See discussions, stats, and author profiles for this publication at: https://www.researchgate.

net/publication/311858791

Determination des S-paramètres d'une inductance intégrée par la théorie des

lignes de transmission

Conference Paper · December 2014

CITATIONS READS

0 138

4 authors:

Yacine Guettaf Rezouga Mohamed

Nour Bachir University Centre El Bayadh Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf
13 PUBLICATIONS   2 CITATIONS    14 PUBLICATIONS   26 CITATIONS   

SEE PROFILE SEE PROFILE

Nadir Bouchettata A. Hamid

Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Mohamed Boudiaf
7 PUBLICATIONS   3 CITATIONS    56 PUBLICATIONS   267 CITATIONS   

SEE PROFILE SEE PROFILE

Some of the authors of this publication are also working on these related projects:

intégration des condensateurs View project

Thermal behavior of an integrated square spiral micro coil View project

All content following this page was uploaded by Yacine Guettaf on 24 December 2016.

The user has requested enhancement of the downloaded file.

 DETERMINATION DE S-PARAMETRES D’UNE INDUCTANCE INTEGREE
PAR LA THEORIE DES LIGNES DE TRANSMISSION
Y.Guettaf, M.Rizouga, N.Bouchetata, A.Hamid
[email protected], [email protected], [email protected] , [email protected]
Laboratoire d’Electronique de Puissance Appliquée (LEPA)
Département de l'électrotechnique, Faculté de Génie Electrique
Université des sciences et de la technologie d’Oran - Mohamed Boudiaf
BP 1505, Oran El M’naouer, Oran, Algérie
Résumé: L’idée globale de cet article vise à analyser une nouvelle méthodologie de conception des
composants planaires intégrés. Cette méthode est basée sur un concept qui n’est pas nouveau puisqu’il
s’agit de la théorie des lignes de transmission, puisque, le départ d’un modèle décrivant électriquement le
comportement de l’inductance est nécessaire pour, d’une part simuler la tension transmise par couplage
magnétique afin d’optimiser les dimensions de l’inductance, et d’autre part extraire, à partir de la mesure
de leurs paramètres S, les caractéristiques des inductances réalisées.
Abstract: The whole idea of this paper is to analyze a new design methodology for integrated planar
components. This method is based on a concept is not new since this is the theory of transmission lines,
since the departure of a model describing the electrical behavior of the inductance is necessary, first
simulate the voltage transmitted by magnetic coupling to optimize the dimensions of the inductor, and on
the other hand extracting, from the measurement of their parameters S, the characteristics of inductors
made.

Mots-clés: composants passifs, Intégration, électronique de puissance, Inductance planaire carrée, Facteur de qualité.


I. INTRODUCTION la direction de propagation. Aux fréquences modérées, ce

mode de propagation est le plus commun et par exemple,
L’intégration est un moyen pour augmenter la compacité
beaucoup de calculs servent a la conception de microbande
des convertisseurs de l’électronique de puissance.
s’appuient sur des résultats qui découlent de la théorie des
L’intégration des composants actifs, monolithiques ou
lignes de transmission fonctionnant en mode TEM.
hybrides, a engendré de réels progrès mais les composants
passifs, qui se prêtent moins facilement à ces techniques,
freinent la miniaturisation. Dans une certaine mesure les III. PRINCIPE DES LIGNES DE TRANSMISSION
composants planaires semblent compatibles avec la
réalisation de circuits hybrides de faible épaisseur. Bien qu’à Lorsque les dimensions transversales des lignes de
l’heure actuelle la recherche dans ce domaine soit encore transmission sont nettement plus petites que les longueurs
d’actualité, il est désormais certain que l’intégration des d’onde, leurs propriétés peuvent être analysés de façon
composants passifs sera de plus en plus souvent recherchée. satisfaisante en considérant que la tension et le courant dans
les conducteurs ne varient que longitudinalement. Lorsque la
Nous présentons d’une façon assez générale la théorie des longueur d’onde démunie et atteint l’ordre de grandeur des
lignes de transmission puis nous examinons brièvement dimensions transversales de la ligne, il devient nécessaire de
quelque structure particulière qui présente des propriétés considérer la solution complète des équations
remarquables. électromagnétiques pour analyser le comportement
électrique.
IV. CONSTANTES PRIMAIRES DES LIGNES DE
TRANSMISSION
Dans cette partie, seuls sont abordées les lignes de
transmission uniformes. On considère le cas d’une ligne,
parcourus par un courant haute fréquence, dont la longueur
d’onde n’est pas infiniment grande par rapport aux
dimensions du circuit. Dans ces conditions, le courant I est
une fonction de l’abscisse x du point considéré sur le fil et du
Fig.1. Diverse intégration des composants passifs temps t. on définira de même la tension e(x,t) comme la
technologies PCB différence de potentiel aux bornes de la ligne.
Indépendamment des considérations de structure, de telles
II. THEORIES DES LIGNES DE TRANSMISSION lignes (Fig.2) se caractérisent, par quatre constantes dites
Pour commencer, il est indispensable de rappeler la théorie primaires. Ces constantes, définies par unité de longueur, sont
des lignes de transmission en mode TEM. Ce mode se répertoriées ci-dessous :
caractérise par une absence de composante des champs dans
  Résistance série : Rdx (Ω/m) On écrira que la variation de charge est due au courant qui
 Inductance série : Ldx (H/m) rentre en x, diminué du courant qui sort en x+dx et du courant
e
 Conductance shunt : Gdx (mho/m) de fuite : I x  I x  dx  I f  dx  C  dx 
 Capacité shunt: Cdx (F/m)
t
I e
  G e  C  (3)
x t
Le système des deux équations (2) et (3) se résout à la
manière habituelle, c'est-à-dire que si l’on veut éliminer e, on
différencie (2) par rapport à t et (3) par rapport à x.
On obtient :
 2e I 2I
  R  L 2
xt t t
Fig.2 : Caractéristiques localisés de la ligne de transmission. 2I e  2e
  G   C 
Le coefficient L caractérise l’énergie stockée autour du fil x 2 x xt
sous forme magnétique, grâce au champ créé par le courant. Et en remarquant que e x peut se tirer de (2) :
La conductance est l’inverse de la résistance de fuite à
2 I I 2 I
travers l’isolant. Cette perte se faisant en parallèle, il est plus
LC    R  C  G  L    R  G  I  (4)
commode de considérer une conductance qu’une résistance. t 2 t x2
Si If est le courant de fuite de l’unité de longueur de fil.
Les deux termes L et C sont associés au stockage
Cette relation est appelée « équations des télégraphistes ».
d’énergie électromagnétique au point considéré. Cette énergie
Pour la plupart des lignes de transmission, aux fréquences
se transmet de proche en proche, en oscillant sans cesse entre
élevées, les impédances observables dépendent
la forme électrostatique et la forme magnétostatique, et c’est
essentiellement de L et C car les pertes de puissance par unité
ce phénomène qui constitue la propagation.
de longueur sont faibles.
Les deux termes R et G correspondent, au contraire, à une
dissipation d’énergie électrique sous forme de chaleur. Leur VI. IMPEDANCE CARACTERISTIQUE
rôle sera donc d’affaiblir l’onde dont l’amplitude devra ainsi L’impédance itérative est mise sous la forme suivante :
décroître. Dans la plupart des applications, on évitera autant
que possible ce phénomène en choisissant un fil bon R  j   L
conducteur (cuivre) et en utilisant un bon isolant. Dans ce cas Z0  (5)
R et G seront petits devant L et C. Lors du calcul de G  j   C
l’impédance série par unité de longueur, on doit tenir compte Cette expression tient en compte les pertes. Puisque aux
des deux conducteurs et déterminer celle-ci sur la base d’un fréquences élevées et pour des lignes à faibles
aller et retour. pertes R  G  0 , on trouve l’expression :
V. MISE EN EQUATIONS DE LA e L
PROPAGATION Z0  
I C
Considérons une section d’une ligne de transmission
La modification de Z0 implique soit des modifications des
d’abscisse comprise entre x et x+dx (Fig.2.b). La loi d’Ohm
dimensions de la ligne soit un changement d’isolant. Des
s’écrit :
changements de dimensions étant faciles à réaliser pour les
l lignes à bande, de telles structures peuvent être fabriquées
VA  VB  ex  ex  dx  R  dx  I  L  dx  (1)
t pour un grand choix d’impédances caractéristiques.
Connaissant Z0 et v, Où la constante v, appelée vélocité de
On remarque que l’accroissement de la tension est pris
1
entre deux points à un instant donné : l’onde, se définit par :  2 
e l L C
  RI  L (2)
t t L’inductance et la capacité réparties par unité de longueur
d’une ligne de transmission peuvent être exprimées par :
Pour une variation dans le temps dt , l’expression
q e Z0 1
q  C  e s’écrit comme suit :  dt  C  dx   dt L et C 
t t  Z 0 
 VII. IMPEDANCE D’ENTREE D’UNE LIGNE DE d’augmenter la valeur inductive de la ligne pour une longueur
TRANSMISSION donnée.
L’impédance réduite en un point x d’une ligne de IX. ETABLISSEMENT DU MODELE
transmission de longueur l chargée par une impédance ZL EQUIVALENT D’UNE INDUCTANCE
quelconque vaut ; en régime sinusoïdal : INTEGREE.
 
Z L'  i  tg    l  x   Dans la pratique une inductance pure n’existe pas, elle est
   toujours accompagnée d’éléments parasites, tels que
Z ' x  (6) capacités et résistances. L’obtention d’un modèle physique
  
1  i  Z L'  tg    l  x   localisé de grande précision passe par l’identification et la
  prise en compte de tous ces différents éléments parasites et de
leurs effets.
Pour x = 0, l’impédance d’entrée réduite d’une ligne de
transmission de longueur l (Fig.3), est donnée par
l’expression suivante:
Z L  j  Z 0  tan  l
Z in  Z 0  (7)
Z 0  j  Z L  tan  l

Où on a posé : 
 (a) (b)
Fig.4: Modèle d’un circuit équivalent en π d’une inductance
planaire présentée par Yue et Yong.
(a) Représentation spatiale d’une inductance intégrée sur le
substrat. (b) Effets parasites crées par une inductance sur le
substrat.
X. MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN Π
DE L’INDUCTANCE SUR FERRITE
Pour simplifier les calculs, un modèle compact appelé
Fig.3: Ligne de transmission avec une charge. modèle en  (Fig.5) est couramment utilisé pour ajuster les
mesures expérimentales des inductances sur ferrite.
VIII. Application de la théorie des lignes de
transmission sur une inductance.
Le départ d’un modèle décrivant électriquement le
comportement de l’inductance est nécessaire pour, d’une part
simuler la tension transmise par couplage magnétique afin
Y3
d’optimiser les dimensions de l’inductance, et d’autre part
extraire, à partir de la mesure de leurs paramètres S, les
caractéristiques des inductances réalisées. Une terminaison Y1 Y2
par une charge Zl par:
Z l  Z 0 . tan  l
Z in  Z 0 . (8)
Z 0  Z l . tan  l Fig.5: Modèle électrique équivalent en π de l’inductance
sur ferrite.
Où Z0 est l’impédance caractéristique et γ le facteur de
propagation pour une ligne de longueur l. Afin de pouvoir A partir d’un schéma électrique en π, on peut calculer les
considérer la ligne comme «électriquement courte», elle ne matrices d’impédance Z et d’admittance Y de la bobine 2-
doit présenter que des variations de phase négligeables. Sa ports. les réactances Y1, Y2 et Y3 de la figure(8), sont données
longueur doit par conséquent être plus courte d’au moins un par l’expression (14).
facteur 100 par rapport à la longueur d’onde correspondant à  1
la fréquence de travail. L’impédance d’entrée Zin est soit Y1  Y2   
 1 r1
 
résistive soit inductive en fonction du rapport entre la  j.C  1  r . j.C  
  ox 1 1  (9)
résistance R et l’inductance L par unité de longueur. 
L’impédance caractéristique Z0 de la ligne correspond à la Y3  j.C p  1
racine carrée du rapport entre l’inductance série et la capacité  j.l es  rs
parasite avec le substrat par unité de longueur. Maximiser Z0, Les Y Paramètres du schéma sont donnés comme suit :
c'est-à-dire minimiser la capacité parasite, permet
 La figure (8) montre l’influence de la fréquence sur le
 Y11 Y12   Y1  Y3  Y3 
     (10) facteur de qualité. On constate que le facteur de qualité
 Y21 Y22    Y3 Y2  Y3  augmente de façon linéaire avec la fréquence ; mais si on
prend en considération les pertes du substrat nous
Après développement: remarquons que plus la fréquence augmente plus le facteur de
qualité croît jusqu'à atteindre une valeur maximale à la
 Y1  Y11  Y21 fréquence d’utilisation optimale du composant puis il décroît

 Y2  Y22  Y12 (11) du fait de l’augmentation de la résistance avec la fréquence.
Y  Y  Y
 3 12 21 900
800
Ce modèle électrique associé à un fichier de paramètres S, 700

Faqteur de Qualité Q
simulés ou mesurés, permet d’estimer la valeur d’une 600
inductance et son facteur de qualité. En pratique, on convertit 500
les paramètres S en paramètres admittance Y grâce au modèle 400
équivalent en π du dipôle représenté sur la Figure (6). 300
200
100

0.5 1 1.5 2 2.5

Fréquence f (Hz) 6
x 10
Y11+Y12

Y12+Y22

Fig.8 : Variation du facteur de qualité en fonction de la

fréquence.

Lorsque la fréquence devient élevée, c’est-à-dire lorsque la

Fig.6 : Modèle équivalent en π d’un dipôle. longueur d’onde du signal devient du même ordre de
grandeur que celui des composants, il faut tenir compte des
XI. LE FACTEUR DE QUALITE ET NOTION DE phénomènes de propagation. Un modèle est alors décrit avec
PARAMETRES S des éléments distribués et on définit les variables comme des
La qualité d’une inductance est mesurée par son ondes incidentes et émergentes. Celles-ci sont reliées par les
coefficient de qualité Q qui est défini comme le rapport entre paramètres de dispersion ou encore paramètres S. La
l’énergie utile emmagasinée et l’énergie perdue pendant une conversion des Y-Paramètres en S-Paramètres est donnée
période: comme suit :

énergie emmaga sin ée  Y0  Y11 . Y0  Y22   Y12 .Y21

Q  2 .
énergie perdu dans une période
(12)  S11  Y

Pour définir le coefficient de qualité d’une inductance  S   2 .Y12 .Y0
intégrée sur ferrite, on applique la définition de l’équation  12 Y
 (14)
(16) au modèle simplifié de la figure (7), dont une des S    2 .Y21 .Y0
extrémités est connectée à la masse. Afin de simplifier les  21 Y
expressions littérales, Cox , Csub et Rsub sont substituées par Cp  Y  Y . Y  Y22   Y12 .Y21
 S 22  0 11 0
et Rp , qui deviennent dépendantes de la fréquence. On obtient  Y
l’expression suivante de Q:
Avec : Y  Y11  Y0 
. Y22  Y0   Y12 .Y21
L 
 Rs2 Cs  C p  
 
Rp
Q s . .1  2 .Ls . Cs  C p  Y0 : est la caractéristique admittance de la ligne.
Rs  L 2   Ls  (13)
Rp   s  1.Rs A ce stade, il devient aisé de convertir ces Y-paramètres en
 Rs  
  Z-paramètres. La conversion donnée comme suit :
 Y22
Z11  Y .Y  Y .Y
 11 22 12 21
  Y21
Z 21  Y .Y  Y .Y
 11 22 12 21
 (15)
Z   Y12
 12 Y11.Y22  Y12 .Y21

Fig.7: Modèle équivalent d’une inductance intégrée dont Z  Y11
une extrémité est à la masse. Cox, Csub et Rsub sont substitués  22 Y11.Y22  Y12 .Y21
par Cp et Rp
 Les figures (10) et (11) représentent respectivement les S-
|S11| = |S22|
|S11|=|S22|
paramètres en format réel-imaginaire module-phase. En
raison de la symétrie du modèle, nous avons S11 = S22. En 1 0
raison du théorème de réciprocité, nous avons également S12
= S21.
0.8 -0.2

/ S11
|S11|
Real(S11)
Re(S11=
)= Real(S22)
Re(S22) Imag(S11) = Imag(S22)
0.6 -0.4
0.4 0.4

Imag(S11)
Real(S11)

4
10 Fréquence 1
0.2 0.2 Frequency
|S12=|=|S
|S12| 21|
|S21|
0 0
4 4
0.4
10 Fréquence 10 0.4
Frequency Frequency

/ S12
|S12|
Real(S12)
Re(S12=
)=Real(S21)
Re(S21) 0.2Imag(S12) = Imag(S21) 0.2
1 0
0
Imag(S12)

0
Real(S12)

4
0.8 -0.2 10 Fréquence 1
Frequency
-0.4
0.6 Fig.11 : Représentation des S-paramètres dans le format
4 4
module
10 Fréquence 10
Frequency / 11 = / 22
Frequency
|S11| = |S22| S S11=S22
S
1 0
Fig.11 : Représentation des S-paramètres dans le format
réel
0.8 -0.2
/ S11
|S11|

2) Imag(S11)=
Imag(S11) = Imag(S22)
Imag(S22)
0.6 -0.4
0.4
Imag(S11)

4 4
10 10
0.2 Fréquence
Frequency Frequency
|S12| = |S21| / 12S ==S
/ 21
S 12 S22
0
4
10 0.4 Fréquence 0.4
Frequency
/ S12
|S12|

1) 0.2
Imag(S12)
Imag(S12=)=Imag(S21)
Imag(S21) 0.2
0
Imag(S12)

0 0
4 4
-0.2 10 10
Fréquence
Frequency Frequency
-0.4
Fig.11 : Représentation des S-paramètres dans le format -
4 phase
10 Fréquence
Frequency Les paramètres physiques, les paramètres géométriques
ainsi que les paramètres électriques sont introduits dans un
programme pour le calcul des paramètres S, Y et Z du
Fig.10: Représentation des S-paramètres dans le format dispositif.
imaginaire.
 XII. CONCLUSION
La conception d’une inductance intégrée nécessite de
prendre en compte nombreux paramètres et de faire des
compromis en fonction des conditions de fabrication et
d’utilisation. Le problème le plus délicat consiste à
déterminer la largeur du conducteur constituant la spirale
inductive et l’espace entre deux conducteurs adjacents. En
effet, l’optimisation du coefficient de qualité d’une structure
planaire nécessite à la fois des lignes peu espacées pour avoir
un couplage fort du champ magnétique, mais aussi un
conducteur large pour réduire les pertes ohmique. Cependant,
le rapport entre la résistance de perte série à une fréquence
donnée et la même résistance en continue augmente
beaucoup plus vite pour les spirales constitués de larges
conducteurs, du fait principalement de l’effet de peau. De
plus des spires très rapprochés vont augmenter la capacité
parasite de l’inductance. L’utilisation de la notion des
paramètres S devient maintenant une stratégie performante
pour l’obtention du modèle physique de l’inductance globale.
REFERENCES
[1] Chik Patrick Yue, «On-chip spiral inductors for Silicon-
based radio-frequency integrated circuits», PhD Thesis
partial fulfilment, Stanford University, 1998.
[2] Khaled LAOUAMRI, «Contribution à l’intégration des
composants passifs d’une alimentation à découpage»,
Thèse de doctorat, Institut National de Grenoble, France.
[3] Shwetabh VERMA, Jose M. CRU, «On-chip Inductors
and Transformers», Article SMLI TR-99-79.
[4] Linh NGUYEN TRAN, «Caractérisation et modélisation
d’interconnexions et d’inductances en technologie
BiCMOS. Application à l’amplification faible bruit»,
Université de Cergy-Pontoise, France.
[5] Ryan Lee BUNCH, «A fully monolithic 2.5GHz LC
voltage controlled oscillator in 0.35 µm CMOS
technology», Master’s thesis, Virginia Polytechnic
Institute and State University, Blacksburg, VA.
[6] Nam-Jin Oh, Sang-Gug Lee, «A simple model parameter
extraction methodology for an On-Chip spiral Inductor»,
ETRI Journal, Volume 28.
[7] Sunderarajan S. MOHAN, «The design, modeling and
optimization of on-chip inductor and transformer
circuits», PhD Thesis dissertation, Stanford University,
1999.

View publication stats