage ayant 3% d'argent (figure 1-28b).

23
Figure 1-28: Profil typique de la résistance au cisaillement en fonction du taux de
cisaillement pour un alliage SAC (a), variation de la résistance au cisaillement en fonction de
la teneur en argent de l'alliage (Sn-x%Ag-0,4%Cu) [46].
4-3) Conclusion
Dans ce paragraphe sont présentés les diagrammes de phases principaux en relation
avec le procédé de brasage d'alliage SAC (Sn-Ag-Cu) sur des substrats de cuivre ou de nickel.
Différents types de structure de solidification d'alliages SAC, en fonction des paramètres
expérimentaux, ont été présentés. Plusieurs paramètres expérimentaux comme la dimension,
la composition, la vitesse de solidification ou bien la présence ou non de particules solides
dans l'alliage de brasure impactent indirectement la microstructure de solidification en élevant
ou en réduisant le degré de surfusion atteint par l'alliage. L'accroissement de la vitesse de
refroidissement ainsi que les paramètres compositionnels (comme l'augmentation de la teneur
en argent) contribuent à affiner la microstructure de l'alliage. L'accroissement de la dimension
ainsi que la présence de particules solides sont des paramètres qui réduisent le degré de
surfusion et conduisent donc à une microstructure plus fine. Enfin, les propriétés mécaniques
de l'alliage sont directement liées à la microstructure obtenue (taille de grain, taille et
espacement des précipités) en fonction de ces paramètres expérimentaux.

5) Interaction alliage de brasure / substrat

Au cours de ce paragraphe, les interactions entre l'étain ou les alliages base étain (à
l’état solide ou liquide) avec un substrat de cuivre ou de nickel seront décrites.

5-1) Réactivité interfaciale entre un substrat cuivre et un alliage à base étain

Dans les systèmes d’interconnexion, le cuivre est le conducteur métallique le plus


commun et est fréquemment utilisé en contact avec l’étain pour les applications de brasures.
Dans la gamme de températures qui nous intéresse (en-dessous de 350°C), la réaction à
l'interface Cu/Sn aboutit à la formation des composés ε-Cu3Sn et de η-Cu6Sn5 [56]. Comme
dit précédemment, Cu6Sn5 se présente sous deux formes allotropiques, la phase η’, de
structure monoclinique, stable pour des températures inférieures à 187,5°C et la phase η de
structure hexagonale stable lorsque la température est supérieure à 187,5°C.

5-1-1) Système Cu-Sn(solide)


Etudiées depuis des décennies, les réactions d’interfaces entre le cuivre et l'étain solide
débouchent sur des résultats qui ne sont pas toujours similaires, certains sont même
contradictoires. Le point principal de cette contradiction porte sur la nature de l’espèce la plus

24
mobile dans les différentes phases (Cu6Sn5, Cu3Sn), tantôt identifiée comme étant le cuivre,
d’autre fois comme l’étain.
a) De -2°C à 80°C :
A partir d’expériences sur des films minces d’étain pur et de cuivre, K.N. Tu [57, 58]
et K. N. Tu et R. D. Thompson [59] ont observé l’existence de la phase η’-Cu6Sn5 après un
temps de recuit de 1 an à -2°C. La phase ε-Cu3Sn n’était en revanche pas identifiée en
microscopie électronique en transmission (TEM) tant que la température de maintien
n’atteignait pas 60°C. A partir de cette température, la croissance de Cu3Sn accompagne celle
de Cu6Sn5.
R. Chopra et M. Ohring [60] ont étudié la cinétique d'interaction entre une couche
mince de cuivre de 4nm et d'étain de 2-3nm, déposée par évaporation thermique sous vide,
lors de maintien isotherme à 80°C et 86°C. Le système interfacial a été caractérisé par
microscopie électronique en transmission (TEM) et par spectroscopie électronique Auger (ou
AES). Il a été démontré, par TEM, que pour des temps de recuit inférieurs à 160 minutes à
80°C, seule la phase Cu6Sn5 est présente à l'interface et que la phase Cu3Sn est détectée pour
des temps de maintien supérieurs à 360 minutes. Une analyse qualitative par AES de la
cinétique de croissance de la couche réactionnelle à 86°C pour des temps de maintien
inférieurs à 360 minutes montre qu'elle obéit à une loi linéaire et que la croissance est limitée
par la cinétique réactionnelle interfaciale [60].
R. Halimi [61] a étudié l'interaction Cu/Sn à température ambiante à partir
d'expériences sur films minces d'étain et de cuivre d'épaisseur variant de 2nm à 5nm déposés
par évaporation thermique sous vide avec une vitesse de dépôt de 20Å/s. Ils déterminent par
diffraction de rayons X (DRX), que la phase η' est formée à l'interface même pendant le dépôt
et qu'après vieillissement à température ambiante, seule cette phase η' est détectée. Des
résultats similaires sont reportés par C.N. Liao et C.T. Wei [62] qui ont étudié la croissance de
phases aux interfaces Cu/Sn par des mesures in situ de résistivité et DRX lors de chauffage de
films minces de cuivre et d'étain d'épaisseur ∼200nm déposés par pulvérisation cathodique.
Récemment W. M. Tang et al [63] ont étudié l'interaction entre des couches de cuivre
et d'étain de quelques micromètres réalisées par dépôt électrochimique. Les densités de
courant pour le dépôt de l'étain et du cuivre étaient respectivement de 10mA/cm² et 25
mA/cm² et la vitesse de dépôt de 0,5µm/min et 0,3µm/min. Des mesures de diffraction (DRX)
leur ont permis de conclure que la phase Cu6Sn5 est formée à l'interface Cu/Sn soit au cours
du dépôt électrochimique soit après. Par ailleurs, l'analyse par microscopie électronique à
balayage et spectroscopie dispersive en énergie (EDX) d'un échantillon vieilli 76 jours à
température ambiante (figure 1-29) montre très clairement une couche de quelques centaines
de nm voire 1µm, nettement discernable à l'interface Cu/Sn que l'analyse EDX révèle être
Cu6Sn5.

Figure 1-29: Cliché MEB de l'interface Cu / Sn après 76 jours de vieillissement à température


ambiante (a), analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) au niveau de cette
interface révélant la phase η [63].

25
b) De 70°C à 220°C :
Les interactions aux interfaces Cu/Sn à l'état solide dans la gamme de températures
70°C-220°C ont été très largement étudiées dans la littérature. Deux types d'expérience
peuvent être ici distingués: celles basées sur des couples de diffusion Cu/Sn ou Cu/alliage
base étain qui demandent une préparation minutieuse de l'état de surface des deux solides et
des expériences sous vide secondaire. Le contact initial à l'interface est réalisé par passage de
l'alliage à l'état liquide en présence d'un flux (agent de désoxydation de surface du cuivre et de
l'alliage) et refroidissement de l'ensemble jusqu'à température ambiante. Ensuite le couple
Cu/alliage base étain subit un maintien isotherme pendant un temps déterminé (allant jusqu'à
170 jours [64]). Dans la plupart des études, la présence à l'interface des deux phases Cu6Sn5 et
Cu3Sn a été reportée.
La figure 1-30 montre un cliché en microscopie électronique à balayage (MEB) de la
zone interfaciale d'un couple de diffusion Cu/Sn à 215°C sous vide pendant 225h [65]. A
l'interface initiale à t=0, des particules inertes de taille micrométriques de ThO2,
accomplissant le rôle de marqueurs, ont été placées. Cette figure montre la formation de deux
phases Cu6Sn5 et Cu3Sn respectivement d'épaisseur 10-15µm et 7-10µm. L'interface Cu/ε est
relativement plane comparativement aux interfaces ε/η et η/Sn qui sont irrégulières. Les
particules des marqueurs de ThO2 sont situées vers le milieu de la couche de Cu6Sn5.
Dans l'étude de M. Onishi et al [66], l'épaisseur moyenne de chacune des phases (ε et
η) est mesurée en fonction du temps de réaction allant jusqu'à 900h pour une gamme de
températures de 190°C à 220°C (figure 1-31).
La cinétique de croissance des deux phases η et ε obéit à une loi parabolique: ( e² = k '.t
ou e = k. t ), ce qui indique qu'elle est limitée par la diffusion au travers des couches
réactionnelles. Les épaisseurs ei (i = η ou ε) des couches peuvent être décrites par les relations
suivantes:
( )
ei=ki.t 1/2 et k i = k i0 exp −RTQi
où kη et kε sont des constantes de cinétiques de croissance et Qε = 61 = kJ.mol-1 et Qη =
55kJ.mol-1 sont les énergies d'activation du processus de diffusion dans les phases ε et η
respectivement.

Figure 1-30: Cliché MEB de la zone interfaciale Cu/Sn après mise en contact de 225h
à 215°C [65].
P. T. Vianco et al [67] ont également mesuré l'épaisseur totale moyenne de la couche
réactionnelle formée entre le cuivre et l'étain ou entre le cuivre et l'alliage en fonction de la
durée du maintien thermique pour plusieurs températures de maintien (allant de 70°C à
250°C) et des temps de maintien jusqu'à 400 jours (figure 1-32). Il est notable que la
croissance dans le cas du couple Cu/Sn est légèrement plus importante que dans le cas du
couple Cu/SnAg. Comme dans le cas précédent, la cinétique de croissance est parabolique.

26
Les valeurs d'énergie d'activation de la croissance de la couche réactionnelle (η + ε) ont été
déterminées: Qε+η(Cu/Sn) = 43 kJ.mole-1 ; Qε+η(Cu/SnAg) = 50 kJ.mole-1.
Notons enfin que la présence de trous Kirkendall à l’interface Cu/Cu3Sn ou au proche
voisinage de cette interface est reportée à plusieurs reprises [68-70]. Il est enfin remarquable
que lors du refroidissement, à une température égale à 186°C, intervient la transformation du
η-Cu6Sn5 hexagonal en η’-Cu6Sn5 monoclinique. Les deux phases présentent des densités
différentes (8.448 et 8.270 g.cm3 respectivement à température ambiante [71]). Cette
transition peut donc générer des contraintes liées à une modification du volume occupée par la
phase [72] (Lors du refroidissement par exemple, cela ira dans le sens d’une réduction du
volume).

Figure 1-31: Variation de l'épaisseur des couches réactionnelles η-Cu6Sn5 et ε-Cu3Sn


en fonction de la racine carrée de la durée réactionnelle entre le cuivre et l'étain pour une
température de 220°C (a), variation de la constante cinétique de croissance k avec la
température [66].

Figure 1-32: Evolution de l'épaisseur totale de la couche réactionnelle en fonction de la


racine carrée de la durée du maintien à différentes températures, formée entre cuivre et
l'alliage SnAg (a) et cuivre et l’étain pur (b) [67].

27
5-1-2) Système Cu-Sn(liquide)
Lors de la mise en contact du cuivre avec l'étain liquide, la première étape de
l'interaction est la dissolution du cuivre dans l’étain qui peut-être un processus très rapide
[64]. Cette dissolution se poursuit jusqu’à saturation en cuivre de l’étain liquide se trouvant au
proche voisinage de l’interface. Elle est accompagnée d'un processus de diffusion du cuivre
dans l'étain liquide conduisant ainsi à un profil de concentration du cuivre du type "profil de
diffusion".
Dans la zone du liquide proche de l'interface où la concentration en cuivre est
supérieure à celle correspondant à l'équilibre liquide - Cu6Sn5, le liquide se trouve dans un état
métastable par rapport à la formation du composé Cu6Sn5 mais aussi par rapport à la
formation de Cu3Sn. A partir du moment où la force motrice est suffisante pour amorcer la
réaction chimique entre le cuivre et l’étain, la formation de cristallites de Cu6Sn5 peut être très
rapide par germination hétérogène dans la zone interfaciale [64, 73]. Dans la littérature, il est
généralement admis que la première phase qui croit à l'interface Cu/Sn est la phase Cu6Sn5.
La figure 1-33 présente une microstructure typique de la zone interfaciale Cu/Sn caractérisée
ici à l'issue d'une mise en contact de 200s à 250°C.

Figure 1-33 : Cliché MEB d’un échantillon cuivre - étain révélant la formation de Cu6Sn5 à
l'interface entre le Cu et Sn après une mise en contact de 200s à 250°C (voir [74]).

Dans tous les cas, la germination et la croissance de η-Cu6Sn5 conduisent à la


formation d'une couche de cette phase à l'interface. L’épaisseur et la morphologie de la
couche interfaciale de η sont influencées en premier lieu par le taux de dissolution du cuivre
dans le liquide et en second lieu par la diffusion du cuivre dans le liquide. Ces deux facteurs,
dépendant de la température, vont déterminer l’étendue et la morphologie de la zone bi-
phasique (Cu6Sn5 + Sn) faisant front à la couche monophasée de Cu6Sn5 à l'interface.
Il a été reporté que le substrat de cuivre est complètement recouvert de grains de la
phase Cu6Sn5 en quelques millisecondes [73]. La figure 1-34 montre que le substrat de cuivre
est recouvert de grains micrométriques de Cu6Sn5 après 1seconde de contact à 240°C ou
260°C.

Figure 1-34 : Clichés MEB de la couche interfaciale de Cu6Sn5 apparaissant après 1


seconde de mise en contact du Cu solide dans Sn liquide à 240°C (a) et à 260°C (b) [73].
Passée une certaine durée allant de quelques secondes à quelques minutes, selon les
auteurs, la phase Cu3Sn se forme à l'interface Cu/Cu6Sn5 [74]. La précipitation de la phase η-
Cu6Sn5 et la couverture complète du substrat par cette phase sont suivies par la croissance de
la couche de Cu6Sn5. La morphologie de chaque grain de η est plutôt complexe et peut par

28
exemple être longitudinale [75] ou en aspérités (ou "scallops" en anglais) [74, 76] et peut
évoluer avec la température et le temps de réaction.
Les figures 1-35 et 1-36 montrent l'évolution de la morphologie de la couche
réactionnelle avec le temps de maintien à 275°C et avec la température pour un temps de
réaction donnée de 20min. La forme des grains de la phase η est longitudinale et le rapport
hauteur de la dendrite sur largeur de la dendrite s'accroit avec la durée de maintien (figure
1-35) ainsi qu’avec la température de maintien (figure 1-36).

Figure 1-35 : Clichés MEB mettant en évidence l'évolution de la morphologie de la


couche interfaciale après mise en contact d'étain liquide avec cuivre solide à 275°C pendant
3min (a), 45min (b), 180min (c) (même échelle pour les trois clichés) [75].

Figure 1-36 : Clichés MEB mettant en évidence l'évolution de la morphologie de la


couche interfaciale après mise en contact d'étain liquide avec cuivre solide pendant 20min à
250°C (a), 275°C (b), 300°C (c), 325°C (d) (même échelle pour les quatre clichés) [75].

Dans l'étude de M. Yang [77], une vue de dessus de la couche réactionnelle après
gravure chimique de l'étain montre que la morphologie des grains de la phase η est presque
identique (en aspérités ou "scallops") et que la taille moyenne de ces grains augmente avec le
temps et la température de maintien suivant un mécanisme de murissement d'Ostwald (figure
1-37) (Noter que les clichés ne sont pas tous à la même échelle).

Figure 1-37: Clichés MEB révélant les morphologies du Cu6Sn5 se formant à l'interface entre
étain liquide et cuivre solide. Température de maintien: 240°C (a, c, e) et 280°C (b, d, f);
durée de maintien 2min (a, b), 30min (c, d), 600min (e, f). Remarque: les clichés ne sont pas
tous à la même échelle [77].

29
Lorsque la température de maintien de l'étain à l'état liquide augmente, la phase ε
forme une couche continue et relativement uniforme et le système interfacial est constitué de
deux couches intermétalliques η-Cu6Sn5 et ε-Cu3Sn organisées suivant l'empilement :
Cu/ε/η/Sn. La figure 1-38, fournie deux micrographies de l'interface Cu/Sn après 64 minutes
de mise en contact à 250°C (figure 1-38a) et 300°C (figure 1-38b). Sur la figure 1-38a (T =
250°C) il est visible que l'épaisseur moyenne de la couche de la phase η est très élevée par
rapport à celle de la phase ε et que cette couche ε n'est pas parfaitement continue ni très
uniforme en épaisseur. En revanche, à plus haute température (T = 300°C) dans le cas du
cliché de la figure 1-38b, la couche est continue et plutôt uniforme et son épaisseur moyenne
est comparable à celle de la phase η.

Figure 1-38: Clichés MEB de l'interface cuivre/étain après 64 minutes de mise en contact à
250° (a) [64], après 25heures à 300°C pendant (b)[78].
La cinétique de croissance des couches interfaciales η et ε a fait l'objet de nombreuses
publications (voir par exemple les références [75, 77-79]). Le travail de S. Bader et al [79]
peut en particulier être mentionné. Dans cette étude, la cinétique de croissance de η et ε entre
des couches micrométriques de cuivre et d'étain, déposées par dépôt physique en phase vapeur
(ou PVD), est determinée entre 240°C et 330°C et ce, pour des durées de réactions inférieures
à 2,5minutes. Une variation linéaire des épaisseurs de η (eη <3µm) et ε (eε <1µm) est ainsi
obtenue.
Dans l'étude de R. A. Gagliano et M. E. Fine [75], un ensemble complet de mesures
est obtenu dans une gamme de températures de 250°C à 325°C et pour des durées de maintien
allant jusqu'à 100 minutes (figure 1-39). Une croissance parabolique pour la phase ε est
mesurée tandis que l'épaisseur de la phase η évolue plutôt de façon proportionnelle avec la
racine cubique du temps. Les lois de variations des épaisseurs de ces couches (ei, i = η ou ε)
en fonction du temps peuvent être décrites par les équations suivantes:
ei=ki.tn ; ki = ki0 exp ( );
-Qi
RT

avec kε0 =0,026µm.s1/2 ; kη0 =0,103µm.s1/2 et Qε=53,1 kJ.mole-1 ; Qη=13,4 kJ.mole-1 .

Figure 1-39: Cinétique de croissance des couches η-Cu6Sn5 (a) et ε-Cu3Sn (b) entre 250°C et
325°C. e = épaisseur de la couche [75].

30
Toujours concernant les cinétiques de croissance, la récente et complète étude de M.
Yang et al [77], se place dans une gamme de température de 240°C à 280°C et pour des cas de
maintien long, allant jusqu'à 10h. Dans cette étude, une croissance parabolique est identifiée
pour la phase ε quelle que soit la température. Ainsi les valeurs: kε ≈ 0,030 µm.s1/2 pour T =
240°C et kε ≈ 0,051 µm.s1/2 pour T = 280°C peuvent être déterminées. En ce qui concerne la
croissance de la phase η, deux régimes peuvent être distingués comme cela est visible en
figure 1-40a. Jusqu'à une épaisseur moyenne limite de η (eη) qui vaut environ 5µm à 240°C et
7µm à 280°C, la croissance de η suit une loi du type eη= k.tn avec n ≈ 0,32 à 240°C et n ≈ 0,36
à 280°C. Au-delà de cette épaisseur limite, la croissance de η suit quasiment une loi
parabolique avec cette fois n ≈ 0,48 à 240°C et n ≈ 0,47 à 280°C (figure 1-40). Pour le régime
de cinétique de croissance associée aux plus faibles épaisseurs, des valeurs de kη ≈
0,139µm.s1/2 pour T = 240°C et kη ≈ 0,179 µm.s1/2 pour T = 280°C peuvent être déterminées.

Figure 1-40: Cinétique de croissance des couches η-Cu6Sn5 (a) et ε-Cu3Sn (b) à 240°C et
280°C [77].

Pour conclure sur cette partie, η est la première phase à se former à l’interface Cu - Sn
avec une croissance très rapide. Le mécanisme de sa formation est contrôlé par la dissolution
du cuivre dans l’étain liquide, suivie de la réaction chimique entre le cuivre et l’étain.
Morphologiquement, la couche réactionnelle présente des aspérités hémisphériques (ou
scallops) de la phase η. A l’état final, la morphologie de la couche réactionnelle peut être très
irrégulière. Cela peut être attribué à une non-uniformité du taux de dissolution du cuivre à
l’interface réactionnelle (éventuellement plus rapide aux joints de grains) mais aussi à un taux
de croissance dépendant de l’orientation cristalline du composé Cu6Sn5. La question reste
cependant ouverte. Si le temps de réaction est suffisant, la phase ε peut être alors observée et
sa croissance résulte davantage d’un mécanisme diffusionnel que réactionnel. La croissance
de la couche réactionnelle débute avec celle de la phase η qui suit une loi de la forme eη = k.tn,
avec n ≈ 0,3 et évolue potentiellement vers eη = k.tn, avec n ≈ 0,5. La phase ε croit ensuite en
obéissant à la loi: eε = k.tn, avec n ≈ 0,5. Enfin, les énergies d'activation du processus de
croissance de ces phases sont telles que Qη < Qε.

5-1-3) Système Cu-SnAgCu


a) Rôle de l’argent
Comme il a été mentionné dans la partie 3 ("Mise en connexion tridimensionnelle des
composants par brasage d’alliage"), l’ajout d’argent dans une brasure est très fréquent dans les
applications nous concernant. Il est reconnu que l’ajout d’argent, dans certaines proportions,
en plus d’abaisser le point de fusion (voir figure 1-10), améliore la mouillabilité [80] et les
propriétés mécaniques comme la limite élastique [81] ou la résistance en fatigue [52]. Bien
que l’argent ne forme pas de composé avec le cuivre, il a été démontré que sa présence dans la
brasure modifie la morphologie de la phase η (figure 1-41). Sans toutefois avoir
d’implications sur l’épaisseur globale de la couche interfaciale (voir par exemple [77]), on
observe une réduction de la taille des grains de η avec l’ajout d’argent et ce, quel que soit la

31
vitesse de refroidissement (~100°C.s-1, 1-2°C.S-1, 0.02°C.s-1). Il est suggéré que la teneur en
argent dans la brasure impacte l’énergie d’interface entre η et la brasure, ce qui a des
implications sur le murissement des "scallops" de la phase η [82].

Figure 1-41 : Images MEB de la couche η après un recuit de 5 min à 250°C puis
gravure chimique de la brasure n’ayant pas réagi. Teneurs en Ag: 0% (a, b, c); 1% (d, e, f);
3% (g, h, i). Vitesse de refroidissement: 100°C.s -1 (a, d, g); 1-2°C.s-1 (b, e, h) 0.02°C.s-1 (c, f,
i) [82].
b) Rôle du cuivre
Le cuivre est ajouté à l'étain afin de diminuer la température de fusion mais surtout
pour ralentir la cinétique de dissolution du cuivre solide au sein de l'étain liquide afin
d'obtenir une dissolution aussi homogène que possible. La présence du cuivre en faible
quantité (<1%) n'a pratiquement pas d'influence sur la cinétique de croissance des couches
réactionnelles [83].

5-1-4) Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de croissance des
couches réactionnelles.
L’ajout d’éléments additionnels au couple réactionnel peut potentiellement affecter la
couche interfaciale à trois niveaux. L’ajout d’éléments peut affecter le taux de croissance de la
couche réactionnelle, modifier la morphologie de ses phases, ou contribuer à la formation ou
la suppression d’une ou de plusieurs nouvelles phases. Dans le cas du système Cu-Sn, il ne
semble manifestement pas possible, quelque soit la nature de l’additif, de supprimer la
croissance des phases η et/ou ε [64]. Le système est étudié entre 110°C et 150°C lorsque les
éléments Mg, Cr, Mn, Ni, Ti, Al, Si, Fe, Co, P, Pt, Pd sont ajouté au cuivre à hauteur de 1%.
La première moitié de ces éléments (Mg jusqu’à Ti), entraine une légère réduction du taux de
croissance de la couche interfaciale, mais tend à y générer des fractures. Les autres éléments
(Al jusqu’à Pd), amplifient au contraire, le taux de croissance de η et ε. Un cas particulier
intervient avec l’ajout de Bi dans la brasure pour des températures inférieures à 200°C. Ce
dernier ne réagit pas avec le cuivre, la réaction met donc seulement en jeu Cu et Sn. Ce n'est
que lorsque la concentration en bismuth est très élevée (~60at%) que Cu6Sn5 n’est plus en
équilibre thermodynamique avec la brasure et se transforme en Cu3Sn qui est en équilibre
avec la brasure. La morphologie initiale de Cu6Sn5 est cependant conservée [84]. La réaction
peut se poursuivre jusqu’à la consommation totale de Cu6Sn5 et de Sn dans l'alliage ce qui a
des implications dramatiques sur les propriétés mécaniques du joint de brasure.
Un effet intéressant a été noté avec des brasures SnAg, SnSb, SnPb ou Sn pur lorsque
le substrat de cuivre était dopé en nickel [85]. Dans ce cas, le taux de croissance de la couche
réactionnelle est fonction de la quantité de nickel incorporé dans le cuivre, avec un maximum
pour un taux de nickel voisin de 6-9at% au-delà duquel le taux de croissance retombe. Ce taux
32
de nickel est lui-même fonction de la composition de la brasure et de la température. Cette
différence de taux de croissance serait vraisemblablement liée à une modification de la
composition de l’intermétallique [85, 86]. Dans ce cas, la couche interfaciale ne comporte
qu’une seule phase visible, analysée comme étant un composé ternaire de la forme
(Cu,Ni)6Sn5. Il est donc observé dans ce cas, une suppression complète de Cu3Sn qui semble
n’intervenir que lorsque la teneur en nickel du cuivre solide est supérieure à 6-9at%. La figure
1-42 montre l’interface entre l’étain liquide et un substrat de cuivre dopé au nickel à 15at%
après recuit à 240°C pendant 60min [64].

Figure 1-42 : Produit de la réaction entre substrat Cu-15%Ni et Sn liquide à 240°C pendant
60min [64].

Cette figure montre la présence d'une couche compacte et uniforme de


l'intermétallique (Cu,Ni)6Sn5 (au plus proche du substrat), ainsi qu’une zone bi-phasique
composée de l’étain pur et de l'intermétallique (Cu,Ni)6Sn5 (qui constitue la majeure partie de
l’épaisseur totale de cette zone). Lorsqu’on passe d’un substrat cuivre pur à un substrat dopé
au nickel (et donc d’un composé Cu6Sn5 à un composé (Cu,Ni)6Sn5)), alors deux phénomènes
peuvent être constatés: la cinétique de croissance de (Cu,Ni)6Sn5 est beaucoup plus rapide que
celle de Cu6Sn5 et la taille de grain de la couche réactionnelle est réduite de plus d'un ordre de
grandeur [86]. Cette dernière observation peut expliquer le plus fort taux de croissance
alimentée par une diffusion aux joints de grains rendue alors plus importante. Quoi qu’il en
soit, l’addition du nickel au niveau du composé Cu6Sn5 aurait tendance à le fragiliser [87].
C'est pourquoi l'établissement d'un tel système interfacial n'est que rarement envisagé et
pratiqué dans les applications industrielles.
En conclusion de cette partie, il peut être affirmé qu’aucun additif n’a aujourd’hui été
déterminé pour permettre de réduire de manière significative la croissance des phases η et ε
sans que cela pose de nouvelles problématiques relatives notamment à la fiabilité mécanique
du système. Par contre, il est visible que l’ajout de nickel, même en de faibles proportions
dans le système Cu-Sn, modifie considérablement la morphologie et la cinétique de croissance
de la couche interfaciale. Cette dernière ne présente alors plus qu’une seule phase de
composition (Cu,Ni)6Sn5 et la croissance de Cu3Sn est supprimée.

5-2) Réactivité interfaciale entre un substrat nickel et un alliage base étain


Dans de nombreux travaux, le nickel est utilisé comme couche de barrière à la
diffusion entre le cuivre et l’étain. Ceci s'explique par le fait que la cinétique de réaction
interfaciale entre le nickel et l'étain liquide est beaucoup plus lente que celle intervenant entre
le cuivre et l'étain liquide. C’est pourquoi pour des durées et des températures équivalentes
d'interaction, la couche réactionnelle pour le couple Ni-Sn est plus mince que dans le cas du
couple Cu–Sn. Au cours de ce paragraphe les réactions interfaciales d'abord dans le système
Ni(solide) - Sn(solide) puis dans le système Ni(solide) - Sn(liquide) seront décrites. Ici encore, les études
33
se limiteront au domaine de température propre aux procédés de l'industrie de la
microélectronique.

5-2-1) Système Ni-Sn(solide)


Comme nous le verrons ci-dessous, la cinétique de réactivité interfaciale entre le
nickel et l'étain solide est très lente et de ce fait, le nombre d'études sur le sujet est
relativement limité. Un travail expérimental sur ce sujet a été effectué par J. Haimovich [88]
qui a étudié la cinétique réactionnelle entre des couches de nickel et d'étain (d'épaisseur de
100µm et 200µm respectivement) élaborées par dépôt électrolytique. La température varie
entre 24°C et 225°C et le temps de maintien isotherme jusqu'à deux ans pour 24°C et deux
jours pour 225°C. Dans le domaine de température inférieure à 125°C, la zone réactionnelle
est constituée d'une très fine couche de Ni3Sn4 et de larges plaquettes de la phase métastable
NiSn3 (figure 1-43). D'un point de vue morphologique, la couche est particulièrement plane
du côté nickel et assez irrégulière du côté de l'étain. Dans le domaine de 125°C à 175°C la
proportion de Ni3Sn4 sur l'épaisseur totale de la couche réactionnelle augmente au détriment
de la couche de Ni3Sn qui voit son épaisseur se réduire. Les plaquettes de Ni3Sn se
décomposent en Ni3Sn4 et en étain pur lorsque la température augmente et la vitesse de
décomposition augmente avec la température. Pour une température supérieure à 175°C seule
la phase Ni3Sn4 est observée à l'interface. La croissance de la couche interfaciale suit une loi
parabolique de la forme: e = k. t . La variation de la constante cinétique k avec la température
est visible sur la figure 1-43b. Des résultats similaires sont reportés par Laurila et al [64].

Figure 1-43: Mise en évidence de la couche réactionnelle après une mise en contact
de nickel et d'étain de 16 jours à 75°C (a), 100°C (b), 125°C (c) (grossissement X1000).
Mesure de la croissance de la couche interfaciale entre nickel et étain (courbe pleine rouge)
et entre cuivre et étain (courbe pointillée noire) (d) [88].

5-2-2) Système Ni-Sn(liquide)


a) Introduction
En général dans le système Ni-Sn la phase Ni3Sn4 est la première des phases à se
former à l'interface Ni/Sn. Comme dans le cas du couple Cu-Sn, la première étape est la
dissolution du nickel dans l’étain liquide, jusqu’à saturation du liquide en nickel dans la zone
très proche de l'interface. De même, la dissolution n’est pas nécessairement uniforme le long

34
de l’interface Ni-Sn. La dissolution se poursuit jusqu’à ce que la sursaturation soit
suffisamment importante pour conduire à la germination hétérogène et ensuite à la croissance
de l'intermétallique Ni3Sn4 [79]. En comparant les diagrammes de phases Ni-Sn et Cu-Sn, à la
même température, la limite de solubilité de nickel dans l'étain liquide est beaucoup plus
faible que celle du cuivre, ce qui signifie que le taux de dissolution est plus faible dans le cas
du nickel que dans celui du cuivre. C’est une des raisons pour lesquelles, il est observé à
contrainte thermique équivalente, un taux de croissance d'intermétallique moins important
dans le cas du nickel. Comme dans le cas du couple Ni-Sn(solide), l'interaction entre nickel et
étain liquide conduit toujours à la croissance de Ni3Sn4 et les deux autres phases
thermodynamiquement stables Ni3Sn et Ni3Sn2 ne croissent pas à l'interface Ni/Sn(liquide).

b) Morphologie et cinétique de croissance de la phase Ni3Sn4 à l'interface Ni/Sn(liquide)


S. Bader et al [79] ont étudié la réactivité entre films minces micrométriques de nickel
et d'étain dans une gamme de températures allant de 240°C à 400°C. Plusieurs morphologies
de croissance du Ni3Sn4 ont été distinguées selon la durée du maintien isotherme. Après un
maintien de 7sec à 240°C, la couche présente une large densité d’aiguilles longues de 1 à 4µm
dont la densité et l’épaisseur atteignent un maximum après 2min de maintien pour ensuite voir
leur quantité et leur taille décroitre. Au bout d’un maintien de 30 sec, la couche commence à
présenter de plus larges cristaux qui vont peu à peu se substituer aux croissances sous forme
d’aiguilles. La faible épaisseur du film d'étain (~10µm), couplée à la morphologie très
irrégulière de la couche réactionnelle, n'a pas permis aux auteurs de déterminer la cinétique de
croissance de Ni3Sn4 dans cette configuration.
D. Gur et al [89] ont étudié la croissance de l'intermétallique Ni3Sn4 au sein
d'empilements successifs de nickel et d'étain de plusieurs dimensions (150µm Ni / 100µm Sn;
150µm Ni / 10µm Sn; 6µm Ni /10µm Sn). La gamme de températures investiguée va ici de
235°C à 600°C et les durées de maintien thermique sont comprises entre 5 minutes et une
heure. Une des observations (figure 1-44) met en évidence une interface Ni3Sn4-Sn très
irrégulière et fragmentée. Les auteurs reportent que la cinétique de croissance de la couche de
Ni3Sn4 suit une loi parabolique pour des temps de réaction inférieurs à environ 10min.
L’énergie d’activation du processus de croissance est également déterminée et vaut ici
27.6±1.7kJ/mol ce qui correspond à l’énergie de diffusion du nickel dans l’étain liquide [85].
Il est conclu dans cette étude que la cinétique de croissance de Ni3Sn4 est contrôlée par la
diffusion du nickel au travers de canaux liquides séparant les grains de Ni3Sn4.

Figure 1-44 : Observation MEB d’un échantillon Sn – Ni après un recuit de 10 min à


400°C [89].

Pour des temps de réaction beaucoup plus élevés, il a pu être mis en évidence que la
cinétique de croissance est ralentie significativement. L'explication d'un tel phénomène de
changement de régime de croissance a été apportée par une étude récente de J. Görlich et al
[90]. Ces derniers ont étudié la cinétique réactionnelle à l'interface Ni/Sn(liquide) en déposant

35
des billes d'étain sur un substrat de nickel. L'ensemble est ensuite porté à la température de
250°C et maintenu pendant des durées variant entre 30 secondes et 7 jours. L'évolution de
l'épaisseur du produit réactionnel est visible en figure 1-45.

Figure 1-45: Clichés MEB de l'interface Ni/Sn après une mise en contact à 250°C de
30 secondes (a), 16 minutes (b), 2 jours (c), 7 jours (d) [90].

Les épaisseurs moyennes de la couche réactionnelle sont également mesurées pour


plusieurs durées de maintien thermique et ainsi, la cinétique de croissance est extraite. Deux
régimes sont distingués selon les durées de maintien thermique considérées, bien qu'une
relation linéaire lie le carré de l'épaisseur intermétallique moyenne à la durée de maintien dans
ces deux cas (figure 1-46). Un coefficient de croissance k = 4,8±0,3 µm²/min est obtenu pour
des temps de maintien de 0min à 30min et k = 12,5±0,5 µm²/min si une plage de durée de
maintien allant de 0min à 3000min est cette fois considérée. Pour des temps de réaction très
élevés la couche évolue vers une structure en éponge (pénétration du liquide aux joints de
grains de Ni3Sn4 [90]).

Figure 1-46: Relation entre le carré de l'épaisseur de la couche réactionnelle de Ni3Sn4 et la


durée du maintien thermique après mise en contact de Ni avec Sn liquide à 250°C [90].

c) Conclusion
Pour conclure, Ni3Sn4 est donc la première et unique phase à se former dans le système
Ni-Sn(liquide) au domaine de température qui nous intéresse. La première étape est la
dissolution du nickel et sa diffusion dans l'étain jusqu’à obtention d’une sursaturation locale
de cet élément dans Sn. Lorsque la réaction chimique s’amorce pour former Ni3Sn4, la
dissolution du nickel est largement interrompue, du fait de la disparition progressive de zone
de contact entre Ni et Sn (liquide). La solubilité métastable et donc, le taux de dissolution de Ni
dans Sn est plus faible que celui de Cu et cela se traduit sur l’épaisseur intermétallique
moindre, en particulier la zone bi-phasique (Ni3Sn4 + Sn). Lorsque Ni3Sn4 forme une couche

36
continue ayant totalement comblé l’interface Ni/Sn, sa croissance se poursuit par diffusion au
travers de la couche interfaciale. Pour des temps de réaction plus élevés, la couche évolue vers
une structure en éponge (pénétration du liquide aux joints de grains de Ni3Sn4).

5-2-3) Influence de l'ajout d'autres éléments dans la brasure sur la cinétique de croissance des
couches réactionnelles.
Dans cette partie on se concentrera sur l’impact de l’addition de cuivre dans le système
Ni-Sn(liquide). (Un autre système fréquemment étudié met en jeu le nickel dopé au phosphore
avec l’étain, mais ne sera pas considéré ici). On considérera les réactions interfaciales du
système Ni/SnAgCu(liquide) comme indépendantes de l’addition d’argent dans l'alliage; d’une
part parce que l'argent ne forme aucun composé stable avec le nickel et d’autre part parce
qu’en l’état des connaissances actuelles, aucun effet d’interface n’a été répertorié comme cela
avait été le cas dans le système Cu(solide) - alliage base Sn(liquide) [82].
L'effet de l'addition du cuivre dans l'étain liquide sur la réactivité interfaciale de
l'alliage liquide SnCu avec Ni solide est très différent de l'effet de l'addition de Ni au substrat
de Cu en solution solide sur la réactivité de ce solide avec l'étain liquide. Il a été démontré
clairement que de très faibles ajouts de Cu à l'étain liquide peuvent changer complètement le
chemin de diffusion dans le couple Ni(solide) - SnCu(liquide). En effet, il a été observé, dans le cas
d’une brasure SnCu, que pour une teneur ≤ 0.2mass% Cu le produit de la réaction interfaciale
est (Ni,Cu)3Sn4, alors qu’à partir de teneurs plus importantes (0.7% à 1%Cu), le composé
(Cu,Ni)6Sn5 se forme à l'interface [91]. Lorsque la teneur en cuivre est comprise entre
0,2mass% Cu et 0,6mass% Cu, alors la couche réactionnelle est composée de deux phases:
(Ni,Cu)3Sn4 et (Cu,Ni)6Sn5. Ce changement drastique de chemin de diffusion et donc de
composition et surtout de la morphologie du système interfacial peut être expliqué à l'aide du
diagramme d'équilibre de phases du système ternaire Cu-Sn-Ni (figure 1-47).

Figure 1-47 : Représentation schématique d'une section du système ternaire Sn-Ag-Cu


à 235°C (a), zoom sur la partie riche en étain (b) [22].
Sur la figure 1-47b, la ligne en pointillé lie les deux compositions initiales d'un couple
de diffusion Ni-SnCu(liquide) c'est-à-dire la concentration nominale de la brasure avec celle du
nickel pur. Si la teneur en cuivre dans l'alliage SnCu est suffisamment faible pour que la ligne
en pointillé ne coupe pas la ligne de liquidus du Cu6Sn5 (à gauche du point c sur la figure 1-
47b), alors Ni3Sn4 ou bien (Ni,Cu)3Sn4 sera l’intermétallique formé. Si elle se trouve très à
droite du point c seule la phase (Cu, Ni)6Sn5 se formera. Pour une teneur intermédiaire en Cu,
les deux phases (Ni,Cu)3Sn4 et (Cu,Ni)6Sn5 se formeront à l'interface.

37
6) Etude de la métallurgie transposée au système joint de brasure

Fort de toutes les informations collectées au paragraphe précédent, il est légitime de


s'interroger sur ce qui peut différer, d’un point de vue physico-chimique, lorsque le système
est embarqué dans une structure comme le solder bump ou le micro-bump. Plusieurs facteurs
sont susceptibles de conduire à des résultats différents dès lors qu'une étude en laboratoire
d'un système Cu-Sn ou Ni-Sn est comparée avec celle, plus empirique, d’un micro-bump. En
effet, deux principaux facteurs peuvent être cités:
• La dimension du système.
• La nature des traitements thermiques subis par le système.

6-1) La dimension du système


La grande majorité des travaux cités jusqu’ici se focalisent sur des systèmes
millimétriques alors que dans les applications industrielles, les systèmes d’interconnexion que
l’on étudiera sont rarement d’une dimension supérieure à la centaine de microns. Lorsque la
dimension du système est de l'ordre de quelques dizaines de microns, alors plusieurs
spécificités apparaissent par rapport aux systèmes de taille de quelques centaines de microns
voire millimétrique.
a) La composition globale de l'alliage obtenu par dépôt électrochimique, de couches
successives d'éléments purs (comme par exemple Au + Sn) ou par dépôt électrochimique
simultané de différents éléments (comme par exemple pour un alliage SnAgCu) peut être
différente de la composition visée.
b) La dimension du système peut avoir une influence sur la microstructure de l'alliage
de brasure. En effet, comme mentionné au paragraphe 3-2-2, la solidification de bille d'alliage
SnAgCu est précédée d'une surfusion très élevée qui augmente lorsque le diamètre de ces
billes diminue. Ce phénomène a un impact majeur sur la microstructure de l'alliage. Notons
que cet effet est abondamment étudié pour des billes d'alliage de diamètre supérieur à 100µm.
En revanche il est moins largement décrit dans le cas de configuration BGA ou bien de
brasage [43, 92]. La récente étude de Z. M. Bo et al [92] montre que même en configuration
BGA, la dimension du système a une influence sur la surfusion. En effet le degré de surfusion
s'accroit lorsque la dimension du système est réduite, et ce, aussi bien pour des billes d'alliage
que pour des joints de brasure (figure Annexe A2). De ce fait, comme expliqué dans le
paragraphe 3, la dimension du système exerce une influence sur la microstructure de l'alliage
en impactant directement le degré de surfusion.
L'épaisseur de la couche réactionnelle à l'interface Cu/alliage base étain peut atteindre
des dimensions (de l'ordre de quelques microns) qui sont du même ordre de grandeur que
l'épaisseur du joint (figure 1-48).

Figure 1-48 : Observation MEB en coupe transversale de micro-bumps avec substrat


cuivre (a) [93]; (b) [94].
De ce fait la quantité relative de l'élément réactif de la brasure qui participe à la
réaction interfaciale est beaucoup plus élevée dans le cas de petits systèmes. Lorsque
l'élément réactif est l'élément base (ou élément matrice) de l'alliage, comme c'est le cas des
alliages de brasure base étain, cela n'a pas d’impact majeur sur l'évolution de la composition

38
moyenne de l'alliage lors de la réactivité interfaciale. En revanche, lorsque l'élément réactif
est très dilué dans l'alliage de brasure, sa consommation lors de la réaction interfaciale peut
conduire à des variations drastiques de sa composition dans l'alliage de brasure qui, à leur
tour, peuvent conduire à d'importants changements de type de produit de réaction et de la
morphologie associée. C'est le cas par exemple, lors de la réactivité interfaciale entre un
substrat de nickel et des alliages Sn-Cu ou Sn-Cu-Ni base étain où l'élément réactif avec Ni
n'est pas seulement Sn mais aussi Cu qui est en faible concentration dans l'alliage (voir
paragraphe 5-2-3).
Il doit être cependant noté que même dans le cas de réactivité entre alliages base étain
(SnCu ou SnAgCu) et un substrat de nickel, les dimensions du système peuvent avoir une
influence sur la réactivité interfaciale. Cet effet a été observé par Y. S. Park et al [95] lors
d'une étude de la réactivité interfaciale entre un substrat de cuivre et des billes d'alliage SAC
105 (Sn-1,0%Ag-0,5%Cu) de diamètre 200µm, 300µm et 400µm, lors de reflow avec
maintien isotherme de 1min, 2min et 3min à 250°C. La figure 1-49 montre l'évolution de
l'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle avec le temps de maintien isotherme. Une
différence significative d'épaisseur du produit de réaction pour des billes de différents
diamètres est notable. Cette différence devient plus faible lorsque la température de maintien
augmente. Ceci est expliqué par le fait que lors de la mise en contact du cuivre avec l'alliage
liquide SnAgCu, la dissolution du cuivre, qui impose une concentration de cuivre à l'interface
égale à la limite de saturation, conduit à des profils de diffusion du cuivre dans l'alliage qui
dépendent du diamètre de la bille. De ce fait la zone où la germination (puis la croissance de
la couche réactionnelle) a lieu, est plus large lorsque le diamètre de la bille est réduit. Pour des
durées réactionnelles plus élevées, l'alliage devient presque saturé en cuivre (la limite de
saturation est légèrement supérieure à 1% pour 250°C) et de ce fait la taille du système ne
joue pratiquement plus de rôle sur la réactivité interfaciale. L'effet s'estompe donc avec la
durée du maintien thermique.

Figure 1-49 : Epaisseur moyenne de Cu6Sn5 formé entre un alliage SAC 105 (Sn-
1,0%Ag-0,5%Cu et le plot de cuivre à T = 250°C en fonction du temps pour 3 solder bumps
de diamètre différent [95] .
Enfin, le fait que la dimension du système ait un impact sur le degré de surfusion de
l'alliage de brasure conduit à des variations de la durée de maintien à l'état liquide; c'est-à-dire
une variation de la durée entre la température de fusion et celle de germination intervenant
pendant le refroidissement (∆tg). De ce fait, si le mécanisme de la réactivité interfaciale est
concerné par le transport des espèces réactives au travers de canaux liquides nanométriques
contenus dans la couche réactionnelle, alors la réactivité interfaciale dépendra aussi de cette
durée (∆tg) et donc, de la dimension du système.

39
6-2) La nature des traitements thermiques subis par le système
Lorsqu’on considère un système métallurgique comme le solder bump ou le micro-
bump, ce dernier n’a pas vocation à recevoir des recuits de plusieurs heures comme c’est
fréquemment le cas dans les études de cinétiques de croissances [66, 78, 96]. Dans le cadre du
montage d’un système électronique répondant à une stratégie d’intégration 3D, le système est
destiné à subir quelques reflows assez brefs (comprenant la fusion puis la solidification de
l'alliage) comme on le verra dans le chapitre suivant. Cette succession de reflows brefs n’est
pas rigoureusement équivalent à un seul long maintien à l'état liquide suivi de la solidification
et peut avoir de grosses implications sur la morphologie de croissance de la couche
interfaciale. Ainsi par exemple, l'étude de W. K. Choi et al [97] montre de façon claire
l'implication de tels traitements sur la morphologie du produit interfacial. L’étude se base sur
des joints de brasure type solder bump comprenant des alliages SnAg d'épaisseur 100µm et de
diamètre 2mm sur des substrats de cuivre. Ces échantillons sont observés après un recuit à
250°C de durée variable (30s, 60s, 90s, 120s, 10min, 1h et 10h). Il est constaté que la
croissance intermétallique suit une évolution morphologique, passant d’une croissance
colonnaire (de 30s à 120s) vers une croissance en aspérités du type "scallops" en anglais
(10min, 10h), come vu sur la figure 1-38.
Les mêmes échantillons (de 30sec à 10h) sont ensuite vieillis à 130°C pendant des
durées variables (100h, 400h, 800h). Différents comportements de croissance sont observés
selon la morphologie originelle de la couche réactionnelle. Les échantillons ayant subi un
premier recuit court à 250°C (<120s) évoluent progressivement vers une morphologie
d’interface plane à partir d’une morphologie colonnaire (figure 1-50a), alors que ceux ayant
une morphologie en aspérités type "scallops" la conservent (figure 1-50b). Dans tous les cas,
une réduction de la surface entre la brasure et l'intermétallique est constatée, soit par un
mécanisme de "murissement" (regroupement des scallops) soit par nivellement de la structure
colonnaire.

Figure 1-50 : Diagramme schématique de deux mécanismes de croissance


d'intermétallique entre cuivre et étain à 130°C. Echantillons initialement recuits à 250°C à
des durées inférieures à 120s (a), échantillons recuits à 250°C à des durées supérieures à
10min (b) [97].
Cette étude met en avant l’idée que les conditions du premier recuit, en configurant
une morphologie bien spécifique de la couche interfaciale, affectent de manière significative
l’évolution métallurgique du système interfacial. D’autres études rapportent cet état de fait en
ajoutant que l’évolution métallurgique du joint de brasure aura ensuite un impact sur sa
fiabilité [98, 99].

40
7) Fiabilité mécanique de joints de brasure avec UBM (Under Bumps Metallization) par
tests de cisaillement (shear test).

7-1) Introduction
Lorsqu’un système électronique est en fonctionnement, un effet Joule s’y produit avec
des effets néfastes à long terme. Les joints de brasure n’échappent pas à cette règle. L’effet
dépend de la densité de courant et a pu être mesuré [100]. Lorsque le système passe de la mise
en fonctionnement à l’arrêt, il peut ainsi être sujet à une forme de cyclage thermique. Or, pour
ce qui est d'assemblage (packaging) par flip-chip dans lesquels des billes de brasure (solder
balls) relient fréquemment une puce silicium avec un substrat polymère, la différence de
coefficient de dilation thermique entre des deux matériaux induit une contrainte en
cisaillement cyclique. (Figure 1-51).
L’impact de ces contraintes peut être simulé par des cyclages thermiques. Ce type de
test de fiabilité est devenu incontournable en microélectronique et répond à différentes
normes JEDEC associées. Lors de tels tests appliqués à un système d’interconnexion, il a été
noté des ruptures aux interfaces dont la propagation serait fortement favorisée par l’existence
des trous Kirkendall décrits au paragraphe 4-1-1. Dans l’exemple montré sur la figure 1-52,
l'apparition de ces trous est clairement démontrée à la suite de cycles entre -40°C et 125°C
avec une heure de maintien [101].

Figure 1-51: Billes de brasure subissant une contrainte en cisaillement liée à la différence de
coefficient de dilation thermique (α) entre la puce silicium (α1), la brasure (α2) et le substrat
(α3) [98].

Figure 1-52: Observation MEB de l’évolution de l’interface Cu - SAC au cours de cycles


thermiques. Après reflow (a), après 500 cycles (b), après 1000 cycles (c) [101].
Il est fréquemment évoqué le fait que la couche intermétallique est essentielle pour la
bonne adhésion entre l’UBM et le bump [102] mais qu’une épaisseur "excessive" des
intermétalliques, conduit à un affaiblissement du joint [103-104]. Par ailleurs, le nombre de
grains dans la couche d'intermétallique étant plus faible pour les joints de brasure les plus
petits, l’anisotropie mécanique est également plus importante pour ce type de joint [105].
41
Avec la croissance des grains et d’IMC, une réduction de la résistance au cisaillement est
observée systématiquement [106-107]. Ce type de défaillance est critique d’un point de vue
de la tenue mécanique ainsi que de la performance électrique. Dans ce paragraphe, on
s’attachera tout particulièrement à l’implication de ces phénomènes sur la tenue mécanique du
système.
L’absence de spécification dans les vitesses de cisaillement rend difficile l’évaluation
fiable des propriétés de cisaillement des joints de brasure [108]. Dans le but de prédire la
fiabilité de ces joints dans des conditions se rapprochant de celle d’une chute, ou du drop test
il est recommandé d’utiliser des tests à hautes vitesses qu’il s’agisse de cisaillement ou de
traction [109-113]. Les vitesses inférieures à 5mm.s-1, sont bien inférieures aux vitesses
d’impacts appliquées aux joints de brasure lors de drop tests qui sont de l'ordre de 1m.s-1
[114-117].

7-2) Types de tests mécaniques


Un des axes majeurs d’optimisation des systèmes de l’électronique grand public est
effectivement la fiabilité, c’est-à-dire l’aptitude du dispositif à accomplir une fonction requise
dans des conditions données pour une période de temps donnée [118]. Dans ce cadre, la
fiabilité face aux chocs fait partie des soucis prédominants. C’est pourquoi le "drop test" est
habituellement le test de fiabilité incontournable que le système électronique doit subir avec
succès pour pouvoir être mis sur le marché. En effet, la chute ou le choc mécanique est l’une
des sources de défaillance les plus communes du système électronique grand public [119]. Le
drop test tel qu’il est communément réalisé par les industriels en microélectronique obéit
maintenant à une norme JEDEC précise [120]. Cependant le test est évidemment très
qualitatif et ne donne généralement pas lieu au diagnostic ou à de l’analyse de défaillance.
Afin d’évaluer la fiabilité mécanique d’un système empilé, on peut avoir recours à différents
test dont les plus fréquents sont le test en cisaillement (shear-test) ou bien le test en traction
(pull-test). La suite de l'étude sera consacrée aux tests en cisaillements uniquement.

7-3) Test en cisaillement


Le test en cisaillement peut être utilisé à l’échelle de la puce (die-shear) comme décrit
en figure 1-53a. La rupture se produisant au sein des interconnexions à partir d’une certaine
valeur de force dont il est possible d’acquérir le profil de la contrainte en fonction de la
déformation. Ce test peut également être réalisé de manière encore plus locale, directement
sur une bille brasée (solder bump ou micro-bump) comme illustré en figure 1-53b. Lors de ce
type de test, les paramètres d’entrée sont: la hauteur de cisaillement et la vitesse de
cisaillement.

Figure 1-53 : Schéma de principe du test de cisaillement réalisé sur un package de puce
empilée (a), schéma de principe du test de cisaillement réalisé sur un solder bump (b).

Il y a relativement peu d'études sur l'influence de la hauteur de cisaillement; par contre


beaucoup d'études sont centrés sur l'influence de la vitesse de cisaillement sur le type de

42
rupture d'une interface de joint de brasure. F. Song et al [108] ont étudié l'influence de la
vitesse de cisaillement (variant de 10mm.s-1 à 3000 mm.s-1) sur le mécanisme de rupture de
bumps (SAC 405) type BGA de 760µm. La figure 1-54 présente deux profils type de force en
fonction du déplacement pour la même vitesse de cisaillement (500mm.s-1). Dans les deux
cas, la force de cisaillement passe par un maximum appelé force maximale de cisaillement à
partir de laquelle la résistance au cisaillement peut être déduite. L'intégrale de la courbe force-
déplacement donne l'énergie totale de rupture (ou de fracture).
La valeur de la force maximale ne varie que de 20% entre les deux profils, alors que
l’énergie de fracture diffère d'un facteur supérieur à 4. La courbe bleue correspond à un
cisaillement dit ductile tandis que la courbe rouge représente un cisaillement dit fragile. Cette
différence de profil de force-déplacement permet de distinguer deux modes de ruptures fragile
et ductile [121] et impacte directement le faciès de rupture après cisaillement (voir figure
1-54b et 1-54c). D'une façon plus générale, il est possible de différencier 3 types de modes de
ruptures (ou de fractures) [117]:
- Fracture se produisant dans la brasure menant à une énergie de rupture élevée. Il s’agit d’une
rupture ductile.
- Fracture se produisant en partie au travers de la couche intermétallique et en partie dans la
brasure. Il s'agit alors d'une rupture mixte.
- Fracture se produisant exclusivement dans la couche intermétallique qui est de caractère
fragile conduisant alors à une faible énergie de rupture.

Figure 1-54 : Profil de force de cisaillement en fonction du déplacement effectué sur deux
bumps type BGA(a). Rupture ductile (courbe bleue), micrographie du faciès de rupture
ductile (b), rupture fragile (courbe rouge) micrographie du faciès de rupture fragile (c)[108].
Dans la littérature il a été clairement démontré que la vitesse de cisaillement a un effet
sur le mode de rupture, l'énergie de rupture et sur la résistance mécanique des joints brasés:
a) Les modes de ruptures sont généralement ductiles à faible vitesse et deviennent de
plus en plus fragiles à haute vitesse [102, 111, 119]. La proportion de la surface de rupture
fragile par rapport à la surface ductile du faciès de rupture augmente lorsque la vitesse de
cisaillement croit. Noter que ces observations se confirment quel que soit le test de résistance
mécanique (shear-test, pull test, ou bien test avec jet d’eau) [104] et quelle que soit la nature
de la chimie de brasure (SnPb ou SAC) [108].
b) Une augmentation de la vitesse de cisaillement conduit à un accroissement de la
résistance au cisaillement [102, 108]. Dans l'étude de J. Y. H. Chia [111], il a été démontré,
par le biais de tests en cisaillement réalisés sur des bumps type BGA d'alliage SAC 405 (Sn-
4,0%Ag-0,5%Cu) et SnPb eutectique (Sn-37%Pb) d'environ 350µm de diamètre, une relation
linéaire entre la force de rupture et le logarithme de la vitesse de cisaillement.
c) Alors que la résistance au cisaillement croit avec la vitesse de cisaillement, l’énergie
totale de rupture décroit d'après l'étude de K. Sweatman [117] réalisée sur des bumps type
BGA de 500µm de diamètre. La même tendance se manifeste pour les trois types de brasures
investiguées: Sn-37%Pb, Sn-0.7%Cu-0.05%Ni-0.006%Ge, et Sn-3.0%Ag-0.5%Cu. L'énergie

43
de rupture diminue d'un facteur 2 à 4 lorsque la vitesse de cisaillement augmente de 10 mm.s-1
à 2000mm.s-1 [117]. Il doit être noté que cette réduction de l'énergie de rupture avec
l'augmentation de la vitesse de cisaillement remarquée par K. Sweatman et al [117] coïncide
avec le fait que la tendance fragile du profil de rupture est favorisée à vitesse élevée. En effet,
comme reporté également par F. Song et al, [108] les courbes de force en fonction du
déplacement présentent, dans le cas d'une rupture fragile, une chute très abrupte
(caractéristique de la rupture fragile) aux environs de la limite d’élasticité (comme c'est le cas
en figure 1-54). La rupture se produit en fait avant même que la pointe ait effectué sa
trajectoire complète. C’est la raison pour laquelle l’accroissement de la vitesse de cisaillement
conduit à une diminution du déplacement avant rupture comme l'ont remarqué J. M. Koo & al
[102].
7-4) Influence de la chimie de brasure et des traitement thermiques
De nombreuses études de la littérature ont comparé le comportement en cisaillement
de différents joints de brasure en utilisant différents types d'alliages de brasure (SnAg, SnPb,
SnCuNiGe) mais aussi différents types de substrats ou de métallisations (Cu, Ni-Au, Cu-Ni-
Au). Les résultats de ces études ne seront pas développés ici, pour plus d'informations, se
reporter directement aux références [104, 112, 123]. Notons enfin que de nombreuses études
sur le rôle du vieillissement sur le comportement mécanique des joints brasés ont été reportées
dans la littérature.
Le vieillissement est simulé par des stockages ou cyclages thermiques pendant des
temps généralement de l’ordre de la dizaine ou centaine d’heures [104]. Beaucoup de
publications traitent de la fatigue thermique et du vieillissement [22, 104]. Bien que la couche
intermétallique assure l’adhésion, avec le temps de maintien thermique et les modifications
microstructurales induites, le joint devient fragile et la force d’adhésion se réduit [112]. Sans
entrer dans les détails de ces travaux, il semble que la résistance au cisaillement peut
effectivement ne varier que très peu au cours du vieillissement thermique dans la mesure où la
microstructure reste quasiment inchangée [104, 105, 118]. C’est ce qui a été observé par Y.
Tian et al [105] qui ont réalisé des essais sur des joints de brasure (SAC 305) recuits plusieurs
fois ou ayant subi des vieillissements thermiques (stockage à 150°C durant 4, 36 et 64 jours).
Au bout de 64 jours, le vieillissement et les modifications microstructurales induites sont
assez significatives pour affaiblir mécaniquement le joint en augmentant la proportion fragile
du faciès de rupture. Cette dégradation de la résistance est ici attribuée à deux causes [105]:
(i) L’effet de coalescence des particules de Cu6Sn5 ainsi que de celles d’Ag3Sn.
(ii) La planarisation progressive des couches interfaciales intermétalliques au cours du
vieillissement thermique.
Sur la première de ces causes, les particules d’Ag3Sn et de Cu6Sn5 de petite taille
peuvent entraver la propagation de cracks et favoriser ainsi les déformations de type ductile,
mais après la coalescence, ces grosses particules deviennent au contraire des sites privilégiés
pour l’amorce à la rupture.
Sur la seconde cause, la planarisation de la couche intermétallique au cours du
traitement thermique reportée par Y. Tian et al [105] conduit à l’absence d’une certaine
"rugosité" de l’interface d’adhésion entre l’intermétallique et la brasure réduisant ainsi l'aire
de cette interface et en conséquence l’énergie d’adhésion. Cet effet de planarisation après
vieillissement thermique est également invoqué dans l’étude de D. M. Williamson et al [104]
sur des joints Sn37Pb/Au-Ni.

7-5) Conclusion
Le test en cisaillement peut être utilisé comme biais d'évaluation de la fiabilité
mécanique du système d'interconnexion. Le profil de la courbe de force appliquée en fonction
du déplacement permet de déduire le type de régime de rupture (fragile, ductile ou mixte), la

44
force maximale au cisaillement (pic de cette courbe) ainsi que l'énergie totale de rupture
(intégrale de la courbe). Ces données de sortie sont dépendantes de paramètres intrinsèques au
système comme la chimie de brasure et sa microstructure ainsi que la morphologie, la
composition, la microstructure et l'épaisseur des couches interfaciales. Ces paramètres
peuvent évoluer de façon significative avec le traitement thermique du système. Ces données
de sortie sont également très dépendantes de la vitesse de cisaillement, puisque la résistance
au cisaillement évolue linéairement avec le logarithme de la vitesse de cisaillement.

8) Conclusion

Au cours de ce chapitre il a été mis en évidence la fonction clef de la technologie de


mise en connexion par brasage aujourd'hui largement adaptée selon la méthode du flip-chip.
L'accès à des nœuds technologiques plus avancés a imposé une réduction de la dimension des
systèmes d'interconnexion dont la géométrie a évolué d'un assemblage de solder bump vers
celui de micro-bump. Cette évolution est également marquée par une directive
environnementale bannissant les brasures à base de plomb comme SnPb, ce qui oriente de
nombreux travaux vers le développement des brasures SnAgCu. Les propriétés
microstructurales de ces brasures de composition proche de celle de l'eutectique ternaire du
système Sn-Ag-Cu, lors du reflow, sont très dépendantes du degré de surfusion atteint par le
système, lui-même fonction de plusieurs paramètres comme la vitesse de refroidissement, la
dimension ou la composition. Les études les plus marquantes sur le système interfacial entre
le substrat du micro-bump et le joint d'alliage, ont été discutées que ce soit dans le cas où
l'alliage est à l'état liquide ou solide et dans le cas où le substrat est en cuivre ou bien en
nickel. Dans le cas du substrat cuivre, le système interfacial comporte deux phases (η-Cu6Sn5,
la première à se former et ε-Cu3Sn). Ces composés intermétalliques croissent avec une
cinétique obéissant à une loi de la forme : e=k.tn, (ou e est l'épaisseur moyenne de la couche,
et avec n ≈ 0,5). De nombreuses mesures permettent d'en déduire que les énergies d'activation
de la croissance de ces phases sont de l'ordre Qε ≈ 50 kJ.mole-1 et Qη ≈ 15 kJ.mole-1. Dans le
cas du substrat nickel un seul composé intermétallique se forme (Ni3Sn4) d'énergie
d'activation de croissance égale à Qε ≈ 27 kJ.mole-1. Enfin, les systèmes d'interconnexion
peuvent être testés mécaniquement par test en cisaillement dont le profil de force appliquée en
fonction du déplacement renseigne sur le mode de rupture et potentiellement, sur la qualité
adhésive d'une interface.
L'étude bibliographique réalisée au cours de ce chapitre démontre les aspects physico-
chimiques relativement complexes dont le système est le siège. Il apparait ainsi que l'enjeu
premier de l'objet d'étude réside majoritairement dans sa faible dimension. En effet, d'une part
les composés intermétalliques et les trous Kirkendall vont occuper une place dominante
lorsque la dimension du système sera réduite du fait de l'augmentation du rapport surface
réactive sur volume total du système. D'autre part, certains travaux mentionnent une
amplification du volume occupé par la couche réactionnelle lorsque la dimension du système
est réduite. Ensuite, cette réduction de la taille du système pose la question de l'éventuel
caractère limitant du volume de brasure d'un point de vue de l'avancement réactionnel. En
effet, plusieurs étapes de recuit sont à prévoir au cours du procédé du montage complet, or si
l'alliage de brasure s'avérait être un réactif limitant avant même l'élaboration du produit, de
nouvelles problématiques sont à prévoir (relatives à la fiabilité ou bien à la conception).
Enfin, ces formations interfaciales, notamment les trous Kirkendall, seraient source d'une
dégradation importante lors d'une utilisation prolongée, comme cela est visible lors de tests de
vieillissement simulé.

45
Tous ces constats rendent nécessaire la caractérisation fine de notre objet d'étude qui
s'avère être, comme cela sera décrit au chapitre suivant, de dimension inférieure à tout ce qui
a été présenté jusqu'ici.

46
Chapitre 2: Véhicule tests, intégration et moyens de
caractérisations

47
1) Introduction

L’ensemble des données collectées en chapitre 1 font état du comportement


métallurgique des systèmes Cu-Sn et Ni-Sn. La dénomination métallurgie renvoie à la fois à
la réactivité du système interfacial entre les deux métaux (c'est-à-dire la germination de
composés intermétalliques et la cinétique de croissance de ces composés), à l'analyse
microstructurale (morphologie des phases, orientation cristalline et dimensions), ainsi qu’à
certaines des propriétés mécaniques du système (résistance au cisaillement). L’essentiel des
informations rassemblées sont tirées de travaux portant sur des systèmes macroscopiques
[78, 90] ou bien sur des systèmes comme les billes d'alliages [50] ou sur des solder bumps
[24, 43]. Or cette étude comporte une contrainte dimensionnelle puisqu’elle se focalise sur la
connexion inter-puce utilisant les micro-bumps dont la dimension est voisine de 20µm. La
transposition du système d’étude vers des dimensions plus petites implique une augmentation
du ratio surface réactive (c'est-à-dire l'interface substrat/alliage) sur volume d'alliage. Par
conséquent la réactivité interfaciale dont l'interface Cu/SAC des micro-bumps est le siège,
peut potentiellement atteindre un stade critique [101] qui l'est d'autant plus dans les systèmes
les plus petits. Enfin, la poursuite de la réduction des dimensions pourrait, à terme, poser la
question de la consommation complète d’un des réactifs : la brasure SAC ou bien l’UBM
(cuivre ou nickel).
Pour répondre à cette problématique, il est nécessaire d'utiliser un véhicule de tests
technologiques permettant l’élaboration de micro-bumps dans des conditions analogues à
celles d’un véritable produit microélectronique. En second lieu, un procédé d’élaboration
fonctionnel et reproductible du micro-bump sera présenté. Un procédé d'interconnexion des
puces sera ensuite identifié, à la suite de quoi, la méthodologie employée et les outils
expérimentaux pour la caractérisation seront décrits dans une dernière partie.

2) Véhicules test support de l'étude

2-1) Le véhicule test DIV1


Le véhicule test support de l’étude, nommé DIV1, a été dessiné dans le but de réaliser
un prototype intégrant les spécifications de l’intégration 3D. L’objectif a également été de
fournir un support de stabilisation technologique permettant de réaliser les différentes étapes
du procédé d’élaboration avec un rendement toujours meilleur. Ainsi, les rendements, en
terme d'alignement, de dimension et de conformité des motifs élaborés, ou bien d'adhésion
mécanique des couches déposées, qui sont associés aux différentes étapes de procédés étaient
inférieurs à 30% lors de leurs mises en place en 2010, alors qu’ils sont supérieurs à 90%
aujourd’hui. Le véhicule test DIV1 permet la réalisation d’un empilement technologique de
deux puces en silicium (figure 2-1a). Il comprend toutes les structures spécifiques de
l'intégration 3D (TSV, RDL, interconnexion face arrière,...etc.), ainsi que plusieurs types de
motifs de tests (tests radiofréquences, tests paramétriques, tests d’électromigrations). Ces
structures sont intégrées sur différents niveaux comme représentés en figure 2-1b.
Le procédé d'élaboration spécifique à chacun des niveaux décrits (figure 2-1b) a fait
l'objet d'un réajustement de sa recette afin d'acquérir les paramètres géométriques (alignement
conformité, dimension) souhaités et ce, de manière reproductible. Ces différents niveaux
peuvent être visualisés sur un logiciel dédié à la conception d’architecture électronique. Sur la
figure 2-2a sont représentés l’ensemble des niveaux du véhicule test DIV1 en vue du dessus
pour une puce. En figure 2-2b apparait seulement le niveau correspondant au micro-bump,
alors qu’en figure 2-2c figure le niveau correspondant aux connexions face arrière ou bumps

48
face arrière. La visualisation de ces deux niveaux, ici à la même échelle, permet de constater
la différence des dimensions des puces supérieure et inférieures.

Figure 2-1: Empilement technologique caractéristique de l'intégration 3D (a), coupe


technologique du véhicule test DIV1(b).

Figure 2-2: Visualisation en vue du dessus de tous les niveaux (a), du niveau micro-bump (b),
du niveau interconnexion face arrière (c) du véhicule test DIV1

Ce sont ces deux derniers niveaux (figure 2-2b et 2-2c) qui nous intéressent en
particulier, et à partir desquels des interconnexions en face arrière de la puce inférieure de
80µm de diamètre et des connexions inter-puce de 25µm de diamètre peuvent être fabriquées.
Ces motifs sont photo répétés à l’échelle du wafer et subissent les étapes d’élaboration
standard de la microélectronique (photolithographie, dépôt, gravure). Dans le cas des micro-
bumps, par exemple, une représentation du masque de photolithographie (figure 2-3), montre
que le niveau consiste en une répartition homogène d'un unique motif correspondant à une
puce.
Cette puce, correspondant au motif vu précédemment (figure 2-2b), présente des
dimensions de 4.7mm par 5.9mm et correspond à 2362 micro-bumps répartis en une matrice
centrale et une couronne périphérique. Leur diamètre est de 25µm et le pas de 50µm.

49
Figure 2-3: Représentation du masque de photolithographie du niveau micro-bump.

2-2) Limitations du véhicule test Div1


Le véhicule test Div1, présente quelques limitations dans le cadre de notre étude. Tout
d'abord, les lignes de métallisation du BEOL (Back End Of Line voir paragraphe 2-2 du
chapitre 1), qui se trouvent aussi bien sur la puce supérieure que sur la puce inférieure, sont en
aluminium. Or le cuivre, fréquemment utilisé comme métal constituant les lignes [123, 124],
présente une résistivité inférieure d'un facteur égal à 35% (1,72.10-8 Ω.m pour le cuivre contre
2,70. 10-8 Ω.m pour l'aluminium).
La limitation du véhicule test est visible lors d’une mesure électrique des motifs du
type : chaines d’interconnexions. La chaine d'interconnexion est constituée par un ensemble
d'interconnexions reliées par des segments de lignes de métallisation situées tour à tour sur la
puce inférieure puis sur la puce supérieure et permettant un déplacement du courant
successivement sur ces deux puces. Il peut s’agir de chaines de 2, de 10 ou bien de 100
interconnexions. En figure 2-4 apparait un exemple de chaine de deux.

Figure 2-4: Vue en coupe transversale d'une chaine de deux interconnexions [125].

Comme visible en figure 2-5a, l’emplacement des mesures de chaine d'interconnexion,


dans le cadre du véhicule test Div1, se font entre les plots côté A et ceux côté B. Selon
l’emplacement (chaine 1 ou chaine 2 par exemple sur la figure 2-5a), les chaines comprennent
un nombre d'interconnexion variable. En effet, pour la mesure réalisée suivant le chemin (1)
la mesure comprend une contribution apportée par toutes les interconnexions figurant sur la
couronne périphérique du motif de puce Div1 (118 interconnexions au total). A l'inverse, la
mesure réalisée suivant le chemin (2) ne comprend que deux segments de la couronne
périphérique sur lesquels ne figurent que 12 interconnexions au total. En revanche, la
contribution apportée par la ligne de métallisation reste la même dans les deux cas.
Il est ainsi observé (figure 2-5b) que le résultat des mesures électriques varie suivant le
chemin de propagation du courant et donc selon le nombre d'interconnexions participant à

50
cette mesure. En effet, l'élévation de la résistance de chaine d'environ 5Ω pour les lignes
situées vers le milieu ou vers les extrémités du motif de puce Div1 (figure 2-5b) est liée à la
présence des interconnexions de la matrice centrale ou à celles de la couronne périphérique
respectivement. Ici la contribution supplémentaire des interconnexions de la matrice centrale
ou de celles de la couronne périphérique ne contribue qu’à une élévation de la résistance de
chaine de 20% à 30%. Ce qui signifie que la résistivité de la ligne d’aluminium prévaut très
largement sur celle des interconnexions.

Figure 2-5: Visualisation en vue du dessus du niveau ligne de métallisation de la puce


inférieure du véhicule test DIV1 (a), valeurs de résistance des différentes chaines du véhicule
test DIV1 (b).

L’utilisation de lignes en cuivre permet une réduction significative de la résistance de


ligne (2.7 x10-8 Ω.m pour l'aluminium et 1.72 x10-8 Ω.m pour le cuivre). Cette modification
de la nature de ligne permet une extraction plus fine de la contribution des motifs intégrant
des interconnexions.
Une autre limitation apparait lors de tests de fiabilité en électromigration. La durée de
vie en électromigration est dépendante de l’effet Joule qui est un facteur accélérant ce
phénomène [126]. Cet effet peut être réduit en utilisant des matériaux de résistivité moindre
et/ou en augmentant la section des connexions, ou lignes. De plus la différence de résistivité
énoncée plus haut, implique un effet Joule moindre au sein des lignes de cuivre que pour des
lignes d’aluminium. Par conséquent les lignes de cuivre sont privilégiées pour des
applications de fiabilité comme les tests d’électromigration [123, 127]. Par ailleurs les lignes
présentent sur DIV1 une largeur de 6µm pour une hauteur de 1µm, soit une section de 6µm².
En comparaison les micro-bump de 25µm de diamètre fournissent une section conductrice de
490µm². Or la durée de vie moyenne d'une ligne avant défaillance peut être estimée par
l'équation de Black [128]:
∆H
MTTF = A. j n .e kT
Où A est une constante, ∆H l'énergie d'activation en J.mol-1, k est la constante de Boltzmann
(en m2.kg s-2.K-1), T la température (en Kelvins), n une constante comprise entre 1 et 2, j est
une densité de courant (A.m-2). MTTF signifie en anglais "mean time to failure" soit la durée
moyenne avant rupture. Il s'agit donc d'une fonction inverse à la puissance n, de la densité de
courant. La densité de courant étant plus importante au sein des lignes, le phénomène
d’électromigration y est plus élevé et la durée de vie par conséquent réduite. C'est pourquoi
les ruptures occasionnées par des tests à forte densités de courant (104A/cm² à 105A/cm²) ont
une forte probabilité de se produire au sein des lignes de métallisation. Le véhicule test ne
permet donc pas d'observer les phénomènes d'électromigration au sein des interconnexions

51
sans avoir contribué à une réelle dégradation au sein des interconnexions. Le
redimensionnement adéquat des lignes permet d'étudier l'implication des phénomènes
d'électromigration au sein des interconnexions [126].
Enfin, une dernière limitation est d'ordre pratique. Plusieurs des niveaux décrits en
figure 2-1b (les niveaux passivation, plot aluminium et métallisation du BEOL) sont réalisés
sur le site de STMicroelectronics à Crolles. L'élaboration implique donc des transits de wafers
entre le laboratoire et Crolles ainsi qu'une bonne gestion des aspects logistiques associés. Le
suivi du procédé est de surcroit facilité lorsque l’élaboration se fait en un lieu unique.

2-3) Conception du véhicule test Alto


Le véhicule test Alto conçu et réalisé lors de cette étude comprend 7 niveaux
d'intégration et a par conséquent nécessité la fabrication de 7 masques de lithographie. 3 de
ces niveaux figurent sur la puce du dessus et 4 sur la puce du dessous (figure 2-6). Chacune
des puces comprend les niveaux suivants : ligne de métallisation, passivation et un niveau
d’interconnexion (micro-bump ou micro-pillars). En supplément, figure le niveau plot
aluminium sur la puce du dessous.

Figure 2-6 : Schéma d’une coupe technologique du véhicule test Alto.

De la même manière que précédemment, le véhicule test permet ici de vérifier après
flip-chip puis scellement, la fonctionnalité des interconnexions au moyen d'une caractérisation
électrique. Les lignes de métallisation et les interconnexions, en cuivre hormis le joint de
brasure, constituent le réseau par lequel se propage le signal électrique d’une puce à l’autre.
La ligne de métallisation de la puce supérieure est prévue pour une épaisseur de 1.4µm et
traverse le niveau passivation de 1.14µm, avant de rejoindre l’interconnexion comprenant le
micro-bump (12µm de cuivre et 6µm de SAC) puis le micro-pillars (9µm de cuivre, 2µm de
nickel et 200nm d’or) placé sur la puce inférieure (figure 2-7).
Le niveau de passivation constitué d'un empilement de SiO2 et SiN, a pour fonction
première d’isoler les différentes niveaux de métallisation pour éviter tout courant de fuite.
L'oxyde de silicium (SiO2) rempli cette fonction. Sa constante diélectrique de 3.9, en fait un
bon isolant pour ces applications d’isolation du Back End Of Line (ou BEOL). En revanche
l'oxyde de silicium n’offre qu’une mauvaise protection à l’oxydation. Le nitrure de silicium
(SiN) à l’inverse, est un mauvais isolant mais apporte une véritable contribution de
passivation, c'est pourquoi ce nitrure est utilisé en association avec l'oxyde de silicium.
Comme visible sur le schéma précédent (figure 2-6), ce niveau de passivation impose
une légère réduction du diamètre de la ligne de cuivre (notée « B » en figure 2-6). En effet,
lorsque le diamètre est inchangé, un désalignement occasionné lors de l’étape de

52
photolithographie du niveau passivation engendre une défaillance lors des étapes successives
de dépôt et de gravure. Cette réduction du diamètre permet une tolérance de désalignement
équivalente à la différence A-B, c'est-à-dire 5µm dans le cas d'interconnexion dont le
diamètre (A) vaut 20µm et d'une ouverture passivation de 15µm.
Enfin, le niveau plot aluminium a pour fonction d’assurer les caractérisations
électriques. En effet, la ligne de métallisation en cuivre par laquelle se propage le courant,
n’est jamais placée en contact direct avec l’extérieur. Afin d’éviter l’oxydation rapide et
excessive du cuivre, l’aluminium joue le rôle d’interface avec l’air ambiant. Les plots
aluminium sont également requis pour le câblage et la mise en boitier nécessaire à la
réalisation de test de fiabilité.

Figure 2-7: Représentation schématique de l'empilement métallique que constitue


l'ensemble ligne + interconnexion.

Le principe de l'empilement technologique Alto comporte une puce de 5mm x 5mm


reportée sur une autre de 5.9mm x 5.9mm. Les plots de tests de 80µm par 80µm sont disposés
sur un côté de la puce suivant un alignement de trois barrettes de 12 plots (figure 2-8).

Figure 2-8 : Schéma de l’empilement technologique Alto vue du dessus.

A la différence du véhicule test Div1, le véhicule test Alto permet, tout en suivant la
disposition décrite (figure 2-6 et 2-8) d'élaborer 20 différentes configurations d'empilement de
puces, chacune ayant un motif propre de répartition des interconnexions. La description
complète n'en sera néanmoins pas faite. Comme précédemment, un wafer est dédié, lors de la
fabrication, pour chaque type de puce: puce supérieure et puce inférieure. Contrairement au
véhicule test Div1, chaque type de wafer permet l’élaboration de micro-bump (ou micro-
pillars) de différents diamètre: 20µm, 30µm et 40µm. A titre d’exemple, l’ensemble des
niveaux d'intégration décrits précédemment est représenté pour un des ces 20 empilements
(figure 2-9).
53
Figure 2-9: Visualisation en vue du dessus des niveaux correspondant à la puce inférieure (a)
et la puce supérieure.
Comme visible en figure 2-9, les lignes de métallisation ne sont situées que sur une
zone figurant sur un côté de la puce. La matrice centrale d'interconnexion qui apparaissait sur
le motif de puce Div1 (figure 2-2b) a été conservée en prévision des caractérisations
ultérieures et afin d’assurer suffisamment de stabilité mécanique lors de report de puce (ou
flip-chip). Chacune de ces puces comprend différents motifs de test. Un des plus fréquents est,
comme sur le véhicule test Div1, le motif de chaine qui permet comme décrit précédemment
de faire passer le courant de part et d’autre de l’espace inter-puce. Ce motif de test permet de
vérifier rapidement la fonctionnalité des niveaux ligne de métallisation, interconnexion et
passivation en s’assurant qu’il n’y ait pas de court-circuit, ouverture ou courant de fuite. Des
chaines de différentes longueurs et comprenant de 2 jusqu'à 3300 interconnexions. Comme
visible en figure 2-10, pour une chaine de 2 interconnexions, les lignes ont été élargies à
40µm en prévision des tests de fiabilité. Les lignes de mesures sont conservées plus étroites
(5µm) afin de limiter l’encombrement.

Figure 2-10: Schéma du motif de test : « chaine de deux ». Vue du dessus en


microscopie optique (a), vue latérale (b), vue du dessus après élaboration côté
puce inférieure (c).
En conclusion, lors de la conception de ce véhicule test, des motifs ont été définis dont
les procédés d'élaboration technologiques vont maintenant être présentées plus en détail.

3) Miro-bumps et micro-pillars, procédé de synthèse.

3-1) Introduction
Bien que l'empilement de composants actifs par brasage eutectique et technologie flip-
chip soit utilisé aujourd'hui par plusieurs groupes industriels ou instituts de recherches, un
grand nombre de variantes de procédés les distinguent. En effet, si le protocole d'assemblage

54
est examiné au cours des différentes étapes qu'il comporte, alors il est visible qu'il n'existe
pratiquement pas deux procédés identiques.
Un assemblage obéissant à la stratégie de l'intégration 3D se décline en trois étapes: la
synthèse des micro-bumps, la synthèse des micro-pillars, puis le report de puce. D'un point de
vue de la chronologie des étapes du procédé, les deux premières peuvent se dérouler en
parallèle. En effet, conformément à l'optique du wafer-level-packaging (WLP), la synthèse
des micro-bumps comme celle des micro-pillars se fait à l'échelle du wafer, il existe donc des
wafers dédiés à l'élaboration des puces supérieures d'une part et aux puces inférieures d'autre
part. Dans le cadre du flip-chip, le micro-bump doit être élaboré sur la puce supérieure [129],
afin de venir la placer sur la puce inférieure (figure 2-11). La puce du dessous comprend donc
des micro-piliers de cuivre (ou micro-pillars) dont la disposition sur puce est identique à celle
de la puce du dessus afin que les deux types de structures d'interconnexion soient compatibles
lorsque mises en vis-à-vis. Pour cela, il est essentiel que les micro-bumps d'un côté et les
micro-pillars de l'autre aient au moins une partie de leur surface en contact lors du report, le
désalignement doit être inférieur au diamètre d'interconnexion.

Figure 2-11: Schéma du principe de report de puce par la technologie flip-chip

Le potentiel désalignement lors de cette étape de report est largement corrigé par la
suite du procédé. En effet, lorsqu’intervient la fusion du joint d'alliage SAC, son passage à
l'état liquide va générer une force de capillarité suffisante pour provoquer un réalignement des
deux structures d'interconnexion.

3-2) Détail du procédé d’élaboration de la brique micro-bump :


La synthèse de micro-bumps peut-être exécutée par un procédé simplifié dans lequel
les niveaux ligne, passivation et plot aluminium ne sont pas présents. Ainsi, il est possible de
suivre sur des plaques essais pour l’étude, le procédé décrit en figure 2-12. Ce dernier
comprend :
1. Une oxydation du silicium par stockage des wafers à 1050°C pendant 3,5h. Le traitement
thermique est réalisé dans une enceinte sous atmosphère d'azote (N2+1mass% O2) et
aboutit à la formation d’un oxyde de silicium (SiO2) d’une épaisseur de 1µm avec une
uniformité de 5%.
2. Un dépôt physique en phase vapeur (PVD) d'une couche de titane de 100nm puis d'une
couche de cuivre de 200nm est réalisé dans un équipement ENDURA 5500D. Le titane
est déposé à 100nm/min et le cuivre à 480nm/min sous pression d'argon. Les épaisseurs
déposées sont évaluées grâce à la méthode de mesure de résistance 4 pointes du bicouche.
Le titane va avoir un rôle de couche d'accroche entre l'oxyde de silicium et le cuivre du
dessus, le cuivre va fournir une couche de germination pour la croissance prochaine du
cuivre par électrodéposition.
3. La photolithographie réalisée ici sur un masque aligneur, consiste en l’étalement d’une
résine photosensible puis l'insolation de cette résine par un rayonnement ultraviolet. En

55
employant un masque comme celui présenté (figure 2-3), l'exposition est sélective en
certaines zones. La résine exposée acquière une solubilité plus importante, et est ensuite
éliminée par l'utilisation d'une solution chimique appelé le développeur.
4. L'étape d'électrodéposition (ou ECD) comprend généralement une brève exposition à un
plasma de gaz O2 de 3s afin de supprimer la pellicule d'oxyde de cuivre s'étant formée
depuis son dépôt en étape 3. La recette d'électrodéposition est fonction de la surface du
wafer qui n'est pas recouverte par de la résine, appelée surface ouverte. Dans le cas du
véhicule test Div1, la surface ouverte vaut 9,102cm². Ainsi, pour obtenir une hauteur de
cuivre déposé de 12µm (qui constituera un standard dans toute la suite de l'étude), la
durée de l'électrodéposition est comprise entre 16 min et 17 min. Une mesure mécanique
par profilométrie permet la vérification de la hauteur déposée.
5. Le dépôt (ECD) d'alliage SAC est immédiatement enchainé après celui de cuivre. La
surface ouverte est identique à celle de l'étape précédente. Pour déposer une hauteur de
SAC de 10µm, une durée d'électrodéposition de 1min 30sec est nécessaire. Notons que le
procédé électrolytique est adiabatique et se déroule à température ambiante pour les deux
étapes décrites ci-dessus.
6. La résine qui jusqu'ici définissait les motifs au sein desquels la croissance de cuivre et de
l'alliage SAC pouvait s'effectuer, est maintenant éliminée. Ce retrait de résine (ou
stripping) se fait par voie chimique à une température de 30°C. L’étape s’achève par un
rinçage à l’eau déionisée et un séchage au diazote.
7. La couche d'accroche ainsi que celle d'initiation à l'électrodéposition (titane et cuivre)
sont retirées par une gravure en immersion afin d'éviter tout court circuit. La gravure de
la couche de cuivre nécessite une solution comprenant de l'acide phosphorique (H3PO4),
de l'eau oxygénée (H2O2) et de l'eau déionisée et ce, avec un temps d’immersion de 90
secondes. Le titane est gravé par une solution d’acide fluorhydrique diluée à 0.25%, avec
un temps d’exposition de 40 secondes. La gravure se déroule à température ambiante et
nécessite une agitation manuelle. Un contrôle par microscopie optique est nécessaire pour
valider l’étape.
8. La dernière étape est le recuit thermique (nommé "reflow": fusion de l'alliage de brasure).
Cette étape, qui sera discutée plus en détail par la suite à pour fonction première de
conférer une structure hémisphérique à l’empilement cuivre – alliage en passant le point
de fusion de l’alliage. La structure est ainsi stabilisée pour permettre le report de puce.

Figure 2-12: Représentation schématique des principales étapes du procédé de synthèse des
micro-bumps.

La description faite en figure 2-12correspond au procédé obtenu suite à une étude


d’optimisation. Dans la partie qui suit, quelques études préliminaires qui ont permis d'évaluer
l'impact de la fenêtre de procédé vont être décrites.

56
3-3) Principales optimisation du procédé

3-3-1) Etude de l'enchainement du reflow et de la gravure de la couche d’accroche (Ti/Cu)


Historiquement, l’étape de la gravure de la couche d’accroche (étape 7 en figure 2-12),
était exécutée à la suite du reflow (étape 8 en figue 2-12), il s'agissait donc de l'étape finale.
Les deux variantes d'enchainements des étapes ont été étudiés (figure 2-13).

Figure 2-13 : Comparaison des ordres d'enchainement des étapes de reflow et de gravure sur
le procédé de synthèse des micro-bumps.

A l'issue de cette étude comparative, deux observations ont pu être faites:


• Le retrait de la couche d'accroche est facilité avant reflow. Dans le second scénario, il est
beaucoup plus fréquemment observé des zones sur wafer où demeure la couche
d'accroche (comme cela est visible en figure 2-14). La couche apparaissant en violet est
caractéristique de l'oxyde de silicium révélé dans le cas d'une gravure idéale, alors que la
couche orange correspond au cuivre.
• Une oxydation avancée du joint d'alliage SAC, peut former un oxyde d'étain (SnO2)
suffisamment épais pour perturber la fusion de l'alliage de brasure lors du recuit. Sur les
clichés en figure 2-15, la différence de l’état de surface du cuivre et de la brasure est
visible. La plus faible rugosité du joint d’alliage sur la figure 2-15b correspond à une
gravure de la couche d'accroche réalisée avant le reflow. L'étape de gravure contribue
donc à éliminer la pellicule d'oxyde qui se trouve sur les flancs du plot de cuivre et du
joint d'alliage. Ainsi, si le reflow est enchainé sans délai à l'issue de la gravure on
s'affranchit d'un éventuel problème de réaction d'oxydation trop avancée.

Figure 2-14 : Observation optique de micro-bumps après recuit puis gravure (a) ; après
gravure puis reflow (b).

57
Figure 2-15 : Inspection MEB de micro-bumps après recuit et en attente de gravure (a) ;
après gravure puis reflow (b).

3-3-2) Etude de l’impact du flux :


Toujours liée à la problématique de l'oxydation des métaux, une étape optionnelle du
procédé et qui n'apparait pas dans la description de la figure 2-12, consiste en une addition
d'un flux juste avant le reflow. La base du flux est communément la colophane, une substance
composée d’acide organique (essentiellement l’acide abiétique) qui passe à l’état liquide entre
125°C et 130°C. Ce dernier est associé à un solvant comme l’isopropanol qui facilite sa
diffusion sur le dispositif, ainsi qu’à des catalyseurs qui permettent d’amplifier sa capacité à
retirer les oxydes [130]. Le flux à une double action. Il permet de dissoudre les oxydes
préexistants et fournit par ailleurs une barrière à l’oxydation du cuivre et de l’étain qui est
d'autant plus importante pendant l’étape de reflow. Cette étape, rapide et peu couteuse est
parfois employée par les industriels soit sous forme de pulvérisation directement sur plaque
ou bien intégrée à l'underfill. Dans cette étude L'ECOFREC 202 est utilisé comme flux. Il est
composé à 65% d’isopropanol, et son système d'activation est totalement exempt d'halogènes
(fluor, chlore, brome). Si l'on compare l'état de surface de micro-bumps ayant subi (figure 2-
16b) ou n'ayant pas subi (figure 2-16a) une pulvérisation de flux, il est visible que la rugosité
de surface est plus importante dans le premier cas. Cette rugosité de surface ne peut qu’être
attribuée à la pellicule d’oxyde d’étain. Le flux prévient donc bien la réaction d'oxydation
intervenant au cours du reflow.

Figure 2-16 : Inspection MEB de micro-bumps sans (a) et avec (b) pulvérisation de flux
ECOFREC 202 (b).

3-3-3) Sensibilité au vieillissement de la solution d'électrolyse


Des dérives liées aux équipements impactent rapidement la reproductibilité des
procédés. Il est enregistré une non uniformité de l'épaisseur des dépôts sur plaques, une
évolution de la morphologie du SAC après dépôt, puis des fusions des joints de brasures
visiblement incomplètes (figure 2-17).

58
Figure 2-17 : Observation MEB de micro-bumps après étape de reflow.
En analysant la morphologie de l'alliage SAC, il est remarquable qu'il n'est ni
hémisphérique, ni cylindrique (comme après dépôt) mais à un stade intermédiaire. Comme si
l'alliage passait à l'état liquide, accroissant ainsi son volume, mais restait cloisonné dans une
enveloppe solide. Il est alors initialement conclu qu'une oxydation excessive de l’étain
formant une enveloppe de SnO2 (restant à l’état solide pendant le recuit) doit être à l'origine
de cette morphologie de l'alliage. Cette oxydation excessive pourrait impliquer à la fois un
délai trop important entre l’étape de dépôt électrolytique et le reflow, une efficacité
insuffisante du flux ECOFREC 202, ou bien une instabilité des paramètres du reflow. Il est
reconnu que le flux permet au mieux le retrait d’un oxyde épais de quelques couches
atomiques [5]. Il a finalement été identifié et vérifié que c'est le vieillissement de la solution
de dépôt électrolytique qui est en cause (figure 2-18).

Figure 2-18 : Observation MEB de micro-bumps après étape de dépôt électrolytique. à partir
d'une solution de dépôt utilisée depuis 4 mois (a) et après renouvellement de la solution de
dépôt (b).

La morphologie du dépôt SAC évolue beaucoup avec le vieillissement de la solution


de dépôt et présente dans ce cas (figure 2-18a) une plus grande porosité, augmentant ainsi la
surface d'échange avec l'air ambiant favorisant l'oxydation sur une plus grande profondeur. Ce
résultat souligne le fait que l’âge des solutions des dépôts électrolytiques de SAC doit être pris
en compte dans les caractérisations. De potentielles dérives compositionnelles sont alors à
redouter puisqu’il n’existe aucun outil au laboratoire permettant de mesurer avec une
précision suffisante les proportions de l’alliage effectivement déposé. Ce dernier point est un
élément important à prendre en compte dans la suite de l'étude.

3-4) Traitement thermique et fusion de l’alliage SAC

3-4-1) Fonctions du reflow


Comme décrit précédemment, le micro-bump subit une étape de reflow afin de passer
le point de fusion de l'alliage de brasure. Cette étape parfois appelée "bumping" en anglais, à
théoriquement plusieurs fonctions.

59
- La solution électrolytique dans laquelle sont immergés les wafers pour y subir
l'électrodéposition, est une solution contenant divers additifs (chlore, cyanure, souffre). Ces
additifs sont nécessaires à l'étape d'électrodéposition mais deviennent inutiles par la suite. Or,
un certain nombre de ces impuretés peuvent être dégazées au cours des premières étapes du
reflow [131]. Le reflow aurait donc une fonction, bien que secondaire et non quantifiée, de
purification.
- Malgré tous les éléments mis en œuvre pour optimiser la bonne croissance
électrolytique des alliages métalliques, le SAC reste un matériau relativement poreux à l'issue
de sa déposition. Sa fusion puis solidification va le restructurer et le stabiliser vis-à-vis de
l'oxydation. Alors qu'il y a une contrainte d’enchainement pour les dernières étapes décrites
en figure 2-12, liée à la forte réactivité de la structure (essentiellement à l’égard de
l’oxydation), le micro-bump est, à l'issue de cette étape de reflow, considéré comme un
système stable.
- Comme discuté au cours du chapitre précédent, le micro-bump, lors du passage à
l'état liquide de l'alliage sera siège d’une réaction chimique entre le cuivre et le SAC liquide.
Cette dernière va conduire à la formation d'une couche interfaciale contribuant à la bonne
adhésion entre ces deux matériaux. L’épaisseur de cette couche est principalement
conditionnée par la durée de maintien du bump à une température supérieure à celle du
liquidus. Le recuit rempli donc ici indirectement une fonction de stabilisation mécanique.

- En dernier point, rappelons que l'espace inter-puce est occupé par les interconnexions
ainsi que par une résine (ou underfill) qui participe à la fiabilité mécanique de l'empilement
technologique et peut remplir également une fonction de dissipation thermique lors du
fonctionnement du dispositif. Selon les types d'intégrations, l'underfill peut être injecté après
brasage eutectique puis s’infiltrer par capillarité (on parle dans ce cas là de Capillary
Underfill), ou bien à l'échelle du wafer après le procédé de bumping (on parle alors de Wafer
Level Underfill). Or il se trouve que dans le second type d'intégration, le fait de conférer cette
géométrie au micro-bump réduit considérablement le risque de piéger de la résine entre le
micro-bump de la puce supérieure et le micro-pillars de la puce inférieure. Les aspects liés à
l'intégration de l'underfill seront rediscutés au cours du paragraphe 4.

3-4-2) Paramètres de l'étape de reflow


Les recuits de brasage existent pour le report de BGA (Ball Grid Array) sur PCB
(Printed Circuit Board). Pour le brasage de connexions inter-puce, l’objectif est identique,
seules changent les dimensions du système. Les paramètres généraux du reflow sont en
général conservés, bien qu'ils soient susceptibles d’être ajustés. Au premier abord, la nature de
la source thermique n’a pas d’importance, il est en revanche indispensable qu’une contrainte
thermique reproductible soit appliquée de manière contrôlée et homogène sur l’ensemble du
wafer. Si la pulvérisation de flux est intégrée au procédé de bumping (ce qui n'est pas
systématique) alors quatre séquences peuvent être distinguées au sein du profil de recuit
(figure 2-19), chacune d’entre elles répondant à une fonction décrite précédemment.
- La première de ces séquences, le préchauffage, se caractérise par une élévation en
température qui, si elle est trop brutale, peut générer des extrusions de SAC ou bien des
ruptures notamment pour les puces thermiquement capacitives comprenant des multicouches
céramiques. Pour ces raisons, on considère généralement que cette rampe doit être comprise
entre 1°C/s et 4°C/s [130].
- Le profil se stabilise ensuite à une température proche de 120°C et pour une durée
comprise entre une et deux minutes. C’est au cours de cette étape que le composé essentiel du
flux (généralement la colophane) passe son point de fusion. Ce plateau agit alors comme une
zone d’activation du flux [130].

60
- Le profil rentre ensuite dans la séquence que l'on appelle "reflow" et qui désigne
souvent, par abus de langage, le recuit dans sa totalité. La séquence comprend une montée en
température de manière à dépasser le point de fusion de 20°C à 30°C et ce, pendant une durée
qui peut varier de 30sec à 90sec. La contrainte thermique appliquée par ce couple de
paramètres (durée, température) doit être suffisamment importante pour que l'alliage de
brasure soit totalement liquide et ce, pour tous les micro-bumps présents sur le wafer. La
réaction interfaciale s'opérant entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure base étain (voir
paragraphe 4 du chapitre 1) consomme progressivement les deux matériaux qui en sont les
réactifs. Pour cette raison, le reflow doit rester le plus bref possible. Plusieurs autres recuits
thermiques seront nécessaires à la réalisation du montage complet de l'empilement
technologique. Chacun de ces reflows va induire une poursuite de cette réaction chimique
d'interface.
- Le refroidissement est généralement souhaité rapide ou du moins jusqu'à
solidification de l'alliage, pour les raisons microstructurales évoquées au chapitre précédent.
La rampe de refroidissement sera classiquement de 3-4°C/s.

Figure 2-19: Représentation schématique d'un profil de recuit thermique utilisé pour un
procédé de bumping.

3-4-3) Influence du type de four


Deux fours sont à l’étude : le four infrarouge Jipelec et le four à passage Heller (figure
2-20). Le four Jipelec comprend douze lampes halogènes tubulaires infrarouges. L’éventail
des températures accessibles va de la température ambiante à 1300 °C. Le temps de maintien
maximum est de 10 heures pour une température inférieure à 500 °C. La montée en
température peut atteindre 300 °C/s. Il est possible de programmer des profils de recuits avec
rampes et paliers. Un vide primaire de 20 mbar peut être réalisé dans l’enceinte. Avec un
même profil de consigne (comme décrit plus haut), une très forte variabilité du procédé d'une
plaque à l'autre a été notée à plusieurs reprises.

Figure 2-20 : Four Jipelec (infrarouge) (a), Four à passage (b).

61
Comme visible en figure 2-21,2 21, une disparité des faciès des micro-bumps
micro pouvait
même intervenir au sein d'un même wafer. Sur ces observations observations microscopiques de
micro-bumps,
bumps, la mise au point est faite sur le sommet des micro-bumps.
micro bumps. En bord de plaque
(figure 2-21a),
21a), toute la surface d'un micro-bump
micro bump nous apparait sur le même plan, ce qui
signifie qu'ils ont conservé une forme cylindrique
cylindrique comme après le dépôt. Ce n'est pas le cas en
centre de plaque (figure 2-21c),
21c), où cette fois, la partie périphérique du micro-bump
micro est en
arrière plan. Cette observation témoigne d'une géométrie hémisphérique du joint de brasure.
La fusion du joint d'alliage
age est donc effective en centre de plaque contrairement à ce qui est
visible en bord de plaque.

Figure 2-21:
21: Observation microscopique d'une région d'une plaque ayant subi un recuit en
four infra rouge. Bord de plaque (a), zone mi-rayon
mi rayon (b), centre de plaque
p (c).
Le four à passage comprend sept compartiments d’environ 30 cm de longueur pour
lesquels une température de consigne est paramétrée. Les deux derniers compartiments sont
dédiés au refroidissement. Les éléments chauffants sont des résistances situées
si de part et
d’autre du tapis déroulant dont on peut contrôler la vitesse de défilement. La chaleur à
l'intérieur du four est répartie par convection. L’atmosphère est rendue inerte par balayage de
diazote et permet une réduction de la teneure en oxygène oxygène sous le seuil des 500ppm.
L’acquisition des profils de température est rendue possible en plaçant un ou plusieurs
thermocouples sur une plaque témoin que l’on relie à un enregistreur enfermé dans une
protection thermique. Le profil est visible en figure 2-22.

Figure 2-22:
22: Profil thermique de recuit sur four à passage enregistré grâce à l'utilisation de
thermocouples placés sur une plaque témoin.

Après avoir caractérisé les deux fours, il a été mis en évidence que:
• Dans le cas d’un recuit infrarouge,
infrarouge, le temps passé au dessus du point de fusion du
SnAgCu varie entre 30s et 50s, alors qu’il demeure à 65s dans le cas du four à passage,
• La rampe de fusion est beaucoup plus brutale dans le cas d’un recuit infrarouge : ~7° C/s
contre moins de 1 °C/s pour les profils mesurés sur four à passage.
• La rampe de refroidissement s’avère variable dans le cas du recuit par infrarouge : entre
1 °C/s et 10 °C/s contre 1,5 °C/s dans le cas du four à passage.
• La température maximale est généralement entre 255 °C et 260 °C pour le four à
infrarouge contre 238 °C pour le four à passage.
• Dans le cas du four infrarouge, tous les matériaux ne présentent pas la même absorption
au rayonnement et par conséquent l'augmentation de la chaleur induite diffère selon la

62
nature du matériau. A titre d’exemple le titane est réfractaire alors que le silicium est
transparent aux infrarouges. Il y a donc une instabilité ainsi qu’une forte dépendance aux
matériaux de l’intégration.
Face à ces constats il a été décidé de réaliser l’étape de recuit sur four-à-passage qui
est l'équipement de référence du procédé bumping sur solder-bump.

3-5) Détail du procédé d’élaboration de la brique micro-pillar


Le micro-pillar, selon la méthode du flip-chip, doit être placé sur la puce inférieure (ou
l'interposer). Il s'agit d'une structure d'interconnexion sur laquelle le joint de brasure du micro-
bump doit d'abord se placer puis mouiller lors de sa fusion pour pouvoir établir le contact. La
synthèse de micro-pillars peut suivre un procédé simplifié très semblable à celui des micro-
bumps (figure 2-23). Le procédé présenté résulte d'une étude empirique basée sur de
nombreux tests. Plusieurs étapes sont rigoureusement identiques à celles du procédé de
synthèse du micro-bump. Ce procédé comprend:
1. L’oxydation du silicium par stockage des wafers à 1050°C pendant 3,5h.
2. Un dépôt physique en phase vapeur (PVD) d'une couche de titane de 100nm, d'une couche
de cuivre de 200nm et de 50nm de titane à nouveau.
3. La photolithographie.
4. L’ouverture de la couche de titane par pulvérisation plasma SF6/O2 pendant une durée de
2min 15 sec et à une puissance de 250W sur équipement NEXUS 330A.
5. L'électrodéposition du cuivre (8µm).
6. L'électrodéposition du nickel (2µm). Cette couche agit comme barrière à la diffusion de
l’or dans le cuivre.
7. L'électrodéposition de l'or (1µm). L’or agit comme couche de passivation. Son épaisseur
est de 200nm à l’issue des étapes de gravure qui finalisent le procédé.
8. Le retrait de la résine de photolithographie se fait par voie chimique à une température de
65°C. L’étape s’achève par un rinçage à l’eau déionisée et un séchage au diazote.
9. La gravure des couches de titane (50nm), de cuivre (200nm) et de titane (100nm). Le
titane (50nm) est gravé par solution HF à 0.25% appliquée pendant 75 sec. Le cuivre est
gravé par un procédé de gravure physique par usinage ionique pendant 5min. La couche
de titane sous jacente est elle aussi gravée par solution HF pendant 85sec.

Figure 2-23: Représentation schématique des principales étapes du procédé de synthèse des
micro-pillars.

63
3-6) Problématique liée au développement du procédé
En première approche, pour mettre en œuvre le brasage eutectique, le micro-bump doit
reposer sur un support métallique pour obtenir un bon mouillage de l’alliage de brasure lors
du reflow. Etant donné que les niveaux de métallisation dans la puce supérieure comme dans
la puce inférieure sont en cuivre, le plus intuitif est donc d’élaborer ces plots également en
cuivre. Cependant, le cuivre forme un oxyde natif très rapidement sur lequel l’alliage de
brasure ne peut pas mouiller. Cela signifie qu'il faut prévenir toute oxydation de la surface du
micro-pillar. Pour cela deux solutions peuvent être envisagées: l'utilisation de flux, ou bien la
passivation du cuivre du micro-pillar. Parmi les passivations référencées dans le carde de
scellement eutectique, les techniques de revêtement OSP (ou Organic Solderability
Preservative) [132], ou les finitions en argent ou en paladium [133] peuvent être citées ainsi
que la finition en or [134] qui sera la solution utilisée dans le cadre de cette étude.Notons que
l'or et le cuivre sont totalement miscibles et forment une solution solide à température
ambiante [30]. Le nickel est ajouté à l'empilement entre le cuivre et l'or comme couche de
barrière à la diffusion. Comme précisé au chapitre précédent, l'interdiffusion entre le cuivre et
le nickel est très faible et il en est de même entre le nickel et l'or qui présentent une forte
lacune de miscibilité jusqu’au point critique de 810°C [135].

3-6-1) Sur l'utilisation de flux


Si les micro-pillars ne comprennent pas de couche de passivation et sont donc
constitués de cuivre seulement, alors ils doivent subir une pulvérisation de flux avant que la
puce supérieure ne soit reportée. Les tentatives faites à ce sujet ont montré que l’efficacité du
flux s’est avérée insuffisante. La principale raison étant que le procédé manuel de
pulvérisation du flux ne permet pas de le répartir uniformément sur wafer. C’est pourquoi le
mouillage de l’alliage sur micro-pillars de cuivre n’avait pas lieu sur de larges zones du wafer
lors d'essais en laboratoire.

3-6-2) Optimisation procédé sur les couches d’accroches.


La synthèse du micro-pillar a fait l’objet d’une optimisation procédé à l’initiative de la
plateforme silicium du laboratoire. Il peut-être remarqué que l'étape n°2 du procédé (figure 2-
23), comprend un dépôt en phase vapeur de trois couches alors qu’il n’en comprenait que
deux dans le cas du micro-bump. Les besoins sont pourtant identiques au cas du micro-bump:
une couche d’adhésion mécanique (Ti) et une couche permettant la distribution du courant sur
le wafer pour initier l’électrodéposition (Cu). Considérons le cas où seules les deux premières
couches (100nm de titane et 200nm de cuivre) sont déposées. Après synthèse des micro-
pillars, une infiltration de l’électrolyte utilisée pour le dépôt de l'or entre la résine de
photolithographie et le cuivre de la couche d’initiation est notée (figure 2-24).

Figure 2-24 : Schéma du mode d’infiltration de l’électrolyte au cours de


l’électrodéposition de l’or (a), après retrait résine (b).

Cette infiltration induit un dépôt parasite d’or autour des micro-pillars. Ce dépôt
parasite provoque l'apparition d'une collerette plus ou moins importante autour des micro-
pillars (figure 2-25a) toujours visible après l'étape de la gravure (étape 9 du procédé figure 2-

64
23). Le phénomène est parfois suffisant pour provoquer une mise en court-circuit des plots
(figure 2-25b).
Un autre défaut est noté à plusieurs reprises: une surgravure du cuivre électrodéposé
lors du retrait de la couche d’initiation Cu (figure 2-25a et 2-25c). La surgravure est plus
prononcée à l'interface entre le cuivre (ECD) et le cuivre (PVD) car celle-ci est naturellement
plus poreuse et plus contaminée qu'à l'intérieur des deux matériaux massifs. Cette surgravure
peut aller jusqu'à provoquer le déchaussement des plots depuis la base.

Figure 2-25: Inspection MEB (a et b) et en microscopie optique après coupe transversale (c)
de micro-pillars à l’issue du procédé de synthèse.

L'intégration a été optimisée par le biais des solutions suivantes :


- Une couche de 50nm de titane a été ajoutée sur la couche d'amorce à l'électrodéposition
en cuivre afin d'éviter les interactions entre la résine, les électrolytes (de cuivre, de nickel et
surtout d'or) et le cuivre sous jacent. Il a été constaté l’élimination des infiltrations par la mise
en place d'une couche de titane de 50nm sur le cuivre d’initiation à l’électrolyse.
- Un procédé de gravure physique par faisceau d'ions a été utilisé plutôt qu’une gravure
par voie chimique et a permis de supprimer les surgravures latérales du cuivre.
- Cette gravure de cuivre par usineur ionique consomme une partie de l’or déposé. Les
caractérisations réalisées ont permis d’identifier une vitesse de gravure de l’or de
115 nm.min-1. L’épaisseur d’or déposé a ainsi été ajustée à 1µm afin d’obtenir à l’issue du
procédé d’usinage ionique de 5min, une épaisseur d’or inférieure à 500nm.

4) Procédé d'élaboration du brasage eutectique

4-1) Procédé de réalisation du report de puce (flip chip)


A présent que la synthèse des micro-bumps et micro-pillars est accomplie sur chacun
des deux composants, l'opération de flip-chip peut-être réalisée. Cette opération nécessite
l'utilisation d'un équipement dit de "pick and place" (qui au laboratoire est de marque
"DATACON"). Chaque puce supérieure (préalablement découpée) est saisie par une micro-
pipette à vide par sa face arrière puis placée sur une des puces inférieures avec une précision
d'alignement de ±7µm suivant chaque axe du plan du wafer. La précision suivant le tilt dans
le plan du wafer est de ±0.15° et le défaut de parallélisme est au maximum de ±0.03°. A ce
niveau de précision maximum, la cadence de report de puce est aujourd'hui de 30 puces par
minute. Le brasage eutectique proprement dit peut ensuite être réalisé soit en four-à-passage
soit grâce à un procédé appelé "thermo-compression" qui est développé par la suite.

4-2) Problématique liée à la présence d'underfill


A partir de cette étape du procédé de montage, deux différentes techniques
d'assemblages existent selon la manière dont est intégré l'underfill. Le premier cas est à priori
plus simple d'un point de vue du procédé d'intégration puisque le report de puce et le brasage

65
eutectique sont réalisés dans un premier temps et l'underfill est appliqué dans un second temps
puis se répartit par capillarité (figure 2-26a). Dans le second cas, l'underfill est établi à
l'échelle du wafer sur les puces supérieures puis dispersé par un procédé de mise en rotation
du wafer appelé "spin-coating". Dans ce cas de figure le procédé de pick and place est
enchainé avec la thermo-compression qui va permettre l'assemblage des puces.

Figure 2-26 : Schémas des deux méthodes d’intégration: capilary underfill (a), pre-applied
underfill (b) [136].

Dans le cas de l'utilisation du wafer level underfill, le niveau de résine surplombe les
micro-pillars et il y a donc un risque de piéger de la résine dans l'interconnexion au moment
du brasage eutectique. C'est pourquoi il est nécessaire, d'appliquer une force sur la puce du
dessus après son report afin de faciliter l'extrusion de l'underfill présent entre les surfaces
métalliques.

4-2-1) La thermo-compression
La thermo-compression est une technique d'assemblage de matériaux métalliques dans
laquelle la compression est couplée à la chauffe. L'assemblage va s'effectuer par diffusion des
espèces du réseau cristallin d'un des matériaux vers l'autre sous l'influence de l'agitation
thermique. Il n'est ainsi pas nécessaire d'atteindre l'état liquide d'un des deux matériaux. Ce
type d'assemblage est aussi utilisé pour des scellements d'autre nature comme le scellement
or-étain. Les matériaux doivent avoir une bonne conductivité thermique ainsi que des
coefficients de diffusion élevés. Du fait de l'application d'une force pendant le processus, les
tailles d'interconnexions sont généralement réduites par rapport à un procédé dans lequel seul
le paramètre calorifique rentre en jeu.
Le pick and place et la thermo-compression peuvent être réalisés successivement sur
le même équipement. De cette manière il est possible d'appliquer un contact pendant une
durée de 1msec à 100s et dont la force d'application peut aller de 1N à 50N. En ce qui
concerne la programmation du profil thermique, il est possible d'assigner une consigne au
support de chacune des deux puces. Pour chacun des deux substrats, une température
maximale ainsi que des vitesses de chauffe et de refroidissement sont modulables dans les
limites décrites dans le tableau 2-1.
Support puce du dessus Support puce du dessus

Température maximale 350°C 250°C

Vitesse de chauffe 11°C/min 40°C/min

Vitesse de refroidissement 11°C/min 30°C/min

Tableau 2-1: Propriété du profil thermique assignable par thermo-compression sur


l'équipement DATACON.

66
C'est à partir du développement de la technique de thermo-compression que
l'intégration du wafer level underfill a trouvé sens [137-138].

4-2-2) Limitation de la thermo-compression


Un des inconvénients de la thermo-compression telle qu'elle s'effectue par le biais de
l'équipement DATACON est qu'elle ne permet pas de variation en température en fonction du
temps. Pratiquement, il n'est pas possible, par exemple, de répondre à la problématique
d'activation du flux qui nécessite un plateau vers 120°C. Un autre inconvénient est que seules
les températures des supports de puce sont connues, ce qui ne permet pas de connaitre avec
précision la température effective au niveau de la brasure. En cas d'un échec du brasage
eutectique lié à une mauvaise gestion de l'aspect thermique, son nouveau paramétrage ne
restera donc que qualitatif, contrairement à ce qu'il est possible de faire avec un four-à-
passage dont le profil thermique sur wafer est paramétrable avec précision.

4-2-3) Approche four-à-passage


Si à présent l'on s'exempte de la problématique de l'underfill, qui sera intégré dans la
suite du montage, alors la thermo-compression n'est plus nécessaire. Il devient possible
d'utiliser l'équipement de pick and place simplement pour le positionnement des puces, puis
de réaliser le brasage eutectique en four-à-passage pour lequel on aura acquis une bonne
connaissance au cours de l'optimisation du procédé de synthèse du micro-bump par le reflow.
Dans notre cas, une optimisation du profil thermique a été faite pour satisfaire des
spécifications morphologiques et ce, avec un rendement maximum.
A présent que les principales problématiques relatives à l'obtention d'un procédé
d'élaboration reproductible ont été décrites et résolues, les outils de caractérisation vont faire
l'objet d'une présentation dans la section qui suit.

5) Dispositifs expérimentaux et méthodologie de caractérisation

5-1) Introduction
Cette étude cherche à qualifier les réactions d'interfaces et les propriétés
microstructurales du micro-bump, ainsi que leurs évolutions au cours des différentes étapes de
montage qui sont en majeur partie influencées par le budget thermique. Afin de caractériser
finement ces aspects morphologique et microstructuraux, la microscopie électronique à
balayage (ou MEB) est incontournable (figure 2-15 et 2-16). En revanche nous ne disposons
pas de moyen simple pour réaliser des coupes transversales au sein des micro-bumps, excepté
par faisceau d'ions focalisé (FIB). En parallèle de cette difficulté technique, il sera nécessaire
d'inspecter les évolutions microstructurales de l'alliage ainsi que celles du système interfacial
avec la contrainte thermique. L'étude de l'évolution de la microstructure de l'alliage et du
système interfacial suivant le nombre de reflows apparait comme une approche intéressante
puisque cela correspond effectivement à ce qui sera subi par le système lors du procédé de
montage. En effet, les recuits ultérieurs au brasage eutectique de puces, nécessaires au report
des composants sur BGA puis sur PCB sont des recuits dont les paramètres sont analogues au
profil visible en figure 2-22. Cependant, des profils thermiques adaptés aux besoins de l'étude
seront également appliqués sous atmosphère d'argon par un équipement de calorimétrie
différentielle à balayage. Cet outil sera utilisé dans le but d'appliquer des profils thermiques
avec rampe de montée en température et de refroidissement constante et des maintiens
isothermes de durées variables. Le but est de faire varier la durée d'interaction entre le cuivre
et la brasure liquide. La calorimétrie différentielle à balayage permet également d'obtenir des

67
informations thermodynamiques comme les températures de transition de phase. La
méthodologie consiste donc dans un premier temps à associer un traitement thermique avec la
caractérisation morphologique (MEB) et compositionnelle (spectroscopie X dispersive en
énergie) du système d’étude. En second lieu, l'impact des propriétés du système interfacial sur
la résistance mécanique du système d’étude sera analysé. Dans cette optique, le test en
cisaillement (shear test) sera utilisé sur des micro-bumps de diamètres et de compositions
différentes. Pour finir, la tomographie par projection, sera exploitée en complément du MEB
afin d’apporter une vision tridimensionnelle de notre système d’étude et sera l'objet de la
dernière partie de ce chapitre.

5-2) Calorimétrie différentielle à balayage


La calorimétrie différentielle à balayage ou DSC (pour Differentiel Scanning
Calorimetry en anglais) est un outil de détection d'échanges thermiques. La mesure DSC
utilise ordinairement un échantillon référence pour lequel il est connu qu’aucune transition de
phase ne se produit et reste donc inerte du point de vue thermodynamique pendant l'exécution
du profil thermique et le second échantillon est celui qui fait l'objet de l'étude. Les deux
échantillons sont placés dans deux cellules différents obéissant au même profil thermique de
consigne, l'ensemble étant situé dans la même enceinte calorifique. La température de ces
deux cellules doit rester identique. Il est possible de mesurer avec une bonne précision les
échanges thermiques relatifs se produisant entre les deux cellules. Lorsqu'une transition de
phase se produit, un générateur de puissance fournit l'énergie nécessaire afin de conserver la
température de l'échantillon identique à celle de la référence. C'est cette énergie (flux de
chaleur) qui est enregistrée en fonction du temps. La DSC permet donc de déterminer les
températures de transitions de phases d'un échantillon ainsi que les enthalpies associées à ces
transitions de phases.

5-3) Protocole de préparation d'échantillon


Ce protocole a pour but de réaliser des coupes transversales au sein d’une ligne de
micro-bumps généralement issue de la matrice centrale (figure 2-2b) du motif de puce. La
préparation d’échantillons est délicate pour obtenir une planéité de la section (inférieure à
50nm) et une qualité d'observation satisfaisante. Pour l’obtenir sur les dimensions souhaitées,
un Cross Section Polisher (CSP) sera utilisé (figure 2-27). Le principe est similaire à celle
d’une abrasion par faisceau d'ions focalisés (FIB), excepté que le polissage y est légèrement
moins précis et que la surface polie est, pour des durées équivalentes, plus de cent fois plus
importante que celle que l’on peut obtenir avec un FIB classique. De cette manière il est
possible, sur une coupe transversale, d'observer plusieurs micro-bumps (voir figure 2-29).

Figure 2-27 : Vue d'ensemble du Cross Section Polisher (JEOL)

Le principe est le suivant : un faisceau d'ion d'argon non focalisé de diamètre 300 µm
attaque la surface de l’échantillon et crée une section de positionnement perpendiculaire à
celui-ci. La vitesse de gravure est de l’ordre du micron par minute pour la matériau référence
du silicium. La coupe présente une largeur de 700 µm. La zone spécifique à abraser est

68
sélectionnée par clivage puis par un jeu de masque comme montré en figure 2-28. Le
positionnement de la coupe est obtenu avec une précision évaluée à 20 µm.

Figure 2-28 : Schéma du principe d’exposition à l’abrasion utilisé dans le Cross Section
Polisher. Vue d'ensemble (a), zoom sur la zone de masquage (b).

Cette méthode nécessite cependant une encapsulation pour préserver l’échantillon et


ici les micro-bumps au cours de l’abrasion ou pour éviter un endommagement par le masque.
Cette encapsulation est obtenue par dépôt d’une résine (Spécifix 40), qui doit être associée à
un réticulant (protocole détaillé en annexe A3). Un échantillon apte à subir une abrasion au
CSP est ainsi obtenu. Il est possible d’ajouter une étape de polissage mécanique grossier pour
approcher la ligne de micro-bump qui doit se trouver en bordure d'échantillon. En effet, le
CSP est utilisé pour éliminer des portions de matériaux affleurant du masque qui restent
relativement minces (75 µm maximum). L'abrasion est donc fréquemment exécutée après
polissage d'une certaine portion de l'échantillon par mécapol (détails en annexe A3), afin que
la ligne de mire soit éloignée du bord de l'échantillon d'une distance inférieure ou égale à
75µm. Après cette préparation, la coupe transversale obtenue (figure 2-29 et figure 2-25c)
peut donner lieu à une observation MEB.

Figure 2-29 : Observation en microscopie optique d’une coupe transversale réalisée dans une
ligne de micro-bump.

Les informations morphologiques et microstructurales obtenues par des


caractérisations MEB devront être couplées aux informations compositionnelles obtenues par
le biais de spectroscopie dispersive en énergie.

5-4) Spectroscopie de rayonnements-X dispersive en énergie


La spectroscopie dispersive en énergie (EDX), est une technique couplée à l’utilisation
d’un MEB ou d’un Microscope Electronique en Transmission (ou TEM) permettant une
identification des éléments chimiques constituants la surface sondée. Il s'agit d'une méthode
d'analyse qualitative même si des informations quantitatives peuvent être obtenues lorsque
des conditions strictes de planéité et d’uniformité sont réunies. En pénétrant dans
l'échantillon, le faisceau d'électrons incident diffuse et constitue un volume d'interaction (ou
poire de diffusion) dont la forme dépend principalement de la tension d'accélération et du

69
numéro atomique des éléments chimiques constituants la surface de l'échantillon. Parmi les
émissions résultant de l’irradiation de l’échantillon par les électrons, ce sont les rayons X
caractéristiques (figure 2-30) générés qui peuvent être utilisés pour l'identification des
éléments chimiques.

Figure 2-30 : Représentation des différents rayonnements émergeants suite à une irradiation
électronique typique de l’utilisation du MEB. (Avec z : la profondeur limite d’émissions
rétrodiffusées et do le diamètre du faisceau électronique. [139]).

Une telle analyse est adaptée à des défauts de taille relativement importante c’est-à-
dire autour de 0.5 à 1 µm dans leur limite inférieure, par conséquent des phases peuvent être
visibles au MEB sans pour autant pouvoir être analysés avec justesse. La résolution en énergie
de la technique EDX (130 eV) ne permet pas la détection des liaisons atomiques et se limite à
la détection chimique des éléments selon leur numéro atomique. Le détecteur employé est une
photodiode de Si dopée au Lithium (jonction p-i-n à tension inversée). Quand un photon X
tombe sur le détecteur, son énergie est absorbée par une série d'ionisations qui se manifestent
par la création de paires électron-trou. Ces dernières sont collectées par les électrodes de la
photodiode et forment une charge électrique directement proportionnelle à l'énergie du photon
X incident. La procédure d'acquisition EDX est décrite en annexe A4.
Des simulations permettent de rendre compte du volume de la poire de diffusion en
fonction du matériau sondé et de la tension d’accélération des électrons primaires. La figure
2-31 présente le résultat d'une simulation de la poire de diffusion obtenue en bombardant un
matériau composé de 25% de Sn et de 75% de Cu avec une tension d'accélération 15keV.
(Détails en annexe A4).

Figure 2-31 : simulation d’une poire de diffusion obtenue en bombardant un matériau


composé de 25 at% de Sn et de 75 at% de Cu avec des électrons d'énergie égale à 15keV.

70
Dans cet exemple, le diamètre de cette zone d’irradiation est légèrement inférieur au
micron (figure 2-31),
31), et par conséquent l’analyse d’objets plus petits est rendue difficile car le
signal transmis est parasité par la présence des éléments composants les zones voisines. C’estC’e
notamment en cet aspect que l’on rencontre les limites de cette technique. Une alternative
serait de choisir la technique, plus fine, de spectroscopie de perte d'énergie (Electron Energy
Loss Spectroscopy en anglais ou EELS) mais son utilisation nécessite
nécessite de hautes tensions
d’accélération (supérieure à 100kV) et est donc généralement couplée à celle d’un TEM pour
lequel les restrictions sur les dimensions des objets observés rendent compliqué son utilisation
dans le cadre de caractérisations récurrentes comme c'est le cas dans cette étude.

5-5) Le test en cisaillement


Comme énoncé au chapitre 1, le test de cisaillement sur des structures comme le solder
bump ou le micro-bump bump peut être un moyen d'évaluation de leur fiabilité mécanique. Il est
connunu qu'à grande vitesse le test en cisaillement permet de se rapprocher des conditions d'un
drop test et par conséquent d'évaluer la défectivité de la structure complète. Cependant d'un
point de vue méthodologique, il peut être envisagé de sonder plus localement local la fiabilité
mécanique du micro-bump bump en abordant le test à plus faible vitesse. Cette idée est alimentée
par deux constats. Il a été vu au chapitre précédent que l'effet Kirkendall se manifeste à
l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure.
brasure. La fiabilité de cette interface peut-être
peut
sondée comparativement à d'autres zones du micro-bump, micro bump, cet effet peut être suspecté
d'affaiblir mécaniquement l'interface entre le cuivre et l'alliage de brasure. De surcroit l'effet
Kirkendall est susceptible le de s'amplifier avec le vieillissement thermique [101]. Enfin, bien
que la présence de la couche intermétallique soit essentielle pour la bonne adhésion entre le
cuivre et l'alliage de brasure [102],
[102] une épaisseur « excessive » conduit à un affaiblissement
affaiblisseme
du joint [103-104].
104]. Un test en cisaillement sur micro-bump
micro bump permettrait donc de répondre aux
questions: A quel point l'effet Kirkendall contribue t-ilt il à dégrader la résistance mécanique du
micro-bump?
bump? A quel point l'accroissement de l'épaisseur intermétallique
intermétallique contribue t-il
t à
dégrader la résistance mécanique du micro-bump?
micro
La méthode va ainsi consister
consi ter à créer une croissance artificielle de la couche
intermétallique par le biais de maintien thermique lorsque l'alliage est à l'état liquide et
atteindre
indre différents stades d'avancement réactionnel. Chaque catégorie d'échantillons sera
caractérisée par son stade d'avancement réactionnel et donc par son épaisseur intermétallique
moyenne. Chacune de ces catégories sera évaluée au test de cisaillement et ce, pour
différentes hauteurs de cisaillement afin d'évaluer les différences de résistance mécanique
selon le matériau cisaillé (figure 2-32).
2

Figure 2-32:
32: Schéma de principe du test en cisaillement à différentes hauteurs sur micro-
micro
bump.

L’expérimentation
ion est réalisée sur l'équipement de cisaillement de marque DAGE-
DAGE
SERIES-4300
4300 compatible avec des wafers 200mm et 300mm. Le support de wafer peut-être
peut
mis sous vide. Des "joysticks" permettent la manipulation complète du wafer alors qu'une
71
loupe binoculaire permet la visualisation de la manipulation en cours. La pointe,
interchangeable, a ici un diamètre de 50µm.

6) La tomographie X par projection

6-1) Introduction
Quelques résultats, décrits dans le chapitre suivant, sont basés sur des caractérisations
utilisant la tomographie par rayons X. L'intérêt premier de ce type d’analyse est le fait de
pouvoir obtenir une imagerie et une caractérisation tridimensionnelle beaucoup plus complète
que ce qu'il est possible d'obtenir par le biais du protocole décrit précédemment. La
tomographie par rayons X est une technique directement inspirée de l’imagerie médicale (le
« scanner ») et qui peut être mise en œuvre à plusieurs échelles spatiales. Pour la tomographie
industrielle, on peut utiliser des rayons X de très haute énergie (100keV ou plus) sur de très
gros objets et à basse résolution (de 100 micromètres jusqu’à quelques millimètres). La
microtomographie vise à obtenir une imagerie 3D à des résolutions (sub)micrométriques, à
des énergies allant souvent de 10keV à 100keV [140]. A très haute résolution, on trouve la
nanotomographie par rayons X avec des résolutions allant jusqu’à 50nm [141, 142].
Quand on augmente la résolution, cela revient à mettre plus de photons dans des pixels
toujours plus petits ; il faut donc augmenter la brillance. Pour cette raison, les outils de
nanotomographie permettant d’effectuer une expérience avec un rapport signal sur bruit et un
temps d’acquisition raisonnable reposent tous sur l’utilisation du rayonnement synchrotron.
Dans le cadre de ces travaux, nous avons utilisé le rayonnement synchrotron de 3ème
génération fourni par Le European Synchrotron Radiation Facility (ESRF). Des détails
concernant l'ESRF et le dispositif expérimentale de la ligne ID22 sont fournis en annexe A5
[143-147].

6-2) Préparation d’échantillon


Etant donné le champ de vue limité du détecteur et la rotation qu’impose la technique
de la tomographie, il est indispensable dans notre cas, qu’un unique micro-bump figure sur
l’échantillon. Par conséquent la puce Div1 (figure 2-2b) est micro-clivée un utilisant l’outil
SELA MC 600i de manière à ce que le trajet de découpe ne comprenne qu’un seul micro-
bump se trouvant dans l’angle supérieur gauche du trajet de découpe (figure 2-33). Un
échantillon de 2.2mm x 1.6mm est ainsi obtenu.

Figure 2-33: Représentation du positionnement du trait de découpe sur puce Div1 permettant
l’obtention d’un unique micro-bump.

72
6-3) Principe de la tomographie par projection
La tomographie est une technique d’imagerie qui permet de reconstruire un objet en
3D à partir de la mesure d’une série de projections bidimensionnelles qui sont en fait des
radiographies. Un système typique de radiographie est composé d'une source de rayons X,
d’un porte-échantillon motorisé et d'un détecteur. L’objet est placé au-delà du point de
focalisation du faisceau de manière à être intégralement irradié (figure 2-34). Une projection
plane de son volume est ainsi obtenue. Le principe est en fait identique à celui de la
radiographie médicale.

Figure 2-34: Schéma du montage expérimental de la radiographie.

Par rapport à la simple radiographie, la tomographie par projection consiste à faire


pivoter progressivement l’objet d'intérêt suivant son axe vertical afin d'acquérir un grand
nombre de radiographies à différentes orientations. La source de rayons X et le détecteur sont
donc immobiles tandis que l'échantillon est posé sur un support en rotation.

6-4) Reconstruction
A partir de cet ensemble de radiographies de l'objet, il est possible par reconstruction
mathématique d'établir les coupes axiales, sagittales et frontales et donc une reconstruction
tridimensionnelle de l'objet sondé (figure 2-35). La reconstruction passe par une méthode
analytique : la rétroprojection filtrée. La reconstruction peut être obtenue par la transformée
inverse de Radon qui constitue l’expression mathématique d’une projection. Cette opération
consiste à filtrer toutes les projections et à les propager sur toute l'image dans la même
direction où ils avaient été projetés [148]. La résolution de l’objet reconstruit est en partie liée
au nombre de projections acquises.

Figure 2-35: Principe de la tomographie par projection : acquisition d’une


radiographie (a), acquisition d’images pour plusieurs angles de rotation du micro-bump (b),
reconstruction 3D du micro-bump (c).

73
L'intérêt majeur de la technique ici est la quantification du volume de la couche
réactionnelle. En utilisant un logiciel de traitement d'image (Image J), il est possible de
calculer, sur une coupe transversale ou bien axiale, la surface occupée par la couche
réactionnelle (voir figure A6-1 en annexe A6). En répétant ce calcul pour chaque coupe axiale
(figure 2-36), un profil de la surface occupée par l'intermétallique en fonction de la hauteur
(figure 2-36c) est obtenu. L’intégration de ce profil permet d'obtenir le volume total de la
couche réactionnelle.

Figure 2-36: Coupe axiale de micro-bumps à 14µm de hauteur (a) à 15µm de hauteur (b).
Surface de la couche interfaciale occupée en fonction de la hauteur (c).

En réalité, à cause de la cohérence des faisceaux synchrotron, les radiographies


obtenues sur la ligne ID22NI comprennent à la fois une contribution d’absorption des photons
dans la matière (loi de Beer Lambert) et une contribution de contraste de phase. La
reconstruction et la quantification de la couche réactionnelle imposent d’avoir uniquement
une image d’absorption ; à cette fin, un algorithme dit de « phase retrieval » a été mis en
œuvre par Peter Cloetens [149, 150].

7) Conclusion
Dans ce chapitre, les procédés d’élaboration ont été introduits ainsi que les outils
d’analyses. La fabrication de micro-bumps à l’échelle du wafer avec le véhicule test Div1 est
satisfaisante et reproductible. Tout est disponible pour permettre une étude de la
microstructure et de la réactivité interfaciale du micro-bump. Il s’agira ensuite de mener une
étude comparative entre le procédé dans lequel le micro-bump comprend une couche de
nickel entre le cuivre et l’alliage de brasure et le procédé standard décrit au cours de ce
chapitre. Nous nous attacherons à analyser ces deux systèmes dans le but d’identifier s’il
existe ou non des arguments permettant d’en privilégier un plutôt que l’autre d’un point de
vue industriel.
Le procédé de synthèse du micro-pillar est également identifié et stabilisé de même
que les étapes du procédé de montage (ou flip-chip). Le report de puce (flip-chip) puis
brasage eutectique du micro-bump sur micro-pillar peuvent ainsi être réalisés afin de faire une
analyse métallurgique en aval de l’étude du micro-bump, et ce, en s’affranchissant de la
problématique de l’intégration de l’underfill.

74
Chapitre 3: Métallurgie des micros-bumps

75
1) Introduction

Au cours de ce chapitre seront étudiés, d'un point de vue métallurgique, les


empilements métalliques que constituent les micro-bumps à partir de leur état après dépôt
(figure 3-1) et au cours de leur évolution thermodynamique, morphologique et
microstructurale, que ce soit sur substrat cuivre et sur substrat nickel.

Figure 3-1: Présentation schématique des systèmes d'études: micro-bump (ϕ =25µm) et bump
face arrière (ϕ = 80µm) après le dépôt, sur substrat cuivre et sur substrat nickel.

L'étude se décompose en trois axes:

(i) L'évolution de la microstructure de l'alliage SAC, avec éventuellement une


évolution compositionnelle liée à la dissolution du substrat (Cu ou Ni). Dans les deux cas de
figure (figure 3-2), pratiquement seul le système ternaire Sn-Ag-Cu est concerné. En effet
dans le cas du substrat de cuivre (figure 3-1a), il n'y à que la concentration en cuivre de
l'alliage qui peut évoluer suite à la dissolution du cuivre du substrat (donc seuls les éléments
Sn, Ag et Cu constituent l'alliage). Dans le cas où le SAC liquide est mis en contact avec un
substrat de nickel, la formation d'une couche interfaciale de Ni3Sn4 dense et continue, sert de
barrière de diffusion et limite de façon drastique la dissolution du nickel dans l'alliage liquide
[79]. De ce fait la concentration du nickel dans l'alliage est pratiquement nulle et il peut, par
conséquent, être considéré que l'alliage ne contient que trois constituants (Sn, Ag et Cu). Le
premier axe de l'étude ne concerne donc que le diagramme ternaire Sn-Ag-Cu.

(ii) L'évolution du système interfacial pour les deux systèmes (figure 3-2), Cu/SAC et
Ni/SAC. Il doit être noté tout d'abord que le cuivre et le nickel ne forment aucune phase
intermédiaire avec l'argent (voir figure 1-9 et référence [151]) et de ce fait les systèmes
interfaciaux Cu/SAC et Ni/SAC peuvent pratiquement être présentés par les systèmes Cu/Sn-
Cu liquide riche en étain et Ni/Sn-Cu liquide riche en étain. Selon le substrat Cu ou Ni, les
systèmes interfaciaux à l'état initial peuvent être définis comme deux "couples de diffusion"
représentés schématiquement sur les deux sections isothermes des diagrammes de phases
ternaires Sn-Cu-Ag et Sn-Cu-Ni sur la figure 3-2b. Les points rouges sur ces coupes
isothermes représentent schématiquement les concentrations initiales des deux membres de
chaque "couple de diffusion".

(iii) Le comportement mécanique du système interfacial. Ce comportement sera


investigué par des tests en cisaillement qui ont fait l'objet d'un état de l'art dans le premier
chapitre.
76
Figure 3-2: Représentations schématique des systèmes ternaires concernés par les axes
d'études: microstructure (a), réactivité interfaciale (b).

2) Etude microstructurale

2-1) Introduction
Dans cette partie sera étudié dans un premier temps l'état initial de l'alliage de brasure
après électrodéposition aussi bien sur substrat cuivre que sur substrat nickel dans le cas de
micro-bump (diamètre: ϕ = 25µm) et seulement sur substrat cuivre pour des bumps face
arrière (diamètre: ϕ = 80µm).
Dans un second temps, la fusion et la solidification par calorimétrie différentielle à
balayage (DSC) pour des micro-bump (ϕ = 25µm) et des bumps face arrière (ϕ = 80µm)
déposés sur substrat cuivre seront étudiés. Les températures de fusion et de solidification
obtenues pour les micro-bumps et les bumps face arrière seront comparées avec les
températures de fusion et solidification de billes de même alliage de 450µm et de 70µm de
diamètre.
Finalement, la microstructure de solidification et l'incidence de différents paramètres
(nombre de reflows, vitesse de refroidissement ou composition de la brasure) sur cette
microstructure seront présentées et analysées.

2-2) Etat initial du système après le dépôt électrolytique de l'alliage de brasure


Comme cela a déjà été présenté au paragraphe 3-2 du second chapitre, l'alliage de
brasure SAC a été déposé sur Cu ou Ni. Dans le second cas, le nickel constitue une étape
supplémentaire car il est ajouté entre le cuivre du plot et l'alliage. La figure 3-3 présente des
observations en imagerie ionique de l'ensemble du système Cu/SAC pour les micro-bumps de
cuivre de diamètre 25µm et 80µm. Dans les deux cas on peut très nettement distinguer la
microstructure du plot de cuivre ainsi que celle de l'alliage déposé par voie électrochimique.
La microstructure du cuivre massif est caractérisée par des grains dont la grande majorité de
taille est comprise entre 1µm et 2µm dans les deux cas. La couche réactionnelle entre le
cuivre et l'alliage est observée dans les deux cas à l'interface. La formation de cette couche,
avant même le passage à l'état liquide de l'alliage de brasure, sera discutée en détail dans le
paragraphe suivant. Ces observations en imagerie ionique mettent clairement en évidence une
structure granulaire de l'alliage SAC. Dans le cas du micro-bump de diamètre 25µm (figure 3-
3a), les grains présentent une structure colonnaire de 2 à 3µm de largeur et plus d’une
quinzaine de grains peuvent être comptabilisés dans la section de la figure.

77
Dans le cas du bump face arrière de diamètre 80µm (figure 3-3b), la taille moyenne
des grains est beaucoup plus élevée (~10µm) et seulement 5 ou 6 grains peuvent être
distingués.

Figure 3-3: Observation en imagerie ionique (FIB) d’un micro-bump (a) et d’un bump face
arrière (b) après électrodéposition.

La figure 3-4 montre des clichés de spectroscopie dispersive en énergie (EDX) réalisés
sur des coupes transversales de bumps face arrière (ϕ = 80µm). Ces observations mettent
clairement en évidence l'existence de précipités d'argent sous forme de plaquettes d'épaisseur
micrométrique et d'une longueur de quelques microns (5µm à 10µm), ainsi que la présence de
particules riches en cuivre dont la taille moyenne dépasse celle du micron (>1µm). Comme
l'alliage contient plus de 95% d'étain il s'agirait de grain d'étain étant donné qu'aux
températures inférieures à 25°C (température maximale atteinte lors de l'électrodéposition
[152]), la solubilité du cuivre et de l'argent dans l'étain est pratiquement nulle (voir les
diagrammes de phases figure 1-9). Par conséquent, le cuivre et l'argent déposés peuvent se
trouver à l'intérieur de la matrice d'étain soit sous forme d'éléments pur (Cu ou Ag) soit sous
forme de composés Cu3Sn et/ou Cu6Sn5 ou sous forme d'Ag3Sn respectivement.

Figure 3-4: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière après électrodéposition (a, d), Composés riche en argent
(b, e), et riche en cuivre (c, f).

Une nette augmentation de la taille des grains d'étain est observée lorsque le diamètre
du bump augmente. Cette différence de taille de grain peut provenir de la différence du temps

78
de l'électrodéposition entre les deux types de bumps. En effet, comme la déposition de
l'alliage SAC est réalisée à une densité de courant identique pour les deux dimensions de
bumps concernés ici (figure 3-3), la durée de l'électrodéposition est plus longue dans le cas
des micro-bumps de plus grand diamètre: pour le micro-bump (ϕ = 25µm), 10µm d’alliage
sont déposés (figure 3-3a) contre 25µm pour le bump face arrière (ϕ = 80µm) (figure 3-3b).
Les durées d'électrodéposition sont ainsi de 1min 25s pour le micro-bump contre 4min 48s
pour les bumps face arrière. Dans le cas de l'électrodéposition de longue durée (4min 48s),
une croissance de grains d'étain pendant le dépôt peut être envisagée, de quelques microns
après une minute de dépôt à environ 10µm au bout de cinq minutes à température ambiante
[153].

2-3) Etude par DSC de la fusion et solidification de l'alliage SAC

2-3-1) Introduction
Dans ce paragraphe seront comparés et discutés les résultats de l'étude calorimétrique
de l'alliage SAC sous deux configurations différentes:
- billes d'alliages SAC de diamètres 70µm et 450µm.
- alliage de brasure SAC déposé sur un substrat de cuivre (configuration bump).
Avant d'aborder cette étude proprement dite, les volumes d'alliage dans ces deux
configurations (billes et bumps) sont ici comparés. Le volume des billes de diamètre 70µm et
450µm est respectivement de 1,8.105 µm3 et 4,8.107 µm3. Le volume de l'alliage SAC déposé
sur les bumps de diamètre 80µm et de hauteur d'alliage 25µm est d'environ 1,3.105 µm3. Pour
les micro-bumps de diamètre 25µm, comprenant une hauteur d'alliage de 8µm et 10µm le
volume est d'environ 0,04.105 µm3 et 0,05.105 µm3 respectivement. Etant donné que le
volume d'alliage reste dans tous les cas inférieur à 1mm3, sa forme à l'état liquide sera soit
sphérique dans le cas des billes, soit sous forme de calotte sphérique dans le cas des miro-
bumps (figure 3-5). En effet lorsque le volume des alliages métalliques est inférieur à 1mm3,
les forces de gravité sont négligeables devant les forces capillaires [154]. La relation entre le
volume de l'alliage (V), le diamètre du micro-bump (ϕ = 2r) et l'angle β formé entre l'alliage
liquide et le plot de cuivre (figure 3-5), est donnée par:

2πr 3 2 − 3 cos β + cos3 β 2πr 3


(1) V= . = V *
. f ( β ) avec V *
=
3 2 sin3 β 3
*
V représente le volume d'une demi-sphère de rayon r. La variation de la fonction f(β)
est tracée sur la figure 3-5. Il doit être noté que l'angle β formé entre la surface de l'alliage
liquide et le micro-bump (figure 3-5) n'est pas un angle d'équilibre de Young. En supposant
que la goutte ne s'étale pas sur les parois verticales du plot de cuivre, la forme de la goutte est
imposée par son volume et par le diamètre du plot de cuivre. Si cet étalement à lieu, il doit
être pris en compte (voir paragraphe 3-2-4). A partir de la relation (1) et en supposant qu'il n'y
à effectivement pas d'étalement sur les parois verticales, alors l'angle β peut être déterminé en
fonction du diamètre du plot de cuivre ϕ et du volume de l'alliage:
π .φ ²
V= .h où h est la hauteur de l'alliage déposé.
4
Pour un bump face arrière (de diamètre ϕ = 80µm et de hauteur d'alliage h = 25µm), β
≈ 92° et pour un micro-bump (de diamètre ϕ = 25µm et une hauteur d'alliage h = 8-10µm), β
≈ 92°-97°.
Les valeurs d'angles calculées sont légèrement supérieures à 90° dans tous les cas avec
une valeur moyenne de 93±4°. La figure 3-5, donne des images MEB de deux micro-bumps
après passage à l'état liquide de l'alliage SAC (à l'issue d'un reflow) de diamètre 80µm et

79
25µm. La forme de l'interface liquide vapeur est bien sphérique et les valeurs de l'angle β
évaluées ici (figure 3-5c et 3-5d) sont légèrement supérieures à 90° pour ϕ = 80µm et 25µm.
Il y a par conséquent une bonne correspondance entre les valeurs calculées et celles mesurés
sur les micrographies.

Figure 3-5: Représentation schématique d'un micro-bump de volume V et formant un angle β


avec le plot de cuivre (a), tracé de la fonction f(β) - équation (1) (b), cliché MEB d'un bump
face arrière (c), et d'un micro-bump (d).

La géométrie des micro-bumps (ϕ = 25µm, h = 10µm) et des bumps face arrière (ϕ =


80µm et h = 25µm) est donc telle que l'alliage de brasure présente, à l'issue du reflow, une
forme presque hémisphérique dont l'angle de mouillage est légèrement supérieur à 90°C. En
ce sens, le dimensionnement des bumps est considéré comme satisfaisant.

2-3-2) Etude en calorimétrie différentielle à balayage (DSC)

a) Billes d'alliages SAC


La figure 3-6 donne la variation du signal DSC (flux de chaleur en mW (en mJ/s)) lors
d'une montée en température jusqu'à 240°C avec une vitesse de 10°C/min suivie d'un
maintien isotherme de 5 min et d'une rampe de refroidissement de 3°C/min pour des billes
d'alliages SAC 357 (Sn-3,5%Ag-0,7%Cu) de diamètre 450µm et 70µm. Le signal
endothermique lors du chauffage, caractéristique de la fusion d'un alliage de composition
eutectique (ou proche de l'eutectique), est visible dans les deux cas. La température de fusion
de l'alliage relevée au début de ce pic est d'environ 218,4°C et 217,7°C pour les billes
respectivement de 450µm et 70µm. Cette température de fusion est en accord avec celle
indiquée par le diagramme de phase ternaire du système Sn-Ag-Cu (figure 1-10) pour l'alliage
SAC 357.
Lors du refroidissement des billes de 450µm, on constate une surfusion importante
puisque le premier pic de solidification est détecté à une température de 185°C. Ce pic est
suivi de nombreux pics de solidification d'amplitudes différentes jusqu'à la température de
176°C. Cette différence d'amplitude s'explique par le fait que chacun de ces pics correspond à
la solidification de plusieurs billes pour lesquelles le phénomène de germination a lieu dans le
même intervalle de temps. La surfusion ∆T, qui peut être exprimée par: ∆T=Tfusion -
Tgermination, vaut donc environ 33°C pour les billes se solidifiant les premières et 42°C pour les
billes se solidifiant en dernier. Le même phénomène est observé dans le cas des billes de
70µm de diamètre, sauf que dans ce cas la solidification a lieu sur une plage nettement plus
importante de température (de 177,5°C à 121,5°C). Cette fois la surfusion ∆T est ainsi
comprise entre 40°C et 96°C. Etant donné que la germination homogène pour les métaux
liquides a lieu à des degrés de surfusion plus importants que ceux mesurés ici [155], il peut
être conclu qu'une germination hétérogène sur des particules solides micrométriques se
trouvant au sein de l'alliage a lieu dans ce cas. De plus le fait que la surfusion augmentant
lorsque la taille de la bille diminue correspond avec l'aspect probabiliste du phénomène de la

80
germination. Des variations de la surfusion avec la taille des billes d'alliages SAC ont été
aussi reportées dans la littérature comme dans l'étude de B. Arfaei et al [41] (voir annexe A2).

Figure 3-6: Signal DSC obtenu en soumettant des billes d'alliages SAC (Sn-3,5%Ag-
0,7%Cu) à un profil thermique de vitesse de chauffe égale à 10°C/min et de vitesse de
refroidissement égale à 3°C/min. Billes de 450µm de diamètre (a), billes de 70µm de
diamètre.

b) Micro-bumps de diamètre 80µm et 25µm.


Une première expérience DSC a été effectuée avec un unique micro-bump de diamètre
80µm. Comme le volume d'alliage SAC de hauteur h = 25µm est très petit (1,3.105µm3), le
signal DSC est très faible, mais suffisant pour détecter la fusion. En effet, en première
approximation en assimilant l'alliage SAC à de l'étain pur, à partir de la chaleur de fusion
molaire de l'étain (∆Hm = 7029J.mol-1), de sa densité (ρ = 7,3g.cm-3) et de sa masse molaire
(M = 118,7g.mol-1), la chaleur de fusion volumique peut être déterminée:
ρ
∆H v = ∆H m = 432,3J .cm −3
M
Ce qui donne pour un micro-bump de diamètre 80µm de volume V = 1,3.10-7 cm3:
∆H(ϕ=80µm) = 0,055mJ. Pour le micro-bump de diamètre égale à 25µm et de hauteur h =
10µm, un calcul similaire conduit à la chaleur de fusion de l'alliage SAC (de volume égal à V
= 4,1.103 µm3) : ∆H(ϕ = 25µm, h = 10µm) = 1,8.10-9mJ. La figure 3-7 donne le signal DSC
lors du chauffage obtenu dans le cas d'un seul micro-bump (ϕ = 25µm, h = 10µm) et d'un seul
bump (ϕ = 80µm).

Figure 3-7: Pic de fusion de profils calorimétriques d'un unique micro-bump, ϕ = 25µm (a),
ϕ = 80µm (b).

81
Même si l'amplitude du signal DSC est ici très faible et il est difficile de déduire des
valeurs quantitative de ∆Hfusion pour un seul micro-bump, il a été confirmé de façon claire par
plusieurs expériences, que dans les deux cas la température de fusion de l'alliage SAC,
mesurée au décollage de la ligne de base, se situe à 217,5±1°C. Cette valeur correspond,
d'après le diagramme ternaire SnAgCu (figure 1-10), à la température de fusion d’un alliage
de composition très proche de l'eutectique ternaire Sn-3,5%Ag-0,8%Cu. Le pic de
solidification de l'alliage n'est en revanche pas détectable ce qui peut être attribué au fait que
la vitesse de solidification est trop faible lors de la solidification.
Afin de discerner le pic de solidification en configuration bump et micro-bump, leur
nombre a été élevé à plusieurs milliers. La figure 3-8a donne donc une courbe type DSC
obtenue lors de la fusion et de la solidification de plusieurs milliers de bumps (φ = 80µm).
Deux pics, correspondant à la fusion de l'alliage, peuvent être clairement identifiés, ainsi que
de nombreux pics correspondant à la solidification. Il est à noter que le double pic lors du
chauffage a été obtenu pour un ensemble de 5 expériences de ce type. Le premier se situe à
219,2°C et le second à 220,5°C, le "décollage" du premier pic (température de fusion) est
enregistré pour une température de 217,5°C. Les températures relevées ici restent
pratiquement inchangées lorsque des profils thermiques DSC successifs sont exécutés. Si la
composition moyenne de chaque micro-bump pour une puce donnée est considérée identique,
l'existence de ces deux pics lors de la fusion indique que l'alliage n'est pas de composition
eutectique ternaire. En effet, même si l'alliage est considéré très hétérogène lors du dépôt
(c'est-à-dire comprenant par exemple de grosses particules d'Ag ou d'Ag3Sn), le fait que deux
pics distincts soient toujours observés après plusieurs reflows de l'alliage suggère fortement
que la composition globale du bump ne correspond pas tout-à-fait à celle de l'eutectique
ternaire. Dans ce cas, la fusion de l'alliage débuterait par la fusion d'un eutectique ternaire
(Sn+Ag3Sn+Cu6Sn5), qui correspond au premier pic, suivie de la fusion d'un eutectique
binaire (Sn+Ag3Sn) ou bien (Sn+Cu6Sn5) (et éventuellement de la fusion des dernières
particules solides) pour le second pic. Dans le cas où il y aurait la fusion de quelques
particules solides de type primaire, l'apparition d'un troisième pic est très peu probable car ce
pic serait noyé dans celui de la fusion de l'eutectique binaire.
Les températures de solidification de l'ensemble des bumps se situent entre 195°C et
205°C donc les surfusions ∆T, entre 22°C et 32°C obtenues ici, sont significativement plus
faibles que dans le cas des billes de mêmes alliage de diamètre 70µm et donc pratiquement de
mêmes volumes pour lesquelles ∆T se situent entre 40 et 96°C. Cette diminution significative
de la surfusion dans le cas des bumps par rapport au cas des billes peut être due à deux
facteurs:
(i): La quantité et/ou la nature des inclusions (particules solides micrométriques ou
submicrométriques) déposées lors du dépôt électrochimique. Ces conditions sont susceptibles
d'être très différentes dans le cas de l'élaboration des billes d'alliage SAC, puisque leur
élaboration résulte de la solidification de gouttelettes d'un bain liquide d'alliages SnAgCu lors
de la chute dans une chambre sous atmosphère contrôlée. Le mode d'élaboration des alliages
SAC à un effet très important sur le degré de surfusion comme cela a été montré par B. Arfaei
and E. Cotts [40] en comparant la surfusion de billes d'alliages SAC industriels et des billes
formées à partir des alliages SAC élaborés en laboratoire.
(ii): Dans le cas de la configuration bump, l'alliage liquide est en contact avec le substrat de
cuivre et par la suite avec l'intermétallique Cu6Sn5 formé à l'interface Cu/SAC. Cet
intermétallique peut alors agir comme site préférentiel de germination et conduire ainsi à une
diminution de la surfusion comme cela a été démontré par F. Hodaj et al [43].
L'intégration du signal DSC donne la quantité de chaleur associée à la fusion et à la
solidification (∆Hfusion et ∆Hsolidification). La chaleur de fusion totale est d'environ 26±3mJ, ce
qui correspond à la fusion d'environ 4000 bumps face arrière (ϕ = 80µm).

82
La figure 3-8b donne une courbe type DSC obtenue lors de la fusion de plusieurs
milliers de micro-bumps de diamètre 25µm. Un pic, unique cette fois, peut clairement être
distingué lors de la fusion de l'alliage SAC avec un point de décollage à la température de
218,2°C. Cette fusion avec apparition d'un pic unique a été confirmée lors de plusieurs
expériences, que ce soit lors de la première fusion ou lors de fusion successives à une
température de 217,5±1,0°C. Si, comme dit précédemment, les différents micro-bumps sont
supposés de composition identique à l'issue du dépôt électrolytique, il peut être déduit que
cette composition globale est très proche de celle de l'eutectique ternaire (contrairement à ce
qui avait été remarqué pour les bumps face arrière). Même si le signal DSC lors de la fusion
de milliers de bumps de diamètre 25µm est clairement identifié lors de la fusion pour toutes
les expériences, le signal lors de la solidification est très difficile à obtenir. Cette difficulté
s'explique par le fait que l'intervalle de température de germination hétérogène augmente
lorsque la dimension du système diminue [41]. Ainsi par exemple, si la solidification des
bumps (ϕ = 80µm) a lieu dans l'intervalle de température 195-205°C, l'intervalle de
solidification des micro-bumps (ϕ = 25µm) ne peut que être plus large, et de ce fait, le signal
peut être confondu avec le bruit du signal DSC.

Figure 3-8: Signaux DSC obtenus lors du chauffage et refroidissement de bumps de


diamètre 80µm (a), et des micro-bumps de diamètre 25µm (b). Vitesse de chauffe de
refroidissement égale à 10°C/min et 3°C/min respectivement.

2-3-3) Conclusion
L'analyse des données obtenues par calorimétrie différentielle à balayage permet de
vérifier approximativement la composition de l'alliage. En effet pour les micro-bumps de
diamètre ϕ = 25µm, la température de fusion enregistrée en moyenne sur plusieurs
expériences est de 217,5±1°C et un seul pic apparait, ce qui correspond à une composition de
l'alliage très proche de la composition eutectique ternaire E. (Pour rappel, cette composition
eutectique E se trouve dans l'intervalle pour lequel la concentration en argent est comprise
entre : 3,6 et 3,7mass%Ag et celle du cuivre entre 0,8 et 0,9mass%Cu). Dans la suite de
l'étude il sera considéré que les micro-bumps (ϕ = 25µm) présentent une composition très
proche de l'eutectique ternaire et l'alliage de ces micro-bumps seront par la suite nommés
SAC(E). Dans le cas des bumps face arrière de diamètre ϕ = 80µm, un double pic est
systématiquement enregistré, ce qui indique une fusion au moins en deux temps, d'abord d'un
eutectique ternaire puis d'un eutectique binaire (Sn+Ag3Sn) ou bien (Sn+Cu6Sn5). La
composition de l'alliage SAC dans le cas des bumps face arrière (ϕ = 80µm) est donc
légèrement différente de celles des micro-bumps (ϕ = 25µm). La comparaison des
températures de solidification de billes d'alliage SAC de composition identique (SAC 357)
mais de dimension différente (450µm et 70µm de diamètre) montre que la surfusion augmente
lorsque la taille de la bille diminue, ce qui est en accord avec le fait que la germination est un

83
phénomène probabiliste. Enfin, la comparaison des températures de solidification dans le cas
des bumps face arrière (ϕ = 80µm) et des billes d'alliages SAC de dimension presque
identique (ϕ = 80µm) montre que la surfusion est plus importante dans le cas des billes. La
germination hétérogène intervient donc plus rapidement dans le cas des bumps, ce qui peut
être due à la présence des particules solides au sein de l'alliage SAC électrodéposé, mais aussi
à la présence d'une couche interfaciale d'intermétallique à l'interface Cu/alliage liquide.

2-4) Microstructure de solidification

2-4-1) Introduction
Dans ce paragraphe l'analyse de la microstructure des micro-bumps ou bumps face
arrière à l'issue d'un reflow sera présentée. L'influence de paramètres comme le nombre de
reflows, la vitesse de refroidissement ou la chimie de brasure est également étudiée. Ces
aspects seront discutés seulement dans le cas des bumps de diamètre 80µm car le micro-bump
(ϕ = 25µm) est un système dont la dimension, dans le cadre de cette étude, devient trop
limitée pour pouvoir tirer des conclusions sur la microstructure du joint d'alliage.

2-4-2) Microstructure après un reflow


La figure 3-9 présente des images MEB de bumps face arrière et de micro-bump à
l'issue du reflow.

Figure 3-9: Clichés MEB de bumps (φ=80µm) (a, b) et micro-bumps (φ=25µm) (c, d) avant
reflow (a, c) et après reflow (b et d)

Dans les deux cas, la forme de la surface de l'alliage est, à l'issue du reflow,
pratiquement celle d'une calotte sphérique et l'angle β formé entre cette surface et le substrat
de cuivre (voir figure 3-5) vaut en moyenne β1 ≈ 100° pour le micro-bump (diamètre 25µm) et
β2 ≈ 95° pour le bump face arrière (diamètre 80µm). Ces valeurs sont proches de celles
calculées au paragraphe 2-3-1) de ce chapitre.
Ce premier passage à l'état liquide a permis d'affiner nettement la microstructure du
bump en ce qui concerne les précipités riche en argent ainsi que ceux riche en cuivre présents
dans le bump à l'issue de dépôt électrolytique. En effet, comme le montre la figure 3-10, qui
présente une analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) avant et après le reflow
effectuée sur des aires de quelques 500µm² à partir de coupes transversales de bumps face
arrière, la dimension des précipités riches en argent et en cuivre après le reflow est

84
submicronique (entre 200nm et 500nm) et ils sont distribués de manière relativement
homogène dans la brasure. Par conséquent lors du premier reflow les gros précipités riches en
argent et en cuivre se sont dissouts complètement dans l'alliage liquide.

Figure 3-10: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière (ϕ = 80µm) après électrodéposition (a, c), après un
reflow (b, d). Aires riche en argent (a, b), et riche en cuivre (c, d).

La microstructure type du bump après reflow apparait en figure 3-11. Sur cette figure,
des zones contenant des particules blanches de tailles submicrométriques (200nm-500nm)
peuvent être distinguées. Ces zones ne peuvent qu'être des précipités de Cu6Sn5 et/ou Ag3Sn
dans une matrice d'étain. Cette affirmation est renforcée par les résultats fournis en figure 3-
10. La microstructure visible en figure 3-11 consiste en une association de zones eutectique
ternaire SnAgCu et d'eutectique binaire SnAg et/ou SnCu très riche en étain (fraction
volumique de l'étain dans les différents eutectiques est supérieure à environ 95%). Ces zones
riches en précipités semblent parfois former une sorte de réseau qui peut constituer un liquide
interdendritique entourant les dendrites d'étain. Cette figure montre clairement que la fraction
surfacique de l'étain primaire est très élevée malgré le fait que la composition de l'alliage SAC
est très proche de la composition eutectique ternaire. Ce résultat est en accord avec un certain
nombre d'études qui reportent le même type de microstructure dans le cas de billes d'alliages
SAC toute seule ou en configuration BGA (voir référence [31, 39, 41]). L'apparition d'une
fraction importante de dendrites primaires d'étain est due à la difficulté de germination de
l'étain ou à sa croissance coopérative avec Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 [31]. De ce fait, la
microstructure des alliages SAC de composition proche de l'eutectique ternaire est constituée
soit de dendrites primaires d'étain et d'eutectiques (binaires et ternaires) soit de dendrites
primaires d'étain, de larges précipités de Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 et d'eutectiques (binaires et
ternaires). L'apparition d'une ou plusieurs phases primaires dépend de la composition de
l'alliage mais aussi de la vitesse de refroidissement (voir annexe A7).
Notons qu'à partir d'une caractérisation en coupe transversale (figure 3-11), il est
difficile de déterminer le nombre de dendrites d'étain appartenant au même grain, c'est-à-dire
ayant la même orientation cristallographique.

85
Figure 3-11: Cliché en imagerie ionique d'un bump face arrière après étape de reflow.

Il faut indiquer que dans le cas de systèmes de dimension inférieure à la centaine de


microns et pour lesquels la vitesse de croissance des dendrites d'étain peut atteindre 0,2mm.s-1
lorsque la vitesse de refroidissement est proche de celle appliquée lors de reflow (90°C.min-1),
alors une dendrite d'étain peut occuper l'intégralité du liquide en un temps inférieur à une
seconde [49].

2-4-3) Influence de différents paramètres sur la microstructure de solidification


a) Influence du nombre de reflows
La figure 3-12 montre des clichés FIB et MEB des bumps face arrière après un reflow
et après 5 reflows. Dans les deux cas, la microstructure est similaire à celle décrite au
paragraphe 2-4-2, excepté pour ce qui est de la taille et la densité des précipités qui sont
différentes.

Figure 3-12: Inspection en imagerie ionique (FIB) (a, b, d, e) et en microscopie électronique


(MEB) (c, f) de coupes transversales de bumps face arrière ayant subi 1 reflow (a, b, c) et 5
reflows (d, e, f).

Il est remarquable que la taille moyenne des précipités diminue et leur densité
augmente lorsque le nombre de reflow passe de un à cinq. Ces observations sont confirmées
par les caractérisations en spectroscopie (EDX) effectuées sur des aires d'environ 500µm² à
partir de coupes transversales des bumps face arrière (figure 3-13). En effet, les précipités, de
tailles submicroniques à l'issue du premier reflow (200nm à 500nm - voir figure 3-12), ne sont
plus ici discernables après 5 reflows car leur dimension devient inférieure à la limite de
résolution de l'équipement de spectroscopie.

86
Figure 3-13: Analyse en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) sur des coupes
transversales de bumps face arrière après électrodéposition (a, c), après un reflow (b, d).
Composés riche en argent (a, b), et riche en cuivre (c, d).

Ce phénomène de diminution de la taille des précipités avec le nombre de reflow


pourrait être expliqué par le fait que des précipités d'Ag3Sn et/ou de Cu6Sn5 ne se dissolvent
pas complètement lors de l'étape de reflow et servent alors de sites de germination hétérogène.
Cependant la comparaison de la taille des précipités après le premier reflow et après le dépôt
ne plaide pas en ce sens. L'absence de caractérisation répétée ne permet toutefois pas de
conclure sur cet effet, d'autres analyses sont en effet nécessaires pour le confirmer ou
l'infirmer.

b) Influence de la vitesse de refroidissement


Des bumps (ϕ = 80µm) ont été maintenus à l'état liquide à 240°C pendant 15 minutes
et ont ensuite été refroidis avec des vitesses de refroidissements différentes:
- Refroidissement lent (vitesse de refroidissement v conditionnée par le refroidissement
naturel de l'équipement DSC à 3°C.min-1).
- Trempe à l'air libre (v ≈ 120°C.min-1).
Le profil de température en fonction du temps est visible en figure 3-14 pour ces deux
traitements.

Figure 3-14: Comparaison des profils de recuit comprenant une trempe à 120°C/min (courbe
bleue) ou un refroidissement lent à 3°C/min (courbe jaune).

Ces bumps sont ensuite inspectés après coupe transversale (figure 3-15). Dans le cas
du bump refroidi lentement (figure 3-15a et 3-15b), la microstructure présente des précipités
submicroniques noyés dans une matrice d'étain dont les joints de grains ne sont pas toujours
discernables sur les micrographies. Cette microstructure est similaire à celle qui était observée
après un reflow. Le bump ayant subi une trempe (figure 3-15c) quant à lui, montre des grains
de dimension supérieure à la dizaine de microns. Les joints de grains peuvent être distingués
87
de manière beaucoup plus nette que dans le cas des échantillons refroidis à faible vitesse
(3°C/min-1). Sur la partie supérieure à gauche de l'alliage de brasure (figure 3-15c), de fins
précipités dispersés sont discernables comme c'était le cas pour l'échantillon refroidi à
3°C.min-1, il est cependant difficile de distinguer ce type de précipité sur les autres grains.
Enfin, la disposition des différents grains suggère que leur nucléation s'est amorcée au niveau
de la couche réactionnelle.

Figure 3-15: Observation en imagerie ionique (FIB) sur des coupes transversales de bumps
ayant subi un maintien thermique de 15min à 240°C suivi d'un refroidissement lent (3°C/min)
(a, b), refroidissement rapide (120°C/min) (c).

Etant donné l'ensemble des microstructures des alliages refroidis dans le four à
passage pour lequel la vitesse de refroidissement est de 90°C.min-1 et dans l'équipement de
DSC (vitesse de 3°C.min-1), il peut être conclu que le nombre de grain d'étain est, dans ces
conditions, relativement faible (inférieur à environ 10 grains) et que la dépendance avec la
vitesse de refroidissement est peu importante.

c) Influence de la composition de la brasure


Dans ce paragraphe les microstructures des bumps d'alliage SAC(E) et SnAg (dont la
composition visée est Sn-3,5%Ag) sont comparées après 1, 3 et 5 reflows (voir figure 3-16).

Figure 3-16: Observation en microscopie électronique à balayage de la microstructure


obtenue après reflow des bumps face arrière (φ = 80µm) d’alliage SnAgCu (a, b, c) et SnAg
(d, e, f). 1 reflow (a, d), 3 reflows, (b, e), 5 reflows (c, f).
88
Cette figure montre que dans les deux cas il y a une répartition pratiquement
homogène des précipités sur tout le bump. La différence significative entre les deux cas est
que la taille moyenne des précipités diminue au cours des reflows pour l'alliage SnAgCu,
alors qu'elle reste pratiquement constante pour l'alliage SnAg.

2-5) Conclusion
Grâce à l'étude des profils de calorimétrie différentielle à balayage, il a été mis en
évidence lors de la solidification de billes d'alliage SAC(E) et de bumps (ϕ = 80µm) de
dimension analogue que la surfusion dans le cas des bumps est plus faible que celle des billes.
Cette diminution du degré de surfusion est liée soit à la présence de l'intermétallique Cu6Sn5,
formé à l’interface Cu/alliage, en contact direct avec l'alliage liquide soit par la présence
d'inclusions solides micrométriques (ou submicrométriques) déposées lors du dépôt
électrochimique, qui peuvent l'un comme l'autre agir comme site de germination
préférentielle. Le degré de surfusion est d'autant plus important que la dimension du système
est réduit, ce qui est vérifié sur des billes d'alliages SAC de différentes dimensions (70µm et
450µm), mais pas avec les micro-bumps car les pics de solidification sont indiscernables dans
le cas des micro-bumps (ϕ = 25µm). (Le signal exothermique de solidification est
probablement confondu avec le bruit du signal DSC).
La microstructure des bumps après le dépôt présente des grains de structure colonnaire
de 2 à 3µm de largeur pour les micro-bumps (ϕ = 25µm) et proche de 10µm voire plus pour
les bumps (ϕ = 80µm). L'argent et le cuivre y sont dispersés de manière hétérogène formant
de grands précipités (de 5 à 10µm pour l'argent et supérieur au micron pour le cuivre). A
l'issue du reflow, la microstructure du bump (ϕ = 80µm) est constituée de grains d'étain
primaire entourés d'eutectiques biphasés et triphasés où les précipités riche en cuivre et en
argent de taille submicrométrique sont dispersés de manière relativement homogène.
L'incidence de différents paramètres sur la microstructure de l'alliage de brasure est évaluée
comme le nombre de reflows, la vitesse de refroidissement et la composition de la chimie de
brasure. Même si des petites tendances de modification de la microstructure de l'alliage de
brasure avec ces paramètres ont été observées, il peut être conclu que dans la gamme de
paramètres utilisée dans cette étude (nombre de reflows, vitesse de refroidissement,
composition), l'influence de ces paramètres n'est pas très significative, du moins à partir des
résultats d'analyses de caractérisations utilisées dans cette étude.

3) Etude du système interfacial

3-1) Introduction
Dans ce paragraphe les interactions interfaciales entre l'alliage liquide SAC(E) et le
cuivre ou le nickel solide seront étudiées. Dans le cas où l'alliage sera en contact direct avec le
cuivre, les micro-bumps (ϕ = 25µm) et bumps (ϕ = 80µm) constituent l'objet d'études, tandis
que seuls les micro-bumps (ϕ = 25µm) sont exploités dans le cas où le substrat est en le
nickel. En effet, comme cela a été vu dans le paragraphe 4 du premier chapitre, la cinétique
réactionnelle est réduite dans le cas du couple Ni/Sn par rapport au couple Cu/Sn. Le
caractère limitant du volume de brasure et l'aspect critique de la réactivité interfaciale se
posent d'avantage pour les connexions inter-puce (ϕ = 25µm) que pour les connexions en face
arrière (ϕ = 80µm). L'interaction entre l'alliage liquide SAC et le plot de cuivre (ϕ = 25µm)
sera d'abord présentée, et ce, en utilisant différents profils thermiques, qu'ils soient d'intérêt
pratique ou bien pour la compréhension des mécanismes mis en jeu. Une comparaison entre
les interactions Cu/SAC existant au sein du micro-bump et du bump face arrière sera ensuite

89
réalisée. Un bref paragraphe sera dédié au phénomène de mouillage réactif de l'alliage liquide
sur les parois verticales du plot de cuivre (pour les deux dimensions de bumps). Enfin, les
interactions entre l'alliage liquide SAC(E) et le nickel solide seront présentées dans le cas des
micro-bumps (ϕ = 25µm).

3-2) Interaction entre l'alliage SAC(E) liquide et le cuivre solide


Avant de présenter l'étude des interactions entre l'alliage SAC liquide et le cuivre
solide lorsque différents profils thermiques sont imposés, l'état initial du système après le
dépôt électrolytique est présenté pour les deux types de bumps (ϕ = 25µm et ϕ = 80µm).

3-2-1) Etat initial de l'interface Cu/SAC après le dépôt (interaction à l'état solide).
La figure 3-17 présente deux images MEB de l'interface Cu/alliage SAC après le dépôt
pour des bumps de diamètre égale à 80µm (figure 3-17a) et de diamètre égal à 25µm (figure
3-17b et 3-17c). Cette figure montre clairement que dans les deux cas une couche
réactionnelle entre le cuivre et l'alliage est formée à l'interface. Cette couche est continue et
irrégulière comme cela a été vu à plusieurs reprises au cours du chapitre premier (voir par
exemple [74]) et d'épaisseur moyenne micronique. Cette observation est cohérente avec le fait
qu’un mécanisme d’interdiffusion à l’état solide entre le cuivre et l'étain à faible température
peut conduire à la formation d’une couche interfaciale continue [156]. En effet la température
maximale pendant le dépôt électrolytique ne dépasse pas 30°C, cependant plusieurs jours
peuvent s'écouler à température ambiante entre l'élaboration du bump et sa caractérisation, ce
qui pourrait contribuer à la croissance de la couche interfaciale. Notons aussi que l'opération
d'enrobage, qui nécessite un recuit de plus de 3h à 70°C (voir annexe A3), peut conduire à une
évolution du système interfacial.

Figure 3-17: Observation en imagerie ionique (FIB) d’un bump face arrière (ϕ = 80µm)
après électrodéposition (a). Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d'un
micro-bump (ϕ = 25µm) (b, c) après électrodéposition. Focus sur la zone interfaciale (c).

A partir d'une caractérisation par sonde ionique focalisé (FIB), il peut être remarqué
que la couche réactionnelle est parfois discontinue (figure 3-18b) et ne révèle pas les scallops
de géométrie hémisphérique classiquement observés lors des interactions Cu/Sn à l'état solide
et à haute température [64, 74-75]. La formation de cette couche réactionnelle peut alors être

90
attribuée essentiellement à un mécanisme de diffusion aux joints de grains comme suggéré par
A. Paul [157].
Il est important de noter que des microcavités sont clairement visibles au niveau de
l'interface entre le cuivre et la couche réactionnelle. Ces microcavités peuvent être discernées
sur la partie inférieure du cliché en imagerie ionique (figure 3-18c) et plus facilement sur celui
en microscopie MEB (figure 3-17c).

Figure 3-18: Réalisation d’une coupe transversale par abrasion ionique (FIB) sur micro-
bump après électrodéposition (ECD). Vue générale (a), focus sur la zone interfaciale (b, c).

Il s'agirait vraisemblablement de trous Kirkendall formés à de faibles températures


(<100°C) à l'interface entre le cuivre et la couche réactionnelle, suggérant ainsi que même
dans ce domaine de température le cuivre serait l'élément le plus mobile. Ce résultat est par
conséquent singulier comparativement à l’état de la littérature à ce jour. Dans l'étude de W.
Yang et R. W. Messler [158], les trous Kirkendall sont observés lors de mise en contact
d'alliage SnAg avec le cuivre à 140°C et 190°C, mais lorsque la température est abaissée à
90°C ou 40°C les trous ne sont pas discernables.

3-2-2) Interaction entre l'alliage SAC(E) liquide et le cuivre solide dans le cas de micro-bump
Dans ce paragraphe les interactions entre le cuivre solide et l'alliage SAC(E) liquide
dans le cas de micro-bump (ϕ = 25µm) seront étudiées lorsque différents profils thermiques
sont appliqués au système. Le premier profil thermique appliqué est celui utilisé dans
l'industrie, appelé reflow (ou refusion) qui consiste à chauffer jusqu'à une température
maximale de 20°C à 30°C au-dessus de la température de fusion de l'alliage. Pour le profil de
reflow utilisé dans le cadre de notre étude, la vitesse de chauffe est d'environ 40°C.min-1 et la
vitesse de refroidissement de 90°C.min-1 (voir paragraphe 3-4-3 du chapitre 2 et figure 2-22).
La figure 3-19a présente le profil thermique type d'un reflow utilisé dans l'industrie et repris
pour cette étude. La durée pendant laquelle l'alliage se trouve à une température supérieure à
sa température de fusion est de quelques dizaines de secondes (dans notre cas entre 35s et
40s).
Comme mentionné au cours du chapitre premier, il arrive fréquemment qu'un joint de
brasure subisse plusieurs reflows (successifs ou non), soit au cours des différentes étapes du
procédé de montage, ou éventuellement au cours d'opérations de réparations. Dans la présente
étude 5 reflows successifs ont été appliqués, ce qui correspond généralement à la contrainte
thermique appliquée sur le micro-bump depuis sa synthèse jusqu'à la mise en boitier.
Afin d'étudier l'évolution du système interfacial pour des durées de maintien à l'état
liquide plus élevées, des maintiens isothermes à l'état liquide ont été effectués à différentes
températures (223°C, 230°C et 240°C), et pour des durées de maintiens de 0min, 5min, 15min
et 30min. Ces expériences de maintiens isothermes ont été effectuées dans un appareil DSC
2920 décrit au paragraphe 5 du chapitre 2. A titre d'exemple, les profils thermiques lors de
maintiens isothermes à 240°C sont donnés sur la figure 3-19.
91
Figure 3-19: Profil de recuit T(t) dans un four à passage ou reflow (a), profils de recuit avec
maintiens isothermes (0min, 5min, 15min et 30min) à 240°C (b), récapitulatif des propriétés
de chacun des profils thermiques (c)

Deux méthodes seront utilisées pour caractériser la morphologie et/ou la composition


des produits réactionnels à l'interface Cu/SAC:
- La méthode classique, consistant à couper les systèmes micro-bumps selon un plan
orthogonal à l'interface Cu/SAC, suivie de différentes caractérisations (en microscopie MEB
ou en spectroscopie EDX) et de mesures d'épaisseurs moyennes des couches réactionnelles
dans le plan de coupe. Il s'agit alors de caractérisation morphologique bidimensionnelle (2D).
- La caractérisation morphologique à trois dimensions (3D) du produit de réaction par la
méthode de tomographie par projection effectuée à l'ESRF (voir paragraphe 6 du chapitre 2)
pour un nombre limité d'échantillons.
Le but de l'analyse tridimensionnelle de la morphologie du produit réactionnel est
d'une part d'obtenir la morphologie de ce produit sous toute l'interface Cu/alliage et d'autre
part de mesurer le volume total de cette couche afin d'en déduire une épaisseur moyenne et la
comparer avec les épaisseurs moyennes obtenues lors de caractérisations 2D.

a) Système interfacial Cu/SAC(E) après un reflow


Après optimisation du procédé de synthèse du micro-bump tel que décrit au chapitre 2,
puis application de l'étape de reflow, l'alliage SAC présente la forme hémisphérique
caractéristique (figure 3-20a). Sur les images MEB d'une coupe transversale de l'échantillon,
une couche réactionnelle est bien visible à l'interface (figure 3-20b et 3-20c). Cette couche
réactionnelle est franchement continue mais son épaisseur est variable du fait de sa
morphologie en scallops (entre 6 et 8 scallops en moyenne sur un plan de coupe sont
distingués). L'épaisseur moyenne est évaluée à 1,65±0,15µm par un calcul de l'aire de la
couche effectué sur un ensemble de coupes transversales.

92
Figure 3-20 : Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’un micro-bump
après reflow. Vue générale (a), après coupe transversale (b, c). Mode de détection secondaire
(b), mode de détection rétrodiffusé (c).

Un grossissement plus élevé sur MEB (figure 3-21) permet de distinguer d'avantage de
détails à l'interface Cu/SAC. Tout d'abord, il peut être constaté que le produit de réaction est
composé de deux couches:
- Une couche mince de 200nm à 300nm et continue située du côté du cuivre.
- Une seconde couche continue et irrégulière du côté de la brasure d'épaisseur moyenne
beaucoup plus élevée.
Les trous Kirkendall déjà observés avant le reflow sont localisés essentiellement à
l'interface entre le cuivre et la couche réactionnelle (figure 3-21b et 3-21d). Leur taille
moyenne (~100nm) et leur nombre semblent être identiques à ceux déterminés dans le cas des
échantillons après le dépôt électrochimique (figure 3-18). Notons cependant que le caractère
limité de l'observation en coupe transversale de l'effet Kirkendall ne permet pas d'être
affirmatif à ce propos.

Figure 3-21: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’une coupe


transversale de micro-bump après reflow. Vue d’ensemble (a, c)), focus sur la zone
interfaciale (b, d).

Afin d'analyser plus finement l'interface Cu/SAC(E), une caractérisation en


microscopie électronique en transmission (MET) est effectuée. La figure 3-22 présente une
image TEM de l'interface Cu/alliage SAC(E) ainsi que des balayages en spectroscopie X
dispersive en énergie (EDX) révélant des aires riches en étain, en argent ou en cuivre.
Les différences de contrastes laissent distinguer une couche fine d'épaisseur 100nm-
200nm, surplombant le cuivre (figure 3-22a). La confrontation des cartographies de zones

93
riches en cuivre et riches en étain (figure 3-22c, 3-22d) permet d'identifier clairement qu'entre
le cuivre et l'alliage SAC il y a une zone réactionnelle et que cette zone comprend deux
couches: une première couche très fine en contact avec le cuivre et d'ailleurs, plus riche en
cuivre, au vue des contrastes, que la deuxième couche de forme ondulée. Cette seconde
couche présente des aspérités hémisphériques (ou scallops) déjà observées par exemple dans
les références [51, 93] et qui sont caractéristiques de la phase η-Cu6Sn5.

Figure 3-22: Analyse en microscopie électronique en transmission de l’interface Cu/SAC à


l’issue d’un reflow (a). Balayage en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) révélant
des aires riches en argent (b), riches en étain (c) et riches en cuivre (d).

L'analyse compositionnelle par EDX, apporte plusieurs informations supplémentaires.


La visualisation couplée des cartographies des zones riches en argent et en étain (figure 3-22b
et 3-22c) met en évidence le fait que l’emplacement des composés riches en argent
correspond à celui de zones peu riches en étain. Ces zones d’une taille allant d’un peu moins
de 100 nm à un peu plus de 150nm, correspondent donc à des précipités d'intermétalliques
AgxSny. Etant donné que l'alliage de brasure SnAgCu à une composition très proche de
l'eutectique ternaire Sn-Ag3Sn-Cu6Sn5, il est très probable que ces précipités soient constitués
de la phase Ag3Sn.
A partir de la même caractérisation et en se focalisant sur la région de l'interface
Cu/couche réactionnelle (figure 3-23a), un balayage linéaire en spectroscopie X est réalisé
depuis le cuivre jusqu'à la couche ondulée (scallops), en passant par la couche mince (figure
3-23b). L'analyse fournit la quantification des pourcentages atomiques de chacune des deux
espèces (Cu et Sn) (figure 3-23c). Cette analyse confirme la présence de deux phases dont la
plus mince du côté du cuivre est plus riche en cuivre. Les quantifications, d'environ 80% Cu -
20% Sn pour la phase fine et environ 65% Cu - 35% Sn pour la phase ondulée, ne
correspondent pas aux compositions nominales des phases Cu3Sn et Cu6Sn5 respectivement.
Au cours de la caractérisation, plusieurs artefacts ou imprécisions suggèrent que la quantité de
cuivre est surestimée. Cela pourrait être lié à une fluorescence du cuivre due au porte
échantillon du microscope HELIOS 2. Etant donné que dans le domaine de température
inférieure à 300°C seules les phases ε-Cu3Sn et η-Cu6Sn5 sont observées dans le système Cu-
Sn, les deux couches interfaciales sont supposées être constituées des phases ε et η.

94
Figure 3-23: Cliché en microscopie électronique en transmission de l’interface Cu/SAC à
l’issue d’un reflow (a). Balayage linéaire en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) (b),
quantification, en pourcentage atomique du cuivre et de l’étain au cours du balayage.

Il peut être noté que les cartographies 3-22c et 3-22d mettent aussi en évidence la
présence de particules riches en étain et en cuivre sur la partie supérieure de ces clichés. Au
vue du contraste, ces particules sont de concentration quasi-identique à celle de la couche
réactionnelle ondulée de Cu6Sn5 côté alliage. Ces particules, d’une taille avoisinant les 200nm
à 500nm se seraient soit détachées de la couche originelle de Cu6Sn5, ou bien constitueraient
des précipités se formant lors de la solidification de l'alliage SnAgCu.
Il peut être noté également sur les figures 3-22c et 3-22d, la présence d'un nano-canal
très riche en étain au travers de la couche de Cu6Sn5 qui relie l'alliage avec Cu3Sn (dont
l'épaisseur est extrêmement faible en cet emplacement). Bien qu'il soit difficile de confirmer
que de tels nano-canaux existent partout à travers la couche de Cu6Sn5, cette observation
conforte l'hypothèse faite fréquemment dans la littérature que la croissance très rapide de la
phase Cu6Sn5 entre le cuivre solide et l'étain liquide ne peut pas être attribuée à une diffusion
volumique du cuivre et/ou de l'étain dans Cu6Sn5. La croissance rapide de Cu6Sn5 serait selon
cette hypothèse, due à une diffusion en phase liquide entre les grains de Cu6Sn5 ou bien à une
diffusion aux joints de grains de Cu6Sn5. Il est à noter qu'aucune de ces hypothèses n'a été
validée formellement de façon expérimentale dans la littérature.
Comme indiqué précédemment, afin d'obtenir une représentation tridimensionnelle du
produit de réaction, une caractérisation par la méthode de tomographie par projection a été
effectuée. La figure 3-24 montre quelques clichés de tomographie par projection d'un micro-
bump à l'issue d'un reflow. La radiographie d'une coupe axiale (figure 3-24a) est associée aux
radiographies de coupes sagittales (figure 3-24b, 3-24c). Il peut être remarqué que le plan de
coupe axiale met en évidence un nombre de scallops compris entre 25 et 30. Une coupe selon
l'axe XZ sur ce cliché (figure 3-24a) révèle environ 8 scallops, ce qui concorde avec les
précédentes caractérisations (figure 3-21).
Il doit être noté que la résolution du dispositif expérimental ne permet pas ici de
distinguer les deux phases η-Cu6Sn5 et ε-Cu3Sn qu'on assimile à une seule couche
réactionnelle. Comme décrit au chapitre précédent, la tomographie par projection permet un
calcul du volume total des intermétalliques. Il est ainsi déterminé un volume de 495±20µm3
après un reflow (figure 3-24), ce qui conduit (pour un diamètre du micro-bump de 25µm) à
une épaisseur totale moyenne de e = 1,00±0,05µm. Cette valeur est inférieure à la valeur
moyenne de l'épaisseur totale de la couche réactionnelle après 1 reflow déterminée à partir de
la caractérisation 2D de micro-bumps e = 1,65±0,15µm évaluée à partir de mesures réalisées
sur 5 échantillons. Même si la valeur de e déterminée par tomographie par projection est
obtenue avec une bonne précision en tenant compte du volume total de la couche

95
réactionnelle il ne s'agit que d'une seule valeur pour un seul échantillon. De ce fait, la
dispersion autour de e due aux aléas des conditions expérimentales n'est pas évaluée ici.

Figure 3-24: Clichés extraits de tomographie par projection d’un micro-bump après étape de
reflow. Coupe axiale (a), coupes sagittales dans le plan XZ (b) dans le plan YZ (c)*.
* Les clichés en coupes sagittales correspondent au positionnement des lignes pointillées
jaunes de la coupe axiale (a). De même, la coupe axiale (a) correspond au positionnement
des lignes pointillées jaunes des coupes sagittales (b), (c).

b) Système interfacial Cu/SAC(E) après cinq reflows


La figure 3-25 présente des images MEB de micro-bump et de l'interface Cu/SAC
pour deux échantillons ayant subi 5 reflows chacun. Comme dans le cas d'échantillons
observés à l'issue d'un reflow, le produit de réaction est constitué de deux couches, une fine
couche de 300nm à 500nm du côté du cuivre et une couche irrégulière du côté de la brasure
mettant en évidence 3 à 6 scallops dans le plan de coupe. L'épaisseur moyenne totale de la
couche réactionnelle est évaluée à 2,25±0,15µm (contre 1,65±0,15µm dans le cas d'un
reflow). Non seulement l'épaisseur totale a augmenté mais également la dimension des
scallops, ce qui correspond à un grossissement des grains de Cu6Sn5 au cours du reflow par un
processus de murissement d'Ostwald.

Figure 3-25: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’une coupe


transversale de micro-bump après cinq reflows. Vue d’ensemble (a, c), focus sur la zone
interfaciale (b, d).

96
A l'interface Cu/Cu3Sn des trous Kirkendall d'une taille caractéristique de 100nm sont
observés, il n'y a donc, à nouveau, pas d'évolution notable de la dimension ou du nombre de
trous Kirkendall. Il peut également être noté que l'alliage liquide a mouillé les parois
verticales du micro-bump par mouillage réactif. Ce phénomène s'est significativement
accéléré par rapport au cas précédent à l'issue d'un reflow, il sera discuté un peu plus loin
(voir paragraphe 3-2-4).

c) Système interfacial après maintiens isothermes à 240°C


La figure 3-26 présente des images MEB de plusieurs micro-bumps ayant subi des
maintiens isothermes à 240°C pour différentes durées de maintien: 0min, 5min, 15min et
30min. Pour rappel, les profils thermiques appliqués à ces échantillons sont donnés sur la
figure 3-19. Il est remarquable que non seulement l'épaisseur moyenne de la couche
réactionnelle a sensiblement augmenté par rapport au cas où un reflow était appliqué (figure
3-20 et 3-21), mais surtout que dans tous les cas la couche de Cu6Sn5 ne présente en général
qu'un ou deux scallops tout au long de l'interface. De ce fait, l'erreur sur la mesure de
l'épaisseur moyenne de la couche de Cu6Sn5 est plus grande car le plan de coupe peut passer
dans la vallée entre deux scallops où l'épaisseur est réduite ou bien au travers d'un ou deux
scallops où l'épaisseur intermétallique est élevée. Dans les quatre cas, il est aussi possible
d'évaluer l'épaisseur de la couche de Cu3Sn qui est toujours fine, continue et homogène en
épaisseur. Par ailleurs le phénomène de mouillage réactif de l'alliage sur les parois verticales
du plot de cuivre s'amplifie clairement avec la durée du maintien thermique.

Figure 3-26: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes


transversales de micro-bumps ayant subi des s maintiens isotermes à 240°C. 0min (a), 5min
(b), 15min (c), 30min (d). Profil thermique en figure 3-19.

Une analyse plus fine de l'interface montre toujours la présence de trous Kirkendall au
niveau de l'interface Cu/Cu3Sn et ceci quelle que soit la durée du maintien à 240°C (voir
figure 3-27). L'observation répétée d'interfaces ayant subi des traitements thermiques sans
maintien à 240°C (figure 3-27a), ou avec 30min de maintien (figure 3-27b), montre que le
nombre moyen de trous Kirkendall supérieur à 50nm reste pratiquement le même (d'environ
25 à 35 trous de taille supérieure à 50nm sur toute l'interface).

97
Figure 3-27: Observation MEB de la zone interfaciale de micro-bumps ayant subi des
maintiens isothermes à 240°C. 0min (a) 30min (b). Profil thermique en figure 3-19.

La figure 3-28 rassemble, à titre de comparaison, quelques clichés de tomographie par


projection de micro-bumps après un reflow (figure 3-28a), après 5 reflow (figure 3-28b) et
après un maintien isotherme à 240°C pendant 5 minutes (figure 3-28c). Les coupes axiales
(colonne gauche de la figure 3-28 correspondent à l'interface du micro-bump au niveau de la
ligne pointillée jaune apparente sur les coupes sagittales (colonne de droite de la figure 3-28).

Figure 3-28: Clichés extraits de tomographie par projection d’un micro-bump après un
reflow (a), après cinq reflows (b), après un maintien isotherme à 240°C pendant 5 minutes de
maintien (c) (voir figure 3-19 pour le profil thermique).

Les reconstructions sagittales (colonne de droite de la figure 3-28), montrent


clairement un épaississement de la couche réactionnelle lors du passage de 1 reflow à 5 reflow
puis à un maintien isotherme de 5 minutes à 240°C. A partir des reconstructions axiales, il est
notable que 20 scallops d'intermétallique sont présents sur le micro-bump ayant subi un
reflow (figure 3-28a) alors qu'après 5 reflows seulement 7 scallops sont décomptés (figure 3-
28b) et enfin, 2 scallops sont observés après le maintien isotherme à 240°C pendant 5 minutes

98
(figure 3-28c). Cette observation révèle clairement l'effet de coalescence des scallops ou
autrement dit des grains de Cu6Sn5 lorsque la durée de maintien à l'état liquide augmente
(murissement d'Ostwald). Comme décrit auparavant, la tomographie par projection permet de
calculer le volume total de la couche réactionnelle. Il est ainsi déterminé un volume de
495±20µm3 après un reflow (figure 3-28a), de 840±30µm3 après cinq reflows (figure 3-28b)
et de 1360±40µm3 après un maintien de 5minute à 240°C (figure 3-28c). Ce calcul aboutit à
une valeur d'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle de 1,00±0,05µm après 1
reflow, 1,7±0,1µm après 5 reflows et 2,7±0,1µm après maintien de 5 minutes à 240°C.

d) Cinétique de croissance d'intermétallique Cu6Sn5 et Cu3Sn à l'interface Cu/alliage


SAC(E) liquide
A partir des caractérisations de l'ensemble des échantillons décrits précédemment, un
calcul de l'épaisseur moyenne des couches de composés Cu6Sn5 et Cu3Sn a été effectué par la
méthode d'image J comme décrit en annexe 6. Ces calculs sont faits dans chaque cas sur 5
échantillons différents. Lorsque l'épaisseur de la couche Cu3Sn est trop faible pour pouvoir
être mesurée avec précision, seule l'épaisseur moyenne totale du produit de réaction (eCu6Sn5+
eCu3Sn) a été mesurée. Notons par ailleurs que seules trois mesures d'épaisseur totale du produit
de réaction ont été réalisées par une caractérisation 3D du produit de réaction par le biais de
tomographie par projection après 1 reflow, 5 reflows et un maintien isotherme de 5 minutes à
240°C. Les tableaux 3-1 à 3-3 rassemblent l'ensemble des résultats concernant l'épaisseur
moyenne de couche de η-Cu6Sn5 (eη), ε-Cu3Sn (eε) et etotale = eη + eε pour l'ensemble des
expériences décrites dans ce paragraphe.

Tableau 3-1: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi 1 reflow et 5 reflows.

Tableau 3-2: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi des maintiens isothermes à 240°C

99
Tableau 3-3: Récapitulatif des épaisseurs de couches réactionnelles déterminées pour les
échantillons ayant subi des maintiens isothermes à 223°C et 230°C.

Lors de l'interaction entre le substrat de cuivre et l'alliage liquide SAC(E), la température


ne reste pas constante même pour les maintiens isothermes. En effet lors des étapes de
chauffage et de refroidissement la température de l'échantillon varie de Tfusion à Texpérience et de
Texpérience à Tfusion respectivement. Afin de décrie de façon quantitative la cinétique de
croissance des couches réactionnelles, il a été considéré que le temps d'interaction est celui
pour lequel la température de l'échantillon est supérieure à sa température de fusion (Tfusion =
217,5±1°C; voir paragraphe 2-3-2), qui sera appelé par la suite durée d'interaction à l'état
liquide, tliquide. Comme la température maximale des expériences est de 240°C, la variation
maximale de la température de l'échantillon Texpérience - Tfusion sera d’environ 22°C. Ce point
sera à nouveau discuté à la fin de ce paragraphe lors de la comparaison de la cinétique de
croissance pendant des maintiens isothermes à 223°C, 230°C et 240°C afin d'évaluer l'erreur
due à cette approximation sur le temps d'interaction à l'état liquide.
La figure 3-29 présente la variation des épaisseurs des couches réactionnelles η-Cu6Sn5 et
ε-Cu3Sn en fonction de la racine carrée de tliquide pour les maintiens isothermes à 240°C.
L'épaisseur de η-Cu6Sn5 et celle de ε-Cu3Sn suit une loi parabolique:

eη = kη t avec kη = 0,111µm.s-1/2 avec un coefficient de détermination: R² = 0,97

eε = kε t avec kε = 0,035µm.s-1/2 avec un coefficient de détermination: R² = 0,94


Ces lois de croissance parabolique des phases η et ε montre bien que:
- leur croissance est limitée par un processus de diffusion au travers de ces couches,
- au cours d'une expérience, la force motrice de diffusion reste pratiquement constante
bien que l'alliage SAC(E) peut s'enrichir en cuivre lors de l'expérience pour atteindre la limite
de saturation qui correspond à l'équilibre entre l'alliage liquide SnAgCu et le composé Cu6Sn5.
Ce point sera à nouveau discuté au paragraphe 3-2-3 qui suit.
Les valeurs de constante de croissance kη(T) et kε(T) obtenues dans le cas des micro-
bumps (ϕ = 25µm) sont en bon accord avec celles reportées dans la littérature et obtenues
dans le cas des couples Cu/Sn(liquide) ou Cu/alliage SAC(liquide), ou bien lorsque l'alliage liquide
est sous la forme d'une gouttelette de diamètre variant de quelques centaines de microns à
quelques millimètres. A titre d'exemple dans l'étude de M. Yang et al [75] dans laquelle des
échantillons millimétriques de cuivre était placés en contact avec de l'étain liquide à 240°C,
des constantes de croissances valant kε ≈ 0,030 µm.s-1/2 et kη ≈ 0,139 µm.s-1/2 ont été
déterminées pour une température de 240°C (soit des valeurs différentes de celles déterminées
ici d'un facteur inférieur ou égale à 25%).

100
Figure 3-29: Variation de l'épaisseur totale moyenne des intermétalliques η-Cu6Sn5 et ε-
Cu3Sn en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température supérieure à la
température de fusion (217,5°C) au cours des maintiens isothermes à 240°C (0min, 5min,
15min et 30min). Profil thermique en figure 3-19.

La figure 3-30 présente la variation de l'épaisseur totale de la couche réactionnelle (etotale =


eη + eε) en fonction de la racine carrée de la durée de maintien à l'état liquide tliquide, après 1
reflow, 5 reflows et les expériences isotherme à 240°C pendant 0min, 5min 15min et 30min.
A titre de comparaison, sur cette figure sont reportée également trois valeurs d'épaisseurs
totales mesurées par tomographie 3D. Comme le montre cette figure, etotale varie pratiquement
linéairement avec la racine carrée du temps:
etotale = ktotale t
avec ktotale = 0,147µm.s-1/2 (pour les mesures par image J) avec un
coefficient de détermination: R² = 0,97.

Figure 3-30: Variation de l'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle


(etotale= eCu6Sn5 + eCu3Sn) en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température
supérieure à la température de fusion (218°C) après 1 reflow, 5 reflows et des maintiens
isothermes à 240°C pendant 0min, 5min, 15min et 30min.

101
- Les points en beige (•) correspondent aux mesures de etotale par image J (moyenne sur 5
différents échantillons ou plus pour la même durée d'interaction à l'état liquide tliquide).
- Les points en bleu ( ) correspondent aux mesures de etotale par tomographie. Pour rappel,
il s'agit ici d'une seule mesure tridimensionnelle pour une durée d'interaction à l'état liquide
tliquide donnée.
Afin d'évaluer qualitativement l'influence de la température sur la cinétique de croissance
de la couche réactionnelle, l'épaisseur totale du produit interfacial en fonction de la durée
d'interaction à l'état liquide (tliquide) a été mesurée pour différentes températures de maintien
(223°C, 230°C, 240°C). L'ensemble de ces résultats est reporté en figure 3-31.

Figure 3-31: Variation de l'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle


(etotale= eCu6Sn5 + eCu3Sn) en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température
supérieure à la température de fusion (217,5°C) pour des maintiens isothermes à 223°C,
230°C, et 240°C pendant 0min, 5min, 15min et 30min. Voir tableaux 3-2 et 3-3.

Malgré la variation en température appliquée, qui est en fait relativement faible, les
variations des valeurs de ktotale avec la température sont telles que l'ensemble des points de
mesures n'est pas discernable du domaine de dispersion des valeurs moyennes de etotale. A titre
de comparaison, les cinétiques de croissances de la couche réactionnelle déterminées par R.
A. Gagliano [75] sur des échantillons Cu/Sn à une température de 250°C et celles mesurées
par J. Liang et al [159] sur des échantillons Cu/SAC 387 à une température de 225°C sont
présentées sur le même graphique (Figure 3-31). Les cinétiques de croissance déterminées ici
montrent qu'entre 223°C et 240°C il n'y a pas de différences notables de même que pour
celles déterminées par J. Liang et R. A. Gagliano qui sont également dans le même domaine
de cinétique. La détermination d'une énergie d'activation spécifique à la cinétique de
croissance de la couche réactionnelle n'est par conséquent pas possible compte tenu du fait
que les coefficients de croissance présentent des valeurs très proches avec des marges
d'erreurs importantes. L'obtention d'une énergie d'activation nécessiterait soit des
déterminations de cinétiques de croissances étalées sur des durées réactionnelles plus
importantes ou bien d'utiliser des températures de maintiens à l'état liquide plus élevées.
Cependant, dans un cas comme dans l'autre la quantité d'alliage de brasure risque d'être

102
rapidement limitante puisqu'à l'issue d'un maintien thermique de 30min à 240°C plus de la
moitié de la brasure est consommée (figure 3-26d).

3-2-3) Comparaison de la réactivité interfaciale Cu/SACliquide dans le cas de micro-bump de


diamètre 25µm et dans le cas de bump de diamètre 80µm.
Comme cela a été mentionné précédemment, l'étude concerne essentiellement les
micro-bumps de diamètre 25µm, mais certains aspects ont été développés également pour des
échantillons de type bumps de diamètre 80µm. Ainsi, dans ce paragraphe, la réactivité
interfaciale dans les deux configurations de bumps sera comparée dans le cas de maintiens
isothermes de 230°C et des durées de maintien de 0min, 5min et 15min. Ces configurations
présentent une différence de rapport interface réactive (A) sur volume de l'alliage liquide (V)
qui est environ égal à l'inverse du rapport des diamètres:
( A / V ) 25 d 80
≈ ≈ 3,2
( A / V ) 80 d 25
La figure 3-32 présente quelques images type du système interfacial pour les deux
types de bumps (ϕ = 25µm et ϕ = 80µm). Cette figure montre que dans les deux cas le nombre
de scallops de la couche de Cu6Sn5 diminue avec la durée de maintien à 230°C et leur taille
augmente (comme vu précédemment en figure 3-26). La taille moyenne de ces scallops est
pratiquement équivalente pour un temps de maintien donné. Il doit également être noté que le
rapport du volume de la couche réactionnelle (Vc) sur le volume d'alliage restant (Vr) est
beaucoup plus élevé dans le cas du micro-bump (ϕ = 25µm). Un simple calcul montre que le
rapport Vc/Vr augmente de 0,40±0,02 à 0,85±0,05 lorsque la durée de maintien à 230°C
augmente de 0min à 15min pour un bumps de diamètre ϕ = 25µm. Au contraire pour le bump
de diamètre ϕ = 80µm le rapport Vc/Vr est beaucoup plus faible et n'augmente que de
0,09±0,01 à 0,17±0,01 lorsque la durée de maintien augmente de 0 à 15min.

Figure 3-32: Observation MEB de coupes transversales de micro-bump de diamètre 25µm (a,
b, c) et de bumps de diamètre 80µm (d, e, f) après maintien isotherme à 230°C de 0min, (a,
d), 5min (b, e) et 15min (c, f).

Les épaisseurs totales moyennes d'intermétalliques sont mesurées pour chaque


condition expérimentale à partir de 5 coupes transversales. Ces épaisseurs sont tracées en
fonction de la racine carrée de la durée réactionnelle à l'état liquide qui est à nouveau
approximée au temps passé au-dessus de la température du liquidus de 217,5°C.

103
La variation de l'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle en fonction de la durée
d'interaction à l'état liquide est tracée en figure 3-33. Même si le nombre de points
expérimentaux sur cette figure n'est pas très élevé, il peut être conclu qu'il n'y pas de
différence de cinétique de croissance des couches réactionnelles entre les deux configurations
et que la cinétique de croissance suit une loi parabolique. Ce résultat est différent de ce qui a
été reporté par Y. S. Park et al [95] qui ont comparé la cinétique de croissance
d'intermétalliques entre un alliage SAC 105(liquide) et le cuivre pour des billes de diamètre
200µm, 300µm et 400µm lors de reflow avec maintien isotherme de 1min, 2min et 3min à
250°C. Ils ont déterminé que l'épaisseur totale de la couche réactionnelle augmente lorsque le
diamètre des billes diminue.

Figure 3-33: Variation de l'épaisseur totale moyenne de la couche réactionnelle (etotale= eCu6Sn5
+ eCu3Sn) en fonction de la racine carrée du temps de maintien à une température supérieure à
la température de fusion (217,5°C) lors de maintiens isothermes à 230°C. Micro-bump (ϕ =
25µm): • et bump (ϕ = 80µm): .

Les auteurs attribuent cette différence au fait que la cinétique de dissolution du


substrat de cuivre dans l'alliage liquide dépend de la dimension de la bille d'alliage SAC. Or
dans le cas des micro-bumps étudiés dans la présente étude, le volume d'alliage liquide utilisé
comparé avec le volume d'une bille de diamètre 200µm utilisé par Y. S. Park et al [95] est
environ 30 fois plus faible pour les bumps de diamètre 80µm et 1000 fois plus faible pour les
micro-bumps de diamètre 25µm. De surcroit, l'état initial du système de micro-bump étudié
ici n'est pas Cu/SAC(liquide) mais Cu/intermétallique/SAC(liquide), puisqu'il a été observé
précédemment (figure 3-17) la présence d'une couche intermétallique d'une épaisseur totale
moyenne d'environ 1µm formée lors du dépôt électrolytique. Il doit être rappelé que l'alliage
SAC(E) étudié dans ce manuscrit contient (en masse %) environ 3,5-3,7% d'argent et 0,5-0,9%
de cuivre et que la limite de saturation de cet alliage en cuivre (équilibre entre l'alliage liquide
et la phase η-Cu6Sn5) est d'environ 0,9% à la température de 230°C (voir le diagramme
ternaire SnAgCu en figure 1-10).
La durée de contact nécessaire à T = 230°C afin d'atteindre la limite de saturation de
l'alliage en cuivre peut alors être estimée (voir annexe A8). Après calcul, la durée nécessaire
pour saturer le micro-bump de diamètre 25µm et 80µm est inférieure à 1s et 10s
respectivement. Ceci est vérifié qualitativement par mesure de la concentration en cuivre dans

104
la brasure par le biais de spectroscopie X dispersive en énergie sur des coupes transversales de
bumps face arrière (ϕ = 80µm) avant le reflow, après un puis cinq reflows (voir figure 3-34).

Figure 3-34: Evolution de la teneur en cuivre (points bleus) et en argent (points roses)
détectées par des balayages EDX sur de larges surfaces (≈500µm²) de coupes transversales
de bumps face arrière de diamètre 80µm (avant reflow, après 1 et 5 reflows). Valeurs
obtenues à partir d'analyses faites sur 3 échantillons.
Cette figure montre que la limite de saturation en cuivre dans l'alliage SAC est atteinte
après 1 reflow (Tmax = 238°C, durée d'interaction à l'état liquide tliquide = 37s).
En conclusion de cette partie, il n'y a pas de différence significative distinguée entre le
bump face arrière (ϕ = 80µm) et le micro-bump (ϕ = 25µm) sur l'épaisseur moyenne du
produit de réaction pour des durées d'interaction à l'état liquide (tliquide) supérieures à celle d'un
reflow. Ceci est dû au fait que pour les dimensions des systèmes considérés dans cette étude,
la saturation de l'alliage liquide en cuivre intervient très rapidement, en une durée inférieure à
10s.

3-2-4) Mouillage réactif des parois verticales du micro-bump par l'alliage SAC(E)
Comme cela a déjà été mentionné au paragraphe 3-2-2, lors de l'interaction entre
l'alliage liquide et le bump, en plus de la réactivité interfaciale étudiée jusqu'ici à l'interface
horizontale entre le cuivre et l'alliage liquide, il y a aussi un léger étalement et une réactivité
de l'alliage liquide avec les parois verticales du plot de cuivre (voir par exemple figure 3-27).
La figure 3-35 montre quelques clichés MEB de zones proches des parois latérales des bumps
(ϕ = 80µm) où cet étalement a eu lieu. A titre de comparaison, une image d'un échantillon
après le dépôt (sans passage à l'état liquide) a été également reportée sur cette figure.

Figure 3-35: Zoom en microscopie électronique à balayage (MEB) de la région interfaciale


de coupes transversales de bumps de 80µm après dépôt de l'alliage (a) après maintiens
isothermes à 230°C de 0min (b), 5min (c) et 15min (d).

Cette figure montre que la distance d'étalement de l'alliage sur les parois verticales du
micro-bump (définie arbitrairement ici à partir de l'interface Cu/intermétallique) augmente
avec le temps de maintien à l'état liquide. La figure 3-36 présente la variation de cette
distance l moyennée avec la durée de maintien à l'état liquide à 230°C et 240°C pour des

105
bumps de diamètre 25µm et 80µm. Il peut être constaté que pour le même diamètre de micro-
bump (ϕ = 25µm) l augmente lorsque la température augmente alors que pour le même
traitement thermique, l augmente lorsque ϕ passe de 25µm à 80µm.

Figure 3-36: Evolution de l'étalement verticale de l'alliage liquide dû au mouillage réactif en


fonction de la durée du maintien isotherme à 230°C et 240°C des bumps.

Avant de discuter de ce phénomène, le cas du mouillage non réactif (mouillage


physique) d’un liquide sur un solide S est tout d'abord examiné (voir figure 3-37a). Soit θ
l'angle d'équilibre du liquide L sur une surface parfaitement plane du solide S. Considérons
une gouttelette de ce liquide sur la surface horizontale du solide cylindrique tel que le
diamètre de base de la goutte soit inférieur à celui du solide : position (1) de la goutte sur la
figure 3-37a. Si du liquide est ajouté ensuite, le liquide s’étale sur la surface horizontale du
solide et l’angle de contact est toujours égal à θ jusqu’à la position (3) lorsque la ligne triple
atteint le point A (arrête franche). Si du liquide est à nouveau ajouté, la goutte sera ancrée sur
l'arrête franche (c'est-à-dire le périmètre du solide) et ceci jusqu'à ce que l'angle β formé entre
la goutte et la surface verticale du solide (Sl) soit supérieur à l'angle de contact θ [160]. Donc
la goutte sera ancrée sur l’arrête franche tant que l’angle β est tel θ ≤ β ≤ β* = 90° + θ. Ainsi
par exemple, si l’angle d’équilibre θ = 30° alors la goutte sera ancrée tant que 30 ≤ β ≤ 120°.

Figure 3-37: Schéma représentant les positions successives d’un liquide non réactif sur la
surface horizontale plane d’un solide S lors d’ajouts successives de liquide (a).
Représentation schématique de la réactivité entre l’alliage SAC liquide et les parois latérales
du plot de cuivre (b).

106
Revenons maintenant au cas de mouillage réactif de l’alliage liquide SAC sur le cuivre
(figure 3-37b) avec un angle d’équilibre θ qui varie d’environ 25° à 35°, donc bien inférieur à
90° [161]. Lors de la fusion de l’alliage SAC sur le plot de Cu, on aura presqu’instantanément
une calotte sphérique d’alliage liquide sur la surface horizontale du plot de Cu avec un angle β
qui est d'environ 90° (voir figure 3-5). Comme l'alliage liquide SAC réagit avec le substrat de
cuivre, cette réaction conduit tout d'abord à une modification de la géométrie de l'arrête (c'est-
à-dire du périmètre) et ensuite, la réaction entre l'étain et le cuivre sur la paroi verticale peut
se poursuivre par exemple par un mécanisme de "mouillage secondaire" [160]. Le mouillage
secondaire concerne le mouillage ou l'infiltration des rugosités de la surface de Cu6Sn5 tout au
long des parois verticales du point T1 au point T2 (figure 3-37b). Un autre mécanisme possible
serait la diffusion rapide des atomes d'étain sur la surface de Cu6Sn5 et réagissant avec les
atomes de cuivre conduisant ainsi à un épaississement du produit réactionnel (η + ε) et à un
déplacement du point T2 vers la base du plot de cuivre.
Cette réactivité sur les parois latérales du plot de cuivre peut conduire à une
dégradation partielle du plot qui sera d’autant plus importante que le temps d’interaction est
élevé et la hauteur du plot faible.

3-3) Interaction entre l'alliage SAC(E) et le nickel solide pour des micro-bump de diamètre
25µm
Le nickel peut être introduit dans le micro-bump en remplacement du cuivre du plot ou
bien être associé au cuivre pour former, selon les proportions, des intermétalliques "hybrides"
type (Cu,Ni)6Sn5 ou (Ni,Cu)3Sn4 [162]. Dans notre cas, le nickel est introduit entre le cuivre et
la brasure en quantité suffisamment importante (épaisseur initiale: 2µm) pour que sa
consommation par réaction avec l'étain, ne reste que partielle. L'expression de couche
"barrière de diffusion" entre le cuivre et la brasure est parfois employée. Cette couche occulte
en effet les réactions entre le cuivre et la brasure. Cependant le système Ni/Sn, bien que de
réactivité réduite par rapport au système Cu/Sn est susceptible de former des composés
intermétalliques comme vu au chapitre premier. Avant d'étudier l'interaction entre l'alliage
SAC liquide et le nickel solide (pour ϕ = 25µm), lorsque différents profils thermiques seront
imposés, l'état initial du système interfacial Ni/SAC après le dépôt électrolytique sera
présenté.

3-3-1) Etat initial de l'interface Ni/SAC après le dépôt


La figure 3-38 présente des clichés MEB de coupes transversales de micro-bumps
avec nickel à l'issue du dépôt électrolytique. En zoomant sur l’interface Ni/SAC, une couche
réactionnelle peut être discernée. Cette couche est continue (figure 3-38b, 3-38d) et son
épaisseur moyenne avoisine le demi-micron. L’interface entre la couche réactionnelle et
l’alliage présente une morphologie irrégulière et facettée comme celle qui a été observée
précédemment dans le système Cu-SAC(Solide) à l’état liquide (figure 3-17 et 3-18). Par contre,
l’interface entre la couche réactionnelle et le nickel est régulière. Aucune microcavité n’est
discernable aux interfaces réactionnelles. Ce type de couche réactionnelle entre le nickel et la
brasure à l'état solide a été reporté aussi dans la littérature [89]. Par ailleurs, il peut être
remarqué un décrochement entre la couche de nickel et le cuivre sous-jacent sur l'arrête
verticale du micro-bump (figure 3-38a, 3-38b et 3-38c) qui est dû à une gravure latérale du
cuivre se produisant au cours de la gravure humide de la couche d'accroche (titane) et
d'initiation (cuivre).

107
Figure 3-38: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’une coupe
transversale de micro-bump (ϕ = 25µm) avec nickel après électrodéposition (ECD). Vue
générale (a, c), zoom sur la zone interfaciale (b, d).

3-3-2) Interaction entre l'alliage SAC(E) liquide et le nickel solide au sein des micro-bumps
Dans ce paragraphe, les interactions entre l'alliage SAC(E) liquide et le nickel solide
seront étudiées lorsque différents profils thermiques sont appliqués au système. L'état du
système interfacial sera analysé à l'issue d'un reflow, de cinq reflows et de maintien
isothermes de 0min, 5min, 15min et 30min à 240°C (voir figure 3-19 pour les profils
thermiques).

a) Système interfacial Ni/SAC(E) après un reflow


La figure 3-39a donne une vue globale de l'échantillon après un reflow et la figure 3-
39b une vue après une coupe transversale. L'inspection du système interfacial montre la
formation d'une couche réactionnelle (figure 3-39c et 3-39d) qui présente une morphologie
fragmentée en dendrites acérées comme décrit au premier chapitre (figure 1-44 [89]).

Figure 3-39: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’un micro-bump


ϕ = 25µm après reflow. Vue générale (a), après coupe transversale (b), zoom sur la région
interfaciale (c, d).

108
De la même manière que précédemment pour le mico-bump d'intégration standard
Cu/SAC, le système interfacial Ni/SAC est caractérisé plus finement par microscopie
électronique en transmission (figure 3-40). Le cliché de la figure 3-40a met en évidence la
couche réactionnelle dont les grains sont discernables. Ces deniers présentent une hauteur
comprise entre 0,5µm et 1µm pour une largeur moyenne de 0,5µm. L'analyse spectroscopique
(EDX) révèle la présence de zones riches en nickel (figure 3-40b), en cuivre (figure 3-40c), en
étain (figure 3-40d) et en argent (figure 3-40e). L'examen conjugué des clichés 3-40b et 3-40d
révèle que la couche réactionnelle est effectivement composée d'étain et de nickel. Une très
faible proportion de cuivre dans le composé peut être distinguée, ce qui est en accord avec les
données de la littérature sur la formation des intermétalliques (Cu,Ni)xSny [91]. Des précipités
(de taille moyenne d'environ 100nm), riches en argent et en étain et correspondant
vraisemblablement à l'intermétallique Ag3Sn, sont visibles dans l'alliage mais aussi entre les
grains de la couche réactionnelle. Il peut être rappelé que le même type de précipité et de
même dimension a été observé à l'interface Cu/SAC liquide après 1 reflow (figure 3-22).

Figure 3-40: Analyse en microscopie électronique en transmission de l’interface Ni/SAC à


l’issue d’un reflow (a). Balayage en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) révélant
des aires riches en nickel (b), cuivre (c) étain (d) et argent (e).

Une analyse spectroscopique suivant un balayage linéaire est réalisée sur cet
échantillon (figure 3-41) en sondant la couche réactionnelle depuis le nickel (point "A" sur la
figure 3-41a) jusqu'à l'alliage de brasure (point "B" figure 3-41a). Ce balayage mène à une
quantification en pourcentage atomique des deux éléments principaux détectés: l'étain et le
nickel (figure 3-41b). La concentration de ces deux éléments reste constante dans la région
centrale (de largeur comprise entre 500nm et 1500nm environ) correspondant à la couche
réactionnelle. Ce résultat montre qu'à cette échelle d'analyse un seul intermétallique est formé
à l'interface à l'issue d'un reflow. Par ailleurs la concentration légèrement supérieure en étain
(55%) qu'en nickel (45%) de cette couche indique qu'il s'agit du composé Ni3Sn4 (voir
diagramme de phase Ni-Sn, figure 1-10). L'épaisseur moyenne de la couche de Ni3Sn4 est
estimée à 700nm. Cette observation est en accord avec celles reportées dans la littérature sur
l'interaction Ni solide/alliage base étain liquide pour des échantillons de taille supérieure à la
centaine de microns [64].

109
Figure 3-41: Cliché en microscopie électronique en transmission de l’interface Ni/SAC à
l’issue d’un reflow (a). Balayage linéaire en spectroscopie X dispersive en énergie (EDX) (b),
quantification, en pourcentage atomique du nickel et de l’étain au cours du balayage.

b) Système interfacial Ni/SAC(E) après 5 reflows


La figure 3-42 présente des observations en microscopie MEB d'une coupe
transversale de l'échantillon après cinq reflows. Comme dans le cas précédent (à l'issue d'un
reflow), un seul composé interfacial est distingué. Cette couche présente une forme irrégulière
et son épaisseur moyenne est d'environ 1µm. Il doit être noté que dans le cas d'un substrat de
nickel, l'épaisseur de la couche réactionnelle n'augmente que de 0,7µm à 1µm environ lorsque
le nombre de reflow passe de 1 à 5, alors que dans le cas du cuivre, l'épaisseur de la couche
réactionnelle augmentait de 1,7µm à 2,4µm.

Figure 3-42: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) d’une coupe


transversale de micro-bump après 5 reflows. Vue générale (a, b), Mode de détection
secondaire (a), mode de détection rétrodiffusé (b). Zoom sur la région interfaciale (c).

Aucun trou ou porosité n'est observé dans la zone interfaciale Ni/SAC contrairement au
cas Cu/SAC où beaucoup de trous Kirkendall étaient observés à l'interface (voir figure 3-25).

c) Système interfacial Ni/SAC à l'issue de maintiens isothermes à 240°C.


Des maintiens isothermes de différentes durées sont appliqués sur des échantillons de
micro-bump pourvus d'une couche de nickel. Les profils thermiques sont identiques à ceux
utilisés dans le cas de micro-bump avec substrat cuivre (voir figure 3-19). Les micro-bumps
sont ensuite caractérisés pour chaque condition de maintien isotherme (figure 3-43). Cette
figure montre clairement que la cinétique de croissance de la couche réactionnelle dans le
système Ni/SAC est beaucoup plus faible que dans le cas du système Cu/SAC. En effet, une
épaisseur moyenne de 2,1µm est mesurée à l'issue du maintien de 30min à 240°C pour le
système Ni/SAC contre 7,1 µm pour le cas du système Cu/SAC dans les mêmes conditions.

110
Figure 3-43: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes
transversales de micro-bump avec nickel ayant subi des maintiens isothermes de différentes
durées de maintien à 240°C. 0min (a), 5min (b), 15min (c) et 30min (d).

d) Cinétique de croissance de Ni3Sn4 à l'interface Ni/SAC(liquide)


L'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle de Ni3Sn4 est à nouveau mesurée en
utilisant le logiciel Image J à partir de cinq coupes transversales pour chaque condition de
traitement thermique: 1reflow, 5 reflows et les maintiens thermiques de 0min, 5min, 15min et
30min à 240°C. La figure 3-44 présente la variation de l'épaisseur de cette couche en fonction
de la racine carrée de la durée d'interaction à l'état liquide (tliquide).

Figure 3-44: Variation de l'épaisseur moyenne de la couche réactionnelle Ni3Sn4 avec la


durée d'interaction à l'état liquide.

En première approximation, la variation de l'épaisseur de la couche de Ni3Sn4 peut être


décrite par une loi parabolique:
eNi3Sn4 = kNi3Sn4. t avec kNi3Sn4 = 0,029µm.s-1/2 et un coefficient de détermination: R²=0,956.
Cette valeur de la constante cinétique de croissance de Ni3Sn4 est assez proche de celle de
J. Wang et al [163] qui ont déterminé la cinétique de croissance du composé Ni3Sn4 lors de
mise en contact d'alliages SnAg de différentes concentrations (Sn–3.5%Ag, Sn-30%Ag, et Sn-
50%Ag) avec du nickel à une température de 220°C (kNi3Sn4 = 0,026µm.s-1/2).

111
3-3-3) Conclusion
Par l'introduction d'une couche de nickel, le système interfacial Ni/SAC du micro-
bump est le siège de la formation d'un composé intermétallique de la forme Ni3Sn4. A la
différence du système interfacial Cu/SAC étudié précédemment, la croissance de
l'intermétallique n'est pas accompagnée de formation de porosités ou trous Kirkendall. La
cinétique de croissance de l’intermétallique Ni3Sn4, suit une croissance parabolique
caractérisée par une plus faible constante de croissance kNi3Sn4 = 0,029µm².s-1 comparée à
celle du système Cu/SAC: kCu6Sn5+Cu3Sn = 0,147µm².s-1.

4) Résistance mécanique des micro-bumps de diamètre 25µm

4-1) Introduction
Il a été vu dans le premier chapitre que la problématique liée à la résistance mécanique
des micro-bumps était posée par la présence des intermétalliques et des trous Kirkendall,
suspectés de dégrader mécaniquement le micro-bump [70, 164-165]. La croissance des trous
Kirkendall, susceptibles de dégrader la résistance mécanique de micro-bump [166] a été
signalée dans la littérature comme ayant lieu au cours de vieillissement thermique [167, 168],
ce qui semble être le cas dans notre étude (figure 3-27). De surcroit, la faible dimension du
système dans cette étude, rend la proportion occupée par la couche intermétallique non
négligeable, surtout après assemblage ou bien stockage à haute température [117, 169]. Les
intermétalliques jouent dans ce cas nécessairement un rôle significatif dans la tenue
mécanique de l'ensemble.
Le test en cisaillement sur puce a beaucoup été exploité dans la littérature dans le but
de déterminer la résistance mécanique des interconnexions et des paramètres comme la
vitesse de cisaillement, la dimension du bump ou bien le vieillissement thermique ont été
investigués comme décrit au chapitre premier [105, 170-175]. En revanche, les études menées
sur le cisaillement unitaire de bump ne concernent pratiquement jamais des bumps de
diamètre inférieur à 80µm excepté la récente étude de Chen [176]. De la même manière,
l'impact de la hauteur de cisaillement sur la résistance au cisaillement aussi bien que sur le
mode de rupture n'a pas été étudié dans la littérature.
Dans ce paragraphe une étude sur l'impact du traitement thermique, de la vitesse de
cisaillement ainsi que de la hauteur de cisaillement (par rapport à la base du plot de cuivre)
sur la résistance mécanique de l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure sera
présentée. L’objectif est d’identifier la présence ou non, d’une interface critique. L'étude porte
sur des micro-bumps d'intégration cuivre et alliage SAC(E) de diamètre 25µm ayant subi soit
un reflow, soit des maintiens isothermes de différentes durées (voir figure 3-19). Le
cisaillement est appliqué à l'aide d'une lame de 50µm de largeur à 6 hauteurs différentes, de
h = 11µm à h = 16µm avec un pas de 1µm (voir figure 2-32 du second chapitre). Enfin, 20
micro-bumps sont cisaillés pour chacun des traitements thermiques et pour chacune des
hauteurs de cisaillement.

4-2) Cisaillement de micro-bump ayant subi un reflow - Impact de la vitesse de


cisaillement

4-2-1) Profil des courbes force de cisaillement - déplacement


L'équipement utilisé ici (DAGE-SERIES-4300), permet, à partir d'un cisaillement
unitaire de micro-bump, de fournir un profil de force de cisaillement en fonction du
déplacement. Des profils typiques force-déplacement issus de tests effectués sur des micro-
bumps ayant subi un reflow sont donnés en figure 3-45 pour deux vitesses de cisaillements v

112
= 70µm.s-1 et 500µm.s-1. Dans les deux cas, le profil général est similaire et présente une
augmentation rapide de la résistance de la force de cisaillement, qui s’atténue ensuite, jusqu'à
atteindre un maximum avant de finalement chuter. La première différence notable entre les
courbes obtenues pour v = 70µm.s-1 et 500µm.s-1 est la valeur maximale de la force de
cisaillement. Cette dernière est accrue à plus haute vitesse de cisaillement, ce qui est en
accord avec de précédentes études de la littérature [102, 104, 117, 177]. Les valeurs
maximales de la force de cisaillement sont obtenues dans la gamme de déplacement
respectivement de 7-14µm et 20-25µm pour v = 70 et 500µm.s-1. La valeur moyenne de la
force maximale est calculée à partir de 5 mesures au moins et vaut (5.3±0.7) x10-2 N pour v =
70µm.s-1 et (8.8±0.4) x10-2 N pour v = 500 µm.s-1. Sachant que le diamètre du micro-bump
vaut 25µm et considérant que l'interface de cisaillement correspond à l'aire circulaire du
micro-bump (soit 4.9x10-10 m2), les valeurs suivantes de résistance maximale au cisaillement
peuvent être déduites : 108±15 MPa pour v = 70µm.s-1 et 180±10 MPa pour v = 500 µm.s-1.
Ces valeurs sont du même ordre de grandeur que celles reportées dans la littérature pour des
interfaces Cu/SAC de dimension importante (diamètre supérieur à 500µm) [102, 104, 117].

Figure 3-45: Profils force de cisaillement - déplacement lors de tests de cisaillement sur
micro-bump ayant subi un reflow. Hauteur de cisaillement h = 16µm. Vitesse de cisaillement
v = 70 µm.s-1 (a, b) et 500 µm.s-1 (c, d).

Les profils force - déplacement en figure 3-45a et 3-45c sont représentés sur une
même échelle en figure 3-46 afin de pouvoir les comparer.

Figure 3-46: Comparaison de profils force de cisaillement - déplacement pour micro-bumps


après un reflow. v = 70 µm.s-1 and 500 µm.s-1 ; h = 16µm.
113
L'aire sous chaque courbe représente l'énergie totale nécessaire au cisaillement du
micro-bump. L'interprétation des courbes force - déplacement conduit à la valeur moyenne de
l'énergie totale de déformation (E) pour chaque vitesse de déformation: E = (9.1±0.7) x10-4
mJ pour v = 70 µm.s-1 et E = (2.2±0.2)x10-3 mJ pour 500 µm.s-1. Une nette augmentation de
l'énergie de rupture avec la vitesse de cisaillement peut donc être constatée. Par ailleurs, la
différence entre les deux profils (figure 3-46) suggère une augmentation du déplacement
avant rupture avec la vitesse de cisaillement. Ce dernier point sera éclaircit ci-après.

4-2-2) Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement


En figure 3-47 sont représentées les évolutions de la force maximale de cisaillement en
fonction de la hauteur de cisaillement pour trois vitesses de cisaillements (70, 130 et
500µm.s-1). Deux tendances peuvent être distinguées:
(i) Tout d'abord, la différence en terme de résistance maximale au cisaillement Fmax
entre les échantillons cisaillés à v = 70µm.s-1 et 130 µm.s-1 ne dépasse pas 3%. En revanche,
lorsque v augmente de 130 µm.s-1 à 500 µm.s-1, Fmax augmente d'un facteur supérieur à 40%
pour h = 15µm et 16µm et d'un facteur compris entre 10% et 15% pour les autres valeurs de
h. Cet accroissement de la force maximale de cisaillement avec la vitesse de cisaillement est
largement discuté dans la littérature comme par exemple dans les références [102, 104, 174].
(ii) Ensuite la force de cisaillement diminue toujours avec la hauteur de cisaillement à
l'exception du point h = 15µm à v = 500 µm.s-1.

Figure 3-47: Evolution de la force de cisaillement avec la hauteur de cisaillement pour des
micro-bump après reflow à différentes vitesses de cisaillement: 70, 130 and 500 µm.s-1.

4-2-3) Examen des faciès de rupture


Des faciès de rupture des micro-bumps ayant subi un reflow et cisaillés aux vitesses v
= 70 µm.s-1 et 500µm.s-1 sont visibles en figure 3-48. Pour v = 500µm.s-1, la déformation
mène à un plissement de l'intégralité du micro-bump et en particulier du plot de cuivre (figure
3-48b). Cette inclinaison du micro-bump explique la différence de déplacement avant rupture
enregistrée précédemment lors de la comparaison entre les deux vitesses de cisaillement
(figure 3-46). La déformation est enregistrée pour l’ensemble du micro-bump ce qui peut
parfois le mener à se décrocher en partie à sa base (cliché en bas à droite de la figure 3-48b).
Cette vitesse de cisaillement de 500µm.s-1 peut avoir un sens dans le cadre d’un examen
métrologique répété, afin d’évaluer la qualité du procédé d’élaboration du micro-bump. Par la
suite, on privilégiera les tests à la vitesse v = 70 µm.s-1 qui répond d’avantage à notre volonté
114
de sonder localement et plus finement le micro-bump. En effet, la caractéristique
viscoplastique de la déformation est apparente pour v = 70 µm.s-1 (figure 3-48a) et la rupture
ductile apparait comme étant le mode de fracture majoritaire dans ce cas. Cependant, la
tendance vers une rupture fragile augmente avec la vitesse de cisaillement, où la
microstructure du faciès de rupture révèle par endroits la présence des intermétalliques (figure
3-48b).

Figure 3-48: Faciès de rupture de micro-bumps ayant subi un reflow et cisaillés à h = 16µm
et v = 70µm.s-1 (a) et 500µm.s-1 (b). (Pour tous les clichés, le cisaillement se déroule de la
droite vers la gauche).

Un balayage spectroscopique (EDX) est réalisé sur la zone de rupture d'un micro-
bump cisaillé à h = 12µm et v = 70 µm.s-1 (figure 3-49).

Figure 3-49: Caractérisation de la surface d'un micro-bump après reflow cisaillé à une
hauteur de 12µm à une vitesse de 70 µm.s-1. Imagerie MEB après abrasion ionique (FIB) (a),
zoom (b), analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) révélant trois zones de
concentration différentes (1), (2) et (3) en (c) quantifications des concentrations pour ces
trois zones (d). (La flèche indique la direction du cisaillement).

115
L'analyse révèle trois zones de différentes concentrations (1), (2) et (3). La première
zone est plus riche en étain qu'en cuivre. Les concentrations respectivement détectées pour
chacun des éléments (25% et 70% en figure 3-49d), suggèrent que le cisaillement se produit
dans une zone intermédiaire entre le η-Cu6Sn5 et l'alliage. Cependant, la confrontation de la
vue générale du faciès (figure 3-49a) et du balayage spectroscopique (figure 3-49c), met
également en évidence une rupture dans la zone (2) de concentration proche de η-Cu6Sn5 ce
qui suggère un cisaillement dans la phase η-Cu6Sn5 aussi. Enfin, un zoom sur la zone
interfaciale (3) de la figure 3-49b, rend visible l'interface Cu/Cu3Sn marquée par la présence
de trous Kirkendall qui se trouvent à une distance de la zone de rupture inférieure à 500nm.
En conséquence il s'agit d'un mode de rupture mixte dans lequel une zone majoritairement
riche en étain est cisaillée dans un premier temps, après quoi la rupture se déporte en direction
du Cu6Sn5.
Des analyses en spectroscopie (EDX) sont réalisées de manière systématique sur les
faciès de rupture de micro-bump pour chaque hauteur de cisaillement. Des exemples sont
visibles en figure 3-50 pour une vitesse de cisaillement v = 70 µm.s-1 et pour plusieurs
hauteurs de cisaillement h = 12µm, 13µm, 14µm et 16µm. Le sens du cisaillement est précisé
par une flèche et par convention, les zones contenant majoritairement du cuivre, de l'étain ou
un intermétallique Cu-Sn sont qualitativement représentées en jaune, en rouge et en bleu
respectivement. Pour rappel, l'épaisseur moyenne de la couche intermétallique (Cu6Sn5 +
Cu3Sn) est d'environ 2µm.

Figure 3-50: Analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) de micro-bumps après


reflow puis cisaillement à v = 70 µm.s-1. Hauteur de cisaillement h = 12 µm (a), 13 µm (b),
14 µm (c) et 16 µm (d). Direction du cisaillement indiquée par une flèche blanche. Les zones
essentiellement riches en cuivre, en intermétallique ou en étain sont respectivement indiquées
en jaune, bleu et rouge.
116
Pour chaque hauteur de cisaillement, le cliché en microscopie (MEB) à gauche (figure
3-50) permet d'évaluer la morphologie du faciès de rupture, alors que l'analyse
compositionnelle (EDX) à droite, permet de préciser au sein de quelle(s) phase(s) s'est
propagée la rupture. Pour la hauteur de cisaillement h = 12µm, il est aisé de voir que la partie
de droite du faciès (la première partie à subir le cisaillement) est constituée majoritairement
de cuivre, alors que pour la partie de gauche il s'agit d'une rupture dans l'intermétallique. Le
faciès de rupture est lisse sur la partie droite (spécifique au cisaillement dans le cuivre) et
rugueux sur la partie gauche (rupture dans l'intermétallique), indiquant qu'il s'agit d'un profil
mixte (ductile et fragile). Lorsque h = 13µm, la proportion correspondant à une rupture fragile
du faciès (en fin de cisaillement) est moins importante. A partir de h = 14µm, le cliché en
microscopie (MEB) présente un faciès globalement ductile. L'analyse EDX associée révèle
cependant des zones riche en intermétallique qui peuvent toutefois être détectées sur la partie
profonde de la zone sondée (comme cela a été décrit au cours du paragraphe 5 du second
chapitre) correspondant à l'intermétallique sous-jacent n'affleurant pas nécessairement à la
surface de l'échantillon.
Il est donc remarqué que lorsque la hauteur de cisaillement h augmente de 12µm à
16µm, la proportion de faciès de rupture fragile va progressivement décroitre. La proportion
de faciès de rupture ductile va devenir prédominante pour les hauteurs de cisaillement plus
élevées correspondant à des zones où l'alliage de brasure est majoritairement sollicité. Par
conséquent, la chute de la force maximale de cisaillement observée précédemment (figure 3-
47) va de pair avec un accroissement de la proportion de rupture ductile du faciès, elle même
caractéristique d'un cisaillement s'opérant dans l'alliage de brasure. La couche
d'intermétalliques n'est donc ici pas un élément critique du point de vue de la résistance
mécanique du micro-bump.

4-3) Cisaillement de micro-bumps ayant subi des maintiens isothermes à 240°C - Impact de la
durée du traitement thermique.
Afin d'étudier l'impact d'un traitement thermique sur le comportement mécanique des
micro-bumps, il a été choisi de réaliser des tests en cisaillements sur des micro-bumps ayant
subi des maintiens isothermes à 240°C pendant 0min, 5min, 15min et 30min (voir le profil
thermique sur la figure 3-19). Ces tests de cisaillement, se focalisent sur une seule vitesse de
cisaillement (v = 70µm.s-1) sélectionnée à partir des résultats expérimentaux obtenus dans le
paragraphe précédent.

4-3-1) Evolution de la résistance de cisaillement en fonction de la hauteur


Des micro-bumps ayant subi différents maintiens isothermes à 240°C et dont des
coupes transversales indiquant l'avancement réactionnel ont été déjà caractérisés (voir
paragraphe 3-2-2 figure 3-26) et ont subi des tests de cisaillement avec les paramètres
suivants: v = 70 µm.s-1 et hauteur de cisaillement h variant de 11µm à 16µm. Les résultats de
force maximale au cisaillement en fonction de la hauteur de cisaillement apparaissent en
figure 3-51. Une chute de la force maximale de cisaillement Fmax avec la hauteur de
cisaillement h est constatée, de la même manière que dans le cas des échantillons ayant subi
un reflow (figure 3-47). En revanche, l'évolution de Fmax avec la durée de maintien thermique
pour une hauteur donnée n'est pas triviale. Pour les hauteurs h = 14µm, 15µm et 16µm, la
force maximale Fmax augmente avec la durée du maintien isotherme. Cela pourrait être
attribué à une croissance des intermétalliques plus importante que dans le cas d'un reflow, qui
seraient impliqués donc d'avantage dans le faciès de rupture. En effet, comme vu
précédemment, la proportion ductile du faciès est associée à un cisaillement dans l'alliage
pour lequel la force maximale de cisaillement Fmax est réduite. Les raisons conduisant à cette

117
chute de la force maximale de cisaillement avec la hauteur de cisaillement seront évoquées
dans les paragraphes suivants.

Figure 3-51: Evolution de la force maximale de cisaillement en fonction de la hauteur de


cisaillement pour des micro-bumps ayant subi des maintiens isothermes à 240°C de
différentes durées de maintien (voir figure 3-19 pour les profils thermiques). Vitesse de
cisaillement: v=70 µm.s-1.
4-3-2) Examen des faciès de rupture
Les faciès de rupture sont inspectés pour différentes hauteurs de cisaillement et
différentes durées de maintien isotherme. A titres d'exemple, la figure 3-52 présente des faciès
des échantillons qui ont subi un chauffage jusqu'à 240°C et ont été refroidis immédiatement
après pour des hauteurs de cisaillements h = 12µm, 13µm et 14 µm. Pour rappel, l'épaisseur
moyenne des intermétalliques est dans ce cas de 3,4µm (voir figure 3-26 et tableau 3-2). Le
même code couleur est utilisé (jaune pour le cuivre, rouge pour l'étain et bleu pour les
intermétalliques).

Figure 3-52: Analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) de micro-bumps après un


chauffage jusqu'à 240°C et refroidit immédiatement (voir figure 3-19). Hauteur de
cisaillement h = 12 µm (a), 13 µm (b) et 14 µm (c) Direction du cisaillement indiquée par
une flèche blanche.

118
La morphologie du faciès de rupture à h = 12µm est rugueuse, l'analyse
spectroscopique (EDX) montre que la partie droite du faciès (première partie cisaillée) est
constituée de cuivre alors que la partie gauche est composée essentiellement d'intermétallique.
Le faciès correspondant à h = 12µm, similaire à ce qui était observé dans le cas de
cisaillement après un reflow (figure 3-50a), traduit une déformation viscoplastique dans le
cuivre avant une rupture fragile dans l'intermétallique. Lorsque la hauteur h augmente de
12µm à 13µm, la surface de cuivre n'est plus visible, le faciès présente un cisaillement ductile
dans l'alliage base étain, suivi d'une rupture fragile dans l'intermétallique. Enfin, de manière
analogue à ce qui a été analysé pour la figure 3-50, la proportion du faciès ductile liée à un
cisaillement se produisant majoritairement dans l'alliage base étain augmente avec h (figure 3-
52c). Considérant les propriétés mécaniques de chacune des phases impliquées dans la zone
interfaciale (Cu, Sn, Cu6Sn5 et Cu3Sn) [178], ces observations sont en accord avec le fait que
la résistance au cisaillement décroit avec la hauteur.

4-3-3) Analyse des résultats


Dans la première région (h = 11µm, h = 12µm), le cuivre est sollicité et les forces
maximales de cisaillements Fmax appliquées ici sont comprises entre 0,088N et 0,094N. Dans
cette région, les faciès de rupture sont mixtes (figure 3-52a) quelle que soit la durée du
maintien thermique. Lorsque la hauteur de cisaillement vaut h = 12µm, les valeurs de force
Fmax sont assez resserrées autour d'une même valeur comparativement au cas où h = 11µm
(figure 3-51). Dans ce dernier cas (h = 11µm), la force maximale de cisaillement Fmax
augmente de manière significative de 0.081N à 0.094N lorsque la durée de maintien
isotherme atteint 30min. Cette augmentation de Fmax avec la durée du maintien isotherme peut
être attribuée au fait que l'interface Cu/Cu3Sn tende à se déplacer vers la base du micro-bump
suite à la consommation progressive du cuivre.
Pour des hauteurs de h = 13µm et 14µm, le plan de cisaillement serait normalement
composé à la fois de Cu3Sn et Cu6Sn5 quelle que soit la durée de maintien isotherme. Pour ces
hauteurs de cisaillement la force maximale de cisaillement décroit assez rapidement d'une
gamme de (0.082N à 0.095N) vers (0.070N à 0.075N). Cette chute de Fmax ne peut être
attribuée à la présence de trous Kirkendall car ces deniers sont localisés à l'interface Cu/Cu3Sn
(voir figure 3-21), qui se situe à une hauteur h ≤ 12µm. Ce résultat suggère que l'interface
Cu3Sn/Cu6Sn5 serait à l'origine de la rupture dans ce domaine de hauteur de cisaillement.
Cette hypothèse est renforcée par des observations d'autres faciès dans ce domaine (figure 3-
53). En effet l'examen minutieux de la morphologie du faciès de rupture fragile met en
évidence la présence d'une couche de microstructure reconnaissable par ses grains de taille
caractéristique de 400nm à 800nm (figure 3-53d). De surcroit, compte tenu de la faible
épaisseur de cette couche (inférieure à 1µm comme visible en figure 3-53a et 3-53b), il est
raisonnable de penser qu'il s'agit bien du composé Cu3Sn car son épaisseur reste toujours
faible lors des maintiens isothermes (voir paragraphe 3-2-2). Il faut noter que le composé se
trouvant sur la partie droite du cliché 3-53c correspond à l'intermétallique Cu6Sn5 et que les
figures 3-53a et 3-53b révèlent le cuivre sous-jacents à la couche de l'intermétallique Cu3Sn.
Le fait que pour h=13µm et h=14µm le faciès de rupture présente à la fois les intermétalliques
Cu6Sn5 et Cu3Sn suggère que l'interface Cu6Sn5/Cu3Sn pourrait être plus fragile que l'interface
Cu/Cu3Sn.
Lorsque la hauteur de cisaillement atteint h = 15µm et 16µm, la force maximale de
cisaillement varie d'une gamme de (0.069N - 0.075N) pour h = 14µm, de (0.059N - 0.070N)
pour h = 15µm et de (0.053N à 0.064N) pour h = 16µm. Cette diminution de la force
maximale de cisaillement avec la hauteur h s'accompagne d'une proportion de plus en plus
importante de la partie ductile du faciès, spécifique au cisaillement de l'alliage. L'étain est
donc de plus en plus impliqué dans la zone sondée en comparaison du Cu6Sn5 lorsque la

119
hauteur de cisaillement augmente, c'est ce qui induit la diminution de la force maximale Fmax
avec h, ce qui est en bon accord avec la littérature [173]. C'est par le même raisonnement que
l'augmentation de Fmax avec la durée du maintien isotherme pour une hauteur donnée peut être
expliquée.

Figure 3-53: Clichés en microscopie électronique à balayage (MEB) de micro-bumps


cisaillés à une hauteur h=13µm, maintien isotherme de 5min (a, b) et 30min (c, d) à 240°C.

Finalement, comparons deux faciès de rupture de micro-bumps ayant subi des


maintiens isothermes de différentes durées et cisaillés à une même hauteur (figure 3-54). La
proportion fragile du faciès, liée à une rupture dans l’intermétallique, augmente avec la durée
du maintien conduisant ainsi à une augmentation de la force maximale de cisaillement (figure
3-51).

Figure 3-54: Analyse en spectroscopie dispersive en énergie (EDX) de micro-bumps cisaillés


à une hauteur h = 14µm. Chauffage jusqu'à 240°C et refroidissement immédiat (a), maintien
isotherme de 15min à 240°C (b). Direction du cisaillement indiquée par une flèche blanche.

120
4-4) Conclusion
Le comportement en cisaillement du micro-bump est en grande partie conditionné par
le rapport des proportions fragile et ductile des modes de rupture. Lorsque l’on considère les
hauteurs de cisaillement supérieures à h = 12µm, où normalement le cuivre ne serait plus
sollicité, alors le mode fragile de rupture associé à l’intermétallique apparait. De ce fait,
comme la force maximale de cisaillement correspond au cisaillement de la zone contenant les
intermétalliques, cette zone apparait plus robuste que celle correspondant au cisaillement de
l'alliage. L’épaisseur de la couche réactionnelle n'apparait pas critique du point de vue de la
résistance mécanique du micro-bump.
Il n’y a pas d’affaiblissement notable de la force maximale de cisaillement
correspondant à la région où se situent les trous Kirkendall (vers h = 12µm). Une légère
diminution est notée seulement lorsque la durée du maintien atteint le maximum de 30min.
Mais cet effet est en partie noyé dans les marges d’erreurs et ne permet pas d’être catégorique
sur ce point.
Enfin, l’examen systématique des faciès de rupture met fréquemment en évidence le
composé Cu3Sn, suggérant la propagation préférentielle de la rupture à l’interface
Cu3Sn/Cu6Sn5 plutôt qu'à l'interface Cu/Cu3Sn contenant les trous Kirkendall.

5) Conclusion

Au cours de ce chapitre des micro-bumps (ϕ = 25µm) ainsi que des bumps (ϕ = 80µm)
ont été étudiés d'un point de vue thermodynamique et microstructural dans une première
partie. De nombreuses expériences répétées de calorimétrie différentielle à balayagé (DSC),
sur des micro-bump (ϕ = 25µm) et bumps (ϕ = 80µm), ont mis en évidence que la
composition de l'alliage SAC déposé est proche de l'eutectique ternaire, particulièrement pour
les micro-bump. Des surfusions de 13°C à 23°C ont été mesurées sur les bumps de diamètre
80µm qui sont bien moindre que celles mesurées sur des billes d'alliages SAC de même
composition et même dimension. La germination hétérogène est favorisée dans le cas des
bumps, soit du fait de la présence de la couche d'intermétallique formée à l'interface avec le
cuivre solide soit par l'existence dans la brasure de particule solide micrométrique ou
submicronique. La microstructure à l'issue du dépôt électrolytique est très hétérogène car les
grains ont une taille variable et les précipités, souvent larges (de 5 à 10µm pour l'argent et
supérieure au micron pour le cuivre) sont répartis de manière aléatoire. A l'issue du reflow, la
microstructure est constituée de grains d'étain primaire, entourés d'eutectiques biphasés et
triphasés ou de précipités riches en argent (Ag3Sn) et en cuivre (Cu6Sn5) de taille
submicrométrique dispersés de manière homogène autour de ces grains. Le reflow à donc une
fonction de stabilisation au niveau de la microstructure du joint d'alliage qui ne figure pas
dans ses fonctions à priori.
Dans une seconde partie, la réactivité interfaciale de l'alliage de brasure avec le
substrat a été analysée pour des substrats cuivre aussi bien que pour des substrats nickel. Dans
cette partie, la nature chimique des phases formées à l’interface a été identifiée, leur
morphologie et son évolution au cours de la croissance a été étudiée et la cinétique de
croissance de ces phases a été déterminée pour les deux systèmes (Cu-SAC et Ni-SAC). La
cinétique de croissance est plus rapide d'un facteur cinq dans le cas du système Cu/SAC(E) que
dans le cas du système Ni/SAC(E) (constantes cinétique de croissance: kCu-Sn = 0,147µm².s-1 et
kNi-Sn = 0,029µm².s-1). L'introduction d'un substrat en nickel pour les micro-bumps aboutit
donc à une consommation de l'étain de la brasure bien moindre que dans le cas standard du
substrat en cuivre. Dans le cas présent (micro-bump de 25µm de diamètre comprenant une
épaisseur d'alliage de 10µm), la formation de la couche réactionnelle avec le cuivre atteint un

121
stade qui peut ne pas être vu comme critique d'un point de vue industriel. En effet, en
considérant qu'un total de 5 reflows est subi en moyenne par le micro-bump depuis sa
synthèse jusqu'à la mise en boitier, l'épaisseur réactionnelle atteinte à ce stade (2,25±0,15µm)
laisse une épaisseur importante de brasure (~5µm, soit environ la moitié). L'introduction du
nickel peut toutefois se révéler pertinente si la poursuite de la réduction des dimensions doit
pousser par exemple l'épaisseur d'alliage de brasure à être réduite d'un facteur deux. Des
expériences comparatives sur les épaisseurs de couches réactionnelles, effectuées dans le cas
des micro-bumps (diamètre 25µm) et des bumps (diamètre 80µm), montrent qu'il n'y a pas
d'effet de dimension sur la cinétique de croissance dans cette gamme de taille de bump et de
temps de réaction. Il n'y a par conséquent pas lieu de spécifier le procédé de reflow des micro-
bumps par rapport à celui des bumps pour une raison de réactivité interfaciale. Les mêmes
paramètres de dépôt électrolytique ou de reflow conduisent au même état interfacial.
Dans une dernière partie, la résistance mécanique de micro-bump (ϕ = 25µm) est
testée par cisaillement, pour différentes vitesses et hauteurs de cisaillement et pour des
échantillons ayant subi différents types de traitements thermiques: reflow ou maintien
isotherme de 0min, 5min, 15min et 30min à 240°C. Le cisaillement des micro-bumps conduit,
dans la majorité des cas, à un faciès de rupture mixte, comprenant une partie ductile
(correspondant soit à la déformation de la brasure, soit à celle du cuivre) et une partie fragile
(correspondant à la propagation d'une rupture dans l'intermétallique). Plusieurs effets
conformes à de précédents travaux sont notés comme le fait que l'apparition de faciès de
rupture fragile s'accompagne d'une augmentation de la force au cisaillement, d'une réduction
de l'énergie de rupture et d'une chute du déplacement avant rupture. Les forces maximales de
cisaillement sont donc mesurées lorsque la zone contenant les intermétalliques est sollicitée.
Cette zone apparait donc plus robuste que celle correspondant au cisaillement de l'alliage et
n'apparait ainsi pas critique du point de vue de la résistance mécanique du micro-bump. De la
même manière, l'absence de diminution de la force de cisaillement au niveau où se situent les
trous Kirkendall, indique qu'ils ne sont pas critiques sur la fiabilité mécanique du bump. La
propagation de la rupture se fait plus fréquemment à l’interface Cu3Sn/Cu6Sn5 plutôt qu'à
l'interface Cu/Cu3Sn contenant les trous Kirkendall. En conséquence, l'argument parfois
invoqué, selon lequel l'épaisseur du composé intermétallique ou la présence des trous
Kirkendall sont des facteurs d'affaiblissement mécanique, semble ne pas être valide dans cette
étude. L'effet pourrait être observable après des tests de fiabilité par cycles thermiques ou
lorsque l'alliage de brasure est confiné entre deux plots métalliques (comme après flip-chip).
Ces aspects serontabordés au cours du chapitre suivant.

122
Chapitre 4: Etude et caractérisation du système reporté

123
1) Introduction

Au cours du chapitre précédent une étude de fond a pu être menée sur le système que
constitue le micro bump, en investiguant aussi bien les aspects liés à la réactivité interfaciale
que des aspects morphologiques, microstructuraux ou mécaniques. Cette étude permet
d'aborder la compréhension des mécanismes réactionnels susceptibles d'intervenir lors de
l'établissement du flip-chip (le report de puce), puis du brasage eutectique. En effet, dans cette
situation, qui constitue l'étape suivante dans le procédé d'élaboration d'un système répondant
aux contraintes de l'intégration 3D, le système est plus complexe pour deux raisons. Tout
d'abord parce que le système confiné qu'est le joint de brasure présente cette fois deux
interfaces réactionnelles, et aussi parce que l'or, qui est ajouté en tant que couche de
passivation au niveau de micro-pillars (figure 2-23), peut potentiellement rentrer en jeu dans
la réactivité physico-chimique avec des effets qui n'ont pas été étudiés dans le chapitre 3. La
couche externe d'or du micro-pillars est effectivement directement mise en contact avec
l'alliage du micro-bump (figure 2-1b). De ce fait, lors de la fusion du micro-bump, l'alliage
liquide sera mis en contact direct avec la couche d'or d'épaisseur 200nm ou 800nm qui est
déposée sur une couche de nickel. Dans les premiers instants de la fusion de l'alliage de
brasure, la configuration du système sera alors:
Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/alliage liquide//Au/Ni/Cu ou bien Ni/Ni3Sn4/alliage liquide//Au/Ni/Cu.
Il est alors nécessaire de connaitre d'une part les transformations susceptibles de se
produire à l'interface alliage liquide/Au mais aussi l'interaction éventuelle entre l'or dissous
dans la brasure et les intermétalliques Cu6Sn5 ou Ni3Sn4 ou même Ni solide. De ce fait le
diagramme de phase binaire Au-Sn mais aussi les diagrammes ternaires Sn-Au-Cu et Sn-Au-
Ni seront donnés. Ensuite les principales conclusions d'études bibliographiques sur l'impact de
l'or dans des brasures de base étain seront présentées. Les interconnexions élaborées à partir
des véhicules tests Div1 et Alto (voir paragraphe 2 du chapitre 2) seront ensuite caractérisées
et analysées d'un point de vue métallurgique et ce, après application de différents reflows ou
bien de tests en cyclage thermique. La dernière section de ce chapitre est consacrée à la
caractérisation électrique et mécanique des puces reportées, également depuis leur élaboration
jusqu'à ces étapes de reflows multiples ou bien de cyclage thermique.

2) Diagramme d'équilibre de phases et réactivité interfaciale

2-1) Diagramme d'équilibre de phases

2-1-1) Le système binaire Au-Sn


Le diagramme d'équilibre de phase du système binaire AuSn (figure 4-1), présente
plusieurs phases et transformations de phases. Sans entrer dans le détail de ces
transformations de phase, notons que ce diagramme comporte une solution solide riche en or
de structure cubique et trois solutions solides riches en étain: αSn de structure diamant au-
dessous de 13°C, βSn de structure tétragonale entre 13°C et 162°C et γSn de structure
orthorhombique au-dessus de 162°C (cette dernière n'est pas indiquée en figure 4-1). Ce
diagramme comporte également de nombreuses phases intermédiaires: Au10Sn(β), Au5Sn(ζ)
et AuSn (δ) de structure hexagonale ; AuSn2 (ε) et AuSn4 (η) de structure orthorhombique.
Notons en particulier deux transformations de phases dans le domaine de composition riche
en étain qui nous intéressent dans cette étude: la transformation eutectique à 215°C: Liq η
+ Sn et la transformation eutectoïde à 50°C: η ε + Sn.

124
Figure 4-1 Diagramme de phase Sn-Au [179]

L'examen du diagramme de phase Au-Sn met donc en évidence le fait que des
composés intermétalliques sont susceptibles de se former dans une gamme de températures
correspondant à celle du reflow. Etant donné que la couche de passivation en or est d'une
épaisseur bien moindre que celle de la brasure base étain (théoriquement 200nm d'or contre
10µm de SAC), la zone du diagramme qui s'applique à cette étude est située dans la zone
riche et étain. De ce fait, parmi les 5 phases susceptibles de se former dans le domaine de
température caractéristique du reflow (≤ 250°C), η-AuSn4 est la phase en équilibre
thermodynamique avec l'étain pur à une température inférieure à la température de fusion de
l'alliage SAC proche de l’eutectique (217,5±1°C) (figure 4-1).
La solubilité maximale de l'or dans l'étain liquide varie de 4,6at% à 215°C jusqu'à
11,3at% à 252°C et elle est d'environ de 8at% à 235°C.

2-1-2) Diagrammes de phases ternaires


Il existe très peu de données sur les diagrammes de phases ternaires des systèmes Sn-
Au-Cu et Sn-Au-Ni dans la gamme de température inférieure à 250°C. La figure 4-2a donne
une section isotherme à 190°C du diagramme d'équilibre de phase Sn-Au-Cu [180]. Sans
entrer dans les détails de cette section isotherme notons que la solubilité de l'or dans la phase
η-Cu6Sn5 est très élevée (jusqu'à 30at% d'Au) et cette phase peut être décrite comme
(Cu1-xAux)6Sn5, qui par la suite sera notée par (Cu,Au)6Sn5 afin de simplifier l'écriture. Il doit
être noté que la solubilité du cuivre dans la phase AuSn4 est de 2-3at% à la température de
190°C. Par ailleurs l'existence d'un équilibre triphasé entre l'alliage Sn-Au, le composé AuSn4
et (Cu,Au)6Sn5 est reporté également.
La figure 4-2b présente la projection du liquidus du système ternaire Sn-Au-Cu côté
riche en étain [181]. Il faut noter en particulier, l'existence d'une transformation eutectique
ternaire (E2) à 211°C: Liq Sn + η-Cu6Sn5 + η’-AuSn4 avec un liquide de composition
proche de 92%Sn-3%Cu-5%Au.
La figure 4-3 donne une section isotherme du système Sn-Au-Ni à 200°C [182]. Cette
figure montre l'existence d'un composé ternaire AuNi2Sn4. Il est à noter en particulier que la
solubilité de l'or dans le composé Ni3Sn4 est pratiquement nulle et que la solubilité du nickel
dans le composé AuSn4 est très importante (plus de 10 at% Ni à 200°C). D'après ce
diagramme, ce composé peut être décrit comme (Au1-xNix)Sn4 qui sera écrit par la suite AuSn4
afin de simplifier l'écriture.

125
Figure 4-2: Section isotherme à 190°C (a) [180] et projection du liquidus du côté riche en
étain (b) [181] du diagramme ternaire Sn-Au-Cu.

Figure 4-3: Section isotherme du diagramme ternaire Sn-Au-Ni à 200°C dans la zone riche
en étain (b) [182].

2-2) Réactivité interfaciale

2-2-1) Réactivité dans le système Au-Sn


Dans la littérature, il existe très peu d'études sur la réactivité aux interfaces
Au/Sn(liquide) ou Au/alliage base étain(liquide). Par contre de nombreuses études se sont
concentrées sur la réactivité entre l'or et l'étain ou bien les brasures base étain à l'état solide. P.
Oberndorff a étudié la réaction entre un fil d'or et de l'étain liquide après une mise en contact
de 10s à 240°C [183]. Il est à noter une dissolution rapide de l'or dans l'étain (voir figure 4-4)
suivie d'une réaction de formation de couches intermétalliques AuSn2 et AuSn4, à l'interface
Au/Sn, d'épaisseur micrométrique (figure 4-4b). La diffusion de l'or dans l'étain liquide
s'étend sur une zone de plus de 100µm attestée par la présence de précipités d'AuSn4 dans la
zone de l'ex-liquide. Noter en particulier que l'interface AuSn4/liquide n'est pas plane mais en
forme de dendrites de taille micrométrique.

126
Figure 4-4: Observation MEB de la couche réactionnelle formée après mise en contact d'un
fil d'or et de l'étain liquide pendant 10 secondes à 245°C. Vue générale (a), zoom sur
l'interface Au/Sn (b) [183].

P. G. Kim et K. N Tu [184] ont, eux, étudié la réactivité entre l'or pur et cette fois-ci
l'alliage liquide eutectique SnPb (Sn-37mass%Pb) à 200°C et pendant 210s. Comme le
montre la figure 4-5, deux couches réactionnelles sont visibles à l'interface, une couche fine et
continue d'AuSn2 d'épaisseur micrométrique (comme dans le précédent cas Au/Sn(liquide)) et
une couche d'AuSn4 sous forme de bâtonnets. Les auteurs indiquent qu'AuSn4 présente une
forme de scallops même après 2s de contact à 200°C.
Noter enfin que dans les études précédentes, la phase stable AuSn n'a pas été observée
à l'interface.

Figure 4-5: Observation MEB de la couche réactionnelle se formant entre un substrat Au et


une brasure SnPb eutectique à 200°C, pendant 210 secondes [184].

De nombreuses études sur les interactions Au-Sn ou Au-alliages base étain à l'état
solide montrent que la cinétique de croissance des intermétalliques dans ce système est
beaucoup plus rapide que dans le système Cu-Sn. Ainsi par exemple T. Yamada et al [185]
montrent que le coefficient de croissance globale des intermétalliques dans le système Au-Sn
est d'environ 50 à 70 fois supérieur que dans le système Cu-Sn pour un domaine de
température compris entre 190°C et 220°C. Les auteurs reportent que la zone réactionnelle est
composée de trois couches continues de phases AuSn4, AuSn2 et AuSn et la cinétique de
croissance de ces phases a été déterminée entre 120°C et 200°C (voir figure 4-6). Il est à noter
que la phase AuSn4 croît beaucoup plus rapidement que les deux autres phases et ceci quelle
que soit la température.

127
Figure 4-6: Cinétique de croissance de couches réactionnelles dans un empilement Sn/Au/Sn
au cours d'un maintien thermique à 120°C (a), 200°C (b) [185].

2-2-2) Implication de l'ajout du nickel et du cuivre


Des conclusions d'études faisant état de systèmes se rapprochant davantage des
conditions industrielles qui sont les nôtres (utilisation de brasures type SAC ou influence de la
nature du substrat UBM en cuivre ou en nickel) sont présentées ici. Dans le cas de
l'application flip-chip, la couche d'or d'une épaisseur caractéristique de 200nm est rapidement
dissoute au contact de l'étain liquide et laisse ainsi le nickel sous-jacent en contact avec la
brasure. Le nickel peut donc se dissoudre et former un intermétallique du système Ni-Sn au
cours du reflow ou bien de la solidification.
L'étude de R. Labie et al [186] met en évidence le mécanisme de précipitation de l'or à
la suite d'un assemblage de solder bump sur substrat Cu/Ni/Au par reflow. L'épaisseur d'or
impliquée est ici de 150 nm et l'état après brasage eutectique (par reflow) est comparé dans le
cas d'un bump Cu/Sn et dans le cas d'un bump Cu/Ni/Au/Sn (figure 4-7).

Figure 4-7: Représentation schématique des deux types d'intégrations testées dans l'étude de
R. Labie et al [186].

Dans le cas du solder bump Cu/Sn (cas (1) de la figure 4-7), la brasure comprend,
avant assemblage, du cuivre en solution (dont la concentration dépend de la température
atteinte lors du premier reflow de formation du solder bump). Lors du brasage eutectique, les
atomes de cuivre migrent jusqu'à l'interface opposée (Cu/Ni/Au) pour former l'intermétallique
ternaire (Cu,Ni)6Sn5. C'est ce qui peut être observé en microscopie électronique à balayage en
figure 4-8a. Selon l'interprétation de cette étude, les atomes d'or dissouts précipitent, au
moment de la solidification au niveau de l'interface alliage/(Cu,Ni)6Sn5, sous la forme
d'AuSn4. Etant donné le fait que la phase AuSn4 entoure (Cu,Ni)6Sn5 (figure 4-8a), la
formation de (Cu,Ni)6Sn5 est donc, suivant cette interprétation, antérieure à celle d'AuSn4,

128
Lorsqu'il s'agit du solder bump Cu/Ni/Au/Sn (cas (2) de la figure 4-7) il n'y a, avant
assemblage, pas ou très peu de cuivre dissout dans la brasure. En suivant le même
raisonnement que précédemment, l'or se dissout rapidement, permettant la réaction
interfaciale entre le nickel et l'étain, puis formation de l'intermétallique Ni3Sn4. Lors du
refroidissement, l'or précipite sous la forme (Au,Ni)Sn4 ou AuSn4 en surplombant
l'intermétallique Ni3Sn4; c'est ce qui peut être observé en figure 4-8b.

Figure 4-8: Observation MEB en mode de détection rétrodiffusé d’un assemblage d’un bump
Cu/Sn (a) et Cu/Ni/Au/Sn (b) sur une métallisation Cu/Ni/Au après un reflow [186].

Ce mécanisme de redéposition d'AuSn4 ou (Au,Ni)Sn4 sur (Cu,Ni)6Sn5 a été reporté à


plusieurs reprises dans le cas de brasures SnPb assemblées sur passivation Ni/Au et semble
d'ailleurs exclusif aux brasures SnPb ou SnAgPb [187-188]. Ce constat est en accord avec
plusieurs études comme les travaux de K. Y. Lee et al [189], réalisés avec les alliages
Sn-34,3mass%Pb-2,9mass%Cu et Sn-36mass%Pb-{1-3}mass%Ni et conduisant à la
formation des intermétalliques (Au,Cu)Sn4 et (Au,Ni)Sn4 respectivement ; les intermétalliques
sont observés toujours au sein de la brasure et non pas aux interfaces. L'addition de nickel ou
de cuivre tend donc à stabiliser le composé AuSn4 au sein de la brasure en réduisant les forces
motrices de redépositions aux interfaces. Le résultat est en accord avec l'étude de C. E. Ho
[190] qui conclut qu'une présence suffisante de cuivre dans la brasure exclut la redéposition
d'un intermétallique de la forme AuSn4 au cours du vieillissement thermique. De même, dans
l'étude de K. Y. Lee [188], la brasure SnAgCu conduit à la formation de (Au,Ni,Cu)Sn4 qui
reste localisé dans le volume de la brasure. Enfin, M. Powers [191] prolonge ce constat au cas
du cyclage thermique.
D'un point de vue mécanique il est reporté à plusieurs reprises que la formation d'une
couche continue d'AuSn4 à l'interface est indésirable du fait de sa tendance à favoriser la
propagation de fracture fragile [192, 193]. Le nickel peut se substituer pour former l'alliage
ternaire (Au,Ni)Sn4 évoqué précédemment. Or, la mauvaise adhésion entre (Au,Ni)Sn4 et
Ni3Sn4 [193] mène également à une fragilité de cette interface qui rendent les amorces à la
rupture flagrantes [193]. Enfin, la présence de cuivre ou non dans le système métallurgique
n’est pas anodine. Il a été reporté qu’en présence de cuivre la formation de (Au,Ni)Sn4
pourrait être ralentie et que les durées de vie des systèmes sont différentes selon que le cuivre
est présent dans la brasure ou non [193].

2-3) Conclusion
Dans les cas d'assemblage flip-chip suivi d'un reflow impliquant des micro-bump
(Cu/SAC) et des micro-pillars (Cu/Ni/Au), la brasure est mise en contact avec la passivation
or, ce qui mène à la formation de composé du type AuSn4 à l'interface entre l'or et l'étain. Le
système Au-Sn peut mener à la formation d'autres composés intermétalliques comme AuSn2
ou AuSn dont la croissance est réduite par rapport à celle d'AuSn4.

129
La solubilité de l'or dans l'étain liquide à 235°C (≈ 8at% Au) est beaucoup plus élevée
que celle du cuivre à la même température (environ 2at% Cu). De ce fait, lorsqu'une couche
d'or de faible épaisseur (≈ 100nm) est mise en contact avec l'étain liquide, la limite de
solubilité de l'or dans l'étain liquide n'est pas atteinte même après la dissolution totale de la
couche d'or. Dans ces cas, il n'y aura donc pas de formation d'intermétallique AuSn4 à
l'interface entre la brasure et le substrat (comme c'était le cas pour le système Cu/Sn par
exemple). AuSn4 précipite seulement lors du refroidissement sur les intermétalliques Cu6Sn5
ou Ni3Sn4, qui se forment eux-mêmes principalement aux interfaces Cu/Sn ou Ni/Sn lors du
brasage mais également au sein de la brasure lors du refroidissement. En revanche si de l'or
massif ou une couche épaisse d'or est mis en contact avec l'étain liquide, il y aura formation
de la phase AuSn4 à l'interface Au/Sn lors du maintien à l'état liquide et la précipitation de
l'eutectique AuSn4 + Sn, lors du refroidissement, dans la zone du liquide affectée par la
diffusion de l'or.
L'ajout d'autres éléments dans la brasure comme le cuivre ou le nickel impacte la
composition de la phase AuSn4 qui peut incorporer beaucoup de nickel mais aussi du cuivre
pour devenir (Au,Ni,Cu)Sn4. De ce fait, le cuivre et le nickel stabilisent la phase AuSn4
précipitée au sein de la brasure lors du refroidissement et évitent aussi une redistribution de
cette phase aux interfaces. Les modifications engendrées peuvent avoir un effet drastique sur
la tenue mécanique des joints de brasure. Le cas d'une couche continue de la phase AuSn4
déposée sur un intermétallique de la forme Ni3Sn4 par exemple, est reporté comme étant une
configuration favorable à la propagation de ruptures fragiles.

3) Caractérisation morphologique du système d'interconnexion

Deux différents systèmes métallurgiques font l'objet de caractérisations dans cette


partie 3. Dans le premier cas qui porte sur le véhicule test Div1, l'empilement des différents
métaux qui compose l'interconnexion comprend une quantité excessive d'or. En effet,
l'épaisseur de la couche d'or déposée (eAu ≈ 800nm) est dans ce cas, beaucoup plus élevée que
celle visée (eAu = 200nm). Dans le deuxième cas où le véhicule test Alto est utilisé, l'épaisseur
de la couche d'or déposée est pratiquement la même que celle visée (eAu = 200nm).

3-1) Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800nm, test Div1)

3-1-1) Introduction
Cette section regroupe les caractérisations réalisées sur des interconnexions élaborées
à partir du véhicule test Div1 (diamètre du micro-bump égal à 25 µm). Du fait de la quantité
excessive d'or intégrée dans ce premier système métallurgique étudié, l'existence de
mécanismes de défaillances liés à la présence d'or sera ainsi mise en exergue. Ce système est
d'abord caractérisé après brasage eutectique, puis son évolution métallurgique est inspectée à
l'issue de deux, puis quatre reflows supplémentaires et dans un autre cas de figure, à l'issue de
cyclage thermique succédant au brasage eutectique.

3-1-2) Caractérisation après assemblage


Après le flip-chip, l'empilement métallique tel qu'il a été réalisé à partir du véhicule
test Div1, comporte plusieurs couches indiquées sur la figure 4-9. Comme cela a été présenté
au cours de la section 3-6 du chapitre 2, l'épaisseur initiale d'or déposé est de 1µm et elle est
ensuite diminuée à 0,2µm à la suite des étapes de gravure par usinage ionique.

130
Figure 4-9: Représentation schématique de l'empilement métallurgique que constitue
l'interconnexion issue du véhicule test Div1 avec les épaisseurs visées. Diamètre des micro-
bumps égal à 25 µm.

La figure 4-10 présente une coupe transversale mettant en évidence une


interconnexion pour laquelle le brasage eutectique n'a pas eu lieu, c'est-à-dire qu'aucune
réaction n'a eu lieu entre l'alliage liquide et la couche d'or. De ce fait, l'épaisseur d'or mesurée
sur la figure 4-9 (e ≈ 800nm) correspond à celle obtenue à la fin de la gravure.

Figure 4-10: Observation en microscopie électronique à balayage de coupes transversales


d’assemblages non effectifs de micro-bumps sur micro-pillars à partir du véhicule test Div1.

Même si pour ces interconnexions, ni le mouillage ni la réaction entre l'alliage liquide


et la couche d'or n'ont eu lieu, pour d'autres interconnexions appartenant à un empilement de
puces provenant du même wafer le mouillage et la réaction ont eu lieu comme le montre la
figure 4-11. L'assemblage, dans le cas de la figure 4-10, semble donc être entravé par des
résidus de flux et de ce fait, cette différence dans le processus d'assemblage au sein d'un
même wafer peut être imputée à l'étape de pulvérisation du flux. En effet comme expliqué
dans le paragraphe 3-6-1 du chapitre 2, la pulvérisation de flux est un procédé rudimentaire et
sa dispersion sur wafer n'est pas homogène, d'où l'existence de zones où l'assemblage est bien
réalisé et d'autres où il n'est pas effectif. L'analyse des coupes transversales de joints de
brasure (figure 4-11) mène à plusieurs constats :
(i) L'interface que partage la brasure avec le plot de cuivre est irrégulière en comparaison de
l'interface se trouvant du côté de la bicouche nickel-or. Ceci est conforme à ce qui était
observé précédemment sur les micro-bumps.
(ii) Le joint de brasure présente de bonnes propriétés de mouillage puisqu'un très bon
mouillage réactif est notable aussi bien du côté du plot de cuivre qu'au niveau du nickel. Par
ailleurs, la forme générale du joint de brasure est assez caractéristique et peut-être assimilée à
un ménisque concave afin d'expliquer les courbures des flancs de la brasure visibles sur ces
coupes (figure 4-11). Cette géométrie est due à une bonne adhésion entre le joint de brasure et
les substrats métalliques (cuivre et nickel).
Concernant la morphologie au sein du joint de brasure, l'élément le plus notable
comparativement à tout ce qui a pu être observé au cours du chapitre précédent, est la
présence systématique de gros précipités colonnaires (1µm à 3µm de large pour 4µm à 10µm

131
de long). Ces précipités semblent occuper une proportion importante de l'alliage puisqu'ils
l'envahissent sur toute sa longueur. Leur orientation est variable et peut aussi bien être
verticale (figure 4-11b) qu'horizontale (figure 4-11c) ou bien de biais (figure 4-11c).
Cependant, pour chacun de ces précipités, une interface est partagée avec une couche
réactionnelle intermétallique qu'elle soit du côté du nickel ou du côté du cuivre.

Figure 4-11: Observation en microscopie électronique à balayage de coupes transversales


d’interconnexions Div1 après brasage eutectique

A plus fort grossissement (figure 4-12), il peut être noté que la couche réactionnelle au
niveau de l'interface Cu/SAC présente une morphologie qui diffère de ce qui était observé sur
micro-bump (voir figure 3-21). En effet, les scallops caractéristiques de la phase η-Cu6Sn5 (à
l'interface Cu/SAC(liquide)) ne sont pas observés ici (figure 4-12a). A l'inverse, la couche ε-
Cu3Sn peut être aisément identifiée puisque la morphologie et la dimension submicronique,
caractéristique de cette phase, observées dans le système Cu/SAC(liquide) (voir figures 3-21 et
3-22), se présentent ici de la même façon. Des trous Kirkendall sont également visibles à
l'interface Cu/Cu3Sn et avec un diamètre moyen inférieur à 100nm (figure 4-12) et de ce fait
le brasage eutectique n'atteindrait pas l'intégrité de cette couche. Notons que pour la couche
de la phase η, non seulement une modification nette de morphologie est observée (comparée
au cas Cu/SAC du chapitre 3) mais aussi une évolution du contraste au sein même de cette
couche est détectée en mode de détection rétrodiffusé. En effet, en observant le cliché en
figure 4-12b du haut vers le bas, il peut être noté un contraste qui évolue du sombre (au
voisinage de Cu3Sn) vers le clair (proche des larges précipités colonnaires). Cette observation
suggère une modification de la composition de la phase η-Cu6Sn5 (préexistante déjà à
l'interface Cu/SAC sous forme de scallops), au cours du brasage eutectique, qui conduit elle-
même à un changement drastique de sa morphologie.

Figure 4-12: Observation en microscopie électronique à balayage de coupes transversales


d’interconnexions Div1 après brasage eutectique. Vue générale du joint de brasure (a), zoom
sur l’interface supérieure (b) et sur l’interface inférieure (c).
132
Il doit également être noté la présence de cavités qui parsèment l'interface entre la
bicouche nickel-or et la brasure (figure 4-12c). Des cavités de diamètre inférieur à 50nm sont
présentes au proche voisinage de l'interface ainsi que quelques cavités de diamètre compris
entre 150nm et 300nm et parfois plus.
L'outil d'analyse spectroscopique (EDX) utilisé permet de distinguer principalement
trois zones de composition différente (figure 4-13). Notons que vu le type d'analyse et surtout
la petite taille du système, les résultats de ces analyses doivent être considérés comme
qualitatifs et traités avec beaucoup de précautions.

Figure 4-13: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexions Div1 après brasage eutectique (a). Analyse spectroscopique (EDX)
révélant trois zones (b, c et d).

- L'analyse de la couche réactionnelle présente du côté de l'interface avec le cuivre (sur


la partie supérieure du cliché figure 4-13b) donne une composition moyenne (en at%):
55%Cu-30%Sn-12%Au-3%Ni. Si cette composition globale est reportée sur la section
isotherme du diagramme de phase Sn-Au-Cu (point M de la figure 4-2a), alors il pourrait être
conclu qu'il s'agit d'une composition moyenne obtenue à partir des phases (Cu,Au)6Sn5 et
(Cu,Au)3Sn. En ce qui concerne la petite quantité du nickel détectée (~3at% Ni) il pourrait
s'agir de nickel incorporé dans le composé η-(Cu,Ni)6Sn5 (voir diagramme de phase ternaire
Cu-Ni-Sn en figure 1-47 du chapitre 1) donc dans le composé (Cu,Au,Ni)6Sn5. Notons enfin
que cette modification significative de la composition de la phase η-Cu6Sn5 peut expliquer sa
modification de morphologie (par l'absence de scallops).
- La deuxième zone révélée par l'analyse EDX (figure 4-13c) correspond aux larges
précipités colonnaires. La composition moyenne en est: 70%Sn-18%Au-10%Cu-2%Ni. Il est
notable que le rapport des teneurs en or et en étain est ici de un quart comme pour le composé
AuSn4. Il pourrait bien s'agir du composé (Au,Ni,Cu)Sn4 où des petites quantités de nickel et
de cuivre sont dissoutes. En effet, à 200°C la solubilité maximale de nickel dans la phase
(Au,Ni)Sn4 est d'environ de 10at% Ni (voir diagramme de phase de la figure 4-3). Par contre
la solubilité de cuivre dans la phase AuSn4 est relativement faible (~2at%Cu à 190°C comme
cela est visible en figure 4-2a). Elle ne peut par conséquent qu'être supérieure à 2% à une
température de 235°C. Notons toutefois qu'une autre raison pouvant expliquer la présence de

133
cuivre et de nickel dans cette zone (en vert sur la figure 4-13c) est l'imprécision de la mesure,
puisque comme cela est visible sur la cartographie EDX de cette zone, une légère partie du
signal retourné provient des intermétalliques d'interfaces (riche en cuivre du côté cuivre et
riche en nickel côté nickel).
- La troisième zone révélée par l'analyse EDX (figure 4-13d) indique que cette zone
est constituée majoritairement d'étain (83%Sn-11%Cu-3%Au-3%Ag). Cette zone correspond
bien au liquide base étain à la température de brasage qui se transforme en étain et d'autres
intermétalliques lors du refroidissement (voir l'analyse ci-dessous). Une des phases
précipitées au sein de ce liquide serait aussi Ag3Sn comme le suggère l'analyse EDX de la
figure 4-13e qui montre des zones très riches en argent qui ne peuvent être que des précipités
d’Ag3Sn.

Avant d'analyser les mécanismes conduisant à la formation des microstructures


observées sur les figures 4-11 à 4-13, un bilan de matière est effectué afin de quantifier les
proportions relatives d'étain et d'or mises en jeu avant l'étape d'assemblage. Comme indiqué
sur la figure 4-9, l'épaisseur équivalente de l'alliage SAC est d'environ 8µm alors que celle
d'or est d'environ 0,8µm.
En première approximation un rapport d'épaisseur (eAu/eSn ≈ 0,1) peut être considéré.
m m
A partir des volumes molaires d'étain et d'or ( VSn = 16,26 cm3.mol-1 et V Au = 10,21 cm3.mol-
1
), le rapport du nombre de moles d'or et d'étain peut être calculé :
n Au VAu VSnm e Au VSnm
= m . = . m = 0,16
nSn VAu VSn eSn VAu
Donc en première approximation, la composition globale du seul "sous-système"
alliage SAC + couche d'or d'épaisseur 800nm dans le système binaire Sn-Au est représentée
par le point N (86at%Sn-14at%Au) de la figure 4-14b. Considérant que l'assemblage a lieu à
235°C, alors la composition globale du "sous-système" Sn-Au, représentée par le point N sur
cette figure, correspond à l'équilibre thermodynamique entre une phase liquide contenant
environ 8at%Au et le composé AuSn4. Le rapport calculé nliq/nAuSn4 se situe ici autour de 1
avec des écarts à cette valeur dépendant du rapport eAu/eSn, de la température mais aussi des
teneurs des autres éléments impliqués ici (Ag, Cu et Ni) qui ont été négligés lors de ce calcul
simple. Ce rapport est en relativement bon accord avec le rapport : aire de la zone rouge
(liquide)/aire de la zone verte (AuSn4) - voir figure 4-13.

Figure 4-14: Diagramme de phase Au-Sn (a) [179], représentation schématique de la zone
riche en étain de ce diagramme (b).

134
Indépendamment du fait que les calculs ci-dessus sont approximatifs, pour une
épaisseur initiale d'or d'environ 800nm, la mise en contact de l'alliage liquide avec la couche
d'or conduira tout d'abord à une dissolution de l'or dans l'alliage liquide, ensuite à une
sursaturation en or par rapport à la formation du composé AuSn4 (xAu > xAu (L) comme visible
en figure 4-14b) et enfin à la germination et la croissance du composé AuSn4. La germination
pourra avoir lieu à l'interface alliage liquide/Au mais aussi sur des impuretés solides au sein
du liquide servant de sites potentiels de germination hétérogène. La croissance d’AuSn4 dans
le liquide sursaturé a lieu ici sous forme de gros précipités (comme cela a été observé par
P. Oberndorff [183] (figure 4-4) et P. G. Kim et K. N. Tu [184] (figure 4-5).
Avant la solidification, le joint sera constitué de précipités de la phase AuSn4
contenant éventuellement du nickel et du cuivre et d'une phase liquide base étain contenant de
d'or (~8at%) de l'argent (~3at%) et du cuivre. La solidification de ce liquide quaternaire (Sn-
Ag-Au-Cu) conduirait à la formation d'eutectiques (et/ou de péritectiques) binaires et ternaires
(contenant les phases Sn, Ag3Sn, AuSn4 et Cu6Sn5) qui ne sont pas étudiés ici.

3-1-3) Caractérisation après deux reflows successifs à l'assemblage


Une partie des empilements de puces ayant été utilisée pour la précédente étude subit 2
reflows supplémentaires. Le résultat d'une observation en microscopie électronique à
balayage après coupe transversale apparait en figure 4-15. Cette succession de deux reflows
amène une modification de la microstructure du joint de brasure. L'élément remarquable est la
"disparition" des gros précipités colonnaires identifiés comme étant AuSn4 ou (Au,Ni,Cu)Sn4
et que le joint de brasure présente une microstructure irrégulière constituée principalement de
deux zones (apparaissant en deux niveaux de gris sur la figure 4-15).

Figure 4-15: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexion Div1 après 2 reflows succédant au brasage eutectique. Mode de détection
rétrodiffusé secondaire (a), mode de détection secondaire (b).

Le joint de brasure est analysé en spectroscopie dispersive en énergie (figure 4-16). Le


cliché MEB (figure 4-16a) ici en mode de détection rétrodiffusé, fournit des informations
compositionnelles relatives. La différence de contraste entre les deux zones distinguées sur
cette figure suggère que la majorité d'or (de numéro atomique plus élevé) est localisée dans la
zone plus claire. Les couches réactionnelles aux interfaces quant à elles, ont des contrastes
intermédiaires.
L'analyse EDX des deux zones de la brasure indique que les teneurs des différents
éléments (en at%) valent :
- dans la première zone (en vert sur la figure 4-16b) 50%Sn-31%Cu-14%Au-5%Ni.
- dans la deuxième zone (en rouge sur la figure 4-16c) 88%Sn-5%Cu-4%Ni-2%Au-1%Ag.
La composition de la seconde zone correspond à celle de l'alliage liquide comme dans
le cas du joint après assemblage (alliage base étain). La composition moyenne de la première
zone correspond approximativement à la moyenne des teneurs de la zone bleue (figure 4-13b)
correspondant aux intermétalliques (Cu,Au)6Sn5 + (Cu,Au)3Sn et de la zone verte (figure
135
4-13c) qui correspond cette fois aux précipités de (Au,Ni,Cu)Sn4 ou d’AuSn4. De ce fait, et vu
la composition moyenne de la phase liquide qui n'a pas beaucoup évolué au cours des deux
reflows, il peut être considéré que les transformations principales ayant lieu pendant les
reflows sont:
Cu + Sn Cu3Sn (ou Cu6Sn5) et
(Cu,Au)3Sn + (Au,Ni)Sn4 (Cu,Au,Ni)6Sn5
Cette dernière transformation peut être représentée sur la section isotherme du ternaire
Sn-Au-Cu (figure 4-2a) par le "couple de diffusion" Cu3Sn/AuSn4. Le mécanisme de cette
transformation peut être complexe, par exemple via un processus de dissolution de
(Au,Ni)Sn4 dans le liquide puis diffusion et transformation. De ce fait, d'autres études
complémentaires sont nécessaires afin d'étudier la cinétique de cette transformation.

Figure 4-16: Analyse sur une coupe transversale d’interconnexion Div1 après 2 reflows
succédant au brasage eutectique. Cliché MEB en mode de détection rétrodiffusé (a), analyse
spectroscopique (EDX) révélant deux composés (b, c).

Concernant les trous observés après l'assemblage (voir figure 4-12c), ils sont toujours
visibles après 2 reflows supplémentaires comme l'atteste le zoom de la figure 4-16a ainsi que
les clichés de la figure 4-17. En revanche, leur densité et leurs diamètres semblent décroitre.

Figure 4-17: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexion Div1 après 2 reflows succédant au brasage eutectique Div1. Vue générale
(a), zoom sur l’interface Ni-Au-SAC (b).

L'application de deux reflows à l'issue de l'assemblage a des implications significatives


d'un point de vue métallurgique. D'une part la morphologie des précipités de la phase
(Au,Ni)Sn4 a changé de façon drastique, d'une forme de bâtonnets à des précipités de taille
plus petite et de forme plus arrondie et d'autre part, ce changement morphologique est
accompagné de transformations physico-chimiques avec un changement de compositions des
phases impliquées. Les mécanismes de ces transformations ainsi que l'évolution de la
composition des phases accompagnant ces transformations restent à être identifiés par des
expériences discriminantes et des caractérisations plus poussées.

136
3-1-4) Caractérisation après quatre reflows successifs à l'assemblage
Certains empilements de puces ont subi deux nouveaux reflows les menant ainsi à 4
reflows succédant à l'assemblage et 5 reflows en considérant celui du brasage eutectique. Sur
les clichés MEB (figure 4-18), la microstructure irrégulière en deux zones vue auparavant
(figure 4-15 et 4-16) est de nouveau apparente. Cependant, cette microstructure est ici plus
fine puisque les précipités y sont de l'ordre du micron ou légèrement inférieur tandis qu'ils
étaient plus gros après seulement deux reflows (figure 4-14 et 4-15).
Par la succession des étapes de reflows, le système métallurgique que constitue le joint
de brasure a de toute évidence évolué d'un état dans lequel de larges précipités colonnaires de
la phase (Au,Cu,Ni)Sn4 occupaient la brasure, vers une microstructure irrégulière "biphasée"
comprenant une phase liquide riche en étain et des précipités de taille submicrométrique très
vraisemblablement de la phase (Au,Cu,Ni)Sn4. Il faut noter en plus que les intermétalliques se
trouvant du côté du cuivre restent solidaires du cuivre et qu'une quantité importante d'or s'y
trouve. Toutes ces observations confortent l'hypothèse faite au paragraphe précédent sur le
mécanisme de transformation des précipités de (Au,Ni)Sn4 en (Cu,Au,Ni)6Sn5 par réaction
avec le cuivre (ou Cu3Sn) via un mécanisme de dissolution de (Au,Ni)Sn4 dans l'alliage
liquide, d'une diffusion de l'or et du nickel de l'interface (Au,Ni)Sn4 / liquide vers l'interface
(Cu,Au,Ni)6Sn5 / liquide et enfin réaction à cette interface. Le "couple de diffusion" associé à
cette réaction serait alors: (Au,Ni)Sn4//liquide//(Cu,Au,Ni)6Sn5/(Cu,Au)3Sn/Cu.
Cette transformation, dont la force motrice est la différence de potentiel chimique des
atomes de cuivre, d'or et d'étain de part et d'autre du "couple de diffusion" devrait être limitée
par diffusion en phase solide au travers des couches des phases (Cu,Au,Ni)6Sn5 et/ou
(Cu,Au)3Sn. Le rôle du nickel ainsi que celui de la couche interfaciale du côté du nickel a été
négligé lors de ce raisonnement.

Figure 4-18: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexion Div1 après 4 reflows succédant au brasage eutectique.

Il a été noté à plusieurs reprises des fractures au sein de quelques joints de brasure à
l'issue des 4 reflows venant s'ajouter à l'assemblage (figure 4-19a et 4-19b). Malgré quelques
résidus de polissage sur ces clichés, la microstructure en deux zones est nettement discernable
et il est indiscutable que le brasage eutectique a eu lieu, suivi ensuite d'une rupture au sein de
la brasure contrairement à ce qui peut être observé en figure 4-19c où il n'y à eu ni mouillage

137
ni réaction à l'interface. Ces ruptures témoignent donc d'une détérioration à imputer aux
reflows et à leur incidence sur l'évolution de la métallurgie du joint d'alliage. Cinq
interconnexions scellées présentant une rupture postérieure à l'assemblage ont été
comptabilisées contre trois interconnexions sans fracture visible. La rupture ne se propage pas
selon une interface et son orientation générale semble indépendante de la localisation des
précipités d'AuSn4 (ou (Au,Ni,Cu)Sn4).

Figure 4-19: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexion Div1 après 4 reflows succédant au brasage eutectique. Rupture après
assemblage (a, b), pas de mouillage, ni réaction de l'alliage liquide sur la couche d'or (c).

En résumé, les interconnexions comprenant une épaisseur importante d'or (de 800nm)
mènent à la formation de gros précipités de l'intermétallique AuSn4 ou (Au,Ni)Sn4 dont la
morphologie est amenée à évoluer fortement par l'application de nouveaux reflows. Cette
évolution de la morphologie de ces précipités, qui se traduit par un affinement
microstructural, s'accompagne de ruptures conduisant à l'ouverture de l'interconnexion. Par
conséquent un mécanisme de défaillance manifeste apparait à l'issue de 4 reflows succédant à
l'assemblage (soit 5 reflows depuis l'assemblage).

3-1-5) Caractérisation après tests de vieillissement


Afin de tester la fiabilité en fatigue, des tests spécifiques, visant à simuler un
vieillissement accéléré sont employés. Ils répondent à des critères définis par le Joint Electron
Device Engineering Council (JEDEC). Dans ce paragraphe, un ensemble de puces assemblées
est soumis à un test (norme JESD22-A104D) correspondant à un ensemble d'oscillations
thermiques de -40°C à +125°C, avec un stockage de 15min pour ces températures bornes et
une rampe d'oscillation constante à 14°C/min. Les puces scellées ont été soumises à une
succession de 500 cycles. Des coupes transversales de leurs interconnexions sont visibles en
figure 4-20. Les interconnexions ne révèlent pas ici de ruptures ou de vastes agglomérations
de trous comme cela a été reporté [192, 193]. Dans ces études, l'agglomération des trous
Kirkendall jusqu'à l'initiation d'une fêlure intervient en fait à partir d'un millier de cycle.
L'analyse des coupes transversales et l'utilisation du contraste ionique sur ces observations
permet de distinguer les intermétalliques d'interfaces et des précipités se trouvant au sein de la
brasure. Ces derniers présentent un contraste plus élevé et donc, comprennent des atomes de
plus grand numéro atomique (Z). Ces précipités partagent une interface commune avec un des
deux intermétalliques et occupent une part importante de la brasure. Il ne peut s'agir que de
composés de le forme générale AuSn4 ou (Au,Ni)Sn4. Une configuration semblable à ce qui a
été observé à l'issue du brasage eutectique (figure 4-11) est donc retrouvée ici concernant ces
intermétalliques. Conformément à ce qui est affirmé dans plusieurs travaux mentionnés
précédemment, notamment après cyclage thermique [191], il n'y à donc pas ici non plus de
redéposition de ces composés de forme AuSn4 sur les intermétalliques d'interfaces.
L'intermétallique d'interface situé du côté substrat cuivre (sur la partie supérieure des
clichés en figure 4-20), et dont l'épaisseur moyenne peut être estimée à 3,7µm, est plus épais
que celui se trouvant du côté du substrat nickel-or, dont l'épaisseur moyenne est inférieure à
138
1,5µm. Cette différence d'épaisseur est cohérente avec le fait que la cinétique de croissance
est plus importante dans le cas du système Cu-Sn que dans le cas du système Ni-Sn.

Figure 4-20: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) en mode de


détection ionique d’une coupe transversale d’interconnexion Div1 après cyclage thermique.

Du côté de l'interface Cu/SAC les trous Kirkendall sont identifiés, toujours à


l'interface Cu3Sn/Cu, avec des diamètres compris entre 100nm et 200nm (figure 4-21) ; leur
diamètre s'est accru donc d'un facteur 2 par rapport à ce qui a été mesuré à l'issue du premier
reflow de formation du micro-bump (voir figure 4-12c). Cette augmentation de la dimension
des trous avec le cyclage thermique est analogue avec celle reportée dans l'étude effectuée par
L. Xu et al [101] dans les mêmes conditions expérimentales (500 cycles entre -40°C et
125°C), comme cela a été vu au chapitre premier (voir figure 1-52b). Le développement du
nombre et du diamètre des trous Kirkendall peut toutefois être jugé plus important dans
l’étude de L. Xu et al [101]. Cela est à attribuer à la différence de durées de stockages aux
températures bornes (1heure contre 5 minutes ici).

Figure 4-21: Observation en microscopie électronique à balayage d’une coupe transversale


d’interconnexion Div1 après cyclage thermique

Les tests par cyclage thermique induisent une légère amplification du diamètre moyen
des trous Kirkendall mais pas de dégradations notables comme les ruptures vues à l'issue des
reflows multiples (figure 4-18). Dans l'ensemble, la métallurgie du joint de brasure reste assez
analogue à celle observée à l'issue du brasage eutectique (figure 4-11) puisque les
intermétalliques d'AuSn4 se présentent également sous la forme de bâtonnets longs de
plusieurs microns et partagent une interface commune avec les intermétalliques d'interfaces.
Cela signifie que ces cycles thermiques dans le domaine de température de -40°C à 125°C ont
peu d'incidence sur l'intégrité des intermétalliques AuSn4 à la différence des reflows. Ce
constat renforce l'idée selon laquelle la transformation d'AuSn4 est accélérée par un processus
de dissolution en phase liquide. Enfin, les trous aperçus à l'interface or/brasure à l'issue de
l'assemblage (figure 4-12) et encore visibles après 2 reflows supplémentaires (figures 4-16 et
4-17), sont indistincts ici. Il s'agit d'un constat positif dans la mesure où le cyclage thermique
simule un vieillissement accéléré et rend compte de la métallurgie du système après une mise
en fonctionnement pendant de nombreuses heures d'utilisation. Les cavités auraient donc
tendance à s'estomper lors de ces cycles thermiques à l’état solide.

139
3-2) Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200nm, test Alto)

3-2-1) Introduction
Le véhicule test Alto est cette fois utilisé pour étudier un système métallurgique
comprenant une épaisseur d'or conforme à ce qui est visé. Trois autres différences (en plus de
celles citées au chapitre 2) entre les tests Div1 et Alto peuvent être notées.
(i) L'épaisseur équivalente de l'alliage SAC est ici d'environ 4µm à 5µm au lieu de 8µm
comme c'était le cas précédemment pour le véhicule test Div1.
(ii) Deux configurations différentes ont été utilisées ici (voir figure 4-22). Une configuration
est relativement proche de celle du test Div1, la seule différence étant les épaisseurs des
différentes couches (configuration (1) de la figure 4-22). La seconde configuration est proche
de la configuration (1), la différence tient cette fois dans le fait que l'interface avec le micro-
bump est une interface Ni/SAC et non plus Cu/SAC.
(iii) Dans le cas du test Alto les caractérisations ont été réalisées sur des micro-bumps de
diamètre égal à 40µm, au lieu de 25µm dans le cas du test Div1.

Figure 4-22: Représentation schématique des empilements métallurgiques que constituent les
interconnexions issues du véhicule test Alto avec les épaisseurs visées. Diamètre des micro-
bumps égal à 25 µm.

Deux plaques comprenant des assemblages de puces par procédé flip-chip ont été
élaborées à partir du véhicule test Alto. Pour l'une d'elle, l'assemblage est effectué par le biais
de micro-bump d'intégration Cu/SAC (configuration (1) de la figure 4-22) et pour l'autre, il
s'agit de micro-bump Cu/Ni/SAC (configuration (2) de la figure 4-22).

3-2-2) Caractérisation après assemblage du système Cu/Ni/Au//SAC/Cu


En figure 4-23 des coupes transversales d'interconnexions de la première configuration
(figure 4-22) sont visibles. Les joints de brasures présentent une morphologie beaucoup plus
homogène que celle observée précédemment dans le cas d'une forte épaisseur d'or (essai Div1,
voir figure 4-11). En effet il n'y a pas de large précipité colonnaire d'AuSn4, ni de micro cavité
au niveau de l'interface Au/SAC. L'épaisseur totale du joint varie de 5µm à 7µm. Le mode de
détection rétrodiffusé ne permet pas ici de distinguer les phases situées à l'une ou l'autre des
interfaces de celles se trouvant au sein du joint de brasure, excepté le fait qu'à l'interface entre
le cuivre et l'alliage une couche continue et d'épaisseur submicrométrique peut être clairement
identifiée (voir figure 4-23f); il s'agit de toute évidence du composé Cu3Sn (ou (Cu,Au)3Sn).
A partir des clichés de la figure 4-23, il semble que le joint de brasure est constitué par des
joints de grains de la même phase. Cependant une analyse compositionnelle est nécessaire
pour l'affirmer.

140
Figure 4-23: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes
transversales d’interconnexions Alto après brasage eutectique. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu.

L'analyse du joint de brasure par une spectroscopie dispersive en énergie (figure 4-24),
indique que le joint de brasure est constitué principalement de grains de même composition
globale moyenne (zone en rouge sur la figure 4-24b) contenant 53%Sn-32%Cu-11%Au-
4%Ni. Il existe aussi quelques zones du joint (environ 20% de la surface totale) qui semblent
plus riches en étain que les précédentes avec une composition moyenne de 65,5%Sn-25%Cu-
4%Au-4%Ni-1,5%Ag. Les grains moins riches en étain (53%Sn) sont très vraisemblablement
constitués principalement de la phase (Cu,Au,Ni)6Sn5 (contenant 45%Sn) alors que la seconde
zone (riche en étain) pourrait correspondre à des poches de liquide riche en étain à la
température d'assemblage. Cependant des analyses plus poussées sont nécessaires afin de
déterminer la nature exacte de ces zones. Il faut noter la grande différence entre la
microstructure du joint de ce test Alto (figure 4-23 et 4-24) avec celles obtenues dans le cas
du test Div1 (figure 4-11 à 4-13). Rappelons que les épaisseurs initiales des couches d'or et
d'alliage SAC pour les configurations Div1 et Alto sont :

Test : eAu (µm) eSAC (µm) eAu/eSAC


Div1 0,8 8 1/10
Alto 0,2 4 1/20

Le même type de calcul que celui fait au paragraphe 3-1-2) montre qu'après la
dissolution totale de la couche d'or d'épaisseur 200nm, la teneur en or de l'alliage liquide est
d'environ 8at%. Cette teneur est proche de la limite de saturation de l'étain liquide en or
(environ 8at% à 235°C - voir point L de la figure 4-14b). Ceci est en accord avec le fait que
les précipités colonnaires d'AuSn4 ou (Au,Cu,Ni)Sn4 n'apparaissent pas dans les joints de
brasure des tests Alto. Il doit enfin être noté que la croissance de l'intermétallique
(Cu,Au)6Sn5 a consommé une part très importante de la brasure puisque l'aire de cet
intermétallique occupe plus de 75% de l'alliage sur cette coupe transversale ( figure 4-24b).

141
Figure 4-24: Analyse spectroscopique (EDX) sur une coupe transversale d’interconnexion
Alto. Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu

3-2-3) Caractérisation après assemblage, du système Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu


La figure 4-25 présente quelques clichés MEB de coupes transversales du système
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (intégration de la configuration (2) de la figure 4-22). Les clichés en
figure 4-25b et 4-25d, mettent en évidence une couche interfaciale du côté du micro-bump.
Cette couche réactionnelle de par son développement assez limité (épaisseur moyenne
inférieure au micron) et par sa morphologie en dendrites acérées peut, par analogie avec les
précédents travaux (voir paragraphe 3-2-2) du chapitre 3 sur la réactivité du système
Ni/SAC(liquide)), être identifiée comme Ni3Sn4.
Une autre couche réactionnelle, continue et d'épaisseur homogène inférieure à 1µm est
clairement identifiée à l'interface Ni/alliage de brasure (ex-interface Ni/Au en bas du cliché
4-25b). Cette couche présente un contraste différent de la couche désignée comme Ni3Sn4. De
ce fait, et sachant que la solubilité de l'or dans la phase de Ni3Sn4 est pratiquement nulle (voir
diagramme Sn-Au-Ni en figure 4-2b), il pourrait s'agir de la phase (Ni,Au)3Sn2. Ceci n’est
qu’une hypothèse, des analyses spécifiques sont nécessaires afin d'identifier la nature de(s)
phase(s) en présence dans cette couche submicronique.

Figure 4-25: Observation en microscopie électronique à balayage (MEB) de coupes


transversales d’interconnexions ALTO après brasage eutectique. Cu/Ni/Au//SAC/Cu.

142
Au centre du joint de brasure une zone se distingue du reste de la brasure par un
contraste plus sombre, révélant la présence d'éléments de numéro atomique Z plus faible. Des
porosités peuvent apparaitre entre la zone centrale et le joint de brasure comme le montre la
figure 4-25d. L'analyse en spectroscopie EDX (figure 4-26), révèle deux zones. La zone
affichée en rouge (figure 4-26b), présente une composition globale moyenne (en at%) de
62%Sn-20%Ni-15%Au-3%Cu. La seule phase du système ternaire Sn-Ni-Au de composition
proche de celle-ci est la phase ternaire AuNi2Sn4 (contenant 57%Sn-28%Ni-15%Au).
Cependant des analyses spécifiques sont nécessaires afin d'identifier la nature de(s) phase(s)
en présence dans cette zone. L'analyse de la zone en vert dans la figure 4-26c indique que
cette zone est très riche en étain. La proportion non négligeable de nickel détectée dans cette
zone est à imputer au fait que cette phase est assimilée à l'intermétallique Ni3Sn4 identifié sur
l'interface supérieure. De ce fait il est très raisonnable de penser que la partie centrale du joint
était constituée d'une phase liquide très riche en étain à la température de brasage. Cette
hypothèse est en très bon accord avec les observations expérimentales citées précédemment:
(i) Cette zone (liquide) se situe toujours au centre de la brasure, emprisonnée entre les deux
couches d'intermétalliques développées à partir des deux interfaces Ni/liquide côté micro-
bump et côté micro-pillars (Ni/Au), à partir de la réaction entre le nickel solide et le liquide
base étain contenant du cuivre et de l'argent.
(ii) Le retrait lors de la solidification de ce liquide emprisonné, peut conduire à la formation
de porosités (ou retassures) comme observées sur la figure 4-25d.

Figure 4-26: Analyse spectroscopique (EDX) sur une coupe transversale d’interconnexion
Alto. Système Cu/Ni/Au/SAC/Ni/Cu.

Dans cette configuration l'or est, au cours du reflow, rapidement dissous dans la
brasure laissant le nickel sous-jacent directement en contact avec l'alliage liquide. Après la
dissolution très rapide de la couche d'or, l'alliage liquide contient environ 8at% d'or. Cet
alliage liquide SnAgCuAu contenant très peu de cuivre (<0,5%) réagit avec les deux couches
de nickel (côté micro-bump et côté micro pillar). La seule différence de réactivité des deux
côtés réside dans le fait qu'une couche préexistante de Ni3Sn4 est présente du côté micro bump
(formée lors du premier reflow de formation du bump, voir chapitre 3) alors que côté Ni/Au,
le nickel est en contact direct avec l'alliage. Cette réactivité conduit à la formation
d'intermétallique(s) contenant à la fois du nickel, de l'étain et de l'or et à l'appauvrissement en
or de l'alliage liquide. A la fin du reflow, le liquide restant (au centre du joint) se solidifie, et
sa solidification conduit à la formation de retassures qui sont néfastes pour les propriétés
mécaniques du joint de brasure.

143
3-3) Conclusion
La première partie de cette étude, portant sur des systèmes comprenant une proportion
importante d'or (800nm soit 86at%Sn-14at%Au) permet en partie de dresser la chronologie
des événements métallurgiques se produisant dans le joint de brasure. Lors du brasage
eutectique, la couche d'or se dissout dans la brasure jusqu'à sursaturation par rapport à la
formation du composé AuSn4. Ce composé germine et ensuite se développe sous forme de
gros précipités. Lors de la solidification, le système comprend alors des précipités d'AuSn4
éventuellement enrichis en nickel et en cuivre, ainsi qu'une phase liquide base étain contenant
également de l'argent, de l'or et du cuivre. L'application de reflows successifs exerce un
impact drastique sur la microstructure du joint de brasure. En effet, la morphologie du joint de
brasure évolue d'un état dans lequel des précipités colonnaires sont présents, vers une
microstructure irrégulière "biphasée" comprenant une phase liquide riche en étain et des
précipités submicrométriques de la phase (Au,Cu,Ni)Sn4. La couche réactionnelle se trouvant
du côté du cuivre est également riche en or et sa morphologie est modifiée comparativement à
ce qu'elle était (η-Cu6Sn5) avant le brasage eutectique. L'ensemble des observations suggère
une transformation des précipités de (Au,Ni)Sn4 en (Cu,Au,Ni)6Sn5 par réaction avec le cuivre
ou avec Cu3Sn. Les tests de cyclages thermiques n'engendrent ni modifications sensibles de la
microstructure du joint de brasure ni de ruptures d'interconnexions contrairement à l'issue
d'une succession de 4 reflows après assemblage.
A partir du second véhicule test (Alto), la configuration normale en terme d'épaisseur a
pu être testée avec ou sans nickel du côté du micro-bump. Les joints de brasure comprenant
une épaisseur d'or de 200nm et d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu présentent une morphologie
suggérant la présence d'un unique composé intermétallique occupant plus de 75% du volume
de brasure et qui serait vraisemblablement (Cu,Au,Ni)6Sn5. Dans le cas de l’intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu, la croissance de l’intermétallique est plus modeste que dans le cas
précédent. Le joint se compose visiblement d'une couche de Ni3Sn4 ou (Ni,Cu)3Sn4 du côté du
micro-bump d’épaisseur moyenne submicronique et d'une couche d’épaisseur moindre du
côté du micro-pillar. Les analyses de composition suggèrent que le joint de brasure serait
composé d'un seul intermétallique qui croit aux deux interfaces laissant le liquide restant au
centre du joint et dont la solidification peut conduire à la formation de porosités. La nature et
la composition exacte des différentes couches et phases composant ce joint restent à être
déterminées par des analyses spécifiques.

4) Caractérisation électrique et fiabilité du système d'interconnexion

Au cours de cette partie, les systèmes d'empilements technologiques qui ont été
caractérisés d'un point de vue métallurgique, sont caractérisés électriquement et
mécaniquement. A partir du véhicule test Div1, les interconnexions comprenant une épaisseur
importante d'or sont caractérisées mécaniquement et électriquement à l'issue du brasage
eutectique, puis les caractérisations électriques sont poursuivies après les étapes de reflows
multiples et les tests de vieillissement en cyclage thermique décrits précédemment. La
dernière partie est consacrée à la caractérisation électrique après assemblage, du véhicule test
ALTO, qui permet de caractériser les interconnexions plus finement que pour le véhicule test
Div1.

4-1) Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu (eAu = 800 nm, test Div1)

4-1-1) Test en cisaillement sur systèmes de puces Div1 reportés


Des expériences de test en cisaillement seront à nouveau utilisées mais cette fois à
l'échelle de la puce comme cela a été décrit dans la partie 7-3 du chapitre 1.

144
L'expérienceconsiste à faire subir une contrainte sur la puce supérieure par le biais d'une
pointe alors que le wafer, et donc la puce inférieure, est maintenue sur son support par une
plaque aspirante (figure 1-53a). Le cisaillement est opéré à une vitesse de 200µm.s-1, pour
laquelle la résistance au cisaillement n'est pas conditionnée par le mode de rupture et donc par
l'éventuel présence d'une interface fragile mais par la résistance mécanique de l'ensemble des
interconnexions. La figure 4-27a présente une comparaison des performances électriques et
mécaniques obtenues pour chacune des puces d’un wafer Div1. Pour simplifier la lecture du
graphique, les valeurs de résistances infinies (correspondant aux chaines ouvertes) ont été
ramenées à zéro. Il s'agit de la résistance d'une chaîne de 340 interconnexions se trouvant au
niveau de la matrice centrale du motif Div1 (voir paragraphe 2-1 du chapitre 2 et figure 2-2b).
Dans ce cas, près de la moitié des puces présentent donc des chaines ouvertes simplement à
l'issue du premier reflow d'assemblage (figure 4-27). Cela est lié à la forte probabilité qu'une
au moins de ces interconnexions n'ait pas subi un brasage eutectique effectif. La majeure
partie des puces présente soit une résistance de chaine comprise entre 20mΩ et 40mΩ, soit
une résistance infinie (ici rabaissée à zéro), probablement liée à une ouverture au sein de la
chaine. Les résultats des tests en cisaillement, exprimés en N ou en kgF (1kgF ≈ 10N) sont
visibles pour chaque puce en figure 4-27b. Il peut être remarqué que de bonnes performances
électriques accompagnent de bonnes performances mécaniques. De bonnes performances
électriques semblent donc garantes de bonne tenue mécanique.

Figure 4-27: Comparaisons des performances électriques et mécaniques obtenues pour


chacune des puces d’un wafer Div1 (a), cartographie des résultats de tests en cisaillement
réalisés sur certaines puces d'un wafer (b). 1N ≈ 0,1kgF.

La dispersion des valeurs de résistance en cisaillement est donnée en figure 4-28.


L'essentiel des valeurs (75%) est concentré dans le domaine de 7 kgF à 10kgF. Ces tests
exécutés sur 33 puces mènent à une valeur moyenne de la résistance maximale en cisaillement
de 8,1±2,0 kgF. Ces valeurs correspondent à la résistance mécanique de l'ensemble des
interconnexions contribuant à l'assemblage des deux puces Div1. On suppose que l'ensemble
des 2362 interconnexions d'une puce de motif Div1 (figure 2-2b) est effectif, c'est-à-dire que
le brasage eutectique a bien eu lieu pour chacune d'entre elles. Dans ce cas, une valeur
moyenne de la résistance au cisaillement de 3,4±0,9 gF peut être attribuée pour une
interconnexion. Il doit être noté que cette valeur se trouve en deçà de ce qui avait été mesuré
au cours du chapitre 3 à partir des tests en cisaillement sur micro-bump, et ce, quels que soient
les paramètres de vitesse et de hauteur (figure 3-51). Elle reste néanmoins proche des valeurs
de résistance au cisaillement se produisant dans l'alliage (environ 6±0,5 gF).

145
Figure 4-28: Nombre de puces Div1 cisaillé par gamme de résistance mécanique

La figure 4-29 présente des observations de faciès de rupture après cisaillement en


microscopie optique. Le faciès de rupture d'une puce présentant une résistance au cisaillement
dans la basse moyenne, égale à 6,1kgF apparait ici (figure 4-29a, 4-29b et 4-29c), tandis que
la puce affichant la plus haute résistance au cisaillement de 10,5 kgF est visible en figure 4-
29d, 4-29e et 4-29f. L'examen minutieux de ces clichés montre que certaines interconnexions
(notées 1 en figure 4-29b), révèlent un faciès de rupture divisé, comprenant un contour et un
centre ayant des morphologies différentes. Ce profil suggère un scellement eutectique partiel
au niveau de ces interconnexions. Quelques autres interconnexions (notées 2 en figure 4-29c),
ont des morphologies analogues, voire parfois tout-à-fait identiques à celle d'un micro-bump
après reflow comme vu au chapitre 2 (figure 2-21). Cela veut dire que dans ce cas, la
morphologie hémisphérique caractéristique du micro-bump après reflow est retrouvée avec,
éventuellement, un léger aplatissement au sommet du dôme du micro-bump. Dans ce cas, le
brasage eutectique n'à donc pas eu lieu. Il y a au mieux, eu un contact lors du flip-chip, d'où
cet aplatissement, mais en aucun cas, il n'y a eu mouillage de la brasure sur le micro-pillars. A
l'inverse, pour la seconde puce (figure 4-29d, 4-29e et 4-29f), le faciès est caractéristique d'un
arrachement. Dans ce cas, il y a eu assemblage complet.

Figure 4-29: Inspection en microscopie optique des faciès de rupture après cisaillement de
puces Div1 assemblées. Rupture à 61N (a, b, c) rupture à 105N (d, e, f).

146
Dans chacun des deux cas précédents, le faciès d'une des interconnexions est examiné
après rupture par spectroscopie EDX. En figure 4-30 l'analyse est faite sur une interconnexion
de la puce présentant une basse résistance (6,1 kgF) tandis qu'en figure 4-31 elle est réalisée
sur la puce présentant les meilleures résistances mécaniques (10,5kgF). La morphologie de
l'interconnexion (figure 4-30a) suggère celle d'un micro-bump aplati au cours du flip-chip
comme décrit précédemment. Il n’y pas de traces visibles d'arrachement ou de déformation.
L'analyse mène à la détection d'une phase unique, dont la concentration est celle du SAC
déposé. Dans ce cas il n'y a donc vraisemblablement pas eu d'assemblage.

Figure 4-30: Observation en microscopie électronique à balayage d’un micro-bump après


cisaillement de la puce et rupture à 61N (a). Analyse spectroscopique (EDX) sur le faciès de
rupture du micro-bump (b) avec quantification des éléments sondés (c).
.

Figure 4-31: Observation en microscopie électronique à balayage d’un micro-bump après


cisaillement de la puce et rupture à 105N (a, b). Analyse spectroscopique (EDX) sur le faciès
de rupture du micro-bump (c, d, e).

Dans le cas de la puce ayant les meilleurs résultats de résistance au cisaillement


(10,5kgF), l'analyse (figure 4-31) révèle une morphologie du faciès caractéristique d'un
arrachement fragile (figure 4-31b). L'analyse spectrale (EDX) révèle pour sa part trois
composés de différentes concentrations. (i) Une faible part du faciès (figure 4-31c) présente
des proportions pour lesquelles l'étain domine largement. (ii) La majeure partie du faciès

147
présente des proportions voisines du cuivre et de l'étain, avec un net avantage pour le cuivre
avec une proportion de 72at% contre 28at% pour l'étain. Cette proportion est très proche de
celle du Cu3Sn traduisant le fait que Cu3Sn est resté solidaire du cuivre contrairement au
composé Cu6Sn5 qui n'est pas détecté. Cette observation suggère une rupture entre Cu3Sn et
Cu6Sn5 ce qui est en accord avec les précédentes analyses faites sur les tests en cisaillement
unitaire de micro-bump (voir paragraphe 4-3-3 et figure 3-53). (iii) Pour la troisième zone
(figure 4-31e), la proportion de cuivre est nettement supérieure à celle d'étain avec, 88at% de
cuivre et 12at% d'étain. Le composé Cu3Sn affleurerait donc à cet endroit mais en quantité
submicronique, ainsi c'est le cuivre sous-jacent qui est essentiellement détecté
L'analyse des faciès de rupture pour ces puces montre donc que dans un cas
l'assemblage est partiel (figure 4-30), puisque pour plusieurs interconnexions, il n'y a pas eu
brasage eutectique, d'où la plus faible résistance en cisaillement (d'où aussi, les valeurs de
résistance électrique en dehors des spécifications). Dans un second cas, l'assemblage est
complet et la rupture se produit alors dans l'intermétallique (figure 4-31). La différence de
résistance en cisaillement pour les puces analysées ici, s'explique donc par la non- uniformité
du procédé de l'assemblage. Cette non- uniformité peut elle même avoir plusieurs causes. Elle
peut être provoquée par une dispersion non homogène du flux sur wafer comme cela a été
suggéré dans la partie 3-1-2 de ce chapitre. Ainsi une couche d'oxyde d'étain pourrait se
former sur certains des micro-bumps non exposés par le flux, empêchant le mouillage sur la
surface des micro-pillars pendant le flip-chip. Une autre cause pourrait être la non- uniformité
des hauteurs de micro-bumps ou bien de micro-pillars à l'issue du procédé d'électrodéposition.
Ce phénomène, mentionné au paragraphe 3-3-3 du chapitre 2, a déjà été noté et peut expliquer
un assemblage partiel des puces si les micro-bumps et/ou micro-pillars présentent des
différences de hauteurs. Enfin, une non- reproductibilité du procédé de flip-chip et de pick
and place par l'équipement "DATACON" pourrait éventuellement être mise en cause.

4-1-2) Caractérisation électrique au cours des différentes étapes de reflow


Afin de valider l'effectivité de l'assemblage des puces, la chaîne de 340
interconnexions correspondant à 340 des 374 interconnexions constituant la matrice centrale
(figure 2-2b), est fréquemment mesurée comme vue précédemment. Ici, un suivi des
performances électriques au cours des différentes étapes de reflows est envisagé. Par
conséquent il sera choisi d'investiguer ce suivi des performances à partir de chaines de
longueurs moindres, c'est-à-dire comprenant un nombre plus réduit d'interconnexions. Ainsi,
en figure 4-32, sont présentées les performances électriques de trois types de chaine au cours
des différentes étapes de recuits, c'est-à-dire après brasage eutectique, puis après 2 reflows,
puis 4 reflows supplémentaires. Les composants sollicités ici sont donc des chaines de 100
interconnexions (figure 4-32a), de 10 interconnexions (figure 4-32b), ou bien de 2
interconnexions (figure 4-32c).
Sur ces graphiques apparaissent donc les résistances en fonction de leurs pourcentages
cumulés. Le pourcentage cumulé est un mode de représentation d'une distribution. Ici les
valeurs de résistance figurent sur l'axe des abscisses et sont distribuées suivant leur ordre
croissant selon l'axe des ordonnées. Aucune courbe n'atteint ici le seuil de 100% en ordonnée
car plusieurs de ces composants présentent une chaine ouverte pour laquelle la résistance est
infinie et n'est donc pas représentable.
Il doit être noté que seule une portion du wafer ayant subi 3 reflows est amenée jusqu'à
un total de cinq reflows, par conséquent les rendements ou valeurs seuils, en pourcentage
cumulé, atteints à l'issue de 5 reflows ne sont pas comparables avec ceux atteints à l'issue de 3
reflows.
L'évolution des performances électriques en fonction du nombre de reflows se
manifeste de deux manières. Elle est remarquable, tout d'abord, par la variation du rendement,

148
c'est-à-dire graphiquement par le seuil atteint par le pourcentage cumulé. En effet, la valeur de
seuil chute lorsque 2 reflows supplémentaires sont exécutés. Cette chute est nulle dans le cas
de la chaine de 10 interconnexions (figure 4-32b) mais est légèrement supérieure à 10% dans
le cas des chaines de 2 interconnexions (figure 4-32c). Cet effet ne peut s'expliquer que par
l'apparition d'une rupture au sein de la chaine. Pour ce qui est du passage de 3 reflows à 5
reflows, la chute du rendement ne peut pas être quantifiée puisque la comparaison se fait sur
un nombre de puces différent. Il y a cependant une chute du rendement notable entre 3 et 5
reflows dans chaque cas (figure 4-32) malgré le nombre de puces réduit. Cette chute, sans
pouvoir être quantifiée, est donc effective. Cette dégradation mène à penser que le type de
rupture occasionnellement observée au sein du joint de brasure (figure 4-19), doit en être à
l'origine. Notons que dans le cas particulier de la chaine de 100 interconnexions, et pour le
passage de 1 reflow à 3 reflows (figure 4-32a), l'effet est inverse, car ici la valeur seuil est
rehaussée de 6%. Ce résultat peut être attribué à une amélioration du scellement eutectique
qui n'aurait été que partiel à l'issue du premier reflow, comme cela a été déjà suspecté au
cours de l'observation (figure 4-29b).

Figure 4-32: Evolution des performances électriques des composants Div1 en fonction du
nombre de reflows. Chaine de 100 interconnexions (a), 10 interconnexions (b), 2
interconnexions (c).

L'évolution des performances électriques se manifeste aussi par une déviation de la


valeur moyenne de la résistance de chaine, et ce, pour chaque condition. La moyenne
considérée ici prend en compte les valeurs de résistance du front de basse valeur et néglige les
valeurs s'en détachant nettement. A titre d'exemple, les 2 valeurs de résistances les plus
élevées, sont négligées dans le cas de la chaine de 100 interconnexion à l'issue des 5 reflows
(figure 4-32a). L'augmentation de la valeur moyenne est alors comprise entre 2% pour le cas
du passage de 1 à 3 reflow en figure 4-31a, à 6,5% pour le cas du passage de 3 à 5 reflows en
figure 4-32c. Cette progression, correspondant à une détérioration graduelle, est un
accroissement de la résistance de chaine inférieure ou égale à 5% et ce, que ce soit au cours
du passage du premier au troisième reflow, aussi bien qu'au passage du troisième au

149
cinquième reflow. Cette dégradation légère pourrait être liée à l'évolution de la métallurgie du
joint de brasure observée au cours des étapes de caractérisation morphologique.

4-1-3) Caractérisation électrique après test de fiabilité


Les puces ayant subi le cyclage thermique sont caractérisées électriquement, et les
performances sont alors comparées à ce qu'elles étaient avant cette étape de cyclage (figure
4-33). Les tests sont à nouveau exécutés sur les motifs de chaine de 100 interconnexions
(figure 4-33a), de 10 interconnexions (figure 4-33b), et de 2 interconnexions (figure 4-33c). Il
peut être noté que les puces sélectionnées ici présentent des meilleures performances
électriques à l'issue de l'assemblage que dans le cas précédent puisque la proportion de puces
fonctionnelles est supérieure à 80% alors qu'elle était bien inférieure à cette valeur dans le cas
de la figure 4-19. La valeur de seuil chute après cyclage. Cette chute s'élève à 14% pour le cas
des chaines de 100 interconnexions (figure 4-33a), 5% pour les chaines de 10 (figure 4-33b)
et 11% pour les chaines de 2 interconnexions (figure 4-33c) soit une chute du rendement
totale de 10%. Bien que cela n'ait pas été observé au cours des caractérisations
morphologiques (figure 4-20 et 4-21), des ruptures au sein des chaines sont donc apparues au
cours du cyclage. L'effet est non négligeable puisqu'il atteint 5% à 11% des composants pour
500 cycles appliqués.

Figure 4-33: Performance électrique des composants Div1 avant et après cyclage thermique.
Chaine de 100 interconnexions (a), 10 interconnexions (b), 2 interconnexions (c).

L'effet de dégradation de la valeur moyenne de la résistance de chaine, n'est pas relevé


ici. En réalité, c'est un effet inverse, bien que faible, qui se produit. En effet, des baisses de la
valeur moyenne de la résistance de 0,8% (figure 4-33a) et de 1% (figure 4-33b et 4-33c) sont
enregistrées. Par conséquent, dans un cas, les caractérisations succédant aux reflows multiples
dénotent une dégradation de la résistance moyenne (comprise entre 2% et 6,5%), et

150
s'accompagnent d'une évolution de la morphologie du joint de brasure vers une microstructure
en deux zones. Tandis que dans le cadre de ce test de vieillissement, la résistance moyenne
n’augmente pas, mieux, elle diminue légèrement alors que la morphologie de la métallurgie
du joint de brasure à l'issue de ces tests est similaire à son état après assemblage.
L'apport des caractérisations électriques permet avant tout de mettre en évidence la
part importante de composants défaillants après scellement ou la proportion de chaines
ouvertes liées à une absence de brasage, comme cela a été vu en figure 4-9. Ce défaut
d'assemblage rend plus probable la défaillance d'une chaine de 100, que celle d'une chaine de
2 interconnexions. L'évolution de ces performances électriques avec la succession de reflows
se note à deux niveaux. D'abord sur la chute du seuil atteint par le pourcentage de puces
fonctionnelles, qui traduit l'apparition d'une ouverture de la chaine, donc d'une rupture (figure
4-19). Ensuite une progressive augmentation de la résistance moyenne de la chaine, estimée
inférieure ou égale à 5%, est enregistrée. Cette augmentation peut être associée à l'évolution
de la métallurgie de l'alliage de brasure vers une microstructure bi-phasique, dans la mesure
où cette dégradation n'est pas notée dans le cas des cyclage thermiques où cette microstructure
bi-phasique n'est justement pas observée.

4-2) Système Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (eAu = 200 nm, test Alto)


Cette partie est consacrée à la caractérisation d'un composant appelé pseudo-kelvin. A
la différence des mesures de chaines d'interconnexions faites jusqu’ alors, la mesure du
pseudo-kelvin permet d'accéder à la résistance propre d’une unique interconnexion sans
qu'une contribution des lignes de métallisation y soit associée. Comme visible en figure 4-34,
ce motif nécessite 3 interconnexions (notées A, B et C) l'une d'elle (A) étant caractérisée
électriquement à ses bornes sur la puce supérieure (V- via l'interconnexion C) et sur la puce
inférieure (V+).

Figure 4-34: Représentation schématique du motif de test pseudo-kelvin avant flip-chip.

4-2-1) Impact du diamètre d'interconnexion


Comme cela a été mentionné dans la partie 2-3 du chapitre 2, le véhicule test Alto
permet l'élaboration d'empilements de puces dont les interconnexions peuvent être de
diamètre égal à 20µm, 30µm ou 40µm. En figure 4-35, 28 motifs de test pseudo-kelvin ont été
caractérisés pour chacun des empilements de puces correspondant à un de ces diamètres
d'interconnexions. Les résultats donnent une résistance moyenne de 10,1mΩ pour un diamètre
de 20µm, de 2,91 mΩ pour un diamètre de 30µm et de 1,35 mΩ pour un diamètre de 40µm.

151
Figure 4-35: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm

Les valeurs moyennes de résistances mesurées en figure 4-35 sont comparées avec des
valeurs calculées en figure 4-36. Le tableau en figure 4-36a récapitule les épaisseurs et
résistivités des différents matériaux considérés pour le calcul. La résistivité du composé
intermétallique (figure 4-24b) est assimilée à celle du Cu6Sn5 (qui vaut 17,5 µΩ.cm [194]) et
la résistivité de l'alliage est assimilée à celle de l'étain. Le tracé en figure 4-36b met en
évidence un écart entre valeur mesurée et valeur calculée qui est nul pour le cas
d'interconnexion de diamètre égal à 40µm alors qu'il atteint un facteur deux pour les
interconnexions de diamètre égal à 20µm. Il y a donc une élévation de la résistance avec la
réduction de la dimension d'interconnexion qui est plus importante que ce qu'elle devrait être
théoriquement. Un simple calcul permet de vérifier que pour une interconnexion de diamètre
20µm, la différence de résistance entre un joint de brasure entièrement constitué
d'intermétalliques et un joint de brasure entièrement constitué d'étain est de l'ordre de 0.4mΩ
alors qu'une différence d'environ 5mΩ est notée en figure 4-36b. Cet écart entre valeur
mesurée et valeur calculée n'est donc pas à imputer seulement aux intermétalliques. Il peut
être remarqué que la valeur de la résistance mesurée pour une interconnexion de 20µm de
diamètre équivaut à la valeur calculée d'une interconnexion d'environ 15µm de diamètre. Cet
écart pourrait par conséquent être attribué à une décote du diamètre d'interconnexion. Cette
décote pourrait provenir d'une réduction du diamètre de la brasure due au ménisque concave
observé en figure 4-11 ou à un mouillage réactif important.

Figure 4-36: Récapitulatif des épaisseurs et résistivités des matériaux composant


l'interconnexion (a), tracé des résistances calculées et mesurées en fonction du diamètre
d'interconnexion (b) [194].

152
Pour revenir à présent aux résultats de la figure 4-35, il est notable que les résultats
correspondant aux caractérisations d'interconnexions de diamètre 20µm présentent une assez
forte dispersion puisque les valeurs de résistances s'étendent de 8mΩ à 12mΩ. Au contraire
pour les diamètres d'interconnexions supérieurs (30µm et 40µm) les valeurs sont resserrées
autour de la valeur moyenne. Les écarts types valent respectivement 0,88mΩ, 0,21mΩ et
0,12mΩ pour les interconnexions de diamètre 20µm, 30µm et 40µm. Par conséquent plus la
dimension d'interconnexion se réduit, plus la distribution des valeurs est importante. Cette
variabilité ne peut s'expliquer que par l'accroissement de l'impact de la métallurgie du joint de
brasure sur la résistance d'interconnexion avec la réduction de sa dimension. En effet les
paramètres de la métallurgie du joint de brasure (morphologie des phases, épaisseur des
couches réactionnelles ou éventuellement apparition de cavités) sont les seuls paramètres pour
lesquels une variabilité peut être notée entre les interconnexions.

4-2-2) Impact des tests de fiabilité


Comme cela a été fait dans le cas des échantillons comprenant une épaisseur
importante en or à partir du véhicule test Div1, les échantillons élaborés à partir du véhicule
test Alto subissent une succession de 500 cycles thermiques de -40°C jusqu'à 125°C comme
décrit précédemment au paragraphe 3-1-5. En figure 4-37 apparaissent les résultats de
caractérisations électriques des motifs de tests pseudo-kelvin avant puis après cyclages
thermiques et pour les trois diamètres d'interconnexions existants (20µm, 30µm, 40µm). Seul
un morceau de wafer ne comprenant qu'un petit nombre d'empilements de puces a été placé en
test de fiabilité, c'est pourquoi les résultats après test (figure 4-37b) comprennent beaucoup
moins de points de mesures qu'à l'issue de l'assemblage (figure 4-37a). Une interconnexion
sur les 18 caractérisée électriquement est rompue à l'issue des tests, ce qui correspond à une
chute de rendement de 5%. Les résultats de ces caractérisations électriques mènent à des
résistances moyennes de 10,3mΩ pour des interconnexions de 20µm 2,91 mΩ pour 30µm et
1,36 mΩ pour 40µm. C'est pour le cas des interconnexions de plus petite dimension (20µm)
que la plus forte augmentation (de 0,2%) de la résistance moyenne est enregistrée. Par
conséquent le test en fiabilité a un impact tout-à-fait négligeable sur les performances
électriques des interconnexions. Les écarts types valent respectivement 0,74mΩ, 0,15mΩ et
0,22mΩ pour les interconnexions de diamètre 20µm, 30µm et 40µm et restent donc similaires
à ceux mesurés avant test de fiabilité. A nouveau, ce sont les mesures sur les interconnexions
de plus faible dimension qui présentent la plus forte dispersion.

Figure 4-37: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Avant cyclage thermique (a), après cyclage
thermique (b).

Le test de fiabilité en cyclage thermique n'a pas d'impact sur les performances
électriques des motifs pseudo-kelvins. Si, comme supposé dans la partie précédente, la forte
dispersion des performances électriques des interconnexions de faible dimension est à imputer

153
à une variabilité de la métallurgie au sein des joints de brasure, les cyclages thermiques n'y
apportent qu'une très légère modification.

4-2-3) Impact de l'ajout du nickel


Les résultats obtenus précédemment en figure 4-35 sont maintenant comparés avec
ceux obtenus pour des motifs pseudo-kelvins identiques mais dont les interconnexions
comprennent une intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu pour laquelle une couche de nickel de
2µm d'épaisseur a été ajoutée au niveau du micro-bump selon la seconde configuration décrite
en figure 4-22. Comme le montre la figure 4-38, les rendements obtenus dans le cas de
l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu sont peu satisfaisants puisqu'ils sont inférieurs à 40%
pour les interconnexions de diamètre 30µm et 40µm et inférieurs à 80% pour celles de 20µm
alors qu'ils étaient proches de 100% dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu. Cette
différence de rendement ne peut pas être attribuée au type d'intégration. En effet cette
diminution de rendement est probablement liée à un nombre important d'assemblages
défectueux. D'autres motifs de test comme les chaines de 2 interconnexions présentent
également un faible rendement du fait de la présence de chaines ouvertes qui, à l'instar de
l'exemple de la figure 4-10, ne résultent pas de rupture après assemblage mais bien d'un
brasage eutectique n'ayant pas eu lieu (voir annexe-A10 pour plus de détails). Par conséquent
cette différence de rendement est à attribuer à un défaut dans le procédé d'assemblage.

Figure 4-38: Performance électrique du motif de test pseudo-kelvin pour des diamètres
d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu (a), intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (b).

Les caractérisations électriques donnent des valeurs moyennes de résistances de


2,88mΩ pour les interconnexions de 40µm, de 5,13mΩ pour celles de 30µm, et de 11,97mΩ
pour celles de 20µm. Il y a par conséquent une élévation de la résistance moyenne de
l'interconnexion de 16% dans le cas des interconnexions de 20µm, de 76% pour celles de
30µm et 113% pour celles de 40µm. La présence de la couche de nickel de 2µm ajoutée par
rapport au cas précédent justifie cependant d'une augmentation de la résistance
d'interconnexion allant jusqu'à 0,45mΩ (pour un diamètre d'interconnexion de 20µm). Malgré
cela, il est observé une augmentation de la résistance qui reste au minimum égale à 12% (pour
les interconnexions de 20µm) dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu. Ce fort écart
de résultat entre les deux types d'intégration est en large partie lié à la très forte dispersion des
résultats dans le cas où la couche de nickel est ajoutée (figure 4-38b) qui peut être attribuée à
l'apparition plus ou moins marquée de porosités comme vu en figure 4-25.

4-2-4) Conclusion
L'utilisation du motif pseudo-kelvin permet de sonder uniquement la résistance
électrique propre à l'interconnexion. La mesure de résistance a été faite en fonction du
diamètre de l'interconnexion, avant et après test de fiabilité par cyclage thermique et pour les

154
deux types d'intégrations (figure 4-22), c'est-à-dire : Cu/Ni/Au//SAC/Cu et
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu. Il est noté que la dispersion des valeurs augmente lorsque le diamètre
d'interconnexion atteint sa valeur minimale (20µm), ce qui traduit certainement la part
croissante qu'occupe la métallurgie du joint de brasure sur la résistance globale de
l'interconnexion puisqu'il est le seul élément pour lequel une variabilité peut être enregistrée
(voir paragraphe 3-2-3). Cette variabilité des résultats est d'autant plus importante dans le cas
des interconnexions d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu. En effet les valeurs d'écart type sont
plus élevées pour ce type d'intégration et la dispersion des valeurs concernent même les
interconnexions de diamètres plus élevés (30µm, 40µm). Les rares caractérisations faites dans
cette configuration montrent effectivement une variabilité des métallurgies obtenues puisque
l'une d'elle présente des porosités et l'autre non (voir figure 4-25). Il est par conséquent
possible que la métallurgie du joint de brasure obtenue dans le cas de l'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu présente une plus grande variabilité intrinsèque. Globalement les
résultats de caractérisations électriques des interconnexions sont moins bons avec l'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu que ce soit en terme de rendement, de valeur moyenne de résistance
ou bien de dispersion des valeurs. Il est raisonnable de penser que l'apparition des porosités
participe aux moins bons résultats obtenus dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu.
Pour ce qui est du rendement, aucune conclusion ne peut être tirée puisqu'un défaut dans le
procédé d'assemblage est certainement en cause (voir annexe A10). Les tests en fiabilité par
cyclage thermique ne mènent qu'à une modification infime des résultats. La configuration
étudiée présente donc une bonne stabilité face à ces tests.

5) Conclusion

Au cours de ce chapitre, la présente étude s'est concentrée sur l'interconnexion


complète c'est-à-dire après le procédé d'assemblage (flip-chip) et brasage eutectique. Des
interconnexions de différentes configurations ont pu être caractérisées morphologiquement et
électriquement. Le premier système d'interconnexion étudié comprend une proportion
importante d'or (800nm soit 86at%Sn-14at%Au). A l'issue de l'assemblage, la brasure
comprend des précipités d'AuSn4, éventuellement enrichis en nickel et en cuivre, ainsi qu'une
phase liquide base étain contenant également de l'argent, de l'or et du cuivre. L'application de
reflows modifie drastiquement la morphologie du joint qui évolue d'une microstructure
comprenant des précipités colonnaires, vers une microstructure irrégulière "biphasée". Les
précipités de (Au,Ni)Sn4 se transforment vraisemblablement en (Cu,Au,Ni)6Sn5 par réaction
avec le cuivre ou avec Cu3Sn. Cette transformation s'accompagne de ruptures
d'interconnexions responsables de la chute des performances électriques.
Lorsqu'une configuration normale en terme d'épaisseur est testée (200nm d'or) les
deux types d'intégrations sont caractérisées. Dans le cas d'une intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu,
le volume du joint de brasure est occupé à plus de 75% par un unique intermétallique qui
serait vraisemblablement (Cu,Au,Ni)6Sn5. Dans le cas d'une intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu, le joint de brasure présente une couche de Ni3Sn4 ou (Ni,Cu)3Sn4 au
niveau de chaque interface. Le volume du joint de brasure serait composé d'un seul
intermétallique qui croit aux deux interfaces laissant le liquide restant au centre du joint et
dont la solidification peut conduire à la formation de porosités. Dans ce dernier cas des
caractérisations complémentaires doivent être réalisées pour authentifier la nature et la
composition exacte des différentes phases. Les moins bonnes performances électriques
observées dans ce second cas peuvent être attribuées au moins en partie, à l'apparition de
porosités observées au sein du joint.
En résumé, il semble que le système d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu mène à la
formation d'un intermétallique (Cu,Au,Ni)6Sn5 occupant un volume important de la brasure

155
dès l'étape d'assemblage, alors que le système Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu est susceptible de
générer un intermétallique qui est associé à la formation de porosités. Par conséquent un
système d'intégration du type Cu/Ni/SAC//SAC/Ni/Cu pourrait potentiellement présenter à la
fois l'avantage de la croissance limitée de la couche réactionnelle tout en permettant de
s'exempter des problèmes liés à la réactivité avec l'or. Quoi qu'il en soit la grande variabilité
des performances électriques pour les interconnexions de plus faibles dimensions suggère une
grande sensibilité face aux paramètres géométriques.

156
Conclusion générale et perspectives

Comme l'essentiel des éléments constitutifs d'un dispositif électronique grand public,
les systèmes de mise en interconnexion de composants actifs par brasage eutectique sont
destinés à voir leurs dimensions générales se réduire. La technologie de brasage employée
pour réaliser l'assemblage est connue et utilisée par l'industrie de la microélectronique depuis
des décennies de même qu'elle est étudiée en recherche fondamentale comme appliquée.
L'étude de tels systèmes de brasage nécessitant l'utilisation d'un alliage base étain, se
concentre généralement sur ses aspects métallurgiques, c'est-à-dire (i) la réactivité du système
interfacial (germination de composés intermétalliques, cinétique de croissance de ces
composés,…) et (ii) l'analyse microstructurale (morphologie des phases, orientation cristalline
et dimensions,…) ainsi que sur certaines des propriétés mécaniques du système (résistance
mécanique). Ainsi la compréhension du système métallurgique peut permettre de le
configurer dans des conditions favorables de fiabilité (mécanique et électrique) et de durée de
vie. C'état le but recherché par la présente étude qui s'est focalisée sur le système
d'interconnexion par brasage se situant dans un domaine de faible dimension par rapport à ce
qui est a été étudié auparavant.
Comme cela a été vu au cours du premier chapitre, de nombreux travaux sont
consacrés à l'étude métallurgique des systèmes Cu-Sn ou Ni-Sn généralement sur des
échantillons de dimensions millimétriques. En parallèle, des mesures de fiabilité au travers de
tests en cyclage thermique, en électromigration ou bien en test en cisaillement sur
interconnexion, existent également en grand nombre dans la littérature. En revanche très peu
d'études se concentrent sur la métallurgie de système d'interconnexion avant report de
composant par le procédé flip-chip comme cela été fait dans le chapitre 3. L'originalité de ce
travail repose donc en premier lieu sur le fait que l'étude métallurgique est développée sur un
système intégré, de faible dimension. La seconde singularité réside dans le fait que l'étude
poursuivie sur l’interconnexion complète comprend des caractérisations fines pour un système
toujours de faible dimension.
Pour conclure ces travaux, il convient de différencier les causes concernant la
métallurgie des interconnexions pouvant engendrer des perturbations sur les performances des
technologies de composants empilés. Les principales causes suspectées et identifiées sont
relatives à l'apparition des trous Kirkendall et des composés intermétalliques. Il a été à
plusieurs fois reporté la propagation de ruptures au voisinage de la ceinture de trous
Kirkendall qui voyaient leur dimension ou leur nombre allant croissant sous l'effet de la
contrainte thermique. La croissance de la dimension ou du nombre de trous Kirkendall est
nulle ou bien commence à être très faiblement perceptible pour des conditions de maintien
thermique (30min à 240°C) qui sont des conditions situées au-delà de ce que le système
d'interconnexion subit lors de son élaboration ou lors d'une mise en fonctionnement
prolongée. La succession de cinq reflows, qui sont nécessaires à l'élaboration du produit
jusqu'à sa mise en boitier n'engendre pour sa part pas de modifications visibles sur l'effet
Kirkendall. Lorsque cette fois l'analyse est poursuivie sur le système reporté, les trous
Kirkendall sont toujours visibles sans toutefois qu'il y ait eu une exacerbation de cet effet. Le
recours aux tests par cyclage thermique révèle finalement un accroissement du diamètre
moyen des trous Kirkendall d'environ un facteur deux. Bien que l'effet peut être jugé modeste
comparativement aux ruptures complètes d'interconnexions rapportées dans certaines études,
il convient de réaliser ce type de tests pour un nombre de cycles plus importants (1000 cycles
et plus). Ainsi, la durée de vie de l'interconnexion vis-à-vis de cet effet pourra être quantifiée

157
si la formation de rupture se concrétise. Ce dernier point s'inscrit dans les perspectives de ce
travail.
En second lieu, la croissance des composés intermétalliques peut devenir
problématique dans la mesure où elle tend à affaiblir mécaniquement l'interconnexion, ou à
partir du moment où son développement atteint un stade d'avancement réactionnel tel que les
deux fronts de croissance intermétallique (de part et d'autre du joint d'alliage) se rencontrent.
En effet les composés intermétalliques sont parfois considérés comme responsables d'un
affaiblissement mécanique d'autant plus important que leurs épaisseurs sont élevées. La
fiabilité mécanique a par conséquent été évaluée par des tests en cisaillement pour différents
paramètres de vitesse de cisaillement et de hauteur de cisaillement sur des micro-bumps
présentant différentes épaisseurs d’intermétalliques. Il en ressort que l'augmentation de
l'épaisseur d’intermétallique n'induit pas de variations sensibles mesurées sur la force
maximale de cisaillement. Les cisaillements qui se produisent majoritairement au sein des
intermétalliques ne présentent pas les plus faibles valeurs de force maximale de cisaillement
mesurées. Il n'y à donc pas lieu de les considérer comme critiques sur la plan de la fiabilité
mécanique. Le balayage suivant la hauteur de cisaillement démontre que l'interface
correspondant à l'emplacement des trous Kirkendall n'est pas particulièrement faible. D'autre
part l'examen des faciès de rupture montre que la rupture ne se propage pratiquement pas au
niveau de cette interface.
Concernant la "stœchiométrie" de la réactivité interfaciale et le caractère limitant de
l'étain comme réactif, les mesures à l'issue des cinq reflows montrent que l'épaisseur
réactionnelle atteinte à ce stade (2,25±0,15µm) laisse une épaisseur importante de brasure
(~5µm soit environ la moitié). En revanche, si les prototypes à venir imposent une réduction
de la hauteur du joint de brasure d'un facteur 2, une condition de consommation quasi
intégrale de l’étain sera obtenue. Dans ce cas de figure, la question de l'introduction d'une
couche de nickel entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure peut se présenter comme une
solution à l'avenir. La différence de cinétique de croissance dans les micro-bumps entre les
systèmes Cu-SAC et Ni-SAC (avec des coefficients de croissances de kCu-Sn = 0,15µm².s-1 et
kNi-Sn = 0,03µm².s-1), est d'environ un facteur cinq, ce qui permet de réduire le produit
réactionnel à une épaisseur de 1µm à l'issue des cinq reflows, laissant ainsi une proportion
supérieure à la moitié de brasure n'ayant pas été consommée.
Pour revenir au cas du substrat cuivre, les mesures sur des bumps de différents
diamètres (25µm et 80µm) ont montré l'indépendance de ce paramètre sur la cinétique
réactionnelle dans la gamme de taille et de temps de réaction d'intérêt. Ce constat permet
d'affirmer que les mêmes paramètres de procédé d'élaboration (de dépôt électrolytique ou de
reflow) conduisent au même état interfacial et n'ont pas à priori vocation à être modifiés pour
les micro-bumps de diamètre 25µm.
Le système d'interconnexion constitué par l'assemblage de micro-bumps sur micro-
pillars est une édification technologique complexe dont les procédés d'élaboration ont été en
partie développés au cours de ce travail de doctorat. Le chapitre 2 en est la preuve. Le chapitre
4 a permis de définir les bases d'une analyse métallurgique systématique d'interconnexion
complète. De nombreuses questions demeurent sans réponse, tant d'un point de vue industriel
que d'un point de vue de la compréhension des mécanismes réactionnels. En effet, d'une part
les durées de vie des systèmes d'interconnexion n'ont pas pu être clairement estimées, d'autre
part le nombre de caractérisations obtenues et de configurations étudiées reste restreint pour
bénéficier d'une compréhension complète. Néanmoins l'ensemble des résultats du chapitre 4
permet d'en jeter les bases concrètes. Le système d'interconnexion complet a été caractérisé
morphologiquement et électriquement pour des interconnexions comprenant deux teneurs
différentes en or, pour différents diamètres d'interconnexions, et pour deux types
d'intégration: Cu/Ni/Au//SAC/Cu et Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (c'est-à-dire avec ou sans nickel

158
du côté du micro-bump). L'apport de l'ensemble des analyses morphologiques réalisées sur le
système comprenant une forte teneur en or est double. Tout d'abord, les multiples
caractérisations du système à différents stades d'avancement réactionnel permettent de
visualiser l'évolution du système que constitue le couple de diffusion
Cu/Cu3Sn/Cu6Sn5/alliage liquide//Au/Ni/Cu. Ainsi, après assemblage, l'alliage de brasure
révèle de larges précipités d'AuSn4 (jusqu'à 10µm de long). Suite aux reflows successifs
appliqués au système, les précipités AuSn4 sont progressivement dissous dans la brasure au
profit d'un composé intermétallique de la forme (Cu,Au,Ni)6Sn5 dont le volume réactionnel
est toujours croissant. Le second apport de cette analyse du système à forte teneur en or est la
mise en évidence d'un mécanisme de défaillance générant la rupture de l'interconnexion.
Observé morphologiquement et mesuré par caractérisation électrique, ce mécanisme
résulterait de la dissolution des précipités d'AuSn4 qui conduit à une microstructure en deux
aires. Dans un second cas de figure, la brasure comprend à la fois une plus faible proportion
d'or d'un facteur 4 et d'étain d'un facteur 2. La consommation complète de la brasure est alors
quasiment atteinte dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu contrairement au cas de
l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu où les cinétiques interfaciales sont plus lentes
conformément à la différence de cinétique de croissance déterminée au chapitre 3. Le joint de
brasure est essentiellement occupé par une unique formation intermétallique (Cu,Au,Ni)6Sn5.
Lorsque l'intégration comprend une couche de nickel en supplément du côté du micro-bump
(intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu) alors le joint de brasure comprend une couche de
(Ni,Cu)3Sn4 au niveau de chaque interface. Le cœur du joint de brasure est occupé par
l'alliage base étain au voisinage duquel des porosités peuvent se former.
En parallèle de cette analyse métallurgique, les résultats électriques ont permis pour
leur part, la quantification du taux de dégradation sur un nombre d'interconnexion
représentatif. La dégradation se note à la fois sur la valeur de résistance moyenne et sur le
rendement. La dispersion des valeurs est également un indicateur de performance. Le véhicule
test développé dans le cadre de ce travail de doctorat, et décrit au cours du chapitre 2, a été
utilisé entre autre, pour la caractérisation unitaire d'interconnexion. A ce propos, les tests ont
mis en évidence une dispersion des résultats d'autant plus importante que la dimension
d'interconnexion se réduisait. Cette variabilité ne peut s'expliquer que par l'accroissement de
l'impact de la métallurgie du joint de brasure sur la résistance d'interconnexion avec la
réduction de sa dimension.
Les tests de fiabilité par cyclage thermique induisent une chute du rendement de 10%
dans le cas de systèmes à forte teneur en or et de 5% lorsque la teneur en or est conforme à
l'épaisseur visée. L'ensemble des résultats de caractérisation électrique ne démontrent pas de
véritable intérêt à introduire le nickel en supplément au sein du micro-bump. En effet,
l'intégration standard Cu/Ni/Au//SAC/Cu présente de meilleurs résultats électriques en tout
point (rendement, résistance électrique moyenne et dispersion des résultats). Une des causes
des moins bonnes performances de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu est probablement
inhérente à un défaut du procédé de flip-chip pour ce wafer. La forte dispersion des résultats
dans le cas de l'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu, tend néanmoins à penser que la
métallurgie formée présente une instabilité, très possiblement liée à la présence des porosités
observées pour ce type d'intégration. Ce type de microstructure pourrait certainement causer
des défaillances du système lors de tests de fiabilité. Finalement l'ensemble des résultats, bien
qu'insuffisants pour être catégorique à ce sujet, n'encouragent pas l'introduction du nickel au
sein du micro-bump dans les configurations analysées au cours de cette étude et qui
correspondent à celles des prototypes en cours.

Au cours de ce travail de doctorat, deux questions ont été soulevées. La question de la


fiabilité de l'interconnexion est initialement adressée en majeure partie par la présence de

159
trous Kirkendall et des intermétalliques d'interfaces. L'amplification de l'effet Kirkendall ne se
manifeste que très faiblement d'après les mesures réalisées dans cette étude et son impact sur
l'affaiblissement mécanique n'est pas avéré. En revanche il conviendrait de poursuivre les
tests de fiabilité par cyclage thermique jusqu'à 1000 cycles au moins afin de savoir si les
ruptures occasionnées le sont du fait de l'existence de ces trous Kirkendall.
L'essentiel des travaux qui mériteraient d'être poursuivis concernent le système
d'interconnexion complet. Des moyens de caractérisations plus fins pourraient être employés
pour identifier avec davantage de précision les phases et les composés intermétalliques en
présence. Dans un souci, à nouveau de fiabilité, des tests en électromigration, éventuellement
selon différentes configurations d'intégration, permettent à la fois de quantifier plus
précisément des durées de vie mais aussi de mettre davantage en exergue les performances de
différentes configurations d'intégration.
Ceci nous mène à la seconde question soulevée par cette étude qui est celle de l'ajout
d'une couche de nickel au sein du micro-bump afin de modifier le système métallurgique que
constitue l'interconnexion. Les résultats présentés, comme dit précédemment, ne plaide pas
pour cette modification de l'intégration. Cependant la différence des deux types de métallurgie
n'est que faiblement chiffrée. Cette fois encore, le recours aux tests en électromigration
permettrait de différencier les deux types d'intégration d'un point de vue des durées de vie
ainsi que des performances électriques. Enfin, un système d'intégration du type
Cu/Ni/SAC//SAC/Ni/Cu mériterait de faire l'objet d'une étude car il pourrait présenter à la
fois l'avantage de la croissance limitée de la couche réactionnelle tout en permettant de
s'affranchir des problèmes liés à la réactivité avec l'or.

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170
Annexes

171
Annexe A1: Les alliages candidats en remplacement de l'alliage SnPb

Suite à la demande de la National Electronics Manufacturing Initiative (ou NEMI) de


bannir les alliages comprenant du plomb des applications électronique, plusieurs alliages
ont été étudiés de par le monde en remplacement de l'alliage Sn-37mass%Pb
traditionnellement utilisé dans le cadre des applications en microélectroniques. Les deux
tableaux de la figure A1-1 répertorient plusieurs alliages (eutectiques mais pas seulement)
candidats au remplacement de l'alliage Sn-37Pb.

Plusieurs éléments ont été envisagés afin d’élaborer des alliages à base étain, (Bi, In,
Zn, Sb, Ge). Mais :
• L'antimoine (Sb) a été identifié comme nocif par le programme environnemental des
nations unies.
• L'indium (In), bien que permettant de réduire la température de fusion de l’eutectique
Sn-3.5Ag, il est trop rare et trop cher pour être envisagé dans des applications
industrielles.
• Le zinc (Zn) est peu cher et facilement approvisionnable, mais est peu résistant face à
la corrosion et forme rapidement un oxyde stable qui génère des problèmes de
mouillabilité.
• Le bismuth (Bi), qui a de très bonnes propriétés physiques (mouillabilité,..) étant un
« by-product » du plomb, est largement disponible depuis les restrictions d’utilisation
du plomb décrites précédemment. Le bismuth n'est par contre seulement valable pour
des applications basse température.

Alliages Liquidus (°C) Solidus (°C)


Sn-10In-1Ag-0.5Sb 196 206
Sn-10In-2Ag-0.4Bi 188 197
Sn-10In-2.8Ag 178 189
Sn-8Zn-3Bi 195 199
Sn-3.0Ag-0.5Cu 220 217

Alliage eutectique Solidus + Liquidus


Sn-37Pb 183
Sn-58Bi 138
Sn-56Bi-4Zn 130
Sn-51In 120
Sn-9Zn 199
Sn-10Au 225
Sn-3.5Ag 221
Sn-0.7Cu 227
Sn-3.4Ag-2.9Bi 215
Figure A1-1: Températures de solidus et liquidus de différents alliages [1].

[1]: Manuscrit de thèse de Olivier Fouassier: “Brasure composite sans plomb, de la composition à la
caractérisation”, Université de Bordeaux 1, (2001).

172
Annexe A2: Surfusion des alliages Sn-Ag-Cu en configuration bille
ou BGA (Ball Grid Array)
Plusieurs études démontrent la dépendance face à la dimension du système des phénomènes de
surfusion d'alliages SnAgCu. Ces observations se sont vérifiées aussi bien sur des systèmes du type
bille d'alliage SnAgCu (ou SAC) que sur système BGA (ball grid array, c'est-à-dire des systèmes pour
lesquels l'alliage SAC liquide est mis en contact avec un substrat de cuivre). La particularité du
système BGA par rapport au système de la bille tient au fait qu'une couche intermétallique se
développe à l'interface entre le substrat de cuivre et l'alliage.
La figure A2-1 montre que lorsque le diamètre d'une bille d'alliage SAC 305 diminue de 760µm à
100µm, la surfusion augmente de 10°C à 50°C pour un alliage commercial (points en bleus) et de
30°C à 85°C pour un alliage élaboré en laboratoire (contenant une quantité moindre d'impuretés,
points en rouges).

Figure A2-1: Evolution du degré de surfusion en fonction de la dimension des billes


d’alliage SAC 305 (Sn-3.0%Ag-0.5%Cu). Les points en rouges correspondent à
l'alliage élaboré en laboratoire et les points en bleu à l'alliage commercial [1].

Dans l'étude d’Y. C. Huang et al [2], des mesures de surfusion par calorimétrie
différentielle à balayage sont réalisées sur des alliages de différentes dimensions et de
différentes compositions (figure A2-2). Dans chaque cas les 3 dimensions d'alliages testés
sont notées "L" (5mg), "S" (2,5mg) et "VS" (0,5mg) en figure A2-2b et les surfusions
correspondent respectivement aux trois colonnes de points de mesures. Ces résultats montrent
clairement que la surfusion des alliages base étain dépend à la fois de la dimension de la bille
et de la composition.
F. Hodaj et al [3] et Kang et al [4] ont montré que la présence d'un substrat bien
mouillé par l'alliage liquide et plus précisément ici, d'une interface intermétallique / alliage
peut conduire à une diminution significative de la surfusion. Il faut noter que l'influence de la
vitesse de refroidissement sur la surfusion des alliages SAC n'est pas encore clairement
décrite du moins dans le domaine des vitesses de refroidissements inférieures à 500K/min, ce
qui est pourtant le cas des applications industrielles (voir par exemple [5], [6]). Ceci est dû
aux dispersions importantes des résultats expérimentaux.
La récente étude de Z. M. Bo et al [7] montre que même en configuration BGA, la
dimension du système a une influence sur la surfusion. En effet le degré de surfusion s'accroit
lorsque la dimension du système est réduite et ce aussi pour bien pour les systèmes de billes
ou bien de joints de brasures (figure A2-3).

173
Figure A2-2: Evolution du degré de surfusion en fonction de la composition de l'alliage base
étain sur substrat cuivre. Les compositions des alliages, notés "S", "SC", "SA", "SAC", "SN"
(a) sont données en (b) [2].

Figure A2-3: Degré de surfusion pour des billes et des joints de brasures de différentes
dimensions. Billes de Sn-3.0Ag-0.5Cu (a); et joins de brasures de Sn-3.0Ag-0.5Cu sur plot
Cu. (L'unité Ds/Dp indique ici le rapport entre le diamètre du joint de brasure et le diamètre
du plot de cuivre) [7].

[1]: B. Arfaei et al, "Dependence of Sn Grain Morphology of Sn-Ag-Cu Solder on Solidification Temperature",
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[2]: Y. C. Huang et al, "Size and Substrate Effects upon Undercooling of Pb-Free Solders", Journal of Electronic
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[4]: S. K. Kang et al, "Study of the undercooling of Pb-free, flip-chip solder bumps and in situ observation of
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[6]: Y. L. Gao et al, "Calorimetric measurements of undercooling in single micron sized SnAgCu particles in a
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[7]: Z. M. Bo et al, “Size Effect on the Intermetallic Compound Coalescence in Sn-Ag-Cu Solder and Sn-Ag-
Cu/Cu Solder Joints”, Proceeding of International Conference on Electronic Packaging Technology & High
Density Packaging, pp. 248-253, (2011).

174
Annexe A3: Méthode de préparation d'échantillon pour abrasion sur
Cross Section Polisher (CSP)
La réalisation d'une caractérisation à partir d'une coupe transversale de micro-bump,
utilisée de manière récurrente dans cette étude, nécessite un protocole de préparation
d'échantillon décrit dans cette section. La méthode exige une encapsulation pour préserver
l’échantillon et ses microstructures d’éventuels dégâts qui pourraient être occasionnés au
cours de l’abrasion. Cette encapsulation est obtenue au moyen du dépôt d’une résine (Spécifix
40), qui doit être associée à un réticulant.
Le protocole expérimental est le suivant:
- sous hotte, 5 ml de résine sont associés à 2.5 ml de durcisseur,
- l’ensemble est mélangé pendant 3 min,
- le mélange est laissé à dégazer à l’air libre pendant 2 ou 3 minutes,
- une goutte du mélange est versée sur un morceau de téflon,
- l’échantillon est ensuite placé sur la goutte; la partie que l’on souhaite enrober doit
être en contact avec la goutte,
- s’en suit un dégazage dans une pompe à vide jusqu’à élimination de toutes les
bulles,
- enfin il ne reste plus qu’à mettre l’échantillon à l’étuve pendant 3h30 à une
température de 70°C.

Un échantillon apte à subir une abrasion ionique par CSP est ainsi obtenu, mais
généralement il est nécessaire d’ajouter une étape de polissage mécanique grossier pour
approcher la ligne de piliers de cuivre. En effet, le CSP étant utilisé pour éliminer des couches
qui ne doivent pas être plus large que 50 µm à 75 µm, il est impératif de procéder à cette
abrasion seulement si les objets que l’on cherche à sectionner sont en bordure d’échantillon.
C’est pourquoi on utilise une Mécapol pour polir l’échantillon de quelques dizaines voire
centaines de µm et ainsi, rendre une ligne de pilier de cuivre accessible par le CSP. La
Mécapol est une polisseuse mécanique sur laquelle peut s'adapter des disques de rugosité
variant de 30 µm à 3 µm.

175
Annexe A4: Méthode d'acquisition par spectroscopie dispersive en
énergie (EDX)
De nombreuses caractérisations par spectroscopie dispersive en énergie ayant été
fournies dans cette étude, une brève description de la méthode d'acquisition fait l'objet de
cette annexe. La sonde spectroscopique est solidaire du microscope électronique à balayage
(MEB), L'acquisition EDX est obtenue comme suit :
- obtention d'une image en MEB,
- choix de la région à analyser et du grandissement,
- choix du mode d'analyse (fenêtre, spot, ligne),
- paramétrage du MEB (courant, tension d'accélération des électrons),
- paramétrage de l'analyseur (constante de temps…),
- acquisition du spectre d'analyse,
- identification des éléments présents,
- éventuellement, calcul des concentrations.
Des simulations permettent de rendre compte du volume de la poire de diffusion en fonction
du matériau sondé et de la tension d’accélération des électrons primaires. La figure A4-1 présente le
résultat d'une simulation de la poire de diffusion obtenue en bombardant un matériau composé de
25at% d'étain et de 75at% de cuivre avec une tension d'accélération 15keV. Il s'agit de la composition
de la phase ε-Cu3Sn évoquée à plusieurs reprises au cours du chapitre 1 et sondée à une tension
d'accélération adaptée à ces matériaux (cuivre et étain). Sur cette simulation, en bleu figure la
trajectoire des électrons primaires et en rouge celle des électrons qui s’échappent de la surface de
l’échantillon. La détection se fait grâce à l’émission X qui concerne donc la partie basse de ce volume.
Les électrons incidents doivent avoir une énergie supérieure à l’énergie de liaison des électrons des
atomes sondés pour que ces derniers puissent être détectés. Il est généralement considéré que
l’optimum en termes de section efficace est obtenu pour une énergie incidente double de l’énergie des
électrons des atomes sondés. Pour l'application d'empilement métallique de cuivre et d'étain, cela
correspond à une énergie de 15keV (énergie de liaison des électrons de couche K du cuivre : 8211 eV).

Figure A4-1 : Simulation d’une poire de diffusion obtenue en bombardant un matériau


composé de 25at% d'étain et de 75at% de cuivre avec des électrons d'énergie égale à 15keV.

176
Annexe A5: Le synchrotron (ESRF) et le dispositif expérimental de la
ligne ID22

L'ESRF (European Synchrotron Radiation Facility)

Créé en 1994, l'ESRF fait partie des 3 plus grands synchrotrons au monde. Le principe est
l'accélération d'électrons d'abord dans un accélérateur linéaire (LINAC), puis dans un
accélérateur circulaire (booster), ce qui leur permet d’atteindre l’énergie de 6GeV (électrons
relativistes). Les électrons sont alors stockés dans l’anneau de stockage, dont le diamètre
atteint 320m. Des aimants de focalisation permettent d'affiner le faisceau électronique et des
aimants de courbure permettent de le dévier de plusieurs degrés afin de refermer la trajectoire
et d’émettre des rayons X appelés lumière synchrotron. Entre chaque aimant de courbure se
trouve une section droite qui comprend des éléments d’insertion (« insertion device » ou ID).
Ces éléments d’insertion, ou onduleurs, permettent de faire osciller le faisceau d’électron dans
un plan horizontal, ce qui permet de produire un rayonnement synchrotron bien plus brillant
que dans le cas d’un aimant de courbure. A l’ESRF, environ 40 lignes de lumière sont
disponibles. Chaque ligne est constituée d’une cabine optique pour conditionner et filtrer le
faisceau et d’une cabine d’expérience pour analyser les échantillons par différentes techniques
telles que la diffraction, la fluorescence, l'imagerie ou la spectroscopie par exemple. La
nanotomographie a été réalisée sur la ligne ID22NI1 du synchrotron [1].
Dispositif expérimental
Le faisceau doit être conditionné avant toute expérience. Le faisceau X provenant de
l'onduleur synchrotron traverse une série de fentes afin de le collimater et de minimiser le
rayonnement de diffusion. Un premier miroir vertical est chargé de filtrer les hautes
harmoniques. Le faisceau présente alors une dimension en coupe de 0.16x0.38mm2. Il est
alors focalisé en utilisant un miroir Kirkpatrick-Baez [2] constitué de deux miroirs elliptiques
et est ainsi ramené à un point de focalisation de 80nm et ce, pour une intensité du
rayonnement X de 1012ph.s-1 à une énergie de 29.6keV. Ce spot peut être utilisé comme
nouvelle source X à partir de laquelle le rayonnement diverge pour fournir une image
agrandie de notre échantillon. Ce dernier doit alors être placé entre la source et un détecteur
haute résolution. Il s’agit d’un détecteur à détection indirecte utilisant d’abord un écran
scintillateur pour convertir le rayonnement X en rayonnement visible, puis une optique et une
caméra CCD pour grandir et numériser l’image visible. Avec ces paramètres, une résolution
latérale de 100nm peut être obtenue. L’atténuation des rayons X par la matière, donnée par la
loi de Beer-Lambert, dépend des coefficients d'atténuation (µ en cm-1) spécifiques aux
matériaux sondés (équation a).
I 0 ( E ). e ∫l
− µ ( E ). dl
I = ∫ .dE (a)
E

Dans le cas de la ligne ID22NI, nous avons :


∆E
= 10 −2 (b)
E
Nous pouvons donc supposer que le faisceau est monochromatique, ce qui nous permet de
simplifier l’équation (a) qui devient:

177
I = I 0 .e ∫l
− µ . dl
(c)
Il est possible de calculer individuellement le contraste apporté par le SAC, le cuivre et
la couche réactionnelle en réduisant la formule de Beer-Lambert à l’expression suivante :
I = I 0 .e − µ .l (d)
De cette expression, l’absorption du rayonnement, essentiellement par effet
photoélectrique, peut-être déduite (I/I0). Le trajet optique est ici le diamètre du micro-bump
(25µm), et les coefficients d’atténuation peuvent être déduits par l'utilisation du logiciel XOP
[3, 4]. Ce dernier a été développé par l’ESRF et possède plusieurs fonctionnalités. Entre autre,
les coefficients d’atténuation peuvent être obtenus à partir des densités des matériaux (tableau
A5-1).

Matériaux d : densité µ : atténuation (cm-1) A : absorbance (%)


Cu 8.93 98.48 21.8
Cu3Sn 11.33 [5] 258.0 47.5
Cu6Sn5 8.26 [5] 245.2 45.8
Sn 7.31 304.3 53.3
Tableau A5-1 : Coefficients d’atténuation et absorbance obtenus à partir du logiciel XOP

Il peut être déduit, au vu des valeurs des absorbances associées aux matériaux du micro-
bump, que le contraste sera tout-à-fait suffisant pour distinguer les interfaces et les phases.

[1]: P.Bleuet et al, “A hard x-ray nanoprobe for scanning and projection nanotomography”, Review of Scientific
Instruments, Vol. 80, 056101, (2009).
[2]: P. Kirkpatrick and V. Baez, “Formation of Optical Images by X-Rays”, Journal of Optical Society of
America, Vol. 38, pp. 766-773, (1948).
[3]: A. H. Gomez, “X-ray standing wave analysis of overlayer-induced substrate relaxation: the clean and Bi-
covered (110) GaP surface”, Physical review B, Vol. 75, 165318, (2007).
[4]: Manuel Sánchez del Río, and Roger J. Dejus, “A New Version of the X-ray Optics software Toolkit”, AIP
Conference Proceedings / Vol. 705, pp.784-794, (2003).
[5]: M-H Lu and K. C. Hsieh, “Sn-Cu Intermetallic Grain Morphology Related to Sn Layer thickness”, Journal
of Electronic Materials, Vol. 36, pp. 1448-1454, (2007).

178
Annexe A6: Capture de surface intermétallique par le logiciel Image J

L'épaisseur de la couche réactionnelle se développant au sein des micro-bumps est


évaluée à plusieurs reprises dans le chapitre 3. Le méthode d'évaluation utilise le logiciel
image J. La méthode consiste à capturer l'aire de la couche réactionnelle visible sur une
coupe transversale, c'est ce qui apparait en figure A6-1 sur laquelle des micrographies de
micro-bumps avant et après capture de l'aire intermétallique sont présentées. Avec un
grossissement équivalent à celui des clichés de la figure A6-1, la résolution, ou la taille de
pixel, est légèrement inférieure à 30nm. L'aire calculée en pixel² est convertie en µm² puis
divisée par le diamètre du micro-bump dans le plan de coupe afin d'obtenir une épaisseur
moyenne. Ce calcul est répété sur plusieurs micro-bumps afin d'acquérir une statistique
sur cette valeur de l'épaisseur moyenne.

Figure A6-1: Clichés MEB de micro-bumps avec (a, b) et sans nickel (c, d), vue simple (a, c)
et avec capture de l'aire d’intermétallique par le logiciel Image J (b, d).

179
Annexe A7: Solidification des alliages binaires Sn-Ag.

Dans cette annexe, les principaux phénomènes ayant lieu dans le cas de solidification
des alliages du type Sn-Ag-Cu seront présentés. Lors de la solidification des alliages ternaires
SnAgCu il a été noté des surfusions importantes (voir chapitre 3). Par ailleurs la
microstructure après solidification est constituée d'une grande proportion de grains d'étain
primaire alors que la composition des alliages est proche de la composition de l'eutectique
ternaire. Ces phénomènes sont principalement dûs à la difficulté de germination de l'étain et
de sa croissance coopérative avec Ag3Sn et/ou Cu6Sn5 [1]. Afin de simplifier la présentation,
l'influence des paramètres (vitesse de refroidissement, composition) sur la microstructure sera
décrite dans le cas de deux alliages binaires SnAg, l'un hypoeutectique (1) et l'autre
hypereutectique (2) (figure A7-1).
Pour l'alliage (1), lors du refroidissement pour T < TA le liquide devient sursaturé en
étain. Or, il est connu que l'étain présente une difficulté à la germination ce qui conduit à des
surfusions très importantes (de quelques dizaines de degrés pour la germination hétérogène à
plus d'une centaine de degrés pour la germination homogène [2]). Lorsque la température
devient inférieure à celle du point C, le liquide devient également sursaturé par rapport à la
précipitation de Ag3Sn. Pour T < TC, c'est soit Ag3Sn soit Sn qui germe le premier. Cela
dépend du degré de surfusion de chaque constituant ainsi que de la vitesse de refroidissement.
Etant donné le fait que la germination de Ag3Sn ne nécessite pas de surfusion importante [1],
plus l'alliage est riche en argent, plus la probabilité de germination de Ag3Sn primaire est
élevée (même si l'alliage est hypoeutectique). Deux scénarios sont alors possibles:
(i): La solidification débute par la germination et la croissance de dendrites d'étain primaire,
conduisant à l'enrichissement du liquide en argent (et en cuivre dans le cas général) et de ce
fait, le liquide interdendritique se transforme en eutectique biphasé (et ensuite en eutectique
ternaire dans le cas général).
(ii): Ag3Sn germine en premier sous forme de grosses plaquettes, ce qui est suivi de la
germination puis croissance de dendrites d'étain primaire et ensuite de l'eutectique biphasé et
triphasé.

Figure A7-1: Représentation schématique de la partie riche en étain du diagramme de phase


binaire du système Sn-Ag.

Dans le cas du reflow, où la vitesse de refroidissement est élevée (~60°C.min-1). Ag3Sn


primaire n'apparait pas si la composition globale de l'alliage ne se trouve pas sur la nappe du liquidus
de Ag3Sn. Ceci est confirmé par une dizaine d'analyses microstructurales du bumps après reflow pour

180
lesquels aucun gros précipité n'a été détecté. Par conséquent, la microstructure du bump à l'issue du
reflow est constituée de dendrites d'étain primaire entourées des eutectiques biphasés et triphasés. Ceci
est en accord avec les observations reportées dans la littérature dans le cas d'alliages SAC de
composition proche de l'eutectique de dimension supérieures à 100µm après un reflow [3,4].
Pour l'alliage (2), lors du refroidissement pour T < TF le liquide devient sursaturé par
rapport à la précipitation d’Ag3Sn primaire qui peut germer avec des degrés de surfusions
relativement faibles. Pour T < TG = TE, le liquide devient métastable par rapport à la
formation de l’eutectique Sn + Ag3Sn mais cette transformation n’a pas lieu ce qui est dû à la
difficulté de l’étain à croitre de façon coopérative avec Ag3Sn. Lorsque la température devient
inférieure à celle du point H, le liquide devient également sursaturé par rapport à la
précipitation de Sn du type ″primaire″. La solidification se poursuit par la formation de
dendrites primaires d’étain suivie de la croissance de l’eutectique Sn + Ag3Sn.

[1]: K.W. Moon et al, “Experimental and Thermodynamic Assessment of Sn-Ag-Cu Solder alloys”, Journal of
Electronic materials 29, 1122-1236, (2000).
[2]: P. G. Debenedetti, “Metastable Liquids Concepts and Principles”, Princeton University Press, USA, page
194, (1996).
[3]: G. Wei and L. Wang, "Effects of cooling rate on microstructure and microhardness of lead-free Sn-3.0Ag-
0.5Cu solder", proceedings of Electronic Packaging Technology & High Density Packaging, pp. 453-456,
(2012).
[4]: I. E Anderson et al, “Sn-Ag-Cu Solders and Solder Joints: Alloy Development, Microstructure, and
Properties”, Lead-Free Electronic Solders, pp 55-76, (2002).

181
Annexe A8: Evaluation du temps nécessaire à la saturation en cuivre
d'un micro-bump (Sn-Ag-Cu) en contact avec un plot de cuivre.

Dans cette annexe, on évalue le temps nécessaire pour atteindre la saturation en cuivre
(C ) d'un alliage Sn-Ag-Cu ayant initialement une concentration en cuivre (C0) lorsque cet
sat

alliage est mis en contact avec un plot de cuivre (voir figure A8-1a) à T = 230°C. On suppose
qu'à l'interface Cu6Sn5/alliage l'équilibre est obtenu et que donc la concentration du cuivre
dans l'alliage est égale à Csat.
Afin de simplifier les calculs on remplace la configuration "calotte sphérique" de
l'alliage par une configuration "parallélépipédique" (voir figure A8-1b) de même hauteur h.
Dans ce cas le temps nécessaire à la saturation sera surestimé. La figure A8-1c donne
schématiquement la variation de la concentration en cuivre à t = 0, t1, t2 > t1 et t ∝ .
La figure A8-1d donne la variation de la concentration en fonction de la distance z à partir
de l’interface Cu6Sn5/alliage pour différentes durées de mise en contact via le paramètre
(D.t/h²) où D est le coefficient de diffusion du cuivre dans l'étain liquide [1].

Figure A8-1: Représentation schématique de la géométrie sphérique du bump (a) et


approximation sous forme parallélépipédique (b). Profils schématiques de concentrations du
cuivre dans l’alliage liquide pour différentes durées (c) Profil de diffusion pour différentes
durées de mises en contact du cuivre avec l'alliage liquide (d) [1].

182
En ordonné de la figure A8-1d est utilisé le paramètre :
C - C0 ( C / C sat ) - ( C 0 / C sat )
=
C sat - C 0 1 - ( C 0 / C sat )
Dans notre cas, la limite de saturation de l’alliage SAC en cuivre est Csat ≈ 0,9 mass% [2]
et on considère que la concentration initiale en cuivre de l’alliage SAC est C0 ≈ 0,3mass%
(comme vu en figure 3-34 du chapitre 3). Ce qui donne:
C - C0 ( C / C sat ) - 0 ,33
=
C sat - C 0 0 ,33

Dans ce cas, le temps nécessaire pour que la concentration en cuivre au sommet de la


goutte soit telle que C/Csat = 0,99, peut être évalué à partir de la figure A8-1c) et est tel que:
Dt
≈ 1,7 (1)

- D est le coefficient de diffusion du cuivre dans l'étain liquide (D ≈ 10-9 m².s-1 [3]),
- h est la hauteur de la goutte (figure A8-1),
- t est le temps de diffusion. (Il peut être noté que ce temps sera plus faible dans le cas de
la goutte (figure A8-1a) car pour une hauteur identique le volume de la goutte est réduit par
rapport au volume du cylindre).

L'application numérique de la relation (1) avec D = 10-9 m².s-1 et h1 = 25µm ou h2 = 80µm


donne t1 ≈ 1s et t2 ≈ 10s.

[1]: J. Crank, The Mathematics of Diffusion, Calendron Press, Oxford, second edition, p. 50, (1992).
[2]: K.W. Moon et al, “Experimental and Thermodynamic Assessment of Sn-Ag-Cu Solder alloys”, Journal of
Electronic materials 29, 1122-1236, (2000).
[3]: G. H. Geiger, "Transport Phenomena in Metallurgy", Addison-Wesley Publishing Company, pp 455, (1980).

183
Annexe A9 - Test en cisaillement sur des micro-bumps comprenant
une couche de nickel

Dans cette annexe des résultats de tests en cisaillement effectués sur micro-bumps sont
présentés. A la différence des résultats de tests en cisaillement fournis au paragraphe 4 du
chapitre 3, ces résultats concernent des micro-bump comprenant une couche de 2µm de
nickel à l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage SnAgCu. L'impact du traitement
thermique et de la hauteur de cisaillement (par rapport à la base du plot de cuivre) sur la
résistance mécanique de l'interface entre le plot de cuivre et l'alliage de brasure est ici
évalué (figure A9-1). Ces micro-bumps de diamètre 25µm subissent des maintiens
isothermes de différentes durées (voir figure 3-19 du chapitre 3). Le cisaillement est
appliqué à l'aide d'une lame de 50µm de largeur à 4 hauteurs différentes, de h = 13µm à
h = 16µm avec un pas de 1µm. 20 micro-bumps sont cisaillés pour chacun des traitements
thermiques et pour chacune des hauteurs de cisaillement.

12

10

8
isotherme:
Force (g)

6 0min
Isotherme:
05min
4
Iostherme:
15min
2
Isotherme:
30min
0
9 10 11 12 13 14 15 16 17
Hauteur du cisaillement

Figure A9-1: Evolution de la force maximale de cisaillement en fonction de la hauteur de


cisaillement pour des micro-bumps comprenant une couche de nickel ayant subi des
maintiens isothermes à 240°C de différentes durées de maintien (voir figure 3-19 pour les
profils thermiques). Vitesse de cisaillement: v = 70 µm.s-1.

184
Annexe A10 - Caractérisation électrique sur le motif de test "chaine de
deux" (Alto)
Comme expliqué au chapitre 2, le véhicule test Alto, comprend à l'instar de Div1 des
composants du type "chaine de deux". Les caractérisations électriques qui suivent et les
analyses en résultant, se focaliseront sur ce composant (figure A10-1).

Figure A10-1: Visualisation schématique du composant : " chaine de deux". Vue du dessus
(a), vue latérale (b), vue du dessus après élaboration côté puce inférieure (c).

Comme cela a été expliqué au cours du second chapitre, le véhicule test Alto permet à
la fois l'élaboration d'interconnexions de 20µm, 30µm et 40µm. Ainsi, la géométrie du
composant varie avec le diamètre d'interconnexion comme décrit dans la figure A10-2.

Figure A10-2: Récapitulatif des dimensions (D), (L) et (E) de la figure A10-1 selon la nature
de la puce.

Chaque caractérisation électrique du composant "chaine de deux" comprend deux


mesures différentes. En effet selon les bornes ou plots, la résistance de la chaine deux est
mesurée en prenant en compte une contribution variable de la résistance de ligne. Ces deux
mesures sont décrites en figure A10-3.

Figure A10-3: Vue du dessus schématique du composant "chaine de deux" (a), récapitulatif
des mesures réalisées sur le composant "chaine de deux" (b).

Les résultats des caractérisations électriques de chaine de deux interconnexions


apparaissent en figure A10-4. Celles correspondant au système d'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Cu figurent sur la colonne de gauche (figure A10-4a, A10-4b, A10-4c), et
celles du système d'intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu sur la colonne de droite (figure A10-4d,

185
A10-4e, A10-4f). Sur la première colonne, le taux de composants fonctionnels est élevé
puisque le seuil atteint, en pourcentage cumulé, est toujours supérieure à 94%, traduisant un
assemblage des puces abouti. Dans le cas de la colonne de droite, en revanche, l'assemblage
est moins satisfaisant car les performances ne dépassent jamais 60% des composants. Il y à
très vraisemblablement eu un défaut dans le procédé de report (flip-chip) pour ce second
wafer.

Figure A10-4: Performance électrique des composants "chaine de 2" pour des
interconnexions d’intégration Cu/Ni/Au//SAC/Cu (a, b, c) et d'intégration
Cu/Ni/Au//SAC/Ni/Cu (d, e, f). Interconnexion de diamètre 20µm : puce 18 (a) diamètre
30µm : puce 19 (b), diamètre 40µm : puce 20 (c).

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