Département de physique

Cours « Interface physique-chimie »

Dispositifs électroniques
(éléments de physique des isolants, des semi-conducteurs et quelques exemples de structures de composants)
Rédaction du document : JB Desmoulins (PRAG au Dpt de Physique de l'ENS de Cachan)

I. Isolant, conducteur, semi-conducteur .

I.1. Niveaux d'énergie d'un atome isolé et d'un atome dans un cristal : bandes d'énergie.

Les niveaux d'énergie d'un atome isolé sont quantifiés. Au zéro absolu, les électrons restent dans les niveaux
d'énergie les plus faibles qui leurs sont permis. Pour des températures plus élevées, les électrons occupant les
niveaux d'énergie les plus élevés (ceux qui les lient le moins à l'atome) peuvent passer dans les niveaux d'énergie
encore plus élevés.
Dans un cristal, chaque atome est soumis à l'influence de ses voisins. En raison des couplages entre atomes,
les niveaux d'énergie vont se subdiviser. Le nombre de niveaux d'énergie permis va alors augmenter.

Dans un cristal, les couplages sont suffisamment forts pour que les états possibles obtenus par subdivision
soient très proches les uns des autres. L'ensemble des états qui résultent d'une subdivision peut alors être assimilé
à une bande continue. Pour la distance interatomique dans un cristal donné (par exemple pour du silicium), on a
alors des bandes d'énergies que les électrons peuvent occuper séparées par une bande qui leurs est interdite.

I.2. Distinction entre matériaux isolants et matériaux conducteurs.

I.2.1. Cas d'un solide au zéro absolu (T=0 K).

Au zéro absolu, tous les niveaux d'énergie les plus bas sont occupés. Seules les bandes d'énergie supérieures
peuvent être partiellement remplies.
Pour qu'il y ait conduction, il faut que l'énergie moyenne des électrons puisse varier. Ceci n'est possible que
dans le cas d'une bande partiellement remplie. On distinguera donc le cas des matériaux dont la bande de
conduction supérieure est totalement remplie qui seront dits isolants, des matériaux dont la bande supérieure est
partiellement remplie qui seront appelés conducteurs.

1
 1.2.2. Influence de la température.
Pour une température plus élevée, l'énergie apportée par l'agitation thermique peut permettre à certains
électrons de sauter dans la bande permise supérieure, la rendant ainsi partiellement remplie et donc susceptible
de contribuer à la conduction électrique. Ce passage sera d'autant plus facile que la largeur de la bande interdite
sera plus faible. La largeur de cette bande d'énergie est appelée gap et est noté Eg.
Par exemple, cette barrière est de 1.1 eV pour le Si et de 0.75 eV pour le Ge. A température ambiante, il est
possible que certains atomes de ces matériaux participent à la conduction. Ils sont alors appelés semi-
conducteurs.
En revanche, pour d'autres matériaux, la bande interdite est trop large et ils seront considérés comme isolants
à température ambiante. C'est par exemple le cas du diamant, pour lequel cette barrière est de 6 eV environ.

I.3. Les matériaux semi-conducteurs.

I.3.1. Semi-conducteur intrinsèque.

Le Si possède 4 électrons sur sa couche périphérique externe. Dans le cristal, les atomes de Si vont mettre en
commun ces électrons et se relier à leurs plus proches voisins par l'intermédiaire de 4 liaisons covalentes. Dans
l'espaces, cela donne une structure tétraédrique. Dans le cas ou un atome de Si perd un électron de sa couche
externe (à cause de l'agitation thermique par exemple), cet électron peut alors participer à la conduction et on dit
qu'il y a génération de porteur. Il apparaît alors un trou (carence d'électron), sur la couche externe de l'atome
de Si considéré. Celui-ci est alors ionisé. Inversement, si un ion Si capte un électron et complète sa couche
périphérique externe, cette disparition de porteur est appelée recombinaison.
Une représentation simplifiée en deux dimensions de l'atome de Si au repos et ionisé est donnée sur la figure
suivante :

Néanmoins, à température ambiante, le nombre d'atomes de semi-conducteur pur (intrinsèque) susceptibles

de participer à la conduction électrique par agitation thermique est très faible (un atome sur 10 13 dans le Si par
exemple ce qui représente environ une densité de porteurs de 1010 cm-3, grandeur qui augmente évidemment avec
la température). Ce matériau n'intéresse pas l'électronicien. Pour être utilisé en électronique, le Si va être enrichi
en atomes susceptibles de contribuer à la conduction électrique. On parle alors de dopage.

1.3.2. Semi-conducteur dopé.

On ajoute, dans le cristal de semi-conducteur, des impuretés qui ont, soit un électron de valence en plus, soit
un électron de valence en moins. On va les trouver dans la classification périodique :

2
 Considérons l'injection d'une impureté qui apporte 5 électrons de valence. Les quatre premiers s'associent
avec les électrons de valence des atomes de Si voisins. En revanche, le cinquième est susceptible de participer à
la conduction. Chaque atome d'impureté apporte donc un électron de conduction. On parle de dopage de type N.
C'est le cas d'une injection d'azote (N), de Phosphore (P), d'Arsenic (As) ou d'Antimoine (Sb).
Dans le cas de l'injection d'atomes qui comportent trois électrons de valence, l'un des atomes de semi-
conducteur voisin ne pourra pas créer de liaison covalente. Chaque atome d'impureté apporte donc un trou. On
parle de dopage de type P. C'est le cas d'une injection de Bore (B), de l'Aluminium (Al), du Gallium (Ga), ou de
l'Indium (In).
Pratiquement, le dopage peut être réalisé par diffusion gazeuse (liée au fait que la concentration d'impuretés
est supérieure dans la gaz), avec par exemple du B2H6 pour un dopage P ou du PH3 pour un dopage N.
Usuellement, la densité d'atomes dopants reste faible devant celle des atomes de Si. elle est voisine de 10 23
cm (exemple: 1015cm-3, 1018 cm-3…). On peut continuer à parler de Si…
-3

1.3.3. Répartition des porteurs dans les bandes de conduction et de valence.

● Densité d'état:
La densité d'état N représente le nombre de places occupables pour un niveau d'énergie E. Cette grandeur,
dépendante de l'énergie électronique E, correspond à la place disponible pour les électrons dans la bande de
conduction Nc(E) et à la place disponible pour les trous dans la bande de valence Nv(E). On peu écrire que
3/2
1 2.mc
N c  E= .  .  E− E c
2. 2 h
2

3/2
1 2.mv
N v  E= .  .  E v− E
2. 2 h
2

Où h=6.626.10-34Js est la constante de Planck et mc (resp. mv) la masse effective de densité d'états dans la
bande de conduction (resp. dans la bande de valence).
● Distribution de Fermi-Dirac:
C'est la probabilité qu'un état occupable soit occupé, c'est à dire le rapport du nombre de places occupées sur
le nombre de places occupables. Elle a la forme suivante :
dn 1
f  E= = E−E
dN F

e k.T 1
1.0

0.8

0.6
f(E) pour plusieurs valeurs de T
T=1K ; T=173K
T=273K ; T=373K
0.4

0.2

0.0
-0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4

E-EF (eV)

3
 La fonction f(E) est appelée distribution de Fermi-Dirac. T est la température absolue, k est la constante de
Boltzman et EF est le niveau de Fermi et on s'intéresse aux dn états occupés sur dN états occupables.
Ce niveau représente la référence à l’équilibre thermodynamique. En l’absence de champ extérieur appliqué
et de rayonnement extérieur, ce niveau sera le même dans tous les matériaux dans une structure à l’équilibre.
Nous utiliserons cette remarque importante par la suite pour l’étude des jonctions.
● Nombre de porteurs.
La densité d'électrons n (exprimée généralement en cm-3) dans la bande de conduction est alors obtenue en
sommant sur toute la plage d'énergie couverte par cette bande, le produit de la densité d'états par le rapport du
nombre d'états occupés sur le nombre d'états occupables, soit:
∞
n=∫ N c  E . f  E . dE
Ec
Il faut noter que la fonction que nous venons d'intégrer qui représente la densité de niveau occupés pour chaque
niveau d'énergie, présente un extremum dans la bande de conduction,
De même pour la densité des trous p (exprimée généralement en cm-3) dans la bande de valence, la
probabilité d'avoir un trou étant 1-f(E), on a:
Ev

p= ∫ N v  E .1− f  E. dE
−∞
● La figure suivante donne l'allure de f(E), Nc(E), Nv(E), f(E).Nc(E) et (1-f(E)).Nv(E) quand le niveau de
fermi est au centre de la bande interdite. S'il est plus grand, la densité d'élection va augmenter au détriment de la
densité des trous, S'il est inférieur, ce sera le contraire.

cas où EF=( EC- EV)/2

Nv(E)
Nv(E).(1-f(E))
Nc(E)
Nc(E).f(E)
fonction de Fermi f(E)

EV niveau d'énergie EC

● Pour un semi-conducteur dont le niveau de Fermi EF est distant des extrema de plus de 3kT, la fonction de
Fermi se simplifie sous une forme exponentielle et on obtient les densités de porteurs suivantes:
∞ − E− Ec 
−E c−E F 

n= N c . e k.T avec N c = ∫ N c  E . e k.T

. dE
Ec

Ev E−E v
Ev −EF

p= N v . e k.T avec N v =∫ N v E . e k.T

. dE
−∞

Où Nc et Nv sont les densités équivalentes (ou effectives) d'états. Elles sont une image du nombre d'états
utiles, à la température T, dans les bandes d'énergie.
Conséquences : On remarque que la relation donnée par le produit des densités de porteurs est indépendante
du niveau de Fermi. En effet, on a
Ec −Ev Eg
2 − −
n.p=ni avec
ni = N c . N v . e 2.k.T = g T . e 2.k.T
Où ni sera la densité de porteurs intrinsèques (pour le silicium à 300K, n i 1010cm-3). Cette relation est valable
pour les semi-conducteurs intrinsèques mais aussi extrinsèques. Elle ressemble à une loi d'action de masse
comme celle de l'équilibre d'auto-ionisation de l'eau ([H+][OH-]=Ke.

4
 1.3.4. Commentaires sur la signification du niveau de Fermi EF.
● Définition :
Le niveau de Fermi d'un système représente la variation d'énergie libre de ce dernier pour une variation du
nombre de porteurs. C'est le potentiel chimique du système.
● Propriétés:
Pour un système qui n'est pas soumis à une influence extérieure, par exemple un champ électrique extérieur,
ou un flux de photon, le niveau de Fermi doit être constant dans tout le système.
Dans le cas d'un semiconducteur, plus on va doper le système en apportant des électrons pour la conduction
(dope N) plus on va augmenter le niveau de Fermi. Au contraire, plus on va doper le système en apportant des
trous pour la conduction (dopage P), plus on va abaisser le niveau de Fermi.
Si on approche deux éléments indépendants pour en faire un même système, le niveau de Fermi devra être
identique dans les deux sous ensembles du système. L'élément qui a vu son niveau de Fermi augmenter
relativement à l'autre pour que les niveaux s'équilibrent aura reçu des électrons de l'autre élément.
● Cas du semiconducteur intrinsèque:
Dans ce cas, n=p=ni. En remplaçant les densités de porteurs par leurs expressions respectives, dans les
égalités précédentes, on peut déterminer le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque EFi. Sachant
qu'à température ambiante kT est très inférieur au gap, ce niveau se trouve très proche du milieu de la bande
interdite :
E c  E v k.T N v E c E v
E Fi=  . ln  ≃
2 2 Nc 2
Le niveau de Fermi d'un semi-conducteur intrinsèque est donc situé pratiquement au milieu de la bande
interdite. La largeur de cette bande est appelé gap du semi-conducteur qui est noté Eg.
● Cas du semiconducteur dopé:
Pour le semiconducteur de type N, le niveau de Fermi sera donc plus près de la bande de conduction que de
la bande de valence.
Pour le semiconducteur de type P, le niveau de Fermi sera plus près de la bande de valence que de la bande
de conduction.
● Cas d'un conducteur:
Pour un conducteur, le niveau de Fermi est placé dans la bande de conduction

1.3.5. Evolution de la densité de porteurs de charge.

Dans le semi-conducteur, les phénomènes à prendre en compte pour représenter les mouvements des porteurs
de charge sont la diffusion et l'action d'un champ électrique. La densité de courant de porteurs de charge q
(positive ou négative), dans le cas où le système présente à la fois l'action d'un champ électrique E et un
processus de diffusion s'écrit:
Ja =∣q∣. a.µ a . 
E−q.D a . grad a
L'évolution de la densité de porteurs de charge dans un volume donné dépendra alors de la densité de
courant, ainsi que des phénomènes de génération (arrivée d'un flux de photon par exemple) et de recombinaison.
Cette évolution est régie par l'équation de continuité
∂ a −1 
 = . divJ a g a −r a
∂t q
où a est la densité de porteurs de charge du type considéré, J la densité de courant, ga le taux de génération et
ra le taux de recombinaison des porteurs considérés (nombre de porteurs générés ou recombinés par unité de
volume et par unité de temps), et q la charge (positive égale à e pour des trous et négative égale à -e pour des
électrons).

Pour établir cette relation en une dimension, il suffit de considérer un volume de section S et de longueur dx.
La variation élémentaire δa.q.S.dx du nombre de charges associées aux porteurs dont la densité volumique est
notée a s'écrit alors

5
  a.q.S.dx= J  x. S. t − J  xdx . S. t  g a .q.S.dx.  t −r a . q.S.dx. t 
a −1 −1 ∂ J  x 
. dx = . dJ  x g a . dx −r a . dx = . dx  g a . dx −r a . dx
t q q ∂x
 a −1 ∂ J  x
d'où = . g a−r a
t q ∂x
Ce qui conduit bien à l'expression attendue quand on généralise sur trois dimensions.

6
II. Jonction PN.

C'est une structure de base que l'on retrouve dans de nombreux composants à semiconducteurs. Nous allons
commencer à présenter son état à l'équilibre puis sont état lorsqu'elle est soumise à une polarisation électrique.

II.1.Jonction PN à l'équilibre:

II.1.1. Représentation simplifiée d'un jonction PN à l'équilibre

Une jonction semi-conductrice est la limite séparant un milieu dopé P d'un milieu dopé N. Dans la réalité, le
passage d'un milieu à l'autre est progressif, mais pour simplifier, nous supposerons la jonction abrupte. La mise
en contact de deux zones dopées différemment est une vue de l'esprit, mais permet néanmoins de mieux
comprendre le résultat obtenu (qui résulte dans la réalité de la diffusion d'impuretés apportées par des gaz
différents suivant les zones).
La mise en contact d'une zone dopée N (riche en électrons de conduction) avec une zone P (riche en trous) va
entraîner un processus de diffusion. Les électrons de la zone N vont diffuser vers la zone P et se recombiner. On
obtient donc des ions positifs du côté N (les atomes ont perdu un électron) et négatifs du côté P (ils ont capté un
électron supplémentaire).

L'ensemble de la zone ionisée est appelée zone de charge d'espace ou zone de déplétion. Dans la mesure ou
la concentration d'impuretés est toujours très supérieure à la densité intrinsèque d'atomes de semi-conducteur
participant à la conduction, la concentration en ions, de part et d'autre de la jonction est à peu près égale à celle
des dopants. De plus, pour simplifier, on supposera que la densité d'ions est uniforme dans chaque zone.
Le nombre d'atomes ionisés, de part et d'autre de la jonction, est identique. En revanche, la concentration de
sites ionisables est différente (Nd différend de Na à priori). Par conséquent, sans autre calcul, on a
N a . X a=N d . X d
De cette relation simple, il découle que la zone de charge d'espace s'étend plus du côté de moins dopé.
Sur la figure précédente, on a donc forcément Nd<Na. Il faut noter que dans la pratique, le rapport des
concentrations de part et d'autre de la jonction est souvent de l'ordre de 103. On considère donc souvent que la
largeur de le zone de charges d'espace ne dépend que du côté le moins dopé.

II.1.2 Caractéristiques de la jonction à l’équilibre.

Du côté N, on a une zone de largeur Xd uniformément chargée, avec une densité de charges +e.N d. Du côté P,
on a une zone uniformément chargée qui a pour largeur Xa et pour densité de charge –e.Na.

• Forme du champ électrique et du potentiel.

En utilisant l'équation de Poisson, on trouve facilement le champ électrique E et le potentiel V dans chaque
zone du semi-conducteur. On appelle e la charge élémentaire et ε la permittivité du matériau (supposée identique
partout). On suppose que E = 0 à l'infini

7

si x ∈ [-∞, -Xd] , on a E=0 et on fixe V =0
2
e.N d −e.N d x 2 X

si x ∈ [-Xd, 0] , on a E= . xX d  d'où V = .  X d . x d 
  2 2
2
−e.N a e.N a x 2 X

si x ∈ [0, Xa] , on a E= . x− X a  d'où V =−V o . − X a . x a 
  2 2
où V0 = V(-Xd)-V(Xa) = -V(Xa)

si x ∈ [Xa, +∞] , on a E=0 et on fixe V =−V o

• Détermination de Vo en fonction des caractéristiques de la jonction.

Nous allons considérer les électrons. Si on s’intéresse à une zone où règne un champ électrique E(x) et où la
concentration en porteurs de type N est n(x), alors, on peut écrire qu’il existe une densité de courant de porteurs
de type N qui résulte à la fois d’un processus de conduction et d’un processus de diffusion. Dans ce cas, on a
JN =e.n x . n . 
E  xe.D n .grad n  x
Si la jonction est en circuit ouvert, alors, en régime permanent, il n’y a plus de courant moyen de porteur. Si
V représente un potentiel dont dérive le champ électrique E, µ n la mobilité des porteurs de type n et D n leur
coefficient de diffusion on peut écrire que
−dV x  dn  x
e.n x. n .  e.Dn . =0
dx dx
ou encore que
dn x  n
= . dV  x
n  x D n
On intègre la relation précédente entre le côté N (Nd, pno) et le côté P (npo, Na) de la jonction, ce qui donne
n −V
∫N dn
n
= . ∫0 dV
po o

d n Dn
(on tient compte directement du fait que le potentiel de la zone N est supérieur de Vo à celui de la zone P)
On peut donc déduire de cette relation que
Dn
V o = . ln  N d / n po 
n
Par ailleurs, on rappelle que dans un semi-conducteur, on peut écrire en tout point que
E c−E v Eg
2
n.p= ni avec n = N . N . e− 2.k.T = g T . e− 2.k.T
i  c v
où g est une fonction de T, la température, où EG est l’énergie de gap et k la constante de Boltzmann. Pour un
semi-conducteur donné à une température donnée, on peut donc écrire que le produit du nombre de porteur de
type N par celui de type P est identique que le milieu soit dopé N (Nd à peu près égale au nombre de porteurs N),
dopé P (Na à peu près égale au nombre de porteurs P) ou intrinsèque (ni et pi)
2
N d . pno = N A . n po=ni . pi =ni

Finalement, on a

8
 Dn N .N k.T N .N
V o= . ln  d 2 a = . ln  d 2 a 
n ni e ni
rq : la relation
k.T Dn D p
= =
e n p
est appelée relation d’Einstein. Pour la démontrer, on rappelle que la densité d'électron s'écrit
−E  x−E 
−E x −E 
dn x −N c dE c  x −n x dE c  x
c F
c F
k.T
n x=N c . e k.T soit = . e . = .
dx k.T dx k.T dx
Par ailleurs
−dV  x 1 dE c  x
E  x= = .
dx e dx
On rappelle que
−dV  x dn  x
e.n  x. n . e.Dn . =0
dx dx
d'où la relation attendue.
rq : on aurait pu faire le même raisonnement sur les trous.

● Ordres de grandeur.
si on travaille à 300K, avec du Si, en prenant ND =1016 atomes/cm3, NA=1018 cm-3 , et ni =1010 cm-3, sachant
que k = 1.38.10-23 J.K-1, alors on a
k.T
≃26 mV et V o ≃830 mV
e
Si on change de matériau, on va modifier ni, ce qui conduira, pour des dopages équivalents et des
températures équivalentes à des valeurs différentes de Vo. Le tableau suivant, donne, à T ambiante les valeurs de
ni ainsi que la plage de valeurs de Vo pour des dopages fluctuant de 1015 à 1018 cm-3.

Si Ge GaAs InP
-3 10 13 6
ni (cm ) à 300K 10 2.10 3.10 3.107
Vo (V) [0,6 ; 0,95] [0,2 ; 0,56] [1,0 ; 1,37] [0,89; 1,25]

• Largeur de la zone de charge d’espace.

A partir des calculs précédents concernant la largeur de la zone de déplétion du côté N et du côté P, on peut
calculer l'épaisseur L de cette zone donnée par
L=X d X a
En effet, en x =0, le potentiel est continu ce qui donne
2 2
−e.N d X d e.N a X a
. =−V o  . 
 2  2
Par ailleurs, on rappelle que pour maintenir la neutralité électrique, on a
N a . X a =N d . X d
ce qui conduit à
L=
2.  1
e 
. 
Na Nd
1
. V o

La largeur de la zone de charges d'espace est donc proportionnelle à  V o .

• Barrière énergétique représentée par une jonction semi-conductrice.
Si on s'intéresse au niveau énergétique des électrons
E e  x=−e.V x 
on constate que lorsque ces derniers passent de la région N à la région P, ils doivent franchir une marche
énergétique eV0. De même pour les trous qui passent de la région P à la région N.

II.2. Jonction PN polarisée.

Lorsque l'on polarise la jonction, on va modifier la barrière de potentiel que représente la zone de charge
d'espace ce qui va affecter les processus de diffusion. Par la suite, on supposera que la différence de potentiel
appliquée à la jonction sera égale à la tension extérieure appliquée, ce qui revient à négliger toutes les chutes de
tension dans les zones conductrices devant la différence de potentiel entre les deux extrémités de la zone de
charge d'espace.

9
 En l'absence de polarisation, la concentration de porteurs minoritaires est noté np pour les électrons du côté P
et pn sur les trous du côté N. Ces concentrations seront modifiées sous l'effet de la polarisation au voisinage de la
zone de charges d'espace.

II.2.1. Effet de la polarisation sur la barrière énergétique représentée par la jonction.

Quand on va polariser positivement la jonction, c'est à dire qu'on augmente le potentiel de la zone P par
rapport à celui de la zone N de V positive, la différence de potentiel entre la zone N et la zone P devient Vo-V.
On diminue la barrière énergétique que doit franchir un électron de la zone N pour aller en zone P de e.Vd (idem
pour un trou de la zone P qui passe en zone N). La barrière est donc de
 E e =e.V o−V 
En polarisant en inverse (avec V négative), on va augmenter la barrière de potentiel.

On verra plus tard que la polarisation joue sur la largeur de la zone de charge d'espace, ce que l'on a
représenté sur la figure.

II.2.2. Présentation sans calcul de ce qui va se passer dans une jonction polarisée.
● Cas de la polarisation directe.
Sous une polarisation directe, la barrière de potentiel que représente la zone de charge d'espace pour les
porteurs majoritaires (électrons côté N et trous côté P) va être abaissée. Ils vont donc pouvoir atteindre, en
nombre de plus en plus important, la zone où ils deviennent porteurs minoritaires. Au voisinage de la zone de
charges d'espace, on va trouver un excès d'électrons du côté P et un excès de trous du côté N. Cet excès de
concentration en porteurs minoritaires, par rapport à ce que l'on a en l'absence de polarisation, évolue
exponentiellement avec la polarisation V. Il va conduire à un courant de diffusion de trou en zone N et
d'électrons en zone P. Ces courants de diffusion éloignant les porteurs de la zone de charge d'espace. Il s'agit
donc, pour les électrons comme pour les trous d'un courant électrique orienté positif de la zone P vers la zone N.
Comme l'excès de porteurs minoritaires augmente beaucoup avec V, il en sera de même pour les courants de
diffusion et donc pour le courant global dans le système.
● Cas de la polarisation inverse.
Sous une polarisation inverse, la barrière de potentiel que représente la zone de charge d'espace pour les
porteurs majoritaires est fortement augmentée. Il n'y a plus de porteurs majoritaires susceptibles de passer la
zone de charge d'espace. En revanche, les porteurs minoritaires peuvent librement traverser cette zone puisqu'il
s'agit pour eux d'une chute d'énergie potentielle. Il va donc apparaître un déficit de porteurs minoritaires au
voisinage de la jonction, sauf que cette fois, ce déficit de pourra pas évoluer exponentiellement avec V, puisque
quand V sera assez fortement négatif, le déficit tendra vers p n du coté N et vers np du côté P. Cette fois, quelle

10
que soit la valeur de V, pourvu qu'elle soit négative, le courant de diffusion sera identique. Il sera par ailleurs de
sens opposé à celui observé quand on polarise en direct, c'est à dire orienté de la zone N vers la zone P.
● Bilan:
Pour résumer ce qui se passe dans une jonction PN, on peut se baser sur la figure suivante, sur laquelle on a
représenté les concentrations de porteurs minoritaires suivant la polarisation ainsi que les courants de diffusion
associés. Il faut se rappeler que le courant électrique est de sens opposé à la diffusion des électrons et de même
sens que la diffusion des trous.

II.2.3. Calcul du courant dans la jonction.

● Structure étudiée.

La zone N est de largeur dn et la zone P de largeur dp.

11
 ● Densité de porteurs minoritaires au voisinage de la zone de charge d'espace.
On admettra que pour une jonction polarisée sous la tension V
e.V e.V

n  X a = n po . e k.T et p− X = p . e k.T

d no
avec npo et pno respectivement les densités d'électrons et de trous en zone P et N à l'équilibre, en l'absence de
polarisation
Ces relations viennent du fait que dans la zone de charges d'espace, compte tenu des ordres de grandeurs, en
faible injection, le courant, somme du courant de diffusion et du courant de conduction qui sont opposés est
négligeable devant ces deux courants. La densité de courant d'électrons s'écrit en effet
−dV dn  x
J n= e. n  x . µ n . e.Dn .
dx dx
Si on suppose que
dV dn x dn x n k.T
e . n  x. µ n . ≃e.D n . soit ≃ . dV  x= . dV  x
dx dx n  x D n e
alors en intégrant entre -Xd et Xa, on a
e.V o
ln  N d /n po = sans polarisation
k.T
e. V o−V 
et ln  N d /n p V = avec polarisation
k.T
ce qui conduit bien à la relation attendue. On aurait pu faire le même raisonnement avec la densité de courant
de trous.

● Taux de recombinaison.
Pour un semiconducteur dopé P en faible injection, si n p est la densité d'électrons à l'équilibre, τn la durée de
vie des électrons, porteurs minoritaires on a
n−n po  n
r n= =
n n
Pour un semiconducteur dopé N en faible injection, si pn est la densité de trous à l'équilibre, et τp la durée de
vie des trous, porteurs minoritaires, on a
p− p no  p
r p= =
p p

● Calcul des densités porteurs minoritaires.

Dans les zones neutres, les distributions de porteurs sont régies par l'équation de continuité, qui s'écrit, en
l'absence de générations, mais en présence de recombinaisons, de la façon suivante
∂n 1 ∂ Jn n
 = . − pour les électrons porteurs minoritaires en zone P
∂t e ∂x n
∂  p −1 ∂ J p  p
 = . − pour les trous porteurs minoritaires en zone N
∂t e ∂x p
Les densités de courant, qui sont des courants de diffusion (champ électrique nul), s'écrivent
∂ n
J n= e.Dn . pour les électrons en zone P
∂x
∂ p
J p =−e.D p . pour les trous en zone N
∂x
Il en résulte qu'en régime stationnaire, en l'absence de polarisation, la densité de porteurs s'écrit
−x /L x /L
 n  x= A.en
 B.e
n
et  p x = A, . e−x/ L B , . e x/ L
p p

Avec L n=  D n . n et L p=  D p .  p longueur de diffusion respectivement des électrons en zone P et

des trous en zone N.
Connaissant les densités d'électron en Xa et de trous en -Xd, et sachant par ailleurs que ∆p (-Xd-dn)=0 et ∆n
(Xa+dp)=0 (car la durée de vie des porteurs en excès en ces points est très faible ce qui signifie que la densité de
porteurs reste égale à ce qu'elle vaut en l'absence de polarisation à l'équilibre), on trouve que
e.V
n po
 n  x= .e k.T −1 . sh X a d p− x/ L n en zone P
shd p / L n
e.V
p no
 p x = .e k.T −1 . sh x X d d n/ L P  en zone N
sh d n /L p 
On va considérer que les zone N et P sont de dimensions très grandes devant les longueurs de diffusion L n et
Lp. Au voisinage de la jonction, les expressions précédentes vont alors se simplifier ce qui donne

12
 e.V
 n  x=n po .e k.T −1 . e
 X a −x/ Ln en zone P
e.V

 p x = p no . e k.T
−1. e
 xX d / LP en zone N

● Calcul des densités de courant de diffusion.

Les densités de courant de diffusion en zone P et N sont respectivement
∂ n ∂ p
J n  x=e.D n . et J p  x=−e.D p .
∂x ∂x
On en déduit que
−e.Dn . n po e.V −e.D P . p no e.V
J n  X a = .e k.T −1 et J p − X d = . e k.T −1
Ln LP
La densité de courant dans la jonction polarisée est la somme de ces deux densités. On trouve que

 
e.V e.V
e.Dn . n po e.D P . pno
J V = J n  X a  J p − X d =−  .e k.T −1=J s . e k.T −1
Ln LP
Le courant sera orienté dans le sens des x décroissants quand V est positive et dans le sens des x croissants si
V est négative.

● Remarques sur la polarisation directe.

Quand V est positif, la zone de charges d'espace se réduit et J augmente exponentiellement avec V. On
retrouve la caractéristique classique de la diode passante. En pratique, dans une diode, le coefficient devant la
tension de polarisation dans l'exponentielle est légèrement différent car le système présente des chutes de tension
que nous avons négligées dans notre étude. Du coup, la relation est plutôt du type
e.V

J V =J s . e . k.T −1 avec η compris entre 1 et 2.

Quand on fait varier la tension de polarisation en fonction du temps, le courant dans la diode va réagir avec
retard en raison des phénomènes de diffusion. Ce retard peut être modélisé par un effet capacitif, pratiquement
proportionnel à la durée de vie des porteurs minoritaires et au courant qui traverse la jonction. On parle de
capacité de diffusion.

● Remarques sur la polarisation en inverse.

Dans ce cas, dès que V est très légèrement négatif, on a
J ≃−J s
La largeur de la zone de charges d'espace augmente avec la polarisation inverse. Si L est la largeur de la zone
de charge d’espace et S la surface de contact entre les deux zone dopées différemment. Si la jonction est
polarisée en inverse sous la tension Vr (valeur positive), alors on peut écrire que L vaut

L=
 2. o . r 1
e
. 
Na Nd
1
.V o V r 
On se retrouve avec une zone isolante séparant deux milieux conducteurs, ce qui correspond à une structure
capacitive. En simplifiant, si on suppose que l’on peut se ramener à un condensateur plan, alors cette capacité
vaut
 . .S
C= o r
L
On peut donc écrire que C est de la forme
Co
C=
 V oV r
Cette capacité, liée aux ions fixes de la zone de charges d'espace est appelée capacité de transition. Cette
propriété est utilisée pour réaliser des capacités qui varient avec la tension.
• Comme la zone de charges d'espace, la valeur du champ électrique maximum augmente avec la polarisation
inverse. Il faut noter que si la tension de polarisation inverse dépasse une valeur V b, le courant inverse augmente
brutalement, on dit qu'il y a claquage. Deux phénomènes peuvent en être responsables. Si les semi-conducteurs
sont fortement dopés, la forte valeur du champ électrique peut, à elle seule briser des liaisons covalentes et créer
ainsi des porteurs, c'est l'effet Zener. Pour des jonctions moins dopées, le champ électrique fini par apporter
assez d'énergie aux porteurs, qui provoquent la rupture de liaisons covalentes créant ainsi de nouveaux
porteurs…etc. C'est l'effet d'avalanche. Cet effet peut être destructif pour le composant, si le courant ainsi
obtenu provoque une augmentation trop importante de la température.

13
III. Jonction métal-semiconducteur et Métal-oxyde-semiconducteur

Nous allons désormais mettre en contact des semi-conducteurs avec des métaux, soit directement, soit à
travers un isolant (souvent un oxyde de semi-conducteur). Le comportement de la jonction ainsi réalisée permet
d'expliquer le comportement de certaines diodes (diodes Schottky et transistors MESFET) et de certains
transistors parmi les plus utilisés en électronique (MOSFET).

III.1. Caractéristiques et ordres de grandeurs.

III.1.1. Affinité électronique d'un semi conducteurs et travail de sortie d'un métal.
Par la suite, pour comprendre le fonctionnement des jonctions métal semi conducteur, on devra comparer la
valeur
– du travail d'extraction du métal (e.φm ) qui représente l'énergie à fournir à un électron de conduction
d'un métal pour qu'il quitte l'influence de ce métal et se retrouve dans le vide sans énergie cinétique.
– de l'affinité électronique du semi-conducteur qui représente l'énergie à fournir à un électron du bas de la
bande de conduction pour l'extraire du semi-conducteur et le placer dans le vide. C'est une caractéristique du
matériau.
– du travail de sortie du semiconducteur qui représente l'énergie à fournir à un électron du
semiconducteur pour qu'il passe du niveau de Fermi au vide sans énergie cinétique. Cette caractéristique dépend
du matériau (affinité électronique) et du dopage (position de EF).
Le tableau suivant donne quelques exemples de travaux de sortie et d'affinités électroniques pour quelques
matériaux usuels.

Métal Travail de sortie e.φm (eV) Semiconducteur Affinité e.χ (eV)

Fe 4,4 Si 4,01
Al 4,1 Ge 4,13
Cu 4,4 GaP 4,3
Ag 4,3 GaAs 4,07
Au 4,8 InAs 4,9
Pt 5,3 ZnS 3,9

III.1.2. Ordres de grandeurs.

La densité d'états électroniques dans la bande de conduction d'un métal est de l'ordre de 10 22 cm-3. Le densité
de donneurs ou d'accepteurs dans un semiconducteur dopé est comprise en général entre 1016 cm-3 et 1018 cm-3.
A température ambiante, la densité équivalente d'états dans les bandes de valence et de conduction est de
l'ordre de 1019 cm-3 pour des matériaux comme Ge et Si. Elle va cependant beaucoup diminuer quand la
température s'abaisse (évolution en T3/2 ).

III.2, Jonction métal-semiconducteur .

III.2.1. Remarques générales sur l'association de matériaux différents.

Cas1 : Tant que les deux matériaux sont séparés (sans influence l'un sur l'autre), les niveaux de Fermi dans
chacun d'entre-eux sont horizontaux, mais à priori différents car il n'y a pas de référence commune. Si les
matériaux sont électriquement neutres, seule l'énergie d'un électron dans le vide sans énergie cinétique est
commune. Le niveau de vide dans l'espace peut varier en présence de zones de charges d'espace.
Cas 2 : Une fois les matériaux au contact, le niveau de Fermi sera le même et constant dans chacun d'eux,
tant que le système n'est pas soumis à un champ électrique extérieur. C'est alors le niveau du vide qui ne sera
plus constant et qui évoluera dans l'espace en fonction des redistributions de charges, notamment au voisinage
des interfaces. Lors de la mise en contact des deux matériaux, l'élément qui a vu son niveau de Fermi décalé vers
le haut recevra des électrons alors que l'autre en perdra.

III.2.2. Cas d'un métal avec un semiconducteur dopé N.

On considère un métal initialement placé suffisamment loin d’un matériau semi-conducteur dopé N. On
appelle e.Φm l’énergie nécessaire pour arracher un électron du métal, du haut du niveau défini par la distribution
de Fermi, pour le placer dans le vide sans énergie cinétique. On appelle de même e.Φ s l’énergie nécessaire pour

14
arracher un électron, du niveau de Fermi, à l’influence de son atome dans le semiconducteur et on appelle e.χ
l’énergie nécessaire pour arracher un électron du semi-conducteur, du bas de la bande de conduction à
l’influence de son atome de semiconducteur.
Si on représente le niveau d’énergie pour les électrons, on va considérer trois cas:

III.2.2.1. Cas où Φm = Φs..

Dans ce cas, les niveaux de vide étant identiques quand les deux matériaux sont séparés, il en est de même
pour les niveaux de Fermi. Une barrière d'énergie s'établit à l'interface métal/semiconducteur et aucun échange
d'électrons ne se fait entre les matériaux puisque le niveau de Fermi n'a pas été modifié (système en régime de
bandes plates).

III.2.2.2. Cas où Φm > Φs..

● Cas où Φm > Φs. À l'équilibre:
Le travail de sortie des électrons du métal est supérieur à celui du semi-conducteur. Pour égaliser les niveaux
de Fermi lors de la mise en contact des deux éléments, il faut baisser le niveau de Fermi du semiconducteur par
rapport à celui du métal. Des électrons quittent le semiconducteur pour le métal. Si le semiconducteur est dopé
N, une zone de charge d'espace se crée dans le semiconducteur avec des ions fixes positifs et la bande de
conduction s'éloigne du niveau de Fermi dans cette zone puisqu'il y a moins de porteurs. La courbure des bandes
est alors orientée vers le haut. Dans le métal, il y a une accumulation d'électrons à l'interface. Les densités d'état
dans le métal de l'ordre de 10 22cm-3 alors que les densités de donneurs sont de l'ordre de 10 16 cm-3 à 1018 cm-3
dans le semi-conducteur, Les charges occupent donc davantage d'espace dans le semiconducteur, alors qu'elles
sont bien concentrées en surface dans le métal.
A ces deux zones chargées, on va pouvoir associer une tension de diffusion V o qui va équilibrer les forces de
diffusion et conduire à un état d'équilibre. Le niveau de Fermi s'éloigne de la bande de conduction au voisinage
de la jonction, ce qui indique un déficit en électrons dans cette zone par rapport au reste du semiconducteur.

● Cas où Φm > Φs. sous polarisation :

Si on polarise positivement le métal par rapport au semiconducteur de V, on va décaler le niveau des bandes
d'énergie du semiconducteur vers le haut de e.V. La courbure dans le semiconducteur, à la jonction va s'atténuer.
La barrière énergétique du semiconducteur vers le métal diminue, alors qu'elle reste inchangée en sens inverse.
Des électrons du semiconducteur vont diffuser plus facilement vers le métal. Un courant positif apparaît orienté
du métal vers le semiconducteur. C'est une configuration de diode polarisée en direct, Quand V sera égal à Vo, on
se retrouve dans le régime de bandes plates.
Si on polarise positivement le semiconducteur par rapport au métal de V, on va décaler le niveau des bandes
d'énergie du semiconducteur vers le bas de e.V. On augmente la barrière qui s'oppose à la diffusion des électrons
vers le métal. C'est une configuration de diode polarisée en inverse.
Finalement, quand Φm > Φs., avec un semiconducteur dopé N, la structure a le comportement d'une diode
appelée diode Schottky.

15
 III.2.2.3. Cas où Φm > Φs..
● Cas où Φm < Φs. à l'équilibre:
En égalisant les niveaux de Fermi et en conservant l'affinité électronique au voisinage de la jonction, on
constate que le niveau énergétique pour les électrons est plus faible du côté du semiconducteur au voisinage de
la jonction. Des électrons vont donc diffuser du métal vers le semiconducteur. Il apparaît donc un déficit
d'électrons du côté du métal localisé à la surface et une accumulation d'électrons un peu plus étalée dans le
semiconducteur, mais beaucoup moins que si on était en régime de déplétion. On a donc une zone de charge
d'espace positive dans le métal et négative dans le semi-conducteur. La différence avec le cas précédent, c'est
que la zone de charges d'espace dans le semi-conducteur correspond à un régime d'accumulation et non de
déplétion. Il n'y a plus de zone isolante à la jonction et la tension va se distribuer sur toute la zone
semiconductrice qui comporte de nombreux porteurs libres.

● Cas où Φm < Φs. Sous polarisation:

Quand on va polariser la structure, la polarisation va se distribuer dans tout le semiconducteur qui est
beaucoup plus résistif que le métal. Le comportement du semiconcteur est résistif. La jonction a un
comportement ohmique.

16
 Un électron qui arrive à l'interface passe librement du métal au semiconducteur ou inversement. En effet, il
n'y a plus de zone isolante à l'interface et la tension appliquée n'est plus localisée dans une zone de déplétion,
mais répartie dans toute la zone semiconductrice. On aura donc dans cette zone un champ électrique, orienté du
métal vers le semiconducteur si V est négative et du semiconducteur vers le métal si V est positive.
Pour un semiconducteur polarisé négativement par rapport au métal les électrons iront du semiconducteur
vers le métal et le courant ira en sens inverse.
Pour un semiconducteur polarisé positivement par rapport au métal, les électrons iront du métal vers le semi
conducteur et le courant ira en sens inverse.

III.2.3. Cas d'un métal avec un semiconducteur dopé P.

Pour un semiconducteur dopé P :
– quand Φm > Φs, on constate que la jonction aura un comportement ohmique.
– quand Φm < Φs, on constate que la jonction aura un comportement de diode Shottky.

III.2.4. Capacité de jonction dans une diode Shottky.

Quand la jonction métal semi conducteur se comporte en diode Schottky, (semi conducteur dopé N avec
Φm>Φs, ou semiconducteur dopé P avec Φm < Φs), la zone de déplétion créée dans le semiconducteur, en
l'absence de polarisation est de largeur L telle que:
L=
2.
e.N
. V o=

2. 
e.N
.∣ m− s∣
avec N densité de dopant, ε permittivité du semiconducteur et Vo barrière de potentiel représentée par la
zone de charge d'espace.
En présence de polarisation, cette relation devient
L=

2.
e.N
. V o−V 
Un fluctuation de V va donc entrainer une variation de L et donc de la charge de la zone de déplétion.
Comme pour la jonction PN, on peut définir une capacité de la forme
Co
C=
 V o−V
III.2.5. Caractéristique courant-tension d'une diode Shottky.
Pour déterminer le courant dans une diode Schottky, on peut soit déterminer le courant de diffusion dans la
zone de charges d'espace, soit le courant d'émission thermoélectrique au niveau de l'interface, ces deux courants
étant identiques.
Nous allons faire le calcul à partir du courant d'émission thermoélectrique, courant résultant des porteurs dont
le niveau d'énergie est porté à une valeur suffisante pour leur permettre de franchir la barrière de potentiel.
En l'absence de polarisation, dans le cas d'une barrière de valeur e.Vo, le courant global est nul et on peut
montrer qu'entre métal et semiconducteur, on a
−e.V o

J m sc =J sc m= K T . e k.T et donc J = J sc m −J m sc=0

17
 En présence d'une polarisation V, la barrière de potentiel reste inchangée du métal vers le semiconducteur,
mais elle sera modifiée de -e.V du semiconducteur vers le métal. Du coup, on aura
−e.V o −e.V o −V 

J m  sc=K T . e k.T et J sc  m=K T . e k.T

     
−e.V o −V  −e.V o −e.V o e.V e.V
soit J = J sc  m− J m sc = K T . e −ek.T
=K T . e k.T . e k.T −1 = J s . e k.T −1
k.T

Ce courant a la même forme que celui observé dans une jonction PN.

III.3.Jonction métal-oxyde-semiconducteur à l'équilibre.

Cette jonction permet de comprendre les transistors MOSFET qui sont les composants les plus utilisés en
électronique.

III.3.1. Jonction Métal-vide-semiconducteur.

III.3.1.1. Structure à l'équilibre avec un semiconducteur dopé N.

On considère un barreau de métal et un barreau de semi-conducteur dopé N que l'on tient à distance assez
grande l'un de l'autre. On va étudier ce qui se passe au niveau des deux faces les plus proches quand on relie par
un fil d'impédance nulle les deux extrémités les plus éloignées des barreaux.
● Sous-Systèmes éloignés et non reliés électriquement:
Tant que les deux systèmes sont indépendants (éloignés et non reliés électriquement), on va supposer que
seul le niveau d'un électron sans énergie cinétique est commun (vide), mais les autres niveaux sont indépendants.
● Sous-Systèmes éloignés et reliés électriquement:
Dès que l'on relie électriquement les deux barreaux, ils ne constituent plus qu'un seul système et à l'équilibre,
les niveaux de Fermi vont s'égaliser. Il en résulte l'apparition d'une différence de potentiel et donc d'un champ
électrique dans le vide séparant les deux barreaux qui se font face.
Le sous système dont le niveau de Fermi a été augmenté par rapport à l'autre va recevoir des électrons
supplémentaires, alors que l'autre sous système va se retrouver avec un déficit d'électrons. Les deux sous
systèmes se retrouvant séparés par un milieu isolant, les charges vont s'accumuler sur les deux surfaces en
regard, plus ou moins profondément, suivant le matériau considéré.
Si on adopte un modèle de capacité plane, sachant que la différence de potentiel V d entre les deux faces reste
constante quelle que soit la distance (elle ne dépend que de la différence entre le travail de sortie du métal et le
travail de sortie du semiconducteur), et que la capacité augmente quand on rapproche les barreaux, la charge qui
apparaît sur les faces en regard des deux barreaux sera d'autant plus faible que les barreaux sont éloignés.
Tant que les barreaux sont assez éloignés et on pourra donc négliger les zones de charges d'espace dans les
barreaux.

18
 ● Sous-systèmes proches et reliés électriquement:
Ce ne sera plus le cas quand les barreaux seront proches. Dans ce cas, les zones de charges d'espace vont
influer sur les niveaux d'énergie.

- Quand Φm = Φs, aucune charge n'apparaît et le semiconducteur est en régime de bandes plates.
- Quand Φm < Φs, le niveau d'énergie des électrons du métal est inférieur à celui des électrons de la bande de
conduction du semiconducteur. Le potentiel des électrons du métal est supérieur à celui des électrons de la bande
de conduction du semiconducteur. On aura alors des charges positives dans le métal à la surface et négatives
dans le semiconducteur sur une épaisseur plus importante (cf ordres de grandeur des densités d'états
considérées). Les charges dans le métal proviennent du départ des électrons, alors que dans le semiconducteur, il
s'agit d'une accumulation d'électrons. Les bandes se courbent vers le bas compte tenu du signe de la tension de
diffusion.
- Quand Φm > Φs, le niveau d'énergie des électrons du métal est supérieur à celui des électrons de la bande de
conduction du semiconducteur. Le potentiel des électrons du métal est inférieur à celui des électrons de la bande
de conduction du semiconducteur. Des charges positives apparaissent à la surface du semiconducteur et des
charges négatives à la surface du métal. Dans le métal, il s'agit d'une accumulation d'électron. Dans le
semiconducteur, il s'agit d'un départ d'électrons.
Si la différence de potentiel reste assez faible entre les deux faces ( Φ m < Φs, mais pas trop) pour que la
densité de trous reste inférieure à celle des électrons, le semiconducteur reste de type N au voisinage de la
jonction et l'essentiel des charges positives sont liées aux ions donneurs. L'accumulation de charges positives
correspond alors à un régime de déplétion. Les charges sont alors distribuées sur une distance importante
(jusqu'à qq 100 nm)
Si la différence de potentiel devient suffisamment importante pour que la densité des trous dépasse celle des
électrons, le semiconducteur devient de type P au voisinage de la surface du semiconducteur qui est dit en
régime d'inversion.
En augmentant encore davantage la différence de potentiel ( Φm << Φs), le nombre de trous libres devient
supérieur au nombre d'ions donneurs et on est alors en régime de forte inversion. Les charges sont alors
concentrées à la surface du semiconducteur (qq nm).

III.3.1.1. Structure à l'équilibre avec un semiconducteur dopé P.

On suppose directement que les barreaux sont assez rapprochés.
Quand Φm = Φs, aucune charge n'apparaît et le semiconducteur est en régime de bandes plates.
Quand Φm > Φs, , on a accumulation de charges positives dans le semiconducteur et d'électrons dans le métal.
Quand Φm < Φs, si la différence reste assez faible, on a une charge négative dans le semiconducteur qui
résulte d'une déplétion (ions accepteurs), Si la différence devient plus marquée, on finit par obtenir un régime
d'inversion (le semiconducteur devient de type N au voisinage de la surface).

III.3.2. Jonction Métal-oxyde-semiconducteur.

Dans les jonctions présentant un isolant, ce dernier est en général de l'oxyde de silicium (SiO2).Cet isolant
présente un gap Egi et une affinité électronique χi.

19
 III.3.2.1. Jonction à l'équilibre .
Les figures sont alors légèrement modifiées par rapport au cas précédent. Si on relie les deux faces les plus
éloignées des semiconducteurs par un fil conducteur avec de l'oxyde de silicium comme isolant entre les deux
autres faces, on se retrouve dans la configuration suivante pour un semiconducteur dopé N:

Pour un semiconducteur dopé P, on a de la même façon les configurations suivantes:

III.3.2.2. Jonction polarisée.

● En présence de polarisation, contrairement à la jonction métal-semiconducteur, la zone isolante ne permet
pas de comportement ohmique. Excepté au voisinage de l'interface isolant-semiconducteur, le niveau des bandes
va rester constant dans le semiconducteur.
● Si on applique une différence de potentiel VG au barreau métallique appelé grille, par rapport au
semiconducteur, la polarisation va alors contribuer à atténuer ou amplifier les effets vus précédemment en
l'absence de polarisation. En jouant sur la valeur de V G, on pourra passer d'un régime d'accumulation à un
régime d'inversion, ou inversement.
Le régime de bande plates est atteint quand VG= Φm – Φs..
● Pour une tension de grille VG positive:
On va décaler le niveau de Fermi du métal vers le bas par rapport à celui du semiconducteur.
Pour le semiconducteur de type N, si Φm < Φs, on va augmenter l'effet d'accumulation. Si Φm > Φs, on va
diminuer le niveau d'inversion ou de déplétion puis passer en accumulation.
Pour le semiconducteur de type P, si Φm < Φs, on va augmenter le niveau d'inversion . Si Φm > Φs, on va
diminuer l'effet d'accumulation puis passer en déplétion puis en inversion pour le semiconducteur de type P.
● Pour une tension de grille VG négative:
On va décaler le niveau de Fermi du semiconducteur vers le bas par rapport à celui du métal .
Pour le semiconducteur de type N, si Φm < Φs, on va diminuer l'effet d'accumulation puis passer en déplétion
puis en inversion. Si Φm > Φs, on va augmenter le niveau d'inversion .
Pour le semiconducteur de type P, si Φm < Φs, on va diminuer le niveau d'inversion pour passer en déplétion
puis en inversion. Si Φm > Φs, on va augmenter l'effet d'accumulation pour le semiconducteur de type P.

20
 III.3.2.3. Bilan.
Pour une même structure, en passant d'un régime d'inversion à un régime d'accumulation, ou inversement, on
peut créer, dans le semiconducteur, au voisinage de la couche d'oxyde un gaz d'électrons ou de trous assez dense.
Ainsi, en agissant sur la tension de grille, on pourra contrôler la densité de porteurs dans le semiconducteur au
voisinage de l'isolant et envisager de contrôler le courant qui circule parallèlement à l'isolant, à son voisinage
dans le semiconducteur... C'est ce qui sera fait dans les transistors MOS.

21
IV. Exemples de composants optoélectroniques : photodiodes, diodes électroluminescentes et diodes laser.

IV.1. Interaction rayonnement-semiconducteur.

Nous allons commencer par expliquer ce qui se passe quand un rayonnement incident traverse un
semiconducteur (photodiode), ou ce qui se passe quand un semiconducteur émet un rayonnement (diode
électroluminescente, diode laser).

IV.1.1. Relations entre énergie, quantité de mouvement, vecteur d'onde.

IV.1.1.1. Cas du photon.

L'énergie du rayonnement est concentrée dans certaines régions de l'espace. On peut donc associer une
particule à l'onde. C'est le photon.
L'énergie E du photon, si ν est la fréquence du rayonnement, est donnée par
E=h. 
Cette relation peut être exprimée autrement, en faisant apparaître le vecteur d'onde k et le permittivité relative
du milieu dans lequel se propage le photon.
c c
E=ℏ . . k=ℏ . .k
n  r
C'est ce qu'on appelle la relation de dispersion du photon.
AN: dans le vide (n=1), on a
1,24
E eV =
 µm

IV.1.1.2. Cas de l'électron.

Dans le vide
On peut associer à une particule d'énergie E, de masse m et de quantité de mouvement p, une onde de
fréquence ν=E/h et de longueur d'onde λ=h/p. Vectoriellement, si k est le vecteur d'onde, on a
p=ℏ . k
Energétiquement, on a également
2 2
ℏ .k
E=
2.m
Dans le semiconducteur
En raison de la périodicité du réseau cristallin, les fonctions d'onde des électrons ne sont plus des ondes
planes mais des ondes de Bloch, périodiques dans l'espace. L'énergie ne varie plus de façon continue, mais
présente une structure de bandes permises séparées par des bandes interdites. Les courbes de dispersion sont
alors de formes plus complexes. On distinguera notamment les semiconducteurs à gap direct des
semiconducteurs à gap indirect. Si a est la taille de la maille élémentaire, les courbes de dispersion sont alors
d'allure suivante:

IV.1.2. Interaction électron-photon – transitions radiatives.

IV.1.2.1. Les différents types de transitions radiatives.

● Un photon peut induire un saut énergétique d'un électron de la bande de valence à la bande de conduction.
C'est l'absorption fondamentale. C'est le phénomène exploité dans les capteurs de rayonnement.

22
 ● Un électron de la bande de conduction peut retomber spontanément dans la bande de valence en émettant
un photon. C'est l'émission spontanée. C'est le phénomène exploité dans les diodes électroluminescentes (LED).
● Un électron de la bande de conduction peut retomber dans la bande de valence sous l'action d'un photon.
C'est l'émission stimulée. C'est le phénomène exploité dans les diodes laser (LD).

IV.1.2.2. Loi régissant les transitions radiatives.

On supposera que les lois utilisées sont celles qui régissent les chocs élastiques, à savoir:
- la conservation de la quantité de mouvement et donc du vecteur d'onde.
- la conservation de l'énergie.
Si l'indice p correspond au photon, l'indice i à l'état initial de l'électron et l'indice f à son état final, alors :
Dans le cas d'une absorption, on a
E f = E i  E p et kf = ki kp
Dans le cas d'une émission, on a
E i = E f  E p et ki= kf kp

IV.1.2.4. Application numérique et conséquences.

Le gap des semiconducteurs est de l'ordre de 1eV. La longueur d'onde des photons lors de transitions
radiatives dans un semiconducteur est donc de l'ordre du µm. Le vecteur d'onde de ces photons vaut donc autour
de 10 µm-1.
Pour les électrons, le vecteur d'onde évolue entre 0 (centre de la zone de Brilloin) et π/a si a est la taille de la
maille élémentaire. La maille élémentaire ayant une longueur voisine de 10-10m soit 10-4 µm, le vecteur d'onde
est susceptible d'évoluer entre 0 et 104 µm-1
Conclusion: Excepté au voisinage du centre de la zone de Brillouin, le vecteur d'onde du photon est
négligeable devant celui de l'électron. Dans ce cas, la transition se fait avec conservation du vecteur d'onde de
l'électron. La transition est alors dite radiative et elle est verticale sur le graphe E(k).
C'est le cas dans les semiconducteurs à gap direct, mais pas dans les semiconducteurs à gap indirect. Dans ce
cas, la transition radiative est possible, mais elle est suivie d'une phase de thermalisation vers le minimum de la
bande de conduction pour les électrons qui ont fait le saut. Les transitions radiatives seront alors beaucoup moins
importantes que dans un semiconcteur à gap direct.

Remarque: même dans les semiconducteurs à gap indirect, on peut quand même avoir d'importantes
transitions radiatives grâces aux impuretés.

IV.2. Exemple de photorécepteur : la photodiode.

La photodiode est un capteur qui va convertir une puissance lumineuse incidente (flux de photons), en un
courant électrique.

IV.2.1. Evolution du flux de photons qui rentrent dans un semiconducteur.

On considère un rayonnement incident de photons d'énergie E. Le flux de photons incident Φo(E) (nombre de
photons d'énergie E qui frappent l'unité de surface de semiconducteur par unité de temps) va en partie se
réfléchir (Φr(E)) et le reste sera transmis au semiconducteur (Φt(E) ).
.

23
 On appellera R(E) le coefficient de réflexion des photons d'énergie E. Le flux transmis peut donc s'exprimer
de la façon suivante:
t  E =1− R E. o  E 
Ce flux transmis va créer un excès de porteurs de charges en rentrant dans le matériau. En cours de
propagation dans le matériau, des photons seront absorbés et le flux va donc décroitre. Soit α(E) le coefficient
d'absorption, qui quantifie la variation relative de flux par unité de longueur. On peut écrire qu'entre x et x+dx,
on a
d t  E , x=t  E , xdx− t E , x=− E . t  E , x . dx
Soit, si le flux rentre dans le matériau en x=0
− E . x − E . x
t  E , x=t  E ,0. e =1−R  E o E . e
● Si l'énergie des photons est inférieure au gap du semiconducteur, aucun photon n'est absorbé, et le
semiconducteur est transparent au rayonnement. Alors α est nul.
● Si les photons sont d'énergie E suffisante pour permettre aux électrons de passer le gap, alors α ≠ 0 et le
flux va décroitre exponentiellement lors de la pénétration dans le matériau. On peut alors définir un taux de
génération de paires électrons-trous égal au taux de disparition des photons. Soit g(E,x) ce taux.
On a alors
−d  E , x − E . x
g  E , x= =1− R E  o  E . E . e
dx
Remarque : si le rayonnement n'est pas monochromatique, on aura
g  x= ∫ g  E , x. dE
EE g
Ordres de grandeur :
● Coefficient de réflexion: Le coefficient de réflexion peut être considéré comme pratiquement constant
quand l'énergie E est voisine du gap. Il vaut entre 0,3 et 0,7 pour les rayonnements voisins du visible. Le
coefficient dépend fortement de l'angle d'incidence.
● Coefficient d'absorption: On peut le considérer comme pratiquement constant et voisin de 104cm-1 si E
supérieur à Eg (il est nul sinon), L'effet du flux sur la création de porteurs se fait sentir sur quelques µm.

IV.2.2. Distribution des porteurs dans un semiconducteur photoexcité.

● Equation de continuité:
Nous allons chercher à étudier la variation du nombre de porteurs dans un semiconducteur parcouru par un
courant de densité J et dans lequel il existe des phénomènes de génération (par exemple sous l'action de photons)
et de recombinaison. Nous allons raisonner sur une dimension.
Pendant δt, la variation du nombre de porteurs de densité a et de charge q (-e pour les électrons et e pour les
trous) dans le volume S.dx ci-dessus est donnée par
 a.S.dx.q
=− 
J  x. S  J  xdx . S  g a  S.dx.q−r a S.dx.q 
t
Du coup, en trois dimensions, pour des électrons de densité n et des trous de densité p, on peut écrire que
∂n 1 ∂ p −1
= . div Jn  g n−r n et = .div  Jp  g p −r p
∂t e ∂t e
● Recombinaisons:
Pour un semiconducteur dopé P en faible injection, si no est la densité d'électrons à l'équilibre, τn la durée de
vie des électrons, porteurs minoritaires on a
n−no
r n=
n
Pour un semiconducteur dopé N en faible injection, si po est la densité de trous à l'équilibre, et τp la durée de
vie des trous, porteurs minoritaires, on a
p− p o
r p=
p
● Densité de courant :
Le courant de densité J découle de l'action du champ électrique vu localement et des phénomènes de
diffusion. Globalement, on peut écrire
Jn= n.µ n . e. E
 e.Dn . grad
 n  pour les électrons
Jp = p.µ p . e. E
 −e.D p . grad
  p pour les trous
remarque sur les signes : si j'applique un champ électrique, les électrons vont dans le sens opposé au champ
alors que les trous vont dans le même sens. Cependant, le signe des charges étant opposé, les densités de courant
qui résultent de l'action de ce champ sont donc identiques pour des électrons ou des trous. En revanche, dans le
cas de la diffusion, les porteurs vont des zones denses vers les zones moins denses quelle que soit la charge, mais
les charges étant opposées, les densités de courant sont de sens opposé.

24
 ● Bilan :
En regroupant les différentes expressions, on arrive à
∂n  D n . div  grad
=µ n .div n. E   n g − n −n o
n
∂t n
∂p
=−µ p . div  p.    p g − p − p o
E  D p . div  grad p
∂t p
En travaillant en une seule dimension, on arrive à
2
∂n ∂E ∂n ∂ n n−n o
=n.µ n . µ n . E.  D n . 2 g n−
∂t ∂x ∂x ∂x n
2
∂p ∂E ∂n ∂ p p− po
=− p.µ p . − µ n . E.  D p. 2  g p−
∂t ∂x ∂x ∂x p
Si on tiens compte d'une génération par un flux de photon qui traverse le semiconducteur, si on suppose le
coefficient d'absorption α constant pour le rayonnement considéré, les expressions précédentes peuvent alors
s'écrire de la façon suivante:
2
∂n ∂E ∂n ∂ n − . x n− no
=n.µ n . µ n . E. D n . 2  t . . e −
∂t ∂x ∂x ∂x n
2
∂p ∂E ∂n ∂ p − . x p− po
=− p.µ p . − µ n . E. Dp. 2  t . . e −
∂t ∂x ∂x ∂x p
● Application au cas de la photodiode:
Si on travaille en régime stationnaire, et en l'absence de champ électrique extérieur appliqué, si ∆n=n-no,
l'évolution de l'écart à l'équilibre de la densité d'électrons dans une zone dopée P, sous l'action d'un flux de
photons est régie par :
2
∂ n  n
Dn . −  t . . e− . x =0
∂ x2 n
Les solutions de cette équation sont de la forme
−x/ L x /L  . . 
 n  x=A.e n
 B.e  t 2 n2 . e− . x
n

1− . L n
où A et B sont des constantes qui dépendent des caractéristiques du système et où L n=  D n . n est la
longueur de diffusion des porteurs.
Pour un échantillon épais, c'est à dire quand la longueur de diffusion est négligeable devant l'épaisseur de
semiconducteur, l'évolution de ∆n conduit à 0 quand x tend vers l'infini, et ainsi B=0. Pour un échantillon mince,
c'est à dire quand la longueur de diffusion est grande devant l'épaisseur de semiconducteur, ∆n sera de valeur
non nulle à l'extrémité droite du matériau.

Dans les deux cas, la pente en x=0 dépend de la vitesse de recombinaison sur la surface qui reçoit le
rayonnement. Dans le cas d'un échantillon mince, si les vitesses de recombinaison sont négligeables sur chaque
face du semiconducteur, A et B sont nulles et ∆n pourra être supposée constante égale à Φt.α.τn.

IV.2.3. Principe de fonctionnement d'une photodiode.

IV.2.3.1. Rappel sur la diode à jonction PN.

Dans une diode à jonction nous avons vu qu’en l’absence de polarisation extérieure, le courant dans la
jonction était nul et que deux phénomènes antagonistes se compensaient : un courant de porteurs majoritaires
(porteurs obtenus par ionisation des éléments dopants), un courant de porteurs minoritaires (porteurs qui
résultent de l’agitation thermique et qui sont mis en mouvement par le champ électrique lié à la zone de charges
d’espace).

25
 Si on polarise la jonction, on modifie la barrière de potentiel ce qui influe sur le courant de porteurs
majoritaires et sur la taille de la zone de charges d’espace. Si la tension appliquée est une tension inverse assez
importante, la largeur de la zone de charges d'espace augmente et le courant de porteurs majoritaires devient
négligeable et il ne subsiste que le courant de porteurs minoritaires Is.

IV.2.3.2. Structure d'une photodiode.

Nous allons maintenant considérer la structure suivante:

La zone (a) d'épaisseur xp est une zone assez fine de semiconducteur dopé P. La zone (b) d'épaisseur xn-xp est
la zone de charges d'espace et la zone (c) de largeur xc-xn est une zone de semiconducteur dopé N. Le flux
incident va décroître dans le semiconducteur quand x augmente en raison de la génération de porteurs résultant
de l'interaction du matériau avec le rayonnement.
Les porteurs qui nous intéressent dans les zones dopées sont les porteurs minoritaires car les porteurs
majoritaires seront bloqués par la barrière de potentiel dans la jonction qui doit être polarisée en inverse. Ces
porteurs minoritaires créés en zone (a) sont des électrons et en zone (c) des trous. La diffusion va les conduire
dans la zone de charge d'espace qu'ils traversent, accélérés par le champ électrique. On parle dans ce cas de
photocourant de diffusion.
Dans la zone de charge d'espace, les paires électrons-trous créées par l'interaction avec le rayonnement sont
dissociées par le champ électrique, les électrons allant vers la zone n et les trous vers la zone p. Le photocourant
correspondant est appelé photocourant de génération.
Les courant de diffusion et de génération dont nous venons de parler contribuent à modifier le courant
inverse de la diode, par rapport à ce qu'il serait en l'absence de rayonnement. Si I est le courant direct et V la
tension de polarisation de la photodiode, le courant dans la photodiode peut donc s'écrire
e.V

I = I S e k.T −1− I photo

Pour une photodiode polarisée en inverse, l'expression se simplifie et on a
I =− I S − I photo
Dès que le flux lumineux est assez intense, Iphoto >> Is et on a
I ≃−I photo

IV.2.3.3. Calcul du photocourant et interprétation.

Pour calculer la densité de photocourant, nous allons regarder la somme des différentes densités de courants
de porteurs que nous venons d'évoquer en une abscisse particulière. En effet, cette densité doit avoir la même
valeur quel que soit x. Nous choisirons x = xn.
On a alors
J photo = J elec zone P  xn J géné  x n  J trous zone N  x n 
diff diff

Les trois termes de cette relation sont, dans l'ordre

- Ja = la densité de courant de diffusion des électrons de la zone dopée P en xn;
- Jb = la densité de courant de trous et d'électron générés en zone de charge d'espace en xn
- Jc = la densité de courant de diffusion des trous de la zone dopée N en xn .

● Calcul de Jb :
Dans la zone de charges d'espace, des paires électron-trou sont générées par l'interaction avec les photons et
dissociées par le champ électrique. Les électrons sont envoyés vers la zone P et les trous vers la zone N.

26
 En un point x quelconque de la zone de charge d'espace, on a donc une densité de courant qui est la somme
de la densité de courant d'électrons générés entre xp et x avec la densité de courant de trous générés entre x et xn.
Elle s'écrit donc
J géné  x= J n [x ; x] J p [x ; x ] p géné n géné

En particulier, en xn, seule la densité de courant d'électrons doit être prise en compte.
Dans la zone de charge d'espace, l'équation de continuité donne
∂n 1
 = . divJ n g n− r n
∂t e géné

En régime stationnaire et en l'absence de recombinaisons, et en une dimension, pour les électrons, on a

1 ∂J n
. g n=0 géné

e ∂x
On en déduit
xn xn
=−e.∫x g n . dx =−e. ∫x  t .  .e
− . x
J géné  x n=J n[ x p ; x n ] géné . dx
p p

Soit
− . x n − . x p − . x p −.  x n−x p 
J géné  x n=e. t .[e −e ]=e. t . e .e −1 
Par la suite, on notera L=xn-xp la largeur de la zone de charge d'espace.

● Calcul de Jc :
Dans la zone (c), la densité de courant résultant de la diffusion des trous s'écrit
dp
J trous zone N  x=−e.D p .
diff
dx
Nous avons déterminé, dans un paragraphe précédent, la fluctuation par rapport à l'équilibre, de la densité de
porteurs de charges dans un semiconducteur dopé traversé par un rayonnement.
Pour les trous, on a
−x / L x/ L  t . .  p − . x
 p x = A.e B.e  p
.e p

1−2 . L2p
En xn les trous sont propulsés par le champ électrique de la zone de charge d'espace vers la zone P. La durée
de vie des trous en ce point est nulle. Il en est de même en x c à cause du contact ohmique. Par ailleurs, on va
supposer que la zone N est beaucoup plus large que la longueur de diffusion des trous et que en x c, le flux de
photon a été complètement absorbé. Du coup, on peut écrire que x c est pratiquement infini et que ∆p (∞) = 0 ce
qui impose B=0.
Finalement, on a donc
−x / L  t . .  p − . x
 p x n = A.e  n p
.e =0 n

1− 2 . L 2p
soit
− t .  . p x / L − . x
A= .e n p n

1− 2 . L 2p
Il en résulte que
 t . .  p − . x − . x−x  −x−x / L
 p x = .e . e −e n
 n n p

1−2 . L 2p
On en déduit alors
t . .  p − . x −.  x−x  1 − x−x / L
J trous zone N  x=−e.D p . .e .− .e  .e n
 n n p

diff
1− 2 . L 2p Lp
En particulier, pour x =xn, on a
 t . .  p − . x 1  t . . L p − . x
J trous zone N  x n =−e.D p . 2 2 .e .  −=−e. .e
n n

diff
1− . L p Lp 1. L p

27
 ● Calcul de Ja:
L'augmentation du nombre d'électrons de conduction en zone P conduit également à un processus de
diffusion. Les électrons associés à ce courant qui arrivent en xp sont accéléré par le champ électrique de la zone
de charge d'espace et nous supposerons qu'il n'y a pas de recombinaisons dans cette zone, ainsi, on suppose que
tous ces électrons arrivent en xn. Nous allons donc calculer le courant de diffusion d'électrons de la zone P en
x=xp et dire qu'il reste identique en x = x n. Nous avons vu précédemment que l'écart de la densité de porteurs
minoritaires en zone P par rapport à l'équilibre pouvait s'écrire
−x /L x /L  t . . n − . x
 n  x=A.e n
 B.e  n
.e
1−2 . L 2n
En xp, la durée de vie des porteurs est nulle et ∆n(xn)=0. Par ailleurs, ∆n(0) dépend de la vitesse de
recombinaison. Connaissant cette dernière, on peut déterminer les deux constantes A et B.
On en déduit alors le courant de diffusion qui en découle
dn
J elec zone P  x=e.D n .
diff
dx
En particulier en xp
2
−A −x / L B x / L t . . n − . x
J elec zone P  x p=e.Dn . .e
p n
 .e p
− n p
.e ≃J elec zone P  x n
diff
Ln Ln 1− 2 . L 2 diff

● Bilan :
En pratique, pour avoir assez de photons dans la zone de charge d'espace, la zone P est très fine devant 1/α.
On peut alors supposer que xp=0 et donc que xn est voisin de L, largeur de la zone de charges d'espace. Par
ailleurs, on supposera que le courant de diffusion des électrons est négligeable dans cette zone. On peut alors
écrire que
− . x − . L t .  . L p − . x − . L  t . . L p − . L
J photo ≃e.  t . e
p
. e −1− e. .e n
≃e. t . e −1−e. .e
1. L p 1. L p
ou encore
1 − . L
J photo ≃−e. t . 1− .e 
1. L p
Pour obtenir un système qui délivre un courant le plus important possible, on aura intérêt à ce que α.L>>1 et
alors, on aura
J photo ≃−e. t
Le courant correspondant ne dépend donc que du flux qui pénètre dans le semiconducteur. Cette relation
traduit le fait que le flux d'électron (Jphoto/e) dans la photodiode est égal au flux de photon qui est transmis dans le
capteur. Il correspond au rendement maximum de ce dernier.

IV.2.3.4. Temps de réponse.

Le temps de réponse du système dépend de la vitesse de diffusion des porteurs minoritaires dans les zone N
et P, ainsi que du temps de transit des porteurs dans la zone de charge d'espace.
La diffusion est un processus lent qui se traduit par des constantes de temps de 10-8 à 10-9 s.
Le transit des porteurs en zone de charge d'espace est plus rapide pour une diode polarisée en inverse avec
des constantes de temps de 10-10 à 10-11 s.
Pour que la photodiode soit rapide, on a intérêt à ce que le courant résulte essentiellement des créations de
porteurs en zone de charge d'espace.

IV.2.4. Exemple de structure de photodiode: photodiode PIN.

Pour que la structure fonctionne, il faut que le rayonnement atteigne la zone de charges d’espace sans être
trop fortement absorbé. Considérons la géométrie suivante :

28
 La zone P et la zone N sont des zones dopées classiques. En revanche, on a inséré une couche épaisse de
matériau intrinsèque (couche I). Pour faire en sorte d’étendre la zone de charge d’espace à toute la zone I, on
aura intérêt à polariser la photodiode en inverse (en pratique, quelques volts suffisent).
● Matériaux utilisés.
Dans le visible et parfois pour l’infrarouge, on utilise surtout le Si et le Ge. Dans l’infrarouge, on trouve
également le GaAs, InAs, etc…

IV.2.5. Caractéristiques d'une photodiode.

IV.2.5.1. Modes de fonctionnement (régime statique).

Suivant le circuit externe que l’on associe à la photodiode, celle-ci peut être utilisée de deux façons
différentes.
• Mode photoconducteur.
On va polariser la jonction en inverse en utilisant le circuit électrique suivant :

Dans cette configuration, le courant inverse Ir est de la forme suivante (courants de porteurs minoritaires avec
un + et courant de porteurs majoritaires avec un – si on travaille avec les configurations du schéma précédent):
 
e.V

I r =− I s . e k.T −1  I photo
Si Vp est assez négative et si le flux lumineux est suffisamment énergétique, on peut alors simplifier cette
expression et écrire que
I r ≃ I photo
sachant que Iphoto est proportionnel à φ pour une longueur d’onde donnée.
Electriquement, on peut écrire que
E V
I r=
R
En terme de droite de charge, on peut représenter les effets de l’éclairement et de la polarisation sur la courbe
suivante :

On constate qu’augmenter le flux lumineux pour une polarisation inverse donnée revient à augmenter le
courant inverse presque linéairement. La droite de charge devient par ailleurs de plus en plus verticale lorsque
l’on diminue Rc ce qui va dans le sens d’une linéarité plus satisfaisante de la réponse à φ. En revanche, pourvu
que la polarisation soit suffisamment forte en inverse (étendre la zone de charges d’espace à toute la zone I), il
n’est pas intéressant d’augmenter E davantage (translation de la droite de charge vers la gauche).
• Mode photovoltaïque.
Dans ce cas, aucune source de polarisation n’est associée à la photodiode qui va jouer le rôle d’un générateur
de tension. Dans ce cas, on se retrouve dans la configuration électrique suivante :

29
 On peut comprendre l’incidence des différents paramètres (flux lumineux φ et résistance Rc) sur la figure
suivante :

Pour une forte valeur de résistance, on récupère le comportement de la source de tension à vide (la tension
directe augmente avec le flux lumineux).
Pour des résistances faibles, on récupère la réponse en court circuit du composant. La courbe donnant Icc en
fonction du flux est pratiquement linéaire.
Plus quantitativement, on peut essayer de caractériser la source de tension en circuit ouvert. Cette fois, on a
 
e.V

I r =0=− I s . e k.T −1 I photo

alors, la tension V aux bornes de la diode s’écrit
k.T I photo
V= . ln 1 
e Is
k.T I photo
Pour de faibles éclairements, Iphoto << Is soit V ≃ . ce qui signifie que V croît pratiquement
e Is
linéairement avec φ.
k.T I photo
Pour des éclairements importants, quand Iphoto >> Is on a V = . ln   et V croît comme lnφ.
e Is
IV.2.5.2. Sensibilité.
La sensibilité d’une photodiode est définie comme
∂I
S = photo
∂ P opt
Dans le cas d’une BPX65, on a une courbe d’allure suivante (d’après documentation Siemens):

30
 Elle dépend de l’incidence de la longueur d’onde sur le rendement quantique η, le coefficient de
recombinaison R et le coefficient d’absorption α. Elle présente un maximum pour une longueur d’onde λo. Elle
devient forcément nulle pour les longueurs d’onde supérieures à λs, longueur d’onde seuil. Globalement, on
représente souvent la courbe S(λ)/S(λo) comme sur la figure précédente.

IV.2.5.3. Réponse dynamique.

L’apparition d’un courant photoélectrique se fait avec retard par rapport à l’application du flux lumineux.
• Modélisation électrique de la photodiode.
Compte tenu de sa structure, on peut envisager de modéliser la photodiode par le schéma suivant :
S est la sensibilité spectrale à la longueur d'onde considérée et Popt la puissance optique incidente.

rj représente la résistance de fuite de la jonction (en mode photoconducteur, elle prend de très fortes valeurs
de l’ordre de 1010Ω.)
rr est une résistance due à la connectique (électrodes déposées sur le semiconducteur) et aux zones du
semiconducteur à comportement ohmique.
Cj représente la capacité qui apparaît lorsque l’on a une jonction semi-conductrice. Elle va, bien entendu,
dépendre de la polarisation, qui influe fortement sur la largeur de la zone de charges d’espace. Lorsque la
polarisation inverse est de plus en plus forte, la zone de charge d’espace s’élargit et la capacité diminue. Sur
l’exemple suivant, on donne les caractéristiques de la photodiode BPX65. On notera que la valeur de la capacité
est de l’ordre de 10 pF environ.

C’est elle qui est à l’origine du retard entre l’application du flux lumineux et l’apparition d’un photo-courant.
Plus la surface sensible de la photodiode sera importante, plus la capacité sera forte et donc moins la
photodiode sera capable de transcrire des fluctuations rapides.
• Conséquences en terme de temps de réponse.
Le temps de réponse de la photodiode va dépendre des caractéristiques de cette dernière (notamment la
valeur de Cj), mais également du câblage, ainsi qu’aux éléments de traitement et de visualisation du signal
électrique. Pour simplifier, si on suppose que l’ensemble de la chaîne qui restitue l’information est représentée
par une résistance Rc et une capacité Cc en parallèle (penser à un câble coaxial branché sur la photodiode…), on
est ramené au schéma suivant :

En tenant compte des ordres de grandeur, on peut négliger rs (dont l'impédance est très inférieure à Rc//Cc).
On peut également négliger rj (qui est beaucoup plus grand que R c). Le schéma est alors simplifié de la façon
suivante :

31
 Le temps de réponse, calculé dans ces conditions vaut donc
c = Rc .  C j C c 
En terme de fréquence de coupure à –3dB, on a donc
1
f c=
2.. Rc . C j C c 
Pour la diode BPX65, le constructeur donne la fréquence de coupure à –3dB en fonction de la tension
inverse. La fréquence de coupure augmente avec la tension inverse, ce qui signifie que la photodiode est de plus
en plus rapide. On a donc intérêt à augmenter la tension de polarisation inverse lorsque l’on cherche à améliorer
la rapidité. On devra également chercher à minimiser la capacité ramenée par l’ensemble de l’électronique
placée au-delà du capteur.

On notera que les conditions dans lesquelles ce temps de réponse est mesuré ne sont pas souvent précisées
dans les notices constructeur. les tendances d’évolution restent valables, mais on peut avoir quelques surprises si
on prend les valeurs de temps de réponse pour argent comptant...

IV.2.5.4. Détectivité.
Les sources de bruit qui vont perturber le photocourant utile sont diverses. On notera particulièrement
- le bruit de Schottky dont la valeur efficace au carré est de la forme
2
I bS =2.e.  I s  I photo . B
sachant que q est la charge élémentaire, Is le courant d’obscurité et Iphoto le photocourant dû au flux
lumineux moyen. B est la bande passante du circuit de mesure.
- le bruit de Johnson dont la valeur efficace au carré est de la forme
4.k.T.B
I 2bJ =
rd
où k est la constante de Boltzmann, T la température absolue et rd la résistance dynamique de la
jonction.
- On peut également citer le bruit de génération recombinaison ou le bruit en 1/f (qui devient négligeable
dès les fréquences usuelles de modulation.
De l’ensemble de ces sources de bruit va résulter un bruit moyen. On constate qu’il augmente avec la
température (à cause notamment du bruit de Johnson).

IV.2.5.5.. Incidence de la température.

Comme dans tous les dispositifs à semi-conducteurs, les propriétés de la photodiode vont dépendre
notablement de la température.

32
 On constate notamment que le courant d’obscurité augmente fortement avec la température. Ainsi alors que
Io prend une valeur voisine du nA à température ambiante, cette valeur peut être 1000 fois plus importante à
100°C.
La température va également avoir une incidence sur la sensibilité. En effet, une élévation de température
tend à décaler le maximum de sensibilité vers les grandes longueurs d’onde. Comme ordre de grandeur, on peut
retenir que quand la température passe de 20°C à 100°C, la longueur d’onde du maximum de sensibilité
augmente de quelques %.

IV.2.6. Mise en œuvre de la photodiode.

La détection d’un signal optique conduit à l’apparition d’un photocourant. Cependant, les appareils de
mesure que l’on utilise sont en général sensibles à la tension. C’est pourquoi on doit réaliser une conversion
courant-tension, ce qui peut être réalisé simplement grâce à quelques montages simples à base d’amplificateurs
opérationnels.
Quand on cherchera à obtenir un détecteur rapide, on aura intérêt à travailler en mode photorécepteur afin
que la tension appliquée aux bornes du composant soit la plus négative possible, ce qui entraîne une capacité de
jonction plus faible et donc des temps de réponse plus courts.
En mode photoconducteur, on peut réaliser la structure suivante dans laquelle, on fait en sorte de polariser la
photodiode en inverse.

C'est avec cette structure que la photodiode répondra le plus vite, mais l'amplificateur n'étant pas idéal, la
bande passante de l'ensemble dépendra notablement de ce dernier.
Rq : en pratique, on doit placer une capacité en parallèle sur la résistance ce qui permet notamment de
réaliser un filtrage de type passe bas du premier ordre (constante de temps RC) ce qui permet de limiter les
oscillations parasites que peut introduire la rétroaction de l'amplificateur, observées en l'absence de capacité C.
La fonction de transfert est alors de type
Us R
 p=
I 1 R.C.p

IV.2.7. Autres famille de photodiodes.

Les photodiodes de type PIN sont très utilisées, mais elles ne répondent pas à tous les problèmes posés par
l'optoélectronique, que ce soit en terme de sensibilité, de plage spectrale de réponse ou de bande passante. On
peut citer notamment les photodiodes Shottky construites autour d'une jonction métal-semiconducteur
fonctionnant en diode Shottky, les photodiodes à avanlanche.

IV.2.7.1. Photodiodes Shottky.

Cette photodiode est constituée d'un substrat de semiconducteur de type N sur lequel on dépose une fine
couche de métal (souvent de l'or). Le photocourant résulte des paires électron-trou crées dans la zone de charge
d'espace dans le semiconducteur dissociées par le champ électrique. L'intérêt de cette structure, c'est qu'une
couche métallique suffisamment fine sera transparente dans le proche ultra violet ce qui permet d'avoir une
réponse pour des gammes de longueur d'onde plus faibles que les PIN. La sensibilité reste néanmoins assez
faible.

33
 IV.2.7.2. Photodiode à avalanche.
Si on polarise une photodiode au voisinage de la zone de claquage, on peut exploiter l'effet d'avalanche pour
augmenter fortement le photocourant. L'augmentation peut être d'un facteur proche de 100. La difficulté sera de
bien contrôler la polarisation du composant dont la réponse sera très sensible à la valeur de tension de
polarisation et à la température.

IV.3. Dispositifs à semiconducteur émettant un rayonnement.

Nous allons nous intéresser à deux familles d'émetteurs, les diodes électroluminescentes et les diodes lasers,
Les premières sont les plus utilisées en terme de nombre de composants (éclairage notamment) alors que les
secondes, qui permettant une fréquence de modulation plus élevée sont davantage destinées aux
télécommunications optiques.

IV.3.1. Diode électroluminescente (LED).

IV.3.1.1. Structure et principe de fonctionnement.

On réalise une jonction PN que l'on polarise en direct, Dans les zones neutres P et N, les porteurs minoritaires
se retrouvent en excès par rapport à l'équilibre et ils se recombinent. Si les recombinaisons sont radiatives, on
obtient un émetteur optique, pourvu que la structure permette à ce rayonnement de sortir.
On se basera sur la structure suivante:

On négligera le rôle de la zone de charge d'espace car sa taille est très limitée vu que la jonction est polarisée
en direct. L'émission de rayonnement résultera des zones neutres, N et P, là où la longueur de diffusion permet
un écart de la densité de porteurs minoritaires par rapport à l'équilibre.
Nous allons adopter une approche à une dimension du problème, sur la structure suivante

Dans les zones neutres, les distributions de porteurs sont régies par l'équation de continuité, qui s'écrit, en
l'absence de générations, mais en présence de recombinaisons, de la façon suivante
∂  n 1 ∂ J n n
 = . − pour les électrons porteurs minoritaires en zone P
∂t e ∂x n
∂  p −1 ∂ J p  p
 = . − pour les trous porteurs minoritaires en zone N
∂t e ∂x p
avec ∆n=n-npo et ∆p=p-pno (npo et pno respectivement les densités d'électrons et de trous en zone P et N à
l'équilibre, en l'absence de polarisation) et avec τn et τp respectivement les durées de vie des électrons et des trous
dans les zones considérées.
Les densités de courant de diffusion s'écrivent
∂n
J n=e.D n . pour les électrons en zone P
∂x
∂ p
J p=−e.D p . pour les trous en zone N
∂x
Il en résulte que l'écart à l'équilibre en l'absence de polarisation de les densités de porteurs s'écrivent
−x/ L x /L
 n  x= A.e n
 B.e
n
et  p  x= A, . e−x /L  B , . e x / L
p p

34
 Avec L n= D n . n et L p= D p .  p longueur de diffusion respectivement des électrons en zone P et
des trous en zone N.
Pour déterminer les constantes, on utilise le fait que, pour une jonction polarisée sous la tension V
e.V e.V

n  x p =n po .e k.T et p  x = p . e k.T

n no
ce qui se démontre en disant que dans la zone de charges d'espace, le courant, somme du courant de diffusion
et du courant de conduction est négligeable devant ces deux courants. Par ailleurs, ∆p (xc)=0 et ∆n (0)=0 car la
durée de vie des porteurs en excès en ces points est très faible ce qui signifie que la densité de porteurs reste
égale à ce qu'elle vaut en l'absence de polarisation à l'équilibre. Du coup, on a
e.V
n po
 n  x= .e k.T −1 . sh x /L n  en zone P
sh x p / Ln 
e.V
p no
 p x = . e k.T −1. sh− x− xc /L P  en zone N
sh x c − x n/ L p 
On va considérer que les zone N et P sont de dimensions très grandes devant les longueurs de diffusion L n et
Lp. Les expressions précédentes vont alors se simplifier ce qui donne au voisinage de xp et de xn
e.V
 n  x=n po .e k.T −1 . e
x− x p / L n en zone P
e.V
k.T
 p x = p no . e −1. e
− x−x / L
n P en zone N
Les densités de courant de diffusion en zone P et N sont respectivement
∂ n ∂ p
J n  x=e.D n . et J p  x=−e.D p .
∂x ∂x
On en déduit que
e.D n . n po e.V e.D P . p no e.V
J n  x p = . e k.T −1 et J p  x n = .e k.T −1
Ln Lp
Sachant que npo=ni2/Na et pno=ni2/Nd, que Dp/µ p = Dn/µ n, et que en faible injection τn.Na≈ τp.Nd on a

=

J n  x p D n . N d . L p
J P  x n  D p . N a . Ln
=

Dn .  p N d
.
D p . n N a
=
µ n . p N d
.
µ p .n N a
≃
 
µ n. N d
µp. Na
La mobilité des électrons est plus importante que celle des trous. Ainsi, pour des dopages du même ordre de
=
n
p

grandeur, on injecte plus d'électrons du côté P que de trous du côté N. La zone P est donc davantage radiative.
C'est d'elle que partira le rayonnement du composant.

IV.3.1.2. Caractéristiques principales.

Nous allons maintenant nous intéresser aux propriétés les plus importantes des diodes électroluminescentes et
voir ce qui permet de les faire évoluer ou ce qui marque une limite pour ce type de composant.

●Spectre d'émission:
Le spectre d'émission dépend avant tout du gap du semiconducteur utilisé dans la zone de type P qui est la
source de l'essentiel des radiations. Il dépend également du dopant utilisé quand des transitions mettent en jeu
des niveaux d'impureté. On peut décrire l'ensemble du spectre visible en réalisant des alliages (GaAlAs, GaAsP
ou InGaAlP pour les grandes longueurs d'onde du visible et InGaN pour le vert et le bleu.
La figure suivante donne des exemples d'intensités relatives d'émission (intensité sur intensité maximale) en
fonction de la longueur d'onde, issues de notices de composants réalisés à partir d'alliages différents.
●Rendement:

35
 Pour déterminer le rendement de la conversion électro-optique, il va falloir considérer plusieurs problèmes:
– le rendement quantique : lorsque le courant direct traverse la jonction, provoquant l'apparition de
porteurs minoritaires en excès, les recombinaisons qui en résultent peuvent être radiatives ou non. Le rendement
quantique interne sera le rapport entre le nombre de photons émis dans le matériau et le nombre de porteurs qui
traversent la jonction. Si r est le taux global de recombinaison, rr le taux de recombinaison radiatives et rnr le taux
de recombinaisons non radiatives, on peut écrire que
rr rr
i = = sachant que r r=− n /r et r nr=− n /nr
r r r  r nr
d'où
nr
i =
rnr
Dans les matériaux à gap direct, la durée de vie radiative est courte devant la durée de vie non radiative ce
qui signifie que le rendement interne est voisin de 1.
– le rendement optique : les photons qui sont crées lors des recombinaisons radiatives ne sortent pas tous
du matériau. Une partie est réabsorbé, souvent suite à une réflexion à l'interface air/semiconducteur. Ce
coefficient dépendra surtout de l'indice du matériau semiconducteur.
En incidence normale, pour un indice voisin de 3,5, le coefficient de réflexion est voisin de 0,3.
Par ailleurs, comme on passe d'un milieu d'indice fort à un mileu d'indice plus faible, on peut calculer un angle
de réflexion totale au-delà duquel tout est réfléchi dans le matériau.
n.sin rt =1.sin /2
Soit pour n = 3,5 un angle de réflexion totale θrt voisin de 17°.
Finalement, le coefficient de transmission évolue entre 0,7 environ pour l'incidence normale et 0 pour l'angle
de réflexion totale. Si on suppose que l'émission est isotrope au niveau de la jonction, on comprend que seule
une faible partie des photons émis sortiront du matériau. Pour améliorer un peu les choses, on place un matériau
plastique d'indice plus fort que l'air (voisin de 1,5 en général). Dans ces conditions, le rendement optique ηo
atteint une valeur maximale voisine de 4%.
̶ Le rendement global de la structure est alors égal à
 ext =o . i
Il est voisin de 4%. Pour améliorer ce rendement, ce qui sera très important pour de l'éclairage par exemple,
on voit qu'il faut améliorer le rendement optique, Pour ça, on peut placer la zone émettrice de la diode entre deux
miroirs afin de faire une cavité résonante Fabry-Pérot.
Cependant, la puissance optique émise, même si la conversion se fait avec un faible rendement, va dépendre
directement du courant injecté dans la jonction. Il est donc simple de moduler la puissance émise qui aura la
forme du courant injecté dans le composant. Malheureusement, pour ce type d'application, le temps de réponse
est très important et il sera bien moins bon dans une LED que dans une diode laser...

●temps de réponse:
Pour déterminer ce qui va intervenir dans le temps de réponse de la LED, on va partir de l'équation de
continuité pour les électrons en excès dans la zone P de la jonction. On peut alors écrire que
2
∂n ∂ n n
 =D n . −
∂t ∂ x2 n
Cette fois, nous n'allons pas supposer que le système est en régime stationnaire et on étudie donc ∆n(x,t). On
On va supposer qu'en tout x de la zone P, on a
 n x , t=〈  n〉  x n x ,t 
On va supposer l'excitation sinusoïdale et donc que le second terme de la relation précédente, celui qui
permet de rendre compte de la variation temporelle des densités de porteurs due à la modulation, s'écrit
 n x , t =n v x . e
j.. t

Nous ne nous occuperons plus par la suite du premier terme qui rend compte de la polarisation du composant.
En injectant cette expression dans l'équation de continuité, on arrive à
2
∂ n v  x   n v  x
j. .  nv  x= D n . −
∂ x2 n
soit
2 2
∂  nv  x 1 j. .n ∂  n v  x  nv  x
− n v
 x. = − =0
∂ x2 D n .n ∂ x2 2
Ln
De cette équation, on a vu précédemment qu'on pouvait tirer les deux grandeurs suivantes:
x− x / L
 nv  x= n v  x p .e p n

36
 e.Dn . n v  x p  j..t
J n  x p , t=
j. . t
.e =J v  .e
Ln
En négligeant le courant de diffusion de trous en xn, on peut alors dire que dans la jonction, on a un courant
J t≃ J n  x p , t
De ce courant va résulter une émission de rayonnement due aux recombinaisons dont seule une partie
émergera du composant. Le nombre de photons émis sur toute la longueur de la zone P et émergeant du
composant, en rapport à la modulation, c'est à dire en régime de variation, est donné par la relation
xp
N ext t= ext .∫0  n v  x/n . dx .e
j.  .t j. .t
=N v  .e
On a
 no  x p  −x / L  nv  x p 
N =ext . . L n .1−e p
≃ ext .
n
. Ln
n n
On peu caractériser la conversion d'électrons en photons par le rapport suivant:
2

R= v
N   ext L n
J v 
=
e
.
Ln   
= ext .
1
e 1 j. .n

= ext .
e 1 j. /  c
1

La pulsation de coupure de la LED dépend donc essentiellement de la durée de vie des électrons dans la zone
dopée P. On a intérêt à ce que cette durée de vie soit la plus courte possible pour pouvoir convertir les électrons
en photon le plus rapidement possible. Pour diminuer τn, on a intérêt à doper fortement la zone P. En pratique, les
fréquences de coupure atteintes sont voisines de 100 MHz. C'est trop lent pour faire de la transmission
d'information à haut débit.

●distribution spatiale du rayonnement émis.

La diode a une surface émettrice plane, Elle va émettre dans un demi plan de façon anisotrope. La puissance
émise par unité de surface présente, en valeur relative, la forme suivante:

(exemple : LED rouge AlGaAs de type HLMP-D101A Fairchild semiconductor)

La puissance émise est donc plus importante perpendiculairement à la surface de la LED et elle décroit
rapidement dès que l'on dépasse quelques dizaines de degrés.

IV.3.2. Diode Laser (LD).

Les diodes lasers sont des émetteurs de rayonnement tout comme les LED, mais le rayonnement émis aura
des propriétés différentes. Il sera davantage monochromatique avec des trains d'onde plus longs. Par ailleurs, la
bande passante de la conversion optoélectronique est bien plus élevée que pour les diodes électroluminescentes
classiques, ce qui permet d'envisager de les utiliser pour de la transmission d'information à plus haut débit,
sachant que comme les LED, on peut facilement moduler la puissance optique qu'ils émettent avec un courant.
C'est un des avantages des lasers à semiconducteur par rapport aux autres sources lasers. Par ailleurs, il s'agit de
systèmes de petite taille, dont la dimension maximale reste inférieure au mm alors qu'elle est de l'ordre du dm ou
du m pour les autres sources laser.

37
 IV.3.2.1. Principe simplifié du laser à gaz.

● A/ Etats d’énergie d’un atome et émission de lumière.

Considérons E1 et E2, deux des niveaux d’énergie d’un atome, avec E2>E1. En présence d’un grand nombre
d’atomes de ce type, à l’équilibre thermique à température T, le rapport du nombre N1 d’atomes dans l’état E1 sur
le nombre N2 d’atomes dans l’état E2 est donné par la relation
−E −E 
N2 2 1

=e k.T (k = 1,38.10-23 J.K-1 constante de Boltzmann)

N1
A l’équilibre thermodynamique, il y a donc plus d’atomes dans les états d’énergie faibles que dans ceux
d’énergie élevée.
Si l’atome passe de l’état d’énergie E2 à l’état d’énergie E1, la transition se fera avec l’émission d’un photon de
fréquence ν, telle que
E 2− E 1 =h. (h=6,62.10-34 J.s, constante de Planck)
Cette émission peut être spontanée. Dans ce cas, l’émission est fortement influencée par les interactions entre
atomes et elle est fortement aléatoire.
Mais l’émission peut aussi être induite par une onde incidente. Dans ce cas, l’onde incidente influe fortement
sur le processus d’émission qui devient moins aléatoire que dans le cas précédent. L’onde émise devient alors
plus cohérente. C’est à ce type d’émission que correspond le fonctionnement d’un laser.

● B/ Structure et fonctionnement d’un laser à gaz (type He-Ne par exemple).

Dans un laser à gaz, une onde lumineuse incidente induit dans un matériau une émission de lumière. Cette
nouvelle émission est assimilable à une amplification du faisceau incident d’où le nom de « Light Amplification
by Stimulated Emission of Radiations ».
Pour que le système fonctionne, on va imposer à l’onde amplifiée de repasser plusieurs fois dans le milieu
chargé de l’émission stimulée. C’est pourquoi, ce milieu sera inséré dans une cavité constituée de deux surfaces
réfléchissantes qui se comportera comme un interféromètre de Fabry-Pérot.

Inversion de population dans le milieu amplificateur et saturation de gain..

Considérons un type d’atome dans lequel on étudiera la transition entre le niveau E2 et le niveau E1 (E2>E1).
Une onde incidente de fréquence ν, égale à [E2-E1]/h, qui traverse le milieu constitué de ces atomes, qui se
propage dans la direction repérée par x, verra son intensité I évoluer avec la distance parcourue z afin que
−µ.x
I=Io .e
Le coefficient µ est proportionnel à N1-N2, si N1 et N2 représente respectivement la population d’atomes dans
l’état d’énergie E1 et E2. Dans un matériau qui n’est pas stimulé, µ est donc positif et l’onde va s’amortir en
pénétrant dans le matériau.
Si on veut une amplification et donc une intensité I qui augmente avec x, il va falloir que µ soit négatif, ce qui
demande que N2 soit supérieur à N1. Pour cela, Il va falloir mettre le matériau hors d’équilibre en augmentant N 2,
au moyen d’une excitation extérieure. Cette opération, appelée pompage, consiste à amener des atomes dans un
niveau E3 très légèrement supérieur à E2 afin de permettre une transition sans rayonnement de ces derniers vers le
niveau E2 qui va se trouver « surpeuplé » par rapport à l’état d’équilibre. Un pompage suffisant va permettre de
réaliser une inversion de population et donc une amplification de toute onde incidente dans le matériau, en
particulier d’une transition spontanée entre E2 et E1.
Dans le matériau stimulé, µ est donc négatif ce qui signifie que l’intensité augmente avec la distance
parcourue.
Cependant, ce gain va décroître avec l’intensité du faisceau.
Tant que l’intensité reste assez faible, on pourra définir G constante telle que
G.x
I=Io .e
Mais dès que I prend des valeurs plus importantes, la croissance de l’intensité avec la distance parcourue sera
moins rapide et finira par saturer ce qui explique qu’il n’y ait pas de divergence de l’intensité émise.
Le milieu dans lequel on crée l’inversion de population apparaît donc comme un milieu amplificateur de
l’intensité lumineuse. L’amplification est non linéaire et présente une saturation ce qui permet de stabiliser
l’amplitude du faisceau émis.
Dans le cas d’un laser He-Ne, les niveaux E2 et E1 sont respectivement les niveaux 3s2 et 2p4 du néon. Le
niveau E3 qui sert au pompage est soit le niveau 2s3 soit le niveau 2s1 de l’hélium, niveaux métastables atteints
par les atomes d’hélium grâce à l’application d’un champ électrique extérieur. L’augmentation de population du
niveau N2, et donc l’inversion de population, résultent d’une transition non radiative du niveau E3 vers le niveau
E2. L’échange d’énergie entre atomes conduisant à la transition non radiative se fait par vibration.

38
 Pouvoir d’amplification du milieu en fonction de la fréquence.
La bande passante du milieu amplificateur est égale à la largeur de raie de transition entre les niveaux E2 et E1.
Cette largeur est due à l’effet Doppler résultant des collisions entre particules se déplaçant suivant des
distributions complexes de vitesses. Elle est centrée sur la fréquence correspondant exactement à (E 2-E1)/h. Si on
représente le gain pour un aller simple dans la cavité en fonction de la fréquence, on obtient la courbe d’allure
suivante :

Rôle de la cavité.
Si une onde issue d’une transition spontanée, traverse un milieu dans lequel on a réalisé une inversion de
population, elle sera donc amplifiée, en conduisant à une émission stimulée. Pour démultiplier cet effet, on va
faire en sorte que l’onde traverse un grand nombre de fois le milieu dans lequel on a réalisé le pompage afin de
maintenir une intensité importante dans le milieu, malgré l’émission d’une partie de l’onde vers l’extérieur… ce
qui est l’objectif de ce type de dispositif…
Pour cela, on peut utiliser la structure suivante :

Entre les deux miroirs, seules certaines ondes, interférant constructivement pourront avoir une amplitude
notable. Pour cela, il faudra que la longueur d’onde λ du rayonnement vérifie
2.L=k.  (k entier)
d’où, en terme de fréquence ν
c
=k.
2.L
où c est la célérité de la lumière dans le milieu.
L’écart entre deux fréquences successives pour lesquelles on a interférences constructives est appelé intervalle
spectral libre.
Le laser est donc susceptible d’émettre sur des fréquences discrètes déterminées par la taille de la cavité. Ces
différentes fréquences sont les modes du laser. La largeur des raies des modes dépend notamment du coefficient
de réflexion sur les surfaces réfléchissantes de la cavité (Cf interféromètre de Fabry-Pérot). Suivant la longueur
d’onde considérée, l’amplitude sera définie par la courbe du paragraphe précédent.

Structure du laser ; modélisation comme oscillateur à boucle de réaction.

Nous allons supposer que le coefficient de réflexion R est le même sur les deux miroirs pour simplifier,
sachant qu’en réalité, il doit être légèrement inférieur sur la surface semi-réfléchissante afin de laisser une partie
du faisceau s’échapper vers l’extérieur.

39
 On appellera G(ν) le gain pour un aller simple du faisceau dans la cavité. Compte tenu du pouvoir
d’amplification du milieu avec la fréquence, et des propriétés de la cavité de Fabry Pérot, G(ν) se présente sous
la forme suivante :

Pour simplifier l’étude, nous allons considérer séparément les différents extréma de G aux fréquences νi (i
allant de -2 à +2 sur la figure précédente). Nous allons supposer que le milieu amplificateur se comporte comme
un filtre passe-bande autour de chaque fréquence νi.. Nous noterons Gνi le gain autour de la fréquence νi.
Le faisceau subit une succession de séquences d’amplification dans le milieu (Gain Gνi(ν)) immédiatement
suivies de réflexion sur un miroir.
Pour un très grand nombre d’aller-retour on peut représenter le système par le schéma bloc suivant :

Le système présente la structure d'un oscillateur électronique à boucle de réaction. Il est susceptible d’osciller
autour de la fréquence νi si G(νi) > 1/R. Finalement, seuls les modes pour lesquels le gain du milieu
amplificateur est supérieurs à 1/R vont osciller.

Le laser fonctionne aléatoirement et successivement sur les différents modes susceptibles d’osciller. Quand
plusieurs modes sont autorisés, le laser est dit multimodes. Chaque mode peut être traité indépendamment des
autres.

IV.3.2.2. Transposition au cas d'un laser à semiconducteur.

Dans les matériaux semiconducteurs, les niveaux d'énergie permis ne sont plus discrets, mais ils définissent
des bandes. Pour comprendre le fonctionnement des lasers à semiconducteurs, nous allons devoir intégrer cette
spécificité. Mais globalement, l'idée reste la même, il va falloir surpeupler la bande de conduction par rapport à
la bande de valence. Cette inversion de population, par rapport à l'état d'équilibre sera réalisée par injection
électronique.

● Idée de départ.
La structure d'une diode laser est la même que celle d'une diode électroluminescente, sauf que la zone de type
P est très dopée, ce qui fait qu'à l'équilibre, le niveau de Fermi est situé dans la bande de valence.
La région de type N est, elle aussi, très fortement dopée afin que la densité d'électrons injectés dans la zone P
sous l'action d'une polarisation directe soit très importante. Quand on réalise cette injection, le système n'est plus

40
à l'équilibre thermodynamique et ne niveau de Fermi n'est plus défini. Cependant, les porteurs finissent par
thermaliser dans leurs bandes respectives (électrons dans la bande de conduction et trous dans la bande de
valence), et ils se retrouvent chacun dans un état de pseudo équilibre, ce qui permet de définir un pseudo-niveau
de Fermi des électrons dans la bande de conduction (E 'c) et des trous dans la bande de valence (E'v) caractérisant
la distribution des porteurs sur les niveaux définis par les bandes.
Pour la photodiode, nous avons vu comment évoluait un flux de photons se propageant dans un matériau
semiconducteur. Dans la cas de la photodiode, le flux diminuait lors de la propagation, les photons étant
progressivement absorbés. Dans le cas du laser, le matériau, de par son état, sera en mesure d'amplifier le flux de
photon.
On peut définir g(E) est le gain du milieu. C'est la variation relative du flux par unité de longueur définie par
d  E  1
g  E = .
 E  dx
Pour des photons d'énergie E, on a
g E . x
 E = o  E. e

● Coefficient d'amplification du milieu semiconducteur.

Contrairement aux autres lasers, les niveaux d'énergie n'étant pas discrets, il existe des transitions possibles
dans une bande. Cette absorption, appelé effet Auger, caractérisée par un coefficient d'absorption α(E) n'est pas
négligeable, étant donné la grande densité de porteurs libres. Du coup, le coefficient d'amplification effectif du
matériau, noté A(E) est donné par
A E =g E − E 
Pour qu'un rayonnement de transition énergétique E soit amplifié, il faut que A > 0. Dans ce cas, un
rayonnement spontané dans la zone P en limite de jonction sera amplifié. S'il se réfléchit sur les faces du
semiconducteur un grand nombre de fois, l'amplitude initiale aura été considérablement augmentée.

● Structure du laser à semiconducteur et condition d'oscillation

On considère la structure suivante dans laquelle la zone gris clair d'épaisseur inférieure au micron représente
la partie de la zone P dans laquelle l'inversion de population est réalisée.

L'émission se fera dans la direction définie par x puisque l'amplification ne se fera que dans la zone gris clair
et que son effet sera plus important dans la dimension la plus importante de cette zone. Sur la figure suivante, on
représente une coupe dans le plan Oxy.
En (1), une transition spontanée a lieu. L'émission est amplifiée lors de la propagation. En (2), le

41
 2 2.A E . L
R .e 1
soit
1
g E  E . ln 1 / R
L
Expérimentalement, on constate que g(E) présente une allure de forme suivante:

● Pour E<Eg', l'énergie du rayonnement est inférieure au gap et la diode n'émet aucun rayonnement. E g' est
appelé gap effectif et il est légèrement inférieur au gap du matériau. En effet, le très fort dopage des zones
semiconductrices perturbe les zones extrémales de bandes de conduction et de valence.
● Pour E>Eo, le gain du milieu est négatif et la diode émet un rayonnement spontané.
● Pour Eg'< E<Eo, l'inversion de population est réalisée. On va alors distinguer trois cas:
– Pour Eg'< E<Estim et E'stim< E<Eo, le gain g(E) reste inférieur aux pertes du matériau et le
rayonnement reste spontané.
– Pour Estim< E<Elas et E'las< E<E'stim, le gain g(E) est supérieur aux pertes par absorption, et
l'émission devient stimulée.
– Pour Elas< E<E'las, la condition d'oscillation est satisfaite et l'émission se fait sur les longueurs
d'ondes définies par la cavité Fabry-Pérot.

IV.3.2.3. Propriétés principales d'un laser à semiconducteur.

● Courant de seuil:
La puissance de rayonnement émise par la diode laser dépend du courant direct injecté dans la jonction. La
caractéristique présente l'allure suivante:

En « zone1 », le courant est trop faible pour que l'inversion de population soit réalisée et le rayonnement
émis est identique à celui d'un diode électroluminescente.
En « zone2 », l'inversion est réalisée, le gain est suffisant pour dépasser les pertes. L'émission est alors
stimulée, mais sans que le condition d'oscillation soit satisfaite.
En « zone3 », l'inversion de population est toujours réalisée et la condition d'oscillation est satisfaite.
L'émission des modes est alors prépondérante. Le courant minimal à appliquer pour que cet état de la diode soit

42
réalisé est appelé courant de seuil. Ce courant de de seuil augmente avec le gain limite gosc permettant de
satisfaire la condition d'oscillation. On rappelle que
1
g osc = . ln 1/ R
L
Il est inversement proportionnel à la durée de vie des électrons et à la durée de vie des photons dans la cavité.
● Caractéristiques spectrale du rayonnement émis:
Le spectre d'émission stimulé, dont la largeur dépend peu de la température, est beaucoup plus étroit que le
spectre d'émission spontanée à température ambiante quand la condition d'oscillation n'est pas satisfaite. La
largeur du spectre est alors voisine de 10nm.
Quand la condition d'oscillation est satisfaite, la cavité va sélectionner un certain nombre de modes de
résonance dont les longueurs d'onde satisfont à
2.n.L=k. 
Le spectre de chaque mode devient alors beaucoup plus fin (moins de 1nm) que le pic observé quand la
condition d'oscillation n'est pas satisfaite. L'enveloppe du spectre obtenu pour l'ensemble des modes est la courbe
obtenue en émission stimulée quand la condition d'oscillation n'est pas satisfaite. Les modes sont distants de δλ
les uns des autres avec
2
 1
 = .
2.L
 n − . 
dn 
d
ce que l'on obtient en différenciant la relation entre L et λ.

● Caractéristiques spatiale du rayonnement émis:

Dans la zone où l'inversion de population se réalise, l'indice de réfraction est légèrement supérieur à ce que
l'on observe en l'absence de forte injection. C'est ce que va permettre d'obtenir une propagation guidée du
rayonnement dans la zone « active » où l'inversion de population est réalisée, avec amplification dans la
direction Ox, correspondant à la dimension la plus importante de la jonction.

En sortie, la surface susceptible d'émettre est donnée par la largeur de la jonction (de l'ordre de 10µm)
multipliée par l'épaisseur de la zone active (de l'ordre du µm). Le rayonnement ayant une longueur d'onde de
l'ordre du µm, on va avoir un phénomène de diffraction. Avec ces dimensions, Dans le plan de la jonction
l'ouverture du faisceau sera de l'ordre de quelques degrés alors que dans la plan perpendiculaire à celui de la

43
jonction, il sera de quelques dizaines de degrés. Pour obtenir un faisceau moins divergent, il faudra placer un
dispositif optique en sortie.

● Temps de réponse de la diode laser:

Les diodes laser sont très utilisées en télécommunication, car il est simple de moduler la puissance optique
qu'elles émettent en modulant le courant direct qu'on leur injecte. De ce point de vue, elles se distinguent peu des
diodes électroluminescentes. En revanche, elles convertissent beaucoup plus rapidement la fluctuation de courant
injecté en une fluctuation de puissance optique, ce qui permet d'envisager un transfert d'informations à beaucoup
plus haut débit qu'avec une diode électroluminescente.
Dans les diodes lasers qui satisfont aux conditions d'oscillation, la recombinaison stimulée des électrons
conduit à une durée de vie des porteurs beaucoup plus courte que quand l'émission est spontanée. On peut alors
avoir des fréquences de modulantes supérieures au Ghz. Cette fréquence augmente avec le courant.
On peut montrer que le gain défini comme le rapport entre l'amplitude de variation de puissance optique et la
variation de courant de modulation est un passe bas résonant avec une fréquence de coupure de forme suivante:

f c≃
1
   1
.
2.  n . N I o
I
−1

avec Io courant de seuil, τn durée de vie des électrons en régime spontané, et τN durée de vie des photons. On
atteint des fréquences de quelques GHz.

44
V. Les transistors.

Les transistors sont les composants de base de l'électronique. Il s'agit de tripoles. Ce type de composant
permet de faire passer un courant entre deux de ses bornes que l'on contrôle par une tension ou un courant
appliqué à la troisième borne. Nous allons présenter les transistors bipolaires, les transistors à effet de champ
(JFET, MESFET et MOSFET).

V.1. Transistors bipolaires.

V.1.1. Structure simplifiée et principe de fonctionnement.

Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semi-conductrices séparées par deux jonctions (succession
NPN ou PNP).

Le composant obtenu est donc un tripôle. La borne E est reliée à une zone semi-conductrice appelée
émetteur, la borne B à une zone appelée base et la borne C à une zone appelée collecteur.

V.1.1.1. Cas du transistor NPN.

Si on polarise la jonction E-B en direct (VBE>0), nous allons abaisser la barrière de potentiel que doivent
franchir les électrons de l'émetteur. Nous allons donc faciliter leur passage dans la base, dans laquelle, ils vont se
retrouver en excès (porteurs minoritaires).
Si, dans un même temps, on polarise la jonction B-C en inverse (V CB>0), les électrons en excès dans la base
vont pouvoir passer plus facilement dans le collecteur.

On va contrôler le courant inverse de la jonction base-collecteur polarisée en inverse par une injection de
porteurs minoritaires dans la base à partir de la jonction base-émetteur polarisée en direct.
Néanmoins, une discussion sur la largeur de la base s'impose. En effet, dans le cas d'une base très large,
nombre d'électrons provenant de l'émetteur risquent de se recombiner avant d'avoir pu passer dans le collecteur.
Dans la pratique, la base sera donc suffisamment étroite pour que le nombre d'électrons qui se recombinent ne
soit pas trop important. Et comme, il existera toujours des cas de recombinaisons, pour maintenir la densité de
trous dans la base, il sera nécessaire d'injecter un courant IB pour les compenser.

V.1.1.2. Cas du transistor PNP.

Si on polarise la jonction E-B en direct (VBE<0), nous allons abaisser la barrière de potentiel que doivent
franchir les trous de l'émetteur. Nous allons donc faciliter leur passage dans la base, dans laquelle ils vont se
retrouver en excès (porteurs minoritaires).
Si, dans un même temps, on polarise la jonction B-C en inverse (VCB<0), les trous en excès dans la base vont
pouvoir passer plus facilement dans le collecteur.

45
 Des trous provenant de l'émetteur vont de se recombiner avant d'avoir pu passer dans le collecteur, d'où la
nécessité d'une base étroite. Il sera nécessaire d'extraire un courant IB pour compenser ces recombinaisons.

V.1.2, Symboles et caractéristiques des transistors bipolaires.

V.1.2.1. Symboles.
Nous venons de voir que le sens de circulation des courants, et les signes des tensions de polarisation étaient
opposés suivant que l'on considère un transistor NPN ou un PNP. Sur la figure suivante, on rappelle la structure
schématique du transistor avant de donner son symbole juste en dessous.

V.1.2.2.Caractéristique du transistor NPN.

La caractéristique principale du transistor bipolaire donne l'évolution du courant de collecteur IC en fonction
de la tension qui existe entre le collecteur et l'émetteur (VCE). On présente en général un réseau de
caractéristiques Ic (VCE) pour plusieurs valeurs de IB. VCE est forcément positif, compte tenu de la polarisation des
deux jonctions .
Suivant les valeurs de VCE imposées au composant, nous allons distinguer plusieurs zones de fonctionnement
sur le réseau de courbes Ic (VCE).

• Caractéristique Ic (Vce)
- Pour VCE proche de 0 (pratiquement, pour 0<VCE<0,4 V), on dit que le transistor est saturé. Ce régime de
fonctionnement est utilisé quand on fait fonctionner le transistor en commutation (comme interrupteur
commandé). C'est le cas dans certains convertisseurs de puissance (comme dans un hacheur, par exemple).

46
 - Pour VCE très élevé, on risque de claquer le composant (zone de claquage). Cette zone n'a aucun intérêt
pratique. On doit seulement veiller à ne pas mettre le composant dans cette situation.
- Pour VCE compris entre ces deux zones, le transistor est dit en régime linéaire. C'est là que l'on fait
travailler le transistor en amplificateur (cas le plus fréquemment rencontré en électronique).
Dans cette zone, le courant de collecteur est de la forme suivante:
V CE
I C = . I B 

Le deuxième terme indique que le courant de collecteur augmente avec VCE. Cette croissance est appelée
effet Early. Quand VCE augmente, sachant que VBE évolue peu (restant voisin de 0,6 V en général), on a
également une augmentation de VCB. La jonction base-collecteur est donc de plus en plus fortement polarisée en
inverse, ce qui entraîne un élargissement de la zone de charge d'espace, notamment du côté de la base, ce qui
rend cette dernière plus étroite. Le nombre d'électrons venant de l'émetteur qui vont se recombiner va alors
décroître et le courant de collecteur va augmenter. En général, l'effet Early peut être négligé en première
approximation. On écrit alors
I C ≃ . I B
Le premier terme est en effet prépondérant. C'est lui qui permet de dire que le composant représente un
amplificateur de courant. En effet, en général, β est de l'ordre de 100. Au moyen d'un courant IB modeste, on
peut donc contrôler un courant IC beaucoup plus important. La loi entre les deux courants est alors à peu près
linéaire (Cf figure précédente).
Il faut noter que pour fabriquer un transistor de gain en courant le plus élevé possible, on a intérêt à limiter le
nombre de recombinaisons dans la base (soit augmenter la durée de vie des porteurs dans cette dernière, soit la
concevoir la plus étroite possible). Suivant la structure du transistor, la valeur de β peut donc beaucoup varier,
c'est pourquoi nous n'avons donné qu'un ordre de grandeur.
• La courbe donnant IB (VBE) est celle d'une diode à jonction semi-conductrice polarisée en direct. En régime
linéaire, VBE est voisin de 0,6 V (transistors de faible puissance).

V.1.2.3. Caractéristique du transistor PNP.

On obtient les mêmes caractéristiques, mais cette fois les courants sont dans le sens inverse, et on remplace
VCE par VEC et VBE par VEB.
Dans la pratique, il faut noter qu'il est plus délicat de fabriquer des transistors PNP ayant des gains en courant
β élevés que des transistors NPN équivalents.

V.2. Transistors à effet de champ à jonction (JFET et MESFET).

Ces transistors sont construits autour d'une jonction PN (JFET) ou métal-semiconducteur de type Shottky
(MESFET) polarisée en inverse ce qui permet de moduler la section conductrice d'un canal semiconducteur en
jouant sur la largeur de la zone de charge d'espace isolante, associée à la jonction. Ces transistors sont destinés à
des applications bas bruit et haute fréquence. Nous présenterons le cas des JFET dans ce qui suit, le
fonctionnement du MESFET n'étant pas notoirement différent puisque seule la nature de la jonction change,
mais pas son rôle.

V.2.1. structure schématique et symbole.

Entre deux contacts ohmiques S (source) et D (drain), on place un semi-conducteur dopé (nous supposerons
par la suite qu'il s'agit d'un dopage N. Sur une face du canal, on crée une zone semi-conductrice dopée P+
(concentration de dopant beaucoup plus forte que dans le canal N). Un autre contact ohmique G (grille) est
déposé en contact avec les zones dopées P+. Cela donne la structure schématique et les symboles suivants :

47
 V.2.2. Fonctionnement du JFET.
Si on polarise la jonction NP+ en inverse, nous avons vu que celle ci allait s'élargir, et ce principalement du
côté le moins dopé. Ici, cela signifie que la zone de charge d'espace s'étendra principalement dans le canal N.
Cette zone ne contenant pas de porteurs de charges susceptibles de participer à la conduction (les ions ne sont
pas mobiles), elle peut être considérée comme isolante. Par conséquent, son élargissement signifie un
rétrécissement du canal conducteur et une augmentation de sa résistance. Pour une tension VDS donnée, le courant
traversant le canal sera donc d'autant plus faible que VGS sera négatif. On peut donc contrôler ID grâce à VGS.
Pour une valeur VP de la tension VGS, le canal est totalement occupé par la zone de charge d'espace. Dans ce
cas, ID reste nul quelle que soit la valeur de VDS.
Sur la figure suivante, on donne la caractéristique ID (VDS) pour plusieurs valeurs de VGS négatives.

Pour mieux comprendre l'allure de la caractéristique dans chaque zone, il faut raisonner sur la forme de la
zone de charge d'espace, suivant la valeur de V DS (on fixe une valeur de V GS<0). Tout cela est détaillé sur la
figure suivante (le cas A correspond à une tension VGS1 négative et le cas B à une autre tension VGS2, elle aussi
négative, mais de valeur absolue encore plus importante).

On constate que quand VDS augmente, la zone de charge d'espace s'élargit du côté du drain, ce qui entraîne
une augmentation de la résistance du canal. Tant que VDS reste faible, celle ci n'est pas suffisante pour perturber

48
notablement le système qui conserve une résistance constante qui ne dépend que de la valeur de V GS. On a alors
une relation linéaire entre ID et VDS. On est dans la région ohmique. On note que la valeur de la résistance
augmente quand VGS devient de plus en plus négatif. C'est la zone qu'on utilise pour faire fonctionner le
transistor en résistance commandée (par VGS), ou en interrupteur (électronique de puissance ou logique).
Mais au-delà d'une certaine valeur de VDS, le rétrécissement du canal finit par avoir un effet notable sur sa
résistance. Dans la région comprise entre le drain et la source, celui-ci finit par se pincer (régime de pincement
pour VDSsat). Pour simplifier, on peut supposer que le pincement survient au drain pour VDSsat, et que ce point se
rapproche de la source au fur et à mesure que VDS augmente au-delà de VDSsat. On supposera malgré tout que
cette variation relative de longueur du canal restant conducteur est négligeable et que ce canal garde une
conductance constante. La tension à ses bornes est VDSsat et le courant qui le traverse reste donc constant. La zone
de charges d'espace occupe tout le canal entre le point de pincement porté à un potentiel V DSsat par rapport à la
source et le drain à VDS de la source. Les porteurs qui arrivent au point de pincement sont injectés dans la zone
de charge d'espace par le champ électrique, en direction du drain, un peu comme les porteurs qui arrivent sur la
jonction base-collecteur d'un transistor bipolaire. Donc pour VDS évoluant au-delà de VDSsat , le courant
n'augmente plus et se fixe à une valeur qui dépend de V GS qui fixe VDSSat et la forme du canal N conducteur. On
est dans la zone de saturation. La figure suivante résume cette situation du canal pincé au-delà de VDSSat.

La zone de saturation est la zone dans laquelle on travaille quand on veut utiliser le transistor en
amplificateur. Dans cette zone (et dans cette zone uniquement!), la caractéristique ID (VGS), appelée
caractéristique de transfert a l'allure suivante:

On peut considérer, en première approximation que cette caractéristique est quasiment quadratique, de la
forme:

49
 2


I D= I Dss . 1−
V GS
Vp 
Pour des valeurs positives de VGS, la jonction est polarisée en directe et devient passante. Le transistor ne
fonctionne plus.
Contrairement au transistor bipolaire, la relation entre le courant de sortie et la grandeur de commande n'est
plus linéaire. Si on veut conserver une relation linéaire entre les deux, il faudra travailler avec des signaux
d'entrée de très faible amplitude, ce qui permet de linéariser la caractéristique.

V.3. Transistors MOS.

C'est le composant le plus utilisé. Il est plus compact que le bipolaire ce qui offre des possibilités
d'intégration plus importante, il est plus simple à fabriquer et il permet de réaliser des résistances et des capacités
intégrées ce qui permet de réaliser tout un circuit intégré complexe avec uniquement des MOS. On l'utilise, tant
en électronique analogique qu'en électronique numérique. Il est également très utilisé en électronique de
puissance . Pour ces transistors, le lien entre grille et le canal conducteur n'est plus une jonction semi-conductrice
ou métal-semiconducteur, mais une jonction métal-isolant-semiconducteur. L'isolant est en général de l'oxyde
de silicium (SiO2). On a vu qu'avec une telle structure, on peut obtenir un effet d'accumulation (excès de
porteurs majoritaires) ou d'inversion (excès de porteurs minoritaires qui deviennent majoritaires). On peut donc
contrôler la densité et le signe des porteurs dans un canal semiconducteur.

V.3.1. Transistor MOS à appauvrissement (à canal initial).

On insère, dans le substrat P, un étroit canal N, entre deux zones dopées N+. On arrive avec une structure
schématique de forme suivante:

Le symbole de ce type de composant est le suivant:

Pour une valeur positive assez forte de V DS, si la grille est polarisée négativement par rapport au canal N, on
se retrouve avec une jonction métal-semiconducteur dans laquelle le semiconducteur sera en régime de
déplétion, ce qui signifie que certains porteurs du canal vont se recombiner, ce qui va provoquer une diminution
de la densité de porteurs du canal, qui va devenir de plus en plus résistant et donc conduire à un courant entre
source et drain d'autant plus faible en valeur absolue que VGS est fortement négative.
Pour une valeur positive assez forte de VDS, si la grille est polarisée positivement par rapport au canal N, on
se retrouve avec une jonction métal-semiconducteur dans laquelle le semiconducteur sera en régime
d'accumulation, ce qui signifie que la densité de porteurs libres dans le canal augmente et donc que la résistivité
de ce dernier diminue, On a donc un courant entre source et drain qui augmente en valeur absolue quand V GS
devient de plus en plus positive.
Pour une valeur de VGS fixée, à VDS=0, le canal présente une densité de charges qui décroit de la source vers

50
des sections et des densités de charge qui n'évoluent plus notablement avec VDS et qui est soumis à une tension
VDSSat fixée par VGS. Le courant n'évolue alors pratiquement plus avec VDS. Les porteurs qui arrivent au voisinage
de la zone de charges d'espace sont alors aspirées vers le drain qui se retrouve à un niveau d'énergie plus faible
que l'extrémité gauche de la zone de charge d'espace.
Les caractéristiques principales du composant (canal N initial) sont données sur la figure suivante:

Pour VDS supérieur à VDSSat, la caractéristique de transfert du transistor a la forme suivante:

Cette zone de la caractéristique est utilisée quand on demande au composant de fonctionner en amplificateur
(courant de sortie commandé par VGS). Il s'agit du régime de saturation. Dans ce régime de fonctionnement, en
première approximation la caractéristique de transfert peut être approchée au moyen de la relation suivante:
2


I D= I Dss . 1−

V GS
Vp
Rq: Pour des valeurs trop élevées de la tension VDS, on risque un claquage comme pour les autres transistors.
Rq: Pour un VGS donné, à faible valeurs de VDS correspondent à un canal conducteur dont la section n'évolue
pas notablement et dans lequel la densité de porteurs est fixée par V GS. Le composant a un comportement
ohmique. Cette zone de la caractéristique permet un fonctionnement en résistance commandée ou en interrupteur
(la résistance est d'autant plus forte que le canal est étroit et pauvre en porteurs, c'est à dire que V GS est faible).
Cela donne, dans la zone ohmique, une résistance entre source et drain de la forme suivante.

51
 Pour un VGS donné, à plus forte valeur de VDS correspondent à un canal conducteur dont la section diminue et
dans lequel la densité de porteurs est fixée par VGS.

V.3.2. Transistor MOS à enrichissement (canal induit).

C'est la famille de transistors MOS qui est la plus utilisée par l'industrie microélectronique, car elle est plus
simple à réaliser et conduit à des dispositifs consommant très peu d'énergie. La structure de ce type de transistor
est schématiquement de forme suivante:

La source et le substrat étant placé au même potentiel, en polarisant positivement la grille par rapport au
canal, on fait apparaître un excès de charges négatives dans le substrat P. Celles-ci vont d'abord se recombiner.
On est alors en régime de déplétion. Mais pour VGS suffisamment positif et donc pour une quantité de charges
induites assez importante, toutes les impuretés seront ionisées et on obtiendra un excès de porteurs, qui n'auront
plus de sites où se recombiner. On se retrouvera alors en régime d'inversion. D'un canal réalisé dans un substrat
P (par exemple), on sera passé à un canal de type N induit.

Une augmentation de VDS conduit à une densité de porteurs négatifs induite plus faible du côté du drain. En
effet, VDS = VGS – VGD. On a donc VGS > VGD. Si VDS n'est pas trop important, on induit seulement une densité de
charges négatives plus faible du côté du drain. Si VDS augmente, le canal se retrouve en régime de déplétion.
Pour VGS fixé suffisamment positif, on a donc une augmentation pratiquement linéaire de I D avec VDS quand
VDS assez faible. Pour des valeurs plus importantes, on se retrouve avec des densités plus faibles de porteurs du
côté de drain ce qui limite la croissance du courant avec V DS. Une fois la zone du drain en régime de déplétion, le
canal est pincé et on obtient un courant qui augmente beaucoup moins avec VDS.
Pour une valeur de VDS assez grande pour que le canal soit pincé quel que soit VGS, on obtient une évolution
du courant ID en fonction de VGS d'allure suivante:

52
Bibliographie:
« Physique des semiconducteurs et des composants électroniques », H Mathieu & H Fanet, Dunod
« Microelectronic », A.Grabel & J. Millman, McGraw-Hill

53