TH T2191 Htakhedmit

N° d’ordre : 2010-25 Année 2010
THESE
présentée devant
L’ÉCOLE CENTRALE DE LYON

pour obtenir le grade de
DOCTEUR
Spécialité : Génie Électrique
Préparé au sein de
L’ÉCOLE DOCTORALE
ÉLECTRONIQUE, ÉLECTROTECHNIQUE, AUTOMATIQUE
DE LYON
par
Hakim TAKHEDMIT
Modélisation et Conception de Circuits de Réception

Complexes pour la Transmission d’Énergie Sans Fil
à 2.45 GHz
Soutenue le 18 octobre 2010 devant la commission d’examen
JURY
F. COSTA, Professeur, laboratoire SATIE, ENS Cachan Président
J. D LAN SUN LUK, Professeur des Universités, LGI-ACTES La Réunion Rapporteur
P. LÉVÊQUE, Chargé de recherche CNRS (HDR), Université de Limoges Rapporteur
C. VOLLAIRE, Professeur des universités, Ecole Centrale de Lyon Directeur de thèse
O. PICON, Professeur, Université Paris-Est Marne-la-Vallée Co-directrice de thèse
L. CIRIO, Maître de conférences (HDR), Université Paris-Est Marne-la-Vallée Examinateur
E. LABOURE, Professeur des universités, IUT de Cachan Examinateur
F. NDAGIJIMANA, Professeur, Université Joseph Fourrier, Grenoble Examinateur
2
À
Mon père et à ma mère
Mes frères et sœurs
3
4
Remerciements
Je tiens tout d’abord à remercier sincèrement Laurent NICOLAS, directeur du
laboratoire AMPERE, et Alain NICOLAS, directeur de l’Ecole Doctorale EEA, pour m’avoir
accueilli au sein du laboratoire.
J’exprime ma gratitude et mes remerciements à mon directeur de thèse Christian

VOLLAIRE, qui m’a soutenu et encouragé tout au long de ces trois années de thèse, pour tous
ces conseils avisés et pertinents. Je le remercie également pour les discussions fructueuses
qu’on a eues ensemble pendant nos différentes réunions et qui m’ont beaucoup aidé à
progresser dans mon travail de thèse. Qu’il trouve ici le témoignage de toute ma gratitude et
ma reconnaissance.
J’exprime ma profonde reconnaissance et mes remerciements à ma co-directrice de

thèse Odile PICON, pour m’avoir accueilli au sein du laboratoire ESYCOM et pour avoir cru
en mes capacités et aptitudes à mener à bien un projet de thèse. Je la remercie également pour
tous ses encouragements, ses conseils avisés et ces propositions pertinentes qui m’ont permis
de gagner un temps précieux et aidé à progresser dans mes travaux de thèse. Qu’elle trouve ici
le témoignage de toute ma gratitude.
Je remercie chaleureusement Laurent CIRIO pour avoir encadré mes travaux de

recherche et m’avoir activement soutenu le long de ces années de thèse. J’ai beaucoup
apprécié sa rigueur scientifique et son sens critique qui m’ont beaucoup apporté. Je le
remercie également pour avoir toujours su trouver du temps pour m’écouter, me conseiller et
m’orienter dans mes recherches. Je tiens tout particulièrement à lui exprimer ici le témoignage
de toute ma gratitude et de toute ma reconnaissance.
Je remercie vivement François COSTA, professeur à l’IUFM de Cachan (Laboratoire

SATIE) qui m’a fait l’honneur de présidé mon jury de soutenance de thèse.
Je tiens à remercier vivement Philippe LEVEQUE, chargé de recherche CNRS HDR à

l’université de Limoges (Laboratoire XLIM), et Jean-Daniel LUN SUN LUK, professeur à
l’université de la Réunion (Laboratoire LE2P), pour leurs points de vue critiques et
constructifs qu’ils ont apporté en tant que rapporteurs de ma thèse.
Je remercie Eric LABOURE, professeur à l’IUT de Cachan (Laboratoire

LGEP/SPEE), et Fabien NDAGIJIMANA, professeur à l’université Joseph Fourier de
Grenoble (Laboratoire IMEP), pour l’intérêt qu’ils ont porté à mon travail et pour avoir
accepté d’être examinateurs de ma thèse.
Je remercie David DELCROIX pour avoir réalisé mes circuits et également pour
m’avoir beaucoup aidé lors des premières compagnes de mesure au début de ma thèse. Je
remercie également Stéphane PROTAT pour m’avoir aidé sur la partie FDTD et modélisation
numérique.
Je remercie tous les membres du laboratoire ESYCOM avec qui j’ai passé de bons
moments et qui ont su rendre agréables ces années de thèse. Je tiens tout particulièrement à
remercier Benoit, Marjorie et Shermilla pour leurs encouragements. Je remercie mes
collègues de bureau Kamel, Julien et Bérenger pour leur bonne humeur et leur disponibilité.
Mes remerciements vont également à tous mes camarades et amis du doctorat qui savent si
5
bien rendre agréable le cadre de travail malgré toutes les difficultés. Je tiens tout
particulièrement à remercier : Boubekeur, Thierry, Lakhdar, Robbin, Faiz, Nasserdine, Fatiha,
Hedi, Mame Diara, Asmaa, Rafik et Imen.
Enfin, un grand merci à mes parents qui m’ont épaulé et encouragé durant toutes ces
années.
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Résumé
Les travaux présentés dans ce mémoire s’inscrivent dans la thématique de la
transmission d’énergie sans fil, appliquée à l’alimentation à distance de capteurs, de réseaux
de capteurs et d’actionneurs à faible consommation. Cette étude porte sur la conception,
l’optimisation, la réalisation et la mesure de circuits Rectennas (Rectifying antennas)
compacts, à faible coût et à haut rendement de conversion RF-DC.
Un outil d’analyse globale, basé sur la méthode des Différences Finies dans le
Domaine Temporel (FDTD), a été développé et utilisé pour prédire avec précision la sortie
DC des rectennas étudiées. Les résultats numériques obtenus se sont avérés plus précis et plus
complets que ceux de simulations à base d’outils commerciaux. La diode Schottky a été
rigoureusement modélisée, en tenant compte de ses éléments parasites et de son boîtier SOT
23, et introduite dans le calcul itératif FDTD.
Trois rectennas innovantes, en technologie micro-ruban, ont été développées,
optimisées et caractérisées expérimentalement. Elles fonctionnent à 2.45 GHz et elles ne
contiennent ni filtre d’entrée HF ni vias de retour à la masse. Des rendements supérieurs à 80
% ont pu être mesurés avec une densité surfacique de puissance de l’ordre de 0.21 mW/cm²
(E = 28 V/m). Une tension DC de 3.1 V a été mesurée aux bornes d’une charge optimale de
1.05 kΩ, lorsque le niveau du champ électrique est égal à 34 V/m (0.31 mW/cm²).
Des réseaux de rectennas connectées en série et en parallèle ont été développés. Les
tensions et les puissances DC ont été doublées et quadruplées à l’aide de deux et de quatre
éléments, respectivement.
Mots clés:
Transmission d’Energie Sans Fil (TESF); Rectenna; Méthode d’Analyse Globale; Rendement
de Conversion RF-DC; Caractéristique non-linéaire; Méthode des Différences Finies dans le
Domaine Temporel (FDTD); Diode Schottky; Association de rectennas; Technologie micro-
ruban; Bande ISM et fréquence de 2.45 GHz.
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8
Abstract
The work presented in this thesis is included within the theme of wireless power
transmission, applied to wireless powering of sensors, sensor nodes and actuators with low
consumption. This study deals with the design, optimization, fabrication and experimental
characterization of compact, low cost and efficient Rectennas (Rectifying antennas).
A global analysis tool, based on the Finite Difference Time Domain method (FDTD),
has been developed and used to predict with a good precision the DC output of studied
rectennas. The packaged Schottky diode has been rigorously modeled, taking into account the
parasitic elements, and included in the iterative FDTD calculation.
Three new rectennas, with microstrip technology, have been developed and measured.
They operate at 2.45 GHz and they don’t need neither input HF filter nor via hole
connections. Efficiencies more than 80 % have been measured when the power density is 0.21
mW/cm² (E = 28 V/m). An output DC voltage of about 3.1 V has been measured with an
optimal load of 1.05 kΩ, when the power density is equal to 0.31mW/cm² (34 V/m).
Rectenna arrays, with series and parallel interconnections, have been developed and
measured. Output DC voltages and powers have been doubled and quadrupled using two and
four rectenna elements, respectively.
Keywords:
Wireless Power Transmission; Rectenna; Global Analysis Technique; RF-to-dc Conversion
Efficiency; Non-linear characteristic; Finite Difference Time Domain Method (FDTD);
Schottky Diode; Rectennas arrays; Microstrip Technology; ISM Band and 2.45 GHz
frequency.
9
10
Table des matières
Liste des abréviations .......................................................................................... 15

Liste des figures................................................................................................... 16
Liste des tableaux ................................................................................................ 20
Introduction générale........................................................................................ 23
Chapitre I: Introduction aux systèmes de transmission d'énergie sans fil
1. Introduction .................................................................................................................. 29
2. Contexte de l’étude....................................................................................................... 31
3. Problématique de la transmission d’énergie sans fil................................................. 32
3.1. Structure global d’un système de TESF ........................................................................................ 32
3.2. Historique de la TESF ................................................................................................................... 34
4. Structure globale d’une rectenna................................................................................ 36
4.1. Antenne de réception..................................................................................................................... 38
4.2. Filtre d’entrée HF .......................................................................................................................... 39
4.3. Topologies du circuit de conversion RF-DC................................................................................. 39
4.4. Filtre de sortie DC ......................................................................................................................... 41
5. Les réseaux de rectennas ............................................................................................. 41
6. Problématique de la modélisation d’une rectenna .................................................... 43
7. Limites d’exposition aux champs électromagnétiques.............................................. 44
8. Caractérisation d’une rectenna................................................................................... 46
9. Application de la TESF à l’alimentation à distance de capteurs sans fil ................ 47
10. Conclusion..................................................................................................................... 51
11. Références bibliographiques ....................................................................................... 53
Chapitre II: Outils de simulation numérique
1. Introduction .................................................................................................................. 59
2. Advanced Design System (ADS) ................................................................................. 60
3. Méthode des différences finies dans le domaine temporel........................................ 62
3.1. Principe de la méthode FDTD.................................................................................................... 62
11
3.2. Critère de stabilité numérique ....................................................................................................... 67
3.3. Calcul des caractéristiques électriques d’une ligne de transmission ............................................. 68
3.4. Calcul de l’impédance................................................................................................................... 69
3.5. Paramètres de répartition d’un circuit multiport............................................................................ 70
3.6. Excitation ...................................................................................................................................... 71
3.7. Conditions absorbantes UMPL ..................................................................................................... 72
3.8. Excitation par une onde plane : formalisme du champ total/champ diffracté ............................... 73
3.9. Modélisation des éléments localisés.............................................................................................. 75
3.9.1. Eléments localisés linéaires ...................................................................................................... 77
3.9.1.1. Résistance ............................................................................................................................ 77
3.9.1.2. Générateur de tension avec résistance interne ..................................................................... 78
3.9.1.3. Capacité localisée ................................................................................................................ 78
3.9.1.4. Inductance localisée............................................................................................................. 78
3.9.2. Elément localisé non-linéaire: la diode Schottky ..................................................................... 79
3.10. Maillage FDTD ............................................................................................................................. 82
4. Conclusion..................................................................................................................... 83
5. Références bibliographiques ....................................................................................... 84
Chapitre III: Conception et optimisation de circuits de conversion RF-DC à

2.45 GHz
1. Introduction .................................................................................................................. 89
2. Circuit de conversion en topologie série..................................................................... 90
2.1. Etude du filtre d’entrée HF............................................................................................................ 92
2.2. Eléments quasi-localisés en technologie micro-ruban................................................................... 93
2.2.1. Section de ligne à forte impédance........................................................................................... 94
2.2.2. Section de ligne à faible impédance ......................................................................................... 95
2.2.3. Stubs ouvert et en court circuit ................................................................................................. 96
2.3. Circuit final optimisé..................................................................................................................... 97
2.4. Simulations ADS et études paramétriques .................................................................................... 97
2.4.1. La charge RL ............................................................................................................................. 98
2.4.2. La capacité CMS du filtre DC .................................................................................................. 99
2.4.3. La ligne L6 entre la diode et le filtre DC ................................................................................ 100
2.4.4. La résistance série Rs de la diode HSMS 2860....................................................................... 100
2.4.5. La capacité Cj0 de la diode HSMS 2860................................................................................. 100
2.4.6. Adaptation du circuit (S11)...................................................................................................... 102
2.4.7. Bilan de puissance .................................................................................................................. 102
2.5. Réalisation et mesures - comparaison avec les simulations ADS ............................................... 105
3. Circuit de conversion en pont modifié à 4 diodes.................................................... 109
3.1. Simulations ADS et études paramétriques .................................................................................. 110
12
3.1.1. Influence de la ligne L5 ........................................................................................................... 110
3.1.2. Influence de la charge RL ....................................................................................................... 111
3.1.3. Niveau d’adaptation................................................................................................................ 111
3.1.4. Bilan de puissance .................................................................................................................. 112
3.1.5. Niveau des harmoniques......................................................................................................... 113
3.2. Analyse du fonctionnement du circuit en pont............................................................................ 114
3.3. Simulations FDTD ...................................................................................................................... 120
3.3.1. Rendement de conversion RF-DC .......................................................................................... 120
3.3.2. Influence d’une onde plane incidente sur le rendement.......................................................... 121
3.4. Réalisation et mesures - comparaison avec les simulations ........................................................ 124
4. Circuit de conversion double diode .......................................................................... 127
4.1. Résultats des simulations ADS.................................................................................................... 128
4.1.1. Niveau d’adaptation (S11) ....................................................................................................... 128
4.1.2. Niveau des harmoniques......................................................................................................... 129
4.1.3. Rendement de conversion RF-DC .......................................................................................... 129
4.2. Réalisations et mesures - comparaison avec les simulations...................................................... 131
5. Conclusion................................................................................................................... 133
6. Références bibliographiques ..................................................................................... 134
Chapitre IV: Application de la méthode d'analyse globale FDTD à l'étude

de circuits rectennas
1. Introduction ................................................................................................................ 137
2. Rectenna en pont de diodes modifié mono-antenne................................................ 138
2.1. Procédure de conception d’une antenne patch micro-ruban........................................................ 138
2.2. Analyse de la rectenna avec la méthode FDTD .......................................................................... 141
2.3. Réalisation et mesures - comparaison avec la FDTD.................................................................. 144
3. Rectenna symétrique double antenne....................................................................... 149
3.1. Circuit de conversion symétrique à deux accès........................................................................... 151
3.2. Simulation FDTD de la rectenna................................................................................................. 152
3.2.1. Tension DC dans les plans E et H de la rectenna ................................................................... 152
3.2.2. Cartographies du champ électrique et du courant surfacique ................................................. 154
3.3. Caractérisation expérimentale de la rectenna et comparaison avec la FDTD ............................. 156
4. Rectenna double diode ............................................................................................... 159
4.1. Simulations numérique (FDTD).................................................................................................. 160
4.1.1. Etude paramétrique en fonction de la ligne d’alimentation L4 ............................................... 162
4.2. Mesure de la rectenna – comparaison avec la FDTD .................................................................. 166
5. Réseaux de rectennas double diode .......................................................................... 168
5.1. Association des rectennas en parallèle..................................................................................... 168
13
5.2. Association des rectennas en série .............................................................................................. 170
5.3. Rapport des tensions DC entre les réseaux et la rectenna simple................................................ 172
6. Conclusion................................................................................................................... 172
7. Références bibliographiques ..................................................................................... 174
Conclusion générale ........................................................................................ 177
Annexes
Annexe 1 : Modélisation d’une diode Schottky par la méthode FDTD........................... 183

Annexe 2 : Méthode de résolution d’équations non-linéaires de Newton-Raphson....... 187
Communications et publications.................................................................... 188
14
Liste des abréviations
ABC - Absorbing Boundary Conditions

ADS - Adavanced Design System
ANFR - Agence Nationale des Fréquences
CENELEC Comité Européen de Normalisation Electrotechnique
CMS - Composant Monté en Surface
CPS - Coplanar Stripline
DC - Direct Current (régime continu)
FDTD - Finite Difference Time Domain
FEM - Finite Element Method
FNRAE Fondation de Recherche pour l’Aéronautique et l’Espace
HB - Harmonic Balance
HF - Hyperfréquence (Haute Fréquence)
ICNIRP Internationnal Commission on Non-Ionizing Radiation Protection
IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers
ISM - Industrial Scientific Medical
LSSP - Large Signal S-Parameter
MoM - Method of Moment
OMS - Organisation Mondiale de la Santé
PEC - Perfect Electric Conductor (conducteur parfait)
PML - Perfectly Matched Layer
RF - Radio Frequency
SP - S-Parameter
SPS - Solar Power System
TESF - Transmission d’Energie Sans Fil ou Transport d’Energie sans Fil
TF - Transformée de Fourier
TLM - Transmission Line Matrix
UPML - Uniaxial Perfectly Matched Layer
WID - Wireless Impedance Device
WPT - Wireless Power Transmission
15
Liste des figures
Figure I. 1 : Principe de la transmission d’énergie par faisceau microonde.................................................. 33

Figure I. 2 : Différents rendements d’un système de TESF ............................................................................ 34
Figure I. 3 : Transmission d’énergie par ondes radio - Nikola Tesla dans son laboratoire de Colorado
Springs [d’après I.2] ........................................................................................................................................... 35
Figure I. 4 : Démonstrateur du Grand Bassin - Ile de la Réunion [d’après I.3] ............................................ 36
Figure I. 5 : Blocs fonctionnels d’une rectenna classique ................................................................................ 36
Figure I. 6 : Circuit de conversion en topologie série....................................................................................... 40
Figure I. 7 : Circuit de conversion en topologie parallèle................................................................................ 40
Figure I. 8 : Circuit de conversion en topologie doubleur de tension ............................................................. 41
Figure I. 9 : Association de rectennas. (a) en série. (b) en parallèle................................................................ 42
Figure I. 10 : Alimentation par couplage inductif - Prothèse rétinal [d’après I.36]...................................... 48
Figure I. 11 : Bloc diagramme d’un système de télémétrie standard [d’après I.34] ..................................... 50
Figure I. 12 : Alimentation sans fil d’un capteur WID sur l’Alamosa Canyon Bridge [d’après I.41]......... 51
Figure II. 1 : Etapes d’une simulation sous ADS d’un circuit de conversion RF-DC ................................... 61
Figure II. 2 : Partie distribuée d’un circuit de conversion série sous Momentum ........................................ 62
Figure II. 3 : Positions des composantes du champ électromagnétique dans une cellule cubique de Yee
[d’après II.2] ........................................................................................................................................................ 65
Figure II. 4 : Caractérisation d’une ligne micro-ruban avec la méthode FDTD ........................................... 68
Figure II. 5 : Calcul du courant et de la tension en régime temporel sur une ligne micro-ruban................ 70
Figure II. 6 : Paramètres S d’un circuit microonde ......................................................................................... 71
Figure II. 7 : Excitation d’une ligne micro-ruban ............................................................................................ 71
Figure II. 8 : Conditions absorbantes UMPL ................................................................................................... 73
Figure II. 9 : Régions du champ total et du champ diffracté .......................................................................... 74
Figure II. 10 : Insertion d’une résistance localisée dans une grille FDTD ..................................................... 77
Figure II. 11 : Modèle électrique d’une diode Schottky avec boîtier.............................................................. 79
Figure II. 12 : Maillages FDTD. (a) Uniforme. (b) Non uniforme. ................................................................. 82
Figure III. 1 : Circuit de conversion série ......................................................................................................... 91

Figure III. 2 : Co-simulation HB + Momentum du circuit série ..................................................................... 92
Figure III. 3 : Schéma d’adaptation d’un circuit de conversion série ............................................................ 93
Figure III. 4 : Modèle électrique équivalent d’une ligne à forte impédance [d’après III.4] ......................... 94
Figure III. 5 : Modèle électrique équivalent d’une ligne à faible impédance [d’après III.4]........................ 95
Figure III. 6 : Modèle électrique équivalent d’un: (a) stub ouvert. (b) stub en court circuit. [d’après III.4]
.............................................................................................................................................................................. 96
Figure III. 7 : Circuit série final optimisé ......................................................................................................... 97
Figure III. 8 : Rendement en fonction de la charge RL .................................................................................... 99
16
Figure III. 9 : Rendement en fonction de la capacité du filtre DC.................................................................. 99
Figure III. 10 : Rendement en fonction de la ligne L6 .................................................................................... 100
Figure III. 11 : Rendement en fonction de la résistance série (Rs) de la diode ............................................ 101
Figure III. 12 : Rendement en fonction de la capacité de jonction (Cj0) de la diode ................................... 101
Figure III. 13 : S11 du circuit série en fonction de la fréquence..................................................................... 102
Figure III. 14 : Bilan de puissance – rendement et pertes ............................................................................. 104
Figure III. 15 : Banc de mesure en conduit..................................................................................................... 105
Figure III. 16 : Tension DC en fonction de la fréquence ............................................................................... 106
Figure III. 17 : Rendement en fonction de la fréquence ................................................................................ 107
Figure III. 18 : Tension DC en fonction de la charge RL ............................................................................... 107
Figure III. 19 : Rendement en fonction de la charge RL ................................................................................ 107
Figure III. 20 : Circuit de conversion en pont de diodes modifié.................................................................. 109
Figure III. 21 : Influence de la ligne L5 sur le rendement.............................................................................. 110
Figure III. 22 : Influence de la charge RL sur le rendement.......................................................................... 111
Figure III. 23 : S11 calculé avec LSSP pour différentes valeurs de PRF ........................................................ 111
Figure III. 24 : Pertes dans les diodes D1-D4 ................................................................................................... 112
Figure III. 25 : Circuit de conversion RF-DC................................................................................................. 114
Figure III. 26 : Caractéristique IV de la diode HSMS 2860 et tension à ses bornes ................................... 115
Figure III. 27 : Tensions aux bornes des diodes D1-D4 pour PRF = 10 dBm ................................................. 116
Figure III. 28 : Courants des diodes D1-D4 pour PRF = 10 dBm .................................................................... 116
Figure III. 29 : Impédance des diodes D1 et D3. (a) vs charge. (b) vs PRF ..................................................... 117
Figure III. 30 : Schéma des impédances des diodes D1-D4 ............................................................................. 118
Figure III. 31 : Variation temporelle de la tension de sortie aux bornes de RL ........................................... 122
Figure III. 32 : Distribution du courant DC ................................................................................................... 123
Figure III. 33 : Distribution du courant à 2.45 GHz ...................................................................................... 123
Figure III. 34 : Distribution du courant à 4.9 GHz ........................................................................................ 123
Figure III. 35 : Distribution du courant à 7.35 GHz ...................................................................................... 124
Figure III. 36 : Banc expérimental pour mesurer le circuit en pont modifié............................................... 124
Figure III. 37 : Tension DC et rendement - comparaison entre simulations et mesures ............................ 125
Figure III. 38 : Circuit de conversion double diode ....................................................................................... 127
Figure III. 39 : S11 en fonction de la puissance PRF ........................................................................................ 129
Figure III. 40 : Rendement en fonction de PRF ............................................................................................... 130
Figure III. 41 : Calcul de l’impédance des diodes HSMS 2860 et 2820 ........................................................ 130
Figure III. 42 : Impédances des deux diodes HSMS 2860 et 2820 ................................................................ 131
Figure III. 43 : Circuits de conversion réalisés et mesurés. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2. ............................. 131
Figure III. 44 : Comparaison entre simulations et mesures. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2............................. 132
Figure IV. 1 : Rectenna en pont de diodes modifié mono-antenne ............................................................... 138

Figure IV. 2 : Variation de l’impédance normalisée à l’entrée d’une antenne patch avec encoches [d’après
IV.2].................................................................................................................................................................... 139
17
Figure IV. 3 : Antenne patch micro-ruban à 2.45 GHz. (a) S11. (b) Impédance d’entrée. .......................... 141
Figure IV. 4 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. ..................................... 142
Figure IV. 5 : Cartographies à 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. ........................ 143
Figure IV. 6 : Cartographies à 4.9 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. .......................... 143
Figure IV. 8 : Rectenna complète réalisée et mesurée ................................................................................... 145
Figure IV. 9 : Banc de mesure en rayonné...................................................................................................... 145
Figure IV. 10 : Caractérisation de l’amplificateur de puissance. (a) Gain. (b) Puissance transmise au
cornet.................................................................................................................................................................. 147
Figure IV. 11 : Rendement et tension DC- simulations FDTD et mesures................................................... 148
Figure IV. 12 : Simulation FDTD de la sortie DC dans les plans E et H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.
............................................................................................................................................................................ 148
Figure IV. 13 : Mesure de la sortie DC dans le plan H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC. ...................... 149
Figure IV. 14 : Rectenna symétrique double antenne.................................................................................... 150
Figure IV. 15 : Niveau des harmoniques. (a) Sur un des accès du circuit. (b) Aux bornes de RL. ............. 151
Figure IV. 16 : Influence du déphasage entre les deux accès du circuit sur le rendement ......................... 152
Figure IV. 17 : Tension et puissance DC dans les plans E et H (simulation FDTD) ................................... 153
Figure IV. 18 : Diagramme de rayonnement du réseau des deux antennes ................................................. 153
Figure IV. 19 : Cartographies DC ................................................................................................................... 154
Figure IV. 20 : Cartographies à 2.45 GHz ...................................................................................................... 155
Figure IV. 21 : Cartographies à 4.9 GHz ........................................................................................................ 155
Figure IV. 22 : Cartographies à 7.35 GHz ...................................................................................................... 156
Figure IV. 23 : Rectenna réalisée et mesurée.................................................................................................. 156
Figure IV. 24 : Rendement et tension DC. (a) FDTD. (b) Mesure. ............................................................... 157
Figure IV. 25 : Sortie DC en fonction de RL. (a) Tension. (b) Rendement ................................................... 158
Figure IV. 26 : Rectenna avec le circuit de conversion double diode ........................................................... 159
Figure IV. 27 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. ................................... 160
Figure IV. 28 : Cartographies à 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. ...................... 161
Figure IV. 30 : Cartographies à 7.35 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique. ...................... 162
Figure IV. 31 : Distributions du courant surfacique pour différentes valeurs de L4 .................................. 163
Figure IV. 32 : Tension DC et rendement en fonction de L4 (FDTD)........................................................... 164
Figure IV. 33 : Variation temporelle de la tension DC pour trois valeurs de L4 (FDTD)........................... 165
Figure IV. 34 : Spectre normalisé du courant sur la ligne L4 (FDTD).......................................................... 165
Figure IV. 35 : Spectre normalisé de la tension sur la ligne L4 (FDTD)....................................................... 165
Figure IV. 36 : Prototype de la rectenna réalisée et mesurée ........................................................................ 166
Figure IV. 37 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure (L4=15.9mm) ............................. 167
Figure IV. 38 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure. (a) L4 = 18.9mm. (b) L4 = 22.9mm.
............................................................................................................................................................................ 167
Figure IV. 39 : Réseaux de rectennas. (a) à 2 éléments. (b) à 4 éléments. .................................................... 168
18
Figure IV. 40 : Association parallèle - mesure en fonction de RL. (a) Tension DC. (b) Rendement. ......... 169
Figure IV. 41 : Association de rectennas en parallèle – tensions et rendements mesurés........................... 170
Figure IV. 42 : Association série - mesure en fonction de RL. (a) Tension DC. (b) Rendement. ................ 171
Figure IV. 43 : Association de rectennas en série – tensions et rendements mesurés ................................. 171
Figure IV. 44 : Rapport (VR) entre les tensions des réseaux de rectennas et la tension de la rectenna
élémentaire......................................................................................................................................................... 172
19
Liste des tableaux
Tableau I. 1 : Limites d’exposition du grand public aux champs électromagnétiques ................................. 45

Tableau I. 2 : Limites d’exposition des travailleurs qualifiés aux ondes électromagnétiques ...................... 46
Tableau III. 1 : Paramètres électriques de la diode HSMS 2860 .................................................................... 92

Tableau III. 2 : Dimensions du circuit série (en mm) ...................................................................................... 97
Tableau III. 3 : Niveau des harmoniques à l’entrée et aux bornes de la charge.......................................... 104
Tableau III. 4 : Dimensions du circuit en pont modifié (en mm) .................................................................. 110
Tableau III. 5 : Bilan de puissance – rendement et pertes............................................................................. 113
Tableau III. 6 : Niveau des harmoniques dans le circuit en pont modifié.................................................... 113
Tableau III. 7 : Impédances des diodes à 2.45 GHz (PRF = 10 dBm) ............................................................ 118
Tableau III. 8 : Rendement du circuit de conversion (simulation FDTD) ................................................... 121
Tableau III. 9 : Paramètres des circuits de conversion développés .............................................................. 128
Tableau III. 10 : Principaux paramètres des diodes HSMS 2860 et 2820 .................................................... 128
Tableau III. 11 : Niveaux des harmoniques à l’entrée du circuit et aux bornes de RL ............................... 129
Tableau IV. 1 : Dimensions de la rectenna en mm......................................................................................... 150
20
-----------------------------------------------------
Introduction générale
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
21
22
Avec les progrès que connaît l’électronique ces dernières années, il est devenu de plus
en plus courant d’utiliser des capteurs, des réseaux de capteurs et des actionneurs sans fil dans
beaucoup de domaines (spatial, militaire, médical, domestique, …), et plus particulièrement
dans les endroits qui sont dangereux et difficiles d’accès. Pour une meilleure intégration dans
l’environnement, il faut réduire la taille de ces systèmes et leur assurer l’autonomie
énergétique. Les techniques d’alimentation conventionnelles par pile ou par batterie restent
contraignantes, voir même difficiles à envisager pour certaines applications. En effet, elles
sont limitées en autonomie, nécessitent des remplacements périodiques et leur recyclage est
coûteux.
L’objectif de ce travail de thèse est de proposer une solution alternative qui soit
efficace, moins contraignante et plus respectueuse de l’environnement. De ce point de vue, la
transmission d’énergie sans fil (TESF) se présente comme une solution très intéressante. Elle
consiste à transmettre de l’énergie d’un point à un autre à travers l’espace libre, et qui une fois
captée et convertie en DC, servira à alimenter le ou les dispositifs sans fil. Dans le cadre de
cette thèse, nous nous somme focalisé sur le transfert d’énergie hyperfréquence dans la bande
ISM (Industrial Scientific Medical) à 2.45 GHz. Dans un premier temps, l’énergie électrique
DC est convertie en énergie micro-onde à l’aide d’une source RF. Ensuite, cette énergie est
rayonnée dans l’espace libre par une antenne d’émission. Enfin, l’énergie rayonnée est captée
par un circuit Rectenna (Rectifying Antenna), convertie en puissance DC et délivrée à une
charge résistive.
Un circuit rectenna classique comprend une antenne de réception suivie d’un circuit de
conversion RF-DC à caractéristique non-linéaire. Ce circuit contient le plus souvent une ou
plusieurs diodes Schottky, un filtre d’entrée HF, un filtre de sortie DC et une charge résistive
qui modélise la consommation du système alimenté. L’enjeu est d’optimiser l’ensemble de la
rectenna, en ayant comme objectif de maximiser la sortie DC en termes de rendement de
conversion RF-DC. L’optimisation doit s’effectuer sur l’ensemble du circuit, d’où la nécessité
de faire appel aux méthodes d’analyse globale associant la simulation électromagnétique et
circuit. La modélisation numérique sera tout au long de ce travail un outil fondamental et
décisif, le but étant de prendre en compte tous les éventuels couplages entre les différentes
parties du circuit.
Notre objectif dans le cadre de cette thèse est de concevoir, optimiser, réaliser et
caractériser expérimentalement des circuits rectennas innovants, compacts et à hauts
23
rendements pour l’alimentation de dispositifs à faible consommation. Les points suivants

seront traités tout au long de ce travail :
Développement d’un outil de simulation numérique, basé sur la méthode des Différences
Finies dans le Domaine Temporel (3D-FDTD), et capable d’analyser un circuit rectenna
dans sa globalité.
Développement de rectennas compactes et efficaces.
Montage de bancs de mesure en conduit et en rayonné et définition d’un protocole de
mesure.
Réalisation et caractérisation expérimentale des circuits développés.
Le présent manuscrit comporte quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous

commençons tout d’abord par rappeler le contexte de l’étude. Pour bien situer le cadre de ce
travail de thèse et de ces applications potentielles, la problématique de la TESF sera abordée à
travers un bref historique et un état de l’art sur les travaux les plus récents rapportés dans la
littérature. Par la suite, nous nous intéresserons davantage à la partie rectenna. La structure
globale du circuit et les topologies les plus utilisées seront présentées, la problématique de la
modélisation numérique sera abordée et son importance dans notre travail sera soulignée.
Afin d’améliorer la sortie DC d’un système de TESF, en termes de tension et/ou de puissance,
les associations de rectennas seront introduites. Enfin, nous terminons ce chapitre par
quelques exemples d’application de la TESF à l’alimentation à distance de capteurs sans fil.
Les caractéristiques les plus importantes de ces systèmes d’alimentation seront décrites, et
plus particulièrement les tensions DC requises, les distances entre l’antenne d’émission et le
circuit à alimenter, les niveaux de champ requis, …
Le deuxième chapitre sera consacré aux différents outils de simulation qui ont été
utilisés. Dans un premier temps, le logiciel commercial ADS (Advanced Design System) sera
brièvement décrit. Il a été utilisé pour la simulation et l’optimisation des différents circuits de
conversion RF-DC. Un couplage entre le simulateur circuit Harmonic Balance (HB) et le
simulateur électromagnétique Momentum a été effectué afin de prendre en compte les
couplages éventuels entre les différentes parties du circuit. Comme ce logiciel ne permet pas
la simulation globale de la rectenna, nous avons été amenés à introduire la méthode 3D-
FDTD pour mieux prédire la sortie DC de la rectenna. Le principe de la méthode est, dans un
premier temps, rappelé. Ensuite, pour délimiter l’espace de calcul et simuler un espace ouvert
infini autour de la structure, des conditions absorbantes de type UPML (Uniaxial Perfectly
Matched Layer) ont été utilisées. De plus, la méthode FDTD dans sa formulation de base ne
24
prend pas en compte la présence d’éléments localisés (linéaires et non-linéaires) dans l’espace
de calcul. Pour contourner ce problème, l’équation de Maxwell-Ampère a été modifiée de
telle sorte à élargir la méthode aux éléments localisés. La diode Schottky a été rigoureusement
modélisée en tenant compte de ses éléments parasites et de son boîtier. Enfin, le formalisme
du champ total-champ diffracté pour la génération d’ondes planes sera introduit. Le code
FDTD développé a été parallélisé sur deux processeurs de quatre cœurs chacun et les temps
de simulations ont été considérablement réduits.
Le chapitre trois sera dédié aux circuits de conversion. Trois circuits en technologie
micro-ruban seront présentés et analysés, une structure conventionnelle à base d’une diode
Schottky HSMS 2860 montée en série et deux autres structures plus innovantes et plus
compactes, ne contenant ni filtre HF ni vias de retour à la masse. Pour montrer l’importance
de certains paramètres sur le rendement, des études paramétriques ont été conduites sous
ADS. De plus, un bilan de puissance intégrant les différentes pertes dans le circuit sera
présenté et discuté. Les circuits développés ont été réalisés et mesurés, les résultats obtenus
seront exposés et comparés avec ceux d’ADS. L’outil de simulation FDTD sera introduit et
appliqué à la simulation de l’un des deux derniers circuits. De plus, avant de passer aux
circuits rectennas complets, l’impact d’une onde plane incidente sur le fonctionnement du
circuit de conversion sera testé.
Le dernier chapitre porte sur l’analyse des circuits rectennas, trois structures y seront
développées. Les résultats mesurés seront systématiquement comparés aux simulations
FDTD. Des cartographies du champ électrique et du courant surfacique seront déterminées et
exploitées afin d’améliorer les performances de ces circuits. La dernière partie du chapitre
traitera des réseaux de rectenna. Deux types d’association y seront testés, série et parallèle.
25
26
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Chapitre I
Introduction aux systèmes de
transmission d’énergie sans fil
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
27
28
Chapitre I Introduction aux systèmes de transmission d’énergie sans fil
Chapitre I
Introduction aux systèmes de transmission
d’énergie sans fil
1. Introduction
De nos jours, avec la miniaturisation et le développement de l’intelligence répartie des
systèmes électroniques, il est devenu de plus en plus difficile d’imaginer un domaine où
l’électronique n’est pas encore présente. Ces systèmes sont de plus en plus présents dans la
plupart des domaines de la vie, sans restriction sur leur localisation dans l’espace. Pour
faciliter leur mobilité et assurer une meilleure intégration dans l’environnement, leur taille
devra être réduite. L’un des problèmes à résoudre et qui représente l’enjeu de cette étude, est
leur autonomie énergétique. La solution qui consiste à relier les différentes parties du système
par des supports galvaniques ou des fils afin de les alimenter reste une solution encombrante
et coûteuse en termes de quantité de câbles à déployer et de leur entretien. De plus, les
techniques d’alimentation classiques par pile ou par batterie restent difficiles à envisager dans
certaines applications, elles sont limitées en autonomie, nécessitent des remplacements
périodiques et leur recyclage est coûteux. Parmi ces applications, on peut citer par exemple
l’alimentation et le suivi de certaines fonctions de vérification de capteurs embarqués à bord
de drones. Une batterie embarquée prend de la place et augmente le poids du drone.
Afin de rendre ces dispositifs électroniques plus autonomes, le concept de la
transmission d’énergie sans fil (TESF) se présente comme une alternative aux systèmes
d’alimentation classiques. Il existe plusieurs formes d’énergie susceptibles d’être utilisées
dans cette thématique de TESF. Les formes les plus répandues sont les énergies solaire,
vibratoire, mécanique, piézoélectrique, acoustique, électromagnétique, … Dans le cadre de
29
cette thèse, nous nous limitons au transfert d’énergie électromagnétique aux fréquences
microondes. Ce concept consiste à transférer de l’énergie hyperfréquence d’un point à un
autre à travers l’espace libre. Ce travail de thèse exclu également les travaux de transmission
d’énergie microonde à travers des guides d’ondes diélectriques ou métalliques. Un système de
TESF comprend trois étapes principales. La première étape consiste à convertir l’énergie
électrique continue en énergie RF en utilisant une source microonde. Dans la deuxième étape,
cette énergie RF est rayonnée par une antenne d’émission (antennes parabolique, cornet, …) à
travers l’espace libre. La troisième et dernière étape consiste à capter et à convertir cette
énergie RF en énergie électrique DC par un système rectenna (rectifying antenna), qui
consiste en une antenne de réception suivie d’un circuit de conversion RF-DC.
Les applications potentielles sont nombreuses et concernent l’alimentation de capteurs
abandonnés, d’actionneurs et de micro-dispositifs à faible consommation. Cette technique
d’alimentation est particulièrement intéressante dans des environnements dangereux et
difficile d’accès. Contrairement aux systèmes d’alimentation par induction magnétique, les
distances de travail peuvent aller de quelques dizaines de centimètres à quelques mètres.
Certaines applications peuvent émerger dans les domaines des transports et notamment dans
l’aéronautique et l’espace pour des vérifications de capteurs ou le suivi de certaines fonctions,
à bord de drones ou d’objets volants de manière générale. D’autres applications, qui mettent
en jeu des puissances relativement importantes, peuvent également voir le jour. Parmi ces
applications, les plus importantes sont le remplacement des câbles et des installations
électriques dans des zones géographiques accidentées et inaccessibles et le transfert massif de
l’énergie solaire de l’espace vers la terre que propose le projet SPS (Solar Power System)
[I.1].
Le concept de la TESF présente un certain nombre de limitations qui sont
essentiellement d’ordres technologiques, environnementales ou biologiques. Il y a aussi le
problème d’acceptabilité des systèmes par le grand public dont il faut tenir compte. Les
limitations technologiques sont liées à l’efficacité des composants microondes et aux
dimensions des circuits. Quand aux limitations biologiques ou environnementales, elles sont
liées aux niveaux de puissance tolérés. En effet, selon l’application et l’environnement, les
puissances tolérées peuvent être différentes. Pour des applications spatiales par exemple, les
densités de puissance tolérées sont plus importantes par rapport aux applications médicales ou
domestiques. Les contraintes liées à l’environnement et à la santé sont des données qu’il faut
intégrer dans le processus de conception et de dimensionnement des systèmes de TESF.
30
2. Contexte de l’étude
Ce travail de thèse rentre dans le cadre d’un projet pluridisciplinaire intitulé Wave
Supply et financé par la Fondation de Recherche pour l’Aéronautique et l’Espace (FNRAE).
Ce projet a pour principal objectif l’alimentation hyperfréquence de dispositifs à faible
consommation tels que des capteurs nomades ou des actionneurs. Ce projet regroupe les trois
laboratoires suivants : AMPERE (Ecole Centrale/INSA Lyon/Université Lyon 1), SATIE
(Ecole Normale Supérieure de Cachan) et ESYCOM (Université de Paris-Est Marne-la-
Vallée). Cette collaboration entre les différents partenaires permet de mettre à profil les
compétences et expériences de chacune des équipes pour mener à bien ce projet. Le projet
Wave Supply propose une solution alternative et innovante qui consiste à transférer de
l’énergie microonde entre une source et le système d’alimentation du dispositif sans fil, à
travers l’espace libre. Cette étude a pour objectif de proposer un dispositif permettant de
capter l’énergie microonde, de la convertir en énergie DC et puis, de la délivrer à l’entrée du
système à alimenter.
Un des enjeux de ce projet repose sur l’imbrication de deux domaines de compétences,
l’électronique hyperfréquence et le génie électrique. L’objectif étant de surmonter les
problèmes rencontrés dans chacun des domaines et d’optimiser l’ensemble de la rectenna en
ayant comme objectif la maximisation de son rendement de conversion. La conception et
l’optimisation doivent s’effectuer sur l’ensemble du dispositif, d’où le recours aux méthodes
d’analyse globales qui sont capables de prendre en compte à la fois les différents phénomènes
électromagnétiques et électriques. La modélisation numérique permettra tout au long de ce
projet d’obtenir des résultats précis, le but étant de prendre en compte tous les éventuels
couplages entre les différentes parties de la rectenna.
Les objectifs de cette thèse sont la conception, l’optimisation, la réalisation et la
mesure de circuits rectennas innovants et à hauts rendements pour l’alimentation sans fil de
dispositifs à faible consommation. La simulation numérique sera un outil fondamental dans
cette étude.
La fréquence de travail d’un système de transmission d’énergie sans fil représente un
aspect très important. Son choix détermine tout d’abord les dimensions du système, son
rendement et son coût. Ce choix est conditionné par le milieu de propagation de l’onde où le
système opèrera. En effet, il est très important de prendre en compte l’atténuation du milieu
en fonction de la fréquence afin de limiter les pertes et d’accroitre par conséquent le
rendement. Dans le cadre du projet Wave Supply, les bandes de fréquences visées sont les
31
bandes ISM et plus particulièrement la fréquence de 2.45 GHz. Les bandes ISM,
conformément à la répartition des bandes de fréquence imposée par l’Agence Nationale des
Fréquences (ANFR), sont dédiées aux applications industrielles, scientifiques et médicales.
Ces bandes de fréquences présentent un certain nombre d’avantages. En effet, elles sont libres
de toute obligation de licence, la taille des antennes et des circuits est raisonnable et les
composants actifs sont disponibles dans le commerce et sont peu onéreux. Cela peut conduire,
avec une production en masse, à des systèmes compacts et à faible coût.
Le rendement d’un système de conversion RF-DC dépend directement de l’élément
non linéaire utilisé. Le choix de cet élément est très important dans la conception de ce type
de circuits. Plusieurs critères peuvent être définis pour faciliter ce choix. Les critères les plus
importants sont: la fréquence de fonctionnement, le niveau de puissance RF à convertir,
l’efficacité du composant ainsi que son coût. Dans les bandes de fréquences d’intérêt, cela
nous conduit tout naturellement vers les diodes Schottky. En effet, ces diodes sont
caractérisées par un temps de commutation rapide et il existe dans le commerce toute une
gamme de diodes adaptées pour différents niveaux de puissances, allant de quelques
microwatts à quelques watts.
Dans le cadre de ce travail de thèse, nous avons développé les points suivants :
• Développement d’une méthodologie spécifique de simulation numérique basée sur
une technique d’analyse globale.
• Mise au point d’un protocole et d’un banc de mesure pour la caractérisation
expérimentale des circuits rectennas.
• Réalisation et mesures de rectennas pour l’alimentation sans fil de dispositifs à faible
consommation.
3. Problématique de la transmission d’énergie sans fil
3.1. Structure global d’un système de TESF

La transmission d’énergie sans fil consiste à acheminer de l’énergie microonde d’un
point à un autre sans fil. Un système de TESF (figure I.1) comprend deux parties distinctes et
éloignées dans l’espace, une partie émettrice et une autre partie réceptrice.
La partie émission du système contient une source microonde, alimentée en énergie
électrique DC, et une antenne d’émission qui peut être de type parabolique, cornet ou toute
autre forme d’antennes, en fonction de l’objectif recherché. La génération des ondes RF peut
32
se faire soit par l’utilisation de tubes (tube à ondes progressives, klystron, gyrotron,
magnétron, …), soit par des dispositifs à semi-conducteurs (transistor à effet de champ). Une
fois le processus de conversion DC-RF accompli et la puissance microonde générée, l’antenne
d’émission transforme cette puissance en ondes rayonnées dans l’espace libre. Dans la partie
réception, le système TESF comprend une antenne (filaire, plaquée, …) suivie d’un circuit de
conversion RF-DC à base de diodes Schottky. L’antenne reçoit l’énergie microonde et la
transmet au redresseur qui la convertit en énergie électrique DC et la transmet ensuite à une
charge résistive. La rectenna fait l’objet de cette étude et sera détaillée tout au long de ce
document. Le parallèle peut être fait avec le cas d’une transmission laser, où l’énergie est
collectée par une cellule photovoltaïque et convertie en énergie électrique.
Figure I. 1 : Principe de la transmission d’énergie par faisceau microonde
Le rendement est une donnée très importante dans les systèmes de TESF. Le
rendement global se décompose fondamentalement en trois rendements (figure I.2). Le
premier rendement est celui de la partie émission du système et qui peut être décomposé en
deux sous rendements, le rendement de conversion DC-RF de la source microonde (70-90 %)
ainsi que le rendement de l’antenne d’émission (70-97 %). Le second rendement caractérise
les pertes dans l’espace libre (5-95 %). Ce rendement dépend de la distance entre l’émetteur et
le récepteur, mais aussi des caractéristiques du milieu de propagation. Le troisième et dernier
rendement caractérise la rectenna (85-95 %) [I.2]. Ce rendement reflète la capacité de la
rectenna à générer de l’énergie DC à partir de l’énergie RF qu’elle est capable de collecter.
Le rendement global d’un système de TESF est limité par un ensemble de contraintes
et de verrous liés à ces différentes parties. Nous allons tenter tout au long de cette thèse de
33
proposer des solutions aux problèmes et verrous que pose le circuit rectenna, notamment ceux
liés à la modélisation globale et à l’optimisation.
Figure I. 2 : Différents rendements d’un système de TESF
3.2. Historique de la TESF

La première expérience de transmission d’énergie sans fil fut réalisée par le physicien
américain Nikola Tesla à Colorado Springs, en 1899 [I.1]. Il s’intéressa spécialement au
phénomène de résonnance et essaya de l’appliquer à la TESF. Il avait imaginé utiliser les
ondes électromagnétiques pour acheminer l’électricité n’importe où dans le monde, sans
lignes. Il construisit une énorme bobine, résonnant à 150 KHz et alimentée avec une
puissance de 300 KW, en haut d’une tour. Cependant, ils n’existent malheureusement pas de
résultats clairs sur la puissance rayonnée et sur celle reçue loin de la source.
Les travaux de Tesla ne se sont pas arrêtés à Colorado Springs. Au début du siècle
dernier, Tesla construisit une tour de transmission à Long Island (New York). Le projet fut
abandonné peu avant sa finalisation à cause de problèmes financiers.
Durant la première moitié du 20éme siècle, le manque d’intérêt que suscitait la
thématique de la TESF peut s’expliquer par le manque de moyens techniques, et plus
particulièrement des sources qui sont capables de générer des puissances considérables en
hautes fréquences.
En 1969, Peter Glaser présente le concept de SPS (Solar Power System) [I.1]. Ce
projet pourrait présenter une alternative aux problèmes énergétiques que connaît la planète,
mais aussi comme source d’énergie propre et écologique. Le système issu de ce projet
comporte un satellite en orbite géostationnaire qui capte l’énergie solaire, cette énergie solaire
est convertie en énergie microonde à 2.45 GHz et envoyée sur terre. Les densités de puissance
mises en jeu au niveau des antennes de réception sont très importantes, elles sont de l’ordre de
100 W/m².
34
En 1975, l’expérimentation terrestre de Goldstone menée par Raytheon représente un

tournant historique dans le domaine de la TESF. Elle a contribué de manière considérable à la
validation du concept et à la crédibilité du projet SPS. Avec un système pilote, une puissance
continue de 30 KW a été récupérée et un rendement global de 54% a été mesuré et certifié
[I.1]. La distance entre les antennes d’émission et de réception est de 1.6 Km.
Figure I. 3 : Transmission d’énergie par ondes radio - Nikola Tesla dans son laboratoire de Colorado
Springs [d’après I.2]
A partir de 1994, le laboratoire d’Electronique, d’Energétique et des Procédés de

l’université de la Réunion, en collaboration avec l’équipe japonaise de l’ISAS, s’est lancé
dans un projet d’envergure qui consistait à étudier la faisabilité d’un transport d’énergie sans
fil pour alimenter l’île de Grand Bassin, région qui est fortement accidentée et difficilement
accessible. La puissance d’émission était de 800 W sur une distance de 40 m. En réception,
une rectenna composée de 2376 antennes dipôles réparties sur une surface de 11.76 m² a été
utilisée pour collecter et convertir une partie de l’énergie RF émise. La densité de puissance
au niveau des antennes de réception est estimée à une dizaine de W/m². Trois lampes de 9 W
furent allumées grâce au dispositif développé, ce dernier présentait un rendement global
d’environ 5% [I.3].
35
Vue d’ensemble Réseau de 2376 rectennas

Figure I. 4 : Démonstrateur du Grand Bassin - Ile de la Réunion [d’après I.3]
4. Structure globale d’une rectenna

Une rectenna est un circuit non linéaire qui contient une antenne de réception suivie
d’un circuit de conversion RF-DC. Une rectenna classique peut être schématisé sous forme de
cinq blocs fonctionnels, comme le montre la figure I.5 ci-dessous.
Figure I. 5 : Blocs fonctionnels d’une rectenna classique
Tout d’abord, l’antenne de réception capte l’énergie microonde et la transmet au

circuit de conversion. Puis le redresseur, constitué d’une ou de plusieurs diodes, convertit
cette énergie RF en énergie électrique continue et la transmet à son tour à la charge résistive
RL. Toutefois, le redresseur génère en plus de l’énergie DC, des harmoniques d’ordre
supérieur qui sont indésirables. La rectenna contient aussi deux filtres HF et DC, situés de
part et d’autre du redresseur. Le filtre HF à l’entrée est un filtre passe bas, il remplit deux
fonctions. Il filtre les harmoniques générées par les diodes pour les empêcher d’être rayonnées
par l’antenne et il assure une adaptation conjuguée entre l’antenne et le circuit de conversion
pour un transfert maximum de puissance entre les deux. Pour ce qui est du filtre de sortie DC,
c’est un filtre passe bas qui bloque toutes les composantes RF, y compris la composante
fondamentale, et ne laisse passer que la composante DC vers la charge. La charge résistive à
l’autre bout de la rectenna modélise généralement l’impédance d’entrée du dispositif à
alimenter.
36
Les premiers travaux sur les rectennas ont été focalisés dans la bande ISM à 2.45 GHz,
la plupart de ces travaux étaient destinés pour des applications spatiales. Le choix de cette
fréquence n’était pas fortuit, il s’explique principalement par la faible atténuation que
présente cette fréquence à travers l’atmosphère. En 1960, Raytheon avait développé une
rectenna à 2.45 GHz. Le circuit mis au point contient une antenne dipôle demi-onde associée
à un circuit de conversion RF-DC contenant une diode simple connectée à une charge
résistive. Un des paramètres clés des circuits rectennas est le rendement de conversion. Il est
défini le plus souvent comme étant le rapport entre la puissance continue récupérée ou
mesurée aux bornes de la charge et la puissance RF reçue par l’élément rayonnant. Ce
rendement de conversion n’a cessé de croître depuis les premiers travaux qui ont été conduits
dans ce domaine. Cependant, le rendement le plus important fut atteint par Brown chez
Raytheon en 1977 [I.4]. W.C. Brown avait utilisé une diode Schottky en Arséniure de
Gallium-Platine (GaAs-Pt), une antenne dipôle en aluminium et une ligne de transmission
pour atteindre un rendement de conversion de 90.6% avec une puissance d’entré de 8 W. En
1982, W.C. Brown et J.F. Triner ont développé une version imprimée du circuit à 2.45 GHz,
gravée sur un film mince. Le rendement obtenu était de 85% [I.5].
En 1991, K. Chang et T.W. Yoo ont développé une rectenna intégrée à 35 GHz avec
un rendement de 33 % pour des puissances d’entrée de l’ordre de 60 mW [I.6]. Le circuit est
constitué d’une antenne dipôle et d’une diode Schottky DMK6606 (Alpha Industries) montée
en parallèle. A la même fréquence, d’autres travaux ont été rapportés par la suite dans la
littérature, notamment une rectenna associant un réseau d’antennes et une diode Schottky
MA4E1317 montée en série [I.7]. Le circuit atteint un rendement de 35 % lorsque la densité
de puissance est de 30 mW/cm². Le passage de la fréquence de 2.45 GHz, traditionnellement
utilisée, à 35 GHz s’explique par le souci d’avoir des structures qui occupent moins d’espace
et de pouvoir ainsi mettre plus de rectennas sur la même surface. Cependant, les composants
utilisés pour la génération et la conversion d’énergie à cette fréquence sont moins efficaces et
coûtent plus cher.
Les inconvénients rencontrés à 35 GHz, et qui ont été cités ci-dessus, ont conduit les
chercheurs à utiliser une nouvelle fréquence à 5.8 GHz. Cela permet de réduire les dimensions
des circuits par rapport à la fréquence 2.45 GHz, sans pour autant perdre en efficacité. En
1992 a été rapporté la première rectenna dans la bande C à 5.87 GHz avec 80% de rendement
[I.8]. La rectenna a été mesurée à l’intérieur d’un guide d’onde avec une puissance d’entrée de
700 mW. Le circuit utilise un dipôle imprimé et une diode Schottky. D’autres travaux à 5.8
GHz ont été rapportés par la suite. En 1998, J.O. McSpadden et al. ont développé une
37
rectenna avec un dipôle imprimé à 5.8 GHz, un rendement de 82% a été mesuré [I.9]. La
rectenna est développée en technologie CPS (Coplanar Stripline) et utilise une diode Schottky
MA40150-119.
4.1. Antenne de réception

Des dipôles filaires ou imprimés et des antennes patch à polarisation linéaire sont
traditionnellement utilisés dans les circuits rectennas. Dans le domaine du transfert d’énergie
sans fil, une antenne à gain élevé est souhaitable. Cela permet de capter plus de puissance RF,
donc plus de puissance continue au niveau de la charge. Toutefois, la surface effective d’une
antenne est proportionnelle à son gain. En effet, il y a un compromis à faire entre le gain de
l’antenne et sa surface. Dans [I.10], une nouvelle antenne patch avec un gain de 9 dBi à été
développée. Cette antenne est comparable à un réseau de deux antennes patch, elle permet
non seulement de collecter plus de puissance mais aussi de rendre la structure plus compacte.
En fonction de l’application visée, la polarisation linéaire [I.9], [I.11], [I.12] ou la polarisation
circulaire [I.13], [I.14], [I.15], [I.16] peuvent être utilisées. Des rectennas bi-bandes [I.17], tri-
bandes [I.18] et même large bande [I.19]-[I.20] ont aussi été développées pour des
applications spécifiques.
La polarisation circulaire est devenue ces dernières années une caractéristique
importante dans la conception des circuits rectennas. Elle offre la possibilité de garder une
tension de sortie DC constante même s’il y a rotation de l’émetteur ou de la rectenna.
Y. J. Ren et al. ont développé une rectenna bi-bandes fonctionnant sur les deux bandes
ISM à 2.45 GHz et à 5.8 GHz [I.17]. Les rendements obtenus sont de 65% et 46%,
respectivement. Costanzo et al. ont proposé une rectenna tri-bandes polarisée circulairement
pour une application de récupération d’énergie ambiante [I.18]. La rectenna fonctionne sur les
fréquences des trois standards GSM 900, GSM 1800 et WiFi. J.A. Hagerty et Z. Popovic ont
mis au point une rectenna pour la récupération d’énergie large bande [I.19], le circuit
fonctionne sur toute la bande de fréquences allant de 6 à 15 GHz avec un rendement qui varie
entre 5 et 45%.
Les deux technologies filaire et plaquée ont été largement exploitées dans les antennes
dédiées aux circuits rectennas. Pour ce qui est des antennes planaires, le choix de la
technologie dépend avant tout de l’antenne. Cependant, la technologie micro-ruban est la plus
utilisée. La ligne CPS est normalement utilisée pour alimenter des dipôles, elle peut être
utilisée non seulement pour combiner plusieurs éléments et accroitre le gain de l’élément
38
rayonnant mais aussi pour former des réseaux d’antennes plus facilement. Plusieurs rectennas
en technologie CPS ont été développées récemment [I.9], [I.21], [I.22].
4.2. Filtre d’entrée HF

Le filtre d’entrée HF est localisé entre l’antenne de réception et le circuit de
conversion. La ou les diodes du convertisseur RF-DC génèrent non seulement de la puissance
DC mais également des harmoniques d’ordre supérieur. Ces harmoniques peuvent dégrader le
fonctionnement du circuit, elles sont indésirables et doivent être bloquées.
Dans une optique de miniaturisation des circuits rectennas et d’amélioration de leur
rendement, le filtre d’entrée HF peut être directement intégré dans l’antenne de réception en
utilisant des antennes à rejection d’harmoniques [I.23]-[I.24]. Cela permet de diminuer les
dimensions du circuit ainsi que les pertes. Une antenne à rejection d’harmoniques est
présentée dans [I.23]. L’antenne utilisée, et contrairement à une antenne patch simple,
présente une forte désadaptation aux harmoniques d’ordres 2 et 3. Le rendement de la
rectenna est de 77.8% lorsque la puissance d’entrée est de 10 mW. T.C. Yo et al. ont rapporté
une rectenna à rejection d’harmoniques et fonctionnant à 2.45 GHz [I.24]. L’antenne filtre
uniquement l’harmonique d’ordre 2 à 4.9 GHz. Un stub radial a été dimensionné afin de
stopper l’harmonique à 7.35 GHz. Un rendement de 78% a été mesuré lorsque la densité
surfacique de puissance est de 16.5 mW/cm².
4.3. Topologies du circuit de conversion RF-DC

La conversion RF-DC est un processus non-linéaire. En fonction d’un ensemble de
critères, cités précédemment, des diodes ou des transistors peuvent être utilisés. Toutefois,
dans les systèmes de transmission d’énergie aux fréquences microondes, les diodes Schottky
sont les plus utilisées. L’un des paramètres les plus importants de ce type de circuits est le
rendement de conversion. Toutefois, cette caractéristique non linéaire rend plus difficiles les
étapes de conception et d’optimisation. En effet, le rendement de conversion dépend à la fois
du niveau de puissance à convertir et de la fréquence de travail. Cela s’explique tout d’abord
par l’efficacité des diodes qui dépend de la tension à leurs bornes. Il y a également le
problème de l’impédance des diodes qui varie en fonction de la puissance d’entrée et de la
fréquence. Cela modifie l’adaptation des différentes parties du circuit et affecte par
conséquent le rendement.
En fonction du positionnement de ou des diodes dans le redresseur, plusieurs
topologies de rectenna ont été développées. Les deux topologies série [I.11], [I.12], [I.25] et
39
parallèle [I.15], [I.17], [I.21], [I.22], [I.23] sont les plus simples à concevoir et sont les plus
répandues dans la littérature. Chacune des topologies a ses avantages et ses inconvénients
selon la technologie, le type d’antenne, la puissance d’entrée disponible, la tension de
sortie,…. Afin d’augmenter la tension de sortie d’une rectenna, des topologies en doubleur de
tension [I.15], [I.18], [I.24] ont été développées. Dans cette topologie, les deux diodes se
trouvent en série avec la charge et la tension de sortie peut par conséquent être doublée.
Certaines topologies se heurtent parfois aux problèmes de conception et de réalisation comme
par exemple la réalisation d’un via pour la connexion d’une diode en parallèle au plan de
masse.
Dans la topologie série que montre la figure I.6, la diode est placée en série entre les
deux filtres HF et DC sans lien direct avec le plan de masse.
Figure I. 6 : Circuit de conversion en topologie série
Dans la topologie parallèle (figure I.7), la diode est placée en parallèle entre les deux
filtres HF et DC, avec l’anode ou la cathode connectée au plan de masse. La diode se
retrouve, par conséquent, naturellement polarisée par la tension DC générée.
Figure I. 7 : Circuit de conversion en topologie parallèle
La topologie en doubleur de tension, que montre la figure I.8 ci-dessous, peut être
considérée comme l’association des deux topologies, série et parallèle, décrites
précédemment. Le circuit en doubleur de tension comprend deux diodes montées l’une en
série et l’autre en parallèle, cela permet de produire une tension de sortie plus grande. Le
40
circuit contient aussi une capacité série qui se trouve juste après le filtre HF, sa valeur doit
être choisie précisément afin de doubler la tension de sortie DC.
Figure I. 8 : Circuit de conversion en topologie doubleur de tension
Une autre topologie double-diode a été récemment rapportée dans la littérature [I.15].
Le circuit a été développé en technologie CPS et fonctionne à 5.8 GHz. Il contient deux
diodes Schottky montées en série sur les deux lignes symétriques. Une comparaison entre
cette configuration et celle en parallèle a été effectuée dans cet article, et les résultats
montrent que la tension de sortie a pu être doublée.
4.4. Filtre de sortie DC

Le filtre de sortie DC est un filtre passe bas qui est composé le plus souvent d’un bloc
capacité parallèle. Le rôle de ce filtre est d’isoler la charge DC du côté RF. Il laisse passer la
composante continue et filtre toutes les harmoniques d’ordre supérieur, y compris la
composante fondamentale. La capacité de sortie peut être remplacée par un ou plusieurs stubs
radiaux ou rectangulaires.
5. Les réseaux de rectennas

L’alimentation de capteurs ou de micro-dispositifs sans fil requiert quelques fois une
tension et/ou une puissance continue qu’un seul élément rectenna ne peut fournir. Afin
d’augmenter la puissance et/ou la tension de sortie, des interconnections des éléments
rectennas sont le plus souvent utilisées pour convertir plus de puissance microonde incidente.
Les réseaux de rectennas peuvent être construits en utilisant plusieurs configurations possibles
[I.8], [I.15], [I.19], [I.26], [I.27]. Les éléments rectennas peuvent être associés en série, en
parallèle ou en cascade. Chaque configuration présente ses propres caractéristiques.
L’association série permet d’avoir des tensions de sortie meilleures que celles de l’association
parallèle. Un réseau de neuf rectennas connectées en série a été développé pour l’alimentation
d’un actionneur mécanique dans une application spatiale [I.27]. Le circuit fournit une tension
41
DC de 50 V. L’association parallèle, quand à elle, garde la même tension de sortie qu’un

élément seul tout en augmentant la puissance DC. Finalement, l’association en cascade peut
être considérée comme la combinaison des deux types d’association série et parallèle. Il a été
montré dans [I.15] que ce type d’association offre les meilleures performances en termes de
tension et de puissance de sortie.
(a) (b)
Figure I. 9 : Association de rectennas. (a) en série. (b) en parallèle.
Des combinaisons entre deux ou plusieurs associations sont possibles [I.19], [I.26],
[I.28]. En effet, J.A. Hagerty et Z. Popovic ont présenté un réseau de rectennas qui associe des
éléments en série et en parallèle [I.19]. Un autre réseau de rectennas à 2304 éléments a aussi
été développé [I.26]. La rectenna contient 256 sous-réseaux connectés en parallèle-série, et
chaque sous-réseau contient neuf éléments connectés en parallèle.
Pour décrire avec précision le comportement d’un réseau de rectennas, un modèle non
linéaire est toujours préférable. Il permet de prédire la sortie DC pour n’importe quelle valeur
de la charge. Toutefois, pour simplifier l’étude et prédire la sortie DC d’un réseau de
rectennas, un modèle linéaire simple est proposé dans [I.15], [I.28]. Le modèle proposé a été
validé sur des associations série et parallèle et a montré de bonnes concordances avec les
résultats expérimentaux. Cependant, ce modèle montre ses limites dès que la charge de sortie
commence à s’écarter de la charge optimale.
De récents travaux sur l’optimisation des réseaux de rectennas ont été rapportés dans
la littérature. Pour avoir une sortie optimale en termes de tension et de rendement, il a été
montré dans [I.28] que les éléments du réseau doivent être identiques et que la charge du
réseau doit être égale à la charge optimale.
42
6. Problématique de la modélisation d’une rectenna

Avec la montée en fréquence, les dispositifs hyperfréquences intègrent de plus en plus
de composants et de fonctions. Un dispositif électronique peut contenir à la fois, des
composants de puissance, des éléments rayonnants, des lignes de transmission, … De plus, les
composants peuvent avoir des dimensions très différentes. La simulation et l’optimisation
séparée de chaque fonction s’avère insuffisant dans nombre de cas. De grandes différences
entre les résultats expérimentaux et les simulations peuvent être observées. Ces écarts
s’expliquent souvent par la modélisation numérique qui ne tient pas compte de tous les
phénomènes physiques, notamment les couplages et les interactions entre les différents
composants du dispositif.
Pour analyser un dispositif hyperfréquence, il existe plusieurs approches suivant la
manière dont le problème est abordé et la précision recherchée. En effet, il existe l’approche
électromagnétique qui repose sur les équations de Maxwell et qui prend en compte tout les
phénomènes électromagnétiques présents dans le dispositif. D’un autre côté, il y a aussi
l’approche circuit qui est basée sur des modèles circuits équivalents. Ces modèles, où des
simplifications sont souvent introduites, ne sont valables que dans un domaine bien précis et
sous certaines conditions. Cela montre bien l’importance d’une modélisation rigoureuse qui
prend en compte tout les phénomènes physique dans un dispositif hyperfréquence.
Le dispositif microonde qui fait l’objet de cette thèse est la rectenna. La conception et
l’optimisation rigoureuses nécessite des compétences combinées en électronique
hyperfréquence et en génie électrique. L’objectif étant de maximiser le rendement de
conversion RF-DC, il est difficile d’envisager l’optimisation séparée des différents
composants constituants un circuit rectenna. En effet, pour prendre en compte les couplages et
les interactions entre les différents composants, la simulation et l’optimisation doivent se faire
sur la totalité du circuit et dans le même environnement de simulation. Les méthodes
d’analyse globale électromagnétique – circuit, qui combinent les lois de l’électromagnétisme
et la théorie des circuits, sont plus que souhaitables dans notre cas.
Une autre difficulté de la modélisation est liée aux dimensions des différents
composants. Les éléments constituants une rectenna sont de dimensions très variées. On passe
par exemple, d’un élément rayonnant demi-onde à un composant localisé (diode, résistance,
…) qui est parfois, inférieur au centième de la longueur d’onde. En plus, un maillage très fin
basé sur l’élément le plus petit est difficile à envisager pour des raisons évidentes de temps et
43
de capacité de calcul. Pour résoudre ce genre de problèmes, on fait souvent appel à des
modèles plus flexibles et qui offrent plus de maniabilité.
De nombreux outils de simulation électromagnétique existent. Ces outils sont adaptés
pour des structures distribuées dont les dimensions sont de l’ordre de la longueur d’onde. La
principale différence entre ces outils de simulation réside dans la méthode de résolution des
équations de Maxwell. En effet, elles peuvent être résolues soit dans le domaine temporel soit
dans le domaine fréquentiel. L’analyse temporelle permet une caractérisation large bande en
une seule simulation et permet de prendre en compte les éléments non linéaires. Son principal
inconvénient est le temps de calcul, qui peut parfois être très important. Les méthodes
temporelles les plus utilisées sont: la méthode des différences finies dans le domaine temporel
(FDTD) et la méthode des lignes de transmission (TLM). D’un autre côté, il y a l’analyse
fréquentielle qui est généralement plus rapide. Toutefois, pour une caractérisation large
bande, il faut autant de simulations que de points de fréquence dans la bande. De plus, les
éléments non linéaires sont difficiles à modéliser dans le domaine fréquentiel. Parmi les
méthodes fréquentielles les plus utilisées, nous pouvons citer par exemple la méthode des
moments (MoM) et la méthode des éléments finis (FEM).
Des méthodes d’analyse circuit, pour étudier des dispositifs de type rectenna, ont été
proposées dans la littérature [I.9], [I.25], [I.29], [I.30]. Toutefois, comme le circuit de
conversion RF-DC est non linéaire et génère par conséquent des harmoniques d’ordre
supérieur, il n’est pas toujours facile de formuler un modèle analytique parfaitement correct.
Un modèle analytique [I.25] a été proposé pour étudier une rectenna série. Le rendement de
conversion obtenu est de 40% avec une puissance d’entrée de 0 dBm. Une autre rectenna
[I.11] a été développée en utilisant uniquement un simulateur circuit de type harmonic
balance (HB), le rendement du système est de 56% pour une puissance d’entrée de 20 dBm.
7. Limites d’exposition aux champs électromagnétiques

Des limites d'exposition aux champs électromagnétiques ont été établies dès les années
1980, notamment par une commission internationale de spécialistes : l'ICNIRP (International
Commission on Non-Ionizing Radiation Protection). C’est une Organisation non
gouvernementale reconnue par l'OMS (Organisation Mondiale de la Santé) et constituée de
médecins et de spécialistes des champs électromagnétiques. C'est elle qui propose des limites
d'exposition humaine aux champs électromagnétiques, à partir d'un examen approfondi des
travaux scientifiques existant sur le sujet. Les premières limites d'exposition aux champs
44
électromagnétiques radiofréquences ont été publiées en 1988 et ont été confirmées en 1998.
De nombreux pays ont établi leurs propres normes ou directives à partir de ces
recommandations. En Europe, le conseil de l’union européenne a adopté, le 12 juillet 1999,
une recommandation [I.31] visant à limiter l'exposition du public aux champs
électromagnétiques en se basant sur les recommandations de l'ICNIRP. Elle recommande aux
Etats membres d’adopter une réglementation et de veiller au respect de ces restrictions. Des
organismes comme le CENELEC (Comité Européen de Normalisation Electrotechnique) en
Europe et l'IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) au plan international
complètent ces travaux et établissent des normes visant à définir les méthodes de mesures et
les moyens permettant de vérifier le respect de ces limites. En France, le décret n° 2002-775
publié dans le journal officiel de la république française le 3 mai 2002 [I.32], en se basant sur
les recommandations du conseil de l’union européenne, avait fixé les limites d’exposition du
public aux champs électromagnétiques émis par les équipements utilisés dans les réseaux de
télécommunications ou par les installations radioélectriques.
Les limites d'exposition recommandées ont pour but d'assurer que les expositions se
situent suffisamment en dessous des niveaux pour lesquels les études biologiques démontrent
des effets nocifs reproductibles. En d’autres termes, les normes fixent des limites plus faibles
que les seuils à partir desquels des effets nocifs sont démontrés. Ces marges de sécurité, entre
limite d’exposition et seuil d’apparition des effets nocifs, visent à prendre en compte les effets
que les études en cours et futures pourraient éventuellement démontrer.
Le tableau I.1 montre les principales normes recommandées par cette directive, f étant
la fréquence et les limites d’exposition sont exprimées en valeurs de champs efficaces. Cet
ensemble de normes concerne les personnes non classifiées comme travailleurs, incluant le
grand public.
Gammes de fréquences f Eeff (V/m) Heff (A/m)
0 - 1 Hz – 32000
1 - 8 Hz 10000 32000/f2
8 - 25 Hz 10000 4000/f
0.025 - 0.8 kHz 250/f 4/f
0.8 - 3 kHz 250/f 5
3 - 150 kHz 87 5
0.15 - 1 MHz 87 0.73/f
1 - 10 MHz 87/f1/2 0.73/f
10 - 400 MHz 28 0.073
400 - 2000 MHz 1.375 f1/2 0.0037 f1/2
2 - 300 GHz 61 0.16
900 MHz 41 0.11
1800 MHz 58 0.15
2.45 GHz 61 0.16
Tableau I. 1 : Limites d’exposition du grand public aux champs électromagnétiques
45
Les limites d’exposition applicables aux travailleurs qualifiés et aux professionnels

sont moins sévères que celles applicables au grand public. Le tableau I.2 ci-dessous montre
les limites d’exposition aux champs électromagnétiques en fonction des différentes bandes de
fréquence.
Gammes de fréquences Champ électrique E Champ magnétique H

(MHz) (V/m) (A/m)
0.003 - 1 600 4.9
1 - 10 600/f 4.9/f
10 - 30 60 4.9/f
30 - 300 60 0.163
300 - 1500 3.54 (f) 1/2 0.0094 (f) 1/2
1500 - 15000 137 0.364
15000 - 150000 137 0.364
150000 - 300000 0.354 (f) 1/2 0.00094 (f) 1/2
Tableau I. 2 : Limites d’exposition des travailleurs qualifiés aux ondes électromagnétiques
Lorsque le rayonnement électromagnétique est composé de plusieurs fréquences dans

la même bande ou dans des bandes de fréquences différentes, alors la valeur mesurée à
chaque fréquence divisée par la limite recommandée doit être déterminée et la somme de
toutes ces valeurs doit être inférieure à l’unité.
8. Caractérisation d’une rectenna

Les circuits rectennas sont le plus souvent caractérisés par deux rendements, le
rendement de conversion RF-DC et le rendement global.
Le premier rendement décrit la capacité du redresseur à fournir une puissance
électrique continue à la charge à partir de l’énergie RF que lui fournie le système de réception
ou toute autre source d’énergie microonde. Ce rendement représente le principal objectif lors
d’un processus d’optimisation du circuit de conversion. Toutefois, comme le processus de
conversion est de nature non linéaire, l’optimisation se fait à un point de puissance d’entrée et
le rendement est optimal sur une plage étroite autour de ce point. En effet, l’impédance de la
diode Schottky et son efficacité dépendent étroitement de la tension appliquée à ses bornes.
La variation de cette impédance engendre une désadaptation qui affecte directement le
rendement de conversion. Ce dernier est défini comme étant le rapport entre la puissance de
sortie DC, prélevée aux bornes de la charge, et la puissance d’entrée RF. Selon la puissance
d’entrée qu’on considère, plusieurs définitions du rendement existent dans la littérature. La
puissance RF peut être considérée comme la puissance maximale que la source ou l’antenne
de réception pourra débiter sur une charge de 50 Ω, et dans ce cas les pertes par réflexion sont
46
prises en compte [I.15], [I.27]. Elle peut aussi être considérée comme la puissance RF
réellement transmise à la diode, sans tenir compte des pertes par réflexion [I.11].
L’autre rendement, qui est plus global, décrit la capacité du circuit rectenna complet à
convertir l’énergie RF reçue en énergie DC. La puissance que l’antenne est susceptible de
recevoir est souvent calculée par l’équation de Friis [I.27]. Cette définition du rendement est
la plus répandue dans la littérature, puisqu’il n’est pas évident d’accéder à la valeur de la
puissance RF réellement transmise au convertisseur. Toutefois, le rendement peut être calculé
non pas sur la base de la puissance que l’antenne reçoit dans le meilleur des cas mais en
tenant compte de la puissance réellement reçue. En effet, une méthode de calcul de la
puissance réelle reçue par une antenne, et appliquée au calcul du rendement d’une rectenna, a
été développée dans [I.18]. La méthode de calcul proposée est valable en champ proche
comme en champ lointain. Elle est également valable quelles que soient la direction et la
polarisation de l'onde incidente. Le rendement qu’affiche une rectenna dépend beaucoup de la
façon dont il est calculé.
9. Application de la TESF à l’alimentation à distance de capteurs sans fil

Les progrès actuels que connaît l’électronique faible consommation et les systèmes de
communication rendent possible le développement de capteurs et d’actionneurs sans fil dans
des environnements divers et variés. Cela donne plus d’autonomie et de mobilité aux capteurs
et aux réseaux de capteurs. Il est de plus en plus fréquent de les trouver dans des endroits dont
il était difficile ou même impossible d’envisager leur présence dans le passé, cela facilite leur
intégration dans l’environnement.
Le projet Wave Supply rentre dans cette thématique, son objectif est d’alimenter à
distance des capteurs et des fonctions de vérification embarquées. Cependant, les circuits que
nous avons développés dans le cadre de ce projet ne se limitent pas uniquement aux
applications aéronautiques et spatiales. Plusieurs applications peuvent émerger dans des
domaines divers et variés tels que des applications industrielles, médicales, domestiques,
militaires, …
La plupart des capteurs et des réseaux de capteurs sans fil qui sont commercialisés
jusqu’à maintenant sont alimentés par des systèmes conventionnels de type piles ou batteries
[I.33]. Afin d’assurer la continuité de fonctionnement à ces dispositifs, une recharge ou un
remplacement périodiques du module d’alimentation est requise. Un des moyens pour y
parvenir est d’intégrer une solution d’alimentation sans fil dans ou à proximité du capteur.
47
Avec cette approche, le capteur doit être conçu pour capter l’énergie que lui transmet une
station de base ou directement à partir de son environnement proche, la convertir en énergie
électrique et la stocker afin d’alimenter les différentes parties nécessaires à son
fonctionnement [I.34]-[I.35].
Une solution alternative, et qui présente un grand potentiel, consiste à utiliser les
ondes électromagnétiques dans le domaine des microondes. Cette technique consiste à utiliser
des ondes radiofréquences pour charger une capacité ou une batterie qui se trouve à côté du
capteur ou directement intégrée dans son module d’alimentation.
Pour des faibles distances de quelques centimètres, cette méthode est très efficace
grâce au couplage inductif ou capacitif. Une seule bande de fréquence peut être utilisée pour
le transfert de la puissance et des données. Cependant, afin que l’efficacité de la transmission
ne soit pas dégradée, deux bandes séparées pour la puissance et les données peuvent être
utilisées [I.36]. La figure I.10 présente un système d’alimentation par couplage inductif pour
une prothèse rétinale.
Pour des distances plus importantes, l’efficacité décroit suivant que l’onde est
transmise dans les domaines des microondes, des infra rouge ou du visible [I.37]-[I.38].
Le transfert d’énergie électromagnétique sur de courtes distances par couplage, malgré son
efficacité, impose que l’émetteur et le récepteur soient proches dans l’espace. Cette solution
reste difficile à envisager dans beaucoup d’applications faisant appel aux systèmes répartis.
Figure I. 10 : Alimentation par couplage inductif - Prothèse rétinal [d’après I.36]
La lumière visible ou infra rouge peut représenter un moyen efficace d’alimentation

sans fil et à distance grâce à la directivité qu’offrent les sources dans ce domaine. Toutefois,
48
les faibles efficacités des cellules photovoltaïques (~ 20 %) dégradent fortement les

rendements du système global. Récemment, des cellules photovoltaïques avec des rendements
de 30 à 40 % ont été développées, cependant, elles nécessitent une forte concentration ou
densité de la lumière pour fonctionner efficacement [I.39].
Dans les systèmes d’alimentation où la puissance est transmise au capteur sous forme
d’une onde hyperfréquence, les sources d’énergie peuvent être de deux types: l’énergie
ambiante et les sources d’énergie contrôlées. Les systèmes à source contrôlée utilisent des
puissances qui sont généralement plus importantes que celles utilisées dans les systèmes qui
récupèrent l’énergie ambiante.
Dans la partie qui suit, l’état de l’art dans le domaine de l’alimentation hyperfréquence
de capteurs sans fil sera exposé. Les caractéristiques les plus importantes de ces systèmes
seront soulignées. Ces données concernent principalement la fréquence de fonctionnement, la
tension et la puissance d’alimentation et les distances entre l’émetteur et le système à
alimenter.
Une télé-alimentation d’un capteur de température à faible consommation en
technologie CMOS a été développée dans [I.34]. Le convertisseur RF-DC est à base d’un
multiplicateur de tension à 16 étages. Le capteur est alimenté par une onde électromagnétique
incidente à 450 MHz avec une puissance RF supérieure à -12.3 dBm. Le module de
transmission intégré dans le capteur renvoie des informations sur la température sur une
porteuse modulée à 2.3 GHz. Le capteur se trouve à 18 mètres de la station de base et il
consomme, en mode transmission, un courant de 1.1 mA sous une tension continue de 2.5 V.
La figure I.11 présente un système de télémétrie, alimenté par des ondes
hyperfréquences. La rectenna alimente directement les différents modules de la chaine de
transmission. En fonction de l’application, d’autres architectures peuvent être exploitées. Une
batterie ou un accumulateur peut être introduit dans l’architecture pour servir d’intermédiaire
entre la rectenna et le transmetteur. La rectenna charge la batterie jusqu’à un certain seuil de
tension, puis la batterie alimente le module de transmission. Cette dernière architecture est
très intéressante lorsque le capteur requiert une tension d’alimentation que la rectenna ne peut
pas fournir instantanément.
49
Figure I. 11 : Bloc diagramme d’un système de télémétrie standard [d’après I.34]
Un système d’alimentation sans fil à la fréquence de 2 GHz, et travaillant avec des

niveaux de puissance RF très faibles a été développé par C. Miketa et H. Arai [I.35]. La
rectenna est en topologie doubleur de tension, elle contient un super condensateur d’une
capacité de 0.8 F initialement chargé à 2.7 V et capable d’accumuler une tension
supplémentaire de 500 mV au bout de 10 jours sous une puissance ambiante de -25.7 dBm. Le
système est utilisé pour alimenter un module radio (nRF401) à 433 MHz qui transmet 312
trames de données pendant les 10 premières secondes avant que la tension du condensateur ne
soit inférieure à la valeur seuil de 2.7 V. Dans [I.40], les auteurs ont développé un dispositif
similaire à celui présenté dans [I.35]. La rectenna contient deux éléments, contenant chacun 4
doubleurs de tension connectés en série. Le module d’alimentation sans fil est illuminé par
une onde à 2 GHz avec une puissance de 0 dBm. La durée de charge du condensateur est
ramenée de 10 jours à 5 heures. Le module radio (nRF24L01) transmet les données sur une
porteuse modulée à 2.4 GHz, il consomme une puissance de 36.16 mW sous une tension
continue de 3.2 V. La rectenna développée est dédié aux capteurs qui émettent des données de
façon périodique dans le temps.
Un capteur WID (Wireless Impedance Device) alimenté à distance par des ondes
électromagnétiques à 2.4 GHz a été rapporté dans [I.41]. Deux réseaux de rectennas, en
doubleur de tension, à 18 puis 36 éléments ont été utilisés. La puissance d’émission est
limitée à 1 W. Un super condensateur de 0.1 F est utilisé pour stocker de l’énergie électrique,
il est chargé à 3.6 V au bout de 27 secondes. Le système développé a été testé et mesuré sur
un pont instrumenté (Alamosa Canyon Bridge) au Nouveau Mexique. Le réseau de capteurs
déployé tout au long du pont renvoie des informations sur l’état de stress de la structure vers
une station de base pour le post-traitement des données collectées.
50
Figure I. 12 : Alimentation sans fil d’un capteur WID sur l’Alamosa Canyon Bridge [d’après I.41]
Dans [I.42], un système d’alimentation par radiofréquence à 50 MHz a été développé.

Le circuit alimente un capteur de déformation à base de MEMS. Le convertisseur RF-DC a
été développé en technologie CMOS et occupe une surface approximative de 1 mm². Il
délivre une tension continue de 2.8 V et un courant de 2 mA avec un rendement de conversion
de 11%.
10. Conclusion
Dans ce premier chapitre, nous avons passé en revue les récents travaux menés dans le
domaine de la transmission d’énergie sans fil pour des applications d’alimentation à distance
de capteurs et de dispositifs à faible consommation. Il a été montré, au travers les différents
travaux développés, que cette technique d’alimentation est potentiellement intéressante. En
effet, cela peut rendre les systèmes électroniques plus autonomes et plus flexibles quand à
leurs emplacements.
Les objectifs de cette thèse consistent à modéliser, optimiser, réaliser et caractériser
expérimentalement des systèmes de conversion RF-DC innovants pour l’alimentation
hyperfréquence de capteurs sans fil. L’importance de la modélisation numérique a été
soulignée dans ce chapitre. En effet, les méthodes d’analyse globale associant les équations de
Maxwell et la théorie des circuits sont plus que souhaitables dans ce cas.
Nous aborderons au travers des chapitres suivants les différents outils de simulation et
d’optimisation utilisés. Pour montrer l’importance de la modélisation numérique et valider les
différents outils de simulation, des comparaisons systématiques entre les simulations et les
mesures seront effectuées.
51
De nouvelles rectennas compactes et sans filtre d’entrée HF ont été développées dans
ce travail de thèse et seront présentées. Ces circuits présentent des rendements supérieurs à
80% avec des puissances RF de l’ordre de 10 dBm. De plus, ils ne contiennent pas de vias de
retour à la masse et la mesure de la tension de sortie DC se fait en différentiel sur la même
face du circuit et sans lien avec le plan de masse.
52
11. Références bibliographiques

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56
-----------------------------------------------------
Chapitre II
Outils de simulation numérique
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------
57
58
Chapitre II Outils de simulation numérique
Chapitre II
Outils de simulation numérique
1. Introduction
Dans le premier chapitre, l’importance d’une modélisation numérique rigoureuse a été
soulignée. Les différents outils de simulation numérique pour l’étude des circuits rectennas
ont été décrits. En effet, selon la manière dont l’étude est abordée et la précision recherchée,
des simulations circuit ou électromagnétique-circuit peuvent être utilisées. Des modèles
analytiques ou expérimentaux ont également été rapportés dans la littérature. Cependant, une
modélisation globale, associant les simulations circuit et électromagnétique, est plus que
souhaitable. Dans ce travail de thèse, nous avons utilisé deux outils de simulation numérique:
le logiciel commercial ADS (Advanced Design System) d’Agilent Technologies, puis la
méthode FDTD (Finite Difference Time Domain).
Dans un premier temps, le logiciel ADS est utilisé pour la simulation et l’optimisation
du circuit de conversion RF-DC. Un couplage entre Harmonic Balance (HB) et Momentum a
été effectué pour tenir compte des couplages éventuels entre les différentes parties du circuit,
et afin de mieux prédire ses performances (rendement, adaptation, niveaux des harmoniques,
...). À ce stade de l’étude, l’antenne de réception et le circuit de conversion sont conçus
séparément, puis associés pour construire la rectenna complète.
Dans un second temps, pour analyser la rectenna dans sa globalité et mieux prédire sa
sortie DC, la méthode des différences finies dans le domaine temporel (FDTD) a été
introduite. Des conditions absorbantes de type UMPL (Uniaxial Perfectly Matched Layer) ont
été utilisées pour délimiter l’espace de calcul et simuler un espace ouvert infini autour de la
structure. De plus, la méthode FDTD dans sa formulation de base ne considère pas les
éléments localisés linéaires et non-linéaires dans l’espace de calcul. Pour y remédier,
l’équation de Maxwell-Ampère a été modifiée de telle sorte à élargir la méthode aux éléments
localisés. Enfin, pour reproduire le scénario de la mesure en rayonné à l’intérieur d’une
59
chambre anéchoïque, la rectenna doit être illuminée par une onde plane incidente. Le
formalisme du champ total-champ diffracté pour la génération d’ondes planes est introduit. Il
permet de générer une onde plane arbitraire pour étudier la rectenna sous différents angles
d’incidence et avec les différentes polarisations.
Des cartographies de champ électrique et de densité de courant surfacique ont pu être
tracées aux différents harmoniques, elles permettent d’expliquer plus facilement le
fonctionnement de la rectenna et elles facilitent l’étape d’optimisation.
2. Advanced Design System (ADS)

Le logiciel ADS est développé par Agilent Technologies. Il est dédié à la simulation et
à la conception des circuits et des systèmes électroniques RF. Il offre tout un ensemble
d’environnements de simulation de types circuit et électromagnétique, dans les domaines
temporel et fréquentiel.
Dans ce travail de thèse, le logiciel ADS a été utilisé pour simuler et optimiser le
circuit de conversion RF-DC. Dans un premier temps, la méthode Harmonic Balance (HB) a
été utilisée. Toutefois, HB est une méthode d’analyse circuit qui ne tient pas compte de tous
les phénomènes électromagnétiques et plus particulièrement des couplages éventuels entre
composants. Afin d’y remédier, HB a été combiné avec le simulateur électromagnétique
Momentum pour effectuer une co-simulation électromagnétique-circuit.
Harmonic balance est une méthode d’analyse fréquentielle, elle prend en compte
toutes les non linéarités dans un circuit. Elle offre tout un ensemble de méthodes
d’optimisation de types aléatoires et itératives. Le dispositif à étudier est décomposé en sous-
circuits linéaire et non-linéaire. Le sous-circuit linéaire est analysé dans le domaine
fréquentiel, alors que le sous-circuit non-linéaire est analysé dans le domaine temporel. Les
résultats de l’analyse temporelle sont ensuite transposés dans le domaine fréquentiel par la
Transformée de Fourier (TF). Une solution est trouvée si les courants d’interconnexion entre
les sous-systèmes linéaire et non-linéaire, pour chaque harmonique, sont les mêmes. Les
différents courants doivent être équilibrés pour chaque harmonique [II.1].
Momentum est un simulateur électromagnétique basé sur la méthode des moments, il
est dédié à la simulation des circuits RF planaires (antennes, filtres distribués, …). Il présente
les avantages suivants:
Simulation de topologies dont le modèle circuit est dépassé ou inexistant.
Prise en compte des couplages entre composants.
60
Echantillonnage fréquentiel adaptatif pour des simulations rapides et précises.

Outils d’optimisation intégrés.
Couplage avec des simulateurs circuit comme harmonic balance.
La figure II.1 ci-dessous résume les principales étapes de simulation et d’optimisation

d’un redresseur RF-DC sous ADS. La première étape consiste en la simulation et
l’optimisation du circuit avec HB. Deux méthodes d’optimisation ont été utilisées : une
méthode aléatoire ‘Random’ dans un premier temps, puis une méthode itérative ‘Gradient’
par la suite. La méthode Random est utilisée pour avoir une première solution optimale
possible. La méthode Gradient vient ensuite accroitre la précision et vérifier que la solution
retenue est globale et qu’il ne s’agit pas d’un optimum local. La première solution trouvée sert
de conditions initiales à la méthode Gradient. Le principal objectif d’optimisation défini est le
rendement de conversion RF-DC car les autres objectifs, tels que l’adaptation, le niveau des
harmoniques, …, sont secondaires et sont liés au rendement.
Figure II. 1 : Etapes d’une simulation sous ADS d’un circuit de conversion RF-DC
La seconde étape consiste à simuler la partie distribuée du circuit sous Momentum. Un

exemple de partie distribuée d’un circuit série est donnée par la figure II.2. Par la suite, un
modèle en paramètres S est généré et exporté. La dernière étape consiste à connecter les
éléments localisés linéaires et non linéaires avec la partie distribuée du circuit et faire une co-
simulation électromagnétique-circuit (HB+Momentum).
61
Il est également possible de refaire une optimisation sous Momentum à partir du

modèle en paramètres S de la partie distribuée optimisé sous HB. Toutefois, cette solution est
très contraignante en termes de temps de calcul.
Figure II. 2 : Partie distribuée d’un circuit de conversion série sous Momentum
3. Méthode des différences finies dans le domaine temporel

La méthode FDTD-3D a été introduite dans ce travail de thèse pour effectuer l’analyse
globale de la rectenna complète. L’outil de simulation basé sur cette méthode a été développé
au laboratoire ESYCOM, en utilisant le langage de programmation C. Pour réduire les temps
de calcul et pouvoir effectuer des études paramétriques plus facilement, le code que nous
avons mis au point a été parallélisé sur deux processeurs, à quatre cœurs chacun.
3.1. Principe de la méthode FDTD

La méthode FDTD permet de résoudre les équations de Maxwell au sens des
différences finies dans le domaine temporel. Elle impose une double discrétisation, spatiale et
temporelle. Cela se traduit par la construction d’un maillage de la structure à étudier ainsi que
par la discrétisation de l’axe temporel. En imposant une excitation en un point de la grille, les
composantes du champ électromagnétique seront calculées de manière itérative en tout point
de la grille et à tout instant. L’évolution temporelle du champ électromagnétique pourra être
déterminée en tout point de la grille. Une source d’excitation large bande permet de
caractériser des structures linéaires sur une large bande de fréquence et en une seule
simulation.
Le point de départ de la méthode FDTD est la forme différentielle des équations de
Maxwell. Pour un milieu donné, elles spécifient que :
62

∂B
∇× E = − , équation de Maxwell-Faraday (II.1)
∂t

∂ D
∇× H = + J c , équation de Maxwell-Ampère, avec J c = σ E (II.2)
∂t

div( D ) = ρ , équation de Maxwell-Gauss (II.3)

div( B ) = 0 , équation de Maxwell sur la conservation du flux (II.4)
Les différentes variables sont en fonction du temps et de la position. Dans le cas d’un milieu
linéaire et isotrope, on a :

D =εE (II.5)

B = µH (II.6)
avec: E = champ électrique (V/m)

D = induction électrique (C/m²)
H = champ magnétique (A/m)
B = induction magnétique (Tesla)
Jc = densité de courant de conduction (A/m²)
ρ = densité de charge volumique (C/m3)
σ = conductivité (S/m)
ε = permittivité (C.V-1.m-1)
µ = perméabilité (H/m)
Dans le cas d’un milieu linéaire, homogène, isotrope et sans pertes. Les équations (II.1) et
(II.2) deviennent :

∂H 1
= − ∇× E (II.7)
∂t µ
63

∂E 1
= ∇× H (II.8)
∂t ε
La projection des deux équations (II.7) et (II.8) sur les trois axes de coordonnées x, y et z,
donne:
∂ Hx 1  ∂ Ez ∂ E y 
=−  −
µ  ∂ y ∂ z 
(II.9)
∂t
∂ Hy 1  ∂ Ex ∂ E z 
=−  −
∂ x 
(II.10)
∂t µ ∂z
∂ Hz 1  ∂ E y ∂ Ex 
=−  −
µ  ∂ x ∂ y 
(II.11)
∂t
∂ Ex 1  ∂ H z ∂ H y 
= −
∂ t ε  ∂ y ∂ z 
(II.12)
∂ Ey 1  ∂ H x ∂ H z 
= −
∂ t ε  ∂ z ∂ x 
(II.13)
∂ Ez 1  ∂ H y ∂ H x 
= −
∂ t ε  ∂ x ∂ y 
(II.14)
Afin de pouvoir implémenter ces équations dans un système de calcul numérique, il faut les
discrétiser. L’approximation de la dérivée centrée et le diagramme de Yee [II.2], que montre
la figure II.3, seront utilisés.
64
Figure II. 3 : Positions des composantes du champ électromagnétique dans une cellule cubique de Yee
[d’après II.2]
Les équations (II.9) à (II.14) deviennent (II.15) à (II.20), respectivement.
dt
Hx
n +1/ 2 n −1/2
(i , j , k ) = H x (i , j , k ) −  E zn (i, j + 1, k ) − E zn (i, j , k ) 
µ (i , j , k ) dy
(II.15)
dt
+  E yn (i, j , k + 1) − E yn (i, j , k ) 
µ (i , j , k ) dz
dt
Hy
n +1/ 2 n −1/2
(i , j , k ) = H y (i , j , k ) −  Exn (i, j , k + 1) − Exn (i, j , k ) 
µ (i , j , k ) dz
(II.16)
dt
+  E zn (i + 1, j , k ) − E zn (i, j , k ) 
µ (i , j , k ) dx
dt
Hz
n +1/ 2 n −1/2
(i , j , k ) = H z (i , j , k ) −  E yn (i + 1, j , k ) − E yn (i, j , k ) 
µ (i , j , k ) dx
(II.17)
dt
+  Ex (i, j + 1, k ) − Ex (i, j , k ) 
n n
µ (i , j , k ) dy
65
dt
n +1
E x ( i , j , k ) = E x (i , j , k ) +
n
 H zn +1/2 (i, j , k ) − H zn +1/2 (i, j − 1, k ) 
ε (i , j , k ) dy
(II.18)
dt
−  H y
n +1/2 n +1/2
(i , j , k ) − H y (i , j , k − 1) 
ε (i , j , k ) dz
dt
n +1
E y ( i , j , k ) = E y (i , j , k ) +
n
 H xn +1/ 2 (i, j , k ) − H xn +1/ 2 (i, j , k − 1) 
ε (i , j , k ) dz
(II.19)
dt
−  H z
n +1/ 2 n +1/ 2
(i , j , k ) − H z (i − 1, j , k ) 
ε (i , j , k ) dx
dt
n +1
E z ( i , j , k ) = E z (i , j , k ) +
n
 H yn +1/2 (i, j , k ) − H yn +1/2 (i − 1, j , k ) 
ε (i , j , k ) dx
(II.20)
dt
−  H x
n +1/2 n +1/2
(i , j , k ) − H x (i , j − 1, k ) 
ε (i , j , k ) dy
avec dt = pas de discrétisation temporelle

dx, dy et dz = les pas de discrétisation spatiales suivant les trois axes x, y et z
Les équations de Maxwell décrites précédemment ne s’appliquent qu’aux points

réguliers du maillage, où le milieu est homogène. Certains points de la grille nécessitent des
traitements particuliers, c’est notamment le cas des interfaces entre deux diélectriques, des
murs électriques ainsi que des murs magnétiques.
Soient deux milieux diélectriques de permittivités électriques ε1 et ε2. Considérons le

cas où l’interface entre les deux milieux contient les composantes tangentielles Ex et Ey du
champ électrique. La composante normale Hz du champ magnétique ne subira aucune
modification. Les composantes tangentielles Ex et Ey seront calculés en utilisant la permittivité
moyenne (ε) définie par :
ε1 + ε 2
ε= (II.21)
2
66
Pour le traitement des surfaces parfaitement conductrices, les composantes

tangentielles du champ électrique seront annulées. Les composantes normales du champ
magnétique ne nécessitent aucun traitement particulier, elles seront automatiquement annulées
par les équations de la FDTD.
Dans le cas d’un mur magnétique, les composantes normales du champ électrique
ainsi que les composantes tangentielles du champ magnétique sont nulles. De la même façon
que pour un mur électrique, seules les composantes tangentielles du champ magnétique seront
forcées à zéro. Les composantes normales du champ électrique seront annulées par le calcul.
3.2. Critère de stabilité numérique

Pour éviter les instabilités numériques, le pas temporel doit être plus petit que le temps
de propagation de l’onde sur une maille FDTD. Le pas de discrétisation temporelle dt doit
vérifier l’inégalité (II.22) ci-dessous.
1
dt ≤ (II.22)
2 2 2
 1   1   1 
c×   +  + 
 dx   dy   dz 
avec c = vitesse de la lumière dans le vide (~ 3.10+8 m/s)
Ce critère de convergence est défini dans le cas d’un maillage uniforme. Toutefois, le
même critère peut être retenu dans le cas d’un autre type de maillage orthogonal, tel que le
maillage non-uniforme par exemple.
Les paragraphes 3.3 à 3.10 expliquent comment la méthode FDTD a été adaptée à la
modélisation des circuits rectennas et décrivent les principaux outils utilisés. Le calcul des
principaux paramètres d’une ligne de transmission micro-ruban sera exposé. Nous décrivons
également quelques types d’excitation d’une ligne micro-ruban, les conditions absorbantes de
type UPML (Uniaxial Perfectly Matched Layer) et les différents types de maillage utilisés.
Par la suite, le formalisme du champ total/champ diffracté dédié à la génération d’une onde
plane sera rappelé. Enfin, pour pouvoir modéliser les éléments localisés linéaires et non
linéaires, les équations classiques de la FDTD seront modifiées. Cette partie sera détaillée
dans le paragraphe 3.9.
67
3.3. Calcul des caractéristiques électriques d’une ligne de transmission

Une ligne de transmission hyperfréquence est caractérisée le plus souvent par son
impédance caractéristique et ses paramètres de propagation. Ces paramètres sont fonction du
substrat utilisé, de la fréquence de travail et des dimensions de la ligne. Dans cette étude, nous
nous intéresserons à la ligne micro-ruban, car c’est la plus utilisée dans les circuits
hyperfréquences et c’est celle que nous avons retenue pour ce travail de thèse.
Considérons une ligne micro-ruban excitée par une source de tension sur l’un des deux
accès (figure II.4). L’autre accès étant adapté par une charge localisé ou par des conditions
absorbantes ABC. Deux plans d’observation P1 et P2, espacés d’une distance L, sont placés le
long de la ligne et suffisamment loin de la source pour observer le régime établi.
Figure II. 4 : Caractérisation d’une ligne micro-ruban avec la méthode FDTD
A partir des évolutions temporelles du champ électrique transverse dans les deux plans
P1 et P2, la constante de propagation γ est calculée par l’équation (II.23).
1  E (ω , y1 )  1  Ez (ω , y1 ) 
γ (ω ) = ln  z  = ln   (II.23)
y2 − y1  Ez (ω , y2 )  L  Ez (ω , y1 + L ) 
γ (ω ) = α (ω ) + j.β (ω ) (II.24)
avec γ = constante de propagation
68
α = affaiblissement linéique (Np/m)

β = déphasage linéique (rad/m)
w = fréquence (rad/s)
Les autres paramètres de propagation de la ligne peuvent être déduits à partir du calcul
de la constante de propagation γ. La longueur d’onde, la vitesse de propagation et la
permittivité effective sont calculées par les équations suivantes :
2π
λ (ω ) = , longueur d’onde (II.25)
β (ω )
2π f ω
υ (ω ) = λ (ω ) × f = = , vitesse de propagation (II.26)
β (ω ) β (ω )
2
 c   c.β (ω ) 
2
ε eff (ω ) =   =  , permittivité effective (II.27)

 υ (ω )   ω 
3.4. Calcul de l’impédance

Sur une ligne de transmission hyperfréquence (figure II.5), et une fois que la tension V
et le courant I à un point donné seront déterminés, l’impédance est donnée par l’équation
suivante :
TF (V (t ) ) V (ω )
Z (ω ) = = (II.28)
TF ( I (t ) ) I (ω )
La méthode FDTD est capable de fournir les champs électrique et magnétique en tout
point de la grille et à tout instant. Toutefois, pour calculer l’impédance Z, il faut déterminer la
tension et le courant à partir des composantes du champ électromagnétique. Les deux
équations (II.29) et (II.30) peuvent être utilisées.
B

V ( t ) = − ∫ E × dl (II.29)
A
69

I ( t ) = ∫ H × dl (II.30)
C
Les composantes du champ électrique et du champ magnétique calculées avec la

FDTD sont décalées dans le temps et dans l’espace. Pour déterminer avec précision
l’impédance de la ligne définie par l’équation (II.28), la tension V et le courant I doivent être
calculés sur le même plan et au même instant. Cela impose une double moyenne spatio-
temporelle sur l’une des deux grandeurs I ou V. La moyenne se fait généralement sur les
composantes du champ magnétique.
Figure II. 5 : Calcul du courant et de la tension en régime temporel sur une ligne micro-ruban
3.5. Paramètres de répartition d’un circuit multiport

Les dispositifs hyperfréquences sont le plus souvent caractérisés par la matrice de
répartition S. Pour un circuit multiport (figure II.6), les paramètres Sm,n sont calculés par
l’équation (II.31).
Vm (ω , xm ) Z 0,n (ω )
Sm ,n (ω , xm , xn ) = (II.31)
Vn (ω , xn ) Z 0,m (ω )
avec Vi (w, xi) : tension sur le port i au plan d’observation xi

Z0, i : impédance caractéristique associée au port i
70
Figure II. 6 : Paramètres S d’un circuit microonde
3.6. Excitation
Pour alimenter une ligne de transmission ou tout autre circuit hyperfréquence, il faut
appliquer une différence de potentiel variant dans le temps entre deux conducteurs. Dans le
cas d’une ligne micro-ruban, un champ électrique est imposé sur une partie ou sur la totalité
de la section au dessous de la ligne comme le montre la figure II.7. Il existe une autre
possibilité qui consiste à modéliser une source de tension localisée, éventuellement avec
résistance interne, entre la ligne et le plan de masse. Cette partie sera traitée plus loin dans ce
chapitre. Des considérations similaires peuvent être prises pour d’autres types de lignes et
avec d’autres technologies.
Figure II. 7 : Excitation d’une ligne micro-ruban
En fonction du problème à traiter, la tension U(t) peut prendre plusieurs formes

possibles. Pour une caractérisation large bande des circuits linéaires, l’excitation la plus
adaptée est la gaussienne. En effet, une gaussienne est limitée dans le temps et son spectre est
facilement contrôlable. En appliquant la transformée de Fourier sur la réponse temporelle du
71
système, une caractérisation sur toute une bande de fréquence peut être obtenue. Pour étudier
un circuit à un point de fréquence, une excitation sinusoïdale reste suffisante.
3.7. Conditions absorbantes UMPL

La capacité de calcul des machines numériques étant limitée, le maillage FDTD-3D
doit être tronqué dans les trois directions. Pour simuler un espace libre infini autour de la
structure à étudier et réduire ainsi les réflexions sur les murs, des conditions absorbantes aux
limites sont nécessaires. Plusieurs ABC (Absorbing Boundary Conditions) ont été
développées dans la littérature et appliquées à la FDTD. Leurs caractéristiques les plus
importantes sont: l’efficacité, la complexité numérique et la flexibilité par rapport au type de
maillage. Pour notre part, nous avons choisi des conditions aux limites de type UPML
(Uniaxial Perfectly Matched Layer) [II.3]. Les UPML sont mathématiquement équivalentes
aux conditions PML (Perfectly Matched Layer) développées par J-P. Berenger [II.4].
Toutefois, contrairement aux PML où un ensemble d’équations supplémentaires est introduit,
le concept UPML est basé sur un milieu maxwellien. Il a été montré dans [II.3] que
l’algorithme est stable, efficace et plus facile à mettre en œuvre que les conditions PML.
Le principe de la méthode est basé sur l’introduction d’un matériau anisotrope à
pertes. Afin de prévenir les problèmes de désadaptation entre le milieu isotrope et les couches
UPML (figure II.8), et réduire ainsi les réflexions, la conductivité de la couche UPML varie
graduellement tout au long de l’axe normal z suivant l’équation (II.32).
σ max z − z0
m
σ ( z) = (II.32)
dm
où z0 est l’interface entre les couches UPML et le milieu isotrope, d est la profondeur des
couches UPML et m l’ordre de la variation polynomiale de la conductivité.
Les composantes du champ électrique sont ensuite annulées à l’extrémité du maillage
par une surface parfaitement conductrice (PEC).
S.D. Gedney a montré dans [II.3] qu’en choisissant de manière optimale les
paramètres de l’équation (II.32), les couches UMPL peuvent être correctement adaptées au
milieu isotrope de telle sorte que les réflexions soient minimisées. La conductivité optimale
est donnée par l’équation (II.33).
72
m +1
σ max
opt
= (II.33)
150π .dz. ε r
où εr est la permittivité relative du milieu à pertes.
Figure II. 8 : Conditions absorbantes UMPL
3.8. Excitation par une onde plane : formalisme du champ total/champ diffracté
Le formalisme du champ total/champ diffracté [II.5], [II.6] pour la génération d’une
onde plane arbitraire est basé sur la linéarité des équations de Maxwell. En effet, le théorème
de superposition permet de décomposer les champs électrique et magnétique comme suit:

 Etot = Einc + Escat
 (II.34)
 H tot = H inc + H scat
Les composantes Einc et Hinc représentent les champs incidents, ils sont supposés être connus
en tout point de l’espace. Les composantes Escat et Hscat représentent les champs diffractés, qui
sont initialement inconnus. Ils résultent de l’interaction de l’onde plane incidente avec l’objet
73
diffractant (circuit rectenna dans notre cas). Les équations classiques de la FDTD s’appliquent
de la même manière pour les différentes composantes du champ électromagnétique : le champ
incident, le champ diffracté et le champ total.
L’espace FDTD est décomposé en deux régions séparées par une surface virtuelle sur
laquelle sont implémentées les conditions de passage d’une région à l’autre. La région 1, qui
se trouve à l’intérieur, est appelée région du champ total. Le champ dans cette zone inclut les
champs incident et diffracté. La structure à étudier se trouve dans cette région comme le
montre la figure II.9. La région 2 se trouve à l’extérieur, elle est la région du champ diffracté.
Cela signifie qu’il n’y a pas de champ incident dans cette zone.
Figure II. 9 : Régions du champ total et du champ diffracté
L’approche champ total/champ diffracté est très flexible quand à la définition des
angles d’incidence et de polarisation. L’implémentation des conditions de passage sur la
surface virtuelle séparant les deux régions 1 et 2 est indépendante de la nature de la structure à
étudier.
La génération d’ondes planes arbitraires, par le formalisme du champ total/champ
diffracté, combinée aux conditions UPML reproduit le scénario d’une mesure en rayonné
d’un circuit microonde à l’intérieur d’une chambre anéchoïque.
74
3.9. Modélisation des éléments localisés

La méthode FDTD traduit une discrétisation spatio-temporelle des équations de
Maxwell, elle prend en compte tous les phénomènes électromagnétiques (propagation,
réflexion, diffraction, couplage,…) dans un circuit électronique. Cependant, sa formulation de
base ne peut pas intégrer des éléments localisés dans le volume de calcul. En effet, la FDTD
est basée sur un calcul itératif des composantes du champ électrique E et du champ
magnétique H, alors que les éléments localisés linéaires ou non linéaires sont modélisés par
des équations électriques de type tension-courant (VI). L’enjeu est d’étendre la méthode aux
éléments localisés. Une solution consiste à créer une passerelle entre l’algorithme FDTD et un
simulateur circuit intégrant des bibliothèques de composants, tel que SPICE. L’avantage de
cette technique est la disponibilité de modèles précis et complets de toute une gamme de
composants. Toutefois, les allers retours entre la méthode FDTD et le simulateur circuit
(SPICE) à chaque itération augmentent considérablement les temps de calcul. Une autre
solution consiste à introduire une modification directement sur les équations FDTD pour
permettre la simulation des éléments localisés. La formulation FDTD étendue a été rapportée
initialement par Sui et al. [I.7] pour des problèmes de modélisation en 2D. Cette solution a
permis d’analyser des circuits actifs et non linéaires tels que : des amplificateurs microondes
[II.8], [II.9] avec des éléments d’adaptation distribués et des éléments actifs, des oscillateurs
[II.10], une antenne active avec des diodes Gunn [II.11], des dispositifs actifs avec boîtier
[II.12], des diodes Schottky avec boîtier [II.13], un système de transport d’énergie sans fil
[II.14], …
Le point de départ est l’équation de Maxwell-Ampère, le principe consiste à ajouter un
terme de densité de courant JL aux densités de courant de déplacement et de conduction dans
le terme à gauche de l’équation (II.2). JL étant le courant qui circule à travers l’élément
localisé.

∂E
∇× H =ε + JC + J L (II.35)
∂t
Les termes de courant JC et JL sont calculés aux instants n+1/2, tandis que les composantes du
champ électrique sont calculées aux instants n. Pour éviter que l’algorithme ne diverge, il faut
effectuer des moyennes temporelles sur les courants. Commençons tout d’abord par la densité
de courant de conduction. L’élément localisé est orienté suivant l’axe z.
75
 E n+1 (i, j , k ) + E zn (i, j , k ) 

J cn+1/2 (i, j , k ) = σ .Ezn+1/2 (i, j , k ) = σ . z  (II.36)
 2 
La relation entre la densité de courant JL et le courant de l’élément localisé IL est donnée par
l’équation (II.37).
I Ln+1/2 (i, j , k )
J Ln+1/2 (i, j , k ) = (II.37)
dxdy
La discrétisation de l’équation (II.35) donne :
 σ dt   dt 
 1 −
Ezn+1 (i, j , k ) =  2ε  E n (i, j , k ) +  ε  n +1/2
σ dt  z  σ dt  .∇ × H z (i, j , k )
1+  1+ 
 2ε   2ε 
(II.38)
 dt 
  I Ln+1/2 (i, j , k )
− ε ×
σ dt  dxdy
1+ 
 2ε 
où
n +1/ 2
 H yn +1/ 2 (i + 1, j , k ) − H yn +1/ 2 (i, j , k ) H xn +1/ 2 (i, j + 1, k ) − H xn +1/ 2 (i, j , k ) 
∇ × Hz (i , j , k ) =  − 
 dx dy 
(II.39)
Pour simplifier les équations, nous supposerons que l’élément localisé se situe en espace libre
(ε = ε0, σ = 0). L’équation (II.38) devient:
dt dt
Ezn+1 (i, j , k ) = Ezn (i, j , k ) + ∇ × H zn+1/2 (i, j , k ) − I Ln+1/2 (i, j , k ) (II.40)
ε0 ε 0 dxdy
76
3.9.1. Eléments localisés linéaires

Nous traiterons dans cette partie l’insertion des éléments localisés linéaires dans un
maillage FDTD. La modélisation d’un générateur de tension avec résistance interne sera
également abordée. Nous considérerons dans cette étude que l’élément localisé occupe une
seule maille. Toutefois, il est possible de définir un élément localisé linéaire sur plusieurs
mailles.
3.9.1.1. Résistance
Considérons une résistance R en espace libre (figure II.10). Le courant électrique Iz qui circule
dans R est donné par (II.41).
Vzn+1/2 dz n+1
I n +1/2
z (i, j , k ) =
R
=
2R
( E z (i, j , k ) + Ezn (i, j , k ) ) (II.41)
Figure II. 10 : Insertion d’une résistance localisée dans une grille FDTD
Remplacer (II.41) dans (II.40) donne l’équation (II.42).
 dtdz   dt 
 1 −   
2 Rε 0 dxdy ε0
Ezn+1 (i, j , k ) =   Ezn (i, j , k ) +   .∇ × H n+1/2 (i, j , k ) (II.42)
 1 + dtdz   1 + dtdz 
 
2 Rε 0 dxdy   2 Rε 0 dxdy 
 
77
3.9.1.2. Générateur de tension avec résistance interne

Pour une source de tension VS munie d’une résistance interne RS, le courant électrique s’écrit :
Vsn+1/2 (i, j , k )
I n +1/2
z (i, j , k ) =
dz
2 Rs
( Ez (i, j, k ) + Ez (i, j, k ) ) + R
n +1 n
(II.43)
s
L’équation FDTD qui modélise le générateur de tension (VS, RS) est donnée par (II.44).
 dtdz   dt 
 1 − 2 R ε dxdy   ε0 
n +1
Ez (i, j , k ) =  s 0
 E z (i , j , k ) + 
n
 .∇ × H n+1/2 (i, j , k )
1+ dtdz  1+ dtdz 
 
2 Rsε 0 dxdy   2 Rsε 0 dxdy 
 
 dt 
 R ε dxdy 
+ s 0
 .Vsn+1/2 (i, j , k )
 1 + dtdz 
 2 Rsε 0 dxdy 

(II.44)
3.9.1.3. Capacité localisée

Le courant qui traverse une capacité C s’exprime comme suit:
I zn+1/ 2 (i, j , k ) =
dt
( Ez (i, j , k ) − Ezn (i, j , k ) )
Cdz n+1
(II.45)
Remplacer (II.45) dans l’équation (II.40) donne (II.46).
 dt 
 ε0 
n +1
Ez (i, j , k ) = Ez (i, j , k ) + 
n
 .∇ × H n+1/2 (i, j , k ) (II.46)
 1 + Cdz 
 ε dxdy 
 0 
3.9.1.4. Inductance localisée

Le courant qui circule à travers une inductance L est donné par (II.47).
78
n
dzdt
I n +1/2
z (i, j , k ) =
L
∑E
m =1
m
z (i, j , k ) (II.47)
L’équation FDTD qui régit l’inductance localisée L est donnée par (II.48).
dt dzdt 2 n
E n +1
(i, j , k ) = E (i, j , k ) +
n
.∇ × H n +1/2
(i, j , k ) − × ∑ Ezm (i, j , k ) (II.48)
z z
ε0 ε 0 Ldxdy m=1
3.9.2. Elément localisé non-linéaire: la diode Schottky

La diode Schottky représente l’élément le plus important d’une rectenna, il est
important de la modéliser correctement. Son modèle électrique équivalent [II.15] est montré
sur la figure II.11. Il contient une source de courant non linéaire Id, une capacité non linéaire
Cd et une résistance série Rs. Ce modèle peut être utilisé aussi bien en faible niveau de
puissance qu’en forte puissance. Toutefois, ce modèle ne tient pas compte de la tension
inverse de claquage (BV) de la diode. Le boîtier de la diode est modélisé par une inductance
parasite Lp et une capacité parasite Cp. Pour simplifier le modèle FDTD de la diode, nous la
modéliserons sur trois mailles. Une maille pour la diode sans boîtier et les deux autres mailles
pour les éléments parasites Lp et Cp. Nous nous contenterons, dans cette partie, de décrire le
modèle de la diode sans les éléments parasites du boîtier.
Figure II. 11 : Modèle électrique d’une diode Schottky avec boîtier
La source de courant non linéaire Id dépend de la tension Vd à ses bornes, elle s’exprime par :
79
  Nq kVdT  
I d = I s  e 
− 1 (II.49)
 
 
avec Is = courant de saturation (A)

N = coefficient d’émission
q = charge de l'électron (1.6 10-19 C)
T = température (°K)
k = constante de Boltzmann (1.3806504 10-23 J.K-1)
La capacité non linéaire Cd dépend également de la tension Vd à ses bornes, elle représente les
effets de stockage de charge de la jonction. Il existe deux définitions de Cd suivant que la
jonction est polarisée en direct ou en inverse. En polarisation inverse, la capacité s’écrit:
−M
 V 
Cd = C j 0  1 − d  (II.50)
 PB 
avec Cj0 = capacité de jonction à polarisation nulle (F)

PB = potentiel de jonction (V)
M = coefficient de variation de jonction
En polarisation directe, la capacité Cd est fonction du temps de transit tt qui est supposé être
nul. Elle s'écrit comme suit:
 qV 
I s q  N k dT 
Cd = tt e (II.51)
NkT
Pour pouvoir insérer le modèle électrique de la diode Schottky dans l’algorithme de calcul
électromagnétique FDTD, il faut résoudre le système d’équations (II.52).
80
V = Vd + Rs I

 I = I d + Cd ∂Vd
 ∂t
   Nq kVdT  
 (II.52)
I
 d = I s e
 
− 1
 
  
 ∂E
∇ × H = ε 0 +J
 ∂t
Où J est la densité surfacique de courant qui traverse la diode.

Un modèle simplifié d’une diode Schottky, comportant uniquement la source de
courant non linéaire Id (figure II.11), a été rapporté dans [II.2]. Les éléments parasites (RS et
Cd) de la diode ne sont pas pris en compte dans le calcul du modèle FDTD de la diode.
La discrétisation et la résolution du système d’équations (II.52) aboutit à l’équation non
linéaire (II.53) à résoudre numériquement par une méthode de linéarisation telle que Newton-
Raphson [II.16].
n +1
Ezn+1 = ψ 1 + ψ 2 . eψ 3 . Ez (II.53)
Les coefficients Ψ1, Ψ2 et Ψ3 sont définis par les équations (II.54) à (II.56).
dtdxdy (2Cd Rs + dt )∇ × H n+1/2 + dt 2 I s − 2dtRsCd I n

ψ1 = E + n
(II.54)
Cd dzdt + ε 0 dxdy (2Cd Rs + dt )
z
q  dtdz − 2 ε 0 Rs dxdy  n n +1/2 

  Ez −( Rs dxdy )∇×H 
−dt 2 I s e
N k T  2 dt  
ψ2 = (II.55)
q  dzdt + 2 Rs dxdyε 0 
ψ3 =   (II.56)
NkT  2dt 
81
3.10. Maillage FDTD

La précision des résultats FDTD dépend directement de la qualité de la discrétisation
spatiale des équations de Maxwell. En effet, plus le maillage est fin plus les résultats sont
précis. Toutefois, il n’est pas tout le temps possible de mailler de manière fine partout à cause
des limitations de calcul et de mémoire dont disposent les systèmes de calcul numériques. En
fonction du circuit à analyser, de ses dimensions et de la précision souhaitée, différents types
de maillage peuvent être utilisés. Pour les circuits où les dimensions des différents
composants sont du même ordre de grandeurs, le maillage uniforme est le plus approprié
[II.5], [II.17]. Pour des problèmes où le besoin de mailler plus finement dans une ou plusieurs
volumes particuliers se présente, le sous maillage peut être utilisé [II.18], [II.19]. Lorsque les
dimensions de la structure varient beaucoup, comme pour une rectenna, le maillage non-
uniforme [II.5], [II.20] est plus adapté. D’autres types de maillages ont été développés pour
analyser des structures particulières [II.5]. La figure II.12 montre les deux maillages
orthogonaux, uniforme et non-uniforme, retenus dans le cadre de ce travail de thèse.
(a)
(b)
Figure II. 12 : Maillages FDTD. (a) Uniforme. (b) Non uniforme.
82
4. Conclusion
Dans ce chapitre, les différents outils de simulation numériques utilisés ont été décrits.
La co-simulation harmonic balance/Momentum permet de simuler et d’optimiser le circuit de
conversion RF-DC avec précision. Toutefois, cette méthode ne permet pas d’analyser la
rectenna dans sa totalité. Pour y remédier, un outil de simulation globale basé sur la méthode
FDTD a été développé. Cette méthode permet de reproduire une mesure en rayonné de la
rectenna à l’intérieur d’une chambre anéchoïque, elle prédit avec plus de précision la sortie
DC de la rectenna.
Les deux outils HB+Momentum et la FDTD sont complémentaires. Le premier est
dédié à la conception et l’optimisation du circuit de conversion et le second à l’analyse de la
rectenna complète.
Nous présenterons dans le chapitre suivant trois circuits de conversion RF-DC à 2.45
GHz en technologie micro-ruban. Le premier circuit est une structure à diode série, associant
un filtre HF en éléments distribués. Les deux autres circuits sont des convertisseurs RF-DC à
réjection d’harmoniques. Ils présentent certaines propriétés qui les rendent attrayants pour des
applications de télé-alimentation. En effet, ils ne nécessitent pas de filtre HF d’entrée et de
vias de retour à la masse. De plus, la tension de sortie DC se mesure en différentiel sur la
même face du circuit et sans contact avec le plan de masse.
83
[II.1] ADS documentation, http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/ads2006/ads2006.html
[II.2] K.S. Yee, «Numerical solution of initial boundary value problems involving
Maxwell’s equations in isotropic media», IEEE Trans. Antenna and Propagation, vol.
14, 1966, pp. 302-307.
[II.3] S.D. Gedney, «An Anisotropic Perfectly Matched Layer-Absorbing Medium for the
Truncation of FDTD Lattices», IEEE Trans. Antennas ans Propagation, vol. 44, no.
12, Dec. 1996, pp 1630-1639.
[II.4] J-P. Berenger, «A perfectly matched layer for the absorption of electromagnetic
waves», J. Computat. Phys. Oct. 1994, pp 185-200.
[II.5] A. Taflove and S.C. Hagness, « Computational Electrodynamics-The Finite

Difference Time Domain Method », Artech House Inc., third edition, 2005.
[II.6] K. Umashankar and A. Taflove, «A Novel Method to Analyze Electromagnetic

Scattering of Complex Objects», IEEE Trans. On Electromagnetic Compatibility, vol.
emc 24, no. 4, Nov. 1982, pp 397-405.
[II.7] W. Sui, D.A. Christensen and C.H. Durney, «Extending the two-dimensional FD-TD
method to hybrid electromagnetic systems with active and passive lumped elements»,
IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. 40, 1992, pp. 724-730.
[II.8] C.-N. Kuo, R.-B. Wu, B.Houshmand and T. Itoh, «Modeling of Microwave Active
Devices Using the FDTD Analysis Based on the Voltage-Source Approach», IEEE
Microwave and Guided Wave Letters, vol. 6, no. 5, May 1996, pp 199-201.
[II.9] C.N. Kuo, V.A. Thomas, S.T. Chew, B. Houshmand and T. Itoh, «Small Signal
Analysis of Active Circuits Using FDTD Algorithm», IEEE Microwave and Guided
Wave Letters, vol. 5, no. 1, July 1995, pp 216-218.
[II.10] B. Toland, B. Houshmand and T. Itoh, «Modeling of Nonlinear Active Regions with
the FDTD Method», IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 3, no. 9, Sept.
1993, pp 333-335.
[II.11] B. Toland, B. Houshmand and T. Itoh, «FDTD Analysis of an Active Antenna», IEEE
Microwave and Guided Wave Letters, vol. 3, no. 11, Nov. 1993, pp 423-425.
[II.12] C.N. Kuo, B. Houshmand and T. Itoh, «Full-wave analysis ok packaged microwave
circuits with active and nonlinear devices : an FDTD approach», IEEE Trans. on
Microwave Theory and Techniques, vol. 45, n°5, pp. 819-826, May 1997.
[II.13] G. Emili, F. Alimenti, P. Mezzanotte, L. Roseli and R. Sorrentino, «Rigorous

modeling of packaged schottky diodes by the nonlinear lumped network (NL²N)-
FDTD approach», IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 48, no. 12,
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84
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électromagnétiques en transitoire. Application en millimétrique et au transport
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[II.15] Hewlett Packard, Technical Data “Surface Mount Microwave Schottky Detector
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Dimensional Finite-Difference Time-Domain Method to the Analysis of Planar
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[II.18] M. Okoniewski, E. Okoniewska and M.A. Stuchly, «Three-Dimensional Subgridding

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[II.19] W. Yu and R. Mittra, «A new higher-order subgridding method for finite difference
time domain (FDTD) algorithm», IEEE Antennas and Prop. Society Intern. Symp., vol.
1, 1998, pp 608-611.
[II.20] P. Monk and E. Suli, «Error Estimates for Yee's Method on Non-uniform Grids»,
IEEE Trans. On Magnetics, vol. 30, no. 5, Sept. 1994, pp 3200-3203.
85
86
-------------------------------------------------------------------------
Chapitre III
Conception et optimisation de circuits
de conversion RF-DC à 2.45 GHz
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
87
88
Chapitre III Conception et optimisation de circuits de conversion RF-DC à 2.45 GHz
Chapitre III
Conception et optimisation de circuits de
conversion RF-DC à 2.45 GHz
1. Introduction
Nous proposons dans ce chapitre la conception, l’optimisation et l’analyse de trois
circuits de conversion RF-DC en technologie micro-ruban à 2.45 GHz. Le premier circuit est
une structure conventionnelle à base d’une diode Schottky HSMS 2860 montée en série. Les
deux autres circuits sont plus innovants et plus compacts. Ils ne contiennent ni filtre d’entrée
HF ni vias de retour à la masse. Le premier circuit est en pont modifié à quatre diodes
Schottky et le second est à base de seulement deux diodes.
La simulation et l’optimisation de ces circuits ont été effectuées sous ADS avec un
couplage entre harmonic balance et momentum. Avant l’étape d’optimisation, des études
paramétriques ont été conduites afin de déterminer la sensibilité du rendement de conversion
vis-à-vis de certains paramètres importants et plus particulièrement, la charge (RL), les
paramètres de la diode (RS, Cj0), la capacité du filtre DC, les sections de lignes, …. Les
résultats qui ressortent de cette étude nous ont permis de faire certains choix et de simplifier le
processus d’optimisation.
Pour améliorer les rendements de ces circuits, il est important de localiser les
différentes sources de pertes et de tenter de les minimiser. Un bilan de puissance, regroupant
la puissance continue transmise à la charge, les pertes dans la ou les diodes et les pertes par
désadaptation, a été calculé. Les puissances normalisées des premiers harmoniques, au niveau
du générateur et aux bornes de la charge, ont été également déterminées afin d’estimer les
pertes engendrées par ces harmoniques et la qualité des filtres HF et DC.
Les circuits optimisés ont été réalisés et caractérisés expérimentalement au laboratoire.
Un banc de mesure en conduit a été monté et utilisé, il sera présenté dans ce chapitre. Trois
types de mesures ont été effectués, des mesures de la tension DC en fonction de la fréquence,
89
de la puissance d’entrée et de la charge. Les résultats obtenus expérimentalement seront

systématiquement comparés à ceux simulés.
Les deux circuits innovants présentent des performances, en termes de rendement,
comparables à celles du circuit série. Toutefois, ces deux circuits présentent des avantages par
rapport au circuit série. En effet, ils ne contiennent ni filtre d’entrée HF ni vias de retour à la
masse. La mesure de la tension DC se fait en différentiel sur la même face du circuit et sans
contact avec le plan de masse. A charge constante, ils permettent de convertir une puissance
PRF qui est, théoriquement, quatre fois celle du circuit série. Ces deux structures sont plus
compactes, et à faibles coûts. Le circuit série occupe une surface de 44.65 cm², alors que les
deux autres circuits ont des surfaces de 15.5 et 11.2 cm².
2. Circuit de conversion en topologie série

Le premier circuit développé [III.1]-[III.2] est en topologie série (figure III.1), il
contient une diode Schottky HSMS 2860 [III.3] qui présente une faible capacité de jonction
Cj0 (0.18 pF), une faible résistance série RS (5 Ω) et une tension inverse de claquage BV de 7
V. Les autres paramètres du modèle électrique équivalent de la diode sont donnés dans le
tableau III.1. Le circuit est alimenté par une ligne micro-ruban d’impédance caractéristique de
50 Ω, il a été gravé sur le substrat RT/Duroid 5880 (εr = 2.2, h = 1.575 mm, tanδ = 0.0009).
Deux filtres HF et DC ont été utilisés de part et d’autre de la diode afin de confiner
tous les harmoniques générés. Le filtre HF est un passe bas en éléments distribués, formé
d’une inductance série et d’une capacité parallèle. Il a été dimensionné pour laisser passer le
signal à 2.45 GHz et bloquer tous les autres signaux harmoniques. Sa fréquence de coupure
est comprise entre la fréquence fondamentale et le premier harmonique. Le filtre DC est
constitué d’une capacité CMS (Composant Monté en Surface) de 33 pF appuyée par un stub
radial de 14.2 mm qui stoppe la fréquence à 2.45 GHz.
Un stub quart d’onde en court circuit (paragraphe 2.2.3) est introduit juste avant le
filtre HF, il ramène un circuit ouvert à 2.45 GHz sur la ligne d’alimentation de 50 Ω. Cela
assure un circuit fermé pour la composante DC du courant, étant donné qu’elle ne peut passer
à travers le générateur.
Dans un premier temps, la simulation et l’optimisation du circuit série ont été
effectuées avec le simulateur harmonic balance, comme le montre la figure III.1. Des
éléments circuit comme des sections de lignes, des transitions, des gaps, des vias, … ont été
utilisés. Les couplages possibles entre les différents éléments ne sont pas pris en compte.
90
L’objectif principal du processus d’optimisation est le rendement de conversion. Les autres

objectifs comme l’adaptation, la réjection des harmoniques, l’isolation de la charge, … sont
liés au rendement de conversion, ils sont pris en compte de manière automatique. Deux
méthodes d’optimisation ont été introduites : une méthode aléatoire ‘Random’ suivie d’une
méthode itérative ‘Gradient’. Les paramètres importants à optimiser sont : la charge RL, le
filtre d’entrée HF et le tronçon de ligne entre la diode et la capacité CMS du filtre DC.
Dans un second temps, la partie distribuée du circuit optimisé est simulée sous
momentum. L’accès d’alimentation 50 Ω ainsi que les points de connexion des composants
localisés et des vias sont remplacés par des ports d’excitation. Un modèle en paramètre S est
ensuite généré et exporté. HB utilise le modèle en matrice S de la partie distribuée et les
modèles électriques des composants localisés afin d’effectuer une analyse globale
électromagnétique-circuit (figure III.2). Le passage de HB vers HB+Momentum se traduit
souvent par une diminution du rendement, qui peut être considérable selon les cas. Pour tenter
d’y remédier, certains paramètres nécessitent d’être ré-optimisés.
(a) : Simulation du circuit série sous Harmonic Balance
(b) : Schéma équivalent du circuit série

Figure III. 1 : Circuit de conversion série
91
Paramètre Unité Valeur

Tension inverse de claquage BV V 7
Capacité de jonction à polarisation nulle Cj0 pF 0.18
Courant de saturation IS A 5 10-8
Eg eV 0,69
Coefficient d’émission N 1.08
Résistance série Rs Ω 5
Potentiel de jonction Pb V 0.65
Pt 2
Coefficient de variation de jonction M 0.5
Tableau III. 1 : Paramètres électriques de la diode HSMS 2860
Figure III. 2 : Co-simulation HB + Momentum du circuit série
2.1. Etude du filtre d’entrée HF

Le filtre passe bas [III.4] à l’entrée du circuit série est constitué d’une inductance série
L et d’une capacité parallèle C. Sa fréquence de coupure fc est définie par:
1
fc = (III.1)
2π LC
Le rôle de ce filtre est double, il bloque les harmoniques générés par la diode et il
assure l’adaptation entre le circuit de conversion et le générateur RF (antenne). La fréquence
de coupure à -3 dB du filtre doit être comprise entre les fréquences 2.45 et 4.9 GHz, elle est
de 3.7 GHz. Elle est choisie de telle sorte à ne pas introduire d’atténuation à 2.45 GHz.
La figure III.3 nous expose le schéma d’adaptation du circuit de conversion. Pour
transférer le maximum de puissance entre le générateur (antenne) et la diode, il est impératif
d’assurer une adaptation conjuguée des impédances de part et d’autres du filtre.
Mathématiquement, cela se traduit par le système d’équations (III.2).
92
 Z e1 = Z e*2
 (III.2)
 Z e3 = Z e 4
*
Figure III. 3 : Schéma d’adaptation d’un circuit de conversion série
Le filtre HF peut être conçu et optimisé avec des accès adaptés sur une impédance
réelle Zc (50 Ω par exemple). Dans ce cas, le circuit de conversion, sans le filtre, doit déjà être
adapté sur Zc (50 Ω). Cette solution est contraignante, elle nécessite l’introduction d’un
dispositif d’adaptation supplémentaire entre le circuit et le filtre. La solution que nous avons
retenue pour ce circuit consiste à inclure le filtre HF dans le processus d’optimisation du
circuit global, il est directement adapté sur l’impédance d’entrée (généralement complexe) du
dispositif à diode.
Pour réaliser ce filtre, des éléments localisés ou distribués peuvent être utilisés, la
technologie distribuée a été retenue. Le passage des valeurs des éléments localisés L et C aux
sections de lignes équivalentes sera décrit dans cette partie. Les éléments quasi-localisés les
plus utilisés seront présentés.
2.2. Eléments quasi-localisés en technologie micro-ruban

Pour approcher les éléments localisés des filtres [III.4], des sections de lignes de
longueurs inférieures au quart d’onde et des stubs en circuit ouvert ou en court circuit sont le
plus souvent utilisés.
93
2.2.1. Section de ligne à forte impédance

Une petite section de ligne sans pertes (α = 0 Np/m) et à forte impédance Zc, terminée
à ses extrémités par deux lignes d’impédance caractéristique Z0, peut être représentée par une
cellule en π comme le montre la figure III.4.
Figure III. 4 : Modèle électrique équivalent d’une ligne à forte impédance [d’après III.4]
Le modèle électrique équivalent du tronçon de ligne à forte impédance Zc est décrit par :
 2π 
x = Z c sin 
 λ 
l (III.3)
 g 
B 1 π 
= tan  l  (III.4)
2 Zc λ 
 g 
avec l = longueur du tronçon de ligne (m)

λg = longueur d’onde guidée (m)
Dans le cas où l < λg / 8, nous pouvons effectuer les approximations (III.5) et (III.6) suivantes:
 2π 
x ≈ Zc 
 λ 
l (III.5)
 g 
B 1π 
≈  l (III.6)
2 Z c  λg 
Si Zc >> Z0, alors les deux capacités parallèles peuvent être négligées et la cellule en π se
résume à une inductance série.
94
2.2.2. Section de ligne à faible impédance

C’est le cas dual d’une ligne à forte impédance. Une section de ligne à faible
impédance Zc terminée par deux lignes d’impédance caractéristique Z0 peut être représentée
par une cellule en T comme le montre la figure III.5.
Figure III. 5 : Modèle électrique équivalent d’une ligne à faible impédance [d’après III.4]
Le circuit électrique équivalent est constitué d’une capacité parallèle et de deux inductances
série. Elles sont définies par :
1  2π 
B= sin 
 λ 
l (III.7)
Zc  g 
x π 
= Z c tan  l  (III.8)
2 λ 
 g 
Pour une longueur l < λg / 8, les approximations (III.9) et (III.10) peuvent être effectuées.
1  2π 
B≈  l (III.9)
Z c  λg 
x π 
≈ Zc  l  (III.10)
2 λ 
 g 
De la même manière que pour une ligne à forte impédance, si Zc << Z0 la cellule en T se
résume à une capacité parallèle. Les deux inductances série peuvent, dans ce cas, être
négligées.
95
2.2.3. Stubs ouvert et en court circuit

Un stub ouvert en ligne micro-ruban sans pertes est équivalent à une capacité montée
en parallèle. De manière similaire, un stub en court circuit est équivalent à une inductance en
parallèle comme l’expose la figure III.6.
(a) (b)
Figure III. 6 : Modèle électrique équivalent d’un: (a) stub ouvert. (b) stub en court circuit. [d’après III.4]
D’après la théorie des lignes de transmission, l’admittance d’entrée Yin d’un stub
ouvert est donnée par l’équation (III.11).
 2π 
Yin = jYc tan 
 λ 
l (III.11)
 g 
avec l = longueur du stub (m)

Yc = admittance caractéristique de la ligne (Ω-1)
Pour une longueur l < λg / 8, l’approximation (III.12) peut être utilisée.
 2π 
Yin ≈ jYc 
 λ 
l (III.12)
 g 
Pour le cas dual, l’impédance d’entrée Zin d’un stub en court circuit est définit
par l’équation (III.13).
96
 2π 
Z in = jZ c tan 
 λ 
l (III.13)
 g 
Cette impédance d’entrée est inductive si l < λg / 4, et dans le cas où l < λg / 8,

l’approximation (III.14) peut être effectuée.
 2π 
Z in ≈ jZ c 
 λ 
l (III.14)
 g 
2.3. Circuit final optimisé

Le circuit série final optimisé est montré sur la figure III.7 et ses dimensions sont
données dans le tableau III.2.
Figure III. 7 : Circuit série final optimisé
L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 W1 θ Longueur Largeur
19.0 10.8 5.95 6.40 5.0 10.4 14.2 4.8 82° 95.0 47.0
Tableau III. 2 : Dimensions du circuit série (en mm)
2.4. Simulations ADS et études paramétriques

Nous présentons dans cette partie les résultats obtenus par simulation. L’influence de
certains paramètres du circuit sur le rendement de conversion sera déterminée à travers des
études paramétriques. Il est à noter que lorsqu’un paramètre varie, tous les autres paramètres
sont optimaux (RL = 1050Ω, C = 33 pF, L6 = 10.4 mm, RS = 5Ω et Cj0 = 0.18 pF).
97
La complexité du circuit de conversion vient du fait que tous ses blocs constitutifs sont
liés. L’optimisation d’un tel circuit doit être considérée dans son ensemble. Des études sur la
sensibilité du rendement vis-à-vis de certains paramètres ont été effectuées afin de pouvoir
faire des choix sur les composants et réduire les temps d’optimisation.
L’efficacité de la diode change en fonction de la tension appliquée à ses bornes, donc
en fonction de la puissance d’entrée PRF. Cependant, cette efficacité est limitée par la
génération d’harmoniques d’ordre supérieur. Elle décroit rapidement dès que la tension aux
bornes de la diode atteint la tension inverse de claquage BV. La puissance PRF critique, à partir
de laquelle la tension de sortie DC est limitée, est donnée par l’équation (III.15).
BV2
P critique
RF = (III.15)
4 RL
Le rendement de conversion RF-DC (η) est défini comme étant le rapport entre la
puissance DC prélevée aux bornes de la charge RL et la puissance PRF maximale que le
générateur débite sur une charge adaptée (50 Ω).
PDC U L2
η= = (III.16)
PRF RL PRF
avec PDC = puissance DC aux bornes de la charge RL

UL = tension DC de la charge
Les principaux paramètres étudiés sont : la charge RL, la capacité du filtre DC, la
section de ligne entre la diode et la capacité CMS du filtre DC, la résistance série RS et la
capacité de jonction Cj0 de la diode.
2.4.1. La charge RL
La figure III.8 montre la variation du rendement en fonction de la charge pour des
puissances d’entrée allant de -10 à 10 dBm par pas de 5 dBm. La charge varie de 100 Ω à 20
kΩ. Les résultats montrent que le rendement est maximal autour d’une valeur de charge
optimale qui est de 1 kΩ. La charge RL modifie l’impédance de la diode et contribue à
l’adaptation du circuit. Pour des valeurs de charge importantes, la puissance d’entrée atteint
une valeur critique à partir de laquelle les effets de BV commencent à se manifester, selon
l’équation (III.15), et le rendement diminue.
98
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60
50
Rendement (%)
40
30
20
10
0
0 5 10 15 20
Charge (KΩ)
Figure III. 8 : Rendement en fonction de la charge RL
2.4.2. La capacité CMS du filtre DC

L’influence de la capacité du filtre DC sur le rendement de conversion est exposée sur
la figure III.9. L’étude a été effectuée sur la plage de puissance de -10 à 10 dBm. Dans cette
partie de l’étude, les simulations ont été effectuées sans le stub radial (L7, θ). Nous avons
gardé seulement la capacité localisée CMS. Les résultats montrent qu’à partir d’une certaine
valeur de la capacité, le rendement demeure constant. Pour des valeurs de capacité très
faibles, la charge RL n’est pas correctement isolée et des harmoniques plus au moins
importants apparaissent à ses bornes, ce qui augmente les pertes et dégrade le rendement.
90
80 10 dBm
5 dBm
70
60 0 dBm
Rendement (%)
50
40 −5 dBm
30
20 −10 dBm
10
0
0 20 40 60
Capacité DC (pF)
Figure III. 9 : Rendement en fonction de la capacité du filtre DC
99
2.4.3. La ligne L6 entre la diode et le filtre DC

La figure III.10 nous montre l’influence sur le rendement de la ligne L6 entre la diode
et la capacité CMS du filtre DC. L’étude a été effectuée pour les puissances RF de -10, 0, 10
et 12 dBm. Les courbes obtenues montrent qu’il existe une longueur optimale pour laquelle le
rendement atteint son maximum. Cette longueur optimale est de 10.4 mm à 10 dBm, elle ne
dépend pas de la puissance PRF. Cette section de ligne L6 contribue à l’adaptation du circuit
série, elle ramène une impédance imaginaire au niveau de la diode et compense sa réactance.
80
−10 dBm
0 dBm
70 10 dBm
12 dBm
Rendement de conversion (%)
60
50
40
30
20
10
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
L (mm)
Figure III. 10 : Rendement en fonction de la ligne L6
2.4.4. La résistance série Rs de la diode HSMS 2860

La résistance série Rs de la diode modélise les pertes par effet Joule. Son influence sur
le rendement du circuit série est montrée sur la figure III.11. Les courbes obtenues pour les
puissances comprises entre -10 et 10 dBm montrent que les pertes dans Rs se répercutent
directement sur le rendement. Pour obtenir un bon rendement, la diode doit présenter la
résistance série la plus faible possible.
2.4.5. La capacité Cj0 de la diode HSMS 2860

Intéressons nous maintenant à la capacité de jonction à polarisation nulle Cj0 de la
diode. La figure III.12 montre la variation du rendement en fonction de Cj0 sur la plage allant
de 0 pF à 1 pF. Nous remarquons que le rendement diminue lorsque Cj0 augmente. En effet,
l’efficacité de la diode augmente avec la tension directe à ses bornes et atteint son maximum
lorsque cette tension est proche de BV. D’après l’équation (II.50), cela correspond à une
100
capacité de jonction Cd proche de zéro. Cela montre l’importance de choisir une diode qui
présente une surface de jonction (Cj0) la plus petite possible.
La diode HSMS 2860 a été choisie, en partie, sur la base des études menées sur Rs et
Cj0. Elle présente une faible résistance série Rs (5 Ω) et une faible capacité de jonction Cj0
(0.18 pF) et son coût est faible.
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60
50
Rendement (%)
40
30
20
10
0 5 10 15 20 25 30
Rs (Ω)
Figure III. 11 : Rendement en fonction de la résistance série (Rs) de la diode
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60
50
Rendement (%)
40
30
20
10
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Cj0 (pF)
Figure III. 12 : Rendement en fonction de la capacité de jonction (Cj0) de la diode
101
2.4.6. Adaptation du circuit (S11)

Le paramètre S11 du circuit série a été simulé avec LSSP (Large Signal S-Parameter).
Ce simulateur tient compte des non linéarités de la diode, il combine HB et SP (S-Parameter).
La figure III.13 montre le niveau d’adaptation du circuit sur la bande de fréquence allant de 2
à 3 GHz, pour les quatre puissances : -10, 0, 10 et 12 dBm. Les résultats montrent une bonne
adaptation du circuit sur une bande étroite. En fonction de PRF, la meilleure adaptation n’est
pas obtenue tout le temps à la même fréquence de 2.45 GHz. Cela s’explique par l’impédance
de la diode qui dépend de la tension à ses bornes, donc de PRF, et qui modifie par conséquent
l’adaptation, ce qui complique davantage la conception et l’optimisation de ce type de
circuits.
−5
−10
−15
S11 (dB)
−20
−25
−10 dBm
−30 0 dBm
10 dBm
12 dBm
−35
2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Fréquence (GHz)
Figure III. 13 : S11 du circuit série en fonction de la fréquence
2.4.7. Bilan de puissance

Pour tenter d’améliorer les performances des circuits de conversion RF-DC, il nous
parait important de déterminer les différentes sources de pertes existantes et d’essayer de les
minimiser. Les sources de pertes dans un circuit de conversion sont les suivantes: les pertes
dans la ou les diodes, les pertes par désadaptation, les pertes dans le substrat, les pertes par
conduction dans les lignes de transmission, les pertes dans les éléments localisés CMS, les
pertes par couplage et par rayonnement, …
Le bilan de puissance qui suit sera limité à l’étude de la puissance continue transmise à
la charge, des pertes dans la diode ainsi que des pertes par désadaptation. Les pertes sur les
harmoniques générés par la diode seront également déterminées et analysées. Elles sont liées
102
à la qualité des deux filtres HF et DC. Les autres sources de pertes sont supposées être faibles
et restent difficiles à évaluer pour la plupart d’entres elles.
Pertes dans la diode

Les pertes dans la diode Pdiode seront déterminées à partir des grandeurs tension-
courant. Elles peuvent être calculées dans le domaine temporel par l’équation (III.17).
1 T
Pdiode =
T ∫
0
vd (t ) id (t ) dt (III.17)
avec vd = tension aux bornes de la diode (V)

id = courant qui traverse la diode (A)
T = période (s)
Comme harmonic balance est une méthode fréquentielle, l’accès aux grandeurs spectrales est
plus naturel. Les pertes peuvent être calculées en utilisant l’équation (III.18).
cos (φ Vj − φ jI )
N
1
Pdiode = V0 I 0 +
2
∑V I
j =1
j j (III.18)
avec N = nombre d’harmoniques considérés

Vj = amplitude maximale de l’harmonique j de la tension
Ij = amplitude maximale de l’harmonique j du courant
ΦjV = phase de l’harmonique j de la tension
ΦjI = phase de l’harmonique j du courant
Les pertes par désadaptation sont calculées directement à partir du paramètre S11,
simulé par LSSP. Le rendement de conversion est donné par l’équation (III.16).
Niveaux des harmoniques

Le niveau des harmoniques à l’entrée du circuit et aux bornes de la charge traduisent
la capacité des deux filtres HF et DC à confiner ces harmoniques autour de la diode. Le
103
tableau III.3 montre le niveau de ces harmoniques, normalisé par rapport à la puissance
d’entrée.
Les premiers harmoniques sont correctement filtrés à l’entrée du circuit avec un
niveau inférieur à -22 dB par rapport à la puissance PRF à 2.45 GHz. L’étude sera restreinte
aux trois premiers harmoniques. Les résultats obtenus montrent que la charge RL est
correctement isolée, avec des harmoniques inférieurs à -33 dB.
Entrée du circuit Aux bornes de RL

Harmonique (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
Puissance (dB) -22 -24 -24 -33 -34 -37 -46
Tableau III. 3 : Niveau des harmoniques à l’entrée et aux bornes de la charge
Le bilan de puissance du circuit série est tracé sur la figure III.14. L’étude a été faite à
2.45 GHz avec une charge optimale de 1050 Ω, et toutes les données sont exprimées sous
forme d’un pourcentage de la puissance d’entrée.
80
Rendement
Pertes diode
70 S11
60
50
(%)
40
30
20
10
0
−10 −5 0 5 10 15
Puissance RF (dBm)
Figure III. 14 : Bilan de puissance – rendement et pertes
Les pertes dues à la désadaptation par rapport au port d’excitation sont inférieures à
3% entre -5 dBm et 10 dBm. Les pertes dans la diode sont les plus importantes, elles sont
inversement proportionnelles à la puissance continue transférée à la charge. Le rendement
augmente en fonction de la puissance pour atteindre 72 % à 10 dBm. Pour des puissances
104
supérieures, l’effet de BV apparaît, ce qui explique en partie le changement d’allure de la

courbe. La génération d’harmoniques d’ordre supérieur accentue davantage ce phénomène.
2.5. Réalisation et mesures - comparaison avec les simulations ADS

Dans un premier temps, le banc de mesure en conduit sera présenté. Ensuite, les
résultats mesurés du circuit série seront exposés et comparés à ceux obtenus par simulation.
Banc de mesure en conduit

Le banc de mesure en conduit que montre la figure III.15 a été utilisé pour la
caractérisation expérimentale des circuits de conversion. Il contient une source de puissance
RF (E8251A d’Agilent), une charge résistive variable RL, un voltmètre et un bolomètre
(E4418A de HEWLETT PACKARD). La mesure se fait en deux temps. Tout d’abord, la
puissance RF de référence que le générateur débite sur une charge de 50 Ω est mesurée à
l’aide du bolomètre. Ensuite, le circuit de conversion est connecté à la source RF et la tension
DC est mesurée par le voltmètre.
Figure III. 15 : Banc de mesure en conduit
Résultats de mesures
Deux types de mesures ont été effectués, des mesures de tension continue en fonction
de la fréquence et en fonction de la charge. Les courbes de la figure III.16 comparent les
tensions mesurées avec celles simulées, en fonction de la fréquence, pour des puissances de -
10, 0, 10 et 12 dBm. Les tensions maximales sont obtenues autour de 2.45 GHz. En s’écartant
de cette fréquence, la tension DC commence à diminuer graduellement. La charge RL est fixée
à 1050 Ω pour les simulations comme pour les mesures. Une tension maximale simulée de
105
2.75 V contre 2.67 V mesurée ont été obtenue à 2.45 GHz avec 10 dBm de puissance RF. A
12 dBm, la tension DC commence à être limitée. Les mesures effectuées dans les mêmes
conditions ne montrent pas le même phénomène. La tension BV réelle de la diode est
probablement supérieure à celle donnée par le fabricant.
A partir des tensions DC obtenues, les rendements simulé et mesuré ont été calculés et
tracés sur la figure III.17. Comme pour le niveau d’adaptation (S11), le rendement dépend et
de la fréquence et de la puissance du signal d’entrée. Un rendement simulé de 72% contre
68% mesuré ont été obtenus à 2.45 GHz avec 10 dBm. Les allures des courbes simulées et
mesurées pour -10, 0 et 10 dBm sont similaires et il y a une bonne concordance entre les deux
résultats.
Passons maintenant aux mesures effectuées en fonction de la charge RL. La figure
III.18 compare les tensions simulées et mesurées pour trois puissances : 0, 10 et 12 dBm. Une
tension simulée maximale de 3.35 V a été obtenue aux bornes d’une charge de 10 kΩ. La
mesure effectuée avec les mêmes données délivre une tension de 4.5 V. Comme ça été déjà
expliqué, cela est dû à la tension BV réelle qui est supérieure à celle utilisée dans le modèle
électrique équivalent de la diode. Pour des valeurs de RL faibles, les différences entre les
résultats simulés et mesurés sont faibles. La figure III.19 compare les rendements simulés et
mesurés, le rendement est optimal autour de 1 kΩ.
simulation mesure
3.5 3.5
−10 dBm −10 dBm
0 dBm 0 dBm
3 10 dBm 3 10 dBm
12 dBm 12 dBm
2.5 2.5
Tension DC (V)
Tension DC (V)
2 2
1.5 1.5
1 1
0.5 0.5
0 0
2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Fréquence (GHz) Fréquence (GHz)
Figure III. 16 : Tension DC en fonction de la fréquence
106
simulation mesure
80 80
− 10 dBm − 10 dBm
0 dBm 0 dBm
70 10 dBm 70 10 dBm
12 dBm 12 dBm
60 60
Rendement (%)
50 50
Rendement (%)
40 40
30 30
20 20
10 10
0 0
2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Figure III. 17 : Rendement en fonction de la fréquence
simulation mesure
5 5
10 dBm 10 dBm
4.5 12 dBm 12 dBm
0 dBm 0 dBm
4 4
3.5
Tension DC (V)
Tension DC (V)
3 3
2.5
2 2
1.5
1 1
0.5
0 0
0 0.1 1 10 0 0.1 1 10
Charge (KΩ) Charge (KΩ)
Figure III. 18 : Tension DC en fonction de la charge RL
simulation mesure
80 80
10 dBm 10 dBm
0 dBm 0 dBm
70 12 dBm 70 12 dBm
60 60
50 50
Rendement (%)
Rendement (%)
40 40
30 30
20 20
10 10
0 0
0 0.1 1 10 0 0.1 1 10
Figure III. 19 : Rendement en fonction de la charge RL
Dans la première partie de ce troisième chapitre, nous avons présenté le circuit de

conversion RF-DC en topologie série. Les différentes étapes de simulation et d’optimisation
107
effectuées sous ADS ont été rappelées. Un banc de mesure en conduit a, par la suite, été
monté au laboratoire et utilisé pour une caractérisation expérimentale du circuit réalisé. Les
résultats de mesures ont été présentés, analysés et comparés avec ceux obtenus par simulation.
Les difficultés rencontrées lors de la conception de ce circuit et l’importance d’une
modélisation rigoureuse des différentes parties du circuit de conversion ont été soulignées.
Nous passons maintenant au circuit en pont modifié à quatre diodes. Les mêmes étapes
de simulation et d’optimisation ont été suivies. Les avantages de ce circuit par rapport aux
circuits conventionnels seront présentés et discutés.
108
3. Circuit de conversion en pont modifié à 4 diodes

Nous présentons dans cette deuxième partie un circuit de conversion innovant (figure
III.20) sous forme d’un pont modifié à 4 diodes Agilent [III.5]. Le circuit est en technologie
micro-ruban [III.6], [III.7] et il fonctionne à 2.45 GHz. Pour avoir une structure compacte,
deux boîtiers SOT 23 renfermant deux diodes chacun, l’un à anode commune HSMS 2863 et
l’autre à cathode commune HSMS 2864, ont été utilisés. Le circuit est imprimé sur un
substrat RT/Rogers Duroid 5880 (εr = 2.2, h = 1.575 mm, tanδ = 0.0009), il est alimenté par
une ligne micro-ruban d’impédance caractéristique 50 Ω (W1 = 4.8 mm). Les différentes
sections de ligne et la valeur de la charge RL ont été optimisées, avec une puissance PRF de 10
dBm, afin d’assurer une bonne adaptation à l’entrée et pour maximiser le rendement de
conversion du circuit. Mis à part la ligne d’excitation, tous les autres tronçons de ligne ont une
largeur (W2) de 1 mm.
Figure III. 20 : Circuit de conversion en pont de diodes modifié
De par la symétrie du circuit, les diodes D1 et D3 présentent la même impédance. La

puissance PRF délivrée au circuit est répartie en deux entités égales qui se propagent en phase
sur les lignes symétriques L1+L2+L3 jusqu’aux diodes D1 et D3. Chacune de ces diodes
convertit la moitié de PRF en puissance DC et engendre des harmoniques, qui sont
indésirables. Les diodes internes D2 et D4, toutes deux en série, sont connectées en parallèle
avec RL, elles se trouvent polarisées en inverse et ne participent donc pas au processus de
conversion. Deux stubs quarts d’onde ont été utilisés de part et d’autre de RL afin de stopper
la puissance incidente à 2.45 GHz, lors de la procédure de mesure. La tension DC est prélevée
109
aux bornes d’une charge optimale de 1.05 kΩ sans contact avec le plan de masse, aucun via
n’est utilisé. De plus, ce circuit ne contient pas de filtre d’entrée HF. Cela réduit
considérablement ses dimensions et permet d’avoir une structure compacte (37 mm par 42
mm). En effet, la surface de ce circuit représente un tiers de celle du circuit série (95 mm par
47 mm).
Une variante de ce circuit en pont modifié a été présentée dans [III.1], [III.2]. Le
circuit contient une capacité CMS de 33 pF placée en parallèle avec RL et les stubs quarts
d’onde sont remplacés par des stubs radiaux à 2.45 GHz. Le tableau III.4 montre les
principales dimensions du circuit en pont étudié (figure III.20).
L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 W1 W2 Longueur Largeur
16.0 14.6 10.0 13.0 14.8 10.5 10.5 5.7 4.8 1.0 37 42
Tableau III. 4 : Dimensions du circuit en pont modifié (en mm)
3.1. Simulations ADS et études paramétriques

3.1.1. Influence de la ligne L5
Les deux lignes symétriques L5 entre les stubs quarts d’onde et les diodes permettent
de compenser les parties réactives des impédances des diodes et contribuent à l’adaptation du
circuit. La figure III.21 nous montre l’influence de L5 sur le rendement du circuit, pour des
puissances RF allant de -10 à 15 dBm par pas de 5 dBm. Les courbes de rendement montrent
que la valeur optimale de L5 ne dépend pratiquement pas de PRF, elle est égale à 14.8 mm à 10
dBm.
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60 15 dBm
Rendement (%)
50
40
30
20
10
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
L5 (mm)
Figure III. 21 : Influence de la ligne L5 sur le rendement
110
3.1.2. Influence de la charge RL

Intéressons nous maintenant à l’influence de RL sur le rendement et à la variation de
sa valeur optimale en fonction de PRF. La figure III.22 présente la variation du rendement, à
2.45 GHz, pour des valeurs de charge allant de 100 Ω à 10 kΩ. Les résultats montrent bien
que la charge optimale est autour de 1 kΩ et qu’elle ne dépend que faiblement de PRF sur toute
la plage de puissance jusqu’à 15 dBm.
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60 15 dBm
Rendement (%)
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
Charge (KΩ)
Figure III. 22 : Influence de la charge RL sur le rendement
3.1.3. Niveau d’adaptation

La figure III.23 montre le S11 du circuit, simulé avec LSSP, sur la bande 2-3 GHz pour
des puissances RF de -10 à 15 dBm. Le circuit en pont présente un bon niveau d’adaptation à
2.45 GHz, pour des puissances supérieures à 0 dBm (S11 < -16 dB). On remarque que sur
toute la plage de puissance comprise entre -10 dBm et 15 dBm, et contrairement au circuit en
topologie série, le maximum d’adaptation est toujours obtenu à 2.45 GHz.
−5
−10
−15
S11 (dB)
−20
−25
−30 −10 dBm

−5 dBm
0 dBm
−35 5 dBm
10 dBm
15 dBm
−40
2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Fréquence (GHz)
Figure III. 23 : S11 calculé avec LSSP pour différentes valeurs de PRF
111
3.1.4. Bilan de puissance

De la même manière que pour le circuit série, nous évaluerons le rendement, les pertes
dans les diodes ainsi que les pertes dues à la désadaptation à l’entrée du circuit. Commençons
tout d’abord par les pertes dans les diodes D1 à D4 (figure III.20). La symétrie du circuit
impose un fonctionnement identique pour les deux diodes externes D1 et D3 et également pour
les deux diodes internes D2 et D4. Les pertes totales dans les diodes sont le double des pertes
dans chacun des boîtiers SOT 23. La figure III.24 montre la variation du pourcentage des
pertes dans les diodes en fonction de la puissance RF entre -10 et 20 dBm. Les pertes dans D2
et D4 sont constantes, elles sont de l’ordre de 5 %. Ces deux diodes se comportent comme des
résistances où les pertes sont proportionnelles à la puissance PRF. Les pertes dans D1 et D3
varient en fonction de la puissance et elles sont minimales autour de 15 dBm. Entre 10 dBm et
15 dBm, les pertes dans D1, D3 sont inférieures à celles de D2, D4.
25
D1, D3
D2, D4
20
15
Pertes (%)
10
0
−10 −5 0 5 10 15 20
Puissance RF (dBm)
Figure III. 24 : Pertes dans les diodes D1-D4
Le bilan de puissance déterminé à 2.45 GHz, pour des puissances allant de -10 dBm à
20 dBm, est présenté sur le tableau III.5. Les pertes dans les diodes et la puissance continue
transmise à RL sont exprimées à la fois en mW et sous forme d’un pourcentage de la
puissance d’entrée. Les pertes par désadaptation (S11) sont exprimées en dB, puis exprimé
sous forme d’un pourcentage de PRF.
Les pertes totales dans D1-D4 restent comparables à celles du circuit série. De plus,
elles sont réparties sur les quatre diodes, ce qui réduit de 75 % les pertes moyennes par diode.
Les pertes dans les diodes sont les plus importantes et elles sont inversement proportionnelles
à la puissance DC transmise à la charge. Les pertes qui sont dues à la désadaptation par
112
rapport au générateur RF (50 Ω) sont faibles, elles représentent moins de 1.25 % de PRF entre
2 dBm et 16 dBm. Le rendement optimisé à 10 dBm est de 70 % et le rendement maximum
est obtenu à 15 dBm, il est de 77 %. La dernière colonne du tableau III.5 montre la somme de
toutes les pertes restantes. Ces pertes varient autour de 7 %, elles sont dissipées dans le
substrat, les lignes de transmission, les harmoniques générées par les diodes, par
rayonnement, …
PRF PDC Pertes Pertes Pertes S11 η (%) Pertes Pertes Autres
(dBm) (mW) D 1, D 3 D 2, D 4 diodes (dB) diodes S11 (%) pertes
(mW) (mW) (mW) (%) (%)
-10.00 0.0095 0.0227 0.0041 0.0535 -5.34 9.51 53.49 29.24 7.75
-8.00 0.0258 0.0384 0.0071 0.0911 -7.24 16.14 57.50 18.89 7.48
-6.00 0.0587 0.0598 0.0121 0.1439 -9.28 23.48 57.27 11.81 7.44
-4.00 0.1241 0.0880 0.0201 0.2161 -11.44 31.02 54.29 7.18 7.51
-2.00 0.2424 0.1243 0.0327 0.3140 -13.74 38.48 49.77 4.23 7.52
0.00 0.4562 0.1703 0.0527 0.4460 -16.26 45.62 44.60 2.37 7.42
2.00 0.8245 0.2273 0.0844 0.6233 -19.15 52.19 39.33 1.22 7.27
4.00 1.4542 0.2966 0.1342 0.8617 -22.71 57.94 34.30 0.54 7.22
6.00 2.4974 0.3785 0.2132 1.1834 -27.26 62.75 29.73 0.19 7.34
8.00 4.2067 0.4714 0.3383 1.6194 -30.78 66.67 25.67 0.08 7.58
10.00 7.0054 0.5679 0.5345 2.2050 -27.33 70.05 22.05 0.18 7.71
12.00 11.6206 0.6511 0.8384 2.9789 -23.45 73.32 18.80 0.45 7.44
14.00 19.1298 0.6960 1.3122 4.0164 -20.82 76.15 15.99 0.83 7.03
16.00 29.3898 1.6421 2.0435 7.3713 -19.78 73.83 18.52 1.05 6.60
18.00 31.6948 9.5847 3.0700 25.309 -15.12 50.23 40.12 3.07 6.58
20.00 34.5379 20.404 4.5189 49.845 -10.46 34.54 49.85 9.00 6.62
Tableau III. 5 : Bilan de puissance – rendement et pertes
3.1.5. Niveau des harmoniques

Le tableau III.6 montre le niveau des harmoniques, à l’entrée du circuit et aux bornes
de RL, normalisé par rapport à la puissance d’entrée. Les premiers harmoniques pairs à 4.9 et
9.8 GHz sont fortement atténués avec des niveaux de -50 dB. L’harmonique à 7.35 GHz est
correctement atténué avec un niveau inférieur à -20 dB. Du côté DC, la charge RL est isolée,
la fréquence fondamentale ainsi que les harmoniques sont inférieurs à -31 dB.
Entrée du circuit Aux bornes de RL

Harmonique (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
Puissance (dB) -50 -20 -50 -88 -31 -108 -45
Tableau III. 6 : Niveau des harmoniques dans le circuit en pont modifié
113
3.2. Analyse du fonctionnement du circuit en pont

Nous allons tenter, dans cette partie de l’étude, d’analyser le fonctionnement du circuit
en pont (figure III.25) et de définir des règles de conception et d’optimisation qui nous
permettront, par la suite, d’améliorer les performances du circuit de conversion en termes de
rendement et d’encombrement.
Figure III. 25 : Circuit de conversion RF-DC
L’analyse de la caractéristique IV de la diode Schottky peut contribuer à l’explication

du fonctionnement du circuit en pont modifié. Il est important de rappeler que ce circuit est
auto-polarisé, aucune source extérieure d’énergie DC n’est utilisée pour polariser les diodes
D1-D4. La figure III.26 montre la caractéristique IV de la diode HSMS 2860. Sur la même
figure, nous avons superposé la tension aux bornes de la diode D1 pour une puissance d’entrée
de 10 dBm. Trois tensions y sont tracées, elles correspondent à la source de courant non
linéaire Id (diode sans éléments parasites), à la diode sans boîtier SOT 23 et enfin à la diode
avec son boîtier. Cette tension Vd peut être décomposée sous la forme donnée par l’équation
(III.19).
VDC n= N
Vd = − + ∑ Vn cos ( nwt + φn ) (III.19)
2 n =1
Avec VDC la tension continue aux bornes de RL, w la fréquence, Φn les phases des différentes
composantes fréquentielles et N le nombre d’harmoniques considérés.
114
Pour simplifier l’étude et pouvoir exploiter dans une première approche les grandeurs
tension et courant dans le domaine temporel, uniquement la source de courant non-linéaire
(Id) sera considérée dans le modèle électrique équivalent de la diode Schottky. Tous les autres
éléments seront négligés. Lorsque la tension appliquée aux bornes de la diode est supérieure à
la tension de seuil (~ 300 mV), la diode Schottky est passante. Dans le cas contraire, la diode
est bloquée et le courant qui la traverse est quasi-nul.
20
15
Courant (mA)
10
Tension (V)
−8 −7 −6 −5 −4 −3 −2 −1 1
−5
−8 −7 −6 −5 −4 −3 −2 −1 0 1
0
0.3
0.6
diode sans boîtier SOT 23

diode sans éléments parasites
diode avec boîtier SOT 23
0.85
(ns)
Figure III. 26 : Caractéristique IV de la diode HSMS 2860 et tension à ses bornes
La figure III.27 montre les tensions aux bornes des diodes D1-D4 pour une puissance
PRF de 10 dBm. La figure III.28 présente les courants qui traversent ces mêmes diodes. Les
résultats montrent que les deux diodes D1 et D3 sont passantes (courant non nul) durant les
périodes où la tension est supérieure à la tension de seuil, et bloquées durant le reste du temps.
Les deux diodes D2 et D4, quand à elles, sont tout le temps bloquées et ne génèrent pas de
puissance DC. Une analyse spectrale des tensions et courants des deux diodes D1 et D3 (D2 et
115
D4) montre que les composantes fréquentielles impaires (2.45 GHz, 9.8 GHz, …) sont en
opposition de phase, alors que les composantes fréquentielles paires (DC, 4.9 GHz, …) sont
en phase.
1 1
D1 D2
0.5 D3 0.5 D4
0 0
−0.5 −0.5
−1 −1
Tension (V)
Tension (V)
−1.5 −1.5
−2 −2
−2.5 −2.5
−3 −3
−3.5 −3.5
−4 −4
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Temps (ns) Temps (ns)
Figure III. 27 : Tensions aux bornes des diodes D1-D4 pour PRF = 10 dBm
7 7
D1 D2
D3 D4
6 6
5 5
4 4
Courant (mA)
Courant (mA)
3 3
2 2
1 1
0 0
−1 −1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Figure III. 28 : Courants des diodes D1-D4 pour PRF = 10 dBm
Nous allons maintenant approfondir l’analyse du circuit en pont modifié en se basant

sur les impédances des diodes D1 et D3. Les deux autres diodes D2 et D4 étant bloquées, elles
ne participent pas au processus de conversion RF-DC. Les impédances Zd1 et Zd3 sont
déterminées dans un premier temps en fonction de la charge RL, puis en fonction de la
puissance d’entrée PRF.
Pour une puissance d’entrée de 10 dBm, la variation de l’impédance (résistance et
réactance) des diodes D1 et D3 sur la plage 0-3 kΩ, à 2.45 GHz, est exposée sur la figure
III.29 (a). La charge RL affecte le courant DC et modifie l’impédance des diodes. La charge
116
optimale du circuit est de 1.05 kΩ et l’impédance des deux diodes dans ces conditions est Zd1,
3 = (100-j179) Ω.
Si on se place à charge constante (1.05 kΩ), et on fait varier la puissance d’entrée, on
obtient les résultats que montre la figure III.29 (b). L’impédance des diodes varie en fonction
de la puissance, et plus particulièrement sa partie réelle. En effet, elle varie de 30 à 110 Ω sur
la plage de -10 à 15 dBm, alors que sa réactance varie uniquement entre -j200 et –j180 Ω. La
diode HSMS 2860 présente des non-linéarités, son impédance dépend de la tension à ses
bornes, et elle est affectée à la fois par RL et PRF.
110 −50 140 −100

PRF = 10 dBm RL = 1050 Ω
120 −120
100 −100
100 −140
Résistance (Ω)
Réactance (Ω)
Résistance (Ω)
Réactance (Ω)
90 −150
80 −160
80 −200
60 −180
70 −250
40 −200
60 −300 20 −220
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 −10 −5 0 5 10 15 20
Charge (KΩ) Puissance d’entrée (dBm)
(a) (b)
Figure III. 29 : Impédance des diodes D1 et D3. (a) vs charge. (b) vs PRF
Pour maximiser le rendement de conversion RF-DC, il faut transférer le maximum de

puissance PRF aux diodes D1 et D3. Il faut assurer une adaptation d’impédance, soit au niveau
des points P4 et P5, soit directement à l’entrée RF (figure III.25). Les deux diodes D1 et D3
sont symétriques, elles sont traversées par le même courant DC et présentent la même
impédance à 2.45 GHz. Les diodes D2 et D4 ont également la même impédance dynamique. A
2.45 GHz, la ligne L5 (figure III.20) terminée par un court circuit au point P10 ramène une
impédance imaginaire inductive au point P8 (Z8 ≈ +j148 Ω), et réduit la capacitance de D1. La
longueur d’onde effective (λeff) sur la ligne L5 est de 92.8 mm et l’impédance ramenée sur
cette ligne est imaginaire (capacitive ou inductive).
La figure III.30 montre la disposition des impédances des diodes D1-D4 et celles aux
points de connections des deux boîtiers SOT 23. Zd1, Zd2, Zd3 et Zd4 sont les impédances série
des diodes D1-D4, respectivement. Z4, Z5, Z6, Z7, Z8 et Z9 sont les impédances aux points P4-
P9 par rapport au plan de masse du circuit.
117
Figure III. 30 : Schéma des impédances des diodes D1-D4
Le tableau III.7 montre les impédances des diodes D1, D2 et celles aux points P4, P6 et
P8, à 2.45 GHz et pour une puissance d’entrée de 10 dBm. Toutes les impédances ont été
déterminées avec le logiciel ADS, en utilisant des sondes de tension et de courant. Le calcul
des impédances a été effectué dans le domaine fréquentiel, en utilisant les amplitudes et les
phases des grandeurs tension et courant à 2.45 GHz. L’impédance Z4 est égale à (111+j19) Ω.
La largeur des lignes L1 - L2 - L3 (W1 = 1 mm, Zc = 114 Ω) a été choisie de telle sorte à
assurer l’adaptation au niveau de l’entrée RF. L’impédance d’entrée (Zin) est égale à (51-j4) Ω
et le niveau d’adaptation à 2.45 GHz est de -27 dB.
Impédance Partie réelle (Ω) Partie imaginaire (Ω)

Zd1 100 -j179
Zd2 96 -j354
Z4 111 +j19
Z6 2 -j221
Z8 0.6 +j148
Tableau III. 7 : Impédances des diodes à 2.45 GHz (PRF = 10 dBm)
L’impédance Z4 est traduite mathématiquement par les équations (III.20) et (III.21).
Reel [ Z 4 ] =Reel [ Z d1 + Z8 // ( Z d2 +Z 6 )] (III.20)
Imag [ Z 4 ] =Imag [ Z d1 + Z8 // ( Z d2 +Z 6 )] (III.21)
Les mêmes équations peuvent être définies pour la diode D3 au point P5. L’impédance
Z5 est donnée par les deux équations (III.22) et (III.23).
118
Reel [ Z5 ] =Reel [ Z d3 + Z9 // ( Z d4 +Z7 )] (III.22)
Imag [ Z5 ] =Imag [ Zd3 + Z9 // ( Zd4 +Z7 )] (III.23)
L’impédance Z6 à 10 dBm est égale à (2-j221) Ω, elle est quasiment imaginaire.

Comme le circuit est symétrique, les courants à 2.45 GHz arrivent au point P0 (figure III.25)
en opposition de phase et engendre un circuit ouvert. Par conséquent, l’impédance au point P6
est imaginaire.
Pour assurer une adaptation d’impédance directement au niveau des diodes D1 et D3, et
en négligeant les parties réelles de Z6, Z7, Z8 et Z9, les équations (III.20) à (III.23)
deviennent :
Reel [ Z 4 ] =Reel [ Z d1 ] = Z1 = 2 × Z0 (III.24)
Imag [ Z d1 + Z8 // ( Z d2 +Z 6 )] = 0 (III.25)
Reel [ Z5 ] =Reel [ Z d3 ] = Z1 = 2 × Z0 (III.26)
Imag [ Z d3 + Z9 // ( Z d4 +Z 7 )] = 0 (III.27)
Où Z0 et Z1 sont les impédances caractéristiques des lignes de largeurs W1 et W2,

respectivement.
Passons maintenant à l’harmonique d’ordre 2 à 4.9 GHz. L’objectif étant de définir les
conditions qui permettront de confiner la puissance générée par D1 et D3 à l’intérieur de la
boucle (P1, P2, P0, P3, P1). La symétrie du circuit impose des courts circuits aux points P1 et
P0, à 4.9 GHz. Les deux points P2 et P3 (milieux des deux lignes L2) sont situés à une demi-
longueur d’onde de P1, ils agissent comme des courts circuits. Ses résultats seront par la suite
illustrés par la cartographie du courant surfacique (figures III.34). La longueur totale de la
boucle (P1, P2, P0, P3, P1) est de deux fois la longueur d’onde à 4.9 GHz. L’impédance des
diodes D1 et D3, calculée par ADS, est de (+j190) Ω et celle des diodes D2 et D4 est de (-j175)
Ω. La somme des impédances des quatre diodes reste faible, elle est de (+j30) Ω. La quasi-
totalité de la puissance générée à 4.9 GHz par D1 et D3 est dissipée dans les diodes D2 et D4.
119
La longueur totale (Ltot) de la boucle (P1, P2, P0, P3, P1) peut être formulée par l’équation
(III.28), (n) étant un entier supérieur à zéro et (λeff) la longueur d’onde effective à 4.9 GHz
(λeff = 46.3 mm).
Ltot = n.λeff (III.28)
3.3. Simulations FDTD

Pour introduire et valider l’outil de simulation global basé sur la FDTD, le circuit en
pont modifié (figure III.20) a été simulé et son rendement de conversion, en fonction de PRF,
déterminé. Les résultats obtenus seront comparés avec ceux d’ADS et validés par des mesures
en conduit. Dans toutes les simulations FDTD, le nombre de couches absorbantes UPML est
de 10 dans chacune des directions et l’ordre de la variation polynomiale de la conductivité (σ)
est m = 3. De plus, pour discrétiser toutes les parties du circuit par un nombre entier de
mailles et avoir plus de précision, le maillage non uniforme a été utilisé. Les plus petites
mailles dans les trois directions x, y et z sont dx = 0.457 mm, dy = 0.4667 mm et dz = 0.7875
mm. Le pas dz a été choisi pour modéliser correctement le substrat (h=1.575 mm) avec deux
mailles. Le nombre de mailles dans les trois directions x, y et z sont de 168, 172 et 49,
respectivement. Le pas temporel dt utilisé est de 0.9551 ps et le nombre total d’itérations est
de 30000. Les simulations ont été effectuées sur une machine à deux processeurs, de quatre
cœurs chacun (3 GHz de vitesse et 24 Go de RAM). Le code FDTD développé a été
parallélisé sur la totalité des processeurs. La durée moyenne d’une simulation est de 30 à 40
minutes.
3.3.1. Rendement de conversion RF-DC

Le circuit est alimenté par un générateur de tension (Vs) à 2.45 GHz, muni d’une
résistance interne Rs = 50 Ω. La tension du générateur varie de 0.5 à 3 V et la puissance
théorique maximale injectée dans le circuit varie dans la plage 0.6 - 22.5 mW. La charge RL
est fixée à 1.05 kΩ. Le tableau III.8 montre les résultats de la simulation FDTD du circuit en
pont, une comparaison avec les mesures sera effectuée dans le paragraphe 3.4. On voit que la
puissance de sortie varie de 0.3 mW à 15 mW et le rendement (η) passe de 43% à 67%.
120
VS (V) PRF (mW) VDC (V) PDC (mW) η (%)

0.5 0.625 0.529 0.267 42.64
1 2.5 1.2144 1.41 56.18
1.5 5.625 1.915 3.49 62.10
1.6 6.4 2.055 4.02 62.84
1.7 7.225 2.1954 4.59 63.53
1.8 8.1 2.3338 5.19 64.04
1.9 9.025 2.4753 5.84 64.66
2 10 2.61 6.49 64.88
2.1 11.025 2.7512 7.21 65.39
2.2 12.1 2.8888 7.95 65.68
2.3 13.225 3.0264 8.72 65.96
2.4 14.4 3.1641 9.54 66.21
2.5 15.625 3.2988 10.36 66.33
2.6 16.9 3.4356 11.24 66.52
2.7 18.225 3.5701 12.14 66.60
2.8 19.6 3.7047 13.07 66.69
2.9 21.025 3.8357 14.01 66.64
3 22.5 3.9678 14.99 66.64
Tableau III. 8 : Rendement du circuit de conversion (simulation FDTD)
3.3.2. Influence d’une onde plane incidente sur le rendement

Avant d’effectuer les mesures en rayonné de la rectenna complète, nous avons essayé
au travers des simulations FDTD de voir l’influence d’une onde plane incidente sur le
fonctionnement du circuit de conversion. Dans un premier temps, le circuit de conversion a
été alimenté par une tension Vs de 2 V délivrée par un générateur de tension, muni d’une
résistance interne de 50 Ω. Par la suite, nous avons effectué un autre type de simulation qui
consiste à alimenter le circuit par la même tension Vs et de l’exposer à une onde plane d’une
intensité de 25 V/m (0.166 mW/cm²), en incidence normale.
Les tensions DC aux bornes de la charge optimale (1.05 kΩ), avec et sans onde plane,
sont tracées sur la figure III.31. Des tensions de 2.58 et 2.61 V ont été obtenues avec et sans
onde plane. Les rendements de conversion correspondants sont de 63.35 et 64.9 %,
respectivement. Cette différence de 30 mV se traduit par une différence de moins de 2 % sur
le rendement du circuit.
121
FDTD − simulation sans onde plane FDTD − simulation avec onde plane
3 3
2.5 2.5
2 2
3
1.5 1.5
Vdc (V)
Vdc (V)
2.9
2.8
2.7
1 2.6 1
2.5
2.4
0.5 2.3 0.5

2.2
2.1
0 2
10 10.5 11 11.5 12 0
−0.5 −0.5
0 5 10 15 20 25 30 0 5 10 15 20 25 30
a- sans onde plane b- avec onde plane

Figure III. 31 : Variation temporelle de la tension de sortie aux bornes de RL
Intéressons nous maintenant à la distribution du courant surfacique sur le circuit

étudié, avec et sans exposition à une onde plane incidente. Les cartographies du courant
surfacique dans le domaine temporel sont difficilement exploitables à cause de la
caractéristique non linéaire du circuit de conversion. En effet, le spectre du champ
électromagnétique contient à la fois une composante DC, la fréquence fondamentale et des
harmoniques d’ordre supérieur. Pour passer dans le domaine fréquentiel et obtenir les
cartographies du courant surfacique pour chacune des composantes fréquentielles, la
Transformée de Fourier Discrète (TFD) à été utilisée. L’étude sera limitée aux premières
composantes fréquentielles jusqu’à 7.35 GHz. Pour les composantes fréquentielles d’ordre
supérieur, leurs niveaux sont faibles et peuvent par conséquent être négligées. L’amplitude de
la densité de courant surfacique Js (A/m) est calculée à partir des composantes tangentielles
Hx et Hy du champ magnétique, elle est donnée par l’équation (III.29).
J s = H x2 + H y2 (III.29)
Les cartographies du courant surfacique des 4 premières composantes fréquentielles

ont été déterminées. Les figures III.32 (a) à III.35 (a) montrent les cartographies de courant
surfacique sans onde plane et celles de gauche représentent les cartographies avec onde plane.
Pour chacune des composantes fréquentielles, la même échelle est utilisée. Les résultats
montrent que les cartographies avec et sans onde plane sont similaires. Les différences
éventuelles entre ces cartographies sont difficilement perceptibles.
122
Ces résultats montrent que l’exposition du circuit de conversion à un champ

électromagnétique modifie très peu la tension DC.

Figure III. 32 : Distribution du courant DC

Figure III. 33 : Distribution du courant à 2.45 GHz

123

3.4. Réalisation et mesures - comparaison avec les simulations

Le circuit en pont a été réalisé et mesuré en conduit (figure III.36), la tension DC et le
rendement mesurés sont comparés avec les simulations ADS et FDTD et les résultats sont
exposés sur la figure III.37.
Figure III. 36 : Banc expérimental pour mesurer le circuit en pont modifié
124
On remarque que les allures des courbes simulées et mesurée sont similaires. Les
tensions obtenues à 16 mW par ADS, FDTD et la mesure sont de 3.5, 3.34 et 3.16 V,
respectivement. Les rendements correspondants à ces tensions sont de 73, 66.5 et 60 %. Sur la
totalité de la plage 0-16 mW, les différences entre les rendements mesurés et ceux obtenus
avec la FDTD sont inférieures à 7 %. Comparée avec le logiciel ADS, la méthode FDTD est
capable de mieux prédire la sortie DC du circuit. Ces résultats permettent de valider l’outil de
simulation globale FDTD développé dans le cadre de ce travail de thèse.
4 80
ADS ADS
Mesure FDTD
3.5 70 Mesure
FDTD
3 60
Rendement (%) 50
Tension DC (V)
2.5
2 40
1.5 30
1 20
0.5 10
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 2 4 6 8 10 12 14 16
Puissance d’entrée(mW) Puissance d’entrée (mW)
Figure III. 37 : Tension DC et rendement - comparaison entre simulations et mesures
Dans cette deuxième partie de ce chapitre, un circuit de conversion original sous forme
d’un pont modifié à quatre diodes Schottky a été conçu, réalisé et mesuré. Le circuit ne
contient ni filtre d’entrée HF ni vias de retour à la masse, cela réduit considérablement ses
dimensions et permet d’avoir une structure compacte et à faible coût.
Dans ce circuit, uniquement les deux diodes externes D1 et D3 participent au processus
de conversion et de génération de la puissance DC. Les deux diodes internes D2 et D4 sont
polarisées en inverse et se comportent comme des éléments linéaires passifs.
L’outil de simulation global basé sur la méthode FDTD a été introduit. Les résultats
obtenus montrent que cette méthode prédit mieux la sortie DC (tension et rendement) du
circuit de conversion que le logiciel ADS.
L’impact d’une onde plane incidente sur le rendement de conversion du circuit a été
étudié et des cartographies de courant surfacique, avec et sans onde plane, ont été tracées et
125
comparées. Nous avons pu constater qu’un champ électromagnétique incident modifie la

sortie DC du circuit, mais son impact reste limité.
Nous proposons dans la suite de ce chapitre une structure de conversion symétrique, à
base de deux diodes, plus compacte et plus simple.
126
4. Circuit de conversion double diode

La troisième structure développée (figure III.38) est à base d’un circuit de
conversion simple et compact [III.8], contenant deux diodes Schottky D1 et D2. Le circuit de
conversion fonctionne à 2.45 GHz, il est alimenté par une ligne micro-ruban d’impédance
caractéristique égale à 50 Ω. Au point P0, la puissance incidente à 2.45 GHz est divisée en
deux entités de même puissance et en phase. Vu la symétrie du circuit, les diodes D1 et D2 ont
la même impédance. Par conséquent, chacune de ces diodes convertit la moitié de la
puissance incidente en puissance DC. Toutefois, ce processus de conversion engendre des
harmoniques d’ordre supérieur. Deux stubs quarts d’onde ont été utilisés pour filtrer la
puissance à 2 .45 GHz et isoler ainsi la charge RL. La ligne (L) entre les stubs et les diodes a
été optimisée pour compenser la réactance des diodes D1 et D2 et assurer, en partie,
l’adaptation. La largeur des deux lignes symétriques entre P0 et D1, D2 a été optimisée pour
avoir une impédance caractéristique égale à la résistance des diodes D1 et D2 et assurer
l’adaptation. La symétrie du circuit impose une faible impédance au point P0 (court circuit) à
4.9 GHz. A la même fréquence, les diodes D1 et D2 sont placées sur des circuits ouverts, ce
qui permet de confiner toute la puissance entre P0 et les diodes D1 et D2. La mesure de la
tension de sortie Vdc = V1 - V2 se fait sur la face avant du circuit sans contact avec le plan de
masse. Ce circuit ne contient ni filtre HF ni vias de retour à la masse, ce qui rend la structure
plus compacte et à faible coût.
Figure III. 38 : Circuit de conversion double diode
127
4.1. Résultats des simulations ADS

Le substrat RT/Rogers Duroid 5880 (εr = 2.2, h = 1.575 mm, tanδ = 0.0009) est le
seul substrat utilisé dans les précédentes réalisations. Dans cette étude, quatre circuits ont été
étudiés (tableau III.9). Deux substrats et deux types de diodes ont été utilisés. Notre objectif
est d’aboutir à une structure plus compacte, plus performante et à moindre coût. Les substrats
FR4 (εr = 4.4, h = 1.58 mm, tanδ = 0.02) et Arlon 25N (εr = 3.38, h = 1.524 mm, tanδ =
0.0025) seront utilisés dans cette étude, qui se veut comparative. Ces deux substrats sont à
faibles coût et présentent des pertes supérieures à celle du premier substrat. Nous
déterminerons jusqu’à quel point le rendement de conversion sera affecté par ces pertes. Les
deux diodes Schottky HSMS 2860 et HSMS 2820 [III.3] ont été utilisées. Leurs principales
caractéristiques sont rappelées et comparées dans le tableau III.10. La diode 2820 est
particulièrement adaptée pour des puissances RF importantes (BV = 15 V). Toutefois, elle
présente une capacité de jonction Cj0 plus importante que celle de la 2860. Les résistances
série Rs des deux diodes sont comparables (5 et 6 Ω).
Les quatre circuits du tableau III.9 ont la même topologie, ils ont été optimisés à
2.45 GHz pour des puissances d’entrée de 10 dBm (circuits 1 et 3) et 13 dBm (circuits 2 et 4)
et ils présentent des charges optimales et des dimensions différentes les uns des autres.
Circuit Type de diode Substrat Charge optimale (Ω)

1 HSMS 2860 Arlon 25N 500
2 HSMS 2820 Arlon 25N 1050
3 HSMS 2860 FR4 750
4 HSMS 2820 FR4 1100
Tableau III. 9 : Paramètres des circuits de conversion développés
HSMS 2860 HSMS 2820

BV (V) 7 15
Cj0 (pF) 0.18 0.7
IS (A) 5E-8 2.2E-8
RS (Ω) 5 6
Tableau III. 10 : Principaux paramètres des diodes HSMS 2860 et 2820
4.1.1. Niveau d’adaptation (S11)

La figure III.39 montre les pertes par réflexion (S11), des circuits 1 à 4, sur la bande de
puissance de -10 à 30 dBm. La fréquence est fixée à 2.45 GHz et la charge RL est optimale.
Les résultats montrent une bonne adaptation (S11 < -20 dB) des quatre circuits autour du
niveau de puissance pour lequel ils ont été optimisés.
128
−5
−10
−15
S11 (dB) −20
−25
−30
−35
Circuit 1
−40 Circuit 2
Circuit 3
Circuit 4
−45
−10 −5 0 5 10 15 20 25 30
Puissance d’entrée (dBm)
Figure III. 39 : S11 en fonction de la puissance PRF
4.1.2. Niveau des harmoniques

Le tableau III.11 présente le niveau de puissance normalisé des harmoniques à l’entrée
du circuit et aux bornes de RL. On peut noter que les premiers harmoniques à l’entrée sont
suffisamment faibles pour ne pas utiliser un filtre HF. Toutefois, pour les circuits 2 et 4 qui
sont à base des diodes 2820, les harmoniques sont mieux atténués. Cela peut être expliqué par
une tension BV importante des diodes HSMS 2820 qui fait que les harmoniques commencent
à apparaître à des puissances beaucoup plus importantes. La même situation est observée du
côté DC, où RL est correctement isolée.
Entrée (dB) Charge RL (dB)

fréquence (GHz) 4.9 7.35 9.8 2.45 4.9 7.35 9.8
1 -75 -20 -70 -85 -24 -80 -27
Circuit n° 2 -100 -40 -120 -68 -40 -115 -35
3 -100 -20 -105 -100 -27 -105 -35
4 -88 -28 -85 -66 -28 -83 -43
Tableau III. 11 : Niveaux des harmoniques à l’entrée du circuit et aux bornes de RL
4.1.3. Rendement de conversion RF-DC

Sur la figure III.40, nous présentons le rendement de conversion simulé, à 2.45 GHz,
sur la bande de -10 à 30 dBm. Les deux circuits 2 et 4 permettent de convertir des puissances
RF plus importantes comparés au deux circuits 1 et 3. Cela est dû essentiellement aux
tensions BV des deux diodes. On note aussi que le rendement des circuits 2 et 4 varie peu dans
la bande de puissance allant de 10 à 27 dBm.
129
80
Circuit 1
Circuit 2
70 Circuit 3
Circuit 4
60
Rendement (%)
50
40
30
20
10
0
−10 −5 0 5 10 15 20 25 30
Puissance d’entrée (dBm)
Figure III. 40 : Rendement en fonction de PRF
Pour expliquer ce résultat, nous avons calculé les impédances des diodes 2860 et 2820,
avec ADS, en utilisant le circuit que montre la figure III.41. La tension (Vd) aux bornes de la
diode ainsi que le courant (Id) qui la traverse sont déterminés à l’aide de sondes. L’impédance
de la diode est calculée en utilisant les spectres (amplitude et phase) de Vd et Id à 2.45 GHz.
Les parties réelles et imaginaires de ces impédances, en fonction de PRF, sont exposées sur la
figure III.42. La charge RL est la même dans les deux cas, elle est fixée à 1.05 kΩ. Les
résultats montrent que la partie réelle de l’impédance de la diode 2820, contrairement à celle
de la 2860, varie peu en fonction de la puissance. Les réactances de ces deux diodes, quand à
elles, présentent la même variation. Le changement d’allure de l’impédance de la diode 2860,
à 17 dBm, est dû à sa tension inverse de claquage (Bv = 7 V). L’impédance d’entrée des
circuits 2 et 4 est moins affectée par la variation des impédances des diodes HSMS 2820 que
celle des circuits 1 et 3.
Figure III. 41 : Calcul de l’impédance des diodes HSMS 2860 et 2820
130
Les circuits 3 et 4 imprimés sur le substrat FR4 exhibent des rendements inférieurs à
ceux des deux circuits 1 et 2. Contrairement au substrat Arlon, le FR4 présente une tangente
de pertes (tanδ) de 0.02, qui affecte directement le rendement.
250 50
HSMS 2860 HSMS 2860
HSMS 2820 RL = 1.05 KΩ HSMS 2820
0
200
−50
Résistance (Ω)
Réactance (Ω)
150
−100
−150
100
−200
50
−250
0 −300
−10 −5 0 5 10 15 20 25 30 −10 −5 0 5 10 15 20 25 30
Puissance d’entrée (dBm) Puissance d’entrée (dBm)
Figure III. 42 : Impédances des deux diodes HSMS 2860 et 2820
4.2. Réalisations et mesures - comparaison avec les simulations

Les deux circuits 1 et 2 ont été réalisés (figure III.43) et caractérisés
expérimentalement. Les résultats seront présentés et comparés avec les simulations ADS. La
figure III.44 (a) montre une comparaison entre les tensions DC et les rendements mesurés et
simulés du circuit 1. Il a une longueur L = 32 mm et une largeur W = 35 mm. Des tensions
simulée et mesurée de 1.8 et 1.7 V ont été obtenues aux bornes d’une charge optimale de 500
Ω, avec une puissance d’entrée de 10 mW. Les différences entre les résultats de simulation et
de mesure sont faibles. Avec la même puissance PRF, le rendement simulé est de 65 % et celui
mesuré est de 58 %.
(a) (b)
Figure III. 43 : Circuits de conversion réalisés et mesurés. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2.
131
La figure III.44 (b) présente les tensions DC et les rendements simulés et mesurés, du
circuit 2, sur la bande 0-16 mW. La longueur du circuit L = 44 mm et sa largeur W = 40 mm.
A 10 mW, la différence entre les rendements simulé et mesuré est inférieure à 2% (59.6 %
simulé contre 58.1 % mesuré). A 16 mW, une tension DC supérieure à 3 V a été mesurée aux
bornes d’une charge optimale de 1.05 kΩ.
70 5 70 5
simulation
60 mesure 60
4 4
50 50
Tension DC (V)
Rendement (%)
Tension DC (V)
Rendement (%)
3 3
40 40
30 30
2 2
20 20
simulation
1 1
10 10 mesure
0 0 0 0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 2 4 6 8 10 12 14 16
Puissance RF (mW) Puissance RF (mW)
(a) (b)
Figure III. 44 : Comparaison entre simulations et mesures. (a) Circuit 1. (b) Circuit 2.
Nous avons présenté, dans cette dernière partie du chapitre, un circuit de conversion
compact à double diode. Le circuit ne contient ni filtre HF à l’entrée ni vias de retour à la
masse.
Des études comparatives ont été effectuées dans la perspective d’obtenir une structure
compacte, efficace et à faible coût. Ces études ont porté sur le substrat et le type de diodes
utilisés. Deux types de substrat (FR4 et Arlon 25N) et deux diodes Schottky (HSMS 2860 et
2820) ont été utilisés et comparés. Nous avons pu voir que les pertes dans le substrat se
répercutent directement sur l’efficacité du circuit. De plus, la diode 2820 présente une
impédance qui varie peu en fonction de la puissance et qui permet d’avoir des efficacités
stables sur une large plage de puissance RF. Toutefois, cette diode présente une tension
inverse de claquage importante (BV = 15 V), elle est dédiée pour des niveaux de puissance
assez élevés.
132
5. Conclusion
Dans ce chapitre, les différentes étapes de simulation et d’optimisation des circuits de
conversion sous ADS ont été expliquées. Trois structures ont été développées et analysées, un
circuit conventionnel en topologie série et deux autres circuits symétrique plus innovant, à
base de quatre et de deux diodes. Ces derniers circuits sont plus compacts et présentent plus
d’avantages. En effet, aucun filtre HF ni vias de retour à la masse n’est utilisé.
Dans le chapitre suivant, des rectennas à base de ces circuits de conversion seront,
réalisées et caractérisées expérimentalement à l’intérieur d’une chambre anéchoïque.
Afin de pouvoir analyser ces rectenna dans le même environnement de simulation,
l’outil d’analyse globale basé sur la méthode FDTD sera utilisé. Des cartographies de champ
électrique et de courant surfacique seront présentées et exploitées pour mieux expliquer le
fonctionnement de ces circuits.
133
[III.1] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,

«Design of a 2.45 GHz Rectenna using a global analysis technique», Proc. 3rd
European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2009, March 23-27,
2009, Berlin, pp 2321-2325.

«Analyse et conception de rectennas à 2.45 GHz par une technique d’analyse globale»,
Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2009, 27-29 Mai 2009, Grenoble.
[III.3] Hewlett Packard, Technical Data “Surface Mount Microwave Schottky Detector
Diodes”.
[III.4] J-S. Hong and M.J. Lancaster, « Microstrip Filters for RF/Microwave Applications»,
John Wiley & Sons, Inc., 2001.

«A 2.45 GHz Low Cost and Efficient Rectenna», 4th European Conference on
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April, Barcelona.
[III.6] K.C. Gupta, R. Garg, I. Bahl and P. Bhartia, « Microstrip Lines and Slotlines», Artech
House Inc., Second Edition, 1996.
[III.7] D.M. Pozar, «Microwave Engineering», John Wiley & Sons, Inc., Second Edition,
1998.
[III.8] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon, «A

2.45-GHz Dual-Diode RF-to-dc Rectifier for Rectenna Applications», European
Microwave Conference, EuMC2010, 26 Sep.- 01 Oct. 2010, Paris.
134
----------------------------------------------------------
Chapitre IV
Application de la méthode d’analyse
globale FDTD à l’étude de circuits
rectennas
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
135
136
Chapitre IV Application de la méthode d’analyse globale FDTD à l’étude de circuits rectennas
Chapitre IV
Application de la méthode d’analyse globale
FDTD à l’étude de circuits rectennas
1. Introduction
Nous proposons dans ce dernier chapitre la conception et l’analyse de trois circuits
rectennas à 2.45 GHz, en technologie micro-ruban. Le premier circuit est formé d’une antenne
patch rectangulaire à polarisation linéaire et du circuit de conversion en pont modifié à 4
diodes Schottky. Le second circuit est à base d’un redresseur RF-DC à deux accès
symétriques contenant 4 diodes. Sur chacun des deux accès, une antenne patch polarisée
linéairement est connectée. Le troisième et dernier circuit est basé sur le redresseur à double
diodes, présenté précédemment.
Pour pouvoir reconstituer le scénario de la mesure d’une rectenna complète illuminée
par une onde plane incidente à l’intérieur d’une chambre anéchoïque, l’outil de simulation
globale FDTD a été utilisé. Les trois rectennas ont été simulées et analysées. Les distributions
du champ électrique et du courant surfacique des premières composantes fréquentielles (DC,
2.45, 4.9 et 7.35 GHz), ont été calculées. Elles seront présentées et exploitées afin de montrer
le comportement des premières composantes fréquentielles et d’améliorer les performances
des circuits rectennas en termes de rendement et de compacité. Les rectennas développées ont
été fabriquées et mesurées en rayonné, et le banc de mesure employé sera présenté. Les
résultats obtenus par mesure seront systématiquement comparés aux simulations FDTD.
Afin d’augmenter la puissance et/ou la tension DC, des associations de rectennas en
parallèle et en série ont été introduites. Quatre réseaux à 2 et à 4 rectennas double diodes ont
été réalisés et caractérisés expérimentalement. Les résultats obtenus seront comparés à ceux
d’une rectennas simple. Pour montrer la linéarité des réseaux de rectennas développés, les
137
rapports des tensions entre les différents réseaux et la rectenna simple seront présentés et
discutés.
2. Rectenna en pont de diodes modifié mono-antenne

La première rectenna que nous avons développée est montrée sur la figure IV.1. Elle
est composée d’une antenne patch rectangulaire à polarisation linéaire et du circuit de
conversion en pont de diodes modifié [IV.1] présenté dans le chapitre III. Les deux parties de
la rectenna ont été adaptées sur des impédances de 50 Ω. De plus, la ligne d’alimentation
entre l’antenne et le circuit de conversion a une largeur W1 = 4.8 mm et présente une
impédance caractéristique de 50 Ω.
La rectenna a été imprimée sur un substrat RT/Rogers Duroid 5880 (εr = 2.2, h = 1.575
mm, tanδ = 0.0009). Le plan de masse du circuit a une longueur de 115 mm et une largeur de
93 mm.
z
y
Plan H
Plan E
L1 = 48.4mm, L2 = 40.5mm, L3 = 18.8mm, L4 = 12.1mm, L5 = 15.0mm, W1 = 4.8mm, RL = 1050Ω

Figure IV. 1 : Rectenna en pont de diodes modifié mono-antenne
2.1. Procédure de conception d’une antenne patch micro-ruban

Pour concevoir une antenne patch rectangulaire à polarisation linéaire, une procédure
de calcul simplifiée a été utilisée [IV.2]. Cela suppose la connaissance de la constante
diélectrique du substrat (εr), sa hauteur (h) ainsi que la fréquence de résonnance (fr). L’objectif
est de calculer la largeur W et la longueur L de l’antenne, elles sont données par les équations
(IV.1) et (IV.2) suivantes :
138
c 2
W= (IV.1)
2 fr εr +1
c
L= − 2∆L (IV.2)
2 f r ε eff
où c est la vitesse de la lumière dans le vide, εeff est la permittivité effective donnée par
l’équation (IV.3) et ∆L modélise les effets de bords ou le débordement du champ sur les bords
rayonnants du patch, il est défini par l’équation (IV.4).
1
−
εr +1 εr −1  h 2
ε eff = + 1 + 12  , avec W ≫ 1
h
(IV.3)
2 2  W
∆L
(ε eff + 0.3)  + 0.264 
W
 h


= 0.412 (IV.4)
h
(ε eff − 0.258 )  + 0.8 
W
 h


L’antenne est alimentée par une ligne micro-ruban (figure IV.2). L’impédance
d’entrée du patch au centre des bords rayonnants est généralement supérieure à 50 Ω.
0.9
0.8
0.7
Zin (y=y0)/Zin (y=0)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
y0/L
Figure IV. 2 : Variation de l’impédance normalisée à l’entrée d’une antenne patch avec encoches [d’après
IV.2]
139
Pour pouvoir ramener l’impédance d’entrée de l’antenne sur 50 Ω, plusieurs solutions

sont possibles. L’une d’elles consiste à introduire deux encoches pour rapprocher le point
d’excitation du centre du patch et diminuer ainsi son impédance d’entrée (figure IV.2). La
variation de l’impédance d’entrée en fonction de la profondeur des encoches est donnée par
l’équation (IV.5), elle montre que l’impédance d’entrée est maximale sur les bords rayonnant
et nulle au centre du patch [IV.2]-[IV.3].
π 
Z in ( y = y0 ) = Z in ( y = 0).cos 2  y0  (IV.5)
L 
La directivité (D) d’une antenne décrit sa capacité à rayonner dans une direction
privilégiée au détriment des autres. Elle ne tient pas compte des pertes dans l’antenne.
Le gain (G) d’une antenne est une donnée très importante dans notre travail sur la
conversion d’énergie électromagnétique, il est directement lié à la directivité et aux pertes
dans l’antenne. Dans une direction donnée, il est défini comme étant le rapport entre la
puissance rayonnée dans cette direction et la puissance qui serait rayonnée par une antenne
isotrope sans pertes, dans la même direction et avec la même puissance d’alimentation.
En plus du gain, il y a l’efficacité de l’antenne qui est également un paramètre
important. Elle traduit les pertes sur l’accès d’alimentation et dans l’antenne. Elle englobe les
pertes par désadaptation, les pertes par conduction et les pertes diélectriques dans le substrat.
L’efficacité globale e0 est définie par l’équation (IV.6).
e0 = er ec ed = er ecd (IV.6)
avec er : efficacité due à la désadaptation (sans dimension)

ec : efficacité de conduction (sans dimension)
ed : efficacité diélectrique (sans dimension)
L’antenne de réception de la rectenna est conçue à 2.45 GHz sur un substrat

RT/Rogers Duroid 5880. Les dimensions du patch calculées par les deux équations (IV.1) et
(IV.2) sont : L = 40.5 mm et W = 48.4 mm. L’antenne est alimentée par une ligne micro-
ruban d’impédance caractéristique 50 Ω, et des encoches de 12.1 mm ont été introduites afin
d’assurer l’adaptation. Les simulations ont été effectuées sous HFSS (High Frequency
140
Structure Simulator). L’impédance d’entrée (parties réelle et imaginaire) au point d’excitation

et le niveau d’adaptation (S11) sur la bande 2.3-2.5 GHz sont exposés sur la figure IV.3. On
remarque une résonance et un niveau d’adaptation de -30 dB à 2.45 GHz. L’antenne présente
un gain maximum simulé de 7 dB, dans la direction normale. Elle a été réalisée et son niveau
d’adaptation a été mesuré par l’analyseur de réseau E8361C d’Agilent Technologies. Le S11
mesuré est directement superposé sur la figure IV.3 (a), les S11 simulé et mesuré sont en
bonne concordance.
5 60
HFSS Partie réelle
Mesure Partie imaginaire
0 50
−5
40
−10
30
Impédance (Ω)
S11 (dB)
−15
20
−20
10
−25
0
−30
−35 −10
−40 −20
2.3 2.35 2.4 2.45 2.5 2.3 2.35 2.4 2.45 2.5
(a) (b)
Figure IV. 3 : Antenne patch micro-ruban à 2.45 GHz. (a) S11. (b) Impédance d’entrée.
2.2. Analyse de la rectenna avec la méthode FDTD

La rectenna complète exposée par la figure IV.1 a été analysée par la méthode FDTD.
Dans toutes les simulations, des conditions absorbantes de type UPML ont été utilisées, 10
couches dans chacune des directions. L’ordre de la variation polynomiale de la conductivité
est pris égal à 3. Le maillage non uniforme a été utilisé et les plus petites mailles dans les trois
directions sont dx = 0.457 mm, dy = 0.4667 mm et dz = 0.7875 mm. Le nombre total de
mailles dans les directions x, y et z sont de 168, 172 et 49, respectivement. Le pas temporel dt
est de 0.9551 ps et les simulations ont été effectuées sur 30000 itérations.
L’antenne de réception est modélisée par 42 mailles en longueur et 84 mailles en
largeur. La largeur de la ligne d’alimentation 50 Ω est modélisée par 10 mailles et toutes les
autres lignes d’impédance caractéristique 114 Ω sont modélisées par 4 mailles en largeur. La
charge RL est répartie sur deux mailles de 0.48 mm. Les diodes D1-D4 ont été introduites dans
le volume de calcul FDTD en utilisant les équations (II.53) à (II.56) développées dans le
chapitre II. Chacune des 4 diodes occupe trois mailles, l’une pour la diode sans boîtier (Rs, Id
141
et Cd) et les deux autres pour les éléments parasites du boîtier SOT 23, modélisé par une
inductance en série Lp et une capacité en parallèle Cp (figure II.11).
Pour déterminer le rendement total de la rectenna par la méthode FDTD, il faut
l’illuminer par une onde plane. Pour cela, le formalisme du champ total/champ diffracté décrit
dans le chapitre II a été utilisé. Deux types de simulation ont été effectués pour déterminer la
variation du rendement en fonction de la densité surfacique de puissance et en fonction de
l’angle d’incidence de l’onde plane dans les deux plans E (Φ = 90°) et H (Φ = 0°) de
l’antenne (figure IV.1). Les résultats obtenus seront présentés et comparés avec les mesures.
Intéressons nous maintenant à la distribution du champ électrique (V/m) et du courant
surfacique (A/m) sur la rectenna. Il est à préciser que pour les distributions du champ
électrique, uniquement la composante normale Ez est considérée.
Commençons tout d’abord par les cartographies DC que montre la figure IV.4. La
cartographie (a) montre que le courant qui traverse les diodes internes D2 et D4 (figure IV.1)
est nul. Ces diodes ne génèrent pas de puissance continue. Les diodes externes D1 et D3 sont
traversées par le même courant et elles présentent la même impédance. Elles génèrent
chacune la moitié de la puissance DC et se comportent comme deux sources continues
connectées en série avec RL. Le courant circule à l’intérieur de la boucle principale (P1, P2, P4,
D1, P8, P12, RL, P13, P9, D3, P5, P3, P1) et présente la même intensité.
(a) (b)
Figure IV. 4 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique.
La figure IV.5 montre les cartographies du courant surfacique et du champ électrique,

sur la face supérieure de la rectenna, à 2.45 GHz. Les bords rayonnants de l’antenne patch
présentent un minimum de courant et un maximum de champ électrique. Les résultats
montrent aussi que les stubs quarts d’onde de part et d’autre de RL ramènent des courts
142
circuits aux points P10 et P11 (figure IV.1) et empêchent la puissance PRF d’être transmise à la
charge et de perturber les mesures. On voit que la puissance reçue par l’antenne est convertie
uniquement par D1 et D3. Les deux diodes D2 et D4 ne participent pas au processus de
conversion RF-DC.
(a) (b)
Figure IV. 5 : Cartographies à 2.45 GHz. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique.
La figure IV.6 nous expose les cartographies obtenues à 4.9 GHz. Les résultats
montrent que la quasi-totalité de la puissance générée par les diodes D1 et D3 à cette fréquence
est piégée à l’intérieure de la boucle (P1, P2, P4, D1, D2, P6, P0, P7, D4, D3, P5, P3, P1), avec une
succession de courts circuits et de circuits ouverts (ventres et nœuds).
(a) (b)
A 4.9 GHz, l’énergie ne se propage pas, on observe un phénomène d’ondes

stationnaires à l’intérieur de la boucle. Les deux courts circuits présents aux points P0 et P1
sont dus à la symétrie du circuit, et ne dépendent d’aucun autre paramètre. Le court circuit au
point P1 permet d’isoler l’antenne du circuit de conversion à 4.9 GHz. Les deux points P2 et
143
P3 (figure IV.1) sont situés exactement à une demi-longueur d’onde de P1, cela explique la
présence d’un maximum de courant et d’un minimum de tension en ces deux points.
Les cartographies du courant surfacique et du champ électrique à 7.35 GHz sont
montrées sur la figure IV.7. Les résultats montrent que la charge RL est correctement isolée,
grâce aux stubs quarts d’onde. Toutefois, il y a une partie de la puissance générée à cette
fréquence qui est renvoyée vers l’antenne, mais dont le niveau reste faible (Js < 0.1 A/m et Ez
< 20 V/m).
(a) (b)
2.3. Réalisation et mesures - comparaison avec la FDTD

La rectenna en pont développée a été fabriquée et mesurée, elle est exposée sur la
figure IV.8. Les dimensions du plan de masse sont de 115 mm de longueur et de 93 mm de
largeur.
Banc de mesure en rayonné

Le banc de mesure que montre la figure IV.9 a été utilisé pour caractériser
expérimentalement la rectenna développée.
Des mesures de tension de sortie en fonction de la densité surfacique de puissance
(DSP) ont été effectuées à l’intérieure d’une chambre anéchoïque. La partie d’émission
contient un générateur RF (E8251A d’Agilent), qui délivre une puissance allant de -20 à 16
dBm, et une antenne cornet de 12 dB de gain à 2.45 GHz. De plus, pour augmenter la densité
de puissance au niveau de la rectenna, un amplificateur de puissance a été inséré entre la
source RF et le cornet. Pour déterminer avec précision la puissance (Pt) transmise au cornet,
les pertes dans les câbles coaxiaux RF qui relient le générateur à l’antenne cornet et le gain de
l’amplificateur ont été mesurés. Les pertes dans les câbles ont été estimées à 1.6 dB. Le gain
144
de l’amplificateur (Ga) et la puissance transmise au cornet (Pt) en fonction de la puissance (Pg)

délivrée par le générateur sont tracés sur la figure IV.10. Le gain Ga est plus au moins stable
(37 dB) pour des puissances Pg inférieures à -7 dBm. Au delà de -7 dBm, Ga commence à
diminuer progressivement pour atteindre 32.5 dB à Pg = 0 dBm.
Figure IV. 8 : Rectenna complète réalisée et mesurée
Figure IV. 9 : Banc de mesure en rayonné
A la réception, le banc de mesure contient la rectenna à caractériser, une charge

variable et un voltmètre conventionnel connecté en parallèle avec la charge RL. Comme la
puissance RF réellement captée par la rectenna est difficile à déterminer, nous avons utilisé
145
l’équation de Friis (IV.7) pour déterminer la puissance Pr que l’antenne, toute seule, est
capable de récupérer dans le meilleur des cas. Le rendement (η) de la rectenna est calculé par
l’équation (IV.8).
 λ 
2
Pr = Pt Gt Gr   (IV.7)
 4π d 
Avec Pr : puissance RF que la rectenna est susceptible de capter (W)

Pt : puissance transmise à l’antenne cornet (W)
Gt : gain de l’antenne cornet
Gr : gain de l’antenne de réception (la rectenna)
λ : longueur d’onde dans l’espace libre (m)
d : distance entre le cornet et la rectenna (m)
Pdc Vdc2
η= = (IV.8)
Pr Pr RL
Le rendement (η) peut également être calculé à partir de la densité surfacique de

puissance [IV.4]. A une distance (d) de l’antenne d’émission, la densité surfacique de
puissance est définie par l’équation (IV.9).
PG
DSP = t t
(IV.9)
4π d 2
Connaissant le gain de l’antenne de réception, sa surface effective Ae peut être

déterminée par l’équation (IV.10). La puissance Pr est définie, dans ce cas, comme étant le
produit entre Ae et la densité de puissance (DSP).
λ2
Ae = Gr (IV.10)
4π
146
40 32
39 30
38
28
37
Gain amplificateur (dB)
26
36
Pt (dBm)
24
35
22
34
33 20
32 18
31 16
30
−20 −15 −10 −5 0 14
−20 −15 −10 −5 0
Pg (dBm) Pg (dBm)
(a) (b)
Figure IV. 10 : Caractérisation de l’amplificateur de puissance. (a) Gain. (b) Puissance transmise au
cornet.
Passons maintenant à la caractérisation expérimentale de la rectenna. Les résultats

seront comparés avec ceux obtenus par les simulations FDTD. La tension de sortie et le
rendement mesurés de la rectenna, pour des densités de puissance allant de 0 à 0.527 mW/cm²
(E = 44.57 V/m), sont tracés sur la figure IV.11. La rectenna est, dans un premier temps,
placée à une distance (d) de 1 m de l’antenne d’émission. Le gain mesuré de l’antenne patch
est de 6.2 dB (Ae = 49.76 cm²). Comme nous pouvons le voir sur la figure IV.11, à cette
distance (d) du cornet, la densité surfacique de puissance est inférieure à 0.2 mW/cm². Pour
tester la rectenna avec des densités de puissance un peu plus élevées, une autre série de
mesures a été effectuée avec d = 0.6 m (figure IV.11). Il est à préciser que la zone du champ
lointain de l’antenne cornet est à partir de 48 cm. Afin de pouvoir superposer les courbes
simulées et mesurées, la densité surfacique de puissance a été normalisée par rapport au gain
mesuré de l’antenne patch. Toutefois, la puissance Pr que reçoit l’antenne reste inchangée. Les
résultats simulés par la FDTD sont tracés sur la même figure IV.11.
A 0.527 mW/cm² (Pr = 26.22 mW), des tensions et puissances DC respectives de 3.95
V (14.86 mW) et 3.6 V (12.34 mW) ont été obtenues par la FDTD et la mesure, aux bornes
d’une charge optimale de 1.05 kΩ. Le rendement maximal mesuré est obtenu à 0.26 mW/cm²
(31.3 V/m), il est de 51 %. Le rendement simulé augmente avec la DSP pour atteindre 57 % à
0.58 mW/cm². Une différence de 6 % est observée entre les rendements simulé et mesuré.
Toutefois, si on compare ces rendements avec ceux du circuit de conversion tout seul, il y a
plus de 10 % de différence. Cela peut s’expliquer, à priori, par une désadaptation entre
l’antenne et le circuit de conversion.
147
5
FDTD
4 Mesure (d=1.0m)
Mesure (d=0.6m)
Vdc (V)
3
60
40
η (%)
20
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 11 : Rendement et tension DC- simulations FDTD et mesures
Les variations de la tension DC simulée par FDTD de la rectenna en fonction de l’angle

d’élévation (θ) dans les deux plans E et H (figure IV.1) sont présentées par la figure IV.12. La
densité surfacique de puissance de l’onde incidente est de 0.227 mW/cm² (29.25 V/m) et la
charge est de 1.05 kΩ. Dans le plan H, la tension maximale est obtenue dans la direction
normale (θ = 0°). Toutefois, dans le plan E on remarque que le maximum de tension est
légèrement décalé vers la droite. Cela s’explique par la présence du circuit de conversion sur
l’un des bords rayonnants de l’antenne. En s’écartant de la direction normale, la tension DC
se dégrade parce que le gain du patch et la puissance Pr diminuent. La puissance de sortie
dans les deux plans E et H est tracée sur la même figure à droite. Les courbes de puissance
reprennent l’allure du diagramme de rayonnement d’une antenne patch simple.
3 7
Plan E Plan E
Plan H Plan H
6
2.5
5
2
Puissance DC (mW)
Tension DC (V)
4
1.5
3
1
2
0.5 1
0 0
−100 −50 0 50 100 −100 −50 0 50 100
Angle d’élévation (°) Angle d’élévation (°)
(a) (b)
Figure IV. 12 : Simulation FDTD de la sortie DC dans les plans E et H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.
148
Des mesures de tension de sortie dans le plan H ont été effectuées pour deux valeurs
de DSP : 0.098 et 0.135 mW/cm². Les résultats de tension et de puissance DC sont tracés sur
la figure IV.13. Les allures des courbes sont les mêmes que celles obtenues par la FDTD,
dans le plan H. La largeur de bande de la rectenna à -3 dB dans le plan H est de 65°.
1.8 3.5
0.099 mW/cm² 0.099 mW/cm²
0.135 mW/cm² 0.135 mW/cm²
1.6
3
1.4
2.5
1.2
Puissance DC (mW)
Tension DC (V)
1 2
0.8
1.5
0.6
1
0.4
0.5
0.2
0 0
−100 −50 0 50 100 −100 −50 0 50 100
Angle d’élevation (°) Angle d’élévation (°)
(a) (b)
Figure IV. 13 : Mesure de la sortie DC dans le plan H. (a) Tension DC. (b) Puissance DC.
3. Rectenna symétrique double antenne

La deuxième rectenna développée fonctionne à 2.45 GHz, elle est à base d’un pont de
diodes modifié à deux accès micro-rubans symétriques (figure IV.14). Il contient quatre
diodes Schottky regroupées par paires dans deux boîtiers SOT 23, l’un à anode commune
HSMS 2863 et l’autre à cathode commune HSMS 2864. À chacun des deux accès du circuit
de conversion, est associée une antenne patch rectangulaire à polarisation linéaire. Elle
présente une largeur de 39.3 mm et une longueur de 48.4 mm. Afin de l’adapter sur une
charge de 50 Ω, la ligne d’alimentation est décalée de 6.85 mm du centre du patch. De plus,
pour que le réseau des deux antennes présente un maximum de rayonnement dans la direction
normale à θ = 0°, le couplage des deux antennes dans le plan H a été choisi [IV.2]. Le circuit
de conversion RF-DC a été optimisé pour une puissance RF de 7 dBm sur chacun des accès.
La charge optimale RL utilisée est de 1200 Ω. Les valeurs de longueurs et largeurs des
différentes sections de lignes sont exposées dans le tableau IV.1. Pour une puissance RF totale
de 10 dBm à la fréquence de 2.45 GHz, les diodes D1-D4 présentent une impédance de (78-
j256) Ω. Contrairement à la rectenna présentée précédemment, les quatre diodes partagent le
processus de conversion et de la génération de puissance DC et présentent également les
mêmes pertes. Pour isoler la charge du côté RF durant les mesures, deux stubs quarts d’ondes
149
ont été utilisés de part et d’autre de RL. L’association d’un stub avec la ligne L8 ramène une
impédance inductive de (j117) Ω aux points P5 et P6. Cela permet de réduire la capacitance
des diodes D1-D4. L’impédance aux points P1, P2, P3 et P4, par rapport au plan de masse, est
de (78-j22) Ω. Les lignes L5 (Zc = 58 Ω) et L6-L7 (Zc = 95 Ω) permettent d’assurer, en partie,
l’adaptation des diodes avec les deux accès 50 Ω. L’impédance ramenée au niveau des deux
antennes est de (47-j4.5) Ω, ce qui correspond à -25 dB d’adaptation sur chacun des deux
accès.
La tension DC est prélevée aux bornes de la charge RL sans référence avec le plan de
masse. Ce circuit, comme pour le précédent, ne contient ni filtre HF ni vias de retour à la
masse. La rectenna est imprimée sur un substrat RT/Rogers Duroid 5880 (εr = 2.2, h =1.575
mm et tanδ = 0.0009).
Etant donné que les étapes de conception et d’optimisation sont les mêmes pour tous
les circuits rectennas développés, nous mettons l’accent plus particulièrement sur les résultats
de l’analyse globale FDTD ainsi que ceux des mesures.
z x
Figure IV. 14 : Rectenna symétrique double antenne
L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 L10 W1 W2 W3 W4
39.3 48.4 24.1 10.0 10.0 17.6 17.9 11.5 10.8 13.7 4.8 3.8 1.53 0.95
Tableau IV. 1 : Dimensions de la rectenna en mm
150
3.1. Circuit de conversion symétrique à deux accès

Avant de présenter les résultats de la rectenna, commençons tout d’abord par quelques
résultats de simulations ADS du circuit de conversion tout seul.
Le niveau des trois premiers harmoniques au niveau de l’un des accès est exposé sur la
figure IV.15 (a). Les puissances ont été normalisées par rapport à la puissance RF sur un des
accès. Les harmoniques paires d’ordre 2 et 4 sont extrêmement faibles sur toute la bande de
puissance. Cela est dû, comme on va le voir par la suite, à la présence d’un court circuit au
point P0. Cela permet de bloquer tous les harmoniques pairs et d’éviter qu’ils ne soient
rayonnés par l’antenne. L’harmonique impair à 7.35 GHz est suffisamment faible, il présente
une atténuation supérieure à 25 dB.
La figure IV.15 (b) montre le niveau de la fréquence fondamentale (2.45 GHz) et celui
des trois premiers harmoniques aux bornes de RL. Les fréquences de 2.45 et 7.35 GHz sont
extrêmement faibles grâce à la symétrie du circuit et à la présence des deux stubs quarts
d’ondes. L’harmonique d’ordre 4 à 9.8 GHz est très faible, il est inférieure à -35 dB sur toute
la bande de puissance. Des résidus de l’harmonique à 4.9 GHz apparaissent aux bornes de RL.
Toutefois, son niveau reste faible (< -20 dB) par rapport à la puissance d’entrée. Les résultats
obtenus montrent bien que la charge de sortie est correctement isolée.
0 0
4.9 GHz 2.45 GHz
7.35 GHz 4.9 GHz
−10 9.8 GHz −10 7.35 GHz
9.8 GHz
Niveaux des harmoniques (dB)
Niveau des harmoniques (dB)
−20
−20
−30
−30
−40
−40
−50
−50
−60
−60
−70
−70 −80
−10 −5 0 5 10 15 20 −10 −5 0 5 10 15 20
Puissance RF (dBm) Puissance RF (dBm)
(a) (b)
Figure IV. 15 : Niveau des harmoniques. (a) Sur un des accès du circuit. (b) Aux bornes de RL.
La figure IV.16 montre l’influence du déphasage entre les deux accès sur le rendement
du circuit de conversion. Grâce à la symétrie du circuit, l’étude est réduite à l’intervalle 0-
180°. Le rendement est maximal à 0°, lorsque les deux accès sont en phase. Il diminue ensuite
progressivement en fonction du déphasage pour atteindre sa valeur minimale lorsque les deux
151
accès sont en opposition de phase. Les résultats montrent que le circuit est sensible au
déphasage entre les deux accès. En effet, comme les deux parties, droite et gauche, du circuit
ne sont pas isolées l’une de l’autre, l’introduction d’une dissymétrie sur l’un des deux côtés
affecte inévitablement le fonctionnement de tout le circuit.
Les deux antennes qui seront connectées sur les deux accès sont identiques. Elles
reçoivent la même puissance RF, quelque soit la direction de l’onde incidente. Pour cette
raison, l’influence d’un déséquilibre en puissance entre les deux accès ne sera pas étudiée.
80
−10 dBm
−5 dBm
70 0 dBm
5 dBm
10 dBm
60
Rendement (%)
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
Déphasage (°)
Figure IV. 16 : Influence du déphasage entre les deux accès du circuit sur le rendement
3.2. Simulation FDTD de la rectenna

Une fois que le circuit de conversion et le réseau des deux antennes conçus et
optimisés, la rectenna a été analysée avec la méthode FDTD. Les conditions absorbantes de
type UPML, avec 10 couches dans chacune des directions, ont été utilisées. L’ordre de la
variation polynomiale de la conductivité est m = 3. Afin de minimiser les erreurs de
discrétisation, le maillage non-uniforme a été utilisé. Les plus petites mailles suivant les axes
de cordonnées x, y et z sont dx = 0.7665 mm, dy = 0.4666 mm et dz = 0.7875 mm, et le
nombre de mailles est de 227 x 137 x 49. Le pas temporel dt est égal à 1.1261 ps et les
simulations sont effectuées sur 25000 itérations temporelles (une durée de 28.15 ns).
3.2.1. Tension DC dans les plans E et H de la rectenna

Les variations des tensions et puissances de sortie en fonction de l’angle d’élévation
(θ), dans les deux plans E (Φ = 90°) et H (Φ = 0°) (voir figure IV.14), sont tracées sur la
152
figure IV.17. On remarque que la tension maximale est obtenue dans la direction normale (θ =
0°). En s’écartant de cette direction, la tension et la puissance DC diminuent. Toutefois, dans
les deux plans E et H, la symétrie par rapport au plan θ = 0° est conservée.
Pour expliquer l’allure des courbes obtenues, nous traçons sur la figure IV.18 le
diagramme de rayonnement normalisé du réseau des deux antennes seules simulé sous HFSS.
Dans le plan H, le diagramme comprend un lobe principal à θ = 0° et deux lobes secondaires à
-53° et 53°. Les courbes de puissance DC dans les deux plans E et H ont la même allure que
celles du diagramme de rayonnement du réseau. Cela permet d’expliquer la diminution de la
tension DC aux bornes de RL, en s’écartant de la normale. En effet, la tension DC diminue à
cause du gain des antennes de réception qui se dégrade. L’ouverture à -3 dB de la rectenna est
de 75° (73° pour le réseau) dans le plans E et de 23° (20° pour le réseau) dans le plan H.
2.5 5
Plan E Plan E
Plan H 4.5 Plan H
2 4
3.5
Puissance DC (mW)
Tension DC (V)
1.5 3
2.5
1 2
1.5
0.5 1
0.5
0 0
−100 −50 0 50 100 −100 −50 0 50 100
Angle d’élévation (°) Angle d’élévation (°)
Figure IV. 17 : Tension et puissance DC dans les plans E et H (simulation FDTD)
1
Plan E
0.9 Plan H
0.8
Diagramme de rayonnement
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
−100 −50 0 50 100
Angle d’élévation (°)
Figure IV. 18 : Diagramme de rayonnement du réseau des deux antennes
153
3.2.2. Cartographies du champ électrique et du courant surfacique

Passons maintenant aux cartographies du champ électrique et du courant surfacique.
L’angle d’incidence est θ = 0° et l’intensité du champ électrique incident est de 20 V/m
(0.106 mW/cm²). L’étude sera limitée aux premières composantes fréquentielles jusqu’à 7.35
GHz. Au delà de cette fréquence, la puissance des autres composantes harmoniques d’ordre
supérieur reste négligeable.
La figure IV.19 montre les cartographies du champ électrique et du courant surfacique
DC. Les diodes D1-D4 sont parcourues par le même courant DC. Elles ont la même
impédance dynamique à 2.45 GHz. Le courant DC de la charge RL est le double du courant
des diodes. Cela est conforme à la loi des nœuds (loi de Kirchhoff). Le champ électrique
normal présente une légère dissymétrie, cela est probablement dû aux lignes d’alimentation
qui sont décalées par rapport aux centres des antennes patchs.
(a) : Courant surfacique (b) : Champ électrique

Figure IV. 19 : Cartographies DC
Les cartographies à 2.45 GHz sont exposées sur la figure IV.20. La charge RL est
isolée grâce aux stubs quarts d’onde qui ramènent deux courts circuits de part et d’autre de
RL. Sur les deux antennes, on remarque que le champ électrique est très important sur les
bords rayonnants, tandis que le courant surfacique varie de manière sinusoïdale sur les bords
non rayonnants. Comme pour la composante DC, on remarque aussi une légère dissymétrie
sur la distribution du champ électrique normal (Ez) à 2.45 GHz.
154

Figure IV. 20 : Cartographies à 2.45 GHz
La figure IV.21 nous expose les cartographies à 4.9 GHz. La quasi-totalité de la

puissance générée, par D1-D4 à cette fréquence est confinée à l’intérieure de la boucle
principale contenant les quatre diodes D1-D4. On observe une succession de points à forte et à
faible impédance, espacés d’un quart d’onde (λ/4 = 11.46 mm). A 4.9 GHz, il n’y a pas de
propagation d’énergie, mais un phénomène d’ondes stationnaires. Deux courts circuits (point
P0) sont présents sur les deux lignes d’accès 58 Ω. Ils empêchent la puissance à 4.9 GHz
d’être rayonnée par les deux antennes. Les deux diodes D1 et D2 sont placées à une distance
de trois quarts d’onde du point P0, ce qui implique une forte impédance au niveau des points
P1 et P2 (figure IV.14). Cela est également valable pour les diodes D3 et D4. La longueur totale
de la boucle est de trois fois la longueur d’onde à 4.9 GHz. Ces fortes impédances au niveau
des diodes atténuent la puissance à 4.9 GHz dans la branche P5-P6 contenant la charge RL et
les stubs.

155
Les cartographies à 7.35 GHz sont exposées sur la figure IV.22. Les résultats montrent
que cette composante fréquentielle est faible, la quasi-totalité de la puissance générée est
confinée entre les points P5 et P6. Sur les deux accès du circuit, le courant surfacique et le
champ électrique sont nuls.

3.3. Caractérisation expérimentale de la rectenna et comparaison avec la FDTD

La rectenna développée a été réalisée et caractérisée. Le plan de masse du circuit a une
longueur de 218 mm et une largeur de 84 mm. Les deux plans E et H de la rectenna sont
montrés sur la figure IV.23. Le gain maximum mesuré du réseau d’antennes Gr = 8.7 dB et sa
surface effective Ae = 88.5 cm². La rectenna est placée à 1 mètre de distance de l’antenne
d’émission et la charge RL est fixée à 1.2 kΩ.
Figure IV. 23 : Rectenna réalisée et mesurée
156
La figure IV.24 montre une comparaison entre les résultats simulé (FDTD) et mesuré.
La tension DC et le rendement de la rectenna y sont présentés. La densité surfacique de
puissance varie de 0.004 mW/cm² (3.88 V/m) à 0.13 mW/cm² (22.14 V/m) et la puissance RF,
supposée être reçue, varie de 0.35 à 11.5 mW. On remarque que les résultats prédits par la
FDTD concordent avec ceux obtenus par la mesure. Un rendement de 67 % a été mesuré
lorsque la densité de puissance est égale à 0.06 mW/cm² (E =15 V/m). Dans les mêmes
conditions, le rendement simulé est de 65 %. Les tensions DC maximales simulée et mesurée
à 0.126 mW/cm² sont de 2.879 et 2.86 V, respectivement.
3 FDTD
Mesure
2
Vdc (V)
70
60
50
η (%)
40
30
20
10
0
0 0.05 0.1 0.15
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 24 : Rendement et tension DC. (a) FDTD. (b) Mesure.
La figure IV.25 montre la variation de la tension de sortie et du rendement en fonction

de la charge, avec les densités de puissance de 0.04 et 0.13 mW/cm². Les résultats montrent
que le rendement est optimal autour de 1.2 kΩ, ce qui concorde avec les résultats de
simulations où une résistance optimale de 1.2 kΩ avait été obtenue.
157
3.5 80
0.013 mW/cm² 0.013 mW/cm²
0.04 mW/cm² 0.04 mW/cm²
3
60
2.5
Rendement (%)
Tension DC (V)
2
40
1.5
1
20
0.5
0 0
0.1 1 10 0.1 1 10
Charge (KΩ) Charge(KΩ)
(a) (b)
Figure IV. 25 : Sortie DC en fonction de RL. (a) Tension. (b) Rendement
158
4. Rectenna double diode

La rectenna double diode [IV.5] que montre la figure IV.26 fonctionne à la fréquence
de 2.45 GHz, elle est imprimée sur un substrat Arlon 25N de permittivité εr = 3.38, de hauteur
h = 1.524 mm et d’une tangente de pertes tanδ = 0.0025. La structure est composée d’un
circuit de conversion double diode, présenté dans le chapitre III, et d’une antenne patch
rectangulaire polarisée linéairement. L’antenne de réception fait 32.38 mm de largeur et 41.28
mm de longueur. Elle est alimentée par une ligne micro-ruban de 0.85 mm de largeur et elle
est adaptée sur une impédance de 100 Ω. Le circuit de conversion contient deux diodes
HSMS 2860 avec boîtiers SOT 23. Ce circuit a été optimisé pour un niveau de puissance PRF
de l’ordre de 10 mW. Dans ces conditions, l’impédance série des diodes D1 et D2 à 2.45 GHz
est de (95-j200) Ω. Les deux lignes L7, terminées par des courts circuits aux points P5 et P6,
ramènent une impédance inductive de +j273 Ω aux points P3 et P4. Cela permet de compenser
une partie de la capacitance des deux diodes et d’avoir une impédance de (94+j73) Ω aux
points P1 et P2, par rapport au plan de masse. La largeur des deux lignes L5 et L6 est de 1.2
mm, elle a été choisie pour ramener une impédance de 100 Ω au point P0 et assurer
l’adaptation avec l’antenne de réception. Le niveau normalisé de la composante harmonique à
7.35 GHz au niveau de la ligne d’alimentation (L4) est de -30 dB. Toutes les sections de ligne
du redresseur présentent une impédance caractéristique de 87 Ω excepté la ligne
d’alimentation qui a une impédance caractéristique de 100 Ω.
z x
Figure IV. 26 : Rectenna avec le circuit de conversion double diode
159
4.1. Simulations numérique (FDTD)

Nous proposons dans cette partie de l’étude de simuler et d’analyser la rectenna
double diode avec la méthode FDTD. Dans toutes les simulations, des conditions absorbantes
de type UPML, avec 10 couches dans chacune des directions, ont été utilisées. L’ordre de la
variation polynomiale de la conductivité est égal à 3. Un pas spatial de 0.2 mm est utilisé dans
les directions x et y, tandis que dans la direction z, la plus petite maille est égale à 0.762 mm.
Le nombre de mailles sur les trois axes x, y et z est de 229 x 250 x 50. Le pas temporel est
égal à 0.4403 ps et les simulations ont été effectuées sur 100000 itérations. Pour minimiser les
erreurs de discrétisation, l’antenne patch a été modélisée par 64 mailles en longueur et 146
mailles en largeur. De plus, les largeurs de la ligne L4 et des autres sections de ligne (L5, L6,
L7, L8 et L9) du circuit de conversion ont été modélisées par 4 et 6 mailles, respectivement.
Nous avons calculé les distributions du courant surfacique et du champ électrique
normal (Ez), des premières composantes fréquentielles jusqu’à 7.35 GHz. La rectenna est
illuminée par une onde plane, en incidence normale, d’une intensité de 20 V/m (0.106
mW/cm²).
La figure IV.27 montre les cartographies DC de la rectenna. Les diodes D1 et D2 sont
traversées par le même courant continu, elles ont le même point de fonctionnement et
présentent la même impédance dynamique à 2.45 GHz.
(a) (b)
Figure IV. 27 : Cartographies DC. (a) Courant surfacique. (b) Champ électrique.
Les cartographies à 2.45 GHz sont exposées sur la figure IV.28. Les stubs quarts
d’onde ramènent des courts circuits aux points P5 et P6 et permettent d’isoler RL. Les résultats
montrent que les distributions du courant et du champ sont symétriques. La puissance PRF
captée par l’antenne est divisée, au point P0, en deux composantes en phase et d’égale
160
puissance jusqu’aux diodes D1 et D2, chacune convertit en DC la moitié de PRF et engendre

des harmoniques.
(a) (b)
La figure IV.29 présente les cartographies de la rectenna à 4.9 GHz. La puissance

générée par les diodes D1 et D2, à cette fréquence, est confinée dans la branche P1-P0-P2. En
effet, les points P1 et P2 présentent des impédances assez importantes (circuits ouverts) car ils
sont situés à une distance d’un quart d’onde de P0. À 4.9 GHz et à tous les harmoniques pairs,
le filtre HF n’est pas nécessaire.
(a) (b)
Les cartographies du champ électrique et de la densité du courant surfacique à 7.35

GHz sont exposées sur la figure IV.30. La quasi-totalité de la puissance à cette fréquence se
trouve confinée entre les diodes D1 et D2 et les points P5 et P6. La puissance générée par les
diodes n’est pas renvoyée vers l’antenne de réception.
161
(a) (b)
4.1.1. Etude paramétrique en fonction de la ligne d’alimentation L4

Dans les simulations effectuées sous ADS, le générateur de puissance présente la
même impédance interne quelque soit la composante harmonique (2.45 GHz, 4.9 GHz, 7.35
GHz, …). L’antenne de réception, quand à elle, ne présente pas la même impédance d’entrée
à toutes ces fréquences. Comme le circuit double diode ne contient pas de filtre HF, lorsque
l’antenne est associée au circuit de conversion, elle modifie l’impédance des diodes aux
différents harmoniques, et plus particulièrement à 7.35 GHz, et risque par conséquent
d’altérer à la fois le niveau d’adaptation et le rendement total de la rectenna.
Pour mieux cerner ce problème, nous avons tracé les cartographies du courant
surfacique de la rectenna pour différentes valeurs de L4, la longueur de la ligne
d’alimentation. En effet, cette ligne permet de faire varier l’impédance ramenées à 7.35 GHz
aux points P1 et P2 et modifie par conséquent l’impédance de diodes.
La figure IV.31 montre les cartographies du courant à 2.45, 4.9 et 7.35 GHz pour
différentes valeurs de L4, entre 16.9 mm et 30.9 mm. La rectenna est illuminée par une onde
plane, en incidence normale, d’une intensité de 20 V/m (0.106 mW/cm²). Pour voir
l’influence de L4 sur la répartition et l’intensité des courants surfaciques, les cartographies à la
même fréquence ont été normalisées. Les résultats montrent qu’à 2.45 GHz, l’intensité du
courant surfacique diminue lorsque L4 augmente. Cela montre que la puissance PRF transmise
au circuit de conversion varie en fonction de L4. À 4.9 GHz, l’intensité du courant diminue en
fonction de L4. Toutefois, le courant à cette fréquence reste confiné entre les points P1-P0-P2.
La répartition du courant pour ces deux fréquences reste la même, elle ne change pas en
fonction de L4. À 7.35 GHz, par contre, la répartition et l’intensité du courant surfacique
dépendent de L4.
162
2.45 GHz 4.90 GHz 7.35 GHz
L4 = 16.9 mm
L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm
L4 = 27.9 mm
L4 = 30.9 mm
Figure IV. 31 : Distributions du courant surfacique pour différentes valeurs de L4
163
A densité de puissance constante (0.106 mW/cm²), et en faisant varier L4 de 15.9 mm

à 51 mm, la tension DC et le rendement de la rectenna varient comme le montre la figure
IV.32. La tension de sortie varie entre 1.5 V et 2.28 V, avec un minimum à L4 = 31 mm.
D’après l’allure des courbes, on peut en déduire que le rendement est périodique. Sa période
est d’une demi-longueur d’onde à 2.45 GHz, cela montre que la ligne L4 permet de compenser
la désadaptation entre l’antenne et le circuit de conversion, et qui est engendrée en partie par
l’absence du filtre HF.
3 100
80
2
Tension DC (V)
Rendement (%)
60
40
1
rendement (FDTD)
20
tension DC (FDTD)
0 0
0 20 40 60
L4 (mm)
Figure IV. 32 : Tension DC et rendement en fonction de L4 (FDTD)
La figure IV.33 montre l’évolution temporelle de la tension DC pour trois valeurs de

L4 : 15.9, 18.9 et 22.9 mm. L’intensité du champ électrique incident est de 20 V/m et la
charge de sortie est égale à la charge optimale (1.05 kΩ).
Les spectres normalisés du courant et de la tension sur la ligne d’alimentation, pour
trois valeurs de L4, sont exposés sur les figures IV.34 et IV.35, respectivement. Les résultats
montrent bien que le niveau de la composante à 7.35 GHz varie en fonction de la longueur de
la ligne d’alimentation.
164
2.5
2
2.4
2.38
2.36
1.5
2.34
2.32
Vdc (V)
2.3
1 2.28
2.26
2.24
0.5 2.22
2.2
38 38.5 39 39.5 40
0
L4 = 15.9 mm
L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm
−0.5
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Temps (ns)
Figure IV. 33 : Variation temporelle de la tension DC pour trois valeurs de L4 (FDTD)
1
L4 = 15.9 mm 0.05
0.9 L4 = 18.9 mm
L4 = 22.9 mm 0.045
0.8
0.04
0.7 0.035
Courant (mA)
0.6
Courant (mA)
0.03
0.5 0.025
0.4 0.02
0.3 0.015
0.2 0.01
0.1 0.005
0 0
0 2 4 6 8 10 6 6.5 7 7.5 8
Figure IV. 34 : Spectre normalisé du courant sur la ligne L4 (FDTD)
1 0.1
L4 = 15.9 mm
0.9 L4 = 18.9 mm
0.09
L4 = 22.9 mm
0.8 0.08
0.7 0.07
0.6 0.06
Tension (V)
Tension (V)
0.5 0.05
0.4 0.04
0.3 0.03
0.2 0.02
0.1 0.01
0 0
0 2 4 6 8 10 6 6.5 7 7.5 8
Figure IV. 35 : Spectre normalisé de la tension sur la ligne L4 (FDTD)
165
4.2. Mesure de la rectenna – comparaison avec la FDTD

L’antenne patch à encoches à été réalisée et mesurée. Elle présente un niveau
d’adaptation de -20 dB à 2.45 GHz et un gain maximal de 4.7 dB dans la direction normale (θ
= 0°). Par la suite, la rectenna double diode (figure IV.36) développée a été réalisée et
mesurée à l’intérieur de la chambre anéchoïque. La longueur et la largeur du plan de masse
sont de 89.1 et 81.28 mm, respectivement. La rectenna est placée à une distance de 70 cm de
l’antenne cornet et la densité surfacique de puissance à la réception varie dans la plage 0-0.31
mW/cm². La puissance RF supposée être reçue par la rectenna varie de 0 jusqu’à 11 mW et la
charge optimale (1.05 kΩ) a été utilisée en simulations FDTD comme en mesures.
Figure IV. 36 : Prototype de la rectenna réalisée et mesurée
La figure IV.37 présente la tension DC et le rendement mesurés et les compare avec

ceux obtenus par la FDTD. Les résultats simulés sont en bonne concordance avec les mesures.
La tension et le rendement augmentent en fonction de la densité de puissance. Le rendement
mesuré dépasse les 80 % à partir d’une densité de puissance égale à 0.21 mW/cm² (E = 28
V/m). Un rendement maximal de 83% a été obtenu lorsque la densité de puissance est de 0.3
mW/cm², la tension correspondante mesurée aux bornes de RL est de 3.03 V.
166
4
FDTD
Mesure
3
Vdc (V)
2
100
80
60
η (%)
40
20
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 37 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure (L4=15.9mm)
Deux autres rectennas, avec des lignes d’alimentation (L4) de 18.9 et 22.9 mm, ont été
également réalisées et mesurées. Les résultats obtenus sont comparés aux simulations FDTD
et présentés sur la figure IV.38. On voit que la méthode FDTD prédit correctement la sortie
DC des circuits réalisés. Le premier circuit avec L4 = 18.9 mm présente un rendement mesuré
de 71.5 % à 0.28 mW/cm², tandis que le second circuit (L4 = 22.9 mm) montre un rendement
total mesuré de seulement 52.4 % lorsque la densité de puissance est égale à 0.21 mW/cm².
4 4
FDTD FDTD
Mesure Mesure
3 3
Vdc (V)
Vdc (V)
2 2
1 1
0 0
100 100
80 80
60 60
η (%)
η (%)
40 40
20 20
0 0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
DSP (mW/cm²) DSP (mW/cm²)
(a) (b)
Figure IV. 38 : Tension DC et rendement - simulation FDTD et mesure. (a) L4 = 18.9mm. (b) L4 = 22.9mm.
167
5. Réseaux de rectennas double diode

Pour augmenter la sortie DC, en termes de tension et/ou de puissance, des associations
de rectennas ont été introduites dans ce travail. Les deux types d’interconnexion série et
parallèle ont été testés. Des réseaux de 2 et de 4 rectennas (figure IV.39) ont été développés,
réalisés et caractérisés au laboratoire. Pour constituer ces réseaux, la rectenna présentée sur la
figure IV.26 a été utilisée. Les réseaux à 2 et à 4 éléments présentent une largeur de 90 mm et
des longueurs de 147 et 280 mm, respectivement.
Tout d’abord, les éléments du réseau ont été disposés de telle sorte que le couplage
entre les patchs rayonnants soit dans le plan H. En effet, il a été montré [IV.2] que pour le
même espacement (s) entre les bords de deux antennes patchs, le couplage dans le plan H est
plus faible que dans le plan E. Dans les réseaux développés, l’espacement (s) est choisi égal à
25 mm et le couplage, entre les deux antennes, dans ce cas est inférieur à -25 dB [IV.2].
(a) (b)
Figure IV. 39 : Réseaux de rectennas. (a) à 2 éléments. (b) à 4 éléments.
Dans un premier temps, des mesures en fonction de la charge RL ont été effectuées
afin de déterminer la charge optimale du réseau. Ensuite, nous avons procédé aux mesures en
fonction de la densité surfacique de puissance tout en gardant la charge de sortie optimale.
Les résultats mesurés seront comparés à ceux de la rectenna simple (figure IV.36).
5.1. Association des rectennas en parallèle

L’association de rectennas en parallèle permet, théoriquement, de multiplier par N (N
étant le nombre d’éléments du réseau) la puissance de sortie DC tout en gardant la tension DC
constante. La charge optimale théorique du réseau, dans ce cas, est le rapport entre la charge
optimale de la rectenna simple et N.
168
La figure IV.40 montre la sortie DC des deux réseaux en fonction de la charge entre
100 Ω et 10 kΩ. Les mesures ont été effectuées pour deux densités surfaciques de puissance :
0.027 et 0.28 mW/cm². Avec ces deux densités de puissance, chacun des éléments des réseaux
reçoit 1 et 10 mW de puissance. Les résultats obtenus montrent que les charges optimales
mesurées des deux réseaux à 2 et à 4 éléments sont de 525 Ω et 265 Ω, alors que celle de la
rectenna simple est de 1050 Ω. Ces résultats concordent parfaitement bien avec la théorie.
Pour des valeurs importantes de RL, et lorsque la densité de puissance est de 0.28 mW/cm², la
tension de sortie est limitée à 5 V.
La figure IV.41 présente la tension DC et le rendement, des deux réseaux à 2 et 4
éléments, en fonction de la densité surfacique de puissance qui varie de 0 à 0.31 mW/cm². Les
résultats de la rectenna simple sont tracés sur la même figure pour la comparaison. Les
surfaces équivalentes des deux réseaux (N = 2 et 4) sont de 70.46 et 140.92 cm²,
respectivement. Les charges optimales utilisées sont de 525 et 265 Ω. Les résultats des trois
circuits sont comparables. Toutefois, on remarque que le réseau de 2 éléments parallèles
délivre une tension DC légèrement supérieure à celle d’un élément simple. Le réseau de 4
éléments produit une tension maximale de 3 V, comparée au 3.1 V du circuit à un élément,
lorsque la densité de puissance est maximale (0.31 mW/cm²). Les maximums de rendement
des trois circuits (N=1, 2 et 4) sont de 83, 88 et 78%, respectivement.
6 100
2 éléments (0.027 mW/cm²) 2 éléments (0.027 mW/cm²)
5 4 éléments (0.28 mW/cm²) 4 éléments (0.28 mW/cm²)
80
4
60
Vdc (V)
η (%)
40
20
1
0
0 0.1 1 10
0.1 1 10
(a) (b)
Figure IV. 40 : Association parallèle - mesure en fonction de RL. (a) Tension DC. (b) Rendement.
169
4
1 élément − 1050 Ω
3 2 éléments − 525 Ω
4 éléments − 265 Ω
Vdc (V)
2
100
80
60
η (%)
40
20
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 41 : Association de rectennas en parallèle – tensions et rendements mesurés
5.2. Association des rectennas en série

L’association de rectennas en série permet d’avoir des tensions DC supérieures à celle
que délivre l’association en parallèle.
La variation de la sortie DC (tension et rendement) en fonction de la charge RL, pour
les trois circuits (N = 1, 2 et 4), est montrée sur la figure IV.42. Les résultats montrent que la
charge optimale, pour les deux réseaux, est égale au produit de la charge optimale de la
rectenna simple par le nombre d’éléments du réseau (2.1 et 4.2 kΩ). Cela montre que les
éléments constitutifs des réseaux sont correctement isolés, ils peuvent être considérés comme
des générateurs de tensions DC connectés en série avec une charge RL en sortie. Aux bornes
d’une charge de 10 kΩ, et lorsque la densité de puissance est égale à 0.28 mW/cm², nous
avons pu mesurer des tensions de 9.2 et 15.38 V avec les deux réseaux à 2 et à 4 éléments.
170
16 90
14 4 éléments (0.027 mW/cm²) 80
4 éléments (0.027 mW/cm²)
70
12
60
10
η (%)
50
Vdc (V)
8
40
6
30
4 20
2 10
0
0 0.1 1 10
0.1 1 10
(a) (b)
Figure IV. 42 : Association série - mesure en fonction de RL. (a) Tension DC. (b) Rendement.
La figure IV.43 présente la sortie DC, des réseaux à 2 et à 4 éléments connectés en

série, en fonction de la densité surfacique de puissance entre 0 et 0.31 mW/cm². Les résultats
de la rectenna simple sont superposés sur la même figure pour pouvoir les comparer. Des
tensions maximales de 3.1, 6.43 et 11.90 V ont été mesurées à 0.31 mW/cm² pour les trois
circuits N = 1, 2 et 4, respectivement. Les charges utilisées sont optimales, elles sont égales à
1.05, 2.1 et 4.2 kΩ, respectivement. Les maximums de rendement des trois circuits (N=1, 2 et
4) sont de 83, 88 et 78%, respectivement.
12
1 élément (1050 Ω)
9 2 éléments (2100 Ω)
4 éléments (4200 Ω)
Vdc (V)
100
80
60
η (%)
40
20
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 43 : Association de rectennas en série – tensions et rendements mesurés
171
5.3. Rapport des tensions DC entre les réseaux et la rectenna simple

La figure IV.44 présente les rapports de tension des quatre réseaux par rapport à la
rectenna unitaire. Les rectennas à 2 éléments en parallèle et en série produisent des tensions
DC approximativement 1.04 et 2.08 fois celle d’une rectenna simple. Les réseaux à 4
éléments connectés en parallèle et série, quand à eux, présentent des rapports de tension VR
(Voltage Ratio) de 0.97 et 3.84, respectivement. Les résultats montrent que les rapports des
tensions des quatre réseaux développés sont pratiquement constants.
5
2 éléments parallèle
4 éléments parallèle
2 éléments série
4 éléments série
4
Rapport de tensions DC
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
DSP (mW/cm²)
Figure IV. 44 : Rapport (VR) entre les tensions des réseaux de rectennas et la tension de la rectenna
élémentaire
6. Conclusion
Dans ce chapitre, trois circuits rectennas ont été développés, réalisés et mesurés en
rayonné à l’intérieur d’une chambre anéchoïque. Les résultats mesurés ont été
systématiquement comparés avec ceux obtenus par la simulation globale FDTD, et une bonne
concordance entre les deux avait été constatée.
La première rectenna en pont de diodes modifié (paragraphe 2) présente un rendement
total de 51 % lorsque la densité de puissance est de 0.15 mW/cm². L’altération du rendement
est due à la désadaptation de l’antenne par rapport au circuit de conversion et qui est
engendrée par l’absence du filtre HF.
La rectenna symétrique double antenne, présentée dans le paragraphe 3, permet de
capter plus de puissance RF avec ses deux antennes connectées sur les deux accès du circuit
de conversion RF-DC. Ce circuit présente un rendement total de 67 % à 0.06 mW/cm².
172
Toutefois, contrairement à un réseau de deux rectennas connectées en parallèle, l’introduction

d’un déphasage entre les deux accès du circuit dégrade son rendement. En effet, les deux
parties droite et gauche de la rectenna ne sont pas complètement découplés de point de vue
RF.
Le dernier circuit développé est la rectenna double diode. Elle présente un rendement
supérieur à 80 % à partir d’une densité de puissance de 0.21 mW/cm².
En utilisant la méthode FDTD, nous avons pu déterminer les distributions du champ
électrique et de la densité du courant surfacique, des premières composantes harmoniques
jusqu’à 7.35 GHz. Ces cartographies nous ont aidé, dans un premier temps, à expliquer le
comportement des différentes composantes fréquentielles. Par la suite, les résultats obtenus
ont été exploités pour alléger les procédures d’optimisation et accroitre les performances des
circuits rectennas en termes de rendement et d’encombrement.
Les performances des deux premières rectennas, et plus particulièrement celles en pont
de diodes modifié mono-antenne, peuvent être améliorées à la lumière des derniers résultats
FDTD obtenus.
Afin d’augmenter la puissance et/ou la tension de sortie DC de la rectenna, les
associations de rectennas double diode en série et en parallèle ont été introduite dans ce
travail de thèse. Quatre réseaux à 2 et à 4 éléments, connectés en série puis en parallèle, ont
été développés, réalisés et caractérisés expérimentalement. Avec des charges optimales, les
réseaux à 2 et à 4 éléments connectés en série permettent de produire des tensions DC qui
sont 2.08 et 3.84 fois supérieures à celle d’une rectenna seule. Les réseaux de 2 et 4 éléments
en parallèle fournissent, quand à eux, des puissances DC 2.16 et 3.76 fois supérieures à celle
que peut produire la rectenna simple.
173
[IV.1] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,

«A 2.45 GHz Low Cost and Efficient Rectenna», 4th European Conference on
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April, Barcelona.
[IV.2] C. A. Balanis, «Antenna Theory: Analysis and Design», John Wiley & Sons, Inc.,
Third Edition, 2005.
[IV.3] J. D. Kraus, R. J. Marhefka, «Antennas for all applications», McGraw-Hill Edition,

Third Edition, 1997.
[IV.4] L.W. Epp, A.R. Khan, H.K. Smith and R.P. Smith, «A Compact Dual-Polarized 8.51-
GHz Rectenna for High-Voltage (50 V) Actuator Applications», IEEE Trans. On
Microwave Theory and Techniques, vol. 48, no. 1st Jan. 2000, pp 111-120.
[IV.5] H. Takhedmit, L. Cirio, B. Merabet, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon,

«Efficient 2.45 GHz rectenna design including harmonic rejecting rectifier device»,
Electronics Letters, vol. 46, no. 12, 10th June 2010, pp. 811-812.
174
---------------------------------
Conclusion générale
-----------------------------------------------------------------------------------
175
176
Nous avons montré à travers les différents travaux développés dans le cadre de cette
thèse que l’alimentation à distance de dispositifs à faible consommation est potentiellement
intéressante, elle est en mesure de répondre à la fois aux problèmes d’autonomie et de
mobilité des capteurs, des réseaux de capteurs et des actionneurs sans fil.
La modélisation numérique a été tout au long de ce travail un outil très important. Un
circuit rectenna contient à la fois des éléments distribués (éléments rayonnants, lignes, …) et
des éléments localisés linéaires (résistance, inductance et capacité) et non-linéaires (diode).
Pour prendre en compte les deux aspects électromagnétique et circuit, les méthodes d’analyse
globales sont plus que souhaitables. Deux méthodes de simulation complémentaires ont été
utilisées. Dans un premier temps, le logiciel commercial ADS (co-simulation harmonic
balance + Momentum) a servi à la simulation et à l’optimisation des circuits de conversion
RF-DC. Par la suite, nous avons développé un outil de simulation basé sur la méthode FDTD
capable d’analyser le système rectenna dans sa totalité. En effet, le scénario d’une mesure en
rayonné à l’intérieure d’une chambre anéchoïque a pu être reproduit. Cette méthode nous a
permis de prédire avec précision les sorties DC (tension et rendement) des circuits
développés.
Trois rectennas innovantes à 2.45 GHz, sans filtre d’entrée HF ni vias de retour à la
masse, ont pu être développées, réalisées et mesurées. Un banc de mesure en rayonné a été
monté et un protocole de mesure a été défini. Les résultats mesurés ont été systématiquement
comparés aux simulations FDTD et montrent une bonne concordance.
Le premier circuit est à base d’un pont modifié à quatre diodes Schottky, présentant
un rendement mesuré de 51 % lorsque la densité surfacique de puissance (DSP) est de 0.15
mW/cm² (23.8 V/m). Une tension continue de 3.6 V et une puissance de 12.3 mW ont pu être
mesurées aux bornes d’une charge optimale de 1050 Ω sous une DSP de 0.55 mW/cm² (45.5
V/m). Des cartographies du champ électrique et du courant surfacique ont été présentées, elles
illustrent de manière simple le comportement du circuit vis-à-vis des différents harmoniques
et elles contribuent à analyser le fonctionnement du circuit rectenna et à définir des règles de
conception et d’optimisation.
Le deuxième circuit est une rectenna symétrique double antenne, contenant quatre
diodes Schottky. Un rendement de 67 % a pu être obtenu avec une densité de puissance de
0.06 mW/cm² (15 V/m) et une charge optimale de 1.2 kΩ. Une tension DC mesurée de 2.86V
a été obtenue lorsque la rectenna est exposée à une densité de puissance de 0.126 mW/cm²
177
(21.8 V/m).
Le troisième circuit développé est une rectenna symétrique double diode. La structure
est compacte et à faible coût, elle présente un rendement mesuré de 83 % et une tension DC
de 3.1 V à 0.31 mW/cm² (34 V/m). Nous avons montré que la ligne d’alimentation entre
l’antenne et le circuit de conversion modifie le niveau d’adaptation du circuit, et par
conséquent son rendement. En effet, comme le circuit ne contient pas de filtre HF, l’antenne
dans ce cas modifie l’impédance des diodes ainsi que l’adaptation. De plus, le simulateur
ADS utilisé pour l’optimisation du circuit de conversion emploie une méthode fréquentielle,
harmonic balance, qui n’est pas aussi précise qu’une méthode temporelle de type FDTD, pour
la modélisation de la diode.
Les associations série et parallèle des circuits rectennas ont été introduites et testées.
Des réseaux de deux et de quatre rectennas double diodes ont été développés, réalisés et
mesurés. Les associations en série, à deux et à quatre éléments, délivrent des tensions DC qui
sont 2.08 et 3.85 fois supérieures à celle d’une rectenna élémentaire. Des tensions de 6.43 et
11.89 V ont été mesurées à la sortie des deux réseaux pour une DSP de 0.31 mW/cm². D’un
autre côté, la puissance DC a pu être doublée et quadruplée grâce aux réseaux à 2 et à 4
éléments connectés en parallèle.
Dans la continuité de ce travail, des améliorations peuvent être envisagées à deux

niveaux de l’étude en particulier. Cela concerne l’outil de simulation globale FDTD et les
circuits rectennas développés. Nous allons évoquer quelques pistes de recherche portant sur la
modélisation globale FDTD et sur la partie conception et optimisation, l’objectif étant de
développer des circuits de réception plus performants et moins encombrants.
L’outil de simulation globale FDTD

o Le premier point consiste à modéliser rigoureusement le boîtier SOT 23 de la diode
afin de prendre en compte les interactions avec le champ incident et avec les
différentes parties de la rectenna. Le boîtier SOT 23 a été, jusqu’au là, modélisé par
une inductance série (Lp) et une capacité parallèle (Cp) et cela ne reflète pas de
manière rigoureuse la réalité. En effet, les résultats présentés dans le paragraphe 3.3.2
du chapitre III montraient une faible influence d’une onde plane sur le fonctionnement
du circuit de conversion en pont, alors que l’expérimentation montrait l’inverse (cela
nous a amené à protéger les diodes avec des absorbants durant les mesures en
rayonné).
178
o Le second point consiste à tenir compte des pertes diélectriques du substrat pour une
meilleure prédiction des performances.
Optimisation du circuit rectenna

o Miniaturiser l’élément rayonnant et introduire des formes d’antennes plus originales.
o Placer le circuit de conversion sur une face différente que celle de l’antenne et
l’alimenter à travers une fente de couplage. Cette technique permet tout d’abord de
réduire les dimensions de la rectenna et d’éviter que le circuit de conversion ne soit
illuminé pendant les mesures en rayonné.
o Selon l’application, introduire des antennes à polarisation circulaire pour passer outre
les problèmes liés à la rotation éventuelle de l’émetteur ou du récepteur (la rectenna).
o Développer des circuits rectennas bi-bande (2.45 et 5.8 GHz) et large bande pour la
récupération d’énergie électromagnétique. La difficulté étant de trouver un moyen
d’adapter le circuit de conversion sur les deux bandes ou sur une large bande de
fréquence et de garder un rendement plus au moins constant sur ces bandes.
o Définir une procédure de dimensionnement de réseaux de rectennas en fonction du
cahier des charges (charge RL et tension VDC requises, densité de puissance disponible,
….) et pouvoir choisir le type d’association le plus adéquat (série et/ou parallèle).
o Evaluer la faisabilité d’un système de contre réaction pour stabiliser le rendement sur
une large plage de puissance RF. En effet, le rendement de conversion (η) et le niveau
d’’adaptation (S11) varient en fonction du niveau de puissance d’entrée (PRF). L’idée
est d’introduire une boucle de contre réaction qui permettrait de corriger l’écart
observé par rapport à une sortie DC optimale, lorsque PRF varie.
o Résoudre le problème de la variation de la charge RL si la consommation du système
(capteur, actionneur, …) alimenté par la rectenna varie au cours du temps, en
introduisant les systèmes MPPT (Maximum Power Point Tracking) qui permettraient
de présenter une charge optimale constante à la sortie de la rectenna et de rendre ainsi
l’impédance d’entrée du système à alimenter transparente. Cette solution est
particulièrement intéressante lorsque les niveaux de puissance à convertir sont
relativement importants, parce que les systèmes MPPT sont des systèmes actifs qui
nécessitent d’être alimentés.
o Introduire un système de stockage de type capacité ou batterie entre la rectenna et le
système à alimenter. Cette solution peut être très intéressante, notamment lorsque le
dispositif à alimenter fonctionne de manière périodique dans le temps.
179
o Caractériser l’environnement indoor en termes de niveaux de puissances ambiants

disponibles.
180
---------------------------------
Annexes
-----------------------------------------------------------------------------------
181
182
Annexe 1 Modélisation d’une diode Schottky par la méthode FDTD
Annexe 1 : Modélisation d’une diode Schottky par la méthode FDTD
Le modèle électrique équivalent de la diode Schottky sans boîtier SOT 23 est montré
sur la figure 1. Il contient une source de courant non linéaire (Id), une capacité non linéaire
(Cd) et une résistance série (Rs).
Figure 1 : Modèle électrique d’une diode Schottky sans boîtier
L’insertion du modèle électrique tension-courant (VI) de la diode Schottky dans un

algorithme de calcul FDTD revient à résoudre les équations (1.1) à (1.4). Ce modèle nécessite
la connaissance de la résistance série (Rs), la capacité (Cd) calculée par les équations (II.50) et
(II.51) et le courant de saturation (Is). Ce modèle ne tient pas compte de la tension inverse de
claquage (Bv).
V = Vd + Rs I (1.1)
∂Vd
I = I d + Cd (1.2)
∂t
 
I d = I s  exp  d 
qV
 − 1 (1.3)
 N k T 
∂E
∇× H = ε0 +J (1.4)
∂t
En considérant la diode orientée suivant l’axe z, la densité de courant surfacique (J) est
définie par l’équation (1.5).
I
J= (1.5)
dxdy
183
La discrétisation de l’équation (1.4) donne (1.6).
ε I n +1/2
∇× H n+1/2 =
dt
( Ezn+1 − Ezn ) +
0
dxdy
(1.6)
Le courant I peut dans ce cas s’exprimer comme suit :
I n +1/ 2 = dxdy∇× H n+1/2 − ε dxdy ( Ezn+1 − Ezn )

0
(1.7)
dt
D’un autre côté, nous avons :
n +1/2
∂Vd 
dt ( d
V − Vd )
 Cd n+1 n
 Cd  = (1.8)
 ∂t 
En discrétisant (1.1) et en la remplaçant dans (1.8), on obtient (1.9).
n +1/2
 ∂Vd  Cd n+1 n
 Cd 
∂t 
=
dt (V − V − Rs I n+1 + Rs I n ) (1.9)

Le courant I est calculé aux instants (n+1/2). Pour pouvoir le calculer aux instants entiers (n)
et (n+1), on effectue la moyenne donnée par l’équation (1.10).
n +1/2 I n+1 + I n
I = (1.10)
2
En remplaçant (1.7) dans (1.10), on obtient (1.11).
I n+1 = 2dxdy∇× H n+1/2 − ε dxdy ( Ezn+1 − Ezn ) − I n

0
(1.11)
dt
En combinant les deux équations (1.11) et (1.9), on obtient (1.12).
184
n +1/2
 ∂Vd  Cd dz 2ε0 Rs Cd dxdy  n +1
 Cd


∂t 
= 
 dt
+
dt 2 

( 2R C
dt
)
2 R C dxdy
Ez − Ezn + s d I n − s d
dt
∇ × H n +1/ 2

(1.12)
D’un autre côté, les deux équations (1.2) et (1.3) donnent :
∂Vd
I = I s exp  q Vd 
 − I s + Cd ∂t (1.13)
N k T 
Après discrétisation de (1.13), on obtient (1.14).
n +1/2
 q Vdn +1/ 2   ∂Vd 
I n +1/2
= I s exp   − I s +  Cd  (1.14)
 NkT   ∂t 
La tension Vd à l’instant (n+1/2) s’exprime sous la forme suivante :
V n +1 + V n dz ( Ez + Ez )
n +1 n
Vdn +1/2 = − Rs I n +1/ 2 = − Rs I n +1/ 2 (1.15)

2 2
Les deux équations (1.14) et (1.15) donnent :
 q  dz ( E zn +1 + Ezn )   C dz 2ε R C dxdy  n +1
I n +1/2
= I s exp 
N k T

2
− Rs I n +1/ 2   − I s +  d + 0 s 2d
   dt dt


( Ez − Ezn )
  
2R C 2 R C dxdy
+ s d In − s d ∇ × H n +1/ 2
dt dt
(1.16)
Remplacer (1.7) dans (1.16) donne l’équation (1.17).
q  dz ( Ez + Ez )
 
n +1 n
R ε dxdy n +1
I n+1/2 = I s exp 
N k T

2
− Rs dxdy∇ × H n +1/ 2 − s 0
dt
( z z )   − I s +
E − E n
  
 Cd dz 2ε 0 Rs Cd dxdy  n +1
 ( Ez − Ez ) +
2 Rs Cd n 2 Rs Cd dxdy
 + 2
n
I − ∇ × H n +1/2
 dt dt  dt dt
(1.17)
185
En simplifiant l’équation (1.17), on aboutit à une équation de type :
Ezn+1 = ψ 1 + ψ 2 . exp (ψ 3 . Ezn+1 ) (1.18)
Les coefficients Ψ1, Ψ2 et Ψ3 sont définis par les équations (1.19) à (1.21).
dtdxdy (2Cd Rs + dt )∇ × H n+1/2 + dt 2 I s − 2dtRsCd I n

ψ1 = E +n
(1.19)
z
 q   dtdz − 2 ε 0 Rs dxdy  n n +1/2  

−dt 2 I s exp     E z − ( Rs dxdy ) ∇ × H 
ψ2 =  N k T  2 dt  
(1.20)
q  dzdt + 2 Rs dxdyε 0 
ψ3 =   (1.21)
NkT  2dt 
L’équation (1.18) est résolue numériquement à chaque itération temporelle en utilisant

une méthode numérique de type Newton Raphson (annexe 2).
186
Annexe 2 Méthode de résolution d’équations non-linéaires de Newton-Raphson
Annexe 2 : Méthode de résolution d’équations non-linéaires de Newton-

Raphson
La méthode de Newton-Raphson est largement utilisée dans les problèmes

d’ingénierie pour la résolution des équations non-linéaires. Soit f une fonction non linéaire
qui admet au moins une racine x0 (figure 2). Si on suppose initialement que la racine de f est
égale à xi, alors une tangente (∆) peut être tracée à partir du point (xi, f(xi)) comme le montre
la figure 2. Généralement, le point xi+1 où la droite (∆) coupe l’axe des abscisses est une
solution plus proche de x0. La tangente de (∆) est définie par l’équation (2.1).
f ( xi )
f ' ( xi ) = (2.1)
xi − xi +1
Cette équation peut se mettre sous la forme (1.2), elle est appelée formule de Newton-
Raphson.
f ( xi )
xi +1 = xi − (1.2)
f ' ( xi )
Les termes xi+1 sont calculés de manière itérative jusqu’à ce que l’erreur (xi - xi+1)
entre deux itérations successives soit inférieure à un seuil préalablement défini.
Figure 2 : Principe de résolution d’une équation non linéaire par la méthode de Newton-Raphson
187
Communications et publications
[1] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon,

O. : ‘Efficient 2.45 GHz rectenna design including harmonic rejecting rectifier
device’, Electronics Letters, vol. 46, no. 12, 10th June 2010, pp. 811-812.
[2] Takhedmit, H. ; Merabet, B. ; Cirio, L. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.

: ‘Design of a 2.45 GHz rectenna using a global analysis technique’, Proc. 3rd
European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2009. 23-27 March 2009,
Berlin, pp. 2321-2325.

: ‘A 2.45-GHz low cost and efficient rectenna’, Proc. 4th European Conference on
Antennas and Propagation, EuCAP 2010, 12-16 April 2010, Barcelona, pp. 1-5.

: ‘A 2.45-GHz dual-diode RF-to-dc rectifier for rectenna applications’, European
Microwave Conference, EuMC 2010, 26 Sep.- 01 Oct. 2010, Paris, pp. 37-40.
[5] H. Takhedmit ; B. Merabet ; L. Cirio ; B. Allard ; F. Costa ; C. Vollaire ; O. Picon :

‘Analyse et conception de rectennas à 2.45 GHz par une technique d’analyse globale’,
Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2009, 27-29 Mai 2009, Grenoble.
[6] Merabet, B. ; Cirio, L. ; Takhedmit, H. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Allard, B. ; Picon, O.

: ‘Low-cost converter for harvesting of microwave electromagnetic energy’, Proc.
Energy Conversion Congress and Exposition, ECCE 2009, 20-24 September 2009,
San Jose, pp. 2592-2599.
[7] Merabet, B. ; Costa, F. ; Takhedmit, H. ; Vollaire, C. ; Allard, B. ; Cirio, L. ; Picon, O.

: ‘A 2.45-GHz localized elements rectenna’, Proc. 3rd International Symposium on
Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless
Communications, 27-29 October 2009, Beijing, pp. 419-422.
[8] Merabet, B. ; Takhedmit, H. ; Allard, B. ; Cirio, L. ; Costa, F. ; Picon, O. ; Vollaire,

C.: ‘Integrated rectenna circuits for microwave power scavenging’, 6th International
188
Conference on Integrated Power Electronic Systems, CIPS 2010, 16-18 March,

Nuremberg.

‘Analyse et conception d’un circuit de conversion RF-DC en pont de diodes modifié à
2.45 GHz’, Journée des doctorants de l’île de France, AREMIF 2009, 30 Avril, Paris.
[10] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.

: ‘A 2.45-GHz dual-diode rectenna and rectenna arrays’, Journées Nationales sur la
Récupération et le Stockage d’Énergie pour l’Alimentation des Microsystèmes
Autonomes, 14-15 Octobre 2010, ISIEE, Paris.

‘Analyse et conception d’une rectenna en pont de diodes modifié à 2.45 GHz’, GDR
Ondes, 2-4 November 2009, CNAM, Paris.
[12] Takhedmit, H. ; Cirio, L. ; Merabet, B. ; Allard, B. ; Costa, F. ; Vollaire, C. ; Picon, O.

: ‘A 2.45-GHz dual-diode rectenna and rectenna arrays for wireless remote supply
applications», International Journal of Microwave and Wireless Technologies,
(article soumis).
189
Titre : Modélisation et Conception de Circuits de Réception Complexes pour
la Transmission d’Energie Sans Fil à 2.45 GHz
Résumé :
Les travaux présentés dans ce mémoire s’inscrivent dans la thématique de la transmission d’énergie
sans fil, appliquée à l’alimentation à distance de capteurs, de réseaux de capteurs et d’actionneurs à faible
consommation. Cette étude porte sur la conception, l’optimisation, la réalisation et la mesure de circuits
Rectennas (Rectifying antennas) compacts, à faible coût et à haut rendement de conversion RF-DC.
Un outil d’analyse globale, basé sur la méthode des Différences Finies dans le Domaine Temporel
(FDTD), a été développé et utilisé pour prédire avec précision la sortie DC des rectennas étudiées. Les résultats
numériques obtenus se sont avérés plus précis et plus complets que ceux de simulations à base d’outils
commerciaux. La diode Schottky a été rigoureusement modélisée, en tenant compte de ses éléments parasites et
de son boîtier SOT 23, et introduite dans le calcul itératif FDTD.
Trois rectennas innovantes, en technologie micro-ruban, ont été développées, optimisées et caractérisées
expérimentalement. Elles fonctionnent à 2.45 GHz et elles ne contiennent ni filtre d’entrée HF ni vias de retour à
la masse. Des rendements supérieurs à 80 % ont pu être mesurés avec une densité surfacique de puissance de
l’ordre de 0.21 mW/cm² (E = 28 V/m). Une tension DC de 3.1 V a été mesurée aux bornes d’une charge
optimale de 1.05 kΩ, lorsque le niveau du champ électrique est égal à 34 V/m (0.31 mW/cm²).
Des réseaux de rectennas connectées en série et en parallèle ont été développés. Les tensions et les
puissances DC ont été doublées et quadruplées à l’aide de deux et de quatre éléments, respectivement.
Mots clés:
Transmission d’Energie Sans Fil (TESF); Rectenna; Méthode d’Analyse Globale; Rendement de Conversion
RF-DC; Caractéristique non-linéaire; Méthode des Différences Finies dans le Domaine Temporel (FDTD);
Diode Schottky; Association de rectennas; Technologie micro-ruban; Bande ISM et fréquence de 2.45 GHz.
Title: Modeling and Design of Rectenna Circuits for Wireless Power

Transmission at 2.45 GHz
Abstract:
The work presented in this thesis is included within the theme of wireless power transmission, applied
to wireless powering of sensors, sensor nodes and actuators with low consumption. This study deals with the
design, optimization, fabrication and experimental characterization of compact, low cost and efficient Rectennas
(Rectifying antennas).
A global analysis tool, based on the Finite Difference Time Domain method (FDTD), has been
developed and used to predict with a good precision the DC output of studied rectennas. The packaged Schottky
diode has been rigorously modeled, taking into account the parasitic elements, and included in the iterative
FDTD calculation.
Three new rectennas, with microstrip technology, have been developed and measured. They operate at
2.45 GHz and they don’t need neither input HF filter nor via hole connections. Efficiencies more than 80 % have
been measured when the power density is 0.21 mW/cm² (E = 28 V/m). An output DC voltage of about 3.1 V has
been measured with an optimal load of 1.05 kΩ, when the power density is equal to 0.31mW/cm² (34 V/m).
Rectenna arrays, with series and parallel interconnections, have been developed and measured. Output
DC voltages and powers have been doubled and quadrupled using two and four rectenna elements, respectively.
Keywords:
Wireless Power Transmission; Rectenna; Global Analysis Technique; RF-to-dc Conversion Efficiency; Non-
linear characteristic; Finite Difference Time Domain Method (FDTD); Schottky Diode; Rectennas arrays;
Microstrip Technology; ISM Band and 2.45 GHz frequency.
190

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N° d’ordre : 2010-25 Année 2010

L’ÉCOLE CENTRALE DE LYON

Spécialité : Génie Électrique

Modélisation et Conception de Circuits de Réception

Soutenue le 18 octobre 2010 devant la commission d’examen

J’exprime ma gratitude et mes remerciements à mon directeur de thèse Christian

J’exprime ma profonde reconnaissance et mes remerciements à ma co-directrice de

Je remercie chaleureusement Laurent CIRIO pour avoir encadré mes travaux de

Je remercie vivement François COSTA, professeur à l’IUFM de Cachan (Laboratoire

Je tiens à remercier vivement Philippe LEVEQUE, chargé de recherche CNRS HDR à

Je remercie Eric LABOURE, professeur à l’IUT de Cachan (Laboratoire

Liste des abréviations .......................................................................................... 15

Chapitre I: Introduction aux systèmes de transmission d'énergie sans fil

Chapitre II: Outils de simulation numérique

Chapitre III: Conception et optimisation de circuits de conversion RF-DC à

Chapitre IV: Application de la méthode d'analyse globale FDTD à l'étude

Conclusion générale ........................................................................................ 177

Annexe 1 : Modélisation d’une diode Schottky par la méthode FDTD........................... 183

Communications et publications.................................................................... 188

ABC - Absorbing Boundary Conditions

Figure I. 1 : Principe de la transmission d’énergie par faisceau microonde.................................................. 33

Figure III. 1 : Circuit de conversion série ......................................................................................................... 91

Figure IV. 1 : Rectenna en pont de diodes modifié mono-antenne ............................................................... 138

Tableau I. 1 : Limites d’exposition du grand public aux champs électromagnétiques ................................. 45

Tableau III. 1 : Paramètres électriques de la diode HSMS 2860 .................................................................... 92

Tableau IV. 1 : Dimensions de la rectenna en mm......................................................................................... 150

rendements pour l’alimentation de dispositifs à faible consommation. Les points suivants

Le présent manuscrit comporte quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous

3. Problématique de la transmission d’énergie sans fil

3.1. Structure global d’un système de TESF

Figure I. 1 : Principe de la transmission d’énergie par faisceau microonde

Figure I. 2 : Différents rendements d’un système de TESF

3.2. Historique de la TESF

En 1975, l’expérimentation terrestre de Goldstone menée par Raytheon représente un

A partir de 1994, le laboratoire d’Electronique, d’Energétique et des Procédés de

Vue d’ensemble Réseau de 2376 rectennas

4. Structure globale d’une rectenna

Figure I. 5 : Blocs fonctionnels d’une rectenna classique

Tout d’abord, l’antenne de réception capte l’énergie microonde et la transmet au

4.1. Antenne de réception

4.2. Filtre d’entrée HF

4.3. Topologies du circuit de conversion RF-DC

Figure I. 6 : Circuit de conversion en topologie série

Figure I. 7 : Circuit de conversion en topologie parallèle

Figure I. 8 : Circuit de conversion en topologie doubleur de tension

4.4. Filtre de sortie DC

5. Les réseaux de rectennas

DC de 50 V. L’association parallèle, quand à elle, garde la même tension de sortie qu’un

6. Problématique de la modélisation d’une rectenna

7. Limites d’exposition aux champs électromagnétiques

Les limites d’exposition applicables aux travailleurs qualifiés et aux professionnels

Gammes de fréquences Champ électrique E Champ magnétique H

Tableau I. 2 : Limites d’exposition des travailleurs qualifiés aux ondes électromagnétiques

Lorsque le rayonnement électromagnétique est composé de plusieurs fréquences dans

8. Caractérisation d’une rectenna

9. Application de la TESF à l’alimentation à distance de capteurs sans fil

Figure I. 10 : Alimentation par couplage inductif - Prothèse rétinal [d’après I.36]

La lumière visible ou infra rouge peut représenter un moyen efficace d’alimentation

les faibles efficacités des cellules photovoltaïques (~ 20 %) dégradent fortement les